ოპერატიული მეხსიერება

DRAM (Dynamic Random Access Memory)

SRAM(static random access memory
• ოპერატიული მეხსიერება – ეს არის კომპიუტერის პროცესორისათვის
სამუშაო
უ არე.
ე ოპერატიულ
ე ტ ულ მეხსიერებაში
ე ე ე მუშაობის
უ დროს ინახება
დ ე
პროგრამები და მონაცემები. ოპერატიული მეხსიერება ხშირად
განიხილება
განიხილება, როგორც დროებითი საცავი
საცავი, რადგან ოპერატიული
მეხსიერება ინახავს ოპერანდებსა და პროგრამებს მხოლოდ მისი
შესრულების პერიოდში.
პერიოდში ელექტროკვების მოხსნის შემდეგ ინფორმაცია
იკარგება, ამიტომაც საჭიროა კომპიუტერის გამორთვამდე მონაცემების
შ ნ ხ
შენახვა მ წ ბ
მოწყობილობაში,
ბ შ რ მ ს
რომელსაც ინფორმაციის
ნ რმ ს შენახვა
შ ნ ხ მ
მუდმივად
მ
შეუძლია (ჩვეულებრივ, ეს მყარი დისკია).
• კომპიუტერის ხელახალი ჩართვისას შენახული ინფორმაცია
ისევ იტვირთება მეხსიერებაში. ოპერატიულ მეხსიერებაში
ე ულ მონაცემებთან
შენახულ ცე ე მიმართვა
ვ არ არის დ
დამოკიდებული
კ დე ულ
მათი განლაგების მიმდევრობაზე. როდესაც საუბრობენ
კომპიუტერის მეხსიერებაზე, ჩვეულებრივ გულისხმობენ
ოპერატიულ
ლ მეხსიერებას, უპირველეს
ლ ყოვლისა
ლ მეხსიერების
მიკროსქემებს ან მოდულებს, რომელშიც ინახება აქტიური
პრ რ მ ბ და მონაცემები,
პროგრამები მ ნ მ ბ რომელთაც
რ მ იყენებს
ნ ბს პროცესორი.
პრ ს რ
თუმცა, ზოგჯერ ტერმინი მეხსიერება მიეკუთვნება ასევე
გარე დამმახსოვრებელ მოწყობილობებს, როგორიცაა,
მაგალითად დისკები და დამგროვებლები მაგნიტურ
ფირებზე.
 ოპერატიული მეხსიერების არსი
• კომპიუტერში
მპ ტ რშ მესხიერება
მ სხ რ ბ მთავარი
მ რ კომპონენტია
მპ ნ ნტ და
ალბათ ყველაზე ღირებულიც. რად გვინდა
მაღალსიხშირიანი პროცესორი, დახვეწილი
დედაპლატა
პ ტ ანნ მაღალხარისხოვანი
მ ხ რ სხ ნ მ ნ ტ რ
მონიტორი ანნ
პრინტერი, თუ არ გვეტევა მონაცემთა დიდი
რაოდენობა ROM-ში ან ეს მონაცემები არ გვეტევა
დროებით
რ ბ მ ხს რ ბ RAM-ში.
მეხსიერება RAM შ ასეთი
ს კომპიუტერი
მპ რ
ფაქტიურად გამოუსადეგარი იქნება. ან კიდევ, გვაქვს
მაღალი
ღ ლ ტაქტური
ტ ქტუ სიხშირის პროცესორი
ცე მცირე
ც ე
ქიშმეხსიერებით,
ხს ასეთი
ს პროცესორი
ს დროისს უდიდესს
ნაწილს დაბალი სისწრაფის ოპერატიული
მეხსიერებიდან
ე ე ე დ მონაცემთა
ცე მოსვლის
ვლ ლოდინში
ლ დ
გაატარებდა და მაინც ნელა იმუშავებდა. ამიტომ
მეხსიერების შერჩევას განსაკუთრებული ყურადღება
უნდა
უ დ მივაქციოთ.
ვ ქც
 ოპერატიული მეხსიერების არსი
• როგორც ვიცით, ROM-ში(იგულისხმება მყარი დისკი)
მონაცემები (ანუ იგივე ბიტები) მუდმივად ინახება,
ინახება ე.ი.
ეი
მანამ, სანამ მათ ჩვენ არ წავშლით, როდესაც რომელიმე
პროგრამას გავუშვებთ ან დოკუმენტს გავხსნით, შესაბამისი
მონაცემები გადავა ოპერატიულ, დროებით მეხსიერებაში,
სადაც მათზე ვმუშაობთ, ვცვლით, რაღაცას ვამატებთ,
რაღაცას ვაკლებთ.
ვაკლებთ ეს მონაცემები RAM ში იქნება,
RAM-ში იქნება სანამ ამ
პროგრამას ან დოკუმენტს არ დავხურავთ. დახურვის შემდეგ
მონაცემები დაბრუნდება ისევ ROM-ში. მაგრამ იმისათვის,
რ მ ჩვენი
რომ ჩ ნ ნამუშევარი
ნ მ შ რ არ რ დაიკარგოს,
რ ს საჭიროა
ს ჭ რ პრ რ მ ს
პროგრამის
დახურვის წინ შეცვლილი მონაცემები შევინახოთ. ROM-ში
რჩება
ე გ გადმოტანილი
დ ტ ლ მონაცემების
ცე ე ასლი,
ლ , როდესაც
დე ც RAM-ში
მონაცემები შეიცვლება და ამ ცვლილებებს შევინახავთ, ისინი
ROM-ში დაბრუნებისას შეცვლიან საწყის მონაცემებს და მათ
ადგილას ჩაჯდებიან
ჩაჯდებიან, თუ არ შევინახავთ ასლი
ხელუხლებელი რჩება საწყის მდგომარეობაში.
 zogadi informacia RAM-ze

ppirveli
r farTod
r
gavrcelebuli
operatiuli mexsiereba
iyo magnitur-birTvuli
mexsiereba
e e e ((Magnetic
g Core
Memory), romelic Seiqmna
1949-1952 wlebSi. is
iyenebda
n b m n t r
magnitur
salteebs raTa Seenaxa
is informacia,
informacia romelic
magnituri velis
winaaRmdegobis
w R deg daZleviT
d lev
aRwevda masTan.
• არსებობს დროებითი მეხსიერების ორი ტიპი.
ს
სტატიკური
რ RAM,
RAM ანუ
ნ SRAM და დინამიური
ნ მ რ
RAM – ანუ DRAM. ოპერატიული მეხსიერება
მეორე ტიპს მიეკუთვნება ანუ DRAM-ია
 ((Dynamic
y RAM-DRAM))
• ოპერატიული მეხსიერება წარმოადგენს პატარა პლატას,
რომელზეც განთავსებულია პატარა ჩიპები.
ჩიპები მას მეხსიერების
მოდული ჰქვია. ეს ჩიპები დაყოფილია მცირე ზომის
უჯრედებად, თითოეული უჯრედი განკუთვნილია თითო
ბიტისათვის
ბიტისათვის. ფაქტიურად ეს უჯრედი წარმოადგენს
ნანომეტრულ კონდენსატორს. კონდესატორი არის
ელექტრონული დეტალი, რომელსაც შეუძლია შეინახოს
ელექტრული მუხტი გარკვეული ხნის განმავლობაში.
განმავლობაში ჩვენს
შემთხვევაში კონდენსატორი დამუხტული რჩება 15
მილიწამის განმავლობაში, შემდეგ კარგავს მუხტს. ანუ
ყოველ 15 მილიწამში დედაპლატიდან მოდულს მიეწოდება
ახალი იმპულსი, რათა არ მოხდეს დამუხტული
კონდესატორების განმუხტვა. დამუხტული კონდესატორი
წარმოადგენს ორობით 1-იანს,
1 იანს ხოლო რომელიც არ არის
დამუხტული – 0-ს. რომ დაუგვიანდეს დედაპლატიდან
იმპულსი, ყველა კონდესატორი გადავა 0 მდგომარეობაში,
ან მონაცემები
ანუ მ ნა მ ბ დაიკარგება.
ა არ ბა
9 RAM (Random Access Memory)–ის განსაზღვრება
ჩვეულებრივი აბრევიატურიდან გადაიქცა
მეხსიერების ძირითადი მუშა სივრცის აღმნიშვნელ
ტერმინად, რომელიც იქმნება დინამიური
ოპერატიული მეხსიერების (Dynamic RAM-DRAM)
მიკროსქემებით და გამოიყენება პროცესორის მიერ
პროგრამების შესასრულებლად. DRAM მიკროსქემის
ერთ-ერთი თვისებაა (და, შესაბამისად ოპერატიული
მეხსიერება
ე ე ე მთლიანობაში)
ლ მონაცემების
ცე ე დინამიური
დ უ
შენახვა, რაც პირველ რიგში ნიშნავს ოპერატიულ
მეხსიერებაში
ე ე ე ინფორმაციის
ფ ც მრავალჯერადი
ვ ლჯე დ ჩაწერის
წე
შესაძლებლობას, მეორე რიგში – მონაცემების
უდ ვ დ გ
მუდმივად განახლების
ლე აუცილებლობას
უც ლე ლ დაახლოებით
დ ლ ე
ყოველ 15 მილიწამში.
 DRAM-is tipebi

SIPP (Single
S (S In-line Pin
Package) iyo
operatiuli
e t ul mexsierebis
e e e
tipi. igi Seicavda
patara dabeWdil
m r sq m s da qonda
mikrosqemas q n 30
pin (konduqtori),
romelTa
el saSualebiTac
u le c
jdeboda dedaplataze.
mexsierebis es tipi
gamoiyeneboda
m n b 80286 da
386SX sistemebSi.
 DRAM-is tipebi

SIMM (Single
(Si l IIn-line
li M Memory M
Module)
d l ) modulebi
m b
kompiuterebSi gamoiyeneboda XX
saukunis 80-iani wlebis dasawyisidan
90 iani wlebis bolomde da ZiriTadad
90-iani
iyo:
• 30 pin-iani, romelsac SeeZlo 9 biti
informaciis
n rm s damuSaveba
m S b da Cveulebriv
C br
misi mexsierebis zoma iyo 256 KB, an
1MB; is gamoiyeneboda 286, 386 da 486
sistemebSi
• 72 pin-iani, romelsac SeeZlo 32 biti
informaciis damuSaveba da
gamoiyeneboda
am n b a 486,486 Pentium,
Pentium Pentium Pro
da Pentium II sistemebSi
 DRAM-is tipebi

Tanamedrove
n m r p rs n
personaluri
r
kompiuterebi da serverebi
ZiriTadad iyeneben mikrosqemebs,
r m bsa DIMM (Dual In
romlebsac In-line
line
Memory Modules) modulebs
uwodeben. DIMM modulebma
INTEL is Pentium-is
INTEL-is Pentium is tipis
procesorebSi Caanacvla SIMM
(Single In-line Memory Modules)
modulebi.
erTi gansxvaveba am or moduls
Soris aris is, rom DIMM
modulis sqemis orive mxares
eleqtruli kontaqtebi arian
gancalkevebulad, xolo SIMM
modulSi ki zedmetad
SemWidrovebulni.
 SDRAM
• სინქრონული DRAM-ი ანუ SDRAM. ასეთი ტიპის
მეხსიერება
ე ე ე პროცესორთან
ცე ურთიერთობის
უ ე
სინქრონულად, ანუ მონაცემები პროცესორს
მიეწოდება პაკეტების სახით, არხში პაკეტებს
მოძრაობა შეუძლიათ ორივე მიმართულებით.
მიმართულებით ამ
მეხსიერებას გაცილებით სწრაფად შეუძლია იმუშაოს.
SDRAM მოდულები კარგად მუშაობენ 100 და 133 Mhz
FSB-ს
S მქონე პროცესორებთან. შესაბამისად ისინი
აღინიშნებიან PC 100 და PC 133 მოდულებად
 DDR SDRAM
• უფრო
რ მაღალი
მ ს ხშ რ ს FSB-ზე
სიხშირის FSB ზ SDRAM-მოდულები
SDRAM მ ბ
ვერ მუშაობენ. ამ შემთხვევაში გამოიყენება
მოდულების
დულე ახალი
ლ ტ ტიპები
ე DDR SDRAM ((Double Data
Rate). ამ მეხსიერებას შეუძლია ერთ ტაქტში
მონაცემთა 2 პაკეტი გაგზავნოს ტაქტის დასაწყისში და
ტაქტის ბოლოს,
ბოლოს ანუ ისინი უფრო სწრაფები არიან.
არიან
 DDR
ზოგადად DDR ტიპის მეხსიერება აგებულია SDRAM ტექნოლოგიაზე
(Synchronous Dynamic Random Access Memory), რაც ნიშნავს, რომ ის
გარკვეული ტაქტური სიხშირით მუშაობს. თვითონ "DDR" ნიშნავს
"Double Data Rate", ანუ ამ მეხსიერებებს ერთ ტაქტურ ციკლში 2
მონაცემის გატარება შეუძლიათ. ამ თვისების გამო მეხსიერების
მოდულებზე ეწერება იმაზე 2-ჯერ მეტი ტაქტური სიხშირე, ვიდრე
მოდულს რეალურად აქვს, ანუ მაგალითად DDR2-800MHz რეალურად
400MHz-ზე მუშაობს.
• სხვადასხვა სიხშირის FSB-ზე სამუშაოდ
განკუთვნილია სხვადასხვა DDR
მოდულები და ისინი სხვადასხვანაირად
აღინიშნებიან.
ნ შნ ბ ნ
• 200 Mhz FSB – PC 1600
• 266 Mhz _ PC 2100
• 333 Mhz _ PC
C 2700
• 400 Mhz _ PC 3200
 DDR2
• უფრო მაღალი სიხშირის FSB-ს შემთხვევაში გამოიყენება DDR2 (Dual
DDR) ტიპის მოდულები, სადაც მონაცემთა გადაცემის სიჩქარე კიდევ
გაორმაგებულია.
• DDR2
• DDR2 არის ასევე SDRAM ტექნოლოგიის 2 ჯერ ნამრავლი 2-ზე, იყენებს
დაბალ ვოლტაჯს და ამცირებს კვების ხარჯს. ( 1,8 v DDR -ის 2,5 v
შ
შედარებით).
რ ბ ) ასევე
ს d bl
double-pumping
i , როგორიცაა
რ რ DDR იყენებს
DDR, ნ ბს პულსის
პ ს ს
ორივე კიდეს (მაღალს და დაბალს). და ყოფს ტაქტის პულსს ორად, და
ოპერაციების რაოდენობას ამრავლებს ორზე FSB ტაქტის ერთ ციკლში.
ამიტომ ელექტრო ინტერფეისის და ბუფერის გაუმჯობესება ,
კრისტალის გარე ჩიპის დაყენებით, გახდა SDR-ზე 4 ჯერ მეტი
შესაძლებლობების ქონის წინაპირობა DDR-თან შედარებით. მიუხედავათ
ერთი და იგივე წარმადობის.
• DDR2 მიკროსქემებისა და მეხსიერების მოდულების წარმოება დაიწყო
2003 წელს. DDR2 SDRAM წარმოადგენს DDR SDRAM სტანდარტული
მეხსიერების სწრაფმოქმედ ვერსიას. გარდა მაღალი სწრაფქმედებისა და
გამტარუნარიანობისა DDR2 სტანდარტის მეხსიერებას სხვა ღირსებებიც
გამტარუნარიანობისა,
გააჩნია. მაგალითად, DDR-თან შედარებით შემცირებული ძაბვა (1,8
ნაცვლად 2,5 ვოლტისა), რის გამოც DDR2 მეხსიერების მოდულები
ე ნაკლებ
მოიხმარენ კლე ეენერგიას
ე გ და გ
დ გამოყოფენ
ყ ფე ნაკლებ
კლე სითბოს.
 DDR3
• მოიხმარს 40%-ით ნაკლებ ენერგიას
დულე
DDR2 მოდულებთან შედარებით,
ედ ე
რამეთუ შედარებით შემცირებულია
ძაბვა (1,5
(1 5 ნაცვლად 1,8
1 8 ვოლტისა)
 DDRx yyyy
DDRx-yyyy PCx zzzz
PCx-zzzz
• x - არის
რ ს ტაქტის
ტ ქტ ს • მოდული რამდენიმე ჩიპისგან შედგება,
შედგება
ამიტომ მოდულებს აქვთ სახელწოდება
გენერაციის PCx-zzzz,
• სადაც
დ ც x არის ტტაქტის
ქტ გეგენერაციის
ე ც
ტექნოლოგია ტექნოლოგია,
• zzzz - მაქსიმალური თეორიული
გამტარობა (maximum bandtwidth). ეს
არის რიცხვი,
რიცხვი რომელიც გვიჩვენებს,
გვიჩვენებს
თუ რამდენი ბაიტი ინფორმაციის
გატარება შეუძლია მოდულს 1 წამში.
• yyyy - DDR-ის ის მარტივად გამოითვლება მოდულის
სიხშირის 8 ზე გამრავლებით.
8-ზე გამრავლებით
სიხშირე • ანუ მაგალითად DDR2-800-ის მაქს.
თეორ. გამტარობა არის 6400MB/s
(800x8). ძალიან მნიშვნელოვანია
გავიაზროთ,
ზრ რ მ ესს
რომ
მხოლოდდამხოლოდ თეორიული რიც
ხვებია, რეალურად გამტარობა უფრო
ნაკლებია.
 გარეგნული მხარე
• მმოვიყვანოთ
ნ DDR DDR2 და DDR3
DDR,
მეხსიერების მოდულებს შორის გარეგნული
განსხვავებები...
განსხვავებები
• DDR მოდულს აქვს 184-პინიანი
კონექტორი,
კონექტორი
• DDR2 და DDR3-ს - 240-პინიანი
კონექტორი, მაგრამ ისინი მაინც არ
აგერევათ ერთმანეთში
• DDR2-ის სლოტში
ლ ტ DDR3 მოდულსდულ ვე ვერ
ჩადგამთ.
 DRAM-is tipebi

RIMM (Rambus In-line

Memory Module) es
aris SDRAM-is erT-
erTi tipi, romelic
e q
Seiqmna kkorporacia
c
RAMBUS-is mier.
aseT operatiul
mexsierebasTan
Tavsebadi dedaplata
pirvelad Seiqmna 1999
wels.
 RDRAM

მაღალი სიხშირის სისტემებში ასევე გამოიყენება ე.წ. RDRAM მოდულები. ეს არის

ფირმა Rambus-ის მოდულები,
ფ დულე რომლებიც
ლე ც ძალიან
ლ სწრაფად
წ ფ დდ და საიმედოდ
ედ დ მუშაობენ,
უ ე
შესაბამისად მათი ფასი გაცილებით მაღალია. ამიტომ დედაპლატის მწარმოებლები
გაურბიან ამ მეხსიერების გამოყენებას და მათ მხოლოდ ელიტარულ მოდელებში
დებენ. მიუხედავად RDRAM-ის უპირატესობებისა, მას აქვს უკუმხარეებიც,
რომლებმაც განაპირობა მისი წარუმატებლობა ბაზარზე. გაზრდილი latency
(დაგვიანების), გამოყოფილი სითბოსი, წარმოების პროცესის სირთულე და
ღირებულება არის მისი უარყოფითი მხარეები. PC800 RDRAM-ს გააჩნია 45ns latency
( ნ ) PC133 SDR SDRAM-ის
(დაგვიანება), SDRAM ს მხოლოდ
მხ 7 5 თანნ შედარებით.
7,5ns შ რ გაზრდილი
ზრ
სითბოს გამოყოფა ცდება სხვა მოდულების თბოონკანების მოთხოვნებს. მაღალი
წარმოების ფასი და ლიცენზიის ღირებულება, ხდის მის ფასს 3- ჯერ მეტს ვიდრე
SDR ს , თუმცა
SDR-ის მ დღესდღეობით
ს ბ არსებობს
რს ბ ბს თანაფარდობა
ნ რ ბ სხვა
სხ მოდულების
მ ბ ს ფასებს
ს ბს
შორის.
2003 წელს , ინტელი განთავისუფლდა RAMBUS-სთან ვალდებულებისგან, ინტელი
აცხადებს i875P ჩიპსეტს.
ჩიპსეტს ახალი ჩიპსეტი აწარმოებს მხარდაჭერას ორარხიან
პლატფორმის, რომელიც იყენებს PC3200 DDR მოდულს. დღეს 16 ბაიტიანი (128
ბიტიანი) წაკითხვა/ჩაწერის მოთხოვნის გადაცემა ქმნის საერთო გადაცემის
კოეფიციენტს 6400 Mbps რასაც RDRAM ვერ ასრულებდა
 SRAM (Static Ram)
• სტატიკური ოპერატიული მეხსიერება
) რომელიც
((Static Ram-SRAM), ელ ც არ
მოითხოვს მონაცემების მუდმივ
განახლებას.
განახლებას
• SRAM ტიპის მეხსიერებას იმპულსი და განახლება არ სჭირდება,
მას მუდმივად უნდა მიეწოდებოდეს დენი. ამ ტიპის მეხსიერებაში
1 ბიტის შესანახად 6 ტრანზისტორიანი ბლოკი გამოიყენება და
ძალიან ძვირფასი ტექნოლოგიის გამოყენებით მზადდება.
ამასთანავე თავისი ზომებით იგი გაცილებით დიდია DRAM ზე.
DRAM-ზე
შედარებისთვის ერთი და იგივე ზომის ჩიპში შესაძლებელია
ჩაეტიოს 64
6 მბ DRAM-ი და მხოლოდ 2 მბ SRAM-ი,
S ანუ 30-ჯერ
30
ნაკლები. ე.ი. რომ დაამზადონ SRAM ტიპის ოპერატიული
მეხსიერება იგი 30-ჯერ მეტ ადგილს მოითხოვდა დედაპლატაზე,
ც არარეალურია.
რაც ე ლუ ამასთანავე
ვე ეეს ოპერატიული
პე ტ ულ დ დაჯდებოდა
ჯდე დ
გაცილებით ძვირი. SRAM ტიპის მეხსიერებები გამოიყენება
ქ შ ს
ქეშისათვის,
ს ანუ
ნ L 1,
1 L 2 და L 3 დონის
ნ ს ქეშები
ქ შ ბ SRAM-ებია.
SRAM ბ
• კეშ-მეხსიერება – SRAM. არსებობს მეხსიერების სხვებისგან სრულიად განსხვავებული ტიპი
– სტატიკური ოპერატიული მეხსიერება (Static RAM – SRAM). მას ასე იმიტომ ეწოდება,
რომ დინამიური ოპერატიული მეხსიერე-ბისგან (DRAM) განსხვავებით, მისი შემცველობის
შესა-ნა-ხად პერიოდული რეგენერაცია არ მოითხოვება.
• მაგრამ ეს არ არის ერთადერთი უპირატესობა. SRAM-ს აქვს DRAM-ზე მაღალი
სწრაფქმედება და შეუძლია იმუშაოს იმა-ვე სიხშირეზე, რომელზეც თანამედროვე
პრ
პროცესო-რე-ბი
ს რ ბ მუშაობენ.
მ შ ბ ნ SRAM ტიპის
ტ პ ს მეხსიერებაზე
მ ხს რ ბ ზ წვდომის
წ მ ს დრო
რ 2 ნანო-წამ-ზე
ნ ნ წ მ ზ მეტი
მ ტ
არ არის; თითოეული ბიტის შესანახად SRAM-ის კონსტრუქციაში გამოიყენება ექვსი
ტრანზის-ტო-რი-სგან შემ-დგარი კლასტერი. ტრანზისტორების გამოყე-ნება
კონდენ-სატორების
კონდენ სატორების გარეშე ნიშნავს, რომ არ არის რეგე
რეგე-ნე-რა-ციის
ნე რა ციის აუცილებლობა. ცხადია,
თუ კონდენსა-ტო-რე-ბი არ არის, არც მუხტები იკარგება. სანამ ეწოდება კვე-ბა, SRAM
დაიმახსოვრებს იმას, რაც შენახულია. მაშინ რატომ არ იყენებენ SRAM მიკროსქემებს
მთელი სისტე-მური მეხსიერებისათვის? DRAM-თან შედარებით SRAM-ის სწრაფქმედება
ბევრად მაღალია, მაგრამ მისი სიმკვრი-ვე გაცილებით დაბალია, ფასი კი – საკმაოდ მაღალი.
უფ---რო დაბალი სიმკვრივე ნიშნავს, რომ SRAM მიკროს-ქემებს აქვთ დიდი გაბარიტები,
თუმცა მათი ინფორმა-ცი-ული ტე-ვადობა ბევრად ნაკლებია. ტრანზისტორების დიდი
რა
რაოდენობა
ნ ბა დაა მათი
მა კლასტერიზებული
ასტ რ ზ ბ განთავსება
ან ა ს ბა არა მხოლოდ
მხ ა
ადიდებსბს SRAM
მიკროსქემების გაბარიტებს, არამედ მნიშვნელოვნად ზრდის ტექნოლოგიური პროცე-სის
ღირებულებას ანალოგიური პარამეტრების მქონე DRAM მიკროსქემებთან შედარებით.
SRAM-ის
SRAM ის გაბარი
გაბარი-ტე-ბი
ტე ბი საშუალოდ 30 ჯერ მეტია DRAM
30-ჯერ DRAM-ის ის ზომებზე, იგივე შე
შე--იძლება
იძლება
ითქვას ღირებულების შესახებაც. სწორედ ეს ყველაფერი არ იძლევა საშუალებას
გამოყენებულ იქნეს SRAM ტიპის მეხსიერება პერსონალურ კომპიუტერებში ოპე-რატიული
მეხსიერების სახით.
 CACHE
• თანამედროვე პერსონალურ კომპიუტერებში ჩვეულებრივ გამოიყენება
სამი ტიპის კეშ-მეხსი-ე-რე-ბა: 1) პირველი დონის კეშ-მეხსიერება (L1),
მეორე დო-ნის კეშ-მეხსიერება (L2) და მესამე დონის კეშ-მეხსიერება (L3).
პირველი დონის კეშ-მეხსიერებას ასევე ეწოდება ჩაშე-ნებული ანუ შიგა
კეში;
შ ; ისს უშუალოდაა
შ ჩ შ ნ ბ
ჩაშენებული პრ
პროცესორში
ს რშ და ფაქტიურად
ქტ რ
წარმოადგენს პროცესორის მიკ-როსქემის ნაწილს. მეორე დონის კეშ-
მეხსიერებას ეწო--დება მეორადი ანუ გარე კეში; თავიდან ის სისტემურ
პლატაზე მაგრდებოდა. პროცესორში (ბირთვში ან კორ-პუსში)
ჩ შ ნ ბ
ჩაშენებული კეშ-მეხსიერება
შ მ ხს რ ბ მუშაობს
მ შ ბს უფრო რ სწრაფად,
სწრ ვიდრე
რ სისტემურ
ს ს მ რ
პლატაზე მოთავსებული. ამიტომაც თანამედროვე სისტემური პლატები
არ შეიცა-ვენ კეშ-მეხსიერების მოდულებს.
• მესამე
ე ედ დონის კე
კეშ-მეხსიერება
ე ე ე პირველად
ველ დ იყო
ყ წწარ-მოდგენილი
დგე ლ 2001 წელ წელს
სერვერების პროცესორებისათვის, როგორიცაა Xeon და Itanium. 2003
წელს მესამე დონის კეშ-მეხსიერება გამოყენებულ იქნა Pentium 4 Extreme
Edition-თვის.
• საერთოდ,
საერთოდ რაც მეტია კეშ-მეხსიერების დონე,
დონე მით ნაკლებია
პროცესორის სწრაფქმედი ბირთვის დამო-კიდებულება შედარებით ნელ
ოპერატიულ მეხსიერებაზე.
 მეხსიერების კომპლექტაცია
• მმეხსიერების
ხს რ ბ ს მოდულების
მ ბ ს ქვედა
ქ ა მხარეს
მხარ ს აქვს
აქ ს კონტაქტები,
ნტაქტ ბ
რომლებითაც ისინი ჯდებიან ბანკებში და ამ კონტაქტების
მეშვეობით იღებენ და გადასცემენ მონაცემებს. ზოგიერთ
დულ კკონტაქტები
მოდულს ტ ქტე ც ცალმხრივად
ლ ვ დ აქვს
ქვ გ განლაგებული,
ლ გე ულ , სხვებს
ვე კკი
ორივე მხარეს. შესაბა-მისად ბანკებსაც კონტაქტების ანალოგიური
განლაგება აქვს. ამის მი-ხედვით ანსხვავებენ მოდულთა ორ ტიპს.
ცალმხრივს SIMM (Single Inline Memory Module) და ორმხრივს
DIMM (Dual Inline Memory Module).Module) SIMM მოდულები
მოძველებულ კომპიუტერებში გამოიყენებოდა და დღეს
იშვიათად შეგვხვდება. არსებობს 30 და 72 კონტაქტიანი (Pin)
დულე
SIMM მოდულები. SDRAM დ და DDR SDRAM მოდულებიდულე DIMM-
ებია. მათი კონტაქტების რაოდენობა შესაბამისად 168 და 184-ია.
RDRAM ტიპის მოდულებს RIMM-ებს უწოდებენ. იმისათვის, რომ
შემთხვევით მოდული ბანკში შებრუნებულად არ ჩავაყენოთ,
მოდულს ძირში აქვს სპეციალური ჭრილი, ჭრილი რათა ზუსტად
მოერგოს ბანკს, ამ ჭრილს გასაღებს უწოდებენ.
 მეხსიერების კომპლექტაცია
• დედაპლატის
აპ ატ ს მეხსიერების
მ ხს რ ბ ს სლოტები
ს ტ ბ (ბუდეები)
(ბ ბ ) წარმოებულია
წარმ ბ ა
კონკრეტული მოდულის დიზაინისთვის ან სტილისთვის. ყოველ
შემთხვევისთვის, შეგვიძლია ვახსენოთ ძველი ტიპის DIP, SIMM,
SIPP კკომპლექტები.
ლექტე ასეთი
ე ტერმინები,
ტე ე , როგორიცაა
გ ც ორმხრივი
ვ
(Double-sided) და ცალმხრივი (single-sided) ან და dual-bank/
single bank ხშირად ქმნის გაურკვევლობას. როდესაც ჩვენ
ვსაუბრობთ მხარეებზე, უპრიანია განვსაზღვროთ მოდულის
ფიზიკური მხარეები , რომლებიც შეიცავენ ჩიპებს.
ჩიპებს ეს არ გვიქმნის
წარმოდგენას მოდულის ბანკების რაოდენობაზე. მაგალითისთვის
DDR ტიპისთვის , ორი ბანკი ანუ არხი შემცველი შეიძლება იყოს
ცალმხრივი
ც ლ ვ მეხსიერების
ე ე ე მოდული.
დულ ყველაზეე პოპულარული
ყველ ულ ულ
ძირითადი მეხსიერების მოდულები დღეს-დღეობით არის
• _ DIMM
• _ RIMM
• _ SoDIMM
• _ MicroDIMM
 DIMM

• DIMM არის
არ ს ორმხრივი
რმხრ (Dual Inline Memory Module) მოდული.
მ
DIMM არის 64-ბიტიანი მეხსიერების მოდული, რომელიც
გამოიყენება კომპლექტში SDRAM ტიპის მეხსიერებებთან:
, ,
SDRAM,DDR,DDR2. ტერმინი dual,, მიგვანიშნებს
ტე გვ ე იმას,, რომ მისი
წინამორბედი SIMM-ისგან განსხვავებით, DIMM -ს პინების ერთი
მხარე ფუნქციონალურობა განსხვავებულია, მაგრამ
დაკავშირებული პინების მეორე მხარესთან.
• 84 პინიანი
პ ნ ნ თითო მხარეს,
მხ რ ს იგი ქმნის
ქმნ ს 168 დამოუკიდებელ
მ ბ პ ნს
პინს
თითო SDRAM სტანდარტის მოდულში
• DIMM, რომელიც გამოიყენება DDR ტიპის მეხსიერებაში , აქვს
საერთო ჯამში 184 პინი და ერთი დანიშნული ღარი,ღარი და DDR2
ტიპის არის 240 პინიანი, ერთი ღარით, და გააჩნია ალუმინის
საფარი ორივე მხარეს, რომელსაც ჰქვია heat spreader, იგი
ფ ქვევ მოდულის
აფრქვევს დულ მიერ ე გგამოყოფილ
ყ ფ ლ სითბოს დ და იცავს
ც ვ მას
გადახურვისგან.
 RIMM

• RIMM -ი არრ არის

რ ს აბრევიატურა(
ბრ რ ( აქრონიმი)
ქრ ნ მ ) და არის
რ ს
საფირმო ნიშანი RAMBUS Inc, ალბათ უბრალოდ
ტე
DIMM -ტერმინის მონათესავეა.
ე ვე RIMM-ი არის
განსაკუთრებული მეხსიერების მოდული, რომლის
ფიზიკური სპეციფიკაციები განსხვავდებიან არის ის
16 თუ 32 ბიტიანი მოდული.
მოდული 16 ბიტიანი მოდული
შედგება 184 პინიდან, და აქვს ორი დანიშნული ღარი,
როდესაც 32 ბიტიანი მოდულს აქვს 232 პინი და
მხოლოდ ერთი ღარი. რაც გვახსენებს SDRAM-ის DDR
-რად ევოლუციას. ორ მხარეს 16 ბიტიანი RIMM
მოდულს რომელიც ასევე შეიცავს ალუმინის სითბოს
მოდულს,
გამფრქვევს (heat spreader).
 RIMM
• RIMM ისს თავისებურება
ს ბ რ ბ , არის
რ ს ისს რომ
რ მ კომპიუტერში
მპ ტ რშ
RIMM -ის ყველა სლოტი უნდა იყოს შევსებული. თუ
ეს ასე არ არის, კომპიუტერი შეიძლება არ
ჩ ტ რ
ჩაიტვირთოს. ს შ ძ ბ
შეიძლება თავისუფალი
ს ს
სლოტი
ტ
შეავსოთ იაფი ( 5 დოლარის ღირებულების 16
ბიტიანი ვერსია) ცარიელი მეხსიერებით continuity
RIMM ანუ
RIMM, ნ C RIMM მათი
C-RIMM. მ დანიშნულება
ნ შნ ბ არის
რ ს
შეინარჩუნოს ელექტროსიგნალის მთლიანობა RDRAM
-ის არხში, მანამ სიგნალი
გ ლ იქნება
ქ ე ტერმინირებული
ტე ე ულ
დედაპლატაზე. თუმცა 32 ბიტიანი მოდულსს შეუძლია
თავისით ტერმინირება, და არ არის დედპლატის
ტერმინირებაზე
ტე ე ე დ
დამოკიდებული,
კ დე ულ მას სჭირდება
ჭ დე რომ
შეუვსებელი სლოტი იყოს დაკავებული continuity and
termination RIMM (CT-RIMM).
 SoDIMM

• ნოუტბუკს და სხვა კომპიუტერებს, რომლებსაც

სჭირდება პატარა ზომის კომპონენტები,
კომპონენტები არ იყენებენ
სტანდარტულ RAM ის კომპლექტებს, როგორიცაა
SIMM ან DIMM. ასეთი ტიპის კომპიუტერებისთვის
გამოიყენება
მ ნ ბ პატარა
პ რ ზომის
ზ მ ს სპეციალური
სპ რ დიზაინის
ზ ნ ს
SoDIMM (Small Outline DIMM). SoDIMM –ის არსებობს
სხვადასხვა
ვ დ ვ ვვარიაციები,
ც ე , მოძველებული
ველე ულ 32 ბიტიანი
ტ
(72 პინიანი) კონფიგურაციის და 64 ბიტიანი (144 -
პინიანი EDO, 144-პინიანი SDRAM და 200 პინიანი
DDR/DDR2 კონფიგურაციები.
კონფიგურაციები
 DRAM-is tipebi

SO-DIMM
SO DIMM (Small
(S ll OOutline
li –
dynamic In-line Memory
Module) es aris
daaxloebiT Cveulebrivi
DIMM-is naxevari zomis
mikrosqema,
k qe romelic
el c
gamoiyeneba nouTbuqebSi,
patara portatul
kompiuterebSi da sxv.
igi aris 72, 100, 144, 200, 204
pin-iani. amaTgan pirveli
ori
r amuSavebs
m S bs 32 bit b t
informacias, xolo
danarCeni ki 64 bitians.
 მიკროდიმი
კ დ ((MicroDIMM))
• უახლესი და უმცირესი ზომის RAM არის MicroDIMM. იგი არის ძალიან
პატარა ზომის , შედარებისთვის SoDIMM
SoDIMM-ის ის 50% -ით
ით მცირეა.
მცირეა მხოლოდ
45,5 მმ სიგრძის და 30 მმ სიგანის. იგი წარმოებული არის მსუბუქი
ნოუტბუქისთვის ( მაგ. როგორიცაა Transmeta Crusoe [1] პროცესორზე
დაფუძნებული ნოუტბუქი)
• ამ მოდულებს აქვს 144 ან 172 პინი, DIMM -მსგავსია, და იყენებენ 64
ბიტიანი სალტეს. ლეპტოპებში გამოიყენება SoDIMM და MicroDIMM .
 operatiuli mexsierebis `taimingebi~
operatiuli mexsierebis `taimingebi~ (RAM Timings)
C u br op
Cveulebriv operatiuli
rat u mmexsierebis
xs r b s maxas
maxasiaTeblebSi
a b bS
warmodgenili aris 4 ricxvis meSveobiT, romlebic
erTmaneTisgan
r m n s n tireebis
r b s meSveobiT
m S b aris
r s gamoyofili
m

(mag; 5-5-5-15).

9 pirveli ricxvi aRniSnavs CL (CAS Latency)-s,

9 meore aRniSnavs tRCD (Row adress to Colums adres Delay).

9 mesame es aris tRP (Row Precharge Time)

9 meoTxe aris tRAS (Raw Active Time).

 ტაიმინგები
მეხსიერების მოდულები კლასიფიცირდება მათი ტაქტური
სიხშირის მიხედვით, მაგრამ სიხშირეზე არანაკლებ
მნ შ ნ
მნიშვნელოვანია
ნ მ
მოდულის ს ტაიმინგი.
ტ მ ნ ტ მ ნ
ტაიმინგი 4
რიცხვისგან შედგება, მაგალითად 5-5-5-15 (შეიძლება
ბოლოს დართული ქონდეს მეხუთე მაჩვენებელიც).
მაჩვენებელიც) ის
მითითებულია მეხსიერების მოდულზე და რაც
ნაკლებია რიცხვები
რიცხვები, მით უკეთესია მოდული
მოდული.
ტაიმინგის წყალობით ერთსადაიმავე სიხშირეზე
მომუშავე
უ ვე 2 მეხსიერების
ე ე ე მოდულს
დულ შეუძლია
ეუ ლ
განსხვავებული წარმადობა აჩვენოს.
 ტაიმინგები
ტაიმინგი
მ ნ არის
რ ს დრო,რ რ მ
რომელიც ეხარჯება
ხ რ ბ
მეხსიერების მოდულს სხვადასხვა შიდა
ოპერაციის
პ რ ს შესრულებაში.
შ სრ ბ შ მ
მაგალითისთვის
ს ს
ავიღოთ ტაიმინგი 5-5-5-15-T1. რიცხვები
შ მ
შემდეგს ს აღნიშნავს:
ნ შნ ს CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD.
CL tRCD tRP tRAS CMD
 1. CL - CAS ლატენტურობა
("დაგვიანება")
• დრო,
რ რომელიც
რ მ გადის
ა ს პროცესორის
პრ ს რ ს მიერ
მ რ მონაცემთა
მ ნა მ ა მოთხოვნიდან
მ ხ ნ ან
მონაცემთა მიღებამდე. ლატენტურობის რიცხვი წარმოადგენს ციკლის
რაოდენობას. ანუ მაგალითად მოდულისთვის, რომელსაც აქვს CL3,
ე ე ე
მეხსიერების მოთხოვნიდან
ვ დ მის მიღებამდე
ღე დე გ გადის
დ 3ტტაქტური
ქტუ ციკლი.
ც კლ
CL5-იან მოდულს უფრო მეტხანს "მოუწევს" ლოდინი. ასე რომ რაც
ნაკლებია ლატენტურობა, მით უკეთესია მოდული.
 2. tRCD - RAS და CAS დაყოვნება.
• მეხსიერების თითოეული ჩიპი მატრიცისგან შედგება, რომელზეც
მონაცემთა შემნახველი პატარა კონდენსატორების რიგებია
განლაგებული. კონდენსატორის მონაცემის წასაკითხად საჭიროა
განლაგებული
მისი გააქტიურება, გააქტიურებისთვის კი საჭიროა იმ გრძივი და
განივი რიგების აქტივაცია, რომელთა გადაკვეთაზეც მდებარეობს
კკონკრეტული
კ ეტულ ინფორმაციის
ფ ც შემცველი
ე ცველ კკონდენსატორი.
დე ტ გრძივი
გ ვ დდა
განივი რიგების აქტივაციას ეწოდება "RAS" (Row Address Strobe)
და "CAS" (Column Address Strobe). tRCD პარამეტრი სწორედ RAS-
ის გააქტიურებიდან CAS-ის გააქტიურებამდე დროს ნიშნავს და
რ ნაკლებია
რაც ნ ბ ესს დრო,
რ მით
მ უფრორ სწრაფად
სწრ მ შ ბს მეხსიერება.
მუშაობს მ ხს რ ბ
 tRP - RAS გადანაცვლების დაყოვნება.
• მას შემდეგ, რაც კონკრეტული კონდენსატორიდან ინფორმაციას
წაიკითხავს, მეხსიერება ხურავს მის რიგს (RAS) და ხსნის სხვა რიგს,
რათა შესაძლებელი
ს იყოსს სხვა
სხ კონდენსატორიდან
ს ინფორმაციისს
წაკითხვა. ამ ოპერაციას "Precharge" ეწოდება. ერთი რიგის
დახურვიდან
დ დ სხვა რიგის გახსნამდედ გასულ
ლდ დროს კი ეწოდება
დ tRP.
•
 tRAS
• აქტიურიდან გადანაცვლების დაყოვნება, ანუ დრო,
რომელიც საჭიროა მეხსიერების მიერ ერთი მოქმედების
ციკლის დასრულებიდან მეორე მოქმედების ციკლის
დაწყებამდე.

• DDR2-800 მეხსიერების მოდული, რომლის ტაიმინგებია 5-

5-5-15, ხოლო ერთი ციკლის შესრულების დრო 800MHz
სიხშირეზე 2.5ns
2.5ns-სს ტოლია და გვაინტერესებს რამდენი
დრო გავა ბრძანების გაცემიდან მის შესრულებამდე.
ფორმულაში ჩავსვამთ რიცხვებს:
tRP + tRCD + CL = 5 + 5 + 5. ანუ 15 ციკლი. 1 ციკლი =
2.5ns. 15 ციკლი = 15 x 2.5 = 37.5
ანუ
ნ მოცემული
მ მ მ
მოდულისთვის
ს ს ბრძანების
რძ ნ ს მიღებიდან
მ ნ მის
მ ს
შესრულებამდე გადის 37.5 ნანოწამი, ხოლო ახალი
ბრძანების შესრულებამდე გადის კიდევ 37.5 ნანოწამი
( მ ტ მ
(იმიტომ, რ მ მეოთხე
რომ მ ხ პ რ მ ტრ
პარამეტრი, tRAS = 15).
15)
ვ ლტ ჟ
ვოლტაჟი

9 DDR მოდულებისთვის სტანდარტული ძაბვა 2.5 ვოლტია

9 DDR2 - 1.8v
9 DDR3 - 1.6v

9 რათქმაუნდა
ქ უ დ ეეს ყველ
ყველა მოდულს
დულ არ ეეხება
ე დ და უ
უბრალოდ
ლ დ საშუალო
უ ლ
რიცხვებია მოყვანილი

9 სამომავლოდ
ვლ დ დ
დაგეგმილია
გეგ ლ 1.35V-ზეე მომუშავე
უ ვე მოდულების
დულე
წარმოება

9 დასკვნისთვის: DDR3 ნაკლებ ძაბვაზე მუშაობს - ვიდრე

DDR2 და DDR2 DDR-ზე ნაკლებ ძაბვაზე მუშაობს
 RAM-is mwarmoeblebi

operatiuli
p r mexsierebis
m xs r b s cnobili
n b mwarmoebeli
mw rm b
firmebi arian: Kingston, Corsair, Super Talent,
Patriot Crucial,
Patriot, Crucial Goodram,
Goodram Silicon Power,Mushkin,
Power Mushkin
G.skill, Apacer, OCZ, A-data da sxva.
es kompania awarmoeben aramarto samagido tipis
kompiuterebisTvis gankuTvnil operatiuli
mexsierebis modulebs, aramed nouTbuqisTvis,
serverebisTvis da zogierTi e.w. overclocking-
ebisTvisac ki.
Kingston-is yvelaze mZlavri modulebi aris Hyperx seriis
m
modulebi.
b
• KHX3200AK2 2GB 400MHz DDR Non-ECC CL2 (Kit of 2 - 1GB) 2-3-2-6-1
2.6V
• KHX9600D2K2 2GB kit DDR2 1200Mhz Non-ECC CL5 (kit of 2 - 1GB) 5-5-
5-15 2.3-2.35V
• KHX2000C9D3T1K3 6GB 2000MHz DDR3 Non-ECC CL9 ((Kit of 3))
Intel XMP Tall HS 9-9-9 1.65V
Corsair uSvebs Intel-is Core i5, i7 da AMD-s Phenom II tipis
procesorisTvis Tavsebad operatiuli mexsierebis modulebs.modulebs
• CMG4GX3M2A2000C8 * PC3-16000 4GB Kit 8-8-8-24 240pin DIMM
• TR3X6G1866C9DF * PC3-15000 6GB Kit 9-9-9-24 240pin DIMM
• TW3X2G1600C9D * PC3-12800 2GB Kit 9-9-9-24 240pin DIMM
Super Talent- is DDR, DDR2 da DDR3
• X40PB2GC3 DDR 1GB 500 Mhz PC-4000
PC 4000 CL3 2
2.5V
5V

• T800UB2GMT DDR2 2 GB 800 Mhz PC2-6400 CL5 1.8V

• W1333UX4GE DDR3 4 GB 1333 Mhz PC3-10600 CL9 1.5V

OCZ –is DDR Platinium seria, DDR2 Gold seria, DDR3 Gold da
Obsidian seria,
seria laptop memory da server memory

• OCZ EL DDR PC-3200 / 400MHz / Platinum / Dual Channel CL 2-3-2-

5

• OCZ DDR2 PC2

PC2-6400
6400 / 800MHz
800MH / Gold
G ld Edition
Editi / 8GB (2
(2x4096MB)
4096MB) Kit
CL 5-5-5-18 240 Pin DIMM 1.8 Volts
• OCZ DDR3 PC3-16000 / 2000 MHz /Gold XTC / Triple
Channel Kit / 6GB CL 10
10-10-10-30
10 10 30 240 Pin DIMM 1
1.65
65 Volts
Intel Core i7-Tvis

• OCZ PC3-12800 1600MHz DDR3 Obsidian 6GB Triple

Channel Kit CL 9-9-9-24 240 Pin DIMM 1.65 Volts
• PC3-8500 / 1066MHz / 2GB Modules / Intel XMP Edition /
CL 5
5-5-5-19
5 5 19 / 204 Pin DIMM / 1
1.5
5 Volts

• OCZ PC3-10666
PC3 10666 / 1333MHz
1333MH DDR3/ 9-9-9-20/
9 9 9 20/ 240 Pin
Pi
DIMM/ 1.50 Volts Value ECC UDIMM / 2GB / Server
Series