Slide Trường Điện Từ Thầy Sơn

LÝ THUYẾT TRƯỜNG ĐIỆN TỪ
HP: EE2030
Giáo viên: TS. Nguyễn Việt Sơn

Bộ môn: Kỹ thuật đo và Tin học công nghiệp
Viện Điện - Đại học Bách Khoa Hà Nội
Email: son.nguyenviet@hust.edu.vn
- 2015 -
Tài liệu tham khảo:
1. Cơ sở lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Bình Thành , 1970.
2. Electromagnetics -John D. Krauss - 4th edition, McGraw-Hill, 1991
3. Electromagnetic fields and waves - Magdy F. Iskander, Prentice Hall, 1992.
4. Electromagnetics - E.J. Rothwell, M.J. Cloud – CRC Press, 2001.
5. Theory and problems of electromagnetics – Schaum’s Outline, 1995(*)
6. Fundamentals of Engineering electromagnetics - R. Bansal, CRC Press 2006(*)
7. Engineering Electromagnetics - W.H. Hayt, J.A. Buck - McGraw-Hill, 2007(*)
(*) http://www.mica.edu.vn/perso/Nguyen-Viet-Son/courses.html
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 2
Nội dung chương trình:

1. Giải tích vector
2. Khái niệm cơ bản về trường điện từ
3. Luật Coulomb và cường độ điện trường
4. Dịch chuyển điện, luật Gauss, Dive
5. Năng lượng và điện thế 7. Các phương trình Poisson và Laplace.
6. Vật dẫn - Điện môi - Điện dung 8. Từ trường dừng
9. Lực từ và điện cảm
10. Trường biến thiên & hệ phương trình
Maxwell
11. Sóng phẳng
12. Phản xạ và tán xạ sóng phẳng
13. Dẫn sóng và bức xạ
Chương 1: Giải tích vector
I. Vô hướng và vector.
II. Hệ tọa độ Descartes.
III. Tích vô hướng - Tích có hướng.
IV. Hệ tọa độ trụ.
V. Hệ tọa độ cầu.
VI. Một số công thức giải tích vector

I. Vô hướng và Vector.
 Đại lượng vô hướng: Là đại lượng được biểu diễn bằng 1 số thực
(dương, âm).
 Ví dụ: Khoảng cách, thời gian, nhiệt độ, khối lượng, áp suất, thể tích …
 Ký hiệu: t, m, E, P, …
 Đại lượng vector: Là đại lượng được biểu diễn bằng độ lớn (số thực
dương, âm) và hướng trong không gian (2 chiều, 3 chiều, … nhiều
chiều).
 Ví dụ: Lực, vận tốc, gia tốc, điện trường, từ trường …
 Ký hiệu: A, B, E, H, … (có thể thay bằng A, B , E , H ,..., A, B, E , H ,...)
 Các hệ tọa độ biểu diễn:
 Hệ tọa độ Descartes.
 Hệ tọa độ trụ.
 Hệ tọa độ cầu.
z
za z = za
 Được tạo bởi 3 trục vuông góc từng đôi một.
 Các trục được chọn theo quy tắc vặn đinh ốc. y = ya
x = xa 0 y
 Một điểm A trong không gian Descartes : ya
 Giao điểm của 3 mặt phẳng. xa
 Xác định được tọa độ xa, ya, za. x
 P là điểm gốc của vi khối có các vi phân kích z

thước dx, dy, dz.
dz
 Thể tích của vi khối: dV = dxdydz P
0 y
dx
dy
x dV = dxdydz
z
 Xét vector r trong hệ tọa độ Descartes: z
r=x+y+z
x, y, z là các vector thành phần của r r
y
 Vector thành phần x, y, z 0
y
 Độ lớn phụ thuộc vào vector r. x
 Hướng không thay đổi. z
 Phân tích theo các vector đơn vị. x
x = xax ; y = yay ; z = zaz az
r = xax + yay + zaz = rxax + ryay + rzaz y
0
 Độ lớn của vector: ax ay
| R | Rx2  Ry2  Rz2 x

R R
 Vector đơn vị theo hướng của R: aR  
Rx2  Ry2  Rz2 |R|
III. Tích vô hướng – Tích có hướng.

B
1. Tích vô hướng
A . B = |A| |B| cosθAB
θBa a
- |A|, |B| độ lớn của vector A, B
B.a
- θAB là góc nhỏ hơn giữa 2 vector A và B
Thành phần vô hướng của vector
B theo hướng vector đơn vị a
 A . B = AxBx + AyBy + AzBz ; A.B=B.A
 A . A = A2 = |A|2 ; aA . a A = 1 B
 Xét vector B và vector đơn vị a:

 B . a = |B| |a| cos θBa = |B| cos θBa θBa a
 (B.a)a  vector hình chiếu của vector B lên (B . a)a

phương (hướng) của vector đơn vị a Thành phần có hướng của vector
B theo hướng vector đơn vị a

1. Tích vô hướng
Ví dụ1.1: Xét trường vector G = yax – 2.5xay + 3az, điểm Q(4, 5, 2), vector
a N   2a x  a y  2a z  .
1
3
a. Tính giá trị của trường vector G tại điểm Q
b. Tính thành phần vô hướng của G tại Q theo hướng của vector aN
c. Tính thành phần có hướng của G tại Q theo hướng của vector aN
Giải:
a. Giá trị trường vector tại Q: G(rQ) = 5ax – 2,5.4.ay + 3az = 5ax – 10ay + 3az
b. Thành phần vô hướng:
1 1
G  a N  (5a x  10a y  3a z )  (2a x  a y  2a z )  (10  10  6)  2
3 3
c. Thành phần có hướng:
1
(G  a N )a N  (2) (2a x  a y  2a z )  1.333a x  0.667a y  1.333a z
3

2. Tích có hướng
 Định nghĩa:
A x B = aN |A| |B| sinθAB
trong đó aN vector pháp tuyến A
ax ay az
θAB
A x B = - (B x A) A  B  Ax Ay Az B
Bx By Bz
AB
ax, ay, az : véctơ đơn vị của các trục x, y, z
Ví dụ: A = 2ax - 3ay + az ; B = -4ax - 2ay + 5az

ax ay az
AB  2 3 1  13a x  14a y  16a z
4 2 5
IV. Hệ tọa độ trụ tròn
 Điểm P trong hệ tọa độ trụ tròn:

 ρ khoảng cách từ P đến trục trụ.
 φ góc dương hợp bởi trục tọa độ
góc với đường thẳng nối gốc tọa
độ với hình chiếu của P lên mặt
tọa độ cực.
 z độ cao của điểm P so với mặt
phẳng của hệ tọa độ góc.
 Có thể coi P là giao của 3 mặt:
 Mặt phẳng z = const
 Mặt cong ρ = const. P(ρ, φ, z)
 Mặt phẳng đường sinh φ = const.
 Không xét các hệ tọa độ trụ ellipse, hệ tọa độ trụ hyperbol, …
IV. Hệ tọa độ trụ tròn .
 Vector đơn vị trong hệ tọa độ trụ tròn: aρ , aφ , az
 aρ : vector pháp tuyến mặt trụ ρ = ρ1
 aφ : vector pháp tuyến mặt phẳng φ = φ1
 az : tương tự trong trục tọa độ Descartes
 Tính chất:
 aρ , aφ thay đổi theo φ  trong các

phép đạo hàm, tích phân theo biến φ,
các vector aρ , aφ là hàm của φ.   x2  y 2
 x   cos  
 aρ x aφ = a z Công thức   y
 y   sin     arctg
chuyển đổi:  zz  x
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn
  zz
 9
IV. Hệ tọa độ trụ tròn .
 Xét vi khối có kích thướng vô cùng nhỏ có kích thước dρ, ρdφ, và dz
dV = ρ dρ dφ dz
 Diện tích mặt trụ:
2πr.(h + r)
 Thể tích khối trụ:
π.r2.h
(h chiều cao của trụ)

V. Hệ tọa độ cầu
 Hệ tọa độ cầu được xây dựng dựa trên hệ tọa

độ Descartes: Điểm P xác định bởi
 r khoảng cách từ P đến gốc tọa độ (tâm cầu).
 θ góc hợp bởi chiều dương của trục z với

đường thẳng nối gốc tọa độ với điểm P.
 φ góc dương hợp bởi trục x với đường thẳng

nối gốc tọa độ với hình chiếu của P lên mặt
tọa độ cực.
 Điểm P là giao của 3 mặt.

 Vector đơn vị trong hệ tọa độ cầu:
 ar : vector pháp tuyến của mặt cầu tại

điểm P, có chiều hướng ra ngoài,
nằm trên đáy của hình nón θ = const,
và mặt phẳng φ = const
 aθ : vector pháp tuyến của đáy mặt

nón, nằm trong mặt phẳng, và tiếp
tuyến với mặt cầu tại P.
 aφ : giống trong hệ tọa độ trụ tròn.  x  r sin  cos 

Công thức 
chuyển đổi:  y  r sin  sin 
 z  r cos 
 12
 Xét vi khối có kích thước vô cùng nhỏ:
dV = r2 sinθ dr dθ dφ
 Diện tích mặt cầu:
Scầu = 4π.r2
 Thể tích khối cầu:
Vcầu = 4/3. π. r3

VI. Một số công thức giải tích vector
Độ biến thiên vector (Grad - gradient) Độ tản của vector (div - divergence)
A A A  Ax  Ay  Az
Grad A  ax  ay  az divA  .A   
x y z x y z
 2A  2A  2A
Độ xoáy của vector (Rot - rotationnel) divgradA  A    2
x 2
y 2
z
 ax ay az 
 
A A A
RotA    A  
x y z 
 
 Ax Ay Az 

Chương 2: Khái niệm cơ bản về trường điện từ
I. Khái niệm cơ bản
II. Thông số cơ bản của trường điện từ & môi trường mang điện
III. Cường độ điện trường của điện tích điểm
IV. Cường độ điện trường của điện tích khối liên tục
V. Cường độ điện trường của điện tích đường
VI. Cường độ điện trường của điện tích mặt
VII. Đường sức - Ống sức

 Định nghĩa: Trường điện từ là một dạng vật chất cơ bản, chuyển động
với vận tốc c trong mọi hệ quy chiếu quán tính trong chân không, nó thể
hiện sự tồn tại và vận động qua những tương tác với một dạng vật
chất khác là những hạt hoặc những môi trường mang điện.
 Tính tồn tại: Trường điện từ có khả năng tác dụng động lực học lên
các vật thể, trường điện từ có năng lượng, động lượng phân bố,
chuyển động trong không gian, với vận tốc hữu hạn.
 Tính vận động: Thể hiện ở khả năng tác dụng lên các vật thể, môi
trường (vd: lực lorenx) và sự lan truyền tác dụng đó.
 Trong hệ quy chiếu có quán tính, trường điện từ có hai mặt tương tác
(lực Lorentz) với hạt (vật) mang điện tùy theo cách chuyển động của vật
trong hệ.
 Lực điện FE: Thay đổi theo vị trí, không phụ thuộc vào vận tốc của
q eE FE
vật (mặt điện trường).
 Lực từ FM: tác động khi vật chuyển động (mặt từ trường).
FM
F = FE + FM
 Điện trường, từ trường, lực Lorentz & năng lượng của q eB
chúng là khái niệm tương đối (xét theo sự chuyển động
của vật mang điện trong một hệ quy chiếu). v

 Để xây dựng mô hình hệ Trường - Môi trường mang điện, cần xác định
những thông số biểu diễn & mô tả hệ:
 Biến trạng thái: Đo & biểu diễn trạng thái và quá trình động lực học
của hệ hoặc năng lực tương tác của các thành viên trong hệ.
 Biến hành vi: Biểu diễn tính quy luật các hoạt động, hành vi của một
thực thể trong quá trình tương tác với thực thể khác.

1. Biến trạng thái cơ bản của vật mang điện
 Biến trạng thái cơ bản của vật mang điện là điện tích q.
 Đo năng lực tương tác lực (chịu tác dụng lực) với trường điện từ.
 Có 02 loại hạt (vật) mang điện:
 Hạt mang điện tích âm: e = -1,6.10-19 (C)
 Hạt mang điện tích dương
 Hạt (vật) không mang điện (điện tích bằng không) nếu không có khả
năng tương tác lực với trường điện từ.

2. Biến trạng thái cơ bản của trường điện từ
a.Vector cường độ điện trường E:
 Xét vật nhỏ mang điện tích dq, đặt tĩnh trong hệ quy chiếu có quán
tính, chịu một lực dFE  ở lân cận vật mang điện có điện trường.
Vector trạng thái cường độ điện trường là biến trạng thái đo & biểu
diễn năng lực tác động về điện của lực Lorenx ở lân cận vật mang
điện trong trường điện từ: dFE = dqE
[ F ] N Nm V
Thứ nguyên: [ E ]    
[q ] C Cm m
2. Biến trạng thái cơ bản của trường điện từ
b. Vector cường độ từ cảm B:
 Xét vật nhỏ mang điện tích dq, chuyển động trong hệ quy chiếu có
quán tính, chịu lực dFM  ở lân cận vật mang điện có từ trường.
Lực dFM hướng theo chiều eF, vuông góc với vận tốc v của hạt mang
điện, vuông góc với vector đơn vị eB xác định theo mỗi điểm trong hệ
quy chiếu.
dFM  dq( v  B)  dqvBev  eB
dl
Mặt khác: dqv  dq  idl
dt
Ta có: dFM  iBdlev  eB [T]
3. Tính tương đối của E & B
 Điện trường E & từ trường B:

 Những thể hiện của trường điện từ trong hệ quy chiếu. Trường điện từ được
“cảm nhận” thông qua E & B.
 Xác định theo sự chuyển động của hạt mang điện (mang tính tương
đối).
F  FE  FM  q(E  v  B)
 Lực Lorenz gồm 2 thành phần:
 Không đổi: FE  qE
 Phụ thuộc vào hệ quy chiếu: FM  q( v  B)
4. Quan hệ giữa điện tích q & lực tĩnh điện - Luật Coulomb
 Luật Coulomb là luật về tương tác giữa các hạt mang điện: Độ lớn lực
tương tác giữa 2 hạt mang điện tỷ lệ thuận với điện tích q1, q2, và tỉ lệ
nghịch với bình phương khoảng cách giữa chúng.
Q1Q2 ε0: hằng số điện môi trong chân không

F k 2
r Q1, Q2: điện tích của hạt mang điện
1 1
trong đó: k  với  0   8,854.10 12
F /m
4 0 4 10 c
7 2

 Xét 2 điện tích cùng dấu Q1 và Q2 trong chân
không, xác định bởi vector r1 & r2.
 Lực F2 đặt trên điện tích Q2 có:
 Phương: Cùng phương với vector R12

nối giữa Q1 & Q2.
R12 = r2 – r1
 Hướng: Cùng hướng với vector R12.
a12 là vector đơn vị của vector R12
Q1Q2
F2  a12 R12 r r
4 0 R12
2
a12   2 1
| R12 | | r2  r1 |
Ví dụ 2.1: Cho điện tích Q1 = 3.10-4 (C) đặt tại A(1, 2, 3), điện tích Q2 = -10-4
(C) đặt tại B(2, 0, 5) trong chân không. Tính lực tác dụng của Q1 lên Q2.
Q1Q2
F2  a12
4 0 R12
2
R12  r2  r1  (2  1)a x  (0  2)a y  (5  3)a z  a x  2a y  2a z

 R  12  (2) 2  22  3
 12
 R12 1 2 2 F2  10a x  20a y  20a z ( N )
a12   ax  ay  az
 R12 3 3 3
Q1Q2 3.104 (104 ) 1 2 2 1 2 2
F2  a  ( a  a  a )  30( ax  ay  a z )
4 0 R12 4 .8,854.10 .3 3
12 2
2 12 x y z
3 3 3 3 3


 Xét điện tích điểm Q1 đặt cố định, điện tích thử Qt đặt trong không gian
xung quanh điện tích Q1  Qt chịu sự tác dụng lực tĩnh điện Coulomb
Q1Qt Ft Q1
Ft  a   a
4 0 R1t
2 1t
Qt 4 0 R1t
2 1t
 Cường độ điện trường của điện tích điểm tạo ra trong chân không:
 Vector lực tác dụng lên một điện tích thử 1C
 Thứ nguyên: V/m

Q
 Vector: E  a R - R: vector hướng từ Q đến điểm xét
4 0 R 2
- aR : vector đơn vị của R


 Hệ tọa độ cầu:
 Xét điện tích điểm Q đặt tại tâm hệ tọa độ cầu
 Xét cường độ điện trường tại một điểm trên mặt cầu bán kính r:
Q
E ar ar : vector đơn vị hệ tọa độ cầu
4 0 r 2
 Hệ tọa độ descartes:
 Xét điện tích điểm Q đặt tại gốc tọa độ.
 Cường độ điện trường tại một điểm bất kỳ có tọa độ (x, y, z)
Q  x y z 
E  ax  ay  az 
2 2

4 0 ( x  y  z )  x  y  z
2 2 2 2
x y z
2 2 2
x y z
2 2 2 


 Hệ tọa độ descartes:
 Xét điện tích điểm Q đặt tại điểm bất

kỳ có tọa độ (x’, y’, z’).
 Cường độ điện trường tại P(x, y, z)
 R | r  r' |

R  r r'   r  r'
a 
 R | r  r' |

Q r  r' Q(r  r') Q ( x  x ')a x  ( y  y ')a y  ( z  z ')a z 

E  
4 0 | r  r' | | r  r' | 4 0 | r  r' |
2 3
4 0 ( x  x ')  ( y  y ')  ( z  z ') 
 2 2 2 3/2

III. Cường độ điện trường của điện tích điểm z

Q2
 Xét điện tích điểm Q1 & Q2 trong chân không.
r2 r – r2
Q1
r - r1
 Xét điểm P bất kỳ trong chân không P a1 E1
r1 r y
 Theo tính chất tuyến tính của lực Coulomb  a2
cường độ điện trường do 2 điện tích điểm tạo ra: E2
x E(r)
Q1 Q2
E(r )  a  a
4 0 | r  r1 |2 1
4 0 | r  r2 |2 2
 Tổng quát:
n
Qk
E(r )   a
k 1 4 0 | r  rk |
2 k


Ví dụ 2.2: Cho Q1 = 4.10-9C tại điểm P1(3, -2, 1), Q2 = 3.10-9C tại điểm P2(1,
0, -2), Q3 = 2.10-9C tại điểm P3(0, 2, 2), Q4 = 10-9C đặt tại điểm P4(-1, 0, 2).
Tính cường độ điện trường tại điểm P(1, 1, 1).
Q1 Q2 Q3 Q4
E(r)  a  a  a  a
4 0 | r  r1 |2 1
4 0 | r  r2 |2 2
4 0 | r  r3 | 2 3
4 0 | r  r4 | 2 4
Trong đó:  | r  r | (2) 2  32  3,32

 1
r  r1  ( x  x1 )a x  ( y  y1 )a y  ( z  z 1 )a z  2a x  3a y   r  r1 2 3
 1
a   a  ay
| r  r1 | 3,32
x
 3,32
| r  r2 | 3,16 a 2  0,32a y  0.95a z
| r  r3 | 1, 73 a 3  0,58a x  0,58a y  0,58a z
| r  r4 | 2, 45 a 4  0,82a x  0, 41a y  0, 41a z
E  24, 66a x  9,99a y  32, 4a z


 Xét vùng không gian được lấp đầy bằng các hạt mang điện (không gian
giữa lưới điều khiển & cực cathode của ống phóng điện tử trong tivi, màn
hình CRT...)
 Coi sự phân bố của các hạt mang điện là liên tục, mô tả bằng hàm mật
độ điện tích khối (C/m3).
Q
v  lim
v 0 v
 Tổng số điện tích tồn tại trong một không gian hữu hạn thể tích V là:
Q    v dv
V

Ví dụ 2.3: Tính điện tích tổng của chùm điện tử
dạng hình trụ, biết  v  5e 10  z  C / m3
5
Giải: Áp dụng công thức:

Q   v dV   5.10 .e 6 105  z
dV
V V
Thể tích của trụ tròn: dV   d  d dz

0,04 2 0,01
  
z
Vậy: Q  5.106.e10  d  d dz
5
0,02 0 0
0,04 2 0,01 0,04 0,01
  d   
105  z z
Q 5.10 .e6
 d  dz  105  e 10  d  dz
5
0,02 0 0 0,02 0
0,04
  4000  1000 
0,01 0,04 0,01 0,01
Q  d   10  e
5 10  z
dz   1010 e 10 z
d    1010 e  e  d 
5 5
0 0,02 0
 0,02 0

Ví dụ 2.3: Tính điện tích tổng của chùm điện tử
dạng hình trụ, biết v  5e 10  z  C / m 2
5
Giải:
0,01
4000  2000 
e e 
Q  1010    
 4000 2000  0
Vậy điện tích tổng có giá trị là:

 1 1  
Q  1010      0, 0785 pC
 2000 4000  40

 Cường độ điện trường tại r do một điện tích khối ΔQ gây ra được tính
theo công thức:
Q r  r' Q r  r' v v r  r'
E(r)   ΔE(r)  
4 0 | r  r' |2 | r  r' | 4 0 | r  r' |2 | r  r' | 4 0 | r  r' |2 | r  r' |
 v (r')dv '
E(r)   (r  r')
V
4 0 | r  r' |3
Trong đó:
r: vector định vị cường độ điện trường E
r’: vector định vị nguồn điện tích khối ρ(r’)dv’
 Tích phân 3 lớp với biến x’, y’, z’ trong hệ tọa độ Descartes



 Xét tia điện tử trong ống phóng cathode (hoặc dây dẫn tích điện). Giả
thiết:
 Các điện tử chuyển động đều
 Bỏ qua từ trường sinh ra bởi các điện tử
 Coi tia điện tử (dây dẫn tích điện) có mật độ điện tích đường ρL (C/m)
Q
 L  lim
L 0 L
 Xét dây dẫn thẳng, tích điện, dài vô hạn nằm trên trục z  E.
 Để đơn giản hóa việc tính E của điện tích đường:
 Xét E thay đổi theo các trục tọa độ: ρ, φ, z
 E = Eρ + Eφ + Ez, thành phần nào triệt tiêu.


 Sự thay đổi của E theo các các trục tọa độ: ρ, φ, z
z z z
φ = const
ρL z = const ρL z = var ρL z = const
φ = var φ = const
ρ = const ρ = const ρ = var
y y y
x x x
  const    const    var 
  
z  const   E  const z  var   E  const z  const   E  var
  var    const    const 
 E = Eρ + Eφ + Ez, thành phần nào triệt tiêu:
 Mỗi vi phân độ dài của điện tích đường đều tạo ra E.
 Mỗi vi phân độ dài của điện tích đường chỉ tạo ra thành phần Eρ, Ez,
không tạo ra thành phần Eφ (Eφ = 0).
 Thành phần Ez tạo bởi hai vi phân độ dài đối xứng trên trục z có độ lớn
bằng nhau và ngược chiều  thành phần Ez bị triệt tiêu.
E = Eρ(ρ)


 Xét đường dây dài vô hạn ρL nằm trên trục z
dQ = ρLdz’
z hệ tọa độ trụ. Tính E tại điểm P(0, y, 0).
(0, 0, z’)
 Vi phân cường độ điện trường dE tại P ar
do vi phân điện tích dQ = ρLdz’ được R = r – r’
r’ θ
tính theo công thức:
P(0, y, 0) y
dQ(r  r') r
dE  dEρ
4 0 | r  r' |3 ρL
x dEz
Trong đó: r = yay = ρaρ ; r’ = z’az
dE
r – r’ = ρaρ - z’az
 L dz '(  aρ  z ' a z )  L  dz '

 dE  Eφ = 0 dE 
4 0 (  2  z '2 )3/2 Ez triệt tiêu 4 0 (  2  z '2 )3/2



 L  dz ' L  1 z'  L L
E         E  aρ

4 0 (   z ' )
2 2 3/2

4 0   2 2 2 
  z '   2 0 

2 0 
 Tổng quát: Tính E của điểm P(ρ,φ,z) bất kỳ. z dQ = ρLdz’

 L dz '(r  r') Trong đó: r = ρaρ + zaz
E (0, 0, z’)
V
4 0 | r  r' |3 r’ = z’az ar
 R   2  ( z  z ') 2 R = r – r’
 r’ P(ρ, φ, z)
R  r  r'   aρ  ( z  z ')a z    aρ  ( z  z ')a z
a R  r

 L dz '   aρ  ( z  z ')a z    2  ( z  z ') 2 z y
E  2 3/2
4 0    ( z  z ')  ρ
ρL φ
2

x
  dz ' aρ 
L   
( z  z ')dz ' a z 
E   3/2 
4 0     ( z  z ') 
2 2 3/2
    ( z  z ') 
2 2

     
V. Cường độ điện trường của điện tích đường aρ, az là hàm

  của z’ ???
L    dz ' aρ 
( z  z ')dz ' a z 
E   
4 0     ( z  z ') 
2 2 3/2
    ( z  z ') 
2 2 3/2

     
 Vector đơn vị aρ, az luôn const (giá trị và hướng) khi z’ thay đổi.
 
L    dz ' 
( z  z ')dz ' 
E  ρ
a  a z  
4 0   2 2 3/2
   ( z  z ')  2 3/2
    ( z  z ') 
2

     
  

L  1 ( z  z ') 1 
E  ρ
a   az 
4 0  2   ( z  z ')
2 2
  ( z  z ')  
2 2
  
L  2  L Vector cường độ điện
E a ρ   a z 0  E aρ trường E của điện tích
4 0   2 0 
đường tỉ lệ nghịch với
khoảng cách.

Ví dụ 2.4: Xét đường dây tích điện dài vô hạn nằm song song với trục z, tại
điểm x = 6, y = 8. Tính vector cường độ điện trường E tại điểm P(x, y, z).
L z
 Xuất phát từ công thức: E  aρ
2 0 
 Thay ρ bằng R (bán kính trong hệ tọa độ trụ (6, 8, z)
R
với trục của trụ là dây tích điện)  aρ = aR P(x, y, z)
L
E aR ρL
2 0 ( x  6)  ( y  8)
2 2
(0, 8, 0) y
R ( x  6)a x  ( y  8)a y
Trong đó: a R  
|R| ( x  6) 2  ( y  8) 2 (6, 0, 0)
(6, 8, 0)
 L ( x  6)a x  ( y  8)a y R
E x (x, y, 0)
2 0 ( x  6) 2  ( y  8) 2


 Điện tích mặt là mặt phẳng (vd: bản cực của tụ điện) có điện tích phân
bố đều, đặc trưng bởi hàm mật độ điện tích mặt ρS (C/m2).
Q z
 S  lim
S 0 S dy’
 Xét tấm phẳng tích điện rộng vô hạn, có mật y’
độ điện tích mặt ρS đặt trên mặt phẳng yOz. ρS
 Chia mặt phẳng tích điện thành các dải điện tích y
dài vô hạn, có độ rộng dy’ rất nhỏ (dy’  0).
 Coi mỗi dải điện tích là một điện tích đường. x

dQ  S dS  S Ldy '
L     L  S dy '
L L L
VI. Cường độ điện trường của điện tích mặt z

 Xét P(x, 0, 0), áp dụng công thức tính E của điện dy’
tích đường: y’
L  S dy ' aR
E a R  dE  ρS
2 0 R 2 0 x 2  y '2
y
 S dy '
dEx  dE cos  dEx  cos  θ
2 0 x  y '
2 2
dE P(x, 0, 0)
x  S xdy ' R  x 2  y '2
cos    dEx  dEx
x 2  y '2 2 0 x 2  y '2 x

S x

S y' S S
 Ex  
2 0  x  y '
2 2
dy ' 
2 0
artg 
x  2 0
E
2 0
aN
aN là vector pháp tuyến

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn của mặt phẳng tích điện 34

S
E aN E = E+ + E-
2 0
z
a<x -ρS 0<x<a ρS x<0
a 0
x
y
S S S
E+  ax E+  ax E+   ax
2 0 2 0 2 0
  
E-   S a x E-  S a x E-  S a x
2 0 2 0 2 0
 E  E+  E-  0 S  E  E+  E-  0
 E  E+  E-  ax
0
Cường độ điện trường của các vật mang điện
Điện tích điểm Điện tích khối
Q v (r')dv '
E (r  r') E (r  r')
4 0 | r  r' |3
V
4 0 | r  r' |3
Điện tích đường Điện tích mặt
E
L S
aρ E aN
2 0  2 0



 Đường sức:
 Đường sức là một đường hình học minh họa một cách trực quan sự phân
bố chiều của cường độ trường trong không gian.
 Các tiếp tuyến tại mọi điểm trong không gian của đường sức đều trùng với
phương của vector cường độ điện trường.
 Đường sức xuất phát từ miền mang hạt điện dương & tận cùng ở miền
mang hạt điện âm  đường sức cho ta biết sự phân bố của chất và trường.
L
Ví dụ: Xét E của một dây dẫn thẳng, dài vô hạn: E  aρ
2 0 
 Đặt một điện tích dương, tự do trên một đường sức, điện
tích đó sẽ tăng tốc theo hướng của đường sức tại điểm đặt.

 Ống sức:
 Cho một mặt ΔS và vẽ một tập những đường sức tỳ lên chu vi của mặt ΔS
 các đường sức sẽ làm thành một mặt hình ống bao lấy một miền không
gian, gọi là ống sức.
ΔS1 ΔS
2
ΔS3
 Ống sức cho biết chiều của cường độ trường ở lân cận mỗi điểm và sự
phân bố độ lớn tương đối của cường độ trường E dọc theo ống (cường độ
điện trường tỉ lệ nghịch với tiết diện của ống sức).

Chương 3: Dịch chuyển điện - Luật Gauss - Dive
I. Dịch chuyển điện.
II. Luật Gauss.
III. Dive.
IV. Phương trình Maxwell 1 trong trường tĩnh.
V. Toán tử vector  và định lý Dive.

I. Dịch chuyển điện

 Thí nghiệm của M. Faraday (1837):
 Hai mặt cầu kim loại đặt đồng tâm, mặt cầu ngoài gồm
2 nửa bán cầu có thể gắn chặt với nhau.
 Lấp đầy khoảng không gian (2cm) giữa 2 mặt cầu
bằng dung dịch điện môi.
 Gỡ bỏ mặt cầu ngoài, nạp lượng +Q cho mặt cầu trong.
 Lắp mặt cầu ngoài và đổ đầy chất điện môi giữa 2 mặt cầu.
 Nối đất mặt cầu ngoài.
Ψ=Q
 Đo điện tích trên mặt cầu ngoài được kết quả -Q.
 Hiện tượng: Tổng điện tích mặt cầu ngoài có trị tuyệt đối bằng tổng điện tích
nạp vào mặt cầu trong, không phụ thuộc chất điện môi giữa 2 mặt cầu.
 Kết luận: Tồn tại một sự dịch chuyển điện (ψ) từ mặt cầu trong ra ngoài:

D
 Sự dịch chuyển điện ψ diễn ra trên toàn bộ diện
tích bề mặt của quả cầu: Sa  4 a 2 (m2 ) -Q
 Để đặc trưng cho khả năng dịch chuyển điện của +Q
một bề mặt, người đưa ra khái niệm vector mật
độ dịch chuyển điện D [C/m2]:
Q Q Q
D r a  a D a D r b  a
4 a 2 r
4 r 2 r
4 b 2 r
 Hướng của D tại một điểm là hướng dòng dịch chuyển điện tại điểm đó.
 Độ lớn của D tại một điểm cho biết giá trị dịch chuyển điện trung bình
qua mặt vuông góc với đường dịch chuyển.

 Trong chân không:
 Điện tích điểm:
Q 
D a
2 r 
4 r 
  D   0E
Q
E a 
4 0 r 2 r

 Với điện tích khối:
v dv v dv
E a D a
V
4 0 R 2 r
V
4 R 2 r

II. Luật Gauss.
III. Dive.

II. Luật Gauss

1. Phát biểu: Tổng thông lượng chảy ra khỏi mặt kín S bằng tổng
điện tích tự do bao trong mặt kín đó. ΔS
 Xét các điện tích điểm bao bọc bởi mặt DS, pháp tuyến
kín bất kỳ. DS θ
 Tại mỗi diện tích S của mặt kín, có thông P ΔS Q

lượng DS đi qua (DS thay đổi về độ lớn và
hướng tại mỗi vị trí bề mặt S).
 Gọi Δψ: thông lượng qua ΔS: Δψ = DS,pháp tuyến ΔS = DS ΔS cosθ = DS.ΔS
 Tổng thông lượng qua mặt kín là (công thức luật Gauss):
   d   DS .dS = Điện tích trong mặt kín = Q

matkin
II. Luật Gauss

1. Phát biểu
   d   DS .dS = Điện tích trong mặt kín = Q

matkin
Điện tích điểm Điện tích đường:
Q   Qn Q    L dL
Điện tích mặt Điện tích khối:
Q    SdS Q    V dv
S V
 D .dS   
S
S
V
V dv

II. Luật Gauss

1. Phát biểu
 Xét điện tích điểm Q đặt tại tâm cầu, bán
kính a
Q Q
 Khi đó: E  a  D   0E  a
4 0 r 2 r
4 r 2 r
Q
 Trên bề mặt cầu bán kính a: D  a
4 a 2 r
 Mặt cong dS trên cầu có diện tích:

dS  r 2 sin  d d  a2 sin  d d
 Vậy tổng thông lượng qua mặt cầu:
  2  
Q 2 Q Q
 D .dS  
S
S
S
4 a 2
a sin  d d a R .a R  
S
4
sin  d d  0

  0 4
sin  d d

II. Luật Gauss

1. Phát biểu
  2   2  2
Q Q Q
 D .dS  
S
S
0

  0 4
sin  d d  
0
4
( cos  ) d  
0
2
d  Q
0
 Kết luận:
 Tổng thông lượng qua mặt cầu kín bằng
tổng điện tích bên trong của mặt cầu đó.
 Thí nghiệm của M. Faraday đã được
kiểm chứng bằng luật Gauss..
 Đóng góp của Gauss không phải phát

biểu luật mà tìm ra công thức toán học
cho luật.
II. Luật Gauss

1. Phát biểu
Ví dụ 3.1: Tính tổng thông lượng qua hình lập phương giới hạn bởi 6 mặt
phẳng x, y, z = ± 5, biết sự phân bố điện tích trong hình lập phương là:
 Điện tích điểm Q1 = 0,1μC tại A(1, -2, 3), Q2 = 0,14μC tại B(-1, 2, -2).
 Áp dụng công thức:    d   D .dS  Q

S
S
 Tổng thông lượng qua hình lập phương: ψ = Q = 0,1 + 0,14 = 0,24 μC
 Điện tích đường ρL = π μC/m tại x = -2 và y = 3

5
  Q    L dz   L z 5  10  31, 4C
5
5

II. Luật Gauss

2. Ứng dụng luật Gauss Q  D .dS
S
S
 Luật Gauss được sử dụng để tính D (E) khi biết Q

 Việc tính D (E) sẽ đơn giản hơn nếu chọn được mặt kín thỏa mãn 2 điều
kiện (mặt Gauss):
 DS vuông góc hoặc tiếp tuyến với mặt kín tại mọi điểm của mặt kín
 DS dS
DS .dS  
 0
 DS = const tại những vị trí trên mặt kín mà DS.dS ≠ 0
Q   D dS  D  dS
S
S S
S
II. Luật Gauss

2. Ứng dụng của luật Gauss
Ví dụ 3.2: Xét điện tích điểm Q đặt tại gốc tọa độ của hệ tọa độ cầu. Tính
vector cường độ điện trường E.
 Mặt Gauss bao quanh điện tích điểm Q là các mặt cầu với mọi bán kính
r, có tâm trùng với vị trí của điện tích điểm
  2  
Q 
cau
DS .dS  DS 
cau
dS  DS

 
0
 0
r 2 sin  d d  DS 4 r 2
 Với mọi giá trị của r, DS luôn chảy qua theo phương pháp tuyến, ta có
Q Q
D a E a
4 r 2 R
4 0 r 2 r

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.3: Xét một dây dẫn thẳng, dài vô hạn đặt trên trục ρ
L
z của hệ tọa độ trụ. Tính vector cường độ điện trường E.
 Nhận xét: D = Dρaρ và Dρ = f(ρ) ρL
 Mặt Gauss đối với hệ tọa độ trụ sẽ là mặt trụ bao kín lấy đường dây tích
điện Q 
tru tron
DS .dS  DS 
xungquanh
dS  0  dS  0
tren

duoi
dS
z  L   2
L L L Q
Q  DS  
z 0 0
 d dz  DS 2 L  DS   
2 L 2 L 2
L L
 Vậy ta có: D   E 
2 2 0 
II. Luật Gauss

Ví dụ 3.4: Xét hai mặt trụ tròn đồng trục dẫn điện, dài vô tận
(cáp đồng trục). Bán kính mặt trụ trong là a, bán kính mặt trụ
ngoài là b. Mật độ điện tích mặt của mặt trụ trong là ρS.
 Mặt Gauss: Mặt trụ tròn độ dài L, bán kính a < ρ < b
Q  DS 2 L b a
 Tổng điện tích vật dẫn trụ tròn ρ = a, độ dài z = L là:
z  L   2
aS aS
Q  
z 0 0
 S ad dz  2 aL S  DS 

D

a  ( a    b)

 Mặt khác: L  Q L 1m   S S L 1m   S 2 a   S  L
2 a
L
 Vậy ta có: D  a
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 2 14
II. Luật Gauss

 Sự dịch chuyển điện từ bề mặt của lõi hình trụ tròn
bên trong sẽ hướng ra ngoài và gặp mặt tích điện
âm của mặt trong của hình trụ tròn ngoài. Do đó
tổng điện tích của bề mặt trụ tròn ngoài là:
b a
Qmat tru ngoai  Qmat tru trong
Mặt trụ trong Mặt trụ ngoài
Qmat tru trong  2 aL  S ,mat tru trong Qmat tru ngoai  2 bL  S ,mat tru ngoai
a
 S ,mat tru ngoai    S ,mat tru trong
b
II. Luật Gauss

 Chọn mặt Gauss là hình trụ tròn đồng trục với cáp
đồng trục, có bán kính ρ > b (ρ < a), ta có:
 b r  a  DS 2 L  Qmat tru ngoai  Qmat tru trong  0
 DS  0 (b    a) b a
 Nhận xét:
 Cáp đồng trục: Không tồn tại điện trường bên ngoài & bên trong
cáp.
 Một cáp đồng trục với độ dài L hữu hạn, hở 2 đầu, có L >> b  tụ
đồng trục

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.5: Xét cáp đồng trục: L = 0,5m, bán kính lõi 1mm, bán kính vỏ 4mm.
Giữa lõi & vỏ là không khí. Tổng điện tích của lõi: 30nC. Tính mật độ điện
tích trên lõi, vỏ ; Tính E, D. Qloi 30(109 )
 S ,loi    9,55  C / m 2
2 aL 2 (103 )(0,5)
 Mật độ điện tích mặt:
Qvo 30 109
 S ,vo     2,39  C / m 2
2 bL 2 (4 103 )(0,5)
 Tính vector cường độ trường E và vector dịch chuyển điện D:
a  S ,loi 103 (9,55 106 ) 9,55
D 103    4.103    nC / m 2
  
D 9,55 109 1079
E 103    4.103    V /m
 0 8,854 10 
12

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.6: Hệ tọa độ cầu có: Điện tích điểm Q = 0,25μC tại tâm cầu; 2 mặt
cầu tích điện: (r1 = 1cm, ρS = 2mC/m2) & (r2 = 1,8cm, ρS = -0,6mC/m2). Tính
D tại: r3 = 0,5cm ; r4 = 1,5cm ; r5 = 2,5cm. Tính mật độ điện tích mặt tại vị trí
r6 = 3cm để có D = 0 tại vị trí r7 = 3,5cm.
Giải:
 r3 = 0,5cm: Mặt cầu Gauss bán kính r3 = 0,5cm bao điện tích điểm Q
Q 0.25
D(r3  0,5cm)  a  a  796a  C / m 2
4 a 2 4 0, 0052
r r r
 r4 = 1,5cm: Mặt cầu Gauss bán kính r4 = 1,5cm bao điện tích điểm Q và
mặt cầu tích điện r1 = 1cm, ρS = 2mC/m2
D(r4  1,5cm) 
 Q
a 
0, 25.106  4 .0, 012.2.10 3
a  977,3a  C / m 2
2015 - Lý thuyết trường điện từ - 4 a 2 Việt Sơn

Nguyễn
r
4 .0, 0152
r r
18
II. Luật Gauss

Giải:
 r5 = 2,5cm: Mặt cầu Gauss bán kính r5 = 2,5cm bao điện tích điểm Q và
cả 2 mặt cầu tích điện
D(r5  2,5cm) 
 Q
a
4 a 2
r
0, 25.106  4 .0, 012.2.103  4 .0, 0182.( 0, 6.103 )

D a  40, 79a  C / m 2
4 .0, 0252
r r

II. Luật Gauss

Giải:
 Để có D = 0 tại r7 = 3,5cm thì mặt Gauss tại vị trí r6 phải có điện tích
bằng tổng điện tích bao bên trong, và trái dấu.
 Q   0, 25.106  4 .0, 012.2.103  4 .0, 0182.(0, 6.103 )   320,37nC
 Vậy mật độ điện tích mặt của mặt cầu bán kính r6 = 3cm là
Q 320,37
S    28,33 C / m 2
4 r 2 4 0, 032
II. Luật Gauss

 Việc áp dụng luật Gauss (tính D, E) cần tìm mặt Gauss (thỏa mãn 2 điều
kiện: DS vuông góc hoặc DS = const trên mặt kín)
 Nếu khó tìm mặt Gauss: Chọn mặt kín rất nhỏ sao cho DS ≈ const trên
mặt kín đó.
 Xét P(x, y, z): z P ( x, y , z )

D  D0  Dx 0a x  Dy 0a y  Dz 0a z
D  D0  Dx 0a x  Dy 0a y  Dz 0a z
 Chọn mặt kín hình lập phương (Δx, Δy, Δz)
z
có tâm là điểm P: D ≈ const trên từng mặt. x
y
Q  D.dS            
S truoc sau trai phai tren duoi
y
x
II. Luật Gauss z P ( x, y , z )

2. Ứng dụng của luật Gauss D  D0  Dx 0a x  Dy 0a y  Dz 0a z
Q  D.dS            
S truoc sau trai phai tren duoi z
 Xét mặt trước: x
y

truoc
Dtruoc .S truoc Dtruoc .yza x  Dx ,truoc yz y
x
 Do P là tâm hình lập phương  khoảng cách từ mặt trước đến P là Δx/2
x x Dx
Dx ,truoc Dx 0  (toc do thay doi cua Dx theo x)  Dx 0 
2 2 x
trong đó Dx0 là giá trị của Dx tại P
 x Dx 
 Vậy ta có: 
truoc
 Dx 0 
 2 x
yz

II. Luật Gauss

 Tương tự, mặt sau có: 
sau
Dsau .S sau Dsau .(yza x )   Dx , sau yz
x x Dx
Dx , sau Dx 0   (toc do thay doi cua Dx theo x)  Dx 0 
2 2 x
 x Dx 
    Dx 0  yz
sau  2 x 
Dx
 Khi đó ta có: 
truoc

sau
x
xyz
 Tương tự xét cặp mặt (phải - trái), (trên - dưới):

Dy Dz

phai

trai
y
xyz  
tren

duoi
z
xyz

II. Luật Gauss

 Tóm lại:
 Dx Dy Dz 

Q  D.dS            

 x

y
 xyz
z 

Qv     v
 x y z 

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.7: Xác định tổng điện tích của khối thể tích 10-9m3 đặt tại gốc tọa
độ biết vector dịch chuyển điện: D  e x sin ya x  e x cos ya y  2 za z (C / m2 )
 Độ biến thiên của D theo các trục x, y, z là:
Dx Dy x Dz
 e x sin y  e sin y 2
x y z
 Tại gốc tọa độ ta có
Dx Dy x Dz
 e x sin y  0  e sin y  0 2
x y z
 Vậy tổng điện tích của 10-9m3 đặt tại gốc tọa độ là:
 Dx Dy Dz  9
Qv     v  2  v  2.10  2nC
 x y z 
II. Luật Gauss

Ví dụ 3.8: Trong chân không: D  8 xyz 4a x  4 x 2 z 4a y  16 x 2 yz 3a z ( pC / m2 )
a. Tìm thông lượng qua hộp chữ nhật: z=2, 0<x<2, 1<y<3 theo hướng az.
b. Tính E tại P(2, -1, 3)
c. Tính tổng điện tích quả cầu có thể tích 10-12m3 đặt tại P(2, -1, 3).
Giải:
a. Thông lượng qua hộp chữ nhật z = 2, 0 < x < 2, 1 < y < 3 theo hướng az
2 3 2 3
1 321 23
    Dz dxdy    16 x y (2) dxdy  16 x
2 3
y  1365,33 pC
0 1 0 1
3 0 2 1
8.2(1)34 a x  4.22.34 a y  16.22 (1)33 a z  .1012
D
b. E tại P(2, -1, 3) E 
0 8,85.1012
 E  146, 44a x  146, 4a y  195, 2a zV / m
II. Luật Gauss

Ví dụ 3.8: Trong chân không: D  8 xyz 4a x  4 x 2 z 4a y  16 x 2 yz 3a z ( pC / m2 )
a. Tìm thông lượng qua hộp chữ nhật: z=2, 0<x<2, 1<y<3 theo hướng az.
b. Tính E tại P(2, -1, 3)
c. Tính tổng điện tích của quả cầu có thể tích 10-12m3 đặt tại P(2, -1, 3).
Giải:
c. Tổng điện tích của quả cầu có thể tích 10-12m3 đặt tại P(2, -1, 3).
 Dx Dy Dz  12 12
Qcau      10  10 .(8 yz 4
 48 x 2
yz 2
)
 x y z  P (2,1,3) P (2, 1,3)
 Qcau 2,376.1021 C
II. Luật Gauss.
III. Dive.

III. Dive
 Xuất phát từ công thức:
 D.dS Q
S
v 
 x

y
  v
z 
 Dx Dy Dz  Q  D.dS
   
S

 x y z  v v
 Dx Dy Dz   D.dS

Q
     lim
S
 lim  v
 x y z  v  0 v v  0 v
 Ax Ay Az   A.dS

   
 v0lim S
 x  y z  v
 Công thức định nghĩa Đive:

 A.dS
Dive cua A  divA  lim S

v  0 v 29
III. Dive
 A.dS
v  0 v
Dx Dy Dz

Hệ tọa độ Descartes: divD   
x y z
1  1 D Dz
Hệ tọa độ trụ tròn: divD  (  D )  
    z
1  2 1  1 D
Hệ tọa độ cầu: divD  2 (r Dr )  (sin  D ) 
r r r sin   r sin  

III. Dive
 A.dS
v  0 v
 divA (dive của hàm mật độ thông lượng A) là thông lượng chảy ra
từ mặt kín của mỗi đơn vị thể tích có thể tích tiến đến zero.
 Div là phép toán có đối số là vector, nhưng cho kết quả là giá
trị vô hướng.
 Div cho biết số lượng thông lượng (trên mỗi đơn vị thể tích) chảy
ra khỏi một mặt kín (không cho thông tin về hướng của thông
lượng).

III. Dive
Ví dụ 3.9: Tìm divD tại gốc tọa độ: D = e-xsinyax – e-xcosyay + 2zaz
Giải:
 Áp dụng công thức tính div:
Dx Dy Dz

divD     e  x sin y  e  x sin y  2  2
x y z
 Giá trị divD = 2 = const mà không phụ thuộc vào vị trí cần tính.
 Nếu đơn vị của D là C/m2, khi đó đơn vị của divD sẽ là C/m3

(mật độ điện tích khối).

III. Dive
Ví dụ 3.10: Tìm divD tại:
a ) D  (2 xyz  y 2 )a x  ( x 2 z  2 xy )a y  x 2 ya z C / m 2 tai PA (2,3, 1)
 Áp dụng công thức tính div trong hệ tọa Descartes:
Dx Dy Dz
divD     2 yz  2 x  0  10
x y z
b) D  2  z 2 sin 2  aρ   z 2 sin 2 aφ  2  2 z sin 2  a z C / m 2
tai PB (   2,   1100 , z  1)
 Áp dụng công thức tính div trong hệ tọa độ trụ tròn:
1  1 D Dz
divD  (  D )  
    z
divD  4 z 2 sin 2   2 z 2 cos 2  2 2 sin 2   9
III. Dive
Ví dụ 3.10: Tìm divD tại:
c) D  2r sin  cos  ar  r cos  cos  aθ  r sin  aφC / m 2
tai PC (r  1.5,   300 ,   500 )
 Áp dụng công thức tính div trong hệ tọa độ cầu:
1  2 1  1 D
divD  2 (r Dr )  (sin  D ) 
r r r sin   r sin  
cos  cos 2 cos 
divD  6sin  cos     2,57
sin  sin 

II. Luật Gauss.
III. Dive.

IV. Phương trình Maxwell 1 trong trường tĩnh
 D.dS
 Từ công thức định nghĩa div có: divD  lim S
v  0 v
 D.dS Q
 Mặt khác, theo luật Gauss:  D.dS  Q
S
Xét cho một
vi khối Δv
S
v

v
 D.dS Q
 Xét vi khối có thể tích tiến đến zero: lim S
 lim  v
v 0 v v 0 v
divD  v (Phương trinh Maxwell 1)

divD  v
 Công thức Maxwell 1 áp dụng cho điện trường tĩnh và từ trường dừng
 Phát biểu: Thông lượng trên một đơn vị thể tích chảy ra khỏi một vi
khối rất nhỏ đúng bằng giá trị mật độ điện tích khối tại đó
 Phương trình Maxwell 1 là dạng vi phân của luật Gauss vì:

 Luật Gauss liên hệ giá trị thông lượng của một điện tích (vật mang
điện) đi ra khỏi một mặt kín bao quanh.
 Phương trình Maxwell 1 phát biểu về thông lượng trên mỗi đơn vị
thể tích chảy ra khỏi một vi khối rất nhỏ (coi như 1 điện tích điểm).
 Luật Gauss là dạng tích phân của phương trình Maxwell 1

Ví dụ 3.11: Tính mật độ điện tích khối ρv trong không gian xung quanh của
một điện tích điểm Q đặt tại gốc tọa độ.
Giải:
Q
 Vector thông lượng D của điện tích điểm Q tại gốc tọa độ: D  a
4 r 2 r
 Áp dụng công thức tính divD trong hệ tọa độ cầu:

1  2 1  1 D
divD  2 (r Dr )  (sin  D ) 
r r r sin   r sin  
1 d 2 Q
 divD  2 (r )  0 (r  0)  v  0
r dr 4 r 2
Vậy mật độ điện tích khối ρv của điện tích điểm Q bằng zero tại mọi điểm
trong không gian và không xác định tại gốc tọa độ
II. Luật Gauss.
III. Dive.

V. Toán tử vector  và định lý Dive

1. Toán tử vector 
Định nghĩa một toán tử vector nabla (gọi là toán tử del)
  
  ax  ay  az
x y z
    
 Xét: .D   a x  a y  a z  .  Dxa x  Dy a y  Dz a z 
 x y z 
Dx Dy Dz

 .D     divD
x y z


2. Định lý Dive
 Xuất phát từ luật Gauss, có:  D.dS  Q

S
 Mặt khác: Q 
khoi
v dv trong đó .D  v
 Vậy ta có:
 D.dS   .Ddv
S khoi
 Phát biểu: Tổng thành phần pháp tuyến của một trường vector bất kỳ có
đạo hàm riêng trên một mặt kín đúng bằng tổng dive của trường vector
đó trong không gian nằm trong mặt kín.
 và định lý Dive.
 D.dS   .Ddv
V. Toán tử vector
2. Định lý Dive S khoi
Ví dụ 3.12: Kiểm nghiệm định lý Dive biết D = 2xyax + x2ay C/m2 và hình
hộp chữ nhật giới hạn bởi mặt phẳng 0 < x < 1 ; 0 < y < 2 , 0 < z < 3
Giải:
 Vế trái:  D.dS            
z 3 y  2 z 3 y  2 z 3 y  2

truoc
   (D)
z 0 y 0
x 1 .(dydza x )   
z 0 y 0
Dx x 1
.(dydz )    2 ydydz
z 0 y 0
z 3

truoc
  4dz  12C
z 0
 D.dS   .Ddv
Giải:
 Vế trái:  D.dS            
z 3 y  2 z 3 y  2

sau
   (D)
z 0 y 0
x 0 .( dydza x )   
z 0 y 0
Dx x 0
.( dydz )  0
z 3 x 1 z 3 x 1 z 3 x 1

phai
  
z 0 x 0
(D) y  2 .(dxdza y )   
z 0 x 0
Dy
y 2
.(dxdz )   
z 0 x 0
x 2 (dxdz )

 D.dS   .Ddv
Giải:
 Vế trái:  D.dS            
z 3 x 1 z 3 x 1

trai
   (D)
z 0 x 0
y 0 .( dxdza y )    
z 0 x 0
Dy
y 0
.( dxdz )
z 3 x 1
 
trai
 
z 0 x 0
x 2 (dxdz )

 D.dS   .Ddv
Giải:
 Vế trái:  D.dS            
Vì D = 2xyax + x2ay , không phụ thuộc vào z  D song song với mặt trên và
mặt dưới  D.dS = 0
 
tren
 
duoi
0

 D.dS   .Ddv
Giải:
 Vế trái:  D.dS            
z 3 x 1 z 3 x 1
 D.dS  12  0 
S
 
z 0 x 0
x 2 (dxdz )   
z 0 x 0
x 2 (dxdz )  0  0
 D.dS  12C
S

 D.dS   .Ddv
Giải:
 Vế phải:  .DdV
V
Dx Dy Dz   2 

.D     2 xy  x  0  2 y
x y z x y z
z 3 y  2 x 1 z 3 y  2 z 3
 .DdV   2 ydV     2 ydxdydz    2 ydydz   4dz  12C

V V z 0 y 0 x 0 z 0 y 0 z 0

 D.dS   .Ddv
Giải:
 VT =  D.dS   .DdV  VP =12C = Q
Nhận xét: S V
 Có thể dụng định lý dive để tính thông lượng chảy ra khỏi một mặt kín
hoặc tính điện tích bên trong (được bao bởi) một mặt kín.
 Có 2 cách tính:
 Luật Gauss
 Luật Dive

2. Định lý Dive
Ví dụ 3.13: Kiểm nghiệm định lý Dive biết D = 6ρsin0,5φaρ +
1,5ρcos0,5φaφ C/m2 và phần mặt cong giới hạn bởi ρ=2, φ=0 ; φ=π , và
z=0, z=5
Giải:
 D.dS   .Ddv
S V
Đ/S: 225
Chương 4: Năng lượng - Điện thế
I. Dịch chuyển điện tích điểm trong điện trường

II. Tích phân đường
III. Hiệu điện thế - Điện thế
IV. Trường thế của điện tích điểm, hệ điện tích điểm
V. Gradient thế
VI. Lưỡng cực
VII. Mật độ năng lượng trong trường tĩnh điện

 Xét một điện tích điểm Q dịch chuyển một đoạn dL dưới tác dụng của
điện trường E. Khi đó lực do điện trường tác động lên điện tích: FE = QE
 Thành phần lực điện trường theo hướng của dL: FEL = FE.aL = QE.aL
 Vậy lực cần tác dụng để dịch chuyển điện tích: Ftd = -QE.aL
 Vậy công sinh ra để dịch chuyển điện tích điểm Q trong điện trường một
đoạn dL là:
dW  QE.aL dL  QE.dL

dW  QE.dL
 Công dịch chuyển điện tích Q bị triệt tiêu nếu:

 Q = 0, E = 0, L = 0 hoặc
 E vuông góc với dL
 Xét điện tích điểm Q đứng yên trong không gian có điện trường E.
 Công dịch chuyển điện tích Q trong một quãng đường hữu hạn:
cuoi
W  Q  E.dL
dau


Ví dụ 4.1: Xét không gian có E  2  8 xyza x  4 x 2 za y  4 x 2 ya z V / m . Tính vi
1
z
phân công để dịch chuyển một điện tích 6nC đi quãng đường dài 2μm từ
6 3 2
điểm P(2, -2, 3) theo hướng: A   a x  a y  a z
7 7 7
Giải:
E P  2  8 xyza x  4 x 2 za y  4 x 2 ya z 
1
 10, 67a x  5,33a y  3,56a zV / m
z P (2, 2,3)
6 3 2
 ax  ay  az
7 7 7 12 6 4
dL  dLa L  2.106   a x  a y  a z (  m)
2
6 3 2
2 2 7 7 7
     
7 7 7
Vậy vi phân công dịch chuyển điện tích là:
12 6 4
dW  QE P .dL  6.109 (10, 67a x  5,33a y  3,56a z )( a x  a y  a z )  149,37 J
7 7 7

V. Gradient thế
VI. Lưỡng cực

II. Tích phân đường A

ΔL6
EL6
 Xét công dịch chuyển điện tích điểm Q từ điểm B
ΔL5
đến điểm A trong không gian có điện trường đều E. EL5 E
ΔL
EL4 4
 Chia B-A thành 6 đoạn: ΔL1, ΔL2, ΔL3, ΔL E
ΔL2 EL3 3
EL2 E
ΔL4, ΔL5, ΔL6 ΔL1 E
 Ứng với mỗi đoạn có: EL1, EL2, EL3, EL1 E
EL4, EL5, EL6 B

E
 Công dịch chuyển điện tích điểm Q từ B đến A:
W  Q( EL1L1  EL 2L2  ...  EL6L6 )
W  Q(E1  ΔL1  E2  ΔL2  ...  E6  ΔL6 )  QE  (ΔL1  ΔL2  ...  ΔL6 )
W  QE  LBA
II. Tích phân đường A

ΔL6
EL6
A do E  const A
ΔL5
W  Q  E  dL   QE   dL  QE  L BA EL5 E
B B ΔL
EL4 4
EL3 ΔL3 E
ΔL2
EL2 E
 Nhận xét: Công dịch chuyển điện tích ΔL1 E
điểm phụ thuộc: EL1 E
B
E
 Giá trị điện tích điểm Q
 Độ lớn của cường độ điện trường E (đều và không đều)
 Khoảng cách giữa điểm đầu và điểm cuối LBA (không phụ thuộc vào
đường đi giữa 2 điểm B, A).


Ví dụ 4.2: Cho không gian biết E = yax + xay + 2az. Xác định công dịch
chuyển điện tích điểm Q = 2C từ điểm B(1, 0, 1) đến điểm A(0,8 ; 0,6 ; 1)
theo đường cong: x2 + y2 = 1, z = 1.
Giải:
A E  ya x  xa y  2a z
 Áp dụng công thức: W  Q E  dL trong đó: 
B dL  dxa x  dya y  dza z
A A
W  Q  E  dL  2 ( ya x  xa y  2a z )  (dxa x  dya y  dza z )
B B
0,8 0,6 1 0,8 0,6
W  2  ydx  2  xdy  4  dz  W  2  1  x 2 dx  2  1  y 2 dy  0
1 0 1 1 0
0,8 0,6
 W    x 1  x  sin x    y 1  y  sin y   0,96 J
2 1 2 1
 1  0

Ví dụ 4.2: Cho không gian biết E = yax + xay + 2az. Xác định công dịch
chuyển điện tích điểm Q = 2C từ điểm B(1, 0, 1) đến điểm A(0,8 ; 0,6 ; 1)
theo đường cong: x2 + y2 = 1, z = 1.
Giải: E  ya x  xa y  2a z
A

 Áp dụng công thức: W  Q E  dL trong đó: dL  dxa x  dya y  dza z
B
A 0,8 0,6 1
W  Q  E  dL  2  ydx  2  xdy  4  dz
B 1 0 1
 Đường thẳng nối 2 điểm B – A có phương trình:
y A  yB
y  yB  ( x  xB )  y  3( x  1)
xA  xB
0,8 0,6
 y
 W  6  ( x  1)dx  2  1   dy  0,96 J
0 
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn
1 Việt Sơn
3 9
Công thức tính vi phân đường

 Hệ tọa độ Descartes:
dL  dxa x  dya y  dza z
 Hệ tọa độ trụ tròn:

dL  d  a    d a  dza z
dL  dra r  rd a  r sin  da

Ví dụ 4.3: Xét điện tích đường ρL nằm trên trục z trong chân không. Tính
công di chuyển điện tích Q trên đường tròn bán kính ρ, tâm nằm trên trục z
và trên mặt phẳng song song với mặt Oxy. z
Giải:
 Áp dụng công thức tính công: dL
cuoi
Q y
W  Q  E  dL trong đó:
dL  d  a    d a  dza z ρL
dau
L
E  E aρ  aρ d  0 x
2 0 
dz  0
2 2
L 
 W  Q  aρ   daφ  Q  L daρ  aφ  0
0
2 0  0
2 0

Ví dụ 4.4: Xét điện tích đường ρL nằm trên trục z trong chân không. Tính
công di chuyển điện tích Q từ ρ = a đến ρ = b.
Giải: z
 Áp dụng công thức tính công: Q
cuoi

a
W  Q E  dL trong do dL
dau
y
dL  d  a    d a  dza z
L ρL b
E  E aρ  aρ d  0
2 0  x
dz  0
L b
L b d  Q L b
 W  Q  aρ  d  a   Q    ln
a
2 0  2 0 a  2 0 a


V. Gradient thế
VI. Lưỡng cực


 Định nghĩa: Hiệu điện thế giữa 2 điểm A và B (VAB) là công dịch chuyển
một điện tích thử 1C trong điện trường E từ điểm B đến điểm A.
J 
A
VAB    E  dL  C  V 
B
 Nếu coi 1 điểm trong hệ thống có điện thế bằng 0 (điểm tham chiếu,
điểm “đất” của hệ thống) thì hiệu điện thế của điểm khác so với điểm
tham chiếu chính là điện thế (điện thế tuyệt đối) của chúng.
 Nếu biết thế VA, VB của 2 điểm A, B (chung điểm tham chiếu) thì hiệu
điện thế giữa A và B (VAB) được tính theo công thức:
VAB  VA  VB
Ví dụ 4.5: Tính hiệu điện thế giữa 2 điểm A, B cùng nằm trên 1 trục xuyên
tâm có khoảng cách rA, rB đặt trong điện trường của một điện tích điểm Q.
 Chọn hệ tọa độ cầu có tâm trùng vị trí của điện tích điểm Q
Q
 Vector cường độ điện trường do Q tạo ra: E  E aρ  ar
4 0 r 2
 Hiệu điện thế VAB là:
Q 1 1
A rA
Q
VAB    E  dL    dr    
B rB
4 0 r 2
4 0  rA rB 

Ví dụ 4.6: Trong không gian có E = 6x2ax + 6yay + 4az V/m.
a. Tính VMN nếu M(2, 6, -1), N(-3, -3, 2)

M M
VMN    E  dL    (6 x 2ax  6 yay  4az )  (dxax  dyay  dza z )
N N
2 6 1
VMN  6  x 2 dx  6  ydy  4  dz  139V
3 3 2
b. Tính VN nếu điểm P(1, 2, -4) có VP = 2

N 3 3 2
VN  VNP  VP  2   E  dL  2  6  x 2 dx  6  ydy  4  dz  19V
P 1 2 4


V. Gradient thế
VI. Lưỡng cực

1. Trường thế của điện tích điểm
 Ví dụ 4.5 đã chứng minh hiệu điện thế giữa 2 điểm A, B nằm trên trục
xuyên tâm có khoảng cách rA, rB đặt trong điện trường của điện tích
A(rA, θA, φA)
điểm Q được tính theo công thức:
Q 1 1
VAB     E = Er.ar
4 0  rA rB  rA
 Với 2 điểm A, B bất kỳ, hiệu điện r

dL = drar + rdθaθ + rsinθdφaφ
thế để di chuyển điện tích điểm Q

từ B đến A là: Q rB
Q 1 1
rA rA
Q
VAB    Er dr    dr     B(rB, θB, φB)
rB rB
4 0 r 2
4 0  rA rB 
A(rA, θA, φA)
 Với 2 điểm A, B bất kỳ, hiệu điện thế E = Er.ar

rA
để di chuyển một điện tích điểm Q từ
dL = drar + rdθaθ + rsinθdφaφ
B đến A là: r
Q 1 1
rA
Q
VAB   dr    
rB
4 0 r 2
4 0  rA rB  Q rB
 Hiệu điện thế giữa 2 điểm bất kỳ trong trường điện của điện B(rB, θB, φB)
tích điểm chỉ phụ thuộc khoảng cách giữa 2 điểm đến điện
tích điểm, không phụ thuộc vào quãng đường nối giữa 2 điểm.
Q
 Coi rB = ∞ và VB = 0: V
4 0 r (Trường thế của điện tích điểm)
Q
V
4 0 r
 Trường thế của điện tích điểm cho ta biết công để di chuyển điện tích
thử 1C từ xa vô cùng (điểm tham chiếu, V = 0) về điểm bất kỳ cách điện
tích điểm một khoảng r.
 Trường thế của điện tích điểm: trường vô hướng, không có vector đơn vị.
 Gọi mặt đẳng thế là tập hợp tất cả các điểm có cùng điện thế  công
dịch chuyển điện tích trên mặt đẳng thế bằng không.
 Mặt đẳng thế của điện tích điểm là các mặt cầu đồng tâm, có tâm
trùng với vị trí của điện tích điểm đó.
Ví dụ 4.7: Cho Q = 15nC ở gốc tọa độ. Tính VP nếu P(-2, 3, -1) và:
a. V = 0 tại điểm A(6, 5, 4)

Q  1 1  15.109  1 1 
VPA         20, 68V
4 0  rP rA  4 0  4  9  1 36  25  16 
b. V = 0 tại vô cùng
Q 15.109
VPA    36,1V
4 0 rP 4 0 4  9  1
c. V = 5 tại B(2, 0, 4)
15.109  1 1 
VP  VPB  VB  5      10,89V
4 0  4  9  1 4  0  16 
Q2
IV. Trường thế của điện tích điểm, hệ điện tích điểm Q1
r2 r – r2
2. Trường thế của hệ điện tích điểm
 Xét không gian, gồm điện tích điểm Q1. Khi đó điện r1
r - r1
A
thế tại điểm A bất kỳ sẽ được tính theo công thức: r
Q1
V (r) 
4 0 | r  r1 | Gốc tọa độ
 Nếu không gian có n điện tích điểm Q1, Q2, …, Qn, điện thế tại A là:
n
Qk
V (r )  
k 1 4 0 | r  rk |
 Coi Qk là một phần tử của phân bố điện tích khối liên tục ρVΔvm:
n
 v (rk )vk n  (r ')dv '
V (r )    V (r )   v
k 1 4 0 | r  rk | V
4 0 | r  r' |
 Vậy trường thế của một vật mang điện:
 Có mật độ điện tích khối ρV:
 v (r ')dv '
V (r )  
V
4 0 | r  r' |
 Có mật độ tích đường ρL (dây dẫn thẳng mang điện, dài vô hạn):
 L (r ')dL '
V (r )  
4 0 | r  r' |
 Có mật độ điện tích mặt ρS (mặt tích điện, rộng vô hạn)
 S (r ')dS '
V (r )  
S
4 0 | r  r' |
z
IV. Trường thế của điện tích điểm, hệ điện tích điểm (0, 0, z)
2. Trường thế của hệ điện tích điểm r | r  r' | a  z
2 2
Ví dụ 4.8: Tính thế điểm trên trục z trong trường

ρ=a
của dây tròn ρL, bán kính a, thuộc mặt phẳng z=0
 L (r ')dL ' y
 Ta có công thức: V (r )   φ’ r’
4 0 | r  r' | dL’=adφ’
x ρL
dL '  ad ' ; r  za z ; r'  aaρ
trong đó: 2
 L ad ' La
| r  r' | a  z 2 2
V   4
0 a z
2 2

2 0 a 2  z 2
0
 Nhận xét:
 Điện thế tại 1 điểm là công sinh ra để đưa 1 điện tích thử từ vô cùng về
điểm đó mà không phụ thuộc vào đường đi giữa chúng.
 Trường thế của một hệ nhiều điện tích điểm là tổng của các trường thế do
từng điện tích điểm tạo nên.
 Mặt khác, điện thế của điểm A bất kỳ được tính theo công thức:
A
VA    E  dL

 Hiệu điện thế giữa A và B không phụ thuộc vào đường nối giữa A và B
A
VAB  VA  VB    E  dL
B
 Đối với điện trường tĩnh (vector cường độ điện trường không thay đổi
phương, hướng và độ lớn theo thời gian t):
 E  dL  0
Ví dụ 4.9: Trong chân không, coi điểm vô cùng có thế bằng 0, tính điện thế
điểm A(0, 0, 2) gây ra bởi vật mang điện:
a. Điện tích đường ρL = 12nC/m, tại ρ = 2,5m, z = 0
La 12.109.2,5
VA    529, 4V
2 0 a  z 2 2
2 0 2,5  2
2 2
b. Điện tích điểm Q = 18nC tại B(1, 2, -1)

Q1 18.109
VA    43, 26V
4 0 | r  rB | 4 0 1  4  9


V. Gradient thế
VI. Lưỡng cực

V. Gradient thế
 Có 2 cách xác định điện thế tại một điểm gây ra bởi một vật mang điện:
 Thông qua vector cường độ điện trường E (tích phân đường)
 Thông qua hàm phân bố mật độ điện tích (tích phân khối)
 Tuy nhiên thực tế, giá trị của vector cường độ điện trường và hàm phân
bố mật độ điện tích đều chưa biết.
 Trong nhiều trường hợp, ta đã biết điện thế của hai mặt đẳng thế. Khi
đó cần xác định cường độ điện trường E hoặc phân bố mật độ điện tích
của các mặt đẳng thế.
 Phương pháp gradient thế

V. Gradient thế V = +90

+80
 Xuất phát từ công thức: V   E  dL  +70
 Xét đoạn nhỏ ΔL rất nhỏ sao cho E = const: +60
ΔL
 V E  L   EL cos  P
+50
 Xét vi phân quãng đường L:
E +40
dV dV +30
  E cos   E  (cos  1)
dL dL max +20
+10
 Độ lớn của E bằng giá trị cực đại tốc độ biến thiên
của điện thế theo khoảng cách.
 Giá trị cực đại đạt được nếu hướng của vi phân khoảng cách ngược
hướng với E (hướng của E ngược với hướng tăng nhanh nhất điện thế).
V. Gradient thế
 Gọi aN là vector pháp tuyến đơn vị của các V = +90

+80
mặt đẳng thế, và có hướng về phía các mặt aN +70
đẳng thế có điện thế cao. Khi đó
+60
P ΔL
dV +50
E aN +40
dL max E
+30
 Do dV/dL  max khi dL cùng hướng với aN +20
+10
dV dV dV
 E aN
dL max dN dN

V. Gradient thế
 Định nghĩa toán tử gradient (grad) của một trường vector T bất kỳ:
dT aN là vector pháp tuyến đơn vị của các
Gradient of T = grad T  aN mặt đẳng thế, có hướng theo hướng
dN
tăng của trường vector T
 Vậy ta có: E   grad V
 V
 Mặt khác ta có: V = V(x, y, z)  E x   x
V V V 
 dV  dx  dy  dz  V
x y z  Ey  
 y
dV  E  dL   Ex dx  E y dy  Ez dz  V
 Ez  
 Suy ra:  z
 V V V  V V V
E   ax  ay  az  grad V  ax  ay  az
 x y z  x y z
V. Gradient thế
V V V
grad V  ax  ay  az
x y z
 Mặt khác ta có
   T T T
  ax  ay  az  T  ax  ay  az
x y z x y z
 Vậy ta có: T  grad T
 Mặt khác: E   grad V
 Suy ra quan hệ giữa vector cường độ điện trường và trường thế:
E  V
V. Gradient thế
E  V
 Hệ tọa độ Descartes:
V V V
V  ax  ay  az
x y z
 Hệ tọa độ trụ tròn:
V 1 V V
V  aρ  aφ  az
   z
V 1 V 1 V
V  ar  aθ  aφ
r r  r sin  

V. Gradient thế
 Chú ý phân biệt 2 toán tử
 Gradient:
V V V
g r adV  V  ax  ay  az
x y z
Gradient của một đại lượng vô hướng là một vector
 Dive:
Dx Dy Dz
divD  .D   
x y z
Dive của một đại lượng vector cho ta một giá trị vô hướng.

V. Gradient thế
Ví dụ 4.10: Xét một trường thế V = 2x2y - 5z và điểm P(-4, 3, 6). Hãy tính
điện thế, cường độ điện trường E, hàm mật độ dịch chuyển điện D, và
hàm mật độ phân bố điện tích ρV tại P.
Giải:
 Điện thế tại P: VP = 2(-4)2.3 – 5.6 = 66V

 Vector cường độ điện trường E tại P:
E P  V P ( 4,3,6)
 4 xya x  2 x 2a y  5a z  48a x  32a y  5a zV / m
P ( 4,3,6)
 Hàm mật độ dịch chuyển:D   0 E  35, 4 x ya x  17, 71x a y  44, 27a z pC / m

2 3
D P ( 4,3,6)   0E P ( 4,3,6)  425a x  283,3a y  4, 43a z pC / m3

Hàm mật độ phân bố điện tích khối ρV:
V     D  P ( 4,3,6)   35, 4 y  P ( 4,3,6) =-106,2 pC / m3

V. Gradient thế
VI. Lưỡng cực

VI. Lưỡng cực

 Việc nghiên cứu hiện tượng lưỡng cực cho phép phân tích quá trình
điện từ trong các chất điện môi đặt trong điện trường E.
 Lưỡng cực điện (lưỡng cực) là khái niệm để chỉ 2 điện tích điểm trái
dấu, cùng độ lớn, đặt cạnh nhau sao cho khoảng cách giữa chúng nhỏ
hơn nhiều khoảng cách đến điểm cần xét (EP hay VP)
 Điện thế của điểm P(r, θ, φ=-900):
z
Q  1 1  Q R2  R1
V     P
4 0  R1 R2  4 0 R1 R2 θ R1
+Q
 Xét quỹ tích các điểm có z = 0  R1 = R2  V = 0
r R2
y
(điểm “đất”) d
 Nếu P càng xa vị trí lưỡng cực điện:
R1 R2  VP  0 x -Q
VI. Lưỡng cực z

R1
 Ở khoảng cách đủ gần, coi R1 // R2 θ
+Q r
 R2  R1 d cos
R2
 Vậy thế tại P được tính theo công thức: d
y
x
Qd cos  (điểm tham chiếu:
V -Q R2 – R1 = dcosθ
4 0 r 2 mặt phẳng z = 0)
 Áp dụng công thức tính E trong hệ tọa độ cầu:

 V 1 V 1 V   2Qd cos  Qd sin  
E  V    ar  aθ  aφ      ar  aθ 
 r r  r sin     4 0 r 3
4 0 r 3

Qd
3 
E 2cos  ar  sin  aθ 
4 0 r

VI. Lưỡng cực

Qd
Qd cos  Qd Chọn 1
V E  2cos  ar  sin  aθ  4 0
4 0 r 2 4 0 r 3
cos   Vr 2
z
0,2 Mặt đẳng thế
0,4
0,6
0,8
1
0 0
-1
-0,8
-0,6
-0,4
Cường độ
-0,2 điện trường E
VI. Lưỡng cực z

P
θ R1
 Momen lưỡng cực điện: p = Qd [C.m] +Q
ar r R
2
y
Qd cos  d.ar  d cos p.ar d
V V
4 0 r 2 4 0 r 2
x -Q
1 r r' r: vector định vị P
V p.
4 0 | r  r ' |2 | r  r ' | r’: vector định vị tâm lưỡng cực điện
 Nhận xét:
 Điện thế V tại một điểm do lưỡng cực điện gây ra tỷ nghịch với bình
phương khoảng cách.
 Cường độ điện trường E tại một điểm do lưỡng cực điện gây ra tỷ
nghịch với khoảng cách mũ ba.
VI. Lưỡng cực

Ví dụ 4.11: Một lưỡng cực điện đặt trong chân không, tại gốc tọa độ có
momen lưỡng cực p = 3ax – 2ay + az nC.m.
2a x  3a y  4a z
a. Tính V tại A(2, 3, 4) ar  r  22  32  42  29
 Áp dụng công thức: 22  32  42
p.ar (3a x  2a y  a z ).(2a x  3a y  4a z )
V   0, 23
4 0 r  
2 3
4 29 0
b. Tính V tại B(r = 2,5 ; θ = 300 ; φ = 400)  B(0,96 ; 0,8 ; 2,17)

0,96a x  0,8a y  2,17a z
ar  r  0,962  0,82  2,17 2  2,5
0,962  0,82  2,17 2
p.ar (3a x  2a y  a z ).(0,96a x  0,8a y  2,17a z )

V   1,985V
4 0 r 4 0  2,5 
2 3

VI. Lưỡng cực
Ví dụ 4.12: Một lưỡng cực điện đặt trong chân không, tại gốc tọa độ có
momen lưỡng cực p = 6az nC.m. Tính E tại A(r = 4 ; θ = 200 ; φ = 0)
D / S : E  1,584ar  0, 288aθ V / m

V. Gradient thế
VI. Lưỡng cực

 Nếu di chuyển Q2 từ xa vô cùng vào không gian có điện trường tạo bởi
Q1 cố định, ta cần thực hiện một công.
 Nếu Q2 được giữ nguyên: Q2 có thế năng
 Nếu Q2 được đặt tự do:
 Q2 dịch chuyển ra xa Q1
 Q2 tích lũy động năng khi chuyển động (thế năng giảm).
 Cần xác định thế năng của một hệ điện tích điểm.

 Xét điện tích điểm Q2 đặt trong không gian có điện trường của Q1
 Gọi V2,1 là điện thế tại vị trí của Q2 do Q1 tạo ra
Công di chuyển Q2 = Q2V2,1
 Không gian có điện tích điểm Q3

Công di chuyển Q3= Q3V3,1 + Q3V3,2
 Không gian có điện tích điểm Q4

Công di chuyển Q4= Q4V4,1 + Q4V4,2 + Q4V4,3
 Tổng công di chuyển = Thế năng của điện trường

WE = Q2V2,1 + Q3V3,1 + Q3V3,2 + Q4V4,1 + Q4V4,2 + Q4V4,3 + …


WE = Q2V2,1 + Q3V3,1 + Q3V3,2 + Q4V4,1 + Q4V4,2 + Q4V4,3 + …
Q1 
 Mặt khác: Q3V3,1  Q3  Q3
4 0 R13   Q3V3,1  Q1  QV
 4 R
1 1,3
R13  R31 
0 31
 WE = Q1V1,2 + Q1V1,3 + Q1V1,4 + Q2V2,3 + Q2V2,4 + Q3V3,4 + …
 2WE = Q1(V1,2 + V1,3 + V1,4 + ...) + V1,2 + V1,3 + V1,4 + ... = V1
Q2 (V2,1 + V2,3 + V2,4 + ...) + V2,1 + V2,3 + V2,4 + ... = V2
Q3 (V3,1 + V3,2 + V3,4 + …) + V3,1 + V3,2 + V3,4 + … = V3

1 1 N
 Vậy ta có: WE   QV
...
1 1  Q2V2  Q3V3  ...   QkVk 1
2 2 k 1  WE   V Vdv
2V
 Để tính năng lượng vật mang điện, coi: Qk  V dv
1 N 1
WE   QkVk WE   V Vdv
2 k 1 2V
 Công thức cho phép tính thế năng của một hệ điện tích điểm, hoặc một
vật mang điện có hàm mật độ phân bố điện tích khối ρV
 Công thức tính thế năng của vật mang điện có hàm mật độ phân bố
điện tích khối ρV có thể coi là công thức tính thế năng tổng quát cho
các vật mang điện khác nhau:
 Điện tích điểm
 Điện tích đường
 Điện tích mặt


1
 Xét công thức: WE   V Vdv
 1
  WE   (  D)Vdv
2V
 Áp dụng phương trình Maxwell 1: V    D 
2V
 Mặt khác:   (VD)  V (  D)  D  (V )

1
 WE     (VD)  D  (V ) dv
2V
1 1
 WE     (VD)dv   D  (V )dv
2V 2V
 Áp dụng định lý Dive:  D.dS     Ddv

S V
1 1
 Vậy ta có công thức: WE 
2  (VD)  dS 
S
2V D  (V )dv

1 1
WE 
2  (VD)  dS 
S
2V D  (V )dv
 Ta có:
V
Q
:suy giảm với tốc độ
1 
4 0 r r 
 1
   (VD)  dS  0
Q 1
D a : suy giảm với tốc độ 2
4 r 2 r
r  2S

dS : suy giảm với tốc độ r
2

1 
 Vậy ta có: WE    D  (V )dv
 1 1
2V        2
 WE D Edv 0 E dv
 2V 2V
 Theo công thức gradient thế: E  V 


Ví dụ 4.13: Tính thế năng của cáp đồng trục (tụ) độ
dài L, có mật độ phân bố điện mặt trong của cáp ρS
Cách 1: b a
1
 Áp dụng công thức: WE    0 E dv
2
2V
aS aS
trong đó: D  ( a    b)  E  aρ
 0
L 2 b
1 a 2  S2  La 2  S2 b
WE      0 2 2  d  d dz  ln
2 0 0 a 0  0 a


Cách 2: b a
1
 Áp dụng công thức: WE   V Vdv
2V
 Coi các điểm trên mặt ngoài của cáp là điểm tham chiếu (V = 0). Thế
của các điểm trên mặt trong của cáp là:
a

Vab    E  dL  a a
aS aS b
b   Va   b 
E d    b  0  d  
0
ln
a
Vb  0 


1 aS b
Cách 2: WE   V ln dv
2V 0 a b a
S t t
V  , a     a  , t  a
t 2 2
t
 a 
z  L   2
1 2
SS b  La 2  S2 b
 WE     a ln  d  d dz  ln
2 z 0  0  a  t
t 0 a 0 a
 Chú ý: 2
 Tổng điện tích lõi cáp: Q  2 aLS   La 2  S2 b

1
aS b   WE  QVa  ln
 Điện thế lõi cáp: Va  ln  2 0 a
0 a Năng lượng của tụ

Ví dụ 4.14: Tính năng lượng WE của một vật mang điện 2mm < r < 3mm, 0
< θ < 900, 0 < φ < 900 trong chân không, biết trường thế V:
a.
200
V
r
b. 300cos V
r2

Chương 5: Vật dẫn - Điện môi - Điện dung
I. Dòng điện - Mật độ dòng điện

II. Vật dẫn kim loại
III. Phương pháp soi ảnh
IV. Bán dẫn
V. Chất điện môi
VI. Điện dung
VII. Phương pháp đường sức - đẳng thế
VIII. Phương pháp lưới

Chương 5: Vật Dẫn - Điện Môi - Điện Dung

 Dòng điện là dòng chuyển dời có hướng của các hạt mang điện
dương (tốc độ biến thiên của điện tích theo thời gian).
dQ
I [ A]
dt
 Mật độ dòng điện J [A/m2] đo sự phân bố dòng điện trên một đơn vị
diện tích.
 Dòng điện chảy ra khỏi mặt ΔS vuông góc với mật độ dòng điện, được
tính theo công thức: ΔI = JNΔS
 Nếu ΔS không vuông góc với mật độ dòng điện: ΔI = J.ΔS
 Tổng dòng điện qua mặt S có mật độ dòng điện J được tính theo công
thức: I   J  dS
S
I. Dòng điện - Mật độ dòng điện Q  V V z
 Vật mang điện có hàm mật độ điện tích khối ρV

S
Q  V V  V S L y
 Đơn giản hóa: Coi vật dịch chuyển song song

với trục x: Δx trong khoảng thời gian Δt
x L
Q  V S x z
Q  V V
 Vậy trong Δt, lượng dòng điện ΔI chảy qua mặt
vuông góc với phương Δx là: S y
Q x
I   V S  I  V Svx  J x S
t t x
x L
 Vậy ta có: J  V v

Ví dụ: Cho vector mật độ dòng điện J  10  2 zaρ  4  cos2 aφ A / m2
Tính tổng dòng điện chảy qua mặt tròn ρ = 3, 0 < φ < 2π, 1 < z < 2
Giải:

 Áp dụng công thức: I  J  dS  J  3  dS
S

S
J  3  10.32
za ρ  4.3cos 2
 a φ  90 za ρ  12cos 2
 aφ
 Ta có:
dS   d dzaρ  3d dzaρ
 Suy ra:
z  2   2 z 2
I   J  dS   270 zd dz    270 zd dz   2 .270 zdz  2,54 A
S S z 1 0 z 1

 Xét một mặt kín S: I   J  dS

S
 Theo định nghĩa: Dòng điện chảy ra khỏi mặt kín tỷ lệ với độ giảm của
hạt mang điện tích dương (tỉ lệ với độ tăng của hạt mang điện tích âm).
 Gọi Qi là các hạt mang điện trong một mặt kín.

dQi
I   J  dS   
trong đó Qi  V dv
S
dt V
d V
 Định lý Dive:  J  dS   (  J )dv   (  J ) dv     dv    dv
t
V
S V V
dt V V
V V
 (  J )v   v  J  
t t

et
Ví dụ: Khảo sát mật độ dòng điện:J  ar A/m2
r
 Tại t = 1s, tổng dòng điện chảy ra khỏi mặt cầu kín bán kính
1 1
 Bán kính r = 5m: I  J r S  e 4 52  23,1 A
5
1 1
 Bán kính r = 6m: I  J r S  e 4 6  27, 7 A
2
6
V  1 t  1   2 1 t  1 t
 Mật độ điện tích khối:     J     e ar   2  r e   2 e
t r  r r  r  r
khi r 
1 1 1 t
V    2 et dt  K (r )  2 et  K (r )    3
V 2
e C/m
r r V  0 r
1 t
e
Jr
 Vận tốc dịch chuyển của điện tích: J  V v  vr   r  r m/s
V 1
e t
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn r2 6


1. Khái niệm
 Cấu tạo của một nguyên tử: Năng lượng = Động năng + thế năng
 Hạt nhân mang điện tích dương.
 Các electron mang điện tích âm chuyển động xung quanh.
 Electron ở mức năng lượng thấp có quỹ đạo chuyển động gần hạt
nhân (và ngược lại).
 Khi electron chuyển từ mức năng lượng này sang mức năng lượng
khác thì nó sẽ nhận (hoặc phát) ra năng lượng.
 Các electron hóa trị có mức năng lượng cao nhất  dễ bị kích
thích, thoát ra khỏi trạng thái cân bằng và trở thành các electron tự
do (dòng các electron tự do).

1. Khái niệm
Vùng dẫn
Năng lượng
Vùng dẫn
Vùng trống
Vùng dẫn Vùng trống
Vùng hóa trị Vùng hóa trị Vùng hóa trị
Vật dẫn điện Vật bán dẫn Vật cách điện
 Xét electron tự do trong vật dẫn điện, đặt ở trong cường độ trường E
F = - eE
 Chân không: Vận tốc electron sẽ tăng liên tục
 Vật dẫn: Vận tốc electron tiến đến giá trị trung bình
J  v v
v d   e E   J    e e E μe [m2/Vs]: độ cơ động của
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn electron (luôn dương) 8

1. Khái niệm
J   e eE ρe: mật độ điện tử tự do (luôn âm)
 Trong các vật dẫn kim loại, ta có quan hệ:
J E σ [S/m]: độ dẫn điện (điện dẫn suất)
 Độ dẫn điện (điện trở suất) của vật dẫn thay đổi theo nhiệt độ (VD: Điện
trở suất của đồng nhôm bạc thay đổi khoảng 0,4% khi nhiệt độ tăng 10K).
 Nhiều vật dẫn trở thành siêu dẫn (điện trở suất 0) khi nhiệt độ xấp xỉ
00K (VD: Nhôm trở siêu dẫn ở t0 ~1,140K).
  e e

S σ
1. Khái niệm J = const
 Xét dây dẫn hình trụ, có J và E đẳng hướng E = const
I L
I   J  dS  JS  J    E
S
S
b b
 
 Ta có: Vab   E  dL  E  dL  E  Lba  E  L ab  V  EL
a a
I V L
 Suy ra:    V  I
S L S 
  V  RI (Luật Ohm)
L 
với R 
S b
  E  dL
Vab
 Điện trở của dây dẫn có thể tính theo công thức: R   a
I   E  dS
S 10

2. Tính chất vật dẫn - Điều kiện bờ
 Xét điều kiện tĩnh: Giả thiết tồn tại các electron bên trong một vật dẫn.
 Cường độ trường của các electron làm chúng chuyển động ra bề mặt
của vật dẫn và có xu hướng tách rời nhau.
 Mật độ điện tích tại mọi điểm bên trong vật dẫn bằng không, bề mặt
vật dẫn xuất hiện một điện tích mặt.
 Tại mọi điểm trong vật dẫn, dòng điện bằng không  cường độ
điện trường tại mọi điểm trong vật dẫn bằng không (theo luật Ohm)


2. Tính chất vật dẫn - Điều kiện bờ Chân không EN E
D
 Xét bề mặt phân cách vật DN a Δw b
ΔS
dẫn và chân không. Δh Δh Δh Et
d Δw c
 Vector: E = EN + Et ; D = DN + Dt Dt
Vật dẫn
 Ta có:  E  dL  0
b c d a
      0
 h h
a b c d   Et w  EN , tai b  EN , tai a  0  Et  0
 2 2  
 Trong vật dẫn: E = 0
h  0  Dt  0
 Áp dụng luật Gauss: Q   D  dS      

S tren duoi xung quanh
  DN S  Q   S S

 N
 D  S ; 
tren
 0 ;   0
duoi
D    E
xungquanh
N S 0 N

Chân không EN E
Et  Dt  0 D
DN
DN   0 EN   S ΔS a Δw b
Δh Δh Δh Et
x
d Δw c
Vxy    E  dL  0 Dt
y
Vật dẫn
 Tính chất của vật dẫn trong điện trường tĩnh
 Cường độ điện trường tĩnh bên trong vật dẫn bằng không.
 Tại mọi điểm trên bề mặt của vật dẫn, vector cường độ điện trường
tĩnh luôn vuông góc với bề mặt tại điểm đó.
 Bề mặt của vật dẫn có tính đẳng thế.


Ví dụ: Cho trường thế V = 100(x2 – y2), điểm P(2, -1, 3) nằm trên mặt phân
cách. Tính V, E, D, ρS tại P. Viết phương trình của mặt dẫn.
 Điện thế tại P: VP  100  2  (1)   300V

2 2
 Do mặt vật dẫn đẳng thế  mọi điểm trên mặt của vật có V=300V 
quỹ tích các điểm có điện thế V = 300V = 100(x2 – y2)  x2 – y2 = 3
 Tính E  V  100( x 2  y 2 )  200 xax  200 yay

 E P  400a x  200a y V/m  DP   0EP  3,54ax  1,771ay nC/m2
 DN , P  DP  3,96nC / m2
 S , P  DN , P  3,96nC / m2
III. Phương pháp soi ảnh

 Một đặc điểm quan trọng của lưỡng cực điện là mặt phẳng nằm giữa
lưỡng cực điện luôn có thế bằng không  có thể biểu diễn bằng một
mặt phẳng dẫn có độ rộng vô hạn và độ dày tiến tới không.
 Có thể thay một lưỡng cực điện bằng một điện tích và một mặt phẳng
dẫn mà không làm thay đổi các cường độ trường trên mặt dẫn.
+Q ρ L
+Q ρL Mặt phẳng dẫn, V = 0
Mặt đẳng thế, V = 0
hoặc
-ρL
Mặt đẳng thế, V = 0
-Q
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn -Q 15

III. Phương pháp soi ảnh z

30nC/m
Ví dụ: Tính mật độ điện tích mặt ρS tại P(2, 5, 0)
Mặt phẳng dẫn
trên mặt phẳng dẫn z = 0 nếu có một điện tích
đường ρL = 30nC/m đặt tại x = 0 và z = 3 y
 Áp dụng phương pháp soi ảnh. P(2, 5, 0)
R +  2ax  3az R-  2ax  3az x

z
L 9
30.10 2a x  3a z 30nC/m
E+  a R+ 
2 0 R 2 0 13 13 R+
L 30.109 2a x  3a z
E  aR   P y
2 0 R 2 0 13 13
R-
180.109 a z -30nC/m
E  E +  E-   249a z V/m x
2 0 (13)
  S   0 EN  2, 20nC / m2
IV. Bán dẫn
 Trong các vật liệu bán dẫn, có 2 hạt mang điện: Electron, và lỗ trống
 Các electron ở vùng hóa trị nhận năng J, E
lượng kích thích  vượt qua vùng
cấm để tới vùng dẫn.
 Trong chất bán dẫn, các khoảng trống

do electron để lại (lỗ trống) cũng di
chuyển (ngược hướng với electron).
 Độ dẫn điện của chất bán dẫn:    e e  h h
 Độ dẫn điện chất bán dẫn tăng khi nhiệt độ tăng (ngược với kim loại)
 Điện dẫn chất bán dẫn tăng lên khi có lẫn tạp chất (n-type, p-type)

1. Khái niệm
 Các chất điện môi được cấu tạo bởi nhiều các phân cực điện đặt trong
chân không.
 Phân cực điện không thể phân bố như quá trình dẫn đối với kim
loại/bán dẫn do chúng chịu lực tương tác của nguyên tử & phân tử.
 Ở trạng thái bình thường, các phân cực điện sẽ xoay theo các
hướng khác nhau.
 Khi có tác động của điện trường ngoài, các phân cực điện sẽ sắp
xếp lại theo hướng của điện trường, tạo ra trường điện từ tĩnh.
 Tính chất: Các chất điện môi đều có khả năng tích lũy năng lượng
điện năng.
V. Chất điện môi Q

d
1. Khái niệm
E
 Gọi p là momen lưỡng cực điện: p = Qd [Cm]
 Nếu vi phân thể tích Δv có n lưỡng cực điện p  momen lưỡng cực
nv
điện tổng:
p tong   pi
i 1
 Ở trạng thái tự nhiên, pi sắp xếp ngẫu nhiên  ptổng xấp xỉ không.
 Nếu pi cùng hướng (do điện từ trường ngoài)  ptổng khá lớn.
 Vector phân cực P cho biết số lượng momen lưỡng cực trên một đơn vị
1 nv
thể tích P  lim
v 0 v

i 1
pi [ C/m2 ]


1. Khái niệm
 Xét vật liệu điện môi có P = 0
 Xét vi phân diện tích ΔS chịu tác động của cường độ điện trường E
 Dưới tác động của E, mỗi phân tử điện môi có: p = Qd
 Mỗi điện tích sẽ dịch chuyển theo hướng ΔS một khoảng ½ dcosθ
 Điện tích dương dịch cùng chiều với ΔS
 Điện tích âm dịch ngược chiều với ΔS
+ ΔS
+ +
Chất điện môi 1
 d cos 
+
+ θ
ΔS E ΔS  2
- +
-
+ - + 1
+
+  d cos 
-
- 2
d
- - -
- 20
-

1. Khái niệm
 Với mật độ: n phân tử / m3
 Số phân tử dịch theo hướng ΔS trong một vi phân thể tích:
Qb  nQd cosS  nQd  S 
  Qb  P  S  Qb    P  dS
p  Qd  P  nQd  S
 Áp dụng luật Gauss cho một mặt kín: Qtong    E  dS  Q  Q

S
0 b
 Q  Qtong  Qb     E  P   dS
S
0
 D   0E  P
 Theo định lý Dive:  D  dS     Ddv 

S V     D  V
Q   V dv 
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn V 21

1. Khái niệm
 Trong vật liệu đẳng hướng, E luôn cùng chiều P, không phụ thuộc
hướng của trường.
P  e 0E χe : hệ số phân cực điện môi (kp)
 Ta có:D   0E  P   0E  e 0E  (1  e ) 0E
 Gọi:  r  1  e hằng số phân cực điện của vật liệu
 Vậy: D   0 r E   E với    0 r là hằng số điện môi của vật liệu
 Trong vật liệu dị hướng, E không cùng chiều P

Dx   xx Ex   xy E y   xz Ez
D  E
 Dy   yx Ex   yy E y   yz Ez
   0 R
Dz   zx Ex   zy E y   zz Ez
V. Chất điện môi Chất điện môi 1

2. Điều kiện bờ của chất điện môi lý tưởng DN1 ε1 Ett1
ΔS Δh
 Xét mặt phân cách 2 chất điện môi
Δw Ett2
 E  dL  0  DN2 Chất điện môi 2
h h 
 Et w  EN  EN  0   Ett1w  Ett 2 w  0 ε2
2 2 
h  0   Ett1  Ett 2 (biến thiên liên tục)
Dtt1 Dtt 2 Dtt1 1 (biến thiên

 Mật độ dòng điện D:  Ett1  Ett 2   
1 2 Dtt 2  2 không liên tục)
 Xét EN : DN1S  DN 2 S  Q  S S 1 EN 1   2 EN 2
 DN1  DN 2  S   0
 DN 1  DN 2  EN 1  2
S

(Trên bề mặt chất điện môi không có các điện tích tự do) EN 2 1

2. Điều kiện bờ của chất điện môi lý tưởng DN1 D1
 Xét mặt phân cách giữa 2 chất điện môi có: θ1
Chất điện môi 1 Dtt1
ε1
 D1 lệch với phương pháp tuyến góc θ1
ε1 > ε2
DN2
 D2 lệch với phương pháp tuyến góc θ2 D2 θ2
Chất điện môi 2
DN1  DN 2  Dtt2
ε2

DN 1  D1 cos 1   D1 cos 1  D2 cos  2 
 
DN 2  D2 cos  2  tg1 1
   2 
Dtt1 1  tg 2  2   D2
 
Dtt 2  2   D1cos1  D2cos2 
  2 D1 sin 1  1 D2 sin  2
Dtt1  D1 sin 1 

Dtt 2  D2 sin 2 
V. Chất điện môi DN1 D1

2. Điều kiện bờ của chất điện môi lý tưởng θ1
Chất điện môi 1 Dtt1
 Trên mỗi bề mặt của mặt phân cách: D = εE ε1
ε1 > ε2
(D và E luôn cùng hướng) DN2
D2 θ2
2 Chất điện môi 2
 2  ε2
D2  D1 cos 1    sin 2 1
2 Dtt2
 1 
 Nhận xét:
2
 2   Nếu biết (E, D) của một bên 
E2  E1 sin 1    cos 2 1
2
 1  tính được bên còn lại.
 2   Chất điện môi có ε lớn thì D lớn

 2  arctg  tg 1 
 2   Chất điện môi có ε nhỏ thì E lớn


2. Điều kiện bờ của chất điện môi lý tưởng
Ví dụ: Xét vùng z<0 có chất điện môi 1: ε1 = 3,2; D1 = -30ax + 50ay + 70az
nC/m2, vùng z>0 có chất điện môi 2: ε2=2. Tính DN1, Dtt1, Dtt1, DN2, Dtt2, D2, θ2
Giải:
DN1  D1z  70a z  DN 1  70nC / m2  D N 1  DN 2  DN2  70a z nC / m2
Dtt1  30ax  50ay nC / m2  Dtt1  (30)2  502 =58,31nC / m2
Dtt1 1 D 2
  Dtt2  2 tt1  (30ax  50ay )  18, 75ax  31, 25ay nC/m2
Dtt 2  2 1 3, 2
 D2  DN2  Dtt2 =-18,75ax +31,25ay +70az nC/m2
Dtt1 58,3  2 
1  arctg  arctg  39,8   2  arctg  tg1   27,50
0
D1z 70  1 
VI. Điện dung

1. Khái niệm - - - - -
 Xét 2 vật dẫn đặt trong điện môi: - - vật dẫn M - 2
 Vật dẫn M1: +Q + ++ - -Q -

 Q  Q  Q  0 + + -- -
 Vật dẫn M2: -Q + +Q ++ - - - - -
 Nhận xét: + + Chất điện môi,
 Bề mặt vật dẫn đóng vai trò như + vật dẫn M + ε 1
điện tích mặt, và mặt đẳng thế. ++ +

 Vector cường độ điện trường vuông + ++
góc với bề mặt vật dẫn tại điểm xét.
 M1 tích điện dương  cường độ trường hướng từ M1 sang M2, và
điện thế của mặt M1 dương hơn so với điện thế của mặt M2
 Định nghĩa: Điện dung C giữa hệ hai vật dẫn có giá trị bằng tỉ số điện
tích của vật dẫn với hiệu điện thế giữa hai vật dẫn đó.
Q V0: hiệu điện thế giữa 2 vật
C
V0 dẫn M1 và M2
VI. Điện dung

1. Khái niệm Q C - - - - -
C [ =F] - -
V0 V - vật dẫn M2
-
+ + + + -- -Q -
 Tổng quát: +
 Điện tích Q được tích cho toàn + +Q ++ - - - - - -
bộ mặt kín của vật mang điện M1: + + Chất điện môi,
+ vật dẫn M + ε
Q    E  dS
1
++ +
S
+ ++
 Hiệu điện thế V0 là công sinh ra để di chuyển điện tích thử từ M2
sang M1 
V0    E  dL

  E  dS Giá trị điện dung phụ thuộc vào kích thước vật lý
 Vậy: C  S
 của hệ vật dẫn và phụ thuộc vào hằng số điện
  E  dL môi của chất điện môi.

VI. Điện dung

1. Khái niệm mặt dẫn, -ρS z=d
 Xét 2 mặt dẫn phẳng, rộng vô hạn, đặt E
song song, cách nhau 1 khoảng d mặt dẫn, +ρS z=0
 Mặt trên có mật độ điện tích mặt +ρS
 Mặt dưới có mật độ điện tích mặt -ρS
 Cường độ trường giữa 2 mặt dẫn:

S ε: hằng số điện môi của chất điện
E a z  D  S az
 môi giữa 2 mặt phẳng dẫn điện
 Hiệu điện thế giữa 2 mặt dẫn điện:

d í i 0
S 
V0   
trªn
E  dL   
d

dz  S d

VI. Điện dung

1. Khái niệm mặt dẫn, -ρS z=d
 Thực tế: Xét 2 mặt phẳng dẫn điện có độ E
rộng hữu hạn, có diện tích S lớn hơn
nhiều khoảng cách d giữa chúng. mặt dẫn, +ρS z=0
 Q  S S
 Vậy điện dung giữa 2 mặt phẳng dẫn điện là:
Q S
C 
V0 d
 Năng lượng:
1  S2 1  S2 1  S  S2 d 2
S d
1
WE    E dv    2 dzdS 
2
Sd 
2V 200  2  2 d 2
1 1 1 Q2
WE  CV0  QV0 
2
2 2 2 C
VI. Điện dung ρ=a ρL ρ=b

2. Một số bài toán tính điện dung ε
 Cáp đồng trục, dài L:
L
 Lõi bán kính a
 Vỏ bán kính b
L b
Vab 
2 a   C  Q  2 L
ln 
 Vab b
Q  L L ln
a
 Tụ cầu đồng tâm:
 Mặt cầu trong, bán kính a Q
ε
 Mặt cầu ngoài, bán kính b
a
Q 1 1 Q 4 b
Vab      C V  1 1
4  a b  ab 
a b 31
VI. Điện dung

Mặt dẫn
2. Một số bài toán tính điện dung diện tích S
 Xét 2 mặt dẫn song song, diện tích
S, cách nhau d (d << S), tích điện Q
 Hiệu điện thế giữa 2 mặt dẫn: ε2 d2 d
V0  V1  V2  E1d1  E2 d2
ε1 d1
 Tại mặt phân cách giữa 2 điện
môi, vector dịch chuyển điện D
theo phương pháp tuyến: DN1  DN 2  D
 Ta có:
D
Q Qd D Q Qd 2
E1    V1  E1d1  1 E2    V2 
1 1S 1S 2 2S 2S
Q Q 1 1
C    
V V1  V2 d1 d
 2
1

1
1S  2 S C1 C2 32
VI. Điện dung

2. Một số bài toán tính điện dung Mặt dẫn
 Xét trường hợp, mặt phân cách

của 2 chất điện môi theo phương
S1 S2
pháp tuyến với mặt dẫn d
ε1 ε2
 Giả thiết V0 là điện thế giữa 2 mặt dẫn
V0
 E1  E2 
d
 Điện dung C được tính theo công thức:
1S1   2 S2
 C  C1  C2
d

y
VI. Điện dung
P(x, y, 0)
2. Một số bài toán tính điện dung R2
R1
 Xét 2 dẫn dẫn thằng dài vô hạn, đặt (-a, 0, 0) x
(a, 0, 0)
song song với nhau trong không gian 2a
 Điện thế điểm P(x, y, 0) -ρL z +ρL
 L R01  L R02  L R01R2

V  V1  V2  ln  ln  ln
2 R1 2 R2 2 R02 R1
 Chọn R01 = R02

 L ( x  a)2  y 2  L ( x  a)2  y 2
R1  ( x  a)2  y 2  V  ln  ln
 2 ( x  a ) 2
 y 2
4 ( x  a ) 2
 y 2
R2  ( x  a) 2  y 2 

VI. Điện dung y

2. Một số bài toán tính điện dung
P(x, y, 0)
 L ( x  a)2  y 2 R2
V ln
4 ( x  a ) 2  y 2 4 (-a, 0, 0) R1 x
V1
 Giả sử V1 là mặt đẳng thế, đặt: K1  e L 2a (a, 0, 0)
4  L ( x  a )2  y 2
ln
( x  a)2  y 2
 L 4 ( x  a )2  y 2
K1  e  +ρL
( x  a)2  y 2 -ρL z
2
 
2
K1  1 2  K1  1  2a K1
 x  2ax  y a 0 xa   y   
2 2 2
K1  1  
K1  1   K1  1 
 Nhận xét:
 Mặt đẳng thế V = V1 không phụ thuộc z V1 có dạng một mặt trụ
 Giao giữa mặt V1 với mặt x0y là đường tròn:
2a K1
 Bán kính: b 
K1  1
K 1
 Tọa độ tâm: y  0 ; h  a 1
K1  1
VI. Điện dung y

2. Một số bài toán tính điện dung V0 = 0 h
 Nhận xét:
V
 Mặt đẳng thế V = V1 có dạng một mặt trụ 1
x
 Giao giữa mặt V1 với mặt x0y là đường tròn: b
2a K1
 Bán kính: b  z
K1  1
K 1
 Tọa độ tâm: y  0 ; h  a 1
K1  1
 a  h2  b2 4 V1
 K1  e L 4V1 Biết h, b, V1
    
h h b
2 2
L
 K1  ln K1 xác định được a, ρL
 b
 L L 4 L 2 L 2 L

Cmatphang ,tru     L chiều dài của trụ
V1 ln K1 h h b
2 2 h
1
ln cosh tròn theo phương z
b b
VI. Điện dung y

2. Một số bài toán tính điện dung V0 = 0 h
 L L 4 L 2 L 2 L
Cmatphang ,tru     V
V1 ln K1 h h b 2 2 h
ln cosh 1 1
x
b b
b
h  h2  b2 hh 2h
 Nếu b << h: ln ln    ln
b  b  b z
2 L
 Cmatphang.tru  Cmatphang, day  y
2h h
ln
b
 Tổng quát, ta có công thức tính điện dung
giữa 2 dây dẫn thẳng đặt song song: x
 L
 Cday, day 
2h
ln z
b
VI. Điện dung y Điện tích

đường tương
2. Một số bài toán tính điện dung V= 0 đương, ρL
Ví dụ 1: Cho đường tròn có tâm x = 13, y = 0, bán Tâm (13, 0)
kính b = 5 là giao của mặt x0y với mặt trụ đẳng thế V = 100
x
V = 100V.
a. Tìm vị trí, độ lớn điện tích đường tương đương
h=13 b=5
a  h  b  13  5  12m
2 2 2 2
h  h 2  b 2 13  12
K1    5  K1  25
b 5
4V1 4 .8,854.1012.100
 L    3, 46nC / m
ln K1 ln 25
b. Tính điện dung giữa mặt đẳng thế V = 0 & điện tích đường tương đương.
2 2 .8,854.1012
Cmatphang,tru    34, 6 pF / m
1 h 1 13
cosh cos h
b 5
VI. Điện dung y Điện tích đường

tương đương
2. Một số bài toán tính điện dung V= 0
c. Biết mặt đẳng thế V1= 50V của điện tích Tâm (13, 0)
V = 100
đường. Tìm tọa độ tâm của đường tròn giao giữa x
mặt trụ đẳng thế với mặt phẳng x0y

h=13 b=5
4V1 4 .8,854.1012.50
L 3,46.109
K1  e e 5 Tâm (18; 0),
bán kính 13, 42;
2a K1 2.12 5 V = 50
b   13, 42m
K1  1 5 1
K1  1 5 1
ha  12  18m
K1  1 5 1

VII. Phương pháp đường sức – đẳng thế Mặt đẳng thế
 Các kết quả đã chứng minh:

B
 Mặt dẫn là một mặt đẳng thế B’
A
A’
 Vector cường độ điện trường E và vector
mật độ dịch chuyển điện D luôn vuông
góc với mặt đẳng thế.
Mặt dẫn biên
 Cường độ điện trường E và mật độ dịch chuyển điện D vuông mặt
dẫn phân cách và có thành phần tiếp tuyến bằng không.
 Các đường sức (biểu diễn dòng điện dịch) luôn bắt đầu và kết thúc
trên 1 điện tích, do đó đối với các chất điện môi đồng chất (không
có các điện tích tự do), các đường sức sẽ bắt đầu và kết thúc trên
các mặt dẫn phân cách.

VII. Phương pháp đường sức – đẳng thế Mặt đẳng thế
 Giả thiết, tổng đường sức trong ống AB là: ΔΨ

 Coi ΔLtt là chiều ngang của ống AB B
B’
 Độ sâu của ống AB là 1m ΔLtt
A
A’
 Cường độ điện trường E tại điểm giữa của ΔLN
ống AB được tính theo công thức
1  Mặt dẫn biên
E
 Ltt
V ΔV: hiệu điện thế giữa 2 mặt đẳng thế kề nhau
 Mặt khác: E 
LN ΔLN : khoảng cách 2 mặt đẳng thế kề nhau
 Do các mặt đẳng thế rất gần nhau (ΔV nhỏ) và khoảng cách giữa 2
đường sức nhỏ (ΔΨ nhỏ)
1  V   const , V  const Ltt 1 
    const
  const 
 Ltt LN LN  V
VII. Phương pháp đường sức – đẳng thế

Ltt 1 
 const  1
LN  V
 Tỷ số trên sẽ luôn không đổi:
 Trong khoảng cách giữa 2 đường sức dọc
theo một mặt đẳng thế
 Trong khoảng giữa các mặt đẳng thế dọc
theo một đường sức.
 Đơn giản, chọn: ΔLtt = ΔLN
 Điện dung C giữa 2 mặt dẫn:
Q NQ Q NQ  NQ: Số các ống sức nối 2 mặt dẫn
C  
V0 NV V NV V NV: số các bước điện thế giữa 2 mặt
dẫn
N Q Ltt NQ
C   
NV LN NV
VIII. Phương pháp lưới

 Xét trường thế: V = V(x, y)
 Trường thế phân bố đều trên V2
mặt lưới kích thước h
b
 Không gian chứa chất điện môi
V0 a V1
đồng chất.
V3 c
 Ta có:  D  0 ;  E  0 h d
Ex E y Ex 
V
 2
V  2
V
  0  V 
x
 2 0 V4
x y E y 
y x 2
y h
V V1  V0 V V
  y
x h  V
2
x a x c V1  V0  V0  V3

a
 x
V V0  V3  x 0 2
h h 2
x  V2  V0  V0  V4
h  2V 1
c
Tương tự: 2  V0 V1  V2  V3  V4 
y 0 h 2
4
VIII. Phương pháp lưới V= 100V
 Xét miền giới hạn bởi các mặt dẫn đẳng

43,8 53,2 43,8
thế:
 Chia thành 16 ô vuông bằng nhau. 18,8 25 18,8
V= 0
V= 0
1
V0  V1  V2  V3  V4  6,2 9,4 6,2
4 Bước 1
1
(100  0  0  0)  25 V= 0
4 1
(43,8  43,8  25  100)  53, 2
1 4
(100  50  0  25)  43,8
4 1
(43,8  25  6, 2  0)  18,8
1 4
(0  0  0  25)  6, 2
4 1
(6, 2  25  6, 2  0)  9, 4
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 4 44

1
V0  V1  V2  V3  V4  43 52,8 43
4 43,8 53,2 43,8
18,6 24,9 18,6

1
(100  53, 2  18,8  0)  43
V= 0
V= 0
18,8 25 18,8
4 7 9,8 7
6,2 9,4 6,2
1
(43  43  25  100)  52,8
4
V= 0
Bước 2
1 1
(43  25  0  6, 2)  18,6 (18, 6  9, 4  0  0)  7
4 4
1 1
(18, 6  52,8  18, 6  9, 4)  24,9 (7  24,9  7  0)  9,8
4 4

1
V0  V1  V2  V3  V4  42,9
43
52,7
52,8
42,9
43
4 43,8 53,2 43,8
18,7 25 18,7
1
(100  52,8  18, 6  0)  42,9
V= 0
V= 0
18,6 24,9 18,6
18,8 25 18,8
4
7,1 9,8 7,1
7 9,8 7
1 6,2
(42,9  42,9  24,9  100)  52, 7
9,4 6,2
4
V= 0
Bước 3
1 1
(42,9  24,9  7  0)  18, 7 (18, 7  9,8  0  0)  7,1
4 4
1 1
(18, 7  52, 7  18, 7  9,8)  25 (7,1  25  7,1  0)  9,8
4 4
IX. Sự tương đồng giữa chất điện môi và vật dẫn
Vật dẫn Chất điện môi
J   E D   E
E  V E  V
 V 0   E  dL
R  
I  J  dS    E  dS  I   E  dS
S S 

S

V 0    E  dL    E  dS
C  Q  S
 V 0   E  dL

V 0 V 0 
   RC=
E  E


Slide Trường Điện Từ Thầy Sơn

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Slide Trường Điện Từ Thầy Sơn

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

LÝ THUYẾT TRƯỜNG ĐIỆN TỪ

Giáo viên: TS. Nguyễn Việt Sơn

Tài liệu tham khảo:

1. Cơ sở lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Bình Thành , 1970.

2. Electromagnetics -John D. Krauss - 4th edition, McGraw-Hill, 1991

3. Electromagnetic fields and waves - Magdy F. Iskander, Prentice Hall, 1992.

4. Electromagnetics - E.J. Rothwell, M.J. Cloud – CRC Press, 2001.

5. Theory and problems of electromagnetics – Schaum’s Outline, 1995(*)

6. Fundamentals of Engineering electromagnetics - R. Bansal, CRC Press 2006(*)

7. Engineering Electromagnetics - W.H. Hayt, J.A. Buck - McGraw-Hill, 2007(*)

Nội dung chương trình:

Chương 1: Giải tích vector

II. Hệ tọa độ Descartes.

III. Tích vô hướng - Tích có hướng.

IV. Hệ tọa độ trụ.

VI. Một số công thức giải tích vector

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 1

 Xác định được tọa độ xa, ya, za. x

 P là điểm gốc của vi khối có các vi phân kích z

| R | Rx2  Ry2  Rz2 x

III. Tích vô hướng – Tích có hướng.

 Xét vector B và vector đơn vị a:

 (B.a)a  vector hình chiếu của vector B lên (B . a)a

III. Tích vô hướng – Tích có hướng.

III. Tích vô hướng – Tích có hướng.

Ví dụ: A = 2ax - 3ay + az ; B = -4ax - 2ay + 5az

IV. Hệ tọa độ trụ tròn

 Điểm P trong hệ tọa độ trụ tròn:

IV. Hệ tọa độ trụ tròn .

 Vector đơn vị trong hệ tọa độ trụ tròn: aρ , aφ , az

 aρ : vector pháp tuyến mặt trụ ρ = ρ1

 aφ : vector pháp tuyến mặt phẳng φ = φ1

 az : tương tự trong trục tọa độ Descartes

 aρ , aφ thay đổi theo φ  trong các

IV. Hệ tọa độ trụ tròn .

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 10

 Hệ tọa độ cầu được xây dựng dựa trên hệ tọa

 r khoảng cách từ P đến gốc tọa độ (tâm cầu).

 θ góc hợp bởi chiều dương của trục z với

 φ góc dương hợp bởi trục x với đường thẳng

 Điểm P là giao của 3 mặt.

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 11

 Vector đơn vị trong hệ tọa độ cầu:

 ar : vector pháp tuyến của mặt cầu tại

 aθ : vector pháp tuyến của đáy mặt

 aφ : giống trong hệ tọa độ trụ tròn.  x  r sin  cos 

 Xét vi khối có kích thước vô cùng nhỏ:

 Diện tích mặt cầu:

 Thể tích khối cầu:

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 13

VI. Một số công thức giải tích vector

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 14

Chương 2: Khái niệm cơ bản về trường điện từ

I. Khái niệm cơ bản

III. Cường độ điện trường của điện tích điểm

V. Cường độ điện trường của điện tích đường

VI. Cường độ điện trường của điện tích mặt

VII. Đường sức - Ống sức

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 1

I. Khái niệm cơ bản

I. Khái niệm cơ bản

Chương 2: Khái niệm cơ bản về trường điện từ

I. Khái niệm cơ bản

III. Cường độ điện trường của điện tích điểm