光刻

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微影製程（英語：photolithography）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝
光和显影在光阻层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底
上。这里所说的衬底不仅包含矽晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝
石。
概述
下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。
首先，通过金属化过程，在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的
金属层。然后在这层金属上覆上一层光阻。这层光阻剂在曝
光（一般是紫外线波长的准分子激光）后可以被特定溶液
（显影液）溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光阻上，
可以对光阻进行选择性照射（曝光）。然后使用前面提到的
显影液，溶解掉被照射的区域，这样，光掩模上的图形就呈
现在光阻上。通常还将通过烘干措施，改善剩余部分光阻的
一些性质。
上述步骤完成后，就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注
入过程，未被溶解的光阻将保护衬底在这些过程中不被改
变。
刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的最后一步，即将光阻 在硅晶片上涂光阻剂的甩胶机
去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常，半导
体器件制造整个过程中，会进行很多次光刻流程。生产复杂
集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻，而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
光阻
微影製程中采用的感光物质被称为光阻，主要分为正光阻和负光阻两种。正光阻未被光照的部分
在显影後会被保留，而负光阻胶被感光的部分在显影後会被保留。光阻不仅需要对指定的光照敏
感，还需要在之后的金属刻蚀等过程中保持性质稳定。不同的光阻一般具有不同的感光性质，有
些对所有紫外线光谱感光，有些只对特定的光谱感光，也有些对X射线或者对电子束感光。光阻
需要保存在特殊的遮光器皿中。
步驟
衬底的准备
在涂抹光阻之前，硅衬底一般需要进行预处理。一般情况下，衬底表面上的水分需要蒸发掉，这
一步通过脱水烘焙来完成。此外，为了提高光阻在衬底表面的附着能力，还会在衬底表面涂抹化
合物。目前应用的比较多的是六甲基乙硅氮烷（hexa-methyl-disilazane, HMDS）、三甲基甲硅烷
基二乙胺（tri-methyl-silyl-diethyl-amime, TMSDEA）等。
光阻的涂抹
在这一步中，需要将光阻均匀、平整地分布在衬底表面上。
首先，将硅片放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连。由于大气压力的作用，
硅片可以被“吸附”在托盘上，这样硅片就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般分为三个步骤：
1. 将光阻溶液喷洒在硅片表面；
2. 加速旋转托盘（硅片），直到达到所需的旋转速度；
3. 达到所需的旋转速度之后，以这一速度保持一段时间。以旋转的托盘为参考系，光阻在随之
旋转受到离心力，使得光阻向着硅片外围移动，故涂胶也可以被称作甩胶。经过甩胶之后，
留在硅片表面的光阻不足原有的1％。
软烘干
完成光阻的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。
在液态的光阻中，溶剂成分占65％－85％。虽然在甩胶之后，液态的光阻已经成为固态的薄膜，
但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光阻中挥
发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻
因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光阻 衬底上的附着性。
在前烘过程中，由于溶剂挥发，光阻厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。
曝光
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光阻进行选择性地照射。光阻中的感光剂会发生
光化学反应，从而使正光阻被照射区域（感光区域）、负光阻未被照射的区域（非感光区）化学
成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后，正性光阻中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并
羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光阻高出约100
倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光阻对碱性溶剂的不同溶解
度，就可以进行掩膜图形的转移。
显影
通过在曝光过程结束后加入显影液，正光阻的感光区、负光阻的非感光区，会溶解于显影液中。
这一步完成后，光阻层中的图形就可以显现出来。为了提高分辨率，几乎每一种光阻都有专门的
显影液，以保证高品質的显影效果。
硬烘干
光阻显影完成后，图形就基本确定，不过还需要使光阻的性质更为稳定。硬烘干可以达到这个目
的，这一步骤也被称为坚膜。在这过程中，利用高温处理，可以除去光阻中剩余的溶剂、增强光
阻对硅片表面的附着力，同时提高光阻在随后刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性能力。另外，高温
下光阻将软化，形成类似玻璃体在高温下的熔融状态。这会使光阻表面在表面张力作用下圆滑
化，并使光阻层中的缺陷（如针孔）减少，这样修正光阻图形的边缘轮廓。
刻蚀或离子注入
光阻的去除
这一步骤简称去胶。刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光阻作保护层，可以将其除去。去胶的
方法分类如下：
湿法去胶
有机溶剂去胶：利用有机溶剂除去光阻
无机溶剂：通过使用一些无机溶剂，将光阻这种有机物中的碳元素氧化为二氧化碳，进而
而将其除去
干法去胶：利用等离子体将光阻剥除
除了这些主要的工艺以外，还经常采用一些輔助过程，比如进行大面积的均匀腐蚀来减小衬底的
厚度，或者去除边缘不均匀的过程等等。一般在生产半导体芯片或者其它元件时，一个衬底需要
多次重复光刻。
曝光系統
超大规模積體電路（VLSI）是曝光使用投影系統。曝光機可以應用於積體電路產業鏈中晶圓製
造、封裝測試，以及平板顯示、高亮度LED等領域。
优点和缺点
光刻的优点是它可以精确地控制形成图形的形状、大小，此外它可以同时在整个晶片表面产生外
形轮廓。不过，其主要缺点在于它必须在平面上使用，在不平的表面上它的效果要差一些。此外
它还要求衬底具有极高的清洁条件。
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