ФІЗИКА Скіцько І Ф ,Скіцько О І ПІДРУЧНИК PDF

І.Ф.СКІЦЬКО, О.І.
СКІЦЬКО
ФІЗИКА
Затверджено Вченою радою КПІ імені Ігоря
Сікорського як підручник для студентів, які
навчаються за технічними спеціальностями
Київ, КПІ ім. Ігоря Сікорського

2017
К 937
УДК 534.1 535.8; 537.1 539.18
Ф 48
Гриф надано Вченою радою Національного технічного університету
України "КПІ" імені Ігоря Сікорського,
протокол №2 від 13 лютого 2017 року
Автори: Скіцько Іван Федорович, доцент, кандидат фіз.-мат. наук,

Скіцько Олексій Іванович, с.н.с., к.т.н.
Відповідальний редактор
Авраменко Андрій Олександрович, заступник директора з
наукової роботи Інституту технічної теплофізики НАН України, член-кор.
НАН України, професор, доктор техн. наук
Рецензенти:
Д.А.Гаврюшенко, професор кафедри молекулярної фізики Київського
Національного Університету імені Тараса Шевченка, доктор фіз.-мат. наук,
професор
І.Р.Зачек, професор кафедри фізики Національного університету
"Львівська політехніка", доктор фіз.-мат. наук, професор
Ф 48 Фізика (Фізика для інженерів): Підручник / І.Ф.Скіцько,

О.І.Скіцько: Київ: НТУУ КПІ ім. Ігоря Сікорського,
2017. 513 с.
Підручник написаний у відповідності з програмою по фізиці для студентів вищих технічних

навчальних закладів, які вивчають нормативну навчальну дисципліну "Фізика" з циклу математичної та
природничо-наукової підготовки за спеціальностями 125 "Кібербезпека " і 172 "Телекомунікації та
радіотехніка". Він складається із двадцяти трьох розділів, в яких викладені фізичні основи
електромагнетизму, коливань та хвиль, хвильової оптики, квантової механіки, фізики твердого тіла та
контактних явищ, оптичного волоконного зв'язку та будови атома і атомного ядра.
Для студентів вищих навчальних закладів технічного профілю.
УДК 534.1 535.8; 537.1 539.18

© Скіцько І.Ф., Скіцько О.І., НТУУ
"КПІ" ім. Ігоря Сікорського, 2017
Зміст
ПЕРЕДМОВА..................................9 однорідному і неоднорідному
електричних полях.............................31
§2.3. Поляризація діелектриків та її типи.
Розділ 1. Електростатичне
Вектор поляризації (поляризованість),
поле............................................................11 діелектрична сприйнятливість.........33
§1.1.Електричний заряд.....................................11
§2.4. Електричне поле всередині
§1.2.Закон Кулона..............................................13
діелектрика. Діелектрична
§1.3.Напруженість електричного поля............14
проникність та її фізичний зміст.
§1.4.Принципи суперпозиції
Зв’язок між діелектричною
електричних полів....................................15
сприйнятливістю та діелектричною
§1.5.Графічне зображення електричних
проникністю......................................37
полів..........................................................15
§2.5.Електричне поле на межі двох
§1.6 Потік вектора напруженості
діелектриків......................................39
електричного поля..................................16
§2.6.Особливі властивості деяких
§1.7.Теорема Остроградського-Гаусса............17
діелектриків.Сегнетоелектрики.
§1.8.Застосування теореми Остроградського-
П’єзоелектрики. Електрети..............40
Гаусса до розрахунку електричних
Контрольні питання..........................47
полів..........................................................20
§1.9.Робота сил електростатичного
поля..........................................................23 Розділ 3. Провідники в
§1.10.Різниця потенціалів. Потенціал. електричному полі..................47
Еквіпотенціальні поверхні.....................24
§1.11.Циркуляція вектора §3.1.Розподіл зарядів, напруженість та
напруженості поля..................................26 потенціал електричного поля у
§1.12.Зв’язок між напруженістю та провіднику.........................................47
потенціалом електростатичного §3.2. Електроємність відокремленого
поля...........................................................27 провідника.........................................51
§1.13.Рівняння Пуассона (теорема §3.3. Конденсатори....................................53
Остроградського-Гаусса в §3.4 Енергія зарядженого відокремленого
диференціальній формі).........................28 провідника та конденсатора. Енергія
Контрольні питання................................29 електростатичного поля...................57
Контрольні питання..........................59
Розділ 2. Поляризація
діелектриків і поле всередині Розділ 4. Постійний
діелектрика..........................................29 електричний струм..................59
§2.1.Провідники, напівпровідники та §4.1.Електричний струм та його види.

діелектрики.............................................29 Струм провідності та умови
§2.2. Електричний диполь в його існування...................................59
§4.2.Закон Ома та Джоуля–Ленца в
3
Зміст
інтегральній та диференціальній електрона методом магнетрона.............98
формах......................................................62 Контрольні питання.................................99
4.5.Електрорушійна сила................................66
§4.4.Розрахунок розгалужених електричних
Розділ 6. Постійне магнітне
кіл за допомогою правил Кірхгофа.......71
Контрольні питання.................................72
поле в речовині...............................100
§6.1.Намагнічування середовищ...................100
§6.2.Магнітомеханічні явища........................101
Розділ 5. Магнітне поле..............72
§6.3.Закон повного струму для магнітного
§5.1.Взаємодія елементів струму. Закон
поля в речовині. Напруженість
Ампера. Магнітне поле як форма
магнітного поля. Магнітна
існування матерії......................................72
сприйнятливість і проникність.............103
§5.2.Взаємодія елементів струму.....................74
§6.4.Магнітне поле на межі двох
§5.3.Індукція магнітного поля. Закон
магнетиків...............................................105
Біо-Савара-Лапласа..................................77
§6.5.Класифікація магнетиків........................107
§5.4.Застосування закону Біо-Савара-
§6.5.Діа - і парамагнетизм...............................107
Лапласа до розрахунку магнітних
§6.7.Феромагнетизм........................................111
полів:..........................................................80
§6.8.Магнітні матеріали. Ферити...................117
1.Магнітне поле прямолінійного
§6.9.Пояснення феромагнетизму...................118
провідника зі струмом............................80
§6.10.Процеси намагнічування
2.Поле колового витка зі струмом...........81
феромагнетика.......................................121
3. Магнітне поле соленоїда......................82
Контрольні питання...............................123
4. Магнітне поле електричного заряду,
який рухається........................................84
§5.5.Циркуляція вектора індукції Розділ 7. Електромагнітна
магнітного поля або закон повного індукція...................................................124
струму........................................................85
§5.6.Теорема Остроградського-Гаусса для §7.1. Явище електромагнітної індукції.........124
магнітного поля........................................87 §7.2. Закон Ленца.............................................127
§5.7.Магнітне поле довгого соленоїда, §7.3.Основний закон електромагнітної
тороїда та прямого проводу..................88 індукції....................................................128
§5.8.Контур зі струмом у магнітному §7.4.Пояснення закону електромагнітної
полі............................................................90 індукції....................................................129
§5.9.Робота при переміщенні провідника зі §7.5. Самоіндукція. Індуктивність.................133
струмом в магнітному полі.....................93 §7.6. Взаємна індукція.....................................136
§5.10.Дія електричного і магнітного полів на §7.7. Власна енергія струму............................137
рухомий електричний заряд: §7.8. Енергія магнітного поля.........................139
-сила Лоренца...........................95 § 7.9.Взаємна енергія двох струмів................139
-ефект Холла.............................97 §7.10.Вихрові струми...................................140
-визначення питомого заряду
4
Зміст
§7.11.Витіснення змінного струму Розділ 10. Пружні хвилі.........176
(скін-ефект)........................................142
Контрольні питання...........................144
§10.1.Утворення хвиль у пружному
середовищі. Поздовжні і поперечні
Розділ 8. Рівняння хвилі......................................................177
Максвелла........................................144 §10.2.Рівняння плоскої і сферичної хвиль..179
§ 10.3. Хвильове рівняння.............................180
§8.1. Перше рівняння Максвелла..............144 §10.4.Енергія пружної хвилі.........................181
§8.2. Струм зміщення. Друге рівняння §10.5.Групова швидкість поширення хвилі183
Максвелла..........................................145 §10.6.Інтерференція хвиль............................185
§8.3.Рівняння Максвелла..........................148 §10.7.Звук.......................................................189
§8.4.Рівняння Максвелла в §10.8.Ефект Доплера для звукової хвилі.....192
диференціальній формі..................149 Контрольні питання.............................195
§8.5.Значення теорії Максвелла................151
Контрольні питання.........................152
Розділ 11. Електромагнітні
хвилі...........................................................195
Розділ 9. Коливання...............152
§11.1.Загальні відомості про електромагнітні
§9.1.Види коливань. Загальні поняття.....152
хвилі.......................................................195
§9.2.Власні електричні коливання............154
§11.2.Доведення необхідності існування
§9.3.Рівняння власних коливань.
електромагнітних хвиль......................196
Коливання при відсутності
§11.3. Властивості електромагнітних
згасання..............................................155
хвиль......................................................198
§9.4.Геометричне зображення гармонічних
§11.4.Енергія електромагнітних хвиль.
коливань. Додавання гармонічних
Потік енергії. Вектор Пойнтинга........200
коливань однакового напрямку і
§11.5. Генерування і експериментальне
однакової частоти..............................157
дослідження електромагнітних хвиль
§9.5. Додавання гармонічних коливань
(радіохвиль)..........................................201
однакового напрямку з різними
§11.6.Випромінювання елементарного
частотами. Биття................................158
диполя..................................................204
§9.6. Додавання взаємно перпендикулярних
Контрольні питання.............................208
коливань..............................................159 коливань
§9.7.Диференційне рівняння згасаючих
коливань і його розв’язання..............161 Розділ 12. Інтерференція
§9.8.Вимушені електричні коливання. електромагнітних хвиль........208
Резонанс...............................................165
§9.9. Параметричний резонанс...................170 § 12.1.Основні відомості про хвилі оптичного
§9.10. Змінний струм...................................172 діапазону. Інтенсивність
§9.11.Автоколивання...................................174 електромагнітних хвиль....................208
Контрольні питання............................176
5
Зміст
§12.2. Інтерференція світла...........................210 §14.5.Штучна оптична анізотропія..............264
§12.3. Розрахунок інтерференційної картини §14.6.Обертання площини поляризації.......267
від двох когерентних джерел.............213 Контрольні питання...........................270
§12.4. Способи спостереження
інтерференції світла.............................214
§12.5. Інтерференція квазімонохроматичного
Розділ 15. Взаємодія
світла. Часова когерентність...............219 електромагнітних хвиль з
§12.6. Роль кінцевих розмірів джерела світла. речовиною..........................................270
Просторова когерентність...................221
§12.7. Практичне застосування §15.1.Дисперсія світла. Області нормальної
інтерференції світла............................224 і аномальної дисперсії........................ 270
Контрольні питання.............................227 §15.2.Групова швидкість світла...................273
§15.3. Поглинання світла..............................275
§15.4. Розсіювання світла.............................276
Розділ 13. Дифракція
§15.5.Ефект Доплера в оптичних явищах...278
електромагнітних хвиль.........227 Контрольні питання...........................280
§13.1. Дифракція хвиль.................................227

§13.2.Принцип Гюйгенса–Френеля............228 Розділ 16. Квантова природа
§13.3.Метод зон Френеля.Прямолінійне випромінювання..................280
поширення світла.................................230
§13.4.Дифракція Френеля на круглому §16.1.Теплове випромінювання. Його
характеристики. Абсолютно
отворі та диску.................................234
чорне тіло. Закон Кірхгофа.................280
§13.5.Дифракція Френеля на прямолінійному
§16.2. Закон Стефана-Больцмана. Закон
краю напівплощини.............................237
§13.6.Дифракція Фраунгофера....................240 Віна. Формула Релея Джінса...........286
§13.7.Дифракційна решітка.........................244 §16.3. Квантова гіпотеза і формула
§13.8.Дифракція рентгенівського Планка.................................................289
випромінювання..................................248 §16.4. Оптична пірометрія............................292
Контрольні питання............................250 §16.5. Зовнішній фотоефект і його закони.
Рівняння Ейнштейна для зовнішнього
фотоефекту...........................................294
§16.6.Маса та імпульс фотона......................298
світла........................................................250 §16.7.Тиск світла............................................301
§16.8.Ефект Комптона...................................303
§14.1.Природне і поляризоване світло.
Закон Малюса.....................................250
§14.2. Поляризація при відбиванні і
заломленні............................................254
§14.3. Подвійне променезаломлення...........258
§14.4.Поляризаційні призми і поляроїди....262
6
Зміст
Розділ 17. Будова атома........305 §18.9.Розв'язок рівняння Шредінгера для

потенціального бар'єру........................352
§17.1. Дослід Резерфорда. Планетарна
§18.10. Холодна емісія електронів із
модель атома......................................305
§17.2. Атомні спектри...................................309 металу................................................360
§17.3.Постулати Бора. Теорія атома Контрольні питання.............................361
водню..................................................312
§17.4. Подальший розвиток теорії Бора.
Розділ 19. Основи зонної
Квантування Бора-Вільсона-
Зоммерфельда......................................317
теорії твердих тіл.........................361
§17.5. Просторове квантування....................320
§19.1.Тверде тіло. Аморфні і кристалічні
§17.6. Ефект Зеємана.....................................322 тверді тіла.........................................361
§17.7. Дослід Штерна і Герлаха...................323 §19.2. Структура кристалів...........................362
§17.8.Власний момент електрона................324 §19.3. Основні типи міжатомної взаємодії
§17.9.Квантові стани електронів в атомі. в твердих тілах...................................364
Квантові числа......................................326 §19.4. Рідкі кристали. Сили
§17.10. Електронна оболонка атома. Ван дер Ваальса.................................367
Принцип Паулі.................................327 §19.5. Класифікація твердих тіл за
§17.11. Періодична система.........................329 величиною електропровідності та її
§17.12.Рентгенівські спектри.......................330 залежності від температури.............370
Контрольні питання............................334 §19.6. Енергетичні зони в кристалах...........373
§19.7.Статистика електронів в металах.......378
§19.8.Електропровідність металів та її
Розділ 18. Елементи
залежність від температури.
квантової механіки.....................334 Надпровідність .................................384
§19.9.Статистика електронів і дірок в
§18.1.Протиріччя хвиля – частинка.............334
§18.2.Хвилі де Бройля...................................335 напівпровідниках................................391
§18.3.Експериментальне підтвердження §19.10. Електропровідність напівпровідників
гіпотези де Бройля...............................337 та її залежність від температури....393
§18.4. Співвідношення невизначеностей, §19.11. Внутрішній фотоефект....................399
як прояв корпускулярно-хвильового §19.12.Дрейф і дифузія носіїв заряду.........405
дуалізму властивостей матерії............339 §19.13.Ефект Ганна.......................................411
18.5.Статистичне тлумачення хвиль Контрольні питання..........................417
де Бройля..............................................345
§18.6. Ймовірність місцезнаходження
мікрочастинки......................................347 Розділ 20. Термоелектронна
§18.7.Рівняння Шредінгера. Принцип емісія........................................................418
причинності в квантовій механіці.....348
§18.8.Рух вільної частинки. Частинка в §20.1.Історія відкриття термоелектронної
емісії......................................................418
прямокутній потенціальній ямі..........350
§20.2.Робота виходу електрона із металу...419
7
Зміст
§20.3.Закони термоелектронної емісії.........421 Контрольні питання...........................481

§20.4. Контакт двох металів.........................424
Розділ 23. Атомні ядра...........481
§23.1. Атомні ядра та їх характеристики....481
Розділ 21. Контактні §23.2 Ядерні сили..........................................483
явища.......................................................427 §23.3.Енергія зв’язку ядра ...........................485
§23.4.Моделі атомного ядра.........................487
§21.1 Проникнення зовнішнього
електричного поля в метал, §23.5.Радіоактивність. Основний закон
діелектрик, напівпровідник.................427 радіоактивного перетворення
§21.2.Розподіл поля в бар’єрі. Ширина атомних ядер........................................488
бар’єру...................................................429 §23.6.Ядерні реакції.......................................492
§ 23.7.Поділ ядер............................................493
§21.3. p‒n перехід та його властивості:
§23.8. Ланцюгова реакція поділу. Ядерний
-способи отримання p‒n переходів ...432
реактор..................................................496
-потенціальний бар'єр в області
§23.9.Реакції синтезу легких ядер...............498
контакту p- і n- напівпровідників...436 Контрольні питання............................501
-розподіл електричного поля в
бар'єрі. Ширина бар'єру......................439
-зворотний струм..................................441
Предметний покажчик...........503
-пряме зміщення...................................442 Список використаної
§ 21.4. Ємність електронно‒діркового літератури........................................512
переходу...............................................444
-варікапи...............................................446
§ 21.5.Фотодіоди і світлодіоди.....................447
§21.6. Інші види контактів............................452
Розділ 22. Елементи

квантової електроніки............456
§22.1.Фізичні основи квантової
електроніки..........................................456
§22.2.Лазери..................................................461
§22.3.Властивості лазерного
випромінювання..................................466
§22.4.Особливості конструкції і роботи
деяких типів лазерів............................467
§22.5.Фізичні основи волоконно оптичних
ліній зв’язку.........................................472
8
Передмова
Передмова
Курс фізики у вищому навчальному закладі належить до

фундаментальної дисципліни, яка складає основу теоретичної підготовки студентів
інженерних спеціальностей, виконує роль тієї бази, без якої не можлива успішна
діяльність інженера в будь-якій галузі сучасного виробництва та яка формує його
світогляд. Запропонований курс фізики розрахований на двохсеместрове навчання
студентів, які спеціалізуються в технічних науках. Ми намагались створити такий
курс, в якому особлива увага приділена основам фізики, що використовуються в
техніці зв'язку.
Сьогодні швидкими темпами змінюється техніка і технології.
Використовуються нові матеріали і технології для створення надсучасних
технічних пристроїв. Відбувається перехід від мікроелектроніки до
наноелектроніки. Надто цей перехід помітний в області сучасного зв'язку. З'явилися
нові спеціальності, як наприклад, "Кібербезпека" та інші. Все це вимагає нових
підходів у викладанні й наповнюваності змісту загального курсу фізики.
Знання основ загальної фізики, особливо фізики металів і
напівпровідників, фізики контактних явищ металів та напівпровідників, фізичних
основ передачі інформації оптичними волокнами дуже важливі для оволодіння
сучасними принципами побудови й функціонування засобів захисту інформації та
телекомунікаційного обладнання. Тому такі розділи курсу фізики включені до
відповідних модулей освітньо професійних програм підготовки бакалаврів за
спеціальностями 125 "Кібербезпека" та 172 "Телекомунікації та радіотехніка". Все
це зумовило написання даного підручника: "ФІЗИКА" (Фізика для інженерів).
Для написання підручника використана література, список якої наводиться в

наприкінці книги. Головним у відборі матеріалу підручника покладено діючу
сьогодні програму з курсу фізики для вище зазначених спеціальностей, а також
матеріали курсу лекцій, що на протязі багатьох років читаються слухачам в
Державному закладі "Інститут спеціального зв'язку та захисту інформації НТУУ
"КПІ" імені Ігоря Сікорського". Підручник складається з двадцяти трьох розділів, в
яких викладено фізичні основи електростатики, постійного струму,
електромагнетизму, коливань та хвиль, хвильової оптики, квантової природи
випромінювання, будови атома та атомного ядра, квантової механіки, фізики
твердого тіла та контактних явищ, термоелектронної емісії, квантової електроніки,
9
Передмова
розповсюдження світла оптичними волокнами. Матеріал підручника максимально

забезпечує теоретичні основи спеціальних курсів для вище зазначених
спеціальностей. Особливу увагу приділено визначенню вихідних понять та їх
походження.
Автори намагались дотримуватись лаконічного стилю викладу матеріалу,
що одночасно поєднував би основи класичної й сучасної фізики, зробити акценти у
тексті на основних поняттях і законах, які повинні сприяти кращому засвоєнню
матеріалу. Вирішальну роль у роботі над курсом мало постійне активне спілкуання
зі студентами на лекціях, практичних і лабораторних заняттях, консультаціях,
заліках та іспитах. Неможливо написати підручник і знаходитись у відриві від тих,
кому він призначається, спілкуватись з ними тільки в односторонньому порядку на
лекціях. У викладанні, як і в будь-якій іншій справі, необхідний експеримент. Із
декількох можливих способів викладання того чи іншого питання необхідно надати
перевагу тому, який в ході навчання дає кращий результат.
При написанні підручника ми ставили за мету логічно підвести матеріал
курсу до такого об'єму інформації, щоб студент зрозумів природу виникнення
особливих властивостей контакту двох напівпровідників, контакту метал-
напіпровідник, механізм розповсюдження та способи введення й виведення
оптичного сигналу в оптоволокнах, принципів роботи оптичних квантових
підсилювачів і генераторів, фотоприймачів (пікселів). Розуміння цих питань дуже
важливе для становлення інженера-зв'язківця. Автори хотіли представити фізику
не як деякий об'єм інформації, який необхідно засвоїти, а як розумну, логічну й
красиву науку. Фізику необхідно вивчати під гаслом "Ніякого зазубрювання!"
Замість пам'яті формальної повинна використовуватись пам'ять логічна
запам'ятовування повинно досягатись через глибоке розуміння.
Використаний математичний апарат забезпечує достатній рівень строгості
викладення матеріалу курсу й відповідає математичній підготовці студентів
перших курсів вищих технічних навчальних закладів.
10
Електростатичне поле
Електромагнітна взаємодія на багато

Розділ 1.Електростатичне поле
порядків інтенсивніша гравітаційної й слабкої
та є далекодіючою, на противагу сильній
§1.1.Електричний заряд
взаємодії. Вона найбільш часто зустрічається й
багата проявами в мега–, макро– і мікросвіті.
Сучасній фізиці відомо чотири види Вона обумовлена участю електромагнітного
фундаментальних взаємодій: гравітаційна, поля. Електромагнітне поле або поглинається,
електромагнітна, сильна, слаба. Сильна або випромінюється за такої взаємодії, що і
взаємодія проявляється між частинками в обумовлює взаємодію між тілами. Тому, якщо
ядерних масштабах (10-15м). Слаба – ще більш частинки (тіла) взаємодіють між собою із
18
короткодіюча (порядку 2  10 м), силами, які повільно зменшуються із
проявляється між елементарними частинками збільшенням відстані між ними й набагато
івідіграє важливу роль при їх взаємних перевищують силу всесвітнього тяжіння (1.1),
перетвореннях. Гравітаційна взаємодія то говорять, що ці тіла мають електричний
(тяжіння) універсальна взаємодія між будь- заряд. Можна сказати, що електричний заряд
якими тілами. Якщо взаємодія відносно слаба і це фізична величина, яка визначає
тіла рухаються повільно (порівняно із інтенсивність електромагнітної взаємодії,
швидкістю світла c  3  10 м/с), 8

то подібно тому, як маса визначає інтенсивність
справедливий закон всесвітнього тяжіння гравітаційної взаємодії.
Ньютона (1867р.): дві будь-які матеріальні Електричний заряд зв’язаний з

матеріальним носієм і є джерелом
частинки з масами і притягуються у
електромагнітного поля. Електричний заряд є
напрямку одна до одної з силою F, яка прямо
внутрішньою характеристикою елементарних
пропорційна добутку мас і обернено
частинок і визначає їх електромагнітну
пропорційна квадрату відстані r між ними.
взаємодію. Вся сукупність електричних і
mm магнітних явищ є проявом існування, руху та
F G 12 2 , (1.1)
r взаємодії електричних зарядів.
(під матеріальними частинками розуміють Електромагнітна взаємодія є
будь-які тіла за умови, що їхні лінійні розміри далекодіюча й може приводити як до
набагато менші за відстань між ними). притягання так і до відштовхування між тілами
Коефіцієнт пропорційності G називають на відміну від гравітаційної взаємодії. Це
г р а в іт а ц і й н о ю с т а ло ю , числове значення обумовлює існування двох різнойменних
якої вперше було визначене Г. Кавендішем електричних зарядів: позитивного і
(1798р.). За сучасними даними негативного. Різнойменні заряди притягуються,
G  6,6745  10 11 . Згідно закону однойменні відштовхуються. За позитивні
(1.1) сила F залежить тільки від положення приймають ті заряди, які виникають на скляній
частинок у даний момент часу. Тобто паличці при натиранні її шовком, а негативні –
гравітаційна взаємодія розповсюджується заряди, які виникають на ебонітовій паличці
миттєво. Сила(1.1) завжди є силою (або бурштиновій (янтарній)) при натиранні її
притягання. хутром. В природі частіше всього
11
Електричний заряд
зустрічаєтьсявзаємна компенсація позитивних і тієї ж самої величини , тобто q=n , де

негативних зарядів (через силу притягання) на n=1,2,3,... . Експериментально було визначено,
макроскопічних тілах, як результат, тіла стають що . Ще в 1897 р. Дж.
електрично нейтральними й не проявляють Томсон визначив питомий заряд електрона
електричної взаємодії.
e/ Звідси маса
Численними експериментами було
електрона кг. Отже
встановлено закон збереження електричних
електрон є матеріальним носієм найменшої
зарядів: сумарний заряд електрично
маси й найменшого електричного заряду в
ізольованої системи залишається
природі. Електричний заряд електрона
незмінним. Заряди можуть
умовились вважати негативним відповідно до
лишепередаватись від одного тіла системи
більш ранньої угоди вважати негативним заряд
до іншого або зміщуватись в середині дного
наелектризованого бурштину (янтаря) (грецьке
тіла.
e l e c t r o n – бурштин (янтар)).
Примітка. Система називається
Носієм позитивного елементарного
електрично ізольованою, якщо через поверхню,
електричного заряду є протон. За сучасними
яка обмежує систему, не можуть проникати
експериментальними даними позитивний заряд
електричні заряди.
протона дорівнює за абсолютним значенням
Електричні заряди можуть зникати і
негативному елементарному заряду електрона з
виникати знову, але завжди зникають або
відносною точністю 10-21. Важко пояснити
виникають два електричні заряди протилежних
чому заряди електрона й протона однакові з
знаків. Величина заряду, яка вимірюється в
такою фантастичною точністю. Мабуть,
різних інерціальних системах відліку, є
квантування заряду є тайним і універсальним
однаковою. Це означає, що електричний заряд
законом природи.
є релятивістські інваріантним, тобто його
Дослід показує, що заряди всіх
величина не залежить від того, рухається він,
елементарних частинок є точно однаковими.
чи знаходиться в стані спокою.
Факт квантування заряду виходить, звичайно,
Думку про те, що електричний заряд
за рамки класичного електромагнетизму. Як
дискретний вперше висловив Б. Франклін у
правило, квантування ми не враховуємо й
1749р. Перші обґрунтовані припущення про те,
чинимо так, начебто наші точкові заряди q
що електрика не є неперервною "рідиною", а
можуть мати будь-яку величину. Це не
складається з особливих частинок, були
приводить до труднощів. Однак корисно
зроблені на основі праць М. Фарадея з
згадати, що класична теорія не в стані пояснити
дослідження явища електролізу. Цю найменшу
структури елементарних частинок. (Не можна,
порцію електрики, яку часто називають
між іншим, стверджувати, що сучасна квантова
електричним зарядом або "атомом електрики",
теорія може це зробити!). Що утримує
ірландський фізик Г. Стоней в 1891р. назвав
електрон від розпаду - таке ж таємниче, як і те,
електроном. Пряме експериментальне
що визначає точну величину його заряду. Тут
вимірювання елементарного заряду виконав в
повинні існувати якісь сили, відмінні від
1909 р. американський фізик Р. Міллікен. Він
електричних сил, оскільки електростатичні
встановив, що заряд q є цілим кратним однієї і
12
Закон Кулона
сили, які діють між різними частинами Суттєвим фізичним змістом закону (1.2) є
електрона, приводять до відштовхування. твердження про обернену залежність сили
взаємодії зарядів від квадрату відстані між
§1.2.Закон Кулона ними. В цьому плані закон (1.2) дуже корелює із
законом (1.1). Дослідні дані показують, що
Електростатика займається вивченням закон Кулона справедливий для відстаней від
електричних полів нерухомих зарядів.
10 15 м до, принаймні, декількох кілометрів. Є
Спочатку будемо вивчати електростатичні поля
всі підстави вважати, що для відстаней, які
у вакуумі. Основний кількісний закон
менші 10-16м, закон Кулона перестає бути
електростатики було відкрито Кулоном в 1785
справедливим.
р. Він формулюється таким чином.
er r F
Сила взаємодії F двох точкових зарядів у - +
q2
вакуумі направлена вздовж прямої, яка з’єднує q1
ці заряди, пропорційна добутку їх величин і а
і обернено пропорційна квадрату відстані F r er
між ними r. Вона є силою притягання, якщо
-q +
q2
1
знаки зарядів різні і силою відштовхування,
б
якщо знаки зарядів однакові. Математично:
Рис.1.1.
q1q2
F k , (1.2)
r2 У системі СІ для зарядів у вакуумі
де k – коефіцієнт пропорційності. коефіцієнт k у формулі (1.2) записують у формі
Точковість зарядів в законі Кулона
k =1/(4 , (1.4)
означає, що лінійні розміри тіл, на яких
зосереджені ці заряди, мізерно малі порівняно з де  0  8,85 10 12 –
відстанню між ними. Силу Кулона називають
електрична стала і, отже, k  9109 Н  м 2 Кл 2 .
центральною силою, тому що вона напрямлена
вздовж прямої, що з’єднує заряди.
Множник 4 у виразі (1.4) відображає
Закон Кулона можна записати у векторній сферичну симетрію електростатичного поля
формі: точкового заряду, оскільки величина 4

 числово дорівнює повному тілесному куту в
qq 
F  k 1 2 2 er , (1.3) стерадіанах.
r
 Закон Кулона (F піддавався
де er – одиничний вектор, що має напрямок від експериментальній перевірці багато разів, аж
заряду до заряду , якщо визначається до наших днів. Це пов’язано з тим, що було
сила, яка діє на заряд зі сторони заряду побудовано квантову електродинаміку, яка
 принципово по-іншому, ніж класична теорія,
(рис.1.1,а) і навпаки, er має напрямок від
пояснювала взаємодію зарядів. Але це не
заряду до заряду , якщо визначається значить, що закони класичної електродинаміки
сила, яка діє на заряд зі сторони заряду було повністю відкинуто. Взаємовідносини
(рис.1.1,б). квантових і класичних законів визначаються
13
Напруженість електричного поля
принципом відповідності: класичні закони є електромагнітних хвиль ми переконуємось, що

граничним випадком квантових, і, значить, між поле може існувати без зарядів
ними повинен існувати зв'язок. Одним із (електромагнітні хвилі) і що поняття поля має
проявів цього зв’язку є твердження: якщо закон глибокий фізичний зміст: електромагнітне поле
Кулона не є точним законом «обернених є об’єктивною реальністю. Поле реальне так
квадратів» (F то маса спокою фотона само, як і речовина і як речовина є одним із
повинна відрізнятися від нуля. Необхідно видів матерії.
підкреслити, що питання про рівність нулю Властивості електричного поля вивчають
це питання експериментальне. за допомогою пробного точкового позитивного
Оскільки ряд важливих положень електричного заряду пр

. Пробний заряд
сучасної фізики базуються на припущенні про мусить бути досить малим, щоб запобігати
те, що =0, то проблема експериментального спотворенню початкового характеру поля.
підтвердження цього припущення повинна Його присутність не повинна змінити розподіл
розглядатись як принципово важлива. Дослідна зарядів, а також не повинна суттєво вплинути
перевірка закону Кулона – один із шляхів її на результати вимірювань.
розв’язку. Про експериментальну перевірку Якщо в поле, що створюється зарядом q,
того факту, що маса спокою фотона = 0, помістити пробний заряд пр , то на нього буде
йдеться в 16.6. Досліди, проведені в земних діяти сила (1.3), яка пропорційна до
умовах, а також оцінки, зроблені шляхом величини пр .
Тому ця сила не може бути
аналізу астрофізичних даних, не дають підстав характеристикою самого поля. Але величина,
вважати масу спокою фотона відмінною від
яка дорівнює відношенню пр
(питома сила,
нуля, і тому, закон взаємодії точкових
сила що діє на одиничний позитивний заряд)
електричних зарядів зберігає статус точного
може бути силовою характеристикою поля.
закону «обернених квадратів».
er r E F
+ +
§1.3.Напруженість електричного поля q qпр
а
За сучасними поглядами матеріальним
er r F E
носієм взаємодії нерухомих зарядів є - +
qпр
електричне поле. Основною ознакою наявності
q
електричного поля є те, що на будь-який заряд, б
внесений у це поле, діє сила. Розкриття Рис.1.2.
властивостей поля – одне із найважливіших

завдань фізики. Зараз ми розглядатимемо Тому векторна величина
стаціонарні електричні поля, тобто такі поля, пр (1.5)

що не змінюються з часом і створюються називається напруженістю електричного поля.
нерухомими електричними зарядами. Такі поля Враховуючи закон Кулона (1.3) та відношення
називаються електростатичними. (1.5), отримаємо формулу для напруженості
Однак при вивченні змінного поля точкового заряду q на відстані r:
електромагнітного поля і особливо
14
Принцип суперпозиції електричних полів
= (1.6) = = = +...+ ,
пр пр пр пр
Звідси видно, що поле точкового заряду є
+ , (1.7)
центрально-симетричним.
де – напруженості полів, які
За напрямок вектора напруженості
створюються окремими зарядами в даній точці
беруть напрямок сили, з якою поле діє на
простору, де знаходиться пр .
пробний позитивний заряд, вміщений у певну
Принцип суперпозиції дає можливість
точку поля (рис.1.2).
обчислювати напруженість поля будь-якої
У системі СІ одиниця напруженості
системи зарядів. Подумки поділяючи,
електричного поля 1Н – це напруженість
наприклад, заряджене тіло скінчених розмірів
такого поля, яке діє з силою 1Н на точковий
на точкові заряди, знаходимо складові
заряд 1 Кл. Частіше напруженість поля
напруженості в певній точці, створені
вимірюють у вольтах на метр (В/м).
окремими елементами зарядженого тіла. Потім,
згідно з принципом суперпозиції, визначаємо
§1.4.Принцип суперпозиції електричних
полів результуючу напруженість.
Суттєвим фізичним змістом закону §1.5.Графічне зображення електричних

полів
Кулона є твердження про адитивну дію
електричних зарядів. Згідно цього твердження
Електричні поля зображають за
сила взаємодії двох зарядів не змінюється при
допомогою ліній напруженості, які проводять
наявності третього заряду. Незалежно від
так, щоб дотичні до цих ліній в кожній точці
числа зарядів, які входять в деяку систему,
збігалися з напрямками вектора (рис.1.3).
закон Кулона (1.2) можна використовувати для
розрахунку взаємодії кожної пари зарядів. Це
твердження є основою принципу суперпозиції,
який використовується для знаходження
. E1
величини і напрямку вектора напруженості в

. E2
кожній точці поля за заданим розподілом у . E3

просторі та величиною зарядів. Суть принципу
суперпозиції в тому, що сила, яка діє на Рис.1.3.
Лінії напруженості мають початок і кінець або
пробний заряд пр ,
що розташований в любій
йдуть у нескінченність чи з нескінченності.
точці поля системи n зарядів, буде Згідно з формулою (1.6) і рис.1.2 вони
представляти собою векторну суму сил, які починаються на позитивному заряді і
створюються кожною парою (пробний заряд закінчуються на негативному заряді. Лінії
пр і заряд системи) і окремо діють на пр в напруженості ніколи не перетинаються. В
цій точці. іншому випадку в точці перетину силових ліній

були б дві різні напруженості електричного
Математично це можна записати так:
поля. Ці лінії проводять з такою густиною,
15
Потік вектора напруженості електричного поля
щоб кількість ліній, які пронизують одиничну незмінні, називається однорідним. Воно
площину, перпендикулярну до вектора , утворюється між зарядженими площинами,
якщо вони паралельні і нескінченно великі
чисельно дорівнювала величині вектора
(рис.14,е). Однорідне поле зображується
електричного поля в місці розміщення
паралельними лініями напруженості з
площини. На рис.1.4 приведені приклади
однаковою густотою.
графічного зображення електричних полів за
допомогою ліній напруженості для а) і б) –
позитивного і негативного зарядів, в) – системи §1.6.Потік вектора напруженості
позитивного і негативного зарядів, г) – системи електричного поля
E E Зв'язок між електричним полем і його

джерелами може бути виражений простим
+ - способом, який буде мати багато застосувань.
Почнемо із визначення величини, яка
називається потоком вектора напруженості
а б
електричного поля. Нехай в однорідному
E
електричному полі ( ) знаходиться
- +

плоска поверхня S, нормаль n якої утворює
кут з вектором (рис.1.5). Тоді величину

в
E
n
S α E
- -
г
E Рис.1.5.
E _
+
(1.8)
будемо називати потоком вектора через
поверхню S ( – проекція вектора на

д е 
нормаль n ). Але в загальному випадку
Рис.1.4.
 
двох негативних зарядів, д) – зарядженої електричні поля неоднорідні E  E ( x, y, z ) та
негативно площини, е) – система двох й поверхня S не є плоскою (рис.1.6). Таку
різнойменно заряджених однаковими за поверхню S розбиваємо на елементарні
величиною зарядами і однакових за розмірами (нескінченно малі) площини dS, які можна
площин. Поле, у всіх точках якого вважати плоскими, поле в їх межах –
величина і напрямок вектора напруженості
16
Потік вектора напруженості електричного поля
 означає елемент площини, зануреної у воду, то

однорідним, а n – нормаль до dS. Вибір
    
додатного напрямку n умовний (вважають добуток υ dS  υ  n  cos   dS є потоком
додатньою зовнішню нормаль до поверхні S). води через елемент площини в м3/с (рис.1.7).
S
E υ dS dS υ
dS о
n n 60
dS n
dS υ
dS
dS n потік = υ dS потік = 0 потік = dScos
α
E =0,5
Рис.1.7.
Рис.1.6.
Необхідно підкреслити, що таке
визначення потоку можна застосовувати до
Тоді елементарний потік вектора через будь-якої векторної функції, якою б фізичною
dS величиною вона не була.
(1.9)
§1.7.Теорема Остроградського-Гаусса
де формально
Тепер складемо потоки через всі
Розглянемо найбільш простий випадок
елементарні площини dS. Ми отримаємо
розрахунку . Допустимо, що поле створене
скалярну величину , яка є потоком вектора
ізольованим позитивним електричним зарядом
через всю поверхню S :
q і що поверхнею S 1 є поверхня сфери,
d = dS. (1.10) радіус якої r , в центрі якої розташований цей
Знак потоку залежить від вибору напрямку точковий заряд (рис.1.8). Чому дорівнює потік

нормалі, тобто кута  між і n.
dS1
Для замкнутих поверхонь E
n
d (1.11) S1
де знак
елементарних потоків
означає, що сумування
відбувається по
.
q
er
r
замкнутій поверхні S.
Щоб зрозуміти походження назви потік,
виберемо векторну функцію, яка є швидкістю
руху рідини, наприклад в річці, де швидкість Рис.1.8.
змінюється від одного місця до іншого, але є

постійною з часом в будь-якій точці. через таку поверхню? Відповісти на це
Позначимо це векторне поле, яке вимірюється, питання легко, оскільки величина

скажімо, в м/с через υ. Тоді, якщо dS (в м2)
17
Теорема Остроградського-Гаусса

напруженості поля E в кожній точці на відстані R від заряду q. Знайдемо потоки
через і :
сферичної поверхні S 1 дорівнює згідно (1.6)
і напрямок співпадає з зовнішньою

(1.13)
нормаллю в цій точці. Тоді знаходимо:
де d = –тілесний кут при вершині
конуса;
(1.14)
де d – проекція на
поверхню сфери, радіус якої R. У свою чергу
d =d – тілесний кут при вершині
конуса, тобто кут, під яким із точки, де
Це означає, що потік не залежить від знаходиться q, видно елемент поверхні .
розмірів сфери і що силові лінії вектора Порівнявши (1.13) і (1.14) бачимо, що
неперервні. d Кожну частину зовнішньої
Тепер уявімо собі іншу поверхню , яка поверхні можна сумістити з відповідною
охоплює поверхню , але не є сферичної частиною внутрішньої сферичної поверхні
таким чином, що повний потік буде
dS2 однаковий через обидві поверхні і .
α Іншими словами, повний потік через поверхню
R .dS
n
2
E2
теж буде дорівнювати . Але поверхня
dS 1 довільної форми. Значить, потік вектора
.
r
.
q d
E1

E через довільну поверхню, яка охоплює заряд
q , дорівнює . Можна довести, що
S1 S2
повний потік вектора через замкнуту
поверхню S дорівнює нулю, якщо заряд q
Рис.1.9. розташований зовні поверхні. Це твердження
форми (рис.1.9). Доведемо, що потік вектора очевидне для точкового заряду і сферичної
через поверхню дорівнює потоку через поверхні (рис.1.10). Потік вектора через
сферичну поверхню . Для доведення елементарну площину dS1 дорівнює
розглянемо конус, який виходить із q і вирізає

елементарну площадку dS1 на поверхні
сфери , продовжується до зовнішньої
де dS1  cos 1  dS1n – проекція площини
поверхні і вирізає на ній елемент площі
dS1 на поверхню сфери радіусом r1 ( r1 –
18
Теорема Остроградського-Гаусса
відстань від заряду q до площини dS1 ), d – вектора змінює свій знак із негативного на
тілесний кут при вершині конуса, яка позитивний.
знаходиться в точці розташування заряду q Із вищесказаного можна зробити такий
n висновок, що потік вектора через замкнуту

α2
E2 поверхню не залежить від її розмірів і форми.
n
E3
.3
r2 ·2
dS2 Це зв’язано із законом «обернених квадратів»у
формулі (1.6).
Застосуємо тепер принцип суперпозиції.
Будь-яке електричне поле є сума полів окремих
E1
·0 джерел (1.7). Ясно, що потік є адитивна
·
α1 1
величина в тому розумінні, що якщо ми маємо
n
·
r1 dS1 деяке число джерел поля q1 , q2 ,..., qn , поля
dΩ
q кожного із яких мали б напруженість
·n
4
E4
, відповідно, то потік через
деяку замкнуту поверхню S в реально
існуючому полі можна виразити рівністю
Рис.1.10.
= d = + +...+ d .
Вище ми встановили (формула (1.12), що
(cos 1  0). Аналогічно потік вектора
, якщо заряд розташований
через елементарну площину буде
всередині поверхні S, і дорівнює
нулю, якщо , розташований зовні поверхні S.
Таким чином, кожний заряд q всередині
де – проекція площадки поверхні S вносить в потік вклад q , а всі
на поверхню сфери радіусом r2 ( r2 – відстань заряди зовні поверхні не вносять вклад в
сумарний потік.
від заряду q до площадки ), d тілесний
Так ми прийшли до закону (теореми)
кут при вершині конуса (точка розташування
Остроградського-Гаусса: потік вектора
заряду q ).
напруженості електричного поля у вакуумі
Сума
через довільну замкнуту поверхню S дорівнює
Перебираючи попарно відповідні
алгебраїчній сумі тих зарядів q, які
площини на поверхні сфери, доводимо, що
охоплюються поверхнею S, поділеній на
сумарний потік вектора в даному випадку електричну сталу вакууму :
дорівнює нулю. Звертаємо увагу на те, що в
дотичних точках 3 і 4 сфери скалярний добуток
d dS . (1.15)
так як вектори і взаємно
перпендикулярні. Саме в цих точках потік Теорему Остроградського-Гаусса можна
називати законом, оскільки вона еквівалентна
закону Кулона і може з однаковим успіхом
19
Застосування теореми Остроградського-Гаусса
вважатись основним законом (рис.1.11) з поперечним перерізом S , на

електростатичної взаємодії після одному із кінців якого розташована точка Р, а
визначення заряду і поля. Закони
на іншому P . Потік вектора через бічну
Остроградського-Гаусса і Кулона не є двома
поверхню циліндра дорівнює нулю, оскільки
незалежними фізичними законами, а є одним і
лінії напруженості поля паралельні твірним і не
тим же законом, який виражений в різних
перетинають його бічної поверхні. Через
формах.
основи циліндра потік дорівнює S +S
Повертаючись до доведення теореми, ми
бачимо, що воно базується на оберненій
пропорційності взаємодії зарядів квадрату
відстані між ними, і, звичайно, на адитивності +σ
взаємодій, тобто на принципі суперпозиції. твірна
Теорема Остроградського – Гаусса може

застосовуватись до будь-якого фізичного поля,
EP´ S
P´
. S
S
P
. EP
в якому діє закон «обернених квадратів»,

r
наприклад до гравітаційного поля, в якому діє
сила (1.1).
Рис.1.11.
§1.8.Застосування теореми
Остроградського-Гаусса до розрахунку
електричних полів Вибрана циліндрична поверхня охоплює
заряд, який розміщено на поверхні S
а) Електричне поле рівномірно площини, величина якого дорівнює S . Тоді
зарядженої нескінченної площини. Площину за теоремою Остроградського Гаусса (1.15)
можна вважати нескінченною, якщо відстанню
2ES = S / . Звідси
від точки, в якій визначається напруженість
E= . (1.16)
поля, до площини можна знехтувати порівняно 
з геометричними розмірами площини. Незалежність E від відстані r свідчить
Поверхнева густина заряду σ це кількість про те, що поле нескінченої рівномірно

зарядженої площини в усьому просторі поза
заряду, що приходиться на одиничну площу
нею однорідне (краєві ефекти не
площини ( . Електричне поле по
враховуються). Співвідношення (1.16) можна
обидві сторони площини, яка б не була його
отримати більш складним шляхом,
величина, повинно бути направлене
використовуючи принцип суперпозиції (1.7).
перпендикулярно площині; в системі не може
б) Електричне поле між двома
бути іншого виділеного напрямку (рис.1.11). В
різнойменно зарядженими паралельними
точках Р і P', які розташовані на однаковій
нескінченними площинами. Будемо вважати, що
відстані по обидві сторони площини, вектори
поверхневі густини зарядів площин однакові за
напруженості і поля із-за симетрії
величиною   . За принципом
повинні мати однакову величину, але
протилежнті напрямки. Намалюємо циліндр суперпозиції можна стверджувати, що в
областях за межами площин поле відсутнє (в
20
кожній точці простору за межами площин прямої, яка перпендикулярна до проводу, а

значення від обох заряджених площин величина напруженості може залежати від
однакові за величиною і протилежні за знаком, відстані r точки до проводу (рис.1.13). Уявімо
тобто =0), а в областях між площинами собі циліндр, віссю якого є заряджений провід,
напрями від обох заряджених площин мають висота циліндра h, а радіус основи r
однаковий напрямок (рис.1.12) і отже (рис.1.13). Потік вектора через торці
(1.17) (основи) циліндра дорівнює нулю. Потік через
бічну поверхню циліндра дорівнює площі
Електричне поле двох різнойменних
заряджених площин локалізоване в об’ємі між
2rh помножений на напруженість поля на
цими двома площинами і є однорідним. поверхні E (r ) . З іншого боку, заряд, який
охоплюється циліндричною поверхнею,
E+ E+
_ + σ _ E+ дорівнює h . Таким чином згідно теореми
E E
_σ _
(1.15) можемо записати, що
E
2rhE ( r )   h  0 . Звідки

E r   . (1.18)
d 2 0 r
Поле лінійного заряду є неоднорідним.
Рис.1.12.
г) Електричне поле рівномірно
в) Електричне поле лінійного заряду. зарядженої нескінченної циліндричної поверхні.
Довгий прямий заряджений провідник, якщо Якщо радіус зарядженої циліндричної поверхні
R, то для відстані r>R від осі циліндра,
λ
+ провід отримаємо випадок, що розглядався пункті в).
Якщо r<R, то допоміжна циліндрична поверхня
r
не містить всередині зарядів, внаслідок чого
E r  R   0 . Таким чином для зарядженого
E E
h циліндра для визначення напруженості поля
при r  R можна використовувати формулу
(1.18). Поле циліндра є неоднорідним.
д) Електричне поле сферичного розподілу
заряду. Розглянемо поле сферично-
симетричного розподілу заряду, тобто
Рис.1.13.
розподілу, в якому об’ємна густина заряду 
знехтувати його товщиною, можна
характеризувати кількістю електрики (заряду) (   q / V – заряд одиниці об’єму, який
на одиницю довжини. Позначимо цю лінійну вимірюється в Кл/м3 ) залежить тільки від
густину заряду, яка вимірюється в системі СІ в відстані до центральної точки. На (рис.1.14)
Кл/м, буквою  . Із міркувань симетрії витікає, зображений поперечний переріз такого
що напруженість поля в будь-якій точці розподілу. Густина заряду в цьому розподілі
повинна бути направлена вздовж радіальної нерівномірна: в центрі вона більша, ніж на
21
деякій відстані від нього, потім зменшується, Гауса, повинен дорівнювати заряду, цю
потім знову збільшується і на відстані, більшій охоплюється цією поверхнею, поділеному на
R, дорівнює нулю. Необхідно визначити  0 . Таким чином
напруженість електричного поля в деякій точці
заряд всередині S1 . (1.19)
P1, яка розташована за межами розподілу E1 
4 πε 0 r12
заряду і в точці P2 всередині нього (рис.1.15).
Порівнюючи цю формулу з полем точкового
заряду (1.6), ми бачимо, що поле у всіх точках
поверхні S1 є таким же, як якби весь заряд
всередині S1 був зосереджений в центрі O.
Аналогічне твердження можна застосувати до
O
R будь-якої сфери, проведеної всередині
розподілу заряду, центр якої знаходиться в
точці O. Поле в будь-якій точці поверхні S2 є
таким, як якби весь заряд всередині S2 був
зосереджений в центрі O, а зовні S2 зарядів не
Рис.1.14. було би.
Через сферичну симетрію електричне Розрахувати заряд всередині поверхонь S1
поле в будь-якій точці повинно бути або S2 можна так. Загальна формула для
направлене по радіусу – другого напрямку бути розрахунку заряду в деякому об’ємі V
не може. Величина поля Е повинна бути наступна:
однаковою у всіх точках сферичної поверхні S1,
радіус якої r1, так як всі такі точки є
q   ρdV ,
V
еквівалентними.
де dV – елементарний об’єм, в межах якого
  const. На рис.1.15 виберемо сфери, радіуси
P1
яких r і r + dr, де dr – нескінченно малий
̇
S1
r1
P2 приріст радіуса r сфери. Тоді за об’єм dV
̇r2
r dr візьмемо простір між цими двома сферами. Цей
R об’єм dV=4 . Тому формула для
̇
O розрахунку заряду всередині сфери, радіус якої
S2
r, для сферично-симетричного розподілу
заряду така:
(1.20)
Рис.1.15. Таким чином заряд всередині поверхні
дорівнює а заряд
Позначимо величину цього поля Е1. Тоді
всередині поверхні
потік цього поля через поверхню S1 дорівнює
.
4r12 E1 і, за теоремою Остроградського-
22
Робота сил електростатичного поля
Розглянемо окремі частинні випадки.

е) Електричне поле рівномірно r1 S1
++
зарядженої сфери, радіус якої R (рис.1.16). Так + + + +S2
+ ++++ ++ ++
як всередині поверхні S2 зарядів не має, то + ++ + + + + +
напруженість поля всередині сфери дорівнює + + + + R +
O +
+ + r2 + + + + +
+
нулю. Для поверхні S1 заряд всередині неї + ++++ ++ + +
++ + +
дорівнює заряду сфери, то напруженість поля
+++
для відстаней rR можна розрахувати за
формулою (1.19).
Рис.1.17.
+ S1
+ + E
+ R
+ o
R
+ S2 + ~
1
O r2
~r
+ +
+ + 0 R r
+
Рис.1.18.
Рис.1.16.
Це означає, що напруженість поля
всередині кулі лінійно зростає з відстанню від
ж) Електричне поле однорідно
центра кулі О від нуля до На
зарядженої кулі, радіус якої R.
рис.1.18 приведено графік залежності Е від r
Для цього випадку (рис.1.17).
для рівномірно зарядженої кулі.
Тоді заряд всередині поверхні S1 буде:
R
4πρR 3
q   4πρr 2 dr 
0
3 §1.9.Робота сил електростатичного поля
і напруженість поля в точках поверхні S1
визначиться за формулою (1.19). Обчислимо роботу сил електростатичного
ρR 3
q поля заряду q при переміщенні пробного
E1   .
3ε 0 r12
4πε 0 r12 заряду пр в цьому полі з точки 1, що
Заряд всередині поверхні S2 за формулою (1.20) перебуває на відстані r1 від заряду q, в точку 2
дорівнює: на відстані r2 від нього (рис.1.19). В любій
r2
4πρr 3 точці цього поля на заряд пр діє сила Кулона
q 2  4πρ  r 2 dr  . 2
0
3 (1.3)
Тоді за формулою (1.19) напруженість пр
поля в точках на поверхні сфері S2 буде:

q2 ρ Робота сили на елементарному
E2   r2 . (1.21)
4 0 r2 30
2 переміщенні дорівнює:
23
Робота сил електростатичного поля
§1.10.Різниця потенціалів. Потенціал.

пр пр Еквіпотенціальні поверхні
де dr – проекція вектора на напрямок дії Робота сил консервативного поля (1.22)

виконується за рахунок зменшення
сили (рис.1.19). Робота при переміщенні
потенціальної енергії, тобто:
заряду пр із точки 1 в точку 2 дорівнює:
= = ( ) (1.23)
пр пр
= = = . де
пр
= + const,
1 а
пр
= + const
r1
потенціальна енергія заряду пр в полі заряду q
dr F на відстанях r1 і r2 від нього, відповідно. В
er r qпр α
загальному випадку
+ dl
q =
пр
+ const. (1.24)
r2
Значення константи у виразі (1.24)
2
вибирають таким чином, щоб при видаленні
заряду пр від заряду q на нескінченість
Рис.1.19.
(тобто r ) потенціальна енергія
Звідки
пр пр дорівнювала нулю. При такій умові (1.24)
(1.22) набуває вигляду:
пр
Із (1.22) випливає, що робота сил = (1.25)
електростатичного поля не залежить від форми
Якщо заряди q і пр однойменні, то
шляху переміщення заряду пр між точками
потенціальна енергія їхньої взаємодії
1–2, а визначається лише розміщенням
(відштовхування) додатня і зростає при
початкової 1 ( ) і кінцевої 2 ( ) точок. Силові
зближенні цих зарядів (рис.1.20).
поля, які задовольняють такій умові,
Wp q > 0, qпр >0
називаються потенціальними, або q < 0, qпр<0
консервативними. Отже, електростатичне поле
точкового заряду є потенціальним. Цей
0
висновок можна поширити на випадок r
електричних полів будь-якої системи q >0, qпр<0
q<0, qпр>0
нерухомих точкових зарядів.
Рис.1.20.
У випадку взаємного притягання
різнойменних зарядів потенціальна енергія
їхньої взаємодії від’ємна і зменшується при
24
Різниця потенціалів
зближенні зарядів. Для різних пробних зарядів величина, яка числово дорівнює роботі, яку
пр , пр і т. д. будуть виконуватись різні роботи виконують зовнішні сили (проти сил
(1.22). Однак, відношення / буде електростатичного поля) при переміщенні
пр
одиничного позитивного заряду з
однаковим для всіх пробних зарядів. Величина
нескінченності в дану точку поля.
= / пр (1.26)
Одиниця потенціалу – вольт. 1В – це
називається різницею потенціалів
потенціал такої точки поля, в якій заряд
електростатичного поля між точками 1 і 2.
величиною 1 Кл має потенціальну енергію
1  2 однозначно визначається через 1 Дж.
роботу (1.22): Робота є адитивна величина. Нехай поле
, (1.27) створюється системою n точкових зарядів
Робота, яка виконується силами
де , а
цього поля над зарядом пр , буде дорівнювати
алгебраїчній сумі робіт сил, обумовлених
кожним зарядом окремо:
називаються потенціалами поля в точках 1 і 2.
n
Потенціал, як і потенціальна енергія (1.24), A12  A.
i 1
i
визначається з точністю до константи, тобто
+ const. (1.28) Згідно (1.22) кожна із робіт Ai дорівнює
Якщо прийняти, що на нескінченно великій 1  qi qпр qi qпр ,

Ai    
4πε 0  ri1 ri 2 
відстані r (r ) від заряду q потенціал
дорівнює нулю, то константа у (1.28) де ri1 – відстань від заряду q i до початкового
приймається за нуль і
положення заряду пр , ri 2 – відстань від q i до
(1.29)
кінцевого положення заряду пр . Значить
Якщо порівняти формули (1.25) і (1.29), то
1 n qi qпр 1 n qi qпр
= пр (1.30) A12 
4πε 0

i 1 ri1

4πε 0

i 1 ri 2
.
Із (1.30) витікає, що потенціалом будь-
Співставивши цей вираз із
якої точки електростатичного поля називають
співвідношенням (1.23), отримаємо для
фізичну величину, яка числово дорівнює
потенціального енергії заряду пр в полі
потенціальній енергії одиничного позитивного
заряду, поміщеного в цю точку. системи зарядів вираз
пр
Із формули (1.26) ще можемо записати, = ,
що
із якого витікає, що
= пр
= = (1.31)
пр
де враховано, що пр ми із точки 1
Співставляючи формули (1.31) і (1.29),
переміщуємо на нескінченність ( ).
приходимо до висновку, що потенціал поля, яке
Тому, потенціал даної точки
створене системою зарядів, дорівнює
електростатичного поля – це така фізична
алгебраїчній сумі потенціалів, які створюються
25
Циркуляція вектора напруженості електричного поля
кожним із зарядів окремо. В той час як §1.11.Циркуляція вектора напруженості

напруженості полів складаються при електричного поля
накладанні полів векторно, потенціали
складаються алгебраїчно. Через цю причину З формули (1.22) також випливає, що при
розрахунок потенціалів є більш простим, ніж переміщені точкового заряду в
розрахунок напруженостей електричного поля. електростатичному полі по довільному
Геометричне місце точок з однаковим замкнутому контуру Г ( робота

потенціалом називається еквіпотенціальною дорівнює нулю. Математично цю умову
поверхнею. Її рівняння має вигляд: записують так:
x, y, z   const . = пр = пр =0.
При переміщення пр по Так як пр , то
еквіпотенціальній поверхні на елементарний
= 0. (1.32)
відрізок потенціал не змінюється, а отже, і
робота Лінійний інтеграл ,
= обчислений по довільному замкнутому контуру

пр ( = d = пр
Г, називають циркуляцією вектора
E
ту ру
п о кон
1 хі д
об
2
E
+
q E3 E
3 d l3
E2 dl
E d l2
E1
d l1 Г
Рис.1.21.
Звідси, скалярний добуток . Так як Рис.1.22.
то за умови, що кут
Циркуляція вектора по контуру Г – це
між і дорівнює Це означає, що вектор
сума скалярних добутків
напруженості електричного поля в кожній
точці напрямлений перпендикулярно до обчислених в кожній точці контуру
еквіпотенціальної поверхні. (рис.1.22).
Еквіпотенціальні поверхні точкового Співвідношення (1.32) є одним із
заряду – це сферичні оболонки навколо нього фундаментальних рівнянь електростатики, яке

відображає той факт, що силові лінії
(рис.1.21) ( 1  2  3 ).
електростатичного поля незамкнені: вони
починаються на позитивних зарядах і
закінчуються на негативних або йдуть у
нескінченність.
26
Зв'язок між напруженістю і потенціалом
При переміщенні пробного точкового  ;  .

Ey   Ez  
заряду у такому полі по замкнутому контуру на y z
одних ділянках шляху робота буде додатньою, Таким чином ми знаходимо –
на інших від’ємною, а повна робота завжди
компоненти вектора напруженості . Вираз для
дорівнює нулю. Рівняння (1.32) є інтегральною
можемо записати так:
формою запису потенціальності
електростатичного поля. = і+ + = і
У векторному аналізі градієнтом скалярної
§1.12.Зв’язок між напруженістю та величини  називається така векторна
потенціалом електростатичного поля величина, для якої справедливий запис:
grad і .
Оскільки напруженість і потенціал  є
різними за фізичним змістом характеристиками Цей вектор направлений у бік найшвидшого
тих самих точок електростатичного поля, то зростання потенціалу .
між ними повинен існувати взаємозв’язок. Отже,
Нехай в електричному полі знаходиться . (1.33)
заряд пр . Робота при переміщенні цього Знак "–" вказує на те, що вектор
заряду вздовж осі OX між двома нескінченно напруженості поля направлений вбік
близькими точками буде: найшвидшого зменшення потенціалу.
dA  Fx dx  q пр E x dx . Напруженість в якій-небудь точці
електростатичного поля дорівнює градієнту
З іншого боку, елементарна робота при
потенціалу в цій точці поля, взятому з
переміщенні заряду пр в електростатичному
оберненим знаком.
полі виражається через різницю потенціалів
Знаючи потенціал  в кожній точці поля,
між цими точками:
за формулою (1.33) можемо обчислити
пр пр
напруженість в кожній точці поля.
пр пр Можна розв’язати і обернену задачу,
де 1   , а 2    d . тобто знаючи напруженість поля в кожній
Тоді, прирівнявши елементарні роботи, точці поля, можна знайти різницю потенціалів
отримуємо: між довільними точками. Робота при
 переміщені заряду з точки 1 в точку 2
Ex dx  d , або Ex   . пр
x дорівнює:
Знак "–" означає, що під дією сил електричного
поля додатній заряд переміщується в бік = d = пр = пр
зменшення потенціалу. Значок похідної

 Звідси отримаємо, що
x
  x, y, z  ,
. (1.34)
означає, що але в даному
Інтеграл можна брати вздовж довільної
випадку похідна береться тільки по змінній x.
Аналогічні міркування можна поширити і лінії, яка з’єднує точки 1 і 2, оскільки
на напрямки переміщень вздовж осей OY і OZ: електричне поле є потенціальним.
27
Рівняння Пуассона

§1.13.Рівняння Пуассона (теорема навпаки, напрям зовнішньої нормалі n
Остроградського-Гаусса в співпадає з позитивним напрямком осі ОХ і
диференціальній формі)
для потока вектора через цю грань
Співвідношення (1.15) виражає теорему необхідно писати  Ex x  dx dydz . Сума

Остроградського-Гаусса в інтегральній формі. обох потоків буде:
Величини, що входять у вираз теореми,
характеризують різні точки електричного поля.
Так, якщо вектор характеризує точки деякої
замкнутої поверхні, то електричний заряд де dV  dxdydz об’єм елементарного
стосується точок об’єму, обмеженого цією паралепіпеда. Враховано, що приріст функції

поверхнею.
Отримаємо аналогічний вираз цієї
теореми в диференційній формі, тобто де – похідна від тільки по
знайдено співвідношення між фізичними
змінній x.
величинами, які характеризують якусь точку
Аналогічно знайдуться потоки через дві
поля. Для цього знайдемо потік вектора
пари останніх граней:
напруженості поля через поверхню
нескінченно малого прямокутного
паралелепіпеда з ребрами dx, dy, dz, який
охоплює заряд, розподілений з об’ємною
густиною  (рис.1.23). Будемо вважати, що Повний потік через всю поверхню
  x, y, z  є неперервна функція паралелепіпеда
координат. + (1.35)
Z де введено позначення
dz + (1.36)
n .1 x,y,z
.
2 n
За теоремою Остроградського-Гаусса
dx dy = dq = , (1.37)
0 X
Y де dq – заряд, що знаходяться всередині
паралепіпеда. Прирівнюючи (1.35) і (1.37)
Рис.1.23.
Представлення про неперервний розподіл отримаємо:
електрики в просторі є такою ж ідеалізацію, як div = . (1.38)

і представлення про неперервний розподіл Ця формула і виражає, теорему
речовини. На грані 1 зовнішня нормаль Остроградського-Гаусса в диференціальній
направлена проти позитивного напрямку осі формі.
ОХ. Тому потік вектора через цю грань буде Величина, яка визначається виразом
 Ex x dydz . На протилежній грані 2, (1.36), зберігає зміст незалежно від конкретної
28
Поляризація діелектриків
фізичної або геометричної природи вектора . зміст поняття «безмежності» у визначенні

Вона називається дивергенцією вектора .
потенціалу.
Інтегральна і диференціальна форми 9.Принцип суперпозиції
теореми Остроградсгькоо-Гаусса повністю електричних полів: визначення, відмінність
цього принципу для напруженості і для
еквівалентні. Ці теореми справедливі не
потенціалу.
тільки в електростатиці, але і в
10. Зв’язок між вектором
електродинаміці, де розглядаються змінні з 
напруженості E і потенціалом поля .
часом електромагнітні
11.Взаємне розташування
поля. Вся сукупність дослідних даних 
підтверджує це твердження. Тим самим силових ліній вектора E і
еквіпотенціальних ліній (поверхонь)
рівняння (1.15) і математично еквівалентне
потенціалу  електричного поля. Довести
рівняння (1.38) перестають бути скромними
цю властивість їхнього взаємного
наслідками закону Кулона, а підносяться в ранг
розташування.
основних постулатів теорії електрики. 12.Рівняння Пуассона:
визначення, фізичний зміст, зв’язок із
Контрольні питання теоремою Остроградського-Гаусса.
13.Циркуляція вектора
1.Закон Кулона та його 
напруженості поля E по замкнутому
фундаментальність для електростатичного
контуру: визначення, фізичний зміст.
поля.
2.Вектор напруженості
електричного поля: визначення та
фізичний зміст.
3.Силова лінія електричного
поля: визначення, властивості, фізичний діелектриків і поле всередині
зміст. діелектрика
4.Потік вектора напруженості
електричного поля: визначення, фізичний
зміст. §2.1.Провідники, напівпровідники та
5.Теорема Остроградського- діелектрики
Гаусса для електростатичного поля та її
зв'язок із законом Кулона. За здатністю проводити електричний
6.Застосування теореми струм всі тверді тіла поділяються на три
Остроградського-Гаусса до розрахунку
великих групи (Табл.2.1): метали,
електричного поля: точкового заряду,
напівпровідники і діелектрики (або ізолятори).
безмежної однорідно зарядженої площини,
безмежно довгої однорідно зарядженої Сюди можна добавити і надпровідники – ряд
прямої нитки, однорідно зарядженої кулі. металів та їх сполук, які при дуже низьких
7.Робота по переміщенню заряду температурах проводять струм без втрат

в електричному полі: її властивості та енергії їх електричний опір дорівнює нулю.
методи обчислення. Найкращими провідниками є метали. Питомий
8.Різниця потенціалів: опір  металів – порядку 10-810-5 Омм. У
визначення, фізичний зміст. Потенціал: діелектриків питомий опір більший 108 Омм.
29
Діелектрики (англ. “dielectric”, від температур (один із "високотемпературних"

грецького diá – через, наскрізь і англ. electric – сплавів Nb3Ge переходить в надпровідний стан
електричний) – це речовини, які погано тільки при 21,3 К ( 251,7С)).
проводять електричний струм. Термін І діелектрики, і напівпровідники, і метали
«діелектрик», введений Фарадеєм для широко використовуються в техніці.
позначення речовин, в які проникає електричне Діелектрики використовуються, наприклад, як
поле. Діелектриками є гази (не іонізовані), ізолятори. Назвемо деякі із них. До твердих
деякі рідини і тверді тіла. Електропровідність
діелектриків у порівнянні з металами дуже -2
10 3
10-7 10
мала. Напівпровідники займають проміжне
Ag Cu Pb Ge
місце між провідниками та діелектриками. Si
Питомий 10 8 10 13 10 18
Матеріал Провідні
опір ρ, Ом ∙м властивості
Вода (CH)x Алмаз Нейлон Тефлон ρ, Ом .м
Є “вільні ” носії
заряду (електрони), Рис.2.1.
Провідники 10 -8÷10
-5 кількість яких
практично не
залежить від діелектриків відносяться скло, гума, фарфор,
температури
слюда, пластмаси і полімерні матеріали, папір,
Є “вільні ” носії дерево, алмаз, кварц та інші. Рідкими
заряду,кількість діелектриками є: хімічно чиста (дистильована)
Напівпро- яких залежить
10 -5÷10 8 вода, ацетон, гліцерин, спирт метиловий,
відники (експоненціально)
від температури хлорбензол, мінеральні нафтові мастила.
Діелектриками є неіонізовані гази і пари
При нормальних
умовах відсутні речовини, що знаходяться в не дуже сильних
Діелектрики 10 8÷1016 “вільні ” носії електричних полях, повітря, азот та інші.
заряду
Напівпровідниками є, як правило, багато
твердих речовин (наприклад, германій,
На рис.2.1 приведені значення питомого кремній) так і хімічних сполук (наприклад,
опору деяких металів, напівпровідників і GaAs, CdTe, PbS). Напівпровідникові прилади
діелектриків. Видно, що питомий опір у срібла можна зустріти в багатьох пристроях,
менший, ніж у тефлона в 1024 (!) раз. Ні одна починаючи із побутової радіоапаратури і
фізична характеристика не змінюється так закінчуючи сучасними комп’ютерами,
сильно при переході від речовини до речовини, телефонами і т. п., створення яких неможливе
як питомий опір. без напівпровідникових елементів.
Останнім часом в техніці почали Із металів виготовляють з’єднувальні
використовувати і надпровідники. Основна проводи, а також різні електросилові установки
перевага надпровідників в тому, що вони (генератори струму, електромотори,
проводять електричний струм без втрат енергії. трансформатори і т.п.). В таблиці 2.1 приведені
Недоліком існуючих надпровідників є значення питомого опору при Т=293 К і
необхідність охолоджувати їх до дуже низьких постійній напрузі для електротехнічних
30

матеріалів, а також їх основна відмінність з де вектор l має напрямок від заряду –q до
точки зору провідних властивостей. Кількісну заряду +q (напрямок осі диполя рис.2.2).
різницю в електропровідності діелектриків і
Сумарний заряд диполя дорівнює нулю, проте
металів класична фізика пояснює тим, що в
він створює електричне поле, яке має осьову
металах є «вільні» електрони, а в діелектриках
симетрію. Тому картина поля в будь-якій
всі електрони міцно зв’язані з атомами.
площині, яка проходить через вісь диполя, буде
Варто підкреслити, що різкої границі між
однією і тією ж, причому вектор лежить в
групами матеріалів на має. Особливо умовна
цій площині. Положення точки відносно
границя між діелектриками і
диполя будемо характеризувати за допомогою
напівпровідниками. При підвищенні
радіуса-вектора або за допомогою
температури опір кристалічного діелектрика
різко зменшується і останній стає полярних координат r і (рис.2.2).
напівпровідником, навпаки, при зниженні E
температури напівпровідник стає діелектриком.
При певних умовах напівпровідники можуть Er
поводити себе подібно металу. Eθ
§2.2.Електричний диполь в
однорідному і неоднорідному
електричних полях r
er
поле
При внесенні діелектрика в електричне
відбувається його поляризація, яка .
-q o
θ
p
l .
+q
призводить до появи на його поверхнях, які Рис.2.2.
перетинаються силовими лініями поля, не-
скомпенсованих зв’язаних електричних зарядів Потенціал і напруженість поля диполя
протилежних знаків. Тобто дія електричного
визначаються за формулами:
поля на діелектрик зводиться до зміни
розподілу електричних зарядів і в цьому суть (2.2)
явища поляризації діелектриків. E(r, (2.3)
Для розуміння явища поляризації
Порівняння формули (2.2) з (1.29), а (2.3) з
діелектриків необхідно розглянути поведінку
(1.6) свідчить про те, що потенціал і
електричного диполя в електричному полі.
напруженість поля диполя зменшуються з
Електричний диполь – система двох
відстанню швидше, ніж потенціал і
однакових за величиною і протилежних за
напруженість поля точкового заряду ( ,
знаком точкових зарядів + q і – q , які
E На рис.1.4,в показані лінії вектора
знаходяться один від одного на деякій відстані
для диполя.
l. Дипольний момент
  Диполь в однорідному електричному
p  ql , (2.1)   
полі. Результуюча сила, F  F1  F2 , яка діє
31
Електричний диполь в електричних полях
). Тоді енергія диполя, момент якого

+q F1
утворює кут з напрямком поля, дорівнює:
l
M E
(2.7)
F2 α
_q
Зауважимо, що вираз (2.7) не враховує енергію
Рис.2.3. Електричний диполь в однорідному взаємодії зарядів, які утворюють диполь.
зовнішному електричному полі.
Розміри диполя невеликі, тому ця формула
справедлива і для неоднорідного поля.
на диполь, дорівнює нулю, так як сили і ,
Диполь в неоднорідному полі. Для
які діють на позитивний і негативний заряди
спрощення будемо вважати, що момент
диполя, однакові за величиною і протилежні
диполя паралельний напрямку поля (
за напрямком (рис.2.3). Ці сили утворюють
(рис.2.4). У цьому випадку сили, які діють на
пару сил. Момент пари сил M дорівнює
(2.4)
де
поля .
кут між векторами
Користуючись поняттям момента диполя

і напруженістю
F2
. .
˗q p +q
F1
E
X
(2.1), вираз для момента пари сил (2.4) можна
записати у вигляді
(2.5)
Напрям момента цієї пари сил збігається з Рис.2.4.Електричний диполь в неоднорідному

напрямком осі обертання диполя, тобто електричному полі у випадку, коли p
направлений по полю . Сила більша сили і
перпендикулярний до і . Тому вектор
результуюча сила старається перемістити
момента пари сил , який діє на диполь можна диполь в область більшої напруженості зовнішнього
електричного поля.
виразити формулою
= . (2.6) кінці диполя, вже неоднакові і тому їх
Бачимо, що в однорідному полі на диполь результуюча сила не дорівнює нулю. На диполь
діє тільки пара сил, яка прагне повернути в неоднорідному полі діє сила, яка прагне
диполь так, щоб і були паралельні ( = 0). пересунути диполь в область поля з більшою
Щоб повернути диполь в електричному напруженістю. Знайдемо величину цієї сили.
полі на деякий кут, необхідно виконати певну Направимо координатну вісь X вздовж момента
роботу. Через те, що ця робота дорівнює диполя і вважатимемо, що довжина диполя
збільшенню потенціальної енергії диполя, то дуже мала (порядку розмірів молекули). Сила,
звідси можна знайти вираз для енергії диполя в яка діє на негативний кінець диполя, є qE, де
електричному полі. Приймемо за нуль відліку E напруженість поля в точці знаходження
енергію положення диполя, при якому його
заряду q. Сила, яка діє на позитивний кінець
вісь перпендикулярна до напрямку поля ( =
диполя, дорівнює де l
32
Типи поляризації діелектриків
довжина диполя, градієнт поля. Тому окремих іонів (електронна поляризація). В

кристалах з ковалентним зв’язком (наприклад,
повна сила дорівнює
алмаз) поляризація обумовлена головним
= qE E0=0 E0 ≠ 0
Na
=p + + + +
Для випадку, коли дипольний момент а ˗ Cl ˗
утворює кут з напрямком поля , сила + + + +
p . (2.8)
+ + + +
В однорідному полі градієнт поля =0
б
і результуюча сила дорівнює нулю. + + + +
Якщо диполь перебуває в неоднорідному

полі і непаралельний полю, то на нього діє і
пара сил, яка прагне повернути диполь в
паралельно полю, і сила, яка втягує диполь в
область сильнішого поля. В кінці кінців диполь
опиняється в області сильнішого поля так, щоб
Рис. 2.5.Поляризація діелектриків:
вектор був зорієнтований по полю (по а – іонна, «+» – іони , «_» – іони ; б –
електронна , + – іони C (вуглецю) кристалічної
напрямку вектора .
гратки, суцільні хвилясті лінії – ковалентні
(електронні) зв’язки; в – орієнтаційна, стрілки
дипольні моменти молекул , – вектор
напруженості зовнішнього електричного поля.
§2.3.Поляризація діелектриків та її
типи. Вектор поляризації
чином зміщенням електронів, які здійснюють
(поляризованість), діелектрична
сприйнятливість хімічний зв'язок (рис.2.5,б). В так званих
полярних діелектриках (наприклад, твердий
Явище обмеженого зміщення зарядів в H 2S ) молекули мають електричні дипольні
атомах і молекулах або напрямленої орієнтації моменти, які при відсутності зовнішнього
дипольних моментів жорстких молекул в
електричного поля орієнтовані хаотично, а в
зовнішньому електричному полі, внаслідок
полі набувають переважну орієнтацію по полю
якого на поверхні діелектрика виникають
(рис.2.5,в). Така орієнтаційна поляризація
зв’язані електричні заряди, називається
типова для багатьох рідин і газів. Існує ще
поляризацією діелектриків.
один важливий з практичної точки зору вид
Механізми поляризації діелектриків
поляризації, який отримав назву спонтанної.
різні і залежать від характеру хімічного зв’язку.
Ця поляризація має місця в
Наприклад, в іонних кристалах (NaCl та
кристалічних речовинах – сегнетоелектриках. В
подібних) поляризація є результатом зсуву
деякому інтервалі температур в
одних іонів відносно інших (іонна поляризація:
сегнетоелектричних кристалах існують окремі,
рис.2.5,а) і деформації електронних оболонок
33
сильно поляризовані області домени При внесенні неполярного діелектрика в

(«Домен» від латинського слова d o m i n i c u s електричне поле всі індуковані дипольні
(господарський, панський). В середньовіччі моменти розміщуються ланцюжками вздовж
«доменом» називали особисте володіння лінії напруженості (рис.2.6). Внаслідок
великого феодала. В фізиці слово «домен» цього грані діелектрика набувають
використовується для позначення області, різнойменних зарядів – діелектрик
властивості якої різко відрізняються від поляризується. Такого роду поляризація
властивостей оточуючого її матеріалу). називається електронною.
Тому діелектрики поділяються на такі
E0
типи.
− +
1). Неполярні діелектрики – це
діелектрики, які складаються з молекул,
− +
− +
дипольний момент яких дорівнює нулю. Це − +
можливо тоді, коли «центри мас» позитивних і − +
негативних зарядів молекул співпадають (l=0)
− +
Рис.2.6.
за відсутності електричного поля.
На рисунку позначено :
Прикладом неполярних діелектриків є
− позитивні заряди;
гази: , C C В електричному полі − негативнi заряди.
сили, які діють на позитивні і негативні заряди
молекули, направлені в різні сторони і тому 2). Полярні діелектрики – це
розсувають їх (рис.2.5,б). Центр позитивних і діелектрики, в яких «центри мас»
центр негативних зарядів молекули зміщується позитивних і негативних зарядів не
на відстань тим більшу, чим більша співпадають. До полярних діелектриків

l
належать гази SO2, H2S, NH3 та ін., рідини –
напруженість поля . Виникає дипольний
вода H2О, соляна кислота HCl, бензол C6H6
момент молекули p  ql і таким чином тощо.
молекула перетворюється в полярну. Так як Молекули таких діелектриків називаються
l ~ E , a p  ql , то p ~ E , або p   0 E , полярними. Ці молекули за відсутності
зовнішнього поля мають дипольні моменти
де E поля всередині
. Їх називають жорсткими диполями.
діелектрика, поляризованість окремої
Величина має порядок 10-29  10-30 Клм.
молекули діелектрика. Величина , має
Якщо такий діелектрик не перебуває у
неоднакові значення для атомів і молекул
зовнішньому електричному полі, то внаслідок
різних речовин. Поляризованість  хаотичного теплового руху молекул вектори
характеризує здатність електронів в атомі або в їхніх дипольних моментів орієнтовані хаотично
молекулі зміщуватись під дією сил (рис.2.7,а).

електричного поля. Дипольні моменти p Якщо діелектрик внести в електричне
молекул неполярних діелектриків називають поле, то під дією поля полярні молекули
індукованими або квазіпружними. діелектрика намагаються повернутись так, щоб
вектори їх дипольних моментів збігались з
34
напрямком вектора напруженості поля В зовнішньому електричному полі позитивні
(рис.2.5,в;рис.2.7,б). Але тепловий рух молекул іони кристалічної ґратки зміщуються по


хаотично розкидає диполі і заважає орієнтації напрямку напруженості поля E , негативні
 в протилежному напрямку. В результаті
всіх векторів p (дипольних моментів) вздовж
поля. Орієнтація дипольних моментів буде тим відбувається певна деформація гратки або, як
повнішою, чим сильніше електричне поле і чим часто говорять, – зміщення позитивної і
слабший тепловий рух молекул, тобто нижча негативної підграток, що приводить до
температура. Цей процес називають виникнення дипольних моментів, тобто до
орієнтаційною поляризацією діелектрика. поляризації діелектриків (рис.2.5,а). Така

поляризація називається іонною.
E0= 0 E0 ≠ 0
− +
− +
−
Cl
+ Na
− +
− +
− + Na
− +
+ − Cl
Хаотичне розташування Орієнтовне розташування
молекул молекул Na Cl
а б + −
Рис.2.7.
Зауважимо, що молекули полярних − + Na

Cl
діелектриків набувають додаткових,
індукованих зовнішнім полем, дипольних Рис.2.8.
моментів (як у випадку неполярних
діелектриків) і це теж вносить свій вклад у Заряди, які виникають на гранях
їхню поляризацію. Проте наведений дипольний діелектрика, не вільні, вони зв’язані з атомами
момент E навіть при В/м має та молекулами речовини.
порядок 10 -34
Клм, тобто в середньому на Таким чином, механізм
чотири порядки менший від . Тому поляризації діелектрика такий: під дією
електронною поляризацією для полярних зовнішнього електричного поля молекули
діелектриків можна знехтувати. речовини набувають дипольні моменти (якщо
3). Іонні діелектрики – це речовини, їх раніше в них не було), які потім
молекули яких мають іонну будову. орієнтуються за полем. Орієнтація молекул є
Прикладом таких діелектриків є NaCl, NaI, та причиною появи на протилежних поверхнях
інші. Іонні кристали є просторовими ґратками з діелектрика, які перетинаються силовими
правильним чергуванням іонів різних знаків лініями поля, зарядів протилежних знаків.
(рис.2.8). У цих кристалах не можна виділити Зауваження. Явище поляризації, як
окремі молекули. Іонні кристали розглядають правило, супроводжується діелектричними
як систему вміщених одна в одну іонних втратами. Так називають потужність, яка
підграток. У цих діелектриках кожна пара витрачається в непровідній речовині при її
сусідніх різнойменних іонів подібна до диполя. переполяризації в змінних електричних полях.
Ця потужність розсіюється у вигляді тепла, яке
35
Вектор поляризації. Зв'язані заряди
підвищує температуру діелектрика.  – величина безрозмірна (  = 80 для води,

Діелектричні втрати є важливою  = 25 для спиртів). Діелектрична
характеристикою високочастотних матеріалів.
сприйнятливість макроскопічний параметр,
В радіопристроях діелектричні втрати
який характеризує здатність структурних
збільшують активний опір електричних кіл і, як
одиниць діелектриків до поляризації, тобто до
наслідок, згасання коливань в контурах. Великі
зміщення зарядів, наприклад, в атомах чи
втрати викликають недопустиме нагрівання
молекулах.
діелектрика в полі високої частоти, що може
− σ´ + σ´
призвести до його теплового руйнування. − +
− +
Явище поляризації діелектриків визначає
− E´ +
таке важливе їхнє застосування, як заповнення − E0
+
конденсаторів з метою збільшення ємності − +
останніх. − +
Поляризацію діелектрика характеризують − +
вектором поляризації – електричним − +
дипольним моментом одиниці об’єму − +
− +
, (2.9) Рис.2.9
де – дипольний момент і – ої молекули, яка

Розглянемо однорідний діелектрик, який
входить в об’єм ; m – число молекул в
знаходиться в зовнішньому однорідному
цьому об’ємі, – такий малий об’єм, в межах 
електричному полі напруженістю E0 . Для
якого можна вважати постійним напруженість
електричного поля, густину, температуру, але з простоти розгляду будемо вважати, що
іншого боку в ньому міститься достатньо діелектрик – це прямокутна пластинка і лінії

велика для усереднення кількість молекул. Для вектора E0 перпендикулярні до її поверхні
однорідного діелектрика, який перебуває в
(рис.2.9). Під дією поля діелектрик
однорідному електричному полі, справедлива
поляризується, тобто відбувається зміщення
рівність:
 зарядів. Внаслідок цього на правій грані

P  np , (2.10) діелектрика буде надлишок позитивного заряду
де n =m – кількість молекул в одиниці з поверхневою густиною   , на лівій –

 від’ємного заряду з поверхневою густиною
об’єму, p – дипольний момент молекули. Так
      . Ці заряди називаються зв’язаними.
як p   0 E , то P  n 0 E . Позначимо
Зв’язані заряди на гранях пластинки (як дві
n   , тоді заряджені площини) створюють електричне
 
P   0 E . (2.11) поле, напруженість якого (рис.2.9). Так як
Коефіцієнт  називають діелектричною вектори і мають протилежні напрямки,
сприйнятливістю речовини або то напруженість поля в діелектрику буде:

поляризованістю одиниці об’єму діелектрика. < (2.12)
36
Зв'язані заряди. Електричне поле всередині діелектрика
Таким чином поляризація діелектрика  для неї позитивна; для лівої поверхні кут 
призводить до послаблення зовнішнього поля
– тупий, cos  0 , Pn  0 і відповідно
всередині пластини.
Визначимо поверхневу густину зв’язаних  для неї негативна.
зарядів  в загальному випадку, якщо
зовнішне електричне поле утворює кут  з

§2.4.Електричне поле всередині
нормаллю до грані діелектрика (рис.2.10). діелектрика. Діелектрична проникність
Розглянемо циліндр, площі основи якого S та її фізичний зміст. Зв’язок між
знаходяться на гранях пластини, а твірна діелектричною сприйнятливістю та
діелектричною проникністю
α E0 Розглянемо діелектрик, який знаходиться

∆S +σ´ α
l n у зовнішньому електростатичному полі з
P напруженістю , яке створене вільними
зарядами q i . Поле всередині діелектрика є
∆S ∆V
n α´ суперпозиція зовнішнього поля і
твірна 
¯
σ´ внутрішнього поля E  , яке створюється
зв’язаними зарядами, тобто
Рис.2.10.   
E  E0  E . (2.14)
 
паралельна вектору поляризації P і дорівнює Необхідно уточнити, що під E  розуміють
якійсь величині l. Повний дипольний момент деяке усереднене поле зв’язаних зарядів.
такого циліндричного діелектрика буде Властивості вільних і зв’язаних зарядів
дорівнювати тотожні. Тому для зв’язаних зарядів теж

справедлива теорема Остроградського-Гаусса.
PV  P  V ,
Згідно (1.15) можемо записати, що
де P - вектор поляризації,
V  S  l  cos – об’єм циліндра. З іншого (2.15)
боку, вважаючи циліндрик за диполь, можемо
записати, що де – сума вільних зарядів, що охоплюється
PV    S  l . замкнутою поверхнею S, – сума зв’язаних
Тоді P  S  l  cos    S  l і зарядів, з якими пов’язана напруженість поля

  , що теж охоплюється поверхнею S. Так як
  P cos   Pn  P  n , (2.13)
поле всередині діелектрика завжди менше
де Pn – проекція вектора поляризації на
зовнішнього поля , то потік поля через
напрямок нормалі до поверхні діелектрика. Для
замкнуту поверхню S:
правої поверхні діелектрика на рис.2.10 кут 
– гострий, cos  0 , Pn  0 , і, відповідно, = < 0.
37
Електричне поле всередині діелектрика
Можна показати, що величина зв’язаних діелектрика. Для сили взаємодії двох точкових
зарядів дорівнює зарядів, занурених в однорідний безмежний
діелектрик, закон Кулона (1.2) приймає вид:
. (2.16)
В результаті (2.15) перепишеться як
) (2.17) Необхідно зауважити, що ця формула

тому що інтегрування ведеться по одній і тій справедлива лише для рідких і газоподібних
же замкнутій поверхні S. діелектриків. Тобто можна сказати, що
Для характеристики електричного поля в діелектрична проникність  показує в скільки
діелектрику введемо допоміжну величину раз сила взаємодії двох точкових зарядів в
(2.18) діелектрику менша від цієї ж сили взаємодії
яку будемо називати вектором електричного зарядів у вакуумі при однакових відстанях між
зміщення (вектором електричної індукції). ними.
В результаті рівняння, яке виражає Далі буде показано, що  показує в

теорему Остроградського-Гаусса для скільки раз напруженість поля в діелектрику
електричного поля в середовищі, можна менша від напруженості поля поза ним, якщо

записати у вигляді: силові лінії вектора E перпендикулярні до
, (2.19) поверхні діелектрика.
Відзначимо, що формула (2.21)
де – потік електричного зміщення.
справедлива для ізотропних діелектриків. Для
Згідно з цією теоремою потік
анізотропних діелектриків напрямки і не
електричного зміщення електричного поля
черз довільну замкнуту поверхню дорівнює співпадають.
алгебраїчній сумі вільних зарядів, що Висновки.1.Результуюче поле в діелектрику
охоплюються цією поверхнею. визначає вектор напруженості (формула
Вводячи допоміжну величину, вектор , 2.14) і тому воно залежить від властивостей
ми позбулися труднощів, які зв’язані з діелектрика. Вектор від середовища не

залежить і описує електростатичне поле, що
наявністю в (2.15) невідомої величини  q . створюється вільними зарядами. Зв’язані
Для вакууму =0, тому . Згідно (2.11) заряди, що виникають в діелектрику,
вектор поляризації пропорційний до викликають перерозподіл вільних зарядів.
напруженості поля в діелектрику. Отже, Тому вектор характеризує електростатичне
, (2.20) поле, що створюється вільними зарядами
(тобто у вакуумі), але при такому їх розподілі в
де   1   . Тоді
просторі, який є при наявності діелектрика.
. (2.21)
2.Вектор не залежить від властивостей
Так же як і ,  – безрозмірна величина. Її
середовища тоді, коли поле створюється
називають відносною діелектричною
зарядженими тілами в однорідному
проникністю, або просто діелектричною
ізотропному середовищі.
проникністю. Це – важлива константа
38
Електричне поле на межі двох діелектриків
3.Лінії вектора можуть починатися і основи в першому і другому середовищах
закінчуватись як на вільних зарядах так і на (нормалі направлені назовні поверхні).

Використаємо теорему Остроградського-Гаусса
зв’язаних зарядах , а лінії вектора – лише на
(2.19). Якщо вільних зарядів на межі між
вільних зарядах. Через області поля, де
діелектриками не має, то . Потік через
знаходяться зв’язані заряди, лінії вектора основу S в першому середовищі дорівнює:
проходять так, ніби зв'язаних зарядів не має.
§2.5.Електричне поле на межі двох де – проекція вектора на нормаль .

діелектриків Аналогічно потік через основу S в
другому середовищі
На межі двох середовищ з різними
діелектричними властивостями вектори
де – проекція вектора на нормаль .
електричного поля змінюються за величиною і
Потік через бічну поверхню можна
напрямком. Умови поведінки векторів і на
представити у вигляді біч , де
межі поділу середовищ називають граничними.
Ці умови отримуються із основних рівнянь – значення усереднене по всій бічній
поля. Встановимо спочатку граничні умови для поверхні, біч – бічна поверхня циліндра.
нормальної складової вектора (рис.2.11). Таким чином згідно (2.19) можемо записати:
Нехай лінія M N – межа розділу двох

n1 або
біч 0. (2.22)
1
Якщо висота циліндра h прямує до нуля,
D1n D1 D
1τ S h
D2τ ε1 N то S біч буде прямувати до нуля і із (2.22)
M
ε2 отримаємо:
S
(2.23)
D2n
2 Скориставшись формулою (2.21) можемо
D2
n2 записати, що
Рис.2.11.
= .
Звідки отримаємо співвідношення:
однорідних ізотропних діелектриків 1 і 2,
проникності яких 1 і  2 відповідно. – = (2.24)
вектор зміщення поля в середовищі 1, а – Виберемо на межі розділу двох

вектор зміщення в середовищі 2. На межі діелектриків MN невеликій прямокутний
розділу візьмемо уявну циліндричну поверхню, контур Г, довжина якого а, а ширина b. Контур
висота якої h, а площа основи S. Будемо
частково проходить в першому діелектрику,
вважати площу основи настільки малою, що в її
частково – у другому (рис.2.12). Межа розділу
межах поле можна вважати
MN (вісь х) проходить через середини сторін
 
однорідним. n1 і n 2 – нормалі до площини контуру, ширина яких b.
39
Електричне поле на межі двох діелектриків
Нехай в діелектрикax створено поле, Отримані нами результати означають, що

напруженість якого в першому діелектрику при переході через межу розділу двох
дорівнює , а другому – . Кожний із діелектриків нормальна складова вектора
векторів і можна представити у вигляді (2.23) і тангенційна складова вектора (2.25)
суми нормальної і тангенціальної складової: змінюються неперервно. Тангенційна складова
= вектора (2.26) і нормальна складова вектора
Тут і проекції векторів і на
(2.24) при переході через границю розділу
орт , який направлений вздовж лінії перетину
зазнають розриву. Співвідношення (2.23),
площини, яка розділяє діелектрики, з
(2.24), (2.25) і (2.26) визначають умови, яким
площиною, в якій лежать вектори і .
повинні задовільняти вектори і на межі
n1
двох діелектриків (в тому випадку, якщо на цій
1 межі не має вільних зарядів). Ці
E1 співвідношення отримані для
iд E1n
в
о бх E1τ
M E2τ ε1 N електростатичного поля. Однак, вони
ε2 X справедливі і для полів, які змінюються з
а часом.
E2 E2 n Г
2 Знайдені умови справедливі і для межі
n2
діелектрика з вакуумом. В цьому випадку одну
Рис.2.12.
із діелектричних проникностей необхідно
Циркуляція вектора по вибраному нами
прийняти за одиницю.
замкнутому контуру Г згідно теореми про
циркуляцію (1.32) повинна дорівнювати нулю. §2.6.Особливі властивості деяких
При малих розмірах контуру Г і згідно діелектриків
вказаного на рис.2.12 обходу циркуляція
вектора може бути записана у вигляді Розглянуті раніше неполярні і полярні
діелектрики мають ту особливість, що вони
= a+ a+ = 0,
поляризуються тільки при накладанні
де – середнє значення напруженості поля
зовнішнього електричного поля , а після
на перпендикулярних до межі M N ділянках
припинення його дії знову повертаються в
(довжиною 2b) контуру Г. Якщо ширина
неполяризований стан.
контуру b прямує до нуля, то отримаємо Однак у природі існує велика група
рівність: діелектриків, переважно у твердому
= (2.25) кристалічному стані, які виявляють
Замінимо згідно (2.21) проекції вектора макроскопічну поляризованість, навіть якщо

зовнішнього поля не має. Це спонтанно
проекціями вектора , які розділимо на .
(латинське – spontaneus самодовільний)
Тоді отримаємо співвідношення:
поляризовані діелектрики, тобто такі,
= (2.26)
40
Cегнетоелектрики
поляризація яких викликана не зовнішніми, а
внутрішніми причинами. До спонтанно
поляризованих діелектриків відносять так звані
піроелектрики і сегнетоелектрики.
Спонтанна поляризація є наслідком зміщення .
“центру ваги” позитивних і негативних зарядів
кристалічної ґратки речовини.
Для піроелектриків спостерігається не Рис.2.13.Схематичне зображення доменів в
сегнетоелектрику (ВаТіО3); стрілки і позначення і
сама спонтанна поляризація (вона x вказують на напрямок вектора поляризації
компенсується полями вільних електричних домена.
зарядів, що адсорбуються поверхнею із повітря,
або компенсується внутрішніми іонами), а її Сегнетоелектрики, кристалічні
зміна при швидкій зміні температури Т діелектрики, які володіють в певному інтервалі
(піроелектричний ефект). Густина поверхневих температур, яка називається полярною фазою,

спонтанною поляризацією, яка суттєво
зарядів, які при цьому виникають,
змінюється під дією зовнішніх впливів
  p  T ,
(електричних полів, змін температури, тощо).
де p – піроелектрична стала, величина якої має Сегнетоелектричні властивості були вперше
порядок 10–3 Кл/(м2 К). Відомий піроелектрик – виявлені у кристалів сегнетової солі
турмалін (боратосилікатний мінерал змінного KNaC4Н4O64H2O в 1920р., потім у
складу). В ньому при зміні температура на 1 дигідрофосфата калія (KDP)KH2PO4). Відомо
виникає електричне поле E ~ 400 В/см. Крім декілька сотень сегнетоелектриків. Особливість
турмаліну, до піроелектриків належать сульфат їх в тому, що в них вектор поляризації
літію, цукор, окремі види кераміки та ін. порівняно легко змінюється під дією
Характерною особливістю піроелектриків є електричних полів, пружних деформацій, змін
наявність поляризації в усій області температур температури та ін. Сегнетоелектрики
їхнього існування. Вони застосовуються як неоднорідно поляризовані. Вони складаються із
індикатори і приймаючі випромінювання та доменів – областей із різними напрямками
пристрої теплового бачення. поляризації (рис.2.13). В результаті сумарний
електричний дипольний момент зразка
Сегнетоелектрики практично відсутній.
Рівноважна доменна структура
Експериментальні дослідження
сегнетоелектрика відповідає мінімуму вільної
піроелектриків показали, що вони за своєю
енергії кристалу. Доменна структура реального
поведінкою в зовнішньому електричному полі
кристала визначається природою і характером
можуть бути поділені на лінійні і нелінійні
розподілу його дефектів, а також історією
діелектрики. Цей поділ визначається
зразка. Число різних доменів, взаємна
характером залежності вектора поляризації
орієнтація їхньої спонтанної поляризації
. Серед нелінійних твердих діелектриків
залежить від симетрії кристалу.
найбільш поширеними є сегнетоелектрики.
Сегнетоелектриками є кристали, у
41
яких відсутній центр симетрії. Тому залежності від температури і величини

властивості сегнетоелектриків максимально прикладеної напруги.
виражені в певному напрямку в кристалі, який Залежність діелектричної проникності
називають полярною віссю. Тобто титану барію від напруженості електричного
сегнетоелектрики мають різку анізотропію поля і температури приведені на рис.2.14 і 2.15.
діелектричних властивостей. Анізотропія Титанат барію має високу механічну міцність,
означає, що фізичні властивості тіла різні в велике значення , найбільш просту
різних напрямках. Модифікацію кристалів, в кристалічну структуру в порівнянні зі всіма
яких сегнетоелектрики спонтанно поляризовані, відомими сегнетоелектриками, три точки
називають полярною фазою (рис.2.15). Кюрі (–90 °С, 5 °С і 120 °С).
ε
8000
Характеристики деяких сегнетоелектриків
Таблиця 2.1.
6000
Темпер. Максимальна 22 oC
Речови- Хімічна фазового спонтанна
поляризац. 4000
на формула ̥
переходу
ТK , С Р, мкКл /см 2
Титанат 2000
BaTiO3 120 25
барію
Сегнето - KNaC4H4O6 ∙ 0 4 8 12 E ,кВ/см

18÷ 24 0,25
ва сіль 4H2O
Рис.2.14.Залежність діелектричної проникності
Дигідро-
титанату барію від напруженості електричного поля.
фосфат KH2PO4 150 5,1
калію
Ніобат Дамо якісне пояснення залежностей
LiNB O3 1210 50
літію
і (T ) для сегнетоелектрика. При
Титанат
Bi 4Ti3O12 675 -
вісмуту внесенні сегнетоелектрика в електричне поле
він поляризується. Електрична індукція
сегнетоелектрика складається з трьох
З підвищенням температури вище
складових:
деякою значення , характерного для кожного
сегнетоелектрика, відбувається фазовий + , (2.27)
перехід, у результаті якого сегнетоелектричні де середнє макроскопічне поле в
властивості зникають і кристал переходить у сегнетоелектрику, – середній електричний
звичайний неполярний діелектрик. Такий стан
момент одиниці об’єму, обумовлений
кристалу називають параелектричним, а фазу
електронною і іонною поляризаціями, –
неполярною. Температуру називають
електричний момент спонтанної поляризації.
температурою Кюрі. В табл.2.1 приведені
деякі характеристики частини Вектори і мають однаковий напрямок, а
сегнетоелектриків. Практично важливим вектор в загальному випадку має інший
сегнетоелектриком є титанат барію, який напрямок. Повна діелектрична проникність
використовується для виготовлення сегнетоелектрика, яка обумовлена
конденсаторів з ємністю, яка змінюється в поляризацією, що викликана зовнішнім полем і
42
спонтанною поляризацією, дорівнює
ε C
,
відношенню . Із (2.27) отримаємо: T  TK
де С і ТK – постійні, з яких ТK називається

, (2.28)
температурою (точкою) Кюрі. В області точки
де проекція вектора на напрямок поля
Кюрі поляризованість сегнетоелектрика
. Із збільшенням поля , повний електричний аномально велика (рис.2.15). Це пов’язано з
момент одиниці об’єму (вектор поляризації) тим, що при температурі Кюрі відбувається
може збільшуватись з двох причин: по-перше, перебудова структури кристалічної гратки
внаслідок зростання електричного моменту сегнетоелектрика. Титанат барію в неполярній
поляризації зміщення , по-друге, внаслідок фазі, вище 120°С, має кубічну структуру,
зростання числа областей спонтанної нижче 120°С – тетрагональну.
поляризації (доменів), напрямки електричних
моментів яких співпадають з напрямком
Ba 2+
зовнішнього поля або утворюють з ним гострі _
O2
кути. Так якісно пояснюється залежність . Ti 4+
10000
а б
полярна фаза
8000
Сегнетова сіль
6000 Рис.2.16.
4000 BaTi O3
Отже, властивості сегнетоелектриків
2000
пояснюються існуванням областей спонтанної
-80 -40 0 40 80 120 t, ̊ C поляризації (доменів). Утворення доменів в
Рис.2.15.Залежність діелектричної проникності титанаті барію відбувається таким чином. В
сегнетової солі та титанату барію від температури.
неполярній фазі (рис.2.15) (вище точки Кюрі)
Спонтанна поляризація титан барію має кубічну структуру (рис.2.16,а).
сегнетоелектрика залежить від зміни У вершинах куба – іони , в центрах граней
температури, так як при цьому змінюється – іони , іон – в центрі куба. Через
інтенсивність теплового руху, який суттєво наявність центра симетрії дипольний момент
зменшує її особливо на границях полярної елементарної комірки дорівнює нулю і титанат
області. В неполярній області сегнетоелектрик барію в неполярній фазі є звичайним
поводить себе як звичайний діелектрик, в діелектриком з великою діелектричною
якому поляризація пропорційна напруженості проникністю.
електричного поля (домени в цій області За температури Кюрі відбувається
температур відсутні). Однак, у всіх випадках фазовий перехід, який призводить до
діелектрична проникність змінюється з деформації кубічної структури (рис.2.16,б):
температурою. Так вище точки Кюрі (Т > ТK) іони і зміщуються відносно іонів
ця зміна відбувається за законом Кюрі-Вейса: і таким чином створюють дипольний
момент елементарної комірки, структура якої в
43
полярній фазі тетрагональна. Близьке грецького h ys t e r e s i s – відставання,
розташування окремих диполів один по запізнення), яке полягає у відставанні змін
відношенню до одного обумовлює їх сильну вектора поляризації від змін вектора
електричну взаємодію між собою. Внаслідок
напруженості електричного поля (рис.2.17).
цього ціла група диполів орієнтується в одному
Якщо неполяризований сегнетоелектрик
напрямку (така орієнтація диполів відповідає
помістити в електричне поле і збільшувати
мінімуму енергії), тобто утворюються області
напруженість поля Е, то викликана цим полем
(домени) з дипольним моментом, який
поляризація зростає вздовж кривої ОА, яка
дорівнює сумі дипольних моментів молекул,
називається основною кривою поляризації
що входять в цю область. Накладання
сегнетоелектрика. ЕА – напруженість поля, при
зовнішнього електричного поля створює
переважну орієнтацію векторів поляризації якій досягається величина спонтанної
доменів в напрямку поля у зв’язку з чим поляризації . При зменшенні поля Е

поляризованність і електрична проникність поляризація зменшується не вздовж кривої ОА,
сегнетоелектрика стають досить великими а вздовж кривої АВ1, причому в точці В1
(рис.2.15). P
A
Підвищення температури в полярній PS
PR
області полегшує орієнтацію векторів B1
поляризації окремих доменів в напрямку поля.
C1 C2
При температурі Кюрі крива (T ) ED EC 1 0 EC 2 EA E
сегнетоелектрика (рис.2.15) має різко

B2
виражений максимум. При підвищенні
температури вище точки Кюрі тетрагональна D -P S
гратка титанату барію перебудовується в Рис.2.17
правильну кубічну, доменні групи

розпадаються і величина різко зменшується. зовнішнє поле відсутнє E=0, але
сегнетоелектрик поляризований. При зміні
Із аналізу залежності (T ) на рис.2.15
напрямку зовнішнього поля вектор поляризації
витікає, що допускати нагрівання
зменшується до нуля в точці С1, а потім
конденсаторів, які містять діелектрик титанат
змінивши свій напрямок, зростає за величиною
барію, до 120°С не рекомендується, так як
вздовж кривої C1D. Значення напруженості
сильно змінюється , а отже, будуть сильно
поля в точці С1 називається
змінюватися характеристики конденсаторів.
коерцитивною силою. Наступна зміна
Відзначимо, що сегнетоелектрики
зовнішнього поля від до
використовуються для виготовлення
супроводжується зміною вектора поляризації
малогабаритних конденсаторів великої
вздовж кривої DВ2С2А. В точках В1 і В2 має
ємності і як нелінійні елементи схем
місце залишкова поляризація . Величина
(помножувачів частоти, діелектричних
підсилювачів і т. п.). напруженості в точці С2 теж називається
Для сегнетоелектриків характерне коерцитивною силою. Звужуючи інтервал
явище діелектричного гістерезису (від зміни Е, можна отримати нескінченну
44
П’єзоелектрики
множину петель гістерезису (рис.2.17), позитивних і негативних іонів кристала

вкладених одна в одну. Таким чином вектори співпадають і, отже, в них не може виникати
поляризації і електричного зміщення є п’єзополяризація.
Знак зв’язаних зарядів на гранях
багатозначними функціями Е. У зв’язку з цим
кристала без центра симетрії при деформаціях
можна говорити про діелектричну
однозначно визначається напрямком і
сприйнятливість і діелектричну проникність
характером деформації. Якщо при стисканні на
сегнетоелектрика тільки для основної кривої
певній грані виникає позитивний заряд, то при
ОА (рис.2.17).
розтягу ця грань заряджається негативно. Після
При періодичній зміні поляризації
припинення деформації кристалічний
сегнетоелектрика, на подолання тертя під час
діелектрик повертається в неполярний стан.
повертання електричних моментів
Х1
витрачається електрична енергія, яка йде на Х1
Х1 + +
нагрівання сегнетоелектрика. Площа петлі А
1
- -
гістерезису пропорційна до електричної
енергії, що перетворюється у внутрішню
Х3 Х2
енергію одиниці об’єму сегнетоелектрика за
В + +
один цикл. 2 - -
а б в
П’єзоелектрики Рис.2.18.Структурна схема кварцу.

Явище виникнення на гранях кристалів Заштриховані кружечки відповідають іонам Si+, світлі
– парі іонів ; а – недеформований стан; б
зв’язаних електричних зарядів протилежних стиснення вздовж осі Х1; в – розтяг вздовж осі Х1.
знаків при їхній механічній деформації Стрілками показаний напрямок деформації.
називають прямим п’єзоелектричним
ефектом (грецьке p i e z o – тиснути). Механізм п’єзоефекту пояснимо на
Це явище відкрили і дослідили у 1880 р. прикладі кристалу кварцу, який знайшов
французькі фізики Жан і П’єр Кюрі на широке застосування завдяки своїм

кристалі кварцу (SiO2). Дослідження показали, механічним і електричним властивостям.
що п’єзоелектричні властивості мають майже Кристалічна гратка кварцу складається із іонів
1500 різних кристалічних речовин, у тому кремнію Si+ і негативних іонів кисню , має
числі турмалін, сегнетова сіль, сульфат літія три осі симетрії (на рис.2.18,а вони позначені
(Li2SO4.H2O), титанат барію ТВ-1, титанат Х1, Х2, Х3), які є полярними осями кристалу.
барію кальцію ТБК – 3, цинкова обманка, На рис.2.18,б і в показані проекції іонів
хлорат натрію, тростниковий цукор, Si+ і на площину, яка перпендикулярна осі
напівпровідники CdS, InSb, GaAs і багато третього порядку Х3. При стиснені вздовж осі
інших кристалів. Х1 позитивні іони 1(Si+) і негативні іони 2( )
П’єзоелектричний ефект притаманний зміщуються в глибину комірки кристалу
лише іонним кристалам, які не мають центра (рис.2.18,б), в результати чого на площинах А і
симетрії. Якщо кристал має центр симетрії, то В появляються заряди. При розтягу (рис.2.18,в)
при однорідній механічній деформації центр на площинах А і В виникають заряди
симетрії зберігається, "центри ваги" протилежних знаків.
45
Електрети
Максимальний п’єзоелектричний ефект (датчики тиску), стабілізатори частоти

спостерігається тоді, коли деформацію радіостанцій та інше.
здійснюють у напрямку однієї із полярних
осей кристалу. Тому кварцеві пластинки Електрети
вирізають так, щоб пара площин, що Електрети діелектрики, які довгий
утворюються при розрізанні, була час зберігають поляризований стан після
перпендикулярна до однієї із полярних осей. припинення зовнішніх дій, які викликали
П’єзоелектричний ефект є оборотним. поляризацію, і створюють електричне поле в
Накладання різниці потенціалів до граней оточуючому просторі (електричний аналог
кристалу (створення всередині напруженості постійних магнітів).
електричного поля) приводить до механічної Якщо речовину, молекули якої мають
деформації (розтягу або стискування в дипольний момент, розплавити і помістити в
залежності від полярності напруги). Якщо сильне електричне поле, то її молекули
подати змінну електричну напругу до граней частково вишикуються по полю. При
кристалу, тобто створити змінну поляризацію охолодженні розплаву в електричному полі з
кристалу, то пластинка буде поперечно подальшим виключенням поля в затверділій
розтягуватись і стискуватись вздовж, речовині поворот молекул затруднений і вони
наприклад, осі Х1 (рис.2.18,б,в). Таким чином в довгий час зберігають переважну орієнтацію
пластинці збуджується механічні коливання. Ці (від декількох днів до багатьох років). Перший
коливання максимально інтенсивні, якщо електрет таким способом був виготовлений в
частота змінної прикладеної до пластини 1922 р. японським фізиком М. Йогучи.
напруги збігається із власною частотою Електрети отримуються із аморфних
коливань пластинки. воску і смол (бджолиний віск, парафін і т.д.),
Таким чином, явище деформації полімерів (поліметилметакрилат,
п’єзоелектричного кристалу під дією полівінілхлорид та ін.), неорганічних
прикладеної до його граней різниці потенціалів полікристалічних діелектриків (титанати
електричного поля називають оберненим лужноземельних металів, ультрафарфорів та
п’єзоелектричним ефектом. інших керамічних діелектриків),
Використовують п’єзоелектричні монокристалічних неорганічних діелектриків
матеріали для виготовлення п’єзодатчиків, (лужногалоїдні монокристали, наприклад, LiF,
призначених перетворювати механічні корунд, рутил), скла та ін.
коливання в електричні. Акустичних Стабільні електрети отримують
генераторів для перетворення електричних нагріванням з наступним охолодженням в
змін у звукові коливання. Виготовляють сильному електричному полі
адаптери для відтворення звуку, різні прилади (термоелектрети), освітленням в сильному
для вимірювання частоти і амплітуди вібрації електричному полі (фотоелектрети),
двигунів, турбін, літаків тощо; п’єзоелектричні опроміненням радіоактивним
сейсмографи для реєстрації коливань земної випромінюванням (радіоелектрети),
кори, прилади для вимірювання прискорень – поляризацією в сильному електричному полі
акселерометри; п’єзоелектричні манометри без нагрівання (електроелектрети) або в
46
Провідники в електричному полі
магнітному полі (магнітоелектрети), при
Розділ 3.Провідники в
застиганні органічних розчинів в електричному
полі (кріоелектрети), механічною деформацією
електричному полі
полімерів (механоелектрети), тертям §3.1.Розподіл зарядів, напруженість та
(трібоелектрети), дією поля короннного потенціал електричного поля у
розряду (короноелектрети). Всі електрети провіднику
мають стабільний поверхневий заряд.
Електрети використовують як джерела Характерною особливістю провідників є
постійного електричного поля (електретні наявність у них вільних носіїв заряду (§2.1). В
мікрофони й телефони, вібродатчики, металах це електрони провідності (“вільні”
генератори слабих змінних сигналів, електрони). Концентрація “вільних”
електрометри, електростатичні вольтметри та електронів, наприклад міді, є величина n =
інше), а також як чутливі датчики в пристроях =8,510 28 -3
м . Ці електрони можуть рухатись у
дозиметрії, електричної пам'яті; для металах вільно, але не можуть самостійно
виготовлення барометрів, гігрометрів і газових покидати його поверхню.
фільтрів, пьєзодатчиків та інше. Фотоелектрети Якщо провідник помістити в зовнішнє
застосовують в електрофотографії. 
електростатичне поле E зовн , то на кожен
Контрольні питання “вільний” електрон буде діяти сила =e зовн
1.Вектор поляризації та його

фізичний зміст. −
2.Яким чином можна визначити − +
Пров i дник
поляризаційні (зв’язані) заряди за − +
допомогою вектора поляризації? Eзовн − F1 _ F2 + Eзовн
3.Вектор електричного зміщення −
(індукції) та його фізичний зміст. − Eвн +
+
4.Теорема Остроградського-Гаусса −
− +
для електричного поля в діелектриках.
5.Зв’язок між векторами
електричного зміщення та вектором Рис.3.1.
напруженості електричного поля.
6.Електричне поле на межі двох 
(рис.3.1). Під дією сили F1 відбувається
діелектриків.
7.Які основні властивості переміщення “вільних” електронів і внаслідок
сегнетоелектриків? Яке практичне цього електричні заряди перерозподіляються:
застосування сегнетоелектриків? на одній стороні провідника буде надлишок
8.Пьєзоелектрики та електрети. Їх “вільних” електронів, які заряджають її
практичне застосування.
негативно, на іншій виникає їх нестача і ця
сторона заряджається позитивно.
Явище перерозподілу вільних носіїв
заряду у провіднику під дією зовнішнього
електричного поля, внаслідок чого виникає
47
електризація, називається електростатичною заряди знаходяться? Мабуть, вони можуть
індукцією або електризацією через вплив. знаходитись на поверхні провідника, де
Індуктивні заряди створюють існують сили, які утримують їх. Тож вони не
всередині провідника внутрішнє зовсім “вільні” у провідниках.
електростатичне поле Необхідно сказати, що спеціально
вн , яке діє на “вільні”
незаряджений провідник є
електрони із силою = e вн . Переміщення
електронейтральним. Сумарний заряд всіх
“вільних” зарядів у провіднику припиняється,
  “вільних” електронів в 1м3 міді Q=8,510281,6
коли F1  F2  0 . Тоді e( зовн вн . Так
10-19 Кл1,361010 Кл. Цей негативний заряд
як e  0 , то зовн вн і вн зовн . електронів компенсується позитивним зарядом
 іонів міді. Якщо провіднику надати певну
Внутрішнє наведене електричне поле Eвн
кількість електронів, то він зарядиться
буде компенсувати зовнішнє – зовн і рух негативно, а якщо забрати в нього частину
“вільних” зарядів припиниться. Якщо б електронів, то він зарядиться позитивно.
всередині провідника залишилось хоч яке- Пробійна напруженість електричного поля для
небудь електричне поле, воно змусило би повітря Ei ~ 10 7 В/м. Це означає, що провідна
рухатись ще якісь електрони.
Таким чином, результуюча
куля (сфера), радіус якої r  1 м, може бути
напруженість електричного поля всередині заряджена зарядом q  4 0 r 2 Ei  10 3 Кл.

провідника дорівнює нулю. Цей заряд q  Q . Але величина заряду q є
Тепер розглянемо середину провідника.
помітною тому, що незаряджений провідник в
Оскільки всередині провідника напруженість
цілому є електронейтральним. Цей надмірний
електричного поля дорівнює нулю, то це
заряд в будь-якому провіднику знаходиться в
значить, що і градієнт потенціалу  дорівнює тонкому шарі біля поверхні, товщина якого в
нулю: = grad . Це означає, що  від точки середньому складає один-два атоми. Для
до точки не змінюється ( . Таким наших сьогоднішніх цілей достатньо
чином, будь-який провідник – це правильно буде говорити, що будь-який заряд,
еквіпотенціальна область і його поверхня – який попав на (або в) провідник, збирається на
еквіпотенціальна. його поверхні. Це зрозуміло ще і з того факту,
Якщо в провідному матеріалі що однойменні заряди відштовхуються і вони
електричне поле скрізь дорівнює нулю, то і будуть віддалятися один від одного на
 максимальну відстань у провіднику, тобто на
дивергенція E теж дорівнює нулю (div
поверхню.
формула (1.38)). Тому густина заряду
Знайдемо зв’язок між напруженістю
у внутрішній частині провідника дорівнює
поля Е біля поверхні зарядженого провідника,
нулю (   0 ).
де поверхнева густина заряду  (рис.3.2). Для
Але якщо всередині провідника не може цього розглянемо замкнену поверхню у вигляді
бути надлишкових зарядів, то як тоді він може циліндра з основою dS, вісь якого орієнтована
бути заряджений? Що ми маємо на увазі, коли 
вздовж вектора D (рис.3.2). Оскільки
говоримо, що провідник “заряджений”? Де ці
поверхня провідника еквіпотенціальна, то
48
 
вектор D , як і E , перпендикулярні до Безпосередньо близько біля точки P на
поверхні провідника. Основа циліндра 1 поверхні (рис.3.2) заряди дійсно створюють
знаходиться зовні провідника, а основа 2 – поле лок = ), як всередині так і зовні
всередині нього. провідника. Але всі інші заряди провідника
++ + створюють в точці P додаткове поле, яке по
+ + величині дорівнює лок . Напруженість
+
+ сумарного внутрішнього поля дорівнює нулю,
+ +
+ + а зовнішнього – подвоюється: лок = ,
+ Провідник + σлок
(випадок, коли зовнішнє середовище вакуум
+ P
+ (повітря)).
E=0 +
+ 2 + σ Розподіл зарядів по поверхні провідника
1
+
+ Поверхня зарядженого провідника при
D
+ + рівновазі є еквіпотенціальною, напруженість
+ + + dS
поля Е всередині дорівнює нулю, однак
Рис.3.2.
поверхнева густина заряду залежить від
Використаємо теорему
кривизни поверхні. Доведемо це на прикладі
Остроградського-Гаусса (2.19). Оскільки поле
двох заряджених куль, радіуси яких R1 і R2, що
всередині провідника відсутнє, то потік
 з’єднані між собою тонким провідником. Після
вектора D через замкнуту циліндричну
встановлення рівноваги заряди на кулях
поверхню визначається лише потоком через
розподіляються так, що потенціали куль будуть
зовнішню основу циліндра 1:
однаковими (дві кулі з’єднані провідником – це
d =D = q = dS. один провідник), тобто . Оскільки
Звідси згідно формули (1.19)
D= E.
Отже, напруженість електричного поля біля і
поверхні зовні провідника довільної форми ,
дорівнює: а
E= , (3.1) q1  41R12 і q2  4 2 R22 ,
де  – відносна діелектрична провідність
то
середовища, в якому знаходиться провідник.
1 R2 .
Виникає питання, чому шар зарядів на  (3.2)
 2 R1
провіднику створює не таке поле, як шар
Отже, поверхнева густина зарядів на
зарядів сам по собі? Іншими словами, чому у
кулях обернено пропорційна їхнім радіусам
формулі (3.1) (для повітря =1) величина
кривизни, тобто де кривизна поверхні
напруженості вдвічі більша, ніж у формулі
(кривизна кола, радіус якого R, скрізь дорівнює
(1.16). Справа в тому, що для того, щоб у
 1/R) зарядженого провідника більша, там і
провіднику E дорівнювала нулю, в ньому густина заряду більша. Оскільки біля поверхні
обов’язково повинні бути якісь заряди. зарядженого провідника E = , то в
49
місцях з великою кривизною (вістря)  і, наелектризованого тіла, бо до нього рухаються
відповідно, Е набувають великих значень. під дією електричного поля заряди
На рис.3.3 наведено вигляд ліній протилежного знаку по відношенню до зарядів

наелектризованого тіла. Це приводить стікання
електричних зарядів з металевих вістер.
φ Стікання зарядів з вістер використовують для
побудови блискавковідводів. У
E + +
++ ++
високовольтних лініях електропередач
+
++ ++
стікання зарядів з загострених частин проводів
призводить до значних втрат енергії.
Поле всередині порожнини провідника

Рис.3.3. + ++
+ + + + +
напруженості (штрихові лінії) і + +
еквіпотенційних поверхонь (суцільні лінії) E-?
+
+ S1 +
поля позитивно зарядженого провідника Контур Г ? -- +
циліндричної форми з конічним виступом на
+ ++ + - +
+ + -
одному кінці і конічною западиною на іншому.
+ + - +
З рисунка видно, що поблизу вістря і виступів + -
еквіпотенціальні поверхні найсильніше + +
зближені, відповідно і поверхнева густина
+ Поверхня S +
вільних зарядів на цих ділянках провідника
+ +
більша, ніж на інших поверхнях тіла. В області
+ + ++
Рис.3.4.
конічної западини напруженість поля
мінімальна.
Всередині провідника поля немає, а чи
Значна величина напруженості поля
є воно в порожнині? Покажемо, що якщо
поблизу гострого виступу на зарядженому
порожнина пуста, то поля в ній бути не може,
провіднику приводить до явища під назвою
яка б не була форма провідника або порожнини
“електричний вітер”. В атмосферному повітрі
(рис.3.4). Розглянемо замкнену поверхню S на
завжди є невелика кількість позитивних іонів і
рис.3.4, яка оточує собою порожнину, але
вільних електронів, що виникають під впливом
залишається скрізь в речовині провідника. На
космічних променів, випромінювання
поверхні S в кожній її точці напруженість поля
радіоактивних речовин тощо. В сильному
дорівнює нулю, так що потік через S дорівнює
електричному полі поблизу вістря електрони
нулю, і сумарний заряд всередині S теж
рухаються з великою швидкістю і, стикаючись
повинен дорівнювати нулю. В загальному
з молекулами повітря, іонізують їх. Отже,
випадку ми можемо сказати, що на внутрішній
виникає все більша кількість позитивних
поверхні провідника є однакова кількість
рухомих зарядів, які утворюють “електричний
позитивного і негативного зарядів, що
вітер”. Існування “електричного вітру”
розташувались в різних місцях цієї поверхні
супроводжується розряджанням
50
Теорема єдиності в електростатиці
(рис.3.4). Але однакові за величиною і по обидві сторони суцільної провідної
протилежні за знаком заряди повинні рухатись оболонки повністю не залежать одне від
назустріч одні одним і “знищити” один одного. одного.
В цьому ми можемо переконатися, Властивість зарядів розміщуватись на
застосувавши закон про циркуляцію вектора зовнішній поверхні провідника

E (формула (1.32)). Нехай на деяких частинах використовується для створення
внутрішньої поверхні з'явилися заряди. Ми електростатичних генераторів, які призначені
знаємо, що десь ще повинна бути така сама для нагромадження великих зарядів і
кількість протилежних за знаком зарядів. Але досягнення різниці потенціалів в декілька
 мільйонів вольт. Винахідником такого
будь-які лінії вектора E починаються на
генератора є американський фізик Ван-де-
позитивних зарядах і закінчуються на
Грааф. Використовують ці генератори у
негативних (розглянемо випадок, коли в
високовольтних прискорювачах заряджених
порожнині вільні заряди відсутні). Уявімо собі
частинок.
контур Г, який перетинає порожнину вздовж
Теорема єдиності в електростатиці
силової лінії від якогось позитивного заряду до
Розглянемо провідник, якому надали
якогось негативного і повертається до вихідної
позитивний заряд q. Доречно поставити
точки по тілу провідника (рис.3.4). Інтеграл
  питання: чи єдиним чином весь цей заряд
 Edl вздовж такої силової лінії в порожнині
зможе розподілитись по поверхні провідника?
в межах від позитивного до негативного заряду Відповідь на це питання дає так звана теорема
був би відмінній від нуля, а такий самий єдиності в електростатиці: заряд на провіднику
інтеграл по шляху контура Г в металі розподіляється єдиним чином. Ця теорема
дорівнював би нулю, так як у провіднику ґрунтується на тому, що заряджений провідник
=0. В результаті ми отримали б, що знаходиться в рівноважному стані. В цьому
стані електричне поле в об’ємі провідника
d Але згідно теореми про
відсутнє (інакше не зупинилось би перетікання
циркуляцію вектора інтеграл по будь-якому зарядів всередині провідника), провідник стає
замкнутому контуру Г в електростатичному еквіпотенціальним, надлишкові заряди
полі d завжди дорівнює нулю. Значить, розподіляються по поверхні провідника, і все
всередині порожнини не може бути ніяких це має місце через те, що в металах є
полів, що рівнозначно тому, що не може бути практично необмежена кількість вільних носіїв
ніяких зарядів на внутрішній поверхні заряду (електрони). Такий єдиностний (або
провідника . однозначний) розподіл зарядів в провіднику
Таким чином, ми показали, що якщо дає можливість ввести поняття про таку
порожнина повністю оточена провідником, то властивість провідника, як електроємність.
ніякий статичний розподіл зарядів зовні ніколи

не створить поля всередині. Це пояснює §3.2. Електроємність відокремленого
принцип “захисту” електронного обладнання,
провідника. Конденсатори
яке поміщають в металічну коробку. В
Відокремленим називається провідник,
електростатиці (але не у змінних полях) поля
який знаходиться настільки далеко від інших
51
Електроємність відокремленого провідника
тіл, що впливом їхніх електричних полів можна переміщенні його від будь-якої точки поверхні
знехтувати. провідника (поверхня провідника
Якщо надати відокремленому еквіпотенціальна) на нескінченність. Оскільки
провіднику заряд q, то електричне поле, яке робота = пр , де потенціал
створює провідник в будь-якій точці простору провідника, то це означає, що теж зміниться
визначається суперпозицією полів, що
в n раз.
створюються окремими зарядженими
Таким чином, при зміні заряду
ділянками провідника. Кожна така ділянка має
провідника в n раз в стільки ж раз зміниться
заряд qi  i Si , де Si – площа ділянка,
потенціал провідника, а значить відношення
 i – поверхнева густина заряду на даній
залишається незмінним. Величину
ділянці провідника (рис.3.5). Що відбудеться,
(3.3)
якщо провіднику надати заряд в n раз більший
називають електроємністю (або просто
(або менший), ніж q. Густина заряду в кожній ємністю) відокремленого провідника. Чим
точці провідника згідно теореми єдиності більший заряд можна надати провіднику при
зміниться в n раз. Напруженість поля заданому потенціалі, тим більша його ємність.
, яка створюється кожною ділянкою Можна сказати, що електроємність
провідника в будь-якій точці простору, характеризує здатність провідника
накопичувати заряд при даному потенціалі.
Для даного провідника (провідника з ємністю
+ ∆Ei
+ к
+ +
++ ri
. ) існує єдине значення заряду q, який
+ iдни +∆Si + необхідно надати провіднику для того, щоб
ов +
+ пр + σi q + + . його потенціал був .
++ + + + ∆ i + Електроємність однозначно
+ + φ
+ ++ + + + + 1
. визначається
розмірами і
формою
електричними
провідника, його
властивостями
+ ++ + + + qпр ∞ оточуючого середовища.
++ +
++ Якщо розміри провідника подібно
Рис.3.5. зменшити в n раз, то і ємність провідника
зміниться в n раз, а значить і сумарна зменшиться в n раз, і навпаки.

Електроємність не залежить ні від
напруженість поля в кожній точці зовні
матеріалу провідника, ні від його агрегатного
провідника зміниться в n раз. Це означає, що
стану, ні від форми і розмірів порожнин
елементарна робота, яка здійснюється
всередині нього. Це пов’язано з тим, що
електричним полем провідника над одиничним
надлишкові заряди розподіляються тільки на
позитивним пробним зарядом пр при його
зовнішній поверхні провідника.
переміщенні на будь-якій ділянці зміниться в n Електроємність не залежить також від заряду
раз. В стільки ж раз зміниться робота провідника та його потенціалу.
електростатичних сил, які діють на одиничний Одиниця ємності – фарада (Ф).
позитивний пробний заряд пр , при
52
Електроємність відокремленого провідника. Конденсатори
Одна фарада – це ємність такого ближче до провідника 1, ніж його позитивні

провідника, потенціал якого змінюється на 1В заряди. Це означає, що негативні заряди
при наданні йому заряду в 1 Кл (формула 3.3). провідника 2 впливають сильніше на
Для тіл сферичної форми
Тому електроємність E
+ - 2 +
відокремленого сферичного провідника + - +
к
+ 1 -
дни
C  q   4πε 0 R , де R – радіус сфери (кулі). провідник + - +
ов і
- +
пр
Якщо вважати, що Земля має форму кулі, + + -
+ +
радіус якої з = 6370 км, то електроємність
Землі буде
Рис.3.6.
= 8,85 6,37 Ф=
=709 Ф=709мкФ. потенціал провідника 1 (понижують ), ніж
Для того, щоб сферичний провідник позитивні заряди провідника 2 (вони
мав ємність 1Ф, його радіус повинен бути підвищують 1). Результатом цього впливу є
R= =1411 з . те, що потенціал провідника 1 1 понижується
На практиці, однак, необхідні пристрої,
і стає 1. Так як заряд q1 не змінюється, то
які мають здатність при малих розмірах і
ємність провідника 1 стає Чим
невеликих відносно навколишніх тіл
потенціалах нагромаджувати значні за ближче знаходиться провідник 2 до провідника
величиною заряди. Для цього використовують 1, тим більша буде його ємність . Зауважимо,
невідокремлені провідники в пристроях, які що замість провідника 2 може бути і
називаються конденсаторами. діелектрик. Результатом такої зміни буде теж
Покажемо, що ємність збільшення ємності провідника 1.
невідокремленого провідника завжди більша
від ємності відокремленого провідника. Нехай §3.3. Конденсатори
провідник 1 (рис.3.6) має заряд q1 і потенціал
його при цьому дорівнює 1. Тоді ємність Система, яка зображена на рис.3.6, дає
провідника можливість накопичувати (конденсувати) на
провіднику 1 при одному і тому ж потенціалі
Допустимо, що досить близько від більший заряд, ніж тоді, коли провідник 1
зарядженого провідника 1 з'явився провідник 2 відокремлений. Це дуже важливо для
(рис.3.6). Неважливо, чи провідник 2 технічного застосування. Вказана система
заряджений, чи незаряджений. Провідник 2 лежить в основі пристроїв, які називаються
зазнає впливу електричного поля провідника 1. конденсаторами.
На поверхні провідника 2, яка ближче до Конденсатор – система із двох (або
провідника 1, з'являться негативні заряди більше) провідників (яких називають
(протилежні за знаком заряду провідника 1), а обкладками), що розділені діелектриком,
на протилежній поверхні – позитивні заряди товщина якого мала порівняно з лінійними
(рис.3.6). Негативні заряди провідника 2 розмірами обкладок. Мала відстань між
53
Конденсатори
обкладками порівняно з їхніми лінійними ними d, то електричне поле між пластинами
розмірами дає можливість досягати більшої можна вважити еквівалентним полю між двома
ємності системи і практично повністю нескінченними площинами (див. формулу
зосередити поле конденсатора між обкладками, 1.16), які заряджені різнойменно і поверхневі
тобто, уникнути впливу цього поля на густини яких дорівнюють   і   . Крім
оточуючі тіла і забезпечити незалежність
ємності конденсатора від їх оберненого впливу. d
Оскільки обкладки – провідники, то вони
екранують зовнішні поля і, таким чином, S S
усувається і їх вплив на ємність конденсатора.
+q ε q
Конденсатори бувають: +
а) плоскі – обкладинками є пара
+σ E σ
паралельних металічних пластин;
б) сферичні – обкладинками є дві
концентричні провідні сфери;
в) циліндричні – обкладинками є два
φ1 φ2
коаксіальні (спільна вісь) провідні циліндри. Рис.3.7.
Обкладки конденсатора заряджають того, відстань d повинна бути настільки малою,
зарядами однакової величини, але щоб порушення однорідності поля поблизу

протилежних знаків. В цьому випадку його країв можна було не брати до уваги.
потенціал провідника 1 найбільше
понижується зарядженим провідником 2 d1 d2
(рис.3.6). Ємність такого конденсатора
визначається як
ε1 ε2
q q
C  , (3.4)
1  2 U
де q – заряд однієї із обкладок конденсатора,
як правило позитивно зарядженої,

Рис.3.8.
U  1  2 – різниця потенціалів, або
Напруженість електричного поля і
напруга між обкладками.
різниця потенціалів між обкладками
конденсатора в цьому випадку дорівнюють
Плоский конденсатор
(згідно 1.16):
Схема плоского конденсатора показана
 q
на рис.3.7. Простір між обкладинками E  ,
(пластинами) заповнений діелектриком з
 0  0 S
відносною діелектричною проникністю . q
1  2  Ed  d .
Площа пластин S і, якщо лінійні розміри εε 0 S
пластин великі порівняно з відстанню між
54
Згідно визначення (3.4) ємність q 2 0 h
плоского конденсатора буде:
C  . (3.7)
1   2 r2
ln
q  S r1
C  0 . (3.5)
1   2 d
Якщо зазор d між обкладками
Ємність конденсатора, який має шаруватий конденсатора малий порівняно з (d<< ), то
діелектрик (рис.3.8), визначають за формулою:
r2 r d  d
ε0S . (3.6) ln  ln 1  ln 1   можна
C r1 r1  r1 
d1 d 2
 розкласти в ряд і обмежитись лише членами
ε1 ε 2
першого порядку малості (формули
наближеного обчислення), а саме:
Циліндричний конденсатор
Циліндричний конденсатор – це  d d
ln 1    .
система із двох коаксіальних циліндрів з  r1  r1
радіусами r1 і r2 (рис.3.9). Простір між
циліндрами заповнений діелектриком з r2 r1
діелектричною проникністю . Якщо висота
+
-
циліндрів значно перевищує їхні радіуси h>>
і h >> то можна знехтувати краєвими
h
,
ефектами і для визначення різниці потенціалів

між циліндричними обкладками конденсатора
скористатися формулою (1.18), враховуючи
присутність діелектрика. Тобто
E   ( 2 0 r ) . Так як E   d , то Рис.3.9.

dr
 d  Edr  λdr (2 πεε 0 r ) .
Тоді формула (3.7) набирає вигляду (3.5)
Інтегруючи цей вираз в межах від до ,
2 0 r1 h  0 S
знаходимо: C  ,
d d
2 r2
 dr де S  2r1h – бічна поверхня циліндричної
  d 
2 0  r
;
поверхні. Тобто при таких умовах
1 r1
циліндричний конденсатор можна наближено
; вважати плоским.
= ,
Сферичний конденсатор
де   q h лінійна густина заряду. Обкладки такого конденсатора це дві
Тоді ємність циліндричного концентричні провідні сфери, радіуси яких r1 і
конденсатора r2, котрі розділені тонким шаром діелектрика
завтовшки – (рис.3.10). Поля поза
конденсатором, що створені внутрішньою і
55
зовнішньою обкладками, взаємно Конденсатор характеризується не лише

компенсується. Поле між обкладками електроємністю, а й "пробивною напругою" –
створюється зарядом q внутрішньої кулі, а різницею потенціалів між його обкладками,
заряд –q зовнішньої кулі всередині цієї кулі не при якій може відбуватися пробій, тобто
створює електричного поля. Напруженість електричний розряд через шар діелектрика в
поля між обкладками конденсатора конденсаторі. Величина пробивної напруги
визначається за формулою (1.19). Тоді згідно залежить від властивостей діелектрика, його
(1.34) різниця потенціалів між обкладками товщини і форми обкладок.
Для одержання потрібної ємності при
2 r2
q dr
конденсатора буде:   d   r2 .
відповідній напрузі в електро- і радіотехніці
4 πεε0 часто конденсатори з’єднують між собою в
1 r1
батареї. З’єднання може бути паралельним,
Після інтегрування отримаємо:
послідовним.
 
1  2  q  r1  r1  . При паралельному з’єднанні (рис.3.11)
4 0  1 2  напруга U на кожному із конденсаторів
_ _ _
_ _ однакова. Тоді заряди на кожному із
_ + + + _
+ конденсаторів ; ;…,
_ + r2 + _
_ + r1
+
+ _
. .
C1
_ +
.
+ + + _
+ _ . .. C2
..
_ _
_ . C3
.
+ Cn
Рис.3.10. _
+ U
Рис.3.11
Звідки електроємність сферичного
конденсатора буде:
Заряд батареї конденсаторів
(3.8)
Якщо товщина шару діелектрика d

Електрична ємність батареї
мала, то можна вважати, що r2  r1 +d r1 . (3.9)
Тоді Тобто при паралельному з’єднанні
4πεε 0 r12 εε 0 4πr12 εε 0 S конденсаторів результуюча ємність батареї
C   ,
d d d дорівнює сумі ємностей окремих
конденсаторів.
де S  4r1 – площа обкладки конденсатора.
2
При послідовному з’єднанні негативно
Коли сферичний конденсатор має дуже тонкий
заряджену обкладку першого конденсатора
шар діелектрика, його електроємність можна
з’єднують з позитивно зарядженою
обчислювати за формулою ємності плоского
обкладинкою другого і т. д. (рис.3.12).
конденсатора.
56
Енергія зарядженого провідника та конденсатора
С1 С2 С 3 Сn Для першого конденсатора

А +q -q +q -q +q -q
1 2 2 3 3 4
+
.
q -q B
n-1 n 1  2 
q , для другого
2  3 
q і т. д.
C1 C2
Тоді (3.10) перепишеться так:
U q q q q
−
+    ...  .
C C1 C2 Cn
Рис.3.12.
Після скорочення на q отримуємо
Якщо на батарею подають напругу формулу для обчислення електроємності
U   A  B , то до такої різниці потенціалів батареї послідовно з’єднаних конденсаторів:

1 1 1 1 . (3.11)
заряджаються тільки крайні обкладки першого    ... 
C C1 C2 Cn
і останнього конденсатора, причому
Якщо в батарею з’єднують n
(3.10) конденсаторів з однаковою ємністю , то при
паралельному їх з’єднанні , а при
де 1, 2 ,..., n – потенціали пластин послідовному – При послідовному
конденсаторів (рис.3.12). з’єднанні конденсаторів результуюча ємність
Провідник, що з’єднує негативно батареї завжди менша від найменшої ємності
заряджену обкладку першого та позитивну конденсатора, що входить до батареї.
заряджену обкладку другого конденсатора,
можна розглядати разом з обкладками як один §3.4 Енергія зарядженого
провідник (одне провідне тіло). Вільні заряди відокремленого провідника та
цього тіла під дією поля прикладеної напруги конденсатора. Енергія
електростатичного поля
перерозподіляються так, що на одній обкладці
з’являються негативний заряд –q, а на іншій –
Щоб зарядити провідник, необхідно
позитивний +q. Тому можна зробити висновок,
виконувати роботу проти кулонівських сил
що заряди на всіх послідовно з’єднаних
електричного відштовхування між
конденсаторах, незалежно від їхньої ємності,
однойменними зарядженими частинками.
однакові і дорівнюють заряду всієї батареї,
Заряджання провідника можна здійснювати
тобто
різними способами. Нехай на провідник із
q  q1  q2  ...  qn . нескінченності послідовно переносяться заряди
Ємність батареї послідовно з’єднаних величиною dq . При накопиченні заряду на
конденсаторів
провіднику наступне перенесення на нього
зарядів dq все більш утруднюватиметься
Звідки внаслідок зростання кулонівських сил
відштовхування між однойменними зарядами.
Якщо в якийсь момент часу потенціал поверхні
провідника дорівнює , то при перенесенні із
57
Енергія електричного поля
нескінченності на провідник заряду dq де V  Sd – об’єм, обмежений пластинами

необхідно виконати роботу (формула (1.26)) (обкладками) конденсатора. Тому можемо
вважати, що відношення
dA  dq (   )  dq,
W εε 0 E 2
де    0. ω  (3.15)
V 2
Оскільки потенціал провідника
є енергія, що приходиться на одиницю об’єму
зв’язаний з його зарядом і ємністю
конденсатора, тобто об’ємна густина енергії
співвідношенням (3.3), то
електричного поля. Якщо поле неоднорідне,
1 тобто E  E( x, y, z), то енергія електричного
dA   qdq .
C
поля в елементарному об’ємі поля буде:
Повна робота при зміні заряду провідника від
 0 E 2
0 до q буде: dW  x, y, z dV  dV .
2
q q
1 q2

A  dA  
0
C  qdq   2C .
0
Тоді формула (3.14) може бути записана як
(3.16)
Ця робота йде на надання енергії зарядженому
З математичної точки зору співвідношення
провіднику, тобто
(3.14) і (3.16) є іншими формами запису
(3.12) співвідношення (3.13). Однак формальне
За допомогою формули (3.12) можна знайти математичне перетворення рівнянь часто
енергію зарядженого конденсатора, як енергію відкриває можливості зовсім нового фізичного
двох заряджених обкладок (провідників). інтегрування виражених ними співвідношень.
Так формула (3.16) виражає електричну
енергію у вигляді нескінченної суми доданків,
кожний із яких дорівнює 1 і

εε 0 E 2 dV
Остаточно можемо записати, що енергія 2
зарядженого конденсатора запишеться так із належить певному об’єму dV . Це відповідає
урахуванням (3.4): уявленням теорії поля (теорії близькодії), де
вважається, що енергія подібно до речовини,
= = , (3.13)
розподілена у просторі з об’ємною густиною
де – різниця потенціалів між
(3.15), яку ми можемо записати ще й так:
обкладками конденсатора.
εε0 E 2 ED D2 .
Формулу (3.13) перепишемо в дещо ω   (3.17)
2 2 2εε0
іншому вигляді. Будемо вважати електричне
Для ізотропних діелектриків напрямки
поле всередині конденсатора однорідним,
тобто знехтуємо краєвими ефектами. Тоді векторів і співпадають. Тому
Враховуючи співвідношення (2.18),
U  Ed , C  εε 0 S d і вираз (3.13)
отримаємо для  наступний вираз:
набирає вигляду:    
E (ε 0 E  P) ε 0 E 2 EP . (3.18)
1 εε 0 S 2 2 εε 0 E 2 ω  
W  E d  V , (3.14) 2 2 2
2 d 2
58
Енергія електричного поля
Перший доданок у (3.18) відповідає 2.Напруженість електричного поля

густині енергії поля у вакуумі. Другий біля поверхні зарядженого провідника.
доданок – це густина енергії, яка витрачається
3.Які властивості провідника дають
можливість ввести поняття його ємності?
на поляризацію діелектрика.
4.Конденсатори. Їх властивості та
Формула (3.13) відповідає положенню вимоги до конструкцій. Типи конденсаторів.
теорії далекодії, де W розглядається як 5.Енергія зарядженого провідника
потенціальна енергія заряджених тіл, що та конденсатора. Об’ємна густина енергії
притягуються або відштовхуються один від та загальна формула для розрахунку
одного. Тобто у концепції далекодії енергії електричного поля.
вважається, що електрична енергія
6.Де локалізована енергія
електричного поля?
локалізована на заряджених провідниках.
Якому з цих двох уявлень про
локалізацію електричної енергії надати Розділ 4. Постійний
перевагу? В межах електростатики електричний струм
принципово неможливо виконати жодного
досліду, який дав би можливість зробити вибір
§4.1.Електричний струм та його види.
одного з цих уявлень. Це пояснюється тим, що Струм провідності та умови його
в електростатиці електричне поле невіддільне існування
від зарядів, джерел поля. Величиною і
розміщенням зарядів однозначно визначається Електричний струм упорядкований
електростатичне поле. Навпаки, знаючи (направлений) рух електрично заряджених
напруженість електростатичного поля в будь- частинок або заряджених макроскопічних тіл.
яких точках простору, можна однозначно За напрямок струму приймають
вказати розподіл зарядів. Зовсім інша ситуація напрямок руху позитивно заряджених
у разі змінних полів. Змінні електромагнітні частинок; якщо струм створюється негативно
поля можуть існувати самостійно, незалежно зарядженими частинками (наприклад
від джерел, які їх збудили. Електромагнітне електронами), то напрямком струму вважають
поле при цьому існуватиме у вигляді протилежний напрямок руху частинок.
електромагнітних хвиль, які, поширюючись у Розрізняють такі електричні струми: 1)
просторі, переносять енергію. Ця енергія не провідності; 2) конвекційний; 3) дифузійний.
може бути потенціальною енергію 1.Струм провідності – це направлене
взаємодіючих зарядів, оскільки їх немає. переміщення вільних електричних зарядів, які
Якщо електростатику розглядати як знаходяться в провідному середовищі
частину електродинаміки, то необхідно (твердому, рідкому чи газоподібному) відносно
надавати перевагу теорії поля з її уявленнями інших частинок, що входять до складу цього
про локалізацію електричної енергії у просторі. середовища, внаслідок дії на вільні заряди
електричного поля. Про наявність
Контрольні питання електричного струму в провідниках можна
1.Основні властивості провідників судити по дії, які він викликає: нагрівання
в електричному полі. провідників, зміна хімічного складу, створення
59
Електричний струм та його види
магнітного поля. Магнітна дія струму призводить до направленого руху заряджених
проявляється у всіх без винятку провідниках; в частинок.
надпровідниках не відбувається виділення В даній главі мова буде йти про струм
теплоти, а хімічна дія струму спостерігається провідності. Для появи і існування струму
переважно в електролітах. Магнітне поле провідності необхідно, щоб виконувались дві
створюється не тільки струмом провідності або умови:
конвекційним струмом, але і змінним Перша наявність у даному
електричним полем в діелектриках і вакуумі. середовищі вільних електричних зарядів –
Величина, яка пропорційна швидкості зміни носіїв струму.
електричного поля з часом, Дж. Максвелл Друга на
електричні заряди
назвав струмом зміщення (розглядається в
 
необхідно, щоб діяла сила F  qE . Отже, в
подальшому). Струм зміщення входить в
даному середовищі повинно існувати
рівняння Максвелла на рівних правах із
електричне поле, енергія якого витрачалась би
струмом, який обумовлений рухом зарядів.
на переміщення електричних зарядів.
Тому повний електричний струм, який
Зрозуміло, що провідник (метал) зі струмом
дорівнює сумі струму провідності і струму
вже перестає бути еквіпотенціальним.
зміщення, визначає створюване ним магнітне
Порушити еквіпотенціальність провідника
поле.
можна за допомогою пристрою (джерела
В металах електричний струм
енергії), який називається джерелом
створюють "вільні" електрони, в
електрорушійної сили (в подальшому
напівпровідниках – негативно заряджені
скорочено е.р.с.).
електрони і позитивно заряджені дірки, в
До характеристик струму провідності
провідних розчинах (електролітах) – позитивно
можна віднести середню швидкість
і негативно заряджені іони, в газах –
направленого руху носіїв заряду, яку ще
електрони, позитивно і негативно заряджені 
іони. Струмом провідності є і електричний
називають швидкістю дрейфу υ др . Відомо, що
струм у вакуумі (наприклад, рух електронів в носії заряду і у відсутності, і при наявності
електронних лампах, електронно-променевих електричного поля у провідниках приймають
трубках). участь в хаотичному тепловому русі, середня
струм – рух 
2.Конвекційний швидкість якого є набагато більшою, ніж υ др .
макроскопічних заряджених тіл як цілого
В силу рівноправності всіх напрямків
(наприклад, заряджених крапель дощу).
теплового руху і великої кількості носіїв заряду
3.Дифузійний струм – направлений рух
хаотичний рух не може створити електричного
електрично заряджених частинок внаслідок їх
струму. Струм провідності виникає при
дифузії без дії на них електричного поля. В
створенні у провіднику електричного поля і
напівпровідниках можна створити в певному
накладанні на хаотичний рух направленого
місці надлишкову концентрацію носіїв заряду 
порівняно із сусіднім місцем. Утворюється руху, який обумовлений дією поля. Якщо υT
градієнт концентрації (швидкість зміни вектор швидкості теплового (хаотичного) руху,


концентрації носіїв заряду з відстанню), що і а υ вектор швидкості направленого руху
60
Характеристики електричного струму
конкретного носія заряду, то усереднення Під густиною струму у кожній даній точці
 
сумарної швидкості носія заряду υT  υ по провідника треба розуміти границю, до якої
всім носіям заряду дає, що прямує відношення сили струму I до
, елемента площі перерізу S , розташованого

др
де середнє значення вектора швидкості перпендикулярно до напрямку струму, при
теплового руху дорівнює нулю, а середнє S  0 , тобто

значення вектора швидкості направленого I dI
j  lim  . (4.3)
руху є вектор дрейфової швидкості. S 0 S dS
Основною кількісною характеристикою Якщо електричний струм розподілений
електричного струму є сила струму І, скалярна рівномірно по перерізу провідника, через який
величина, яка вимірюється кількістю він проходить, то густина струму
електрики (величиною заряду), що проходить I ,
j (4.4)
через поперечний переріз провідника за S
одиницю часу. Якщо за нескінченно малий де S площа поперечного перерізу.
проміжок часу dt через поперечний переріз Одиницею густини струму в СІ є ампер
провідника проходить заряд величиною dq , то на метр квадратний (А/м2).
Припустімо, що у провіднику заряд
сила струму.
окремого носія заряду дорівнює заряду
dq
I (4.1) електрона e , їхня концентрація – n і середня
dt швидкість направленого (дрейфуючого) руху
Співвідношення (4.1) виражає миттєве 
значення сили струму. Якщо сила струму і його υдр , то згідно з визначенням густини струму
напрям з часом не змінюється, то такий струм
 
j  enυдр . (4.5)
називають стаціонарним або постійним. Силу

постійного струму визначають Швидкість υдр характеризує рух носіїв заряду
співвідношенням 
у даній точці провідника, тому вектор j
q
I , (4.2) визначає електричний струм у тій самій точці.
t
Якщо струм створюється рухом
де q електричний заряд, який проходить
позитивних і негативних зарядів, то у
через поперечний переріз провідника за час t. загальному випадку вираз для вектора густини
Сила струму в СІ вимірюється в амперах (А). струму записують так:
Одиниця сили струму ампер є основною в   
j  e  n  υдр  e  n υдр , (4.6)
системі СІ.
У загальному випадку електричний де n і

n концентрації позитивних і
струм може бути розподілений по перерізу  
провідника, через який він проходить,
негативних носіїв заряду, e і e , υдр і
 
υдр
нерівномірно. Тому для характеристики їхні заряди і дрейфові швидкості, відповідно.
розподілу електричного струму по перерізу
провідника вводять поняття густини струму.
61
Закон Ома та Джоуля-Ленца в інтегральній та диференціальній формах
§4.2.Закон Ома та Джоуля–Ленца в заряди тієї ж густини. З цього випливає, що

інтегральній та диференціальній електричне поле стаціонарних струмів також є
формах потенціальним. Проте не слід вважати, що
Нехай в провіднику створене
 електричне поле постійних струмів і
електричне поле E , внаслідок того, що торець кулонівське поле зарядів одне й те саме. Між
1 провідника має потенціал  1 , а торець 2 - ними є істотні відмінності. При рівновазі
зарядів, напруженість кулонівського поля у
потенціал  2 , причому  2 <  1 (рис. 4.1).
провіднику дорівнює нулю. Електричне поле
1 2
постійних струмів є також кулонівським
+ Е
полем, але заряди, що його збуджують,
1 + 2
F знаходяться у русі, тому що поле постійних
+ j
+ струмів існує і всередині провідника. При його
відсутності у провіднику струму не було б.
Рис.4.1.
Силові лінії електростатичного поля завжди
перпендикулярні до поверхні провідника, коли
Будемо вважати, що це електричне поле
 в провіднику струм відсутній. За наявності
з напруженістю E стаціонарне (незмінне з стаціонарного струму у провіднику його
 
часом). На вільні заряди діє сила F  eE , яка поверхня не є еквіпотенціальною і лінії
зумовлює стаціонарний рух електричних напруженості поля, напрямок яких співпадає з
зарядів провідника постійний струм. напрямком струму, можуть бути направлені під
Зрозуміло, що це можливо, коли різниця гострим кутом до поверхні провідника.
потенціалів 1   2 підтримується Оскільки поле постійних струмів має

потенціальний характер, то можна говорити
постійною. Цю різницю потенціалів називають
про потенціал окремих точок кола постійного
напругою і позначають буквою U , тобто струму і про різницю потенціалів між ними.
1   2  U . Німецький фізик Г. Ом у 1827р.
Стаціонарне електричне поле за своїми експериментально довів, що сила струму I в
фізичними властивостями не відрізняється від провіднику прямо пропорційна напрузі U на
електростатичного поля, оскільки воно є полем його кінця
електричних зарядів, розміщених у певних
I = kU, (4.7)
ділянках кола струму з незмінною в часі
де k коефіцієнт пропорційності, який
густиною.
залежить від розмірів провідника, матеріалу, з
Якщо струм постійний, то густина
якого він виготовлений, та його фізичного
електричних зарядів у будь-якій точці простору
стану. Його називають електричною
не змінюється з часом, хоч має місце потік
провідністю провідника. На практиці частіше
електричних зарядів. Тут на місце тих зарядів,
користуються оберненою до
що переходять в інше місце, надходять нові
електропровідності величиною, яку Ом назвав
заряди. Такі заряди, як підтверджує дослід,
опором провідника R:
створюють в просторі таке ж кулонівське
електричне поле, яке б створили нерухомі R  1/ k .
62
Опір провідників
Тоді формулу (4.7) можна записати так: фізичного стану провідника. Його називають
I= (4.8) питомим опором матеріалу. Одиницею
питомого опору в СІ є Ом на метр (Ом м). В
Опір провідників в СІ вимірюють в омах
електротехніці часто довжину провідників
(Ом), провідність - в сименсах (См).
вимірюють у метрах, а площу поперечного
На основі (4.8) визначають одиницю
перерізу в квадратних міліметрах. Тоді
опору в 1 Ом. Це опір такого провідника, в
питомий опір доцільно подавати в Ом мм2/м.
якому при напрузі між його кінцями 1В існує
Питомий опір провідників значною
струм силою 1А. Електричний опір металів
пов’язаний з розсіюванням електронів мірою залежить від домішок, а також від
способу їх виготовлення. Найменший питомий
провідності на теплових коливаннях
опір мають срібло і мідь. На практиці для
кристалічної решітки і її структурних
передавання електричної енергії частіше всього
неоднорідностях.
Формула (4.8) виражає в інтегральній використовують дріт із міді або алюмінію. Для
виготовлення реостатів, котушок опору
формі закон Ома для однорідної ділянки кола.
використовують сплави з великим питомим
Ділянку кола називають однорідною, якщо на
опором (ніхром, нікелін). Як уже зазначалося,
ній немає джерел струму. Закон Ома
справджується з великою точністю для питомий опір провідників залежить не тільки
від хімічного складу речовини, але й від його
металевих провідників та електролітів.
стану, зокрема від температури. Залежність
Відхилення від закону Ома становить близько
питомого опору однорідної речовини від
1% для струмів дуже великої густини – кількох
мільйонів амперів на 1 см2. Закон порушується температури характеризують температурним
коефіцієнтом опору
і в тих випадках, коли в провідниках не
вистачає носіїв електричних зарядів і настає 1 d .
 (4.10)
насичення струму (несамостійний розряд у  dT
газах), а також при досить високих напругах та Температурний коефіцієнт опору
ін. Залежність I  f (U ) називають вольт- числово дорівнює відносній зміні опору
амперною характеристико (ВАХ) провідника. провідника при зміні його температури на 1К.
Зауважимо, що опір провідника в Величина для різних речовин різна. Для всіх
першому наближенні не залежить від величини чистих металів температурний коефіцієнт
-1
струму, який проходить по провіднику, а опору близький до 1/273 К . Температурний
залежить від його геометричних розмірів, коефіцієнт опору дещо змінюється при зміні
форми та від матеріалу провідника і його температури даної речовини. Деякі сплави
стану. Для однорідних провідників мають досить малі значення температурного
циліндричної форми коефіцієнта опору . Так, для константану
-4 -1
l =0,1 10 К . Дріт з таких сплавів
R , (4.9)
S використовують для виготовлення еталонів
де l довжина провідника; S площа його опору, котушок вимірювальних місткових
поперечного перерізу;  коефіцієнт схем, тощо.
Як показують досліди, для кожного
пропорційності, який залежить від матеріалу та
хімічного металевого провідника існує певний
63
Закон Ома та Джоуля-Ленца в інтегральній та диференціальній формах
інтервал температур, в якому залежність напруженість електричного поля в даній точці

питомого опору від температури має лінійний провідника, то вираз (4.12) перепишемо так:
характер, тобто j  E . (4.13)
  0 (1  t ) , (4.11) S S
де  0 питомий опір, що відповідає початку
1 j E
температурного інтервалу. Здебільшого за
початок цього інтервалу беруть 2
температуру 0 . Залежність опору металів від 1 l 2
температури покладено в основу роботи

Рис.4.2.
приладів для вимірювання температури  
(термометри опору), приладів для вимірювання Оскільки напрями E і j збігаються,
енергії випромінювання (болометри) та то рівняння (4.13) можна записати у векторній
автоматичних пристроїв для термостатування, формі:
терморегулювання будь-яких процесів з
 
j  E . (4.14)
великою точністю.
Співвідношення (4.13) і (4.14) виражають закон
Користуючись поняттям густини
Ома у диференціальній формі для однорідної
струму, отримаємо формулу закону Ома в
ділянки кола.
диференціальній формі, яка встановлюває
Закон Ома в диференціальній формі
зв'язок між характеристиками струму в певній
зв’язує густину струму в кожній точці
точці провідника. Виділимо подумки в
всередині провідника з напруженістю
однорідному провіднику прямий циліндр
електричного поля в тій самій точці. Закон
довжиною l з площею основи S так, щоб
(4.14) справедливий і для змінних струмів і є
його твірні збігалися з напрямом ліній струму
одним із основних рівнянь електродинаміки
(рис.4.2). Вважатимемо, що різниця
(рівнянь Максвелла).
потенціалів у перерізах 1 і 2   1  2 , Оскільки направлений рух носіїв заряду
1  2 , а опір виділеного циліндра створюється електричним полем у провіднику,

l . Згідно закону Ома (4.8) для
то можна вважати, що дрейфова швидкість υ др
Rρ
S носіїв заряду пропорційна до напруженості
цього елемента провідника струм
поля в провіднику:
 
υ др ~ , або υ др = , (4.15)
де u рухливість носіїв заряду.

Звідси отримаємо, що
Рухливість носіїв заряду числово
I 1 
j  (4.12) дорівнює швидкості напрямленого руху
S  l
зарядів, якого вони набувають під дією
Позначимо 1/ =  . Величину  називають
електричного поля у провіднику, напруженість
питомою провідністю (у СІ вимірюється в якого дорівнює 1 В/м.
-1 -1
Ом м . Оскільки = E
64
Закон Джоуля-Ленца в інтегральній та диференціальній формах
Тоді формулу (4.5) для густини струму Д. Джоуль і російський Е. Ленц відкрили закон,
можна записати у вигляді який формулюється так: кількість теплоти Q,
що виділяється в провіднику при проходженні
= enu . (4.16)
в ньому постійного струму, прямо пропорційна
Порівнюючи (4.16) і (4.14), отримаємо, квадрату сили струму I , опору провідника R ,
що і часу проходження струму, тобто
= en u . (4.17)
Q  I 2 Rt . (4.20)
Отже, питома електропровідність
провідників (металів) прямо пропорційна до Формула (4.20) виражає закон Джоуля-Ленца в
концентрації вільних електронів та їх інтегральній формі.
рухливості. Оскільки кількість теплоти Q і робота
А є кількісними мірами перетворення енергії

Робота електричного струму електричного струму у внутрішню енергію, то
Якщо по ділянці провідника з опором всі формули роботи можуть бути використані
R, на кінцях якої напруга U , проходить для визначення кількості теплоти.
струм I (рис.4.1) то через його поперечний Запишемо закон Джоуля-Ленца у

диференціальній формі через локальні
переріз за час dt буде перенесено
характеристики провідника і електричного
електричний заряд dq  Idt . За визначенням,
поля в ньому. Користуючись
напруга U  1  2 між довільними точками співвідношеннями
провідника дорівнює роботі, яка виконується 1
I  jS  ES і   ,
при перенесенні одиниці заряду між цими 
точками провідника. При перенесенні заряду вираз (4.20) запишемо так:
dq виконується робота l
Q  2 E 2 S 2   t  E 2 Slt  E 2Vt де
dA  Udq  IUdt . S
У випадку постійного струму V  lS об’єм провідника.
A  IUt . (4.18) Кількість теплоти, що виділяється в
На основі закону Ома (4.8) можна записати одиниці об’єму провідника за одиницю часу
(питома теплова потужність),
U2
A  I Rt 
2
t. (4.19) Q
R Qпит   σE 2  ρj 2 . (4.21)
Vt
Закон Джоуля-Ленца
На основі закону Ома в диференціальній
Якщо постійний струм проходить по
формі (4.14) перепишемо (4.21) так:
нерухомому провіднику, в якому відсутні

хімічні реакції, робота струму перетворюється Qпит  j E . (4.22)
у внутрішню енергію провідника і він Співвідношення (4.21) і (4.22) виражають закон
нагрівається. Вивчаючи теплову дію Джоуля-Ленца у диференціальній формі.
електричного струму, англійський вчений
65
Електрорушійна сила
§4.3. Електрорушійна сила Сторонні сили, які діють на заряди,

Для того, щоб в провіднику існував разом із силами поля
струм (рис.4.1), необхідно підтримувати в зумовлюють постійний струм. Щоб врахувати
ньому електричне поле, тобто підтримувати дію сторонніх сил, вводять поняття вектора
різницю потенціалів 1  2 . Якщо цього не напруженості поля сторонніх сил ст , який за
робити, то електрони, рухаючись до торця 1, визначенням числово дорівнює силі, яка діє на
будуть понижувати його потенціал 1 , одиничний позитивний заряд.
1 2
підвищувати потенціал торця 2 і з часом
+ Е
різниця 1  2 стане дорівнювати нулю, 1 + υдр 2
поле всередині провідника зникне і струм +
+
перестане існувати. Щоб підтримувати сталою
різницю потенціалів 1  2  0 , необхідно Г
стороння
електрони від торця 1 переносити до торця 2 за сила
напрямком напруженості поля . Іншими Рис.4.3.
словами, електрони необхідно переміщувати Сторонні сили, переміщуючи
від позитивних зарядів до негативних, тобто електричні заряди, виконують роботу. Тому
виконувати роботу переміщення, витрачаючи фізична величина, що числово дорівнює роботі,
при цьому енергію. Таке переміщення можна яка виконується сторонніми силами під час
здійснювати тільки за допомогою сторонніх переміщення одиничного позитивного заряду,
сил. Ці сили можуть бути обумовленні називається електрорушійною силою (е.р.с),
хімічними процесами в гальванічних елементах що діє в колі:
і акумуляторах; дифузією носіїв струму в ст (4.23)
неоднорідному середовищі; електричними
Стороння сила ст , що діє на заряд q,
полями, які створюються магнітними полями,
дорівнює
що змінюються з часом. Сторонні сили
виникають в генераторах за рахунок ст =q ст .
механічної енергії обертання ротора На електричних схемах сторонню силу
генератора. Сторонні сили не можуть бути зображують так, як показано на рис.4.4.
кулонівськими силами. Кулонівські сили є

потенціальними, і робота таких сил по Eст
переміщенню зарядів по замкнутому контуру 1 - + 2
(колу) дорівнює нулю. Під дією кулонівських 1 2

E кул
сил заряди можуть тільки перерозподілятись
поверхнею провідника, яка зразу ж стає
Рис.4.4.
еквіпотенціальною. Отже, на певних ділянках
кола (ділянка 1-2 на рис.4.3) сили, що діють з Напруженість поля сторонніх сил ст діє в
межах пристрою (джерела струму) і
боку електричного поля на носії заряду, не
направлена від "мінуса" до "плюса".
є єдиною причиною струму.
66
Електрорушійна сила
Робота сторонніх сил по переміщенню в позитивного заряду на даній ділянці кола.
напрямі струму заряду q вздовж усього Отже
замкнутого кола Г (рис.4.3) дорівнює . (4.28)
   
Аo   Fстdl  q  Eстdl . Поняття напруги є узагальненим поняттям
Г Г різниці потенціалів: напруга на кінцях ділянки
Тоді кола дорівнює різниці потенціалів в тому
Ао   випадку, якщо на цій ділянці не прикладена
   Eстdl . (4.24) е.р.с.
q Г
Ділянка кола, на якій на носії струму
Е.р.с., що діє в замкнутому колі,
діють сторонні сили, називається
визначається циркуляцією вектора
неоднорідною. Ділянка кола, на якій не діють
напруженості сторонніх сил ст . сторонні сили, називається однорідною. Для
Е.р.с., яка діє на якійсь ділянці кола 1-2 однорідної ділянки кола
(рис.4.4), дорівнює . (4.29)
2  На неоднорідній ділянці кола на носії
  Eст dl . (4.25)
1 струму діє сила (4.26). Тому дрейфова
Результуюча сила, що діє в колі на 
швидкість υ др буде пропорційна силі (4.26).
заряд:
Відповідно густина струму буде пропорційна
= ст + кул = q( ст + кул ). (4.26)  
до суми напруженостей Eкул  Eст :
Робота, яка виконується результуючою силою
   1  
над зарядом q на ділянці кола 1-2 (рис.4.5) j  σ( E кул  E ст )  ( E кул  E ст ) . (4.30)
ρ
дорівнює
Цей вираз є узагальненим законом Ома в
хід
об диференціальній формі для неоднорідної
1 R 2
ділянки кола. З закону (4.30) можна отримати і
1 2
інтегральну форму закону. Для цього
Рис.4.5. помножимо рівняння (4.30) скалярно на

елемент dl осі провідника, взятому у напрямі

ст кул вектора j , і проінтегруємо від перерізу 1 до
ст кул перерізу 2 нерозгалуженої ділянки кола
(4.27) (рис.4.5):
  2
При цьому враховано співвідношення (1.34). 2
j dl   2  
Напругою на ділянці кола 1-2 
1 σ
  Eкулdl   Eст dl . (4.31)
1 1
називається фізична величина, що
Оскільки
визначається роботою, яка виконується  
j dl jdl cos 0  dl
сумарним полем електростатичних і  I  IdR ,
сторонніх сил при переміщенні одиничного
  S
67
Закон Ома для неоднорідної ділянки кола
де I сила струму, S площа поперечного Якщо напрям ст співпадає із напрямком

перерізу провідника, dR опір елемента обходу на ділянці 1 2, то 0. Якщо напрям
 
провідника, довжина якого dl , j || dl і струм поля ст і напрям обходу протилежні, то <0
(рис. 4.6).
I однаковий в усіх перерізах кола. Тоді
  Якщо електричне коло замкнене, то
2 2 2
j dl
 
  
IdR  I dR  IR12 , (4.32) точки 1 и 2 ділянки кола (рис. 4.5) співпадають.
1 1 1
Це означає, що 1  2 і R12  R , де R-
де R12 опір ділянці кола 1 2. загальний опір кола. Тому закон Ома для
Враховуючи співвідношення (1.34), замкненого кола має такий вигляд:
(4.25) і (4.32), рівняння (4.31) перепишемо так:
I= , (4.35)
I = + , (4.33)
де позначено сумарну е.р.с., яка діє на де – алгебраїчна сума всіх е.р.с., які діють у
ділянці кола 1 2. цьому колі.
Поділивши (4.33) на R12 отримаємо

Гальванічний елемент
математичний вираз закону Ома для
У звичайних батареях (акумуляторах)
неоднорідної ділянки кола:
переміщення носіїв заряду в області, де
I= (4.34) електричне поле протилежне струму,
відбувається за допомогою хімічної енергії. За
При користуванні законом (4.34)
рахунок цієї енергії позитивний заряд може
необхідно користуватись певними правилами:
рухатись до місця з більш високим
1.Вибрати довільно обхід на ділянці
електричним потенціалом, якщо він при цьому
кола 1 2 (рис.4.5).
приймає участь в хімічній реакції, яка дає йому
2. Вибрати довільно напрям струму на
більше енергії, ніж потрібно для того, щоб
цій ділянці. Якщо напрямок струму і напрям
подолати силу кулонівського відштовхування.
обходу співпадають, то алгебраїчну величину
За рахунок цієї енергії негативні заряди
струму треба приймати, як позитивну величину
рухаються до місця з більш меншим
(I>0). Якщо напрям струму і напрям обходу на
електричним потенціалом, якщо вони беруть
ділянці 1-2 протилежні, то (I<0). участь в хімічній реакції.
Щоб розглянути, як цей механізм
Обхід Обхід працює, дослідимо це на прикладі нормального
I > 0+ - I>0- + елемента Вестона, який має велике значення в
лабораторії, тому що є еталоном при точних
Eст Eст вимірюваннях напруги (рис.4.7). Він
ε <0 ε >0 складається із Н подібної скляної посудини,
Рис.4.6. яка наповнена розчином сульфату кадмію,
3.E.р.с. є теж величина алгебраїчна. CdS
Вважається, що дія має напрям, що У дно кожного плеча впаяні зовнішні
співпадає з напрямком поля (рис.4.6). виходи, які здійснюють контакти із
ст
68
внутрішніми електродами. Лівим внутрішнім дозволить новій порції іонів перейти в
електродом є рідка чиста ртуть (4), а правим – розчин (1), а залишені ними електрони просто
та ж ртуть, в якій розчинений металічний
кадмій (2). (В ртуті розчиняється багато
––
++ __
3 Cd So4 __ 1
H g 2SO 4
So4 ++
металів: такий розчин називається Cd
++
амальгамою). Зліва над поверхнею ртуті + + Cd
Hg Hg ++ __
1 Cd SO4
знаходиться декілька кристалів сульфату ртуті,
+ +
Hg Hg
Hg 2SO 4 (3) сполука, яка дуже слабо E Cd
++
E
-
Hg e- e
розчиняється у воді. Між зовнішніми виходами 2
- - Cd Cd
існує різниця потенціалів причому лівий вихід e e
4 Cd Hg
позитивний по відношенню до правого.
(Абсолютна величина потенціалу не має a б
значення; тут важлива тільки різниця). Рис. 4.8.Тут схематично показано, що
відбувається на поверхні позитивного
електрода (а ) і на поверхні негативного
електрода (б), коли елемент Вестона
підключають до зовнішнього навантаження .
1
поповнять негативний заряд цього електрода. В
3
колі буде протікати стаціонарний струм, який
2 супроводжується міграцією іонів, які
4 замикають коло всередині водного розчину (1).
+ Тим часом дещо відбувається і на другому
електроді (рис.4.8,а). Іони ртуті
Рис.4.7. 1-водний розчин сульфату кадмію
– –
покидають розчин (3), зустрічаються з
Cd SO4 ( електроліт); 2- амальгама кадмію
++
(кадмій, розчинений у ртуті); 3-сульфат ртуті електронами, які приходять зовні, і стають
(Hg 2SO4 ) (дуже слабо розчинний); 4-чиста ртуть.
нейтральними атомами ртуті. В розчині нові
Це “ненасичений” елемент.
іони виникають при розчиненні Hg 2 SO 4 ,
Ось як працює такий елемент: частина причому одночасно в електроліт (1)

іонів елементу кадмію переходить із амальгами добавляються нові сульфатні іони . Тим
(2) у водний розчин (1) (рис.4.8,б) , причому часом, як показано на рис.4.8,б, неперервно
кожний іон кадмію залишає після себе два йде дисоціація атомів кадмію, які поступають в
електрони і амальгамний електрод (2) набуває електроліт (1) уже у вигляді іонів .
значний негативний заряд. Однак цей процес В результаті, по суті, відбувається
зупиняється, як тільки в електроді вилучення електронів від атомів кадмію і
накопичується стільки електронів, що їхня сила приєднання їх до іонів ртуті. Хімік сказав би,
притягання іонів Cd   перешкоджає що кадмій окислюється, а ртуть відновлюється.
подальшому їхньому виходу у водний розчин Елемент працює тому, що цей обмін
(1). Якщо тепер з’єднати виводи елемента енергетично вигідний. Відносна сила зв’язку
провідним опором, то електрони потечуть від електронів в структурі атома кадмію і атома
негативного електрода до позитивного. Це ртуті така, що, виражаючись фігурально,
69
намагання атомів ртуті приєднати електрони заряд q, тоді є енергія, яка розсіяна у
переважає бажання атомів кадмію утримувати зовнішньому колі і всередині елемента. Ця
їх. Зауважимо, що на кожній із поверхонь енергія отримана із хімічної енергії елемента,
розділу іони (рис.4.8,б) і іони яка є джерелом існування сторонньої сили ст .
(рис.4.8,а) рухаються проти сил q
електричного поля. D I
E
0 ,8
Л,В
E I
A 0,6
4 D
0 ,8
П О Т ЕН Ц І АЛ,В
D
0, 6 D
0, 4
ε E + C C
0 ,2 I B
0 C
E + C
A A B
B
а б
A B Рис.4.10. Розподіл потенціалу ( б) у випадку,
б коли по зовнішньому опору протікає струм (а).
а Зверніть увагу на спад потенціалу всередені
Рис.4.9. Розподіл в розімкнутому колі ( а ) електроліту. Цей розгляд не придатний для
потенціалу (б). Потенціал правого затискача елемента Вестона, який використовується як
С прийнятий за нульове значення. еталон. Еталонний елемент застосовується в
умовах, коли протікає дуже малий струм.
Розглянемо тепер зміну електричного Ланцюжок реакцій в елементі
потенціалу у всій системі як при протіканні оборотний. Це означає, що якщо включити в
струму, так і при його відсутності. коло назустріч елементу інше джерело з
На рис.4.9,б по вертикалі відкладено більшою е.р.с., то струм потече в оберненому
зміну потенціалу вздовж кола, яке розімкнуте в напрямку і описані процеси будуть протікати в
одній точці. Різниця потенціалів на затискачах оберненому порядку. Саме це відбувається при
при розімкнутому колі є е.р.с. елемента, яка зарядці батареї акумуляторів.
позначена як . Електричне поле дорівнює Е.р.с. елемента залежить від
градієнту потенціалу з оберненим знаком. Як і властивостей атомів. Її значення близьке до 1В,
в будь-якому електростатичному полі лінійний тому що енергія зв’язку зовнішніх електронів в
інтеграл d = 0. На рис.4.10,б показаний атомі лежить в діапазоні декількох електрон-
розподіл потенціалу в тому випадку, коли по вольт, а в е.р.с. проявляється, по суті, різниця
зовнішньому опору протікає струм. Всередині цих енергій зв’язку.
електроліту є електричне поле, яке направлене Сам елемент Вестона використовується
в ту ж сторону, що і струм. Розчин сульфату не як джерело електричної енергії, а швидше,
кадмію веде себе як звичайний омічний опір. як еталон різниці потенціалів. Тому ситуація,
Тепер різниця потенціалів на затискачах менша яка показана на рис.4.10, коли протікає досить
із-за наявності внутрішнього спаду напруги значний струм і вихідна напруга падає
на електроліті, а також, можливо, із-за приблизно на 10 % , є грубим зловживанням до
додаткового опору перехідних шарів. Лінійний такого елементу.
Е.р.с. елемента Вестона відтворювана у
інтеграл d по всьому колу, як і раніше,
високій степені. Якщо водний розчин (1)
дорівнює нулю. Нехай в результаті протікання
(рис.4.7) насичений надлишком сульфату
струму через кожний переріз кола пройшов
кадмію в області обох електродів, то е.р.с. при
70
Розрахунок електричних кіл за допомогою правил Кірхгофа
20 дорівнює (1,018800-1,019600)В з або
похибкою до 0,002 % і стабільністю ( за 1 рік  I 1  I 3  I 4  I 2  I 5  0 . (4.37)
до 20 мкВ). При цьому допускається
Рівняння (4.36) або (4.37) виражають перше
протікання струму (0,5-10 мкА).
правили Кірхгофа. Для зручності користування
Використовуючи, як еталон, елемент Вестона і
цим рівнянням струмам, що входять у вузол,
відповідний потенціометр, можна надійно
надають один знак, а струмам, що виходять –
вимірювати різницю потенціалів з точністю до
протилежний. Так, якщо вважати струм, що
10-6В.
входить у вузол, додатним, а струм, що
виходить із вузла, від’ємним, то перше
§4.4.Розрахунок розгалужених
правило Кірхгофа можна сформулювати так:
електричних кіл за допомогою правил
алгебраїчна сума усіх сил струмів, що
Кірхгофа
сходяться в будь-якому вузлі розгалуженого
За допомогою закону збереження заряду кола, дорівнює нулю:
і закону Ома (4.33) для неоднорідної ділянки m
кола можна розрахувати будь-яке складне I

i 1
i  0. (4.38)
електричне коло. Такий розрахунок значно

Друге правило Кірхгофа. Виділимо в
полегшується, якщо застосувати два правила
розгалуженому колі простий замкнутий
Кірхгофа.
контур, наприклад АВСDА (рис.4.12).
I1 B
I5 I2
φB
ε
1
R2
I3
I1 r1
I4 ε
2
R1 r2 I2
Рис.4.11.
A C
Перше правило Кірхгофа встановлює φA r3 φC
взаємозв’язок між струмами в провідниках, що R4
I4
I3 ε
3
D φD
сходяться у вузлі. Вузлом розгалуженого кола
називають точку, в якій сходяться три і більше
провідників (рис.4.11). Нехай постійні струми Рис.4.12.
I 1 , I 3 , I 4 входять у вузол, а струми I 2 , I 5 Застосуємо закон Ома (4.33) до кожної

ділянки кола цього контуру:
виходять із нього. Так як у вузлах заряди не
накопичуються, то кількість заряду, що +
приносять струми I 1 , I 3 , I 4 до вузла дорівнює +

+ ;
кількості заряду, що виносять струми I 2 , I 5 з
вузла. Тому на основі закону збереження
заряду можна записати, що Додамо почленно ліві і праві частини цих
рівностей. Тоді отримаємо, що
I 1  I 3  I 4  I 2  I 5  0 , (4.36)
71
Розрахунок електричних кіл за допомогою правил Кірхгофа
5.Закон Ома в інтегральній та

(4.39)
диференціальній формах для однорідної
Аналогічні співвідношення отримується ділянки кола.
для будь-якого простого замкнутого контуру. 6.Закон Ома для замкнутого кола.
7.Вектор густини струму. Дрейфова
Узагальнюючі співвідношення (4.39),
швидкість носіїв заряду та її фізичний зміст.
запишемо, що
8.Перше правило Кірхгофа. На основі
+ = . (4.40) якого фізичного закону воно встановлене?
Співвідношення (4.40) виражає друге правило 9.Друге правило Кірхгофа. На основі
Кірхгофа: у будь-якому простому якого фізичного закону воно базується?
10.Закон Ленца-Джоуля в
замкнутому контурі, довільно обраному у
інтегральній та диференціальній формах.
розгалуженому електричному колі,
алгебраїчна сума добутків сил струмів на
опори відповідних ділянок цього контуру Розділ 5.Магнітне поле
дорівнює алгебраїчній сумі е.р.с., що діють у
контурі.
§5.1.Взаємодія струмів. Закон Ампера.
У сумі (4.40) знаки струмів і е.р.с. Магнітне поле як форма існування
(див.правила на стор.68) беруть згідно матерії
вибраного обходу по контуру (рис.4.12). Обхід
для всіх замкнутих контурів розгалуженого Нерухомі точкові заряди (рис.5.1)
кола треба здійснювати в одному напрямку. взаємодіють за законом Кулона (формула 1.2).
Найчастіше обхід контура вибирають за Ця взаємодія, за теоріє близькодії,
стрілкою годинника. здійснюється через електростатичне поле, яке
Якщо при розв’язуванні системи існує навколо нерухомих заряджених частинок.
рівнянь, складених на основі (4.38) і (4.40), Разом з тим, на основі закону Кулона не можна
сили струмів виявились додатними, то це пояснити характеру взаємодії тих же зарядів,
означає, що напрямок їх обрано правильно. У які рухаються .
противному разі дійсний напрямок струму F12 F 21
+ r +
протилежний до обраного нами.
q1 q2
Контрольні питання
Рис.5.1.
1.Визначення струму. Умови Два позитивні нерухомі заряди
існування струму провідності. відштовхуються з силою Кулона (рис.5.1). З
Характеристики струму. початком руху зарядів виникає нова якість
2.Причини існування електричного взаємодії (рис.5.2). Експериментально
опору металів. υ1 υ2
3.Визначення електрорушійної сили
сторонніх сил. В чому різниця між е.р.с. та + r +
різницею потенціалів? q1 q2
4.Закон Ома в інтегральній та
Рис.5.2.
диференціальній формах для неоднорідної
досліджувати взаємодію двох зарядів, які
ділянки кола.
72
Взаємодія струмів. Закон Ампера
рухаються, складно. Але коли рухається багато На основі формули (5.1) встановлюється
зарядів, то експериментальні дослідження одиниця сили струму в СІ – (ампер) – це сила
реальні. Направлений рух зарядів – це струми. постійного струму, який протікаючи двома
Французький фізик Ампер в 1820р. паралельними прямолінійними дуже тонкими
відкрив, що два тонких прямолінійних провідниками нескінченої довжини, які
металічних провідники, якими протікає розташовані на відстані r 1м один від
електричний струм, взаємно притягуються одного у вакуумі, визвав би між цими
(рис.5.3,а), якщо струми мають однаковий провідниками силу, що дорівнювала б 2 10
. -7
напрямок (позитивні заряди рухаються в ньютон на кожен метр довжини.

одному напрямку (рис.5.2) хоч між ними діє В раціональному виді формулу (5.1)
кулонівська сила відштовхування). Якщо ж записують так:
струми мають протилежні напрямки
μ 0 2I1I 2
(позитивний і негативний заряди рухаються в Fl   , (5.2)
4π r
одному напрямку і між ними діє кулонівська
де  0 так звана магнітна стала. Якщо
сила притягання), то провідники
відштовхуються (рис.5.3,б). I1=I2 =1A, r = 1 м, Fl =2 10-7Н/м, то із (5.2)
а б
отримаємо, що
 0  4  10 7 Гн/м . (5.3)
Взаємодія струмів здійснюється через
I1 I2
I I поле, яке називають магнітним. Магнітне поле
отримало свою назву у зв’язку з тим, що
Ерстед (практично одночасно з відкриттям
Ампера) відкрив дію електричного струму на
Рис.5.3. магнітну стрілку (рис.5.4).
Зауважимо, що електрична взаємодія S

I
самих проводів дорівнює нулю, так як в цілому
вони електронейтральні.
Дослідним шляхом Ампер встановив
закон взаємодії двох тонких прямолінійних N
паралельних провідників, якщо відстань між
ними r набагато менша їх довжини: Рис.5.4.
Fl  2kI1 I 2 / r , (5.1) Магнітна стрілка розміщувалась під

проводом. При пропусканні по провіднику
де I1 і I 2 сила струму, відповідно, в струму, стрілка орієнтувалась
першому і другому провідниках, Fl сила перпендикулярно до проводу. При зміні

їхньої взаємодії, що приходиться на одиницю напрямку струму стрілка поверталась на 180 .
довжини проводу, 2k коефіцієнт Те саме мало місце при переносі стрілки із
пропорційності. положення під проводом в положення стрілки
73
Взаємодія елементів струму
над проводом. При віддаленні магнітної поле. Електричне поле діє як на рухомі, так і на
стрілки від провідника орієнтуюча дія струму нерухомі електричні заряди. Магнітне поле діє
зменшувалась. лише на рухомі електричні заряди.
У цих дослідах було зроблено декілька
фундаментальних відкриттів. По-перше, §5.2.Взаємодія елементів струму
показано, що електричний струм створює
магнітне поле (на магнітну стрілку може діяти У дослідах Ампера насамперед було
тільки магнітне поле), по-друге, що величина встановлено, що сила взаємодії двох
магнітного поля в різних точках простору провідників пропорціональна величині струму
навколо провідника зі струмом різна в кожному із провідників. Далі досліди
(зменшується з відстанню від провідника), і, показали, що коли провід зі струмом зігнути,
по-третє, що магнітне поле має напрям у як показано на рис.5.6,а, то він не чинить
просторі, тобто є полем векторним. Після магнітної дії. І навпаки, такий провідник не
відкриття Ерстеда почалися інтенсивні зазнає дії сили з боку інших провідників зі
дослідження магнітних полів і струмів струмом. Магнітна дія не спостерігається і
(рис.5.5). тоді, коли одну частину проводу (і притому
довільно) обмотати навколо другої (рис.5.6,б).
S N + 1
S N 2
3
I I I 4
I I 5
a б в
6
Рис.5.5.
7
Дія магнітного поля провідника зі
I I
струмом на магнітну стрілку (рис. 5.5,а) нічим
не відрізняється від його дії на котушку, по а б
якій протікає струм від батареї (рис 5.5,б), або Рис.5.6.Зігнуті провідники а і б не чинять
магнітної дії.
дії на рухомий пучок електронів в електронно-
променевій трубці (рис.5.5,в). Останні досліди З цих результатів випливає висновок,
свідчать не тільки про те, що магнітне поле  
що які-небудь елементи провідника dl1 , dl2 і
створюється рухомими електричними

зарядами, але й про те, що магнітне поле, в d l3 разом чинять таку саму магнітну дію, як
свою чергу, діє лише на рухомі електричні 
один елемент dl (рис.5.7), що замикає ці
заряди і цією дією інтегрально визначається
відрізки. Зокрема, дія зігнутих відрізків 12 і 23
взаємодія провідників зі струмом, або
провідника зі струмом і магнітної стрілки, або, провідника б (рис.5.6) така, як коли замість них
взагалі, магнітна взаємодія. Отже, навколо був би прямолінійний відрізок, що сполучає
будь-якого рухомого заряду, чи то буде точки 1 і 3, дія 34 і 45 дорівнює дії 35 і т.д. , і
електрон, іон або заряджене тіло, крім тому дія всього провідника б така сама, як і
електричного поля, існує також і магнітне провідника а (рис.5.6), тобто дорівнює нулю.
74
Взаємодія струмів. Закон Ампера
Із сказаного випливає, що магнітна дія
 
(елементи струму) dl1 і
dl2 лежать в одній
нескінченно малого відрізка проводу залежить 
 площині, і позначимо через r12 радіус-вектор,
від добутку Idl , де I величина струму , а
 проведений від першого відрізка до другого
dl вектор, що має довжину відрізка dl і
направлений вздовж струму. Цей добуток
dl2
називають елементом струму.
r12
dF12
dl3
dl 1τ
dl2 dl α1
dl1
dl1n
dl1 Рис.5.8.Взаємодія двох елементів струму, які
Рис.5.7.До поняття елемента струму. лежать в одній площині.
(рис.5.8). Згідно зі сказаним вище, дію відрізка

Поняття елемента струму в законах 
магнітної взаємодії відіграє те саме значення, dl1 можна замінити дією двох його складових
що й поняття точкового заряду в законах
 d і d , одна з яких направлена вздовж
електричної взаємодії. Сила dF12 , з якою діє 
радіуса-вектора r12 , друга – перпендикулярна
який-небудь елемент струму на інший до нього.
елемент струму , пропорціональна З даних досліду зроблено висновок, що


величині кожного з елементів струму, тобто їх відрізок d не чинить ніякої дії на dl 2 при
добутку:
будь-якому орієнтуванні останнього. Тому
. 
сила, яка діє на dl 2 , пропорційна
Ця сила залежить також від відстані r12 між
dl1n  dl1 sin 1 , де 1 кут між векторами
елементами струму. Ампер припустив, що вона  
обернено пропорціональна відстані в деякій dl1 і r12 :
степені n і з дослідів зробив висновок, що  
dF12 ~ sin 1  sin( dl1 , r12 ) .
n2:
У загальному випадку відрізки
2
1/ r12 .  
провідників dl1 і dl 2 можуть не лежати в
Величина і напрям сили взаємодії двох 
елементів струму залежить ще від їх взаємного одній площині. Тоді відрізок dl 2 можна
орієнтування. Визначення цієї залежності
розкласти на дві складові, одна з яких, d
було дуже складним і потребувало ряду  
досліджень різних учених. Розглянемо лежить у площині П, що містить dl1 і r12
спочатку випадок, коли відрізки провідників

(рис.5.9), а друга, dl2 n , перпендикулярна до
75
Взаємодія елементів струму. Магнітне поле
цієї площини. Досліди ведуть до висновку, що збігається з напрямом . А напрям нормалі

 
сила, яка діє на d l 2 n , завжди дорівнює нулю. n також визначається цим правилом: він
 збігається з поступальним рухом свердлика,
Тому сила, яка діє на dl 2 , пропорціональна
якщо його обертати від елемента струму
складовій dl2  dl2 sin  2 , де  2 кут між 
до радіус – вектора r12 (рис.5.9). Величину і
 
вектором dl 2 і нормаллю n до площини П: напрям сили магнітної взаємодії можна подати
dl2 однією формулою, якщо скористатися
поняттям векторного добутку двох векторів.
dl 2n  
n α2
dl1  r12
Векторний добуток направлений
П r 12 dl 2τ 
уздовж нормалі n до площини П, а векторний

α1 dF 12 добуток цього вектора на вектор dl 2 , тобто
dl1
  
подвійний векторний добуток dl2  dl1  r12
Рис.5.9.Взаємодія двох елементів струму в
лежить в самій площині П і
загальному випадку. 
перпендикулярний до dl2 , тобто направлений

= , ). так само, як і сила dF12 . Тому ми можемо
Об’єднуючи всі знайдені дослідні результати в написати, що
одну формулу, знаходимо:
(5.5)
I dl  I dl  sin 1  sin  2
dF12  k 1 1 2 2 2 . (5.4)
r 12 Закон Ампера, виражений формулами
(5.4) і (5.5), є основним у вченні про магнетизм
Тут k означає коефіцієнт пропорціональності,
і відграє те саме значення, що і закон Кулона в
який залежить від вибору системи одиниць (в
електростатиці. Користуючись цим законом,
СІ k  0 /( 4) ).
можна обчислити силу взаємодії між
Формула (5.4) виражає величину сили елементами струму, на які можна розбити
dF12 . Напрям цієї сили визначається таким будь-які замкнені провідники, а підсумовуючи
правилом: сила, яка діє на елемент струму потім ці сили для всіх елементів струму, можна
обчислити силу взаємодії між замкненими
, перпендикулярна до цього елемента і
контурами скінченних розмірів будь-якої
лежить у площині, що містить елемент струму
 форми.
і радіус вектор r12 (рис.5.9). При На останок зазначимо, що закон
цьому напрям сили визначається ще правилом Ампера у формі (5.4) і (5.5), на перший погляд
правого свердлика: якщо обертати свердлик з не задовільняє третій закон Ньютона. Так,
правою нарізкою так, щоб його рукоятка наприклад, якщо розглянути два елементи
переміщувалась від елемента струму , до струму 1 і 2, зображенні на рис. 5.10, то закон

нормалі n , то поступальний рух свердлика Ампера (5.5) дає, що сила F12 , яка діє на
76
Взаємодія елементів струму.Магнітне поле
елемент 2, дорівнює нулю; але сила F21 , що сил магнітної взаємодії ми бачимо в появі
навколо провідників зі струмом магнітного
діє на елемент 1, не дорівнює нулю. Такий
поля. Далі ми побачимо, що магнітне поле є
результат вийшов тому, що на досліді можна
носієм ряду фізичних властивостей. Основна
I2 dl2 властивість магнітного поля полягає в тому, що
I1 dl1
1 2 на провідники зі струмом, які перебувають у
F12 =0 ньому, діють сили.
F21 Магнітне поле виникає навколо проводу
Рис.5.10.Два елементи струму. зі струмом завжди, навіть при відсутності
інших провідників, коли магнітна взаємодія не
дослідити тільки взаємодію замкнених спостерігається. І в цьому випадку в просторі,
контурів скінченної величини і не можна який оточує провідник зі струмом,
реалізувати взаємодію окремих елементів відбуваються певні фізичні зміни. Основне
струму. Тому з досліду можна вивести закон завдання дослідження магнітних явищ полягає
взаємодії елементів струму тільки з точністю у вивченні властивостей магнітного поля і
до деякого доданка, який перетворюється в законів, яким воно підпорядковується.
нуль при підсумуванні по замкненому контуру. Термін «Магнітне поле» ввів в 1845 році
Такий доданок опущено в (5.4) і (5.5), і це є англійський фізик М. Фарадей, який вважав,
причиною позірного порушення третього що як електрична, так і магнітна взаємодія
закону Ньютона. Однак цей доданок не відграє здійснюється через єдине матеріальне
ніякого значення, бо закон Ампера ми завжди (електромагнітне) поле. Класична теорія
застосовуємо тільки до замкнених контурів, а в електромагнітного поля була створена
цьому випадку він завжди дає результати, які англійським фізиком Дж. Максвеллом (1873р.),
узгоджуються з третім законом Ньютона. квантова теорія в 20 роках 20 століття.
Магнітне поле
При поясненні магнітної взаємодії §5.3.Індукція магнітного поля. Закон
струмів ми стикаємося з тими самими Біо-Савара-Лапласа
питаннями, що й при поясненні електричної
Кількісною характеристикою
взаємодії зарядів. І тут можна запитати, чому
магнітного поля є спеціальна фізична величина
виникають сили, які діють на контур зі
– індукція магнітного поля, яку ми визначаємо
струмом у присутності іншого контура, і як ці
аналогічно до напруженості електричного поля
сили передаються від одного провідника до
(розділ 1, формули (1.5) і (1.6)). Основний
іншого? Чи відбуваються які-небудь зміни в
закон магнітної взаємодії струмів є закон
просторі навколо проводу зі струмом, коли
Ампера (5.5), який виражає силу взаємодії двох
іншого проводу немає і магнітна взаємодія не
елементів струму. У ньому ми можемо
проявляється?
виділити частину
З тих самих причин, які викладені в

розділі 1, сучасна фізика спростовує   0 I1dl1  r12
dB1  , (5.6)
можливість далекодії в магнітних явищах, так 4 r 312
само як і в електричних. Причину виникнення
77
Індукція магнітного поля. Закон Біо-Савара-Лапласа
яка не містить другого елемента струму . правилу правого свердлика: напрям магнітного
 поля збігається з напрямом руху кінця
Ця величина dB1 залежить тільки від елемента
рукоятки свердлика з правою нарізкою, що
струму і положення тієї точки, де рухається поступально в напрямі струму. Так,
перебуває елемент струму , і тому наприклад, якщо струм проходить вертикально
характеризує магнітне поле елемента струму

Idl
в точці перебування елемента струму
. Вона і дістала назву індукція α

магнітного поля. Вводячи поняття індукції dВ´
магнітного поля в закон Ампера (5.5), ми
r
можемо подати силу, яка діє на елемент струму
б a
, у вигляді:
  
dF12  I 2 dl 2  dB1 . (5.7)
dВ
Отже, ми приходимо до такого визначення
індукції магнітного поля: індукція магнітного
 Рис.5.11.Індукція магнітного поля елемента струму.
поля dB , яка створюється в даній точці

елементом струму Id l , дорівнює зверху вниз (рис.5.11), то правий свердлик

 μ 0 Id l  r треба обертати за стрілкою годинника (якщо
dB  , (5.8)
4π r 3 дивитися зверху), а кінець його рукоятки, що
 перебуває в точці а , рухатиметься при цьому
де r радіус-вектор, проведений з елемента
 від рисунка до читача; так буде напрямлене і
провідника dl в розглядувану точку. Через те,
магнітне поле в точці а. У точці б воно
що векторний добуток двох векторів є також
направлене протилежно від читача за рисунок.
вектором, то очевидно, що індукція
Формули (5.8) і (5.9), які виражають індукцію
магнітного поля є вектор.
магнітного поля елемента струму, називають
З (5.8) випливає, що величина індукції
законом Біо-Савара-Лапласа. Закон Біо-
магнітного поля в точці, віддаленій на відстань
Савара-Лапласа є одним із основних
r від елемента струму, дорівнює:
експериментальних законів електромагнітних
μ Idl sin α
dB  0 , (5.9) явищ і він, подібно до закону Кулона, лежить в
4π r2 основі класичної електродинаміки. Цей закон
 
де кут між dl і радіусом вектором r , дає змогу розраховувати індукцію магнітних
проведеним від елемента струму в полів струмів.
розглядувану точку (рис.5.11). Для магнітного поля, як і для
Напрям вектора індукція магнітного електричного, справедливий принцип
  накладання, або суперпозиції: якщо є кілька
поля перпендикулярний до dl і r , тобто
елементів струму або кілька контурів зі
перпендикулярний до площини, що містить
струмом, кожний з яких створює магнітне
обидва ці вектори. Цей напрям підлягає
78
Принцип суперпозиції магнітних полів
поле, то при одночасній дії всіх струмів Контур зі струмом в магнітному полі
індукція результуючого поля дорівнює повертається, набуваючи рівноважного
векторній сумі індукцій окремих полів: положення і його позитивна нормаль

розміщується вздовж осі магнітної стрілки в
напрямку від її магнітного полюса (рис.5.13).
= + ... = (5.10)
Контуром зі струмом можна скористатись і для
кількісного опису магнітного поля. На контур в
Користуючись виразом (5.8) або (5.9)
магнітному полі діє пара сил. Обертальний
для індукції магнітного поля елемента струму і
момент пари сил M залежить від властивостей
принципом накладання (5.10), можна
контуру:
обчислити магнітне поле будь-якого
провідника зі струмом. M ~ pm .
Необхідно зазначити, що таку 
Якщо контур зі струмом повернути на 90 від
характеристику магнітного поля, як індукція
рівноважного положення, то на нього буде

B , часто вводять таким чином. діяти максимальний обертальний
Розглянемо замкнений плоский контур момент .
зі струмом, розміри якого малі порівняно з I
відстанню до струмів, що утворюють поле. За pm
 S N n
позитивний напрямок нормалі n приймається
напрямок поступального руху свердлика,
рукоятка якого обертається за напрямком
Рис.5.13.
струму в контурі (рис.5.12).
Якщо в дане місце магнітного поля

поміщати контури з різними магнітними
моментами, то на них діятимуть різні
обертальні моменти, але відношення
I
I для всіх контурів однакове і служить
Рис.5.12. кількісною характеристикою магнітного поля:
B= .
Контур зі струмом характеризується 
 Магнітна індукція B в даному місці
магнітним моментом pm , величина якого
магнітного поля визначається максимальним
дорівнює добутку сили струму I , що протікає обертальним моментом, що діє на контур з
у контурі, на площу поверхні контуру S : одиничним магнітним моментом.
  Одиниця магнітної індукції – тесла: 1
pm  ISn ,
 Тл – магнітна індукція такого магнітного поля,
де n одиничний вектор нормалі до поверхні
в якому на рамку з магнітним моментом 1А м2,

рамки. Напрямок вектора pm збігається з діє максимальний момент сили 1 Н м.
напрямком позитивної нормалі рамки. За напрямок магнітної індукції
приймається напрямок магнітного моменту
79
Застосування закону Біо-Савара-Лапласа до розрахунку магнітних полів
контуру , який знаходиться в північного полюса N і входять у південний

рівноважному положенні у цьому полі. полюс S.
Для графічного зображення Магнітне поле соленоїда, тобто довгої
магнітних полів зручно користувались лініями котушки зі струмом (рис.5.14,г), подібне до
магнітної індукції. магнітного поля штабового магніту. Північний
Лініями магнітної індукції полюс магніту збігається з тим кінцем
називають такі лінії, дотичні до яких в кожній соленоїда, з якого струм у витках тече проти
годинникової стрілки. Магнітне поле колового
точці збігаються з напрямком вектора в цих
струму (рис.5.14,в), який є одним витком
точках поля.
соленоїда, подібне на поле дуже короткого
Напрямок лінії індукції магнітного
штабового магніту, що розташований в центрі
поля струму визначається за правилом
витка, так щоб його вісь була перпендикулярна
свердлика: якщо вкручувати свердлик за
до площини.
напрямком руху струму в провіднику, то
напрямок руху його рукоятки покаже напрям
ліній магнітної індукції.
Лінії магнітної індукції можна
§5.4.Застосування закону Біо-Савара-
-Лапласа до розрахунку магнітних полів
спостерігати за допомогою дрібних металевих
ошурків, які в магнітному полі поводять себе, 1.Магнітне поле прямолінійного провідника
як маленькі магнітні стрілки. Вигляд лінії зі струмом
магнітної індукції простих магнітних полів
показаний на рис.5.14. Знайдемо індукцію магнітного поля,
яка створюється прямим проводом зі струмом в
I точці А (рис.5.15), що знаходиться на відстані
r від осі проводу. Поділимо провідник на
S N
нескінченно малі елементи Idl (наприклад
елемент ВС). За формулою (5.9) знайдемо
a б 
I величину індукції dB , яка створюється

S N елементом Idl в точці А:
0 Idl sin 
I dB  .
4 AC 2
в I г
На основі формули (5.8) неважко переконатись,
Рис.5.14.
Лінії магнітної індукції охоплюють що для заданого напрямку струму I всі
провідник зі струмом, який створює поле. елементарні значення індукції магнітного поля
Поблизу провідника лінії лежать в площині, що напрямлені в точці А в один бік по одній
перпендикулярна до провідника (рис.5.14,б). прямій перпендикулярно до площини рисунка
Лінії індукції магнітного поля не можуть від нас. Тому результуюча індукція магнітного
обриватися ні в одній точці поля, тобто вони поля всіх елементів струму в точці А за
завжди замкнені. Лінії індукції постійного принципом суперпозиції (5.10) визначиться
магніту (рис.5.14,а) виходять із його так:
80
Магнітне поле прямолінійного провідника зі струмом
 0 Idl sin  Звідки після інтегрування отримаємо, що

dB  
4 l AC 2
, (5.11)
0 I
B (cos1  cos 2 ), (5.12)
4r
α2 де 1 і  2 кути, що утворюються радіус-
 
векторами r1 і r2 , проведеними в точку А
r2 відповідно із початку і кінця провідника, з

I напрямком струму. У випадку нескінченно довгого
прямого провідника 1  0 ,  2   і формула
r A
O dB (5.12) прийме вид:
α +dα
C.
dα μ0I
B , (5.13)
.
B. α D
Id l
r1
де 2
2 πr
довжина силової лінії, радіус якої r.
α1
2.Поле колового витка зі струмом
Рис.5.15. Нитка зі струмом у вигляді кільця, радіус

де інтегрування ведеться по всій довжині якого R, показані на рис.5.16,а. Можемо
проводу. Щоб виконати інтегрування здогадуватись без всяких розрахунків, що магнітне
перейдемо до однієї змінної  . Будемо поле повинно мати вигляд, як показано на
вважати, що в трикутнику АВС кут САВ рис.5.16,б, де нарисовані декілька силових ліній в
дорівнює d , який є нескінченно малим. Тоді площині ZOX. Поле має обертальну симетрію
із трикутника АСD можемо знайти, що відносно осі Z, a самі силові лінії симетричні
відносно площини колового витка (YOX). Дуже
CD  AC  dα . Із трикутника ВСD
близько до нитки поле нагадує поле довгого
знайдемо, що BC=dl= Із
прямого проводу.
трикутника АСО знаходимо, що Поле на осі Z вирахуємо, використовуючи
АС =ОА sin (  d) = r / sin(   d) . 
співвідношення (5.8). Кожний елемент кільця Idl
Sin(   d ) = sin   cos( d) + 
створює в точці А вектор dB , який
+ cos  sin d  sin  , тому що  
перпендикулярний до r і до Idl . Розглянемо
cos( d)  1 , а sin d  0. Тоді 
діаметрально протилежний до Idl елемент
BC =  
струму Idl1 , який в точці А створює вектор dB1
Тепер вираз (5.11) перепишемо так:  
2
(рис.5.16,а). Проекції векторів dB і dB1 на
 I
B 0
4r  sin d .
1
будь-яку вісь, яка перпендикулярна до осі Z ,
81
однакові за величиною і протилежні за  
μ 0 pm
напрямком. Це означає, що складатись будуть Bz  . (5.15)
2π( R 2  z 2 ) 3 / 2
Z dBz
dB Z
dB1
θ θ
. A I
B
O
B
I X
r1 z r
θ
Idl1 n
. O R
Idl Рис.5.16,б.
В центрі кільця z = 0 і величина індукції

Г I X
Y поля згідно (5.14) буде:
0 I
Рис. 5.16,а.
B0  . (5.16)
2R

Z компоненти вектора dB . Згідно (5.9) 3. Магнітне поле соленоїда
Циліндрична провідна котушка, яка
μ 0 Idl sin( π / 2)
dB  , показана на рис.5.17,а, називається
4πr 2 соленоїдом. Будемо вважати, що провід
а
розподілений щільно і рівномірно, так, що
 Idl  IRdl число витків на одиницю довжини вздовж
dB z  0 2 cos   0 3 ,
4 r 4 r циліндра є величиною постійною, яка
де враховано, що cos  R / r . дорівнює n . Таким чином, в дійсності струм
Інтегруючи по всьому кільцю, отримаємо: протікає по спіралі, але якщо витків багато і
μ 0 IR μ IR вони розташовані щільно один до одного, то

3 
Bz  dl  0 3 2πR  ми можемо цим знехтувати і розглядати
4 πr Г 4πr
(5.14) соленоїд як сукупність кілець зі струмом. Тоді
μ IR 2 μ 0 IR 2
 0 3  . ми можемо використати співвідношення
2r 2( R 2  z 2 ) 3 / 2 (5.14) за основу для розрахунку індукції в
При цьому враховано, що любій точки на осі циліндра z, наприклад в
r  R2  z2 точці А. Розглянемо спочатку вклад кільця зі

, де z координата точки
струмом, яке розташоване між радіусами, що
A на осі Z. Якщо врахувати, що магнітний
проведені із точки А і утворюють з віссю Z
момент колового витка зі струмом =
кути від  до   d (рис.5.17,б). Ширина
=π I , то формулу (5.14) перепишемо
цього кільця dz . Із трикутника АВС,
так:
82
знайдемо, що АС=ВС/ sin  = R / sin  . Тоді α

μ 0 nI 2
2 α1
AC  d Rd 
Bz  sin αdα 
dz   . (5.17)
sin  sin 2 
μ nI
Сила струму, який протікає кільцем,  0 (cosα1  cos α 2 ),
2
ширина якого dz і містить dN витків, буде:
де і кути показані на рис.5.17,б.
nIRdα
dI  IdN  Indz  . Bz
B
sin 2 α 1,0
Так як r  AC  R / sin  , AB=z = 0,8 Кінець
0,6 котушки
=AC = то за формулою 0,4
(5.14) отримаємо: 0,2
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 Z/ R
 R 2 dI  nI
dBz  0 3 sin 3   0 sin d. Рис.5.18.
2R 2 Скористаємось рівнянням (5.17) і
Інтегрування в межах від 1 до  2 дає побудуємо графік залежності індукції в точці А
від її положення на осі відносно середини
соленоїда (рис.5.18). Приймаємо, що довжина
котушки L в чотири рази більша її діаметра 2R.
По осі ординат відкладено відношення
величини індукції B z до величини поля в
котушці нескінченно великої довжини з тією ж
I I
a
B
AC .dα
.
. α .C
dα dz
C
α α2
α1 α2
Z
B A Z Рис.5.19.Силові лінії магнітного поля
R
dz
соленоїда. Точками позначений переріз проводів
котушки.
L
кількістю витків n на одиницю довжини і з
б
тією ж силою струму в кожному витку. Для
нескінченно довгої котушки 1  0 ,
Рис.5.17.
 2   і формула (5.17) прийме вид:
83

B   0 nI . (5.18) де j вектор густини струму, n
В центрі котушки «чотири до одного» 
концентрація носів струму, υ др швидкість їх
індукція поля досить близька до величини , що
направленого руху (дрейфова швидкість), S
визначається формулою (5.18), і залишається
майже сталою, поки не наблизимось до одного переріз проводу, dN кількість носіїв заряду в

із кінців котушки. На рис.5.19 зображені лінії об’ємі елемента струму Idl .
індукції магнітного поля всередині і зовні Тоді закон (5.8) перепишеться так:
котушки з такими пропорціями. Зауважимо, що  
 μ 0 eυдр  r
деякі силові лінії проходять через обмотку. dB  dN .
4π r 3
Циліндричний шар струму є поверхнею розриву
Так як всі носії заряду (електрони) в середньому
для магнітного поля.
мають однакову направлену швидкість руху, то
індукція магнітного поля, що створюється
4. Магнітне поле електричного заряду, який
одним елементарним зарядом, буде:
рухається   
За законом Біо-Савара-Лапласа (5.8)  dB μ 0 eυдр  r
Be   ,
магнітна індукція пропорційна силі струму, dN 4π r 3
тобто кількості елементарних зарядів, які або в загальному випадку
  
проходять за одиницю часу через переріз 0 qυ  r
Bq  , 5.19)
4 r 3
де q заряд, що рухається із швидкістю .
q
+
І А dB
r
S
r
Idl -
Idl j
- dV
-
υдр B .A
Рис.5.21.
Рис.5.20.
Із формули (5.19) витікає, що вектор
в кожній точці А направлений перпендикулярно
провідника. Знайдемо індукцію магнітного 
до площини, яка проходить через вектори і r
поля, яка зв’язана з одним елементарним
зарядом, який рухається. Для цього в законі (рис.5.21). Напрямок вектора для руху
 позитивно заряджених частинок найпростіше
(5.8) елемент струму Idl (рис.5.20)
визначати правилом «лівої руки». Чотири
перепишемо так:
   пальці лівої руки розташувати по напрямку
  
Idl  jSdl  j Sdl  enυдр dV  eυдр dN , вектора , в долоню направити вектор r і
великий палець покаже напрямок вектора .
84
Циркуляція вектора індукції магнітного поля або закон повного струму
Визначення напрямку для негативно Нехай замкнутий контур Г лежить в площині,

заряджених частинок здійснюється за правилом яка перпендикулярна струму (рис.5.22); струм
«правої руки». перпендикулярний до площини рисунка і
направлений на нас. В кожній точці А контуру Г
§5.5.Циркуляція вектора індукції вектор , направлений по дотичній до кола,
магнітного поля або закон
радіус якого OA=r. Коло лежить в площині
повного струму
рисунка, а центр O знаходиться на осі струму.
В електростатиці було встановлено, Тому
 
що робота при переміщенні одиничного Bdl  Bdl cos   Bdl cos(   ) 
пробного заряду в електричному полі   Bdl cos    Bdl B
нерухомого заряду не залежить від форми 
( проекція елемента dl на
шляху. Тобто робота при переміщенні
одиничного пробного заряду в електричному напрямок вектора ). Із рисунка 5.22 видно, що
полі по довільному замкнутому контуру dl B  rd , де r відстань від проводу зі
дорівнює нулю. Такі поля називають
струмом до dl , d кут, на який
потенціальними.
повертається радіальна пряма ОА при
Математично умова потенціальності
поля записувалась у вигляді рівності (1.32). Ця переміщенні вздовж контуру на відрізок dl .
д
умова вказувала на те, що силові лінії хі
електростатичного поля незамкнені: початок Об
вони беруть на позитивних зарядах і
закінчуються на негативних або починаються на B
нескінченності і прямують у нескінченність.
A α
До сьогоднішнього дня магнітних r
O dφ dS dl
зарядів в природі не виявлено. Магнітні поля I dlB
створюються рухомими електричними
зарядами, тобто струмами. Спостереження
спектрів магнітних полів (рис.5.14) показують,
що лінії індукції магнітного поля замкненні.
Г
Поля, які мають замкнені силові лінії,
називаються вихровими полями. Це відповідає
тому, що в природі не має магнітних зарядів.
Рис.5.22.
Обчислимо циркуляцію вектора по
замкнутому контуру Г. За визначенням Таким чином, із врахуванням (5.13),
циркуляція (формула 1.32) дорівнює інтегралу отримаємо:
 
 dl .
B (5.20)    I
Bdl   BdlB   Brd   0 d .
Г 2
Найпростіше обчислити цей інтеграл у випадку Тоді (5.20) запишеться так:
поля прямого нескінченно довгого струму.
(5.21)
85
Циркуляція вектора індукції магнітного поля або закон повного струму
При обході по контуру, який охоплює струм, охоплює декілька проводів зі струмом
радіальна пряма ОА (рис.5.22) весь час (рис.5.24). Згідно принципу суперпозиції (5.10)
повертається в одному напрямку, тому      
=2 . Зовсім інша ситуація, коли контур Г  Bdl   (  Bk )
k
dl    k dl .
B
k
Г Г Г
не охоплює струм (рис.5.23). В цьому випадку
радіальна пряма ОА' повертається за обходом Кожен із інтегралів в цій сумі дорівнює 0 I k ,
спочатку проти годинникової стрілки (ділянка якщо струм охоплюється контуром. Кожний
1-2), а потім в протилежному напрямку (ділянка струм враховується стільки разів, скільки раз
2-1, пряма OA''), внаслідок чого . він охоплюється контуром.
Враховуючи цей результат можемо (5.21)

записати так: I2
I4
(5.22)
I3
де I струм, що охоплюється контуром Г.
Г I1
2 I5
O А´ -dφ Рис.5.24.
I А´´
+dφ Наприклад, на рис.5.25 струм
охоплюється контуром два рази.
1 д
хі
Г Об
Рис.5.23.
I ×
Знак у виразі (5.22) залежить від
напрямку обходу по контуру Г і напрямку
Γ
струму. Якщо напрямок обходу утворює з
напрямком струму лівогвинтову систему (як на
  Рис.5.25.
рис.5.22), то
 Bdl  0 , в іншому випадку Значить
Г
 
 dl  μ 0  I k
  B
 dl  0 . Знак циркуляції вектора
Г
B можна
Г k
. (5.23)
врахувати, вважаючи струм I алгебраїчною (Нагадаємо, що I k алгебраїчна величина).

величиною. Струм I вважається позитивним, Для струмів на рис.5.24 можемо записати, що
якщо його напрямок зв’язаний з обходом по = - - .
контуру Г правилом правого свердлика; струм
протилежного напрямку буде негативним.
Закон, який виражається рівністю
Припустимо, що деякий контур Г
(5.23) називається теоремою про циркуляцію
86
Теорема Остроградського-Гаусса для магнітного поля
вектора індукції магнітного поля, або магнітний потік через поперечний переріз
законом повного струму для струмів трубки буде залишатись сталим по всій її
провідності: циркуляція вектора по довжині. Трубка перетне замкнену поверхню S
довільному замкнутому контуру дорівнює парне число раз, наприклад два. Магнітні
добутку магнітної сталої на алгебраїчну суму
 
потоки через площадки dS1 і dS 2 , які трубка
струмів, що охоплюються цим контуром.
вирізає на поверхні
S , однакові за величиною,
Отриманий вираз закону повного

струму справедливий лише для постійного але протилежні за знаком (нормаль n1
магнітного поля у вакуумі. протилежна до напрямку індукції , а нормаль

n 2 співпадає з напрямком вектора ). Сума
§5.6.Теорема Остроградського-    
Гаусса для магнітного поля потоків d 1  B1 dS1 і d 2  B2 dS 2 через такі
Доведемо, що магнітний потік вектора S

індукції через довільну замкнуту поверхню
 B C
S дорівнює нулю. Потік вектора B через n1 n2
поверхню S визначається аналогічно як і потік dS1 dS2 D
A
 B
вектора напруженості електричного поля E
(формули (1.10) і (1.11). Для магнітних полів,
які створюються рухомими зарядами,
B
справедливий принцип суперпозиції. Крім того,
потік геометричної суми декількох векторів Рис.5.26.

Bk через любу поверхню дорівнює
площадки дорівнює нулю. Це справедливо і в
алгебраїчної сумі потоків цих векторів через ту тому випадку, коли трубка перетинає поверхню
ж поверхню. Тому при розрахунку магнітного S довільне число раз, оскільки це число завжди
потоку достатньо обмежитись окремим
парне. Але весь простір можна розбити на
випадком, коли поле створюється окремим нескінченно тонкі кільцеві трубки, і кожна із
точковим зарядом, який рівномірно рухається із них не буде вносити ніякого вкладу в

швидкістю υ . Для простоти будемо вважати, магнітний потік через замкнену поверхню S.
що заряд рівномірно рухається Сумарний магнітний потік через таку поверхню
перпендикулярно до площини рисунка 5.26. буде дорівнювати нулю. Таким чином, теорема
Згідно формули (5.19) і рис.5.21 магнітними доведена, тобто
силовими лініями будуть коаксіальні кола  
(мають спільний центр), площини яких  BdS  0 .
S
(5.24)
паралельні площині рисунка, а центри

Рівняння (5.24) відображає той факт, що в
розташовані на прямій, вздовж якої рухається
природі не має джерел магнітного поля у
заряд. Візьмемо нескінченно тонку кільцеву
вигляді магнітних зарядів, подібних до
трубку ABCD, яка утворена магнітними
електричних, а силові лінії магнітного поля
силовими лініями. Через осьову симетрію
87
Магнітне поле довгого соленоїда, тороїда та прямого проводу
постійних струмів замкнуті, і, отже, їх потік частину S повинні бути однаковими за
через довільну замкнуту поверхню дорівнює величиною і протилежними за знаком, щоб
нулю. Таке поле називається вихровим або виконувалось теорема (5.24).
соленоїдальним.
Так як поля однорідні і вектори і
перпендикулярні до площини, то кожен із
§5.7.Магнітне поле довгого соленоїда, потоків дорівнює добутку BS і . Таким

тороїда та прямого проводу чином, отримуємо співвідношення
BS =
Соленоїд. Якщо довжина котушки Ліва частина цієї рівності кінцева
L  2R (§5.4), де R радіус перерізу величина. В правій частині цієї\ рівності
котушки, то таку котушку можна вважати площина може бути нескінченно великою,
довгим (нескінченно довгим) соленоїдом. що можливо, коли = 0 . Так ми довели, що
Магнітне поле всередині такого соленоїда є зовні нескінченно довгого соленоїда магнітна
однорідним (рис.5.18;5.19) і визначається за індукція дорівнює нулю.
формулою (5.18). Магнітне поле зовні Розглянемо соленоїд в площині, яка
соленоїда теж будемо вважати містить вісь соленоїда (рис.5.28). Для
однорідним. Отримаємо формулу (5.18) за використання закону (5.23) виберемо замкнутий
допомогою закону повного струму (5.23). контур Г 1-2-3-4-1, як показано на рис.5.28.
Спочатку покажемо, що для довгого соленоїда a
індукція магнітного поля зовні соленоїда хі д
об 2 Г 3
дорівнює нулю. Для цього візьмемо площину,
перпендикулярну до осі соленоїда (рис.5.27).
1 4
B
S´
B´
Рис.5.28.
S Ширина контура дорівнює а, обхід по контуру
B I за годинниковою стрілкою. Тоді циркуляція
вектора по такому контуру буде дорівнювати
Ва, а алгебраїчна сума струмів, що
охоплюється цим контуром, буде дорівнювати
naI , де n густина намотки соленоїда.
Згідно (5.23) отримаємо рівність:
Рис.5.27.
 Ba  μ 0 nI .
Внаслідок замкнутості силових ліній Звідки
вектора магнітні потоки через внутрішню B  0 nI , (5.18')
частину S цієї площини і через зовнішню що співпадає з формулою (5.18).
88
Тороїдом називають кільцеву всередині тороїда, охоплює N провідників,
котушку, яку можна отримати із соленоїда струми в яких дорівнюють і однаково
I
зігнувши його так, як показано на рис.5.29. Лінії напрямлені. Тому
магнітної індукції поля тороїда повинні мати Згідно (5.23) і (5.25) запишемо, що
форму кіл, центри яких лежать на прямій, що
2rB  0 NI . Звідки отримаємо:
проходить через центр тороїда О і
перпендикулярна до площини рисунка. За NI
B  0 . (5.26)
законом повного струму (5.23) циркуляція 2r
вектора вздовж кола, радіус якого r Магнітна індукція поля всередині тороїда
(рис.5.29), буде дорівнювати: зменшується із збільшенням відстані від його
центра О:
I I
NI NI
B=0 Bmax  μ 0 , Bmin  μ 0 .
2 πr1 2 πr2
r Індукція на основній лінії тороїда
r1
. дорівнює:
0 B=0
N
r2
B  0 I  0 nI, (5.27)
2r
де n – кількість витків на одиницю довжини
середньої лінії тороїда. Бачимо, що формули
Рис.5.29. для індукції поля для нескінченно довгого
  соленоїда (5.18), (5.18') і для тороїда формула
 dl   Bdl  B dl  B2πr . (5.25)
Г
B
Г Г
(5.27) однакові. Тому дуже часто
використовується таке поняття як тонкий
Позначимо кількість витків обмотки тороїд. Тороїд вважається тонким, коли діаметр
тороїда N , а струм в обмотці I. Якщо його перерізу 2( r2  r1 ) є набагато менший
r  r1 , то коло радіусом r не охоплює довжини середньої лінії 2 r . Для такого
провідників зі струмом і у формулі (5.23) тороїда, як і для нескінченно довгого соленоїда,
. Це означає, що індукція B  0 . Якщо магнітне поле всередині витків вважається
r  r2 , то коло радіусом r охоплює 2 N однорідним, а індукція розраховується за

формулою (5.27).
провідників зі струмом I. В N із них струм Прямий провід. Розглянемо
протікає в одному напрямку, а в інших N розрахунок магнітного поля довгого прямого
провідниках – у зворотньому напрямку. Тому проводу в точці, яка лежить поза проводом на
знову і В=0. Отже поза тороїдом відстані r від його осі (рис.5.30). Використаємо
магнітного поля немає. для обчислення закон повного струму (5.23). За
Тобто магнітне поле тороїда контур Г зручно взяти силову лінію (коло),
локалізується всередині об’єму тороїда (об’єму, радіус якої r. Площина кола перпендикулярна
який охоплюється витками тороїда і для якого
до струму і має центр на осі струму. Оскільки
r1  r  r2 ) . Коло радіусом r , яке лежить
89
 Отже індукція магнітного поля
і dl мають однаковий напрямок і є
всередині проводу збільшується з відстанню від
однаковою в кожній точці контуру Г, то
  осі за лінійним законом (формула (5.29)), а в
 dl   Bdl  B dl  B2πr .
Г
B
Г Г
зовнішньому просторі зменшується за
гіперболічним законом (формула (5.28)). Цю
залежність зображено графічно на рис.5.31,б.
B
R
dl
B
r a I r A
0
Г
Г
I B
б
Рис.5.30.
Тоді згідно (5.23)
2rB  0 I . -R 0 R r
Рис.5.31.
Звідки
I
B  0 . (5.28)
2r §5.8.Контур зі струмом у магнітному
Цей результат ми отримали вже раніше полі
(див.формулу 5.13). Бачимо, що розрахунок за
З'ясуємо, як поводить себе контур Г зі
допомогою закону (5.23) є простіший, ніж
струмом в магнітному полі. Розглянемо
безпосереднє сумування полів окремих
елементів струму. Обчислимо тепер індукцію випадок, коли поле однорідне (
поля в якій небудь точці А всередині проводу, (рис.5.32). Нехай контур Г орієнтований так, що

яка лежить на відстані r від осі проводу позитивна нормаль n перпендикулярна до
(рис.5.31,а). Замкнутий контур Г виберемо вектора (рис.5.32). Розіб’ємо площу контура
знову у вигляді кола, що проходить через точку на вузькі паралельні вектору смужки,
А, а центр лежить на осі проводу. Тоді за ширина яких dz . Зліва і справа смужка
формулою (5.23), як і в попередньому випадку  
обмежена елементами контуру dl1 і dl 2 .
можемо записати, що
  Згідно закону Ампера (5.7) на елемент струму
 dl  2πrB  μ 0  I k  μ 0 πr j ,
2
B    
k
Idl1 буде діяти сила dF1  Idl1  B , а на
Г
    
де густина струму (стала у всіх Id l 2 сила dF2  Idl 2  B . Сила dF1
точках провідника). Звідси отримаємо, що направлена за рисунок (від нас). Модуль цієї
0 I сили дорівнює dF1  IBdl 1 sin 1  IBdz . . На
B r. (5.29)
2R 2  
елемент струму Id l 2 діє сила dF2 , яка
Тут I повна величина сили струму через
направлена на нас. Модуль цієї сили дорівнює:
весь переріз проводу , R радіус проводу.
90
Контур зі струмом у магнітному полі
π знак інтеграла. Величина S у виразі (5.30) є

dF2  IBdl 2 sin α 2  IBdl 2 sin(  β) 
2 площа контуру Г.
 IBdl 2 cos β  IBdz . Вираз (5.30) можна представити ще і у
Тому d = такому виді

  
I Г M  ISn  B.
 
Якщо врахувати, що p m  ISn (§5.3) є
B
дипольний магнітний момент контуру зі
n B
dz струмом, то
  
dF1 dF2 2
M  p m  B. (5.31)
dl1 dl2
1

dM Модуль вектора M дорівнює
M  pm B sin α, (5.32)
х  
де  кут між векторами p m і B .
Рис.5.32.
Із механіки відомо, щоб кут 
Отриманий нами результат означає, збільшити на d необхідно виконати роботу
що сили, які прикладені до протилежних проти сил, які діють на контур в магнітному
 
елементів контуру dl1 і dl 2 утворюють пару, полі,
обертальний момент якої дорівнює dA  Md  p m B sin d . (5.33)

dM = = IBxdz = IBdS, Повертаючись в початкове положення, контур
де dS площа смужки , х середня лінія, а може повернути затрачену на його поворот
механічну роботу, виконавши її над яким-
dz висота трапеції ( смужки).
небудь тілом. Значить, робота (5.33) йде на
Якщо обертати свердлик за
  збільшення потенціальної енергії х
, яку
напрямками дії сил dF1 і dF2 , то він буде має контур зі струмом в магнітному полі,

рухатись в напрямку вектора dM . Це означає, х
= B d .
 Інтегруючи цей вираз, знаходимо, що
що вектор dM буде перпендикулярний до
  х
= х
= B d
векторів n і B . Тобто можемо записати, що
   = B + const.
dM  In  BdS . Якщо прийняти, що const= 0, то
Просумуємо цей вираз по всіх смужках і
х
= B = . (5.34)
отримаємо обертальний момент, який діє на

контур: Якщо магнітний момент p m контуру
      
 
M  I n  BdS  I n  B dS  I n  BS (5.30) паралельний до напрямку зовнішнього поля
S S ( , то M 0, а Wp min   pm B і це
При отриманні формули (5.30) враховано, що
  положення контуру відповідає стійкій рівновазі.
поле однорідне, тому добуток n  B для всіх  
Якщо p m антипаралельний B (  ) , то
смужок є однаковим і може бути винесений за
91
Контур зі струмом у магнітному полі
M  0 , а Wp  pm B і контур Г перебуває в Легко зрозуміти, що в загальному
max
випадку неоднорідного поля, індукція якого
нестійкій рівновазі.
не перпендикулярна до площини витка,
Розглянемо тепер виток зі струмом у
діятимуть і пара сил, яка прагне повернути
неоднорідному магнітному полі (рис.5.33). При
виток, і сила, яка спричинює поступальне
цьому вважатимемо для простоти, що магнітне
переміщення витка.
поле в центрі витка перпендикулярне до
 З допомогою виразу (5.34) для енергії
площини витка. Сили dF , які діють на окремі
контуру в магнітному полі легко знайти вираз
ділянки витка, будуть, як і раніше, 
для сили F . Якщо орієнтація магнітного
перпендикулярні до струму і до магнітного 
поля. моменту p m по відношенню до поля (вектора
dFτ dF ) залишається незмінною   const, то

х
буде залежати тільки від х (через B(x) ). Із
dFn механіки відомо, що

х
= = .
I
. pm
F
Х
B Якщо вважати, що в інших напрямках
поле змінюється слабо, то проекціями сили на
інші осі можна знехтувати і вважати, що
F  Fx .
Тому
Рис.5.33. . (5.35)
Однак тепер, через те що силові лінії Формула (5.35) повністю відображає
вже не паралельні, ці сили утворюватимуть поведінку контуру зі струмом в магнітному
деякий кут з площиною витка. Складові цих сил 
 полі. Наприклад: Якщо p m і мають один
dF , паралельні витку, створять зусилля, які напрямок ( ), сила F>0, тобто
розтягують або стискають виток. А складові
 направлена в сторону зростання ( ;
d Fn , які перпендикулярні до площини витка, в
 для випадку знак і напрямок сили
сумі дадуть результуючу силу F , яка прагне
зміниться на протилежний, але сила все одно
переміщати виток у магнітному полі.
буде втягувати контур в область сильного поля.
Застосовуючи правило лівої руки, 
 Якщо pm і антипаралельні (    ), сила
легко бачити, що коли момент струму p m
негативна, тобто направлена в сторону
паралельний магнітному полю (як зображено на
рисунку), то виток втягуватиметься в область зменшення .
 Підсумовуючи сказане вище, ми
сильнішого поля. А коли вектор pm
бачимо, що й сили, які діють на контур зі
антипаралельний полю, то виток
струмом у магнітному полі, і магнітне поле, яке
виштовхуватиметься і переміщатиметься в
область слабшого поля.
92
Робота при переміщенні провідника зі струмом в магнітному полі
створюється контурами, визначаються їх де dS  lda заштрихована площа на
магнітними моментами. рис.5.34,а.
Виникнення пари сил, яка діє на рамку З'ясуємо, як змінюється при
зі струмом у магнітному полі, використовують переміщенні перемички KL потік магнітної
для побудови дуже поширеного типу індукції через площу контуру. У загальному
електровимірювальних приладів – випадку потік вектора індукції через площу
магнітоелектричних приладів. Вони мають контура зі струмом дорівнює
легку рамку з дротиною, закріплену на Ф= dS,
наріжному підвісі тієї чи іншої конструкції, 
де n позитивна нормаль, тобто нормаль, яка
здатну повертатися в магнітному полі.
утворює з напрямком струму в контурі (з
Зрозуміло, що повертання рамки зі струмом в
обходом по контуру) правогвинтову систему
магнітному полі, знайшло своє використання в
(§5.3). Тоді у випадку, показаному на рис.
побудові електродвигунів.
5.34,а, потік буде позитивним і дорівнювати
BS ( S площа контуру. При переміщенні
§5.9.Робота при переміщенні провідника
перемички вправо площа контуру отримає
зі струмом в магнітному полі
позитивний приріст dS . В результаті потік
Розглянемо контур зі струмом , який також отримає позитивний приріст dФ=BdS.
утворений нерухомими проводами і Тому вираз (5.36) можна представити у вигляді
перемичкою KL=l, яка може ковзати по них
dA=IdФ. (5.37)
(рис.5.34). Нехай контур знаходиться у
зовнішньому магнітному полі, яке будемо При напрямку магнітного поля на нас
д д
обхі обхі
(рис.5.34,б) сила, яка діє на перемичку, буде
K K направлена вліво. Тому при переміщенні
I n B I n B
F l l перемички вправо на da магнітна сила виконує
ε ε
S dS S F dS негативну роботу
L L
da da dA  IBlda  IBdS. (5.38)
a б В цьому випадку потік через контур
Рис.5.34.
дорівнює S=B = . При зміні
вважати однорідним і перпендикулярним до
площі контуру на dS потік отримує приріст
площини контуру. На перемичку KL зі струмом
в магнітному полі буде діяти сила Ампера (5.7), dФ= dS=B = . Значить, вираз
яка для нашого випадку, показаного на рис.5.34, (5.38) також можна записати у вигляді (5.37).
дорівнює: Величину dФ у виразі (5.37) можна
F =IlB. трактувати як потік через площу, яку описує
При переміщенні перемички вправо на перемичка при своєму русі. Тому можна
відстань da ця сила виконує позитивну роботу сказати, що робота, яку виконує магнітна сила
над ділянкою контуру зі струмом, дорівнює
dA  Fda  IBlda  IBdS, (5.36)
добутку сили струму на величину магнітного
93
Робота при переміщенні провідника зі струмом в магнітному полі
потоку через поверхню, яку описує ця ділянка

Вираз Bn dS визначає приріст
при своєму русі.
магнітного потоку через контур, обумовлений
B da B da переміщенням перемички. Таким чином

n формулу (5.40) можна записати у вигляді (5.37).
n F=Il ×B
dF=Il ×B Однак формула (5.40) має перевагу перед (5.37),
так як із неї «автоматично» отримується знак
dS=|da× l| dФ, а значить і знак dA .
l l
Розглянемо жорсткий довільної форми
а б
Рис.5.35.
контур Г зі струмом, що знаходиться в
Формули (5.36) і (5.38) можна довільному магнітному полі. Знайдемо роботу,
об’єднати в один векторний вираз. Представимо яка виконується при довільному нескінченно
 малому переміщенні контуру. Нехай елемент
перемичку як вектор l , що має напрямок 
контуру , переміщається на da (рис.5.36).
струму (рис.5.35). Незалежно від напрямку
 При цьому над ним магнітна сила
вектора B (від нас або на нас) силу Ампера, виконує роботу
яка діє на перемичку, можна представити у
   d =I d . (5.41)
вигляді F  Il  B . 
 Тут B – магнітна індукція в тому місці, де
При переміщенні перемички на da
знаходиться елемент контуру .
сила виконує роботу
     B
dA  Fda  Il  Bda .
Виконаємо в змішаному добутку ndS dl
векторів циклічну перестановку множників. В
результаті отримаємо , що
  
dA  IBda  l . (5.39) da
Із рис.5.35 видно, що векторний Рис.5.36.
  Здійснивши в (5.41) циклічну
добуток da  l дорівнює за величиною
перестановку множників, отримаємо
площадці dS , яку описує перемичка при її
 d =I d (5.42)
русі, і має напрямок позитивної нормалі n . 

   Векторний добуток da  dl дорівнює
Тобто da  l  ndS . Тому (5.39) перепишеться
по модулю площі паралелограма, побудованого
так:
 
на векторах da і , тобто площі
dS , яку
dA  IBndS. (5.40) 
описує елемент при його переміщенні на da .
У випадку, що показаний на рис.5.35,а,
 Тому
Bn  B, і ми приходимо до формули (5.36). У d = dS =d , (5.43)
 
випадку, показаному на рис.5.35,б, Bn   B і де n – позитивна нормаль до площадки dS ,
ми приходимо до формули (5.38). d приріст магнітного потоку через контур,
обумовлений переміщенням елемента контура
94
Дія електричного і магнітного полів на рухомий електричний заряд
 металу і передають їй певний імпульс, якого
dl . Прийнявши до уваги рівність (5.43),
набули під дією магнітного поля.
напишемо (5.42) у вигляді
Макроскопічним результатом елементарних
d =I d (5.44)
процесів зіткнення окремих носіїв заряду з
Просумувавши вираз (5.44) по всіх елементах
кристалічною граткою провідника є
контуру, отримаємо вираз для роботи магнітних
виникнення сили Ампера.
сил при довільному нескінченно малому
Магнітне поле діє на вільні електрони
переміщенні контуру Г:
в металі і за відсутності електричною струму в
провіднику. Та електрони в цьому випадку
(5.45)
рухаються тільки хаотично і сумарний імпульс,
який вони надають кристалічній решітці
де d – повний приріст потоку через весь
провідника, дорівнює нулю і провідник
контур Г при його довільному нескінченно
залишається нерухомим.
малому переміщенні.
Для обчислення сили, що діє на
Щоб знайти роботу, яка виконується
рухомий заряд в магнітному полі, використаємо
при кінцевому довільному перемещенні
формулу (5.7) для випадку магнітного поля з
контуру з початкового положення в кінцеве, 
індукцією B:
проінтегруємо вираз (5.45):   
Ф
=
Ф
Ф I(Ф Ф (5.46)
dF  Idl  B .
Ф Ф
Елемент струму, як і в §5.4, можна
де Ф і Ф – значення магнітного потоку через
представити так:
контур Г в початковому і кінцевому  
положеннях. Таким чином, робота, яку Idl  eυдр dN .
виконують магнітні сили над контуром, Оскільки електрони рухаються
дорівнює добутку сили струму в контурі на направлено, створюючи струм, то сила, яка
приріст магнітного потоку через контур. припадає на один електрон дорівнює:
Відмітимо, що робота (5.46)
= =e .
виконується не за рахунок енергії зовнішнього
магнітного поля, а за рахунок джерела, яке У загальному випадку
підтримує незмінним струм в контурі. = =e . (5.47)
Напрямок сили Лоренца визначається

за правилом векторного добутку або правилом
§5.10.Дія електричного і магнітного
лівої руки: якщо долоню лівої руки розмістити
полів на рухомий електричний заряд
так, щоб в неї входив вектор , чотири
1.Сила Лоренца. Виникнення сили витягнуті пальці спрямувати вздовж вектора

Ампера (5.7), що діє на елемент провідника зі швидкості υ руху позитивних зарядів, то
струмом у магнітному полі, можна пояснити 
відігнутий на 90 великий палець покаже
так. При проходженні струму носії заряду в
напрямок сили, що діє на позитивний заряд. На
провіднику рухаються напрямлено. Тому
негативний заряд сила діє в протилежному
магнітне поле відхиляє їх в один бік. При цьому
напрямку (рис.5.37).
вони стикаються з кристалічною решіткою
95
Z Ньютона буде створювати доцентрове
B Z прискорення. Отже,
FЛ B
mυ 2 m υ
υ υ qυB  . Звідси r  ,
+q
+ q - r q B
X X
де r радіус кола.
Y Y
FЛ Використавши зв'язок υ  r ,
Рис.5.37. знайдемо циклічну частоту  та період
обертання T частинки навколо ліній індукції в
Отже, магнітне поле не діє на
магнітному полі:
електричні заряди, які не рухаються.
υ q 2πr 2πm
Сила Лоренца завжди ω  B, T   . (5.49)
r m υ Bq
перпендикулярна до швидкості руху зарядженої
Період обертання частинки в
частинки, тому вона змінює лише напрямок цієї
швидкості, не змінюючи її модуля. Тому сила однорідному магнітному полі не залежить від її
Лоренца роботи не виконує і кінетична енергія швидкості (при υ  c , де c – швидкість

частинки при русі в магнітному полі не світла у вакуумі). На цьому ґрунтується дія
змінюється. циклічних прискорювачів заряджених частинок.


Якщо на рухомий електричний заряд, Якщо швидкість зарядженої частинки υ

крім магнітного поля з індукцією , діє і напрямлена під кутом  до вектора B

електричне поле з напруженістю E , то (рис.5.38), то її рух можна подати у вигляді
 суперпозиції:
результуюча сила F , яка прикладена до
заряду: υ υ h
    α
F  qE  qυ  B . (5.48)
Ц фо у а Ло нца. q υ
r
=
Якщо заряджена частинка рухається в B Fл


магнітному полі зі швидкістю υ вздовж ліній
магнітної індукції або в протилежний бік до
напрямку магнітної індукції, то   0 , або
   . У такому разі = 0, магнітне поле на Рис.5.38.
частинку не діє і вона рухається рівномірно і 1)рівномірного прямолінійного руху
прямолінійно.
вздовж поля зі швидкістю υ||  υ cos α ;
Якщо заряджена частинка рухається в
 2)рівномірного руху зі швидкістю
магнітному полі зі швидкістю υ
υ  υ sin α вздовж кола, площина якого
перпендикулярно до вектора , то сила
Лоренца є стала за модулем і нормальна до перпендикулярна до поля . Радіус кола
траєкторії частинки. Частинка рухатиметься по mυ sin 
r . В результаті складання обох
колу, бо сила Лоренца за другим законом qB
96
рухів виникає рух вздовж спіралі, вісь якої Наступні дослідження показали, що
паралельна до магнітного поля. Крок гвинтової ефект Холла спостерігається в усіх провідниках
лінії і напівпровідниках. Зміна напрямку струму або
2πmυ cos α напрямку магнітного поля на протилежний
h  υ||T  υT cos α  .
qB викликає зміну знаку різниці потенціалів  .
Напрямок, в якому закручується спіраль Розглянемо, як можна пояснити ефект
залежить від знака заряду частинки. Холла. Помістимо металеву пластинку зі

струмом густиною j в магнітне поле з
2. Ефект Холла
індукцію , лінії індукції якого

В 1879 р. Е.Холл здійснив наступний перпендикулярні до j (рис.5.39). На електрони
експеримент. Він пропускав електричний струм діє сила Лоренца, яка направлена вниз і
I через золоту пластинку у вигляді дорівнює . Тому на нижній грані
паралелепіпеда і вимірював різницю пластинки збиратиметься нескомпенсований
потенціалів  між точками C і D на негативний заряд і вона заряджатиметься
верхній і нижній гранях (рис.5.39). негативно, а на верхній грані пластинки
Ці точки лежать у одному і тому виникатиме нестача негативних зарядів і вона
поперечному перерізі пластинки. Тому заряджатиметься позитивно. Внаслідок цього
виявилось, що   0 . Коли пластинку зі між гранями пластинки виникає додаткове
поперечне електричне поле, направлене згори
струмом Холл помістив в однорідне магнітне
вниз. Розглянемо момент динамічної рівноваги,
поле, лінії магнітної індукції якого
перпендикулярні до бічних граней пластинки, коли сили і з якими діють на електрони
то було вставлено, що різниця потенціалів магнітне поле та холлівське електричне поле,
= і вона прямо пропорційна стануть рівними (ця рівність настає вже через
10-12 с після замикання кола):
C = ,
E a Звідси
I υ e H
I
- j
+ B Fл -
Fл
D Невідому швидкість υ напрямленого
b
руху виразимо через густину струму j:
Рис.5.39.
= en ,
силі струму I, магнітній індукції поля B і
де n концентрація електронів в металевій
обернено пропорційна ширині пластинки, тобто
пластинці, їх швидкість направленого
, (5.50)
руху.
де – коефіцієнт пропорційності названий
Тоді
сталою Холла. А явище, яке експериментально
Bj
виявив Холл, дістало назву ефекту Холла . EH  .
ne
97
Помножимо ліву частину виразу на ab , а праву B
на S  ab :
Bj
E H ab  S. +
ne .
Оскільки = , а jS  I , то
(5.51) Iс
.
Порівнюючи вираз (5.51) з виразом (5.50), який
отриманий на основі експерименту, отримуємо, .
що стала Холла RH обернено пропорційна до
K +A
добутку заряду електрона на їх концентрацію n:
B
1 Рис.5.40.
RH  . (5.52)
ne
За виміряними значеннями сталої катод і анод у них виготовлені у вигляді двох
Холла можна: співвісних циліндричних поверхонь. Лампу
1) визначити конц нт ацію носіїв (магнетрон) поміщають всередину соленоїда
ст у у, якщо характер провідності і заряд q так, щоб його магнітне поле було напрямлене
носіїв струму відомі, а саме вздовж осі лампи (рис.5.40). Розглянемо
характер руху електронів у лампі. Якщо струму

Так, для одновалентних металів в соленоїді немає ( B  0) , електрони
виявилося, що концентрація електронів рухаються від катода до анода в радіальному
провідності збігається з концентрацією атомів. напрямі вздовж силових ліній електричного
Оскільки питома електропровідність поля між катодом і анодом (рис.5.41,а). При
речовини обчислюють за формулою (§4.2) заданому значенні анодної напруги між анодом
  neu , де u – рухливість носіїв заряду, то А А А
1
σ u і u  RH σ, тобто добуток R H σ, - - - - - -
RH
К К К B
визначає рухливість носіїв заряду. - - B -
2) з обити висновок п о п и о у
В=0 В <В кр В>Вкр
п ові ності, оскільки знак сталої Холла
a б в
збігається із знаком заряду q.
Рис.5.41.
3.Визначення питомого заряду електрона і катодом установлюється анодний струм
e/ методом магнетрона
=const. Пропустимо струм, сила якого ,
витками соленоїда і створимо, таким чином,
Для експериментального визначення
однорідне магнітне поле вздовж катода. На
питомого заряду методом магнетрона
рухомі електрони діятиме сила Лоренца , яка
використовують електронні лампи спеціальної
перпендикулярна до напрямку швидкості руху
конструкції. Особливістю цих ламп є те, що
електронів. Траєкторія електронів
98
викривляється (рис.5.41,б), але всі вони будуть де R і r радіуси відповідно анода і катода.
потрапляти на анод і, отже, анодний струм I a Питомий заряд електрона, за сучасними
вимірюваннями, становить 1,76 1011Кл/кг.
не змінюється. З ростом I c збільшується і
Зауважимо лише, що цей метод називають
кривизна траєкторії руху електронів також
методом магнетрона тому, що конфігурація
зростатиме. При певному, критичному, значенні
електричного і магнітного полів, в яких
індукції поля електрони почнуть рухатись по
рухаються електрони, нагадує конфігурацію
колах (рис.5.41,в) і не будуть потрапляти на
схрещених полів у магнетронах –
анод. Анодний струм I a різко спадає. багаторезонаторних приладах для генерування
Критичні значення сили струму електромагнітних коливань в області
соленоїда I кр , при яких різко зменшується надвисоких частот.
анодний струм, визначають за так званими

скидовими характеристиками лампи, під якими Контрольні питання
розуміють графіки залежності анодного струму
1.Що є джерелом існування
від струму в соленоїді при заданих магнітного поля?
значеннях анодної напруги (рис.5.42). При 2.Що є характеристикою
цьому B кр  μ 0 nI кр , де n= магнітного поля у вакуумі?
3.В яких фізичних одиницях
густина намотки (N загальна кількість витків, вимірюється індукція магнітного поля?
l довжина, d  діаметр дроту соленоїда). 4.Пояснити формулу для індукції
Ia магнітного поля електричного заряду,
Ia2 який рухається.
Ua2 5.Сформулювати та пояснити закон
Ia1 Біо-Савара-Лапласа.
Ua1 6.Пояснити суть принципу
суперпозиції магнітних полів.
Iк р2 Iс 7.Сформулювати і пояснити
Iкр1
теорему про циркуляцію вектора індукції
Рис.5.42.
магнітного поля для вакууму та теорему
Остроградского-Гаусса для магнітного
Робочу формулу для визначення поля. На який характер магнітного поля
виводять, виходячи з диференціального вони вказують?
рівняння руху електрона у схрещених 8.Магнітне поле прямолінійного
провідника та колового витка зі струмом.
електричному полі між анодом і катодом і
9.Магнітне поле соленоїда та
магнітному полі соленоїда: тороїда.
10.Сила Ампера, сила Лоренца.
=e +e .
11Де використовується поведінка
Розв’язок цього рівняння для B = к дає, контура зі струмом в магнітному полі?
що 12.В яких дослідах вивчається рух
заряджених частинок в схрещених
(5.53) електричному і магнітному полях?
к
99
Намагнічування середовищ. Вектор намагнічування
У §5.8 ми бачили, що всі магнітні дії
Розділ 6.Постійне магнітне
замкнених струмів визначаються їх магнітним
поле в речовині моментом:
§6.1.Намагнічування середовищ
Досі ми розглядали магнітне поле у
Iмол
вакуумі. Якщо провідники зі струмом розміщені
I I
не у вакуумі, а в іншому середовищі, то
магнітне поле змінюється.
Це означає, що речовини в магнітному
полі намагнічуються, тобто самі стають
Рис.6.1.
джерелами магнітного поля. Результуюче
магнітне поле в середовищі є сумою полів, які
створюються провідниками зі струмом і
де сила струму, площа, яка обігається
намагніченим середовищем , і тому обидва
струмом, одиничний вектор нормалі до
поля в сумі дають результуюче поле
площини витка зі струмом, який з напрямком
струму утворює правогвинтову систему.
Речовини, які здатні намагнічуватись, Кожний молекулярний струм у магнетику має
називаються магнетиками. Згідно гіпотези певний магнітний момент, а отже, і магнетик у
Ампера, причина намагнічування полягає в цілому при намагнічування набуває магнітного
тому, що в усіх речовинах існують найдрібніші моменту, який дорівнює векторній сумі
електричні струми, які замикаються в межах моментів усіх молекулярних струмів. Тому
кожного атома (молекулярні струми, рис.6.1). магнітний стан речовини можна цілком
Кожний такий струм має магнітний момент і охарактеризувати магнітним моментом його
створює в оточуючому просторі магнітне поле. одиниці об’єму. Ця величина називається
У відсутності зовнішнього магнітного поля в кто о на агнічування і позначається
молекулярні струми орієнтовані хаотично буквою . Якщо магнетик намагнічений
внаслідок чого їхнє сумарне магнітне поле неоднорідно, то намагніченість в даній точці
дорівнює нулю. Під дією зовнішнього поля визначається наступним виразом
магнітні моменти молекул орієнтуються по
полю (§5.8), внаслідок чого магнетик
намагнічується – його сумарний магнітний
де фізично нескінченно малий об’єм,
момент стає відмінним від нуля. Магнітні поля
взятий біля точки, яку розглядаємо, –
окремих молекулярних струмів в цьому випадку
магнітний момент окремої молекули.
вже не компенсують один одного і виникає
Сумування виконується по всіх молекулах, що
деяке середнє поле . Тому намагнічений знаходяться в об’ємі (порівняйте із
магнетик можна представити як систему формулою (2.9)).
найдрібніших орієнтованих струмів (рис.6.1). В кто на агнічування є основною
в ичиною, яка ха акт изує агнітний стан
човини. Знаючи вектор намагнічування в
100
Магнітомеханічні явища
кожній точці якого-небудь тіла, можна ( об’єм стрижня). З іншого боку, за
визначити і магнітне поле, яке створюється визначенням намагнічування , цей самий
намагніченим тілом, що розглядається. Задача момент дорівнює . Прирівнюючи обидва
значно спрощується, якщо вектор вирази, ми знаходимо:
намагнічування однаковий в усіх точках
магнетика (о но і н намагнічування).У цьому При однорідному намагнічуванні
випадку при додаванні молекулярних струмів значення намагнічення дає безпосередньо
прилеглі їхні відрізки, що мають протилежні лінійну густину поверхневого струму
напрями струмів, взаємно компенсуються і магнетика.
залишаються тільки відрізки струмів, які
Поле так само, як і поле , не має
прилягають до поверхні магнетика. Тому дія
джерел (магнітних зарядів). Тому потік
всіх молекулярних струмів буде така сама, як
результуючого поля (6.1) через замкнуту
дія деякого поверхневого струму, який обтікає
поверхню дорівнює нулю:
намагнічений магнетик (рис.6.1). У цьому
розумінні можна сказати, що при всуванні в
соленоїд залізного осердя на поверхні осердя
Таким чином, формула (5.24) справедлива не
ніби виникають додаткові невидимі ампер-
тільки для поля у вакуумі, але і для поля у
витки, які додаються до ампер-витків
речовині.
намагніченої котушки (рис.6.2).
l §6.2.Магнітомеханічні явища
Природа молекулярних струмів стала

S зрозумілою після того, як дослідами Резерфорда
було встановлено, що атоми всіх речовин
I I складаються із позитивно зарядженого ядра і
Рис.6.2.Поверхневі струми в намагніченому циліндрі. негативно заряджених електронів, які
рухаються навколо нього.
Величина зазначеного поверхневого Рух електронів в атомах
струму визначається значенням підпорядковується квантовим законам, тому
намагнічування . Розглянемо в однорідному поняття траєкторії до руху електронів в атомі не
магнітному полі (довгий соленоїд) досить застосовується. Однак, магнетизм речовини
довгий циліндричний стрижень (рис.6.2) і вдається пояснити, користуючись простою
позначимо через лінійну густину моделлю Бора, згідно з якою електрони в
поверхневого струму, тобто величину струму на атомах рухаються по стаціонарних кругових
одиницю довжини стрижня. Тоді повна орбітах. Рух електрона по одній з таки орбіт
(рис.6.3) еквівалентний коловому струму, тому
величина поверхневого струму стрижня є , де
він має орбітальний магнітний момент
– довжина стрижня. Якщо – площа перерізу
, модуль якого , де – площа
стрижня, то величина його магнітного момента
орбіти електрона: π Вектор
дорівнює:
напрямлений в той самий бік, що й індукція
101
Магнітомеханічні явища
магнітного поля в центрі колового струму Гіромагнітне відношення, яке
Кількість обертів електрона за секунду експериментально визначили Ейнштейн і
π
де-Гааз для електрона, виявилось в два рази
Тоді сила струму і
π більшим від гіромагнітного відношення
π орбітальних моментів.
π
Щоб пояснити результат
pm експерименту, припустили, що електрон крім

орбітальних моментів і , має власний
механічний момент імпульсу , що
n I
називається спіном електрона (детальніше
r e розглядається в розділі 17). Спін є невід’ємною
властивістю електрона, подібно до того, як
υ
заряд e і маса . Спін електрона проявляється
L в багатьох експериментальних фактах. Спіну

електрона відповідає власний (спіновий)
Рис.6.3. магнітний момент , який дорівнює :
З іншого боку, кожний електрон, що рівномірно
рухається по орбіті, має орбітальний
механічний момент імпульсу, який дорівнює де – гіромагнітне відношення спінових
, і цей вектор направлений моментів.
перпендикулярно до площини руху електрона. Спін мають не тільки електрони, але й
Так як , то величина інші елементарні частинки. Максимальне
значення проекції спіна на виділений в просторі
Ця формула нерелятивістська, але для напрямок, наприклад, на напрямок зовнішнього
атома вона достатньо справедлива, оскільки для поля дорівнює цілому, або напівцілому
електрона на борівській орбіті відношення значенню величини , яка дорівнює сталій
( – швидкість світла у вакуумі) в загальному Планка , поділеній на 2π. Для електрона
випадку дорівнює по порядку величини , тому говорять, що спін електрона
π або близько 1% ( дорівнює . Таким чином, є природною
стала Планка). одиницею моменту імпульсу, подібно тому як
Тоді справедливе відношення: елементарний заряд є природною одиницею
заряду.
Згідно (6.7) спіновий магнітний
Вектори і напрямлені у взаємно
момент електрона дорівнює
протилежні сторони. Тому
і (6.6)
де – гіромагнітне відношення Величину
орбітальних моментів. Б
102
Магнітне поле в речовині
називають магнетоном Бора. §6.3.Закон повного струму для
Магнітний момент електрона магнітного поля в речовині.
складається з його орбітального і спінового Напруженість магнітного поля.
магнітного моментів. Відповідно магнітний Магнітна сприйнятливість і
проникність
момент атома дорівнює сумі магнітних
моментів електронів, що входять до складу Запишемо закон повного струму,
атома, і магнітного моменту ядра, який значно згідно формули (5.23), для результуючого
менший від магнітного моменту електронів. магнітного поля (6.1) в речовині:
Тому магнітним моментом ядра, як правило,
нехтують. Отже, Г Г Г
(6.9)
о
де – алгебраїчна сума макрострумів

(струмів провідності), о – алгебраїчна сума
де – атомний номер хімічного елемента. мікрострумів (молекулярних струмів), що
За відсутності зовнішнього магнітного охоплюються заданим контуром Г. З контуром
поля магнітні моменти орієнтовані хаотично, Г зв’язана деяка поверхня S (рис.6.4). Тому
внаслідок чого сумарний магнітний момент
речовини дорівнює нулю і результуюча о о
магнітна індукція поля, яке створене
де о – густина молекулярних струмів, яка
мікроскопічними струмами, дорівнює нулю. Під
залежить від значень вектора , який в свою
дією зовнішнього магнітного поля магнітні
моменти молекул орієнтуються в певному
S n
напрямку і виникає внутрішнє магнітне поле, jмол
сумарний магнітний момент відмінний від нуля . dS
і це значить, що речовина намагнічується. I´мол
´´
I´мол
Таким чином, магнетизм речовин
обумовлений трьома причинами:
1) орбітальним рухом електронів
I´м´о л
навколо атомних ядер;
2) спіном електрона; Г
Рис.6.4.
3) магнітним моментом атомних ядер.
Важкі атомні ядра рухаються значно
чергу залежить від о . Щоб обійти цю
повільніше легких електронів. Тому магнітні
трудність, знайдемо таку допоміжну фізичну
моменти атомних ядер в тисячі раз менші
величину, циркуляція якої визначається лише
орбітальних і спінових магнітних моментів
силою макроскопічних струмів. Щоб
електронів.
встановити вид цієї допоміжної величини,
виразимо густину молекулярних струмів о
через намагніченість магнетика. Для цього
вирахуємо суму (6.10). В алгебраїчну суму
(6.10) входять тільки ті молекулярні струми, які
103
Магнітне поле в речовині
є “нанизані” на контур Г (рис.6.4). Струми, які
не “нанизаються” на контур Г, або не о
Г
перетинають цю поверхню зовсім, або Із врахуванням (6.11), (6.9) можна
перетинають цю поверхню два рази – один раз в переписати так:
одному напрямку, другий раз в іншому
(струм о на рис.6.4) не дають вкладу в
алгебраїчну суму струмів (6.10). Г
Із рис.6.5 видно, що елемент контура Вираз в дужках (6.12)
, який утворює з напрямком намагніченості

кут , "нанизує" на себе ті молекулярні
струми, центри яких попадають всередину і є шукана допоміжна величина, циркуляція якої
косого циліндра з об’ємом ( – визначається лише макроскопічними струмами і

о о
площа, яка охоплюється одним молекулярним (6.12) перепишеться так:
струмом). Якщо n – число молекул в одиниці

об’єму магнетика, то сумарний струм, який
охоплюється елементом контура , дорівнює
Вектор називаєт ся нап уж ністю
о о . Добуток о о , де
агнітного по я.
– магнітний момент окремого
Отримана формула (6.14) виражає
молекулярного струму.
теорему про циркуляцію вектора (закон
J повного струму для магнітного поля в
. α Sмол середовищі): ци ку яція в кто а нап уж ності
dl
агнітного по я по яко у за кнуто у
конту у о івнює а г б аїчній су і
ак оскопічних ст у ів, що охоп юют ся ци
Iмол конту о .
dl
Напруженість магнітного поля є
аналогом електричного зміщення (2.18).
Рис.6.5.
У вакуумі , тому і
Значить вираз о о є магнітний

момент одиниці об’єму, тобто модуль вектора , Як показують досліди, в несильних
а о о – проекція вектора на магнітних полях намагніченість прямо
напрямок елемента . Таким чином, сумарний пропорційна до напруженість поля , що
молекулярний струм, що охоплюється викликає намагнічення, тобто
елементом контура дорівнює , а сума

молекулярних струмів (6.10), які охоплюються де – магнітна сприйнятливість речовини. Тоді
всім контуром Г, дорівнює: (6.13) із врахуванням (6.16) перепишеться так:
104
Магнітне поле на межі двох магнетиків
поверхня
n1
розділу
B1τ
Безрозмірна величина S1
B1 B1n μ1
називається ві носною агнітною п оникністю
h μ2
речовини.
B2τ
S2
На відміну від діелектричної B2n
B2
сприятливості (формула(2.11)), яка може мати
тільки позитивні значення (поляризованість в
n2
Рис.6.6.
ізотропному діелектрику завжди направлена по
дорівнює:
полю ), магнітна сприятливість буває як
Ф бічна
позитивна, так і негативна. Тому магнітна
або
проникність може бути як більша одиниці, так
і менша одиниці. Ф бічна
Із врахуванням (6.18) формула (6.17) де <B> деяке усереднене значення магнітної

прийме вигляд індукції на межі розділу середовищ, і
проекції векторів і на відповідні нормалі
і до поверхні циліндра (рис.6.6).
Таким чином, напруженість
Оскільки потік вектора через будь-яку
магнітного поля є вектор, який має той же
замкнуту поверхню дорівнює нулю, то при
напрямок, що і вектор , але в раз меншу
умові бічна прийдемо до
за модулем величину (в анізотропних
співвідношення
середовищах вектори і , взагалі кажучи, не
співпадають за напрямком).
Замінивши, згідно (6.19), складові
§6.4.Магнітне поле на межі двох вектора відповідними складовими вектора ,

магнетиків помноженими на , отримаємо
Біля поверхні розділу двох магнетиків
співвідношення
вектори і повинні задовольняти граничним
умовам, які отримуються із співвідношень:
із якого витікає, що
(див.формули (5.24) і (6.14)). Розглянемо

Тепер візьмемо на межі магнетиків
стаціонарні поля. Візьмемо на межі розділу
прямокутний контур Г (рис.6.7) і вирахуємо для
двох магнетиків з проникностями і уявну
нього циркуляцію . При малих розмірах
циліндричну поверхню, висота якої h, а площі
контуру Г циркуляцію можна представити у
основ , які розташовані по різні
вигляді:
сторони поверхні розділу (рис.6.6). Потік Г
вектора через цю циліндричну поверхню

105
Магнітне поле на межі двох магнетиків
Із співвідношень (6.21) і (6.23) можна
зробити висновок, що при переході через межу
розділу двох магнетиків нормальна складова
або
вектора і тангенційна складова вектора
n1
поверхня B1τ
Г
розділу
B1
H1τ α1 B1n
поверхня μ1
розділу
H1 B2τ μ2
обхід H1n α2
B2n
μ1 1 a 2 B2
μ2 4 b n2
H2 τ 3 Рис.6.8.
Γ змінюються неперервно. Із (6.22) і (6.24)
H2 H2 n
витікає, що тангенційна складова вектора і
Рис.6.7.
нормальна складова вектора при переході
через межу розділу двох магнетиків зазнають
де – середнє значення на
розриву. Таким чином, при переході через межу
перпендикулярних до поверхні розділу ділянках
розділу двох середовищ вектор поводить
контуру, , , і –
себе аналогічно вектору , а вектор –
одиничні вектори дотичні до межі розділу
магнетиків. і так звані тангенційні аналогічно вектору
На рис.6.8 показано поведінку вектора
складові векторів і . Якщо на межі
розділу не течуть макроскопічні струми, то при перетині межі розділу двох магнетиків
згідно (6.20) при умові, що , отримаємо: ( ). Позначимо кути між лініями і

нормаллю до поверхні розділу відповідно
і (рис.6.8). Відношення тангенсів цих кутів
дорівнює
Звідки отримаємо співвідношення:
Звідки, з урахуванням (6.21) і (6.24), отримаємо

(порівняйте з (2.25)).
закон заломлення ліній магнітного індукції.
Замінимо складові у (6.23)
відповідними складовими , згідно (6.19),
поділеними на , отримаємо співвідношення
При переході в магнетик з більшою
лінії магнітної індукції
із якого витікає, що відхиляються від нормалі до поверхні розділу
двох середовищ. Це призводить до згущення
ліній. Згущування ліній у речовині з більшою
106
Класифікація магнетиків. Діа - і парамагнетизм
магнітною проникністю дає можливість намагнічення направлений протилежно
формувати магнітні пучки, тобто надавати їм зовнішньому (намагнічуючому) полю.
необхідну форму і напрямок. Для того, щоб 2) парамагнетики, це речовини у яких
здійснити агнітний захист деякого об’єму, теж невелика, але позитивна величина
його оточують залізним екраном. Із рис.6.9 ( ). Такими
видно, що згущення ліній магнітної індукції в речовинами є: кисень, алюміній, літій, натрій,
товщі екрану призводить до ослаблення поля калій, магній, кальцій, титан, вольфрам,
всередині. платина, уран, плутоній, хлористе залізо ( )
B та інші.
3) феромагнетики це речовини , у яких
додатня і досягає дуже великих значень
( ). Крім того, на відміну від
Fe діа- і парамагнетиків, для яких не залежить від
, сприйнятливість феромагнетиків є функція
напруженості магнітного поля.
Феромагнетиками є хімічні елементи
(так звані 3d-метали) і рідкоземельні
Рис.6.9.
метали та інші.
Феромагнетиками є теж багаточисельні
§6.5.Класифікація магнетиків
металічні бінарні і більші складні
(багатокомпонентні) сплави вище згаданих
Формула (6.16) визначає магнітну
металів між собою та з іншими
сприйнятливість одиниці об’єму речовини.
неферомагнітними системами, наприклад:
Замість цієї сприйнятливості часто
, Mn, Mn , Zr , ZnC , AlC
використовують сприйнятливість для одного
та інші.
кіломоля речовини, яку називають
кіломолярною км
(для хімічно простих речовин
§6.6.Діа - і парамагнетизм
кілоатомною кат
.Очевидно, що км кат
має
розмірність м кмоль м кат
Діа агн тиз (від грецького
В залежності від знаку і величини
dia префікс, який тут означає розходження
магнітної сприйнятливості всі магнетики
(силових ліній), і магнетизм), властивість
поділяються на три групи:
речовини намагнічуватись назустріч напрямку
1) Діамагнетики, у яких від’ємна і
зовнішнього магнітного поля, яке діє на неї.
мала за абсолютною величиною
Діамагнетизм властивий всім речовинам.
( ). До таких
Розглянемо вплив зовнішнього
речовини відносяться: вуглекислота, вода,
магнітною поля на рух електронів в атомах
срібло, вісмут, мідь, цинк, золото, аргон та інші.
речовини.
Діамагнетики послаблюють зовнішне магнітне
Нехай навколо ядра атома рівномірно
поле. Від’ємне значення в діамагнетиках
рухається по коловій орбіті електрон. Якщо
означає, що в цих речовинах вектор
магнітне поле відсутнє, то кулонівська сила є
107
Діа - і парамагнетизм
доцентровою і згідно другого закону Ньютона площині орбіти, то дія поля полягає у збудженні
прецесії орбіти навколо поля (рис.6.11).
(6.26)
π
Магнітний момент електрона
де лінійна швидкість електрона на орбіті,
описує конус навколо . В цьому випадку
його кутова швидкість, радіус орбіти.
кутова швидкість такої прецесії теж
виражається формулою (6.28). Кутова
B pm B швидкість є однаковою для всіх електронів
Fк атома і не залежить ні від кута нахилу орбіти
r Fл відносно вектора ні від радіуса орбіти або

+ e швидкості електрона.
υ Теорема Лармора: є ини нас і ко
вп иву агнітного по я на о біту кт она в
Рис.6.10.
ато і є п ц сія о біти і в кто а з
кутовою шви кістю навко о осі, яка
В однорідному магнітному полі, лінії п охо ит ч з я о ато а і па а на
індукції якого перпендикулярні до площини в кто у ін укції агнітного по я.
орбіти електрона, на кожен електрон діятиме ще Прецесія орбіти обумовлює
й сила Лоренца додатковий рух електрона навколо напрямку
поля. Якщо б відстань електрона від осі, що
де кутова швидкість при наявності проходить через центр орбіти, не змінювалась,
магнітного поля (рис.6.10). то додатковий рух електрона відбувався б по
Тепер рівняння Ньютона запишемо колу, радіус якого .
так: B
pm
або із урахуванням (6.26) φ
Із (6.27) отримаємо, що
r . -e
υ
+
Якщо позначити а ,
I
то
Í S =́ π (r ́ ) 2
Частоту (6.28) називають частотою а ової

п ц сії або просто а о овою частотою. pm
́
Отже, магнітне поле викликає зміну Рис.6.11.
кутової швидкості обертання електрона по Йому відповідав би коловий струм
орбіті. У випадку, коли не перпендикулярне
108
магнітний момент якого дорівнює поле не тільки індукує моменти (6.31), але і
орієнтує магнітні моменти атомів по напрямку
зовнішнього поля. При цьому виникає
і напрямлений в бік, протилежний до вектора позитивний (тобто направлений по полю)
(рис.6.11): магнітний момент, який буває значно більший,
ніж індукований від’ємний момент (6.31). Це
означає, що результуючий момент стає
позитивний і речовина поводить себе як
Магнітний момент називається
парамагнетик.
індукованим магнітним моментом. Розрахунок
Тому діамагнетиками називають
показує, що
речовини, магнітні моменти атомів або молекул
В результаті отримуємо середнє яких дорівнюють нулю, коли немає
значення індукованого магнітного моменту зовнішнього магнітного поля.
одного електрона: Коли внести діамагнетик у зовнішнє
магнітне поле, у кожному його атомі
індукується магнітний момент (6.31), який
При отриманні виразу для направлений протилежно до вектора
передбачалось, що електрони рухаються по магнітної індукції поля.
колових орбітах. В загальному випадку, Якщо (6.31) помножити на число
наприклад, для еліптичної орбіти, потрібно Авогадро , то отримаємо магнітний момент
замість брати , тобто середній квадрат одного кіломоля ізотропного діамагнетика .
відстані електрона від ядра. Поділивши на напруженість магнітного поля
Індукований магнітний момент атома отримаємо кіломолярну сприйнятливість
дорівнює сумі індукованих моментів Магнітна проникність діамагнетиків
електронів, що входять до складу атома: практично дорівнює одиниці, тому .
км
(6.32)
де – атомний момент хімічного елемента

Зазначимо, що строга квантово-
(число електронів в атомі дорівнює ).
механічна теорія дає такий самий вираз для
Таким чином, під дією зовнішнього
, як (6.32).
магнітного поля відбувається прецесія
Підставивши в (6.32) числові
електронних орбіт з однаковою для всіх
позначення для , отримаємо, що
електронів кутовою швидкістю (6.28).
Обумовлений прецесією додатковий рух
електронів приводить до виникнення
Радіуси електронних орбіт мають величину
індукованого магнітного момента атома (6.31),
порядка Значить, кіломолярна
який направлений проти зовнішнього поля.
діамагнітна сприйнятливість буде порядка
Ларморова прецесія виникає у всіх без винятку
речовин. Однак в тих випадках, коли атоми що добре узгоджується
мають самі по собі магнітні моменти, магнітне з експериментальними даними.

109
. Діа - і парамагнетизм
магнітні
результуючий
моменти електронів
магнітний момент
атома
атома
і
прецесують навколо напрямку з однаковою
N S кутовою швидкістю
Тепловий рух атомів парамагнетика і
їх зіткнення спричинюють поступове згасання
Рис.6.12.Діамагнітна паличка вісмуту в прецесії магнітних моментів атомів і, як
магнітному полі.
наслідок, зменшення кутів між напрямами
Стрижень з діамагнітного матеріалу і (рис.6.11). Отже, незважаючи на

намагнічується в напрямку, протилежному до утворюване тепловим рухом «розкидання»
напрямку зовнішнього магнітного поля. Тому атомів, цей рух водночас сприяє переважній
в неоднорідному магнітному полі орієнтації магнітних моментів атомів у
діамагнетик виштовхується в область слаб- напрямку зовнішнього магнітного поля,
шого поля і встановлюється так, щоб його вісь оскільки саме по собі магнітне поле може
була перпендикулярна до вектора магнітної спричинювати лише прецесію навколо
індукції поля (рис.6.12). напрямку .

Якщо векторна сума орбітальних Магнітний момент окремого
магнітних моментів усіх електронів атома або атома має величину але
молекули не дорівнює нулю, то атом загалом сукупна дія магнітних моментів усіх атомів, що
має деякий магнітний момент . Такі ато и містяться в одиниці об’єму речовини приводить
( о ку и) називают ся па а агнітни и, а до ефекту намагнічування, що значно
човини, що ск а ают ся з них – перевищує діамагнітний ефект. Тому
па а агн тика и. парамагнетик намагнічується за полем , тобто
Па а агн тиз (від грецького p a r a - в напрямку магнітної індукції зовнішнього
біля, рядом і магнетизм) властивість речовин магнітного поля.
(парамагнетиків), які розміщені у зовнішньому Класичну теорію парамагнетизму
магнітному полі, намагнічуватись (набувати розвинув П. Ланжевен, який розглянув задачу
магнітний момент) в напрямку, який співпадає з про поведінку молекулярних струмів в
напрямком цього поля. однорідному магнітному полі.
За відсутності зовнішнього магнітного О ієнтуюча дія магнітного поля на
поля парамагнетик ненамагнічений, оскільки атом залежить від магнітного моменту атома і
внаслідок теплового руху власні магнітні від магнітної індукції поля. «Розки аюча» дія
моменти атомів орієнтовані хаотично ( ). теплового руху визначається величиною ,
Розглянемо, що станеться при внесенні пропорційною до середньої теплової енергії
парамагнетика в однорідне магнітне поле, однієї частинки. Виявилося. що результуюча дія
магнітна індукція якого дорівнює . двох протилежних факторів залежить від
Кожен електрон атома парамагнітного відношення
тіла бере участь у двох рухах: орбітальному і
прецесійному. Згідно з теоремою Лармора, всі
110
де енергія магнітного момента в Макроскопічно парамагнетизм ви-

магнітному полі B. являється в тому, що парамагнетики втягуються
Ланжевен знайшов залежність в неоднорідне магнітне поле, а в однорідному
намагніченості парамагнетики від параметра полі парамагнітний стрижень орієнтується
: паралельно до ліній індукції магнітного поля
(рис.6.13). При нагріванні парамагнетика, який
внесений у зовнішне магнітне поле, тепловий
де n-концентрація атомів парамагнетика,
рух атомів зростатиме і руйнуватиме ту
– класична функція Ланжевена, яка має
.
орієнтацію елементарних магнітних моментів
вигляд:
Якщо , то якщо
, тоді
При умова може N S
справджуватись лише в дуже сильних
магнітних полях.
В дуже сильних магнітних полях або Рис.6.13.Ампула з парамагнітним розчином
при дуже низьких температурах, коли більша хлористого заліза в магнітному полі.
частина векторів «орієнтована» вздовж

частини атомів, яка встановилася під дією
напряму індукції магнітного поля,
зовнішнього поля. Отже, магнітна
спостерігається явищ насич ності:
сприйнятливість парамагнетиків як величина,
намагніченість J не залежить від . що характеризує з макроскопічного погляду
Далеко від області насиченості магнітні властивості речовини, повинна
, тоді залежати від температури
Магнітна сприйнятливість де – стала Кюрі.
парамагнітних речовин: Співвідношення (6.35) виражає закон

Кюрі: агнітна сп ийнят ивіст
па а агн тиків об н но п опо ційна о його
Замінивши числом Авогадро , т о ина ічної т п ату и. Квантова
отримаємо вираз для кіломолярної теорія парамагнетизму враховує той факт, що
сприйнятливості можливі тільки дискретні орієнтації магнітного
момента атома відносно індукції поля .
Вона дає для вираз аналогічний (6.34).
Отже
значення
/кмоль.
111
Феромагнетизм
§6.7.Феромагнетизм намагнічування магнетика її зростання

сповільнюється.
Речовини, які здатні добре За значеннями індукції В і поля Н
намагнічуватися,називаються феромагнетиками можна визначити намагнічення магнетика
(від лат. fe r r u m – залізо). Їх намагніченість (магнітний момент одиниці
велика і в число раз перевищує об’єму). Характер залежності від для
намагніченість діа і парамагнетиків, які феромагнетиків зображено на рис.6.15.
належать до категорії слабомагнітних речовин. Намагнічення , подібно до індукції, спочатку
Магнітна проникність більшості швидко зростає, але потім настає агнітн
феромагнетиків за звичайних температур насич ння, за якого намагнічення досягає
вимірюється багатьма сотнями і тисячами деякого максимального значення нас і
одиниць, а в деяких спеціально приготовлених і практично перестає залежати від напруженості
оброблених феромагнетиків вона досягає поля.
6
мільйона. J .10 , А/м
2
Феромагнетики, крім здатності добре Jнас
намагнічуватися, мають ряд властивостей, які
істотно відрізняють їх від діа і 1
парамагнетиків.
Крива намагнічування. Характерною
особливістю феромагнетиків є складна 0 100 200 300 400
Н, А/м
нелінійна залежність між індукцією В і
Рис.6.15.Крива намагнічення феромагнетика.
напруженістю поля Н. Ця залежність була
встановлена в класичних працях О.Г. Столєтова
Внаслідок нелінійної залежності В від
на прикладі м’якого (відпаленого) заліза.
Н магнітна проникність
В,Тл
2,0 залізо за жит ві нап уж ності агнітного по я.
ол ітичне
Еле ктр лізо Крива залежності від Н (рис.6.16) зростає із
ев е за ль
1,5
ов угл ец а с та збільшенням поля від початкового значення
Мал Лит
1,0 до деякої максимальної величини , але
вун потім, після проходження через максимум,
Ча
0,5 зменшується і асимптотично прямує до
значення, дуже близького до одиниці.
0 2 4 6 8 10 H.10-2,A/ м Магнітна сприйнятливість
Рис.6.14.Залежність магнітної індукції від феромагнетика також не є сталою і
напруженості магнітного поля. залежить від напруженості поля. Цю залежність
Залежність індукції В від напруженості зображено на рис.6.16. Магнітна
магнітного поля Н у феромагнетиках має прийнятливість як і проникність має

вигляд, зображений на рис.6.14. Індукція максимум і при великих полях асимптотично
спочатку швидко збільшується, але в міру прямує до значення, близького до нуля.
112
Залежність від Н часто називають то ця анізотропія не проявляється і його
к ивою Сто єтова на честь О. Г. Столєтова, намагнічення не залежить від напряму поля. А
який вперше встановив особливості цієї кривої коли феромагнетик є єдиним кристалом, то
на прикладі м’якого заліза і вказав на наукову і вигляд кривої намагнічення буде різний і
технічну важливість цієї залежності. залежатиме від напряму намагнічуючого поля
Особливості намагнічування відносно осей кристала. На рис.6.17 зображено
феромагнетиків, які розглядаються, показують, елементарну комірку кристала заліза
що використання феромагнетиків для (центрований куб) і показано кристалографічні
одержання потужних магнітних полів дуже напрями, які позначені символами [100] (ребро
ефективне в областях намагнічування, які куба), [110] (діагональ грані) і [111]
далекі від насичення. А у випадку дуже (просторова діагональ). Для кожного
потужних полів настає магнітне насичення і феромагнетика існує напрям, в якому
магнітна проникність значно спадає. [111]
3.104 μm
Fe Fe
μ χ Fe
Fe
4 Fe
2.10 25120
μ
Fe Fe
4
χ Fe
1.10 12560 Fe
[110]
[100]
μп Рис.6.17.Елементарна кристалічна комірка

заліза і її основні кристалографічні напрямки. [100] є
0 16 32 48 64 80 напрямом легкого намагнічування, а [111] – напрямом
Н, А/м важкого намагнічування.
Рис.6.16.Залежність магнітної проникності
і магнітної сприйнятливості від напруженості поля
намагнічення (при даному полі) найбільше
для заліза
(нап я гкого на агнічування [100]), і напрям,
Тому феромагнетики застосовують для в якому намагнічення найменше (нап я важ-
отримання полів, напруженість яких не кого на агнічування [111] ( рис.6.17) ) .
перевищує . А якщо необхідне ще Гістерезис. Припустимо, що ми
потужніше поле, то застосовувати намагнічуємо спочатку ненамагнічений
феромагнетики практично не ефективно. Так, феромагнетик і, помістивши його всередину
наприклад, в дослідах П.Л.Капіци поля з намагнічуючої котушки, збільшуємо магнітне
напруженістю до були добуті тільки поле всередині магнетика від нуля до деякого
за допомогою котушок зі струмом без значення Н 1 (рис.6.18). Значення індукції в
феромагнетиків. магнетику визначатиметься кривою індукції
Анізотропія намагнічування. Усі 0 1 А і зобразиться відрізком ординати 0 В 1 .
феромагнетики в магнітному розумінні є Якщо тепер знову зменшувати магнітне поле, то
анізот опни и. Однак якщо феромагнетик має зменшення індукції зображатиметься вже не
дрібнокристалічну структуру і окремі відрізком кривої індукції 1 О , а кривою 1 B ' , і
кристалики в ньому розміщені цілком безладно, коли поле знову дорівнюватиме нулю, індукція
113
не дорівнюватиме нулю, а виражатиметься всередині магнетика існує деяка залишкова
відрізком OB'. Феромагнетик у цьому стані є індукція. При збільшенні амплітуди
постійни агніто . Далі, якщо змінити намагнічуючого поля індукція прямує до
напрям струму в намагнічуючій котушці і граничного значення при H=0 (рис.6.18).
перемагнічувати зразок у зворотному напрямі, Щоб "знищити" це залишкове намагнічення,
то зміна індукції описуватиметься відрізком всередині феромагнетика слід створити певне
кривої В ' 2 . При наступній зміні поля в поле, напрямлене протилежно початковому
зворотному напрямі індукція змінюватиметься намагнічуючому полю, яке зображене відрізком
згідно з кривою 2 В " 1 . При циклічному с. Це поле називають зат и уючою, або
перемагнічуванні феромагнетика зміна індукції ко цитивною, силою феромагнетика.
в ньому зображатиметься петлеподібною Коерцитивна сила характеризує властивість
замкненою кривою 1 В ' 2 В " 1 . феромагнетика зберігати намагніченість.
B A Матеріали з великою коерцитивною
напруженістю дають широку петлю гістерезису
Br . і називаються «твердими» магнітними
B1 1 матеріалами. З них виготовляють постійні
B´ магніти. «М'які» магнітні матеріали мають малу
-Hc
. 0 H1
.Hc H
коерцитивну силу і дають
гістерезису. Ці матеріали використовують для
вузьку петлю
B´´ виготовлення осердь трасформаторів.

2 З цим пов’язаний практичний спосіб,
. -Br який використовують для оз агнічування
феромагнетиків. Для цього феромагнетик
поміщають всередину котушки, яка живиться
Рис.6.18.Магнітний гістерезис. B,Тл
2,0
ізо
1,8 за л
’ яке
Ми бачимо, що значення індукції у 1,6 М
Сталь загартована
феромагнетику визначається не тільки 1,2

існуючим магнітним полем, але ще залежить від
0,8
попередніх станів намагнічування, причому
0,4
відбувається своєрідне ві ставання зміни
0 H,А/м
індукції від зміни напруженості поля. Це явище -960 -640 -320 0 320 640 960
називається магнітним гіст зисо , а
зазначена вище петлеподібна крива залежності
В від Н при циклічному перемагнічуванні
називається п т ю гіст зису. Магнітний
гістерезис подібний до діелектричного
гістерезису в сегнетоелектриках (§2.6).
З кривих (рис.6.18) видно, що при Рис.6.19.Криві гістерезису м’якого заліза і
усуненні намагнічуючого поля феромагнетик загартованої сталі.
зберігає залишкове намагнічення, причому

114
змінним струмом, і величину струму поступово феромагнетиків; її значення для деяких речовин
зменшують до нуля. При цьому феромагнетик подані в таблиці.
піддається багаторазовим циклічним Речовина TK ,oC
перемагнічуванням, що відповідає різним Гадоліній . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Залізо . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . 770
петлям гістерезису, які поступово
Кобальт .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1150
зменшуючись, стягуються до точки 0 (рис.6.18), Нікель . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . 360
де намагнічування дорівнює нулю. Гістерезис 30% -ний пермалой
(сплав 70% Fe,30% Ni) ............. 70
залежить значною мірою від складу 78% -ний пермалой .................. 550
феромагнетика і від його обробки. Для чистого
«м’якого» заліза, тобто відпаленого і потім При температурах вищих температури
повільно охолодженого, гістерезис виражений Кюрі, феромагнетик перетворюється на
дуже слабко і петля гістерезису дуже вузька. парамагнетик. Залежність магнітної
Але в загартованої сталі гістерезис значний сприйнятливості від температури для таких
(рис.6.19). парамагнетиків підлягає закону Кюрі - Вейсса,
Температура Кюрі. Здатність який має вигляд:
пара і феромагнетиків намагнічуватися різна
за різних температур, тобто їх магнітна
сприйнятливість залежить від температури. Тут С – стала, яка залежить від роду речовини, а
Вона зменшується із збільшенням температури. – температура Кюрі.
Навпаки, магнітна сприйнятливість діамагнети-
ків практично не залежить від температури.
Для багатьох па а агнітних речовин
зміна з температурою підлягає закону,
встановленому Кюрі (6.35). Магнітна
сприятливість таких речовин монотонно
змінюється із зміною температури. Такі
речовини називаються но а ни и Пла сти н ка
із пермалою
па а агн тика и.
Залежність магнітної сприйнятливості
від температури для феромагнетиків має
складніший характер. При підвищенні темпера-
тури здатність феромагнетиків намагнічуватися
зменшується. При цьому зменшуються
значення їх магнітної сприйнятливості і про- Рис.6.20.При намагнічуванні пермалоєвої
никності при будь-якому значенні магнітного пластинки вище температури Кюрі вона перестає
притягуватися до магніту.
поля, ослаблюється гістерезис і зменшується
намагнічення насичення нас . При деякій
Як видно з таблиці, температура Кюрі
температурі , яка називається т п ату ою для деяких сплавів дуже низька, наприклад для
Кю і, феромагнітні властивості зникають 30 процентного пермалою — близько 70°С.
зовсім. Температура Кюрі різна для різних Тому, коли пермалоєву пластинку піднести до
115
полюсів постійного магніту за кімнатної B
температури, то вона притягується до магніту і
B1 A
втримує деякий вантаж. Але коли магніт з
пластинкою помістити у воду, нагріту до
температури 80—90°С, то пластинка втрачає 4. .3
1. .2
феромагнітні властивості, її намагнічення dB
практично зникає і вона під дією вантажу відри-
вається від магніту (рис.6.20).
Робота при намагнічування

Розрахунок дає, що робота , яка
потрібна для збільшення індукції на малу 0 H H
величину в одиниці об’єму магнетика, Рис.6.21.Робота намагнічування магнетика
дорівнює без гістерезису.
Інакше буде для магнетика з гістере-

Оскільки робота намагнічування залежить від
зисом.У цьому разі при збільшенні індукції від
процесів всередині магнетика, то вираз (6.37)
значення В1 до деякого іншого значення В2
буде справедливий, очевидно, для магнетика
(рис.6.22) потрібна буде робота, яка дорівнює
будь якої форми.
площі, яка обмежена віткою кривої
Розглянемо спочатку магнетик без
намагнічення 1, тобто площі В1а1bВ2В1, а при
гістерезису, для якого пряма і зворотна вітки
розмагнічуванні до вихідного стану робота, яка
кривої намагнічення збігаються (рис.6.21).
повертається, дорівнюватиме площі В2b2аВ1В2,
Елементарна робота, яка потрібна для
яка має меншу величину. Тому при повному
нескінченно малого збільшення намагнічення,
циклі перемагнічування в кожну одиницю
на цьому графіку виражається згідно з (6.37)
об’єму магнетика вводиться енергія
величиною площі 12341. Повна робота, яка
затрачається при збільшенні індукції від нуля
де S площа петлі гістерезису, яка має
до заданого значення В1, дорівнює площі 0АВ10,
розмірність одиниць роботи (енергії). Ця
обмеженої кривою намагнічення і віссю В
енергія витрачається на виконання роботи
(заштрихована площа). Ця робота виконується
проти коерцитивних сил у магнетику і в
джерелом при намагнічуванні магнетика. При
кінцевому підсумку перетворюється в тепло.
розмагнічуванні магнетика в коло джерела
Тому феромагнетики при циклічному
повертається енергія, яка запасена в
перемагнічуванні нагріваються і тим більше,
магнітному полі. Вона, як і раніше, виражається
чим сильніше виражений гістерезис.
величиною площі, обмеженої кривою
В існуванні тепла гістерезису можна
намагнічення і віссю В. Якщо гістерезису немає,
впевнитися за допомогою простого досліду.
то обидві вітки кривої збігаються і при
Якщо всередину дротяної котушки, яка
розмагнічуванні повертається та сама робота,
живиться технічним змінним струмом, опустити
яка була затрачена при намагнічуванні.
стальний стержень, то він виконуватиме 50
116
Магнітні матеріали. Ферити
циклів перемагнічування за секунду і вже гістерезис («магнітно-м’які» матеріали), а для
через 1-2хв досліду значно нагріється. виготовлення постійних магнітів — залишкове
B намагнічення і велика коерцитивна сила. Як
B2 b феромагнітні матеріали тепер широко
застосовують залізо і його сплави з іншими
1 елементами. Підбираючи склад сплавів і
2 S
варіюючи їх обробку, можна дістати різні
феромагнітні матеріали, які відрізняються
B1 a
надзвичайною різноманітністю магнітних
0 властивостей. У таблицях подано магнітні
H
Рис.6.22.Робота при циклічному характеристики деяких речовин, які
перемагнічуванні пропорціональна площі петлі застосовуються в сучасній техніці.
гістерезису.
Наведені дані показують, що у
виготовленні магнітних матеріалів досягнуто
Тепло гістерезису завжди враховують
значних успіхів. Деякі сплави (алніко, магніко)
при розрахунку різних електричних пристроїв
відзначаються дуже високими значеннями
змінного струму, які містять феромагнетики, що
коерцитивної сили і залишкової індукції і тому
зазнають періодичного перемагнічування. Такі,
дають змогу виготовляти виняткові за якістю
наприклад, залізні осердя трансформаторів і
обертові залізні якорі динамомашини. Наявність
М атеріали Склад (%), Відносна Відносна
гістерезису в них веде до некорисної витрати магніто - останнє
залізо
початкова максим. Коерцитивна Залишкова
сила, А/м індукція,Тл
м'які проникність проникність
і домішки
частини енергії на тепло гістерезису і зменшує
Залізо 3,3 Si 600 10000 16 2,00
коефіцієнт корисної дії установок. Тому для 0,05 (дом.) 10000 200000 4 2,15
Залізо чисте
таких пристроїв і застосовують спеціальні сорти Залізо технічне 0,20 (дом.) 150 5000 80 2,15
м’якого заліза (трансформаторне залізо), в яких Сталь м'яка 0,2 C 120 2000 140 2,12
Пермалой 78,5 Ni 8000 100000 4 1,08

гістерезис виражений слабко.
Нікель 99 Ni 110 600 56 0,61
Ферит Ni-Zn 1000 2000 8 0,25
§6.8.Магнітні матеріали. Ферити

Матеріали Склад(%), Коерцитивна Залишкова
магніто - жорсткі останнє залізо сила, А/м індукція,Тл
У сучасній електротехніці
Сталь вуглецева 0,9C, 1Mn 4000 1,00
феромагнетики відіграють значну роль.
Сталь вольфрамова
Використовуючи феромагнетики, ми 0,4C, 6W 5200 1,05
примушуємо елементарні струми брати участь в Сталь кобальтова 1,0C, 3Co,

6400 1,00
4Cr, 0,4Mn
утворенні магнітного поля і, так би мовити,
Алніко 19Ni, 10Al, 52000 0,90
«безкоштовно» збільшуємо магнітне поле в 18Co, 3Cu
сотні і тисячі разів порівняно з полем одних Платина – залізо 78Pt 120000 0,60
намагнічуючих котушок. Залежно від Платина - кобальт 77Pt, 23Co 320000 0,50
призначення феромагнетиків до них ставлять 13,5Ni, 9Al,
Магніко 56000 1,30
різні вимоги. Так, наприклад, для застосування 24Co, 3Cu
в трансформаторах найважливішими вимогами

є висока магнітна проникність і слабкий
117
Пояснення феромагнетизму
постійні магніти, які широко застосовують і §6.9.Пояснення феромагнетизму
тепер у магнітоелектричних вимірювальних Сучасна теорія феромагнетиків
приладах і інших пристроях, в яких потрібне спиралася в своєму розвитку на такі основні
потужне постійне магнітне поле. дослідні дані. По-п ш , ми бачили в §6.7, що в
Дуже цікаві магнітні властивості деяких феромагнетиків можна змінювати
рідкоземельних елементів. Серед цієї групи намагнічення від початкового нульового
елементів і їх хімічних сполук є діамагнетики, значення до величезного значення насичення
парамагнетики і феромагнетики. З них під дією мізерного намагнічуючого поля. Це є
найсильнішим феромагнетиком є гадоліній. Він характерним для феромагнетиків і різко
намагнічується до насичення в порівняно відрізняє їх від парамагнетиків. Зазначимо для
слабких полях і його намагнічення насичення порівняння, що нормальна парамагнітна сіль,
більше, ніж у чистого заліза. наприклад FeS04, при кімнатній температурі під
Дослідження магнітних сплавів і дією поля в 10 А/м збільшує своє намагнічення
хімічних сполук привели і до важливих, і до приблизно на 10-9 Тл, тобто на величину, у
цікавих результатів, які відкривають нові сотні мільйонів раз меншу, ніж деякі магнітно
технічні можливості застосування магнітних м’які феромагнітні сплави.
матеріалів. Так, наприклад, було виявлено, що Д уга особ ивіст стосується вели-
деякі сплави з неферомагнітних елементів при чини магнітного момента атомів феромагнітних
певному співвідношенні між компонентами речовин. Прямі досліди показують, що магнітні
мають великий феромагнетизм. Такими є моменти атомів феромагнітних речовин мають
сплави марганець — вісмут, марганець — той самий порядок величини, що й атоми
сурма, хром—телур, тощо. Інше важливе парамагнетиків, і вимірюються небагатьма
досягнення полягає в добуванні і дослідженні магнетонами Бора. Звідси випливає, що
ф итів, які є феромагнітними хімічними феромагнетизм не можна пояснити за допо-
сполуками типу МеО Fе2О3, де Ме — один могою теорії, подібної до теорії
(або суміш) двовалентних катіонів Мn, Со, Ni, парамагнетизму, і, що феромагнітні властивості
Сu, Мg, Zn, Сd, Fe+2. На відміну від заліза та не зумовлені наявністю магнітного момента
інших феромагнітних металів, ферити є атома в цілому.
магнітними напівпровідниками і мають великий Т тій важ ивий ос і ний факт
питомий електричний опір порядку зв’язаний з величиною гіромагнітного
1 10 4 Ом м. Цим і зумовлена велике технічне відношення (§6.2). У феромагнетиках воно
значення феритів. Феромагнітні метали не приблизно в два paзи більше, ніж очікуване
можна використовувати в радіотехніці високих теоретично значення для електронних орбіт, і
частот внаслідок їх великої електропровідності і відповідає відношенню власних магнітного і
великих втрат на вихрові струми, які виникають механічного моментів електрона (формула
при цьому. Ферити цього недоліку не мають і (6.8)). Ця обставина вказує, що намагнічування
дають змогу по-новому розв'язувати ряд феромагнетиків зумовлюється дуже значним
завдань радіотехніки. орієнтуванням в асних агнітних о нтів
кт онів (електронних спінів), але не
118
Питання про фізичну причину
спонтанного намагнічування принципово роз-
в’язали в 1928 р. Френкель, а потім Гайзенберг,
які показали, що значне орієнтування
електронних спінів спричинюється так званими
а б силами об інної взає о ії. Наявність цього
Рис.6.23.Схематичне зображення: нового класу сил, який не пояснюється в
а – розміщення електронних спінів при спонтанному
намагнічуванні (низька температура); б – напрямки класичній фізиці, було з’ясовано тільки з
намагнічення в окремих доменах. розвитком квантової фізики атома. Існування
доменів у феромагнетиках тепер доведено
магнітних моментів атомів в цілому. За
різними дослідами. Найпряміший метод полягає
сучасними уявленнями, які надійно
в добуванні так званих по ошкових фігу . Якщо
обґрунтовані на досліді, суть феромагнетизму
на добре відполіровану поверхню
полягає в тому, що значне орієнтування еле-
феромагнетика помістити шар рідини, в якій є
ментарних магнітних моментів виникає у
завислі найдрібніші крупинки феромагнітного
феромагнетиках н за жно ві зовнішн ого
порошку (наприклад, Fе2O3), то ці крупинки
агнітного по я, бо феромагнетик
осідатимуть переважно на ті місця, поблизу
намагнічений до насичення, яке відповідає
яких магнітне поле неоднорідне. Але саме
даній температурі, уже без усякого поля
поблизу меж доменів і виникають
(рис.6.23,а).
неоднорідності поля і тому осілий порошок
Наявність такого са о ові ного, або
позначить межі областей спонтанного
спонтанного, на агнічування є
найхарактернішою властивістю
феромагнетиків. Спонтанне намагнічування
виникає через те, що на елементарні магнітні
моменти діють сили молекулярної взаємодії не
магнітного походження. Ці уявлення були
висловлені в працях П. Вейсса в 1907 р.
Дослід показує, що феромагнетики при a б в
відсутності зовнішнього поля можуть бути і не
намагнічені. Для пояснення цієї позірної Рис.6.24.Домени в деформованому
кременистому залізі: а без поля; б магнітне поле
суперечності Вейсс зробив другу основну
перпендикулярне до площини рисунка; в магнітне
гіпотезу, за якою феромагнетик розбивається на поле тієї самої напруженості, але протилежного
велику кількість малих (але макроскопічних) напряму.
областей, або о нів (визначення поняття

намагнічування. На рис.6.24 наведені
"домен" приводиться в . Кожна з цих
фотографії порошкових фігур, які видно в
областей за температур, нижчих за температуру
мікроскоп при невеликому збільшенні.
Кюрі, намагнічена значною мірою, але напрями
Особливо слід зазначити, що домени справді
намагнічування в окремих доменах різні, а саме
спостерігаються і за відсутності зовнішнього
такі, що повний магнітний момент
феромагнетика дорівнює нулю (рис.6.23,б).
119
магнітного поля. Порошкові фігури були бічні поверхні яких скрізь утворюють кут 45° з
використані в численних дослідженнях вектором намагнічення. Внаслідок цього
феромагнетиків і дали змогу визначити розміри, магнітний потік проходить виключно всередині
форму і розміщення доменів, а також зміни феромагнетика, він замикається граничними
доменів у зовнішньому магнітному полі. доменами, чим і зумовлена їх назва —
Розглянемо тепер докладніше, чому у «замикаючі домени». Стан г енергетично
феромагнетиках виникають численні домени. вигідніший, ніж попередні стани, і тому
Для простоти вважатимемо, що феромагнетик феромагнетик, який перебуває, наприклад, у
дуже анізотропний і що його вісь легкого стані а, прагнутиме перейти в стан г. Нарешті,
намагнічування перпендикулярна до поверхні на рис.6.24, зображено цілу сукупність доменів
зразка. На рис.6.25,а зображено феромагнетик, разом з доменами, що їх замикають, у якій
який складається з одного домена. У цьому також немає зовнішнього потоку. Така форма
випадку в зовнішньому просторі виникає доменів справді спостерігається на досліді.
магнітне поле, яке містить у собі певну енергію. Отже, феромагнетик на домени розбивається
На рис.6.25,б є два домени з протилежним тому, що при утворенні доменних структур
напрямом намагнічування. енергія феромагнетика зменшується.
Вище ми розглядали феромагнетик за
N N N N NN S S N S N S відсутності зовнішнього магнітного поля і

враховували тільки його власну магнітну
енергію. Якби були ще й інші джерела енергії,
наприклад механічні напруги або зовнішне
S S N N
магнітне поле, то форма доменів визначалася б
S S S S S N S N
повною енергією системи. Тому за наявності
a б в
механічних напруг і зовнішнього поля доменна
структура змінюється. При виникненні
спонтанного намагнічування (орієнтування
електронних спінів) магнетик фо уєт ся.
Якщо при температурі вищій, ніж температура
г д Кюрі, вирізати з монокристала феромагнетика
Рис.6.25.Пояснення виникнення доменів.
кулю, то при охолодженні нижче температури
Кюрі куля перетвориться в еліпсоїд. Форма і
Зовнішнє магнітне поле тут
розміри доменів змінюються і при
зменшується із збільшенням відстані швидше,
перемагнічуванні. Тому феромагнетик в цілому
ніж у випадку а, і енергія, яка є в полі, менша. У
не намагнічений і при намагнічуванні
випадку рис.6.25,в магнітне поле практично
деформується.
існує тільки в безпосередній близькості від
Явище деформації при намагнічуванні
поверхні магнетика і енергія поля ще швидше
відкрив у середині минулого століття Джоуль;
зменшується. На рис.6.25,г зображено такий
воно називається агнітост икцією.
випадок, коли в зовнішньому просторі
Деформації, які виникають при цьому, дуже
магнітного поля немає зовсім. Тут є
малі: відносні видовження зразка в полях
«замикаючі» домени у формі тригранних призм,
120
Процеси намагнічування феромагнетика
5 -5 -6
10 А/м звичайно мають порядок 10 10 .
Магнітострикцію використовують, як і
п'єзоелектричний ефект (§2.6) для побудови
потужних випромінювачів ультразвукових а
хвиль та інших цілей.

Сили обмінної взаємодії спричинюють
у феромагнетиках па а н орієнтування
електронних спінів. Однак обмінні сили б
залежать від структури тіла і тому характер Рис.6.26.Характер намагнічування в
антиферомагнетиках (а) і в феритах (б) (схематично).
орієнтування спінів, який спричинюється ними,
може бути різний. Виявляється, що існують
Якщо намагнічення обох підрешіток
речовини, в яких також виникає значне
не однакове за величиною, то виникає
орієнтування електронних спінів, але, на
нескомпенсований антиферомагнетизм і
відміну від феромагнетиків, електронні спіни
речовина може набути значного магнітного
орієнтовані в них попа но антипа а но. У
моменту. Такий характер намагнічування
найпростішому випадку електронні спіни
спостерігається у ф итах (рис.6.26,б).
утворюють ніби дві просторові підрешітки,
вставлені одна в одну і намагнічені в
протилежних напрямах (рис.6.26,а).
Речовини, в яких намагнічення обох §6.10.Процеси намагнічування
підрешіток однакове за величиною, феромагнетика
називаються антиф о агн тика и. Їх
Одним із основних завдань теорії
існування теоретично завбачив Л. Д. Ландау в
феромагнетизму є пояснення технічної кривої
1933 р. Антиферомагнетиками є деякі сполуки
намагнічування, тобто залежність намагнічення
марганцю (МnО, МnS), хрому (NiСг, Сr203),
від напруженості поля H, або індукції В
ванадію (VО2) тощо. Такі речовини за низьких
всередині феромагнетика від Н. Розглянемо
температурах мають дуже малу магнітну
полікристалічний звичайний кусок заліза.
сприйнятливість. При підвищенні температури
Всередині нього є велика кількість маленьких
точна попарна антипаралельність електронних
кристаликів, кристалічні осі яких направлені в
спінів порушується і магнітна сприйнятливість
різні сторони. Ці кристалики – це не те ж саме,
збільшується. При деякій температурі
що домени.
(антиф о агнітна точка Кю і, або точка
Раніше ми вважали, що домени є
Нєє я) області спонтанного орієнтування
частиною одного кристалу, а в куску заліза, як
електронних спінів руйнуються і
видно з рис.6.27, містяться багато різних
антиферомагнетик перетворюється в
кристалів з різною орієнтацією намагнічення. В
парамагнетик. При дальшому підвищенні
кожному із цих кристалів, взагалі кажучи,
температури магнітна сприйнятливість, як у
міститься декілька доменів. Коли до куска
всякого парамагнетика, зменшується, а отже,
полікристалічного матеріалу прикласти слабе
при антиферомагнітній температурі Кюрі
магнітне поле, доменні бар’єри в кристаликах
магнітна сприйнятливість має максимум.
121
вона рухається скачкоподібно, зупиняючись на
мить. Якщо розглянуть криву намагнічування в
мікроскопічному масштабі, то побачили б щось
подібне як на вставці рис.6.28. Найваждивіше в
тому, що ці скачки намагнічування викликають
втрату енергії. Перш за все, коли стінка домена
проскакує накінець перешкоду, вона дуже
швидко рухається до наступної. Швидкий рух
спричиняє за собою і швидку зміну магнітного
поля, що в свою чергу створює в кристалі
вихрові струми (див.наступний розділ). Останні
витрачають енергію на нагрівання металу.
Рис.6.27.Мікроструктура ненамагніченого
полікристалічного феромагнітного матеріалу. Кожний B
кристалик має напрямок легкого намагнічування і
розбивається на домени, які звичайно спонтанно c
намагнічені в цьому напрямку.
b
починають зміщуватись і домени, напрямок
намагніченості яких співпадає з напрямком
легкого намагнічування, ростуть все більше і
більше. До тих пір поки поле залишається дуже
a
малим, цей ріст оборотний; якщо поле H
виключити, намагніченість знову повернеться
Рис.6.28.Крива намагнічування полікристалічного
до нуля. Ця ділянка кривої намагнічування
заліза.
позначена на рис.6.28 буквою .
Для більших полів в області, яка на Інший ефект в тому, що, коли домен
рис.6.28 позначена буквою b, все стає більш раптово змінюється, частина кристалів із-за
складним. В кожному маленькому кристалику магнітострикції змінює свої розміри. Кожний
матеріалу є напруги і дислокації (порушення раптовий зсув доменної стінки створює
кристалічної гратки), домішки і дефекти. І при невелику звукову хвилю, яка теж виносить
всіх полях, за винятком дуже слабких, стінки енергію. Через ці ефекти ця частина кривої
доменів при своєму русі наштовхуються на них. намагнічування є необоротною, має місце
Між доменною стінкою і дислокацією втрата енергії. Це і є причиною гістерезисного
(або домішкою) виникає взаємодія. В ефекту, або рух скачками вперед – одне, а рух
результаті, коли стінка наштовхується на назад – вже інше, і при русі в обидва кінці
перешкоду, вона ніби приклеюється і втрачається енергія.
тримається так, поки поле не досягне певної Зрештою, при достатньо сильних
величини. Коли поле дещо зросте, стінка полях, коли всі доменні стінки зсунуті і
раптово зривається. Таким чином, рух доменної намагніченість кожного кристалика направлена
стінки є не плавним, як в ідеальному кристалі;
122
по найближчій до поля осі легкого B 3

намагнічування, залишаються ще деякі
кристалики, у яких вісь легкого намагнічування 2
далека від напрямку зовнішнього магнітного
поля. Щоб повернути ці магнітні моменти а
1
необхідне ще додаткове поле. Таким чином, в
сильних полях саме в області, яка позначена на
рис.6.28 буквою c, намагніченість зростає 0 H
μ
μ max
повільно, але гладко. Намагнічення не відразу
досягає свого насичення, оскільки в цій
останній частині кривої відбувається б
доорієнтація атомних магнітиків в сильному
полі. Тепер зрозуміло, чому крива намагнічення
полікристалічного матеріалу має вигляд, 1
показаний на рис.6.28. Такий характер 0 H
залежності В(Н) дає можливість пояснити
Рис.6.29.
залежність , який приведений на рис.6.16.
Для цього на рис.6.29,а зображено ще раз Контрольні питання
основна крива намагнічення. Проведемо з
початку координат пряму лінію, яка проходить 1.Які речовини називаються
через довільну точку кривої В(Н). Тангенс кута магнетиками?
нахилу цієї прямої пропорційний відношенню
2.За допомогою яких фізичних
величин проводять класифікацію
В/Н, тобто магнітній проникності (див.формулу
магнетиків?
(6.19)) для відповідного значення напруженості 3.Провести класифікацію
поля. При збільшеності Н від нуля кут нахилу магнетиків.
(а значить і ) спочатку зростає. В точці 2 він 4.Дати визначення вектора
досягає максимуму (пряма 0-2 є дотичною до намагнічення речовини.
кривої В(Н)), а потім зменшується. На 5.Які існують характеристики
магнітного поля в речовині?
рис.6.29,б приведений графік залежності від
6.Який існує зв'язок між
Н. Із рисунка видно, що максимальне значення
вектором напруженості і вектором
проникності досягається дещо раніше, ніж індукції магнітного поля в
насичення. При необмеженому зростанні Н феромагнетиках?
проникність асимптотично наближається до 7.Схематично зобразити
одиниці. Із формул (6.13) і (6.19) легко залежність індукції магнітного поля від
отримати вираз для , а саме напруженості магнітного поля у
феромагнетиках. Пояснити цю
(6.37)
залежність.
8.Записати співвідношення між
Оскільки намагнічення не може
складовими векторів B і H на межі двох
перевищувати а (рис.6.15), то при
магнетиків.
123
Явище електромагнітної індукції
9.Який фізичний зміст магнітної Ерстед відкрив, що навколо провідників зі
проникності феромагнетика? струмом виникає магнітне поле, а трохи
10.Чому значення магнітної пізніше в цьому ж році А. Ампер встановив,
проникності для різних феромагнетиків що на провідники зі струмом у магнітному
не приводяться в довідникових
полі діє сила. Результати цих досліджень
таблицях?
11.Дати визначення стали основою припущення, що й електричне
коерцитивної сили та залишкової поле можна отримати за допомогою
намагніченості для феромагнетика. магнітного. Для перевірки цієї гіпотези були
12.Які феромагнетики мають проведені різноманітні експерименти. Один із
назву магніто-м’яких та магніто- них полягає у спробі виявити струм у
жорстких ? замкненому провіднику, розміщеному біля
13.Де в техніці зв’язку
іншого провідника, по якому проходить
застосовують феромагнетики?
постійний електричний струм. У своїх ранніх
дослідах Фарадей з подивом виявив, що
постійний струм не впливає на контур, який
близько до нього лежав. Він виготовляв різні
Розділ 7.Електромагнітна провідні котушки, намотуючи два проводи
індукція так, щоб їхні витки розташовувались дуже
щільно один до одного, але були розділені
§7.1.Явище електромагнітної ізолюючим шаром тканини або паперу. Одна з
індукції котушок складала із гальванометром замкнене
У попередніх розділах вивчались коло. Через іншу котушку пропускався
властивості статичних, незмінних в часі великий струм від батареї. На розчарування
електричних та магнітних полів. Переходячи в Фарадея, стрілка гальванометра не
область динамічних електромагнітних явищ, відхилялась. Але в одному з дослідів він
ми зустрічаємось з цілим рядом якісно нових помітив дуже слабкий рух стрілки
властивостей полів та їхніх закономірностей. гальванометра при включені струму, та такий
В основі електродинаміки змінних полів самий рух при виключені. Продовжуючи ці
лежить фундаментальний закон досліди він скоро встановив, що струми в
електромагнітної індукції, відкритий дослідно інших провідниках наводяться не постійним, а
у 1831р. видатним англійським вченим М. змінним струмом. Однією з блискучих
Фарадеем. Суть цього закону полягає у експериментальних знахідок в дослідах
виникненні струму в довільному замкненому Фарадея того періоду була заміна
провідному контурі при зміні магнітного гальванометра (він зрозумів, що гальванометр
потоку, що пронизує цей контур. був недостатньо чутливим приладом для
Відкриття зв’язку між електрикою та виявлення короткочасних імпульсів струму)
магнетизмом стало визначною подією в історії простою маленькою котушкою, в яку помістив
розвитку електромагнетизму, оскільки ці ненамагнічену стальну стрілку (рис.7.1).
явища раніше вважались абсолютно Фарадей виявив, що стрілка
взаємонезалежними. Спочатку у 1820р. Х. намагнічувалась імпульсом індукованого
124
струму при включенні первинного струму і що котушки 1 виникає і при зближені котушок, і
напрямок намагнічування був протилежним, при віддаленні їх, однак струми в обох
якщо його причиною було виключення струму випадках мають протилежні напрями. Якщо
у первинному контурі. Так було відкрито залишити котушку 1 нерухомою, а рухати
явище електромагнітної індукції. котушку зі струмом 2, то гальванометр теж
Батарея показує струм при русі котушки.
Ми могли б залишити обидві котушки
1 та 2 нерухомими, але змінювати величину
струму в котушці 2 за допомогою реостата.
Дерево
Тоді при всякій зміні величини струму (тобто
Стрілка магнітного поля котушки 2) у колі котушки 1
виникає струм. Напрям струму в котушці 1 при
підсиленні магнітного поля протилежний
Рис.7.1. напряму струму при ослабленні поля; струм у
котушці 1 не виникає, якщо магнітне поле
Розглянемо деякі досліди, що
залишається постійним. Ці досліди показують,
ілюструють електромаг іт у індукцію. Для
що причиною появи індукційного струму є
цього скористаємось двома дротяними
змі а маг іт ого поля.
котушками 1 і 2 (рис.7.2), одну з яких (1)
Те, як створюється ця зміна значення
1 не має. У досліді, зображеному на рис.7.3
обидві котушки 1 та 2 нерухомі, а в котушку 2
ми всуваємо, або висуваємо з неї залізне
. С
.
Рис.7.2 2
можна надівати на іншу (2). Сполучимо .

.
котушку 1 з гальванометром, а котушку 2 з

джерелом струму. Якщо котушка 1 нерухома
Рис.7.3.
відносно котушки 2 (тобто відносно
магнітного поля), то в колі котушки 1 не буде осереддя С. При всуванні осердя воно
струму, яким би сильним не будо магнітне намагнічується, і магнітне поле підсилюється;
поле котушки 2. Почнемо тепер переміщувати при висуванні осердя поле зменшується. Струм
котушку 1. Ми побачимо, що гальванометр у колі котушки 1 проходить тільки при русі
покаже появу струму. Цей струм існує тільки осердя. Змінне магнітне поле ми можемо
при русі котушки, і він тим більший, чим створити і рухом постійного магніту. Якщо
швидше рухається котушка. Струм у колі зовсім забрати котушку зі струмом 2 і всувати
125
(або висувати) в котушку 1 постійний магніт, то індукції збільшуватиметься і вони
гальванометр також показує струм. Цей струм стягуватимуться одна до одної, а при
виникає і тоді, коли рухається котушка 1, а ослабленні поля – розходитимуться одна від
магніт перебуває у спокої. Спостерігаючи одної. І в цьому випадку провідник перетне
напрями струму при зближенні магніту і деяке число ліній індукції. Тому Фарадей
котушки і при віддаленні їх, можна впевнитися, зробив висновок, що і дукцій ий трум
що вони протилежні, як і в попередніх ви икає в провід ику тоді, коли провід ик, або
дослідах. яка- ебудь його ча ти а перети ає лі ії
Результати своїх численних дослідів маг іт ої і дукції. Можемо зробити такий
Фарадей подав у такій наочній формі. висновок, що виникнення індукційного струму
Зображатимемо магнітне поле за допомогою завжди пов’язане із зміною магнітного потоку
ліній магнітної індукції. Тоді величина через поверхню, яку охоплює провідник. Ці
магнітної індукції поля характеризуватиметься зміни можуть відбуватися з різних причин,
густотою ліній індукції. Уявімо собі тепер, що зокрема через:
замкнений провідник рухається в магнітному  переміщення постійного магніту,
полі і переходить в область сильнішого поля. відносно нерухомого провідника;
Тоді кількість ліній індукції, які охоплює  переміщення контуру, відносно
провідник, збільшиться. Навпаки, при русі нерухомого магніту;
провідника в область слабшого поля число  замикання та розмикання струму в
ліній індукції, які охоплює провідник обмотці нерухомого електромагніту,
зменшиться. Але магнітне поле є поле вихрове розміщеного поблизу провідника;
(§5.6), і його лінії індукції завжди замкнені.  відносне переміщенні контуру і
Внаслідок цього лінії індукції поля зчеплені з електромагніту;
дротяним контуром, як ланки ланцюга  зміну магнітної індукції поля
(рис.7.4). електромагніту (виймання осердя при сталому
струмі в обмотці або зміну струму реостатом);
 зміну комутатором напрямку струму в
обмотці електромагніту;
 постійний рух контуру в
неоднорідному магнітному полі;
 обертальний рух контуру в
однорідному магнітному полі.
Відкриття електромагнітної індукції
Рис.7.4.
мало величезне наукове і технічне значення. Це
Тому всяка зміна кількості ліній індукції, явище показало, що можна не тільки створити
які охоплює контур, може статися тільки магнітне поле за допомогою струмів, а й,
внаслідок перети у ними дротяного контуру. навпаки, мати електричні струми за допомогою
Точно так само, коли провідник перебуває у магнітного поля. Цим було остаточно
спокої, але змінюється величина магнітної встановлено взаємний зв'язок між
індукції. То при підсиленні поля густота ліній електричними і магнітними явищами. Завдяки
126
Закон Ленца. Основний закон електромагнітної індукції
явищу електромагнітної індукції можна магнітом дротяну котушку, так щоб магніт міг
перетворювати механічну енергію в вільно входити в неї і сполучимо котушку з
електричну, а також передавати електричну гальванометром. Швидко всунемо тепер магніт
енергію з одного кола в інше. у котушку, переміщаючи його рукою згори
Технічне значення цього відкриття вниз. При цьому в колі котушки виникне
полягає в тому, що на явищі електромагнітної індукційний струм і гальванометр дасть відкид.
індукції ґрунтується дія всіх потужних джерел
струму (промислових генераторів постійного та
змінного струму, трансформаторів тощо), без
яких сучасний розвиток електротехніки був би
неможливим.
S
§7.2 Закон Ленца N
Фарадей встановив, що напрямок

індукційного струму в провіднику залежить від
характеру зміни (збільшення, чи зменшення)
магнітного потоку (∆Ф>0, чи ∆Ф<0) через його
контур. Якщо при внесенні постійного магніту
в котушку стрілка гальванометра відхиляється
в один бік, то при вийманні магніту вона
Рис.7.5.Демонстрування закону Ленца.
відхиляється в інший бік.
Загальне правило, за допомогою якого Запам’ятавши напрям індукційного струму
можна визначити напрямок індукційного (напрям відхилення стрілки), розімкнемо коло і,
струму в замкненому провіднику, сформулював залишивши магніт всередині котушки,
Е.Х. Ленц: приєднаємо кінці проводів до батареї елементів
І дукцій ий трум у замк е ому (гальванометр перед цим треба зашунтувати, бо
провід ику завжди має такий апрямок, що струм від батареї буде значно більший, ніж
творе ий цим трумом вла ий маг іт ий індукційний). Якщо струм в котушці має той
потік протидіє тим змі ам зов іш ього самий напрям, який мав індукційний струм, то
маг іт ого току, які збуджують і дукцій ий магніт виштовхуєть я з котушки.
трум. Закон Ленца справджується і в тих
Стисло закон Ленца можна подати випадках, коли провідники нерухомі, а
так: і дукцій ий трум у в іх випадках змінюється магнітне поле (величина стуму). У
апрямле ий так, що його дія протилеж а дії цьому випадку індукційні струми завжди
причи и, яка зумовила ви ик е я цього спричиняють таке поле, яке прагне протидіяти
труму. Пояснимо закон Ленца на прикладі. змінам зовнішнього поля, які спричинили ці
Зрівноважимо прямий магніт (рис.7.5) так, щоб струми. Так, наприклад, якщо в досліді
він міг переміщуватися з малим тертям у (рис.7.2) котушки нерухомі, то при вмиканні
вертикальному напрямі. Розмістимо під струму в котушці 2 (його наростанні) напрям
127
Основний закон електромагнітної індукції
струму в котушці 1 буде протилежний ліній індукції, що проходять через площу,
(індукційний струм прагне послабити обмежену дротяним контуром, змінюється
наростаюче поле котушки 2), а при вимиканні (рис.7.4). Але певне число ліній магнітної
струму в котушці 2 (його зменшенні) струм у індукції, що проходять через яку-небудь
котушці 1 буде напрямлений так само, як і в поверхню, створює магнітний потік через цю
котушці 2, прагнучи підтримати магнітне поле, поверхню. Звідси можна зробити висновок, що
яке послаблюється. причина виникнення е.р.с. електромагнітної
Закон Ленца випливає із закону індукції є зміна маг іт ого потоку.
збереження енергії. Справді, індукційні струми, Аналізуючи результати дослідів Фарадея,
як і всякі електричні струми, виконують певну Максвелл встановив, що у всіх випадках е.р.с.
роботу. Це означає, що при русі замкненого електромаг іт ої і дукції пропорцій а
провідника в магнітному полі повинна бути швидко ті змі и маг іт ого потоку через
виконана додаткова робота зовнішніх сил. Ця площу, обмеже у ко туром. Або, інакше:
робота і виникає тому, що індукційні струми, dФ dt (7.1)
взаємодіючи з магнітним полем, спричиняють
де е.р.с. індукції , Ф магнітний потік, t –
сили, напрямлені протилежно рухові, тобто
час, а k – множник пропорційності, який
перешкоджають йому переміщатись.
залежить від вибору системи одиниць. Е.р.с.
§7.3.Основний закон електромагнітної електромагнітної індукції вважають
індукції позитивною, якщо магнітний момент
відповідного їй індукційного струму утворює
Індукційний струм у замкненому
гострий кут з лініями магнітної індукції того
провіднику, опір якого , виникає під дією
поля, яке наводить цей струм (рис.7.6).
е.р.с. яку можна виразити за законом Ома: dФ <0
pm
dt
Оскільки та сама е.р.с. у провідниках з B B
різним опором створює неоднакові струми, то
для кількісної характеристики явища
Ii Ii
електромагнітної індукції зручніше
користуватися величиною , а не силою
dФ pm
індукційного струму . dt > 0
Внаслідок численних дослідів a б
Рис.7.6.
Фарадей встановив основний кількісний закон
електромагнітної індукції. Однак ми Тоді у випадку, зображеного на
розглянемо спочатку інше формулювання цього рис.7.6,а <0, а для зображеного на рис.7.6,б
закону, яке дав згодом Максвелл. 0. В системі СІ k= 1 і
У §7.1 ми бачили, що індукційний
dФ dt. (7.2)
струм, а отже, і е.р.с. індукції, виникають
Знак " " є математичним виразом
тільки тоді, коли провідник перети ає лінії
правила Ленца. Ця формула, яка об’єднує
магнітної індукції, тобто коли повне число
128
Пояснення закону електромагнітної індукції
закони Фарадея і Ленца, є математичним закон Фарадея – є наслідком закону збереження
виразом основного закону електромагнітної енергії.
індукції, яку дав Максвелл: електрорушій а Помістимо в однорідне магнітне поле
ила електромаг іт ої і дукції в замк е ому з індукцією провідник CD завдовжки l з
ко турі чи лово дорів ює і протилеж а за опором R, який є ділянкою замкненого кола
з аком швидко ті змі і маг іт ого потоку CDKLC (рис.7.7). Опором з’єднувальних
крізь поверх ю, обмеже у ко туром. Якщо провідників DK, KL і LC нехтуємо. Провідник
е.р.с. індукції виникає при зміні магнітного DC рухається без тертя по ділянках DK і
потоку, який пронизує котушку з N витків, то її LC.Джерело постійного струму з е.р.с.
величина буде відповідно в N разів більшою, внутрішнім опором r створює в замкненому
ніж для одного витка, тобто:
колі за законом Ома струм І: І При
Ф d /dt, (7.3)
цьому на провідник діє сила Ампера (5.7)
dh
де Ф – повний магнітний потік через D K
котушку, що носить назву потокозчепле я.
На основі закону електромагнітної I l
εr
індукції можна дати визначення одиниці
магнітного потоку вебера: 1Вб – це такий
F
.B
магнітний потік, при зменшенні якого до нуля, dS

протягом 1с в колі, яке він пронизував, виникає
е.р.с. індукції в 1В.
L
C
Формула (7.2) виражає закон
Рис.7.7.
електромагнітної індукції в загальній формі.
Вона застосовна як до нерухомих контурів, так , внаслідок чого провідник
і до рухомих провідників у магнітному полі. переміщуватиметься прискорено і за час dt
Похідна від магнітного потоку по часу, що пройде шлях dh. При проходженні струму І в
входить до неї, у загальному випадку,
замкненому колі CDKLC протягом часу dt
складається з двох частин, одна з яких
відбуваються такі процеси:
зумовлена зміною магнітної індукції з часом, а
а) виконується робота по подоланню
друга – рухом контура відносно магнітного
електричного опору R+r кола:
поля (або його деформацією).
б) виконується механічна робота при

переміщенні провідника на шляху dh:
§7.4.Пояснення закону електромагнітної
індукції Ф
За законом збереження енергії сума
1.Виведення закону електромагнітної
робіт і повинна дорівнювати повній
індукції із закону збереження енергії.
роботі джерела струму
Німецький фізик Гельмгольц показав,
що основний закон електромагнітної індукції – ,
тобто
129
Ф= дорівнює е). Дія цієї сили еквівалентна дії на

Звідси: електрон, електричного поля (рис.7.8,а),
Ф напруженість якого
. (7.5)
Ця формула визначає закон Ома для Це поле не електростатичного
замкненого кола, яке поміщене в магнітне поле. походження. Згідно (4.25) його циркуляція по
Роль діючої е.р.с. в такому колі відіграє вираз: контуру Г дає величину е.р.с., яка індукується в
Ф Ф контурі:
або
Ф
Додатковий член ( , який (7.6)
відрізняється від нуля тільки у разі зміни
магнітного потоку через поверхню dS повинен (підінтегральна функція відмінна від нуля
мати розмірність е.р.с.. Він і визначає е.р.с. тільки на ділянці перемички 1-2, яка рухається).
Ф Будемо вважати позитивною в
індукції :
тому випадку, коли її напрямок утворює з
напрямком нормалі до контуру
2.Пояснення закону електромагнітної
індукції за допомогою сили Лоренца правогвинтову систему.
Виберемо обхід по контуру за
Розглянемо контур з рухомою
годинниковою стрілкою, тоді нормаль буде
перемичкою 1-2 (рис.7.8). Розмістимо його в
мати напрямок , як показано на (рис.7.8 а). При
однорідне магнітне поле, яке перпендикулярне
розрахунку циркуляції необхідно обходити
до площини контуру і направлене за рисунок.
контур за годинниковою стрілкою і відповідно
хід
об
1 n υ dt вибрати напрямок вектора . Якщо в (7.6)
×
B × E υ винести постійний вектор за знак
l l dS інтегралу, то отримаємо:
n× F
.
=
dl
l×υdt
2
εi
а б
де вектор, який показаний на (рис.7.8,б.).
Рис.7.8. Здійснимо в отриманому виразі циклічну
Приведемо перемичку в рух із швидкістю . З перестановку векторів (множників), після чого
тією ж швидкістю відносно поля стануть помножимо і розділимо його на :
переміщуватись і носії струму в перемичці – (7.7)

електрони. В результаті на кожний електрон
почне діяти направлена вздовж перемички Із (рис.7.8,б) видно, що , де
магнітна сила приріст площі контуру Г за час . За
визначенням магнітного потоку вираз
(7.4)
(див.§5.10, формула (5.47)); заряд електрона
130
є потік через площадку , тобто приріст (ця складова не вносить вкладу в циркуляцію,
потоку Ф через контур Г. оскільки перпендикулярна до ). Повна
Тоді магнітна сила, яка діє на електрон
Ф
Із врахуванням цього виразу (7.7) провід
перепишеться так:
B Fзовн
Ф
+
(7.7')
F﬩ e υ
-
Таким чином, ми отримали закон (7.2) за υ
=
Ф
допомогою сили Лоренца. мають
F
=
протилежні знаки. Знак потоку і знак
зв’язані з вибором напрямку обходу по
Рис.7.9.
контуру Г (напрямком нормалі). На рис.7.8,а
Ф Робота цієї сили над електроном за час
знак позитивний, а зна негативний.
Якби ми вибрали обхід проти годинникової
стрілки (нормаль направлена на нас), то знак
Ф
був би негативний, а знак позитивний. При цьому враховано вирази для сил ,а
також те, що напрямок векторів і
Зауважимо, що в міркуваннях, які
привели нас до формули (7.7'), роль сторонніх однакові, а векторів і протилежні.
сил, які підтримували струм в контурі, грають Таким чином, робота повної магнітної
магнітні сили. Робота цих сил над одиничним сили над зарядом дорівнює нулю.
позитивним зарядом, яка дорівнює за Наведене нами пояснення виникнення
визначенням е.р.с., відмінна від нуля. Ця е.р.с. індукції належить до випадку, коли
обставина начебто суперечить твердженню про магнітне поле постійне, а змінюється геометрія
те, що магнітна сила роботи над зарядами не контуру. Однак магнітний потік через контур
виконує. Це протиріччя зникає, якщо може змінюватись також внаслідок зміни .В
врахувати, що сила (7.4) є не повна магнітна цьому випадку виникнення е.р.с. є принципово
сила, що діє на електрон, а лише її складова, що іншим і це головне у відкритті Фарадея.
діє паралельно проводу і обумовлена
3. Пояснення закону електромагнітної
швидкістю ( сила рис.7.9). індукції за допомогою вихрового
Під дією сили електрон починає електричного поля
рухатись вздовж проводу із швидкістю , в Розглянемо випадок електромагнітної

результаті чого виникає перпендикулярна до індукції, коли провідний контур, в якому
проводу інша складова магнітної сили: індуктується струм, нерухомий, а зміна
магнітного потоку обумовлена зміною
магнітного поля. Виникнення індукційного
струму свідчить про те, що зміна магнітного
131
поля викликає появу в контурі сторонніх сил, У зв’язку з тим, що вектор залежить в
які діють на носії заряду. Ці сторонні сили не загальному випадку від часу і координат, ми
пов’язані ні з хімічними, ні з тепловими записали під знаком інтеграла символ
процесами в проводі; вони не можуть бути і
частинної похідної по часу (інтеграл
магнітними силами, тому що такі сили роботи
над зарядами не виконують. Залишається є функція тільки від часу). Формула
стверджувати, що індукційний струм (7.9) виражає закон електромагнітної індукції

обумовлений електричним полем, яке виникає в (7.2) записаний в іншій формі.
проводі. Позначимо напруженість цього Аналізуючи явище електромагнітної
поля (індекс в означає вихрове). Згідно індукції, Максвелл зробив висновок, що
в
(4.25), циркуляція цього поля по замкнутому причина виникнення е.р.с. індукції полягає у
контуру Г дорівнює е.р.с. що діє в цьому виникненні електрич ого поля (рис.7.11). При
контурі, тобто: B
. (7.8) ∂B> 0
Г в ∂t
Якщо враховувати закон (7.2) і вираз
Ф , то (7.8) можна переписати так:
в
Г
де інтеграл в правій частині береться по
довільній поверхні S, яка опирається на контур E
Рис.7.11.При зміні магнітного поля виникає вихрове
Г (рис.7.10).
електричне поле. Зображений на рисунку напрям
відповідає зростанню .
S B цьому провід ики відіграють другоряд у роль і

є тільки воєрід им приладом, який виявляє це
Iінд ∂B поле. Під дією поля електрони провідності в
εі ∂t >
0 дротині приходять у рух; коли дротина
замкнута, у ній виникає індукційний струм.
Істотна особливість цього явища та, що
Г електричне поле, яке виникає, не є
Рис.7.10. електростатичним. Силові лінії
Оскільки контур і поверхня нерухомі, електростатичного поля завжди розімкнені.
операцію диференціювання по часу і Вони починаються і закінчуються на
інтегрування по поверхні можна поміняти електричних зарядах, відповідно до цього
місцями: циркуляція вектора в електростатичному полі

завжди дорівнює нулю. Через це
Г в . (7.9)
електростатичне поле не може підтримувати
замкнутий рух зарядів і отже, не може
132
призвести до виникнення електрорушійної магнітне поле. Нерухомий провід з постійним
сили. Навпаки, електричне поле, яке виникає струмом створює в кожній точці простору
при електромагнітній індукції, має замкнені постійне магнітне поле. Однак відносно інших
силові лінії, тобто є вихровим полем. Таке поле інерціальних систем цей провід знаходиться в
спричинює в дротині рух електронів по русі. Тому магнітне поле в будь-якій точці з
замкнутих траєкторіях і веде до виникнення даними координатами x,y,z, яке він створює,
електрорушійної сили; при цьому сторонніми буде змінюватись з часом, і, отже,
силами є сили вихрового електричного поля. породжувати вихрове електричне поле. Таким
Циркуляція вектора по замкнутому контуру в чином, поле яке відносно деякої системи
цьому полі не дорівнює нулю; її значення між відліку є «чисто» електричним, або «чисто»
двома якими-небудь точками вже не магнітним, відносно інших систем відліку буде
визначається тільки положенням цих точок, як являти собою сукупність електричного і
це було у випадку електростатичного поля, але магнітного полів, які утворюють єдине
залежить ще від форми контура (провідника), електромагнітне поле.
який сполучає ці точки. Таким чином,
електричне поле може бути як потенціальним,
§7.5 Самоіндукція. Індуктивність
так і вихровим. В загальному випадку,
електричне поле може складатись із поля , Явище електромагнітної індукції
яке створюється зарядами, і поля спостерігається в усіх випадках, коли
в, яке
обумовлене змінним магнітним полем. Сумарне змінюється магнітний потік, який пронизує
контур. Зокрема, цей потік може створюватися
поле в але
струмом, який проходить в самому
розглядуваному контурі. Тому при всякій зміні
Тому співвідношення (7.9) можемо переписати величини струму в якому-небудь контурі в
так: ньому виникає е.р.с. індукції, яка спричиняє
додатковий струм у контурі. Це явище
. (7.10)
називається амоі дукцією, а додаткові струми,
Це рівняння є одним із основних в які спричинюються е.р.с. самоіндукції
електромагнітній теорії Максвелла. ек тра трумами самоіндукції.
Існування взаємозв’язку між На рис.7.12 подано схему досліду для
електричним і магнітним полями (що спостереження екстраструмів. Котушка, яка має

виражається наприклад рівнянням (7.10)) є кілька тисяч витків дроту, увімкнена в коло, що
причиною того, що окремий розгляд містить батарею , реостат R і вимикач K.
електричного і магнітного полів має тільки Паралельно до котушки приєднаний "грубий"
відносний зміст. Дійсно, електричне поле гальванометр Г. При замкненому ключі струм
створюється системою нерухомих зарядів. батареї розгалужуються: його частина I
Однак, якщо заряди нерухомі відносно деякої проходить через котушку, а частина — через
інерціальної системи відліку, то відносно інших гальванометр. Якщо розімкнути ключ, то
інерціальних систем, ці заряди рухаються, а магнітний потік у котушці зникатиме і в ній
отже породжують не лише електричне, а й виникне екстраструм самоіндукції (ек-
133
Самоіндукція. Індуктивність
тра трум розмика я). Згідно з законом це поле можна вважати однорідним. Нехай весь
Ленца, він перешкоджатиме спаданню маг- об'єм магнітного поля соленоїда заповнений
нітного потоку, тобто буде напрямлений у однорідною речовиною з відносною магнітною
котушці так само, як і спадний струм. Цей проникністю µ. Якщо змінювати струм в
екстраструм проходить повністю через соленоїді, то власний магнітний потік Ф, який
гальванометр (ключ K розімкнутий), де його пронизує його поперечний переріз, теж
напрям протилежний початковому струму . змінюватиметься. Магнітний потік крізь площу
Тому гальванометр дає відкид у зворотний бік. S, що обмежена одним витком, дорівнює:
При замиканні ключа (установленні струму) в
Ф µµ µµ
котушці також виникає екстраструм
(ек тра трум замика я). Його напрям у де довжина соленоїда, ,
Γ I1
За законом Фарадея:
Is Ф
µµ .
L Припустимо, що сили, які деформують
. . соленоїд, дуже малі і тому l і S залишаються
R I сталими. Якщо всередині соленоїда
ε
. ..K знаходиться феромагнітне осердя, то магнітний
потік Ф змінюється не лише внаслідок зміни
сили струму І, але і від зміни µ. Позначимо:
Рис.7.12.Спостереження екстраструму самоіндукції.
L= . (7.11)
котушці протилежний зростаючому струму
батареї. Однак у випадку замикання Тоді:
екстраструм розподіляється між батареєю і .
гальванометром і, крім того, його напрям у
Якщо магнітна проникність середовища µ не
гальванометрі — такий самий, як і в
змінюється, то L=const і
наростаючого струму батареї. Тому
. (7.12)
екстраструм замикання помітно значно гірше.
Якщо помістити в котушку залізне Е.р. . амоі дукції прямо пропорцій а
осердя, то екстраструми значно збільшуються. швидко ті змі и или труму в ко турі.
У цьому разі гальванометр можна замінити Параметр L характеризує індивідуальні
невеликою лампочкою розжарювання. При властивості контуру. Його називають
розмиканні ключа лампочка дає яскравий коефіціє том і дуктив о ті, або просто
спалах. і дуктив і тю контуру. Індуктивність контуру
Розглянемо, від чого залежить е.р.с. залежить від форми контуру, його розмірів та
самоіндукції. Нехай котушка L (соленоїд) має N відносної магнітної проникності середовища, в
витків, по яких проходить струм I від зовніш- якому він знаходиться.
нього джерела. Цей струм створює в соленоїді З виразів (7.3) і (7.12) можемо
магнітне поле, яке зосереджене в його об’ємі і записати, що
134
Самоіндукція. Індуктивність
Вважаючи , R, L сталими, проінтегруємо

де потокозчеплення самоіндукції. останній вираз:
Після інтегрування ця рівність має вигляд:
.
Отже, і дуктив і тю замк е ого
ко туру азиваєть я каляр а величи а L. яка
де C довільна стала інтегрування.
дорів ює від оше ю потокозчепле я
Потенціюючи дане рівняння, отримаємо:
амоі дукції ко туру до или труму І в
цьому ко турі:
В початковий момент часу t = 0, сила струму
(7.13)
дорівнює . Тоді: .
Одиниця індуктивності — генрі (Гн): 1Гн В результаті:
індуктивність такого контуру, потокозчеплення
.
самоіндукції якого при струмі 1А дорівнює
Звідси знайдемо вираз для сили
1Вб.
струму:
Формулу (7.12) можна використати
для провідників довільної форми, якщо знайти
потокозчеплення , яке зв'язане з цим і
провідником при силі струму I. У виразі для
.
е.р.с. самоіндукції знак " " зумовлений
правилом Ленца і показує, що наявність I
індуктивності контура приводить до
ε
R
сповільнення зміни струму в ньому. Тобто
індуктивність контуру є мірою його інертності
R1 / L1 > R 2 /L2
відносно зміни струму.
Знайдемо закон зміни струму I в
електричному колі, показаному на рис.7.12, у 0 t
Рис.7.13.
випадку відсутності гальванометра під час
вмикання і вимикання з нього джерела е.р.с. Для випадку вмикання джерела е.р.с.
Сила струму I в колі за законом Ома , коли початковий струм , отримуємо
дорівнює: вираз для екстраструму замикання:
. (7.14)
Струм у колі поступово збільшується
якщо зовнішне магнітне поле постійне.
від нуля при , до значення /R , яке
Розділимо змінні в цьому рівнянні:
відповідає величині постійного струму
IR= , (рис.7.13). Зростання струму відбувається тим
швидше, чим більше відношення R/L.
, Для випадку вимкнення джерела ( =0)
. (7.15)
135
Взаємна індукція
Струм у колі поступово зменшується від при величині струму в ньому, яка дорівнює
початкового значення до нуля за одиниці. З порівняння (7.16) з (7.13) видно, що
експоненціальним законом. Струм зменшується розмірність така ж, як і розмірність
тим швидше, чим більше значення R/L, тобто
чим більший опір кола і чим менша його
індуктивність (рис.7.14).
B1
I
I0 I1
1 2
Рис.7.15.Магнітний зв'язок двох контурів.
R1/L1 >R2 /L2
індуктивності, і тому коефіцієнт взаємної
індукції вимірюється тими самими одиницями,
що й індуктивність. Так само, коли в контурі 2
0 t є струм деякої величини , то він створює
Рис. 7.14.
магнітний потік Ф через контур 1, причому
Ф (7.16, a)
Тут є коефіцієнт взаємної індукції контурів
2 і 1.
§7.6. Взаємна індукція
Можна показати, що для будь-яких
Розглянемо тепер два контури з двох контурів коефіцієнти взаємної індукції
струмом, наприклад два колові витки 1 і 2 завжди однакові:
(рис.7.15). Частина ліній індукції поля, яка
створюється контуром 1, проходитиме через Наявність магнітного зв’язку між
контур 2 , тобто буде зчеплена з цим контуром. контурами проявляється в тому, що при всякій
І навпаки, певна кількість ліній індукції зміні величини струму в одному з контурів у
поля, створюваного контуром 2, буде зчеплена другому контурі виникає е.р.с. індукції. За
з контуром 1. У цьому випадку ми говоримо, основним законом електромагнітної індукції
що між обома контурами існує маг іт ий (§7.3) маємо:
зв’язок. Індукція поля контура 1 Ф
пропорціональна величині струму в цьому (7.18)
Ф
контурі. Тому магнітний потік Ф через контур
2, який створюється контуром 1, також де — е.р.с. індукції, яка виникає в контурі
пропорціональний струму : 2, а — е.р.с. індукції в контурі 1.
Ф (7.16) Коефіцієнт взаємної індукції залежить
Коефіцієнт називається від форми і розмірів контурів, і від їх взаємного
коефіціє том, взаєм ої і дукції контурів 1 і 2. розміщення. Він залежить також від
Він, очевидно, дорівнює магнітному потоку властивостей навколишнього середовища.
через контур 2, що створюється контуром 1 Розглянемо простий приклад
136
Взаємна індукція. Власна енергія струму
визначення коефіцієнта взаємної індукції. Коли всередині котушок є осердя з
Нехай є дві тороїдні одношарові котушки 1 і 2,
Власна енергіяречовини
струму з магнітною проникністю µ,
які щільно прилягають одна до одної (рис.7.16).
магнітний потік збільшується в µ раз і
У цьому випадку всі лінії індукції поля, які
коефіцієнт взаємної індукції буде в µ раз
створюються однією котушкою, проходять і
більший.
через другу котушку. Індукція магнітного поля
котушки 1 дорівнює:
§7.7. Власна енергія струму

де кількість витків котушки 1,
Щоб збільшити струм в електричному
довжина тороїда по середній лінії. Це поле
колі, необхідно виконати деяку роботу. Цю
створює крізь один виток котушки 2 магнітний
роботу виконує джерело струму, увімкнене в
потік
коло. Навпаки, при всякому зменшенні струму
в колі вивільнюється деяка енергія і джерело
струму виконує меншу роботу, ніж при
1 постійному струмі. Розглянемо це питання
2
докладніше.
L
B
Рис.7.16.Дві обмотки з магнітним зв'язком.

R I
ε
2
. K
де S – площа перерізу котушок. Повний потік 1
крізь усі витків котушки 2 буде:
µ Рис.7.17.
Ф
Повернемось до кола, зображеного на
Звідки для коефіцієнта взаємної індукції
рис.7.17, що містить індуктивність і має
дістаємо вираз:
повний опір , і припустимо спочатку, що в
(7.19) ньому є постійний струм, який встановився.
Якщо обчислити магнітний потік, який Величина цього струму визначається
створюється котушкою 2 крізь котушку 1 , то електрорушійною силою джерела струму і
дістанемо: опором кола:
µ
Ф
Звідси ми знаходимо для коефіцієнта
За час в колі виділиться тепло Ленца —
взаємної індукції попередній вираз (7.19),
Джоуля . Оскільки , то
згідно з формулою (7.17).
137
Власна енергія струму. Енергія магнітного поля
Але права частина цієї рівності виражає роботу значення до Повна робота, яка
джерела струму за той самий час . Ми
Власна енергіяпотрібна для встановлення струму дорівнює:
струму
бачимо, що робота джерела точно дорівнює
теплу Ленца — Джоуля, а отже, щоб (7.20)
підтримати постійне магнітне поле котушки,
ніякої роботи виконувати не потрібно.
При вимиканні джерела струму робота
Уявимо собі тепер, що струм у колі
виділяється в колі; її виконують
збільшується зі швидкістю dI/dt. У цьому разі
екстраструми розмикання. Тому вираз (7.20)
в колі виникає ще е. р. с. самоіндукції яка дає енергію, яку запасає контур зі струмом.
спричинить екстраструм Вона називається вла ою е ергією труму.
Саме ця енергія і проявлялася в досліді §7.5
(рис.7.12) у вигляді відкиду стрілки
Він направлений проти струму і тому повна гальванометра і спалаху лампочки від
величина струму в колі буде екстраструмів розмикання.
У подальшому ми вважатимемо, що Корисно зіставити вирази для власної
процес збільшення струму відбувається дуже енергії контура зі струмом і енергії
повільно і при розрахунках врахову- зарядженого конденсатора (§3.4): /(2C) (q
ватимемо тільки члени першого порядку заряд конденсатора, його ємність). Енергія
малості.
конденсатора пропорційна квадрату заряду, а
У розглядуваному процесі за час
енергія струму пропорційна квадрату величи и
виділиться тепло Ленца—Джоуля
труму, тобто залежить від швидко ті руху
. Воно менше порівняно з випад- зарядів.
ком постійного струму на величину У механіці є два види енергії:
потенційна і кінетична. Потенційна енергія
стисненої пружини дорівнює /2, де х —
Тут є збільшення струму в колі за час .
зміщення кінця пружини, а k — її пружність
За цей самий час джерело струму
(жорсткість), а кінетична енергія рухомого тіла
виконає роботу = і тому
є /2, де т — маса тіла, а — його
батарея виконає меншу роботу:
швидкість. Розвиваючи аналогію між
(I- I)
електричними і механічними явищами, ми
бачимо, що енергія конденсатора відповідає
Отже, у випадку наростаючого струму робота
потенційній енергії в механіці, а власна енергія
джерела струму більша за кількість тепла, яке
струму — кінетичній енергії. При цьому
виділилося (в алгебраїчному розумінні).
величина 1/C, обернена ємності, аналогічна
Надлишок роботи джерела знайдемо так:
пружності (жорсткості) пружини k, а
.
індуктивність — масі тіла m.
Тому і є та робота, яка потрібна
для збільшення величини струму в колі від
138
Енергія магнітного поля. Взаємна енергія двох струмів
§7.8.Енергія магнітного поля є напруженість поля всередині котушки. Тому
Будь-який електричний струм завжди

оточений магнітним полем. Тому можна де – об’єм котушки. Ми бачимо, що
запитати, де саме зосереджена, локалізована, енергія однорідного магнітного поля
власна енергія струму: всередині проводів, де пропорціональна об’єму V, який займає поле.
рухаються електричні заряди, чи в магнітному Тому енергія одиниці об’єму поля, або об’єм а
полі, тобто в середовищі, яке оточують струми? гу ти а е ергії магнітного поля дорівнює:
Відповідь на це запитання може дати
тільки дослід. Однак, поки ми маємо справу з
постійними струмами, такі досліди неможливі, Оскільки індукція магнітного поля (формула
бо в цьому випадку струми завжди оточені (6.19) то
магнітним полем і, навпаки, магнітне поле
µµ
завжди супроводиться струмам, які його (7.21)
µµ
підтримують. Це стосується і постійних
магнітів, які також мають замкнені молекулярні Якщо магнітне поле неоднорідне, то
струми (див. розд.6). його можна розбити на нескінченно малі
Відповісти на це запитання можна елементи об’єму у кожному з яких поле
тоді, коли дослідити змінні магнітні поля або можна вважати однорідним. Енергія, яка є в
електромагнітні хвилі. В електромагнітних елементі об’єму буде . Повна енергія
хвилях ми маємо магнітні поля, які змінюються будь-якого магнітного поля дорівнює:
в просторі і часі і здатні існувати без струмів,
які їх підтримують. Оскільки електромагнітні , (7.22)
хвилі містять у собі і переносять певну енергію,
де інтегрування поширюється на весь об’єм V
то звідси ми робимо висновок, що е ергія
зайнятий магнітним полем.
зо ередже а в маг іт ому полі.
Знайдемо величину енергії, яка
міститься в одиниці об’єму магнітного поля.
Розглянемо замкнену тороїдну котушку. Її ін- § 7.9.Взаємна енергія двох струмів
дуктивність (формула 7.11) є
Обчислимо енергію магнітного поля,
, створеного двома контурами із струмом.
де µ магнітна проникність осердя тороїда, а Розглянемо найпростіший випадок двох
магнітна стала вакууму. Підставимо цей тороїдних котушок (рис.7.16), в яких магнітне
вираз у (7.20) і отримаємо: поле однорідне, що перебувають у вакуумі

( ). Напруженість сумарного поля
. всередині котушок:
Але врахувавши співвідношення (5.18) та (6.19)
отримаємо, що:
Вибір знака " +" або " залежить від того,
однакові чи протилежні напрями струмів в обох
139
Взаємна енергія двох струмів. Вихрові струми
котушках. В одиниці об’єму цього поля є б роботи Ми бачимо, що
енергія , а повна енергія, яка міститься в робота утворення струму в контурі в
усьому об’ємі поля , дорівнює: присутності другого контура зі струмом не
дорівнює роботі утворення того самого струму
у відокремленому від інших контурів. Вона
відрізняється на величину взаємної енергії обох
Скориставшись виразами для індуктивностей струмів .
і обох котушок (7.11) і їхнім Ми дістали формули (7.23) і (7.24),
коефіцієнтом взаємної індукції (7.19), розглядаючи окремий випадок тороїдних
знайдений результат можна подати в такому котушок. Однак легко впевнитися, що цей ре-
вигляді: зультат справедливий для будь-яких контурів
довільної форми, які перебувають у будь-якому
. (7.23)
середовищі.
Перший член цієї формули дає власну енергію

струму (7.20), а другий доданок виражає §7.10.Вихрові струми
власну енергію струму . Формула показує, що
енергія двох струмів у контурах, які мають Якщо в змінному магнітному полі
магнітний зв’язок, відрізняється від суми розміщений який-небудь масивний провідник,
власних енергій струмів на величину то вихрове електричне поле спричинює в цьому

провіднику індукційний струм. Густина цього
(7.24)
струму в якій-небудь точці провідника за
Вона називається взаєм ою е ергією двох
струмів. законом Ома дорівнює . Оскільки лінії
Зі сказаного видно, що причина напруженості замкнені, то й лінії струму

виникнення взаємної енергії струмів полягає в також замикаються всередині провідника,
тому, що в полі кількох контурів зі струмом внаслідок чого такі струми називаються
додаються напруженості поля (принцип вихровими трумами.
накладання, або суперпозиції полів), тоді як Вихрові струми спричинюють
енергія магнітного поля пропорціональна нагрівання провідників. Якщо всередині
квадрату напруженості, а квадрат суми не котушки зі змінним струмом помістити
дорівнює сумі квадратів. Уявімо собі, що ми провідне тіло, наприклад металевий диск,
спочатку створюємо струм в контурі 1, а орієнтований перпендикулярно до осі котушки,
струм . Для цього потрібна буде робота то диск можна розжарити до високої
температури і розплавити.
. Створюючи потім струм у контурі 2, ми
Нагрівання провідників вихровими
виконаємо роботу, яка згідно (7.23) дорівнює
струмами застосовують в індукційних
. Якби ми спочатку створили
металургійних печах для плавлення металів і
струм (а струм дорівнював би нулю), то приготування їхніх сплавів, в лабораторній
для цього потрібна була б робота Але практиці для розжарювання металів, а також
тоді наступне створення струму потребувало для приготування їжі та інших цілей. Вихрові
140
Вихрові струми
струми виникають також під час руху масивних обертатися в той самий бік, що й магніт
провідників у магнітному полі. Взаємодіючи з (рис.7.19).
магнітним полем, вихрові струми спричинюють Взаємодія вихрових струмів з
виникнення сил, що діють на рухоме провідне магнітним полем підлягає третьому закону
тіло, які за законом Ленца завжди протидіють Ньютона. Тому, якщо в останньому досліді
руху. Ця гальмівна дія дає змогу також легко замість магніту обертати диск, то магніт також
виявити вихрові струми. На рис.7.18 зображено приходить в обертання. Сили, які виникають
маятник з масивною сочевицею з червоної міді, від вихрових струмів і діють на рухомі
яка при коливаннях маятника проходить між провідники в магнітному полі використовують
полюсами електромагніту. При вимкненому в багатьох вимірювальних приладах (напр.
електромагніті маятник коливається завдяки електричні лічильники, електромагнітне
великій масі з дуже малим згасанням, але при заспокоювання вимірювальних приладів,
вмиканні електромагніту різко зупиняється. тахометри, тощо).
мідний диск
N S
Рис.7.19.Мідний диск, підвішений поблизу

Рис.7.18.Металевий маятник гальмується в обертового магніту, приходить в обертання.
магнітному полі внаслідок утворення вихрових
струмів.
У деяких технічних пристроях вихрові
струми відіграють шкідливу роль. Так,
Якщо мідній монеті надати
наприклад, у залізних осердях трансформаторів
можливість вільно падати без початкової
і обертових частинах електричних генераторів
швидкості між полюсами потужного
вихрові струми спричинюють некорисне
електромагніту, вона рухатиметься майже
нагрівання і зменшують к.к.д. цих пристроїв.
рівномірно з дуже малою швидкістю порядку
Для ослаблення вихрових струмів такі деталі
1см/с так, як тоді, коли рух відбувається в дуже
виготовляють з тонких листів, розділених
в’язкому середовищі. Якщо мідний диск
найтоншими шарами ізолятора, щоб ізолюючі
розмістити поблизу постійного магніту і
шари перетинали можливі лінії вихрових
привести магніт в обертання, то диск почне
141
Витіснення змінного струму (скін-ефект)
струмів. Суть цього прийому пояснюється(скін-ефект)
найменша на осі провідника. Ця
дослідом, який зображено на рис.7.20. нерівномірність тим більша, чим товстіший
провідник і чим більша частота змінного
струму, і при дуже великих частотах струм
В В
практично існує тільки в тонкому
поверхневому шарі, внаслідок чого явище і
а б називається скін-ефектом (від англ. s ki n —
Рис.7.20.Ослаблення вихрових струмів. У
шкірочка, поверхневий шар).
випадку а вихрові струми значно слабші, ніж у
випадку б. Це цікаве явище також пояснюється
виникненням вихрового електричного поля
Підвісимо кубик, набраний з тонких електромагнітної індукції. Розглянемо
металевих пластинок, на нитці, помістимо його провідник зі змінним струмом, і нехай в якийсь
між полюсами електромагніту і, закрутивши момент часу струм I має напрям, показаний на
попередньо нитку, спостерігатимемо обертання рис.7.21. Цей струм створює всередині
кубика при розкручуванні нитки. Якщо провідника магнітне поле H, силові лінії якого
підвісити кубик у положення а , то ізолюючі лежать у площині, перпендикулярній до осі
шари перетинатимуть лінії вихрових струмів провідника.
(одну з них зображено пунктиром). У цьому
випадку вихрові струми виникають тільки в
межах кожної з пластинок, їх дія дуже слабка I I
і кубик вільно обертається з великою кутовою
швидкістю. А якщо кубик підвісити в
H H
положення, як показано на рис.7.20,б, то
ізолюючі шари будуть паралельні лініям
E E
вихрових струмів і не перешкоджатимуть їх
утворенню. Кубик поводитиме себе так, ніби
а б
ізолюючих шарів не має зовсім, і по-
Рис.7.21.Пояснення витіснення змінного
вертатиметься дуже повільно внаслідок струму на поверхню провідника: H— магнітне поле
гальмівної дії вихрових струмів. струму; E — вихрове електричне поле, яке ним спри-
чинюється. а струм зростає, б струм спадає.
§7.11.Витіснення змінного струму Припустимо, що струм I

(скін-ефект) підсилюється. Тоді зростаюче магнітне поле H
спричинить виникнення вихрового
Якщо в однорідному провіднику з електричного поля Е (рис.7.21,а), яке біля по-
сталим поперечним перерізом є постійний верхні провідника напрямлене однаково зі
струм, то густина струму однакова в різних струмом I, а на осі провідника — протилежно
точках перерізу провідника. Інше струму. Отже, це поле підсилюватиме струм на
спостерігається при змінному струмі. У цьому поверхні і ослаблюватиме його на осі.
випадку густина струму неоднакова за Припустимо тепер, що струм І
перерізом: вона найбільша на поверхні і зменшується. У цьому випадку послаблююче
142
Витіснення змінного струму (скін-ефект)
магнітне поле H спричинить електричне поле Е,(скін-ефект)
Це призводить до зменшення діючого перерізу
яке буде напрямлене протилежно порівняно з провідника і, як наслідок, до збільше я опору
першим випадком (рис.7.21,б), тобто буде біля провідника. При високих частотах або товстих
поверхні протилежне струму, а на осі — проводах це збільшення опору може бути
збігатиметься зі струмом. В обох випадках, і значним.
при зростанні, і при послабленні струму I, Внаслідок нерівномірного розподілу
вихрове електричне поле на осі провідника струму в провіднику змінюється не тільки його
перешкоджатиме, а на поверхні сприятиме опір, а й індуктивність. Справді, при постій-
змінам струму I, а отже на осі провідника ному струмі магнітне поле виникає як у
змінний струм буде змінюватись слабо, а на зовнішньому просторі, так і всередині
поверхні сильно. провідника. За наявності значного скін-ефекту
Закон розподілу густини струму по струм існує практично тільки в поверхневому
перерізу провідника особливо простий, коли шарі і магнітного поля всередині провідника
провідник має форму плоского шару, товщина немає. Це означає, що магнітна енергія стає
якого 2D значно менша за ширину (пластина). меншою на величину енергії поля всередині
Розрахунок показує, що цей розподіл залежить провідника, а отже, індуктивність провідника
від величини зменшується.
Існування скін-ефекту завжди
µµ
, (7.25)
враховують у техніці швидкозмінних струмів.
яка називається глибиною проникнення струму. Оскільки такі струми практично не проходять у
Тут µ — магнітна проникність речовини глибину провідника, то провідні лінії для них
провідника, µ — магнітна стала вакууму, складають з порожнистих труб. У сучасній
питома електропровідність, ν частота радіотехніці надвисоких частот багато деталей
змінного струму. Виражаючи ці величини в (хвилеводи, коаксіальні лінії) покривають
одиницях системи СІ, d дістанемо в м. тонким шаром срібла (який є добрим
Якщо , то густина струму провідником), бо їхній опір практично
практично стала по перерізу провідника. Якщо зумовлений тільки поверхневим шаром.
(значний скін-ефект), то закон розподілу Скін-ефект у поєднанні з нагріванням
струму має приблизно такий вигляд: вихровими струмами використовують тепер з
великим успіхом для поверх евого гартува я
пов , (7.26)
талі. При цьому методі гартування на деталі
де j(y) — густина струму на відстані y від діють магнітним полем змінних струмів, які
дістають від спеціальних машин, і потім
поверхні провідника, пов — густина струму
швидко охолоджують. Внаслідок скін-ефекту
біля поверхні. З (7.26) видно, що глибина
розігрівання і наступне гартування мають місце
проникнення d є така відстань від поверхні
тільки в поверхневому шарі, а вся основна маса
провідника, на якій густина струму
залишається незагартованою. Це дає змогу
зменшується в e = 2,72... рази.
виготовити вироби з високою стійкістю поверх-
Завдяки скін-ефекту електричний
ні проти стирання, але не крихкі, як при
струм при високих частотах протікає
звичайному гартуванні.
переважно через поверхневий шар провідника.
143
Перше рівняння Максвелла
Контрольні питання Розділ

(скін-ефект) 8.Рівняння Максвелла
1.В чому суть явища
§8.1.Перше рівняння Максвелла
електромагнітної індукції ( ЕМІ)?
2.Сформулювати закон Фарадея У 60-х роках ХІХ століття Д. Максвелл,
для ЕМІ.
взявши за основу ідеї Фарадея про електричне і
3.Сформулювати і пояснити
магнітне поля, узагальнив закони, виведені
правило Ленца.
4.В чому суть явища експериментально, і розробив завершену
самоіндукції? теорію єдиного електромагнітного поля, яке
5.Записати вираз для е.р.с. утворюється довільною системою зарядів і
самоіндукції? струмів.
6.Як визначається кількість Теорія Максвелла є
електрики, що переноситься
феноменологічною теорією електромагнітного
індукційним струмом? Самостійно
вивести необхідну формулу із закону поля. Це означає, що у цій теорії не
Фарадея для ЕМІ. розглядається внутрішній механізм явищ, які
7.Пояснення явища ЕМІ за відбуваються в середовищі і викликають появу
допомогою сили Лоренца. електричних і магнітних полів.
8.Пояснення явища ЕМІ за Електричні і магнітні властивості
допомогою вихрового електричного середовища характеризуються у теорії
поля.
Максвелла трьома величинами: відносною
9.Самоіндукція. Індуктивність.
Е.р.с. самоіндукції. діелектричною проникністю , відносною
10.Взаємна індукція. Пояснити магнітною проникністю і питомою
залежність сили струму від часу в колах, електропровідністю . В теорії Максвелла
які містять індуктивність.
досліджується залежність від
11.Енергія магнітного поля.
12.Вивести формулу для енергії властивостей середовища, фізичний зміст цих
магнітного поля соленоїда. явищ, які відбуваються у ньому при його
13.Вивести формулу для поляризації і намагнічуванні.
густини енергії магнітного поля. Теорія Мак велла є макро копіч ою
14.Привести приклади теорією електромагнітного поля. У ній
використання явища ЕМІ в техніці
розглядаються електричні і магнітні поля, які
зв’язку ?
утворюються в об’ємах набагато більших, ніж
15.Які струми називаються
вихровими? Привести приклади об’єми окремих атомів і молекул. Крім того,
використання вихрових струмів. припускається, що відстані від джерел полів до
16.Чому швидкозмінні струми розглядуваних точок у багато разів більші від
"витісняються" на поверхню розмірів молекул.
провідника? У теорії Максвелла розглядаються
усереднені електричні і магнітні поля, причому
усереднення відповідних мікрополів
виконується для інтервалів часу, значно
більших від періодів обертання або коливання
144
Струм зміщення. Друге рівняння Максвелла
електричних зарядів і для ділянок поля, об’єми молекулах. Однак поняття струму зміщення ми
яких у багато разів більші від об’ємів атомів і застосовуємо і для вакууму, де ніяких зарядів, а
молекул. отже, і їх «зміщення» немає. Однак цей термін
Теорія Максвелла є теорією зберігся внаслідок історичних традицій.
близькодії, згідно з якою електричні і магнітні Поняття струму «зміщення» можна
взаємодії здійснюються за допомогою пояснити за допомогою такого досліду
електричних і магнітних полів і у яких вони зображеного на рис.8.1. Конденсатор з
поширюються зі скінченною швидкістю. позитивно зарядженою правою пластиною
Максвелл узагальнив закон розряджається через опір R. Навколо проводу
електромагнітної індукції для замкненого створюється магнітне поле . Згідно закону
нерухомого провідного контуру, що повного струму (6.14)
знаходиться у змінному магнітному полі, і
рівняння (7.10) є перше рів я я Мак велла.
Г
. (8.1)
де густина струму, який проходить через
Фактично рівняння (8.1) є
поверхню S, яка зв’язана з контуром Г. Через
математичним формулюванням закону
електромагнітної індукції Фарадея. + S
I
§8.2.Струм зміщення. Друге рівняння I
Максвелла H
Г
У попередніх параграфах ми бачили,
що всяке змінне магнітне поле спричинює H
вихрове електричне поле. Аналізуючи різні
електромагнітні процеси, Максвелл дійшов R
висновку, що повинно існувати й обернене
явище: в яка змі а електрич ого поля Рис.8.1.
причи ює ви ик е я вихрового маг іт ого
поверхню S, яка показана на рис.8.1 і на рис.8.2,
поля. Це твердження визначає найважливіші
протікає струм І, і для цієї поверхні (8.2) може
властивості електромагнітного поля і є другим
основним положенням теорії Максвелла. бути записана як d =I. Поверхня на
Оскільки магнітне поле є основною, рис.8.2 теж пов’язана з контуром Г і має
обов’язковою ознакою всякого струму, то однакові права на участь в законі (теоремі)
Максвелл назвав змінне електричне поле (8.2). Однак через цю поверхню не протікає
трумом зміще я, на відміну від струму ніякий струм. Тим не менше циркуляція по
провідності, зумовленого рухом заряджених контуру Г не може дорівнювати нулю, а це
частинок (електронів і іонів). Слід зауважити,
значить, що і
що цей термін ( трум зміще я) не є вдалим.
Тому рівняння (8.2) повинне бути
Він має деякий сенс у випадку діелектриків, бо
замінене якимось іншим, яке підходить для
в них насправді зміщуються заряди в атомах і
145
випадку, коли відбувається зміна розподілу Із цього виразу ми бачимо, що має
зарядів (сила струму I змінюється з часом). розмірність густини струму. Максвелл
Перепишемо (8.2) в такому вигляді: запропонував назвати вираз густиною
струму зміщення:
зм
і спробуємо вияснити, що представляє собою
Густина струму зміщення в даній точці
За теоремою Остроградського-Гауса
простору дорівнює швидкості зміни вектора
(2.19)
електричного зміщення в цій точці.
Струмом зміщення через довільну
Ф поверхню S називають фізичну величину, яка
дорівнює потоку вектора густини струму
де q – заряд правої пластини конденсатора, яка
зміщення крізь цю поверхню:
знаходиться всередині замкнутої поверхні
+S. Продиференціюємо вираз (8.4) за часом: Ф
зм зм
Ф
Таким чином, закон (8.2) необхідно записати
̗ так:
S
_
+ S
Г
(8.7)
зм пов
-q D +q
I I де пов зм повний струм, що дорівнює
сумі струмів провідності і конвекційних, а
Г також струму зміщення.

Тепер співвідношення (8.7) можна
назвати зако ом пов ого труму в загальному
випадку. Поняття струму зміщення усуває
Рис.8.2.Білими стрілками показаний струм у
провіднику. складність, що виникла в ситуації, яка показана
на рис.8.2. Оскільки заряд конденсатора
Якщо поверхня +S нерухома і не зменшується, то величина індукції
деформується, то зміни з часом потоку електричного поля, конфігурація якого для
зміщення через поверхню +S зумовлюються будь-якого моменту часу показана на рис.8.3,
лише зміною електричного зміщення з бігом зменшується. В цьому випадку вектор

часу. Тому повну похідну можна замінити направлений в сторону протилежну до
частинною похідною по часу і напрямку вектора . Векторна функція
диференціювання внести під знак інтеграла: (струм зміщення) на рис.8.4 зображена

чорними стрілками. Значить, у співвідношенні
(8.3) густина струму є густина струму
зміщення і
146
поворот полярних молекул, що містяться в
= ,
одиниці об’єму діелектрика. Густина струму
якщо поверхня S є на значній відстані від
зміщення в діелектрику
конденсатора.
зм
I
D де густина струму зміщення у вакуумі,
I
густина струму поляризації, що
I + +
I +
D I + + D обумовлений зміщенням або поворотом зарядів
I +
I + в діелектрику.
I +
I +
I
I
+
+ ̗
I + + S
I
I
+
+ + jзм
I I +
+
S
I
I I I
D
Рис.8.3.
jзм
Увівши уявлення про струм зміщення,
Максвелл зробив висновок про те, що кола
Рис.8.4.Струм провідності (білі стрілки), струм
будь-яких непостійних струмів замкнені так зміщення (чорні стрілки).
само, як і кола постійного струму. Замкненість
таких кіл забезпечується струмами зміщення, Струм зміщення у вакуумі не виділяє
які «проходять» у тих ділянках, де немає тепла. Густина цього струму тим більша, чим
провідників, наприклад, між обкладинками більша швидкість зміни напруженості
конденсатора під час його зарядки або електричного поля. Густину повного струму
розрядки. запишемо так:
За Максвеллом, струм зміщення, як і
пов
звичайні струми провідності, є джерелом
виникнення вихрового магнітного поля, Повний струм в колах змінного струму завжди
циркуляція напруженості якого по замкнений. Тепер співвідношення (8.7) можемо
замкненому контуру не дорівнює нулю. записати так:
В діелектрику вектор зміщення (8.10)

Г
згідно (2.18), складається з двох доданків:
Якщо струми провідності відсутні ( =0), то
+ де напруженість (8.10) перепишеться як:
електричного поля, вектор поляризації,
який характеризує дійсне зміщення
електричних зарядів у неполярних молекулах і Г
147
Рівняння Максвелла
Порівнявши (8.11) з (7.10), можемо сказати, що враховується феноменологічно, тобто без

(8.11) визначає наявність ового явища і дукції, розкриття внутрішнього механізму взаємодії
в якому змінне електричне поле речовин з полем.
супроводжується магнітним полем. Якщо це В основі теорії Максвелла лежать
явище індукції існує, то чому Фарадей його не чотири рівняння. Першим рівнянням
відкрив? Перш за все, він його не шукав; але Максвелла є співвідношення (8.1), яке зв’язує
існує і більш фундаментальна причина, чому значення із змінною з часом і є виразом
досліди, подібні до фарадеївських, не могли закону електромагнітної індукції.
виявити яких-небудь нових явищ, що пов’язані Перше рівняння Максвелла вказує на
із струмом зміщення (8.5). те, що джерелами електричного поля можуть
Щоб побачити нове явище індукції бути не тільки електричні заряди, але і змінні з
(8.11), потрібні швидкозмінні електричні поля. часом магнітні поля.
Ось чому від теоретичного відкриття струмів Другим рівнянням Максвелла є закон
зміщення Максвеллом до експериментального повного струму (8.10), який показує, що
доказу їх існування в дослідах Герца пройшло магнітні поля можуть збуджуватись або
багато років. рухомими зарядами (струмами), або змінними
Введення струму зміщення, який електричними полями.
визначається виразом (8.5), «урівняло у правах» Третім рівнянням Максвелла є
електричне і магнітне поля. Із явища теорема Остроградського-Гауса (2.19) для
електромагнітної індукції (8.1) витікає, що потоку вектора електричного зміщення крізь
змінне магнітне поле породжує електричне довільну замкнену поверхню S, що охоплює
поле. Із рівняння (8.11) витікає, що змінне сумарний заряд q:
електричне поле породжує магнітне поле.
Співвідношення (8.10) є другим рівнянням
Максвелла.
Якщо заряд розподілений всередині замкненої
поверхні з об’ємною густиною , то
§8.3.Рівняння Максвелла
Відкриття струму зміщення дозволило

Максвеллу створити єдину теорію електричних
і магнітних явищ. Ця теорія пояснила всі відомі Четвертим рівнянням Максвелла є теорема
того часу експериментальні факти і Остроградського-Гауса (5.24) для магнітного
передбачила ряд нових явищ, існування яких потоку крізь довільну замкнену поверхню :
підтвердилось пізніше.
Рівняння Максвелла пов’язують зміни
основних характеристик електромагнітного
Отже, повна система рівнянь Максвелла в
поля – векторів в даному
інтегральній формі має такий вигляд:
матеріальному середовищі з розподілом у
ньому електричних зарядів і cтрумів.
Середовище в рівняннях Максвелла
148
Рівняння Максвелла в інтегральній формі
точках самої поверхні. Однак можна
(8.14) перетворити ці рівняння в таку форму, щоб усі

величини стосувалися однієї точки поля. Для
цього рівняння Максвелла необхідно
застосувати до контурів і поверхонь, які зв'язані
(8.14)
між собою, нескінченно малих величин.
Для цього розглянемо деякі
Величини, що входять в рівняння Максвелла
математичні поняття. Оператор набла, або
(8.14), не є незалежними. Між ними є зв’язок
оператор Гамільтона позначають символом і
(2.21), (6.19), (4.14):
під ним розуміють вектор з компонентами
.
Тобто:
Зазначимо, що до першого та четвертого
рівняння Максвелла входить лише основні
характеристики поля , а в друге і третє – Сам по собі цей вектор смислу не має. Він
лише допоміжні величини . Рівняння набуває змісту в поєднанні із скалярною або
Максвелла несиметричні відносно полів. Це векторною функцією, на яку він символічно
зв’язано з тим, що в природі існують лише множиться. Так, якщо помножити вектор на
електричні заряди, а магнітних зарядів немає. скаляр , то отримається вектор:
Для стаціонарних полів (
) рівняння Максвелла мають
такий вигляд який є градієнтом функції (див.
співвідношення (1.33)).
Якщо вектор помножити скалярно
Г
на вектор , то отримається скаляр
Г
(8.15)
В даному випадку електричні і магнітні поля (8.18)
існують незалежно одне від одного.
який є не що інше, як дивергенція вектора
(див.1.36). Якщо помножити на вектор
§8.4.Рівняння Максвелла в векторно, то отримається вектор, компоненти
диференціальній формі
якого знаходяться за допомогою визначника
Рівняння Максвелла (8.14) застосовні
до поверхні будь-якої величини; тому
величини, які входять до них, стосуються
різних точок поля. Так, наприклад, у лівій
частині рівняння (8.10) є напруженість
Такий векторний добуток називають ротором
магнітного поля в точках контура Г, який
обмежує розглядувану поверхню S, тоді як вектора (в нашому випадку вектора , як
приклад). Із (8.19) знаходимо, що
потік у правій частині залежить від значень в
149
Рівняння Максвелла в диференціальній формі
(8.20)
Теорема Остроградського-Гаусса в
математиці записується так:
Оскільки замкнена поверхня S і пов’язаний з
нею об’єм V є довільними, то рівність
інтегралів замінимо на рівність підінтегральних
виразів. Тому:
де V – об’єм, обмежений замкненою поверхнею
S, деяка векторна функція.
Є теорема Стокса, яка математично
записується так: Співвідношення (8.23 – 8.26) є рівняннями
Максвелла в диференціальній формі, в яких
характеристики поля належать до
Г однієї точки простору. Кожне з векторних
де контур Г і поверхня S взаємопов’язані. рівнянь (8.23) і (8.24) еквівалентно трьом
Тоді перше і друге рівняння скалярним рівнянням, які зв'язують компоненти
Максвелла із урахування (8.22) можуть бути векторів, що стоять в лівій і правій частинах
записані так: рівності. Скориставшись формулами (8.18),
(8.19), (8.20), представимо рівняння Максвелла
в скалярній формі:
Г
(8.27)
Оскільки S є довільною поверхнею, яка .

пов’язана з контуром Г, то рівність інтегралів
можна замінити на рівність підінтегральних (перша пара рівнянь),
виразів і отримаємо:
Скориставшись теоремою Остроградського- .

Гаусса (8.21), третє (8.12) і четверте (8.13)
рівняння Максвелла перепишемо так: (друга пара рівнянь).
Всього вийшло 8 рівнянь, в які
входять 12 функцій (по три компоненти
150
Значення теорії Максвелла
векторів ). Оскільки кількість спричинені електричними струмами (теорія

рівнянь менша кількості невідомих функцій, то молекулярних струмів Ампера).
рівнянь (8.27 – 8.30) недостатньо, щоб знайти Особливе значення мало відкриття
характеристики полів за заданим розподілом електромагнітної індукції Фарадеєм. Фарадей
зарядів і струмів. Щоб виконати розрахунок виходив з основної ідеї про взаємозв'язок явищ
полів, необхідно доповнити рівняння природи. Він вважав, що коли струм здатний
Максвелла співвідношеннями (2.21), (6.19) і викликати магнітні явища, то і, навпаки, за
(4.14), а саме: допомогою магнітів або інших струмів можна
дістати електричні струми. Внаслідок
наполегливих і численних спроб, Фарадей
справді відкрив в 1831 р. це явище, яке ще
більше зміцнювало уявлення про зв'язок між
Сукупність рівнянь (8.23 – 8.26) і (8.31 – 8.33) електрикою і магнетизмом.
становить основу електродинаміки середовищ, Іншою найважливішою ідеєю в працях
які знаходяться в стані спокою. Фарадея було визнання основної визначальної
ролі проміжного середовища в електричних
явищах. Фарадей не допускав дії на відстані,
§8.5. Значення теорії Максвелла яка, як тепер добре відомо, фізично не має
сенсу, і вважав, що електричні і магнітні
Теорія Максвелла відіграла значну взаємодії передаються проміжним
роль у розвитку наших знань про електрику. середовищем і що саме в цьому середовищі
Щоб краще зрозуміти значення цієї теорії, відбуваються основні електричні і магнітні
потрібно згадати історичну послідовність процеси.
основних відкриттів у галузі електрики до У працях Максвелла ідеї Фарадея було
праць Максвелла. далі поглиблено й розвинуто і перетворено в
Кількісне вивчення електричних явищ точну математичну теорію. У теорії Максвелла
почалося з праць Кулона (1785 р.), який думка про тісний зв'язок електричних і
встановив спочатку закон взаємодії магнітних явищ дістала остаточне оформлення
електричних зарядів і поширив його пізніше на у вигляді двох основних положень теорії,
взаємодію "магнітних зарядів". Однак аж до розглянутих в 7.4 і 8.2, і була в строгій формі
1820 р. електричні і магнітні явища розглядали виражена у вигляді рівнянь Максвелла ( 8.3,
як різні явища, не зв'язані між собою. 8.4). Тому теорія Максвелла була
Відкриття Ерстедом у 1820 р. дії завершенням важливого етапу в розвитку
струму на магнітну стрілку показало, що між вчення про електрику і привела до класичного
магнітними й електричними явищами існує уявлення про електромаг іт е поле, яке
зв'язок і що магнітні дії можна дістати за містить у загальному випадку і електричне, і
допомогою електричних струмів. Магнітну дію магнітне поля, пов'язані між собою і здатні
струмів докладно вивчив Ампер, який дійшов взаємно перетворюватись одне в одне.
висновку, що всі магнітні явища в природі, в Рівняння Максвелла містять у собі всі
тому числі і пов'язані з постійними магнітами, основні закони електричного і магнітного
151
Види коливань. Загальні поняття
полів, включаючи електромагнітну індукцію, і Розділ 9. Коливання
тому є загаль ими рівняннями
електромагнітного поля в середовищах, які §9.1.Види коливань. Загальні поняття
перебувають у спокої.
Коливання це рухи або процеси, які
Теорія Максвелла не тільки пояснила
мають в тій чи іншій мірі повторюваність із
вже відомі факти, а й завбачила нові важливі
часом. Коливання властиві всім явищам
явища. Зовсім новим у цій теорії було
природи: пульсуюче випромінювання зірок,
припущення Максвелла про магнітне поле
всередині яких відбуваються циклічні ядерні
струмів зміщення ( 8.2). На основі цього
реакції; з високою ступінню періодичності
припущення Максвелл теоретично завбачив
обертаються планети Сонячної системи; рух
існування електромаг іт их хвиль, тобто
Місяця викликає припливи і відпливи на Землі;
змінного електромагнітного поля, яке
в земній іоносфері й атмосфері циркулюють
поширюється в просторі з скінченною
потоки заряджених і нейтральних частинок;
швидкістю. Теоретичне дослідження
вітри збуджують коливання і хвилі на
властивостей електромагнітних хвиль привело
поверхнях водоймищ і т. д. Всередині будь-
потім Максвелла до створення
якого живого організму безперервно
електромаг іт ої теорії вітла, за якою світло
відбуваються різноманітні процеси, які
є теж електромагнітними хвилями. У
циклічно повторюються, наприклад, з дивною
подальшому електромагнітні хвилі дійсно були
надійністю б’ється людське серце, навіть
виявлені під час досліду, а ще пізніше
психіка людей піддається коливанням. У
електромагнітна теорія світла, а з нею і вся
вигляді складної сукупності коливань частинок
теорія Максвелла, дістала повне і беззаперечне
і полів (електронів, протонів, фотонів та інших)
підтвердження.
можна представити «будову» мікросвіту.
Відкладемо розгляд електромагнітних
В техніці коливання або виконують
хвиль до вивчення електричних коливань і
певні функціональні обов’язки (маятник,
пружних хвиль.
коливальний контур, генератор коливань і т.
п.), або виникають як неминучий прояв
Контрольні питання:
фізичних властивостей (вібрації машин і
1.Чим відрізняється струм
споруд, нестійкості вихрових потоків під час
зміщення від струму провідності?
2.Поясніть, чому конденсатор русху тіл в газах і т. ін.).
проводить змінний струм і не проводить У фізиці виділяють коливання
постійний? механічні, електромагнітні та їх комбінації. Це
3.Які фізичні закони відображені обумовлено тією винятковою роллю, яку
в рівняннях Максвелла? відіграють гравітаційна й електромагнітна
взаємодія в масштабах, характерних для
життєдіяльності людини. За допомогою
розповсюдження механічних коливань густини
і тиску повітря, які сприймаються нами як звук,
а також дуже швидких коливань електричного і
магнітного полів, які сприймаються нами як
152
Види коливань. Загальні поняття
світло, ми отримуємо більшість прямої коливання різної форми, в яких будь-яке
інформації про оточуючий світ. значення повторюється через однакові
проміжки часу T, які називаються періодом
u u коливань, тобто . Величина, яка
t
обернена періоду і дорівнює числу коливань
a
u за одиницю часу, називають частотою коливань
ж t
t u ; користуються також круговою або
u б
циклічною частотою . У випадку
в t з t просторових коливань вводяться аналогічні
u
u поняття просторового періоду (довжини хвилі
t
u г ) і хвильового числа .
t Різновидами періодичних коливань є

і
д t u прямокутні (рис.9.1,б), пилкоподібні (рис.9.1, в)
u і найбільш важливі синусоїдальні, або
к t гармонічні коливання (рис.9.1,г). Останні
u можуть бути записані у вигляді
t
е (9.1)
л t
Рис.9.1. Різні види коливань:
а – періодичні коливання складної форми; б – де – амплітуда, максимальне значення за
прямокутні коливання; в – пилкоподібні; г – модулем величини , фаза, або
синусоїдальні; д – згасаючі; е – наростаючі; ж – початкове значення фази, – циклічна
амплітудно-модульвані; з – частотно-модульовані; і
частота.
– коливання модульовані по амплітуді і по фазі; к –
Для показаного на рис.9.1,д згасаючого
коливання, амплітуда і фаза яких випадкові функції; л
u - коливання
– випадкові коливання; величина, яка
коливається, t – час. , (9.2)
де – коефіцієнт згасання, – частота
згасаючих коливань. На рис,9.1,е показано
З вивченням коливань різної фізичної
природи виникла впевненість про можливість наростаюче коливання.
загального, «позапредметного» підходу до них, Для передачі інформації застосовуються
який базується на властивостях і модульовані коливання (рис.9.1,ж-і),
закономірностях коливальних процесів взагалі. амплітуда, фаза або частота яких змінюється за
В результаті з'яявилась теорія коливань і певним законом у відповідності з сигналом, що
хвиль, основним математичним апаратом якої передається. Наприклад, у радіомовленні
спочатку були диференціальні рівняння із високочастотні (ВЧ) коливання модулюються
звичайними похідними. коливаннями звукової частоти, які передають
Кінематика коливань дозволяє виділити мовлення, музику.
декілька прикладів (рис.9.1). Будемо говорити На рис.9.1,к показаний приклад
про коливання, які описуються функцією часу синусоїдального коливання, яке модульоване
по амплітуді і фазі випадковими функціями, а
. На рис.9.1, а-г, показані періодичні
153
Власні коливання
на рис. 9.1,л дана одна із реалізацій зовсім періодичне перетворення енергії системи з
неупорядкованого процесу («білого шуму»), кінетичної в потенційну і навпаки.
який тільки умовно можна віднести до Аналогічні процеси відбуваються при
коливань. електричних коливаннях. Найпростіший
електричний коливальний контур складається з
конденсатора і індуктивності, сполучених між
§9.2.Власні коливання собою (рис.9.3). Ми вважатимемо, що ємність
між витками котушки дуже мала порівняно з
Найпростішою коливальною
ємністю конденсатора, а індуктивність
системою в механіці є тягярець, який підвішено
конденсатора і з’єднувальних проводів мала
на пружині і який рухається без тертя (рис.9.2).
порівняно з індуктивністю котушки (контур із
При цьому ми припускаємо, що масою
зосередженими ємністю і індуктивністю, або
пружини
закритий коливальний контур). Припустимо,
t=0 t= 4Т t= Т2 t= 34 Т
що ми, розімкнувши контур, зарядили
конденсатор. Між пластинами конденсатора
з’явиться електричне поле E, яке матиме певну
m
Fпр Fпр=0 t=0 t= Т4 t= Т2 t= 34 Т
0 +
Fпр
X
E I E I
а б в г
Рис.9.2.Механічні коливання із зосередженими B B
масою і пружністю. пр сила пружності пружини.
a б в г
можна знехтувати порівняно з масою тягарця і Рис.9.3.Електричні коливання в контурі із
що вся пружність належить тільки пружині зосередженими індуктивністю і ємністю.
(система з зосередженими масою і пружністю).

енергію (рис.9.3,а). Замкнемо тепер
З механіки відомо, що тягарець, виведений із
конденсатор на індуктивність. Конденсатор
стану рівноваги, здійснює гармонічні
почне розряджатись і його електричне поле
коливання, при яких його відхилення від
зменшуватиметься. При цьому в контурі
положення рівноваги змінюється з часом за
виникне електричний струм розряджання
законом синуса (косинуса). Коли тягарець
конденсатора, внаслідок чого в котушці
перебуває в крайніх положеннях (а і в, рис.9.2),
індуктивності виникне магнітне поле B. Через
кінетична енергія тягарця дорівнює нулю, але
деякий час, що дорівнює чверті періоду
потенційна енергія пружини сягає максимуму.
коливання, конденсатор розрядиться повністю і
Навпаки, при проходженні тягарцем положення
електричне поле зникне зовсім. Але магнітне
рівноваги (б і г рис.9.2), кінетична енергія
поле при цьому досягне максимуму, а отже,
тягарця має найбільше значення, а потенційна
енергія електричного поля перетвориться в
енергія пружини, яка в цьому положенні і не
енергію магнітного поля.
стискується, і не розтягується, дорівнює нулю.
Тому розглядуване механічне коливання є
154
Рівняння власних коливань. Коливання при відсутності згасання
В наступні моменти часу магнітне §9.3.Рівняння власних коливань.
поле зникатиме, бо немає струмів, які б його Коливання при відсутності згасання
підтримували. Це зникаюче поле приведе до Для тягарця, що підвішений на
появи екстраструму самоіндукції, який за пружині і рухається вертикально (по осі ) без
законом Ленца прагнутиме підтримати струм тертя, рівняння руху, згідно з другим законом
заряджання конденсатора і матиме, отже, такий Ньютона, можна записати так:
самий напрям, як і цей останній. Тому , (9.3)
пр
конденсатор знову перезаряджатиметься і між
де – прискорення тягарця (друга
його пластинами виникне електричне поле
протилежного напряму. Протягом часу, який похідна по часу від його координати зміщення
дорівнює половині періоду коливання, магнітне відносно положення рівноваги). пр –
поле зникне зовсім, а електричне поле досягне сила пружності пружини, яка завжди
максимуму, і енергія магнітного поля знову направлена проти зміщення , – коефіцієнт
перетвориться в енергію електричного поля. пружності пружини, – маса тягарця.
Далі конденсатор знову розряджатиметься, і в
Тоді рівняння (9.3) можна переписати
контурі виникне струм, направлений
в такому вигляді:
протилежно струму в попередній стадії
, (9.4)
процесу. Після конденсатор знову буде
де
розряджений, а енергія електричного поля
знову перетвориться в енергію магнітного поля (9.5)
(рис.9.3,г) і т. д. Через проміжки часу, які
циклічна частота коливань. Рівняння (9.4)
дорівнюють повному періоду коливання ,
називається диференційним рівнянням власних
електричний стан контура буде такий самий, як
(гармонічних) коливань другого порядку,
і на початку коливань (рис.9.3,а).
однорідним з постійними коефіцієнтами.
Якщо опір контура дорівнює нулю, то
Розв’язком цього рівняння є співвідношення
такий процес періодичного перетворення
(9.1), які називаються рівняннями власних
електричної енергії в магнітну і навпаки
коливань в інтегральному вигляді. Величини
триватиме нескінченно довго і ми дістанемо
і в (9.1) знаходяться із початкових умов.
незгасаючі електричні коливання.
Розглянемо тепер кількісно власні
Механічні коливання, що виникають
коливання в електричному контурі на рис.9.3.
під дією сил, які розвиваються в самій
Для цього розглянемо коливальний контур
коливальній системі, називають власними
(рис.9.4). Будемо вважати, що електричні
коливанням. Вони виникають при всякому
процеси в контурі квазістаціонарні. Це
порушенні рівноваги коливальної системи.
означає, що миттєве значення величини струму
Подібно до цього, електричні коливання, що
— одне й те саме в будь-кому місці контуру і
відбуваються під дією процесів у самому
що до миттєвих значень електричних величин
коливальному контурі, дістали назву власних
можна застосовувати правила Кірхгофа. Нехай
електричних коливань. Розглянуті вище
заряд конденсатора , а струм в колі
коливання є, очевидно, власними.
155
Рівняння власних коливань. Коливання при відсутності згасання
. Тоді, згідно другого правила Кірхгофа і
(4.40), можна записати, що
, (9.6) Інтегрування останнього виразу дає, що
де — ,
напруга на конденсаторі, або
— е.р.с. самоіндукції, яка виникає в . (9.9)

котушці індуктивності . Вираз (9.9) є інтегральним рівнянням власних
(гармонічних) коливань заряду на конденсаторі.
-q E +q
. . Таким чином, заряд на обкладках
д
хі
об
I конденсатора змінюється за гармонічним

φ1 φ2
C законом з частотою, яка визначається виразом
R
(9.8). Ця частота називається власною
K
частотою контуру. Для періоду коливань
L
отримується так звана формула Томсона:
. (9.10)
Рис.9.4.
Для випадку ідеалізованого контуру Напруга на конденсаторі відрізняється
рівняння (9.6) запишеться так від заряду на множник
(9.11)
або
, (9.7) Продиференціювавши функцію (9.9)
по часу, отримаємо вираз для сили струму:
де
(9.8) (9.12)
Рівняння (9.7) математично еквівалентне
де — амплітуда сили струму. Таким
рівнянню (9.4), і воно є лінійним однорідним
диференційним рівнянням другого порядку із чином, сила струму випереджає по фазі напругу
звичайними похідними і зі сталими на конденсаторі на Врахувавши, що
коефіцієнтами, що описує коливання заряду на ,а , отримаємо, що
конденсаторі в контурі на рис.9.4. Розв’яжемо . (9.13)

рівняння (9.7). Для цього помножимо його на
I= і отримаємо: Порівнявши це співвідношення із
, законом Ома (4.8), величину називають

або
хвильовим опором контуру.
=0 . Енергія електричного поля
Звідки отримаємо, що конденсатора дорівнює:
. З цього співвідношення знаходимо, що . (9.14)
156
Додавання гармонічних коливань однакового напрямку
Енергія магнітного поля котушки обертального вектора амплітуди. Розглянемо

буде: рівняння (9.1), вважаючи, що зміна величини
еквівалентна зміщенню від положення
рівноваги коливальної системи . Із довільної
або точки , яка вибрана на осі , під кутом , що
дорівнює початковій фазі коливання,
(9.15) відкладемо вектор , модуль якого дорівнює
амплітуді коливання (рис.9.5).
̗
Сумарна енергія електричного і A ω0
магнітного полів
, (9.16)
що відповідає енергії, яка була надана контуру ω0t A

через заряджання конденсатора зарядом (до O . x
φ0
X
напруги ). Співвідношення (9.16) відображає x0
закон збереження енергії в ідеалізованому
контурі. Зауважимо, що формули і Рис.9.5.
співвідношення для механічних коливань Проекція вектора на вісь

можна отримати із формул і співвідношень для дорівнює зміщенню у момент початку
електричних коливань, і навпаки, зберігаючи відліку часу :
таку заміну: .
заряд конденсатора – зміщення Обертатимемо в площині рисунка
тягарця від положення рівноваги ; вектор амплітуди навколо осі , яка
перпендикулярна до площини рисунка, з
сила струму – швидкість
постійною кутовою швидкістю . За проміжок
коливань ; часу вектор амплітуди повертається на кут
індуктивність контуру – маса . Проекція вектора в цьому положенні на
тягарця ; вісь дорівнює:
величина –коефіцієнт пружності .
пружини . За час , що дорівнює періоду
коливань, вектор амплітуди повертається на кут
, а проекція його кінця зробить одне повне
§9.4.Геометричне зображення
коливання навколо положення рівноваги .
гармонічних коливань. Додавання
Отже, обертовий вектор амплітуди повністю
гармонічних коливань однакового
напрямку і однакової частоти характеризує гармонічне коливання.
Нехай точка бере участь у двох
Перш ніж розглядати додавання гармонічних коливаннях однакової частоти, які
коливальних рухів, спинимось на способі напрямлені вздовж однієї прямої:
зображення коливань за допомогою , (9.17)
157
Додавання гармонічних коливань однакового напрямку.Биття
. (9.18) Амплітуда результуючого

Ці коливання зручно додати, користуючись коливання залежить від різниці фаз початкових
методом обертального вектора амплітуди. Для фаз коливань, що додаються.
цього відкладемо з точки під кутом Можливі значення лежать в межах
вектор амплітуди , а під кутом – вектор . (9.22)
амплітуди (рис.9.6). Оскільки вектори і
обертаються з однаковою кутовою §9.5. Додавання гармонічних коливань
швидкістю, то різниця фаз між ними однакового напрямку з різними
постійна. Оскільки сума проекцій двох векторів частотами. Биття
на одну вісь дорівнює проекції на ту саму вісь Якщо частоти коливань (9.17) і (9.18)
вектора, який є їх сумою, то результуюче не однакові, то вектори і будуть
коливання можна подати вектором амплітуди обертатися з різною швидкістю. В цьому
, що дорівнює сумі векторів і : випадку результуючий вектор пульсує за
, величиною і обертається зі змінною швидкістю.
який обертається навколо точки з тією самою Результуючим рухом буде в цьому випадку не
кутовою швидкістю , що й вектори і . гармонічне коливання, а деякий складний
Результуюче коливання описується рівнянням коливальний процес.
, (9.19) Особливий інтерес становить випадок
де – амплітуда результуючого коливання, а коли два гармонічні коливання однакового
– його початкова фаза. напрямку, що додаються, мало відрізняються за

частотою.
A
Періодичні зміни амплітуди
▲
A2 sin φ 0 2 коливання, які виникають при додаванні двох

A2
гармонічних коливань одного напрямку з
▲
φ 02 близькими частотами, називаються биттями.

φ A1 A1 sinφ 0 1
O. φ 01
x1 x2 X
Нехай амплітуди коливань
, а частоти дорівнюють
x і .
A1 cosφ 0 1
A2 cosφ0 2 Тоді рівняння коливань матимуть
вигляд:
Рис.9.6. (9.23)
Застосовуючи теорему косинусів до Порівнюючи (9.23) з (9.17) і (9.18), можемо
одного з трикутників, на які паралелограм вважати, що ,а .
розбивається діагоналлю, з рис. 9.6 видно, що Використаємо формулу (9.20) і
(9.20) знайдемо амплітуду результуючого коливання

(биття).
. (9.21) б .
Звідки знайдемо, що
158
Биття.Додавання взаємноперпендикулярних коливань
б . (9.24) §9.6. Додавання взаємно-

перпендикулярних коливань
Фазу результуючого коливання знайдемо за
Нехай матеріальна точка одночасно
допомогою формули (9.21), а саме:
бере участь у двох гармонічних коливаннях з
однаковою частотою у двох взаємно-
Звідки перпендикулярних напрямках, як вздовж осі ,
так і вздовж осі (рис 9.8).
Y
Тоді результуюче коливання можна записати в
такому вигляді:
( 9.25) X
M
Для випадку, коли , (9.25) записують
так:
. (9.26)
Рис 9.8.
Отриманий вираз (9.26) є добутком
двох коливань. Оскільки , то множник Якщо збудити обидва коливання,
майже не зміниться, коли множник матеріальна точка буде рухатись вздовж деякої
криволінійної траєкторії, форма якої залежить
здійснює кілька повних коливань. Тому
від різниці фаз обох коливань.
результуюче коливання можна розглядати як
Виберемо початок відліку часу так,
гармонічне з частотою і амплітудою (9.24).
щоб початкова фаза першого коливання
X
T=2ωπ дорівнювала нулю. Тоді рівняння коливань
Aб 0
2A матимуть такий вигляд:
0 (9.28)
t
-2A Тб= Δ2ωπ де – різниця фаз обох коливань, і – їх
Рис.9.7. амплітуди коливань.
Ці вирази – параметрична форма
Частота зміни б удвоє більша від
рівняння траєкторії, вздовж якої рухається
частоти зміни косинуса (оскільки береться за
точка, що бере участь в обох коливаннях. Щоб
модулем). Частота биття дорівнює різниці
отримати рівняння траєкторії у звичайному
частот коливань, що додаються, тобто
вигляді, треба виключити з цих рівнянь
. Період биття
параметр . Проведемо наступні перетворення:
б . (9.27)
, ,
Суцільні лінії на рис.9.7 дають графік
результуючого коливання (9.26) у випадку
і графік амплітуди
б пунктирна лінія .
159
Додавання взаємноперпендикулярних коливань
Y
B
α A
. -A 0 X
-B
. Рис. 9.10.
В результаті отримаємо: 3). ,

Тоді рівняння траєкторії буде:
+ = . (9.29)
Це рівняння еліпса, осі якого

Це рівняння еліпса, осі якого
повернуті відносно координатних осей і .
збігаються з осями координат, а його півосі
Орієнтація еліпса і величини його півосей
дорівнюють відповідним амплітудам (рис.9.11).
залежать від амплітуд і і різниці фаз .
Y
Y .B
B
_ . .A X
A α A 0
._ B
0 A X
B Рис.9.11.
Якщо , то еліпс вироджується
Рис.9.9. в коло. Випадки
Розглянемо частинні випадки. і

1). , . відрізняються напрямком руху по еліпсу (колу)
Тоді (за годинниковою стрілкою, чи проти неї).
. Якщо частоти взаємно
перпендикулярних коливань, що додаються,
Звідси . Результуюче коливання є різні, то замкнена траєкторія результуючого
гармонічним вздовж прямої з частотою і коливання досить складна.
амплітудою (рис.9.9). Пряма Замкнені траєкторії, що кресляться
точкою, яка здійснює одночасно два взаємно
утворює з віссю кут
перпендикулярні коливання з різними
2). ,
частотами, називаються фігурами Ліссажу.
У цьому випадку і . Форма цих кривих залежить від
Результуючий рух – це гармонічне коливання співвідношення амплітуд, частот і різниці фаз
коливань, що додаються (рис.9.12).
вздовж прямої (рис.9.10).
Фігури Ліссажу можна спостерігати,
наприклад, на екрані електронно-променевого
160
Диференційне рівняння згасаючих коливань і його розв’язання
осцилографа, якщо до двох пар пластин, які сталими коефіцієнтами. Таке саме рівняння
відхиляють електронний промінь, підведені можна отримати для напруги і для величини
змінні напруги з рівними або кратними струму . Зауважимо, що коливання, які
φ π π 3π π описуються лінійними диференційними
ω1 0
4 2 4 рівняннями, називаються лінійними
ω2
1:1 коливаннями, а відповідні коливальні системи –
лінійними системами.
Розв’язок рівняння (9.31) будемо
1:2
шукати у вигляді
Рис. 9.12. (9.32)
частотами. Спостереження фігур Ліссажу – Підставимо (9.32) в (9.31),
зручний метод дослідження співвідношень між врахувавши, що
частотами і фазами коливань, а також і форми
коливань. За допомогою фігур Ліссажу і
знаходять невідомі частоти коливань.
Тоді отримаємо для змінної рівняння:

§9.7.Диференційне рівняння згасаючих (9.33)
коливань і його розв’язання Розв’язок цього рівняння має різний
Розглянемо цей випадок на прикладі вигляд залежно від співвідношення між
електричних коливань, що виникають в коефіцієнтами.
контурі, показаному на рис.9.4, що має 1). Допустимо спочатку, що
активний опір . Енергія, що запасається в (9.34)
контурі, в процесі коливань в контурі і тоді
поступово витрачається на нагрівання опору
, внаслідок чого вільні коливання згасають. (9.35)
Диференційне рівняння згасаючих При такій умові рівняння (9.33) перепишеться
коливань отримаємо із (9.6), розділивши його так:
на :
розв’язок якого по аналогії з (9.7) має вигляд

Прийнявши до уваги формулу (9.8) і ввівши
позначення де і – сталі, які визначаються з початкових
, (9.30) умов. Отже, розв’язком рівняння (9.31) буде
який носить назву коефіціє та зга а я, (9.36)

отримаємо рівняння
де – «амплітуда» згасаючих коливань,
(9.31)
– початкова амплітуда (максимальний заряд
Ми дістали лінійне диференційне рівняння конденсатора).
другого порядку із звичайними похідними і з
161
Характеристики згасаючих коливань
Амплітуда згасаючих коливань активного опору сила струму випереджає по
зменшується з плином часу, і тим швидше, чим фазі напругу (заряд) на конденсаторі більше,
більший коефіцієнт . ніж на ( при випередження складає ).
Величина (9.35) називається вла ою Дослідимо докладніше розв’язок
цикліч ою ча тотою зга аючих колива ь. (9.36) і знайдемо насамперед ті моменти часу, в
Графік залежності від часу наведений на які заряд досягає максимумів і мінімумів. Для
рис.9.13. цього за правилом знаходження екстремумів
-βt прирівняємо (9.37) нулю. Це дає:
q q=q0e cos( ωt+φ)
q0 -βt
q=q0e
qn qn+1
Нехай є який-небудь розв’язок цього
t рівняння. Тоді його розв’язками також будуть:
-q0
Рис. 9.13.
Щоб знайти силу струму в контурі, де
продиференціюємо (9.36) по часу: . (9.39)
При цьому легко впевнитись, що коли при

(9.37) маємо максимум , то всі значення , що
стоять у першому рядку, відповідають також
Помножимо і розділимо цей вираз на
максимуму , а всі значення другого
. Тоді рядка – мінімуму . Отже, хоч згасаючі
коливання не є періодичним процесом у
строгому розумінні цього слова, однак цей
процес має певну повторюваність у тому
розумінні, що максимальних і мінімальних
значень заряд (а також струм і напруга)
Якщо ввести кут , який визначається
набувають через однакові проміжки часу .
умовами:
Цей проміжок часу ми і
називаємо періодом згасаючих коливань.
Нехай і – максимальні
значення заряду конденсатора (рис.9.13) в двох
послідовних максимумах з номерами і (n+1) в
то можна написати, що
моменти часу і , причому .
(9.38) Згідно з (9.36) і (9.39), маємо:
Так як , а , то значення
знаходиться в межах від до .
Таким чином, при наявності в контурі
162
Характеристики згасаючих коливань
Поділивши почленно обидві ці рівності, . (9.43)

знаходимо:
Добротність контура є помножене на
(9.40)
число повних коливань, після закінчення яких
Ми бачимо, що відношення двох послідовних амплітуда зменшується в раз. Отже,
максимальних значень заряду не залежить від добротність контура тим вища, чим менше
номера максимумів, або, інакше кажучи, ці згасання коливань у ньому.
максимальні значення зменшуються в Формула (9.35) показує, що частота
геометричній прогресії. Відношення (9.40) електричних коливань залежить від
називається декрементом згасання, а його коефіцієнта згасання і не дорівнює частоті
натуральний логарифм коливань того самого контура при опорі
= lnD = (9.41) . Із збільшенням опору контура
логарифмічним декрементом згасання. частота зменшується, а період коливань
Логарифмічний декремент згасання збільшується.
можна визначити й інакше. Позначимо через Покажемо, що при слабкому згасанні
час, протягом якого амплітуда коливань (коли ) добротність коливальної
зменшується в раз. Тоді згідно системи з точністю до множника дорівнює
(9.36) відношенню енергії, яка запасена в системі в
даний момент, до зменшення цієї енергії за
один період коливань. Згідно (9.36), амплітуда
а отже, заряду конденсатора зменшується за законом
. Енергія, яка запасається в конденсаторі,
Поділивши почленно (9.41) на останнє пропорційна квадрату амплітуди заряду;
співвідношення, отримаємо: значить енергія конденсатора зменшується
за законом . Відносне зменшення енергії
за період коливань дорівнює
Тут – число повних коливань за час , який
називається часом релаксації. Отже,
логарифмічний декремент є величина обернена
до числа коливань, після якого амплітуда
зменшується в раз.
Для характеристики згасання При слабому згасанні (тобто при умові,
коливальних контурів часто користуються, що ) можна за формулами приблизного
особливо в радіотехніці, ще іншою величиною, підрахунку вважати, що . Тоді
яка називається добротністю контура і
позначають буквою . З логарифмічним
Скориставшись формулою (9.42)
декрементом вона зв’язана співвідношенням:
отримаємо, що
Через те, що , то
163
Аперіодичний процес
2). Розглянемо випадок, коли = . У цьому випадку частота , яка виражається

Це буде мати місце, коли опір коливального формулою (9.35), буде уявною. Це означає, що
контуру розв’язок (9.36) вже не існує, а отже, електричних
коливань у контурі не буде. В цьому випадку
= ,
розв’язок основного рівняння (9.31) має вигляд:
де називається критичним опором. Тоді
(9.45)
(9.33) прийме вигляд: Розв'язком цього
де
рівняння є: = a+bt. Це означає, що розв'язок
(9.32) буде мати вид:
,
де a і b визначаються із початкових умов,
наприклад, t=0, =0, I= Тоді a=0, а b= і а і – довільні сталі. Підставляючи (9.45) у
(9.31), можна впевнитись, що рівняння при цьому
задовільняється тотожно, а отже, (9.45) є справді
Цей розв'язок описує так званий
шуканим розв’язком. Через те, що , то
аперіодичний процес, графік якого показаний на
рис.9.14,а. Коливальна система, що виведена із і обидва дійсні і додатні.
положення рівноваги, повертається Значення сталих і визначаються
(експоненційно) в рівноважний стан. Такий з початкових умов задачі. Якщо такими є умови:
процес використовується в балістичних то

гальванометрах, приладах для вимірювання
кількості заряду, який протік через поперечний
переріз провідника в електричному колі Це дає, що
q
0 Після чого розв’язок (9.45) набирає

t
a
вигляду:
q
).
k 1e-k2 t t =.0 : q= q0 ,
I= q = 0
На рис.9.14,б зображено графічно обидва
0
доданки цієї формули (пунктир) і їх сума
t
(суцільна крива), яка відображає так званий
-k 2e -k1 t
б аперіодичний розряд конденсатора.
Рис.9.14. Аперіодичний процес в коливальному Якщо опір контура дуже великий, так що
контурі (а) та аперіодичний розряд конденсатора (б).
то і в останньому виразі можна
знехтувати другим доданком порівняно з
3). Припустимо тепер, що опір
першим, а в знаменнику порівняно з
контура великий наскільки, що
Тоді
164
Вимушені електричні коливання. Резонанс
самоіндукції в рівнянні (9.6). В результаті
Цей випадок відповідає розряду конденсатора. формула (9.6) приймає вид:
З вищезазначеного видно, що для (9.48)
можливості електричних коливань необхідно,
Після перетворення отримаємо рівняння
щоб виконувалась умова (9.34). Підставляючи
(9.49)
замість і їх значення (9.30) і (9.8) знаходимо
умову можливості коливань у вигляді: де і визначаються формулами (9.8) і
(9.30). Рівняння (9.49) називається
диференційним неоднорідним другого порядку
або рівнянням вимушених коливань.
= Загальним розв'язком рівняння (9.49)
є сума загального розв'язку лінійного
Формула (9.46) визначає итичний однорідного рівняння (9.31), тобто розв'язок
опі , при якому коливальний процес (9.36), і частинного розв'язку рівняння (9.49).
переходить в аперіодичний. Розв'язок (9.36) відіграє помітну роль лише на
початковій стадії виникнення вимушених
коливань. З часом внаслідок експоненційного
§9.8.Вимушені електричні коливання. множника роль доданка (9.36)
Резонанс
зменшується, амплітуда вимушених коливань
зростає, доки не досягне певного значення.
1.Щоб викликати вимушені
Серед частинних розв'язків рівняння
коливання, необхідно, щоб на коливальну
(9.49) є такий, який змінюється з часом
систему впливала зовнішня періодично змінна
синусоїдально з частотою зовнішньої
дія. У випадку електричних коливань це можна
вимушуючої сили (9.47). Будемо шукати його в
здійснити, якщо в електричне коло (рис.9.4)
комплексній формі, що можна робити, так як
включити послідовно з елементами контуру
всі математичні операції, з якими прийдеться
змінну е.р.с. або, розірвавши контур, подати на
мати справу, є лінійні і дійсні. Замінимо праву
контакти, які утворились, періодичну напругу
частину рівняння (9.49) на комплексну
(рис. 9.15):
C величину , тобто напишемо, що
R L
(9.50)
UR UL UC
Будемо шукати частинний розв'язок рівняння
~ (9.50) у комплексному вигляді. Знайшовши
U
Рис.9.15. його, відкинемо його уявну частину і
отримаємо розв'язок рівняння (9.49).
(9.47) Частинний розв'язок рівняння (9.50) шукаємо у
де амплітуда, а частота вимушуючої вигляді
сили. Цю напругу необхідно додати до е.р.с. (9.51)

звідки отримаємо, що
165
коливань залежить від і визначається

формулою (9.58). Коливання (9.59) відстають
по фазі від прикладеної напруги (9.47) на
величину яка визначається формулою (9.56)
Підставимо (9.51) в (9.50) і отримаємо
і теж залежить від .
(9.52) 2. Дослідимо отриманий результат.
Тоді частинний розв'язок (9.51) запишеться Продиференцюємо розв'язок (9.59) по і
так: знайдемо силу струму в контурі для коливань,
які встановились:
(9.53)
Розв'язок (9.53) тільки символічно представляє

вимушене коливання. В ньому повинна бути
де
залишена тільки дійсна частина. Для
Запишемо цей вираз у вигляді
знаходження останньої введемо позначення
(9.60)
(9.54)
де , є зсув по фазі між струмом і
де і величини дійсні і визначаються прикладеною напругою (9.47). У відповідності
згідно теорії комплексних чисел за формулами: з (9.56)
(9.55)
(9.56)
Із цієї формули витікає, що струм відстає за

Таким чином, розв'язок (9.53) може бути
записаний, як фазою від напруги (9.47) в тому
випадку, коли , і випереджає
(9.57) напругу (9.47) при умові, що
де . Згідно (9.58)
(9.58)
є амплітуда вимушених коливань. Виділивши у

(9.57) дійсну частину, отримаємо частинний Порівнюючи (9.62) із законом Ома
розв'язок рівняння (9.49) у вигляді
(4.8), бачимо, що визначає
(9.59)
опір кола. R називається активним
який для часу стане загальним опором, і реактивними опорами
озв'яз ом івняння (9.49), оскільки вільні (розглядаються в подальшому).
коливання, що описуються рівнянням (9.36), Представимо співвідношення (9.48) у
практично зовсім згаснуть. вигляді
Таким чином, вимушені коливання
будуть гармонійними з частотою
вимушуючої сили (9.47). Амплітуда цих
166
Добуток IR дорівнює напрузі на активному прикладеній напрузі . У відповідності з цим,

опорі, є напруга на конденсаторі , вираз напруга зображується на діаграмі вектором,
визначає напругу на індуктивності
з урахуванням цього можна записати UL
Таким чином, сума напруг (це векторна сума ωLIm

коливань) на окремих елементах контуру Um _ 1
(ωL
дорівнює в кожний момент часу напрузі, яка φ ωC)Im
прикладена зовні (рис.9.15).
1 I RIm UR вісь струмів
Згідно (9.60)
ωC m
UC
Розділивши вираз (9.59) на ємність, отримаємо
Рис.9.16.
напругу на конденсаторі:
який дорівнює сумі векторів , і .
(9.66) Зауважимо, що із прямокутного трикутника,
який утворений на діаграмі векторами , і
Тут де
різницею , легко отримати формулу
враховано, що .
(9.62).
Помноживши похідну по часу від
функції (9.59) на L, отримаємо напругу на 3. Резонанс (французьке r e s o n a n c e ,
індуктивності від латинського r e s o n o звучу у відповідь,
відзиваюсь) відносно великий селективний
(9.67) (вибірковий) відклик коливальної системи на
Тут періодичну дію з частотою, близькою до

частоти її власних коливань. При резонансі
(9.68)
відбувається різке зростання амплітуди
Співставлення формул (9.60), (9.65), (9.66),
вимушених коливань. Резонанс як механічне і
(9.67) показує, що напруга на ємності відстає
акустичне явище вперше описав італійський
по фазі від сили струму на , а напруга на
учений Г.Галілей, а в електромагнітних
індуктивності випереджає струм на .
системах на прикладі коливального
Напруга на активному опорі змінюється у фазі
контуру англійський учений Дж.Максвелл
зі струмом. Згідно з геометричним
(1868р.).
представленням гармонічних коливань фазові
Резонансну частоту для заряду і
співвідношення можна наглядно представити
напруги на конденсаторі знайдемо з умови
за допомогою векторної діаграми. Візьмемо
мінімуму підкореневого виразу у формулі
пряму, від якої відраховується початкова фаза,
(9.58). Тобто похідна по від цього виразу
за вісь струмів. Тоді вийде діаграма, яку
повинна дорівнювати нулю:
наведено на рис.9.16. Згідно (9.63), три функції
, і в сумі повинні дорівнювати
167
Звідки знаходимо, що Резонансні криві для сили струму

зображено на рис.9.18, для різних коефіцієнтів
з з згасання. Із формули (9.62) видно, що
(9.69)
амплітуда сили струму має максимальне
значення при . Отже,
U Cm резонансна частота для сили струму співпадає
із власною частотою контуру :
β1 > β2> β3 (9.70)
з
При , , оскільки при

β3
β2 постійній напрузі постійний струм в колі з
конденсатором протікати не може. Згідно
(9.62) при з .
β1
Резонансне значення напруги на
Um конденсаторі знайдемо з формули (9.58),
поділивши її на ємність C і підставивши
0 ω1 ω0 ω
ω 2 ω3 замість частоти ⍵ її резонансне значення з
Рис.9.17 формули (9.69). Тоді отримаємо, що
Резонансні криві для зображені на з

рис.9.17 (резонансні криві для мають такий
же вид). При резонансні криві сходяться
в одній точці з ординатою Це Особливий інтерес представляє випадок
означає, що конденсатор підключений до слабкого згасання (коли ). Тоді
джерела постійної напруги . Максимум при з
резонансі тим вищий і гостріший, чим менший (9.72)

коефіцієнт згасання , тобто чим
менший активний опір і більша індуктивність При цьому враховано, що для випадку
контуру. слабкого згасання
Im Um
R3
β1>β2 >β3
Таким чином, добротність контуру
β3 (для слабого згасання) показує, в скільки разів
β2 напруга на конденсаторі може перевищувати
прикладену напругу.
β1
Добротність контуру визначає також
гостроту резонансних кривих. На рис.9.19
показана одна із резонансних кривих для сили
ω0 струму в контурі. По вертикальній осі

0 ω
Рис.9.18. відкладено не значення (формула (9.62)), що
168
відповідає даній частоті, а відношення амплітуд струмів, яке дорівнює 0,7, відповідає
з. Взагалі кажучи, чим більша відношенню потужностей, яке дорівнює
добротність контуру , тим вужчий і вищий , оскільки потужність
максимум на кривій залежності амплітуди пропорційна . Тоді
струму від частоти вимушуючої сили. Щоб
з'ясуватити це питання з більшою точністю, з
Im
Im рез
1
Звідки отримаємо, що і
0,7
Точки на осі ⍵, яким відповідають

значення , називають точками
"половинної енергії". За ширину резонансної
кривої часто приймають відстань між
0 ω0 ω
∆ω точками половинної енергії. Радіоприймач
Рис.9.19. налаштовують на певну станцію і розрізняють
її від інших за допомогою резонансного
розглянемо частоти, які близькі до ,
контуру з добротністю , яка дорівнює
наприклад, . Потім вирахуємо
декільком сотням. Неважко виготовити
величину , яка входить в
мікрохвильовий резонансний контур з
знаменник рівняння (9.62), з точністю до
добротністю порядка або навіть .
першого степеня відношення . Тоді
Звернемося тепер до різниці фаз
отримаємо:
між струмом (9.60) і прикладеною напругою
(9.47). З (9.61) видно, що при дуже малих
частотах, коли , tg дуже
великий і від'ємний, а отже, . У
цьому разі струм випереджає напругу і коло
має ємнісний характер. При збільшенні частоти
⍵ реактивний опір ,
залишаючись від'ємним, зменшується за
абсолютним значенням і різниця фаз
При цьому враховано, що
зменшується. Коли формула (9.61)
і
дає а отже . При подальшому
збільшенні ⍵ реактивний опір
і збільшується із зростанням ⍵.
Тому і . Отже,
Розглянемо ширину кривої на
з
при струм відстає від напруги і коло
рис.9.19, яку взято на висоті 0,7 (відношення
набуває індуктивного характеру, причому кут
169
Параметричний резонанс
при збільшені частоти ⍵ асимптотично спостерігаються і при зовнішньому впливі

прямує до граничного значення . інших типів, причому коливання, які
Залежність різниці фаз від частоти коливань виникають, як і при дії е.р.с. , істотно залежать
зображено графічно на рис.9.20. Так само як і від частоти дій на контур. Тому поняття
залежить ще й від активного опору резонансу можна узагальнити і поширити на
контура R. Чим менше R, тим швидше більшу кількість явищ.
змінюється біля і в граничному Припустимо, що дія зовнішніх
випадку при R=0 зміна фази набуває факторів змінює один з параметрів коливальної
стрибкоподібного характеру (рис.9.20). системи, і розглянемо спочатку простий
φ механічний приклад. Нехай є маятник,
π
+2 довжину якого можна змінювати (рис.9.21),
0 . ω0 ω
R2 R=0 R2 >R1
R1
_π
2
Рис.9.20
1
Зазначимо, що частота , при якій 0 2
настає резонанс, не дорівнює частоті власних

Рис.9.21.Параметричний резонанс у механіці.
коливань контура (формула (9.35)).
Проте в переважній більшості практичних підтягуючи кінець нитки, перекинутої через
блок, або, навпаки, опускаючи його.
випадків і тому з великим
Періодично змінюватимемо довжину маятника,
наближенням цією різницею можна
підтягуючи нитку (зменшуючи довжину)
знехтувати. Вище ми припускали, що
кожного разу, коли маятник перебуватиме
змінюється частота прикладеної напруги ⍵, а
параметри контура залишаються незмінними. поблизу положення рівноваги (0), і відпускати
Однак зрозуміло, що для одержання резонансу нитку (збільшувати довжину) при крайніх
можна робити й інакше: змінювати в контурі положеннях маятника (1 і 2), тобто з частотою,
індуктивність або ємність (тобто змінювати яка дорівнює подвоєній частоті власних
), залишаючи частоту ⍵ сталою. коливань маятника. Ми знайдемо, що маятник

почне здійснювати коливання із з остаючою
амплітудою, яка збільшуватиметься доти, поки
§9.9. Параметричний резонанс нитка не зіскоче з блока. Це
спостерігатиметься і тоді, коли частота зміни
При вивченні електричного резонансу довжини не дорівнює подвоєній власній
(напруг і струмів) ми розглядали дію частоті, але близька до неї.
періодичної е.р.с. генератора змінної напруги Отже, в цьому досліді ми маємо
(9.47) на коливальний контур. Проте наростаючі коливання, як і у випадку
виявляється, що аналогічні явища резонансу під дією періодичної зовнішньої
170
Параметричний резонанс
сили, однак вони виникають внаслідок зближуємо пластини. Це явище не

періодичної зміни одного з па ам т ів супроводитиметься ніякою роботою, бо заряд
системи (довжини). Тому описане явище конденсатора дорівнює нулю, а значить, і сила
дістало назву па ам т ичного зонансу. притягання між пластинами також дорівнює
Причину зростання коливань можна нулю. Через час, який дорівнює чверті періоду
пояснити, виходячи з енергетичних міркувань. власних коливань , заряд конденсатора
Коли ми вкорочуємо нитку в положенні 0 буде найбільшим. Якщо в цей час розсунути
(рис.9.21), то зовнішня сила (сила руки) пластини, то зовнішні сили виконають роботу,
виконує роботу не тільки проти сили тяжіння, а яка витрачається на перемагання взаємного
й проти відцентрової сили, бо, проходячи через притягання пластин. При цьому ємність
положення рівноваги 0, маятник має найбільшу конденсатора зменшиться, а напруга між його
швидкість. При видовженні нитки роботу обкладками збільшиться, сприяючи
виконує маятник. Проте ця робота виконується коливанням у контурі. Якщо потім знову через
тільки за рахунок сили тяжіння, бо в час зблизити пластини, то енергія контура
положеннях 1 і 2 відцентрова сила дорівнює не зміниться, бо заряд конденсатора в цей
нулю (швидкість дорівнює нулю) і тому вона момент знову дорівнює нулю. При подальшому
менша від роботи при вкороченні нитки. Отже, розсуванні пластин у контур знову буде
у коливальну систему (маятник) безперервно введена певна енергія і т.п. Тому, змінюючи
вводиться енергія за рахунок роботи значною мірою ємність конденсатора з
зовнішньої сили, що й веде до зростання частотою, яка дорівнює подвоєній частоті
коливань. Такі явища параметричного власних коливань (чи близька до неї), ми
резонансу спостерігаються і в електричних дістанемо в контурі електричні коливання із
коливальних контурах, якщо параметри зростаючою амплітудою, яка
контура (ємність чи індуктивність) змінюються збільшуватиметься доти, поки не буде
періодично. Розглянемо, наприклад, пробитий конденсатор.
коливальний контур (рис.9.22), що має Зауважимо, що початкові малі
конденсатор з рухомою пластиною, яку можна коливання і в механічних, і в електричних
системах завжди виникають під дією
R
випадкових зовнішніх факторів, чи флуктуацій.
Тому при досить значній періодичній зміні
C параметрів системи спостерігається
L самозбудж ння коливань. Правильне
співвідношення між фазою коливань і фазою
Рис.9.22.Коливальний контур із ємністю, яка зміни параметра здійснюється при цьому
змінюється.
автоматично, бо підсилюються тільки ті з
періодично наближати до другої пластини або коливань, які мають потрібну початкову фазу.
віддаляти від неї. Далі, припустимо, що в Описаний дослід з електричним
контурі внаслідок яких-небудь випадкових параметричним резонансом вперше здійснили
причин виникли коливання і що в момент часу, Л.І. Мандельштам і М.Д. Папалексі в 1933 р.
коли заряд конденсатора дорівнює нулю, ми Збудована ними ємнісна «параметрична
171
Змінний струм
машина» мала обертовий конденсатор, який ділянкою кола означає перехід не до C = 0, а до
складався з двох систем пластин, що мали
радіальні вирізи. Одна з систем була нерухома, Всяке реальне коло має кінцеві і
а друга оберталася за допомогою С. В окремих випадках деякі із цих параметрів
електродвигуна. Така машина розвивала бувають такі, що їхнім впливом на струм
напруги до багатьох тисяч вольт. можна знехтувати. Допустимо, що R кола
Явище параметричного резонансу дорівнює нулю, а С – дорівнює
можна використати для технічного добування нескінченності. Тоді із формули (9.61) і (9.62)
змінних струмів. отримаємо, що
§9.10. Змінний струм а (відповідно ). Величину
Описані в §9.8 вимушені коливання,

які встановились в контурі, можна розглядати, називають а тивним інду тивним опо ом
як протікання в колі, яке має ємність, або просто інду тивним опо ом. Якщо L
індуктивність і активний опір, змінного виразити в генрі, а в рад/с, то буде
струму, обумовленого змінною напругою виражено в Омах. Із (9.75) видно, що
(9.47). індуктивний опір зростає із збільшенням
Сила струму визначається за частоти . Постійному струму
формулами (9.60), (9.61) і (9.62). У випадку, індуктивність не чинить опору. Напруга на
коли , струм фактично випереджає індуктивності випереджає струм на
напругу. (рис.9.16).
Вираз Тепер допустимо, що R = 0 і L = 0.
Тоді згідно формул (9.61) і (9.62)
який є знаменником у формулі (9.61),

(тобто ). Величину
називається повним л т ичним опо ом або
імп дансом.
Якщо коло складається тільки з називають а тивним ємнісним опо ом. Якщо
активного опору R, то рівняння закону Ома має С виразити у фарадах, а – в рад/с, то буде
вид виражено в Омах. Із (9.77) видно, що ємнісний
опір зменшується із ростом частоти . Для
Звідси виходить, що струм в цьому постійного струму –
випадку змінюється у фазі з напругою, а постійний струм через конденсатор протікати
амплітуда сили струму дорівнює не може. Так як , то струм, який
протікає через конденсатор, випереджає
Порівняння цього виразу з (9.62) напругу на . Відповідно напруга на
показує, що заміна конденсатора закороченою
172
Змінний струм
конденсаторі відстає від струму на , то, використавши формулу
(рис.9.16). (9.61), отримаємо:
Накінець, допустимо, що R = 0. В
цьому випадку формула (9.62) приймає вид:
(9.78)
Підставивши це значення у формулу
Величина (9.83) і врахувавши (9.80), отримаємо
I
називається а тивним опо ом або
а тансом.
0
Формули (9.60) і (9.61) можна t
представити у вигляді
P(t)
(9.80)
P
Знайдемо потужність, яка виділяється в колі 0
t
змінного струму. Миттєве значення потужності
Рис.9.23
дорівнює добутку миттєвих значенню напруги
і сили струму: Таку ж потужність розвиває
постійний струм, сила якого дорівнює
Скориставшись формулою Величина (9.86) називається діючим

(або ф тивним) знач нням сили ст уму.
Аналогічно величина
вираз (9.81) можна представити у вигляді
називається діючим знач нням нап уги.

Формула (9.83) через діючі значення
Практичний інтерес має середнє за сили струму і напруги має вид
часом значення , яке позначимо просто Р .
Так як середнє значення Множник , який входить у
дорівнює нулю, то формулу (9.88) називають о фіцієнтом
потужності. В техніці стараються зробити
як можна більшим. При малому для
Із (9.82) видно, що миттєва виділення в колі необхідної потужності
потужність коливається біля середнього необхідно пропускати струм великої сили, що
значення з частотою, яка у два рази перевищує призводить до зростання втрат у підвідних
частоту струму (рис.9.23). Так як проводах.
173
Автоколивання
§9.11.Автоколивання індуктивно зв'язані між собою і тому змінний

струм спричинює в котушці змінну е.р.с.
Автоколивання це незгасаючі
взаємної індукції
коливання, які підтримуються зовнішніми
джерелами енергії в нелінійних коливальних , (9.89)
системах, де є розсіювання енергії, вид і де коефіцієнт взаємної індукції. Ця е.р.с.,
властивості яких визначаються самою залежно від взаємного напрямку витків
системою. котушок і , може або перешкоджати
Автоколивання принципово коливанням струму в контурі, або сприяти їм.
відрізняються від інших коливальних процесів + _
в коливальних системах, де є розсіювання
енергії тим, що для їхньої підтримки, не cітка
A Iа
потрібно періодичної дії зовні. Коливання
струни скрипки при рівномірному русі смичка, K
струму в радіотехнічному генераторі, повітря в C+
_ I L Lˊ
органній трубі, маятника в годиннику, спів
соловейка приклади автоколивань. В
найпростіших автоколивальних системах
можна виділити коливальну систему із Рис.9.24.Ламповий генератор з коливальним
згасанням (коливальний контур), підсилювач контуром у колі сітки.
коливань, нелінійний обмежувач і ланку Очевидно, що, перемикаючи при

об н ного зв'яз у. Одну з найпростіших потребі кінці котушки , можна завжди
класичних схем лампового генератора домогтися, щоб е.р.с. , яка виникає, мала
незгасаючих коливань подано на рис.9.24.
такий самий знак, як і струм I в контурі. Тоді
Коливальний контур, що має ємність С і
робота цієї е.р.с. буде додатною і коливальний
індуктивність , увімкнений в коло сітки
контур одержуватиме енергію за рахунок
електронної лампи. В колі анода, крім. батареї
джерела струму, так що згасання контура
живлення, є ще котушка , розміщена в зменшиться. Якщо зв'язок між котушками
безпосередній близькості до котушки , так, досить сильний, одержувана енергія може бути
що між обома котушками існує індуктивний більша за ту, яка витрачається в контурі. У
зв'язок. цьому випадку амплітуда коливань зростатиме
Принцип дії генератора такий. Коли в доти, поки одержувана енергія не
коливальному контурі виникають коливання дорівнюватиме втратам, після чого
(при вмиканні батареї або під впливом яких- встановляться незгасаючі коливання.
небудь випадкових причин), то між Подивимося тепер, яку кількісну
обкладками конденсатора виникає змінна умову повинні задовольняти параметри
напруга. Така сама напруга виникає між сіткою лампового генератора (опір контура R
і катодом К, бо вони приєднані до обкладок
коефіцієнт взаємоіндукції і т.д.), щоб
конденсатора. Внаслідок цього в колі анода
автоколивання були можливі.
виникає змінний струм . Але котушки і
174
Автоколивання
Знову звернемось до схеми на потенціал сітки визначається напругою на
рис.9.24. Коливальний контур цього генератора конденсаторі і
можна подати еквівалентною схемою рис.9.25,
в якій зворотний зв'язок здійснюється деяким
генератором із змінною е.р.с. (9.89). де так звана крутість сіткової
характеристики лампи, a постійна . Тому
ε= dIа
L 12 dt
~
ід
бх
О
I +
C_ Підставивши цей вираз у рівняння
R
L коливань (9.90), знаходимо:
Рис.9.25.Еквівалентна схема генератора, зображеного

на рис.9.24.
Застосовуючи до цього контуру друге
Це рівняння того самого виду, що й
правило Кірхгофа і міркуючи так само, як і в
(9.31), і його розв’язком є (9.36):
§9.6, отримаємо:
Але в цьому випадку коефіцієнт

Враховуючи, що і , це
згасання дорівнює
рівняння перепишемо так:
У цих рівняннях анодний струм є функція Він менший за коефіцієнт при

сіткової напруги (що виражається сітковою відсутності зворотного зв’язку і тому можна
характеристикою лампи ), яка в свою сказати, що дія зворотного зв’язку
чергу залежить від заряду конденстора. Але еквівалентна введенню в контур від’ємного
сіткова характеристика лампи нелінійна. Тому і опо у.
написане рівняння є нелінійним рівнянням, а З (9.93) видно, що при певних умовах
отже, автоколивання є н лінійними коефіцієнт згасання може дорівнювати нулю
оливаннями. Однак, щоб розв'язати або навіть бути від’ємним, що відповідає
поставлене питання, задачу можна спростити. виникненню автоколивань. Це буде тоді, коли
Припустимо, що ми маємо малі коливання і (9.94)
що робочу точку вибрано в середній частині
сіткової характеристики. Тоді малий відрізок Записана умова є умовою самозбудж ння
характеристики можна вважати відрізком лампового генератора.
прямої лінії і рівняння коливань буде лінійним. Якщо виконується умова (9.94), то
Крім того, для простоти вважатимемо, що і розв’язок (9.92) відображає

проникність сітки лампи дуже мала, так, що на остаючі коливання, амплітуда яких
практично залежить тільки від потенціалу збільшується з часом до нескінченності.
сітки (але не від потенціалу анода ). Тоді Причина цього дивного результату полягає в
175
Пружні хвилі
тому, що ми нелінійне рівняння коливань (9.90) 10.Дати визначення коефіцієнта та
замінили наближеним лінеаризованим логарифмічного декремента згасання.
рівнянням (9.91), яке справджується тільки для 11.Розкрити фізичний зміст
малих коливань (початкової стадії процесу),
добротності коливального контура .
12.Як відрізняється циклічна
але не відповідає всім властивостям
частота згасаючих коливань від “власної”
генератора. Насправді ж після самозбудження циклічної частоти коливальної системи?
амплітуда наростаючих коливань прагнутиме 13.Дати визначення
до деякої с інч нної границі, що визначається аперіодичного процесу. Записати формулу
властивостями генератора і не залежить від для визначення критичного опору
початкових умов. коливального контуру.
14.Записати рівняння вимушених
коливань.
Контрольні питання 15.З якою частотою відбуваються
1.Дати визначення коливального вимушені коливання?
руху. 16.Записати і пояснити формулу
2.Які коливання називаються для амплітуди вимушеного коливання.
17.Що таке резонанс?
гармонічними? Записати рівняння
18.Чим пояснюється зсув по фазі
гармонічних коливань.
між вимушуючою силою (напругою) і
3.Характеристики гармонічних
зміщенням (зарядом) при вимушених
коливань: амплітуда, фаза, циклічна коливаннях?
частота, лінійна частота, початкова фаза. 19.Який зв'язок між вимушеними
Дати їх визначення. коливаннями та змінним струмом?
4.Як проявляється закон 20.Використання параметричних
збереження енергії при гармонічних коливань і автоколивань в техніці зв'язку.
коливаннях?
5.Геометричне зображення
гармонічного коливання.
Розділ 10.Пружні хвилі
6.Додавання однаково
спрямованих гармонічних коливань з Хвилі
однаковими та різними частотами. При Хвилі ц зміни стану с довища
якій умові утворюються коливання, що (збу ння), я і озповсюджуються в цьому
носять назву «биття»? с довищі і н суть з собою н гію. Найбільш
7.Додавання взаємно важливі хвилі, які часто зустрічаються, це такі:
перпендикулярних гармонічних коливань
пружні хвилі, хвилі на поверхні рідини і
з однаковими та різними частотами. Що
електромагнітні хвилі. Окремим випадком
таке фігури Ліссажу?
8.Яка відповідність між пружних хвиль є звук і сейсмічні хвилі, а з
гармонічними механічними коливаннями і електромагнітних – радіохвилі, світло,
коливаннями, які виникають в рентгенівські промені та інші.
ідеалізованому електричному контурі? Основна властивість всіх хвиль,
9.Записати рівняння згасаючих незалежно від їхньої природи, в тому, що у
коливань.
хвилях здійснюється перенос енергії без
переносу речовини (останнє може мати місце
176
Утворення хвиль у пружному середовищі. Поздовжні і поперечні хвилі
тільки як побічне явище). Хвильові процеси тобто лише у твердих тілах.

зустрічаються майже у всіх областях фізичних 1 2 3 4 5
явищ, тому їх вивчення має велике значення. 0
1 Напрямок розповсюдження хвилі X
4
Т
Напрямок X
§10.1.Утворення хвиль у пружному зміщення частинок
1Т
середовищі. Поздовжні і 2 X
поперечні хвилі 3
4Т
X
Розглянемо пружне середовище між
Т
частинками якого існують сили взаємодії, що X
перешкоджають тому або іншому виду його υТ
деформації. Тіло, яке коливається в пружному Рис.10.1.
середовищі, періодично діє на прилеглі до 1 2 3 4 5
нього частинки середовища, виводячи їх з 0
Напрямок розповсюдження хвилі X
положення рівноваги і змушуючи здійснювати 1
4Т
X
вимушені коливання. При цьому середовище Напрямок зміщення частинок
1
поблизу тіла деформується і в ньому 2Т X
виникають пружні сили. Ці сили діють як на 4Т
3
X
прилеглі до тіла частинки, намагаючись
Т
повернути їх у положення рівноваги, так і на X
υТ
віддаленіші від тіла частинки, виводячи їх з Рис.10.2.
положення рівноваги. Віддаленіші від тіла
У поздовжніх хвилях частинки
області середовища поступово втягуються в
коливаються в напрямку поширення хвилі
коливальний рух. П оц с поши ння оливань
(рис.10.2). Ці хвилі можуть поширюватись в
в суцільному с довищі, я н п вно
середовищах, в яких виникають пружні сили
озподіл н в п осто і і має п ужні
при деформації стиску і розтягу, тобто у
властивості, називається м ханічним
твердих, рідких і газоподібних тілах. У твердих
хвильовим п оц сом, або м ханічною хвил ю.
тілах обмежених розмірів (наприклад, в
При поширенні хвилі частинки
стрижнях, пластинках) картина
середовища не рухаються разом з хвилею, а
розповсюдження хвиль більш складна: тут
коливаються біля своїх положень рівноваги.
виникають ще і інші типи хвиль, які є
Пружними (або механічними)
комбінацією перших двох основних типів.
хвилями називаються механічні збурення, що
поширюються у пружному середовищі. Пружні
хвилі бувають поперечні і поздовжні. Загальні характеристики і властивості
У поперечних хвилях частинки хвиль
середовища коливаються в площинах, які Хвилі можуть мати різну форму.

перпендикулярні до напрямку поширення Поодинокою хвилею, або імпульсом,
хвилі (рис.10.1.). Поперечні хвилі можуть називають порівняно коротке збурення, яке не
поширюватись в середовищі, в якому має регулярного характеру (рис.10.3,а).
виникають пружні сили при деформації зсуву, Обмежений ряд збурень, які
177
Характеристики і властивості хвиль
повторюються, називається цугом хвиль. Як максимумами або мінімумами (рис.10.3,в,

правило, поняття цуга відноситься до відрізка рис.10.4) і п іод Т – час, за який здійснюється
синусоїди (рис.10.3,б). Особливе значення в один повний цикл коливань. Довжина хвилі
теорії хвиль має уявлення про гармонійні зв’язана з періодом коливань Т
хвилі, тобто нескінченні синусоїдальні хвилі, в співвідношенням
яких всі зміни стану середовища відбуваються
(10.1)
за законом синуса або косинуса (рис.10.3,в),
так як такі хвилі могли би розповсюджуватись де – швидкість розповсюдження хвилі
в однорідному середовищі без спотворення (рис.10.1; 10.2; 10.4). Співвідношення (10.1)
форми (якщо амплітуда їх невелика). справедливе для гармонійної хвилі любої
природи. Довжину хвилі можна визначити ще
й як відстань, на яку розповсюджується хвиля
a
за час, що дорівнює періоду коливань частинок
б
середовища, або як відстань між найближчими
λ точками середовища, які коливаються з
різницею фаз, що дорівнює 2 (рис.103,в).
в λ
Замість періоду Т нерідко користуються
Рис.10.3.а – поодинока хвиля; б – цуг частотою ν, яка дорівнює числу періодів за
хвиль; в – нескінченна синусоїдальна хвиля. одиницю часу:
П ужна хвиля називається =1/ (10.2)

га монічною, якщо відповідні їй коливання при цьому
частинок середовища є гармонійними. (10.3)
Нехай поперечна гармонійна хвиля В теорії хвиль користуються також
поширюється вздовж осі ОХ. На рис.10.4 поняттям хвильового в то а , за абсолютною
наведена гармонійна хвиля (поперечна або величиною
поздовжня), яка поширюється вздовж осі ОХ зі
(10.4)
швидкістю . Тобто наведена залежність
тобто він дорівнює числу довжин хвилі на
S
відрізку 2 і орієнтований в напрямку
υ
розповсюдження хвилі.
0
X Нехай точка, від якої йдуть коливання,
λ коливається в суцільному середовищі.
Коливання поширюються від центра у всі боки.
Рис.10.4.
Поверхня, до якої доходять коливання
зміщень S всіх частинок середовища, що в деякий момент часу, називається ф онтом
беруть участь у хвильовому процесі, від хвилі.
відстані х цих частинок від джерела коливань Ф онт хвилі – це поверхня, яка
відокремлює частину простору, уже залучену у
О для якогось фіксованого моменту часу.
хвильовий процес, від області, в якій
Основними характеристиками гармонійної
коливання ще не виникли. П инцип Гюйг нса
хвилі є довжина хвилі – відстань між двома
178
Рівняння плоскої і сферичної хвиль. Характеристики хвиль
t +∆ t енергії. Тому такі хвилі називаються біжучими

хвилями.
.
.
.
.
.
§10.2.Рівняння плоскої і сферичної
t хвиль
встановлює посіб побудови фронту хвилі в
Рівнянням хвилі називається ви аз,
момент часу t+ t, якщо відоме положення
я ий описує зміщ ння частин и, я а
фронту в момент часу t. Згідно принципу
оливається, я фун цію її івноважних
Гюцгенса кожна точка, до якої доходить
оо динат х, у, z і часу t.
хвильовий рух, стає центром вторинних хвиль;
Розглянемо плоску хвилю, яка
огинаюча цих хвиль дає положення фронту
поширюється вздовж осі ОХ і збуджується в
хвилі в наступний момент часу (див.рис.).
площині х = 0 (рис.10.5). Нехай коливання в
Поверхня, всі частинки якої
площині х = 0 мають вигляд:
коливаються з однаковими фазами, називається
хвильовою пов хн ю.
).
Хвильову поверхню можна провести Знайдемо вигляд рівняння коливань
через довільну точку простору, який охоплений частинок у площині, що відповідає довільному
хвильовим процесом. Отже, хвильових значенню х. Для того, щоб пройти шлях від
поверхонь існує нескінченна множина, а площини х = 0 до площини на відстані x, хвилі
хвильовий фронт в кожний момент часу лише потрібен час τ де – швидкість
один. Хвильові поверхні залишаються
поширення хвилі. Отже, коливання частинок,
нерухомими, а хвильовий фронт весь час
переміщується.
0
Хвильові поверхні можуть бути X
x = υτ
довільної форми.
Хвиля називається плос ою, якщо її x= 0
хвильові поверхні мають вигляд площин, які
Рис.10.5.
паралельні до площини, що проходить через
джерело хвиль. що лежать у площині x , будуть запізнюватись
Хвиля називається сф ичною, якщо її
на час τ від коливань частинок в площині
хвильові поверхні мають вигляд
х=0 , тобто матимуть вигляд:
концентричних сфер. Центр цих сфер
називається центром хвилі.
Напрямки, в яких поширюються
коливання, називаються п ом нями. В
ізотропному середовищі промені
перпендикулярні до фронту хвилі.
Поширення в пружному середовищі
Тоді рівняння біжучої плоскої хвилі,
механічних збурень, збуджених джерелом
що поширюється вздовж осі ОХ, має такий
хвиль, пов’язане з перенесенням хвилями
вигляд із врахуванням (10.4):
179
Характеристики хвиль. Хвильове рівняння
, (10.5) залишається постійною, а зменшується з

відстанню за законом . Це співвідношення
де А – амплітуда коливань, яка називається справедливе лише для r, що значно більші за
амплітудою хвилі; – циклічна частота розміри джерела.
хвилі; k хвильове число хвилі; – початкова Згідно (10.7) dx dt > 0. Це означає,
фаза коливань в площині х=0. Величина що рівняння (10.5) описує хвилю, яка
визначає фазу коливань в розповсюджується в сторону зростання х.
Хвиля, яка розповсюджується в протилежному
довільній площині з координатою х і
напрямку, описується рівнянням
називається фазою плоскої хвилі. Зафіксуємо
(10.10)
певне значення фази:
Дійсно, прийнявши фазу хвилі за
(10.6) константу і продиференціювавши по часу,
Цей вираз визначає зв’язок між часом отримаємо, що . Це означає, що хвиля,

t і тим місцем x, в якому фаза має зафіксоване яка описується рівнянням (10.10)
значення. Величина дає швидкість, з якою розповсюджується в сторону зменшення х.
переміщується дане значення фази.

Продиференціюємо вираз (10.6): § 10.3. Хвильове рівняння
Звідси Рівняння довільної хвилі є розв’язком

рівняння, яке називається хвильовим.
(10.7)
Для встановлення виду цього
Отже, швидкість поширення хвилі є рівняння використаємо рівняння плоскої хвилі
ніщо інше, як швидкість переміщення фази (10.8), що поширюється в довільному
хвилі і її називають фазовою швидкістю. напрямку:
Якщо плоска хвиля поширюється в
довільному напрямку, то рівняння хвилі
запишеться так:
Продиференціюємо цю функцію двічі за
(10.8) кожною змінною:
де – вектор, який дорівнює за модулем
хвильовому числу і має напрям нормалі до
хвильової поверхні.
У випадку сферичної хвилі рівняння
хвилі буде:
(10.9)
де r – відстань від центра хвилі до точки
середовища, яка розглядається. У випадку
Додамо ліві і праві частини похідних
сферичної хвилі навіть у середовищі, яке не
за координатами:
поглинає енергію, амплітуда коливань не
180
Енергія пружної хвилі
плоска хвиля (10.5).
Визначимо зміну енергії малого
об’єму dV пружного середовища, пов’язану з
Зіставимо цю суму з похідною за часом і
поширенням у середовищі плоскої хвилі.
врахуємо згідно (10.7), що = Оскільки об’єм dV дуже малий, то можна
Тоді поширення хвиль в однорідному вважати, що всі частинки середовища, які
ізотропному середовищі описується містяться в цьому об’ємі, коливаються з
х в и ль о в и м р і в н я н н я м – диференційним однаковою фазою так, що їх швидкості
рівнянням в частинних похідних:
однакові і
= (10.11) Тому кінетичну енергію об’єму dV, яка
пов’язана з коливальним рухом, запишемо так:
або
(10.12)
де – фазова швидкість, а
де густина середовища.
оператор Лапласа.
Визначаючи роботу деформації
Легко переконатись в тому, що
об’єму dV середовища під час хвильового руху,
хвильовому рівнянню (10.11) задовільняє не
можна показати, що потенціальна енергія d
тільки функція (10.8), але і будь-яка функція
об’єму dV середовища дорівнює його
виду
кінетичній енергії:
(10.13)
Будь-яка функція, яка задовільняє Повна механічна енергія

рівнянню виду (10.11), описує деяку хвилю, коливального руху об’єму dV дорівнює
причому корінь квадратний із величини,
оберненої коефіцієнту при , дає фазову

Об’ємна густина енергії хвиль у
швидкість цієї хвилі.
пружному середовищі
В подальшому будемо розглядати
плоскі хвилі, які розповсюджуються вздовж осі
(10.14)
Х, і рівняння (10.11) буде мати вид:
Густина енергії в кожний момент часу
(10.13)
в різних точках простору різна. В одній і тій же
точці густина енергії змінюється з часом за
ОСТРОГРАДСЬКИЙ МИХАЙЛО ВАСИЛЬОВИЧ
законом квадрату синуса. Середнє значення
(1801 – 1862)
розв’язав у 1826 р. задачу поширення хвиль на квадрата синуса дорівнює . Відповідно,
поверхні води. середнє за часом значення об’ємної густини
енергії в кожній точці середовища дорівнює:
§10.4.Енергія пружної хвилі
(10.15)
Нехай в деякому середовищі Поширення хвиль у пружному
поширюється в додатному напрямку осі ОХ середовищі нерозривно пов’язане з процесом
181
Енергія пружної хвилі
передавання енергії від одних ділянок у ватах.

середовища до інших. Саме тому при Знайдемо потік енергії хвилі, що
хвильовому русі об’ємна густина енергії w рухається з фазовою швидкістю , через
коливань у кожній точці середовища площину dS (рис.10.6). За час dt хвиля перенесе
змінюється з часом. енергію, що міститься всередині косого
Об’ємну густину енергії (10.14) циліндра, об’єм якого
можна записати так: .
Тоді і
(10.16)
потік енергії, де –
Швидкість u поширення енергії хвилі об’ємна густина енергії хвилі, d = dS –

дорівнює швидкості переміщення в просторі вектор площини dS, – одинична нормаль до
поверхні, яка відповідає максимальному dS.
значенню об’ємної густини енергії w. Рівняння υdt n

поверхні має вигляд: dS α
dSn υ
2( = . dS
Продиференціюємо цей вираз і
прирівняємо до нуля: Рис.10.6.
В різних точках простору вводиться
векторна величина , яка називається густиною
Звідси швидкість переміщення
потоку енергії.
поверхні, що відповідає максимальному
Густина пото у н гії – векторна
значенню об’ємної густини енергії w буде
величина, яка напрямлена у бік поширення
. хвилі і числово дорівнює потоку енергії d
Отже, швидкість поширення енергії через одиницю площі dS поверхні, яка
хвилі збігається з фазовою швидкістю хвилі. розташована перпендикулярно до напрямку
Для характеристики процесу поширення хвилі:
перенесення енергії хвилями введемо поняття Ф
j= = =
про потік енергії.
Пото ом н гії крізь яку-небудь Оскільки швидкість – це вектор,
поверхню площею S називається фізична модуль якого дорівнює фазовій швидкості
величина, яка чисельно дорівнює кількості хвилі, а напрямок збігається з напрямком
енергії dW, яка переноситься через цю поширення хвилі (і перенесення енергії), то
поверхню за одиницю часу: (10.18)
(10.17) В то густини пото у енергії хвилі,
Потік енергії – скалярна величина, який називається вектором Умова, дорівнює
розмірність якої дорівнює розмірності енергії добутку вектора швидкості поширення енергії
поділеній на розміреність часу, тобто співпадає хвилі на величину її об’ємної густини.
з розмірністю потужності. Тому вимірюється Вектор в різних точках простору має
182
Групова швидкість поширення хвилі
неоднакові значення, а в даній точці простору дис тним, або лінійчастим, тобто
змінюється з часом за законом квадрата синуса. множиною окремих різних значень, т а к і
Середнє значення вектора Умова: н п вним (суцільним).
( . (10.19) Встановлено, що вс і синусоїдальні
Знаючи у всіх точках довільної (гармонічні) хвилі поширюються в середовищі
поверхні S, можна обчислити потік енергії незалежно одна від о д н о ї , а результуюче
через цю поверхню: зміщення будь-якої ч а с т и н ки середовища

дорівнює векторній сумі її з мі щ е н ь ,
.
зумовлених кожною з хвиль. Цей результат
Скалярна величина I, яка дорівнює справедливий для хвиль будь-якої п р и р о д и ,
модулю середнього значення вектора Умова його називають принципом суперпозиції хвиль
називається інтенсивністю хвилі: (див.§10.7.).
I= . Суперпозицію гармонійних хвиль, які
Інтенсивність хвилі чисельно мало відрізняються одна від одної за частотою
дорівнює енергії, яка переноситься хвилею за (чи довжиною хвиль), називають групою
одиницю часу через одиницю площі поверхні, хвиль, або хвильовим па том.
яка перпендикулярна до напрямку поширення Якщо швидкість поширення
хвилі синусоїдальних хвиль у середовищі не
(10.20) залежить від їх частоти (довжини хвилі), то
Інтенсивність синусоїдальної хвилі швидкість поширення пакета дорівнюватиме
пропорційна квадрату її амплітуди. фазовій швидкості. П р о т е існують і такі
гармонічні хвилі, фазова швидкість яких
залежить від їх частоти (довжини хвилі).
§10.5.Групова швидкість поширення Залежність фазової швидкості від частоти
хвилі (довжини хвилі) називають дисп сією хвиль, а
Швид ість поши ння га монійної
середовище, де спостерігається це явище, –
хвилі, що описується рівняннями (10.5) і (10.9),
дисп сійним.
до івнює фазовій швид ості (10.7).
Якщо хвильовий пакет поширюється
Постає запитання, чи для всіх видів
в дисперсійному середовищі, то швидкість
хвиль справедлива т а к а залежність? Усі
окремих його синусоїдальних хвиль різна.
реальні хвилі не є гармонійними. Проте можна
Внаслідок цього безперервно змінюватимуться
довести, що будь-яку несинусоїдальну хвилю
різниці фаз між хвилями, імпульс складного
можна розкласти на еквівалентну їй систему
коливання дещо змінюватиме свою форму, а
синусоїдальних хвиль. Таке розкладання
амплітудне значення хвилі зміщуватиметься
називають га монійним, або сп т альним
відносно складових хвиль. При цьому
аналізом несинусоїдальної хвилі. Сукупність
швидкість поширення хвильового пакета не
значень амплітуд, початкових фаз і частот
збігається зі швидкістю жодної з них.
еквівалентної системи синусоїдальних хвиль
Для прикладу розглянемо простий
називають сп т ом відповідно амплітуди,
хвильовий пакет, утворений двома плоскими
почат ових фаз і частот несинусоїдальної
синусоїдальними хвилями, що поширюються
хвилі, що розглядається. Спектр може бути як
183
Групова швидкість поширення хвилі
вздовж осі X. Не порушуючи загальності середовищі. Хвиля, поширюючись у
результату, вважатимемо, що амплітуди цих середовищі, переносить енергію.
хвиль однакові, початкові фази , Швидкість поширення енергії хвилі
а циклічні частоти і хвильові числа їх різні, але дорівнює швидкості переміщення в просторі
мало відмінні між собою: поверхні, через яку переноситься максимальна
кількість енергії за одиницю часу. Оскільки
(10.21)
енергія в разі коливального процесу
Згідно з принципом суперпозиції пропорційна квадрату амплітуди, то швидкість
хвиль рівняння результуючої хвилі буде із поширення енергії хвильового пакета
урахуванням, що збігається з фазовою швидкістю хвилі
амплітуди. Вочевидь, що для того щоб
амплітуда А(х,t) (див.10.24) мала стале
значення, наприклад максимальне, її фаза
(10.22) мусить залишатися сталою, тобто
(10.26)
Взявши повний диференціал від цього
де виразу, одержимо
сер .
(10.23)
с
Звідки
З виразу (10.22) випливає, що
результуюча хвиля є плоскою, її циклічна г = = = (10.27)
частота і хвильове число дорівнюють півсумі За умови, що Δ , а отже, і Δk,
циклічних частот і хвильових чисел прямують до нуля,
синусоїдальних хвиль, що утворюють = (10.28)
г
хвильовий пакет. Однак амплітуда цієї хвилі не
Цю швидкість називають г уповою
стала, а залежить від координати х і часу t:
швид істю па та хвиль.
A(x,t) = 2 t x). (10.24) Швидкість гармонійних хвиль
Цей вираз для амплітуди хвильового (див.(10.7)) дорівнює . Отже, згідно зі
пакета сам по собі є виразом рівняння плоскої співвідношеннями (10.7) і (10.28), групова
синусоїдальної хвилі – хвилі амплітуди швидкість пакета хвиль не дорівнює жодній із
коливань, фаза якої швидкостей синусоїдальних складових цього
= t x. (10.25) пакета.
Вираз для групової швидкості (10.28)
Таке коливання, як зазначалось у §9.5,
можна подати ще й у такій формі. Згідно з
називають биттям. Графік його для коливань,
(10.7)
що поширюються в не дисперсійному
Підставивши це значення у (10.28),
середовищі, наведено на рис.9.7.
отримаємо
Знайдемо, чому дорівнює швидкість
результуючої хвилі у дисперсійному г = = +k (10.29)
184
Інтерференція хвиль
Якщо врахувати, що k = і , води, які збуджуються у двох різних точках

(рис.10.7). В основі явища інтерференції
то отримаємо такий вираз для групової
лежить п инцип суп позиції хвиль,
швидкості:
справедливість якого підтверджується на
г = (10.30) дослідах. Суть його в наступному.
За відсутності дисперсії хвиль у Якщо в середовищі

розповсюджується одночасно декілька хвиль,
середовищі ( =0) фазові швидкості хвиль
то коливання частинок середовища є
однакові і не залежать від довжини хвилі. Тому геометрична сума коливань, які здійснювали б
в таких середовищах групова швидкість хвиль частинки при розповсюдженні кожної хвилі
збігається з фазовою швидкістю. окремо. Значить, хвилі просто накладаються
одна на другу, не спотворюючи одна одну.
В місцях зустрічі хвиль коливання
§10.6.Інтерференція хвиль
середовища, які викликані кожною з хвиль,
Інт ф нція хвиль (від латинського
складаються одне з одним. Результат
i n t e r – взаємно, між собою і f e r i o – вдаряю,
додавання (результуюча хвиля) залежить від
уражаю), с ладання в п осто і двох (або
співвідношення фаз, періодів, напрямів і
д іль ох) хвиль, п и я ому в ізних його
амплітуд хвиль, що накладаються.
точ ах вини ає підсил ння або послабл ння
Розглянемо накладання двох
амплітуди зультуючої хвилі. Інтерференція
косинусоїдальних сферичних хвиль, які
характерна для хвиль любої природи; хвиль на
збуджуються точковими джерелами і
поверхні рідини, пружних (наприклад,
(рис.10.8).
звукових), електромагнітних (наприклад,
P
радіохвиль або світла). r1
S1
*
r2
d
*
S2
Рис.10.8.
Ці хвилі в точці накладання Р
викликають коливання частинок середовища.
Ці коливання будуть описуватись згідно (10.9)
рівняннями:
= t + =
Рис.10.7. = t + =
Інтерференційна картина регулярне Результат додавання цих коливань
чергування областей підвищеної і пониженої залежить від спрямованості. Будемо вважати,
інтенсивності хвиль. Як приклад наведена що відстань між джерелами коливань S1 і S2,
інтерференційна картина хвиль на поверхні d << r1 і r2. Тоді можна вважати, що в точці Р
185
Інтерференція хвиль
додаються коливання однаково спрямовані і, (монохроматичні хвилі) і

згідно формули (9.20), амплітуда За умови, що швидкості
результуючого коливання (хвилі) в точці Р розповсюдження хвиль однакові (
дорівнює:
Хвильове число не
= + +2 , (10.31)
залежатиме від часу, якщо частота і
де
швидкість не залежатимуть від часу. При
(10.32) цих умовах
= k( + (10.34)
різниця фаз хвиль в точці Р.
Якщо частоти хвиль різні, тобто не буде залежати від часу і коливання в точці
та ще й , , , Р, а значить і хвилі, які збудили ці коливання,
хаотично залежать від часу, то є функція будуть когерентними.
часу і cos може змінюватись хаотично від Тоді результат інтерференції двох
1 до +1. Тоді середнє значення і хвиль, що визначається формулою (10.31), в
середнє значення результуючої амплітуди різних точках залежить від величини
хвилі в точці Р буде яка називається г ом т ичною ізниц ю
(10.33) ходу хвиль.

В точках, для яких буде
Оскільки, згідно (10.20) квадрат
максимум інтерференції. Амплітуда
амплітуди хвилі пропорційний її інтенсивності,
результуючого коливання в таких точках буде
то в цьому випадку в точці Р будемо мати
згідно (10.31)
додавання інтенсивності двох хвиль. Такі хвилі
(10.35)
називаються н ог нтними.
Дамо визначення, що ж таке Умова ма симуму згідно (10.34) може
когерентність. бути записана так:
Ког нтність (від латинсь ого
k( + , (10.36)
c o h a e r e n s – що знаходиться в зв’яз у),
де m=0,1,2,3,... .
узгодж н п оті ання з часом і в п осто і
В точках, для яких буде
д іль ох оливальних або хвильових п оц сів,
мінімум інтерференції: амплітуда
я п оявляється п и їхньому додаванні.
результуючого коливання в таких точках
Коливання (хвилі) називаються когерентними,
згідно (10.31) буде:
якщо різниця фаз залишається сталою або
закономірно змінюється з часом і при (10.37)
додаванні коливань (хвиль) визначає амплітуду
Умову мінімуму отримаємо із (10.34):
сумарного коливання.
Таким чином, хвилі, а значить і k( + (2m+1) ,(10.38)
коливання в точці Р будуть когерентними,
якщо різниця фаз (формула 10.32) не буде
де m=0,1,2,3,... .
Дуже часто реалізується випадок коли
залежати від часу. Це буде у випадку, якщо
Тоді умова (10.36) набирає
186
Інтерференція хвиль.Стоячі хвилі
такого вигляду із врахування, що k = Множник показує, що в

де – довжина хвилі в даному точках середовища виникає коливання з тією
середовищі: ж самою частотою , що і коливання
(10.39) зустрічних хвиль.
Умови мінімуму (10.38) тоді набуде

вигляду: S
(10.40)
S1 S
При інтерференції хвиль їхня
інтенсивність (енергія) механічно не 0
X
підсумовується. Інтерференція хвиль S2
призводить до перерозподілу інтенсивності
(енергії) коливань між сусідніми областями Рис.10.9.
середовища.
На рис.10.7 показані дві хвилі, які
Множник , який не
інтерферують; гребені хвиль – світлі лінії,
западини – темні місця. залежить від часу, виражає амплітуду Асm
У місцях перетину двох гребенів або результуючих хвиль, точніше – амплітуда, як
двох западин розміщені максимуми коливань величина позитивна, дорівнює абсолютному
(світлі плями), в місцях перетину гребенів і значенню цього множника:
западин розміщені мінімуми (темні місця). Асm

Особливим випадком інтерференції є
Амплітуда результуючого коливання
стоячі хвилі.
залежить від координати х, що визначає
Стоячі хвилі – ц хвилі, я і
положення точок середовища.
утво юються п и на ладанні двох біжучих
У точках середовища, де
хвиль, що поши юються назуст іч одна одній з
одна овими частотами і амплітудами. m=0,1,2,3,...) ,
Нехай дві плоскі хвилі поширюються
назустріч одна одній вздовж осі ОХ в амплітуда Асm досягає максимального значення
середовищі без згасання. Рівняння цих хвиль 2 . Точки, в яких Асm максимальна,
t , називаються пучностями стоячої хвилі.

У точках середовища, де
t ,
де – різниця фаз хвиль у точці х = 0, k = m=0,1,2,3,...)
(рис.10.9).
Додавши ці рівняння і перетворивши Асm = 0. Ці точки називаються вузлами стоячої
результат по формулі для суми косинусів з хвилі. Точки середовища, що знаходяться у
урахуванням, що , отримаємо: вузлах, не коливаються. Виберемо початок
відліку х так, щоб дорівнювало нулю. Тоді
(10.41)
координати пучностей
187
Інтерференція хвиль.Стоячі хвилі
(10.42) інтервалом в четверть періоду. Стрілками

п
показані напрямки швидкостей частинок.
а вузлів
Отже, в стоячій хвилі є ряд
в (10.43) нерухомих вузлових точок, які розміщені на
Відстань між двома сусідніми пучностями відстані півхвилі одна від одної. Частинки між
отримаємо, якщо знайдемо різницю двох вузлами коливаються з різними амплітудами,
значень п для двох послідовних значень m: від нуля у вузлі до подвійної амплітуди у
пучності. Всі частинки одночасно проходять
п (m+1) п (m+1) m ,
через положення рівноваги і одночасно
тобто відстань між сусідніми пучностями досягають максимальних відхилень, отже,
дорівнює половині довжини хвилі тих хвиль, в коливаються в однакових фазах. В суміжному
результаті інтерференції яких утворюється інтервалі між вузлами характер коливань такий
дана стояча хвиля. самий, але фази протилежні.
Відстань від вузла до найближчої У стоячій хвилі, енергія не
пучності дорівнює: переноситься – повна енергія коливань
(2m+1) m кожного елемента об’єму середовища,
в п
обмеженого сусіднім вузлом і пучністю, не
Множник (2 ) у виразі для залежить від часу. Вона лише переходить з
амплітуди при переході через нульове значення кінетичної енергії в потенціальну енергію
змінює знак. У відповідності з цим фаза пружно деформованого середовища і навпаки.
коливань по різні сторони від вузла Відсутність перенесення енергії стоячою
відрізняється на . Це означає, що точки, які хвилею є результатом того, що падаюча і
лежать по різні сторони від вузла коливаються відбита хвилі, які утворюють цю стоячу хвилю,
Вузол Вузол Вузол Вузол переносять енергію в рівних кількостях в
t . пучн ість
. . пучн і сть
. протилежних напрямках.
Стоячі хвилі утворюються,
пучн і сть
наприклад, на струні, повітряному стовпі в
t+ T
4
. . . . духових музичних інструментах, в камертоні.
Вони є результатом інтерференції біжучої
t+2
T . . . . хвилі в одному напрямку і відбитої – в
протилежному. Як засвідчують досвід і теорія,
λ
4
Рис.10.10. у разі відбивання хвиль від густішого
в протифазі. Всі точки, які знаходяться між середовища на межі поділу двох середовищ
сусідніми вузлами, коливаються синфазно стояча хвиля матиме вузол, у разі її відбивання
(тобто в однаковій фазі). На рис.10.10 від середовища з меншою густиною – пучність.
приведений ряд «моментальних фотографій» Утворення вузла стоячої хвилі на
відхилення точок від положення рівноваги. межі поділу менш густого і більш густішого
Перша «фотографія» відповідає моменту, коли середовища можна пояснити так. На межі двох
відхилення досягає найбільшого абсолютного середовищ коливання, спричинені біжучою
значення. Наступні «фотографії» зроблені з хвилею, додаються. Оскільки на межі таких
188
Стоячі хвилі. Звук
середовищ утворюється вузол (тобто сума ( – фазова швидкість хвилі, яка визначається
зміщень точок дорівнює нулю), звідси можна силою натягу струни і масою одиниці довжини,
дійти висновку, що в разі відбивання хвилі від тобто лінійною густиною струни).
густішого середовища її фаза змінюється на Частоти називаються власними
протилежну. Як відомо, фаза змінюється на частотами струни. Власні частоти є кратними
протилежну на відстані, що дорівнює половині
частоті , яка називається основною
довжини хвилі. Тому можна стверджувати, що
під час відбивання хвилі від густішого частотою.
середовища «втрачається півхвилі». Гармонічні коливання з частотами
Відбившись від поверхні менш (10.45) називаються власними або
густого середовища, хвиля не змінює фазу у нормальними коливаннями. Їх називають
місці відбивання. Тому фази падаючої і також гармоніками. В загальному випадку
відбитої хвиль на межі поділу таких двох коливання струни є накладання різних
середовищ однакові. В цьому разі зміщення гармонік.
точок буде вдвічі більшим, ніж зміщення, Коливання струни дивні в тому сенсі,
спричинене падаючою хвилею, тобто виникне що для них, за класичними уявленнями,
пучність. отримуються дискретні значення однієї із
У закріпленої з обох кінців натягнутої величин, яка характеризує коливання (частоти).
струни при збудженні поперечних коливань Для класичної фізики така дискретність є
встановлюються стоячі хвилі, причому в винятком. Для квантових процесів
місцях закріплення струни повинні дискретність є швидше правилом, ніж
утворюватись вузли. Тому в струні винятком.
збуджуються із значною інтенсивністю тільки
такі коливання, половина довжини хвилі яких §10.7.Звук
вкладається на довжині струни ціле число раз Звук в широкому сенсі – коливальний
(рис.10.11). рух частинок пружного середовища, що
розповсюджується у вигляді хвилі в
газоподібному, рідкому чи твердому
середовищі – це теж саме, що й пружні хвилі; у
вузькому сенсі – явище, що суб’єктивно
сприймається органом слуху людини і тварин.
Людина чує звук в діапазоні частот
Рис.10.11.
від 16 Гц до 20 кГц. Людина не чує звуки з
Звідси витікає умова: частотою нижче 16 Гц (інфразвук) і більшою
20 кГц (ультразвук). Високочастотні пружні
(10.44) хвилі в діапазоні від 109 до 1012 1013 Гц
(l – довжина струни). Довжинам хвиль (10.44) називаються гіперзвуком.
відповідають частоти Важливою характеристикою звуку є
його спектр, який отримується в результаті
(10.45) розкладання звуку на прості гармонійні
189
Характеристики звуку
коливання (так званий частотний аналіз звуку). згущення і розрідження, які створюють
Основна частота, яка сприймається на слух, додаткові зміни тиску по відношенню до його
визначає при цьому висоту звуку, а набір середнього значення в середовищі. Звуковий
гармонійних складових – тембр звуку. Набір тиск здійснюється з частотою, яка дорівнює
частот коливань, які присутні в даному звуці, частоті звукової хвилі. Звуковий тиск –
називається його акустичним спектром. Якщо у основна кількісна характеристика звуку.
звуці є коливання всіх частот у деякому Амплітуда звукового тиску і амплітуда
інтервалі від ν' до ν'', то спектр називається швидкості коливань частинок середовища у
суцільним. Якщо звук складається із коливань звуковій хвилі зв’язані співвідношенням
дискретних частот ν1, ν2, ν3 і т.д., то спектр (10.47)
називається лінійчастим. Суцільний
L,дБ I,Вт
м2
акустичний спектр мають шуми. Коливання з 130 101
Поріг больового відчу
ття Рівень гучності, фон
лінійчастим спектром викликають відчуття 120 120
10 0
110 -1
звуку з більш менш визначеною частотою. 110 10
100 100 -2
10
Такий звук називається тональним.
90 -3
90 10
Висота тонального звуку 80
-4
80 10
визначається основною (найменшою) частотою 70
70
10
-5
ν1. Відносна інтенсивність об тонів (тобто 60

60
10
-6
50 -7
коливань з частотами ν2, ν3 і т.д.) визначає 50 10
40 -8
40 10
забарвлення, або тембр звуку. Різний 30
По -9
30 10
спектральний склад звуків, які збуджуються 20
р іг
ч 20 -10
ут 10
но
різними музикальними інструментами, 10
ст
і
10
10
-11
дозволяє відрізнити на слух, наприклад, флейту 0

0
10
-12
-13
від скрипки. 20 50 100 500 1000
10
5000 10000
Енергетичною характеристикою Частота,Гц
звукових коливань є інт нсивність зву у І,

Рис.10.12.Криві однакової гучності, які
тобто середня за часом енергія, яка виражають залежність рівня звукового тиску (в
децибелах) від частоти при заданій гучності (у
переноситься хвилею за одиницю часу через
фонах). Нижня крива – поріг чутності, верхня крива
одиничну площадку, що перпендикулярна до – поріг больового відчуття.
напрямку розповсюдження хвилі і виражається
через амплітуду звукового тиску: Для того, щоб викликати звукове
відчуття, хвиля повинна мати деяку мінімальну
(10.46) інтенсивність, яка називається по огом
де – амплітуда звукового тиску, – чутності (рис.10.12, нижня крива). Поріг
швидкість звуку в середовищі, – густина чутності дещо різний для різних осіб і сильно
середовища. залежить від частоти звуку. Найбільш чутливе
Зву овий тис – це змінна частина людське вухо до частот 1000-5000 Гц

(рис.10.12). В цій області частот поріг чутності
тиску, яка виникає при проходженні звукової
хвилі в середовищі. Розповсюджуючись в дорівнює середній інтенсивності звуку біля
середовищі, звукова хвиля утворює його 5 10-13 Вт/м2. При інших частотах поріг
190
Характеристики звуку
чутності має більшу інтенсивність звуку Як видно із рис.10.12 поріг чутності при
(рис.10.12, нижня крива). частоті чистого тону 1000 Гц лежить на
При інтенсивностях звуку порядку нульовому рівні ( ).
2
0,5 5 Вт/м хвиля перестає сприйматись як Одиниця рівня гучності L, яка
звук і викликає тільки відчуття болі і тиску. визначається формулою (10.48) називається
Значення інтенсивності, при якому це має белом (Б). Як правило, користуються в 10 раз
місце, називається по огом больового меншими одиницями – децибелами (дБ).
відчуття. Поріг больового відчуття, так само Значення L в децибелах визначається
як і поріг чутності, залежний від частоти за формулою
(верхня крива на рис.10.12; дані, приведені на L (10.49)
цьому рисунку, відносяться до середнього
Децибел (дБ) – рівень звукового тиску
нормального слуху).
, для якого виконується співвідношення
Гучність зву у, величина, яка
201g( = 1, де
характеризує слухове відчуття для даного
пороговий звуковий тиск (враховано, що
звуку. Гучність звуку складним чином
I . Одному децибелу відповідає рівень
залежить від інтенсивності (тиску) звуку,
звукового тиску =2,244 10-5Па. За
частоти і форми коливань (рис.10.12). При
формулою (10.49) один децибел відповідає
незмінній частоті і формі коливань гучність
зміні інтенсивності звуку в 100,1 = 1,26 рази.
звуку зростає із збільшенням інтенсивності
Різні рівні гучності, які зустрічаються в
(тиску) звуку (рис.10.12). При однаковій
повсякденному житті, приведені в таблиці 10.1.
інтенсивності (тиску) звуку гучність звуку
Таблиця 10.1.
чистих тонів (гармонійних коливань) різних
Звук Рівень гучності L,дБ
частот різна, тобто на різних частотах однакову
Найбільш тихий звук, який
гучність можуть мати звуки різної 10-15
здатне вловити людське вухо
інтенсивності (тиску). Тікання годинника 20
Шепіт на відстані 1м 30
Гучність звуку, яка оцінюється
Негучна розмова 35-40
суб’єктивно, зростає значно повільніше, ніж Крик 60
інтенсивність (тиск) звукових хвиль. При Шум пра цюючого пор яд
двигуна грузового автомобіля 80
зростанні інтенсивності (тиску) в геометричній
Допустима гучність для
прогресії гучність зростає приблизно в л ю д с ь ко г о в у х а Не більше 85
арифметичній прогресії, тобто лінійно.
Шум в метро і шум від грузового 90
Виходячи з цього ів нь гучності L з а лі з н одо рож н ого по тя га
визначають як логарифм відношення Навушники mp3 плеєра ( max) 115-120
Шум літака, що злітає,
інтенсивності (тиску) даного звуку І (або ) на відстані 30м від нього 130
до інтенсивності (тиску) І0 (або ) прийнятих Можливість контузії 130-155
Шок 155-160
за вихідні: Розрив барабанних перетинок 160-175
L (10.48) Розрив легенів 175-200
Вибух атомної бомби >200
Вихідна інтенсивність приймається (п ри чи на см е рті )
за величину 10-12Вт/м2, що відповідає
пороговому звуковому тиску п
191
Характеристики звуку. Ефект Доплера для звукової хвилі
Рівень гучності звуку LN (у фонах) зокрема, слухові апарати людини і тварин. В

залежить від інтенсивності звуку,
Ефект його частоти
Доплера для техніці
звуковоїдляхвилі
прийому звуку застосовують,
і розраховується за формулою головним чином, електроакустичні
(10.50) перетворювачі: у повітрі – мікрофони, у воді –

гідрофони, в земній корі – геофони.
де ІN – інтенсивність звуку з частотою ν = 1000
Розповсюдження звукової хвилі
Гц, який має однакову гучність із звуком, який
характеризується в першу чергу швид істю
досліджується. Залежність LN від інтенсивності
зву у. В ряді випадків спостерігається
звуку і його частоти складна, і простим
дисперсія швидкості звуку, тобто залежність
аналітичним співвідношенням не виражається.
швидкості його розповсюдження від частоти.
Визначається LN за кривими рівня гучності
При розповсюдженні звукової хвилі
(рис.10.12). Фон – одиниця рівня гучності
відбувається поступове згасання звуку, тобто
даного звуку. Рівень гучності даного звуку у
зменшення його інтенсивності і амплітуди, яке
фонах дорівнює рівню звукового тиску в
обумовлюється в значній степені поглинанням
децибелах для чистого тону з частотою 1000
звуку, що зв’язане з необоротним переходом
Гц, гучність якого при порівняні на слух
звукової енергії в інші форми (головним
дорівнює гучності даного звуку. Для звуку
чином, в теплоту).
еталонної частоти (ν = 1000 Гц) рівень гучності
Швидкість звуку:
звуку, який виражений у фонах, чисельно
в газах
дорівнює рівню інтенсивності, що виражається
у децибелах, L = LN (числова рівність (10.51)
справедлива тільки для частоти ν = 1000 Гц).
де відношення теплоємкості газу при
Весь діапазон інтенсивностей, при
постійному тиску до теплоємності при
яких хвиля викликає в людському вусі звукове
постійному об’ємі ( ), p і – тиск і
відчуття від 2 10-13 Вт/м2 при 3000 4000 Гц до
густина незбуреного хвилею газу:
майже 10 Вт/м2 біля частоти 30 Гц. Відповідні
в ізотропних твердих тілах для
значення рівня гучності від 8 до +130 дБ
поздовжньої хвилі
приведені на рис.10.12.
Джерелами звуку можуть бути будь- (10.52)
які явища, які викликають місцеву зміну тиску
а для поперечної
або механічних напружень. Широко
розповсюджені джерела звуку у вигляді , (10.53)
твердих тіл, які коливаються (наприклад,
де Е – модуль Юнга, G – модуль зсуву, –
дифузори гучномовців і мембрани телефонів,
густина речовини твердого тіла.
струни і деки музичних інструментів); в
ультразвуковому діапазоні частот це пластинки
і стрижні із п’єзодіелектричних матеріалів або §10.8.Ефект Доплера для звукової хвилі
магнітострикційних матеріалів. Широкий клас В 1842 році в журналі Празького
джерел звуку – електроакустичні наукового товариства з'явилась стаття під
перетворювачі. назвою «Про кольорове світло подвійних зірок
До приймачів звуку відносяться,
192
Ефект Доплера для звукової хвилі
і деяких інших сузір’їв неба». Автор статті, (10.54)

австрійський професор математики Християн
2.Нехай тепер човен із спостерігачем
Доплер, запропонував нове і неочікуване
почав рухатись вздовж прямої, яка з’єднує
пояснення забарвлення небесних об’єктів.
обидва човни. Позначимо швидкість човна із
Свою теорію Доплер будував на тв дж нні
спостерігачем через сп і будемо вважати, що
п о т , що частота хвильових оливань
вона додатня, якщо відстань між човнами
повинна зал жати від швид ості уху
скорочується. Швидкість звуку, яку тепер буде
дж ла відносно спост ігача (тобто
вимірювати спостерігач, буде дорівнювати не
приладу, який сприймає ці хвилі). Іншими
,а
словами, один і той самий звук буде мати різну
сп
висоту, а світло – різне забарвлення (колір) для сп .
джерела, яке рухається, або знаходиться в стані Довжина хвилі звуку у воді не
спокою. залежить від того, рухається спостерігач чи ні.
Для того, щоб краще зрозуміти ефект Тому = = /ν0. З другої сторони, =
2 0 2
Доплера для звуку, розглянемо такий наочний
2/ν2; значить, /ν0 = 2/ν2, тобто
випадок. В озері плавають два човни. На
ν ν о спν
одному з них у воду занурений прилад, який о о (10.55)
сп ν
може випромінювати звукові коливання з о
частотою . З другого човна у воду занурений Це значить, що якщо відстань між
приймач, який може реєструвати частоту човнами скорочується, то приймач зареєструє
сигналу, який доходить. більш високу частоту, ніж частота джерела
Яку частоту звуку буде реєструвати звуку. Навпаки, якщо човен із спостерігачем
приймач в наступних випадках: віддаляється від човна з джерелом, то частота
1.обидва човни знаходяться в стані спокою звуку, який приймається приймачем,
на воді; зменшується:
2.човен з джерелом знаходиться в стані сп
ν ν (10.55 )
спокою, човен із приймачем рухається;
3.човен із джерелом рухається, човен із 3.Розглянемо випадок, коли човен із
приймачем знаходиться в стані спокою. джерелом рухається по напрямку до
Розглянемо кожен випадок окремо. спостерігача із швидкістю дж . Швидкість
1.Відповідь на це питання очевидне: звуку у воді як і раніше дорівнює . Довжину
приймач реєструє звук, частота якого ν0. хвилі, яку буде вимірювати спостерігач, тепер
Дійсно, якщо швидкість звуку у воді о, то буде менша, ніж в тому випадку, коли човни
довжина звукової хвилі, яку випромінює знаходились в стані спокою. Дійсно, довжина
джерело, дорівнює ν . Спостерігач у хвилі – це відстань між двома сусідніми
другому човні, який вимірює швидкість звуку і точками, які коливаються у фазі, наприклад,
довжину хвилі, записує саме ці величини – між сусідніми гребнями хвилі. За час Т = 0/ ,
і поки один гребінь хвилі віддалиться від точки,

= 1 = 0. Так що частота звуку, яку
в якій він був «висланий», на відстань 0,
зареєструє спостерігач, буде дорівнювати
джерело зміститься в тому ж напрямку на
193
Ефект Доплера для звукової хвилі
відстань дж = дж 0/ . Тому відстань при

між «першим» гребнем і наступним буде отримаємо, що
дорівнювати не 0, а ν сп дж
ν (10.58)
дж
дж . Неважко бачити, що є
сп дж
відносна швидкість джерела і приймача. Знаки
Значить, частота звуку, яку зареєструє
«+» відповідають їх руху в протилежних
спостерігач, буде дорівнювати
напрямках, знаки « » – в одному напрямку.
о о
ν Тому формулу для ефекту Доплера в
дж
наближенні малих швидкостей можна записати
або
ν так:
ν (10.56)
дж
ν ν (10.59)
В тому випадку, коли човен із
джерелом віддаляється від човна з приймачем, де – відносна швидкість джерела і приймача
частота звуку, яку буде реєструвати приймач звуку.
дорівнює Отриману формулу (10.59) можна ще
ν раз узагальнити – на той випадок, коли і
ν (10.56 )
дж
середовище рухається. (Це узагальнення
Ми бачимо, що формули (10.56)
означає, що в розглянутому нами прикладі
відрізняються від формул (10.55), хоч основні
човни знаходяться не в озері, а в річці). В
закономірності зберігаються: частота звуку
цьому випадку загальний вид формули (10.59)
підвищується, коли човни зближаються, і
не змінюється, але під величинами дж і сп
частота знижується, коли човни розходяться.
тепер слід розуміти швидкості джерела і
Однак, якщо швидкість човна мала
спостерігача відносно річки; у відповідності з
порівняно із швидкістю звуку у воді, то ми
цим необхідно підставляти і значення у
можемо скористатись наближеними
формулу (10.59).
рівностями:
Ми розглядали випадок, коли джерело
, де
і приймач рухаються вздовж однієї прямої і
В цьому випадку формули (10.56) вздовж цієї ж прямої розповсюджується фронт
приблизно співпадають з формулами (10.55): звукової хвилі. Якщо ж напрямок
ν ν дж
) . розповсюдження звуку складає кут з
напрямком відносної швидкості , то частота,
Можна написати і загальну формулу
яку реєструє приймач, дорівнює
для випадку, коли рухаються обидва човни – і
джерело, і приймач. Така формула отримається (10.60)
послідовним застосуванням двох формул
(10.55) і (10.56), одержаних вище: Зміна частоти визначається
сп
ν ν (10.57) проекцією cos відносної швидкості на
дж
або наближено, враховуючи що напрямок розповсюдження звуку. Якщо

, то = – так званий поперечний ефект
194
Загальні відомості про електромагнітні хвилі
Доплера у звичайній акустиці відсутній. розповсюджуються в просторі з кінцевою
Ефект Допплера для звукових хвиль швидкістю. Існування електромагнітних хвиль
вперше експериментально перевірили у 1845 р. було передбачено англійським фізиком
Музиканти на слух оцінювали М.Фарадеєм в 1832 році. Англійський фізик
звучання музичного інструменту, Дж.Максвелл в 1865 році теоретично показав,
встановленого на платформі потяга, що що електромагнітні коливання
проходив повз них. розповсюджуються в вакуумі із швидкістю
Контрольні питання світла. В 1888 році максвелловська теорія
електромагнітних хвиль отримала
1.Дати визначення рівняння хвилі.
підтвердження в дослідах німецького фізика
2.Записати рівняння біжучої Г.Герца, що відіграло вирішальну роль в її
плоскої та сферичної хвиль. В чому утвердженні.
різниця між цими рівняннями?
Теорія Максвелла дозволила
3.Хвильове рівняння для
одномірного випадку. встановити, що радіохвилі, світло,
4.Характеристики хвилі: амплітуда, рентгенівське і гамма-випромінювання є
фаза, частота, довжина хвилі (хвильове електромагнітні хвилі з різною довжиною
число), фазова швидкість хвиль у хвилі (див.табл.11.1), причому між сусідніми
пружному середовищі. Спектр електромагнітних хвиль
5.Густина потоку енергії хвиль – Таблиця 11.1.
вектор Умова.
6.Групова швидкість хвиль. Чим Довжина Джерела.
Частота Назва
вона відрізняється від фазової швидкості? ν, Гц хвилі λ ,м діапазону Основні методи
збудження
7.Звукові хвилі. Характеристики
3 5
звукових хвиль: амплітуда звукового 0 - 10 ∞ - 3 10
∙ Низькочастотні Змінні струми.
Генератори
хвилі
тиску, інтенсивність звуку, гучність звуку. 103 - 1012
5
∙ -4
3 ∙10 - 3 10 Радіохвилі Генератори
8.Когерентні хвилі, інтерференція радіочастот.
Генератори НВЧ
хвиль. Умови максимуму та мінімуму
11 14
інтерференції.
-4 -7
8,6.10 -4.10 ∙ - 7,5∙10
3,510 Інфрачервоні Теплове
промені випромінювання
9.Стоячі хвилі. Рівняння стоячої атомів і молекул
хвилі. Вузли та пучності стоячої хвилі та 14 14 -7 -7
4.10 -7,5 . 10 ∙
7,5∙10 - 4 10 Видиме Випромінювання
відстань між ними. світло атомів і молекул
10.Основні характеристики звуку. при нагріванні і
при електричних
11.Як проявляється ефект Доплера розрядах
для звукових хвиль? -6 -9
14
7,5.10 - 6 .10
16 0,4 ∙10 - 5 10
∙ Ультрафіоле - Випромінювання
тові промені атомів під час дії
на них швидких
електронів
Розділ 11.Електромагнітні 3.1016- 3.1020

-8
10 - 10
-12
Рентгенівські Випромінювання
промені атомі при збуд-
хвилі женні зовнішніх
і внутрішніх
§11.1.Загальні відомості про 19 -11

3. 10 і більше 10 і менше γ– промені Ядерні процеси,
радіоактивний
електромагнітні хвилі розпад, космічні
процеси
Електромагнітні хвилі – це
електромагнітні коливання, які
195
Доведення необхідності існування електромагнітних хвиль
діапазонами шкали електромагнітних хвиль не Максвелла. Розглянемо випадок однорідного,

має різких границь (рис.11.1). Назви різним нейтрального ( =0), непровідного ( =0)
діапазонам спектрів дані за способом їх середовища з постійними проникностями .
збудження і за методами спостереження. Будемо розглядати одномірну задачу: вектори
Властивості різних діапазонів хвиль також залежать тільки від однієї
відрізняються за їх дією, за проникною координати (від x) і від часу. Тоді, оскільки всі
здатністю. Кожний з цих діапазонів має
похідні по y і z у формулах (8.29) (8.27)
широке практичне застосування. В
дорівнюють нулю, то їх можна переписати так:
електродинаміці розглядають переважно
5 -3 -4 -5 -6 -9 -7 -8 -10 -11 -12
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 λ,м
, (11.1)
Уль т раф іо-
л ет ові х вилі
Р е нт г енів-
с ьк і п ром е ні
В идим и й с пект р
Інфрачер-
воні хвилі γ-промені , (11.2)
, (11.3)
Рад іохвил і
, (11.4)
Рис.11.1. Шкала електромагнітних хвиль. , (11.5)
, (11.6)
низькочастотні радіохвилі. Інші частотні
діапазони вивчають в оптиці та в атомній і , (11.7)
ядерній фізиці. Особливості електромагнітних
хвиль, закони їх збудження і розповсюдження (11.8)
описуються рівняннями Максвелла.
Із рівнянь (11.1) і (11.5) витікає, що складові
§11.2.Доведення необхідності існування векторів і по осі OX не залежить від часу, а

електромагнітних хвиль із (11.4) і (11.8) витікає, що і не залежать
В розділі 8 ми з'ясували, що змінне також і від x. Однак, вище припускалось, що

електричне поле породжує магнітне, яке, вектори не залежать від y і z. Таким
взагалі кажучи, теж є змінним. Це змінне чином , і не залежать ні від часу, ні від
магнітне поле породжує змінне електричне і однієї із координат, тобто постійні з часом і в
т.д. Таким чином, якщо в якому-небудь місці просторі:
простору виникає змінне електричне або const, .
змінне магнітне поле, то можливе збудження в і – постійні однорідні статичні поля, які
послідовних точках простору змінного накладаються на змінне електромагнітне поле.
електричного поля змінним магнітним полем і Статичні поля не впливають на переміщення
навпаки, тобто, розповсюдження цих полів у електромагнітного поля, тобто на утворення
вигляді єдиного електромагнітного поля в електромагнітної хвилі, і можуть не
просторі, що і є утворенням електромагнітної враховуватись. Будемо вважати, що і
хвилі. Покажемо, що існування
електромагнітних хвиль витікає із рівнянь
196
Доведення необхідності існування електромагнітних хвиль
Для випадку, який ми розглядаємо, Продиференціюємо перше рівняння по t і

диференціальні рівняння Максвелла можуть виконаємо перестановку : У
бути записані так :
це співвідношення замість із рівняння
, (11.9)
(11.14) підставимо Тоді
, (11.10)
із (11.13) отримаємо рівняння:
, (11.11)
=
. ( 11.12)
Якщо продиференціювати рівняння (11.14) по t
Із (11.9) виходить, що змінне з часом і виконати аналогічні перетворення отримаємо
електричне поле, що направлене вздовж осі OY таке рівняння для :
викликає появу магнітного поля, яке
= (11.16)
направлене вздовж осі OZ. Зміна останнього з
часом, як випливає із (11.10) призводить до
Порівняння (11.15), (11.16) з (10.13) дає
появи електричного поля, яке направлене
підстави стверджувати, що (11.15) і (11.16) є
вздовж осі OY. Із (11.11) витікає, що змінне з
хвильові рівняння, які представляють хвилі
часом електричне поле, яке направлене вздовж
, тобто процеси розповсюдження в
осі OZ, викликає появу магнітного поля,
просторі одночасно існуючих і взаємно
направленого вздовж осі OY, а змінне з часом
обумовлених змінних з часом електричного і
магнітне поле, яке направлене вздовж осі OY
магнітних полів, тобто електромагнітного поля,
(співвідношення (11.12)), призводить до появи
що є електромагнітною хвилею. В даному
направленого вздовж осі OZ електричного
випадку хвильові рівняння (11.15) і (11.16)
поля.
описують розповсюдження електромагнітної
Із сказаного можна зробити висновок:
хвилі вздовж осі OX. Нагадаємо, що
змінні з часом електрична і магнітна складові
і , так що В
електромагнітного поля взаємно
рівняннях (11.15) і (11.16) збережені індекси y і
перпендикулярні. Так як і , то
складові електромагнітного поля обидві z при E і щоб підкреслити ту обставину, що
перпендикулярні до осі OX. Поля не вектори і направленні вздовж взаємно

викликають появу полів . Тому для перпендикулярних осей OY і OZ. Таким
опису плоскої електромагнітної хвилі чином, і це значить, що

достатньо взяти одну пару рівнянь (11.9) і л т омагнітна хвиля – поп чна хвиля. В
(11.10), а компоненти, що є у рівняннях (11.11) електродинаміці розглядається більш загальна
і (11.12), прирівняємо до нуля, тобто і задача, без викладених нами обмежень, і
. Врахуємо співвідношення (8.28) і досягається аналогічний результат: із рівнянь
(8.29) і (11.9) і (11.10) перепишемо так: Максвелла випливає необхідність існування

електромагнітних хвиль.
, (11.13)
Розглянемо якісну картину утворення
. (11.14) електромагнітних хвиль. Уявімо собі, що в
якійсь точці О (рис.11.2) всередині
197
Властивості електромагнітних хвиль
нескінченного непровідного середовища яке знищить поле у точці 1, але виникне в

створено яким-небудь способом електричне точці 2, і т. д. Таким чином, замість
поле . Якщо електричних зарядів, які початкового поля ми дістанемо і електричне
підтримували б це поле немає, то воно поле, і магнітне поле, які взаємно зв’язані одне
зникатиме. Але спадне поле за Максвеллом з одним і які поширюються в просторі, тобто
спричинює магнітне поле . електромагнітну хвилю.
Через те що поле спадає, то густина З рис.11.2 також видно, що
струму зміщення напрямлена перпендикулярне до , причому обидва ці

зм
вектори перпендикулярні до швидкості
протилежно і лінії сил магнітного поля
поширення хвилі . Всі три вектори зв’язані
напрямлені за рухом стрілки годинника ( коли
між собою правилом правого свердлика : якщо
дивитись зверху по напрямку струму, рис.11.2).
обертати свердлик з правою нарізкою так, щоб
Через те, що в середовищі немає постійних
його рукоятка переміщувалась від вектора
струмів, які підтримували б поле то це
до вектора , то напрям поступального руху
останнє в свою чергу зникатиме і
свердлика збігатиметься з напрямом
спричинюватиме вихрове електричне поле .
Вище ми розглядали електромагнітні
Силові лінії цього поля будуть напрямлені
хвилі якісно. Проте теорія Максвелла не тільки
проти руху стрілки годинника, як показано на
завбачила існування електромагнітних хвиль, а
рис.11.2. Поле знищить початкове поле й дала змогу точно, в кількісній формі
в точці 0, але зате виникне в сусідній точці 1. встановити всі основні їх властивості.
E1 E2
§11.3. Властивості електромагнітних

E
хвиль
υ
.
0 1 2 X
1.Порівняння (11.15), (11.16) з (10.13)
дає можливість стверджувати, що фазова
швидкість електромагнітної хвилі
H H1 (11.17)
Для вакууму (
j j j
Гн/м і тому фазова
Рис.11.2.Вільні електромагнітні хвилі.
швидкість ( позначимо її буквою c) дорівнює:
Зникаючи в точці 1, електричне поле c= =3 (11.18)
спричинить виникнення магнітного поля що дорівнює швидкості світла у вакуумі. Цей
, яке буде напрямлене, як і поле , за рухом важливий результат був отриманий
стрілки годинника. Поле знищить поле і Максвеллом до експериментального відкриття
виникне в більш віддаленій точці. Зникаючи, електромагнітних хвиль. Це привело
воно спричинить вихрове електричне поле , Максвелла до думки про електромагнітну
природу світла. Для середовища із
198
Властивості електромагнітних хвиль
фазова швидкість електромагнітних хвиль з Оскільки вектори і коливаються у фазі, то

(11.17) буде дорівнювати: співвідношення (11.23) справедливе не тільки
= , (11.19) для амплітудних значень , а і для
миттєвих значень E і H в якийсь момент часу,
де n = – показник заломлення середовища.
тобто :
Це співвідношення дає зв’язок між оптичними
. (11.24)
(n), електричними ( і магнітними (
властивостями середовища. Необхідно мати на Помноживши рівняння (11.20) на орт осі OY
увазі, що залежать від частоти коливань (E = ), а рівняння (11.21) на орт осі OZ
і . (H римаємо рівняння плоскої
2.Розв’язками рівнянь (11.15) і (11.16) електромагнітної хвилі у векторному вигляді:
є функції:
(11.25)
(11.20)
і (ми прирівняли ).
. (11.21) Косинусоїдальна або синусоїдальна

електромагнітна хвиля називається
В цих формулах циклічна частота
монохроматичною хвилею.
хвилі, k – хвильове число, яке дорівнює ,
В кожній точці електромагнітного
– початкові фази коливань в точках з
поля монохроматичної хвилі проекції векторів
координатами x = 0, – амплітуди хвилі.
та на осі координат інерціальної системи
Підставимо (11.20) і (11.21) в рівняння (11.13) і
відліку здійснюють гармонійні коливання
(11.14):
однакової лінійної частоти , яка
називається частотою хвилі.
λ
Y E E E E
H H
Щоб рівняння (11.13) і (11.14) υ

O
X
задовільнялись розв’язками (11.20) і (11.21)
Z
необхідна рівність початкових фаз Крім H H H H
того, повинні виконуватись співвідношення: E E

Рис.11.3.
На рис.11.3 наведені вектори і
поля плоскої (вектор коливається в площині
Перемноживши ці дві рівності, знайдемо що:
YOX) монохроматичної хвилі в один і той
самий момент часу. У фіксованій точці
Таким чином, коливання
простору вектори і змінюються з часом за
електричного і магнітного векторів в
гармонічним законом. Вони одночасно
електромагнітній хвилі відбувається з
збільшуються від нуля, потім через ¼T
однаковою фазою ( амплітуди цих
досягають найбільшого значення. Ще через ¼T
векторів зв’язані співвідношенням :
обидва вектори одночасно дорівнюють нулю.
= (11.23) Потім знову обидва вектори досягають
199
Енергія електромагнітних хвиль. Потік енергії. Вектор Пойнтинга
максимального значення, але протилежного магнітних коливань, другими словами,

напрямку, ніж півперіод тому. І через час, який пучності (вузлу) електричної стоячої хвилі
дорівнює періоду коливання векторів, знову відповідає вузол (пучність) магнітної стоячої
стають нульовими. Така зміна векторів і хвилі. Із рівнянь (11.28) і (11.29) витікає, що
відбувається у всіх точках простору, але зі коливання електричної компоненти хвилі
зсувом за фазою, що визначається відстанню зсунуті на по фазі відносно коливань
між точками, яка відраховується вздовж осі магнітної компоненти хвилі (
OX. .
Площина, яка проходить через вектор
і вектор швидкості , називається площиною
поля изації хвилі. Довжина хвилі період T, §11.4.Енергія електромагнітних хвиль.
Потік енергії. Вектор Пойнтинга
частота і швидкість поширення
електромагнітної хвилі зв’язані між собою
співвідношеннями Електромагнітне поле має енергію.
Тому поширення електромагнітних хвиль
(11.26)
пов’язане з перенесенням енергії в полі,
Якщо плоска електромагнітна біжуча
подібно до того, як поширення пружних хвиль
хвиля розповсюджується в додатному напрямі
у речовині пов'язане з перенесенням
осі OX, то її можна, представити парою рівнянь
механічної енергії.
(11.25). Тоді відбитій біжучій хвилі, яка
Об’ємна густина енергії
розповсюджується в оберненому напрямку,
електромагнітної хвилі складається з об’ємних
від’ємному напрямку осі OX, відповідає одна
густин і електричного, і магнітного полів:
пара із сукупності рівнянь:
.
(11.27)
Врахувавши (11.24), отримаємо, що густини
В результаті попарного додавання енергії електричного і магнітного полів в
(11.25) і (11.27) і відповідного математичного кожен момент часу однакові, тобто .
перетворення, отримаємо рівняння стоячої Тому
електромагнітної хвилі:
, (11.28) (11.30)
У випадку плоско поляризованої

(11.28) – рівняння електричної, (11.29) – монохроматичної хвилі, що поширюється
рівняння магнітної стоячої хвилі. Тут (рис.11.3) вздовж додатного напрямку осі OX,
і – відповідно напруженість поля
амплітуда електричних і амплітуда магнітних
.
коливань. Оскільки максимальному значенню
Відповідно, об’ємна густина енергії цієї хвилі
синуса відповідає нульове значення косинуса,
. Значення в
то максимальному (нульовому) значенню
кожній точці поля періодично змінюється з
амплітуди електричних коливань відповідає
частотою в границях від 0 до
нульове (максимальне) значення амплітуди
200
Генерування і експериментальне дослідження електромагних хвиль
. Середнє значення за період прямо пропорційна квадрату амплітуди

пропорційне квадрату амплітуди напруженості коливань вектора поля хвилі:
поля:
. (11.35)
(11.31)
Помноживши густину енергії

§11.5. Генерування і експериментальне
швидкість поширення хвилі в середовищі, дослідження електромагнітних хвиль
отримуємо модуль густини потоку енергії. (радіохвиль)
Модуль густини потоку енергії
Із попередніх параграфів відомо, що
чисельно дорівнює енергії, яку переносить
для отримання електромагнітної хвилі
хвиля за одиницю часу через одиницю площі
необхідно створити в просторі досить швидко
поверхні, що розміщена перпендикулярно до
змінне електричне поле. Очевидно, що для цієї
напрямку поширення хвилі:
мети електричні коливальні контури з
П
зосередженими ємністю і індуктивністю
Оскільки вектори і взаємно (закриті контури), які розглянуті в розділі 9, не
перпендикулярні і утворюють з напрямком придатні. У таких випадках усе електричне
поширення хвилі правогвинтову систему, то поле зосереджене у вузькому зазорі
напрямок вектора збігаються з конденсатора, а все магнітне поле – всередині
напрямком переносу енергії, а модуль цього індуктивності, а в навколишньому просторі
вектора дорівнює EH. Отже, вектор густини електричне поле практично дорівнює нулю
потоку енергії електромагнітної хвилі, який (рис.11.4,а).
називаються вектором Пойнтинга дорівнює: Делокалізацію змінних електричного і
П . (11.32) магнітного полів, перенесення їх із частин
Потік Ф електромагнітної енергії простору, які обмежені обкладками
через деяку поверхню S можна знайти за конденсатора і котушкою, можна здійснити,
допомогою інтегрування: розсуваючи обкладки конденсатора і
зменшуючи їх площу, а також розсуваючи
Ф П (11.33)
витки котушки і зменшуючи їх кількість
Інтенсивність електромагнітної
(рис.11.4,б,в). При цьому одночасно
хвилі I дорівнює модулю середнього значення
зменшується ємність і індуктивність контуру, а
вектора Пойнтинга за проміжок часу, який
значить, збільшується власна частота
дорівнює періоду T повного коливання:
коливального контуру. Зрештою, приходимо до
прямолінійного відрізка проводу
П
(металічного стержня), як показано на
або рис.11.4,г. Це – відкритий коливальний контур
(відкритий вібратор). Як видно із рисунка,
Таким чином інтенсивність плоско змінним електричному і магнітному полям
поляризованої монохроматичної біжучої хвилі (електромагнітному полю) відкритого
вібратора повністю забезпечений вихід в
201
оточуючий простір. Такий вібратор винайшов і переходили з вібратора в котушку, між

вперше застосував для генерування вібратором і котушкою ввімкнено дроселі Д,
електромагнітних хвиль (для перевірки теорії реактивний опір яких дорівнює . Так як
Максвелла) в 1887 1888 рр. німецький фізик зміна контура від виду, зображеного на
Г.Герц. рис.11.4,а, до виду, зображеного на рис.11.4,г,
E призводить до дуже сильного зменшення
+ − ємності відкритого контура, то з метою деякого
збільшення ємності кінці половинок стержнів
іскрового проміжку мали сферичні стовщення
а
(рис.11.5).
Вібратор, який Вібратор,
H випромінює який приймає
E
Д в
+ − і
н
б д іскра
H у T
к
т
о
р
E Д в
+ −
в
H Рис.11.5.
Індуктор – котушка із залізним

E
осердям і двома обмотками. За допомогою
+ − механічного переривача в первинній обмотці
г H
створювався пульсуючий струм з частотою

Рис.11.4. його розриву ( ) . У вторинній
обмотці індукувалась змінна е.р.с. (до )
Для вивчення електромагнітних хвиль
тієї ж частоти, яка прикладалась до двох
Герц використав власні електричні коливання
половинок вібратора. Коли напруга між
відкритого вібратора (диполя), який складався
половинками вібратора досягала пробивної
з двох однакових металевих стержнів вв
величини, між ними проскакувала іскра, яка
(рис.11.5), розділених іскровим проміжком.
закорочувала обидві половинки вібратора і в
Обидві половини вібратора
ньому виникали високочастотні власні
заряджались від джерела високої напруги
згасаючі електромагнітні коливання, частота
індуктора. Коли різниця потенціалів досягала
яких визначалась величинами його ємності і
пробійного значення, в розряднику
індуктивності. Герц отримував з різними
проскакувала іскра, яка замикала обидві
вібраторами коливання, частота яких була
половини вібратора, і у вібраторі виникали
порядку і електромагнітні хвилі з
згасаючі електричні коливання високої
Половинки вібратора
частоти. Щоб швидкозмінні струми не
202
зазнавали багатократну перезарядку, після якої або за свіченням мініатюрної газорозрядної

електромагнітні коливання повністю згасали. трубки T, ввімкненої між обома половинками
Згасання коливань обумовлено тим, вібратора (рис.11.5).
що енергія, яку отримав вібратор при його Тепер для випромінювання
зарядці, витрачалась на виділення ленц- електромагнітних хвиль користуються майже
джоулевого тепла і на випромінювання хвиль. завжди генераторами, які дають змогу
Внаслідок згасання коливань і погасання іскри діставати електричні коливання практично
контур розмикається, вібратор заряджається будь-якої потужності і до того ж правильної
від індуктора до наступної іскри, процес синусоїдальної форми. Щоб збудити коливання
багаторазової перезарядки половинок у вібраторі, між обома його половинками вв
вібратора повторюється і т.д. Такі періодичні можна ввімкнути один або кілька витків
порції багатократних перезарядок половин зв’язку (рис.11.6) і помістити їх поблизу
вібратора (з періодом роботи переривача котушки індуктивності K генератора Г
індуктора) супроводжується випромінюванням (магнітний зв’язок). Є й інші способи зв'язку
порції (ц у г а ), електромагнітних хвиль в
оточуючий простір. в
Період роботи переривача індуктора Γ K
набагато більший, ніж період електромагнітних

коливань вібратора, тому то і використовують в
дроселі Д (рис.11.5) для захисту індуктора від

високочастотних струмів. Для виявлення Рис.11.6.
електромагнітних хвиль Герц застосовував
вібратори різної форми. Найпростішим і між вібраторами і генераторами. Щоб
найзручнішим є прямий відкритий вібратор, підсилити коливання у вібраторі,
який за формою і розмірами тотожний користуються явищем резонансу, для чого
випромінюючому вібратору (рис.11.5). Під частоту генератора роблять такою, щоб вона
дією змінного електричного поля прохідної дорівнювала одній з власних частот вібратора,
електромагнітної хвилі електрони всередині звичайно частоті основного його коливання.
вібратора починають здійснювати вимушені Герц продовжив також дослідження
коливання, внаслідок чого у вібраторі виникає властивостей електромагнітних хвиль. За
швидкозмінний струм, а між обома допомогою великих металічних дзеркал і
половинами вібратора – змінна напруга. Якщо асфальтової призми ( розміром більша 1м і
довжина приймального вібратора дорівнює масою 1200 кг) він здійснював відбивання і
довжині випромінюючого вібратора і заломлення електромагнітних хвиль і виявив,
дорівнює , то власні частоти обох що обидва ці явища підпорядковуються
вібраторів збігаються і електричні коливання у законам, які встановлені в оптиці для світлових
приймальному вібраторі внаслідок резонансу хвиль. Відбиваючи біжучу плоску хвилю за
підсилюються. Появу змінної напруги Герц допомогою металічного дзеркала в оберненому
виявляв за виникненням електричної іскорки у напрямку, Герц отримав стоячу хвилю.
мікроскопічному зазорі всередині вібратора Відстань між вузлами і пучностями хвилі
203
Випромінювання елементарного диполя
дозволяла визначити довжину хвилі . небудь генератора електричних коливань, якщо

Помноживши на частоту коливань вібратора відстань між кулями (рис.11.7). Момент
можна було знайти швидкість такого диполя . Якщо генератор видає
електромагнітних хвиль, яка виявилась гармонічні коливання, то і
близькою до швидкості світла c. момент диполя змінюється з часом також за
Розташовуючи на шляху хвиль решітку із гармонічним законом:
паралельних одна одній мідних дротин, Герц (11.36)
виявив, що при обертанні решітки навколо Тут амплітуда електричного
променя інтенсивність хвиль, які пройшли момента диполя. ЇЇ можна подати також через
через решітку, сильно змінюється. Якщо амплітуду величини струму . Справді,
дротини, що утворюють решітку, були величина струму в диполі дорівнює
перпендикулярні до вектора , хвиля , а амплітуда струму .
проходила через решітку без завад. При Тому , а отже,
розташуванні дротин паралельно хвиля
. (11.37)
через решітку не проходила. Так було доведено
поперечність електромагнітних хвиль.
+q
Досліди Герца відіграли вирішальну
роль для підтвердження і визнання теорії ~ l
Максвелла. Експериментальне відкриття
Герцом електромагнітних хвиль лягло в основу −q
великого винаходу бездротової телефонії і

Рис.11.7.Елементарний диполь.
телеграфії (радіо) в 1895-1896 рр. російським
вченим А.С. Поповим і незалежно від нього З елементарними диполями нам
італійським інженером Г.Марконі. доводиться зустрічатися досить часто. Антени
радіостанцій разом з поверхнею землі, на якій
§11.6.Випромінювання елементарного індукуються заряди протилежного знаку, в
диполя багатьох випадках можна розглядати як
Серед різних електричних систем, які елементарні диполі. Проте найважливішим
випромінюють електромагнітні хвилі особливо прикладом елементарних диполів є електрони
важливе значення має електричний диполь. У всередині атомів. Коловий і еліптичний рухи
§11.5 ми вже зустрічалися із застосуванням електронів, які обертаються навколо
диполя (вібратора) для випромінювання позитивного ядра, можна розкласти на два
електромагнітних хвиль. Проте там ми прямолінійні гармонічні коливання. Але
говорили про так званий півхвильовий диполь, електрон, який здійснює прямолінійні
довжина якого дорівнює половині довжини гармонічні коливання, разом з позитивним
хвилі. А тепер ми розглянемо диполь, довжина ядром (яке не бере участі у випромінюванні)
якого мала порівняно з довжиною хвилі можна розглядати як диполь, момент якого
(елементарний диполь). Найпростішим змінюється згідно з формулою (11.36). Через
прикладом елементарного диполя є дві те, що довжини хвиль, які випромінює атом
металеві кулі, які заряджаються від якого-
204
(для видимого світла округлено ), енергії, оскільки при відсутності втрат в
набагато більші за розміри атомів ( , то середовищі повний потік енергії в просторі не
диполі, які розглядаються, можна вважати з повинен змінюватись із відстанню. Оскільки
великою точністю елементарними. площа, яка охоплює диполь (площа сфери)
Розглянемо тепер, який характер збільшується як , то необхідно, щоб П був
мають електромагнітні хвилі, що пропорціональним .
випромінюються диполем. При цьому ми не Таким чином, поле в ближній зоні
подаватимемо строгого виведення виразів для ( ) диполя (зоні індукції) служить для
електромагнітного поля з рівнянь Максвелла, а формування біжучих складових полів, які
обмежимося якісними результатами. відповідають за випромінювання. На великих
Характер електромагнітного поля відстанях від диполя ( ) закон зміни
диполя істотно залежить від того, близько чи полів зовсім інший. Ця, так звана хвильова
далеко розміщена точка, яка розглядається. область, становить основний інтерес і тому
Якщо відстань r від центра диполя до цієї точки
мала порівняно з довжиною хвилі ( ), то
справедливі ті самі формули, що й для
постійних електричного і магнітного полів.
Електричне поле диполя виражається
формулами і спадає з відстанню пропорційно а б в
. Магнітне поле диполя
Рис.11.8.Форма електричних силових ліній
виражається тією самою формулою (5.8) (чи поля диполя, який випромінює електромагнітні хвилі.
скалярною формулою (5.9)), що й поле
ми спинимося на ній докладніше. З’ясуємо,
елемента струму, і пропорціональне .
який вигляд має хвильовий фронт
Такі поля можна вважати квазістаціонарними. З
електромагнітної хвилі диполя. Через те що
ними не може бути пов’язане випромінювання
електромагнітне збурення поширюється на всі
енергії. Потік енергії через одиничну площину
боки від диполя з однаковою швидкістю c (ми
за одиницю часу визначається складовою
припускаємо, що диполь міститься у вакуумі),
вектора Пойтинга (формула
то час проходження хвилі до всіх точок,
(11.32)), яка перпендикулярна до цієї площини.
віддалених від диполя на одну й ту саму
У квазістаціонарних полях і зсунуті по фазі
відстань r, однаковий. Тому в усіх точках
на (як в стоячих хвилях), тому вектор
сфери, центр якої збігається з диполем, фаза
Пойтинга, що змінюється з частотою , в
коливань однакова, тобто ми маємо сферичний
середньому за період коливань точно дорівнює
хвильовий фронт, а отже хвиля, яка
нулю. Відмінність від нуля може бути випромінюється диполем, є сферична чи
обумовлена тільки полями і , які кульова хвиля. Через те, що електричне поле E
коливаються з однаковою фазою (як в біжучих в хвилі перпендикулярне до напрямку
хвилях, формула (11.25)) і зменшуються поширення, то вектор в різних точках
пропорціонально Це перпендикулярний до радіусів-векторів
безпосередньо витікає із закону збереження (рис.11.8,а). Це поле періодично змінюється, і
205
тому, переміщуючись вздовж радіуса-вектора,

ми знаходитимемо поля взаємно протилежного
напряму (рис.11.8,б). З'єднавши на рис.11.8,б
стрілки суцільною лінією, ми дістанемо одну з а
електричних силових ліній (рис.11.8,в).
На рис.11.9 наведена картина
послідовного відокремлення силових ліній
електричного поля , які створюються. У
першій чверті періоду T коливань (t = T/4)
б
виникає квазістатична частина поля (рис.11.9,а),
яка при t = T/2 перетворюється в нуль, але від
поля «відриваються» замкнуті самі на себе
силові лінії поля і «зчеплені» з ними кільцеві
ортогональні магнітні лінії (на рис.11.9,б не
показані). Разом вони утворюють автономну
напівхвильову тороїдальну (в силу аксіальної в
симетрії) комірку сферично розбіжної хвилі, яка
несе електромагнітну енергію (рис.11.9,в,г).
Напрям магнітного поля у кожній
точці перпендикулярний до і до напряму
поширення. Тому магнітними силовими лініями г
будуть концентричні кола, які лежать у
Рис.11.9.а-електричні силові лінії біля
площинах, перпендикулярних до диполя і електричного диполя (при умові постійного заряду);
мають центр на осі диполя. б-г-силові лінії, які відділились від диполя: б-через ½
періода (Т/2) після підключенння генератора (заряд на
Розглянемо докладніше, який вигляд диполі відсутній); в-через (3/2)Т (масштаб змінений);
має електромагнітне поле диполя в хвильовій г-через (7/4)Т (масштаб змінений).
області.
Відомо, що заряд, який рухається зі
цього точний розрахунок показує, що
сталою швидкістю, спричиняє тільки постійне
електричне поле Е хвилі (а отже, і магнітне поле
магнітне поле H. З іншого боку, згідно з
Н) пропорційне ). Аргумент
основним положенням теорії Максвелла, для
) показує, що коливання поля в точці, яка
виникнення вихрового електричного поля
лежить на відстані r від диполя, запізнюється
необхідно, щоб було відмінне від нуля. відносно коливань в часі на , так що E(t) і
Тому для випромінювання потрібно, щоб заряд H(t) в розглядуваній точці в момент t
рухався з певним прискоренням (крапка визначаються значенням у більш ранній
означає диференціювання по часу) або, інакше, момент часу ). Раніше вже було
щоб друга похідна по часу від момента диполя показано, що виходячи із закону збереження
= не дорівнювала нулю. Відповідно до енергії, Е і Н пропорційні 1/r.
206
E П
rsin θ
H rdθ і вираз (11.38) набирає вигляду:
dS
θ r
ֺֺ
dθ
p Енергія, яка випромінюється
диполем. Значення вектора потоку енергії в
якій-небудь точці з координатами r, є
Інтерес має не миттєве значення , а

Рис.11.10.Електромагнітне поле у
його середнє значення за досить великий
сферичній хвилі, яку випромінює диполь.
проміжок часу, тобто інтенсивність
Величини полів Е і Н залежить ще від
випромінювання. Через те, що
напряму випромінювання, тобто від кута ,
, то
утвореного радіусом-вектором з віссю диполя
(рис.11.10). Вже говорилось, що поблизу
(11.40)
диполя його магнітне поле виражається тією Інтенсивність випромінювання
самою формулою (5.9), що й для елемента пропорційна частоті коливань у четвертій
струму. Це магнітне поле пропорційне і степені. Вона залежить також від напряму
дорівнює нулю в будь-якій точці, яка лежить на випромінювання (пропорційна ).
продовжені осі диполя. Так само і напруженості
полів Е і Н у хвильовій зоні пропорційні . θ I
Точний розрахунок дає такий pֺ ֺ
результат:
, . (11.38)
Рис.11.11.Діаграма направленості
Тут м с швидкість випромінювання елементарного диполя.
поширення електромагнітних хвиль у вакуумі. Залежність інтенсивності випромінювання

Всі інші величини в (11.38) мають розмірність диполя від напряму подано на рис.11.11
в системі CI. («діаграма направленості» випромінювання).
Обидва поля і напрямлені Таким чином, у напрямі своєї осі диполь нічого
перпендикулярно до напряму поширення, тобто не випромінює. Навпаки, в напрямах,
до напряму , і зв’язані з ним правилом правого перпендикулярних до осі диполя, інтенсивність
свердлика (рис.11.10). Зауважимо, що формула випромінювання найбільша. Ця діаграма
(11.38) справедлива тільки для таких рухів будується так, щоб довжина відрізка, який
зарядів, швидкість яких мала порівняно із відсікається нею на промені, що проведений із
швидкістю світла (нерелятивістський випадок, центра диполя, давала інтенсивність
). В окремому випадку, коли випромінювання під кутом .
змінюється за гармонійним законом (11.36)
207
Основні відомості про хвилі оптичного діапазону
Нарешті, обчислимо повну енергію P, 3.Співвідношення між

яку випромінює диполь в усіх напрямах за напруженістю електричного та
одиницю часу. Через те, що є енергія, яка напруженістю магнітного поля в ЕМХ.
проходить через одиницю поверхні за 1 сек, то
4.Густина потоку електромагнітної
енергії – вектор Пойтинга. Чому вектор
ЕМХ називають світловим?
5.Якою характеристикою ЕМХ
визначається її інтенсивність?
де інтегрування виконується по довільній 6.Пояснити, чому стоячі хвилі не
поверхні S, яка охоплює диполь. Вибираючи переносять енергію.
сферу, радіус якої r, з центром у точці 7.Нарисувати і пояснити полярну
розміщення диполя і користуючись сферичними діаграму випромінювання електричного
диполя у хвильовій зоні. Які можна
координатами r, рис.11.10), отримаємо:
зробити висновки?
8.Яка необхідна умова, щоб
електричний диполь і електричний заряд
випромінювали електромагнітні хвилі?
. (11.41)
Написаний вираз можна подати в

іншому вигляді. Для цього виразимо амплітуду
Розділ 12. Інтерференція
коливань момента через амплітуду струму в
диполі згідно з (11.37). Тоді отримаємо : електромагнітних хвиль
, (11.42) §12.1.Основні відомості про хвилі
оптичного діапазону. Інтенсивність
де l – довжина диполя. Цей вираз подібний до електромагнітних хвиль
виразу для потужності, яку виділяє змінний
струм з опором R : Світло, у вузькому розумінні теж,
що і видиме випромінювання, тобто
.
електромагнітні хвилі в інтервалі частот, які
Тому величину
сприймаються людським оком (7,5 1014
випром (11.43) 4,0 1014 Гц), що відповідає довжинам хвиль у
вакуумі від ~0,4 до ~0,76 мкм. Світло високої
називають опором випромінювання диполя. Це
інтенсивності око сприймає в дещо більш
поняття застосовують в радіотехніці до
широкому діапазоні. Світлові хвилі різних
випромінювання антен передавальних станцій.
частот сприймаються людиною як різні
кольори.
Світло в широкому розумінні
1.Рівнянні плоскої біжучої синонім оптичного випромінювання, що
електромагнітної хвилі (ЕМХ).
включає, крім видимого випромінювання,
2.Фазова швидкість ЕМХ у вакуумі
ультрафіолетову (УФ) та інфрачервону (ІЧ)
та середовищі.
області спектру.
208
Основні відомості про хвилі оптичного діапазону
Світло це складне явище: в одних практично не відрізняється від одиниці. Тому

випадках воно поводить себе як можна вважати, що
електромагнітна хвиля, в інших як потік n= (12.3)
особливих частинок (фотонів). В даному розділі Формула (12.3) зв'язує оптичні
розглядається хвильова оптика, тобто коло властивості речовин з його електричними
явищ, в основі яких лежить хвильова природа властивостями. На перший погляд може
світла. здатись, що ця формула неправильна.
В електромагнітній хвилі Наприклад, для води , а n = 1,33. Однак
коливаються вектори і . Як показують треба мати на увазі, що значення
дослідження фізіологічну, фотохімічну, отримано із електростатичних вимірювань.
фотоелектричну та інші дії світла обумовлені У швидкозмінних електричних полях значення
коливаннями електричного вектора У отримується іншим, причому воно залежить
відповідності до цього будемо в подальшому від частоти коливань поля. Цим пояснюється
говорити про світловий вектор, розуміючи під дисперсія світла, тобто залежність показника
ним вектор напруженості електричного поля . заломлення (або швидкості світла) від частоти
Про магнітний вектор світлової хвилі ми (або довжини хвилі). Підстановка у формулу
згадувати майже не будемо. Модуль амплітуди (12.3) значення , яке отримане для відповідної
світлового вектора будемо позначати, як частоти, дає правильне значення n.
правило, буквою E m . Відповідно зміни з часом Значення показника заломлення
і в просторі проекції світлового вектора на характеризує оптичну густину середовища.
напрямок, вздовж якого він коливається, Середовище з більшим називається оптично
описується рівнянням (11.20): більш густим, ніж середовище з меншим .
  Відповідно середовище з меншим
E  Em cos(ωt  kr  α). (12.1)
називається оптично менш густим, ніж
Тут k =2 хвильове число, r відстань,
середовище з більшим
яка відраховується вздовж напрямку
Довжини хвиль видимого світла
розповсюдження світлової хвилі. Для плоскої
відносяться до світлових
хвилі, яка розповсюджується в середовищі, яке
хвиль у вакуумі. В речовині довжини світлових
не поглинає світло, , для сферичної
хвиль будуть іншими. У випадку коливань з
хвилі зменшується з відстанню
частотою довжина хвилі у вакуумі буде
пропорційно .
Згідно (11.19) відношення швидкості В середовищі, в якому фазова
світлової хвилі у вакуумі до фазової швидкості швидкість світлової хвилі , довжина хвилі
в деякому середовищі називається має значення Таким чином,
абсолютним показником заломлення цього
довжина світлової хвилі в середовищі з
середовища. Таким чином
показником заломлення зв’язана з довжиною
n = c/ . (12.2) Інтерференц
хвилі у вакуумі співвідношенням
Із формули (11.19) видно, що
. (12.4)
n εμ . Для більшості прозорих речовин
209
Інтенсивність світла згідно (11.35) в хвиль на поверхні води (§10.7) або для
данній точці простору буде: звукових хвиль. Спостерігати ж інтерференцію
світлових хвиль можна тільки при певних
, (12.5)
умовах.
тобто інтенсивність світла пропорційна Визначення інтерференції хвиль дано
показнику заломлення середовища і квадрату в §10.7. ід інтерференцією світла, як
амплітуди світлової хвилі. правило, розуміють широке коло явищ, в яких
Зауважимо, що при проходженні при накладанні пучків світла результуюча
світла в однорідному середовищі можна інтенсивність не дорівнює сумі
вважати, що інтенсивність пропорційна інтенсивностей окремих пучків: в одних місцях
квадрату амплітуди світлової хвилі вона більша, в інших менша, тобто виникають
. (12.6) світлі і темні ділянки інтерференційні смуги,
Однак у випадку проходження світла які чергуються.
через границю розділу середовищ вираз для Умови, при яких має місце
інтенсивності, який не враховує множник , інтерференція, розглядались у §10.7. Перш за
приводить до незбереження світлового потоку. все хвилі повинні бути монохроматичними
Лінії, вздовж яких розповсюджується ( ). Світло, яке випромінюється
світлова енергія, називаються променями. звичайними (не лазерними) джерелами, не
Усереднений вектор Пойтинга буває строго монохроматичним. Тому для

спостереження інтерференції світло від одного
направлений в кожній точці по дотичній до
джерела необхідно розділити на два пучки, а
променя. В ізотропних середовищах
потім накласти їх один на одного. Існуючі
(властивості в усіх напрямках однакові)
експериментальні методи отримання
напрямок співпадає з нормаллю до
когерентних пучків із одного світлового пучка
хвильової поверхні, тобто з напрямом
можна поділити на два класи. В методі ділення
хвильового вектора . Значить промені
хвильового фронту пучок пропускається,
перпендикулярні до хвильових поверхонь. В
наприклад, через два близько розташованих
анізотропних середовищах (властивості в
отвори в непрозорому екрані. Такий метод
різних напрямках є різними) нормаль до
годиться тільки при досить малих розмірах
хвильової поверхні в загальному випадку не
джерела. В іншому методі пучок ділиться
співпадає з напрямком вектора Пойтинга, тобто
однією або декількома поверхнями, які
промені не перпендикулярні хвильовим
частково відбивають і пропускають світло. Цей
поверхням.
метод поділу амплітуди може застосовуватись і
для протяжних джерел. Він забезпечує більшу
§12.2. Інтерференція світла інтенсивність і лежить в основі дії різних

інтерферометрів. В залежності від числа пучків,
які інтерферують, розрізняють двопроменеві і
Хвильові властивості світла найбільш
багатопроменеві інтерферометри, які мають
виразно проявляють себе в інтерференції. Ці
важливе практичне застосування в техніці,
явища характерні для хвиль будь-яої природи і
метрології і спектроскопії.
порівняно просто спостерігаються в досліді для
210
Інтерференція світла
Розглянемо інтерференцію Згідно принципу суперпозиції,

монохроматичного світла. Світлові коливання в напруженість результуючого поля в точці P
деякій точці, через яку проходить строго дорівнює їх векторній сумі:
монохроматична хвиля, повинні відбуватись . (12.10)
нескінченно довго і мати незмінну частоту і В результаті додавання двох
амплітуду. Просте світло, яке випромінюється гармонічних коливань однакової частоти
любим реальним джерелом, не має цієї отримується коливання тієї ж частоти, а
властивості. Тим не менше монохроматична незмінна з часом його амплітуда залежить від
ідеалізація є достатньою для розв'язання співвідношення фаз коливань, які додаються
багатьох задач. Зокрема при вивченні явищ (§9.4), і тому в різних точках спостереження
інтерференції вона годиться для визначення амплітуда має, взагалі кажучи, різні значення.
положення максимумів і мінімумів Зважаючи на дуже велику частоту
інтерференційної картини. оптичних коливань ( ) напруженість
Нехай розділення на дві когерентні
неможливо виміряти безпосередньо. Всі
хвилі відбувається в точці (рис.12.1). До
приймачі випромінювання вимірюють
точки Р, в якій спостерігається
енергетичні величини (інтенсивність світла або
інтерференційна картина, одна хвиля в
освітленість поверхні) усереднені за проміжок
середовищі з показником , проходить
часу, який набагато більший за період
шлях , а друга в середовищі з показником
оптичних коливань. Тому величини, які
заломлення шлях . Згідно (11.20) і (12.1)
експериментально вимірюють, пропорційні
перша хвиля викличе в точці P коливання
середньому значенню квадрату напруженості
r1 електричного поля за час, який
.
O
n1
n2
.
P
визначається
випромінювання:
інерційністю приймача
r2
(12.11)
Рис.12.1.
= (12.7) Вираз для результуючої інтенсивності

крім суми інтенсивностей і
кожної із хвиль містить ще один доданок, який
= (12.8)
пропорційний 2 , що носить назву
де
інтерференційного члена. В тих випадках, коли
(12.9) він дорівнює нулю, результуюча інтенсивність
хвильові числа першої і другої хвиль, і інтерференція відсутня.
швидкість світла у вакуумі, Скалярний добуток дорівнює
довжина хвилі у вакуумі, і нулю, коли , тобто хвилі, що

додаються, поляризовані у взаємно
початкові фази.
перпендикулярних напрямках (поляризація
електромагнітних хвиль розглядається в
211
Інтерференція світла
подальшому). Відсутність інтерференції шляхів, що пройшли хвилі,

променів, які поляризовані у взаємно оптичною різницею ходу.
перпендикулярних напрямках, була виявлена У випадку когерентних хвиль
Френелем і Араго в 1816р. і інтерпретована в = і для зручності будемо вважати,
1817р. Юнгом як доказ поперечності світлових що В результаті (12.13)
хвиль. Електромагнітна теорія світла це
підтвердила.
. (12.16)
Будемо вважати, що вектори в
точці спостереження здійснюють коливання Якщо оптична різниця ходу дорівнює
вздовж однієї прямої. Тоді інтерференційний парному числу півхвиль у вакуумі:
член можна записати так: 2 =2 . (12.17)

Додавання однаково спрямованих з
то , і коливання, що
однаковими частотами коливань розглянуто у
§9.4. Згідно формули (9.20) амплітуда збуджуються в точці обома хвилями,
результуючого коливання в точці із відбуваються в однакових фазах. Число m

врахуванням (12.7) і (12.8) буде: називається порядком інтерференції. Отже
і результуюча інтенсивність
(12.12)
максимальна:
Цей же результат можна отримати із
(12.18)
співвідношення (12.11), якщо врахувати, що
Таким чином, максимум інтенсивності
при накладанні двох когерентних хвиль буде у
точках, для яких виконується умова (12.17),
тобто на оптичній різниці ходу укладається
Враховуючи, що інтенсивності хвиль парне число півхвиль ( ). Сукупність таких
пропорційні квадратам їхніх амплітуд, для точок утворює інтерференційні лінії (смуги),
інтенсивності результуючого коливання в точці порядок яких визначається числом m.
P отримаємо: Якщо оптична різниця ходу:
(12.13) (m=0, 1, 2, 3,…), (12.19)
де то і коливання, що
(12.14) збуджуються в точці обома хвилями,
різниця фаз двох когерентних хвиль від одного знаходяться у протифазі. Це означає,що
джерела. Із урахуванням (12.9) запишемо і результуюча інтенсивність в цій
(12.14) у наступному вигляді:
точці згідно (2.16) буде мінімальна:
(
Добуток геометричної довжини (12.20)

шляху світлової хвилі на показник заломлення
цього середовища називається оптичною Мінімум інтенсивності отримаємо в
довжиною шляху, а різниця оптичних довжин точках, для яких оптична різниця ходу
212
Розрахунок інтерференційної картини від двох когерентних джерел
променів вміщує непарне число півхвиль середовищі з показником заломлення n,

( ). Таким чином (12.17) умова формула (12.21) залишається справедливою,
інтерференційного максимуму, а (12.19) але в ній під необхідно розуміти не
умова інтерференційного мінімуму. геометричну, а оптичну різницю ходу хвиль,
що інтерферують: ).
§12.3. Розрахунок інтерференційної Щоб знайти залежність освітленості

картини від двох когерентних джерел екрана від координати x (рис.12.2), необхідно
різницю ходу виразити через координату x
Розглянемо випадок інтерференції
точки спостереження P. Для зручності введемо
хвиль від двох однакових синфазних (
кут , що утворюється напрямком на точку P
) монохроматичних точкових джерел і
з перпендикуляром до лінії, яка з'єднує джерела
(рис.12.2), які знаходяться на відстані
(тобто з оптичною віссю схеми, яка
одне від одного в середовищі з показником
розглядається). Для практично важливого
заломлення n=1. Якщо відстань до екрана, де
випадку малих значень ( ), для різниці
спостерігаються інтерференційні смуги,
ходу можна записати . Так як
l
∆ ∆x
, то . Підставляючи цей
S2 ∆x
вираз для в (12.21), отримаємо
θ⃰
d
θ r2
O . I(x)
x ). (12.22)
α
S1⃰ r1
P
.
X В точці, для якої x=0, розташований максимум,
Рис.12.2.
який відповідає нульовій різниці ходу. Для
набагато більша відстані між джерелами ( цього максимуму порядок інтерференції m=0.
), то коливання в точці , що збуджуються Це центр інтерференційної картини. Відстань
хвилями від і мають однаковий напрямок між сусідніми максимумами або мінімумами
і однакові амплітуди ( ). (просторовий період інтерференційної картини)
Інтенсивність результуючого коливання в точці визначається із умови:
(12.21) Звідки
(12.23)
де інтенсивність коливань від одного
Формула (12.23) визначає так звану ширину
джерела, різниця ходу хвиль, що
інтерференційної смуги.
інтерферують. Освітленість екрана в мінімумах
Якщо ввести кут сходження променів
дорівнює нулю, а в максимумах 4
, тобто кут, під яким видні джерела
Положення максимумів визначається умовою
(12.17). і із точки спостереження, то вираз для
В тому випадку, якщо хвилі від можна записати так:
джерел розповсюджуються не у вакуумі, а в

213
Розрахунок інтерференційної картини від двох когерентних джерел
(12.24) Переріз таких гіперболічних поверхонь
Ця формула використовується для наведено на рис.12.3, де суцільними лініями
випадку інтерференції плоских хвиль показано розміщення максимумів
(паралельних променів), які розповсюджуються інтенсивності, штрихованими мінімуми
під кутом . Дійсно, для великих відстаней від інтенсивності.

Контрастність інтерференційної
джерел, сферичні хвилі на невеликих ділянках
картини характеризують за допомогою
наближено можна вважати як плоскі, кут між
параметра
напрямками яких при приблизно
дорівнює . (12.25)
Відзначимо, що середнє значення
де інтенсивність світлих і темних
освітленості по екрану в інтерференційній
смуг. Параметр V вперше ввів Майкельсон і
картині, згідно формули (12.22) буде:
його називають функцією видності (або просто
видністю). Якщо інтенсивність темної смуги
+ =2
дорівнює нулю ( ), то , тобто
що дорівнює подвоєній освітленості від одного когерентність променів максимальна. Для
джерела. Це значить, що при інтерференції рівномірно освітленого екрана ( )
відбуваються тільки перерозподіл енергії в видність (промені не когеренті).
просторі, а повний потік енергії залишається
незмінним.
§12.4. Способи спостереження
інтерференції світла
S1 1. Метод поділу хвильового фронту

⃰
Вперше експериментальна установка
для демонстрації інтерференції світла була
⃰ S2 виготовлена Томасом Юнгом на початку ХІХ
століття. Яскравий пучок сонячних променів
освітлював екран А з малим отвором S
Рис.12.3.
(рис.12.4). Світло, яке пройшло через отвір S,
До цього часу розглядались тільки
має вид розбіжного пучка, який падає на
точки екрана, які лежать в площині рис.12.2. В
другий екран В з двома малими отворами S1 і
просторі поверхнями максимальної і
S2, які розташовані близько один від одного на
мінімальної інтенсивності є гіперболоїди
однакових відстанях від S. Ці отвори діють як
обертання з фокусами в точках , так як
вторинні точкові когерентні (синфазні) джерела
відповідають множині точок, для яких різниця
і хвилі, які виходять із них, перекриваються і
відстаней від двох заданих точок має
створюють інтерференційну картину, яку
одне і теж значення, тобто . Для
спостерігають на віддаленому екрані .
максимальної інтенсивності , Розташування світлих і темних смуг
для мінімальної на екрані знаходять, користуючись вище
розглянутою монохроматичною ідеалізацією.
214
Способи спостереження інтерференції світла
Відстань між сусідніми смугами r+b, де r відстань від S до ребра дзеркал, b

визначається за формулою (12.23). Вимірюючи відстань від ребра до екрана (рис.12.5).
ширину інтерференційних смуг, Юнг у 1802 Відстань між джерелами, як видно із рис.12.5,
році вперше визначив довжини світлових хвиль дорівнює . Тому ширина
для різних кольорів, хоч ці виміри і не були інтерференційної смуги на екрані дорівнює
точними.
(12.26)
A B Ε В іншому інтерференційному досліді

Френеля для розділення початкової світлової
S1 хвилі на дві використовують біпризму з кутом
S d
2φ при вершині , який дуже малий (біпризма
S2
L l Френеля). Джерелом світла служить яскраво
освітлена вузька щілина S, яка паралельна
Рис.12.4.Схема досліду Юнга. заломному ребру біпризми (рис.12.6). Можна
вважати, що тут утворюються два уявних
Інший інтерференційний дослід був
зображення S1 і S2 джерела S, які близько
здійснений Френелем у 1816 році. Дві
розташовуються, так як кожна половинка
когерентні світлові хвилі отримувались в
біпризми відхиляє промені на невеликий кут
результаті відбивання від двох дзеркал,
(
площини яких нахилені під невеликим кутом
поле інтерференції X
одна до одної (рис.12.5). Джерелом світла є 2φ
вузька яскраво освітлена щілина S, яка S1 α
* ( n-1 )α
S
паралельна ребру між дзеркалами. Відбиті від * 0 .
S
дзеркал пучки падають на екран і в тій області, * 2
де вони перекриваються, виникає

інтерференційна картина. Від прямого r b
попадання променів від джерела S екран Рис.12.6.Біпризма Френеля.

захищений ширмою. Для розрахунку
X Аналогічний пристрій, в якому роль
S
α α * когерентних джерел відіграють дійсні
r
S1 зображення яскраво освітленої щілини,
* b
2α
0 отримуються, якщо збиральну лінзу розрізати
S2*
по діаметру і половинки трохи розсунути
(білінза Бі'є, рис.12.7). Проріз закривають
Рис.12.5.Дзеркала Френеля.
непрозорим екраном, а промені, які падають на
освітленості екрана можна вважати, що лінзу, проходять через дійсні зображення
хвилі, які інтерферують, випромінюється щілини S S1 і S2 і в подальшому
вторинними джерелами S1 і S2, які є уявними перекриваються, утворюючи інтерференційне
зображеннями щілини S в дзеркалах. Тому поле. У всіх наведених пристроях
визначається формулою (12.22), в якій відстань інтерференційні смуги можна спостерігати в
l від джерел до екрана необхідно замінити на будь-якому місці в області перекриття
215
розбіжних променів від джерел S1 і S2 (ці інтерференційні смуги мають вид

області заштриховані на рис.12.5 12.7). концентричних кілець з центрами на
перпендикулярі до пластинки, що проходить
поле інтерференції
S1 через джерело S. За допомогою листочка слюди
S
* (товщиною 0,03-0,05 мм) можна отримати
*
S*2 яскраву інтерференційну картину прямо на
стелі і стінах аудиторії. Чим тоньша пластинка,
Рис.12.7.Білінза Бі'є. тим більша відстань між смугами.
Особливо важливий частинний
2. Метод поділу амплітуд
випадок інтерференції світла, яке відбивається
Інтерференцію світла за методом двома поверхнями плоскопаралельної
поділу амплітуди в багатьох відношеннях пластинки, коли точка спостереження Р
спостерігати простіше, ніж в дослідах з поділом знаходиться на нескінченності, тобто
хвильового фронту. В дослідах Поля світло від спостереження ведеться або оком, яке
джерела S відбивається двома поверхнями акомодоване на нескінченність, або на екрані,
тонкої прозорої плоско-паралельної пластинки що розташований у фокальній площині
(рис.12.8). В будь-яку точку Р, яка знаходиться збиральної лінзи (рис.12.9). В цьому випадку
з тієї ж сторони від пластинки, що і джерело, обидва промені, які йдуть від S до Р, породжені
приходять два промені з різницею ходу одним падаючим променем і після відбивання
2h При малому коефіцієнті від передньої і задньої поверхонь пластинки
відбивання повторне відбивання від внутрішніх паралельні між собою (рис.12.9). Оптична
поверхонь пластинки можна не враховувати із- .P
за малої енергії променів, які зазнають два S
відбивання і більше. Перші два промені ⃰
утворюють інтерференційну картину. Для
визначення виду смуг можна уявити собі, що α D
α
промені йдуть із уявних зображень S1 і S2
.P h
A C
n
2φ b β
S
h a⃰ θ
2φ B
Рис.12.9.
S1 θ пластинка
2h ⃰ 2hsinθ
різниця ходу між ними в точці Р така ж, як на
лінії DC:
S2 ⃰ 2hcosθ
Рис.12.8.
Тут n показник заломлення
джерела S, які утворюються поверхнями
матеріалу пластинки. Вважається, що над
пластинки. На віддаленому екрані, який
пластинкою знаходиться повітря, тобто 1.
розташований паралельно до пластинки,
216
Так як точкового джерела смуги спостерігаються

скрізь, тобто вони не локалізовані. Але на
(h товщина пластинки, кути
нескінченності або у фокальній площині
падіння і заломлення на верхній грані збиральної лінзи смуги спостерігаються і при
), то для різниці ходу отримаємо протяжному джерелі. Локалізовані смуги при
протяжному джерелі можна спостерігати і в
(12.27)
інших умовах. Виявляється, що для достатньо
тонкої пластинки або плівки (поверхні якої не
Тут враховано, що при відбиванні
обов'язково повинні бути паралельними і
хвилі в точці А, вона "втрачає півхвилі", тобто
взагалі плоскими) можна спостерігати
фаза хвилі змінюється на . Тому різниця фаз
інтерференційну картину, яка локалізована біля
хвиль, які складаються в точці Р дорівнює
поверхні, що відбиває світло. В білому світлі
інтерференційні смуги забарвлені. Тому таке
(12.28)
явище називають кольори тонких плівок. Його
легко спостерігати на мильних бульбашках, на
де довжина хвилі у вакуумі. Різниця фаз
тонких плівках мастила або бензину, що
визначається кутом , який однозначно
плавають на поверхні води, на плівках окислів
зв'язаний з положенням точки Р у фокальній
на поверхні металів і плівках лазерних дисків і
площині лінзи (рис.12.9).
т.п.
Згідно формули (12.17) світлі смуги .P ´
розташовані в місцях, для яких
S
(12.29) ⃰ 1
2
θ C
де m ціле число, яке називається порядком
A P
інтерференції. Смуга, яка відповідає даному
θ´ h
порядку інтерференції, обумовлена світлом, яке B
падає на пластинку під певним кутом Тому

a б
такі смуги називають інтерференційними Рис.12.10.
смугами однакового нахилу. Смуги однакового Локалізовані біля поверхні плівки або
нахилу можна отримати не тільки у відбитому тонкої пластинки інтерференційні смуги можна
світлі, але і у світлі, яке проходить через спостерігати неозброєним оком або за
пластинку. В цьому випадку один із променів допомогою лупи або мікроскопа. За допомогою
проходить прямо, а другий після двох збиральної лінзи інтерференційну картину з
відбивань на внутрішній стороні пластинки. поверхні плівки можна відобразити на екрані
3. Інтерференція при протяжних джерелах (рис.12.10,а).

Ми розглянули інтерференційні Дійсно, промені, які виходять із точки
досліди, в яких поділ амплітуди світлової хвилі Р (рис.12.10,б), знову збираються в точці Р', яка
від джерела відбувалось в результаті є зображенням точка Р, що створюється лінзою.
часткового відбивання на поверхнях Інтерферуючі промені прийдуть в точку Р' з
плоскопаралельної пластинки. У випадку тією ж різницею фаз, яку вони мали в точці Р.
217
Щоб зрозуміти причину виникнення місць плівки, де її оптична товщина має одне і
інтерференційних смуг знайдемо різницю ходу теж значення (при умові, звичайно, що є
двох променів, які приходять в точку Р від достатньо однаковий для всієї області
джерела S. спостереження). По цій причині такі смуги
Із рис.12.10,б видно, що називають смугами однакової товщини.
Кільцеві смуги однакової товщини, які
спостерігаються у повітряному зазорі між
Якщо плівка мало вирізняється від випуклою сферичною поверхнею лінзи малої
плоскопаралельної, трикутники можна вважати кривизни і плоскою поверхнею скла, які
прямокутними і вважати, що дотикаються (рис.12.11), називаються кільцями
Тут кут Ньютона. Їх спільний центр розташований
падіння променів на плівку, кут в точці дотику. При нормальному падінні світла
заломлення променів в точці А. За законом на лінзу для відбитих променів 1 і 2 (рис.12.11)
заломлення . Тоді різниця ходу буде дорівнювати
,
O .
де враховано "втрату півхвилі" при відбиванні
променя 2 в точці Р. Різниця фаз двох R
променів в точці Р буде:
(12.30) 1
2
Формула (12.30) відповідає іншим

h
умовам інтерференції, ніж формула (12.28). Для
даної точки Р товщина має певне значення і, r
якщо використовувати протяжне джерело
Рис.12.11.
світла, то різні величини (формула (12.30))
для променів, що приходять від різних точок де враховано "втрату півхвилі" променя 2 при
джерела, зв'язані з різним для них значенням відбиванні від поверхні скла. Товщина
. В точці Р (і, відповідно, в Р') буде повітряного зазору зв'язана із відстанню до
максимум інтенсивності, якщо різниця ходу точки дотику (рис.12.11):
(12.31)
Тут використано умову ( ) . Тоді
де означає усереднення по тих точках
різниця ходу
джерела, світло від яких попадає в Р'.
Співвідношення (12.31) є справедливим і при
неплоских поверхнях плівки при умові, що кут Згідно умови (12.17) світлі кільця
між ними залишається малим. Тому будуть спостерігатись при умові, що
інтерференційні смуги відповідають сукупності
218
Інтерференція квазімонохроматичного світла. Часова когерентність
св світла, мають обмежене застосування. В цьому

,
параграфі ми з'ясуємо, до яких змін в
а радіуси світлих кілець будуть: інтерференційних явищах призводить
врахування спектрального складу (
св (12.32) реальних джерел світла.
Розглянемо найпростіший випадок,
Темні кільця, згідно умови (12.19),
коли джерело випромінює дві дуже вузькі,
будуть при
близькі одна до одної спектральні лінії з
тем
частотами . Якби випромінювання на
кожній із частот представляло собою
,
нескінченну синусоїдальну хвилю, то
а радіуси темних кілець визначаються за
результуюче випромінювання було б хвилею
формулою
середньої частоти з амплітудою, що періодично
тем . (12.33) змінювалась би. Але в дійсності
У відбитому світлі центр темний випромінювання кожної із спектральних
тем , так як при товщині повітряного компонентів є хаотична послідовність більш
зазору , різниця ходу , а менш довгих хвильових цугів. Як правило, за
різниця фаз хвиль, які інтерферують, близька час спостереження проходить багато цугів,
до . Якщо лінзу поступово відсувати від коливання в яких ніяк не зв'язані за фазою.
поверхні скла, то інтерференційні кільця будуть Тому можна вважати, що замість одного є два
стягуватись до центру. Для світла, яке розташованих в одному місці джерела і
проходить через лінзу і пластинку, незалежно одне від одного випромінюють хвилі
розташування кілець Ньютона обернене до з частотами . При виконанні
розташування кілець Ньютона у відбитому інтерференційних дослідів з такими джерелами
світлі. Тобто, за формулою (12.32) визначають кожна із хвиль створює свою інтерференційну
радіуси темних кілець, а за формулою (12.33) картину, і ці картини просто накладаються одна
радіуси світлих кілець. на одну.
За допомогою кілець Ньютона, як і в Якщо частоти ( ) мало
досліді Юнга, можна порівняно простими відрізняються (таке світло називають
засобами приблизно визначити довжину хвилі квазімонохроматичним, тобто майже
світла. монохроматичним), то інтерференційні смуги в
кожній картині мають майже однакову ширину
§12.5. Інтерференція
(формула (12.23)). В тих випадках, де світлі
квазімонохроматичного світла. Часова
смуги однієї картини накладаються на світлі
когерентність
У всіх описаних вище інтерференційних смуги іншої, чіткість смуг в сумарній картині
дослідах при їхній інтерпретації вважалось, що найбільша. Навпаки, там, де світлі смуги однієї
джерело випромінює монохроматичне світло картини співпадають з темними смугами іншої
(світло однієї частоти , або однієї картини, чіткість смуг зменшується майже до
довжини хвилі ). Природно, що повного їх зникнення.
результати отримані для монохроматичного Дослідимо це питання кількісно.
219
Інтерференція квазімонохроматичного світла. Часова когерентність
Інтенсивність результуючого коливання в точці Відстань когер = c когер на яку
(рис.12.1) екрану визначається формулою переміщується хвиля за час називається
когер
(12.13), де різниця фаз двох коливань (див.§10.7
довжиною когерентності (або довжиною
формула (10.32)) буде:
цуга). Довжина когерентності є та відстань, на
(12.34) якій випадкова зміна фази хвилі досягає
значення приблизно . Для отримання
або
, (12.35) tкогер
IP
tспостереж
де різниця
фаз двох коливань в точці , що визначається
формулою (12.14). Якщо інтенсивності хвиль з
частотами однакові ( ), то
формула (12.13) перепишеться так: t
2π
∆ω
або Рис.12.12.
=4 (12.36)
інтерференційної картини методом поділу
Приблизний вид залежності природної хвилі на дві частини необхідно, щоб
інтенсивності світла в точці від часу показаний оптична різниця ходу була менша, ніж
на рис.12.12 згідно формули (12.36). Якщо час довжина когерентності когер . Ця вимога
спостереження в точці значний, то ні обмежує число видимих інтерференційних
максимуму, ні мінімуму незафіксуємо смуг, що спостерігаються за схемою, яка
(рис.12.12). Для часу спостереж когер в показана на рис.12.2. Із збільшенням номера
точці P будуть пульсації інтенсивності. смуги m різниця ходу зростає, внаслідок чого
Якщо час спостереження дорівнює когер чіткість смуг (їх видність) стає меншою і
, то в точці буде або максимум, або меншою.
мінімум інтерференційної картини. Час когер
Довжині когерентності відповідає
називається часом когерентності. Це такий максимально можливий порядок інтерференції:
проміжок часу, на протязі якого випадкова когер
зміна фази хвилі досягає значення . Тоді Звідки
+ когер
. (12.38)
Для білого світла (сонце, лампа
Звідси знаходимо, що
розжарювання, дуга з вугільними електродами)
когер = 1/ . (12.37)
ефективним діапазоном довжин хвиль для
Якщо врахувати, що , то
візуального спостереження є приблизно
=c і
довжини хвиль від 0,4 до 0,7 мкм, тобто
когер (12.38) В цьому випадку і інтерференційні
смуги, здавалось би, спостерігатись не повинні.
Дійсно, приймач випромінювання, який має
220
Роль кінцевих розмірів джерела світла.Просторова когерентність
однакову чутливість на різних ділянках контрастності (видності) інтерференційних
спектру, наприклад термоелемент, покаже при смуг і навіть до їх повного зникнення. Щоб
переміщенні в полі зору поперек смуг майже вияснити роль розмірів джерела будемо
рівномірний розподіл освітленості. Але око є вважати тут випромінювання
селективний приймач із сильно змінною монохроматичним ( ).
чутливістю в залежності від довжини хвилі, що Протяжне джерело, яке світиться,
дає деяким хвилям перевагу перед іншими. складається із великого числа точкових
Візуальне спостереження смуг в білому світлі взаємно некогерентних елементів. Тому
полегшується, дякуючи здатності нашого зору інтенсивність в любому місці дорівнює сумі
розрізняти кольори, а не тільки інтенсивність інтенсивностей в інтерференційних картинах,
світла. Тому в білому світлі око розрізняє біля що створюються окремими точковими
десятка забарвлень інтерференційних смуг. елементами джерела.
Коли різниця ходу дорівнює нулю для деяких В інтерференційних дослідах за
місць, куди обидві інтерферуючі хвилі методом поділу хвильового фронту (§12.4)
приходять в однаковій фазі, умова максимуму смуги на екрані перпендикулярні площині, в
виконується для всіх довжин хвиль. В цьому якій знаходяться первинне точкове джерело S і
місці виникає ахроматична (тобто вторинні джерела Використання замість
незабарвлена) світла смуга. По обидва боки від S лінійного джерела (достатньо вузької щілини,
неї знаходяться забарвлені максимуми і яка витягнута перпендикулярно до цієї
мінімуми, а за ними поле зору здається оку площини), збільшує інтенсивність і не
рівномірно освітленим білим світлом. Таке приводить до погіршення чіткості
походження чудових інтерфереційних кольорів інтерференційних смуг. Однак збільшення
в тонких плівках мастила або бензину на ширини щілини приводить до того, що смуги
поверхні води. Легко оцінити максимальну стають менш чіткими або пропадають зовсім.
товщину плівки, при якій можливе візуальне Якщо розміри джерела (тобто ширина
спостереження інтерференції в білому світлі. щілини ) набагато менша довжини світлової
Приймаючи для максимальної хвилі, то інтерференційна картина буде різкою,
можливої різниці ходу отримуємо оскільки різниця ходу променів, що
(де . При цьому товщина інтерферують, від любої точки джерела (по
плівки вдвічі менша: 5 2,5мкм. його ширині) до деякої точки спостереження P
буде практично одна і таж. Але, як правило,
розміри джерела значно більші довжини хвилі,
§12.6. Роль кінцевих розмірів
тому однакові інтерференційні картини від
джерела світла. Просторова
різних його елементів зсунуті одна відносно
когерентність
При аналізі інтерференційних одної. В результаті накладання цих картин
дослідів первинне джерело хвиль вважалось інтерференційні смуги стають більш менш
точковим. Однак всі реальні джерела світла розмитими. Їх можна спостерігати тільки при
мають кінцеві розміри. Збільшення розмірів використанні певних умов, які накладаються на
джерела, як і розширення спектру світла, яке геометрію експерименту. Ці умови розглянемо
випромінюється, приводить до погіршення далі.
221
Розглянемо протяжне джерело світла, максимуми однієї картини співпадають з
розміри якого (це ширина щілини). Кожна максимумами іншої. При світлі
точка такого джерела є точковим джерелом
смуги інтерференційної картини від джерела
світла. Розглянемо дві такі точки i
суміщаються із темними смугами
(рис.12.13,а), які є некогерентними світними
інтерференційної картини від джерела
точками. В інтерференційних дослідах світло
(рис.12.13,б). Тому умовою отримання хорошої
від кожного джерела попадає в деяку точку
інтерференційної картини від протяжного
спостереження на екрані двома різними
джерела можна прийняти нерівність
шляхами. Розглянемо випадок, коли промені,
(12.39)
β2 1 Для випадку малого кута i (12.39)
β1
S1 2φ можна переписати так:
⃰⃰ . 2
⃰⃰ ∆2 , (12.40)
D ⃰⃰ ⃰ φ
⃰⃰⃰ φ
1´
де кут між інтерферуючими променями,
⃰⃰ що виходять із джерела, називається
⃰⃰⃰ . 2φ
S 2⃰⃰ ∆
апертурою інтерференції .
2´
1 При великих апертурах спостерігати
екран інтерференцію можна тільки від джерел,
a
S1 S2 розміри яких менші довжини світлової хвилі.
Якщо , тобто промені, що
інтерферують, виходять із джерела майже в
е к р а н протилежних напрямках, то із (12.40)
б отримуємо, що його протяжність повинна
Рис.12.13.
бути менша /4. Для спостереження
що інтерферують, виходять із кожної точки
інтерференції з використанням джерела,
джерела симетрично відносно нормалі до лінії
розміри якого набагато більші довжини хвилі
Нехай промінь, який іде від по одному
світла, геометрія експерименту повинна бути
із цих шляхів, утворює кут (промінь 1) із
такою, щоб промені, які інтерферують,
лінією , а іншим шляхом – кут (промінь
виходили із джерела під малим кутом один до
2). Для джерела відповідні промені . одного.
Зсув двох інтерференційних картин на екрані, Застосуємо критерій (12.40) до
що створюються джерелами інтерференційних дослідів, які розглядались
визначається сумою різниць ходу
вище. В досліді Юнга (рис.12.4) , тому
променів 1 і і променів 2 і
ширина додаткової щілини S повинна
задовільняти умові При
Тоді
d = 0,5мм знаходимо, що ширина
D( Для симетричного випадку щілини повинна бути менша 0,5 мм.
(рис.12.13,а) кут кут . Розглянемо дослід із дзеркалами
Тоді Якщо то Френеля (рис.12.5). Для точки спостереження
222
P, яка лежить в центрі інтерференційного поля замінимо пластинку двома паралельними

кут 2 між інтерферуючими променями, які площинами, які відбивають світло, відстань між
виходять із джерела S, легко знайти із якими дорівнює товщині пластинки. Тоді
побудови, що приведена на рис.12.14. Кут відстань між вторинними джерелами
(уявними зображеннями джерела S) дорівнює
S 2 . Кут сходження променів в точку
α
*
α
r спостереження в цьому досліді дорівнює
φφ
S1 * β/2
rα α
φ
.0 P . апертурі інтерференції 2 . Відстань
α φ
S2* b дорівнює , тому 2 .
Рис.12.14.
Товщина листочка слюди дуже мала
( порівняно з , тому мала
(кут між дзеркалами) є зовнішнім для
і апертура інтерференції 2 (при будь-якому
трикутника і тому . Для
положенні точки спостереження , включаючи
половини кута сходження променів можемо
). Значить, розмір джерла може бути
записати . Виключаючи із цих
достатньо великим: із (12.40) знаходимо
рівнянь , знаходимо, що .
Підставимо в (12.40) і отримаємо При
наступне обмеження на ширину D щілини , отримаємо,
джерела S: що . Для демонстрації досліду Поля
можна використати велику лампу без всяких
Якщо , то ця умова приймає вид щілин. За допомогою листочка слюди, площа
. Щоб можна було спостерігати якого декілька квадратних сантиметрів, можна
смуги інтерференції із джерелом, для якого отримати яскраву інтерференційну картину
, кут між дзеркалами повинен бути дуже великих розмірів, що покриває стелю і стіни
малим ( . Можна показати, що в дослідах аудиторії. Розмір джерела ( ) набагато
із дзеркалами Френеля апертура інтерференції більший відстані , так що
2 має практично одне і те саме значення при уявні зображення джерела майже повністю
будь-якому положенні точки спостереження перекриваються.
на екрані в області, де перекриваються При спостереженні локалізованих на
інтерферуючі промені. Тому чіткість смуг нескінченності смуг однакового нахилу
однакова по всьому інтерференційному полю. (рис.12.9) обидва промені, які інтерферують,
В досліді з біпризмою Френеля виходять із джерла в одному напрямку, тобто
(рис.12.6.) апертура інтерференції також апертура інтерференції дорівнює нулю. Тому
практично однакова по всьому полю і дорівнює тут немає ніяких обмежень на розміри джерела.
2 (останнє Залежність видності (12.25) смуг від
справедливе при ). Підставляючі у апертури інтерференції можна наглядно
(12.40), знаходимо, що . продемонструвати на досліді із дзеркалом
При аналізі інтерференційного Ллойда (рис.12.15). Тут прямий пучок світла
досліду Поля (рис.12.8) для спрощення будемо від джерела інтерферує з пучком, який
нехтувати заломленням в слюді, тобто відбитий від дзеркала при майже ковзаючому
223
Практичне застосування інтерференції світла
падінні. На відміну від дослідів Юнга або вимірювати лінійні розміри тіл і коефіцієнти
Френеля, в досліді Ллойда апертура лінійного розширення тіл;
інтерференції сильно залежить від положення визначати якість і точність шліфування різних
точки спостереження на екрані, який поверхонь;
встановлений перпендикулярно до площини вимірювати показники заломлення
дзеркала. Із (рис.12.15) видно, що . газоподібних, рідких і твердих тіл;
Апертура тим менша, чим ближче точка до вимірювати кутові розміри небесних тіл;
площини дзеркала. При використанні вивчати і контролювати однорідність
протяжного джерела видність смуг замітно речовин;
спадає при віддаленні від точки . вивчати структури спектрів різних речовин;
досліджувати ударні хвилі у газах.
X
За допомогою явища інтерференції
S*
2φ
α .
P x можна виготовляти інтерференційні
h світлофільтри і вдається значно зменшити
0
відбивання світла від оптичних систем.
h
S1* Розглянемо більш детально деякі
l
практичні застосування явища інтерференції.
Рис.12.15.
d
Критерій (12.40) дозволяє визначити
розмір області в межах якої видність смуг
(12.25) більша 2/3 при данній ширині щілини
джерела . На вдвічі більшій падаюче 1´ 2´ 2 2´´
відстані смуги пропадають. Кут світло
сходження променів, як видно із рис.12.15,
дорівнює . Ширина інтерференційної nc
n 0
n
смуги . Тому повне число
смуг на цій відстані буде . Це плівка скло
дає оцінку найвищого порядку інтерференції в Рис.12.16.
монохроматичному світлі від протяжного
О.Смакула розробив спосіб
джерела в досліді Ллойда.
просвітлення оптики для зменшення втрат
світла, зумовлених його відбиванням на межі
поділу двох середовищ, оскільки проходження
§12.7. Практичне застосування
світла через кожну заломну поверхню лінзи
інтерференції світла
супроводжується відбиттям падаючого
Явище інтерференції світла потоку світла. У складних об’єктивах число
використовують для створення різних відбивань велике і сумарна втрата світлового
оптичних приладів, за допомогою яких можна потоку досить значна, що приводить до
виконувати такі операції: зменшення світлосили оптичних приладів. Крім
вимірювати довжини світлової хвилі з
великою точністю;
224
того, відбивання від поверхні лінз приводить до Явище інтерференції використовують у
виникнення бліків. ряді дуже точних вимірювальних приладів, які
Щоб елементи оптичних систем називають інтерферометрами.
зробити просвітленими, їх поверхні Розглянемо схему інтерферометра
покривають прозорими плівками речовин, Жамена, який використовують для точних
показник заломлення яких менший, ніж скла. вимірювання показників заломлення газів і їх
При відбиванні світла від межі поділу повітря – залежності від температури, тиску і вологості
плівка і плівка – скло виникає інтерференція (рис.12.17). Дві зовсім однакові скляні товсті
когерентних хвиль і (рис.12.16.). Товщину плоскопаралельні пластини та
плівки d і показники заломлення скла і установлені майже паралельно одна до
плівки n можна підібрати так, щоб хвилі, які одної. Поверхні AB і CD – дзеркальні. Промені
інтерферують, гасила одна одну. Для цього їх світла довжиною від монохроматичного
амплітуди повинні бути рівні, а оптична джерла падають на поверхню пластини під
різними кутами близькими до . На
різниця ходу
рисунку показано лише один падаючий
Розрахунки показують, що амплітуди
промінь. Внаслідок його відбивання від
відбитих хвиль рівні, якщо . Речовину
плівки підбирають так, щоб виконувалась *S D
P2
умова де показник B1 α
P1 l D1
заломлення повітря. Втрата півхвилі в цьому 1 K1 C
B K2
випадку відбувається на обох поверхнях. Умова A1 2 C1
мінімуму при куті падіння має такий A 1´ 2´ 1´´ 2´´
вигляд Л
Рис.12.17.
Для мінімальної товщини плівки поверхонь і пластини з неї виходять
і тоді дві когерентні паралельні хвилі 1 і 2.

Пройшовши крізь дві цілком однакові закриті
скляні кювети і довжиною l, ці хвилі
Ця формула показує, що неможливо відбиваються поверхнями і пластини
добитися одночасного гасіння для всіх довжин . В результаті виникають чотири промені
хвиль видимого спектра. Тому ця умова і , і з яких промені і
повинна виконуватись для довжини хвиль накладаються один на одного і інтерферують.
=0,555мкм, яка найбільше сприймається Якщо одну з кювет заповнено
людським оком. газом з відомим показником заломлення n, а
Отже, якщо і оптична другу газом з показником заломлення ,
який треба знайти, то оптична різниця ходу між
товщина плівки дорівнює , то в результаті
інтерференції спостерігається гасіння відбитих інтерферуючими хвилями . Якщо
хвиль. ця різниця ходу , то вся

інтерференційна картина зміститься на смуг.
225
Визначивши , можна знайти показник може переміщатися за допомогою
заломлення : мікрометричних гвинтів паралельно само до
себе.
Хвилі когерентні: отже, за
Внаслідок великої чутливості
допомогою зорової труби буде спостерігатися
інтерферометра, його використовують для
інтерференційна картина. Оптична різниця
вимірювання показників заломлення газів, що
хвиль де - абсолютний
мало відрізняються від одиниці.
показник заломлення повітря, а - відстані
Розглянемо спрощену схему
від точки до дзеркал і .
інтерферометра Майкельсона (рис.12.18).
Якщо , то буде інтерференційний
Монохроматичне світло від джерела падає під
максимум. Переміщення одного з дзеркал на
кутом на плоскопаралельну пластину
відстані призводить до виникнення
Сторона пластинки , яка посріблена і
інтерференційного мінімуму. Отже, за зміною
напівпрозора, розділяє промінь на дві частини:
інтерференційної картини можна зробити
промінь 1, який відбивається від посрібленого
висновки про малі переміщення одного з
шару і промінь 2, що проходить крізь нього.
дзеркал і тим самим використати
Промінь відбивається від дзеркала і
інтерферометр Майкельсона для точних
повертається назад, знову проходить через
вимірювань довжини світлової хвилі, довжини
пластинку . Промінь 2 поширюється до
тіла при зміні температури і т.п. Похибки при
дзеркала , відбивається від нього,
вимірюванні довжини складають порядка
повертається назад і відбивається від пластинки
M2 Інтерферометр Майкельсона можна
використати для знаходження незначних змін
показника заломлення прозорих тіл залежно від
P2 тиску, температури, домішок. Такий
B 2 інтерферометр називається інтерференційним

O 2' рефрактометром.
1
1'
A M
P1 M1
M1 A
2
́
S
⃰ 1
́
1 S
⃰
Рис.12.18.
α
. Оскільки промінь 1 проходить 2
B C
пластину двічі, то для компенсації різниці Рис.12.19.
ходу, яка виникає на шляху другого променя,
ставиться пластинка яку називають В.П.Лінник використав принцип дії
компенсатором. інтерферометра Майкельсона для створення
Дзеркала і розміщують мікроінтерферометра – високочутливого
перпендикулярно одне до одного. Одне з них приладу, який використовується для контролю
226
Дифракція електромагнітних хвиль
чистоти обробки поверхонь металевих виробів. 7.Які відомі способи отримання

Світло від джерела падає на скляний кубик когерентних хвиль оптичного діапазону?
(рис.12.19), який складається з двох половин Пояснити суть цих способів.
8.Пояснити явище «втрати
склеєних по діагональній площині. Одну із
півхвилі» при відбиванні хвиль від
діагональних поверхонь напівпосріблено так,
перешкоди.
що вона частково пропускає, а частково 9.Які є характеристики
відбиває промені, які падають на неї. Промінь когерентних властивостей хвиль? Дати їх
1, який пройшов через кубик, попадає на визначення.
дзеркало , відбивається і, пройшовши знову 10.Як впливають
через кубик, відбивається від діагональної немонохроматичність світла та розміри
джерела світла на інтерференційну
площини і попадає в мікроскоп . Промінь 2
картину?
відбивається від напівпрозорої діагональної
11.Де зустрічається явище
пощини, падає на поверхню , яка інтерференції світла в побуті та яке її
досліджується, відбивається від неї і проходить практичне застосування?
через кубик в мікроскоп.
Дзеркало нахилено під невеликим
кутом . Завдяки цьому при ідеальній гладкій Розділ 13. Дифракція
поверхні в полі зору мікроскопа видно електромагнітних хвиль
інтерференційні смуги однакової товщини
§13.1. Дифракція хвиль
повітряного проміжку між кубиком і
дзеркалом. У тих місцях поверхні , де є Дифракція хвиль (від латинського
виступи або заглибини, інтерференційні смуги diffractus розламаний, заломлений), в
викривлятимуться. За допомогою цього початковому вузькому смислі – огинання
приладу можна виявити штрихи на поверхні хвилями перешкод, в сучасному більш широкому
деталі, глибина яких дорівнює (2 3) 1 – будь-яке відхилення від законів геометричної
оптики. При такому загальному тлумаченні
Контрольні питання дифракція хвиль переплітається з явищами

розповсюдження і розсіяння хвиль в
1.Дати визначення оптичної
неоднорідних середовищах. Внаслідок
довжини шляху та різниці ходу променів.
2.В чому суть явища дифракції хвилі можуть попадати в область
інтерференції? геометричної тіні: огинати перешкоди,
3.При яких умовах можливе явище стелитись вздовж поверхонь, проникати через
інтерференції? невеликі отвори в екранах і т.п. Наприклад,
4.Які хвилі є когерентними? звук можна почути за кутом будинку або
5.Записати та пояснити умову
радіохвиля може проникати за горизонт навіть
максимального підсилення та послаблення
електромагнітних хвиль внаслідок без відбивання від іоносфери. В явищах
інтерференції. дифракції світла, як і в інтерференції, на
6.Дати визначення ширини перший план виступають хвильові властивості
інтерференційної смуги. Від яких величин світла. Для спостереження дифракції світлових
залежить ширина інтерференційної смуги?
227
Принцип Гюйгенса–Френеля
хвиль необхідно створити спеціальні умови. Це Фраунгофера при . Дифракцію
зумовлено малою довжиною світлових хвиль. Фраунгофера можна спостерігати, якщо між
Між інтерференцією і дифракцією і отвором, а також між отвором і екраном
немає суттєвої фізичної різниці. Суть обох розмістити по збиральній лінзі так, щоб точка
явищ в перерозподілі світлового потоку в і P опинились у фокальній площині
результаті суперпозиції хвиль. Через історичні відповідної лінзи.
причини перерозподіл інтенсивності, що
виникає в результаті суперпозиції хвиль, що
збуджується кінцевим числом дискретних §13.2.Принцип Гюйгенса–Френеля
когерентних хвиль, прийнято називати Перше пояснення дифракції світла
інтерференцією хвиль. Перерозподіл було дане Френелем в 1818 р. У своєму мемуарі
інтенсивності, що виникає внаслідок він показав, що кількісне описання
суперпозиції хвиль, які збуджуються дифракційних явищ можливе на основі
когерентними джерелами, що розташовані принципу Гюйгенса, якщо його доповнити
неперервно, прийнято називати дифракцією принципом інтерференції вторинних хвиль.
хвиль. Тому і говорять, наприклад, про Кірхгоф в 1882 р. дав строге математичне
інтерференційну картину від двох вузьких обґрунтування принципу Гюйгенса – Френеля.
щілин і про дифракційну картину від однієї В рамках електромагнітної теорії
щілини. світла для описання дифракційних явищ не
потрібно вводити які-небудь нові принципи.
P
Але точний розв’язок задачі про
Soа xd
розповсюдження світла на основі рівнянь
D
Максвелла із відповідними граничними
умовами містить великі математичні
L складнощі. В більшості випадків, які
представляють практичний інтерес,
Рис.13.1.
наближений метод розв’язання задачі про
Спостереження дифракції розподіл світла біля границі між світлом і
здійснюється, як правило, за такою схемою тінню, який оснований на принципі Гюйгенса
(рис.13.1). На шляху світлової хвилі, що – Френеля, є достатнім.
розповсюджується від деякого джерела , Згідно принципу Гюйгенса, кожну
розміщують непрозорий екран з малим точку, до якої прийшла хвиля від джерела,
отвором, розміри якого D (наприклад, порядку можна прийняти за центр вторинних хвиль, що
або менші довжини хвилі ). За перешкодою розповсюджуються у всі сторони. Результуюча
розташований екран, на якому виникає хвиля розглядається як накладання вторинних
дифракційна картина. Структура хвиль. Гюйгенс вважав, що окремі вторинні
дифракційного поля на екрані суттєво залежить хвилі не мають періодичності, що вони дуже
від відстані L між джерелом і точкою слабкі і помітну дію виконує тільки їх обвідна.
спостереження Р. Розрізняють дифракцію При такому довільному припущенні принцип
Френеля, якщо і дифракцію Гюйгенса дає тільки деякий рецепт побудови
228
Принцип Гюйгенса–Френеля
хвильових фронтів, тобто поверхонь, до яких і не охоплювала розглядувану точку

дійшло світлове збурення. Побудови Гюйгенса (рис.13.2);
наглядно пояснюють закони прямолінійного 2) вторинні джерела, які еквівалентні
розповсюдження, відбивання і заломлення джерелу когерентні між собою, тому
світла. Але в цих побудовах не вторинні хвилі, збуджені ними, інтерферують і
використовується поняття довжини хвилі, тому розрахунок інтерференції найбільш простий,
вони не дозволяють визначити умови якщо хвильова поверхня для світла
застосування згаданих законів. джерела оскільки при цьому фази коливань
n всіх вторинних джерел однакові;

3) амплітуда коливань, що
dS . ϕ
S0 збуджуються в точці вторинним джерелом,
* r пропорційна до площі відповідної ділянки
P хвильової поверхні, обернено пропорційна до
S
відстані r від неї до точки і залежить від
кута між зовнішньою нормаллю до
Рис.13.2.
хвильової поверхні і напрямком від елемента
Френель вклав в принцип Гюйгенса до точки (рис.13.2):
ясний фізичний зміст, відказавшись від
) , (13.1)
штучного припущення про обвідну вторинних
хвиль, і розглядав повне світлове поле як де ( – фаза коливань вторинних
результат інтерференції вторинних хвиль. джерел хвильової поверхні, – величина,
При цьому не тільки отримав фізичне яка пропорційна амплітуді первинних хвиль
пояснення рецепт Гюйгенса (до точок на одиниці хвильової поверхні в точках елемента
обвідній всі вторинні хвилі приходять в поверхні dS; K( ) коефіцієнт, який монотонно
однаковій фазі), але і з'явилась можливість спадає від 1 при = 0 до 0 при ≥
розрахунку розподілу світлового поля в (вторинні джерела не випромінюють назад); кут
просторі. Вивчаючи розподіл світла біля межі називається кутом дифракції. Багато
між світлом і тінню на основі принципу практично важливих задач дифракції можна
Гюйгенса – Френеля, можна отримати розв’язати при цих досить загальних
кількісний опис дифракційних явищ. припущеннях відносно K( ), не уточнюючи
Принцип Гюйгенса – Френеля можна конкретної залежності K від .
виразити такими положеннями: 4) Якщо частина поверхні закрита
1) під час розрахунку амплітуди непрозорими екранами, то вона не випромінює
світлових коливань, що збуджуються джерелом енергію, а інші випромінюють так само, як і за
в довільній точці джерело можна відсутності екранів. Врахування амплітуд і фаз
замінити еквівалентною йому системою вторинних хвиль дозволяє в кожному
вторинних джерел – малих ділянок будь- конкретному випадку знайти амплітуду
якої замкненої допоміжної поверхні результуючої хвилі в довільній точці
проведеної так, щоб вона охоплювало джерело простору, тобто визначити закономірності
229
Метод зон Френеля. Прямолінійне поширення світла
поширення світла. В загальному випадку

розрахунок інтерференції вторинних хвиль
досить складний і громіздкий, однак для ряду S
випадків знаходження амплітуди результую- M3 b
+ 4 λ_
чого коливання здійснюється алгебраїчним або M2 2
M1 b+ _λ b+ λ_
геометричним додаванням. Результуюче 22 3
2
b+ _λ
коливання в точці P є суперпозицією коливань 2
для всієї хвильової поверхні : S0

* .O 1- а зона
P
(13.2) a b
Ця формула є аналітичним виразом 2-а зона
принципу Гюйгенса-Френеля. 3-я зона
4- а зона
Рис.13.3.
§13.3.Метод зон Френеля.

Подібне розбивання хвильової
Прямолінійне поширення світла
поверхні на зони можна виконати, провівши
За допомогою принципу Гюйгенса- з точки концентричні сфери, радіуси яких
Френеля можна обґрунтувати з хвильових b+ ; b+ b+ ;… b+
властивостей світла закон прямолінійного де b=PO. Точки сфери , що лежать від точк
поширення світла в однорідному середовищі. на відстанях b + ;b+ b+ і т.д.
Френель розв'язав цю задачу, розглянувши утворюють межі 1-ї, 2-ї, 3-ї і т.д. зон Френеля.
взаємну інтерференцію вторинних хвиль і Оскільки коливання від сусідніх зон приходять
застосував прийом, який отримав назву методу до точки відстані, які відрізняються на ,
зон Френеля. Щоб зрозуміти суть методу то в точку вони приходять з протилежними
Френеля, визначимо амплітуду світлового фазами і при накладанні ці коливання будуть
коливання, яке збуджується в точці P взаємно ослаблюватися. Тому амплітуда
сферичною хвилею, що розповсюджується в результуючого коливання в точці буде
однорідному середовищі від точкового джерела , (13.3)
(рис.13.3).
де – амплітуди коливань в точці
Згідно з принципом Гюйгенса –
Френеля замінимо дію джерело дією уявних P, що збуджуються 1 ю, 2 ю, …, m ю
джерел, які розміщені на допоміжній поверхні зонами. В цей вираз всі амплітуди коливань від
, що є однією з хвильових поверхонь хвилі, які непарних зон входять зі знаком «+», а від
поширюються від джерела . парних зон – зі знаком « ».

Ця допоміжна поверхня є поверхнею Величина залежить від площі
сфери з центром в . Френель розбив і кута
хвильову поверхню на кільцеві зони такого між зовнішньою нормаллю до поверхні
розміру, щоб відстані від країв зони до точки зони в якій-небудь її точці і прямою, яка
відрізнялись на , тобто
230
напрямлена з цієї точки в точку . На рис.13.4 Цей вираз не залежить від m, отже,
точки B і відповідають зовнішній межі при не дуже великих m площі зон Френеля
n однакові. У такий спосіб побудова зон Френеля
.
B φm розбиває поверхню сферичної хвилі на рівні за
bm
=b площею зони. Відстань від зони
+m λ_
a 2 до точки Р повільно зростає, а це значить, що
rm згідно (13.1) амплітуда коливань, збуджених в
So
*
.
C O .P точці Р зонами Френеля, зменшується із
зростанням номера зони m. Зростання m
a-hm hm b
супроводжується зростанням кута (рис.13.4)
і зменшенням коефіцієнта K( ) у формулі
. B1
(13.1). Таким чином, амплітуди коливань, які
збуджуються в точці Р зонами Френеля,
Рис.13.4.
утворюють монотонну спадну послідовність :
m ї зони: BC = радіус зовнішньої границі
m ї зони. CO = висота кульового
Загальне число N зон Френеля, які вміщуються
сегмента З трикутників
на частині сфери, яка повернена до точки Р
видно, що
(рис.13.5), дуже велике.
(13.4) b+N λ
a
Звідки
S0
͙ a b .P
Тоді
. Рис. 13.5.
Оскільки << b, то при не дуже великих m
З рис.13.5 видно, що
доданком можна знехтувати і
.
. (13.5)
Звідси:
Бічна поверхня кульового сегмента , яка є
сумою площ усіх m зон, починаючи з першої,
дорівнює = + +...+ = , Якщо a = b = 1 м і = 5 · м, то

N 3· . Тому можна вважати, що в межах
а площа m ої зони Френеля
не дуже великих змін т, залежність величини
від т є лінійною і амплітуда коливань, яка
викликана якою-небудь т ю зоною, дорівнює
Звідки отримаємо, що півсумі амплітуд коливань, що викликані
т-1 ю і т+1 ю зонами. Тобто
(13.6)
(13.7)
231
Тоді амплітуда результуючого коливання в кільцеві зони, аналогічні зонам Френеля, але
точці Р буде: значно менші за шириною (різниця ходу від
країв зони до точки Р, складає однакову для
всіх зон малу долю ). Коливання, що
оскільки усі вирази, що стоять у дужках, створюються в точці Р кожною із цих зон,
дорівнюють нулю. Отже, амплітуда коливань, зобразимо у вигляді вектора , довжина якого
що створюється в точці Р сферичною дорівнює амплітуді коливань, а кут який
хвильовою поверхнею, дорівнює половині утворює вектор з напрямком, що
амплітуди коливань, що створюється однією приймається за початок відліку, дає початкову
центральною зоною. Дія всієї хвильової фазу коливань. Амплітуди коливань, що
поверхні в точці Р зводиться до дії її малої створюються такими зонами у точці Р,
ділянки, меншої, ніж центральна зона (1-ша повільно зменшуються при переході від зони до
зона на рис.13.3). зони. Кожне наступне коливання відстає по
Якщо у виразі (13.4) покладемо, що фазі від попереднього на одну і ту ж величину .
висота сегмента при не дуже великих Наприклад, коливання в точці Р, що
т), тоді і з урахуванням (13.5) збуджується хвилею, що приходить від першої
радіус зовнішньої границі т-ї зони Френеля зони біля точки О (рис.13.3), відповідає вектор
dEn
E1
E1
.В
При a = b = 1 м і = 0,5 мкм, С. .D

= мм, а згідно (13.6) . Отже, E2 E +E
1 2
dE2 O
поширення світла від до Р відбувається так, d E1 dE1
a б в
немов би світловий потік поширюється Рис.13.6. Вектори для результуючого коливання в
всередині дуже вузького каналу вздовж прямої точці Р.
, тобто прямолінійно. У такий спосіб
хвильовий принцип Гюйгенса-Френеля на рис.13.6(а). Коливання в точці Р, яке
дозволяє пояснити прямолінійне поширення збуджується хвилею від наступної (такої ж за
світла в однорідному середовищі. площею) елементарної зони, зображується
Виразимо кількість зон Френеля т таким же за модулем вектором , але

через радіус зовнішньої границі (13.8): повернутим відносно на невеликий кут,
оскільки друге коливання дещо відстає по фазі
від попереднього коливання (рис.13.6,а).
Кількість зон т симетрична відносно Коливанню в точці Р, що збуджується
. Це означає, що точкове джерело викликає хвилею, яка приходить від ділянки, яка
в точці P таку дію, яку викликало б воно в точці прилягає до границі першої зони Френеля
, якщо його розмістити у точці Р. (точка на рис.13.3), буде відповідати вектор
Наведемо наглядну геометричну що повернутий відносно на , так як
інтерпретацію розрахунку напруженості поля в згідно визначення зон Френеля різниця ходу
точці Р на основі принципу Гюйгенса- .
Френеля. Розіб’ємо хвильову поверхню на
232
Результуюче коливання в точці Р, що еквівалентна половині дії першої зони. Вектор
збуджується хвилями від всієї 1-ої зони О в рази більший вектора . Тобто
Френеля, зобразиться на діаграмі (рис.13.6,а) інтенсивність світла, яка створюється
вектором , який замикає ломану лінію внутрішньою половиною першої зони Френеля
утворену векторами . Йому
відповідає перший доданок в (13.3). в два рази перевищує інтенсивність
В граничному випадку, коли площі , що створюється всією хвильовою
кільцевих зон дуже малі (d ), вектор поверхнею.
проходить по діаметру напівкола. Продовжимо
побудову дальше. Векторна діаграмі
результуючого коливання в точці Р від двох
перших зон Френеля показана на рисунку
13.6,б і йому відповідає амплітуда
Якщо б всі елементарні амплітуди ,
що складаються в точці Р, були строго
однаковими за величиною, то результуюча
Рис.13.7.
амплітуда коливань в точці Р, що збуджуються
Інтенсивність в точці Р можна
хвилями від перших двох зон Френеля,
набагато підсилити, якщо виготовити екран,
дорівнювала б нулю (хвиля від першої і другої
який буде відкривати, наприклад, першу,
зон Френеля в точці Р внаслідок інтерференції
третю, п’яту і т. д., тобто всі непарні зони
повністю гасила б одна одну). Але коефіцієнт
Френеля. Вторинні хвилі від всіх відкритих зон
K( ), що зменшується із збільшенням кута ,
Френеля будуть приходити в точку
характеризує поступове зменшення амплітуди
спостереження Р з однаковою фазою і в
коливань в точці Р. Тому амплітуда
результаті інтерференції підсилять одна одну.
коливань від двох зон має кінцеве, хоч Амплітуда результуючого коливання в точці Р
і мале значення. Цьому відповідає два перших буде визначатись сумою
доданки в (13.3).
.
Амплітуда коливань в точці Р, що
Такий екран називають зонною
збуджується всією хвильовою поверхнею,
пластинкою (рис.13.7). Можна виготовити
зобразиться на рис.13,6,в вектором Із
аналогічний екран, який відкриває всі парні
рисунка видно, що амплітуда в цьому випадку
зони Френеля. Зонна пластинка, яка містить n
дорівнює половині амплітуди коливання, що
відкритих зон Френеля створює в точці Р
збуджується хвилею від першої зони Френеля,
освітленість приблизно в раз більшу від
тобто Цей результат ми
освітленості, коли пластинка відсутня.
отримали раніше алгебраїчно. Зауважимо, що
Підсилення інтенсивності світла зонною
коливання, яке збуджується внутрішньою
пластинкою аналогічне дії збиральної лінзи.
половиною першої зони Френеля, зображується
Відстані від пластинки до джерела і від
вектором (рис. 13.6,в). Таким чином, дія
джерела до його “зображення” (точка Р)
внутрішньої половини першої зони Френеля не
зв’язані таким же співвідношенням як і
233
Метод зон Френеля. Дифракція на круглому отворі
відповідні величини для лінзи. В цьому легко картина спостерігається на скінченній віддалі
переконатись, переписавши формулу (13.8) так: від перешкоди, яка викликає дифракцію.
Дифракція на круглому отворі

де “фокусна відстань” Нехай сферична хвиля, що поши-
для даної пластинки величина постійна (так як рюється з точкового джерела , зустрічає на
то F не залежить від т). На відміну від своєму шляху екран з круглим отвором, радіус
лінзи, зонна пластинка має декілька фокусів. якого (рис.13.8,а). Дифракційну картину
Дійсно, якщо наблизити точку Р до пластинки, спостерігаємо на екрані Е в точці Р, що лежить
можна знайти таке її положення, коли в на лінії, яка з'єднує з центром отвору О.
центральному світлому крузі пластинки Екран Е паралельний до площини отвору і
вміститься три перші зони Френеля (а не одна). знаходиться від нього на відстані b. Побудуємо
Наступні три зони будуть перекриті темним на відкритій частині фронту хвилі зони
кільцем. Ще наступні три зони будуть Френеля, що відповідають точці P. Вигляд
суміщатися зі світлим кільцем і т. д. Дії дифракційної картини залежить від кількості
сусідніх зон Френеля практично знищують зон Френеля, які укладаються в отворі. Якщо
одна одну, тому результат буде такий, як у відстані a і b задовільняють співвідношення
випадку, коли відкриті 1-ша, 7-ма, 13-та і т. д. (13.8) так, що , де m – ціле число, то в
зони. В цьому випадку в точці Р буде максимум отворі укладається т зон Френеля. Тоді, згідно
освітленості хоч і слабший, ніж в основному (13.3),
фокусі, Відповідна йому фокусна відстань
. Аналогічно для фокусів вищих Із врахуванням (13.7) амплітуда
порядків можна записати , де
результуючих коливань у точці P залежатиме
m – цілі числа.
від парності або непарності т.
Інтенсивність світла в головному
Якщо кількість зон Френеля т
фокусі можна збільшити ще в чотири рази
непарна, то
(порівняно з зонною пластинкою), якщо
змінити на фази вторинних хвиль, що (13.10)
виходять від всіх зон з парними (або, навпаки, з
непарними) номерами. Така пластинка була Якщо в отворі укладається парна
виготовлена Вудом. Хімічним травленням в кількість т зон, то
певних місцях товщина скляної пластини

зменшувалась на (т 1) /2. В цьому випадку
вторинні хвилі від усіх точок хвильової
поверхні приходять в точку Р в однаковій (13.11)
фазі.
§13.4.Дифракція Френеля на Отже, коли отвір відкриває непарну
круглому отворі та диску кількість зон Френеля, то амплітуда в точці P
буде більша, ніж при вільному поширенні хвилі
Дифракція Френеля це дифракція
і у точці P буде інтерференційний максимум.
сферичних світлових хвиль, а дифракційна
Якщо m парне, то у точці P буде
234
Дифракція Френеля на круглому отворі
інтерференційний мінімум. Амплітуди ко-
ливань від двох сусідніх зон практично
однакові. Тому де знак „+” стосується непарної, а знак „ ”
парної кількості зон Френеля. Якщо в отворі
вкладається одна зона Френеля, то в точці P
r0 амплітуда , тобто вдвоє більша, ніж за
S0 O .P
* відсутності непрозорого екрану з отвором.
a b
Якщо в отворі вкладаються дві зони Френеля,
Перешкода E то їх дія в точці P практично взаємно ком-
а пенсується через інтерференцію. Таким чином,
дифракційна картина від круглого отвору
поблизу точки Pматиме вигляд темних і світлих
кілець з центрами в точці P (якщо т непарне,
то в центрі буде світлий круг (рис.13.8,б),
коли т парне темний (риc.13.8,в), причому
інтенсивність ( максимумів
I
зменшується з відстанню від центра картини.
При незмінному положенні джерела
r світла кількість зон т залежить від радіуса
б отвору і відстані b. При зміні радіуса отвору

в отворі змінюватиметься і кількість зон
Френеля, що вміщуються на відкритій ділянці
хвильового фронту. Їх кількість буде
змінюватись з парної на непарну і навпаки.
Внаслідок цього інтенсивність світла в точці Р
періодично то зменшуватиметься, то
збільшуватиметься. Така зміна інтенсивності
I також спостерігається, якщо екран E
переміщувати вздовж лінії .
У випадку, коли діаметр отвору ве-
r ликий, так що , то ніякої дифракційної
картини на екрані не буде спостерігатись
в
світло в цьому випадку поширюється
Рис.13.8. а схема дифракції Френеля на прямолінійно. Якщо отвір освітлюється не
круглому отворі; б,в теоретичний розподіл
інтенсивності світла на екрані Е, якщо отвір
монохроматичним, а білим світлом, то кільця
відкриває непарне (б) і парне (в) число зон Френеля. будуть мати кольорове забарвлення, бо
кількість зон Френеля, які вкладаються в
.
отворі, залежить від довжини хвилі світла.
В результаті
235
Дифракція Френеля на круглому диску
Дифракція на диску закритої ним центральної зони Френеля, то за

Нехай сферична хвиля, яка поши- диском буде звичайна тінь з дуже слабкою
рюється від точкового джерела , зустрічає на інтерференційною картиною в її межах.
своєму шляху непрозорий диск. У такому разі
закриту диском ділянку фронту хвилі треба
виключити з розгляду і будувати зони Френеля
потрібно, починаючи з країв диска. На рис.13.9
показано побудову цих зон для точки Р екрана
Е, яка лежить навпроти центра диска.
Амплітуда в точці Р визначається спільною
дією всіх відкритих зон, починаючи з першої:
Непрозорий
круглий
диск
r0
S0
*
O .P Рис.13.10.
Якщо диск закриває лише невелику

a b
Фронт
частину центральної зони Френеля, то він
E
хвилі
зовсім не дає тіні – освітленість екрана скрізь
Рис.13.9.
залишається такою ж, як і за відсутності
перешкоди. Вище отримані результати можна
легко одержати за допомогою векторної
діаграми (рис.13.6,в), якщо вважати, що вектор
, який представляє коливання напруженості
поля в точці Р при повністю відкритій
Отже, в точці P завжди буде інтер- хвильовій поверхні, як суму двох векторів,
ференційний максимум, який відповідає один з яких відображає коливання від тих
половині дії першої відкритої зони Френеля. зон Ф перекриті диском, а інший
Центральний максимум оточений кон-
– коливання від відкритої ділянки хвильової
центричними темними і світлими інтерфе-
поверхні, яка лежить за межами диску.
ренційними кільцями, що чергуються. Зміна
Вектор тільки трохи менший за модулем
інтенсивності світла I із відстанню від точки P
від модуля вектор
на екрані приведена на рис.13.10. Із
Ці висновки теорії Френеля викликали
збільшенням радіуса диска перша відкрита зона
сильні враження у його сучасників. В 1818 р.
віддаляється від точки P з одночасним
член конкурсного комітету французької
збільшенням кута між нормаллю до поверхні
академії наук Пуассон, який розглядав
цієї зони в якій-небудь її точці і напрямком
представлений на премію мемуар Френеля,
випромінювання в бік точки P (§13.2). Тому
прийшов до висновку про те , що в центрі тіні
інтенсивність центрального максимуму
маленького диска повинна знаходитись світла
послаблюється при збільшенні розмірів диска.
пляма, і вважав цей висновок настільки
Якщо радіус диска набагато більший за радіус
236
Дифракція Френеля на прямолінійному краю напівплощини
абсурдним, що висунув його як заперечення інтенсивності біля межі тіні, яка відкидається
проти хвильової природи світла, яку розвивав краєм великого екрану. Обмежимось випадком
Френель. Однак інший член того ж комітету плоскої хвильової поверхні падаючої хвилі, яка
Араго виконав експеримент, який показав, що співпадає із напівплощиною (рис.13.11). На
це дивне передбачення Френеля правильне. відстані b за напівплощиною поставимо
Довга суперечка між прихильниками паралельний їй екран, на якому візьмемо точку
корпускулярної і хвильової теорії світла Р (рис.13.11). Розіб’ємо відкриту частину
завершилась на користь хвильової теорії. хвильової поверхні на зони Френеля, які мають
Світла точка в центрі дифракційної картини від вид дуже вузьких прямолінійних смуг,
круглого диска отримала назву пляма Напівплощина 1 2 3 Хвильова
́ ́ ́
3 2 1 0
поверхня
Δ
Пуассона.
Вивчення дифракції Френеля в цьому
b
параграфі було проведено з припущенням, що
джерело світла точкове, а світло, що ним
випромінюється, монохроматичне. У випадку x
.Р
Екран
X
протяжного джерела світло від кожного його Рис.13.11.
елемента дає свою дифракційну картину. паралельних краю напівплощини.Ширину зон
Внаслідок повної незалежності виберемо так, щоб виміряні в площині рисунка
(некогерентності) світла окремих елементів відстані від точки Р до країв любої зони
відбувається просто додавання інтенсивностей відрізнялись на однакову величину ∆ (∆ може
в кожній точці, і результат дифракції дорівнювати і /2 ). При такій умові, коливання,
визначається накладанням таких дещо які створюються в точці Р сусідніми зонами,
зміщених одна відносно одної дифракційних будуть відрізнятися за фазою на постійну
картин. Для спостереження дифракції на величину (
досліді розміри джерела повинні бути Зонам, що розташовані справа від
достатньо малі, щоб темні і світлі смуги картин точки Р, припишемо номера 1,2,3 і т. д., а зонам
від його окремих елементів не перекривались. розташованим зліва – номера і т. д. Зони
Аналогічно, у випадку немонохроматичного
з номерами і мають однакову ширину і
джерела різні спектральні компоненти його
розташовані відносно точки Р симетрично.
випромінювання створюють дифракційні
Тому коливання в точці Р, які вони створюють,
картини, які не співпадають, так як розміри зон
співпадають за фазою і амплітудою. Щоб
Френеля залежать від довжини хвилі. Розподіл
встановити залежність амплітуди від номера
інтенсивності світла, який спостерігається,
зони т, оцінимо площі зон. Із рис. 13.12 видно,
відповідає накладанню цих дифракційних
що сумарна ширина перших т зон дорівнює
картин.
§13.5.Дифракція Френеля на =
прямолінійному краю напівплощини ,
Принцип Гюйгенса-Френеля можна де ширини 1-ої, 2-ої і т. д. зон.
застосовувати для знаходження розподілу Внаслідок того, що зони вузькі, . Тому
237
при не дуже великих т: прийнято постійним, а для прямолінійних зон

(рис.13.13,б) – спадним згідно пропорції
При т = 1 за цією формулою
(13.14). Графіки на рис.13.13 є наближеними.
отримаємо, що . Тоді сумарна
При точній побудові графіків необхідно
ширина перших т зон буде
враховувати залежність амплітуди від r і
(§13.3). Однак на загальному характері діаграм
0 d1 1 d2 2 d3 3
це не відбивається.
b+ ∆
b+ ∆
2
3∆
b+
0 0
а б
Рис.13.13.
. P
На рис.13.13,б показані тільки
Рис.13.12. коливання в точці Р, обумовлені зонами, що
лежать справа від неї. Зони з номерами і
Звідси
розташовані симетрично відносно Р. Тому
(13.13)
природно при побудові діаграми вектори, які
Розрахунок за формулою (13.13) дає, що
відображають відповідні цим зонам коливання,
(13.14) розташовані симетрично відносно початку
координат О (рис.13.14). Якщо ширину зон
В таких же співвідношеннях знаходяться і
спрямувати до нуля, то ломана лінія, яка
площі зон.
зображена на рис.13.14, перетворюється в
Із (13.14) витікає, що амплітуди
плавну криву (рис.13.15), яка називається
коливань, які створюються в точці Р
спіраллю Корню.
окремими зонами, спочатку (для перших зон)
Рівняння спіралі Корню в
спадають дуже швидко, потім це спадання стає
параметричній формі має вид:
повільнішим. Через це ламана лінія, яка
отримується при графічному додаванні
коливань, які збуджуються прямолінійними
зонами, спочатку йде більш полого, ніж у Ці інтеграли називаються інтегралами Френеля,
випадку кільцевих зон (площі яких при значення яких приводяться в таблицях в
аналогічній побудові приблизно однакові) залежносі від параметра
(див.§13.3, рис.13.6). На рис.13.13 співставленні в тому, що дає довжину дуги кривої Корню,
обидві векторні діаграми. В обох випадках яка вимірюється від початку координат. Числа,
відставання за фазою кожного наступного які відмічені вздовж кривої на рис.13.15, дають
коливання є одним і тим же. Значення значення параметра Точки
амплітуди для кільцевих зон (рис.13.13,а) асимптотично наближається крива при
238
називаються фокусами спіралі Корню. Їхні знаходиться в точці О, а кінець – в точці

координати дорівнюють (рис.13.16,а). При зміщенні точки Р в
точки , область геометричної тіні напівплощина
точки закриває все більше число нештрихованих зон.
5 F1
6 4
3 O
3́
2́
.O
1́
1
2 F2
4́ F1
5́ O
6́ F2
Рис.13.14.
б
Правий завиток спіралі (ділянка O
відповідає зонам, які розташовані справа від F1
точки P, лівий завиток (ділянка O зонам,

O
які розташовані зліва від точки P. Спіраль
F2
Корню дає можливість знайти амплітуду
η 1,5
M
0,6 2,5 в
0,5 . F1
3
0,4 1
2 F1
0,3
0,2 O
0,1
0,3 . 0,5
.
N
0,7 0,6 0,5 0,4 0,2 0,1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 ξ F2
0,5 0,1
0,2 г
0,3
-2
0,4
-1 -3
F2
. 0,5 F1
0,6
-2,5 O
-1,5 0,7
Рис.13.15.
F2
світлового коливання в будь-якій точці екрану.

д
Положення точки будем характеризувати
координатою , яка відраховується від границі Рис.13.16.
геометричної тіні (рис.13.11). Для точки Р, що Тому початок результуючого вектора

лежить на границі геометричної тіні ( =0), всі переміщується по правому завитку по напрямку
штриховані зони будуть закриті. Коливання від полюса (рис.13.16,б). В результаті амплітуда
нештрихованих зон відкриває правий завиток коливання монотонно прямує до нуля.
спіралі. Отже, результуюче коливання Якщо точка P зміщується від границі
зобразиться вектором, початок якого геометричної тіні вправо, в доповнення до
239
нештрихованих зон відкривається зростаюче лежать припущення, які справедливі, коли

число штрихованих зон. Тому початок розміри перешкод (або отворів в екранах)
результуючого вектора ковзає по лівому великі порівняно з довжиною світлової хвилі.
завитку спіралі в напрямку до полюса . При В цьому випадку відхилення від
цьому амплітуди проходять через ряд геометричної оптики незначні, тобто помітна
максимумів (перший із них дорівнює довжині інтенсивність спостерігається тільки при малих
відрізка на рис.13.16,в) і мінімумів кутах дифракції. Різниця в істинному і
(перший із них дорівнює довжині відрізка розрахованому напрямках при цьому не
на рис г). При повністю відкритій суттєва. Вплив краю перешкоди (екран з
хвильовій поверхні амплітуда дорівнює отвором) на поле в отворі поширюється тільки
довжині відрізка (рис.13.16,д), тобто в два на відстані порядку довжини хвилі і при
рази перевищую амплітуду на границі великих розмірах отвору заміна істинних
геометричної тіні (див.рис.13.16,а). Відповідно, значень в підінтегральному виразі формули
інтенсивність на границі геометричної тіні (13.2) на напруженість E хвилі в сумі (13.3) не
складає 1/4 інтенсивності яка отримується приводить до суттєвих помилок, так як на
на екрані при відсутності перешкод. більшій частині поверхні S ці значення
I
співпадають. При великих порівняно з
1,37I0
довжиною хвилі розмірах отворів розрахунки
I0 дифракційної картини методом Френеля добре
підтверджується на досліді і узгоджується з
0,78 I0
результатами точних розрахунків.
_
1
4 I0 . Підтверджується і припущення про
0 x1 x2 x3 x4 X незалежність дифракційної картини при цих
Геометрична
тінь Освітлена область умовах від матеріалу перешкоди. Для більшості
Рис.13.17. задач метод Френеля є єдиний шлях розв’язку,
який приводить до практично задовільних
Залежність інтенсивності світла I від
результатів.
координати x точки Р приведена на рис.13.17.
Із рисунка видно, що при переході в область
геометричної тіні інтенсивність змінюється не
§13.6.Дифракція Фраунгофера
скачком, а поступово прямує до нуля. За Найбільший практичний інтерес
допомогою спіралі Корню можна також знайти мають дифракційні явища, які спостерігаються
відносну величину інтенсивності в максимумах при падінні на екран (або на отвір в екрані)
і мінімумах. Для першого максимуму паралельного пучка світла. В результаті

дифракції пучок втрачає паралельність, тобто
отримується значення , для першого
появляється світло, яке розповсюджується в
мінімуму .
напрямках , що відрізняються від початкового.
Зробимо декілька зауважень з приводу
Розподіл його інтенсивності на дуже великій (в
використаного вище наближеного методу
граничному випадку нескінченно великій)
розв’язку дифракційних задач. Детальний
відстані від екрана відповідає дифракції
аналіз показує, що в основі методу Френеля
Фраунгофера. Хвилі, які виникають в
240
Дифракція Фраунгофера на одній щілині
результаті обмеження фронту падаючої пропорційна ширині зони Отже, амплітуда

«плоскої» хвилі при проходженні через отвір в коливання , яке збуджується зоною, ширина
екрані називаються дифракційними, а нормалі якої в любій точці екрану має вид .
до їхніх хвильових поверхонь – дифракційними Тут амплітуда хвилі, яка падає на щілину.
променями. Вони не існують в рамках
геометричної оптики. b
x dx
Дифракція на одній щілині O
0φ
. щілина
X
Нехай паралельний пучок
Q Δ = xsin φ
монохроматичного світла падає нормально на φ
непрозору плоску поверхню, в якій прорізано
вузьку щілину, що має сталу ширину b і .
довжину >> b (рис.13.18). φ
Розмістимо за щілиною збиральну
лінзу, а у фокальній площині лінзи – екран. .
P
Екран
Хвильова поверхня падаючої хвилі, площина Рис.13.18.

щілини і екран паралельні один одному.
Оскільки щілина вузька, картина, яка Тепер визначимо фазові
спостерігається в будь-якій площині, що співвідношення між коливанням .

перпендикулярна щілині, буде однаковою. Співставимо фази коливань, які збуджуються в
Тому достатньо дослідити характер картини в точці Р елементарними зонами з координатами
одній такій площині, наприклад, в площині 0 і (рис.13.18). Оптичні шляхи OP і QP
рис.13.18. Всі величини, що будуть вводитись в однакові. Тому різниця фаз між коливаннями,
подальшому, наприклад, кут між променем і які розглядаються, утворюється на шляху ∆,
оптичною віссю лінзи, відносяться до цієї який дорівнює (рис.13.18). Якщо фазу
площини. Розіб’ємо відкриту частину хвильової коливань, що збуджується елементарною
поверхні на паралельні краю щілини зоною, яка примикає до лівого краю щілини
елементарні зони, ширина яких d . ( ), прийняти t, то фаза коливань, яка
Вторинні хвилі, що посилаються цими збуджується зоною з координатою , буде
зонами в напрямку, який визначається кутом , дорівнювати
зберуться в точці екрану Р (рис.13.18). Лінза
збирає у фокальній площині плоскі (а не
де – довжина хвилі в даному середовищі.
сферичні) хвилі. Тому множник 1/r виразі
Таким чином, коливання, що
(13.1) для для випадку дифракції
збуджуються елементарною зоною з
Фраунгофера буде відсутній. Якщо обмежитись
координатою , в точці P, положення якої на
розглядом невеликих кутів , коефіцієнт K( ) у
екрані визначається кутом , може бути
формулі (13.1) можна вважати постійним і
представлене у вигляді
прийняти за одиницю. Тоді амплітуди
коливань, які збуджуються зоною в любій точці
екрану, будуть залежати від площі зон. Площа
241
Згідно принципа Гюйгенса – Френеля (13.2) однакових за шириною зон, причому різниця
результуюче коливання, яке збуджується в ходу від країв кожної зони буде дорівнювати
точці Р відкритою ділянкою хвильової ((рис.13.19), який виконаний для k=2).
поверхні, знайдемо, проінтегрувавши по
всій ширині щілини: 1 2 3 4
2λ
Рис. 13.19.
При цьому була використана формула: Коливання від кожної пари сусідніх
зон взаємно компенсують одне одного, так що
результуюча амплітуда дорівнює нулю. Якщо
Амплітуда результуючого коливання в
для точки Р різниця ходу ∆ дорівнює
точці Р, положення якої визначається кутом ,
, число зон буде непарним, дія
буде:
однієї із них буде нескомпенсованою і буде
спостерігатись максимум інтенсивності.
Інтенсивність світла пропорційна квадрату
Для точки, яка лежить навпроти амплітуди. Отже, у відповідності з (13.15)
центра лінзи, =0. Підстановка цього значення
у формулу (13.15) дає значення амплітуди .
Цей результат можна отримати більш простим де – інтенсивність в центрі
шляхом. При = 0 коливання від всіх дифракційної картини (навпроти центра лінзи),
елементарних зон приходять в точку Р в інтенсивність в точці, положення якої
однаковій фазі. Тому амплітуда результуючого визначається даним значенням .
коливання дорівнює алгебраїчній сумі амплітуд Із формули (13.17) отримується, що
коливань, які додаються. . Це означає, що дифракційна картина
При значеннях , які задовільняють
симетрична відносно центра лінзи.
умові , тобто у випадку,
Графік функції (13.17) зображений на
якщо
рис.13.20. По осі абсцис відкладені значення
(13.16) , по осі ординат – інтенсивність Між
амплітуда дорівнює нулю. Таким чином, мінімумами інтенсивності, які визначаються
умова (13.16) визначає положення мінімумів умовою (13.16), знаходяться максимуми різних
амплітуди (інтенсивності). Відзначимо, що порядків. Їх положення знаходяться із умови:
b є різниця ходу ∆ променів, які йдуть в
а
точку Р від країв щілини (див. рис.13.18).
Умову (13.16) легко отримати із
наступних міркувань. Якщо різниця ходу ∆ від Диференціювання по u і прирівнювання
країв щілини дорівнює , відкриту частину похідної до нуля дає рівняння , яке має
хвильової поверхні можна розбити на 2k корені
242
Дифракція
і т. д. Це дає, що для максимумів на одній щілинівідношенням ширини щілини b до
визначається
довжини хвилі . Із умови (13.16) виходить, що
і т.д.
Iφ Модуль не може перевищувати
одиницю. Тому , звідки
При ширині щілини, яка менша

довжини хвилі, мінімуми взагалі не виникають.
В цьому випадку інтенсивність світла
-λ
монотонно спадає від середини картини до її
-2 λ_ λ_ 2 λ_ sinφ
_ 0
b b b b
країв. Якщо b=2 , то k може приймати
Рис.13.20.
значення 1 і 2. Це значить, що будуть
проявлятись чотири мінімуми і за щілиною
Практично можна вважати, що
буде розповсюджуватись три когерентних
максимуми знаходяться посередині між
пучки світла (центральний і два бічних
сусідніми мінімумами. Значення інтенсивності
максимуми).
в максимумах швидко спадає із збільшенням
Отримані результати можна
порядку. Їх відношення приблизно можна
використати для оцінки дифракційної
виразити у вигляді
розбіжності пучків світла, ширина яких
(3.18) обмежена, наприклад, в результаті
проходження через діафрагму. Основна частина
що отримується із (13.17).
світлого потоку приходиться на центральний
Таким чином, основна частина
дифракційний максимум, тому його ширину
світлового потоку зосереджена в центральній
можна прийняти як оцінку кутової розбіжності
смузі між мінімумами порядків k= 1, тобто в
∆ пучка з поперечним перерізом a.
межах кутів .
Кутова ширина максимума зменшується при
збільшенні ширини b щілини: якщо Це кутове розширення пучка обумовлене
хвильовою природою світла і його в принципі
. Центральний максимум
не можна усунути при заданій ширині перерізу
стає різким, перші мінімуми присуваються
пучка. Строго паралельних світлових пучків не
ближче до центра картини. Висота максимума
існує. На шляху, довжина якої , пучок зазнає
інтенсивності пропорційна квадрату ширини
дифракційного розширення порядку
щілини, так як зростаючий пропорційно b
. Цим розширенням можна знехтувати
світловий потік розповсюджується в межах
тільки тоді, коли воно мале порівняно з
спадного кута ( ). Відносна
початковою шириною пучка, тобто при
інтенсивність залишається незмінною: розподіл
або В таких умовах пучок
світла по максимумах різних порядків (13.18)
приблизно можна вважати паралельним і
не залежить від ширини щілини. При звуженні
використовувати для його описання
щілини картина розширюється, а її яскравість
геометричну оптику.
зменшується. Кількість мінімумів інтенсивності
243
Дифракційна решітка
Пучок світла з мінімально можливою Дифракційною решіткою можна вважати будь-
при даному діаметрі а кутовою розбіжністю який пристрій, який забезпечує просторову
формується в результаті інтерференції періодичну модуляцію падаючої світлової хвилі
вторинних хвиль від всього поперечного за амплітудою або фазою. Відстань d між
перерізу. Така інтерференція можлива тільки серединами сусідніх щілин називається
тоді, коли світлові коливання когерентні по періодом решітки (рис.13.21).
всьому поперечному перерізу пучка. Висока с в і т л о

просторова когерентність лазерного пучка
обумовлена самою природою процесу
b d період
випромінювання світла (вимушене
φ
випромінювання) і пояснює його малу
φ ∆= dsin φ
розбіжність.
Якщо плоска хвиля падає на щілину
похило під кутом до нормалі, то різниця φ
ходу між вторинними хвилями, які
розповсюджуються
напрямку , буде
від країв щілини
. Умова
в
.
P O
Екран
дифракційних мінімумів замість (13.16) Рис.13.21.

приймає вид . Кутовий
розподіл інтенсивності як і раніше визначається Розташуємо паралельно до решітки
формулою (13.17), в якій тепер слід збиральну лінзу, в фокальній площині якої
замінити на . Центральний поставимо екран. З'ясуємо характер
максимум дифракційної картини розташований дифракційної картини, яка отримується на
при = , тобто в напрямку падаючої хвилі. екрані при падіння на решітку плоскої світлової
хвилі (для простоти будемо вважати, що хвиля
падає на решітку нормально). Кожна із щілин
§13.7.Дифракційна решітка
дасть на екрані картину, яка описується
Важливе практичне застосування має кривою, зображеною на рис.13.20. Картини від
явище дифракції Фраунгофера на системі із всіх щілин прийдуться на одне і те саме місце
великої кількості паралельних щілин, які екрану (незалежно від положення щілини,
знаходяться на однакових відстанях одна від центральний максимум лежить навпроти
одної. Так побудована найпростіша центра лінзи).
дифракційна решітка, яку виготовив в 1786 р. Якщо коливання, які приходять в
астроном Ріттенгауз, була у вигляді натягнутих точку P від різних щілин, були б некогерентні,
на рамку паралельних тонких дротин. то результуюча картина від N щілин
Починаючи з Фраунгофера, який виконав в відрізнялась би від картини, яка створюється
1821р. перші дослідження за допомогою однією щілиною, тільки тим, що всі
дифракційного спектроскопа, решітки інтенсивності зросли би в N раз. Однак
виготовляють методом нанесення штрихів на коливання від різних щілин є в більшій чи
поверхню скляної або металічної пластинки. меншій мірі когерентні; тому результуюча
244
інтенсивність буде відмінна від максимумів інтенсивності, які називаються

інтенсивність, що створюється однією головними. Число визначає порядок
щілиною, формула (13.17)). головного максимума. Максимум нульового
В подальшому ми будемо вважати, що порядку тільки один, максимумів 1-го, 2-го і т.
світлові коливання падаючої хвилі по всьому її д. порядків є по два. Із (13.23) витікає, що
поперечному перерізу є когерентні і переріз інтенсивність головних максимумів в раз
набагато перевищує довжину решітки, так що більша інтенсивності , яку дає одна щілина в
коливання від всіх щілин можна вважати напрямку, що визначається кутом .
когерентними одне відносно одного. В цьому Крім мінімумів, які визначаються
випадку результуюче коливання в точці P, умовою (13.16), в проміжку між сусідніми
положення якої визначається кутом , буде головними максимумами є по (N 1)-му
сума N коливань з однаковими амплітудами додатковому мінімуму. Ці мінімуми виникають
(13.15), зсунутими одне відносно одного по в тих напрямках, для яких коливання від
фазі на одну і ту ж величину . окремих щілин взаємно гасять одне одного.
Результатом такої багатопроменевої Умова додаткових мінімумів наступна:
інтерференції є такий розподіл інтенсивності на
екрані
де
грат
Із рис.13.21 видно, що різниця ходу від сусідніх У формулі (13.25) приймає всі
щілин дорівнює . Отже, різниця фаз цілочисленні значення, крім 0, , 2 , … ,
тобто тих, при яких умова (13.25) переходить в
(13.24). Отже, між двома сусідніми головними
де – довжина хвилі в даному середовищі. максимумами знаходиться N 1 додаткових
Підставивши у формулу (13.21) вираз мінімумів і N 2 вторинних максимумів. На
(13.17) для отримаємо, що них накладатимуться мінімуми, що виникають
при дифракції від однієї щілини. Із формул
грат
(13.16) і (13.24) видно, що головний максимум
m го порядку збігається з им мінімумом від
однієї щілини, якщо виконується рівність:
де – інтенсивність, що створюється однією
щілиною навпроти центра лінзи. Перший або
множник в (13.23) перетворюється в нуль в На рис.13.22 наведений розподіл
точках, для яких виконується умова (13.16). В
інтенсивності від для N = 4 і 3.
цих точках інтенсивність, яка створюється
кожною із щілин окремо, дорівнює нулю. Пунктирна крива, що проходить через вершини
Другий множник в (13.23) приймає головних максимумів, зображує інтенсивність,
значення в точках, які задовільняють умові яка зумовлена дифракцією на одній щілині. Як
видно з рис.13.22 при
(13.24) головні максимуми 3-го,
Умова (13.24) визначає положення
245
Основні характеристики дифракційної решітки
6-го, тощо порядків збігаються з мінімумами головні максимуми і зазначено їхнє
інтенсивності від однієї щілини, тому ці забарвлення (ф фіолетовий, ч червоний).
максимуми зникають. Чим більше щілин N , Кутовою дисперсією називається
Iграт величина
де – кутова відстань між двома

спектральними лініями, яким відповідають
довжини хвиль і (рис.13.24).
.
λ
-_
λ
b b sin φ
- 6λ - 5λ - 4λ -
3λ 2λ -λ 0 λ 2λ 3λ 4λ 5λ 6λ
ᵩ
-
d d d d d d d d d d d d
F
Рис.13.22. ᵟφ
тим більша кількість світлової енергії пройде
через решітку, тим більше мінімумів
λ
ᵟ
λ+ λ
утворюється між сусідніми головними

ᵟl
Рис.13.24.
максимумами, тим інтенсивнішими і
гострішими будуть максимуми. Оскільки Продиференціювавши формулу (13.24) по при
не може бути більше від одиниці, то кількість сталому m отримаємо d Звідси
головних максимумів
Якщо кути дифракції малі, то і
ч ф ч ф ф ч ф ч
m= -2 m= -1 m=0 m=1 m=2 де – довжина робочої ділянки гратки, яка
Рис.13.23. містить N – штрихів.
Із виразу (13.27) видно, що кутова
Якщо дифракційну решітку освітлю- дисперсія обернено пропорційна періоду
ють білим світлом, то для різних значень гратки d і чим вищий порядок спектра , тим
положення всіх головних максимумів, крім більша дисперсія.
центрального, не збігаються один з одним. Лінійною дисперсією називають
Тому центральний максимум має вигляд білої величину
смужки, а всі інші райдужних смужок, які
називають дифракційними спектрами першого,
другого і тощо порядків. У межах кожної де лінійна відстань на екрані між двома
смужки забарвлення змінюється від максимумами одного й того самого порядку т
фіолетового біля внутрішнього краю, який для хвиль і (рис.13.24). Якщо фокусна
найближчий до максимуму нульового порядку, відстань лінзи, у фокальній площині якої
до червоного біля зовнішнього краю. На спостерігається дифракційна картина дорівнює
рис.13.23 зображено центральний та два F, то
246
Основні характеристики дифракційної решітки
(13.29) мінімуму (формула (13.25) ( )) спектра

того самого порядку для хвилі з :
Дисперсійною областю спектраль-
ного приладу, зокрема дифракційної решітки,
називається ширина спектрального інтервалу
∆ , в якому спектри не перекриваються. Нехай
довжини світлових хвиль, що падають на
гратку знаходиться в інтервалі від до
λ λ1
. Інтервал буде дисперсійною
областю решітки тоді, коли лівий край спектра Рис.13.25.
(m+1) го порядку для довжини хвилі

збігатиметься з правим краєм спектра т го
порядку для довжини хвилі . Звідси
Цю умову можна згідно (13.24)
.
записати так:
Тобто
Звідси
= .
Тоді роздільна здатність гратки
Найменша різниця довжин хвиль двох
спектральних ліній , при якій спектральний
прилад розділяє їх окремо, називається Отже, роздільна здатність решітки
спектральною розділяючою відстанню, а
пропорційна порядку спектра m і числу N
величина
щілин (штрихів). Оскільки а
то
роздільною здатністю приладу. і

Для дифракційної решітки Релей за-
пропонував такий критерій спектрального
розділення: спектральні лінії з довжинами
хвиль і вважаються розділеними, де – максимальний кут дифракції
якщо головний максимум дифракційної ( . Тому, максимальна роздільна
картини для хвилі з довжиною збігається за здатність решітки буде
своїм розміщенням з першим дифракційним . Таким чином, роздільна здатність
мінімумом того самого порядку для хвилі з дифракційної решітки, як видно із (13.30)
довжиною , а інтенсивність в проміжку між пропорційна порядку спектра m і числу щілин
максимумами становить не більше, ніж 80% від решітки N.
інтенсивності максимуму (рис.13.25). На рис.13.26 співставленні
Нехай головний максимум m го дифракційні картини, які отримуються для
порядку для хвилі з (формула двох спектральних ліній. За допомогою двох
(13.24)) знаходиться на місці першого
247
Дифракція рентгенівського випромінювання
λ1 λ2 видимому світлі при такому періоді не
I спостерігаються. Загальна кількість штрихів в
таких решітках досягає 200 тисяч (довжина
λ1 λ2 біля 200 мм). Для фокусної відстані приладу
II
F=2м довжина видимого спектру 1-го порядку
складає в цьому випадку більше 0,7 м.
III λ1 λ2
§13.8.Дифракція рентгенівського
випромінювання
Рис.13.26.
Рентгенівським випромінюванням є
решіток, які відрізняються значенням дисперсії електромагнітні хвилі, довжина яких лежить в
і роздільною здатністю R. Решітки I і II інтервалі м (§11.1). Залежно від

умов отримання рентгенівське
мають однакову R (у них однакова кількість
випромінювання утворює суцільний або ліній-
щілин N), але різну дисперсію (у решітки I
частий (характеристичний) спектр. Для
період d у два рази більший, відповідно
спостереження дифракції на решітці необхідно,
дисперсія в два рази менша, ніж у решітки
щоб її період був того самого порядку, що і
II). Решітки II та III мають однакову дисперсію
довжина хвилі падаючого випромінювання.
(у них однакові d), але різну R (у решітки II
Щоб зрозуміти як відбувається
число щілин N і роздільна здатність R у два
дифракція рентгенівських променів, поставимо
рази більша, ніж у решітки III).
дві дифракційні решітки одна за одною так,
щоб штрихи були взаємно перпендикулярні.
використовується як для пропускання світла
Перша решітка, штрихи якої будем вважати
так і для його відбивання. Прозорі решітки
вертикальними, дасть в горизонтальному
виготовляють із скляних або кварцових
напрямку ряд максимумів, положення яких
пластин, на поверхню яких за допомогою
визначається умовою (13.24) (тут прийнято кут
спеціальної машини наноситься алмазним
дифракції позначати буквою ).
різцем ряд паралельних штрихів. Щілинами є
13.31)
проміжки між штрихами.
Друга решітка (з горизонтальними
Решітки, що відбивають світло,
штрихами) розіб’є кожний із пучків, що йдуть
отримуються нанесенням алмазним різцем
від першої решітки, на розташовані по
штрихів на поверхню металічного дзеркала.
вертикалі максимуми, положення яких
Світло падає на таку решітку похило. При
визначається теж умовою (13.24).
цьому решітка з періодом d діє так, як при
паралельному падінні діяла б прозора решітка з
(13.32)
В результаті дифракційна картина
періодом , де – кут падіння. Кращі
буде мати вид правильно рошташованих плям,
решітки мають 1200 штрихів на 1 мм ( 0,8
кожній із яких відповідають два цілочисленних
мкм). Оскільки кількість головних максимумів
, то спектри другого порядку у індекси і (рис.13.27).
248
-2;2 -1;2 0;2 1;2 2;2 Подібними структурами є всі кристалічні тіла.
У випадку кристалів умова виконується
для рентгенівських променів. Вперше
-2;1 -1;1 0;1 1;1 2;1
дифракцію рентгенівських променів
спостерігали в 1913 р. в дослідах Лауе,
Фрідріха і Кніппінга.
-2;0 -1;0 0;0 1;0 2;0
1 1'
2 2'
-2;-1 -1;-1 0;-1 1;-1 2;-1

A θ θ A1
-2;-2 -1;-2 0;-2 1;-2 2;-2 M

θ θ N d
B B1
Рис.13.27. O
Рис.13.28.
Така ж дифракційна картина
отримається, якщо замість двох окремих Для рентгенівських променів
решіток взяти одну прозору пластину, на яку ідеальними природними дифракційними
нанесені дві системи взаємно решітками є монокристали, в яких атоми та
перпендикулярних штрихів. Подібна пластинка іони розмішені на відстані порядку 10 -10 м.
є двомірна періодична структура (звичайна Кристалографічні дослідження показали, що у
гратка – одномірна структура). Вимірявши будь-якому кристалі можна виявити певні
кути , які визначають положення площини, де атоми або іони, які утворюють
максимумів, і знаючи довжину хвилі , можна його кристалічну решітку, розміщені найбільш
знайти за формулами (13.31) і (13.32) періоди густо. Такі площини відбиватимуть
структури монохроматичне рентгенівське
Дифракційну картину, аналогічну тій, випромінювання, яке може інтерферувати
що зображена на рис.13.27, дають любі відбившись від різних площин.
двомірні періодичні структури, наприклад На рис.13.28 зображені сусідні
система невеликих отворів або система площини кристала і . Абсолютний
непрозорих маленьких кульок. показник заломлення всіх середовищ для
Для виникнення дифракційних рентгенівських променів близький до одиниці.
максимумів необхідно, щоб період структури d Тому оптична різниця ходу між
був більший . В іншому випадку, умови двома променями 1' і 2', які відбиваються від
(13.31) і (13.32) можуть задовільнятись тільки площин і , дорівнює
при значеннях , які дорівнюють нулю
(модуль sin не може перевищувати одиницю). де d відстань між площинами, а кут кут
Дифракція спостерігається також на між площиною та падаючими та відбитими
трьохмірних структурах, тобто просторових променями або кут ковзання. Якщо довжина
утвореннях, які мають періодичність по трьох хвилі рентгенівських променів , то
напрямках, що не лежать в одній площині,.
249
інтерференційні максимуми у відбитих 9.Як визначити максимальний
променях спостерігатимуться, коли порядок спектру, який може дати решітка?
10.Дати визначення кутової та
(m = 1, 2, …). (13.33) лінійної дисперсії дифракційної решітки.
11.Як визначається роздільна
Співвідношення (13.33) є формулою
здатність дифракційної решітки? Чим
Вульфа-Брегга, яке означає, що дифракція
визначається її величина?
виникає не в довільному напрямку падіння 12.В чому особливість дифракції
монохроматичного випромінювання. Для її рентгенівського випромінювання?
спостереження треба повертати кристал так,
щоб кут ковзання задовольняв умову (13.33).
Якщо обертати кристал або проводити
експеримент з полікристалічною системою, в
якій окремі кристалики орієнтовані довільно,
світла
то можна отримати певну систему §14.1. Природне і поляризоване
інтерференційних картин від усіх можливих світло. Закон Малюса
типів атомних площин певного кристалу. Наслідком теорії Максвелла є
Дифракція рентгенівських променів є поперечність світлових хвиль: вектори
основою рентгеноструктурного аналізу, який напруженості електричного і магнітного
дає можливість вивчати структуру кристалів, полів електромагнітної хвилі взаємно
аморфних твердих тіл, рідин, а також перпендикулярні і коливаються
рентгеноспектрального аналізу, що перпендикулярно до вектора швидкості
використовується для вивчення рентгенівських поширення хвилі. Оскільки основне
спектрів, а також для визначення хімічного значення при дії світла на речовину має вектор
складу речовин.
напруженості електричного поля – світловий
Контрольні питання вектор, що діє на електрони в атомах
1.В чому суть явища дифракції? речовини, тому в подальшому будемо
2.Сформулювати і пояснити принцип розглядати напрямок коливання лише цього
Гюйгенса – Френеля. вектора.
3.Пояснити суть методу зон Френеля.
Розглянемо випромінювання
4.Пояснити утворення дифракційної
реального джерела світла, яке складається із
картини від круглого отвору та круглого
диску. великої кількості атомів – елементарних
5.Застосування методу графічного випромінювачів (диполів). В основі моделі
складання амплітуд для якісного пояснення випромінювання звичайного (нелазерного)
дифракційної картини. джерела світла, лежить статистична гіпотеза
6.Пояснити явище дифракції про те, що у випадку спонтанного
Фраунгофера на одній щілині.
випромінювання різні атоми джерела,
7.Що представляє собою дифракційна
решітка? випромінюють окремі цуги хвиль (§11.6)
8.Пояснити умову головних незалежно один від одного у випадкові
фраунгоферових максимумів при дифракції моменти часу. Фази коливань
світла на дифракційній решітці. електромагнітного поля у випромінюванні
250
Природне і поляризоване світло.
різних атомів не скорельовані одна з одною. плоско (або лінійно ) поляризованим.
Тому виявляється, що розподіл інтенсивності Упорядкованість може бути в тому, що вектор
випромінювання всіх атомів джерела в такій не повертається навколо променя, одночасно
когерентній суперпозиції визначається пульсуючи за величиною. В результаті кінець
сумуванням розподілів інтенсивності для вектора описує еліпс. Таке світло
індивідуальних атомів.Процес випромінювання називається еліптично-поляризованим. Якщо
окремого атома триває біля 10-8 с. За цей час
кінець вектора описує коло, світло
утворюється послідовність цугів хвиль,
називається поляризованим по колу.
протяжність яких складає приблизно 3м.
Будь-яке світло можна представити,
«Погаснувши», атом через деякий час
як суперпозицію двох плоскополяризованих у
«спалахує» знову. Одночасно «спалахує»
взаємно перпендикулярних площинах хвиль.
багато атомів. Збуджені ними цуги хвиль,
Розглянемо дві монохроматичні
накладаючись один з одним, утворюють
взаємно перпендикулярні хвилі, що
світлову хвилю, яку випромінює тіло. Площина
поширюються вздовж додатнього напрямку осі
коливань вектора для кожного цуга ОХ.
орієнтована випадковим чином. Тому в
E y= , (14.1)
результуючій хвилі коливання вектора в
Ez= cos (14.2)
різних напрямках представленні з однаковою
де – циклічна частота, k ––
ймовірністю (рис.14.1). Такий рівномірний
хвильове число, і амплітуди хвиль,
розподіл векторів пояснюється великим
різниця фаз коливань Ey і Ez.
числом атомарних випромінювачів, а рівність
Щоб знайти траєкторію
амплітудних значень векторів однаковою в
результуючого коливання світлового вектора
середньому інтенсивністю випромінювання.
при додаванні двох взаємно перпендикулярних
Природним називається світло з усіма
коливань (§9.10), визначимо ( із
можливими рівноймовірними орієнтаціями
(14.1): cos( .
вектора (і, отже, ).
Поляризованим називається світло, в Тоді
якому напрямки коливань вектора якимось
sin( .
чином упорядковані.
ь Оскільки
мін
E про
cos(
, то
sin .
Рис.14.1. Піднесемо до квадрату це рівняння і в

результаті отримаємо:
Якщо коливання світлового вектора
sin2 (14.3)
відбуваються тільки в одній площині, яка
проходить через промінь, то світло називається Отримане співвідношення означає, що
251
Природне і поляризоване світло
результуючий вектор (точніше обертається проти годинникової стрілки,
поляризація називається правою, в
кінець вектора ) в кожній точці поля описує
протилежному випадку – лівою. Якщо
еліпс, який лежить в площині, що
перпендикулярна до осі ОХ і довільно = ±m (m = 0, 1, 2, ...), то згідно (14.3) еліпс
орієнтований відносно осей ОУ і OZ. вироджується в пряму:
Якщо різниця фаз зазнає випадкові = 0, =± . (14.5)

хаотичні зміни (тобто хвилі (14.1) і (14.2)
E
некогерентні) і, якщо , то напрямок
X
світлового вектора буде зазнавати
X
скачкоподібні неупорядковані зміни, а
величина його буде однаковою у всіх
напрямках перпендикулярних до напрямку
Рис.14.2.
променя. Таке світло буде природним. Подібне
Така хвиля називається лінійно
представлення природного світла значно
поляризованою (плоскополяризованою)
спрощує розгляд його проходження через
(рис.14.3).
поляризаційні пристрої.
Якщо хвилі (14.1) і (14.2) E
некогерентні і різної інтенсивності (
), то в результаті суперпозиції таких хвиль X
отримаємо світло частково поляризоване. Таке

світло можна розглядати як суміш природного Рис.14.3.
і плоскополяризованого. Площина, яка проходить через
Якщо хвилі (14.1) і (14.2) когерентні, напрямок коливань електричного вектора
це означає, що різниця фаз не залежить від лінійно поляризованої світлової хвилі і
часу і =const. напрямок розповсюдження цієї хвилі
Якщо = ± (2m+1) , (m = 0, 1, 2…), називається площиною поляризації.
За міру ступеня поляризації
то із (14.3) отримаємо рівняння еліпса,
приймають вираз:
орієнтованого відносно осей OY і OZ:
P= , (14.6)
14.4)
де і – відповідно, максимальна та
Така хвиля (тобто світло) називається мінімальна інтенсивності світла, що
еліптично поляризованою. відповідають двом перпендикулярним
При еліпс
компонентам вектора . Для природного світла
перетворюється в коло. Така хвиля (світло)
= і Р = 0. Для еліптично
називається циркулярно поляризованою
поляризованого світла поняття ступеня
(поляризованою по колу).
поляризації не застосовується (у такого світла
Схематично на рис.14.2 зображено
коливання повністю впорядковані).
циркулярно поляризовану хвилю. Якщо
Поляризацією світла називається
відносно напрямку променя вектор виділення лінійно поляризованого або частково
252
Природне і поляризоване світло.Закон Малюса
поляризованого світла із природного світла. Перше коливання пройде через
Плоско поляризоване світло можна поляризатор, друге буде затримане.
отримати з природного за допомогою приладів, Інтенсивність хвилі, що пройшла, пропорційна
які називаються поляризаторами. Ці прилади до пр пр cos
2
, тобто дорівнює
вільно пропускають коливання вектора , які = Іпрcos2 (14.7)
паралельні до площини поляризації, яка де Іпр – інтенсивність коливань з амплітудою
називається головною площиною, і повністю природного світла пр .
або частково затримують коливання вектора ,
В природному світлі значення
які перпендикулярні цій площині. В ролі
рівноймовірні. Тому частка світла, що пройшла
поляризаторів можуть бути, середовища, які
через поляризатор, буде дорівнювати
анізотропні відносно коливань вектора , 2
середньому значенню cos тобто і
наприклад, кристали. Одним із природніх
= Iпр/2. (14.8)
кристалів, які використовуються як
Під час обертання поляризатора
поляризатори, може бути турмалін, природній і
навколо напрямку поширення природного
синтетичний монокристал – алюмосилікат.
світла інтенсивність світла, що проходить
Турмалін оптично анізотропний (подвійне
поляризатор, залишається однаковою згідно
променезаломлення розглядається в
(14.8), а змінюється лише орієнтація його
подальшому), володіє дихроїзмом (грецьке
площини поляризації.
дихроїзм означає двокольорність).
Нехай на аналізатор падає лінійно
Прилади, за допомогою яких
поляризоване світло, отримане за допомогою
аналізують ступінь поляризації світла,
поляризатора, головна площина якого P P
називають аналізаторами.
Нехай на поляризатор падає природне утворює кут з головною
світло (рис.14.4). Виберемо природню хвилю, площиною аналізатора А-А (рис.14.5).
P P
A
 
E пр E Ep Ep
Eпр  ‖ пр υ 
E p ||
υ 
E пр 

E p
P P
A
Рис.14.4.
Рис.14.5.
вектор напруженості електричного поля якої
пр коливається у площині, що утворює з При вході в аналізатор лінійно
головною площиною поляризатора кут поляризованого променя, амплітуду його
При вході в поляризатор падаючу електричного вектора можна представити
природню хвилю можна зобразити у вигляді
як суму двох лінійно поляризованих променів,
суми двох коливань у взаємно
площини поляризацій яких взаємно
перпендикулярних площинах: перпендикулярні. Амплітуди вектора
пр пр пр пр
253
Поляризація при відбиванні і заломленні
напруженості електричного поля цих променів приладу, буде дорівнювати довжині відрізка 01'
будуть або 02'. При повертанні аналізатора навколо
Р Р sin і Р = Р cos . напрямку променя спостерігається зміна
Оскільки аналізатор пропускає інтенсивності в межах від IАmax, яка
коливання електричного вектора, що отримується при збігу осі А-А з великою віссю
відбуваються в площині А-А, а інтенсивність еліпса, до IАmin, яка має місце при збігу осі А-А з
пропорційна квадрату амплітуди малою віссю еліпса.

Р, то
A
інтенсивність світла після аналізатора буде:
= (14.9)
2΄
· 2
Якщо аналізатор не абсолютно Eпp

Ep
=
прозорий, то
= (14.10)
O
·
де коефіцієнт прозорості аналізатора.
Отримані співвідношення (14.9) і 1 ·΄1
A
(14.10) виражають закон Малюса. Рис.14.6.
Отже, інтенсивність світла, яке
У випадку світла, поляризованого по
пройшло через аналізатор, змінюється від
колу, обертання аналізатора не
мінімуму при до максимуму при
супроводжується зміною інтенсивності світла,
.
яке пройшло через нього.
Якщо пропустити природне світло
через поляризатор і аналізатор, площини яких
утворюють кут , то з першого вийде
§14.2. Поляризація при відбиванні і
плоскополяризоване світло, інтенсивність заломленні
якого = Iпр, де коефіцієнт
Під час проходження
прозорості поляризатора, а з другого вийде
електромагнітної хвилі із одного середовища в
світло, інтенсивність якого = .
інше відбувається її відбивання і заломлення.
Отже, інтенсивність світла, яке пройшло через Виходячи з теорії електромагнітних хвиль
два поляризатори, = Iпр Максвелла і враховуючи, що на межі
Звідси Imax= Iпр ( середовищ тангенціальні складові векторів і

хвилі задовільняють умові: ;
поляризатори паралельні) і Imin = 0 (
, можна отримати формули для
поляризатори схрещені). Нехай еліптично
інтенсивності відбитих і заломлених хвиль.
поляризоване світло падає на аналізатор, який
Вперше такі формули були виведені Френелем
пропускає складову пр вектора Р за
у 1823 році при розгляді проходження пружної
напрямком площини A-A (рис.14.6).
хвилі через межу двох середовищ. Розглянемо
Максимальне значення пр досягається в
детальніше питання відбивання і заломлення
точках 1 і 2. Отже, максимальна амплітуда А електромагнітних хвиль на межі двох
плоскополяризованого світла, що вийде з
254
діелектриків на основі аналізу формул Er || і E r  і амплітудами Et || і Et  хвилі,
Френеля. Нехай промінь природного світла
яка пройшла межу розділу двох середовищ. Ці
падає під кутом до межі двох діелектриків
формули такі:
(наприклад скло-повітря),які характеризуються
sin(  ) ,
показниками заломлення і (чи Er    Ei  (14.11)
sin(  )
відповідно діелектричними проникностями,
tg(  ) ,
= = (рис.14.7). Er ||  Ei || (14.12)
tg(  )
Природне світло зручно представити
2 sin  cos 
як суперпозицію двох лінійно поляризованих у E t  E i , (14.13)
sin(  )
взаємно перпендикулярних площинах,
некогерентних, однакової інтенсивності хвиль. 2 sin  cos 
Et ||  Ei|| , (14.14)
Світлові вектори (вектори напруженості sin(  ) cos(  )
електричного поля) цих хвиль і . Індекс де – кут падіння,  – кут заломлення
«і» (від слова incident – падаючий) означає
променя. Співвідношення між кутами  і 
промінь, що падає, індекс «||» – означає, що
задається законом заломлення:
вектор лежить в площині рисунка, індекс
n1 sin   n2 sin  . (14.15)
«  » – означає, що вектор пендикулярний
Особливу цікависть має випадок, коли
до площини рисунка і позначений точкою. Для
     2 , тобто відбитий і заломлений
природного світла = .
...
промені взаємно перпендикулярні. Оскільки
. Ei
=
tg(α  β)  tg π 2   , то із формули (14.12)
..
Er Er﬩
=
Ei﬩
α α видно, що Er ||  0 . Тобто відбитий промінь є
n1 лінійно поляризований і містить тільки
n2 перпендикулярні до площини падіння складові
β
напруженості електричного поля Er 
.. Et
=
(рис.14.8).
Et﬩
.
Ei
. .
=
Рис.14.7. Ei﬩ α α . . Er﬩
На рис.14.7 індекс «r» (від слова n1

π n2
r e fl e c t i o n – відбивання) означає відбитий 2
промінь, індекс «t» (від слова t r a n z i t – β Et
=
проходження) означає промінь, що пройшов

(заломлений промінь).
. Et﬩
Формули Френеля встановлюють

Рис.14.8.
зв'язок між складовими амплітудами падаючою
Кут падіння , при якому
хвилі Ei || і Ei  , амплітудами відбитої хвилі
     / 2 , називається кутом Брюстера
255
і закон (14.15) при цьому перепишеться так: Ми можемо представити це
 n2 n1 . (14.16) коливання як суму двох коливань, одне із яких

(a) на рис.14.9 лежить в площині АОС, а інше
Він носить назву закону Брюстера.
(b) – до нього перпендикулярне. Іншими
Таким чином, при падінні природного
словами, ми зображуємо коливання електронів
світла на межу розділу двох середовищ під
в молекулі як суперпозицію коливань двох
кутом Брюстера , відбите світло теоретично
елементарних випромінювачів, осі яких
повинно бути повністю поляризованим. Проте
напрямлені відповідно по a і b.
на практиці це не так. Навіть при падінні
променя світла під кутом у відбитому
світлі Er ||  0 і це означає, що воно є A I B
 
частково поляризованим, так як Er   Er || .
n1
Формули (14.13) і (14.14) показують, що при
0 n2
проникненні у друге середовище фаза хвилі не
зазнає скачків II  .a b
(знаки однакові).
C
Фазові співвідношення між відбитою
Рис.14.9.
і падаючою хвилями залежать від
співвідношення між показниками заломлення
Якщо світло падає під кутом
n1 і n2 першого і другого середовища, а також
Брюстера, тобто , то очевидно, що
від співвідношення між кутом падіння і
OB OC . Значить OB . Відомо, однак, що
кутом Брюстера
електричний заряд не випромінює
Якщо , то відбивання від електромагнітних хвиль вздовж напрямку
оптично більш густого середовища ( свого руху. Тому випромінювач типу a вздовж
супроводжується скачком фази на ("втрата ОВ не випромінює. Таким чином, по напрямку
півхилі" знак мінус у формулі (14.11)); ОВ розповсюджується світло, яке посилає
відбивання від оптично менш густого випромінювач типу b, напрямок коливань яких
середовища ( відбувається без зміни перпендикулярний до ОВ, тобто
фази. У випадку, коли , фаза для обох перпендикулярний до площини рисунка 14.9.
компонентів відбитої хвилі змінюється на . Іншими словами, відбите світло
Фізичний зміст закону Брюстера. поляризоване і коливання вектора напруженості
Хвиля, яка падає, збуджує в середовищі II електричного поля в ньому перпендикулярні до
(рис.14.9) коливання електронів, які стають площини падіння (закон Брюстера).
джерелом вторинних хвиль; ці хвилі і дають Якщо кут падіння відрізняється від кута
відбите світло. Напрямок коливань співпадає з Брюстера, то вздовж ОВ може
напрямком електричного вектора світлової розповсюджуватись хвиля, яка містить поряд з
хвилі, тобто для середовища II він компонентою b і компоненту a, доля якої буде
перпендикулярний до ОС. тим більша, чим більший кут між напрямком a і
256
напрямком відбитої хвилі. Таким чином, відбите Якщо (ковзаючe падіння), то
світло буде частково поляризоване і ступінь
поляризації зростає в міру наближення до кута тобто має місце повне відбивання світла. Цим
Брюстера. пояснюються яскраві зображення предметів в
Проаналізуємо коефіцієнти відбивання спокійній воді (береги річок, ліхтарі, місячна
для і . Згідно формули (14.11) і (4.12) доріжка, сонце, яке заходить і т.п.).
коефіцієнт відбивання для На рис.14.10 зображені графіки
= , (14.17) залежності і (криві I і III) від кута падіння

і
для =1,52 і =1. Кут Брюстера при цьому
для E||
дорівнює 56 Крива II відповідає коефіцієнту
= . (14.18) відбивання для неполяризованого світла. В
цьому випадку коефіцієнт відбивання
Для випадку нормального падіння світла
на границю розділу двох середовищ ( R= ), (14.21)
із формул (14.11) і (14.12), розкриваючи де інтенсивність падаючого світла,
невизначеність, знаходимо амплітудні інтенсивність відбитого світла. Із (14.21) видно,
коефіцієнти відбивання: що коефіцієнт відбивання дорівнює середньому
арифметичному із і
(14.19) Відбивання під кутом Брюстера дає
змогу отримати лінійно поляризоване світло,
Для =1,5, =1 (скло-повітря) однак його інтенсивність невелика і для скла
знаходимо, що (n=1,5) дорівнює близько 15%, тобто основна
його частина поширюється у напрямку
Відбивання світла від багатьох заломленої хвилі, яка поляризована частково.
поверхонь, навіть при падінні близькому до r2

нормального, може значно послабити
0,8
інтенсивність світла, що необхідно враховувати
при побудові складних оптичних систем.
0,6
При куті падіння
амплітудний коефіцієнт відбивання r|| для I
0,4
дорівнює нулю, а визначається за II
формулою (14.11): 564 0 ' III

0,2
I
= (14.20) II
III
Таким чином, при відбите світло 0 20 60 80 α

лінійно поляризоване в площині, яка Рис.14.10.
перпендикулярна площині падіння, а коефіцієнт
Дійсно із формул (14.13) і (14.14)
відбивання (скло-
отримаємо, що для природного світла
повітря).
257
Подвійне променезаломлення
середовищі від границі розповсюджується одна
= (14.22)
хвиля, яка лежить в площині падіння і яка
складає з нормаллю до границі середовищ
E Et
=
=
Е кут , який визначається відомим законом

заломлення: sin sin , де кут
падіння, і – показники заломлення
Рис.14.11.
середовищ. Якщо середовище анізотропне, то в
При отриманні (14.22) враховано, що
ньому в загальному випадку виникають дві
і . Формула (14.22)
хвилі, які розповсюджуються від межі в різних
показує, що . Для збільшення ступеня напрямках і з різними швидкостями. Це явище
поляризації заломлених хвиль їх треба називається подвійним променезаломленням.
пропустити крізь стопу скляних пластинок Воно відкрите Бартоліном в 1670 році в
(рис.14.11). кристалах ісландського шпату і в подальшому
Так, для стопа з десяти детально досліджене Гюйгенсом. Гюйгенс дав
скляних пластинок дає змогу отримати майже пояснення подвійного променезаломлення на
стопроцентну поляризацію заломлених хвиль. основі гіпотези про те, що хвиля, яка падає на
границю середовищ, породжує в кристалі
елементарні вторинні хвилі двох видів:
§14.3. Подвійне променезаломлення
сферичні (звичайні) і еліптичні (незвичайні),
Проходження світла через швидкість поширення яких залежить від
анізотропну речовину, оптичні властивості якої напрямку розповсюдження.
в різних напрямках не однакові,
супроводжуються рядом своєрідних явищ, які
78°
мають принципіальне і практичне значення. 102°
102°
Особливості оптичних явищ в анізотропних A
середовищах пов’язані з тим, що індукований 102°
електромагнітною хвилею дипольний момент
B
фізично нескінченно малого об’єму
середовища, взагалі кажучи, не співпадає по
напрямку з електричним полем хвилі. Так
відбувається тому, що в анізотропній речовині
Рис.14.11.Кристал ісландського шпату.
під дією зовнішньої сили, елементарні заряди
зміщуються в одних напрямках легше, ніж в Ісландський шпат – це різновидність
інших. вуглекислого кальцію CaCO3 (кальцит), який
Фізична природа анізотропії речовини відноситься до гексагональної системи. Він
зв’язана з особливостями будови її молекул або зустрічається в природі у вигляді досить
особливостями кристалічної решітки, у вузлах великих і оптично чистих кристалів.
якої знаходяться атоми або іони. Розколюючи його по певних площинах,
При падінні світлової хвилі на кристалу можна надати форму ромбоедру –
границю ізотропного середовища в цьому фігури, яку найлегше всього представити собі
258
як куб, дещо стиснутий вздовж просторової Збільшивши переріз падаючого пучка,
діагоналі АВ (рис.14.11). Грані його мають вид можна отримати часткове перекриття плям на
ромбів з кутами 78о і 102о. У двох протилежних екрані. При повороті аналізатора частини плям,
вершинах А і В сходяться сторони трьох тупих які не перекриваються, періодично стають
кутів. світлими і темними, коли у однієї частинки
Для демонстрації подвійного освітленість максимальна, у другої –
променезаломлення вузький паралельний перетворюється в нуль. Освітленість частини
пучок світла направляють перпендикулярно до плям, що перекриваються, залишається
грані природного ромбоедра. Із протилежної незмінною.
грані виходять два пучки, які мають напрямки, В кристалі ісландського шпату
що паралельні початковому. Один із них є просторова діагональ АВ ромбоедра (рис.14.11)
продовження первинного, а другий зміщений в є віссю симетрії: при обертанні на 120о
сторону, тобто для нього кут заломлення навколо цієї осі кристал суміщається сам з
відмінний від нуля, не дивлячись на те, що кут собою. Якщо спилити тупі кути у вершинах
падіння дорівнює нулю. Ця обставина дала ромбоедра по площинах, які перпендикулярні
привід назвати другий пучок незвичайним (е – осі, і відшліфовавши ці площини, можна
e x t r a o r d i n a r y ), а перший, який дослідити розповсюдження світла в напрямку
підпорядковується закону заломлення – осі ОО, яка парельна AB (рис.14.13).
звичайним (o o r d i n a r y ). Якщо пучок, який
падає, досить вузький, а кристал має достатню природне O O
світло
товщину, то пучки, що виходять із кристалу, природне
просторово розділені (рис.14.12) і утворюють
світло
O
E
=
e
природне
Рис.14.13.
світло
o
E﬩ Виявляється, що в цьому випадку
подвійне променезаломлення відсутнє:
O падаючий пучок світла не роздвоюється і стан
Рис.14.12. його поляризації не змінюється. Такий
напрямок в кристалі, що має таку властивість,
дві плями на екрані. Якщо падаюче світло
називається його оптичною віссю. Відзначимо,
природне, то обидві плями мають однакову
що мова йде саме про напрямок, а не про
освітленість. При повороті кристалу навколо
окрему пряму, так як пучок не буде зазнавати
напрямку падаючого променя одна пляма
подвійного заломлення при розповсюдженні
залишається на місці, а друга обходить навколо
вздовж любої прямої, яка паралельна оптичній
неї. За допомогою аналізатора легко
осі.
переконатись, що пучки, які виходять із
Кристали, які мають лише один
кристала лінійно поляризовані у взаємно
напрямок, вздовж якого не відбувається
перпендикулярних напрямках (рис.14.12).
259
подвійне променезаломлення, називаються поля . В одновісних кристалах в напрямку
одновісними (ісландський шпат, кварц, оптичної осі і в напрямку, який
турмалін та інші). Існують кристали, які мають перпендикулярний до неї має різні значення
два таких напрямки. Вони називаються , які називаються повздовжньою і
двовісними (слюда, гіпс). У двовісних
поперечною діелектричними проникностями
кристалах обидва промені незвичайні. В
кристала. В інших напрямках має проміжне
подальшому будемо розглядати одновісні
кристали, які широко використовуються в значення. А оскільки n = , то з
оптичних експериментах. анізотропії випливає, що світловим хвилям з

Площина, яка проходить через про- різними напрямками коливання вектора
мінь і оптичну вісь кристала, що перетинає відповідають різні значення показника
промінь, називається головною площиною, або
заломлення n і швидкості світлових хвиль .
головним перерізом кристала, що відповідає
Виділимо в кристалі площину
цьому променю. Через кристал можна провести
головного перерізу і розглянемо промені, що
нескінченну множину паралельних оптичних
виходять з деякої точки C в різних напрямках в
осей і нескінченну множину паралельних
цій площині. На рис.14.14 напрямки, які
головних перерізів. Лінія перетину двох
паралельні до оптичної осі ОО, зображені
довільних головних перерізів завжди є
O а1 а1
оптичною віссю. O
а3 а3
Дослідження звичайного і незви-
чайного променів показує, що електричний а2 а2
вектор у звичайному промені перпендику- *С υo υe *С
лярний до площини головного перерізу і
позначається (•), а в незвичайному промені
O O
лежить у площині головного перерізу і
Рис.14.14. Рис.14.15.
позначається (↨) (рис.14.12), тобто площина
поляризації звичайного променя пунктирними лініями, а напрямки коливань
перпендикулярна до площини головного електричного вектора показані точками. При
перерізу, а незвичайного збігається з довільному напрямку звичайного променя,
площиною головного перерізу. наприклад, , , вектор утворює з
Після виходу з кристала, якщо не
оптичною віссю кристала прямий кут і
брати до уваги поляризацію у двох взаємно
швидкість буде однаковою в усіх напрямках і
перпендикулярних напрямках (площинах), ці
дорівнюватиме Геометричним
два промені нічим один від одного не
відрізняються. місцем точок, до яких промені, що виходять з
Пояснення подвійного променезаломлення центру С, будуть доходити за однаковий
Подвійне променезаломлення пояс- проміжок часу буде коло (рис.14.14). Якщо
нюється анізотропією кристалів. У кристалах розглянути сукупність всіх можливих головних
некубічної системи діалектрична проникність перерізів, що проходять через точку С, то
є залежною від напрямку дії електричного
260
геометричним місцем кінців всіх променів буде Хід звичайних і незвичайних
сфера. променів в кристалі можна визначити за
Коливання вектора в незвичайному допомогою принципу Гюйгенса (рис.14.18).
промені здійснюються в площині головного B
перерізу (рис.14.15). Тому для різних α
напрямків коливання вектора
оптичною віссю ОО різні кути . Для променя
утворюють з
a O . . .
A C D b
кут — і швидкість поширення Е

F
коливань дорівнює для променя
O Oˊ βe
кут = 0 і швидкість . Для βo
променя швидкість має проміжне значення e oe oe o
між і . У такому разі хвильова поверхня
має вигляд еліпсоїда обертання навколо оптич- Рис.14.18.
ної осі, переріз якого є однією з головних
Нехай на плоску поверхню ab
площин зображених на рис.14.15.
одновісного оптично додатнього кристалу
Одновісні кристали характеризуються
падає під кутом плоска неполяризована
показником заломлення звичайного променя,
світлова хвиля. Оптична вісь ОО з поверхнею
який дорівнює = , і показником
кристала утворює гострий кут і лежить в
заломлення незвичайного променя = .
площині рисунка. В момент часу t фронт АВ
Значення найбільше відрізняється від для
падаючої хвилі досяг точки А поверхні
напрямку, який перпендикулярний до оптичної
кристала. За час, поки промінь з точки В
осі.
досягне точки D в кристалі з точки А ви-
υο υе никнуть сферична та еліпсоїдальна хвильові
O
υе O O υo O поверхні. З проміжних точок, які лежать на
поверхні кристала між А і D, також утворяться
С* С*
подібні поверхні, але менших розмірів. Згідно з
принципом Гюйгенса прямі DE і DF, які
Рис.14.16. Рис.14.17
дотикаються відповідно до еліпсоїдальної та
Додатний Від'ємний
сферичної поверхонь, будуть фронтами
незвичайної і звичайної хвиль. Промені Ао і
Залежно від того, яка із швидкостей
Dо звичайні. Вони нормальні до хвильового
чи більша, розрізняють додатні і від’ємні
фронту DF; промені Аe і Dе незвичайні, вони
одновісні кристали.
не перпендикулярні до фронту DE.
Якщо і відповідно < ,
На рис.14.19 зображені три випадки
то кристал називається оптично додатним і
нормального падіння світла на поверхню
еліпсоїд вписаний у сферу (рис.14.16). Для
кристалу, які відрізняються напрямком
від’ємного кристала . У
оптичної осі ОО. У випадку a промені о і е
такому разі еліпсоїд описаний навколо сфери
розповсюджуються вздовж оптичної осі, і тому
(рис.14.17).
261
Поляризаційні призми і поляроїди
поширюються, не розділяючись. Із рис.14.19,б Якщо світло, яке падає на пластинку є
видно, що навіть при нормальному падінні природним, то о і е промені, некогерентні,
світла на заломну поверхню незвичайний тому що вони містять хвилі, які належать
промінь може відхилитись від нормалі до цієї різним цугам, що випромінюють атоми
поверхні. На рис.14.19,в оптична вісь кристалу джерела світла.
паралельна заломній поверхні. В цьому Якщо на пластинку падає
випадку при нормальному падінні світла плоскополяризоване світло, то в цьому випадку
коливання кожного цуга розділяється між
O звичайним і незвичайним променями в

однаковій пропорції, яка залежить від
o e o e орієнтації оптичної осі пластинки відносно
O a
площини коливань в падаючому промені. Тому
O промені о і е будуть когерентними і можуть
інтерферувати.
O
В залежності від товщини пластинки
e o e o
б різниця фаз (14.24) може приймати різні
значення і світло на виході із пластинки може
e
мати різну поляризацію (в загальному випадку
e
o o d еліптичну) із-за додавання двох взаємно
O O
в перпендикулярно поляризованих хвиль.
Рис.14.19.
§14.4.Поляризаційні призми і поляроїди

звичайний і незвичайний промені
поширюються по одному і тому ж напрямку, Явище подвійного променезаломлення
але розповсюджуються з різними лежить в основі роботи поляризаційних
швидкостями, внаслідок чого між ними пристроїв, які служать для отримання
виникає зростаюча різниця хoду, а відповідно і поляризованного світла. Замість окремого
різниця фаз. Якщо товщина кристалу d, то кристалу для цієї цілі більш зручними є їх
оптична різниця ходу комбінації, які називаються поляризаційними
(14.23) призмами.
а різниця фаз Призми ділять на два класи:
(14.24) 1)призми, що дають лише
плоскополяризований промінь (поляризаційні
де довжина хвилі у вакуумі.
призми);
Таким чином, якщо пропустити
2) призми, що дають два поляризовані
природне світло через вирізану паралельно
у взаємно перпендикулярних площинах
оптичній осі кристалічну пластинку, із
промені (двозаломні призми).
пластинки вийдуть два поляризованих у
Найбільш придатний матеріал для їх
взаємно перпендикулярних площинах промені
виготовлення – ісландський шпат, у якого
о і е, між якими буде існувати різниця фаз
порівняно велика різниця між звичайними і
(14.24).
262
Поляризаційні призми і поляроїди
незвичайним показниками заломлення заломлення поділяється на звичайний промінь
( =1,658 1,486; ne=1,486) рідше о і незвичайний промінь е. При певному
застосовують кварц ( виборі кутів призми звичайний промінь падає
Перша поляризаційна призма була на шар бальзаму під кутом , який більший
винайдена Ніколом в 1828р. Вона за граничний ( , зазнає повного
виготовлялась із отриманого розколюванням внутрішнього відбивання, падає на зачорнену
по площинах спайності куска ісландського грань СВ і нею поглинається. Незвичайний
шпату, довжина якого приблизно в 3,5 рази промінь виходить з призми паралельно до грані
більша товщини. Торцеві основи AC і BD СВ. Площина його поляризації збігається з
(рис.14.20) зішліфовувались під кутом до площиною головного перерізу. Для
його довгих ребер (замість у природного незвичайного променя повне внутрішнє
кристала). Потім кристал розрізувався по відбивання від шару канадського бальзаму
площині, яка перпендикулярна до торцевих виключене ( .
поверхонь (розріз АВ перпендикулярний АС), і Повне відбиття звичайного променя
відшліфовані половинки склеювались в відбувається тільки тоді, коли кути падіння на
попередньому положенні канадським вхідну грань призми лежать в певних межах.
бальзамом, який утворював між ними тонкий Кут між крайніми променями падаючого пучка
прозорий шар з показником заломлення ( ), який задовольняє цій умові, визначає
n=1,549, що має проміжне значення між і апертуру повної поляризації призми.
. Для звичайного променя канадський Існує багато модифікацій призми
бальзам є оптично менш густе середовище, для Ніколя. Для роботи в ультрафіолетовій області
спектру канадський бальзам не підходить із-за
O канадський бальзам
A
D сильного поглинання світла, тому
22°
48° 90° використовують призму Фуко з тонким
. e
повітряним прошарком. Повне відбиття
68° звичайного променя в площині розрізу

C o
B відбувається при менших кутах і тому призма
O Фуко виходить значно коротша призми Ніколя.
Рис.14.20. Апертура повної поляризації призми Фуко
складає всього 8 .
незвичайного більш густе. Тому звичайний
промінь може пройти шар бальзаму тільки Деколи необхідно із падаючого світла
тоді, коли кут його падіння на площину розрізу отримати відразу два промені, які поляризовані
менший граничного кута повного відбивання у взаємно перпендикулярних напрямках.

Призми, які використовуються для цієї цілі,
, який визначається із умови sin
називаються двозаломними.
В даному випадку sin гр = =
Прикладом двозаломної призми є
і гр .
призма Волластона, яка складається з двох
Оптична вісь ОО спрямована під
прямокутних призм із ісландського шпату
кутом до вхідної грані АС. Промінь при (рис.14.21).
падінні на грань АС внаслідок подвійного
263
Штучна оптична анізотропія
A D o турмаліну завтовшки 1 мм практично повністю
поглинає звичайні промені і світло, яке
проходить крізь неї, буде лінійно
поляризованим. Але для деяких ділянок
e спектру незвичайний промінь теж зазнає
B С
відчутного поглинання, що обмежує
Рис.14.21. застосування турмаліну як поляризатора.
Дуже зручні у використанні
У призмі АВС оптична вісь
поляризаційні пристрої із синтетичних
паралельна до катета АВ, а в призмі АСD до
дихроїчних матеріалів, які відомі як поляроїди.
ребра С, яке перпендикулярне до площини
Поляроїд – це плівка целлулоїда або іншого
рисунка. Природне світло падає нормально на
прозорого матеріалу, в яку вкраплені певним
грань АВ; обидва промені, звичайний і
чином орієнтовані мікроскопічні кристалики
незвичайний, що виникають в призмі АВС,
сильно дихроїчної речовини, як правило,
ідуть по одному напрямку, відповідно з
герапатиту (сульфат йодистого хініну) або
швидкостями . У іншій призмі вони
інших споріднених йому сполук. Плівка
також поширюються в напрямку, який
завтовшки 0,1 мм повністю поглинає
перпендикулярний до оптичної осі, але
звичайний промінь видимої області спектру.
оскільки оптичні осі в обох призмах взаємно
Таким способом отримують листи великої
перпендикулярні, то звичайний промінь першої
площі, які забезпечують високий ступінь
призми перетворюється в незвичайний промінь
поляризації світла, яке проходить, при великих
в іншій і навпаки. Тому звичайний промінь в
апертурах і мають порівняно невелику
першій призмі заломиться на межі обох призм
вартість. Недоліки поляроїдів пов’язані із
з відносним показником заломлення , а
спектральною селективністю поглинання
промінь незвичайний – з . Для
герапатиту, через що фіолетова частина
ісландського шпату і тому а
спектру є поляризована тільки частково, а
. Перший промінь заломиться в бік
плівка виявляється неоднаково прозорою для
ребра С призми АСD, а другий — в бік її
променів різних кольорів.
основи АD. Цим досягається значне
розходження променів. Обидва промені плоско
§14.5.Штучна оптична анізотропія
поляризовані.
Всі двозаломлені кристали тією чи
Подвійне променезаломлення спос-
іншою мірою поглинають світло. Коефіцієнт
терігається в природних анізотропних се-
поглинання неоднаковий для звичайного і
редовищах. Існують різні способи отримання
незвичайного променів і залежить від
штучної оптичної анізотропії, тобто надання
напрямку поширення світла в кристалі. Це
оптичної анізотропії природно ізотропним
явище називається дихроїзмом. Значний
речовинам.
дихроїзм у видимій області спектра мають
Оптично ізотропні речовини стають
кристали турмаліну, в якому коефіцієнт
оптично анізотропними під дією:
поглинання для звичайних променів набагато
1)одностороннього стиску або
більший, ніж для незвичайних. Пластинка
264
розтягу (кристали кубічної системи, скла та промені, пройшовши тіло завтовшки l
ін.) (Т.Зеєбек, Д.Брюстер (1815р)); дорівнює
2)електричного поля (рідини, аморфні
= , (14.25)
тіла, гази) (Керр);
3)магнітного поля (рідини, скло, де довжина світлової хвилі у вакуумі, а С
колоїди) (Коттон, Мутон). = новий коефіцієнт. Залежно від роду
1. Оптичну анізотропію, яка виникає речовини коефіцієнт С може бути позитивним
під впливом деформації, можна виявити, якщо або негативним.
помістити досліджуване тіло T між Явище штучної оптичної анізотропії
поляризатором P і аналізатором A, які схрещені при деформаціях використовують для
(рис.14.22). Доки тіло не деформоване, така виявлення внутрішніх залишкових напруг, які
система світла не пропускає. При можуть виникати у виробах зі скла та інших
односторонньому стиску або розтягу тіла прозорих ізотропних матеріалів внаслідок
вздовж напрямку ОО в ньому виникає оптична порушення технології їх виготовлення.
анізотропія, яка еквівалентна анізотропії Оптичний метод вивчення на прозорих
одноосного кристалу з оптичною віссю ОО. моделях розподілу внутрішніх напруг у різних
Звичайний і незвичайний промені будуть напружених частинах машин і споруд широко
поширюватися в напрямку, який застосовують у сучасній техніці. Для цього
перпендикулярний до ОО, із різними використовують моделі, виготовлені з
швидкостями і Якщо головний переріз целулоїду або іншої ізотропної речовини.
поляризатора не паралельний і не Оскільки величина оптичної анізот-
перпендикулярний до ОО, то світло, яке ропії пропорційна до напруги , то за виглядом

пройшло через деформоване тіло, стане смуг однакового кольору (ізохром), що
еліптично поляризованим і його не можна виникають при спостереженні моделі між
погасити аналізатором. схрещеними ніколями, можна зробити
O висновок про величину напруг.
T Оптична анізотропія може виникнути
s
* теж і в рідині під впливом зовнішніх
P O A динамічних впливів. Виникнення оптичної
Рис.14.22. анізотропії в потоці може бути використана
Різниця коефіцієнтів заломлення для вивчення властивостей полімерів, що йдуть
= може служити на виготовлення штучних каучуків і пластмас.
мірою анізотропії, що виникла. Досвід показує, 2. У 1875 р. Д. Керр виявив, що рід-
що різниця пропорційна до напруги кий або твердий ізотропний діелектрик,
в даній точці тіла (F сила, S площа, поміщений у дуже сильне однорідне елек-
до якої прикладена перпендикулярно сила F): тричне поле, стає оптично анізотропним. Це
явище називають ефектом Керра. Принципову
=
схему спостереження цього явища в рідинах
де коефіцієнт пропорційності, що
зображено на рис.14.23, де P і A поляризатор
залежить від властивостей речовини. Різниця
і схрещений з ним аналізатор. Між ними
фаз, яку матимуть звичайний і незвичайний
265
розміщена кювета з конденсатором («комірка
Керра»), між пластинами якого знаходиться (14.27)
де стала Керра, яка залежить від

s
* природи речовини, довжини хвилі ,
E
температури і швидко зменшується із її
P A
збільшенням. Часто користуються іншою
Рис.14.23. константою Керра К, яка зв’язана з В
співвідношенням: , n
досліджувана рідина. За відсутності абсолютний показник заломлення речовини за
електричного поля світло через систему не відсутності електричного поля.
проходить. Досліди показали, що під дією од- У 1930 р. було виявлено існування
норідного електричного поля в плоскому ефекту Керра і в газах. Складність
конденсаторі рідина набуває властивостей спостереження цього явища пов’язана з тим,
одновісного двозаломлюючого кристала, що значення В для газів на кілька порядків
оптична вісь якого збігається з напрямком менше, ніж для рідин. Для рідин стала Керра
вектора напруженості поля конденсатора. В =(10-14 10-12) м/ , для газів
Різниця показників заломлення рідини для В=(10-19 10-16) м/ .
звичайного і незвичайного променів Велике значення (В = 2,2∙10-12) м/
монохроматичного світла в напрямку, який має нітробензол ( ), тому його часто
перпендикулярний до вектора використовують в технічних застосуваннях
пропорційна : ефекта Керра.
, (14.26) Для більшості речовин стала Керра

додатня, тобто > , що відповідає
де – коефіцієнт пропорційності.
анізотропії додатного одновісного кристалу.
Такий характер залежності (14.26)
Рідше зустрічаються речовини, у яких В < 0
пояснюється тим, що для ізотропного
(етиловий ефір, спирт).
середовища (при відсутності поля) величина
Ефект Керра пояснюється різною
не може залежати від напрямку , тому
поляризацією молекул за різними напрямками.
розкладання в ряд по степеням
За відсутності поля молекули орієнтовані
напруженості поля повинно починатись з
довільно, тому рідина загалом не виявляє
квадратичного члена. В слабких полях, які
анізотропії. Під дією поля молекули
використовуються на досліді, в розкладанні
повертаються так, щоб в напрямі поля були
досить обмежитись тільки цим членом.
орієнтовані або дипольні електричні моменти
Якщо довжина шляху променів між
(у полярних молекул), або напрям найбільшої
обкладками конденсатора , то різниця фаз між
поляризації (у неполярних молекул). В
звичайними і незвичайними променями
результаті речовина стає оптично
дорівнює:
анізотропною.
Ефект Керра практично
безінерційний, тобто перехід речовини з
266
Штучна оптична анізотропія. Обертання площини поляризації
ізотропного стану в анізотропний (і назад) при швидкістю = незалежно від напрямку
вмиканні поля становить с . Тому цей поляризації. Якщо кристал не має центра
ефект може бути ідеальним світловим затвором симетрії, то при прикладанні зовнішнього
і застосовується в швидкоплинних процесах електричного поля фазові швидкості хвиль з
(звукозапис, відтворення звуку, швидкісне ортогональними напрямками поляризації
фото – і кінознімання), в оптичній локації. вздовж осі стають різними. На відмінну від
3. Штучну анізотропію можна ефекта Керра, квадратичного по напруженості
створити теж дією магнітного поля, яка зовнішнього електричного поля, в
спостерігається в речовинах, молекули яких електрооптичному ефекті різниця фазових
анізотропні, тобто в парамагнетиках. За швидкостей таких хвиль пропорційна
відсутності зовнішнього магнітного поля напруженості поля (лінійний ефект Поккельса).
молекули розміщуються хаотично, результатом Безінерційність ефекта Поккельса дозволяє
чого є статистична анізотропія. Якщо таку широко використовувати його для створення
речовину помістити в досить сильне магнітне швидкодіючих оптичних затворів і
поле, то відбудеться напрямлена орієнтація високочастотних модуляторів світла.
власних магнітних моментів молекул. Це
зумовлює анізотропію речовини, що приводить §14.6.Обертання площини поляризації
до подвійного заломлення променів. Таке
середовище поводить себе як одновісній Явище повертання площини
кристал, оптична вісь якого паралельна до поляризації світлової хвилі на деякий кут при
проходженні світла крізь кристалічні тіла і
вектора індукції поля . Це явище, відкрите в
деякі ізотропні рідини, називається
1905 р., називається ефектом Коттона-Мутона.
обертанням площини поляризації або
Різниця показників заломлення середовища
оптичною активністю.
при цьому
Якщо речовина не знаходиться у
( = (14.28)
зовнішньому магнітному полі, то оптична
де k₃ - коефіцієнт пропорційності, а різниця
активність буде природною.
фаз між звичайним і незвичайним променями
Природна оптична активність була
становитиме
відкрита в 1811 р. Д. Араго на пластинках
кварцу, які вирізані перпендикулярно до
(14.29)
оптичної осі. Пізніше Ж.Біо виявив обертання
напрямку поляризації світла в розчинах цукру.
де D = - стала, яка залежить від природи
Тепер відомо багато природно-активних
речовини, довжини хвилі світла о і
речовин, хоч у більшості з них це явище
температури.
виражене дуже слабо.
4. Зміна оптичних характеристик
Для спостереження оптичної
кристала під дією зовнішнього електричного
активності шар речовини, яка досліджується,
поля називається електрооптичним ефектом
розміщують між встановленими на темноту
Поккельса. В одновісних кристалах
(схрещеними) поляризатором і аналізатором.
розповсюдження світла вздовж оптичної осі
Світло, яке при цьому проходить, можна знову
відбувається з однією і тією ж фазовою
267
Обертання площини поляризації
погасити поворотом аналізатором. Це значить, (14.30)
що після проходження через шар активної де – довжина шляху променя в оптично
речовини світло залишається лінійно активному середовищі, – коефіцієнт
поляризованим, але напрямок його поляризації пропорційності , який називають обертальною
повернутий на деякий кут відносно здатністю або питомим обертанням. Він
початкового напрямку. залежить від природи речовини, від
Нехай погляд спостерігача температури та довжини хвилі.
спрямований назустріч падаючому променю.
Питоме обертання дорівнює
Обертання називають правим (додатним), якщо
величині кута, на який повертається площина
площина поляризації повертається вправо ( за
поляризації монохроматичного світла при
годинниковою стрілкою) для спостерігача, і
проходженні шару завтовшки l=1м.
лівим (від’ємним), якщо вона повертається
Далеко від смуг поглинання світла
вліво.
речовиною залежність від задовільняє
закон Біо: .
Для оптично активних рідин та роз-
чинів Ж.Біо встановив, що кут повороту
площини поляризації прямо пропорційний
товщині шару і концентрації С оптично
Рис.14.24.
активної речовини, тобто
, (14.31)
Кристалічний кварц зустрічається у
де [ ] коефіцієнт пропорційності, який
двох модифікаціях: для однієї обертання
називається питомим обертанням розчину.
напрямку поляризації при розповсюдженні
Коефіцієнт [ ] залежить від природи оптично
вздовж оптичної осі відбувається вправо, для
активної речовини і розчинника, температури
другої – вліво (на той же кут). Для кристалічної
та довжини хвилі світла.
гратки кварцу характерна відсутність центру і
Властивості оптичної активності
площин симетрії. Дві модифікації по своїй
розчинів дають змогу визначити їх концен-
симетрії і зовнішній формі кристалів
трації. Прилади, за допомогою яких проводять
(рис.14.24) відрізняються одна від одної, як
такі вимірювання, називаються
права рука відрізняється від лівої або як гвинт з
поляриметрами. Оскільки для розчину цукру
правою нарізкою відрізняється від такого ж
питоме обертання [ ] значне, то поляриметри
гвинта з лівою нарізкою. Ніяким переміщенням
їх не можна сумістити одна із одною. Одна набули широкого застосування в цукрометрії.
модифікація є дзеркальним зображенням іншої. Теорію обертання площини поляри-
Обертальна властивість кварцу зв’язана з його зації оптично активними речовинами розробив
кристалічною структурою, так як плавлений О.Френель. Він вважав, що це явище зумовлене
кварц не володіє оптичною активністю. особливим видом подвійного заломлення
Кут обертання площини поляризації променів, при якому швидкість поширення
пропорційний до товщини шару оптично світла в активному середовищі різна для
активної речовини: променів, що мають праву і ліву колові
268
Обертання площини поляризації.Ефект Фарадея
поляризації. Знак кута повертання площини довжини їх шляху в оптично активному
поляризації визначається співвідношенням між середовищі, тобто
швидкостями поширення променів правої
пр = а л
=
циркулярної поляризації пр і лівої циркулярної пр л
поляризації Тоді
л. Для пр > л оптично активне
середовище буде додатним, а для пр < л = = .
пр л л пр
від’ємним. Фазові швидкості поширення лівої і правої

На вході в оптично активну речовину хвиль виразимо відповідно через коефіцієнти
лінійно поляризоване монохроматичне світло заломлення і і υл =
л пр , пр = пр л.
розкладається на дві хвилі тіє ж частоти, але
Враховуючи, що = 2 = з
поляризовані по колу у взаємно протилежних
попередньої формули отримаємо:
напрямках (рис.14.25).
л пр
Вектори пр і л цих хвиль
л пр л пр
симетричні відносно площини P – P коливань
падаючого світла. Якщо пр > л , то при виході де = сТ – довжина світлової хвилі у вакуумі.
із оптично активного середовища з товщиною Отже, при л пр ( л пр ) площина
шару електричний вектор правоциркулярної поляризації повертається вправо, а при
хвилі буде повернутий на більший кут пр , л пр л пр – вліво.
ніж для лівоциркулярної хвилі л . Внаслідок Повертання площини поляризації при
цього площина P' P' , відносно якої проходженні світла через речовину, яка
електричні вектори цих хвиль розміщенні знаходиться в магнітному полі, вперше
симетрично, буде повернута вправо на кут спостерігав Фарадей у 1846 р. Це був перший
експеримент, який продемонстрував зв'язок
P E P P´ оптичних і магнітних явищ. Фарадей так
E охарактеризував своє відкриття: «Мені вдалося
Eпр Eл
Eл
ᵩл ᵩл  ᵩ Eпр
намагнітити і наелектризувати промінь світла і
пр освітити магнітну силову лінію» (Літ.№18,
ᵩпр
ֺ ֺ
стор.619). Для спостереження ефекту Фарадея
речовина, яка досліджувалась, розміщувалась
між полюсами електромагніту (рис.14.27).
P P´ P Лінійно поляризоване світло
Рис.14.25. Рис.14.26. пропускається вздовж магнітного поля через
канал, що просвердлений в осерді. Аналізатор
відносно площини поляризації падаючої хвилі А встановлюється так, що при відсутності
(рис.14.26). Кут визначається з умови магнітного поля світло не проходило
пр л звідки отримаємо, що (схрещенні поляризатор Р і аналізатор А). При
пр л Кути повороту включені електромагніту світло проходило
електричного вектора правої і лівої хвиль через аналізатор. Поворотом аналізатора його
залежать від часу поширення хвилі t і можна погасити. Це означає, що світло
269
Ефект Фарадея. Дисперсія світла.
залишається лінійно поляризованим і тут 5.Як поляризуються заломлені
спостерігається саме поворот напрямку діелектриком хвилі?
лінійної поляризації. 6.Що встановлюють формули
Френеля?
зразок речовини 7.Що таке кут Брюстера?
8. Як визначити кут Брюстера?
s P N S A 9.Які поляризаційні прилади ви
* знаєте?
10.Які фізичні явища лежать в
осердя магніта основі роботи поляризаційних приладів?
Рис.14.27. 11.Будова і принципи дії призми
Ніколя.
Якщо спостерігач дивиться у 12.Будова і принцип дії поляроїдів.
напрямку магнітного поля, то повертання 13.Сформулювати і пояснити закон
праворуч вважається додатним, ліворуч – Малюса.
14.В чому суть явища обертання
від’ємним. Досліди М. Фарадея та М. Верде
площини поляризації? Як пояснюється це
показали, що кут повертання площини
явище?
поляризації пропорційний довжині шляху l 15.Врахування явища повертання
променя у речовині і магнітній індукції В, площини поляризації в техніці зв'язку та
тобто його використання в наукових
(14.33) дослідженнях.
де V – стала Верде, яка залежить від природи
речовини і довжини хвилі світла. Більшість
речовин характеризується додатним
обертанням. Розділ15.Взаємодія
Ефект Фарадея широко електромагнітних хвиль з
застосовується в наукових дослідженнях. Мала речовиною
інерційність ефекту (час встановлення менше
с) дозволяє використовувати його для §15.1.Дисперсія світла. Області
модуляції світла, для створення оптичного нормальної і аномальної дисперсії
затвору і т.п. Дисперсією світла називається
залежність показника заломлення n речовини
від частоти (довжина хвилі ) світла або
залежність фазової швидкості світла в
1.Яке світло називається
поляризованим ? Які є види поляризації середовищі від його частоти .
світла? Дисперсію світла представляють у
2.Що таке ступінь поляризації? вигляді залежності n = ().
3.Чому природне світло
Наслідком диcперсії є розклад у
неполяризоване?
4.Як поляризуються відбиті від спектр пучка білого світла при проходженні
діелектрика хвилі? його через призму. Такий дослід вперше
270
Дисперсія світла. Області нормальної і аномальної дисперсії
виконав в 1672р. Ньютон. Схема досліду
наведена на рис.15.1. 1,7
спектр сонце 1
1,6
D A B
2
S 1,5
E
C
Рис.15.1. 2 4 6
Рис.15.2.
Промінь світла від Сонця проходить Як видно з рис.15.2, показник
через малий круглий отвір S у ставні вікна,
заломлення n монотонно зростає із
потім заломлюється в скляній призмі ABC і
зменшенням довжини хвилі . Отже, червоні
падає на аркуш білого паперу. При цьому
промені, що мають менший показник
кругле зображення отвору S розтягується в
заломлення порівняно з фіолетовими
кольорову смугу DE, яку Ньютон назвав
променями, відхиляються призмою на менший
спектром.
кут.
За допомогою призми, як і за
б) дифракційний спектр рівномірно
допомогою дифракційної решітки, можна
розтягнутий на всіх своїх ділянках.
визначити спектральний склад світла.
Дисперсійний же спектр білого світла
Розглянемо відмінності в
стиснутий у червоній області і розтягнутий у
дифракційному і призматичному спектрах:
фіолетовій, тому що показник заломлення скла
а) дифракційна решітка розкладає
в області коротких хвиль при зміні довжини
падаюче світло безпосередньо за довжинами
хвилі випромінювання змінюється швидко, а в
хвиль, тому за виміряними кутами можна
області довгих хвиль – повільно.
обчислити довжину хвилі.
Залежність n=f() в оптичній області
Розклад білого світла в призмі
відбувається за значеннями показника спектра має складний характер для тих
заломлення, тому для визначення довжини ділянок спектра, які слабо поглинаються даною
хвилі світла треба знати залежність речовиною, залежність показника заломлення
від довжини хвилі може бути подана у вигляді
У дифракційному спектрі кольори формули Коші
розміщуються за порядком зростання довжини

хвилі, а в дисперсійному навпаки.
або
Дифракційною решіткою червоні промені, що
мають більшу довжину хвилі, ніж фіолетові,
відхиляються сильніше.
Величина, яка показує, як швидко
На рис.15.2 наведені залежності
змінюється показник заломлення речовини з
показника заломлення n від довжини хвилі
довжиною хвилі , називається дисперсією
для скла (1), кварцу (2) і флюорита (3).
речовини D
271
Дисперсія світла. Області нормальної і аномальної дисперсії
є аномальною . В області 1-2
показник заломлення менший одиниці.
Дисперсія світла в середовищі
В різних ділянках спектра дисперсія
називається нормальною, якщо із зроcтання
характеризується тією зміною показника
частоти ν світла абсолютний показник
заломлення, яка припадає на одиничний
заломлення n середовища також зростає
інтервал довжин хвиль. Ця величина
називається середньою дисперсією для ділянки
Така залежність показника спектра ..
заломлення n від ν буде в тих областях частот, У довідникових таблицях показники

заломлення речовини даються для жовтої лінії
для яких середовище прозоре. Наприклад,
натрію мкм і позначаються .
звичайне скло прозоре для видимого світла і в
Середня дисперсія визначається за синьою
цьому інтервалі частот має нормальну
і червоною лініями
дисперсію.
Дисперсію світла в середовищі водню і позначається Величина
називають аномальною, якщо із зростанням називається відносною
частоти світла абсолютний показник дисперсією, обернена їй величина –

коефіцієнтом дисперсії.
заломлення середовища n зменшується
Оскільки показник заломлення
n смуга поглинання визначається відношенням швидкостей світла у
3 вакуумі і даному середовищі , то,
4 очевидно, в останньому швидкість червоного
1
світла, яке заломлюється найменше, буде
1
найбільшою, а фіолетового – найменшою. У
2
вакуумі швидкість світла будь-якого кольору
однакова.
0
λ рез. λ Зауважимо, що відсутність дисперсії
світла у міжзоряному просторі засвідчує, що
Рис.15.3.
цей простір можна вважати вакуумом. Коли б
це було не так, дисперсія світла виявлялася б,
наприклад, у спостереженнях затемнення
Якщо речовина поглинає частину
подвійних зірок. На початку затемнення колір
променів, то в області поглинання і біля неї хід
зірки змінювався б від нормального до
дисперсії проявляє аномалію (рис.15.3). На
синього, оскільки відповідне йому світло
деяких ділянках дисперсія речовини є
поширюється у прозорому середовищі з
позитивною. Такий хід залежності від  найменшою швидкістю, наприкінці затемнення
називається аномальною дисперсією. – від червоного до нормального, оскільки
Пунктирна крива на рис.15.3 зображує хід швидкість червоного світла найбільша. Ще Д.
коефіцієнта поглинання світла речовиною. Араго (1786 - 1853), спостерігаючи затемнення
Ділянка 1-2 і 3-4 відповідають нормальній подвійних зірок Алголь, не виявив цих ефектів.
дисперсії . На ділянці 2-3 дисперсія Із кількісного боку, дисперсія світла
272
Групова швидкість світла
задовільно описується класичною теорією. Як відомо, у разі накладання хвиль
Суть її зводиться до врахуванні впливу на близьких частот виникають биття, тобто
середовище вимушених коливань електронів, пульсації максимумів результуючої амплітуди,
що збуджуються електричним полем світлової й отже, значень енергії. Це наочно можна
хвилі. Йдеться про зовнішні, так звані оптичні бачити, якщо зобразити накладання двох хвиль
електрони атомів; електрони внутрішніх з близькими частотами (довжинами хвиль)
оболонок через великі власні частоти (рис.15.4). У точках A і C хвилі перебувають
практично не збуджуються світлом. B
A C
§15.2.Групова швидкість світла
Оскільки показник заломлення n Рис.15.4.
середовища залежить від частоти коливання  у протифазах, тому результуюча амплітуда й

світла, то швидкість поширення світла теж енергія мінімальні; у точці B хвилі за фазою
залежить від частоти коливань збігаються, тому виникає максимум амплітуди
електромагнітної хвилі. А яку швидкість й енергії хвильового процесу.
поширення світлового сигналу вимірюють Зауважимо, що у вакуумі внаслідок
дослідним шляхом? однакових швидкостей світла різних частот
Усі приймачі світла реагують на взаємне розміщення хвиль залишається
енергію, тому в дослідах вимірюють швидкість незмінним, тому швидкості поширення фаз і
перенесення енергії світловим сигналом і цю максимуму амплітуди хвильового процесу
швидкість називають груповою швидкістю. однакові; фазова й групова швидкості світла
Вона відрізняється від швидкості поширення теж однакові. У разі переходу світлового пучка
фази, яка називається фазовою швидкістю у дисперсійне середовище монохроматичні

(§10.3, формула (10.7)). хвилі різних частот поширюватимуться з
У реальних умовах дістати строго різними фазовими швидкостями, тому
монохроматичну світлову хвилю неможливо. максимум амплітуди хвильового процесу весь
Виділяючи пучок світла одного кольору або час змінюватиме своє положення у смузі
модулюючи хвилю для передачі сигналу, складових хвиль. Його швидкість у просторі не
фактично дістаємо пучок хвиль близьких, але збігатиметься зі швидкістю жодної зі
все-таки різних частот. Тому у раніше складових хвиль. У цьому випадку питання про
розглянутих методах вимірювання швидкості групову швидкість світла ускладнюється.
світла ми змушені були оцінювати швидкість Щоб оцінити групову швидкість
поширення групи хвиль різних частот світла в дисперсійному середовищі, розглянемо
(довжин). Винятком можуть бути лише накладання двох світлових хвиль із близькими
непрямі вимірювання швидкості світла. Це частотами й однаковими амплітудами.
трапляється, наприклад, коли визначають

показник заломлення середовища, а потім за ν
формулою знаходять фазову
швидкість світла. ν
273
Групова швидкість світла
Їх результуюче зміщення в деякий момент
гр
часу у точці з координатою виразиться
сумою
ν
або
або
гр
де – фазова швидкість складової хвилі.

Отже, знайдено залежність між
груповою і фазовою швидкостями світла, яку
Цей вираз можна розглядати як записують так:
рівняння плоскої хвилі, в якому множник у
квадратних дужках є амплітудою хвилі: гр
Якщо врахувати, що
(15.3)
Якщо в момент часу максимум

амплітуди хвильового процесу знаходиться в то формулу (15.4) можна переписати так:
точці з координатою , а в момент часу в
гр
точці , то групова швидкість
світла Якщо
гр
(відсутня дисперсія), то гр , тобто фазова і
Оскільки ми розглядаємо переміщення
групова швидкості збігаються. Цей випадок
фіксованого значення амплітуди (15.3), то із
має місце для вакууму.
(15.3) дістаємо рівняння:
При нормальній дисперсії
тому гр
ν
При аномальній дисперсії
Звідки
і гр
ν
Поняття групової швидкості
застосовне лише за умови, що поглинання
енергії хвилі в даному середовищі невелике.
або
При значному згасанні хвилі поняття групової
швидкості втрачає сенс. Саме в області
аномальної дисперсії поглинання дуже велике,
Знайшовши з останньої залежності
і поняття групової швидкості не можна
гр і, виразивши далі частоти через відповідні
використовувати.
швидкості і довжини хвиль, отримаємо:
274
Поглинання світла
Наочно картину поширення групи шар прозорого середовища завтовшки , на
хвиль при нормальній дисперсії можна описати який падає паралельний пучок променів,
так. Врахуємо, що Це означає, що інтенсивність якого . Виділимо в середовищі
нескінченно тонкий шар , який обмежений
для , і Тоді, якби у
паралельними поверхнями, що
початковий момент часу максимум амплітуди
перпендикулярні до напрямку поширення
знаходився посередині смуги хвиль, то у
світла (рис.15.5).
подальшому їхньому русі спостерігалося б
dl
поступове ослаблення, а потім і зникнення
передніх хвиль; у голову смуги хвиль пік
I0 I
амплітуди хвильового процесу повільно
переміщувався б, слабшав і згодом зникав би,
одночасно позаду смуги хвиль формувався,
повільно переміщувався і виростав би новий l
пік амплітуди і т.д. Оскільки передні хвилі весь Рис.15.5.
час зникають, а наступний пік амплітуди Дослід показує, що зменшення
формується позаду смуги хвиль, то це є інтенсивності світла шаром середовища
свідченням того, що групова швидкість менша пропорційне до величини інтенсивності, що
за фазові швидкості складових хвиль. входить у цей шар, і товщині шару, тобто
Групова швидкість світла в усіх
випадках не може перевищувати швидкості де – коефіцієнт пропорційності, який не
світла у вакуумі. залежить від інтенсивності світла і називається
коефіцієнтом поглинання. Знак мінус вказує на
те, що із збільшенням товщини шару
§15.3.Поглинання світла
середовища, яке поглинає світло, інтенсивність
Поглинанням світла називається світла, що проходить крізь нього, зменшується.
явище втрати енергії світловою хвилею, яка Після розділення змінних у рівнянні
проходить через речовину, внаслідок дістаємо
перетворення енергії хвилі у інші форми
Проінтегруємо це рівняння:
енергії.
При проходженні паралельного пучка
світла крізь шар прозорого середовища його
інтенсивність зменшується. Поглинання світла
може приводити до нагрівання, іонізації або В результаті отримаємо:
збудження атомів і молекул речовин, до (15.6)

деформації, поглинання може де – інтенсивність світла, що виходить із
супроводжуватись розсіянням світла та шару поглинаючого середовища завтовшки l;
індуктивним (вимушеним) випромінюванням. – інтенсивність світла, що входить у
Щоб отримати співвідношення, яке поглинаюче середовище. При
виражає закон поглинання світла, розглянемо інтенсивність
275
Поглинання світла. Розсіяння світла
Отже, шар, товщина якого дорівнює Рідкі й тверді діелектрики мають
зменшує інтенсивність світла в суцільні спектри поглинання, що складаються
рази. Отримане співвідношення з порівняно широких смуг поглинання, в межах
встановлене у 1729р. П. Бугером і називається яких коефіцієнт поглинання змінюється
законом Бугера, або законом Бугера- плавно. За межами цих смуг , тобто
Ламберта. А. Бер встановив, що поглинання діелектрики прозорі.
світла розчинами пропорційне молекулярній Метали практично непрозорі для
концентрації розчиненої речовини, тобто світла. Коефіцієнт для них має значення
(15.7) порядку , в той час як для скла
де коефіцієнт пропорційності, який . Це обумовлено наявністю в металах
залежить від природи розчиненої речовини і не вільних електронів. Під дією електричного
залежить від її концентрації. поля світлової хвилі вільні електрони
Тоді закону Бугера-Ламберта-Бера, починають рухатись і в металі виникають
який справедливий для газів і розчинів малих швидкозмінні струми, що супроводжуються
концентрацій, можна надати вигляду виділенням теплоти. В результаті енергія
(15.8) світлової хвилі швидко зменшується і
перетворюється у внутрішню енергію металу.
Коефіцієнт поглинання залежить від
Структура спектрів поглинання
довжини хвилі (або частоти ⍵=2 ) і від
визначається складом і будовою молекул, тому
хімічної природи речовини.
вивчення спектрів поглинання є одним з
α
основних методів кількісного і якісного
дослідження речовин.
λ §15.4.Розсіяння світла
Рис.15.6.
В одноатомних газах і парах металів,
З класичної точки зору процес
у яких атоми розміщені на значних відстанях
розсіяння світла полягає в тому, що світло, яке
один від одного і їх можна вважати
проходить через середовище, викликає
ізольованими, коефіцієнт поглинання для
коливання електронів в атомах. Ці електрони,
більшості довжин хвиль близький до нуля і
що коливаються, збуджують вторинні хвилі,
лише для дуже вузьких спектральних областей
які розповсюджуються у всіх напрямках. Це
спостерігаються різкі максимуми. Такий спектр
явище, здавалось би, повинно при всіх умовах
поглинання називається лінійчастим
приводити до розсіяння світла. Однак вторинні
(рис.15.6). Ці лінії відповідають частотам
хвилі є когерентними, так що необхідно
власних коливань електронів в атомах.
врахувати їх взаємну інтерференцію.
У газів з багатоатомними молекулами
Відповідний розрахунок дає, що у
спостерігаються системи тісно розміщених
випадку однорідного середовища вторинні
ліній, які утворюють смуги поглинання.
хвилі повністю гасять одна одну у всіх
Структура цих смуг визначається складом і
напрямках, крім напрямку розповсюдження
будовою молекул.
первинної хвилі. Тому перерозподіл світла по
276
Розсіяння світла
напрямках, тобто розсіяння світла, не знаходитись додатковий коефіцієнт ,
відбувається. обумовлений розсіянням:
Вторинні хвилі не гасять одна одну в (15.9)
бокових напрямках тільки при розповсюдженні
Сталу називають коефіцієнтом екстинції.
світла в неоднорідному середовищі. Світлові
хвилі, зазнаючи дифракції на неоднорідностях Пучок, який
розсіюється
середовища, дають дифракційну картину, яка
характеризує досить рівномірний розподіл
Коливання
інтенсивності у всіх напрямках. Таку
вектора E
дифракцію на дрібних неоднорідностях Напрямок
називають розсіюванням світла. спостереження
Середовища з явно вираженою Рис.15.7.
оптичною неоднорідністю носять назву

Якщо розміри неоднорідностей малі
каламутних середовищ. До них належать:
порівняно з довжиною хвилі (не більші
1)дим, тобто наявність в газах дрібних
0,1 ), інтенсивність розсіяного світла
твердих частинок, що висять;
пропорційна четвертій степені частоти або
2)тумани – гази, в яких висять дрібні
обернено пропорційна четвертій степені
крапельки рідини;
довжини хвилі.
3)суспензії, що утворені твердими
(15.10)
частинками, які плавають в рідині;
4)емульсії, тобто наявність дрібних Ця залежність носить назву закону
краплинок однієї рідини в іншій, які висять в Релея. Її походження легко зрозуміти, якщо
ній і не розчиняються (прикладом емульсії врахувати, що потужність випромінювання
може бути молоко, яке можна представити як заряду, який коливається, пропорційна
воду, в якій висять крапельки жиру; четвертій степені частоти (§11.5, формула
5)тверді тіла, як то перламутри, (11.41)) і відповідно, обернено пропорційна
опали, молочне скло і т.п. четвертій степені довжини хвилі.
Світло, яке розсіяне на частинках, Якщо розміри неоднорідностей
розміри яких значно менші довжини світлової порівняльні з довжиною хвилі, електрони, що
хвилі, є частково поляризованим. Це знаходяться в різних місцях неоднорідності,
пояснюється тим, що коливання електронів, коливаються із суттєвим зсувом по фазі. Ця
яке викликане розсіяним світловим пучком, обставина ускладнює явище і призводить до
відбуваються в площині, яка перпендикулярна інших закономірностей – інтенсивність
до пучка (рис.15.7). розсіяного світла стає пропорційною тільки
В результаті розсіяння світла в квадрату частоти (обернено пропорційною
бокових напрямках інтенсивність в напрямку тільки квадрату довжини хвилі).
розповсюдження зменшується швидше, ніж у Прояв закономірностей (15.10) легко
випадку одного тільки поглинання. Тому для спостерігати, якщо пропускати пучок білого
каламутної речовини у виразі (15.6), поряд з світла через посудину з каламутною рідиною
коефіцієнтом поглинання , повинен (рис.15.8).
277
Розсіяння світла. Ефект Доплера
Внаслідок розсіяння слід пучка в молекул речовини. Тому розсіяння світла, яке
рідині добре видно збоку, причому, оскільки обумовлене ним, називається молекулярним.
короткі світлові хвилі розсіюються значно Молекулярним розсіянням
сильніше довгих, то цей слід стає пояснюється голубий колір неба. Місця
голубуватим. Пучок, який проходить через згущення і розрідження повітря, які
рідину, стає збагаченим довгохвильовим безперервно виникають в атмосфері внаслідок
випромінюванням і утворює на екрані E не хаотичного молекулярного руху, розсіюють
білу, а червоно-жовту пляму. Якщо поставити сонячне світло. При цьому, згідно закону
на вході пучка в посудину поляризатор , ми (15.10), голубі і сині промені розсіюються
побачимо, що інтенсивність розсіяного світла в сильніше, ніж жовті і червоні, чим і
різних напрямках, які перпендикулярні до обумовлюють голубий колір неба. Коли Сонце
первинного пучка, неоднакова. Напрямок знаходиться низько над горизонтом, промені,
випромінювання диполя (див.рис.11.11) які розповсюджуються безпосередньо від
приводить до того, що в напрямках, які нього, проходять більшу товщину середовища,
співпадають з площиною коливань первинного яке розсіює, в результаті чого вони стають
пучка, інтенсивність розсіяного світла збагаченими більшими довжинами хвиль. З цієї
практично дорівнює нулю, в напрямках, що причини небо на зорі забарвлене в червоні
перпендикулярні до площини коливань, тони.
інтенсивність розсіяного світла максимальна.
Повертаючи поляризатор навколо напрямку
§15.5.Ефект Доплера в оптичних
первинного пучка, ми будемо спостерігати
явищах
поперемінне підсилення та ослаблення світла,
Ефект Доплера для звукових хвиль,
яке розсіюється в даному напрямку.
існування яких можливе в пружних
I≈0 середовищах, розглянутий в §10.9. Перш ніж
E перейти до розгляду ефекту Доплера, в
P
S*
E
. оптичних явищах зазначимо таке: у класичній
фізиці з гіпотези про існування ефіру
автоматично випливало, що для світлових
I=I max хвиль має виявлятися ефект Доплера так само,
як і для звукових хвиль. Проте в подальшому
Рис.15.8.
було з’ясовано, що ніякого ефіру, який міг би
Навіть старанно очищені від бути абсолютною системою відліку, не існує,
сторонніх домішок і забруднень рідини і гази в що зміст має лише відносний рух джерела і
деякій мірі розсіюють світло. Встановлено, що приймача один відносно одного, що системою
причиною появи оптичних неоднорідностей є в відліку може бути лише приймач або джерело
цьому випадку флуктуації густини (тобто світла.
відхилення густини від її середнього значення, З викладеного випливає, що
яке спостерігається в межах малих об’ємів). Ці формули, які відображають ефект Доплера в
флуктуації викликані хаотичним рухом оптичних явищах, мають бути єдиними,
278
Ефект Доплера в оптичних явищах
незалежними від того, що саме переміщується
– джерело чи приймач. Для знаходження таких
формул керуватимемось принципом
відносності, згідно з яким закони природи
Тоді отримаємо:
мають однаковий вигляд в усіх інерціальних
системах відліку.
Оберемо для системи відліку S
приймач, а для системи S' джерело світла.
Розмістимо приймач і джерело у початках або в іншому вигляді
відповідних систем координат, осі яких і
збігаються зі швидкістю переміщення
джерела (рис.15.9).
Y Y´
S´ Зіставивши рівняння (15.12) і (15.13),
S
знайдемо:
υ
Приймач Джерело X X´
Переходячи від циклічних до
Рис.15.9.
звичайних частот і позначивши частоту в
Запишемо в системі S' рівняння системі S' джерела через , дістанемо
плоскої світлової хвилі, що поширюється від формулу, що описує поздовжній ефект
джерела до приймача: Доплера, який спостерігається під час руху
джерела вздовж лінії, що з’єднує його з
(15.11)
приймачем.
де циклічна частота хвилі в системі S', c
швидкість світла, однакова у всіх системах
ν ν (15.14)
відліку.
Згідно з принципом відносності, в
Якщо то
системі рівняння хвилі, що розглядається,
матиме вигляд, аналогічний формулі (15.11):
(15.12)
де – циклічна частота хвилі, яку фіксує Обмежившись членами порядку
приймач у системі . отримаємо
Однак від рівняння (15.11) можна
перейти до рівняння (15.12) , якщо за
формулами перетворень Лоренца виразити Звідси відносна зміна частоти
ν ν ν
координати і через і : (15.15)
ν ν
279
Ефект Доплера в оптичних явищах
Зазначимо, що при віддаленні за формулою (15.15) можна визначити її
джерела і приймача один від одного швидкість .
спостерігається зсув в область довших хвиль Ефект Доплера впливає на спектр
( так зване червоне зміщення. випромінювання газів. Внаслідок хаотичного
При наближенні зсув в область коротших теплового руху молекул частоти
хвиль Крім поздовжнього випромінювання їх фіксуватимуться у
ефекту, для світлових хвиль існує також спектрографі в межах від
поперечний ефект Доплера. Він полягає в до
зменшенні частоти, яка сприймається
Це зумовлюватиме розширення
приймачем, і спостерігається в тому випадку,
спектральної лінії світного газу. Отже, за
коли вектор відносної швидкості напрямлений
розширенням спектральних ліній можна
перпендикулярно вздовж прямої, що проходить
судити про температуру світного газу.
через приймач і джерело (наприклад, джерело
рухається по колу, в центрі якого поміщено
приймач). У такому випадку Контрольні питання
1.Дисперсія світла і її природа.

2.Які є види дисперсії?
3.Групова швидкість світла та її
Відносна зміна частоти при зв'язок з дисперсією.
поперечному ефекті Доплера 4.Закон Бугера-Ламперта
поглинання світла в середовищах.
5.В чому суть явища розсіяння
світла? Як це явище проявляється в
Вона значно менша, ніж при природі? Які властивості розсіяного
поздовжньому ефекті. Для звукових хвиль світла?
6.Ефект Доплера в оптичних
поперечного ефекту Доплера не існує.
явищах і як він проявляється?
Поздовжній світловий ефект Доплера
7.Чим відрізняється ефект
було експериментально підтверджено Доплера в оптичних явищах від ефекта
дослідами А.А. Бєлопольського у 1905 р. і Доплера в акустиці?
Б.Б.Голіцина у 1907 р.; поперечний –
дослідами Айвса і Стілуела у 1938р. В останніх
визначалась зміна частоти випромінювання
атомів водню в анодному промінні, де їх
Розділ 16. Квантова природа
швидкість досягла Ці досліди випромінювання
водночас підтверджували правильність
§16.1.Теплове випромінювання.
перетворень Лоренца в теорії відносності. Його характеристики. Абсолютно чорне
Поздовжній ефект Доплера тіло. Закон Кірхгофа
використовують в астрономії для визначення
1.Світло, яке випромінюється
радіальної швидкості зірок. Вимірявши
джерелом, відносить з собою енергію. В
спектроскопом відносну зміну частоти для
залежності від того, звідки черпається ця
будь-якої лінії спектра випромінювання зірки,
280
Теплове випромінювання. Абсолютно чорне тіло. Закон Кірхгофа
енергія, розрізняють і види світіння. випромінювання є тією ланкою, яка зв’язує
Випромінювання, яке термодинаміку й оптику. Це не тільки
супроводжується хімічними перетвореннями, розширило границі можливостей
називають хемілюмінесценцією. Прикладом є термодинаміки і статистичної механіки, але й
світіння фосфору, який повільно окислюється привело до таких наслідків, котрі виявились
на повітрі. Випромінювання променистої революційними в історії фізики взагалі. Велике
енергії в цьому випадку відбувається внаслідок відкриття Планка квантова гіпотеза і є
зменшення внутрішньої енергії тіла при зміні таким наслідком.
його хімічного складу. У проблемах теплового
Світіння під дією електричного поля випромінювання особливо важливе значення
називають електролюмінесценцією. В має поняття так званого рівноважного
напівпровідниках випромінювання може випромінювання. Для встановлення цього
відбуватись внаслідок рекомбінації носіїв поняття розглянемо оболонку з нерухомими і
заряду в області p-n переходу (інжекційна непрозорими стінками, температура яких
електролюмінесценція), яка має місце у підтримується сталою (рис.16.1). Атоми і
фотодіодах. Інший приклад – світіння газів або оболонка
пару в електричному розряді. В цьому випадку T= const
необхідна для випромінювання енергія
надається атомам або молекулам газу
електронами, які прискорюються електричним
полем розряду. Бомбування електронним
пучком може викликати також світіння
твердих тіл, наприклад сірчаного цинку, який
нанесений на екран електронно-променевої
трубки (катодолюмінісценція).
Рис.16.1.
Процеси випромінювання, які
викликаються попереднім або одночасним молекули оболонки переходять у збуджені
освітленням тіла, об’єднуються під назвою стани внаслідок енергії теплового руху і при
фотолюмінесценція. При цьому необхідна для обернених переходах в незбуджені стани дають
випромінювання енергія доставляється світлом випромінювання, яке заповнює оболонку.
від зовнішнього джерела. В тих випадках, Падаючи на стінки оболонки, промениста
коли необхідна енергія надається нагріванням, енергія частково відбивається, частково
тобто підводом теплоти, випромінювання поглинається. Відбувається зміна напрямку
називається тепловим або температурним. розповсюдження, спектрального складу,
Серед різних видів світіння воно займає поляризації, інтенсивності випромінювання. В
особливе місце. На противагу всім видам результаті всіх цих процесів, як витікає із
люмінесценції це єдиний вид випромінювання, загальних законів термодинаміки, в оболонці
який може знаходитись в стані врешті-решт встановиться макроскопічний
термодинамічної рівноваги з тілами. цілком визначений стан випромінювання, при
Тому фізика теплового якому за кожний проміжок часу кількість
281
променистої енергії певного кольору (частоти), необхідно підкреслити, що температура
напрямку розповсюдження і поляризації, яка рівноважного випромінювання є властивістю
випромінюється, в середньому дорівнює самого випромінювання, а не стінок оболонки, з
кількості енергії того ж кольору, напрямку якою воно знаходиться в тепловій рівновазі.
розповсюдження і поляризації, що Про температуру випромінювання має сенс
поглинається. Як і будь-який рівноважний говорити і тоді, коли взагалі немає ніяких
стан, він характеризується тим, що кожному стінок. Зокрема, наприклад, густина енергії
мікропроцесу, що відбувається в системі, з рівноважного випромінювання однозначно
тією ж ймовірністю відповідає мікропроцес, визначає і його температуру.
що йде в оберненому напрямку (принцип В порожній оболонці зі стінками, що
детальної рівноваги). Завдяки цьому стан є ідеально дзеркальними, поглинання і
випромінювання в оболонці залишається випромінювання світла не відбувається. Якщо
макроскопічно незмінним з часом. Перехід в якимось чином ввести в оболонку
рівноважний стан, як і будь-який статистичний випромінювання, то напрямок його
процес, керується ймовірністними законами. розповсюдження буде змінюватись при
В оболонці встановлюється хаотичний стан відбиванні від стінок, але спектральний склад
випромінювання, якому відповідає найбільша зберігатиметься попередній. Таке
ймовірність. Такий стан випромінювання випромінювання нерівноважне і нестійке.
називається рівноважним випромінюванням. Скільки завгодно малого відхилення
Властивості рівноважного властивостей стінок від ідеальності вже
випромінювання: густина променистої достатньо для того, щоб випромінювання стало
енергії, її розподіл по спектру частот (довжин рівноважним. Це відбудеться і при ідеальних
хвиль) і напрямку розповсюдження, а також стінках, якщо внести в оболонку скільки
поляризація випромінювання зовсім не завгодно мале тіло («порошинку»), яке здатне
залежать від форми і матеріалу стінок поглинати і випромінювати. Така
оболонки. Ці властивості, як і стан газу в «порошинка», не впливаючи на енергетичний
посудині, визначаються тільки температурою баланс, переведе випромінювання в оболонці з
стінок оболонки. Рівноважне випромінювання будь-якого нерівноважного стану в
однорідне, тобто його густина однакова у всіх рівноважний. Від властивостей «порошинки»
точках всередині оболонки. Воно ізотропне і залежить тільки час встановлення
неполяризоване: всі можливі напрямки рівноважності.
розповсюдження випромінювання є Для експериментального вивчення
рівноймовірними, а напрямки векторів в спектрального складу рівноважного
кожній точці простору хаотично змінюються з випромінювання можна зробити невеликий
часом. Оскільки випромінювання знаходиться отвір в стінках оболонки, які підтримуються
в тепловій рівновазі зі стінками, то можна при певній температурі. Випромінювання, яке
говорити про температуру не тільки стінок виходить назовні через отвір, має такий самий
оболонки, а і про температуру самого же спектральний склад, як і всередині
випромінювання, вважаючи за визначенням оболонки. Від рівноважного воно
обидві температури однаковими. Однак, відрізняється лише тим, що розповсюджується
282
в межах деякого тілесного кута в одному Знаходження функції є основним
напрямку, тобто воно не ізотропне. завданням теорії теплового випромінювання.
2.Введемо поняття деяких фізичних В той час як спектральний розподіл
величин, що характеризують стан енергії випромінювання, що виходить з отвору
випромінювання в просторі. Ці величини в оболонці, має універсальний характер, для
можна застосовувати до довільного теплового випромінювання з відкритої
випромінювання, а не тільки до рівноважного. поверхні тіла це не так: його спектральний
Позначимо через U(T) об’ємну густину енергії розподіл залежить не тільки від температури,
випромінювання, тобто сумарну енергію але і від матеріалу поверхні. Для кількісної
одиниці об’єму електромагнітних хвиль усіх характеристики цього спектрального розподілу
можливих частот ( ). Для вводять поняття випромінювальної здатності
характеристики розподілу енергії за частотами тіла або тобто спектральної
або довжинами хвиль введемо спектральну густини потоку енергії випромінювання, що
густину випромінювання u( або випромінюється одиничною площадкою
u( так, що величина u( дає поверхні у всіх напрямках (в межах тілесного
енергію одиниці об’єму випромінювання з кута 2 ) для одиничного інтервалу частот
частотами в інтервалі від до , а (довжин хвиль) так, що
u( дає енергію одиниці об’єму або є випромінювання у
випромінювання з довжинами хвиль в відповідному спектральному інтервалі від
інтервалі від до Якщо це один і той до або від до
самий спектральний інтервал, то Аналогічно формулі (16.1)
Вираховуючи , що , звідси r(
легко виразити u( T) через u( або
Інтегральна випромінювальна
навпаки.
здатність (повний потік випромінювання для
u( u( всіх частот) називається енергетичною
Очевидно, що світністю R(T) поверхні. Очевидно, що
R(T) = (16.4)
В теоретичній фізиці, як правило, Підкреслимо, що випромінювальна

користуються величиною в здатність характеризує тільки теплове
експериментальній фізиці віддають випромінювання тіла (всі види люмінесценції
перевагу Для випадку рівноважного виключаються). Для даного тіла вид функції
випромінювання функції і залежить тільки від його температури.
залежать тільки від частоти (або довжини Випромінювальна здатність тіла не залежить
хвилі ) і від температури випромінювання Т, від оточуючого середовища, зокрема від того,
але не залежать від форми і матеріалу стінок чи знаходиться тіло в рівновазі з
оболонки. В цьому випадку буде випромінюванням, чи ні.
універсальною функцією тільки і , а U(T) Випромінювання, яке падає на
універсальною функцією тільки . поверхню тіла, частково відбивається або
283
розсіюється поверхнею, частково проходить оболонку, стінки якої є ідеально дзеркальними,
через поверхню. Обмежимось випадком, коли або підтримуються при тій самій температурі,
тіло непрозоре, тобто товщина його достатня що й тіло. На рис.16.2 в оболонці розміщено
для того, щоб випромінювання, яке зайшло в декілька тіл, серед яких і абсолютно чорне
нього, встигало повністю поглинутись, не (AЧT). Всередині оболонки вакуум, так що тіла
досягнувши протилежної сторони. Тоді можна можуть обмінюватись енергією між собою і
умовно говорити про поглинання самою
поверхнею. Поглинання, як правило, має T
селективний (вибірковий) характер і залежить 1
від температури поверхні. Так, наприклад,
тонкий шар сажі практично повністю поглинає 2
видиме світло, але в значно меншій мірі АЧТ
інфрачервоне випромінювання. Плавлений
кварц прозорий в широкому інтервалі довжин
хвиль, але починає помітно поглинати світло
при температурі близькій 1500 Для Рис.16.2.
характеристики таких властивостей тіл

оболонкою тільки шляхом випромінювання і
вводять поняття поглинальної здатності
поглинання електромагнітних хвиль. Дослід
тіла, під якою розуміють показує, що така система через деякий час
безрозмірну величину, що показує, яка доля прийде до рівноваги – всі тіла приймуть одну й
енергії випромінювання даної частоти (або ту саму температуру, яка дорівнюватиме
довжини хвилі), яке падає на поверхню, температурі оболонки Т. В такому стані тіло,
поглинається нею.За визначенням, . яке має більшу випромінювальну здатність
Для тіла, яке при будь якій температурі ,T), втрачає за одиницю часу з одиниці
повністю поглинає випромінювання всіх поверхні більше енергії, ніж тіло, що має
частот, яке падає на нього, називається
меншу ,T). Оскільки температура (а
абсолютно чорним (АЧТ) або просто
значить і енергія) тіл не змінюється, то тіло,
чорним. Для нього . Тіло, для яке випромінює більше енергії, повинно і
якого ,T) називається більше поглинати, тобто мати більший ,T).
сірим. Таким чином, чим більша випромінювальна
3.Між випромінювальною і
здатність тіла , тим більша і його
поглинальною здатностями будь-якого тіла є
поглинальна здатність
зв’язок, який випливає із загальних принципів
Звідси витікає співвідношення
термодинаміки. Окільки випромінювальна і
поглинальна здатності характеризують саме = = …, (16.5)
Ч
тіло і не залежать від оточення, то для
знаходження зв’язку між ними можна де індекси 1,2, AЧT і т.д. відносяться до різних
розглянути частинний випадок, коли тіло тіл. Співвідношення (16.5) є встановлений
оточене рівноважним випромінюванням з тією Кірхгофом в 1859 році закон, який
ж температурою, наприклад, поміщене в формулюється так: відношення
284
випромінювальної здатності тіла до його рівноважного випромінювання при тій самій
поглинальної здатності однакове для всіх тіл і температурі. Тому рівноважне випромінювання
є універсальною функцією частоти (довжини ще називають чорним випромінюванням. Сажа і
хвилі) і температури: платинова чернь у видимій області спектру
де універсальна функція Кірхгофа.

Самі величини ,T) і ,T)
можуть змінюватись дуже сильно при переході
від одного тіла до іншого. Відношення ж їх є
однаковим для всіх тіл. Закон Кірхгофа є
точним кількісним узагальненням правила, яке Рис.16.3.
емпірично встановив Прево в 1809 році. Згідно
мають поглинальну здатність близьку
цього правила, якщо поглинальні здатності
до одиниці. Але в далекій інфрачервоній
тіл різні, то будуть різними і їх
області спектру для них помітно
випромінювальні здатності. Оскільки
менша одиниці. Абсолютно чорних тіл, як і
величина не може бути більша
інших ідеалізованих об’єктів, в природі не
одиниці, то із (16.6) витікає, що зі всіх тіл при
існує. Але можна створити пристрій, який за
одній і тій самій температурі абсолютно
своїми властивостями скільки завгодно
чорне тіло має найбільшу випромінювальну
близький до абсолютно чорного тіла. Це
здатність. Із закону Кірхгофа витікає також,
оболонка, яка показана на рис.16.1, в стінці
що всяке тіло при даній температурі
якої зроблений невеликий отвір (рис.16.3).
випромінює переважно промені таких довжин
Випромінювання, яке падає ззовні
хвиль, які воно при тій самій температурі
оболонки, проникає через отвір всередину,
сильніше всього поглинає.
попадає на стінки оболонки, частково
Для абсолютно чорного тіла (АЧТ)
поглинається ними, частково відбивається або
за визначенням . Тоді із формули
розсіюється і знову попадає на стінки. Через
(16.6) витікає, що ,T) для АЧТ дорівнює
малі розміри отвору це відбувається
. Таким чином, універсальна функція
багатократно, перш ніж деяка частина
Кірхгофа є не що інше, як
випромінювання знову попадає на отвір. Тому
випромінювальна здатність АЧТ.
практично все падаюче на отвір світло будь-
Між спектральною густиною енергії
якої частоти повністю поглинається. Матеріал
рівноважного випромінювання і
стінок оболонки значення не має. Отвір
випромінювальною здатністю АЧТ існує такий
оболонки по відношенню до випромінювання,
зв’язок:
яке падає на нього, а також по відношенню до
теплового випромінювання, яке виходить із
нього, поводить себе як поверхня абсолютно
де швидкість світла у вакуумі. Тобто,
чорного тіла з температурою, що дорівнює
спектральний розподіл теплового
температурі стінок оболонки.
випромінювання AЧT буде таким самим, як у
285
Закон Стефана-Больцмана. Закон Віна. Формула Релея Джінса
Модель АЧТ можна проілюструвати теоретично отримав формулу для енергетичної
простими демонстраціями. Якщо взяти світності чорного тіла:
коробку, яка всередині пофарбована білою
(16.8)
фарбою, то малий отвір в ній буде здаватись
зовсім чорним навіть на фоні пофарбованої В основу доведення формули (16.8)
чорною фарбою зовнішньої стінки. Чорними покладена аналогія між термодинамічними
виглядають ззовні відкриті вікна будинків, не властивостями рівноважного випромінювання
зважаючи на те, що в приміщенні стіни і стеля й ідеального газу. Суть цієї аналогії полягає в
світлі. Якщо розжарити стінки оболонки із тому, що як енергія ідеального газу, так і
матеріалу з малою поглинальною здатністю, енергія рівноважного випромінювання
наприклад фарфору, то її отвір буде яскраво залежать тільки від температури; як газ, так і
світитись на тьмяному фоні прямого випромінювання здатні створювати тиск при
випромінювання самих стінок. взаємодії з поверхнею тіла. На основі цих
Джерело у вигляді оболонки з малим уявлень було з’ясовано, що енергетична
отвором, стінки якої підтримуються при світність абсолютно чорного тіла пропорційна
постійній температурі, використовується при четвертій степені температури. Формула (16.8)
кількісних вимірюваннях випромінювання виражає закон Стефана-Больцмана. За
чорного тіла. Аналогічним чином побудований сучасними вимірюваннями числове значення
стандартний випромінювач, який є еталоном постійної =5,670373(21)×10−8 Вт·м−2·К−4.
одиниці сили світла (кандели). Варто зазначити, що закон (16.8) справедливий
тільки для чорного тіла. Для нечорних тіл не
існує простої аналітичної залежності
§16.2.Закон Стефана-Больцмана.
енергетичної світності від температури. Для
Закон Віна. Формула Релея Джінса
реальних тіл енергетична світність
Після встановлення закону Кірхгофа
може бути визначена на основі закону
стало очевидним, що першочергове завдання
Кірхгофа:
теорії теплового випромінювання полягає у
визначенні вигляду універсальної функції
Кірхгофа випромінювальної
де (T) – поглинальна здатність реального тіла.
здатності абсолютно чорного тіла). Однак,
Закон Стефана-Больцмана встановлює
спочатку було знайдено залежність
залежність інтегральної випромінювальної
інтегральної (повної) випромінювальної
здатності абсолютно чорного тіла від
здатності (енергетичної світності) R(T)
температури, але не розкриває характеру
абсолютно чорного тіла від його температури.
розподілу енергії випромінювання за
На основі аналізу експериментальних даних
довжинами хвиль або частотами, тобто
Стефан у 1879 р. прийшов до висновку, що
конкретний вигляд функції Кірхгофа
повна енергія, яка випромінюється тілом при
залишається невідомим. Основним завданням
тепловому випромінюванні, пропорційна
теорії теплового випромінювання є
четвертій степені термодинамічної
встановлення конкретного вигляду цієї
температури. В 1884 році Больцман
функції.
286
Закон Стефана-Больцмана. Закон Віна. Формула Релея-Джінса
Криві розподілу енергії в спектрі Закон Віна (16.10) включає в собі як
випромінювання абсолютно чорного тіла наслідок і закон Стефана-Больцмана.
вивчав експериментально В.Ленглей у 1866 р. Виражаючи випромінювальну здатність
Як абсолютно чорне тіло було використано чорного тіла ,T) через за
порожнину з малим отвором, а також чорну допомогою співвідношення (16.7) і,
сажу. Його досліди показали, що для заданих переходячи від інтегрування по частотах до
температур максимуми енергії нової змінної , отримаємо:
випромінювання припадають на певні довжини
хвиль, причому величина максимуму
збільшується з підвищенням температури і
зміщується у бік коротких довжин хвиль
Тобто інтегральна світність
(більших частот).
пропорційна , оскільки інтеграл по не
Важливий крок в теоретичному
залежить від Т.
вивченні рівноважного випромінювання був
Вимірювання Люммера і Прінгсгейма
зроблений Віном в 1893р. Розглядаючи
в 1899р. розподілу інтенсивності
адіабатичне ( без теплообміну) стискування
випромінювання із отвору оболонки за
рівноважного випромінювання в оболонці із
довжинами хвиль, стінки якої підтримувались
дзеркальними стінками і враховуючи зміну
при постійній температурі, показали, що при
частоти світла при відбиванні від дзеркала, яке
деякому значенні довжини хвилі крива
рухається (ефект Доплера), Він показав, що
має чітко виражений максимум
спектральна густина повинна мати
(рис.16.4). Ці досліди підтвердили результати
вигляд
1650 К
r ( λ, T), відн. од.
де деяка функція відношення частоти до

температури, конкретний вид якої в рамках
електромагнітної теорії і феноменологічної 1450 К
термодинаміки встановити неможливо.
Співвідношення (16.10) зводить задачу
знаходження універсальної функції , 1260 К
яка залежить від двох аргументів, до задачі
знаходення функції , яка залежить 1095 К
тільки від одного аргумента ( Це 904 К
значить, що якщо відомий спектральний
розподіл енергії рівноважного випромінювання 1 2 3 4 5 6 λ, мкм
Рис.16.4.
при якій-небудь довільній температурі, то з
В.Ленглея (1866р.), що із збільшенням
допомогою формули (16.10) можна знайти його
температури максимум зміщується в область
при будь-якій іншій температурі.
більш коротких довжин хвиль. Це зміщення
відбувається так, що добуток температури на
287
Закон Стефана-Больцмана. Закон Віна. Формула Релея-Джінса
довжину хвилі, яка відповідає максимуму Сонця) з кожного квадратного сантиметра
випромінювання, залишається сталим: чорного тіла випромінюється потік потужністю
(16.11) 7,4кВт, але тільки невелика частина цієї
потужності припадає на видиму область
Значення константи b =
спектру.
визначено з дослідних даних.
Розглянуті вище закономірності
Співвідношення(16.10) отримало назву закону
теплового випромінювання використовується в
зміщення Віна. Воно безпосередньо випливає
оптичних методах вимірювання температури
із термодинамічної формули Віна (16.10).
(§16.4).
Переходячи в ній по схемі (16.1) від частот до
В 1896 р. Він опублікував роботу «Про
довжин хвилі, отримуємо
розподіл енергії в спектрі випромінювання
чорних тіл», в якій він привів доведення
(16.12)
формули (16.10) в такому вигляді:
де нова
(16.13)
невизначена функція від аргумента де h і деякі константи. При отриманні цієї
Позначимо При фіксованій формули Він застосував до випромінювання
температурі для визначення положення статистику. Він вважав, що густина
максимуму залежності від отримаємо випромінювання повинна бути пропорційна
числу молекул, які випромінюють і розподілені
рівняння Або
за швидкостями згідно закону Максвелла, а
яке має деякий корінь = . Це частота їх коливань пропорційна квадрату
означає, що при будь-якій температурі швидкості молекул. Формула (16.13)

узгоджувалась із вимірюваннями Пашена в
максимум залежності від отримується
короткохвильовій області спектру, які були на
при одному і тому самому значенні аргумента
той час. Фактично Пашен отримав формулу
що й
(16.13) як емпіричну. В 1897р. О.Луммер і
доказує закон зміщення (16.11). Із (16.12)
Е.Прінсгейм показали, що формула (16.13)
витікає, що значення спектральної густини
добре узгоджується з експериментом тільки в
в максимумі при ) пропорційне
області коротких хвиль (високих частот).
п’ятій степені термодинамічної температури.
В 1892-1905рр. англійські вчені
При температурах, які досягаються
Д.Релей і Д.Джінс спробували теоретично
практично, максимуми випромінювальної
отримати залежність для рівноважного
здатності чорного тіла лежать в інфрачервоній
випромінювання, яке знаходилось всередині
області спектру. Так, при =3000 K
оболонки. Вони вважали, що таке
Тільки при максимум
випромінювання це система стоячих хвиль.
попадає в зелену область спектру, до якої око
Їхні розрахунки показали, що кількість стоячих
найбільш чутливе. Світність чорного тіла
хвиль в одиниці об’єму, яке приходиться на
швидко зростає з температурою ( і при
одиничний інтервал частот дорівнює
високих температурах досягає дуже великих
значень. При =6000K (температура поверхні
288
Квантова гіпотеза і формула Планка
Тоді видно з рис.16.5. Крім того виявилось, що
спроба вивести закон Стефана-Больцмана за
(16.15)
допомогою формули Релея-Джінса призвела до
де середня енергія, яка приходиться на
абсурдного результату, а саме:
одну стоячу хвилю. Формула (16.15) отримана
строго , без будь яких припущень. .
Релей і Джінс, виходячи із теореми
3
r(λ, 2000 К).10 ,Вт/м
8
класичної статистики про рівномірний Формула Релея-Джінса
11
Формула Віна
_
розподіл енергії за ступенями свободи, 6
Формула Планка
припустили, що на кожне електромагнітне 4
коливання приходиться в середньому енергія,
2
яка дорівнює двом половинкам одна
половинка на електричну, друга на магнітну 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 λ, мкм
енергію хвилі (за класичними уявленнями на Рис.16.5
кожну ступінь свободи приходиться в Досліди заперечують такий результат.
середньому енергія, що дорівнює . Ця ситуація, що створилась у теорії теплового
Прийнявши випромінювання, образно була названа

П.Еренфестом «ультрафіолетовою
катастрофою». Така назва пов'язана з тим, що
Релей і Джінс із ( 16.15) отримали, що
зменшення довжини хвилі (збільшення
частоти) обумовлює згідно (16.17) необмежене
За допомогою формули (16.7) перейдемо від зростання Проблема отримання
до функції розподілу енергії у спектрі
Таким чином, для випромінювальної випромінювання абсолютно чорного тіла, за
здатності чорного тіла отримуємо вираз: висловленням У.Кельвіна це «одна з
темних хмар на горизонті класичної фізики, що
затьмарила її чисте небо». Як висловився з
або
цього приводу Лоренц, рівняння класичної
= . фізики виявилися нездатними пояснити, чому
Вирази (16.17) , (16.18) і називають піч, що згасла, не випромінює синіх променів
формулою Релея Джінса. Ці формули дуже поряд з випромінюванням променів великих
добре описують розподіл енергії у довжин хвиль.
довгохвильовій частині спектру
випромінювання, тобто для малих частот §16.3.Квантова гіпотеза і формула
великих довжин хвиль Для великих частот Планка
Планк почав публікувати роботи з
вони непридатні.
теорії теплового випромінювання у 1895 р.
Розбіжність між експериментальною
Проблема особливо притягувала його тим, що
кривою (суцільна лінія) і кривою, одержаною
тут мова йшла не про часткову закономірність,
за допомогою формули
а про «абсолютну». Планк розглядав оболонку
Релея Джінса (штрихова крива),
289
(рис.16.3) як набір лінійних, пружних диполів енергії випромінювання для всього спектру
(осциляторів, див.§17.4), які знаходяться в частот:
термодинамічній рівновазі з випромінюванням.
(16.22)
До 1900р. в нього були два основних
результати. Суть першого в тому, що, Залишилось знайти її теоретичне
застосувавши рівняння Максвелла до лінійного обґрунтування. Знайшовши помилку в своєму
пружного осцилятора, який знаходився в старому доведенні, Планк виявив, що з однієї
оболонці в рівновазі з тепловим термодинаміки функцію Кірхгофа
випромінюванням, він отримав формулу визначити неможливо. Для теоретичного
виводу формули (16.22) необхідна гіпотеза,
яка корінним чином протирічить уявленням
яка співпадала з формулою (16.14). класичної фізики. Рівномірно розподіляти
Порівнявши (16.19) із формулою Віна (16.14), енергію між осциляторами, аналогічно Релею і
яку Планк розглядав як емпіричну, він Джінсу, безперспективно, тому її необхідно
отримав, що розподіляти нерівномірно. Якщо середня
. (16.20) енергія осцилятора, то сумарна енергія N
осциляторів буде Щоб цю енергію
Із досліду для коефіцієнта було
розподілити нерівномірно між N
знайдено значення Так
осциляторами, необхідно ввести порцію
18 травня 1899р. народилась постійна Планка,
енергії Таких порцій буде n= і їх
якій судилась така велика доля. Стала
потрібно розподілити між осциляторами так,
стала Больцмана. Отримані Планком
щоб система осциляторів знаходилась в
значення сталих дуже близькі до
рівноважному, найбільш вірогідному, стані.
сучасних: Дж с
Така задача була розв'язана Больцманом,
Дж с Дж розв'язок якої давав формулу (16.26).
В нових позначеннях (16.20) можна Приведемо отримання формули
переписати так: Планка (16.22), коли не енергію розподіляють
(16.21) між осциляторами, а осциляторів за енергіями.
Нехай енергія осцилятора може приймати не
Іншим результатом було те, що на будь-які, а тільки певні визначені дискретні
початку 1900р. Планк, як він думав, довів те, на значення енергії які відділені одне від
що раніше сподівався, формула Віна (16.13) одного кінцевими інтервалами. Перехід
є наслідком термодинаміки. осцилятора з одного стану в інший
Планк закінчував доведення в супроводжується поглинанням або
момент, коли вимірювання при малих випромінюванням кінцевої порції (кванта)
поставили під сумнів формулу Віна. енергії випромінювання. В такій системі з
Незабаром він відмовився і від доведення, і від дискретним енергетичним спектром середню
самої формули. Тим не менш, 19 жовтня енергію в тепловій рівновазі при
1900р. Планк знайшов свою знамениту температурі T вже не можна знаходити за
формулу, яка визначає спектральну густину формулою (16.16). Ймовірність того, що
290
осцилятор знаходиться в стані з енергією , у Цей результат співпадає з класичним
відповідності із розподілом Больцмана виразом (16.16) тільки в граничному випадку
пропорційна але при при В оригінальній роботі Планка
розрахунках середніх значень інтеграли 1900р. середня енергія осцилятора знаходилась
замінюються сумами: шляхом розрахунку середньої енергії на основі
= (16.23) співвідношення Больцмана S=lnW

і термодинамічною ймовірністю
де стану системи W. Підставляючи отримане
значення середньої енергії квантового
Ще одна гіпотеза необхідна для
осцилятора (16.26) в (16.19), отримаємо
встановлення значень енергії дозволених формулу:
станів осцилятора. Згідно припущення Планка,
гармонічний осцилятор має еквідистанційний (16.27)
енергетичний спектр так, що енергія в стані
Щоб вона не протирічила
з номером n складає ціле кратне найменшій
термодинамічній формулі Віна (16.10), згідно
порції енергії 0,1,2,3,... якої температура може входити в
(сучасна квантова механіка дає для рівнів необхідно
енергії гармонічного осцилятора значення
прийняти, що
. Тоді сума, яка знаходиться (16.28)
в знаменнику формули (16.23), є нескінченна В результаті, з формули (16.27) ми
геометрична прогресія зі знаменником отримаємо формулу (16.22).
14 грудня 1900р. Планк зробив
доповідь, в якій приводився повний розв'язок
(16.24)
поставленої задачі й отримання формули
Легко побачити, що сума, яка (16.22). Цю дату можна вважати днем
знаходиться в чисельнику формули 16.23), народження квантової теорії. Планк довів, що
дорівнює похідній , взятій із протилежним формулу (16.22) можна вивести тільки в тому
випадку, якщо допустити квантування енергії,
знаком:
яке протирічить класичним уявленням.
Формула (16.22) в змінних має вигляд
-1), (16.29)
для випромінювальної здатності абсолютно
чорного тіла
(16.30)
Підставимо (16.25), (16.24) в (16.23) і
тоді знайдемо, що
Формула Планка (16.22) (те саме, що і
(16.30)) чудово узгоджується з дослідом при
всіх частотах і температурах. Для малих частот
291
Оптична пірометрія
(довгих хвиль) і при високих температурах, світові константи визначають границі
коли експоненту застосування класичного описання. В
можна розкласти в ряд по степенях змінної масштабах макросвіту числове значення
. Якщо обмежитись лінійним членом постійної Планка надзвичайно мале. Цим
цього розкладу, то формула Планка(16.22) пояснюється широке застосування класичної
переходить в формулу Релея-Джінса (16.17). фізики, в основі якої лежить концепція
Але в області високих частот і низьких неперервності при описанні макроскопічних
температур формула Планка передбачає зовсім явищ. Значення , які отримані на основі
іншу поведінку ніж класична теорія. різних фізичних явищ (теплове
При експонента випромінювання, фотоефект, короткохвильова
в знаменнику формули (16.22) значно більша границя суцільного рентгенівського спектру,
одиниці. Тому поведінка в області ефект Джозефсона в надпровідності та інші),
коротких хвиль приблизно описується добре узгоджуються одні з одними.
формулою Згідно сучасним уявленням,
рівноважне випромінювання в оболонці
(16.31)
розглядається як фотонний газ, до якого
яка була запропонована Віном в 1896 р. (див застосовується статистика Бозе-Ейнштейна.
формулу (16.13)). Експоненціальний спад Середнє число фотонів у квантовому стані
спектральної густини з ростом частоти усуває
=
«ультрафіолетову катастрофу» класичної
теорії. де енергія фотона. Число таких станів
Формула Планка (16.30) дає змогу не
Тому спектральна густина енергії
тільки встановити закон Стефана-Больцмана
(16.8), але й знайти величину сталої σ, а саме:
Вт м .
що співпадає із формулою Планка (16.22).
З формули (16.30) можна отримати закон
зміщення Віна і величину сталої . Для цього
необхідно розв’зати рівняння
§16.4.Оптична пірометрія
Для вимірювання температур нагрітих
З якого отримаємо, що тіл за термометричний параметр можна
використати теплове випромінювання.
Сукупність оптичних методів визначення
м К м К
температур, в основі яких є закони
При вирішені проблеми теплового
рівноважного випромінювання, називається
випромінювання виникла постійна Планка
оптичною термометрією,а методи вимірювання
(або яка грає в квантовій фізиці таку
високих температур називаються оптичною
саму роль, як швидкість світла в пірометрією. Оптичні методи вимірювання
релятивістській фізиці. Ці фундаментальні температур не потребують безпосереднього
292
Оптична пірометрія
контакту вимірювальних приладів із переноситься за одиницю часу на приймач, не
досліджувальним тілом. Завдяки цьому можна залежатиме від відстані між джерелом і
вимірювати високі температури, а також приймачем. Приймачами в пірометрах часто є
температури досить віддалених тіл. термобатареї або болометри. Пірометри
Застосування цих методів не змінює попередньо градуюють за допомогою
температуру досліджуваних тіл. абсолютно чорного тіла, температура якого
Залежно від того, який із законів відома.
теплового випромінювання покладено в основу Під яскравісною розуміють
методу вимірювання температур, розрізняють температуру абсолютно чорного тіла, при якій
три умовних температури: енергетичну або його спектральна випромінювальна
радіаційну; яскравісну; кольорову. Вони здатність я дорівнює спектральній
функціонально пов'язані із справжньою випромінювальній здатності
температурою тіла і його випромінювальною досліджуваного тіла для тієї самої довжини
здатністю. Під радіаційною розуміють хвилі, яка згідно (16.6) дорівнює
температуру абсолютно чорного тіла Р, при Тобто
якій його випромінювальна здатність ( )
я
однакова з випромінювальною здатністю
де T справжня температура тіла, я
тіла, температуру якого визначають.
яскравісна температура,
Відповідно до визначення радіаційної
поглинальна здатність тіла.
температури та закону Стефана-Больцмана
Оскільки для світлових хвиль видимої
для сірих тіл (16.9) маємо:
частини спектра, які випромінюється
σ Р σ . (16.32)
нагрітими тілами, температура яких
Звідки
величина , то Нехтуючи
Р . (16.33)
одиницею у формулі Планка (16.30), вираз
Оскільки , то радіаційна
( ) можна записати так:
температура менша від справжньої
температури тіла. Радіаційну температуру (16.34)
я
вимірюють радіаційним пірометром

Із співвідношенняя (16.34) отримаємо вираз:
(рис.16.6), оптична система якого дає змогу
(16.35)
О
око я
o S Л Ф
S П
* О1 який зв'язує яскравісну і справжню
* температури тіла. Для нечорних тіл
mA
яскравісна температура менша від
R
справжньої; яскравісна температура

Рис.16.6. Рис.16.7.
сфокусувати чітке зображення джерела світла S вимірюється пірометрами із зникаючою
на приймач П так, щоб зображення повністю ниткою (рис.16.7). Його дія полягає в тому , що
покрило поверхню приймача. За такої умови за допомогою об'єктива O зображення поверхні
енергія випромінювання джерела, що нагрітого тіла, температуру якого визначають,
293
Зовнішній фотоефект і його закони
суміщають із площиною нитки розжарення
лампи Л, яка вмикається в електричне коло. к (16.37)
Поверхня тіла і нитка розжарення
Ряд реальних випромінювачів,
спостерігаються через окуляр . Перед
наприклад, оксиди металів, кераміка,
окуляром знаходиться світлофільтр Ф, який
вогнетривкі вироби, графіт та інші практично є
пропускає досить вузьку частину спектру (для
сірими тілами.
=0,66мкм). Під час вимірювань за допомогою
Кольорова температура к
реостата змінюють струм через лампу Л доти,
вимірюється за червоно-синім відношенням
поки яскравості нитки розжарення і поверхні
інтенсивностей для мкм і =0,470
тіла не стануть однаковими. Тому Тя називають
мкм. Для несірих тіл здебільшого кольорова
яскравісною температурою тіла. Міліамперметр
температура вища за справжню температуру,
попередньо градуюють у градусах за
тобто к Кольорова температура
допомогою випромінювання абсолютно
більшості твердих тіл і рідин значно менше
чорного тіла. Якщо величина
відрізняється від їх справжньої температури,
випромінюючого тіла відома, то за яскравісною
порівняно з радіаційною або яскравісною.
температурою можна визначити справжню
Отже, за допомогою оптичних
температуру тіла .
пірометрів вимірюють не справжні, а умовні
Під кольоровою розуміють
температури: радіаційну, яскравісну і
температуру абсолютно чорного тіла, при якій
кольорову.
спектральний склад його випромінювання
однаковий із спектральним складом
випромінювання досліджуваного тіла, тобто §16.5.Зовнішній фотоефект і його
відношення спектральних випромінювальних закони. Рівняння Ейнштейна для
здатностей для двох заданих довжин хвиль зовнішнього фотоефекту
однакові. За визначенням поняття кольорової
Фотоелектричним ефектом
температури застосовується до сірих тіл. Для
називаються електричні явища, які
тіл, в яких у значній мірі проявляється
супроводжуються поглинанням світлового
селективність випромінювання, поняття
випромінювання в речовині.
кольорової температури не має змісту. Якщо
Розрізняють:
для сірого тіла ( = , то така
1)зовнішній фотоефект виривання
ж рівність має місце і для АЧТ:
електронів з речовини під дією світла у вакуум
( к к = .
або в інше середовище. Практичне значення
На основі формули Планка (16.30)
має фотоефект із твердого тіла у вакуум;
це співвідношення запишеться так:
2)внутрішній фотоефект, при якому
к
(16.36) відбувається лише перерозподіл електронів за
к енергетичними станами в конденсованому
Звідки, враховуючи, що , середовищі внаслідок поглинання

к
електромагнітного випромінювання. В
отримаємо вираз для кольорової температури:
напівпровідниках і діелектриках фотоефект
294
проявляється в зміні електропровідності 1)найбільшу дію чинять ультрафіолетові
середовища та діелектричної проникності; хвилі;
3)фотогальванічний ефект, при якому на 2)сила струму зростає зі збільшенням
границі поділу напівпровідника і металу або на освітленості пластини;
границі поділу двох напівпровідників під 3)заряди, які випускаються із пластини Д під
впливом опромінювання виникає дією світла, мають від'ємний знак.
електрорушійна сила (за відсутності У 1898 р. Леонард і Томсон методом
зовнішнього електричного поля); відхилення зарядів у електричному і
4)фотоефект в газоподібному середовищі, магнітному полях визначили питомий заряд
який полягає у фотоіонізації окремих молекул частинок, що вириваються світлом з
або атомів. катода, довівши, що ці частинки є електронами.
Розглянемо закономірності Леонард й інші дослідники
зовнішнього фотоефекту. Фотоефект відкрив у удосконалили прилад Столєтова, помістивши
1887 р. Г.Герц, який виявив, що при освітленні електроди у вакуумну трубку (рис.16.9). Катод
негативного електрода іскрового розрядника Світло
ультрафіолетовими
відбувається при
променями
меншій напрузі
розряд
між
K . e A
mA
електродами, ніж без такого освітлення.
V
Перші фундаментальні дослідження
П
фотоефекту виконанні в 1888 1889р. О.Г.
Столєтовим за допомогою установки, що + - + -Б2
Б1
показана на рис.16.8.
С Рис.16.9.
Д
K, покривався металом, який досліджувався, і
освітлювався монохроматичним світлом, яке
А проходило через кварцове вікно. Напругу U
між катодом К і анодом А можна регулювати за
G допомогою потенціометра П і вимірювати
Б
вольтметром V. Дві акумуляторні батареї Б1 і
+ - Б2 дають можливість за допомогою
потенціометра П змінити не лише абсолютну
Рис.16.8
Конденсатор, який утворений величину, а й знак напруги . Цей пристрій дав
дротяною сіткою з міді С (анод) і суцільною можливість дослідити вольт-амперну
цинковою пластинкою Д (катод), був характеристику фотоефекту залежність
послідовно ввімкнений з гальванометром G в фотоструму від напруги між електродами
коло акумуляторної батареї Б. При освітленні (рис.16.10). Така залежність відповідає двом
негативно зарядженої пластини Д світлом від різним освітленостям катода. У міру
джерела А в колі виникає електричний струм, збільшення напруги фотострум поступово

який називається фотострумом. На основі своїх зростає, тобто все більша кількість
дослідів Столєтов дійшов таких висновків: фотоелектронів досягає анода. Максимальне
295
значення фотоструму н, яке називається спектральна чутливість фотокатода).
фотострумом насичення, відповідає таким Максимальна початкова швидкість
значенням , при яких усі електрони, що фотоелектронів визначається лише частотою
вибиваються з катода світлом, досягають анода: світла і не залежить від його інтенсивності.
н , де кількість електронів, які Величина зростає зі збільшенням частоти
вилітають з катода за 1 с. .
I Для кожної речовини існує "червона
E2 >E1
I2н межа" фотоефекту, тобто максимальна довжина
E1 хвилі , при якій ще спостерігається
I1н
фотоефект. Величина залежить від
хімічної природи речовини і стану його
-U0 0 U поверхні.
Рис. 16.10. Столєтовим була встановлена
фактична безінерційність зовнішнього
З вольт-амперної характеристики фотоефекту. Проміжок часу між початком
виходить, що при фотострум не зникає. освітлення і початком фотоструму не
Електрони, вибиті з катода світлом, мають перевищує c.
деяку початкову швидкість , а отже і відмінну Фотоефект результат трьох
від нуля кінетичну енергію і можуть досягати послідовних процесів: поглинання фотона і
анода без зовнішнього поля. Для того, щоб поява електрона з великою (порівняно із
фотострум став нульовим, необхідно прикласти середньою) енергією; рух цього електрона до
затримуючу напругу (на катоді К поверхні, при якому частина енергії може
позитивний потенціал по відношенню до анода розсіятись; вихід електрона в інше середовище
А). При жоден з електронів не може через поверхню розділу.
подолати затримуючого поля і досягнути анода Кількісною характеристикою
(I=0, рис.16.10). Отже, фотоефекту є квантовий вихід число
(16.38) електронів, які вилітають під дією одного
фотона, що падає на поверхню тіла. Величина
тобто, вимірявши , можна знайти
залежить від властивостей тіла, стану його
максимальні значення швидкості і
поверхні і енергії фотона. Біля порогу
кінетичної енергії фотоелектронів, маса яких
фотоефекту для більшості
.
матеріалів електрон/фотон. Така мала
Дослідами встановлено такі основні
закони зовнішнього фотоефекту: величина обумовлена тим, що світло
Закон Столєтова: при фіксованій частоті проникає в метал на глибину м, і там в

падаючого світла кількість фотоелектронів, що основному поглинається. Фотоелектрони при
вириваються з катода за одиницю часу, своєму русі до поверхні сильно взаємодіють з
пропорційна інтенсивності світла (сила електронами провідності, яких в металі багато,
фотоструму насичення н пропорційна і швидко розсіюють енергію, отриману від
енергетичній освітленості катода н , випромінювання. Енергію, яка достатня для
296
Рівняння Ейнштейна для зовнішнього фотоефекту
виконання роботи виходу зберігають тільки ті Згідно Ейнштейна, світло з частотою
фотоелектрони, які утворились біля поверхні на не лише випромінюється, але і поширюється
глибині, яка не перевищує м. Крім того, в просторі і поглинається речовиною окремими
поверхні металів сильно відбивають видиме і порціями, енергія яких . Поширення
ближнє ультрафіолетове випромінювання. світла треба розглядати не як безперервний
Різкого збільшення і зсуву металів у хвильовий процес, а як потік локалізованих у
видиму область спектру досягають за просторі дискретних світлових квантів, що
допомогою покриття чистої поверхні металу рухаються зі швидкістю поширення світла у
моноатомним шаром електропозитивних вакуумі. Ці кванти електромагнітного
атомів або молекул (Cs,Rb O), які випромінювання отримали назву фотонів.
утворюють на поверхні дипольний електричний За Ейнштейном, кожний фотон
шар. поглинається лише одним електроном. Тому
γ Ag Sn
кількість вирваних фотоелектронів повинна
бути пропорційна до кількості поглинутих
фотонів, тобто пропорційна до інтенсивності
світла (1-ий закон фотоефекту). Безінерційність
фотоефекту пояснюється тим, що передача
енергії при зіткненні фотона з електроном
відбувається майже миттєво.
0,24 0,26 λ,мкм Енергія падаючого фотона
Рис. 16.11
витрачається на виконання електроном
Важливе значення для фотоефекту має
роботи виходу з металу і на надання
залежність спектральної чутливості приймача
електрону, який вилетів, кінетичної енергії
випромінювання від довжини світлової хвилі
.
(спектральна чутливість приймача оптичного
За законом збереження енергії,
випромінювання це відношення величини,
яка характеризує рівень реакції приймача (16.39)
(наприклад, фотоструму), до потоку енергії Це рівняння Ейнштейна для зовнішнього
монохроматичного випромінювання, яке фотоефекту.
викликає цю реакцію. Вимірюється в А/Вт). З Перевірку формули Ейнштейна з
рис.16.11 видно, що, починаючи від "червоної достатньою точністю здійснив в 1916р.
межі", із зменшенням відбувається зростання Міллікен, який створив прилад, в якому
чутливості фотокатода. поверхні, які досліджувались, очищались у
Фотоефект не можна пояснити з вакуумі. Після цього вимірювалась їх робота
погляду хвильової теорії світла. виходу і досліджувалась залежність
А.Ейнштейн в 1905р. показав, що максимальної кінетичної енергії
явище фотоефекту і його закономірності фотоелектронів від частоти світла. Результати
можуть бути пояснені на основі запропонованої вимірювань приведені на рис.16.12. Відповідні
ним квантової теорії фотоефекту. графіки залежності
приведені для трьох різних металів. Графіки
297
Маса та імпульс фотона
мають дві цікаві характерні особливості. По- Величина залежить лише від
перше, залежність від частоти лінійна і, роботи виходу електрона, тобто від хімічної
по-друге, графіки для різних металів не природи речовини і стану її поверхні.
співпадають, хоч вони і паралельні один до Якщо створити поле, яке
одного. Лінійна залежність від затримуватиме рух електронів, тобто на катод
підтверджує рівняння Енштейна (16.37). подати " +", а на анод " , то фотострум буде
Тангенс кута нахилу прямої, дорівнює сталій зменшуватись і при напрузі струм
Планка а відрізок який відтинається дорівнюватиме нулю (рис.16.10). Ця напруга
прямою на координатній осі , роботі називається затримуючим потенціалом. Тоді
виходу електрона із металу. Стає зрозумілим, формула Ейнштейна матиме вигляд із
чому прямі паралельні (кожна має однаковий урахуванням (16.38)
нахил h) і чому не зливаються в одну лінію . (16.41)
(кожна характеризується своїм певним Якщо замість роботи виходу
підставити значення енергії фотона, що
ій м
7,5 ез ра відповідає червоній межі фотоефекту, то
Ц ф
ль на і
5,0 Во ти (16.42)
а
Пл
eU0 ,eB
2,5 Прямолінійна залежність

ν.10-15
, Гц підтверджується експериментально (рис.16.12).
0 Прийнято вважати, що фотоефект дає
1 2 3
_
2,5 νmin для платини найбільш прямий експериментальний доказ
Φ Робота виходу квантової природи випромінювання.
_
5,0 для платини
_ Область частот, для §16.6.Маса та імпульс фотона
7,5 яких відсутній фото-
-ефект для платини Менш ніж через двадцять років після
відкриття фотоефекту він виявився одним із
Рис.16.12. явищ, які стали основою квантової теорії
значенням роботи виходу . Коли світла.
Тут гранична частота, В 1905р. А. Ейнштейн в роботі « Про
тобто мінімальна частота світла, яке падає на одну еврістичну точку зору, що торкається
метал, при якій ще можливе вибивання виникнення і перетворення світла» довів
електронів із поверхні металу. Цю частоту гіпотезу квантів Планка до логічного кінця і
також називають червоною межею. При висловив ідею про те, що світло це потік
кінетична енергія фотоелектронів частинок – квантів – фотонів (фотонами назвав
буде дорівнювати нулю. Енергії кванта кванти світла в 1929р. фізико – хімік Льюїс).
вистачає тільки, щоб вирвати електрон з Теорія відносності вимагала, щоб
металу. Отже, квант випромінювання, який поглинається (або
випромінюється), ніс із собою не тільки
енергію, але й імпульс, який дорівнює
= = , (16.43)
298
де енергія кванта, с швидкість світла будь-якій системі відліку має швидкість с і не
у вакуумі, k = 2 . В загальному випадку, існує систем відліку, в якій він знаходився б в
де хвильовий вектор. стані спокою. Рівність нулю маси спокою
Звідси уже витікало, що означає, що фотон в стані спокою поняття,
електромагнітне поле не тільки поглинається і яке не має змісту.
випромінюється порціями, але його можна Боротьба за утвердження нового
розглядати як сукупність квантів ( частинок), погляду на природу світла була довгою і
які мають енергію і імпульс. В цьому остаточно складною. Її гострота пояснювалась також і
переконались тільки через два десятиліття – в тією обставиною, що зміни , які пропонувалися,
1925р., коли фізик Бозе прислав Ейнштейну зачіпали не тільки оптику (світло), але й всю
статтю, в якій він довів, що теплові електродинаміку. Із часів Максвелла і Герца ці
статистичні властивості випромінювання області не можна було розглядати вже у відриві
співпадають із властивостями газу із квантів- одна від одної. Якщо погляди на світло
фотонів. зазнавали кардинальних змін, то на закони
Може здатися дивним, що фотон має електродинаміки вже не можна було дивитись
по-старому.
імпульс, який відрізняється від енергії тільки
Зусиллями багатьох вчених була
множником с. Однак формули для енергії й
побудована квантова електродинаміка, яка
імпульсу фотона не потрібно порівнювати з
принципово по-іншому, ніж теорія Максвелла,
аналогічними формулами для частинки в
пояснювала взаємодію зарядів. Але це не
механіці Ньтона. Справа в тому, що фотон
значить, що закони класичної електродинаміки
це частинка, яка летить зі швидкістю світла, а
були повністю відкинуті. Взаємовідношення
до таких частинок необхідно застосовувати
квантових і класичних законів визначаються
формули теорії відносності, в якій енергія
принципом відповідності: класичні закони є
пов’язана з імпульсом співвідношенням
граничним випадком квантових, i, як наслідок,
=
між ними повинен існувати зв’язок. Одним з
де маса спокою частинки, тобто маса
проявів цього зв’язку є твердження: якщо
частинки при швидкості, що дорівнює нулю.
закон Кулона не є точним законом
Якщо врахувати формулу (16.43) , то із (16.44)
“обернених квадратів ( )”, то масса
витікає, що маса спокою фотона .
спокою фотона повинна відрізнятися від
Якщо ми схильні розглядати фотони як
нуля. Варто підкреслити, що питання про
частинки, то цей результат на перший погляд є
рівність нулю це питання
дивним. І хоч в квантах Планка реалізувалось
експериментальне. На цю обставину вперше
передбачення Ньютона, що світло це пучок
звернув увагу один із творців квантової
частинок-фотонів, але вони все-таки не є
механіки Л.де Бройль.
корпускулами Ньютона: у фотонів не виявилось
Багато важливих положень сучасної
маси спокою. Крім того, вони, на відміну від
фізики базується на припущені про те, що
класичних частинок, могли інтерферувати.
. Тому проблема експериментального
Такою властивістю наділила електрони наука
підтвердження цього припущення повинна
ХХ століття квантова механіка. Фотон в
розглядатись як принципіально важлива.
299
Дослідна перевірка закону Кулона – один із би перевірити закон Кулона, вимірюючи
шляхів її розв’язку. магнітне поле Землі на різних відстанях або, що
В доквантовий час відхилення від закону виявилось ще більш чутливим, вивчаючи
Кулона шукали, вважаючи, що потенціал магнітне поле Юпітера. Ці вимірювання дали
заряду описується не просто формулою оцінку
, а з експоненціальним Однако перевірка закону Кулона – не
множником: єдиний спосіб оцінки верхньої межі .
, (16.45) Теоретичний аналіз показує, що якщо ,
то повинна спостерігатись дисперсія
де a деяка постійна.
електромагнітних хвиль в вакумі, тобто
Якби потенціал електричного заряду мав
швидкість їх поширення повинна залежати
вид (16.45), то всередині зарядженої сфери
від довжини хвилі (відсутність подібної
існувало би електричне поле. Саме таке поле
дисперсії один із наслідків теорії Максвелла).
всередині зарядженої сфери і намагалися
В цьому випадку для групової швидкості
знайти експериментатори. Ніякого поля знайти
електромагнітних хвиль гр можна було б
не вдалось. Результати дослідів виражались в
записати:
оцінці параметра . Так із правильності закону
Кулона випливало, що по крайній мірі гр , (16.47)
м.
дe c гранична швидкість руху тіл, яка входить
Виникає питання: а яке відношення має
в перетворенна Лоренца (очевидно, що при
вимірювання довжини до гіпотетичної маси швидкість не співпадає із
гр
фотона? Зрозуміло, що в класичній фізиці ні
швидкістю світла c), довжина
про яку масу фотона говорити не можна, і
електромагнітної хвилі,
точність закону Кулона можна характеризувати
комптонівська довжина хвилі фотона. Із виразу
тільки відстанню, в межах якої був перевірений
(16.47) витікає, що при швидкість
цей закон. Після того як в фізику ввійшла стала
синього світла ( була би більша,
Планка, маса частинки m виявилась пов’язана з
ніж червоного ( 0,7мкм). Той факт, що в
довжиною формулою: дійсності дисперсія електромагнітних хвиль у
(16.46) вакуумі при досягнутій точності вимірювань не
Не важко перевірити, що така виявлена, теж свідчить на користь твердження,
комбінація фундаментальних величин має що . Однак оцінка верхньої межі , яка
розмірність довжини. Теорія прийшла до отримана із аналізу данних про
висновку , що якби то на відстані розповсюдження електромагнітних хвиль, дає

значення дещо гірше, ніж досліди з перевірки
від заряду потенціал електричного поля був
закону Кулона.
би в e=2,72… рази більшим, ніж дає закон
Ще більш точну оцінку маси
Кулона. отримують із того факту, що в галактиках
Вимірювання поля всередині спостерігаються магнітогідродинамічні хвилі в
зарядженої сфери – не найбільш точний спосіб зарядженій плазмі. В земних умовах такі хвилі
перевірки закону Кулона. Значно точніше було
300
Тиск світла
спостерігаються в установках, де створюються можливу масу «холодного» фотона визначалась
умови для термоядерних реакцій. Хвильові нерівністю кг (при
процеси в плазмі переносять з собою Т=1,36К).
періодично змінне електромагнітне поле. Таким чином, досліди, які виконані в
Існування маси спокою у фотона привело б до земних умовах, а також оцінки, які зроблені
«згасання» довгохвильових коливань. В шляхом аналізу астрофізичних даних, не дають
галактиках магнітогідродинамічні процеси підстав вважати масу спокою фотона
захоплюють величезні відстані. Звідси витікає відмінною від нуля і, отже, закон взаємодії
фантастична оцінка точкових електричних зарядів зберігає статус
), величина достатня для того, щоб не точного закону «обернених квадратів».
сумніватись в правильності гіпотези про
рівність нулю . §16.7.Тиск світла
В 1980р. американські фізики Фотон, подібно до частинки, яка
Дж.Примак і М.Шер висловили припущення, рухається, має енергію та імпульс
що при пониженні температури може відбутись . Усі ці корпускулярні характеристики
фазовий перехід, при якому фотон із безмасової пов'язані з хвильовою характеристикою світла
частинки перетвориться в частинку з масою – його частотою Одним з підтверджень
спокою Група наявності у фотонів імпульсу є світловий тиск.
експериментаторів із Прістонського Тиск світла, який передбачала електромагнітна
університету в 1985р. перевірили гіпотезу про теорія Максвелла, вперше експериментально
«холодний масивний» фотон за допомогою виявив і виміряв у 1901 р. П.М.Лебедєв.
досліду. Ідея нової перевірки закону Кулона
залишилась попередньою. Однак виявилось
зручним використовувати не систему
вкладених куль (метод Кавендиша), а три
вкладених коаксіальних циліндри. На два
зовнішніх циліндри подавалась змінна напруга.
У випадку відхилення закону Кулона від
точного закону «обернених квадратів» між
двома внутрішніми циліндрами, які зв'язані між
Рис.16.13.
собою кінцевою ємністю ( ), повинен
був протікати змінний струм, який
Прилад Лебедєва – це досить чутливі
експериментатори старались зареєструвати.
крутильні терези, рухома система яких
Основна частина експериментальної установки
складалась із легкого каркаса із закріпленими
розміщувалась в кріостаті, де підтримувалась
на ньому тонкими кружками, які розміщені
низька температура. Досліди проводились при
симетрично відносно осі підвісу (рис.16.13).
і 1,36K ( 271,64 ).
Деякі крильця були дзеркальними, а
Результати аналізу отриманих даних показали,
поверхня інших була зачорнена. Усю цю
що при переході від 4,2К до 1,36К фазового
систему підвішували на тонкій пружній нитці
переходу не спостерігалось і обмеження на
всередині закритого скляного балона, в якому
301
Тиск світла
був створений високий вакуум. Крильця падає енергія випромінювання Uc , де U
освітлювали вольтовою дугою. Світло від дуги об'ємна густина енергії (формула (16.2). Тому
направлялось на них за допомогою системи число фотонів, які падають, буде . Із
лінз і дзеркал. Величину світлового тиску на цього числа NR фотонів відіб'ється, а N(1 R) –
крильця визначали за кутом закручування поглинеться (R – енергетичний коефіцієнт
нитки підвісу. відбивання поверхні). За визначенням, тиск
Тиск світла настільки малий, що для світла дорівнює повному імпульсу, який
його надійного вимірювання треба було передається падаючими фотонами на 1м2
усунути вплив на крильця всіх інших факторів. поверхні за 1с, тобто
Вплив конвекційних струмин повітря Лебедєв
усунув, створивши в балоні досить високий
вакуум. Однак і в такому разі не було усунуто
так званий радіометричний ефект. Причина
його в тому, що зачорнене крильце нагрівається Врахувавши, що , отримаємо:
внаслідок поглинання світла, яке падає на
(16.48)
нього, причому температури освітленої і
неосвітленої (задньої) поверхонь крильця що співпадає із виразом, отриманим на основі
неоднакові. Молекули розрідженого повітря в електромагнітної теорії.
балоні відбиваються від нагрітої поверхні Часто для визначення тиску світла на
крилець з більшою швидкістю, передаючи їм поверхню з коефіцієнтом відбивання R
відповідно більший імпульс. Тиск, зумовлений використовують формулу:
такою дією, значно більший за світловий. (16.49)
Радіометричний ефект може призвести до того,
де I – інтенсивність світла, яка вимірюється у
що в досліді тиск на зачорнене крильце буде
Вт/ , – кут падіння світла на плоску
більший за тиск на дзеркальне крильце тих
поверхню (кут між нормаллю до поверхні і
самих розмірів. Лебедєв усунув вплив
променем світла, який падає на цю поверхню).
радіометричного ефекту, використавши у своїх
Ізотропне випромінювання, яке
дослідах дуже тонкі крильця різної товщини від
розповсюджується у всіх напрямках, чинить на
0,01 до 0,1 мм.
поверхню стінки тиск
Тиск світла на дзеркальне крильце з
(16.50)
коефіцієнтом відбиття R=1 виявився у два рази
Цей вираз можна отримати, розглядаючи
більший, ніж тиск на зачорнене крильце (R=0).
випромінювання в замкненій оболонці як
З точки зору корпускулярних уявлень,
ідеальний газ фотонів.
тиск світла інтерпретується як результат
Світловий тиск досить малий. Так, за
передачі імпульсів фотонами поверхні, яка
межами атмосфери Землі інтенсивність
поглинає або відбиває їх. При нормальному
сонячного випромінювання дорівнює 1400
падінні кожний фотон, який поглинається,
. Відповідний тиск при нормальному
передає поверхні імпульс а який
падінні світла на поверхню, для якої ,
відбивається ( =2 На
дорівнює 7 . Ця величина у менша
одиничну площину поверхні за одиницю часу
302
Ефект Комптона
від атмосферного тиску. Незважаючи на те, що = допускає експериментальну перевірку.
тиск світла малий, його необхідно враховувати Особливо чітко проявляються корпускулярні
у ряді випадків. Так, сила гравітаційної властивості світла в явищі розсіяння
взаємодії частинок пропорційна кубу їх радіуса, рентгенівських променів (Про рентгенівські
а сила світлого тиску пропорційна квадрату промені детальніше в А.Комптон,
радіуса частинки. Для частинок досить малих досліджуючи у 1923р. розсіяння
розмірів ці сили можуть бути однакових монохроматичних рентгенівських променів
порядків. Це дає підставу зробити припущення, речовинами з легкими атомами (парафін, бор),
що хвости комет зумовлені світловим тиском. виявив, що у складі розсіяного випромінювання
Всередині зірок температура досягає поряд з випромінюванням початкової довжини
мільйонів градусів. Таким температурам хвилі спостерігається також
відповідають великі густини енергії випромінювання більшої довжини хвилі .
випромінювання і тиск світла перешкоджає Схема досліду Комптона зображена на
гравітаційному стисканню зірок. Можливо, цим рис.16.14. Пучок монохроматичних
і пояснюється наявність верхньої межі маси рентгенівських променів джерела R,
зірок, яка має порядок Крім цього, пройшовши систему діафрагм Д, падає на
випромінювання і поглинання його всередині розсіюючу речовину Р і після розсіяння на кут
зірки зумовлює швидке перенесення деякої попадає в рентгенівський спектрограф С, де
маси з одних областей в інші. Випромінювання, вимірюється довжина хвилі розсіяного
що виходить з центральних областей, має випромінювання. Досліди Комптона показали,
менший момент імпульсу, ніж ті маси
що довжина хвилі розсіяного
периферійних областей, що поглинають
випромінювання більша за довжину хвилі
випромінювання. Це зумовлює сповільнене
падаючого випромінювання, причому різниця
обертання зірки.
не залежить від довжини хвилі
Нерівномірність освітлення поверхонь
падаючого випромінювання і природи
штучних супутників Землі викликає небажане
розсіювальної речовини, а визначається лише
їх обертання навколо деякої осі.
величиною кута розсіяння .
Фокусування лазерного пучка у Д Д
«пляму», радіус якої дорівнює довжині хвилі, R
Р
дає змогу одержати порівняно великі тиски. За
θ С
їх допомогою мікроскопічним частинкам
можна надати прискорення, які в мільйони
разів більші за прискорення вільного падіння і Рис.16.14.
це має практичне застосування.

Пояснити ефект Комптона можна на
основі квантових уявлень про природу світла.
§16.8.Ефект Комптона Якщо вважати, що випромінювання є потоком
фотонів, то ефект Комптона це результат
Існують явища, в яких імпульс фотона пружного зіткнення рентгенівських фотонів з
проявляє себе явно і співвідношення вільними електронами. В атомах легких
303
Ефект Комптона
елементів енергія зв'язку електрона (енергія можна замінити на . Тоді для відносного
іонізації) порядку 10 еВ, що приблизно в тисячу зсуву частоти при розсіянні отримаємо:
раз менше енергії рентгенівського фотона
( . Тому електрони в цих дослідах
можна вважати практично вільними. Енергія
p pф
спокою електрона , що набагато
більше енергії фотона. Тому електрон, який до
зіткнення знаходився в стані спокою або
рухався в атомі з нерелятивістською
θ
швидкістю, і, після зіткнення з таким фотоном,
залишається нерелятивістським. Нехтуючи pф´
початковою енергією електрона, запишемо Рис.16.15.
закон збереження енергії Знак мінус показує, що частота
(16.51) випромінювання при розсіянні зменшується. Це

зрозуміло, так як частину своєї енергії фотон
де , p – імпульс передає електрону. Переходячи тепер від
електрона після зіткнення з фотоном, а закон частот до довжин хвилі ,
збереження імпульсу , отримаємо, що
ф ф , (16.52) (16.55)
де ф і ф – імпульс фотона до і після
розсіювання (рис.16.15). Згідно теореми Співвідношення (16.55) дуже добре описує
косинусів вираз (16.52) переписуємо так: залежність збільшення довжини хвилі від кута
розсіяння, яка спостерігається на досліді.
ф ф ф ф (16.53)
Константа , яка входить в (16.55), називається
Підставимо в (16.53) вирази для
комптонівською довжиною хвилі електрона,
імпульсу фотона через його частоту ф
що виражається у вигляді комбінації трьох
і ф і квадрат імпульсу універсальних сталих:
електрона із закону збереження енергії (16.51). (порівняйте формулу для і формулу (16.46)
Тоді (16.53) прийме вигляд: для а ). Підставляючи числові значення сталих,
2 отримаємо нм що співпадає з
величиною, яка знайдена із вимірювань
−2 cos .
зміщення довжини хвилі при розсіянні.
Перепишемо це співвідношення у вигляді
При розсіянні фотона частина його
енергії передається електрону. Електрони
(16.54)
віддачі грають важливу роль в процесі іонізації
газів рентгенівським випромінюванням.
і враховуючи, що , бачимо, що
Використовуючи камеру Вільсона, яка
зміна частоти мала порівняно з
розміщена в магнітному полі, можна знайти
самою частотою. Тому у правій частині (16.54)
імпульс і енергію електронів віддачі, що
304
Дослід Резерфорда. Планетарна модель атома
дозволяє ще більш повно перевірити виконання Розділ 17.Будова атома
законів збереження. Вимірювання показали, що
в кожному елементарному акті розсіяння
§17.1.Дослід Резерфорда. Планетарна
електрон набуває якраз такі енергію і імпульс, модель атома
які втрачає фотон.
Досліди Комптона яскраво Починаючи з Демокріта, вважали, що
продемонстрували, що енергія й імпульс атом – нескінченно мале абсолютно пружне
фотона дійсно зв'язані формулою (16.43) і що тіло, що існує вічно, у незмінному вигляді. До
закони збереження енергії і імпульсу початку ХХ ст. мало у кого, навіть у такого
виконуються в елементарних актах розсіяння. геніального фізика, як Дж. Максвелл, таке
твердження породжувало сумніви.
Контрольні питання Наприкінці ХІХ ст. особливо
бурхливий розвиток фізики почав гальмуватися
1.Чим відрізняється теплове проблемами, пов’язаними з внутрішньою
випромінювання від інших видів
структурою атомів та їхніми властивостями. На
випромінювання?
2.Які є характеристики теплового той час було встановлено, що:
випромінювання? атоми є подільними складними
3.Які є характеристики поверхні електронейтральними об’єктами, в яких
тіла, яка випромінює? одними із структурних компонентів є
4.Яке тіло вважається абсолютно електрони;
чорним (АЧТ).
найістотніша за величиною взаємодія
5.Закон Кірхгофа для теплового
має електричний характер;
випромінювання.
6.Закони випромінювання АЧТ. атом одного елемента може
7.Формула Релея-Джинса та її перетворюватися в атом іншого.
практичне застосування. Залишалося нез’ясованим питання про
8.Формула Планка та квантування внутрішню будову атома. Адже, за теоремою
енергії. Ірншоу, ніяка конфігурація позитивних і
9.Безконтактні способи
негативних зарядів, пов’язаних між собою
вимірювання температури нагрітих тіл.
кулонівською взаємодією, не є стійкою. Навіть
Які розрізняють типи температур?
10.Зовнішній фотоефект. Рівняння якщо створити таку стійку систему, то
Ейнштейна для фотоефекту. нескінченно мале зміщення будь-якого із
11.Корпускулярна природа світла: зарядів незворотно цю стійкість знищує.
енергія та імпульс фотона. Запропонована Кельвіном 1902 року модель, за
12.Маса спокою фотона. Чому є якою позитивний заряд рівномірно
принциповим відсутність маси спокою у
розподілений по всьому об’єму атома, а
фотона?
електрони рівномірно розподілені на тлі
13.Тиск світла на поверхню. Яка
природа такого тиску? позитивного заряду, забезпечувала стійкість
14.В чому суть ефекту Комптона? атома. Така модель нагадує кекс з родзинками –
Що цей дослід довів? позитивне желе з вкрапленими в нього
електронами.
305
Англійський фізик Дж. Дж. Томсон частинки відхиляються на різні кути і
доповнив модель Кельвіна припущенням, що потрапляють на екран Е, який можна поміщати
електрони в цьому желе рухаються по в різних положеннях відносно фольги. Екран
замкнутих орбітах. Остаточно модель набула покритий флюоресцентною речовиною. За
назви модель атома Томсона. Упродовж 10 допомогою мікроскопа М можна спостерігати
років свого існування така модель дала змогу місця потрапляння – частинок за свіченням
описати складний характер явищ дисперсії і (спалахами) екрану. Поведінку – частинок
поглинання світла, породила вчення про
після проходження через фольгу вивчали і в
поляризацію світла, передбачила існування
камері Вільсона.
ізотопів тощо.
Μ
Англійський фізик Резерфорд піддав
сумніву правильність моделі Томсона. Він Ε
виконав досліди, в яких аналізували зміни в Свинець θ
траєкторіях потоку – частинок, що проходили θ
через надтонкі металічні пластинки. Φ
Джерело
Відхилення в траєкторіях фіксували спалахами α -частинок Μ
Ε
на флуоресцентному екрані в точках попадання Д
відхиленої – частинки. Маса – частинки в Рис.17.1.
7300 разів більша від маси електрона. Тому

зіткнення – частинки з електроном неістотно В результаті численних спостережень
таких спалахів було встановлено, що переважна
змінить її траєкторію. Проте зіткнення –
більшість – частинок відхилялась на кути 1-3°
частинки з масивним атомом може відчутно
щодо їх траєкторії перед пластинкою. Проте
змінити і траєкторію, і її енергію.
траплялися відхилені – частинки на кути до
– частинки утворюються під час
150°. Відхилені – частинки на кути, більші
природного радіоактивного розпаду деяких
ніж 90°, у середньому, спостерігалися лише
важких елементів і є позитивно зарядженими
одна на 8000. Попри їхню мізерну кількість,
частинками з зарядом 2e і масою, яка
вони є важливими з принципового погляду – їх
приблизно в чотири рази більша за масу атома
появу ніяк не можна обґрунтувати в рамках
водню.
моделі Томсона.
Спрощена схема досліду Резерфорда
З метою пояснення несподіваних
зображена`на рис.17.1. Джерело – частинок
результатів експерименту Резерфорд висунув
поміщене всередині свинцевої порожнини з
нове припущення про будову атома, за яким
вузьким каналом. Усі – частинки, крім тих, додатний заряд атома, на противагу до моделі
що рухаються всередині вузького каналу, Томсона, зосереджений у доволі малому за
поглинаються свинцем. Потік – частинок, розмірами об’ємі – ядрі. Електрони
пройшовши через вузьку діафрагму Д, обертаються навколо ядра, утримуючись на
потрапляє на тонку золоту фольгу Ф завтовшки орбітах внаслідок зрівноваження відцентрових
10-6 – 10-7м, що складається з декількох атомних сил силою кулонівського притягання до ядра.
шарів. При проходженні через фольгу – Така картина нагадує планетарну систему,
306
подібну до Сонячної, тому така модель будови знання квантових понять, які вивчаються
атома отримала назву планетарної моделі. пізніше.
Для обґрунтування планетарної Використовуючи закони збереження
моделі будови атома Резерфорд проаналізував енергії та імпульсу в замкнутій системі « –
процес розсіяння заряджених частинок на частинка – ядро» та беручи до уваги, що маса
атомах речовини з погляду класичної механіки. ядер значно більша від маси – частинки,
Коли частинка пролітає біля ядра, на неї діє Резерфорд знайшов таке співвідношення між
кулонівська сила відштовхування параметрами задачі розсіяння:
, (17.1)
де 2e заряд частинки, Ze заряд ядра Тут – кінетична енергія

речовини, r відстань між частинкою і – частинки ( – її швидкість та маса,
ядром. В цьому випадку траєкторія відповідно), а Z – зарядове число.
частинки є гіпербола. Схема процесу розсіяння Експериментально перевірити справедливість
зображена на рис.17.2. Тут р – так звана формули (17.1) неможливо через неможливість
прицільна відстань що, фактично, була б виміряти прицільний параметр р (рис.17.2).
відстанню найбільшого наближення – Закони динаміки дозволяють
частинки до атомного ядра якби вона пролітала розрахувати залежність кута відхилення від
без розсіяння. Припускається, що – частинки, параметра удару р, а методами теорії
влітаючи в область, зайняту атомом (на ймовірностей можна знайти ймовірність
рис.17.2 зображене ядро атома, заряд якого пролітання – частинки на даній відстані р від
+Ze) не розсіюються на електронах атома, а частинки і тим самим ймовірність її відхилення
лише на ядрі. Можна навести вагомі аргументи на кут . Розрахунок показує, що із загального
числа N падаючих частинок у пучку, число
розсіяних – частинок в тілесному куті
, що міститься між двома конічними
α 2e
поверхнями, твірні яких утворюють кути
Ze p з початковим напрямом руху –
+ частинок визначається за формулою:
θ
Рис.17.2.
(17.2)
де n – кількість ядер з розрахунку на одиницю

на підтвердження такого припущення. Маса –
площі поверхні мішені. Це і є формула
частинки, як зазначалося, набагато більша від
Резерфорда для розсіяння – частинок.
маси електрона. Тому енергетичні втрати –
Зауважимо, що формула (17.2) справедлива
частинки у разі однократного пружного
лише для малих значень прицільних віддалей р,
зіткнення з електроном будуть дуже малими і
тобто для частинок розсіяних тільки на великі
це не вплине на її траєкторію. Є також й інші
кути. Якщо прицільна віддаль велика, то
аргументи, які тут не подаємо, бо це вимагає
частинка пролітає поза ділянкою, зайнятою
307
атомом. Атом, загалом, тепер потрібно Орбіти електронів в атомі стаціонарні, атому
розглядати як електро- нейтральний. Характер властива виняткова стійкість. Стійкість атома
взаємодії між частинкою, що розсіюється, та не можна погодити з класичним поясненням
атомом змінюється – взаємодія стає відмінною ядерної моделі.
від точкової кулонівської. L
Для певної речовини (наприклад, υ
ar
золото), яка розсіює частинки при певній +e r me
-e
F Електрон
Ядро(
енергії і заданій густині потоку, добуток пр о то н )
повинен бути сталим, що було
експериментально підтверджено в дослідах Рис.17.3.
Гейгера і Марсдена. Крім висновку про Розглянемо, наприклад, ядерну модель

справедливість планетарної моделі атома, з найпростішого атома – атома водню. Для
досліду Резерфорда очевидним був ще один простоти допустимо, що електрон, маса якого
важливий висновок: кількість електронів в і заряд –е рухається рівномірно по коловій
атомі збігається з його порядковим атомним орбіті навколо протона (з зарядом +е), який
числом Z у періодичній системі елементів. займає центральне положення (рис.17.3). В
Оскільки в нормальному стані атом першому наближені рухом протона, маса якого
електронейтральний, то заряд ядра у такому майже в 1836 раз більша маса електрона, можна
атомі дорівнює +Z|e|. До того ж досліди знехтувати.
Резерфорда опосередковано свідчили про те, Сила, яка утримує електрон на орбіті,
що закон Кулона для взаємодії заряджених є сила кулонівського притягання між протоном
частинок залишається справедливим навіть для і електроном. Ця центральна сила дорівнює
дуже малих відстаней між ними.
, де r – радіус колової орбіти
На підставі результатів дослідів з
електрона. За другим законом Ньютона
розсіяння – частинок тонкими фольгами
запишемо рівняння руху електрона:
Резерфорд в 1910р. запропонував ядерну
модель атома. (17.3)
Згідно з цією моделлю, в центрі атома 2
де ar = /r – доцентрове прискорення
знаходиться ядро, в якому зосереджені
(рис.17.3). На основі рівняння (17.3) кінетична
позитивний заряд +Ze і практично вся маса
енергія електрона буде:
атома. Лінійні розміри ядра ~10-14 – 10-15 м.
Навколо ядра в області з лінійними (17.4)
розмірами ~ по замкнених орбітах Потенційна енергія системи (електрон
рухаються Z електронів, утворюючи протон)
електронну оболонку (електронний рій) атома.
(17.5)
Ядерна модель Резерфорда зовні дуже
нагадує Сонячну систему: у центрі – ядро, Знак «мінус» означає, що в даній
навколо нього по орбітах рухаються електрони. системі діють сили притягання, а не
Тому цю модель називають планетарною. відштовхування. Повна енергія системи
308
перестане існувати (рис.17.4). Крім цього, якщо
(17.6)
дана модель правильна, то оптичний спектр
Знак «мінус» показує, що дана система випромінювання водню (як і спектри інших
(електрон-протон) є зв’язаною.
υ
Енергія зв’язку електрона визначається -e
Електрон
як мінімальна енергія, яка необхідна для
повного видалення електрона із атома, або,
Ядро(протон)
другими словами, для іонізації атома. +e
Експериментальним шляхом було знайдено, що
для атома водню енергія зв’язку дорівнює 13,53
еВ. Підставляючи це значення енергії в (17.6)
для W, можна знайти радіус атома r: Рис.17.4.
-10
r = 0,53 10 м = 0,53 . елементів) повинні бути неперервними, а це
Лінійна швидкість звязана з означає, що всі атоми за дуже короткий час
частотою обертання електрона на орбіті будуть зруйновані. Обидва висновки
співвідношенням: = r. знаходяться в повному протиріччі з
Тоді із (17.3) можемо знайти, що експериментальними даними: атом є дуже
стійкою системою, а оптичні спектри газів
рад/с. (17.7) мають зовсім не неперервний розподіл за
частотою, а характеризується набором
Це значення теж співпадає із
дискретних частот, тобто мають лінійчасту
значенням , знайденим за допомогою інших
структуру. Всі ці факти привели до того, що
методів.
планетарна модель в класичному розумінні
Не зважаючи на певні успіхи в
швидко була признана такою, що не відбулась.
поясненні будови атома, які досягнуті в рамках
планетарної моделі і класичної теорії, перед
§17.2.Атомні спектри
фізиками постав ряд непереборних протирічь.
Так, згідно законів класичної електродинаміки:
Електричний розряд в трубці, яка
1) заряджена частинка, яка рухається
містить одноатомний газ під низьким тиском, є
з прискоренням, повинна неперервно
джерелом світла, аналіз якого за допомогою
випромінювати електромагнітну енергію
дифракційної решітки або спектрографа з
(§11.5, формула (11.41));
призмою, дозволяють виявити серію дуже
2) частота цього випромінювання
чітких ліній випромінювання. Ці лінії, які
повинна дорівнювати частоті обертання
характеризують газ, що використовується в
частинки навколо ядра. Отже, у відповідності з
трубці, називають лінійчастим спектром даного
цією моделлю повна енергія атома повинна
газу. Якщо в розрядній трубці
зменшуватись (стаючи все більше від’ємною),
використовується азот, то отримається так
тоді як частота обертання (формула (17.7))
званий смугастий спектр, який містить
повинна неперервно зростати. Розрахунок за
дискретні групи тісно розташованих ліній. Цей
формулою (11.43) показує, що при цих умовах
смугастий спектр характеризує двохатомні
за час ( с) електрон впаде на ядро і атом
309
Атомні спектри
молекули N2 і має інше походження порівняно з значення тут мали ідеї античної філософської
лінійчастими спектрами. Біле світло від піфагорійської школи. Послідовники цієї
джерела випромінювання з ниткою розжарення школи стверджували, що гармонія Всесвіту
характеризується суцільним спектром і містить завдячує містичній ролі цілих чисел у природі.
неперервний набір довжин хвиль. Якщо таке Під вливом ідей піфагорійців перебував з юних
світло пропускати через одноатомний газ, років і Й.Бальмер (1825 – 1898) – учитель
наприклад водень, то виникає спектр фізики жіночої гімназії м.Базеля (Швейцарія).
поглинання. При цьому на спектрограмі Впродовж багатьох років він шукав
отримується спектр з темними лініями на закономірності у сукупності атомних спектрів,
світлому фоні. Положення цих ліній відповідає вважаючи, що цілі числа мають тут мати не
довжинам хвиль яскравих спектральних ліній останнє значення.
випромінювання водню, тобто газ поглинає Докладно аналізуючи спектральні
падаюче випромінювання саме з такими лінії атома водню у видимій
довжинами хвиль. ділянці, Й.Бальмер зауважив, що вони
Дослідження атомних спектрів розташовані не випадково, а утворюють серію
започаткували ще 1860 року, коли була довжин хвиль, яку можна описати єдиною
опублікована праця Г. Кірхгофа і Р. Бунзена формулою.
«Хімічний аналіз за допомогою спостереження
(17.8)
спектра». У наступні роки такі дослідження
здійснювались доволі інтенсивно. Було де – емпірично визначена
встановлено характерну ознаку атомних постійна, а k=3, 4, 5, … цілі числа.
спектрів – їхню дискретність. Спектри Формула (17.8) настільки точно
складаються з набору вузьких смуг (ліній) описувала довжини хвиль ліній у видимій
певної частоти. Так, наприклад, у видиму ділянці спектра атома водню, що на неї відразу
ділянку спектра найпростішого хімічного звернули увагу. Стало зрозумілим, що за цією
елемента атомарного водню попадає лише простою емпіричною формулою криється
чотири лінії, які прийнято позначати глибокий фізичний зміст. По суті, з формули
. Й.Бальмера починається справжня наука про
Упродовж двох десятків років атоми та їхню внутрішню електронну будову.
інтенсивних досліджень атомних спектрів було Незабаром було звернуто увагу на те,
накопичено величезну кількість що формула (17.8) стає прозорішою і
експериментального матеріалу, складені змістовнішою, якщо її переписати не для
докладні таблиці. Проте у великому масиві довжин хвиль, а через частоти,
даних не вдавалося встановити якусь використовуючи співвідношення між частотою
закономірність, хоча було зрозуміло всім і довжиною електромагнітної хвилі
дослідникам, що в цих таблицях захована повна , тоді
інформація про будову атома. , (17.9)
Перші вагомі успіхи у класифікації
або
атомних спектрів, зокрема водню, були
, (17.10)
отримані 1885 року. Як це не дивно, але певне
310
Атомні спектри
с Якщо ввести у формулі (17.11)
де с ,а
позначення Tn= , яке називається термом,
. Постійні величини і називають
то частоту будь-якої лінії спектра водню можна
сталими Рідберга. За формулою (17.10) можна
подати як різницю між двома термами, а саме
розрахувати довжини хвиль спектральних ліній
(17.13)
в серії Бальмера. Для k=3 =6,563 10-7 м
(червона лінія ), для k=4 =4,861 10-7 м На перший погляд може здатися, що
-7
(голуба лінія ), для k=5 =4,339 10 м введення поняття терма є тривіальним, не
(голуба лінія ), для k=6 =4,101 10-7 м більше ніж перепозначення. Насправді це не
(фіолетова лінія ). При k= ми отримаємо так. Подання частоти як різниці двох термів
границю серії, наприклад, для серії Бальмера мало вагомі наслідки для подальшого розвитку
= 4/R =3,645 10 м. -7 теорії атомних спектрів. Важливо, що
Спектральні серії водню емпірична формула (17.11) записана для атома
Табл. 17.1 водню. Проте залишалося нез’ясованим
питання про принципову можливість написання
Область Формула Границя серії
Серія
спектру серії (k=∞), λ∙107, м подібної простої формули для класифікації
1 (1− - −1 ), спектральних ліній складніших атомів.
Лаймана Ультрафіолетова −λ =R λ 12 k 2 0,91127
k =2,3,4... Враховуючи запис частоти спектральної лінії
1 -1− ) ,
−1 =Rλ ( − атома водню у формі (17.13), Й.Рідберг надав
Бальмера Видима λ 22 k 2 3,6456
k =3,4,5... спектральним лініям різних елементів форму
1 1
−1λ=R λ ( 3−2 - k− 2), комбінації термів, застосувавши для терма
Пашена Інфрачервона 8,2014
k =4,5,6... емпіричну формулу.
Брекетта Інфрачервона −1λ =Rλ ( −

1 - 1− ) ,
42 k 2 14,580
k =5,6,7...
1 1 -−
1 ),
Пфунда Інфрачервона −λ =R λ( −
52 k 2 22,782 Тут – дійсні числа, які мають
k =6,7,8...
значення емпірично підібраних параметрів. На
1 1 1
− =R λ( −2- −2) ,
Хемфрі Інфрачервона λ 6 k 32,806 підставі такої формули вдалося здійснити
k =7,8,9...
класифікацію спектральних ліній багатьох
Пізніше подібна аналітична
елементів таблиці Менделєєва.
залежність спостерігалась в інших,
Продовжуючи дослідження
ультрафіолетовій та інфрачервоній, ділянках
Й.Рідберга, 1905р. В.Рітц сформулював
спектра атомарного водню. Всіх їх можна
комбінаційний принцип, за яким будь-яку
об’єднати в так звану узагальнену формулу
спектральну лінію будь-якого атома можна
Бальмера.
подати як різницю термів. Не важливо чи
(17.11) відомі аналітичні вирази для термів. Набір
спектральних ліній атомів, виглядаючи на
, (17.12)
перший погляд хаотичною сукупністю,
де n=1,2,3,4,… визначає серію, а розпався на цілком визначені серії із чіткими
k=n+1,n+2,n+3,… визначає окремі лінії серії закономірностями їх розташування. Замість
(Табл.17.1) . великої кількості спектральних ліній достатньо
311
Постулати Бора. Теорія атома водню
знати набагато меншу кількість термів. Правда, На початку лютого 1913р. суто
комбінуючи терми, можна передбачувати випадково Н.Бор зустрів студентського
спектральні лінії, які насправді не приятеля Ханса Хансена, який розказав йому
спостерігалися. Згодом з’ясувалося, що у про спектральні формули Бальмера, Рідберга,
спектрі відсутні окремі спектральні лінії через Рітца. Н.Бор згадував: «Як тільки я побачив
так звані правила відбору, які чітко були формулу Бальмера, мені все одразу ж стало
встановлені та обґрунтовані квантовою ясно» Прийнявши гіпотезу Планка про кванти
теорією. енергії, формулу (17.11) помножимо на сталу
У результаті виконаної класифікації планка Тоді вона перепишеться так:
спектрів стало зрозуміло, що спектральні ,
закономірності мають фундаментальний
або
характер і визначаються внутрішньою будовою
(17.14)
атома. Однак встановити зв'язок структури
де – квант енергії випромінювання
спектра з будовою атома та фізичними
дорівнює різниці двох значень енергії атома
процесами на атомному рівні не вдавалося
впродовж багатьох років. Лише 1913 року у цій водню ( енергія до випромінювання,
проблемі було досягнуто ясності. енергія після випромінювання).

Для усунення протиріччя планетарної
моделі атома із законами класичної
§17.3.Постулати Бора. Теорія атома
водню електродинаміки Нільс Бор припустив, що,
Як вже зазначалося, планетарна рухаючись по орбіті, електрон не випромінює
модель атома не узгоджувалася із законами електромагнітні хвилі, а залишається на орбіті
класичної електродинаміки. Рух електрона по достатньо тривалий час. Упродовж 1913 року
замкнутих орбітах навколо ядра є прискореним. Н.Бор опублікував три праці, в яких він
За законами класичної електродинаміки сформулював свої знамениті постулати.
пришвидшений рух заряду завжди З цього приводу американський фізик
супроводжується випромінюванням (один із творців теорії надпровідності) Леон
електромагнітних хвиль. Електромагнітні хвилі Купер сказав: «Звичайно, було дещо
переносять енергію, тому електрон, втрачаючи самонадіяно висувати припущення, які
енергію на випромінювання, має впасти на протирічили електродинаміці Максвелла і
ядро. Ніхто не міг спростувати цей важливий механіці Ньютона, але Бор був молодим».
наслідок законів електродинаміки. Проте ПОСТУЛАТ 1 (Про стаціонарні стани).
існування стабільних атомів також є Атоми можуть перебувати тільки у
незаперечним фактом. Данський фізик Нільс визначених станах, в яких, попри рухи
Бор перший дійшов висновку, що протиріччя електронів по замкнутих дискретних орбітах,
моделі Резерфорда з класичною вони не випромінюють енергію. У цих станах
електродинамікою можна усунути лише тоді, атоми мають енергію, яка утворює
коли відмовитися від класичного дискретний ряд: W1,W2,…,Wn,… . Ці стани
(ньютонівського) опису руху електрона по характеризуються стійкістю: будь-яка зміна
замкнутих орбітах у планетарній моделі атома. енергії Wn завдяки випромінюванню чи
312
Постулати Бора. Дослід Франка і Герца
поглинанню електромагнітного Дж. Франка і Г. Герца (1914р.). Установка, яку
випромінювання або інших форм обміну атома вони використовували схематично показана на
енергією може відбуватися у разі повного рис.17.5,а. В трубці із гарячим катодом К,
переходу із одного стану в інший. живлення якого здійснюється від батареї , із
За цим постулатом електрони під час сіткою С і анодом А знаходяться пари ртуті при
руху навколо ядра майже весь час перебувають низькому тиску при температурі біля 150 °С.
на стабільних, незалежних від часу орбітах, які
Пари
Ia Γ
мають цілком визначену енергію. Такі орбіти ртуті
Ur 1
називають стаціонарними. А
Далі, для пояснення спектральних

С
К
. а
Ua 2
закономірностей, зумовлених процесами .
поглинання і випромінювання 3 Uf
електромагнітних хвиль пропонується такий
постулат.
ПОСТУЛАТ 2 (Правило частот). Ia
У разі переходу з одного
стаціонарного стану в інший атоми
випромінюють чи поглинають D
електромагнітні хвили визначеної частоти.
Випромінювання, що висилається або C
б
поглинається у разі переходу із стаціонарного
B
стану Wk у стаціонарний стан Wn, є 4,9
A
монохроматичним і його частота
визначається співвідношенням:
0 5 10 15 20 25 Ua ,В
(17.15)
Рис.17.5.
Теорія Бора, побудована на
Між катодом і сіткою прикладена
сформульованих постулатах, блискуче
прискорююча різниця потенціалів Ua, яку
пояснила структуру спектральних ліній атома
можна змінювати від 0 до 60В. Між анодом і
водню. Власне, Н. Бор і брав за основу ці
сіткою створюється невелике гальмівне поле з
експериментальні дані під час формулювання
різницею потенціалів Ur Дуже
своїх постулатів. Тому відразу постало питання
чутливий гальванометр Г, який включений,
про безпосередні, незалежні підтвердження
послідовно в коло анода, вимірює анодний
постулатів Бора, про наявність стаціонарних
струм Характерна крива залежності
станів та правил переходу між ними.
анодного струму Ia від прискорюючого
потенціала Ua приведена на рис.17.5,б.
Дослід Франка і Герца
Виявилось, що із збільшенням Ua, як і в будь-
Першим експериментом, в якому
якій електронній лампі, анодний струм зростає,
безпосередньо було підтверджено
однак цей ріст не є монотонним, а
справедливість постулатів Бора став дослід
супроводжується різкими спадами струму
313
Постулати Бора. Теорія атома водню
кожний раз, коли Ua збільшується приблизно на Цей результат, а також той факт, що
5В. відстань між двома сусідніми спадами струму Ia
Немонотонності кривої є результатом дорівнює приблизно 4,9В, переконливо
взаємодії електрона з атомами ртуті. Маса доводить існування дискретних енергетичних
атома ртуті майже в 400000 разів перевищує рівнів в атомі ртуті. Удосконалена методика
масу електрона. Поки енергія бомбуючого експерименту дозволила визначити також
електрона не перевищує 4,9еВ, його зіткнення з енергії збудження для інших енергетичних
атомами ртуті є пружними (електрон рівнів. І не дивно, що за ці чудові досліди Дж.
розсіюється на атомах без зміни енергії, Франк і Г. Герц в 1925р. отримали Нобелівську
змінюючи лише свою траєкторію). Такий премію з фізики.
електрон не здатний збудити атом ртуті. Покажемо, слідом за Бором, до яких
Ситуація докорінно змінюється після наслідків призводять сформульовані постулати
досягнення електроном енергії 4,9 еВ. Тепер для атома водню. Рівняння (17.3) допускає
електрон може збудити атом ртуті, передавши безмежну кількість замкнутих колових орбіт.
йому частину своєї кінетичної енергії. Таке Постає питання про існування стаціонарних
зіткнення електрона з атомом ртуті є орбіт серед безмежної кількості можливих.
непружним. В результаті таких зіткнень Перший постулат Н. Бора стверджує, що
енергія електронів наскільки зменшується, що стаціонарні орбіти існують. Тоді відразу таке
електрони не можуть подолати слабке запитання: «А як стаціонарні орбіти вирізнити
затримуюче поле, яке створюється різницею з-поміж безмежної кількості всіх можливих,
потенціалів Ur, і не досягають анода. Анодний що задовольняють співвідношенню (17.3)?».
струм при цьому різко зменшується. Якщо Ось тут Н. Бор зрозумів, а можливо і вгадав, як
прискорюючий потенціал Ua збільшити ще на відповісти на це запитання. І ця відповідь була
5В, то електрони можуть зазнати ще одне простою, тому і геніальною.
непружне зіткнення і втратити при цьому Уже від 1905 року в науці утвердилися
повністю свою енергію. Це пояснює другий і завоювали визнання квантові ідеї, про що
спад (спостерігається на кривій струму при йшлося у попередньому розділі. Нагадаємо, що
Ua=10В), який буде більш різким, ніж перший стала Планка h має розмірність дії і на початку
спад, так як відповідає електронам, які зазнали названа Планком квантом дії. Але ж поняття дії
два непружних зіткнення. Третій спад струму Ia у класичній механіці відоме ще з часів
відповідає електронам, які зазнають три Гамільтона і Лагранжа. Розмірність дії має
непружних зіткнення, і т.д. Кожний раз, коли орбітальний момент імпульсу .
відбувається непружне зіткнення, атом ртуті ще називають моментом кількості
переходить у збуджений стан і потім, руху. Він перпендикулярний як радіусу-вектору
повертаючись в основний стан, випромінює так і вектору кількості руху m (рис.17.3).
фотон з довжиною хвилі =2536 =0,2536 мкм, Величина орбітального моменту імпульсу для
що відповідає переходам атомів ртуті із колового руху електрона навколо силового
першого збудженого стану в основний стан. центру (ядра) є (рис.17.3).
Енергія такого фотона дорівнює Бор відчував, що є глибинний зв'язок
= hc/ = 4,89 eB. між двома "мінімальностями" в природі:
314
Теорія атома водню
існуванням найменшої величини для розміри атома водню були оцінені
розмірів "електронного рою" в атомі. Меншою експериментально. Теоретичне значення
ця величина бути не може; радіуса Бора (17.19) виявилося доволі близьким
існуванням найменшої величини для до експериментального значення радіуса атома
фізичної дії, менше якої не буває. водню. Це було ще одним аргументом на
Весною 1912р. Бор дійшов висновку, користь теорії Бора.
що будова "електронного рою" в Енергію електрона у кулонівському
резерфордовському атомі управляється квантом полі ядра, заряд якого |e|, отримаємо,
дії сталою Планка " ". підставивши значення радіусів орбіт (17.18) у
Отже, коли фізична величина має формулу (17.6).
розмірність дії, то найменше числове значення, Тоді
яке вона може набувати дорівнює сталій = eB. (17.20)
Планка, а більші значення – кратні сталій
Стан атома із найменшим значенням
Планка. Після тривалих міркувань і
розрахунків Н.Бор дійшов висновку, що енергії (n=1) називається основним. Для атома
стаціонарні можуть бути лише ті колові орбіти, водню основному стану згідно (17.20)
для яких орбітальний момент імпульсу кратний відповідає енергія W1 = 13,6eB. Відповідно до
ħ: другого постулату (17.15) для атома водню
. (17.16) частоти переходу із стану Wk у стан Wn будуть:
Ціле число n називається квантовим числом.

(17.21)
Рівняння (17.13) і (17.16) утворюють
систему двох рівнянь з двома невідомими r i .
Порівняння останнього виразу з
Розв’язок цієї системи дає, що:
узагальненою формулою Бальмера (17.11)
, (17.17) засвідчує, що вони повністю збігаються, якщо
сталу Рідберга вибрати такою, що дорівнює
а
, (17.18)
Отримане значення співпадає з
де n=1,2,3, … . експериментальним значенням. Це був успіх
Тут у позначені радіуса орбіти теорії Бора.
введений індекс n, щоб підкреслити залежність Зобразимо енергетичні рівні
радіуса від цього квантового числа. (рис.17.6), що описуються формулою (17.20), у
Радіус , найменшої колової орбіти вигляді ліній, на яких цифри визначають

квантові стани n. За початок відліку прийнятий
для атома водню, позначається як
стан з n→ , який позначемо W=0. Електрон з
(17.19)
енергією W здійснює необмежений
і називається радіусом Бора. У певному (інфінітний) рух у полі атомного ядра за
розумінні радіус Бора визначає розміри гіперболічними траєкторіями. За такого руху
атома водню. Задовго до створення теорії Бора електрон може мати довільне додатне значення
315
Теорія атома водню
енергії. Коли W<0, то електрон здійснює рис.17.6 легко пояснити виникнення серіальних
обмежений (фінітний) рух по замкнутих спектральних ліній в табл.17.1.
орбітах, а його енергії можуть мати тільки
дискретні значення (17.20). Воднеподібні атоми
Теорію Бора можна з успіхом
Wn ,eВ
використати і при розгляді воднеподібних
W>0
n=∞ 0 атомів, тобто атомів, які складаються із ядра з
Збуджені стани
n=5 -0,54
n=4 -0,84 зарядом Ze і одного електрона. До таких атомів
n=3 -1,51
Серія належать один раз іонізований атом гелію Не+
Пашена
(Z=2), два рази іонізований атом літія Li2+ (Z=3)
n=2 -3,40
H H H H і т.д.
Серія Для воднеподібних атомів радіуси
Бальмера
дозволених орбіт електрона визначаються за
формулою
, (17.23)
яка подібна до формули (17.18). Енергія
електрона на орбіті визначається за формулою
еВ, (17.24)
яка отримується із формули (17.20).
Таким чином, теорія Бора пояснила
Основний стан
n=1 -13,6 зміст відомих на той час (1913р.) серіальних
Серія
формул і передбачила ще серії в інфрачервоній
Лаймана
Рис.17.6.
області спектра, які пізніше були виявлені
експериментально. Стала Рідберга, яку
Стан n=1 відповідає основному
отримали з теорії Бора, дивовижно добре
(нормальному) станові електрона, а всі стани з
узгоджується з експериментальним значенням
n 2 – відповідають збудженим його станам.
цієї величини. Це говорить про те, що теорія
Вертикальні стрілки, спрямовані догори,
Бора правильно описує будову атома водню.
відповідають переходам між відповідними
Теорія Бора була важливим кроком в
станами з поглинанням атомом енергії, а в
розвитку теорії атома. Вона показала
зворотньому напрямку (рис.17.6) – з
непридатність класичної фізики для пояснення
випромінюванням енергії за другим постулатом
внутрішньотамних явищ і головну роль
Бора.
квантових законів у мікросвіті. Разом з тим
Із формули (17.20) і рис.17.6 видно,
теорія Бора опиралась на класичну механіку і
що якщо атом знаходиться в основному стані
не була ні послідовно класичною, ні послідовно
(n=1), то для видалення електрона із атома
квантовою і могла бути тільки перехідним
необхідна енергія 13,6 еВ. Отже, енергія зв’язку
станом на шляху створення послідовної теорії
і енергія іонізації для атома водню, який
атомних явищ.
знаходиться в основному стані, дорівнюють
Wзв=Wіон=13,6еВ. За допомогою схеми на
316
Подальший розвиток теорії Бора
Робота Бора – одне з гідних подиву де p=m – імпульс точки, х – зміщення від
явищ в історії науки. Тільки геніальним положення рівноваги, власна
просвітленням можна пояснити появу цієї частота коливання осцилятора, яка не залежить
теорії до того, як з'ясувались хвильові від амплітуда коливання. На рис.17.7,а
властивості частинок. Саме з цього приводу зображена траєкторія осцилятора у фазовому
Ейнштейн сказав: «…вища музикальність в просторі {x;p} для заданого постійного
області теоретичної думки».
p
W=const
§17.4.Подальший розвиток теорії Бора. b
Квантування Бора-Вільсона- y0
Зоммерфельда -а 0 x0 а X
Г
-b
Постулати Бора, констатуючи dS=pdx
а
наявність в атомі водню стаціонарних орбіт із p
визначеними значеннями енергії електронів та
правил переходу електронів між стаціонарними
орбітами, не до кінця пояснюють фізичну
0 X
природу постулатів, не встановлюють
фундаментального зв’язку між стаціонарними б
станами електронів та їх динамікою по орбітах Рис.17.7.Траєкторія гармонічного
в кулонівському полі ядра. До того ж Н. Бор осцилятора у фазовому просторі для заданого
для побудови теорії спектрів атома водню значення енергії W – (а): сім’я траєкторій
гармонічного осцилятора для різних значень його
застосував правило квантування (17.16). енергії – (б). Площі, обмежені будь-якими сусідніми
Відразу виникла потреба у фізичному траєкторіями, однакові за величиною.
осмисленні цього правила та його узагальненні.
Цю працю було пророблено, переважно, значення повної енергії W осцилятора. Такою
В. Вільсоном (1915р.) та, незалежно, траєкторією є еліпс з півосями та
А. Зоммерфельдом (1916р.). Продемонструємо
це на прикладі гармонічного осцилятора, . Класичний опис руху осцилятора
максимально дотримуючись міркувань і на підставі теорії звичайних диференціальних
висновків праці А.Зоммерфельда. рівнянь другого порядку вказує, що, якою б не
Розглядається матеріальна точка маси була початкова умова { }, через цю точку

m, що здійснює лінійний рух у потенціальному фазового простору обов’язково проходить одна
полі U(x)= kx /2. 2 і лише одна траєкторія. Через початкові умови
Це може бути тягарець, маса якого m, однозначно визначається також енергія
що коливається за допомогою ружини осцилятора. Отже, кожному значенню енергії
жорсткістю k. Повна енергія такого осцилятора: осцилятора відповідає своя траєкторія, яка
описується канонічним рівнянням еліпса
. (17.25)
317
Квантування Бора-Вільсона-Зоммерфельда
Площа еліпса . Підставивши вирази сторони, а з другої сторони
для довжин півосей a та b, знайдемо
= (рис.17.7,а).
, (17.26)
Порівняння цих двох формул дає
де – лінійна частота коливання правило квантування (редакція
осцилятора. А. Зоммерфельда)
Тепер до формулювання правила
, n=1, 2, 3, … .(17.29)
квантування залишається виконати одну, проте
доволі сміливу дію. З формули (17.26) бачимо, Тут n – квантове число, за допомогою
що площа еліпса у фазовому просторі має якого перенумеровуються дискретні рівні
розмірність дії: [S] = Дж с. Але ж розмірність енергії. Інтегрують у (17.29) по замкнутому
дії має також стала Планка – квант дії. контуру Г на площині (рис.17.7,а).
Позначимо через різницю між постійними Після створення сучасної квантової
енергіями осцилятора, фазовими траєкторіями теорії правила квантування Бора-Вільсона-
яких є два сусідніх еліпси. Тоді, відповідно до Зоммерфельда, або так звана стара квантова
формули (17.26), теорія, втратили своє принципове значення для
квантової фізики. Проте інколи ця теорія
. (17.27)
набуває практичного застосування під час
На рис.17.7,б схематично зображено
знаходження дискретних рівнів енергії
сімейство траєкторій, що задовольняють цю
квантових частинок, які здійснюють періодичні
умову. Перенумеруємо еліпси із вказаного
рухи у потенціальних силових полях. В
сімейства цілими додатними числами 1,2,3, …,
загальному випадку, правила квантування
n, а відповідні значення енергії осцилятора W1,
Бора-Вільсона-Зоммерфельда дають задовільні
W2,W3,…,Wn. Тоді енергія, що відповідає n му результати тільки тоді, коли рух квантової
еліпсу, частинки є близьким до класичного.
, n=1, 2, 3, … . (17.28) Здебільшого це випадки руху частинок у
потенціальному полі з великим значенням
Квант енергії –
енергії. Точніше, коли різниця енергій між
абсолютне значення різниці енергій для двох
двома сусідніми дискретними рівнями мала
будь-яких сусідніх фазових траєкторій.
порівняно з енергією цих рівнів:
Ґрунтуючись на прикладі
гармонічного осцилятора та ще декількох Wn Wn+1 Wn << 1.
простих моделей, було зроблено узагальнення Покажемо, що правило квантування

(17.16) очевидне з умови квантування (17.29).
правила квантування (17.27 17.28) на довільні
Якщо електрон рухається по коловій орбіті,
механічні системи з одним ступенем вільності,
радіус якої r, як це припускається в теорії Бора,
що здійснюють рух по замкнутій траєкторії у
то для обчислення інтеграла у (17.29) зручно
фазовому просторі. Порівнявши (17.26) і
(17.28) знайдемо, що площа еліпса, яка перейти до полярної системи координат {r, }
відповідає енергії Wn, буде Sn=nh з однієї (рис.17.8) за формулами:
318
Квантування Бора-Вільсона-Зоммерфельда
Під час руху електрона по колу, радіус якого r з кутом відстань r від ядра теж є змінною
(r = const), його просторове положення величиною (рис.17.9).
відносно силового центра (ядра) однозначно Y
υ me
визначається тільки однією координатою – b r
φ
полярним кутом (0 ). _a
0 a X
Швидкість , +Z e
_
кінетична енергія , а b
Γ
потенціальна , так як r =
к
const. Імпульс електрона , а Рис.17.9.
імпульс, що відповідає координаті Правила квантування Зоммерфельда
для еліптичних орбіт записуються так:
.
Y
(17.31)
υ
rsinφ
r · me
φ
де азимутальне, а nr – радіальне
0 rcosφ X
квантове число.
Перша квантова умова, як і для
колових орбіт, також призводить до
Рис.17.8. квантування орбітального моменту імпульсу
Тоді (17.29) перепишеться так: (17.16). Обчислення інтеграла у другій умові є
технічно значно складнішою задачею.
Докладніше про це можна дізнатись з
додаткової літератури. Наведемо тут лише
Звідки отримаємо основні фізичні висновки.
, (17.30) Розв’язання А. Зоммерфельдом задачі
що відповідає правилу квантування Бора для (17.31) для еліптичних орбіт вказує на те, що
колових орбіт ( =1, 2, 3, …). квантові числа nr та задовільняють умові
Розвиваючи теорію Н.Бора і n= nr+ . (17.32)
ґрунтуючись на дослідженнях В.Вільсона,
Тут азимутальне та радіальне nr квантові
А.Зоммерфельда припустив, що орбіта
числа можуть набувати таких значень: =1,
електрона у атомі водню є еліптичною. В
2,3,…,n; nr = 0, 1, … , (n 2), (n 1).
одному з фокусів еліптичної орбіти перебуває
ядро атома. Це припущення ґрунтувалося на Повна енергія електрона в полі
поширенні планетарної моделі Сонячної атомного ядра набуває дискретних значень, які
системи на атоми. Це цілком логічно і визначаються формулою (17.24). Велика піввісь
виправдано, бо планети Сонячної системи і еліпса
електрони атома рухаються у потенціальних , (17.33)

силових полях, які мають схожу математичну а мала –
структуру. При русі електрона по еліпсу поряд , (17.34)
319
Просторове квантування
де – радіус першої боровської орбіти. §17.5.Просторове квантування
Для основного стану n=1 азимутальне
квантове число може набувати значення =1, Ми розглянули рух електрона в
а nr = 0. Орбіта електрона в цьому стані є площині еліптичної орбіти, тобто при двох
ступенях вільності (два квантові числа:
коловою a = b = . Для першого збудженого
азимутальне і радіальне nr). Положення
стану n = 2 допустимими є такі набори
електрона в просторі характеризується трьома
квантових чисел: { =2, nr = 0}, що відповідає
координатами, тому необхідно враховувати
a = b = 4 і { =1, nr = 1}, що відповідає
просторову орієнтацію самої орбіти. В атомі всі
a=4 , b=2 (тобто рух по еліпсу). Для n=3 напрямки рівноймовірні. Однак фізично можна
можливими є три орбіти, які визначаються створити напрямки, які відрізняються від
таким набором квантових чисел: { =3, nr = решти. Такими напрямками можуть бути
0};{ 2, nr = 1};{ 1, nr = 2}. Ці орбіти напрямки зовнішнього магнітного і

електричного полів. Допустимо, що атом з
зображені на рис.17.10. У теорії Зоммерфельда
орбітальним електроном знаходиться в
з (17.33) і (17.34) витікає, що відношення
магнітному полі. Атом має магнітний момент і
півосей еліптичних орбіт задається виразом
у зовнішньому магнітному полі повинен
(17.35) поводити себе як магніт, тобто повинен зайняти
n ᵠ=3 положення, при якому магнітний момент буде
nᵠ=1 n =2 nᵠ=1 nᵠ= 2

ᵠ
r= 4a0 nᵠ=1
r =a0 r =9a0
n =1 n=2 n= 3
Рис.17.10.Стаціонарні орбіти основного
(n=1) та двох збуджених рівнів (n=2;3) атома водню.
Із (17.35) витікає, що чим менше Рис.17.11.

азимутальне квантове число , то тим більше або паралельний або антипаралельний полю
витягнутий еліпс (рис.17.10). Необхідно (див. ). Однак атом володіє також і
зазначити, що при русі різними еліпсами з моментом кількості руху , який перешкоджає
одним і тим самим квантовим числом орієнтації магнітного момента. Звідси витікає,
електрон має однакову енергію. Тому говорять, що в магнітному полі атом повинен поводити
що має місце виродження по азимутальному себе так, як звичайне веретено (дзиґа) поводить
квантовому числу . При наявності, себе в полі тяжіння, тобто рух електрона по
наприклад, зовнішнього електричного поля еліпсу супроводжується одночасним
еліптичні орбіти, з однією енергією, але різної обертанням еліпса навколо силової лінії поля
форми, будуть збуджені по-різному і це (має місце прецесія еліпса). В результаті
впливає на енергетичний спектр. еліптична орбіта виходить не замкненою, а
подібною на розетку (рис.17.11).
320
Просторове квантування
Положення площини орбіти електрона Магнітне квантове число може
по відношенню до виділеного напрямку мати цілих додатніх, від’ємних і нульове
визначається кутом між напрямком момента значення, тобто всього (2 +1) значень:
кількості руху і виділеним напрямком
(17.39)
(напрямок індукції магнітного поля ). Цей тип
Таким чином, при дії на атом
руху в атомі теж квантований. На рис.17.12
зовнішнього магнітного поля можуть
зреалізовуватись тільки такі орієнтації орбіт,
Z B
при яких проекція на вісь Z, яка співпадає з
L Lz −e
me υ напрямком магнітного поля момента
rmax
α r
кількості руху кратна . В цьому і полягає
суть просторового квантування. Квантування
проекції моменту кількості руху Lz на напрямок
ядро магнітного поля означає також, що квантується
rmin X і проекція орбітального магнітного моменту pmz
(рис.17.12). Зв’язок між орбітальним магнітним
Y моментом і моментом кількості руху , як
pm було встановлено раніше (§6.2), задається

pmz
гіромагнітним відношенням:
, (17.40)
Рис.17.12.
де me – маса електрона. Очевидно, що і для
зображено положення орбіти електрона і проекції pmz і Lz, згідно рис.17.12, можна
орієнтація в просторі координат X,Y,Z. Згідно записати:
рисунку Lz=Lcos . Враховуючи умову (17.41)
квантування Бора (17.30), отримаємо, що
Враховуючи умову квантування
проекція на напрямок (вісь Z), буде:
(17.37), отримаємо, що
(17.42)
Позначимо
, (17.36) Величина Дж/Тл є
і отримаємо елементарним магнітним моментом і

, (17.37) називається магнетоном Бора.
де отримало назву магнітного квантового Таким чином, проекція магнітного
числа. Так як 1 , то можливі моменту атома на напрямок магнітного поля
значення = знаходяться в межах кратна елементарному магнітному моменту –
магнетону Бора.
. (17.38)
Підтвердженням теорії просторового
квантування є ефект Зеємана і досліди Штерна і
Герлаха.
321
Ефект Зеємана. Дослід Штерна і Герлаха
§17.6.Ефект Зеємана отримаємо:
Ефект Зеємана був відкритий в 1896 р.

Суть його в тому, що при дії на атом m
+2
зовнішнього магнітного поля його +1
nᵩ=2
енергетичний стан змінюється і стає залежним 0
-1
-2
від магнітного квантового числа , що
проявляться в розщепленні спектральних ліній
ћ(ω0 +∆ω)
ћ(ω0 -∆ω )
ћω0
ћω 0
на декілька компонентів. Причину такого
розщеплення легко пояснити наявністю у
m
електрона, який обертається навколо ядра, nᵩ=1 +1
0
магнітного орбітального моменту (17.42). -1
Магнітний момент в магнітному полі B=0 B≠0
має енергію , де – Рис.17.13.
проекція магнітного моменту на напрямок поля

(§5.8). Це означає, що в магнітному полі атом з Експериментально спостерігати ефект
урахуванням (17.42) отримає додаткову Зеємана можна в сильних магнітних полях,
енергію, яка залежить від квантового числа : коли B ~ 1 Тл. Для видимої області спектру
, (17.43) ( ~ 0,55 мкм) і = +1, отримаємо:
де як відомо = 0, . Якщо м .
Як бачимо, розщеплення дуже мале і
= 1, то приймає значення 1,0,+1 (тобто
для його спостереження потрібні прилади з
знімається виродження по магнітному
великою роздільною здатністю.
квантовому числу і такий енергетичний
Необхідно зазначити, що таким
рівень розщеплюються на три рівні). При способом розщеплюється невелика кількість
, = 2, 1, 0 , +1, +2. ліній спектру, і в більшості випадків
На рис.17.13 показано розщеплення розщеплення має більш складний характер,
рівнів і спектральних ліній випромінювання. особливо в слабких магнітних полях. Складна
При відсутності магнітного поля картина розщеплення спектральних ліній в
спостерігається одна лінія з частотою . При слабких магнітних полях отримала назву
включені магнітного поля крім лінії аномального ефекта Зеємана, який в рамках
виникають лінії і . Поява цих теорії Бора не має пояснення.
ліній (або, як говорять, зміщення компонентів)
називається нормальним (або Лоренцовим) §17.7.Дослід Штерна і Герлаха
зміщенням або нормальним ефектом Зеємана,
класичне пояснення якого дав Лоренц. Теорія просторового квантування була
Величину нормального зміщення можна підтверджена в дослідах Штерна і Герлаха по
оцінити із (17.43), прийнявши, що розщепленню пучків атомів в неоднорідному
Врахувавши, що і магнітному полі в 1922р. Прилад, який
322
Дослід Штерна і Герлаха
використовувався в дослідах Штерна і Герлаха, За теорією просторового квантування,
схематично зображений на рис.17.14. В балоні з площини орбіт атомів срібла можуть
вакуумом розміщена піч для випаровування орієнтуватись по відношенню до напрямку
срібла (атоми срібла воднеподібні). Для магнітного поля тільки дискретними способами
створення вузького направленого пучка (17.42). При = 1 магнітне квантове число
використовувались щілини коліматора. Потім може приймати значення –1,0,+1. Атоми, які
атоми попадають в сильно неоднорідне летять з магнітними моментами, що орієнтовані
магнітне поле з особливою формою полюсних по напрямку поля, тобто такі, для яких
наконечників. Неоднорідне магнітне поле , повинні відхилятись в одну сторону, атоми
створюється з наступних міркувань. Сила, яка з магнітними моментами, які орієнтовані так,
X dB
Щілини коліматора
dx що для них , повинні відхилятись
F >0,коли ms = −1/2
S B
Фото- настільки ж в протилежну сторону. Атоми, які
пластинка
....... .
мають напрямок магнітного моменту, який
Піч
N
F<0,коли ms =+1/2 перпендикулярний полю, тобто для яких
Магніт
Пучок атомів срібла , не повинні зазнавати відхилення.
Рис.17.14.
діє на магнітний момент в неоднорідному

магнітному полі (див.§5.8), виражається
формулою , де – магнітний
момент атома, кут між напрямками

векторів і , dB/dx – градієнт індукції
магнітного поля. Щоб сила була
якнайбільша, для цього і створювалось сильно
неоднорідне поле (похідна dB/dx має велике
значення). Коли магнітне поле відсутнє, то на
екрані (фотопластинці) пучок атомів залишав
слід у вигляді смужки, яка відповідала Рис.17.15.Розщеплення пучка парів натрію
в магнітному полі: а – у відсутності поля; b – в
розмірам пучка атомів (рис.17.15,а). присутності поля.
Із класичної фізики відомо, що в
магнітному полі площини орбіт відносно Пучок повинен розпастись на три
напрямку магнітного поля можуть окремих пучки. Дослід з атомами натрію
орієнтуватись як завгодно (кут може (рис.17.15,b), срібла (а пізніше і з атомами
приймати довільні значення). А оскільки на водню) показав, що атомний пучок дійсно
магнітні моменти в неоднорідному полі діє розпадається, але не на три, а на два пучки
сила, то на екрані можна чекати розширення (середній пучок, який не повинен відхилятись,
смужки порівняно із випадком, коли В=0 (поле був відсутній) (рис.17.16). На цьому ж рисунку
відсутнє). показано розщеплення атомних пучків для
різних металів.
323
Власний момент електрона
Таким чином, ідея просторового частинкою, яка подібна до дзиги. Потім в
квантування підтвердилась, однак механізм 1925р. С.Гаудсміт і Дж.Уленбек теоретично
розщеплення пучка атомів натрію, срібла та пояснили розщеплення спектру реальних ліній,
інших елементів був незрозумілий. припустивши, що електрон здійснює
Теорія Бора, навіть удосконалена, обертальний рух навколо власної осі. У
пояснити цього не могла. Справа в тому, що відповідності до цієї гіпотези, електрон, що
важливою особливістю атомів першої групи є обертається, повинен мати власний магнітний
те, що їхні валентні електрони знаходяться в момент імпульсу і механічний момент
основному стані атома. В цьому стані у
імпульсу , який називається спіновим
електрона відсутній момент імпульсу L, а
моментом (спін) (англ. s p i n – обертати). В
значить і магнітний момент. Тому і виникало
1928р. Дірак створив релятивістську квантову
питання про пояснення результатів дослідів
теорію електрона, із якої властивості спіна
витікали автоматично.
Z
L B Ls
θ
He H2 F Mn Fe
Hg Ag
Na
V
Протон θ́
Mg Електрон
K
Рис.17.16.
p pms
Штерна і Герлаха. Просторове квантування m
якого магнітного моменту (тобто моменту Рис.17.17.

імпульса) було виявлено в цих дослідах і Спостерігач, який рухається разом з
проекція якого магнітного моменту дорівнює електроном по орбіті навколо протона,
одному магнетону Бора? зазначить, що протон обертається по такій
самій орбіті навколо електрона (рис.17.17). При
§17.8.Власний момент електрона русі протона навколо електрона створюється
магнітне поле з індукцією , яке показане на
В спектрах випромінювання лужних
рис.17.17 в місці розташування електрона.
металів, особливо в спостерігається одна
На цьому рисунку – орбітальний
різка жовта лінія. Однак детальні дослідження
момент імпульсу електрона, який обертається
дозволили виявити, що це не проста лінія, а
навколо протона, – спіновий момент
дублет, який складається із двох ліній з
електрона. При орбітальному русі електрона
довжинами хвиль 5890 і 5896 . Таке
створюється магнітний момент , а при
розщеплення однієї спектральної лінії на дві
власному обертанні електрона по аналогії зі
різні, які близько примикають одна до одної,
сферою, яка негативно заряджена і обертається,
відомо під назвою тонкої структури атомного
створюється власний магнітний момент
спектру. Для її пояснення навіть удосконалена ms
модель атома Бора вимагала доповнень. (рис.17.18).
Ще в 1921р. А.Х. Комптон висловив Магнітне поле, яке створюється в
припущення, що електрон повинен бути результаті обертання протона навколо
324
Власний момент електрона
електрона взаємодіє з магнітним спіновим обертального руху, які перевищують швидкість
моментом ms. Тому до енергії світла.
електростатичної взаємодії електрона і протона За допомогою магнітного спінового
необхідно добавити додаткову енергію, яка моменту вдалось пояснити аномальний ефект
дорівнює Зеємана, розщеплення пучка атомів натрію,
срібла на два пучки в дослідах Штерна і
(17.43) Герлаха, природу жовтого дублета в спектрах
випромінювання натрію та інше.
де проекція магнітного спінового Тому необхідно ввести ще одне
момента на вісь Z. квантове число, яке характеризує власний
Z момент імпульсу електрона. Згідно з
релятивістською квантовою теорією Дірака,
B власний механічний момент імпульсу
квантований у відповідності з формулою
(17.44)
θ Ls
Спінове квантове число s, яке входить
в цю формулу, має тільки єдине значення, що
θ́ Електрон, який дорівнює . Тому єдине можливе значення Ls
обертається
дорівнює:
pmsz
pm s
Число s, як правило, не
Рис.17.18. використовується разом з іншими квантовими
Взаємодія між власними магнітним числами, так як має єдине значення (1/2) і не
моментом pms електрона і магнітним полем, вносить різниці між станами. Власний
обумовленого орбітальним рухом електрона, механічний момент Ls= є
називається спін-орбітальною взаємодією. Ця фундаментальною характеристикою електрона,
взаємодія є джерелом додаткових енергетичних
як його маса або заряд. Ls в Z – напрямку
рівнів, які утворюють тонку структуру спектру.
(напрямок магнітного поля ) квантований і
Примітка. Уявлення про електрон,
визначається як
який обертається навколо своєї осі,
, (17.45)
використовується тільки для наглядності, але
не має буквального змісту. Якщо припустити, де ms = 1/2 і називається магнітним спіновим
що обертання дійсно має місце, і прийняти для квантовим числом. Часто ms= 1/2 позначають
електрона розумні розміри, то для отримання як «спін-вгору» (↑), а ms = 1/2 як «спін-вниз»
відомого значення власного механічного (↓) (рис.17.19).
моменту імпульсу електрона довелось би Гіромагнітне відношення для
допустити існування лінійних швидкостей спінового моменту дорівнює:
325
Квантові стани електронів в атомі. Квантові числа
, і пучок атомів повинен розщеплювались на три
пучки. Досліди Штерна і Герлаха, як уже
і відповідно,
зазначалось, пояснюється наявністю в
. електронів спінового магнітного моменту,
Z проекція якого на напрямок магнітного поля
може приймати тільки два значення . При
1 ms= + 1
+2 ћ 2 цьому вважається, що існує тільки спіновий
√3
Ls= ћ
2 магнітний момент в електрона, а орбітальний
магнітний момент електрона повинен бути
−1ћ відсутнім. Повне пояснення цього явища було
2 ms= − 1
2 отримане за допомогою хвильової (квантової)
Рис.17.19.
механіки, основні положення якої ми
розглянемо в подальшому. Згідно квантової
Із урахуванням (17.45) механіки, в таких атомах як водень, а також
воднеподібних атомах, в тому числі і в атомах
,
срібла, орбітальний момент електрона в
або нормальному стані дорівнює нулю (в
(17.46) планетарній моделі Бора такого бути не може).
Тому одночасно із введенням поняття
Таким чином, додаткова енергія спін-
«спіна» електрона Уленбеку і Гаудсміту
орбітальної взаємодії (17.43) буде дорівнювати:
довелось ще ввести декілька змін і доповнень в
. (17.47) теорію атома. Для пояснення розщеплення
пучка атомів срібла (водню) в дослідах Штерна
Два значення енергії пояснюють жовтий
і Герлаха на два пучки (а не на три)
дублет в спектрі випромінювання натрію і
азимутальне квантове число вони замінили
аномальний ефект Зеємана.
на :
(17.48)
§17.9.Квантові стани електронів в
Це квантове число називається
атомі. Квантові числа
орбітальним квантовим числом. Орбітальним
Удосконалена теорія Бора, і навіть квантовим числом визначається величина

наявність у електрона спінового магнітного орбітального механічного моменту
момента, не могли пояснити розділення пучка (орбітального моменту імпульсу L), а також
атомів срібла в дослідах Штерна і Герлаха на величина орбітального магнітного моменту
два пучки. Справа в тому, що згідно з теорією електрона В квантовій механіці

Бора-Зоммерфельда, для найменшого із показується, що орбітальний момент імпульсу,
можливих значень азимутального квантового таким чином, виражається через орбітальне
числа =1, згідно з умовою просторового квантове число :
квантування, магнітне квантове число . (17.49)
повинно приймати три значення (-1,0,1) (§17.5)
326
Квантові стани електронів в атомі. Квантові числа
Орбітальний магнітний момент із При цьому моменти і s можуть складати між
врахуванням гіромагнітного відношення (17.40) собою тільки такі кути , щоб повний момент j
визначається так: приймав наступні значення:
, (17.52)
(17.50)
де повне, або внутрішнє квантове
число.
Магнітне квантове число яке характеризує
Магнітне квантове число mj
квантування проекції орбітального моменту
визначає проекцію повного моменту імпульсу
імпульсу на напрямок магнітного поля (17.39),
на напрямок Z. Так як то при
може приймати значення цілих чисел від – до
+ : любому 0 квантове число j приймає два
значення при l = 0 квантове
(17.51)
число приймає одне значення
тобто 2 +1 значень. Оскільки можливі значення Lj
Табл.17.2 знаходяться за допомогою векторного
Назва Символ
Приймає Повне
число
додавання, то модель, що розглядається, носить
Визначає значення значень
назву векторної моделі. На основі векторної
Головне Розмір орбіти,
квантове енергію електрона n 1,2,3... ∞ моделі можна пояснити аномальний ефект
число
Орбітальне Витягнутість(форму)
квантове орбіти, частково l 0,1,2..., n-1 n Зеємана і більш складні випадки в дослідах
число енергію електрона Штерна і Герлаха.
Магнітне Орієнтацію орбіти
квантове в просторі, слабо m 0,±1,±2,..., ±l 2l+1
число енергію електрона
Спінове Орієнтацію спіна,
квантове слабо енергію
§17.10.Електронна оболонка атома.
число ms -1/2;+1/2 2
електрона Принцип Паулі
Стан кожного електрона в атомі

Таким чином, стан електрона атома
визначається чотирма квантовими числами n, ,
характеризується сукупністю чотирьох
, ms. Енергія електрона в атомі залежить в
квантових чисел n, , , ms, які для зручності
основному від головного квантового числа n
зведено в таблицю 17.2.
(формула (17.20)). Квантові числа , , ms в
Замість приведеного набору
формулу (17.20) не входять. Однак в реальних
квантових чисел n, , , ms, які характеризують
умовах в атомах завжди існують магнітні і
стан руху електрона в атомі, можна ввести
електричні поля, які діють на електрони. Тому
інший набір квантових чисел n, , j, mj,
енергія залежить в тій чи іншій мірі від
розглядаючи повний момент імпульсу j квантових чисел , , ms, чого теорія Бора не
електрона в атомі. Повний момент імпульсу враховує.
визначається геометричною (векторною) сумою Система електронів у незбуджених
орбітального момента і власного моменту атомах намагається зайняти стан з найменшою
імпульсу електрона s: енергією Wn, що відповідає основному
принципу термодинаміки для систем, що
327
Електронна оболонка атома. Принцип Паулі
знаходяться в стані рівноваги. Тому електрони l 0 1 2 3

повинні розташовуватись на самих низьких
Оболонка s p d f
доступних для них рівнях. Здавалось би, всі
електрони повинні знаходитись на самому Сукупність оболонок, які
низькому (з найменшою енергією) рівні відповідають квантовому числу n, утворюють
(n = 1, = 0). Однак практика показує, що це шари, які позначають великими латинськими
далеко не так. буквами K, L, M, N, O,… .
Влітку 1922р. Вольфгант Паулі n 1 2 3 4 5 6 7
приїхав в Копенгаген, щоб працювати разом із Шар K L M N O P Q
Бoром над поясненням атомного ефекту
Зеємана. Спроби класифікувати рівні енергії Найбільш близько до ядра
електрона, який знаходиться в сильному розташований K – шар, потім L – шар, M – шар,
магнітному полі, поступово підводили Паулі до N – шар, ….
формулювання принципу Паулі. Остаточно цей Стан із заданими n і l записують так:
принцип визрів після того, як Уленбек і ns, np, nd, nf і говорять, наприклад, так 1s –
Гаудсміт висунули ідею про існування спіна стан, або 1s – оболонка (при n = 1), 2s – стан,
електрона і було добавлене квантове число ms. або 2s – оболонка (n =2), 3p – стан, або 3p –
Закон фізики, відомий під назвою оболонка і т. д.
принципу Паулі або принципу заборони, Кожному шару з конкретним
встановлює, що не може бути більше, ніж значенням n відповідає певне число станів, які
одного електрона в даному стані, якщо цей визначаються квантовими числами , , ms.
стан повністю описується чотирма Наприклад, при n=1, =0, =0, ms= .
квантовими числами n, , , ms. Тобто в цьому шарі з оболонкою 1s може
Принцип Паулі можна сформулювати знаходитись тільки два електрона, які
і в іншій формі: в одному атомі не може бути відрізнятимуться квантовими числами
двох електронів з одним і тим самим набором ms = +1/2, ms = 1/2. При n =2 можуть бути дві
квантових чисел n, , , ms. Принцип Паулі
оболонки: 2s ( = 0) і 2p ( =1).
справедливий для мікрочастинок із спіном ħ/2.
На 2s оболонці може бути тільки два
Дія принципу Паулі і обумовлює електрона, які відрізнятимуться квантовими
послідовність заповнення енергетичних рівнів
числами ms = +1/2 і ms = 1/2. На оболонці 2p
в атомі.
може бути шість електронів. Дійсно, при =1,
Даному значенню квантового числа n
= 1, 0, +1 і кожному відповідають два
відповідають наступні значення квантових
стани, які відрізняються квантовими числами
чисел , , ms
ms = +1/2, ms= 1/2. Таким чином, при n=2
= 0, 1, 2, …, n 1; = 0, 1, 2, , l;
кількість станів дорівнює вісім.
ms = 1/2, 1/2.
Не важко бачити, що для даної
Електрони з енергією, яка відповідає
комбінації двох чисел n і можлива 2(2 +1)
значенню l, утворюють оболонки, які
кількість різних квантових станів, які
позначають малими латинськими буквами s, p,
відрізняються значеннями чисел і ms. Для
d, f, … .
328
Електронна оболонка атома. Принцип Паулі. Періодична система
даного значення головного квантового числа n набула тільки після відкриття цілого ряду
кількість різних станів дорівнює: нових елементів і принципу Паулі.
. Прослідкуємо побудову таблиці. Щоб
Нижче складено таблицю 17.3 розібратися в розподілі електронів в хімічних
квантових станів. Для зручності квантові стани елементах, будемо вважати, що кожний
ms = 1/2 будемо позначати стрілками (↑↓), які черговий елемент утворюється із попереднього
відповідають різним орієнтаціям спіна. шляхом додавання до ядра одного позитивного
Кількість станів, що зайняті протона (і відповідного числа нейтронів) і
електронами, визначає електронну додавання одного електрона, який будемо
конфігурацію атома. Наприклад, в атома кисню розміщувати в доступний йому, згідно
– 8 електронів, і його електронна конфігурація принципу Паулі, стан з найменшою енергією.
наступна 1s22s22p4 (індекс вгорі показує При заповненні оболонок електронами будемо
Табл.17.3 користуватись наступним правилом зростання

суми n+ . Оскільки енергія електрона в атомі
Кількість
Шар n l m ms Оболонка станів залежить і від n, і від , то заповнення оболонок
K 1 0 0 1s 2 електронами відбувається в порядку зростання
0 0 2s суми n (табл.17.4). Із двох однакових сум,
L 2 -1 8 наприклад, + = + , перевагу надавати
1 0 2p
+1 сумі, в якій менше n, оскільки енергія
0 0 3s сильніше залежить від n, ніж від .
-1
1 0 3p
M 3 +1 18 Табл.17.4
-2
-1
3d Шар Оболонка n + l
2 0
+1 K 1s 1
+2 2s 2
L 3
2p
кількість електронів в даному стані). В 1s стані 3s 3
M 3p 4
знаходиться 2 електрона, 2s – стані – 2 3d 5
електрони, в 2p – стані – 4 електрони, таким 4s 4
N 4p 5
чином, всього – 8 електронів. 4d 6
4f 7
5s 5
5p 6
§17.11.Періодична система O 5d 7
5f 8
В 1869р. Д. І. Менделєєв розташував 6s 6
хімічні елементи у відповідності з їх атомними 6p 7
P 6d 8
масами і фізичними властивостями. Хоч деякі 6f 9
елементи, такі як рідкоземельні, недостатньо Наприклад:
добре узгоджувались з його схемою,
Неон ;
періодична таблиця Менделєєва виявилась
Натрій
дуже вдалою. Однак закінчений вид таблиця
329
Періодична система. Рентгенівські спектри
Кремній речовинами групи заліза; f1-14 – електрони – є

рідкоземельними елементами.
Аргон Таким чином, повторюваність будови
зовнішньої електронної оболонки, яка витікає
із принципу Паулі, і пояснює періодичний
Калій
закон Д. І. Менделєєва в хімії.
Нікель §17.12.Рентгенівські спектри

метал;
Мідь У 1895 році В.Рентген відкрив
метал, хороший провідник; випромінювання, яке було названо ікс –
Германій променями. Рентгенівські хвилі охоплюють
4 широкий інтервал довжини від 0,01мкм до

мкм. Джерелом рентгенівського
Для атома міді має місце порушення випромінювання є рентгенівські трубки. На
правила зростання суми n . Згідно цього рис.17.20 наведена схема рентгенівської

трубки. У скляній трубці, в якій створено
правила, електронна конфігурація для міді
вакуум ~ мм.рт.ст., є анод А і катод К
мала би бути така: .
(джерело електронів). Між катодом і анодом
Але енергія електронів буде меншою, якщо 3d
створюється сильне електричне поле з
– оболонка буде повністю заповнена
різницею потенціалів U~10–50 кВ. Електрони,
електронами. Тому один 4s електрон
які набули високих енергій у прискорюючому
дозаповнює 3d – оболонку і на 4s оболонці
електричному полі, бомбардують анод А,
залишається один валентний електрон. Цей 4s1
площина якого утворює з напрямом руху
електрон і обумовлює ряд фізичних
властивостей міді, як то висока
електропровідність та теплопровідність та
інше. E
Цезій K
ий елемент; U
Неодим A
елемент.
Виходячи з цього, можемо
стверджувати, що речовини, атоми яких мають
Рис.17.20.
валентний –електрон, є металами
(провідниками); p6 – електрони – є інертними електронів кут 45°. Внаслідок цього
газами; p2…4 – електрони – є рентгенівське випромінювання, що виникає
напівпровідниками; d1-10 – електрони – є при гальмуванні електронів анодом, виходить
330
Рентгенівські спектри
із трубки через отвір захисного свинцевого інтенсивності рентгенівського випромінювання

екрану Е. Коефіцієнт корисної дії за довжинами хвиль λ при ударі електронів об
рентгенівських трубок становить близько 1%, вольфрамовий анод при різних значеннях
тобто 99% кінетичної енергії електронів прискорюючої напруги U, а на рис.17.22 – при
перетворюється в аноді у теплоту. Тому в тілі ударі об анод з вольфраму, молібдену і хрому
анода роблять канали, в яких циркулює при однакових напругах U. Характерною
охолоджуюча рідина. За принципом отримання особливістю суцільних спектрів є наявність
електронних пучків рентгенівські трубки чіткої короткохвильової межі λmin та її
поділяють на три типи: іонні, електронні, незалежність від речовин анода. При
індукційні. Джерелами рентгенівського підвищенні напруги інтенсивність
випромінювання також можуть бути природні випромінювання збільшується, а
або штучні радіоактивні елементи, ряд короткохвильова межа зміщується у бік
небесних тіл. коротких хвиль (рис.17.21).
Рентгенівське випромінювання, яке Існування короткохвильової межі
виникає в результаті гальмування електронів, λmin в рентгенівському спектрі пояснюється так.
називається гальмівним. Виникнення Енергія електрона при ударі об анод може
гальмівного випромінювання можна пояснити повністю перейти в енергію випромінювання,
так. Електрони, які рухаються, утворюють тобто
навколо себе магнітне поле. Різка зміна
швидкості електронів при ударі в анод
рівносильна ослабленню і зникненню струму, Оскільки , то
що приводить до зміни магнітного поля, в
і
результаті чого і виникають електромагнітні
хвилі. Отже, мінімальна довжина хвилі
Гальмівне випромінювання має гальмівного випромінювання обернено
суцільний спектр. Це пояснюється тим, що одні пропорційна прискорюючій напрузі U.
електрони гальмуються швидше, а інші
повільніше. Це призводить до виникнення I I
Umax
електромагнітного випромінювання з різними
довжинами хвиль. За квантовою теорією Вольфрам
енергія фотона рентгенівського Молібден
Umin
випромінювання Хром
,
де /2 – кінетична енергія електрона перед 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 λ min λ
ударом в анод, а Q – енергія, яка λ,мкм
перетворюється в теплоту. Оскільки величина Рис.17.21 Рис.17.22
Q має різні значення, то і енергія h може бути

різною. При підвищенні напруги на
На рис.17.21 зображені рентгенівській трубці до величини, більшої за
експериментальні криві розподілу деяке критичне значення, що залежить від

331
речовини анода, на фоні суцільного спектра один із двох електронів 1s – стану K-оболонки,
виникають лінійчасті спектри, інтенсивність то звільнене місце може зайняти електрон з
яких у тисячі разів перевищує інтенсивність якої-небудь зовнішньої оболонки (L, M, N і
суцільного спектра. Оскільки лінійчастий т.д.). При цьому виникає K-серія. Аналогічно
спектр визначається природою речовини, з якої виникають й інші серії. Схема виникнення
виготовлено анод, то його називають спектральних серій показана на рис.17.23.
характеристичним. Серія K обов’язково супроводжується
З рис.17.22 видно, що для напруги іншими серіями, оскільки при випромінювані її
при якій рентгенівська трубка з анодом із ліній звільняються рівні в оболонках L, M, і
вольфраму і хрому випромінює суцільний т.д., які будуть заповнюватися електронами із
спектр, трубка з молібденовим анодом, крім більш віддалених оболонок. Частоти ліній
суцільного, випромінює ще й лінійчастий зростають при переході від лінії до ,
спектр. ,…, що пов’язано із збільшенням енергії, яка
Існування характеристичного вивільняється при переході електрона на K-
випромінювання підтверджує наявність оболонку з дедалі більш віддалених оболонок.
дискретних рівнів енергії атомів. А інтенсивності ліній спадають при переході
Кожний хімічний елемент дає від лінії до лінії , , бо ймовірність
характеристичне рентгенівське
переходу на K оболонку з L оболонки
випромінювання незалежно від того, чи його
більша, ніж з M , N і т.д. Ці закономірності
атоми вільні, чи входять до складу хімічних
справедливі для L , M та інших серій.
сполук.
Рентгенівські спектральні лінії P
утворюють певні серії, які позначають буквами O
N M α M β M ᵧ Nα Nβ
K,L,M,N,O і т.д. Кожна серія має невелику M
Lα Lβ Lᵧ L δ
кількість ліній, які позначають у порядку
L
зменшення довжини хвилі індексами і
т.д. Лінійчасті рентгенівські спектри різних
Kα K β Kᵧ K δ
речовин подібні між собою. Це зумовлено
подібністю забудови нижніх (найближчих до
ядра) шарів електронів в атомах. При
збільшенні атомного номеру речовини анода K
весь рентгенівський спектр лише зміщується в
Рис.17.23.
короткохвильову частину спектра, не
змінюючи своєї структури. Це можна пояснити
При дослідженні лінійчастих
тим, що лінійчасті спектри утворюються
рентгенівських спектрів Г.Мозлі в 1913р.
внаслідок переходів електронів у внутрішніх
встановив закон, який виражає зв'язок між
шарах атомів. Механізм виникнення
частотами спектральних ліній і атомним
лінійчастих спектрів можна пояснити так.
номером Z елементу, який випромінює ці лінії.
Якщо під впливом падаючих електронів
Так, для лінії ця залежність має вигляд:
високих енергій на атоми анода, вибивається
332
, в періодичній системі. На основі цього закону

вперше було показано, що не атомна маса, а
де R – стала Рідберга. Для лінії атомний номер, який дорівнює заряду ядра,
визначає хімічні властивості атомів. Мозлі дав
,
√ω,√ рад/сек
а для лінії
9
8∙10
і т.д.
α)
9
6∙10
(K
Узагальнений закон Мозлі має вигляд:
ія
ер
-с
9
4∙10
K
, (17.53)
L α)
с е рія(
де k =1, n =2, 3, 4… для ліній K серії, k =2, 9 L-
2∙10
n =3,4…для ліній L серії, k =3, n =4,5,6… для
ліній M серії, стала екранування, яка має 0 20 40 60 80 Z
певне значення в межах однієї серії.
Зміст сталої екранування полягає в Рис.17.24.
тому, що у важкому атомі, який має Z

просте теоретичне пояснення знайденого ним
електронів, на електрон, що здійснює,
закону. Він зазначив, що лінії з частотами, які
наприклад, перехід, який відповідає лінії
визначаються формулою (17.53), співпадають з
діє не весь заряд ядра Ze, а заряд (Z ,
лініями, які випромінюються при переході
ослаблений екрануючою дією одного
електрона, що знаходиться в полі заряду
електрона, що залишився на K – оболонці. Для
, з рівня з номером n на рівень з
К серії для L серії 7,5.
номером m.
У загальному вигляді закон Мозлі
Зауважимо, що формула (17.53)
записують так:
базується на припущенні, що постійна
, (17.54)
екранування для обох термів має однакове
де частота, стала для певної серії
значення. Реально екранування, наприклад, для
ліній.
K – терма буде слабше, ніж для L – терма, тому
Закон Мозлі можна сформулювати
що електрон, який знаходиться в L – оболонці,
так: корінь квадратний із частоти є лінійною
екранують обидва електрони K – оболонки і,
функцією атомного номера Z. На рис.17.24
крім цього, частково приймають участь в
приведені побудовані по експериментальним
екрануванні останні електрони L оболонки, в
точкам графіки залежності від Z для ліній
той час як для електрона K оболонки
і . По цих графіках можна судити,
екранування здійснюється тільки одним
наскільки точно виконується закон Мозлі.
другим К електроном. Більш строго формулу
Закон Мозлі дозволяє за виміряною довжиною
(17.53) необхідно записати у вигляді:
хвилі рентгенівських ліній точно встановити
атомний номер даного елементу. Цей закон . (17.55)
відіграв велику роль при розміщенні елементів
333
Протиріччя хвиля – частинка
ПУЛЮЙ ІВАН (1845-1918). Розділ 18.Елементи квантової

Опублікував у 1896 р. дві статті: "Про
походження рентгенівських променів та їх механіки
фотографічну дію" і додаток до праці "Про Квантова механіка (хвильова
походження рентгенівських променів та їх
механіка) це розділ теоретичної фізики, в
фотографічну дію". Навів близько десяти
досконалих знімків, які ілюструють якому вивчаються закони руху частинок в
отримані результати. Рентгенограми області мікросвіту (в масштабах
відрізнялись від знімків Рентгена високою м). Об'єктами вивчення квантової
якістю. Пулюєві належить перша вдала механіки є: кристали, молекули і атоми, атомні
спроба з'ясувати механізм виникнення
ядра, елементарні частинки. Закони квантової
рентгенівських променів. Зробив перший
механіки складають фундамент науки, що
знімок цілого людського скелета.
вивчає будову речовини.
В основі квантової механіки лежать:
1.Уявлення Планка про кванти
1.Суть ядерної моделі атома.
2.В чому неспроможність класичної енергії
теорії при поясненні ядерної моделі 2.Уявлення Ейнштейна про фотони.
атома? Ейнштейн припустив, що світло не тільки
3.Постулати Бора. Які досліди випромінюється і поглинається, але і
підтвердили ці постулати? розповсюджується квантами, тобто
4.Які є серії спектральних ліній в
дискретність властива самому світлу: світло
спектрі випромінювання атома водню?
5.Борівська теорія будови атома складається із окремих порцій світлових
водню та воднеподібних атомів. квантів, які пізніше назвали фотонами. Енергія
6.Механічний і магнітний моменти фотона На основі цієї гіпотези
електрона в атомі. Ейнштейн пояснив закономірності зовнішнього
7.Що означає просторове фотоефекту.
квантування?
3.Дані про існування дискретних
8.Що підтверджують досліди
значень деяких фізичних величин, які
Штерна і Герлаха з атомними пучками?
9.Що підтверджують досліди характеризують стан частинки в мікросвіті
Зеємана? (квантування: енергії, момента кількості руху,
10.Які квантові числа описують магнітного момента; спектри випромінювання і
стан електрона в атомі? т.п.).
11.Пояснити фізичний зміст 4.Гіпотеза де Бройля.
кожного квантового числа.
12.Сформулювати і пояснити
принцип Паулі.
§18.1.Протиріччя хвиля – частинка
13.Заповнення електронних
оболонок атома електронами.
Із часів філософів античності до
14.Поясніть принцип розміщення
І.Ньютона вчені розглядали світло як потік
хімічних елементів в періодичній таблиці.
15.Рентгенівські спектри. Яка їхня частинок (корпускул), які швидко рухаються. В
роль в поясненні будови атома? 1801р. Томас Юнг, здійснивши перші досліди з
інтерференції світла, підвів тверду
334
Хвилі де Бройля
експериментальну основу під його хвильову де – частота фотона, а енергія W співпадає із
теорію. Здавалось, що фізики можуть значенням, яке знаходиться із спеціальної
остаточно відмовитись від корпускулярної теорії відносності (із формули ,
теорії світла. Однак подальші дослідження де для фотонів енергія спокою ф
показали, що все більша кількість фізичних так як (§16.6), і загальна енергія W
ф
властивостей твердих тіл, рідин і газів можна
дорівнює тільки кінетичній енергії . Однак
пояснити на основі атомістичних уявлень.
суто корпускулярна теорія не містить в собі
В кінці XIXст. експерименти Дж.Дж.
жодного елемента, який дозволив би
Томсона і роботи Х.А.Лоренца привели до
визначити частоту. Щоб розв’язати цю
концепції про існування елементарних
проблему, де Бройль висловив гіпотезу, згідно
частинок електрики електронів. Нарешті,
якої з кожним фотоном зв’язаний хвильовий
«коло замкнулось», коли в 1900р. Макс Планк
процес. Це дало можливість пояснити таке суто
встановив закон випромінювання абсолютно
хвильове явище, як інтерференцію. Комптон
чорного тіла, згідно з яким джерело світла
показав, що світлові хвилі володіють
випромінює світло не безперервно, а
імпульсом, тобто характеристикою, яку, як
однаковими і кінцевими порціями, які
правило, пов’язують з частинками. Вираз для
отримали назву квантів. З новою силою
енергії фотона можна записати у вигляді
протиріччя хвиля – частинка проявилось в
, (18.2)
1923р., коли Артур Комптон експериментально
довів, що кванти рентгенівського де – імпульс фотона. Об’єднавши
випромінювання поводять себе як частинки з (18.1) і (18.2), отримаємо співвідношення
певною енергією і певним імпульсом.
, (18.3)
В 1924р. Луі де Бройль у своїй λ
докторській дисертації «Дослідження з теорії яке зв’язує довжину хвилі і частоту , тобто
квантів» висловив думку про те, що якщо величини, які характеризують фотон як хвилю,
світло в багатьох випадках проявляє з імпульсом фотона p.
корпускулярні властивості, то і частинки, Потім де Бройль висловив чудову ідею:
зокрема електрони, в силу симетрії в природі якщо світлові хвилі мають корпускулярну
можуть володіти хвильовими властивостями. В природу, то частинки, наприклад, електрони
1927р. ідеї де Бройля були експериментально повинні проявляти хвильові властивості. Таким
підтверджені К.Дж.Девіссоном і чином, електрон може володіти певним
Л.Х.Джермером і незалежно від них імпульсом, який дорівнює
Дж.П.Томсоном, які показали, що для пучка , (18.4)
λ
електронів, як і для світлового пучка,
де m – релятивістська маса, швидкість
спостерігається явище дифракції.
електрона. Із цього співвідношення витікає, що
електрону (частинці) приписується певна
§18.2.Хвилі де Бройля
хвильова характеристика – довжина хвилі λ
Планк зв’язав енергію частинки світла
(частота . Тоді із (18.4) отримаємо, що
(фотонів) з частотою світла співвідношенням
довжина хвилі дорівнює
, (18.1)
335
Хвилі де Бройля
λ (18.5) λ м
Співвідношення (18.5) відображає гіпотезу де м
Бройля. тобто λ є настільки мала величина, що її
В теорії відносності, так само як і в неможливо визначити з досліду. Рух електрона
класичній механіці, для замкнутої фізичної з такою самою швидкістю супроводжується
системи зберігається імпульс і енергія W . хвильовим процесом з довжиною хвилі
Величина є інваріантом
λ м
при перетвореннях Лоренца в релятивістській
механіці. В цій формулі маса спокою м ,
частинки, W її повна енергія, c швидкість яка може бути знайдена з експерименту.

світла у вакуумі. Тому Якщо частинка має кінетичну енергію
то замінюючи її імпульс p через енергію
,
за формулою , можна записати
де – повна енергія, –
енергія спокою. λ
Тоді (18.5) перепишемо так:
Зокрема, для електрона, що
λ прискорюється в електричному полі з різницею
потенціалів U, маємо
.
Звідки при врахуванні, що релятивістська маса Тоді для електрона
, отримаємо: λ
(18.6)
м
λ
Для електричних полів з напругою 1 10 В
а після спрощення довжини хвиль де Бройля належать інтервалу
(10÷0,1)Å, тобто мають довжини хвиль
λ
звичайних рентгенівських променів.
Для нерелятивістського випадку Цікавий результат дало порівняння
( релятивістська маса m дорівнює масі гіпотези де Бройля і теорії атома Бора. Згідно з
спокою частинки . постулатом Бора: . З цього
Хоч в своїх перших роботах де
рівняння можна визначити довжину
Бройль розглядав проблему на прикладі
стаціонарної орбіти
електрона, всі отримані співвідношення
,
справедливі для будь-яких матеріальних тіл.
М’яч, маса якого 0,14 кг, запускають сильним де згідно з гіпотезою де Бройля λ.
ударом і він набуває швидкість біля 40м/с.
Тоді довжина стаціонарної орбіти
Довжина хвилі де Бройля, яка пов’язана з
λ
таким м’ячем, дорівнює:
336
Експериментальне підтвердження гіпотези де Бройля
Отже, головне квантове число n з цією кристалічною мішенню результати різко
показує, яке число довжин хвиль де Бройля відрізнялись від тих , які були отримані раніше.
електрона укладається на довжині борівської Після тривалого прогріву замість дуже дрібних
колової орбіти. кристаликів утворилось декілька великих
монокристалів. Емісія вторинних електронів
відбувалась, як і раніше, під будь-якими
§18.3.Експериментальне підтвердження кутами, але при певних кутах кількість
гіпотези де Бройля
електронів, які розсіювались, різко зростала.
Для виявлення хвильових В одному з дослідів пучок електронів
властивостей електронів, що рухаються, з енергією = 54 eB (U=54B) давав максимум
необхідно користуватись дифракційними в розподілі інтенсивності розсіяних електронів
гратками, період яких по порядку величини під кутом φ=50° (рис.18.1). За формулою (18.6)
дорівнює довжині хвилі де Бройля, тобто d~1Å. знайдемо довжину хвилі де Бройля
Такою граткою може бути кристалічна решітка
λ
кристалів, як у випадку вивчення дифракції
рентгенівських променів (§13.8). В той же час, використовуючи
В 1925р. в лабораторії фірми «Белл формулу (13.33) для дифракції хвиль від
телефон» (США) К.Дж.Девіссоном і площин в кристалі по методу Брегга (§13.8),
К.Х.Кунсманом були проведені для максимуму першого порядку (m=1)
експериментальні дослідження явища емісії дифракції електронів від кристалу нікеля з
вторинних електронів, які були пізніше періодом гратки для , за

продовжені Девіссоном і Л. Х. Джермером. формулою (13.33) отримаємо, що довжина
Схема досліду наведена на рис.18.1. В цих хвилі де Бройля, яка дифрагує, дорівнює
експериментах спостерігалось явище λ
"випаровування" вторинних електронів під Обидва результати добре
дією пучка електронів, який направлявся на співпадають, і це переконливо свідчить про те,
зразок із спресованого порошка нікелю. що електрони проявляють як хвильові
Детектор електронів властивості, так і властивості частинки.
Полярна діаграма
Шкала інтенсивності Функцію λ (формула (18.6))
розсіяних електронів
Електронна °
d = 0, 91Α
К.Девіссон передав на графіку прямолінійною
гармата θ Кристал
ᵠ нікелю
залежністю в координатах λ )
Пучок електронів Ni (рис.18.2), якою підтверджувалась
θ
передбачувана де Бройлем обернено
ᵠ = 50 °
ᵠ
- +θ = 90 °
2
пропорційна залежність довжини хвилі де
θ =65° Бройля матеріальної частинки від її швидкості.
Розбіжність між величинами, одержаними в
Рис.18.1. дослідах К.Девіссона та Л.Джермера, та
підрахованими за теоретичною формулою де
Одного разу одна із пластинок нікеля
Бройля (18.6), не перевищувала прийнятних
окислилась і для видалення окисної плівки
пластинку відпалили. При повторних дослідах
337
Експериментальне підтвердження гіпотези де Бройля
2 . Отже, узгодження теоретичної гіпотези та відомого рівняння для дифракції світла, яке
експерименту було переконливо засвідчено. проходить через решітку, dsin = mλ
(m=1,2,3,…), де – кут між дифракційним
λ ,Α
ο
̻ пучком і напрямком падаючого пучка.
2,0 Експериментальна перевірка
хвильової природи частинок продовжувалась і
1,5
̻̽̇̇ в наступні роки. Ось тільки деякі найбільш
цікаві експерименти.
̽
1,0 ▪̽ ̇ екра
н
̇̇̽ ̽ ̽
0,5 ▪̽ ̽
θ3
θ1
мішень θ2
0 θ4
0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 пучок
1/√−
−, В
U
−1/2
елек тр
онів
Рис.18.3.
Рис.18.2.Перевірка формули де Бройля
λ . На графіку в координатах λ та 1/
зображено для електронів зв'язок їхньої дебройлевої 1.Німецький вчений Рупп в 1929 р.
довжини хвилі λ, обчисленої за даними виміряв довжину хвилі де Бройля електронів,
дифракційної картини, з величиною різниці
потенціалів U електричного поля (Clinton J. здійснивши дифракцію пучка електронів за
Davisson. The discovery of elektron waves. Nobel допомогою простої оптичної дифракційної
Lecture, December 13, 1937. Nobel Lectures, Physics
решітки при дуже малих кутах ковзання.
1922-1941. - p.387-394. 1965. Elsevier Publishing
Company, Amsterdam). 2.В 1931р. Джонсон продемонстрував
дифракцію пучка молекул водню при
В 1927р. Дж. П. Томсон із своїми
розсіюванні в кристалі.
студентами здійснив досліди з швидкими
3.Естерман, Фріш і Штерн в 1938р.
електронами і отримав практично ті самі
здійснили експеримент по дифракції пучка
результати. Як і в експериментах по
атомів гелію. Як розсіюючий елемент вони
дифракції рентгенівських променів, Томсон
застосували кристали фтористого літію.
досліджував розсіювання швидких електронів
4.Протягом тривалого часу
на дуже тонкій металевій фользі, яка
залишалось нез’ясованим, чи хвильові
виготовлялась із полікристалічного матеріалу з
властивості є окремо у кожної мікрочастинки,
хаотичним розташуванням кристалічних осей.
чи їх має лише потік багатьох мікрочастинок.
Експериментальна установка схематично
У 1949 р. В.Фабрикант, М. Сушкін,
показана на рис.18.3.
Л. Біберман провели дослід з дифракції потоку
Пропускаючи паралельний пучок
4 електронів настільки незначної інтенсивності,
електронів (з енергією біля 10 еВ) через золоту
що інтервал часу між пролітанням наступних
фольгу, товщина якої біля см = 0,1мкм,
електронів був приблизно в 30000 разів
Томсон отримав на екрані ряд дифракційних
більший від часу, який необхідний для
кілець. Кути розсіювання , і т.д.
проходження через увесь прилад, тобто
відповідали значенням, які отримуються із
реєструвалось проходження окремих
338
Співвідношення невизначеностей
електронів. При досить тривалій експозиції руху і, зокрема, на можливість одночасного
отримували таку ж дифракційну картину, як і визначення їх імпульсів і координат.
для інтенсивних пучків електронів. Цей дослід Будемо розглядати одномірний
переконав, що хвильові властивості притаманні випадок руху частинок. У класичній механіці
кожному електрону. будь-яка частинка рухається вздовж певної
Ці експерименти остаточно довели траєкторії так, що фіксовані її координати та
хвильову природу частинок, але разом з тим імпульси. Сукупність координат x визначає
поставили ряд нових питань. Наприклад, траєкторію руху частинки. В кожній точці
оскільки фотони і електрони проявляють траєкторії частинка має конкретні значення
властивості і частинок, і хвилі, то може координати x і відповідного імпульсу
здатись, що дійсно відсутня будь-яка різниця Якщо вважати, що для такої
між частинками і хвилями. Однак,
частинки справедливее співвідношення (18.5),
використовуючи тільки на хвильову теорію, не
то в кожній точці траєкторії буде відповідна
вдається задовільно інтерпретувати такі
довжина хвилі λ, тобто λ буде залежати від
експерименти, як комптонівське розсіювання,
координати x. Оскільки довжина хвилі є
чи фотоефект, а також пояснити той факт, що
характеристикою хвильового процесу, то вона
частинки, наприклад електрони, не можуть
не може залежати від координати.
рухатись із швидкістю світла.
Таким чином, якщо для частинки
Нільс Бор, намагаючись розв’язати
відома координата x (тобто невизначеність
протиріччя хвиля-частинка, ввів так званий
принцип доповнюваності. В основі його і для неї справедливе співвідношення
лежить той факт, що ні хвилі, ні частинки (18.4), то імпульс для такої частинки
ніколи не проявляють одночасно в одному і невизначений, тобто ∆ = .
тому експерименті і хвильові, і корпускулярні Мікрочастинки внаслідок наявності в
властивості. В кожному випадку – чи то яке- них хвильових властивостей відрізняються від
небудь випромінювання, чи потік електронів – класичних частинок. Одна з основних
для повного описання явища необхідно відмінностей полягає в тому, що мікрочастинка
використовувати і хвильову, і корпускулярну не має чіткої траєкторії, і неправомірно
моделі, але кожна з цих моделей має свою говорити одночасно про точні значення її
власну сферу застосування. координат та імпульсу.

Як відомо, будь-яка хвиля,
незалежно від природи, є процесом, що
заповнює більшу чи меншу область простору, а
§18.4.Співвідношення невизначеностей
через це не може локалізуватися в одній точці.
як прояв корпускулярно-хвильового
дуалізму властивостей матерії Наприклад, вздовж осі ОХ рухається фотон,
для якого точно відомий імпульс тобто
Розглянемо наслідки, що випливають
. Такому фотону відповідає хвиля,
із корпускулярно-хвильової двоїстості
довжина якої однозначно визначається
електронів, фотонів, протонів та інших об’єктів
величиною імпульсу λ
мікросвіту, і які обмеження накладає цей
дуалізм на класичний метод описування їх
339
Така монохроматична хвиля в фазові швидкості двох хвиль будуть приблизно
просторі нічим не обмежена, область її однакові. Тоді
існування – вся вісь ОХ. Це означає, що в ф λ (18.7)
ньому випадку просторовий інтервал ∆x, в
якому замкнено об’єкт з хвильовими
υф ≈ υф ≈υф
властивостями – фотон, дорівнює Ψ1 Ψ2 1 2
Ψ=Ψ1 + Ψ2
нескінченності. Іншими словами, якщо
маємо Отже, якщо точно
відомий імпульс фотона, то його локалізація
стає цілком невизначеною.
Рис.18.4.
Розглянемо систему хвиль,
У співвідношенні (18.7) і λ можна
суперпозиція яких дає огинаючу, яка
асоціювати відповідно з частотою і довжиною
розповсюджується зі швидкістю, яка відмінна
хвилі де Бройля.
від швидкостей хвиль, які додаються. Цю
Гіпотеза про хвилі де Бройля набуває
огинаючу хвиль називають хвильовим пакетом
ще більш глибокий зміст, якщо врахувати, що
(або групою хвиль). Хвильовий пакет, який
швидкість частинки в точності дорівнює
побудований відповідною підбіркою великого
груповій швидкості хвиль де Бройля.
числа хвиль, можна інтерпретувати як
Швидкість частинки знаходиться із
матеріальну частинку. Як просте наближення
співвідношення .
розглянемо хвильовий пакет, побудований із
Групова швидкість, згідно (§10.5,
двох хвиль, які описуються рівняннями:
формула (10.28)) буде: гр Це
співвідношення можна переписати так:
,
де i . гр λ λ
(18.8)
λ
Результуюча хвиля буде
Із співвідношення (18.5) витікає, що
λ а із співвідношення
рез релятивістської механіки
з результуючою амплітудою знаходимо: Із формули
рез .
отримаємо
На рисунку 18.4 зображено дві хвилі, Тоді
при складанні яких утворюється результуюча
хвиля. Зазначимо, що в результаті суперпозиції гр λ
цих двох хвиль виникають биття, або хвильові
Групова швидкість, таким чином,
групи. Кожна хвиля буде розповсюджуватись
дорівнює швидкості частинки, або, іншими
із своєю власною швидкістю (фазовою
словами, хвилі де Бройля переміщуються разом
швидкістю), але групи хвиль, які отримуються
з частинкою. Вираз (10.30) (§ перепишемо
в результаті суперпозиції, переміщуються з
так:
іншою швидкістю (груповою швидкістю
ф
§§ ). Так як і , то гр ф λ ,
λ
340
в якому групова швидкість зв’язана з фазовою набір значень λ, які містяться в деякому
швидкістю. Зауважимо, що якщо хвилі інтервалі λ , то набір значень імпульсів p,
розповсюджуються в середовищі без дисперсії, як витікає із (18.4), знаходиться в інтервалі
тобто ф то гр ф Що можна
λ
λ λ
Ψ1
Чим ширший інтервал можливих
Ψ2
значень інтерферуючих хвиль λ , а разом з
Ψ3
ним інтервал можливих значень імпульсів,
Ψ4 тим вужча область локалізації
результуючого пакета. Інакше кажучи, чим
Ψ5 більша невизначеність імпульсу фотона, тим
точніше можна визначити його координати.
При маємо , тобто точне
Ψ6
значення координати фотона можливе тільки
Ψ7 при повній невизначеності його імпульсу.
Ψ8 Такі висновки справедливі для
Ψ фотонів, електронів, протонів та інших
8
мікрочастинок.
Щоб усунути протиріччя хвиля-
частинка, німецький фізик Вернер Гайзенберг в
Σ Ψn
1927р. висунув цікаву ідею, ввівши так званий
принцип невизначеності (або співвідношення
невизначеностей). Цей принцип виражає
фундаментальну границю можливості
одночасного вимірювання певних пар змінних,
наприклад, положення частинки і її імпульсу.
Δx
На рис.18.6. зображена частинка, яка рухається
Рис.18.5.
із швидкістю . Частинка локалізована
сказати про групову швидкість фотонів? Для всередині хвильового пакету, який
фотона і переміщується із швидкістю гр
Співвідношення (18.8) можна записати в такій

гр формі:
Таким чином, ми дістали очікуваний
гр (8.9)
результат групова швидкість фотонів λ λ
дорівнює швидкості самого фотона. Із рисунка 18.6 і співвідношення

На рис.18.5 зображений випадок, коли (18.9) витікає, що
складається значне число хвиль: .
гр
Хвильовий пакет при цьому різко
визначається, а його довжина значно або
скорочується. Оскільки в хвильовому пакеті є 8.10)
341
Співвідношення (18.12) може бути
встановлене з розгляду, зокрема, наступного
прикладу.
υ X Густина
X ймовірності
Δx
Центральний
p´
Δx
ᵩ
максимум
Рис.18.6.
p Δ px
Якщо потрібно виміряти частоту
p
хвилі, то мінімальним часом, який необхідний
для вимірювання, буде такий інтервал часу ,
щоб одна повна довжина хвилі пройшла
фіксовану точку. Цей інтервал часу, який
Рис.18.7.
повязаний з частотою співвідношенням
є час, що відповідає одному Спробуємо визначити значення
повному періоду. координати x мікрочастинки, яка вільно
Враховуючи тепер, що , із летить, поставивши на її шляху щілину,
співвідношення (18.10) отримаємо нерівність ширина якої і розташована
(18.11) перпендикулярно до напрямку руху частинки

(рис.18.7). До проходження частинки через
яка є одним із співвідношень невизначеностей щілину проекція її імпульсу має
Гайзенберга. Зміст отриманої фундаментальної точне значення, яке дорівнює нулю (щілина за
границі ( не тільки в тому, що є деяка умовою перпендикулярна до імпульсу), так що
границя для точності вимірювання координати
, зате координата частинки є зовсім
x і імпульсу p, а і в тому, що при зменшенні
невизначеною. В момент проходження
області локалізації частинки в просторі частинкою щілини ситуація змінюється.
збільшується невизначеність в вимірюванні її Замість повної невизначеності координати
імпульсу, і навпаки.
виникає невизначеність , але це досягається
Неточність у визначенні імпульсу
ціною втрати визначеності значення .
у співвідношенні (18.11) є неточність у
Дійсно, внаслідок дифракції є деяка
визначенні проекції імпульсу на напрямок осі ймовірність того, що частинка буде рухатись в
і більш правильним буде запис:
межах кута φ, де φ кут, що відповідає
(18.12) першому дифракційному мінімуму
Такі пари величин (наприклад, і (максимумами вищих порядків можна
для яких невизначеність в значенні однієї знехтувати, оскільки їхня інтенсивність мала
величини залежить від точності вимірювання порівняно з інтенсивністю центрального
іншої, називаються спряженими величинами. максимуму). Таким чином, виникає
Зауважимо, що не має ніяких обмежень на невизначеність
точність вимірювання проекцій імпульсу на осі φ .
YіZ( і і координати мікрочастинки.
342
Краю центрального дифракційного експеримент, який називають "мікроскопом

максимуму (першому мінімуму), який Гайзенберга" (рис.18.8).
отримується від щілини шириною ,
Око
відповідає кут φ, для якого згідно формули
(13.16) Окуляр
φ λ . Δ px = 2 psin θ
Y
̗ Мікроскоп
Отже p р
λ . θ θ
Звідси з урахуванням (18.5)

Об’єктив
отримаємо співвідношення θ θ
Електрон
λ (18.13)
Фотон, що падає на X
Отримання співвідношення (18.12) чи електрон, який рухається Електрон
(18.13) не є строгим, і самі вони є віддачі
приблизними. Найбільш строгі співвідношення

Рис.18.8.
невизначеностей отримуються за допомогою
методів квантової механіки і записуються для За допомогою уявного мікроскопа з
одномірного випадку так: високою роздільною здатністю (рис.18.8)
(18.14) спробуємо визначити одночасно

місцерозташування і імпульс електрона. Із
де і середні квадратичні
геометричної оптики відомо, що даній
відхилення (невизначеності) імпульсу і
роздільній здатності мікроскопа
координати x, ( . (18.14) часто місцеположення об'єкта може бути визначене з
записують в такому виді: точністю
, (18.15) λ
, (18.17)
а для розв'язку задач часто використовують
де – кут, який показаний на рис.18.8. Коли
такий запис:
відстань між двома точками менша , вони
(18.16)
зіллються для спостерігача в одну точку. Отже,
Неможливість одночасно точно
величина є мінімальна неточність у
визначити координату і відповідну складову
визначенні положення електрона, який
імпульсу не пов'язана з недосконалістю
рухається, координату й імпульс якого
методів вимірювання та вимірювальних
намагаємось визначити за допомогою
приладів, а є наслідком подвійної
мікроскопа. Із (18.17) витікає, що чим менша
корпускулярно-хвильової природи
довжина хвилі світла, яке падає і освітює
мікрооб'єктів. Співвідношення
об'єкт, тим менше і, отже, з більшою
невизначеностей отримано при одночасному
точністю може бути зафіксоване положення
використанні класичних характеристик руху
електрона.
частинки (координати, імпульсу) і наявності у
Фотон, що падає, буде взаємодіяти з
неї хвильових властивостей.
електроном через механізм ефекта Комптона.
Щоб глибше зрозуміти суть принципу
Щоб побачити електрон, розсіяний фотон
невизначеності, можна здійснити подумки
343
повинен попасти в мікроскоп в межах кута 2 . і положення відомо з точністю 1 мм,
Таким чином, проекція імпульсу фотона на то неточність визначення імпульсу
напрямок (див. рис.18.8) може бути
визначена з деякою степенню невизначеності,
що дорівнює
Оскільки імпульс
(18.18)
де λ імпульс падаючого фотона. то відносна неточність імпульсу:
У відповідності із законом
.
збереження імпульсу співвідношення (18.18)
буде також характеризувати мінімальну Це число настільки мале, що ні один із
неточність у визначенні імпульсу електрона існуючих лабораторних приладів не може його
віддачі. Якщо перемножити (18.17) і (18.18) і зафіксувати.
врахувати, що λ, то для електрона Інше співвідношення
віддачі будемо мати: невизначеностей встановлює зв'язок між
λ енергією та часом і може бути отримане із
співвідношення , або
тобто отримується співвідношення
Звідки
невизначеностей.
(18.19)
Приклад. Нехай неточність у визначені
Так само як імпульс і координата не
положення молекули водню, маса якої біля
можуть бути визначені однозначно з
кг, складає величину порядку її
нескінченно високою точністю, так і енергія W
діаметра, тобто десь м. Тоді неточність у
і час t (які теж представляють собою пару
визначенні імпульсу дорівнює:
спряжених змінних) не можуть бути одночасно
знайдені з необмеженою точністю. Чим більша
точність досягнута нами при вимірюванні часу
(тобто чим менше тим менша точність у
Імпульс такої молекули при русі її із
визначенні енергії. Співвідношення (18.19)
швидкістю 2000м с (швидкість теплового руху
записують в такому виді:
при кімнатній температурі) дорівнює:
(18.20)
Співвідношення невизначеностей є
а відносна неточність імпульсу: одним із фундаментальних положень квантової
механіки. Вони представляють математичний
вираз корпускулярно-хвильового дуалізму
Таким чином, імпульс цієї молекули частинок, а останнє розглядається як
не може бути визначений з точністю більшою, експериментальний факт.
ніж від початкового значення. Якщо, Істинний зміст співвідношень
однак, розглянути приклад з кулею, маса якої невизначеностей в тому, що в природі
50 г, швидкість польоту якої дорівнює об’єктивно не існує станів частинок з точно
визначеними значеннями координат і
344
Статистичне тлумачення хвиль де Бройля
імпульсів, а значить втрачає зміст поняття особливо проявиться, коли частинка рухається
траєкторії. в неоднорідному просторі, переходячи з одного
Співвідношення Гайзенберга середовища в інше. Таким прикладом є
обмежують застосування понять класичної класичні досліди по дифракції частинок. Коли
фізики до об’єктів із мікросвіту. В класичній пучок електронів проходить через тонку
механіці, щоб повністю визначити рух тіла фольгу, то він розділяється на систему
протягом всього часу, необхідно задати його конусоподібних дифракційних пучків
положення (координату x) і швидкість в (рис.18.3). Якщо розглядати електрон як
який-небудь початковий момент часу. Згідно утворення з хвиль, то кожний дифракційний
співвідношенню невизначеностей зробити це пучок повинен представляти деяку долю
неможливо. Положення і швидкість (імпульс) електрона. Якщо в один реєстраційний прилад
не можуть бути визначені одночасно. направити тільки перший дифракційний пучок,
Доводиться говорити тільки про ймовірність, з а в другий прилад – тільки другий
якою частинка знаходиться в тому чи іншому дифракційний пучок, то це означає, що кожний
місці. Як писав Гайзенберг, «ця невизначеність із приладів прийме тільки частину електрона.
представляє собою справжню основу для появи Це і є крайнє порушення атомізму частинок.
статистичних зв’язків у квантовій механіці». Дійсно, частинка завжди діє як ціле, і
проявляється в приладі вся частинка, а зовсім
не її доля. Тому уявлення про частинки, як
18.5.Статистичне тлумачення хвиль де утворення з хвиль де Бройля протирічить
Бройля атомізму і повинно бути відкинутим.
Фізична суть хвиль де Бройля, які Не можна вважати, що самі хвилі є
зв’язані з рухом частинки, була розкрита не утворенням із частинок або, точніше кажучи,
одразу. Спочатку були спроби розглядати самі виникають в середовищі, яке утворене
частинки як утворення з хвиль, що знаходиться частинками. Дослід показує, що дифракційна
в деякій області простору. Інтенсивність хвиль картина, що виникає на фотопластинці, не
де Бройля розглядалась в цій концепції як залежить від інтенсивності пучка частинок, які
величина, що характеризує густину падають, а значить, і від густини частинок в
середовища, із якого утворена частинка. Таке одиниці об’єму (§18.3). Щоб отримати одну й
розуміння хвиль де Бройля мало зовсім ту саму дифракційну картину, можна
класичний характер. Основою такого зменшити інтенсивність, але збільшити
розуміння було те, що групова швидкість експозицію: важливе тільки загальне число
пакета хвиль співпадала зі швидкістю частинки частинок, які пройшли. Цей факт однозначно
за законами класичної механіки. Однак з часом показує, що кожний електрон дифрагує
група хвиль розпливається, що пов’язано з незалежно від інших. Тому існування
дисперсією. Окремі хвилі, з яких утворена хвильових явищ не можна зв’язувати з
група, розповсюджується з різними наявністю одночасно великого числа частинок.
швидкостями, що і є причиною розпливання. Варто підкреслити, що хвильові
Таким чином, побудована з хвиль де явища в русі мікрочастинок проявляються і в
Бройля частинка буде нестійка. Ця нестійкість таких випадках, коли говорити про
345
середовище, що утворене сукупністю частинок, Якщо фотопластинку розмістити так,
зовсім не доводиться. Дійсно, такі властивості що напрямок від дифракційного апарату до
проявляються в атомах, де число їх зовсім не пластинки співпадає з напрямком
велике (один електрон у водні, два в гелію і дифракційного мінімуму (в цьому напрямку
т.д.). хвилі гасять одна одну), то частинки зовсім не
Правильне тлумачення хвиль де будуть попадати на таку фотопластинку. Якщо
Бройля було знайдене М.Борном на зовсім мова йде не про велике число електронів, а про
іншому шляху. Щоб зрозуміти основну думку один, то інтенсивність хвиль де Бройля вказує
Борна, уявімо собі, що ми досліджуємо тільки про ймовірність попадання електрона,
дифракцію електронів і реєструємо попадання але зовсім не зобов’язує електрон до тієї чи
«дифракційних» електронів на фотопластинці. іншої поведінки.
Кожний із електронів, пройшовши через В такому розумінні, хвилі де Бройля
дифракційний прилад (наприклад, через не мають нічого спільного з хвилями, які
фольгу), проявиться в якому-небудь місці розглядаються в класичній фізиці. У всіх
фотопластинки і викличе там фотохімічну дію. «класичних» хвилях абсолютне значення
Проходження невеликої кількості електронів амплітуди хвилі визначає фізичний стан. Якщо,
дасть на фотопластинці картину, яка подібна наприклад, амплітуда коливань повітря в
на мішень, що простріляну поганим стрілком. одному випадку скрізь в два рази більша, ніж в
Тільки при великій кількості електронів, які іншому, то це означає вчетверо більшу енергію
пройшли, виявиться регулярність в розподілі коливань в першому випадку і, разом з тим,
електронів на фотопластинці і, нарешті, інший фізичний стан середовища.
утвориться розподіл, який відповідає розподілу У випадку хвиль де Бройля їх
інтенсивності при дифракції хвиль (§13.4). інтенсивність визначає густину ймовірності
Така поведінка частинок привела місцезнаходження частинки. Тому важливе
Борна до статистичного тлумачення хвиль де тільки відношення інтенсивностей в різних
Бройля, яке дозволило поєднувати атомізм частинах простору, а не сама їхня абсолютна
частинок з хвильовими явищами. Згідно величина. Це відношення показує, у скільки
статистичному тлумаченню, інтенсивність разів в одному місці простору ймовірніше
хвиль де Бройля в якому-небудь місці простору виявити частинку, ніж в іншому.
пропорційна ймовірності виявити частинку в Хвилі де Бройля дають, таким чином,
цьому місці. Так, наприклад, якщо один статистичний опис руху мікрочастинки. У
дифракційний пучок направляється на одну відповідності з цим ці хвилі необхідно
фотопластинку, а другий на іншу, то при розглядати як хвилі ймовірності: вони
великій кількості електронів, що пройшли визначають густину ймовірності виявити
через апарат, число електронів, які частинку в даному місці простору в даний
потрапляють на кожну з пластинок, момент часу.
пропорційне інтенсивності хвиль де Бройля, Знаючи хвилю де Бройля, яка описує
що розповсюджуються в напрямку кожної із стан частинки, можна знайти ймовірність не
фотопластинок. тільки місцезнаходження частинки, але й
імовірність будь-якого результату вимірювання
346
будь-якої механічної величини, яка відноситься ,
до частинки, що вивчається. де через позначена величина, яка
комплексно спряжена до .
Ймовірність знайти частинку біля
§18.6.Ймовірність місцезнаходження точки x, y, z залежить, звичайно, від розмірів
мікрочастинки області, яку вибираємо. Розглядаючи
Позначимо x, y, z координати нескінченно малу область
частинки. Згідно викладеного в §18.5, в точний , можемо вважати всередині неї
зміст x, y, z вкладається наступне: величини x, постійною, а тому ймовірність знайти частинку
y, z визначаються як координати тієї точки, в пропорційна об'єму цієї області. Позначимо
якій виявляється частинка. Так, наприклад, це цей елемент об'єму через .
будуть координати плямочки на Позначаючи саму ймовірність
фотопластинці, яка отримується в результаті (нескінченно малу) знайти частинку в елементі
попадання на пластинку частинки, або, об'єму біля точки x,y,z в момент часу через
наприклад, координати, які визначають , можемо записати статистичне
положення щілини, через яку пройшла тлумачення хвиль де Бройля у вигляді
частинка, і т.п. наступної рівності:
Сформулюємо тепер математично
(18.22)
статистичну інтерпретацію хвиль де Бройля.
Зауважимо, перш за все, що слово «хвиля» ми Ця рівність дозволяє за відомою хвильовою
вживаємо зараз досить умовно. Тільки в дуже функцією вирахувати ймовірність
спеціальних випадках стан частинки буде місцезнаходження частинки , в
описуватись простими плоскими хвилями. В об’ємі . Величину
загальному випадку те, що ми зараз називаємо
(18.23)
хвилями де Бройля, може бути досить
складною функцією координат частинки x, y, z називають густиною ймовірності.
і часу t. Тим не менш, і для цих складних Ймовірність знайти частинку в
випадків використовується термін хвильова момент часу в об’ємі , згідно теореми
функція і позначається буквою ψ: додавання ймовірностей, дорівнює
(18.21)
Як було пояснено в §18.5, на основі (18.24)
ψ
дослідних фактів ми приймаємо, що густина
Якщо виконати інтегрування по всьому
ймовірності місцезнаходження частинки
об’єму, то отримаємо ймовірність того, що в
визначається інтенсивністю хвиль, тобто
момент часу частинка знаходиться де-небудь.
квадратом амплітуди . Враховуючи, що
Це – ймовірність вірогідної події. В теорії
комплексна функція (хвилі ймовірності
ймовірностей прийнято ймовірність вірогідної
невидимі), а ймовірність повинна бути завжди
події вважати за 1. Якщо це прийняти, то
дійсною позитивною величиною, будемо брати
інтеграл від по всьому об'єму необхідно
за міру інтенсивності не , а квадрат модуля
прирівняти одиниці:
, тобто величину
347
Рівняння Шредінгера. Принцип причинності в квантовій механіці
стані, який описується хвильовою функцією
(18.25)
.
Ця умова називається нормуванням, а функція
, яка задовольняє цій умові, називається §18.7.Рівняння Шредінгера. Принцип
нормованою. причинності в квантовій механіці
Щоб хвильова функція була
Статистичне трактування хвиль де
об’єктивною характеристикою стану
Бройля і співвідношення невизначеностей
мікрочастинок, вона повинна задовільняти ряд
Гайзенберга привели до висновку, що рівняння
обмежуючих умов:
руху мікрочастинок в різних силових полях,
1.Функція , що характеризує
повинно бути рівняння, з якого виходили би
ймовірність виявлення мікрочастинки в
хвильові властивості частинок, які
елементі об’єму, повинна бути скінченною
спостерігаються під час досліду. Основне
(ймовірність не може бути більшою від
рівняння повинно бути диференційним
одиниці), однозначною (ймовірність не може
рівнянням відносно хвильової функції
бути неоднозначною величиною) і
, оскільки величина визначає
неперервною (ймовірність не може
густину ймовірності перебування частинок в
змінюватись стрибком);
момент часу в об’ємі . Оскільки шукане
2.Похідні повинні бути
рівняння повинно враховувати хвильові
безперервні; властивості частинок, то воно повинно бути
3.Функція повинна бути хвильовим рівнянням.
інтегрованою. Основне рівняння нерелятивістської
4.Вона не повинна протирічити квантової механіки, яке сформульоване в
наступним співвідношенням: 1926р. Е.Шредінгером для одномірного
, , W= +U. нерелятивістського випадку, має такий вигляд:
5.Якщо x , y= , z= , то
повинна прямувати до нуля. (18.26)
Хвильова функція задовільняє
принципу суперпозиції: якщо система може де – маса мікрочастинки, – її
знаходитись в різних станах, що описуються потенціальна енергія в силовому полі, в якому
хвильовими функціями , то вона вона рухається, – уявна одиниця. В
також може знаходитись в стані , що подальшому будемо розглядати одномірний
описується лінійною комбінацією цих функцій: випадок. Це не зменшує значення тих
узагальнень, які витікають із рівняння (18.26).
Не зважаючи на те, що Шредінгер
де – деякі комплексні числа. при отриманні свого рівняння користувався
За допомогою хвильової функції в класичними уявленнями про «хвилі матерії»,
квантовій механіці можна обчислити середні це рівняння не можна вивести безпосередньо з
значення фізичних величин, які фундаментальних законів класичної фізики.
характеризують певний об’єкт, що перебуває в Рівняння Шредінгера, подібно, наприклад, до
другого закону Ньютона, само по собі є
348
Рівняння Шредінгера. Принцип причинності в квантовій механіці
фундаментальним співвідношенням. Коли де

потенціальна енергія залежить від часу і
координат, то рівняння (18.26) відоме як Скоротивши на множник , дістанемо
загальне (або часове) рівняння Шредінгера.

(18.28)
Розв’язком цього рівняння і є хвильова функція
, яка служить корисним інструментом,
Це і є стаціонарне рівняння
засобом для описання фізичних явищ.
Шредінгера. Рівняння (18.28) найважливіше
З погляду математики рівняння
співвідношення нерелятивістської квантової
Шредінгера є лінійним диференційним
механіки. Функції , які задовольняють
рівнянням з частинними похідними. З теорії
рівнянню Шредінгера при певному ,
диференційних рівнянь відомо, що кожне
називають власними функціями. В рівнянні
лінійне рівняння з частинними похідними має
Шредінгера як параметр входить повна енергія
багато розв’язків, причому таких, що лінійна
частинки. В теорії диференційних рівнянь
комбінація будь-якої сукупності розв’язків
доводиться, що подібні рівняння мають
рівняння також буде розв’язком рівняння.
розв’язок не при довільних значеннях
Для значної кількості фізичних явищ,
параметра, а лише при певних значеннях . Ці
які відбуваються в мікросвіті, наприклад, для
значення енергії називають власними.
опису поведінки електрона в атомі у ряді
Власні значення можуть
випадків важливо вміти знаходити стаціонарні
утворювати як безперервний, так і дискретний
розв’язки рівняння Шредінгера, які не містять
ряд.
часу.
Рівняння Шредінгера дає змогу
Щоб розв’язати цю задачу, необхідно
знайти не тільки конкретний вигляд функції
знайти так зване стаціонарне рівняння
у заданому зовнішньому полі ,а
Шредінгера, в якому виключено залежність
й визначити її зміну з часом . Отже, рівняння
від часу. Воно має сенс для тих задач, в яких
потенційна енергія не залежить від часу: Шредінгера виступає як свого роду «причина»
Шукатимемо розв’язок рівняння того, який вигляд має – функція в тому чи
Шредінгера у вигляді добутку: іншому випадку і як вона змінюється з часом.

Знання ж – функції дає змогу знайти всі
, (18.27)
можливі значення важливих параметрів
де є функцією лише координат, а – фізичної системи у будь-який момент часу.
повна енергія частинки. Це означає, що стан з Отже, рівняння Шредінгера є
певним значенням енергії W математичним виразом принципу причинності
( гармонійно в квантовій механіці початковий стан
залежить від часу з частотою =W . системи (при відомих взаємодіях в системі)
Підставимо вираз для (18.27) у повністю визначає всю наступну її еволюцію.
рівняння Шредінгера (18.26): Але на відміну від класичної фізики,
квантова механіка не дає чіткої відповіді на
запитання, які є точні значення параметрів
фізичної системи у даний момент часу. –
349
Рух вільної частинки. Частинка в прямокутній потенційній ямі
функція, вказуючи цілий спектр можливих поширюється в додатному напрямі осі ОХ,
значень параметрів системи, дає змогу хвиля з амплітудою В поширюється у
обчислити лише ймовірність появи кожного протилежному напрямку. Знайдений розв’язок
значення під час вимірювання. узгоджується із загальним виразом плоскої
монохроматичної хвилі .
Хвильове число k для вільної частинки
§18.8.Рух вільної частинки. Частинка в
прямокутній потенційній ямі дорівнює ,а .
Розглянемо декілька порівняно Отже, вільній частинці в квантовій

простих прикладів застосування рівняння механіці відповідає плоска монохроматична
Шредінгера до руху частинки в конкретних хвиля де Бройля. Вона характеризує
умовах. ймовірність знаходження частинки в певній
1. Рух вільної частинки точці простору.
Під час руху вільної частинки Дійсно, взявши лише одну з хвиль, що
повна енергія збігається з кінетичною поширюється в додатньому напрямку осі ОХ,

к.
Для вільної частинки, що рухається вздовж осі отримаємо
OX, , рівняння Шредінгера для .

стаціонарних станів набирає вигляду: Власні значення енергії частинки
(18.29) (18.31)
Прямою підстановкою можна Енергія вільної частинки може
переконатися в тому, що частинним розв’язком набувати довільне значення, тобто її
рівняння є функція енергетичний спектр неперервний.
,
де k = 2 хвильове число, довжина хвилі 2.Частинка в одномірній прямокутній
потенційній ямі
де Бройля = = , А і В – сталі. Нехай частинка може рухатись лише
Розв'язок рівняння (18.29) можна вздовж осі ОХ і знаходиться всередині
переписати ще й так: прямокутної потенційної ями, яка обмежена
нескінченно високими бар’єрами (рис.18.9). В
.
цьому випадку потенційна енергія частинки
Функція є тільки координатною
U(x) набуватиме такі значення :
частиною хвильової функції
стаціонарного стану. Розв’язок повного ,
рівняння Шредінгера отримаємо у формі
(18.27): де l – ширина ями, а енергія відраховується від
дна ями. Рівняння Шредінгера (18.26) у
випадку одномірної ями запишемо у вигляді
(18.30)
(18.32)
Цей розв’язок є суперпозицією двох
За умовою задачі (нескінченно високі
плоских монохроматичних хвиль однакової
«стінки») частинка не проникає за границі ями,
частоти . Хвиля з амплітудою А
350
Частинка в прямокутній потенційній ямі
тому ймовірність її виявлення за границями розглядається, обгрунтування цього далі).

ями дорівнює нулю. На границях ями (при х=0 Тобто необхідно, щоб
і х=l) неперервна хвильова функція повинна k (18.36)
U(x)
Тоді Звідки власні
значення енергії
= . (18.37)
U→ U→
8
U=0 8
Рівняння Шредінгера задовільняється
0 l X
лише при значеннях , що залежать від
Рис.18.9.
цілого числа n.
перетворюватися в нуль. Отже, граничні умови Отже, енергія частинки в
мають вигляд: потенційній ямі з нескінченно високими
= (l) = 0. (18.32) стінками не може бути довільною, а набуває
В межах ями (0 ) рівняння лише певні дискретні значення, тобто
Шредінгера матиме вигляд: квантується.
Квантові значення енергії
називають рівнями енергії, а число n, яке
де k2 = .
визначає енергетичні рівні частинки,
Загальний розв'язок диференційного
називають квантовим числом.
рівняння (18.33) будем шукати у вигляді :
Умова (18.36) має простий фізичний
. (18.34)
зміст. Оскільки , де довжина
Функція (18.34) повинна задовольняти
граничним умовами (18.32). Тому отримаємо хвилі де Бройля для електрона в ямі, то =
систему рівнянь:
(l=( тобто на
(18.35) ширині ями повинно вкладатись ціле число
Це однорідна система двох рівнянь буде мати півхвиль де Бройля. Знайдемо власні
нетривіальний розв'язок відносно A і B тоді, хвильові функції. (18.35) видно, що A= B,
коли дискримінант системи дорівнює нулю, тому (18.34) перепишеться так:
тобто
A( )= 2iA .
=0, \Сталу A знайдемо з умови (18.25):
або = 0. Врахувавши формулу

Ейлера (e =iφ
), отримаємо: або 4 Врахувавши, що
Звідки виконується лише

при kl = n, де n цілі числа (випадок n=0 не
351
Частинка в прямокутній потенційній ямі
отримаємо, що Тоді власні хвильові
функції мають вигляд: Енергетичні рівні розміщені так тісно, що

спектр практично можна вважати неперервним.
(18.39) Якщо область, в якій рухається електрон,
порядку атомних розмірів ( , то
На рис.18.10,а наведені графіки
функції при а на
рис.18.10,б густини ймовірності знаходження
частинки на різних відстанях від Отже, дискретність енергетичних
"стінок" ями для рівнів в цьому випадку буде досить помітною і
-i Ψn (x)
2 отримуємо лінійчастий спектр.
n |Ψn (x)| n
W W При великих квантових числах
W3 3 W3 3 (
W2 2 W2 2
тобто сусідні рівні розміщені тим густіше, чим
W1 більше . Якщо дуже велике, то можна

1 W1 1
0 l X 0 l X говорити про практично неперервну
а б
послідовність рівнів і характерна особливість
Рис.18.10. квантових процесів дискретність
згладжується.
Наприклад, у квантовому стані з n = 2
частинка не може знаходитись посередині ями
§18.9.Розв'язок рівняння Шредінгера
і в той же час однаково часто може перебувати
для потенційного бар'єру
в її лівій або правій частині. Стан з n = 0 не
1. Постановка проблеми
існує, так як =0 при n = 0.
Якщо є дві області простору, в яких
Квантовий стан з найменшим
потенційна енергія частинки менша, ніж на
значенням енергії (n = 1) називається основним
поверхні, яка розділяє ці області, то говорять ,
станом. Йому відповідає енергія
що області розділені потенційним бар'єром.
Найпростішим прикладом
Оцінимо різницю енергій двох потенційного бар'єру може бути бар'єр в
сусідніх рівнів за формулою (18.37): одному вимірюванні, що зображений на
рис.18.11. По осі ординат відкладена
потенційна енергія U(x), як функція
координати x. В точці потенційна енергія
Для електрона при розмірах ями має максимум . Весь простір
(вільні електрони в металі) і ділиться в цій точці на дві області: x і
x , в яких U . Значення терміну
352
Потенційний бар'єр
"потенційний бар'єр" зараз з'ясується, якщо область, де . Так само, якщо частинка
розглянути рух частинки в полі U(x) на основі рухається справа наліво з енергією , то
класичної механіки. Повна енергія частинки W вона не проникне в область за другою точкою
дорівнює повороту , в якій (див.рис.18.11).
(18.39) Таким чином, потенційний бар'єр є

"непрозорою" перегородкою для всіх частинок,
де p імпульс частинки, а m її маса.
енергія яких менша (навпаки, він
Роз'язуючи (18.39) відносно імпульсу,
"прозорий" для частинок з енергією ).
отримаємо:
Цим і пояснюється назва "потенційний бар'єр".
. (18.40) Зовсім по іншому протікають явища

біля потенційних бар'єрів, якщо мова йде про
U(x) рух мікроскопічних частинок в мікроскопічних
W>U0
полях, тобто про рухи, при розгляді яких не
U0 можна ігнорувати квантові ефекти (хвильові
властивості частинок). В цьому випадку, як
побачимо в подальшому, на противагу
висновкам класичної механіки, частинки з
W<U0
енергією , яка більша висоти бар'єру ,
W
частково відбивається від бар'єру, а частинки з
енергією, яка менша , частково проникають
x1 Δx x0 x2 X через бар'єр.
Рис.18.11.
2. Розв'язок рівняння Шредінгера для

Знаки необхідно вибирати в залежності від потенційного бар'єру нескінченої ширини
напрямку руху частинки. Якщо енергія

Розглянемо поведінку частинки на
частинки більша "висоти" бар'єру то
границі двох областей І і ІІ, в кожній із яких
вона безперешкодно пройде бар'єр зліва
потенційна енергія частинки стала, але ці
направо, якщо початковий імпульс , або в
потенційні енергії відрізняються на кінцеву
протилежному напрямку, якщо початковий
величину. Будемо вважати, що на границі
імпульс .
областей І і ІІ потенціальна енергія змінюється
Нехай частинка рухається зліва на
скачком, як це показано на рис.18.12 і на
право і енергія її менша . Тоді в деякій
рис.18.13. Виберемо систему координат так,
точці потенційна енергія
щоб вісь була паралельна напрямку руху
, частинка зупиниться. Вся її енергія
частинки. При цьому потенційна енергія
перетвориться в потенційну, і рух почнеться в
задається умовами:
оберненому напрямку: є точка повороту.
область І: при
При імпульс p стає уявною величиною.
область ІІ: при .
Тому частинка, яка рухається
Запишемо рівняння Шредінгера
зліва, не пройде через область максимуму
(18.28) для області І:
потенціалу ( ) і не проникне в іншу
353
Розв'язок рівняння Шредінгера для потенційного бар'єру
, (18.41) Розглянемо тепер умови переходу

частинки із області I в область II в двох
для області ІІ:
випадках: а) коли повна енергія частинки
(18.42) більше її потенційної енергії в області II
U(x) (рис.18.12) і б) коли (рис.18.13).
а) При частинка, яка
підпорядковується класичній механіці,
W Ι ΙΙ обов'язково перейде із області І в область ІІ.
U0
Дійсно, якщо ця частинка несе електричний
заряд і рухається в області I зліва направо, то
0 X на границі I і II вона потрапляє в поле
Рис.18.12.
потенціалу U, яке її затримує. Але оскільки її
повна енергія , то частинка подолає це
U(x)
затримуюче поле і продовжить свій рух в
області ІІ з меншою енергією .
Частинка, рух якої підпорядковується
U0
W Ι ΙΙ рівнянню Шредінгера, наприклад електрон,
повинен поводити себе зовсім інакше. Це
0 X видно навіть із таких якісних міркувань. Рух
Рис.18.13. електрона супроводжується плоскою хвилею
де Бройля. На границі двох областей, де
Введемо позначення
відбувається раптова зміна потенціалу, ця
, (18.43) хвиля повинна поводити себе так, як веде себе
світлова хвиля на границі двох областей з
(18.44) різними показниками заломлення. Це означає,
що на границі областей I і II хвиля де Бройля
де довжини хвиль де Бройля в області частково відбивається, а частково переходить в
І і в області ІІ відповідно. Рівняння (18.41) і область II. Ми можемо також сказати, що,
(18.42) тепер перепишуться у вигляді переходячи із однієї області в іншу, електрон
(18.41') має ймовірність відбитись і певну ймовірність
(18.42') пройти далі в область ІІ.

Наша задача тепер знайти ці
Загальні розв'язки цих рівнянь такі:
ймовірності. Будемо вважати, що у (18.45)
+ (18.45)
інтенсивність хвилі, яка падає, а
+ (18.46)
інтенсивність відбитої хвилі. В області II
і представлені як суперпозиція плоских
розповсюджується тільки хвиля, що проходить.
хвиль де Бройля, причому
Тому в (18.46) приймемо . Ймовірність
характеризують хвилі, які розповсюджуються
проходження квантової частинки в бар'єр і
зліва направо, а і хвилі, що
ймовірність відбиття від бар'єру залежить,
розповсюджуються справа наліво.
таким чином, від коефіцієнтів Ці
354
коефіцієнти можна визначити, врахувавши так

звані граничні умови, тобто неперервність
хвильової функції і її першої похідної (яка Врахувавши (18.50), отримаємо
визначає гладкість функції) при переході із
області I в область II :
Коефіцієнти можемо тлумачити
(18.47)
з корпускулярної точки зору так: є
ймовірність частинці зазнати відбивання на
Із умов (18.47) отримаємо такі
границі областей, а ймовірність пройти в
співвідношення:
область II або, як прийнято говорити,
, ймовірність подолати потенційний бар'єр.
i Складаючи (18.51) і (18.52),
або отримаємо , що витікає з теореми
додавання ймовірностей, оскільки можна
(18.48)
однозначно стверджувати, що на границі
Із системи рівнянь (18.48) отримаємо, що областей частинка або відіб’ється, або пройде
далі.
(18.49)
Вирахуємо тепер коефіцієнти
а відбивання й пропускання в залежності від
(18.50) співвідношення між повною енергією і
потенційною енергією .
Тепер ми можемо по аналогії з
Підставимо у формули (18.51) і
оптикою визначити коефіцієнт відбивання R і
(18.52) значення (формула (18.43)) і
коефіцієнт прозорості D. Коефіцієнт
(формула (18.44)). Тоді отримаємо, що
відбивання дорівнює відношенню квадратів
амплітуд відбитої і падаючої хвиль: (18.53)
= (18.51) і
При розрахунку коефіцієнта прозорості (18.54)

D необхідно помножити відношення квадратів
В таблиці 18.1 приведені розрахунки
амплітуд хвилі, що проходить, та хвилі, що
декількох числових значень R і D. Із цієї
падає, на відношення швидкостей частинок в
таблиці видно, що коли енергія частинки вдвічі
одній та іншій областях з такої причини.
більша висоти "потенційної сходинки" ,
Коефіцієнт прозорості дорівнює відношенню
ймовірність відбивання вже має досить значну
потоку, що проходить, до потоку, що падає.
величину (близько 3%), а при =W
Потік частинок дорівнює , де густина
проникнення в область II взагалі неможливе,
частинок пропорційна квадрату амплітуди
тоді як за класичною механікою в цьому
хвилі де Бройля, а швидкість
випадку, як і в попередніх, частинка достовірно
овжина хвилі де Бройля. Тому переходить в область II, тільки її кінетична
коефіцієнт прозорості енергія там дорівнює нулю.
355
Таблиця 18.1. вигляду = , а ймовірність
U0 /W R D W /U0 знайти частинку на одиничній довжині буде:
0, 1 0,007 0,9993 10
(18.55)
0,5 0,0296 0,9704 2
0,8 0,1459 0,8541 1,25
Це означає, що є певна ймовірність
0,9 0,2700 0,2700 1,11 знайти частинку в області II. Правда, ця
1,0 1,000 0, 000 1,0 ймовірність експоненційно зменшується зі
збільшенням x, але вона відмінна від нуля:
б) При W< за класичною мікроскопічні частинки можуть проникати в
механікою перехід із області I в область II не області, що "заборонені" для частинок
можливий, оскільки за цієї умови (потенційна макроскопічних. Тлумачення отриманих
енергія більша повної енергії) кінетична результатів з хвильової точки зору не має
енергія частинки в області II повинна стати труднощів, оскільки випадок

від'ємною, а швидкість уявною. аналогічний випадку повного внутрішнього
Вирахуємо коефіцієнт відбивання R відбивання в оптиці. З точки зору геометричної
для цього випадку, скориставшись квантовою оптики при переході світла з більш оптично
механікою. Перш за все необхідно звернути густого середовища в менш оптично густе,
увагу на те, що при W < величина коли кут падіння більший критичного, світло
(формула(18.44)) стає уявною: не може проникати в менш оптично густе
середовище. Однак хвильова оптика показує і
= =
дослід підтверджує, що дійсно в цьому менш
=i ik, оптично густому середовищі, навіть і при кутах
де k = . Тоді згідно (18.51) падіння, більших від критичного, є хвильове

поле з експоненційно спадною амплітудою.
= ( )( ) = 1, Розрахунки показують, що, не зважаючи на
D=1 R = 0. проникнення світла в друге середовище,

середнє значення нормальної складової вектора
Отже, при W< коефіцієнт відбивання
Умова Пойтинга (потік енергії) до поверхні
дорівнює 1, тобто відбивання є повним. Такого
розділу за достатньо великий проміжок часу
результату й очікували. Однак неочікуваним є
дорівнює нулю. Це означає, що відсутній рух
те, що, як ми зараз покажемо, хоч відбивання і
енергії з першого середовища в друге.
повне, є певна ймовірність знайти частинку в
Детальний аналіз цього випадку, виконаний
області II. Іншими словами, відбивання не
А.А Ейхенвальдом, показав, що при повному
обов'язково відбувається на самій границі
внутрішньому відбиванні лінії вектора Умова-
областей, а деякі частинки заходять в область
Пойтинга виявляються кривими; вони заходять
II для того, щоб потім повернутись в область I.
в друге середовище і знову виходять в перше;
Дійсно, оскільки при W< коефіцієнт
відбивання продовжує бути повним, не
стає суто уявним, то розв'язок рівняння
зважаючи на встановлення поля в другому
Шредінгера (18.46) за умови = 0 набуває
середовищі. У відповідності з цим, і в нашому
356
Тунельний ефект
випадку коефіцієнт відбивання R дорівнює 1, а пройшла. На цьому принципі побудований
коефіцієнт пропускання дорівнює нулю: один із світлових модуляторів. Товщину зазору
частинки "заходять"в область II, проникають змінюють під дією звукових хвиль (мовлення).
на деяку глибину і знову повертаються в Приймаючи модульоване світло на
область I. фотоелемент, можна отримати змінний струм і
У квантовій механіці, однак, не має відтворити таким чином звук (світловий
ніякого парадоксу в тому, що частинку можна телефон).
виявити в області, де < . По-перше, Цікаво зазначити, що в даному досліді
необхідно завжди пам'ятати, що для товщина зазору залежить від довжини хвилі.
мікроскопічних частинок, в силу Так, наприклад, в УКХ діапазоні вона в
співвідношення невизначеностей, одночасні раз більша, ніж в оптичному діапазоні.
точні значення x і неможливі. Тому не має
сенсу говорити про одночасні, конкретні
3. Розв'язок рівняння Шредінгера для
значення потенційної (функція x) і кінетичної потенційного бар'єру кінцевої ширини.
(функція p) енергії. Тунельний ефект
Нехай частинка, що рухається в

зазор
додатньому напрямку осі OX зустрічає на
своєму шляху прямокутний потенційний
бар'єр, висота якого і ширина l (рис.18.15).
світло
приймач Отже, величина U вздовж осі OX змінюється

так:
Рис.18.14. U(x)=
Явище заходження електромагнітної U(x)

(світлової) енергії в друге, оптично менш густе
середовище, спостерігав експериментально на
досліді Квінке. На рис.18.14 показана схема U0
досліду. Дві призми повного внутрішнього W<U0 Ι ΙΙ ΙΙΙ
відбиття розташовані так, що між ними

утворюється зазор дуже малої товщини 0 l X
(порядку довжини падаючої хвилі) рис.18.14. Рис.18.15.
При великій товщині зазору світло не проникає
За даних умов задачі класична
через повітряний прошарок і приймач не
частинка, яка має енергію W, або пройде над
реєструє енергію. Однак, якщо товщина зазору
бар'єром при W , або відіб'ється від нього
менша глибини проникнення хвилі при
повному внутрішньому відбитті, то енергія, яка при W< і буде рухатись у зворотній бік.
проникає, проходячи через другу призму, Для квантової частинки навіть при
попадає в приймач. Змінюючи товщину зазору, W є відмінна від нуля ймовірність того,
можна регулювати кількість енергії, яка що частинка відіб'ється від бар'єру і буде
357
рухатись у зворотній бік. При W< є також границях областей I і II, II і III, тобто при x=0 і
відмінна від нуля ймовірність того, що x = l.
частинка проникає через бар'єр і виявиться в Випишемо ці умови:
області з x>l.
(18.62)
Рівняння Шредінгера (18.28) для
кожної з виділених областей має вигляд:
для областей I і III (18.63)
(18.56)
Із врахуванням виду хвильових функцій (18.58)
для області II
ці умови дають таку систему рівнянь
(18.57) (враховано, що , ).
Загальні розв'язки цих диференційних
рівнянь будемо шукати в такому вигляді: (18.64)
(18.58) (18.64)
де Із цієї системи рівнянь можна

визначити коефіцієнти , , , . Однак
, (18.59)
коефіцієнти , , , а також коефіцієнт
. (18.60) відбивання R визначати не будемо, оскільки
В області III є лише хвиля, що пройшла через це нічого принципово нового порівняно з
бар'єр і поширюється зліва направо. Тому попереднім розглядом не дає. Для коефіцієнта
коефіцієнт . При W< в області II отримується наступний вираз:
уявне число, тобто і
= (18.65)
(18.61)
Коефіцієнт прозорості бар'єру буде:
У випадку широкого бар'єру, незалежно від
D= . (18.66)
енергії частинки, як ми бачили, є певна
ймовірність проникнути під бар'єр. У випадку, Із врахуванням (18.61) і (18.65), можна
який розглядається, потенціальний бар'єр має отримати такий вираз для
кінцеву ширину, тому є ймовірність не тільки
, (18.67)
проникнення, але і проходження частинки
через бар'єр в область III. де гіперболічна функція
Цей випадок відрізняється від
попереднього тим, що відбивання частинок має
місце як на границі областей I і II, так і на В більшості випадків, які розглядаються,
границі областей II і III. Для розрахунку можна вважати, що Тоді
коефіцієнтів R і D необхідно знайти
коефіцієнти , , , (будемо вважати, що (18.68)
=1). Для цього скористаємось умовами
неперервності функції і її першої похідної на
358
Доданком 4 в знаменнику можна знехтувати, На рис.18.16 приведений якісний

оскільки одного порядку і .З вигляд функцій , , .
точністю до несуттєвого множника Важливо зазначити, що частинки
виходять із бар'єру з тією ж енергією, з якою на
.(18.69)
нього і падають ( ). Це означає, що не
Ця формула показує, що проникність змінюється частота хвилі де Бройля (при
бар'єру дуже залежить від його ширини . дифракції світла теж не має зміни частоти).
Для електрона при
розрахунок дає наступні значення D: Як видно Ψ1 Ψ2
з таблиці, для ширини бар'єру в 1 (атомні Ψ3
розміри) проникність досить велика (десятки
0 l Χ
відсотків), але вже при =10Å вона стає
нехтовно малою.
˳
l, A 1 2 3 5 10 Рис.18.16.
D,відн. • -1 -2
один. 2,3 10 5,5 10
• 1,3•10-2 7 •10-4 5 • 10-7
Тунельний ефект є специфічним
Ми розглянули випадок проходження квантовим ефектом. Проходження
частинки через потенційний бар'єр досить мікрочастинки крізь область, в яку, згідно з
спрощеної прямокутної форми. Це законами класичної механіки, вона не може
ідеалізований випадок. В дійсності проникнути, можна пояснити співвідношенням
потенційний бар'єр має більш складну форму, невизначеностей. Невизначеність імпульсу
зображену на рис.18.11. Для такого бар'єру на відрізку дорівнює . Пов'язана з
коефіцієнт прозорості приблизно виражається
цим розкидом в значеннях імпульсу
такою формулою:
невизначеність кінетичної енергії
, (18.70) може виявитися
достатньою для того, щоб повна енергія
де U = U(x), , і W+ мікрочастинки виявилася більшою
поворотні точки, в яких U( )=U( )=W. і за потенційну .

визначаються за формулами (18.59) і (18.61). Проходження частинок через
константа, яка приблизно дорівнює потенційний бар'єр експериментально
одиниці, а інтеграл в показнику експоненти підтверджено в явищі холодної емісії
формули (18.70) характеризує начебто товщину електронів з металу. Тунельний ефект відіграє
бар'єру на рівні W. Формула (18.69) є основну роль у явищах радіоактивного α
частинний випадок формули (18.70). розпаду, перебігу термоядерних реакцій.
Явище проходження частинки через Тунельний ефект лежить в основі
потенційний бар'єр називають тунельним відомого ефекту Джозефсона, відкритого в
ефектом. Така назва дана тому, що частинка 1963р. Суть його в тому, що при проходженні
проходить через бар'єр, начебто через тунель.
359
Холодна емісія електронів із металу
тунельного струму через тонкий шар заповнених рівнів утворює різку границю між
діелектрика між двома надпровідниками, заповненими і вільними рівнями.
відбувається випромінювання
електромагнітних хвиль НВЧ (надвисоких (x)
..... ... ....
Метал
.. . . .. .
частот). Ефект Джозефсона знаходить широке
застосування в логічних пристроях, в
параметричних перетворювачах та інших Вакуум
електронних приладах.
На основі тунельного ефекту
0
працюють тунельні діоди, які широко

використовуються в радіотехніці високих
частот, обчислювальній техніці.
Рис.18.17.Точками позначені електрони.

§18.10.Холодна емісія електронів із
металу Цей верхній заповнений рівень
Внаслідок тунельного ефекту, стає
називається границею Фермі, а його енергія
можливою емісія з не підігрітого (холодного)
енергією Фермі (рис.18.17). Очевидно, що
катода під впливом електричного поля
для звільнення електрона з металу необхідно
(E~108÷109 В/м). Це так звана холодна або
надати йому енергію
автоелектронна емісія.
,
Метал можна розглядати як газ
де глибина потенційної ями, робота
вільних електронів, які можуть переміщуватись
виходу електрона з металу (входить в рівняння
в будь-якій області кристалу. Границі кристалу
Ейнштейна для фотоефекту). Електрон, однак,
при цьому є начебто своєрідними стінками, які
може бути звільнений з металу не тільки під
обмежують об'єм, що заповнений електронним
дією світла, але і внаслідок нагрівання
газом. Якщо умовно вибрати за початок відліку
(термоелектронна емісія). Якщо до металу
енергію вільного електрона, що знаходиться в
прикласти електричне поле, як показано на
стані спокою у вакуумі, то енергія електрона,
рис.18.18, то всередині металу і на його
який рухається у вакуумі, буде позитивною, а
поверхні енергія електрона не зміниться
енергія електрона в металі від'ємною. Таким
(електричне поле не проникає в провідник
чином, електрон в металі є начебто в
(Розділ 3)). Тому енергію електрона, який
потенційній ямі (рис.18.17) і на його шляху до
вийшов із металу і знаходиться на відстані
виходу з металу існує потенційний бар'єр.
Як було показано в §18.8, енергія від його поверхні в електричному полі, можна
електрона в потенційній ямі дискретна й вільні записати так:
електрони в металі (їх концентрація в металі U(x)= , (18.71)

n~1028м-3) згідно принципу Паулі заповнюють де ) потенційна енергія електрона в
по два на кожний енергетичний рівень. Навіть однорідному електричному полі, напруженість
при кімнатній температурі верхній із
360
Холодна емісія. Аморфні і кристалічні тверді тіла
якого . Залежність (18.71) на рис.18.18 напруженості поля і була знайдена

зображена прямою лінією MN. Прозорість експериментально.
- E
+
x
Метал Вакуум Контрольні питання
U
U0
1.В чому суть гіпотези де Бройля і
M
eEx
корпускулярно–хвильового дуалізму
W матерії?
2.Чи у всіх випадках руху
N матеріальних тіл необхідно враховувати
K
L гіпотезу де Бройля?
3.Що означає координатно-
імпульсний метод описання руху
0 x1 x2 X частинок?
4.Що визначають співвідношення
Рис.18.18. невизначеностей Гайзенберга?
5.Хвильова функція та її фізичний
бар'єру KLMN визначимо за формулою (18.70), зміст. Які властивості хвильової функції?
прийнявши 6.Розв’язок рівняння Шредінгера
для нескінченно глибокої потенційної ями.
Що означає квантування енергії?
7.Розв’язок рівняння Шредінгера
Будемо вважати, що = , тоді для потенційного бар’єру кінцевої і
нескінченої ширини. Яка природа
тунельного ефекту?
8.Холодна емісія і причини її
виникнення.
за умови, що поворотна точка знаходиться з Розділ 19.Основи зонної теорії

умови . Тоді твердих тіл
§19.1.Тверде тіло. Аморфні і кристалічні
тверді тіла
або Тверде тіло агрегатний стан речовини,

α
(18.72) який характеризується стабільністю форми і
характером теплового руху атомів, котрі
Струм холодної емісії можна записати так:
здійснюють малі коливання навколо положень
= , (18.73) рівноваги. Розрізняють кристалічні та аморфні
тверді тіла. Кристали характеризуються
де і α константи, які
просторовою періодичністю в розташуванні
характеризують метал, напруженість поля. рівноважних положень атомів. В аморфних тілах
Саме така залежність "холодного струму" від атоми коливаються навколо хаотично
361
Структура кристалів
розташованих точок. Аморфний стан (від тією періодичністю, з якою розміщені в
грецького a mo r p h o u s – безформенний), просторі їхні структурні елементи.
твердий стан речовини, який характеризується
ізотропією властивостей і відсутністю точки
плавлення. При підвищенні температури a3
аморфна речовина розм’ягчується і переходить в
рідкий стан поступово. Ці особливості
обумовлені відсутністю у речовин в аморфному
a2
стані строгої періодичності в розташуванні
a1
атомів, іонів, молекул і їхніх груп на великих
Рис.19.1
відстанях, яка є в кристалах. Кристали мають
певну температуру (точку) плавлення.
Тому таке важливе поняття кристалічна
Стійким станом (з мінімальною
решітка. Відстань між атомами в кристалічній
внутрішньою енергією) твердого тіла є
решітці (близько 10-10 м = 1 є різною в різних
кристалічний. З термодинамічної точки зору
напрямках. В кожній кристалічній решітці
аморфне тіло знаходиться в метастабільному
можна виділити основний елемент –
стані і з часом повинно кристалізуватись. Всі
елементарну комірку (рис.19.1).
речовини в природі (за винятком рідкого гелію)
Елементарна комірка – це той
тверднуть при атмосферному тиску і температурі
мінімальний за об’ємом елемент решітки
.
(групи атомів), послідовним переміщенням
Дослідження властивостей твердих тіл
(трансляцією) якого можна побудувати всю
об’єднались у велику область – фізику твердого
решітку кристалу. Тобто для кристалічної
тіла, розвиток якої стимулюється потребами
решітки характерна періодичність. Виділяючи
техніки. Фізика твердого тіла джерело нових
таку комірку, вдається описати положення
матеріалів, нові фізичні ідеї, які народжуються у
атомів чи іонів в речовині, а значить, з її
фізиці твердого тіла, проникають в ядерну
допомогою можна характеризувати структуру
фізику, астрофізику, біофізику й інші області
кристалів. Положення, які займають атоми чи
науки. Властивості твердого тіла можна
іони, відповідають точкам (вузлам) решітки.
пояснити, виходячи зі знань про його атомно-
Розглядаючи структуру кристалів, будемо
молекулярну будову і закони руху його атомних
абстрагуватись від теплового руху атомів,
частинок (атомів, іонів, молекул), а також
який носить характер коливань біля вузлів
субатомних частинок (електрони, атомні ядра).
просторової решітки. Амплітуда цих коливань
мала (десь близько 0,1 міжатомної відстані),
тому тепловий рух в середньому не порушує
§19.2.Структура кристалів
симетрії кристалів.
Кристалами називаються тверді тіла, Таким чином, для описання структури
атоми (іони) в яких просторово упорядковані й кристалу досить задати його елементарну
утворюють трьохмірну періодичну структуру, комірку. Сама елементарна комірка, очевидно,
яка називається кристалічною решіткою. геометрично визначається заданням трьох
Багато властивостей твердих тіл пояснюється основних векторів (рис.19.1). В
362
Структура кристалів
напівпровідниках елементарна комірка Z
складається всього лише з декількох атомів.
Просторово вона дуже мала і може бути
розміщена всередині куба зі стороною a
. Y
Серед всіх можливих видів решіток X
можна виділити кубічну (одну з найпростіших) Z
решітку, яка має декілька різновидностей.
1.Проста кубічна решітка. В
кожній вершині такої решітки розташований б
один атом, який належить одночасно восьми Y
сусіднім елементарним коміркам (рис.19.2,а), X
яких є вісім. В такій формі кристалізується Z
тільки полоній ( ).
2.Кубічна об’ємно-центрована
решітка. Тут крім атомів у вершинах кубів є в
ще один атом в центрі (рис.9.2,б). До такого
Y
типу відносяться кристалічні решітки
молібдену і вольфраму. X
Z
3.Кубічна граніцентрована
решітка. Має шість атомів в центрах граней і,
крім того, вісім атомів у вершинах кубів
(рис.19.2,в). В такій формі кристалізується г
алюміній і низка інших хімічних елементів. Y
4.Решітка типу алмазу. Може
X
розглядатись як дві вкладені одна в одну Рис.19.2. Елементарні комірки кубічних
кубічні граніцентровані решітки, які зміщені на решіток: а проста кубічна; б кубічна об'ємно-
центрована; в кубічна граніцентрована; г тип
відстань четвертини діагоналі куба (рис.19.2,г
алмазу і арсеніду галія.
темними і світлими кружечками зображені одні
й ті самі атоми). В таку форму кристалізується Щоб знайти число точок, які належать
вуглець, кремній, германій і сіра модифікація одній елементарній комірці, необхідно
олова. розглянути граничні точки комірки. Якщо
5.Решітка типу арсеніда галію говорити про елементарну комірку простої
отримується з решітки типу алмазу в тому кубічної решітки, то тут у вершинах куба є
випадку, коли атоми галію співпадають з вісім точок, однак кожна з цих восьми точок
вузлами однієї граніцентрованої решітки, а одночасно належить восьми кубам, які
атоми миш’яку – з вузлами іншої (на рис.19.2,г сходяться у вибраній вершині; таким чином,
атоми Ga позначені світлими кружками, а отримаємо точку, яка
атоми As – темними). приходиться на елементарну комірку. Для
решітки об’ємно – центрованої маємо вісім
363
Основні типи міжатомної взаємодії в твердих тілах
точок у вершинах, кожна з яких приходиться сукупностей паралельних атомних площин і

на вісім кубів, і крім того, всередині кожного визначити міжплощинну відстань для них. В
куба міститься одна точка. Звідси витікає, що в результаті вдається визначити тип решітки (її
одній елементарній комірці міститься симетрію) та її параметри. Рівняння (13.33)
точки. Для решітки справедливе для дифракції на кристалічній
граніцентрованої маємо шість точок, які решітці всіх випромінювань з відповідною
розташовані на гранях комірок, що довжиною хвилі, хоч техніка експерименту у
дотикаються, а також по одній точці у випадку використання рентгенівських
вершинах куба. В результаті знаходимо, що променів або прискорених електричним полем
число точок, які належать елементарній електронів зовсім різна.
комірці, складає тут .
Структура кристалів досліджується,
§19.3.Основні типи міжатомної
головним чином, наступними методами:
взаємодії в твердих тілах
дифракції рентгенівських променів
Сили притягання між частинками, з
(рентгенографія), дифракції електронів
яких складається тверде тіло, наскільки великі,
(електронографія), дифракції нейтронів
що атоми твердого тіла не можуть рухатись
(нейтронографія). Дифракція променів або
вільно один відносно одного. Однак ці атоми
частинок з відповідною довжиною хвилі
зовсім не нерухомі. Кожен із них весь час
відбувається на просторовій кристалічній
коливається під дією пружних сил, які діють
решітці.
між частинками.
Направлені на кристал промені або
В 1912 р. Фрідріх, Кніппінг і Лауе в
частинки розсіюються атомами, які
дослідах по дифракції рентгенівських променів
розташовані у вузлах кристалічної решітки.
показали, що кристали дійсно побудовані з
Хвилі, які розсіяні окремими атомами,
атомів, які симетрично розташовані відносно
інтерферують між собою. В результаті тільки в
один одного. Брегг в 1913р. визначив
деяких напрямках в просторі
кристалічні структури KCl, NaCl, KBr і KI в
розповсюджуються підсилені взаємною
експериментах по дифракції рентгенівських
інтерференцією хвилі (рис.13.28).
променів. Ці дослідники вперше пояснили
Умова появи дифракційного максимуму
фізичний зміст геометричної правильності
при розсіюванні рентгенівських променів
кристалічних твердих тіл, яка відповідає їхній
виражається рівнянням Вульфа-Брегга (13.33).
атомній будові. Структура і жорсткість твердих
Якщо відомі кути променів на
тіл визначаються відмінністю в
кристал (або ж кути, під якими реєструються
електростатичних силах, які зв’язують разом
дифраговані промені) і довжина хвилі
атоми, що складають тіло.
випромінювання, можна визначити
міжплощинну відстань d в даній системі
Іонний зв’язок та іонні кристали
паралельних атомних площин кристалу.
Типовим представником іонних
Змінюючи кут падіння первинного пучка
кристалів є кам'яна сіль і, як правило, іонний
паралельних променів на кристал, можна
зв’язок в кристалах розглядають на цьому
досягти виконання умови (13.33) для інших
прикладі. Електронна структура ізольованого
364
Іонний зв’язок та іонні кристали. Ковалентний зв’язок
+
атома натрію , атома Na
Cl
хлору При зближенні
цих атомів, наприклад, в процесі конденсації
парів, виникає ймовірність переходів
електронів зі станів, які належать одному
атому, в стан, який належить другому атому (а
фактично в цьому випадку вже утворюється ◦
система зі спільними станами). 4, 3 A
Природно, що перехід зі стану
Рис.19.3.
електрона натрію у частково пустий стан
хлору енергетично вигідний, оскільки при
Ковалентний зв’язок
цьому обидва атоми набувають на зовнішньо Ковалентний (гомеополярний) зв’язок
валентній електронній оболонці структуру виникає при зближенні атомів внаслідок
стійкого октету (вісім електронів). Атом перекриття хвильових функцій електронів, що
натрію при цьому перетворюється на призводить до виникнення при цьому
позитивний іон , атом хлору – на виключно квантової обмінної взаємодії між
негативний іон . Між ними виникають електронами. Природа обмінної взаємодії
кулонівські сили притягання, які на близьких обумовлена тотожністю електронів, тобто,
відстанях врівноважуються силами принципово не можна розрізнити електрони
відштовхування. Кулонівська взаємодія існує один від одного. Класичним прикладом
між всіма іонами, які входять в дану обмінної взаємодії є теорія гомеополярного
конденсовану систему. зв’язку в молекулі водню. Як показує
В результаті встановлюється деякий детальний квантово-механічний розгляд, у
рівноважний для даних зовнішніх умов випадку, коли спіни в системі двох електронів
розподіл іонів в просторі, який утворює антипаралельні, енергія системи, яка
решітку іонного кристалу (рис.19.3). Найбільш складається зі «звичайної» кулонівської
характерні властивості іонних кристалів такі: енергії і кулонівської енергії обмінної
висока (порядку К) температура взаємодії, має мінімум при деякій відстані між
плавлення; центрами ядер атомів водню, які входять до
відсутність електронної і наявність іонної складу молекули. Це означає, що утворюється
провідності; стійка система, в даному випадку – молекула
велика механічна міцність, яку, однак, водню Н . Це приклад найсильнішого
практично не можна використати із-за великої хімічного зв’язку в природі, який обумовлює
крихкості іонних кристалів; той факт, що атомарного водню в природних
іонні кристали це діамагнетики умовах не існує.
(магнітна проникність , магнітна Ввівши поняття ковалентного зв’язку,
сприйнятливість ), якщо вони не містять розглянемо конкретно кристал кремнію. Атом
іонів феромагнітних елементів. кремнію має такий розподіл електронів за
станами: . В – стані є
365
Міжатомна взаємодія в металах. Властивості металів
лише два електрони і чотири вакантних місця. Міжатомна взаємодія в металах.
Кожний атом кремнію в твердому стані Властивості металів
Для металів характерним є наявність
старається притягнути по одному електрону від
в кристалах майже вільних (слабо зв’язаних з
кожного з чотирьох найближчих сусідніх
іонами гратки) електронів. Цим пояснюється
атомів, щоб дозаповнити 3р оболонку. Виникає
висока електро і теплопровідність металів,
так званий алмазоподібний тип кристалічної
типовий металічний блиск, велика
решітки.
пластичність. Металічний зв’язок – це
На рис.19.4 приведене двомірне
граничний випадок ковалентного зв’язку.
зображення зв’язків в решітці кремнію. Тут у
Обмінна взаємодія, яка здійснюється
вузлах решітки знаходиться іон кремнію,
валентними електронами, в цьому випадку
якому належать чотири валентних електрони
відбувається в межах всього кристалу і
. Валентні електрони забезпечують
наявність електронного газу (вільних
ковалентний зв’язок (на рис.19.4 вони
електронів) визначає ненаправлений характер
зображені у вигляді чорних точок).
металічного зв’язку. Цим, зокрема, обумовлена
висока пластичність металів: переміщення
атомів в решітці під дією зовнішніх сил менше
Si Si Si змінює його енергетичний стан, ніж у випадку,
коли при такому переміщенні розриваються
направлені іонні або ковалентні зв’язки. З
Si Si Si
точки зору якісних уявлень про утворення
стійких октетів на зовнішніх електронних
Si Si оболонках атомів виникнення металічного

Si
зв’язку обумовлене «позбавленням» атомами
всіх валентних електронів, в результаті чого
кожний атом набуває електронної структури
Рис.19.4
попереднього інертного газу. Наприклад, атом
Кристали з ковалентним зв’язком натрію , віддавши в склад
часто називають валентними кристалами, електронного газу свій єдиний валентний
основні властивості яких такі: електрон, набуває електронної структури неона
висока температура плавлення ( . Це приводить до енергетичного
висока твердість і пружність, велика виграшу і до виникнення сил притягання між
крихкість; атомними залишками; кулонівська взаємодія з
за електричними властивостями вони атомними залишками утримує колективізовані
належать до напівпровідників і діелектриків (у електрони в об’ємі кристалу.
ряді металів теж зустрічається значна доля Таким чином, структура металу
ковалентного зв’язку). уявляється як іонний позитивний кістяк, що

занурений в електронний газ, який компенсує
сили відштовхування між іонами і зв’язує їх
внаслідок обмінної взаємодії в тверде тіло
(рис.19.10). Більшість металів мають щільно
366
Рідкі кристали. Сили Ван дер Ваальса
упаковану решітку: кубічну граніцентровану кристали називають ще мезофазами (від
(рис.19.2,в) і гексагональну (рис.19.5). грецького me z o s – середнє).
Рідкі кристали відкриті в 1889р.
австрійським ботаніком Ф.Рейніцером, який
синтезував незвичайні кристали. При їхньому
нагріванні отримувалась рідина, яка в
залежності від температури була то
каламутною, то прозорою, то набувала
синюватий відтінок. Німецький фізик О.Леман
Рис.19.5.Гексагональна комірка металу.Світлі

кружечки іони металу.
n
Перехідні тугоплавкі метали, такі як а б

Cr, Mo, W, V, Ta, мають кубічну об’ємно-
центровану решітку. Кубічну об’ємно-
центровану решітку має при температурі до
910 і залізо. У них, крім звичайного
металічного зв’язку в кристалах, також діє
ковалентний зв’язок, обумовлений
електронами внутрішніх незаповнених
оболонок. Більшість металів парамагнетики в
( Перехідні метали Fe, Co, Ni і Gd Рис.19.6
– феромагнетики ( .
почав систематичне вивчення таких речовин і
встановив, що відкрито особливий стан, який
належить багатьом органічним речовинам.
§19.4.Рідкі кристали. Сили Ван дер
Ваальса Число хімічних сполук, для яких знайдені рідкі
кристали, складають декілька тисяч. Рідкі
Рідкі кристали це особливий стан кристали утворюються при нагріванні деяких
деяких органічних речовин, в якому вони твердих кристалів (мезогенних): спочатку
володіють реологічними властивостями рідини відбувається фазовий перехід в рідкий кристал,
– плинністю, але зберігають певну а подальше плавлення рідкого кристалу у
впорядкованість в розташуванні молекул і звичайну ізотропну рідину. Кожна мезофаза
анізотропію ряду фізичних властивостей, яка існує в певному температурному інтервалі
характерна для твердих кристалів. Рідкі (термотропні рідкі кристали). Рідкі кристали
367
Рідкі кристали. Сили Ван дер Ваальса
утворюють речовини, молекули яких мають
видовжену палицеподібну форму, часто з
чергуванням лінійчастих (рис.19.6,а) і
циклічних плоских атомних груп (рис.19.6,б),
які паралельні одні одним. На рис.19.6,в
приведене розташування таких молекул в
рідині. Така форма молекул визначає
приблизну паралельність їх взаємної укладки, а
що є основною ознакою рідкого кристалу.
Розрізняють три основні типи рідких
кристалів: нематики (рис.19.7,а), смектики
(рис.19.7,б) і холерики (рис.19.7,в). Найменшу
впорядкованість мають нематичні рідкі
кристали (назва «нематичний» походить від
грецького слова нитка). В рідких
кристалах в мікроскопі видно тонкі рухомі
б
нитки, які є дефектами структури. В
ідеальному рідкому кристалі таких ниток не
має. В нематиках молекули паралельні, але
зсунуті вздовж своїх осей одна відносно одної
на довільні відстані (рис.19.7,а). В смектичних
рідких кристалах молекули паралельні одна
одній і розташовані шарами (рис.19.7,б).
Структура холестеричних рідких кристалів
відрізняються від них додатковим
закручуванням молекул в напрямку, який
перпендикулярний до їхніх довгих осей
(рис.19.7,в). Крок такої спіральної
«надструктури» може бути досить великим і в
досягати декількох мікрометрів. Рис.19.7.Типи рідких кристалів: а нематики;
б смектики; в холерики.
Прикладом нематичного рідкого кристалу є
параазоксианізол, який існує в мезофазі в Знайдені смектичні рідкі кристали
інтервалі 116-136 . Його молекула має таку деяких сполук і їхніх сумішей в інтервалі від
структуру: 40 до +80 , що розширює можливості
їхнього практичного використання. Прикладом
СН3О N N OCH3 холестеричних рідких кристалів є ефіри
O холестерину. Розглянемо тепер сили, які діють
в нематичній рідині. Ці сили – електричного
походження. Сила притягання
368
Властивості рідких кристалів
виникає між двома атомами або молекулами, a b c d
які самі по собі є електрично нейтральними.
Рис.19.9.
Вперше такі сили став враховувати
голландський фізик Я.Д.Ван дер Ваальс
Такі-самі міркування можна привести й
(1873р.) для пояснення властивостей реальних
у відношенні двох молекул, які складаються з
газів і рідин, і з тих пір вони отримали назву
декількох десятків атомів. Нейтральні
сил Ван дер Ваальса. Він припустив, що на
молекули повинні притягуватись одна до одної
малих відстанях r між молекулами діють сили
внаслідок виникнення електричних диполів.
відштовхування, які зі збільшенням відстані
Сила притягання між двома полярними
змінюються силами притягання. Спробуємо
молекулами максимальна в тому випадку, коли
розібратись, як це відбувається. Уявімо собі, що
їхні дипольні моменти розташовуються вздовж
через якусь випадкову причиниу в атомі
однієї лінії (рис.19.9) і залежить від їхньої
відбулось зміщення негативно зарядженої
взаємної орієнтації. Різнойменні заряди b і c
електронної хмарини відносно позитивно
взаємодіють сильніше, ніж однойменні заряди
зарядженого ядра, тобто виникає електричний
диполь (рис.19.8,а). Біля атома диполя a і c ( а також b і d), що знаходяться на більшій
виникає електричне поле. Напруженість цього відстані один від одного. Сила взаємодії таких
поля швидко зменшується при віддаленні від молекул зменшується з відстанню
атома, але біля атома воно достатньо велике. значно швидше, ніж кулонівська сила взаємодії
Якщо в поле атома І потрапляє нейтральний заряджених частинок . Через ці
атом ІІ (рис.19.8,б), то електричне поле атома І причини більша частина атомів одної молекули
повинно змістити заряди електронів і ядра прагне наблизитись до атомів іншої молекули,
атома ІІ так, як показано на рис.19.8,б, тобто оскільки тільки в цьому випадку сили взаємодії
атом ІІ поляризується. Поле атома ІІ між молекулами перетворюються в нуль. Але
така ситуація можлива тільки тоді, коли довгі
підтримує розділення зарядів в атомі І. Із
осі молекул або площини молекул паралельні
рис.19.8,б видно, що різнойменно заряджені
E1
одні до одних. Так виникає певний порядок в
орієнтації молекул і з'являється виділений
напрямок. Цей напрямок можна
I II характеризувати одиничним вектором
E E2 (рис.19.6). Зрозуміло, що таке паралельне
a б
розташування виділених осей (або площин)
Рис.19.8.
молекул можливе тільки при достатньо низькій
частинки атомів повинні притягуватись, а
температурі, коли теплові поштовхи не
значить, і атоми в цілому повинні
наскільки сильні, щоб зруйнувати
притягуватись один до одного. При зближенні
орієнтаційний порядок в системі молекул. При
атомів між ними починають діяти сили
підвищенні температури обов’язково настає
відштовхування. На відстані, що приблизно
момент, коли хаотичний тепловий рух стає
дорівнює розміру атома, сили взаємодії між
переважаючим і нематичний порядок
атомами дорівнюють нулю.
руйнується.
369
Класифікація твердих тіл за величиною питомої електропровідності та її
залежності від температури
Таким чином, система таких особливих рідких кристалах, ми спостерігаємо саме
молекул може мати два стани: звичайний явище ефекту Фредерікса. Рідкі кристали
(ізотропний) рідкий – при високих мають широке практичне застосування,
температурах (рис.19.6,в) і анізотропний рідкий особливо в системах обробки і відображення
– при низьких температурах (рис.19.7). інформації, в яких використовуються
Теорія рідких кристалів базується на електрооптичні властивості рідких кристалів.
поєднанні принципів симетрії кристалів (у
відношенні найближчих сусідів) з законами
статистичної фізики. §19.5. Класифікація твердих тіл за
Рідкі кристали мають анізотропію величиною питомої електропровідності
пружності, електропровідності, магнітної та її залежності від температури
сприйнятливості і діелектричної проникності,
Класифікація твердих тіл за величною
оптичну анізотропію, сегнетоелектричні
питомої електропровідності наведена в розділі
властивості та інше. Наприклад, холестеричні
2 (§2.1). Питомий опір в срібла менший, ніж у
рідкі кристали володіють великою оптичною
тефлона, в (!) раз. Жодна фізична
активністю (в більшою, ніж в
характеристика не змінюється так сильно при
органічних речовинах і твердих кристалах.
переході від речовини до речовини, як питомий
Найбільші враження створюють
опір. Виникає питання, чому ж опір цих
оптичні властивості рідких кристалів, які
речовин в твердому стані відрізняється так
зробили їх такими популярними. Такі оптичні
сильно. Більше того, атоми однієї і тієї самої
властивості дуже незвичні для рідин і властиві
речовини, наприклад вуглецю (С), в залежності
твердому кристалу. Зрозуміло в чому тут
від того, в яку кристалічну решітку твердого
справа: в нематичній рідині, як і в кристалі є
тіла вони з’єднанні, можуть утворювати і дуже
особливі напрямки. Наявність цих напрямків
хороший провідник – графіт, і прекрасний
обумовлює ряд чудових властивостей кристалів
ізолятор – алмаз. Олово – здавалось би,
і зокрема, оптичні властивості. Тому такі
типовий метал. Однак, якщо всім знайоме біле
особливі напрямки називають оптичними
блискуче олово довго потримати при
осями. Напрямок оптичних осей в рідкому
температурі мінус 30 , то його кристалічна
кристалі співпадає з вектором (рис.19.6,а,б).
структура зміниться, а зовнішньо воно посіріє. І
В твердих кристалах оптичні осі жорстко
це олово – його так і називають «сіре олово»
закріплені. А в рідких кристалах напрямки
напівпровідник. А свинець завжди метал.
оптичних осей можна змінювати за допомогою
Якщо почати змішувати різні елементи,
найрізноманітніших впливів, в тому числі й
то картина зовсім ускладнюється. Візьмемо,
електричними або магнітними полями.
наприклад, і сплавим два метали індій і
Ефект зміни напрямку орієнтації
сурьму в пропорції один до одного. Отримаємо
молекул в нематичній рідині під дією
напівпровідник InSb, який широко
електричного поля спостерігав В. Фредерікс.
застосовується в техніці.
Назва цього ефекту тепер носить його ім’я.
Приклади з атомами вуглецю, олова
Користуючись популярними електричними
наводять на думку, що тверде тіло буде
годинниками і калькуляторами з екранами на
370
Класифікація твердих тіл за величиною питомої електропровідності та її
залежності від температури
металом чи діелектриком залежить не тільки і, теплових коливань решітки. Світло з
може бути, навіть не настільки від відповідною довжиною хвилі теж може
властивостей атомів, які складають кристал, розірвати електронні зв’язки і створити в
скільки від того, які відношення складаються у кристалі вільні електрони. Але при досить
кожного атома з сусідами, тобто від типу низькій температурі (і у відсутності світла)
зв’язків, котрі об’єднують атоми в кристалічну кристал, який показаний на рис.19.4 є
решітку твердого тіла. На рис.19.10 схематично ідеальним ізолятором: вільних носіїв заряду в
зображена кристалічна решітка металу. ньому немає.
Величина енергії, яка необхідна для
того, щоб розірвати електронні зв’язки між
атомами і створити в неметалічному кристалі
вільні електрони, позначається символом і
називається енергією активації. Вона є
важливою характеристикою кристалу. Значення
залежить від структури кристалічної
решітки, від властивостей атомів, які її
Рис.19.10
складають, і у різних матеріалів її значення
Правильна решітка позитивно
лежить у межах від нуля до декількох десятків
заряджених іонів занурена в «газ» із вільних
електрон-вольт. Якщо значення велике, то
електронів (темні кружечки), не зв’язаних
нагрівання навіть до дуже високої температури
жорсткими зв’язками з окремими іонами.
не створює в кристалі скільки-небудь
Електрони, як прийнято говорити,
помітного числа вільних електронів. При
колективізовані кристалом і можуть вільно
досить великому значенні кристал може
переміщуватись під дією зовнішнього
навіть розплавитись раніше, ніж в ньому
електричного поля. В кожному кубічному
внаслідок теплового руху виникатимуть вільні
сантиметрі металу міститься близько
носії заряду. Такі матеріали з великим
вільних носіїв струму – електронів. Тому
значенням є типовими діелектриками.
метали є чудовими провідниками.
На рис.19.4 схематично зображена e
Si +
Si Si
решітка (фактично діелектрика) кристалічного
кремнію. Кожний атом зв’язаний з + e
найближчими сусідами міцними електронними Si Si + Si

зв’язками. Щоб розірвати електронні зв’язки e e
+
між атомами решітки і створити в такому
Si Si Si
кристалі вільні електрони, які здатні
створювати електричний струм, необхідно
Рис.19.11.Виникнення носіїв заряду в
затратити енергію. Звідки може взятись ця
напівпровіднику. Позначення: ● – електрони, + дірки.
енергія? Якщо її величина не дуже велика, а
кристал досить сильно нагріти, то електронні
При невеликому значенні
зв’язки можуть бути розірванні внаслідок
нагрівання навіть не до дуже високих
371
Напівпровідники
температур призведе до розриву значного числа Більш коротко, напівпровідники це
електронних зв’язків і появі відносно великого неметалічні матеріали з відносно невеликою
числа вільних носіїв заряду (рис.19.11). величиною енергії . Значення для
Кристал набуває здатності проводити найбільш поширених напівпровідників
електричний струм. Тому матеріали з приведено в таблиці при кімнатній температурі
невеликим значенням будуть займати «як би Ці напівпровідники знайшли широке практичне
середнє місце між провідниками і застосування. Так, із InSb виготовляють
непровідниками». Адже «здатність проводити приймачі інфрачервоного випромінювання
електрику» (провідність) пропорційна ( , які лежать в основі роботи
концентрації вільних носіїв заряду. В приладів нічного бачення. Із германію були
провідниках (металах) концентрація вільних виготовленні перші транзистори і діоди.
носіїв заряду дуже велика. Це відповідає Кремній основний матеріал сучасної
ситуації, коли всі електронні зв’язки розірвані і Напівпровідник InSb Ge Si
всі валентні електрони вільні. В Wg , eB 0,17 0,72 1,1
«непровідниках» (діелектриках) вільних носіїв Напівпровідник GaAs GaAlAs SiC
заряду практично не має. Зрозуміло, що Wg , eB 1,4 1,4 - 2,17 3
питомий опір матеріалу з невеликим значенням
напівпровідникової електроніки. Арсенід галію
може дуже сильно змінюватись з (GaAs) використовується для створення
температурою. В таких матеріалах складник сполук (наприклад, GaAlAs), які
концентрація вільних носіїв заряду використовуються для створення
пропорційна кількості розірваних електронних напівпровідникових світлодіодів і лазерів. Із
зв’язків буде дуже різко зростати зі карбіду кремнію (SiC) створенні найбільш
збільшенням температури, а питомий опір різко надійні і стабільні світлодіоди, що здатні
зменшуватись. Ці матеріали називаються працювати при дуже високій температурі.
напівпровідниками. Зазначимо, що провідність Перераховані тільки декілька найбільш
напівпровідників збільшується не тільки при важливих напівпровідникових матеріалів.
нагріванні, але і при освітленні, при Всього ж синтезовано, вивчено і
опроміненні ядерними частинками; вона використовується на практиці сотні
змінюється при прикладанні електричних і напівпровідникових сполук.
магнітних полів, при змінні зовнішнього тиску і В металах концентрація електронів не
т. п. залежить від температури. Навіть при
Тому, напівпровідники це речовини, абсолютному нулі «вільні» електрони
які мають при кімнатній температурі залишаються вільними і зберігають здатність
питомий опір в інтервалі від до проводити струм. У хімічно чистих металах
Ом м (провідність від до ), питомий опір з ростом температури
який в сильній степені залежить від зовнішніх збільшується пропорційно абсолютній
умов (наприклад від температури): температурі:
(19.1)
372
Енергетичні зони в кристалах
де – питомий опір даного металу при 0 , переходу електронів від одного атома до
– термічний коефіцієнт опору, який дорівнює іншого. У верхній частині рис.19.12 показана
, =273 K. якісна картина розподілу густини ймовірності
Таким чином, метали – це такі речовини, виявлення електронів на даній
які проводять електричний струм при будь-якій відстані від ядра. Максимуми кривих
температурі. відповідають приблизно положенню
боровських орбіт для цих електронів. Тепер
будемо повільно зближувати атоми решітки, не
§19.6.Енергетичні зони в кристалах порушуючи її симетрію. На рис.19.13 наведена
Чому одні тіла є провідниками, а інші картина, яка відповідає такому зближенню. З
напівпровідниками і ізоляторами – на це цього рисунка видно, що потенційні криві, які
питання не можна відповісти в рамках моделі відділяють сусідні атоми (показані пунктиром),
газу вільних електронів. Необхідно врахувати частково накладаються одна на одну і дають
взаємодію атомів між собою і з електронами. результуючі криві, які проходять нижче
Якісно задача розв’язується так. Із нульового рівня 00 (на рисунку вони показані
окремих атомів будується кристалічна решітка і суцільними лініями).
з’ясовується, як впливають сусідні атоми
ρ ρ
3s
кристалу на поведінку електронів в кожному
окремому атомі, тобто досліджується вплив 2s
поля сусідніх атомів на енергетичні рівні
електронів в атомі. Розмістимо N атомів натрію
1s
у вигляді просторової решітки, яка властива 0 0 r
П о т е н ціа ль н и й б а р ’ єр
кристалу натрію, але на великих віддалях один U4 3s1 3s1

U3 2p 6 2p6
від одного, щоб взаємодією між ними можна
U2 2s2 2s 2
було знехтувати. В цьому випадку енергетичні U1
стани електронів в кожному атомі можна 1s 2 1s2
вважати такими, як і в окремо взятому
ізольованому атомі. На рис.19.12 наведена Na r >> a Na
енергетична схема двох таких атомів. Кожний U U
із них зображений у вигляді потенційної ями, Рис.19.12.
всередині якої проведені рівні 1s, 2s,2p, 3s…… Отже, зближення атомів зменшує
Рівні 1s,2s і 2p у натрію заповнені повністю товщину потенціального бар'єру до значення
електронами, рівень 3s – наполовину: рівні, які порядку а і зменшує його висоту. Для
розміщені вище 3s – вільні. електронів рівня 1s - висота бар'єру стає ,
Ізольовані атоми відокремлені один для електронів - для електронів - .
від одного потенційними бар’єрами завтовшки Для електронів рівня висота бар'єра
, де a – стала решітки кристалу натрію. виявляється нижчою від початкового
Для електронів рівня 1s - висота бар'єру , положення рівня в атомі натрію. Тому
для електронів - для електронів - . валентні електрони цього рівня отримують
Потенційний бар’єр перешкоджає вільному можливість практично без перешкод
373
переходити від одного атома до іншого. Про це дорівнює постійній гратки, оскільки енергія
свідчить і характер електронних хмар електрона повторюється при переході його від
валентних електронів, вони перекриваються одного атома до іншого (рис.19.13); –
настільки сильно, що створюють результуючу доданок, який враховує вплив сусідніх атомів
хмару рівномірної густини (рис.19.13). Це на цю енергію.
відповідає стану повної їх колективізації в Якщо знехтувати доданком , тобто
решітці. Такі колективні електрони розглядати так зване нульове наближення, то в
називаються вільними, а їх сукупність – ролі хвильової функції і енергії електрона в
електронним газом. кристалі слід взяти хвильову функцію і
ρ ρ енергію електрона в ізольованому
3s атомі.
Відмінність між кристалом і атомом
2s полягає в цьому випадку в наступному: в той
час як в ізольованому атомі даний
1s енергетичний рівень є єдиним, то в
0 0 0 0
кристалі, що складається з атомів, він
повторюється разів. Кожний рівень ізо-
U´3
U2´ .. . 3s
2p льованого атома в кристалі стає кратно
Потенціаль -
Потенціаль-
Потенціаль-
виродженим.
ний бар ’єр
ний бар’єр
ний бар’єр
U1´ 2s
Якщо врахувати доданок в по-
1s
тенційній енергії, то в міру зближення
Na Na Na Na
a= 4,3A
o
ізольованих атомів і утворення з них
U U кристалічної решітки кожний атом потрапляє у
поле своїх сусідів, яке зростає. Така взаємодія
Рис.19.13.
приводить до зняття виродження. Тому кожний
Внаслідок різкого зменшення висоти і
енергетичний рівень, не вироджений в ізо-
товщини потенційного бар’єру при зближені
льованому атомі, розщеплюється на N близько
атомів можливість переміщення в кристалі
розміщених один від одного підрівнів, що
отримують не лише валентні електрони, але й
утворюють енергетичну зону. На кожному
електрони, що розміщенні на інших рівнях
підрівні згідно з принципом Паулі може
атомів. Переміщення відбувається шляхом
знаходитись не більше двох електронів з
тунельного переходу електронів через бар’єри,
антипаралельними спінами. Якщо
що відокремлюють сусідні атоми. Якщо
енергетичний рівень мав в атомі (2l+1) кратне
колективні електрони зберігають досить
виродження, то відповідна йому енергетична
сильний зв’язок з атомами, то їх потенційну
зона буде складатися із (2l+1) підрівнів. Так,
енергію можна подати у такому вигляді:
рівень дає зону, яка складається із
підрівнів і здатна вмістити електронів;
де – потенційна енергія електрона в
рівень дає зону, яка складається із
ізольованому атомі. Для кристала вона є
підрівнів і здатна вмістити електронів, і т.д.
періодичною функцією з періодом, що
Найбільший вплив поле решітки чинить на
374
зовнішні валентні електрони атомів. Тому вільні. Електрони в твердих тілах можуть
стани цих електронів в кристалі відчувають переходити з однієї дозволеної зони в іншу.
найбільші зміни, а енергетичні зони, які Для переходу електрона з нижньої зони в
утворені з енергетичних рівнів цих електронів, сусідню верхню зону необхідно затратити
виявляються найбільш широкими. енергію, що дорівнює ширині забороненої зони,
яка розміщена між ними.
W 4s Для внутрішніх переходів електронів в
3p межах зони необхідна дуже мала енергія, тому
3s
що відстані між сусідніми енергетичними
s-зона рівнями в зоні дорівнюють приблизно еВ.
Наприклад, для цього достатньо енергії
значення для Na
o еВ, що отримує електрони в металі
a = 4,3 A
під дією електричного поля на довжині
2p вільного пробігу при звичайних різницях
потенціалів. Під дією спеціального збудження
0 Міжатомна відстань a
електронам може бути надана енергія, яка
Рис.19.14.Утворення енергетичних зон в достатня як для внутрішньозонних, так і для
кристалі із дискретних рівнів при зближенні атомів. міжзонних переходів.
Зонна теорія твердих тіл дозволила з
Внутрішні ж електрони, які сильно
єдиної точки зору пояснити існування металів,
зв'язані з ядром, відчувають лише незначні
діелектриків і напівпровідників, пояснюючи
збурення від інших атомів, внаслідок чого їх
відмінності в їхніх електричних властивостях
енергетичні рівні в кристалі залишаються
неоднаковим заповненням електронами
практично такими ж вузькими, як і в
дозволених зон і різною шириною заборонених
ізольованих атомах. На рис.19.14 наведена
енергетичних зон.
схематична картина утворення енергетичних
Ступінь заповнення електронами
зон в кристалі із дискретних атомних рівнів.
енергетичних рівнів у зоні визначається
Отже кожному енергетичному рівню
заповненням відповідного атомного рівня.
ізольованого атома в кристалі відповідає зона
Якщо, наприклад, якийсь рівень атома пов-
дозволених рівнів: рівню 1 – зона 1 , рівню 2p
ністю заповнений електронами відповідно до
– зона 2 і т. д. Зони дозволених енергій
принципу Паулі, то утворена з таких рівнів
розділені областями заборонених енергій –
енергетична зона також повністю заповнена.
забороненими зонами. Із збільшенням енергії
Найвища зона, яка цілком заповнена
електрона в атомі ширина дозволених зон
електронами при Т = 0 К, називається валентною
збільшується, ширина заборонених –
зоною. Зона, яка заповнена електронам частково
зменшується.
або вільна при К, називається зоною
Дозволені енергетичні зони в
провідності.
твердому тілі можуть бути різним чином
Залежно від ступеня заповнення
заповнені електронами. У граничних випадках
енергетичних зон електронами і ширини
вони можуть бути цілком заповнені або цілком
забороненої зони можливі чотири випадки
375
(рис.19.15). У першому випадку найвища зона, так звана «гібридна» зона, яка заповнюється
що містить електрони, заповнена лише валентними електронами лише частково.
частково, тобто є вакантні рівні (рис.19.15,а). Можливий також перерозподіл
У такому разі електрон, отримавши малу електронів між зонами, що виникають із рівнів
енергетичну добавку за рахунок теплового руху різних атомів, який може привести до того, що
або електричного поля, зможе перейти на в кристалі виявиться одна цілком заповнена
вищий енергетичний рівень самої зони, тобто (валентна) зона і одна вільна зона (зона
стати вільним і брати участь у провідності. провідності). Тверді тіла, у яких енергетичний
2p спектр електронних станів складається лише з
3s валентної зони і зони провідності є
Wg діелектриками або напівпровідниками залежно
Wg
від ширини забороненої зони .
2p Якщо ширина забороненої зони
2s
а кристалу порядку декількох електрон-вольт, то
в
тепловий рух не може перевести електрони з
валентної зони в зону провідності і кристал є
3p
3p діелектриком, залишаючись ним при всіх
3s реальних температурах (рис.19.15,в). Для

типових діелектриків . Так, для
Wg
.Wg. алмазу , для нітриду бору
2p 3s , для і т. д.
Якщо заборонена зона досить вузька
б г
Рис.19.15.Позначення: темні кружечки - електрони.
, перехід електронів з валентної зони
в зону провідності може бути здійснений
Внутрішній перехід можливий, порівняно легко: або тепловим збудженням, або
оскільки, навіть при К енергія теплового за рахунок зовнішнього джерела, здатного
руху більша від різниці енергій передати електронам енергію (рис.19.15,г).
між сусідніми енергетичними рівнями зони Такий кристал буде напівпровідником. При
( . Отже, тіло буде провідником температурах близьких до 0 K, напівпровідники
електричного струму. Саме це властиве ведуть себе як діелектрики, оскільки переходів
металам. електронів у зону провідності не відбувається.
Тверде тіло є провідником електричного Для типових напівпровідників .
струму і в тому випадку, коли валентна зона Зонну структуру енергетичного
3s перекривається з вільною від електронів спектру для електрона в кристалі можна
зоною 3p, що призводить до неповного отримати в результаті розв’язування рівняння
заповнення зони (рис.19.15,б). Це має місце Шредінгера
для лужно-земельних елементів, що утворюють
другу групу періодичної системи елементів
Менделєєва. У даному випадку утворюється
376
де – потенційна енергія одного електрона наприклад, на електричні коливальні контури,
не лише в періодичному полі ядер гратки, але і то при введенні зв’язку між ними їхні власні
в усередненому періодичному полі всіх інших частоти теж розщеплюються. Електрони в атомі
електронів, + – оператор – це теж своєрідна коливальна система. Як і

маятник, електрони мають масу, є сила Кулона,
Лапласа, W – повна енергія електрона в
яка повертає їх в положення рівноваги, і цим
кристалі, маса електрона. Через
визначається рух електронів в атомі, який
математичні складнощі розв’язування цього
характеризується згідно квантової механіки
рівняння розглядати не будемо.
власною частотою. Для електронів включення
Для кращого розуміння виникнення
взаємодії при взаємному зближенні атомів
енергетичних зон в кристалах розглянемо ще
приводить до того, що частоти, які були до того
такий підхід. Рух електрона в атомі можна
однаковими, стають дещо різними. Будемо
співставити з будь-якою коливальною
пам’ятати, що в квантовій механіці є прямий
системою, наприклад з маятником. Нехай у нас
зв’язок між енергією і частотою коливань, який
є два зовсім однакових маятники. Поки вони не
виражається формулою .
взаємодіють один з одним, частота коливань
Розглянемо один з найпростіших
обох маятників одна й та сама. Введемо тепер
елементів, який утворює метал – літій.
взаємодію між ними – зв’яжемо їх, наприклад,
Порядковий номер Li – три. Це означає, що
м’ягкою пружинкою. І зразу ж замість однієї
атом літію має три електрони і його електронна
конфігурація Два електрони утворюють
заповнену -оболонку, яка найближча до ядра
і тому сильно зв’язана з ним. Третій електрон
знаходиться на -підоболонці, хоч на ній
могли би знаходитись два електрони. Всі інші
а б
дозволені електронні підоболонки вільні і
Рис.19.16.
електрони на них потрапляють тільки при
частоти з'явиться дві. Подивимось на збудженні атома (наприклад, при сильному
рис.19.16: зв’язані маятники можуть нагріванні парів літію). Схема рівнів в атомі
коливатись синфазно (рис.19.16,а), а можуть на літію показана на рис.19.17, 1атом. При
зустріч один одному (рис.19.16,б). Очевидно, зближенні двох атомів літію кожний із рівнів,
що в другому випадку рух маятників буде які показані на рис.19.17,2атоми,
більш швидким, тобто частота коливань такої розщеплюються на два. Кожному новому рівню
системи вища власної частоти коливань одного енергії буде відповідати своя електронна
маятника. Таким чином, зв’язок приводить до оболонка тепер вже не окремого атома, а
розщеплення частот. Якщо зв’язати три «молекули». Рівні енергії заповнюються
маятники, то стане вже три власних частоти, у електронами по тому же правилу, що й у атома
системи з чотирьох зв’язаних маятників чотири по два електрони на кожному рівні. Та пара
власних частоти і так далі до нескінченності. оболонок, яка отримується із самого нижнього
Поведінка будь-яких коливальних рівня, буде повністю заповнена електронами.
систем подібна. Якщо ми замінимо маятники, Дійсно на них можна розмістити чотири
377
Статистика електронів в кристалах
електрони, а їх у двох атомів літію – шість. Відстань між сусідніми рівнями в зоні
Залишаються два електрони, які тепер легко оцінити. Можна вважати, що при
розташуються на нижньому рівні другої пари. зближенні атомів зміна енергії електронів
Зауважимо, що відбувся якісний скачок: раніше атома приблизно дорівнює теплоті
ці два електрони займали два із чотирьох випаровування речовини, розрахованої на один
станів, які мали однакову енергію. Тепер у них атом. Для металів вона складає декілька
з'явилась можливість обирати і вони електронвольт, а значить, і повна ширина зони
розташувались так, щоб їх сумарна енергія була (рис.19.17), яка визначається взаємодією
W сусідніх атомів, повинна мати той же порядок,

3p зона
тобто . Для відстані між рівнями
отримаємо , де – число атомів в
ΔW зразку. Об’єм, який приходиться на один атом,
2S
зона дорівнює (наприклад, для натрію
(рис.19.14) Для зразка, об’єм
якого Тому
1S
зона
§19.7.Статистика електронів в
1 2 3 n
кристалах
атом атоми атоми атомів Однією з проблем, яка виникає при
створенні приладів електронної техніки, є
Рис.19.17 отримання (генерація) достатньої кількості
найменша. Неважко уявити, що відбудеться рухомих носіїв заряду, які можуть забезпечити
при добавленні наступних атомів: для трьох необхідні електронні процеси.
атомів кожний вихідний рівень розщепиться на
три (рис.19.17, 3 атоми). Дев’ять електронів 1.Функція розподілу електронів
розташуються так: шість на нижній тріаді Єдиною можливістю аналізувати
рівнів, які виникають із рівня найближчої до поведінку рухомих носіїв заряду є дослідження
ядра внутрішньої заповненої оболонки атома, статистичних закономірностей, які
ще два електрони – на нижньому рівні спостерігаються в цьому колективі, тобто
наступної тріади; електрон, що залишився, на дослідити функцію розподілу електронів за
середньому рівні тієї ж тріади. Ще одне місце енергіями, за швидкостями і т. п.
на цьому рівні залишається вільним, а верхній Функція розподілу електронів за
рівень повністю пустий. Якщо взяти атомів енергіями задається як відношення
( , то кожен рівень розщепиться на кількості електронів в одиниці об’єму , що
тісно розташованих рівнів, які утворюють мають енергію в інтервалі від до ,
смугу або зону дозволених значень енергії. В до величини цього інтервалу:
нижній зоні всі стани будуть зайнятими, а в (19.3)
другій – тільки половина тільки ті стани, Ця функція має зміст густини розподілу
енергія яких найменша. Наступна зона – електронів за енергіями, тобто кількості
повністю пуста.
378
електронів в одиничному енергетичному Функція густини станів (рівнів) для
інтервалі в одиниці об’єму. Функція має металів при виборі початку відліку енергії від
розмірність: , нижнього краю зони провідності (рис.9.18,а)
але, як правило, у фізиці твердого тіла має вид:
використовується розмірність: , (19.6)
. Функцію
де ефективна маса електрона в зоні
розглядають як добуток двох функцій
провідності металу. Для розв’язування задач
і , де
приймається, що в металах дорівнює масі
рівн
, (19.4) вільного електрона , тобто
кг. Функція є квантовою, так як містить
(19.5) сталу Планка
рівн
Енергія є важливою характеристикою
Функція характеризує густину
електрона, який рухається в періодичному полі
станів (рівнів), тобто число енергетичних рівнів
кристалічної решітки металу або
в одиниці об’єму кристалу, які приходяться на
напівпровідника. Вона є функцією хвильового
одиничний енергетичний інтервал біля
значення енергії . Тому кількість вектора, модуль якого , тобто
рівн
енергетичних рівнів в одиниці об’єму кристалу . Рівняння визначає в

в інтервалі енергій від до просторі хвильового вектора
(рис.19.18,а). Функція характеризує поверхню однакового значення енергії або
ймовірність заповнення енергетичних рівнів ізоенергетичну поверхню, форма якої в
W W основному визначає електричні властивості
твердих тіл.
Ефективна маса електрона визначається
dn рівнів
W+dW W+dW
за формулою:
W W
(19.7)
0 0 де стала Планка.
g(W)
а б Квантовий розподіл електронів за
Рис.19.18. Енергетична діаграма зони енергетичними рівнями визначається
провідності (а) і графік функції розподілу густини
рівнів (б). статистикою Фермі Дірака і характеризується
функцією
електронами. Зручність такого представлення
, (19.8)
функції в тому, що задача знаходження
функції розподілу електронів за енергіями
де T – абсолютна температура, k – стала
розпадається на дві: квантову задачу
Больцмана, енергія Фермі, – енергія
визначення характеру розподілу енергетичних
певного рівня. Одиниця в знаменнику враховує
рівнів і статистичну задачу знаходження
принцип Паулі. Із (19.8) витікає, що
ймовірності заповнення цих рівнів.
при любій температурі відмінній від
379
нуля і це формально означає, що енергія дозволяє представити рівень Фермі, як деяке
Фермі це енергія такого енергетичного рівня середнє значення енергії тих електронів, які
(стану), ймовірність заповнення якого приймають участь в тепловому русі. Таке
електронами дорівнює . Це твердження уявлення не дуже строге, але часто зручне при
можна розповсюдити і на ті випадки, коли якісному розгляді багатьох фізичних явищ.
значення попадають в таку область значень Знаходження функції розподілу електронів в
енергії, які заборонені в даній квантовій конкретному колективі зводиться фактично до
системі. Графік функції Фермі-Дірака визначення рівня Фермі і його залежності від
(19.8) зображений на рис.19.19. температури, концентрації носіїв заряду та
інших умов. Кількісне значення енергії Фермі
f(W) f(W)
T=0 може бути знайдене, наприклад, із умови
1,0 -_W
T >0
e kT нормування, суть якої в тому, що інтеграл від
2 kT
0,5 W певної функції розподілу (19.3) по всьому
можливому інтервалу енергій дорівнює
0 концентрації електронів, якщо при цьому
WF W
використовується функція густини
Рис.19.19.
енергетичних станів (19.6), яка відноситься до
одиниці об’єму, і значення концентрації
При K він має вид розривної
електронів відоме:
ступеневої функції, яка дорівнює 1 в межах
значень енергій від 0 до значень і дорівнює (19.9)
0 при енергіях, які більші Це означає, що з
ймовірністю 1 заповнені електронами всі Розрахунок інтеграла (19.9) в явному
енергетичні рівні, енергія яких менша
вигляді можливий тільки в деяких випадках.
величини і не має ні одного електрона в Як правило приходиться використовувати
станах, енергія яких перевищує . При наближені методи. Розв’язок подібних задач
підвищені температури частина електронів значно спрощується, якщо розглядати область
набуває теплову енергію і повна їх енергія енергії, яка лежить вище рівня Фермі хоч би на
може стати більшою енергії рівня Фермі. На декілька одиниць . При цьому через сильну
графіку функції розподілу Фермі-Дірака залежність (експоненціальну) функції від
(рис.19.19) це виглядає таким чином, що
аргумента і, нехтуючи
ступінчастість функції «розмивається» і тим
одиницею в знаменнику функції (19.8),
сильніше, чим вища температура. Аналізуючи
отримаємо розподіл виду
(19.8), можна переконатись, що тепловому
збудженню піддаються тільки ті електрони,
енергія яких відрізняється від на величину Той факт, що в цьому
порядку в більший чи менший бік, тобто на випадку , означає, що біля кожного
величину порядку теплової енергії. значення енергії кількість станів набагато
Вид функції розподілу Фермі-Дірака, більша, ніж кількість електронів, які їх
а також те, що її значення в точках, які заповнюють. Тому особливості, які зв’язані з
симетричні відносно в сумі дорівнюють 1,
380
квантовою природою частинки (зокрема, з їх Фермі. Це легко зробити для коли
спіном), при розподілі за станами не функція дорівнює 1 для енергій від 0 до
проявляються. Ця ситуація характерна для дорівнює 0 для інших значень енергії
класичної статистики Максвелла-Больцмана. (рис.19.20,б). При цьому підінтегральний вираз
Електрони, розподіл яких за енергетичними
рівнями підпорядковується закону (19.10), Рiвень
вакууму
W W W W
називають невиродженим газом. Відповідно W0 T>0
умову можна розглядати як критерій WF WF T= 0

WF
T=0
WF
невиродженості електронного газу.
Електрони, розподіл яких за
W =0 C
енергетичними рівнями підпорядковується

g(W) 0 f(W)1 0,5 0 N(W) 0
закону (19.8) (тобто враховується принцип
а б в
Паулі), називаються виродженим газом. Позначення: • – електрони
Рис.19.20. Фунцкії: розподілу густини
2. Статистика електронів в металах станів (а); ймовірності заповнення станів (б); густини
В металічних кристалах всі електронів (в) в зоні провідності металів.
колективізовані («вільні») електрони

у (19.9) значно спрощується і інтеграл
енергетично розташовані в зоні провідності. Їх
вираховується елементарно (дорівнює площі
концентрація визначається концентрацією
криволінійної трапеції для випадку T=0 на
атомів і кількістю колективізованих валентних
рис.19.20,в):
електронів від кожного атома. Розподіл цих
електронів за енергетичними станами зони
провідності визначається, по-перше розподілом
станів в зоні і, по-друге, ймовірністю їх
і
заповнення. Розподіл станів характеризується
функцією густини станів (19.6). .
На рис.19.20 зображена зона Звідси знаходимо значення енергії Фермі при
провідності металу і функції розподілу нульовій температурі
, які розташовані
так, щоб вісь їхнього аргумента співпадала із
звичайним напрямком енергії на зонних яка залежить тільки від концентрації
діаграмах. Із рисунка зрозумілий простий електронів. Це стає більш зрозумілим, якщо
фізичний зміст енергії Фермі, яка для металів уявно збільшити кількість електронів в металі.
відповідає самому верхньому рівню зони Додаткові електрони будуть розташовуватись
провідності, який заповнений електронами при на вільних рівнях, які мають енергію більшу
нульовій температурі. , підвищуючи тим самим саме значення .
Якщо прийняти, що вид функції (19.6) Для типових металів, коли ефективна маса
зберігається не тільки для нижнього краю зони електронів близька до маси спокою електрона
провідності, але і вище, можна скористатись
формулою (19.9) і визначити значення енергії
381
де n визначається в електрон- зміщується всього на величину (
вольтах і при концентрації електронів порядку а (19.16) стає справедливим при
складає величину в температурах порядку Тому
декілька електрон-вольт. можна вважати, що для металів, які знаходяться
При температурах, відмінних від 0, в твердому стані, електронний газ є завжди
інтегрування (19.9) в загальному вигляді має виродженим, а рівень Фермі практично не
вид залежить від температури і може бути
розрахований за формулою (19.13) чи при
(19.14) необхідності за більш точною формулою
(19.15).
З функцією розподілу (19.8) пов’язана
Це означає, що рівень Фермі залежить від
ще одна особливість поведінки електронів в
температури (рис.19.21). При низьких
металах, яка проявляється в тому, що їх
температурах поведінка описується
розподіл за енергіями визначається перш за все
приблизним виразом:
не тепловим рухом, а принципом Паулі. Це
(19.15) підтверджується виразом для середньої енергії
який отримується при розкладі підінтегральної одного електрона:
функції у (19.14) в ряд.
(19.17)
WF
WF(0) де сумарна енергія всіх "вільних"
електронів.
При K вираз (19.17) значно
0
Tплавл T,K спрощується і
Рис.19.21.
(19.18)
При високих температурах, коли В більш загальному випадку, якщо

рівень Фермі зміщується в область негативних розкласти підінтегральні вирази у (19.17) в
значень енергій (рис.19.21), експонента в ряди, обмежившись членами, які містять , то
(19.14) стає набагато більшою одиниці, що дає можна отримати
можливість перейти до статистики Максвелла-
Больцмана і вирахувати інтеграл в явному виді. (19.19)
Вираз для рівня Фермі, який отримується в
цьому випадку Перший доданок у (19.19) є (19.18) і
характеризує середню енергію при нульовій
(19.16) температурі і, відповідно, називається
характерний для невиродженого колективу. «нульовою» енергією, що має чисто квантову
Кількісна оцінка показує, що при природу. Другий доданок у (19.19) залежить від
температурах біля 1000 К рівень Фермі температури і величина
382
Електропровідність металів
функції Фермі-Дірака невелике навіть при
високих температурах і границя між зайнятими
є середня теплова енергія електронів. і вільними станами зберігається достатньо
Порівняння величин (19.18) і (19.20) показує, різкою. Тому зміст рівня Фермі, який
що навіть при температурах, які близькі до пов’язаний з цією границею, можна приблизно
температури плавлення металу, теплова енергія зберегти не тільки для нульової температури.
електронів складає від «нульової Звернемо увагу на те, що розподіл
енергії», а відповідна теплова швидкість – електронів за енергіями в зоні провідності
одиниці відсотків від «нульової швидкості». металів подібний до розподілу густини
Така слабка сприйнятливість електронів в молекул рідини з висотою. Процес переходу
металах до нагрівання витікає із самого електронів на більш високі енергетичні рівні
характеру функції розподілу електронів. На при нагріванні аналогічний процесу
рис.19.22 приведена функція Фермі-Дірака для випаровування молекул із рідини. З цієї точки
електронів зони провідності срібла зору більш правильним для електронів в металі
( для температури 290К була би назва «електронна рідина» (рівень
(kT=0,25ев) і для температури плавлення Фермі електронів відповідає висоті рівня
1233К ( . поверхні рідини). Така аналогія характерна для
електронного колективу в цілому, а та частина
f(W) електронів, енергія яких перевищує енергію
1,0 рівня Фермі на декілька одиниць , аналогічна

0K
парі над поверхнею рідини і може бути названа
1233K
0,5 "електронним газом", до якого з достатньою
290 K точністю може бути застосована статистика
0 Максвелла-Больцмана. Особливу групу
1 2 3 4 5 WF 6 W, eB
складають найбільш «гарячі» електрони,
Рис.19.22. енергія яких на декілька електрон-вольт більша

енергії Фермі. Не дивлячись на те, що ця група
Із рисунка видно, що зміни функції при дуже малочисельна (наприклад, ймовірність
нагріванні дуже незначні і тільки ті електрони, заповнення електронами рівнів на 1 еВ вище
енергія яких відрізняється від енергії Фермі на рівня Фермі при не перевищує
величину порядку 0,1 еВ, набувають теплову величину ), але саме ці
енергію, приймаючи участь в тепловому русі. електрони приймають участь в такому,
Ці електрони складають невелику частку наприклад, явищі, як термоелектронна емісія.
порядку від усіх електронів, тому і
теплова енергія всього колективу електронів
набагато менша його повної енергії. Ця
обставина пояснює, зокрема, малий вклад
теплоємності електронного газу в загальну
теплоємність металів. Крім того, рис.19.22
показує, що зглажування ступінчастості
383
§19.8.Електропровідність металів та її показано, як змінюється з температурою
залежність від температури. питомий опір міді, провідника, який найбільш
Надпровідність широко використовується для передачі струму.
Якщо пояснювати існування
Класична теорія
електричного опору зіткненнями електронів з
Опір провідника протіканню струму
іонами, то температурна залежність опору
зовсім не така проста річ, як може здатися на
чистих металів стає зовсім незрозумілою.
перший погляд. Тут не обійтись без поняття
Справа виглядає так, начебто електрони
кванта. Але спочатку спробуємо обійтись без
зіштовхуються тільки з іонами (атомами), які
його допомоги.
здійснюють тепловий рух, але вільно
В класичній теорії не використовується
пролітають мимо нерухомих іонів. Виглядає
поняття квант. У багатьох книжках і
так, що електрону легше попасти в іон, який
підручниках написано, що електричний опір
рухається. Звичайно, що це не правильно.
металів є результатом зіткнення електронів, які
Таким чином, класична теорія не здатна
переносять заряд, з іонами кристалічної гратки.
пояснити залежність для металів
Таке розуміння опору металів виражає
Залишковий опір. Коли вимірюють
класична теорія. Проте, вона не може пояснити
опір чистих металів при дуже низьких
ряд основних особливостей електричного
температурах, то виявляється цікавий факт.
опору. В класичній теорії безумовно
Продовжуючи криву (аналогічно як на
справедливе одне: опір виникає від того, що
рис.19.23) до абсолютного нуля, отримують
електрони передають частину своєї енергії і
опір, який називають залишковим опором.
імпульсу (кількості руху) кристалічній решітці.
Виявляється, що він сильно змінюється від
Але яким чином відбувається ця передача –
зразка до зразка. Залишковий опір дуже
питання зовсім не просте.
чутливий до невеликої кількості домішок, до
Температурна залежність. Опір
механічної і термічної обробки металу.
чистих металів сильно зростає з температурою.
Очищаючи метал, та обробляючи його так, щоб
Для багатьох із них зростання в основному
добитись майже досконалої кристалічної
пропорційне абсолютній температурі. При
структури, можна зменшити залишковий опір, і
низьких температурах така проста залежність
не має меж цьому зменшенню. І так досвід
порушується. Це добре видно із рис.19.23, де
підштовхує до такого висновку: ідеальний
ρ .108, Ом. см
кристал при температурі абсолютного нуля не
4 повинен мати електричного опору. Іншими
3 словами: електричний опір чистих металів
2 обумовлений порушеннями кристалічної

гратки, які викликаються тепловим рухом
1
іонів, домішками, дефектами
100 200 300 400 500 600 T, K (неправильностями) кристалічної решітки.
Атомні коридори. Якби електрони
Рис.19.23.Графік залежності питомого опору міді від
абсолютної температури.
рухались за законами класичної механіки, вони
повинні були би зіштовхуватись з іонами
384
(атомами) незалежно від того, розташовані агрегатом. Точні вимірювання показують, що
атоми в строгому порядку (як в кристалі), чи по опір полікристалічних агрегатів дуже мало
іншому. Звичайно, між правильними рядами відрізняється від опору монокристалів.
атомів є начебто коридори (рис.19.24), але щоб Особливо важливо те, що опір
направити електрон по такому коридору, полікристалічних агрегатів сильно
необхідна точна орієнтація кристала по зменшується із зниженням температури. Це не
відношенню до електричного поля, яке можна пояснити рухом електронів атомними
прикладене до зразка. Але, як правило, мають коридорами за законами класичної механіки.
справу не з одним кристалом, а із великою При переході із одного кристала в інший
кількістю дрібних кристалів, які орієнтовані атомний коридор різко змінює свій напрямок
випадковим чином (рис.19.25). (рис.19.25) і електрон повинен був би з розгону
вдаритись об "стіну". А він продовжує свій рух
E атомним лабіринтом.
- +
Деяка цікава інформація. Давно
відомо, що механічна і термічна обробка
суттєво впливає на електричний опір металів.
При 20 °С звичайна технічна мідь має питомий
опір 17,2 нОм м. Після холодного протягування
питомий опір мідного дроту зростає до 17,7
нОм м. Навіть намотка проводу на котушку
призводить до зростання його опору. Якщо
Рис.19.24. Рух електронів і розповсюдження елект- провід відпалити, тобто довгий час нагрівати, а
ронних хвиль в ідеальному кристалі. Позначення: потім знову охолодити до 20°С, то значення
іони кристалічної решітки; електрони. опору повертається до нормальної величини.
E Очевидно, що опір чутливий до невеликих
- + порушень кристалічної структури. Ще більше
опір чутливий до мізерної кількості домішок.
Старанне очищення зменшує питомий опір міді
при 20°С до 16,9 нОм м. Ця обставина
має велике значення для техніки, так як вона
дозволяє зменшити опір проводів і таким
чином зменшити непотрібні витрати
електроенергії на нагрівання. Якщо до міді
додати 1% марганцю, то питомий опір її
Рис.19.25. Схема руху електронів атомними
зростає до 48 нОм м, тобто майже в 3 рази, і
лабіринтами в полікристалічному зразку. Прямі лінії
границі мікрокристалів; іони кристалів; дорівнює опору чистого марганцю (50 нОм м).
електрони. Таким же чином впливають добавки заліза,
кобальту, іридію та інші. Якби опір виникав від
Одинокий правильний кристал
зіткнення електронів з атомами домішки, то ці
називають монокристалом, а з’єднання
домішки повинні були би впливати у сто раз
багатьох кристалів полікристалічним
385
Квантова теорія електропровідності металів
слабше. З точки зору класичної теорії такий Згідно зонної теорії металів,
сильний вплив домішок на опір пояснити концентрація електронів провідності
неможливо. (електронів в зоні провідності) визначається
Спеціально розроблені сплави з високим при температурі за формулою (19.11).
питомим опором: нікелін, манганін, Для металів енергія Фермі практично не
константан, ніхром та інші. Опір цих сплавів в залежить від температури. Тому можна
декілька раз більший, ніж у їхніх складових. вважати, що концентрація «вільних» електронів
Так константан, який містить 60% міді і 40% не залежить від температури, тобто є сталою.
нікелю має питомий опір 440 нОм м, в той час Залишається вияснити залежність від
як у чистої міді він дорівнює 17 нОм м, а у температури рухливості електронів.
нікелю 72 нОм м. У ніхрома питомий опір Згідно квантової механіки електрон
біля 1000 нОм м. Температурна залежність має одночасно властивості частинки і хвилі
опору сплавів значно слабша, ніж у чистих (співвідношення де Бройля
металів. Наприклад, у константана в інтервалі Ширина атомних коридорів близька до
температур від 0° до 400°С питомий опір довжини хвилі де Бройля електрона, і тому при
змінюється тільки від 441 до 448 нОм м. русі такими коридорами хвильові властивості
З точки зору класичної теорії постійний електрона проявляються в повній мірі.
опір сплавів мало зрозумілий так же, як і В радіотехніці сантиметрових хвиль
пропорційність між опором і температурою для широко застосовуються хвилеводи. Це
чистих металів. Опір сплавів повинен був би за металічні трубки круглого або прямокутного
змістом цієї теорії складатись із опору перерізу. Радіохвилі розповсюджуються по
складових частин за простим правилом хвилеводу, ідучи за всіма його згинами.
змішування, а опір чистих металів Світло теж електромагнітні хвилі, і його
пропорційний . можна передавати світловодами (трубки із
дзеркальними стінками). Дія світловода із
Квантова теорія дзеркальними стінками зрозуміла. Світлові
хвилі весь час відбиваються від стінок і, таким
Для теоретичного обґрунтування
чином, залишаються всередині світловода.
залежності питомого опору металів від
Радіохвилі теж добре відбиваються від гладких
температури візьмемо за основу одне з
металічних поверхонь. Якщо поверхня
основних тверджень класичної електронної
шерстка, то хвиля якби розривається об
теорії електропровідності, що
зазубринки і в результаті розсіюється і
поглинається. При цьому енергія хвилі
де – питома електропровідність металу переходить в тепло.
( – питомий опір), – концентрація електронів У квантовій теорії протікання
провідності (так званих «вільних» електронів), електричного струму через метал
– рухливість електронів. представляється як розповсюдження
Вираз (19.21) має дві величини, які електронних хвиль атомними коридорами, які
принципово можуть залежати від температури грають роль хвилеводів (рис.19.24 і 19.25).
– це Якщо атоми розташовані на площині в
386
ідеальному порядку, на однакових відстанях місця (дефекти заліковуються) – опір
один від одного, то така площина повністю зменшується.
відбиває електронні хвилі – як ідеальне Проникнення чужеродних атомів
дзеркало. Розсіювання і поглинання викликає серйозні порушення кристалічної
електронних хвиль відбувається тільки при решітки. При цьому один атом домішки може
порушенні строгого порядку в розташуванні вибити з місця сотні атомів кристала –
атомів. Цей висновок вперше був отриманий «господаря». Тому – то домішки і підвищують
досить складним математичним шляхом із опір. Встановлено, що дія домішки тим
рівнянь квантової механіки. Розглянемо якісно сильніша, чим більше її атоми відрізняються
причину існування електричного опору. В від атомів «господаря» за розмірами та іншими
ідеальному правильному кристалі хвилеводи факторами, чим сильніше вони порушують
досконало гладкі. Всякі порушення атомного правильність кристалічної решітки.
порядку діють як шерсткість стінок хвилеводу. Якщо охолоджувати метал, то теплова
Електронні хвилі розсіюються порушеннями (причиною якої є тепловий рух) частина опору
гратки. Частина енергії електронів зменшується. Коли вона стає значно меншою,
поглинається і переходить в тепло. Це і є ніж структурна частина, яка не залежить від
квантовий механізм електричного опору. температури, то при подальшому охолодженні
опір майже не змінюється. У сплавів з
невпорядкованою будовою структурна частина
_ опору настільки велика, що навіть при високих
+
температурах більша від теплової. Цим і
пояснюється слабка залежність електричного
Рис.19.26. Порушення правильності атомного опору сплавів від температури.
хвилеводу тепловим рухом атомів. Позначення: Пояснення температурної залежності
іони кристалічної решітки; електрони.
опору. Тепловий рух в твердому тілі (металі)
можна уявити як коливання атомів (іонів) біля
Правильність атомних хвилеводів
своїх положень рівноваги. Але частинки в
порушується тепловими коливаннями, на яких
твердому тілі не можуть коливатись незалежно.
розсіюються електронні хвилі (рис.19.26).
Вони всі міцно зв'язані між собою і здійснюють
Звідси виникає теплова частина електричного
колективні коливання. Колективні коливання
опору, яка залежить від температури.
великої кількості частинок речовин – це теж
Охолоджуючи метал, її можна зробити скільки
саме, що звукові хвилі. Якщо вивести будь-яку
завгодно малою. При цьому залишається
частинку із положення рівноваги, то збурення
залишковий, або структурний опір, зв'язаний з
буде розповсюджуватися по тілу із швидкістю
постійними дефектами (порушеннями)
звуку. Виявляється, що тепловий рух у
кристалічної структури. Дефекти є у всякого
твердому тілі можна розглядати як
кристала. Додаткові дефекти виникають при
розповсюдження звукових хвиль. Нагріваючи
холодній механічній обробці – протягуванні
тіло, ми примушуємо його звучати. На щастя
проводу і навіть при намотці його на котушку.
для нас, частота цих коливань в міліарди раз
Від цього і збільшується опір. При тривалому
вища тих, які може чути наше вухо.
нагріванні (відпалі) атоми повертаються на свої
387
Так з’являється зв'язок між опір при , T= –
електричним опором і звуком. Електрони температурний коефіцієнт опору, що дорівнює:
розсіюються на звукових хвилях, які
збуджуються тепловим рухом іонів (19.24)
кристалічної гратки. Але всяка хвиля
характеризує відносну зміну питомого опору
представляється як кванти. У звукової хвилі це
при зміні температури на один градус.
фонони, які здатні існувати тільки всередині
Зазначимо, що цей результат є
речовини (у вакуумі фононів бути не може).
справедливий тільки при достатньо високих
Якщо звукову хвилю описувати як потік
температурах. Виходячи із змісту квантової
фононів, то і електрони можна вважати
теорії число фононів не може бути меншим
частинками, забувши про їх хвильові
одиниці. Подивимось, при якій температурі
властивості. Тепер ми повертаємося до
число фононів дорівнює одиниці. Цю
простого пояснення опору: електронам заважає
температуру називають температурою Дебая і
вільно рухатися те, що вони зіштовхуються з
позначають грецькою буквою θ. Прийнявши
іншими частинками – звуковими квантами
N = 1, із формули (19.22) знаходимо, що
(фононами).
Будемо вважати для простоти, що всі (19.25)
фонони мають однакову частоту ν. Це Температура Дебая (або дебаєвська
припущення неправильне, але помилка із-за температура) відіграє дуже важливу роль у
нього невелика. Енергія фонона, як і всякого фізиці твердого тіла. За її допомогою число
кванта, дорівнює hν, де h – стала Планка, а ν – фононів, яке нас цікавить, виражається зовсім
частота хвилі. Тоді число фононів буде просто:
. (19.26)
(19.22)
де W=kT енергія теплового руху, яка ρ

ρθ Au( θ=175 K)
пропорційна абсолютній температурі T, k –
Na( θ=202 K)
стала Больцмана. Cu(θ =333 K )
Число фононів в твердому тілі 0,2 A l( θ =395 K )
N i(θ =472 K)
пропорційне абсолютній температурі. Значить
рухливість електронів у формулі (19.21) буде 0,1
обернено пропорційна числу фононів. Тобто:
Це означає, що σ , а питомий опір 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 T/ θ

металів буде попорційний абсолютній Рис.19.27. Узагальнена крива температурної
залежності питомого опору чистих металів.
температурі. Тому можемо записати, що
(19.23) При температурах, нижчих
дебаївської, число N 1. Це означає, що можна
де – температура в градусах Цельсія ( , –
говорити тільки про середнє число фононів і
питомий опір при температурі , – питомий
розрахунок ускладнюється. Але величина
388
Надпровідність
як і раніше, залишається мірою числа за певних умов. Речовини, які перебувають у

фононів в твердому тілі, а значить, і числа надпровідному стані, мають ряд специфічних
зіткнень електронів з фононами. властивостей. Оcновна з них – це відсутність
Виходячи з цього, була висунута електричного опору. В 1914 р. Г.Камерлінг-
наступна гіпотеза: температурна залежність Оннес виявив, що надпровідний стан
електричного опору чистих металів руйнується магнітним полем, коли магнітна
виражається універсальною функцією від міри індукція перевершує деяке критичне
числа фононів Математично ця гіпотеза значення Величина залежить від
кр кр
записується так: природи надпровідника та його температури.
Критичне поле, яке руйнує надпровідність,
може бути створене і самим струмом у
де – опір при температурі , – питомий
надпровіднику. Тому існує критичне значення
опір при температурі , – функція, вид якої
сили струму, при якому напровідність зникає.
може бути знайдений із досліду. Важливо те,
Крім цього, в 1933р. В.Мейсснер і
що функція універсальна для різних
Р. Оксенфельд встановили, що при температурі,
чистих металів. Як добре ця гіпотеза нижчій від критичної, відбувається
підтверджується на практиці видно із рис.19.27. виштовхування магнітного поля з
надпровідника. Це явище називають ефектом
Надпровідність Мейсснера. Виштовхування магнітного поля із
У 1911р. Г. Камерлінг-Оннес відкрив надпровідника означає, що в ньому магнітна
явище стрибкоподібного перетворення в нуль
індукція дорівнює нулю. Фізично ефект
електричного опору деяких металів при досить
Мейсснера зв’язаний з тим, що в
низьких температурах. Вперше це було
надпровіднику, розміщеному в слабкому
виявлено в дослідах із ртуттю при
магнітному полі, у поверхневому шарі
температурах 4,2K. Сучасні методи
завтовшки ( м створюються
вимірювання дають підставу зробити висновок,
такі колові незгасаючі струми, які повністю
що питомий опір провідника в такому стані
компенсують зовнішне магнітне поле.
менший від Ом м. Явище перетворення в Явище надпровідності частіше
нуль опору деяких металів при низьких спостерігається в сплавах, ніж у чистих
температурах називають надпровідністю. речовинах. Для чистих речовин має місце
Температуру кр , нижче якої спостерігається повний ефект Мейсснера. У сплавах
перехід металів у надпровідний стан, називають відбувається часткове виштовхування
критичною. магнітного поля з об’єму. Речовини, в яких
Опір до переходу в надпровідний стан проявляється повний ефект Мейсснера,
може бути різним. Перехід у надпровідний стан називають надпровідниками першого роду, а
відбувається завжди досить різко. Тепер речовини, в яких не повністю має місце ефект
відомо, що майже половина металевих Мейсснера, надпровідниками другого роду. В
елементів може переходити у надпровідний надпровідниках першого роду надпровідність у
стан. Понад тисячу сплавів і сполук металів певному критичному полі зникає раптово, і
також здатні переходити в надпровідний стан металевий провідник переходить у нормальний
389
Надпровідність
стан. У надпровідниках другого роду, рівними і протилежно спрямованими
існування яких передбачив у 1952 р. імпульсами і антипаралельними спінами. Спін
О.О.Абрикосов, є два критичних магнітних такої пари дорівнює нулю. Зазначимо, що при
поля – нижнє н і верхнє в. У магнітних полях температурі кр існує не одна локалізована
в має місце повний ефект Мейсснера. Для пара і не система невзаємодіючих пар, а
полів н в має місце частково ефект сукупність взаємодіючих одна з одною пар
Мейсснера, а при в надпровідність зовсім електронів. Зв’язок між електронами буде тим
зникає. сильнішим і стійкішим, чим частіше
Мікроскопічну теорію надпровідників відбуватимуться процеси обміну фононами між
першого роду створили Дж. Бардін, Л. Купер, електронами. Але при такому процесі обміну
Дж. Шріффер. Теорію надпровідників другого електрони, які утворюють пару, змінюють свої
роду розробили О.О. Абрикосов та імпульси і, щоб утворити пару з нульовим
Л.П.Горьков. Явище надпровідності можна імпульсом, повинні «підшуковувати» собі
пояснити тільки в рамках квантової механіки. нових «партнерів». Це означає, що пари
Відповідно до теорії Бардіна, Купера і електронів неперервно обмінюються між собою
Шріффера виникнення надпровідності електронами, тобто весь час відбувається
зумовлене взаємодією електронів провідності з зникнення одних пар і утворення нових. Тому
кристалічною решіткою. Надпровідність є всі електрони в системі зв’язані між собою.
колективний квантовий ефект електронів, що Отже, внаслідок електрон-фононної
взаємодіють між собою внаслідок взаємодії при кр відбувається перебудова
посередницької ролі решітки. Окремий станів та рівнів енергії системи електронів і
електрон при своєму русі поляризує (деформує) утворюється надпровідний стан. Це дало змогу
решітку. Інший електрон, потрапляючи в поле стверджувати, що такий тип взаємодії міг би
поляризованої решітки, змінює свій стан. дати основний стан з меншою енергією, ніж
Внаслідок цього змінюється його взаємодія з повністю невзаємодіючі електрони, і, що такий
першим електроном. Поляризація решітки надпровідний основний стан має відмежуватись
рухомим електроном зумовлює її коливання. енергетичною щілиною від стану з нормальною
Індукована коливаннями решітки взаємодія між провідністю. Енергетична щілина розміщена
електронами в деяких випадках має характер близько до рівня Фермі. Наявність скінченної
притягання електронів, які перебувають в енергетичної щілини у спектрі надпровідного
станах близьких до рівня Фермі. Два таких стану пояснює явище надпровідності.
електрони, притягуючись, утворюють Зауважимо, що безпосередні вимірювання
своєрідний стан, який називають куперівською заряду носіїв струму у надпровідних вказують
парою. Між електронами провідності діють на те, що він дорівнює заряду двох електронів.
сили електростатичного відштовхування, тому Якщо електрон-фононні взаємодії
утворення куперівських пар можливе у тому істотні, то температура кр пропорційна
випадку, коли притягання електронів внаслідок температурі Дебая для ізотопу даного
електрон-фононної взаємодії переважає їх хімічного елемента. Це означає, що кр
кулонівське відштовхуваня. Істотним є те, що
залежатиме від маси атома ізотопу М, а саме
куперівська пара утворюється з електронів з
390
Статистика електронів і дірок в напівпровідниках
кр , що підтверджено експериментально. провідності, в якій є вільні незаповнені

Однією із основних проблем у фізиці енергетичні стани. Для цього електронам
надпровідності є проблема підвищення необхідно надати енергію не меншу, ніж
температури переходу в надпровідний стан, величина ширини забороненої зони. Цю
тобто створення таких матеріалів, температура енергію вони можуть отримати від різних
переходу яких у надпровідний стан була б джерел. Зараз ми будемо розглядати генерацію
значно вищою за температуру рідкого азоту рухливих носіїв заряду (електронів і дірок), які
(77K). Майже за 60 років з часу відкриття виникають під дією теплового руху.
явища надпровідності вдалося підвищити Розрахувати концентрації електронів
температуру переходу в надпровідний стан від в зоні провідності і дірок в валентній зоні
4,2 до 23,2К . У 1986р. виявлено можна, знаючи функції розподілу густини
надпровідність у системах електронів і дірок
при температурах . У 1987р. групою для зони провідності і
фізиків США на кераміці валентної зони, відповідно.
досягнута температура переходу в Функція густини дозволених
надпровідний стан порядку 92К. У 1988р. енергетичних рівнів для електронів в зоні
синтезовані нові вісмутові і талієві сполуки з провідності напівпровідника визначається за
критичною температурою 100 і 125К. Нині формулою
провідні лабораторії світу ведуть пошуки , (19.28)
шляхів створення нових матеріалів, які
задовольняли б вимогам високотемпературної а для дірок у валентній зоні –
надпровідності. Успішне розв’язання цієї
проблеми матиме надзвичайно важливе (19.29)
значення для науково-технічного прогресу.
В цих формулах ефективна масса
електронів в зоні провідності, ефективна
§19.9.Статистика електронів і дірок в маса дірок у валентній зоні,
напівпровідниках с стала Планка, енергія
«стелі» валентної зони, енергія «дна» зони
В напівпровідниках колективізовані
провідності (рис.19.28,а,б).
електрони приймають участь в утворенні
Зауваження. За початок відліку енергії
ковалентних зв'язків між атомами і при цьому,
в напівпровідниках прийнято «стелю»
будучи зв'язані обмінними силами з
валентної зони. Тому будемо вважати, що
кристалічною решіткою, не можуть приймати
.
участь в електропровідності. Щоб електрони
Вид функції розподілу Фермі-Дірака на
стали рухливими в електричному полі, вони
рис.19.28,в визначається температурою і рівнем
повинні подолати сили зв'язку, отримавши
Фермі, положення якого підлягає подальшому
певну енергію (рис.9.11). На мові енергетичних
уточненню. Функція Фермі-Дірака для
діаграм це означає, що коле
електронів визначається за формулою
електрони знаходяться в валентній зоні і, щоб
(19.8), а для дірок
стати рухливими, вони повинні перейти в зону
391
Статистика електронів і дірок в напівпровідниках
розрахунку зручно перейти до нової

(19.30)
змінної для електронів і
дірок. Врахувавши, що інтеграл

де енергія електрона (дірки) в зоні,
енергія рівня Фермі, – стала Больцмана, Т –
абсолютна температура.
Концентрація електронів в зоні
провідності може бути розрахована як інтеграл
(19.9) в межах від нижнього краю зони
провідності до верхнього. Однак для зручності
необхідно розширити верхню границю
W W W W W
інтегрування до нескінченності, що майже не - W
_
e
~ kT
впливає на точність розрахунків, так як gn (W ) Wc
підінтегральна функція під впливом множника fp (W )

kT
Wc Wc Wc Wc
дуже швидко зменшується із
збільшенням енергії. . Wg
Wg
WF WF WF WF
Тому
(19.31) Wυ g(W) 0 f(W). . 0 N(W ) 0
1 1/2
kT
fn(W ) 0
19.32) gp (W ) W
~ e kT
W
Як видно із рис.19.28,в для а б в г
розрахунку концентрації електронів і дірок

Рис.19.28.а – енергетична діаграма
можна з успіхом користуватися класичною напівпровідника, світлими кружечками позначені
функцією розподілу ймовірності Максвелла- дірки, чорними – електрони; б – графіки функцій
розподілу густини рівнів для електронів gn(W) і дірок
Больцмана (19.10). Це пояснюється тим, що
gp(W); в – графіки функцій розподілу ймовірності
вільних рівнів енергії в зоні провідності і заповнення енергетичних рівнів електронами fn(W) i
валентній зоні набагато більше, ніж електронів дірками fр(W) =1– fn(W); г – графіки функцій N(W
розподілу густини електронів в зоні провідності і
і дірок, які знаходяться там. Тому при розподілі дірок у валентній зоні. Wg – ширина забороненої
частинок за енергетичними рівнями принцип зони, WF – енергія рівня Фермі, Wc – енергія «дна»
зони провідності, Wυ енергія «стелі» валентної зони
Паулі можна не враховувати. Функція (нуль відліку енергії).
для електронів і дірок на рис.19.28,г має
максимум біля дна зони провідності і стелі
валентної зони відповідно. Тому можна де
вважати, що електрони в зоні провідності в
основному знаходяться біля його дна, а дірки (19.35)
біля стелі валентної зони.
Концентрація носіїв заряду в
напівпровідниках чисельно дорівнює площам
заштрихованих фігур на рис.19.28,г. Для
392
Електропровідність напівпровідників
заряду між зонами може бути здійснений
введенням в напівпровідник домішок, так як
(19.36)
положення рівня Фермі сильно залежить від
типу і концентрації домішок.
Тут кг – маса вільного Закон діючих мас. Із співвідношень
електрона, Т – абсолютна температура, (19.33) і (19.34) отримаємо, що добуток
визначаються в . Простий зв’язок між концентрацій рухливих електронів і дірок не
концентраціями електронів і дірок і залежить від положення рівня Фермі і при
положенням рівня Фермі, який виражається даній температурі залежить тільки від ширини
формулами (19.33) і (19.34), дуже зручний при забороненої зони
аналізі багатьох ситуацій в напівпровідниках. напівпровідника і ефективних мас електронів і
Величини називають дірок :
ефективними густинами станів в зоні (19.38)
провідності і валентній зоні відповідно. Цей
термін використовується тому, що для Із співвідношення (19.38) видно, що збільшення
класичного (невиродженого) розподілу концентрації рухливих носіїв заряду одного
концентрація електронів в точності дорівнює типу можливе тільки за рахунок зменшення
помноженій на больцманівську функцію кількості рухливих носіїв іншого типу.
розподілу ймовірності (19.10) при енергії рівня Прологарифмувавши (19.37) знайдемо
. Хоч в дійсності електрони в зоні положення рівня Фермі у напівпровіднику:
провідності, а дірки у валентній зоні

розподілені в енергетичному інтервалі, що (19.39)
дорівнює декільком величинам kT, як показано
на рис.19.28,г. Таким чином зону провідності (і
аналогічну валентну зону) можна представити
як зону енергій, що складається із §19.10. Електропровідність
напівпровідників та її залежність від
рівнів, що мають однакову енергію
температури
Із співвідношень (19.33) і (19.34) В загальному випадку
отримаємо, що електропровідність напівпровідника
визначається за такою формулою:
(19.37)
(19.40)
Звідси видно, що співвідношення між де n – концентрація електронів провідності, p –
концентраціями електронів і дірок залежить від концентрація дірок провідності,
їхніх ефективних мас і особливо сильно рухливості електронів і дірок, відповідно, е –
(експоненціально) від положення рівня Фермі заряд електрона за модулем.
відносно середини забороненої зони Власний напівпровідник. Це
. За рахунок невеликого зміщення напівпровідник з ідеальною кристалічною
рівня Фермі можна отримати зміну решіткою, яка не містить ні домішок, ні яких-
співвідношення на декілька порядків. Цей небудь дефектів. Енергетична діаграма такого
перерозподіл концентрацій рухливих носіїв напівпровідника приведена на рис.19.29. При
393
Електропровідність напівпровідників
температурі носії заряду: електрони в (19.39) відношення прирівняти одиниці і
зоні провідності (ЗП) і дірки у валентній зоні тоді
(ВЗ) появляються внаслідок «переходу»
електронів із ВЗ в ЗП (процеси 1 на рис.19.29 –
процеси генерації). Тут через позначена
Одночасно мають місце і зворотні середина забороненої зони. Отриманий
процеси – процеси рекомбінації електронів результат показує, що з ростом температури
провідності і дірок (електрони заповнюють рівень Фермі лінійно зміщується від середини
розірвані зв'язки, процеси 2 рис.19.29). При забороненої зони при в сторону більш
сталій температурі між процесами 1 і 2 легких носіїв. Рівень Фермі відіграє роль
встановлюється рівновага. «центру мас» між електронами і дірками.
W Рівень Фермі буде знаходитись ближче до тих

носіїв заряду, яких більше.
Wc
. .. . ЗП Формула (19.40)
напівпровідника може бути записана так:
для власного
1 1 1 2 (19.43)
Wg де згідно з (19.38) і
WF
(19.44)
..... .....
У формулі (19.44) ширина
0 Wυ
ВЗ
забороненої зони напівпровідника, k – стала
Больцмана, – ефективні густини станів
біля дна ЗП і біля стелі ВЗ, відповідно. Вони
Рис.19.29.Енергетична діаграма власного визначаються за формулами (19.35) і (19.36).
напівпровідника. Світлі кружечки – дірки, темні
Рухливості різні за величиною
кружечки електрони. Температура T  0 . ЗП –
зона провідності, ВЗ – валентна зона. Wc – енергія внаслідок різниці ефективних мас і
дна зони провідності, Wυ – енергія стелі валентної часу вільного пробігу електрона і дірки
зони, прийнята за початок відліку енергії, WF –
енергія рівня Фермі, Wg =Wc–Wυ – ширина забороненої (розгядається в подальшому), які залежать від
зони. механізмів розсіювання електронів і дірок в
кристалічній решітці.
Таким чином, з’являється рівноважна Можна виділити декілька основних
концентрація електронів провідності і дірок механізмів розсіювання носіїв заряду:
провідності , які однакові між собою: 1)на теплових коливаннях структурних
(19.41) елементів кристалічної решітки;
Цей простий зв’язок (індекс і 2) на іонізованих домішках (іони домішки);
підкреслює приналежність до власного 3) на нейтральних домішках (атом
напівпровідника) є умовою електричної домішки);
нейтральності речовини і дозволяє визначити 4) на дефектах кристалічної решітки;
положення рівня Фермі. Для цього достатньо у 5) на носіях заряду.
394
Домішковий напівпровідник
Четвертим і п’ятим видами розсіювання в теорії перейти в зону провідності. Класичним
напівпровідників, як правило, нехтують. При прикладом донорного напівпровідника є
високих температурах (кімнатній і вище) германій 1 4 і
перший вид розсіювання відіграє основну роль. кремній , в яких
Оскільки абсолютно чистих з ідеальною частина атомів напівпровідника заміщена
кристалічною граткою напівпровідників не п’ятивалентними домішковими атомами
існує, то на відміну від металів, рухливості
(фосфору , миш'яку
cурьми . Чотири
Тоді формула (19.43) із урахуванням (19.45) і валентних електрони кожного домішкового
(19.44) перепишеться так : атома приймають участь в утворенні хімічних
зв’язків із сусідніми атомами решітки, п’ятий
валентний електрон залишається зв’язаний із
де стала, яка слабо W
залежить від температури. Якщо формулу
(19.46) прологарифмувати, то
Wc
. .. . 1 1 ∆Wn
Wd
+ +
Тобто залежність від оберненої
3 3 Wg
температури 1/Т є лінійною (при умові, що
не залежить від температури), що дає Wa ¯ ¯
2 2 ∆Wp
можливість визначити коефіцієнт , 0
який містить такий важливий параметр
напівпровідника, як ширина забороненої зони
.
Рис.19.30. Механізм теплової генерації
Домішковий напівпровідник. рухливих носіїв заряду в домішкових
Найбільш цікаві результати технічного напівпровідниках. Світлими кружечками позначені
застосування отримали напівпровідники, дірки, чорними – електрони. Знаками “+” і ““
позначені іонізовані донори і акцептори. –
електричними властивостями яких можна енергія активації донорних домішок, р – енергія
управляти, вводячи в них хімічні домішки. Так активації акцепторних домішок, і – енергія
донорних і акцепторних рівнів, відповідно.
введення в кристалічну решітку германію і
кремнію незначної кількості домішкових атомів
своїм атомом. Однак енергія цього зв’язку
(на 100.000 атомів кристалічної решітки один
через «відволікаючий» вплив інших атомів
атом домішки) різко змінює електричні
всередині кристалу набагато менша, ніж для
властивості напівпровідників.
вільного атома, і складає величину порядку
Атоми домішок називають донорами,
, яку називають енергією іонізації
якщо, знаходячись в кристалічній гратці
(активації) донора і позначається як
напівпровідника, вони створюють заповнені
(рис.19.30). В результаті якої-небудь дії
електронами рівні енергії, які розташовані в
домішковий атом може бути легко іонізований і
забороненій зоні і з яких електрони можуть
п’ятий електрон стає вільним
395
(рис.19.30,процеси 1). На мові енергетичної іонізації домішкових атомів. Іонізація
моделі напівпровідника процес іонізації донорних атомів приводить до утворення
означає утворення рухливого електрона в зоні вільних електронів в зоні провідності, а
провідності. іонізація акцепторних атомів до утворення
Подібна ситуація спостерігається в дірок в валентній зоні. На енергетичній
напівпровідниках четвертої групи при заміщені діаграмі (рис.19.30) ці процеси зображені як
деякої частини їх атомів атомами третьої групи Табл.19.1.
(алюміній , галій
Енергія іонізації, еВ
індій 5 Три валентних електрони Акцептор
домішкового атома приймають участь в
Германій Кремній
утворенні хімічного зв’язку з чотирма B 0 ,01 04 0 ,04 5

Al 0,0102 0 ,0 57
сусідніми атомами напівпровідника, при цьому 0,0108 0 ,0 65
Ga
один валентний зв’язок залишається вільним. In 0,0112 0 ,16
Ця вакансія під дією якого-небудь збудження Tl 0,0131
може бути заповнена електроном із другого
валентного зв’язку, в результаті чого в системі Енергія іонізації, еВ
Донор
зв’язків утворюється вакантний стан, який Германій Кремній
може переміщуватись під дією, наприклад,
P 0,0120 0,044
електричного поля. Цей рух зручно As 0,0127 0,049
інтерпретувати як рух деякої квазічастинки, яка Sb 0,096 0,039
Bi 0,0127 0,039
називається діркою. На мові енергетичної
моделі такий процес відповідає переходу переходи електронів з донорних локальних
електрона із валентної зони на більш високий рівнів в зону провідності (процеси 1), переходи
вакантний стан, зв’язаний з домішковим електронів із валентної зони на акцепторний
атомом (рис.19.30, процеси 2). В результаті рівень (процеси 2), а також міжзонні переходи
домішкий атом стає негативно зарядженим (процеси 3), при яких генеруються і дірки, і
іоном (енергія активації (іонізації) такої електрони. Інтенсивність різних переходів

залежить, перш за все, від температури і змін
домішки позначається як на рис.19.30), а в
енергії, яка необхідна. Ймовірність іонізації
валентній зоні утворюється дірка. Вище сказане
домішкових атомів, які мають енергію іонізації
пояснює, чому такий атом називають
порядку , стає помітною при
акцептором, а напівпровідник з такою
температурах в одиниці і десятки градусів
домішкою акцепторним. Значення енергії
Кельвіна, а інтенсивність міжзонних переходів,
іонізації (активації) донорних і акцепторних
які залежать від ширини забороненої зони,
атомів в германії і кремнії приведені в
суттєві при сотнях градусів. Тому для
табл.19.1.
домішкових напівпровідників розглядають
Таким чином, в домішкових
умовно область низьких температур (
напівпровідниках рухливі носії заряду можуть
) і область високих температур
появитись не тільки в результаті порушення
валентних зв’язків в основному матеріалі ( ).
(процеси 3 на рис.19.1), але і за рахунок
396
Область низьких температур
(19.50)
( ). Донорному напівпровіднику
або напівпровіднику n-типу і відповідним
Для області дуже низьких температур
величинам будемо присвоювати індекс n. При
замість (19.49) і (19.50) можна записати більш
нульовій температурі всі стани валентної зони і
прості вирази:
всі домішкові стани донорних атомів (при
відсутності акцепторної домішки) зайняті.
Підвищення температури приводить до того,
що вже при абсолютній температурі в декілька
градусів появляється помітна ймовірність
іонізація донорних атомів з енергією активації
. Цей процес викликає появу де i – концентрації донорних і
рухливих носії тільки одного виду – електронів акцепторних атомів, відповідно.
в зоні провідності. Їх концентрація в цьому Провідності для області низьких
випадку буде дорівнювати концентрації температур для n i p напівпровідників
нерухомих позитивно іонізованих донорів: будуть:
Генерацією електронно-діркових пар

де
(процеси 3 на рис.19.30) можна знехтувати.
Вважаючи, що концентрація дірок ,
(19.48) можна вважати рівнянням
електронейтральності. Така якісна картина і
процесів дозволяє зрозуміти, чому в донорному
напівпровіднику електрони називають
основними носіями, а дірки – неосновними.
де
В акцепторному напівпровіднику
основними носіями будуть дірки, які
утворюються в валентній зоні внаслідок
переходів електронів на домішкові акцепторні В цих формулах сталі, які слабо
стани (іонізація домішки) і в зону провідності, а залежать від температури.
неосновними – електрони в зоні провідності. Якщо формулу (19.53) прологарифмувати,
Концентрація основних носіїв заряду то
в цьому випадку визначається за формулами:
ln (19.55)
для n – напівпровідника
Тобто ln лінійно залежить від оберненої
(19.49)
температури 1/Т. Це дає змогу визначити
коефіцієнт лінійної залежності і таким
для р – напівпровідника
чином визначити енергію активації домішки.
Вище сказане в рівній мірі відноситься і для
397
Електропровідність домішкових напівпровідників
напівпровідника р–типу. (19.65)
Область високих температур
Положення рівня Фермі в домішковому
. В цій області температур
напівпровіднику знайдемо для випадку
всі домішкові атоми іонізовані, і рівняння
сильного легування (цей випадок має
електронейтральності для напівпровідника n
практичний інтерес). Для напівпровідника п
типу набуває вигляду:
типу, підставляючи (19.62) в (19.33) ,
, (19.56)
отримаємо:
Із закону діючих мас (19.38) можемо записати,
що
. (19.57) Звідси знайдемо, що
Розв’язуючи систему двох рівнянь (19.56) і (19.66)
(19.57) відносно невідомих , отримаємо : Для напівпровідника р – типу, підставляючи
(19.63) в (19.34) отримаємо, що
а
Звідси знайдемо ,що
. (19.59)
(19.67)
Для напівпровідника р – типу по аналогії
запишемо відповідні формули: ln σ
Вл ас
на пр
овідн
іс
(19.61)
ть
Примітка. Концентрація власних носіїв заряду Перехідна

для конкретного напівпровідника область
Домішко
ва провід
знаходиться за табличними даними. ність
Практичний інтерес має випадок
Високі Низькі температури 1/T
сильного легування, коли або температури
Тоді концентрації основних носіїв заряду згідно Рис.19.31.
(19.58) і (19.60) дорівнюють:

Електропровідність домішкового
, (19.62)
напівпровідника. В загальному випадку
. (19.63) електропровідність напівпровідника п – типу
Згідно закону діючих мас, концентрація буде

неосновних носіїв заряду (дірок) в донорному σ σ
напівпровіднику буде дорівнювати (19.68)
σ
(19.64)
а, відповідно, концентрація неосновних де перший доданок власна провідність в області
електронів в акцепторному напівпровіднику високих температур, а другий доданок
домішкова провідність в області низьких
398
Внутрішній фотоефект
температурах. На рис.19.31 приведена Залежно від наслідків такої взаємодії

схематична залежність від оберненої розрізняють 2 види фотоефекту:
температури 1/Т для домішкового 1.Зовнішній фотоефект
напівпровідника. (фотоелектронна емісія), при якому поглинання
Оскільки , то домішкова та електромагнітного випромінювання
власна провідності, як правило, реалізуються супроводжується випусканням електронів
при різних температурах, оскільки електрони речовиною (§16.5).
використовують енергію теплового руху. 2.Внутрішній фотоефект, при якому
Домішкова провідність реалізується при більш через поглинання електромагнітного
низьких температурах, при яких енергія руху випромінювання відбувається лише
кристалічної гратки вже достатня для генерації перерозподіл електронів за енергетичними
домішкових носіїв, а тому власною провідністю станами без їхнього випускання конденсованим
(перша складова у формулі (19.68)) можна середовищем.
знехтувати. Зовнішній фотоефект має місце, якщо
Навпаки, при більш високій енергія квантів електромагнітного
температурі, коли домішкові центри вже себе випромінювання більша або дорівнює роботі
вичерпали (повністю іонізовані), починає діяти виходу електронів з поверхні речовини:
механізм генерації власних носіїв. Оскільки hv . Електрон,
власних атомів завжди більше, ніж домішкових отримавши енергію, може досягнути поверхні
( , то при більш високих температурах тіла, подолати потенціальний бар’єр, створений
власних носіїв утворюється значно більше, ніж внутрішнім електричним полем, і вийти у
домішкових, і тепер можна знехтувати вакуум або в інше середовище.
домішковою провідністю (друга складова у Внутрішній фотоефект відбувається у
формулі (19.68)). При проміжних температурах тих випадках, коли енергія фотонів недостатня
можуть працювати обидва механізми для вибивання електронів з речовини. Якщо
провідності (рис.19.31, перехідна область). фотон спроможний лише збудити атом, то це
може викликати зміну діелектричної
проникності середовища – фотодіелектричний
§19.11.Внутрішній фотоефект ефект. Якщо енергія фотонів достатня для
генерації електронів і дірок провідності в
Світло має корпускулярно-хвильову напівпровіднику, тоді виникає явище
природу: з одного боку йому притаманні фотопровідності. Зміна електричного опору
хвильові властивості, що обумовлюють явище напівпровідника під дією випромінювання
інтерференції, дифракції, поляризації, з іншого називається внутрішнім фотоелектричним
– корпускулярні властивості. Одне з явищ, в ефектом, або фоторезистивним ефектом.
якому проявляються корпускулярні властивості Додаткова провідність, яка обумовлена носіями
– це фотоелектричний ефект. Він виникає в заряду, що створюються випромінюванням,
результаті взаємодії квантів електромагнітного носить назву фотопровідності.
випромінювання з електронами речовини. В неоднорідних напівпровідниках, в
області p-n переходів, в результаті
399
внутрішнього фотоефекту виникає свою енергію електронам валентної зони. Якщо
електрорушійна сила (фото е.р.с) – вентильний енергія фотона дорівнює або більша ширини
ефект. Розглянемо детальніше механізм забороненої зони ( ν ≥ ) , тоді електрон, що
виникнення та основні закономірності явища одержав цю енергію, переходить у зону
фотопровідності в напівпровідниках. провідності і може приймати участь у створенні
Якщо температура напівпровідника фотоструму. Одночасно з переходом
Т> 0, то завдяки енергії теплового руху навіть в електрона у зону провідності у валентній зоні
неосвітленому зразку завжди існує деяка створюється незаповнений рівень, тобто
кількість вільних електронів та дірок, які виникає дірка. Таким чином, один поглинутий
знаходяться в термодинамічній рівновазі з фотон з енергією ( ν ≥ ) створює пару
кристалічною решіткою. Їх концентрація i електрон – дірка (рис.19.32,а). Це процеси
визначає електропровідність генерації фотоносіїв.
напівпровідника, коли він неосвітлений Реальними носіями струму в
(темнова електропровідність) . При більшості напівпровідників є не електрони і
освітленні напівпровідника можуть виникнути дірки одночасно, а лише ті з них, у яких більший
додаткові носії заряду не обумовлені час життя. В одних випадках це можуть бути
термодинамічною рівновагою з кристалічною електрони, в інших дірки.
решіткою. Такі носії називаються Утворені світлом додаткові носії
нерівноважними. Виникнення цих носіїв струму деякий проміжок часу (час життя
проявиться в зміні електропровідності
порядку с ÷ с) знаходяться в зоні
напівпровідника, оскільки він отримає
провідності, а потім знову повертаються на
додаткову електропровідність . На одне з місць (дірки), залишене іншими
рис.19.32 показана схема утворення електронів електронами або приєднуються до
Wc надлишкових атомів домішки. Це процеси
Wc hv Wc
ΔWn рекомбінації фотоносіїв. При неперервному
Wg +
hv hv ΔWp
+ Wυ Wυ + освітленні напівпровідника процеси генерації
Wυ
та рекомбінації відбуваються одночасно. В
а б в результаті встановлюється така динамічна
Рис.19.32.Схема утворення фотоносіїв у
рівновага, при якій постійно існують деякі
напівпровіднику а б
в ширина забороненої зони, додаткові концентрації електронів і дірок
енергія активації донорів, енергія . Так виникає фотопровідність.
активації акцепторів. Позначення: ● – електрон, + Надлишкові електрони і дірки
дірка, атом акцептора.
можуть мати енергію значно більшу, ніж
середня енергія рівноважних носіїв заряду.
та дірок провідності у напівпровідниках різного
Однак в результаті взаємодії з фононами
виду. При освітленні напівпровідника деяка
(коливаннями) і дефектами кристалічної
частина фотонів поглинається кристалічною
решітки енергія нерівноважних носіїв заряду
решіткою і вільними носіями, в результаті чого
стає однаковою з середньою тепловою енергією
збільшується їхній тепловий рух, але нові носії
рівноважних носіїв заряду. Цей процес
не утворюються. Деяка частина фотонів віддає
відбувається за час порядку с.
400
Оскільки час життя нерівноважних носіїв для домішкових напівпровідників
заряду значно більший цієї величини, то на фотопровідність не спостерігається. З умови
протязі всього часу життя кінетична енергія (19.69) виходить, що повинна існувати
нерівноважних носіїв заряду відповідає довгохвильова межа (границя) фотопровідності
середній тепловій енергії рівноважних носіїв така довжина хвилі світла що світло з
заряду. Тому можна вважати, що розподіл за більшою довжиною хвилі фотопровідність не
енергіями нерівноважних носіїв заряду в зонах викликає.
є таким же, як і рівноважних. Значить і Для власних напівпровідників:
рухливості нерівноважних носіїв заряду не . (19.71)
відрізняються від рухливості рівноважних. Для домішкових напівпровідників:
Для створення додаткових носіїв в
(19.72)
домішкових напівпровідниках фотон повинен
Іноді довгохвильову межу
мати енергію ν≥
фотопровідності називають червоною межею
енергія активації атомів домішки (донорів або
(границею). Назва ця умовна, оскільки вперше
акцепторів)). У напівпровідниках з донорними
виміряні значення величини для зовнішнього
домішками фотон викликає перехід електронів
фотоефекту припадали на червону область
з донорних рівнів у зону провідності
видимого спектру.
(рис.19.32,б), внаслідок чого концентрація
Для власних напівпровідників ширина
"вільних" електронів у напівпровіднику
забороненої зони порядку одиниць
підвищується і електропровідність
електрон-вольт. Тому для них довгохвильова
збільшується. У напівпровідниках з
межа фотопровідності може належати до
акцепторними домішками фотон викликає
видимої області спектру. В домішкових
перехід електронів з валентної зони на
напівпровідниках енергія активації домішок
домішкові рівні (рис.19.32,в) з утворенням
( складає десяті і навіть соті долі
негативно заряджених іонів домішки. У
електрон-вольта. Довгохвильова межа
валентній зоні при цьому утворюються дірки,
фотопровідності для них знаходиться в
що забезпечують додаткову фотопровідність.
інфрачервоній частині спектру.
Таким чином, якщо
Розглянемо деякі основні
ν≥ (19.69)
закономірності, які визначають явище
для власних напівпровідників і
фотопровідності і проаналізуємо їх. Зробимо це
ν≥ (
на прикладі власного напівпровідника.
для домішкових напівпровідників, то при До освітлення напівпровідника його
освітленні напівпровідника в ньому з'являються електропровідність визначається
додаткові носії заряду і його провідність концентрацією та рухливістю електронів і дірок
збільшується. у рівноважному стані і дорівнює:
При енергії фотона
=e +e (19.73)
hν (19.70)
де і рухливості; і рівноважні
для власних і
концентрації електронів і дірок відповідно.
hν ( При освітленні напівпровідника,
401
внаслідок поглинання випромінювання, всередині зразка, тоді за одиницю часу в
відбуваються міжзонні переходи, що збільшує одиниці об’єму буде поглинатися енергія, яка
концентрацію електронів на величину а дорівнює W = І(х), де коефіцієнт
дірок – на величину . У загальному випадку поглинання (розмірність . Поділимо
може змінитись і рухливість носіїв, але вплив цю енергію на енергію одного кванта
зміни рухливості буде помітним лише при дуже
низьких температурах. Тому будемо вважати,
що фотопровідність викликана змінами I I(x)
x
концентрації носіїв.
Електропровідність напівпровідника
при освітленні буде 0 d X
Рис.19.33.
=e +e ,(19.74)
випромінювання.Отримаємо кількість квантів
а зміна електропровідності або фотопровідність світла (фотонів), що знаходяться в одиниці
визначиться як об’єму зразка в одиницю часу. Будемо мати на
увазі, що не кожен фотон взаємодіє з
= =e +e . (19.75)
електронами валентної зони, тому вводять
Якщо власний напівпровідник не
поняття квантового виходу. Тоді швидкість
містить будь-яких домішок і дефектів, а
генерації електронно-діркових пар, тобто
швидкість рекомбінації електронів і дірок
кількість електронно-діркових пар, що
однакова, тоді можна вважати, що = і
генеруються за одиницю часу в одиниці об’єму,
(19.75) запишеться так:
буде дорівнювати:
(19.76) = (19.77)
Тут під і розуміють стаціонарні де квантовий вихід внутрішнього

значення величин, тобто розглядається і фотоефекту, який визначає число пар носіїв
після завершення всіх перехідних процесів і заряду (або число носіїв заряду при домішковій
встановлення стаціонарної фотопровідності. Як фотопровідності), що утворюється одним
видно із (19.76), величина фотопровідності фотоном, який поглинувся, якщо інтенсивність
буде визначатися концентрацією світла вимірюється числом квантів енергії ,
нерівноважних носіїв заряду = , які в свою що падає за секунду на одиницю поверхні.
чергу залежать від процесів генерації та Підкреслимо, що і залежать від частоти
рекомбінації. (довжини хвилі) випромінювання, а І різна
Нехай на напівпровідникову пластину, залежно від товщини пластини. Квантовий
товщина якої , перпендикулярно до поверхні вихід враховує, що частина фотонів може
падає монохроматичне випромінювання, передати свою енергію решітці або вільним
частота якого , а інтенсивність І (рис.19.33). носіям зразка, не утворюючи нових електронів
Під інтенсивністю розуміють енергію, яка та дірок. Тому буде меншим за одиницю.
падає за одиницю часу на одиницю площі Іноді можливі випадки, коли . Наприклад,
поверхні зразка. Якщо І(х) – інтенсивність якщо енергія квантів випромінювання дуже
402
велика ( ), тоді вільний електрон, який обернено пропорційний концентрації

появився внаслідок поглинання енергії фотона, носіїв: . Тому при малих
може мати велику кінетичну енергію і сам буде
інтенсивностях світла і буде
створювати нові носії заряду завдяки ударній
сталою величиною. Тоді фотострум повинен
іонізації.
Величина у загальному випадку світло
I E
змінюється за складним законом через велику
кількість відбивань від різних поверхонь і
можливих інтерференційних ефектів.
b
У випадку тонкої плівки (
) можна вважати, що d
Тобто, випромінювання буде поглинатись у Iф

всьому зразку рівномірно, а швидкість Рис.19.34.
генерації: лінійно залежати від інтенсивності світла
(рис.19.35,областьа). При великих
(19.78)
інтенсивностях світла, коли , час життя
Розглянувши динаміку утворення із зміною І, а залежність
нерівноважних носіїв (фотоелектронів та
ф стає нелінійною (рис.19.35, область
фотодірок), можна показати, що у стаціонарних
б). З формули (19.81) випливає, що величина
умовах їх концентрація визначається
фотоструму повинна залежати від частоти (або
співвідношенням:
Iф б
G , (19.79)
ν
де – час життя дірок і електронів. Тоді а
фотопровідність (з урахуванням (19.76) і
(19.79)) можна записати так:
I
(19.80) Рис.19.35. Залежність фотоструму ф від
інтенсивності світла І: а) область малих
Тому фотострум (з урахуванням закону Ома
інтенсивностей ( ); б) область великих
ф =jS= ) буде дорівнювати: інтенсивностей ( ).
ф= (19.81) довжини хвилі) світла. Ця залежність має назву

спектральної характеристики. Вигляд її може
де ширина і товщина зразка відповідно,
бути дуже складним, тому що від довжини
– напруженість електричного поля вздовж
хвилі залежить і квантовий вихід , і коефіцієнт
зразка (рис.19.34). Формула (19.81) дозволяє
поглинання , і енергія фотонів Також на
проаналізувати основні закономірності явища
вид залежності ф впливає матеріал
фотопровідності. Вона має дві величини, які
залежать від інтенсивності світла І: по-перше напівпровідника, якість поверхні та розміри
сама інтенсивність світла І, по-друге, час життя (товщина зразка).
нерівноважних пар . Час життя Типовий вигляд спектральної

характеристики ф напівпровідникового
нерівноважних пар у загальному випадку
403
Релаксація фотопровідності
зразка приведений на рис.19.36. Спад в насичення, то швидкість генерації носіїв

довгохвильовій області пов’язаний з визначається формулою (19.77) і не буде
існуванням довгохвильової (червоної) межі змінюватися із часом оскільки величини, що її
фотопровідності . Спад в області малих визначають, не змінюються з часом.
довжин хвиль визначається збільшенням Концентрація нерівноважних носіїв
Iф α буде зростати за лінійним законом відносно
часу (на рис.19.37,б – зображено пунктиром):
Iф
(19.82)
α Проте одночасно із процесом генерації
починається також процес рекомбінації
λo λ електронів. При малому рівні освітлення, для
Рис.19.36. якого , швидкість рекомбінації
коефіцієнта поглинання інтенсивним
R (19.83)
поглинанням випромінювання в тонкому
поверхневому шарі напівпровідника, що де час життя фотоносіїв. Тут r
призводить до зменшення швидкості об’ємної – коефіцієнт рекомбінації.
генерації і зменшення концентрації I
I max
нерівноважних носіїв, тобто до зниження
а
фотопровідності. Свій вклад в залежність ф
Δn t t+Δt t
вносить теж і складна залежність
Δno
б
˜t
Релаксація фотопровідності t t+Δt t
Розглянемо зміну нерівноважних Рис.19.37.
концентрацій та , наприклад, в результаті Зміна концентрації надлишкових

опромінення напівпровідникового зразка носіїв заряду за одиницю часу ( ) є різниця
світлом, інтенсивність якого змінюється так, як між швидкостями генерації і рекомбінації
зображено на рис.19.37,а. Тобто періодично носіїв заряду. Тому з урахуванням (19.77) і
стрибком інтенсивність світла зростає від 0 до (19.83)
потім залишається постійною деякий час
після чого знову стрибком зменшується до (19.84)
ν
0. Потім це все багаторазово повторюється.
До опромінення зразка концентрація Розділяючи змінні ( ) і
електронів (або дірок) рівноважна, тобто інтегруючи з врахуванням початкової умови
дорівнює (або ). На початку опромінення )=0 при , отримуємо вираз, який
зразка починається процес генерації характеризує зміну концентрації надлишкових
нерівноважних носіїв із швидкістю G, яка електронів з часом для процесу наростання
визначається кількістю носіїв, що утворюються кількості фотоносіїв:
в одиниці об’єму за одиницю часу. Якщо
інтенсивність світла не дуже велика і ν
(19.85)
населеність енергетичних рівнів далека від
404
Релаксація фотопровідності. Дрейф і дифузія носіїв заряду
Формула (19.85) пояснює процес наростання впливових факторів. Зокрема, не врахована
фотоносіїв на рис.19.37,б. можливість різних механізмів рекомбінації,
Розглянемо, як буде змінюватись поверхнева рекомбінація і т.п.
тобто після σ
σ max
моменту часу . Тоді i (19.84)
матиме вигляд a
σ0
(19.86)
t t+Δ t t+ 2 Δ t t
Інтегрування цього рівняння з урахуванням Iф
Imax
початкової умови, що при б
, дає для моменту часу більшого від I0
розв’язок:
t t+Δt t+2Δt t
(19.87) Рис.19.38. Залежність електропровідності
де (а) та сили фотоструму (б) через зразок
напівпровідника. темнова електропровідність,
(19.88) – темновий струм, максимальна провідність,
Величина має розмірність часу і за своїм

значенням в рівнянні (19.87) є характерним Отже, реєструючи залежність
часом процесу зменшення нерівноважної фотоструму від часу, можна, застосувавши
концентрації , оскільки при відповідний метод обробки даних, визначити
, (19.89) (правильніше оцінити) час релаксації
де е=2,71828…основа натурального логарифму. фотопровідності, який у випадку міжзонної
Тобто за час концентрація фотоносіїв рекомбінації (19.83), дорівнює часу життя
(нерівноважних носіїв) за відсутністю генерації нерівноважних носіїв.
зменшиться в е раз. Отже може бути мірою

тривалості життя нерівноважних носіїв
§19.12.Дрейф і дифузія носіїв заряду
заряду.
Оскільки змінюється за Дрейф зарядів в електричному полі
експоненціальним законом (19.87), то за таким Для вільних електронів і дірок життя – це
же законом буде змінюватись і рух. Перш за все – хаотичний тепловий рух,
електропровідність та фотострум ф під який існує завжди і відбувається тим
впливом світла (рис.19.38) для моменту часу, енергійніше, чим вища температура кристалу.
який більший за момент часу t + . Вільні електрони і дірки під впливом теплових
Для часу можемо коливань кристалічної гратки знаходяться в
записати, що струм фотопровідності стані безладного хаотичного руху. Середня
енергія теплового руху дорівнює (k –
ф (19.90)
стала Больцмана, Т – абсолютна температура).
Розглянутий вище механізм зміни Прирівнявши величину цієї енергії кінетичній
фотопровідності є досить приблизним і енергії частинки , можна знайти
умовним, оскільки не враховує багатьох середню швидкість хаотичного руху
405
Дрейф і дифузія носіїв заряду
електронів (або дірок): По-друге, так як процес зіткнення –
процес випадковий, носій на проміжку між
. (19.92)
двома послідовними зіткненнями проводить у
При Т 300К і 9,1 кг, «вільному русі» різний час. Обидві ці
отримаємо для швидкості вільного електрона обставини наглядно видні на рис.19.39, на
значення . З такою великою υ
швидкістю носії заряду зазнають
<τ>
зіткнень з граткою кристалу і тому
знаходяться в тепловій рівновазі з нею. Якщо
υдр
до напівпровідника (металу) прикладено
електричне поле, то на хаотичний тепловий рух
τ1 τ2 τ3 τ4 τn
вільних носіїв (електронів та дірок) t
накладається переносний або дрейфовий рух, Рис.19.39.
який є результатом дії електричного поля. якому показана залежність швидкості
Механізм його виникнення такий. Вільні носії направленого руху носія від часу. Середня
заряду при прикладеному електричному полі, швидкість направленого руху (швидкість
як і раніше, з частотою за дрейфу) др дорівнює
секунду зазнають зіткнень з кристалічною , (19.92)
др
решіткою. Як і раніше, неможливо
де середній час між зіткненнями,
передбачити, куди полетить носій після
прискорення носія. Таким
чергового зіткнення: вперед, назад, вліво,
чином, швидкість направленого руху вільних
вправо, вгору, вниз – під любим кутом в
носіїв в кристалі пропорційна напруженості
любому напрямку. Але, куди би він не полетів,
електричного поля.
електричне поле буде, нехай слабо, тягнути
Коефіцієнт пропорційності
його завжди в одному і тому ж напрямку. Як
u (19.93)
результат, виникає направлений (дрейфовий)
рух. носить назву рухливості носіїв. Рухливість
В електричному полі, рухаючись без вільних носіїв є однією із найважливіших

характеристик носіїв заряду в кристалі.
зіткнень, носій за час (згідно другого закону
Із формул (19.92) і (19.93) витікає, що
Ньютона = ), набуває імпульс, m = e
др (19.94)
прискорення де m – маса носія,
Чим більша рухливість, тим більша швидкість
напруженість електричного поля. Щоб
направленого руху носіїв при тій же
правильно вирахувати середню швидкість, яку
напруженості електричного поля Е. Розмірність
набуває носій в умовах багатократних зіткнень,
рухливості – /(В с). Із формули (19.94) видно,
необхідно пам’ятати про дві обставини.
що рухливість носіїв заряду це їхня дрейфова
По-перше, після зіткнення носій може
швидкість в одиничному електричному полі
з однаковою ймовірністю рухатись в любому
напрямку. Це означає, що швидкість ( =1В/м).
направленого руху після зіткнення дорівнює Результатом направленого

нулю. дрейфового руху електронів є дрейфовий
406
струм, густина якого пропорційна виконується.

направленому потоку частинок і їхньому У всіх напівпровідниках, які
заряду. використовуються на практиці, при кімнатній
(19.95) температурі рухливість в сильних полях
др др
зменшується з ростом напруженості поля Е. В
де концентрація носіїв заряду.
дуже сильних полях . Це означає, що,
Вираз (19.95) виражає закон Ома в
згідно (19.94), в цьому випадку др
диференціальній формі. Коефіцієнт
Залежність дрейфової швидкості від
пропорційності між др і Е є питома
напруженості поля електронів і дірок показана
електропровідність
на рис.19.40. Видно, що у всіх випадках в
19.96)
слабих електричних полях швидкість
В слабих електричних полях, коли пропорційна напруженості поля. Цю ділянку
швидкість дрейфу мала порівняно з тепловою залежності ( ) називають омічною або
др
( др наприклад, для міді др лінійною. З ростом поля дрейфова швидкість
м с наявність чи відсутність поля ніяк не зростає все повільніше і повільніше і в досить
впливає на характер зіткнень носіїв з сильних електричних полях, перестає залежати
кристалічною граткою. При цьому рухливість від напруженості поля Е.
є постійною величиною, яка не залежить від
напруженості поля Е. Цей випадок відповідає Дифузія носіїв заряду
виконанню закону Ома (19.95). Поняття «дифузія» від латинського
υдр.10-4, м/с d i f fu s i o (розмиття) застосовується до дуже
10
1
багатьох явищ в газах, рідинах і твердих тілах.
2 Якщо на поверхню напівпровідникової
5 4
3
пластинки, яку старанно очистити від домішок,
нанести шар речовини, що містить домішки у
0 5 10 15 20 E.10-5,B/м великій кількості, то через деякий час цю
Рис.19.40.Залежність швидкості
домішку можна виявити в об’ємі
направленого руху (дрейфової швидкості) носіїв від
напруженості електричного поля в Ge і Si (T=300K). напівпровідникової пластини "далеко" від
Суцільні лінії др (E) для електронів, штрихові для поверхні напівпровідника. Домішка попадає в
дірок; 1,3-Si; 2,4-Ge.
об’єм із-за процесу дифузії. Швидкість дифузії
В сильних полях кінетична енергія домішки в напівпровіднику дуже сильно
носіїв, яку вони набувають в електричному зростає із збільшенням температури. Тому при
полі, може зрівнятись і навіть стати більшою, кімнатній температурі потрібні десятиліття,
ніж енергія хаотичного теплового руху. Частота щоб домішка проникла в область
і характер зіткнень, яких зазнають тепер носії, напівпровідника, а при високій температурі
залежить від їхньої енергії. Тому в сильних процес дифузії може зайняти всього декілька
електричних полях частота і характер зіткнень годин або навіть хвилин.
електронів і дірок (а значить і рухливість) Таким чином, суть процесу дифузії –
залежать від напруженості поля. Тому в спонтанне (самодовільне), яке відбувається без
сильних полях ( ) закон Ома не яких-небудь зовнішніх впливів, переміщення

др
407
речовини із місця, де її багато, туди, де її мало. Згідно кінетичної теорії газів
Процес дифузії є прямий наслідок хаотичного , (19.98)
теплового руху атомів (або молекул). На
де довжина вільного пробігу
рис.19.41 показаний розподіл концентрації
частинки, середній час між зіткненнями
частинок n вздовж осі x. Швидкість зміни
частинок, середня швидкість теплового
концентрації з координатою характеризують
руху.
похідною , яка називається градієнтом p( x ) dp
p
концентрації і має напрямок в сторону dx
+ потік дірок
збільшення концентрації n. Внаслідок jDp струм
хаотичного руху частинки з однаковою 0

a X
ймовірністю будуть проходити через одиничну
плоску площину S (рис.19.41) зліва направо і n dn
dx n (x )
навпаки. Але так як концентрація частинок потік
_
n dn струм jDn
dx 0
S б X
dN
Рис.19.42. Напрямок дифузійних потоків і
струмів для позитивних (дірок) (а) і негативних
(електронів) (б) частинок.
X
Рис.19.41 Внаслідок дифузії виникає потік
зліва від площини більша, то буде дірок і електронів із області з більш високою
переважаючий потік частинок через площину концентрацією в область з більш низькою
зліва направо, ніж справа наліво. Тому можна концентрацією (рис.19.42). Але направлений
вважати, що дифузійний потік частинок (носіїв потік заряджених частинок є електричний
заряду) буде пропорційний : струм. Густина дифузійного струму
визначається потоком частинок (19.97) та їхнім
dN D (19.97)
зарядом. З урахуванням напрямків вирази для
Знак мінус в (19.98) означає, що потік частинок
дифузійних струмів дірок і електронів в
направлений в протилежну сторону до
напівпровідниках мають вид (рис.19.42):
напрямку градієнта концентрації
(рис.19.41). Коефіцієнт пропорціональності D
носить назву коефіцієнта дифузії. Встановимо
розмірність коефіцієнта дифузії. Потік
частинок чисельно дорівнює числу де і – коефіцієнти дифузії дірок і
частинок, які перетинають за одиницю часу електронів, відповідно. Мінус у формулі (19.99)
одиничну площадку S. Таким чином,
означає, що дифузійний струм і мають
розмірність потоку [dN]=1/( ). Розмірність
протилежні напрямки.
концентрації [n]= , а градієнта концентрації
При визначенні напрямків дифузійних
[dn/dx], очевидно, . Тому коефіцієнт дифузії
струмів необхідно враховувати знак носіїв
має розмірність: [ ]= .
408
заряду. Якщо їхній заряд негативний

(електрони), то, хоч потік електронів буде
направлений в сторону зменшення концентрації
носіїв, дифузійний струм електронів буде Отримані співвідношення (19.103) і (19.104)
направлений в протилежну сторону називаються співвідношеннями Ейнштейна між
(рис.19.42,б), в сторону зростання коефіцієнтом дифузії та рухливістю.
концентрації. Для дірок (позитивний заряд)
дифузійний струм направлений в ту ж сторону, p p( x )
jдр p
що і потік дірок (рис.19.42,а) в сторону V jDp ˙ V(x)
зменшення концентрації. Дифузійний струм –
E
це справжній струм, який нічим не 0
X
поступається добре знайомому нам струму, a
який виникає під дією електричного поля Е. n jDn n(x)
При проходженні дифузійного струму V E jдр n
˙ V(x)
виділяється джоулеве тепло і відхиляється
0
магнітна стрілка. Щоб розрахувати дифузійний X
струм, необхідно знайти коефіцієнти дифузії б

електронів і дірок . Між коефіцієнтами
Рис.19.43. Напрямок дифузійних і
дифузії любих частинок та їх рухливістю існує внутрішніх дрейфових струмів при дифузії для
просте співвідношення. Перепишемо (19.98) із позитивних (а) і негативних (б) частинок.
врахуванням (19.91) у вигляді:

Особливістю дифузії заряджених
(19.101) частинок є перерозподіл зарядів в результаті
дифузійного процесу. Якщо нейтралізація
Порівнюючи тепер вираз (19.101) з формулою
дифундуючих зарядів не відбувається, виникає
(19.93) для рухливості частинок, отримаємо
об’ємний заряд, який створює електричне поле
D (19.102) або потенціальний бар’єр, який стримує процес
Знаючи величину рухливості при даній дифузії. Це явище можна врахувати при
температурі за формулою (19.103) легко знайти розгляді дрейфового струму, викликаного
значення коефіцієнта дифузії. Зв'язок між і електричним полем (рис.19.43). Нехай
є наглядним відображенням тієї обставини, що і дифузійний потік електронів направлений
направленому руху частинок під дією сили, і справа наліво (рис.19.43,б). В результаті
процесу дифузії заважає один і той самий дифузії зліва виникає надлишок електронів,
процес: зіткнення частинок з кристалічною справа нестача, і, відповідно, утворюється
решіткою, що відображається через середній об’ємний заряд у вигляді подвійного

електричного шару, поле якого направлено, як
проміжок часу при середній тепловій
показано на рис.19.43,б. Створений полем
швидкості частинок . Співвідношення
потенціальний бар’єр перешкоджає
(19.102) для дірок і електронів може бути
дифузійному руху, повертаючи назад ті
записане так:
409
Дифузія нерівноважних носіїв
електрони, енергія яких недостатня для

(19.107)
подолання потенціального бар’єру. Саме ці
електрони, які повертаються полем і створюють збереження заряду: зміна густини об’ємного
дрейфовий струм. В такому випадку повний заряду в даній точці можлива тільки
струм визначається сумою дрейфового і внаслідок розходження струму, а поява і
дифузійного струмів: зникнення зарядів неможлива.
На перший погляд може здатись
де визначається за формулою (19.95). дивним, що рівняння (19.107), не дивлячись на
Вирази для повного струму його фундаментальність, не враховує процесів
електронів і дірок мають вид: генерації чи рекомбінації носіїв заряду. Але ці

процеси означають утворення або зникнення
рухомих зарядів, тобто їх перехід із зв’язаного
стану у вільний або навпаки, так що
У виразах (19.105) і (19.106) струм вважається нейтральність середовища в цілому не
позитивним, якщо його напрямок співпадає з порушується і зміни об’ємного заряду не
напрямком осі Х. Вирази (19.105) і (19.106) відбуваються. Явища генерації і рекомбінації
справедливі і тоді, коли електричне поле повинні бути враховані в частинних рівняннях
створене не внутрішнім перерозподілом неперервності для носіїв додатного і
зарядів, а зовнішнім джерелом. негативного зарядів окремо. Так для електронів
Коли між дифузійними і дрейфовими а для дірок , то (19.107)

процесами наступає рівновага, то повний струм можна переписати так:
дорівнює нулю. Рівність і взаємна (19.108)
компенсація струмів і означає існування
19.109)
зв’язку між параметрами, які характеризують
процеси дифузії і дрейфу, тобто між де – визначають швидкості генерації і
коефіцієнтом дифузії і рухливістю . Такий рекомбінації відповідно, тобто кількість
підхід дозволяє іншим способом отримати рухомих носіїв заряду, які появляються або
співвідношення (19.103) і (19.104). зникають в одиниці об'єму за одиницю часу.

Розглянемо приклад застосування
Дифузія нерівноважних носіїв рівняння неперервності для дослідження
В деяких типах приладів важливу роль дифузії нерівноважених носіїв заряду.
грає особливий вид дифузії – дифузія Допустимо, що біля поверхні донорного
надлишкових (нерівноважних) носіїв заряду. напівпровідника якимось чином створюється
Особливість цього виду дифузії в тому, що надлишкова концентрація дірок, які є
надлишкові заряди, дифундуючи, віддаляються неосновними носіями заряду для даного
від того місця, де вони введені в напівпровідника (рис.19.44).
напівпровідник, рекомбінують. Для спрощення задачі розглядаємо
Описати процеси, які при цьому одномірний випадок ( похідні по y і z відсутні) і
відбуваються можна за допомогою рівняння стаціонарний випадок (відсутні похідні по
неперервності (19.107), яке виражає закон часу). Крім того, будемо вважати, що процеси
410
Дифузія нерівноважних носіїв. Ефект Ганна
нерівноважної генерації відсутні ( , відповідає відстані, на якій надлишкова
рекомбінація дірок з рівноважними концентрація дірок зменшується в 2,72…
електронами лінійна ( =(p ) рази і характеризує середню глибину, на яку
і напівпровідник має достатньо малий опір, дифундують дірки за час свого життя Рух
дірок від поверхні створює дифузійний струм,
дiрки
напiвпровiдник n - типу величина якого визначається згідно (19.99) як:
дифузiйна
довжина (19.113)
∆p
∆ p0
де = При цьому враховано, що
градієнт Із (19.113) видно, що

∆ p0 /e
дифузійний струм надлишкових носіїв заряду
0 Lp X змінюється з координатою x по тому ж закону,
Рис.19.44.Дифузія нерівноважних дірок в

по якому змінюється надлишкова концентрація
напівпровіднику n-типу. дірок (19.111).
Величина , яка дорівнює:
щоб вважати, що всередині напруженість (19.114)
електричного поля =0. Останнє припущення
називається ифузійною шви кістю і ок.
означає, що можна знехтувати дрейфовим
Чисельно вона дорівнює швидкості, з якою
рухом дірок порівняно з дифузійним. Ці
нерівноважні носії заряду за час життя
припущення суттєво спрощують вихідне
проходять шлях, який дорівнює дифузійній
рівняння (19.109):
довжині.
0 Вище розглянутий випадок в повній
або мірі відноситься до напівпровідника p типу і
надлишкових електронів .
(9.110)
Аналогічні явища дифузії
Розв’язком цього рівняння є вираз відбуваються і в тому випадку, якщо
, (19.111) нерівноважні носії створюється освітленням
де поверхні напівпровідника.
. (19.112)
Результат (19.111) показує, що надлишкові §19.13.Ефект Ганна
дірки дифундують в об’єм Цікавим ефектом, який спостерігається
напівпровідника і там рекомбінують з в напівпровідниках в сильних електричних
електронами, які є в надлишку в полях, є озіг ів елект онного газу або
напівпровіднику n типу (рис.19.44). Величина утворення "га ячих" (нерівноважних)
, яку називають ифузійною овжиною, електронів. Це явище привело англійського
411
Ефект Ганна
фізика Джона Ганна на початку шістдесятих збільшувати струм в зразку з ростом напруги.
років ХХ століття до відкриття: коли до зразка Діапазон значень рухливості електронів в
із напівпровідників арсеніда галію (GaAs) або різних напівпровідниках дуже широкий: від
фосфіду індія (InP) прикласти постійну до . Для Ge
напругу, яка перевищувала певне значення, 0,4 для Si ,
струм через напівпровідник починав для GaAS – 1 . При підвищенні
періодично змінюватись з часом. Інженери напруженості електричного поля дрейфова
відразу зрозуміли, що відкриття Ганна означає швидкість може виявитись співрозмірною із
появу нового напівпровідникового генератора, хаотичною швидкістю, що зменшує час
який може працювати в області надвисоких вільного пробігу , а значить і рухливість
частот. Такі генератори були дуже потрібні у носіїв (формула (19.93)). Так як типове
багатьох областях радіоелектроніки, зокрема – значення рухливості порядку 1 ,
в радіолокації і системах зв’язку. хаотичної швидкості , то
Десятки спеціалістів розмірковували
напруженість електричного поля, при якому
над відкритим Ганном явищем. Однак
, не перевищує
пройшов рік поки його вдалося пояснити.
Важливо підкреслити, що коли
I внаслідок джоулевого нагріву напівпровідника
а
2
Ом
1 струм починає різко зростати з ростом напруги,

н
ко
за
величина рухливості не змінюється. Струм

зростає внаслідок того, що розігрів викликає
появу «додаткових» електронів. Щоб усунути
0 розігрів зразка, до зразка прикладалась напруга

U
Рис.19.45. у вигляді коротких імпульсів. Якщо
використовувати короткі імпульси (дуже
Ганн досліджував вольтамперні короткочасні) напруги і прикладати їх до зразка
характеристики зразків із напівпровідників. так рідко, щоб в проміжку між імпульсами
Поки напруга , яка прикладена до зразка, тепло, яке виділяється в зразку, встигало
невелика, струм, як і очікувалось, був повністю розсіятись, то можна досягти дуже
пропорційний напрузі – виконувався закон Ома сильних електричних полів в напівпровіднику,
, де – опір зразка. Однак при більших не нагріваючи його. Таким чином, вплив
напругах струм починав зростати значно розігріву усувався і вольтамперна
швидше, ніж цього вимагав закон Ома (крива 1 характеристика знову ставала лінійною ( і
на рис.19.45). Це пояснювалось нагріванням залишалась омічною до значно більших
зразка джоулевим теплом. При нагріванні значень напруг, ніж при постійному струмі.
напівпровідника збільшується концентрація Однак, по мірі зростання напруги на зразку
носіїв заряду і зменшується опір зразка (зростає знову спостерігається відхилення від закону
провідність напівпровідника §19.10). Ома. Для Ge і Si із збільшенням напруги струм
Цікаво оцінити, яка дрейфова зростає повільніше, ніж за лінійним законом.
швидкість електронів (формула (19.94)) при При дуже великих напругах струм практично
умові, коли джоулеві тепло починає різко перестає залежати від напруги – досягає
412
насичення ( крива 2 на рис.19.45). Проводячи слабких електричних полях, теж було добре
експерименти із зразками різної довжини , відомо. Але ефект, який Ганн спостерігав на
було встановлено, що відхилення від закону зразках арсеніду галію (n GaAs) і фосфіду
Ома і насичення завжди наступає при одних і індія ( InP), був просто вражаючий. Дійсно!
тих же значеннях напруги електричного поля До зразка прикладались імпульси напруги
. Перші спроби пояснити цей факт (рис.19.46,а). Поки амплітуди імпульсів були
зменшенням концентрації електронів в зразку менші деякої порогової величини (цей
з ростом поля виявились невдалими. випадок показаний на рис.19.46,а пунктиром),
Експерименти з чистими Ge і Si показали, що все було зрозуміло (приблизно виконувався
при тих полях, при яких спостерігається закон Ома). Струм через зразок зростав, поки
насичення струму, концентрація від поля не наростала напруга, залишався стали, коли
залежить. Так як густина дрейфового струму напруга не змінювалась, і зменшувався, коли
(формула (19.95)) при незмінній залежить від напруга спадала (пунктирна крива на
швидкості дрейфу , то це означає, що в Ge рис.19.46,б). Коли напруга перевищувала

значення (суцільна крива на рис.19.46,а), як
i Si дрейфова швидкість електронів в
струм при остійній на узі починав
сильніших електричних полях від напруженості
періодично змінюватись з часом (цей випадок
поля не залежить всупереч формулі (19.94).
показаний на рис.19.46,б суцільною кривою).
Пояснення цьому факту приведено у §19.12.
Ганн встановив, що порогова напруга
Можемо тільки добавити, що при великих
пропорційна довжині зразка : , де –
електричних полях ефективність процесів
приблизно однакове значення напруженості
зіткнення електронів провідності з
поля для всіх зразків. Для –GaAS величина
кристалічною граткою підвищується, і
рухливість електронів в Ge і Si з ростом поля складала приблизно . Період
зменшується. коливань струму був теж пропорційний

U довжині зразка і дорівнював приблизно
а
Uп , де . Намагаючись
зрозуміти, що відбувається в зразку, коли
виникають коливання струму, Ганн виконав
0 t
дослідження і встановив, що, коли напруга на
I
б зразку перевищує порогове значення ,
Iп
характер протікання струму і розподіл
напруженості електричного поля в зразку різко
0
T
t змінюється. При струм в зразку
Рис.19.46. утворює потік електронів від катода до анода, а
Насичення дрейфової швидкості електричне поле розподілене вздовж зразка
електронів в Ge і Si в сильних електричних однорідно (пунктирна лінія на рис.19.47). В цих
полях було відкрито задовго до того, як Ганн умовах вольтамперна характеристика зразка
приступив до своїх досліджень. Та обставина, відповідає закону Ома. Але як тільки напруга
що властивості електронів в сильних полях на зразку досягає порогового значення ,
можуть суттєво відрізнятися від властивостей в характер розподілу поля вздовж зразка різко
413
змінюється. В зразку біля катода виникає поля, а значить зменшиться і струм, що
вузька область дуже сильного поля – «домен» протікає через зразок.
(визначення поняття "домен" приводиться в Поки домен рухається вздовж зразка,
. На рис.19.47 показаний домен сильного струм не змінюється. Коли домен, досягнувши
електричного поля. Хоч ширина домена анода, починає руйнуватись, спад напруги на
невелика, але поле в ньому настільки сильне ньому зменшується. При цьому поле в решті
( , що на ньому падає значна частина частині зразка зростає і, отже, струм зростає.
прикладеної до зразка напруги (рис.19.47). Як тільки напруженість поля в зразку
Домен рухається від катода до анода із в районі катода стане дорівнювати пороговому
швидкістю, яка приблизно дорівнює . значенню , в зразку почне
Досягнувши анодного контакта, домен формуватись новий домен і струм знову почне
руйнується. Негайно після цього біля катода зменшуватись. Поки напруга, яка прикладена
зароджується новий домен і все повторюється до зразка, перевищує порогове значення , цей
спочатку. процес періодично повторюється (рис.19.46,б).
Домен
n-GaAs
--
--
+
+ υп /2 +
υдр ,м/с
-- +
+
Катод -- + Анод 5
2.10
E E4
υп
5
10
υдомена
υп / 2
υ1
0
E1 E3 E п E2 0,5 .106 E 4 10 6 E,В/м
Eп
Рис.19.48.
E3
0
l Виникає питання, чому в зразку
Рис.19.47. утворюється домен, в чому фізична причина
утворення домена. На це питання в 1984 році
Легко зрозуміти, як пов’язаний зумів відповісти американський фізик Герберт
періодичний рух домена по зразку з Кремер. Він нагадав, що незадовго до відкриття
коливаннями струму в ньому. Нехай до зразка Ганна на основі теоретичних розрахунків було
приклали напругу, яка дорівнює . В зразку показано, що в арсеніді галію, фосфіді індію і
виник домен і значна частина напруги впала на деяких інших напівпровідниках залежність
домені. Але це означає, що на долю решти дрейфової швидкості електронів від
частини зразка, де домена не має, буде напруженості поля повинна мати такий вид, як
приходитись менша напруга; значить, поле показано на рис.19.48. В певному діапазоні
зовні домена значно зменшиться ( значень напруженості поля , які починаються
(порівняти пунктирну і суцільну криві на із значення дрейфова швидкість електронів
рис.19.47). Зменшиться і значення швидкості зменшується із збільшенням напруженості
електронів, яке пропорційне напруженості поля. Виходячи із формули (19.94) ми повинні
414
зробити висновок, що в цьому діапазоні напруженості поля. Отже, електрони всередині
значень рухливість u електронів зменшується флуктуації рухаються швидше, ніж електрони в
із збільшенням Е так різко, що дрейфова решті зразка. Це означає, що флуктуація буде
швидкість зменшується, хоч напруженість «тікати» від надлишкових електронів зліва і
електричного поля зростає. «наздоганяти» ту ділянку справа, де електронів
Як же пов’язані ефекти, що не вистачає. В результаті флуктуація поля
спостерігав Ганн, з таким видом залежності розсмоктується.
швидкості електронів від напруженості поля? А тепер розглянемо, що відбудеться з
Розглянемо простий приклад. Нехай до зразка флуктуацією, коли напруженість Е поля в
прикладена напруга При цьому поле зразку дещо більша, ніж порогове
вздовж зразка розподілене однорідно і значення (рис.19.48). Знову будемо
дорівнює . Дрейфова швидкість вважати, що спочатку поле розподілене вздовж
електронів дорівнює (рис.19.48) і зразка однорідно; внаслідок флуктуації зарядів
тоді потік електронів від катода до анода виникають об’ємні заряди; в результаті в малій
створює струм. Допустимо тепер, що десь в ділянці зразка напруженість поля виявиться
зразку випадково утворилась невелика ділянка, більшою, ніж в решті зразка. Але тепер
в якому напруженість поля буде трохи більшому полю відповідає менша дрейфова
більшою, ніж значення (цьому сприяють швидкість (рис.19.48). Значить, флуктуація
неоднорідності в легованому напівпровіднику). рухається повільніше, ніж електрони зліва і
За рахунок хаотичного характеру руху справа від неї. В результаті зліва до
електронів в кристалі маленькі відхилення поля надлишкових електронів, які там уже є,
від середнього значення (флуктуації поля) добавляться нові електрони, що доганяють
виникають неперервно і тепер прослідкуємо за флуктуацію. Справа, де був «дефіцит»
тим, що відбудеться з такою флуктуацією, коли електронів, їх стане ще менше: електрони
вона виникає. Якщо на якій-небудь ділянці «втечуть» від флуктуації. Таким чином,
зразка напруженість поля стала дещо більшою, об’ємний заряд стане більшим і напруженість
ніж в решті зразка, то це значить, що на поля всередині флуктуації збільшиться. Але
границях цієї ділянки накопичились електричні збільшення напруженості поля при
заряди: негативні зі сторони катода і позитивні відповідає зменшенню дрейфової швидкості.
зі сторони анода (рис.19.47). Іншими словами, В результаті, флуктуація стане рухатись ще
зліва від виділеної ділянки утворився повільніше, ще більше електронів скупчиться
невеликий «надлишок» електронів, а справа – зліва від флуктуації і ще менше їх стане справа,
невеликий «дефіцит» електронів. Поле цих а напруженість поля всередині флуктуації стане
«об’ємних» надлишкових зарядів складається із більшою і т.д. Тобто, при умові, коли дрейфова
полем зовнішнього джерела і таким чином швидкість електронів зменшується з ростом
підсилюється поле всередині виділеної ділянки. напруженості поля, однорідний розподіл поля
Що ж відбувається з такого флуктуацією по зразку не стійкий по відношенню до малої
в подальшому? флуктуації поля; раз виникнувши, така
Оскільки ми розглядаємо випадок, коли флуктуація починає нестримно наростати. Ріст
, то швидкість електронів пропорційна флуктуації припиниться, коли швидкість
415
електронів всередині флуктуації зрівняється зі Для арсеніда галію зона провідності
швидкістю електронів зовні неї. При цьому складається із двох зон, енергетична відстань
напруженість поля зовні домена буде , а в між якими складає 0,36еВ. Ширина забороненої
домені (рис.19.47 і 19.48). зони GaAs при Т=300К дорівнює 1,4еВ, то
Поки надлишкове поле всередині енергія дна першої нижньої зони провідності
флуктуації мале, на ній падає мала напруга, і її =1,4eB, а другої (верхньої)
присутність в зразку практично не впливає на Ефективна маса електрона в першій зоні =
швидкості електронів поза флуктуацією. Однак =0,07 , а в другій зоні , де
по мірі зростання поля всередені флуктуації, на маса вільного електрона. Це означає, що
ній починає падати все більша і більша рухливість електронів в нижній зоні
напруга. При цьому напруга на решті зразка більша рухливості електронів в верхній зоні
стає меншою (адже повна напруга, яка , так як рухливість 1/ . Крім того,
прикладена до зразка, постійна). Поле поза густина енергетичних станів
флуктуацією зменшується. Така флуктуація,
( )=4 значно більша у
яка сильно виросла, і є домен поля. Поза
верхній зоні, так як
доменом швидкість електронів зменшується із
При звичайних температурах, коли
зменшенням напруженості поля, так як поза
енергія теплового руху 0,36eB і в слабих
доменом напруженість завжди менша
електричних полях, електрони заповнюють
Таким чином, по мірі росту домена швидкість
практично тільки стани нижньої зони і, маючи
електронів поза доменом зменшується. В кінці
велику рухливість, забезпечують значну
кінців швидкості електронів всередині і поза
електропровідність і лінійну вольт амперну
доменом зрівняються і ріст домена
характеристику. В сильних електричних полях
припиниться. Зразком від катода до анода буде
( В м спостерігається розігрів
«бігти» незмінна за формою (стабільна) ділянка
електронів провідності. Це означає підвищення
сильного поля–домен із швидкістю
енергії дрейфу і перехід електронів у верхню
рис
зону провідності. Більша густина станів у
Ці домени і спостерігав Ганн у своїх
верхій зоні забезпечує можливість переходу
експериментах. Максимальне поле в домені
туди значної частини електронів зони
може досягати значень 2
провідності, а мала їхня рухливість
Таким чином, вияснення природи
призводить до зменшення швидкості дрейфу
існування ефекту Ганна звелось до пояснення
Так пояснюється залежність від , яка
залежності швидкості дрейфу електронів
приведена на рис.19.48.
від напруженості електричного поля в
Ефект Ганна спостерігається більш
напівпровіднику, що приведена на рис.19.48.
ніж в двадцяти напівпровідникових сполуках:
Згідно формул (19.93) і (19.94) можемо
антимоніді індія (InSb), антимоніді миш'яку
записати, що
(AsSb), в германії під стискуванням, в кремнії
(19.115) при низьких температурах, в потрійних
де ефективна маса електронів, напівпровідникових сполуках GaAlAs, InGaSb,
середній час їх вільного пробігу. InAsP, в сполуці InGaAsP і в багатьох інших
416
напівпровідниках. Основне застосування 15.Поясніть фізичний зміст закону
ганнівських діодів (так прийнято називати діючих мас.
зразки, в яких спостерігається ефект Ганна) 16.Поясніть, чому концентрація
електронів і дірок у власних
генератори надвисокої частоти.
напівпровідниках сильно залежить від
температури?
17.Як ви думаєте, чи можливий
такий випадок в напівпровідниках, щоб
1.Дати визначення твердого тіла.
ефективна маса електронів дорівнювала
2.Які тверді тіла є кристалами?
ефективній масі дірок? Де розташовувався
3.Приведіть класифікацію твердих
б в цьому випадку рівень Фермі?
тіл за величиною питомої
18.Чому для електричних
електропровідності і її залежності від
властивостей домішкових
температури.
напівпровідників важливим є: чи це
4.Які існують типи зв‘язків атомів
область високих, чи низьких температур?
в твердих тілах?
19.Як ви розумієте вислів:
5.Чому енергетичний спектр
“Сильно легований напівпровідник”?
електронів в кристалах повинен бути
20.Від яких факторів залежить
зонним?
величина часу життя в напівпровідниках?
6.Дати визначення зон: валентної,
21.Поясніть роль основних і
провідності, забороненої.
неосновних носіїв заряду в
7.Поясніть електричні властивості
напівпровідниках з точки зору
металів, напівпровідників і діелектриків з
електричних і фотоелектричних
точки зору зонної теорії.
властивостей.
8.Дайте визначення функції
23.Які існують методи визначення
густини енергетичних рівнів в зоні. Як ця
основних фізичних параметрів
густина залежить від енергії в зоні?
напівпровідників?
9.В чому різниця квантового і
24.Які види струму існують в
класичного розподілу електронів за
напівпровідниках? В чому різниця між
енергетичними рівнями в зоні?
ними?
10. Дайте визначення енергії
25.В чому суть ефекту Ганна?
Фермі. Від чого залежить величина енергії
26.Як пояснюється ефект Ганна за
Фермі?
допомогою домена електричного поля?
11. Дайте визначення функції
27.Яке практичне застосування
розподілу густини електронів за
ефекту Ганна?
енергетичними станами (рівнями).
12.Який фізичний зміст ширини
забороненої зони?
13.Як ви думаєте, в чому зміст
введення поняття ефективної густини
станів для електронів і дірок в
напівпровідниках?
14.Поясніть, від яких факторів
залежить відношення концентрацій
електронів і дірок в напівпровідниках?
417
Термоелектронна емісія
балоні лампи створюють електрони, які
Розділ 20.Термоелектронна
виходять із розжареної нитки і притягуються
емісія позитивно зарядженим додатковим електродом.
§20.1.Історія відкриття Продовжуючи роздумувати над
термоелектронної емісії явищем термоелектронної емісії, в 1904 році
Термоелектронну емісію вперше Флемінг запатентував першу в історії техніки
спостерігав у 1883 р. Томас Алва Едісон (1847- радіолампу. Це був вакуумний діод, який
1931). Термоелектронна емісія була відкрита повністю базувався на односторонній
випадково. В кінці 1879 р. Едісон в основному провідності, зв’язаній з ефектом Едісона, що
закінчив роботу по створенню електричної дозволяла випрямляти змінний струм. Флемінг
лампи розжарення і наполегливо працював над задумав свою лампу як детектор для
проблемою збільшення строку її роботи. Лампа радіохвиль.
ця по суті мало чим відрізнялась від сучасних

ламп розжарення – тільки замість вольфрамової
спіралі використовувалась нитка із обвугленого
бамбукового волокна. Перші такі лампи
(рис.20.1) могли неперервно горіти біля 40
годин, із-за чого для масового застосування
вони були не придатні. В пошуках причини
швидкого перегорання вуглецевої нитки Едісон
звернув увагу на те, що внутрішня поверхня
лампового балону покривається темним
нальотом із вуглецевих частинок, які мабуть
вилітали із розжареної нитки. Надіючись якось
усунути це небажане явище, Едісон розмістив в
лампі біля нитки додатковий електрод,
електричний потенціал якого можна було
змінювати. При цьому він зі здивуванням
виявив, що, коли потенціал цього електрода Рис.20.1.Фотокопія сторінки із лабораторного
журналу Едісона.
вищий потенціала нитки (позитивний по
відношенні до потенціалу нитки), між ним і
В 1906 році американський інженер
ниткою – через вакуумний проміжок! –
Л. де Форест (1873-1961) винайшов
протікав електричний струм. При всій своїй
трьохелектродну лампу – тріод, історично
технічній винахідливості ніякої практичної
перший електронний підсилювальний прилад.
користі із свого відкриття Едісон добути не
Відкриття ефективного способу підсилення
зміг, і воно було надовго забуто. Ефект Едісона
слабих електричних сигналів ознаменувало
вдалось пояснити тільки після відкриття
народження нової області техніки і науки –
електрона 1897р. Пояснення дав Дж.А.Флемінг,
електроніки. До появи транзисторів (50-ті роки
який в 1882 1885 роках працював у Едісона.
ХХ століття) в ній повністю панували
Флемінг зрозумів, що електричний струм в
418
Термоелектронна емісія
радіолампи, робота яких заснована на ефекті вольта) порівняно із загальною середньою
Едісона, ефекті якому знаменитий винахідник у енергією електронів в металі (§19.7), все ж
свій час не надав особливого значення. мала частина електронів набуває енергію, яка є
Зараз явище термоелектронної емісії достатньою для подолання сил, які
використовується в сотнях мільйонів джерел перешкоджають виходу електронів із металу.
світла, в першу чергу – в люмінесцентних Хоч таких електронів мало, але саме
лампах. вони обумовлюють процеси емісії. За своїм
фізичним змістом термоелектронна емісія
багато в чому аналогічна процесу
§20.2.Робота виходу електрона із металу
випаровування молекул із рідини. Вище
Суть цього явища в тому, що із сказане проілюструємо енергетичною
підвищенням температури збільшується енергія діаграмою електронів провідності в металі на
теплових коливань атомів металу і, відповідно, рис.20.2. На рис.20.2 показано, що при
теплова енергія електронів. Не зважаючи на те, функція розподілу густини електронів
що середня теплова енергія електронів навіть для Це означає, що електрони
заповнюють енергетичні рівні, які лежать
Вакуум
W нижче рівня Фермі (квантовий розподіл).
Метал Електрони з енергіями (електрони
поза металом) появляються при підвищенні
N(W) W0
температури і їхня кількість, яка пропорційна
W заштрихованій області під кривою для
W0 б (рис.20.2,б), зростає з температурою.
X
Ф U(x)
Це обумовлено тим, що з ростом температури
WF
T >0
відбувається «розмиття» функції Фермі-Дірака
T=0 біля енергії Так як , то
функція Фермі-Дірака з великою точністю
може бути замінена класичною функцією
Wc
N(W) Больцмана (19.20):
а
(20.1)
Рис.20.2.Енергетична діаграма електронів
біля поверхні металу. а – Таким чином, електрони з енергією
функція розподілу густини електронів, де – (так звані «гарячі» електрони)
функція розподілу густини енергетичних рівнів,
підпорядковуються класичному розподілу і
– функція Фермі-Дірака (функція розподілу
ймовірності заповнення енергетичних рівнів вони відповідальні за термоелектронну емісію.
електронами), – енергія дна зони провідності Виникає питання, а чому електрони,
електронів в металах (приймається за початок відліку
енергії), – енергія вакууму (енергія вільного які вийшли з металу (тобто мають енергію
електрона), енергія рівня Фермі, – ), не покидають метал зовсім, а
робота виходу електронів із металу.
утримуються біля поверхні металу. Справа в
при температурах в тисячу градусів є тому, що при виході електрона за межі металу
незначною (складає десяті долі електрон- на нього діє сила зі сторони нескомпенсованого
419
Робота виходу електрона із металу
позитивного заряду (рис.20.3), яка утримує цього потенційного бар’єру при емісії
його. Розрахунок сили взаємодії може бути називається оботою вихо у. Для металів
проведений методом дзеркальних відображень, робота виходу
суть якого в тому, що розподілений по поверхні (20.4)
металу позитивний заряд замінюється точковим називається термодинамічною (рис.20.2,а).
позитивним зарядом , який знаходиться по Сили дзеркального відображення
іншу сторону поверхні металу на такій же (20.2) можуть бути послаблені зовнішнім
МЕТАЛ + E електричним полем, напруженість якого

+ (рис.20.3). Сила дзеркального відображення
+ (20.2) і сила електричного поля направлені
+e +
x x
- -e
+
назустріч одна одній, а в точці
+
+ (20.5)
0 X
(рис.20.4) взаємно компенсують одна одну.
Рис.20.3. Потенційна енергія електрона буде
дорівнювати сумі енергії (20.3) і його енергії в
відстані від поверхні, що і електрон, який зовнішньому полі (рис.20.3). Тобто
розглядається (рис.20.3). Згідно з законом
(20.6)
Кулона, ця сила буде:
, (20.2) Графіки цих потенційних енергій
а потенційна енергія електрона в полі такої схематично показані на рис.20.4. Точка
сили відповідає максимуму потенційної енергії

і визначає найбільшу висоту потенційного
(20.3)
бар’єру. Так як відраховується від енергії
Графік цієї функції схематично показаний на вакууму , то це означає, що має місце
W зменшення роботи виходу електрона із металу
W0 0 x0 X
на величину
U( x)
ΔΦ
-eEx
(20.7)
U´(x)
Таким чином, кількість електронів, які можуть

приймати участь в термоелектронній емісії,
визначається площею заштрихованої фігури на
рис.20.2, величина якої визначається
температурою і напруженістю зовнішнього
Рис.20.4 електричного поля (рис.20.3), яка зменшує
рис.20.4. Ця функція описує форму роботу виходу
потенційного бар’єру, який перешкоджає
виходу електрона із металу. Робота, яка
виконується електроном по подоланню сил
420
Закони термоелектронної емісії
§20.3.Закони термоелектронної емісії зростає повільно, потім значно швидше

(ділянка ІІ) (рис.20.6).
Термоелектронна емісія широко
використовується в електровакуумних IA T4
Ι ΙΙ ΙΙΙ
приладах. Тому для її вивчення може бути T3
використана двох – або трьохелектродна лампа T2
(рис.20.5). Вивчення законів термоелектронної
емісії за допомогою таких ламп зводиться до T1
експериментального дослідження залежності
анодного струму від анодної напруги 0 Uн UA
тобто до дослідження вольтамперних Рис.20.6.Вольтамперні характеристики для
різних температур катода ).
характеристик (ВАХ) (рис.20.6).
mA
6
IA Починаючи з деякого значення
V
mA
2 напруги н подальше зростання струму
_U + A практично припиняється (ділянка ІІІ) (рис.20.6).
1
K
VA 7 Залежність струму діода від напруги легко
8
V 3 A пояснити. При наявності термоелектронної
5 Iр
Vр емісії в просторі між катодом і анодом у будь-
4 який момент часу є електрони, що рухаються
Aр
від катода до анода, які утворюють хмару
негативного заряду ( осто овий за я ). Цей
Рис.20.5. Принципова схема установки для
дослідження ВАХ діода. просторовий заряд змінює розподіл потенціалу
1 електронна лампа (діод); 2 – універсальне в діоді. Якщо катод і анод є плоскими
джерело живлення широкого спектру призначення
(воно живить анодне коло лампи); 3 – джерело пластинками, паралельними одна одній
живлення, за допомогою якого регулюють величину (рис.20.7), то при відсутності просторового
струму розжарення, а відповідно, і температуру
катоду ; 4 – амперметр, який вимірює струм U
розжарення катоду; 5 – вольтметр, який вимірює
напругу на катоді; 6 – міліамперметр, який вимірює +
струм в анодному колі; 7 – вольтметр, який вимірює
напругу між анодом і катодом (анодна напруга); 8 –
потенціометр, який дає можливість змінювати анодну +
напругу в широких межах.
1 +
2 +
На графіках можна побачити три
+
характерні ділянки: початкова ділянка (І),
ділянка зростання (ІІ), ділянка насичення
+
K A
струму (ІІІ). Звернемо увагу на те, що x
вольтамперна характеристика електронної Рис.20.7.Просторовий заряд у діоді і
лампи є нелінійною, а отже електричний струм спричинений ним перерозподіл потенціалу: 1
розподіл потенціалу при відсутності просторового
у лампі не підпорядковується закону Ома.
заряду; 2 – розподіл потенціалу при наявності
Спочатку (ділянка І ВАХ) із просторового заряду.
збільшенням анодної напруги сила струму
421
заряду (при холодному катоді) розподіл напруги описується законом

потенціалу між катодом і анодом, які Богуславського Ленгмюра:
утворюють плоский конденсатор, зображується
прямою лінією 1. При наявності
, (20.8)
термоелектронного струму (розжарений катод) де – стала величина, яка залежить від
між катодом і анодом виникає просторовий конструкції електродів лампи.
заряд і розподіл потенціалу змінюється; він Закон (20.8) ще часто називається
подається тепер кривою 2. При цьому значення «законом трьох других». Він отриманий
потенціалу в будь-якій площині менше, ніж теоретично для ряду спрощень, а саме:
при відсутності просторового заряду, а отже, і 1.Катод і анод площини, що
швидкості руху електронів при наявності утворюють плоский конденсатор;
просторового заряду зменшуються. Із 2.На поверхні катода ( )
збільшенням анодної напруги концентрація потенціал дорівнює нулю ( ), а на аноді
електронів у хмарі просторового заряду ;
зменшується. Тому і гальмівна дія 3.Напруженість електричного поля
просторового заряду зменшується, і анодний
( ) на поверхні катода та безпосередньо
струм зростає.
біля нього дорівнює нулю;
Зауважимо, що розподіл потенціалу,
4.Початкова швидкість електронів, що
зображений кривою 2 дістаємо тоді, коли
вилетіли з поверхні катода, дорівнює нулю.
початкові швидкості вилітання електронів з
Зауважимо, що залежності ,
катода досить малі, що, звичайно, й
які спостерігаються на практиці (рис.20.6),
спостерігається. А коли початковими
дещо відрізняються від теоретичних. Існують
швидкостями знехтувати не можна, розподіл
такі розходження:
потенціалу має складніший вигляд.
1.Реальні ВАХ (рис.20.6) не виходять з
Коли потенціал анода стає н
початку координат. Вони починаються при
(рис.20.6), то всі електрони, які випускає катод
невеликих від’ємних напругах на аноді, тому
за кожну одиницю часу, потрапляють на анод і
при існує деякий невеликий початковий
струм повинен досягати максимального
струм. Це можна пояснити тим, що електрони,
значення (струм насичення) при певній
які вилітають із поверхні катода, мають
температурі катода. Струм насичення
початкову швидкість відмінну від нуля. Деякі з
характеризує емісійну здатність катода, що
них, маючи велику швидкість, можуть навіть
залежить від природи катода і його
при нульовій анодній напрузі ( )
температури. Проте в області ІІІ насичення
подолати гальмівне поле просторового заряду і
анодного струму (рис.20.6) не має. Анодний
долетіти до анода, створюючи в анодному колі
струм залежить від потенціала анода і ця
незначний струм;
залежність тим сильніша, чим вища
2.Реальні ВАХ на ділянці ІІ, як правило,
температура катода. Пояснення цієї залежності
є більш пологими, ніж теоретичні. Крім того,
дається в подальшому.
для різних температур катоду ділянки ІІ
При напругах, що менші н (ділянка
реальних кривих розходяться, тобто не
ІІ), залежність сили струму від анодної
співпадають. Оскільки, за законом
422
Богуславського-Ленгюмера, на ділянці ІІ термодинамічної роботи виходу. Ця залежність
повинна бути єдина крива за будь-яких експоненційна, тобто струм насичення дуже
температур. Це пояснюється таким чином: зі різко залежить від температури.
зміною температури змінюється і характер її ж Точне виведення формули (20.9)
розподілу вздовж катода. При незначному виходить за рамки курсу, але можемо сказати,
розжарені катод має довші охолоджені кінці, і що струм насичення є пропорційним швидкості
його робоча довжина, а відповідно, і діюча і кількості електронів, що виходять за межі
поверхня, значно менші за геометричні розміри металу, тобто площі заштрихованої фігури на
цього електрода. Тому в формулі (20.8) рис.20.2,б.
коефіцієнт і величина струму значно менші Із формули (20.9) випливає, що струм
від теоретичного значення при заданій . З насичення не повинен залежати від напруги
підвищенням температури розжарення між катодом (нагрітий метал) і анодом.
збільшується робоча довжина катода, що Однак експериментально (в області ІІІ
призводить до зростання коефіцієнта і згідно рис.20.6) спостерігається залежність струму
(20.8), струм стає більшим при тому самому насичення від анодної напруги, всупереч
передбаченням формули (20.9). Цей ефект
значенні .
пояснив Шотткі. Зростання струму насичення зі
3.На крутизну ділянки зростання ВАХ
збільшенням анодної напруги пов’язане зі
впливає спад потенціалу вздовж катода. Струм
зменшенням роботи виходу електронів з катода
розжарення, що проходить через катод,
при збільшенні електричного поля між катодом
створює падіння потенціалу по його довжині.
і анодом (формула 20.7).
Внаслідок цього потенціали різних точок
Тому замість формули (20.9)
катода неоднакові. Потенціал катода поступово
необхідно записати, що
збільшується від його кінця з меншим
потенціалом до його кінця з більшим
потенціалом. Завдяки цьому потенціал анода
або
відносно різних ділянок катода різний, а отже
не однакова і густина струму на різних (20.10)
ділянках катода.
Формула (20.10) пояснює збільшення
Ділянка ІІІ ВАХ описується законом
струму при U> н внаслідок ефекту Шотткі, що
Річардсона-Дешмана:
проявляється у відсутності насичення струму
, (20.9) на ВАХ, особливо при значних температурах
де – густина струму насичення; – катоду. Таким чином, можна теоретично

пояснити вигляд основних ділянок ВАХ
стала, що не залежить від виду металу; –
електронної лампи (діода).
робота виходу електронів із металу; –
Явище термоелектронної емісії
постійна Больцмана; маса електрона;
використовують для створення катодів в різних
стала Планка; – заряд електрона.
електронних приладах. Для виготовлення
Формула (20.9) є основним законом
катодів найбільше розповсюдження отримав
термоелектронної емісії. Вона характеризує
вольфрам, рідше використовується молібден,
залежність струму емісії від температури і
423
Контакт двох металів
тантал, цирконій і деякі інші метали. Завдяки сучасними поглядами при активуванні катода
великій тугоплавкості робоча температура на його поверхні виникає одноатомний шар
вольфрамового катода може бути доведена до позитивних іонів лужноземельного металу
2500К, при якій, не зважаючи на велику роботу (рис.20.8), який значно зменшує роботу виходу
виходу (4,5 ), густина струму досягає і цим збільшує емісійну здатність катода.
А м Металічні катоди мають При виготовленні оксидних катодів на
малу ефективність, оскільки вимагають керн спочатку наносять вуглекислі сполуки
великих затрат на нагрівання до високої лужноземельних металів ( )
температури. і потім прожарюють катод перед активуванням
З іншого боку, для практики дуже у вакуумі. При цьому вуглекислі сполуки
важливо поможливості зменшити робочу розкладаються за реакцією
температуру катода електронної лампи, бо при
цьому зменшується потужність, що і керн покривається окисами.
витрачається на розжарювання катода, і Сучасні оксидні катоди мають високі
збільшити строк служби лампи. Тому тепер якості. Їх робоча температура дорівнює 1070-
поряд з катодами з чистих тугоплавких металів 1170 К, а іноді і менша. Їх нормальна емісійна
(вольфрам, молібден) широко застосовують здатність досягає А м . Для порівняння
катоди складнішої будови. зазначимо, що робоча температура
Велике застосування в техніці має так вольфрамових катодів лежить близько 2500 , а
званий окси ний като . Він має металеву термоелектронні струми, які знімаються з них,
підкладку (керн) (рис.20.8), на яку нанесено на практиці не перевищують А м . При
дуже короткочасних струмах (імпульси струму
+ + + + Ba тривалістю сек оксидні катоди
здатні давати емісію до А м і вище.
Оксидна
маса
Керн
§20.4. Контакт двох металів
Рис.20.8. Структура оксидного катоду (схематично). Утворення контакту між двома

твердими тілами неминуче викликає взаємний
шар окисів лужноземельних металів
обмін рухомими носіями заряду. При однаковій
( або їх суміш). Для
температурі тіл в стаціонарному стані
розжарювання катода через керн пропускають
встановлюється термодинамічна рівновага, яка
струм («катоди прямого нагрівання») або
характеризується постійним значенням рівня
нагрівають катод, користуючись допоміжною
Фермі, єдиним для всього колективу рухомих
металевою спіраллю ("підігрівні катоди"). Щоб
носіїв. Встановлення рівноваги
надати катоду високої емісійної здатності, його
супроводжується переходом електронів, який
додатково обробляють (активують); при цьому
здійснюється в результаті термоелектронної
через електронну лампу при температурі катода
емісії або тунельного проходження, або
близько 1300К протягом деякого часу
дифузійних процесів в залежності від якості
пропускають термоелектронний струм. Згідно з
контакту і властивостей тіл, які контактують.
424
Контакт двох металів
Розглянемо два метали, енергетичні Різниця потенціалів к, яка виникає
діаграми яких приведені на рис.20.9,а. При між металами в рівноважному стані,
достатньо малій відстані (порядку декількох ), називається контактною. Зауважимо, що
перехід електронів з одного металу в інший
W01 Рівень W02
вакуум у eUк
Ф1
Ф2
Ф1 Ф2
WF1 eUк WF 1
WF2
WF2
Wc1
Wc2
M1 M2
Ек
_
+
j1 > j 2 j1 = j2
а
Рис.20.9, а. Рис.20.9, б.
змінює концентрацію електронів в них, але

між ними можливий обмін електронами
настільки незначно, що значення енергії Фермі
внаслідок термоелектронної емісії. Якщо
, яка відраховується від дна зони провідності
робота виходу , то струм емісії (20.9)
і залежить від концентрації електронів
буде перевищувати , і другий метал набуде
(§19.7, формула (19.22)), практично не
надлишкового електронного заряду. Зменшення
змінюється. Тому контактна різниця
його потенціалу викликає появу в зазорі
потенціалів визначається відстанню між
електричного поля, яке перешкоджає потоку
початковими положеннями рівнів Фермі
електронів із першого металу в другий. На
(рис.20.9,а), або, що теж саме, різницею
енергетичній діаграмі (рис.20.9,а) це
початкових значень термодинамічних робіт
відобразиться взаємним зміщенням
виходу (20.9,б).
енергетичних рівнів і появою додаткового
e(Uк -U)
потенціального бар’єру к, який зменшує
струм і практично не впливає на струм : Ф2
Ф1
WF 1
к WF
(20.11) eU
2
Рівновага встановлюється, коли вирівняються

зустрічні потоки електронів. Значення
рівноважного потенціального бар’єру j=j-j
_ 1 2
знаходимо з умови (для простоти

+
приймемо, що - U +
. (20.12) Рис. 20.9, в.

к
425
Контактні явища
Рівновагу металів, які контактують, структури типу МДМ (метал-діелектрик-
можна порушити, якщо до них прикласти метал), які можна представляти як контакт двох
напругу від зовнішнього джерела. В металів з вакуумним зазором, який замінює
залежності від знаку цієї напруги (позитивною тонка діелектрична плівка.
будемо вважати напругу, яка створює Вольтамперні характеристики
електричне поле, що має напрямок МДМ структур відрізняються від ВАХ, які
протилежний до напрямку контактного поля, як визначаються за формулою (20.13), оскільки
показано на рис.20.9,в) буде змінюватись тут не врахована можливість тунельного
висота бар’єру і величина струму : проходження електронів через бар’єр, а також
к . сили дзеркального відображення, які суттєво

Тоді результуючий струм j, який протікає через змінюють форму бар’єру і викликають ефект
контакт, дорівнює різниці Із Шотткі (формула (20.7)).
врахуванням (20.12)
, (20.13) Контрольні питання
де – так званий 1.Що таке термоелектронна
емісія? Який її механізм?
струм насичення.
2.Сформулювати закон
Вираз (20.13) описує вольт-амперну
термоелектронної емісії Богуславського-
характеристику контакту двох металів. Її вид Ленгмюра.
приведений на рис.20.10 і свідчить про появу 3.Сформулювати закон
j термоелектронної емісії Річардсона-
Дешмана
ння
4.Що таке робота виходу

е
включ
електрона із металу?
5.Які фізичні фактори визначають
пряме
величину роботи виходу?

6.Зобразити ВАХ (теоретичні) та
дати пояснення їм.
зворотне включення
7.Які причини відхилення
js 0 U теоретичних ВАХ від експериментальних?
8.Що таке ефект Шотткі та як він
впливає на вигляд ВАХ?
Рис.20.10.Ідеалізована вольтамперна 9.Які основні властивості контакту
характеристика контакту двох металів, які розділені двох металів?
вакуумним проміжком.
нелінійних властивостей контакту, тобто про

різний опір в прямому і зворотному напрямку
включенні зовнішнього джерела. Необхідно
мати на увазі, що мова йде не про ідеальний
контакт, а контакт з досить малим вакуумним
зазором між металами. Розглянуті явища
відбуваються в приладах, які використовують
426
Проникнення електричного поля в метал, діелектрик, напівпровідник
Розділ 21.Контактні явища поля і лінії починаються на позитивних і

закінчуються на негативних зарядах. Тому, який
Властивості напівпровідникових
би не був густий потік силових ліній поля, яке
пристроїв визначаються параметрами
створене зовнішнім джерелом біля поверхні
енергетичних бар’єрів, які виникають між двома
металу, внаслідок великої концентрації
частинами напівпровідникового кристалу.
електронів в металі ( м ), силові лінії поля
Найбільш важливими параметрами бар’єрів є
завжди замикаються на поверхневих зарядах і не
їхня енергетична висота, ширина і розподіл
проникають в глибину провідника (рис.21.1,а).
напруженості електричного поля всередині
Але якщо біля поверхні провідника
бар’єру.
електронейтральність порушується, то що ж
означає термін «біля»! На яку все ж таки глибину
§21.1.Проникнення зовнішнього
поле проникає в метал?
електричного поля в метал, діелектрик,
напівпровідник Метал Діелект-
рик
Е=0 E2=E1/ε
Метал. Розмістимо всередині Е

Е1
Е
Е1
конденсатора металічну пластину, так як Е2
0 X 0 X
показано на рис.21.1,а. Як відомо із §3.1
a б
напруженість електричного поля всередині
Напів-
метала дорівнює нулю. Поки електричного поля провідник
біля металу не має, в кожному, навіть дуже Е

Е1
маленькому об’ємі всередині металу і на його Е1/ε
поверхні число позитивних іонів точно дорівнює 0
X
числу негативно заряджених електронів. Тому в

Рис.21.1. Розподіл поля в металі (а), діелектрику
будь-яка частина металу електронейтральна. (б) і напівпровіднику (в), які розміщені у зовнішньому
В металі, який розміщений в електричному полі.
електричному полі, електронейтральність біля
поверхні порушується. До поверхні, яка Допустимо, наприклад, що під дією
повернута до позитивного електроду зовнішнього поля для того, щоб екранувати його,
зовнішнього джерела, притікають електрони. А всі електрони в металічній пластині відтекли із
від поверхні, повернутої до негативного шару, товщина якого ∆x дорівнює всього тільки
електроду, вони відтікають, залишаючи біля постійній гратки, яка в твердих тілах дорівнює
поверхні шар позитивно заряджених іонів приблизно Яке поле створюється при
(рис.21.1,а). Таким чином, заряд на поверхні цьому біля поверхні металу ? Або, що теж саме,
металу створює електричне поле, яке направлене яке зовнішнє поле буде при цьому екрановане ?
проти зовнішнього поля, яке його викликало. Якщо із якої-небудь ділянки металу пішли всі
Зовнішнє поле повністю екранується, і в «вільні» електрони, то всередині цієї ділянки
результаті поле всередині металу дорівнює нулю. виникає позитивний об’ємний заряд з густиною
Це можна ще зрозуміти із таких , де N концентрація позитивно
міркувань. Відомо із §1.5, що густина силових заряджених іонів, яка точно дорівнює
ліній пропорційна напруженості електричного концентрації електронів n в металі. Об’ємному
427
Проникнення електричного поля в метал, діелектрик, напівпровідник
заряду біля поверхні в шарі, товщина якого , електричному полі (рис.21.1,в), з одного, боку,
відповідає густина поверхневого заряду як в діелектрику, на поверхні виникнуть
внаслідок поляризації зв'язані заряди. Таким
. Тоді згідно (3.1) напруженість
чином, в напівпровіднику біля межі з вакуумом
електричного поля E біля поверхні металу буде:
(або повітрям) напруженість поля буде в
раз менша, ніж в вакуумі. З другого боку, в
В м напівпровіднику, як і в металі, існують вільні
носії заряду, які здатні, перегрупувавшись,
В м
екранувати дію електричного поля, яке
Отримане значення E дуже велике. При
проникло в напівпровідник.
E В м у повітрі виникає електричний
На яку глибину поле проникає в
пробій. Але щоб екранувати дію навіть такого
напівпровідник? В чому різниця між
сильного поля, достатньо щоб із
напівпровідником і металом? Різниця в тому,
приповерхневого шару металу, товщина якого в
що концентрація вільних носіїв і відповідно
один атомний шар, пішла – заряджених іонів в напівпровіднику, як
стотисячна доля електронів. правило, значно менша ніж в металі. Тому, щоб
Таким чином, навіть дуже сильні створити достатньо великий позитивний заряд,
електричні поля не проникають в метал на який здатний екранувати дію зовнішнього поля,
глибину більшу, ніж постійна решітки. Та електрони в напівпровіднику n-типу повинні
навіть в межах цієї товщини відносне збіднення “відтікти” не із тонкого шару, товщина якого
електронами зі сторони “мінуса” зовнішнього порядку постійної гратки, а із шару досить
джерела (і, відповідно, відносне збагачення зі великої товщини (рис.21.1,в). Ясно, що
сторони «плюса») не перевищує декількох товщина цього шару буде тим більша, чим
долей відсотка. менша рівноважна концентрація електронів n
Діелектрик. Проникнення в напівпровіднику.
електричного поля в діелектрик розглядалось в Концентрація електронів n практично
розділі 2. Тут тільки зазначимо, що на мові
в багатьох випадках визначається
силових ліній діелектрик в електричному полі
концентрацією донорів . Таким чином,
показаний на рис.21.1,б. Частина силових ліній
глибина, на яку поле проникає всередину
зовнішнього поля залишається на зв'язаних
напівпровідника, визначається рівнем його
поверхневих зарядах діелектрика. Але ті силові
легування.
лінії, які не замкнулись на поверхневих
Рівень легування напівпровідників, які
зв'язаних зарядах і проникли всередину
використовуються для виготовлення різних
діелектрика, пронизують його наскрізь.
напівпровідникових приладів, лежить в межах
Всередині діелектрика не має вільних зарядів,
від до м , тобто може
які могли би перегрупуватись і, змінивши своє
відрізнятись в десятки мільярдів раз.
положення, екранувати дію електричного поля,
Відповідно і глибина проникнення поля в
яке проникло в діелектрик.
напівпровідник, або, іншими словами, ширина
Напівпровідник. В пластині
енергетичних бар’єрів в напівпровідниках може
напівпровідника, яка розміщена в
змінюватись в дуже широких межах. В
428
Розподіл поля в бар’єрі. Ширина бар’єру
дірковому напівпровіднику ситуація із захоплювати електрони із об’єму і заряджатись

проникненням електричного поля в негативно.
напівпровідник аналогічна як і в електронному Нехай на поверхні напівпровідника
напівпровіднику. n типу переважають акцепторні стани. Тоді
поверхневі рівні будуть захоплювати електрони
із частини об’єму напівпровідника, який
§21.2.Розподіл поля в бар’єрі. Ширина
прилягає до поверхні. В результаті поверхня
бар’єру
заряджається негативно. А в приповерхневій
Поверхневі стани. Сама поверхня
області напівпровідника виникне шар,
напівпровідникового кристалу є порушенням в
збіднений електронами, тобто заряджений
ідеальній періодичній решітці. Ідеальний
позитивно. Таким чином, біля поверхні
порядок атомів, які розташовані в об’єми
утворюється подвійний заряджений шар, поле
напівпровідника на строго однаковій один від
якого буде відштовхувати електрони в глибину
одного відстані, на поверхні раптово
кристалу. Це поле максимальне біля поверхні і
порушується. Ясно, що умови зв’язку між
спадає по мірі віддалення від неї в глибину
валентними електронами, які належать
кристалу. Це поле відштовхує електрони від
приповерхновим атомам, будуть дещо іншими,
межі кристалу, а позитивно заряджені дірки
ніж в об’ємі. В 1932р. І.Е.Тамм теоретично
притягуються до межі (рис.21.2).
показав, що обрив кристалічної решітки є
причиною виникнення біля поверхні
Ваку ум Кристал
додаткових енергетичних рівнів. Ці поверхневі W0 W
стани носять назву рівнів Тамма. Крім того, на n _ тип
поверхні адсорбуються чужеродні атоми, на ᵪ Φ
поверхня
поверхні завжди існують структурні дефекти:

електрони
спотворення решітки, вакансії, тобто пусті Ws
місця в вузлах решітки, які виникають, коли Wc
E згин Wd
атоми напівпровідника зміщуються із своїх Wg
зон
законних місць в вузлах гратки в Wυ
міжвузловини. Всі ці домішкові і структурні дірки
порушення теж є джерелом поверхневих станів. X
Густина поверхневих станів на Рис.21.2.
реальних поверхнях знаходиться в межах від

Біля межі всередині кристалу
до м . Поверхневі рівні можуть
утворився, із-за подвійного зарядженого шару,
бути як донорними так і акцепторними.
енергетичний бар’єр, висота якого .
В залежності від того, який тип
Величина називається
поверхневих станів переважає (донорний чи
поверхневим потенціалом. Біля самої межі
акцепторний), поверхня буде або віддавати
концентрація електронів провідності буде:
електрони в об’єм напівпровідника і
заряджатись позитивно, або навпаки, , (21.1)
429
де концентрація електронів в глибині тією самою . При
кристалу далеко від межі. виникає якісно нова ситуація. Тепер
Енергія дірок біля межі менша, ніж м м . Дірок біля
енергія дірок в об’ємі кристалу на величину . поверхні майже в три тисячі раз більше, ніж
Тому концентрація дірок біля поверхні буде електронів! На поверхні напівпровідника
дорівнювати n типу утворився шар з дірковою провідністю,
, (21.2) так званий шар з інверсним типом провідності,

або інве сний ша .
де концентрація дірок в глибині кристалу.
На рис.21.3 приведена енергетична
Розберемося, до чого призводить наявність на
діаграма для діркового напівпровідника при
межі кристалу поверхневого потенціалу і згину
позитивному заряді поверхневих станів. На
зон, який супроводжує його. Нехай в кремнії n-
рис.21.2 і 21.3 приведене таке позначення:
типу концентрація електронів м .
електронна спорідненість напівпровідника і,
Тоді згідно закону діючих мас (19.48),
як видно із рисунків (для даного
рівноважна концентрація дірок в такому
напівпровідника є величина стала); робота
кристалі при T=300K,
виходу електронів із напівпровідника.
м . Електронів в об’ємі кристалу в W
(10 міліардів) раз більше, ніж дірок. Вакуум Кристал
Нехай величина поверхневого W0
потенціалу . Тоді при кімнатній p_ тип
χ Φ
температурі (T=300K) kT=0,026eB і
Wc
концентрація електронів біля поверхні буде
згин
згідно (21.1): зон Wg
E Wa
м , а концентрація дірок згідно Wg Wυ
(21.2) м . Електронів біля Ws
поверхні приблизно в 50 раз менше, ніж в
об’ємі, дірок в стільки ж раз більше. Але дірок
X
Рис. 21.3
все ще в 3,5 раз менше, ніж електронів і
їхній вклад в провідність незначний. Тому Для n і p кремнію, величина
наявність поверхневого потенціалу в цьому поверхневого бар’єру приблизно дорівнює
випадку означає виникнення біля поверхні (цей випадок зустрічається дуже часто).
збідненого електронами шару з питомим
Тоді для n кремнію рис.21.2 робота виходу
опором, який значно більший, ніж об’ємний
дорівнює , а для
питомий опір. Саме виникнення на межі
p кремнію (рис.21.3)
к исталу збі нених ша ів з високим итомим
о о ом лежить в основі оботи іо ів і . Таким чином, . Тобто,
т анзисто ів. робота виходу електрона із напівпровідника n
При і p типу (кремнію) приблизно дорівнює
м . Якісно ситуація залишилась значенню роботи виходу у власного кремнію.
430
Визначимо розподіл електричного
p‒n перехід Дійсно, потенційний бар’єр на межі
поля і ширину енергетичного бар’єру в області обумовлений тим, що рухомі носії (в даному
поверхневого потенціалу (рис.21.4). Для випадку електрони) відтекли від межі,
цього використаєм рівняння Пуассона (1.38) і залишивши нескомпенсованим позитивний
деякі припущення про характер бар’єру і об’ємний заряд іонізованих донорів
напівпровідник. (рис.21.4,а). При із приповерхневого
n - н а п ів п р о в ід н и к шару йдуть практично всі вільні електрони.
Область об’ємного Нейтральна
Вакуум заряду область Тоді густина об’ємного заряду, природно,
а + + ̇ + +̇ + ̇ дорівнює нескомпенсованому заряду
+̇ +
іонізованих донорів, які залишились: ,
+ +
̇
+
̇ де концентрація донорів, e величина
+ − іонізовані донори заряду електрона за модулем. Тоді згідно
− електрони
E ̇ рівняння
поверхневого
Пуассона
шару
(1.38),
буде
поле всередині
змінюватись за
Em законом
б (21.3)
α
0 Так як величина постійна, то, у
xm X
відповідності з формулою (21.3), швидкість
Рис.21.4.Формування поверхневого
потенційного бар’єру (напівпровідник n-типу): а – зміни поля з координатою теж величина
негативний заряд поверхневих станів спричинив стала, тобто напруженість поля E лінійно
відтік електронів із приповерхневого шару, де
залишився нескомпенсований позитивний заряд спадає з координатою (рис.21.4,б). Із
іонізованих донорів; б – поле приповерхневої області формули (21.3) і (рис.21.4,б) легко отримати,
напівпровідника лінійно зменшується від величини
Еm (на границі вакуум-кристал, х = 0) до нуля (на
що
границі область об’ємного заряду – нейтральна , (21.4)
область, х = хm), tg  eN d /( 0 ) .
де − межа об’ємного заряду.
Якби нам була відома величина
По-перше, будемо вважати, що
поле на межі кристалу, то із (21.4) ми легко
напівпровідник легований однорідно, тобто
визначили б ширину бар’єру . Із (21.4)
концентрація домішки скрізь однакова і не
видно, що при
залежить від координати. Якщо це
напівпровідник n типу, то концентрація (21.5)
іонізованих донорів скрізь однакова. По- Але значення невідоме. Відомо, що між
друге, будемо вважати, що висота потенційного межею кристалу і точкою , де поле
бар’єру , з одного боку, достатньо відсутнє, існує потенційний бар’єр висотою ,
велика: , але, з іншого боку, що означає, що між цими точками існує різниця
недостатня для того, щоб викликати інверсію потенціалів . Цього достатньо, щоб
провідності біля межі кристалу. За цих двох визначити і величину , і ширину бар’єру .
умов розрахунок поля в бар’єрі стає дуже Дійсно, так як
простим.
, то .
431
Способи отримання p n переходів
Із рис.21.4,б видно, що формально p−n переходом або, по іншому,
дорівнює площі трикутника , тобто електронно дірковим переходом.
(21.6)
Тоді із співвідношень (21.5) і (21.6) Якщо взяти два куски напівпровідника
отримаємо, що (рис.21.5,а): один −, інший n − типу, акуратно
їх відшліфувати і міцно притиснути один до
о
одного, то ми отримаємо об’єкт, властивості
(21.7)
якого не мають нічого спільного із
о властивостями p‒n переходу. Із §21.2 відомо,
Проведемо деякі числові оцінки. що на поверхні, як би її акуратно не обробляли,
Приймемо, що В. Значення завжди будуть порушення кристалічної
діелектричної проникності для найбільш решітки. Утворюється спектр поверхневих
широко розповсюджених напівпровідників Ge, станів, тобто виникають приповерхневі
Si і GaAs є величими: 16, 12,5 і 12 відповідно. р-п перехід
Тоді, якщо м , то за формулами

Напівпровідник Напівпровідник
(21.7) отримаємо: , р-типу п-типу
(дірковий) (електронний)
мкм. Якщо ж при тій самій
приповерхневій різниці потенціалів В
рівень легування м , то a
В м, мкм
Si Si Si Si Si Si Si Si
В першому випадку поле при + +
Si Si Si Si Si Si Si Si
поверхневого бар’єру проникає в глибину +
Si Si Si Si Si Si
напівпровідника на товщину порядку 300 000 +
Si Si
+
Si Si
+
Si Si Si Si
+ +
атомних шарів. У другому випадку 3 4 Si Si Si Si Si Si Si Si
шарів.
б
Зрозуміло, якщо ми маємо справу з
Рис.21.5.На межі − і n− типів
дірковим напівпровідником, то всі приведені напівпровідника виникає p ‒ n перехід (а). Показаний
судження і всі отримані формули є кристал кремнію, в лівій частині якого акцепторна
домішка (темні кружечки), в правій – донорна
справедливими. Необхідно тільки замінити в
(заштриховані кружечки). Позначення: дірки,
них величину на концентрацію − електрони (б).
акцепторної домішки.
потенціальні бар’єри. Крім цього, на поверхні
§21.3.p‒n перехід та його властивості будуть окиси, адсорбовані сторонні атоми … .

Як щільно не притиснуті один до одного куски
Якщо кристал напівпровідника і n типу напівпровідників, «рани», які
легований так, що одна частина, має нанесені кристалічній решітці на поверхні, не
провідність − типу (діркову), а інша – залікуєш.
провідність n − типу (електронну), то на
Яким же повинен бути контакт іn
границі між цими частинами виникає шар з
напівпровідників? Звернувшись до рис.21.5,б,
особливими властивостями, який називається
зазначимо важливу обставину. Кристалічна
432
решітка напівпровідника нічого про p‒n На рис.21.6 показаний приклад
перехід "не знає", вона просто його не помічає. утворення сплавного −n переходу в n−Ge при
На самій межі, яка розділяє − і n− області, чи вплавленні в нього індія (In). Таблетка індію,
зліва, чи справа від неї, ми бачимо все ту ж яка має форму тонкого диску, клалась на
кристалічну решітку кремнію, з тими ж очищену поверхню кристалу германію
зв’язками, які ніяк не порушуються тим, що в (рис.21.6,а). Потім кристал разом з таблеткою
різні частини кристалу введені різні домішки. повільно нагрівають. Як тільки температура
Тільки такий перехід має всі ті чудові перевищить температуру плавлення індію
властивості, про які будемо говорити в (156 ) таблетка починає плавитись,
подальшому і саме такий перехід будемо перетворюючись в краплю рідини. При
вивчати. підвищенні температури форма краплі, як
Проблема створення якісних −n видно із рис.21.6,а, змінюється. Сили
переходів вирішувалась і багато в чому поверхневого натягу рідини стараються надати
вирішена на протязі більше півстоліття краплі форму кулі, а сили змочування –
зусиллями тисяч спеціалістів. Розроблено розмазати краплю по поверхні кристалу. Індій
досить багато способів отримання переходів і при має форму кульки, при більш
всі ці способи доведені до високої технічної високій температурі розтікається по
досконалості. Для всіх с особів ха акте ний поверхні германію.
с ільний ийом. Береться кристал In In In In
напівпровідника − або n− типу, а потім
n-Ge n-Ge n-Ge n-Ge
якимось способом на певну глибину кристалу
20°С 200°С 300°С 500°С
вводяться домішки, які створюють в даному а
напівпровіднику провідність протилежного In p-G e
характеру. Якщо вихідний кристал був n− типу,
то вводиться акцепторна домішка, якщо −
n-Ge
типу, то донорна. Домішка вводиться в кристал
б
в більшій кількості, ніж вихідна. Тому в цій
Рис.21.6.
частині кристалу, куди попала домішка, тип
Кристалічний германій при
провідності змінюється. Відбувається, як
температурі дуже добре розчиняється
говорять, перекомпенсація вихідної домішки.
в рідкому індії. Розчинення продовжується до
На межі між областю, де тип провідності
тих пір, поки не утвориться насичений розчин
кристалу змінився, і областю, де він залишився
германію і індію. Після цього пластинку
вихідним, виникає −n перехід.
германія починають повільно охолоджувати. Із
Сплавлення. Сплавлення один із
зменшенням температури кількість германію,
самих старих способів створення p‒n переходів.
здатного розчинятись в індії,теж зменшується;
Перші p‒n переходи були отримані цим
надлишковий германій, який випадає із
методом в 1950р. В основі методу лежить
розчину, знову кристалізується на нерозчиненій
утворення сплаву напівпровідникового
частині пластинки (рекристалізується). Цей
матеріалу і металу, атоми якого є донорами або
рекристалізований шар (рис.21.6,б) є
акцепторами в напівпровіднику.
збагачений атомами індію.
433
Атоми індію в германію є температуру . В трубі
акцепторами. Концентрація індію в знаходиться кварцева касета 3 із закріпленими
рекристалізованому шарі складає м і на ній пластинками кремнію 4. Речовина
значно перевищує концентрацію донорної домішки (так званий дифузант) поступає в
домішки у вихідному кристалі. Тому на межі трубу у вигляді газу, концентрація якого строго
рекристалізованої області і нерозчиненої контролюється. На протязі всього часу, поки
частини кристалу утворюється p−n перехід. поверхня напівпровідника обдувається
В 50−ті роки 20 століття метод дифузантом, атоми домішки дифундують в
сплавлення відігравав важливу роль в розвитку глибину пластинки. Чим більший час дифузії,
напівпровідникової електроніки. Саме на його тим глибше проникають домішки в кристал.
основі були створені перші промислові p−n перехід при дифузії виникає внаслідок
германієві діоди і транзистори. того, що кристал, в якому проводиться дифузія,
Дифузія. Дифузійний метод має вихідну об’ємну домішку, яка протилежна
виготовлення p−n переходів з’явився незабаром по типу від домішки, яка вводиться при
після методу сплавлення як деяка його дифузії. Якщо вихідна домішка, наприклад,
модифікація. Метод дифузії виявився більш донорного типу, то для створення p‒n переходу
ефективним і на довгі роки був основним використовують дифузію акцепторів.
методом створення p−n переходів, а потім і 4 1 2
інтегральних схем.
Розглянемо процес дифузії
детальніше. Нехай напівпровідниковий кристал 3
Рис.21.7.
розміщений в атмосфері газу, який містить
велику концентрацію атомів речовини, яка є в
Глибина залягання p−n переходів, які
даному напівпровіднику донорною (або
виготовляються методом дифузії, залежить від
акцепторною) домішкою. На поверхні любого
об’ємної концентрації вихідної домішки в
кристалу є безліч порушень кристалічної
кристалі і лежить в межах від долей
гратки. Тому атоми домішки із газу−дифузанта
мікрометра до сотень мікрометрів.
легко захоплюється поверхнею
Іонна імплантація. Це один із
напівпровідника. Поверхня стає збагаченою
сучасних методів виготовлення p−n переходів,
домішками. Оскільки ідеальних кристалів не
який дозволяє отримувати p‒n переходи дуже
існує, то дифузія в глибину кристалу буде
маленьких розмірів з глибиною залягання, яка
відбуватись, головним чином, по вакансіям,
точно контролюється і є досить малою (до
міжвузловинах та інших порушеннях в гратці
сотих долей мікрометра). Суть методу іонної
кристалу при його нагріванні. Дифузійний
імплантації, або, як його деколи називають
потік домішкових атомів направлений від
методом іонного легування, в тому, що в
поверхні, де домішкових атомів багато, в
напівпровідник проникають атоми домішки, які
глибину напівпровідника, де їх немає.
рухаються строго в одному напрямку з певною
На рис.21.7 показана схема
і досить великою швидкістю, на відміну від
проведення процесу дифузії. Кварцева труба 1
методу дифузії, в якому атоми домішки
розміщена в пічці, яка створює всередині труби
рухаються хаотично.
434
Установка для проведення іонної В вихідній стінці аналізатора є
імплантації схематично показана на рис.21.8. В щілина 4, через яку проходять тільки ті іони,
камері 1, де відбувається процес, створюється і які відхилились строго на заданий кут.
підтримується глибокий вакуум. Іони домішки “Вибирати” тип іонів в пучку дуже легко:
виникають в джерелі іонів 2, яке складається із достатньо змінити величину індукції
матеріалу домішки, який нагрівається до магнітного поля аналізатора.
температури, щоб почалось випаровування “Відфільтровані” іони, які вилітають із
атомів з поверхні. Біля поверхні матеріалу аналізатора, підлітають до напівпровідникової
домішки, горить електрична дуга, яка іонізує пластинки 5. При зіткненнях з граткою
практично всі частинки, які в неї попадають. напівпровідника іони поступово витрачають
свою енергію, віддаючи її атомам, які
B 3
попадаються на їхньому шляху, і в кінці кінців
зупиняються. Шлях, який іон проходить до
4
повної зупинки, або глибина проникнення,
2 5 залежить від маси і енергії іона. Енергію іонів
можна точно регулювати, змінюючи
1 прискорюючий іони електричний потенціал.
Таким чином, проникнення іонів домішок в
Рис.21.8.
гратку відбувається на строго задану глибину.
Позитивні іони домішки, які Наприклад, іони бора при енергії к
утворились, витягуються через вихідний отвір проникають в кремнієву пластинку на глибину
джерела сильним електричним полем. 0,071 мкм, при енергії 100 к ‒ на 0,327 мкм, а
Особлива система електродів (яку називають при енергії 300 к ‒ на 0,559 мкм.
електростатичною лінзою) надає пучку іонів Концентрація введеної домішки
необхідну голкоподібну форму. Прискорені визначається сумарною дозою опромінення. Ця
полем до великих швидкостей і сфокусовані величина з високою точністю контролюється
іони попадають в магнітний аналізатор 3. Це часом іонного бомбування. Таким чином, іонна
найважливіший вузол, який забезпечує одну із імплантація один із найточніших методів
найголовніших переваг методу іонного виготовлення p‒n переходів.
легування: практично повне очищення пучка На шляху іонного пучка розміщують
іонів від сторонніх домішок. В аналізаторі електростатичні пластини, такі, як в
пучок іонів попадає в магнітне поле (силові електронно-променевій трубці осцилографів.

Подаючи на ці пластини напругу, яка
лінії магнітного поля на рис.21.8
змінюється за заданим законом, який виробляє і
перпендикулярні площині рисунка). На іони діє
управляє ним ЕОМ, можна відхиляти іонну
сила Лоренца. Радіус траєкторії іонів в
“голку” в потрібну точку пластини. Таким
магнітному полі залежить від їх швидкості і від
чином, іонний промінь “малює” необхідну
маси іонів. Тому, якщо в пучку є сторонні
конфігурацію p n переходів. Закінчивши весь
частинки крім іонів легуючої домішки, вони
“малюнок” для однією домішки і змінивши
відхиляються в аналізаторі не на той кут, на
магнітне поле аналізатора і енергію пучка,
який відхиляються іони домішки.
435
Потенційний бар’єр p n переходів
р-тип п-тип
можна зразу ж виконати інший рисунок, який
створить іншу систему p−n переходів на іншій
а
глибині, і т.д. Такі установки використовуються
_дірки; _ іонізовані _ електрони; _ іоні-
для виготовлення інтегральних схем, в яких на акцептори - зовані донори
одній напівпровідниковій пластині Wc Wc
розміщується сотні тисяч і більше p−n WFn
Wg
переходів. б WFp
Wg
Wυ Wυ
Потенційний бар’єр в області контакту р-тип

jDn
п-тип
p і n напівпровідників
в
З'ясуємо, чому між двома областями
одного і того самого напівпровідника, які
jD p
відрізняються один від одного тільки
характером введеної домішки, виникає pp
jDp nn
потенційний бар’єр. jдр.n υn jDn
г υp
На рис.21.9,а зліва показаний
j др.p
напівпровідник p типу, справа n‒типу.
E X
Дірковий напівпровідник містить при
р-тип п-тип
звичайних умовах позитивно заряджені дірки ‒
рухомі частинки, які здатні переносити заряд д
(створювати струм), і негативно заряджені
акцептори, закріплені в кристалічній решітці. Е
р-тип п-тип
Електронний напівпровідник, навпаки, містить Wc
Wpn
негативно заряджені електрони провідності і е Wc
позитивно заряджені іонізовані донори, які Wυ
закріплені в решітці. Wpn
Wυ
На рис.21.9,б наведена енергетична
Рис.21.9.Утворення потенційного бар'єру
діаграма напівпровідників p і n‒типу. Це, як на межі p n переходу: а напівпровідники p і n
правило, сильно леговані напівпровідники, в типу, в цілому електронейтральні; б енергетична
діаграма напівпровідників, і енергії Фермі,
яких концентрація основних носіїв заряду
ширина забороненої зони; в дифузія
визначається рівнем легування (§19.10; електронів в напівпровідник p типу і дірок в
формули (19.62); (19.63)). Концентрація напівпровідник n типу; г напрямки дифузійних
струмів основних і дрейфових струмів неосновних
неосновних носіїв заряду в напівпровідниках носіїв заряду; біля межі p−n переходу виникає
визначається формулами (19.64) і (19.65) із подвійний заряджений шар; е наявність подвійного
§19.10. Положення рівня Фермі в зарядженого шару на межі p n переходу
еквівалентно існуванню на границі енергетичного
напівпровіднику p−типу визначається бар'єру. Цей бар'єр перешкоджає проникненню
формулою (19.67), а в напівпровіднику n‒типу електронів із напівпровідника n типу в
напівпровідник p типу і проникненню дірок із
напівпровідника p типу в напівпровідник n типу.
436
формулою (19.66). Рівні Фермі в таких (рис.21.9,г). Густини дрейфових струмів
напівпровідниках знаходяться близько біля визначається формулою (19.95) і в нашому
“стелі” валентної зони і “дна” зони випадку можуть бути записані так:
провідності . Таке розташування рівнів
, (21.8)
Фермі відображає той факт, що
напівпровідники сильно леговані і . (21.9)
концентрація основних носіїв заряду значно
При написанні цих виразів враховані
переважає концентрацію неосновних носіїв
формули (19.64) і (19.65). Розглянемо процеси
заряду. Напівпровідники однакові (наприклад,
детальніше. Неосновні носії в p−області з
кремній), тому ширина забороненої зони в
концентрацією у своєму хаотичному русі
них однакова.
попадають в область контактного поля, яке є
На рис.21.9,в показано, що
для них прискорюючим, і переходять в n‒
відбудеться, коли такі напівпровідники
область напівпровідника. Якщо в області
утворюють контакт. Повинен виникнути
переходу їхня кількість не змінюється в
дифузійний потік електронів із напівпровідника
результаті, наприклад, процесів рекомбінації
n‒типу в напівпровідник p−типу. І навпаки –
або генерації, то величина струму, який
дифузійний потік дірок із p− в n‒
створюється електронами, визначається тільки
напівпровідник. Густини дифузійних струмів
кількістю електронів, що попали на межу
(рис.21.9,г) визначаються формулами (19.99) і
прискорюючого поля і майже не залежить від
(19.100) із §19.12. При цьому частина
напруженості електричного поля. Аналогічна
напівпровідника p−типу, біля p−n переходу
ситуація і із дрейфом дірок із n‒області в p−
буде заряджатись негативно, а частина
область. Тому дрейфовий струм через p−n
напівпровідника n‒типу біля p−n переходу буде
перехід буде дорівнювати:
набувати позитивний заряд, так як в ній
залишається нескомпенсований позитивний . (12.10)
заряд нерухомих донорів. Дифузія дірок із p− в Враховуючи формулу (19.44) можемо

n‒область сприяє заряджанню біля p‒n зробити висновок, що дрейфовий струм
переходу напівпровідника p−типу негативно, а неосновних носіїв
n‒типу ‒ позитивно. Таким чином, біля p‒n , (21.11)
переходу утворюється подвійний заряджений
тобто він різко залежить від температури і
шар, негативний зі сторони p−області і
величини ширини забороненої зони .
позитивний зі сторони n‒області (рис.21.9, ),
Таким чином, в області p−n переходу
який створює контактне електричне поле . Це
встановиться рівновага між потоками
поле буде протидіяти процесу дифузії. Воно
електронів і дірок. Але, якщо контактне
виштовхує дірки із цього шару в
p−напівпровідник, а електрони в n‒ електричне поле (рис.21.9, ) сприяє переходу
напівпровідник. неосновних носіїв заряду через перехід, то для
основних носіїв заряду воно є гальмівним,
Контактне поле сприяє дрейфу
тобто бар’єром (рис.21.9,е). Проте, внаслідок
електронів із p‒напівпровідника в n−область і
хаотичного теплового руху, серед основних
дрейфу дірок із n−напівпровідника в p‒область
437
носіїв заряду, яких багато, знайдуться дуже потрапити з n‒області в p‒область необхідно
енергійні, енергія яких буде більша висоти подолати енергетичний бар’єр, висота якого
бар’єру . Концентрація їх визначається .
розподілом Максвелла‒Больцмана, тобто Із урахуванням формул (19.66) і
, (21.12) (10.67), отримаємо
, (21.14)
. (21.13)
де враховано, що . Цій формулі
Концентрація цих “гарячих”
можна надати і такий вигляд:
електронів і дірок дуже мала, але і
концентрація неосновних носіїв заряду, які (21.15)
утворюють струм (21.10), теж дуже мала. Тому W W0
в області p−n переходу встановлюється
n − тип
инамічна рівновага між потоками основних і p − тип Φn
Wc
неосновних носіїв заряду, результатом чого є
Wd
виникнення контактної різниці потенціалів
Φp Wg Wpn
. WFp , Wa
Wc
WFn
Рис.21.9,е пояснює, що означає Wυ Wd
Wpn Wg
існування в місці контакту p і n‒
напівпровідників енергетичного бар’єру. Із Wυ
0
рисунка видно, що електрону для того, щоб
Рис.21.10.Енергетичний бар’єр на межі p‒n
попасти із n‒області в p область, необхідно переходу. . ‒ енергія
подолати енергетичний бар’єр, висота якого вакууму (енергія вільного електрона).
і енергії мілких акцепторних і донорних
. Такий же бар’єр необхідно подолати і
рівнів, які майже співпадають з енергіями Фермі (
дірці для того, щоб потрапити з p в n‒область і ) в p− і n‒ напівпровідниках, відповідно.
p n переходу.
Висота бар’єру. Як уже При цьому враховано, що
обговорювалось в §19.9 рівень Фермі в .
напівпровіднику відіграє роль “центру мас” між
Із (21.14) видно, що величина
електронами і дірками і його розташування в
потенційного бар’єру тим більша, чим
забороненій зоні напівпровідника завжди
сильніше леговані p‒ і n‒області
ближче до тих носіїв заряду, яких більше. Тому
напівпровідників. Якщо ,а , то
можна вважати, що енергії мілких акцепторних
контактна різниця потенціалів
і донорних рівнів і майже співпадають з
матиме максимальне значення В §19.5
енергіями Фермі і (рис.21.10).
приводяться значення при кімнатній
Робота виходу електронів із
температурі для різних напівпровідників. Із
напівпровідника p типу
приведеної таблиці видно, що може
, а для напівпровідника n типу
приймати значення від 0,17 В у InSb до 3 B у
, де ‒енергія вакууму
SiC. Зрозуміло, що такі значення є
(енергія вільного електрону). Електрону, щоб
чисто теоретичні, на практиці є меншим.
438
Розподіл електричного поля в бар’єрі. Ширина бар’єру
Збіднений шар. Між p‒ і n‒ областями переходу і лінійно спадає при віддаленні від
в p‒n переході існує енергетичний бар’єр, переходу.
максимальна висота якого складає еВ для Скориставшись формулою (21.4)
германієвого, еВ для кремнієвого, еВ отримаємо, що глибина проникнення поля в
для GaAs переходу. Більшість електронів в зоні p область буде
провідності (і дірок в валентній зоні) мають , (21.16)
енергію порядку kT (тобто всього 0,026 еВ при
кімнатній температурі). Зрозуміло, що для а в n область ‒
більшості носіїв бар’єр на межі p‒ і n‒ . (21.17)

областей є непроникний. Кількість електронів і
Враховуючи це, із трикутника на
дірок, які здатні подолати бар’єр на межі p‒ і n‒
рис.21.11,в легко знайти, що
областей дуже не значна і за допомогою
формул (21.12) або (21.13) можемо оцінити їх , (21.18)
долю для Ge при T=300 K: де ‒ ширина p n переходу (основа
трикутника). Тому легко отримати, що
. (21.19)
Розподіл електричного поля в бар’єрі.
Ширина бар’єру
Оскільки область енергетичного p − + n а

бар’єру практично повністю збіднена вільними
носіями, можна досить просто розрахувати всі ρ
+ eNd
основні характеристика бар’єру. Справа від
p− область + eNd n − область
межі p−n переходу, в n‒області, в кожному
0
кубічному метрі напівпровідника міститься X
б
позитивно заряджених донорів. Оскільки −eNa
концентрація електронів і дірок в області − eNa
бар’єру дуже незначна, то густина об’ємного

E
заряду в бар’єрі буде визначатись Em
концентрацією донорів . Точно так в

само в p‒області (зліва від переходу) густина 0
xp xn X
об’ємного заряду визначається концентрацією x
негативно заряджених акцепторів:
Рис.21.11.Розподіл об’ємного заряду і
(рис.21.11,а,б). У випадку, якщо густина електричного поля в p‒n переході: a ‒ якісний
об’ємного заряду постійна, визначення розподіл заряду; б ‒ залежність густини об’ємного
заряду в ‒ розподіл напруженості електричного
розподілу поля в бар’єрі і ширина бар’єру
поля концентрація донорів в n області;
x є проста задача, враховуючи розв’язану концентрація акцепторів в p області;
і глибина проникнення електричного поля в
задачу в §21.2. Залежність в p-n переході
p область і n область відповідно;
показана на рис.21.11,в. Напруженість ширина p n переходу.
електричного поля максимальна в площині p-n
439
Розподіл електричного поля в бар’єрі. Ширина бар’єру
На практиці використовуються різко 100.000 раз більша і перехід дійсно різко
несиметричні p n структури. Так називаються несиметричний). Підставляючи в формули
p n переходи, в яких одна область легована (21.20) і (21.21) значення В
сильніше, ніж інша. На рис.21.12 показаний м отримаємо
ρ мкм а В м
p − область n − область
В кремнієвих діодах, які призначенні
+ eNd
0 для випрямлення низьких напруг, концентрація
X
донорів в n області може бути порядку
a м В такому діоді ширина області
об’ємного заряду складає всього мкм, а
− eNa
максимальне поле в p ‒ n переході
E В м
Em Зворотнє зміщення. Порушимо
б рівновагу між дрейфовим і дифузійним
струмами в області p‒n переходу. Для цього
0
xp xn X W n E
p
−
Wc ̇p
+
ṅ
x
̇ −
−
− +
+
+
̇
Рис.21.12.Розподіл об’ємного заряду eU0 U0
і поля б в різко несиметричному p‒n Wυ Wpn+ eU0
переході . а
Wc
розподіл поля в p n переході, в якому
Wc
p область легована значно сильніше, ніж Wυ
X
n область, тобто . Із рисунка видно,
Wυ
що в цьому випадку ширина області об’ємного
заряду в p області значно менша, ніж ,і
Em1
розподіл поля практично має вид p n б
прямокутного трикутника. Практично вся Em
напруга на бар’єрі падає на 0 x0 X
n область. В цьому випадку розрахунок x1
основних параметрів бар’єру можна здійснити
за допомогою формул (21.17) і (21.18): Рис.21.13.Енергетична діаграма (а) і розподіл
електричного поля (б) в p‒n переході. Штрихові лінії
‒ випадок відсутності зовнішньої напруги. Суцільні
, (21.20) лінії ‒ до діода прикладена зворотня напруга
досить прикласти до діода, який містить p‒n

. (21.21)
перехід, напругу, або як часто говорять,
В кремнієвому потужному високовольтному зміщення від зовнішнього джерела (рис.
випрямляючому діоді концентрація донорів в 21.13). Якщо “плюс” джерела під’єднаний до
n області м (Концентрація n області діода, а “мінус” ‒ до p області, то до
акцепторів в p області м , тобто в p‒n переходу прикладена зворотня напруга (або
440
Зворотнє зміщення. Зворотний струм.
зворотнє зміщення). Саме такий випадок (21.23) знайдемо мкм
показаний на рис.21.13. кВ м
Діод має три області: p область, n Зі збільшенням максимальна
область і область об’ємного заряду (сам p‒n напруженість зростає. Проте для кожного
перехід), який знаходиться між ними. По напівпровідникового матеріалу існує граничне
відношенню до зовнішнього джерела всі ці значення напруженості електричного поля ,
три області включені послідовно. Область перевищувати яке не слід. В полі, напруженість
об’ємного заряду збіднена вільними носіями якого , для Si і GaAs вона досягає значень
заряду, електронами і дірками. Тому вона має В м, електрони і дірки набувають
найбільший опір. Значить, практично вся таку велику енергію, що здатні при зіткненні з
прикладена напруга падає на область атомами кристалічної решітки напівпровідника
об’ємного заряду. створювати нові електрони і дірки.
Звертаємо увагу на те , що поле від Напруженість отримала назву на уженості
зовнішнього джерела при зворотному обою. Напругу пробою p‒n переходу можна
зміщенні на діоді співпадає за напрямком з визначити за допомогою формули (21.23), а
полем всередині області об’ємного заряду саме:
(рис.21.13). Це означає, що спад напруги від
(21.24)
зовнішнього джерела додається до напруги
на переході , яка існувала і до прикладення Якщо , =3 ,
зовнішнього зміщення. В результаті висота = 12, то = 3В, а якщо , то
потенціального бар’єру між p іn областями = 3000 В.
стає , а висота енергетичного бар’єру Зворотний струм. Коли до p‒n
(рис.21.13, а). переходу зовнішня напруга не прикладена, то

струм неосновних носіїв заряду
Для різко несиметричного переходу
врівноважується зустрічним потоком “гарячих”
ширину бар’єру і максимальну напруженість
основних носіїв заряду. Але коли до p‒n
електричного поля знайдемо із формул (21.20) і
переходу прикладене зворотнє зміщення і
(21.21):
висота бар’єру збільшиться, то “гарячі”
, (21.22) носії вже не в стані подолати бар’єр. На потік
неосновних носіїв прикладена напруга ніяк не
(21.23) впливає. Тому зворотний струм визначається
потоком неосновних носіїв заряду (21.10) і
Із формули (21.22) видно, що при
дуже різко залежить від температури. Вище
прикладанні до діода зворотної напруги вільні
сказане належить до германієвого діоду. Для
носії заряду витісняються із областей, які
кремнієвого і арсенід‒галієвого переходів
прилягають до p‒n переходу: область об’ємного
зворотний струм не насичується, а монотонно
заряду стає ширшою (рис.21.13,б). Для
зростає пропорційно . В цих діодах
високовольтного кремнієвого випрямляючого
домінуючу роль при зворотньому зміщенні
діода при В за формулами (21.22) і
відіграє струм, який генерується в області
об’ємного заряду. Деколи його називають
441
Зворотний струм. Пряме зміщення
просто гене аційним ст умом. Носії, які до прикладання зовнішнього зміщення. В
створюють генераційний струм виникають в результаті висота потенціального бар’єру між
самому p‒n переході, в області об’ємного p іn областям стане дорівнювати ,
заряду, де існує сильне електричне поле. Будь- а висота енергетичного бар’єру відповідно
який носій, електрон або дірка, які виникають в . При відсутності
цій області, будуть негайно підхвачені E
W p n
електричним полем і викинуті: електрони в n ̇p ṅ
область, дірки ‒ в p область. Генераційний Wpn Wc ̇ −+
+ −
̇
eU0 eUpn U0
струм пропорційний ширині бар’єру (області Wpn− eU0
Wc
0
об’ємного заряду) . Так як згідно формули X
Wυ
(21.22) , то зрозуміло, чому Wυ
генераційний струм пропорційний . а
Відношення густини генераційного E
Em
струму до густини струму насичення
p n б
(формула(21.10)) дорівнює Em1
, (21.25) 0 x1 X
x0
де і
час життя Вираз (21.25) дає
Рис.21.14.Енергетична діаграма (а) і розподіл
можливість порівняти відносні величини і напруженості електричного поля (б) в p n переході.
для будь-якого p‒n переходу при будь-якій Штрихові лінії – випадок відсутності зовнішньої
напруги. Суцільні лінії – до діода прикладене пряме
температурі і будь-якій прикладеній напрузі. Із зміщення.
(21.25) видно, що з ростом ширини забороненої
зони напівпровідника роль різко, зміщення електрони із n області в p область
експоненціально зростає, оскільки згідно і дірки із p області в n область
(19.44), концентрація експоненційно “прориваються” тільки ті, енергія яких більша
зменшується. Це пояснює, чому вклад висоти бар’єру (формули (21.12) і (21.13)).
генераційного струму в зворотний струм в Струм, який вони створюють, компенсується
кремнієвих, а особливо в арсенід‒галієвих дрейфовим струмом неосновних носіїв
переходах значно більший, ніж в германієвих. (формула (21.10)). Якщо висота бар’єру
Пряме зміщення. На рис.21.14 зменшується на величину , то тепер вже із
показаний p‒n перехід, до якого прикладене n в p область здатні “прориватись” всі
пряме зміщення. “Плюс” джерела під’єднаний електрони, енергія яких більша висоти бар’єру
тепер до p області діода, “мінус” ‒ до . Концентрація таких електронів
n області. Поле від зовнішнього джерела згідно (21.12) дорівнює:
направлене назустріч полю, яке існує всередині
p‒n області. Значить, спад напруги від
зовнішнього джерела вираховується із Таким чином, число електронів,
бар’єрної різниці потенціалів яка існувала здатних подолати бар’єр, що понизився, зростає
442
Пряме зміщення
в раз. Оцінимо відношення струму при

прямому зміщенні до струму при зворотному
Наприклад: при В, ,
зміщенні за допомогою формули (21.29) при
раз. Струм, який утворюють ці кімнатній температурі
електрони, в стільки ж раз зростає і складає 0,026 eB при 0=1В:
тепер величину
, (21.26) зв
де враховано, що при відсутності зміщення

дрейфовий струм неосновних електронів
Таким чином, струм при прямому
(формула (21.8)) утворюється струмом
зміщенні значно перевищує струм при
“гарячих” електронів (формула (21.12)). Таким
зворотньому зміщенні. Тобто p‒n перехід має
чином , електронна складова струму через p‒n
односторонню провідність. Цю властивість p‒n
перехід при його прямому включенні буде:
переходу в основному і використовують на
(21.27) практиці. На рис.21.15 приведена
вольт‒амперна характеристика германієвого
Аналогічно, діркова складова прямого діода з p‒n переходом. Зверніть увагу на
струму
різницю в масштабах по осях струму і напруги,
. (21.28) які відповідають прямому і зворотньому
зміщенню. При В, як видно із рис.
Повний струм через p‒n перехід дорівнює сумі
21.15, струм змінюється через p‒n перехід, а
електронної і діркової складових і дорівнює
напруга на діоді стала. В такому режимі
(21.29) пробою працює стабілітрон, який стабілізує

напругу на p‒n переході.
де . Примітка.
1. При отриманні формули (21.29)
Формула (21.19) описує залежність
вважалось, що вся прикладена до діода напруга
струму через p‒n перехід від прикладеної
падає на p‒n переході, тобто, що опір p‒n
напруги при будь-яких зміщеннях і прямих, і
зворотніх. Тільки при прямій прикладеній переходу набагато більший, ніж всі інші
послідовно ввімкнені з ним опори: опір n
напрузі величину треба вважати додатною, а
при зворотній ‒ від’ємною. області, p області, опір контактів до діода і
I пр ,А т.п. При зворотній напрузі таке припущення
0,5
справедливе. Опір бар’єру (p‒n переходу) є
0,25 великий вже при нульовому зміщенні. При
прямому зміщенні справа дещо інша. Із
-150 -100 -50 0
-100
0,2 0,4 U0 ,B
збільшенням прямої напруги опір бар’єру різко
зменшується! Значить не вся прикладена
-300
напруга падає на p‒n переході. Значна
I зв ,мкА
частина напруги падає на послідовно
Рис.21.15. Вольт‒амперна характеристика
германієвого p ‒ n переходу. ввімкнених з переходом контактах, а також n
443
Ємність електронно‒діркового переходу
і p областях. Тому висота бар’єру p‒n- змінної напруги зворотньозміщений p‒n
переходу знизиться не на , а на дещо меншу перехід поводить себе як конденсатор.
величину. В результаті ситуація, коли Ємнісний опір p‒n переходу визначається за
формулою (9.77) , де ‒
циклічна частота напруги, ‒ ємність p‒n
стає неможливою. Найбільше, чого можна
переходу. Ємність p‒n переходу можна
досягти, збільшуючи пряму напругу на діоді, ‒
визначити за формулою ємності плоского
це дуже сильно зменшити висоту бар’єру (як
конденсатора
деколи говорять ‒ “спрямити” бар’єр). Але
досягнутий ефект вимагає, щоб густина струму , (21.30)
через діод складала десятки і навіть сотні тисяч
де ‒ ширина області об’ємного заряду, ‒
А см .
площа переходу. Так як визначається за
2.Увипадку різко несиметричного
формулою (21.22), то можна визначати ємність
переходу (сильно легована p область) при
переходу при любій прикладеній напрузі і
любих зміщеннях основний вклад в загальний
різних рівнях легування. Із розділу 8(§8.2)
струм в області бар’єру вносять дірки. Ця
відомо, що конденсатор проводить змінний
область діода називається емітером (від
електричний струм тому, що лінії струму
латинського e mi t t o ‒ випускаю). Вона здатна
провідності в середині конденсатора
випускати (інжектувати) в слаболеговану
переходять в лінії струму зміщення (змінне
n область таке число дірок (неосновних носіїв
електричне поле) і таким чином, електричне
для n області), що їх концентрація може
коло стає замкненим. Пояснення проходження
значно перевищувати вихідну концентрацію
змінного струму через конденсатор може бути і
основних носіїв (електронів в n області).
таке. Коли до конденсатора прикладена змінна
Слаболегована область діода
напруга, то він в певну частину періоду
називається базою (від грецького b a s i s ‒
накопичує електричний заряд, а потім, в другу
основа). Саме в слаболегованій області
частину періоду, віддає його в зовнішнє коло.
переходу, базі, в основному розміщується
Періодичне заряджання і розряджання
область об’ємного заряду при зворотньому
конденсатора підтримує в колі змінний струм.
зміщенні (рис.21.13). Параметри бази ‒ її
Тепер розглянемо зворотнозміщений
ширина і рівень легування ‒ визначають
p‒n перехід, до якого одночасно з постійною
напругу пробою p‒n структури (формули
зворотною напругою прикладена ще і
(21.22), (21.23), (21.24)). У відповідності з
невелика змінна напруга, амплітуда якої
прийнятою термінологією на рис.21.15
(рис.21.16). Суцільна крива на рис.21.16
аналізується робота діода з p ‒ емітером і n ‒
відповідає розподілу об’ємного заряду в p‒n
базою.
переході при зворотній напрузі . Штриховою
лінією показаний розподіл об’ємного заряду ,
§ 21.4. Ємність електронно‒діркового коли до діода прикладена напруга .
переходу
Напруга на діоді стала більша ‒
Якщо до p‒n переходу прикладена область об’ємного заряду розширилась
зворотня напруга , то по відношенню до (формула (21.22)). Вільні носії ‒ електрони в
444
Ємність електронно‒діркового переходу
n напругою прикладена
області і дірки ще відштовхуються
в p області і невелика змінна напруга, амплітуда
бар’єрної якої
ємності. (рис.21.16). Суцільна
в крива на рис.21.16
зовнішнє відповідає
коло із області розподілу
об’ємного об’ємного заряду
заряду, вБар’єрну
p‒n переході
ємність
при зворотній
визначимо
напрузіяк
. Штриховоювід
яка звільняється лінією показаний
носіїв. розподіл
В n області , дедо діодавеличина
об’ємного заряду , коли
при заряду,
прикладена яка
напруга
збільшенні . напруги від до в накопичується або віддається p‒n переходом
зовнішнє коло виштовхуються всі електрони, при зміні напруги на величину . Для різко
які знаходились при напрузі на ділянці між несиметричного переходу вся прикладена
суцільною і штриховою лініями. В p області напруга падає на слаболеговану область і повна
точно так же із ділянки між суцільною і ширина об’ємного заряду практично
штриховою кривими витісняються дірки. визначається за формулою (21.22). При
збільшенні напруги на величину ширина
р п області об’ємного заряду збільшується на
величину . Значення можна визначити
а із формули (21.22). При цьому у зовнішнє коло
 п буде витіснений заряд електронів на одиницю
р
+еN d площі поперечного перерізу
(точно такий же заряд дірок буде витіснений із
p області). Відношення визначить
X
величину ємності p‒n переходу на одиницю
б площі . Тоді
-еN a
Рис.21.16.Розподіл об'ємного заряду в p-n

переході: суцільна лінія до діода прикладена (21.31)
зворотня напруга ; штрихова зворотня напруга
дорівнює ; точкова .
де ‒ напруга на p‒n переході, ‒ ширина
області об’ємного заряду, яка визначається
Точковою кривою показаний розподіл
формулою (21.22). Із формули (21.31)
об’ємного заряду, коли до діода прикладена
випливають два важливих висновки. По- е ше,
напруга . Напруга на діоді стала
бар’єрна ємність p‒n переходу залежить від
менша ‒ ширина області об’ємного заряду
напруги. Чим більше прикладене до діоду
зменшилась. А це означає, що із зовнішнього
зворотнє зміщення , тим менша ємність.
кола забираються вільні носії, які заповнюють
Конденсатори, ємність яких залежить від
тепер ділянки діода, де їх не було при напрузі
напруги, називаються нелінійними. Тому часто
. Якщо напруга зменшилась від до
говорять, що p‒n перехід є нелінійна ємність.
, то вільні носії, які відбираються із
По- уге, при однаковій зворотній напрузі на
зовнішнього кола, заповнюють області між
переході бар’єрна ємність тим більша, чим
суцільною і точковими кривими.
Таким чином, зрозуміло, що p‒n вищий рівень легування: . Оцінимо
перехід володіє здатністю в певну частину величину бар’єрної ємності для
періоду накопичувати вільні носії заряду, а в високовольтного випрямляючого діода з
іншу ‒ віддавати їх в зовнішнє коло, тобто має кремнію, для якого . При
ємність. Цей тип ємності носить назву і відсутності
445
Ємність електронно‒діркового переходу. Варікапи
зовнішньої напруги на діоді ємність C буде переходу. Вони використовуються як
конденсатори, ємністю яких можна управляти
прикладеною напругою, в колах високої і
Навіть при ємність діода буде надвисокої частоти.
суттєва величина: C 300 Варікапи. Назва приладу (від
Порівняємо ємнісний опір діода з англійського va r i a b l e c a p a c i t o r змінний
його активним опором, який визначається конденсатор) дуже точно характеризує його
зворотним струмом. Ці опори можна вважати призначення. Варікапи використовуються як
з'єднаними паралельно. При кімнатній конденсатори змінної ємності, величина якої
температурі і напрузі на діоді змінюється в залежності від прикладеної
типове значення зворотнього струму для напруги. Чим більша напруга, тим менша
зв
ємність. Кожний, хто налаштовує
кремнієвого діода такого типу складає .
радіоприймач на потрібну станцію, з точки зору
Таким чином, активний опір
радіотехніки зайнятий тим, що, змінюючи
. Ємність при за формулою
ємність змінного конденсатора, налаштовує
(21.31)дорівнює:
вхідний контур радіоприймача на потрібну
частоту. Одне із перших застосувань варікапів
При частоті , була заміна механічного змінного конденсатора
. Тобто, при частоті напруги в радіоприймачі.
опір діода буде визначатись не Напівпровідникові ємності, які
тільки зворотним струмом, а і ємністю управляються напругою, лежать в основі
структури. При промисловій частоті надчутливих перетворювачів постійної напруги
і опір R визначає в в змінну. З їх допомогою здійснюється прийом

і підсилення надслабих сигналів, в тому числі і
основному опір діода. Існують, однак, діоди,
сигналів із космосу. Вони використовуються
які призначені для роботи в колах високих
для генерації сигналів з частотою в сотні
частот. Для таких діодів наявність бар’єрної
мільярдів герц. В параметричних підсилювачах
ємності відіграє дуже важливу роль. Деколи
в LC ‒ контурі, який налаштований на частоту
ємнісний струм, обумовлений бар’єрною
сигналу, який підсилюється, як ємність С
ємністю заважає діоду виконувати ту роботу,
включається варікап. Параметр варікапа,
для якої він призначений. В цьому випадку
ємність, два рази за період коливань сигналу,
величину С стараються зробити по можливості
який підсилюється, в потрібній фазі змінюється
меншою, щоб збільшити опір. Цього досягають
зовнішнім джерелом коливань. В результаті
за допомогою зменшення площі діодів, які
досягається підсилення, яке називають
призначені для роботи в колах надвисоких
параметричним. Основна перевага
частот (НВЧ). Площа S для таких діодів складає
параметричних підсилювачів ‒ їх рекордно
( ). Величина
висока чутливість. Головним параметром
бар’єрної ємності таких p‒n структур дорівнює
варікапа є коефіцієнт зміни ємності , який
десятим, а деколи і сотим долям пікофаради.
визначається як відношення максимальної
Але існують і такі діоди, дія яких прямо
ємності варікапа до мінімальної :
ґрунтується на властивостях бар’єрної ємності
446
Варікапи. Фотодіоди і світлодіоди
. Так як ємність варікапу напівпровіднику електронно‒діркову пару
залежить від прикладеної до нього напруги, то (рис.19.32,а). Якщо електрон і дірка виникли
зрозуміло, що величина залежить від під дією світла в області об’ємного заряду
діапазону, в якому можна змінювати зворотнє зворотньо зміщеного p‒n переходу, то любий
зміщення на варікапі. Мінімальна зворотня носій, електрон чи дірка, які народжені в
напруга приймається за нульову. При цьому області об’ємного заряду будуть негайно
напруга на p‒n переході мінімальна і дорівнює підхоплені електричним полем і викинуті:
і згідно формули (21.21) електрон ‒ в n область, дірка ‒ в p область.
В пітьмі, без освітлення,
. (21.32) генераційний струм p‒n переходу (так званий
Максимальна напруга на p‒n переході темновий струм) визначається числом
обмежується процесом ударної іонізації і електронів і дірок, які є в області об’ємного
визначається з формули (21.24). Враховуючи, заряду внаслідок теплової генерації. При
що , із (21.31) отримаємо значення освітленні зворотньозміщеного переходу

світлом з енергією квантів струм
мінімальної ємності варікапу
через перехід збільшується. Фотострум, який
. (21.33) виникає під дією світла буде в стільки раз
Тоді коефіцієнт зміни ємності буде більшим темнового струму, в скільки раз число
визначатись як: носіїв, які створюються в області об’ємного

заряду світлом, буде більшим, ніж число
(21.34) електронів і дірок, які виникають внаслідок
теплової генерації. Фотострум, підсилений і
Із (21.34) видно, що чим менша концентрація
перетворений відповідною електронною
домішки в слабо легованій області, тим більша
схемою, приводить в дію захисні, охоронні,
величина . На практиці значення
сигнальні, блокуючі і тому подібні пристрої.
вибирають порядку . Величина Світло Вікно
Контакт
в реальних варікапах лежить в межах від
р-шар
ε п-кристал
Контакт
§ 21.5. Фотодіоди і світлодіоди
а
В основі роботи будь-якого
Вікно
фотоелектричного пристрою лежить елемент,
Контакт
електричні параметри якого: опір, струм або б
напруга змінюються під дією освітленості.
Одним із найбільш розповсюджених елементів
такого типу є фотодіод ‒ p‒n перехід зміщений Рис.21.16. Конструкція типового фотодіода.
у зворотньому напрямку. Якщо на
напівпровідник падає світло, енергія фотона На рис.21.16,а показана типова
якого більша, ніж ширина забороненої зони конструкція фотодіода. Із рисунка видно, що
, то кожний поглинутий фотон породжує в p‒n перехід зміщений у зворотньому напрямку.
Верхній контакт до діоду виконаний у формі
447
Фотодіоди і світлодіоди
кільця (рис.21.16,б). Область p‒n переходу 21.17. На рис.21.17 для фотодіода, який
всередині кільця, так зване вікно, доступне для виготовлений з напівпровідника з шириною
світла. В фотодіоді площина p‒n переходу забороненої зони , показана якісна
розташовується близько до поверхні кристалу: залежність фотоструму від енергії падаючих
це необхідно для того, щоб світло, яке падає на фотонів . При енергія
кристал, не встигло поглинутись на шляху до фотонів недостатня для створення в матеріалі
області об’ємного заряду. Як правило, площина електронно-діркових пар і фотострум тому не
p‒n переходу розташовується в фотодіодах на виникає. При фотострум спочатку
відстані в декілька десятих долей мікрометрів швидко збільшується із зростанням , а потім
від поверхні. Такий p‒n перехід можна починає зменшуватись. Справа в тому, що зі
виготовити за допомогою дифузії або іонної
збільшенням різко зростає коефіцієнт
імплантації.
поглинання світла в матеріалі, тобто падаючий
Величина зворотної напруги , яка
світловий потік із зростанням енергії фотонів
прикладається до p‒n переходу, складає
поглинається все ближче і ближче до поверхні
зазвичай 10‒30В. Із збільшенням зворотної фотоприймального вікна (рис.21.16,б). Як
напруги, як відомо із формули (21.22) область відомо із §21.2 на поверхні завжди існує
об’ємного заряду розширюється. Величина і велика кількість дефектів і домішок, які
концентрація домішки в слаболегованій n створюють ефективні центри рекомбінації.
області кристалу вибирається таким чином, Тому електрони і дірки, які виникають під дією
щоб практично весь світловий потік, який падає світла біля поверхні, швидко рекомбінують і не
на поверхню світлодіода, поглинався в області дають вкладу у фотострум.
об’ємного заряду і давав вклад в фотострум.
Як правило, необхідна для цього товщина
фотострум, відн. од.
збідненої області складає декілька

мікрометрів.
Найбільше розповсюдження тримали
фотодіоди на основі Ge і Si. Однак розроблені і
використовуються також фотодіоди із GaAs, Wg Wф
InAs, InSb, GaP, трикомпонентних Рис.21.17. Якісна залежність фотоструму
напівпровідникових сполук GaInAs, GaAlAs, від енергії фотонів світла , яке падає на фотодіод.
чотирикомпонентної сполуки GaInAsP. Таким чином, область максимальної
Одна з найважливіших причин для фоточутливості діода визначається величиною
розробки фотодіодів на основі різних і відповідною умовою .
напівпровідникових сполук в тому, що Напівпровідники з невеликою шириною
фотодіод, який виготовлений із певного забороненої зони, так звані вузькозонні
матеріалу, здатний ефективно реагувати на на ів ові ники, використовуються для
світло з довжиною хвилі, що лежить тільки в створення фотодіодів, які чутливі до світла з
певному діапазоні. Цю властивість фотодіодів малою енергією квантів, тобто з великою
називають селективність ‒ від латинського довжиною хвилі. Напівпровідники з великим
s e l e c t i o n (вибір,відбір), що показано на рис. значенням (ши окозонні на ів ові ники)
448
Фотодіоди і світлодіоди
використовуються для створення приймачів інжекційної електролюмінесценції, що
ультрафіолетового світла. відбувається в напівпровідниковому кристалі з
Важливою властивістю фотодіодів є p‒n переходом або гетеропереходом або
швидкодія. Швидкодію фотоелектричних контактом метал‒напівпровідник.
приладів оцінюють по тому, як швидко спадає Будемо розглядати
фотострум через прилад після виключення напівпровідниковий p‒n перехід при прямому
світла. Якщо різко перекрити світловий потік, зміщенні. Можна сказати, що любий прямо
який падає на приймальне вікно фотодіода, то зміщений p‒n перехід є світлодіодом. Основні
фотострум зникне, як тільки електрони і дірки, носії електрони і дірки, які попадають із
які збуджені світлом, будуть винесені полем із емітера (інжектуються) в базу, рекомбінують.
області об’ємного заряду. Як відомо, типове Частина цих носіїв рекомбінують з
значення напруженості електричного поля в випромінюванням фотонів. Якась частина
зворотньозміщеному p‒n переході велике. Воно фотонів, не зазнавши поглинання в самому
складає . В таких сильних діоді, вилітають назовні. Для виготовлення
полях дрейфова швидкість електронів і дірок світлодіодів придатні матеріали з достатньо
не залежить від напруженості поля (§19.12) великою ймовірністю випромінювальної
і дорівнює (рис.19.40). Шлях, який рекомбінації. Германій і кремній цим вимогами
повинні пройти електрон і дірка, перш ніж вони не відповідають. В них переважна частина
будуть винесені полем із p‒n переходу електронів і дірок рекомбінує без
дорівнює, очевидно, ширині області об’ємного випромінювання фотона. А в арсеніді галію
заряду . Для типових фотодіодів значення (GaAs) і трикомпонентних напівпровідникових
складає декілька мікрометрів сполуках на його основі: GaAsP і GaAlAs
. Таким чином, час, який визначає ймовірність випромінювальної рекомбінації
швидкодію фотодіода , складає приблизно дуже висока (близька до одиниці). Тому більша
частина світлодіодів випускається на основі
с
цих матеріалів. Колір, тобто довжина хвилі
Фотодіод здатний реагувати на зміни світла, яке випромінюється світлодіодом,
інтенсивності світла за стомільярдні долі визначається енергією фотона , який
секунди. Висока швидкодія дозволяє випромінюється при рекомбінації. В більшості
використовувати фотодіоди в швидкісних випадків ця енергія близька ширині
системах передачі і обробки інформації забороненої зони напівпровідника . Так,
волоконно‒оптичного зв’язку. Приймачами довжина хвилі випромінювання
швидко модульованих світлових сигналів в арсенід‒галієвого світлодіода
таких системах служать саме фотодіоди.
дорівнює
Фотоелектричні пристрої дозволяють вводити в
. Таке випромінювання людське око
ЕВМ тисячі чисел і команд в секунду.
не бачить. Воно відповідає інфрачервоній
Світлодіод (світловипромінюючий
області спектру. Приймачами такого
діод), напівпровідниковий прилад, який
інфрачервоного випромінювання є кремнієві
перетворює електричну енергію в енергію
фотодіоди, для яких енергія фотона
оптичного випромінювання на основі явища
приблизно відповідає максимуму їх
449
Фотодіоди і світлодіоди. Сонячні батареї
спектральної чутливості (рис.21.17). Добавка в всіх основних кольорів: червоного, зеленого і
гратку GaAs атомів фосфору (P) або алюмінію синього.
(Al) призводить до збільшення ширини На сьогодні головна сфера
забороненої зони в сполуці Ga При використання світлодіодів – це різні
збільшенні в напівпровідниковій сполуці долі індикатори. В наш вік інформаційного вибуху
відносного вмісту фосфору ширина поява зручних, універсальних, дешевих і
забороненої зони напівпровідника збільшується ефективних приладів для індикації інформації,
від 1,4еВ (GaAs, x=0) до 2,26еВ (GaP, x=1). якими є світлодіоди, дозволяє вирішувати
Виготовляючи твердий розчин GaAsP з різним багато важливих проблем. Світлодіоди
вмістом P, отримують світло- діоди, які випромінюють некогерентне випромінювання з
випромінюють червоне світло вузьким спектром. Довжина хвилі
еВ мкм . Отримати випромінювання залежить від

ч
таким способом жовті або зелені світлодіоди не напівпровідникового матеріалу і його
вдається, хоч енергія квантів, що відповідає легування. Яскравість випромінювання
цим кольорам, менша, ніж ширина заборненої більшості світлодіодів знаходиться на рівні
зони чистого GaP( (кандела на квадратний метр

– одиниця СІ яскравості плоскої поверхні, площа якої
‒ відповідає зеленій області спектру). Справа в
1 , що світиться в перпендикулярному до неї
тому, що при ймовірність
напрямку, при силі світла 1 кд. Кандела (від
випромінювальної рекомбінації в GaAsP різко латинського c a n d e l a – свічка ) – одиниця сили
падає і світлодіоди стають малоефективними. світла в СІ). Коефіцієнт корисної дії (ККД)
Для збільшення ефективності свічення в світлодіода видимого випромінювання складає
твердий розчин GaAsP або в чистий GaP від 0,01% до декількох відсотків. У світлодіодів
добавляють спеціальні домішки (азот N, цинк інфрачервоного випромінювання з метою
Zn, кисень O), які збільшують ймовірність знижень витрат на повне внутрішнє відбивання
випромінювальної рекомбінації. Сьогодні і поглинання в тілі кристалу для останнього
для створення "різнокольорових" вибирають напівсферичну форму, а для
світлодіодів використовується широкий вибір покращення характеристик направленості
напівпровідникових матеріалів. З випромінювання світлодіод розміщують в
використанням GaAlAs отримують параболічний або конусний відбивач. ККД
інфрачервоні і червоні джерела світла. На світлодіода з напівсферичною формою
основі сполук GaAsP і GaP виготовляють кристалу досягає 40%.
світлодіоди із кольором свічення від червоного Сонячні батареї. За кожну секунду
до зеленого. Чотирикомпонентна Земля отримує від Сонця у вигляді
напівпровідникова сполука GaInAsP дозволяє випромінювання 3 Дж енергії, що в
створювати інфрачервоні світлодіоди з 30000 раз більше енергії, яка виробляється за
довжиною хвилі , які є цей час всіма електростанціями світу. Способи
найкращими джерелами для перетворення сонячної енергії в електричну
волоконно‒оптичних ліній зв’язку. А на основі досліджуються дуже давно. Перша пропозиція
карбіду кремнію (SiC) отримують світлодіоди по використанню для цієї мети
напівпровідників була в 1884р., коли
450
Сонячні батареї
спробували виготовити сонячний елемент на опором може бути нагрівальний елемент,
основі сполуки селена з золотом. Вже більше двигун, акумулятор, який заряджається і т.п),
100 років продовжується вперта робота по здійснює корисну роботу. Енергія світла
створенню і вдосконаленню перетворюється в електричну енергію.
напівпровідникових перетворювачів сонячної Якщо розімкнути провід, який з'єднує
енергії. p‒ і n‒області діода, то струм протікати не
Сонячний елемент – це все той же p‒n буде. При неперервному падінні світла на вікно
перехід і робота його дуже подібна на роботу сонячного елемента в матеріалі неперервно
вже відомого фотодіода. Однак, на відміну від створюються електронно‒ діркові пари. Вони
фотодіода зовнішнє зміщення до сонячного розділяються полем p‒n переходу. Дірки
елемента не прикладається. викидаються в p‒ область і створюють там
р п р п надлишковий позитивний заряд. Електрони
переміщуються в n‒область і створюють
Світло
Світло
негативний заряд. Між p‒ і n‒областями

Rн елемента виникає різниця потенціалів ‒ фото-
е.р.с. (рис.21.18,б). Може здатись, що якщо
а б
Iф Uф p‒n перехід освітлюється достатньо довго, то
величина фото ‒ е.р.с може стати досить
Рис.21.18. Виникнення фотоструму (а) і
великою. Дійсно, чим довше світло падає на
фото – е.р.с. (б) в p‒n переході під дією світла.
перехід, тим більше дірок накопичується в p‒, а
Повернемось до рис.21.16 і уявимо електронів ‒ в n‒області, і, як наслідок, тим
собі, що ніякого зовнішнього зміщення до діода більша повинна бути різниця потенціалів між
не прикладено, ніякого джерела у зовнішньому p‒ і n‒ парами переходу. Насправді так не
колі не має. А нижній (суцільний) і верхній відбувається. Полярність фото ‒ е.р.с ‒ “плюс”
(кільцевий) контакти просто з'єднані один з зі сторони p‒ і “мінус” зі сторони n‒області ‒
одним через опір навантаження відповідають прямому зміщенню на p‒n
(рис.21.18,а). Як відомо, і при відсутності переході (рис.21.14). Пряме зміщення на
зміщення між p‒ і n‒областями існує переході знижує висоту бар'єру і полегшує
потенціальний бар'єр. Біля p‒n переходу є відтік дірок із p‒області в n, а електронів із n‒
область об'ємного заряду (рис.21.12,а), в якому області в p (рис.21.14,а,б). В результаті дії двох
існує електричне поле (рис.21.12,б). Це означає, протилежних механізмів ‒ накопичення носіїв
що і без зовнішнього зміщення електронно – під дією світла і їхній відтік через зниження
діркові пари, які виникатимуть під дією світла в висоти бар'єру ‒ при кожному значенні
області об'ємного заряду, будуть розділятися інтенсивності світла, яке падає на елемент, в
полем: дірки будуть викидатись в p‒область, стаціонарному стані встановлюється певна
електрони в n‒область. Такий рух дірок і величина фото ‒ е.р.с. . Із збільшенням
електронів викликає у зовнішньому колі струм,
інтенсивності світла росте дуже слабо,
який буде направлений від p‒області до
пропорційно логарифму інтенсивності. При
n‒області ‒ фотострум. Фотострум , який
дуже великій інтенсивності світла, коли під
протікає через опір навантаження (цим дією фото ‒ е.р.с. бар'єр стає практично
451
Сонячні батареї. Бар'єр Шотткі
“спрямленим”, величина дорівнює висоті елементи. Типові значення фото-е.р.с.
бар'єру неосвітленого переходу: сонячного елемента складає ,
. максимальна сила фотоструму мА при
ККД сучасних сонячних елементів робочій площі елемента . Для
виріс до 10-20%. Головна складність на шляху отримання більших напруг (10-20 В) елементи
до збільшення ефективності сонячних з'єднують послідовно, а для отримання робочих
елементів в тому, що сонячне світло струмів – паралельно. Так отримують сонячні
складається із фотонів різних енергій. До того батареї.
ж, для кожного сонячного елемента, з якого би
напівпровідника він не був виготовлений, існує
крива спектральної чутливості (рис.21.17). Із §21.6. Інші види контактів
кривої легко зрозуміти, що ефективно
Важливим елементом більшості
перетворюється в фотострум тільки кванти
напівпровідникових приладів є контакт метала і
світла з енергією . Якщо вибрати для
напівпровідника. Історично цей контакт був
виготовлення сонячного елемента
основою одного з перших напівпровідникових
напівпровідник з великою шириною
випрямляючих діодів, який на сьогодні не має
забороненої зони , то практично весь спектр
широкого застосування. Однак, завдяки
сонячного світла пройде через такий елемент,
досягенням сучасних технологій, інтерес до
не створивши електронно ‒ діркових пар
такого типу контактів все більше зростає. Це
( ). Якщо, навпаки, виготовити
стосується перш за все випрямляючого
сонячний елемент із матеріалу з малим контакту метал ‒ напівпровідник, який
значенням , то практично всі фотони, що називається бар'єром Шотткі.
містяться в сонячному світлі, будуть мати Метал n-напівпровідник
+
енергію . Із рис.21.17 видно, що такі + + +
++ + +
+
+ +
фотони дають дуже малий вклад у фотострум.
Eк
Вони поглинаються біля самої поверхні W0
eUк
елемента, далеко від p‒n переходу, і генеровані ΦМ
Φn
ними електронно ‒ діркові пари швидко гинуть
Wc
із‒за поверхневої рекомбінації. WF
Розрахунки показують, що Wυ
а
максимальну ефективність перетворення
енергії сонячного світла в електричну енергію
повинні мати елементи, які виготовлені із + б Wc
+ eU0
-
напівпровідника з (
). Біля цієї
- _ eU
0
+
оптимальної величини знаходяться значення в Wc
забороненої зони добре вивчених і освоєних в Рис.21.19.Енергетичні діаграми біля
контакту металу з напівпровідником n‒ типу
промисловості матеріалів Si і GaAs. Із них, при рівновазі (а); при прямому (б);
головним чином, і виготовляють сонячні зворотньому (в) зміщеннях. енергія вакууму.
452
Бар'єр Шотткі
Бар'єр Шотткі утворюється біля межі струм. Це і забезпечує відсутність в контакті
розділу металу і напівпровідника (рис.21.19). метал ‒ напівпровідник бар'єрної ємності і,
Якщо робота виходу електронів із металу відповідно, його високу швидкодію. Діоди,
більша, ніж із напівпровідника , то створені на основі такого контакту (діоди
рівноважний стан встановлюється при Шотткі), можуть працювати на частотах
контактній різниці потенціалів порядку 100 ГГц. Вольт‒амперна
, яка виникає в результаті характеристика контакту метал‒напівпровідник
переходу електронів із напівпровідника в майже така ж, як і для електронно ‒ діркового
метал. Контактне поле направлене так як переходу. Однак на її вигляд суттєво впливає
показано на рис.21.19,а і практично не буде форма потенціального бар'єру біля поверхні
проникати в метал. Воно локалізується в металу. Сили дзеркального відображення
деякому приповерхневому шарі згладжують бар'єр і зовнішня напруга викликає
напівпровідника, товщина якого може бути ефект аналогічний ефекту Шотткі при емісії
визначена, як і в електронно-дірковому електронів в вакуум (розділ 20). Зовсім іншими
переході, за формулою (21.20). Цей шар властивостями володіє контакт металу й
збіднюється основними носіями заряду і електронного напівпровідника, якщо
просторовий заряд в ньому створюється перш (рис.21.20). В цьому випадку контактна різниця
за все позитивно іонізованими донорними W0 W0
ΦМ Фn
атомами. Збіднений шар, який називають WFM Wc
деколи запірним, забезпечує контакту нелінійні WFn
властивості. Wυ
WcM
При підключенні зовнішньої напруги Метал n-напівпровідник
в прямому напрямку (рис.21.19,б) поле W0 eUк
джерела послаблює контактне поле і зменшує WF Wc
висоту потенційного бар'єру на величину e .
Wυ
Електрони, основні носії n напівпровідника,
WcM
переходячи в метал, створюють прямий струм
Рис.21.20.Енергетична діаграма контакту
тим більший, чим нижчий потенційний бар'єр.
метал ‒ напівпровідник при .Омічний
Підвищення потенційного бар'єру при контакт.
зворотній напрузі (рис.21.19,в) зменшує прямий
потенціалів має протилежний напрямок і
струм і через контакт буде протікати зворотний
електричне поле викликає збагачення
струм, який обумовлений рухом термічно
контактного шару напівпровідника
збуджених електронів металу в
електронами. Тому такий контакт має малий
прискорюючому полі контактної області.
опір, а його вольт ‒ амперна характеристика
Таким чином, в створенні струму приймають
майже лінійна. Контакти з лінійною
участь тільки електрони і перехід їх із
характеристикою називають омічними і широко
напівпровідника в метал не супроводжується
використовуються для створення виводів
явищем дифузії і рекомбінації. Надлишковий
напівпровідникових приладів.
заряд електронів практично миттєво
розподіляється в об'ємі, створюючи дрейфовий
453
Гетероперехід
Аналогічні властивості проявляє і провідності (неізотипний) або з однаковим
контакт типу (знак “+” означає високу типом провідності (ізотипний). Утворення
ступінь легування напівпровідника домішкою). контактної різниці потенціалів викликає, як і у
Оскільки із збільшенням концентрації звичайному електронно‒дірковому переході,
донорної домішки рівень Фермі викривлення енергетичних зон (рис.21.22,а).
розташовується ближче до зони провідності і Однак через різницю в ширині заборонених зон
зменшується робота виходу, а за концентрацією в місці контакту виникають розриви
електронів ‒ напівпровідник наближається дозволених енергетичних рівнів .
до металів, то енергетична діаграма (рис.21.21) Наявність таких розривів забезпечує різну
і електричні властивості контакту мало висоту потенціального бар'єру для
відрізняються від омічного контакту метал ‒ різнойменних носіїв: ‒ для дірок, які
напівпровідник. переходять із p‒області в n‒ області, і
Досить різноманітними властивостями ‒ для електронів, які рухаються в
володіють гетеропереходи. Гетеропереходи ‒ оберненому напрямку. Така різниця дозволяє
це контакт двох різних напівпровідників, які забезпечити, по суті, односторонню інжекцію, в
мають відповідно і різні ширини заборонених даному випадку електронів із n‒ в
зон. Вид енергетичної діаграми і властивості p‒напівпровідник. Необхідно мати на увазі, що
гетеропереходу залежать від значень ширини потенційний пік, який утворюється на границі в
забороненої зони і , енергії електронної зоні провідності може бути досить вузьким і
спорідненості ( , де тому прозорим для електронів із-за тунельного
енергія вакууму, енергія “дна” зони ефекту.
p n
W0 W0 W0
Фn + Фn Wc1 ∆Wc
Wc Wc Wg1 Wc 2
WFn+ WFn WF
Wυ1
Wg2
Wυ Wυ
∆Wυ
n+ n Wυ2
а
W0 eUк
Wc n n
WF
W0
Wc1 ∆Wc Wc 2
Wυ WF
Wg1
Wg2
Рис.21.21.Енергетична діаграма контакту Wυ1
∆Wυ
. Wυ2
б
провідності напівпровідника n‒типу і
Рис.21.22.Енергетична діаграма
енергія “стелі” валентної зони напівпровідника гетеропереходу: а неізотипний, б ізотипний.
p‒типу), від виду і концентрації домішки в
областях, які контактують. Розглянемо контакт Властивості односторонньої
двох напівпровідників з різним характером провідності можуть виявлятись і в ізотипних nn
454
Гетероперехід
або pp переходах. На рис.21.22,б зображена сьогодні дуже широкий (наприклад, в
енергетична діаграма електронно‒електронного напівпровідникових лазерах).
nn‒гетеропереходу. Як і в звичайних
електронно ‒ діркових переходах, умова Контрольні питання
переходу носіїв в протилежних напрямках тут
будуть різними, що викликано різницею в 1.Чим визначається глибина
ширинах заборонених зон. Головною
проникнення електричного поля в
напівпровідник?
особливістю даного переходу є те, що прямий
2.Як визначається контактна
струм створюється практично тільки
різниця потенціалів р і n областей
електронами і процес дифузії неосновних носіїв напівпровідника?
відсутній. Відсутність перехідних процесів, які 3.Які p–n переходи називають
пов'язані з кінцевим часом життя неосновних різко несиметричними?
носіїв, дозволяє використовувати такі 4.Які знаєте основні параметри
переходи, як і переходи з бар'єром Шотткі, для p–n переходу і чим вони обумовлені?
дуже високих частот. 5.Від чого суттєво залежить густина
струму неосновних носіїв заряду через
Наведені приклади звичайно не
p–n перехід?
вичерпують всі можливі типи гетеропереходів.
6.Що означає зворотнє зміщення
Їхня різновидність пов'язана з відмінністю в
для p–n переходу?
енергії електронної спорідненості, в ширині
7.Ширина бар’єру і струм через
забороненої зони, концентрації і типі домішки p–n перехід при зворотньому зміщенні.
провідників, які контактують. При розгляді 8.Що означає пряме зміщення для
властивостей гетеропереходів необхідно мати p–n переходу?
на увазі одну особливість. Не зважаючи на те, 9.Висота бар’єру і струм через
що гетеропереходи виготовляються із p–n перехід при прямому зміщенні.
напівпровідників, які мають однотипну будову 10.Чим визначається максимальне
кристалічної гратки, відмінність в їх значення висоти потенційного бар’єру
параметрах неминуче викликає існування
p–n переходу?
11. Чим обумовлена бар’єрна
великої кількості поверхневих станів в місці
ємність p–n переходу?
контакту, вплив яких на властивості
12.Основні принципи роботи
гетеропереходу може бути дуже значним. фотодіодів і світлодіодів
Наприклад, на поверхневих станах може 13.Контакт метал-напівпровідник. В
накопичуватись заряд, поле якого буде суттєво якому випадку такий контакт є омічним?
визначати форму потенційних бар'єрів в 14.В чому різниця між
переході. Поверхневі стани можуть виявитись p n переходом і гетеропереходом?
ефективними центрами рекомбінації електронів
і дірок в місці контакту. Цілеспрямоване
використання поверхневих станів дозволяє ще
більше урізноманітнити властивості
гетеропереходів, спектр використання яких
455
Фізичні основи квантової електроніки
смузі частот, які передаються, низькому рівні
Розділ 22.Елементи квантової
шумів, концентрації енергії в просторі і в часі і
електроніки т.п. – переважають класичні пристрої
Ква това еле тро і а галузь радіодіапазону.
ізи и, я а вивчає методи під иле я і
§22.1.Фізичні основи квантової
ге ерації еле тромаг іт их олива ь і хвиль,
електроніки
я і базують я а ви ори та і вимуше ого
випромі юва я, а та ож вла тиво ті Процеси випромінювання і
ва тових під илювачів і ге ераторів і їх поглинання світла реальними атомами,
за то ува я. Лазери – це генератори і молекулами та іншими квантовими системами
підсилювачі когерентного випромінювання в описується квантовою електродинамікою.
оптичному діапазоні довжин хвиль, робота Проте ці процеси можна дослідити на основі
яких базується на індукованому (вимушеному) простої феноменологічної теорії, яку розвинув
випромінюванні квантових систем – атомів, Ейнштейн в 1916р. В цій теорії вперше
іонів, молекул, що знаходяться в станах, які використано уявлення про вимуше е
суттєво відрізняються від стану випромі юва я.
термодинамічної рівноваги. Слово ЛАЗЕР і Будемо вважати, що вільний атом
МАЗЕР (квантовий генератор або підсилювач може знаходитись тільки в стаціонарних станах
діапазону надвисоких частот (НВЧ)) походять з визначеними енергіями , ... . Перехід
із початкових букв англійської фрази Light атома із одного стаціонарного стану в інший
(Microwave) Amplification by Stimulated може відбуватись скачком в результаті
Emission of Radiation, що означає підсилення погли а я або випромі юва я
світла (НВЧ хвиль) індукованим (вимушеним) електромагнітного випромінювання, причому
випромінюванням. Лазери, як і мазери, для такого елементарного процесу виконується
генератори і підсилювачі НВЧ діапазону,
закон збереження енергії: = –
називають ще ва товими генераторами
енергія фотона, який поглинається або
(підсилювачами), так як поведінка частинок, які
випромінюється, дорівнює різниці енергії
приймають участь в їх роботі, описується
відповідних стаціонарних станів атома. Ці
законами квантової механіки. Принципова
квантові уявлення про будову атома і характер
різниця лазерів від усіх інших джерел світла
його взаємодії з випромінюванням, які
(теплових, газорозрядних та інших), які по суті
узагальнили гіпотезу Планка про гармонічний
справи є джерелами оптичного шуму, у високій
осцилятор, були введені Бором в 1913р. і
ступені когерентності лазерного
повністю підтверджуються сучасною
випромінювання. Зі створенням лазерів в
квантовою теорією.
оптичному діапазоні з’явились джерела
Розглянемо систему частинок
випромінювання когерентних хвиль в
(атоми, молекули), які знаходяться при сталій
радіодіапазоні, які здатні успішно
температурі (рис.22.1). Енергія електронів в
використовуватись для цілей зв’язку та
атомах дискретна. Кожному значенні енергії
передачі інформації, а по багатьом
відповідає енергетичний рівень. Є рівень з
властивостям – направленості випромінювання,
найменшою енергією. Такий рівень енергії
456
називають основним. Всі інші рівні енергії енергетичному стані), називається його
називаються збудженими. Якщо електрон в за еле і тю. Тобто, згідно (22.1), чим більша
атомі знаходиться на основному рівні (або енергія рівня, тим менша його заселеність.
стані), то будемо вважати, що атом знаходиться Нехай вільний атом, який не піддається
зовнішнім впливам, знаходиться в збудженому
u(ω,T)
стані з енергією . Згідно квантових уявлень,
N0 самочинний перехід атома за відсутності
зовнішніх впливів зі збудженого стану в
основний з випромінюванням фотона
( по та е випромі юва я) відбувається
T миттєво, скачком (рис.22.2, перехід 1). В який
W
ћω
N2
W2
Рис.22.1.Точками позначені частинки (атоми,
молекули і т.п.).
2 1 3
в основному стані. Якщо електрон знаходиться
на збудженому рівні (стані), то будемо вважати, N1
W1
що атом знаходиться у збудженому стані. В
рівноважному стані ( ) розподіл атомів
за енергетичними рівнями (станами) Рис.22.2.Кружечками позначені атоми на
енергетичних рівнях.
підпорядковується класичному розподілу
Больцмана саме момент відбувається цей перехід,
, (22.1) передбачити неможливо. Момент
випромінювання фотона є випадковою
де – загальне число атомів, – число
величиною, судження про яку можуть мати
атомів на енергетичному рівні, енергія якого
тільки статистичний характер. Позначимо через
, – стала Больцмана.
ймовірність спонтанного переходу атома за
Обмежимося розглядом двох
одиницю часу зі збудженого стану в основний.
енергетичних рівнів: основного і першого
Розглянемо сукупність дуже великого числа
збудженого (рис.22.2). Енергія основного
однакових атомів, взаємодією між якими
, а збудженого . За формулою
можна знехтувати. Нехай в момент часу в
(22.1) кількість атомів, що знаходяться в
першому збудженому стані знаходиться
основному стані (на рівні ) буде
атомів. На протязі проміжку часу від до
, (22.2) частина зі них спонтанно перейде в
а в збудженому ( – основний стан. Неможливо вказати, які саме
. (22.3) атоми здійснюють перехід, але, знаючи

ймовірність , можна вказати середнє число
В рівноважному стані завжди , так як
таких переходів:
. Кількість атомів, що знаходяться
= . (22.4)
наданому енергетичному рівні (в даному
457
Якщо при цьому ніяких процесів збудження невизначеності Гайзенберга між енергією і
атомів не відбувається, то зміна числа часом або , яке пов’язує
збуджених атомів за проміжок часу від до невизначеність в зміні енергії системи з
згідно (22.4), дорівнює невизначеністю моменту часу, коли ця зміна
= . (22.5) відбудеться.
Коефіцієнт Ейнштейна Експериментальна перевірка закону
характеризує атом, який розглядається, і не (22.6) дала для червоної лінії водню
залежить від часу. Розв’язок рівняння (22.5) ( мкм) = 1,5 · с, а для лінії
має вигляд: ртуті ( = 0,2537 мкм) = 9,8 · с.
, ( 22.6) Статистичний, випадковий характер
де – число збуджених атомів при = 0, процесів спонтанного випромінювання
. приводить до того, що фази, напрямки
Таким чином, за відсутності зовнішніх розповсюдження і стан поляризації світлових
впливів в результаті спонтанного хвиль, які випромінюються окремими атомами,
випромінювання число збуджених атомів не узгоджені одні з одними. Це значить, що
зменшується за експоненційним законом. спонтанне випромінювання некогерентне. В

електромагнітному полі крім спонтанного
Проміжок часу = , на протязі якого
випромінювання будуть відбуватись і процеси
зменшується в =2,72… раз, дорівнює
збудження атомів, тобто переходи із основного
середньому часу життя атомів у збудженому
стану в збуджений з поглинанням фотонів з
стані. За таким самим законом (22.6) повинно
енергією . Ймовірність такого
зменшуватись з часом світіння газу збуджених
переходу в одиницю часу пропорційна густині
атомів. Згідно квантових уявлень, спонтанне
енергії електромагнітного поля на
випромінювання – це сукупність незалежних
частоті переходу і деякому коефіцієнту ,
переходів: один зі збуджених атомів може
який характеризує ймовірність збудження
повернутись в основний стан через короткий
атома (рис.22.1, перехід 2). Середнє число
проміжок часу, інший може прожити в
переходів з основного стану в збуджений
збудженому стані значно довше, але середній
за проміжок часу від до пропорційне
для великої сукупності атомів час життя має
також числу атомів в основному стані:
цілком певну величину. На квантовій мові це
= (22.7)
означає, що спонтанному випромінюванню
атома при переході із збудженого стану в Коефіцієнт Ейнштейна залежить від
основний відповідає вузький, але кінцевий вибраних станів і атома і може бути
інтервал частот 1/ . розрахований методами квантової механіки.
Оскільки частота випромінювання Тут його розглядатимемо як феномелогічну
визначається умовою Бора , то постійну. не залежить від спектральної
розклад частот свідчить, про кінцеву ширину густини енергії поля. Пропорційність
енергетичного рівня збудженого стану . числа актів поглинання (22.7) величині
Цей висновок знаходиться у повній спостерігається тоді, коли спектральна
відповідності зі співвідношенням густина плавно залежить від частоти
458
біля частоти переходу. Допустимо тепер, що (22.9)
атоми знаходяться в термодинамічній рівновазі
з полем випромінювання. Тоді на основі Легко переконатись в тому, що для даної пари
принципу детальної рівноваги число переходів рівнів енергії і коефіцієнти Ейнштейна
з випромінювання фотонів і з поглинанням і дорінюють один одному. Дійсно, при
повинно бути однаковим. Якщо прирівняти дуже високій температурі густина енергії
праві частини (22.4) і (22.7), можна знайти вид є настільки великою, що у формулі
функції , тобто спектральну густину (22.8) можна знехтувати першим доданком
рівноважного випромінювання. Однак при порівняно з другим. Це означає, що при високій
цьому для отримується не формула температурі вимушене випромінювання
Планка (16.21), а її граничний випадок при переважає спонтанне. Прирівнявши для цих
, тобто формула Віна (16.30). умов праві частини (22.7) і (22.8), отримаємо
Щоб таким способом отримати формулу = . Але при рівновазі і при
Планка (16.21), яка підтверджується на відношення населеності рівнів,
практиці, необхідно допустити, як вперше як видно із (22.2) і (22.3, буде:
показав Ейнштейн, що електромагнітне поле
викликає не тільки переходи 2 (рис.22.2) з (22.10)
основного стану в збуджений, але й обернені Це означає, що при цих умовах =
переходи 3 (рис.22.2) зі збудженого стану в
, тому = . Коефіцієнти і
основний, який супроводжується
залежать тільки від властивостей атома і не
випромінюванням фотонів. Такі переходи під
залежать від зовнішніх умов, при яких
дією зовнішнього поля, на відміну від
відбуваються переходи. Тому рівність =
спонтанного, отримали назву і ду ова ого, або
, яка отримана для граничного випадку
вимуше ого ( тимульова ого)
, справедлива завжди, в тому числі і при
випромінювання.
відсутності теплової рівноваги.
в
Число вимушених переходів за
Тоді для довільної температури з
проміжок часу від до пропорційне
урахування (22.10) і = формула (22.9)
спектральній густині енергії поля на
частоті переходу, числу атомів в
збудженому стані і деякому (22.11)
коефіцієнту , який характеризує ймовірність
такого переходу в атомі. Із врахуванням Цей вираз співпадає з формулою Планка (16.21)
спонтанного випромінювання повне число при Таким чином, всі три
переходів за проміжок часу від до із коефіцієнти Ейнштейна зв’язані між собою.
збудженого стану в основний дорівнює Найбільш важливий результат, який
+ витікає з виведення формули Планка, за
В стані термодинамічної рівноваги необхідно Ейнштейном, це висновок про існування
прирівняти праві частини виразів (22.7) і вимушеного випромінювання. Тільки в цьому
(22.8) . Тоді випадку теорія Ейнштейна не протирічить
законам теплового випромінювання. При
459
(справедлива формула Віна (16.30)) Вкладом спонтанного випромінювання
для підтримки термодинамічної рівноваги в зміну числа фотонів направленного пучка
практично достатньо спонтанного можна знехтувати, оскільки спонтанне
випромінювання. Вимушене випромінювання в випромінювання розповсюджується у всіх
таких умовах значно менше поглинання так як напрямах і у фіксований напрямок пучка, який
при термічно збуджених атомів розглядається, попадає незначна його частина.
мало. Навпаки, при низьких частотах і високих Формула (22.12) дозволяє з'ясувати, які умови
температурах, коли , при необхідні для безпосереднього
тепловій рівновазі переходи з вимушеним експериментального виявлення вимушеного
випромінюванням відбуваються майже так випромінювання. Так як = , то
часто, як і спонтанні переходи з .
випромінюванням. Звідки видно, що в розповсюдженні
Вимушене випромінювання має чудові направленого пучка вклад поглинання
властивості, на що вперше звернув переважає над вкладом вимушеного
увагу П.Дірак в 1927 р., застосувавши квантову випромінювання і інтенсивність пучка
механіку до поля випромінювання. В кожному зменшується у всіх випадках, коли ,
акті вимушеного випромінювання відбувається тобто число збуджених атомів менше числа
збільшення на одиницю числа фотонів в тій атомів в основному стані (закон розподілу
моді (частоті) випромінювання, під дією якої (22.1)). Так буває, якщо пучок
відбувався перехід. Всі фотони однієї моди розповсюджується в середовищі, яке
тотожні. Це значить, що новий фотон не знаходиться в стані термодинамічної рівноваги
відрізняється від фотонів, які викликали це або близькому до нього. Щоб спостерігати
випромінювання. Частота, фаза, напрямок наростання інтенсивності направленого пучка
розповсюдження і поляризація хвиль, які (негативне поглинання) і тим самим
випромінюються при вимушених переходах, експериментально виявити вимушене
точно такі самі, як і у випромінювання, яке випромінювання, необхідно створити в
викликає переходи. середовищі нерівноважний стан, при якому
Розглянемо зв’язок між коефіцієнтами число атомів на більш високому енергетичному
Ейнштейна і коефіцієнтом поглинання α у рівні було би більшим, ніж на низькому
формулі (15.6). Нехай в розрідженому ( ). Перша спроба виявити вимушене
середовищі розповсюджується паралельний випромінювання у видимій області спектру в
пучок монохроматичного випромінювання, дослідах з парами ртуті, атоми якої
частота якого = . Зміна числа переводились в нерівноважний стан
фотонів в потоці при проходженні шару, електричним розрядом, була зроблена
товщина якого ( – швидкість В.А. Фабрикантом (1939 р.). Ним же вперше
випромінювання в середовищі) внаслідок була висловлена ідея використання вимушеного
процесів вимушеного поглинання і вимушеного випромінювання для підсилення світла.
випромінювання у відповідності з (22.7) і (22.8) Знайдемо закон зміни інтенсивності
дорівнює пучка по мірі його розповсюдженні в
. (22.12) середовищі. Середній потік енергії
460
Фізичні основи квантової електроніки. Лазери
випромінювання за фотони, що виникають при вимушеному
одиницю часу дорівнює добутку на випромінюванні, тотожні з фотонами, які
швидкість світла c: = . Оскільки викликають випромінювання, то когерентні
зміна пото у фотонів на інтервалі дорівнює властивості початкового пучка повністю
, то зміна потоку енергії на тому ж зберігаються. Такий принцип дії ва тового
відрізку дорівнює . Помножимо під илювача випромінювання. Різні способи
обидві частини рівності (22.12) на і створення необхідного для роботи підсилювача
знайдемо, що: середовища з інверсної населеністю (а тив ого
= ередовища) розглянуті в подальшому. Важливо

зауважити, що для створення активного
або
середовища завжди потрібно підводити ззовні
додаткову енергію, яка потім при вимушеному
Звідки випромінюванні частково перетворюється в

енергію електромагнітного випромінювання,
α (22.13)
яке підсилюється.
де
Квантовий підсилювач можна
α= (22.14) перетворити в генератор випромінювання, якщо
Якщо населенності рівнів і не залежать ввести в ньому позитив ий обер е ий зв’язо .
від (однорідне середовище), то розв’язок Для цього частина випромінювання, яке
(22.13) має вид виходить із підсилювача, повинно повертатись
α , (22.15) в активне середовище. Тоді відпадає

необхідність у вхідному сигналі, так як
де – інтенсивність направленого пучка при відбувається самозбудження системи.
. Якщо α , що буває при , то Обернений зв'язок можна здійснити,
інтенсивність випромінювання експоненціально розмістивши активне середовище в резонатор,
зменшується по мірі розпосюдження пучка і ми який утворений двома паралельними
приходимо до закону Бугера (15.6), а формула дзеркалами.
(22.14) виражає коефіцієнт поглинання α через
коефіцієнт Ейнштейна і населенності рівнів
і . §22.2. Лазери
Для тих випадків, коли в середовищі
виконується умова , відома як і вер а Принцип роботи лазера або оптичного
а еле і ть, в (22.14) α (негативний квантового генератора (ОКГ) заснований на
коефіцієнт поглинання) і інтенсивність хвилі у трьох фундаментальних ідеях, які народились в
відповідності з (22.15) наростає по мірі її різний час в різних областях фізики.
розпосюдження. Підсилення падаючого пучка Перша ідея пов'язана з використанням
світла здійснюється внаслідок того, що при вимуше ого випромі юва я світла атомними
системами, яке відкрив Ейнштейн в 1917р.
переходи з вимушеним
теоретично вивчаючи некогерентне теплове
випромінюванням фотонів відбуваються
випромінювання. Як показав Дірак, фотони
частіше, ніж переходи з поглинанням. Так як
461
Лазери
вимушеного випромінювання не відрізняються Мейманом. Активним середовищем в ньому
від фотонів, які викликали це випромінювання. служив стрижень з кристалу рубіна, який
Друга ідея полягає в застосуванні збуджувався світлом від лампи спалаху. Роком
термоди аміч о ерів оваж их и тем, в яких пізніше Джаваном, Беннетом і Ерріотом був
можливе підсилення, а не поглинання світла. створений перший лазер неперервної дії з
Вона була висловлена В.А.Фабрикантом в газоподібним активним середовищем (суміш
1940р. неону і гелію). Сьогодні існує багато типів
Третя ідея, яка бере початок в лазерів, які відрізняються способами збудження
радіофізиці, полягає в використанні активного середовища, робочою спектральною
позитив ого обер е ого зв'яз у для областю, потужністю, часовими і
перетворення підсилювальної системи в спектральними характеристиками
генератор когерентного випромінювання. випромінювання і т.п.
Те, що перші квантові прилади Існують різні способи отримання
з'явились в радіодіапазоні (НВЧ – надвисокі необхідного для лазера активного середовища,
частоти), пояснюється тим, що класична яке підсилює випромінювання. Згідно рис.22.2
радіофізика не могла вирішити традиційними для створення стаціонарної інверсії ( ),
для неї методами ряд дуже важливих з необхідно, щоб швидкість накачки (процеси 2) і
практичної точки зору проблем, таких, як час життя атомів в збудженому стані
освоєння більш коротких хвиль, створення в були більшими, ніж для нижнього рівня .З
короткохвильовому діапазоні високостабільних, цього витікає, що віддати перевагу необхідно
малошумливих і достатньо потужних приладів. селективній накачці і, що інверсія може бути
Це наполегливо заставляло шукати інший досягнута не тільки внаслідок переважного
підхід розв'язку цих проблем і призвело до заселення верхнього рівня (рис.22.2), але і
створення в НВЧ-діапазоні принципіально внаслідок високої швидкості очистки нижнього
нових приладів квантових підсилювачів і рівня .
генераторів. Існують такі способи створення
Перший квантовий генератор (лазер), активного середовища (інверсна заселеність
який працював на квантових переходах з енергетичних рівнів і (рис.22.2)):
довжиною хвилі 1,25 см, був створений у 1954 1.Внаслідок поглинання світла (оптична
р. Н.Г.Басовим і А.М. Прохоровим (СРСР) і накачка). Підбираючи джерело світла із
групою під керівництвом Ч.Таунса (США). відповідним спектром випромінювання, можна
Активним середовищем в них був пучок забезпечити високу селективність
молекул аміаку: інверсна населеність на (вибірковість) накачки. Найбільш успішно цей
робочому переході досягалась просторовим вид накачки використовується в твердотільних
розподілом молекул аміаку, які знаходились в (на кристалах і склах) лазерах і в лазерах на
різних квантових станах, при проходженні барвниках.
пучка через неоднорідне електричне поле 2.Внаслідок непружних зіткнень атомів і
(див.формулу (2.8)). Перший оптичний молекул із вільними електронами, при яких
квантовий генератор, який працював в частина енергії електрона йде на збудження
імпульсному режимі, був створений в 1960р. атома або молекули. Вільні електрони можуть
462
Лазери
створюватись або під час газового розряду, або яке генерується, повинна залишатись всередині
вводитись в газ у вигляді пучка, який активного середовища і викликати вимушене
формується в прискорювачі. випромінювання все новими і новими
3.Внаслідок непружних зіткнень збудженими атомами. З цією метою активне
атомів робочої речовини зі збудженими середовище розміщують в оптичний резонатор
атомами або іонами допоміжного газу з (рис.22.3), який утворений двома паралельними
передачею енергії збудження від них робочій плоскими або сферичними дзеркалами, одне із
речовині. В деяких типах зіткнень передача яких напівпрозоре. Розглянемо як
енергії носить резонансний характер і відбувається генерація ("запалювання") ОКГ.
досягається висока ступінь селективності
Дзеркала Напівпрозоре
заселення рівнів. дзеркало
4.В процесі спеціально підібраних

1
хімічних реакцій (хімічна накачка); при цьому Оптична 2
вісь
збуджуються коливальні рівні молекул, резонатора
причому збудження може бути селективним. Активне середовище

5.Внаслідок нагріву (теплова накачка) . L
Цей метод використовується для накачки

коливальних рівнів в молекулах, інверсія на Рис.22.4.
переходах між якими здійснюється за рахунок
різного часу життя (часу релаксації) для Нехай є активне середовище
верхнього і нижнього лазерних рівнів при (рис.22.4), тобто середовище з інверсною
швидкому адіабатичному (без теплообміну) населеністю енергетичних рівнів ( ).
розширенні газу. На цьому принципі базується Якщо якийсь атом спонтанно випромінив
робота газодинамічних лазерів. хвилю в напрямку під кутом до оптичної осі
6. В напівпровідникових лазерах (рис.22.4, хвиля 1), то ця хвиля в цьому
неперервної дії нерівноважний (інверсний) стан напрямку індукує вимушене випромінення, яке
досягається при пропусканні електричного рано чи пізно покине активне середовище.
струму через перехід. Тобто, всяке спонтанне випромінення в

напрямку під кутом до оптичної осі резонатора
Дзеркала резонатора не має шансів бути підсиленим і вийти з ОКГ.
Випромі- Тільки хвиля, яка спонтанно випромінена
нювання
Активна
речовина атомом в напрямку оптичної осі резонатора
(рис.22.4, хвиля 2) буде підсилюватись,
зустрічаючи на своєму шляху розповсюдження
Джерело накачки збуджені атоми (атоми на енергетичному рівні
). Підсилення хвилі тим більше, чим більший
Рис.22.3.
шлях в активному середовищі вона пройде.
Щоб перетворити підсилювач (активне
Після відбивання від дзеркала її підсилення
середовище) в генератор, необхідно
продовжуватиметься. Цей процес багаторазово
організувати обернений позитивний зв’язок.
повторюється, а енергія хвилі в резонаторі
Для його здійснення частина випромінювання,
463
Лазери
стрімко наростає. В цьому і проявляється умови , де ціле число, тобто
позитивний зворотний зв’язок, який утворюють еквідистанційний спектр:
здійснюється за допомогою дзеркал. (22.16)
Підсилення хвилі відбувається згідно формули
де показник заломлення активного
(22.15) стільки раз, скільки раз хвиля проходить
середовища, швидкість світла в вакуумі.
через активне середовище. Якщо активне
Тому лазер це автоколивальна система, в якій
середовище заповнює простір між дзеркалами,
можливі незгасаючі коливання на одній із
то відбившись від дзеркала хвиля знову на
власних частот резонатора. Частотна відстань
довжині резонаторами підсилюється в
між сусідніми модами ( відрізняється на
α раз, де α – коефіцієнт підсилення
одиницю) дорівнює
(формула (22.14)). Необхідно зазначити, що
(22.17)
система із двох паралельних дзеркал, володіє
Однак існує низка причин, які будуть
резонансними властивостями резонує тільки
зменшувати амплітуду хвилі всередині
на певних частотах і виконує в лазері ту роль,
резонатора. Це втрати при відбиванні від
яку у звичайних низькочастотних генераторах
дзеркал, а також втрати на розсіювання в
відіграє коливальний контур.
середовищі та деякі інші. Якщо ввести для
Нехай на подвійній довжині
описання сумарних втрат коефіцієнт втрат , то
резонатора вкладається ціле число довжин
формула (22.15) перепишеться так:
хвиль: , де ціле число. Цим
забезпечується позитивний обернений звязок: . (22.18)
при другому і всіх наступних проходженнях
Для виникнення стійкої генерації необхідно,
через резонатор хвиля узгоджена за фазою з
щоб ( тобто, втрати випромінювання
вихідною, тобто фактично не відрізняється від
повинні бути меншими, ніж підсилення.
неї. Всі елементарні хвилі, які виникають в різні
Необхідно також підкреслити, що
моменти часу при вимушених переходах атомів,
корисна дія дзеркал виявляється і в тому, що
які розташовані в різних точках активного
безперервно збільшується кількість атомів, які
середовища, створюють одну когерентну
випромінюють вимушено, оскільки за кожний
хвилю. Таким чином, оптичний резонатор
цикл відбивання зростає густина енергії
збільшує ефективну відстань, яку хвиля, що
електромагнітних хвиль . Зазначимо,
розповсюджується вздовж його осі, проходить в
що цей процес не буде продовжуватися
активному середовищі, і сприяє формування
нескінченно, оскільки починаючи із деякого
когерентного монохроматичного
значення , наступає явище насичення в
випромінювання, яке виходить через
ОКГ. Інверсія в заселеності енергетичних рівнів
напівпрозоре дзеркало.
та кількість вимушених переходів з
Якщо оптичний резонатор розглядати
випромінюванням зменшується, отже, і
як коливальну систему, в якій власні нормальні
підсилення уповільнюється. Ефект насичення
коливання (моди) мають вид стоячих
це одне із основних явищ нелінійної оптики,
електромагнітних хвиль з вузлами на дзеркалах,
який відіграє важливу роль в розумінні
то частоти таких мод визначаються із
механізму генерації випромінювання ОКГ та
464
Лазери
визначає умови стандартності процесу заходів (наприклад, збільшити втрати, як
підсилення в лазерах. показано на рис.22.5 при ) або змінити
На рис.22.5 приведена частотна відстань між дзеркалами так, щоб в контур
залежність коефіцієнта підсилення в підсилення попала тільки одна мода. Це
робочому середовищі (вона визначається забезпечить високу монохроматичність
шириною і формою спектральної лінії робочого ( лазерного випромінювання.
середовища, наприклад, лінії при переході Тобто, якщо коефіцієнт підсилення в
атома із рівня на рівень (рис.22.2), і робочому середовищі перекриває втрати в
набором власних частот відкритого резонатора. резонаторі для певних типів коливань, то на них
Для відкритих резонаторів з високою виникає генерація. Затравкою для її
добротністю пропускання резонатора , яка виникнення є, як і в будь – якому генераторі,
визначає ширину резонансних кривих окремих шум. В лазерах цим шумом є спонтанне
мод (криві 2 4 на рис.22.5), і навіть відстань випромінювання.
між сусідніми модами є меншою від ширини Необхідно зазначити ще одну
лінії підсилення (рис.22.5). Тому в контур властивість лазерного випромінювання – це
підсилення попадає декілька типів мод його вузьку спрямованість (малу розбіжність).
коливань резонатора. Вона є наслідком того, що хвиля, яка виходить з

ОГК, є результатом складання величезної
α
кількості висококогерентних хвиль від багатьох
1
атомів.
β2
Тут доречно згадати явище дифракції
3 на решітці, де розподіл інтенсивності світла на
β1
2 екрані є результатом інтерференції когерентних
4
∆νр хвиль, якій ідуть від великої кількості щілин.
∆ν ∆ν ν Причому, чим більше щілин решітки, тим
ν0
∆νп більша інтенсивність максимуму ( ) і менша
Рис.22.5.Частотна залежність коефіцієнта його ширина ( ), і тим швидше спадають
підсилення в робочому середовищі (крива 1 і типи
інтенсивності інших максимумів.
коливань резонатора (2 4), які потрапляють в контур
підсилення. ширина лінії підсилення. При рівні Випромінювання лазера з певним припущенням
втрат можуть генеруватися три моди (2,3,4), а при можна вважати граничним випадком дифракції.
– одна центральна (3) ( > ).
Випромінювання атомів активного середовища
когерентне, кількість їх величезна, а тому
Таким чином, лазер не обов’язково випромінювання активного середовища
генерує на одній частоті, частіше навпаки, зосереджене у вузькому дифракційному куті, а
генерація відбувається одночасно на декількох інтенсивність на осі променя у разів більша
типах коливань, для яких підсилення більше інтенсивності хвилі окремого атома, однак, цей
втрат в резонаторі (три моди на рис.22.5 при кут через дифракцію на вихідній щілині отвору
). Для того, щоб лазер працював на ОКГ не може бути зведений до нуля в принципі.
одній частоті (в одночастотному режимі), Таким чином, значна когерентність лазера і
необхідно, як правило, вживати спеціальних
465
Властивості лазерного випромінювання
визначає незначну розбіжність його показника заломлення матеріалу лінзи
випромінювання. від довжини хвилі ) стає несуттєвою.
4.Когере т і ть. Лазери володіють
надзвичайно високою, порівняно з іншими
§22.3.Властивості лазерного джерелами світла, ступінню когерентності:
часовою і просторовою (див. §12.5 і §12.6). При
1. отуж і ть лазерного
роботі лазера в одномодовому режимі
випромінювання в неперервному режимі може
досягається повна просторова когерентність, що
бути порядку Вт, в імпульсному – до
визначає високу направленість лазерного
Вт, при цьому вдається досягнути
випромінювання і робить можливим його
інтенсивність порядку Вт/ .
фокусування в пляму надзвичайно малих
Суттєво, що ці потужності можуть бути
розмірів (порядка довжини хвилі ).
сконцентровані в надзвичайно вузьких
Часова когерентність (формули (12.37)
спектральних ( мале) і часових інтервалах.
і (12.38)) може бути записана так:
2.Тривалі ть імпульсу
огер р (22.19)
випромінювання в лазерах може складати
с і спеціальними методами тобто, визначається монохроматичністю і
доводиться до с ( за цей час світло виявляється дуже високою. Так для лазера на
проходить всього см), тобто лазер , який працює неперервно в
володіє дивовижно високою ступінню одномодовому режимі кГц і огер
концентрації енергії по часу. с. Тоді довжина когерентності огер
3. о охроматич і ть лазерного огер ( швидкість світла) складає м

випромінювання визначається як (або (300 км), в той час як для нелазерних джерел
де ширина лінії генерації світла (наприклад, натрієва лампа) огер
(рис.22.5), яка в принципі обумовлена шумами, ( Таким чином, з

її центральна частота, при роботі лазера на використанням лазерів можна спостерігати
одній частоті і в неперервному режимі. інтерференційну картину навіть при різниці
Використовуючи спеціальні методи стабілізації, ходу променів в декілька кілометрів.
вдається отримати відносну стабільність 5.Направле і ть лазерного
частоти випромінювання в основному визначається тим,
( Гц . що в відкритому резонаторі можуть
Висока ступінь монохроматичності збуджуватись тільки такі хвилі, які напрямлені
лазерного випромінювання визначає високу по осі резонатора (рис.22.4) або під дуже
спектральну густину енергії – високу ступінь малими кутами до неї. При високій ступені
концентрації світлової енергії в дуже малому просторової когерентності кут розбіжності
спектральному інтервалі. Висока лазерного променя може бути доведений до
монохроматичність полегшує фокусування граничного, який визначається дифракцією на
лазерного випромінювання, так як при цьому вихідному отворі лазера. Типові значання
хроматична аберація лінзи (залежність складають: для газових лазерів
радіан, у твердотільних (2 20
466
Особливості конструкції і роботи деяких типів лазерів
радіан, у напівпровідникових (5 50 області прозорий і основну роль в роботі лазера
радіан. грають іони хрому. Спрощена схема
6.Я раві ть. Через високу енергетичних рівнів хрому показана на
направленість випромінювання лазерні джерела рис.22.6,а. Інверсія населеності створюється
світла мають дуже високу яскравість, завдяки між основним станом (рівнем) і збудженим
чому на мішені можна отримати дуже велику станом (рівнем) . Цьому переходу відповідає
інтенсивність світла. Так, гелій - неоновий лазер довжина хвилі мкм в червоній
з потужністю всього 10 мВт і розбіжністю області спектру. Вище рівня лежать широкі
випромінювання радіан при поперечній смуги енергетичних рівнів i . Переходам
площі пучка 0,1 має яскравість на них із основного стану відповідають дві
, що набагато широкі смуги поглинання в зеленій і синій
перевищує яскравість Сонця областях спектру. З цим поглинанням зв’язане
(130 ). рожеве забарвлення рубіну.
риміт а. Яскравість ( ), поверхнево- W3´ Безвипромінювальні
переходи
просторова густина світлового потоку, який йде W3
від поверхні, дорівнює відношенню світлового Накачка

W2
потоку до геометричного фактору Генерація

: W1
а
.
лампа рубін
Тут заповнений випромінюванням
тілесний кут, площадка, яка випромінює
або приймає випромінювання, кут між
перпендикуляром до цієї площини і напрямком б
випромінювання. В нашому випадку Рис.22.6.
стерадіан, , Циліндричний стержень рубіну,
тому довжина якого декілька сантиметрів і діаметр
біля 1 см, освітлюється потужним імпульсом
білого світла від лампи спалаху, яка обвиває
його у вигляді спіралі (рис.22.6,б). Тривалість
імпульсу біля 1 мс. При достатній енергії
спалаху більша частина іонів хрому,
§22.4.Особливості конструкції і роботи поглинаючи світло, переходить в стани і .

деяких типів лазерів Потім іони хрому за час порядку с
безвипромінювально переходять на рівень ,
1. Лазер а ри талі рубі у. Рубін – це передаючи надлишок енергії коливанням
кристал окису алюмінію (корунд), в кристалічної гратки. Час життя (час релаксації)
якому невелика частинка іонів алюмінію іонів хрому в збудженому стані складає
( ) при вирощуванні кристалу заміщена декілька мілісекунд, що на декілька порядків
іонами хрому . Сам корунд в видимій перевищує типові величини часу життя
467
збуджених станів ( с. Збуджені неодиму збуджується в широку смугу рівнів 4
рівні із таким великим часом життя називається ( . Час життя іона в стані 4 дуже малий
мета табіль ими. При недостатній енергії ( , а порівняно значна
спалаху на рівні виявиться менше половини величина), тому з великою ймовірністю
всіх іонів хрому. Тоді обернений їхній перехід в відбуваються безвипромінювальні переходи в
основний стан відбувається спонтанно (за час метастабільний стан 3( . Інверсія населеності
мс) і супроводжується люмінесценцією W4
(свіченням) на довжині хвилі 0,6943 мкм. ΔW 4
Якщо ж в результаті поглинання світла 3 W3

спалаху і наступних безвипромінювальних генерація
переходів на рівні накопичиться більше
половини всіх іонів хрому, то між рівнями i 2 W2
виникає інверсія населеностей ( ) . 1
W1
Такий механізм утворення інверсії населеності Рис.22.7.
називається оптич ою а ач ою. Якщо
рубіновий стрижень розміщений в зовнішньому між рівнями 2 і 3 лазерного переходу
оптичному резонаторі або має посріблені досягається дуже легко, так як нижній рівень 2
плоскопаралельні торці, в ньому виникає практично незаселений. Лазер на неодимовому
короткий імпульс лазерної генерації на довжині склі генерує випромінювання на довжині хвилі
хвилі 0,6943 мкм. Лазерний імпульс має 1,06 мкм у вигляді імпульсів з дуже великими
складну часову структуру і складається із енергіями (біля 1 кДж). За чотирьохрівневою
нерегулярної послідовності окремих імпульсів схемою працює лазер неперервної дії на
тривалістю біля 1 мкс. Через малу тривалість кристалах іттрій-алюмінієвого граната (YAG) з
імпульсу (порядка 1 мс) потужність рубінового домішкою неодима і з вихідною потужністю до
лазера в імпульсі досягає декількох кіловат при 1 кВт.
порівняно невеликій енергії (декілька джоулів). 3.Газові лазери за багатьма
2. Лазер а еодимовому лі. Поряд з характеристиками переважають лазери інших
рубіновим лазером, який працює по типів. Вони перекривають широкий
трьохрів евій хемі, широке розповсюдження спектральний діапазон (від субміліметрового до
отримали чотирьохрів еві лазери на іонах ультрафіолетового). Серед газових лазерів
рідкоземельних елементів (неодим, самарій), які завжди можна знайти лазер, який має
впроваджені в кристалічну (флюорит кальцію) принаймні одну з наступних властивостей:
або скляну матрицю. Ці іони мають структуру високу ступінь монохроматичності
енергетичних рівнів (рис.22.7), яка надзвичайно випромінювання, малу розбіжність
добре підходить для лазерів. При кімнатній випромінювання (аж до дифракційної границі),
температурі різниця енергій рівнів 2 і граничне значення потужності в неперервному
1 в декілька разів перевищує , тому рівень режимі, високий ККД і т.п.
практично пустий (слабо заселений). За Будова найбільш поширеного гелій-
допомогою сильного світла лампи накачки іони неонового лазера схематично показана на
468
рис.22.8. Газорозрядна трубка з внутрішнім електронами в газовому розряді, при цьому
діаметром 1 10 мм і довжиною від декількох вони переходять зі стану в стани i .
десятків сантиметрів до 1,5 3 м має торцеві W ̗ W4 3, 390
Анод Катод W4 W5
̗ W3 0,6
32
W3 1 ,1 8
50
W2
Електронне
Електронне
збудження
збудження
Газорозрядна трубка вікно
вікно
Рис.22.8.Розрядна трубка газового лазера з
вікнами, які встановлені під кутом Брюстера. ̗
W1 W1
He Ne
плоскопаралельні скляні або кварцеві вікна, які
встановлені під кутом Брюстера до її осі. Для
Рис.22.9.Схема енергетичних рівнів Не та
лінійно поляризованого світла з електричним Ne. Числа на рисунку означають довжини хвиль
вектором в площині падіння коефіцієнт випромінювання в мікрометрах.
відбивання дорівнює нулю (§14.2, Енергії електронів газового розряду

рис.14.8;14.10). Тому брюстеровські вікна вистачає для створення інверсного заселення
забезпечують лінійну поляризацію рівнів i Випромінювання, яке виникає
випромінювання лазера і виключають втрати при цьому, припадає на інфрачервону область
енергії при розповсюдженні світла із активного спектру ( . Рівні ( ) і
середовища до дзеркал і назад. Трубка ( ) залишаються заселеними
розміщується в резонатор, який утворений неінверсно.
двома дзеркалами. Пропускання дзеркала, через Інтенсивне заселення цих рівнів можна
яке виводиться випромінювання, вибирається забезпечити, якщо додати до неону атоми гелію
біля 1 2%, іншого менше 1%. (Не). Гелій має два метастабільних (наче
Розрядна трубка заповнюється стабільних) стани i , які «заселяються»
сумішшю гелію і неона в молярному при зіткненнях атомів з електронами і за
відношенні 5:1 при тиску Па. До величиною енергії близькі до рівнів i
електродів вмикається джерело з напругою в неону. Час життя атомів у цих станах набагато
декілька кіловольт. Типова сила струму при більший часу життя в звичайних станах ( с).
розряді – десятки міліампер. Тліючий розряд Пов’язано це з тим, що для гелію переходи
створює умови для виникнення інверсії є забороненими, тобто не
населеності рівнів в неоні. Гелій можуть бути здійсненими шляхом
використовується для резонансного збудження випромінювання, а будь-яким іншим,
неона. наприклад, в процесі зіткнення з атомами неону
На рис.22.9 наведена спрощена схема (горизонтальні стрілки на діаграмі). У
енергетичних рівнів неону (Ne). результаті таких зіткнень атоми неону
Випромінювання з довжинами хвиль 0,6328 і набувають енергії і їх кількість на рівнях i
1,150 мкм відповідають переходам значно зростає. Виникає інверсне заселення
. Атоми неону збуджуються рівнів i , а, отже, можливе підсилення
(накачуються) в результаті їхнього зіткнення з
випромінювання ( ). Висока
оптична однорідність газового активного
469
середовища дозволяє отримувати створені на переході в кристалі арсеніда
випромінювання з дуже високим ступенем галію ( ) з електричною накачкою.
часової і просторової когерентності. Оптичне підсилення в
4. Напівпровід и овий лазер, лазер на напівпровідниках виникає під дією інтенсивної
основі напівпровідникового кристалу. На накачки при виконанні умов інверсії
відміну від лазерів інших типів в населеності рівнів біля дна в зоні
напівпровідниковому лазері використовуються провідності і стелі в валентній зоні
випромінювальні квантові переходи між (рис.22.10). При цьому ймовірність заповнення
дозволеними енергетичними зонами, а не Зона провідності
дискретними рівнями енергії. В Wc -

напівпровідниковому а тив ому ередовищі
Накачка
Рекомбінація
може досягатись дуже великий показник Wg
h ν ≈ Wg
оптичного підсилення (формула Wυ
+
(22.14), завдяки чому розміри активного
Валентна зона
елемента напівпровідникового лазера виключно
Рис.22.10.
малі (довжина резонатора ).
W Fn
Крім компактності, особливостями - - - - Wc
напівпровідникового лазера є мала інерційність
( ), високий коефіцієнт корисної дії (до
50%), можливість спектрального
Wυ
перетворювання і великий вибір речовин для + + + + WFp
генерації в широкому спектральному діапазоні

від до 30 мкм. Активними Рис.22.11.
частинками в напівпровідниковому лазері є
електронами верхніх робочих рівнів в
надлишкові (нерівноважні) електрони
дозволеній зоні (зоні провідності) більша, ніж
провідності і дірки, тобто вільні носії заряду, які
нижніх рівнів (валентної зони). В цьому
можуть інжектуватись, дифундувати і
випадку вимушені випромінювальні переходи
дрейфувати в активному середовищі.
переважають над поглинальними переходами
Найважливішим способом накачки в
(рис.22.11). Величина оптичного підсилення
напівпровідниковому лазері є інжекція носіїв
залежить не тільки від інтенсивності накачки,
через перехід або гетероперехід, яка
але й від інших факторів: ймовірності
дозволяє здійснювати безпосереднє
випромінювальної рекомбінації, внутрішнього
перетворення електричної енергії в когерентне
квантового виходу випромінювання,
випромінювання (інжекційний лазер). Іншим
температури. Як лазерні матеріали
способом накачки служить електричний пробій
використовуються прямозонні напівпровідники
(наприклад, в так званих стримерних лазерах),
(наприклад, ), в яких квантовий
бомбування електронами (напівпровідниковий
вихід випромінювання може досягти 100%. На
лазер з електричною накачкою) й освітлення
непрямозонних напівпровідниках ( )
(напівпровідниковий лазер з оптичною
створити лазер не вдається.
накачкою). Напівпровідникові лазери вперше
470
Лазер на гетеропереходах
Різноманітність напівпровідникових електрони (емітер), і другий, типу , що
лазерних матеріалів дозволяє перекрити обмежує дифузійне розтікання носіїв заряду з
широкий спектральний діапазон з допомогою активного шару: активна область знаходиться
напівпровідникових лазерів. Інжекційний між ними. В так званих смугових лазерах
напівпровідниковий лазер – це активна область в формі вузької смужки,
напівпровідниковий діод, дві плоскопаралельні ширина якої 1 20 мкм, протягується вздовж осі
грані якого перпендикулярні площині резонатора від одного дзеркала до другого.
переходу (гетеропереходу), служать
дзеркалами оптичного резонатора (коефіцієнт
відбивання рис.22.12.). Деколи a p(AlxGa1-xAS)
p(GaAs)
застосовуються зовнішні резонатори. Інверсія
n(AlxGa 1- xAs)
заселеності досягається при великому прямому
струмі через діод внаслідок інжекції необроблені контакт струм активна
поверхні область
надлишкових носіїв в шар, який прилягає до р-тип
когерентне
переходу. Генерація когерентного б
випроміню-
випромінювання виникає в смузі краєвої вання
n-тип
люмінесценції (випромінювання), якщо оптичне оптично рівні і контакт
паралельні грані
підсилення здатне перевищити втрати енергії, n p p+
+
які пов’язані з виходом випромінювання в AlxGa1- x AS
1 1
GaAs Al x Ga1-x AS
2 2
назовні, поглинанням і розсіянням всередині

WFn Wc
резонатора. Струм, який відповідає початку - -
- -
- - -
генерації, називається пороговим. Густина г h ν ≈Wg
Wυ
порогового струму в інжекційних + + + + + + +
WFp
напівпровідникових лазерах, як правило, n p(GaAs) p
. Рис.22.13. Схема гетеролазера з
Напівпровідник двохсторонньою гетероструктурою на основі AlGaAs
(а,б,в) і його енергетичною діаграмою (г). –
+
краї зони провідності і валентної зони. –
енергії Фермі для електронів і дірок.
p
Випромінювання n Випромінювання
Через малі розміри активної області
пороговий струм смугових гетеролазерів досить
-
Струм через p-n перехід малий (5 100 мА) для отримання неперервної
Рис.22.12. генерації при . Потужність
випромінювання таких напівпровідникових
Найбільше розповсюдження отримали лазерів ( ) обмежена перегріванням
напівпровідникові лазери на снові активної області. В коротких імпульсах
гетероструктур (гетеролазери), які мають напівпровідникові лазери випромінюють
найбільш низькі порогові густини струму при більшу потужність (до 100 Вт), яка обмежена
температурах 300 К. Гетеролазер містить два оптичним руйнуванням торцевих граней.
гетеропереходи, один типу , що інжектує Багатоелементні інжекційні напівпровідникові
471
Фізичні основи волоконно оптичних ліній зв’язку
лазери дають в імпульсі потужність до 10 кВт. Звичайно, “начинка” всіх цих блоків – волокна,
Напівпровідники, з яких можуть бути лазери, фотодіоди, оптико-електронні
виготовлені гетеролазери, при різному перемикачі – надають цим лініям зв’язку нові
хімічному складі повинні мати однаковий якості.
період кристалічної решітки. П ер ед а ва ч В хід н и й
с и гн а л
Використовуються багатокомпонентні тверді
Дж ерело
розчини, серед яких можна знайти неперервні о п т и чн о го М од у л я т о р
в и п р омі н ю в а н н я
ряди речовин з постійним періодом решітки
лу
ч і сигна
(ізоперіодичні системи). Наприклад, в пе р е д а
Л і н ія
гетеролазері на основі твердих розчинів
гетероструктура складається з
О пт ич н ий Д е м од у л я т о р
шарів (рис.22.13); ; і дет ект ор
. В структурі з двома В и хід н и й

П рийм ач с и гн а л
гетеропереходами носії зосереджені всередині Рис.22.14.Структурна схема оптичної системи зв’язку.
активної області (p GaAs на рис.22.13,г), яка
обмежена з обох сторін потенціальними Волоконна оптика як оригінальний
бар’єрами; випромінювання теж обмежене цією науково-технічний напрямок зародився в кінці
областю внаслідок скачкоподібного зменшення п’ятдесятих років 20 століття, коли навчились
показника заломлення за її межами. Ці виготовляти спеціальні скляні волокна –
обмеження сприяють підсиленню високопрозорі, тонкі, гнучкі і досить міцні. Їх
стимульованого випромінювання і відповідно, створення є технологічною вершиною майже
зменшенню порогової густини струму. вікових пошуків оптиками світловодів, які
придатні для передачі світла криволінійними
траєкторіями. У другій половині 19 століття
§22.5.Фізичні основи
була проблема освітлювати декілька приміщень
волоконно оптичних ліній зв’язку
однією електричною дугою (її зручно було
Телефонні розмови, телевізійні “запалити” десь на стороні), подати світло в
програми, комп’ютерна інформація – все це, цехи, де виготовляли порох, але так, щоб не
закодовані в певній послідовності ультракороткі сталося вибуху. Пробували порожнисті
лазерні спалахи, які передаються на великі дзеркальні трубки, суцільні скляні і кварцеві
відстані по дуже тонкому кварцевому волокну. волокна і навіть потік рідини, але все це було не
Хоч суто зовнішньо волоконно-оптична лінія те. Накінець знайшли: двохшарове скляне
зв’язку (скорочено ВОЛС) нічим не волокно серцевина зі скла з одним
відрізняється від традиційної провідної: кабель, показником заломлення, оболонка з іншим –
приймальний і передаючий модулі по її кінцям, чудово передає світловий потік від вхідного
ретранслятори (регенератори), які торця до вихідного, затримуючи його всередині
вбудовуються в кабель через певні відстані для серцевини незалежно від того, чи витягнути
відновлення сигналу, який послабшав, волокно в струну, чи згорнуте котушкою.
комутатори там, де лінія розгалужується, стики, З'явився ідеальний засіб для підсвітки
які з’єднують все в єдине ціле (рис.22.14). важкодоступних місць для ендоскопії, для
472
Фізичні основи волоконно оптичних ліній зв’язку
передачі зображень, для перетворення світлових розповсюдження світла в середовищі, яке
полів. Волоконна оптика кардинально розглядається (§11.3).
перетворила багато напрямів
приладобудування, медицини, вимірювальної
техніки, нею зацікавились спеціалісти з засобів α пад α відб
відображення інформації, логіко-математичного
аналізу. Революційну роль волоконної оптики n1
порівнювали з напівпровідниками, які в той n2
період уже зробили крок від транзисторів до

мікросхем. Але про оптичний зв’язок чути було а
мало. Збільшення довжини волокна від одного
метра до десяти зменшувала світлопередачу до
Рис.22.15,а.Відбивання і заломлення
десятих і сотих долей відсотка. В 1970 р. в світлового променя на межі двох середовищ
одному із випусків Праць американського
Як відомо, середовище, у якого показник
інституту радіоінженерів навіть було
заломлення більший, називається оптично
висловлено резюме: оптичний зв’язок не
більш густим, у противному випадку менш
відбувся… Але саме в цьому році з'явилось
густим, тому при падінні променя світла
повідомлення американської фірми “Corning
(світлової хвилі) на границю розділу таких
Glass” про виготовлення кварцевого волокна із
середовищ в загальному випадку виникає
такою значною прозорістю, що лазерний сигнал
відбита і заломлена хвилі (рис.22.15,а). У
міг пробігти по ньому більше кілометра з
невеликим ослабленням. Світловод для
оптичного зв’язку був створений.   90
Оптичне волокно n2
Досвід свідчить, що кожний новий
n1
технічний прорив, як правило, базується на
“трьох китах”: фізика матеріал технологія. б α гр
Фізика світлопередачі оптичним волокном
базується на законах відбивання і заломлення
світла. Розглянемо проходження світлового
випромінювання через границю розділу двох Рис.22.15,б. Повне внутрішнє відбивання
середовищ. В геометричній оптиці світлові світлового променя на межі двох середовищ
хвилі зображуються променями, які зазнають
відповідності з законом Снелліуса, кути
змін на межі розділу середовищ з різними
падіння α , відбивання α і заломлення
оптичними властивостями, які
зв’язані наступними співвідношеннями:
характеризуються показником заломлення
α αвідб і αпад . (22.20)
, який в загальному випадку показує, у
Якщо промінь переходить з оптично
скільки разів швидкість розповсюдження
більш густого середовища в менш густе
світла в вакуумі більша швидкості
(рис.22.15,б), то α . Шляхом збільшення
473
Типи волоконних світловодів
кута падіння можна досягнути випадку, при оптичного волокна є типовою і
якому заломлений промінь буде ковзати по використовується в багатьох оптичних
межі розділу середовищ, не переходячи в друге волокнах як базова. Розглянемо тепер структуру
середовище (рис.22.15,б). Кут падіння, при світловоду, по якому передається інформація в
якому має місце даний ефект, називається сучасних оптичних лініях зв’язку. Оптичне
граничним кутом α повного внутрішнього волокно складається з серцевини (1 на
відбивання. Очевидно, що для всіх кутів рис.22.16) й оболонки (2 на рис.22.16), які є
падіння, більших критичного α αгр , буде осісиметричним діелектричним хвилеводом.
мати місце тільки відбивання, а заломлення Хвилеводна структура утворюється внаслідок
буде відсутнім. Це явище називаться пов им зменшення показника заломлення від осі
в утріш ім відбиттям і, оскільки вся хвилевода до його оболонки для виконання
потужність світлового променя практично умови повного внутрішнього відбиття
повністю повертається в область більш густого (рис.22.15,б). Якщо зміна показника заломлення
середовища, на цьому ефекті базується принцип відбувається скачком (рис.22.17,а, ), то
передачі оптичного випромінювання по волокна називаються ступеневими. Волокна з
оптичному волокну. плавною зміною показника заломлення

називаються градієнтними. Для таких волокон
Розповсюдження світлових променів в показник заломлення n залежить від відстані r
оптичних волокнах від осі волокна до його периферії, причому
В загальному випадку оптичне
, тобто, зі збільшенням r, n
волокно (рис.22.16) складається з серцевини,
6 зменшується (рис.22.17,б).
n0
n2
5 n1
α
α гр
4 θгр θ
3
2 n2 а
1
n(r) r
б
Рис.22.16 Загальний вид типового
оптичного волокна: 1 серцевина; 2 оболонка; Рис.22.17.Розповсюдження світла в
3 силіконове покриття; 4 буферна облонка; 5 ступеневому (а) і градієнтному (б) волоконному
зміцнююча оболонка; 6 зовнішня оболонка. світловоді.
по якій відбувається розповсюдження світлових В ступеневому волокні промені

хвиль, і оболонки, яка призначена, з одного зазнають багатократного відбивання від межі
боку, для створення кращих умов відбивання на між серцевиною і оболонкою. В градієнтному
межі розділу “серцевина – оболонка”, а з іншого хвилеводі відбивання не має, а відбувається
– для зниження випромінювання енергії в викривлення траєкторії променя внаслідок
оточуючий простір. З метою підвищення оптичної неоднорідності середовища (зміна
міцності і тим самим надійності волокна поверх показника заломлення в напрямку, який
оболонки, як правило, накладають первинне перпендикулярний осі). В результаті промінь,
захисне зміцнююче покриття. Така конструкція який перетинає вісь, знову повертається до неї,
474
Типи волоконних світловодів
причому повертання це плавне. Траєкторія розповсюдження випромінювання через такі
променя в такому хвилеводі задовольняє світловоди необхідно використати
принципу мінімуму оптичної довжини електромагнітну теорію світла і рівняння
(принцип Ферма). Із рис.22.17,а видно, що Максвелла. Строгий розв’язок цих рівнянь
промені, які розповсюджуються по серцевині показує, що по світловоду малого перерізу
ступеневого світловода під кутом α α до одночасно може розповсюджуватись певний
його осі, зазнають повного внутрішнього дискретний набір електромагнітних
відбиття на межі розділу серцевина-оболонка, і хвиль, яких називають модами або власними
тому розповсюджуються вздовж світловода. хвилями. Хвилі в серцевині, які відповідають
Інші промені проникають в оболонку. променям, що утворюють малі і великі кути з
Граничний кут можна знайти за формулою, що віссю світловода, називають модами ижчих і
визначається зі співвідношення (22.20): вищих поряд ів відповідно. На рис.22.18
α . показано, що частина променів, які ввійшли в
світловод, розповсюджується тільки в його
Кожному значенню кута відповідає значення
кута падіння на торець світловода (рис. серцевині. Це направлені моди a і b. Частина
22.17,а). Кут , при якому промінь буде променів розповсюджується в оболонці, це
розповсюджуватись по світловоду під кутом моди оболонки c. Накінець частина променів
α називається вхідним кутом світловоду. Як виходить назовні, це витікаючі моди d.

d
правило, його характеризують апертурою
А , де показник заломлення c
зовнішнього середовища. Для ступеневого
b
світловода апертура , а для а
градієнтного справедливі співвідношення
і , де
найбільше значення показника Рис.22.18.Моди в ступеневому волоконному
заломлення серцевини світловода. У ступеневих світловоді.
світловодах, які використовуються в системах
зв’язку, апертура дорівнює 0,18…0,23, у Таким чином, кожна мода є коливання,
градієнтних – 0,13…0,18. яке характеризується певною просторовою
Променеве наближення справедливе структурою електричного і магнітного поля і
тільки для описання розповсюдження відповідною фазовою швидкістю. Будь-яке
випромінювання в волокнах з поперечним оптичне випромінювання, яке
перерізом, набагато більшим довжини хвилі розповсюджується по світловоду, можна
світла, оскільки в таких світловодах світло представити як суперпозицію мод, тобто як
розповсюджується у відповідності з законами результат додавання коливань, що
геометричної оптики. розповсюджуються в ньому. Число цих мод
Якщо ж розміри поперечного перерізу можна розрахувати, якщо відомі довжина хвилі,
волокна можна порівняти з довжиною хвилі радіус серцевини світловода і різниця
випромінювання, то для аналізу показників заломлення серцевини й оболонки.
475
Технологія виготовлення світловодів. Дисперсія оптичних волокон
В волоконних світловодах, товщина добавляють газоподібні реактиви, які містять
яких від 1 до 5 мкм, розповсюджується одна бор, фосфор, германій – ці присадки трохи
мода – одне коливання. В більш товстих (від 10 збільшують або зменшують показник
до 100 мкм) світловодах може одночасно заломлення кварцу. Після отримання шарів
розповсюджуватись декілька коливань (мод). заданих складів і товщин трубу нагрівають ще
На практиці використовуються як одномодові, більше до розм’ягчення і злипання. Отриману
так і багатомодові світловоди. таким чином вихідну заготовку потім
перетягують через серію ільєр (французьке
Технологія виготовлення світловодів fi l i e r e , від f i l – волокно, нитка, деталь машин
Революційність технологічного у вигляді ковпачка або пластини з отворами,
прориву в створенні надпрозорих волокон діаметр яких 0,8 0,06 мм, для формування
пов’язана з вибором кварцу як основного волокон), які послідовно звужуються.
матеріалу. Хімічно кварц це діоксид кремнію Установку для витяжки волокна за розмірами
, в надчистому виді його можна можна порівняти з триповерховим будинком.
синтезувати методом парафазного осаджування, Отримати волокна з високою
який розроблений в 1970 році (рис.22.19). Через прозорістю – це для цілей оптичного зв’язку
Осаджування умова “необхідна", але "недостатня”. Адже
SiCl4 інформація кодується послідовністю імпульсів,

значить, необхідно мати можливість передавати
О2
по волокну саме світлові імпульси, і чим
коротші вони будуть, тим вища буде пропускна
здатність каналу зв’язку. Важливим параметром
оптичного волокна є дисперсія, яка визначає
його пропускну здатність для передачі
Злипання
інформації.
Дисперсія оптичних волокон

Дисперсія – це розсіювання з часом
спектральних або модових складових оптичного
Витяжка
сигналу, яке призводить до збільшення
тривалості імпульса оптичного випромінювання
Рис.22.19.Основні етапи виготовлення кварцевого

при розповсюдженні його по оптичному
двохшарового світловода. волокну (рис.22.20) і визначається різницею
квадратів тривалостей імпульсів на виході і
розпечену кварцеву вихідну трубу пропускають
вході оптичного волокна:
суміш чотирихлористого кремнію і
кисню. Під дією високої температури вх , (22.21)
в цій суміші відбувається реакція з де значення і вх визначаються на рівні
утворенням кварцу, який осідає на внутрішній половини амплітуди імпульсів.
поверхні труби. В процесі осаджування в потік Як видно із рис.22.18 і 22.20,а,б різні

промені з числа апертурних проходять на шляху
476
Дисперсія оптичних волокон
розповсюдження до вихідного торця різні волокнах 70-х років 20 століття при
відстані: досить порівняти промінь, який падає використанні тодішніх не зовсім досконалих
вздовж осі, з променем, який падає під кутом лазерів розмиття імпульсу характеризувалось
(рис.22.17,а). Це призводить до розмиття дисперсією . Це означає, що 10-
імпульсу – із прямокутного на вході він стає кілометрова лінія з такого волокна придатна для
дзвоноподібним, розмазаним на виході одночасної передачі тільки декількох
(рис.22.20,а), Сусідні імпульси набігають один телефонних розмов. Міжмодова дисперсія в
на одного, виникають помилки, збої, а то і градієнтних оптичних волокнах, як правило, на
повна втрата інформації. До цієї хвилевод ої порядок нижча, ніж в ступеневих волокнах. Це
(міжмодової) ди пер ії додається ще і звичайна обумовлене тим, що внаслідок зменшення
“хроматич а” ди пер ія – розмиття імпульсу показника заломлення від осі оптичного
світла, що обумовлене залежністю волокна (рис.22.20,б) до оболонки швидкість
фазової і групової гр ( розповсюдження променів вздовж
див § швидкостей їхньої траєкторії змінюється. Так, на

траєкторіях, які близькі до осі, швидкість
світла в кварці від довжини хвилі (рис.22.20,б).
менша (більший n), а віддалених – більша
Профіль показника (менший n). Значить, промені, які

Найповільніший
найшвидший заломлення розповсюджуються найкоротшими
Імпульс промінь
на вході Імпульс n
на виході
2
n1 траєкторіями, що близькі до осі, мають меншу
I
швидкість, а промені, які розповсюджуються по
t
Ступеневе багатомодове волокно
більш протяжних траєкторіях, мають більшу
а швидкість. В результаті час розповсюдження
n2 променів вирівнюється і збільшення тривалості
I
n1
імпульсу стає меншим. В 1973 році було
t
встановлено, що випромінювання з довжинами
Градієнтне волокно
б хвиль майже не зазнають
n2 дисперсії в кварці. Світлопропускання в цій
I n1
області спектру набагато вище, ніж при
t
мкм, а саме на такій довжині хвилі
Одномодове волокно
в працювали тогочасні лазери. Тому і постало
Рис.22.20.Розповсюдження випромінювання по
питання про перехід в нову спектральну
ступеневому (а), градієнтному багатомодовому (б) і
одномодовому оптичному волокну (в). область, що вимагало створення нових джерел і
приймачів світла. Для боротьби з хвилевидною
Причиною міжмодової дисперсії є (модовою) дисперсією довелось звернутись до
некогерентність джерел випромінювання, які одномодових волокон (рис.22.20,в) з діаметром
реально працюють в спектрі довжин хвиль від серцевини порядку 5 мкм. Саме вони і
до . Міжмодова дисперсія переважає в складають основу сучасного
багатомодових оптичних волокнах. Все це в високошвидкісного волоконно-оптичного
сукупності призвело до того, що в перших зв’язку. Для створення джерел світла для ВОЛЗ
був синтезований новий клас
477
Приймачі оптичного випромінювання
напівпровідникових сполук (§22.2), які провідність шарів, то зовнішня різниця
включають чотири компоненти: індій (In) – потенціалів U, яка прикладена до , створює
галій (Ga) миш’як (As) – фосфор (P). в і – шарі градієнт електричного поля
Варіюючи склад, отримують необхідну (рис.22.21,б). При подачі на p і–n структуру
довжину хвилі випромінювання лазера. зворотної напруги, то через те, що в і – шарі не
має вільних носіїв, даний шар поляризується і
Приймачі оптичного випромінювання через опір навантаження протікає малий
Одним із базових компонентів ВОЛЗ, постійний струм т, який носить назву
за допомогою яких здійснюється реєстрація темнового струму. Значення цього струму
оптичного випромінювання, є приймачі визначається параметрами матеріалу
оптичного випромінювання. Останні напівпровідника, топологією p і–n структури і
виготовлені на основі фоточутливих температурою оточуючого середовища. При дії
напівпровідникових елементів, що на і–шар зовнішнім випромінюванням в ньому
використовують явище фотопровідності утворюються вільні електрон – діркові пари, які
(внутрішнього фотоефекту §19.11 ). Принцип швидко розділяються і, прискорюючись
роботи фотодіодів розглянутий в §21.4. прикладеним електричним полем, рухаються до
На сьогоднішній день найбільш електродів в протилежних напрямках,
розповсюдженим типом детектора оптичного створюючи у зовнішньому колі діода
випромінювання є p і n структура фотодіода – електричний струм (фотострум). PIN діоди на
PIN фотодіод (рис.22.21). Основною велику довжину хвилі (1,3 1,5мкм)
Світло утворює
електронно-діркові виготовляють із Ge, InGaAs, InGaAsP.
пари
- - - + Світло утворює
a + +
n електронно-діркові
p+-шар i-шар n+ -шар
пари Лавиноподібне
множення
- +
- - -
-
-
-
+
U +
n
р -шар p-шар n -шар
+ +
б i-шар
a
U0 U
U0
Параметр геометрії X
Рис.22.21.Структура включення і розподіл потенціалу
p і n фотодіоду.
відмінністю даного типу діодів від звичайних

П араметр геометрії X
діодів з p – n переходами є наявність між
сильно легованими шарами б
Рис.22.22.Структура включення і розподіл потенціалу
напівпровідника так званого і – шару, який є APD фотодіода.
слабо легованим напівпровідником n – типу,
товщина якого декілька десятків мікрометрів Більш високу чутливість, ніж PIN
(рис.22.21,а). В і – шарі вільні носії заряду діоди, мають лавинні фотодіодні детектори
відсутні, то його деколи називають збідненим APD (a va l a n c h e p h o t o n d e t e c t o r ). Основна
шаром. Оскільки сильне легування збільшує відмінність APD фотодіодів від PIN діодів, які
478
Введення і виведення світла у світловодах
мають структуру в тому, що вони або селфоками, промінь, який ввійшов в лінзу,
містять додатковий p–шар (рис.22.22,а). При розповсюджується криволінійною траєкторією.
цьому створюється структура з A´
таким профілем розподілу легуючих домішок, A
при якому найбільша напруженість
електричного поля має місце в p–шарі
(рис.22.22,б), що забезпечує тим самим
найменшу провідність цього шару. З цієї
причини зворотнє зміщення в APD діодах Рис.22.23. Розповсюдження світла в градані.
настільке велике, що збіднений шар
На рис.22.23 показано
збільшується до розмірів і – шару не знижуючи,
розповсюдження променів в градієнтній
а навіть збільшуючи напруженість
стержневій лінзі, в якій показник заломлення
електричного поля. У зв’язку з цим електронно
змінюється за параболічним законом. В
– діркові пари, які створюються світлом,
залежності від довжини градани можуть бути
розділяються і прискорюються цим полем в
багато , одно , напів і чверть крокові.
збідненому шарі, отримуючи енергію, достатню
Останні два зображені на рис.22.24. Градієнтні
для іонізації атомів кристалу. Зіштовхуючись з
стержневі лінзи використовуються для
нейтральними атомами, носії викликають
з’єднання окремих волокон, джерела або
зростаючу в геометричній прогресії
приймача випромінювання з волокном, в різних
концентрацію електронів і дірок, так званий
розгалужувачах світлових потоків, оптичних
лавинний ефект (рис.22.22,а). Цей процес
перемикачах і т.д.
носить назву помноження первинного
фотоструму.
Використовуються короткохвильові Si
APD діоди і довгохвильові InGaAs, Ge APD,
та інші.
Введення і виведення світла у світловодах а б
Для введення випромінювання в Рис.22.24. Напівкрові (а) і чверть крокові (б) градани.
світловод і виведення світла на фотодіод
Найбільш часто застосовуються чверть
використовуються лінзи. Найбільш ефективні
крокові градієнтні стержневі лінзи, які як видно
лінзи з малою фокусною відстанню, однак у
із рис.22.24, дозволяють перетворити
таких лінз великі спотворення. У зв’язку з цим
розбіжний пучок в паралельний, або навпаки –
замість звичайних лінз застосовуються так звані
сфокусувати паралельний пучок.
градієнтні лінзи, в яких фокусна відстань
3
зменшується не внаслідок геометрії, а внаслідок 2 2
1 1
використання матеріалів, в яких показник
заломлення плавно змінюється. В градієнтних
стержневих лінзах, яких називають граданами Рис.22.25.З’єднання двох світловодів за допомогою
граданів.
479
Введення і виведення світла у світловодах
На рис.22.25 показано з’єднання двох провідних лініях. Але і це не межа – теоретичні
світловодів 1 за допомогою оцінки показують, що в спектральній області
чвертькрокової градієнтної стержневої лінзи 2. можна досягнути передачі
При співвісному їх розташуванні сигнала без ретранслятора на 1000 і більше
світло із одного волокна попадає в друге. кілометрів. Звичайно, для цього доведеться
Розмістивши між градієнтними лінзами замінити і кварц, і лазери, і фотодіоди.
світлофільтр або послаблювач потужності 3, Друге – це надвисока пропускна
можна отримати елемент, який називається здатність: швидкість передачі десятки
аттенюатором. вже давно перестала бути рекордною, а типові
2 2 значення складають сотні і тисячі .
3
1 1
Виявилось, що якщо одночасно пропускати по
волокну потоки світлових імпульсів з дещо
відмінними довжинами хвиль, то вони не
змішуються один з одним і на прийомному
4 кінці можуть бути розділені. Завдяки цьому
1
можна збільшити в десятки, а то і в сотні раз
пропускну здатність вже прокладених
Рис.22.26. Спрямований відгалужувач на граданах. комунікацій. Але й це ще не все. Якщо вводити
в волокно лазерні імпульси підвищеної
На рис.22.26 показана схема потужності, то утворюються так звані солітони
спрямованого відгалужувача. В ньому між (поодинокі хвилі), які при розповсюдженні не
градієнтними лінзами 2 розміщене напівпрозоре тільки не “розлазяться”, але можуть навіть
дзеркало 3, яке частину випромінювання звужуватись. Швидкість передачі інформації
пропускає, а частину направляє в лінзу 4, яка може досягати до 1 . Сьогодні
зв’язана ще з одним світловодом. Втрати світла лабораторні досліди дають швидкість передачі
в таких розгалужувачах мінімальні. інформації по оптоволокну 1,125 . Це у
50 тисяч разів перевищує середню швидкість
Переваги ВОЛЗ підключення приватних користувачів до
Перше – дуже мале згасання сигналу у інтернету. За таких умов передачі інформації,
волокні: щоб отримати всі дані, зібрані космічним
вх вих , телескопом Хаббл за 20 років спостереження,
де B – величина згасання в децибелах на потрібно трохи більше, ніж півхвилини.
кілометр, і – вхідна і вихідна потужність Третє – переносником інформації у

вх вих
сигналу, – довжина світловода. ВОЛЗ є фотон, який не має електричного
На сьогоднішній день створені заряду, тому світловий сигнал, який

розповсюджується волокном, зовсім не
світловоди з втратами 0,5 1 . Це
чутливий до зовнішніх електромагнітних
означає, що потужність сигналу зменшується в
впливів: розряди блискавок, багаточисленні
два рази на відстані . Тобто відстань
радіопередавачі, електродвигуни, силові ядерні
між ретрансляторами може досягати 100 200
установки і т.п. Волоконним лініям не потрібне
км, що набагато перевищує той же показник у
480
Переваги ВОЛЗ
важке і дороге екранування, вони захищені від основі роботи будь – якого квантового
завад самим принципом своєї роботи. генератора, в лазері (на прикладі гелій –
Традиційна радіоапаратура не тільки піддається неонового лазера).
впливу електромагнітних хвиль, вона і сама їх
6.Пояснити трирівневу енергетичну
схему створення інверсної населеності, яка
випромінює (носієм інформації є заряджена
реалізована в гелій – неоновому лазері,
частинка – електрон, нерівномірний рух якого рубіновому та інших. Чим вона
супроводжується випромінюванням ефективніша від дворівневої схеми?
електромагнітних хвиль). На цій основі і виник 7.Як підсилюється випромінювання
радіошпіонаж. І тільки ВОЛЗ, у яких в активному середовищі?
потайність передачі повідомлень закладена в 8.Яке призначення мають дзеркала в
самій фізиці, дозволяє гарантовано
оптичному генераторі?
9.Які властивості притаманні
убезпечитись від несанкціонованого доступу до
лазерному випромінюванню? Чому саме
інформації. тільки лазерному?
Четверте – волоконні кабелі легкі і 10. Застосування ОКГ.
компактні, в десятки і сотні разів легші і 11.Які фізичні основи волоконного
дешевші, ніж металічні. Основу металічних зв'язку?
кабелів складають мідь і свинець – не тільки 12. Які існують типи оптичних
волокон?
дуже дорогі, але і досить рідкісні в земній корі.
13.Які є типи дисперсії в оптичних
Волокно виготовляється з кварцу, а він зі
волокнах і як дисперсія впливає на
звичайного піску, запаси якого величезні. передачу інформації?
Один із апологетів волоконного 14.Які оптичні волокна є
зв’язку співставляє його по важливості з одномодовими, а які багатомодовими?
винайденням парової машини, електричної 15.Джерела світла і фотоприймачі в
лампочки, транзистора… . оптоволоконних лініях зв'язку.
16.Який тип лінз використовується
1.Назвіть фізичні принципи, які в оптоволоконних лініях зв'язку?
лежать в основі роботи будь – якого
квантового генератора.
2.Як можна пояснити необхідність
існування квантового переходу Розділ 23.Атомні ядра
(вимушеного випромінювання), поняття
про який вперше ввів А.Ейнштейн? §23.1.Атомні ядра та їхні
3.У чому полягає суть ідеї характеристики
В.Фабриканта щодо можливості
підсилення випромінювання, яке Атомне ядро, центральна масивна
проходить через певне середовище?
частина атома, яка складається із протонів і
4.Чи можна здійснити підсилення
нейтронів, яких називають нуклонами
випромінювання в середовищі, яке
знаходитися в рівноважному стані? (нуклон від латинського n u c l e u s ядро). Маса
Відповідь пояснити. ядра атома приблизно в 4 1 раз більша маси
5.Розкажіть, як конкретно всіх електронів, що входить до складу атома.
реалізуються принципи, які лежать в Розміри атомного ядра становлять
481
Атомні ядра та їх характеристики
м Електричний заряд ядра позитивний Нейтро . Нейтрон (n) був відкритий у
і за абсолютною величиною дорівнює сумі 1932р. англійським фізиком Д.Чедвиком.
зарядів атомних електронів нейтрального атома. Електричний заряд цієї частинки дорівнює
Атомне ядро було відкрите Резерфордом нулю, а маса
(див.§17.1) в дослідах по розсіюванню кг
частинок при проходженні їх через речовину.
В кінці 1913 року учень Резерфорда Г.Мозлі дуже близька до маси протона. Різниця мас
показав експериментально, що електричний нейтрона і протона складає 1,3 МеВ,

заряд ядра атома (в одиницях абсолютної тобто 2,5 . Нейтрон має спін, який дорівнює
величини заряду електрона ) дорівнює половині (s=1/2), і, не дивлячись на відсутність
порядковому номеру елемента в періодичній електричного заряду, власний магнітний
системі елементів. Після Мослі факт існування моментом
атомного ядра утвердився в фізиці остаточно.
я
В ядерній фізиці прийнято виражати де знак мінус вказує на те, що напрямки
маси в атомних одиницях маси (а.о.м.) Одна власних механічного і магнітного моментів
а.о.м. дорівнює 1,66 1 кг. Частіше массу нейтрона і протона протилежні.
виражають в одиницях енергії, для цього одну У вільному стані нейтрон нестабільний
а.о.м. помножують на і виражають в (радіоактивний) – він самовільно розпадається,
мільйонах електрон-вольт (Мев), де перетворюючись в протон з випусканням
швидкість світла в вакуумі. Одній а.о.м електрона е і ще однієї частинки, яку
відповідає 931,2 МеВ. Маса спокою електрона називають антинейтрино ( ).
(в Мев) є: Характеристики атомного ядра
1.Зарядове число дорівнює
(23.1)
еВ кількості протонів, які входять в склад ядра і
рото . Протон (p) має позитивний визначає його заряд, який дорівнює + . Число
заряд, що дорівнює заряду електрона, масу Z визначає порядковий номер хімічного
спокою кг елемента в періодичній таблиці. Тому його
. Протон має спін, що дорівнює також називають атом им омером ядра.
2. Масове число число нуклонів
половині (s=1/2) і власний магнітний момент
(тобто сумарна кількість протонів і нейтронів) в
я, де
ядрі. Число нейтронів в ядрі дорівнює N=A Z.
я= Дж Тл (23.2) 3.Для позначення ядер застосовується
символ
одиниця магнітного момента, яка називається
або ,
ядер им маг ето ом, який в 1836 раз менший
магнетона Бора (§17.5). Тобто, власний де під розуміють хімічний символ даного
Б
магнітний момент протона приблизно в 660 елемента.
разів менший, ніж магнітний момент Ядра утворюють такі групи:
електрона. ізотопи. Ядра з однаковими Z, але

різними . Більшість хімічних елементів має по
482
Атомні ядра та їх характеристики. Ядерні сили
декілька стабільних ізотопів. Так, наприклад, у маса ядра
,
об єм ядра
кисню є три стабільних ізотопи О О О у
де масса ядра приблизно дорівнює A(a. o. м) , а
олова десять і т.д. Водень має три ізотопи:
звичай ий воде ь або протій (Z=1,N=0), об’єм дорівнює
важкий водень, або дейтерій (Z=1, N=1),
A/3. Тоді густина ядерної речовини
тритій (Z=1, N=2).
аом кг/ .
Протій і дейтерій стабільні, тритій
радіоактивний. Це неймовірно велика густина ядерної
ізобари. Ядра з однаковим масовим речовини, яка приблизно однакова для всіх
ядер, так як не залежить від масового числа .
числом , наприклад, і
ізотони. Ядра з однаковим числом
нейтронів N=A Z, наприклад, , §23.2. Ядерні сили
ізомери. Радіоактивні ядра з Згідно закону Кулона позитивно
однаковими Z і , але з різним періодом заряджені протони, які знаходяться на дуже
напіврозпаду. Наприклад: існують два ізомери близьких відстанях в атомному ядрі, сильно
відштовхуються один від одного так, що вони
ядра , у одного із них період напіврозпаду
повинні були б миттєво розлетітись. Тому не
дорівнює 18 хвилин, в іншого 4,4 години.
можна пояснити стабільне існування атомного
Відомо біля 1500 ядер, які
ядра, якщо не зробити припущення, що нуклони
відрізняються або Z, або , або і тим, і іншим.
в ньому піддаються впливу потужних ядерних
Приблизно 1/5 частина цих ядер стійкі, інші
сил притягання. Ці ядерні сили є проявом так
радіоактивні. Багато ядер були отримані
званної сильної взаємодії.
штучним шляхом за допомогою ядерних
О ов і вла тиво ті ядер их ил:
реакцій.
1.Ядерні сили є силами притягання.
В природі зустрічаються елементи з
2.Ядерні сили досить значні. Тому
атомними номерами Z від 1 до 92, крім
таку взаємодію називають сильною. Енергія
технеція (Tc, Z=43) і прометія (Pm, Z=61).
зв’язку, що припадає на один нуклон у ядрі
Розміри ядра. Експерименти з
досягає 7 8,5 МеВ. Сили взаємодії ядра з
використанням заряджених частинок, які
електронами атома забезпечують енергію
розсіювались на ядрах, привели до висновку,
зв’язку від десятків до тисяч електрон-вольт, а
що ядро можна вважати кулею, радіус якої
сили зв'язку між атомами в молекулах
може бути виражений формулою
забезпечують енергію зв’язку в кілька електрон-
, (23.4)
вольт.
де A масове число данного ядра, =
3.Ядерні сили є короткодіючими, на
(1,3 1,7) 1 м = (1,3 1,7)Ф. (Ф= м
відміну від електромагнітних і гравітаційних
фермі назва в ядерній фізиці одиниці
сил. Радіус r дії ядерних сил приблизно
довжини). В задачах і прикладах беруть
дорівнює розміру нуклона ( м При
компромісне значення Ф.
м ядерні сили практично дорівнюють
Густину маси ядра можна розрахувати
нулю.
за формулою
483
Ядерні сили. Енергія зв'язку ядра
4.Ядерні сили мають властивість двома нуклонами забезпечуються третьою
зарядової незалежності, тобто величина ядерних частинкою.
сил не залежить від електричного заряду Довжина хвилі обмінної частинки
взаємодіючих нуклонів. Ядерні взаємодії між повинна відповідати радіусу я дії ядерних сил.
двома протонами або між двома нейтронами, Виходячи із формули де Бройля (18.5),
або між протоном і нейтроном однакові.
5.Ядерні сили мають властивість оч я м
оч
насичення, тобто кожен нуклон в ядрі взаємодіє можна оцінити масу обмінної частинки:
лише з обмеженою кількістю найближчих до
нього нуклонів. Насичення появляється в тому, оч
я
що питома енергія зв’язку нуклонів у ядрі при Ця маса повинна у 300 разів перевищувати масу
збільшенні числа нуклонів не зростає, а електрона.
залишається приблизно сталою (якщо не У 1935р. японський фізик Х.Юкава
враховувати легкі ядра). висунув гіпотезу про те, що ядерні сили
Властивості насичення ядерних сил зумовлені невідомою на той час частинкою,
приводять до такого важливого висновку: маса якої становить 200-300 мас електрона.
взаємодія між нуклонами не зводиться тільки до Оскільки ці гіпотетичні частинки за величиною
сил притягання. На відстанях між нуклонами маси займали проміжне місце між масою
r<0,5 м притягання між ними переходить електрона і протона, то їх назвали мезонами (від
у відштовхування. За відсутності у ядрі сил грецького me z o s – середній, проміжний). Такі
відштовхування між нуклонами ядра повинні б частинки дійсно було виявлено у 1947 році в
колапсувати, тобто стискатись у точку. космічному випромінюванні. Виявилось, що
6.Ядерні сили залежать від оріє тації існує три типи π – мезонів: π+, π-, π0. Заряди π+ і
пі ів у ло ів, які взаємодіють. Система з π- за абсолютною величиною дорівнюють
протона і нейтрона утворює ядро дейтрон заряду електрона. Маса зарядженого мезона
лише у випадку, коли спіни протона і нейтрона =273 маса π0 мезона =264 Спін
паралельні. Якщо ж спіни протилежно π мезонів дорівнює нулю.
напрямлені, то нейтрон і протон ядра не Ядерну взаємодію двох нуклонів, що
утворюють. знаходяться на відстані радіуса дії ядерних сил,
7.Величина ядерних сил також можна представити у такий спосіб. Один
залежить від взаєм ої оріє тації пі а та нуклон випускає π мезон, а другий нуклон
орбіталь ого моме ту ож ого у ло а. його поглинає упродовж с (час прольоту
8.Ядерні сили е є це траль ими частинки з швидкістю світла відстані між
илами, тобто силами, які можна уявити такими, нуклонами – ядерний час). Частинки, які
що діють вздовж лінії, яка з’єднує центри існують лише в області дії ядерних сил
взаємодіючих нуклонів. протягом ядерного часу, називаються
Для пояснення властивостей ядерних віртуаль ими.
сил – насичення і короткодії – В.Гайзенберг Розглянемо обмінну взаємодію між
висунув гіпотезу про те, що ядерні сили є нуклонами. В результаті віртуальних процесів
«обмінні сили», тобто що ядерні сили між
484
Енергія зв'язку ядра
, n масою співвідношенням . Значить,
нуклон виявляється оточеним хмарою енергія ядра, яке знаходиться в стані спокою,
віртуальних π мезонів, які утворюють поле менша сумарної енергії нуклонів, які
ядерних сил. Поглинання цих мезонів іншим знаходяться в стані спокою і не взаємодіють
нуклоном приводить до сильної взаємодії між між собою на величину
нуклонами, яка здійснюється за однією з таких
зв я (23.5)
схем:
1) Ця величина і є енергія зв’язку нуклонів в ядрі.
Протон випускає віртуальний π +
мезон і Співвідношення (23.5) практично не
перетворюється в нейтрон. Мезон поглинається порушується, якщо вважати, що mp = m н –
нейтроном, який внаслідок цього mе, а mя = mа – Zmе, де mн – маса атома
перетворюється у протон. Потім такий процес водню, mа – маса атома, який відповідає даному
відбувається у зворотному напрямку. Кожний із ядру, mе – маса електрона. Тому формулу (23.5)
взаємодіючих нуклонів частину часу проводить можна переписати так:
в зарядженому стані, а частину в нейтральному.
зв (23.6)
2)
Формула (23.6) зручна тим, що в таблицях як
Нейтрон і протон обмінюються мезонами.
правило приводяться не маси ядер, а маси
3)
атомів.
4)
Величина
Два протони або два нейтрони обмінюються
(23.7)
нейтральними π0 мезонами. Перша з цих трьох
схем обміну π-мезонами нуклонів називається дефектом маси ядра. Якщо дефект
експериментально підтверджується при маси виразити в а.о.м., то енергія зв’язку
вивченні розсіяння нейтронів на протонах. знаходиться за формулою:
Безперечно, процес взаємодії між нуклонами зв аом МеВ (23.8)
значно складніший і наведені схеми не що інше, Енергія зв’язку, яка приходиться на
як намагання унаочнити дії обмінних сил. один нуклон, тобто
Обмінні сили – це суто квантово-механічне пит зв (23.9)
поняття. називається питомою е ергією зв’язку нуклонів
в ядрі.
§23.3.Енергія зв’язку ядра
Якщо зв > 0, то ядро стабільне (щоб
Енергія зв’язку ядра – це енергія, розщепити його на складові частинки, йому
зв
яку необхідно затратити, щоб розщепити ядро необхідно надати енергію ззовні). Якщо зв < 0,
то ядро нестабільне (буде розпадатись само по
на окремі нуклони. Маса ядра я завжди менша
собі, або, як говорять, спонтанно).
суми мас частинок, які входять в його склад. Це
Вирахуємо питому енергію зв’язку
обумовлено тим, що при об’єднанні нуклонів в
ядро виділяється енергія зв’язку нуклонів один ядра .
з одним. Розв’язок:
Енергія спокою частинки зв’язана з її
485
Енергія зв'язку ядра. Моделі атомного ядра
нуклонами. Виникає так званий поверхневий
Маса атома дорівнює 16,000000 а.о.м. і ефект, подібний до поверхневого натягу в
тому дефект маси ∆ = +0,131920 а.о.м. Тоді рідинах.
енергія зв’язку зв = 0,131920 931,2 МеВ = Ще один ефект, який зменшує енергію
=122,84 МеВ, а питома енергія зв’язку пит = зв’язку ядер, – це кулонівське електростатичне
=122,84/18 = 7,68 МеВ/нуклон. відштовхування між протонами. Цей ефект
Для порівняння зауважимо, що енергія особливо проявляється для ядер з великим
зв’язку валентних електронів в атомах має масовим числом . Зв'язок між нуклонами стає
величину порядку 10 еВ, що в 10 раз менше 6 слабшим, а ядра менш міцними.
питомої енергії зв’язку ядер. На рис.23.1 Така залежність питомої енергії
зображений графік, який показує залежність зв’язку ядра від масового числа робить
питомої енергії зв’язку зв / від масового числа енергетично можливим два процеси: 1) ділення
важких ядер на декілька більш легких ядер і 2)
9
12 16O 208
Pb злиття (синтез) легких ядер в одне ядро. Обидва
C
8
4 60 96 144 183
ці процеси повинні супроводжуватись
МеВ/нуклон
He Ni Mo Nd W
7 ̇ 9
Be 8 238
U виділенням великої кількості енергії. Так,
Be
6
6
Li наприклад, поділ одного ядра з масовим числом
5
= 240 (питома енергія зв’язку дорівнює 7,5
Wзв ,
4
А
МеВ/нуклон) на два ядра з масовими числами

3
3
He
2
= 120 (питома енергія зв’язку дорівнює
1
2
H 8,5МеВ/нуклон) призвів би до виділення енергії
160 200 240

в 240 МеВ. Злиття двох ядер важкого водню
0 40 80 120
Масове число А в ядро гелію призвело би до виділення
Рис.23.1.
енергії 24 МеВ. Для порівняння скажемо, що
при з’єднанні одного атома вуглецю з двома
. Сильніше за все зв’язані нуклони в ядрах з атомами кисню (згорання вугілля до СО2)
масовими числами порядку 50 60 (тобто для виділяється енергія порядку 5 еВ.
елементів від Сr до Zn). Питома енергія зв’язку Ядра із значеннями масового числа
для цих ядер досягає 8,7 МеВ/нуклон. За від 50 до 60 є енергетично найбільш вигідними.
винятком декількох нерегулярностей, які У зв’язку з цим виникає питання: чому ядра з
спостерігаються для ядер , крива іншими значеннями є стабільними? Відповідь
на рис.23.1. порівняно плавна. Вона різко в наступному. Для того, щоб розділитись на
зростає при малих значеннях і вирівнюється декілька частин, важке ядро повинно пройти
при ≥ 30. З ростом пит поступово через ряд проміжних станів, енергія яких
зменшується; для найважчого природного перевищує енергію основного стану ядра. Отже,
елемента урану вона складає 7,5 МеВ/нуклон. для процесу ділення ядру необхідна додаткова
Така залежність пит від пояснюється таким енергія (е ергія а тивації), яка потім
чином. При малих нуклони на поверхні ядра повертається назад, додаючись до енергії, яка
не з усіх сторін оточені іншими нуклонами, що виділяється при поділі ядра внаслідок зміни
зменшує ефективність взаємодії з сусідніми енергії зв’язку. У звичайних умовах ядру не має
486
Моделі атомного ядра. Радіоактивність
звідки взяти енергію активації, внаслідок чого значення яких підбираються так, щоб отримати
важкі ядра не зазнають спонтанного поділу. узгодження з експериментом. З багатьох
Енергія активації може бути надана важкому моделей найбільш використовувані дві:
ядру додатковим нейтроном, який захоплюється краплинна та оболонкова.
ним. Процес поділу ядер урану або плутонію Краплинна модель. Ця модель була
під дією нейтронів, які захоплюються ядрами, запропонована Я.І.Френкелем в 1939 р. і потім
лежить в основі роботи ядерних реакторів і розвивалась Н.Бором та іншими вченими. Вона
звичайної атомної бомби. ґрунтується на аналогії між поведінкою
Щодо легких ядер, то злиття їх в одне нуклонів у ядрі та молекул в краплині рідини. В
ядро можливе, якщо вони підійдуть одне до обох випадках сили, що діють між складовими
одного на досить близьку відстань ( частинами короткодіючі та мають властивість
. Такому зближенню ядер заважає насичення. Рідина має сталу густину, ядерна
кулонівське відштовхування між ними. Для речовина також характеризується сталою
того, щоб подолати це відштовхування, ядра густиною, незалежно від числа нуклонів у ядрі.
повинні рухатись з великими швидкостями, які Об’єм краплини, як і об’єм ядра, пропорційний
відповідають температурам порядку декількох числу частинок, що в них знаходяться.
сотень мільйонів кельвін. Із-за цієї причини При отриманні певної енергії краплина
процес синтезу легких ядер називають ядерної рідини переходить у збуджений стан.
термоядер ою реа цією. Термоядерні реакції Отримана енергія в результаті зіткнень
протікають в надрах Сонця і зірок. В земних нуклонів швидко перерозподіляється між ними.
умовах поки що були здійснені некеровані Проте можуть виникнути такі умови, коли
термоядерні реакції при вибухах водневих отримана енергія концентрується на
бомб. поверхневому нуклоні або групі нуклонів. Якщо
ця енергія більша від енергії зв’язку частинки в
§23.4.Моделі атомного ядра ядрі, частинка може подолати поверхневі сили
ядерного притягання і вийти з ядра. Такий
Спроби створення теорії ядра
процес аналогічний випаровуванню молекули з
наштовхуються на серйозні труднощі: 1)
поверхні рідини краплини.
недостатні знання про сили, які діють між
Істотна відмінність ядра від краплини
нуклонами, 2) надзвичайна громіздкість
рідини в цій моделі в тому, що вона трактує
квантової задачі багатьох тіл (ядро з масовим
ядро як краплину електрично зарядженої
числом – це система із тіл). Ці труднощі
нестискуваної рідини (з такою самою густиною,
вимушують іти шляхом створення ядерних
як ядерна), яка підлягає законам квантової
моделей, які дозволяють описувати за
механіки. Краплинна модель ядра дозволила
допомогою порівняно простих математичних
отримати напівемпіричну формулу для енергії
засобів певну сукупність властивостей ядра. Ні
зв’язку нуклонів у ядрі, пояснила механізм
одна із подібних моделей не може дати
реакцій поділу ядер. Однак не змогла пояснити,
вичерпне описання ядра, тому приходиться
наприклад, підвищену стійкість ядер, які
використовувати моделі, кожна із яких описує
містять магічні числа протонів і нейтронів.
певні властивості ядра і своє коло явищ. В
кожній моделі містяться довільні параметри,
487
Радіоактивність. Основний закон радіоактивного перетворення ядер
Оболонкова модель ядра (1949-50 р., §23.5.Радіоактивність. Основний закон
німецький фізик Х.Йенсен, американський радіоактивного перетворення атомних
фізик М.Гепперт-Майєр) базується на ядер
припущенні, що нуклони в ядрі Радіоа тив і тю (від лат. r a d i o –
розташовуються на дискретних рівнях
випромінюю, r a d i u s – промінь і a c t i vu s –
(оболонках), заповнюючи їх згідно з принципом діючий) азивають амовіль е і по та е
Паулі. Стійкість ядер залежить від ступеня перетворе я ядер е тій их ізотопів од их
заповнення таких оболонок. Вважається, що елеме тів у ядра ізотопів і ших елеме тів, що
ядра з повністю заповненими оболонками
зумовле о в утріш іми причи ами та
найбільш стійкі. У відповідності з дослідом
упроводжуєть я α , , γ випромі юва ям,
особливо стійкими є ядра, у яких число
а та ож і ших ча ти о ( ейтро ів,
протонів, або число нейтронів (або обидва ці
прото ів).
числа) дорівнюють 2, 8, 20, 28, 50, 82, 126. Ці
Нижче наведено процеси, які
числа отримали назву магічних. Ядра, у яких
характеризують різні типи реакцій ядерних
число протонів Z або число нейтронів N є
розпадів природно радіоактивних ядер:
магічним (тобто особливо стійкі ядра), теж
α розпад: ;
називаються магічними. Ядра, у яких магічними
є і Z, і N, називаються два рази магіч ими. розпад: + ;
Два рази магічних ядер відомо всього
+
п’ять: розпад: + ;
захоплення: +
γ розпад: .
Ці ядра особливо стійкі. Зокрема, особлива Тут і позначають нейтрино і антинейтрино.
стійкість ядра гелію проявляється в тому,
Символом позначено ядро, яке
що це єдина складна частинка, яка
знаходиться у збудженому стані. Коли воно
випромінюється важкими ядрами при
повертається в свій основний стан то
радіоактивному розпаді (вона називається
випромінює квант.
α частинкою). Радіоактивність, яка спостерігається в
Нові експериментальні дані про ядрах, що існують у природних умовах,
властивості атомних ядер, які появились в називається природ ою. Радіоактивність ядер,
результаті подальших досліджень, виходили за які отримані за допомогою ядерних реакцій,
рамки обох теорій. Так виникла узагальнена називається штуч ою. Між природною та
модель (синтез краплинної і оболонкової) – штучною радіоактивністю немає принципової
оптич а модель ядра (пояснює взаємодію ядер різниці.
з елементарними частинками та ін.). Природні радіоактивні перетворення
ядер, які відбуваються самочинно, називаються
радіоа тив им розпадом. Ядро, що виникло
внаслідок розпаду, називають дочір им ядром, а
ядро, яке розпалось – матери ь им.
488
Теорія, яка пояснює це явище, формулі N0 – початкова кількість ядер, які не
ґрунтується на припущенні, що радіоактивний розпались на момент часу t = 0, N – кількість
розпад є спонтанним процесом. ядер, які не розпались на момент часу t.
Численні досліди показали, що на Кількість ядер, які розпались за час t,
швидкість радіоактивного розпаду не визначається виразом
впливають ніякі зовнішні зміни температури, (23.13)
тиск, наявність електричних і магнітних полів,
На рис.23.2 зображено залежність
вид хімічної сполуки, її агрегатний стан. З цього
випливає, що радіоактивний процес ln NN
0
відбувається в глибинних частинах атома, тобто

в його ядрі. Радіоактивний розпад – це
властивість самого атомного ядра, залежить
вона тільки від його внутрішнього стану. α
Внаслідок динамічності цього процесу t
природно припустити, що число ядер які
Рис.23.2.
розпадаються за інтервал часу від до від часу t. Вона дає змогу експериментально за
пропорційне до проміжку часу і кількості нахилом прямої визначити сталу розпаду ,
ядер, які ще не розпались на момент часу : тому що tgα = .
Серед ій ча життя. Середнім часом
Тут – стала величина, яку називають талою життя радіоактивного ядра називають середній
розпаду, або радіоа тив ою талою. Знак " час життя ядер в якому-небудь зразку, який
вказує на те, що загальна кількість містить ці радіоактивні ядра.
радіоактивних ядер під час розпаду Кількість ядер , що розпалась
зменшується ( Стала розпаду за проміжок часу від t до t+ визначаються
модулем виразу (23.10)
= (23.11)
дорівнює відносному зменшенню кількості Час життя кожного з цих ядер дорівнює t. Отже,
ядер, які зазнають розпаду за одиницю часу. сумарний час життя всіх N0 ядер, що були
Стала визначає швидкість радіоактивного спочатку, одержують інтегруванням
розпаду. виразу . Поділивши цю суму на число
Розділивши в рівнянні (23.10) змінні, ядер N0, одержимо середній час життя
та, проінтегрувавши, отримаємо: радіоактивного ядра:
Звідки:
(23.12) . (23.14)
Цей вираз виражає за о радіоа тив ого Стала розпаду є оберненою величиною до
розпаду, згідно з яким кількість ядер, які не середнього часу життя певного радіоактивного
розпались, зменшується експоненційно. У цій елементу. Тому (23.12) перепишеться так:
489
експоненційним законом.
, (23.15)
За одиницю активності препарату
де – це час, за який кількість ядер при
беруть один розпад за секунду – беккерель (Бк).
радіоактивному розпаді зменшиться в е = Часто користуються позасистемною одиницею,
=2,71828... раз. яку називають Кюрі (Кі):
Для характеристики стійкості ядер
відносно розпаду, для оцінки тривалості життя (3,7 1010 розпадів за 1 секунду відбувається в 1
певного радіоактивного ізотопу вводять поняття
грамі чистого радію ).
періоду піврозпаду T1/2.
Якщо відбувається ланцюжок
N
радіоактивних перетворень, то закон розпаду
N0
дає змогу робити висновок лише про
λ3
λ2 зменшення з часом материнської речовини.
N0 λ1
2 Якщо ж дочірня речовина також радіоактивна,
то одночасно відбувається і нагромадження цієї
речовини і її зменшення внаслідок розпаду. За
час dt розпадеться мNмdt ядер атомів
T12 T12 T12 t
материнської речовини із загальної кількості Nм
Рис.23.3. цих ядер, що були на момент часу t. Якщо з
кожного ядра материнської речовини
еріодом піврозпаду азиваєть я ча ,
утворюється одне ядро дочірньої, то за
протягом я ого почат ова іль і ть ядер
проміжок часу dt кількість ядер дочірньої
пев ої речови и розпадаєть я аполови у.
речовини збільшиться на мNмdt. Водночас з
З визначення T1/2 випливає, що
кількості ядер Nд дочірньої речовини, що були
.
на момент часу t, за проміжок часу dt
Звідси отримуємо: розпадеться д Nдdt.
(23.16) Загальна зміна dNд кількості ядер
Періоди піврозпаду різних природних дочірньої речовини за одиницю часу
ізотопів досить відрізняються один від одного. дорівнюватиме:
Так років для і д
= м д д.
=3 c для . У випадку рухомої рівноваги між
На рис.23.3 наведені графіки кривих д
материнською і дочірньою речовинами =0 і
розпаду при різних значеннях . Кіль і ть
м д умова радіоактивної рівноваги.
атомів, що розпадаєть я за од у е у ду
Звідси
азиваєть я а тив і тю елеме ту.
м м
Активність визначається такими = =
д м д
формулами:
Числа атомів обох речовин прямо
(23.17) пропорційні до періодів їх піврозпадів.
Отже, активність обернено пропорційна до Радіоактивний розпад записують у
періоду піврозпаду і зменшується з часом за вигляді рівняння
490
Дози іонізуючого випромінювання
Сімейства називають за найбільш
довгоживучим «родоначальником»: сімейство
де – материнське радіоактивне ядро, його
торію , нептунію , урану і
маса , дочірнє ядро (продукт розпаду),
актинідію . Кінцевими продуктами такого
його маса a – частинка, яка випускається, її
розпаду відповідно є: ,
маса . , тобто єдине сімейство нептунію (штучно
При радіоактивному розпаді радіоактивного ядра) закінчується нуклідом Ві.
справджується за о збереже я е ергії, згідно Всі інші (природно радіоактивні ядра) –
з яким повна енергія материнського ядра
нуклідами Pb.
дорівнює повній енергії продуктів розпаду
Дія γ випромінювання (а також інших
м д видів іонізуючого випромінювання) на
де – повна енергія розпаду, яка дорівнює речовину характеризується дозою іонізуючого
зміні енергії спокою материнського ядра м, випромінювання. Розрізняють такі одиниці
що перетворюється в кінетичну енергію випромінювання:
дочірнього ядра яке вилітає, і енергію огли ута доза випромі юва я (D) –
д,
квантів. фізична величина, що дорівнює відношенню
При радіоактивному розпаді ядер енергії поглинутого випромінювання до маси
виконується за о збереже я зарядових чи ел: опромінюваної речовини. Одиниця поглинутої

дози випромінювання – грей (Гр): 1Гр=1
я (23.19)
– доза випромінювання, при якій
де Zя – зарядове число ядра, яке зазнало
опромінюваній речовині масою 1кг передається
розпаду, – зарядові числа ядер і частинок, що
енергія довільного іонізуючого
виникли внаслідок розпаду.
випромінювання в 1Дж.
Крім того, виконується правило
Е позицій а доза випромі юва я (X)
збереже я ма ових чи ел:
– фізична величина, що дорівнює відношенню
я (23.20)
суми електричних зарядів всіх іонів одного
Ці співвідношення при радіоактивному розпаді
знаку, створених електронами, звільненими в
формують у вигляді правил зміщення, які дають
опромінюваному повітрі (при повному
змогу встановити, яке ядро виникає внаслідок
використанні іонізуючої здатності електронів),
розпаду певного материнського ядра. При
до маси цього повітря.
цьому розрізняють правила зміщення для
Одиниця експозиційної дози
випадків можливого α або розпаду.
випромінювання – кулон, поділений на
Ядра, які виникають внаслідок
кілограм , часто користуються
радіоактивного розпаду, також можуть бути
позасистемною одиницею – рентген (Р):
радіоактивними. Послідовність такого процесу
приводить до виникнення ланцюжка
При експозиційній дозі, яка дорівнює
радіоактивних перетворень, який закінчується
одному рентгену, в 1м3 сухого повітря при
стабільним елементом. Сукупність елементів,
нормальному атмосферному тиску виникає
яка утворює такий ланцюжок, називається
сумарний заряд іонів одного знаку, величина
радіоактивним сімейством.
яких 0,33 Кл.
491
Дози іонізуючого випромінювання. Ядерні реакції
Еквівалентна доза іонізуючого Природний фон створює потужність
випромінювання H це добуток поглинутої дози еквівалентної дози в межах 0,05 0,2
на середній коефіцієнт якості k іонізуючого Біологіч а доза – величина, яка вказує
випромінювання в даному елементі об'єму вплив випромінювання на організм. Одиниця
біологічної тканини стандартного складу біологічної дози – біологічний еквівалент
(O 76,2%, C 11,1%, H 10,1%, N 2,6%). Так рентгена (бер): 1 бер – доза довільного виду
як коефіцієнт k безрозмірна величина, то іонізуючого випромінювання, яка здійснює таку
розмірність H співпадає з розмірністю D. саму біологічну дію, яку здійснює доза
1 = 1Зв (зіверт). рентгенівського або випромінювання в 1Р:
Зіверт дорівнює еквівалентній дозі, (1бер=1 ).

при якій добуток поглинутої дози в біологічній отуж і ть дози випромі юва я –
тканині стандартного складу на середній величина, яка дорівнює відношенню дози
коефіцієнт якості дорівнює 1 випромінювання до часу опромінювання.
Еквівалентна доза іонізуючого
випромінювання є основною величиною, яка
§23.6.Ядерні реакції
визначає рівень радіаційної небезпеки при
хронічному опроміненні людини в малих дозах.
Ядер ою реа цією азиваєть я проце
Більш широко використовуються такі одиниці
иль ої взаємодії атом ого ядра з
вимірювання H як мілізіверт (мЗв), мікрозіверт
елеме тар ою ча ти ою або з другим ядром,
(мкЗв). При опроміненні всього тіла людини на
що призводить до перетворе я ядра (ядер).
протязі року допускається еквівалентна доза
Частинки починають взаємодіяти при
іонізуючого випромінювання не більше 250 Зв.
зближенні їх до відстані , при якій
Потужність еквівалентної дози
починають діяти ядерні сили.
іонізуючого випромінювання (потужність
Характер ядерної реакції визначається
еквівалентної дози) = . =1 . видом частинки, її енергією, властивостями
Зіверт за секунду дорівнює потужності речовини і умовами взаємодії. Зокрема,
еквівалентної дози, при якій за 1сек зіткнення частинок з ядром викликає різні
створюється еквівалентна доза в 1 Зв. ядерні реакції, в результаті яких відбувається
Час перебування в полі зміна заряду чи маси частинки або
випромінювання при низьких рівнях випускаються γ – кванти.
іонізуючого випромінювання вимірюється, як Типовим прикладом ядерної реакції є
правило, годинами (шестигодинний робочий процес взаємодії швидких α-частинок з ядрами
день, 36 годинний робочий тиждень). Тому азоту, при якій спостерігається виліт протонів.
надають перевагу такій одиниці потужності
+ +
еквівалентної дози як мікрозіверт за годину
( ) незалежно від розміру величини. Вперше ядерну реакцію такого типу здійснив
Допустима середньорічна потужність Резерфорд в 1919 р. Кількість відомих нині
еквівалентної дози при опроміненні всього тіла ядерних реакцій сягає уже тисячі.
людей, які працюють, дорівнює 28 За механізмом взаємодії ядерні реакції
при 36 годинному робочому тижні. можна поділити на два види:
492
Реакції поділу ядра
прямі ядерні реакції; складового ядра швидкість нейтрона, який
реакції з утворенням проміжного ядра. вилетів, звичайно менша, ніж швидкість
Прямі ядерні реакції відбуваються при захопленого первинного нейтрона. Оскільки
дуже високих енергіях частинок і за дуже первинні і вторинні нейтрони не можна
короткий час, необхідний для того, щоб розрізнити, таке явище сприймається як дещо
частинка пролетіла через ядро ( с). сповільнене розсіяння нейтрона з втратою
Наприклад, швидкий протон може вибити з частини його енергії. Такий процес має назву
поверхні ядра один з нуклонів і полетіти разом з епруж ого (резо а ого) роз ія я ча ти о .
ним. Проміжок часу, який потрібний
Більшість же ядерних реакцій з нуклону з енергією порядку 1 МеВ
кінетичною енергією частинок меншою 10МеВ для того, щоб пройти відстань, яка
проходять з утворенням проміжного ядра. Така дорівнює діаметру ядра , називається
ядерна взаємодія відбувається у два етапи. На ядерним часом (або ядерним часом
першому етапі відбувається захоплення прольоту ):
частинки ядром і виникнення проміжного ядра, м
с.
м
яке знаходиться у збудженому стані. Енергія
Середній час життя складового ядра
збудження складається з кінетичної енергії
частинки Wk і енергії зв’язку нуклона Wзв, який ( с) на багато порядків перевищує
приєднався: ядерний час . Отже, розпад проміжного ядра є

процес, який не залежить від першого етапу
зв
Енергія зв’язку нуклона в середньому дорівнює реакції, що полягає в захопленні частинки
8 МеВ. Тому складове ядро отримує досить (проміжне ядро якби забуває спосіб свого
велику енергію збудження. утворення). Одне і те саме ядро може
В ядерній взаємодії беруть участь розпадатися різними шляхами, причому
лише ближні до частинки нуклони, тому до них характер цих шляхів і їх відносна ймовірність
переходить основна частина енергії збудження. не залежить від способу утворення проміжного
Енергія, отримана такими нуклонами, ядра.
передається потім за участю ядерних сил Під час ядерної реакції зберігається
сусіднім і поступово статистично кількість нуклонів і сумарний заряд. Має місце
розподіляється між всіма нуклонами ядра. При лише перерозподіл нуклонів і заряду між
цьому відбувається значний розігрів ядра. ядрами та частинками. Збереження заряду і
Енергія збудження, розподілена рівномірно між кількості нуклонів дає змогу якісно визначити
всіма нуклонами, недостатня для подолання можливі напрямки перебігу ядерної реакції.
енергії зв’язку нуклона. Однак з часом Ядерні реакції супроводжуються
флуктуації збудженого ядра приводять до того, зміною кінетичної енергії взаємодіючих
що в одному нуклоні зосереджується енергія, частинок. Для ядер их реа цій ви о ують я
достатня для відриву його від ядра (W у > Wзв). за о и збереже я е ергії і імпуль у.
Тоді настає другий етап ядерної реакції –
викидання нуклона з ядра.
При захопленні нейтрона з утворенням
493
§ 23.7.Поділ ядер ядра урану. Ядра-фрагменти в реакції поділу
можуть бути, звичайно, різні, як це в дійсності і
В експериментах, які були проведені проявляється в експерименті. Типовими
Енріко Фермі, Еміліо Сегре та їхніми реакціями ядерного ділення є такі реакції:
співробітниками в 1934 р., ядра урану
бомбувались нейтронами. Опромінений
(23.22)
нейтронами уран проявляв при цьому штучну
радіоактивність з декількома невеликими
періодами піврозпаду. Оскільки на той час було
(23.23)
відомо, що ядра урану розпадаються з
випромінюванням α частинок з дуже великим
(тут – енергія, яка виділяється при реакції).
періодом піврозпаду, то Фермі і його
співробітники запропонували, що в них в урані активність, яку спостерігали Фермі
утворились трансуранові елементи (з Z > 92). і його співробітники, відбувалась від

Це припущення, однак, виявилось радіоактивних розпадів ядер-фрагментів,
неправильним. Отто Ган і Фріц Штрассман наприклад, від ядерних реакцій:
незабаром показали за допомогою дуже
ретельного хімічного аналізу, що одним із
елементів, які утворюються після бомбування
(23.24)
урану нейтронами, був ізотоп барію . І
тоді в1939 р. Отто Фріш і Ліза Мейтнер для реакції (23.23).
висунули важливу гіпотезу, що ядра урану після
бомбування повільними (тепловими) Нейтрони, які утворились
Ядро, яке деформоване зразу після поділу ядра
кулонівським
нейтронами зазнають реакції поділу, в відштовхуванням
Нейтрони, які утворились

Ядра-
фрагменти
результаті якої одне ядро урану розщеплюється Важке ядро
через деякий час

n
на два ядра приблизно однакової маси, але Повільний
нейтрон
менших розмірів.
Ці експерименти стали можливими
внаслідок відкриття Фермі і співробітників, -13
10 секунди Секунди - роки
суть якого в тому, що повільні (теплові)
нейтрони отримуються шляхом гальмування Рис.23.4.
нейтронних пучків за допомогою пропускання
їх через матеріали багаті воднем, наприклад, Коли ядро захоплює тепловий
через воду або парафін. нейтрон, енергія захопленого нейтрона
Реакція поділу ядер урану схематично розподіляється між нуклонами, які входять в
може бути представлена рівнянням: склад ядра. Потім, подібно рідкій краплині,
(3.21) ядро починає сильно деформуватись до тих пір,
поки кулонівське відштовхування його протонів
– повільний (тепловий) нейтрон, –
не розірве це ядро на два ядра-фрагменти, як це
надзвичайно нестабільний ізотоп урану, Х і У – показано на рис.23.4. Розподіл
ядра-фрагменти, які отримуються при поділі
494
ядер фрагментів, які отримуються при поділі Енергія ядерного поділу вивільняється
ядра урану, що захопило нейтрон, за масовими у формі кінетичної енергії ядер-фрагментів і у
числами показано на рис.23.5. вигляді кінетичної енергії електронів, фотонів,
Всі ядра фрагменти, які утворюються нейтрино і нейтронів, які випускаються ядрами-
при поділі ядра урану, мають надлишкове число фрагментами.
нейтронів. Із-за цього надлишку нейтронів вони Оцінимо порядок величини енергії, яка
є сильно нестабільними. Збуджені ядра- виділяється при реакції ядерного поділу (23.22)
-фрагменти майже зразу випромінюють і (23.23). В цих реакціях нестабільне ядро
нейтрони на протязі дуже короткого проміжку розщеплюється в кінці кінців на ядра-
часу порядку с. Крім цих зразу випущених фрагменти , 6 частинок і 2
нейтронів, є однак, інша група затрима их за нейтрони. Маси до і після поділу наступні.
ча ом нейтронів, які випромінюються ядрами-
фрагментами з періодом піврозпаду порядку До поділу: Після поділу:
декількох секунд (рис.23.4). Ці затримані за
часом нейтрони дуже важливі для здійснення 235,0439а.о.м.( 139,9054a.о.м.(
контролю за ядерними реакціями, які
відбуваються в атомному реакторі. 1,0087 а.о.м.( 93,9036а.о.м.(
.
̇
10
2,0173 а.о.м.(2
1
Число процесів поділу,%
101 0,0033а.о.м.(6 )
102
.
10 3 Дефект маси реакції
Маса надійно 235,8296 а.о.м. = 0,223а.о.м. Енергетичний
встановлена
10
4
Маса встановлена ефект реакції знайдемо за формулою (23.8):
передбаченням
=208Мев.
10 5
60 80 100 120 140 160 180
На один нуклон, який приймає участь в реакції
Масове число А
приходиться Мев/нуклон.
Рис.23.5.Крива виходу продуктів на один поділ.
При поділі на теплових нейтронах утворюються Для порівняння зазначимо, що енергія,
переважно ядра-фрагменти зі співвідношенням мас яка виділяється при α розпаді одного ядра,
2:3. Найімовірнішими продуктами поділу з виходом ≈
порядку 5МеВ, а енергія, яка виділяється в
6,5 % є ядра-фрагменти з масовими числами 95 і 139.
Поділ на однакові ядра-фрагменти є малоймовірними одному акті в хімічній реакції згорання,
(≈ 0,01 %). порядку 4 еВ.
При ядерній реакції поділу виділяється Нейтрони, які отримуються в реакції
досить велика кількість енергії. Ще трохи поділу, можна знову використовувати для
енергії виділяється при радіоактивному розпаді здійснення нових актів реакції поділу ядер і при
ядер-фрагментів. цьому буде звільнятись все більше і більше
495
Ланцюгова реакція поділу. Ядерний реактор
енергії. В «атомному котлі», який побудував Схематично ланцюгова реакція поділу
Фермі в Чикагському університеті, була ядер зображена на рис.23.6. Ланцюгова реакція
здійснена вперше самопідтримуюча ланцюгова поділу характеризується ое іціє том
ядерна реакція. Вона почалася 2 грудня 1942 р. розм оже я k ейтро ів, я ий дорів ює
Тепловими нейтронами діляться ще від оше ю іль о ті ейтро ів у да ому
ядра плутонія , урану технецію по олі і до їх іль о ті в поперед ьому
. Два останні ізотопи в природі не по олі і.
зустрічаються, їх отримують штучно. Одна із Виявляється, що не всі вторинні
схем реакції поділу ядер плутонію наступна: нейтрони, які утворюються, викликають
наступний поділ ядер, що призводить до
(23.25) зменшення k. По-перше, внаслідок скінчених
розмірів активної зони (простір, де відбувається
Зазначимо, що в цій реакції в одному акті ланцюгова реакція) і великої проникної
поділу виділяється чотири нейтрони, що здатності нейтронів, частина з них покине
приблизно в два рази більше, ніж в реакції активну зону раніше, ніж буде захоплена яким-
поділу (23.23). небудь ядром. По-друге, частина нейтронів
Реакцію поділу атомних ядер можна захоплюється ядрами домішок, що не діляться, і
викликати, бомбуючи ядра не тільки які завжди присутні в активній зоні.
нейтронами, але й іншими частинками, n
Br
наприклад, протонами, α-частинками і
n 235
U
γ квантами. В реакції поділу ядер можуть 235
U
Ba Ba
приймати участь, крім урану, плутонію, також і n
La
більш легкі елементи. Типовий приклад такої n Sr
Y
235 n
реакції поділу – реакція поділу ядер міді, яка U
n n
викликається протонами з енергією 60 МеВ, 235
U
прискорених на циклотроні: n
Kr
I
235
U n Rb n
(23.26) n
Xe 235
U
n
Cs
§23.8.Ланцюгова реакція поділу. Рис.23.6.
Ядерний реактор
Коефіцієнт розмноження залежить від
Для практичного застосування поділу
природи речовини, що ділиться, а для даного
важких ядер найважливіше значення має
ізотопу – від його кількості, а також від розмірів
виділення великої енергії при кожному акті
і форми активної зони.
поділу і поява при цьому 2 3 нейтронів. Кожен
Мінімальні розміри активної зони, при
з цих нейтронів взаємодіє з сусідніми ядрами
яких можливе здійснення ланцюгової реакції,
речовини, що, у свою чергу, спричиняє в них
називають ритич ими розмірами. Мінімальна
реакцію поділу, тобто відбувається
маса речовини, що ділиться, яка необхідна для
лавиноподібне зростання кількості актів поділу.
здійснення ланцюгової реакції, називається
Та а реа ція поділу азиваєть я ла цюговою.
496
ритич ою ма ою. Для зменшення втрат з’єднати шматки ядерного заряду в один
нейтронів і критичних параметрів речовини її шматок з масою, яка більша критичної. Це має
оточують відбивачем – шаром неподільної виконуватись дуже швидко і з’єднання шматків
речовини, яка має малий ефективний повинно бути дуже щільним. В противному
поперечний переріз для захоплення нейтронів і випадку ядерний заряд розлетиться на частини
великий переріз для їх розсіяння. перш, ніж встигне прореагувати значна частина
Обчислимо швидкість розвитку речовини, яка ділиться. Для з’єднання шматків
ланцюгової реакції. Нехай – середній час використовують звичайну вибухову речовину.
життя одного покоління нейтронів , а N – число Ланцюгова реакція в атомній бомбі
нейтронів у попередньому поколінні. В даному відбувається на швидких нейтронах. При
поколінні їх кількість дорівнює kN, тобто вибуху встигає прореагувати тільки частина
приріст кількості нейтронів за одне покоління ядерного заряду.
. Приріст кількості Керовані ланцюгові реакції
нейтронів за одиницю часу, тобто швидкість здійснюються в ядерних реакторах. Як
наростання ланцюгової реакції сировинні і подільні речовини в реакторах
. використовують , а також
. У природній суміші ізотопів урану
Інтегруючи цей вираз, отримуємо
ізотопу у 140 разів більше, ніж
, ізотопу .
де N0 – кількість нейтронів в початковий Теплова центральна
Дерево колона із графіту
момент часу, а N– їх кількість в момент часу t.
Свинець Кадмієвий захист Бетонний
При k>1 йде наростаюча реакція, кількість захист
поділів безперервно росте, і реакція може стати
вибуховою.
Аварійні
При k=1 йде самопідтримуюча стрижні
реакція, при якій кількість нейтронів з часом не
змінюється. При k<1 йде згасаюча реакція.
Ланцюгові реакції діляться на ерова і
і е ерова і. Вибух атомної бомби є
некерованою реакцією. При масі, близькій до
критичної, нейтрони швидко розмножуються і Пучок, який йде Блоки урану
до іонізаційної і графіту Кадмієві стрижні,
реакція набуває вибухового характеру. На камери Графітовий які контролюють
цьому ґрунтується дія атомної бомби. Ядерним відбивач роботу реактора
зарядом такої бомби є два або більше шматків Стрижень ручного

управління
239
майже чистого або Рu. Маса кожного
шматка менша критичної внаслідок чого Рис.23.7.
ланцюгова реакція не виникає.
В земній атмосфері завжди є деяка Велике значення в ядерній енергетиці
кількість нейтронів, народжених космічними має не лише здійснення ланцюгової реакції
променями. Тому, щоб викликати вибух, досить поділу, але і керування нею. ри трій, в я ому
497
здій юєть я і підтримуєть я ерова а водню – дейтерію D), а також ядра графіту (С) і
ла цюгова реа ція поділу, азиваєть я ядер им берилію (Ве). Для зменшення енергії нейтрона
реа тором. від 2 МеВ до теплових енергій у
В першому ядерному реакторі, який важкій воді (D2О) достатньо біля 25 зіткнень, в
схематично зображений на рис.23.7, містив 52 С і Ве – приблизно 100 зіткнень.
тонни урану у вигляді блоків, які були Тепловиділяючі елементи (твели) – це
перекладені приблизно 472 тоннами графіту, блоки з радіоактивного матеріалу, що
який виконував роль сповільнювача нейтронів. знаходиться в герметичній оболонці, яка слабо
В реакторі було 5 контролюючих стрижнів поглинає нейтрони. За рахунок енергії, що
(покритих кадмієм дуже в'язким матеріалом). виділяється при поділі ядер, твели
Для забезпечення безпеки було ще три стрижні розігріваються і їх поміщають в потік
з постійно прикладеним до них механічним теплоносія. Проходячи через активну зону,
навантаженням, яке заштовхувало їх в реактор теплоносій у вигляді газу, води або
(у випадку, якщо під час аварії відкаже розплавленого металу нагрівається і передає
електромережа). теплоту через спеціальний пристрій робочому
Речовиною, яка ділиться в реакторі, є тілу, наприклад, воді в паротурбогенераторі, а
235
природний (або дещо збагачений ізотопом U) потім знову поступає в активну зону реактора.
уран. Щоб перешкодити радіаційному Активна зона оточується тепловідбивачем, що
238
захопленню нейтронів ядрами U (яке стає зменшує витік нейтронів.
особливо інтенсивним при енергії нейтронів ~ Керування ланцюговою реакцією
7МеВ), порівняно невеликі блоки урану здійснюється спеціальними керуючими
розміщують на деякій відстані один від одного, стрижнями з матеріалів, що сильно поглинають
а проміжки між блоками заповнюють нейтрони (наприклад, кадмій). При повністю
сповільнювачем, тобто речовиною, в якій вставлених стрижнях реакція не йде. При
нейтрони сповільнюються до теплових поступовому вийманні стрижнів k росте і при
швидкостей. Такі теплові нейтрони ефективно певному положенні доходить до одиниці. В цей
235
взаємодіють з ядрами U. момент реактор починає працювати. В міру
Сповільнення нейтронів здійснюється його роботи кількість матеріалу, який ділиться в
внаслідок пружного розсіювання. В цьому активній зоні, зменшується і відбувається її
випадку енергія, яка втрачається частинкою, що забруднення фрагментами поділу. Щоб реакція
сповільнюється, залежить від співвідношення не припинилась, з активної зони за допомогою
мас частинок, які стикаються. Максимальна автоматичного пристрою поступово
кількість енергії втрачається у випадку, якщо виймаються керуючі стрижні. В реакторі є
обидві частинки мають однакову масу. З цієї аварійні стрижні, введення яких при збільшенні
точки зору ідеальним сповільнювачем повинна інтенсивності реакції зразу її припиняє. Кожний
бути речовина, яка містить звичайний водень, реактор має біологічний захист – систему
наприклад, вода (маси протона і нейтрона екранів із захисних матеріалів.
приблизно однакові). Ядра сповільнювача
повинні сильно пружно розсіювати нейтрони.
Цій умові задовільняють дейтрон (ядро важкого
498
Реакції синтезу легких ядер
§23.9.Реакції синтезу легких ядер водню ( ) до літію і особливо до гелію
.
Сонце втрачає величезну кількість Реакції синтезу атомних ядер мають ту
енергії, але з часом помітно не охолоджується. особливість, що в них енергія, яка виділяється
Цей факт був загадковим для фізиків до тих пір, на один нуклон, значно більша, ніж в реакціях
поки вони не відкрили існування ядерної поділу важких ядер. Справді, якщо під час
реакції. В 1938р. Ханс Бете висунув гіпотезу,
поділу ядра виділяється енергія приблизно
що за величезну кількість енергії, яка
0,84 МеВ на один кулон, то в реакції синтезу
вивільняється на Сонці і в інших зорях,
приблизно 3,5 МеВ на один нуклон, тобто в 4
відповідальні ядерні реакції, в яких два легких
рази більше.
ядра об’єднуються або зливаються і утворюють
Оцінимо температуру перебігу
одне більш важке ядро. Такі реакції
термоядерної реакції на прикладі синтезу ядра
називаються ядерними реакціями синтезу.
дейтерію . Для об’єднання ядер дейтерію їх
Як видно з рис.23.1, об’єднання двох
треба наблизити на відстань, що дорівнює
легких ядер, які належать до швидко зростаючої
радіусу дії ядерних сил r = 2 10-15м, долаючи
ділянки цієї кривої, в одне більш важке ядро дає
при цьому кулонівський бар’єр
ядро з більшою енергією зв’язку в розрахунку
. На кожне ядро, що стикається,
на один нуклон, ніж в ядер, які об’єднуються.
припадає 0,35 МеВ. Середній енергії теплового
Оскільки отримується більша питома енергія
руху 3kT/2, яка дорівнює 0,35МеВ, відповідає
зв’язку, сумарна маса вихідних ядер, які
температура порядку 2 109 К. Отже, реакція
зливаються, повинна зменшуватись і тому
синтезу ядер дейтерію може відбуватися лише
енергетичний ефект реакції повинен бути
при температурі, що перевищує на два порядки
позитивним і в реакціях синтезу енергія дійсно
температуру центральних ділянок Сонця
буде вивільнятися.
7
(1,3 10 К).
Оскільки для синтезу ядер необхідні
Однак для перебігу реакцій синтезу
дуже високі температури (§23.3), цей проце
атомних ядер достатньо температур порядку
азиваєть я термоядер ою реа цією.
107 К. Це пов’язано з двома факторами: 1) при
Для прикладу наведемо деякі реакції
температурах, характерних для реакцій синтезу
синтезу легких ядер та значення теплових
атомних ядер, речовина знаходиться в стані
ефектів :
плазми, розподіл частинок за швидкостями якої
+ = , ( =4,0Мев),
описується законом Максвелла, тому завжди є
+ = , ( =3,3Мев), деяка кількість ядер, енергія яких набагато
перевищує середнє значення; 2) синтез ядер
+ = ( =17,6Мев), може відбуватися внаслідок тунельного ефекту.
При високих температурах і тисках,
= + .( =22,4Мев).
які існують всередині Сонця і зірок, молекули
речовини дисоційовані на атоми, а високо
Виділення великих кількостей енергії
іонізовані атоми утворюють гарячу й активну
пояснюється тим, що питома енергія зв’язку
плазму. В цих умовах кулонівське
ядер різко збільшується при переході від ядер
відштовхування ядер може бути легко подолане
499
і ядра можуть зливатись одне з одним. В Тоді m = (4,031300-
результаті вивільняється величезна енергія. що дає тепловий ефект реакції
У зв’язку з тим, що водень – найбільш = 0,0276а.о.м. 931,2Мев/а.о.м.=25,7Мев.
поширений елемент у Всесвіті, Бете Цю енергію виносять із собою γ кванти,
запропонував, що в зірках здійснюється так нейтрони і ядро гелію, тобто α частинки.
званий «вуглецевий цикл». Вважається, що це Ще в одному циклі ядерних реакцій,
найбільш важливий ланцюжок ядерних реакцій, яка ймовірно існує, приймають участь в
при якому енергія виділяється внаслідок реакції основному протони, і тому він називається
злиття ядер: «протонно-протонним циклом». В ньому
+ відбувається наступний ланцюжок ядерних
реакцій:
б) + ; а) + ;
б) + γ; (23.28)
в) +
в) +
г) + (23.27)
В цьому ланцюжку реакції а) і б) повинні
д) + ; відбуватись по два рази, щоб отримались два
ядра , які потрібні для реакції в). В
e) + .
результаті всіх цих реакцій із чотирьох ядер
водню (протонів) утворюється одна
Розглядаючи уважно цей ланцюжок реакцій,
α частинка, 2 позитрони і 2γ кванти. Енергія,
переконуємось, що ядро вуглецю виступає як
яка виділяється в цьому циклі, дорівнює 26,2
каталізатор; з нього ланцюжок реакцій
МеВ.
починається, ним же він і закінчується. В
Вперше штучна термоядерна реакція
приведеному ланцюжку реакцій витрачається
була здійснена в СРСР (1953), а потім в США у
чотири ядра водню (протона – ) і
вигляді вибуху водневої (термоядерної бомби),
утворюється 3γ кванта, 2 нейтрино ( ), 2
що є некерованою реакцією. Вибуховою
позитрона ( і одне ядро гелію ( . Так що
речовиною, в якій проходила реакція +
по суті у вуглецевому циклі йде реакція
, є суміш дейтерію і тритію, а запалом
4 + .
– звичайна атомна бомба, під час вибуху якої
Вирахуємо різницю мас m для цієї реакції:
виникає необхідна для перебігу термоядерної
До реакції: Після реакції:
реакції температура.
Теоретичною основою для перебігу
4,031300 а.о.м.(4 4,002603 а.о.м.( )
штучних керованих термоядерних реакцій є
0,001098а.о.м( реакції типу + , що
відбуваються у високотемпературній плазмі.
Однак завдання полягає не тільки в створенні
умов, потрібних для інтенсивного виділення
енергії в термоядерних процесах, а здебільшого
500
в підтриманні цих умов. Для здійснення плазмовий шнур. Однак утримувати плазмовий
термоядерної реакції, яка сама себе підтримує, шнур в такому стані не вдається: відбуваються
потрібно, щоб швидкість виділення енергії в швидкі радіальні коливання – він то
системі, де відбувається реакція, була не менша розширюється, то знову стискається. Внаслідок
за швидкість відведення енергії від системи. нестабільності, нестійкості плазми у
Розрахунки показують, що для плазмовому шнурі виникають деформації, які
забезпечення самопідтримної керованої змінюють геометричну форму шнура.
термоядерної реакції температуру дейтерієвої Результатом цього є порушення термоізоляції,
плазми треба довести до кількох сотень інтенсивна взаємодія плазми зі стінками, що
мільйонів градусів. При температурах ~ 108К приводить до забруднення дейтерію речовиною
реакція має повну інтенсивність і стінок і швидкого охолодження плазми.
супроводжується виділенням великої енергії. Основним питанням, розв’язання
Так, при температурі 1,17 108K потужність, яка якого дозволить здійснити керовані термоядерні
виділяється в одиниці об’єму плазми при злитті реакції, є з’ясування умов, за яких
дейтерієвих ядер, становить 3кВт/ , у той час високотемпературна плазма в магнітному полі
як при температурі 1,17 106 K вона дорівнює належної конфігурації може зберегти стійкість.
лише . Розв’язання цього питання поряд з пошуками
Основною причиною втрат енергії шляхів підвищення температури плазми є
високотемпературною плазмою є її велика головним напрямом, в якому розвиваються
теплопровідність, яка швидко зростає ( дослідження керованих термоядерних реакцій.
при високих температурах. Енергія з плазми Можливість реалізації термоядерної реакції
може відводитися завдяки дифузії гарячих зводиться до необхідності виконання двох
частинок з області, де відбувається реакція, на вимог: наявності деякої мінімальної
стінки апарата, в якому міститься плазма. Якщо температури і певного обмеження для добутку
плазму не теплоізолювати від контакту з будь- концентрації n частинок у плазмі на час їх
якими навколишніми речовинами, то її можна утримання в плазмі. Ці умови називаються
нагрівати лише до кількох сотень тисяч ритерієм Лоу о а:
градусів, тому що енергія, яка виділяється
внаслідок реакції синтезу, виходитиме на
стінки. Інакше кажучи, треба втримати плазму в
заданому об’ємі, не допускаючи її розширення.
Ідею ефективної магнітної термоізоляції плазми
стосовно проблеми керованого термоядерного
синтезу запропонували А.Д.Сахаров і І.Є.Тамм
у 1950р. Якщо пропустити через плазму у формі
стовпа вздовж його осі великий електричний Контрольні питання
струм, то магнітне поле цього струму створює
1.Сучасні уявлення про будову
електродинамічні сили, які прагнутимуть атомного ядра.
стиснути плазмовий стовп. Отже, стовп плазми 2.Що таке дефект маси ядра?
буде відірваний від стінок і стягнутий у
501
3.Що таке енергія зв’язку ядра? Як
вона практично визначається?
4.Накресліть приблизний графік
залежності питомої енергії зв’язку від
масового числа ядра. Який висновок
можна зробити з такої залежності питомої
енергії зв’язку від масового числа?
5.Які існують види
радіоактивності?
6.Закон радіоактивного розпаду.
Які є характеристики радіоактивного
розпаду?
7.Які існують дози радіоактивного
випромінювання?
8.Дати визначення активності
радіоактивної речовини. В яких фізичних
одиницях вимірюється активність
радіоактивної речовини?
9.Отримання енергії при поділі
важких ядер. Принцип дії атомної бомби.
10.Отримання енергії при синтезі
легких ядер. Принцип дії водневої
(термоядерної) бомби.
11.Отримання енергії в ядерних
реакторах на атомних електростанціях.
502
Предметний показчик
Предметний показчик -характеристичне 332
Висота звуку 190
А Вітер електричний 50
Абсолютне чорне тіло 284 Вісь симетрії 259
Активність елемента 490 Власна енергія струму 138
Автоколивання 174 Власна частота 155
Акцептори 396 Власний напівпровідник 394
Анізотропія штучна 264 Внутрішній фотоефект 399
Аналізатори 253 Вольт-амперна
Антиферомагнетик 121 характеристика 412,421,443
Аперіодичний процес 164 Вузол електричного кола 71
Апертура:
-інтерференції 222 Г
-світловода 475 Гальванічний елемент 68
Атом водню 311 Генератор квантовий 456
Атомна модель 305 Генератор оптичний 461,463
Атомна одиниця маси 482 Герца досліди 201
Гіпотеза Планка 290
Б Гіромагнітне відношення 102
База 444 Гістерезис:
Бар’єр: - діелектричний 44
-висота 438 - магнітний 114
-потенціальний 353,436 Головна площина 253,260
- Шотткі 453 Головний максимум 245
Батарея сонячна 451 Градани 479
Бер 492 Група хвиль 183
Биття 158 Групова швидкість 184,273
Білінза Бі'є 216 Густина енергії випромінювання 283
Біпризма Френеля 215 Густина енергії:
Боровський радіус 315 -об’ємна 283
-спектральна 283
В Густина зарядів:
Варікап 446 -зв’язаних 37
Вектор: -лінійна 21
-електричного зміщення -об'ємна 22
(індукції) 38 -поверхнева 20
-намагнічування 100 Густина потоку енергії 182
-Пойтинга 201 Густина струму 61
-поляризації 36 Гучність звуку 191
-Умова 182
Вестона елемент 69,70 Д
Взаємна енергія струмів 140 Декремент згасання логарифмічний 163
Видність 214 Дефект маси 485
Випромінювальна здатність 283 Джерело струму 66
Випромінювання Диполь:
- вимушене 459 -електричний 31
-гальмівне 331 -магнітний 91
-елементарного диполя 204 Дисперсійна область 247
-рівноважне 282 Дисперсія:
-спонтанне 457 -аномальна 272
-теплове 281 -відносна 272
503
-кутова 246 Домішковий напівпровідник 395
-лінійна 246 Досліди:
-міжмодова 477 -Герца 202
-нормальна 272 -Девіссона і Джермера 337
-речовини 272 -Квінке 357
-світла 270 -Резерфорда 305,306,307
-середня 272 -Столєтова 112, 295
-хвиль 183 -Фарадея та Верде 270
-хроматична 477 -Франка і Герца 313
Дифракційна решітка 244 -Штерна і Герлаха 323
Дифракція 227 Дрейф носіїв заряду 405
Дифракція: Дуалізм корпускулярно-хвильовий 335
- Френеля 228, 230
- Фраунгофера 228, 240 Е
Дифузія 407 Еквіпотенційні поверхні 26
Дифузія носіїв заряду 407 Екстраструм 135
Дифузійна: Електрична стала 13
-довжина 411 Електрети 46
-швидкість 411 Електричний:
Дихроїзм 253,264 -вітер 50
Діаграма випромінювання -диполь 31
диполя 207 Електричний заряд 11
Діамагнетизм 107 Електризація через вплив 48
Діелектрики 29,30, 376 Електроємність відокремленого
Діелектрики: провідника 52
-іонні 33,35 Електрон 12
-неполярні 34 Електрона заряд питомий 12
-полярні 34 Електрони провідності 375,381,392,394
Дзеркала Френеля 215 Електронний газ:
Дірка (носій заряду) 336 -вироджений 381
Ділянка кола: -не вироджений 381
-неоднорідна 67 Електрорушійна сила 66
-однорідна 64 Елемент струму 75
Добротність коливальної системи 163 Елементарна комірка 362
Довгохвильова межа фотоефекту 298, 401 Електропровідність:
Довжина вільного пробігу 408 -металів 384-388
Довжина когерентності 220 -питома 65
Додавання взаємно перпендикулярних -темнова 401
коливань 158 Емісія:
Додавання однаково напрямлених -автоелектронна 360
коливань 157 -термоелектронна 418
Доза іонізуючого випромінювання: - холодна 360
-біологічна 492 Емітер 444
-випромінювання 491 Енергетична світність 283
-еквівалентна 491 Енергетичні зони 373
-поглинута 491 Енергія:
- експозиційна 490 -активації 395,486
Домен 34 -взаємна 140
Домени: -власна струму 138
- електричні 41, 414 -електричного поля 58
-магнітні 119,120 -електромагнітної хвилі 200
504
-зарядженого - Джоуля-Ленца 65
провідника 58 - діючих мас 393
-зв'язку електрона 309 -замкнутого кола 68
-зв’язку ядра 485 - збереження електричних зарядів 12
-конденсатора 58 - зміщення Віна 288
-магнітного поля 139 - Кірхгофа 284-285
-"нульова" 383 - Кулона 13
-пружної хвилі 181 -Кюрі 111
-струму 137 -Ленца 127
-Фермі 360,379,381,382 - Малюса 254
Ефект: - Мозлі 333
- Ганна 411- 416 - Ома 62 - 63
- Доплера 193,278-280 - Ома для густини струму 64
- Зеємана 322 - Ома в диференціальній формі для
- Керра 265 неоднорідної ділянки кола 67
- Комптона 303 - Ома в диференціальній формі для
- Коттона-Мутона 265, 267 однорідної ділянки кола 64
-обернений - Ома для однорідної
п'єзоелектричний 46 ділянки кола 63
-п'єзоелектричний 45 - Ома для неоднорідної ділянки
-піроелектричний 41 кола 68
-Поккельса 267 -Ома для замкненого кола 68
- тунельний 359 -повного струму 86,147
- Шотткі 423, 453 -радіоактивного розпаду 489
- Фарадея 269 -Релея 277
-Фредерікса 370 -Стефана-Больцмана 286
- Холла 97 -Фарадея 129
Ефективна: -фотоефекту 296
-густина станів 391 Заряд:
- маса 379 -зв’язаний 37
-питомий 98
-просторовий 421
Є Заселеність:
Ємність: -бар'єрна 445 -енергетичних рівнів 457
- електрична 52 -інверсна 461
-конденсаторів: плоского 54, Захист електростатичний 50
сферичного 56, циліндричного 55 Звук 189:
- кулі 53 -гучність 191
Ємність p-n переходу 445 -інтенсивність 190
-тиск 190
З -тональний 190
З’єднання конденсаторів: -швидкість 192
-паралельне 56 Зв’язок:
- послідовне 57 -гомеополярний (ковалентний) 365
Закон: -іонний 364
- Ампера 76 -металічний 366
- Біо-Савара-Лапласа 78 Здатність інтегральна випромінююча 283, 286
- Богуславського-Ленгмюра 422 Здатність поглинальна 284
- Брюстера 256 Зіверт 492
-Бугера-Ламберта-Бера 275 Зміщення:
-взаємозв’язку маси і енергії 485 - електричне 38
505
- зворотне 441 -екстинкції 277
- пряме 442 -дифузії 408
Зона: -згасання 160
- валентна 375 -поглинання 461
- заборонена 375 -питомого обертання 268
- провідності 375 -потужності 173
Зони: Коливання 148:
- енергетичні 373,377 -гармонічні 152
- Френеля 230 -вимушені 161
Зонна пластинка 233 -електромагнітні 205
-згасаючі 157
І Кольори тонких плівок 217
Ізобари 483 Конденсатори 53:
Ізомери 483 -з'єднання паралельне 56
Ізотони 483 -з'єднання послідовне 57
Ізотопи 483 -плоскиі 54
Імпеданс 172 -сферичниі 55
Інверсна населеність 461 -циліндричні 55
Інверсний шар 430 Контакт двох:
Індуктивність 134 - металів 424
Індуктивність взаємна 136 - напівпровідників 432
Індукція: Контактна різниця потенціалів 425
-електростатична 48 Контур:
-магнітна 207 -зі струмом в
-магнітного поля 78,80 магнітному полі 90
Інтенсивність хвилі 189,201 -ідеалізований 155
Інтерференційний максимум, мінімум -коливальний 151
185,212 Крива намагнічування 112
Інтерференція: Кристали 362
- Жамена 225 Критична маса, розміри 496
- Майкельсона 226 Куперовська пара 390
- світла 210 Кут Брюстера 256
- хвиль 185 Кут повороту площини поляризації 268
Кюрі точка 43,115
К
Кандела 450 Л
Квазімонохроматичне світло 219 Лазер 461
Квазістаціонарні процеси 154 Лазери:
Квантування Бора-Вільсона-Зоммерфельда - газові 469
317 - на неодимовому склі 468
Квантові числа 327 - напівпровідникові 471
Квантовий: - рубіновий 467
- генератор 461 Ларморова прецесія 108
- підсилювач 461 Лінії:
Кільця Ньютона 218 -індукції магнітного
Кірхофа правила 71 поля 80
Класична теорія електропровідності -напруженості електричного
металів 384 поля 15
Когерентність 186 Лінійна густина заряду 21
Коефіцієнт: Лінійчастий спектр поглинання 276
-дисперсії 272
506
Логарифмічний декремент -неосновні 397
згасання 163 -нерівноважні 400
-основні 397
М Нуклон 481
Магічні числа 488
Магнетон Бора 103, 321
Магнетрон 99 О
Магнітострикція 120 Об'ємна густина енергії:
Магнітна: -електричного поля 58
-напруженість поля 104 -магнітного поля 139
-стала 73 -теплового випромінювання 282
Мазер 456 Опір:
Маса фотона 298 -випромінювання диполя 208
Масове число 482 -від'ємний 175
Маятник пружний 153 -ємнісний 172
Мезони 484 -індуктивний 172
Метали 371,376 -критичний 165
Метод зон Френеля -питомий 63- 64
Моди в світловоді 475 -провідника 63
Модель ядра: Оптична:
-краплинна 487 -активність 267
-оболонкова 487 -вісь 259
Момент диполя 31 -густина 209
Момент механічний власний 324-325 -довжина шляху 212
Момент орбітальний магнітний 102,321 -накачка 467
Монохроматична хвиля 199 -різниця ходу 212
Н П
Надпровідність 388 Парамагнетизм 110
Намагніченість 100 Перехід електронно-дірковий 432 - 447
Намагнічування: Період:
-самодовільне 119 -дифракційної решітки 244
-спонтанне 119 -коливань гармоніяних 156
Напруга 67 -коливань згасаючих 162
Напруженість: -піврозпаду 490
-електричного поля 14 Петля гістерезису 114
-магнітного поля 104 Питома:
-поля як градієнт потенціалу 27 -енергії зв'язку 485
-поля поблизу зарядженого -теплова потужність 65
провідника 49 Площина коливань 251
-поля точкового заряду 14 Площина поляризації хвилі 200
Напруженість пробою 441 Повне внутрішнє відбиття 474
Напівпровідники 372, 376: Поверхні еквіпотенціальні 26
-акцепторні 395-396 Поглинальна здатність 284
-донорні 395 Поглинання світла 277
Напруга діюча 173 Подвійне променезаломлення 258
Напрям електричного струму 59 Поле електричне в діелектрику 37
Населеніть інверсна 460 Поле електричне в речовині 36, 427
Насичення магнітне 112 Поле електричне:
Нейтрон 482 -вихрове 132,133
Носії заряду: -зарядженого циліндра 21
507
-зарядженої кулі 22 Провідність:
-двох площин заряджених - власна 395
різнойменно 20,21 -діркова 397
-однорідне 16 -домішкова 395
-потенціальне 24 -питома 64
-сфери 22 -електронна 397
Поле магнітне 73,77 -напівпровідників 393
Поляризатори 253,263 Промені рентгенівські 330
Поляризаційні призми 262 Промінь:
Поляризація: -звичайний 259
-діелектриків 33 -незвичайний 259
-електронна 33 Проникність відносна:
-залишкова 44 - діелектрична 38
-іонна 33,35 - магнітна 105
-орієнтаційна 33,35 Просвітлення оптики 224
-самодовільна 40, 41 Просторове квантування 321
-світла 250,252 Просторова когерентність 221
-спонтанна 40, 43 Протон 482
Поляриметрія 268 Пуассона рівняння 28
Поляроїди 264, 268 Пьєзоелектрики 45
Порядок інтерференції 212
Постулати Бора 313 Р
Постулати Ейнштейна 297, 456 Радіоактивність 488
Потенціал: Радіус Бора 315
-поля системи зарядів 25 Реактанс 173
-точкового заряду 25 Реактор ядерний 497
Потік вектора: Реакції:
-електричного зміщення 38 -поділу ланцюгові 496
-магнітної індукції 87, 148 -термоядерна 487,499
-напруженості електричного поля -ядерні 494
16,17 -ядерного поділу 495
Потік енергії хвилі 182 Резонанс 167
Потокозчеплення 129, 135 Резонанс :
Потужність дози випромінювання 492 -напруги 168
Правила Кірхгофа 71 -параметричний 170
Правило: -струму 168
-"лівої руки" 84 Резонатор оптичний 463
-"правої руки" 85 Рентген (Р) 491
Принцип: Рівень:
-відповідності 299 - гучності 191
-Гюйгенса-Френеля 228 -Фермі в напівпровідниках 393
-доповнюваності 339 Рівні:
-невизначеності 341 -акцепторні 395
-Паулі 328 -донорні 396
-причинності 349 Рівняння:
Принцип суперпозиції: - Ейнштейна для
-електричних полів 15 фотоефекту 297
-магнітних полів 79 -Максвелла 148,149
-хвиль 183, 185 - Пуасонна 28
Провідник відокремлений 52 - хвильове 180
Провідники в електричному полі 47 -Шредінгера 348,349
508
Рідкі кристали 367-369 -коерцитивна 44,114
Різниця: -консервативна 24
-потенціалів 25 -Лоренца 95
-ходу хвиль геометрична 186,212 -струму 61
Робота: Сили:
-виходу електронів 360,419, 420 - сторонні 66
-сил електростатичного поля 24 -ядерні 483
-сторонніх сил над зарядами 66-67 Скін-ефект 142
Роздільна здатність 247 Смуги однакового:
Розміри критичні 497 -нахилу 217
Розпад: -товщини 218
-альфа 488 Соленоїд 83,88
- бета 488 Сонячні батареї 451,452
-радіоактивний 490 Спектр:
Розподіл Больцмана 380 -рентгенівський 330,331
Розсіяння: -характеристичний 332
-комптонівське 303 Співвідношення:
-молекулярне 278 -Ейнштейна 409
-світла 277 -невизначеностей
Рухливіть носіїв заряду 64,406 Гайзенберга 339
Спін електрона 102,324
С Спіраль Корню 239
Самоіндукція 133 Сприйнятливість:
Світло 208: -діелектрична 38
-квазімонохроматичне 219 -магнітна 105
Світловолокно: Стала:
-градієнтне 474 -Керра 266
-ступеневе 474 -Рідберга 310
Світлодіоди 447-450 -радіоактивного розпаду 489
Світло поляризоване: -Холла 97
-еліптично 250-252 Стан системи:
-лінійно 250-252 -нерівноважний 460,461
-по колу 250-252 -рівноважний 457
-плоско (лінійно) 250-252 Статистика:
-частково 250-252 - класична 380
Сегнетоелектрики 41 -Фермі-Дірака 379
Селективність 450 Струм:
Середній час життя 489 -вихровий 140
Середовище: -генераційний 442
-активне 463 -діючий 173
-пружне 176 -дифузійний 60
Серія: -Бальмера 311 -електричний 59
-Брекета 311 -ефективний 173
-Лаймана 311 -зворотний 441
-Пашена 311 -змінний 172
-Пфунта 311 -зміщення 146
-Хемфрі 311 -індукційний 141
Селфоки 479 -конвекційний 60
Сила: -насичення 423
-Ван дер Ваальса 369 -повний 147
-затримуюча 114 -пороговий 471
509
-постійний 61 -Томсона 156
-провідності 59 Фотодіоди: 447
-термоелектронний 422,423 -APD 478
Ступінь поляризацї 252 -p-i-n 478
Фотоефект:
Т -вентильний 399
Тверде тіло 361, 362 -внутрішній 399
Температура: -зовнішній 294
-Дебая 388 Фотон 298-301
-кольорова 294 Фронт хвилі 177
-критична 389 Функції власні 349
-радіаційна 293 Функція:
-яскравісна 293 -видності 213
Температурний коефіцієнт опору 63, 288 -густини станів 379
Теорема: -Фермі-Дірака 379
-єдиності в електростатиці 51 -хвильова 347
-Лармора 108
-Остроградського-Гаусса для Х
електростатичного поля 19 Характеристика спектральна 403
- Остроградського-Гаусса для Хвилі:
магнітного поля 87 -біжучі 179
-про циркуляцію вектора -де Бройля 336
напруженості магнітного поля 104 -електромагнітні 195
Тиск світла 301 -довжина 178
Тіло сіре 284 - інтенсивність 201
Томсона формула 156 -звукові 189
Тороїда магнітне поле 89 -когерентні 186
Тунельний ефект 359 -некогерентні 186
-плоскі 179
У -поздовжні 177
Умова вектор 182 -поперечні 177
Умови максимумів та мінімумів: -стоячі 187
-дифракційної решітки 245 -сферичні 180
-інтерференції 212,213 Хвильова поверхня 179
Хвильове рівняння 180
Ф Хвильовий опір 156
Фарада 53 Хвильовий пакет 183
Ферити 117,121 Холодна емісія 360
Феромагнетизм 112
Фон 191 Ц
Фонони 388 Циркулярція вектора:
Формула: -індукції магнітного поля 85
-Бальмера 310 -напруженості електростатичного
-Больцмана 380 поля 26
-Вульфа-Брега 250 -напруженості магнітного поля
-де-Бройля 336 104
-Лоренца 96 Цуг хвильовий 203
-Коші 271
-Планка 290 Ч
-Релея-Джінса 289 Час:
-Річардсона-Дешмана 423 -життя нерівноважних
510
неосновних носіїв заряду 404
-життя середній 489
-когерентності 220
-релаксації 163
-ядерного прольоту 493
Частинки віртуальні 484
Частота:
-власна 156
-основна 189
-резонансна 166,167
-хвилі 178
Числа квантові 327
Число:
-зарядове 482
-масове 482
-хвильове 178
Червона межа 298, 401
Ш
Шар:
-запірний 440
-збіднений 439
-інверсний 430
Швидкість:
- групова 184,273
-дифузійна 411
-дрейфова 61,406
- звуку 192
-середня квадратична 405
-світла 198
-фазова 180
-хвилі 180
Ширина:
-дифракційного максимуму 243
-інтерференційної смуги 213
-p-n переходу 439
Шкала електромагнітних хвиль 195,196
Я
Явище:
-електромагнітної індукції 124
-взаємної індукції 136
Ядерна модель атома 308
Ядерні сили 483
Ядро атома 482
Яма потенційна 351
Яскравість 467
511
Список літератури
Список використаної літератури

1. Калашніков С.Г. Електрика. Переклад з другого російського видання. - Київ:
«Радянська школа», 1964. - 630 с.
2. Савельев И.В. Курс общей физики. Т.2. Электричество и магнетизм. Волны.
Оптика - Москва: Наука, 1978. - 480 с.
3. Савельев И.В. Курс общей физики. Т.3. Квантовая оптика. Атомная физика.
Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. -
Москва: Наука, 1979. - 304 с.
4. Лопатинський І.Є., Зачек І.Р., Ільчук Г.А., Романишин Б.М. Фізика.
Підручник. - Львів: Афіша, 2009. - 386 с.
5. Парселл Э. Берклеевский курс физики. Электричество и магнетизм: Учебное
руководство: Пер. с англ./Под ред.А.Н.Шальникова и А.О.Вайсенберга –
3-е изд., испр. - Москва: Наука. Гл.ред. физ. -мат. лит., 1983.- 416 с.
6. Кучерук І.М., Горбачук І.Т. Загальна фізика. Електрика і магнетизм: Навч.
посібник/ за заг. ред.В.Й.Сугакова - Київ: Вища школа, 1990. - 367 с.
7. Кучерук І.М., Дущенко В.П. Загальна фізика. Оптика. Квантова фізика:
Навч. посібник. - Київ: вища школа, 1991.- 463 с.
8. Бутиков Е.Н. Оптика: Учеб. пособие для вузов/Под ред, Н.Н.Калитеевского -
Москва: Высш. шк., 1986. - 512 с.
9. Сивухин Д.В. Электричество. - Москва: Наука. Главн. редак. физ.-мат.лит.
1983.- 687 с.
10. Сивухин Д.В. Оптика. - Москва: Наука. Главн. редак. физ.- мат. лит.1980. -
751 с.
11. Акоста В., Кован К., Грем Б. Основы современной физики. Пер. с англ.
В.В.Толмачева, В.Ф.Трифонова; под ред. А.Н.Матвеева, - Москва:
Просвещение, 1981. - 495 с.
12. Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Барьеры. - Москва: Наука. Гл. ред. физ. -
мат.лит., 1987. - 320 с.
13. Шпольский Э.В. Атомная физика. Т.1, Введение в атомную физику. - Москва:
Наука. Гл.ред. физ.- мат.лит.,1974. - 575 с.
14. Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. - Москва, Ленинград.:
Государственное издательство технико-теоретической литературы,
1949. - 588 с.
15. Герасимов С.М., М.В.Белоус С.М., Москалюк В.А. Физические основы
электронной техники: учебное пособие для вузов. - Киев: Вища школа.
Головное издательство. 1981. - 386 с.
16. Шалимова К.В. Физика полупроводников. Учебник. Изд. 2-е перераб. и
доп. - Москва: «Энергия», 1976. - 416 с.
512
Список літератури
17. Василевский А.М., Кропоткин М.А., Тихонов В.В. Оптическая электроника. -
Ленинград: Энерго-атом - издат. Ленинградское отделение, 1990. - 176 с.
18. Ландсберг Г.С. Оптика: Учеб. пособие для вузов. - Москва: Наука. Гл.ред.
физ.- мат.лит.1976. - 926 с.
19. Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике.
Электродинамика. Перевод с англ. А.В.Ефремова, Г.Н.Копьелова,
Ю.А.Симонова. Под редак. Я.А.Смородинского – 2- ое издание. -Москва.:
Мир. 1977. – 347 с.
20. Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике.
Электричество и магнетизм. Перевод с англ. А.В.Ефремова,
Г.Н.Копьелова, Ю.А.Симонова. Под редак. Я.А.Смородинского – 2 - ое
издание.-Москва: Мир, 1977.– 300 с.
21. Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике. Физика
сплошных сред. Перевод с англ. А.В.Ефремова, Г.Н.Копелова,
Ю.А.Симонова. Под редак. Я.А.Смородинского – 2-ое издание.- Москва:
Мир, 1977. – 288 с.
К.; Ірпінь: Перун, 2005. - 864 с.
23. Гауэр Дж. Оптические системы связи: Пер.с англ. – Москва: Радио и связь.
1989. – 504 с.
24. Иванов А.Б. Волоконная оптика: компоненты, системы передачи, измерения. –
Москва: Компания САЙРУС СИСТЕМ. 1999. - 671 с.
25. Лукіянець Б.А., Понеділок Г.В., Рудавський Ю.К. Планетарна модель атома.
Квантування Бора - Вільсона - Зоммерфельда. Світ фізики
(наук.популяр.журнал, №4. 2009. 3 – 14 с.).
26. Филонович С.Р. Кавендиш, Кулон и электростатика. – Москва: Знание. 1988. –
64 с. - (Новое в жизни, науке, технике. сер.«Физика»; №8).
27. Смородинский Я.А. Родственники фотона. – Москва: Знание, 1986. – 64 с. –
(Новое в жизни, науке, технике. сер. «Физика»; №11).
28. Мигдаль А.Б. Квантовая физика и Нильс Бор. - Москва: Знание. 1987. –
64с. – (Новое в жизни, науке, технике. сер.«Физика»; №3).
29. Франк – Каменецкий Д.А. Электрическое сопротивление – квантовое явление.
– Москва: Наука. Глав.редак. физ.-мат. лит. 1984. (Научн.попул. физ.-мат.
журнал "Квант", №12, 1984. 2 - 9 с.).
30. Эдельман В. Металлы – Москва: Наука. Глав.редак. физ.-мат. лит. 1981.
(Научн. попул.физ.-мат.журнал "Квант", №5, 1981. 5 - 13 с.).
513
Для заміток
514

ФІЗИКА Скіцько І Ф ,Скіцько О І ПІДРУЧНИК PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

ФІЗИКА Скіцько І Ф ,Скіцько О І ПІДРУЧНИК PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

І.Ф.СКІЦЬКО, О.І.

Київ, КПІ ім. Ігоря Сікорського

Автори: Скіцько Іван Федорович, доцент, кандидат фіз.-мат. наук,

Ф 48 Фізика (Фізика для інженерів): Підручник / І.Ф.Скіцько,

Підручник написаний у відповідності з програмою по фізиці для студентів вищих технічних

УДК 534.1 535.8; 537.1 539.18

§2.1.Провідники, напівпровідники та §4.1.Електричний струм та його види.

§13.1. Дифракція хвиль.................................227

Розділ 17. Будова атома........305 §18.9.Розв'язок рівняння Шредінгера для

§20.3.Закони термоелектронної емісії.........421 Контрольні питання...........................481

Розділ 22. Елементи

Курс фізики у вищому навчальному закладі належить до

Для написання підручника використана література, список якої наводиться в

розповсюдження світла оптичними волокнами. Матеріал підручника максимально

Електромагнітна взаємодія на багато

швидкістю світла c  3  10 м/с), 8

справедливий закон всесвітнього тяжіння гравітаційної взаємодії.

Ньютона (1867р.): дві будь-які матеріальні Електричний заряд зв’язаний з

зустрічаєтьсявзаємна компенсація позитивних і тієї ж самої величини , тобто q=n , де

Закон Кулона можна записати у векторній сферичну симетрію електростатичного поля

формі: точкового заряду, оскільки величина 4

принципом відповідності: класичні закони є електромагнітних хвиль ми переконуємось, що

підкреслити, що питання про рівність нулю Властивості електричного поля вивчають

це питання експериментальне. за допомогою пробного точкового позитивного

Оскільки ряд важливих положень електричного заряду пр

властивостей поля – одне із найважливіших

стаціонарні електричні поля, тобто такі поля, пр (1.5)

Суттєвим фізичним змістом закону §1.5.Графічне зображення електричних

величини і напрямку вектора напруженості в

кожній точці поля за заданим розподілом у . E3

цій точці. іншому випадку в точці перетину силових ліній

E E Зв'язок між електричним полем і його

кут з вектором (рис.1.5). Тоді величину

будемо називати потоком вектора через

поверхню S ( – проекція вектора на

 означає елемент площини, зануреної у воду, то

змінюється від одного місця до іншого, але є

і напрямок співпадає з зовнішньою

сферичну поверхню . Для доведення елементарну площину dS1 дорівнює

розглянемо конус, який виходить із q і вирізає

n висновок, що потік вектора через замкнуту

вважатись основним законом (рис.1.11) з поперечним перерізом S , на

Теорема Остроградського – Гаусса може

в якому діє закон «обернених квадратів»,

Поверхнева густина заряду σ це кількість про те, що поле нескінченої рівномірно

кожній точці простору за межами площин прямої, яка перпендикулярна до проводу, а

Рис.1.15. Таким чином заряд всередині поверхні

Розглянемо окремі частинні випадки.

Тоді за формулою (1.19) напруженість пр

поля в точках на поверхні сфері S2 буде:

§1.10.Різниця потенціалів. Потенціал.

де dr – проекція вектора на напрямок дії Робота сил консервативного поля (1.22)

Якщо прийняти, що на нескінченно великій 1  qi qпр qi qпр ,

кожним із зарядів окремо. В той час як §1.11.Циркуляція вектора напруженості

розрахунок потенціалів є більш простим, ніж переміщені точкового заряду в

розрахунок напруженостей електричного поля. електростатичному полі по довільному

Геометричне місце точок з однаковим замкнутому контуру Г ( робота

= обчислений по довільному замкнутому контуру

Звідси, скалярний добуток . Так як Рис.1.22.

еквіпотенціальної поверхні. (рис.1.22).

Еквіпотенціальні поверхні точкового Співвідношення (1.32) є одним із

заряду – це сферичні оболонки навколо нього фундаментальних рівнянь електростатики, яке

При переміщенні пробного точкового  ;  .