ВІДОКРЕМЛЕНИЙ СТРУКТУРНИЙ ПІДРОЗДІЛ

«CМІЛЯНСЬКИЙ ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ФАХОВИЙ КОЛЕДЖ

НАЦІОНАЛЬНОГО УНІВЕРСИТЕТУ ХАРЧОВИХ ТЕХНОЛОГІЙ»

Електроніка
і мікросхемотехніка

Методичні вказівки
до виконання лабораторних робіт
для здобувачів освіти
спеціальності 151 «Автоматизація і
комп’ютерно-інтегровані технології»

Розглянуто на засіданні Схвалено на засіданні

циклової комісії автоматизації і методичної ради СКХТ НУХТ
комп’ютерно-інтегрованих систем. Протокол №
Протокол № 1 від 202 р.
від 20.01.2022 р.

Реєстраційний номер
0172/6-20

2020
 Електроніка і мікроелектроніка: Методичні вказівки до виконання
лабораторних робіт для здобувачів освіти спеціальності 151 «Автоматизація і
комп’ютерно-інтегровані технології»./Укладач: В.В.Заславний – Сміла: ВСП «СТФК
НУХТ», 2022. – 50 с.

Укладач: Заславний В.В., викладач ВСП «СТФК НУХТ»

Методичні вказівки складено на основі робочої програми "Електроніка і

мікроелектроніка" для здобувачів освіти спеціальності 151 «Автоматизація і
комп’ютерно-інтегровані технології» Смілянського технологічного фахового коледж
коледжу НУХТ.

© Заславний В.В. Смілянський технологічний фаховий коледж НУХТ, 2022

2
 ПЕРЕДМОВА

Програмою навчальної дисципліни «Електроніка і мікросхемотехніка»

спеціальності 151 «Автоматизація і комп’ютерно-інтегровані технології»
передбачено виконання лабораторних робіт в обсязі 24 навчальних годин.
Дисципліна «Електроніка і мікросхемотехніка» вивчає електрофізичні основи
роботи електричних і електронних приладів та інтегральних мікросхем, технічні
характеристики і параметри напівпровідникових приладів та мікросхем.
Розглядаються питання напівпровідникової та мікроелектронної схемотехніки,
особливості побудови типових електронних схем підсилюючих пристроїв,
генераторів, джерел електроживлення, електронних схем логічних елементів.
Вивчаються найбільш розповсюджені пристрої відображення інформації та
індикатори.
Майже всі теми навчальної програми передбачають виконання лабораторних та
практичних робіт. В лабораторії коледжу «Електроніки, мікроелектроніки та
мікросхемотехніки» здобувачі освіти мають можливість набути практичні навички в
збиранні електронних схем, вимірюванні їх параметрів та характеристик,
користуванні електричними та електронними приладами, вивченні експлуатаційних
характеристик електротехнічних та електронних приладів та пристроїв.
Під час виконання лабораторних робіт студенти повинні:
- навчитись читати схеми найбільш розповсюджених електронних пристроїв,
розрізняти умовні позначення напівпровідникових приладів, інтегральних
мікросхем і оптоелектронних приладів;
- ознайомитись з будовою і зовнішнім видом напівпровідникових та
оптоелектронних приладів, інтегральних мікросхем і необхідних
вимірювальних електронних приладів;
- уяснити принцип дії основних електронних пристроїв: випрямлячів,
підсилювачів, генераторів та ін.;
- придбати навички визначення характеристик і параметрів основних
електронних пристроїв;
- одержати уявлення про можливості використання напівпровідникових
приладів при рішенні визначених практичних задач.
Підготовка до лабораторної роботи передбачає вивчення теоретичного
матеріалу заданих тем. Добра підготовка до лабораторної роботи це безперечна
умова її ефективності, так як проведення будь-якого експерименту має сенс тільки в
тому випадку, якщо експериментатор чітко уявляє собі мету експерименту і характер
очікуваних результатів.

3
 ПРАВИЛА ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ В ЛАБОРАТОРІЇ
«Електроніки, мікроелектроніки та мікросхемотехніка»

Згідно правил улаштування електроустановок (ПУЕ) для приміщень без

підвищеної небезпеки враження струмом, до яких відноситься лабораторія основ
електроніки і мікроелектроніки, безпечним вважається напруга до 42 В. Опір тіла
людини визначається головним чином, опором шкіряного покриття і дорівнює 200–
500 кОм. Зволоження або пошкодження шкіри зменшує опір до 600–800 Ом.
Великий вплив на опір тіла людини надає також загальний стан організму і нервової
системи. Таким чином, при вказаній напрузі через людину, яка знаходиться в
нормальному стані, проходить струм 0,1–0,3 мА. Сила стуму в 50 мА може
призвести до травми, а в 100 мА – до смертельного випадку. Потрібно мати на увазі,
що при струмові навіть менше 50 мА м’язи кисті рук не самовільно скорочуються і
струмопровідна частина може опинитися в стиснутому кулаку і тоді не вдається
розжати руку і перервати струм через тіло.
В лабораторних роботах використовується напруга 127 і 220В, тому міри
безпеки мають особливо важливе значення.
Основні правила по техніці безпеки наступні:
1. Перед початком збирання кола потрібно переконатися в тому, що перемикач
знаходиться у вимкненому стані.
2. Не допускається використання несправних приладів і апаратів.
3. Перед тим як приєднати конденсатор, його потрібно попередньо розрядити,
замкнувши виводи накоротко провідником.
4. Складене коло повинно бути перевірене керівником і може вмикатись тільки
з його дозволу.
5. Перед ввімкненням кола потрібно переконатися, що ніхто не доторкається до
оголених струмопровідних частин.
6. Всі необхідні перемикання потрібно проводити при вимкненій напрузі. Всі
зміни в колі повинні бути перевірені керівником.
7. Тим хто навчається не дозволяється самостійно проводити які-небудь
перемикання на головному розподільчому щиті лабораторії.
8. Якщо під час роботи виникають які-небудь пошкодження в результаті чого
виник дим, специфічний запах або розжарюються провідники, то потрібно швидко
вимкнути напругу і повідомити керівника про те що трапилось.
9. Якщо хто потрапить під напругу і не зможе відірватись від струмоведучих
частин, то необхідно швидко виключити напругу і негайно повідомити викладача.
10. Студенти допускаються до лабораторних робіт після ознайомлення з
дійсними правилами, що повинні бути зафіксовані в спеціальному журналі .
11. Після завершення вимірювань забороняється розбирати схему, якщо вона не
відключена від джерела живлення .
12. Після розбирання схеми, з’єднувальні провідники охайно скласти, прилади
встановити на визначені місця.

4
 ПЕРЕЛІК ЛАБОРАТОРНИХ РОБІТ З ДИСЦИПЛІНИ
“Електроніка і мікросхемотехніка”
Лабораторна робота №1 Дослідження біполярного транзистора.
Лабораторна робота №2 Дослідження польового транзистора.
Лабораторна робота №3 Дослідження однокаскадного підсилювача.
Лабораторна робота №4 Дослідження багатокаскадного підсилювача на
біполярному транзисторі.
Лабораторна робота №5 Дослідження підсилювача потужності.
Лабораторна робота №6 Дослідження інвертуючої та неінвертуючої схем
включення операційних підсилювачів.
Лабораторна робота №7 Дослідження схем диференційних підсилювачів.
Лабораторна робота №8 Дослідження мультивібратора.
Лабораторна робота №9 Дослідження логічних елементів.
Лабораторна робота №10 Дослідження тригерів на логічних елементах та на
інтегральних схемах.
Лабораторна робота №11 Дослідження однофазних випрямлячів малої потужності.
Лабораторна робота №12 Дослідження згладжуючих фільтрів.

5
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 1
Тема: Дослідження біполярного транзистора
Мета: Зняти статичні характеристики транзистора, визначити по
характеристиках транзистора його h-параметри.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Біполярний транзистор представляє собою трьохелектродний
напівпровідниковий прилад з двома електронно-дірковими переходами, має три
виводи та призначений для підсилення генерування електричних сигналів.
Електронно-діркові переходи в транзисторі створюються трьома областями різної
електропровідності. В залежності від порядку чередування областей транзистори
можуть бути типу p-n-p та n-p-n. В обох випадках транзистор має два p-n переходи.
На рисунку 1 показані умовні позначення транзисторів типу p-n-p та n-p-n.

Рисунок 1 – Умовні позначення транзисторів

Один зовнішній шар транзистора називається емітером, він головним чином і

створює струм транзистора. Інший зовнішній шар називають колектором. Він збирає
заряди, які поступають з емітера. Середній шар транзистора називають базою. На
перший перехід (емітер-база) подають пряму напругу. Навіть при невеликих
напругах через перший (емітерний) перехід може проходити значний струм. На
другий перехід (база-колектор) подають зворотну напругу. Значення напруги на
другому (колекторному) переході набагато більше ніж на першому.
Фізика роботи транзисторів типу p-n-p та n-p-n в принципі однакова.
Розглянемо роботу транзистора p-n-p. Між колектором та базою прикладена від’ємна
напруга. Коли немає струму емітера через колекторний перехід проходить тільки
зворотний струм IКБО, обумовлений неосновними носіями зарядів в колекторі та базі.
В більшості транзисторів цей струм дуже малий і його не завжди враховують при
розрахунках електричних схем. При подачі прямої напруги на емітерний перехід
виникає струм емітера IЕ. Електрони валентної зони емітера переходять в зовнішнє
коло, і дірки які виникли в цей час починають рухатися в сторону бази. Так як база
виконана з провідника n-типу, дірки для неї є неосновними носіями зарядів.
Товщина баз транзистора дуже мала, тому більша частина дірок, інжектуємих
емітером, пролітає через товщу бази до колекторного переходу, захвачуються
6
електричним полем колектора і створює струм колектора I К. Ті дірки, які частково
рекомбінують в базі з вільними електронами, створюють струм бази Iб. В
транзисторі Iк = Iе – Iб.
Змінюючи струм емітера можна керувати струмом колектора. Так як Iк ≈ Iе, а
зворотна напруга на колекторному переході набагато більша ніж пряма напруга на
емітерному переході, то потужність, яка створюється колекторним струмом в
навантаженні, може бути набагато більше потужності, потраченої на керування
струмом в колі емітера. Таким чином, транзистор має підсилювальний ефект.
Параметри транзистора можна визначити по його вхідним та вихідним
характеристикам. Вхідна характеристика транзистора, включеного по схемі з
загальним емітером, представляє собою залежність струму бази від напруги на базі
Iб = f(Uбе) при Uбе = const (рисунок 2а).

а) б)

Рисунок 2 – Вхідні та вихідні характеристики транзистора.

Вхідна характеристика транзистора, включеного по схемі з загальним

емітером, представляє собою залежності колекторного струму від напруги на
колекторі: Iк = f(Uке) при Iб = const. На рисунку 2б приведені вихідні
характеристики транзистора, включеного по схемі з загальним емітером. З
збільшенням струму бази Iб характеристика зміщується вгору.
По вихідним характеристикам можна визначити вихідний опір транзистора
Rвих. Для цього на робочій точці А при Iб = const задають приріст колекторної
напруги Uке та визначають отриманий при цьому приріст струму колектора Iк.
Вихідний опір транзистора находять як відношення: Rвих = Uке/Iк.

ОБЛАДНАННЯ: Джерела живлення з постійною напругою 0 – 15 В та 0 – 2 В,

стенд для дослідження транзисторів, лабораторний стенд типу ЛРС-2р.

УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ

7
 ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ
1 Скласти схему лабораторної установки для зняття статичних характеристик
транзистора (рисунок 3).

Рисунок 3 – Схема установки

2 Зняти сімейство статичних вхідних характеристик транзистора при напрузі на

колекторі Uке, рівній 0, –5, –10В. Напругу на базі змінювати в межах від 0 до 240мВ
з кроком через 40 мВ. Отримані данні занести до таблиці 1.
3 Зняти сімейство статичних вихідних характеристик транзистора для струмів
Iб = 0 – 100 мкА. Напруга на колекторі Uке змінювати в межах від 0В до 10В з
кроком через 2В. Отримані дані занести до таблицю 2.
4 Побудувати вхідні та вихідні характеристики та визначити h-параметри
транзистора.
Таблиця 1 – Дані спостережень
IБ, мкА
UБЕ, мВ
UКЕ= 0 UКЕ = – 5В UКЕ= – 10В
40
80
120
160
200
240

Таблиця 2 – Дані спостережень

Iк, мА
UКЕ, В
IБ = 0 мкА IБ = 50 мкА IБ = 100 мкА IБ = 150 мкА IБ = 200мкА
2
4
6
8
10

8
 КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Поясніть принцип дії транзистора.
2 Привести можливі схеми включення транзистора.
3 Визначити h-параметри транзистора за допомогою вхідних та вихідних
характеристик?

9
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 2
Тема: Дослідження польових транзисторів.
Мета: Вивчення принципу дії, характеристик та параметрів польового
транзистора.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Польовий транзистор з керуючим p-n переходом представляє собою тонку
пластину напівпровідникового матеріалу з одним p-n переходом в центральній
частині та з омічними контактами по краям. Дія цього приладу основана на
залежності товщини p-n переходу від прикладеної до нього напруги. Оскільки
закриваючий шар майже не має рухомих носіїв заряду, його провідність мала як у
власного напівпровідника. Обмежуючи з однієї сторони струмопровідний канал,
закриваючий шар тим самим визначає величину перерізу каналу. В залежності від
типу провідності напівпровідника канал може бути p-типу, або n-типу.
Якщо підключити до каналу джерело живлення, то через пластину
напівпровідника між омічними контактами потече струм. Омічний контакт, від якого
починають рух основні носії зарядів, називається витоком, а омічний контакт, до
якого вони рухаються через канал – стоком. Електрод, який використовується для
керування величиною поперечного перерізу каналу, називається затвором. Напруга
стоку та напруга затвора відраховуються відносно стоку. Для ефективного керування
перерізом каналу керуючий p-n перехід роблять різко несиметричним, так щоб
закриваючий шар розміщувався в товщі напівпровідникової пластини, яка має
відносно малу концентрацію носіїв заряду. При подачі від’ємної напруги на затвор
закриваючий шар розширюється, що призводить до розширення струмопровідного
каналу та збільшення його опору.
До характеристик польового транзистора можна віднести сток-затворну
Iс=f(Uз) при Uс=const
та стокову
Iс=f(Uc) при Uз=const
Параметрами транзистора є крутизна характеристики:

де Uз – приріст напруги затвора;

Іс – приріст струму стоку.

Визначають з MNK (рисунок 1): Iс=MN; Uз=KN;

Динамічний опір

де Uс – приріст напруги стоку.

Визначають з АВС, де ВС=Іс; АС=Uс.
10
 Рисунок 1 - Статичні характеристики транзистора

Рисунок 2 – Схема установки

ОБЛАДНАННЯ: Стенд для дослідження польового транзистора,

лабораторний стенд типу ЛРС-2р, джерело живлення ИЄПП-1.

УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Виписати паспортні дані дослідного транзистора.
2 Скласти схему для зняття характеристик транзистора рисунок 2.
3 Змінюючи напругу на затворі за допомогою потенціометра, визначити по
міліамперметру значення струму стоку. Зняти дві струмозатворні характеристики
при двох значеннях напруги стоку. Дані занести до таблиці 1.
4 Змінюючи напругу стоку за допомогою потенціометра, визначити по
міліамперметру значення струму стоку. Зняти дві струмозатворні характеристики
при двох значеннях напруги на затворі. Дані занести до таблицю 2.
5 Побудувати характеристики польового транзистора.
6 Визначити параметри транзистора.
11
 Таблиця 1 – Дані спостережень
Uc = 5 В Uс = 10 В
Uз, В Iс, мА Uз, В Iс, мА
0 0
0,4 0,4
0,8 0,8
1,2 1,2
1,6 1,6
2,0 2,0

Таблиця 2 – Дані спостережень

Uз = 1 В Uз = 2 В
Uс, В Iс, мА Uс, В Iс, мА
0 0
2 2
4 4
6 6
8 8
10 10
КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Який принцип роботи польового транзистора
2 Чому транзистор отримав назву "польовий" або "канальний"?
3 Скільки p-n переходів має польовий транзистор?
4 Як виконується керування перерізом каналу?
5 Від чого залежить вихідний струм транзистора?
6 Яку назву отримали електроди польового транзистора.
7 Якими параметрами характеризується робота польового транзистора?
8 Які переваги польового транзистора?
9 Де застосовуються польові транзистори?

12
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №3
Тема: Дослідження однокаскадного підсилювача.
Мета: Дослідження впливу різних кіл на частотну характеристику
підсилювача.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ПОЛОЖЕННЯ

В лабораторній роботі досліджується каскад підсилювача напруги низької
частоти (ПНЧ), який широко застосовується в електронних пристроях. Розглянемо
узагальнюючу схему каскаду ПНЧ рисунку 1. В склад каскаду входять джерело
вхідного сигналу, підсилювальний елемент сигналу, навантаження джерело живлення.
В залежності від призначення каскаду джерелом вхідного сигналу можуть бути
звукознімач, мікрофон, детектор радіоприймального пристрою, різні датчики і ін.

Рисунок 1 – Узагальнююча схема підсилювача

В якості підсилювального елемента часто використовують транзистор.

Навантаженням каскаду можуть бути вхідне коло слідую чого каскаду ПНЧ,
підсилювач потужності і ін. Принципова схема каскаду приведена на рисунку 2.
Пунктиром на схемі і показані еквівалентні параметри навантаження: активний опір
R5 і ємність С0. На опір R5 виділяється корисний сигнал і ємність С0 в більшості
випадків є паразитною (ємність навантаження, підсилювального елемента, монтажу), у
шунтує навантаження. Резистор R3 є колекторним навантаженням, його опір в більшій
степені впливає як на режим каскаду по постійному струму, так і на величину
вихідного сигналу.
Резистори R1, R2, R4, утворюють коло температурної стабілізації початкового
режиму транзистора. Конденсатори С1 і С4 є розподільчим; вони перешкоджають
проходженню постійних складових струмів з виходу одного каскаду на вхід іншого
(або в навантаження).
Конденсатор С2 звільнює, або сильно послабляє від‘ємний зворотній зв‘язок по
змінній складовій. ПНЧ призначений для підсилення електричних сигналів в деякій
смузі частот. Про особливості ПНЧ можна судити по його амплітудній (вихідній) і
частотній характеристиках. На рисунку 3 зображена амплітудна характеристика ПНЧ
Uвих = f (Uвх), по ній можна визначити динамічний діапазон, тобто величину, де
значення величин Uвих.max і U вих.min обмежують лінійну ділянку характеристик.
13
 U вих. max
D = U вих min. . (3.1)

Динамічний діапазон визначають в децибелах (дБ), DдБ = 20 lg D. Чим більше

D, тим вище якість підсилювача. На рисунку 4 зображена частотна характеристика
ПНЧ К = f (F) при Uвx = const.

Рисунок 2 – Принципова схема підсилювача

Рисунок 3 – Амплітудна характеристика Рисунок – 4 Частотна характеристика

З неї видно, що електричний сигнал проходить через ПНЧ з спотвореннями,

причому спотворення збільшуються на самих низьких і високих робочих частотах.
В області середніх робочих частот виконуються умови: 1/ωС3<<R5; 1/ωC0R5
При цьому конденсатор С3 і ємність С0 на коефіцієнт підсилення каскаду не
впливає.
Таким чином, через зміни еквівалентного опору ZН коефіцієнт підсилення
каскаду змінюється на різних частотах. Величина спотворень визначається
коефіцієнтом частотних спотворень
Ко , (3.2)
М=
К
де Ко – підсилення в області середніх частот, К – підсилення на даній частоті.
14
15
 Рисунок 5 – Схема установки

Звичайно допускають на граничних частотах Fн і Fв (нижніх і верхніх)

зниження амплітуди до рівня 0,5.
Крім розподільчого конденсатора С3 і паразитної ємності Со на частотні
властивості каскаду чинять вплив і інші реактивні елементи, такі як С2 (див.
рисунок 2). Конденсатор С2 включається паралельно резистору R4 для зменшення
спаду змінної напруги, яка виникає на R4 від емітерного струму. Зменшення напруги
в колі емітера приводить до зменшення керуючої напруги між базою і емітером
(від‘ємний зворотній зв’язок по змінною струму). При цьому зменшується
підсилення каскаду, що не бажано. На середніх і вищих частотах конденсатор С2 не
вносить частотних спотворень.

ОБЛАДНАННЯ: звуковий генератор типу Г3-36, вольтметр типу Щ4300,

підсилювач НЧ, осцилограф типу С1-72, лабораторний стенд ЛРС-2р.

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Зібрати схему лабораторної установки згідно рисунка 5.
2 Зняти частотні характеристики каскаду при різних значеннях елементів
схеми.
При знятті частотної характеристики на виході звукового генератора необхідно
піддержувати напругу постійною і змінювати частоту в межах F = 20 ... 50000 Гц.
Потрібно вибрати частоти: 20, 50, 100, 200, 500 Гц; 1, 2, 5, 10, 15, 20, 50 кГц.
Результати вимірювань занести в таблицю 1. По них необхідно побудувати частотні
характеристики.

16
 Таблиця 1 – Дані спостережень
Uвx = const
Частота F, C4; C2; C5; C2; C2; C5; C6 C2; C5; C7
lg F
Гц U вих, U вих, U вих, U вих,
Y Y Y Y
B B B B
20 1,3
50 1,7
100 2,0
200 2,3
500 2,7
1 кГц 3,0
2 кГц 3,3
5 кГц 3,7
10 кГц 4,0
20 кГц 4,3
50 кГц 4,7
U вих .
Примітка: Y=
U вих. max

Рекомендується будувати приведені частотні характеристики на одному графіку

Y = f (F). При побудові графіка необхідно використовувати логарифмічний масштаб,
тобто по осі абсцис відкладають не саме значення частоти F, а її логарифм lg F.
3 Зняти амплітудну характеристику каскаду Uвих = f (Uвx) на частоті
F = 1 кГц при зміні вхідного сигналу в межах від 0 до 3 В. Дані вимірювань занести
в таблицю 2.
Таблиця 2 – Дані спостережень
U вх, мВ 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
U вих, В

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Поясніть призначення підсилювача.
2 Назвіть призначення всіх елементів принципової схеми.
3 Поясніть причини виникнення частотних спотворено в підсилювачі.
4 З яких розумінь вибираються величини ємностей конденсаторів допоміжних кіл?
5 Визначити по частотній характеристиці ширину спектра частот.
6 По якій характеристиці можна визначити динамічний діапазон підсилювача?

17
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №4
Тема: Дослідження багатокаскадного підсилювача на біполярному
транзисторі.
Мета: Вивчити принцип дії підсилювальних каскадів на транзисторах, вплив
різних ланцюгів ПНЧ на вихідні характеристики.
ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ПОЛОЖЕННЯ
Процес підсилення полягає в одержанні сигналу, що володіє більшою
потужністю чим вхідний сигнал, але зі збереженням характеру його зміни в часі.
Основні параметри підсилювача:
– коефіцієнт підсилення:

а) по напрузі U ВИХ
K  ,
U
U ВХ

I ВИХ
б) по струму K  ,
I
I ВХ

PВИХ
в) по потужності K P  ,
PВХ

– номінальна вихідна потужність – найбільша потужність, що підсилювач

передає навантаженню без помітних спотворень сигналу. Окрім того, підсилювальні
каскади характеризуються вхідним і вихідним опором, чутливістю, смугою
пропускання, к.к.д., коефіцієнтами спотворень: частотних, фазних, нелінійних.
Підсилювальні каскади будуються по схемах зі СЭ, СБ і СК. Каскад з СК ще
називають емітерним повторювачем. У лабораторній роботі досліджується
двохкаскадний підсилювач низької частоти (ПНЧ), що широко застосовується в
електронних пристроях.
Джерелом вхідного сигналу може бути звукознімач, мікрофон, детектор
радіоприймального пристрою, різні датчики та ін. В якості підсилювальних
елементів тут використані біполярні транзистори. Навантаженням першого каскаду є
другий каскад, а навантаження другого каскаду носить або активний характер (опір
R13) або активно-ємнісний (R13, C9)
Пунктиром на схемі (рисунку 1) показані можливі варіанти зміни параметрів
вихідного сигналу, замикаючи гнізда 4–5 виключаємо опір R5; 5–6 – конденсатор
С3 і опір R6; 3–8 або 3–7 – вводиться розділовий конденсатор С4 або С5; 14–16 чи
15–16 – конденсатор C6 або С7; 4–9 – вводимо міжкаскадний зворотний зв’язок за
рахунок R8; 12–13 – підключає у коло емітера VT2 конденсатор зворотного зв’язку
по змінній складовій С8; 17–18 – навантаження підключає активно-ємнісний
характер за рахунок уведення С9, крім того можна досліджувати вплив Сн
18
підключивши до 19–20 ззовні незначної ємності конденсатор.

19
Конденсатори С2, С4, С5, С6, С7 – розділові, призначені для того, щоб не
пропускати постійної складової напруги на навантаження.
ПНЧ призначений для посилення електричних сигналів у деякій смузі частот.
Про особливості ПНЧ можна судити по його амплітудній (вихідній) і частотній
характеристикам.

Рисунок 1 – Схема установки

Пo амплітудній характеристиці Uвих = f (Uвх), при F = const можна визначити

динамічний діапазон (рисунок 2).
U вих. max
D= , (4.1)
U вих min.
де Uвих макс і Uвих мін – обмежує лінійну ділянку характеристики.

Рисунок 2 – Амплітудна характеристика Рисунок 3 – Частотна характеристика

20
 На рисунку 3 зображена частотна характеристика ПНЧ. З неї видно, що
електричні сигнали проходять із спотвореннями, причому спотворення збільшуються
на самих низьких і високих частотах. На підсилення в області низьких частот
впливають розділові конденсатори, та конденсатори в колах емітерів транзисторів. На
підсилення в області високих частот впливають – ємність монтажу, міжелектродна
ємність транзисторів Ске та ємність навантаження.

ОБЛАДНАННЯ: звуковий генератор типу Г3-36, вольтметр типу Щ4300,

підсилювач НЧ, осцилограф типу С1-72, лабораторний стенд ЛРС-2р.

1 ПНЧ 21
Г3-36 С1-72
2 22
11–Ек

Щ4300
БЖ

Рисунок 4 – Блок-схема дослідження роботи підсилювача

УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Зібрати схему лабораторної установки згідно блок-схеми рисунку 4.
2 Зняти частотні характеристики каскаду при різних значеннях елементів схеми.
При знятті частотної характеристики на виході звукового генератора необхідно
піддержувати напругу постійною і змінювати частоту в межах F=20 ... 50000 Гц.
Потрібно вибрати частоти: 20, 50, 100, 200, 500 Гц; 1, 2, 5, 10, 15, 20, 50 кГц.
Результати вимірювань занести в таблицю 1. По них побудувати частотні
характеристики, враховуючи
U вих
Y U вих. max
рекомендується будувати приведені частотні характеристики на одному графіку
Y = f (F). При побудові графіка необхідно використовувати логарифмічний масштаб,
тобто по осі абсцис відкладають не саме значення частоти F, а її логарифм lg F.
3 Зняти амплітудну характеристику каскаду Uвих = f (Uвx) на частоті F = 1 кГц
при зміні вхідного сигналу в межах від 0 до 2 В. Дані вимірювань занести в таблицю 2.

21
 Таблиця 1 – Дані спостережень
Uвx = 10 мВ const
Частота F, C4; С6 C5; C7 C4; C6; C9 C5; C7; C9
lgF
Гц U вих, U вих, U вих, U вих,
Y Y Y Y
B B B B
20 1,3
50 1,7
100 2,0
200 2,3
500 2,7
1 кГц 3,0
2 кГц 3,3
5 кГц 3,7
10 кГц 4,0
20 кГц 4,3
50 кГц 4,7

Таблиця 2 – Дані спостережень

U вх, мВ 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

U вих, В

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Поясніть призначення багатокаскадного підсилювача.
2 Назвіть призначення всіх елементів принципової схеми.
3 Як визначається загальний коефіцієнт підсилення?
4 Поясніть причини виникнення частотних спотворено в підсилювачі.
5 З яких розумінь вибираються величини ємностей конденсаторів допоміжних кіл ?
6 Визначити по частотній характеристиці ширину спектра частот.
7 По якій характеристиці можна визначити динамічний діапазон підсилювача?

22
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 5
Тема: Дослідження підсилювача потужності на інтегральні мікросхемі (ІМС).
Мета: Дослідити підсилювач на ІМС типу К174УН7 (TBA810S). Визначити смугу
частот, амплітудну характеристику і коефіцієнт підсилення по потужності.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Мікросхема К174УН7 (TBA810S) являє собою підсилювач потужності низької
частоти з номінальною вихідною потужністю 4,5 Вт на навантаженні 4 Ом.
Призначена для застосування в трактах НЧ радіоапаратури.
Корпус типу 201. Маса не більш 2 г.
Призначення виводів: 1– живлення ( +Uдж), 4 – вольтодобавка, живлення (+
Uдж); 5-корекція; 6--обернений зв'язок; 7-фільтр; 8-вхід; 9- загальний (-Uдж); 10-
эмитер вихідного каскаду 12-вихід.
На рисунку 1 показаний корпус ІМС.
На рисунку 2 показана типова схема включення ІМС.

Рисунок 1 – Корпус ІМС К174УН7 (TBA810S)

Електричні параметри
Номінальна напруга живлення, Uдж...................................................................15 В
Струм споживання (при Uдж = 15 В, Uвх = 0, Т = +250С)..............................5 – 20 мА
Амплітуда вхідної напруги (при Uдж =15 В, Рвих =2,5 Вт), не більше..........70 мВ
Вихідна потужність при U дж =15 В, Rн=40м, на частоті 1 кГц, Т=250 С, не меньше
Кг ≤2%......................................................................................2,3 Вт
Кг <10%....................................................................................4,5 Вт
Діапазон робочих частот при Uдж = 15 В, Т = 250С................................40Гц – 20кГц
Коэффициент гармонік при Uдж=15В, Rн =4 Ом, f=1 кГц, T= +25 С, не більш при
Рвих =2,5 Вт.............................................................................2%
Рвих = 4,5 Вт............................................................................10%
23
 Коефіцієнт корисної дії (при Uдж = 15 В, Рвих = 4,5Вт, f = 1кГп), не менше....50%
Вхідний опір (при Uдж=15 В, f=1 кГц, Т= +250С), не менше...........................50 кОм

Допустимі граничні експлуатаційні дані

Напруга живлення.....................................................................................................18В
Максимальне амплітудне значення вхідної напруги.............................................2В
Максимальний амплітудний струм в навантаженні...............................................1,8А
Діапазон робочих температур......................................................................10 … +600 С

Типова схема включення приведена на рисунку 2.

Рисунок 2 – Типова схема включення ІМС К174УН7 (TBA810S)

ОБЛАДНАННЯ: звуковий генератор типу Г3-36, вольтметр типу В3-38 (або

Щ4300), підсилювач НЧ, осцилограф типу С1-72, лабораторний стенд ЛРС-2р, стенд
для дослідження ПНЧ на ІМС типу К174УН7 (TBA810S).

УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Зібрати схему лабораторної установки згідно блок-схеми рисунку 3.
2 Зняти амплітудну характеристику каскаду Uвих = f (Uвx) на частоті F = 1 кГц
при зміні вхідного сигналу в межах від 0 до 2 В. Дані вимірювань занести в таблицю 1.

24
 Рисунок 3 – Блок-схема підсилювача

3 Зняти частотні характеристики каскаду. При знятті частотної

характеристики на виході звукового генератора необхідно піддержувати напругу
постійною і змінювати частоту в межах F = 20 ... 50000 Гц.
Потрібно вибрати частоти: 20, 50, 100, 200, 500 Гц; 1, 2, 5, 10, 15, 20, 50 кГц.
Результати вимірювань занести в таблицю 2. По них побудувати частотну
характеристику, враховуючи
U вих
Y= (5.1)
U вих. max
При побудові характеристики необхідно використовувати логарифмічний
масштаб, тобто по осі абсцис відкладати не саме значення частоти F, а її
логарифм lg F.
4 Визначити коефіцієнт підсилення по потужності
Р вих
Кр = , (5.2)
Р вх
де
UR1
Рвх = Uвх • Івх = Uвх • ; (5.3)
R1
UR2
Рвих = Uвих • Івих = Uвих • . (5.4)
R2
Примітка: R1 = 10 кОм, R2 = 4 Ом.

Напруги Uвх і UR1 вимірювати електронним вольтметром з високим вхідним

опором, наприклад, В3-38 відповідно в точках 1–2 і 1–3;
Напруга на виході виміряється в точках 4–5. Таблиця 1 –

Дані спостережень
U вх, мВ 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

U вих, В
25
Таблиця 2 – Дані спостережень
Частота F, Uвx = const
lg F
Гц
U вих, B Y
20 1,3
50 1,7
100 2,0
200 2,3
500 2,7
1 кГц 3,0
2 кГц 3,3
5 кГц 3,7
10 кГц 4,0
20 кГц 4,3
50 кГц 4,7

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Поясніть призначення підсилювача на ІМС.
2 Назвіть переваги та недоліки підсилювача на ІМС.
3 Як визначається загальний коефіцієнт підсилення?
4 Як визначити по частотній характеристиці ширину спектра частот?
5 По якій характеристиці можна визначити динамічний діапазон підсилювача?

26
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №6
Тема: Дослідження інвертуючої та неінвертуючої схем включення
операційного підсилювача.
Мета: Вивчити принцип роботи, основні параметри і характеристики
операційного підсилювача (ОП), дослідження ОП як масштабного підсилювача
інвертуючого та неінвертуючого.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Досліджуваний підсилювач називається операційним тому, що він може
використовуватися для виконання різних математичних операцій над сигналами:
алгебраїчного додавання, віднімання, множення на постійний коефіцієнт,
інтегрування, диференціювання, логарифмування і т.д. Операційним часто
називають підсилювач напруги з великим коефіцієнтом підсилення, охоплений
колом негативного зворотного зв'язку, що визначає основні якісні показники і
характер виконуваних підсилювачем операцій. Сучасний ОП виконується на базі
інтегральної мікросхеми операційного підсилювача (ІМС ОП), до виводів якої, крім
кола негативного зворотного зв'язку, під’єднуються джерела живлення, вхідних
сигналів, опір навантаження, кола корекції частотних характеристик ОП в
інтегральному виконанні та інші кола.
ОП – це підсилювач постійного струму (ППС), його амплітудно-частотна
характеристика не має завалу в області низьких частот, оскільки ОП не містить
розділових конденсаторів. Для того щоб під час відсутності вхідних сигналів
потенціал виходу можна було привести до нуля (до потенціалу землі), живлення ОП
роблять двополярним і,зазвичай, симетричним (в стенді ±12 В).

а) б) в)
Рисунок 1 – Умовне зображення ОП з одним виходом
і двома входами (прямий і інверсний)

На рисунку 1, а показано умовне зображення ОП з одним виходом і двома

входами – прямим і інверсним. Інверсний вхід 2 позначають знаком інверсії
(кружком) або позначають знаком «–». Прямий вхід 1 не має знака інверсії або його
позначають знаком «+». У загальному випадку на вхідні виводи ОП 1 і 2 надходять
напруги Uвх1 і Uвх2, що називають напругами загального виду. З них виділяють

27
 Uвх1 Uвх
Uсф 
2
синфазний 2 і диференціальний Uдиф = Uвх1 – Uвх2 сигнали (рисунок 1,
б). Відносно Uсф потенціал на вхідному виводі 1 вище, та на вхідному виводі 2 —
нижче на значення ΔU, а диференціальний (різницевий) сигнал U диф = 2ΔU.
Операційний підсилювач призначений для підсилення невеликого різницевого
(диференціального) сигналу. Синфазний сигнал для схеми ОП має бути максимально
ослаблений. Вихідна напруга Uвих знаходиться у фазі (синфазна) з напругою на
вході 1 (Uвх1) і протифазна напрузі на вході 2 (Uвх2).
На рисунку 1 приведені амплітудні характеристики ОП для випадків: а —
вхідний сигнал подається на вхід 2, що інвертує, а вхід 1, що не інвертує, заземлений
Uвих (протифазна Uвх2); б – вхідний сигнал подається на вхід, що не інвертує, 1, а
вхід, що інвертує, 2 заземлений Uвих (Uвх2 синфазна). Вихідна напруга Uвих знімається
відносно середньої точки джерел живлення ЕП1 і ЕП2 (землі). Якщо Uвх = 0, то і Uвх1 і
Uвих=0, що відображує умову балансу ОП. За відсутності зовнішнього кола
зворотного зв'язку нахили амплітудних характеристик 1, 2 визначаються
U
KUOП  U вих
коефіцієнтом підсилення напруги ОП
ДИФ
. Характерною для амплітудних
характеристик ОП є наявність двох областей насичення: +Uвих.нас. і –Uвих.нас., при
досягненні яких вихідна напруга залишається постійною і не залежить від змін
вхідної напруги. ОП в інтегральному виконанні характеризується великим
коефіцієнтом підсилення напруги, високими вхідними і низьким вихідним опорами.
В залежності від того, на які входи ОП подаються вхідні сигнали, розрізняють
дві схеми включення ОП в інтегральному виконанні: інвертуюча, неінвертуюча. Ці
схеми мають ряд загальних особливостей: 1 – наявність елементів негативного
зворотного зв'язку (НЗЗ); 2 – при виведенні аналітичних виразів для оцінки основних
Uвих
UДИФ = 0
параметрів ОП приймають значення KUOП , тому що ІМС ОП має дуже
високий коефіцієнт підсилення напруги (K Uоп → ∞); 3 – вхідний струм вважають
рівним нулеві, тому що ІМС ОП має високий вхідний опір (RВХоп → ∞).
Схема включення операційного підсилювача в інвертуючому режимі
представлена на рисунку 2, а. У цій схемі вхідний сигнал подається на вхід, що
інвертує, ІМС ОП, а його вхід, що не інвертує, заземлений. Підсилювач називається
інвертуючим, тому що вихідна напруга Uвих інвертована (протифазна) стосовно
вхідної напруги UBX. Негативний зворотний зв'язок створюється за допомогою
резисторів R2>R1 (рівнобіжна НЗЗ по напрузі). Тому що вхідний струм ІМС ОП
вх ОУ    0  
, то справедливе співвідношення вх ОС .
Оскільки диференційна вхідна напруга ІМС ОП Uдиф ≈ 0, KUоп → ∞, а Rвирх оп → ∞, то:
вх  Uвх / R1,
ОС  Uвих / R2
(6.2)
.

28
 а) б) в)
Рисунок 2 – Схема включення операційного підсилювача в інвертуючому режимі

Вихідна напруга в останньому виразі входить зі знаком мінус, тому що вона

протифазна вхідній напрузі.
На підставі співвідношення (6.2) одержимо вираз для визначення коефіцієнта
підсилення напруги схемою інверсного підсилювача:
R2
КUОП  
R1 . (6.3)
Якщо ввести позначення глибини НЗЗ:
 R1
ООС
R1  , (6.4)
яка при виконанні умови R2 > R1 дорівнює: R2 R
  1
ООС
R2
,
то 1
К 
UОП
 OOC . (6.5)
Якщо R1=R2, то KUоп = –1 і ОП стає інвертуючим повторювачем напруги, у
якого:
Uвих  Uвх
. (6.6)
Вхідний опір що інвертує
RвхОП  R1
, (6.7)
ОП: а вихідний опір:
RвихОП  RвихОП

1 OCC KОП
. (6.8)
Вхід, що не інвертує, ІМС ОП через резистор R3 з'єднаний із землею, тому
його потенціал дорівнює нулеві а, отже, дорівнює нулеві і потенціал входу, що
інвертує, тому що Uдиф ≈ 0. Тому на входах даної ІМС ОП синфазний сигнал
відсутній. Тому що Rвх реальної мікросхеми ОП не дорівнює нескінченності, то через
її входи протікають незначні вхідні струми, що при U вх = 0 можуть викликати
випадкові зміни вихідного сигналу. Для їхньої компенсації потрібно забезпечити
29
 R1R2
R3 
рівність опорів входів ІМС ОП. Тому в схему введений резистор R1  R2 .
Інвертуюча схема включення ОП (рис. 2, а) може використовуватися для зміни
 R2 
 
R
масштабу вхідної напруги множенням його на постійний коефіцієнт (  1 
, а також
для алгебраїчного підсумовування вхідних сигналів (як аналоговий суматор, рис. 2,
б). Напруга на виході такої схеми:
R2
U  (U U U ... U )
вих 1 2 3 n
R1
. (8)
Якщо R1=R2=R, то:
Uвих  (U1 U2 U3 ... Un
(6.9)
)
Схема включення операційного підсилювача в неінвертуючому режимі
представлена на рис. 3, а. У цій схемі вхідний сигнал подається на вхід, що не
інвертує, ІМС ОП, а на його вхід, що інвертує, за допомогою дільника вихідної
U R
UOOC  вих 2
R1 
напруги, виконаного на резисторах Rl, R2, подається напруга R2 НЗЗ . У
схемі діє послідовна НЗЗ по напрузі, глибина якого:
ООС  R2
R R , (6.10)
1 2

а диференціальна напруга, прикладена до ІМС ОП:

UДИФ  Uвх UООС
. (6.11)
Тому що коефіцієнт підсилення напруги ІМС ОП KUOП  U 0
, те ДИФ і
Uвх  UOOC Uвих R2

R1 
R2 . (6.12)
З цього співвідношення випливає, що коефіцієнт підсилення напруги схемою
що не інвертує ОП
КUОУ  R1  R2  1 R1  1
R2 R2 OOC (6.13)


30
 а) б)
Рисунок 3 – Неінвертуюча схема включення ОП

31
 Вхідний опір ОП, що не інвертує:
Rвх ОУ  Rвх ОУ (1 OOC КUОУ )
, (6.14)
а вихідний опір:
R
Rвих ОУ  1  вих ОУ
К
OOC UОУ
(6.15)
У даному включенні ІМС ОП потенціали його входів як і раніше приблизно
U 0
однакові, тому що ДИФ , і дорівнюють значенню Uвх, тобто на входах ІМС ОП діє
синфазний сигнал, значення якого близько до Uвх. При виконанні умов R1= 0, R2 = ∞
вираз (6.13) прийме вид:
КUОП  1
,
тому як операційний підсилювач буде виконувати функцію повторювача
напруги, що не інвертує, у якого Uвих =Uвх (рис. 3, б).
Неінвертуюча схема включення ОП (рисунку 3, а) може використовуватися
для зміни масштабу вхідної напруги множенням його на постійний коефіцієнт
 R2 
 
R
(  1  , а також для алгебраїчного підсумовування вхідних сигналів (як аналоговий
суматор, рис. 2, в). Напруга на виході такої схеми:

Uвих   R4  1U  U  U  ...  U (6.16)
R 
1 n

2 3 
 3 

ОБЛАДНАННЯ: лабораторна макетна плати OpenSystem OpAmp, вольтметр

типу В3-38 (або Щ4300), осцилограф типу С1-72.

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Ознайомитися зі стендом OpenSystem OpAmp.
2 На наборному полі схему в полі Inv Amplifier за допомогою з’єднувальних
перемичок зібрати схему підсилювача, що відповідає рисунку 2.
3 Зняти частотні характеристики каскаду при різних значеннях елементів
схеми. При знятті частотної характеристики на виході звукового генератора
необхідно піддержувати напругу постійною і змінювати частоту в межах
F = 20 ... 50000 Гц. Потрібно вибрати частоти: 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500 Гц; 1, 2, 5,
10, 15, 20, 50 кГц. Результати вимірювань занести в таблицю 1. По них необхідно
побудувати частотні характеристики.
4 На лабораторному стенді в полі Non-Inv Amplifier зібрати схему
підсилювача, приведену на рис. 3, а, опори взяти згідно розрахованих значень.
5 Зняти частотні характеристики каскаду при різних значеннях елементів
схеми. Результати вимірювань занести в таблицю 1. По них необхідно
побудувати частотні характеристики.

32
 Таблиця 1 – Дані спостережень
Uвx = const
Частота F, R1 = 1 кОм, R1 = 2 кОм, R1 = 5 кОм, R1 = 10 кОм,
lg F R2 = 10кОм R2 = 15 кОм R2 = 20 кОм R2 = 100 кОм
Гц
(поз. 1) (поз. 2) (поз. 3) (поз. 4)
U вих, B Y U вих, B Y U вих, B Y U вих, B Y
2 0,3
5 0,7
10 1,0
20 1,3
50 1,7
100 2,0
200 2,3
500 2,7
1 кГц 3,0
2 кГц 3,3
5 кГц 3,7
10 кГц 4,0
20 кГц 4,3
50 кГц 4,7
U вих .
Примітка: Y=
U вих. max

Таблиця 2 – Дані спостережень

Uвx = const
Частота F, R1 = 1 кОм, R1 = 2 кОм, R1 = 5 кОм, R1 = 10 кОм,
lg F R2 = 10кОм R2 = 15 кОм R2 = 20 кОм R2 = 100 кОм
Гц
(поз. 1) (поз. 2) (поз. 3) (поз. 4)
U вих, B Y U вих, B Y U вих, B Y U вих, B Y
2 0,3
5 0,7
10 1,0
20 1,3
50 1,7
100 2,0
200 2,3
500 2,7
1 кГц 3,0
2 кГц 3,3
5 кГц 3,7
10 кГц 4,0
20 кГц 4,3
50 кГц 4,7

33
 6 На лабораторному стенді в полі Inv Summing Amplifier та Non-Inv Summing
Amplifier, приведені на рис. 2,б та рис. 2,в, подати на входи суматора різні напруги,
зняти залежності вихідної напруги від суми вхідних напруг, порівняти отримані
характеристики із теоретичним значенням. Результати вимірювань занести в
таблицю 3.
Таблиця 3 – Дані спостережень
Inv Summing Amplifier Non-Inv Summing Amplifier
Uвх1, В Uвх2, В Uвих, В Uвх1, В Uвх2, В Uвих, В
–5 0 –5 0
–3 –1 –4 –1
–2 –2 –2 –2
0 –3 0 –3
2 –4 2 –4
6 –5 6 –5

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ

1 Охарактеризуйте призначення, параметри, характеристики й особливості

застосування ОП.
2 Наведіть схеми, що інвертують, що не інвертують ІМС ОП, визначте їхні
основні параметри та порівняйте їх характеристики.
3 Охарактеризуйте повторювачі, що не інвертує й інвертує напруги і приведіть
їхню схемну реалізацію.
4 Накресліть суматор напруг і охарактеризуйте його особливості.
5 Накресліть амплітудно-частотну характеристику ІМС ОП й операційного
підсилювача, виконаного на ІМС ОП, що вміщує елементи негативного зворотного
зв'язку. Порівняєте ці характеристики і зробіть висновки.
6 Як здійснюється і для чого призначена корекція частотних характеристик
ІМС ОП?

34
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 7
Тема: Дослідження схем диференційних підсилювачів
Мета: Вивчення принципу роботи, основних параметрів і характеристик
диференційних підсилювачів побудованих на ОП.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Диференційний підсилювач призначений для підсилення різниці двох вхідних
напруг. Стабілізація коефіцієнта підсилення диференційного підсилювача, так як в
інвертуючому і в неінвертуючому підсилювачах, відбувається завдяки негативного
зворотного зв‘язку.
Найпростіший диференційний підсилювач, що складається з одного ОП,
показаний на рисунку 1. Вихідну напругу такого підсилювача неважко визначити,
якщо скористатись формулами (7.1) і (7.3) для інвертуючого та неінвертуючого
підсилювачів. Розглядаючи вихідну напругу як суму двох незалежних складових,
одна з яких обумовлена сигналом U1, а інша – сигналом U2, отримуємо
R4  R2  R2
U вих  U 2 1 R  U (7.1)
R  1
R
R
3 4  1  1
Якщо прийняти:
R2 R3
 , (7.2)
R1 R4
то вихідна напруга буде змінюватись пропорційно різниці вхідних сигналів:
Uвих 
U1 (7.3)
U2  R2
R
1
Вихідні опори джерел вхідних
сигналів U1 і U2 включаються послідовно з
опорами R1 і R3 і впливають на коефіцієнти
підсилення цих сигналів. Якщо опори
джерел сигналів приблизно рівні, то
доцільно для дотримання співвідношення
(7.2) прийняти R3=R1 і R4=R2. В цьому
випадку наявність не рівних нулю опорів
джерел сигналів вплине на коефіцієнт
Рисунок 1 - Диференційний підсилення диференційного сигналу, але не
підсилювач буде приводити до порушення умови
“диференційності” підсилювача, тобто
коефіцієнт підсилення синфазного сигналу залишатиметься близьким до нуля.

35
 Недоліком найпростішого диференційного підсилювача є низькі вхідні опори і
складність регулювання коефіцієнта підсилення. Регулювання коефіцієнта
підсилення можлива лише шляхом одночасної зміни опорів двох резисторів
(наприклад, R2 і R4). В інакшому випадку буде порушуватись рівність (7.2).

36
 ОБЛАДНАННЯ: лабораторна макетна плати OpenSystem OpAmp, вольтметр
типу В3-38 (або Щ4300), осцилограф типу С1-72.

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Ознайомитися зі стендом OpenSystem OpAmp.
2 На наборному полі схему в полі Difference Amplifier за допомогою
з’єднувальних перемичок зібрати схему підсилювача, що відповідає рисунку 1.
3 Зняти частотні характеристики каскаду при різних значеннях елементів
схеми. При знятті частотної характеристики на виході звукового генератора
необхідно піддержувати напругу постійною і змінювати частоту в межах
F = 20 ... 50000 Гц. Потрібно вибрати частоти: 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500 Гц; 1, 2, 5,
10, 15, 20, 50 кГц. Результати вимірювань занести в таблицю 1. По них необхідно
побудувати частотні характеристики.

Таблиця 1 – Дані спостережень

Uвx = const
Частота F, R1 = 1 кОм, R1 = 2 кОм, R1 = 5 кОм, R1 = 10 кОм,
lg F R2 = 10кОм R2 = 15 кОм R2 = 20 кОм R2 = 100 кОм
Гц
(поз. 1) (поз. 2) (поз. 3) (поз. 4)
U вих, B Y U вих, B Y U вих, B Y U вих, B Y
2 0,3
5 0,7
10 1,0
20 1,3
50 1,7
100 2,0
200 2,3
500 2,7
1 кГц 3,0
2 кГц 3,3
5 кГц 3,7
10 кГц 4,0
20 кГц 4,3
50 кГц 4,7

U вих .
Примітка: Y=
U вих. max

37
 КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ

1 Охарактеризуйте призначення, параметри, характеристики й особливості

застосування диференційних підсилювачів.
2 Наведіть схеми, диференційних підсилювачів, визначите їхні основні
параметри і дайте порівняльну характеристику.
3 Охарактеризуйте диференційні підсилювачі із можливістю регулювання
коефіцієнта підсилення одним резистором.
4 Проаналізуйте особливості застосування інструментальних диференційних
підсилювачів, наведіть схемні реалізації, охарактеризуйте особливості побудови.

38
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 8
Тема: Дослідження схеми мультивібратора на транзисторах.
Мета: Ознайомитися з будовою та принципом дії мультивібратора з
колекторно-базовими зв’язками.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Схема мультивібратора з колекторно-базовим переходом та часові діаграми
його роботи показані на рисунку 1. Період повторення імпульсів вихідної напруги.
T = t31 + t32 = 0,7Rб1C1 + 0,7Rб2C2, (8.1)
де Rб1C1 = р1 – постійна часу розрядки ємності С1, яка визначає тривалість tз1
закритого стану транзистора T1;
Rб2C2 = р2 – постійна часу розрядки ємності С2, яка визначає тривалість tз2
закритого стану транзистора T2;
Якщо Rк1 = Rк2 = Rк, Rб1 = Rб2 = Rб, С1 = С2 = С, то мультивібратор буде
симетричним.
Режим відсічки закритого транзистора обумовлений тим, що в процесі розряду
конденсатора потенціал його обкладки, з’єднаної з базою транзистора, додатний
відносно загальної точки схеми. Режим насичення відкритого транзистора при
встановленому колекторному струмі забезпечується визначеним відношенням між
опорами резисторів Rк та Rб.

Рисунок 1 – Схема мультивібратора

Так як умова насичення транзистора

І кн
Iбн ≥ , (8.2)
β
де Iк.н та Iб.н – струми насичення колектора та бази, повністю відкритого транзистора,
 – коефіцієнт підсилення струму бази, то
Eк Eк
Rк β , або Rб ≤ Rк 
≥ (8.3)
Rб

39
 Рисунок 2 – Часові діаграми мультивібратора

З рисунку 2 видно, що фронти вихідних імпульсів мультивібратора після

закриття відповідних транзисторів, мають значно більшу довжину, ніж фронти
імпульсів, відповідних моментам відкриття транзистора. Довжина фронту імпульсів
після закриття транзистора визначається часом, на протязі якого конденсатор С1 або
С2 заряджається до напруги живлення. Ця протяжність, час відновлення, залежить
постійної часу  = Ікс заряду конденсатора та рівна
tв = 3 · 3 (8.4).
Так як звичайно Rб = 10 · Rк, то час відновлення становить частину періоду
повторення імпульсів. Тому, по-перше, вихідна напруга мультивібратора
відрізняються від прямокутних, що обмежує можливості його застосування, по-
друге, такий мультивібратор при несиметричній схемі стабільно працює тільки при
відносно невеликій скважності, що також є недоліком.
ОБЛАДНАННЯ: лабораторна установка ЛРС-2р, стенд для дослідження
мультивібратора, осцилограф С1-72, конденсатори С1=С4=0,1мкФ;
С2=С5=0,025мкФ; С3=С6=1470мкФ; резистори R2=R3=20кОм.
УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ
40
 ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ
1 Скласти схему для дослідження мультивібратора згідно схеми (рисунок 3).
2 Підключити мультивібратор до стенду ЛРС-2р. Встановити на виході
джерела напругу рівну 12В.
3 Зробити три досліди, змінюючи конденсатори в колах баз транзисторів, та
записати отримані дані.

Рисунок 3 – Схема установки

4 Розрахувати для дослідних схем періоди вихідних напруг та їх частоти за

формулою 8.1 та записати отримані дані.
5 Виміряти осцилографом період вихідних напруг дослідних схем та порівняти
їх з розрахунковими значеннями.
6 Розрахувати час відновлення за формулою 8.4 для кожної схеми та порівняти
з значеннями, що знайдені експериментально.
7 Зняти осцилограми вихідних напруг мультивібратора і вказати час
встановлення і період повторення імпульсів.
КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Від яких елементів залежить швидкість переключення мультивібратора?
2 Область застосування мультивібратора?
3 Які умови насичення транзистора в схемі простого мультивібратора?
4 В яких режимах працюють транзистори в схемі мультивібратора?

41
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №9
Тема: Дослідження роботи логічних елементів.
Мета: Дослідити роботу логічних елементів серії 74ххх.

ОБЛАДНАННЯ: лабораторний стенд для вивчення логічних схем на ІМС

OpenSystem Logic; комбінований прилад типу Щ4300, осцилограф типу С1-72.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Функцію, яку виконує комбінаційний пристрій, для полегшення сприйняття
часто представляють у вигляді таблиці, яку називають таблицею істинності.
Кількість стовпців цієї таблиці дорівнює числу змінних, що входять до функції і є
ще один стовбець, в якому вказують значення функції для кожної з можливих
комбінації вхідних змінних, числу яких відповідає кількість рядків таблиці.

Рисунок 1 – Позначення основних логічних елементів

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Ознайомитися зі стендом OpenSystem Logic.
2 На наборному полі за допомогою перемичок зібрати схеми для дослідження
логічних елементів в статичному режимі. Логічні «1» і «0» на входи подати від
тумблерів за допомогою комутації перемичок, Y-виходи з’єднати з
сигнальними індикаторами.
3 Результати роботи стану логічного елементу, в залежності від вхідних
сигналів, звести в таблицю істинності.

Таблиця 1 – Таблиця істинності станів логічних елементів

Y
Входи
Логічні елементи
І-НЕ АБО-НЕ Виключне
A B І (AND)
(NAND)
АБО (OR)
(NOR) АБО (XOR)
НЕ (NOT)

0 0
0 1
1 0
1 1

4 Скласти схему для дослідження мікросхеми 7450 (К155ЛР1) в статичному

режимі. Роботу елемента «2-2І-АБО-НІ» звести в таблицю істинності.

42
 Х1 Х2 Х3 Х4 Y
0 1 0 0
0 1 0 1
1 1 0 1
0 0 0 0
1 1 1 1

Рисунок 2 - Схема логічного елемента та таблиця істинності

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Які найпростіші функції логічних елементів Ви знаєте?
2 Наведіть можливі способи реалізації простих логічних функцій за
допомогою електронних пристроїв.
3 Поясніть, що таке багатоемітерний транзистор?
4 Пояснити, чому елементи КМОН-логіки дешеві у виготовленні?

43
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 10
Тема: Дослідження роботи тригерів на логічних елементах та інтегральних
схемах
Мета: Вивчити роботу RS-, JК- і D- тригерів.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Практично всі електронно-цифрові обчислювальні машини суміщають функції
обробки інформації з функцією її зберігання. Невід’ємною частиною таких
пристроїв є елемент пам’яті. В арифметичних і логічних пристроях для зберігання
інформації частіше всього використовують тригер в інтегральному виконанні.
Найпростіший RS-тригер з прямими входами збирається на елементах
АБО – НІ, а з інверсними входами збирається на елементах І – НІ (рисунок 1).

Рисунок 1 – Схеми RS-тригерів

Тригери більш складної структури, наприклад, D-тригер зображено на

рисунку 2, вони реалізують в одній ІМС як два D-тригера в одному корпусі ІМС.
Входи S і R – асинхронні. При подачі на S і R логічної «1» тригером керують входи
D і С. При D=1 тригер встановлюється в «1» при надходженні на вхід С
синхроімпульсу, скидання тригера виконується так само, тільки в цьому випадку
D=0. Для роботи в лічильному режимі тригер змінює свій стан від кожного імпульсу,
що надходить на вхід С.

Рисунок 2 – D-тригер та його часова діаграма

Для організації лічильного режиму необхідно з’єднати вихід Q з входом D.
Цей режим забезпечується за рахунок затримки сигналу при проходженні від входу
до виходу.
На рисунку 3 реалізований JK-тригер.
44
 Рисунок 3 – JK-тригер та його часова діаграма

Входи S i R – асинхронні, входи J і K, об’єднані по 3І, керовані, тобто при

S=R=1, J=1, K=0 тригер встановлюється в «1» при тих же умовах, але J=0, К=1
тригер скидається по фронту зрізу першого імпульсу. При S=R=J=K=1 тригер
працює в лічильному режимі.

ОБЛАДНАННЯ: стенд для вивчення тригерних схем на ІМС OpenSystem

Trigger, осцилограф С1-72, комбінований прилад Щ4300.

УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Ознайомитися зі стендом OpenSystem Trigger.
2 На наборному полі за допомогою з’єднувальних перемичок зібрати схеми
RS-тригерів відповідно рисунку 1. Логічні «1» і «0» на входи подати від тумблерів
за допомогою комутації перемичок, Q-виходи з’єднати з сигнальними індикаторами.
Результати дослідів занести в таблицю 1.
3 За допомогою перемичок з’єднати входи D-тригера S, R, D і С з тумблерами.
Спостерігати встановлення і скидання тригера в залежності від логічних рівнів
напруги на входах. Звернути увагу на те, що при подачі на S- або R- входи логічного
«0» на стан D-тригера не впливають ніякі зміни логічних рівнів на D- і С- входи.
Спостерігати також «перекидання» тригера при зміні рівня напруги на вході С від
«0» до «1». Результати занести в таблицю 1.
4 З’єднати вхід D з виходом Q і подати на вхід С імпульси з генератора (1, 2,
5, 10 Гц). Зняти осцилограми вхідних і вихідних імпульсів, спостерігати поділ
частоти на 2. Виміряти протяжність tu вих., tu вх., Твх., Твих.
5 За допомогою з’єднувальних перемичок провідників з’єднати входи
JK-тригера J, K і C з тумблерами. Спостерігати «перекидання» тригера в залежності
від значень J і K при переході рівня на вході С від «1» до «0».
6 Залишивши вільними всі входи JK-тригера, що ідентично подачі на них «1»,
на вхід С з генератора подаємо імпульси, на виході Q спостерігаємо вихідні
імпульси.

45
 Таблиця 1 – Дані спостережень
RS-тригер з RS-тригер з
інверсним прямим D-тригер JK-тригер
входом входом
S R Q S R Q S R Д C Q S R J K C Q
0 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1

0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1

1 0 1 0 1 1 1 0/1 1 1 1 0 1/0

1 1 1 1 1 1 0 0/1 1 1 0 1 1/0
Примітка: «0/1» – перехід від «0» до «1»; «1/0» – перехід від «1» до «0».

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Назвіть різновиди тригерів.
2 По яким признакам поділяються тригери?
3 Чому тригери в лічильному режимі ділять частоту вхідних імпульсів на 2?
4 Для яких цілей можна використовувати тригери в інтегральному виконанні?

46
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 11
Тема: Дослідження однофазних випрямлячів малої потужності.
Мета: Дослідження форми випрямленої напруги для різних схем
випрямлячів, визначення коефіцієнтів пульсацій.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Випрямляч складається з трансформатора який перетворюючого змінну
напругу мережі до потрібної величини і гальванично розділяє електричні кола;
вентилів які проводять електричний струм в одному напрямку; фільтр який згладжує
пульсації випрямленої напруги (рисунок 1).

Рисунок 1 - Структурна схема випрямляча

В роботі в якості вентилів використовують діоди в таблиці 1 наведені

електричні параметри деяких із них.

Таблиця 1 – Параметри діодів

Постійна обернена Постійний Середній
Маркування напруга Uоб.max, обернений струм випрямлений
B Іоб.max, мкА струм Іс.max, мА
Д226 400 100 300
Д237 600 50 300
КД202 600 1000 3000
КД209 800 100 700
В роботі досліджуються дві схеми випрямлячів рисунку 2 на
напівпровідникових діодах однонапівперіодна та двонапівперіодна мостова схема.
Частота пульсацій напруги в однонапівперіодній схемі дорівнює частоті
мережі, в двонапівперіодній схемі – частота подвоюється.
Коефіцієнт пульсації визначається відношенням амплітуди першої гармоніки
на виході випрямляча до середнього значення випрямленої напруги
Uт
КП  (11.1)
UО
Найпростіші схеми випрямлячів дають дуже великий Кп, тому до їх вхідних
контактів підключають згладжуючі фільтри.

47
 R1 S3
VD1S1
S2 S4 R2
VD1...VD4 L Rн
C1 C2

Рисунок 2 – Схема установки

ОБЛАДНАННЯ: лабораторна установка типу ЛРС-2р, Джерело струму типу

ИЭПП-1, осцилограф типу С1-72, вольтметр змінного струму типу В3-38,
міліамперметр аналоговий. Номінал потенціометра Rн вибираємо в залежності від
бажаного струму навантаження, R2 встановлюється для того, щоб запобігти
короткого замикання випрямляча при Rн=0.

УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ

ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Скласти схему лабораторної установки згідно рисунку 2.
2 Зарисувати зображення кривих з екрана осцилографа.
3 Виміряти постійну напругу Uо, вольтметром постійної напруги, напругу
пульсацій Uп, вольтметром для вимірювання змінної напруги і результат занести в
таблицю 2.
4 Визначити коефіцієнт пульсацій Кп однонапівперіодної та
двонапівперіодної схем випрямлячів, без фільтрів.
2 U
КП  (11.2)
UO
Таблиця 2 – Дані спостережень
Однонапівперіодна Двонапівперіодна
схема схема
Uо,В
Uм,В
Кп

48
49
 КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Пояснити призначення елементів схеми випрямляча?
2 Зобразити вольтамперну характеристику випрямляючого діода.
3 Назвіть відомі вам схеми двонапівперіодних випрямлячів.
4 Від чого залежить зміна напруги Uо при зміні Іо на зовнішній характеристиці
випрямляча?
5 Від чого залежить частота пульсацій випрямленої напруги?
6 Де застосовують випрямлячі?

50
 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №12
Тема: Дослідження схем згладжувальних фільтрів.
Мета: Дослідження форми напруг для різних схем згладжувальних фільтрів.

ЗАГАЛЬНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Випрямляч складається з трансформатора перетворюючого змінну мережну
напругу до потрібної величини; вентилів які проводять електричний струм в одному
напрямку; фільтр який згладжує пульсації випрямленої напруги (рисунок 1). В нашій
роботі в якості вентилів використовують діоди. В таблиці 1 наведені електричні
параметри деяких із них.

Рисунок 1 – Блок-схема випрямляча ТАБЛИЦЯ 1 –

Довідникові дані діодів

Постійний Середній
Постійна обернена
Маркування обернений струм випрямлений
напруга Uоб.max, B
Іоб.max,мкА струм Іс.max, мА
Д226 400 100 300
Д237 600 50 300
КД202 600 1000 3000
КД209 800 100 700

В роботі досліджуються дві схеми випрямлячів (рисунок 2) на

напівпровідникових діодах однонапівперіодна та двохнапівперіодна мостова.
Частота пульсацій напруг в однонапівперіодній схемі дорівнює частоті мережі,
в двонапівперіодній схемі – частота подвоюється.
Коефіцієнт пульсації визначається відношенням амплітуди першої гармоніки
на виході випрямляча до середнього значення випрямленої напруги
Uт
КП  (12.1)
UО
Найпростіші схеми випрямлячів дають дуже великий Кп, тому до їх вхідних
контактів підключають згладжуючі фільтри.

51
 R1 S3
VD1S1
S2 S4 R2
VD1...VD4 L Rн
C1 C2

Рисунок 2 – Схема установки

Для згладжування використовують Г або П-подібні фільтри, які включають в

себе дроселі, конденсатори та резистори. Частіше всього використовують LC-
фільтри, які забезпечують хороше згладжування пульсацій при різних
навантаженнях.
Конденсатор фільтра С включають паралельно навантаженню Rн і він не
пропускає змінну складову струму в навантаження, так як ємнісний опір набагато
менший опору навантаження. Дросель L включають послідовно з навантаженням Rн
і змінна напруга не проходить через дросель на навантаження. Якість фільтра можна
оцінити коефіцієнтом згладжування

Кзг  КП.ВХ
, (12.2)
КП.ВИХ
де Кп.вх і Кп.вих – відповідно коефіцієнти пульсацій на вході і виході згладжуючого
фільтра випрямляча. Чим менше змінюється напруга на навантажені Uо при зміні Іо,
тим більша якість випрямляча. Залежність напруги від струму навантаження
випрямляча називають зовнішньою характеристикою випрямляча.

ОБЛАДНАННЯ: лабораторна установка типу ЛРС-2р, джерело струму типу

ИЭПП-1, осцилограф типу С1-72, вольтметр змінного струму типу В3-38,
міліамперметр аналоговий. Номінал потенціометра R1 вибирають в залежності від
бажаного струму навантаження, R2 встановлюється для того, щоб запобігти
короткого замикання випрямляча при R2=0.

УВАГА! ДОТРИМУЙТЕСЬ ПРАВИЛ ТЕХНІКИ БЕЗПЕКИ

52
 ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1 Скласти схему лабораторної установки.

2 Занести в таблицю 2 значення коефіцієнта пульсацій двохнапівперіодного
випрямляча на вході фільтра.
3 Виміряти значення постійної та змінної напруги на виході фільтра, отримані
результати вимірювань занести в таблицю 2.
4 Розрахувати коефіцієнт пульсацій кожного фільтра по формулі (2) і занести в
таблицю 2.
К 
2 U П
П (12.3)
UO
5 Розрахувати коефіцієнти згладжування кожного фільтра і занести в таблицю 2.
6 Зняти зовнішню характеристику випрямляча для випадків відсутності фільтра і
наявності П-подібного фільтра струм навантаження Іо змінювати регулюванням Rн.
7 Отримані результати вимірювань занести в таблицю 3.
8 Побудувати по отриманим даним графік залежності Uо = f (Iо)

Таблиця 2 – Дані спостережень

Напруга на Напруга на виході фільтра
вході П-подібний
C-фільтр LC-фільтр
фільтра фільтр
Uп,В
Uо,В
Кп 0,67
К зг —

Таблиця 3 – Дані спостережень

Uо,В
Іо,мА П-подібний
Без фільтра C-фільтр LC- фільтр
фільтр

53
 КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1 Пояснити призначення елементів схеми випрямляча та фільтра?
2 Від чого залежить частота пульсацій випрямленої напруги?
3 З яких співвідношень виходять при виборі елементів згладжувального фільтра?
4 Коли використовуються багатоланцюгові фільтри?
5 Коли застосовується резисторно-ємнісний фільтр?
6 З яких співвідношень виходять при виборі елементів фільтра?

54
 РЕКОМЕНДОВАНА ЛІТЕРАТУРА

1 Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Промислова електроніка та

мікросхемотехніка. – К.: Каравела, 2003.
2 Гершунский Б.С. Основи электроники и микроэлектроники.– К.: Выща шк.,
1989.
3 Квітка С.О., Яковлєв В.Ф., Нікітіна О.В. Електроніка та мікросхемотехніка /
За заг. ред. проф. Яковлєва В.Ф. – Суми, 2012.
4 Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Електроніка та мікросхемотехніка. – К.:
Каравела, 2009.
5 Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приемно-
усилительные устройства: Справочник радиолюбителя. – К.: Издательство
«Наукова думка»: Редакция справочной литературы, 1989.

ІНФОРМАЦІЙНІ РЕСУРСИ

1. [Електронний ресурс] : cайт National Instruments / Automated Test and

Automated Measurement Systems - National Instruments. – Режим доступу:
https://www.ni.com/en-gb.html
2. [Електронний ресурс] : cайт Labcenter Electronics / PCB Design and Circuit
Simulator Software - Proteus. – Режим доступу: https://www.labcenter.com
3. [Електронний ресурс] : cайт Intel / Intel Data Center Solutions, IoT, and PC
Innovation. – Режим доступу: https://www.intel.com/content/www/us/en/homepage.html
4. Інтернет-ресурси виробників електронних пристроїв та компонентів.

55