《大学物理 AI》作业 No.

12 自感、互感、麦克斯韦方程组

班级 ________ 学号 ________ 姓名 _________ 成绩 _______

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****************************本章教学要求****************************
1、必须掌握自感、互感的物理意义及自感系数、互感系数的计算方法步骤；
2、必须理解磁场能量、磁场能量密度的概念，并必须能计算典型磁场的磁场能；
3、必须理解位移电流假设的物理意义，并必须能计算简单情况下的位移电流；
4、必须掌握麦克斯韦方程组的积分形式，并必须理解方程组中各方程的物理意义。
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一、选择题：
（请将正确答案对应的字母填入各小题选择项(A)前面的【 】中）

1．面积为 S 和 2S 的两圆线圈 1、2 如图放置，通有相同的电流 I。线圈 1 的电流所产生的通过线圈 2 的磁

通量用 Φ21 表示，线圈 2 的电流所产生的通过线圈 1 的磁通量用 Φ12 表示，则 Φ21 和 Φ12 的大小关系为：
1
【 】 (A) Φ21 = Φ12 (B) Φ21 = Φ12 I
2 I
1 2
(C) Φ21 = 2Φ12 (D) Φ21 > Φ12
S
解：圆线圈 2 穿过圆线圈 1 的磁通量为： Φ12 = M 12 I 2 ， 2S
圆线圈 1 穿过圆线圈 2 的磁通量为： Φ21 = M 21 I 1

又因为互感系数 M 12 = M 21 ，题意电流强度 I1 = I 2 ，所以两线圈磁通量 Φ21 = Φ12 。 故选填：A

2．真空中一根无限长直细导线上通电流 I，则距导线垂直距离为 a 的空间某点处的磁能密度为

1 µ I 1 µ0 I
【 】 (A) µ 0( 0 )2 (B) ( )2
2 2πa 2µ 0 2πa

1 2πa 2 1 µ0 I
(C) ( ) (D) ( )2
2 µ0 I 2µ 0 2a

μ0 I
解：因通电流 I 无限长直细导线与距导线垂直距离为 a 的磁感应强度大小为： B = ，
2πa

1 1 μ I I 1 μ0 I 2
则该位置处磁能密度为： wma = BH = ⋅ 0 ⋅ = ( ) 故选填：B
2 2 2πa 2πa 2 μ 0 2πa


dD
3．电位移矢量的时间变化率 的单位是
dt
2
【 】 (A) 库仑／米 (B) 库仑／秒
2
(C) 安培／米 (D) 安培•米 2  
 
dD  2， dD 2
解： 因电位移矢量 D 单位是库仑／米 故位移电流密度矢量 的单位是安培／米 。 故选填：C
dt dt

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4．反映电磁场基本性质和规律的积分形式的麦克斯韦方程组为：


    ∂B 
(1) ∫S D ⋅ dS = ∫ ρ dV
V
0 (2) ∫ E ⋅ dl = − ∫
L S ∂t
⋅ dS


      ∂D 
(3) ∫S B ⋅ dS = 0 (4) ∫
L
H ⋅ dl = ∫
S
j0 ⋅ dS + ∫S ∂t ⋅ dS

试判断下列结论哪个是正确的
【 】 (A) (1)式说明电场是涡旋场 (B) (4)式说明磁感应线是无头无尾的
(C) (3)式说明磁场是非保守场 (D) (2)式说明变化的磁场一定伴随有感生电场
解：麦克斯韦假设之一：感生电场是由时变磁场激发可得(2)式。(1)式说明电场是有源场，(3)式说明磁场
是无源场，(4)式说明磁感应线是封闭的。 故选填：D

5．对位移电流，有下述四种说法，请指出哪一种说法是正确的。
【 】 (A) 位移电流是由变化电场产生的 (B) 位移电流是由变化磁场产生的
(C) 位移电流的热效应服从焦耳－楞次定律 (D) 位移电流的磁效应不服从安培环路定理

dΦ D ∂D 
解：由位移电流强度定义： I d =
dt
= ∫
s
∂t
⋅ ds 可得 A 对。 故选填：A


6．如图，平板电容器(忽略边缘效应)充电时，沿环路 L1 平板电容器的磁场强度 H 的环流与沿环路
 L2 的磁
 H
场强度 H 的环流两者，必有： L 1
       
【 】 (A) ∫L1H ⋅ d l > ∫L2H ⋅ d l (B) ∫L1H ⋅ dl = ∫L2H ⋅ d l
L2
     
(C) ∫ H ⋅ dl < ∫ H ⋅ d l (D) ∫ H ⋅ dl = 0
L1 L2 L1

    
解：由全电流安培环路定律 ∫ l
H ⋅ dl = ∫
S
(j c + j d ) ⋅ dS 可得因环路 L1 包围的面积不是平板电容器极板的

全部面积，故环路 L1 的磁场环量小于环路 L2 的磁场环量。 故选填：C

二、判断题：
（请用“T”和“F”表示正确和错误，并填入各小题前面的【 】中）

【 】1．自感电动势属于感生电动势，互感电动势属于动生电动势。
解：自感电动势、互感电动势都属于感生电动势错，只是产生原因不同。 故选填：F

【 】2．自感系数的大小正比于自感线圈中的电流大小。

Φm
解：虽然自感系数的大小 L = ，但因磁通量 Φm 中必有电流 I ，必可约去。 故选填：F
I

【 】3．传导电流与位移电流效果相同，都能产生磁场和热量。
解：传导电流由载流子在电场作用下定向运动产生，传导电流不仅有磁效应还有热效应；而位移电流只是

一种等效电流，它实际由时间变化的电场来决定，位移电流能产生磁场，但不能产生热量。故选填：F

【 】4．电容器和自感线圈都是一种储能元件，都能储存电场能。

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解：电容器储存的是电场能，自感线圈储存的是磁场能。 故选填：F

【 】5．麦克斯韦提出了两个具有创新性的物理概念，它们是感生（涡旋）电场和位移电流。
答：麦克斯韦的两假设。 故选填：T

【 】6．麦克斯韦预言了电磁波的存在，指出电磁波是纵波。
 
解：电磁波的 E 、 B 分量均垂直于传播方向，是横波。 故选填：F

三、填空题：
（请用符号 ；将各小题的各正确答案分隔）
1．对于一个自感系数为 L，通以电流 I 的线圈来说，其存储的自感磁能为 ；数学表达式
1
w= BH 代表单位体积的磁场能量，称为 。
2
1 2
解：由磁能和磁能密度的定义可填。 故填： Wml = LI ；磁能密度
2

2．一自感线圈中，电流强度在 0.002 s 内均匀地由 10 A 增加到 12 A，此过程中线圈内自感电动势为 400 V，

则线圈的自感系数为 L = H。

 dI 
解： 由自感电动势的计算式 ε L = − L  得线圈的自感系数为：
 dt 

 dI   12 − 10 
L = −ε L ÷   = −(− 400 ) ÷   = 0.4（H） 故填：0.4
 dt   0.002 

3．半径为 R 的无限长圆柱形导体上均匀流有电流 I，该导体材料的相对磁导率 µr =1，则在导体轴线上一

点的磁场能量密度为 Wmo = ，在与导体轴线相距 r 处(r <R)的磁场能量密度 Wmr = 。

解：通过磁场叠加原理可以求出无限长圆柱形导体轴线上任一点的磁感应强度 B＝0，所以磁场能量密度为：
1
wmo = BH = 0
2
µ 0 Ir
通过安培环路定理可以求出与导体轴线相距 r 处( r <R)的磁感应强度大小为： B = ，
2πR 2
1 1 µ Ir 1 µ I 2r 2
则该位置处磁场能量密度为： wmr = BH = ⋅ ( 0 2 ) 2 ⋅ = 0
2 2 2πR µ0 µr 8π 2 R 4

μ0 I 2 r 2
故填：0；
8π 2 R 4

4．半径为 r 的两块圆板组成的平行板电容器充了电，在放电时两板间的电场强度的大小为 E = E0e-t/RC，式

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中 E0、R、C 均为常数，则两极板间的位移电流的大小为 ，其方向与场强方向 。

d   d ε E e − t RC ⋅ πr 2
解：由位移电流强度定义有： I d =
dt ∫
s
D ⋅ ds = （ ε 0 E 0 e − t RC ⋅ πr 2） = − 0 0
dt RC
，

式中负号表明其方向与电场方向相反。或因电场随时间减少，电容器是放电过程，板间位移电流方向与板

ε 0 E 0 e − t RC ⋅ πr 2
外传导电流方向相同，与板间电场方向相反 故填： ；相反
RC

5．两根很长的平行直导线，其间距离为 a，与电源组成闭合回路如图。已知导线上的电流强
I

度为 I，在保持 I 不变的情况下，若将导线间距离增大，则两导线间的总磁能将 。
I
（选填：增大、减小、不变） a

解：两导线间距离 a 增大，则两导线围成的曲面磁通量 Φ 增大，闭合回路的自感系数 L 增大，总磁能

1 2
Wm = LI 也增大。 故填：增大
2

 
6．图示为一圆柱体的横截面，圆柱体内有一均匀电场 E ，其方向垂直纸面向内， E 的大小随时间 t 线性

增加，P 为柱体内与轴线相距为 r 的一点，若 OP 水平向右，则


E
× × 
O ⊗
P jd
(1) P 点的位移电流密度的方向为 ； × ×

H
(2) P 点的感生磁场的方向为 。


  ∂D
（1）因电场强度矢量 E 垂直纸面向内，其大小随 t 线性增加，所以由位移电流密度矢量定义 j d =
解：
∂t
 
知 P 点的位移电流密度矢量方向为：垂直纸面向内（ ∂D 方向与 D 方向相同）
，如图所示；
     
（2）由全电流安培环路定律 ∫ l
H ⋅ dl = ∫
S
(j c + j d ) ⋅ dS 知，所以 P 点的位移电流激发的感生磁场 H 的

方向垂直 OP 连线向下，如图所示。 故填：垂直纸面向内；垂直 OP 连线向下

四、计算题：

1．一无限长直导线通以电流 I = I 0 sin ω t ，和直导线在同一平面内有一矩形线框，其短边与直导线平行，

线框的尺寸及位置如图所示，且 b = 3 。求： I = I 0 sin ω t
c
（1）直导线和线框的互感系数；
a
（2）线框中的互感电动势。
c b
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（要求：图中画出所用坐标系和相应微元）
解：因无限长直导线电流磁场在空间上具有轴对称性非均匀分布，故
(1) 建立坐标系如图所示，设无限长直导线电流 I，

μ0 I
其产生的磁感应强度大小 为： ，方向如所示，
2πx
再设矩形线框回路为顺时针绕行方向，则矩形线框回路包围的曲面垂直于纸面向里为正，则通过矩形
线框的磁通量为：

  b μ0 I 0 μ0 I
Φ = ∫ B ⋅ dS = ∫ 2πx cos0 adx + ∫
0 −c 2πx
cosπ adx

µ0 Ib µ Ia b µ Ia I = I 0 sin ω t
=∫ adx = 0 ln = 0 ln 3   
c 2πx 2π c 2π B⊗
B• xdS ⊗ a
绕行方向
Φ µ0a
故直导线和线框的互感系数为： M = = ln 3 c b
I 2π O
dx x
(2) 直导线通电流 I = I 0 sin ωt ，则线框内产生的互感电动势为：

dI µ aI ω ln 3
εi = −M =− 0 0 cos ω t
dt 2π
ε i >0，与绕行方向相同，即为顺时针方向。

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2．由半径为 R1 和 R2 的两个薄圆筒形导体组成的电缆，在两圆筒中间填充磁导率为 µ 的均匀磁介质。电

缆内层导体通有电流 I，外层导体作为电流返回路径，如图所示。求长度为 l 的一段电缆内储存的磁场能量。

（要求：图中画出所用坐标系和相应微元）
解：因两个薄圆筒形导体组成的电缆可视为“无限长”，两个薄圆筒形导体间的磁场分布具有轴对称性，
故在两个薄圆筒形导体间作半径为 r 的同轴圆环为安培环路，圆环上磁场大小相等，方向为切向方向，
 
由有磁介质安培环路定理 ∫ H ⋅ dl = ∑ I 得：
L R2
2π rH = I ( R1 < r < R2 )
I l
磁场强度大小为： H= I I
2π r
µI
磁感应强度大小为： B = µH = R1
2π r
B2 1 µI 2
磁能密度为： wm = = ( )
2 µ 2 µ 2π r
作半径为 r，厚度为 dr，高度为 hr 薄圆筒体积元，其内是均匀磁场， R2
其体积为： dV = 2π rdrl
长度为 l 的一段电缆内储存的磁场能量为： r l
R2 1 µI 2 I IL
Wm = ∫ wm dV = ∫ ( ) ⋅2π rdr l
R1 2 µ 2πr
µI 2l R2 R1
= ln
4π R1

dE
3．圆形平行板电容器，半径 R =0.1m ，匀速充电，电容器两板间电场的变化率为 =1× 1013 V/ ( m ⋅ s ) ，
dt
求：
（1）两极板间位移电流；

（2）电容器内离两板中心连线 r ( r < R ) 处的磁感应强度 Br 和 r = R 处的磁感应强度 BR 的大小。

（答案保留 3 位有效数） E
解：（1）由位移电流强度的定义有：
dφd dD dE
两极板间位移电流强度为：= Id = S = π R 2ε 0 = 2.8A r
dt dt dt R

    ∂D 
（2）由全电流安培环路定理 ∫ H ⋅ dl = ∫ j0 ⋅ dS + ∫S ∂t ⋅ dS 有：
L S

电容器内离两板中心连线 r ( r < R ) 处的环上磁场强度满足：


∂E  dE
H 2πr = ε 0 ∫ ⋅ dS = ε 0 πr 2
S ∂t dt

ε 0 r dE
磁场强度大小为： Hr =
2 dt

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 ε 0 µ 0 r dE
磁感应强度大小为： Br =
2 dt
则当 r = R 时，磁感应强度大小为：

ε 0 µ 0 R dE 8.85 × 10 -12 × 4π × 10 -7 × 0.1

BR = = × 1 × 1013
2 dt 2
≈ 5.56 × 10 - 6 (T)

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