Professional Documents
Culture Documents
Мелешко Фізика і астрономія
Мелешко Фізика і астрономія
Роботу виконав :
Мелешко Євгеній Мечиславович,
учень 11-ФМ класу
Херсонського наукового ліцею
Херсонської обласної ради
Наукові керівники:
Івашина Юрій Кирилович,
доцент ХДУ, кандидат фізико-
математичних наук,
Кисла Ірина Іванівна,
учителька фізики
Херсонського наукового ліцею
Херсон – 2023
2
АНОТАЦІЯ
ЗМІСТ
ВСТУП .................................................................................................................................. 4
ВИСНОВКИ ....................................................................................................................... 19
ВСТУП
РОЗДІЛ І
𝐹
𝐸= , (1.1)
𝑞
Н В
[𝐸] = =
Кл м
відношення 𝑟⁄𝑙 , яке для ідеальної моделі прямує до нескінченності. Чим менше буде
це відношення , тим більша похибка застосування моделі точкового заряду.
За неможливості застосування моделі точкового заряду (наприклад на ділянках
поблизу заряджених тіл) використовують модель неперервно розподіленого заряду.
У ній вважається, що заряд неперервно розподілений по тілу. Для характеристики
розподілу заряду вводять густину заряду. У залежності від форми зарядженого тіла
вводять об’ємну густину заряду ρ, поверхневу густину – σ і лінійну густину заряду –
τ.
𝑑𝑞
𝜌=
𝑑𝑉
𝑑𝑞
𝜎= , (1.4)
𝑑𝑆
𝑑𝑞
𝜏=
𝑑𝑙
Об’ємна густина заряду рівна заряду одиниці об’єму тіла. Аналогічно вводяться
σ і τ. Заряд тіла через густину визначається інтегруванням по зарядженому тілу
q = dV
V
q = dS
S
(1.5)
q = dl
l
Поле точкового заряду є основою для визначення поля заряджених тіл, до яких не
можна застосовувати модель точкового заряду. Заряджені тіла розбивають на
елементи dV, dS або dl в залежності від форми тіл (об’ємне, плоске або лінійне тіло).
Ці елементи несуть заряд dq, який розглядається як точковий і до нього
застосовується вираз(1.7)
dq = dV
dq = dS (1.8)
dq = dl
dV r M ET
dE
1 𝜌𝑟
𝐸⃗ = ∫𝑉 𝑑𝐸⃗ = ∫𝑉 𝑟 3 𝑑𝑉 (1.11)
4𝜋𝜀0
( )
dEx = dE cos dE ,i
dE y = dE cos ( dE , j )
(1.12)
dEz = dE cos ( dE ,k )
Ex = dEx
V
E y = dE y
V
(1.13)
Ez = dEz
V
𝐸𝑥
𝑐𝑜𝑠(𝐸⃗ ,̂ 𝑖) =
𝐸
𝐸𝑦
𝑐𝑜𝑠(𝐸⃗ ,̂ 𝑗) =
𝐸
⃗ ) = 𝐸𝑧
𝑐𝑜𝑠(𝐸⃗ ,̂ 𝑘 (1.15)
𝐸
РОЗДІЛ ІІ
𝜎𝑑𝑥𝑑𝑧 𝜎𝑑𝑥𝑑𝑧
𝑑𝐸1 = 𝑘 = 𝑘 , (2.1)
𝑙2 𝑏2 + 𝑥 2 + 𝑧 2
13
𝑏
де cosα = .
√𝑏2 +𝑥 2 +𝑧 2
Для другої:
𝜋 𝜋 𝑎 𝑎
𝐷𝜑,𝜌 = {(𝜑, 𝜌): ≤ 𝜑 ≤ ; 0 ≤ 𝜌 ≤ 𝑠𝑖𝑛𝜑 ≤ }
4 2 2 √2
𝜋 𝑎 𝜋 𝑎
1 4 2𝑐𝑜𝑠𝜑 2𝜌𝑑𝜌 1 2 2𝑠𝑖𝑛𝜑 2𝜌𝑑𝜌
𝐸 = 4𝑘𝜎𝑏 ( ∫ 𝑑𝜑 ∫ 3 + ∫ 𝑑𝜑 ∫ 3) =
2 0 2 𝜋
0 (𝜌2 + 𝑏2) 2 4
0 (𝜌2 + 2
𝑏 )2
𝜋 1 𝜋 1
2 − 2 −
14 𝑎 2 1 𝑎 2 2
2
= 4𝑘𝜎𝑏 (∫ ( − ( 2
+ 𝑏 ) ) 𝑑𝜑 + ∫ ( − ( 2
+ 𝑏 2 ) ) 𝑑𝜑) =
0 𝑏 4𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝜋 𝑏 4𝑠𝑖𝑛 𝜑
4
𝜋 𝜋
𝜋 1 4 2𝑏𝑐𝑜𝑠𝜑𝑑𝜑 1 2 2𝑏𝑠𝑖𝑛𝜑𝑑𝜑
= 4𝑘𝜎𝑏 ( − ∫ ) − (∫ )
2𝑏 𝑏 0 √𝑎2 + 4𝑏 2 − 4𝑏 2 cos 2 𝜑 𝑏 𝜋 √𝑎2 + 4𝑏 2 − 4𝑏 2 cos 2 𝜑
4
𝑏
𝜋 √2 𝑎
= 4𝑘𝜎 − 2 arcsin , (2.4)
2 2
√1 + 4 ( 𝑏 )
( 𝑎 )
𝑘𝜎𝑑𝑥𝑑𝑧 𝑘𝜎𝑑𝑥𝑑𝑧
𝑑𝐸 = = , (2.5)
𝑙2 𝑧 2 + (𝑏 − 𝑥 )2
𝑎 𝑎
2 𝑑𝑧 2 𝑑𝑧
= 2𝑘𝜎 ∫ −∫ =
2 2
0
√𝑧 2 + (𝑏 − 𝑎) 0
√𝑧 2 + (𝑏 + 𝑎)
( 2 2 )
1 √1 𝑏 1 2 1 √1 𝑏 1 2
+ + − + + +
2 4 (𝑎 2) 2 4 (𝑎 2) (2.7)
= 2𝑘𝜎 ln − ln ,
𝑏 1 𝑏 1
− +
( 𝑎 2 𝑎 2 )
Таблиця 2.1
Залежність напруженості істинного електричного поля квадратної пластини Е,
поля точкового заряду 𝐸𝑇 , абсолютної та відносної похибок від відносної відстані в
напрямку осі симетрії х, перпендикулярної стороні пластини
1 2 3 4 5
𝐸𝑇 , 𝑘𝜎 1,000 0,2500 0,1111 0,0625 0,0400
E, k𝜎 1,117 0,2574 0,1126 0,0630 0,0402
∆𝐸, 𝑘𝜎 0,117 0,0074 0,0015 0,0005 0,0002
∆𝐸 10,5 2,8 1,3 0,8 0,5
,%
𝐸
12,00
10,00
8,00
∆𝐸/𝐸, %
6,00
4,00
2,00
b/a
0,00
0 1 2 3 4 5 6
ВИСНОВКИ
1. Бар’яхтар В.Г., Довгий С.О., Божинова Ф.Я., Кірюхіна О.О. Фізика 11 клас
(рівень стандарту, програма Локтєва В. М.). Харків: «Ранок», 2019. 272 с.
2. Бушок Г.Ф., Венгер Є.Ф. Курс фізики. Електрика і магнетизм. Київ: Вища
школа, 2002. 278 с.
3. Выгодский М.Я. Справочник по высшей математике. Москва: Наука, 1972.
872 с.
4. Головко М.В., Мельник Ю.С., Непорожня Л.В., Сіпій В.В. Підручник Фізика
і астрономія 11 клас (рівень стандарту, програма Ляшенка О. І.). Київ:
Педагогічна думка, 2019. 288 с.
5. Засєкіна Т.М., Засєкін Д.О. Підручник Фізика 11 клас (профільний рівень,
програма Локтєва В. М.). Київ: Оріон, 2019. 304 с.
6. Засєкіна Т.М., Засєкін Д.О. Фізика і астрономія 11 клас (рівень стандарту,
програма Ляшенка О. І.). Київ: Оріон, 2019. 272 с.