Моделювання пристроїв МСТ

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ

«КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ
імені ІГОРЯ СІКОРСЬКОГО»
МОДЕЛЮВАННЯ
ПРИСТРОЇВ МСТ
КОМП’ЮТЕРНИЙ ПРАКТИКУМ
Рекомендовано Методичною радою КПІ ім. Ігоря Сікорського

як навчальний посібник для здобувачів ступеня бакалавра
за освітньою програмою «Інтелектуальні технології мікросистемної
радіоелектронної техніки»
спеціальності 172 «Телекомунікації та радіотехніка»
Київ
КПІ ім. Ігоря Сікорського
2021
Моделювання пристроїв МСТ: Комп’ютерний практикум [Електронний ресурс] :
навч. посіб. для студ. спеціальності 172 «Телекомунікації та радіотехніка» / КПІ ім.
Ігоря Сікорського ; уклад.: С. М. Перегудов. – Електронні текстові дані (1 файл:
3,38 Мбайт). – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2021. – 78 с.
Гриф надано Методичною радою КПІ ім. Ігоря Сікорського (протокол № 8 від 24.06.2021 р.)
за поданням Вченої ради Радіотехнічного факультету (протокол № 05/2021 від 31.05.2021 р.)
Електронне мережне навчальне видання
МОДЕЛЮВАННЯ ПРИСТРОЇВ МСТ

КОМП’ЮТЕРНИЙ ПРАКТИКУМ
Укладач: Перегудов Сергій Миколайович, канд. техн. наук, доц.
Відповідальний
редактор Яненко, О.П., д-р техн. наук, проф.
Рецензент Шевченко, К.Л., д-р техн. наук, доц., проф. кафедри інформа-
ційно-вимірювальних технологій КПІ ім. Ігоря Сікорського
Навчальний посібник присвячений моделюванню в середовищі програмного пакету

Comsol Multiphysics фізичних процесів, що відбуваються у пристроях та елементах мікрое-
лектромеханічних систем. На прикладах, взятих з бібліотеки моделей, яка входить до
складу пакету, розглядаються основні принципи побудови моделей і дослідження характе-
ристик пристроїв. Після кожного прикладу приводиться перелік завдань для самостійної
роботи, що дозволяє повторити матеріал посібника та закріпити набуті знання.
Посібник призначений для проведення практичних занять з дисципліни «Мікросистемна
техніка» зі студентів бакалаврського рівня вищої освіти, а також може бути корисним для
магістрантів та аспірантів технічних спеціальностей.
 КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2021

ВСТУП
Навчальний посібник призначений для проведення практичних занять з

навчальної дисципліни «Мікросистемна техніка», яку вивчають студенти пер-
шого рівню освіти за спеціальністю 172 «Телекомунікації та радіотехніка».
Його основною метою є поглиблення та закріплення теоретичних знань; осво-
єння принципів моделювання та розробки мікросистемної техніки, а також ме-
тодів розрахунку параметрів базових елементів мікросистем.
В посібнику розглядаються особливості моделювання фізичних процесів,
які відбуваються у пристроях мікросистем (МСТ) та дослідження їх основних
характеристик в середовищі пакету Comsol Multiphysics (версії 5.4-5.6). При-
ведені рекомендації до побудови моделей та проведення розрахунків, а також
завдання для самостійної роботи студентів.
Основи роботи в середовищі програми викладаються на прикладах, що
відповідають темам практичних занять. Дані приклади взяті з бібліотеки мо-
делей, що входить до складу пакету Comsol Multiphysics, що суттєво скорочує
час опанування програмою та набуття навичок моделювання. Окремо особли-
вості програмного інтерфейсу не розглядаються. Для більш детального озна-
йомлення з ним можна рекомендувати посібники [1], а також [2, 3].
Проте у кожному прикладі покроково описується процес побудови моделі
та робота з інструментальними панелями. Крім того, перед описом моделі при-
водяться теоретичні відомості з лекційного матеріалу.
Перший розділ присвячений резистивному нагріву металевої пластини,
що має місце у пристроях не тільки мікросистем, а й макросистемах. Крім того,
в даній частині посібника розглядаються загальні принципи побудови моделі
в середовищі Comsol Multiphysics.
У другому розділі розглядаються методика визначення власних частот
консольної мікробалки (кантелевера). Їх розрахунок важливий під час проек-
тування багатьох пристроїв мікросистемної техніки, зокрема акселерометрів,
гіроскопів, давачів віброаналізаторів тощо. Окрім того, в прикладах першого
3
та другого розділу ілюструється використання критерії подібності, які є важ-
ливим інструментом моделювання.
У третьому розділі проведено аналіз роботи п’єзоелектричного актюа-
тора. Пояснюється принцип його дії, розраховуються основні характеристики.
Крім того точність отриманих результатів порівнюється з опублікованими рані
результатами теоретичних та експериментальних досліджень.
У заключному, четвертому розділі розглядається модель чутливого еле-
менту п’єзорезистивного давача тиску промислового виробництва. Поясню-
ється принцип його роботи та особливості використання.
Наприкінці кожного розділу, після розглянутого прикладу, приводиться
перелік завдань для самостійної роботи, які дозволяють студентам самостійно
повторяти процес моделювання та закріпляти набути знання та навички. За-
вдання для самостійної роботи можна також використовувати для контроль-
них заходів під час практичних занять.
4
1. РЕЗИСТИВНИЙ НАГРІВ МЕТАЛЕВОЇ ПЛАСТИНКИ
Прикладом використання мультифізичної задачі може бути моделювання

за допомогою пакету Comsol Multiphysics термоелектричної задачі, у якій роз-
глядається резистивний нагрів мідної пластини. Відомо, що провідники при
проходженні через них електричного струму нагріваються. Це явище назива-
ється резистивним або джоулевим нагріванням. Існує і побічний процес: елек-
тричний опір тіла збільшується при його нагріванні.
Опис моделі
АНАЛІЗ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ
Нехай є мідна пластинка розміром a×a, що містить отвір діаметром d в
середині (рис. 1.1). Припустимо, що до протилежних сторін пластини прикла-
дено напругу 0,1 В, як показано на рис. 1. Всі інші сторони ізольовані. За зако-
ном Джоуля електричний струм призведе до нагрівання пластини і, відпо-
відно, до зменшення її провідності.
Рис. 1.1. Геометрична модель мідної пластини і електричні граничні умови
У розглянутій далі моделі для даної мультифізичної задачі електричний

потенціал V є змінною фізичного інтерфейса Electric Currents. Кількість теп-
лоти, що виділяється у одиничному об’ємі Q, пропорційна квадрату амплітуди
щільності електричного струму J
5
2
Q=ρ J ,
де ρ — питомий електричний опір, обернено пропорційний питомій електри-
чній провідності σ (T ) , яка залежить від температури. Щільність струму, у
свою чергу, пропорційна напруженості електричного поля, яка дорівнює гра-
дієнту електричного потенціалу зі знаком мінус E = −∇V . Отже питома те-
плота, що виділяється при резистивному нагріванні пластини, дорівнює
1 2 1 2 2
Q= J= σ E = σ ∇V . (1)
σ σ
Температурна залежність електричної питомої провідності має вигляд
σ0
σ= , (2)
1 + α (T − T0 )
де σ 0 — питома провідність при початковій температурі T0 (температура зов-
нішнього повітряного середовища); для міді σ 0 = 0,0039 1 K ; α — темпера-
турний коефіцієнт питомого електричного опору. Крім питомої провідності σ
, від температури можуть залежати й інші величини, наприклад, питома теп-
лопровідність, що також має враховуватися в моделі.
Розглянута задача резистивного нагріву є комплексною (мультифізич-
ною), оскільки для її вирішення потрібні відомості з двох областей фізики.
Тому в пакеті Comsol Multiphysics використовуються два модулі: Electric Cur-
rents і Heat Transfer in Solids. При цьому питома теплота Q розраховується в
модулі Electric Currents. Крім того, в цьому ж модулі визначається значення
електричної питомої провідності залежно від температури.
Розподіл же температури в пластині розраховується в модулі Heat
Transfer in Solids, причому передбачається, що питома теплота Q уже має пе-
вне значення. Використання зазначених модулів із закладеними в пакеті зв’яз-
ками між ними, а також правильне задання параметрів, геометричної області
моделі, граничних і початкових умов, властивостей матеріалу пластини дозво-
ляє отримати досить точний розв’язок. Передбачається, що пластина має теп-
лову ізоляцію на всіх сторонах, крім тих, до яких підводиться напруга, тому
товщину пластини можна не враховувати, а моделювання проводити в пло-
щині (двовимірна модель).
6
Відомо, що розподіл потенціалу в провідниковому середовищі відбува-
ється практично миттєво, в той час як теплова енергія у твердих тілах переда-
ється досить повільно. Тому слід враховувати перехідні процеси, а розглянута
задача відноситься до класу нестаціонарних. Для її вирішення в пакеті Comsol
Multiphysics використовується відповідний розв’язувач. Більш точна модель
має враховувати також термомеханічні явища. Проте у даній задачі електро-
механічні явища практично не впливають на розподіл температури, тому на-
далі вони не враховуються.
Моделювання у середовищі COMSOL Multiphysics

СТРУКТУРА МОДЕЛІ
Моделювання в COMSOL Multiphysics починається з вибору розмірності
простору і фізичної моделі (стаціонарної або динамічної), тобто зі створення
шаблону задачі. Цей шаблон будується в дереві моделі, яке розташовано в па-
нелі конструктора моделей (Model Builder). Спочатку модель має ім’я
Untitled, але пізніше (при збереженні в файл) ви наддасте їй осмислене ім’я.
Зазвичай праворуч від конструктора моделей знаходиться вікно властивостей
активного вузла дерева. Ще правіше розташовано графічне вікно, яке викори-
стовується для креслення геометрії моделей або для відображення графіків.
Нижче графічного вікна розташована зона з ярликами, що представляють ві-
кно повідомлень (рис. 1.2).
Вкладка Messages інформує про по-
милки, Progress — про хід виконання
завдання, Log — надає службову ін-
формацію про результати обчислень. Рис. 1.2. Вікно повідомлень програми
У вкладці Table виводяться таблиці, які зазвичай містять значення розра-

хункових величин. Всі зазначені вікна можна розгорнути або згорнути. Для
цього потрібно виконати подвійне клацання по корінцю вікна. Протягом ро-
боти екран може приймати різні види. Щоб повернутися до стандартного спо-
собу розташування вікон можна на стрічці панелей відкрити закладку Home,
розкрити список Reset Desktop і вибрати один з можливих варіантів:
7
на екрані зліва направо), Regular
Screen Layout (перші два вікна розмі-
стяться одне над одним зліва екрану,
а графічне вікно посяде весь простір
праворуч від них) або Reset Desktop,
(у кінці стрічки праворуч) щоб відно-
вити колишній вигляд (рис. 1.3).
Запустіть програму Comsol
Multiphysics та створіть шаблон мо-
делі двовимірної задачі резистивного
нагріву такою послідовністю команд.
Рис. 1.3. Відновлення вигляду екрану
File->New->Model Wizard->2D ->
і далі у вікні Select Physics вибираємо фізичний інтерфейс:
Heat Transfer->Heat Transfer in Solids (ht)->Electro-
magnetic Heating->Joule Heating.
та додаємо його, натискуючи кнопку Add.
У ряді випадків програма дозволяє створювати фізичний інтерфейс різ-
ними способами. В даному випадку можна виконати
AC/DC->Electromagnetic Heating->Joule Heating
і отримати той же самий інтерфейс. В табл. 1.1 показано, які залежні змінні
відповідають кожному з інтерфейсів. Натиснемо кнопку і вибираємо
нестаціонарну задачу (рис. 1.4), оскільки будемо досліджувати часову залеж-
ність розподілу температури у пластині.
Завершуємо даний крок за допо-
могою кнопки , після чого пе-
реходимо в основне робоче вікно. Лі-
воруч у панелі Model Builder розта-
шовано дерево моделі, яке має вигляд,
Рис. 1.4. Вибір варіанту моделювання
приведений на рис. 1.5.
Праворуч від панелі Model Builder відкрита панель властивостей (ПВ)
Settings, де здійснюється налаштування параметрів елемента моделі.
8
Таблиця 1.1
Діалогове вікно Select Physics
Added physics interfaces Review physics interface
Рис. 1.5. Панелі Model Builder та Settings

Елементи дерева моделі можуть мати дочірні вузли (підвузли), які теж мо-
жуть власні дочерні вузли та інші (рис. 1.6).
9
Рис. 1.6. Схема моделі, створеної в Comsol Multiphysics
Основними елементами моделі є гілки:
Global Definitions (глобальні константи),
Component (компонента), що має вузли Geometry (геометрія), Materials
(матеріали), гілки фізичних інтерфейсів Electric Currents, Heat Transfer in
Solids та Multiphysics,
Mesh (скінченно-елементна сітка),
Study (обчислення),
10
Results (результати обчислень).
Ці основні елементи, як правило, завжди присутні в дереві повноцінної
моделі, хоча іноді використовують і неповні моделі. Головні елементи будь-
якої моделі, створеної в Comsol Multiphysics, та їх взаємозв’язки можна опи-
сати схемою, вприведеною на рис. 1.6.
Гілки Definitions (визначення) бувають глобальними (для всієї моделі) і
локальними для кожної компоненти.
Під компонентою розуміється гілка дерева моделі, яка використовується
для об’єднання вузлів пов’язаних фізичних процесів, що відбуваються в спі-
льній просторовій області. Наприклад, в тілі може протікати струм, в наслідок
цього виділятися тепло та зменшення електричної провідності. Явище, у якому
спостерігається декілька пов’язаних фізичних процесів, часто називають «му-
льтифізикою». Це — жаргон. Під ним розуміють модель, яка ґрунтується на
замкненій системі диференціальних рівнянь з кількома шуканими величинами
різної фізичної сутності та розмірності. Дана система рівнянь розв’язується як
одне ціле в спільній просторовій області.
Параметри — це числові константи, імена яких можна використовувати
в декількох місцях моделі.
Змінні — це величини, які можуть залежати від точки простору моделі.
Наприклад, до змінних відносяться координати x, y, z та шукані величини (те-
мпература T, струм І тощо). Також можна з інших змінних створювати власні.
Оператори — це математичні об’єкти, які діють на величини (шукані фу-
нкції), що досліджуються в моделі. Вузли функцій містять «алгоритми» їх об-
числення (аналітичні вирази, таблиці для завдання кускових функцій тощо).
Кожна функція повинна мати ім’я, яке використовується у тому виразі, де вона
потрібна. Елементи вузлів гілки Global Definitions можна використовувати
будь-де в моделі, а елементи гілки Definitions, що належить компоненті, при-
значені для використання в його межах, проте, в разі потреби, можуть викори-
стовуватися поза компонентом за допомогою точкової нотації. Гілка
Geometry містить складові кресленика геометричної області компонента.
Вони представляються вузлами дерева моделі. В панелі властивості вузла
Geometry задаються одиниці вимірювання геометричних величин.
11
ВИБІР ЗМІННИХ ТА ПАРАМЕТРІВ МОДЕЛІ
Глобальні параметри та змінні

Всі значення параметрів бажано задавати в системі одиниць, яка викори-
стовується в моделі. Вибрати основну систему одиниць можна в ПВ вузла са-
мого верхнього рівня (root) в розділі Unit System (рис. 1.7).
Рис. 1.7. Вибір системи одиниць

Для задання значень фізичних параметрів виділяємо вузол ДР Global
Definitions – Parameters1 і його панелі ПВ заповнюємо таблицю (рис. 1.8).
Рис. 1.8. Значення глобальних параметрів

Розглянемо процес нагріву, відбувався протягом 0,5 с. Тобто напруга була
прикладена до пластини при t=0 і знята при t=0,5 с. Для цього треба задати
імпульсну функцію часу. Здійснюється це таким чином. За допомогою кон-
текстного меню у вузлу Global Definitions додається ще однин дочірній вузол
Variables1 і в його ПВ заповнюємо таблицю (рис. 1.9). Тут використано згла-
джену функцію Хевісайда H=flc2hs, для запобігання помилки під час обчи-
слювань. Щоб побачити як вона виглядає для заданих значень аргументів,
12
додамо ще один вузол у гілці Functions1 способом аналогічним додаванню
вузла Variables1 (див. рис. 1.10а). Слід зазначити, що аргументи функції Хе-
вісайда мають бути безрозмірні. Тому додається множник розмірності [1/s]
(обов’язково у квадратних дужках).
Рис. 1.9. Додавання вузла Variables1 та введення імпульсної функції

У панелі властивостей заповнюємо рядки так, як показано на рис. 1.10б.
Інші рядки залишаємо без змін. Для аргументу t задаємо інтервал, у якому по-
трібно побудувати функцію (в нашому випадку — це від 0 до 1 с).
Рис. 1.10. Додавання вузла Functions1 та введення імпульсної функції
13
Будуємо графік функції, натискуючи у ПВ кнопку зверху панелі, який
з’явиться у вікні Graphics (рис. 1.11). Щоб побачити перехідну область треба
задати більш вузький діапазон для t у секції ПВ Plot Parameters, наприклад,
[0.498,0.5020] та знов натиснути .
Рис. 1.11. Графік функції Хевісайда

Локальні параметри та змінні
За допомогою контекстного меню у вузлу Global Definitions додається
ще однин дочірній вузол Variables1 і в його ПВ заповнюємо таблицю
(рис. 1.12)
Рис. 1.12. Додавання вузла Variables2 у гілку Component1

ПОБУДОВА ОБЛАСТІ МОДЕЛЮВАННЯ (GEOMETRY)
Виділяємо в дереві моделі вузол Geometry1 та використовуючи стрічку
інструментальних панелей, виконуємо команду
Geometry->Primitives->Square.
Для побудови квадарата (сторони та положення кута в метрах) у ПВ зада-
ємо
Size – Side length = 1e-2
Position – x, y = 0,0
14
і натискаємо у ПВ клавішу . Для кращого зображення фігур у
вікні Graphics натисніть .
Далі будується коло у центрі квадрата радіусом 0,1 см. Для цього викону-
ється команда
Geometry->Primitives->Circle
та у ПВ задаються параметри:
Size and Shape – Radius = 1e-3
Position – x, y = 0.005, 0.005.
і натискаємо у ПВ клавішу . Після цього виділяємо обидві фігурі
(у вікні Graphics виконуємо Ctrl–A) виконуємо команду
Geometry->Booleans and Partitions->Difference.
В результаті отримаємо задану в умові форму пластини (рис. 1.13)
Рис. 1.13. Форма мідної пластини

Зазначимо, що кожен компонент може мати власну систему одиниць, на-
зву якої можна дізнатися і змінити в ПВ вузла Component1 (рис. 1.14).
Рис. 1.14. Задання системи одиниць для вузла Component

ЗАДАННЯ МАТЕРІАЛІВ
Створіть в моделі вузол матеріалу за допомогою команді (тобто виберіть
у стрічці інструментальних панелей)
Materials->Add Material
15
Праворуч від графічного вікна відкриється вікно Add Material
(рис. 1.15 праворуч). У вікні Add Material в дереві доступних матеріалів ви-
беріть Built-In — Copper.
Натисніть кнопку +Add to Component, яка розташована вгорі цього вікна,
потім закрийте вікно «хрестиком» в правому верхньому кутку. В ДМ з’явиться
вузол Materials - Copper (mat1) і його ПВ з таблицею фізичних параметрів.
Галочки навпроти деяких властивостей вказують, що їх значення використо-
вуються в поточній фізичної моделі.
У ПВ вузла у рядку Electrical conductivity таблиці Material Contents змі-
ніть значення у стовпчику Value на sigma0.
вікно
Graphics
Рис. 1.15. Вибір матеріалу для вузла Component1

ЗАДАННЯ ГРАНИЧНИХ ТА ПОЧАТКОВИХ УМОВ
Граничні умови для електричного поля (вузол Electric Currents)

Граничні умови для електричного поля показані на рис. 1.1. Виділяємо
вузол Electric Currents в дереві моделі. Далі відповідно до рисунку потрібно
задати на лівій стороні пластини потенціал V1, який описується добутком V0
та функції Хевісайда, а на правій задати нульовий потенціал (землю).
За замовчанням всі сторони електрично ізольовані, а дочірній вузол
Electric Insulation1 присутній у гілці Electric Currents. Тому для двох сторін
потрібно призначити нові умови.
Спочатку додаємо відповідні дочірні вузли за допомогою команд:
Physics–>Boundaries–>Electric Potential,
16
Physics–>Boundaries–>Ground.
Далі вибираємо вузол Electric Potential1, клікаємо у вікні Graphics на лі-
вій стороні, а в ПВ вводимо V1 (рис. 1.16). Ця сторона позначена 1 (див. вище
у вікні вибраних об’єктів). Потім вибираємо праву сторону та задаємо для неї
Ground. (вона має номер 4). Потім вибираємо у ДМ вузол Electric Insulation1
та переконуємось у правильності призначених граничних умов. Видно, що для
об’єктів 2, 3, 5, 6 (вони виділені у вікні Graphics) задано умову електроізоля-
ції, а умови для об’єктів 1 і 4 переписано (рис. 1.17).
Рис. 1.16. Задання потенціалу на стороні пластини
Рис. 1.17. Електричні граничні умови
17
Початкові умови для електричного поля (вузол Electric Currents)
Вибираємо вузол Electric Currents(ec) – Initial Values1 і в його ПВ у се-
кції Electric Potential1 вводимо в полі V вираз лінійний розподіл потенціалу
вздовж осі х (рис. 1.18).
Рис. 1.18. Задання початкових умов для електричного поля

Граничні умови для температури (вузол Heat Transfer in Solids)
Для теплових величин граничні умови задаються відповідно до рис. 1.19.
Повітряний потік з температурою 293 К охолоджує всю пластину за винятком
верхньої та нижньої сторони, які мають теплову ізоляцію. Як і для електрич-
ного поля, за замовчанням теплова ізоляція призначена усім сторонам. Тому
для лівої, правої сторін та кола треба цю умову змінити. Виділяємо вузол Heat
Transfer in Solids і додаємо до нього дочірній вузол Temperature1 командою
Physics–>Boundaries–> Temperature1.
Теплова ізоляція
293 К 293К
Мідна пла-
стина
293 К
Теплова ізоляція
Рис. 1.19. Граничні умови для теплових величин

Далі виділяємо цей дочірній вузол. Переконуємось, що в його ПВ задана
температура Т0 (293,15 К) і призначаємо цю температуру границям відповідно
до рис.1.19 способом, аналогічним описаному для електричного поля
18
(причому коло складається з чотирьох дуг). Для верхньої та нижньої сторін
залишається умова теплової ізоляції. У цьому можна переконатись у ПВ для
вузла Thermal Insulation1 (у вікні Graphics виділені сторони 2 і 3).
Початкові умови для температури (вузол Heat Transfer in Solids)

Початкові теплові умови задаються аналогічно тому, як це робилось для
електрики. Виділяється вузол Initial Values1 гілки Initial Values1 і у ПВ зада-
ється початкова температура для всієї області моделі. За замовчання вона має
значення Т0, що задано у Global Definitions, проте його можна змінити.
ГЕНЕРАЦІЯ СІТКИ
Для розбиття простору моделювання на скінченні елементи виділяємо в
гілці Component1 вузол Mesh1 та виконуємо команду (рис. 1.20)
Mesh–>Build Mesh.
Рис. 1.20. Граничні умови для теплових величин

За замовчанням розмір елемента розбиття заданий Normal. Зі списку
вкладки Mesh можна вибрати інший.В результаті після натискання кнопки
Build Mesh у вікні Graphics відобразиться сітка розбиття (рис. 1.21).
Рис. 1.21. Сітка розбиття простору моделювання
19
ВИКОНАННЯ РОЗРАХУНКІВ
Вибираємо вузол Study1 – Step1: Time Dependent і в його ПВ задаємо
часовий інтервал та крок для проведення розрахунків (рис. 1.22).
Після цього виконуємо команду Study –>Compute. Індикатор у вікні
повідомлень буде відображати хід розрахунків (рис. 1.23).
Рис. 1.21. Задання часового інтервалу Рис. 1.23. Індикатор вікна повідомлень
моделювання
По завершенню обчислювального процесу дерево моделі зміниться
(рис. 1.24, ліворуч), а у вікні Graphics відобразиться розподіл потенціалу у кі-
нцевий момент часу (1 с). Якщо виділити мишею вузол Results – Temperature
(ht) – Surface, то можна побачити розподіл температури для кінцевого моме-
нту часу на поверхні пластини (рис. 1.24, у центрі та праворуч).
Рис. 1.24. Дерево моделі та вікно Graphics після обчислень

Кольорова схема вибирається у ПВ цього вузла в секції Coloring and
Style. Поруч з приведеною діаграмою у вікні Graphics розміщена температу-
рна шкала. У нашому випадку є тільки одна позначка температури (293,15 К),
20
що означає несуттєву різницю температури в різних точках пластини (в межах
похибки обчислень). Оскільки розглядається нагрів імпульсом струму, то мо-
жна припустити, що наприкінці часового інтервалу пластина вже охолола.
Щоб побачити температурний розподіл в інший момент часу, треба у ПВ вузла
Results – Temperature (ht) – Surface вибрати потрібне значення, наприклад
0,5 с (рис. 1.25).
Рис. 1.25. Вибір моменту часу для температурної залежності

ОБРОБКА РЕЗУЛЬТАТІВ РОЗРАХУНКІВ
Часова залежність локальної температури

Щоб побачити часову залежність температури, треба, по-перше, вибрати
на пластині точку спостереження, а, по-друге, створити з множини отриманих
в результаті розрахунків значень, відповідну підмножину для даної точки. Для
цього виконуємо команду (або через контекстне меню вузла Results – Data
Set, або за допомогою пунктів вкладки Results стрічки інструментальних па-
нелей)
Data Set–> Cut Point 2D.
У ПВ дочірнього вузла Results – Data Set – Cut Point 2D1 задаємо точку
спостереження (0.5, 0.75) см (рис. 1.26, ліворуч). Оскільки вибрано систему СІ,
то потрібно слідкувати за масштабними множниками. В даному випадку він
задається E-2 (можна е-2, але завжди латиницею). Якщо натиснути кнопку
, то можна побачити цю точку на пластині (рис. 1.26, праворуч).
Додаємо вузол Results – 1D Plot Group2 за допомогою відповідної ко-
манди через контекстне меню вузла Results, або через стрічку
21
інструментальних панелей. До даного вузла треба додати дочірній Point
Graph, теж використовуючи контекстне меню вузла Results – 1D Plot Group2,
або через стрічку інструментальних панелей.
Рис. 1.26. Вибір точки для побудови часової залежності температури

Вибираємо вказаний вузол Point Graph1 та у його ПВ задати підмножину
значень аргументу t для побудови графіка, як показано на рис. 1.27 (ліворуч),
а також часовий інтервал в рядку Time selection (в даному випадку вибрані всі
часові точки All (рис. 1.27, праворуч).
Рис. 1.27. Задання вихідних даних для побудови часової залежності температури
22
Після натискання кнопки , у вікні Graphics буде побудовано графік
часової залежності для заданої точки (рис. 1.28). Для оформлення графіку (ко-
лір, товщина, вид лінії, відображення легенди тощо) слід користуватись опці-
ями ПВ вузла Results – 1D Plot Group2 – Point Graph1.
Розподіл температури вздовж напкрямку

Для побудови розподілу температури вздовж заданого напрямку (для ви-
браних моментів часу) треба задати цей напрямок, створити для нього підмно-
жину значень температури і побудувати графік. Для цього створюємо вузол
Results – Data Set – Cut Line 2D1. У ПВ дочірнього вузла Results – Data Set –
Cut Line 2D1 задаємо, наприклад, лінію з початком у точці (0, 0.5) см і кінцем
(1, 0.5) см (рис. 1.29). Якщо натиснути кнопку , то можна побачити цю
лінію на пластині.
Далі створюємо вузол Results – 1D Plot Group3 за допомогою відповідної
команди через контекстне меню вузла Results, або через стрічку інструмента-
льних панелей. До нього додаємо дочірній Line Graph, теж використовуючи
контекстне меню вузла Results – 1D Plot Group3 або через стрічку інструмен-
тальних панелей (його ПВ на рис. 1.29, ліворуч). Після чого через контекстне
меню для вузла 1D Plot Group3 створюємо дочірній Line Graph1, і в ПВ за-
даємо опції (рис. 1.29, праворуч).
Рис. 1.28. Зміна температури у точці (0.5, 0,75) см
23
Рис. 1.29. Задання підмножини значень для побудови розподілу температури
Рис. 1.30. Розподіл температури вздовж напрямку
24
Завдання для самостійної роботи
1. У ПВ вузла Component1 – Materials - Copper (mat1) у рядку Electrical
conductivity таблиці Material Contents змініть значення у стовпчику Value на
sigmaT. Після чого повторіть пп. ВИКОНАННЯ РОЗРАХУНКІВ та ОБРОБКА
РЕЗУЛЬТАТІВ РОЗРАХУНКІВ. Порівняти дані цих розрахунків з одержа-
ними рані.
2. Виконати моделювання нагріву квадратної мідної пластини зі стороною
1 мм, яка має у центрі отвір діаметром 0,2 мм. Залежність електричної провід-
ності від температури задається формулою (2), що приведена у п. ОПИС МО-
ДЕЛІ.
Нагрів здійснюється імпульсом напруги амплітудою 0,1 В. Часовий інте-
рвал досліджень вибрати удвічі більший за тривалість імпульсу. Тривалість
імпульсу має бути такою, щоб процеси нагріву пластин 1х1 мм та 1х1 см (що
розглядалась у прикладі вище) були фізично подібними
3. Побудувати часову залежність температури у точці пластини (0.5,
0.95) мм.
4. Побудувати розподіл температури вздовж лінії, паралельної осі х, і яка
проходить на 0,25 мм вище центра пластини.
25
2. ВИЗНАЧЕННЯ РЕЗОНАНСНИХ ЧАСТОТ КАНТИЛЕВЕРА
Під час проектування мікропристроїв, зокрема кантилевера (консольної

мікробалки), важливо дослідити чутливість власних частот щодо змін маси до-
даткового навантаження вільного його кінця. Це можна легко реалізувати у
середовищі Comsol Multiphysics.
В мікросистемній техніці подібні кантилевери часто виготовлюються з
кремнію. Вони можуть використовуватись, наприклад, у віброаналізаторах пе-
вної речовини (аналіту), що адсорбуються на незакріпленому кінці мікро-
балки. Первинним інформаційним сигналом є зміна частоти механічних коли-
вань кантилевера через зміну маси його навантаження.
Опис моделі та завдання на моделювання

Визначення власних частот ненавантаженого кантилевера
Як приклад, розглянемо кантилевер з розмірами: довжина – 300 мкм, ши-
рина – 40 мкм та висота – 10 мкм. Потрібно здійснити такі кроки.
1. Побудувати у середовищі Comsol Multiphysics модель кантилевера, ма-
теріалом якого є полікристалічний кремній (рис. 3.1). При цьому вважати, що
один кінець зафіксований, а інший вільний.
2. Визначити моди та їх частоти ненавантаженого кантилевера. Викорис-
товуючи можливості програми, створити анімацію руху кантилевера для кож-
ної моди.
Рис. 2.1. Геометрична модель навантаженого кантилевера
26
Дослідження залежності власних частот від маси додаткового
навантаження
Після виконання попереднього пункту доповнимо модель навантажен-
ням, що розміщується на вільному кінці мікробалки. Доцільно забезпечити мо-
жливість зміни маси навантаження. Для цього навантаження задається у ви-
гляді паралелепіпеда з довжиною 10 мкм, шириною 40 мкм і висотою 10 мкм.
Вважати, що густина навантаження ρ H дорівнює
ρ H = k ρ Si ,
де ρ Si — густина полікристалічного кремнію;
k — певний коефіцієнт, що змінюється від 0 до 1.
В процесі моделювання визначається залежність власних частот кантіле-
вера від маси додаткового навантаження.

Для вибору структури моделі виконуємо таку послідовність дій.
1. Вибираємо мастер побудови моделей Model Wizard (рис. 2.2а), а
потім — розмірність моделі — 3D (рис. 2.2б).
б
а
Рис. 2.2. Вибір розмірності моделі

2. Наступним кроком є вибір фізичного інтерфейсу (розділу фізики). У за-
гальному випадку їх може бути декілька, проте в даній моделі — тільки один:
Structural Mechanics –> Solid Mechanics (solid)
та натискаємо кнопку Add. (рис. 2.3).
За допомогою кнопки переходимо у відповідне діалогове вікно,

де вибираємо вид досліджень (Study). У нашому випадку — це
Eigenfrequency: дослідження власних коливань (рис. 2.4). Підтверджуємо
27
вибір натисканням кнопки , в результаті чого відкривається основне
робоче вікно програми.
Рис. 2.3. Вибір фізичного інтерфейсу
Рис. 2.4. Вибір виду досліджень

Глобальні параметри та змінні

Всі значення параметрів бажано задавати в системі одиниць, яка викори-
стовується в моделі. Її можна вибрати в ПВ вузла самого верхнього рівня (root)
в розділі Unit System (див. практичне розділ 2, рис. 2.7). Для задання значень
фізичних параметрів виділяємо вузол ДМ Global Definitions – Parameters1 і у
його панелі ПВ заповнюємо таблицю (рис. 2.5).
28
Рис. 2.5. Глобальні параметри моделі
Кантилевер і навантаження будуються як паралелепіпеди. Для цього ви-
діляється вузол Geometry1 в моделі та, використовуючи стрічку інструмента-
льних панелей, виконується команда Geometry->Primitives->Block.
Для побудови паралелепіпеда кантилевера (сторони в метрах) у ПВ зада-
ємо в секції Size and Shape: Width = L, Depth = W, Height = H; а в секції
Position — x, y, z = 0,0,0. Після чого натискаємо клавішу .
Далі створюємо навантаження. В секції Size and Shape задається:
Width = a, Depth = W, Height = H; а в секції Position — x, y = 0,0; z = H
Знов за допомогою клавіші будується об’єкт (рис. 2.5).
Рис. 2.5. Геометрична модель

Для більш зручного відображення фігур у вікні Graphics натисніть .
29
1. Задайте матеріли компонент у гілці моделі Component 1 за допомогою
команди
Materials->Add Material
Праворуч від графічного вікна відкриється вікно Add Material, де в дереві
доступних матеріалів треба вибрати Built-In — Polysilicon та натиснути
кнопку +Add to Component, яка розташована вгорі цього вікна. Потім це вік-
кно можна закрити «хрестиком» в правому верхньому куту. В ДМ з’явиться
вузол Materials – Polysilicon (mat1), а його ПВ має таблицю фізичних параме-
трів. При цьому вибрано всі складові моделі (All domains).
Рис. 2.6. Призначення матеріалів компонентам моделі

Після цього для навантаження слід скорегувати масу навантаження за до-
помогою введення коефіцієнту k у величину густини матеріалу. Спочатку по-
трібно додати у вузол моделі Component 1 – Materials ще один матеріал
Polysilicon (mat2) скорегувати його густину (див. рис. 2.7) та призначити цей
матеріал навантаженню.
Рис. 2.7. Корегування маси навантаження
30
Якщо цей матеріал планується використовувати в інших моделях, то мо-
жна призначити йому власне ім’я та додати у бібліотеку користувача (User-
Defined Library).
Галочки навпроти деяких властивостей матеріалів у таблиці в ПВ вказу-
ють, що їх значення використовуються в поточній фізичній моделі.

Виділяємо вузол Solid Mechanics в дереві моделі. За замовчанням всі
грані вільні, тобто мають граничну умову Free 1. Зафіксуємо грань 12 за допо-
могою команди Physics–>Boundaries–> Fixed Constraint 1. Для
задання цей умови на грані 12 потрібно спочатку у дереві моделі виділити
вузол Fixed Constraint 1. Потім у графічному вікні за допомогою миші пове-
рнути для зручності зображення та виділити грань 12. Гранична умова для неї
переписується, про що свідчить зображення ПВ для вузла Free 1 (рис. 2.8).
Рис. 2.8. Задання граничних умов

Для розбиття простору моделювання на скінченні елементи виділяємо в
гілці Component 1 вузол Mesh1 та виконуємо команду
Mesh–>Build Mesh.
За замовчанням розмір елемента розбиття заданий Normal. Зі списку
вкладки Mesh можна вибрати інший. Елементи краще брати менші за Normal,
проте чим менше розмір, ти більше вимоги до ресурсів. Якщо у ПВ натиснути
кнопку Build Mesh, то у вікні Graphics відобразиться сітка розбиття. Сітка у
даному випадку буде складатись з тетраедрів.
31
Рис. 2.9. Умова фіксації грані
Проте геометрія даної моделі свідчить, що більш доцільною була сітка у
вигляді не тетраєдрів, а паралелепіпедів. Дійсно у ряді випадків вибір форми
комірок, більш адаптованої для геометрії компонентів моделі, значно знижує
вимоги до обчислювальних ресурсів. Це досягається за допомогою команди
Mesh–>Swept та натисканням кнопки в ПВ. Розмір елементів ви-
бирається у ПВ вузла Mesh 1 – Size. В результаті розбиття на скінченні елеме-
нти має вигляд, показаний на рис. 2.10 (для розміру елемента Extremely fine).
Рис. 2.10. Розбиття на скінченні елементи

ВИКОНАННЯ РОЗРАХУНКІВ ТА ОБРОБКА РЕЗУЛЬТАТІВ
Процес виконання розрахунків запускається командою Study–>Com-
pute. В графічному вікні буде виведено зображення відхилення кантилевера
для першої (найменшою за частотою) моди (рис. 2.11). Величини частот інших
32
мод приводяться у ПВ для вузла моделі Results – Mode Shape (solid)
(рис. 2.12). Зображення відхилень мікробалки можна отримати у графічному
вікні для цього вузла, натискаючи кнопку у його ПВ.
Рис. 2.11. Перша мода ненавантаженого кантилевера
Рис. 2.12. Власні частоти ненавантаженого кантилевера

Для проведення залежності частот власних коливань від маси наванта-
ження потрібно провести параметричні дослідження, які запускаються коман-
дою Study–>Parametric Sweep.
У ПВ вузла Study – Parametric Sweep в таблиці Study Settings додаємо
параметр. Для цього натискуємо + внизу (рис. 2.13) і зі списку вибираємо k.
Далі задаємо діапазон зміни від 0 до 10 з кроком 0,5, натискуючи клавішу
або відразу записуючи range(0,0.5,10) у стовпчику таблиці
Parameter value list. Після чого у ПВ натискається кнопка = Compute. По за-
вершенню обчислень в ДМ створюємо вузол Results – 1D Plot Group за допо-
могою відповідної команди через контекстне меню вузла Results, або через
33
стрічку інструментальних панелей. У його панелі властивостей зі списку
Dataset вибираємо розв’язок Study 1/Parametric Solutions 1 (sol2) (рис. 2.14,
ліворуч). За допомогою рядків Eigenfrequency selection та Eigenfrequency
indices (1-6) можна вибрати моду для дослідження (рис. 2.14, праворуч).
Рис. 2.13. Вибір параметра
Рис. 2.14. Вибір розв’язку для параметричної задачі

Після чого до даного вузла Results – 1D Plot Group додається дочірній
вузол Global 1. Далі в секції y-Axis Data у стовпчику Expression вводимо
solid.freq, як показано на рис. 2.15 (ліворуч), та вибираємо в секції x-
Axis Data у рядку Parameter значення Expression, а в рядку Expression вво-
димо k. Крім того, у рядку Axis source data вибираємо All solutions. Натиску-
ємо кнопку Plot, і у вікні Graphics відобразиться графік залежності частоти
першої моди від маси навантаження (рис. 2.16). Якщо замість k в рядок
Expression ввести a*W*H*k*2320[kg/m^3], то отримаємо залежність час-
тоти безпосередньо від маси навантаження в кілограмах.
34
Рис. 2.15. Задання параметрів для побудови залежності частоти від маси
Рис. 2.16. Залежність частоти 1-ої моди від коефіцієнта маси

1. Повторити розрахунки (дослідження), виконуючи пункти методичних
рекомендацій до практичного заняття 3 для таких розмірів наванта-
ження (a*W*H) мкм. Навантаження розташовано симетрично вздовж
ширини мікробалки (як в прикладі рекомендацій). Скінченні елементи
мають тетраедральну форму з розміром finer або extra fine. Розміри
балки (кантилевера) брати такі, як у прикладі рекомендацій, а розміри
навантаження — відповідно до таблиці:
35
Порядковий номер студе- a W H
нта у списку групи
1, 7, 13 15 40 5
2, 8, 14 20 30 10
3, 9, 15 25 25 15
4, 10, 16 15 40 5
5, 11, 17 20 30 10
6, 12, 18 25 25 15
2. Привести скрини відхилень для 6 перших мод та пояснити їх колива-

льний рух.
3. Побудувати залежність частоти n-ої моди від маси в кілограмах. Номер

моди вибрати відповідно до таблиці:
Порядковий номер студе- n

нта у списку групи
1, 7, 13, 6 2
2, 8, 14, 12 3
3, 9, 15, 18 4
4, 10, 16 5
5, 11, 17 6
4. Визначити залежність частот власних коливань ненавантаженого кан-

тилевера від масштабного коефіцієнта К (пропорційна зміна сторін ка-
нтилевера в К разів).
36
3. РОЗРАХУНОК І АНАЛІЗ ХАРАКТЕРИСТИК
П’ЄЗОЕЛЕКТРИЧНОГО АКТЮАТОРА БАЛОЧНОГО ТИПУ
У даному прикладі виконується статичний аналіз п’єзоелектричного ак-

тюатора на основі консольної балки, що приводиться в рух об’ємним п’єзое-
лектричним ефектом. Конструкція даного актюатора представляє багатоша-
рову балку [1, 2], в якій використовується режим зсуву п’єзоелектричного ма-
теріалу для переміщення кінця консолі.
Зовнішні механічні сили, що діють в певних напрямках на зразок з п’єзо-
електричного матеріалу (п’єзоелемент), спричиняють у ньому крім механіч-
них напружень і деформацій (як у будь-якому твердому тілі), ще електричну
поляризацію а, отже, появу на його поверхні зв’язаних електричних зарядів
(рис. 3.1а). При зміні напрямку механічних сил на протилежний відповідно
змінюються і знаки зарядів. Це явище називають прямим п’єзоефектом
(рис. 3.1б). Також може спостерігатись зворотний п’єзоефект: під дією елект-
ричного поля в зразку з п’єзоелектричного матеріалу виникають механічні на-
пруження і деформації (рис. 3.1в). Зміна напрямку електричного поля на про-
тилежний призводить до протилежних напружень та деформацій (рис. 3.1г).
Прямий і зворотний п’єзоефект описуються лінійними рівняннями. Для
прямого п’єзоефекту рівняння описує зв’язок електричної поляризації P з ме-
ханічним напруженням σ:
P= d ⋅ σ .
Фізична величина d називається п’єзоелектричним модулем (п’єзомо-
дуль). Рівняння зворотного п’єзоефекту має вигляд
є= d ⋅ E ,
де x — деформація; E — напруженість електричного поля.
П’єзомодуль d для прямого і зворотного ефектів має одне й те ж значення.
37
Рис. 3.1. Схематичне зображення прямого (а, б) і зворотного (в, г) п’єзоефектів
Стрілками F і E зображені зовнішні впливи — механічна сила і напруже-
ність електричного поля відповідно. Контури зразка з п’єзоелектрику показані
наступним чином: до зовнішнього впливу — штриховими лініями, а при ная-
вності зовнішнього впливу — суцільними (P — вектор поляризації.)/
Насправді п’єзоелектричні явища в кристалах більш складні, що обумов-
лено анізотропією їх пружних і електричних властивостей. Вони залежать та-
кож від напрямку механічних або електричних сил відносно кристалографіч-
них осей, а ефект може виникати в результаті дії як нормальних, так і дотичних
напружень, а у деяких напрямках не спостерігатись. Для опису п’єзоелектри-
чних явищ використовують п’єзоелектричні константи, зокрема п’єзомодуль
d . Загалом це тензори. Причому кількість ненульових елементів у матриці та-
кого тензора залежить від кристалічної будови п’єзоматеріалу.
Розглянемо для простоти п’єзоефект у кварці. Напрямок поляризації може
збігатись з напрямком механічного напруження або утворювати з ним деякий
кут. У першому випадку п’єзоефект називають поздовжнім, а якщо вектори
механічної сили та електричної поляризації перпендикулярні — поперечним.
Окрім того, можлива поляризація п’єзоелектрика і при деформації зсуву. На
рис. 3.2 схематично показано, як відбувається поляризація кристалічної реші-
тки кварцу (діоксиду кремнію SiO 2 ). Геометрична сума проекцій векторів P2
і P3 на вісь x дорівнює спрямованому вздовж цієї осі вектору P1 . Тому на гра-
нях, перпендикулярних до осі x , заряд не виникає. Проте проекції даних век-
торів на вісь y не однакові. В результаті виникають заряди на гранях, перпен-
дикулярних осі y . Слід однак зазначити, що застосування кварцових п’єзое-
лементів у виконавчих пристроях мікросистемної техніки недоцільно через
малі деформації. Наприклад, кварцова пластина товщиною 1 мм під дією
38
напруги 100 В змінює свою товщину всього на 2,3 ⋅10−7 мм. Це пояснюється
його дуже високою жорсткістю. П’єзоефект спостерігається також в полікри-
сталічних діелектриках з упорядкованою структурою, наприклад керамічні
матеріали та полімери. У ряді випадків при зворотному п’єзоефекті деформа-
ція зразків з таких матеріалів значно більша, ніж у кварцу.
Рис. 3.2. Форма елементарної комірки кристалічної структури кварцу і її

поляризації при деформації зсуву
У даній моделі досліджується актюатор у вигляді консольної балки, яка
складається з двох металевих пластин, між якими розміщено елемент з п’єзо-
кераміки PZT-5H. Механічний рух кінця балки актюатора спричиняється зво-
ротним п’єзоефектом зсуву, що виникає при підключенні до зазначеного зра-
зка постійної напруги. Величина напруги змінюється від мінус 20 В до +20 В.
З метою спрощення побудови моделі та задання її параметрів досліджу-
ється п’єзоелектричний актюатор макроскопічних розмірів. Крім того, резуль-
тати чисельних розрахунків, що будуть проведені, можна порівняти з відо-
мими даними досліджень [1, 2], і таким чином оцінити їх точність.
ГЕОМЕТРІЯ МОДЕЛІ
Досліджуваний пристрій має вигляд консольної балки довжиною 100 мм,
орієнтованої уздовж осі х . Вона містить осердя з жорсткого пінопласту зав-
товшки 2 мм і дві алюмінієві пластини товщиною 8 мм. В осерді між z = 55 мм
і z = 65 мм встановлено п’єзокерамічний елемент (рис. 3.3).
39
Рис. 3.3. Структура п’єзоелектричного актюатора (частину середнього шару займає
п’єзокерамічний матеріал)
ГРАНИЧНІ УМОВИ
У цьому завданні слід задати граничні умови двох типів:
1. Механічні граничні умови: площина консольної балки x = 0 — неру-
хома, у всіх інших перетинах рух може відбуватися.
2. Граничні умови електростатики: до верхньої і нижньої площини п’єзо-
керамічного зразка прикладена різниця потенціалів від мінус 20 В до
+ 20 В. Таким чином створюється електричне поле у напрямку, перпе-
ндикулярному до осі x , і відповідно, поперечна деформація.
ВЛАСТИВОСТІ МАТЕРІАЛІВ
Електричним ізолятором між двома електродам з алюмінію у даній моделі
є пінопласт (Foam) 1. В таблиці 3.1 приведені характеристики матеріалів. В
таблиці позначено: E — модуль Юнга, ν — коефіцієнт Пуасона (відношення
відносної зміни поздовжнього розміру до відносної зміни поперечного роз-
міру)
∆l⊥ l⊥ γ ⊥
=ν = ,
∆l l γ
ρ — питома щільність матеріалу.
1
Призначені для введення числові значення та одиниці вимірювання фізичних величин наведені англійською
мовою так, як вони вказуються в діалогових вікнах програми.
40
Таблиця 3.1
Механічні властивості матеріалів п’єзоелектричного актюатора
Property Aluminium Foam

E 70 GPa 35 MPa
ν 0.345 0.383
ρ 2690 kg/m3 32 kg/m3
Матриці, що наведені нижче, описують властивості п’єзокераміки

(PZT-5H): c E — тензор напружень (матриця пружності); e — тензор п’єзоеле-
ктричного зв’язку; ε — тензор абсолютної діелектричної проникності. Абсо-
лютна діелектрична проникність обчислюється шляхом множення відносної
ε 0 8,85 ⋅ 10−12 (Ф/м).
діелектричної проникності на константу=
126 79.5 84.1 0 0 0 
 
 126 84.1 0 0 0 
 117 0 0 0 
cE =   GPa (ГПа),
 23.0 0 0 
 sym 23.0 0 
 
 23.0 
 0 0 0 0 17 0
 
e= 0 0 0 17 0 0  C m 2 (Кл/м2),
 0 
 −6.5 −6.5 23.3 0 0
1.503 0 0 
 
=ε  0 1.503 0  ⋅10−8 F m (Ф/м).
 0 0 1.3 

Зауваження щодо побудови моделі

Компоненти зазначених матриць, зокрема, матриці тензора п’єзоелектри-
чного зв’язку e записуються у системі координат, де зсув здійснюється вздовж
осі z . Проте у даній моделі ця деформація спостерігається уздовж осі x гло-
бальної системи координат. Отже для правильного задання параметрів п’єзо-
матеріалу потрібно ввести локальну систему x′y′z′ , яка одержана шляхом по-
вороту на 90° навколо осі y (рис. 3.4).
41
Рис. 3.4. Локальна система координат для задання параметрів п’єзоматеріалу

а б

2. Потім вибирається фізичний інтерфейс (або розділ фізики):
Structural Mechanics –> Piezoelectric Devices 2
2
Вказана команда для Comsol Multiphysics версії 5.4. Для версії 5.6 потрібно ввести Structural
Mechanics –> Electromagnetics-Structure Interaction –> Piezoelectricity –> Pi-
ezoelectricity Solid.
42
та натискаємо кнопку Add і потім — . Далі у відповідному діалого-
вому вікні вибираємо вид досліджень Stationary, оскільки розглядаємо уста-
лений процес. Підтверджуємо вибір натисканням кнопки і переходимо
в основне робоче вікно програми.
Глобальні параметри
Для подальшого дослідження залежності характеристик актюатора від
прикладеної напруги вводимо останню як глобальний параметр Vb. Для цього
виділяємо вузол ДМ Global Definitions – Parameters1 і у його ПВ заповнюємо
рядок у таблиці як показано на рис. 3.6.
Рис. 3.6. Глобальні параметри моделі

Слід звернути увагу на вибір позначення параметра, оскільки низка літер
та позначень використовується програмою за замовчанням. Тому користувач
не може застосовувати їх для інших величин. Наприклад, у даному випадку не
присвоювати напрузі зміщення літери V, оскільки вона використана як робоча
змінна напруги. Відповідно потенціал землі прикладено до верхньої грані
п’єзоелемента, а Vb — до нижньої.

Будуємо компоненти консольної балки у вигляді паралелепіпедів.
Для цього спочатку виділяємо в дереві моделі вузол Geometry1 і у ПВ в
секції Units зі списку Length unit вибираємо mm.
Потім створюється перша частина моделі за допомогою команди
Geometry->Primitives->Block.
У ПВ в секції Size and Shape задаються розміри (в міліметрах):
43
Width = 100
Depth = 30
Height = 18;
в секції Position — x, y, z = 0,0,0
У контекстному меню вузла ДМ Block 1 (blk1) натискаємо Build Selected
після чого у графічному вікні з’явиться зображення паралелепіпеду.
Аналогічним чином будуємо середній шар моделі. Знов за допомогою ко-
манди Geometry->Primitives->Block створюється паралелепіпед з ро-
змірами (в міліметрах):
Width = 100
Depth = 30
Height = 2,
а в секції Position потрібно вказати положення шару: x = 0,y = 0,z = 8.
Наступним кроком є розбиття середнього шару на три частини: у центра-
льній буде розміщено п’єзоелемент, а в крайніх — ізоляційний матеріал (піно-
пласт). Для виконання даної операції скористуємось можливостями секції
Layers. У таблиці введемо значення довжини (рис. 3.7а), а нижче відмітимо,
звідки починається та чи інша частина шару (рис. 3.7б).
а б
Рис. 3.7. Задання структури середнього шару актюатора
Після чого у ПВ натискаємо кнопку (Build All Objects), а у

вікні Graphics — кнопки (Zoom Extents) та (Transparency), і
44
отримаємо зображення, яке представлено на рис. 3.3. Таким чином, відповідно
до рис. 3.7 середній шар спочатку був розділений вздовж х на дві частини з
довжинами 55 та 45 мм, а потім друга частина — ще на дві: 10 та 35 мм.
ЗАДАННЯ ЛОКАЛЬНОЇ СИСТЕМИ КООРДИНАТ

Задаймо локальну систему координат, вісь аплікат якої паралельна осі аб-
сцис, а осі ординат збігаються. Для цього виконаємо такі крокі.
З контекстного меню вузла дерева моделі Component 1 – Definitions ви-
бираємо послідовно пункти Coordinate Systems та Base Vector System. , а по-
тім у ПВ заповнюємо таблицю та відмічаємо прапорці згідно рис. 3.8
Рис. 3.8. Задання локальної системи координат

Перед заданням матеріалів задамо область п’єзоелемента.
Виділяємо у ДМ вузол Component 1 (comp1) – Electrostatics (es), і в ПВ у
вікні секції Domain Selection залишаємо тільки область 4 (рис. 3.8).
Рис. 3.8. Вибір області пֹ’єзоелемента

Далі переходимо до вузла Component 1 (comp1) – Solid Mechanics
(solid) – Piezoelectric Material 1. і аналогічно залишаємо в секції Domain
45
Selection панелі властивостей (вкладка Settings) тільки область 4 (див.
рис. 3.8), але вже для Piezoelectric Material 1. Окрім того, у списку Coordinate
system, який знаходиться нижче в секції Coordinate System Selection, вибира-
ємо Base Vector System 2 (sys2), тобто локальну систему координат.
Перейдемо до призначення матеріалів іншим компонентам моделі. Вва-
жаєм, що провідні пластини виготовлені з алюмінію. Скористуємось бібліоте-
кою матеріалів за розглянутою раніше процедурою. Для вузла Component 1 –
Materials через контекстне меню виконуємо команду
Materials->Add Material from Library
У відкритому вікні Add Material в дереві доступних матеріалів виберемо
MEMS – Metals – Al – Aluminum, після чого натискаємо кнопку +Add to
Component. В ДМ з’явиться вузол Materials – Al-Aluminum (mat1). У ПВ
Призначаємо цей матеріал тільки компонентам 1 і 3 (рис. 3.9).
Рис. 3.9. Вибір матеріалу для провідних пластин актюатора

Для ізоляційного середнього шару створимо окремий матеріал Foam. Для
вузла Component 1 – Materials через контекстне меню виконуємо команду
Materials-> Blank Material.
У ПВ у рядку Label впишемо Foam. Призначимо цей матеріал тільки об-
ластям 2 і 5 (рис. 3.10а), а у таблиці секції Material Content задайте основні
параметри для пінопласту (рис. 3.10б).
І нарешті, призначаємо області 4 матеріал п’єзокераміки, вибираючи у бі-
бліотеці матеріалів Piezoelectric – Lead Zirconate Titanate (PZT-5H), анало-
гічно тому як це зроблено для Al-Aluminum та областей 1 і 3.
46
а б
Рис. 3.10. Вибір матеріалу ізолятора

Механічні умови
Зафіксуємо грані 1, 4, 7. Виділяємо вузол Solid Mechanics в дереві моделі.
За замовчанням всі грані вільні (Free 1). Додаємо дочірній вузол за допомогою
команди Physics–>Boundaries–> Fixed Constraint 1, виділяємо
вузол Fixed Constraint 1 у ДМ, а в графічному вікні за допомогою миші виді-
ляємо вище зазначені грані. Внаслідок чого гранична умова для неї перепису-
ється, про що свідчить зображення ПВ для вузла Free 1 (рис. 3.11).
Рис. 3.11. Призначення механічних умов

Електричні умови
Виділяємо у ДМ вузол Component 1 (comp1) – Electrostatics (es) і вико-
нуємо команду Physics–>Boundaries–> Electric Potential. Далі
переходимо до вузла Electric Potential 1 і призначаємо нижній грані п’єзоеле-
мента потенціал, оскільки саме до неї за умови задачі підводиться напруга. Для
47
цього у вікні Graphics за допомогою миші виділяємо грань 16, а Vb записуємо
в рядок Electric Potential однойменної секції ПВ (рис. 3.12).
Рис. 3.12. Задання електричного потенціалу на п’єзоелементі

Аналогічно, виконуючи для вузла Component 1 (comp1) – Electrostatics
(es) команду Physics–>Boundaries–> Ground, задаємо потенціал землі
на грані 17, яка є верхньою для п’єзоелемента.
Як видно з геометрії моделі, більш доцільною є сітка у вигляді паралеле-
піпедів. Тому виконуємо команду Mesh–>Swept. Після чого у контекстному
меню вузла ДМ Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Swept обираємо пункт
Distribution. У ПВ в рядку Number of elements (секція Distribution) вводимо
число 2 та натискаємо кнопку (рис. 3.13).
Кількість елементів, що вказана у вікні повідомлень складає 198.
Рис. 3.13. Розбиття моделі на скінченні елементи
48
Процес виконання розрахунків запускається командою Study–>Com-
pute. В результаті в графічному вікні буде виведено зображення розподілу
механічного напруження для напруги зміщення +20 В (рис. 3.14).
Рис. 3.14. Розподіл механічних напружень у балці п’єзоелектричного актюатора

Відхилення актюатора
Змінити діаграму, наприклад, на розподіл вертикального відхилення то-
чок балки п’єзоелектричного актюатора можна таким чином. Виділяється
вузол ДМ Results – Stress (solid) і в його ПВ у рядку Label вводиться назва
для діаграми Displacement (solid). Далі необхідно перейти до вузла Results –
Displacement (solid) – Surface 1 і в ПВ натиснути кнопку (рис. 3.15).
Рис. 3.15. Налаштування моделі для розподілу вертикального зміщення
49
Після чого сліді вибрати з меню (подвійним клацанням) пункт
Component1 – Solid Mechanics – Displacement – Displacement field -m – w-
Displacement field, Z component (рис.3.15). В секції Expression у списку Unit
призначити nm та натиснути кнопку Plot. В результаті у вікні Graphics відо-
бразиться діаграма (рис. 3.16).
Рис. 3.16. Розподіл вертикального зміщення точок актюатора

Розподіл електричної напруги
У ДМ виділите вузол Results – Electric Potential (es) – Multislice 1 та ви-
даліть його. Після чого створіть новий вузол Results – Electric Potential (es) –
Surface. Обидві процедури можна реалізувати через контекстне меню. В ПВ
останнього вузла за допомогою меню тієї же кнопки (Replace
Expression) виберіть пункт Component 1 – Electrostatics – Electric – V -
Electric potential - V. і натисніть кнопку Plot. В результаті появиться зобра-
ження, що приведено на рис. 3.17.
Локальна система координат

Додамо ще одну групу тривимірних графіків за допомогою команди
Results –>3D Plot Group.
В ПВ створеного таким чином вузла в рядку Label введемо назву PZT
coordinate system. В контекстному меню вузла PZT coordinate system
виберемо пункт More Plots – Coordinate System Volume і в ПВ створеного
вузла у рядку Coordinate System однойменної секції зі списку виберемо Base
50
Vector System 2 (sys2). Потім в секції Positioning у підрозділі x grid у списку
рядка Entry method виберемо Coordinates, а в текстовому полі, що з’явіться,
наберемо 60. Для підрозділів y grid та z grid в текстових полях Points введемо
1 (рис. 3.18). Після чого натиснемо Plot. У вікні Graphics відобразиться лока-
льна система координат (див. рис. 3.4).
Рис. 3.17. Розподіл потенціалу в п’єзоелектричному елементі
Рис. 3.18. Налаштування вікна Coordinate System Volume
51
Розподіл вертикального зміщення вздовж довжини балки
актюатора
Для побудови розподілу вертикального зміщення кінця балки вздовж осі
x (для напруги Vb=20 В) треба задати цей напрямок, створити для нього пі-
дмножину значень температури і побудувати графік.
Для цього створюємо вузол Results – Data Sets – Cut Line 3D1. У ПВ до-
чірнього вузла Results – Data Set – Cut Line 3D1 задаємо, наприклад, лінію з
початком у точці (0, 15, 0) мм і кінцем (100, 15, 0) мм. Вона проходить по цен-
тру нижньої грані металевої пластини актюатора паралельно осі x . Якщо на-
тиснути кнопку , то можна побачити цю лінію на пластині (рис. 3.19).
Рис. 3.19. Задання напрямку для визначення розподілу відхилення

Далі створюємо вузол Results – 1D Plot Group3 за допомогою відповідної
команди через контекстне меню вузла Results, або через стрічку інструмента-
льних панелей. До нього додаємо дочірній Line Graph 1, теж використовуючи
контекстне меню вузла Results – 1D Plot Group3 або через стрічку інструмен-
тальних панелей, і в ПВ, в секції Data, вибираємо зі списку Dataset опції в
рядку пункт Cut Line 3D1. Після чого натискаємо Plot і отримаємо графік ро-
зподілу відхилень (рис. 3.20).
Чисельні дані, що використано для побудови цього графіку можна експо-
ртувати в файл та зберегти для подальшого застосування. Для цього через кон-
текстне меню вузла Line Graph1 вибрати пункт Add Plot Data to Export
(рис. 3.21а), потім в ПВ в секції Output ввести ім’я та тип файлу (у даному
випадку файл текстовий), призначити каталог (кнопка Browse...) і натиснути
( рис. 3.21б).
52
Рис. 3.20. Розподіл вертикального відхилення актюатора
Визначення чисельного значення відхилення кінця балки
Щоб визначити конкретне значення відхилення той чи іншої точки (то-
чок) балки кантилевера, потрібно створити відповідну підмножину даних у
ДМ. Детально це описано у методичних рекомендаціях до заняття 1. Розгля-
немо відхилення точки (100, 15, 0) мм, що знаходиться на краю нижньої грані
балки.
Створюємо у ДМ вузол Results – Data Set – Cut Point 3D1. У ПВ цього
вузла в секції Data в списку Dataset Study 1/Solution 1, а підрозділі Point Data
вводимо зазначені вище координати точки. Після чого у контекстному меню
вузла Results – Derived Values вибираємо пункт Point Evaluation, в результаті
чого створюється вузол Results – Derived Values – Point Evaluation 1. В па-
нелі властивостей цього вузла вибираємо в рядку Dataset зі списку Cut Point
3D1, а в секції Expressions пишем змінну, значення якої потрібно розрахувати
у заданій точці. В нашому випадку це w — вертикальне відхилення в мілімет-
рах (рис. 3.22а). Після чого натискаємо клавішу , і у вікні повідом-
лень з’явиться результат (рис. 3.22б).
53
б
а
Рис. 3.21. Експорт даних розрахунку
а
Рис. 3.22. Вибір джерела даних та результати чисельного розрахунку
Як видно відхилення заданої на краю балки точки складає 83,0 нм, що

дуже добре збігається з результатами розрахунків авторів [1, 2].
Розрахунок залежності відхилення балки від напруги

Користуючись методичними рекомендаціями до заняття 3, побудуємо
графік залежності вертикального відхилення кінця балки від напруги, що по-
дається на п’єзоелемент і змінюється від мінус 20 до +20 В. В глобальних змін-
них зазначена напруга задана як параметр Vb з величиною 20 В.
У ДМ створюємо для вузла Study через контекстне меню дочірній вузол
Study – Parametric Sweep. В його ПВ в секції Study Settings вводимо
54
параметр, натискуючи клавішу + внизу таблиці, та задаємо діапазон його зміни
(рис. 3.23). Далі натискуємо клавішу зверху у панелі властивостей.
Після завершення розрахунків у
вікні Graphics відобразиться діаг-
рама, що приведена на рис. 3.16.
Якщо перейти до вузла Results –
1D Plot Group3 – Line Graph 1, для
якого раніше побудовано графік
(рис. 3.20), то побачимо набір подіб-
них графіків для різних значень на- Рис. 3.23. Налаштування параметричних
пруги. досліджень
Можна залишити будь яку з них, вибираючи у ПВ в секції Data будь яке
значення параметра (за номером). Причому у рядку Data set має бути вибрано
Cut Line 3D1, а зі списку Parameter selection (Vb) слід взяти Manual і в рядку
нижче написати потрібний порядковий номер параметра. Можна безпосеред-
ньо вибрати значення напруги, якщо замість Manual вибрати зі списку пункт
from list). Для побудови графіка залежності від напруги створюємо ще один
вузол Results – 1D Plot Group з дочірнім вузлом Point Graph 1. В ПВ вузла
Results – 1D Plot Group зробимо налаштування таким чином, як показано на
рис. 3.24 (решту налаштувань залишаємо без змін), а для його дочірнього ву-
зла Point Graph 1 — як показано на рис. 3.25 (решту налаштувань теж не змі-
нюємо). І після натискання кнопки Plot отримаємо графік залежності відхи-
лення точки від напруги на п’єзоелементі (рис. 3.26).
Рис. 3.24. Налаштування вузла 1D Plot Рис. 3.25. Налаштування вузла

Group 1D Plot Group – Point Graph 1
55
Рис. 3.26. Залежність відхилення балки актюатора від напруги

5. Опрацювати матеріал практичного заняття.
6. Побудувати розподіл відхилення точок балки, які при Vb=0 нале-
жать прямої лінії з початком у (0, 15, 18) мм та кінцем (100, 15, 18) мм.
Порівняти результати з приведеними на рис. 3.20.
7. Експортувати дані для побудови графіка (п.2) в текстовий файл.
8. Визначити в нанометрах вертикальне відхилення (вздовж осі z) точки
балки с координатами (90, 15, 10).
9. Побудувати залежність вертикального відхилення точки (90, 15, 10)
від напруги на п’єзоелементі, що змінюється від мінус 20 до +20 В.
Додаткова література
3.1. V. Piefort, Finite Element Modelling of Piezoelectric Active Structures,
Ph.D. thesis, Université Libre de Bruxelles, Belgium, Dept. Mechanical
Engineering and Robotics, 2001.
3.2. A. Benjeddou and others, A Unified Beam Finite Element Model for
Extension and Shear Piezoelectric Actuation Mechanisms, CNAM (Paris,
France), Structural Mechanics and Coupled Systems Laboratory, 1997.
56
4. П’ЄЗОРЕЗИСТИВНИЙ ДАВАЧ ТИСКУ MPX100
П’єзорезистивні давачі тиску були одними з перших серійно вироблюва-

них МСТ приладів. У порівнянні з ємнісними сенсорами вони простіше інтег-
руються з електронною частиною, їх сигнал більш лінійний, і вони фактично
екрановані від радіочастотного шуму. Проте, вони мають більшу потужність
живлення та більш високу шумову межу. Історично п’єзорезистивні прилади
домінували на ринку. Даний приклад розглядає конструкцію оригінального се-
нсора серії MPX100, що вироблювалась фірмою Motorola Inc. Детальний ана-
ліз його конструкції приведено у праці [4.1] та технічному описі [4.2].
Модель містить квадратну мембрану розміром 1х1 мм та товщиною
20 мкм, що підтримується вздовж периметру областю шириною 0,1 мм, яка є
частиною кремнієвої пластини (підкладки). Дана пластина з’єднана знизу з не-
рухомою платформою (основою корпусу прилада). Поряд одного з країв мем-
брани розташовано частково зв’язаний з нею Х-подібний п’єзорезистор (або
Xducer™). Його геометрія приведена на рис. 4.1.
Рис. 4.1. Геометрія моделі (ліворуч) та п’єзорезистора (праворуч) більш детально
Передбачається, що п’єзорезистор сформовано з напівпровідника р-типу,

який однорідно легований з густиною носіїв заряду 1,32·1019 см–3 та має
57
товщину 400 нм. Контакти п’єзорезистора мають ту ж товщину, а їх густина
легування дорівнює 1,45·1020 см–3. Тільки частину внутрішніх з’єднань вклю-
чено до геометрії моделі, оскільки їх провідність значно більша, і контакти
практично не підвищують вихідну напругу приладу (в реальності контакти є
більш товстими, тому провідність їх ще більша, проте це суттєво не впливає
на результати моделювання).
Одно з ребер напівпровідникової пластини орієнтовано у кристалографі-
чному напрямку кремнію [110]. Межі опорної області також орієнтовані
вздовж осей x та y глобальної системи координат. П’єзорезистор орієнтовано
під кутом 45° відносно їх, і відповідно його довга сторона спрямована вздовж
кристалографічного напряму [100]. У комп’ютерній моделі локальну систему
координат повернено на кут 45° навколо глобальної осі z, що слід враховувати
у процесі задання властивостей матеріалів.
Провідність давача, що містить чутливий елемент (XducerТМ), змінюється,
коли мембрана деформується. Такий ефект відомий як п’єзорезистивний при-
таманний напівпровідниковим матеріалам. Він є результатом зміни зонної
структури матеріалу під дією механічного напруження, яке впливає на рухли-
вість носіїв заряду та їх густину. Співвідношення між напруженістю електри-
чного поля Е та густиною струму J виражається формулою
E = ρ ⋅ J + Δρ ⋅ J , (4.1)
де ρ – питомий опір, а Δρ – його зміна внаслідок деформації діафрагми. У за-
гальному випадку обидві величини ρ та Δρ є тензорами 2 рангу. Тому залеж-
ність опору від механічного напруження σ описується співвідношенням
Δρ= Π ⋅ σ , (4.2)
де Π – п’єзорезистивний тензор (в СІ: Па·Ом) є властивістю матеріалу. Тен-
зорна форма запису провідності краща за скалярну (яка можлива лише для ма-
теріалів з ізотропною провідністю). У такому разі Π має ранг 4. Проте йому
можна описати матрицею, якщо питомий опір та напруження перетворити у
вектори, зменшуючи кількість індексів. З цією метою у пакеті Comsol
Multiphysics використано нотацію В. Фойгта, тоді формула (4.2) запишеться як
58
 ∆ρ xx   Π11 Π12 Π13 Π14 Π11 Π16  σ xx 
 ∆ρ  Π  
 yy   21 Π 22 Π 23 Π 24 Π 25 Π 26  σ yy 
 ∆ρ zz   Π 31 Π 32 Π 33 Π 34 Π 35 Π 36  σ zz 
=    ⋅  . (4.3)
 ∆ρ yz  Π 41 Π 42 Π 43 Π 44 Π 45 Π 46  σ yz 
 ∆ρ xz   Π 51 Π 52 Π 53 Π 54 Π 55 Π 56  σ xz 
     
 ∆ρ xy  Π 61 Π 62 Π 63 Π 64 Π 65 Π 66  σ xy 
Вектор Δρ , розрахований за формулою (3) використовується у матрич-

ному рівнянні (4.1) таким чином
 Ex   ρ xx ρ xy ρ xz   J x   ∆ρ xx ∆ρ xy ∆ρ xz   J x 
     
= Ey   ρ xy ρ yy ρ yz  ⋅  J y  +  ∆ρ xy ∆ρ yy ∆ρ yz  ⋅  J y  . (4.4)
 ρ zz   J z   ∆ρ xz ∆ρ zz   J z 
 Ez   ρ xz ρ yz ∆ρ yz
Кристалічна решітка кремнію має кубічну симетрію, внаслідок чого мат-

риця Π може бути представлена за допомогою трьох незалежних констант
 Π11 Π12 Π12 0 0 0 
Π Π 22 Π12 0 0 0 
 12
Π Π12 Π 33 0 0 0 
Π =  12 .
 0 0 0 Π 44 0 0 
 0 0 0 0 Π 44 0 
 
 0 0 0 0 0 Π 44 
Для кремнію р-типу величина Π 44 на два порядки більша, ніж кожна з ве-
личин Π11 та Π12 . Елемент матриці Π 66 (який за значенням дорівнює Π 44 )
зв’язує напруження зсуву σ xy зі зміною поза-діагонального елементу ∆ρ xy ре-
зистивної матриці. У свою чергу, елемент ∆ρ xy зв’язує струм в x -напрямі з
прикладеним електричним полем в y -напрямі (і навпаки). Це головний прин-
цип дії перетворювача Xducer™. Прикладена напруга (зазвичай 3 В, див. [2])
створює струм (приблизно 6 мА, див. [2]) вздовж кристалографічного напряму
[100], прийнятого за вісь X локальної системи координат. Під дією зовніш-
нього тиску діафрагма деформується, і виникає напруження зсуву. Внаслідок
п’єзорезистивного ефекту створюється градієнт потенціалу електричного поля
у напрямі, перпендикулярному прикладеному полю. Таким чином, у криста-
лографічному напрямі [010] (що співпадає з меншою стороною резистора)
59
виникає різниця потенціалів. Згідно технічному опису на прилад, за нормаль-
ними умовами експлуатації різниця потенціалів 60 мВ відповідає тиску
100 кПа, якщо прикладена напруга дорівнює 3 В (див. [2]).
Ситуація ускладнюється через розподіл струму усередині пристрою, оскі-
льки збільшується ширина бічних провідників резистора, що спричиняє ефект
«короткого замикання» або відгалужування струму у чутливе плече.
При моделюванні у середовищі Comsol Multiphysics використовується мо-
дулі програми: Piezoresistance, Boundary Currents (П’єзорезистор, Струми
на границях), що дозволяє використовувати рівняння теорії пружності для
тривимірної області та рівняння електричного поля у тонкому шарі, що нале-
жить однієї з граничній області моделі. Таке двовимірне формулювання задачі
про «оболонку» дозволяє знизити вимоги до обчислювальних ресурсів.
У процесі моделювання програмою розв’язується рівняння (4.3) та в інве-
рсній формі рівняння (4.4) спільно з рівняннями теорії пружності.
РЕЗУЛЬТАТИ МОДЕЛЮВАННЯ ТА ОБГОВОРЕННЯ

На рис. 4.2 показано зміщення мембрани через дії тиску 100 кПа.
Рис. 4.2. Зміщення ділянок мембрани під дією тиску 100 кПа
60
У центрі зміщення складає 1,2 мкм. Ізотропна модель, що застосована у
[4.1], дає 4 мкм (у припущенні, що модуль Юнга дорівнює 170 ГПа, а коефіці-
єнт Пуасона — 0,06). Враховуючи те, що аналітична модель [4.1] побудована
на основі приблизних оцінок, можна вважати, що результати достатньо добре
погоджуються. Більш точна величина напруження зсуву в локальній системі
координат у середні краю мембрани розраховується за формулою [4.1]
2
σ x −σ y
L
τ12
= = 0,141  ⋅ P .
2 H
де P — прикладений тиск, L — розмір сторін мембрани, а H — її товщина.

Значення напруження зсуву, розраховане за даною формулою, дорівнює
35 МПа, що добре погоджується з результатами моделювання, представле-
ними на рис. 4.3 (38 МПа). Теоретично напруження зсуву має бути максима-
льним у центрі краю мембрани. На рис. 4.4 приведено розподіл даної величини
вздовж краю мембрани.
Рис. 4.3. Напруження зсуву у локальній системі координат п’єзорезистора
61
Рис. 4.4. Розподіл напруження зсуву вздовж двох сторін мембрани
Рис. 4.5. Розподіл густини струму та електричного потенціалу у сенсорі

для напруги 3 В та тиску 100 кПа
Вихідні параметри сенсора, отримані при моделюванні за нормальними
умовами експлуатації, добре погоджуються з даними виробника. Наприклад,
62
у моделі робочий струм 5,9 мА досягається при позитивній напрузі 3 В. У да-
них виробника [4.2] найближче значення 6 мА.
Крім того, розраховане значення вихідної напруги у моделі 54 мВ, а в спе-
цифікації – 60 мВ. Детальний розподіл струму та різниці потенціалів у п’єзо-
резисторі сенсора приведені на рис. 4.5. З графіка видно, що робочий струм
частково замикається сигнальними електродами, як вказується у праці [4.3].
Також видна асиметрія розподілу електричного потенціалу, що виникає через
п’єзорезистивний ефект.

а б

2. Structural Mechanics > Piezoresistivity > Piezoresistivity, Shell (рис. 8).
Потім вибирається фізичний інтерфейс (або розділ фізики) Structural
Mechanics –> Piezoresistivity –> Piezoresistivity,
Shell. 3 В інтерфейсі Piezoresistivity, Shell для імітації п’єзорезистивного
ефекту передбачається, що електричний струм у тонкому шарі всередині обо-
лонки. Даний інтерфейс використовується, коли структурний шар досить
3
Для Comsol Multiphysics версії 5.4. Для версії 5.6 потрібно ввести Structural Mechanics –> Elec-
tromagnetics-Structure Interaction –> Piezoresistivity –> Piezoresistivity,
Shell.
63
тонкий, але провідний. Проте шари, у яких спостерігається п'єзорезистивний
ефект все ще набагато тонші, ніж цей структурний шар. Зазначений фізичний
інтерфейс потрібує використання модуля структурної механіки. Він склада-
ється з двох частин.
1). Електрична складова Electric Currents, Single Layer Shell (ecs), яка ви-
користовується для обчислення розподілу електричного поля, струму та поте-
нціалу в тонкопровідних оболонках, коли індуктивні ефекти незначні (тобто
коли глибина скін-шару значно більша, ніж досліджуваний пристрій). Він під-
тримує стаціонарний аналіз частотної області, малосигнальний режим та мо-
делювання часової області на ребрах у 2D або гранях у 3D. У цьому інтерфейсі
розв’язуються рівняння збереження струму з врахуванням закону Ома, а як за-
лежна змінна використовується скалярний електричний потенціал.
2). Механічна складова Shell (shell), яка використовується для моделю-
вання структурних оболонок на 3D-гранях. Під оболонками розуміють тонкі
плоскі або криволінійні конструкції, що мають значну жорсткість для дефор-
мації типу вигин. Дана частина інтерфейс базується на елементах оболонки
типу MITC, які можна використовувати для аналізу як тонких (теорія Кір-
хгофа), так і товстих (теорія Міндліна) оболонок. Матеріал вважається лінійно
еластичним. Далі чого натискаємо кнопку Add і потім — . Далі у від-
повідному діалоговому вікні вибираємо вид досліджень Stationary, оскільки
розглядаємо усталений процес. Натисканням кнопки підтверджуємо
вибір і переходимо в робоче вікно програми.

1. У діалоговому вікні Model Builder у ДМ, що відображається ліворуч,
натисніть Geometry 1 і у ПВ в секції Units встановіть µm у списку Length unit.
2. У вкладці Geometry стрічки панелей інструментів натисніть на іконку
Insert Sequence (у центрі), після чого знайдіть у папці applications файл
piezoresistive_pressure_sensor_shell_geom_sequence.mph і відкрийте його
(цей файл знаходиться підкатолозі програми, наприклад: C:\Program
Files\ COMSOL\COMSOL52a\ Multiphysics\applications\
64
MEMS_Module\Sensors). Після натискання Build All у ПВ в графічному
вікні відобразиться геометричне зображення моделі пристрою.
ВИЗНАЧЕННЯ (DEFINITION) ВУЗЛА COMPONENET 1

1. Виберіть вкладку Definitions у стрічці панелей інструментів та у секції
Selections натисніть на іконку Explicit. У ПВ однойменного вузла ДМ, введіть
ім’я Piezoresistor у текстовому полі Label. В секції Input Entities зі спи-
ску Geometric entity level (тип геометричного елемента) виберіть Boundary.
Виділіть тільки 9 (границя 9). Якщо у полі, що знаходиться нижче, немає но-
мерів границь, то треба спочатку відмітити All boundaries. Після чого зали-
шити тільки 9.
2. В контекстному меню вузла Piezoresistor виберіть пункт Duplicate
(рис. 4.6). У ПВ вузла ДМ Piezoresistor 1 введіть у текстовому полі Label ім’я
Connections. У секції Input Entities натисніть (Clear Selection) і виберіть
тільки границі 3, 5, 6, 8, 13-15, та 18.
Рис. 4.6. Створення копії вузла Piezoresistor

3. На вкладці Definitions стрічки панелей інструментів натисніть іконку
Box у секції Selections. В ПВ вузла Box 1 введіть ім’я Membrane у текстовому
65
полі Label. У секції Geometric Entity Level зі списку Level виберіть Boundary.
А в секції Box Limits та вкажіть граничні значення для координат x та у в тек-
стових полях:
x minimum: –501;
x maximum: 501;
y minimum: – 30;
y maximum: 1000.
В секції Output Entities у списку Include entity if виберіть Entity inside box.
4. Перейдіть на вкладку Definitions у стрічці панелей інструментів і нати-
сніть іконку Union. У ПВ для Union введіть ім’я Model boundaries, а у секції
Geometric Entity Level зі списку Level виберіть Boundary. В секції Input
Entities натисніть кнопку (Add), що розташована знизу поля Selections to
add. У боксі, що появиться, виділіть Connections і Membrane і натисніть OK.
5. Клікніть правою кнопкою мишки на вузол Model boundaries у ДМ і в
контекстному мені виберіть Duplicate. У вікні Settings (для Union) введіть ім’я
Electric currents. У полі Selections to add виберіть елемент Membrane та на-
тисніть кнопку (Видалити). Потім натисніть кнопку і виберіть
Piezoresistor. Натисніть OK.
6. Перейдіть на вкладку Definitions у стрічці панелей інструментів і нати-
сніть іконку Adjacent. У вікні Settings для Adjacent введіть ім’я Fixed Edges,
а у секції Input Entities зі списку Geometric entity level виберіть Boundary. В
секції Input Entities натисніть кнопку (Add), розташовану знизу поля
Selections to add. У боксі, що появиться, виділіть Membrane і натисніть OK.
В секції Output Entities у списку Geometric entity level виберіть Adjacent
edges.
7. На вкладці Definitions натисніть Difference. У ПВ для вузла Difference
зі списку Geometric entity level виберіть Boundary. В секції Input Entities на-
тисніть кнопку під полем Selections to add. У боксі, що появиться, виділіть
Model boundaries. Натисніть OK. Потім натисніть кнопку під полем
Selections to subtract. В діалоговому боксі виберіть Membrane і натисніть OK.
У полі Label введіть ім’я Fixed Boundaries.
66
ЗАДАННЯ ЛОКАЛЬНОЇ СИСТЕМИ КООРДИНАТ
Локальна система координат створюється поворотом основної (глобаль-
ної) системи координат. На вкладці Definitions натисніть Coordinate Systems
та виберіть Rotated System. У ПВ для Rotated System знайдіть секцію Settings
і у підсекції Euler angles (Z-X-Z) у текстовому полі α наберіть –45[deg].
Додання матеріалів до списку (Add Material)
1. На вкладці Home у стрічці панелей інструментів натисніть іконку Add
Material і перейдіть до вікна Add Material.
2. У дереві Add Material (у правій частині робочого вікна) виберіть
Piezoresistivity>n-Silicon (single-crystal, lightly doped) і натисніть Add to
Component у панелі інструментів даного вікна.
3. Потім у дереві того ж вікна Add Material виберіть Piezoresistivity>p-
Silicon (single-crystal, lightly doped) і знов натисніть Add to Component у па-
нелі інструментів.
Удруге на вкладці Home натисніть Add Material, щоб закрити вікно Add
Material.
Призначення матеріалів
У дереві вікна Model Builder у розділі Component 1 (comp1)>Materials
виділіть лівою кнопкою мишки пункт p-Silicon (single-crystal, lightly doped)
(mat2). Потім у ПВ (Material) у секції Geometric Entity Selection зі списку
Selection виберіть Electric currents. Зверніть увагу на попередження у вузлах
матеріалів, оскільки не задано механічні властивості.
Задання параметрів оболонки (Shell)

1. У ДМ у вузлу Component 1 (comp1) виділіть лівою кнопкою мишки
пункт Shell (shell). У ПВ у секції Boundary Selection зі списку Selection вибе-
ріть Model boundaries.
У ПВ вузла Component 1 (comp1) – Shell (shell) – Thickness and Offset 1
в секції Thickness and Offset в текстовому полі d введіть 20[um].
2. У ДМ лівою кнопкою миші виділіть вузол Component 1 (comp1) – Shell
(shell) –Linear Elastic Material 1. У ПВ для Linear Elastic Material в списку
67
Solid model секції Linear Elastic Material виберіть Anisotropic, а в списку
Material data ordering – Voigt (XX, YY, ZZ, YZ, XZ, XY).
Зверніть увагу на те, що попередження у вузлах матеріалів зникли.
3. Задайте локальну систему координат для оболонки. Для цього натисніть
лівою кнопкою миші у ДМ на вузол Linear Elastic Material 1, щоб розкрити
його, і далі лівою кнопкою миші виділіть його дочірній вузол Shell Local
System 1. У ПВ для Local System в секції Coordinate System Selection зі спи-
ску Coordinate system виберіть Rotated System 2 (sys2).

Механічні умови
Задайте фіксовані механічні зв’язки.
1. На вкладці Physics у стрічці панелей інструментів натисніть іконку
Edges та виберіть Fixed Constraint. У ПВ для Fixed Constraint в секції Edge
Selection виберіть Fixed Edges зі списку Selection.
2. Далі на вкладці Physics натисніть іконку Boundaries та виберіть Fixed
Constraint, після чого у ПВ для Fixed Constraint в секції Boundary Selection
зі списку Selection виберіть Fixed Boundaries.
Задайте торцеві механічні навантаження.
3. На вкладці Physics натисніть іконку Boundaries і виберіть Face Load, а
у ПВ для Face Load в секції Boundary Selection зі списку Selection виберіть
Membrane. Далі у секції Force зі списку Load type виберіть Pressure і в текс-
тове поле p введіть 100[kPa].
Електричні умови
1. У ДМ виділяємо вузол Component 1 (comp1) – Electric Currents, Shell
(ecs). Далі у ПВ для Electric Currents, Shell в секції Boundary Selection нати-
сніть Clear Selection ( ). В списку Selection виберіть Electric currents. У се-
кції Shell Thickness в текстовому полі ds введіть 0.4[um].
2. Задайте умову збереження струму.
У ДМ виділіть вузол Component 1 (comp1) – Electric Currents, Shell
(ecs) –Current Conservation 1. Потім у його ПВ в секції Model Inputs в
68
текстовому полі nd введіть 1.45e20[1/cm^3], а у секції Coordinate System
Selection зі списку Coordinate system виберіть Rotated System 2 (sys2).
3. Задайте параметри п’єзорезистивного матеріалу.
Виділіть вузол Model Builder – Component 1 (comp1) – Electric Currents,
Shell (ecs) – Piezoresistive Material 1. Потім у ПВ для Piezoresistive Material
в секції Boundary Selection зі списку Selection виберіть Piezoresistor, у секції
Model Inputs в текстовому полі nd введіть 1.32e19[1/cm^3], а у секції
Coordinate System Selection зі списку Coordinate system виберіть Rotated
System 2 (sys2).
4. Задайте контакти та напруги на них.
На вкладці Physics у стрічці панелей інструментів натисніть іконку Edges
і виберіть Ground. У ПВ відповідного вузла виділіть тільки ребро 70 (Edge
70).
На вкладці Physics натисніть іконку Edges і виберіть Terminal. Виділіть
тільки ребра 11 та 13 (Edges 11, 13). У ПВ для Terminal в секції Terminal зі
списку Terminal type виберіть Voltage і введіть у полі V0 цифру 3.
тільки ребро 7 (Edge 7).
тільки ребра 72 та 73 (Edges 72, 73).
1. У ДМ виділіть вузол Component 1 (comp1) – Mesh 1 та у ПВ в секції
Mesh Settings section зі списку Sequence type вибрати пункт User-controlled
mesh.
2. Потім виділити в ДМ вузол Component 1 (comp1) –Mesh 1 – Size. В ПВ
в секції Element Size перемкнути у Custom. А у секції Element Size
Parameters ввести:
Maximum element size text field: 60;
Minimum element size: 0.5.
3. В контекстному меню вузла Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Size ви-
брати пункт Duplicate. В ПВ вузла Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Size 1 в
69
секції Geometric Entity Selection зі списку Geometric entity level вибрати
пункт Boundary. Зі списку Selection вибрати Piezoresistor. В секції Element
Size Parameters section ввести значення:
Maximum element size text field: 2;
Minimum element size: 0.1.
4. В контекстному меню вузла Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Size1 ви-
брати пункт Duplicate. В ПВ вузла Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Size 2 в
секції Geometric Entity Selection зі списку Geometric entity level вибрати
пункт Boundary. Зі списку Selection вибрати Connections. В секції Element
Size Parameters section ввести значення:
Maximum element size text field: 6.
5. В контекстному меню вузла Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Size 2
вибрати пункт Duplicate. В ПВ вузла Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Size 3
в секції Geometric Entity Selection зі списку Geometric entity level вибрати
пункт Edge.
Вибрати только ребра (Edges) 27, 29, 38–44, 51–53.
І в секції Element Size Parameters section ввести значення:
Maximum element size text field: 0.4.
6. В контекстному меню вузла Component 1 (comp1) – Mesh 1 – Free
Triangular 1 виберіть Move Down. Повторіть цю операцію ще два рази, щоб
вузол Free Triangular 1 був розташований нижче вузла Component 1
(comp1) – Mesh 1 – Size 3.

Процес виконання розрахунків запускається командою
Study–>Compute.
В результаті в графічному вікні буде виведено зображення розподілу по
поверхні мебрани механічного напруження по Мезесу (рис. 4.7).
70
Рис. 4.7. Розподіл по поверхні мебрани механічного напруження по Мезесу
Деформація мембрани п’єзорезистора
Створимо розподіл деформацій, що приведений на рис. 4.2.
1. В ДМ розкриємо вузол Results – Datasets і в контекстному меню вузла
Results – Datasets – Study 1/Solution 1 (sol1) виберемо пункт Duplicate.
2. На вкладці Results у стрічці панелей інструментів зі списку Attributes
(секція Datasets) вибираємо Selection.
3. В ПВ для створеного вузла Selection в списку Geometric entity level
(секції Geometric Entity Selection) встановлюємо Boundary. І далі списку
Selection, що з'явився, вибираємо Membrane.
4. На вкладці Results у стрічці панелей інструментів натискаємо 3D Plot
Group і в ПВ створеного вузла 3D Plot Group в полі Label вводимо ім’я
Displacement, а у списку Dataset вибираємо Study 1/Solution 1 (2) (sol1).
5. У контекстному меню вузла Displacement вибираємо Surface. І у панелі
властивостей створеного однойменного вузла натискаємо кнопку
71
(Replace Expression). Вибираємо пункт меню Model>Component 1 – Shell –
Displacement –shell.disp - Total displacement - m та двічі клацаємо на ньому 4.
6. В контекстному меню вузла Results – Displacement – Surface 1 вибира-
ємо Deformation і потім у вкладці Displacement стрічки панелей інструментів
натискаємо Plot.
Розподіл напруження зсуву в площині мембрани (локальна

система координат)
Побудуйте розподіл напруження зсуву в локальній системі координат
п’єзорезистора для порівняння з приведеним на рис. 4.3.
1. На вкладці Home у стрічці панелей виберіть у списку (Add Plot

Group) and choose 3D Plot Group та введіть ім’я графіка In-Plane Shear
Stress (Local Coordinates) в полі Label ПВ створеного вузла ДМ.
2. У списку Dataset секції Data вибираємо Study 1/Solution 1 (2) (sol1).
3. В контекстному меню вузла In-Plane Shear Stress (Local Coordinates)
вибираємо Surface. У ПВ цього вузла натискаємо кнопку (Replace
Expression). Вибираємо пункт меню Model – Component 1 – Shel – Stress –
Second Piola-Kirchhoff stress, local coordinate system - N/m² – shell.Sl12 -
Second Piola-Kirchhoff stress, local coordinate system, 12 component та двічі
клацаємо на ньому.
4. В ДМ клацанням лівої кнопки миші клацаємо по вузлу Results – In-
Plane Shear Stress (Local Coordinates). В результаті у графічному вікні буде
побудовано двовимірний графік розподілу напружень зсуву в локальній сис-
темі координат (див. рис. 4.3).
5. Для отримання значень мінімального та максимального напруження
зсуву на вкладці In-Plane Shear Stress (Local Coordinates) стрічки інструмен-
тальних панелей знаходимо список More Plots та вибираємо пункт Max/Min
Surface. У ПВ створеного таким чином вузла замінюємо вираз, повторяючи
п. 3 даного підрозділу і натискаємо кнопку Plot.
4
В версії 5.6 вибирається пункт Component 1 (comp1)>Shell> Displacement>shell.disp - Displacement
magnitude - m
72
В результате у вікні Graphics отримаємо зображення, яке повністю відпо-
відає рис. 4.3, а у вікні повідомлень можна побачити значення напружень
зсуву та координати точок у локальній системі координат, де вони спостеріга-
ються (рис. 4.8).
Рис. 4.8. Значення напружень зсуву

Розподіл напруження зсуву в по периметру мембрани
1. На вкладці Home виберіть у списку (Add Plot Group) and choose

1D Plot Group та введіть ім’я графіка In-Plane Shear Stress (Local
Coordinate System) в полі Label ПВ створеного вузла ДМ. В контекст-
ному меню цього вузла виберіть Line Graph.
2. Виділіть ребра 6 і 76.
3. Повторити п.3 попереднього підрозділу Розподіл напруження зсуву в
площині мембрани (локальна система координат).та натиснути кнопку в ПВ.
В результаті отримаємо у графічному вікні графік такий, як на рис. 4.4.
Розподіл струмів та напруги в площині чутливого елемента

1. В контекстному меню вузла Results – Data Sets – Study 1/Solution 1 (2)
(sol1) вибрати Duplicate. І далі для створеного вузла Study 1/Solution 1 (3) ви-
брати Selection.
2. В ПВ даного вузла в секції Geometric Entity Selection у списку Selection
вибрати Piezoresistor і натиснути (Zoom to Selection) праворуч від поля
Selection (відмічено на рис. 4.9). В результати в графічному вікні відобра-
зиться збільшене зображення чутливого елемента, Х-дьюсера (рис. 4.9).
3. Зі списки Selection вибрати Electric currents.
73
Рис. 4.9. Налаштування області чутливого елемента
4. На вкладці Home виберіть у списку Add Plot Group and choose 3D Plot
Group та введіть ім’я графіка Current and Voltage в полі Label ПВ ство-
реного вузла ДМ, а в секції Data у списку Data set виберіть Study 1/Solution 1
(3) (sol1).
5. В контекстному меню вузла Current and Voltage виберіть Contour. В
секції Expression text наберіть V, а в полі Total levels секції Levels — 40. В
секції Coloring and Style зі списку Color table виберіть Thermal та відмітьте
прапорець Reverse color table.
6. Далі виберіть для вузла Results – Current and Voltage з контекстного
меню пункт Arrow Surface і в його ПВ замініть змінну за допомогою кнопки
(Replace Expression). У меню виберіть пункт Model – Component 1 –
Electric Currents, Single Layer Shell – Currents and charge – ecs.tJx,...,ecs.tJz
- Tangential current density (spatial frame).
7. В секції Coloring and Style відмітьте прапорець Scale factor і праворуч
від нього у текстовому полі введіть 2e-9, а у полі Number of arrows наберіть
3000.
8. Виберіть Blue зі списку Color та натисніть зверху у ПВ Arrow Surface
кнопку Plot. В результаті отримаємо графік, що приведено на рис. 4.5.
Оцінка струму живлення та вихідної напруги чутливого

елемента
1. На вкладці Results стрічки інструментальних панелей зі списку
Numerical виберіть Global Evaluation.
74
2. В панелі властивостей створеного вузла замініть змінну за допомогою
кнопки , вибираючи з меню Model – Component 1 – Electric Currents,
Single Layer Shell – Terminals – ecs.I0_1 - Terminal current.
3. У тій же секції Expressions натисніть (Add Expression) та з меню
виберіть пункт Model – Component 1 – Electric Currents, Single Layer Shell –
Terminals – ecs.V0_2 - Terminal voltage.
4. У таблиці секції Expressions перетворіть другий рядок так, як показано
на рис. 4.10.
Рис. 4.10. Налаштування змінних для визначення їх значень

5. Після натискання кнопки у вікні повідомлень на вкладці
Table1 отримаємо значення струму споживання Х-дьюсера та його вихідну на-
пругу (рис. 4.11). Ці дані дуже добре збігаються з приведеними в літературі
для тиску 100 кПа [1].
Рис. 4.11. Значення струму споживання та вихідної напруги чутливого елемента
75
1. Опрацювати матеріал заняття. Повторити описаний вище процес мо-
делювання п’єзорезистивного чутливого елемента.
2. Пояснити, що означають механічні напруження по Мезесу і що таке
тензор напружень Піола – Кірхгофа.
3. Побудувати локальну систему координат, центр якої розташований в
центрі Х-дьюсера. Пояснити якого типу ці напруження.
4. На рис. 4.4 побудовано розподіл напруження вздовж двох сторін мем-
брани (на межі її фіксації). Побудувати аналогічний графік вздовж
всього периметру мембрани та пояснити його особливості.
5. Побудувати графік залежності вихідної напруги Х-дьюсера від тиску
(в діапазоні 0 – 100 кПа), що на нього діє, вважаючи, що струм, який
протікає через вхідне плече, не змінюється.
Чим обмежене, на Ваш погляд, верхня границя вимірюваного тиску?
6. Побудувати графік залежності вихідної напруги Х-дьюсера від на-
пруги, що прикладена до вхідного плеча (діапазон напруги 2,5 –3,5 В),
вважаючи тиск, що діє на мембрану, постійним.
Додаткова література
4.1. Motorola Semiconductor MPX100 series technical data, document:
MPX100/D, 1998 (available from Freescale Semiconductor, Inc at
http://www.freescale.com).
4.2. S.D. Senturia, “A Piezoresistive Pressure Sensor”, Microsystem Design,
chapter 18, Springer, 2000.
4.3. M. Bao, Analysis and Design Principles of MEMS Devices, Elsevier B. V.,
2005.
76
Список рекомендованої літератури
1. Доля П. Г. Основи моделювання в COMSOL Multiphysics [Електрон-

ний ресурс] / Доля П. Г.; ХНУ ім. Каразіна. – Електрон. текст. дані (1
файл: 14,58 Мб). – Х.: ХНУ ім. Каразіна, 2019 р. – 529 с. – Режим дос-
тупу: http://geometry.karazin.ua/resources/documents/20191219182458_
3cc8431d.pdf. – Назва з екрана.
2. Введение в COMSOL Multiphysics [Електронний ресурс] / COMSOL. –
Електрон. текст. дані (1 файл: 9,50 Мб). – COMSOL, 2018 р. – 216 с. –
Режим доступу: https://cdn.comsol.com/doc/5.4/IntroductionToCOMSOL
Multiphysics.ru_ RU.pdf. – Назва з екрана.
3. Буркова Е. Н. Система автоматизированных расчетов Comsol [Елект-
ронний ресурс]: учеб. пособие / Е. Н. Буркова, А. Н. Кондрашов, К. А.
Рыбкин; Перм. гос. нац. исслед. ун-т. – Електронні текстові дані (1
файл: 9,88 Мб). – Пермь: ПГНИУ, 2019. – 133 с. – Режим доступу:
http://www.psu.ru/files/docs/science/ books/uchebnie-posobiya/sistema-
avtomatizirovannyh-raschetov-comsol.pdf. – Назва з екрана.
77
ЗМІСТ
Вступ ................................................................................................................. 3
1. Резистивний нагрів металевої пластинки ................................................. 5
2. Визначення резонансних частот кантилевера ........................................ 26
3. Розрахунок і аналіз характеристик п’єзоелектричного
актюатора балочного типу ....................................................................... 37
4. П’єзорезистивний давач тиску MPX100 ................................................. 57
Список рекомендованої літератури ............................................................. 77
78

Моделювання пристроїв МСТ

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Моделювання пристроїв МСТ

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ

Рекомендовано Методичною радою КПІ ім. Ігоря Сікорського

Електронне мережне навчальне видання

МОДЕЛЮВАННЯ ПРИСТРОЇВ МСТ

Укладач: Перегудов Сергій Миколайович, канд. техн. наук, доц.

Навчальний посібник присвячений моделюванню в середовищі програмного пакету

 КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2021

Навчальний посібник призначений для проведення практичних занять з

Прикладом використання мультифізичної задачі може бути моделювання

Рис. 1.1. Геометрична модель мідної пластини і електричні граничні умови

У розглянутій далі моделі для даної мультифізичної задачі електричний

Моделювання у середовищі COMSOL Multiphysics

У вкладці Table виводяться таблиці, які зазвичай містять значення розра-

Added physics interfaces Review physics interface

Рис. 1.5. Панелі Model Builder та Settings

Глобальні параметри та змінні

Рис. 1.7. Вибір системи одиниць

Рис. 1.8. Значення глобальних параметрів

Рис. 1.9. Додавання вузла Variables1 та введення імпульсної функції

Рис. 1.10. Додавання вузла Functions1 та введення імпульсної функції

Рис. 1.11. Графік функції Хевісайда

Рис. 1.12. Додавання вузла Variables2 у гілку Component1

Рис. 1.13. Форма мідної пластини

Рис. 1.14. Задання системи одиниць для вузла Component

Рис. 1.15. Вибір матеріалу для вузла Component1

Граничні умови для електричного поля (вузол Electric Currents)

Рис. 1.16. Задання потенціалу на стороні пластини

Рис. 1.17. Електричні граничні умови

Рис. 1.18. Задання початкових умов для електричного поля

Рис. 1.19. Граничні умови для теплових величин

Початкові умови для температури (вузол Heat Transfer in Solids)

Рис. 1.20. Граничні умови для теплових величин

Рис. 1.21. Сітка розбиття простору моделювання

Рис. 1.24. Дерево моделі та вікно Graphics після обчислень

Рис. 1.25. Вибір моменту часу для температурної залежності

Часова залежність локальної температури

Рис. 1.26. Вибір точки для побудови часової залежності температури

Розподіл температури вздовж напкрямку

Рис. 1.28. Зміна температури у точці (0.5, 0,75) см

Рис. 1.30. Розподіл температури вздовж напрямку

Під час проектування мікропристроїв, зокрема кантилевера (консольної

Опис моделі та завдання на моделювання

Рис. 2.1. Геометрична модель навантаженого кантилевера

Моделювання у середовищі COMSOL Multiphysics

Рис. 2.2. Вибір розмірності моделі

За допомогою кнопки переходимо у відповідне діалогове вікно,

Рис. 2.3. Вибір фізичного інтерфейсу

Рис. 2.4. Вибір виду досліджень

Глобальні параметри та змінні

Рис. 2.5. Геометрична модель

Рис. 2.6. Призначення матеріалів компонентам моделі

Рис. 2.7. Корегування маси навантаження

ЗАДАННЯ ГРАНИЧНИХ ТА ПОЧАТКОВИХ УМОВ

Рис. 2.8. Задання граничних умов

Рис. 2.10. Розбиття на скінченні елементи

Рис. 2.11. Перша мода ненавантаженого кантилевера

Рис. 2.12. Власні частоти ненавантаженого кантилевера

Рис. 2.13. Вибір параметра

Рис. 2.14. Вибір розв’язку для параметричної задачі

Рис. 2.16. Залежність частоти 1-ої моди від коефіцієнта маси

Завдання для самостійної роботи

2. Привести скрини відхилень для 6 перших мод та пояснити їх колива-

3. Побудувати залежність частоти n-ої моди від маси в кілограмах. Номер