Раманівська спектроскопія мезопоруватих шарів кремнію

© Баранчиков Захар Олегович, Макаренко Олексій Володимирович

Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет, кафедра

оптики, 03680,Київ

Використовуючи метод електрохімічного травлення та після анодної обробки було

створено шари поруватого кремнію з різною поруватістю та розміром пор. За допомогою
раманівської спектроскопії було дослідженно поверхню отриманих зразків та виявленно, що
середні розміри кремнієвих кристалітів в поруватому кремнії зменшуються зі зростанням
поруватості та розміру пор. Ключові слова: Поруватий кремній, Раманівська
спектроскопія, морфологія.

1. Вступ Раманівська спектроскопія дозволяє

Наноструктурований кремній, зокрема аналізувати хімічний та фазовий стан
поруватий кремній, є перспективним матеріалу, що є важливим для
матеріалом для різних застосувань, використання кремнію в різних
таких як датчики, оптоелектроніка, застосуваннях. У наших дослідженнях,
електроніка та сонячні елементи. використовуючи раманівські спектри,
Висока питома площа поверхні та визначили розмір нанокристалів та інші
біосумісність роблять його параметри поруватого кремнію.
привабливим для біології та медицини, Спектральний аналіз дозволив
включаючи застосування в визначити зсуви та оцінити розміри
біосенсориці. Дослідження морфології кристалітів за формулами Кардона і
та властивостей поруватого кремнію Раманівського:
має значення для розвитку фотоніки та
застосування у фотонічних пристроях
d=2 π
√ B
Δω
та біомедицині. (1)

2. Методи і Дані де В= 2,24 см-1 для кремнію, Δ ω- зсув

Для вивчення структури поруватого піку комбінаційного розсіяння світла в

кремнію застосовують комбінаційне поруватому кремнії відносно піку

розсіяння (Раманівське) світла та кристалічного кремнію а форма лінії

атомно-силову мікроскопію. може бути обчислена за допомогою

аналітичної формули ω(q) = А-Вq2, де А=520,5 см-1 та В=120

см-1.

Ми використовували спектрометр Рис 1. Спектри поруватого

Renishaw RM1000 з LEICA DMLM кремнію
мікроскопом, оснащеним лазером УС- Зі збільшенням поруватості показник
05 II, що генерував лазер з довжиною низькочастотного плеча значно
хвилі 532 нм (зелений спектр), збільшувався( помітно сильно у
потужністю 10 мВт і роздільною поруватого кремнія>60%), а внесок
здатністю 0,2 см-1, для реэстрації аморфної фази ставав суттєвішим, як
раманівського випромінення. вказує спектроскопія Рамана. Розміри

3. Результати ті їх обговорення кремнієвих кристалітів у мезопоруватій

структурі зменшувалися зі зростанням
поруватості, підтверджуючи
гравіметричні виміри та вказуючи на
велику різницю у розмірах пор.
Індукований лазером нагрів матеріалу
призводив до фазових перетворень,
особливо в областях з меншою
теплопровідністю високопоруватого
кремнію.

4. Висновки зразків 1 та 3, (поруватість 70, 71,5 %),

які схожі за поруватістю. Ймовірним
А)Застосовуючи метод раманівської
поясненням можуть бути як похибка
спектроскопії, було оцінено середні
гравіметричного методу, так і
розміри кремнієвих кристалітів в
неоднорідність зразків за глибиною.
мезопоруватому кремнії та показано,
В) Виміри в другій точці для всіх зразків
що вони зменшуються зі збільшенням
мали менш за інтенсивні піки, окрім,
поруватості зразків з 7,7 нм при 39,9%
зразка №1 (70%), в якого спектри в обох
до 2,4 нм при 70%.
точках співпадають. Зменшення
Б) Зміщення положення піку на 520 см-1
інтенсивності зумовлено нагріванням
добре корелює с поруватістю окрім
поверхні зразка лазером, внаслідок [9] I. H. Campbell and P. M. Faucher, “The effects of
microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of
чого, кристали кремнію змінили свою crystalline semiconductors”, Solid State Communications, vol.
58, 739-741, (1986).
форму з квадратної на гексагональну.
[10] Yukhymchuk, V.O.; Dzhagan, V.M.; Valakh, M.Y.;
Зразок №1 не зазнав змін від
Klad’ko, V.P.; Gudymenko, O.J.; Yefanov, V.S.; Zahn, D.R.T.
нагрівання. In Situ Photoluminescence/+Raman Study of Reversible Photo-
Induced Structural Transformation of Nc-Si. Mater. Res.
Г) Було помічено зростання в Express 2014, 1, 045905.

інтенсивності піків LA та TA(X,L) в

низькочастотній області при збільшенні
поруватості зразків.
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ
ЛІТЕРАТУРИ

[1] Hamilton, B. (1995). Porous silicon. Semiconductor Science

and Technology, 10(9), 1187–1207. doi:10.1088/0268-
1242/10/9/001

[2] Взаємозв'язок морфології пористого кремнію з

особливостями спектрів комбінаційного розсіювання світла,
Б.М. Булах, Б.Р. Джумаев, Н.Е. Корсунская, О.С. Литвин,
Т.В. Торчинская, Л.Ю. Хоменкова, В.А. Юхимчук.,Физика
и техника полупроводников.,2002., С. 6.

[3] . Шевченко В.Б. Поруватий кремній: синтез, властивості,

використання. Навчальний посібник. В.: Нилан ЛТД, 2019.-
132 с.

[4] Hamilton, B. (1995). Porous silicon. Semiconductor Science

and Technology, 10(9), 1187–1207. doi:10.1088/0268-
1242/10/9/001

[5] Raman analysis of lightemitting porous silicon Zhifeng Sui,

Patrick P. Leong, Irving P. Herman, Gregg S. Higashi, and
Henryk Temkin Citation,1992. Appl. Phys. Lett. 60 р., 2086;
doi: 10.1063/1.107097

[6] Romain Guider, Cristina Traversa and Paolo Bettotti.

Mechanical stress relief in porous silicon free standing
membranes OPTICAL MATERIALS EXPRESS, Vol. 5, No. 10
| DOI:10.1364/OME.5.002128

[7] I. Iatsunskyi, G. Nowaczyk, S. Jurga, V. Fedorenko, M.

Pavlenko, and V. Smyntyna, One and two-phonon Raman
scattering from nanostructured silicon, Optik,Volume 126, Issue
18, 2015, Pages 1650-1655, ISSN 0030-4026,
https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2015.05.088.

[8] Y. Duan, J. F. Kong, W. Z. Shen, J. Raman Spectrosc. 43(6)

(2012) 756-760.