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————陶瓷钎焊
主讲:杨建国
先进焊接与连接国家重点实验室
哈尔滨工业大学
感谢哈工大闫久春教授提供的部分讲稿
陶瓷钎焊的基本问题
1、陶瓷与金属钎料难润湿
熔点:陶瓷~2000℃;金属~1600℃
陶瓷σsg < 金属σsg, σsg < σsl
2、陶瓷与金属的物理化学性质差异大
陶瓷CTE ~2;金属CTE 13~24
陶瓷钎焊的研究主要集中在以下几方面:
(1) 活性钎料
(2) 特殊钎料
(3) 表面金属化处理
Ti活性钎料钎焊
(1)常用的是AgCuTi,其他的还有CuTi、CuSnTi、TiSi等
(2)依靠活性元素与陶瓷之间的反应形成润湿结合
(3)要真空或保护气氛下高温(900℃以上)完成。
常用陶瓷主要有氮化物、碳化物、氧化物陶瓷,活性元素与它们之间
的反应也不一样,下面列举的三种陶瓷与活性元素Ti反应的界面
Si3N4陶瓷
活性元素Ti与Si3N4反应生成TiN和Ti5Si3
SiC陶瓷
Ti+SiC=TiC+Ti5Si3
AgCuTi
Al2O3陶瓷
Al2O3
Ti与Al2O3反应生成两个反应层:
第一层为Ti的氧化物TixOy,
第二层为TiCuO的三元氧化物。
R. Voytovych Acta Materialia 2006
其他活性钎料
Cr活性钎料钎焊
含有活性元素Cr的Cu基或CuNi基钎料,1150℃真空
接触角---Cr含量(CuCr钎料,1150℃) 界面(钎料,反应层)
Cr+SiC→Cr3C2+Si,
反应层:Cr3C2,Cu和C混合物。
Si3N4+Cr→CrN+Si
Zr+Al2O3→ZrO2+Al,反应层主要由ZrO2和一些Ag Cu的小颗粒
纯Ni钎料 Ni-40at.%Si钎料
SiC分解会形成C和Si,Si溶解进入Ni合金内,而C元素会在
界面处富集。Si 的加入能够使润湿角减小至21.5°。但是
Si加入的过量反而会使接触角升高
Rado Acta Mater 1999
SiC陶瓷 FeSi钎料 1360℃ 真空 特殊钎料钎焊
纯Fe钎料 Fe-66at.%Si钎料
与Ni合金类似,不同的是C元素并不聚集在界面处,Si的加入降低接触角至40°左右
Kalogeropoulou Acta Mater 1995
许多纯金属中加入Si元素可
以显著改善对SiC润湿性。
Eustathopoulos.,Wettability at
high temperature Pergamon 1999
M-Si合金在SiC上的接触角
表面金属化钎焊
陶瓷表面预金属化处理---主要是指采用蒸镀等办法在陶瓷表面形成一层金
属薄膜,然后把陶瓷与金属的润湿问题转化为金属与金属的润湿。
SiC陶瓷表面镀Cu处理,800℃氩气保护,纯Al钎料
Al
SiC
a) SiC表面无处理 b) SiC表面镀Cu处理
SiC表面镀Cu不仅改善纯Al钎料对SiC的润湿,还可以抑制界面Al4C3的形成。
C.A. Leon, Journal of Materials Science 2006
表面金属化钎焊
Al
Al
Al2O3 Al2O3
a) Al2O3表面无处理 b) Al2O3表面镀Ni处理
采用离子注入的办法可以改善陶瓷表面的状态,例如在Al2O3陶瓷里注入Ti
或Ni元素,可使得陶瓷表面呈现出金属性,另外使陶瓷表面缺陷增多,提
高表面能,从而促进润湿。
BR Zhao, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2005
SiC陶瓷超声波辅助钎焊
利用超声波在液体中的空化和声流效应,促进液体钎料的铺展润湿,完成界面的结合。
纯Al SiC Al
700℃ 大气
纯Al/SiC界面
Al4C3
Al+SiC→Al4C3+Si Al4C3是一种硬脆的亲水性化合物,其存在与界面处严重影响接头
性能。在Al中加入一定量的Si元素能够抑制此反应的发生,并且Si元素会在界面处偏
聚。所需Si的含量与温度有关,在700℃时加入7wt.%Si就能够抑制Al4C3的生成。
SiC陶瓷超声波辅助钎焊
AlMg钎料 700℃ 大气
Al4C3
Mg2Si
AlMg/SiC界面一 AlMg/SiC界面二
AlMg钎料中的Mg是一种表面活性元素。Mg元素会在AlMg/SiC的界面处偏聚,但是即使
Mg的含量达到15%左右,它不能够抑制Al4C3的生成,而且由于冷却速度缓慢,在局部的
界面处生长出较大的Mg2Si相,Si来自于SiC的分解。
根据铝基复合材料制备过程中,SiC颗粒预氧化处理,SiO2可以与Al、Mg发生如下反应:
SiO2+Al+Mg→MgAl2O4+Si 通过此反应层来阻止界面处Al4C3的生成。
SiC-1100℃大气中氧化4h,AlMg钎料 700℃ 大气
SiC AlMg AlMg SiC
MgAl2O4
Al4C3
AlMg/SiC界面一 AlMg/SiC界面二
SiC表面生成的SiO2可抑制界面处生成Al4C3,出现的两种界面,界面一比较平直,通过分
析发现,界面处的Mg O元素含量较高,可能存在微小的MgO层。界面二出现了反应物
MgAl2O4尖晶石和Si,个别区域存在Al4C3。SiO2层厚度和钎料中Mg含量对界面状态影响
很大。
SiC陶瓷超声波辅助钎焊
AlCu钎料 700℃ 大气
SiC AlCu SiC AlCu
Al2Cu
Al4C3
Al4C3
Al2Cu
αAl
AlCu/SiC界面一 AlCu/SiC界面二
与纯Al钎料采用相同的工艺,从界面处发现Al4C3呈断续状,并有所减少。AlCu钎料中存
在着两相Al2Cu相和αAl,界面处的Al2Cu相对抑制Al4C3的作用很明显。但是即使Cu的含
量增加到40wt.%,界面处仍会生成Al4C3,Cu元素不会再界面处偏聚。
SiC陶瓷超声波辅助钎焊
利用超声波在液体中的空化和声流效应,促进液体钎料的铺展润湿,完成界面的结合。
AlSi/SiC界面
在Al中加入一定量的Si元素能够抑制此反应的发生,并且Si元
素会在界面处偏聚。所需Si的含量与温度有关,在700℃时加入
7wt.%Si就能够抑制Al4C3的生成。
SiC陶瓷超声波辅助钎焊
钎料 :20%SiCp/A356复合材料
钎焊温度:700℃ 大气
SiC/A356/SiC接头 SiC/(20%SiCp/A356)/SiC 接头
A356铝合金为Al7wt.%Si,抑制了界面处Al4C3的生成。采用20%SiCp/A356复合材
料作为钎料,从宏观接头上看,由于缓慢冷却时A356铝合金的晶粒长大,造成颗粒的微
观偏聚,但不严重。接头的抗剪强度能够达到140MPa。
SiC陶瓷超声波辅助钎焊
钎料 SiC 钎料 SiC
钎料内的SiC颗粒
超声波的声流效应,对液态的20%SiCp/A356复合钎料进行了充分的搅拌作
用,因此界面处不会存在SiC颗粒与SiC板之间的空隙。