第 ４２ 卷 第 ６ 期 电 子 器 件 Ｖｏｌ􀆰 ４２ Ｎｏ􀆰 ６

２０１９ 年 １２ 月 Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｄｅｃ. ２０１９

Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ ＤｅｓｉｇｎꎬＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ｏｆ

Ｎｏｖｅｌ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ∗

ＷＡＮＧ Ｙｉｎ １ꎬ２ꎬ３ ꎬＺＨＡＮＧ Ｊｉａｈｏｎｇ １ꎬ２ꎬ３∗ ꎬＬＩ Ｍｉｎ ２ꎬ３ ꎬＣＨＥＮ Ｈｕ ３ ꎬＭＡＯ Ｘｉａｏｌｉ ２ꎬ３
(１.Ｊｉａｎｇｓｕ Ｃｏｌｌａｂｏｒａｔｉｖｅ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ ｏｎ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ ａｎｄ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＮａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＮａｎｊｉｎｇ ２１００４４ꎬＣｈｉｎａꎻ２.Ｊｉａｎｇｓｕ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｍｅｔｅｏｒｏｌｏｇｉｃａｌ Ｏｂｓｅｒｖａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇꎬ
Ｎａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＮａｎｊｉｎｇ ２１００４４ꎬＣｈｉｎａꎻ３.Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｎｄ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ
ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＮａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＮａｎｊｉｎｇ ２１００４４ꎬＣｈｉｎａ)

Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｂａｌａｎｃｅ ｈｉｇｈ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ ｌｏｗ ｎｏｎｌｉｎｅａｒｉｔｙ ｅｒｒｏｒꎬａ ｎｏｖｅｌ ＭＥＭＳ ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｐｒｅｓｓｕｒｅ
ｓｅｎｓｏｒ ｗｉｔｈ ａ ｒａｎｇｅ ｏｆ １０５ ｋＰａ ｗａｓ ｄｅｓｉｇｎｅｄ ａｎｄ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ. Ｔｈｉｓ ｓｅｎｓｏｒ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓ ｃｏｎｖｅｘ ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ
ａｎｄ Ｌ￣ｓｈａｐｅｄ ｐｅｎｉｎｓｕｌａ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｂｙ ｐａｒｔｉａｌｌｙ ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｈｅ ＳＯＩ ｓｉｌｉｃｏｎ ｆｉｌｍ. Ｆｉｒｓｔｌｙꎬｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｎｓｏｒ
ｗｅｒｅ ａｎａｌｙｚｅｄ ｂｙ ＡＮＳＹＳ ｆｉｎｉｔｅ ｅｌｅｍｅｎｔ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎꎬａｎｄ ｔｈｅ ｓｅｎｓｏｒ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｗｅｒｅ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ. Ｔｈｅｎ ｔｈｅ ｐｒｅｓｓｕｒｅ
ｓｅｎｓｏｒ ｃｈｉｐ ｗａｓ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ ＭＥＭＳ ｐｒｏｃｅｓｓꎬａｎｄ ｎｅｘｔ ｗａｓ ｐａｃｋａｇｅｄ ａｎｄ ｔｅｓｔｅｄ. Ｔｈｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ
ｔｈｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ＭＥＭＳ ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｏｒ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｓ ０.０５６ ｍＶ / ( Ｖ􀅰ｋＰａ)ꎬａｎｄ
ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｅｒｒｏｒ ｉｓ ±１.１２％. Ｆｉｎａｌｌｙꎬｔｈｅ ｓｅｎｓｏｒ ｉｓ ｎｏｎｌｉｎｅａｒｌｙ ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ ａｎｄ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ ｅｒｒｏｒ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｌｅａｓｔ
ｓｑｕａｒｅｓ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ. Ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ＭＥＭＳ ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｏｒ ｈａｓ ａｎ
ｏｖｅｒａｌｌ ｅｒｒｏｒ ｏｆ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ±０.２４％ ＦＳ.
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ:ＭＥＭＳ ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｏｒꎻｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙꎻｆｉｎｉｔｅ ｅｌｅｍｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓꎻｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎꎻｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ
ＥＥＡＣＣ:７２３０ꎻ７３２０Ｖ ｄｏｉ:１０.３９６９ / ｊ.ｉｓｓｎ.１００５ － ９４９０.２０１９.０６.００５

新型硅压阻式压力传感器的设计、
制作与性能补偿研究 ∗
王 银１ꎬ２ꎬ３ ꎬ张加宏１ꎬ２ꎬ３∗ ꎬ李 敏２ꎬ３ ꎬ陈 虎３ ꎬ冒晓莉２ꎬ３
(１.南京信息工程大学ꎬ江苏省大气环境与装备技术协同创新中心ꎬ南京 ２１００４４ꎻ２.南京信息工程大学ꎬ江苏省气象探测
与信息处理重点实验室ꎬ南京 ２１００４４ꎻ３.南京信息工程大学电子与信息工程学院ꎬ南京 ２１００４４)

摘 要:为兼顾高灵敏度与低非线性误差ꎬ针对性地设计和研究了一种量程为 １０５ ｋＰａ 的新型 ＭＥＭＳ 硅压阻式压力传感器ꎬ

该传感器通过部分刻蚀 ＳＯＩ 硅膜引入了凸起的压敏电阻和 Ｌ 形半岛结构ꎮ 首先利用 ＡＮＳＹＳ 有限元模拟仿真分析了传感器的
特性、确定了其参数ꎬ然后通过 ＭＥＭＳ 工艺制作了压力传感器芯片并对其进行了封装与测试ꎮ 实验结果表明ꎬ常温下 ＭＥＭＳ
硅压阻式压力传感器的灵敏度为 ０.０５６ ｍＶ / ( Ｖ􀅰ｋＰａ) ꎬ非线性误差为±１.１２％ꎮ 最后采用最小二乘函数校正法对传感器进行了
非线性校正和迟滞误差补偿ꎬ性能补偿后 ＭＥＭＳ 硅压阻式压力传感器在全量程范围内的整体误差小于±０.２４％ＦＳꎮ
关键词:ＭＥＭＳ 压阻式压力传感器ꎻ灵敏度ꎻ有限元分析ꎻ非线性校正ꎻ迟滞误差补偿
中图分类号:ＴＰ２１２ꎻＴＮ９１１.７ 文献标识码:Ａ 文章编号:１００５ － ９４９０(２０１９)０６ － １３７１ － ０７

自 从 １９５４ 年 Ｓｍｉｔｈ 提 出 体 硅 的 压 阻 效 应 以 子、汽车 工 业、 生 物 医 疗、 气 象 和 航 空 航 天 等 领

来 [１]
ꎬ硅基 ＭＥＭＳ 压阻式压力传感器因其具备体积 域 [２－５] ꎮ 尽管如此ꎬ压阻式传感器也一直存在温漂
小、成本低、性能好的优势而被广泛应用于消费电 和年漂、非线性和迟滞误差等问题 [６－９] ꎮ 为改善压

项目来源:国家自然科学基金项目(６１３０６１３８ꎬ４１６０５１２０) ꎻ江苏高校品牌专业建设工程项目( ＴＡＰＰ) ꎻ江苏省高等学校大学生

实践创新训练计划项目(２０１７１０３０００２１Ｚ)
收稿日期:２０１８－１２－２０ 修改日期:２０１９－０２－１４
 １３７２ 电 子 器 件 第 ４２ 卷

阻式压力传感器的综合性能ꎬ可兼顾高灵敏度与低 ４ 个凸起的 Ｌ 形半岛结构ꎬ它们分别位于敏感膜片

非线性ꎬ提高测量精度和稳定性ꎬ目前人们已开展了 的 ４ 个对角处ꎮ 从图 １ 中可以看出ꎬ每个凸起的 Ｕ
许多相 关 研 究 [１０－１６]
ꎮ 例 如ꎬ 在 传 感 器 结 构 设 计 方 型压敏电阻均位于两个 Ｌ 形半岛结构之间ꎬ而 ４ 个
面ꎬＴｒａｎ 等人 [１０]
提出了一种新型的基于横梁膜结构 Ｕ 型压敏电阻连接成惠斯通电桥ꎬ最终将承受的外
的压阻式压力传感器ꎬ有效地改善了传统传感器线 加压力信号转化为电压值输出ꎮ
[１１]
性度和灵敏度低的问题ꎮ 李旺旺等人 优化设计 在压阻式压力传感器中ꎬ膜片厚度与传感器性能
了 ＳＯＩ 压阻式压力传感器的敏感结构ꎬ发现优化的 有直接关系ꎬ膜片太厚会导致传感器灵敏度偏低ꎬ降
传感器可以达到较好的灵敏度和线性度ꎮ 在传感器 低了分辨率ꎬ膜片过薄则会使得传感器的非线性变
信号处理方面ꎬＺｈａｎｇ 等人 [１２]
对 ＭＥＭＳ 压阻式压力 大、抗过载能力变弱[１７－１８] ꎮ 因而通常情况下传感器
传感器阵列的温漂和非线性进行了基于神经网络的 的膜片厚度为 １０ μｍ ~ ５０ μｍꎮ 根据工作量程范围和
数据融合补偿研究ꎮ 蒋红娜等人则提出了利用 Ｔ － Ｓ 灵敏度等设计指标ꎬ同时考虑到加工工艺水平ꎬ本文
模糊模型对压阻式传感器进行迟滞误差修正 [１３]
ꎬ该 选取膜片厚度 ｈ 为 ２０ μｍꎮ 在 ０ ~ １０５ ｋＰａ 满量程范
方法虽然效果明显ꎬ但其复杂的原理使它在工程应 围内ꎬ传感器膜片边长 ａ 和厚度 ｈ 需满足下式[１７] :
１
用中受到限制ꎮ 林大鹏等人 [１４] 利用函数校正法对 ０.０１５ ×(１ －σ ２ ) Ｐ ４
ｈ≥ { } ×ａ (１)
压力传感器的迟滞误差进行了有效补偿ꎬ该方法实 ０.３Ｅ
现简单ꎬ具有很强的实用性ꎮ 式中:硅的弹性模量 Ｅ ＝ １７０ ＧＰａꎬ泊松比 σ ＝ ０.２７８ꎬ
受到上述工作的启发ꎬ为兼顾高灵敏度、低非线 满量程压力 Ｐ ＝ １０５ ｋＰａꎮ 根据式(１) 计算可得弹性
性和高精度ꎬ本文研制了一种带有非线性误差与迟 方形敏感膜片的长度 ａ≤１ ４３９ μｍꎬ本文选取膜片
滞误差校正功能的新型 ＭＥＭＳ 压阻式压力传感器ꎮ 边长为 １ ４００ μｍꎮ
采用 ＳＯＩ 硅片制作传感器芯片ꎬ通过部分刻蚀 ＳＯＩ 为获得厚度为 ２０ μｍ 的弹性膜片ꎬ采用 ＭＥＭＳ
硅膜引入了凸起的压敏电阻和 Ｌ 形半岛结构ꎬ不仅 湿法腐蚀工艺对底层硅进行腐蚀ꎬ其中硅杯结构尺
保证了传感器具有较高的灵敏度ꎬ同时也减小了它 寸如图 ２ 所示ꎮ 图中 Ｈ ＝ ６５０ μｍ 是 ＳＯＩ 硅片底层硅
的非线性误差ꎮ 进一步利用最小二乘函数校正法对 的厚度ꎮ 由图可知 Ｃ 形硅杯窗口大小 ｂ 的计算公式
传感器输出信号进行非线性和迟滞误差补偿ꎬ显著 如下:
提高了压力传感器的测量精度ꎮ 本文的研究结果对 １
Ｈ －ｈ ＝
( ｂ －ａ) ｔａｎθ (２)
于 ＭＥＭＳ 压阻式压力传感器的非线性误差校正与 ２
迟滞误差补偿研究具有一定的参考价值ꎮ 由于湿法腐蚀角度 θ ＝ ５４.７４°ꎬ根据式(２) 计算
得出 硅 杯 窗 口 大 小 为 ２ ２９１ μｍꎬ 因 此 本 文 选 取
１ ＭＥＭＳ 传感器结构设计与模拟仿真 ＭＥＭＳ 压阻式压力传感器芯片的长宽尺寸为 ３ ０００
１.１ 新型压阻式传感器结构设计 μｍ × ３ ０００ μｍꎮ
图 １ 给出了本文提出的新型 ＭＥＭＳ 压阻式压
力传感器的结构示意图ꎮ 一方面ꎬ为提高传感器的
灵敏度ꎬ采用 ＳＯＩ 硅片制作了凸起的传感器压敏电
阻结构ꎮ 另一方面ꎬ为了提高传感器的线性度ꎬ引入

图２ Ｃ 型硅杯结构的尺寸示意图

１.２ 有限元建模与仿真
为验证理论分析的合理性ꎬ利用 ＡＮＳＹＳ 有限元
分析软件对设计的新型 ＭＥＭＳ 压阻式压力传感器
进行建模与仿真分析ꎬ从而最终确定传感器的尺寸
参数ꎮ 在本文中 Ｌ 形半岛结构为大长方体沿着某
图１ 新型 ＭＥＭＳ 硅压阻式压力传感器的结构示意图 一角落截去小长方体而形成ꎮ 每个 Ｕ 型压敏电阻
 第６期 王 银ꎬ张加宏等:新型硅压阻式压力传感器的设计、制作与性能补偿研究 １３７３

由两个电阻条与一个转接电阻组成ꎬ压敏电阻上覆 片ꎬ通过部分刻蚀 ＳＯＩ 硅膜引入了凸起的压敏电阻

盖了一层保护层ꎬ其结构形状与压敏电阻相同ꎮ Ｃ 和 Ｌ 形半岛结构ꎬ不仅能保证传感器具有较高灵敏
型硅杯由底层硅剔除部分硅( Ｃ 型空腔) 后形成的 度ꎬ同时也减小了非线性误差ꎮ
结构ꎮ 构建的模型中保护层为二氧化硅材料ꎬ敏感
结构层与硅杯层均为单晶硅材料ꎮ 鉴于压敏电阻体
积较小ꎬ本文先采用工作平面切割压阻式压力传感
器的实体模型ꎬ随后采用网格质量控制较好的映射
网格生成方法进行网格划分ꎬ最后对 Ｌ 形结构及压
敏电阻所在行与列实施加密网格划分ꎮ
图 ３ 给 出 了 外 部 施 加 １００ ｋＰａ 压 力 情 况 下
ＡＮＳＹＳ 有限元仿真得到的传感器应力分布ꎮ 不难
发现最大应力分布在方形应变薄膜的 ４ 个边缘中间
部位ꎬ与预期结果一致ꎮ 在工作量程范围内逐渐改
变施加压力的大小ꎬ依次完成有限元模拟仿真ꎬ然后 图４ 硅压阻式压力传感器的有限元仿真结果
分别提取 ４ 个 Ｕ 型压 敏 电 阻 内 部 的 平 均 应 力 值ꎮ
再根据式(３) 可以计算得到在 ０ ~ １００ ｋＰａ 满量程范 ２ 传感器芯片制作工艺与封装
围内 ＭＥＭＳ 硅压阻式压力传感器的压敏电阻相对 本文采用标准 ＭＥＭＳ 工艺制作了传感器芯片ꎮ
变化值 ΔＲ / Ｒꎬ式(３) 中 Ｓ 为灵敏度ꎬΔＰ 为满量程压 选用的 ＳＯＩ 硅片的单晶硅器件层厚度为 １.５ μｍ、中
力ꎬＡ Ｒ 为压敏电阻的面积ꎬσ ｌ 与 σ ｔ 为沿电阻纵向与 间二氧化硅层厚度为 １ μｍ、底层硅厚度为 ６５０ μｍꎮ
横向的应力ꎻπ ｌ 与 π ｔ 分别为沿纵向与横向的有效 具体制作工艺流程如图 ５ 所示ꎬ其主要步骤包括:
压阻系数ꎮ 步骤 １ 清洗 ＳＯＩ 硅片ꎮ 将硅片放置入氨水、
ΔＲ / Ｒ １
∫
ＡＲ
Ｓ＝ ＝ ( π ｌ σ ｌ ＋π ｔ σ ｔ ) ｄＡ (３) 双氧水和水按照 １ ∶１ ∶ ６ 的比例混合制成的溶液中ꎬ
ΔＰ Ａ Ｒ ΔＰ ０
在 ８５ ℃ 温度下对硅片进行洗涤ꎬ去除其表面的颗粒
杂质ꎮ
步骤 ２ 离子注入ꎮ 以 ７° 角度和 ２０ ｋｅＶ 能量
在 ＳＯＩ 器件层注入 １ × １０ １８ Ｄｏｓｅ / ｃｍ ３ 的硼离子ꎬ然后
将 ＳＯＩ 硅片放入 １ ０００ ℃ 退火炉中快速退火 ３０ ｍｉｎ
以使硼离子均匀分布ꎮ
步骤 ３ 热氧化ꎮ 将 ＳＯＩ 硅片热氧化形成厚度
约为 １ μｍ 的二氧化硅钝化保护层ꎮ

图３ 新型硅压阻式压力传感器应力分布图
最终计算结果如图 ４ 所示ꎬ从图中不难发现传感
器压敏电阻的相对变化值随着外部压力的增大而单调
递增ꎬ根据线性拟合的斜率可以计算出有无 Ｌ 型半岛
结构的传感器的灵敏度分别约为 ０.０５７ ｍＶ / (Ｖ􀅰ｋＰａ)
和 ０.０６５ ｍＶ / ( Ｖ􀅰ｋＰａ) ꎬ均高于普通压阻式传感器
的灵敏度ꎬ同时也可以看到 Ｌ 型半岛结构对灵敏度
的影响较小ꎮ 而从插图的理论计算结果可看出ꎬ与
无 Ｌ 型结构的传感器相比ꎬ有 Ｌ 型结构的新型硅压
阻式压力传感器的非线性误差减小了近 ４０％ꎮ 上
述结果从理论上表明了采用 ＳＯＩ 硅片设计传感器芯 图５ 新型硅压阻式压力传感器的工艺流程示意图
１３７４ 电 子 器 件 第 ４２ 卷

步骤 ４ 光刻刻蚀压敏电阻ꎮ 旋涂光刻胶ꎬ利
用 Ｕ 型硅压阻条结构的掩膜版进行光刻显影ꎮ 然
后在 ＳＦ６ / Ｎ ２ 的混合气氛中通过 ＩＣＰ 干法刻蚀二氧
化硅钝 化 层 和 顶 层 硅ꎬ 形 成 凸 起 的 Ｕ 型 硅 压 阻
结构ꎮ
步骤 ５ 光刻刻蚀接触孔ꎮ 对硅压阻结构表面
的二氧化硅钝化层进行光刻刻蚀ꎬ形成硅压阻与金
属铝引线的接触孔ꎮ
图７ 新型硅压阻式压力传感器硅油封装实物图
步骤 ６ 溅射铝ꎮ 采用 ＯＲＩＯＮ － ８ －ＵＨＶ 薄膜沉
积设备溅射一层厚度均匀的铝ꎬ然后利用掩膜版光 ３ 实验结果与分析
刻刻蚀出金属铝引线和铝焊盘ꎮ
３.１ 实验测量
步骤 ７ 光刻刻蚀硅杯窗口ꎮ 对底层硅热氧化
标定测试平台示意图如图 ８ 所示ꎬ实验中采用
形成的二氧化硅钝化保护层进行光刻刻蚀ꎬ实现硅
德国 ＧＥ￣Ｄｒｕｃｋ 压力控制器 ＰＡＣＥ５０００ 作为标准压
片背面硅杯窗口形状的刻蚀ꎮ
力发 生 器ꎬ 其 测 量 精 度 优 于 ± ０. ０３％ ＦＳꎮ 首 先 将
步骤 ８ 腐蚀硅杯ꎮ 选用温度 ８０ ℃ 的 ＴＭＡＨ
ＭＥＭＳ 硅压阻式压力传感器放入温度箱ꎬ并通过导
溶液湿法腐蚀底层硅形成 Ｃ 型硅杯ꎬ硅杯顶部即为
气管接通传感器与压力控制器ꎮ 然后分别引出传感
传感器的方形敏感膜片ꎬ 尺寸为 １ ４００ μｍ × １ ４００
器的测量引线并接入到用于供电的 １ ｍＡ 恒流源和
μｍ × ２０ μｍꎬ接着去除底部剩余二氧化硅ꎮ
用于测量的 ＦＬＵＫＥ ８８０８Ａ 万用表ꎮ 最后调节温度
步骤 ９ 阳极键合ꎮ 在 ３００ ℃ 的真空环境下ꎬ最
箱的温度为常温 ２５ ℃ ꎬ将压力从 ０ ｋＰａ 变化到 １０５
后利用阳极键合技术将 ＳＯＩ 晶圆键合到 Ｐｒｅｘｙ７７４０ 硼
ｋＰａꎬ并且每隔 １５ ｋＰａ 作为一个压力采样点ꎮ 具体
硅玻璃基底上ꎬ并进行划片ꎮ
测量过程为:在 ０ ｋＰａ 的环境下ꎬ待压力控制器输出
经上述工艺步骤制作完成的硅压阻式压力传感
值稳定时ꎬ记录传感器测量系统输出的电压值ꎬ然后
器芯片ꎬ实物图如图 ６( ａ) 所示ꎬ传感器芯片在光学
逐步增加压力到 １０５ ｋＰａꎬ再依次降低压力ꎬ分别记
显微镜下的照片如图 ６( ｂ) 所示ꎮ 整个芯片的面积
录每个压力点的数据ꎬ由此分别得到正反行程的原
为 ３ ０００ μｍ × ３ ０００ μｍꎮ 从图 ６ 可以看出 ４ 个凸起
始数据ꎮ 进行多次重复测量ꎬ测试数据如表 １ 所示ꎬ
的 Ｌ 形半岛结构分别位于方形敏感膜片的对角处ꎬ
其中 Ｕ ｉｎｃ 表示正行程测得的数据ꎬＵ ｄｅｃ 表示反行程测
每个凸起的 Ｕ 型压敏电阻均位于两个 Ｌ 形半岛结
得的数据ꎮ 从表 １ 不难发现ꎬ正反行程之间的数据
构之间ꎬ而 ４ 个 Ｕ 型压敏电阻连接成惠斯通电桥ꎬ
存在迟滞误差ꎮ
符合设计要求ꎮ

图６

新型压阻式压力传感器芯片制作完成后ꎬ需对
该其进行封装ꎬ以便进行后续标定与性能评估ꎮ 鉴
于充油封装具有可靠性高、抗干扰能力强、温度隔离
性好等特点ꎬ本文将传感器芯片封装在不锈钢波纹
膜片的壳体中ꎬ在不锈钢波纹膜片和芯片之间充有
硅油ꎮ 芯片引线穿过壳体引出并采用密封措施ꎬ防
止硅油向外泄露或外面的压力介质渗入其中ꎬ图 ７
给出了硅油封装的硅压阻式压力传感器的实物ꎮ
图８ 硅压阻式压力传感器系统的标定测量平台示意图
３.２ 灵敏度与非线性误差分析
对表 １ 中新型压阻式压力传感器在正反行程下
各个压力采样点的电压输出值进行整体线性拟合ꎬ
如图 ９ 所示ꎬ压力传感器输出随着外部压力升高而
线性递增ꎮ 为与理论分析相对应ꎬ考虑到 １ ｍＡ 恒
流源供电ꎬ将输出电压变化换算成了电阻变化ꎮ 插
 第６期 王 银ꎬ张加宏等:新型硅压阻式压力传感器的设计、制作与性能补偿研究 １３７５

图给出了换算后的结果ꎬ结合式( ３) 可计算得到传 压阻式压力传感器输出信号表现出一定的非线性ꎬ

感器的灵敏度约为 ０.０５６ ｍＶ / ( Ｖ􀅰ｋＰａ) ꎬ这与前面 正反行程之间也存在迟滞误差现象ꎮ 为了削弱这些
理论计算结果吻合ꎮ 误差对传感器性能的影响ꎬ下面采用最小二乘函数
表１ 正反行程下硅压阻式压力传感器 校正法 对 非 线 性 误 差 和 迟 滞 误 差 进 行 了 补 偿 修
在各个压力采样点的电压值 正 [９ꎬ１４] ꎮ 首先通过对压力传感器多次测量的实验数
Ｐ / ｋＰａ Ｕ ｉｎｃ１ Ｕ ｄｅｃ１ Ｕ ｉｎｃ２ Ｕ ｄｅｃ２ Ｕ ｉｎｃ３ Ｕ ｄｅｃ３ 据取平均值得到正反行程的经验曲线ꎬ我们希望正
０ ０.５３ ０.７０ ０.４５ ０.６６ ０.２９ ０.５４ 反行程经验曲线经过算法处理后能够线性化ꎬ并且
１５ ４.０５ ４.５０ ３.８４ ４.３０ ３.６０ ４.００ 两者能重合ꎬ从而达到消除非线性和迟滞误差的目
３０ ７.７７ ８.２０ ７.６５ ８.１０ ７.５０ ７.９５
的 [９ꎬ１４] ꎮ 因此ꎬ需将传感器的正行程和反行程的测
４５ １１.４５ １１.９０ １１.３０ １１.７１ １１.０６ １１.４９
量曲线线性化处理ꎬ这里运用最小二乘法ꎮ 描述压
６０ １４.８５ １５.３０ １４.６６ １５.１０ １４.４１ １４.８５
７５ １８.４５ １８.９０ １８.２０ １８.６５ １７.９５ １８.４５ 力传感器输出经验曲线的最小二乘法方程为:
９０ ２２.０５ ２２.５０ ２１.８０ ２２.２５ ２１.６３ ２２.０５ Ｙ ＝ Ａｘ ＋Ｂ (４)
１０５ ２５.２０ ２５.６５ ２４.９５ ２５.４１ ２４.７５ ２５.２０ 式中:Ａ 的计算公式为:
ｍ ｍ ｍ ｍ

∑ ｘ２ｉ ∑ ｙ􀭰ｉ － ∑ ｘｉ ∑ ｙｉ ｘｉ
Ａ＝
ｉ＝１ ｉ＝１ ｉ＝１ ｉ＝１
ｍ ｍ
Ｕ ｉｎｃ (５)
ｍ∑ ｘ － [∑ｘ]
２ ２
ｉ
ｉ＝１ ｉ＝１

Ｂ 的计算公式为:
ｍ ｍ ｍ

∑ ｙ􀭰ｉ ｘ ｉ － ∑ ｘ ｉ ∑ ｙ􀭰ｉ
Ｂ＝
ｉ＝１ ｉ＝１ ｉ＝１
ｍ ｍ
(６)
ｍ∑ ｘ － [∑ｘ]
２ ２
ｉ
ｉ＝１ ｉ＝１

式中:ｍ 为采样数ꎻｘ ｉ 为采样点的压力值ꎻ ｙ􀭰

ｉ 为传感

器所在采集点输出的平均值ꎮ
图９ 正反行程新型硅压阻式压力传感器的线性拟合曲线 根据上述的最小二乘法对采集点上正反行程时
图 １０ 给出了正反行程新型硅压阻式压力传感 传感器的输出信号进行非线性校正ꎬ得到校正后的
器的整体非线性误差曲线ꎬ从图中可以看出非线性 输出数据 ｙ 正 与 ｙ 反 ꎬ然后将相同采集点上的校正后
误差的变 化 趋 势 与 前 面 理 论 计 算 有 相 似 之 处ꎬ 但 的反行程输出数据 ｙ 反 减去校正后的正行程输出数
±１.１２％的非线性误差高于理论值ꎬ这与实际加工工 据 ｙ 正 得到 Δｙꎬ并且将所有采集点上的 Δｙ 进行最小
艺水平有关ꎬ在芯片制作过程中存在的残余应力会 二乘法拟合ꎬ由于我们所期望的理想迟滞补偿就是
导致比较明显的非线性误差 [１９－２０]
ꎮ 反行程曲线与正行程曲线能够重合ꎬ由此可得出正
反行程曲线的迟滞补偿方程如下:
ｙ 正 ＝ ｙ 反 －Δｙ (７)
这样就在正反行程之间建立了一个函数映射关
系ꎬ使得测量值通过函数映射修正为期望值ꎬ从而完
成了非线性校正和迟滞补偿ꎬ这种方法被称为函数校
正法[１４] ꎮ 表 ２ 为利用最小二乘函数校正法补偿后正
反行程下各个压力点的输出电压值ꎬ其中 Ｕｉｎｃ 表示正
行程测得的数据ꎬＵｄｅｃ 表示反行程测得的数据ꎮ
根据表 ２ 中采用最小二乘函数校正算法补偿后
的数据ꎬ计 算 得 到 最 差 的 一 组 非 线 性 误 差 曲 线 如
图 １０ 正反行程新型硅压阻式压力传感器的 图 １１ 所示ꎬ从图 １１ 不难发现补偿后的硅压阻式压
非线性误差曲线 力传感器的非线性误差为 ０.０７３％ꎬ而由表 １ 得到的
３.３ 误差补偿与分析 补偿前非线性误差为 １.１２％ꎬ由此可见非线性误差
正如前文所述ꎬ在测量过程中发现新型 ＭＥＭＳ 已经被很好抑制ꎮ
１３７６ 电 子 器 件 第 ４２ 卷

表２ 补偿后正反行程下新型硅压阻式压力传感器 ０.１２％ꎮ 根据表 １ 中的数据ꎬ计算可得补偿前满量程

在各个压力采样点的电压值 重复测量误差约为 １.６６％ꎬ由此可见函数校正法也能
Ｐ / ｋＰａ Ｕ ｉｎｃ１ Ｕ ｄｅｃ１ Ｕ ｉｎｃ２ Ｕ ｄｅｃ２ Ｕ ｉｎｃ３ Ｕ ｄｅｃ３ 够显著抑制压阻式压力传感器的重复性误差ꎮ
０ １.０６ １.０５ ０.９７ ０.９６ ０.８５ ０.８５
综合以上分析ꎬ压力传感器在 ０ ~ １０５ ｋＰａ 范围内
１５ ４.５９ ４.５９ ４.４７ ４.４８ ４.３５ ４.３５
３０ ８.１１ ８.１１ ７.９７ ７.９７ ７.８６ ７.８６ 非线性误差为 ０.０７３％ꎬ迟滞误差为 ０.１９％ꎬ重复性误
４５ １１.６３ １１.６４ １１.４７ １１.４７ １１.３６ １１.３７ 差为 ０.１２％ꎬ由此可得函数校正法补偿后新型 ＭＥＭＳ
６０ １５.１６ １５.１６ １４.９６ １４.９７ １４.８７ １４.８８ 硅压阻式压力传感器的整体误差约为±０.２４％ꎮ
７５ １８.６８ １８.６９ １８.４６ １８.４９ １８.３８ １８.３８
９０ ２２.２１ ２２.２５ ２１.９６ ２２.０１ ２１.８８ ２１.９１
４ 结论
１０５ ２５.７２ ２５.７５ ２５.４６ ２５.５０ ２５.３９ ２５.４２
本文设计与研究了一种新型 ＭＥＭＳ 硅压阻式压力
传感器ꎮ 首先通过 ＡＮＳＹＳ 有限元模拟仿真完成了传
感器应力分布和灵敏度的分析ꎬ确定了传感器结构各
项参数ꎮ 其次设计了传感器的 ＭＥＭＳ 工艺制作流程ꎬ
加工和封装了传感器芯片ꎬ然后利用高精度压力发生
器对传感器进行实验测试和标定ꎬ在 ０ ~ １０５ ｋＰａ 量程
范围内ꎬ传感器的灵敏度可以达到 ０.０５６ ｍＶ / (Ｖ􀅰ｋＰａ)ꎮ
图 １１ 新型硅压阻式压力传感器补偿后最差的 最后运用最小二乘函数校正法对压力传感器进行了
一组非线性误差曲线 非线性校正及迟滞误差补偿ꎬ补偿后的非线性误差为
图 １２ 为算法补偿后新型硅压阻式压力传感器正 ０.０７３％ꎬ迟滞误差为 ０.１９％ꎬ重复性误差为 ０.１２％ꎮ 在
反行程测算得到的迟滞误差曲线ꎬ从图 １２ 中可以看 满量程范围内ꎬ新型硅压阻式压力传感器的整体误差
出ꎬＭＥＭＳ 压力传感器的迟滞误差也已经被显著抑制ꎬ 为±０.２４％ꎬ表明本文设计研制的新型 ＭＥＭＳ 压阻式
根据表 １ 数据计算得到补偿之前迟滞误差为 １.７４％ꎬ而 压力传感器兼顾了较高的灵敏度和较低的非线性误
补偿之后的迟滞误差为 ０.１９％ꎬ通过计算发现算法补偿 差、具有良好的性能ꎮ
后的传感器输入与输出的迟滞误差减小了 ８９％ꎮ 参考文献:
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 第６期 王 银ꎬ张加宏等:新型硅压阻式压力传感器的设计、制作与性能补偿研究 １３７７

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王 银 ( １９９３ －) ꎬ 女ꎬ 汉 族ꎬ 河 南 安 阳 张加宏 ( １９７９ －) ꎬ 男ꎬ 汉 族ꎬ 江 苏 东 台

人ꎬ学士ꎬ南京信息工程大学电子与信 人ꎬ博士ꎬ南京信息工程大学电子与信
息工程学院硕士研究生ꎬ主要从事硅 息工程学院副教授ꎬ本文通信作者ꎬ硕
基高精度压阻式压力传感器等相关研 士研究生导师ꎬ主要从事微纳电子机
究ꎬ１５６３４１１６８０１＠ １６３.ｃｏｍꎻ 械系统与气象传感器探测技术等相关
研究工作ꎬｚｊｈｎｕｉｓｔ＠ １６３.ｃｏｍꎻ

李 敏 ( １９７９ －)ꎬ 男ꎬ 汉 族ꎬ 江 苏 如 皋
人ꎬ博士ꎬ南京信息工程大学电子与信
息工程学院讲师ꎬ主要从事 ＭＥＭＳ 气象
传感器及其应用技术研究ꎬｌｉｍｉｎ＿ｎｕｉｓｔ
＠ ｎｕｉｓｔ.ｅｄｕ.ｃｎꎮ