Professional Documents
Culture Documents
ЛАБ фіз.хімі 2013 - 1
ЛАБ фіз.хімі 2013 - 1
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
ДО ВИКОНАННЯ ЛАБОРАТОРНИХ РОБІТ
з дисципліни „ Фізична хімія ”
для студентів напряму підготовки
6.050802 Електроннні прилади та системи
спеціальності 6.050802 «Електронні прилади та пристрої»
денної та заочної форми навчання
Суми
Сумський державний університет
2012
Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт з
дисципліни /«Фізична хімія»/ укладач А.П. Жуковець.–
Суми : Сумський державний університет, 2012.-14с.
2
Зміст
3
1. Правила підготовки та виконання лабораторних робіт
4
де Хі – одиничний вимір, а n- кількісний вимір.
Далі знаходять середнє квадратичне відхилення σ і довірчий
інтервал за формулами:
σ= ; (2)
= . (3)
2.4. При побудові графіка середнє значення функції відкладають
по осі координат, а значення аргументу - по осі абсцис.
Одночасно на графіку помічають довірчий інтервал згідно
розрахунків. Наприклад, залежність глибини травлення d від
часу травлення ї буде виглядати так ( рис. 1 )
6
Лабораторна робота № 1
Експериментальне дослідження
процесів електролізу
Мета роботи:
1. Вивчення процесу осадження металів електролітичним
способом
2. Визначення якості осаджень
Загальні відомості
Електролітичне осадження металів та сплавів проводиться
з застосуванням гальванотехніки. Гальванотехніка ділиться на
два основні напрями:
- гальваностегію – утворення на поверхні металевих виробів
міцно з'єднаних з нею плівок (покрить електролітично
осадженого металу);
- гальванопластику – утворення точних копій різних
предметів в формі масових металевих осадів, що легко
відділяються від поверхні (матриці), на якій проводиться
електроосадження.
При виготовленні друкованих плат та мікросхем
використовується гальваностегія. Вана найчастіше пов'язана з
осадженням міді, срібла, золота та інших металів або сплавів,
наприклад сплаву ПОС (сплав олово – свинець) на поверхню
провідників.
При виготовленні друкованих плат адитивним способом
на нефольгований діелектрик спочатку осаджують хімічно чисту
мідь товщиною всього 1,0 – 1,5 мкм. Для утворення основного
струмопровідного покриття на хімічно осаджений шар
наноситься електролітичний шар міді.
Гальванічне осадження міді проводиться і при
використанні напівадитивного способу виготовлення друкованих
плат. В цьому випадку застосовують фольгований діелектрик з
тонкомірною фольгою (товщиною 5 мкм і менше).
Процес одержання провідного рисунка-схеми складається
з селективного травлення міді з подальшим нарощуванням міді
на провідники гальванічним способом.
До мідного шару, одержаного гальванічним способом
7
пред'являють такі вимоги :
- наявність суцільної металізації;
- рівномірність покриття на поверхні заготовки та в
отворах;
- дрібнозернистість структури;
- пластичність осаду;
- міцність зчеплення з хімічно осадженою міддю або
тонкомірною фольгою.
Всі перелічені властивості залежать від складу
електроліту. Зараз застосовуються борфтористоводневі,
кремнійфтористоводневі, сірчанокислі, пірофосфатні
електроліти.
Мідь наносять в спеціальних гальванічних ваннах, в яких
анодами є мідні пластини, а катодами заготовки друкованих плат.
Процес полягає в окисленні атомів міді до іонів, які
пересуваючись в електроліті відновлюються на катоді до
металічної міді і осаджуються на його поверхні.
На аноді проходять реакції : Cu 0 – 2 e → Cu2+ та Cu0 – е →
Cu+
При електролізі на катоді відбуваються такі
електрохімічні реакції : Cu2+ + 2 e → Cu0 ; Cu++ + e → Cu+ та
Cu+ + e → Cu0 .
Для захисту мідного покриття від окислення і покращення
інших його властивостей на шар міді наносять різні метали і
сплави: золото, срібло, паладій, олово, свинець, олово–нікель,
паладій–нікель та ін. Найчастіше використовують захисне
покриття олово - свинець ПОС–61, яке за складом аналогічне
припою електрорадіовиробів (61% Sn і 39 % Pb). Ванни для
електрохімічного покриття ПОС–61, як правило,
борфтористоводневі. Аноди виготовляють з олово–свинцевого
припою.
Для отримання рівномірного дрібнозернистого покриття в
електролітичні розчини, як сірчанокислі, так і фтористоводневі
вводять спеціальні добавки (наприклад патоку, тіомочевину).
Схема процесу електролізу показана на рис. 2
8
Рис.2 Схема процесу електролізу
( 1 – ванна; 2 – анод; 3 – джерело постійного струму; 4 –
катод; 5 – електроліт; 6 – іони металу)
Для збільшення строку служби захисного покриття його
оплавлюють. Цей процес проводять в спеціальних установках
інфрачервоного оплавлення.
Контроль поверхні покриття здійснюють на спеціальних
приладах профілографах, профілометрах або за допомогою
мікроскопа. Товщину покрить визначають в спеціальних
установках автоматичного контролю або за допомогою
індикаторів-ростомірів.
Література
11
Лабораторна робота № 2
Вивчення фотохімічних властивостей світлочутливих
матеріалів
Мета роботи:
1. Вивчення процесу фотохімічного перетворення
2. Визначення якості зображення
Загальні відомості
Фотохімічні перетворення світлочутливих матеріалів
(фоторезистів) вивчають з використанням фотолітографічних
процесів. Фотолітографія - це технологічний процес, який
базується на використанні фотохімічних реакцій, що
виникають в фото резистивних шарах при актинічному їх
опроміненні. Актинічним називається опромінювання, яке викликає
незворотні зміни властивостей фото резистивного шару. Для цього
використовують два типи фоторезистивних матеріалів
(негативні,позитивні).
Негативні фоторезисти (ФН) під дією актинічного
опромінювання полімеризуються і утворюють захисний шар,
стійкий до багатьох агресивних розчинів або парів. Позитивні
фоторезисти (ФП) під дією опромінювання розкладаються і
легко усуваються з підкладки. А захисні властивості має
неопромінений фоторезист.
Для опромінення фоторезистів використовують
ультрафіолетові джерела світла. Фотохімічні реакції у фоторезистах
стимулюються поглинанням кванта опромінюючою світла. Основними
характеристиками світлочутливих матеріалів являються роздільна та
виділяюча здатність.
Роздільна здатність фоторезисту визначається максимальною
кількістю ліній однакової ширини, розділених проміжкам, рівними
ширині лінії, яку можна отримати на фоторезистивному шарі на
довжині 1 мм (іноді 1см).
Виділяюча здатність визначається мінімальною шириною
окремої лінії, яку можна відтворити за допомогою того чи іншого
фоторезисту.
Роздільну та виділяючи здатність визначають за допомогою
випробувальної міри. Цією мірою можна контролювати параметри
12
джерела світла, фотошаблонів, світлочутливих матеріалів і власне,
процесу фотолітографії.
Для створення фоторезистивної захисної маски
використовують фотошаблони, виготовлення яких проводиться із
застосуванням фотооригиналів, які, в свою чергу, одержують з
використанням спеціальних автоматизованих систем тощо.
15
Розрахункові роботи
Q3
Q2 Q4
Q1
А, В, С D, E, F
Q5 Q8
Q6 Q7
Q1= Q2 + Q3 + Q4 = Q5 + Q6 + Q7 + Q8
При рішенні термохімічних рівнянь їх можна складати і
віднімати, як і при рішенні алгебраїчних рівнянь. При
розрахунках теплових ефектів особливо важливі є два теплових
ефекти:
- теплота утворення;
- теплота згоряння.
Теплотою утворення називається тепловий ефект реакції
утворення хімічних сполук із складових його простих речовин,
стійких при даних умовах. Теплота утворення SiO2 = 210тис. кал.
або 210 Ккал. Це значить що при з'єднанні одного атома кремнію
і 1 моля кисню виділяється тепло 210 Ккал.
Si + O2 = SiO2 = 210000 Кал; ΔН0sio2 = - 210 Ккал.
Теплоти, як правило, відносять до 1 моля утвореної
сполуки. Значення теплових ефектів дають при 25 0 С і при тиску
1 атмосфера Теплотою згоряння називається тепловий ефект
реакції взаємодії речовини з киснем з утворенням стабільних
окислів ( Н2О; СО2; SiO2). Теплота згоряння дорівнює різниці між
теплотами згоряння продуктів реакції і теплотами згорання
вихідних речовин. Але ця різниця повинна бути взята з
16
протилежним знаком.
Знаючи теплоту згорання алмазу і графіту, можна
розрахувати теплоту перетворення графіту в алмаз, бо
експериментально це важко визначити.
С графіту.+ О2 = СО2 +94 Ккал
С алмазу + О2 = СО2 +94,5 Ккал
С граф. = С алмаза – 500 кал
Тепловіддавач Т1
η = A / q2 = (q1 – q2) / q2
A = q1 – q2
Робоче тіло
η = (T1 – T2) / T1
Теплоприймач Т2
Таблиця 1
Т1 0 С Т20 С Т10 К Т20 К
300 220 573,2 493,2
310 218 583,2 491,2
320 215 593,2 488,2
290 210 563,2 443,2
325 221 598,2 494,2
295 218 568,2 491,2
300 212 573,2 485,2
300 213 573,2 486,2
305 215 578,2 488,2
310 216 573,2 489,2
№ Т2 ΔТ2 (ΔТ2)2
1 493,2 4,2 17,74
2 491,2 2,2 4,84
3 488,2 -0,8 0,64
4 443,2 -5,8 33,64
5 494,2 5,2 27,04
6 491,2 2,2 4,84
7 485,2 -3,8 14,84
8 486,2 -2,8 7,84
9 488,2 -0,8 0,64
10 489,2 0,2 0,04
η1 =
η2 =
19