Міністерство освіти і науки України

Харківський національний університет радіоелектроніки

РЕФЕРАТ

З дисципліни
«Теорія та техніка квантово-розмірних приладів»

Наноелектроніка

Студента групи ЕППм-23-1

Ромащенко В.О.
Спеціальності 171 «Електроніка.
Електронні прилади та пристрої»

Керівник:
Доцент кафедри МЕЕПП, кандидат фізико-
математичних наук, Пащенко О. Г.

Національна шкала

Кількість балів: Оцінка ЕСТS

Члени комісії
(Підпис) (Прізвище та ініціали)

(Підпис) (Прізвище та ініціали)

(Підпис) (Прізвище та ініціали)

Харків 2023
 Зміст

ВСТУП………...……………………………………………………………... 3

1. Принцип квантуванняя в умовах спостереження квантових розмірних

ефектів …………………………………………………………..………... 5
2. Структури с двомірним електроним газом ……………………......…... 7
3. Структури с одномірним електронним газом (квантові нитки) ......….. 8
4. Структури с нуль-мірним електронним газом (квантові точки)…….…9
5. Структури с вертикальним переносом……...…………..………….…. 10
6. Технологія квантово-розмірних структур.

Метод молекулярно-променевої епітаксії ……………………………. 12

7. Застосування квантово-розмірних структур в приладах

наноелектроніки.
7.1. Лазери з квантовими ямами та точками ..……………..………...15
7.2. Фотоприймачі на квантових ямах ……….………….……..…… 17
7.3. Квантово-точкові клітинні автомати та безпровідна електронна
логіка……………………………………………………………… 22
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ ………………………………... 26

2
 ВСТУП

Донедавна фізики та інженери електронники у своїх розрахунках

використовували тільки закони класичної фізики. І це було цілком
виправдано, тому що, наприклад, електрони в кінескопі рухаються так само,
як класичні матеріальні точки. Таких прикладів можна навести дуже багато.
Однак ситуація змінюється. Інтегральні схеми стають дедалі складнішими і
об'єднують у собі дедалі більшу кількість елементів, отже, мають
зменшуватися розміри цих елементів. Ці розміри досягли часток мікрона. У
цей момент опис мовою класичної фізики втрачає будь-який сенс і творці
змушені звернутися до квантової механіки.
У класичній фізиці електрони, як і всі інші частинки, рухаються за
траєкторіями. У будь-якому разі, задавши початкову координату й імпульс,
можна обчислити траєкторію.
У квантовій механіці картина руху зовсім інша. Ця теорія не описує рух по
траєкторії. Тут накладається обмеження на точність, з якою можуть бути
задані початкова координата та імпульс електрона. Якщо координата
електрона відома з точністю x, то його імпульс можна визначити не точніше,
ніж p≥h/2𝜋x. Це співвідношення невизначеностей Гейзенберга. Із цього
співвідношення видно, що дуже точне завдання координати електрона
призводить до великої невизначеності імпульсу і, отже, напрямок, за яким
рухатиметься електрон, передбачити неможливо.
Фізики вже накопичили великий досвід у розробленні приладів, дія яких
заснована на квантовомеханічних принципах. Укладаючи атоми з точністю
до одного-двох шарів, можна створювати штучні кристали, молекули й атоми
із заданими властивостями. Такі напівпровідникові структури мають розміри
порядку декількох нанометрів. Можна виділити кілька основних типів

3
мікроструктур: квантові ями, нитки, точки, надгратки. Про них тією чи іншою
мірою і піде мова.

4
 РОЗДІЛ 1 ПРИНЦИП КВАНТУВАННЯ В УМОВАХ
СПОСТЕРЕЖЕННЯ КВАНТОВИХ РОЗМІРНИХ ЕФЕКТІВ

Як має бути відомо читачеві, електрон має корпускулярно-хвильовий дуалізм.

Отже, він може випробовувати інтерференцію, проникати через вузькі
щілини та бар'єри, але водночас зберігає ознаки звичайної частинки. Він має
чітко визначену масу і заряд. Крім того, електрон, подібно до класичної
частинки, має імпульс і енергію.
Необхідно сказати про головну особливість квантовомеханічного опису.
Якщо в деякий момент часу частинка перебувала в обмеженій ділянці
простору, то в майбутньому неможливо достовірно передбачити її місце
розташування. Можна говорити про розподіл частинки в просторі та про
ймовірність цього розподілу. Величина, що описує цей розподіл, отримала
назву 𝜓-функції або хвильової функції. Вона не описує усереднену поведінку
великої кількості електронів або одного електрона, заряд якого "розмазаний"
по всьому простору, вона дає ймовірнісний, статистичний опис окремого
електрона. Інтенсивність цієї функції, а точніше, її квадрат |𝜓 2 | визначає
ймовірність виявити частинку в тій чи іншій області, точніше, ймовірність
виявити частинку в інтервалі x дорівнює |𝜓 2 |x. Хвильова функція - це
основна характеристика квантової системи. Вона містить повну інформацію
про електрони або інші частинки в атомі, молекулі, кристалі.
Необхідно розглянути один із проявів суто квантової природи електрона.
Відомо, що хвилі різної фізичної природи, що збуджуються в обмеженому
об'ємі, мають чітко визначену довжину хвилі і частоту. У тому випадку, коли
рух електрона відбувається в обмеженій ділянці, його енергія має строго
визначені, дискретні значення. Кажуть, що спектр енергій квантований. Якщо
електрон замкнений в атомі, молекулі або будь-якій потенційній ямі, то

5
хвильова функція 𝜓 представляє стоячу хвилю. Якщо йдеться про
прямокутну потенційну яму, що зображена на малюнку, то за своєю формою
хвиля буде такою самою, як і у випадку натягнутої струни, однак, по-перше,
природа хвилі тут інша, а по-друге, дискретним у цьому разі буде не спектр
частот, а спектр енергій. Стоячі хвилі, що описують електронні стани в ямі, -
це синусоїди, що обертаються в точках x=0 і x=a в нуль. 𝜓𝑛 (x) =
(√(2/a))sin(𝜋xn/a) , де n - номер квантового стану, a - розмір ями. На цьому
малюнку зображено три такі функції, що
відповідають n = 1, 2, 3, ... Видно, що електронна
густина в ямі розподіляється
нерівномірно, є максимуми і мінімуми густини
ймовірності. Також випливає, що довжини
хвиль 𝜓 -функцій, що описують електронні
стани з різними n, задовольняють умовам 𝜆𝑛 /2 = a/n, тобто в ямі вкладається
ціле число напівхвиль.

Для спостереження квантових розмірних ефектів відстань між енергетичними

рівнями має бути досить великою. Насамперед вона має значно
перевершувати теплову енергію носіїв: En+1 - En >> kT, інакше
спостереження ефектів буде неможливим. Якщо електронний газ вироджений
і характеризується енергією Фермі 𝜍, то бажано також виконання умови En+1
- En ≥ 𝜍, при цьому перша умова виконується автоматично, тому що kT << 𝜍;
інакше квантові ефекти мають вельми малу відносну величину. Існують й
інші умови, пов'язані з розсіюванням носіїв на домішках, фононах тощо.

6
 РОЗДІЛ 2 СТРУКТУРИ З ДВОМІРНИМ ЕЛЕТРОННИМ ГАЗОМ

Одним із прикладів таких структур є тонкі плівки. У такій структурі один із

напрямків (z) дуже малий, отже, енергетичний спектр у цьому напрямку
можна описати формулою En = (ℎ𝑛/𝑎)2 /8m, де m - ефективна маса електрона,
a - товщина плівки, оскільки в цьому напрямку утворюється потенційна яма.
У решті двох напрямках електрони можу пересуватися вільно. Утворену
потенційну яму треба вважати нескінченно глибокою, отже, En мають бути
малі порівняно з дійсною глибиною ями Ф. Дана умова призводить до
товщини плівки порядку нанометрів, що відповідає кільком міжатомним
відстаням. Повна енергія носіїв у квантово-розмірній плівці має змішаний
дискретно-безперервний спектр: E = En +(𝑝𝑥2 +𝑝𝑦2 )/2m, де 𝑝𝑥 і 𝑝𝑦 - компоненти
імпульсу в площині шару.

Виробництво таких тонких плівок у явному вигляді вельми проблематичне, і

тому спостереження здебільшого проводять на МДП-структурах, де як тонка
плівка виступає діелектрик. Але нині ефекти спостерігають на
гетероструктурах (контакти між п/п з різною шириною забороненої зони). На
такому контакті краї енергетичних зон зазнають стрибків, що обмежують рух
носіїв і відіграють роль стінок квантової ями.

7
РОЗДІЛ 3 СТРУКТУРИ З ОДНОМІРНИМ ЕЛКТРОННИМ ГАЗОМ
(КВАНТОВІ НИТКИ)

У такій структурі два напрямки (y і z) дуже малі, отже, енергетичний спектр

у кожному напрямі можна описати формулою En = = (ℎ𝑛/𝑎)2 /8m, де a -
товщина плівки в даному напрямі, тому що в цьому напрямі утворюється
потенційна яма. У напрямку, що залишився (x), електрони можуть
пересуватися вільно. Утворену потенційну яму треба вважати нескінченно
глибокою, отже, En мають бути малі порівняно з дійсною глибиною ями Ф.
Дана умова призводить до товщини нитки порядку нанометрів. Повна
енергія носіїв у квантово-розмірній нитці, аналогічно тонким плівкам, має
змішаний дискретно-безперервний спектр: E = Enm + 𝑝𝑥 2/2m, де 𝑝𝑥 -
компонента імпульсу в напрямку нитки (x).

8
 РОЗДІЛ 4 СТРУКТУРИ З НУЛЬ-МІРНИМ ЕЛЕТРОННИМ ГАЗОМ
(КВАНТОВІ ТОЧКИ)

У такій структурі всі напрямки (x,y і z) дуже малі, отже, енергетичний спектр
у кожному напрямі можна описати формулою En = (ℎ𝑛/𝑎)2 /8m, де a -
товщина плівки в даному напрямі, тому що в цьому напрямі утворюється
потенційна яма. Утворену потенційну яму треба вважати нескінченно
глибокою, отже, En мають бути малі порівняно з дійсною глибиною ями Ф.
Дана умова призводить до розміру точки порядку нанометрів. Повна енергія
носіїв квантової точки також має змішаний дискретно-безперервний спектр:
E = 𝐸𝑛𝑚𝑙 . Такі структури особливо цікаві тим, що їхні властивості аналогічні
властивостям дискретного атома, тому їх іноді називають штучними атомами.

9
 РОЗДІЛ 5 СТРУКТУРИ З ВЕРТИКАЛЬНИМ ПЕРЕНОСОМ

Реальні експериментальні зразки містять велику кількість однакових або

майже однакових квантових об'єктів. Як правило, це не змінює фізичної
картини, тому що внески від усіх об'єктів просто підсумовуються. Ситуація
різко змінюється, якщо окремі об'єкти розташовані так близько один до
одного, що носії заряду можуть тунелювати між ними.
Розглянемо систему паралельних квантових ям, показану на рис. 5.1, з дуже
тонкими (порядку одиниць нанометрів) широкозонними розділювальними
шарами. При цьому ями вже не є незалежними і можуть

Рис. 5.1
обмінюватися електронами завдяки тунелюванню через широкозонний шар.
Подібні структури прийнято називати структурами з вертикальним
перенесенням. Малюнок відповідає системі квантових ям, але, піддавши цю
систему літографічній процедурі, можна мати систему квантових ниток або
точок, між якими можливе вертикальне перенесення. Подібні структури
слугують основою для низки приладів наноелектроніки.
Якщо кількість паралельних шарів у структурах із вертикальним
перенесенням велика (щонайменше кілька десятків), ми маємо штучну
періодичну структуру, або надгратку. Найважливішою властивістю
надграток, що визначає всі їхні унікальні фізичні властивості, є видозміна
їхнього енергетичного спектра порівняно зі спектром одиночної квантової
ями. З малюнка видно, що на електрони і дірки в надгратці діє додатковий

10
прямокутний потенціал V(z), пов'язаний із розривами зон на гетерокордонах.
Цей потенціал є періодичним, як і потенціал кристалічної решітки, і до нього
застосовні всі основні висновки про властивості рівняння Шредінгера з
періодичним потенціалом.
Рух носіїв уздовж осі z (вісь надгратки) може бути описаний за допомогою
квазіімпульсу 𝑝𝑧 , причому енергія є періодичною функцією з періодом h/(а +
b). Енергетичний спектр має зонний характер і являє собою чергування
дозволених і заборонених зон. Ці зони є результатом дроблення вихідної зони
провідності (для електронів) і валентної зони (для дірок), тому їх прийнято
називати мінізонами.
Між енергетичними спектрами надгратки та звичайної кристалічної решітки
існують великі відмінності.
По-перше, зонним спектром характеризується лише рух уздовж осі надгратки
z. У площині шарів носії рухаються як вільні і повний спектр надгратки різко
анізотропний, так само як у розглянутих вище двовимірних системах.
По-друге, завдяки тому, що період надгратки набагато більший, ніж параметр
решітки кристала, характерний масштаб енергій та імпульсів у спектрі
виявляється значно меншим. Характерні ширини мінізон вимірюються
десятими або сотими частками електронвольта, що можна порівняти з
тепловою енергією електрона. Тому рух по мінізоні не можна описати
постійною ефективною масою. Динаміка в напрямку осі надгратки має
складний характер, що спричиняє низку незвичайних ефектів.

11
 РОЗДІЛ 6 ТЕХНОЛОГІЯ КВАНТО-РОЗМІРНИХ СТРУКТУР.
МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНО-ПРОМЕНОВОЇ ЕПІТАКСІЇ

Молекулярно-променева епітаксія (МПЕ) являє собою вдосконалений

різновид методики термічного напилення в умовах надвисокого вакууму.
Тиск залишкових газів у вакуумній камері підтримується нижче 10−8 Па
(~10−10 мм рт. ст.).
Потоки атомів або молекул утворюються завдяки випаровуванню рідких або
сублімації твердих матеріалів, які розташовуються в джерелі - ефузійній
комірці. Ефузійна комірка являє собою циліндричний або конічний тигель
діаметром 1-2 см і довжиною 5-10 см. На виході комірка має круглий отвір -
діафрагму діаметром 5-8 мм. Для виготовлення тигля використовують
піролітичний графіт високої чистоти або нітрид бору ВN.
Потоки атомів (або молекул) необхідних елементів спрямовуються на
підкладку й осідають там з утворенням речовини необхідного складу.
Схематичне зображення основних вузлів установки МПЕ наведено на Рис 6.1.

Кількість ефузійних осередків залежить від складу плівки і наявності

легуючих домішок. Для вирощування елементарних напівпровідників (Si, Ge)
потрібне одне джерело основного матеріалу і джерела легуючих домішок n- і
р-типу. У разі складних напівпровідників (подвійних, потрійних сполук)
потрібне окреме джерело для випаровування кожного компонента плівки.
Температура ефузійної комірки визначає величину потоку частинок, що
надходять на підкладку, і ретельно контролюється. Управління складом
основного матеріалу і легуючих домішок здійснюється за допомогою
заслінок, що перекривають той чи інший потік. Якщо під час вирощування
структури потрібно різко змінювати концентрацію однієї і тієї ж домішки, то

12
використовують кілька джерел цієї домішки при різній температурі ефузійної
комірки. Однорідність складу плівки за площею та її кристалічна структура
визначаються однорідністю молекулярних пучків. У деяких випадках для
підвищення однорідності підкладка зі зростаючою плівкою постійно
обертається.

Рис. 6.1
1-підкладка; 2-зростаюча плівка;
3-заслінки; 4-ефузійні комірки.
Вирощування високоякісних епітаксіальних шарів методом МПЕ вимагає
ретельності в підготовці підкладок, оскільки в методі МПЕ, як правило, не
використовується очищення поверхні в самій камері зростання, за винятком
видалення окисних шарів.
Епітаксіальне зростання шарів напівпровідникових сполук включає низку
послідовних подій, найважливішими з яких є:
1) адсорбція атомів і молекул, що складають речовину;
2) міграція та дисоціація адсорбованих частинок;
3) прилаштовування складових атомів до підкладки, що призводить до
зародкоутворення і зростання шару.
Тонка плівка, що росте, має кристалографічну структуру, визначену
підкладкою.

13
Атоми, що потрапляють на підкладку, адсорбуються на поверхні. На
першому етапі це являє собою адсорбцію за рахунок слабких ван-дер-

ваальсових і (або) електростатичних сил - етап фізсорбції. На другому етапі

молекули речовини переходять у хемосорбований стан, за якого відбувається
електронне перенесення, тобто хімічна реакція між атомами поверхні й
атомами речовини, що знову надійшла. Енергія зв'язку при хімічній адсорбції
більша, ніж при фізичній.

Існують й інші технології, як-от газофазна епітаксія з металоорганічних

сполук і нанолітографія

14
РОЗДІЛ 7 ЗАСТОСУВАННЯ КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ СТРУКТУР У
ПРИЛАДАХ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ
7.1 ЛАЗЕРИ З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ І ТОЧКАМИ

Найпоширенішим типом напівпровідникового лазера є лазер на подвійній

гетероструктурі, де активна область являє собою тонкий шар вузькозонного
напівпровідника між двома широкозонними. За досить малої товщини
активної області вона починає поводитися як квантова яма, і квантування
енергетичного спектра в ній істотно змінює властивості лазерів.
Основний вплив на властивості лазерів чинить зміна щільності станів, що
відбувається під впливом розмірного квантування. Якщо в масивному
напівпровіднику в безпосередній близькості від краю зони ця величина мала,
то в квантово-розмірній системі вона не зменшується поблизу краю,
залишаючись рівною 4πm/πℎ2 . Створення лазерів із квантово-розмірною
активною ділянкою дало змогу одержати безперервну генерацію за кімнатної
температури й надалі знизити пороговий струм інжекційного лазера до
величин ~ 50 А/см2 .
Завдяки іншій енергетичній залежності щільності станів змінюється не тільки
величина порогового струму, але і його температурна залежність. Вона стає
слабшою, внаслідок чого безперервну генерацію вдається отримати не тільки
за кімнатної температури, а й за температур, які на багато десятків градусів
вищі.
Іншою важливою особливістю лазерів на квантових ямах є можливість їх
частотної перебудови. Мінімальна енергія випромінюваних світлових квантів
дорівнює h𝜈 = 𝐸𝑔 + 𝐸1𝑒 + 𝐸1ℎ . Вона змінюється при зміні 𝛼 (ширина квантової
ями тощо), тобто шляхом зміни ширини квантової ями можна здійснювати

15
перебудову частоти генерації, зрушуючи її в короткохвильовий бік, якщо
порівнювати з лазерами з широкою (класичною) активною областю.
У квантових точках енергетичний спектр змінюється ще радикальніше, ніж у
квантових ямах. Щільність станів має δ-подібний вигляд, і в результаті
відсутні стани, які не беруть участі в посиленні оптичного випромінювання,
але містять електрони. Це зменшує втрати енергії і як наслідок зменшує
пороговий струм. Лазери можуть містити одну або (для збільшення
оптичного посилення) кілька площин, заповнених квантовими точками.
Згідно з теоретичними оцінками, діодні лазери з активним середовищем із
квантових точок повинні мати значно кращі властивості порівняно з лазерами
на квантових ямах, а саме: суттєво більший коефіцієнт посилення, меншу
порогову густину струму, повну несприйнятливість до температури ґратки,
кращі динамічні характеристики та більші можливості для контролю за
енергією кванта випромінювання.

16
 7.2 ФОТОПРИЙМАЧІ НА КВАНТОВИХ ЯМАХ

Процеси оптичної іонізації квантових ям можуть використовуватися для

створення нових типів приймачів інфрачервоного випромінювання. Принцип
приймача вельми простий: викид носіїв у зону провідності широкозонного
напівпровідника (потенційного бар'єра) збільшує провідність у напрямі,
перпендикулярному шарам гетероструктури.
За своєю дією такий приймач нагадує домішковий фоторезистор, де в ролі
центрів виступають квантові ями. Тому як час життя нерівноважних носіїв
виступає характерний час захоплення у квантову яму τq . Порівняно зі
звичайним часом життя, пов'язаним із захопленням на рекомбінаційні центри,
τq має дві важливі відмінності.
По-перше, τq значно (на кілька порядків) менше за час захоплення на центри.
Причина в тому, що акт захоплення пов'язаний з необхідністю передання
решітці від носія доволі великої енергії, що дорівнює енергії зв'язку центру
або ж величині ΔE під час захоплення у квантову яму. Найефективніший
механізм передачі енергії - це випускання оптичних фотонів з енергією
h𝜔0 /2𝜋 . Однак енергія зв'язку центрів аж ніяк не збігається з h𝜔0 /2𝜋 , і тому
такий процес неможливий. Електрон повинен віддавати енергію в ході значно
повільнішого каскадного процесу випускання багатьох акустичних фононів.
У випадку квантової ями наявність безперервного спектра руху в площині
ями суттєво змінює ситуацію. Стає можливим перехід на зв'язаний стан у ямі
під час випускання оптичного фонона з одночасною передачею надлишкової
енергії, що залишилася, в рух у площині ями (рис. 7.1). Якщо вихідний
електрон мав енергію, близьку до краю зони в широкозонному матеріалі, то з
рис. 7.1 видно, що фонон, який випускається, повинен мати досить великий
імпульс:

17
 q = [2𝑚 (𝛥𝐸 − 𝐸1 − ℎ𝜔0 /2𝜋)]1/2

у площині квантової ями. Значно більша величина взаємодії електронів з

оптичними фононами, ніж з акустичними, визначає малість 𝜏? порівняно з
часом захоплення з центру.

По-друге, τq немонотонним, осцилювальним чином залежить від параметрів

ями. Це пов'язано з властивостями хвильової функції електронів у
делокалізованих станах над квантовою ямою ψ£ . Якщо яма не є резонансною,
то амплітуда цієї хвильової функції в безпосередній околиці ями за малої
енергії електрона дуже мала. Власне, τq буде відносно великим. Для
резонансних квантових ям імовірність захоплення зростає, тобто τq падає.

Фотопровідність розглянутої структури, так само як і звичайного

фоторезистора, визначається добутком трьох чинників: швидкості оптичної
генерації, що, своєю чергою, пропорційна коефіцієнту поглинання , часу
життя в делокалізованому стані τq та ефективної рухливості в ньому 𝜇еф , що,
вочевидь, має бути пропорційною квантово-механічному коефіцієнту
проходження електрона над квантовою ямою. Перший і третій чинники
максимальні для резонансних квантових ям, а τq , навпаки, мінімальний для
них. Однак сукупна дія всіх чинників виявляється такою, що фотоприймачі
на квантових ямах матимуть кращі параметри у випадку резонансних ям.

18
 Рис.7.1 Процес захоплення нерівноважного
електрона у квантову яму з випусканням оптичного фонона.

Для найпоширенішої гетеросистеми GaAs-𝐴𝑙𝑥 𝐺𝑎1−𝑥 з x = 0. 2-0. 25 умова

резонансу виконується для ям із товщиною, кратною 40-45 А. Якщо а = 40-45
А, то діапазон фоточутливості структури лежить в ділянці довжин хвиль
близько 8 мкм, що відповідає одному з вікон атмосферної прозорості і тому
дуже важлива для практичних застосувань. Приймачі на основі квантових ям
можуть скласти конкуренцію фоточутливим структурам на основі твердих
розчинів CdHgTe - найважливішому типу приймачів для даного
спектрального діапазону. Основною перевагою структур на квантових ямах є
більша стабільність і менший розкид параметрів, що особливо важливо для
матричних фоточутливих структур.

Шляхом порівняно невеликих змін складу широкозонних шарів і товщини

ями можна змінювати положення максимуму і ширину смуги фоточутливості.
Остання обставина пов'язана з тим, що в міру порушення точної умови

19
резонансу спектр фотоіонізації квантової ями стає більш плавним і має менш
різкий максимум.

Рис. 7.2 Способи введення випромінювання у фотоприймач із квантовими ямами.

а - через скошений торець підкладки, б - за допомогою дифракційної решітки 1 -
підкладка, 2 - фоточутлива структура з квантовими ямами, 3 - дифракційна решітка.

У зв'язку з тим що оптична іонізація квантових ям може спричинятися лише

світлом, поляризованим за нормаллю до квантових шарів, описані
фотоприймачі повинні містити спеціальні пристосування, які поляризують
падаюче світло необхідним чином. Є два основні способи зробити це. Світло
може спрямовуватися у фоточутливу структуру під кутом через скошений
торець підкладки (рис. 7.2 a). В іншому варіанті світло проходить через
підкладку по нормалі, а належної поляризації набуває після дифракції на
решітці, спеціально нанесеній на верхню поверхню структури (рис. 7.2 б).

Можливе альтернативне вирішення проблеми поляризації, що дає змогу

уникнути описаних вище конструкційних ускладнень. Йдеться про
вирощування квантових структур із напівпровідників з анізотропним
енергетичним спектром. За наявності анізотропії електричне поле нормально
падаючої світлової хвилі, що лежить у площині шарів, надає електронам
імпульс під деяким кутом до цієї площини. З позицій квантової механіки це

20
означає можливість переходів між різними квантово-розмірними рівнями або
між рівнем і континуумом станів над квантовою ямою, що і потрібно для
роботи приймача. На практиці для реалізації цієї ідеї найчастіше
використовують гетероструктури на основі тієї самої, найбільш освоєної
технологічно, системи GaAs-𝐴𝑙𝑥 𝐺𝑎1−𝑥 As, але які мають не n-, а p-тип
легування. При цьому складний характер енергетичного спектра валентної
зони забезпечує фоточутливість за нормального падіння світла.

21
7.3 КВАНТОВО-ТОЧКОВІ КЛІТИННІ АВТОМАТИ ТА БЕЗДРОТОВА
ЕЛЕКТРОННА ЛОГІКА

Потреби в розробці логічних пристроїв для нано-комп'ютерів з дуже високою

щільністю логічних елементів і з максимально можливо низьким
споживанням енергії на одне перемикання призвели до пропозицій
використовувати в логічних елементах провідні острівці дуже малого розміру
- квантові точки. У таких приладах для реалізації обчислень логічних булевих
функцій використовують масиви пов'язаних взаємодіючих квантових точок.
Ці прилади називають квантово-точковими клітинними автоматами (QCA -
Quantum Cellular Automata).
Основу приладу становить комірка, що складається з чотирьох або п'яти
квантових точок. На рис. 7.3 представлено комірку з п'яти квантових точок:
чотири точки розташовані в кутах квадрата, а одна - в його центрі. У комірку
за допомогою зовнішньої напруги через додатковий електрод вводять два
надлишкових електрони, і комірка набуває електричного заряду. Квантові
точки в комірці розташовуються таким чином, що можливе тунелювання
тільки через центральну точку. Через електростатичне відштовхування між
надлишковими електронами вся система матиме мінімальну енергію тільки в
тому разі, якщо електрони розташуються якомога далі один від одного, тобто
в кутах квадрата, з'єднаних діагоналлю. Оскільки таких можливих положень
лише два, то система має лише два стійкі стани (дві поляризації), і, отже, один
із цих станів можна вважати логічною одиницею ("1"), а другий - логічним
нулем ("0"). Під час переходу системи з одного стійкого стану в інший
змінюються поляризація системи і розподіл електричних полів навколо
комірки. За допомогою додаткових електродів, пов'язаних із коміркою
ємнісним зв'язком, можна нав'язати комірці необхідний стан і перевести її в

22
стан "1" або "О". Якщо поруч із першою коміркою розташувати другу (в якій
також перебувають два додаткові електрони), то електростатичне поле
першої комірки змусить електрони розташовуватися так, щоб забезпечити
мінімум електростатичної енергії всієї системи (рис. 7.3). Складаючи
комбінації з розташованих у різний спосіб комірок, можна реалізувати
різноманітні логічні функції та виконати необхідні логічні перетворення й
обчислення. На рис. 7.4 наведено приклад комбінації комірок, за якої стан на
виході визначається більшістю станів на вході (логічна функція "Majority").
Запропоновано різноманітні комбінації комірок для реалізації логічних
операцій. На основі таких елементів можливе створення нанокомп'ютера.
Важливо зазначити, що взаємне розташування осередків забезпечує передачу
логічного сигналу без переміщення зарядів уздовж ланцюжка - у
безстоковому режимі, тільки за рахунок передачі уздовж ланцюжка стану
поляризації.

Стан із високою енергією Стан із низькою енергією

Рис.7.3 Різні конфігурації комірок квантово-точкових автоматів

Переваги логічних пристроїв на основі квантово-точкових клітинних

автоматів полягають у тому, що порівняно з аналогічними пристроями на
основі польових транзисторів потрібен значно менший об'єм активної
області. Наприклад, повний суматор на основі клітинних автоматів з
розміром точки 20 нм можна розташувати на площі близько 1 мкм2 , тоді як
таку саму площу займає всього лише один польовий транзистор. Для
побудови такого ж суматора на основі польових транзисторів потрібно

23
 приблизно 40 транзисторів. Якщо ще врахувати області комутації
транзисторів між собою, а вони, як відомо, займають об'єм, який можна
порівняти або навіть перевершує об'єм, зайнятий активними приладами, то
переваги використання клітинних автоматів стають очевидними.
Принципова можливість функціонування логічних елементів на основі
клітинних автоматів була продемонстрована при Т = 15 мК на прикладі
комірки, виготовленої за допомогою стандартної електронно-променевої
літографії з алюмінієвих острівців на поверхні окисленої кремнієвої
пластини. Площа приладу становила величину ~50 X 50 нм2 .

Рис. 7.4 Комбінації комірок квантово-точкового атома, за яких стан на виході

визначається більшістю станів на вході.

Обчислювальний процес у приладах на основі клітинних автоматів

здійснюється під час переходу всієї сукупності осередків у стан із
мінімальною енергією - в основний стан. Оскільки складні обчислювальні
пристрої повинні містити велику кількість комірок, то стан з мінімальною
енергією можна отримати різними способами. Це може призводити до
помилок в обчисленнях. Крім того, такі системи чутливі до зовнішніх впливів
і тому вимагають суворого контролю зовнішніх умов. При підвищенні
температури обчислювальний процес може бути зруйнований. Для комірок,

24
у яких розмір однієї квантової точки -20 нм, зміна енергії під час перезарядки
точки становить величину ~1 меВ (приблизно 1/20 kT за кімнатної
температури). Так само як і для одноелектронного транзистора, робочу
температуру потрібно підвищувати за рахунок зменшення розмірів комірки (і
відповідно кожної квантової точки). Існує ще одна проблема, яка має бути
вирішена для успішної роботи пристроїв на основі клітинних автоматів. Вона
полягає в тому, що оскільки електростатичне поле клітинки впливає на
сусідні клітинки як у напрямку виходу пристрою, так і в напрямку входу, то
через випадкові впливи можливе поширення сигналу не тільки від входу до
виходу, а й навпаки. Для усунення цього недоліку запропоновано пристрої на
основі квантових точок, у яких напрямок передачі сигналу визначається
зовнішнім електричним полем. Практичне виготовлення пристроїв на основі
клітинних автоматів перебуває на початковій стадії і потребує розв'язання
цілої низки проблем, переважно технологічних.

25
 СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
• М. Херман, "Напівпровідникові надгратки".
• А.Я. Шик, Л.Г. Бакуєва, С.Ф. Мусіхін, С.А. Риков, "Фізика
низькорозмірних систем".
• В.П. Драгунов, І.Г. Невідомий, В.А. Гридчин, "Основи
наноелектроніки".
• В.Я. Деміховський, "Квантові ями, нитки, точки. Що це таке?",
соросівський освітній журнал, №5, 1997

26