Klaus Beuth

KLAUS BEUTH

L I N H K I Ệ N Đ I Ệ N

N g ư ờ i dịch: N G U Y Ễ N V I Ế T N G U Y Ê N

ĐẠI HÓC THÁI N G U Y Ê N

T R Ư N G TÁM H Ọ C L Ĩ Ẹ U

NHÀ XUẤT BẢN GIÁO DỤC

E l e k t r o n i k 2

K l a u s B e u t h

Bauelemente

18., uberarbeitete Auflage

unter Mitarbeit von Oỉaf Beuth

Vogel Buchverlag

Der Lizenzgeber (Vogel Industrie Medien) ùbertrágt dem Lizenznehmer (Higher Educational
and Vocational Book JSC Hanoi) das ausshliesstiche Recht zur Verởffentlichung in Buch
form dis Verkes in Vietnam.

Cuốn sách được xuất bản theo hợp đổng chuyển nhượng bản quyền giữa Công ty c ổ phần
Sách Đại học - Dạy nghề, Nhà xuất bàn Giáo dục và Nhà xuất ban Vogel Bucheveriag
Wíírzburg.

© Bản q u y ề n tiếng V i ệ t thuộc H E V O B C O - N h à xuất bản G i á o dục

183-2008/CXB/l 5-363/GD M ã số: 7 K 7 5 5 Y 8 - D A I

 LỜI GIỚI THIỆU

C ù n g với cuốn " M ạ c h đ i ệ n tử", cuốn " L i n h k i ệ n đ i ệ n t ử " hợp t h à n h ha

t r o n g bộ s á c h q u a n t r ọ n g n h ấ t phục v ụ cho l ĩ n h vực đ à o t ạ o n g à n h đ i ệ n t i
t i n học - đ i ệ n t ử v i ễ n t h ô n g đ ã được N X B "Vogel B u c h v e r l a g " - Cộng ho;
L i ê n b a n g Đức x u ấ t b ả n .
Cuốn " L i n h k i ệ n đ i ệ n tử" được c h ú n g tôi lựa chọn mua b ả n q u y ề n Vi
dịch sang t i ế n g V i ệ t vì đ â y là cuốn sách có n ộ i dung t ố t , đ ã được x u ấ t b ả n đê]
l ầ n t h ứ 18 và đ ã được n h i ề u nước n h ư : T r u n g Quốc, Â n Độ... mua b ả n quyền.
C u ố n " L i n h k i ệ n đ i ệ n t ử " gổm 14 c h ư ơ n g , n ộ i d u n g x u y ê n s u ố t của Ì'
c h ư ơ n g là n h ữ n g v ấ n đ ề r ấ t cơ b ả n v ề các l i n h k i ệ n đ i ệ n t ử , t ừ c ấ u tạo, đ ã
đ i ể m c ô n g n g h ệ c h ế tạo, n g u y ê n lý l à m việc, p h ạ m v i ứ n g d ụ n g đ ã đượ
c á c t á c g i ả t r ì n h b à y m ộ t c á c h n g ắ n gọn, dễ h i ể u v à s ú c t í c h . K é t t h ú c mổ
c h ư ơ n g đ ề u có c â u h ỏ i , b à i t ậ p g i ú p n g ư ờ i học ô n t ậ p v à k i ể m t r a n h ũ n :
n ộ i d u n g đ ã học. S á c h sẽ là giáo t r ì n h , t à i l i ệ u t h a m k h ả o b ổ ích cho n h i ề i
đ ố i t ư ợ n g và t r ì n h độ k h á c n h a u t r o n g l ĩ n h vực đ i ệ n t ử v i ễ n t h ô n g , l i
lường đ i ê u k h i ể n , t ự đ ộ n g hoa...
V i ệ c c h u y ể n đ ổ i n g ô n ngữ t ừ t i ế n g Đức sang t i ế n g V i ệ t c ũ n g n h ư lự;
chọn m ộ t h ệ t h ố n g k ý h i ệ u đ ã được c h u ẩ n hoa sao cho p h ù hợp và t r u y ề i
t ả i t r u n g t h à n h n h ữ n g n ộ i d u n g của b ả n gốc sang t i ế n g V i ệ t m ộ t c á c h dơi
g i ả n , d ễ h i ể u gặp k h ô n g ít k h ó k h ă n , n h ư n g n g ư ờ i dịch là n h à g i á o đ ã c
n h i ề u k i n h n g h i ệ m g i ả n g dạy m ô n " L i n h k i ệ n đ i ệ n t ử " v à đ ã được đ à o t ạ
ở Cộng hoa L i ê n b a n g Đức n ê n n h i ề u v ấ n đổ phức t ạ p gặp p h ả i t r o n g qu
t r ì n h dịch đ ã được k h ấ c phục.
M ặ c d ù n g ư ờ i dịch đ ã có n h i ề u cố gắng, n h ư n g chắc c h ắ n k h ô n g t r á n '
k h ỏ i còn n h ữ n g sai sót, mong b ạ n dọc t h ô n g c ả m v à m ọ i ý k i ê n đ ó n g gò
x i n g ử i v ề C ô n g ty S á c h Đ ạ i học - D ạ y n g h ề , N h à x u ấ t b ả n G i á o dục - 21
Hàn Thuyên, Hà Nội.
C h ú n g tôi hy v ọ n g cuốn " L i n h k i ệ n đ i ệ n tử" sẽ là t à i l i ệ u b ổ ích đ ố i ve
n h ữ n g ai học t ậ p v à q u a n t â m đ ô n l ĩ n h vực k ỹ t h u ậ t đ i ệ n t ử .
C h ú n g tôi sẽ t i ế p tục t ì m k i ê m các giáo t r ì n h , s á c h t h a m k h ả o có nó
dung t ố t đ ã được x u ấ t b ả n ở các quốc gia có n ề n giáo dục t r u y ề n t h ô n g , tiê
t i ế n k h á c n h a u đê c h u y ể n sang t i ế n g V i ệ t g i ú p cho n g u ổ n t à i l i ệ u phục V
D ạ y và Học t h ê m phong p h ú , t i ế p cận t r ì n h độ D ạ y v à Học t i ê n t i ê n , đ á
ứ n g các y ê u c ầ u n g à y c à n g n â n g cao của sự n g h i ệ p đ ổ i m ớ i giáo dục.
N h â n dịp x u ấ t b ả n l ầ n đ ầ u cuốn "Linh k i ệ n đ i ệ n tử" được dịch t ừ tiên
Đức sang t i ế n g V i ệ t , c h ú n g tôi xin gửi lời cảm ơn đ ế n N h à x u ấ t b ả n Vogi
Buchverlag - Cộng hoa Liên bang Đức, t ố i các dịch g i ả vê sự chia sẻ trong qu
t r ì n h hợp t á c cũng n h ư lời cảm ơn c h â n t h à n h tới sự quan t â m , đón n h ậ n V
những đóng góp của b ạ n đọc gần xa. Mong r ằ n g sự hợp t á c sẽ được tiếp tục.

NHÀ XUẤT BẢN GIÁO DỤ

 L Ờ I M Ở Đ Ầ U

C u ố n " L i n h k i ệ n đ i ệ n t ử " được t á i b ả n l ầ n t h ứ 18 v à o n ă m 2006 n ằ m

t r o n g bộ s á c h của N h à x u ấ t b ả n "Vogel Buchverlag" do n h i ề u t á c g i ả b i ê n
soạn. Bộ s á c h gổm 8 cuốn:
• Đ i ệ n t ử 1: Cơ sở k ỹ t h u ậ t đ i ệ n - Heinz Meister.
• Đ i ệ n t ử 2: L i n h k i ệ n đ i ệ n t ử - K l a u s B e u t h .
• Đ i ệ n t ử 3: M ạ c h đ i ệ n t ử - K l a u s B e u t h v à W o l f g a n g Schmusch.
• Đ i ệ n t ử 4: K ỹ t h u ậ t số - Klaus B e u t h .
• Đ i ệ n t ử 5: K ỹ t h u ậ t v i x ử lý - H e l m u t M i l l e r v à L o t h a r Wolz.
• Đ i ệ n t ử 6: K ỹ t h u ậ t đo lường - Wolfgang Schmusch.
• Đ i ệ n tử 7: Kỹ t h u ậ t t h ô n g t i n v i ễ n t h ô n g - Klaus Beuth và Gunther K u r z .
• Đ i ệ n t ử 8: K ỹ t h u ậ t Sensor - Wolfgang Schmusch.
Cuốn " L i n h k i ệ n đ i ệ n tử" c ù n g cuốn "Mạch đ i ệ n t ử " cung cấp cho b ạ n đọc
các k i ế n thức cơ sở l à m n ề n t ả n g trong n g à n h kỹ t h u ậ t đ i ệ n t ử v i ễ n t h ô n g .
T r o n g q u á t r ì n h b i ê n soạn, các t á c g i ả đ ã cố g ắ n g t h ể h i ệ n n ộ i d u n g rõ
r à n g , hộ t h ố n g hoa k i ê n thức và k ế t hợp với các đổ t h ị , h ì n h v ẽ v ố i n h i ề u chi
t i ế t có t í n h sư p h ạ m cao, cập n h ậ p k i ê n thức m ố i t h ê h i ệ n d ư ớ i d ạ n g n g ô n
ngữ kỹ t h u ậ t đơn g i ả n , d ễ t i ế p cận v à dễ n h ổ k h ô n g đòi h ỏ i n g ư ờ i đọc p h ả i
có k i ê n thức t o á n cao cấp. N ộ i d u n g có chứa n h i ề u ví d ụ v à b à i t ậ p có t í n h
thực t i ễ n đ ể n g ư ờ i đọc c ủ n g cố k i ế n thức v à có h ứ n g t h ú v ậ n d ụ n g t r o n g
thực t ế k ỹ t h u ậ t .
Đ ố i t ư ợ n g b ạ n đọc m à các t á c g i ả m u ố n h ư ớ n g t ố i đ ế c u n g cấp t à i l i ệ u
học t ậ p hoặc t h a m k h ả o b ổ ích t h i ế t thực là t ư ơ n g đ ố i r ộ n g r ã i : S i n h v i ê n
kỹ sư, k ỹ t h u ậ t v i ê n hay c ô n g n h â n k ỹ t h u ậ t . C á c đ ố i t ư ợ n g m u ố n t ự học đ ể
n â n g cao k i ê n thức cơ sở của c h u y ê n n g à n h c ũ n g sẽ t ì m được ở bộ s á c h n à y
n h ữ n g t h ô n g t i n h ữ u ích.

KLAUS BEUTH

4
 Chương 1

KỸ T H O Á T Đ O D Ù N G MÁY HIỆN S Ó N G (OXỴLO)

1.1. KHÁI N I Ệ M C H U N G

M á y h i ệ n s ó n g (oxylo) l à m ộ t t h i ế t bị t h ô n g d ụ n g v à đ a năn
d ù n g đ ể q u a n s á t v à t i ế n h à n h đ o l ư ờ n g d ạ n g t í n h i ệ u , có t h ể l ư u kí
q u ả n h ò cơ c ấ u n h ớ . T ê n g ọ i " O s z i l l o g r a p h " b ắ t n g u ổ n t ừ gốc L a t i n
" O s c i l l a r e - dao đ ộ n g " v à t ừ gốc H y L ạ p " g r a f e i n - g h i " . N h ư vạ
O x y l o g r a f có t h ể d ị c h n g h ĩ a l à bộ g h i l ạ i dao đ ộ n g g ổ m 3 c h ứ c n ă n
c h í n h : g i ữ l ạ i dao động, h i ể n thị và ghi l ạ i nó. Ngoài ra t ê n gi
O x y l o s c o p có ý n g h ĩ a c h ỉ g ổ m chức n ă n g q u a n s á t dao động.

Nhờ Oxyloscop có thể quan sát một dao động điện áp biến thiên the
thời gian thông qua đồ thị thời gian của nó trên màn ảnh: u = f(t).

f ụ (
ru >)
À V ỵ •—
\ ị st \
\ f [ ) V Ị
\ - •—
V ) )
Ui
Hình 1.1. Đổ thị thòi gian Hình 1.2. Đổ thị quan hệ phụ thuộc
của một điện áp. của u, vào U . 2

r, *' \
f f( '—í
\ / . :f{ í) 1
t \\ //
Ũ
RỊN' /f \\ ì /t
L i ' V\ t 1
v
- t )
Hình 1.3. Biến đổi dòng điện I thành một điện áp tương dương,
đổ thị thòi gian của dòng điện.

T i ế p t h e o có t h ể h i ể n t h ị m ố i q u a n h ệ h à m s ố g i ữ a h a i đ i ệ n í
u , = f ( U ) ( h ì n h 1.2). V ớ i c á c d ò n g đ i ệ n I ( t ) , k h ô n g t h ể b i ể u d i ễ n t r i
9

t i ế p m à cho ì c h ả y qua m ộ t đ i ệ n trở R đ ể n h ậ n được đ i ệ n á p l

t ư ơ n g đ ư ơ n g ( t ỷ l ệ ) có c ù n g q u y l u ậ t v ớ i I ( t ) v à v i ệ c h i ể n t h ị I ( t ) d ư
t h ự c h i ệ n g i á n t i ế p qua U ( t ) ( h ì n h R 1.3).
T ư ơ n g t ự vói việc b i ể u d i ễ n các đ ạ i lượng k h á c n h ư đ ư ờ n g sức
B(t), cường độ t ừ t r ư ờ n g H(t) hay t ầ n số f(t), trước t i ê n cần b i ế n d
c h ú n g v ề m ộ t đ i ệ n á p t ư ơ n g đ ư ơ n g có c ù n g q u y l u ậ t b i ế n t h i ê n , s a u đ ó
,0
hiên thị điện á p t ư ơ n g đương này. M ọ i p h é p quan s á t hoặc đo lưòng
đ ư ợ c t h ự c h i ệ n m ộ t c á c h g i á n t i ế p qua đ i ệ n á p t ư ơ n g đ ư ơ n g .

1.2. CÂU T Ạ O VÀ N G U Y Ê N LÝ HOẠT Đ Ộ N G C Ủ A MÁY H I Ệ N S Ó N G

N h ờ m ộ t c h ù m t i a đ i ệ n t ử được t ạ o ra t ừ m ộ t " s ú n g đ i ệ n t ử " c ủ a ô n g

t i a đ i ệ n t ử (xem c h ư ơ n g 14), c á c d ạ n g đ i ệ n á p u = f ( t ) h a y U j = f ( Ư ) 2

được h i ể n t h ị t r ê n m à n ả n h của ố n g t i a ( h ì n h 1.4). C á c t i a đ i ệ n t ử được

gia tốc c h u y ể n đ ộ n g n h a n h dọc theo t r ụ c ố n g t i a v à được l á i l ệ c h q u ỹ đ ạ o
tạo t h à n h các đường q u é t p h á t s á n g t r ê n m à n h ì n h t ừ t r ê n x u ố n g dưới
v à t ừ p h ả i qua t r á i n h ờ m ộ t h ệ t h ố n g l á i t i a đ ặ t t r o n g l ò n g ố n g t i a ( l o ạ i
đ i ề u k h i ế n l á i t i a b ằ n g đ i ệ n t r ư ờ n g - h ì n h 1.5 v à h ì n h 1.6).

Hình 1.4. Cấu tạo cđ bản của Hình 1.5. Nguyên lý làm lệch
một ông tia diện tử. (lái) tia điện tử theo chiều dọc.

Hình 1.6. Nguyên lý lái tia theo chiểu ngang.

Một cặp phiến điện cực điều khiển tia lệch theo phương thẳng đứng nhờ
điện áp đặt vào chúng gọi là cặp phiến Y.

Tương tự, một cặp phiến làm lệch tia theo phương nạm ngang gọi là cặp
phiến X.

N h ờ h ộ t h ố n g l á i t i a n à y , m ộ t t i a đ i ệ n t ử có t h ể q u é t đ ế n mỗi
đ i ể m t r ê n m à n h i ệ n t h ị . T r o n g o x y l o l o ạ i 2 t i a , Ống t i a đ i ệ n t ử có 2
s ú n g đ i ệ n t ử t ạ o r a h a i t i a v à do đ ó có h a i h ệ t h ố n g h ộ i t ụ v à l à m l ệ c h
t i a độc l ậ p n h a u , t h ô n g t h ư ờ n g do n h u c ầ u sử d ụ n g l o ạ i 2 t i a cặp
p h i ế n l ệ c h đ ứ n g độc l ậ p c ò n c ặ p p h i ế n l ệ c h n g a n g đ ư ợ c sử d ụ n g c h u n g
v à do đ ó h a i t í n h i ệ u đ ư ợ c h i ể n t h ị đ ổ n g t h ờ i t r ê n m à n v à có t h ổ đ ư ợ c
so s á n h v ớ i n h a u n h ò v i ệ c q u é t n g a n g c h u n g .

6
 Đ ộ l ệ c h t i a t r ê n m à n ( h i ệ u q u ả của v i ệ c l á i t i a b ằ n g đ i ệ n á p t r ê ]
các p h i ế n lệch) được đ á n h giá n h ò h ệ số lái t i a hay độ n h ậ y lái ti;
t í n h t h e o v / c m . Đ ơ n v ị v / c m được đ ị n h n g h ĩ a l à c ầ n bao n h i ê u v o l t đ
l à m l ệ c h t i a đ i đ ư ợ c Ì em t h e o c h i ể u n g a n g h o ặ c t h e o c h i ê u đ ứ n g .
K h i đ i ệ n á p t á c đ ộ n g v à o p h i ế n có g i á t r ị n h ỏ ( h ơ n I V ) c ầ n đ ù n
c á c m ạ c h k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p t r ư ớ c k h i đ ư a t ớ i c á c c ặ p p h i ế n l à m lộc]
( h ì n h 1.7 v à 1.8) - đ ư ợ c g ọ i t ư ơ n g ứ n g l à b ộ k h u ế c h đ ạ i X (cho đ i ệ n á
l à m l ệ c h n g a n g ) v à b ộ k h u ế c h đ ạ i Y (cho đ i ệ n á p l à m l ệ c h đ ứ n g ) .
C á c b ộ k h u ế c h đ ạ i X v à k h u ế c h đ ạ i Y có t h ể t h a y đ ổ i h ệ s
k h u ế c h đ ạ i , t h e o t ừ n g t h a n g ( t ừ n g bậc) v à t h a y đ ổ i l i ê n t ụ c t r o n g
t h a n g đ ã c h ọ n . K h i đ i ệ n á p v à o k h á l ớ n , t h ư ờ n g có b ộ s u y g i ả m (làn
y ế u t í n h i ệ u c ầ n q u a n s á t ) được sử d ụ n g t ạ i l ố i v à o n h ư h ì n h l.s
H ì n h 1.10 t h ể h i ệ n sơ đ ổ k h ô i t ổ n g q u á t c ủ a m ộ t m á y h i ệ n s ó n g , ba
g ổ m c á c k h ố i cơ b ả n n h ấ t . C á c lôi v à o X v à l ố i v à o Y l à k h ô n g đe
x ứ n g l u ô n có m ộ t cực t i ế p đ ấ t (0V) v à có đ i ệ n t r ở v à o k h o ả n g v à i M O .

Tin hiệu Y đặt tới lối vào Y, qua bộ suy giảm Y, qua bộ khuếch đại Y, đè
tới cặp phiến lệch Y.

Khuếch đại Khuếch đại

Đầu vào Đầu ra Đầu vào X Đầu ra
*/'/" r

Hình 1.7. Bộ khuếch đại Y có thể điều Hình 1.8. Bộ khuếch đại X, có thê điều
chỉnh hệ sô khuếch đại liên tục hay chỉnh hệ số khuếch đại liên tục hay
từng nấc. từng nấc.

B ộ k h u ế c h đ ạ i Y t h ư ờ n g là bộ k h u ế c h đ ạ i m ộ t c h i ề u (xem c h ư ơ n
4), n ó k h u ế c h đ ạ i cả t h à n h p h ầ n m ộ t c h i ề u của t í n h i ệ u Y . K h i k h ô n
m u ố n b i ể u d i ễ n t h à n h p h ầ n m ộ t c h i ề u n à y , có t h ể n ố i m ộ t t ụ đ i ệ i
p h í a t r ư ớ c n h ờ m ộ t c h u y ể n m ạ c h có g h i r õ " c h u y ể n m ạ c h A C / D C " .
Á C : d ò n g đ i ệ n hoặc đ i ệ n á p xoay
c h i ê u ( b i ê n t h i ê n theo t h ờ i gian).
DC: dòng điện hoặc đ i ệ n áp
T
một chiều (không đổi theo thời Đầu vào I
g i a n ) , k h i ở vị t r í Á C t h ì t ụ c được li
nối vào.
Đẩu ra
Tin hiệu X đặt tới lối vào X, qua
bộ suy giảm X, qua bộ khuếch
Hình 1.9. Cấu tạo bộ suy giảm
đại X đặt tới phiến làm lệch X.
đầu vào X hoặc đầu vào Y.
 T í n h i ệ u t r ê n m à n ả n h có t h ể được d ị c h c h u y ể n t h e o h a i chiều:
t h ắ n g đ ứ n g v à d ị c h n g a n g t h e o ý m u ố n c ủ a n g ư ờ i sử d ụ n g ( đ a n g q u a n
s á t t í n h i ệ u ) . K h i đ ó c ầ n b ổ s u n g v à o t í n h i ệ u Y (cho d ị c h c h i ề u đứng
t ạ i p h i ế n l à m l ệ c h Y ) h o ặ c v à o t í n h i ệ u X (cho d ị c h c h i ề u n g a n g , t ạ i
p h i ế n l à m l ệ c h X) các giá t r ị đ i ệ n á p m ộ t c h i ề u t h í c h hợp. C á c chức
n ă n g t r ê n do t ầ n g " d ị c h Y " h a y t ầ n g " d ị c h X " t h ự c h i ệ n . K h i đ ó t i a
đ i ệ n t ử được dịch t ị n h t i ế n theo c h i ề u t ư ơ n g ứ n g t ù y g i á t r ị v à cực
t í n h của các đ i ệ n á p m ộ t c h i ê u n à y .

Chuyển mạch AC-DC

Xái
Y- vào Bô suy giảm Y Khuyếch đại Y

CỔ 1

Dãn Y
Tạo tia điện từ, hôi
Dãn X tụ tia, gia tốc tia

X- vào Bô suy giảmY Khuyếch đai X

ỉa
Tạo điện áp quét
dạng răng cua

Đổng bộ
trong
Đổng bộ lưới Mạch
đổng bộ
Chuyên mạch? Trigơ lật
Mạng điện trang thái
công nghiệp i n
Đổng bộ ngoài Lật từ ngoài
Hình 1.10. Cấu trúc khôi của một Oxylo.

c c \
—>
ệ p \ • A
• NÌ —«" <- V

V ) \ )

Hình 1.11. Đổ thị điện áp Hình 1.12. Đổ thị điện áp

khi dịch đứng (lên). khi dịch ngang (phải).

K h i m u ố n t h ể h i ệ n sự p h ụ t h u ộ c h à m s ố c ủ a đ i ệ n á p t h e o t h ò i
gian c ầ n d u y t r ì tốc đ ộ q u é t của t i a đ i ệ n t ử ( t ừ t r á i q u a p h ả i ) không

8
đ ổ i . N g h ĩ a l à t h ờ i g i a n l à m l ệ c h t i a cố đ ị n h theo m ộ t d ò n g q u é t (ví d ụ
t h ờ i g i a n q u é t (chu k ỳ q u é t ) m ộ t d ò n g t ừ t r á i qua p h ả i là 1/50 giây).
Đ i ệ n á p t h ự c h i ệ n v i ệ c l á i t i a được g ọ i là đ i ệ n á p q u é t , có d ạ n g r ă n g
c ư a ( h ì n h 1.13) được t ạ o r a t ừ m ộ t bộ p h á t x u n g r ă n g c ư a :
T ầ n s ố của đ i ệ n á p r ă n g c ư a có t h ế
t h a y đ ổ i theo n h i ề u t h a n g v à t h a y đôi
liên tục t r o n g m ỗ i thang. T ầ n số n à y
c à n g l ớ n t h ì tốc đ ộ q u é t của t i a đ i ệ n t ử
càng nhanh.
K h i m u ố n h i ể n t h ị m ộ t chu k ỳ đ i ệ n
._Chu kỳ - _
á p h ì n h sin, t í n h i ệ u n à y c ầ n đ ư a t ố i l ố i lặp ĩ
v à o Y; đ i ệ n á p r ă n g c ư a được đ ư a t ớ i lôi Hình 1.13. Điện áp quét dạng
v à o X. C h u k ỳ của h a i đ i ệ n á p n à y p h ả i răng cưa.

b ằ n g n h a u ( h ì n h 1.14, T = T ) .
x v

Hình 1.14. Quan hệ giữa chu kỳ của tín hiệu Y và chu kỳ của điện áp răng cưa.

N ế u T * Ty h ì n h t r ê n m à n sẽ k h ô n g đ ứ n g v ữ n g (bị t r ô i đi)
x

N ế u T = 2Ty t r ê n m à n sẽ x u ấ t h i ệ n h a i c h u k ỳ t í n h i ệ u h ì n h s i n .
x

Ta chỉ nhận được hình vững trên màn khi T bạng bội số nguyên
x của Ty.

T a n ó i t í n h i ệ u c ầ n q u a n s á t Uy v à t í n h i ệ u q u é t n g a n g U x được
đ ổ n g bộ n h a u v ề t ầ n số. Có t h ể t h ự c h i ệ n v i ệ c đ ổ n g bộ b ằ n g đ i ề u
c h ỉ n h t a y n h ư n g k h á k h ó k h ă n , c á c oxylo n g à y nay được đ ặ t ỏ c h ế đệ
t ự đ ộ n g b á m đ ổ n g b ộ n h ờ k h ố i đ ổ n g bộ t r o n g c ấ u t r ú c h ì n h 1.10.
T ầ n g đ ổ n g b ộ có t h ổ h o ạ t đ ộ n g ở c á c c h ế độ k h á c n h a u n h ư :
• Đ ổ n g bộ theo l ư ớ i đ i ệ n 50Hz.

í
 • Đ ổ n g bộ theo các đ i ệ n á p n g o à i đ ặ t v à o đ ể đ i ề u k h i ể n .
• C h ế độ t ự đ ổ n g bộ k h i t í n h i ệ u Y trực t i ế p được sử d ụ n g (bằng
c á c h t r í c h ra) đ ể đ i ề u k h i ể n đổng bộ tín h i ệ u X.

ở c h ế độ t ự đ ổ n g bộ, c h u y ể n m ạ c h chọn c h ế đ ộ đ ổ n g b ộ ở vị t r í " + "

là c h ọ n p h ầ n d ư ơ n g c ủ a t í n h i ệ u Y ; c ò n ở v ị t r í " - " l à c h ọ n p h ầ n âm
của t í n h i ệ u Y .
K h ố i n g u ổ n n u ô i c u n g c ấ p c á c m ứ c đ i ệ n á p k h á c n h a u cho o x y l o .
K h ố i n g u ổ n cao á p đ i ề u k h i ể n c ư ờ n g đ ộ d ò n g t i a đ i ệ n t ử v à do v ậ y
đ i ề u k h i ể n đ ộ s á n g của h ì n h ả n h t r ê n m à n . N g o à i r a v i ệ c đ i ề u c h ỉ n h
c á c g i á t r ị đ i ệ n á p m ộ t c h i ể u v à o c á c đ i ệ n cực c ủ a ố n g t i a đ i ệ n t ử có
t h ể t h a y đ ổ i đ ộ h ộ i t ụ ( đ ộ n é t ) của t i a đ i ệ n t ử . C á c c h i ế t á p đ i ề u c h ỉ n h
độ s á n g hay đ ộ n é t đ ề u được đ ặ t ở p h í a n g o à i m ặ t t r ư ớ c oxylo cho
n g ư ờ i sử d ụ n g t h a o t á c k h i c ầ n h ì n h ả n h r õ n é t t h e o ý m u ô n .

1.3. SỬ DỤNG MÁY HIỆN SÓNG

Có r ấ t n h i ê u c h u y ê n m ạ c h v à các n ú m đ i ề u c h ỉ n h t r ê n m ặ t trước
oxylo. T h ư ờ n g c h ú n g được ghi k ý h i ệ u v à t h ô n g t i n c ầ n thiết cho
n g ư ờ i sử d ụ n g , do n g u ổ n gốc s ả n x u ấ t r ấ t đ a d ạ n g n ê n k h ô n g có quy
t ắ c c h u n g cho v i ệ c k ý h i ệ u n à y . D o sử d ụ n g ố n g t i a đ i ệ n t ử , v i ệ c k h ở i
đ ộ n g o x y l o c ầ n có t h ờ i g i a n v à i c h ụ c g i â y t ớ i v à i p h ú t đ ể t ạ o t i a cho
t ố i k h i có t i a q u é t n g a n g t r ê n m à n ả n h . Đ i ề u c h ỉ n h đ ộ s á n g c ủ a tia
t h í c h h ợ p ; đ i ê u c h ỉ n h c á c n ú m d ị c h X v à d ị c h Y cho t i a n ằ m chính
giữa m à n h ì n h . Chọn thời gian l à m lệch (thời gian q u é t ) t h í c h hợp.
Chọn độ n é t tia p h ù hợp.

Hình 1.15. Chuẩn thang Hình 1.16. Biểu diễn đường hình sin
cho lệch Y. có biên độ 20mV và tẩn s ố 6,67kHz.
T ù y theo tín h i ệ u Y cần quan s á t (về t ầ n số v à v ề b i ê n độ) cần
c h ọ n c á c c h ế đ ộ c ủ a o x y l o cho p h ù h ợ p , đ ư ợ c g ọ i l à c h u ẩ n t h a n g c h i a
c h i ề u đ ứ n g (V/cm) v à c h i ể u n g a n g (ms/1 t h a n g chia). V í d ụ t r ê n h ì n h Ì 15
có c h u ẩ n t h a n g c h i ề u đ ứ n g l à 0 , l V / c m ( k h i đ i ệ n á p đ ặ t t ớ i p h i ế n l ệ c h
Y t h a y đ ổ i 0,1V t h ì t i a dịch đi l e m theo c h i ề u đ ứ n g ) .

10
 G i á t r ị c h u ẩ n theo t r ụ c n g a n g là 1 0 m s / l t h a n g c h i a ( t i a q u é t n g a n g
được Ì đ ơ n vị t h a n g chia cần Ì t h ò i gian là lOms).
Việc c h u ẩ n t h a n g chia là quan trọng n h ấ t t r o n g việc đo đạc các
t h a m số của t í n h i ệ u Y đ a n g quan s á t .
Ví dụ: B ộ l à m lệch Y của m ộ t oxylo được đ ặ t ở l O m V / 1 đ ơ n vị
t h a n g chia v à độ lệch t h ờ i gian đ ặ t là 2 5 m s / l đơn vị t h a n g chia.
Như trên hình 1.16 xuất hiện điện áp h ì n h sin t r ê n m à n ảnh.
H ã y t í n h g i á t r ị b i ê n đ ộ đ ỉ n h v à t ầ n s ố c ủ a dao đ ộ n g đ a n g q u a n s á t .
T h e o t r ụ c t h ò i g i a n : Ì c h u k ỳ h ì n h ả n h c h i ế m k h o ả n g 6 ô (6 đ ơ n v ị
c h i a n g a n g ) v ậ y c h u k ỳ T = 6.25|IS = 150^s.
T h e o t r ụ c t h ẳ n g đ ứ n g b i ê n đ ộ h ì n h ả n h t ừ đ ỉ n h t ớ i đ ỉ n h c h i ế m 40
(4 đ ơ n vị c h i a dọc), v ậ y b i ê n đ ộ đ ỉ n h - đ ỉ n h c ủ a h ì n h ả n h l à :
4.10mV= 40mV
Biên độ đỉnh: ù = 20 m V

Tần số của tín hiệu f = — = —ị— * 6,67 kHz

T 150|as
Có l o ạ i o x y l o k h ô n g có c h u ẩ n t h a n g c h i a b ê n t r o n g , k h i đ ó c ầ n
c h u ẩ n t ừ c á c đ i ệ n á p Uy v à Ư x biết trước đ ặ t vào đ ầ u v à o t ư ơ n g ứng
đ ể c h u ẩ n t ừ n g o à i , s a u đ ó m ớ i đ ư a t í n h i ệ u c ầ n đ o v à o đ ể so s á n h v ớ i
c á c m ẫ u đ ơ n v ị c h i a v ừ a có, n ế u c h ư a p h ù hợp c ầ n c h u ẩ n l ạ i . T u y
n h i ê n c á c t h ế h ộ o x y l o sau n à y được c h u ẩ n t h a n g m ộ t c á c h t ự đ ộ n g v à
đa dạng.

CÂU HỎI ÔN TẬP

1. Việc đ i ề u k h i ể n tia điện tử lệch ngang và lệch đ ứ n g xảy ra trong

ống tia đ i ệ n t ử n h ư t h ê nào?
2. N h i ệ m v ụ của bộ k h u ế c h đ ạ i Y.
3. B ộ t ạ o đ i ệ n á p r ă n g c ư a d ù n g v à o v i ệ c gì?
4. C ầ n h i ể u "sự đ ổ n g b ộ " t r o n g o x y l o n h ư t h ế n à o ?
5. C h u y ể n m ạ c h Á C - D C t r o n g m ỗ i o x y l o có ý n g h ĩ a g ì ?
6. T r ụ c t h ờ i g i a n t r ê n m à n h ì n h oxylo được t ạ o r a n h ư t h ế n à o ?
7. V i ệ c c h u ẩ n đ ộ l ệ c h n g a n g có ý n g h ĩ a gì?
8. N h i ệ m v ụ của t ầ n g Trigơ trong cấu t r ú c k h ố i của oxylo h ì n h 1.10.

li
 Chương 2

Đ I Ệ N T R Ở TUYÊN TÍNH VÀ Đ I Ệ N T R Ở PHI TUYÊN

2 . 1 . C Á C TÍNH C H Ấ T C H U N G

Đ i ệ n á p v à d ò n g đ i ệ n là h a i t h ô n g s ố x á c đ ị n h t r ạ n g t h á i v ề đ i ệ n của
m ộ t p h ầ n t ử trong m ạ c h điện. Quan h ệ giữa 2 đ ạ i lượng n à y là k h ô n g
độc l ậ p , p h ụ t h u ộ c l ẫ n n h a u . N ế u coi đ i ệ n á p t á c đ ộ n g l ê n p h ầ n t ử là
b i ế n s ố t h ì d ò n g đ i qua p h ầ n t ử l à h à m số, ta có q u a n h ệ h à m i = f ( u ) . ở
đ â y q u a n h ộ h à m f được đ ị n h n g h ĩ a l à t r ở k h á n g h a y đ i ệ n t r ở c ủ a p h ầ n
tử đ a n g xét.

Điện trỏ tuyến tính là các phần tử điện trỏ có đặc tuyến ị = f(u) là một
đường thẳng (hình 2.1).
Trường hợp điển hình
là tổn tại mối quan hộ

tuyến tính ì = -ỉ- u với hệ số

R
Ư
R được đ ị n h nghĩa là
ì
điện trở thuần của một Hình 2.1. Điện tuyến I - u tuyến tính
phần tử và quan h ệ h à m số của một điện trở thuần.
này là định luật Ôm cho
một đ i ệ n trở t h u ầ n .
Đặc t u y ế n ì - u đ ố i với
một số điện trở được cho
trên hình 2.2. Mức độ dốc
hay t g a đ ư ợ c đ ị n h n g h ĩ a là
đ i ệ n d ẫ n của p h â n tử.
AI
Lga = -I = G
AU R
Đ i ệ n trở t u y ế n t í n h còn
được g ọ i l à đ i ệ n t r ở Omíc,
Hình 2.2. Điện tuyến tuyến tính
nó t u â n theo đ ị n h l u ậ t Ô m .
với các giá trị điện trở khác nhau.

Điện trở phi tuyến là các điện trỏ có đặc tuyến í - u dạng phi tuyến

12
 H ì n h 2.3 l à đ ặ c t í n h ì - ư của m ộ t đ i ệ n t r ở p h i t u y ế n , ở đ â y q u a n
hệ dòng điện và điện áp t r ê n phần tử k h ô n g là tỷ l ệ , k h ô n g áp dụng
đ ư ợ c đ ị n h l u ậ t Ô m cho p h ầ n t ử l o ạ i n à y . N ế u t a c h ỉ c h ú ý t ớ i m ộ t
đ o ạ n n h ỏ t r ê n đ ặ c t u y ế n h ì n h 2 - 4 , có t h ể coi t r o n g p h ạ m v i h ẹ p n à y
(từ Pj t ớ i p ) p h ầ n t ử được t u y ế n t í n h h ó a , q u a n h ệ d ò n g đ i ệ n v à đ i ệ n
2

á p t r o n g v ù n g hẹp g ầ n n h ư đường t h ẳ n g . Đ i ệ n trở v i p h â n của phần

tử theo đ ị n h nghĩa là tỷ số các v i p h â n đ i ệ n á p v à d ò n g đ i ệ n :
AU
r =
AI

Hình 2.3. Đặc tuyến I - u của một Hình 2.4. Tuyến tính hoa trong đoạn p, - P 2

điện trỏ phi tuyên tính. của một đặc tuyến phi tuyên tính.

Điện trỏ vi phân r, thể hiện sự biến thiên nhỏ của Ị và u trong một vùng
đủ hẹp của đặc tuyến đang quan tâm.

C á c p h ầ n t ử có đ i ệ n t r ở p h i t u v ê n c h i ê m s ố l ư ợ n g v à c h ủ n g l o ạ i đ a
số n h ư diot b á n d ẫ n , transito, thyristo, ống tia đ i ệ n tử, các loại n h i ệ t
đ i ệ n trở, á p đ i ệ n trở,...
C á c đ i ệ n t r ở đ ư ợ c p h â n t h à n h 2 n h ó m : n h ó m có g i á t r ị đ i ệ n t r ở c ố
đ ị n h v à n h ó m có g i á t r ị t h a y đ ô i được, c h ú n g đ ề u có t h a m s ố đ á n h g i á
k h ả n ă n g chịu t ả i là lượng công suất đ i ệ n b i ế n đ ổ i t h à n h công suất
n h i ệ t tỏa t r ê n đ i ệ n trở. K h ả n ă n g chịu t ả i p h ụ t h u ộ c d ạ n g đ i ệ n trở,
n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g v à n h i ệ t đ ộ t ố i đ a cho p h é p t r ê n đ i ệ n t r ở đ ư ợ c
đ á n h g i á q u a t h a m s ố đ i ệ n t r ở n h i ệ t Rthu-

ở đây p là k h ả n ă n g c h ị u t ả i của đ i ệ n t r ở t í n h b ằ n g W a t t (W)

o m a x l à n h i ệ t đ ộ t ố i đ a cho p h é p t r ê n đ i ệ n t r ở .
Uy l à n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g k h ô n g k h í .
G i ữ a g i á t r ị d i ệ n t r ở t h ự c v à g i á t r ị đ i ệ n t r ở do n h à s ả n xuất

13
m u ố n có l u ô n có sự k h á c b i ệ t g ọ i l à d u n g s a i (sai sổ) c ủ a điện trở.
T h ư ờ n g d u n g sai được t í n h theo p h ầ n t r ă m t ỷ s ố g i ữ a đ ộ l ệ c h v à g i á
t r ị m u ố n có: 0 , 1 % v ớ i l o ạ i có đ ộ c h í n h x á c cao h o ặ c 2 0 % v ớ i l o ạ i k é m
chính xác.

2.2. ĐIỆN TRỎ CÓ GIÁ TRỊ cố ĐỊNH

2.2.1. C á c tính c h ấ t

K h i c h ế t ạ o , c h ú n g l à c á c đ i ệ n t r ở có g i á t r ị c ố đ ị n h s ẵ n x á c đ ị n h
qua g i á t r ị d a n h đ ị n h , c ô n g s u ấ t ( k h ả n ă n g c h ị u t ả i _ , s a i s ô t ư ơ n g đ ô i ,
t h ờ i h ạ n sử d ụ n g h a y m ứ c g i à h ó a .
C á c giá trị d a n h đ ị n h của đ i ệ n trở được s ả n x u ấ t theo seri c á c số
l i ệ u c h u ẩ n t h ể h i ệ n t r ê n b ả n g h ì n h 2.5.

E 6 •1.0 * •-'*>•!*: ' 6,8

A7
(í 207.) „• X'VV '• -
E 12 'to 1.2 1.8 2.7 3.3 47 5.6 6.8 8.2
3.9
(iiov.)
E 24
vo. 1.1 1.2 1.3 Ị5 1.6 1.8 2,0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4,3 5.1 5,6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1
(í 5%)

Hình 2.5. Giá trị tiêu chuẩn IBC của diện trở Seri E6, E12 và E24

K h i m u ố n m ộ t g i á t r ị c ụ t h ể n à o đ ó , c ầ n c h ọ n g i á t r ị đ i ệ n t r ở có
g i á t r ị c h u ẩ n g ầ n g i á t r ị m u ố n có n h ấ t h o ặ c p h ả i d ù n g l o ạ i đ i ệ n t r ở có
t h ể t h a y đ ổ i được giá trị ( b i ế n trở).
C á c l o ạ i m ẫ u k ý h i ệ u s e r i E 6 E 1 2 E24 đ ư ợ c d ù n g p h ổ b i ế n . G i á t r ị
đ i ệ n trở được k ý h i ệ u theo m ã m à u quốc t ê là c á c v ò n g m à u khác
n h a u b ố t r í t r ê n t h â n đ i ệ n t r ở . G i á t r ị sai s ố c ũ n g đ ư ợ c t h ể h i ệ n b ằ n g
v ò n g m à u hoặc chữ cái ký h i ệ u cuối c ù n g t r ê n t h â n đ i ệ n trở (xem
b ả n g m à u quy ước).
C á c l o ạ t đ i ệ n t r ở m ã k ý h i ệ u E6 có sai s ố ± 2 0 % v ớ i c á c g i á trị
d a n h đ ị n h là:

1Q 1,5Q 2.2Q 3,3Q 4,70. 6.8C2 8.1Q

lon 15Q 22Q 33Q 47Q 68Q 81Q

100Q 150Q 220Q 330Q 470Q 680Q 810Q

1kQ 1,5kQ 2,2kQ. 3,3kQ 4,7kQ 6,8kQ 8,1kQ

10kQ 15kQ 22kQ 33kQ 47kQ 68kQ 81kQ...v.v...

14

li
 L o ạ i E12 có sai s ố ± 1 0 % , E24: ± 5 % ; E48: ±2%; E96: ± 1 % v à E192: ± 0 , 5 % .
D ả i t h ă n g g i á n g g i á t r ị x u n g q u a n h t r ị d a n h đ ị n h cho l o ạ i E 6 cho
t r ê n h ì n h 2.6 v ó i c á c g i á t r ị đ i ệ n t r ở t ừ 1Q đ ế n 6,8Q.
su §J6
Ị 6.en
Ị E6 Ị XK 554 I
Ị lĩ tí Ị
2.64 396 Ị
Ị 33n Ị
1.76 zụ I
Ị 22ũ\ ị
ụ ìặ I
ỊIinỊ
0,8 ũ Ị
Qn]
~ ì 15 2 72 3 13 4 47 5 6 6.8 7 £

Hình 2.6. Sai số của một vài giá trị điện trỏ danh định thuộc Seri E6.

C ô n g s u ấ t cho t r o n g d ả i d a n h đ ị n h : 0 , 0 5 W ; 0,1W; 0 , 2 5 W ; 0,5W;

1W; 2W; 3 W ; 6 W ; 10W; 2 0 W x é t ở n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g , v í d ụ 5 0 ° c ,
k h i n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g cao h ơ n , g i á t r ị c ô n g s u ấ t d a n h đ ị n h đ ã cho
của đ i ệ n t r ở b ị g i ả m .

BẢNG MÃ MÀU QUY ĐỊNH QUỐC TỂ CHO LOẠI 4 VÒNG MÀU

(E6, E12, E24)

Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3

Vòng 4
Màu giá trị s ố giá trị s ố giá trị h ệ s ố
sai s ố
t h ứ nhất t h ứ hai thập phân
Không màu - - ± 20%
Bạc nhũ - - 10" Q 2
± 10%
Vàng đổng - 10" Q 1
± 5%
Đen 0 0 10°Q
Nâu 1 1 10 Q 1
± 1%
Đỏ 2 2 10 Q 2
± 2%
Da cam 3 3 10 Q 3

Vàng 4 4 10 Q 4

Xanh lá 5 5 10 Q 5
0,5%
Xanh da trời 6 6 10 Q 6

Tím 7 7 10 Q 7

Xám 8 8 10 Q 8

Trắng 9 9 10 Q 9

15
 Ví du:

Vàng Tím Đỏ Vàng đổng

4 7 10 Q
2
± 5% = 4700Q ± 5%
Xanh da trời Xám Xanh da trời
6 8 10 Q
6
± 20% = 68MQ ± 20%
Nâu Xanh lá Da cam Bác
1 5 10 Q
3
± 10% = 15kQ ± 10%

BẢNG MÃ MÀU QUỐC TỂ CHO LOẠI ĐIỆN TRỞ CÓ 5 VẠCH MÀU

(E48, E96, E142)
Màu Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4 Vòng 5
giá trị s ố giá trị sỏ giá trị s ố hệ số sai s ô
t h ứ nhất t h ứ hai t h ứ ba lũy thừa
Không màu - - - - ± 20%
Bạc - - - 10" Q 2
± 10%
Vàng đổng - - - 10" Q 1
± 5%
Đen 0 0 0 10°Q
Nâu 1 1 1 10 Q
1
± 1%
Đỏ 2 2 2 10 Q
2
± 2%
Da cam 3 3 3 10 Q
3

Vàng 4 4 4 10 Q
4

Xanh lá 5 5 5 10 Q
5
0,5%
Xanh da trời 6 6 6 10 Q
6

Tím 7 7 7 10 Q
7

Xám 8 8 8 10 Q
8

Trắng 9 9 9 10 Q
9

Ví du:
Nâu Xám Tím Da cam Đỏ
1 8 7 10 Q3
± 2% = 187kQ ± 2%
Cam Xám Xanh lá Vàng đổng Nâu
3 8 5 10" Q 1
± 1% = 38,5Q ± 1%
Trắng Tím Xanh da trời Bạc Xanh lá
9 7 6 10" Q 2
± 5% = 9,76 n ± 0,5%
Số giá trị 3
Số giá trị 2 V Sai số Số giá trị 2 Hệ sô tháp phân
Số giá trị 1 \ Số giá trị ị \ \ Sai số

• l i ủ
T- CM co •<í iTÌ
T- CVl co -í OI Dì DIraDI
DI ƠI OI ƠI c £ c c c
c c c c •o -o -o -o -o
Hình 2.6a. Phân bố-ovòng màu Hình 2.6b. Phân >bô>vòng
•o -Ó -ó > > màu
> loại 5 vòng
quốc tê>(loại
> > 4>vòng). theo quy định quốc tế.

16
 BẢNG CÁC GIÁ TRỊ CHUẨN CỦA ĐIỆN TRỞ NHÓM E48 (±2%) VÀ E96 (±1%)

E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96
9
100 100 133 133 178 178 237 237 316 316 422 422 562 562 750 750
102 137 182 243 324 432 576 768
105 105 140 140 187 187 249 249 332 332 442 442 590 590 787 787
107 143 191 255 340 453 604 806
110 110 147 147 196 196 261 261 348 348 464 464 619 619 825 825
113 150 200 267 357 475 634 845
115 115 154 154 205 205 274 274 365 365 487 487 649 649 866 866
118 158 210 280 374 499 665 887
121 121 162 162 215 215 287 287 383 383 511 511 681 681 909 909
124 165 221 294 392 523 698 931
127 127 169 169 226 226 301 301 402 402 536 536 715 715 953 953
130 174 232 309 412 549 732 976

2.2.2. C á c d ạ n g c ấ u t ạ o c ủ a đ i ệ n t r ỏ

2.2.2.1. Điện trở lớp

T r ê n t h â n lõi ố n g b ằ n g g ố m sứ h a y t h ủ y t i n h , t r o n g c h â n k h ô n g ,
m ộ t lớp m ỏ n g ( t ừ 0,001|Lim đ ế n 20|am) v ậ t l i ệ u d ẫ n đ i ệ n đ ư ợ c p h ủ l ê n
nhờ p h ư ơ n g p h á p c ô n g n g h ệ n h ú n g hay k h u ế c h t á n hơi. C á c l o ạ i v ậ t
l i ệ u l à m l ớ p đ i ệ n t r ở t h ư ờ n g d ù n g l à t h a n , k i m l o ạ i ( k ê cả k i m l o ạ i
h i ế m ) h a y o x y t k i m l o ạ i . G i á t r ị đ i ệ n t r ở p h ụ t h u ộ c v à o v ậ t l i ệ u được
c h ọ n , v à o t h ờ i g i a n b á m p h ủ (hay đ ộ d ầ y lớp b á m p h ủ ) . C á c h ì n h d ạ n g
lớp p h ủ k i ể u bốc bay t r o n g c h â n k h ô n g được cho t r ê n h ì n h 2.7 hoặc 2.8.
C ấ u h ì n h l ớ p đ i ệ n t r ở cho t r ê n h ì n h 2.9. B ê n n g o à i p h ầ n đ ư a c h â n r a
t h ư ờ n g d ù n g n ổ i k i m l o ạ i c h ụ p h a i đ ầ u , p h ủ c á c hợp c h ấ t c h ố n g c h á y ,
c h ố n g x â m t h ự c c ủ a m ô i t r ư ờ n g v à ô n đ ị n h v ề cơ học. G ầ n đ â y c á c
đ i ệ n t r ở đ ư ợ c c h ế t ạ o c ấ u h ì n h đ ư a c h â n r a v ề m ộ t p h í a ( h ì n h 2.11).
T h â n t r ụ g ố m đ ư ợ c t h a y b ằ n g m ộ t b ề m ặ t g ố m t r ê n đ ó đ ã cho lớp v ậ t
l i ệ u bốc b a y b á m t r ê n b ề m ặ t . H i ệ n n a y c ô n g n g h ệ c h ế t ạ o đ i ệ n t r ở
thực h i ệ n l ắ p r á p ngay v ớ i các p h â n t ử liên q u a n theo m ộ t m ặ t p h a n g
xác đ ị n h (gọi là c ô n g n g h ệ l ắ p r á p bề m ặ t S M D - Surface Moũnted
D e v i c e ) . H ì n h 2 . 1 2 d c h ỉ r a c ấ u t ạ o đ i ể n h ì n h của m ộ t đ i ệ n t r ở SMD
t r ê n bề m ặ t một p h i ế n dẫn điện.

2-LI 17
 C T 3
Điện trở không có nổi nắp và mát cát của nó
7> = ,
Hình 2.7. Điện trở vói các lốp uốn lượn € S i

Điện trở cấu tạo

-—' từ các đường díc dắc
L >
Điện trờ nổi nắp kim loại

Hình 2.8. Điện trở vài các lốp gấp khúc Hình 2.9. Các dạng cấu tạo điện trỏ lóp

Hình 2.10. Một dạng điện trở Hình 2.11. Điện trỏ lóp c h ế tạo vế một phía

Hình 2.12. Điện trở lốp chê tạo theo công nghệ SMD
2.2.2.2. Điện trở trong công nghệ vimodun (vi điện tử}
T r o n g c ô n g n g h ệ v i đ i ệ n t ử , đ i ệ n t r ở c ù n g m ọ i l i n h k i ệ n k h á c được
c h ế t ạ o đ ổ n g t h ờ i t h e o m ộ t q u y t r ì n h c ô n g n g h ệ c h u ẩ n v à đ ã được
g h é p n ố i s ẵ n t h à n h m ộ t h o ặ c n h i ề u m ạ c h h o à n c h ỉ n h ( g ọ i l à m ộ t hoặc
n h i ề u modun). c ầ n p h â n b i ệ t hai loại công nghệ: C ô n g n g h ệ lốp dầy
và công n g h ệ m à n g mỏng. T h â n đ i ệ n trở trong hai loại c ô n g n g h ệ n à y
được v ẽ t r ê n c á c h ì n h 2.13a ( v ớ i c ô n g n g h ệ lớp d à y ) v à h ì n h 2.13b ( v ớ i
c ô n g n g h ệ m à n g mỏng), ở công n g h ệ lớp, t r ê n đ ế (là Ì t ấ m oxyde
n h ô m ) n h ờ p h ư ơ n g p h á p n ó n g c h ả y có n é n , m ộ t l ớ p b ộ t k i m l o ạ i ( k i m

18
l o ạ i q u ý , o x y d e h a y m ộ t hợp c h ấ t d ẫ n đ i ệ n ) được g ắ n l ê n ( đ ế ) . C ò n
t r o n g c ô n g n g h ệ m à n g mỏng đ i ệ n trở cũng n h ư các l i n h k i ệ n k h á c
đ ư ợ c c h ế t ạ o t h e o p h ư ơ n g p h á p bốc bay ở pha h ơ i k i m l o ạ i cho b á m
l ê n m ộ t đ ế g ố m sứ t r o n g m ô i t r ư ờ n g c h â n k h ô n g q u a m ộ t m ặ t n ạ v ớ i
c á c cửa sổ k h á c n h a u . T h e o đ ó c á c l i n h k i ệ n t r o n g đ ó có đ i ệ n t r ở được
t ạ o r a v ớ i k í c h t h ư ớ c h ì n h học c h í n h x á c n h ờ c á c t i a laze c ắ t , g i á t r ị
đ i ệ n t r ở có sai s ố có t h ể đ ạ t t ớ i ± 0 , 1 % .

Điện trở

Đường dẫn

Hình 2.13a. Thân điện trở Hình 2.13b. Thân điện trỏ
trong kỹ thuật lớp dày trong kỹ thuật màng mỏng

2.2.2.3. Các diện trở loại dây quân

C á c d â y đ i ệ n t r ở đ ư ợ c q u ấ n t r ê n m ộ t t h â n đ ế l o ạ i g ố m sứ chịu
n h i ệ t tạo t h à n h n h ó m đ i ệ n trở dây quấn.
C á c đ i ệ n t r ở d â y q u ấ n có đ i ệ n c ả m r i ê n g k h á l ớ n v ì c á c v ò n g d â y
của nó đ ã t ự t ạ o ra đ i ệ n c ả m k ý sinh. Đ ê g i ả m n h ỏ đ i ệ n c ả m k h ô n g
mong m u ô n n à y , c ầ n d ù n g công nghệ q u ấ n d â y đôi, k i ê u đ ố i n g ẫ u
( h ì n h 2.14). Sợi d â y đ i ệ n t r ở được l ấ y đ i ể m g i ữ a v à t ạ o r a m ộ t c ặ p d â y
song song đ ê q u ấ n . N h ư v ậ y m ộ t cặp v ò n g d â v l u ô n có c h i ề u d ò n g
đ i ệ n là n g ư ợ c n h a u ( h ì n h 2.14) v à t ừ t r ư ờ n g b ị t r i ệ t t i ê u . T u y n h i ê n
do t í n h k h ô n g đ ô i x ứ n g lý t ư ở n g , v ẫ n c ò n đ i ệ n c ả m n h ỏ v à do đ ó h ạ n
c h ế t ầ n số l à m việc của l o ạ i đ i ệ n trở n à y d ư ớ i 200kHz. C á c v ò n g d â y
q u ấ n đ ư ợ c c á c h đ i ệ n ( t h ư ờ n g d ù n g s ơ n c á c h đ i ệ n p h ủ l ê n h o ặ c n h ờ lóp
đ i ệ n môi oxyde b ê m ặ t ) .

Hình 2.14. Điện trở dây cuốn, nguyên lý cuốn kép.

19
 Khi đòi hỏi công
suất rất lốn (hàng
- -
chục w hay h ơ n nữa),
các đ i ệ n trỏ d â y quấn
tí
d ạ n g c h ữ n h ậ t dược sử
dụng. Các dạng điện Nôi kiểu kép
trỏ dây quấn thông
dụng dược cho trên í ! ì é
h ì n h 2 . l õ , được b á o v ệ
NÒI kiểu hàn
chống ẩ m . chống cháy,
chống xâm thực của
môi t r ư ờ n g h a y b ề n v ề
Nổi kim loai ghép nôi
cờ hoe.
Hình 2.15. Các dạng cấu tạo điện trỏ dây cuốn.

2.3. Đ I Ệ N T R Ở T H A Y Đ ổ i GIÁ TRỊ ( B I Ế N T R Ở )

C á c đ i ệ n trở t h u ộ c n h ó m
n à y có g i á trị t h a y đ ổ i được
trong một dải nhất định và
được c ấ u t ạ o có vị t r í đ ộ n g đ ể
chọn mức g i á t r ị c ẩ n có n h ò
m ộ t cơ c ấ u dịch c h u y ể n q u a y
hay t ị n h t i ế n ( h ì n h 2.16 và Hình 2.16. Điện trở điểu chỉnh được
nhờ con chạy.
h ì n h 2.17).

T r ê n h ì n h 2.16. g i á t r ị đ i ệ n t r ở t h a y đ ổ i đ ư ợ c n h ờ m ộ t t i ế p đ i ể m
t r ư ợ t t r ê n m ộ t đ ư ờ n g r a y , qua đ ó c h ọ n đ o ạ n l à m v i ệ c cho đ i ệ n t r ở .
Đ ư ờ n g r a y đ i ệ n t r ở có t h ổ là h ì n h t r ò n h a y đ o ạ n thẳng. Đặc tính
b i ế n đ ổ i của đ i ệ n t r ở t í n h theo đ ộ d à i l à m v i ệ c có t h ể l à t u y ế n tính
( t ố t n h ấ t theo m o n g m u ố n ) hay p h i t u y ế n t í n h được b i ể u d i ễ n trên
h ì n h 2.18. h ì n h 2.19 h a y h ì n h 2.20. ở c á c đ ặ c t í n h t u y ế n L í n h . v ớ i
gia SỐ m ộ t góc q u a y c ố đ ị n h h a y gia s ố m ộ t đ ộ d à i d ư ờ n g r a y c ố d i n h
l u ô n n h ậ n được m ộ t giá trị d i ệ n trở k h ô n g đ ổ i . C á c d ạ n g b i ế n đ ổ i
p h i L u y ế n t í n h ( h à m exp, logarit, c h ữ s...) đ ư ợ c cho t r ê n c á c hình
2.19 v à 2.20.

20
 /Ị
ĩ
Ký hiệu

Hình 2.17. Các dạng điện trở biến đổi.

^1max- ^2max

R= R, + R,
Hình 2.18. Đường cong giá trị điện trỏ phụ thuộc vào vị trí con chạy.
 _Vùng làm viêc
Hình 2.19. Quan hệ lôgarit dương Rãnh điên tử
giữa R và AL (chiếu dài dịch chuyên).
Con chạy
-/?,-
, _ Hình 2.20. Đưàng cong giá trị điện trở
2.3.1. B i ê n t r ớ l o ạ i l ớ p theo vị trí con chạy.
C á c đ ư ờ n g r a y đ i ệ n t r ở l o ạ i n à y được c h ê t ạ o g i ố n g n h ư l o ạ i đ i ệ n
t r ở lớp c ố d i n h .
Đ i ể m k h á c b i ệ t là t i ế p đ i ể m t i ế p x ú c v ớ i đ ư ờ n g r a y c ầ n có đ ộ c ứ n g bể
m ặ t đ ê t i ế p x ú c t ố t , t r á n h n h i ễ u d i ệ n á p x u ấ t h i ệ n k h i dịch vị t r í .
Do đ ặ c đ i ể m c ấ u t ạ o , l o ạ i đ i ệ n t r ở lớp có c ô n g s u ấ t n h ỏ ( t ừ 0.25W
đ ế n 2 W ) v à có đ i ệ n d u n g r i ê n g l ớ n c ầ n đ ặ c b i ệ t c h ú ý k h i d ù n g ở t ầ n
s ố cao. K h i sử d ụ n g c ầ n q u a y góc của d ư ờ n g r a y đ i ệ n t r ở , l o ạ i n à y
c ò n đ ư ợ c g ọ i là c h i ế t á p k h i đ ư ờ n g r a y đ i ệ n t r ở đ ư ợ c c h ế t ạ o t ừ l o ạ i
c h ấ t dẻo d ẫ n đ i ệ n , c h i ê t á p l o ạ i n à y l à m v i ệ c b ề n v ữ n g t r o n g thời
gian dài.

2.3.2. B i ê n t r ở d â y q u ấ n

L o ạ i b i ế n t r ở d â y q u ấ n d ù n g cho c á c m ạ c h đ i ệ n c ô n g s u ấ t t r u n g
b ì n h h o ặ c c ô n g s u ấ t l ớ n ( đ ế n l k W ) , được q u ấ n t r ê n lõi sứ ( h ì n h 2.21),
t h ư ờ n g k h ô n g d ù n g l á p b ả o v ệ hoặc m ộ t lớp c h ị u nhiệt trừ phần
d ư ờ n g r a y d i c h u y ể n đ i ể m t i ế p x ú c của con c h ạ y . Q u a n h ộ b i ế n t h i ê n
d i ệ n t r ở v ớ i đ o ạ n l à m v i ệ c của b i ế n t r ở là t u y ế n t í n h n h ư n g t h ự c c h ấ t
là n h a y bậc ( k h ô n g l i ê n t ụ c ) .

22
 Hình 2.21. Biên trở dây quân trên lõi sứ.

2.4. S ự PHỤ T H U Ộ C N H I Ệ T Đ Ộ CÙA ĐIỆN T R Ớ

C á c g i á t r ị đ i ệ n t r ở c ố đ ị n h hay giá t r ị đ ã cho (của l o ạ i b i ê n d ổ i được)

x á c đ ị n h t h ư ờ n g ỏ 2 0 ° c . K h i n h i ệ t độ t h a y đ ổ i , g i á t r ị của đ i ệ n trở t h a y
đ ổ i theo. M ứ c độ b i ế n t h i ê n được xác đ ị n h qua h ệ sô n h i ệ t a.

AR. Rón- a . Au

ở đây: AR l à sự b i ế n t h i ê n g i á t r ị đ i ệ n t r ở vì n h i ệ t đ ộ
R.,0 l à g i á t r ị đ i ệ n t r ở t í n h t ạ i 2 0 ° c .
Au l à l ư ợ n g b i ế n t h i ê n n h i ệ t đ ộ t á c đ ộ n g l ê n đ i ệ n trở.
a là h ộ số n h i ệ t .

ar Lính theo dtín v i ——

oe "c

K h i t ă n g n h i ệ t đ ộ , g i á t r ị đ i ệ n t r ở đ a n g x é t có t h ổ t ă n g h a y giảm
t ư ơ n g ứ n g . K h i đ ó t ạ i n h i ệ t đ ộ d a n g x é t , đ i ệ n t r ở có g i á t r ị :

Ru = R20 + AR
hoặc RR = R20 - AR
R w g ọ i là đ i ệ n t r ở n ó n g , R K - d i ệ n trở l ạ n h
T h a y g i á t r ị AR đ ã có v à o b i ế u t h ứ c của R w v à R , có:
K

R = Rao (Ì + cxAu)
w

hoác R = R
K 2 0 ( Ì - aAu)

23
2.5. N H I Ệ T Đ I Ệ N T R Ở N Ó N G VÀ NHIỆT Đ I Ệ N T R Ở L Ạ N H

2.5.1. N h i ệ t đ i ệ n t r ở n ó n g

2.5.1.1. Câu tạo và nguyên lý hoạt động

N ế u đ i ệ n t r ở được c h ế t ạ o
t ừ c á c l o ạ i v ậ t l i ệ u có h ệ s ố a
lớn, k h i đ ó c h ú n g được g ọ i là
các n h i ệ t đ i ệ n t r ở . K h i Au > 0
( n h i ệ t đ ộ t ă n g ) , AR < 0 ( đ i ệ n
trở g i ả m ) thì nhiệt điện trở
được g ọ i là l o ạ i n ó n g (nhiệt
d i ệ n trở n ó n g NTC). Còn k h i
Au > 0 t h ì AR > 0 g ọ i là n h i ệ t
đ i ệ n t r ỏ l ạ n h PTC.
Như vậy loại điện trở lò 20 30 lữ 50 60 70 BO 90 100 ã.
NTC (Negative Temperature °c

C o e f f i c i t e n t ) có h ệ s ố a < 0 Hình 2.22. Quan hệ điện trở nhiệt độ

của loại NTC điện trở.
( h ì n h 2.22).

Già trị của nhiệt điện trở nóng (NTC) giảm khi nhiệt độ tăng, hệ sổ ct có
độ lòn (modun) phụ thuộc vào loại vật liệu sử dụng và vào nhiệt độ.

V ớ i các l o ạ i N T C , oe t h ư ờ n g có giá t r ị - 2 % / ° C đ ế n - 1 0 % / ° c c á c v ậ t l i ệ u
sử d ụ n g đ ổ c h ế t ạ o đ i ệ n t r ở N T C t h ư ờ n g là hợp c h ấ t b á n d ẫ n đ a t i n h t h ể
n h ư oxyde sắt, oxyde n i k e n , oxyde cacbon hay các hợp c h ấ t có t i t a n .

2.5.1.2. Giá trị định mút: và giá trị giới hạn

C á c t h a m s ố đ ị n h m ứ c v à t h a m sô g i ớ i h ạ n do n h à s ả n x u ấ t đ ư a
r a h ỗ t r ợ n g ư ờ i sử d ụ n g n h ữ n g t h ô n g t i n q u a n t r ọ n g ở c h ế đ ộ l à m việc
v à ở c h ê đ ộ t ớ i h ạ n (sức c h ị u đ ự n g ) c ủ a l i n h k i ệ n t r o n g đ i ề u k i ệ n k h ắ t
khe n h ấ t . Đ ố i v ớ i đ i ệ n t r ở N T C có c á c t h a m s ố sau:
R 2 0 đ i ệ n t r ở ở t r ạ n g t h á i l ạ n h (ở 2 0 ° C ) ; !
M ỉ
có k h i cho ở c á c n h i ệ t đ ộ l ạ n h k h á c n h ư : /
A tỉ
R 2 5 đ i ệ n t r ở ở t r ạ n g t h á i l ạ n h (ở 2 5 ° C ) .
ĩ
h o ặ c R.,0 đ i ệ n t r ở ở t r ạ n g t h á i lạnh Hình 2.23. Ký hiệu
(ở 4 0 ° C ) . nhiệt điện trở nóng.

t t h ờ i gian nguội: t í n h t ừ lúc đ ạ t tới P m a x (sau k h i n g ừ n g t á c đ ộ n g

n h i ệ t ) đ ế n k h i g i á t r ị đ i ệ n t r ở t ă n g g ấ p đôi k h i n h i ệ t đ ộ g i ả m .

24
 T o i : D u n g sai c ủ a R 2 0 (hay R , R )
25 40

P m a x : C ô n g s u ấ t cho p h é p lớn n h ấ t .
u
max0 N h i ệ t đ ộ l à m v i ệ c cực đ ạ i cho
:

phép khi không tải.

u
mnxP :
N h i ệ t độ l à m v i ệ c cực đại Hình 2.24. Dùng nhiệt điện trở nóng
cho p h é p k h i p = P m a x . làm cảm biến nhiệt.

H ì n h 2.23 l à k ý h i ệ u q u y ước đ i ệ n t r ở N T C t r o n g m ạ c h đ i ệ n , k ý
h i ệ u 2 m ũ i tôn ngược chiều n h a u t h ể h i ệ n quan h ệ n h i ệ t độ t ă n g thì
điện trở g i ả m và ngược l ạ i .

2.5.1.3. ứng dụng

P h ầ n l ớ n ứ n g d ụ n g của đ i ệ n t r ở N T C l à đ ổ ổ n đ ị n h n h i ệ t cho c á c
m ạ c h b á n d ẫ n ( x e m m ụ c 7.11). K h i c u n g cấp cho n h i ệ t đ i ệ n t r ở N T C
m ộ t d ò n g đ i ệ n ổ n đ ị n h , có t h ể d ù n g n ó n h ư m ộ t c ả m b i ế n n h i ệ t đ ộ
(sensor n h i ệ t ) đ ê đ o h a y đ i ề l i c h ỉ n h n h i ệ t đ ộ t r o n g m ộ t h ệ t h ố n g đ o
lường đ i ề u k h i ể n .

2.5.2. N h i ệ t đ i ệ n t r ỏ l ạ n h

2.5.2.1. Cấu tạo và hoạt động

N h i ệ t đ i ệ n t r ở l ạ n h ( đ i ệ n t r ở PTC: Positive T e m p e r a t u r e Coefficient)
có g i á t r ị đ i ệ n t r ở n h ỏ n h ấ t ở t r ạ n g t h á i l ạ n h v à t ă n g g i á t r ị k h i n h i ệ t
đ ộ t ă n g l ê n (đổ t h ị h ì n h 2.25).
Giá trị điện trở của loại điện trỏ PTC tăng lên khi tăng nhiệt độ.

T r ê n đ ổ t h ị h ì n h 2.25. B ắ t đ ầ u
t ừ n h i ệ t đ ộ U ( n h i ệ t đ ộ k h ở i động)
A

giá trị đ i ệ n trở t ă n g k h i n h i ệ t độ

t ă n g , đ o ạ n U < u < U có t í n h c h ấ t
A N

phi tuyến m ạ n h ; đoạn U N < u < U E

q u a n h ệ t u y ế n t í n h v à là v ù n g l à m
việc c h ủ y ế u của n h i ệ t đ i ệ n t r ở PTC,
g i á t r ị R của đ i ệ n trở t ă n g mạnh
( n h i ề u cấp t h ậ p p h â n ) theo n h i ệ t độ
t ă n g do h ì n h t h à n h c á c lớp k h ó a có
đ i ệ n trở lớn trong t i n h t h ể v ậ t liệu.
H ệ s ố oe t r o n g k h o ả n g t ừ 2 0 ° c đ ế n U A

có giá t r ị â m . K h i u > U , a có d ấ u A

d ư ơ n g v ả r ấ t lớn t r o n g đ o ạ n U đ ế n U . N E
H ì n h 2
- - H , ị *ị"
2 5 Q a n h
t c
t r ở n h l
** ?
đ

25
 Đ ộ l ớ n của a do l o ạ i v ậ t l i ệ u sử d ụ n g v à do n h i ệ t đ ộ q u y ế t định.
G i á t r ị t h ô n g t h ư ờ n g của a t ừ 7%/°C đ ế n 5 0 % / ° C .
Ký hiệu quv ưốc loại nhiệt 1
đ i ệ n t r ở l ạ n h ( P T C ) cho t r ê n h ì n h
2.26. Loại điện trở nhiệt PTC (\
Y "
được l à m t ừ l o ạ i g ố m T i t a n a t đa
t i n h t h ổ cho p h a t ạ p v à i c h ấ t l ạ có H ì n h 2
- - Ký ? "
2 6 h i u h i
* đ i
? n t r ỏ , ạ n h
-
chọn lọc.

2.5.2.2. Thông sô của nhiệt điện trởPTC

ỵ n h i ệ t độ khởi động
s

RA = R (VỈA)
R 2 5 = R (25°C)
U N n h i ệ t độ danh đ ị n h
R N = R (u ) N

a K h ệ s ố n h i ệ t (độ dốc đ ặ c t í n h R - u)
U n h i ệ t đ ộ c u ố i của d ả i l à m v i ệ c
E

RE = R (.OE)
U m o x đ i ệ n á p l à m v i ệ c t ố i đ a cho p h é p .

2.5.2.3. ứng dụng

N h i ệ t đ i ệ n t r ở l ạ n h P T C có t h ổ l à m v i ệ c ở c h ế đ ộ l à m n ó n g t ừ
ngoài hay c h ế độ t ự l à m n ó n g .

ơ c h ế độ l à m n ó n g t ừ n g o à i , đ i ệ n trở được cấp m ộ t đ i ệ n á p t h ấ p

cở I V v à do đ ó n ó k h ô n g t h a y đ ố i t r ị số. N h i ệ t đ ộ c ủ a đ i ệ n t r ở lúc
n à y do n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g q u y ế t đ ị n h . K h i đ ó đ i ệ n t r ở đ ư ợ c dùng
l à m c ả m b i ế n đ ể do n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g (ví d ụ n h i ệ t đ ộ c ủ a c á c c u ộ n
d â y m ô t ơ ) . N ế u n h i ệ t đ ộ t r o n g t h i ế t bị q u á cao, c ầ u c h ì b ả o v ệ sẽ
hoạt động.

ở che đ ộ t ự l à m n ó n g đ i ệ n á p cấp cho đ i ệ n t r ở l ớ n ( 1 0 V đ ế n 6 0 V ) ,

n h ô đố d ò n g d i ệ n c h ả y qua d i ệ n t r ở l à m n ó n g n ó l ê n , g i á t r ị đ i ệ n t r ỏ
t à n g v à l à m d ò n g qua n ó g i á m . T r ạ n g t h á i ổ n đ ị n h đ ư ợ c t h i ế t l ậ p k h i
việc l à m m á t h ệ t h ô n g xác l ậ p ôn đ ị n h .
N h i ệ t đ ộ của đ i ệ n t r ở PTC x á c đ ị n h qua đ i ệ n á p l à m v i ệ c đ ặ t l ê n
n ó v à qua sự l à m m á t n ó q u y ế t đ ị n h .

26
 mA
120 Vùng tự làm nóng
100
80
[
60
AO
20

5 ro 50 100 ỵ_
ị _Vùng làm nóng ngoài J V
Hình 2.27. Nhiệt điện trở lạnh làm phần tử Hình 2.28. Đặc tuyến tĩnh
báo mức chất lỏng khi đầy. của một điện trỏ lạnh.

H ì n h 2.27 n ê u m ộ t ứ n g d ụ n g của đ i ệ n t r ở n h i ệ t P T C t h ô n g b á o
t r ạ n g t h á i đ ầ y mức c h ấ t lỏng t r o n g b ì n h : k h i mức c h ấ t lỏng t r o n g
b ì n h đ ầ y l à m ngcập đ i ệ n t r ở , n ó được l à m n g u ộ i n h a n h v à do đ ó g i á t r ị
đ i ệ n t r ở g i ả m m ạ n h , d ò n g đ i ệ n qua r ơ l c t ă n g ( m ạ c h n ố i t i ế p v ớ i đ i ệ n
trở) h ú t m ạ c h t ự đ ộ n g c ắ t q u á t r ì n h làm
đầy bình. Đặc tuyến Von-Ampe I-U ỏ
c h ế độ t ĩ n h c ủ a đ i ệ n t r ở cho t r ê n hình
2.28, vùng u n h ỏ t ư ơ n g ứ n g với c h ế độ
l à m n ó n g ngoài, còn v ù n g u lớn ứng với
c h ế đ ộ t ự l à m n ó n g . ơ c h ê độ l à m nóng
n g o à i , đ ặ c t u y ế n có d ạ n g g ầ n t u y ế n tính
( h ì n h 2.29). tức l à đ i ệ n t r ở có g i á t r ị g ầ n
n h ư k h ô n g đ ổ i . ơ c h ế đ ộ t ự l à m n ó n g , đặc Hình 2.29. Đặc tuyên Von Ampe
trong vùng u thấp của hình 2.28.
t u y ế n có d ạ n g p h i t u y ế n t í n h m ạ n h do q u á
t r ì n h t ự tạo n h i ệ t ( d ò n g lớn) và l à m m á t đ i ệ n trở q u y ế t đ ị n h , k h i đó
giá trị đ i ệ n trở t h a y đ ổ i theo t ừ n g đ i ể m l à m việc.

2.6. CÁC ĐIỆN TRỞ CÓ GIÁ TRỊ PHỤ THUỘC ĐIỆN ÁP

2.6.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g
K h i g i á t r ị của đ i ệ n trở p h ụ t h u ộ c v à o đ i ệ n á p đ ặ t t r ê n n ó , đ i ệ n trở
được gọi là V D R (Voltage D e p e n d e n t Rcsistor) v ậ t l i ệ u t h ư ờ n g d ù n g là
sơi Cacbua Silic được t h i ê u k ế t ở m ộ t n h i ệ t độ n h ấ t đ ị n h t r o n g m ộ t t h ờ i
g i a n x á c đ ị n h . Sợi C á c b u a Silic là l o ạ i v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n đ i ệ n đ a t i n h t h ê
có c ấ u t ạ o t ừ n h i ề u t i n h t h ê b á n d ẫ n n h ỏ h ơ n có t í n h d ẫ n đ i ệ n k h á c

27
n h a u . G i ữ a c á c v ù n g b á n d ẫ n n à y x u ấ t h i ệ n c á c lớp c h á n g i ô n g n h ư
t r o n g diot b á n d ẫ n . V i ệ c p h â n cực c á c lớp c h ắ n là h o à n t o à n k h ô n g đêu
n h a u . D ư ớ i t á c đ ộ n g của đ i ệ n t r ư ờ n g n g o à i , c á c lớp c h ắ n được p h â n cực
k h á c n h a u t ạ o r a c á c v ù n g có đ i ệ n trở s u ấ t k h á c n h a u . K h i c ư ờ n g độ
đ i ệ n t r ư ờ n g c à n g l ớ n c à n g n h i ề u lớp c h ắ n được p h â n cực.
G i á t r ị đ i ệ n trở của p h ầ n t ử V D R l u ô n g i ả m k h i đ i ệ n á p đ ặ t v à o t ă n g
lên. Cực t í n h của đ i ệ n á p k h ô n g có vai t r ò q u y ế t đ ị n h . Đ ặ c t u y ê n cho
t h ể h i ệ n sự t h a y đ ổ i của đ i ệ n trở của V D R theo đ i ệ n á p đ ặ t t r ô n n ó cho ở
h ì n h 2.30a. C ò n đặc t u y ế n V o n - A m p e I - Ư của V D R cho ở h ì n h 2.30Ồ.

500
400
.Ế 300
1000 200
100 100

-SOO-400-300-2CX)T00 100 200 300 400 500 lị

10 -100 V
ĩ
-200
-300
ị
-400
0,1 ị -500
100 200 300 400 500 LÍ 1
V
Hình 2.30a. Đặc tuyên của một áp trở. Hình 2.30b. Đặc tuyên Von-Ampe
của một áp trở.

2.6.2. C á c t h a m s ô đ ị n h m ứ c v à t h a m s ô g i ớ i h ạ n c ủ a V D R

C á c t í n h c h ấ t q u a n t r ọ n g n h ấ t của V D R đ ư ợ c t h ể h i ệ n qua đặc

t í n h V o n - A m p e h ì n h 2.30b. Q u a n h ộ I ( U ) l à p h ư ờ n g t r ì n h d ạ n g :

u = c . p

hay ì
c
V
(3: H ệ s ố đ i ề u c h ỉ n h
C: H ằ n g s ố p h ụ thuộc v à o kích thước h ì n h học của V D R .
H ằ n g s ố c có g i á t r ị t ừ 15 đ ế n 5000 được x á c đ ị n h k h i cho dòng
đ i ệ n b ằ n g 1A c h ả y qua V D R .
H ộ s ố h i ệ u c h i n h p q u y ế t đ ị n h độ dốc của đ ặ c t u y ế n ( n ằ m trong
d ả i t ừ 0,15 đ ế n 0,40).

28
 T h a m s ố g i ớ i h ạ n có
P lliax : C ô n g s u ấ t t ố i đ a cho p h é p .
u m a x : N h i ệ t đ ộ t ố i đ a cho p h é p .
C á c t h a m s ố đ ị n h m ứ c được x á c đ ị n h k h i t á c đ ộ n g ỤỵH
đ i ệ n á p m ộ t c h i ề u l ê n V D R và đặc t í n h Von-Ampe z
c ũ n g x á c d i n h v ớ i đ i ệ n á p m ộ t c h i ể u , ơ c h ế đ ộ xoay
Hình 2.31.
c h i ề u đ ư ờ n g đ ặ c t í n h có l ệ c h m ộ t c h ú t . K ý h i ệ u q u y Ký hiệu áp trỏ.
ước của V D R được cho t r ê n h ì n h 2.31. C á c m ũ i t ê n ngược
chiêu n h a u t h ê h i ệ n k h i t ă n g điện áp tác động lên V I ) l i thì điện trở
của n ó g i ả m hoặc ngược l ạ i .
Ví dụ: Cho V D R có c = 100; (3 = 0,2.
H ã y t í n h g i á t r ị đ i ệ n t r ở của V D R t ạ i c á c đ i ệ n á p :
a) 10V; b) 2 5 V ; c) 50V; d) 75V; e) 100V?

Á p d ụ n g h ệ t h ứ c đ ã cho: ì =

/
lo V :
a) A = 0,1 . A = IOỊ-IA.
5

V 100
u 10V
R = = Ì MO
ì 10nA

25 \
b) . A = 0,25". A = 0 , 9 7 7 m A .
.100

25 V
lì = • 25,59kQ
0,977mA

50 Ỵ'.:
1=
5

c) . A = 0,õ . A = 31,25mA.
ĩõõ, í
50V
R= = l,6kQ
31,25mA

75 ì 5

d) 1 = . A = 0,75 . A = 2 3 7 , õ m A .
100 )
75 V
R= = 316fì
237,5mA

29
 100
c) A = l . A = 1A.
5

100
„ _ 100V
R = = 100Q
1A
K h i sử d ụ n g V D R c h ú ý c ô n g s u ấ t t r ê n V D R l u ô n p h ụ t h u ộ c vào
đ i ệ n á p t á c động n ê n cần xác định với m ọ i giá trị đ i ệ n á p t r o n g dải
l à m việc, t ừ h ệ thức p = U . I h ã y t í n h p n ế u y ê u cầu k h i p < P m a x .

2.6.3.ứng dụng của VDR

M ộ t ứ n g d ụ n g p h ổ b i ế n v à q u a n t r ọ n g của V D R l à h ạ n c h ê đ i ệ n
á p k h i V D R đ ư ợ c coi l à m ộ t đ i ệ n t r ở b ả o v ệ n ố i song s o n g v ớ i p h ầ n tử
c ầ n được b ả o v ệ c h ố n g q u á á p ( h ì n h 2.32). V ớ i m ộ t đ i ệ n á p h ì n h sin
t á c đ ộ n g l ê n V D R , đ á p ứ n g d ò n g đ i ệ n k h ô n g c ò n d ạ n g s i n v à được thê
h i ệ n t r ê n h ì n h 2.33. T r ư ờ n g hợp n g ư ợ c l ạ i c ũ n g t ư ơ n g t ự n ế u d ò n g tác
đ ộ n g q u a V D R l à h ì n h s i n t h ì đ i ệ n á p t r ê n n ó k h ô n g c ò n d ạ n g sin.
V i ệ c sửa ( l à m m é o d ạ n g ) đ i ệ n á p h a y d ò n g đ i ệ n n h ư t r ê n được sử
dụng trong kỹ t h u ậ t xung, kỹ t h u ậ t t r u y ề n h ì n h và kỹ t h u ậ t điêu
k h i ế n hoác điêu chỉnh.

ms
Hình 2.32. Dùng áp trở
bào vệ chống quá áp Hình 2.33. Biến đổi dòng trên một VDR
cho colectơ - emitơ. khi tác động điện áp hình sin.

30
 CÂU H Ỏ I ÔN TẬP - BÀI TẬP

H ã y định nghĩa đ i ệ n trở tuyến

t í n h và đ i ệ n trở phi t u y ế n .
Đ i ệ n t r ở v i p h â n r của m ộ t l i n h k i ệ n
cho b i ế t t h ô n g t i n gì v ề l i n h k i ệ n ?
L o ạ t đ i ệ n t r ở c h u ẩ n theo q u y ước
q u ố c t ế là gì?
H ã y l i ệ t k ê các giá trị đ i ệ n trở
c h u ẩ n t h e o l o ạ t m ẫ u E12 nằm
giữa 2 giá trị 400Q và lOkQ.
T r o n g l o ạ t m ẫ u E96, v ớ i d ả i g i á t r ị
t ừ 100Q đ ế n 1000Q có bao n h i ê u
g i á t r ị c h u ẩ n ? Sai s ố của l o ạ t E96?
Đối với công s u ấ t t ố i đ a cho p h é p , h ã y Hình 2.34. Đặc tuyên của một
l i ệ t k ê các giá trị c h u ẩ n cho t ớ i 20W. nhiệt điện trở lanh.

V ố i q u y ước m ã v ạ c h m à u quốc t ê , có h a i l o ạ i được sử d ụ n g là 4

vạch và 5 vạch. H ã y n ê u ý nghĩa các v ò n g m à u t r o n g m ỗ i loại
c h u ẩ n d a n g sử d ụ n g .
8. H ã y x á c đ ị n h t r ị s ố c á c đ i ệ n t r ở v à sai s ố t ư ơ n g ứ n g c ủ a n ó v ớ i c á c
m ã m à u dóc đước n h ư sau:

Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4

a) Nâu Đen Cam Vàng
b) Xám Đỏ Nâu Bạc
c) Đỏ Đỏ Vàng Vàng
d) Vàng Tím Da trời Không màu
e) Nâu Lá cây Bạc Bạc

Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4 Vòng 5

f) Lá cây Cam Da trời Bác Đỏ
g) Xám Xám Tím Da trời Nâu
h) Đỏ Tím Vàng Đen Đỏ
i) Nâu Cam Xám Vàng Nâu
k) Vàng Cam Đỏ Nâu Nâu
9. H ã y n ê u m ã m à u t ư ờ n g ứ n g của c á c đ i ệ n t r ở sau:
a) 3 , 7 4 0 + 1%; b) 6 8 1 k Q ± 2%; c)114kQ±0,5%
d) 2 . 4 6 M Q ± 0,5%; e) 4 6 , 4 k Q ± 1%; 0 7 1 5 0 Q ± 2%

31
10. V ậ t l i ệ u được sử d ụ n g đ ể c h ế t ạ o đ i ệ n t r ở lớp?
l i . P h â n b i ệ t h a i d ạ n g c ấ u t ạ o đ i ệ n t r ở lớp?
12. G i ả i t h í c h k h á i n i ệ m c ô n g n g h ệ S M D ? Đ i ệ n t r ở S M D có c ấ u t ạ o
như t h ế nào?
13. H ã y m ô t ả c ô n g n g h ệ c h ế t ạ o đ i ệ n t r ở t r o n g k ỹ t h u ậ t l ớ p d ầ y và
kỹ t h u ậ t m à n g mỏng.
14. Đ ặ c đ i ể m c ấ u t ạ o c ủ a đ i ệ n t r ở d â y q u ấ n ?
15. H ã y n ê u b i ệ n p h á p k ỹ t h u ậ t l à m g i ả m n h ỏ đ i ệ n c ả m r i ê n g của
điện trỗ dây quấn?
16. C h i ế t á p có đ ặ c t í n h b i ế n đ ổ i l o g a r i t d ư ơ n g . H ã y p h á c h ọ a q u a n h ệ
giữa sự b i ế n t h i ê n đ i ệ n t r ở v ố i đ ư ờ n g r a y d ị c h c h u y ê n h a y góc
dịch c h u y ê n của con c h ạ y của c h i ế t á p .
17. N h i ễ u k h i q u a y v ớ i l o ạ i c h i ế t á p được h i ể u n h ư t h ê n à o ?
18. Ư u n h ư ợ c đ i ể m của đ i ệ n t r ở d â y q u ấ n đ ố i v ớ i đ i ệ n t r ở l ớ p .
19. H ã y d i n h n g h ĩ a h ệ s ố n h i ệ t a của đ i ệ n t r ở n h i ệ t h a y c ủ a m ộ t v ậ t
l i ệ u l à m đ i ệ n trở.
20. M ộ t đ i ệ n trở d â y q u ấ n l à m t ừ d â y đ i ệ n trở N i k e n có K-20 =
400Q. N u n g
n ó n g nó tới n h i ệ t độ 1 1 0 ° c . H ã y t í n h đ i ệ n trở của n ó t ạ i n h i ệ t độ l à m

viôc. b i ế t r ằ n g h è s ố a của N i k e n là oe = +0,15. l ũ " . 7 — .

3

"c
2 1 . Q u a n h ộ g i ữ a n h i ệ t đ ộ v à g i á t r ị đ i ệ n t r ở của l o ạ i đ i ệ n t r ở N T C ?
2 2 . H ã y p h â n b i ệ t t h ờ i g i a n l à m m á t của m ộ t đ i ệ n t r ở n ó n g đ ư ợ c x á c
định n h ư thê nào?
23. H ã y vẽ sơ lược đặc t í n h đ i ể n h ì n h của đ i ệ n trở PTC ( q u a n h ộ R - u ) .
24. H ã y g i ả i t h í c h c h ế độ t ự l à m n ó n g và c h ế độ l à m n ó n g t ừ n g o à i
của n h i ệ t đ i ệ n t r ở l ạ n h .
25. G i á t r ị đ i ệ n t r ỏ của V D R t h a y đ ổ i n h ư t h ế n à o k h i t ă n g đ i ệ n á p
Lác d ộ n g l ê n n ó .
26. H ã y v ẽ p h á c t h ả o đ ặ c t í n h I - U của m ộ t V D R .
2 7 . M ộ t V D R có c =120 v à p = 0,3.
H ã y t í n h g i á t r ị của V D R t ạ i c á c đ i ệ n á p l à m v i ệ c .
a) 20V b) 100V.
28. Đ ặ t m ộ t đ i ệ n á p d ạ n g h ì n h sin v à o V D R . H ã y vẽ d ò n g đ i ệ n c h ả y
qua V D K v à g i ả i t h í c h d ạ n g đ ã v ẽ .
29. V o i m ộ t đ i ệ n t r ở n h i ệ t PTC có đ ặ c t í n h R - u cho ở h ì n h 3.34. Hãy
n ê u các t h ô n g t i n quan t r ọ n g v ề t h a m số v à c h ế độ của p h ầ n tử
t h ô n g qua d ạ n g đ ặ c t í n h đ ã có.

32
 Chương 3

TỤ Đ I Ệ N VÀ CUỘN DÂY

3 . 1 . ĐIÊN D U N G

M ộ t v ậ t t h ể có n h i ề u đ i ệ n t ử h ơ n p r o t o n sẽ t í c h đ i ệ n â m . Lượng
đ i ệ n t í c h â m c h í n h là t ổ n g c á c đ i ệ n t í c h n g u y ê n t ố của s ố l ư ợ n g c á c
đ i ệ n t ử d ư ra. N g ư ợ c l ạ i v ậ t t h ể sẽ t í c h đ i ệ n d ư ơ n g k h i s ố lượng
e l e c t r o n í t h ơ n s ố p r o t o n v à l ư ợ n g đ i ệ n t í c h d ư ơ n g c ủ a n ó được x á c
đ ị n h b ằ n g t ô n g c á c đ i ệ n t í c h n g u y ê n t ố của s ố p r o t o n d ư t h ừ a .
Không gian xung quanh vật
Điện trường
t h ế tích đ i ệ n là m ộ t t r ạ n g t h á i đặc
Vùng nghèo Vùng thừa
biệt gọi là trường điện. Trường điên tử điên tử
điện được tạo từ các đường sức
dược sắp x ế p có t r ậ t tự bắt đầu
xuất phát từ điện tích dương và
k ế t t h ú c nơi d i ệ n t í c h â m . N ế u h a i
v ậ t t h ế d ẫ n đ i ệ n dược b ố t r í c á c h
ly n h a u v à được đ ặ t v à o m ộ t đ i ệ n
Hình 3.1. Điện truổng phân bô giữa
á p . k h i đó hai vật thổ này được
các vát tích điện.
n ạ p đ i ệ n ( h ì n h 3.1).
V ậ t t h ế được n ố i t ớ i cực â m của n g u ổ n á p sẽ n h ậ n được m ộ t l ư ợ n g
đ i ệ n t ử d ư t h ừ a v à p h í a đ ố i d i ệ n v ậ t t h ể t h ứ h a i sẽ t h i ế u h ụ t một
l ư ợ n g e l e c t r o n t ư ơ n g d ư ơ n g k h i n ó n ố i t ớ i cực d ư ơ n g c ủ a n g u ổ n á p .
Giữa hai vật t h ể đã x u ấ t h i ệ n một trường điện.
S ố l ư ợ n g đ i ệ n t í c h Q h a i v ậ t t h ê đ a n g x é t n h ậ n được p h ụ t h u ộ c v à o
k ế t c ấ u h a i v ậ t t h ể , h ì n h d ạ n g của c h ú n g v à đ ộ l ớ n của t r ư ờ n g đ i ệ n .
T r ư ờ n g đ i ệ n x u ấ t h i ệ n p h ụ thuộc giá trị điện áp đ ặ t vào, vào kích
t h ư ớ c v ậ t t h ể v à k h o á n g c á c h g i ữ a c h ú n g . Đ i ệ n d u n g của h ộ t h ố n g h a i
v á t t h ê đ a n g x ó t là d ạ i l ư ợ n g đặc t r ứ n g cho sự k ế t hợp c á c y ế u t ố đ ã
n ê u t r ê n ( k í c h t h ư ớ c v ậ t t h ể , c ư ờ n g độ, đ i ệ n á p đ ặ t v à o . . . ) - T h e o đ ị n h
n g h ĩ a d i ệ n d u n g c là t ỷ s ố g i ữ a đ i ệ n t í c h Q v à đ i ệ n á p u .

Q = CƯ

Q: đ i ệ n t í c h của h ộ h a i v ậ t t h ổ đ a n g x é t
C: đ i ệ n d u n g c ủ a h ộ
U: Điện áp đặt vào chúng

33
3-LK ĐIỆN
 Do don vị do l ư ờ n g của Q l à A m p e g i â y (As) = C u l o n . c ủ a d i ệ n áp
/\. ỉ
u là V o n ( V ) , n ê n đ ớ n vị do của d i ệ n d u n g là- — - = Ss = Siemens
V
s o k u n d c dược g ọ i l à F a r a (F) 1F = l S s .
Theo đó: l m F = LO F ; lịiF = l C r F í;

l n F = 10 "V v à lpF = Hr'-F

L à c á c đ ơ n vị n h ỏ h ơ n của F a r a .
M ộ t p h ầ n Lu có đ i ệ n d u n g Ì K a r a k h i v ớ i m ộ t đ i ệ n á p I V đ ặ t lên,
v ậ t t h ể sẽ n h ậ n được m ộ t d i ệ n t í c h Ì C u l o n .
Đ i ệ n d u n g c h ỉ h ì n h t h à n h giữa 2 v ậ t t h ề d ẫ n đ i ệ n n a m c á c h ly
n h a u v ế đ i ệ n . H a i v ậ t the cổ t h ê r ấ t lon n h ư Ì v ệ t i n h v à qua l á t hay
r ấ t n h ỏ n h ư h a i sợi d â y d a n song song c ạ n h n h a u .
Điện dung là một thuộc tính dưới tác đông của một điện áp, các •'Hòn tích
sẽ được nạp.
M ộ t t ụ d i ệ n g ổ m 2 b ả n k i m l o ạ i ( h ì n h 3.2) có đ i ệ n d u n g :

ở đây C: d i ệ n d u n g của t ụ
r.„: h ă n g sô d i ệ n môi c 0 8.85. 10- F/m
12

e,.: h ộ sô đ i ệ n m ô i
A : d i ệ n t í c h h a i ban k i m l o ạ i song s o n £ đ ô i d i ệ n .
a: k h o ả n g c á c h £Ĩữn hai b ả n k i m l o ạ i .
Đ ể có c l ớ n t h ư ờ n g d ù n g hai lá k i m l o ạ i c á c h l y n h a u h a n " một
lớp c á c h đ i ệ n m ỏ n g v à được q u â n l ạ i song song n h a u .

Í t
Lớp điên mòi
Mát phàng A
Hình 3.2. Tụ điện phang.
3.2. TỤ Đ I Ệ N

3.2.1. V ấ n đ ể c h u n g

T ụ đ i ệ n là l o ạ i l i n h k i ệ n có đ i ệ n d u n g đ ư ợ c x á c đ ị n h t r ư ớ c , g ọ i là
g i á t r ị d a n h đ ị n h , có sai s ố (độ l ệ c h g i ữ a g i á t r ị t h ự c v à g i á t r ị m u ố n
có) v à có p h ụ t h u ộ c n h i ệ t đ ộ .

34
 Do lóp đ i ệ n m ô i có đ i ệ n t r ở k h ô n g p h ả i vô c ù n g l ớ n (có g i á t r ị h ữ u
hạn) n ê n k h i đ ã được n ạ p đ i ệ n t í c h ( t ừ n g u ổ n á p n g o à i ) t ụ sẽ t ự
p h ó n g đ i ệ n qua đ i ệ n t r ở của l ố p đ i ệ n m ô i . N g o à i r a k h i l à m v i ệ c lớp
d i ệ n môi bị l à m n ó n g v à g â y r a t ổ n hao ( n h i ệ t ) cho t ụ đ i ệ n , t ổ n hao ở
c h ê đ ộ m ộ t c h i ề u k h i c h ị u t ả i v à ỏ c h ế độ xoay c h i ề u .
C ầ n p h â n b i ệ t h a i d ạ n g t ụ đ i ệ n : T ụ m ộ t c h i ề u v à t ụ xoay c h i ề u .
T ụ m ộ t c h i ề u được c h ế t ạ o đ ể chỉ l à m việc v ố i đ i ệ n á p m ộ t c h i ề u
k h i đ ó v ậ t l i ệ u đ i ệ n m ô i có t í n h c h ấ t t ổ n hao r ấ t l ớ n ở c h ế đ ộ xoay
c h i ề u . T ụ m ộ t c h i ề u l u ô n có đ i ệ n á p d a n h đ ị n h v à k h ô n g t h ể l à m v i ệ c
v ớ i đ i ệ n á p xoay c h i ề u có t r ị b i ê n độ b ằ n g g i á t r ị d a n h đ ị n h này.
T r o n g m ộ t s ố t r ư ờ n g hợp đ ặ c b i ệ t c h ú n g có t h ể l à m v i ệ c v ố i c á c đ i ệ n
á p xoay c h i ề u v ớ i b i ê n đ ộ r ấ t n h ỏ ( t r ê n n ề n g i á t r ị m ộ t c h i ề u l ớ n - t ụ
lọc t r o n g n g u ổ n c h ỉ n h l ư u ) t ụ xoay c h i ề u chỉ l à m v i ệ c v ớ i t í n h i ệ u
xoay (-hiểu. C á c t ụ đ i ệ n có k í c h t h ư ớ c h ì n h d ạ n g v à c h ủ n g l o ạ i r ấ t
khác nhau.

T h a m s ố d a n h đ ị n h v à t h a m s ố giới h ạ n t h ể h i ệ n c á c t í n h c h ấ t
của t ụ đ i ệ n :
T h a m số danh định:
* Điện dung danh định * D ả i n h i ệ t độ l à m việc
* Đ ộ l ệ c h ( d u n g sai) * T h ò i g i a n sử d ụ n g
* Sự p h ụ thuộc n h i ệ t độ của đ i ệ n dung * Đ ộ t i n cậy k h i l à m việc
* Sự p h ụ t h u ộ c đệ ẩ m của đ i ệ n d u n g * H ệ s ố t ổ n hao
* H ằ n g số thời gian tự p h ó n g điện
T h a m số giới h ạ n :
* Đ i ệ n á p giới h ạ n (danh định)
* Đ i ệ n á p giới h ạ n tác động lâu
* Đ i ệ n á p g i ớ i h ạ n hay đ ỉ n h ( t á c đ ộ n g n h a n h )
* Đ i ệ n á p xoay c h i ề u t ố i đ a
C á c g i á t r ị của t ụ đ i ệ n (giá t r ị đ i ệ n d u n g của t ụ ) được quy đ ị n h b i ể u
d i ê n theo m ã m à u với c á c m à u cơ b ả n giống n h ư quy đ ị n h quốc t ế v ớ i
đ i ệ n trở. D ù n g l o ạ i m ã m à u 5 vòng, quy đ ị n h t u â n theo b ả n g sau:
C h ú ý t ụ đ i ệ n có đ i ệ n d u n g d a n h đ ị n h theo t i ê u c h u ẩ n I E C - l o á t
c h u ẩ n t ư ơ n g t ự cho l o ạ t E6, E12, E24, sai s ố t u â n theo l o ạ t E48 E96
v à E192. N g o à i r a v ớ i c á c t ụ đ i ệ n bọc k i m c h ú ý c h â n n ố i o v v à p h â n
b i ệ t nó với các c h â n nối ra mạch ngoài.

35
 Chân nối ra mạch ngoài

<I

Sô giá trị thứ 1 Điện áp danh định

Số giá trị thứ 2 Sai số
Hệ số thập phân Chân nối ra mạch ngoài

Hình 3.3. Ký hiệu quy ưốc vạch Hình 3.4. Các loại tụ SMD.
màu của tụ diện.

Sự p h ụ t h u ộ c của đ i ệ n d u n g v à o n h i ệ t đ ộ đ ư ợ c x á c đ ị n h q u a h ệ số
nhiệt a . c

ÁC = c . a c . Av

Vòng 3 Vòng 5
Vòng 1 Vòng 2 Vòng 4
Màu Số t h ứ 3 hệ Điện á p
Số thứ 1 Số thứ 2 Sai s ò
s ô nhân danh định

Không màu - - - ± 20% 5000V

Bạc - - 1CT 2
± 10% 2000V
Vàng - - 10" 1
± 5% 1000V

Đen - 0 10"pF
Nâu 1 1 10 pF
1
± 1% 100V
Đỏ 2 2 10 pF ?
± 2% 200V
Cam 3 3 10 pF 3
300V
Vàng 4 4 10 pF 4
400V

Xanh lá 5 5 10 pF 5
± 0,5% 500V
Xanh da trời 6 6 10 pF 6
600V
Tím 7 7 10 pF 7
700V
Xám 8 8 10 pF 8
800V
Trắng 9 9 10 pF 9
900V

Với ÁC sự t h a y đ ố i đ i ệ n d u n g do n h i ệ t đ ộ g â y r a .
c g i á t r ị đ i ệ n d u n g của t ụ đ i ệ n t ạ i 2 0 ° c (hay t ạ i 40°C)
(trị d a n h định)
a c h ộ s ô n h i ệ t của t ụ đ o b ằ n g l / ° c
Av Sự b i ê n t h i ê n của n h i ệ t đ ộ t á c đ ộ n g t r ự c t i ế p l ê n t ụ c.

36
 Thời gian phóng điện T là tích số của điện trở cách
s điện R is và điện
dung c của tụ T = R . c
s ịs

T ụ đ i ệ n có T„ c à n g l ớ n t h ì c h ấ t l ư ợ n g c à n g t ố t , g i á t r ị của T s

t h ư ờ n g t r o n g k h o ả n g lOOOs đ ế n lO.OOOs (s: g i â y )

D ả i n h i ệ t đ ộ l à m v i ệ c , t h ờ i g i a n sử d ụ n g (ví d ụ t ừ 8 đ ế n 15 n ă m ) .
Đ ộ t i n c ậ y k h i l à m v i ệ c (ví d ụ 1 0 0 . 0 0 0 g i ò / 3 % ) , h ệ s ố t ổ n hao 5 l à c á c
t h a m s ố k h á c n h à s ả n x u ấ t c u n g cấp t h ô n g t i n cho n g ư ờ i sử d ụ n g .
C h ú ý h ệ s ố t ổ n hao s t ă n g theo sự t ă n g của t ầ n số. K h i n h i ệ t đ ộ t ă n g
cao đ i ệ n á p d a n h đ ị n h g i ả m (ví d ụ ở 40"C đ i ệ n á p d a n h đ ị n h l à 100V
t h ì ở 8 0 ° c giá t r ị n à y chỉ còn l ạ i 60V). K h i l à m việc ở c h ế độ xung, c ầ n
q u a n t â m t ớ i g i á t r ị đ i ệ n á p đ ỉ n h d a n h đ ị n h cho b i ế t k h ả n ă n g c h ị u
đ i ệ n á p t r o n g m ộ t t h ờ i g i a n n g ắ n của t ụ .

3.2.2. C ấ u t ạ o t ụ đ i ệ n

3.2.2.1. Tụ giây và tụ mica

T ụ g i ấ y ( h ì n h 3.5) g ổ m 2 t ò
kim loại mỏng thường là giấy
n h ô m được c á c h l y n h ờ m ộ t t ấ m
giấy mỏng. H ệ thống t r ê n được
c u ộ n t r ò n c h ặ t l ạ i sau đ ó được
t ạ o 2 cực r a t ừ h a i tờ g i ấ y k i m
l o ạ i v à đ ư ợ c bọc k í n b ằ n g vật
l i ệ u c h ố n g ẩ m . có đ ộ c ứ n g bảo
vệ, chống cháy.
Ngày nay lớp cách điện Hình 3.5. Cấu tạo tụ giấy hoặc tụ mica.
t h ư ờ n g được d ù n g là lớp v ậ t l i ệ u
n h â n t ạ o ( m i c a , p o l y m e ) có n h i ề u ư u đ i ế m h ơ n g i ấ y : k í c h t h ư ớ c g ọ n
hờn giá trị đ i ệ n d u n g c và đ i ệ n áp chịu đ ự n g ổ n định hơn. Đặc b i ệ t
v á t l i ê u p o l y s t y r o l có n h i ề u ư u đ i ể m v ề t ổ n hao đ i ệ n m ô i t h ấ p , h ộ sô
n h i ô t ot â m g i á t r ị n h ỏ t h í c h hợp cho v i ệ c sử d ụ n g ở t ầ n s ố cao ví d ụ
c

t r o n g m ạ c h t ạ o dao đ ộ n g t ầ n s ố cao.

3.2.2.2. Tụ kim loại - giấy (tụ MP)

B ề d ầ y của p h i ế n k i m l o ạ i k h ô n g ả n h h ư ở n g t ớ i g i á t r ị đ i ệ n d u n g
c ủ a t u . K h i m u ố n có m ộ t g i á t r ị đ i ệ n d u n g l ớ n ( t r ê n m ộ t đ ơ n vị t h ổ
t í c h vói m ộ t đ i ệ n á p n ạ p x á c đ ị n h ) , c ầ n g i ả m b ề d ầ y p h i ế n k i m l o ạ i t ớ i
m ứ c t ố i t h i ể u . T ụ k i m l o ạ i - g i ấ y được c h ế t ạ o đ ể đ ạ t đ ư ợ c m ụ c đ í c h

37
t r ê n . K i m l o ạ i được bốc bay d ư ớ i d ạ n g m ộ t l á p m ỏ n g t r ê n b ề m ặ t g i ấ y
c á c h đ i ệ n . B ề d à y lớp k i m l o ạ i cỡ 0,05 ịim. B ề d à y lớp g i ấ y được c h ọ n
t u y đ i ệ n á p d a n h đ ị n h c ầ n có. c á c l ố p k i m l o ạ i m ỏ n g có đ i ệ n t r ở t ư ớ n g
đ ố i l ớ n là n h ư ợ c đ i ể m của l o ạ i Vị tri đánh thùng Lớp kim loại
t ụ M P . C á c c h â n t ụ (các cực) ^. Lốp điện môi
được l ấ y r a t r ê n 2 m ặ t đ ó đ ã Ì"
ị
được m à i n h ọ n ở đ ầ u c u ộ n v ề 2
p h í a của lớp k i m l o ạ i . V i ệ c c ấ u
tạo n à y l à m g i ả m đ i ệ n cảm
Vùng có mật độ
r i ê n g của c u ộ n . dòng điện làn
N ế u thực h i ệ n đục một l ỗ p Lớp kim loại bị bóc đi
t h ủ n g ( h ì n h 3.6), t ạ i v ù n g
3
x u n g q u a n h l ỗ sẽ x u ấ t h i ệ n
trong thời gian ngắn một m ậ t Hỉnh 3.6. Tự hổi phục của tụ MP và tụ MK.
dô d ò n g đ i ệ n k h á lòn. Đ â y là
đ i ể m đặc b i ệ t của c á c lớp k i m ỉ®
l o ạ i được bốc bay p h ủ t h à n h
m à n g mỏng. Lớp đ i ệ n môi nhờ
đ ó k h ô n g bị p h á h u y . Đ i ể m
t h ủ n g l ỗ là c á c h l y v ề đ i ệ n . L ỗ
t h ủ n g có t í n h c h ấ t t ự l à n h l ạ i
(Lự h ổ i p h ụ c ) .
Chất điên môi.
Chất điện môi
(điện cực thứ
Lốp kim loại
hai cùa tụ)
(diện cực thứ
nhất cùa tụ) Lốp điện môi

Hình 3.7. Cấu tạo tụ điện hoa (theo mặt cắt). Hình 3.8. Cấu tao một tụ điên hoa.

Tính chất tự hồi phục là một ưu điểm quan trọng của tụ MP.
Q u á t r ì n h t ự h ổ i p h ụ c x ả y r a t r o n g t h ờ i g i a n lOịis đ ế n 50(ÌS.
T r o n g t h ò i g i a n n à y , đ i ệ n á p của t ụ g i ả m d ẫ n t ớ i k h ả n ă n g g â y n h i ễ u
ở d ạ n g x u n g cho c á c m ạ c h đ i ệ n t ử . Sau m ỗ i q u á t r ì n h t ự h ổ i p h ụ c ,
đ i ệ n d u n g của t ụ bị g i ả m m ộ t c h ú t (ví d ụ sau lOOOlần, g i á t r ị đ i ệ n
d u n g sẽ g i ả m đ i 1%).

3.2.2.3. Tụ kim loại - hợp chất nhân tạo (tụ MK)

C ấ u t ạ o của t ụ M K v ề n g u y ê n tắc g i ố n g t ụ M P , lớp đ i ệ n m ô i ở đ â y
k h ô n g d ù n g g i ấ y m à là l o ạ i v ậ t l i ệ u n h â n t ạ o d ư ố i d ạ n g m à n g m ỏ n g

38
đ ư ợ c p h ủ 2 l ớ p k i m l o ạ i m ỏ n g (0,02^im đ ố n O.OÕỊiirO t r ê n 2 m ặ t của
lóp d i ệ n m ô i . V i ệ c c h ế t ạ o can đ à m b ả o d i ệ n c ả m r i ê n g n h ỏ v à d i ệ n t r ở
1'H'iig của c á c t ấ m k i m l o ạ i l à m d i ệ n cực t h ấ p . T ụ l o ạ i M K c ủ n g có k h ả
n a m ; Lự h ổ i p h ụ c n h ư l o ạ i t ụ M P .
T ụ M K dược chia n h ỏ t h à n h các n h ó m .
T ụ M K T v ậ t l i ệ u d i ệ n m ổ i là polvctylen (loại k ý h i ệ u p h ố b i ế n M K H ) .
T ụ M K C v ậ t l i ệ u d i ệ n môi là polycacbonat (loại k ý h i ệ u p h ổ b i ế n M K M ) .
T ụ M K U v ậ t l i ệ u sử d ụ n g là x o n l u l o a s e t a t ( l o ạ i p h ổ b i ế n M K L ) .
T ụ M K S v ậ t l i ệ u đ i ệ n mỏi là polystyrol (loại ký h i ệ u M K Y ) .

3.2.2.4. Tụ gôm
T ụ g ố m sử d ụ n g g ố m l à m lớp d i ệ n m ô i . g ổ m 2 n h ó m :
N h ó m 1: s ử d ụ n g c á c l o ạ i g ố m có h ộ s ố đ i ệ n m ô i t h ấ p ự,, t ừ 6 đ ế n
450) có t ổ n hao d i ệ n m ô i n h ó . ít p h ụ t h u ộ c v à o n h i ệ t đ ộ .
N h ó m 2: sử d ụ n g c á c l o ạ i g ô m dặc b i ệ t có h ộ sô d i ệ n m ô i lớn (é,, t ừ
700 đ ế n 50.000), t u y n h i ê n c p h ụ t h u ộ c m ạ n h v à o n h i ệ t đ ộ , t ố n
r hao
đ i ệ n môi t ư ơ n g đôi lớn.
V ậ t l i ệ u g ô m sứ t h u ộ c n h ó m Ì sử d ụ n g t ố t t r o n g c á c m ạ c h c ầ n t ầ n
s ố ổ n đ ị n h , t h ư ờ n g l à c á c m ạ c h t ạ o dao đ ộ n g . K h i d ó c ầ n gia c ô n g k í c h
thước t ụ đ i ệ n t ư ơ n g đ ố i c h í n h xác, giá trị đ i ệ n d u n g c h í n h xác v à ít
p h ụ t h u ộ c n h i ệ t đ ộ . T ổ n hao d i ệ n môi ỏ t ầ n s ố r ấ t cao v ẫ n đ ủ n h ỏ . V ậ t
liệu thuộc n h ó m 2 có t h ó c h ế t ạ o dược c á c t ụ k í c h t h ư ớ c rất nhỏ
n h ú n g có g i á t r ị đ i ệ n d u n g l ớ n (ví d ụ c = 10ỊLLF, u = 30V) c á c t ụ t h u ộ c
n h ó m 2 có h ộ s ố n h i ệ t đ ộ l ớ n , t ổ n hao đ i ệ n m ô i c ũ n g k h á l ớ n c h ỉ d ù n g
ỏ n h ũ n g v i ệ c y ê u c ầ u đ ộ c h í n h x á c k h ô n g cao.

3.2.2.5. Tụ diện hoa

C á c t ụ đ i ệ n hoa d ù n g d u n g dịch d i ệ n hoa l à m Ì t r o n g h a i đ i ệ n cực
của t ụ . đ i ệ n cực k i a là k i m l o ạ i c ấ u t ạ o d ạ n g m à n g ( h ì n h 3.7 v à 3.8),
n g ă n c á c h 2 đ i ệ n cực n à y v ớ i lớp đ i ệ n m ô i . D u n g dịch đ i ệ n hoa l à m ộ t
l o ạ i c h ấ t l ỏ n g d ẫ n đ i ệ n . m ộ t s ố t r ư ờ n g hợp d ù n g v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n đ i ệ n
l à m cực d i ệ n hoa, đ i ệ n cực k i a là n h ô m . B á n cực n h ô m l u ô n t ổ n t ạ i Ì
lớp o x y đ c n h ô m dược sử d ụ n g l à m m ô i t r ư ờ n g đ i ệ n m ô i đ ể c á c h l y b ả n
cực n h ô m v ớ i cực đ i ệ n hoa. VỚI t ụ hoa c h ị u đ i ệ n á p 100V, lúp oxyde
n h ô m c h ỉ d à y cỡ 0,15|.im, k h o ả n g c á c h giữa 2 đ i ệ n cực n h ư v ậ y là r ấ t
h ẹ p t r o n g k h i d i ệ n t í c h h a i b ả n cực l ạ i r ấ t l ớ n n ê n l o ạ i t ụ đ i ệ n hoa

39
t h ư ờ n g có g i á t r ị đ i ệ n d u n g l ớ n ( h ì n h 3.8) k h i c ù n g m ộ t g i á t r ị t ổ n hao,
đ i ệ n d u n g có t h ể t ă n g gấp 8 l ầ n . H ệ s ố đ i ệ n m ô i c ủ a ô x y t n h ô m k h o ả n g
7 đ ế n 8. C ấ u t ạ o của t ụ hoa l u ô n p h â n b i ệ t đ i ệ n cực k i m l o ạ i ( n h ô m ) là
cực d ư ơ n g , cực đ i ệ n hoa c ò n l ạ i l u ô n là cực â m ( h ì n h 3.8). V ớ i đ i ệ n áp
đ ặ t v à o cỡ 2V, t ụ đ i ệ n hoa đ ã được p h â n cực v à h ì n h t h à n h lớp oxyt.
C h ấ t đ i ệ n hoa được n u n g n ó n g n h a n h t ạ o k h í có k h ả n ă n g g â y n ô . Việc
p h â n cực n h a n h cho t ụ chỉ t h ự c h i ệ n v ớ i đ i ệ n á p t h ấ p cỡ 2 V . Đ ê t r á n h
l à m n ổ t ụ c ầ n c h ú ý n g ắ n m ạ c h d ò n g đ i ệ n cho t ụ t r ư ớ c k h i đ ư a t ụ vào
m ạ c h b ằ n g c á c h n ố i t ắ t 2 cực của t ụ .
K ý h i ệ u quy ước của t ụ đ i ệ n hoa được cho t r ê n h ì n h 3.9. M ộ t vài
d ạ n g t ụ đ i ệ n hoa có h a i lá n h ô m k h ô n g có lớp o x y t , l o ạ i n à y có đ i ệ n trở
t h ấ p , Ì lá n h ô m l à m cực â m (gọi là lá k a t o t ) , c ò n l á k i a đ ả m n h i ệ m vai
t r ò lớp o x y t g ọ i là anot. G i ữ a 2 lá k a t o t v à a n o t đ ổ d u n g d ị c h đ i ệ n hoa
v à v ậ t l i ệ u g i ữ c h ú n g ( g i ấ y hay sợi dột). N ế u t ạ i l á k a t o t t ạ o t h ê m Ì lớp
o x y t sẽ n h ậ n được h a i t ụ đ i ệ n hoa n ố i đ ố i n h a u k i ể u n ố i t i ế p - đ â y là
l o ạ i t ụ đ i ệ n hoa k h ô n g có cực t í n h ( h ì n h 3.10) v à k ý h i ệ u cho t r ê n h ì n h
3.11. Đ i ệ n d u n g l o ạ i t ụ h ì n h 3.10 c ò n g i á t r ị m ộ t n ử a v à l à m v i ệ c được
ở m ạ c h đ i ệ n xoay c h i ề u . N ê u c ù n g g i á t r ị d i ệ n d u n g v à đ i ệ n á p danh
đ ị n h t h ì k í c h t h ư ớ c của t ụ k h ô n g p h â n cực g ấ p đ ô i t ụ có p h â n cực.

| |__ -—li
H

Hình 3.9. Ký hiệu tụ điện có Hình 3.10. Nối hai ty phân Hình 3.11. Ký hiệu
phân cực. cực đòi nhau để tạo ra tụ tụ điện hoa không
điện hoa không phân cực. phân cực.

Tụ điện loại điện hoa - Tantal có lớp điện môi là oxyttantal đặc biệt
b ề n v ữ n g c h ố n g đ á n h t h ủ n g . H ệ s ố đ i ệ n m ô i của T a n t a l 8 * 27 cho p h é p
r

s ả n x u ấ t t ụ T a n t a l có đ i ệ n d u n g l ớ n , t u y n h i ê n l o ạ i n à y có g i á t h à n h
cao k h i t h a y t h ế lớp m à n g n h ô m b ằ n g lớp m à n g T a n t a l v à l ố p oxyt
n h ô m sẽ l à lớp o x y t T a n t a l có c ấ u t ạ o t ư ơ n g t ự . T ụ T a n t a l c ũ n g có hai
l o ạ i p h â n cực v à k h ô n g p h â n cực.
H ì n h 3.12 t r ì n h b à y c ấ u t ạ o c ủ a m ộ t t ụ T a n t a l - đ i ệ n hoa ( l o ạ i S)
v à h ì n h 3.13 l à c ấ u t ạ o l o ạ i SF. VỚI t ụ đ i ệ n hoa T a n t a l l o ạ i SF. c h ấ t
đ i ệ n hoa là m a n g a n d i o x í t ( M n 0 ) có c ấ u t r ú c đ ặ c b i ệ t m a n g t í n h c h ấ t
2

của c h ấ t b á n d ẫ n t ạ p c h ấ t l o ạ i n d ù n g l à m cực k a t o t v à a n o t l à k h ố i
T a n t a l t h i ê u k ế t . Đ â y l à l o ạ i t ụ có c ấ u t ạ o đ ặ c b i ệ t c h ắ c c h ắ n .

40
 1

\
, v

Lớp điện môi Lớp điện mòi răn

Hình 3.12. Cấu tạo một loại tụ điện Hình 3.13. Cấu tạo một loại tụ điện
hoa Tatal (loại S). hoa Tantal (loại SF).

3.2.2.6. Các loại tụ thay đối được trị số điện dung

Đ ổ t h a y đ ổ i đ ư ợ c g i á t r ị đ i ệ n d u n g , c á c t ụ xoay có c ấ u t ạ o g ô m
n h i ề u p h i ế n đ i ệ n cực song song đ ố i d i ệ n n h a u t ừ n g c ặ p v à c h ỉ Ì n h ó m
p h i ế n đ i ệ n cực có t h ổ d i c h u y ể n (quay) c ù n g Ì t r ụ c (ví d ụ n h ó m p h i ế n
s ố l ẻ ) . C ò n n h ó m s ố c h ẵ n g i ữ c ố đ ị n h ( h ì n h 3.14). v ề n g u y ê n t ắ c , c ấ u
t ạ o t ụ xoay n h ư t h ể h i ệ n ở h ì n h 3 . l õ g ổ m 2 n h ó m p h i ế n p h ả n g song
song đ ố i d i ệ n n h a u , n h ư v ậ y d i ệ n t í c h c á c b ả n cực c ủ a t ụ l à r ấ t l ố n .
Lõi đ i ệ n m ô i t r o n g t r ư ờ n g hợp n à y t h ư ờ n g l à k h ô n g k h í . G i á t r ị đ i ệ n
d u n g có t h ể t h a y đ ổ i t ừ v à i p F ( l ú c p h ầ n r o t o v à p h ầ n s t a t o k h ô n g đ ố i
d i ệ n n h a u ) đ ế n k h o ả n g v à i t r ă m p F (lúc h a i p h ầ n t ĩ n h v à đ ộ n g đ ố i
d i ệ n n h a u t o à n bộ).
Phần động

Phần đông Phần tình

Hình 3.14. Cấu tạo tụ xoay 2 ngăn.

Roto
, Phiến stato
Phấn tĩnh (không nhìn thấy)
Hình 3.15. Tụ xoay gổm 2 nhóm
phiến song song với nhau. Roto
StQto
Để thay đổi điện dung
của tụ trong Ì giới hạn Phần động -—
nhỏ (vi đ i ề u chỉnh) nhóm
t ụ xoay d ạ n g T r i m ơ hình Hình 3.16. Một dạng của tụ bán chuẩn (Trimơ).
3.16 được sử d ụ n g .

41
3.3. TỤ Đ I Ệ N T R O N G M Ạ C H Đ I Ệ N 1 CHIỀU

3.3.1. Nạp điện cho tụ

Tụ điện c trong mạch hình

3.17 c h ư a d ư ợ c n ạ p đ i ệ n . T h o ạ t
tiên, ngay sau khi nôi mạch
k h o a s, d ò n g đ i ệ n c h ỉ t á c động
t ớ i R v à R,.
v

Tụ chưa nạp điện có trở kháng bàng 0 H i n h 3

- - ?
1 7 M c h đ i
? n n
?p c h o t ụ
-
N h ư v ậ y c h ư a có đ i ệ n á p t r ê n t ụ ( Ư = 0) h a y k h ô n g có đ i ệ n tích
c

t r ê n c á c b ả n cực c ủ a t ụ . D ò n g đ i ệ n t r o n g m ạ c h có g i á t r ị :
u, u,
Ì mu V (R = R + R, là đ i ệ n t r ở c h u n g c ủ a m ạ c h )
v

Rv + Ri R
T ụ c b ắ t đ ầ u được nạp, Ư t ă n g , trở k h á n g của t ụ t ă n g theo u .
r r

He d ò n g đ i ệ n t r o n g m ạ c h b ị g i ả m d ầ n . H ì n h 3.18 t h ê h i ệ n
Rr =
ì
quan hộ dòng ì và áp u c theo t h ờ i g i a n t ừ sau l ú c s n ô i m ạ c h (t - 0).
T h ò i g i a n c ầ n t h i ế t cho v i ệ c n ạ p đ i ệ n của t ụ p h ụ t h u ộ c v à o d ò n g
d i ệ n , tức l à p h ụ t h u ộ c v à o R v à c. T í c h s ố R . c q u y ế t đ ị n h t ớ i tốc độ
n ạ p đ i ệ n c ủ a t ụ v à được g ọ i l à h ằ n g s ố t h ò i g i a n T.

X = R . c

Úc
ì
1007.
BO'/.
63 •/. _ ,
(chinh xác 63,27.) 60
\: F Ị - 407.
(chinh xác 36.8*/.)
20V.

Hình 3.18. Đố thị u (t) l (t) khi 1 tụ nạp điện.

c c

Theo đ ổ t h ị h ì n h 3.18, sau t h ò i g i a n t — T đ i ệ n á p t r ê n t ụ đ ạ t LỚI

63% g i á t r ị l ớ n n h ấ t v à sau t = 5x t h ì u c = U C t n a x . N h ư vậy tụ nạp đầy
sau 5T. LÚC đó u c (5x) = U ; 1 = 0.
0

42
 Khi được nạp đầy, trỏ kháng của tụ là vô cùng lớn. Tụ có tính chất chặn
dòng 1 chiều.

Ví dụ: K h i cho c = 100^iF v à R = 2 k Q ( m ạ c h h ì n h 3.18)

T í n h h ằ n g s ố t h ò i g i a n X v à t h ò i g i a n n ạ p cho t ụ .
T = RC = 2 . 1 0 Q . 100 . 10" F = 2 0 0 m s
3 G

T h ờ i g i a n n ạ p 5x = 5 . 2 0 0 m s = l s

3.3.2. N ằ n g l ư ợ n g c ủ a t ụ

K h i được n ạ p đ ầ y , t ụ t í c h t r ữ n ă n g l ư ợ n g đ i ệ n w được x á c d i n h bơi

w = - CU 2

ơ đây W: điện năng trữ trong Lự

C: đ i ệ n d u n g c ủ a t ụ
U: điện áp trên tụ

3.3.3. S ự p h ó n g đ i ệ n c ủ a t ụ

K h i đ ư ợ c n ạ p đ ầ y , t ụ n h ư m ộ t n g u ổ n đ i ệ n á p có d i ệ n t r ở t r o n g r ấ t
n h ỏ . N ê u k h i đ ư ợ c n ạ p đ ầ y , n ô i n g ắ n m ạ c h h a i cực c ủ a t ụ , t ụ p h ó n ^
đ i ệ n v ớ i d ò n g đ i ệ n p h ó n g r ấ t l ớ n v à d ễ phấi h ỏ n g t ụ n ê n đ ế t h ự c h i ệ n
q u á t r ì n h p h ó n g đ i ệ n cho t ụ c ầ n sử d ụ n g đ i ệ n t r ở p h ó n g ỏ m ạ c h n g o à i
đ ể h ạ n c h ế d ò n g đ i ệ n p h ó n g ( h ì n h 3.19).
Úc

CO'/.
207.

ÍT 2T 3T ÚT 5r t

Hình 3.19. Đường phóng của tụ c.

K h i k h o a s n ố i m ạ c h , t ụ ( n g u ổ n đ i ệ n á p ) c ấ p d ò n g cho R (cấp
n ă n g l ư ợ n g cho m ạ c h n g o à i ) , t ụ p h ó n g đ i ệ n v à đ i ệ n á p t r ê n t ụ g i ả m

dần (hình 3.19). Tại mỗi thời điểm, do ì = ^ dòng điện giảm theo

cùng quy luật với điện áp u . c

43
 S a u m ộ t k h o ả n g X = RC đ i ệ n á p t r ê n t ụ v à d ò n g t r o n g m ạ c h g i ả m
c ò n 37% so v ớ i g i á t r ị đ ỉ n h v à sau k h o ả n g t = ÓT, đ i ệ n á p t r ô n tụ
Úc (t > 5x) = 0; ì = 0: T ụ đ ã p h ó n g h ế t n ă n g l ư ợ n g .

3.4. TỤ Đ I Ệ N T R O N G M Ạ C H X O A Y C H I Ế U

3.4.1. D ẩ n d ò n g x o a y c h i ể u

N ế u đ ặ t đ i ệ n á p xoay R
1
c h i ề u l ê n t ụ , n ó sẽ được
ị
nạp và phóng điện liên \ ' ị t
t i ế p . Ví d ụ đ i ệ n á p xoay \^ y
Ó) 1 OI
chiều là h ì n h sin, trong CL c
•o Q c
<5 -C ro- -Ó£L
-1

1/4 c h u k ỳ đ ầ u , t ụ được
nạp, ở phần tư tiếp sau Hình 3.20. Nạp phóng cho tụ c
với một điện áp xoay chiếu.
nó p h ó n g điện. Sang b á n
kỳ âm, t ạ i phần tư t h ứ 3
tụ lại được nạp theo
chiều ngược l ạ i và p h ó n g
điện ở phần tư cuối c ù n g Hình 3.21. Dao động của điện tử trong hộp dẫn
trong một chu kỳ đ i ệ n á p khi có dòng xoay chiếu.
t á c đ ộ n g ( h ì n h 3.20).
N h ư v ậ y t r o n g m ạ c h xoay c h i ề u các đ i ệ n t ử c h u y ế n đ ộ n g k i ê u dao động
giữa hai đ i ệ n cực của t ụ đ i ệ n ( h ì n h 3.21) và t ụ đ i ệ n có t í n h c h ấ t d ẫ n điện
đôi với d ò n g xoay c h i ê u (nhờ đ i ệ n t r ư ờ n g g h é p giữa hai b ả n cực của t ụ ) .

3.4.2. Đ i ệ n k h á n g c ủ a t ụ ( d u n g k h á n g )

T r o n g m ạ c h xoay c h i ê u , đ i ệ n t r ở của t ụ c à n g n h ỏ k h i t ầ n s ố c à n g
cao v à đ i ệ n d u n g của t ụ c à n g l ớ n . Đ i ệ n k h á n g c ủ a t ụ đ ư ợ c Lính b ở i :

x : d u n g k h á n g (điện k h á n g của t ụ )
c

C: đ i ệ n d u n g
f: t ầ n sô t í n h i ệ u
co: t ầ n s ố góc (co = 2TC0

44
 Chú ý trong điện k h á n g x r k h ô n g có t ổ n hao công s u ấ t n h i ệ t k h i lý
t ư ở n g . H ì n h 3.22 t h ể h i ệ n quan h ệ x c theo f. Ví d ụ : V ớ i t ụ c = 2,2nF; ỏ
t ạ i f = 1 M H z đ i ệ n k h á n g của t ụ là:

Q = 72.3Q

t
Hình 3.22. Quan hệ phụ thuộc điện kháng x vào tần số. c

3.4.3. S ự d ị c h pha v à đ ố thị v e c t ơ

K h i dược n ạ p đ ế n t r ạ n g t h á i u c lớn n h ấ t , d ò n g 1 = 0. K h i p h ó n g
đ i ệ n h ế t Úc = 0 d ò n g ì l ớ n n h ấ t . N g h ĩ a là giữa d ò n g đ i ệ n v à đ i ệ n á p
t r ê n t ụ có sự dịch pha 90°( k h i Lự k h ô n g có t ổ n hao).

Khi không có tổn hao dòng điện trên tụ nhanh pha hơn điện áp 1 góc 90°.
Đ ổ t h ị t h ờ i g i a n Ư ( t ) và 1(1) cho t r ê n h ì n h 3.23, dổ t h ị v e c t ơ ư ( , ì
c

cho t r ê n h ì n h 3.24.
Ực
/ li

Hình 3.23. Đố thị u (t) l (t) của

c c Hình 3.24. Quan hệ vectơ dòng và
1 tụ không tôn hao. áp trên 1 tụ điện không có tốn hao.

3.4.4. Hệ sô tổn hao và góc tổn hao

C á c t ụ d i ệ n thực t ế luôn có t ổ n hao. N ế u b i ể u t h ị qua đ i ệ n trở t ổ n

hao R t r o n g m ạ c h ( h ì n h 3.25), t ụ k h ô n g Lổn hao (lý tưởng) c n ố i t i ế p với
R. T ừ m ạ c h h ì n h 3.25 n h ậ n được đổ thị véctơ h ì n h 3.26. Góc dịch pha

45
giữa d ò n g v à á p t h ự c t ế n h ỏ h ơ n 90°, so v ố i t ụ lý t ư ở n g b ị d ị c h đ i Ì l ư ợ n g ô
(tược (lịnh n g h ĩ a là góc t ổ n hao. H ệ s ố t ổ n hao theo đ ị n h n g h ĩ a l à tang
cua ù.

ỚR
u Ị
c=ị= Úc Úc —Su
L

Hình 3.25. Mách tương đương Hình 3.26. Đổ thị véc tơ dòng và
thay thỏ 1 tụ điện có tổn hao. áp trên 1 tụ điện có tổn hao.

tg ô: h ộ s ố t ổ n hao.

' U
R I R

tg 6 =
Úc I.Xc _ _ _ _ _ _
T ụ c à n g t ố t k h i t ổ n hao c à n g n h ỏ h a y t g ô c à n g n h ỏ , R « Xe. H ệ
s ố p h à m c h ấ t của Lự đ i ệ n Q được đ ị n h n g h ĩ a :

hay

3.5. M Ắ C N Ố I T I Ế P VÀ M Ắ C S O N G S O N G C Á C TỤ Đ I Ệ N

3.5.1. M ạ c h n ô i t i ế p

M ạ c h đ i ệ n h ì n h 3.27 có 3 t ụ Gi, C v à C 2 3 m ắ c n ố i t i ế p n h a u . Trở

k h á n g Long cộng:
Xctd =
X C 1 + X C 2 + X C 3
Ci =1= Xa
Ì Ì Ì Ì
Hay — — + — — + —-— : Ư XC2
coCị coC^ COC 3 C 4=X 3
3 C

j_ _L _Ị_ Ì Ì Ì
—+ _ + _
co ' c co Hình 3.27. Mắc nối tiếp 3 tụ điện
c, c3 )
T ổ n g q u á t k h i n ố i t i ế p n t ụ đ i ệ n C), Cọ . . . C . n

Đ i ệ n d u n g t ư ơ n g đ ư ơ n g được x á c đ ị n h b ở i :

46
 Ì Ì Ì
A f ) ( l ụ n g cho t r ư ờ n g h ợ p có 2 t ụ c , v à C n ô i t i ế p : 2 = — + —-

Hay c,.c,
c, + c\

C,:47nF
Ví d ụ : ! í à y Lính c „ , k h i n ố i Liếp c , = 4 7 n F
với Ca = 10nF ( h ì n h 3.28).
C = 10nF
2

n . c
. - c
:
47nF.10nF 470 „ „ rt n t r —
c, = - = - = — n F = 8,25nF 3. 28. Mắc nôi
c, \ c \ 47nF+10nF 57 H ì n h

tiếp 2 tụ điện.
3.5.2. M ạ c h s o n g s o n g

M ạ c h (liên h ì n h :{.29 có 3 t ụ c,. c , v à

c m á c song SÒM'/ n h a u K h i đó:
Ì
+•
X. X, Xe, X,

l i IV co.C = 0).(C, + c , + c , ) Hình 3.29. Mắc song song

3 tụ điện.
tll

('„, = c , + c , + c " :t

T r ư ờ n g h ọ p có li t ụ C i , c , C m ắ c song song:
n

C lll = C + C.,+ ... + C = X C ì

1 n

Ví d ụ : M ắ c song song 2 t ụ c , v à C , b i ế t 2

c. = lOOịiV ( h ì n h 3.ao) v à : Ư
Cr-
C„1 = /130f.iF h ã y t í n h ạ 100pF
c t(1 = c, + ạ h a y Ca = C,J - c ,
Hinh 3.30. Mắc song
c, - 4 3 0 f i F - 10l)|.iF = 330|.iF song 2 tụ điện.

3.6. CUỘN DÂY

3.6.1. Đ i ệ n c ả m
Khi trong cuộn dây hình 3.31 có m ộ t d ò n g
đ i ệ n x o a y c h i ề u c h ả y q u a , x u n g q u a n h n ó sẽ x u ấ t
h i ệ n m ộ t t ừ t r ư ờ n g b i ế n t h i ê n theo t h ờ i g i a n . T ừ
trường n à y c ả m ứ n g lên cuộn d â y m ộ t điện á p
Hình 3.31. Ký hiệu
theo đ ị n h l u ậ t t ự c ả m . cuộn dây.

47
 Uo = - N
Át

U : điện áp cảm ứng

0

N : số v ò n g d â y của cuộn d â y
A(Ị>: Sự b i ế n t h i ê n của t ừ t h ô n g
Át: t h ờ i gian x ả y ra b i ế n t h i ê n Aộ

ị' Ị:
ưol

a) Đổ thị dòng điện và điện áp cảm ứng b) Đổ thị dòng điện và điện áp cảm ứng
trên cuộn dây khi nối mạch dòng điện trên cuộn dây khi ngắt mạch dòng điện

Hình 3.32.

Dấu "-" trong hộ thức thể hiện điện áp cảmứng có chiều ngược với
t á c động là n g u y ê n n h â n sinh ra nó (là biên t h i ê n d ò n g đ i ệ n t r o n g cuộn
dây) ( h ì n h 3.32a và h ì n h 3.32b). K h i d ò n g ì t ă n g t h ì u „ ngược c h i ề u ì,
còn k h i ì g i ả m thì u „ c ù n g chiều với ì. Đ i ệ n á p t ự c ả m có giá trị p h ụ
thuộc cấu tạo của cuộn d â y (vật l i ệ u l à m lõi, số v ò n g , c h i ể u d à i q u ấ n
dây) và p h ụ thuộc tốc độ b i ế n t h i ê n của d ò n g đ i ệ n t r ô n cuộn d â y .

AI
u, = - L
Át

U [ : Đ i ệ n á p tự c ả m
A i : sự b i ê n t h i ê n của d ò n g đ i ệ n
Át: t h ờ i gian b i ế n t h i ê n của d ò n g đ i ệ n
L: đ i ệ n c ả m của cuộn d â y
Vs
Đơn vị đ i ệ n c ả m đo b ằ n g H c n r y [L] Q.s = H
A

48
 Cuộn dây có điện cảm là 1 Henry khi với dòng điện biến thiên 1A trong
1s sẽ sinh ra sức điện động (điện áp) tự cảm trên nó là 1V.
C á c đ ơ n vị n h ỏ h ơ n của H là:
l m H ( m i l i h e n r y ) = 10" H; l n H (nano H e n r y ) = l ( r H
3 9

lụn (microHenry) = Ì O ^ H ; l p H (picoHenry) = 10 1 2

H
C á c đ ơ n vị l ỏ n h ơ n là l k H ( k i l o H e n r y ) = 1 0 H . . . í t d ù n g .
3

Đ i ệ n c ả m của c u ộ n d â y x á c đ ị n h bởi:

= N 2
ỊfiL±L^

L=N 2
. A

L: điện cảm.
N : số vòng dây
|iio: h ằ n g s ố t ừ t r ư ờ n g
ụ,:, h ệ s ố t ừ t h ẩ m .
A: t h i ế t d i ệ n vòng dây.
l : đ ộ d à i đ ư ờ n g sức t r u n g b ì n h
m

A: độ d ẫ n t ừ .
Điện cảm của m ộ t cuộn d â y l u ô n tỷ l ệ v ớ i s ố v ò n g d â y bình
p h ư ơ n g (việc x á c đ ị n h h ệ s ố t ừ t h ẩ m Ịi. t h ư ờ n g k h ó k h ă n v ớ i c á c v ậ t
r

l i ệ u lõi s ắ t t ừ v à chỉ t í n h g ầ n đ ú n g , g i á t r ị l m thường phân bố không

rõ r ệ t đ ể t í n h c h í n h x á c được).

3.6.2. C ấ u t ạ o c u ộ n d â y
3.6.2.1. Cuộn dây lõi không khi
L o ạ i c u ộ n d â y lõi k h ô n g k h í t h ư ờ n g có d ạ n g
trụ (hình 3.33) hay d ạ n g t h i ế t d i ệ n chữ nhật
( h ì n h 3.34) d ạ n g x u y ế n ( h ì n h 3.35) hay d ạ n g xoắn Hình 3.33. Cuộn
dày dạng hình trụ.
ốc ( h ì n h 3.36).

Lĩ

Hình 3.34. Cuộn dây Hình 3.35. Cuộn dây Hình 3.36. Cuộn dây
dạng chữ nhật. dạng lõi xuyên. dạng xoắn ốc.

49
4-LK DIỆN
3.6.2.2. Cuộn dây lõi sắt
C u ộ n d â y có lõi s ắ t l à m t ừ v ậ t l i ệ u s ắ t t ừ m ề m ( h ì n h 3.37) hay
v ậ t l i ệ u F e r i t t ừ ( h ì n h 3.38).
C á c v ậ t l i ệ u s ắ t t ừ ( h ì n h 3.37) l à m lõi được c á c h l y v ớ i d â y quấn
n h ờ v ậ t l i ệ u c á c h đ i ệ n v à l o ạ i c u ộ n d â y n à y c h ỉ l à m v i ệ c v ớ i c á c t ầ n số
t h ấ p ( t ớ i 2 0 k H z ) do t ổ n hao t ă n g n h a n h k h i t ă n g t ầ n số.
N h ó m lõi F e r i t t ừ h ì n h 3.38 có t í n h c h ấ t t ố t h ơ n ở t ầ n s ố cao do
t ô n hao thấp; cuộn d â y l o ạ i n à y đ ư ợ c d ù n g v ó i t ầ n s ố cao t ớ i vài
c h ụ c M H z . C á c d ạ n g lõi s ắ t h a y lõi F e r i t k h á c n h a u đ ư ợ c cho t r ê n
hình 3.39.

Hình 3.37. Loi cuộn dây xoắn từ. Hình 3.38. Lõi cuộn dây Ferittừ.

L I
Lõi chữ u Lõi chữ E Lõi chữ M

í Ũ
Lõi chữ I Lõi tròn Lõi trụ xoay
Hình 3.39. Các lõi sắt hay sắt từ Ferit.

3.7. C U Ộ N DÂY T R O N G M Ạ C H Đ I Ệ N 1 C H I Ể U

3.7.1. Q u á t r ì n h n ô i m ạ c h - t ạ o t ừ t r ư ờ n g

M ạ c h h ì n h 3.40 cho m ộ t c u ộ n d â y
c h ị u t á c đ ộ n g của m ộ t n g u ổ n Ì c h i ề u .
Đ i ệ n t r ở R t r o n g m ạ c h có t í n h t ổ n g
q u á t bao g ổ m cả đ i ệ n t r ở r i ê n g của
c u ộ n d â y , tức l à k h i đ ó coi c u ộ n d â y
t h u ầ n k h á n g ( k h ô n g t ô n hao).
K h i cho khoa s n ố i m ạ c h , d ò n g t r o n g
Hình 3.40. Cuộn dây trong mạch
mạch t ă n g dần. Ngay lúc n ổ i mạch, đ i ệ n á p điện 1 chiểu (khi nôi mạch).

50
tự cảm U L t r ê n c u ộ n d â y l ớ n t ớ i g i á t r ị u t á c đ ộ n g . Sức đ i ệ n đ ộ n g t ự c ả m
chong l ạ i sự t ă n g t r ư ở n g của d ò n g ( h ã m d ò n g ) l à m d ò n g t r o n g m ạ c h t ă n g
c h ậ m . Đ ổ t h ị h ì n h 3.41 m i n h hoa sự b i ế n t h i ê n của U v à ì theo t h ò i g i a n .
L

Q u á t r ì n h t h i ế t l ậ p tạo t ừ trường càng chậm k h i giá trị L c à n g lớn v à R

c à n g n h ỏ . H ằ n g s ố t h ờ i g i a n X được đ ị n h nghĩa

Sau k h o ả n g t h ờ i gian n ố i m ạ c h là T đ i ệ n á p t r ê n cuộn d â y g i ả m

c ò n 3 7 % g i á t r ị u v à d ò n g t ă n g t ớ i 63% t r ị I m a x = — ( h ì n h 3.41) đ ế n

t h ờ i g i a n 5x t h ì U L (5x) * 0 v à I(5x) = I m a x .

Hình 3.41. Đổ thị U(t) l(t) trên cuộn dây

khi tạo từtrưòng (nôi mạch).
Hình 3.42. Cuộn dây trong mạch
điện 1 chiều (khi ngắt mạch).

L
Từ trường của cuộn dây sau khi nối mạch một thời gian 5 r = 5. — s ẽ
R
,
được thiết lập hoàn toàn.
Ví dụ: M ộ t c u ộ n d â y có đ i ệ n c ả m L = 0 , 2 H , đ ặ t v à o n ó đ i ệ n á p
m ộ t c h i ề u 100V v ớ i đ i ệ n t r ở của m ạ c h R = 50Q.
a) T í n h t h ò i g i a n t h i ế t l ậ p t ừ t r ư ờ n g c ủ a c u ộ n d â y .
b) T í n h d ò n g cực đ ạ i I m a x k h i t ừ t r ư ờ n g đ ã được t h i ế t l ậ p h o à n t o à n .
L _ 0 , 2 H _ 0,2Qs
a) ĩ 4ms
R ~ 50Q ~ 50Q
N h ư v ậ y t h ò i g i a n t h i ế t l ậ p t ừ t r ư ờ n g l à 5 T = 5.4ms = 2 0 m s ( t ứ c l à
sau 20ms t ừ t r ư ờ n g được t h i ế t l ậ p h o à n t o à n ) .
Ư 100V „ A

b) I „ = — = - ^ ^ = 2 A
m

R 50Q

51
3.7.2. N ă n g l ư ợ n g c ủ a c u ộ n d â y

N ă n g l ư ợ n g t ừ t r ư ờ n g chứa t r o n g cuộn d â y k h i được n ạ p x á c đ ị n h bởi:

W: n ă n g lượng t ừ t r ư ờ n g trong cuộn d â y

L : đ i ệ n c ả m của c u ộ n d â y
ì: d ò n g đ i ệ n c h ả y qua n ó
Ví du: C u ộ n d â y có L = 0 . 5 H có d ò n g ì - 3A c h ả y q u a . T í n h n ă n g
l ư ợ n g của c u ộ n d â y ở t r ạ n g t h á i n à y .

w = -LI = -0,5(H).3(A) = 2,25Ws (Watt giây).

2 2

2 2
3.7.3. Q u á t r ì n h n g ắ t m ạ c h - g i ả i p h ó n g n ă n g l ư ợ n g t ừ t r ư ờ n g

M ạ c h h ì n h 3.42 t h ể h i ệ n q u á t r ì n h n g ắ t m ạ c h k h i k h o a s hở
m ạ c h . Do đ ộ t n h i ê n m ấ t d ò n g c ấ p t ạ i l ú c s n g ắ t , n ă n g l ư ợ n g t ừ
t r ư ờ n g t r o n g c u ộ n d â y đ ư ợ c t ự do. x u ấ t h i ệ n đ i ệ n á p t ự c ả m r ấ t l ớ n có
cực t í n h n g ư ợ c v ớ i c h i ê u u h a y c ù n g c h i ê u v ớ i h ư ớ n g g i ả m c ủ a d ò n g
điện t r ê n cuộn dây.
Độ lớn của điện áp tự cảm phụ thuộc vào năng lượng đã tích lũy và vào
tốc độ biến thiên của việc ngắt mạch (của dòng điện).
G i á t r ị đ i ệ n á p t ự c ả m có t h ể đ ạ t t ớ i
v à i k V ( đ â y c ũ n g là n g u y ê n lý k h ở i đ ộ n g u
m ổ i cho đ ộ n g cơ ô t ô chỉ d ù n g b ì n h ắc
quy) k h i n g u ổ n cấp d ò n g cho c u ộ n dây
(gọi là c u ộ n m ổ i ) bị n g ừ n g đ ộ t n g ộ t .
Đ ổ t h ị h ì n h 3.43 t h ổ h i ệ n d ò n g v à i i
á p t r ê n c u ộ n d â y k h i có t á c đ ộ n g dãy Ì Ì
Ì
ì
x u n g v u ô n g góc v à o m ạ c h . T r o n g k h i Ì Ĩ
Ì
d ò n g I ( t ) c h ỉ t h a y đôi t r o n g p h ầ n t r ê n y -T
trục 0 thì U L t h ư ờ n g x u y ê n bị đ á o cực
sau m ỗ i n h ị p n ố i (cực t í n h d ư ơ n g ) v à f ỉ '
Ị 1
n g ắ t (cực t í n h â m ) . Đ ổ t h ị h ì n h 3.43
c ũ n g t u â n theo quy l u ậ t n h ư với m ộ t
x u n g đ ộ t b i ê n đơn trước đ â y , nghĩa là Hình 3.43. Quá trình nối và ngắt
sau: X = L / R đ i ệ n á p U L g i ả m 37% trị mạch ở cuộn dây khi tác động
1 xung điện áp dạng chữ nhật.
U L ] n a N v à Ì t ă n g 63% I m a x (I m a x = U/R).
Sau ÓT - 5L/R n ă n g lượng t r o n g cuộn d â y được g i ả i p h ó n g h o à n t o à n .

52
3.8. C U Ộ N DÂY T R O N G M Ạ C H Đ I Ệ N X O A Y C H I Ề U

3.8.1. Sự tích lũy và giải phóng năng lượng từ trường trên cuộn dây

Khi đặt diện áp xoay chiều lên cuộn dây, dòng xoay chiều chảy
qua c u ộ n d â y tạo n ê n q u á t r ì n h liên tục tạo v à g i ả i p h ó n g n ă n g lượng
t ừ t r ư ờ n g ( h ì n h 3.44). Đ ổ t h ị h ì n h 3.45 m ô t ả q u á t r ì n h n ạ p v à p h ó n g
n ă n g l ư ợ n g cho c u ộ n d â y t r o n g m ộ t c h u k ỳ của d ò n g đ i ệ n h ì n h s i n v ớ i
4 n h ị p l à m v i ệ c k h á c n h a u t r o n g m ỗ i p h ầ n Lư c h u k ỳ .

Ị
0
vo
t

Giải phóng\
Giải phóng
!>.

Tích
Tích

Hình 3.44. Cuộn dây trong

mạch xoay chiểu. Hình 3.45. Quá trình thiết lập và giải phóng
(năng lượng) từ trường trong cuộn dây.
3.8.2. S ự d ị c h p h a v à đ ổ t h ị v e c t ơ

Điện áp U[ trên cuộn dây đạt giá trị lớn nhất khi dòng điện ì trên
n ó qua g i á t r ị 0 v à n g ư ợ c l ạ i Ư L =0 l ú c d ò n g ì đ ạ t cực đ ạ i . N h ư v ậ y U L

và l dịch pha n h a u 90° v à đ i ệ n á p n h a n h pha h ơ n d ò n g đ i ệ n 90° đ ố i

v ớ i c u ộ n d â y lý t ư ở n g .

Ở cuộn dây không có tổn hao, điện áp sớm pha hơn dòng điện 90°.

Hình 3.46 là đổ thị thời gian của Uj và ì minh hoa kết luận trên
và đổ t h ị vecttí t ư ơ n g ứ n g t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 3.47.

/
Ui

/ t UlẠ Ị

90°

Hình 3.46. Đố thị U(t) và l(t) khi tác Hình 3.47. Quan hệ véc tơ ở cuõn
đỏng điên áp xoay chiểu hình sin lên dây không tổn hao.
cuộn dây không có tôn hao.

53
3.8.3. Đ i ệ n k h á n g t h u ầ n ( c ả m k h á n g ) c ủ a c u ộ n d â y

T h à n h p h ầ n đ i ệ n k h á n g t h u ầ n của c u ộ n d â y l à t h à n h p h ầ n k h ô n g
l à m t ổ n hao n ă n g l ư ợ n g đ i ệ n k h i k h ô n g b i ế n đ ổ i n ă n g l ư ợ n g thành
c ô n g s u ấ t n h i ệ t t r ê n c u ộ n d â y v à được x á c đ ị n h b ở i t ỷ s ô U / I . L

X : Cảm kháng
L

f: T ầ n s ố
L: điện cảm.
co: 2nỉ t ầ n s ố g ó c .

Đổ thị hình 3.48 biểu diễn

q u a n h ệ X j v à t ầ n s ố f.
Ví du: H ã y t í n h c ả m k h á n g của
cuộn d â y có đ i ệ n c ả m L = 1 0 m H ở t ầ n
s ố f = 2MH . Z

X = 2nỉL
L = 6 , 2 8 . 2 . 1 0 l / s . 10. lCT Qs
G :i

Hình 3.48. Sự phụ thuộc của điện

= 125600 Q = 1 2 5 , 6 k Q kháng thuần của cuộn dây vào tẩn sô.
3.8.4. H ệ s ố t ổ n hao v à p h à m c h ấ t

Thường cuộn d â y thực t ế

có t ổ n hao v à k h ô n g t h ê bỏ
qua được. Có t h ể đặc t r ư n g
cho t ổ n hao t r ê n c u ộ n d â y
b ằ n g đ i ệ n trở R t r o n g m ạ c h
h ì n h 3.49 được m ắ c n ố i t i ế p
v ố i c u ộ n d â y lý t ư ở n g k h ô n g
t ổ n hao. V ớ i m ạ c h h ì n h 3.49
Hình 3.49. Mạch Hình 3.50. Đố thị véc
có đổ t h ị v e c t ơ h ì n h 3.50. K h i thay thê cuộn dây tơ của 1 cuộn dây có
có t ổ n hao đ i ệ n á p u t r ê n cuộn có ton hao. tôn hao khi có dòng
d â y sớm pha h ơ n d ò n g đ i ệ n Ì và áp qua nó.
góc (90°-S) n h ỏ h ơ n 90"
ỗ được đ ị n h n g h ĩ a l à góc t ô n hao, c u ộ n d â y k h ô n g t ổ n hao có 5 = 0.
H ệ s ố t ổ n hao được đ ị n h n g h ĩ a l à t g ô

I.R
l a 5 = u
«
U L IX L

H ệ s ố p h ẩ m c h ấ t của cuộn d â y được đ ị n h nghĩa là n g h ị c h đ ả o của tgỗ

54
 Q: h ệ số p h ẩ m c h ấ t của c u ộ n d â y
X : c ả m k h á n g của c u ộ n d â y
L

R: đ i ệ n trở t ổ n hao của c u ộ n d â y

3.8.5. C á c h q u â n c u ộ n d â y

K h i sử d ụ n g c u ộ n d â y , do y ê u c ầ u r ấ t k h á c n h a u n ê n p h ầ n l ớ n
c h ú n g được q u ấ n t r ê n c á c lõi k h á c n h a u v à k h ô n g có sự c h u ẩ n hoa
n h ư v ớ i c á c đ i ệ n t r ở hoặc t ụ đ i ệ n .
Đ i ê n h ì n h n h ấ t là c u ộ n d â y q u ấ n t r ê n lõi k h ô n g k h í n h ờ m ộ t c u ộ n
ố n g h ì n h t r ụ hay x u y ế n h ì n h t r ò n ( h ì n h 3.50a v à h ì n h 3.50b). Đ i ệ n
c ả m của c u ộ n d â y q u ấ n t r ê n c á c lõi n à y được x á c đ ị n h theo c ô n g t h ứ c
g ầ n đ ú n g v ớ i lõi t r ụ h ì n h 3.50a.

• ũ —í
ì ì

W//A
:
ị—

a) Cuộn dây dang hình trụ b) Cuộn dây dạngvòng xuyến c) Lõi ferit từ mềm
Hình 3.50a, b, c.
ở đây:
L: điện cảm (nH)
D: đ ư ờ n g k í n h lõi (em)
í: c h i ề u d à i lõi (em)
L ( 3 D + 9 Í + 10W)
hay N = yị W: b ề d ầ y c u ộ n (em)
78D J

N : số vòng dây
Với lõi hình 3.50b

ở đây:
L = N .7t.
2
L: điện cảm (nH)
D : đ ư ờ n g k í n h l ớ n (em)
d: đ ư ờ n g k í n h n h ỏ (em)
ị Lả
hay N = N : số vòng d â y
2
7ĩD

Ví du:
V ớ i lõi h ì n h 3.50a có c h i ề u d à i Ì = 2cm, đ ư ờ n g k í n h D = Ì Sem v à
b ề d ầ y c u ộ n d â y w = 4 m m được q u ấ n 100 v ò n g . T í n h đ i ệ n c á m L .

55
 78D 2
78(1,5) 2

L = N . 2
= 100 2
nH
3 D + 9 Í + 10W 31,5 + 9.2 + 10.0,4
= 66226nH = 66,226nH
V ớ i l o ạ i lõi s ắ t t ừ c h ủ y ế u l à lõi F e r i t được s ả n x u ấ t c ô n g n g h i ệ p
v ớ i n h i ề u l o ạ i m ẫ u m ã h ì n h d ạ n g k h á c n h a u . T u y n h i ê n v ậ t l i ệ u làm
lõi c h ủ y ế u l à l o ạ i F e r i t t ừ m ề m có h ệ s ố đ i ệ n c ả m A L xác định.

Giá trị A của một lõi cuộn dây là giá trị độ dẫn từ của lõi.
L

K h i sử d ụ n g lõi s ắ t t ừ , đ i ệ n c ả m c ủ a c u ộ n d â y đ ư ợ c t í n h theo:

L = N . A, 2 A : hệ số đ i ệ n c ả m (nH)
L

L: điện cảm (nH)

hay

Ví du: L õ i d ạ n g h ì n h 3.50c được d ù n g p h ổ b i ế n t ớ i t ầ n s ố 50MHz

d ù n g đ ể q u ấ n m ộ t c u ộ n d â y có L = 3 6 0 | i H ; b i ế t A L = 6 0 n H . K h i đó cần
s ố v ò n g d â y q u ấ n t r ê n lõi l à :

N = ]£-_ / ° < = Tẽõõõ

3 6 a 0 0 n H )

\ A L V 60(nH)

N = 77,5 vòng dây

3.9. MÁC NÒI T I Ê P V Ả MÁC S O N G S O N G C Á C C U Ộ N DÂY

3.9.1. M ạ c h n ô i t i ế p

T r ê n h ì n h 3.51 t h ự c h i ệ n m ắ c n ố i t i ế p 3
cuộn d â y L i , L v à L . K h i đó đ i ệ n c ả m t ư ơ n g
2 3

đương:
Aw X + X +X
=
L l L 2 L 3

Hay coL = co (L) + L + L )

tđ 2 3

T ừ đ ó v ớ i n c u ộ n d â y có đ i ệ n c ả m L ] , họ... L n

mắc n ố i t i ế p n h a u , đ i ệ n c ả m t ư ơ n g đ ư ơ n g c ủ a Hình 3.51. Nôi tiếp

c h ú n g là: 3 cuôn dây.

L l d =L +L +... + L
1 2 n = £ i L

1=1

( C h ú ý h ệ thức t r ê n chỉ đ ú n g k h i các c u ộ n d â y k h ô n g g h é p từ

với nhau).

56
3.9.2. M ạ c h s o n g s o n g

T r ê n h ì n h 3.52, 3 c u ộ n d â y L 1 ; L v à L m ắ c song song v ớ i n h a u .

2 3

K h i các cuộn d â y n à y k h ô n g ghép t ừ trường với nhau (không ghép hỗ

cảm) thì:
Ì Ì Ì Ì
• + —— + -
X X|.J X X ,
ùa L 2 L

1
l i
coL coLị • + — —
ÍOLT
+ -
COL
ld 3

Hình 3.52. Nôi song song

J_ J_ J_ 3 cuộn dây.
hay ——
Lu. Lị L.T L-Ị

K h i có n c u ộ n n ố i song song n h a u , k h ô n g g h é p t ừ v ớ i n h a u t h ì :

T r ư ờ n g h ợ p r i ê n g k h i c h ỉ có 2 c u ộ n d â y L j v à L 2 m ắ c song song
không ghép hỗ cảm thì:

Ví dụ: Cho m ạ c h h ì n h 3.54 v ớ i 3 c u ộ n Hình 3.53. Nôi song song

2 cuộn dây.
d â y có đ i ệ n c ả m L u L 2 v à L tương ứng là
3

Li = 300mH; L 2 = 150mH; L 3 = lOOmH.

Tính điện cảm tương đương.
. • r i i
300.150 (mH) 2
45.000mH
í =
L
. 2L
- = 100nH
L,+L, 300 + 150 (mH) 450 L :100mH3

V
L t d = Lj,2 + L = l O O m H + 1 0 0 M H = 2 0 0 m H
d

Hình 3.54. Mắc hổn hợp

3 cuộn dây.

C Â U HÓI ÔN TẬP VÀ BÀI T Ậ P

1. H ã y g i ả i t h í c h k h á i n i ệ m " đ i ệ n dung". N ê u r õ đ i ệ n d u n g của d â y d ẫ n

đ i ệ n , đ i ệ n d u n g của c á p hay đ i ệ n d u n g của m ộ t h ộ p t h i ế t bị là gì?
2. H ã y n ê u m ố i l i ê n h ộ g i ữ a đ i ệ n t í c h Q, đ i ệ n á p u v à đ i ệ n d u n g c ?

57
3. G i á t r ị c á c t ụ đ i ệ n được t h ể h i ệ n qua mã màu 5 vạch như thế
n à o ? Y n g h ĩ a c ủ a c á c v ạ c h m à u quy ước?
4. M ỗ i t ụ đ i ệ n có m ộ t t h ờ i g i a n h ằ n g s ố t ự p h ó n g T , g i á t r ị T
s s phụ
thuộc vào n h ữ n g đ ạ i lượng nào?
5. M ộ t t ụ đ i ệ n có g i á t r ị d a n h đ ị n h l à 2 , 2 n F ở 2 0 ° c v à có h ệ s ố n h i ệ t
a c = - 2 , 5 . 1 0 - 1 / ° K . H ã y t í n h giá t r ị đ i ệ n d u n g của t ụ ở n h i ệ t đ ộ 9Õ°C?
3

6. Đ i ệ n á p g i ớ i h ạ n l â u d à i c ủ a t ụ có ý n g h ĩ a gì?
7. H ã y g i ả i t h í c h đ ặ c đ i ể m c ấ u t ạ o của t ụ m i c a v à t ụ g i â y .
8. P h â n b i ệ t t ụ M P v à t ụ m i c a . K h ả n ă n g h ổ i p h ụ c c ủ a t ụ M P là gì?
9. C ấ u tạo của t ụ M K ?
10. T ụ đ i ệ n hoa có đ i ể m đ ặ c b i ệ t gì? C á c đ i ệ n cực Ì , đ i ệ n cực 2 v à lớp
đ i ệ n môi của t ụ l à m t ừ l o ạ i v ậ t l i ệ u n à o ?
l i . T ạ i sao t ụ đ i ệ n hoa có p h â n cực?
12. T ạ i sao sử d ụ n g c á c đ i ệ n cực t h ô n h á m đ ố i v ớ i t ụ đ i ệ n hoa?
13. C á c t ụ đ i ệ n hoa k h ô n g p h â n cực có c ấ u t ạ o n h ư t h ê n à o ?
14. T ụ d i ệ n hoa T a n t a l d ù n g c h ấ t đ i ệ n p h â n l ỏ n g v à c h ấ t đ i ệ n p h â n
r ắ n . H ã y t r ì n h b à y c ấ u t ạ o của h a i l o ạ i t ụ n à y .
15. T ụ xoay v à T r i m ơ có đ ặ c đ i ể m gì g i ố n g v à k h á c n h a u ?
16. H ằ n g s ố t h ờ i g i a n n ạ p cho t ụ đ i ệ n ( t r o n g m ộ t m ạ c h đ i ệ n m ộ t chiều)
l à gì? Y n g h ĩ a ?
17. M ộ t t ụ đ i ệ n có đ i ệ n d u n g c = 2200)aF đ ư ợ c n ạ p b ở i đ i ệ n á p m ộ t
c h i ế u 4 5 0 V . T í n h n ă n g l ư ợ n g n ạ p cho t ụ .
18. T ụ có c = 6800|^F l à m n g u ổ n đ i ệ n á p cho đ i ệ n t r ở t ả i R = 10MQ.
T í n h t h ò i g i a n p h ó n g đ i ệ n của t ụ ( l ú c b ắ t đ ầ u p h ó n g t ụ đ ã được
nạp đầy).
19. T ụ c = 4 7 n F t ạ i t ầ n s ố f = 1 0 k H z có h ệ s ố t ổ n hao l à 0,02. Tính
đ i ệ n t r ở t ổ n hao n ố i t i ế p v ớ i c? T í n h p h ẩ m c h ấ t Q c ủ a t ụ .
20. 3 t ụ đ i ệ n c , = 1 0 0 n F ; C = 2 2 n F v à C = 4 7 n F đ ư ợ c m ắ c n ố i t i ế p
2 3

nhau. Tính C j. t

2 1 . M ộ t t ụ có c , = l j i F được n ố i t i ế p với t ụ C 2 đ ể tạo ra C td = 3õ9nF.

T í n h Cọ.
2 2 . G i ả i t h í c h ý n g h ĩ a đ i ệ n c ả m của Ì c u ộ n d â y ? K h i n à o Ì c u ộ n d â y
có g i á t r ị đ i ệ n c ả m là Ì H e n r y .
23. H ằ n g s ố t h ờ i g i a n của c u ộ n d â y t r o n g m ạ c h đ i ệ n Ì c h i ề u l à gi?

58
2 4 . M ộ t c u ộ n d â y k h ô n g t ổ n hao có d ò n g xoay c h i ề u c h ả y qua. G ó c
dịch pha giữa đ i ệ n á p t r ê n cuộn d â y U L v à d ò n g ì qua n ó b ă n g
bao n h i ê u ? V ẽ đ ổ t h ị v é c tơ m i n h hoa?
25. Sự p h ụ thuộc của c ả m k h á n g X của m ộ t cuộn d â y v à o t ầ n số n h ư
L

t h ế n à o ? V ẽ đ ổ t h ị m i n h hoa.
2 6 . H ộ s ố t ổ n hao v à p h ẩ m c h ấ t c ủ a Ì c u ộ n d â y t h ự c l à gì? ý n g h ĩ a .
2 7 . 3 c u ộ n d â y L , = 2 0 m H ; L = 1 0 0 m H v à L = 1 H đ ư ợ c n ố i song song
2 3

n h a u ( k h ô n g có g h é p t ừ t r ư ờ n g v ớ i n h a u ) . T í n h L . t đ

28. H ã y x á c đ ị n h g i á t r ị của t ụ C tct t r o n g m ạ c h h ì n h 3.55.

d=2nF C =100nF
2

C =2|iF
3 C =4|^F
4 C =6^iF.
5

c, Cj
,.2ụF „100 nF

1 ?
2pF
~JSụF

Hình 3.55. Mắc hỗn hợp 5 tụ điện.

59
 Chương 4

M Ộ N G H A I Cực v è M Ộ N G 4 c ự c

P H Ụ THUỘC T Ổ N SỐ

4 . 1 . TÍNH C H Ấ T C H U N G

4 . 1 . 1 . M ạ n g hai c ự c

M ộ t m ạ c h đ i ệ n có h a i đ ầ u n ố i r a n g o à i được
m ô t ả l à Ì m ạ n g 2 cực, có t h ể b i ể u d i ễ n n h ư m ộ t
c á i " h ộ p " ở h ì n h 4 . 1 . C ấ u t ạ o b ê n t r o n g "hộp" có ZP
t h ể r ấ t k h á c n h a u , ta chỉ c h ú ý đ ế n m ộ t số
t r ư ờ n g hợp l à c á c l i n h k i ệ n đ ã đ ề cập t ớ i n h ư
đ i ệ n t r ở , t ụ đ i ệ n h a y c u ộ n d â y v à c h ú n g có ý
Hình 4.1. Mạch điện có
nghĩa đặc b i ệ t t r o n g k ỹ t h u ậ t đ i ệ n tử.
hai đầu nối ra ngoài
(mạch 2 cực).
4.1.2. M ạ n g 4 c ự c

M ạ c h d i ệ n có 2 đ ầ u n ố i ở l ố i v à o v à h a i đ ầ u
n ố i ở l ố i r a được đ ị n h n g h ĩ a là Ì m ạ n g 4 cực v à
có t h ể m ô t ả c h ú n g n h ư m ộ t h ộ p d ạ n g h ì n h 4.2.
Lối vào VP Lối ra
Có n h i ề u d ạ n g m ạ n g 4 cực r ấ t k h á c n h a u v ề c ấ u
t ạ o v à t í n h c h ấ t . T r o n g p h ầ n n à y chỉ đ ề cập t ớ i
m ộ t v à i d ạ n g cơ b ả n n h ấ t có c ấ u t ạ o t ừ c á c p h ầ n Hình 4.2. Mạch 4 cực.
t ử R, L , c t h ư ờ n g gặp v à q u a n t r ọ n g n h ấ t t r o n g
kỹ t h u ậ t điện tử.

4.2. M Ạ C H RC NOI T I Ế P

T á c đ ộ n g m ộ t đ i ệ n á p xoay c h i ề u v à o m ạ c h R C n ố i t i ế p t h ể h i ệ n ở
h ì n h 4.3 (có d ạ n g Ì m ạ n g 2 cực). Đ ổ t h ị v é c t ơ c á c đ i ệ n á p U . u R c và
d ò n g đ i ệ n ì t r ô n m ạ c h được cho t r ê n h ì n h 4.4; đ ổ t h ị v é c tơ c á c t h à n h
p h ầ n t r ở k h á n g của m ạ c h cho t r ê n h ì n h 4.5.

r
Un Mạng hai cực
ú ĩ
c4= J £

Hình 4.3. Mạch 2 cực nòi tiếp R và c.

60
 UR

Úc

Hình 4.4. Đố thị véc tơ dòng Hình 4.5. Đổ thị véc tơ trỏ
và áp trên mạch Re nối tiếp. kháng của mạch nôi tiếp RC.

Do ư u c ù n g pha ì v à ì n h a n h pha h ơ n u c Ì góc 90° ( k h ô n g t ổ n hao

t r ê n t ụ C). T a có:

hay HJL = R ; He = X C Vây z = -

ì ì c
ì

z = yỊR +xị
2

ọ là góc dịch pha giữa u v à ì

4.3. MẠCH RL NÔI T I Ê P

T á c đ ộ n g đ i ệ n á p xoay c h i ể u u v à o m ạ c h g ổ m R v à L n ố i t i ế p h ì n h
4.6. ƯR c ù n g pha v ớ i d ò n g đ i ệ n ì, U L n h a n h pha 90° so với ì (cuộn d â y
k h ô n g có t ổ n hao). Đ ổ t h ị v e c t ơ các đ i ệ n á p cho t r ê n h ì n h 4.6 v à q u a n
h ệ d i ệ n k h á n g cho t r ê n h ì n h 4.7. T ừ các đổ t h ị n à y , ta có:

U = 7Ũ[7Ũ[

ạ = R ; ạ = X L ; H = Z

ì ì L
ì

z = >,/ R X
2 2
+ L

UI. _ x,_
tgq> =
ù, R

ở d ã y ip là góc dịch pha giữa d ò n g đ i ệ n ì v à đ i ệ n á p ư t r o n g m ạ c h .

61
 , Mạng
hai Cức

Hình 4.6. Mạch nối tiếp R và L Hình 4.7. Đổ thị véc tơ điện áp
(mạng 2 cực). và trở kháng mạch RL nòi tiếp.

4.4. KHÂU RC

C h u y ể n m ạ c h n ố i t i ế p R C h a i cực h ì n h 4.3 t h e o c á c h b i ể u d i ễ n của

m ộ t m ạ c h 4 cực h ì n h 4.8 v ớ i U j là đ i ệ n á p l ố i v à o , U 2 l à đ i ệ n á p l ố i ra.
H ã y x é t t í n h c h ấ t của k h â u RC h ì n h 4.8 k h i U i l à đ i ệ n á p có d ạ n g hình
s i n v à t ầ n s ố của U l thay đổi.

ở v ù n g t ầ n s ố t h ấ p , t ụ c có t r ở k h á n g r ấ t l ớ n , k h i đ ó ư 2 * u,. ở
v ù n g t ầ n s ố cao, t r ở k h á n g của t ụ c đ ủ n h ỏ , k h i đ ó U 2 * 0.
T r ê n h ì n h 4.8 cho sự p h ụ t h u ộ c của đ i ệ n á p r a U 2 v à o t ầ n s ố l ố i vào.
T í n h c h ấ t cho qua t ầ n t h ấ p v à n é n t ầ n s ố cao g ọ i l à t í n h lọc t ầ n t h ấ p .

Mạch lọc tần thấp chỉ cho các tín hiệu vào có tần sổ thấp đi qua.

T ầ n s ố t ạ i đ ó u , g i ả m c ò n 0 . 7 0 7 U , ( g i ả m V ã l ầ n ) đ ư ợ c đ ị n h nghĩa
là t ầ n s ố giới h ạ n t r ê n của d ả i t ầ n cho qua v à k ý h i ê u f .

Lôi vào Ui C=T= L>2 Lối ra

ì
í
4 cức

Hình 4.8. Mắt Re như một mạng 4 cực đố thị phụ thuộc điện áp ra U vào tần số f. 2

Từ đổ thị vectơ của mạch điện cho trên hình 4.9 có u = —

xay

ra k h i U = Ú c = u
K 2 hay H ỉ . = H e

62
 R = x , t ừ điều kiện n à y
c

Ì
R = hay
27ĨÍ..C
ụ
2nRC 2nx

T í c h s ố X = R C được đ ị n h n g h ĩ a l à h ằ n g sô' t h ò i g i a n c ủ a k h â u R C ,
t ạ i t ầ n s ố giới h ạ n ĩ U dịch p h a so v ớ i U i Ì góc 45°.
2

Ví dụ: K h â u R C có R = l O k Q ; c = 100nF.
T í n h f c ủ a b ộ lọc t h ấ p ?
g

Ì
f.= 1

2TTRC 6,28.10.10\100.10 .s.

f = 159Hz

Ơ2=ơc Ơ1=Ơ

Hình 4.9. Đổ thị véc tơ điện áp và điện trở của mắt RC ở tần s ố giỏi hạn.

4.5. KHÂU CR

M ạ c h CR ( h ì n h 4.10
vối m ô h ì n h m ộ t m ạ n g 4
cực) có được n h ờ đ ả o v ị
Lối vào U\ Ui Lối ra
trí giữa 2 p h ầ n t ử R v à
c trong mạch n ố i tiêp
4 cực •
h ì n h 4.3 h a y h ì n h 4.8
Các t í n h c h ấ t của k h â u
Hình 4.10. Mắt CR như một mạng 4 cực.
CR ngược l ạ i r ấ t k h á c
so v ớ i k h â u R C đ ã x é t :
ở c á c t ầ n s ố t h ấ p , do t r ở k h á n g c ủ a c r ấ t l ớ n n ê n U ~ 0.2

ở c á c t ầ n s ố cao, do t r ở k h á n g c ủ a c r ấ t n h ỏ n ê n U * U j .
2

Đ ổ t h ị U ( 0 đ ư ợ c cho t r ê n h ì n h 4 . 1 1 v à q u a n h ệ v e c t ơ g i ữ a đ i ệ n á p
2

v à d ò n g đ i ệ n t r o n g m ạ c h cho t r ê n h ì n h 4.12.

Khâu mạch CR chỉ cho qua các tín hiệu tần số cao và nén các tín hiệu
tần số thấp, đây là tính chất của một bộ lọc tần số cao.

63
 Bộ lọc tần số cao là một mạch chỉ cho qua các tần số cao.

Hình 4.11. Đổ thị phụ thuộc điện áp ra U2 Hình 4.12. Đổ thị véc tơ tại tần số
vào tần sô f của mắt CR. giới hạn của mắt CR.
u,
T ư ơ n g tự, t ầ n số t ạ i đó U 2 g i ả m g i á t r ị c ò n -^4 được t í n h n g h ĩ a là

tần số cắt (tần số giới hạn dưới fg) của dải tần cho qua.
Tại 1 Un = Ú c v à do đ ó :

(C=72.3nF)

T ạ i f u , d ị c h pha 45° so v ớ i u
B v

Ví dụ: M ộ t b ộ lọc cao CR h ì n h 4.13

có f = 1 k H z . B i ế t R = 2 , 2 k O h ã y c h ọ n Hỉnh 4.13. Bộ lọc cao vói tần sô
g
giới hạn là 1KHz.
t ụ c t h í c h hợp.

Ì 1000
c = nF
6,28.2,2(kQ).10 (Hz) ,
6,28.2,2

c = 72,3 n F .

4.6. KHÂU RL

M ộ t m ạ c h đ i ệ n g ổ m đ i ệ n trở R m ắ c n ố i t i ế p v ố i Ì c u ộ n d â y L ( h ì n h
4.14) được m ô t ả d ư ớ i d ạ n g m ộ t m ạ n g 4 cực v à được g ọ i l à m ộ t k h â u
R L . C u ộ n d â y có đ i ệ n c ả m L được coi l à lý t ư ở n g ( k h ô n g có t ổ n hao).
Xét quan h ệ U 2 (í) t ạ i l ố i r a ( h ì n h 4.15), k h â u R L đ a n g x é t có t í n h

64
c h ấ t c ủ a b ộ lọc t ầ n s ố cao: ở v ù n g t ầ n s ố cao, đ i ệ n k h á n g X L giá trị lớn
nên U » L U R hay U 2 * ƯJ. ở v ù n g t ầ n s ố t h ấ p , do X L nhỏ nên U L « U R

hay u 2 ~ 0. T ầ n s ố t ạ i đ ó U 2 g i ả m V2 l ầ n so v ố i t r ị l ớ n n h ấ t ( b ằ n g U i )
được đ ị n h n g h ĩ a là t ầ n s ố g i ớ i h ạ n d ư ố i hay t ầ n s ố c ắ t f : g

u (Q =
2

Vĩ
K h i đó: u 2 = U L = UR hay X = R L

T a có 2 n f . L = R. K

Hay

_R_
—(ZZ
-ƯR
0 2

Hình 4.14. Mắt RL. Hình 4.15. Đổ thị quan hệ U lối ra của một
2

mắt RL vối tần sò vào f.

Đổ thị quan hộ vectơ giữa dòng điện

v à c á c đ i ệ n á p t r o n g m ạ c h cho t r ê n h ì n h
4.16. T ạ i t ầ n s ố g i ớ i h ạ n , ưí> dịch pha 45° ơ =ơ,
2

so v ớ i Ú p

Hằng số thời gian của mạch T = — .

Ví du: một khâu RL có hằng số thời

Hình 4.16. Đổ thị véc tơ
g i a n T = 0,5ms, b i ế t R = 100Q ( h ì n h 4.17) điện áp tại tần sò giới hạn
h ã y t í n h t ầ n s ố g i ớ i h ạ n của bộ lọc v à x á c của mắt RL.
đ ị n h g i á t r ị đ i ệ n c ả m L của k h â u R L .
Ì Ì 1000
f.. = Hz
2nx 6,28.0,5.10 s 6,28.0,5
f = 318Hz.
K

T= — -> L=T R
R
Hình 4.17. Bộ lọc cao RL
= 0,5.10 S.100Q = 5 0 m H . 3

với tần số giới hạn 318Hz.

65
5-LK ĐIỆI
4.7. KHÂU LR

Đ ổ i vị t r í giữa đ i ệ n t r ở R v à cuộn d â y L t r ê n h ì n h 4.14 sẽ có k h â u

L R h ì n h 4.18. M ạ c h có t í n h c h ấ t của m ộ t bộ lọc t ầ n s ố t h ấ p .

ở v ù n g t ầ n s ố t h ấ p , do X r ấ t n h ỏ n ê n U » U
L R L h a y U * U ] ở vùng
2

t ầ n s ố cao, do X r ấ t l ớ n , U » U
L L R hay U « 0. 2

H ì n h 4.19 đ ư a r a đ ặ c t í n h U ( f ) t h ể h i ệ n t í n h c h ấ t lọc t ầ n t h ấ p của

2

k h â u L R . Ó t ầ n s ố giới h ạ n t r ê n của d ả i t ầ n s ố cho qua, U R = Ư Iy hay từ

ư,
đó suy r a với u 2 (fg) = - 7 = , t ạ i L u 2 dịch pha 45° so với u , .
Vĩ

Ui
Uy
70.7'/.
ị
i \
í \
í V
i

Hình 4.18. Mắt LR. Hình 4.19. Đổ thị U (f). 2

4.8. MÁCH C Ô N G HƯỚNG

4.8.1. M ạ c h RLC n ố i t i ế p

X é t m ạ c h h ì n h 4.20 g ổ m 3 p h ầ n t ử R, L v à c m ắ c n ố i t i ế p nhau.
K h i đ ặ t l ê n m ạ c h Ì đ i ệ n á p u , x u ấ t h i ệ n d ò n g đ i ệ n ì t r o n g m ạ c h . Điện
á p t r ê n R là U c ù n g pha v ớ i ì ( U = I R ) . Đ i ệ n á p t r ê n c u ộ n d â y L
R K

n h a n h pha h ơ n d ò n g đ i ệ n Ì góc 90° ( U = ì . X ) . Đ i ệ n á p t r ê n t ụ c

L L

c h ậ m pha h ơ n d ò n g đ i ệ n Ì góc 90° ( U = ì. x ) . C á c q u a n h ệ v ề pha ở

c c

t r ê n được t h ể h i ệ n t r ê n đ ổ t h ị vectơ h ì n h 4 . 2 1 .

ƯR ù.
ũ

li ỚI
ị
1
== Oe ơc
\

Hình 4.20. Mạch nối tiếp R, L, c. Hình 4.21. Đổ thị véc tđ mạch nối tiếp
R, L và c ỏ một tần số xác định.

66
 T ạ i m ộ t t ầ n s ố n h ấ t đ ị n h , có t h ể t í n h t o á n t h e o q u a n h ệ vectd c á c
đ i ệ n á p t r o n g m ạ c h n h ư h ì n h 4.22 v à q u a n h ệ v e c t ơ c á c đ i ệ n k h á n g
t r o n g m ạ c h n h ư h ì n h 4.23. T ừ h ì n h 4.22 suy r a :

u= jũị +(U - u )
L c
2

T ừ đ ổ t h ị h ì n h 4.23 suy ra:

z= VR 2
+(X L - x ) c
2

lúc 'Xe

J ƯR

Hình 4.22. Đố thị điện áp của Hình 4.23. Đổ thị tính trở
mạch nối tiếp RLC ở một kháng mạch RLC nối tiếp tại
tẩn s ô xác định. một tần số xác định.

ơ t ầ n s ố cao, do X L lớn n ê n z k h á lớn. 0

t ầ n s ố t h ấ p z c ũ n g k h á l ớ n do x c lớn. Trở
k h á n g nhỏ n h ấ t xảy ra lúc X = x L c v à có t í n h
t h u ầ n t r ở z = R ( h ì n h 4.24). T ầ n s ố f t ạ i đ ó r

c á c đ i ệ n k h á n g b ằ n g n h a u v à ngược d ấ u g ọ i l à
t ầ n s ố cộng h ư ở n g c ủ a m ạ c h . T a có X = x . L c

Ì
cóc Hình 4.24. Quan hệ trở
Ị kháng theo tẩn sò z(f) của
ủ) = 27tf. mạch nôi tiếp R, L và c.
VLC

H ệ t h ứ c t r ê n cho x á c đ ị n h t ầ n s ố cộng h ư ở n g f g ọ i l à c ô n g t h ứ c r

Thomson.

67
4.8.2. M ạ c h c ộ n g h ư ở n g n ô i t i ế p

M ạ c h n ố i t i ế p R L C h ì n h 4.20 k h i c h ọ n R đ ủ n h ỏ được g ọ i l à m ạ c h
cộng h ư ở n g n ố i t i ế p . ở đ â y R được coi là đ i ệ n t r ở t ổ n g c ộ n g c ủ a mạch
n ố i t i ế p , n g h ĩ a l à t í n h cả c á c đ i ệ n t r ở t ổ n hao của c u ộ n d â y v à t ụ đ i ệ n
t r o n g t h ự c t ế ( t r ư ờ n g hợp t h ư ờ n g g ặ p R chỉ l à c á c đ i ệ n t r ở t ổ n hao của
L v à C). T ạ i c ộ n g h ư ở n g z = R, h ì n h 4.25 c h ỉ r a đ ổ t h ị t í n h đ i ệ n t r ở t ạ i
cộng h ư ở n g của m ạ c h .

Mạch cộng hưởng nối tiếp có điện trỏ nhỏ nhất tại tần số cộng hưởng.

Do X L = x c n ê n U j = u . Đ ổ t h ị v e c t ơ t í n h c á c đ i ệ n á p t ạ i t ầ n số f
c r

được cho t r ê n h ì n h 4.26. C á c đ i ệ n á p t r ê n c u ộ n d â y U L và t r ê n t ụ điện

u r là b ằ n g n h a u v ề b i ê n đ ộ v à n g ư ợ c pha n h a u ( h ì n h 4.27). Sự t r a o đổi
n ă n g l ư ợ n g t ừ t r ư ờ n g của c u ộ n d â y v à n ă n g l ư ợ n g đ i ệ n t r ư ờ n g của tụ
đ i ệ n là c â n b ằ n g n h a u k i ể u con lắc v à k h i đ ó ta n ó i r ằ n g đ ã có sự cộng
h ư ở n g c ù n g n h a u . T ạ i f có cộng h ư ở n g đ i ệ n á p k h i đ ó U
r L và u c có giá
trị lớn hơn điện áp u tác động vào mạch.

Xu
Vu

'Xe 'Úc
R ì UR ì
B a
Hình 4.25. Đọ thị trở Hình 4.26. Tính điện Hình 4.27. Đổ thị U (t), u (t)
L c

kháng mạch nôi tiếp RLC áp trên mạch RLC nôi trên mạch cộng hưởng nôi
tại tần sò cộng hưởng. tiếp tại cộng hưởng. tiếp (lúc cộng hưởng).

(Xem dạng U và u ở hình 4.27 và giá

L c

t r ị t ư ơ n g ứ n g ở h ì n h 4.28) Đổ đặc trưng

hiện tượng cộng hưởng, sử dụng hộ số
p h ẩ m c h ấ t Q.

Hệ số phẩm chất Q của một mạch cộng

hưởng nối tiếp là tỷ số độ vượt trội của U L

hay Úc so với điện áp đặt vào mạch tại tần

số cộng hưởng.

Hình 4.28. Các điện áp

phân bô trên các phẩn tử
của mạch R, L và c nối tiếp.

68
 N ế u thay U L = IX ; u L c = I X và u = IR ( t ạ i f ) thì
C r

H ệ s ố t ổ n hao ( h ộ s ố n é n ) được đ ị n h n g h ĩ a l à n g h ị c h đ ả o g i á t r ị
c ủ a Q.

K h i g i ữ cho đ i ệ n á p v à o u k h ô n g đ ổ i ,
q u a n s á t d ò n g ì t r o n g m ạ c h k h i t h a y đôi
t ầ n sô c ủ a u sẽ n h ậ n được đ ặ c t í n h cộng f có

h ư ở n g ( h ì n h 4.29) của m ạ c h cộng h ư ở n g

n ố i t i ế p . H ì n h 4.30 t h ể h i ệ n 3 đ ư ờ n g đặc
Hình 4.29. Mạch đo đặc tuyến
t í n h c ộ n g h ư ở n g ứ n g v ớ i 3 g i á t r ị d (hay R) cộng hưởng của RLC nôi tiếp.
khác nhau.
M ạ c h cộng h ư ở n g n ố i
à klein
t i ế p có b ả n c h ấ t là một
mạch chọn lọc tần số
( m ạ c h lọc) ở t ầ n s ố f r và
lân cận đủ hẹp xung
q u a n h f . D ả i t ầ n s ố b ộ lọc
r

cho qua ( d ả i t ầ n l à m v i ệ c )
được g ọ i l à đ ộ r ộ n g băng
tần ký hiệu là b. Hình
4.31 thể hiện cách xác
định độ rộng băng tần
nhò xác định 2 tần số Hình 4.30. Đặc tuyến cộng hưởng của mạch RLC
biên L i và f g 2 sao cho: nôi tiếp vói các tổn hao khác nhau.

ì.
l(U = l(f ) = B 2

4Ì

b = f g 2 - f i= d . f
g r

Độ rộng băng tần càng lớn khi d càng lòn

69
 Hình 4.31. Xác định độ rộng băng tần của mạch cộng hưởng RLC.

Ví dụ: Cần chọn Ì mạch cộng hưởng nối tiếp có tần số f = 1MHz r

k h i đ ã có t ụ c = 2 0 p F . H ã y t í n h g i á t r ị L

XL - x c

ì . 1
T _ 1

coL = — -» L = ——
toe co .c
Ì Ì
L = H
39,4.10 .20.10~
l2 12

( 2 7 T . 1 0 i ) . 20 . 1 ( T S
6 2 I2
S

s s

1000
m H = l,27mH
39,4.20

4.8.3. M ạ c h s o n g s o n g R, L , c

Đ ặ t m ộ t đ i ệ n á p u v à o m ạ c h h ì n h 4.32 g ổ m 3 p h ầ n t ử R, L , c mắc
song song n h a u . D ò n g ì do u g â y r a g ổ m 3 t h à n h p h ầ n I , I L R và I c được
b i ế u d i ễ n t r ê n đ ổ t h ị v e c t ơ h ì n h 4.33. D ò n g I R c ù n g pha u, I c nhanh
pha h ơ n 90° v à l L c h ậ m pha h ơ n 9 0 u
so v ớ i u ( g i ả t h i ế t c u ộ n d â y v à t ụ
đ i ệ n là c á c p h ầ n t ử k h ô n g có t ổ n hao). T h ự c h i ệ n t í n h t r ê n đ ổ t h ị v é c t ơ
h ì n h 4.34 có:

ĩ=Ại+ƠC- ư

ì
Nếu đát Bị ; — = B c ; — = Y
u u L
u c
u

70
 IR

Hình 4.32. Mạch cộng hưởng RLC Hình 4.33. Đổ thị véc tơ các dòng điện
mắc song song. trên mạch cộng hưởng song song.

T a có đ ổ t h ị v é c tơ c á c t h à n h p h ầ n đ i ệ n d ẫ n ở h ì n h 4.35

Y = —: đ ộ d ẫ n đ i ệ n của m ạ c h
Y= ực 2
+(B - B Ý
C L
z

— = G : độ dẫn thuần
R

= B : đô dẫn cảm kháng

L

= B : độ dẫn dung kháng

c

x c

K h i B = B t h ì Y có g i á t r ị n h ỏ n h ấ t Y = G.
c L

Đ ổ t h ị b i ể u d i ễ n Y(í) cho t r ê n h ì n h 4.36.

Hỉnh 4.34. Biểu điển đổ thị Hình 4.35. Đổ thị véc tơ Hình 4.36. Quan hệ độ dẫn
véc tơ dòng điện trên độ dân điện của một theo tần số Y(f) cua mạch
mạch RLC song song. mạch RLC song song. RLC song song.

71
 T ầ n số t ạ i đó B c = B | g ọ i là t ầ n s ố cộng h ư ở n g f được t í n h t h e o :
r

B L = B C

Ì
= cóc
coL
Ì
(ừ = ~
2
=(2nfÝ
Le

(công thức Thomson)

4.8.4. M ạ c h c ộ n g h ư ở n g s o n g s o n g

M ạ c h h ì n h 4.32 v ớ i ba p h ầ n t ử R, L , c m ắ c song song k h i có R đ ủ

l ớ n được g ọ i l à m ạ c h c ộ n g h ư ở n g song song. ở đ â y R l à đ i ệ n t r ở tổng
c ộ n g của m ạ c h song song k ể cả c á c đ i ệ n t r ở t ổ n hao c ủ a c u ộ n d â y v à t ụ
đ i ệ n , đ i ệ n trở l ắ p r á p m ạ c h . . . ơ t ầ n số cộng h ư ở n g , m ạ c h cộng hưởng
song song có đ i ệ n d ẫ n n h ỏ n h ấ t h a y t r ở k h á n g là l ớ n n h ấ t v à t h u ầ n trỏ.
H ì n h 4.37 t h ể h i ệ n đ ặ c t í n h Z(í) của m ạ c h c ộ n g h ư ở n g song song.

Mạch cộng hưởng song song có điện trở lớn nhất tại cộng hưởng f r

In u

Hình 4.37. Trở kháng của mạch song song Hỉnh 4.38. Đổ thị véc tơ các
phụ thuộc tần sô. dòng điện khi ở cộng hưởng.

T ạ i f do B
r L = B c nên I = I
L c v à có g i á t r ị l ớ n n h ấ t . Đ ổ t h ị t í n h t o á n
v é c t ơ c á c q u a n h ệ d ò n g t ạ i f được cho t r ê n h ì n h 4.38. D ò n g I
r L và I c là
đ ố i p h a n h a u v à có b i ê n độ v ư ợ t t r ộ i h ơ n d ò n g ì. K h i c ộ n g h ư ở n g ta
n h ậ n được sự t r a o đ ổ i k i ể u con lắc d ò n g đ i ệ n t r ê n c u ộ n d â y l ị v à d ò n g
trên tụ I c v ớ i đ ộ l ớ n v ư ợ t t r ộ i h ơ n n h i ề u so v ớ i d ò n g ì c u n g c ấ p cho

72
m ạ c h . Đ ã x ả y r a c ộ n g h ư ở n g k i ể u d ò n g đ i ệ n t r o n g m ạ c h dao đ ộ n g song
song ( h ì n h 4.39 v à h ì n h 4.40). M ứ c đ ộ v ư ợ t t r ộ i của I L và I c so v ớ i ì
d ư ợ c đ ị n h n g h ĩ a l à h ộ s ố p h ẩ m c h ấ t Q của m ạ c h .

Rv
<ồ-
I không đổi
f có thể thay đổi Li RỊJ c ị Ư ©

Hình 4.39. Quá trình trao đổi năng lượng giữa cuộn dây
và tụ điện trong mạch cộng hưởng song song.
Phẩm chất Q của một mạch dao động cộng hưởng song song là số lần
vượt trội của dòng l hay l so với dòng ị cung cấp cho mạch khi xảy ra
c L

cộng hưởng.

Q = ị = ụ
ỉ ỉ

T h a y t h ế b ằ n g các độ d ẫ n t ư ơ n g ứng:
U.B, UB,
Q
U.G U.G
R
Q= — =
G G X L Xe

H ê s ố t ổ n hao

Mạch dao động song song

được biểu thị tính chất qua
đường cong cộng hưởng cho
quan h ệ đ i ệ n á p u t r ê n mạch và
tần SỐ f: U ( f ) h ì n h 4.40. Các
d ạ n g đ ư ờ n g cong cộng h ư ở n g v ố i
3 giá trị t ổ n hao k h á c n h a u được
cho t r ê n h ì n h 4.41. K h i d c à n g
l ớ n t h ì đ ư ờ n g cong c à n g r ộ n g ra. Hình 4.40. Điện áp trên mạch song song
Đ ộ r ộ n g b ă n g t ầ n b được xác theo tẩn số f của tín hiệu vào.
đ i n h theo đổ t h ị h ì n h 4.42.

73
 u
d nhỏ

d trung bình

d lòn

Hình 4.41. Đặc tính cộng hưởng song song vói các mức tôn hao d khác nhau.

/ái /92
Hình 4.42. Đổ thị xác định bề rộng băng tần của mạch cộng hưởng.

u.
fg2 ~ ì gi d.f„ VỚI u ( f ) = U ( f ) =
B l g 2

4i

e ề rộng băng tần càng lớn khi hệ số tổn hao càng lớn hay 0 càng nhỏ

Ví du: Mạch cộng h ư ơ n g song

song h ì n h 4.43 chỉ gổm 2 phần tử f , = 10 MHz
b =100 kHz
c u ộ n d â y L v à t ụ đ i ệ n c có t ầ n s ố c ộ n g L=100pH| RŨ c= =
hưởng là f = 10MHz. H ã y t í n h đ i ệ n
r

t r ở t ổ n hao R của k h u n g dao đ ộ n g n à y

biết độ rộng b ă n g b = 100kHz. Hình 4.43. Mạch cộng hưởng
0,1MHz song song (R t h ể hiện cả tổn
d.f,. - > d = — = 0,01 hao của L và c trong nó).
f. 10MHz

74
 Q=4 =— = 100
d 0,01

Q = -~ -> R = Q.X =Q.co.L

L

= 100.6,28.10. lo -. 100.1(T S = 628kQ

6 6

s
H ì n h 4.44 m ộ t d ạ n g m ạ c h cộng h ư ở n g song song, n ế u t á c h đ i ệ n trở
t ổ n hao của m ạ c h R,. = R r l + R r2 (R rl = R ) " ta co:
r2

C.R r C(R +R ) r l r 2

ơ đ â y R, R,, v à R,2 là c á c đ i ệ n t r ở n ố i t i ế p t r o n g m ạ c h . K h i đó đ i ệ n
trở song song được t í n h bởi c á c h ệ thức t r ê n theo các g i á t r ị R, hoặc R r l

và R đ ã biết.
r2

li QR 4 = C

Hình 4.44. Mạch cộng hưởng song song có điện trở mắc nối tiếp.

4.9. KHÂU RC LÀM MẠCH TÍCH PHÂN

4.9.1. V ấ n đ ề c h u n g

Tác động tới lối vào của một mắt RC hình 4.45 điện áp u, có dạng
d ã y x u n g v u ô n g góc có đ ộ r ộ n g ( t - t ị ) = tị
2

T ạ i lúc t = ty c c h ư a được nạp đ i ệ n n ê n đ i ệ n á p ra có giá trị U ( t , ) = 0. 2

N g a y sau t „ c được n ạ p đ i ệ n l à m u c = U t ă n g dần.' Tốc đ ộ n ạ p của c

2

(hay tốc đ ộ t ă n g của U ) p h ụ t h u ộ c h ằ n g s ố t h ò i g i a n T = R C . Sau

2

k h o ả n g t h ờ i g i a n t = 5x, c được n ạ p đ ầ y U * U i . C á c h ì n h 4.45a t ớ i

2

4.45c cho q u a n h ệ U ( t ) ứ n g với c á c g i á t r ị T k h á c n h a u (so v ớ i tị). L ú c

2

75
t = ta, u , = 0, t ụ c b ắ t đ ầ u p h ó n g đ i ệ n ( h ì n h 4.46) tốc độ p h ó n g do
T = RC q u y ế t đ ị n h . Q u á t r ì n h p h ó n g đ i ệ n của c c à n g c h ậ m k h i X càng

lớn. Sau khoảng 5 ĩ thì kết thúc quá trình phóng điện U (5x) a 0.
2

Hình 4.45. Mạch RC tác dộng bởi điện áp vuông góc với các giá trị X khác nhau.

Hình 4.46. Dòng điện khi c Hình 4.47. Đáp ứng ra ở mạch tích phân (b)
phóng điện. khi tác động vào có dạng vuông góc (a).

76
4.9.2. Q u á t r ì n h t í c h p h â n

Có t h ể d ù n g m ạ c h h ì n h 4.48 t h ự c h i ệ n ( m ô t ả ) m ộ t p h é p t í c h p h â n
theo t h ờ i g i a n đ ạ i l ư ợ n g v à o . Q u a n h ệ t í c h p h â n , t h ể h i ệ n là U 2 tỷ l ệ
với Ị ư ^ D d t , c à n g c h í n h x á c k h i c h ọ n T = RC c à n g l ớ n so v ớ i đ ộ r ộ n g ti
của x u n g v à o .

Hình 4.48. Nội trở nguổn nạp có ảnh hưởng mạnh tỏi X của mạch nạp cho c.

Khâu RC thực hiện tích phân theo thời gian điện áp vuông góc tác động
tại lối vào khi hạng số thời gian của nó r = RC khá lớn hơn độ rộng tị của
xung vào.

4.9.3. Ả n h h ư ở n g c ủ a n g u ổ n c á p

N g u ổ n cấp cho m ạ c h t í c h p h â n có ả n h h ư ở n g t ớ i k h ả n ă n g t í c h
p h â n của m ạ c h RC do n g u ổ n có n ộ i trở Ri t h a m gia v à o đ i ệ n t r ở t í c h
p h â n v à l à m t ă n g T, k h i đ ó X = (Ri + R ) C . V

4.10. KHÂU CR LÀM MẠCH VI PHÂN

4.10.1. V ấ n đ ể c h u n g

T á c đ ộ n g t ớ i l ố i v à o m ộ t m ắ t CR h ì n h 4.49 đ i ệ n á p U i có d ạ n g d ã y
x u n g v u ô n g góc có đ ộ r ộ n g ti = to - tị. T ạ i l ú c t = t j , c c h ư a n ạ p đ i ệ n ,
ngay l ú c n à y x c = 0 và U = U2 K X TJ ( h ì n h 4.49a). Sau đ ó x
1 c t ă n g d ầ n do
tụ nạp làm u u g i á m d ầ n cho t ố i k h i c n ạ p đ ầ y ( k h o ả n g t h ò i gian 5x = 5RC)
U K « 0 = Uv ( h ì n h 4.50). K h i đó đ i ệ n á p n ạ p được t r ê n t ụ b ằ n g đ i ệ n á p
v à o k h o ả n g 10V ( h ì n h 4.51). L ú c t = t , U i (ta) = 0, đ i ệ n á p t r ê n t ụ đ ã n ạ p
2

có v a i t r ò n h ư m ộ t n g u ổ n đ i ệ n á p , lúc đó Uv(t ) = - 1 0 V ( h ì n h 4.51). Sau

2

1, t ụ p h ó n g d i ệ n đ ế n l ú c t 2 0 t ụ p h ó n g h ế t đ i ệ n t í c h l à m U ( t ) = 0.
2 2 0

Thời gian nạp v à t h ờ i g i a n p h ó n g của tị do h ằ n g s ố t h ò i gian

X = RC q u y ế t đ ị n h , t h ư ờ n g sau 5 T q u á t r ì n h n ạ p v à p h ó n g k ế t t h ú c . C á c
h ì n h 4.49a đ ố n 4,49d t h ể h i ệ n q u a n h ệ U ( t ) với T k h á c n h a u so v ớ i t i .
2

77
 Í2 í
Hí
i Ì
V I
10

a)
-10
Hi
V T-ti
104

b)
-lũi

V, I
10 I
X« t

c)
-10

Hi
V ì»t.
10

d)
-10

Hình 4.49. Mạch CR khi có tác động xung vuông góc,

đổ thị vói các giá trị T = RC khác nhau.

—HƯ = 10Vf—
C ƠC=10V
* li -
li
(G)u :0V u =-10V

Hình 4.50. Tụ điện của mắt CR Hình 4.51. Khi U ọ = 0, điện áp ra

và

phóng điện từ giá trị được nạp là 10V. tại lúc này bằng -10V.

78
4.10.2. Q u á t r ì n h v i p h â n

Xét quá trình thực Hình 4.52.

Đổ thị Z(t).
hiện phép tính vi phân đối
v ớ i h à m Z ( t ) h ì n h 4.52. k h i
dz
đó k ế t q u ả Z' = — được
dt
cho t r ê n h ì n h 4.53, Z' c à n g
l ớ n k h i tốc đ ộ b i ế n thiên
của z theo t c à n g nhanh, Hình 4.53.
dz
n ế u z t ă n g t h ì Z' có g i á t r ị
Quan hệ Z' = —
dương, còn k h i z g i ả m thì dt
Z' có d ấ u â m .
K h â u m ạ c h CR có t h ể t h ự c h i ệ n được chức n ă n g m ộ t p h é p v i p h â n
( h ì n h 4.49c).

Khâu CR thực hiện vi phân theo thời gian điện áp vào vuông góc
khi hạng số thời gian của mạch T = RC đủ nhỏ so với độ rộng xung vào

T « t ,
M ạ c h CR c h ỉ t h ự c h i ệ n được p h é p g ầ n đ ú n g v à c à n g c h í n h x á c k h i
ì càng nhỏ.

4.10.3. Ảnh hưởng của nguổn cấp

Đ i ệ n t r ở t r o n g R, c ũ n g n h ư đ i ệ n c ả m , R
đ i ệ n d u n g c ủ a n g u ổ n n u ô i có ả n h h ư ở n g t ớ i l o—
1 o n1
Us c
c á c k ế t q u ả v i p h â n c ủ a k h â u CR do có sự 10V Uy
ĩ,7nF
t h a m gia của c h ú n g v à o l à m t ă n g h ằ n g SỐT >- <
của m ạ c h . K h i t í n h t o á n c h i t i ế t c ầ n đ ể ý
Hình 4.54. Mắt RC.
tới các t h a m số n à y .

C Â U H Ỏ I ÔN TẬP - BÀI T Ậ P

1. Đ ị n h n g h ĩ a m ạ n g 2 cực v à m ạ n g 4 cực?
2 K h â u m ạ c h RC h ì n h 4.54 có t ầ n s ố g i ớ i h ạ n l à f . H ã y v ẽ đ ổ t h ị
g

p h á c t h ả o u ( f ) của m ạ c h .
2

3 G i ả i t h í c h k h á i n i ệ m "lọc t ầ n t h ấ p " v à "lọc t ầ n cao".

4 C ầ n t h ự c h i ệ n Ì k h â u lọc t ầ n cao có t ầ n s ố g i ớ i h ạ n fg = 8 k H z v à t ụ
c h ọ n l à c = 2 0 n F . H ã y x á c đ ị n h R?

79
5. M ó t loa t ầ n t h ấ p (loa t r ầ m ) có R = 8Q Lĩ!
-
o- ^HBS
c h í lọc t h ấ p đ ế n t ầ n s ố g i ớ i h ạ n 300Hz.
H ã y c h ọ n c u ộ n d â y có L t h í c h hợp đ ể R
thực h i ệ n được n h i ệ m v ụ (mạch h ì n h 4.55) én
b ỏ q u a đ i ệ n c ả m r i ê n g của loa.
6. M ạ c h c ộ n g h ư ở n g n ố i t i ế p có c ấ u t ạ o
Hình 4.55. Mạch lọc tần thấp.
n h ư t h ế n à o ? H ã y v ẽ đ ổ t h ị cộng h ư ở n g
Z(f) của m ạ c h .
7. H ã y g i ả i t h í c h h i ệ n t ư ợ n g cộng h ư ở n g của m ạ c h cộng h ư ở n g n ố i t i ế p .
8. M ộ t m ạ c h c ộ n g h ư ở n g n ố i t i ế p có f = 1 9 k H z , d ù n g c u ộ n d â y có
r

L = 2 m H , t í n h giá trị c p h ù hợp.

9. G i ả i t h í c h ý nghĩa h ộ s ố Q v à d của m ạ c h cộng h ư ở n g n ố i tiếp.
10. H ã y v ẽ đ ổ t h ị I ( f ) của m ạ c h cộng h ư ở n g n ố i t i ế p k h i t á c đ ộ n g một
đ i ệ n á p có g i á t r ị k h ô n g đ ổ i v à t ầ n s ố t h a y đ ổ i l ê n m ạ c h .
li. Bô r ộ n g b ă n g t ầ n l à gì? c á c h x á c đ ị n h b ề r ộ n g b ă n g t ầ n b của mạch
cộng h ư ở n g n ô i t i ế p .
12. C ấ u t ạ o m ạ c h cộng h ư ở n g song song n h ư t h ế n à o ? H ã y v ẽ một
m ạ c h cộng h ư ở n g song song.
13. H ã y v i ế t h ộ t h ứ c T h o m s o n cho x á c đ ị n h
t ầ n s ố cộng h ư ở n g f,..
14. C ộ n g h ư ở n g d ò n g đ i ệ n x ả y r a t r o n g m ạ c h
dao đ ộ n g song song n h ư t h ế n à o ?
15. H ã y x á c đ ị n h c á c t h a m số: t ầ n s ố cộng
h ư ở n g f , h ộ s ố p h ẩ m c h ấ t Q, h ệ s ố suy
r

g i á m d v à đ ộ r ộ n g b ă n g t ầ n b của mạch
dao đ ộ n g song song cho t r ê n h ì n h 4.56. Hình 4.56. Mạch cộng
hưởng song song.
16. Sử d ụ n g m ộ t m ắ t RC l à m m ạ c h t í c h p h â n .
Đ i ệ n á p v à o l à m ộ t x u n g v u ô n g góc. c ầ n
c h ọ n T = RC l ớ n h a y nhỏ? Vì sao? Ui ị

17. A n h h ư ở n g c ủ a n ộ i t r ở R, c ủ a n g u ổ n c ấ p
tới T tích p h â n .
18. K h â u CR thực h i ệ n p h é p v i p h â n n h ư t h ế n à o ?
19. T r ê n h ì n h 4.57, ƯJ được v i p h â n . H ã y v ẽ
p h á c t h ả o đ ổ t h ị đ i ệ n á p ra của m ạ c h v i Hình 4.57. Điện áp
vuông g ó c
p h â n U theo t h ò i gian t ạ i l ố i ra của m ạ c h .
2

80
 Chương 5

DIOT BÁN DỒN

5.1. VẬT LIỆU BÁN DẪN ĐIỆN

Các vật liệu bán dẫn điện có tính dẫn điện nằm trung gian giữa
c h ấ t d ẫ n đ i ệ n ( n h ó m k i m loại) và chất cách điện ( n h ó m đ i ệ n môi). T h ô n g
d ụ n g v à q u a n t r ọ n g n h ấ t l à Silic, t i ế p sau là G e m a n i , Selen, A s e n i t G a l i ,
p h ô p h o r i t I n d i , A n t i m o n i t I n d i . C h ú n g đ ề u có c ấ u t r ú c d ạ n g t i n h t h ể ,
t r o n g k h i Si v à Ge v à p h ầ n l ớ n c á c l o ạ i v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n k h á c có c ấ u t r ú c
đ ơ n t i n h t h ê t h ì có m ộ t s ố v ậ t l i ệ u có c ấ u t r ú c d ạ n g đ a t i n h t h ê n h ư
Selen, c á c v ậ t l i ệ u t h u ộ c n h ó m A B có c ấ u t r ú c đ ơ n t i n h h ỗ n hợp.
3 5

V ậ t l i ệ u b á n d ẫ n b a n đ ầ u được l à m sạch ở mức đ ộ t i n h k h i ế t ( l o : 1 ) 10

tức l à 10"' n g u y ê n t ử Si m ớ i l ẫ n Ì n g u y ê n t ử t ạ p c h ấ t c h ư a l à m sạch

được. N ế u so s á n h v ớ i Ì p h é p đ o l ư ờ n g t h ì đo k h o ả n g c á c h lO.OOOkm m ố i
p h ạ m p h ả i sai s ố l à l m m . Đ â y l à m ộ t đòi h ỏ i r ấ t cao đ ố i v ớ i c ô n g n g h ệ
l à m sạch. N h ư v ậ y v ớ i c á c v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n đ i ệ n đ ể c h u ẩ n bị cho v i ệ c c h ế
t ạ o c á c l i n h k i ệ n b á n d ẫ n , có h a i y ê u c ầ u đặc b i ệ t :
1. Đ ộ t h u ầ n k h i ế t (độ sạch) l à cao n h ấ t .
2. C ó c ấ u t r ú c đ ơ n t i n h t h ể .
T r ữ l ư ợ n g Si v à Ge t r ê n t r á i đ ấ t là k h á l ớ n cho y ê u c ầ u c ô n g n g h ệ
bán dẫn.

5.2. CÂU TRÚC CHẤT BÁN DAN TINH THỂ

Điện tử hoa trị

Điện tử hoa trị

Hình 5.1. Mô hình nguyên tửsilic.

Hãy phân t í c h c ấ u t r ú c t i n h t h ể của Silic l à m v í d ụ ( t i n h thể

Gemani hay m ộ t s ố v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n k h á c có c ấ u t r ú c t ư ơ n g t ự ) .
N g u y ê n t ử Silic có 14 đ i ệ n t ử được p h â n b ố ở 3 q u ỹ đ ạ o ( h ì n h 5.1) t ạ i

81
6-LK ĐIỆ
lớp n g o à i c ù n g (lớp M ) có 4 đ i ệ n t ử g ọ i l à c á c đ i ệ n t ử hoa trị (quyết
đ ị n h Si t h u ộ c n h ó m 4 b ả n g t u ầ n h o à n M e n d e l e e p ) . C h ú n g có k h ả n ă n g
t h ự c h i ệ n c á c l i ê n k ế t hoa t r ị g h é p đôi đ i ệ n t ử v ớ i 4 đ i ệ n t ử hoa trị
k h á c của 4 n g u y ê n t ử n ằ m k ề 4 p h í a . Đ â y l à k i ể u c ấ u t r ú c m ạ n g t i n h
t h ể đ i ể n h ì n h của n h ó m v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n q u a n t r ọ n g n h ấ t ( h ì n h 5.2).

Hình 5.2. Cấu tạo tinh thế Si Hình 5.3. cấu tạo mạng tinh thể Si
(trên một mặt phang). (1 đường nét đứt là 1 điện tử hoa trị).

Hình 5.4. Mạng tinh thể Si khôi lập phương.

Như vậy mỗi điện tử hoa trị được dùng cho 2 nguyên tử kề nhau trong
mạng tinh thể và mỗi nguyên tử Silic có chung liên kết vói 4 nguyên tử kề
nó nhờ có 4 điện tử chung của chúng.
C á c h ì n h 5.3 v à 5.4 m ô t ả c ấ u t r ú c t i n h t h ể v ớ i c á c n g u y ê n t ử Si ỏ
nút mạng.

5.3. TÍNH CHẤT DAN ĐIỆN

S ố đ i ệ n t ử (hay s ố h ạ t d ẫ n ) t ự do q u y ế t đ ị n h t í n h d ẫ n đ i ệ n c ủ a v ậ t
l i ệ u . C á c đ i ệ n t ử t ự do c h í n h l à c á c đ i ệ n t ử v à n h n g o à i sau k h i t h o á t
k h ỏ i l i ê n k ế t v ớ i h ạ t n h â n của n ó ( g ọ i l à q u á t r ì n h i o n hoa n g u y ê n t ử ) .

82
ở c h ấ t b á n d ẫ n s ạ c h , đ ể có được đ i ệ n t ử t ự do ( t r o n g m ô h ì n h v ù n g
n ă n g lượng) x u ấ t h i ệ n ở v ù n g d ẫ n cần tác động m ộ t n ă n g lượng đ ủ lớn
đ ể đ i ệ n t ử t ừ v ù n g hoa t r ị ( đ i ệ n t ử l i ê n k ế t ) n h ả y m ứ c n ă n g l ư ợ n g đ ế n
v ù n g d ẫ n t r ở t h à n h đ i ệ n t ử t ự do v à đ ể l ạ i Ì i o n d ư ơ n g ( S i ) . N h ư v ậ y ở
+

0 ° K c á c c h ấ t n à y l à k h ô n g d ẫ n đ i ệ n được.
K h ả n ă n g d ẫ n đ i ệ n của v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n t h u ầ n k h i ế t do 3 y ê u t ô
quyết định:
1. D ẫ n đ i ệ n n h ờ t ạ p c h ấ t c ò n l ạ i c h ư a l à m s ạ c h h ế t .
2. D ẫ n đ i ệ n n h ờ sai h ỏ n g của m ạ n g t i n h t h ể (ví d ụ do dao động
nhiệt) k h i n h i ệ t độ t ă n g k h ả n ă n g n à y t ă n g nhanh.
3. D ẫ n đ i ệ n do c á c h i ệ u ứ n g x ả y r a t r ê n b ề m ặ t t i n h t h ể (khuyết
t ậ t của m ạ n g t ạ i b ề m ặ t ) .
C á c v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n t h u ầ n k h i ế t có độ d ẫ n đ i ệ n r i ê n g ( d ẫ n đ i ệ n l o ạ i ì).
Độ dẫn riêng của chất bán dẫn tinh khiết phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ.

ở nhiệt độ phòng (20°C) độ dẫn điện riêng của các vật liệu bán dẫn
đ i ể n h ì n h là:
Ì
Silic là X i
2.10 .Q.cm
Ị
Gemani là X
'(CO 40.Q.cm

Đ ộ d ẫ n đ i ệ n r i ê n g c ủ a t i n h t h ể Si chỉ b ằ n g độ d ẫ n đ i ệ n riêng
5000
của tinh thể Ge.

5.4. C H Ấ T B Á N D A N SILIC L O Ạ I N

Pha t á p c h ấ t l o ạ i t h ừ a đ i ệ n t ử v à o m ạ n g
t i n h t h ể Si đ ã l à m sạch. Ví d ụ n g u y ê n t ử t h u ộ c
n h ó m 5 b ả n g t u ầ n h o à n Mendeleep có 5 đ i ệ n Điện tử
t ử v à n h n g o à i (Photpho, A r s e n hay A n t i m o a n ) tư do
4 đ i ệ n t ử hoa t r ị t h a m gia l i ê n k ế t g h é p đôi còn
t h ừ a m ộ t đ i ệ n t ử d ễ có k h ả n ă n g trở t h à n h
đ i ệ n t ử t ự do do l i ê n k ế t y ế u với h ạ t n h â n
n g u y ê n t ử t ạ p c h ấ t ( g ọ i l à t ạ p c h ấ t Donor - t ạ p Hình 5.5. Một nguyên tử
c h ấ t cho). Q u á t r ì n h i o n hoa n g u y ê n t ử t ạ p phot pho (thừa điện tử)
trong mạng tinh thể Si.
c h ấ t x ả y r a d ễ d à n g , t ạ o ra m ộ t ion d ư ơ n g t ạ p
c h ấ t D o n o r v à Ì đ i ệ n t ử t ự do ( h ì n h 5.5).
Mỗi nguyên tử tạp chất cho giải phóng 1 điện tử tự do khi bị lon hoa.

83
 K h i pha c à n g n h i ề u t ạ p c h ấ t cho, độ d ẫ n đ i ệ n của v ậ t l i ệ u c à n g cao.

Càng pha nhiều tạp chất, tinh thể bán dẫn càng có điện trỏ thấp.
T i n h t h ể S i k h i p h a t ạ p c h ấ t cho trở t h à n h Silic l o ạ i n .

Si - n là vật liệu bán dẫn đơn tính thể có các hạt dẫn điện tự do là điện tử
và không tích điện. Tinh thể Silic-n
N ế u đặt vào phiến Si-n một điện
á p , c á c đ i ệ n t ử t ự do c h u y ê n đ ộ n g v ề
— — — — — " T _
p h í a cực d ư ơ n g của n g u ổ n t á c động
tạo n ê n dòng điện n h ư trong v ậ t dẫn Dòng điện tử

k i m loại - Đ â y là q u á t r ì n h d ẫ n đ i ệ n
ĩ Ù ỉ
b ằ n g đ i ệ n t ử ( h ì n h 5.6).
Hình 5.6. Dòng điện tử trong
tinh thê Si-n.
5.5. CHẤT BÁN DAN SILIC LOẠI p

Pha t ạ p c h ấ t l o ạ i A x e p t o r ( l o ạ i
n h ậ n đ i ệ n t ử ) v à o m ạ n g t i n h t h ể Si
(ví d ụ n h ô m h a y c á c n g u y ê n t ố n h ó m
3 b ả n g Mendeleep với 3 đ i ệ n tử v à n h Một liên kết bị
khuyết (lỗ trống)
ngoài). X u ấ t h i ệ n 3 liên k ế t g h é p đôi
hoa t r ị v à Ì l i ê n k ế t bị k h u y ế t (hay
la Ì l ỗ t r ố n g ) . M ỗ i n g u y ê n t ử t ạ p
chất Axeptor dỗ d à n g n h ậ n đ i ệ n t ử
để tạo t h à n h một ion â m tạp chất Hình 5.7. Cấu tạo mô hình
n h ậ n v à Ì l ỗ t r ố n g t ự do t r o n g v ù n g nguyên tử AI trong mạng tinh thể Si.
hoa t r ị ( h ì n h 5.7). C á c n g u y ê n t ố
t h ư ờ n g d ù n g l à m t ạ p c h ấ t là G a l i u m
(Ga) I n d i u m ( I n ) , N h ô m ( A I ) .
Mỗi nguyên tử tạp chất nhận giải phóng 1 lỗ trống khi bị lòn hoa.

T i n h t h ể Si k h i p h a t ạ p c h ấ t n h ậ n t r ở t h à n h Si-p.
C á c lỗ trống có khả năng dịch chuyển trong mạng tinh thể Si-p (hình 5.8
và 5.9) Tinh thể Si-P
đ~v <Tfc <T* ' o J\
Lỗ trống
7' 01
<rv a cTV

u
Hình 5.8. Sự dịch chuyến của lô trống Hình 5.9. Sự dịch chuyển có hướng
(liên kết khuyết) trong mạng tinh thể. của lô trống trong điện trường ngoài.

84
 K h i có đ i ệ n á p n g o à i , l ỗ t r ố n g Tinh thể Si-p
1 T 1
c h u y ê n đ ộ n g v ề p h í a cực â m n g u ổ n
tạo t h à n h dòng điện - B á n d ẫ n Si-p -*-o
d â n điện bằng lỗ trống là chủ y ế u o "»-0 -n-o -m-o *
( h ì n h 5.10). Dòng lỗ trống

Sh-p là loại vật liệu bán dẫn đơn

õ u o
tinh thể có hạt dẫn điện tự do là
lỗ trống (điện tích dương) và Hình 5.10. Dòng lô trống trong
không tích điện. tinh thể Si-p.

5.6. C H U Y Ê N T I Ẽ P PN

V ù n g r a n h giới giữa b á n d ẫ n loại p v à b á n d ẫ n loại n trong Ì t i n h

t h ể g ọ i l à v ù n g c h u y ê n t i ế p p n ( h ì n h 5.11).
T ạ i v ù n g b i ê n giới p h í a b ê n n xuất h i ệ n các i o n t ạ p chất d ư ơ n g
(của n g u y ê n t ử t ạ p c h ấ t cho), p h í a b ê n p x u ấ t h i ệ n c á c l o n t ạ p c h ấ t
â m c ủ a n g u y ê n t ử ( t ạ p c h ấ t n h ậ n ) c á c h ạ t d ẫ n t ự do k h u ế c h t á n ( đ i ệ n
tử t ừ v ù n g n sang v ù n g p).
Nguyên tử photpho X

Nguyên tử nhôm Y
Hỉnh 5.11. Điện tử trong vùng n do
ảnh hưởng của dao động nhiệt dịch về Hình 5.12. Sự lon hoa nguyên tử
biên giới vói vùng p. photpho X và nguyên tử nhôm Y.

Hai bên vùng tiếp xúc xuất hiện Vùng điện tích không gian
m ộ t v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g gian ( h ì n h
5.13) h ệ q u ả là x u ấ t hiện một điện
t r ư ờ n g t i ế p x ú c h ư ớ n g t ừ b ê n n sang
b ê n p ( h ì n h 5.14). K h i t ă n g n h i ệ t đ ộ , Q = điện tích
v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n m ở r ộ n g ra. Oi, không gian
I = khoảng cách tới
Xuất hiện Ì đ i ệ n á p do h i ệ n tượng ^\ biên giói
khuếch t á n sinh ra gọi là điện áp
"É
k h u ế c h t á n ( h ì n h 5.15). Đ i ệ n á p k h u ế c h
t á n ở 2 0 ° c đ ố i v ớ i Silic có g i á t r ị 0,6V
Hình 5.13. Vùng điện tích
đ ế n 0 7V, đ ố i v ớ i G e m a n i cỡ 0,3V. không gian hai bên biên giới.

85
 »Q6V-
Vùng p Điện trường Vùng n
trung hoa trung hoa r

Hình 5.14. Điện trường trong vùng Hình 5.15. Khuếch tán hạt dẫn
diện tích không gian. làm xuất hiện điện áp khuếch tán.

Đ i ệ n á p k h u ế c h t á n k h ô n g đ ủ t ạ o d ò n g đ i ệ n . N ế u n ố i 2 đ i ể m A và
B t r ê n h ì n h 5.16 v ớ i n h a u sẽ t ạ o r a h a i v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n mới.
Có t h ể t h ế h i ệ n n h ư m i ế n g t i n h t h ể h ì n h v à n h k h ă n n h ư h ì n h 5.17
k h ô n g có d ò n g c h ả y qua v ù n g c h u y ể n t i ế p k h i ở t r ạ n g t h á i c â n b ằ n g .

khuếch tán 1

khuếch tản 2
Hình 5.16. Vùng điện tích không gian của Hình 5.17. Mô hình dạng vòng: 2 điện
tinh thể Si xuất hiện 2 bên vùng p và N. áp khuếch tán đối nhau và cân bằng.

5.6.2. C h u y ể n t i ế p p n k h i c ó đ i ệ n á p n g o à i t á c đ ộ n g

5.6.2.1. Trường hợp thứ nhất: đ i ệ n á p n g o à i có cực â m đ ặ t v à o v ù n g p

v à cực d ư ơ n g đ ặ t v à o v ù n g n ( h ì n h 5.18) - t r ư ờ n g hợp p h â n cực n g ư ợ c .
K h i k h o a s h ở m ạ c h , c h u y ể n t i ế p p n c h ư a có đ i ệ n á p n g o à i . N h ò
q u á t r ì n h k h u ế c h t á n c á c h ạ t đ a số, x u ấ t h i ệ n v ù n g đ i ệ n t í n h k h ô n g
gian t ạ i v ù n g tiếp xúc.
K h i s n ố i m ạ c h đ ư a cực â m của n g u ổ n n g o à i v à o v ù n g p v ù n g đ i ệ n
t í c h k h ố i m ở r ộ n g r a v ề h a i p h í a ( h ì n h 5.19) do đ i ệ n t r ư ờ n g g â y ả n h
h ư ở n g t r ự c t i ế p t ớ i v ù n g c h u y ể n t i ế p , x ế p c h ổ n g l ê n đ i ệ n t r ư ờ n g n ộ i bộ,
k ế t q u ả là:

86
 1. Đ i ệ n á p n g o à i đ ặ t v à o c à n g l ớ n , v ù n g đ i ệ n t í c h k h ố i c à n g được
mỏ rộng.
2. T r o n g v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n k h ô n g có h ạ t m a n g đ i ệ n , do đ ó
điện trở v ù n g n à y r ấ t lớn.
3. K h i cực â m đ ặ t t ớ i v ù n g p, t i ế p x ú c p n bị k h o a .
4. T ổ n t ạ i c á c h ạ t t h i ể u s ố ( đ i ệ n t ử b ê n p v à l ỗ t r ố n g b ê n n) được
đ i ệ n t r ư ờ n g n g o à i g i a tốc t ạ o t h à n h d ò n g đ i ệ n n g ư ợ c có g i á t r ị n h ỏ
c h u y ê n q u a t i ế p x ú c p n : đ i ệ n t ử t ừ p sang n v à l ỗ t r ố n g t ừ n s a n g p.
D ò n g c á c h ạ t t h i ể u s ố có c h i ề u t ừ ri sang p v à có g i á t r ị n h ỏ ( h ì n h 5.20).
5. M ỗ i v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n (hay c ò n g ọ i l à m ộ t l ớ n c h ắ n )
h ì n h t h à n h Ì t ụ đ i ệ n có đ i ệ n d u n g c ( h ì n h 5 . 2 1 ) . -

Hình 5.18. Chuyển tiếp pn khi khoa s hở Hình 5.19. Chuyển tiếp pn vói điện áp
xuất hiện vùng điện tích khôi. ngoài phân cực ngược "âm vào vùng P"

p n
© © © ®
• /T -ũ •Q
s
r Chiều cường độ
Điên tử (các hát điện trường
thiểu số)
Hình 5.20. Hạt dẫn thiểu số Hình 5.21. Hình thành tụ điện
chuyến động gia tốc qua lớp chăn. của tiếp xúc pn.

5 6 2.2. T r ư ờ n g h ợ p t h ứ h a i đ i ệ n á p n g o à i có cực d ư ơ n g đ ặ t l ê n v ù n g p
t i ế p x ú c p n được p h â n cực t h u ậ n ( h ì n h 5.22).

87
 K h i s hở mạch, chuyển tiếp pn
v ề l ạ i t r ư ờ n g hợp k h ô n g có đ i ệ n á p
ngoài, x u ấ t h i ệ n v ù n g đ i ệ n tích k h ố i 0»
p n
do q u á t r ì n h k h u ế c h t á n c á c h ạ t d ẫ n
Dòng Dòng
đ a số. K h i s n ố i m ạ c h , n g u ổ n n g o à i
lỗ trống điện tử
có cực â m đ ặ t t ớ i v ù n g n .
1. V ù n g đ i ệ n t í c h k h ố i t h u h ẹ p
l ạ i , c á c h ạ t d ẫ n p h u n qua v ù n g t i ế p ụ
xúc pn với m ộ t cường độ lớn.
2. Đ i ệ n t r ở v ù n g lớp c h ắ n g i ả m 7
n h ỏ l à m d ò n g đ i ệ n qua c h u y ể n t i ế p p n Biên độ điện áp
khuếch tán
r ấ t lớn h ơ n t r ư ờ n g hợp p h â n á p ngược
đ ã xót, c ầ n d ù n g đ i ệ n t r ở R ở m ạ c h Hình 5.22. Tiếp xúc pn với điện áp
n g o à i h ạ n c h ế d ò n g n à y ( h ì n h 5.22). phân cực thuận "dương vào vùng p"
3. Đ i ệ n á p rơi t r ê n v ù n g lớp c h ắ n n h ỏ .

5.7. N G U Y Ê N LÝ H O Ạ T Đ Ộ N G C Ủ A DIOT BÁN D Ẫ N

5.7.1. D i o t b á n d ẫ n đ ơ n t i n h t h ể

B ả n c h ấ t c ấ u t ạ o của m ộ t d i o t
b á n dẫn là một chuyển tiếp pn với -É*
2 t i ế p x ú c t u y ế n t í n h đ ể có h a i cực Ký hiệu quy ưốc
r a được g ọ i l à a n o t ( k ý h i ệ u A ) v à
Anot Katot
katot (ký h i ệ u K) t h ể h i ệ n trên
Hình 5.23. c ấ u tạo và kỷ hiệu của
h ì n h 5.23. diot bán dẫn.
N ế u được p h â n cực t h u ậ n
( đ ặ t đ i ệ n á p d ư ơ n g v à o anot)
d i o t d ẫ n đ i ệ n v ớ i d ò n g lớn,
điện áp trên diot nhỏ và
Nguõn cấp
thay đổi được đ i ệ n trở của diot thấp. Còn
điên áp k h i p h â n cực n g ư ợ c ( đ ặ t â m
Hình 5.24. Mạch điện d ể đo đặc tuyến
Von Ampe của diot. v à o anot) diot c h ắ n d ò n g đ i ệ n ,
điện áp trên diot lớn và
đ i ệ n t r ở cao. H i ệ n t ư ợ n g t r ê n
gọi là h i ệ u ứ n g v a n của diot đ ố i v ớ i d ò n g đ i ệ n xoay c h i ề u . D ò n g đ i ệ n
t h u ậ n h ư ớ n g t ừ anot t ố i katot. Q u a n h ệ c h í n h x á c giữa u - ì của diot
được t h ể h i ệ n qua đ ặ c t í n h V o n A m p e t h u được q u a m ạ c h đ o h ì n h 5.24
v ớ i k ế t q u ả t h u được ở h ì n h 5.25. Các k ế t l u ậ n và n h ậ n xét từ đặc
t u y ế n V o n A m p e h ì n h 5.25 ( c h ú ý chỉ x é t v ố i d i o t l o ạ i s i l i c ) .

88
 mA'
80 mA 1
70 70
60 60
-Si-Diode
50 Ge-Dkxk 50 Ị
40 40- Ị
30 Vùng dẫn 30 Ị
20 điên 20 Ị
ƯR 10 lo
50 J
02 Oi 0.6 0.8 io
5
cu [(ú 06 0.6 10 l i
}Ó V 03 V
15
Vùng khoa 25
(không dẫn h
điên HA Hình 5.26. Xác định
Hình 5.25. Đặc tuyến Von Ampe
điện áp ngưỡng.
của diot Ge và Si.

• T r o n g v ù n g d ẫ n đ i ệ n ( đ ặ t v à o A đ i ệ n á p d ư ơ n g ) , k h i Úp còn n h ỏ
(cỡ 0,1V) d ò n g đ i ệ n n h ỏ , đ i ệ n t r ở của diot còn l ớ n , c h ư a x ả y r a quá
t r ì n h k h u ế c h t á n h ạ t đ a số.
• K h i t ă n g Úp đ ế n k h o ả n g 0,6V, d ò n g I t ă n g m ạ n h , diot có đ i ệ n trở
F

t h ấ p . G i á t r ị U f = 0,7V được g ọ i là đ i ệ n á p n g ư ỡ n g ( đ i ệ n á p mở) của

diot.
• Đ ố i v ớ i diot Ge đ i ệ n á p mở x ả y ra sớm h ơ n ở g i á t r ị 0,3V.

Khi làm việc ỏ vùng trên điện á p ngưỡng, diot bán dẫn có điện trở thấp.
• Trong v ù n g k h ô n g
dẫn đ i ệ n (đảo cực đ i ệ n
áp, cho cực â m v à o anot)
dòng đ i ệ n qua diot có
chiều t ừ K t ớ i A v à n h ỏ
(10" A với diot Silic v à
9

ÌO^A vói diot Gemani).

• Khi tăng điện áp
ngược ƯR q u á l ớ n ( v ư ợ t
qua đ i ệ n á p n g ư ợ c cho
p h é p l â n n h ấ t ) d í o t bị
đánh thủng vì nhiệt
hay được đánh thủng
Hình 5.27. Đánh thủng diot.

89
vì đ i ệ n t h e o h i ệ u ứ n g ^ ỉ
Zener ( h ì n h 5.27). H i ệ n
70
tượng đánh thủng vì 60
n h i ệ t g â y h ư h ỏ n g cho 50
diot l à m m ấ t t í n h c h ấ t 40
van, hiện tượng đánh 30
thủng theo hiệu ứng 20
Zener không làm diot Diện tích lốp chăn 1mm 2

10
m ấ t đi t í n h c h ấ t v a n m à 200 100
02 OA 0j6 0.8 lũ ư 14 Uf
còn được sử d ụ n g làm Si 10 V
Z—chót có t á c d ụ n g ổn
định điện áp Ì chiều.
Hiện tượng đánh
thủng vì n h i ệ t x ả y ra
k h i n h i ệ t độ t r ê n c h u y ể n Hình 5.28. Đặc tuyến I - u của diot
chê tao từ các loại vật liệu khác nhau.
tiếp pn vượt q u á giá trị
cao n h ấ t cho p h é p .
( V ớ i d i o t Silic là k h o ả n g 1 8 0 ° c , v ớ i d i o t Ge l à k h o ả n g 80°C)
H ì n h 5.28 đ ư a ra
đặc t u y ế n V o n A m p e
của m ộ t v à i d i o t l à m
từ các loại v ậ t l i ệ u
khác nhau.
T r ê n đặc t u y ế n V o n
Ampe, có t h ê p h â n b i ệ t
đ i ệ n trở Ì c h i ê u v à đ i ệ n
trỏ xoay c h i ề u ( đ i ệ n trở
v i p h â n ) của diot.
Xét đặc t u y ế n h ì n h
5.29 đ ố i với Ì diot 0.1 0.2 ơ, 0,3 u 2 0.4 0.5
0.6 Ug
Gemani: T ạ i điện áp V
Hình 5.29. Điện trở thuận một chiều và điện trỏ vi phân.
u , có d ò n g I j qua d i o t .
Đ i ệ n t r ơ Ì c h i ề u của d i o t được đ ị n h n g h ĩ a ( t ạ i P j )
u,
R .=-
F

ì.

Tại p 2 có R - H i
R
« iu

90
 Hay tổng quát

Điện trỏ 1 chiều của diot phụ thuộc vào vị tri điểm làm việc của nó.
Đ i ệ n t r ở v i p h â n t h ể h i ệ n đ ộ dốc v i p h â n của đặc t u y ế n V o n A m p e ,
theo đ ị n h nghĩa:

T r ê n h ì n h 5.30, k h i đ ặ t Ú p
= 0,2V có I F = 2mA; k h i tăng
U F lên m ộ t lượng A U F sẽ n h ậ n
được t ư ơ n g ứ n g Ì gia s ố A l . F

Ví dụ: cho r F = 10Q với

A U = 0 , 0 2 V h ã y t í n h Alp?
F

F =
r
Hình 5.30. Giải thích ý nghĩa
AI,. r c
của điện trở vi phân.
0,02V
AL 0,002A - > A I = 2mA. r

10O

B ả n g h ì n h 5.31 đ ư a r a m ộ t v à i t h a m s ố của diot

Ge Si
Điện áp ngưỡng 0,3V 0,7V
R F
5Q -» 100Q 2Q -> 50Q
RR 0,1 ụíl -> 10|.iQ -> 3000|.iQ
u ngc max tới 200V tới 3000V
T°max 90°c 200°c
Hiệu suất van 98% 99,5%

Bảng hình 5.31. Một sô tham số gần đúng của diot.

5.7.2. D i o t đ a t i n h t h ể
K h i d ù n g Selen l à m v ậ t l i ệ u c h ế t ạ o diot sẽ n h ậ n được d i o t đ a t i n h
t h ổ . C ấ u t ạ o m ộ t cliot Selen cho t r ê n h ì n h 5.32 v à diot O x y t đ ổ n g cho
trên hình 5.33.

ở h ì n h 5.32, t r ê n m ộ t đ ế l à m đ i ệ n cực anot b ằ n g s ắ t (Fe) hoặc n h ô m

(AI) m ộ t lớp Solen (Se) d ẫ n đ i ệ n l o ạ i p pha t ạ p m ạ n h được p h ủ l ê n b ằ n g

91
p h ư ơ n g p h á p bốc bay t r o n g c h â n k h ô n g sau đ ó gia c ô n g n h i ệ t đ ể tạo
d ạ n g t i n h t h ể cho Se. T i ế p t ụ c t ạ o lớp k a d i m i - k ẽ m (Sn - Cd) p h í a t r ê n
h ì n h t h à n h cực k a t o t . L ớ p c h ắ n h ì n h t h à n h g i ữ a Se v à S n - Cd. Diot
Selen có k h ả n ă n g c h ị u q u á d ò n g t r o n g t h ờ i g i a n n g ắ n ( c h ế đ ộ x u n g ) tốt
h ơ n l o ạ i diot Si h a y Ge. C h ú n g đặc b i ệ t p h ù hợp cho c á c b ộ n ắ n đ i ệ n từ
xoay c h i ề u s a n g Ì c h i ề u có c ô n g s u ấ t l ố n , d ò n g l ớ n n h ư n g á p r a t h ấ p .
T r ê n h ì n h 5.33a: D i o t o x y t đ ổ n g có c ấ u t ạ o g ổ m Ì đ ế b ằ n g đổng
l à m cực a n o t , t r ê n đ ó t ạ o lớp O x y t đ ổ n g C u 0 , t i ế p s a u
2 đ ó l à Ì lốp
g r a p h i t , sau đ ó t ạ o đ i ệ n cực t h ứ h a i k a t o t . D i o t C u - C u 0 có đ i ệ n áp
2

c h ị u đ ự n g t h ấ p (6V) v à đ i ệ n á p m ở n h ỏ (0,2V) v ớ i đ ặ c t í n h V o n Ampe

g ầ n n h ư t u y ế n t í n h ( h ì n h 5.33b). L o ạ i d i o t n à y r ấ t p h ù h ợ p v ớ i các bộ
c h ỉ n h l ư u cho đ i ệ n á p r a n h ỏ .

Lớp katot Lốp katot

Graphit
- Selen - p Cu 02

Lớp niken Để làm anot Cu

(miếng đế là Fe) Cực đế làm anot
bằng đổng

Hình 5.32. cấu tao diot Selen. Hình 5.33a. cấu tạo diot oxyde đổng.

B ả n g h ì n h 5.33b đ ư a r a m ộ t s ố t h a m s ố c ủ a d i o t đ a t i n h t h ê
Selen Đ ổ n g - Oxyt
Điện áp mở 0,6V 0.2V
R (điện trở thuận)
F 5Q -> 100Q 10Q -> 50Q
R (điện trở ngược)
R 0 , 1 M f ì - > 1MQ 50kQ -> 500kQ
Điện á p ngược Tới 40V Khoảng 6V
Nhiệt độ cho p h é p 85°c 50°c
Hiệu suất 90% 75%
Hình 5.33b. Một s ố tham số của diot đa tinh thể.

5.8. TÍNH C H Á T K H O A C H U Y Ê N M Ạ C H C U A DIOT B Á N DÂN

K h i h o ạ t đ ộ n g ở c h ế đ ộ l ậ t t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao ( k h ô n g d ẫ n -
n g ắ t m ạ c h ) s a n g t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p ( d ẫ n - n ố i m ạ c h ) h o ặ c ngược
l ạ i t r o n g m ộ t t h ờ i g i a n đ ủ n g ắ n , diot b á n d ẫ n ở c h ế đ ộ l à m v i ệ c n h ư
một khoa đ i ệ n tử.

ở t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ỏ t h ấ p , v ù n g c h u y ể n t i ế p p n b ị t r à n n g ậ p các
h ạ t d ẫ n , k h i c h u y ể n s a n g t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao, l ớ p c h ắ n t r ở v ề t r ạ n g
t h á i p h â n cực n g ư ợ c được m ở r ộ n g v à được n ạ p đ i ệ n t í c h .

92
 K h i d i o t t r ê n h ì n h 5.34 n g ắ t m ạ c h ( c h u y ể n s
~* Ỉ R

m ạ c h s ở vị t r í b ê n p h ả i ) , x u ấ t h i ệ n d ò n g I . N ế uR

c h u y ê n m ạ c h l ậ t sang vị t r í b ê n t r á i , d ò n g I F qua
d i o t t à n g t h e o h ì n h 5.35, k h o ả n g t h ò i g i a n t . được fl

đ ị n h n g h ĩ a là t h ờ i g i a n n ố i m ạ c h . K h i c h u y ể n s v ề
l ạ i vị t r í b ê n p h ả i , d i o t c h u y ể n v ề t r ạ n g t h á i n g ắ t ,
thòi gian t 1T được đ ị n h nghĩa là t h ờ i gian n g ắ t m ạ c h H ì n h 5
- -
3 4

( h ì n h 5.36). C á c g i á t r ị t f r v à t . p h ụ t h u ộ c độ l ớ n của d ò n g I f , I v à o đ i ệ n
n K

á p t á c đ ộ n g v à v à o c á c đ i ệ n trở h ạ n c h ế R j R.,.
C á c giá trị đ i ể n h ì n h là:
t . = 0,5 t ớ i 50ms
fl

t,,. = 2 đ ế n 2 0 0 m s

0.1 /R

Hình 5.35. Nối mạch diot Hình 5.36. Ngắt mạch diot
(từ khoa sang dẫn). (từ dẫn sang khoa).

5.9. T Ỉ N H C H Á T N H I Ệ T C Ứ A DIOT BÁN DÂN

K h i t ă n g d ầ n n h i ệ t đ ộ , do s ố l ư ợ n g h ạ t d ẫ n t ă n g , đ ộ d ẫ n đ i ệ n của
t i n h t h ể b á n d ẫ n t ă n g theo.
Dòng điện ngược của diot tăng (từ 7% đến 10%/°C) khi nhiệt độ làm việc
của diot tăng.
H ì n h 5.37 cho g i á t r ị d ò n g ngược của diot Si ở 2 5 ° c v à 1 2 5 ° c . Đ ộ l i n h
động của h ạ t d ẫ n c ũ n g p h ụ t h u ộ c n h i ệ t độ v à t ă n g k h i n h i ệ t đ ộ t ă n g .

Un
V 50
ĩ, = 25°c

7i=125°c

Hình 5.37. Sự phụ thuộc dòng ngược vào

nhiệt độ của diot khi T = 25°c và T = 125°c. Hình 5.38. Quan hệ nhiệt độ tác động
tói Úp của diot.

93
 K h i n h i ệ t đ ộ t ă n g t i n h t h ể d ẫ n đ i ệ n t ố t h ơ n . H ì n h 5.38 c h ỉ r a hai
đ ặ c t u y ế n của d i o t S i ở v ù n g m ở v ớ i n h i ệ t độ 2 5 ° c v à 1 2 5 ° c .
Điện trở thuận của diot giảm (làm điện á p thuận trên diot giảm cỡ
2mV/°C) khi nhiệt độ tăng.

5.10. BỘ CHỈNH LƯU DÙNG DIOT BÁN DAN

5.10.1. M ạ c h c h ỉ n h l ư u m ộ t nửa c h u k ỳ (M,)

Sử d ụ n g t í n h c h ấ t van của
diot b á n d ẫ n đ ố i v ớ i d ò n g đ i ệ n
xoay c h i ề u , có t h ể t h ự c h i ệ n n ắ n
điện từ xoay c h i ề u sang điện
Ì chiều n h ò các mạch chỉnh lưu.
H ì n h 5.39 là m ộ t m ạ c h c h ỉ n h
l ư u đ ơ n g i ả n n h ấ t . Đ i ệ n á p xoay
c h i ề u Ư! = 220V ( h i ệ u d ụ n g ) đ ư a
tới 2 đ i ể m A v à B có d ạ n g t h ể Hình 5.39. Mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ
tải điên trỏ.
h i ệ n t r ê n h ì n h 5.40. T r o n g k h o ả n g
t, < t < t , U
2 A d ư ơ n g h ơ n , diot d ẫ n
đ i ệ n cho d ò n g ì c h ả y qua t ả i R . T r ê n d i o t t r o n g k h o ả n g t h ờ i g i a n này
L

có đ i ệ n á p t h u ậ n cỡ 0,75V đ ế n 0,9V, n ế u coi l à n h ỏ có t h ể b ỏ qua trong

k h o ả n g n à y U i = U + U h a y Ư! * U .
D 2 2

u
"bi *
VA

Uy
Ọ— • — l i

Ui

Uũi,

Hình 5.40. Điện áp trong mạch chỉnh lưu.

94
 Mạch chỉnh lưu dẫn nửa chu kỳ dương của điện áp xoay chiều ra tải.
T r o n g k h o ả n g t < t < t đ i ệ n t h ế A â m h ơ n B, d i o t bị k h o a . Đ i ệ n
2 3

t r ở d i o t r ấ t l ớ n m ạ c h t h ự c t ế k h ô n g có d ò n g .
Úi = U D u 2 * 0
Mạch chỉnh lưu chắn nửa chu kỳ âm của điện áp xoay chiều.
T r o n g k h o ả n g t h ò i g i a n n à y n ế u đo đ i ệ n á p t r ê n diot ta có U A K = Uj
có g i á t r ị â m ( h ì n h 5.40).
Điện áp trên tải U L có d ạ n g s ó n g Ì nửa h ì n h sin (chỉ còn nửa d ư ơ n g )
đ â y là d ạ n g h ỗ n hợp, n ế u t r i ể n k h a i p h â n tích U L n ó sẽ chứa n g o à i
t h à n h p h ầ n Ì c h i ề u ( k h ô n g p h ụ thuộc t h ò i gian) còn các t h à n h p h ầ n t ầ n
sô tị, 2 f . . . n f . . . t r o n g đó f, là t ầ n s ố của đ i ệ n á p v à o U i , n là s ố n g u y ê n .
1 1

M u ố n chỉ n h ậ n t h à n h p h ầ n Ì c h i ề u t r ê n t ả i , p h ả i d ù n g các m ạ c h lọc t ầ n

số t h ấ p đ ể l o ạ i bỏ c á c t h à n h p h ầ n xoay c h i ề u t r o n g U L ( h ì n h 5.41).

R=220íl
C=D
f \ .
U
L 4= 4= _u, ì
C=100pF
L
Cs=100pF I ! '
í
Ì
ị
Ì ì
Ui Ì í
Ì í
Ì
í
ỉ /""vi
i Ì Ì —
í Si
ì í í

Khi U L > 0 C được n ạ p t ớ i t r ị đ ỉ n h của U ; k h i k h o a s n ố i m ạ c h Ư

L L L

được chia á p qua k h â u R = 220Q v à c = 100|aF ( h ì n h 5.42). Đ â y là bộ

s

chia có h ệ s ố chia p h ụ t h u ộ c t ầ n số. Đ ố i v ớ i p h ầ n xoay c h i ể u t r o n g U L

x c s đ ủ n h ỏ n ê n được coi là p h ầ n t ử n g ắ n m ạ c h . Đ ố i v ớ i t h à n h p h ầ n
Ì c h i ề u của U , X đ ủ l ớ n v à do v ậ y Cs c h ặ n d ò n g Ì c h i ề u (hở m ạ c h ) .
L c s

Đ i ệ n á p r a l ấ y t r ê n t ụ c chỉ còn l ạ i t h à n h p h ầ n m ộ t c h i ề u . T u y n h i ê n
s

do t í n h c h ấ t k h ô n g lý t ư ở n g của c á c l i n h k i ệ n , còn Ì l ư ợ n g v à i % xoay

c h i ề u còn s ó t l ạ i t r o n g t h à n h p h ầ n đ i ệ n á p l ấ y t r ê n c c h ú n g được gọi s

là đ i ệ n á p gỢn s ó n g (hay đ i ệ n á p đ ậ p mạch) t h ể h i ệ n c h ấ t l ư ợ n g m ạ c h

lọc ( h ì n h 5.43). V i ệ c x á c đ ị n h đ i ệ n á p đ ậ p m ạ c h hay độ gỢn s ó n g cho
p h é p đ á n h g i á c h ấ t l ư ợ n g m ạ c h lọc.

Khi chọn cấc giá trị C và c càng lớn, dòng điện tải qua tụ lọc càng
L s nhỏ
và do đó độ gọn sóng càng nhỏ.

H ì n h 5.44 cho m ạ c h c h ỉ n h l ư u m ộ t nửa c h u k ỳ ( M Ị ) h o à n c h ỉ n h

d ù n g đ i ệ n á p Ì c h i ề u n ắ n t ừ đ i ệ n 220V/50Hz v ố i m ạ c h lọc đ ã x é t t r ê n .

95
 ì - 220n
Ui

Cs=100pF
Ì

Hình 5.42. Mắt lọc tần thấp RC (như một S

Hình 5.43. Đổ thị thời gian của
bộ chia áp phụ thuộc tần số). điện áp ra.
Rv=5n R=2201ì

Ư1 = 220V„.

Hình 5.44. Mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ có mắt lọc hình TI.

5.10.2. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ (M ) 2

•Ạ
7 &
ì Di
• 0.0

ít D 2

—§+- IIŨRL Ớ2

Hình 5.45. Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ M và đổ thị mô tả nguyên lý hoạt động.
2

H ì n h 5.45 l à m ộ t m ạ c h c h ỉ n h l ư u 2 n ử a c h u k ỳ sử d ụ n g 2 d i o t van
D ị , D . Đ ặ c đ i ể m của m ạ c h là b i ế n á p có h a i c u ộ n t h ứ c ấ p đ ố i x ứ n g v ố i
2

đ i ể m giữa o v v à n h ư v ậ y đ i ệ n á p Ư, t á c đ ộ n g l ê n 2 d i o t có h a i p h a đoi
n h a u ( U , v à - U i ) . H a i diot D , v à D l à m v i ệ c n h ư h a i m ạ c h c h ỉ n h l ư u M ,
2

đã xét t r ê n và l à m việc ở c h ế độ l u â n p h i ê n nhau: K h i Ư!>0 t h ì D dẫn

lúc đ ó - U j < 0 D k h o a ; k h i u ^ o t h ì D , k h o a , k h i đ ó - ư , > 0 v à D
2 dẫn

96
 Đổ thị điện áp và dòng
đ i ệ n t r o n g m ạ c h cho trên Ư,=220V_
h ì n h 5.45 t h ể h i ệ n n g u y ê n
LH ÙĨ
lý h o ạ t đ ộ n g của m ạ c h M . 2

5.10.3. M ạ c h chỉnh lưu

cầu (B ) 2 Hình 5.46. Mạch chỉnh lưu cầu B (loại cầu 2 nhịp).
2

Mạch chỉnh lưu cầu

( h ì n h 5.46) d ù n g 4 d i o t có
thể nắn trực tiếp từ điện
lưới 220V/50Hz m à không Ư1 = 220V
cần dùng biến áp như
mạch M . Mạch hình 2 5.46
có nguyên lý làm việc
giống n h ư m ạ c h M , ở đ â y 2

trong mỗi nửa chu kỳ của

Ư! l u ô n có Ì c ặ p d i o t làm
v i ệ c v à cho dòng Ì chiều
qua tải R : L khi u ^ o . DỊ
và D 3 đổng thời dẫn điện,
D 2 v à D., b ị k h o a . T r ê n R L

x u ấ t h i ệ n d ò n g Ỉ! = I . C ò n 3

khi Uj<0 D 2 và D 4 dẫn

điện, Dj và Da k h o a ; có
dòng ụ - l4 qua R L (hình
5.47). Hình 5.48 đưa ra
một mạch chỉnh lưu cầu
có d ù n g m ạ c h lọc đ ể n â n g
cao c h ấ t l ư ợ n g đ i ệ n á p Ì
chiêu trên t ả i . Hình 5.47. Đổ thị minh hoa hoạt động của
mạch chỉnh lưu B . 2

=220V_ CZ3

=C L
n
=c s u
I

Hình 5.48. cầu chỉnh lưu B2 có mắt lọc RC S

97
7-LK OIỂ
5.11. K H O A DIOT T R O N G KỸ T H U Ậ T s ố

H ì n h 5.49 l à m ộ t c ổ n g logic OR d ù n g k h o a d i o t ( c ô n g n g h ệ DTL)

c á c l ố i v à o A v à B đ ư ợ c t á c đ ộ n g b ở i c á c x u n g d ư ơ n g ( t r ạ n g t h á i 1) hay
k h ô n g có x u n g ( t r ạ n g t h á i 0). Đ i ệ n á p r a t ạ i z c ũ n g c h ỉ có h a i trạng
t h á i t ư ơ n g t ự . z = Ì k h i c h ỉ c ầ n í t n h ấ t m ộ t t r o n g h a i l ố i v à o A = Ì hay
B = Ì , z = 0 c h ỉ k h i A = B = 0. B ả n g t r ạ n g t h á i h o ạ t đ ộ n g c ủ a mạch
5.49 cho t r ê n b ả n g 5.50 ( g ọ i l à b ả n g c h â n lý).

•5V

I °z
B°- Ký hiệu Trường hơp
Ao-
-°z
Bi £4- Ao-
oi
B°- Ký hiệu
chuẩn hoa
Hình 5.50. Bảng chân
Hình 5.49. Mạch OR dùng diot làm phân tứ hoa. lý của mạch logic OR.

H ì n h 5.51 đ ư a ra m ộ t cổng logic A N D d ù n g c ô n g n g h ệ D T L v ớ i bảng

c h â n lý m ô t ả h o ạ t đ ộ n g của m ạ c h cho t r ê n h ì n h 5.52. z ở đ i ệ n t h ế thấp
(Z = 0) k h i có ít n h ấ t Ì l ố i v à o ở đ i ệ n t h ế t h ấ p (A, B = 0). C ò n k h i các lối
v à o đ ổ n g t h ờ i ở d i ệ n t h ế cao (A = B = 1) t h ì z ở m ứ c cao (Z = 1).
•5V

A°-
°z
A ọ- 44- B o- Trường hợp
Ký hiệu

B
-oi
Ký hiêu
chuẩn hoa
Hình 5.52. Bảng chân lý
Hình 5.51. Mạch AND dùng diot (công nghệ DTL). của mách AND.

5.12. C Á C D Ạ N G CÂU T Ạ O C Ủ A DIOT BÁN D A N

T h ự c t ế p h â n b i ệ t 2 n h ó m diot v a n là: d i o t t h ư ờ n g v à d i o t nắn

đ i ệ n . D i o t n ắ n đ i ệ n t h ư ờ n g d ù n g cấp d ò n g l ớ n t ừ đ i ệ n l ư ớ i , có đ i ệ n áp
c h ị u đ ự n g ( đ i ệ n á p n g ư ợ c ) l ố n , do đ ó có c ô n g s u ấ t l ớ n . C h ú n g được gọi
c h u n g là l o ạ i d i o t c ô n g s u ấ t l ớ n .
N h ó m diot t h ứ h a i có c ô n g s u ấ t n h ỏ t h ư ờ n g d ù n g t r o n g c á c m ạ c h điện
gia c ô n g b i ế n đ ổ i d ạ n g t í n h i ệ u t r o n g k ỹ t h u ậ t t h ô n g t i n v à x ử lý t i n .

98
5.12.1. C á c diot t i ế p m ặ t

C á c diot t i ế p x ú c m ặ t có
d i ệ n t í c h c h u y ể n t i ế p p n lớn
được c h ế t ạ o theo n h i ề u c ô n g
nghệ k h á c nhau, điển h ì n h
là công nghệ khuếch tán Diot tiếp mặt Diotplana
nóng chảy hay công nghệ
k h u ế c h t á n plana ( h ì n h 5.53). H ì n h 5 5 3
- - c ấ u
tạo c ủ a d i o t b á n d ẫ n
-
P h ầ n l ớ n c á c d i o t t i ế p x ú c m ặ t c h ế t ạ o t ừ Si có
d ò n g l ớ n v à á p n g ư ợ c l ớ n . D i o t t h u ộ c n h ó m n à y có
đ i ệ n d u n g t i ế p x ú c l ớ n (còn g ọ i là đ i ệ n d u n g l ố p
c h ắ n m ắ c song song v ớ i diot n h ư h ì n h 5.54) và ^hàng rao
h o à n t o à n k h ô n g p h ù hợp k h i l à m v i ệ c ở t ầ n số
Hình 5.54. Tụ hàng
cao. K h i h o ạ t đ ộ n g ỏ c h ế đ ộ c h u y ể n m ạ c h , đ i ệ n
rào nôi song song
d u n g n à y l à m t ă n g t h ờ i g i a n t r ễ của k h o a diot k h i ảnh hưởng tói diol.
lật trạng thái.

5.12.2. C á c d i o t t i ế p đ i ể m
D i o t v ớ i t i ế p x ú c p n có d i ệ n t í c h r ấ t n h ỏ g ọ i l à c á c d i o t t i ế p đ i ể m
( h ì n h 5.55). T r ê n đ ế l à m t ừ p h i ế n t i n h t h ể G e - n c ấ y Ì g i ọ t ( b á n k í n h cỡ
5 0 ụ m ) l o ạ i b á n d ẫ n t ạ p c h ấ t p ( t h ư ờ n g d ù n g l à sợi v à n g ) . D i o t l o ạ i n à y
có t ụ c ấ u t ạ o c ủ a lớp k h o a cỡ 0,2pF = 2 . 1 0 " F có t h ể l à m v i ệ c r ấ t t ố t ở
!3

t ầ n s ố cao h o ặ c ờ c h ế đ ộ c h u y ể n m ạ c h n h a n h .

3 >
Ả
Vùng p
Hình 5.55. cấu tạo diot tiếp điểm.

5.12.3. C á c d i o t c ô n g s u ấ t
C á c d i o t c ô n g s u ấ t c h ủ y ế u l à m t ừ Silic, m ộ t v à i t r ư ờ n g hợp đặc
b i ệ t c ò n d ù n g d i o t S e l c n . Đ ặ c t u y ế n V o n A m p e của d i o t Si t ạ i v ù n g
đ i ệ n á p n g ư ỡ n g r ấ t dốc, c h ú n g có đ i ệ n trở d ẫ n đ i ệ n r ấ t n h ỏ ( k h o ả n g
3 0 m f ì ở đ i ệ n á p 2 2 0 V ) . Đ i ệ n á p ngược cho p h é p có t h ể đ ạ t t ớ i 3000V
n h i ệ t đ ộ l à m v i ệ c cho p h é p l ê n t ớ i 2 0 0 ° c . C á c d i o t Si c ô n g s u ấ t có k h á
n ă n g c ấ p d ò n g 5 0 0 A đ ế n 1000A v ớ i k í c h t h ư ớ c t ư ơ n g đ ố i n h ỏ (hình
5.57) được c h ế t ạ o d ư ớ i d ạ n g v i ê n Si.

99
 Hình 5.56. Tụ hàng rào nối "Viên" tinh
song song ảnh hưởng tỏi diot. ể - Si
t h

Hình 5.57. cấu tạo diot Si công suất lớn.

5.13. ĐO THỬ KIỂM TRA DIOT

V i ệ c k i ể m t r a d i o t c ò n t ố t hay k h ô n g l u ô n
là c ô n g v i ệ c c ầ n t h i ế t của k ỹ t h u ậ t v i ê n . Đ ơ n
g i ả n n h ấ t l à d ù n g c ầ u đ o đ i ệ n trở, cấp nguổn
4,5V. N ố i d i o t v à o m ộ t n h á n h c ầ u , coi đ i ệ n t r ở
của d i o t là Rx c ầ n đ o k h i đ ã b i ế t 3 đ i ệ n t r ở
k h á c của c ầ u đ o . Theo c h i ề u t h u ậ n R x = R F của
diot có g i á t r ị n h ỏ , theo c h i ề u ngược ( k h i đ ả o
đ ầ u diot) R x = R R của diot n ế u có g i á t r ị l ớ n h ơ n
n h i ề u l ầ n t h ì diot còn tốt.
Hình 5.58. Điện tuyến l F

Việc xác định đ i ệ n á p n g ư ỡ n g của diot (Úp) thư diot.

( h ì n h 5.58) có t h ể t h ự c h i ệ n t h ô n g q u a v i ệ c đ o
đ i ệ n t r ở k h i t ă n g d ầ n đ i ệ n á p t h u ậ n t r ê n d i o t ( t r o n g k h o ả n g g i á t r ị vài
p h ầ n V o l t ) cho t ớ i k h i g i á t r ị R F thay đổi (giảm r ấ t nhanh).

Nếu đo điện trỏ của diot theo cả hai chiều đều có trị số nhỏ thì diot đã
bị hỏng.

Nếu đo điện trỏ của diot theo cả hai chiều đều rất lớn thì diot đã bị đứt.

5.14. THAM SỐ ĐỊNH MỨC VÀ THAM số GIỚI HẠN

T h a m s ố g i ớ i h ạ n đ ị n h r a c á c g i á t r ị t ố i đ a cho p h é p m à n g ư ờ i sử
d ụ n g l i n h k i ệ n k h ô n g được d ù n g v ư ợ t q u á , d ẫ n t ớ i l à m h ỏ n g ( p h á huy)
l i n h k i ệ n v ề d ò n g đ i ệ n , đ i ệ n á p , c ô n g s u ấ t , n h i ệ t đ ộ h a y t ầ n số.
T h a m s ố đ ị n h mức chỉ r a t r ạ n g t h á i đ a n g h o ạ t đ ộ n g b ì n h t h ư ờ n g
của l i n h k i ệ n . N h ó m t h a m s ố g i ớ i h ạ n q u a n t r ọ n g n h ấ t g ổ m -
Đ i ệ n á p n g ư ợ c đ ỉ n h : đ i ệ n á p n g ư ợ c l ớ n n h ấ t cho p h é p đ ặ t trong
m ộ t t h ò i g i a n n g ắ n l ê n d i o t . D ò n g Ì c h i ề u l o : g i á t r ị d ò n g t r u n g b ì n h số
học qua d i o t .

100
 D ò n g đ i ệ n t h u ậ n qua diot I F d ò n g lớn n h ấ t qua diot theo c h i ề u
thuận.
C ô n g s u ấ t cho p h é p t ố i đ a P tot

N h i ệ t đ ộ cho p h é p t ố i đ a Tj
N h ó m c á c t h a m s ố đ ị n h mức:
Điện áp thuận U F ( v ớ i Ì d ò n g t h u ậ n xác đ ị n h )
D ò n g đ i ệ n ngược I R (với Ì điệOn á p ngược v à n h i ệ t đ ộ x á c đ ị n h ) .
Đ i ệ n d u n g l ớ n c h ắ n c (với m ộ t đ i ệ n á p ngược x á c đ ị n h )
Đ i ệ n trở n h i ệ t (giữa lớp c h ắ n v à m ô i t r ư ờ n g k h ô n g k h í ) R t h U .

n i n 700. i n 777 nA ITT700

10'
r =25°c_ 7j=25°c í
f 3n 1.1 f : MI Z"
2
lo3
10
VO
s
n
ì ị 03 )0
;

r i
03 -
10 10
0.7 ỉ
ƯR=15V
xr 2
ì 10 WmA 0
2
2 4 6 8 wv 100 200°c
'Un
mA i n 700 ITT700.ITT777
ló 2

1
5
2 Ị 1

'• 10 ị/
i S Ì ĩ
\' 7 i " r

-K Ó°c —
mox#2.7 ì /7
1

5 /
r •Ký hiệu ì
cưc katot lũ' ị
8
#05 s
2
10* ì
2V

Hình 5.59. Các đặc tính điển hình của diot bán dẫn.

loi
 CÂU H Ỏ I ÔN TẬP - BÀI TẬP

1. H ã y n ê u m ộ t số v ậ t l i ệ u b á n dẫn d ù n g để c h ế tạo diot

2. C ấ u t r ú c đ ơ n t i n h t h ể là gì?
3. Đ ộ sạch ( t h u ầ n k h i ế t ) của t i n h t h ể b á n d ẫ n d ù n g đ ể c h ế t ạ o diot ở
mức độ n à o ?
4. C ấ u t ạ o đ ơ n t i n h t h ể Silic, v a i t r ò các đ i ệ n t ử hoa t r ị .
5. Độ d ẫ n đ i ệ n r i ê n g của c h ấ t b á n d ẫ n là gì? N g u ổ n gốc d ẫ n đ i ệ n riêng?
6. Pha t ạ p c h ấ t v à mức pha t ạ p c h ấ t có đặc đ i ể m gì?
7. L à m t h ế n à o tạo ra đơn t i n h Si-n?
8. H ạ t d ẫ n t ự do t r o n g t i n h t h ể S i - n l à l o ạ i n à o ? Có t h ể n ạ p d i ệ n cho
t i n h t h ể S i - n k h ô n g ? n ế u được d ư ơ n g hay â m ?
9. Tạo tinh t h ể Si-p n h ư t h ế nào?
10. N g u y ê n t ử t ạ p c h ấ t cho, t ạ p c h ấ t n h ậ n là gì?
li. L o ạ i h ạ t d ẫ n t ự do t r o n g Si-p? T i n h t h ể S i - p n ạ p đ i ệ n n h ư t h ế nào?
12. H ã y g i ả i t h í c h sai h ỏ n g đ i ệ n t ử hay sai h ỏ n g l ỗ t r ố n g l à gì?
13. P h â n b i ệ t độ d ẫ n đ i ệ n l ỗ t r ố n g v à độ d ẫ n đ i ệ n đ i ệ n t ử .
14. T i ế p x ú c p n k h i c h ư a có đ i ệ n á p n g o à i có h i ệ n t ư ợ n g gì?
15. V ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n là gì?
16. T r o n g v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n có n h i ê u h a y í t h ạ t d ẫ n ?
17. T ạ i sao x u ấ t h i ệ n đ i ệ n t r ư ờ n g t r o n g m i ề n đ i ệ n t í c h k h ô n g gian?
18. Sự k h u ế c h t á n h ạ t d ẫ n là gì? Đ i ệ n á p k h u ế c h t á n x u ấ t h i ệ n như
t h ế nào?
19. T i ê p x ú c p n sẽ n h ư t h ế n à o k h i có đ i ệ n á p n g o à i ( d ư ơ n g đ ặ t vào
v ù n g n, â m v à o v ù n g p).
20. H ạ t d ẫ n t h i ể u s ố là gì?
2 1 . T i ế p x ú c p n được p h â n cực t h u ậ n b ằ n g c á c h n à o ?
22. H i ệ n t ư ợ n g x ả y ra k h i t i ế p x ú c p n p h â n cực t h u ậ n .
23. T ạ i sao x u ấ t h i ệ n đ i ệ n d u n g ở v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g gian?
24. Đặc t u y ế n I - U của S i - d i o t có d ạ n g n h ư t h ế n à o ?
25. Đ i ệ n á p m ở ( n g ư ỡ n g ) của diot là gì? G i á t r ị đ i ệ n á p m ở v ớ i diot Si
v à diot Ge?
26. Vì sao có d ò n g đ i ệ n ngược của diot
27. X á c đ ị n h g i á t r ị R F và r F của d i o t có đặc t í n h cho t r ê n h ì n h 5.60.
T í n h t ạ i đ i ể m p.

102
 Ị .
mA
Độ dốc của
đặc tuyến tại
điểm p

Hình 5.60. Đặc tuyến Von Ampe của diot.

28. M ô t ả c ấ u t ạ o d i o t đ a t i n h t h ể ?
29. L ậ t t r ạ n g t h á i d i o t t ừ n g ắ t s a n g n ố i m ạ c h v à n g ư ợ c l ạ i . G i ả i t h í c h
ý n g h ĩ a c ủ a c á c t h a m s ố t|Y v à t,. . r

30. T í n h c h ấ t n h i ệ t của d i o t b á n d ẫ n k h i m ở v à k h i k h o a ?
3 1 . H ì n h 5.61 l à m ộ t m ạ c h c h ỉ n h l ư u đ ơ n g i ả n d ù n g d i o t . H ã y v ẽ đ ổ t h ị
I ( t ) v à u , ( t ) k h i Ư j ( t ) có d ạ n g h ì n h sin.
32. H ì n h 5.62 là m ộ t m ạ c h c h ỉ n h l ư u c ầ u d ù n g 4 diot. G i ả i t h í c h h o ạ t đ ộ n g
của mạch? H ã y v ẽ đổ t h ị I(t) v à u ( t ) k h i U j (t) có d ạ n g h ì n h sin.
2

Ui
220 V
x ỵ ị Ui
1
ĩ

Hình 5.61. Mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ. Hình 5.62. Mạch chỉnh lưu cầu.

3 3 . H ã y n ê u Ì v í d ụ sử d ụ n g d i o t n h ư m ộ t k h o a đ i ệ n t ử .
34. Sự k h á c n h a u giữa diot c ô n g s u ấ t (tiếp m ặ t ) v à diot cao t ầ n ( t i ế p đ i ể m ) .
35. L à m t h ế n à o đ ể x á c đ ị n h m ộ t d i o t c ò n t ố t h a y đ ã b ị hỏng?

103
 Chương 6

CÁC DIOT CÓ TÍNH CHÁT ĐỘC B I Ệ T

6.1.Z-DIOT

6.1.1. V ấ n đ ề c h u n g

z D i o t l à l o ạ i d i o t silic được p h a t ạ p đặc b i ệ t đ ể ở Ì đ i ệ n á p ngược

U z o n h ấ t đ ị n h , đ i ệ n t r ở của n ó r ấ t t h ấ p v à d ẫ n đ i ệ n t ố t n h ư nhánh
t h u ậ n ( h ì n h 6.1). G i á t r ị U z o được g ọ i l à đ i ệ n á p Zener.

mA

50 / Vùng dẫn thuận

V
Út
V
50
Vùng - z

100

mẰ a) b)
Hình 6.1. Đặc tuyến Von Ampe của diot z và ký hiệu chuẩn (a), ký hiệu thuổng dùng (b).
Diot Zener đạt điện trỏ thấp tại 1 điện áp Zener trong vùng ngược.
T r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p đ ạ t được t r o n g v ù n g n g ư ợ c do h a i h i ệ u
ứ n g v ậ t lý: h i ệ u ứ n g Zener v à h i ệ u ứ n g t h á c .

6.1.2. H i ệ u ứ n g Z e n e r

K h i đ i ệ n á p ngược t ă n g d ầ n , cường độ đ i ệ n t r ư ờ n g t ạ i lớp khoa đủ

m ạ n h gia tốc cho đ i ệ n t ử (cường đ ộ cỡ 20V/|0.m) p h á vỡ l i ê n k ế t g h é p đôi
đ i ệ n t ử v à trở t h à n h h ạ t d ẫ n t ự do t h a m gia v à o d ò n g đ i ệ n , do có m ộ t sô
lượng lớn h ạ t d ẫ n được t ạ o ra n ê n lớp c h ắ n có đ i ệ n t r ở g i ả m t h ấ p v à k h ả
n ă n g d ẫ n đ i ệ n trở n ê n t ố t . T a c h ú ý ở đ â y c ư ờ n g đ ộ t r ư ờ n g cỡ 20V/|im
nghĩa l à 2 0 0 k V / c m ở t ạ i giá t r ị U z o . Giá trị U z o p h ụ t h u ộ c m ứ c đ ộ pha tạp
c h ấ t v à t í n h c h ấ t của t ạ p c h ấ t pha, t h a y đ ổ i t r o n g Ì k h o ả n g r ộ n g t ừ cỡ 2V
đ ế n 600V. H i ệ u ứ n g Zener là sự p h á t x ạ đ i ệ n t ử t r o n g đ i ệ n t r ư ờ n g m ạ n h .

Điện tử trong mạng tinh thể nhờ điện trường tác động mạnh được giải
phóng khỏi liên kết và trỏ thành hạt dẫn tự do và tham gia vào dòng điện,
đồng thời xuất hiện các lỗ trống tự do.

104
6.1.3. H i ệ u ứ n g t h á c
ì
N h ò h i ệ u ứ n g Zener, c á c h ạ t d ẫ n do p h á t x ạ s i n h r a được c h u y ê n
đ ộ n g gia tốc m ạ n h t r o n g đ i ệ n t r ư ờ n g l ớ n g â y va c h ạ m v ớ i c á c n g u y ê n
t ử k h á c do v ậ y t i ế p t ụ c s i n h h ạ t ( h i ệ n t ư ợ n g i o n hoa do va c h ạ m ) . C á c
h ạ t d ẫ n t ự do t ă n g m ạ n h theo h i ệ u ứ n g t h á c : i o n hoa do v a c h ạ m có
tính chất dây chuyền kiểu hiệu ứng thác lũ.
C á c đ i ệ n t ử t ự do có s ẵ n t r o n g m ạ n g t i n h t h ể được gia tốc t r o n g
đ i ệ n t r ư ờ n g m ạ n h va c h ạ m với các đ i ệ n t ử liên k ế t v à g i ả i p h ó n g c h ú n g
theo h i ệ u ứ n g t h á c l ũ vì i o n hoa do va c h ạ m .

6.1.4. T í n h c h ấ t d ẫ n đ i ệ n l o ạ i Z e n e r

Do t ạ i U đ i ệ n trở diot g i ả m Hỉ
12 10 8 6 4 2
z o

V
đột n g ộ t , c ầ n t h i ế t sử d ụ n g một
điện trở hạn chế dòng điện ở
50
mạch ngoài để chống q u á dòng
l à m h ỏ n g Z - d i o t . M ỗ i z d i o t có 2
100=Jzr
t h a m số giới h ạ n là c ô n g s u ấ t tôn Dòng điện giới hạn
hao cực đ ạ i cho p h é p P t ố t và dòng
cực đ ạ i cho p h é p I (hình 6.2). 4
mA
Z m a x

Chú ý I Z m a x = P o/U .
t z o Hình 6.2. Tại đoạn đánh thủng z. Diot
cần được hạn chế dòng điện.
6.1.5. S ự tái s i n h l ớ p c h ắ n
Khi g i ả m d ầ n đ i ệ n á p ngược đ ế n giá trị t h ấ p h ơ n U , q u á z o trình
s i n h h ạ t do h a i h i ệ u ứ n g Z e n e r v à h i ệ u ứ n g t h á c k ế t t h ú c . Sau m ộ t t h ờ i
g i a n h ổ i p h ụ c đ ủ n g ắ n , l ớ p c h ắ n được p h ụ c h ổ i v à g i ả i p h ó n g k h ỏ i c á c
h ạ t d ẫ n t ự do, đ i ệ n t r ở t ă n g cao v à d i o t v ề t r ạ n g t h á i k h ô n g d ẫ n đ i ệ n .

6.1.6. Đ ặ c t u y ế n v à t h a m s ố c ủ a Z - d i o t

Đ ặ c t u y ế n I - U của Z-diot cho

Vùng chân
t r ê n h ì n h 6.3 g ổ m 3 v ù n g k h á c n h a u Vùng quá độ
(tính với chiều điện á p U A K < 0).
Trong v ù n g chắn t ừ Pi tới P 2

d ò n g đ i ệ n ngược vô c ù n g b é (vùng
c h ắ n ngược). T r o n g v ù n g q u á độ P 2

đ ế n p b ắ t đ ầ u x ả y r a h i ệ u ứ n g Zener,
3

sau đó x ả y ra t i ế p h i ệ u ứ n g t h á c , diot
Hình 6.3. Các vùng đặc tuyên
c h u y ể n sang v ù n g d ẫ n ngược. của Z-diot.

105
 Đặc tuyếnI - U của m ộ t là.
• X 22 20 18 16 12 10 8 6 4 2
v à i Z - d i o t cho t r ê n h ì n h 6.4,
với đ i ệ n á p U c à n g cao, đ o ạ n
z o

P9-P3 c à n g h ẹ p .
T r ê n đ ặ c t u y ê n h ì n h 6.5a
có đ ư a r a đ i ệ n á p Zener d a n h
định U Z K và dòng danh định I Z K

(phần l ớ n cỡ 5 m A ) m a n g ý
nghĩa l à đ i ệ n á p Ư z o nhỏ nhất
để xảy ra hiệu ứng Zener.
D ò n g l ỏ n n h ấ t cho p h é p qua z
diot ỉa I Z m a x , dòng nhỏ nhất ở
v ù n g d ẫ n ngược l à I Z m i n . H ì n h 6 A Đ
* c t u
y ế n c ủ a m
? t v à i Z
- d i o t
-
Đ i ệ n t r ở v i p h â n của d i o t z t r o n g v ù n g l à m v i ệ c được đ ị n h nghĩa
theo t ừ n g v ị t r í c ủ a đ i ế m l à m việc p t r ê n đ ặ c t u y ê n t r o n g v ù n g l à m việc.

Dải làm việc của Z-diot là dòng điện lz có giá trị l zmịn <l <l
z zmax

Đ i ệ n t r ở v i p h â n r x á c đ ị n h đ ộ dốc v i p h â n c ủ a đ ặ c t u y ế n V o n Ampe
z

t r o n g d ả i l à m việc của Z - d i o t (độ dốc c à n g l ớ n t h ì r c à n g n h ỏ ) . z

a) Đác tuyến của Z-diot với U = 5V ZK b) Xác định điện trở vi phân r tại điểm z

p trên đặc tuyến của Z-diot

Hình 6.5.

106
 Ví dụ: M ộ t d i o t z có d ò n g I Z 1 = 20mA
trong v ù n g l à m việc và U Z 1 = 8,2V khi
d ò n g qua d i o t t ă n g t ớ i I Z 2 = 70mA n h ậ n
được U Z 2 = 8,3V, k h i đ ó đ i ệ n t r ở v i p h â n
của d i o t t ạ i v ù n g l à m v i ệ c n à y l à :
AU Z = U Z 2 - U Z 1 = 0,1V
Al = I
z Z 2 - I Z 1 = 50mA
AU. tụy
= 2Q
"ÃĨI 50mA

Trong v ù n g U Z K = 6 V -ỉ- 8V đặc t u y ế n

ì - u của Z—Diot đặc b i ệ t dốc, đ i ệ n trở v i
phân r z có giá t r ị t r o n g d ả i 1Q đ ế n 100Q.
Các diot z có U Z K t r ê n 8V hay d ư ớ i 6V có r z Hình 6.6. Quan hệ phụ thuộc
lớn h ơ n . H ì n h 6.6 chỉ r a q u a n h ệ r ( U ) . r và U ứng với ! cô đinh.
z ZK 2
z z

Z-diot có tính chất phụ thuộc nhiệt độ.

V 22 20 18 16 u

Đường nhạt nét - 125°c

Đường đậm nét -^i = 25°c :

4
mA
Hình 6.7. Sự thay đổi đặc tính của z diot khi nhiệt độ tăng từ 25°c đến 125°c.

H ì n h 6.7 đ ư a r a c á c đ ặ c t u y ế n I - U của Z - d i o t k h á c n h a u do ả n h
h ư ở n g của n h i ệ t độ ( n h ó m t ư ơ n g ứng 2 5 ° c v à n h ó m ứ n g với 125°C). Giá
trị U dịch theo n h i ệ t đ ộ k h o ả n g Ì đ ế n 2%0 v / ' c . T ạ i v ù n g U
z o m 6V ta có Z K

SU Z K /ôT ==0. 0

SU
Khi Ư7K > 6V >0 v à có giá trị k h o ả n g Ì đ ế n 2%oV/°K
ÓT"
SU
U Z K <6V ZK <0
5T"

107
 T ỷ số ^—7*- đươc gói là h ê s ố n h i ê t Oz của Z - d i o t ( t í n h -ỊP" hay -7—)
ÓT c K.
Mức dịch của U Z K k h i đó được t í n h :
AU Z K = U Z K .a .ATj z

AU Z K : l ư ợ n g dịch của U Z K

U Z K : tính t ạ i 25°c, I = 5mA z

cc :z h ệ s ố n h i ệ t của u z

ÁT,: c h ê n h l ệ c h n h i ệ t độ so v ớ i 2 5 ° c

Hệ số a cho biết giá trị điện áp Zener dịch đi bao nhiêu khi nhiệt độ thay
z

đổi đi 1° c .
Ví dụ: ở 2 5 ° c m ộ t d i o t z có u z = 30V. H ệ s ố n h i ệ t của d i o t là:
10. 1 0 - r c . T í n h u z t ạ i 75°c.
AU Z K =U .a .ATj
Z K z

= 30V. 10- /°C. 5 0 ° c 3

=1,5V
V ậ y t ạ i 7 5 ° c đ i ệ n á p Z - d i o t là U Z K + AU Z K = 31.5V
C ô n g s u ấ t t ổ n hao t r ê n Z - d i o t x á c đ ị n h bởi:
P..t = Ư . I z z

C á c t h a m s ố q u a n t r ọ n g của Z - d i o t :
T h a m s ố giói h ạ n :
D ò n g l à m việc l ớ n n h ấ t cho p h é p I Z m a x

C ô n g s u ấ t t ổ n hao l ớ n n h ấ t cho p h é p P tot

N h i ệ t độ cực đ ạ i t ạ i lớp c h ắ n Tj
D ả i n h i ệ t độ h o ạ t đ ộ n g T s

T h a m s ố đ ị n h mức:
Đ i ộ n trở v i p h â n r z

Đ i ệ n á p l à m việc u z

H ệ s ố n h i ệ t độ a z

Điện trỏ nhiệt R t h u

(lớp k h o a - k h ô n g k h í )

6.1.7. C á c ứ n g d ụ n g

ứ n g d ụ n g q u a n t r ọ n g n h ấ t của Z - d i o t là d ù n g đ ể ổ n đ ị n h đ i ệ n áp
m ộ t c h i ề u hay h ạ n c h ế b i ê n độ đ i ệ n á p ở Ì mức n g ư ỡ n g x á c đ ị n h , tạo

108
đ i ệ n á p c h u ẩ n cho c á c m ạ c h đ i ệ n k h á c t r o n g k ỹ t h u ậ t đ o lường, đ i ề u
k h i ể n hay đ i ề u c h ỉ n h .
H ì n h 6.8 cho ví d ụ m ạ c h ổ n á p d ù n g Z - d i o t .
t—ƯV=K)V—1

Ơ=18V

I— ưv=K)V-«-i
-Ó-—""to-
Rv=ioon J =50mA
z

Ư=18V Ợz=8V2ỉ

Hình 6.8. Mạch ổn áp đơn giản dùng z diot.

Đ i ệ n á p v à o u = 18V, m u ố n đ i ệ n á p t r ê n t ả i ổ n đ ị n h ở mức u z = 8V
18V-8V
k h i k h o a s hở m ạ c h I Z m a x = I R V = lOOmA
100Q
u-u
I = í-
7 -) dòng I = 0 2

Zmax V
x

K h i s nối mạch:
u = Uy + u z

ì = Iz + I I

R =^
V

\ Z + Ĩ L

Nếu tải R L c à n g l ớ n , d ò n g I c à n g l ớ n v à ngược l ạ i . G i á t r ị t ả i n h ỏ

z

n h ấ t c ầ n c h ọ n đ ổ h i ệ u ứ n g ô n á p còn x ả y ra:

u 8V
= 80Q
z

lOOmA
Zmax
Ví dụ: v ớ i m ạ c h h ì n h 6.8, cho R = 50Q. T ì m Uy v à U . L L

u 18V
ì = 120mA
R +R
V L 100Q + 50Q

U =I.Rv v = 120mA.100Q=12V
U L = I . R = 120mA. 50Q = 6V
L

V ậ y k h i t ả i R = 50Q < R
L L m i n = 80Q m ạ c h k h ô n g còn t í n h c h ấ t ổ n á p .

109
6.1.8. B ù n h i ê t

H ệ số nhiệt a z Ti 0 l à n h ư ợ c đ i ể m của Z - d i o t , t u y n h i ê n n ế u k ế t hợp

được v ớ i m ộ t p h ầ n t ử n h ư d i o t Si t h ô n g t h ư ờ n g có a Đ n g ư ợ c d ấ u t h ì ảnh
h ư ở n g của n h i ệ t đ ộ đ ư ợ c b ù t r ừ đ á n g k ể . H o ặ c n h ư t r ư ờ n g h ợ p h ì n h
6.9. N ố i t i ế p 2 d i o t có Ư z 8 = 8V v à U z 4 = 4V, do h ệ s ố n h i ệ t c ủ a c h ú n g có
d ấ u k h á c n h a u , h ệ s ố n h i ệ t c h u n g của m ạ c h ổ n á p m ứ c 12V
(U = u
z z s + U Z 4 = 12V) đ ư ợ c b ù đ ế n m ộ t g i á t r ị vô c ù n g b é .
H ì n h 6.10 sử d ụ n g c á c h b ù g i ữ a c á c p h ầ n t ử có h ệ s ố n h i ệ t ngược
d ấ u n h a u l à Z - d i o t có a z > 0 v à d i o t Si t h ô n g t h ư ờ n g có a D <0.
Z-diot có cc>0 z

Z-diot có a >0
7
li
>Z12 Diot Silic có ơ.í^o
Z-dict có á <0
2 \?ZL li
li.

Hình 6.9. Ôn nhiệt nhở mắc Hình 6.10. Ôn nhiệt nhờ mắc nối tiếp 2 diot z
nôi tiếp 2 diot z có hệ sô (vối hệ sô nhiệt dương)
nhiêt đối nhau. và diot (vói hệ sô nhiệt âm).

6.2. DIOT V A R I C A P (DIOT BIÊN DUNG)

6.2.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

K h i m ộ t diot b á n dẫn s
t h ô n g t h ư ờ n g l à m việc t r o n g -o to-
m i ề n p h â n cực ngược, lớp khoa
là Ì v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g gian
có d i ệ n t r ở r ấ t cao t ư ơ n g đ ư ơ n g
n h ư m ộ t t ụ đ i ệ n có đ i ệ n d u n g -6*
c. giá t r ị đ i ệ n d u n g p h ụ thuộc ;Ệ3 -II-
Ký hiệu
v à o đ i ệ n á p ngược đ ặ t l ố n lớp
khoa ( h ì n h 6.11). Hình 6.11. Diot biến dung.

Diot biến dung là dạng diot có cấu tạo điện dung lớp khoa thay đổi được
trong một giới hạn rộng theo điện áp khoa đặt vào.

L ớ p k h o a h ì n h t h à n h k h ô n g c h ứ a h ạ t d ẫ n t ự do, c h ỉ g ổ m c á c ion
dương và âm:

C á c hạt nhân tạp chất cho điện tử tích điện dương

Các hạt nhân tạp chất nhận điện tử tích điện âm.

no
 F rì
£ gj ' u»-a -
m

1
s § - -ư-

Hình 6.12. Mạch tương đương mô tả Hình 6.13. Mô hình tụ phang.

điện dung diot tại vùng điện tích khôi.
Giữa 2 v ù n g tích điện trên xuất hiện điện trường tiếp xúc (hình
6.12) g i ữ a 2 i o n t í c h đ i ệ n t r á i d ấ u h ì n h t h à n h Ì t ụ đ i ệ n v ô c ù n g b é . K h i
đó t o à n b ộ l ớ p k h o a ( v ù n g d i ệ n t í c h k h ô n g g i a n ) có t h ể b i ể u d i ễ n t ư ơ n g
đ ư ơ n g n h ư h ì n h 6.13 v ớ i đ i ệ n d u n g được t í n h b ở i :

ở đây Eo l à h ằ n g s ố đ i ệ n m ô i
£,.: h ệ s ố đ i ệ n m ô i
A: d i ệ n t í c h m ặ t đ i ệ n cực p h a n g
a : k h o ả n g c á c h 2 m ặ t đ i ệ n cực
m

C: đ i ệ n d u n g của t ụ .
T r o n g d i o t b i ế n d u n g . c h ỉ x á c đ ị n h được k h o ả n g c á c h a m là trị
t r u n g b ì n h n ế u b i ế t được p h â n b ố đ i ệ n t h ế v à c ư ờ n g đ ộ t r ư ờ n g tác
đ ộ n g . T h e o c á c h t í n h đ i ệ n d u n g t r ê n , á p d ụ n g cho h ì n h 6.14 v ớ i Ì d i o t
p h â n cực n g ư ợ c :
e„.e .A r

a
m
a là b ề dầy lớp c h ắ n p h ụ thuộc trực t i ế p vào cường độ đ i ệ n á p
n g ư ợ c đ ặ t l ê n l ớ p c h ắ n . T r ê n h ì n h 6.15 k h i đ ặ t v à o 2 m ứ c Ư ! = 2 V v à
u = 10V ta n h ậ n được 2 g i á t r ị a
2 mI v à a . Do c á c t ụ v ô c ù n g b é ( h ì n h
m2

t h à n h g i ữ a 2 l o n t r á i d ấ u ) được coi l à song song n h a u n ê n có t h ể t í n h

t ụ t ư ơ n g d ư ơ n g Cu b ằ n g t ổ n g c á c t ụ vô c ù n g b é n à y . N h ư v ậ y k h i đ i ệ n
á p p h â n cực t ă n g l ê n , k h o ả n g c á c h a m r ộ n g ra v à C D g i ả m đi.

Điện áp ngược càng lởn, lớp khoa càng rộng ra và khoảng cách a m tăng
lên làm giả trị C D giảm.

IU
 ư,= 2V
Ư2=10V

Vùng p trung hoa J o , L J Vùng n trung hoa

m

—-OfT>2 - J
Hình 6.14. So sánh tụ diot vói tụ phang. Hình 6.15. Sự phụ thuộc khoảng cách (bề
rộng lóp khoa) vào diện áp phân cực.

C á c v ù n g t r u n g hoa đ i ệ n 2 b ê n v ù n g p v à n k h ô n g ả n h h ư ở n g tỏi
quá trình trên.

Diot biến dung có thể điều khiển được Cũ qua điện áp ngược đặt vào.

6.2.2. Đặc tuyên và tham sô của diot biên dung

R
ŨB

ƯR 20 18 16 u 12 10 8 6 í 2
V
a) Đặc tuyến c = f (U ) của diot b) Mạch thay thế diot biến dung
và đổ thị véc tơ
R

biến dung
Hình 6.16.
Đ ặ c t u y ế n q u a n t r ọ n g n h ấ t của d i o t v a r i c a p l à q u a n h ệ c phụ
thuộc vào điện áp U R ( h ì n h 6.16a). ở đ â y c t í n h b ằ n g p F v à U R tính
b ằ n g V o l t . Q u a n h ệ c ( U ) là m ộ t q u a n h ệ p h i t u y ế n t í n h . Có t h ể thay
K

t h ế d i o t v a r i c a p b ằ n g m ạ c h t ư ơ n g đ ư ơ n g h ì n h 6.16b v ớ i đ i ệ n t r ở Ru
( đ i ệ n t r ở t i n h t h ể ) n ố i t i ế p v ớ i c. T ừ m ạ c h t h a y t h ế , h ệ s ố t ổ n hao của
diot b i ế n d u n g x á c đ ị n h b ở i :

tgô = —- và hộ số phẩm chất Q = —!—

x c tgỗ

ở đây Q là hệ số phẩm chất

Ì R đ i ệ n trở k h ố i t i n h t h ể
B

Ru 27ĩfC.R, c đ i ệ n d u n g lớp c h ắ n
f t ầ n s ố của t í n h i ệ u .

112
 Do c p h ụ t h u ộ c v à o đ i ệ n á p v à n h i ệ t độ n ê n Q c ũ n g có t í n h c h ấ t
n à y v à y ê u c ầ u c h ấ t l ư ợ n g c à n g cao k h i Q của "diot c à n g l ớ n . H ệ s ố Q
của d i o t b i ế n d u n g g i ả m k h i n h i ệ t độ t ă n g v à Q t ă n g k h i đ i ệ n á p U R

t ă n g ( h ì n h 6.17).

20 100 ƯR10 20
°c V
Hình 6.17. Sự phụ thuộc của hệ số phẩm chất Q và điện trỏ nối tiếp của khối tinh thể
R vào nhiệt độ: Q(Tj) và vào điện áp khoa R (U ).
B B R

C á c g i á t r ị t h ư ờ n g gặp của diot b i ế n d u n g là:

R * 0 , 5 0 đ ế n 2Q
B I = lOOmA ( d ò n g ngược)
K

Q =100 đ ế n 500 U B R = 50V (áp ngược cho p h é p )

Úp = 0,8V đ ế n 0,9V ( đ i ệ n á p t h u ậ n )
c * 2 0 0 p F đ ế n 50pF; 5 0 p F đ ế n 20 p F v à 10pF đ ế n 3 p F (các d ả i giá
trị b i ế n đôi của C).

6.2.3.ứng dụng

D i o t b i ế n d u n g sử d ụ n g l à m t ụ b i ế n đ ổ i theo đ i ệ n á p t á c đ ộ n g t r o n g
các m ạ c h t ạ o dao đ ộ n g do đ ó có t h ể l à m b i ế n đ ổ i t ầ n s ố của dao đ ộ n g
theo đ i ệ n á p t á c đ ộ n g (gọi là V F C - v o l t a g e to Frequency C o n v e r t e r ) .
H ì n h 6.18 l à m ạ c h đ i ệ n n g u y ê n lý bộ chọn k ê n h t r o n g m á y t h u t r u y ề n
h ì n h . C á c c h i ế t á p đ ể đ i ề u c h ỉ n h mức đ i ệ n á p p h â n cực ngược cho các
diot v a r i c a p , qua đ ó l à m b i ế n đ ổ i đ i ệ n d u n g của m ạ c h cộng h ư ở n g L C
chọn lọc t ầ n s ố v à o p h ù hợp với s ó n g m u ố n có.

Ị Phím chọn kênh

Hình 6.18. Mạch chọn kênh đầu vào trong máy thu hình dùng diot biến dung.

113
8-LK OIỆ
6.3. DIOT T U N E N (DIOT ESAKI)

6.3.1. C â u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

D i o t T u n e n l à l o ạ i d i o t G e m a n i pha
t ạ p c h ấ t r ấ t cao. V ù n g b á n d ẫ n l o ạ i p v à Vùng n
W^-Vùn g p
l o ạ i n pha t ạ p t ớ i m ứ c suy b i ế n d ạ n g n h ư Ký hiêu
2 m ạ n g t i n h t h ê Gemani và tinh thể tạp
chất "lổng vào nhau". Lớp chuyển tiếp
pn t r o n g t r ư ờ n g hợp n à y đặc b i ệ t mỏng.
Hình 6.19. Cấu tạo và ký hiệu
Đặc t u y ê n V o n A m p e của d i o t cho trên của diot Tunen.
h ì n h 6.20. C ấ u t ạ o của d i o t T u n e n v à k ý
h i ệ u quy ước cho t r ê n h ì n h 6.19.

Dòng của diot

^ 100 200 300 400 500 100 200 300 400 500
Thành phấn dòng mV Úp ÙM
06 điên Zener

Hình 6.20. Dòng Tunen và dòng diot Hình 6.21. Đặc tuyến I - u
phụ thuộc vào điện áp Úp. của diot Tunen.

K h i có đ i ệ n t r ư ờ n g n g o à i t á c đ ộ n g , c á c đ i ệ n t ử n h ậ n được năng
l ư ợ n g đ ủ cao v ố i m ộ t g i á t r ị đ i ệ n á p U F đ ủ n h ỏ (cỡ l O m V ) v à l à m x u ấ t
h i ệ n d ò n g đ i ệ n có b ả n c h ấ t là d ò n g x u y ê n h ầ m ( h ạ t d ẫ n c h u i qua h à n g
r à o d i ệ n t h ể ) . Cơ c h ế x u y ê n h ầ m đ ạ t cực đ ạ i k h i x á c s u ấ t x u y ê n h ầ m
l ớ n n h ấ t ( đ i ể m p x ả y r a l ú c m i ề n n h i ề u h ạ t b ê n n đ ố i d i ệ n t r ự c t i ế p với
m i ề n bỏ t r ố n g ( m i ề n d ẫ n ) b ê n p. Sau đó d ò n g T u n e n g i ả m d ầ n cho đ ế n
g i á t r ị U = 300 đ ế n 4 0 0 m V t h ì k ế t t h ú c h i ệ u ứ n g T u n e n , b ắ t đ ầ u x u ấ t
F

h i ệ n d ò n g đ i ệ n của cơ c h ế d i o t t h ô n g t h ư ờ n g . T ổ n g h ợ p 2 k ế t q u ả p h â n
t í c h sẽ n h ậ n được đ ặ c t u y ế n V o n A m p e d ạ n g h ì n h 6.21 v ớ i c ặ p đ i ể m
c ầ n c h ú ý l à đ i ể m đ ỉ n h p (Ip, Úp) v à đ i ế m đ á y V ( I , U y ) . V ớ i m ỗ i đ i ể m
V

l à m v i ệ c b ấ t k ỳ , d i o t T u n e n có m ộ t đ i ệ n t r ở v i p h â n đ ặ c t r ư n g v à t r o n g

114
m i ề n t ừ đ i ể m p t ớ i đ i ể m V d i o t T u n e n có đ i ệ n t r ở v i p h â n " â m " ( đ i ệ n á p
t ă n g trong k h i dòng điện giảm).

Diot Tunen c ó vùng làm việc vòi điện trỏ vi phân âm (từp tới V)
K h i p h â n cực n g ư ợ c d i o t T u n e n . do h i ệ u ứ n g T u n e n n g ư ợ c , d ò n g đi
qua d i o t t ă n g m ạ n h ( h ư ớ n g t ừ K t ớ i A ) ngay k h i đ i ệ n á p n g ư ợ c c ò n n h ỏ
(vài c h ụ c m V ) h ì n h 6.22. H ì n h 6.23 là m ạ c h t ư ơ n g đ ư ơ n g t h a y t h ế của
diot T u n e n .

Diot Tu nen không có trạng thái chắn (trạng thái khoa).

UR
mV 300 200 100

Hình 6.22. Đặc tuyến của diot Tunen Hình 6.23. Mạch tương đương
theo hướng phân cực ngược. thay t h ế của diot Tunen.

6.3.2. Các tham sô định mức và tham sô giới hạn

N h ó m t h a m số giới h ạ n :
D ò n g cực đ ạ i : I F m a x

Công suất: P tot

N h i ệ t đ ộ max: T,
N h ó m các t h a m số định mức
D ò n g v à á p đ ỉ n h Ip, Úp
D ò n g v à á p đ á y l y , Uy
Điện dung c
Đ i ệ n trở nôi t i ế p R s

Điện trỏ t ạ i v ù n g P-V: R N

Các giá trị R . R s N v à c có m ặ t t r o n g m ạ c h t ư ơ n g đ ư ơ n g h ì n h 6.23

( đ i ệ n c á m L có t h ế b ỏ qua).
H

115
 M ộ t s ố g i á t r ị đ i ể n h ì n h của c á c t h a m số:
I L * 65mV đến H O m V R N * 120Q đ ế n l o n
Ip = 0 , 9 m A đ ế n 2 2 m A C * l,5pF đ ế n 20pF
D

R * 4Q đ ế n 1,5Q
s

6.3.3. ứ n g d ụ n g c ủ a d i o t T u n e n

K h i sử d ụ n g d i o t T u n e n v ớ i v ù n g đ i ệ n t r ỏ â m , d i o t h o ạ t đ ộ n g như
m ộ t p h ầ n t ử k h u ế c h đ ạ i h a y t ạ o dao đ ộ n g . M ạ c h đ ư ợ c sử d ụ n g ở t ầ n số
cỡ 1 0 H z = l G H z . H ì n h 6.24 l à m ộ t m ạ c h dao đ ộ n g d ù n g d i o t Tunen.
9

L v à c t ạ o t h à n h m ạ c h c ộ n g h ư ở n g song song L C ; R ] R 2 đ ể chia áp

c h ọ n đ i ế m l à m v i ệ c cho d i o t ở đ ú n g v ù n g đ i ệ n t r ở â m t r ê n đ ặ c t u y ế n .
Đ i ệ n á p dao đ ộ n g l ấ y r a t r ê n t ả i R , t ụ Cp n é n đ i ệ n á p dao đ ộ n g t r ê n R
L 2

ổ n đ ị n h đ i ể m l à m v i ệ c Ì c h i ề u cho d i o t . D i o t T u n e n c ũ n g được d ù n g
l à m m ộ t p h ầ n t ử c h u y ể n mạch với thời gian n ố i v à n g ắ t m ạ c h rất
n h a n h (cỡ l n s đ ế n l O n s ) .
ỈLl
HA

200 p
100 r
100 100 200 300 400 500 600 Ư£
mV 200 mV
400
600
800
1000
l i <A
' MA
Hình 6.24. Mạch dao động Hình 6.25. Đặc tuyến của diot ngược
dùng diot Tunen. mô tà kiểu diot Tunen.

6.4. DIOT N G Ư Ợ C (BACKVVARD)

Diot Backward thuộc n h ó m diot T u n c n - G e m a n i đ ặ c b i ệ t . Nhờ

b i ệ n p h á p c ô n g n g h ệ đặc b i ệ t đ ỉ n h p của đặc t u y ế n V o n A m p e r ấ t
t h ấ p ( đ ổ t h ị h ì n h 6.25). D ò n g đ i ệ n t ạ i đ ỉ n h ( đ i ể m p) có g i á t r ị chỉ
k h o ả n g 100|.iA v à t ạ i đ á y ( đ i ể m V ) l y k h o ả n g 6 0 ^ A . Đ o ạ n đ ặ c t u y ế n
V o n A m p e t ừ p t ớ i V k h á p h ả n g , đ i ệ n t r ở v i p h â n ở p h ầ n n à y cỡ l k Q
k h ô n g đ ố i v à k h ô n g t h ể d ù n g đ o ạ n n à y ở c h ế đ ộ t ạ o dao đ ộ n g n h ư m ộ t

116
diot T u n e n b ì n h t h ư ờ n g k h á c . V ù n g đặc t u y ế n n à y k é o d à i t ớ i giá trị
5 0 0 m V sử d ụ n g n h ư đ i ệ n á p k h o a . N ế u đ ả o cực đ i ệ n á p v à d ò n g đ i ệ n
t r ê n d i o t T u n e n đ ã có, đ ặ c t u y ế n của d i o t B a c k w a r d có d ạ n g h ì n h
6.26 v à v ù n g d ẫ n đ ả o được sử d ụ n g n h ư c h ế đ ộ l à m v i ệ c t h u ậ n của
d i o t t h ư ờ n g . K ý h i ệ u d i o t đ ả o cho t r ê n h ì n h 6.27.

Diot đảo có khả năng chỉnh lưu các điện áp xoay chiều có biên độ rất
nhỏ ở tần số làm việc rất cao.

1000
800
Vùng dẫn
600
400
200
M

600 500 i.00 300 200 100 lọp ^ Hình 6.27. Kỷ hiệu diot đảo.

mV 200 mV
-Vùng chắn
h

Hình 6.26. Đặc tuyến Von Ampe của diot ngược.

6.5. DIOT PIN

6.5.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

D i o t P I N có c ấ u t ạ o cho t r ê n h ì n h 6.28 bao g ổ m 2 v ù n g b á n dẫn

đ ơ n t i n h t h ể l o ạ i p ( l à m anot) v à l o ạ i n ( l à m k a t o t ) p h a t ạ p c h ấ t m ạ n h
và giữa 2 v ù n g n à y là Ì v ù n g dẫn điện. loại ì (dẫn đ i ệ n n h ư b á n dẫn
c h ư a pha t ạ p g ọ i l à d ẫ n đ i ệ n r i ê n g ) . T h ự c t ế v ù n g ì k h ô n g h o à n t o à n
d ẫ n đ i ệ n l o ạ i ì m à có p h a t ạ p y ế u l o ạ i n n h ư n g đ i ệ n t r ở v ù n g ì r ấ t l ớ n .
V ù n g ì t r o n g d i o t P I N k h ô n g có h ạ t d ẫ n t ự do.
K h i h o ạ t đ ộ n g , lớp c h ắ n h ì n h t h à n h g i ữ a v ù n g p v à v ù n g ì ( h ì n h
6 29) v à có b ề r ộ n g c h ủ y ế u b ê n v ù n g ì v à đ i ệ n t í c h d ư ơ n g b ê n ì c â n
b ằ n g v ớ i đ i ệ n t í c h â m b ê n p, h ì n h t h à n h m ộ t đ i ệ n d u n g . K h i l à m v i ệ c
theo h ư ớ n g t h u ậ n l ỗ t r ố n g t ừ v ù n g p v à đ i ệ n t ử t ừ v ù n g n p h u n v à o
v ù n g ì ( h ì n h 6.30).

Vùng I trỏ nên có điện trở thấp khi phân cực thuận cho diot, số hạt dẫn
phun vào càng nhiều thì điện trở vùng ì càng thấp.

117
 +• • • Ló tròng
/In) + • • rin) n • • Điên từ
p ++• p- ^n
•• • •
•••
ÈH u
Ký hiêu u

Hình 6.28. cấu tạo và Hình 6.29. Diot PIN Hình 6.30. Vùng I bị tràn ngập
ký hiệu của diot PIN. khi khoa. điện tích khi phân cực thuận.

K h i p h â n cực n g ư ợ c d i o t k h ô n g d ẫ n d ò n g v à d i o t P I N h o ạ t động
n h ư m ọ t d i o t t h ô n g t h ư ờ n g ( v ố i t i ế p x ú c pn) k h i t ầ n s ố l à m v i ệ c dưới
10 Hz (10MHz).
7

ơ t ầ n s ố cao h ơ n 1 0 M H z d i o t P I N d ẫ n d ò n g xoay c h i ề u . Đ ộ lớn

d ò n g đ i ệ n xoay c h i ề u p h ụ t h u ộ c v à o đ i ệ n t r ở lớp ì v à do đ i ệ n t r ở v ù n g ì
r ấ t t h ấ p vì k h i h o ạ t đ ộ n g c á c h ạ t d ẫ n được p h u n l i ê n t ụ c v à o v ù n g ì.
M u ô n v ậ y c ầ n p h â n cực m ộ t c h i ề u cho d i o t b ằ n g c á c h đ ặ t m ộ t đ i ệ n áp
m ộ t c h i ề u k ế t hợp v ớ i t í n h i ệ u t ầ n s ố cao h ơ n 1 0 M H z n à y .

Điện trỏ vùng ì của diot PIN có thể điều khiển được nhờ điện áp một
chiều phân cực thuận cho diot.
Đ i ệ n t r ở của diot PIN chủ
yêu do điện trở vùng ì quyết
định, ngoài ra cần bô sung các
giá trị nhỏ đ i ệ n trở v ù n g p v à n
(pha t ạ p m ạ n h ) v à đ i ệ n t r ở t i ế p
x ú c l ấ y r a c á c cực a n o t v à k a t o t
cũng n h ư điện trở dây dẫn cực
ra. Đ ổ t h ị h ì n h 6.31 cho x á c đ ị n h
q u a n h ệ đ i ệ n t r ở cao t ầ n R H F của
diot P I N ở cao t ầ n p h ụ t h u ộ c v à o
Hình 6.31. Điện trở ở tần số cao của diot
d ò n g đ i ệ n p h â n cực t h u ậ n I . F PIN phụ thuộc dòng điện ị f .

6.5.2. T h a m s ô đ ị n h m ứ c v à t h a m s ô g i ớ i h ạ n

Các t h a m số giới h ạ n quan trọng:

Đ i ệ n á p ngược U R X 30V đ ế n 150V
Dòng điện thuận Ip « 2 0 m A đ ế n l O O m A
C ô n g s u ấ t t ổ n hao P tot « 1W đ ế n 6 W
N h i ệ t đ ộ lớp c h ắ n Tj * 1 2 5 ° c
D ả i n h i ệ t độ bảo q u ả n T s * -55°c đến +125°c

118
 C á c t h a m số đ ị n h mức quan trọng:
D ò n g đ i ệ n ngược I » 200nA
R

Đ i ệ n trở t h u ậ n v i p h â n r « 5Q
f

(với I = l O m A , f = 100MHz)
F

Đ i ệ n trở t h u ậ n vi p h â n
(vói I = lịxẢ, ỉ = 1 0 0 M H z )
F r ~ 6kQ
f

6.5.3. ứ n g d ụ n g

D i o t P I N đ ư ợ c d ù n g t r o n g c á c bộ suy g i ả m t í n h i ệ u , đ i ê u k h i ê n
được h ệ s ố suy g i ả m b ằ n g đ i ệ n á p Ì c h i ề u v à k h ô n g l à m m é o t í n h i ệ u
cao t ầ n , n h ò đ ó đ i ề u k h i ê n được b i ê n đ ộ của đ i ệ n á p t ầ n s ố cao. Trong
các bộ c h ọ n k ê n h của m á y t h u t r u y ề n h ì n h hay m á y t h u Ư K W c h ấ t
l ư ợ n g cao, b ộ đ i ê u c h ỉ n h b i ê n đ ộ t í n h i ệ u cao t ầ n d ù n g diot PIN
có k h ả n ă n g t h a y đ ô i m ứ c t í n h i ệ u (ở t ầ n s ố 1 0 0 M H z ) t ừ h ệ s ố Ì đ ế n
1/300.

6.6. DIOT ĐIỆN TỬ NÓNG (DIOT SCHOTTKY-DIOT S)

6.6.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

D i o t s có c ấ u t ạ o l à t i ế p x ú c k i m l o ạ i - t i n h t h ể b á n d ẫ n đ ư ợ c m ô
t ả t r ê n h ì n h 6.32. V ù n g k i m l o ạ i ( l à m a n o t ) đ ư ợ c t i ế p x ú c c ô n g n g h ệ
với v ù n g b á n d ẫ n Si l o ạ i n ( l à m katot). N ế u đ ạ t được t r ạ n g t h á i c á c
đ i ệ n t ử b ê n b á n d ẫ n S i - n có t r ạ n g t h á i n ă n g l ư ợ n g cao h ơ n ( c á c đ i ệ n
t ử " n ó n g " ) so v ớ i c á c t r ạ n g t h á i n ă n g l ư ợ n g c ủ a đ i ệ n t ử b ê n k i m l o ạ i
t h ì x u ấ t h i ệ n h à n g r à o đ i ệ n t h ế h a y v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n (lớp
khoa) sau k h i x ả y r a sự k h u ế c h t á n c á c h ạ t d ẫ n t ừ v ù n g b á n dẫn
sang v ù n g k i m l o ạ i . K ế t q u ả là x u ấ t h i ệ n Ì đ i ệ n t r ư ờ n g n ộ i bộ h ư ớ n g
từ b ê n v ù n g S i - n sang b ê n k i m loại n g ă n cản q u á t r ì n h k h u ế c h t á n
t i ế p t ụ c cho t ớ i k h i c â n b ằ n g . C h ỉ có m ộ t l ư ợ n g n h ỏ đ i ệ n t ử có n ă n g
l ư ợ n g đ ủ l ớ n b ê n k i m l o ạ i có t h ể s a n g b ê n v ù n g n , p h í a b ê n k i m l o ạ i
t í c h đ i ệ n â m . K h i p h â n cực cho d i o t s theo h ì n h 6.33, v ù n g đ i ệ n t í c h
k h ô n g g i a n m ở r ộ n g r a v à d i o t bị k h o a . N ế u đ ả o n g ư ợ c cực tính
nguổn p h â n cực n g o à i ( h ì n h 6.34) các đ i ệ n tử p h u n t ừ v ù n g Si-n
sang k i m l o ạ i t ạ o ra d ò n g đ i ệ n t h u ậ n của diot.

Dòng điện qua Diot s là dòng các hạt đa số (điện tử) của Si-n.

119
 C á c đ i ệ n t ử t r o n g v ù n g S i - n là các đ i ệ n t ử " n ó n g " có t r ạ n g t h á i năng
lượng cao f u n v à o v ù n g k i m l o ạ i k h i diot s ở t r ạ n g t h á i n ố i m ạ c h . K h i đảo
cực n g u ổ n n g o à i , diot s v ề t r ạ n g t h á i n g ắ t r ấ t n h a n h do k h ô n g có c á c hạt
t h i ê u s ố c ả n trở.

Diot s có thời gian chuyển trạng thái rất nhanh hay thời gian trễ rất nhỏ.
G i á trị t h ờ i gian t r ễ k h i c h u y ể n m ạ c h của d i o t s k h o ả n g vài
c h ụ c đ ế n v à i t r ă m ps ( l p s = 1 0 ~ s ) , k h i l à m v i ệ c có m ứ c t ạ p â m và
12

nhiễu rất thấp.

Kim loại Si-n

• •• ••••+• • —•
a • •• n 1 _ . • Á •++••• n Wầ
* H i
m • •+••• ••• — —• n
• • +• ••• •
''<•//< s
Điện trường Ả
u ơ
Ký hiệu
Hình 6.32. cấu tạo và Hình 6.33. Phân cực Hình 6.34. Phân cực
kỷ hiệu của diot Shotky ngược cho diot s. thuận cho diot s.
(diot S).

6.6.2. C á c t h a m s ô đ ị n h m ứ c v à t h a m s ố g i ó i h ạ n

T h a m số giới h ạ n quan trọng

Đ i ệ n á p ngược U R * t ừ 5V đ ế n 20V
Dòng điện thuận I F * l O m A đ ế n lOOmA
C ô n g s u ấ t t ổ n hao p t ố t « 100mW đ ế n 200mW
T h a m s ố đ ị n h mức:
Thời gian nối mạch t * 50ps
tr

Thời gian ngắt mạch ts a lOOps

Đ i ệ n d u n g của d i o t Cj * 0,2pF
D ò n g đ i ệ n ngược I R * 25nA

6.6.3. ứ n g d ụ n g

D i o t s l à l o ạ i d i o t c h u y ể n m ạ c h tốc đ ộ n h a n h , được sử d ụ n g h ầ u
h ế t t r o n g c á c m ạ c h k h o a t ầ n s ố cao, đ ặ c b i ệ t t r o n g d ả i s ó n g cực n g ắ n .
D ù n g t r o n g bộ đ i ề u c h ế , b ộ t r ộ n h a y b ộ n ắ n d ả i s ó n g cực n g ắ n .

120
 CÂU H Ỏ I Ô N TẬP - BÀI T Ậ P

1. M ô t ả h i ệ u ứ n g Zener x ả y r a t r o n g d i o t z.
2. C ư ờ n g đ ộ t r ư ờ n g b ắ t đ ầ u x ả y r a đ á n h t h ủ n g Zener l à bao n h i ê u ?
3. P h â n b i ệ t 2 d ạ n g đ á n h t h ủ n g d i o t vì n h i ệ t v à vì h i ệ u ứ n g Zener.
4. Vì sao c á c d i o t c h ỉ n h l ư u đ ể n ắ n đ i ệ n k h ô n g có h i ệ u ứ n g Zener?
5. M ô t ả h i ệ u ứ n g t h á c gặp trong Z-diot.
6. T í n h c h ấ t của diot z t r o n g v ù n g d ẫ n t h u ậ n .
7. V ẽ đ ặ c t u y ế n ì - Ư của d i o t z v ố i 3 v ù n g k h á c n h a u : d ẫ n , c h ắ n v à
đ á n h thủng.
8. T ạ i sao t r o n g v ù n g đ á n h t h ủ n g d i o t z đ ò i h ỏ i m ộ t giói h ạ n dòng
điện xác định?
9. H ã y vẽ đặc t í n h của diot z đ i ể n h ì n h trong v ù n g l à m việc ở c h ế độ
Zener.
10. Đ i ệ n t r ở v i p h â n r c ủ a d i o t z x á c đ ị n h n h ư t h ế n à o ?
z

l i . H ệ s ố n h i ệ t cc của d i o t z cho b i ế t đ i ề u gì?

z

12. H ã y g i ả i t h í c h t ạ i sao a z > 0 v ớ i z d i o t có U Z K >6V và a z < 0 với

n h ó m z d i o t có U Z K < 6V.
13. C á c h b ù n h i ệ t d ù n g c á c d i o t z? Có t h ể b ù n h i ệ t b ằ n g c á c h n à o ?
14. T r ê n h ì n h 6.35, h ã y c h ọ n R min v à RLmax k h i đ i ệ n á p v à o t h a y đ ổ i
L

± 1 0 % g i á t r ị ( 2 0 V ± 10%) b i ế t R v =10Q; Z có U
8 Z K = 8V; P tot = 8W v à
Izn,in - 5 m A .

Rv

tiĩ min = 5mA

Hình 6.35. Mạch ổn áp dùng diot z mắc song song với tải.

15. So s á n h đ i ệ n d u n g của d i o t b i ế n d u n g v ớ i Ì t ụ đ i ệ n p h ả n g . Đ ộ l ớ n
của đ i ệ n d u n g l ớ p k h o a p h ụ t h u ộ c v à o y ê u t ố n à o ?
16. V ẽ p h á c t h ả o đ ặ c t u y ế n c ( U ) của d i o t b i ế n d u n g .
R

121
17. H ệ s ố t ổ n hao v à đ ộ p h ẩ m c h ấ t của d i o t v a r i c a p (diot b i ế n dung)
là gì?
18. D i o t b i ế n d u n g được d ù n g đ ể l à m gì?
19. H ã y m ô t ả h i ệ u ứ n g T u n e n .
20. H ã y v ẽ đ ặ c t u y ế n ì - Ư đ i ê n h ì n h của d i o t T u n e n .
2 1 . Diot Tunen l à m việc ở t r ạ n g t h á i khoa n h ư t h ế nào?
2 2 . D i o t n g ư ợ c là l o ạ i d i o t gì? N ê u c á c đặc đ i ể m đ ể p h â n b i ệ t d i o t Tunen
v ớ i chót n g ư ợ c .
23. M ô t ả h o ạ t đ ộ n g của d i o t P I N ? Đ i ề u gì x ả y r a t r o n g v ù n g ì của diot
PIN.
24. Đ i ệ n t r ở cao t ầ n của d i o t P I N p h ụ t h u ộ c d ò n g p h â n cực t h u ậ n If
như thê nào?
25. H ã y g i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g của d i o t s. Ư u điểm
q u a n t r ọ n g của d i o t s.

122
 Chương 7

TRANSITO LƯỠNG cực (BJT)

7 . 1 . KHÁI N I Ệ M C H U N G
C ấ u k i ệ n đ i ệ n t ử có 3 lớp b á n d ẫ n đ ơ n t i n h
thể dạng npn hay pnp g h é p xen k ẽ n h a u tạo p n p
t h à n h 2 t i ế p x ú c p n r ấ t g ầ n n h a u được g ọ i l à
t r a n s i t o l ư ỡ n g cực ( B J T ) để p h â n biệt với một 1
l o ạ i t r a n s i t o c h ỉ có m ộ t t i ế p x ú c p n g ọ i là n h ó m
t r a n s i t o đ ơ n cực h a y transito hiệu ứng trường n p n —
( F E T ) sẽ đ ư ợ c x é t t ớ i ở c h ư ơ n g 8. L o ạ i B J T l à m
t ừ đ ơ n t i n h t h ể G e m a n i có n h i ề u n h ư ợ c đ i ể m n ê n Ì
n g à y n a y chỉ c ò n d ù n g ở n h ữ n g t r ư ờ n g hợp đặc Hình 7.1. Cấu tạo
cđ bàn của transito.
b i ệ t còn c h ủ y ế u là l o ạ i t r a n s i t o l à m t ừ đơn t i n h
t h ể Silic. L o ạ i t r a n s i t o đ a t i n h t h ể (ví d ụ t ừ A s G a ) c ò n đ a n g ở g i a i
đ o ạ n n g h i ê n c ứ u t h ử n g h i ệ m v à có t ư ơ n g l a i h ứ a h ẹ n . N h ư v ậ y có 2
n h ó m t r a n s i t o l ư ỡ n g cực là l o ạ i p n p v à l o ạ i n p n ( h ì n h 7.1).

7.2. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSITO LOẠI PNP

T r a n s i t o l o ạ i p n p có c ấ u t ạ o n h ư t h ế
Ì
h i ệ n ở h ì n h 7.2 có t h ể m ô t ả n h ư 2 d i o t p
mắc đ ố i đ ầ u n h a u , g ổ m 3 đ i ệ n cực r a l à
n
e m i t ơ (E), b a z ơ (B) v à c o l e c t ơ (C) v à được
Ã
k ý h i ệ u q u y ước n h ư ở h ì n h 7.3. Tương p
ứ n g có 3 v ù n g b á n d ẫ n t i n h t h ể l à v ù n g
emitơ, vùng bazơ và vùng colectơ. về Hình 7.2. Các tiếp xúc p-n
n g u y ê n t ắ c 2 v ù n g e m i t ơ v à colectơ có t h ê của transito pnp.
Colectơ
đ ổ i l ẫ n cho n h a u , n h ư n g do mức đ ộ pha
tạp chất k h á c nhau (vùng E thường rất
giàu t ạ p c h ấ t - p h a t ạ p m ạ n h ) , còn v ù n g c
pha t ạ p y ế u n h ấ t n ê n có đ i ệ n t r ở l ớ n n h ấ t ,
t ổ n hao n h i ệ t t r ê n c o l e c t ơ là l ớ n n h ấ t v à Ký hiệu quy ước
thường cần làm nguội (làm mát) bằng
b i ệ n p h á p t ự n h i ê n ( d i ệ n t í c h vỏ k i m l o ạ i
Emittơ
r ộ n g ) h a y b i ệ n p h á p c ư ỡ n g bức ( p h i ế n toa
hình 7.3. Ký hiệu transito và
n h i ệ t hay q u ạ t l à m m á t . . . ) . các cực của nó.

123
 ở c h ế độ h o ạ t đ ộ n g b ì n h t h ư ờ n g (còn gọi l à c h ế đ ộ k h u ế c h đ ạ i ) cân
đ ặ t c á c đ i ệ n á p p h â n cực Ì c h i ề u :
U B F = - 0 , 7 V (có t h ể t ừ - 0 , 6 V đ ế n - 0 , 9 V ) cho l o ạ i t r a n s i t o Silic
U C E = - 7 V (có t h ể t ừ - 2 V đ ế n - 3 0 0 V ) t u y l o ạ i t r a n s i t o

Bazơ và colecto luôn có giá trị điện á p âm so vòi emitơ (hình 7.4)

0.7V
Ồ
UBE.-0.7V
ov
£ _

Hình 7.4. Điện áp một chiểu cấp cho transito pnp.

N h ư v ậ y Diot bazơ-emitđ dẫn

điện thuận (mở) c ò n diot bazơ- B
colectơ k h o a .

Tiếp xúc pn giữa bazơ và emitơ

được phân cực thuận, tiếp xúc
pn giữa bazơ và colectơ được
phân cực ngược. Lỗ
trống Un
Nhò U U E m ở diot BE, dòng
h ạ t d ẫ n đ a s ố p h u n qua t i ế p x ú c
pn ( l ỗ t r ố n g p h u n t ừ v ù n g E sang
v ù n g B) v à t i ế p t ụ c k h u ế c h t á n
sâu vào B tới vùng pn t h ứ hai
giữa B - C . D ò n g h ạ t n à y được đ i ệ n
t r ư ờ n g ở đ â y gia tốc c u ố n sang
vùng colectơ (hình 7.5). Ớ đ â y Ui ị
colectơ có v a i t r ò n h ư m ộ t b ẫ y t h u
gom c á c h ạ t d ẫ n t ừ E t ớ i . N h ư v ậ y
d ò n g đ i ệ n t r o n g t r a n s i t o pnp c h ủ
yếu là dòng l ỗ trống x u ấ t p h á t t ừ Đố thị
v ù n g E v à t ậ p k ế t v ề v ù n g C; p h ầ n điện thế
tổng cộng
hao h ụ t trong v ù n g bazơ k h o ả n g t ừ
v à i % đ ế n v à i %0 t ạ o n ê n d ò n g I B

( h ì n h 7.6). C á c t h à n h p h ầ n d ò n g Hình 7.5. Đổ thị điện thế trong

transito pnp.
đ i ệ n t r o n g t r a n s i t o được m i n h hoa

124
t r ê n h ì n h 7.7 (ở đ â y l m A = 6 , 2 4 . l o 1 5
h ạ t d ẫ n c h u y ể n đ ộ n g qua mặt
c á t v u ô n g góc t r o n g Ì g i â y ) . T r o n g t r a n s i t o có h i ệ u ứ n g khuếch đại
d ò n g Ì c h i ề u v ớ i h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n Ì c h i ề u B được đ ị n h nghĩa
( h ì n h 7.7). '

Ị Dòng điên
colectơ 99%
Dòng điện
Ù bază 1_% *B Vi dụ 99mA
1%
Vi du 1Hm
AA7 © Dòng
'99% ) Ẹđiện
t
UBE
••--- ' ị emitơ
í Vi99%
dụ 1Q0mA
-i _
Hình 7.6. Dòng điện trong transito pnp. Hình 7.7. Dòng điện qua transito pnp.

d ò n g đ i ê n colectơ 99%
li = :
= — — = 99
d ò n g đ i ệ n bazơ 1%
Sự thay đổi nhỏ dòng bazơ tại lối vào đã tạo ra sự thay đổi lớn của dòng
colectơ tại lối ra và qua 1 điện trở tại mạch colectơ nhận được sự biến đổi
điện áp tương ứng.
Như vậy sự thay đổi nhỏ của điện áp bazơ dẫn tới sự thay đổi lớn của
điện áp coiectơ.
Các h i ệ u ứ n g p h ụ liên quan tới các h ạ t dẫn t h i ể u số t r o n g transito
đ ã được b ỏ qua ở p h ầ n v ừ a p h â n t í c h .
T u y n h i ê n t ạ i v ù n g diot bazơ-colectơ, đ i ệ n t r ư ờ n g ngược tạo ra d ò n g
các h ạ t t h i ể u s ố ( l ỗ t r ố n g t ừ B sang c v à đ i ệ n t ử t ừ c sang B ) . D ò n g đ i ệ n
n à y k h ô n g p h ả i d ò n g p h u n v à sau đ ó k h u ế c h t á n t ừ cực E t ớ i v à được g ọ i
là d ò n g n h i ệ t t ạ i c o l e c t ơ có v a i t r ò t ư ơ n g đ ố i q u a n t r ọ n g g â y m ấ t ổ n đ ị n h
(trôi) do n h i ệ t đ ố i v ớ i d ò n g colectơ t ổ n g t h ể ( k h o ả n g + 7 % / ° C ) . T ạ i v ù n g
b a z ơ ( d ẫ n đ i ệ n l o ạ i n) c á c h ạ t d ẫ n t ự do l à electron có k h ả n ă n g t á i hợp
với l ỗ t r ố n g t ự do t ừ E p h u n sang v à t ừ n g cặp t á i hợp sẽ m ấ t đi Ì cặp h ạ t
d ẫ n t ự do. M u ố n h i ệ n t ư ợ n g t á i hợp y ế u c ầ n pha t ạ p v ù n g B y ế u v à k í c h
t h ư ớ c v ù n g B h ẹ p đ ổ q u ã n g đ ư ờ n g k h u ế c h t á n của l ỗ t r ố n g t r o n g v ù n g B
n g ắ n l ạ i . H i ệ n t ư ợ n g t á i hợp l à m d ò n g I t ă n g c h ú t ít.
B

7.3. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSITO NPN

H ì n h 7.8 m ô t ả c ấ u t ạ o của m ộ t t r a n s i t o n p n v à k ý h i ệ u quy ước của

l o ạ i n à y . ở đ â y v ù n g E (pha t ạ p m ạ n h ) v à v ù n g c (pha t ạ p y ế u ) l à c á c
t i n h t h ể b á n d ẫ n l o ạ i n v à xen giữa c h ú n g là v ù n g b a z ơ d ẫ n đ i ệ n l o ạ i p.

125
 Để transito hoạt động b ì n h thường
y ê u cầu diot B - E m ở v à diot B - C khoa
h a y v ớ i t r a n s i t o n p n l o ạ i Silic ( h ì n h 7.9)
c ầ n có c á c g i á t r ị đ i ệ n á p n g o à i đ ặ t v à o
E 3
sao cho:
Ư B E = + 0 , 7 V (có t h ể t ừ +0,6V đ ế n 0,9V)
U C E = + 7 V (có t h ể t ừ + 2 V đ ế n +300V
do l o ạ i t r a n s i t o q u y ê t đ ị n h ) .
B B
Bazơ và colectơ có điện thế phải dương
hơn emitơ |E |E
Ký hiệu quy ước
Vê n g u y ê n tắc h o ạ t động, transito loại
Hình 7.8. Các chuyên tiếp npn
n p n có n g u y ê n lý t ư ơ n g t ự n h ư transito của transito và ký hiệu quy ưốc.
loại pnp và t ó m t ắ t n h ư sau:

1
li1 B
1
.0.7V ũ Ơ E«*7V
n p ... n C

ổ —ứ ,7V UBE = *0.7V

E c
t i

Hình 7.9. Phân cực cho các chuyển tiếp pn của transito npn.

D ò n g đ i ệ n t ử t ừ v ù n g E được p h u n qua d i o t B E m ở v à t i ế p tục

k h u ế c h t á n qua v ù n g B được gia tốc t ạ i d i o t B C k h o a v à t u v ệ t đ ạ i đ a số
h ạ t t ớ i được v ù n g c t ạ o t h à n h c á c d ò n g ( t i ệ n I , I E B và I c t r o n g Lransito.
Do v ù n g B được c h ế t ạ o sao cho đ ủ m ỏ n g (um) n é n có t h ể d ạ t được một
h i ệ u s u ấ t t r u y ề n đ ạ t d ò n g đ i ệ n t ừ E t ớ i dược c la 99,9% h a y t r a n s i t o có
h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n Ì c h i ề u B là:
99,9%
B = i 999
I B 1%

Cỡ c h ế d ò n g c á c h ạ t t h i ể u s ố x ả y r a t ạ i d i o t B - C k h o a t ư ơ n g t ự n h ư
t r a n s i t o l o ạ i p n p đ ã x ó t v à c ầ n c h ú ý ả n h h ư ở n g c ủ a n h i ệ t đ ộ t ớ i dòng
điên này.

7.4. Đ I Ệ N Á P VÀ D Ò N G Đ I Ệ N T R Ê N T R A N S I T O

N ế u c h ọ n đ i ệ n t h ế cực e m i t ơ l à m gốc, g ọ i U ị l à đ i ệ n t h ế giữa c l

colcctơ và bazơ t h ì

126
 ƯCE = ƯCB + u BE

C h i ề u d ò n g đ i ệ n t í n h theo h ư ớ n g c h u y ể n đ ộ n g c ủ a l ỗ t r ố n g ( h ạ t
tích đ i ệ n dương)

I =Ic + I
E £

•7V

ƠCE
€ )
ƠBE
ị lOmẴị
_L0V
Hình 7.10. Các dòng điện và Hình 7.11. Các dòng điện và Hình 7.12. Chiểu dòng
điện áp trên transito pnp. điện áp trên transito npn. emitơ.

Ó đ â y c h ú ý đ ế n c á c h q u y ước c h i ề u đ i ệ n á p t í n h t ừ cực n à y t ớ i cực

k i a (hay quy ước c h i ề u d ò n g đ i ệ n ) sao cho t h ố n g n h ấ t v ớ i t r ị s ố g i á t r ị
d ư ơ n g h a y â m của tehúng. V í d ụ k h i Ve > V E thì U C E = Ve - V E > 0 hay
VE -Ve = Ư E C < 0. N ế u U C E = - 7 V thì U E C = +7V. N ế u chiều d ò n g điện
c ù n g c h i ề u đ i ệ n t h ế t h ì d ò n g có g i á t r ị d ư ơ n g h o ặ c n g ư ợ c n h a u t h ì d ò n g
có g i á t r ị â m . V í d ụ h ì n h 7 . 1 1 : I = l O m A n ê n I
E E C = -IE =
—1-OmA (xem ví
d ụ h ì n h 7.13).
-7V

Ub8=-6.3V ì,
Ja
UCE=-7V

ƯB£ = -0.7V

-Lov J-0V

Lối ra Lối vào Lối ra

Lối vào

Mách nguyên lý ÉC Mách nguyên lý BC

Hình 7.13. Ví dụ cho các điện áp trẽn transito pnp và npn.

127
7.5. C Á C Đ Ặ C TUYÊN VÀ T H A M S Ố CỦA T R A N S I T O M Ắ C E M I T Ơ CHUNG

Có 3 c á c h m ắ c t r a n s i t o theo c á c h p h â n t í c h của Ì m ạ n g 4 cực gổm Ì

cửa v à o v à Ì cửa r a ( h ì n h 7.14). C á c c á c h m ắ c t u y t h u ộ c c h ọ n cực nào
của t r a n s i t o l à m đ i ể m cực c h u n g cho cả l ố i v à o v à l ố i r a : k i ể u m ắ c emitơ
c h u n g ( É C ) , k i ể u m ắ c b a z ơ c h u n g (BC) h a y k i ể u m ắ c c o l e c t đ c h u n g (CC).
T ư ơ n g ứ n g có 4 h ọ đ ặ c t u y ế n V o n A m p e được q u a n t â m , t r ư ớ c tiên
xét trong cách mắc É C .

7.5.1. H ọ đ ặ c t u y ê n v à o

— ®

Hình 7.14. Mạch mắc Hình 7.15. Mạch lấy dặc tuyến
colectơ chung. vào của transito.

T r o n g c á c h m ắ c É C ( h ì n h 7.15), c á c đ ạ i l ư ợ n g d ò n g v à á p t ạ i đ ầ u vào
là I B và U B E . Đ ặ c t u y ế n v à o theo đ ị n h nghĩa l à đ ư ờ n g b i ể u d i ễ n quan hệ
Ivào - U v à o v à v ớ i c á c h m ắ c É C là U R E , p h é p đ o n à y được l ấ y t r o n g điều
k i ệ n l u ô n g i ữ cho đ i ệ n á p r a U C E = h ằ n g số. V ớ i c á c g i á t r ị h ằ n g s ố khác
n h a u của U C E sẽ n h ậ n được m ộ t h ọ đ ư ờ n g đặc t u y ế n v à o ( h ì n h 7.17).
M ạ c h đo đặc t u y ế n v à o của c á c h mắc É C cho t r ê n h ì n h 7.15 v à d ạ n g thu
được ở h ì n h 7.16. D ạ n g đặc t u y ế n I B - U B E t h ự c r a l à d ạ n g n h á n h m ở của
diot B - E v ớ i l o ạ i Si có đ i ệ n á p n g ư ỡ n g k h o ả n g 0,7V v à v ớ i l o ạ i Ge là 0,3V.

II I
B

Lfc =4V
E

t/ =8V
CE

ƯCẼ=12V

0.2 OA 0.6 10.8 1.0 ỊU^Ị

IU*!
0,7 V
Hình 7.16. Cách xác định điện trở Hình 7.17. Họ đặc tuyến vào
vào vi phân r của mạch ÉC
BE vòi các giá trị U khác nhau.
C E

trên đặc tuyến vào l - U . B BE

Điện trở vào vi phân r là độ dốc đường đặc tuyến

BE vào xác định tại điểm
(A) đang xét- điểm A gọi là điểm làm việc tĩnh của transito.

128
 V i ệ c x á c đ ị n h g i á t r ị của r B E t ạ i A , t h ự c h i ệ n t r ê n h ì n h 7.16 b ằ n g
c á c h k ẻ t i ế p t u y ế n v ớ i đ ư ờ n g đ ặ c t u y ế n t ạ i A d ự n g t a m g i á c v u ô n g có 2
c ạ n h là A I v à A UU B E , k h i đ ó theo đ ị n h n g h ĩ a ( c h ú ý d U C E = 0).

r — ỔU BE „ AU B E

BE AI„

ơ đây A U B K v à AI]Ị là sự b i ê n t h i ê n n h ỏ của đ i ệ n á p v à d ò n g đ i ệ n t ạ i

b a z ơ . N ê u x é t t r a n s i t o n h ư Ì m ạ n g 4 cực k h i c h ọ n h a i đ ạ i l ư ợ n g U v à 0 và
I r a l à m h à m s ố (với m ạ c h m ắ c É C là U B E v à I ) v à c h ọ n h a i đ ạ i l ư ợ n g còn
c

l ạ i là d ò n g v à o v à á p r a l à m b i ê n s ố (với É C là I B và U C E ) , sẽ n h ậ n được
h ộ 4 t h a m s ố h ỗ n hợp hy của t r a n s i t o g ổ m h H e , h 1 2 e , h 2 1 e và h 2 2 e , k h i đó:

7.5.2. H ọ đ ặ c t u y ê n ra

Đ ặ c t u y ê n r a theo đ ị n h n g h ĩ a l à đ ư ờ n g b i ể u d i ễ n q u a n h ệ I — u , . ra a

( t r o n g c á c h m ắ c É C là I - U C C E ) . Đặc t u y ế n được l ấ y k h i g i ữ cho d ò n g v à o

I B g i á t r ị k h ô n g đ ổ i . K h i c h ọ n c á c giá t r ị I B k h á c n h a u sẽ n h ậ n được h ọ
đặc t u y ế n r a g ổ m n h i ề u đ ư ờ n g , m ỗ i đ ư ờ n g ứ n g v ớ i Ì g i á t r ị c ố đ ị n h của
In ( h ì n h 7.18).

J = 120JJA
B

2 10

Hình 7.18. Họ đặc tuyên ra của transito.

Điện trỏ vi phân lối ra r tại điểm làm việc A là độ dốc vi phân của
CE đường
đặc tuyến ra xét tại điểm A vói mạch ÉC là l -U E- c C

129
9-LK ĐI
 AU ơ đây A U C E và A I C là lượng b i ế n t h i ê n của
ĩ ~ CE
AI. đ i ệ n áp và dòng đ i ệ n t ạ i l ố i ra.
*CE

T ư ơ n g t ự n h ư đ ã x é t v ố i m ạ n g 4 cực theo t h a m s ố hy, có:

1
Với hCElà=điện dẫn vi phân tại lối ra.
r
22e

h 2c 2

7.5.3. H ọ đ ặ c t u y ế n t r u y ề n đ ạ t ( đ ặ c t u y ế n đ i ề u k h i ể n d ò n g đ i ệ n )

Đặc tuyến truyền đạt dòng điện

theo đ ị n h n g h ĩ a l à đ ư ờ n g b i ể u d i ễ n
quan h ệ I - I (trong m ạ c h E là I - Iu).
r a v à o c c

H ì n h 7.19 cho h ọ 2 đ ư ờ n g I - I ứ n g c B

với U C E 1 = 16V v à U = 7V. V ớ i c á cC E 2

t r a n s i t o theo c ô n g n g h ệ h i ệ n nay q u a n
h ệ đ ư ờ n g h ì n h 7.19 g ầ n t u y ế n t í n h . T ạ i
Ì đ i ể m A t r ê n đặc t u y ế n , h ệ số k h u ế c h
đ ạ i d ò n g đ i ệ n B ( Ì c h i ề u ) được đ ị n h
n g h ĩ a ( h ì n h 7.20).
' 20 tí) 60 80 100 120

Hình 7.19. Họ đặc tuyến truyền đạt.

Hệ số khuếch đại dòng điện 1 chiều của transito cho biết độ lớn của
dòng colectơ le so với dòng bazơ l là bao nhiêu lần (B lần). É

Do t h ự c t ế đ ư ờ n g I - I có hơi c B

cong ( h ì n h 7.20) n ê u đ ị n h nghĩa

độ dốc v i p h â n của đ ư ờ n g đặc
t u y ế n g ọ i là h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i
d ò n g xoay c h i ề u .

P: h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n
xoay c h i ê u
Al ,
c A l : lượng
B biến thiên
Hình 7.20. Xác định hệ s ố khuếch đại
t ư ơ n g ứ n g của d ò n g đ i ệ n ra v à dòng điệnl chiểu B và hệ số khuếch đại
dòng điện vào (khi U C E = hằng) dòng xoay chiều p tại điểm làm việc A.

130
 T h e o lý t h u y ế t m ạ n g 4 cực v ớ i c á c t h a m s ố h j j , có

p = h ie 2

7.5.4. H ọ đ ặ c t u y ế n h ổ i t i ế p ( g h é p n g ư ợ c )

Việc t ă n g U C E sẽ l à m t ă n g U C B và U B E (do U C E = U C B + U B E hình

7.21). V i ệ c n â n g cao đ i ệ n á p U C E c ũ n g l à m g i ả m ả n h h ư ở n g của n ó t ớ i Ư . B E

N h ì n c h u n g việc liên h ệ (ghép) ngược giữa đ ầ u ra

với đ ầ u v à o l à đ i ề u k h ô n g m o n g m u ố n ( k h i c h ỉ
xét r i ê n g transito) n ê n n h à sản xuất tìm mọi
HỌE
c á c h h ạ n c h ế ả n h h ư ở n g của U C E tới U B E . Đường
biêu diễn quan hệ U B E — U C E được g ọ i là đặc
t u y ế n g h é p ( đ ặ c t u y ế n h ổ i t i ế p ) được cho trên
h ì n h 7.22. Hình 7.21.
Đ ố i v ớ i c á c t r a n s i t o có c h ấ t
ỊUssỉ
lượng t ố t , đặc t u y ế n g h é p ngược
t ư ơ n g đ ố i b ằ n g p h a n g , nghĩa l à u
1.2
ả n h h ư ở n g của U tới U rất
C E B E
VO XlỌỌuẠ
hạn chế. Mức độ ảnh hưởng • ẹo MẠ
018 60ỈJẠ
được x á c đ ị n h qua h ệ số ghép 0.6 ịộịiẠ
ngược v i p h â n D . 0.4 -J20*0
MÀ B

Q2

10 20 /Ỡ / CE

Với hệ t h a m sốhii thì Hình 7.22. Đặc tuyến hổi tiếp (ghép ngược).

D = h,

7.5.5. B ô n n h ó m đ ặ c t u y ế n c ủ a t r a n s i t o

K h i x â y d ự n g cả b ố n h ọ đ ặ c t u y ế n đ ã x é t t r ê n t r o n g m ộ t h ệ t h ố n g
đổ t h ị ( m ỗ i đ ổ t h ị c h ỉ d ù n g góc p h ầ n t ư t h ứ n h ấ t t r o n g toa đ ộ đ ề c á c ) ,
sẽ n h ậ n được bức t r a n h t ổ n g q u á t v ề c á c h ọ đ ặ c t u y ế n q u a n t r ọ n g của
t r a n s i t o n h ư t h ể h i ệ n ở t r ê n h ì n h 7.23 v ố i c á c t h ô n g t i n c h i t i ế t v à đ ầ y
đủ về một transito.

131
 (kỉ

Hình 7.23. Họ 4 đặc tuyên của transito mắc ÉC.

7.6. CHỌN ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSITO

Chế độ làm việc Ì chiêu của transito được lựa chọn thông qua vi
xác định đ i ể m l à m việc nhờ 2 trong 4 t h a m số U C E , U B E , I c hay
T h ư ờ n g chọn cặp giá trị U C E và I B hay I c . C á c b ư ớ c t i ế n h à n h chi
đ i ể m l à m v i ệ c A t r ê n h ì n h 7.24 n h ư sau:

Hình 7.24. Xác định điểm làm việc 1 chiểu A.

132
 • C h ọ n n g u ổ n Ì c h i ề u c ấ p cho t r a n s i t o U B (ví d ụ U = + 1 2 V )
B

• C h ọ n đ i ệ n trở t ả i colectơ R L (ví d ụ R = 2 k Q )L

G i á t r ị R Ị q u y ế t đ ị n h đ ộ n g h i ê n g (độ dốc) t g a của đ ư ờ n g t ả i Ì c h i ề u

nôi g i ữ a 2 đ i ể m c ắ t của đ ư ờ n g t ả i v ớ i h a i t r ụ c toa đ ộ ở c h ế đ ộ n g ắ n
mạch U C E = 0 v à ở c h ế đ ộ h ở m ạ c h ( I = 0) ( I c c o là d ò n g n g ắ n mạch và
U B là á p ở m ạ c h t r ê n t r a n s i t o ) .
U B _ 12V
ì 6mA
ì co 2kQ
co R. =

Ì ỉ.
Chon ì «— ì 3 m A . V ớ i p = 100 t h ì I B = = 30ịiA
c
2

• ịOnA
30 ÙA
0/JA
V50M
60

Hình 7.25. Xác định điểm A trên 4 đặc tuyến.

Trên nhóm hệ thống 4 đổ thị điểm làm việc Ì chiều A được xác
đ ị n h ở đ i ể m A (le - 3 m A ; I = 30f^A) t r ê n đặc t u y ế n t r u y ề n đ ạ t I
B c - I ;
B

Nếu liên k ế t với đặc t u y ế n U B E -U C E sẽ t ì m đ ư ợ c h ệ s ố g h é p n g ư ợ c v i

p h â n D.
T ừ g i á t r ị I = 30faA, x á c đ ị n h t r ê n đặc t u y ế n v à o I - Ư
B B B E sẽ n h ậ n
được g i á t r ị t ư ơ n g ứ n g Ư B E = 0,72V v à A có toa độ I = 30|aA; U B B E = 0.72V.

133
 Giá trị U B E n h ậ n được n h ò c h ọ n đ i ệ n •12V
t r ở p h â n cực R v ( h ì n h 7.26).
u R v = u B - u B E
11.28V ÍRv

R _ ụ, -"re € )
0.72V

12V-a72V 1^8V = =376kQ -J- ov

30nA 30|iA Hỉnh 7.26.

M u ố n có được g i á t r ị R đúng như tính

v
•12V
toán, cần chọn R v gổm Ì p h ầ n cố định và / */q.
B

Ì phần thay đổi: R v = 330kQ + 68kQ, trong 28V

Rin 1 1

đó đ i ệ n trở 68kQ là b i ê n trở.

C á c h k h á c đ ể n h ậ n được U B E = 0,72V l à
d ù n g bộ chia á p g ổ m 2 đ i ệ n t r ở R,! v à R (hình
2
Rin y
7.27). ơ c á c h n à y c ầ n c h ọ n d ò n g I q qua bộ
chia k h o ả n g 2 đ ế n 3 l ầ n I . N ê u c h ọ n I B q lớn -LOV
thì Rj R 2 p h ả i n h ỏ v à l à m g i ả m đ i ệ n trở v à o Hình 7.27. Đặt điện áp cực B
của m ạ c h , còn n ê u c h ọ n I < I t h ì đ i ệ n á p U q B B E nhờ bộ chia áp R,R . 2

k h ô n g ổ n định. Chọn I w 2 I , t ừ đó: q B

U -U B B E

l a i = Iq + la - > Ri =

IR2 R =
ì
2

ở v í d ụ đ ã cho ì = 2 I = 6 0 ^ A B

V V
R,l" -°-^ lj^-125kQ
=

30|aA + 60^iA 90|iA

u 0 72V
R 2 = —BẼ. = Z1_Z_ — ! 2 k Q
\ 60nA
T u y theo m ụ c đ í c h n g ư ờ i sử d ụ n g m u ố n h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i l ớ n nhất;
m é o p h i t u y ế n n h ỏ n h ấ t ; c ô n g s u ấ t t ổ n hao n h ỏ , h a y n h i ễ u t h ấ p nhất:
đ i ể m l à m v i ệ c được c h ọ n theo m ộ t n h ó m m ụ c t i ê u ư u t i ê n v à t h ư ờ n g
p h ả i d u n g hoa v ì t ạ i đ i ể m l à m v i ệ c t h a m s ố n à y có t h ể sẽ g â y t h i ệ t cho
tham số k h á c .

134
7.7. Đ I Ề U K H I Ể N TRAMSITO

Sau k h i x á c đ ị n h đ i ể m l à m viêc, các giá t r i d ò n g v à á p Ì c h i ề u t r ê n

t r a n s i t o được x á c đ ị n h k ý h i ệ u là U ' C E , I*c» I'B v à U'BE.

mA

V
Hình 7.28. Chê độ xoay chiếu xung quanh A trên 4 đặc tuyên.

T r ê n ví d ụ h ì n h 7.28 có U ' C E = 6V U'BE= 0.72V

r c = 3mA r B = 30jiA
Đặc t u y ế n I - I c B và U B E - I là các đặc t u y ế n đ ộ n g (được x â y d ự n g
B

t ừ các đặc t u y ế n t ĩ n h v à đ ư ờ n g t ả i t r ê n h ệ t h ố n g 4 đổ t h ị h ì n h 7.25).

T ừ sau k h i x á c đ ị n h đ i ể m l à m việc, có t h ể đ i ề u k h i ể n t r a n s i t o n h ò m ộ t

d ò n g đ i ệ n xoay c h i ề u h ì n h sin i có b i ê n độ ví d ụ ĨB = Ỉ0\J.A

B

Như vậy, dòng bazơ tổng cộng gồm hai phần: dòng 1 chiều l' = 30/JA và B

dòng xoay chiều hình sin ig có biên độ 10/JA.

r B + i B sẽ t h a y đ ổ i t r o n g p h ạ m v i 20|iA đ ế n 4 0 | i A ( t h ể h i ệ n t r ê n
h ì n h 7.28) d ẫ n đ ế n sự t h a y đ ổ i d ò n g colectơ r c + i t ừ 2mA đ ế n 4mA.
c

Dòng colectơ gồm 2 phần hợp thành: thành phần 1 chiều ực = 3mA) và
thành phần xoay chiều i (có biên độ 1 mA).
c

D ò n g colectd t ạ o t r ê n t ả i R L một điện áp tương ứng. Đ i ệ n á p tổng

cộng t r ê n colecto của t r a n s i t o t h a y đ ổ i t ừ 8V đ ế n 4V.

135
 Điện áp colectơ gồm hai phần hợp thành: thành phần 1 chiều U ' = CE 6V
và thành phần xoay chiều u ce (có biên độ 2V).

Điện áp bazơ gồm hai phần: 1 chiều U ' = BE 0.72V và phần xoay chiều U BE

(có biên độ gần đúng bạng 0.05V).

C á c h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i n h ậ n được t ừ đ ặ c t u y ế n t ổ n g h ợ p (4 đặc
t u y ế n k ế t hợp)
H ệ số khuếch đ ạ i đ i ệ n áp

(ỏ đây ù ,ủ và i , lo là các trị biên độ tươngứng)

CE BE c

H ộ số k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n

H ộ s ố k h u ế c h đ ạ i c ô n g s u ấ t Vp = V u . V,
N ế u k ý h i ệ u c ô n g s u ấ t xoay c h i ề u l ố i r a l à P , ở l ố i v à o l à P! t h ì : 2

úp, ĩ Ì » ĩ
4Ĩ' síĩ 2

1
ầ ' à 2 U B E J B

p Ù í
p * ^ V
P v
ìì • ,
v

I u BE.I
.

Với mạch ví du đã tính có:

V - n-:_
ủ 2 V lmA
= 40 V = = 100
Ù,,,.
•BE 0.05V 1ir B 10|^A

Vp = V u . V i = 40 . 100 = 4000
C h ú ý q u a n h ệ p h a g i ữ a 2 đ i ệ n á p xoay c h i ề u U C E và U B E là ngược
pha n h a u v à đ â y l à đ ặ c đ i ể m k h á c b i ệ t của m ạ c h m ắ c t r a n s i t o k i ể u É C .

Khi transito mắc kiểu mạch ÉC, điện áp xoay chiều lối ra dịch pha 180°
(ngược pha) với điện áp xoay chiều ỏ lối vào.

Q u á t r ì n h đ i ề u k h i ể n b ằ n g d ò n g đ i ệ n hay đ i ề u k h i ể n b ằ n g đ i ệ n á p
t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 7.29 v à 7.30. Do đ ặ c t u y ế n I - U B B E có đ ộ cong n ê n :

136
 Khi điều khiển bạng 1 dòng điện bazơ hình sin, điện áp U có dạng BE

không sin hoặc nếu điều khiển bạng 1 điện áp U hình sin (hình 7.30) thì
BE

dòng bazơ có dạng không sin.

Hình 7.29. Điểu khiển kiểu dòng điện Hình 7.30. Điều khiển bằng điện áp.
(bằng dòng diện).

Đ i ề u n à y t ư ơ n g t ự cho d ạ n g d ò n g đ i ệ n colectơ. N h ư v ậ y :
N ê u đ i ề u k h i ể n transito b ằ n g Ì d ò n g bazơ d ạ n g h ì n h sin t h ì d ò n g
và á p xoay c h i ề u t r ê n c o l e c t ơ c ũ n g có d ạ n g h ì n h s i n ( x e m đ ổ t h ị h ì n h
7.28). T r o n g k h i n ế u đ i ê u k h i ể n t r a n s i t o b ằ n g Ì đ i ệ n á p U B E xoay c h i ề u
h ì n h s i n t h ì d ò n g b a z ơ xoay c h i ề u , d ò n g v à á p xoay c h i ê u t r ê n c o l e c t ơ
có d ạ n g k h ô n g s i n h a y q u á t r ì n h đ i ề u k h i ể n đ ã bị m é o t í n h i ệ u .

Điện áp và dòng điện xoay chiều trên colectơ có dạng tương tự như quá
trình biến thiên theo thời gian của dòng điện bazơ.
Q u á t r ì n h điều k h i ể n trong transito :
do đó được g ọ i l à đ i ề u k h i ể n b ằ n g d ò n g \ ị
điện. M u ố n m é o phi t u y ế n nhỏ cần chú ý R z

quy l u ậ t b i ế n t h i ê n của d ò n g đ i ệ n b a z ơ ' ' ~ h

chứ k h ô n g p h ả i q u y l u ậ t b i ế n t h i ê n của
điện áp bazơ. Việc đ i ề u k h i ể n bằng dòng ỉ
đ i ệ n x ả y r a k h i n g u ổ n á p đ i ể u k h i ể n có
n ộ i t r ở đ ủ l ớ n so v ớ i đ i ệ n t r ở v à o của Hình 7.31. Điều khiển transito
t r a n s i t o , k h i đ ó q u á t r ì n h b i ế n t h i ê n của với dòng không đổi
dòng điện vào h ầ u n h ư k h ô n g bị ả n h ^ đ i e u k h , e n b ă n
9 d ò n
9)-
h ư ơ n g bởi đ i ệ n trở v à o của transito.

Điều khiển bạng dòng điện yêu cầu nội trở của nguồn điện áp điều khiển
đủ lớn hơn điện trỏ vào của transito (gọi là kiểu phối hợp dưới hay phổi
hợp dòng điện).

137
 Khi n ộ i t r ở c ủ a n g u ổ n t í n h i ệ u v à o k h ô n g đ ủ l ớ n , có t h ể b ổ sung
t h ê m R t ạ i l ố i v à o n h ư h ì n h 7.31 đ ể t ă n g n ộ i t r ở c ủ a n g u ổ n . T u y nhiên
z

R z l à m g i ả m V u v à qua đ ó l à m g i ả m Vp của m ạ c h .
Nếu d ù n g đ i ệ n á p xoay c h i ề u t r ê n b a z ơ đ ể đ i ề u k h i ể Ì d ò n g đ i ệ n và
đ i ệ n á p xoay c h i ề u t r ê n c o l e c t ơ của t r a n s i t o t h ì đ â y l à q u á t r ì n h điều
khiển bằng điện áp.

Điều khiển bàng điện áp xảy ra khi nội trỏ nguồn tín hiệu vào nhỏ hơn
điện trở vào của transito (gọi là kiểu phối hợp trên hay phối hợp điện áp).

P h ầ n l ố n c á c b ộ k h u ế c h đ ạ i d ù n g t r a n s i t o sử d ụ n g c á c h đ i ề u k h i ể n
bằng dòng điện để giảm méo phi tuyến.

7.8. DÒNG ĐIỆN DƯ, ĐIỆN ÁP NGƯỢC VÀ ĐIỆN ÁP ĐÁNH THỦNG

7.8.1. D ò n g đ i ệ n d ư

D ò n g c á c h ạ t t h i ể u s ố qua d i o t k h i n ó p h â n cực n g ư ợ c g ọ i là dòng

đ i ệ n d ư . T r ư ờ n g hợp t ổ n g q u á t d ò n g d ư l à d ò n g đ ặ c t r ư n g c ủ a transito
l ú c c á c d i o t c ủ a n ó bị k h o a v à c h ú n g có g i á t r ị n h ỏ v ì l à d ò n g của các
h ạ t t h i ể u số. Đ ể đ o d ò n g d i ệ n d ư g i ữ a 2 cực của t r a n s i t o c ầ n đ ể hở điện
cực t h ứ ba h a y n ô i n ó qua Ì đ i ệ n t r ở t ớ i m ộ t t r o n g h a i cực k i a . C á c chỉ
sô k ý h i ệ u của c á c d ò n g đ i ệ n d ư g ổ m 3 c h ữ c á i sau k ý h i ệ u d ò n g đ i ệ n ì.
C h ữ c á i đ ầ u : đ i ệ n cực của t r a n s i t o đ ư ợ c n ố i t ớ i cực d ư ơ n g của
n g u ổ n cấp.
C h ữ c á i sau: đ i ệ n cực của t r a n s i t o n ố i t ớ i cực â m c ủ a n g u ổ n cấp.
C h ữ cái t h ứ 3: C á c h n ố i đ i ệ n cực t h ứ 3 ( k h ô n g n ê u t ê n đ i ệ n cực này)
O: Đ i ệ n cực t h ứ 3 đ ể h ở ( h ì n h 7.32 v à h ì n h 7.34)
S: đ i ệ n cực t h ứ 3 n ố i n g ắ n m ạ c h ( h ì n h 7.33)
R: Có đ i ệ n t r ở n ố i g i ữ a đ i ệ n cực t h ứ 3 v à đ i ệ n cực t h ứ 2 ( h ì n h 7.37)
V: có n g u ổ n p h â n cực p h ụ g i ữ a đ i ệ n cực t h ứ 3 v à đ i ệ n cực t h ứ 2
( h ì n h 7.35).
C á c d ò n g đ i ệ n d ư q u a n t r ọ n g n h ấ t v à c á c h đ o đ ư ợ c cho t r ê n các
h ì n h t ừ 7.32 đ ế n h ì n h 7.37, đ ó l à :
D ò n g d ư c o l e c t ơ - e m i t ơ k h i h ở m ạ c h bazớ: I E0 ( h ì n h
C 7.32)
D ò n g d ư c o l e c t ơ - e m i t ơ k h i n g ắ n m ạ c h bazơ: I C E S (hình 7.33)
D ò n g d ư e m i t ơ - b a z ơ k h i h ở m ạ c h colectơ: I E B 0 (hình 7.34)

138
 D ò n g d ư c o l e c t ơ - e m i t ơ k h i khoa diot emitơ: I V ( h ì n h 7.35)
C E

D ò n g d ư c o l e c t ơ - e m i t ơ v ớ i đ i ệ n t r ở giữa E B : I C E R ( h ì n h 7.36)
D ò n g d ư c o l e c t ơ - b a z ơ k h i hở m ạ c h e m i t ơ : I B0 ( h ì n h 7.37)
C

IỌẼỌ

Hở bazơ
© © 4 - € ) Ố Ỷ
t>CEO

Hình 7.32. Xác định Hình 7.33. Xác định Hình 7.34. Xác định
dòng d ư l . C E 0 dòng d ư l . CES dòng d ư l . E B 0

•^CBO

r ã ) Úc BO

V , 3
ƯCEvT RBE

Hở emito
Hình 7.35. Xác định Hình 7.36. Xác định Hình 7.37. Xác định
dòng dư l . C E V dòng d ư l . CER dòng d ư l . C B Q

7.8.2. C á c đ i ệ n á p n g ư ợ c

Để đ o d ò n g đ i ệ n d ư c ầ n đ ặ t c á c đ i ệ n á p n g ư ợ c v à c h ú n g có c ù n g
ký h i ệ u 3 chữ cái n h ư v ớ i d ò n g đ i ệ n dư. Ví d ụ k h i đo I C E V (hình 7.35)
điện á p cần t h i ế t đ ặ t v à o để đo d ò n g n à y trong đ i ề u k i ệ n khoa diot
emitơ được k ý h i ệ u là U C E V : đ i ệ n á p ngược giữa c o l e c t ơ - e m i t ơ k h i diot
e m i t ơ k h o a . M ỗ i đ i ệ n á p k h o a đ ề u có g i á t r ị g i ớ i h ạ n cho p h é p (xem
p h ầ n 7.12.2.1).

7.8.3. C á c đ i ệ n á p đ á n h t h ủ n g
Khi đ i ệ n á p n g ư ợ c v ư ợ t q u á g i á t r ị l ớ n n h ấ t cho p h é p , t i ế p x ú c p n
t r o n g t r a n s i t o b ị đ á n h t h ủ n g k i ể u i o n hoa vì va c h ạ m ( đ á n h thủng
t h á c ) , d ò n g đ i ệ n n g ư ợ c t ă n g m ạ n h . N ế u k h ô n g h ạ n c h ế được d ò n g đ i ệ n
n à y , t r a n s i t ơ sẽ b ị p h á h ỏ n g . Đ i ệ n á p đ á n h t h ủ n g l u ô n được cho v ớ i
m ộ t giá trị d ò n g đ i ệ n n h ấ t định. Đó là giá trị d ò n g m à t ớ i đó transito
c h ư a bị h ỏ n g .

139
 Có n h i ề u đ i ệ n á p đ á n h t h ủ n g k h á c Z.B J E 0 C
:2mA

n h a u t ư ơ n g t ự n h ư đ ị n h nghĩa đ ố i v ớ i — © -
d ò n g đ i ệ n d ư ở t r ê n . C á c h k ý h i ệ u có bổ Hở mạch
bazơ
s u n g t h ê m c h ữ c á i "BR" có nghĩa là (v) Ư|BR)CEo(ơ) —-
" đ á n h t h ủ n g " trước 3 chữ cái ký h i ệ u .
Ví d ụ : Đ i ệ n á p đ á n h thủng colectơ-
emitơ k h i hở mạch bazơ ký h i ệ u là
Hình 7.38. Xác định áp đánh thủng
U(BR)CE0- H ì n h 7.38 đ ư a r a m ạ c h đ o g i á
colectơ-emitơ u (BR)CEO-
trị U l B R ) C E O v ớ i dòng I C E 0 = 2mA.

7.9. T R Ạ N G THÁI ĐIÊU K H I Ể N Q U Á MỨC VÀ C Á C ĐIỆN Á P B Ã O HOA

Việc t ă n g điện áp U B E l à m d ò n g b a z ơ t ă n g v à t r a n s i t o bị đ i ê u k h i ể n
m ạ n h h ơ n , đ i ệ n trở đ o ạ n c o l e c t ơ - e m i t ơ t h ấ p x u ố n g l à m d ò n g colectơ
tăng, điện áp U C E x u ố n g t h ấ p cho đ ế n Ì giới h ạ n . Đ i ệ n trở colectơ-
omitơ nhỏ n h ấ t ứ n g với k h i đó đ i ệ n áp Ư C E n h ỏ n h ấ t cỡ 0,2V ( h ì n h 7.39)
gọi là đ i ệ n á p b ã o hoa (giữa colectơ v à e m i t ơ : Ư C E b ã o hoa). T ư ơ n g ứng
l ú c đó đ i ệ n á p b a z ơ - e m i t ơ c ũ n g đ ạ t b ã o hoa. T r ạ n g t h á i b ã o hoa của
t r a n s i t ơ đ ạ t được k h i U C E = U B E dẫn tới U C B = 0 ( h ì n h 7.40). Diot
c o l e c t ơ - b a z ơ k h ô n g còn bị khoa. K h i t i ế p tục t ă n g d ò n g I B (tăng U ),B E

U C E giảm nhỏ hơn U B E làm U C B < 0 v à diot B - C b ắ t đ ầ u d ẫ n đ i ệ n .

•12 V I

R =1kn
L
ƠCB=0
ƯCE=0.8V
- ó ƯBE=0.8V
ƯBE = 0.7V ƯCE = 7V
ƯBE = 0.9V ỠCE=0ÌV

JL Hình 7.4C. Chuyển tiếp pn bazơ-

colecto không có điện áp phán cực.
Hình 7.39. Tầng khoa transito với
trạng thái nòi mạch.

Trạng thái điều khiển quá mức đối với transito +0,7 V
xảy ra khi cả hai diot colectơ-bazơ và emitơ-
bazơ đều dẫn điện (mở) (hình 7.41). n p n
oy •7V
ơ t r ạ n g t h á i n à y , t r o n g t r a n s i t o bị t r à n õv -0.2V
n g ậ p h ạ t d ẫ n v à d ò n g b a z ơ v ư ợ t q u á m ộ t giá
Hình 7.41. Transito ỏ trạng
t r ị n g ư ỡ n g gọi là I bão hoi- B
thái bão hoa (nôi mạch).

140
 v ố i U : n g u ổ n cấp Ì chiều
B

R : đ i ệ n t r ở t ả i t r ê n c o l e c t ơ ( h ì n h 7.42)
L

B : h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n (Ì c h i ề u )
K h i ở t r ạ n g t h á i b ã o hoa đ i ệ n t r ở đ o ạ n c o l e c t ơ - e m i t d của t r a n s i t o
có g i á t r ị n h ỏ n h ấ t g ọ i l à đ i ệ n t r ở b ã o hoa.

liu
mÃ'
150

100

50

10 20 30 AO SO
V
Hình 7.42. Hyperbol tổn hao công suất.

7.10. CÔNG SUẤT TỔN HAO TRÊN TRANSITO

7.10.1. C ô n g s u ấ t t ổ n hao v à H y p e r b o l t ổ n hao

K h i t r a n s i t o l à m v i ệ c , n ă n g l ư ợ n g đ i ệ n được b i ế n đ ổ i t h à n h năng
l ư ợ n g n h i ệ t l à m n ó n ó n g l ê n . c ầ n p h â n b i ệ t c ô n g s u ấ t t ổ n hao giữa
colectơ-emitơ P C E v à giữa b a z ơ - e m i t ơ F :
BE

PCK =
U C E .I C

PBE
=
U B E .I B

C ô n g s u ấ t t ổ n hao c h u n g :

Ptot PCE PBE U I + U I

= + =
CE C BE B

Do le » In và U > U nên P » P , hay:

CE BE CE BE

Pto, * U . le CE

Tham số giới hạn đối với transito là công suất tổn hao cực đại cho
p h é p t r o n g đ i ề u k i ệ n được l à m m á t . V ớ i m ỗ i g i á t r ị U C E có t h ể t í n h dược
m ộ t giá trị d ò n g colectơ lớn nhất: I C m a x , m ỗ i cặp g i á t r ị đ ã có x á c đ ị n h

141
được Ì đ i ể m t r ô n đ ặ c t u y ế n I - U c C E v à k ế t q u ả sẽ t h u được m ộ t đ ư ờ n g
cong d ạ n g H y p e r b o l g ọ i l à H y p e r b o l c ô n g s u ấ t t ổ n hao ( h ì n h 7.42).
Ví dụ: M ộ t t r a n s i t o có c ô n g s u ấ t t ổ n hao cực đ ạ i cho p h é p là
P. ot = 5 W t r o n g đ i ề u k i ệ n được toa n h i ệ t . V ớ i m ộ t s ố g i á t r ị U C E , có giá
trị I C m u x t ư ơ n g ứ n g t r ê n b ả n g sau:
=
U . Icmax
CE
U C E (V) Icmax(mA) Ptot(W)
10 500 5
Cmax Ư 20 250 5
CE
30 167 5
40 125 5
K h i đ ó H y p e r b o l t ổ n hao có d ạ n g h ì n h 7.43.

Điểm làm việc của 1 transito trong suốt thời gian làm việc luôn phải
nạm dưới Hyperbol tổn hao. Nếu nạm trên transito sẽ bị quá nhiệt và
bị phá huỷ.

Hình 7.43. Xác định Hyperbol công suất tổn hao.

7.10.2. L à m m á t c h o t r a n s i t o

C ô n g s u ấ t t ổ n hao cực đ ạ i cho p h é p P t o t p h ụ t h u ộ c v à o n h i ệ t đ ộ lớp

k h o a , n g h ĩ a l à n h i ệ t l ư ợ n g ( t í n h t r ê n Ì đ ơ n v ị d i ệ n t í c h ) t r o n g Ì đ ơ n vị
thời gian.

Hệ số dẫn nhiệt G là nhiệt lượng toa ra trong 1 đơn vị thời gian trong
th

điều kiện có chênh lệch nhiệt độ nhất định giữa lớp khoa và mỏi trường
làm mát.

N g h ị c h đ ả o của h ệ s ố d ẫ n n h i ệ t được đ ị n h nghĩa l à đ i ệ n t r ở n h i ệ t R^.

Gia số nhiệt đ ộ giữa lớp chắn và m ô i trường l à m m á t
R.
N h i ệ t lượng toa ra trong Ì đ ơ n vị t h ờ i gian

142
 K h i n h i ệ t l ư ợ n g toa r a t r o n g Ì đ ơ n v ị t h ờ i g i a n c â n b ằ n g v ố i n h i ệ t
l ư ợ n g s i n h r a t r o n g t h ò i g i a n ấ y t h ì n h i ệ t đ ộ của t r a n s i t o k h ô n g t ă n g
nữa. N h i ệ t l ư ợ n g s i n h r a do P tot quyết định.

p„

Tj-T x

P,o, =
Ru,

(đơn v ị đ o của đ i ệ n t r ở n h i ệ t °C/W)

Tj! n h i ệ t đ ộ cao n h ấ t cho p h é p của lớp k h o a
T : n h i ệ t đ ộ của m ô i t r ư ờ n g l à m m á t
x

M ô i t r ư ờ n g l à m m á t có t h ể l à vỏ của t r a n s i t o , k h ô n g k h í bao q u a n h
t r a n s i t o h a y c á c p h i ê n l à m m á t g ắ n c ù n g vỏ t r a n s i t o . T ừ đ ó có c á c l o ạ i
điện trở n h i ệ t k h á c nhau:
R t h C : Đ i ệ n t r ở n h i ệ t g i ữ a lớp k h o a v à vỏ t r a n s i t o
R t h G K : Đ i ệ n trở n h i ệ t giữa vỏ transito và các p h i ế n l à m m á t .
R t h K : Đ i ệ n t r ở n h i ệ t g i ữ a p h i ế n l à m m á t v à k h ô n g k h í bao q u a n h .
T r o n g đ i ê u k i ệ n có h ệ t h ố n g toa n h i ệ t đ ầ y đ ủ t h ì đ i ệ n t r ỗ n h i ệ t
tổng cộng:

Rthg =
RthG + RthGK RthK +

R t h G t h ư ờ n g x á c đ ị n h t ừ d ữ l i ệ u có s ẵ n của t r a n s i t o sử d ụ n g
R t h K là g i á t r ị đ ị n h m ứ c của c á c p h i ê n l à m m á t .
RthGK p h ụ t h u ộ c đ i ề u k i ệ n k ế t c ấ u l ắ p r á p v à t h ư ờ n g d ù n g l o ạ i v ậ t
l i ệ u d ẫ n n h i ệ t t ố t đ ể có g i á t r ị RthGK hợp lý.

Transito càng được làm mát tốt thì công suất P tot càng lớn.

Ví dụ: V ớ i t r a n s i t o c ô n g s u ấ t B D 1 0 7 n h i ệ t đ ộ cao n h ấ t của lớp

khoa là 1 7 5 ° c . Đ i ệ n t r ở n h i ệ t R t h G = 12°CAV.
P h i ế n toa n h i ệ t được sử d ụ n g có R t h K = l , 5 ° c / w được c á c h đ i ệ n v ớ i
vỏ t r a n s i t o b ằ n g c á c t ấ m m i c a . RthGK - 0 , 5 ° c / w x á c đ ị n h c ô n g s u ấ t t ổ n
hao l ớ n n h ấ t k h i n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g t ố i đ a l à 3 5 ° c .

RthG =
RthG +
RthK +
RthGK
= 12°c/w + l,5°c/w + 0,5°c/w = 14°c/w

143
 T.-T, 175"c-35 c ( )
140
p _ J u
w
* loi R. 14°c/w ~~\Ã

P,ot=10W
N ế u t r a n s i t o k h ô n g được l à m m á t n h ò l ắ p c á c p h i ế n toa n h i ệ t , tức
là vỏ t r a n s i t o t i ế p x ú c t r ự c t i ế p v ớ i k h ô n g k h í , sử d ụ n g đ i ệ n t r ở nhiệt
R l h u sẽ t í n h được P tot có g i á t r ị t h ấ p h ơ n :
R t h u = Đ i ệ n t r ở n h i ệ t lớp k h o a v à m ô i t r ư ờ n g k h ô n g k h í
VỚI B D 1 0 7 có R l h u = 40°c/w
T;-T„ 175 c-35°c
( )
140
p _ _J ĨL w
40"c/w " 40
P =3,5W
tot

7.11. Ả N H H Ư Ở N G C Ủ A N H I Ệ T Đ Ộ VÀ ỒN ĐỊNH N H I Ệ T Đ I Ế M LÀM VIỆC

P h ầ n lớn các t h a m s ố của t r a n s i t o bị p h ụ t h u ộ c n h i ệ t độ. Các đường

đặc t u y ế n bị dịch theo n h i ệ t độ, đặc b i ệ t đặc t u y ế n v à o I - Ư B B E ( h ì n h 7.44).

Vôi cùng 1 giá trị điện áp U BE khi nhiệt độ tăng dòng bazơ tăng.
N g h ĩ a l à k h i bị n ó n g l ê n , d ò n g c o l e c t ơ t ă n g v à đ i ể m l à m việc A bị
t r ô i l ê n theo đ ư ờ n g t h ẳ n g ( đ ư ờ n g t ả i Ì c h i ề u - x e m h ì n h 7.24). N h ò sử
d ụ n g đ i ệ n trở R ( h ì n h 7.45) đ i ế m l à m v i ệ c được ổ n đ ị n h x u n g q u a n h A.
E

-°*12V
IIQÍ

= 25°c

/ƯBE/

Hình 7.44. Đổ thị của đặc tuyên vào Hình 7.45. Ôn định điểm làm việc
do ảnh hưởng của nhiệt độ. nhờ điện trỏ R . E

U =U2 B E + U E

U B E = U - U Ẽ = 1 , 7 V - I V = 0,7V
a

Do bị n ó n g I E t ă n g t ớ i 10,5mA. K h i đ ó U R = E 1.05V
U K = I . R E = l Ũ , 5 m A . 1 0 0 Q = 1,050V
E E

144
 Thực t ế u 2 k h ô n g đ ổ i k h i đó U B E còn l ạ i :
Ũ B E = ư 2 - U E = 1.7V - 1.05V = 0 , 6 5 V
*
Việc n h i ệ t độ t ă n g đ i ề u chỉnh l ạ i (làm giảm) U n h ò có R , do đ ó
B E E

ổ n đ ị n h được đ i ể m l à m v i ệ c của t r a n s i t o . Đ ể t r á n h g â y t á c đ ộ n g ở c h ê
độ xoay c h i ề u , c ầ n n ố i C E có g i á t r ị đ ủ l ớ n song song R E để n é n tín hiệu
xoay c h i ề u t r ê n R ( h ì n h 7.46). M ộ t c á c h k h á c đ ể ổ n đ ị n h n h i ệ t l à d ù n g
E

bộ c h i a á p p h ụ t h u ộ c n h i ệ t đ ộ ( h ì n h 7.47). K h i đ ó m ộ t đ i ệ n t r ở n h i ệ t
l o ạ i N T C được n ố i song song v ớ i R . Đ i ệ n t r ở n h i ệ t N T C p h ả i có c ù n g
2

n h i ệ t đ ộ của vỏ t r a n s i t o tức là được g ắ n t r ự c t i ế p v ớ i colectơ của t r a n s i t o .

Khi n h i ệ t độ t ă n g lên, giá trị N T C giảm l à m đ i ệ n trở t ư ơ n g đương
R // R
2 N T C giảm, dẫn tới U B E giảm.

Hình 7.46. Chống hổi tiếp xoay chiều Hình 7.47. ổ n định điểm làm việc
trên R nhò tụ thoát C .
E E
dùng nhiệt điện trở nóng (NTC).

7.12. T Ạ P ÂM C Ủ A T R A N S I T O

7.12.1. N g u y ê n n h â n p h á t s i n h t ạ p â m
C h u y ể n đ ộ n g của h ạ t d ẫ n đ i ệ n t r o n g m ạ n g t i n h t h ể chịu ả n h h ư ở n g
của dao đ ộ n g n h i ệ t của m ạ n g t i n h t h ể n ê n k h ô n g ổ n đ ị n h . N g h ĩ a l à
d ò n g đ i ệ n l u ô n có m ộ t đ ộ t h ă n g g i á n g n h ỏ do n g u y ê n n h â n n à y v à được
gọi là d ò n g t ạ p â m .
Mọi dòng điện đều có 1 phần là dòng tạp âm.
P h ầ n d ò n g t ạ p â m c h ả y qua Ì đ i ệ n t r ở R g â y r a đ i ệ n á p t ạ p â m . T ừ
đó c ô n g s u ấ t t ạ p â m được x á c đ ị n h b ở i t í c h s ố h a i g i á t r ị h i ệ u d ụ n g của
dòng và áp tạp âm:

145
10-LKĐ
 p = u, .I
r r

P : công suất tạp âm.

r

U : điện áp tạp â m h i ệ u dụng.

r

I :
r dòng điện tạp â m h i ệ u dụng.

7.12.2. Điện trở tạp âm

C ô n g s u ấ t t ạ p â m t r ê n Ì đ i ệ n t r ở R l u ô n được t í n h t r o n g Ì d ả i t ầ n
sôI b c ầ n q u a n t â m :

P r R = 4.k.T.b

P : c ô n g s u ấ t t ạ p â m của Ì đ i ệ n t r ở .
rR

Ws
k: hằng số Boltzmann k = Ì, 38.10~ 23 Ws

Kelvin K
T: n h i ệ t độ t u y ệ t đ ố i (Kelvin).
b: d ả i t ầ n số đ a n g xét.
0 n h i ệ t độ p h ò n g ~ 20°c 4 k T = l 6 l o -20

Đ i ệ n á p t ạ p â m ( l ú c bở m ạ c h ) được x á c đ ị n h t r ê n đ i ệ n t r ở R, (nội
t r ợ của n g u ổ n t í n h i ệ u ) :

UR=V ,R- , = V - ,
P R 4kTb R

7.12.3. Hệ sô tạp âm và mức tạp âm

Đ i ệ n á p t ạ p â m x u ấ t h i ệ n t r o n g n g u ổ n t í n h i ệ u đ ư ợ c t r a n s i t o đón
n h ậ n v à k h u ế c h đ ạ i l ê n b ê n c ạ n h c ô n g s u ấ t t ạ p â m của t i n h t h ể l à m
transito.
Nếu ký hiệu P R 1 là p h ầ n công suất t ạ p â m của n g u ổ n t í n h i ệ u .
Vp l à h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i c ô n g s u ấ t của t r a n s i t o
PRT l à c ô n g s u ấ t t ạ p â m do t r a n s i t o g â y r a ,
t h ì c ô n g s u ấ t t ạ p â m t ạ i l ố i r a của t r a n s i t o được x á c đ ị n h b ở i :
PRT2 - PRI-V,, + P R T

N ế u k ý h i ệ u P = P R I V (là c ô n g s u ấ t t ạ p â m ở l ố i r a k h ô n g p h ả i do
R 2 P

t r a n s i t o g â y ra) t h ì h ệ s ố t ạ p â m F được đ ị n h n g h ĩ a :

p p V + p
r
p _ RT2 . RI' p RT
P P Vp
R2 Rl

146
 H ộ sô t ạ p â m F là t ỷ s ố c ô n g s u ấ t t ạ p â m t ổ n g cộng ở l ố i r a t r a n s i t o
với c ô n g s u ấ t t ạ p â m có n g u ổ n gốc k h ô n g p h ả i của t r a n s i t o

im = F.P R2 = F. P . V p
R1

F= 1+ • RT
R .Vp
R1

N ế u Ì t r a n s i t o lý t ư ở n g k h ô n g có t ạ p â m P R T = 0; F = Ì
T r a n s i t o t h ự c t ế l u ô n có F >1 ( t h ư ờ n g F = 1,4 t ớ i 10). F có t h ể d ù n g
trong t h a n g logarit:

F* = 10 \ g ( ^ )
(dB)
R2

F* được đ ị n h n g h ĩ a là mức t ạ p â m t í n h theo đ ơ n vị dexibel, giá t r ị

t h ư ờ n g gặp F* = l , 5 d B đ ế n lOdB.

Tạp âm của một transito càng nhỏ khi hệ số tạp âm F và mức tạp âm p
của nó càng bé.

F v à F* có g i á t r ị p h ụ t h u ộ c l o ạ i t r a n s i t o , v à o đ i ể m l à m việc đ ã
chọn của transiLo. V ớ i d ò n g I n h ỏ , F v à F* n h ỏ v à t ă n g l ê n k h i I
c c tăng.
K h i t í n h i ệ u t á c đ ộ n g v à o t r a n s i t o có cường độ n h ỏ , t ạ p â m có v a i t r ò
quan t r ọ n g t ớ i mức có t h ể l ấ n á t t í n h i ệ u .

Giá trị của điện áp tạp âm xác định mức tín hiệu có nghĩa nhỏ nhất (độ
nhậy) tại đầu vào của transito.

G i á t r ị của đ i ệ n á p t ạ p â m có t h ể t í n h được t ừ c ô n g s u ấ t t ạ p â m .
T h ư ờ n g g i ả t h i ế t t r a n s i t o là lý t ư ở n g k h ô n g có t ạ p â m , c ô n g s u ấ t t ạ p
â m của n g u ổ n t í n h i ệ u P R 1 đ ã b i ế t (do n ộ i trở của n g u ổ n t í n h i ệ u t ạ o r a
t ừ d ò n g t ạ p â m của n g u ổ n ) được t h a y t h ế t h à n h P ER1 .

p = FP R 2
r
RT2
p p
RT2 _ p R2 r
—> p ., = F p
Vp Vp ERÌ - Rl
1 r

(P R1 là c ô n g s u ấ t t ạ p â m l ố i v à o t ư ơ n g đ ư ơ n g k h i coi t r a n s i t o là lý
E

t ư ở n g tức là bỏ qua P R T và thay P R1 b ằ n g P Ri).

E

Công suất tạp âm thay thế bạng tích số công suất tạp âm của nguồn tín
hiệu tác động transito với hệ số tạp âm.

147
Ví dụ: V ớ i t r a n s i t o B S Y 52 có mức t ạ p â m 6dB v à h ệ s ố t ạ p â m F - 4 điện
trở t r o n g ( n ộ i t r ở ) của n g u ổ n t í n h i ệ u là lOkQ. TraĩLSÌto l à m v i ệ c ở d ả i tần
s ô ' 0 H z đ ế n 2 0 k H z v ớ i h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i công s u ấ t Vp = 4000.
a) T í n h c ô n g s u ấ t t ạ p â m v à đ i ệ n á p t ạ p â m h ở m ạ c h ( t ạ i n h i ệ t độ
p h ò n g ) của đ i ệ n t r ở t r o n g của n g u ổ n t í n h i ệ u .
b) T í n h c ô n g s u ấ t t ạ p â m l ố i v à o b i ế t đ i ệ n t r ở v à o r B E = lOkQ.
c) T í n h c ô n g s u ấ t t ạ p â m t ạ i l ố i ra?
Giải:

a) P rR = 4.kT.b = 1,6.10- (W ).20.10 - 20

S
3

32.10" w = 320.10- w
1 7 1 8

U r R = VP r R .Ri = V 3 2 Õ Ĩ Õ I ĩ r T
Ĩ0 V

U..R = 17,89.10_ V = l , 7 8 9 n V 7

' b) Đ i ệ n á p t ạ p â m t ạ i l ố i v à o của t r a n s i t o k h i có p h ố i hợp trở k h á n g

(R,= r B E =10kQ) U K 1 = l/2U . r R

u.
ư - ^ = 0,8445|iV
UI

C ô n g s u ấ t t ạ p â m t a i l ố i v à o của t r a n g t o P R 1 bằng — P l R

ư Ì Ì
rR w
RI lo 4

BB ) V
P R 1 = 0,8.10" w = 80.10" w 16 18

c) P K T 2 = F.P .Vp = 4.80.10- w.4000

R1
18

= 1.280.000.10" w 18

= l,28.10" w 1 2

P R T 2 = l,28pW.

7.13. C Á C T H Ô N G s ố C Ủ A T R A N S I T O

7.13.1. C á c t h a m s ô đ ị n h mức

T h a m s ố đ ị n h m ứ c t h ể h i ệ n c á c t í n h c h ấ t k h i l à m v i ệ c của t r a n s i t o .

7.13.1.1. Tham sô định múc tín hiệu (xoay chiều)

( 0 đ â y c h ỉ đ ư a r a c á c t h a m s ố xoay c h i ề u t r o n g c á c h m ắ c É C ) .

148
 Đ i ệ n trở vào vi p h â n BE - h u ê
r

Ì
Điện trở ra vi phân CE r -

*22i:
H ộ số khuếch đ ạ i dòng điện vi phân: p= h 2 1 e

H ệ s ố g h é p ngược (hộ s ố h ổ i t i ế p ) v i sai: D = h,2e-

C á c t h a m s ố xoay c h i ề u chỉ x é t ở l â n c ậ n Ì đ i ể m l à m v i ệ c x á c đ ị n h
của t r a n s i t o .

7.13.1.2. Quan hệ 1 chiểu

H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n Ì c h i ề u là t ỷ s ố d ò n g đ i ệ n Ì c h i ề u

colectơ v à b a z ơ
ỉn

G i á t r ị của B do đ i ể m l à m việc Ì c h i ề u của t r a n s i t o (tức là do U C E ,

I ) q u y ế t đ ị n h v à t h a y đ ổ i theo vị t r í đ i ể m l à m v i ệ c của t r a n s i t o .
c

7.13.1.3. Các dòng điện dư và các điện áp đánh thủng

N h ó m t h a m s ố d ò n g d i ệ n d ư v à đ i ệ n á p đ á n h t h ủ n g đ ã được đ ị n h
nghĩa c h i t i ế t t r o n g p h ầ n 7.8 v à được cho t r o n g c á c d ữ l i ệ u v ề t r a n s i t o
do n h à sản x u ấ t c u n g cấp.

7.13.1.4. Điện dung lớp khoa

Đ i ệ n d u n g lớp k h o a được x á c đ ị n h t ạ i Ì đ i ệ n á p k h o a n h ấ t đ ị n h . Ví
d ụ : Đ i ệ n d u n g c o l e c t ơ - b a z ơ ( k h i E hở m ạ c h , U C B = 10V).
Crno=6pF
Điện dung emitơ -bazơ
(Colectơ h ở m ạ c h , U E B = 0,5V) C E B 0 = 25pF

7.13.1.5. Các tần sô giới hạn

C á c đ i ệ n d u n g lớp k h o a ả n h h ư ở n g t ớ i giới h ạ n t ầ n s ố cao. Khi
t r a n s i t o l à m việc, t ầ n s ố t í n h i ệ u v à o t ă n g l à m c á c h ệ s ố p v à oe g i ả m

í _ C
A I
n . A I
C
AI F AI E

• T ầ n s ố k h u ế c h đ ạ i đ ơ n vị là t ầ n s ố t ạ i đó p = Ì
f(P = 1)
• T ầ n s ố quy đ ổ i f là m ộ t đ ạ i lượng d ù n g cho việc t í n h t o á n là tích
T

số của h ệ s ố p v à t ầ n s ố t ạ i đó đo p ( t ạ i f đo được Px): x

fl = fx- Px

149
 • T ầ n s ố g i ớ i h ạ n t r ê n : Theo đ ị n h n g h ĩ a c á c g i á t r ị cc . Po được đo 0

t ạ i f = 1kHz
0

P(fo = 1 0 H z ) = p 3
o

a ( f = 10 Hz) = P
o
3
o

K h i đó

f a v à fp l à c á c t ầ n s ố g i ớ i h ạ n cao n h ấ t k h i l à m v i ệ c v ớ i t í n hiệu
xoay c h i ề u đ ố i v ớ i t r a n s i t o
C h ú ý r ằ n g : Ịf» = Ị3f . B

7.13.1.6. Các điện trở nhiệt (xem phần 7.10.2)

R t h U : đ i ệ n t r ở n h i ệ t g i ữ a lớp k h o a - m ô i t r ư ờ n g k h ô n g k h í
R t h G : đ i ệ n t r ở n h i ệ t g i ữ a lớp k h o a - v ỏ t r a n s i t o .

7.13.1.7. Mức tạp âm (xem phần 7.12)

T ạ p â m c ủ a Ì t r a n s i t o được đ á n h g i á qua m ứ c t ạ p â m F * = 101gF
và càng nhỏ c à n g tốt.

7.13.1.8. Thời gian chuyển mạch của transito

K h i đ i ê u k h i ể n t r a n s i t o t ừ t r ạ n g t h á i n g ắ t m ạ c h s a n g n ố i mạch,
c ầ n có m ộ t t h ò i g i a n t n ố i đ ể h o à n t h à n h (được x á c đ ị n h t ừ l ú c giá trị
t h a m sô r a - n h ư đ i ệ n á p r a c h ă n g h ạ n - t h a y đ ô i t ừ 90% đ è n 10% giá
t r ị t ố i đ a ) . T ư ơ n g t ự k h i đ i ề u k h i ể n t r a n s i t o t ừ t r ạ n g t h á i n ố i m ạ c h đến
t r ạ n g t h á i n g ắ t m ạ c h , t h ờ i gian c ầ n t h i ế t đ ể h o à n t h à n h c ô n g việc lật
là t át ( t í n h t ừ l ú c đ i ệ n á p r a đ ạ t 10% đ ế n l ú c đ ạ t 90% g i á t r ị cực đ ạ i ) .
ng

T h ò i g i a n c h u y ể n m ạ c h của t r a n s i t o c h í n h l à t h ờ i g i a n t r ễ l ú c được
điều k h i ể n để thay đ ổ i t r ạ n g t h á i luôn gổm hai giá trị t n ố i và t n g ắ t . Do
t í n h c h ấ t v ậ t lý của c h ấ t b á n d ẫ n t i n h t h ể , t h ư ờ n g t n g á t lớn hơn t n ố i vài
l ầ n . T h ờ i g i a n t r ễ được x á c đ ị n h l à t r u n g b ì n h c ộ n g c ủ a h a i g i á t r ị t r ê n :

t , + t ,,
nôi ngát

150
7.13.2. C á c t h a m s ô g i ớ i h ạ n c ủ a t r a n s i t o
Các tham sổ giới hạn là các giá trị tối đa cho phép và không được vượt
quá trong mọi tình huống làm việc của transito.

• Đ i ệ n á p n g ư ợ c cực đ ạ i cho p h é p : U C B 0 , Ư C E O , U E B 0 , U C E S .
• D ò n g cực đ ạ i cho p h é p :
I C m f l X : d ò n g colectơ cực đ ạ i cho p h é p ở c h ế đ ộ l à m v i ệ c l â u d à i .
I C M : d ò n g đ ỉ n h cho p h é p ở c h ê độ l à m v i ệ c x u n g ( t h ờ i g i a n
l à m việc n g ắ n < lOms).
I B m a x : d ò n g b a z ơ l ớ n n h ấ t cho p h é p ở c h ế đ ộ l à m v i ệ c l â u d à i .
C ô n g s u ấ t t ô n hao cực đ ạ i cho p h é p :
P C E ( g i ữ a colectơ—emitơ)
. P B E (giữa b a z ơ - e m i t ơ )

Ptot PcE PBE ~ PcE-

= +

Chú ý P tôt p h ụ t h u ộ c v à o đ i ề u k i ệ n l à m m á t ( đ i ề u k i ệ n toa n h i ệ t ) .

• N h i ệ t đ ộ l ớ n n h ấ t cho p h é p
Với l o ạ i t r a n s i t o có n g u ổ n gốc Ge T m a x (còn k ý h i ệ u Tj) » 9 0 ° c .
Với l o ạ i có n g u ổ n gốc S i T m a x « 200°c.
Dải n h i ệ t đ ộ b ả o q u ả n - 6 0 ° c - 2 0 0 ° c v ớ i t r a n s i t o Si v à - 3 0 ° c đ ế n
+ 7 5 ° c v ớ i t r a n s i t o Ge.

7.13.3. D ữ l i ệ u c ủ a t r a n s i t o

C á c t h ô n g số, đ ặ c t í n h của t r a n s i t o t h ư ờ n g được cho d ư ớ i d ạ n g c á c

b ả n g v à đ ổ t h ị đ ể n g ư ờ i sử d ụ n g t r a cứu, t í n h t o á n hoặc t r u y cập t h ô n g
tin m ộ t cách tổng hợp v à đ ầ y đủ.

7.14. MỘT VÀIỨNG DỤNG CỦA TRANSITO

7.14.1. T ầ n g k h o a c h u y ể n m ạ c h |*12V
d ù n g t r a n s i t o (hình 7.48) í|R r240n L

T r a n s i t o t r o n g h ì n h 7.48 chỉ
có t h ể ở m ộ t t r o n g 2 t r ạ n g t h á i :
Khi không có tín hiệu tác
động t ạ i l ố i vào: Transito ở t r ạ n g
t h á i n g ắ t m ạ c h ( t r ạ n g t h á i 1):
I R = 0; U B E = 0; I = 0
c

R * 100MQ; U = U = +12V Hình 7.48. Tầng khoa dùng transito.

C E C E B

151
 K h i có Ì x u n g đ i ệ n á p d ư ơ n g k h o ả n g v à i V t á c đ ộ n g t ạ i l ố i v à o transito
ở t r ạ n g t h á i 2 là t r ạ n g t h á i nối mạch.
Với Ư v à 0 = 3.9V ; R = 3 k Q t h ì : v

I = l m A U„E = 0,9V ; R
B C E * 4Q Ư C E * 0.2V
ư, 12V
= 50mA
R L 240Q

ở c h ế độ khoa c h u y ể n mạch,
đ i ể m l à m v i ệ c của t r a n s i t o t r ê n
đổ t h ị đặc t u y ế n I - U c C E chỉ có
t h ổ ở vị t r í P j (cho t r ạ n g t h á i 1)
h o ặ c vị t r í P 2 (cho t r ạ n g t h á i 2)
thể hiện trên hình 7.49. Thòi
g i a n p , -> p l à t 2 n ố ị và P 2 -> Pj là
t át t ừ v à i
ng yis đ ế n v à i p h ầ n ns.
C ầ n c h ọ n Rị sao cho R[ > R min- L

u Hình 7.49. Đặc tuyến ra của 1 transito khoa.

K h i đ ó ì. < đế đ ả m Các điểm làm việc đặc trưng p, hoặc P . 2
Lmax
b ả o a n t o à n v ề d ò n g đ i ệ n cho t r a n s i t o l ú c n ố i m ạ c h .
H ì n h 7.50 l à m ộ t m ạ c h h ạ n c h ê á n h s á n g d ù n g m ộ t k h o a transito.
Đ i ệ n t r ở q u a n g R = 1 0 M Q l ú c k h ô n g được c h i ế u s á n g (còn g ọ i là giá trị
F

đ i ệ n t r ở l ú c t ố i ) v à b ằ n g l k Q l ú c được c h i ê u s á n g v ớ i c ư ờ n g đ ộ thích
h ợ p . Đ i ệ n t r ở n h á n h t r ê n n h ư v ậ y có 2 t r ạ n g t h á i : l ú c t ố i có g i á t r ị
Ri + R F = 47kQ + 10MQ r ấ t lớn l à m đ i ệ n á p b a z ơ - e m i t ơ U B E « 0,
t r a n s i t o n g ắ t m ạ c h ( k h ô n g có d ò n g đ i ệ n q u a r ơ l e ) .
L ú c được c h i ế u s á n g :

R, + Rị- - 4 8 k Q , đ i ệ n á p cực b a z ơ -
18V
emitơ U R F =— ° - R *0,9V 7 làm
(R +R ) + R 1 F 2

transito nối mạch, có d ò n g đ i ệ n qua

rơle đ i ề u k h i ể n công tắc chuyển mạch.

„ Hỉnh 7.50. Tầng khoa transito

7.14.2. B ộ k h u ế c h đ ạ i d ù n g t r a n s i t o điểu khiển nhà ánh sáng.
B ộ k h u ế c h đ ạ i có n h i ệ m v ụ l à m t ă n g t í n h i ệ u v à o ( đ i ệ n á p . d ò n g
đ i ệ n h a y c ô n g s u ấ t ) được t h ự c h i ệ n n h ò m ộ t h o ặ c v à i t r a n s i t o m ắ c liên
t i ế p n h a u (gọi là bộ k h u ế c h đ ạ i Ì t ầ n g hay k h u ế c h đ ạ i n h i ề u t ầ n g ) .

152
7.14.2.1. H ì n h 7.51 là m ạ c h n g u y ê n lý Ì bộ k h u ế c h đ ạ i mắc É C g ổ m Ì t ầ n g .
R j v à R g i ú p v i ệ c c h ọ n đ i ể m l à m v i ệ c Ì c h i ề u cho t r a n s i t o . ơ c h ế có t í n
L

h i ệ u ( c h ế đ ộ xoay c h i ề u ) Rị t h a m gia v à o đ i ệ n t r ở v à o xoay c h i ề u v à R L

t h a m gia v à o t ả i xoay c h i ề u của bộ k h u ế c h đ ạ i . M ộ t sự t h a y đ ố i n h ỏ

của d ò n g b a z ơ d ẫ n t ố i v i ệ c đ i ề u k h i ể n v à t ạ o r a m ộ t sự t h a y đ ô i l ớ n của
d ò n g c o l e c t ơ t ạ o r a h i ệ u ứ n g k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n của t r a n s i t o . T ư ơ n g
ứ n g l à c á c q u a n h ệ đ i ệ n á p xoay c h i ề u b a z ơ v à c o l e c t ơ . T r o n g k h i sự
b i ế n t h i ê n c á c d ò n g đ i ệ n l à đ ổ n g pha t h ì sự b i ế n t h i ê n c á c đ i ệ n á p ở
colectơ v à ở hív/.ơ là n g ư ợ c pha n h a u ( h ì n h 7.52). Đ i ệ n t r ở v à o v i p h â n
của m ạ c h k h u ế c h đ ạ i :

ũI u ị h J

ĩ.
1 11 hclụng

Đấu vào lú.

Hình 7.51. Tầng khuếch đại dùng transito (mắt ÉC).

ở đ â y Ũ! v à iị là b i ê n đ ộ đ i ệ n á p v à

dòng đ i ệ n t ạ i l ố i v à o . ù v à2 ĩ l à b i ê n độ
2

đ i ệ n á p và d ò n g đ i ệ n xoay c h i ề u t ạ i l ố i ra.
Điện trở ra vi phân của mạch
khuếch đai:

2hJ
ì
2hd

Coi t ầ n g k h u ế c h đ ạ i n h ư Ì m ạ n g
Hình 7.52. Đổ thị thòi gian diện
4 cực h ì n h 7.53, các t h ô n g số quan
áp ra của tầng khuếch dại ÉC.
t r ọ n g của m ạ n g là:

153
 H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n V,
H ệ số khuếch đ ạ i đ i ệ n áp V u

Đ i ệ n t r ở v à o xoay c h i ề u r e

Đ i ệ n trở ra xoay c h i ề u r
Hình 7.53. Transito như một
a

Góc dịch pha (giữa U 2 và Ui) ọ mạng 4 cực.

7.14.2.2. Bộ khuếch đại nhiêu tầng

K h i c ầ n m ứ c t í n h i ệ u r a l ớ n , c ầ n d ù n g n h i ề u t r a n s i t o m ắ c l i ê n tiếp
nhau, k h i đó: V = V .V .V
u u l u 2 u 3

Vi = v ũ . v . v . .
i a i 3

( H ì n h 7.54 v à 7.55)

Vui =100 i v =100

u2
Ị v =100
u3

i •4
1pV 100 ịN 10mV 1V
Hình 7.54. Mạch khuếch dại transito dùng 3 tầng.

Tâng 1 I Tầng 2 I Tầng 3

Hình 7.55. Bộ khuếch đại 3 tầng dùng transito.
Các tầng khuếch đại -o»9V
được g h é p v ớ i n h a u qua tụ
( h ì n h 7.55) hay ghép trực 0
Ũ
t i ế p ( h ì n h 7.56). K h i g h é p
theo h ì n h 7.56 bộ k h u ế c h
đ ạ i có t h ể l à m v i ệ c v ớ i t í n
hiệu vào có t ầ n số bằng
í
0 H z ( g ọ i là bộ k h u ế c h đ ạ i Ì
chiều). Còn cách g h é p d ù n g Hình 7.56. 3 tầng khuếch đại transito
ghép đặc tuyến.
t ụ h ì n h 7.55 h a y d ù n g b i ế n
áp, t ầ n số l à m việc k h ô n g xuống đ ế n 0Hz gọi c h u n g là các bộ khuếch
đ ạ i xoay c h i ề u .

154
7.14.3. C á c c á c h m ắ c Tr t r o n g b ộ k h u ế c h đ ạ i
T ổ n t ạ i 3 k i ể u m ắ c t r a n s i t o t r o n g m ạ c h k h u ế c h đ ạ i v à do đ ó có 3
d ạ n g m ạ c h k h u ế c h đ ạ i t h ư ờ n g gặp là: t U

• M ạ c h k h u ế c h đ ạ i mắc emitơ
chung (mạch ÉC) n h ư t h ể hiện ở
h ì n h 7.57. K h i đ ó cực E được d ù n g c 2

c h u n g cho l ố i v à o v à l ố i r a .
• M ạ c h k h u ế c h đ ạ i mắc bazơ Đầu ra
Đầu vào *2
c h u n g ( m ạ c h BC) — h ì n h 7.58.
• M ạ c h k h u ế c h đ ạ i mắc colectơ
chung ( m ạ c h c o - h ì n h 7.59. Hình 7.57. Mạch khuếch đại mát ÉC.

*1>B

Đầu vào Ị K c, "cũ Đầu ra Gỉ

lili Đầu vào
•R • Đầu ra
. 2 Ri r
li ỉ
•Ũ
Hình 7.58. Mách khuếch đại mắt BC. Hình 7.59. Mạch khuếch đại mắt c c .

C h ú ý r ằ n g c á c q u a n h ệ d ò n g đ i ệ n v à o , d ò n g đ i ệ n ra, đ i ệ n á p v à o
v à đ i ệ n á p r a v ớ i m ỗ i k i ể u m ắ c l à k h á c n h a u . Ví d ụ t r o n g k i ể u m ắ c É C :
Ivào — I B U v à o = UjỊE
Ira = le u r a = U C E

Còn trong k i ể u mắc BC thì:

Ivào — I E U v à o = U E B

Ira — le U r a - U C B

CÂU H Ỏ I ÔN TẬP - BÀI T Ậ P

1. V ẽ c ấ u t ạ o t r a n s i t o pnp. N ê u t ê n c á c cực v à v ù n g b á n d ẫ n t ư ơ n g ứ n g .
2. V ẽ c ấ u t ạ o t r a n s i t o n p n - V ẽ c h i ề u p h â n cực cho c á c t i ế p x ú c p n của
transito.
3. G i ả i t h í c h n h i ệ m v ụ lớp c h ắ n giữa B v à c t r o n g t r a n s i t o npn?

155
4. N ê u t ê n c á c d ò n g đ i ệ n v à đ i ệ n á p t r ê n t r a n s i t o l o ạ i n p n v à l o ạ i pnp,
vẽ chiều các dòng điện.

5. G i ả i t h í c h n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g của t r a n s i t o n p n . V i ệ c k h u ế c h đại
d ò n g đ i ệ n v à k h l ế c h đ ạ i đ i ệ n á p của t r a n s i t o t h ể h i ệ n n h ư t h ế nào?
6. C á c m ố i l i ê n h ô g i ữ a 3 d o n g đ i ệ n v à m ố i l i ê n h ệ g i ữ a 3 đ i ệ n á p của
transito.
7. V ẽ d ạ n g đ ặ c l u y ế n v à o c ủ a t r a n s i t o n p n ( m ắ c É C ) , đ i ệ n t r ở v à o vi
p h â n r SE t ạ i Ì đ i ể m l à m v i ệ c A được x á c đ ị n h n h ư t h ế n à o ?
8. Đ ặ c t u y ế n ra I c - U C E của Ì t r a n s i t o npn? C á c h x á c đ ị n h đ i ệ n trở
ra v i p h â n r, :E t ạ i một đ i ể m l à m việc A t r ê n đặc tuyến?
9. H ộ số k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n v i p h â n p là gì?
10. K h i cho Ì tvansito có B = 120 t ạ i Ì đ i ể m l à m việc n à o đ ó có ý nghĩa gì?

li. H ệ s ố h ổ i l i ế p ( g h é p n g ư ợ c ) v i sai D là gì? Ý n g h ĩ a ?

12. H ộ t b ' r ự ị đặc t u y ế n đ i ể n h ì n h của Ì t r a n s i t o có d ạ n g n h ư t h ế nào?
13. M ạ n g ỉ cực theo c á c t h a m s ố h là gì? p t ư ơ n g t h í c h v ớ i t h a m s ố h nào?
14. Đ i ể m l à m việc của Ì bộ k h u ế c h đ ạ i transito được x á c đ ị n h n h ư t h ế nào?
15. Cho m ạ c h h ì n h 7.60. H ã y t í n h R, v à R 2 biết:
le = 6 m A : I = 6I„; B = 20; U
q r i E = 0,72V
16. V ớ i m ạ c h h ì n h 7.61. H ã y t ì m R j , R v à U 2 C E khi biết:
Ư B E = 0,75V: I = 3 I ; B = 60
q U

R = 200Q; R = l k Q ; c , = C = 10^F; C = 1 0 0 ^ F .
K c 2 3

17. C á c d ò n g đ i ệ n d ư của Ì t r a n s i t o x á c đ ị n h n h ư t h ế n à o ?
C á c c h ỉ s ố k ý h i ệ u b ằ n g c h ữ c á i có ý n g h ĩ a gì?
f ơ = 18V
B

Hỉnh 7.60. Mạch khuếch đại Hình 7.61. Mạch khuếch đại
dùng transito. dùng transito.

156
18. P h â n b i ệ t đ i ệ n á p n g ư ợ c v à đ i ệ n á p đ á n h t aủng?
19. T r ạ n g t h á i q u á t ả i của t r a n s i t o x ả y r a : ừ Ì l e n à o ?
20. M ộ t t r a n s i t o k h ô n g có p h i ế n toa n h i ệ t có đ i ó a t r ở n h i ệ t R U l U - 80°CAV.
N h i ệ t đ ộ lớp k h o a cao n h ấ t l à 1 7 0 ° c . Nhn.it đ ộ m ô i t r ư ờ n g l à 5 0 ° c .
H ã y t í n h c ô n g s u ấ t t ổ n hao cho p h é p P . l0L

2 1 . H ã y n ê u n g u y ê n n h â n g â y t ạ p â m của t r a n s i t o t ạ i đ ầ u ra.
22. C á c b i ệ n p h á p đ ể ổ n đ ị n h đ i ể m l à m việc theo n h i ệ t đ ộ đ ố i v ớ i
transito npn.
23. H ã y v ẽ 3 m ạ c h m ắ c t r a n s i t o cơ b ả n và n â u t ê n c á c d ò n g đ i ệ n v à
đ i ệ n á p l ố i v à o , l ố i r a của m ỗ i m ạ c h .
24. M ạ c h h ì n h 7.62 l à k i ể u m ắ c gì của t r a n s i t o ?

Hình 7.62. Mạch khuếch đại dùng transito.

25. M ộ t t ầ n g k h o a c h u y ể n m ạ c h d ù n g t r a n s i t o h o ạ t đ ộ n g n h ư t h ế n à o ?
H ã y v ẽ m ộ t t r a n s i t o n p n ở c h ế độ của Ì t ầ n g k h o a c h u y ể n m ạ c h v à
c h ỉ r a đ i ể m l à m v i ệ c có t h ổ của t r a n s i t o t r ê n đ ặ c t u y ế n I c - U C E .

157
 Chương 8

TRfĩNSITO ĐƠN cực

•

N h ó m t r a n s i t o đ ơ n cực có đặc t r ư n g cơ b ả n l à d ẫ n đ i ệ n c h ỉ b ằ n g một

l o ạ i h ạ t d ẫ n l à đ i ệ n t ử t ự do ( n h ó m k ê n h d ẫ n đ i ệ n l o ạ i n) h a y b ằ n g lỗ
t r ố n g ( n h ó m k ê n h d ẫ n đ i ệ n l o ạ i p). v ề c ấ u t ạ o đặc đ i ể m q u a n t r ọ n g là
l o ạ i t r a n s i t o đ ơ n cực chỉ có Ì c h u y ể n t i ế p p n v à được c h i a t h à n h nhiều
n h ó m nhỏ.

8.1. TRANSITO HIỆU ỨNG T R Ư Ờ N G C Ó c ự c CỬA LÀ 1 L Ớ P K H O A (JFET)

8.1.1. C ấ u t ạ o v à n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g

V ề c ấ u t ạ o J F E T có h a i d ạ n g l à l o ạ i k ê n h n
( J F E T n ) v à l o ạ i k ê n h p ( J F E T p ) . Do t í n h đ ố i
x ứ n g v à có n g u y ê n lý g i ố n g n h a u n ê n chỉ x é t
l o ạ i k ê n h n có c ấ u t ạ o được cho t r ê n h ì n h 8.1
g ổ m m ộ t k ê n h có t í n h d ẫ n đ i ệ n l o ạ i n n ố i g i ữ a
2 cực m á n g ( D r a i n - D) v à n g u ổ n (Source — S)
được c á c h l y v ớ i cực t h ứ 3 là cực cửa (Gate - G)
n h ò m ộ t c h u y ê n t i ế p p n . N ế u đ ặ t g i ữ a cực D
v à s m ộ t đ i ệ n á p u ví d ụ + 1 2 V , sẽ x u ấ t h i ệ n
dòng điện tử c h u y ê n động t r ê n k ê n h dẫn từ s Hình 8.1. Câu tạo của
JFET kênh n.
t ớ i D ( c h i ề u d ò n g đ i ệ n t ừ D t ớ i S) v ớ i độ l ố n do
giá t r ị của đ i ệ n á p u v à đ i ệ n t r ở , k í c h thước
của k ê n h quyết định. Việc p h â n bố điện áp
12V t r ê n k ê n h v ẽ m ô p h ỏ n g ở h ì n h 8.2. Nếu
cực G ( h ì n h 8.3) được n ố i n g ắ n m ạ c h t ớ i cực s
(U G S = 0), t i ế p x ú c p n g i ữ a GS v à G D đ ề u b ị
khoa (vùng k ê n h d ẫ n n n h ì n c h u n g đ ề u có
đ i ệ n t h ế d ư ơ n g so v ớ i v ù n g p). Đ ã h ì n h t h à n h
2 v ù n g Liếp x ú c p n ( l i ê n t h ô n g n h a u ) h a y hai
v ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n theo c h i ề u t ừ s t ớ i
D c à n g r ộ n g d ầ n r a do ả n h h ư ở n g k h á c n h a u
Hình 8.2. Phân bố điện
của đ i ệ n á p u . V ù n g p l u ô n có đ i ệ n t h ế o v v à áp trên kênh n dọc theo
do đ ó k h ô n g có d ò n g đ i ệ n c h ả y t r o n g đ ó . hướng từ D tỏi s.

Giữa vùng tinh thể loại n và hai phía loại p hình thành hai lớp khoa.

158
 T r ê n h ì n h 8.3, t ạ i v ù n g A đ i ệ n t h ế . p h â n cực ngược là 10V n h ư n g
t ạ i B đ i ệ n t h ế n à y còn 6V. K h i l ấ y Ì đ o ạ n n h ỏ của v ù n g t i ế p x ú c pn
p h ó n g to l ê n t a đ ư ợ c h ì n h 8.4 m ô t ả cơ c h ế d ẫ n đ i ệ n c ủ a k ê n h d ẫ n l o ạ i
n . D o đ i ệ n t r ư ờ n g n ộ i b ộ của lớp đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n h ư ớ n g t ừ v ù n g n
sang v ù n g p n ê n lực c ủ a đ i ệ n t r ư ờ n g t á c đ ộ n g n g ư ợ c c h i ề u v ớ i đ i ệ n t ử
v à đ ẩ y c á c e l e c t r o n t á c h r a k h ỏ i v ù n g lớp c h ắ n .

n y\ . * . * . " ••" -" í p

Lực F ' '. '

À1 • • • H

Kênh điên tử
Chiều điện trường
nội bộ của lớp khoa
Hình 8.4. Tiết diện lớp chắn
Hình 8.3. Lớp chắn của JFET. thay đổi theo trục S-D.

Lóp chắn là vùng bị cấm vói các điện tử trên kênh dẫn vùng n
C á c đ i ệ n t ử chỉ c h u y ể n đ ộ n g dọc theo h ư ớ n g t ừ s t ớ i D t r ê n Ì v ù n g n
t r u n g hoa đ i ệ n được g ọ i l à k ê n h d ẫ n b ằ n g đ i ệ n t ử - k ê n h d ẫ n n ( h ì n h 8.5).

Dọ °*12V

<=0V

Hình 8.5. Phân bố (kích thuốc) Hình 8.6. Phân cực của điện áp
kênh phụ thuộc lốp chắn. ị • r

điếu khiên U o. r

159
 N ế u p h â n cực sao cho U G < u s hay U G S < 0 ( t i ế p x ú c p n p h â n cực
n g ư ợ c m ạ n h h ơ n , t h i ế t d i ệ n của k ê n h d ẫ n sẽ h ẹ p l ạ i . K h i k ê n h d ẫ n hẹp
n h ấ t , đ i ệ n t r ở k ê n h sẽ l ố n n h ấ t . N ế u vói c ù n g Ì đ i ệ n á p đ ặ t t ớ i giữa D
v à s, đ i ệ n t r ở c ủ a k ê n h t ă n g k h i U G S â m h ớ n l à m d ò n g cực m á n g I D

g i ả m . S ự b i ế n t h i ê n đ i ệ n á p t r ê n cực G d ẫ n t ó i sự t h a y đ ổ i d ò n g điện
t r ê n k ê n h ( h ì n h 8.6).

Khi điện áp u càng âm, vùng lóp chắn càng mỏ rộng và thiết diện kênh
c s

dẫn càng hẹp lại, điện trở của kênh càng tăng lên và do đó dòng l càng D

giảm nhỏ.

Dòng cực máng l được điều khiển "không dây dẫn" nhờ
D U .
GS

T i ế p t ụ c cho đ i ệ n t h ế cực G â m , đ ế n m ộ t
giá trị n à o đó, h a i m i ề n lớp c h ắ n gặp n h a u
( h ì n h 8.7), t h i ế t d i ệ n k ê n h l ú c n à y b ằ n g 0.
Dòng điện k h ô n g còn t r ê n kênh (I D = 0).
T r a n s i t o bị k h o a .
K ý h i ệ u v à t ê n c á c đ i ệ n cực c ủ a JFET
cho t r ê n h ì n h 8.8. ơ đ â y cực cửa (G) l à cực
đ i ê u k h i ê n t ư ơ n g đ ư ơ n g v ớ i cực b a z ơ (B) c ủ a
BJT. Như vậy điều kiện l à m việc thông
Hình 8.7. Lốp chắn ỏ trạng
t h ư ờ n g của J F E T n là U > 0 và Ư < 0 còn
D S G S
thái transito khoa
vối J F E T p là U D S < 0 và U G S > 0 ( k y h i ệ u cho (khi U = 0).
D S

t r ê n h ì n h 8.10).
?D=Drain -Ọ • 12V- 02V
3 4= -s

•p -2V-
UDS
G=Gate -s -UGS
o—

ov- •ov
°S=Source
Hình 8.8. Cấu tạo, ký hiệu của JFETn. Hình 8.9. Điện áp phân b ố cho JFETn.

90 -12V- -12V
-ọ
-s -ƠDG
> p f
n n -Ọ •2V-Ị—
-s -ƠDS
J ưos

ov ĩ ov
4s
Hình 8.10. Cấu tạo, ký hiệu của JFETp Hình 8.11. Điện áp phân b ố cho JFETp.
(kênh p).

160
8.1.2. Đ ặ c t u y ế n v à t h a m s ố c ủ a J F E T n

Họ đặc tuyến ra DI -U D S

( h ì n h 8.12) được l ấ y t r o n g đ i ề u
kiện giữ U G S ở c á c giá t r ị k h á c
nhau ( U G S < 0) k h i U G S = 0,
k ê n h d ẫ n là r ộ n g n h ấ t v à Iu
đạt giá trị l ố n nhất, đường
I - U
D D S cao n h ấ t . C h ú ý tói đ i ể m
p t ạ i đó có UDS (P) gọi là đ i ệ n á p ƯQSIP)
bão hoa, khi U D S > UDS(P) thì Hình 8.12. Đặc tuyến l - U D D S

việc tăng Ư D S không làm

tăng dòng I D nữa. T ạ i giá trị
U D S = U ( P ) , v ù n g p n h a i p h í a gặp n h a u ,
D S

k ê n h d â n bị t h á t l ạ i , đặc t u y ê n b ă n g p h ă n g
trong đ o ạ n p - Q t ạ i Q do U D S q u á lớn, lớp
chắn bị đ á n h t h ủ n g ở v ù n g s á t cực D (cường
độ t r ư ờ n g ngược lớn n h ấ t ) v à J F F T bị p h á
huy ở v ù n g sau Q. K h i cho U G S < 0 đặc t u y ế n
ID - U D S t h ấ p xuống, đ i ể m p x ả y ra sớm h ơ n Hình 8.13. Cấu tạo
của JFET kênh n.
(hình 8.14).

;ÌCL
Giới han thắt kf nh
UGS-OV u
12
10
B
= -2V
6
ƯGS=-3V 4
2

10 20 24 ƯQ5 Ư (P) -í. -3 -2 -1

V
GS

V
Hình 8.14. Đặc tuyến đầy đủ Hình 8.15. Đặc tuyến l D

của l - U VỚI JFETn.D D S

của JFETn.

• Đặc t u y ế n I D - U C l S xét với các giá trị U D S > U ( P ) k h á c n h a u là

D S

họ đặc t u y ế n t r u y ề n đ ạ t I D - U G S ( h ì n h 8.15).
Khi U G S = U (P) dòng I
G S D = 0, J F E T b ị k h o a .

161
11-LKI
 Đ ộ dốc của đ ặ c t u y ế n t r u y ề n đ ạ t I D - U G S t r ê n h ì n h 8.16 t h ể hiện
t í n h c h ấ t đ i ể n h ì n h của F E T , đ ộ dốc (còn g ọ i l à h ỗ d ẫ n ) s t ạ i l â n cận
đ i ể m l à m v i ệ c A được đ ị n h n g h ĩ a .

(giữ U D S = h ằ n g sô)

A l : l ư ợ n g b i ê n t h i ê n d ò n g cực m á n g .
D

AU G S : l ư ợ n g b i ế n t h i ê n đ i ệ n á p g i ữ a c á c cực cửa - n g u ổ n (giá trị

thường từ 3mA/V đ ế n lOmA/V).
H ỗ d ẫ n s cho b i ế t v ớ i A Ư G S = 1(V) t h ì A l sẽ b ằ n g S ( m A ) .
D

• Đ i ệ n trở ra v i p h â n :

( k h i cho U G S = h ằ n g sô)

Cách xác định r D S được cho t r ê n h ì n h 8.17; giá trị thường gặp
r D S * 80kQ đ ế n k h o ả n g 2 0 0 k n .

•Ubs=0V

-IV

--2V

- -3V
• -4V
10 20 M-
V

Hình 8.16. Xác định độ dốc vi Hình 8.17. Xác định điện
phân của đặc tuyên truyền đạt. trở ra vi phân của FET.

• Đ i ệ n t r ở v à o v i p h â n là đ i ệ n trở lớp k h o a n ằ m g i ữ a c á c cực G và s

do d ò n g đ i ệ n n g ư ợ c I l à vô c ù n g b é n ê n r
s D S w 10 Q đ ế n Ì O ^ Q .
10

D ò n g đ i ệ n v à o là d ò n g c á c h ạ t t h i ể u s ố c ủ a d i o t k h o a I s = õ n A đến
20nA.
• C á c t h a m s ố g i ớ i h ạ n của J F E T
Đ i ệ n á p m á n g - nguổn lớn n h ấ t U D S m a x

Đ i ệ n á p cửa - n g u ổ n l ớ n n h ấ t U G S m a x

162
 D ò n g cực m á n g l ớ n n h ấ t
C ô n g s u ấ t t ổ n hao l ớ n n h ấ t
N h i ệ t đ ộ cao n h ấ t k h i l à m v i ệ c

•20V

lạ

UGS

Hình 8.18. JFETn mắc cực Hình 8.19. Tầng khuếch đại
nguốn chung. mắc cực nguổn chung.

C á c g i á t r ị cụ t h ể l à m ví d ụ cho m ộ t J F E T n c ô n g s u ấ t n h ỏ
U D S m a x = 30V ư G S m a x = -8V
20mA 200mW
T, = 1 3 5 ° c
C ô n g s u ấ t t ổ n hao

Ptot ~ Upg . I D

8.1.3. ứ n g d ụ n g
ưu điểm đặc biệt của JFET là có điện trỏ vào lớn nên việc điều khiển hầu
như không làm tổn hao công suất của tín hiệu tại lối vào.
M ạ c h k h u ế c h đ ạ i m ắ c cực n g u ổ n c h u n g (SC) được cho t r ô n hình
8.19 v ố i Uos = - 2 V v à R L = lkQ, U D D = + 1 2 V . Đ i ể m l à m v i ệ c được x á c
định t ạ i đ i ể m A ( h ì n h 8.20) t r ê n c á c đ ặ c t u y ế n I D - U D S và I D - U G S . Giả
t h i ế t đ i ệ n á p t ạ i l ố i v à o có b i ê n đ ộ I V , q u á t r ì n h k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p
được m i n h hoa t r ê n đ ổ t h ị h ì n h 8.20.
Hộ số khuếch đ ạ i điện áp:

ở đ â y s là h ỗ d ẫ n (độ dốc) của J F E T x é t t ạ i A

163
 u ổi
(Với I = ì GG
D
DO v à theo đ ị n h n g h ĩ a s = — -
U (P)
G S B
a u GS

ta CÓ s = S r
•c _ " 2ID O "
X ; o 0 -
U S(P)_ |^GS(P)|
G

So là h ỗ d ẫ n c ủ a J F E T t í n h t ạ i đ i ể m U G S = 0
s là h ỗ d ẫ n của J F E T t ạ i đ i ể m l à m việc U G S = -2V)

Đ i ệ n trở v à o của m á c h :

r là đ i ệ n trở v i p h â n l ố i v à o m ạ c h .
e

r G S đ i ệ n t r ở v i p h â n l ố i v à o của J F E T .
R G đ i ệ n t r ở cực G a t e .

Đ i ệ n trở ra v i p h â n :

ứ 6S ơ,

Hình 8.20. Giải thích quá trình khuếch đại trên các đặc tuyến của transito JFET.

Ví dụ: Mạch khuếch đại hình 8.21 dùng JFET có r = lOOkíì; DS

s = 8 m A / V . T í n h h ệ số k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p của mách.

164
 mA ỊQkQ.lOOkQ
v„ =s. R L I
" DS
=8 = 72,7
R r, ỈOkQ + lOOkQ
L +
DS

Hình 8.21. Tầng khuếch đại điện áp xoay chiều mắc se.

8.2. T R A N S I T O H I Ệ U ỨNG T R Ư Ờ N G C Ó c ự c C Ử A C Á C H L Y (IGFET

HAY MOSFET)

8.2.1. C ấ u t ạ o v à n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g
8.2.1.1. Vấn đề chung
P h ầ n t í c h cực c ủ a t r a n s i t o l à Ì đ ế t i n h s Ọ ọ
0 0 0
t h ể d ẫ n đ i ệ n ví d ụ l o ạ i p (cho M O S kênh
AI Si0 2
dẫn đ i ệ n b ằ n g d i ệ n t ử ) . T r ê n đ ế t ạ o hai
Ị LẰJ W t
\h'\
v ù n g d ẫ n đ i ệ n t ố t l o ạ i n được p h ủ t r ê n b ề
mặt hai v ù n g n à y m ộ t lớp đ i ệ n môi mỏng
S i 0 có h a i cửa sổ l à m 2 đ i ệ n cực r a l à cực
2
Đế
m á n g (cực D) v à cực n g u ổ n (S). T r ê n b ề m ặ t
Hình 8.22. cấu tạo MOS N

lóp SiO., ở g i ữ a hai cửa sổ p h ủ một lớp kênh có sau (EMOS ). N

n h ô m t ạ o đ i ệ n cực t h ứ 3 l à cực cửa (cực G)

như thổ h i ệ n t r ê n h ì n h 8.22.
N ế u đ ặ t m ộ t đ i ệ n á p d ư ơ n g vào giữa 2
cực m á n g v à n g u ổ n U D S , transito không dẫn
điện; k h i đ ả o cực n g u ổ n c ấ p n g o à i t ì n h h ì n h
không thay đ ổ i . Transito ở t r ạ n g t h á i khoa
(ngắt m ạ c h ) . Nếu đặt tiếp một điện áp
dương giữa hai cực cửa và nguổn Ư G S

(khoảng 4V), t r o n g đó x u ấ t hiện Ì điện Cầu dàn điện loai n

t r ư ờ n g g i ữ a cực n g u ổ n v à đ ế . Đ i ệ n trường
n à y c ả m ứ n g lôi k é o đ i ệ n t ử (là c á c h ạ t t h i ể u Hình 8.23. Sự xuất hiện kênh
dẫn loai n.
số c ủ a đ ế ) t ụ t ậ p v ề v ù n g đ ố i d i ệ n v ớ i cực

165
cửa h ì n h t h à n h Ì k ê n h d ẫ n đ i ệ n b ằ n g đ i ệ n t ử n ố i l i ề n v ù n g s v à D ; đà
x u ấ t h i ệ n Ì k ê n h c ả m ứ n g d ẫ n đ i ệ n l o ạ i n n ằ m c á c h l y v ớ i cực G qua Ì
lớp đ i ệ n m ô i S i 0 . 2

Nhờ nguồn điện thế dương đặt vào cực cửa so với cực nguồn và đế, xuất
hiện 1 cầu dẫn điện bạng điện tử giữa cực máng và cực nguồn.
Đ ộ d ẫ n đ i ệ n của c ầ u electron t ă n g l ê n k h i t ă n g đ i ệ n á p dương tới
cực cửa hoặc g i ả m đ i n ế u g i ả m đ i ệ n á p n à y .

Đ ộ dẫn diện của kênh dẫn có thể điều khiển được nhờ điện á p Ư . GS

Qua đó dòng cực máng l được điều khiển nhờ điện áp U

D GS kiểu không
cần dây dẫn.

8.2.1.2. EMOSFET (ENHANCEMENT METAL OXIDE SEMICONDỤTER FIELD

EFFECT TRANSITO hay normally - o f f - type dạng MOS chế độ giấu)
C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g l o ạ i M O S v ừ a k ể t r ê n được g ọ i l à l o ạ i kênh
•
c ả m ứ n g , c ầ u d ẫ n đ i ệ n b ằ n g đ i ệ n t ử chỉ x u ấ t h i ệ n sau k h i có điện áp
cực cửa t h í c h hợp t á c đ ộ n g . N h ư v ậ y , t r a n s i t o l à t h ư ờ n g k h o a (thường
n g ắ t m ạ c h ) - k i ể u E n h a n c e m e n t - type.

8.2.1.3. DMOSFET (DEPLETION MOSFET — dạng MOS chế độ nghèo)

N ế u k h i chê tạo đã tạo sẵn Ì cầu (kênh)
Ọ
d ẫ n l o ạ i n (hay p) n ố i t r ư ớ c t h ô n g t ừ cực s 9
sang cực D - sẽ n h ậ n được t r a n s i t o t r ư ờ n g SiOj
loại MOS kênh có trước. Transito tự dẫn
đ i ệ n t r ư ố c k h i có đ i ệ n á p cực cửa t á c đ ộ n g -
l o ạ i D e p e ì e t i o n - type ( h ì n h 8.24). cầu nối Đê
DMOSFET có thể được điện áp U GS Hình 8.24. cấu tạo MOS loại N

dương hoặc âm điều khiển. Nếu là kênh kênh có trước (DMOS j .

n khi U > 0 DMOS ỏ chế độ giấu dòng
GS

Ì tăng, khi U
D < 0 DMOS ỏ chế độ
GS

nghèo dòng l giảm (chế độ

D nghèo ov »2V «1ỌV
thường dùng hơn). s lũ

8.2.1.4. Hình thành lớp khoa và kênh dẫn điện

t i n
Dòng điện chảy t r ê n cầu d ẫ n điện n tạo ra
các s ụ t á p ( h ì n h 8.25). Đ ế có đ i ệ n t h ế o v , do cực
ov
m á n g có đ i ệ n t h ế 10V, cực n g u ổ n o v n ê n p h â n
S*2V! =*9V
b ố đ i ệ n t h ế t ă n g d ầ n t ừ s t ớ i D l à m lớp t i ế p x ú c
p - n giữa k ê n h - đ ế có đ i ệ n á p khoa t ă n g d ầ n Hình 8.25. Phân bố điện
h ì n h t h à n h lớp đ i ệ n t í c h k h ô n g gian (lớp khoa) có t h ế trên kênh dẫn n.

166
t h i ế t d i ệ n t h a y đ ổ i , h í p d ầ n l ạ i t ừ D t ớ i s ( h ì n h 8.26). T h i ế t d i ệ n k ê n h
d ẫ n do đ ó h ẹ p d ầ n t ừ s t ớ i D . K ê n h d ẫ n b ằ n g đ i ệ n t ử n ằ m c á c h l y v ớ i
dê qua Ì lớp c h ắ n v à có t h ể t h a y đ ổ i đ i ệ n t r ở của n ó n h ờ â i ệ n á p đ i ề u
k h i ê n đ ặ t v à o cực G qua đ ó l à m t h a y đ ổ i d ò n g đ i ệ n cực m á n g I . Do t í n h
D

đ ố i x ứ n g , c ấ u t ạ o l o ạ i D M O S F E T k ê n h p được cho t r ê n h ì n h 8.28.

Điểm thắt kênh

Kênh dân Uos

Hình 8.26. Tạo lốp chắn Hình 8.27. Chú ý nếu trở của
với MOSK,. đặc tuyến thay đổi theo U . DS

ov -3V -K)y
?s ĨG ỸD

Hình 8.28. cấu tạo MOSFETp có sẵn.

N h ư v ậ y có 4 l o ạ i M O S F E T với các k ý h i ệ u quy ước t ư ơ n g ứ n g n h ư sau:
MOSFET k ê n h n cần U D S » ;U G S > 0 (hình 8.29)
M O S F E T k ê n h p cần U D S « 0 ;U G S < 0 (hình 8.30)
MOSFET k ê n h n cần U D S » 0 ;U G S > < 0 ( h ì n h 8.31)
MOSFET k ê n h p cần U D S « 0 ;U G S < > 0 (hình 8.32)

* - - ì

Hình 8.29. Ký hiệu EMOS . N Hình 8.30. Ký hiệu EMOS p

te

Hình 8.31. Ký hiệu DMOS N Hình 8.32. Ký hiệu DMOSp

(cực đ ế đê hở). (cực đ ế nối vái S).

167
8.2.2. Đ ặ c t u y ế n v à t h a m s ố

H a i h ọ đ ặ c t u y ế n q u a n t r ọ n g n h ấ t của M O S F E T l à :
H ọ đặc t u y ế n ra I D - U D S với các giá trị U G S cố định.
H ọ đặc t u y ế n t r u y ề n đ ạ t I — U D G S với U D S = h ằ n g số.
ni
Ồ đ â y ta c h ỉ q u a n t â m t ớ i c á c
h ọ đặc t u y ế n l o ạ i M O S k ê n h n, đ ố i ƯGS=6V
v ớ i l o ạ i k ê n h p c ầ n đ ổ i cực tính
n g u ổ n cấp (đôi c h i ề u t r ụ c toa đ ộ ) .
H ì n h 8.33 t h ể h i ệ n đ ặ c t u y ế n
lo - U D S của E M O S k ê n h n. Việc
tạo kênh dẫn cần Ì điện áp
n g ư ỡ n g t ố i t h i ể u (cỡ I V đ ế n 2 V g ọ i
là đ i ệ n á p m ỏ k ê n h Úp). Đ i ệ n á p Hình 8.33. Đặc tuyến ra l - U D D S

U G càng thấp thì dòng I D càng nhỏ. của EMOS N

Khi U D S đ ủ lớn (vài V trở lên) dòng I D ít p h ụ thuộc U D S m à chỉ phụ

thuộc m ạ n h vào U G S t h ể h i ệ n t á c d ụ n g đ i ề u k h i ể n của U G S tới I ) .
D

20 Ưạs
V
Hình 8.34. Đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt của EMOS . N

Điện trỏ ra vi phân r là độ dốc của đường l - U xét ỏ điểm làm việc
DS D DS

của MOS.

AU
DS (khi giữ U = hằng số)
DS
r
G S

AI,

Giá trị thông thường r D S « lOkQ đ ế n 50kQ.

Đ ộ dốc của đ ặ c t í n h I D - U G S t ạ i đ i ể m l à m việc A gọi là hỗ dẫn s
của M O S F E T t h ể h i ệ n k h ả n ă n g đ i ề u k h i ể n d ò n g I D của đ i ệ n á p U G S .

168
 (U D S = h ằ n g sô).

G i á t r ị t h ư ờ n g g ă p của S « 5 - ^ ^ - đ ế n 1 2 - ^ ^ -

5 K)

Hình 8.35. Đặc tuyến của DMOS . N

Đ ặ c t u y ế n của D M O S k ê n h n cho t r ê n h ì n h 8.35. C h ú ý ở đ â y k h i

U G S = 0 đ ã có k ê n h d ẫ n n ê n đ ư ờ n g đặc t í n h n ằ m giữa. K h i U G S > 0 kênh
được l à m g i à u , l ư ợ n g h ạ t d ẫ n t ă n g l ê n v à do v ậ y k ê n h d ẫ n đ i ệ n t ố t h ơ n ,
d ò n g I t ă n g (các đ ư ờ n g n ằ m p h í a t r ê n - ứ n g v ớ i c h ế độ l à m g i à u ) . K h i
D

U G S < 0 M O S ở c h ế đ ộ l à m n g h è o với n h ó m đ ư ờ n g n ằ m t h ấ p h ơ n ở p h í a
d ư ớ i . H a i t h a m s ố q u a n t r ọ n g là r D S v à s được đ ị n h n g h ĩ a t ư ơ n g t ự n h ư
với l o ạ i E M O S .
Đ i ệ n t r ở v à o v i p h â n của M O S đ ặ c b i ệ t l ớ n r G S « 10 Q.
H
Do t ạ i
l ố i v à o cực G có lớp c á c h đ i ệ n , c ấ u t r ú c M O S l u ô n có đ i ệ n d u n g v à o
C G S « 2pF đ ế n 5pF. Đ i ề u n à y l à m M O S n h ạ y cảm với việc nạp t ĩ n h đ i ệ n
qua t ụ C G S h a y g i ữ a cực G với đ ế : G i ả t h i ế t t ụ được n ạ p Ì l ư ợ n g đ i ệ n t í c h
n h ỏ Q = 10" As 9

10- As
9

Q = CU - > Ư = ^ = 500V
c 2.1(T F 12

Đ i ệ n á p n ạ p t r ê n t ụ l ớ n đ ủ đ ể đ á n h t h ủ n g lớp
điện môi S i 0 9 và p h á huy transito. Đ ể t r á n h h i ệ u
ứ n g n à y , c á c l ố i v à o của M O S ngay sau k h i sản
Hình 8.36. Vòng ngắn
x u ấ t c á c cực được n ố i n g ắ n m ạ c h v ớ i n h a u cho an mạch bảo vệ MOS.

169
 t o à n v à k h i sử d ụ n g M O S c ầ n t h ự c h i ệ n n ố i c h â n D
Ĩ
G, s, D v à o m ạ c h trước k h i bỏ d â y n ố i n g ắ n m ạ c h
của n h à s ả n x u ấ t ( h ì n h 8.36). T r o n g m ạ c h đ i ệ n M O S Go-
được bảo v ệ n h ờ c á c z d i o t ở l ố i v à o ( h ì n h 8.37).
Một v à i t h ô n g s ố đ i ể n h ì n h của M O S F E T
được cho d ư ớ i đ â y : s

Hình 8.37. Bảo vệ MOS

* N h ó m các t h a m s ố giới h ạ n : n
các diot ỏ lối vào.
h ờ

Điện á p m á n g - nguổn lớn n h ấ t Ư D S m a x ví d ụ « 35V

Điện á p m á n g - đ ế lớn n h ấ t ư D B m a x « 35V
Đ i ệ n á p cửa - n g u ổ n l ớ n n h ấ t U G S m a x m ±10V
D ò n g đ i ệ n cực m á n g l ớ n n h ấ t I n m a x * 50mA
C ô n g s u ấ t t ổ n hao l ớ n n h ấ t P t o t m a x M 150mW
N h i ệ t đ ộ lớp k h o a cao n h ấ t T j m a x * 150°c
* D ò n g cực cửa đ ị n h m ứ c (với U G S , U D S và T xác định): I
x G S S

giá trị đ i ể n h ì n h I G S S « O.lpA đ ế n lOpA ( l p A = l ( r A ) . 1 2

D ò n g ngược I D (off) ỏ t r ạ n g t h á i n g ắ t m ạ c h ( U G S < 0, ở T x á c đ ị n h ) .

x

I ( o f í ) * l O p A đ ế n 5 0 0 p A ở T = 2 5 ° c (hay T = 1 2 5 ° C ) .
D x

Đ i ệ n trở R D S ( o n , lúc nối mạch và R D S ( o f 0 lúc ngắt mạch.

Ví dụ: R D S ( o n ) * 2 0 0 Q (đo k h i U G S = 0; U D S = 0; T j = 2 5 ° c v ớ i D M O S ) N

Rusiorn = 1 0 n (đo k h i U
1 0
G S = -10V; U D S = +1V với DMOS ). N

8.2.3. S ự p h ụ t h u ộ c n h i ệ t đ ộ

N h ì n c h u n g l o ạ i M O S F E T có c á c t h a m s ố í t p h ụ t h u ộ c n h i ệ t đ ộ . K h i
n h i ệ t độ t ă n g , đ ộ l i n h đ ộ n g của h ạ t d ẫ n g i ả m l à m d ò n g I D giảm nhẹ điện
áp chắn đối với dòng I D t ạ i cực cửa t ă n g . V ớ i c ù n g Ì g i á t r ị đ i ệ n á p cực
cửa, k h i n h i ệ t độ t ă n g đ ộ d ẫ n đ i ệ n của k ê n h g i ả m n h ẹ " T h ư ờ n g có t h ể bỏ
qua c á c ả n h h ư ở n g t r ê n t r o n g c á c đ i ề u k i ệ n b ì n h t h ư ớ n g .

8.2.4. C ô n g s u ấ t t ổ n hao

Có q u á t r ì n h b i ế n đ ổ i đ i ệ n n ă n g t h à n h n h i ệ t n ă n g k h i d ò n g I D chảy
t r ê n k ê n h dẫn. N h i ệ t độ transito t ă n g lên l à m độ ổ n đ ị n h k é m đi.
C ô n g s u ấ t n h i ệ t t ổ n hao được đ ị n h n g h ĩ a :

—
Ptot U D S .I D

T í n h c h ấ t l à m m á t t r a n s i t o được đặc t r ư n g bởi đ i ệ n t r ở n h i ệ t p (xác

đ ị n h h ệ s ố d â n n h i ệ t t ừ v ậ t l i ệ u n ó n g sang v ậ t l i ệ u n g u ộ i đ o b ằ n g °CAV)

170
 ì
R t h u là đ i ệ n trở n h i ệ t k ê n h d ẫ n - môi t r ư ờ n g k h ô n g k h í ; giá trị đ i ê n
hình R l h u * 3 5 0 ° c / w tới 600 c/w.
n

K h i đó

Tị. n h i ệ t đ ộ t ố i đ a cho p h é p t ạ i k ê n h d ẫ n .
T : n h i ệ t độ môi trường.
u

P : c ô n g s u ấ t t ổ n hao l ớ n n h ấ t cho p h é p .
tot

ơ n h i ệ t đ ộ T b ấ t k ỳ , c ô n g s u ấ t t ô n hao được x á c đ ị n h l à P . v

Đ i ề u k i ệ n toa n h i ệ t k é m , m ô i t r ư ờ n g có n h i ệ t đ ộ cao l u ô n l à m P v và
Ptot t h ấ p .

8.2.5.ứng dụng

H a i ứ n g d ụ n g q u a n t r ọ n g của M O S F E T là d ù n g t r o n g m ạ c h k h u ế c h
đ ạ i đ i ệ n á p v à c á c m ạ c h khoa c h u y ể n m ạ c h t r ạ n g t h á i . Ư u t h ê q u a n t r ọ n g
của M O S là có k h ả n ă n g đ i ề u k h i ể n với t ổ n hao c ô n g s u ấ t r ấ t t h ấ p , t h ờ i
gian l ậ t t r ạ n g t h á i k h i c h u y ể n m ạ c h n h ỏ , t ạ p â m của M O S n h ỏ , đặc b i ệ t ở
v ù n g t ầ n sô cao v à v ù n g t ầ n s ố â m t h a n h ( l o H z đ ế n 10 Hz).
2 4

T ư ơ n g t ự n h ư B J T , v ớ i M O S F E T c ũ n g có 3 k i ể u mắc: cực n g u ổ n c h u n g
(SC) cực m á y c h u n g (DC) v à cực cửa c h u n g (GC) t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 8.38.

Mách ÉC Mách se

Mách Be Mách GC

Mạch cc Mách De

Hình 8.38. cổng vào và cổng ra với 3 kiểu mắc transito trong mạch khuếch đại.

171
8.2.5.1. M ạ c h m ắ c c ự c n g u ổ n c h u n g (SC)

K h i d ù n g cực n g u ổ n (S) l à m đ i ể m 9»18V

c h u n g cho l ố i v à o v à l ố i r a , t a có c á c h
mắc se. V i ệ c cung cấp Ì chiều cho
M O S k ê n h n d ù n g đ i ệ n á p d ư ơ n g ví d ụ 0 F

u n = +18V qua R L c ấ p cho D , qua RỊ và

Ro c ấ p cho G ( h ì n h 8.39) đ i ể m l à m v i ệ c
m ộ t c h i ề u A được x á c đ ị n h theo các giá Lối vào Re Lối ra
t r ị Ucs = - 2 V v à Iu = 7 , 5 m A ( h ì n h 8.40).
K h i đ i ệ n á p cực cửa b i ế n t h i ê n v ớ i b i ê n
độ ủ G S = 0 , 5 V , đ i ệ n á p v à d ò n g cực m á n g Hình 8.39. Một tầng khuếch đại
dùng MOS mắc se. N

biến thiên tương ứng ũ D s và Ĩ .

D

lia ỈS.Í
1
mA
30 30
25 25
20 20
15
10 10
—5

20 ụ

Hình 8.40. Biểu thị quá trình khuếch đại trên đặc tuyến.
H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p của m ạ c h được đ ị n h n g h ĩ a

ở đ â y s l à h ỗ d ẫ n của đ ặ c t u y ế n t r u y ề n đ ạ t I D - U G S t ạ i A.
R L l à t ả i m ắ c t ạ i cực D
r D S l à đ i ệ n t r ở r a v i p h â n của M O S x á c đ ị n h t ạ i l â n c â n A .

172
 Đ i ệ n trở v à o v i p h â n t í n h t ạ i l â n cận đ i ể m l à m việc A:

R* r
G -'DS
1 V

c
R* +r,
DS

ơ đ â y R* ; l à đ i ệ n t r ở t ư ơ n g đ ư ơ n g của bộ c h i a g ổ m R[ v à R
( G (nếu
chỉ d ù n g R , k h ô n g có R Ị , theo p h ư ơ n g p h á p t ự c ấ p v ớ i v i ệ c có t h ê m
G

đ i ệ n t r ở R ở t ạ i cực s t h ì R*G = R ) .
s G

Đ i ệ n trở ra v i p h â n :

8.2.5.2. Mạch mắc cực máng chung (DC)

K h i sử d ụ n g cực D l à m đ i ể m c h u n g cho l ố i v à o v à l ố i r a (vê xoay
c h i ề u ) sẽ n h ậ n đ ư ợ c c á c h m ắ c D C ( h ì n h 8.41). M ạ c h D C h ì n h 8.41 d ù n g
D M O S k ê n h n được cấp n g u ổ n +18V g i ữ a h a i đ i ể m A v à B ; v ề xoay
c h i ề u do có t ụ đ i ệ n d u n g l ớ n n ố i m ạ c h n ê n U A B » 0 . Cực cửa được p h â n
cực n h ờ b ộ c h i a R Ị R G và điện trỏ t ả i R L m ắ c ở cực s sao cho U G S = -2V.
Ban đ ầ u u s = +3V; U G = +1V; U D = + 1 8 V ( h ì n h 8.42) m ạ c h D C k h ô n g
k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p V s 1. u

ƠB=18V
Lối vào

Hình 8.41. Mạch mắc De. Hình 8.42. Mạch chia diện áp cực G.

173
 M ạ c h D C được d ù n g đ ể b i ế n đ ổ i t r ở k h á n g ( k h u ế c h đ ạ i đ ệ m ) , đ i ệ n
t r ở v à o của m ạ c h l ớ n h ơ n m ạ c h s e cỡ 10 l ầ n .

GS- c ,
r R

r = ( 1 + SR, ).

Đ i ê n t r ở r a của m ạ c h D C k h á n h ỏ .

ở đây r : đ i ệ n t r ở v à o v i p h â n của m ạ c h .
e

R,. : đ i ệ n t r ở v à o v i p h â n c ủ a M O S .
s

R : đ i ệ n t r ở bộ chia t ạ i cực G.
c

r„: đ i ệ n t r ỏ v i p h â n c ủ a m ạ c h .
R,: đ i ê n t r ỏ t ả i .
-C.18V
Ví d ụ : m ộ t bộ k h u ế c h đ ạ i d ù n g
D M O S k ê n h n m ắ c D C ( h ì n h 8.43) có R,=80Mn
tải R| = lkQ. tại điểm làm việc
M O S K E T có s = 8 m A / V Ro = 4 . 7 M Q
ỊjR =4,7Mn (jR=1kO
và r c ; s = 5.10 Q.
12 0 t

Hãy tính điện trở r e và r a của -oQV

m á c h đ ã cho.
Hình 8.43. Mách khuếch đai mác DC.
R ,r
(1 + SR, ) (i 0 5

R
Ci + c,s r

mA 5.10 Q.4,7.10 Q
l2 fí

1+8 .lkQ 9.47MQ

V V 5.10' Q + 4,7.10 Q
2 6

= 42,3MQ

ÌV
R . Ìkí!
8 m A _ 0.125 k Q
L

Ì V 1,125
R L + lkQ +
8 mA

174
8.2.5.3. Mạch mắc cực cửa chung (GC)
M ạ c h h ì n h 8.44 c h ọ n cực G c h u n g cho l ố i
v à o v à l ố i r a n ê n được g ọ i l à c á c h m ắ c GC.
M ạ c h G C có đ i ệ n t r ở v à o t ư ơ n g đ ố i n h ỏ và
điện trở ra t ư ơ n g đ ố i lớn. N h ì n chung mạch
Hình 8.44. Mạch mắc GC.
k h ô n g có n h i ề u ư u đ i ể m đ á n g k ể v à l ạ i h ạ n
c h ế c á c ư u t h ế c ủ a M O S n ê n í t được d ù n g .

8.3. MOSFET CÓ HAI cực CỬA

M ộ t d ạ n g đ ặ c b i ệ t c ủ a M O S F E T là l o ạ i có h a i cực cửa ( h ì n h 8.45).

M O S l o ạ i n à y có c ấ u t ạ o g ổ m 2 cực cửa v ớ i m ộ t k ê n h d ẫ n l o ạ i n g ổ m 2
p h ầ n đ ặ t d ư ớ i 2 l á p k i m l o ạ i k h á c n h a u l à m c á c cực G j v à G . M ỗ i cực
9

cửa đ i ề u k h i ể n d ò n g cực m á n g độc l ậ p n h a u . N h ư v ậ y có t h ể sử d ụ n g

l o ạ i M O S có h a i cực cửa d ư ớ i d ạ n g E M O S ( k ê n h có sau) h a y l o ạ i D M O S
( k ê n h có t r ư ớ c ) . X é t ở c h ế đ ộ D M O S k ê n h n, d ạ n g đ ặ c t u y ế n v à c á c
t h a m sô được cho v ớ i Ì cực cửa t ư ơ n g t ự n h ư đ ã x é t . H ì n h 8.46 cho k ý
h i ệ u q u y ước c ủ a l o ạ i M O S 2 cực cửa. L o ạ i M O S 2 cực cửa được d ù n g
t r o n g c á c m ạ c h t r ộ n t ầ n , m ạ c h n h â n hoặc m ộ t s ố ứ n g d ụ n g k h á c .

s Gi G 2 D
DMOS DMOSp
N
ov

EMOSN EMOSp

Hình 8.45. cấu tạo MOS hai cực cửa. Hình 8.46. Ký hiệu MOS hai cực cửa.

8.4. TRANSITO 1 CHUYÊN TIẾP PN (UJT)

C ấ u t ạ o t r a n s i t o Ì t i ế p x ú c p n được t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 8.47. Trên

m ộ t t h ỏ i b á n d ẫ n t i n h t h ể l o ạ i n pha t ạ p y ế u ( đ i ệ n t r ở lớn) l ấ y 2 đ i ệ n
cực ra' l à b a z ơ Ì ( B Ị ) v à b a z ơ 2 ( B ) v à c ấ y l ê n m ộ t v ù n g b á n d ẫ n l o ạ i p
2

pha t ạ p cao t ạ o đ i ệ n cực e m i t o (E). Vì có c ấ u t ạ o n h ư t r ê n U J T còn

được g ọ i l à d i o t h a i cực b a z ơ . K h i c u n g cấp h a i đ i ệ n á p t ớ i U J T : U 2B1 B

d ư ơ n g k h o ả n g 10V đ ế n 20V; U E B 1 k h o ả n g v à i V ( h ì n h 8.48). M ô h ì n h

t ư ơ n g đ ư ơ n g c ấ u t ạ o c ủ a U J T cho t r ê n h ì n h 8.49. C ố đ ị n h U B 2 B 1 và tăng

175
d ầ n g i á t r ị của U E B I t ừ o v đ ế n v à i V sẽ n h ậ n đ ư ợ c đ ặ c t u y ế n I E - U E B l

d ạ n g h ì n h 8.50 của Ư J T . Có t h ể g i ả i t h í c h đặc t u y ế n n h ư sau:

D ư ớ i t á c đ ộ n g của U B 2 B 1 đ i ệ n t h ế t ạ i đ i ể m Q ( h ì n h 8.49) l à :
u,
u, B,B,
• B,
R = r
l B,B,
U

R ,+R ,
B B

ở đây được g ọ i l à h ệ s ố c h i a của U J T (có g i á t r ị

k h o ả n g 0,3 đ ế n 0,9 t u y c ấ u t ạ o của Ư J T ) .

f—ơ B,
E

Bi B 2

Ký hiệu

Hình 8.47. cấu tạo UJT Hình 8.48. Giải thích hoạt động
kênh N và ký hiệu. của UJT.

ov 10V
Bi Ỳ B2 BI
Ư
B2
Eo *3.7V

ỵ
CT3V ~
c = >

Rai RB2
Hình 8.49. Mạch thay thế của UJT.

Nếu ri = 0,3; U B A =10V thì U Q = 3V. N g h ĩ a l à k h i Ư E c ò n thấp

h ơ n Ư(J + U n = u z (Ư D là đ i ệ n á p n g ư ỡ n g m ở d i o t ví d ụ U D = 0,7V) diot

không dẫn điện, U J T ở t r ạ n g thái dòng thấp k h i U Q + U D = U G + 0.7V < u . z

Giá trị u z g ọ i l à đ i ệ n á p m ổ i của Ư J T .

u z = Ư + 0,7V = T ] U
Q B 2 B 1 + 0,7V

Khi U E > u , diot d ẫ n đ i ệ n , c á c l ỗ t r ố n g p h u n t ừ m i ề n b á n d ẫ n p (cực

z

E) v à o v ù n g đ ế v à h ư ớ n g v ề B j l à m R B 1 giảm, quan hệ R , R B2 B l h a y h ệ số
chia ri t h a y đ ổ i theo h ư ớ n g g i ả m l à m diot d ẫ n đ i ệ n m ạ n h h ơ n v à theo đó R 1 B

176
c à n g g i ả m . . . T r ê n đặc t u y ế n x u ấ t
UBĨ BI hằng sô
h i ệ n ĩ v ù n g " đ i ệ n trở v i p h â n â m "
từ H(p) tói T(v) t r ê n đổ t h ị h ì n h
8.50. Hình 8.51 chỉ ra họ đặc
tuyến I - U E E m ứ n g v ố i các giá trị
k h á c n h a u của U B 2 B 1 , ư z càng
thấp k h i U [ ị 2 m (hay UQ) c à n g t h ấ p .
T r ê n đặc t u y ế n h ì n h 8.50,
cần c h ú ý cặp tham số dòng
điện và đ i ệ n á p t ạ i đ i ể m mổi ƯEB1
H(p) l à u , và t ạ i điểm tắt ^EBI sai
z

T(v) là u , I p h â n r a r a n h giới Hình 8.50. Đặc tuyến Von Ampe của UJT.
x E T

giữa v ù n g k h o a v à v ù n g d ẫ n của U J T c á c h n h a u b ở i Ì v ù n g đ ệ m có đ i ệ n
trở v i p h â n " â m " có t í n h k h ô n g ổ n đ ị n h ( đ ộ t b i ế n ) .

ƯB2 BI = ov
5V
7V
.11 V
17V

U
EB1
Hình 8.51. Họ đặc tuyên của UJT vối các giá trị U B 2 B 1 khác nhau.

N g o à i ra c ầ n c h ú ý d ò n g giới h ạ n I E m a x (có g i á t r ị t ừ 2 t ớ i 2,5 l ầ n

I ) ứng với I
EX E m a x t a n h ậ n được U E B 1 b ã o hoa.
U J T được sử d ụ n g t r o n g m ạ c h t ự dao đ ộ n g t ạ o x u n g r ă n g c ư a h o ặ c
xung nhọn đặc b i ệ t t h u ậ n lợi.

C Â U H Ỏ I ÔN TẬP VÀ BÀI TẬP

1. G i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à sự h ì n h t h à n h lớp c h ắ n t r o n g J F E T k ê n h n?
2. T ạ i sao lớp c h ắ n l ạ i là v ù n g c ấ m với các đ i ệ n t ử d ẫ n t r ê n k ê n h dẫn?
3. G i ả i t h í c h p h ư ơ n g t h ứ c đ i ề u k h i ế n đ i ệ n t r ở k ê n h d ẫ n (hay thiết
d i ệ n của k ê n h d ẫ n ) t r o n g h o ạ t đ ộ n g của J F E T ?

177
12-LKĐ
4. H ã y v ẽ v à g i ả i t h í c h ý n g h ĩ a đặc t u y ế n I D - U D S của J F E T n ?

5. Ý n g h ĩ a của t h a m s ố s của J F E T ?
6. G i ả i t h í c h h o ạ t đ ộ n g của m ạ c h h ì n h 8.52.

'•Ơ B

12 V
ì Ru
i
Jikn
C z
ll -
"22 nF
Il < c

!l
10nF
Uĩ
u, í llMíl

t1
-2 V

Hình 8.52. Mạch mắc JFET kiểu se.

7.- Mô tả cấu tạo của EMOSFET kênh n.

8. C ấ u tạo k ê n h d ẫ n đ i ệ n t r o n g E M O S F E T k ê n h p được h ì n h thành
n h ư t h ế nào?
9. P h â n biệt hai loại E M O S F E T và DMOSFET.
10. H ã y v ẽ v à m ô t ả đ ặ c t u y ế n I D - U G s c ủ a D M O S k ê n h n.
l i . M O S F E T t ạ i sao l ạ i đặc b i ệ t n h ạ y c ả m ( d ễ b ị đ á n h t h ủ n g ) v ớ i việc
nạp t ĩ n h điện?
12. B i ệ n p h á p b ả o v ệ c h ố n g đ á n h t h ủ n g t ĩ n h đ i ệ n cho M O S ?
13. M ạ c h đ i ệ n h ì n h 8.53 h o ạ t đ ộ n g n h ư t h ế n à o ?

-12 V

Hình 8.53. Mạch mắc DMOSp.

178
14. H ã y n ê u 3 k i ể u m ắ c M O S F E T .
15. M ô t ả c ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của M O S có 2 cực cửa k ê n h p.
16. U J T h o ạ t đ ộ n g n h ư t h ế n à o ?
17. G i ả i t h í c h ý nghĩa t h a m s ố P t ũ t của M O S F E T .
18. C á c h x á c đ ị n h đ i ệ n t r ở ra v i p h â n r D S c ủ a MOSFET t ạ i Ì điểm làm
v i ệ c A?

19. N ê u ý n g h ĩ a của c á c c h ữ cái t r o n g c ụ m t ừ M O S F E T v à I G F E T ?

20. Ý n g h ĩ a của t h a m s ố s của m ộ t t r a n s i t o MOS?

21. H ã y n ê u đặc đ i ể m c ấ u tạo của UJT? Đ ị n h nghĩa h ệ s ố chia TỊ của LÚT?
22. V ẽ đặc t u y ê n I - U
E E B 1 Ư J T v à chỉ ra các t h a m s ố q u a n t r ọ n g t ạ i hai
đ i ể m H(P) v à T(V) t r ê n đặc t u y ế n . N ê u ý nghĩa của c á c t h a m s ố n à y .
23. G i ả i t h í c h h o ạ t đ ộ n g của m ạ c h đ i ệ n h ì n h 8.54 v à v ẽ d ạ n g đ i ệ n á p
b i ế n t h i ê n theo t h ò i g i a n t ạ i c á c đ i ể m E v à Q của m ạ c h . K h i cho Rị
t ă n g h a y g i ả m t h ì d ạ n g đ i ệ n á p đ ã v ẽ có gì t h a y đổi?

Hình 8.54. Mạch tự dao động tạo xung tam giác U và xung hàm mũ U dùng UJT.
E Q

179
 Chương 9

CÁC M(ỊCM VI Đ I Ệ N T Ử (IC)

9 . 1 . KHÁI N I Ệ M C H U N G

Trên Ì phiến bán dẫn

đ ơ n t i n h t h ể có đ ư ờ n g kính
cỡ lOcm có k h ả năng cấy
được 1 0 đ ế n 6 . l o
! 3
các n h ó m
t r a n s i t o sau k h i d ã chia n h ỏ
phiến bán dẫn thành từng
mođun (chip) riêng l ẻ . Tuy
n h i ê n c h i p h í lao đ ộ n g v à do
đó g i á t h à n h cho v i ệ c hoàn
t h i ệ n r ấ t cao. T h ự c h i ệ n c h ê Hình 9.1. Bộ khuếch đại tầng thấp 3 tầng
dùng transito.
tạo tất cả các linh kiện
transito, diot, đ i ệ n trở đổng
l o ạ t theo m ộ t quy t r ì n h c ô n g n g h ệ x á c đ ị n h đ ã được c h u ẩ n hoa, đổng
t h ờ i t h ự c h i ệ n ngay c á c l i ê n k ế t giữa c á c l i n h k i ệ n n à y đ ể t ạ o ra m ộ t hay
n h i ề u m ạ c h đ i ệ n có chức n ă n g x ử lý gia c ô n g t í n h i ệ u v à được đ ó n g gói
t r o n g Ì vỏ d u y n h ấ t sẽ m a n g l ạ i ý n g h ĩ a k i n h t ế k ỹ t h u ậ t to l ớ n , đặc biệt
là g i á t h à n h h ạ v à đ ộ t i n cậy cao. M ộ t m ạ c h đ i ệ n được c h ế t ạ o n h ư vậy
được gọi là m ộ t m ạ c h v i đ i ệ n t ử ( I n t e g r a t e d C i r c u i t : I C ) . H ì n h 9.1 v à 9.2
chỉ r a m ộ t I C đ ơ n g i ả n g ổ m Ì bộ k h u ế c h đ ạ i t ầ n t h ấ p có 3 t ầ n g khuếch
đ ạ i vói l ố i v à o g i ữ a 2 c h â n 1-4, l ố i r a 3-4 v à cấp n g u ổ n 2 - 4 : I C đ ã xét
được k ý h i ệ u n h ư h ì n h 9.3.

Hình 9.2. Mạch tích hợp Hình 9.3. Ký hiệu mạch

bộ khuếch đại 3 tầng. vi điện tử thuật toán (ÒPV).

180
9.2. KỸ T H U Ậ T TÍCH H Ợ P C Á C LINH K I Ệ N

9.2.1. K ỹ t h u ậ t đ ơ n k h ố i

K ỹ t h u ậ t đơn k h ố i là công nghệ h i ệ n đ ạ i c h ế tạo IC. T o à n bộ mạch

đ i ệ n đ ư ợ c c h ế t ạ o t r ê n Ì k h ố i đ ơ n t i n h t h ể Silic d u y n h ấ t . N h i ề u ỈC
được c h ế t ạ o đ ổ n g l o ạ t t r ê n p h i ế n đ ơ n t í n h sau k h i đ ã c h i a n h ỏ t h à n h
t ừ n g đ ơ n k h ố i có k í c h t h ư ớ c v à i m m .2

T r ê n Ì đ ê b á n d ẫ n l o ạ i p, d ù n g p h ư ơ n g p h á p n u ô i c ấ y hoa học ( g ọ i
là p h ư ơ n g p h á p E p i t a x i ) t ạ o l ê n m ộ t lớp b á n d ẫ n l o ạ i n . Sau đ ó t h ự c
h i ệ n p h ủ l ê n b ề m ặ t Ì lớp c á c h đ i ệ n s , 0 2 n h ò p h ư ơ n g p h á p t h ổ i hơi
nước H 0 ( p h ư ơ n g p h á p ư ớ t ) h a y k h í oxy 0
2 2 (phương p h á p khô) t r ê n bề
m ặ t lớp n v ừ a t ạ o r a t r o n g m ô i t r ư ờ n g n h i ệ t đ ộ cao c ủ a Ì lò k h u ế c h t á n
( 1 1 0 0 ° c đ ế n 1 2 0 0 ° C ) . Sau v à i giò sẽ có lớp s , 0 2 m ỏ n g cỡ v à i u m . T i ế p
sau đ ó d ù n g p h ư ơ n g p h á p q u a n g k h ắ c t ạ o c á c cửa sổ ( h ì n h 9.4) n h ờ sử
d ụ n g m ặ t n ạ có h ì n h d ạ n g x á c đ ị n h .

Phủ SỌ, Tao cửa sổ

í ạ ./
Lớp Epitaxi Đế
V

Hình 9.4. Chế tạo OPV, các bưốc thực hiện.

M ộ t lớp b á n d ẫ n l o ạ i p được k h u ế c h
t á n qua cửa sổ ( h ì n h 9.5) sau đ ó lớp s,0
ỊHjlJjj
9
M U I
được k h é p k í n ( h ì n l i 9.6). V i ệ c t ạ o cửa sổ í *B-
p
t i ế p theo ( h ì n h 9.7) đ ã tạo ra các vùng
" b á n đ ả o " d ẫ n đ i ệ n l o ạ i n, c á c b á n đ ả o n à y Hình 9.5.
cách ly n h a u n h ờ m ộ t t i ế p xúc p - n .

S02 Các bán đảo dẫn điện loại n

À

Hình 9.6. Sau khi khuếch tán Hình 9.7. Tạo lại cửa sổ trên lớp
vùng p phủ lóp Si0 đóng lại.
2 Si0 mỏi. 2

Mỗi bán đảo vừa hình thành sẽ được dùng để chế tạo một linh kiện.

T ạ i m ỗ i b á n đ ả o sẽ x u ấ t h i ệ n ví d ụ Ì t r a n s i t o n p n sau khi hoàn

t h à n h v i ệ c c h ế t ạ o ( h ì n h 9.8), tức là sau k h i l ầ n t h ứ 3 t ạ o cửa sổ h ẹ p cho
k h u ế c h t á n t ạ p c h ấ t l o ạ i p v ớ i n ổ n g độ vừa p h a i v à t i ế p t ụ c t ạ o cửa sô
k h u ế c h t á n m ộ t lớp t ạ p c h ấ t l o ạ i n l ê n t r ê n lớp v ừ a t ạ o r a ( h ì n h 9.9)

181
C h ú ý lớp t ạ p c h ấ t n c u ố i c ù n g n ằ m t r ê n c ù n g , h ì n h k h ố i n h ỏ n h ấ t và có
độ d ẫ n đ i ệ n cao n h ấ t ( n ổ n g độ t ạ p c h ấ t cao - đ i ệ n t r ở t h ấ p n h ấ t ) . L ầ n thứ
5 t h ự c h i ệ n p h ủ lớp S i 0 2 sau đ ó t ạ o c á c cửa sổ đ ư a r a 3 cực t ư ơ n g ứ n g B,
E, c n h ư t r ê n h ì n h 9.10. D i o t b á n d ẫ n được c h ế t ạ o theo c ù n g m ộ t quy
t r ì n h v ừ a m ô t ả n h ư n g k ế t t h ú c sớm h ơ n ở giai đ o ạ n đ ã có lớp b á n dẫn
l o ạ i p ( h ì n h 9.11). Đ i ệ n t r ở ( k h u ế c h t á n ) c ũ n g được c h ế t ạ o theo c ù n g một
p h ư ơ n g p h á p c ô n g n g h ệ n h ư t r ê n , g i á t r ị đ i ệ n trở do n ổ n g đ ộ t ạ p c h ấ t loại
p q u y ế t đ ị n h (sẽ l ớ n k h i n ổ n g độ t ạ p c h ấ t t h ấ p ) n h ư t h ể h i ệ n t r ê n hình
9.12. T ụ đ i ệ n t r o n g I C c ũ n g được c h ế t ạ o theo c á c h t ạ o t i ế p x ú c p n và sử
d ụ n g đ i ệ n d u n g của v ù n g p n k h i p h â n cực n g ư ợ c ( h ì n h 9.13). T ấ t nhiên
l à c á c đ i ệ n d u n g l o ạ i n à y có g i á t r ị t ư ơ n g đ ố i n h ỏ . H ì n h 9.14 m ô t ả cấu
t r ú c của m ộ t D M O S F E T k ê n h p được c h ế t ạ o theo c ù n g q u y t r ì n h công
n g h ệ đ ã m ô t ả . H ì n h 9.15 là c ấ u t ạ o của m ộ t D M O S F E T k ê n h n .

li, HI

Hình 9.8. Khuếch tán lớp p vào Hình 9.9. Tạo vùng n trong vùng p
các đảo n đã có qua cửa sô. của mót bán đảo.

BE

ig emitơ
Ị '—Vùng bazơ
Vùng colectơ
Hình 9.10. Tạo cửa sổ cho các Hình 9.11. Đảo Hình 9.12. Đào tinh
cực É, B và c. tinh thể cho diot. thê cho điện trở.
s G D s G D

Ị Ị y - Ị

Hình 9.13. Đảo tinh Hình 9.14. Đảo tinh thể Hình 9.15. Đào tinh thè
thể cho tụ điện. cho DMOSp. cho DMOS . N

C ô n g n g h ệ đ ơ n k h ố i k h ô n g c h ế t ạ o được c á c t ụ có đ i ệ n d u n g l ớ n và
các cuộn dây.

182
 C ô n g đ o ạ n t i ế p sau là v i ệ c n ố i l i ê n k ế t g i ữ a c á c " b á n đ ả o " l i n h k i ệ n
r i ê n g l ẻ đ ã c h ế t ạ o t h à n h Ì m ạ c h h a y n h i ề u m ạ c h v ớ i c á c chức n ă n g
k h á c n h a u t h e o Ì d ự t í n h ( t h i ế t k ê ) đ ã có t r ư ớ c . C á c đ o ạ n n ố i m ạ c h
t h ư ờ n g là c á c d â y b á n d ẫ n có đ i ệ n t r ở r ấ t t h ấ p h a y d â y k i m l o ạ i có
d ạ n g m à n g n h ờ p h ư ơ n g p h á p bốc bay k i m l o ạ i .
Q u á t r ì n h p h á t t r i ể n công nghệ IC luôn h ư ớ n g tới mục tiêu t h u gọn
k í c h t h ư ớ c c á c l i n h k i ệ n r i ê n g l ẻ ( k í c h t h ư ớ c c á c b á n đ ả o ) v à n â n g cao
m ậ t đ ộ t í c h hợp c á c l i n h k i ệ n v à do đ ó l à m g i ả m k í c h t h ư ớ c v à g i ả m c h i
phí sản xuất.

BẢNG SAU CHO s ố LIỆU ĐỘ LỚN DIỆN TÍCH CÁC LINH KIỆN
CHIÊM CHỖ TRÊN CHÍP

Linh k i ệ n Diện tích t ố i t h i ể u của b á n đ ả o

Transito BJT 0,01mm 2

Transito MOS 0,002mm 2

Điện trở 100Q 0,015mm 2

Điện trở 10kQ 0,2mm 2

I C đ ơ n p h i ê n t h ư ờ n g có c ấ u h ì n h vỏ d ạ n g h ì n h 9.16 h a y h ì n h 9.17.

ẠẠẠẠẠ Ạ Ạ
li 13 12 li Kí 9 e

Hình 9.16. Cấu hình vỏ hai hàng chân của le.

183
 Hình 9.17. le loại vỏ tròn.

9.2.2. K ỹ t h u ậ t lai
K ỹ t h u ậ t l a i g ổ m h a i c ô n g n g h ệ cơ b ả n : c ô n g n g h ệ m à n g m ỏ n g VÈ
c ô n g n g h ệ lớp.

9.2.2.1. Công nghệ màng mỏng

C ô n g n g h ệ m à n g m ỏ n g có n g u ổ n gốc t ừ c ô n g n g h ệ m à n g d ẫ n khi
t i ế n h à n h t h u g ọ n d ầ n k í c h t h ư ớ c m ạ c h đ i ệ n t ử . C á c m ạ c h đ i ệ n được
k ế t c ấ u t r ê n m ộ t p h i ế n g ố m có k í c h t h ư ớ c cỡ t ừ 2 0 m m đ ế n 3 0 m m . Các
đ ư ờ n g d ẫ n b ằ n g k i m l o ạ i được l à m t r o n g c h â n k h ô n g t h e o p h ư ơ n g pháp
bốc bay v à t h ư ờ n g d ù n g v à n g h a y bạc. C á c đ i ệ n t r ở c ũ n g được c h ế tạo
theo p h ư ơ n g p h á p n à y : b ề d à i , c h i ề u r ộ n g , đ ộ d ầ y v à v ậ t l i ệ u l à m lớp
q u y ế t đ ị n h g i á t r ị của đ i ệ n trở. V i ệ c t ạ o r a g i á t r ị p h ù hợp v ớ i y ê u cầu
được t h ự c h i ệ n n h ờ t i a laze c ắ t h a y đ ố t sau k h i đ ã t ạ o l ớ p . T ụ đ i ệ n giá
t r ị đ i ệ n d u n g n h ỏ h a y v ừ a được t ạ o r a t r ê n m ặ t p h i ê n g ố m theo đường
d ẫ n h ì n h x o ắ n ốc ( h ì n h 9.18) v à n h ư v ậ y c h ú n g c h i ê m k h á n h i ê u diện
t í c h . H ì n h 9.19 cho h ì n h ả n h của m ộ t m o d u n đ ư ợ c c h ế t ạ o h o à n t h i ệ n
theo c ô n g n g h ệ m à n g m ỏ n g v ớ i lớp v ỏ n g o à i d à y được b ả o v ệ bởi hợp
chất n h â n tạo.

Hình 9.18. Cuộn dây phang được chế

tạo trên mặt phang của phiên gôm. Hình 9.19. Modun màng mỏng.

9.2.2.2. Công nghệ lớp dẩy

C ô n g n g h ệ n à y t h ư ờ n g sử d ụ n g đ ế l à t ấ m n h ô m có lớp o x y t n h ô m
hay c á c t ấ m g ố m có k í c h t h ư ớ c k h á c n h a u .
D â y d ẫ n l à c á c đ ư ờ n g được t ạ o r a theo p h ư ơ n g p h á p m à i n h ẵ n từ

184
l o ạ i b ộ t n h ã o có t í n h d ẫ n đ i ệ n t ố t b a n đ ầ u sau k h i được t h i ê u k ế t v ề
t h ể r ắ n ( h ì n h 9.20). Đ i ệ n t r ở được t ạ o r a c ũ n g t h e o p h ư ơ n g p h á p n à y
với l o ạ i b ộ t n h ã o có đ ộ d ẫ n k h á c n h a u . K í c h t h ư ớ c k h ố i v à l o ạ i v ậ t l i ệ u
q u y ế t đ ị n h g i á t r ị của đ i ệ n t r ở v à h i ệ u c h ỉ n h g i á t r ị n h ờ m à i b ằ n g c á c
tia c á t . T ụ có đ i ệ n d u n g n h ỏ được t ạ o r a t ừ n h i ề u l ớ p k i m l o ạ i h a y v ậ t
l i ệ u d ẫ n đ i ệ n t ố t đ ư ợ c n g ă n c á c h n h ờ c á c lớp c á c h đ i ệ n được s ả n xuất
đ ổ n g t h ò i . C ô n g n g h ệ lớp d ầ y k h ô n g c h ế t ạ o được c á c c u ộ n d â y . D i o t ,
t r a n s i t o v à c á c c ấ u k i ệ n b á n d ẫ n đ i ệ n k h á c được đ ư a v à o n h ư Ì c h í p
t i n h t h ể được c h ế t ạ o đ ơ n k h ố i đ ã t h ự c h i ệ n v à được g h é p n ố i t r ự c t i ế p
v à o m ạ c h , t r ê n c á c đ ư ờ n g b ộ t n h ã o d ẫ n đ i ệ n , đ ể g ắ n k ế t c h ặ t c ũ n g theo
phương p h á p thiêu kết.
H ì n h 9.20 cho h ì n h ả n h m ộ t m ạ c h c ấ u t ạ o theo c ô n g n g h ệ l a i . C ô n g
n g h ệ l a i l à sự p h ố i hợp h a i l o ạ i c ô n g n g h ệ m à n g d ẫ n v à c ô n g n g h ệ b á n
dẫn để c h ế tạo v i đ i ệ n tử.

Hình 9.20.

9.3. VI Đ I Ệ N T Ử S Ô VÀ V I Đ I Ệ N TỬ T Ư Ơ N G T ự

9.3.1. l e s ố

M ạ c h đ i ệ n c h ỉ có h a i t r ạ n g t h á i đ i ệ n á p ở l ố i v à o v à l ố i r a l à có (giá
t r ị 1) h a y k h ô n g có đ i ệ n á p ( g i á t r ị 0) được đ ị n h n g h ĩ a l à m ạ c h số. K ỹ
t h u ậ t s ố l à l ĩ n h vực bao g ổ m c á c m ạ c h s ố sử d ụ n g t r o n g k ỹ t h u ậ t t í n h
t o á n , k ỹ t h u ậ t đ i ề u c h ỉ n h h a y k ỹ t h u ậ t đo l ư ờ n g số. M ộ t I C s ố có t h ể
c h ứ a 10.000 m ạ c h s ố c ù n g m ộ t chức n ă n g , t h ư ờ n g được c h ế t ạ o theo
c ô n g n g h ệ đ ơ n k h ố i v à được c h i a t h à n h 2 n h ó m ; c ô n g n g h ệ l ư ỡ n g cực v à

185
c ô n g n g h ệ M O S . C ô n g n g h ệ M O S cho p h é p t ậ p t r u n g l i n h k i ệ n ở mức
đ ộ cao. C á c c h í p đ ư ợ c c h ế t ạ o đ ơ n g i ả n h ơ n , c ầ n k h o ả n g 40 c ô n g đoạn
c h ế t ạ o so v ố i 140 c ô n g đ o ạ n k h i d ù n g c ô n g n g h ệ l ư ỡ n g cực.
I C M O S có đ i ệ n t r ở cao do đ ó n ó chỉ c ầ n m ộ t c ô n g s u ấ t h o ạ t động
cỡ 10% so v ớ i I C l ư ỡ n g cực c ù n g chức n ă n g .
I C l ư ỡ n g cực cho r a c ô n g s u ấ t l ớ n , đ i ệ n t r ở v à o v à đ i ệ n t r ở ra nhỏ
v à có k h ả n ă n g l à m v i ệ c ở t ầ n s ố cao h ơ n so v ớ i I C M O S .
Có t h ể chia I C số t r o n g c ô n g n g h ệ đơn k h ố i theo m ô h ì n h sau:

le số (công nghệ đơn khối)

le dể Công nghệ lưỡng cực le Công nghệ MOS

w

Công nghệ Công nghệ Công nghệ N MOS p MOS

DTL TTL ECL

_jr *_
Công nghệ CMOS

• C ô n g n g h ệ D T L được x â y d ự n g t r ê n c ấ u t r ú c diot - t r a n s i t o - logic.

L o ạ i n à y đặc b i ệ t n h ạ y cảm với các loại n h i ễ u .
• C ô n g n g h ệ T T L ( t r a n s i t o - t r a n s i t o - logic) cho p h é p d ò n g v à o và
d ò n g r a l ố n , v ề cơ b ả n k h ô n g bị n ó n g k h i l à m v i ệ c .
• C ô n g n g h ệ E C L (logic g h é p e m i t ơ - e m i t ơ c o u p l e d logic) ở đ â y các
e m i t ơ của c á c t r a n s i t o ( B J T ) g h é p v ớ i n h a u v à có đ i ệ n t r ở e m i t ơ chống
b ã o hoa, I C được c ấ u t ạ o t ừ c á c đ ả o t r a n s i t o v à đ ả o đ i ệ n t r ở k ế t hợp l ạ i
có tốc đ ộ h o ạ t đ ộ n g cao do t h ờ i g i a n c h u y ể n m ạ c h n h ỏ .

9.3.2. l e t ư ơ n g t ự

K h i I C được c h ế t ạ o đ ể l à m v i ệ c v ớ i c á c t í n h i ệ u v à o b i ế n t h i ê n liên
t ụ c theo t h ờ i g i a n ( g ọ i là t í n h i ệ u t ư ơ n g t ự ) t a có n h ó m I C t ư ơ n g t ự (IC
anolog). I C t ư ơ n g t ự g i ả i q u y ế t c á c n h i ệ m v ụ gia c ô n g x ử lý t í n h i ệ u
t ư ơ n g t ự n h ư k h u ế c h đ ạ i , t ạ o s ó n g , t r ộ n t í n h i ệ u , lọc t í n h i ệ u .
C á c c u ộ n d â y v à t ụ đ i ệ n l ớ n có t h ể được t ạ o r a n h ờ k ỹ t h u ậ t g h é p

186
nối m ạ c h theo t í n h c h ấ t tạo t h à n h m ạ c h t ư ơ n g đ ư ơ n g t ừ n h i ề u transito
v à đ i ệ n t r ở t h e o n g u y ê n tắc:

Một mạch điện sẽ tương đương như 1 cuộn dây khi nó tạo ra điện áp
nhanh pha hơn dòng điện 1 góc xấp xỉ 90°.
Hay

Một mạch điện sẽ tương đương như 1 tụ điện khi nó tạo ra 1 dòng điện
nhanh pha hơn điện áp 1 góc xấp xỉ 90°.
I C t ư ơ n g t ự được d ù n g r ộ n g k h ắ p t r o n g n h i ề u l ĩ n h vực v ớ i g i á
t h à n h c h i p h í n g à y c à n g g i ả m v à c h ấ t l ư ợ n g n g à y c à n g được n â n g cao
có n h i ề u h ứ a h ẹ n c ù n g v ớ i I C s ố p h á t t r i ể n r ấ t m ạ n h ở h i ệ n t ạ i v à t r o n g
tương lai gần.

9.4. MỨC ĐỘ TÍCH HỢP VÀ MẬT ĐỘ ĐÓNG GÓI

* M ậ t đ ộ đ ó n g gói cho x á c đ ị n h có bao n h i ê u l i n h k i ệ n h a y có chức

n ă n g là l i n h k i ệ n t r ê n m ộ t d i ệ n t í c h c h í p là l m m . Ví d ụ t r o n g c ô n g
2

n g h ệ l ư ỡ n g cực t h ư ờ n g k h o ả n g 200 p h ầ n t ử t r ê n l m m , công nghệ

2

M O S có l o 3
đến l o phần tử trên l m m .
4 2

* M ứ c đ ộ t í c h hợp l à s ố l ư ợ n g các p h ầ n t ử chức n ă n g t í n h t r ê n Ì c h í p .

H i ệ n t ạ i , mức đ ộ t í c h hợp v ớ i l o ạ i I C M O S là 4 . l o t r a n s i t o M O S được c h ế
6

tạo t r ê n Ì c h í p . Theo mức độ t í c h hợp có t h ể p h â n l o ạ i I C n h ư sau:

l e S S I t í c h hợp cỡ n h ỏ ( v à i t r ă m p h ầ n t ử chức n ă n g ) .
I C M S I t í c h h ợ p cỡ v ừ a (cỡ l o p h ầ n t ử chức n ă n g ) .
3

I C L S I t í c h h ợ p cỡ l ớ n ( k h o ả n g l o đ ế n 5 . l o p h ầ n t ử chức n ă n g ) .
3 4

I C V L S I m ậ t đ ộ t í c h hợp cỡ cực l ớ n (50.000 đ ế n 80.000 p h ầ n t ử

chức n ă n g được c h ế t ạ o t r ê n Ì con c h í p ) .

9.5. CÁC ƯU NHƯỢC ĐIỂM CỦA le

C á c ư u đ i ể m cơ b ả n của l i n h k i ệ n v i đ i ệ n t ử : C á c q u á t r ì n h c ô n g
nghệ chê tạo IC n g à y c à n g h o à n t h i ệ n và t ố i ưu, giá t h à n h IC n g à y
c à n g t h ấ p . V i ệ c sử d ụ n g I C đ ơ n g i ả n m a n g l ạ i k ế t c ấ u g ọ n n h ẹ d ễ d à n g
l ắ p r á p v à t h a y t h ế v ớ i s ố l ư ợ n g l ớ n . C h i p h í n ă n g l ư ợ n g cho Ì c h í p
t h ấ p ; có t h ể p h ố i k ế t hợp đ ể x ử lý n h i ề u chức n ă n g , đ a n h i ệ m v ụ ; h o ạ t
đ ộ n g v ớ i đ ộ t i n c ậ y cao v à d ả i t ầ n được m ở r ộ n g .
C á c n h ư ợ c đ i ể m g ặ p p h ả i là v i ệ c t ì m h i ể u v à l à m c h ủ k ỹ t h u ậ t cho
việc sử d ụ n g I C đòi h ỏ i k ỹ t h u ậ t v i ê n p h ả i được đ à o t ạ o l ạ i h o ặ c đ à o t ạ o
n â n g cao. Đ i ề u n à y đặc b i ệ t k h ó k h ă n k h i g ặ p c á c l o ạ i I C L S I h a y IC

187
V L S I . V i ệ c n ố i l ắ p c á c I C v ớ i v à i chục, h a y v à i t r ă m c h â n l à k ỹ t h u ậ t đòi
h ỏ i c ô n g n g h ệ đ ặ c b i ệ t cao. Đ ể đ o l ư ờ n g k i ể m t r a chức n ă n g I C c ũ n g đòi
h ỏ i k ỹ t h u ậ t cao v à c á c t h i ế t bị c h u y ê n d ụ n g có g i á t h à n h cao.

9.6. l e K H U Ế C H Đ Ạ I T H U Ậ T T O Á N (OPV)

9.6.1. MỞ đ ầ u
O P V l à d ạ n g b ộ k h u ế c h đ ạ i Ì c h i ề u c h ấ t l ư ợ n g cao đ ư ợ c sử d ụ n g đa
n ă n g k h á r ộ n g r ã i v à p h ổ b i ế n t r o n g k ỹ t h u ậ t m ạ c h a n a l o g , đặc biệt
t r o n g c á c p h é p t í n h a n a l o g . B a n đ ầ u O P V có g i á t h à n h k h á cao vì đòi
h ỏ i c h ấ t l ư ợ n g cao. Do c ô n g n g h ệ t i ế n bộ n h a n h g i á t h à n h I C n ó i chung
v à O P V n ó i r i ê n g g i ả m n h a n h . O P V l ú c đ ầ u được c h ế t ạ o theo công
n g h ệ l a i , sau n à y c h ủ y ế u l à c ô n g n g h ệ đ ơ n k h ố i .

9.6.2. C ấ u t ạ o n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g

O P V còn có t ê n g ọ i b ộ l à k h u ế c h đ ạ i v i sai do c ấ u t ạ o có n g u ổ n gốc

t ừ m ộ t m ạ c h k h u ế c h đ ạ i v i sai, t h ự c c h ấ t l à h a i m ạ c h k h u ế c h đ ạ i có
c h u n g m ộ t l ố i r a ( h ì n h 9.21). M ỗ i m ạ c h k h u ế c h đ ạ i có m ộ t l ố i v à o riêng.
C h ỉ h i ệ u s ố đ i ệ n á p g i ữ a h a i l ố i v à o được m ạ c h k h u ế c h đ ạ i n ê n được gọi
là m ạ c h k h u ế c h đ ạ i v i sai. K ý h i ệ u q u y ước O P V cho t r ê n h ì n h 9.22 và
9.23. H a i đ ầ u v à o của O P V k ý h i ệ u t r ê n h ì n h 9.24 v ố i đ ầ u v à o p ( đ á n h
d ấ u +) t h ể h i ệ n t í n h c h ấ t k h ô n g đ ả o pha t í n h i ệ u ( U A c ù n g d ấ u Úp) và
đầu vào N (đánh dấu - ) t h ể h i ệ n t í n h c h ấ t có đ ả o pha tín hiệu
(ƯA n g ư ợ c d ấ u U ) . H ì n h 9.25 m ô t ả t r ư ờ n g hợp h o ạ t đ ộ n g c ủ a O P V k h i
N

dùng lối vào N và dạng điện áp U N U A t ư ơ n g ứ n g t ạ i l ố i v à o v à l ố i ra.

-O*UB

Hình 9.21. Mạch điện của OPV đơn giản.

188
 Hình 9.22. Ký hiệu quy ước Hình 9.23. Ký hiệu OPV
của OPV. theo chuẩn DIN 40900.

Hình 9.24. OPV với các điện áp và Hình 9.25. Đố thị U và U

N A

các cực của nó. theo t

Trong khi lối vào p khuếch đại tín hiệu, không làm đảo pha tín hiệu thì lối
vào N khuếch đại nhưng làm đảo pha (đổi dấu) tín hiệu.

1 I S * ^ ti.
ỚN
1

Hỉnh 9.26. Các khả năng dùng lôi vào của OPV.

T h ư ờ n g O P V được cấp n g u ổ n Ì
chiều đ ố i x ứ n g (ví d ụ ±15V hay ±12V...)
có t h ể sử d ụ n g cả h a i l ố i v à o p v à N
của OPV hay chỉ dùng Ì trong
c h ú n g , k h i đó lôi v à o c ò n l ạ i k h ô n g
d ù n g được nôi v ớ i Ì đ i ệ n á p c ố đ ị n h
( t h ư ờ n g là 0V) n h ư t h ể h i ệ n ở h ì n h
9.26 (gọi là d ù n g l ố i v à o k h ô n g đôi Hình 9.27. OPV dùng cả hai lối vào
xứng) hoặc h ì n h 9.27 ( d ù n g lôi v à o v i (vào vi sai).
sai). K h i d ù n g l ố i v à o k i ể u v i sai có:

189
 u a = V (Úp - U ) N

u „= V. u PN

Up N = Úp - U N là đ i ệ n á p v i sai
V l à h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i của OPV
U a là đ i ệ n á p t ạ i l ố i r a

N ế u chọn U N = 0 u. = V . U F

OPV chỉ k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p U p ( h ì n h 9.28)

K h i đó

K h i chọn Úp = 0 u a = -VU N hay V =

( d ấ u t r ừ ở đ â y t h ê h i ệ n t í n h c h ấ t đ ả o p h a c ủ a c á c h d ù n g lôi v à o N)

U^v-Up U^vUp

Hình 9.28. Khuếch đại Hình 9.29. Khuếch đại có

không đảo pha khi U = 0. N đảo pha khi Úp = 0.

9.6.3. OPV lý t ư ở n g

O P V lý t ư ở n g l à d ạ n g O P V k h ô n g t h ể có được k h i s ả n x u ấ t m à chỉ
là I C có c á c t h ô n g s ố n h à s ả n x u ấ t m u ố n đ ạ t t ớ i . T ứ c l à t i ê u c h u ẩ n m ẫ u
đê đ á n h giá chất lượng m ộ t IC thực.
C á c y ê u c ầ u lý t ư ở n g của m ộ t O P V l à :
• C ó h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i V vô c ù n g l ớ n V = oe
• Có đ i ệ n t r ở v à o Re = oe (hay d ò n g v à o I N = Ip = 0)
• Có đ i ệ n t r ở r a R = 0 a

190
 • D ả i t ầ n số l à m việc f m i n = 0 f m a x = oe
• Đ i ệ n á p v i sai l à v ô c ù n g b é U p = Ú p - U N N = 0
• H ệ s ố t r u y ề n đ ạ t đ ổ n g pha V d f a = 0
T ừ c h ố i k h ô n g k h u ế c h đ ạ i t h à n h p h ầ n đ i ệ n á p đ ổ n g pha Úp = U N

(vê b i ê n đ ộ v à p h a đ ề u n h ư n h a u g ọ i l à c á c đ i ệ n á p đ ổ n g pha).

• H ệ s ố n é n đ ổ n g p h a G = oe (được đ ị n h n g h ĩ a l à t ỷ s ố V v à V d f a ) .

V.
v
đfa

• Điện áp tạp âm là vô cùng bé U tạpâm =0

9.6.4. OPV t h ự c t ế

So v ớ i t h a m s ố lý t ư ở n g , O P V t h ự c có c á c g i á t r ị c à n g g ầ n v ớ i lý
t ư ở n g t h ì có c h ấ t l ư ợ n g c à n g cao v à c h ê t ạ o c à n g c ô n g p h u k h ó k h ă n v à
do đó g i á t h à n h c à n g cao.
M ộ t s ố c á c t h a m s ố của I C O P V t h ự c t ê đ i ể n h ì n h ( t h u ộ c n h ó m
c h ấ t l ư ợ n g cao).

• H ệ số khuếch đ ạ i V = l o 6

• Re = l k o t ớ i 1 0 M Q 3

• R = a loa

•f m i n = OHZ f m a x = 10 HZ 8

• v d f a = 0,2 G = 5.10 6

• u t ạ p ả m * 3nV

9.6.5. ứ n g d ụ n g O P V

H ì n h 9.30 là m ộ t b ộ k h u ế c h đ ạ i đ ư ờ n g t i ế n g d ù n g O P V có t h ể đ i ề u
c h ỉ n h h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i v à b ù t ầ n số. H ì n h 9.31 l à m ộ t b ộ k h u ế c h đ ạ i
trừ d ù n g OPV, với t í n h i ệ u ra U a = kiUj - k U 9 2 h ệ số k i k p h ụ thuộc
2

vào tỷ số giữa các đ i ệ n trở n ố i tới l ố i vào p và tỷ số giữa các đ i ệ n trở n ố i

t ớ i l ố i v à o N t ư ơ n g ứ n g . H ì n h 9.32 là m ộ t bộ k h u ế c h đ ạ i đảo pha dùng
R
OPV, Ư , n g ư ơ c p h a v ớ i u s v à h ê s ố V = - — . H ê s ố V có đước n h ò v i ế t
R 2

191
p h ư ơ n g t r ì n h các d ò n g đ i ệ n t ạ i n ú t N với g i ả t h i ế t I N = Ip = 0. K h i đó

R,

Hình 9.30. Ví dụ bộ khuếch đại âm thanh có điều chỉnh tần s ô (âm sắc).

Ri

Ri
Ư, «4
Ư = k,U,-k U 1/
u 2
a 2 2 S

k s konstante

Hình 9.31. Mạch khuếch đại trừ dùng OPV. Hình 9.32. Mạch khuếch đại đào pha.

ở h ì n h 9.31 v à 9.32:

1+— Rạ
R 2 / R,
ì
Ì + *-
R,

R 2

v = -i-
R2

Với OPV lý tưởng U = Úp = 0 (do p nối tới ov nên Úp = 0)

N

u u. R,
T ừ đó H u
a
hay v = — i = —--!•
R, R" Úc

192
 CÂU H Ỏ I Ô N T Ậ P - BÀI TẬP

1. H ã y m ô t ả c ô n g n g h ệ đ ơ n k h ố i đ ổ c h ê t ạ o IC?
2. L o ạ i v ỏ I C k i ể u h a i r ã n h l à gì?
3. I C theo c ô n g n g h ệ lớp d ầ y được c h ế t ạ o n h ư t h ế n à o ?
4. C ô n g n g h ệ c h ê t ạ o I C l a i có đặc đ i ể m gì?
5. P h â n l o ạ i 2 n h ó m I C t u y ế n t í n h v à I C số?
6. P h â n b i ệ t I C theo c ô n g n g h ệ l ư ỡ n g cực v à I C theo c ô n g n g h ệ MOS
v ề đặc đ i ế m c ấ u tạo?
7. M ứ c đ ộ t í n h hợp v à n h i ệ t đ ộ đ ó n g gói k h á c gì n h a u ?
8. V i ệ c x â y d ự n g O P V có đ ặ c đ i ể m gì? H ã y v ẽ k ý h i ệ u t h ô n g t h ư ờ n g
của OPV?
9. O P V lý t ư ở n g có c á c t í n h c h ấ t v à c á c t h a m s ố n h ư t h ế n à o ?
10. H ã y v ẽ m ộ t m ạ c h k h u ế c h đ ạ i k h ô n g đ ả o p h a d ù n g O P V cho t í n
h i ệ u â m t h a n h có đ i ề u c h ỉ n h â m sắc.

193
 C h ư ơ n g 10

TMYRISTOR

1 0 . 1 . DIOT 4 L Ớ P ( T H Y R I S T O R DIOT)

10.1.1. C â u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

D i o t 4 lớp l à l i n h k i ệ n b á n d ẫ n đ ơ n t i n h t h ể
Si v ớ i 4 v ù n g b á n d ẫ n t ạ p c h ấ t l o ạ i n v à p x e n k ẽ
nhau (hình 10.1). D i o t 4 lớp có t ê n g ọ i k h á c là
thyristor diot hay t r i g ơ d i o t g ổ m 2 đ i ệ n cực là
anot (nôi tới v ù n g p đ ầ u tiên) và k a t o t (nối tới
v ù n g n c u ố i c ù n g ) . N h ư v ậ y d i o t 4 l ố p có 3 c h u y ể n
t i ế p p n m ỗ i c h u y ế n t i ế p được m ô t ả coi l à một
d i o t k ý h i ệ u l à D ị , D u v à D„J ( h ì n h 10.2). N ế u đ ặ t Hình 10.1. Diot4lớp.
đ i ệ n á p n g o à i p h â n cực sao cho a n o t â m h ơ n k a t o t
( h ì n h 10.3) D ! v à D]1 bị k h o a m ặ c d ù D H d ẫ n d ò n g đ i ệ n q u a d i o t chỉ là
d ò n g n g ư ợ c n h ỏ . K h i đ ả o c h i ê u p h â n cực U A K > 0 D[ v à D n i được mở
n h ư n g D[, k h o a ( h ì n h 10.4) n ê n d ò n g c h u n g l à d ò n g n g ư ợ c của DJJ
nhỏ. T ă n g dần U A K theo c h i ề u d ư ơ n g , đ ế n Ì g i á t r ị đ i ệ n á p ngưỡng
n h ấ t đ ị n h ( k ý h i ệ u l à Uy), d i o t đ ộ t n g ộ t c h u y ể n s a n g d ẫ n đ i ệ n v ớ i điện
trở t h ấ p đ a n g t ừ trị s ố M Q trước k h i Ư A K đạt tới u s g i ả m chỉ còn vài Q
sau k h i U A K đạt tới u . s

Diot 4 lớp là linh kiện có đặc tinh chuyển mạch. Chúng có hai trạng thái
rõ rệt là 1 trạng thái điện trỏ cao và một trạng thải điện trở thấp.

A? Aọ-
í
— $ _ „ p
Ì Di D,
n
"Du Du -VA* Du
-D,u p
Diu Diu
n
AK
Ki- Ki
Hình 10.2. Cấu tạo mô Hình 10.3. Phân cực Hình 10.4. Phân cực
phỏng của diot 4 lóp. ngược cho diot 4 lốp. thuận cho diot 4 lớp.

K ý h i ệ u q u y ước d i o t 4 lớp được cho t r ê n h ì n h 10.5 v à đ ặ c t u y ế n

V o n A m p e của d i o t được cho t r ê n h ì n h 10.6.

194
 Đ ặ c t u y ế n V o n A m p e của diot 4 lớp t r ê n
h ì n h 10.6 có t h ể c h i a n h ỏ t h à n h 4 v ù n g k h á c G
n h a u : v ù n g c h ắ n ngược - v ù n g c h ắ n t h u ậ n - Hình 10.5. Ký hiệu của
vùng q u á độ - v ù n g dẫn điện thuận. diot 4 lớp.
T r o n g v ù n g c h ắ n ngược, d ò n g có c h i ề u đ i t ừ K t ớ i A v à n h ỏ cho t ớ i
giá t r ị U K a b t h ì d i o t bị p h á h u y do đ á n h t h ủ n g .

ơ v ù n g c h ắ n t h u ậ n , d ò n g n h ỏ do d i o t có đ i ệ n t r ở cao k h i đ i ệ n á p
U A K < Ư , cho t ớ i n g ư ỡ n g U
s A K = u s t h ì d i o t l ậ t s a n g v ù n g có đ i ệ n t r ở
t h ấ p v ớ i d ò n g đ i ệ n h ư ớ n g t ừ A t ố i K có g i á t r ị l ớ n đ ư ợ c g ọ i l à v ù n g
dẫn điện.
Đ ặ c t u y ế n ì - u h ì n h 10.6 n h ậ n được n h ò m ạ c h đ o h ì n h 10.7. N ê u
đ i ệ n t r ở của d i o t l ú c d ẫ n đ i ệ n r ấ t n h ỏ , p h ầ n c h ủ y ế u của đ i ệ n á p đ ặ t
vào u đ ã rơi t r ê n đ i ệ n trở R . Đ i ệ n á p t r ê n diot g i ả m x u ố n g còn giá trị
v

U H được g ọ i l à đ i ệ n á p d u y t r ì , t ư ơ n g ứ n g l ú c đ ó có d ò n g d u y t r ì I . N ế u H

giảm giá trị d ò n g hay á p t r ê n diot tới giá trị U H hay I H dioL l ậ t v ê t r ạ n g
t h á i đ i ệ n t r ở cao. T r o n g v ù n g d ẫ n đ i ệ n , diot 4 lớp có đ i ệ n t r ở r ấ t t h ấ p
nên đ i ệ n á p t r ê n diot r ấ t nhỏ và t ă n g khi dòng t ă n g , cần h ạ n chê d ò n g
đ i ệ n n à y n h ờ v i ệ c d ù n g t h è m d i ệ n trở m ạ c h n g o à i n ố i t i ế p v ớ i diot.
[ĩ
Ị
ị-- Vùng dẫn
Rn
v

ị Vùng quá độ
In u Ờ)
ƯRQb Is - 4 - . = « - . ^ fc

Ị , Un / tị.
Vùng chắn ngươc Vùng chắn thuãn

Hình 10.6. Đặc tuyến Von Ampe của Hình 10.7. Mạch đo đ ặ c tuyên Von
diot 4 lớp. Ampe của diot 4 lớp.

Trong mạch sử dụng diot 4 lớp cần có 1 điện trở R đủ lớn mắc nối tiếp
với diot để hạn chế dòng điện lúc diot dẫn điện để tránh cho diot không
bị phá huy về dòng.
Đ ể g i ả i t h í c h n g u y ê n n h â n có đ o ạ n l ậ t t r ạ n g t h á i đ ộ t b i ế n của d i o t
có t h ể sử d ụ n g m ô h ì n h c ấ u t ạ o h ì n h 10.8 v à m ạ c h đ i ệ n t ư ơ n g đ ư ơ n g
h ì n h 10.9. T u y n h i ê n n g ắ n g ọ n có t h ể h i ể u là U A K = u s > 0 d i o t DịỊ bị
đ á n h t h ủ n g Z e n e r l à m t o à n bộ h ộ t h ố n g 3 diot đ ề u d ẫ n đ i ệ n theo c h i ề u
Lừ A t ớ i K . M ô h ì n h (10.9) t h ể h i ệ n d i o t 4 lớp có c ấ u t ạ o g ổ m hai

195
t r a n s i t o T ] l o ạ i p n p n ố i v ớ i T l o ạ i n p n . T r o n g m ô h ì n h n à y , b a z ơ của Tị
2

n ô i l i ề n v ớ i c o l e c t ơ c ủ a T v à c o l e c t ơ của T i n ố i v ớ i b a z ơ c ủ a Tọ, nghĩa là

2

ì lĩ Ì =
Ic2 v à ỈB2 =
Ici-

?A

~z_
>

<

17
4«
Hình 10.8. Mô tả diot 4 lớp có cấu tạo gổm Hình 10.9. Mạch tương dương
2 transito. của diot 4 lóp dùng 2 transito.

T ạ i l â n c ậ n Ug d ò n g đ i ệ n k h o a của T , đ ủ l ớ n đ ể đ i ề u k h i ể n T j làm
dòng khoa T, t ă n g và d ò n g n à v quay l ạ i đ i ề u k h i ể n T 2 t ă n g n ữ a . . . quá
t r ì n h có t í n h c h ấ t t h ú c đ ẩ y T Ị v à T , t ớ i t r ạ n g t h á i c ù n g d ẫ n đ i ệ n và
đ i ệ n t r ỏ của h ệ c h u y ê n v ề t r ạ n g t h á i t h ấ p .

10.1.2. T h a m sôi đ ị n h m ứ c v à t h a m s ô g i ớ i h ạ n

C á c t h a m s ố đ ị n h mức của diot 4 lớp g ổ m :

• Điện áp chuyên mạch u s v ố i d u n g sai ± 1 0 % .
• D ò n g đ i ệ n duy trì l ị , và đ i ệ n á p duy trì U . H

• D ò n g d i ệ n nôi m ạ c h I . s

• D ò n g đ i ệ n k h o a I cho v ớ i Ì đ i ệ n á p k h o a n h ấ t đ ị n h .
R

• Đ i ệ n trở v i p h â n ở t r ạ n g t h á i d ẫ n r ở Ì đ i ể m l à m v i ệ c x á c định ở
f

v ù n g d ẫ n ( h ì n h 10.10).

• Thời gian nối mạch L , từ nủ

trạng thái diện trở cao sang

t r ạ n g t h á i diện trở thấp.
• T h ờ i g i a n n g ấ t m ạ c h t á( ng
UAK
t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở t h ấ p về
l ạ i t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao. Hình 11.10. Xác định điện trở vi phản của
diot 4 lóp đang dẫn thuận.

196
 • R t h u : đ i ệ n trở n h i ệ t giữa lốp c h ắ n - môi t r ư ờ n g t h ể h i ệ n độ d ẫ n
nhiệt khi làm mát.
C á c g i á t r ị đ i ể n h ì n h t h ư ờ n g gặp của các t h a m s ố đ ị n h mức t r ê n là:
u s * 50V ± 4V
In * 14 đ ế n 4 5 m A U H * 0,8V
I * 125faA
s

IR * 1 5 n A t n ố i * 0,2 S M

TỊ * 2Q t n g i l * 5^iS
C á c t h a m s ố g i ớ i h ạ n của d i o t 4 lớp g ổ m có:
• D ò n g cho p h é p l ớ n n h ấ t I . F

• D ò n g x u n g cho p h é p l ớ n n h ấ t I F M .
• C ô n g s u ấ t cho p h é p l ớ n n h ấ t P . tot

• N h i ệ t độ môi trường lớn n h ấ t T u m a x .

và n h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g n h ỏ n h ấ t T u m i n .
• Đ i ệ n á p n g ư ợ c cho p h é p l ớ n n h ấ t U R m a x .
C á c g i á t r ị đ i ể n h ì n h của n h ó m t h a m s ố g i ớ i h ạ n :
I *150mA
F I F M *10A
P l o l * 150mW T u m a x *+65°c
T u m i n = - 40°c ƯR m a x * 60V

10.1.3. ứ n g d ụ n g

D i o t 4 lớp được sử d ụ n g l à m k h o a c h u y ể n m ạ c h v à t h ư ờ n g đ ể đ i ề u
k h i ể n t h y r i s t o ( x e m p h ầ n 10.2). Có t h ể d ù n g d i o t 4 lớp t r o n g m ạ c h đ ế m
và m ạ c h t ạ o dao đ ộ n g x u n g v ớ i v a i t r ò l à p h ầ n t ử k h o a v à t h ư ờ n g chỉ
d ù n g v ố i c á c m ạ c h có c ô n g s u ấ t n h ỏ .

10.2. THYRISTOR (SCR)

10.2.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

T h y r i s t o có c ấ u t ạ o g ổ m 4 lớp b á n d ẫ n l o ạ i p v à n x e n k ẽ l i ê n
t i ế p n h a u , p h ầ n l ố n có c ấ u t ạ o cơ b ả n g i ố n g d i o t 4 l ớ p v ớ i h a i trạng
t h á i l à m v i ệ c l à t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao v à t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p .
Như vậy thyristo là m ộ t p h ầ n t ử có t í n h c h ấ t c h u y ể n mạch. Khi
m u ố n t h y r i s t o l ậ t t ừ t r ạ n g t h á i n à y s a n g t r ạ n g t h á i k i a c ầ n có t í n
hiệu đ i ề u k h i ê n nó.

Thyristo là phần tử có tinh chất chuyển mạch khi được điều khiển.

197
 H ì n h 10.11 v à 10.12 t h ể h i ệ n c ấ u t ạ o của
t h y r i s t o g ổ m 3 đ i ệ n cực a n o t (A) k a t o t ( K ) v à
cực đ i ề u k h i ể n (G). P h ầ n l ớ n t h y r i s t o có cực
G n ố i ở v ù n g p ( h ì n h 10.11) g ọ i là l o ạ i đ i ề u
k h i ể n p h í a k a t o t . M ộ t s ố ít t r ư ờ n g hợp có cực
G n ố i ở v ù n g n ( h ì n h 10.12) g ọ i là l o ạ i đ i ề u
k h i ể n p h í a a n o t . K ý h i ệ u q u y ước t ư ơ n g ú n g
Hình 10.11. Câu tạo của
t r o n g c á c m ạ c h đ i ệ n của t h y r i s t o được cho SCR điều khiển p
t r ê n h ì n h 10.13. (thyristo điểu khiển katot).

p
n . G
—57 1 z
p
n Ký hiệu chung loại SCR điều loại SCR điều
khiển katot khiển anot
1K

Hình 10.12. Cấu tạo của SCR điểu khiển N Hình 10.13. Ký hiệu quy ưỏc của SCR.
(thyristo điểu khiển anot).

Do t h ư ờ n g l à m v i ệ c v ớ i d ò n g l ố n ( c ô n g s u ấ t l ớ n ) n ê n v ù n g p được bố
t r i n ằ m n g o à i (cực a n o t l à m vỏ) v à bị n ó n g , đ ặ c b i ệ t có n h i ệ t độ cao,
c ầ n có v ỏ g ắ n t r ự c t i ế p v ớ i c á c p h i ế n hoặc h ệ t h ố n g l à m m á t , v ù n g n
p h í a n g o à i d ù n g l à m k a t o t v à được n ô i t r ự c t i ế p v ớ i d â y d ẫ n (hình
10.14).
Chân nối katot

Đĩa CSR iyg

•À
"Đĩa thyristo"
Chân nôi anôt

Hình 10.14. Mặt cắt vỏ SCR công suất lớn.

198
 N h ư v ậ y , c ấ u t ạ o của t h y r i s t o g ô m 3 t i ế p x ú c p n h a y m ô t ả n h ư có
3 d i o t m ắ c n ố i t i ế p xen k ẽ n h a u . Dị D u v à Đui k h i p h â n cực U A K < 0,
t h y r i s t o ở t r ạ n g t h á i k h o a ( h ư ớ n g ngược). C ò n k h i cho U * > 0 t h y r i s t o
A K

ỏ hướng c h u y ê n mạch (hướng thuận).

H ì n h 10.15 m ô t ả t r ạ n g t h á i p h â n cực ngược v à h ì n h 10.16 m ô t ả
t r ạ n g t h á i p h â n cực t h u ậ n của t h y r i s t o .

Ai*

p p
D, D,
n n
Du -u, Du ƯAK
p p
Đui Diu
n n

Ki Ki

Hình 10.15. Phân cực Hỉnh 10.16. Phân cực

ngược cho SCR. thuân cho SCR.

Khi U A K < 0 Dị v à Du bị k h o a D „ t u y d ẫ n n h ư n g t ì n h h ì n h c h u n g
SCR bị k h o a t ạ o ra v ù n g c h ắ n ngược v ớ i đ i ệ n t r ở cao cỡ M Q cho đ ô n
khi U A K v ư ợ t q u á m ộ t g i á t r ị n g ư ỡ n g ( đ i ệ n á p ngược t ố i đ a cho p h é p )
SCR bị đ á n h t h ủ n g vì n h i ệ t v à bị p h á h ỏ n g .
Khi Ư A K > 0 b a n đ ầ u D | v à Du d ẫ n đ i ệ n n h ư n g b ị n g ă n bởi D „ khoa,
SCR ở v ù n g c h ắ n t h u ậ n v ớ i t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở cao (vài M Q ) d ò n g đ i ệ n
từ A t ớ i K là d ò n g n g ư ợ c của Du n h ỏ . T ă n g Ư A K cho t ớ i m ộ t g i á t r ị g ọ i là
điện á p m ổ i U K 0 ( n g ư ỡ n g l ậ t 0 ), SCR đ ộ t n g ộ t l ậ t sang t r ạ n g t h á i d ẫ n
đ i ệ n v ớ i đ i ệ n t r ỏ t h ấ p . L ư u ý t r o n g s u ố t q u á t r ì n h n à y l u ô n g i ữ cho
đ i ệ n á p cực đ i ề u k h i ể n Ư G = 0.

Điện ấp ngưỡng lật o (điện á p mồi U ) là giá trị điện áp tại đó SCR lật từ
K0

trạng thái điện trỏ cao sang trạng thái điện trỏ thấp theo hướng thuận
trong điều kiện giữ U = 0. G

Như vậy U K 0 c h í n h là t h a m s ố u s của diot 4 lớp.

H ì n h 10.17 t h ể h i ệ n đặc t u y ế n ì - u của SCR k h i hở m ạ c h cực G có
d ạ n g n h ư của d i o t 4 lớp v ớ i 4 v ù n g p h â n b i ệ t : v ù n g c h ắ n ngược, v ù n g
c h ắ n t h u ậ n , v ù n g d ẫ n t h u ậ n v à v ù n g q u á độ.
C ầ n c h ú ý đặc t u y ế n ì - Ư p h ụ thuộc m ạ n h v à o n h i ệ t độ theo cả hai
h ư ớ n g ngược ( h ì n h 10.17a) v à h ư ớ n g t h u ậ n ( h ì n h 10.17b). K h i n h i ệ t độ
t ă n g c á c đ ư ờ n g ì - Ư có x u h ư ớ n g cao h ơ n vói c ù n g đ i ệ n á p p h â n cực.

199
N h ư v ậ y d ò n g đ i ệ n c h ắ n t ă n g n h a n h theo n h i ệ t đ ộ (ví d ụ ở 1 3 0 ° c đã có
giá t r ị v à i mA) v à v ớ i U A K v à i t r ă m V t h ì đ ã có m ộ t c ô n g s u ấ t t ổ n hao
đ á n g k ể , c ô n g s u ấ t t ổ n hao n à y t ă n g n h a n h k h i n h i ệ t độ t ă n g .
Pvs - U A K . I c ô n g s u ấ t t ổ n hao ở v ù n g c h ắ n ngược.
s

P V B = U A K . I c ô n g s u ấ t t ổ n hao ở v ù n g c h ắ n t h u ậ n .
B

• Vùng dẫn

Vùng quá độ
1»
u
» Um ƠAK
Vùng chắn ngược Vùng chắn thuận

Hình 10.17. Đặc tuyến I -U^ của SCR.

,J_
mA
-2500 -2000 -1500 -1000 -500
ị 1 Ị ị 1 ị
r~ 2 0 ° c
x

V
/ s ^lOO^C -~\J
10

^/<Í30 C o

20

500 1000 1500 2000 2500

V
Hình 10.17a. Sự phụ thuộc nhiệt độ tại
Hình 10.17b. Sự phụ thuộc nhiệt độ
vùng chắn ngước. tại vùng chắn thuận.
H ì n h 10.18 m ô t ả c ấ u t ạ o SCR n h ư h a i t r a n s i t o T i (pnp) và T 2

(npn) n ố i theo c á c h I B ] = I C 2 và I , = I c B 2 ( k h i I = 0).

G

?A A

>
21

<

4K
Hình 10.18. Mõ hình tướng đương SCR như 2 transito npn và pnp đấu xen nhau.

200
 Tị và T 2 với c á c h mắc n h ư v ậ y đ i ề u k h i ể n l ẫ n n h a u theo m ạ c h v ò n g
kín (gọi là v ò n g h ổ i t i ế p dương) d ẫ n tới đ o ạ n q u á độ đ ộ t b i ế n t r ê n đổ t h ị
ĩ - u c ủ a SCR. T r o n g đ o ạ n n à y đ i ệ n t r ở của SCR có g i á t r ị " â m " n g h ĩ a
là t r o n g k h i d ò n g đ i ệ n t ă n g t h ì đ i ệ n á p t r ê n SCR l ạ i g i ả m .
Quá trình điều khiển SCR
nếu được h ỗ trợ từ một dòng L
đ i ệ n đ ủ n h ỏ t ạ i cực G sẽ x ẩ y r a V
2500 -- -mr
nhanh v à sớm h ơ n với đ i ệ n áp
2000 • ị
ngưỡng t h ấ p hơn Ư K O . Hình 8.18a 1500 • ị
chỉ r a sự p h ụ t h u ộ c của U K 0 vào 1000 • ị
500 • ị
nhiệt độ và k h i T ° > 1 3 0 ° c t h ì U K 0
0- — i -
g i ả m m ạ n h tức l à SCR l ậ t s a n g 0 20% 60 100 140 180 ±
°c
trạng thái dẫn t h u ậ n sòm hơn.
Xung đ i ề u k h i ể n t á c động vào Hình 10.18a. Sự trôi nhiệt độ
cực G c ầ n có cực t í n h d ư ơ n g so của điện áp mổi U . K O

với k a t o t .

SCR sẽ lật (theo hướng thuận) từ trạng thái điện trở cao đến trạng thái
điện trỏ thấp khi có xung điều khiển biên độ đủ lớn và độ rộng (thời gian
xung) đủ dài tác động vào cực điều khiển ngay khi U < U . AK K0

H ì n h 10.18b c h ỉ r a d ả i đ i ề u 130 °c 20 °c
khiển chắc chắn (vùng đậm)
tương ứng vối d ả i n h i ệ t độ l à m Dòng mổi
việc g i ả t h i ế t t ừ 2 0 ° c đ ế n 1 3 0 ° c . CƯC cửa
Việc m ỗ i SCR sẽ c h ắ c c h ắ n k h i
giá t r ị d ò n g I G và điện áp U G K
Dòng điện
c à n g l ớ n . T ừ đ ổ t h ị h ì n h 10.18Ồ không mổi
đước
v ù n g ì là v ù n g k h ô n g m ổ i được,
GK
v ù n g l i l à v ù n g m ổ i có t h ể dược, Điện áp cực cửa Điện áp cưc cửa
V
v ù n g I U là v ù n g m ổ i c h ắ c c h ắ n không mổi được chắc chắn nhỏ
nhất mổi đươc
l ậ t t r ạ n g t h á i cho SCR. Tức là
Hình 10.18b. Dải điểu khiển của dặc tuyến vào
xung mổi U G K tương ứng với biên Vùng I không mổi đước
độ d ò n g IQ p h á i n ằ m t r o n g v ù n g Vùng li có thê mổi
Vùng MI chắc chắn mổi
I U m ớ i chắc c h ắ n l ậ t được SCR.
Khi đ ã ở t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở thấp, một lượng r ấ t lớn h ạ t d ẫ n t r à n ngập
SCR, cực G lúc n à y m ấ t t á c t á c d ụ n g đ i ề u k h i ể n . T ứ c l à k h ô n g t h ể d ù n g
x u n g d i ề u k h i ể n đ ể đ ư a SCR t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p v ề l ạ i t r ạ n g

201
t h á i đ i ệ n t r ở cao. SCR ở l ạ i t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ỏ t h ấ p cho t ớ i k h i dòng
đ i ệ n qua n ó g i ả m n h ỏ h ơ n d ò n g d u y t r ì . K h i đ ó t i ế p x ú c p n ở g i ữ a được
t h i ế t l ậ p l ạ i lớp c h ắ n v à SCR c h u y ể n v ề v ù n g c h ắ n t h u ậ n h a y chắn
n g ư ợ c . Q u á t r ì n h n à y c ầ n m ộ t t h ờ i g i a n g ọ i l à t h ò i g i a n h ổ i p h ụ c (thời
g i a n q u a y v ề t r ạ n g t h á i t ự do).
Do k h i ở t r ạ n g t h á i d ẫ n đ i ệ n , đ i ệ n trở SCR t h ấ p ( t ớ i cỡ m í ] ) n ê n SCR
l u ô n c ầ n m ộ t đ i ệ n t r ở h ạ n c h ế d ò n g t h u ậ n m ắ c ở n g o à i ( h ì n h 10.19).
Đ ặ c t í n h cho m ố i q u a n h ệ Ư A K - I G g ọ i l à đ ặ c t í n h l ậ t của SCR,
( h ì n h 10.20). Đ ặ c t í n h n à y cho b i ế t v ớ i g i á t r ị d ò n g đ i ề u k h i ể n I G là bao
n h i ê u ( g i á t r ị n h ỏ n h ấ t y ê u c ầ u ) ứ n g v ớ i g i á t r ị đ ã có c ủ a U A K , SCR lật
chắc c h ắ n s a n g t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p . T ừ đ ó x â y d ự n g được đặc tính
m ổ i h ì n h (10.21) chỉ r õ q u a n h ệ ì - u t h e o h ư ớ n g t h u ậ n v ố i c á c giá trị
I G khác nhau.

SCR ở lại trạng thái điện trở thấp cho tói khi dòng điện dẫn qua nó giảm
xuống dưới giá trị dòng điện duy trì. Khi ỏ trạng thái điện trỏ thấp, SCR
luôn cần có điện trỏ hạn chế dòng.

Hình 10.19. Hạn c h ế dòng

nhò điện trở tải R. Hình 10.20. Đặc tính lát của SCR.

100

10

Ì
í <
Ì í í Ị
0.1 8 § s °
ũ
7
a n
500 1000 UAK
-0,1 ƠKO v

Hình 10.21. Đặc tuyến I - u của SCR vói dòng mổi cực tiểu.

202
10.2.2. C á c t í n h c h ấ t c h u y ể n m ạ c h c ủ a SCR

H ì n h 10.21a g i ả i t h í c h q u á t r ì n h n ố i m ạ c h của m ộ t SCR. H ã y c h ú

ý t r ư ớ c k h i n ố i m ạ c h g i á t r ị đ i ệ n á p t r ê n SCR l à U A K , c ò n sau k h i n ố i
m ạ c h l à g i á t r ị U . C á c k h o ả n g t h ò i g i a n t r ê n đ ổ t h ị h ì n h 10.2.1 c ầ n
t

quan t â m đ ế n , đ ư ợ c đ ị n h n g h ĩ a l à :
t : thòi gian Ư
g d A K g i ả m t ừ 100% đ ế n 90% g i á t r ị đ ỉ n h , được g ọ i tà
thời gian khởi động mổi
t : g r thời gian U A K g i ả m t ừ 90% đ ế n 10% g i á t r ị đ ỉ n h g ọ i l à t h ờ i g i a n
n ố i m ạ c h ( v à i fis).
t : gs thòi gian U A K g i ả m t ừ 10% g i á t r ị đ ỉ n h đ ế n t r ị Ú t g ọ i là t h ờ i
g i a n k ế t t h ú c m ổ i ( k h o ả n g l v à i c h ụ c đ ế n 100|Lis).
p v : c ô n g s u ấ t t ổ n hao t r ê n SCR.
t n ố i : thòi gian nối mạch (t n ố i - t g d + t ) đ ể d ò n g qua SCR t ă n g t ừ t r ị
g r

0 đ ế n trị đỉnh I . t

b) c)
Hình 10.21.

203
 Đ ổ t h ị h ì n h 10.21a c h ỉ r a q u a n h ệ c ô n g s u ấ t t ổ n hao P v t r ê n SCR sẽ
t ă n g n h a n h k h i d ò n g qua SCR t ă n g v à t ỷ l ệ v ớ i đ ộ dốc c ủ a I ( t ) . Đ ể hạn
c h ế đ ộ l ớ n của A l / A t c ầ n d ù n g c á c p h ầ n t ử b ả o v ệ đ ể n g ă n tốc độ tăng
d ò n g của SCR ( h ì n h 10.21c). V í d ụ m ắ c n ố i t i ế p Ì c u ộ n đ i ệ n c ả m L vói
SCR đ ổ c u ộ n L n é n tốc đ ộ A l / A t ở d ư ớ i m ộ t đ ộ dốc d ò n g đ i ệ n cho phép,
t r á n h p h á h u y SCR v ề c ô n g s u ấ t t ổ n hao ở d ạ n g n h i ệ t t r ê n n ó . N h ư vậy,
sau m ỗ i l ầ n n ố i m ạ c h , t r ê n SCR x u ấ t h i ệ n m ộ t c ô n g s u ấ t t ổ n hao Pv,
c ô n g s u ấ t n à y l à m n ó n g SCR v à n ế u đ i ề u k h i ể n SCR n ố i m ạ c h thường
x u y ê n theo Ì n h ị p t ầ n s ố n h ấ t đ ị n h sẽ d ẫ n t ớ i n g u y cơ p h á h ỏ n g SCR do
q u á t r ì n h tích l ũ y nhiệt.

Tần số nối mạch của SCR có một giá trị giới hạn cho phép. Nếu nối mạch
SCR quá nhanh vượt qua ngưỡng này SCR sẽ có nguy cơ bị phá hỏng.

N h ư đ ã m ô t ả ở h ì n h 10.3, k h i U A K > 0 D u bị k h o a , đ i ệ n d u n g của

nó được dòng điện qua SCR nạp i = c = c

dt Át
Tốc đ ộ t ă n g của d ò n g đ i ệ n l ớ n l à m tốc đ ộ t ă n g c ủ a đ i ệ n á p trên
SCR c ũ n g l ớ n theo h a y n g ư ợ c l ạ i . Đ ố i v ớ i SCR c ầ n q u a n t â m t ớ i tham
s ố tốc độ b i ế n đ ô i g i ớ i h ạ n của đ i ệ n á p , k ý h i ệ u l à S u k n t , đ ể t r á n h mổi
q u á mức g â y n g u y h i ể m cho SCR.
H ì n h l 0 . 2 1 b c h ỉ r õ đ ổ t h ị t h a y đ ổ i của d ò n g ì v à đ i ệ n á p U A K theo
t h ờ i g i a n t r o n g q u á t r ì n h n g ắ t SCR.
Q u á t r ì n h n g ắ t SCR x ả y r a k h i U A K < 0 t ứ c l à l à m đ ả o c h i ề u dòng
đ i ệ n qua SCR. D ò n g ì g i ả m x u ố n g d ư ớ i g i á t r ị d ò n g d u y t r ì v à b ắ t đầu
x ả y r a q u á t r ì n h l ậ t t ừ n ố i s a n g n g ắ t . Sau k h i đ ả o c h i ề u qua 0, dòng ì
b ắ t đ ầ u t h ò i g i a n h ổ i p h ụ c v ề g i á t r ị đòn!? n g ư ợ c ( t ) , b ắ t đ ầ u bằng
n

khoảng thòi gian nạp t s t g r ấ t n h a n h do đ i ệ n c ả m k ý s i n h của SCR p h á t

s i n h sức d i ệ n đ ộ n g t ự c ả m k h i d ò n g qua n ó t h a y đ ổ i n h a n h . C á c tham
s ố t h ờ i g i a n c ầ n c h ú ý t r o n g q u á t r ì n h n g ắ t của SCR l à :
t:
f t h ờ i g i a n đ ể d ò n g t h u ậ n ì, g i ả m đ ế n 0.
t : t h ờ i g i a n x u ấ t h i ệ n d ò n g t ự c ả m t r ê n đ i ệ n c ả m k ý s i n h của SCR.
stK

t :
1T thòi gian h ổ i phục d ò n g ngược.
t :
g thời gian hổi phục điện áp Ư A K v ề 0.
t:
c thòi gian h ổ i phục h o à n t h à n h .
C á c d ạ n g t ổ n hao t r o n g SCR

204
 C ó 5 d ạ n g t ổ n hao l à :
1. T ổ n hao ở t r ạ n g t h á i d ẫ n đ i ệ n .
2. T ổ n hao ở t r ạ n g t h á i c h ắ n .
3. T ổ n hao l ú c n ố i m ạ c h .
4. T ổ n hao l ú c n g ắ t m ạ c h .
5. T ố n hao do m ổ i .
K h i ỏ t ầ n s ố cao t ổ n hao l ú c n ố i v à l ú c n g ắ t đ ặ c b i ệ t q u a n t r ọ n g vì
lúc đó g i á t r ị n à y k h ô n g c ò n n h ỏ so v ớ i t ổ n hao ở t r ạ n g t h á i d ẫ n . N ế u
SCR l à m v i ệ c vói đ i ệ n á p có t ầ n s ô ' 5 0 H z k h ó x á c đ ị n h được c h í n h x á c c á c
tổn hao n à y , g i á t r ị của c h ú n g k h o ả n g 10% t ổ n hao ở t r ạ n g t h á i d ẫ n .

10.2.3. C á c t h ô n g s ố đ ị n h m ứ c là t h a m s ố g i ớ i h ạ n

10.2.3.1. Nhóm các tham sô định mức gồm có:

• D ò n g d a n h đ ị n h I : là t r ị t r u n g b ì n h s ố học của d ò n g t h u ậ n t r o n g
N

điều k i ệ n t ả i v à đ i ề u k i ệ n l à m m á t xác định).

• Đ i ệ n á p t h ô n g U l à đ i ệ n á p giữa A v à K l ú c d ẫ n d ò n g (với Ì g i á
t

trị d ò n g t h u ậ n ) .
• D ò n g đ i ệ n duy trì I„: giá trị dòng dẫn n h ỏ n h ấ t để còn k h ả n ă n g
duy t r ì t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p của SCR.
• Dòng mổi I G T giá trị nhỏ n h ấ t yêu cầu đ ố i với d ò n g đ i ề u k h i ể n để
đ ư a SCR t ớ i t r ạ n g t h á i d ẫ n .
• Điện áp mổi U G T đ i ệ n á p đ ả m bảo d ò n g c h ả y g i ữ a G v à K .
• Thòi gian m ổ i t n ố i (thời gian nối mạch).
• Thời gian n g ắ t mạch tq (hổi phục về t r ạ n g t h á i ngắt).

• Dòng điện khoa I , I D R

(theo c h i ề u c h ắ n t h u ậ n có I , theo c h i ề u c h ắ n n g ư ợ c có I ) .
D K

• Điện trỏ nhiệt R l h G và R t h U x á c đ ị n h đ ộ d ẫ n n h i ệ t g i ữ a lớp c h ắ n -

vỏ R .„ h a y g i ữ a lớp c h ắ n - m ô i t r ư ờ n g k h ô n g k h í R
th( t h u ).
• Đ i ệ n á p m ổ i 0: đ i ệ n á p U A K giữa anot v à k a t o t đ ể b ắ t đ ầ u x ả y r a
lật s e n t ừ ngắt sang nối ( U K O ) xác định lúc U G K = 0

10.2.3.2. Nhóm các tham sỏ giói hạn gồm có:

• G i á t r ị tức t h ờ i cao n h ấ t của đ i ệ n á p c h ắ n đ ặ t l ê n SCR Ì cách
tuần hoàn.

205
 (theo c h i ề u d ư ơ n g ( v ù n g c h ắ n t h u ậ n ) U D R M , t h e o c h i ề u â m (vùng
c h ắ n ngược) U ). R R M

• G i á t r ị đ i ệ n á p x u n g t ứ c t h ờ i cao n h ấ t cho p h é p Ư R S M .
• D ò n g t h u ậ n l ớ n n h ấ t cho p h é p t r o n g t h ờ i g i a n h o ạ t đ ộ n g l á u d à i I T A V .
( m ạ c h m ộ t n ử a c h u k ỳ , t ả i x á c đ ị n h v à t h u ầ n t r ở , t r o n g đ i ề u kiện
l à m m á t x á c đ ị n h , t í n h t h e o g i á t r ị t r u n g b ì n h s ố học).
• D ò n g đ ỉ n h t u ầ n h o à n cao n h ấ t cho p h é p I T R M .
• Dòng một chiều I . T

• D ò n g h i ệ u d ụ n g giới h ạ n I t e f f .
• G i á t r ị đỉnh của công suất đ i ề u k h i ể n P G M .
• Đ i ệ n á p n g ư ợ c cao n h ấ t cho p h é p đ ặ t v à o cực đ i ề u k h i ể n U G R M .
• Đ ộ dốc đ i ệ n á p t ớ i h ạ n S ukll . .
ịt

• Đ ộ dốc d ò n g đ i ệ n t ớ i h ạ n S i k m t .
là c á c g i á t r ị tốc đ ộ b i ế n đ ổ i cao n h ấ t c ủ a d ò n g v à á p t r ê n SCR.
• N h i ệ t đ ộ cao n h ấ t cho p h é p T j .

10.2.4. M ộ t v à i ứ n g d ụ n g

10.2.4.1. SCR trong mạch xoay chiều

SCR t r o n g m ạ c h xoay c h i ề u có v a i t r ò n h ư Ì c ô n g t ắ c k h ô n g tiếp
đ i ể m v à t h ự c h i ệ n n ắ n đ i ệ n t h à n h Ì c h i ề u có đ i ề u k h i ể n được d ò n g điện
hay công s u ấ t t r ê n t ả i Ì chiểu.
M ạ c h h ì n h 10.22 d ù n g Ì đ i ệ n á p v à o
út
U G K dạng xung m ổ i Ì chiều điều khiến
ỉ
sen từ trạng thái ngắt mạch (điện trở ơ,
cao) sang t r ạ n g t h á i n ố i m ạ c h (điện trở
Đầu vào ị
t h ấ p ) t r o n g b á n k ỳ d ư ơ n g c ủ a n g u ổ n xoay điêu khiến I
chiều u v Đ ế n b á n k ỳ â m do U A K < 0nên r, ĩ
SCR l ậ t t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p v ề l ạ i
Hình 10.22. Mạch vào điều khiển
trạng thái điện t r ở cao ( n g a y k h i U X K
và mách tài.
c h u y ê n t ừ pha d ư ơ n g qua 0V). N ế u x u n g
mổi U G K cùng chu kỳ với u , n h ư n g chậm
pha h ơ n U g ó c a n à o đ ó t h ì SCR c h ỉ d ẫ n
l I/,
đ i ệ n t ừ oe t ớ i n, k h ô n g d ẫ n t r o n g k h o ả n g
Bộ tạo ƠTh
0 —> oe v à 71 đ ế n 2 TI. xung
H ì n h 10.23 l à Ì b ộ c h ỉ n h l ư u có đ i ề u
k h i ê n , SCR được m ổ i sau t h ờ i gian t ứ n g VỚI z Hình 10.23. Mạch chỉnh lưu có
điếu khiến dùng SCR.

206
góc c h ậ m pha cp (gọi l à góc c h ậ m pha mổi). N h ư v ậ y SCR d ẫ n đ i ệ n t r o n g
z

khoảng a đến 180°. Hình 10.24 cho các đổ thị điện áp và dòng điện
z

minh hoa hoạt động của mạch hình 10.23.

Hình 10.24. Đố thị thài gian cho mạch hình 10.23

Sự thay đổi góc pha đầu của U làm thay đổi góc pha mổi (p và sẽ
GK z

nhận được các dạng khác nhau của dòng điện. Hình 10.25 là dạng dòng
điện bị cắt pha theo các góc mổi khác nhau ((p > (p > (p ).
Z3 Z2 zi

t
Jẽỉì I Đô góc
1

N ỈN
f
V22u ì ị Độ góc

li .. ! i !
/"si 1
/ ụ V
I ' : 1
t
J VZ3 U - Độ góc

Hình 10.25. Sóng dòng điện bị cắt pha với các góc mối khác nhau.
Góc dịch pha mồi càng lớn thì sóng dòng điện bị cắt còn lại càng nhỏ.

207

i
 K ế t q u ả l à đ i ệ n á p r a m ộ t c h i ề u c ũ n g b ị đ i ề u k h i ể n t h e o góc cắt
pha v à p h ư ơ n g p h á p n à y g ọ i là đ i ề u k h i ể n k i ể u c ắ t p h a . D ạ n g đ i ệ n áp
v à d ò n g đ i ệ n t r ê n t ả i bị c ắ t n h ỏ n ê n n ă n g l ư ợ n g c ấ p cho t ả i k h ô n g đều
v à x u ấ t h i ệ n c á c s ó n g b ậ c cao ( m é o p h i t u y ế n h a y n h i ễ u h à i bậc cao).
K h i c ầ n c á c c ô n g s u ấ t l ớ n t r ê n t ả i , p h ư ơ n g p h á p n à y t h ư ờ n g k h ô n g được
sử d ụ n g .
H ì n h 10.26 đ ư a r a Ì c á c h đ i ề u k h i ể n k h á c l à t h a y đ ổ i t ầ n s ố của
x u n g n h ờ c h ọ n b á n k ỳ d ư ơ n g Ì c á c h có q u y l u ậ t (sau k h i đ ã c h ặ n một
n h ó m n h ấ t đ ị n h ) . T r ê n t h ự c t ế có t h ê c h ọ n Ì t r o n g 100 b á n k ỳ dương
x u ấ t h i ệ n h a y í t h ơ n là 1/10, 1/8, 1/5 hoặc 1/2 g ọ i c h u n g l à p h ư ơ n g
p h á p điều k h i ê n kiêu nửa sóng.

(Ai
/~\ /~\ ỵ~\
^ ^ M v
'
Ì
Ì
Ì
Ì
1
ị
ĩ *
ì
1
ĩ
— i
Ì
Ì
7

Hình 10.26. Điều khiển kiểu nửa sóng.

Ở phương pháp nửa sóng, SCR không được mồi trong một số bán kỳ
dương nhất định.

Số l ư ợ n g b á n k ỳ bị c h ặ n c à n g n h i ề u t h ì đ i ệ n á p v à c ô n g s u ấ t ra
c à n g n h ỏ , p h ư ơ n g p h á p n à y ít g â y n h i ễ u h ơ n v à được d ù n g n h i ề u cho
c á c m ạ c h c h i n h l ư u có đ i ề u k h i ể n v ớ i c ô n g s u ấ t r a t ả i l ớ n .

10.2.4.2. Thyristo trong mạch diện 1 chiểu

SCR hoạt động trong mạch Ì chiều n h ư một
c ô n g Lắc c h u y ế n m ạ c h k h ô n g t i ế p đ i ế m , v ớ i Ì d ò n g
d i ề u k h i ê n n h ỏ có t h ê n ố i m ạ c h Ì d ò n g t ả i l ớ n .
Việc n g ắ t m ạ c h cho d ò n g t ả i k h ô n g đơn g i ả n , c ầ n
g i ả m d ò n g t r ê n SCR qua n g ư ỡ n g d ò n g duy trì, m u ố n
v ậ y d ò n g t á i p h á i g i ả m t r o n g Ì t h ò i gian n g ắ n n h ờ
m ộ t c ô n g t ắ c l à m n g ắ t m ạ c h d ò n g t á i ( h ì n h 10.27). Hình 10.27. Mạch 1
chiểu dùng SCR.

208

li
K h i đ ó c ầ n d ù n g c á c p h â n t ử cơ đ i ệ n n h ư r ơ l e h a y c á c l o ạ i c ô n g tắc
k h ô n g t i ế p đ i ể m kKác.
H ì n h 10.28 sử d ụ n g SCR T h j l à m t h y r i s t o c h í n h đ ể £Ỉiều k h i ể n n ố i
m ạ c h c ô n g s u ấ t l ớ n t h e o y ê u c ầ u . SCR T h 2 làm nhiệm vụ chuyển mạch
p h ụ d ể đ ạ t đ ư ợ c m ụ c đ í c h n g ắ t d ò n g cho SCR c h í n h T h j t r o n g m ộ t t h ờ i
gian đ ủ n g ắ n đ ể đ ư a n ó v ề t r ạ n g t h á i có đ i ệ n t r ở cao. C ô n g s u ấ t t i ê u
hao của T h 2 y ê u cầu k h ô n g lớn. Trong thòi gian T h j d ẫ n điện, t ụ c
được n ạ p , Tha b ị k h o a ( h ì n h 10.29).
N ê u T h ọ được m ổ i đ i ệ n á p , đ i ệ n á p t r ê n a n o t c ủ a T h 2 b ấ t ngờ g i ả m
x u ố n g cỡ + 2 V , t ụ ( l ú c n à y có đ i ệ n á p cờ 98V) p h ó n g đ i ệ n . Đ i ệ n t h ế -
98V t r ê n t ụ c l à m n g ắ t d ò n g T h j v à đ ư a n ó v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao,
m ạ c h v í d ụ được d ù n g đ ể đ i ề u k h i ể n n g u ổ n đ i ệ n c ấ p cho ô t ô .
•100V

L ỉ
Ù li
li
7™1 lị 'Th,
Thyristo chính

Hình 10.28. Mạch mổi dùng Hình 10.29. Giải thích hoạt động mạch
SCR phụ. điểu khiển vói SCR chính và SCR phụ.

10.3.THYRISTO4 C ự c

Cấu tạo và hoạt động

H ì n h 10.30 l à c ấ u t ạ o cơ b ả n của m ộ t T h y r i s t o 4 cực. Đ i ể m k h á c
b i ệ t cơ b ả n v ề c ấ u t ạ o l à có 2 cực đ i ề u k h i ể n G j v à G . V i ệ c m ổ i SCR có
2

t h ể thực h i ệ n b ằ n g x u n g m ổ i d ư ơ n g đ ư a v à o G j hay x u n g m ổ i â m đ ư a
vào G . 2

Để điều khiển SCR 4 cực lật sang trạng thái dẫn (điện trở thấp) có 3
cách tác động: mồi vào G hoặc vào G hoặc tác động vào cả hai cực
1 2

điều khiển G và G .
1 2

T r o n g k h i l o ạ i S C R 3 cực c h ỉ d ù n g cực đ i ề u k h i ể n l ậ t t r ạ n g thái

được t h e o Ì h ư ớ n g t ừ t r ạ n g t h á i n g ắ t ( đ i ệ n t r ở cao) s a n g t r ạ n g t h á i n ố i
( đ i ệ n t r ở t h ấ p ) t h ì SCR 4 cực có k h ả n ă n g d ù n g cực đ i ề u k h i ể n l ậ t n ó
theo cả h a i h ư ớ n g t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p
và ngược l ạ i .

209
 K h i l ậ t SCR t ừ n g ắ t s a n g n ố i m ạ c h có t h ể d ù n g Ì t r o n g 3 c á c h điều
k h i ể n h o ặ c d ù n g đ ổ n g t h ò i cả 3 c á c h .
K h i l ậ t SCR t ừ n ố i s a n g n g ắ t m ạ c h c ầ n p h ả i đ ả o cực d ò n g đ i ề u
k h i ể n v à c ũ n g có t h ể d ù n g Ì t r o n g 3 c á c h h a y cả 3 c á c h đ i ề u k h i ể n về
l ạ i t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao. K ý h i ệ u q u y ước SCR 4 cực cho t r ê n h ì n h
1 0 . 3 1 . D o t ổ n t ạ i m ộ t s ố k h ó k h ă n v ề c ô n g n g h ệ , SCR 4 cực h i ệ n chỉ
d ù n g cho c á c m ạ c h có d ò n g k h ô n g l ớ n h ơ n 5A.

í
G_2
Gi G,

Hình 10.30. Cấu tạo và mạch tường dương SCR 4 cực Hỉnh 10.31. Ký hiệu
(thyristo tetrot). thyristo tetrot.

10.4. G T O T H Y R I S T O

SCR 4 cực k h ắ c p h ụ c được n h ư ợ c đ i ể m c ủ a l o ạ i SCR 3 cực l à n ó đã

có t h ể sử d ụ n g được Ì h o ặ c cả h a i cực đ i ề u k h i ể n đ ư a SCR đ a n g ở t r ạ n g
t h á i d ẫ n v ớ i đ i ệ n t r ở t h ấ p v ề l ạ i t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao, k h ả n ă n g n à y
ở l o ạ i SCR 3 cực k h ô n g có. T u y n h i ê n l o ạ i SCR 4 cực c h ỉ d ù n g được k h i
y ê u cầu công s u ấ t hay d ò n g t ả i t ư ơ n g đ ố i nhỏ.
G T O - SCR có chức n ă n g b ổ s u n g là có t h ể d ậ p t ắ t n ó ( đ ư a v ề t r ạ n g
t h á i đ i ệ n t r ở cao) n h ò d ò n g cực t í n h â m t á c đ ộ n g l ê n cực đ i ề u k h i ể n .
C ụ m c h ữ c á i v i ế t g ọ n G T O x u ấ t p h á t t ừ gốc c ụ m t ừ G a t e T ù m Off.

GTO - SCR có thể đưa SCR từ trạng thái dẫn về trạng thái ngắt nhờ
dùng cực G điều khiển.

10.4.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

G T O - SCR có c ấ u t ạ o t ư ơ n g t ự n h ư S C R 3 cực ( h ì n h 10.32) v à có

m ạ c h t ư ơ n g đ ư ơ n g t ư ơ n g tự. Việc pha t ạ p r ấ t k h ô n g đ ố i x ứ n g d ẫ n tới
t r a n s i t o p n p có h ệ s ô B n h ỏ t r o n g k h i t r a n s i t o n p n có h ệ s ô B lớn
n h ò đ ó b i ệ n p h á p đ i ề u k h i ể n l ậ t n g ư ợ c d ù n g cực G l à có t h ể t h ự c
h i ê n được.

210
 Kằtot ? V thè
M
Ký hiệu
c h tha

tương đương
Hình 10.32. cấu tạo và mạch tương đương của GTO thyristo.
K h i đ i ề u k h i ể n l ậ t ngược t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao v ề t r ạ n g t h á i
đ i ệ n t r ở t h ấ p , c ầ n x u n g đ i ề u k h i ể n â m v à có g i á t r ị t ư ơ n g đ ố i l ớ n .

Để ngắt mạch GTO - SCR cẩn dòng điều khiển ngắt có giá trị cỡ 20%
đến 30% giá trị dòng tải lúc dẫn và có chiều ngược lại.
H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i n g ắ t m ạ c h G Q được đ ị n h nghĩa:
G

G„ =Ì21
GQ T
GQ
I QS là dòng tải ở trạng thái đang nối mạch trước khi
X

đ i ề u k h i ể n ngắt.
I Q dòng điều khiển ngắt mạch.
G

H ệ số khuếch đ ạ i ngắt mạch G Q c à n g lớn thì dòng

G

điều k h i ể n ngắt I Q càng thấp.

G

G i á t r ị t h ự c t ế G Q là t ừ 3 t ớ i 5. N g h ĩ a l à G T O - SCR có d ò n g t ả i
G

lúc d ẫ n là 1000A t h ì d ò n g đ i ề u k h i ể n t ạ i cực G cho n ó n g ắ t l à k h o ả n g

250A tức l à d ò n g đ i ệ n đ i ề u k h i ể n n g ắ t p h ả i có tốc độ b i ế n đ ổ i k h o ả n g
50A/ỊIS đ â y là m ộ t đòi h ỏ i cao.

Để điều khiển ngắt GTO - SCR cần mạch điều khiển có công suất lớn.
N ế u c h ế t ạ o được G T O - SCR có G Q l ớ n t h ì k h i đó y ê u c ầ u I Q
G G

t h ấ p h ơ n do đó d ễ t h ự c h i ệ n h ơ n v ớ i c h i p h í t h ấ p cho m ạ c h đ i ề u k h i ể n
dập SCR.
D ò n g đ i ề u k h i ể n m ổ i GTO - SCR có giá trị y ê u c ầ u nhỏ, thường
khoảng 0,5% đ ế n 1% d ò n g t ả i . Thời gian n ố i m ạ c h v à t h ờ i gian n g ắ t m ạ c h
phụ thuộc n h i ề u v à o độ lớn d ò n g đ i ề u k h i ể n và tốc độ b i ế n t h i ê n của c h ú n g .

Thòi gian lật SCR càng nhỏ khi dòng điều khiển càng lớn và độ dốc (tốc
độ biến thiên) của chúng càng lớn.

211
 K h i t ầ n s ố l à m v i ệ c của G T O SCR ở 2 k H z c á c t h ò i g i a n n à y có giá
t r ị t r o n g k h o ả n g t ừ 2 fi8 (1|J.S = 10 s) t ớ i 6fis.
_<i

10.4.2. T h a m s ố c ủ a G T O - SCR

T ư ơ n g t ự n h ư SCR 3 cực, G T O - SCR có c á c t h a m s ố c h í n h n h ư sau:

* N h ó m tham số giỏi h ạ n
- D ò n g n g ắ t m ạ c h cao n h ấ t I QSM
T VÍ d ụ 500A
- Dòng dân đỉnh In!'M 800A
Đ i ệ n á p n g ư ợ c cực đ ạ i u 1800V
DKM
* N h ó m t h a m s ô đ ị n h mức.
- Dòng t ả i danh định ì TQS ví dụ 400A
Dòng mổi (nối mạch) len- 2A
- D ò n g dập ( n g á t mạch) 100A
- H ệ số khuếch đ ạ i đ ậ p G 4
* M ộ t s ố t h a m s ố h o ạ t đ ộ n g của G T O SCR
- Đ i ệ n á p đ ặ t giữa anot và katot
- Đ i ệ n á p khoa ưu
- Điện áp dẫn U T

- Dòng dẫn ITQ

- Dòng dư Itail
. 058
034 ,
Anot. 200 "0
V I"
vo 1

Katot phu (núm katot)

3=

Hình 10.34. cấu tạo của GTO.

212
 * Các t h a m số về thòi gian q u á độ ( h ì n h i o . 3 4 )
- Thời gian nối mạch t n 5 i

- Thời gian trễ t d

- Thòi gian t ă n g t r

- Thòi gian ngắt t n g ắ t

- Thời gian nạp tg

- Thòi gian g i ả m tf
- Thời gian dòng dư t a i l

G T O — SCR được d ù n g l à m p h ầ n t ử cơ b ả n đ ể x â y d ự n g c á c m ạ c h
b i ế n đ ổ i t ừ đ i ệ n m ộ t c h i ề u t h à n h đ i ệ n xoay c h i ề u ( c á c b ộ r u n g h a y đ ổ i
điện) được d ù n g k h á p h ổ b i ế n t r o n g n h i ề u l ĩ n h v ự c c ô n g n g h i ệ p giao
t h ô n g , h à n g k h ô n g . . . đ ặ c b i ệ t t r o n g p h ầ n đ i ệ n c ủ a đ ầ u m á y xe l ử a l à
một ví d ụ .

Hình 10.234. Quá trình nối và ngắt mạch của GTO SCR.
 C Â U H Ỏ I Ô N T Ậ P - BÀI T Ậ P

1. G i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của m ộ t d i o t 4 l ớ p .
2. M ạ c h t h a y t h ế d i o t 4 lớp có d ạ n g n h ư t h ế n à o ? h ã y v ẽ d ạ n g mạch
tương đương?
3. Vẽ dạng ì - U A K của Ì diot 4 lớp v à n ê u đặc đ i ể m của d ạ n g đặc tuyến.
4. H ã y p h â n b i ệ t t h y r s t o 3 cực (SCR) v à d i o t 4 lớp v ề c ấ u t ạ o và
n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g ?
5. H ã y v ẽ m ạ c h t ư ơ n g đ ư ơ n g t h a y t h ế SCR b ằ n g 2 t r a n s i t o sau k h i
b i ê n đ ổ i m ô h ì n h c ấ u t ạ o c ủ a SCR?
6. SCR 3 cực h o ạ t đ ộ n g n h ư t h ế n à o t r o n g v ù n g U A K < 0?
N ê u đ i ề u k i ệ n đ ể SCR có đ i ệ n t r ở t h ấ p ( m ổ i ) v à l à m t h ế n à o để
SCR v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao ( d ậ p ) ?
7. H ã y n ê u t h a m s ố đ ị n h m ứ c của SCR?
8. H ã y n ê u 6 t h a m s ố g i ớ i h ạ n của SCR 3 cực. Đ i ề u gì x ẩ y r a k h i quá
g i ớ i h ạ n cho p h é p ?

9. Đ ặ c t u y ế n l ậ t c ủ a m ộ t SCR có d ạ n g n h ư t h ế n à o ? Ý n g h ĩ a ?
10. V ẽ đ ặ c t u y ế n ì - Ư A K của Ì SCR 3 cực?
li. Hình 10.35 là Ì mạch chỉnh
l ư u 1/2 c h u k ỳ có đ i ề u k h i ể n .
G i ả i t h í c h h o ạ t động?
12. M ạ c h c h ỉ n h l ư u có đ i ề u k h i ể n
h ì n h 10.35 l à m v i ệ c v ớ i Ì d ò n g
đ i ệ n m ổ i dịch pha (p = 9 0 ° so
z

v ớ i đ i ệ n á p v à o ; U j có d ạ n g h ì n h
Hình 10.35. Mạch chỉnh lưu 1/2 chu
sin. H ã y vẽ d ạ n g đ i ệ n á p U 2 ( t ) kỳ có diều khiển.
t ạ i l ố i ra?
13. Đ i ề u k h i ể n SCR b ằ n g p h ư ơ n g p h á p đ i ề u k h i ể n n ử a s ó n g l à gì?
14, M ạ c h h ì n h 10.36 l à m v i ệ c n h ư t h ế n à o ?

l ỗ . G T O - SCR l à gì? đ i ể m k h á c b i ệ t g i ữ a SCR 3 cực v à G T O - SCR?

16. H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i n g ắ t m ạ c h của G T O - SCR l à gì?

Ý n g h ĩ a của t h a m s ố n à y ?

214
17. C ô n g s u ấ t x o a y c h i ề u n h ậ n được t r ê n m ộ t đ i ệ n t r ở t ả i có t h ể đ i ề u
khiển được nhờ m ộ t SCR mắc nối tiếp với t ả i , h ã y giải thích
n g u y ê n lý đ i ề u k h i ể n n à y ?
18. H ã y g i ả i t h í c h h o ạ t đ ộ n g của m ạ c h đ i ệ n h ì n h 10.37?

Bộ tạo xung
điều khiển

Hình 10.36. Mạch dùng Hình 10.37. Mạch dùng SCR và diot
cặp SCR chính - phụ. kết hợp.

215
 C h ư ơ n g 11

Đmc và TRIfĩC

11.1. DIAC

D i a c l à t h u ậ t n g ữ v i ế t t ắ t của c ụ m t ừ "Diode a l t e r n a t i n g c u r r e n t
s w i t c h " m a n g ý n g h ĩ a là d i o t k h o a c h u y ể n m ạ c h d ò n g x o a y c h i ề u . N h ư
v ậ y diac có 2 t í n h c h ấ t q u a n t r ọ n g n h ấ t .
1. L à Ì k h o a c h u y ể n m ạ c h , có h a i t r ạ n g t h á i : đ i ệ n t r ở cao k h i bị
n g ắ t m ạ c h hay bị khoa v à đ i ệ n trở t h ấ p k h i n ố i m ạ c h hay d ẫ n đ i ệ n .
2. H o ạ t đ ộ n g t r o n g m ạ c h đ i ệ n xoay c h i ề u t ứ c l à có k h ả n ă n g d ẫ n
đ i ệ n t h e o cả h a i c h i ề u : h o ặ c c h i ề u n à y hoặc c h i ề u k i a .
Do t í n h c h ấ t n à y diac c ò n được g ọ i l à d i o t h a i h ư ớ n g .
Tại một điện áp ngưỡng Ư B 0 (gọi l à đ i ệ n á p d ẫ n - đ i ệ n á p mở), diac
l ậ t t ừ t r ạ n g t h á i có đ i ệ n t r ở cao s a n g t r ạ n g t h á i có đ i ệ n t r ở t h ấ p . Q u á
t r ì n h l ậ t sang t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở t h ấ p x ả y ra theo cả h a i h ư ớ n g p h â n
cực của đ i ệ n á p đ ặ t v à o ở c ù n g m ộ t g i á t r ị đ i ệ n á p m ỏ k h i t í n h đ ố i xứng
là lý t ư ở n g .
D i a c có c ấ u t ạ o t ừ 3 lớp b á n d ẫ n ( h ì n h 11.1) đ ư ợ c g ọ i l à d i o t hai
h ư ớ n g h a y t ừ 5 lớp b á n d ẫ n x e n k ẽ ( h ì n h 11.7) được g ọ i l à d i o t t h y r i s t o
hai hướng.

1 1 . 1 . 1 . D i o t hai h ư ớ n g

11.1.1.1. Câu tạo và nguyên lý hoạt động

D i o t h a i h ư ớ n g có c ấ u t ạ o t ư ơ n g t ự n h ư m ộ t t r a n s i s t o ( h ì n h 11.1)
g ổ m 3 lớp b á n d ẫ n xen k ẽ n h a u d ạ n g p n p h o ặ c n p n . H ì n h 11.2 t h ể h i ệ n
v i ệ c p h â n cực d i o t 2 h ư ớ n g theo h a i c á c h v à l u ô n n h ậ n đ ư ợ c Ì v ù n g pn
khoa v à Ì v ù n g pn mở. T ạ i đ i ệ n á p mở U B 0 t i ế p x ú c p n đ a n g k h o a bị
đ á n h t h ủ n g d ạ n g t ư ơ n g t ự n h ư Zener - D i o t v à s a u đ ó h ệ t h ố n g dẫn
đ i ệ n v ố i đ i ệ n trở t h ấ p . Giá trị U B 0 p h ụ thuộc v à o c ấ u tạo v à đặc biệt
v à o n ổ n g đ ộ p h a t ạ p c h ấ t của c á c v ù n g b á n d ẫ n .

ỉ
p ỉì p
n n u u
p ỉì

i
Hỉnh 11.1. Cấu tạo của diot 2 hưởng. Hình 11.2. Phân cực cho diot 2 hướng.

216

li
 K h i đ i ệ n á p t r ê n d i o t g i ả m qua m ộ t mức đ i ệ n á p n à o đ ó g ọ i là đ i ệ n
áp d u y t r ì , d i o t l ậ t v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao. Đ ộ l ố n của đ i ệ n á p duy
trì do n ổ n g đ ộ pha t ạ p c h ấ t q u y ế t đ ị n h .

Khi điện á p trên diot vượt qua điện áp duy trì, diot hai hướng lật về trạng
thái điện trỏ cao.

11.1.1.2. Tham số định mức và tham sô giới hạn

* Đ ặ c t u y ế n V o n A m p e của d i o t h a i h ư ớ n g được cho t r ê n h ì n h 11.3
và k ý h i ệ u d i o t h a i h ư ớ n g cho t r ê n h ì n h 11.4
C á c t h ô n g s ố đ ị n h mức ( d a n h đ ị n h ) mA I
của diot là: đ i ệ n á p m ở U B 0 và điện áp
duy t r ì Ư u , d ò n g m ở I B 0 .
10
Dòng I B 0 là d ò n g d ẫ n của diot ngay
khi về t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở t h ấ p . (leo có giá -UBO lẹo
trị nhỏ n h ấ t b ằ n g d ò n g ngược qua diot). 10 20 30 Uga

T h ự c r a do t í n h đ ố i x ứ n g k h ô n g lý 10
tưởng, h a i g i á t r ị đ i ệ n á p m ở theo h a i
hướng c à n g l ệ c h n h a u í t t h ì c h ấ t lượng
của diot h a i h ư ớ n g c à n g t ố t . K h i c h ú n g Hình 11.3. Đặc tuyến I - u
k h á c n h a u v ề m ô đ u n ta có t h a m s ố độ của diot 2 hướng.
lệch đ ố i x ứ n g s ( t í n h b ằ n g V o l t ) .
* G i á t r ị cụ t h ể của c á c t h a m s ố d a n h đ ị n h :
• Đ i ệ n áp mở U n o = 32V
• D ò n g đ i ệ n m ở lao = 50ỊXA.

• Đ i ệ n á p d u y t r ì Ưu = 20V
• Đ ộ l ệ c h đ ố i x ứ n g s = ± 3V
* C á c t h a m s ố g i ớ i h ạ n g ổ m : C ô n g s u ấ t t ổ n hao cho p h é p l ớ n n h ấ t .
• p t ũ t ví d ụ = 0,5W
• D ò n g x u n g cho p h é p l ớ n n h ấ t I p m a x = 2A
• N h i ệ t đ ộ v ỏ cao n h ấ t T m a x = + 100°c
• N h i ệ t đ ộ vỏ t h ấ p n h ấ t T = -40°c
Hình 11.4. Ký hiệu
m i n

11.1.2. T h y r i s t o - d i o t hai h ư ỏ n g của diot 2 hướng.

11.1.2.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

T h y r i s t o d i o t h a i h ư ớ n g có c ấ u t ạ o là h a i t h y r i s t o d i o t mắc song
song v à đ ố i đ ầ u n h a u n h ư được t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 11.5. T h y r i s t o diot
có c ấ u t ạ o g ổ m 4 lớp b á n d ẫ n p v à n xen k ẽ n h a u , n h ư v ậ y k ế t c ấ u của

217
t h y r i s t o d i o t h a i h ư ớ n g sẽ có d ạ n g h ì n h 11.6 v à n ế u h ợ p n h ấ t l ạ i trong
Ì c ấ u h ì n h sẽ n h ậ n đ ư ợ c h ệ t h ố n g g ổ m 5 lớp b á n d ẫ n t r ê n Ì p h i ế n đơn
t i n h t h ê ( h ì n h 11.7). T í n h c h ấ t c ủ a t h y r i s t o d i o t h a i h ư ớ n g r õ r à n g do
t í n h c h ấ t của h a i t h y r i s t o diot q u y ế t đ ị n h . N g h ĩ a là t ạ i Ì đ i ệ n á p Ư B 0

n ó sẽ l ậ t t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao s a n g t r ạ n g t h á i có đ i ệ n t r ở t h ấ p và
n g ư ợ c l ạ i k h i đ i ệ n á p t r ê n n ó g i ả m t h ấ p h ơ n đ i ệ n á p d u y t r ì , d ụ n g cụ sẽ
l ậ t l ạ i t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao. Đ i ề u này
x ả y r a t h e o cả h a i h ư ớ n g cho h a i t h y r i s t o d i o t .
i-

Ì £ p
n - r>
p
11
p

T
Hình 11.5. Nối song Hình 11.6. Biêu diễn 2 Hình 11.7. Hợp nhất 2
song 2 thyristo diot. thyristo diot đấu song thyristo đôi song song
song đối đầu nhau. vào một chíp tinh thể.
11.1.2.2. Tham sô danh định và tham số giới hạn
C á c t h a m sô" d a n h đ ị n h của t h y r i s t o d i o t h a i h ư ớ n g g i ố n g n h ư của
t h y r i s t o d i o t đ ã được cho ở p h ầ n 10.1.2. c ầ n c h ú ý ở đ â y t h a m s ố lệch
đ ố i x ứ n g g i ữ a 2 đ i ệ n á p n g ư ỡ n g Uịto v à U Ẽ O ( t h ự c t ế có g i á t r ị s = 4V
đến6V).

Hình 11.8. Đặc tuyến I - u của một thyristo diot 2 hướng.

H ì n h 11.8 đ ư a r a d ạ n g đ ặ c t u y ế n V o n
Ampe của m ộ t t h y r i s t o diot h a i h ư ớ n g . C á c
t h a m s ố g i ớ i h ạ n c ũ n g được cho t ư ơ n g t ự 4
n h ư t h y r i s t o d i o t . K ý h i ệ u q u y ước của c ấ u
k i ệ n l o ạ i n à y cho t r ê n h ì n h 11.9. Hình 11.9. Ký hiệu thyristo
diot 2 hưởng.

218

í
11.1.3. ứ n g d ụ n g

D i a c đ ư ợ c sử d ụ n g t r o n g c á c m ạ c h d ò n g xoay c h i ề u n h ỏ ( t ớ i k h o ả n g
3A) d ù n g l à m k h o a c h u y ể n m ạ c h t h ư ờ n g đ ể đ i ề u k h i ể n t r i a c .

11.2. T R I A C

11.2.1. C ấ u t ạ o v à n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g

V ê n g u y ê n lý, v i ệ c đ i ê u k h i ế n c ô n g
s u ấ t t r ê n Ì t ả i theo c á c chỉ t i ê u m o n g
m u ố n t u y theo n h u c ầ u t i ê u t h ụ của t ả i
sẽ m a n g l ạ i h i ệ u q u ả k i n h t ế cao v à cơ sỏ
kỹ t h u ậ t n à y dựa t r ê n việc d ù n g thyristo.
Tuy n h i ê n t h y r i s t o có h i ệ u ứ n g c h ỉ n h l ư u
n ê n chỉ d ù n g cho c á c m ạ c h d ò n g Ì c h i ề u
(chỉ đ i ề u k h i ể n SCR ở b á n kỳ dương,
trong b á n k ỳ â m SCR l u ô n khoa). K h i Hình 11.10. Mạch đấu đôi song
cần đ i ề u k h i ể n t r o n g m ạ c h d ò n g xoay song 2 thyristo.
chiều, có t h ể d ù n g 2SCR T h i v à T h 2 m ắ c
song song đ ố i đ ầ u n h a u n h ư t r ê n h ì n h 11.10. V i ệ c đ i ề u k h i ể n c h ú n g t h ự c
hiện nhờ các đ i ệ n á p x u n g đ i ề u k h i ể n Ư s t l và U s t 2 và cần các mạch tạo ra
các x u n g n à y . C á c đ i ệ n á p U s t l và U s t 2 c ầ n có l i ê n h ệ pha c h ặ t c h ẽ v ớ i n h a u
n h ư n g độc l ậ p n h a u . T h ư ờ n g c ấ u h ì n h 11.10 được c h ế t ạ o t r ê n Ì m i ế n g
đơn t i n h t h ể v ớ i m ô h ì n h 5 lớp xen k ẽ n h ư t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 11.11. V à
n ế u hợp n h ấ t h a i SCR l ạ i ta có c ấ u t ạ o h ì n h 11.12. C á c đ i ệ n á p đ i ề u k h i ể n
G j v à G được k ế t hợp l ạ i t h à n h Ì cực đ i ề u k h i ể n c h u n g là cực G. K h i l ấ y
2

G j ở h ì n h 11.12 l à m cực G c h ú n g ta có c ấ u t ạ o h ệ h ì n h 11.13.

n n
p p G,0— p p
n n n
p p
n p p —°G2
ra I n
Thi Th2

Hình 11.11. Hợp nhất cách đấu song song đối Hình 11.12. C ấ u t r ú c 2 S C R
đầu hai SCR vào một miếng tinh thể. trên một tinh thê.

N h ư v ậ y đ ố i v ớ i SCR T h i v i ệ c đ i ề u k h i ể n d ù n g cực G l à b ì n h
t h ư ờ n g n h ư m ọ i t h y r i s t o k h á c , tức l à k h i đ i ệ n á p đ ặ t v à o G so v ớ i A i

219
d ư ơ n g , x u ấ t h i ệ n d ò n g đ i ề u k h i ể n I . T u y n h i ê n đ ố i với SCR T h 2 đây
s t

k h ô n g p h ả i l à c á c h đ i ề u k h i ể n m ổ i n ó h o ạ t đ ộ n g . Đ ể t h ự c h i ệ n việc
m ổ i T h 2 m ộ t v ù n g d ẫ n đ i ệ n l o ạ i n n h ỏ được c ấ y t h ê m ở n g a y t r o n g
cực đ i ề u k h i ể n ( h ì n h 11.14) v à m ộ t v ù n g t ư ơ n g t ự đ ư ợ c t ạ o r a bên
đ i ệ n cực A . K h i đ ó v ề c ấ u t ạ o đ ã x u ấ t h i ệ n h a i t h y r i s t o p h ụ đ ư ợ c gọi
2

l à c á c t h y r i s t o m ổ i . N h ờ c á c t h y r i s t o m ổ i , c á c t h y r i s t o c h í n h có t h ể l ậ t
sang t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở t h ấ p với các x u n g đ i ề u k h i ể n d ư ơ n g và xung
đ i ề u k h i ể n â m . L i n h k i ệ n có c ấ u t ạ o v ừ a đ ư ợ c m ô t ả c h i t i ế t được gọi
là T R I A C ( v i ế t t ắ t t ừ c ụ m t ừ "triode a l t e r n a t i n g c u r r e n t svvitch")
n g h ĩ a l à k h o a c h u y ể n m ạ c h d ò n g xoay c h i ề u có 3 cực h a y t ê n g ọ i theo
c ấ u t ạ o l à t h y r i s t o 3 cực h a i h ư ớ n g . C ấ u t ạ o c ủ a t r i a c t h e o m ặ t cắt
dọc được cho t r ê n h ì n h 11.15 v à k ý h i ệ u q u y ước cho t r ê n h ì n h 11.16.
Đ ặ c t u y ế n V o n A m p e ì - Ư cho t r ê n h ì n h 11.17.
Anot 1
Cưc cửa
GNL <}A\

n I
pỊ í p
n í Ị n n n n
!

D ' ! ộ
r ị ị ạ
Thi ẲA Th2 R iA
Miền tạo SCR A i Miềr
Miền tạo SCR
2
2
phụ 1 phu 2
Anot2
Hình 11.13. Cấu tạo vói Hình 11.14. Cấu tạo vối
cực điều khiển G. thyristo hỗ trợ mổi. Hình 11.15. Mặt cắt tinh thể của triac.

Triac làm việc như hai thyrísto 3 cực nối đối song song nhau. Nó có khả
năng điều khiển cả hai nửa sóng dòng xoay chiều với một cực điều khiển
duy nhất.

N h ư v ậ y t h á c có 2 anot k ý h i ệ u là À) v à A , g ọ i là a n o t l (anot t r ê n )
2

còn anot2 (anot vỏ) v à có Ì cực đ i ề u k h i ể n g ọ i là cực cửa (G) ( h ì n h 11.16).

IA, ,A,

*2 'A 2

Hình 11.16. Ký hiệu triac.

Đ ặ c t u y ế n V o n A m p e của t r i a c ở góc p h ầ n t ư ì v à góc p h ầ n t ư I U

m ỗ i v ù n g n à y gổm 3 v ù n g nhỏ: v ù n g khoa, v ù n g q u á độ và v ù n g dẫn
( h ì n h 11.17).

220
 Vùng dẫn

Hình 11.17. Đặc tuyến Von Ampe của triac.

11.2.2. C á c c h ế đ ộ l ậ t c ủ a t r i a c

V i ệ c đ i ề u k h i ể n t r i a c t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao s a n g t r ạ n g thái
đ i ệ n t r ở t h ấ p có t h ể có 4 c á c h k h á c n h a u g ọ i l à c á c d ạ n g c h ê đ ộ đ i ề u
khiển lật.
* Đ i ề u k h i ể n k i ể u V: A d ư ờ n g h ơ n A j , sử d ụ n g góc p h ầ n t ư ì. Đ i ệ n
2

áp điều k h i ể n U G A 1 l à x u n g d ư ơ n g so v ớ i A i ( t h ể h i ệ n ở d ấ u +). C á c đ i ệ n
á p đ ặ t v à o t r i a c đ ư ợ c cho t r ê n h ì n h 11.18.
* Đ i ê u k h i ể n k i ể u I U " : A â m h ơ n A i , cho t r i a c l à m v i ệ c ở góc p h ầ n
2

tư H I t r ê n đặc t u y ế n , U G A 1 l à x u n g â m so v ớ i A , ( h ì n h 11.19).
* Điều khiển kiểu r : T h á c l à m v i ệ c t r o n g góc ì ( A d ư ơ n g h ơ n A i )
2

Đ i ệ n á p x u n g đ i ề u k h i ể n U A1 â m so v ớ i A i ( h ì n h 11.20).
G

* Đ i ề u k h i ể n k i ể u I I I : T h á c l à m v i ệ c t r o n g góc I U ( A â m h ơ n A j )
+
2

X u n g đ i ề u k h i ể n U A1 cực t í n h d ư ờ n g so v ớ i A i ( h ì n h 11.21).
G

A2Ỹ r* A2Ỹ 1- AỊ9 ự* A2Ỵ——

u u Ư
u
" T T UỌA\
Ai I-ỈUGAI Át NU3A1 Ai A,
X

Hình 11.18. Điều Hỉnh 11.19. Điều Hình 11.20. Điều Hình 11.21. Điều
khiển kiểu r . khiên kiêu HI". khiển kiểu r. khiển kiêu HI*.

T u y n h i ê n p h ầ n lớn các triac l à m việc theo 2 k i ể u r v à I U " vì đ ộ

n h ậ y đ i ề u k h i ể n c ủ a 2 l o ạ i n à y là đ ặ c b i ệ t l ớ n . H a i l o ạ i c ò n l ạ i ( r và
I I I ) đ ò i h ỏ i b i ê n đ ộ x u n g đ i ề u k h i ể n l ớ n h ơ n cỡ h a i l ầ n .
+

Đ i ệ n cực đ i ề u k h i ể n của t h á c c ũ n g n h ư cực đ i ề u k h i ể n c ủ a t h y r i s t o

221
sau k h i m ổ i sẽ k h ô n g c ò n t á c d ụ n g đ i ề u k h i ể n n ữ a . T r i a c sẽ l ư u l ạ i ở
t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở t h ấ p c h ừ n g n à o d ò n g đ i ệ n qua n ó còn l ớ n h ơ n dòng
duy trì I . K h i d ò n g đ i ệ n t h u ậ n ì ỏ t r ạ n g t h á i d ẫ n h ạ x u ố n g t h ấ p hơn
H

In, t r i a c sẽ l ậ t v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao.
K h i sử d ụ n g t r i a c đ ể đ i ề u k h i ể n t r o n g m ạ c h d ò n g xoay c h i ề u , trong
m ỗ i b á n k ỳ , t r i a c được m ổ i m ớ i m ộ t l ầ n . V ớ i c h ế đ ộ h o ạ t đ ộ n g g i ố n g n h ư
SCR, t r i a c l à m b i ê n d ạ n g s ó n g đ i ệ n á p v à d ò n g đ i ệ n x o a y c h i ê u do đó
l à m x u ấ t h i ệ n c á c s ó n g t ầ n s ố cao g â y n h i ễ u cho c á c t h i ế t b ị v i ễ n t h ô n g ,
m ạ c h sử d ụ n g t r i a c c ầ n được lọc k ỹ n h ờ c á c t ụ đ i ệ n v à c u ộ n d â y để
không gây nhiễu.

11.2.3. C á c t h a m s ố

* T h a m s ố d a n h đ ị n h q u a n t r ọ n g n h ấ t g ổ m có:
• D ò n g n g ư ợ c đ ỉ n h I ROM (đo k h i h ở cực G v à đ ặ t đ i ệ n á p ngược
D

đ ỉ n h t ố i A i - A 2 ) I ROM c à n g n h ỏ c à n g t ố t .
D

• Đ i ệ n á p t h u ậ n cực đ ạ i U T M (xác định với Ì d ò n g t h u ậ n n h ấ t định,

t h ư ờ n g l à d ò n g t h u ậ n cực đ ạ i ) .
• D ò n g duy trì I H ( g i á t r ị n g ư ỡ n g đ ể t r i a c l ậ t v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở
cao k h i đ a n g ở t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p ) .
• D ò n g l ậ t cực cửa I G T : G i á t r ị d ò n g cực cửa n h ỏ n h ấ t đ ể t r i a c l ậ t t ừ
t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao đ ế n t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p (được x á c đ ị n h với
Ì đ i ệ n á p c h ắ n n h ấ t đ ị n h đ ặ t g i ữ a À) v à A , .
• Đ i ệ n á p l ậ t cực cửa U G T : đ i ệ n á p c ầ n t h i ế t đ ặ t v à o cực G đ ể t ạ o ra
dòng I G T .
• T h ờ i g i a n n ố i m ạ c h t : là t h ò i g i a n t í n h t ừ l ú c t á c đ ộ n g x u n g đ i ề u
g t

k h i ể n v à o cực cửa t ớ i l ú c d ò n g d ẫ n của T r i a c đ ạ t t ớ i m ứ c 90% g i á trị

lớn n h ấ t của nó.
• Đ ộ dốc đ i ệ n á p t i ê u c h u ẩ n .
N ế u đ i ệ n á p t r ê n T r i a c t ă n g n h a n h , việc m ổ i có t h ể x ả y r a v à o lúc
k h ô n g m o n g m u ố n . Đ ộ dốc đ i ệ n á p t i ê u c h u ẩ n cho b i ế t tốc đ ộ t ă n g l ớ n
n h ấ t c ủ a đ i ệ n á p đ ặ t l ê n t r i a c m à v ớ i tốc đ ộ b i ế n t h i ê n n à y v i ệ c m ổ i
k h ô n g m o n g m u ố n c h ư a x ả y r a (được đ o k h i cực G đ ể h ở ) .
• Đ i ệ n trở n h i ệ t R t h U , RthG-
X á c đ ị n h c á c h ệ s ố d ẫ n n h i ệ t k h i l à m m á t cho t r i a c b ằ n g c á c p h i ế n
toa n h i ệ t .
R t h G : x á c đ ị n h g i ữ a lớp c h ắ n - v ỏ t r i a c .
R t h Ư : xác định giữa lốp c h ắ n - môi t r ư ờ n g k h ô n g k h í .

222
 C á c giá trị ví d ụ :
IDROM =
0,5mA
U T M = 1,8V
lị, = 15mA
I G T = 20mA
UGT =1,2V
tgt =2ịis
C á c t h a m s ố t h ư ờ n g được đo t r o n g n h ữ n g đ i ề u k i ệ n n h ấ t đ ị n h v à
t h ư ờ n g p h ụ t h u ộ c n h i ệ t độ.
* N h ó m c á c t h a m s ố giới h ạ n q u a n t r ọ n g của t r i a c :
• Đ i ệ n á p c h ắ n t u ầ n h o à n (giá t r ị đỉnh) U D R 0 M

G i á t r ị đ i ệ n á p t u ầ n h o à n cao n h ấ t ở t r ạ n g t h á i c h ắ n k h i cực G đ ể
hở m à t r i a c c h ư a bị l ậ t sang t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p .
• D ò n g d ẫ n I : g i á t r ị l ớ n n h ấ t cho p h é p ( t r ị h i ệ u d ụ n g ) x é t ở c h ế đ ộ
T

làm việc l â u ( l i ê n t ụ c ) .
• Dòng I T S M : d ò n g x u n g l ớ n n h ấ t t r i a c còn c h ị u được.
• D ò n g đỉnh t ạ i cực cửa I G T W xác định trị dòng x u n g đ i ề u k h i ể n lớn n h ấ t .
• D ả i n h i ệ t độ l à m v i ệ c T m a x đến T m i n .
( n h i ệ t độ vỏ hoặc n h i ệ t độ m ô i t r ư ờ n g )
C á c s ố l i ệ u ví d ụ :
ƯDROM = 400V
I = 15A
T

I T S M = 100A
IGTM =
4A
T m a x = 100°c
T m i n = -60°c

11.3. ĐIỀU KHIỂN DÒNG TẢI DÙNG DIAC VÀ TRIAC

C ô n g s u ấ t xoay c h i ề u t r ê n t ả i có t h ể được đ i ề u k h i ể n v à qua đó

điều c h ỉ n h n h ò t r i a c . M u ố n đ i ề u k h i ể n triac, c ầ n có m ộ t k h ố i q u a n
t r ọ n g là m ạ c h t ạ o r a x u n g đ i ề u k h i ể n n ó .
Việc đ i ề u k h i ể n y ê u cầu công suất r ấ t bé (vài mW) và t h ư ờ n g d ù n g
các m ạ c h b á n d ẫ n v à I C t h ự c h i ệ n . M ộ t ứ n g d ụ n g p h ổ b i ế n v í d ụ là
đ i ề u k h i ể n độ s á n g của c á c t h i ế t bị đ i ệ n c h i ế u s á n g t r o n g n h à h a y đ i ề u
k h i ể n đ ộ n g cơ xoay c h i ề u , đ i ề u k h i ể n m á y k h o a n , m á y l à m l ạ n h , c á c

223
t h i ế t bị n h i ệ t t r o n g c ô n g n g h i ệ p v à d â n d ụ n g . . . C á c l o ạ i r ơ le v à c ầ u chì
b ả o v ệ có t h ể đ ư ợ c t h a y t h ế h o à n h ả o n h ò diac h a y t r i a c v à c á c l o ạ i
c ô n g t ắ c k h ô n g t i ế p đ i ể m ( c ô n g t ắ c đ i ệ n t ử ) có n h i ề u ư u đ i ể m h ơ n n h ó m
r ơ l e . Ư u đ i ể m q u a n t r ọ n g của n h ó m c ô n g t ắ c đ i ệ n t ử l à h o ạ t động
n h a n h v à n h ậ y h ơ n , l o ạ i t r ừ h i ệ n t ư ợ n g đ á n h l ử a h a y t . ế p x ú c cơ k h í
k é m do bị b á m b ẩ n , t h ờ i g i a n p h ụ c v ụ l â u g ầ n n h ư k h ô n g h ạ n c h ế v à ít
x ả y ra q u á t ả i .
D ò n g t ả i l ố n n h ấ t cho p h é p l à m ộ t g i á t r ị g i ớ i h ạ n ( d ò n g I ) cần x

được đ ặ c b i ệ t q u a n t â m k h i sử d ụ n g diac v à t r i a c .

Khi sử dụng mạch có Mác, cần dùng điện trỏ hạn chế dòng qua tải hay qua
triac không vượt quá dòng lớn nhất cho phép ở chế độ dẫn (điện trỏ thấp).
K h i n ố i m ạ c h , đ i ệ n t r ở của triac
r ấ t t h ấ p ( v à i Q). T r i a c t r ê n h ì n h 11.22
Ư=220V
có d ò n g t ả i l ớ n n h ấ t cho p h é p l à 10A.
Đ i ệ n trở t ả i n h ỏ n h ấ t được p h é p mắc
v à o m ạ c h (R ) l à :
tlii

220V Hình 11.22. Mạch vòng dòng

= 22Q điện dùng triac
T 10A
H ì n h 11.23 l à Ì m ạ c h đ i ề u c h ỉ n h đ ộ s á n g d ù n g t r i a c . M ạ c h triac
n ằ m g i ữ a đ i ể m c v à D . K h i t r i a c n g ắ t , Ci đ ư ợ c n ạ p . Đ i ệ n t h ế g i ữ a c và
D g ầ n b ằ n g đ i ệ n t h ế n g u ổ n 2 2 0 V (cực t í n h ở b á n k ỳ d ư ơ n g ) .

• Rtost Á

Ơ = 220V Triac

Bộ điểu chỉnh
độ sóng
Hình 11.23.

Tốc đ ộ n ạ p của C! p h ụ t h u ộ c h ằ n g s ố t h ò i g i a n T = R d g + R ).C!2

(T c à n g l ớ n t h ì c , n ạ p c à n g l â u ) . T r i a c d u y t r ì ở t r ạ n g t h á i t ắ t ( đ i ệ n
t r ở cao) cho đ ế n k h i U C ] đ ủ l ố n v à đ ạ t đ i ệ n á p n g ư ỡ n g m ở c ủ a diac (ví
d ụ 30V). K h i U C 1 = 3 0 V t h ì diac l ậ t v ề t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p . T ụ Ci

224
p h ó n g đ i ệ n t ạ o ra Ì x u n g đ i ề u k h i ể n đ ủ l ớ n đ ặ t v à o cực G của t r i a c đ ư a
n ó v ề t r ạ n g t h á i n ố i m ạ c h có đ i ệ n trở t h ấ p . T ừ l ú c n à y d ò n g t ả i c h ả y
qua R Ull l ớ n . T r i a c t r o n g m ạ c h h ì n h 11.23 được đ i ề u k h i ể n t r o n g b á n k ỳ
d ư ơ n g của d ò n g xoay c h i ề u , k i ể u r .
T r o n g k h o á n g n ử a s ó n g â m , lúc t r i a c ở t r ạ n g t h á i t ắ t , t ụ c , đ ả o cực
t í n h n ạ p . N ế u Ú c đ ủ l ớ n đ ạ t t ớ i n g ư ỡ n g t h ứ h a i ( c h i ề u â m ) , diac l ậ t
sang t r ạ n g t h á i d ẫ n theo h ư ớ n g n g ư ợ c l à m t ụ C j p h ó n g đ i ệ n t ạ o r a Ì
x u n g â m m ổ i t r i a c . T r o n g n h ị p n à y t r i a c được đ i ề u k h i ê n d ạ n g I U " .
V ớ i b i ế n t r ở Rọ, tốc đ ộ n ạ p cho Cj có t h ể t h a y đ ổ i v à do đ ó q u y ế t
đ ị n h đ ế n t h ò i đ i ể m m ổ i t r i a c t r o n g m ỗ i n ử a s ó n g . T ứ c là n h ờ v i ệ c t h a y
đ ổ i g i á t r ị của R, đ ã đ i ê u c h ỉ n h góc t r ễ pha ọ z m ổ i triac.
Đ ổ t h ị t h ờ i g i a n d ò n g v à á p k h i (p = 90° được cho t r ê n h ì n h
z 11.24
t r o n g cả h a i n ử a s ó n g d ư ơ n g v à â m . K h i tp t ă n g , d ò n g ì g i ả m , có t h ể
z

thay đ ổ i <p t r ò n g d ả i t ừ 5° đ ế n 180° hay t ừ 185° đ ế n 3 6 0 ° . K h i đ ó c ô n g

z

s u ấ t t r ê n t ả i sẽ b i ế n đ ổ i t ừ g i á t r ị l ớ n n h ấ t đ ế n b ằ n g 0. N ế u R t;li là Ì
đ è n t h ắ p s á n g t h ì đ ộ s á n g t ố i sẽ được đ i ề u c h ỉ n h n h ờ R.,. T ụ c , v à L ở
đ â y d ù n g đ ể lọc n h i ễ u . P h ầ n m ạ c h h ì n h 11.23 g i ữ a 2 đ i ể m A v à B được
gọi là bộ đ i ề u c h ỉ n h đ ộ s á n g ( D i m m e r ) . K h i p h ầ n n à y k h ô n g l à m v i ệ c ,
d ù n g c ô n g t ắ c s n g ắ t hở m ạ c h p h ầ n đ i ê u k h i ể n .

Ui

/ ! Ni [ / \ 1 / X f !N
i Ki/ ì \ ị / ì V / t
Vz^-*+ 1
i Ì Ì Đô góc
111 ị Ì Ì
li t-*>z— i l i
í 1 1 1 ¥>2 = 90° 1
,111 1 1 Ị
111 1 Ì Ì
Ì, Ìt-vÌ ỊÌ VÌ iÌ VÌ í V Ị "
T\ ĩ IN í N ị
Hình 11.24. Đố thị điện áp tác động u và dòng tải I khi ọ = 90° z

(minh hoa hình 11.22).

Sộ điều chỉnh độ sáng chỉ có thể nối tiếp vói 1 điện trỏ tải đủ lớn mới làm
việc tốt.
K h i nôi t r ự c t i ế p đ o ạ n A và B t ớ i lưới d i ệ n , t r i a c sẽ hi p h á huy.

225
15-
 C Â U H Ỏ I ỒN TẬP - BÀI T Ậ P

1. G i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của d i o t 2 h ư ớ n g v à c ủ a thyristo
diot hai h ư ớ n g .
2. G i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à n g u y ê n t ắ c h o ạ t đ ộ n g của t r i a c t h e o m ô h ì n h
h a i t h y r i s t o m ắ c song đ ố i n h a u .
3. H ã y v ẽ đ ặ c t u y ế n I - U của t r i a c v à g i ả i t h í c h .
4. H ã y p h â n biệt 4 p h ư ơ n g thức điều k h i ể n triac r r I i r và I U "
5. H ã y n ê u 5 t h a m số d a n h đ ị n h v à 5 t h a m số giới h ạ n của triac.
6. H ã y v ẽ m ạ c h đ i ệ n của Ì b ộ đ i ề u c h ỉ n h đ ộ s á n g .
7. M ạ c h đ i ệ n bộ đ i ề u chỉnh độ s á n g h o ạ t động n h ư t h ế n à o ? C á c h mổi
triac thực h i ệ n n h ư t h ế nào?
8. M ạ c h đ i ệ n h ì n h 11.25 l à m v i ệ c n h ư t h ế n à o ? H ã y n ê u n h i ệ m v ụ
của diac v à t r i a c t r o n g m ạ c h .
L1<

Hình 11.25. Mạch điếu khiển động cơ dùng triac và diac.

226
 C h ư ơ n g 12

CÂU KIỆN QUANG BÁN DẪN

12.1. HIỆUỨNG QUANG ĐIỆN TRONG

M ỗ i c h ấ t b á n d ẫ n ( c h ư a pha t ạ p ) , có t í n h
dẫn đ i ệ n r i ê n g . D ư ớ i t á c đ ộ n g của m ộ t n g u ổ n
n ă n g l ư ợ n g k í c h t h í c h (ví d ụ q u á t r ì n h làm
n ó n g t i n h t h ể b á n d ẫ n ) có k h ả n ă n g s i n h r a c á c
h ạ t d ẫ n l à đ i ệ n t ử t ự do v à l i ê n k ế t hoa t r ị bị
khuyết (lỗ trống). H i ệ n tượng n à y l à m t ă n g độ
dẫn đ i ệ n r i ê n g của v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n . Q u á t r ì n h
sinh h ạ t n h ư t r ê n là do n h i ệ t . N ế u được m ộ t -,.fA'.' . ^'?-^-
H m t l 0 1

• • quang diện tứ khói các liên

c h ù m t i a s á n g c h i ế u v à o , sự va c h ạ m của kết hoa trị khi chiếu sáng
photon (các h ạ t á n h s á n g ) v ớ i m ạ n g t i n h t h ể sẽ dẫn điện (hiệu
c h ấ t b á n

• •>.,, , V - , ứng quang điên trong).

giai p h ó n g n ă n g l ư ợ n g v à qua dó t ạ o r a c á c h ạ t
d ẫ n là c á c q u a n g đ i ệ n t ử v à q u a n g l ỗ . Đ â y là c á c h ạ t d ẫ n t ự do được
sinh ra do được t i ế p n h ậ n ( h i ệ n t ư ợ n g h ấ p t h ụ ) n ă n g l ư ợ n g q u a n g n ô n
gọi là c á c q u a n g h ạ t . C h ú n g l à m đ ộ d ẫ n của v ậ t l i ệ u t ă n g l ê n theo
cường độ của t i a s á n g . P h ầ n t ă n g l ê n n à y do c á c q u a n g h ạ t đ ó n g g ó p
n ê n được g ọ i l à đ ộ d ẫ n q u a n g . Đ â y l à b ả n c h ấ t của h i ệ u ứ n g q u a n g
đ i ệ n t r o n g x ả y r a t r o n g c á c v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n đ ơ n t i n h t h ể v à cả đ a t i n h
t h ể . T h ư ờ n g k h i k h ô n g m o n g m u ố n h i ệ u ứ n g n à y , c á c v ỏ bọc l i n h k i ệ n
b á n d ẫ n t h ư ờ n g được che k í n á n h s á n g . T r o n g m ộ t s ố v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n ,
h i ệ u ứ n g q u a n g đ i ệ n t r o n g t h ể h i ệ n m ạ n h v à c h ú n g được sử d ụ n g l à m
các c ấ u k i ệ n q u a n g v à l u ô n có cửa sổ đ ể t i ế p n h ậ n h o ặ c p h á t đ i á n h
sáng. Các cấu k i ệ n quang b á n dẫn gổm 2 n h ó m quan trọng: N h ó m cấu
k i ệ n q u a n g sử d ụ n g h i ệ u ứ n g q u a n g đ i ệ n t r o n g t h ự c h i ệ n q u á trình
b i ế n đ ổ i n ă n g l ư ợ n g q u a n g sang n ă n g l ư ợ n g đ i ệ n n h ờ h i ệ n t ư ợ n g hấp
thụ photon. Còn k h i xảy ra h i ệ n tượng p h á t xạ photon, l i n h k i ệ n l ạ i
biến đ ổ i n ă n g lượng đ i ệ n t h à n h n ă n g lượng á n h s á n g .

12.2. QUANG ĐIỆN TRỎ

12.2.1. C ấ u t ạ o v à n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g

T r ê n m ộ t đ ế b ằ n g g ố m , sứ c á c h đ i ệ n , m ộ t lớp v ậ t l i ệ u n h ậ y q u a n g
(có h i ệ u ứ n g q u a n g đ i ệ n m ạ n h ) t h ư ờ n g l à t i n h t h ể h ợ p c h ấ t b á n dẫn
n h ư S u n í ì t C a d i m i (CdS) h a y S u n í ì t C h ì (PbS), PbSe, PeTe... được g ắ n

227
l ê n v ớ i m ộ t k í c h t h ư ớ c h ì n h học được đ ị n h s ả n ( b ê d à i , b ể r ộ n g . b ê dầy,
h ì n h d ạ n g . . . ) C ấ u t ạ o t r ê n được b ả o v ệ cơ học v à có cửa sô t i ê p n h ậ n
á n h s á n g t ạ o t h à n h m ộ t q u a n g đ i ệ n t r ở (ví d ụ h ì n h 12.2) khi được
c h i ê u s á n g . g i á t r ị đ i ệ n t r ở của q u a n g t r ở g i ả m .

Cường độ ánh sáng chiếu vào càng mạnh, giá trị quang trỏ càng giảm.

M ỗ i loại vật liệu d ù n g làm quang điện trỏ

n h ạ y c ả m v ớ i Ì b ư ớ c s ó n g n h ấ t đ ị n h của ánh
s á n g (được g ọ i l à đ ộ n h ậ y p h ố c ủ a q u a n g t r ỏ )
t h ể h i ệ n t r ê n đ ổ t h ị h ì n h 12.3 v à 12.4. C á c đ ổ
t h ị p h ổ t h ư ờ n g có d ạ n g h ì n h c h u ô n g v à đạt
cực đ ạ i t ạ i m ộ t b ư ớ c s ó n g n h ấ t đ ị n h . V í d ụ đ ổ
t h ị h ì n h 12.3 cho b i ế t t ạ i bước s ó n g á n h s á n g
). = 0,65 Ị-im đ ộ n h ạ y q u a n g của q u a n g t r ở l à
lớn n h ấ t (loại á n h s á n g m à u h ổ n g tươi). M ộ t Hình 12.2. Quang điện trỏ
(cấu tạo và ký hiệu
s ố l o ạ i q u a n g t r ở k h á c n h ạ y ở bước s ó n g m à u quy ước).
x a n h l ụ c . m à u x a n h da t r ờ i h o ặ c m à u da cam
( h ì n h 12.4).

0.3
OA 05 a6 i 0.7 0.8 _à_
0,65
Dái sóng 8 ự) ỢỊ (ũ co in
cưc tím co - i r- Ị-
rì
vj -4
-J LI) in Ui
Õ o" E
Hình 12.3. Độ nhậy phò >?•§o" Õ Ô
o"
ũ •&
của quang trở. Hình 12.4. Độ nhậy phổ của một sô loại quang trở.

• T h ư ờ n g k h i c ư ờ n g độ s á n g t h a y đ ổ i , g i á t r ị q u a n g t r ở t h a y đ ô i theo
chỉ sau Ì t h ờ i g i a n t r ỗ t ư ơ n g đ ố i l ớ n (cỡ m i n g i â y - ms).
G i á t r ị của q u a n g t r ỏ còn p h ụ t h u ộ c n h i ệ t đ ộ . t u y n h i ê n c ầ n chọn
l o ạ i v ậ t l i ệ u có h ộ sô n h i ệ t n h ỏ vù t h ư ờ n g k h i c h i ê u s á n g m ạ n h t h ì h i ệ u
ứng nhiệt "lam.
12.2.2. T h a m s ô đ ị n h m ứ c v à t h a m s ố g i ớ i h ạ n

* C á c t h a m s ố d a n h đ ị n h của q u a n g trở là
• Đ i ệ n t r ở t ố i Ro là giá t r ị của q u a n g đ i ệ n t r ở k h i t ố i (sau khi
ngừng chiếu s á n g Ì p h ú t ) .
• Đ i ệ n t r ở s á n g R oo giá t r ị của q u a n g t r ở k h i c ư ờ n g đ ộ c h i ế u s á n g
10

là 1000 l u x .
• Bước s ó n g có đ ộ n h ạ y q u a n g cực đ ạ i XÉS là bước s ó n g x ả y ra h i ệ u
ứng q u a n g đ i ệ n m ạ n h n h ấ t .
• T h ờ i g i a n b á m t : q u a n g t r ở ( đ a n g tôi) được c h i ế u s á n g v ớ i c ư ờ n g
r

độ 1000 l u x . t,. là t h ờ i g i a n đ ể d ò n g đ i ệ n t r ô n q u a n g t r ở đ ạ t được 65%

giá t r ị d ò n g ứ n g với R 1 0 0 0 .
C á c s ố l i ệ u ví d ụ :
Ro * 1 M Q đ ế n "100MQ
Riooo * 100Q đ ế n 2kQ
t, sa l m s đ ế n 3ms
* Các t h a m số giới h ạ n :
• C ô n g s u ấ t t i ê u hao cực đ ạ i cho p h é p P tot

• Đ i ệ n á p l à m v i ệ c cực đ ạ i cho p h é p U a

• N h i ệ t đ ộ môi t r ư ờ n g l ớ n n h ấ t cho p h é p T m a x

Ví d ụ g i á trị cụ t h ể :
P tot = 5 0 m W đ ế n 2W
u i = 100V đ ế n 250V
T „ „ = 70°c

12.2.3. ứ n g d ụ n g

Q u a n g đ i ệ n t r ở được sử d ụ n g r ấ t
phổ b i ế n trong các mạch điêu k h i ể n .
điêu chỉnh tự dộng nho ánh sáng,
m ạ c h đo á n h s á n g h a y c á c t h i ế t bị t ự
đ ộ n g d ù n g c ả m b i ê n á n h s á n g . Có t h ể
sử dụng quang trở trong các mạch
khoa c h u y ê n m ạ c h q u a n g hoặc l à m bia
trong các hộ thống biến đổi h ì n h ảnh
quang thành hình ảnh tĩnh điện ở
camera... Nhược điểm lớn n h ấ t của
q u a n g đ i ệ n t r ỏ là v i ệ c h o ạ t dộng có Hỉnh 12.5. Sự phụ thuộc của điện
q u á n t í n h lớn. trở quang vào cường độ sáng Ey.

229
12.3. T Ê B Ã O Q U A N G Đ I Ệ N VÀ PIN M Ặ T T R Ờ I

12.3.1. C ấ u t ạ o v à n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g

Tê b à o quang đ i ệ n và pin m ặ t trời là các bộ b i ế n đ ổ i n ă n g lượng từ

q u a n g s a n g đ i ệ n . C á c p h ầ n t ử n à y có t í n h c h ấ t của m ộ t n g u ổ n sức đ i ệ n
đ ộ n g được đặc t r ư n g bởi 2 t h a m s ố đ i ệ n á p h ở m ạ c h v à đ i ệ n t r ở t r o n g , v ề
c ấ u t ạ o , có p h â n b i ệ t h a i l o ạ i t ê b à o q u a n g đ i ệ n Selen v à t ế b à o quang
đ i ệ n Silic. V ê n g u y ê n lý, p i n m ặ t t r ò i t h u ộ c d ạ n g t ế b à o q u a n g đ i ệ n Silic
t ạ o r a n ă n g l ư ợ n g k h ô n g có k h í t h ả i c o , n ê n được g ọ i l à n g u ổ n n ă n g
l ư ợ n g s ạ c h có n h i ề u ứ n g d ụ n g t r o n g h i ệ n t ạ i v à t ư ơ n g l a i , h o ạ t đ ộ n g t i n
cậy t r o n g m ô i t r ư ờ n g n h i ệ t đ ộ t ư ơ n g đ ố i cao v à l à m v i ệ c d à i h ạ n t ố t .

Tế bào quang điện là phần tử quang biến đổi năng lượng ánh sáng thành
nàng lượng điện.

12.3.1.1. Tế bào quang điện Silic

C ấ u t ạ o của m ộ t t ế b à o q u a n g đ i ệ n Silic g ổ m Ì p h i ế n đ ơ n t i n h t h ể
Si l o ạ i p được p h ủ Ì lớp m ỏ n g ( l | a m đ ế n 2 | i m ) lớp b á n d ẫ n l o ạ i n ( h ì n h
12.6). D o h i ệ n t ư ợ n g k h u ế c h t á n h ạ t đ a số, x u ấ t h i ệ n m ộ t v ù n g đ i ệ n
t í c h k h ô n g g i a n (do c á c i o n t ạ p c h ấ t cho b ê n n v à t ạ p c h ấ t n h ậ n b ê n p
t ạ o ra) v à t r o n g v ù n g n à y x u ấ t h i ệ n m ộ t đ i ệ n t r ư ờ n g (12.7).

Tia ánh sáng chiếu tới

^Điên tử tư do
i i U i i ĩ

Lổ trống
Đế đơn tinh Si loại p tư do
Hình 12.6. Cấu tạo tế bào Hình 12.7. Sự giải phóng quang hạt do ánh sáng
quang điện. chiếu vào tinh thể.
Vùng trung hoa điện
Do v ù n g n r ấ t m ỏ n g , được phủ
/ !
m ộ t lớp t r o n g s u ố t b ả o v ệ , k h i được Điện tử tự Điện trường
c h i ê u á n h s á n g , c á c đ i ệ n t ử được h ấ p do (thừa
điện tử)
t h ụ n ă n g l ư ợ n g của p h o t o n n ê n được
Lỗ trống tự
g i ả i p h ó n g k h ỏ i l i ê n k ế t hoa t r ị t r ở
do (thiếu
t h à n h đ i ệ n t ử t ự do v à n h ò t á c đ ộ n g điên tử)
của điện trường tiếp xúc, c h ú n g tụ Hình 12.8. Sức điện động quang
điện xuất hiện trên bề mặt tinh thể.
t ậ p t ạ i v ù n g n ( h ì n h 12.8).

Vùng lớp chắn bên n là cực âm của tế bào quang điện

230
 C á c l ỗ t r ố n g x u ấ t • h i ệ n (do đ i ệ n t ử được g i ả i p h ó n g k h ỏ i l i ê n k ế t t ạ o
ra l i ê n k ế t bị k h u y ế t ) c h u y ể n d ị c h v ề v ù n g b á n d ẫ n p .

Vùng lớp chắn bên p là cực dương của tế bào quang điện
Tế b à o q u a n g đ i ệ n l o ạ i được m ô t ả n h ư t r ê n được g ọ i l à t ế b à o
q u a n g đ i ệ n l o ạ i N t r ê n p ( h ì n h 12.9). L o ạ i t ế b à o q u a n g đ i ệ n p t r ê n N
có c ấ u t ạ o m ô t ả t r ê n h ì n h 12.10 í t g ặ p h ơ n do có m ộ t v à i n h ư ợ c đ i ể m .

Hình 12.9. Ký hiệu t ế bào Hình 12.10. Cấu tạo t ế bào

quang điện loại N/P. quang điện Silic loại P/N.

Một t ế b à o q u a n g đ i ệ n t h ư ờ n g có h i ệ u s u ấ t b i ế n đ ổ i n ă n g l ư ợ n g t ừ
quang sang đ i ệ n t h ấ p (do h i ệ n t ư ợ n g h ấ p t h ụ n ă n g l ư ợ n g q u a n g g â y t ổ n
hao lớn). Theo m ô h ì n h lý t h u y ế t v ù n g n ă n g l ư ợ n g t r o n g v ậ t lý lượng t ử ,
chỉ n h ữ n g p h o t ô n ( q u a n g l ư ợ n g tử) có bước s ó n g x á c đ ị n h m ớ i có t á c đ ộ n g
gây ra n h ả y mức cho đ i ệ n t ử c h u y ể n c h ú n g t ừ v ù n g hoa t r ị l ê n v ù n g d ẫ n
tạo r a các đ i ệ n t ử t ự do (gọi là q u a n g đ i ệ n tử) t r o n g v ù n g d ẫ n . C á c v ậ t l i ệ u
b á n d ẫ n t h ư ờ n g có b ề r ộ n g p h ô n ă n g lượng h ẹ p v à chỉ n h ậ y c ả m q u a n g
trong v ù n g á n h s á n g m à u n h ấ t đ ị n h . B ê n c ạ n h t ổ n hao do h i ệ n t ư ợ n g h ấ p
thụ còn x u ấ t h i ệ n n h i ề u d ạ n g t ô n hao k h á c do k ế t c ấ u v ậ t l i ệ u l à m đ i ệ n
cực, do h i ệ u ứ n g p h ả n x ạ hay k h ú c x ạ á n h s á n g t ớ i . . .
Tế bào quang đ i ệ n là một nguổn dòng đ i ệ n với dòng ngắn mạch i k

hay i n g m . Đ ổ t h ị b i ể u d i ễ n q u a n h ệ đ i ệ p á p - d ò n g đ i ệ n của Ì t ê b à o
q u a n g đ i ệ n được cho t r ê n h ì n h 12. Ì l a .

Dòng ngắn mạch, i ngm phụ thuộc mạnh vào cường độ tia sáng [W/m ]2

Do v ậ y , đ i ệ n á p h ở m ạ c h g ầ n n h ư í t p h ụ t h u ộ c v à o c ư ờ n g đ ộ t i a
s á n g v à t ă n g k h i n h i ệ t đ ộ của t ế b à o t ă n g . K h i l à m v i ệ c v ớ i m ộ t đ i ệ n
trở t ả i x á c đ ị n h , t ế b à o q u a n g đ i ệ n c u n g cấp m ộ t c ô n g s u ấ t p = U . I cho
tải (ở đ â y u , ì l à c á c đ i ệ n á p v à d ò n g l à m v i ệ c t r ê n t ả i . Đ ơ n v ị W a t t
đỉnh t r ê n m 2
( W p / m ) l à c ô n g s u ấ t d a n h đ ị n h của t ế b à o q u a n g đ i ệ n ở
2

25°c với cường độ tia s á n g chiếu vào bằng 1000W/m . Công suất đỉnh 2

đ ạ t t ớ i Ì g i á t r ị l ớ n n h ấ t ( M a x i m u m Power P o i n t - M P P ) t ạ i Ì đ i ể m
l à m v i ệ c lý t ư ở n g , p h ụ t h u ộ c v à o c ư ờ n g độ t i a s á n g ( h ì n h 12. Ì l a ) . T ỷ s ố
công suất M P P với tích số U h m và I n g m có g i á t r ị t ừ 0 đ ế n Ì v à được g ọ i

231
l à h ệ s ố sử d ụ n g ( h ệ s ố l ấ p đ ầ y ) của t ế b à o q u a n g đ i ệ n . c ầ n c h ọ n g i á t r ị
t ả i t ố i ư u k h i sử d ụ n g t ế b à o q u a n g đ i ệ n đ ể n ó l u ô n l à m v i ệ c ở c h ế đ ộ có
công suất đ ạ t tới giá trị MPP.

± 4,50
A ~\MPP
4,00
1000 w/m 2

3,50
3,00
750 \N/m 2
/
2,50
2,00
/ 500W/m z

1,50
1,00 250 w/m 2 v i
0,50 N U
0.00 \ Y \
0.00 10,00 20,00 30,00 40,00 50,00
u_
V
Hình 12.1 la. Đặc tuyến VA của modun pin mặt trài và đổ thị công suất.

T ế b à o q u a n g đ i ệ n ( p i n m ặ t t r ờ i ) có 3 d ạ n g cơ b ả n đ ư ợ c p h â n l o ạ i
theo c ô n g n g h ệ c h ê t ạ o : _ J_
• D ạ n g theo c ô n g n g h ệ màng
• l ị N
m ỏ n g sử d ụ n g Ì lớp Si r ấ t mỏng
làm đ ê (Ì(.im), c ấ u trúc loại này
thường có h i ệ u suất quang điện
t h ấ p (cỡ 7%) m ặ c d ù t r o n g p h ò n g
thí nghiệm với n h ữ n g điều k i ệ n tối
ư u có t h ể đ ạ t t ớ i 13%, g i á thành
l o ạ i n à y t ư ơ n g đ ố i cao.
• D ạ n g p i n m ặ t t r ờ i theo c ô n g
n g h ệ đ a t i n h t h ê , được h ì n h t h à n h t ừ
q u á t r ì n h t h i ê u k ế t Silic t h ổ lỏng, có
Hình 12.11b. Modun M110/24 của Siemens.
t h ể đ ạ t h i ệ u s u ấ t n ă n g lượng t ố i 18%.
• D ạ n g p i n m ặ t t r ờ i theo c ô n g n g h ệ đ ơ n t i n h t h ể có t h ê đ ạ t h i ệ u
s u ấ t n ă n g l ư ợ n g t ớ i 23%.
Đ i ệ n á p r a của m ộ t t ế b à o p i n m ặ t t r ò i k h o ả n g 0,6V n ô n t h ự c t ế
n ế u c h ỉ sử d ụ n g đ ơ n l ẻ sẽ k é m h i ệ u q u ả . T h ự c t ế c ấ u t ạ o l à c á c m o d u n
g ổ m n h i ề u t ế b à o r i ê n g l ẻ g h é p n ố i t i ế p n h a u , v í d ụ v ớ i 40 t ế b à o sẽ
n h ậ n được m ứ c đ i ệ n á p r a 40 X 0,6V = 24V. D ò n g đ i ệ n r a được n â n g cao
n h ờ m ắ c song song n h i ề u m o d u n n h ư t r ê n ( h ì n h 12.1 l b v à h ì n h

232
12. Ì l e ) . C á c c h ỉ t i ê u t h ô n g s ố k ỹ t h u ậ t của p i n m ặ t t r ờ i d ạ n g m o d u n
M110L/24V của tập đoàn Siemens được cho trên hình 12. Ì le.

Công suất cực đại P max (±10%) Wp w

110 0 0 0 0 0 0
Dòng làm việc l pp
M A 3,15 0 0 0 0 0 0
Điện áp làm việc U ppM V 35
A 3,45 o p p o p p
Dòng ngắn mạch l c(")
S

Áp hở mạch U 0
V 43,5 0 0 0 0 0 0
o p p p p p
Nhiệt độ danh định °c 45
1316 o o p o p p
Hệ số nhiệt của dòng ngắn mạch i/K +4.1 ó-4

0 0 0 0 0 0
Hệ số nhiệt của áp hở mạch 1/K -3,4.1 Ó" 3

0 0 0 0 0 0
Tham số giới hạn 0 0 0 0 0 0
0 0 3 0 0 0 0
Nhiệt độ bảo quản °c -40 + 85
Nhiệt độ môi trường °c -40 + 50 0 0 0 0 0 0
Áp lực bề mặt N/m 2
2400 0 0 0 0 0 0
899
Điểu kiện làm việc lâu dài
285
Dải nhiệt độ °c -40 + 85
Độ ẩm °c 85 tương đối

Thông số cơ khí

Chiểu dài X rộng mm 1307 x652

Chiều cao mm 5
Độ cao các mối nối mm 42
Trong lương kg 9,5

(*) Công suất đỉnh ở điều kiện chuẩn T = 25°c c

và E = 1000W/m 2

(**) ở nhiệt độ T = 25°c và E = 1000W/m 2

Hình 12.11C. Số liệu kỹ thuật của modun

pin mặt trài Siemen M110/24V

12.3.1.2. Tế bào quang điện Selen

Tế bào quang điện Selen có cấu tạo Ánh sáng tới
là một lớp chắn hình thành giữa lớp
///
Selen đa tinh thể với lớp Oxyt Cadimi CdO 1 Lớp
(CdO) (hình 12.11). Selen chắn
-Ni
Khi dược chiếu sáng, một sức điện Fe
dộng quang xuất hiện do hình thành quang Hình 12.11. Cấu tạo pin
quang điện Selen.

233
đ i ệ n t ử t ạ i l ớ p CdO v à q u a n g l ỗ t r ố n g t ạ i lớp Selen. T r o n g k h i c á c t ế
b à o q u a n g đ i ệ n l o ạ i Silic có h i ệ u s u ấ t k h o ả n g 10% v à có t h ể c u n g cấp
một công suất 10mW/cm dưới á n h sáng m ặ t tròi thì t ế bào quang điện
2

Selen cho h i ệ u s u ấ t 10% v ớ i c ô n g s u ấ t chỉ k h o ả n g l m W / c m 2

trong cùng
đ i ề u k i ệ n c h i ế u s á n g . T ế b à o Selen cho mức đ i ệ n á p r a h ơ m ạ c h k h o ả n g
0,3V. Đ ổ t h ị h ì n h 12.12 cho q u a n h ệ đ i ệ n á p h ở m ạ c h v à c ư ờ n g đ ộ s á n g
của h a i l o ạ i t ê b à o q u a n g đ i ệ n Silic v à Selen. Q u a n h ệ g i ữ a d ò n g n g ắ n
mạch I K v à c ư ờ n g đ ộ c h i ế u s á n g được cho t r ê n h ì n h 12.13. Đ ộ n h ậ y p h ổ
của h a i l o ạ i t ế b à o q u a n g đ i ệ n Silic v à Selen cho t r ê n h ì n h 12.14 thể
h i ệ n l o ạ i S e l e n n h ậ y c ả m ở v ù n g á n h s á n g n h ì n t h ấ y v à l o ạ i Silic ở
v ù n g á n h s á n g hổng ngoại.

mV
600 Si
500
400
300
200
100

10 20 30 40 50 60 TO
ktx
Hình 12.12. Sự phụ thuộc của điện áp hở Hình 12.13. Sự phụ thuộc
mạch của t ế bào Silic và t ế bào Selen dòng ngắn mạch vào
vào cường độ sáng. cường độ sáng.

Khoảng nhậy sáng của mắt người

100
Ánh sáng đèn sợi nung

50

10
02 OA 0.6 0.8 1,0 12 ụ \Ệ xa 2ữ A.
ịtm
Hình 12.14. Độ nhậy phổ của t ế bào Si và Se.
Độ nhậy của mắt và phân bố phổ của đèn sợi nung.

12.3.2. C á c t h a m s ố đ ị n h m ứ c v à t h a m s ố g i ớ i h ạ n c ủ a t ế b à o q u a n g đ i ệ n

N h ó m t h a m s ố d a n h đ ị n h ( đ ị n h mức) của t ế b à o S i l i c bao g ổ m :

Ai m ặ t p h a n g n h ậ y q u a n g (cỡ « 3 , 7 2 c m ) . 2

234
 U đ i ệ n á p h ở m ạ c h cực đ ạ i (ví d ụ 0,58V) X á c đ ị n h k h i độ c h i ế u
o m a x

s á n g lOOklx.
I K ™ ^ d ò n g đ i ệ n n g ắ n m ạ c h l ớ n n h ấ t (130mA)

p m i x c ô n g s u ấ t cực đ ạ i (~ 6 0 m W )
E đ ộ n h ậ y q u a n g (mức t ă n g d ò n g n g ắ n m ạ c h k h i t ă n g c ư ờ n g đ ộ
sang len l l x ) (*ì,3nA/lx).
X.ES b ư ớ c s ó n g t ạ i đ ó đ ộ n h ậ y đ ạ t cực đ ạ i (« 0 , 7 | i m ) .
N h ó m các t h a m số giới h ạ n :
N h i ệ t đ ộ m ô i t r ư ờ n g l à m v i ệ c : - 4 0 ° c đ ế n + 1 2 5 ° c ( t r ư ờ n g hợp đặc
i ệ t c ó t h ể t ớ i 200°C).
Đ i ệ n á p ngược ( t h ư ờ n g chỉ t ừ I V đ ế n 2V).

2.4. P H O T O D IOT

2.4.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

Photo diot là Ì tiếp xúc pn Ánh sáng

Lớp khoa
dạng h ì n h 12.15) l à m t ừ l o ạ i v ậ t
lêu b á n d ẫ n Silic h a y G e m a n i n h ậ y
:ảm v ớ i t á c đ ộ n g q u a n g . C ấ u tạo Ký hiệu
:ủa photo diot t h ư ờ n g có m ộ t v ù n g
Hình 12.15. Nguyên lý cấu tạo và ký
;ương đ ố i r ộ n g t r o n g s u ố t v ớ i á n h
hiêu của photodiot với cuông độ sáng
ỉáng chiếu vào (trực t i ế p t ạ i v ù n g là tham sô.
chuyển t i ế p pn). Photo diot luôn
làm việc ở c h ế đ ộ p h â n cực n g ư ợ c v à
hoạt đ ộ n g g ầ n n h ư k h ô n g có q u á n
tính. Khi chưa được chiếu sáng,
dòng qua diot l à d ò n g đ i ệ n ngược
của t i ế p x ú c p n n ê n có g i á t r ị n h ỏ
(được g ọ i là d ò n g đ i ệ n t ố i ) . K h i được
chiếu s á n g , x u ấ t h i ệ n c á c q u a n g h ạ t
tự do ( đ i ệ n t ử v à l ỗ t r ố n g ) được đ i ệ n
Hình 12.16. Sự phụ thuộc của dòng
trường p h â n cực n g ư ợ c gia tốc ( đ i ệ n
điện ngược l vào cưòng độ sáng E .
R v

tử x u ấ t h i ệ n t r o n g v ù n g p, l ỗ t r ố n g
trong v ù n g n), l à m d ò n g đ i ệ n n g ư ợ c t ă n g m ạ n h t h e o c ư ờ n g đ ộ c h i ê u
s á n g v à theo m ứ c đ ộ g i á t r ị đ i ệ n á p p h â n cực n g ư ợ c . Q u a n h ệ g i ữ a d ò n g
ngước I v à c ư ờ n g đ ộ s á n g E
R v là t ư ơ n g đ ố i t u y ế n t í n h ( h ì n h 12.16). Đ i ề u
n à y đ ặ c b i ệ t t ố t k h i d ù n g photo diot đổ đ o c ư ờ n g đ ộ á n h s á n g .

Cường độ dòng điện quang qua photo diot tăng tỷ lệ với cường độ ánh
sáng tác động vào photo diot.

235
 H ì n h 12.17 b i ể u d i ễ n q u a n h ệ g i ữ a d ò n g q u a n g đ i ệ n v ớ i đ i ệ n á p
n g ư ợ c đ ặ t l ê n p h o t o d i o t k h i được c h i ế u s á n g v ớ i c á c m ứ c ( c ư ờ n g độ)
k h á c nhau. M ỗ i loại v ậ t l i ệ u b á n d ẫ n d ù n g đ ể c h ế tạo photo diot nhậy
c ả m v ớ i m ộ t b ư ố c s ó n g á n h s á n g n h ấ t đ ị n h được t h ể h i ệ n t r ê n đ ổ t h ị
q u a n h ệ đ ộ n h ậ y p h ổ ở h ì n h 12.18. ở đ â y l o ạ i p h o t o d i o t l à m t ừ Silic
n h ậ y ở v ù n g b ư ớ c s ó n g 0,85|am c ò n t ừ G e m a n i ở v ù n g b ư ớ c s ó n g l , 5 ụ m .

Hình 12.17. Họ đặc tuyến l -U R R Hình 12.18. Độ nhậy phô của

của photo diot vói cuổng độ photo diot Silic và photo diot
sáng là tham số. Gemani.

12.4.2. T h a m s ố c ủ a p h o t o d i o t

Đ ộ n h ậ y q u a n g E (nA/lx) t h ể h i ệ n mức t á n g của d ò n g quang điện

k h i t ă n g độ s á n g lên Ì lux.
Bước s ó n g n h ậ y q u a n g X ES (ịxm).
T ầ n số l à m việc giới h ạ n f ; đ i ệ n dung lốp c h ố n
g c .
s

D ò n g đ i ệ n t ố i I (với Ì đ i ệ n á p k h o a n h ấ t đ ị n h ) .
d

D i ệ n t í c h l à m v i ệ c A,, ( d i ệ n t í c h được c h i ế u s á n g )
Ví d ụ E = 120nA/lx
Ằ. ES = 0,85)Lim
f = 1MHZ
g

c = 150,,F ( v ớ i U = 0V)
s K

2 0 p F (với U = 20V, Un là đ i ệ n á p k h o a đ ặ t l ê n p h o t o diot)

H

1,1 = õOOnA
Đ i ệ n á p k h o a cho p h é p (20V đ ế n 30V)
N h i ệ t độ l à m việc ( - 5 0 ° c đ ế n +100°C)

236
12.5. PHOTOTRANSITO

12.5.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

Phototransito là một loại

t r a n s i t o silic đặc b i ệ t có c ấ u t ạ o
trong s u ố t v ớ i á n h s á n g ở p h ầ n
bazơ. H ì n h 12.19 d ư a ra ký h i ệ u
một sô l o ạ i p h o t o t r a n s i t o . Có t h ể
biểu d i ễ n m ộ t p h o t o t r a n s i t o n h ư
cách k ế t hợp m ộ t t ế b à o q u a n g
đ i ệ n hay m ộ t photo diot với m ộ t
transito như hình 12.20. Ánh
sáng tác động tạo điện áp tương
tự n h ư điện áp phân cực cho PNP- NPN-
transito quang transito quang
transito v à c ư ờ n g độ á n h sáng (phototransito)
thay đổi sẽ điều khiên dòng Hình 12.19. Ký hiệu photo transito.
p h â n cực t h a y đ ổ i . Đ ộ n h ậ y của
phototransiLo r õ r à n g là cao h ơ n so với photodiot hay t ế b à o q u a n g đ i ệ n
do h i ệ u ứ n g k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n của t r a n s i t o ( t ă n g l ê n B l ầ n ) . H ì n h
12.21 cho đặc t u y ế n I - U 0 C E của p h o t o t r a n s i t o ứ n g v ớ i c á c t r ư ờ n g hợp
chiếu s á n g có c ư ờ n g dô k h á c n h a u . Bước s ó n g á n h s á n g t h í c h hợp với
loại p h o t o t r a n s i t o ( t ư ơ n g t ự n h ư photodiot t ừ v ậ t l i ệ u Silic) trong
k h o ả n g 0,8(.im đ ế n 0,85 l i m ) .

A
MA
-W000lx
•ơn 10' -3000U
1000U
lo ''3

300U
1001X
10 30lx

lũ
10 15 Úp
Hình 12.20. Tương đương của
phototransito.
Hình 12.21. Họ đặc tuyến l - U c CI

của phototronsito.
12.5.2. T h a m s ố c ủ a p h o t o t r a n s i t o

D ò n g colectơ (với E = 1000 lx, U C E = 5V) lúc c h i ế u s á n g ích (ví d ụ 0,8mA).

D ò n g colectơ lúc t ố i I c d (0,2fiA).
Bước s ó n g n h ậ y q u a n g Ằ ES (0,85|j.m).
Đ ộ n h ậ y q u a n g E (0,15^iA/lx).
( c á c s ố l i ệ u cho t r o n g ngoặc l à g i á t r ị v í d ụ ) .

12.6. PHOTOTHYRISTO

12.6.1. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g

C ấ u tạo photo thyristo t ư ơ n g

t ự n h ư t h y r i s t o g ổ m 4 lớp x e n k ẽ
p n p n v ớ i 3 cực r a anot, k a t o t v à y/
_J2
cực đ i ề u k h i ể n G ( h ì n h 12.22). ở G
v ù n g chắn thuận, chuyên tiếp pn
nằm giữa bị khoa. Qua cửa sổ
t r o n g s u ố t , k h i có á n h s á n g c h i ế u
vào v ù n g này, n ă n g lượng photon Hình 12.22. c ấ u tạo và ký hiệu
l à m giải p h ó n g các quang h ạ t n ê n của photothyristo.
l ớ p c h u y ể n t i ế p g i ữ a c h u y ể n sang
d ẫ n đ i ệ n l à m t ă n g d ò n g q u a n g (là d ò n g n g ư ợ c của l ó p c h ắ n n ằ m giữa).
V i ệ c m ô t ả c ấ u t ạ o p h o t o t h y r i s t o n h ư t r ê n h ì n h (12.23) g ổ m 2 t r a n s i t o sẽ
g i ả i t h í c h được q u á t r ì n h đ i ề u k h i ể n n h ờ x u n g á n h s á n g t á c đ ộ n g m ổ i
p h o t o n t h y r i s t o ( h ì n h 12.24). V i ệ c c h ọ n t r ị s ố đ i ệ n t r ở R G K (trên hình
12.24) c à n g l ớ n t h ì giới h ạ n y ê u c ầ u c ư ờ n g đ ộ á n h s á n g t ố i t h i ể u của
x u n g á n h s á n g m ổ i SCR c à n g t h ấ p . Sau k h i được m ổ i , SCR h o ạ t đ ộ n g
n h ư một thyristo t h ô n g thường ở t r ạ n g t h á i đ i ệ n trở t h ấ p chừng nào
d ò n g đ i ệ n l à m v i ệ c c ò n cao h ơ n mức d ò n g đ i ệ n d u y t r ì .

A R
L

ĩ
Ỷ
K

Hình 12.23. Mạch thay t h ế của photothyristo. Hình 12.24. Mạch sử dụng
photothyristo.

238
 G ầ n đ â y , l o ạ i t h y r i s t o có 4 cực ( t h ê m Ì cực đ i ề u k h i ể n G A bên cạnh
GK, À v à K ) được g ọ i l à S i l i c o n C o n t r o l l e d S m i t h (SCS). s c s được c h ế
tạo v ớ i m ụ c đ í c h có t h ể đ i ề u k h i ể n n g ư ợ c SCR t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở
t h ấ p v ề l ạ i đ i ệ n t r ở cao v ớ i c á c p h ư ơ n g t h ứ c h o ạ t đ ộ n g .
a) N h ờ Ì x u n g â m v à o G K (so v ớ i K ) .
b) N h ờ Ì x u n g d ư ơ n g v à o G A (so v ớ i K ) .
ĩ
c) N h ò g i ả m d ò n g l à m v i ệ c x u ố n g t h ấ p h ơ n
GA
dòng duy trì.
T r ê n cơ sở đ ó p h o t o t h y r i s t o 4 cực được c h ế
tạo v ớ i p h ư ơ n g t h ứ c đ i ề u k h i ể n t ư ơ n g t ự n h ư n g
nhờ x u n g á n h s á n g t h e o h a i c h i ề u l ậ t t ừ t r ạ n g
t h á i đ i ệ n t r ở cao s a n g t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p
(mổi) h a y n g ư ợ c l ạ i t ừ t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở t h ấ p Hình 12.25. cấu tạo
của photothyristo 4 cực.
về l ạ i t r ạ n g t h á i đ i ệ n t r ở cao ( d ậ p ) .

12.6.2. T h a m s ố c ủ a p h o t o t h y r i s t o

C á c t h a m s ố c ủ a p h o t o t h y r i s t o t ư ơ n g t ự n h ư của t h y r i s t o đ ã x é t ở
c h ư ơ n g 10. N g o à i r a c ầ n c h ú ý c á c t h a m s ố v à đ ặ c t í n h sau:
Cường độ á n h s á n g m ổ i E A T p h ụ thuộc vào độ lớn của đ i ệ n t r ỏ R G K

với d ò n g t ả i l à l O O m A t h ể h i ệ n t r ê n đ ổ t h ị h ì n h 12.26.
Đ ộ d à i bước s ó n g cho độ n h ậ y quang cực đ ạ i ^ES (0,85^m) ( h ì n h 12.27).

10

10 100

Hình 12.26. Quan hệ cường độ sáng mổi Hình 12.27. Độ nhậy phổ
phụ thuộc vào độ lớn của điện trở R . GK
của một photothyristo.

12.7. DIOT P H Á T Q U A N G LED

D i o t p h á t q u a n g ( L i c h t E m i t i e r e n d e D i o d e n - L E D ) t h ư ờ n g có c ấ u t ạ o
t ừ n h ó m v ậ t l i ệ u đ a t i n h t h ể : hợp c h ấ t G a l i A s e n i t , G a l i A s e n p h o t p h o r i t
(Ga As) (Ga AsP) hay GaP thực h i ệ n q u á t r ì n h b i ế n đ ổ i n ă n g l ư ợ n g k i ể u
đ i ệ n - q u a n g . C ấ u t ạ o của m ộ t L E D gổm Ì đ ế b á n d ẫ n l o ạ i n t r ê n có p h ủ
Ì lớp b á n d ẫ n l o ạ i p n ổ n g độ cao dầy cỡ lịxm - H ì n h 12.28.

239
 LED hoạt động khi được phân cực thuận.
Ánh sáng

Hình 12.28. cấu tạo của LED

T h e o lý t h u y ế t v ù n g n ă n g l ư ợ n g , đ i ệ n t ử t ự do t r o n g v ù n g d ẫ n của
b á n d ẫ n pha t ạ p l o ạ i n n ằ m ở m ứ c n ă n g l ư ợ n g cao E 2 ( h ì n h 12.29) so
v ố i c á c đ i ệ n t ử hoa t r ị ( n ằ m ở mức n ă n g l ư ợ n g t h ấ p E j ) . V i ệ c c h u y ê n ròi
điện tử từ E 2 đ ế n E, g i ả i p h ó n g r a n ă n g l ư ợ n g A E = E 2 - Ej ở dạng Ì
E -E '
x u n g á n h s á n g . V ớ i Ì bước s ó n g x á c đ ị n h à = dĩ. Hay f = Anh
h
s á n g L E D p h á t r a l à đ ơ n sắc (có Ì t ầ n số) v à h i ệ n t ư ợ n g được g ọ i là sự
p h á t x ạ q u a n g ( p h á t x ạ t ự n h i ê n hoặc p h á t x ạ k ế t hợp, x e m h ì n h 12.29
v à h ì n h 12.30). T u y theo k h o ả n g c á c h g i ữ a c á c m ứ c n ă n g l ư ợ n g v ù n g
d ẫ n E v à v ù n g hoa t r ị E j k h i x ả y r a n h ả y mức t ừ E j l ê n E
2 9 do h ấ p t h ụ
v à sau đ ó p h á t x ạ , á n h s á n g do L E D p h á t r a có m à u k h á c n h a u : h ổ n g
n g o ạ i , đỏ, v à n g , x a n h lá c â y h a y x a n h l a m . . . H i ệ u s u ấ t b i ế n đôi cao
n h ấ t đ ạ t được ở n h ó m L E D h ổ n g n g o ạ i (với c ô n g s u ấ t cỡ 20 đ ế n 50 l ầ n
l ớ n h ơ n của L E D á n h s á n g đỏ) ở bước s ó n g p h á t r a 0,9f.im đ ế n 0,94|am.
D i o t p h á t q u a n g l à m v i ệ c g ầ n n h ư k h ô n g có q u á n t í n h v à được
d ù n g đê đ i ề u c h ế tín h i ệ u (analog hav digital) t r o n g d ả i t ầ n M H z . Với
t h ò i g i a n l à m v i ệ c k h o ả n g 10° giờ.

En

E2 4—4-
Vùng dẫn

Photon f = (E2 -E1)

1

o o G Q Q
vùng hoa tri

Hình 12.29. Phát xạ tự nhiên.

240
 E

E2 o o o Q e o
vùng dẫn
Photon
Photon Photon

E 1
o o o Q Q
Vùng hoa trị

Hình 12.30. Phát xạ kết hợp.

12.7.2. Tham số của LED

C á c t h a m s ố của L E D có t h ế chia t h à n h 2 n h ó m :
* N h ó m t h a m s ố quang:
D i ệ n t í c h p h á t s á n g A (ví d ụ t ừ 0,5 đ ô n 3 0 m m ) . 2

C ư ờ n g độ á n h s á n g ly ( t ừ 2 đ ô n 5 m i l i c a n d e l a - mcd).
D ò n g q u a n g t h ô n g (ị) ( k h o ả n g 2 m l m ( m i l i l u m e n ) .
(Với d ò n g k í c h t h í c h Ip = 20mA).
Đ ộ d à i bước s ó n g p h á t x ạ X (660nm). p

Góc m ở oe ( t ừ 25° đ ế n 60°).

* N h ó m c á c t h ô n g s ố đ i ệ n có:
Điện áp mỏ U F và đ i ệ n d u n g lớp k h o á c . s

Đ i ệ n á p k h o a cực đ ạ i cho p h é p U R m a x (3V)

D ò n g t h u ậ n cực đ ạ i cho p h é p I F m a x (50mA).
C ô n g s u ấ t cực đ ạ i cho p h é p P tot (công s u ấ t t ô n hao) (120mW).
N h i ệ t độ t ố i t h i ể u v à t ố i đ a của môi t r ư ờ n g l à m v i ệ c ( - 4 0 ° c đ ế n
+ 100°C).
L E D được sử d ụ n g c h ủ y ế u l à m đ è n chỉ t h ị s ố
(loại 7 v ạ c h ) hay c á c ma t r ậ n q u ả n g cáo t r a n g t r í
đ i ệ n t ử . K h i k ế t hợp c á c L E D t ừ n g c ụ m với 3 m à u
cơ b á n : đỏ, x a n h da t r ờ i v à x a n h lá c â y t h à n h ma
t r ậ n c á c đ i ế m ả n h có t h ể t ạ o ra c á c bức ả n h màu
đ i ệ n t ử k í c h t h ư ớ c l ớ n t h ể h i ệ n các m à u t ự n h i ê n
theo n g u y ê n lý t r ộ n m à u n h ư t r o n g c á c h t ạ o ả n h Hình 12.31. LED7 vạch.
m à u của k ỹ t h u ậ t t r u y ề n h ì n h .

241
16-
12.8. L A S E R B Á N DÂN

L A S E R ( L i g h t A m p l i í ì c a t i o n by S t i m u l a t e d E m i s s i o n of R a d i a t i o n )
là l o ạ i d i o t b á n d ẫ n có k h ả n ă n g p h á t r a c á c bức x ạ k ế t hợp k h i được
k í c h t h í c h b ở i m ộ t x u n g á n h s á n g (do p h á t x ạ t ự n h i ê n t ạ o ra). Các
p h ô t o n t r o n g q u á t r ì n h n à y ( p h á t x ạ t ự n h i ê n v à c ư ỡ n g bức) có c ù n g
bước s ó n g , c ù n g p h a v à c ù n g h ư ớ n g (gọi l à c á c bức x ạ k ế t hợp) ( h ì n h
12.30). M u ố n x ả y r a h i ệ u ứ n g p h á t bức x ạ k ế t hợp c ầ n t ạ o r a t r ạ n g t h á i
t ậ p t r u n g c á c đ i ệ n t ử v ớ i m ậ t đ ộ cao t ạ i v ù n g d ẫ n có n ă n g l ư ợ n g cao hơn
so v ố i ở v ù n g hoa t r ị (được g ọ i là t r ạ n g t h á i n g h ị c h đ ả o m ậ t đ ộ ) n h ờ kích
t h í c h ( b ơ m q u a n g học) sơ cấp đ ẩ y c á c đ i ệ n t ử t ừ v ù n g hoa t r ị l ê n v ù n g
d ẫ n m ộ t c á c h ổ ạ t . Bức x ạ do h i ệ u ứ n g n h ả y của c á c e l e c t r o n t ừ mức
n ă n g l ư ợ n g cao x u ố n g mức n ă n g l ư ợ n g t h ấ p t ạ o r a được m ộ t h ệ thống
cộng h ư ở n g q u a n g học (ví d ụ n h ư h ộ p cộng h ư ở n g Fabri—Perot) k h u ế c h
đ ạ i l ê n n h i ê u l ầ n t r ư ớ c k h i cho p h á t r a m ô i t r ư ờ n g . H ó c c ộ n g h ư ở n g có
h a i m ặ t p h a n g song song, m ộ t p h í a p h ả n x ạ t o à n p h ầ n ( g ư ơ n g p h ả n xạ),
một p h í a đôi d i ệ n p h ả n Dòng năng lượng vào (bơm kích thích sơ cấp)
xạ b á n phần, trong hốc
xảy ra h i ệ n tượng sóng
Phần tích CƯC của Laser
đ ứ n g k h i t i a s á n g laser
được p h ả n x ạ n h i ê u l ầ n ,
cường độ quang được
khuếch đại trước khi
Ánh sáng
theo hướng vuông góc được sử
với m ặ t gương b á n p h ả n dụng
x ạ được t h o á t k h ỏ i hộp
Gương phản xạ bán phần Gương phàn xạ toàn phán
cộng h ư ở n g ( h ì n h 12.32).
Bức x ạ l a s e r p h á t r a l à Hình 12.32. Nguyên lý cấu tạo của Laser.

Ì c h ù m t i a song song có t í n h k ế t hPÁnhsáng ,

hợp ( t ầ n sô x á c đ ị n h , c ù n g pha, có
t í n h đ ị n h h ư ớ n g cao). D i o t laser
l à m việc tốt ở n h i ệ t độ p h ò n g , k h i
n h i ệ t độ môi t r ư ờ n g lên tới 5 0 ° c
t h ì y ê u c ầ u d ò n g l à m việc t ă n g gấp
đôi đ ổ đ ả m b ả o được c ư ờ n g độ t i a
n h ư t r ư ớ c . Q u a n h ộ giữa c ô n g s u ấ t
bức x ạ v à d ò n g đ i ệ n l à m v i ệ c l à
q u a n h ệ t u y ế n t í n h ( h ì n h 12.33). D òng đ,én ngưõng
D ả i t ầ n l à m v i ệ c c ủ a d i o t laser là 33 H ì n h 1 2 L a s e r t u y ế n t í n h

242
1 0 H z ( G H z ) được sử d ụ n g h i ệ u q u ả t r o n g v i ệ c g h i â m v à g h i h ì n h t r ê n
9

các p h ầ n t ử n h ớ q u a n g n h ư CD v à D V D đ i ề u c h ế q u a n g t r o n g c ô n g n g h ệ
t r u y ề n d ẫ n c á p sợi quang...

12.9. SỢI QUANG DAN

Việc t r u y ề n tín h i ệ u điện n h ò dòng điện trong các cáp đổng gặp
n h i ề u n h ư ợ c đ i ể m đ ặ c b i ệ t l à v ấ n đ ề suy hao t r ê n đ ư ờ n g t r u y ề n v ớ i
k h o ả n g c á c h xa v à d u n g l ư ợ n g t h ô n g t i n bị h ạ n c h ế do tốc đ ộ t r u y ề n t ả i
t i n tức bị h ạ n c h ế , n g o à i r a đ i ệ n c ả m v à đ i ệ n d u n g k ý s i n h c ủ a c á p h ạ n
c h ế d ả i t ầ n sử d ụ n g c á p chỉ t ớ i v à i M H z . V i ệ c sử d ụ n g c á p sợi q u a n g
thực h i ệ n v i ệ c t r u y ề n d ẫ n t í n h i ệ u d ư ớ i d ạ n g s ó n g á n h s á n g t r o n g sợi
c á p q u a n g m a n g đ ế n c á c ư u t h ế vô c ù n g to l ớ n so v ớ i v i ệ c d ù n g c á p
đ ổ n g t r u y ề n t h ố n g . C ấ u t r ú c k h ố i của m ộ t đ ư ờ n g t r u y ề n d ẫ n t í n h i ệ u
d ù n g c á p sợi q u a n g d ẫ n được cho t r ê n h ì n h 12.34. D ò n g t í n h i ệ u gốc
qua b i ê n đôi t ư ơ n g t ự - sô được c h u y ể n đ ổ i t h à n h d ẫ y b í t 0,1 (các x u n g
đ i ệ n á p ) sau đ ó được k h u ế c h đ ạ i , gia c ô n g x ử lý t r ư ớ c k h i t á c đ ộ n g v à o
diot L a s e r đ ể b i ế n c h ú n g t h à n h c á c x u n g á n h s á n g v à được đ ư a trực
t i ế p v à o c á p sợi q u a n g t r u y ề n d ẫ n t r ê n n h ữ n g k h o ả n g c á c h xa ( t ớ i h à n g
chục n g à n k m ) v ớ i m ứ c suy hao t h ấ p v à được b ù v à sửa h ổ i p h ụ c n h ờ
các t r ạ m l ắ p v à b ộ k h u ế c h đ ạ i q u a n g t r ê n đ ư ờ n g t r u y ề n của c á p . T ạ i
đ ầ u c u ô i của c á p sợi q u a n g p h o t o t r a n s i t o hay p h o t o d i o t được sử d ụ n g đ ể
b i ế n đ ổ i t í n h i ệ u q u a n g v ê l ạ i c á c x u n g đ i ệ n b a n đ ầ u t r ư ớ c k h i được h ổ i
phục qua b i ế n đ ổ i s ố - t ư ơ n g t ự t h à n h t í n h i ệ u a n a l o g b a n đ ầ u . Sợi c á p
quang có c ấ u t ạ o g ổ m 2 p h ầ n : lõi (sợi q u a n g d ẫ n ) v à v ỏ b ả o v ệ ; c h i ế t
s u ấ t q u a n g của c h ú n g được l ự a c h ọ n đ ể x ả y r a h i ệ n t ư ợ n g p h ả n x ạ t o à n
p h ầ n của t i a s á n g t r o n g p h ầ n lõi ( k h ô n g t h o á t r a p h ầ n v ỏ đ ư ợ c ) . N h ờ
đó t i a s á n g do L a s e r p h á t r a được t r u y ề n c h ỉ t r o n g lõi c á p v ớ i m ứ c suy
hao t h ấ p (cỡ 0,05 đ ế n 0 , l d B / k m ) . Đ ổ t h ị h ì n h 12.36 m ô t ả m ứ c suy hao
t í n h theo d B / k m của h a i l o ạ i c á p đ ổ n g đ ổ n g t r ụ c v à c á p sợi q u a n g theo
t ầ n s ố đ ế n G H z . C á p sợi q u a n g có ư u đ i ể m l ớ n l à k h ô n g b ị ả n h h ư ở n g
của n h i ễ u s ó n g đ i ệ n t ừ v à t r o n g n h i ề u t r ư ờ n g h ợ p v i ệ c g h é p q u a n g
giữa d i o t l a s e r v à p h o t o d i o t là m ộ t p h ư ơ n g p h á p c á c h l y đ i ệ n lý t ư ở n g .
Tin hiệu _ £

, , Đâu ra
Đấu vào Bó 'biến 'đổi
Tín hiệu sôBộỊ khuếch
1 _ LIED—i Cáp
TT^quang dẫn
—<——I tương tư r rIn 1 đươc " . sử
tín hiếu - Tín hiệu
• số I 1 Bộ khuếch
' •
B ó b i ế n đ ổ i
•dụng
tin hiệu
tương tư sổ - tương tự đại số - tương tự đại

Hình 12.34. Đặc tuyến dẫn LWL.

243
 Hình 12.35. Sợi quang dẫn.

dB Mức suy hao

km

100-

1000 L_
MHz

Hình 12.36. Bể rộng dải tẩn và suy hao.

Nhược điểm của cáp sợi quang là hiện tượng tán xạ ánh sáng gây
ra m é o d ạ n g t í n h i ệ u x u n g ( g i ã n x u n g v ề m ặ t t h ờ i g i a n ) v à có t h ê l à m
m ấ t (lõi) b í t ( h ì n h 12.37) đ ổ n g t h ờ i x ả y r a c á c h i ệ u ứ n g p h ụ k h i g h é p
n ố i c á p sợi q u a n g b ằ n g p h ư ơ n g p h á p h à n đ ặ c b i ệ t l à h i ệ n t ư ợ n g suy
hao c ư ờ n g đ ộ t í n h i ệ u q u a n g ( h ì n h 12.38).

Sợi cáp dãn quang

km

Hình 12.37. Anh hưởng của tán xạ

244
 Quang sợi
-Ã

Mối hàn đúng

kỹ thuật
Quang sợi

'V
Khoảng cách
môi hàn quá xa
Quang sởi

Mỏi hàn bị lệch

tâm trúc quang
sợi
Quang sợi
/

MỖI hàn bị ngiêng

tâm trúc quang sổi
Hình 12.38. Hàn cáp quang

12.10. B Ộ G H É P Q U A N G

12.10.1. C â u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g
Lôi vào Lỏi ra
M ỗ i bộ g h é p q u a n g (còn gọi là
biến á p quang) bao g ổ m 2 p h ầ n : p h ầ n
phát á n h s á n g và p h ầ n thu quang
(hình 12.39). C á c loại chót p h á t quang
(thường công tác ở v ù n g á n h sủng H i n h
12.39.
hổng ngoại) l à m bộ p h á t q u a n g VỚI h i ệ u s u ấ t t ố t n h ấ t . B ộ t h u q u a n g
t h ư ờ n g là c á c p h o t o d i o t hay p h o t o t r a n s i t o , p h o t o t h y r i s t o hoặc p h o t o
d a r l i n g t o n t r a n s i s t o (với h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n r ấ t l ớ n ) . C á c bộ
g h é p q u a n g q u a n t r ọ n g n h ấ t được cho t r ê n h ì n h 12.40.

Lối vào Lỏi ra Lõi vào Lõi ra

Diot phát quang Photodiot Thyristos quang

Lỏi vào Lôi ra Lối vào Lôi ra

Transito quang điện Transito quang loại Dariington

Hình 12.40. Bộ ghép quang.

245
 H«-7.6í0.2-»H

CW5xQ25

y y y
1 3

ỵ*0.45

ẽ
•ã
ì
11511 - 5L2 „,

Hình 12.41. Vài dạng kết cấu vỏ của các bộ ghép quang (Siemens).

12.10.2. T h a m s ô đ ị n h m ứ c v à t h a m s ô g i ó i h ạ n

C á c t h a m s ố g i ớ i h ạ n của bộ g h é p q u a n g g ổ m có:
V ớ i diot p h á t q u a n g ( p h ầ n p h á t ) :
Đ i ệ n áp khoa U R (ví d ụ 3V)
Dòng điện thuận I F (60mA)
C ô n g s u ấ t t ổ n hao P tot (100mW)
Với phototransito (phần thu)
Đ i ệ n á p k h o a colectơ - e m i t ơ U C E 0 (70V)
Đ i ệ n áp khoa emitơ - bazơ U E B O (7V)
D ò n g colectơ I C m a x (100mA)
C ô n g s u ấ t t ổ n hao P tot (150mW)
C á c t h a m s ố đ ị n h m ứ c có:
V ớ i p h ầ n p h á t (diot p h á t quang):
Điện áp thuận U F (1,5V v ớ i I = 6 0 m A )
F

D ò n g đ i ệ n ngược I R (lOnA k h i U R = 3V)

Với p h ầ n t h u (phototransito).
Đ i ệ n á p colectơ - e m i t ơ b ã o hoa Ư C E S a t (0,3V)
H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i d ò n g đ i ệ n Ì c h i ề u B (300 đ ế n 700)

246
 Bộ ghép quang
H ệ s ố b i ế n đ ổ i d ò n g đ i ệ n I / I = 80 đ ế n 300
C F

Đ i ệ n á p t h ử c á c h đ i ệ n u = 4000V
b

T ầ n s ố giới h ạ n f = 10 M H z

CÂU H Ỏ I ÔN TẬP - BÀI TẬP

1. Hiệuứng quang điện trong ở các chất bán dẫn quang là gì?
2. H ã y g i ả i t h í c h ý nghĩa đ ạ i lượng "độ n h ậ y p h ổ " đ ố i v ớ i c ấ u k i ệ n
q u a n g điện?
3. P h â n b i ệ t giá t r ị đ i ệ n trở t ố i v à đ i ệ n trở s á n g của m ộ t quang đ i ệ n trở.
4. T ế b à o q u a n g đ i ệ n l à m v i ệ c n h ư t h ế n à o ? G i ả i t h í c h sự x u ấ t h i ệ n
sức đ i ệ n đ ộ n g q u a n g .
5. M ô t ả c ấ u t ạ o v à n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g của photodiot.
6. H ã y p h â n b i ệ t p h o t o d i o t v à phototransito?
7. M ô t ả n g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g của photo t h y r i s t o r .
8. G i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của diot p h á t quang.
9. Bộ g h é p q u a n g là gì? C ấ u t ạ o của bộ g h é p q u a n g g ổ m n h ữ n g p h ầ n
tử nào ?

247
 C h ư ờ n g 13

CÁC CÂU KIỆN B Ổ N DƠN ĐỘC B I Ệ T

13.1. B Ộ PHÁT S Ó N G HALL

13.1.1. H i ệ u ứ n g Hai!

C á c d i ệ n t ử k h i được đ ặ t t r o n g m ộ t t ừ t r ư ờ n g sẽ c h ị u Ì lực t á c
đ ộ n g t ư ơ n g t ự n h ư k h i c h ú n g được đ ặ t t r o n g đ i ệ n t r ư ờ n g ( g ọ i là lực
L o r e n z ) đ ể t ạ o r a d ò n g đ i ệ n . T r ê n h ì n h 13.1 b i ể u d i ễ n m ộ t p h i ế n d ẫ n
đ i ệ n k í c h t h ư ớ c n h ỏ có d ò n g đ i ệ n c h ả y qua n ó t h e o h ư ớ n g đ ổ n g n h ấ t ,
đ i ệ n t r ư ờ n g x u ấ t h i ệ n ở đ â y là t h u ầ n n h ấ t (đổng n h ấ t ) . N ế u đ ặ t t h ê m
Ì t ừ t r ư ờ n g v à o p h i ê n , n h ư h ì n h 13.2 t h ể h i ệ n , m ỗ i đ i ệ n t ử c h ị u t á c
đ ộ n g lực L o r e n z b ổ x u n g v à b ị d ị c h c h u y ể n v ề Ì h ư ớ n g : đ i ệ n trường
của h ệ t r ở n ê n k h ô n g đ ổ n g n h ấ t : m ộ t p h í a t h ừ a đ i ệ n t ử v à p h í a đ ố i
d i ệ n n g h è o đ i ệ n t ử đ i . G i ữ a 2 b i ê n x u ấ t h i ệ n m ộ t đ i ệ n á p g ọ i là đ i ệ n
á p H a u v à h i ệ n t ư ợ n g v ừ a m ô t ả g ọ i l à h i ệ u ứ n g H a l l do n h à v ậ t lý
M ỹ tìm ra n ă m 1879.
Sức đ i ệ n đ ộ n g H a l l ( t ạ o r a m ộ t đ i ệ n á p H a l l ) k h i có t á c đ ộ n g đổng
thòi với điện trường t h u ầ n n h ấ t một từ trường lên m ộ t phiến dẫn điện.

Hình 13.1. Điện trường thuần Hình 13.2. Từ trường tạo ra sự

nhát đặt lên máy phát Hai!. không đống nhất của điển trường.

13.1.2. Điện áp Hall

Đ i ệ n á p H a l l x u ấ t h i ệ n t r o n g m ô h ì n h 13.2 c à n g l ớ n k h i c á c p h i ế n
c à n g mỏng, k h i cường độ d ò n g đ i ệ n c à n g lớn và k h i m ậ t độ t ừ t h ô n g
c à n g l ớ n . N g o à i r a đ ộ l ớ n của đ i ệ n á p H a l l c ò n p h ụ t h u ộ c v à o l o ạ i v ậ t
l i ệ u d ẫ n l à m c á c p h i ế n đ i ệ n cực ( h ì n h 13.3).

248
 K ế t quả n g h i ê n cứu h i ệ u ứng H a l l
dẫn tới h ệ thức.

ở đ â y Un là đ i ệ n á p H a l l xuất
h i ệ n do h i ệ u ứ n g H a l l :
R H h ằ n g số Hall.
ì d ò n g c h ả y qua p h i ế n cực.
B m ậ t độ t ừ t h ô n g . Hỉnh 13.3. Sự xuất hiện điện áp Hai!.
d B ề d ầ y c á c p h i ế n cực.
Ru p h ụ t h u ộ c n ổ n g đ ộ c á c h ạ t d ẫ n t ự do v à đ ộ l i n h đ ộ n g của c h ú n g ,
ví d ụ v ớ i c á c v ậ t l i ệ u k i m l o ạ i có R „ ~ 1 0 " m / A s n ê n h i ệ u ứ n g H a l l x u ấ t
9 3

h i ệ n y ế u . Với v ậ t l i ệ u b á n d ã n , h ằ n g số H a l l lớn h ơ n .
Ví d ụ InSb (Antimomd Indium) R„~240.10" m /As r , 3

I n As (Asennid Indium) R„~120.1(r m7As

G

K h i sử d ụ n g c á c l o ạ i v ậ t l i ệ u t r ê n , đ i ệ n á p M a l i n h ậ n được cỡ v à i V ,
R„ n h ì n c h u n g c ò n p h ụ t h u ộ c n h i ệ t độ.

13.1.3. C ấ u t ạ o
H ì n h 13.4a cho d ạ n g đổ t h ị quan h ệ p h ụ thuộc đ i ệ n á p H a l l v à o m ậ t độ
từ thôn** U n - B v à h ì n h 13.4b được đ ư a ra ví d ụ k í c h thước các p h i ế n của
một bộ p h á t H a l l .
Ưu i
3
2
ì

-lo -Ỏ.5/' 0.5 1JD

í
-2
-3

(z.B 6mm)
Hình 13.4. a) Đổ thị quan hệ U - B; b) Kích thưỏc của một máy phát Hall dạng mặt phang.
H

K h i c h ọ n c h i ề u d à i c v à c h i ề u n g a n g a của p h i ế n đ ề u n h a u (C = a)
đ i ệ n á p H a n x u ấ t h i ệ n chỉ đ ạ t g i á t r ị 75% t r ị l ớ n n h ấ t . K h i c h ọ n í đ ủ
lớn h ơ n a ( p h i ế n cực của m á y p h á t H a l l v ừ a d à i v ừ a m ỏ n g ( v à i [im)

249
 h i ệ u ứ n g đ ạ t cực đ ạ i . H ì n h 13.5 đ ư a r a c ấ u t ạ o v à k ý h i ệ u q u y ước của
bộ p h á t H a n . V ậ t l i ệ u l à m đ ế c ầ n c h ọ n l o ạ i có đ ộ d ẫ n t ừ t ố t (ví d ụ l o ạ i
F e r r i t m ề m ) . B ộ p h á t H a l l l à m ộ t n g u ổ n có n ộ i t r ở k h o ả n g t ừ l õ đến
4Q t u y t h u ộ c k h o ả n g c á c h c á c p h i ế n cực v à k í c h t h ư ớ c c ủ a c h ú n g .
3

Ký hiệu:
1, 2. Các cực điều khiển
3, 4. Các điện cực Han
Hình 13.5. Cấu tạo và vị trí bộ phát Hall.
13.1.4. C á c t h ô n g s ố đ ị n h m ứ c v à t h a m s ố g i ớ i h ạ n

D ò n g đ i ề u k h i ể n l ớ n n h ấ t cho p h é p I m a x ( v í dụ 600mA).
N h i ệ t đ ộ l à m v i ệ c l ớ n n h ấ t cho p h é p I m a x (100°C).
D ò n g đ i ề u k h i ể n đ ị n h mức I n (lOOmA).
T ừ t r ư ờ n g đ i ề u k h i ể n đ ị n h mức B n (ÍT).
Đ i ệ n á p H a n h ở m ạ c h u „ (0,4V).
(Với I và B đ ị n h mức).
n n

Đ i ệ n t r ở t r o n g g i ữ a c á c p h i ế n cực R nt (3Q)
N ộ i t r ở n g u ổ n g i ữ a c á c đ i ệ n cực H a l l R T H (l,5Q).
H ệ số n h i ệ t p = - 0,002/°C với I n As
= - 0 , 0 1 / ° C với I„Sb.
0 c h ê đ ộ đ ị n h mức, d ò n g n h i ệ t l à m n ó n g b ộ p h á t H a l l là n h ỏ n h ấ t
v à có q u a n h ệ r ấ t t u y ế n t í n h g i ữ a ì, B v à u „ .
Có t h ể t í n h được sự b i ế n t h i ê n A U , , của đ i ệ n á p H a n do n h i ệ t độ
g â y ra n h ò h ệ s ố n h i ệ t p.

AƯH = Ư H 2 Ũ . PAT

ở đ â y A U , , là l ư ợ n g b i ế n t h i ê n của đ i ệ n á p H a l l k h i n h i ệ t đ ộ m ô i
t r ư ờ n g t h a y đ ô i Ì l ư ợ n g ÁT v à U l à đ i ệ n á p H a l l đ o đ ư ợ c ở n h i ệ t đô
H 2 0

p h ò n g T° = 2 0 ° c .

13.1.5. C á c ứ n g d ụ n g

Có t h ể đ ư a r a 5 ứ n g d ụ n g đ i ể n h ì n h của b ộ p h á t H a l l :
1. Đ o m ậ t độ t ừ t h ô n g B. K h i g i ữ d ò n g đ i ệ n đ i ề u k h i ể n c ố đ ị n h đ i ệ n á p
H a n tỷ l ệ với m ậ t độ t ừ t h ô n g B. B ộ p h á t H a u n h ỏ (kích t h ư ố c 2 m m X l m m )
d ù n g đ ể đo t ừ t r ư ờ n g k h ô n g đ ổ n g n h ấ t . H ì n h 13.6 chỉ r a n g u y ê n l y đ o
dòng điện Ì chiều, tổng hai điện á p H a l l tỷ l ệ với cường độ d ò n g điên

250
 2. Đ o t í c h s ố I . B n h ờ v i ệ c x á c đ ị n h đ i ệ n á p H a l l do c h ú n g có q u a n
h ệ t ỷ l ộ v ớ i n h a u ( x e m h ệ t h ứ c t r a n g 249). B ộ p h á t H a l l l à m v i ệ c n h ư
m ộ t bộ n h â n . D o m ậ t đ ộ t ừ t h ô n g l ạ i t ỷ l ệ v ớ i d ò n g đ i ệ n g â y r a n ó I , M

n ê n ở t r ư ờ n g hợp n à y đ i ệ n á p H a l l t ỷ l ệ v ớ i t í c h s ố h a i d ò n g đ i ệ n . K é t
quả t r ê n được ứ n g d ụ n g t r o n g kỹ t h u ậ t đ i ề u k h i ể n và đ i ề u chỉnh.
3. B i ê n đ ộ c ủ a đ i ệ n á p H a l l xoay c h i ề u x u ấ t h i ệ n ở b ộ p h á t H a l l
l à m v i ệ c v ớ i t ừ t r ư ờ n g xoay c h i ề u t ỷ l ệ v ớ i m ậ t đ ộ t ừ t h ô n g B . K h i đ ó bộ
p h á t H a n h o ạ t đ ộ n g n h ư m ộ t bộ đ i ề u c h ế hay n h ư Ì b ộ c h ỉ n h l ư u d ò n g
V ỉ ?
xoay c h i ê u k h ô n g t i ê p d i ê m .
4. M ậ t đ ộ t ừ t h ô n g B có t h ể được đ i ề u k h i ể n n h ờ Ì c ô n g s u ấ t n h ỏ
để n h ậ n được m ộ t c ô n g s u ấ t l ớ n , do v ậ y bộ p h á t H a l l có t í n h c h ấ t của
một bộ k h u ế c h đ ạ i .
5. B ộ p h á t H a l l d ù n g đ ể chỉ t h ị t ừ t r ư ờ n g v à do v ậ y có t h ể d ù n g đ ể
đo tốc đ ộ q u a y của m ộ t đ ộ n g cơ ( h ì n h 13.7).
Vòng xuyến làm từ
/vát liêu từ mềm

Dòng điều Dòng điều khiển

khiển cố đinh (không đổi)
Bô phát Han w — Ì / / Bộ phát Hai!
Dây dẫn có dòng 1 chiều cần đo
'/////////////////////////.

Hình 13.6. Mạch đo dòng 1 chiểu. Hình 13.7. Đo tốc độ nhò bộ phát Hall.

13.2. TỪ T R Ở
T ừ t r ở l à l o ạ i đ i ệ n t r ở b á n d ẫ n có g i á t r ị đ i ệ n t r ở t h a y đ ổ i đ ư ợ c n h ò
sự đ i ề u k h i ể n c ủ a Ì t ừ t r ư ờ n g n g o à i t á c đ ộ n g . T ừ t r ở có k ý h i ệ u q u y ước
cho t r ê n h ì n h 13.8 v à c ấ u t ạ o cho t r ê n h ì n h 13.9.

Các kim
dẫn điên Phiên đê
InSb (Antimonit Indi)
Hình 13.8. Ký hiệu từ trỏ
(điện trở từ). Hình 13.9. Cấu tạo của 1 điện trỏ từ.

251
 I

13.2.1 C ấ u t ạ o

Từ trở có thể được chế tạo từ vật liệu sắt từ

( l o ạ i E) h a y t ừ v ậ t l i ệ u n h â n t ạ o ( l o ạ i K ) . ở l o ạ i E,
đ ê được sử d ụ n g l à l o ạ i v ậ t l i ệ u sắt t ừ F e c m a l o i có
đ ộ t ừ t h ẩ m l ớ n . L o ạ i K được c ấ u t ạ o t ừ g ố m hay
v ậ t l i ệ u n h â n t ạ o . T r ê n đ ế d ầ y cỡ 0 , l m m , m ộ t lớp
Hình 13.10. Lớp hình
A n t i m o n i t I n d i d à y cỡ 25(.im được p h ủ l ê n . T r ê n uốn lượn của 1 từ trở.
lớp I S b
n n à y có p h ủ c á c k i m l o ạ i l à m t ừ N i k e n
A n t i m o n i t có đ ộ d ẫ n đ i ệ n t ố t n h ư của k i m l o ạ i (xem t r ê n h ì n h 13.9).
N h i ề u l o ạ i t ừ t r ở có lớp b ề m ặ t d à y có d ạ n g gấp k h ú c n h ư h ì n h 13.10.
K h i k h ô n g có t ừ t r ư ờ n g t á c đ ộ n g , g i á t r ị đ i ệ n t r ở c ủ a t ừ t r ở cỡ v à i fì
đ ế n v à i k Q t u y theo k í c h t h ư ớ c c ấ u t ạ o của c h ú n g .

13.2.2 Sự biến đổi điện trở của từ trở

H o ạ t đ ộ n g của t ừ t r ở được g i ả i t h í c h t h ô n g qua c á c h ì n h 13.11 đ ế n

13.13. K h i c h ư a có t ừ t r ư ờ n g n g o à i t á c đ ộ n g ( B = 0). d ò n g c h ả y t r ê n
đ i ệ n t r ở t ừ là t h ẳ n g góc n h ư h ì n h 13.11. K h i t á c d ộ n g t ừ t r ư ờ n g ủ mức
c ư ờ n g đ ộ n h ỏ , d ò n g có d ạ n g h ì n h 13.12 v à k h i c ư ờ n g đ ộ t ừ t r ư ờ n g lớn -
h ì n h 13.13. H i ệ n t ư ợ n g x ả y r a do h i ệ u ứ n g H a l l l à m c á c h ạ t d ẫ n d i
c h u y ể n d ư ớ i t á c đ ộ n g của t ừ t r ư ờ n g l à m d ò n g đ i ệ n c h ả y g i ữ a c á c k i m
d ẫ n đ i ệ n có d ạ n g r ă n g c ư a (các k i m N i k e n A n t i m o n i t có v a i t r ò n h ư các
đ o ạ n d â y n g ắ n m ạ c h ) k h i lực t á c đ ộ n g đ ế l á i d ò n g đ i ệ n t ử c à n g l ớ n (do
c ư ờ n g độ t ừ t r ư ờ n g c à n g l ớ n ) , d ò n g đ i ệ n r ă n g c ư a c à n g m ạ n h n h ư t h ê
h i ệ n ở h ì n h 13.13. Sự t ă n g c h i ề u d à i của đ ư ờ n g d ẫ n d ò n g đ i ệ n l à m đ i ệ n
t r ở của t ừ t r o t ă n g .

) B nhỏ

J
Hình 13.11. Các đường dòng điện Hình 13.12. Khi có từ trường tác
khi chưa có từ trường tác động. động (từ trường còn nhỏ).

B lớn

\ M A M A M

Hình 13.13. Khi có từtrưòng lớn tác động.

Giá trị điện trở của từ trở tăng khi mật độ từ thông tăng.

252
 Đổ thị hình 13.14 chỉ ra
íì
sự p h ụ t h u ộ c của đ i ệ n t r ỏ của 1000
từ t r ỏ v à o m ậ t đ ộ t ừ t h ô n g B.
Chiều của từ trường không
làm ả n h hưởng tới giá trị điện 100
trở của t ừ trở. Q u a n h ệ giữa
dòng đ i ệ n và đ i ệ n á p t r ê n m ộ t
từ trở ứ n g v ớ i m ộ t g i á t r ị t ừ
05 1.0
(Sì 1.5
trường B nhất định là một ĩ
Hình 13.14. Quan hệ R(Q) vào B (Tesla)
quan h ệ t u y ế n t í n h . của từ trở.

13.2.3. C á c t h a m s ố c ủ a t ừ t r ở

C ô n g s u ấ t t ả i l ớ n n h ấ t cho p h é p P lot (ví d ụ 0,5W).

N h i ệ t độ l à m việc lốn n h ấ t T m a x (90°C).
Đ i ệ n á p l ớ n n h ấ t cho p h é p g i ữ a
lớp t ừ t r ở v à đ ế k i m l o ạ i u , (~ 100V).
Đ i ệ n t r ở gốc ( k h i B = 0) R ( l o n đ ế n lOkQ).
0

Sai l ệ c h c ủ a đ i ệ n t r ở gốc R 0 T o l (ví d ụ ± 20%).

Đ i ệ n trở k h i có B * 0 R B

Sự t h a y đ ổ i t ư ơ n g đ ố i của t ừ t r ở R / R „
B (« 10).
(với c ư ờ n g đ ộ B v í d ụ là Ì Tesla).
H ệ s ố n h i ệ t ( p h ụ t h u ộ c v à o B) oe (ví d ụ - 0 , 0 0 4 / ° C ) .

13.2.4.ứng dụng

T ừ t r ở được sử d ụ n g n h ư c h u y ể n m ạ c h h a y k h o a k h ô n g t i ế p đ i ể m
d ù n g t r o n g k ỹ t h u ậ t đ i ề u k h i ể n hay đ i ê u c h ỉ n h . H ì n h 13.15 t h ể h i ệ n
một p h í m n h ấ n d ù n g t ừ t r ỏ v à h ì n h 13.16 là m ộ t t ầ n g khoa dùng
transisto được đ i ề u k h i ể n n ố i , n g ắ t m ạ c h cho r ơ l e n h ờ t á c đ ộ n g từ
trường b ê n ngoài.

= 1

Hình 13.15. Chuyên mạch Hình 13.16. Tầng khuếch đại khoa dùng transito
phím nhấn dùng từ trỏ. vói từ trở làm công tắc không tiếp xúc.

253
13.3. DIOT T Ừ

13.3.1. C ấ u t ạ o

Diot từ làm từ loại chất bán dẫn B

G e m a n i u m , có t i ế p x ú c c ô n g n g h ệ d ạ n g p — i — Hình 13.17. Ký hiệu
n n h ư t r ê n h ì n h 13.18, k ý h i ệ u q u y ước của của diot từ.
d i o t t ừ được cho t r ê n h ì n h 13.17. Đ i ệ n đặc Vùng tái hợp
b i ệ t là n g ă n c á c h giữa 2 v ù n g pha tạp chất K?
loại p và loại n là một m i ề n b á n dẫn không
pha t ạ p v à có t í n h d ẫ n đ i ệ n r i ê n g do đ ó đ i ệ n
t r ở r ấ t cao (độ d ẫ n đ i ệ n t h ấ p ) . T ạ i v ù n g n à y
h i ệ n t ư ợ n g t á i hợp h ạ t d ẫ n x ả y r a m ạ n h nên
c ò n được g ọ i l à m i ề n t á i hợp ( g ọ i l à v ù n g R). Dân điên loai i
T r o n g v ỏ t h ư ờ n g có h a i d i o t t ừ được c h ế t ạ o Hình 13.18. cấu tạo 1 diot từ.
đổng thời để tạo ra h i ệ u ứ n g b ù nhiệt.

13.3.2. S ự t h a y đ ổ i đ i ệ n t r ở c ủ a d i o t t ừ

Do ả n h h ư ở n g t á c đ ộ n g của
t ừ t r ư ờ n g c á c đ i ệ n t ử t ự do được
dịch c h u y ể n v à o v ù n g t á i hợp R
(có h ư ớ n g t u y theo c h i ề u của t ừ
trường). T r o n g v ù n g n à y đ i ệ n t ử
v à l ỗ t r ố n g có cơ h ộ i g ặ p n h a u
v à x ả y ra t á i hợp hạt dẫn làm
g i ả m n ổ n g đ ộ h ạ t d ẫ n v à do đ ó
đ i ệ n trở t ă n g . N h ư v ậ y đ i ệ n trở
của d i o t t ừ c à n g l ớ n k h i n ổ n g đ ộ Hình 13. 19. Quan hệ điện trỏ của diot từ
c á c h ạ t t ự do c à n g cao v à c ư ờ n g vái cường độ từ thông B.

độ t ừ t h ô n g B t á c đ ộ n g c à n g l ớ n . M ố i q u a n h ệ đ ư ợ c t h ể h i ệ n qua đ ổ t h ị
h ì n h 13.19. Đ i ệ n t r ở của diot t ừ còn c h ị u ả n h h ư ở n g m ạ n h của n h i ệ t độ.

13.3.3. C á c t h a m s ố

Đ i ệ n á p làm việc lớn n h ấ t U B m a x (ví d ụ ~ 2 0 V )

C ô n g s u ấ t t ô n hao cực đ ạ i P v m a x (~ 5 0 m W )
N h i ệ t đ ộ l à m v i ệ c cực đ ạ i T m a x (~ 6 0 ° c
Đ i ệ n á p l à m việc u n (~ 4V)
Đ i ệ n t r ở gốc (lúc B = 0) Ro (~2kQ)

254
13.3.4. C á c ứ n g d ụ n g

D o sự p h ụ t h u ộ c m ạ n h v à o n h i ệ t độ,
diot t ừ t h ư ờ n g được c h ế t ạ o k é p đ ể được
b ù n h i ệ t ( h ì n h 13.20). K h i đó, c ầ n đ ặ t t ừ
t r ư ờ n g B t á c d ụ n g l ê n c h ú n g ngược c h i ề u
n h a u , sự t á c đ ộ n g của n h i ệ t đ ộ l ê n 2 diot
( l à m t h a y đ ổ i đ i ệ n t r ở ) của c h ú n g l à g i ố n g
nhau, nhờ v ậ y U được b ù n h i ệ t .
Hình 13.20. Mạch kết hợp
2

T u y n h i ê n sự b i ế n t h i ê n của t ừ t h ô n g 2 diot từ.

làm thay đ ổ i đ i ệ n trở các diot k h ô n g giống
n h a u , do đ ó đ i ệ n á p U 2 c ò n p h ụ t h u ộ c v à o m ậ t đ ộ t ừ t h ô n g (theo đ ổ t h ị
h ì n h 13.21).
Có t h ể đ o tốc đ ộ q u a y của m ộ t đ ộ n g cơ n h ò d i o t t ừ n h ư m ô t ả t r ê n
h ì n h 13.22 h o ặ c sử d ụ n g d i o t t ừ n h ư m ộ t c ô n g t ắ c k i ê u b à n phím
k h ô n g t i ế p đ i ể m g i ố n g n h ư t r ư ờ n g hợp sử d ụ n g t ừ t r ở .

iị

Hình 13.21. Sự phụ thuộc điện áp U 2

Hình 13.22. Đo tốc độ quay
vào từ truổng B. nhờ diot từ.

13.4. Á P T R Ớ B Á N DÂN

13.4.1. H i ệ u ứ n g á p đ i ệ n

Khi có á p lực tác động theo một

phương n h ấ t định lên tinh thê áp điện,
Tinh thê
giữa 2 m ặ t p h ả n g h ư ớ n g theo t r ụ c đ i ệ n áp điện
sẽ x u ấ t h i ệ n m ộ t đ i ệ n á p g ọ i l à h i ệ u ứ n g
á p đ i ệ n t h u ậ n . N g ư ợ c l ạ i n ế u có m ộ t dao Màng •
động điện tác động lên tinh thể theo Hình 13.23. Nguyên lý cảm biên
p h ư ơ n g của t r ụ c đ i ệ n t h ì m ộ t dao đ ộ n g cơ áp lực dùng hiệu ứng áp điện.

255
học sẽ x u ấ t h i ệ n theo p h ư ơ n g của t r ụ c cơ g ọ i l à h i ệ u ứ n g á p đ i ệ n n g ư ợ c .
M ộ t t r o n g c á c ứ n g d ụ n g q u a n t r ọ n g của h i ệ u ứ n g á p d i ệ n t h u ậ n l à sử
d ụ n g với m ụ c đ í c h đ o á p lực ( á p s u ấ t ) n h ò đ ầ u đ o l à c á c c ạ m b i ế n có k h ả
n ă n g b i ế n đ ổ i á p s u ấ t t h à n h sức đ i ệ n đ ộ n g á p đ i ệ n ( h ì n h ĩ 3.23).

13.4.2. C h ấ t b á n d ẫ n á p đ i ệ n

T h ờ i g i a n g ầ n đ â y , m ộ t v à i c h ấ t b á n d ẫ n có h i ệ u ứ n g á p đ i ệ n m ạ n h
được n g h i ê n c ứ u v à sử d ụ n g b ê n c ạ n h c á c v ậ t l i ệ u t r u y ề n t h ố n g . Trước
đ â y t i n h t h ể Q u a r t z (thạch anh), m u ố i Secnhet, B a r i t i t a n a t . . . l à c á c
v ậ t l i ệ u á p đ i ệ n t r u y ề n t h ố n g v ớ i đ i ệ n á p x u ấ t h i ệ n do h i ệ u ứ n g á p
đ i ệ n cỡ v à i V o l t k h i có sự t h a y đ ổ i á p lực đ ủ m ạ n h . V ậ t l i ệ u m ố i c h ế t ạ o
t ừ hợp c h ấ t m u ố i đ a t i n h t h ể C h ì - K ẽ m - T i t a n có k h ả n ă n g cho đ i ệ n
á p t ớ i cỡ n h i ề u k i l o v o l t k h i có á p lực m ạ n h t á c đ ộ n g (hợp c h ấ t n à y còn
có t ê n g ọ i Piezoxide hay V a l v o ) .
M i c r o í b n sử d ụ n g v ậ t l i ệ u á p đ i ệ n V a l v o h o ạ t đ ộ n g t r o n g d ả i t ầ n
r ộ n g đ ế n g i ớ i h ạ n d ả i s ó n g s i ê u â m ( v à i chục k H z ) . Có t h ê sử d ụ n g Valvo
l à m các bộ lọc hoặc đ ê m ổ i cho q u á t r ì n h p h ó n g đ i ệ n của c h ấ t k h í .

13.5. LINH KIỆN TINH THE LỎNG

13.5.1. T i n h t h ể l ỏ n g ( L i q u i d C r y s t a l D e v i c e - L C D )

C h ấ t r ắ n t i n h t h ể có t í n h d i h ư ớ n g (theo c á c h ư ớ n g k h á c n h a u của
t i n h t h ê c h ú n g có t í n h c h ấ t k h á c n h a u - Ví d ụ n h ư t i n h t h ổ á p đ i ệ n đ ã
x é t ) . T r o n g k h i đ ó , c á c c h ấ t l ỏ n g l u ô n là l o ạ i v ậ t l i ệ u có t í n h đẳng
h ư ớ n g ( t í n h c h ấ t của n ó theo c á c p h ư ơ n g k h á c n h a u đ ề u đ ổ n g n h ấ t n h ư
n h a u ) . M ộ t s ố t i n h t h ể k h i ở pha r ắ n có t í n h dị h ư ớ n g , t u y n h i ê n ngay
k h i c h u y ể n c h ú n g s a n g p h a l ỏ n g (ví d ụ được l à m n ó n g ) c h ú n g v ẫ n còn
t h ế h i ệ n t í n h dị h ư ớ n g v à dược g ọ i là n h ó m t i n h t h ể l ỏ n g . H i ệ n t ư ợ n g
t r ê n chỉ x ả y ra ở m ộ t n h i ệ t đ ộ x á c đ ị n h , sau đ ó n ế u t i ế p t ụ c t ă n g n h i ệ t
v ậ t l i ệ u t i n h t h ê l ỏ n g sẽ c h u y ể n t ừ p h a l ỏ n g d ị h ư ớ n g s a n g p h a lỏng
đẳng hướng.

13.5.2. C ấ u t ạ o b ộ h i ể n t h ị L C D

( C ô n g n g h ệ h i ệ u ứ n g t r ư ờ n g , sự p h â n cực đ i ệ n m ô i )
N h i ệ t độ c h u y ể n pha dị h ư ớ n g của c á c c h ấ t t i n h t h ể l ỏ n g nằm
trong dải từ - 5 ° c đến 65°c. K h i đặt tinh t h ể lỏng vào trong một điện
t r ư ờ n g m ạ n h , do ả n h h ư ở n g của đ i ệ n t r ư ờ n g t i n h t h ể l ỏ n g t h a y đ ổ i
m à u t ừ t r o n g sang đục và k h i n g ắ t đ i ệ n t r ư ờ n g t á c động, m à u t i n h t h ể

256
l ạ i t r o n g t r ở l ạ i . C h ấ t l ỏ n g n h ó m n à y t h u ộ c l o ạ i k h ô n g d ẫ n đ i ệ n , được
sử d ụ n g đ ể c h ế t ạ o b ộ h i ể n t h ị L C D k h i đ ư a c h ú n g v à o g i ữ a 2 b ả n t h ú y
t i n h song song n h a u , p h í a t r o n g của 2 b ả n t h ú y t i n h được g ắ n Ì lớp
O x y t k ẽ m l à m t h à n h 2 đ i ệ n cực đ ố i d i ệ n n h a u . C ấ u t ạ o m ộ t b ộ h i ê n t h ị
L E D được t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 13.24 (Ví d ụ l o ạ i L E D c h ỉ t h ị 7 v ạ c h ) .
K h o ả n g c á c h 2 đ i ệ n cực song song của Ì v ạ c h L E D cỡ t ừ 5 đ ế n 10|im,
đ i ệ n t r ư ờ n g k í c h t h í c h c ầ n cỡ t ố i t h i ể u 0,lV/ụm đ ể l à m đục t i n h t h ê
lỏng v à k h i t ă n g c ư ờ n g đ ộ t r ư ờ n g h i ệ u ứ n g m ạ n h h ơ n cho t ớ i g i á t r ị t ố i
đ a k h o ả n g 3V/f.im.
Bộ lọc phản cực và
Tinh thể lỏng Bản thúy tinh lớp vát liệu phủ

Đê chốt giữ

Bộ lọc phân cực và lớp Các điện cực

phủ trong suốt (gương) oxyt kẽm
Hình 13.24. cấu tạo 1 phân tử tinh thể lỏng.

Đổ tạo ra h i ệ u ứng làm

đục tinh thể lỏng, năng Mặt phảng trong
suốt với ánh sáng
lượng c ầ n t h i ế t k h á n h ỏ - cỡ
6 r--
0,l|j.w/cm 2
bề m ặ t làm đục.
Hiệu ứng l à m đục t i n h thê
lỏng c ầ n được l à m đ ủ m ạ n h
t h í c h hợp v ớ i y ê u c ầ u hiển
thị quang. Có n h i ề u c á c h đ ể
làm rõ nét vạch đục, tuy
n h i ê n h i ệ u ứ n g d ù n g bộ lọc
p h â n cực có độ t ư ơ n g phản
ảnh là tốt nhất. Sau tấm
p h â n cực h i ệ u q u ả s á n g t ố i là
rõ n é t , được thê hiện qua
gương p h ả n x ạ ( h ì n h 13.24).
H ì n h 13.25 đ ư a r a m ộ t bộ chỉ
thị L C D 7 v ạ c h đ ổ h i ể n t h ị
các s ố t h ậ p p h â n v à v i ệ c k ế t -J a3
hợp c h ú n g đ ổ t ạ o r a m ộ t bộ
chỉ t h ị 4 decac t h ậ p p h â n ở Hình 13.25. Phân tử chỉ thị 7 vạch
dùng tinh thê lỏng.
h ì n h 13.26.

257
 Mặt kinh trong

Hình 13.26. 4 phần tử chỉ thị 7 vạch tạo thành bộ chỉ thị 4 decac.

T h a m s ố của L C D :
Đ i ệ n á p l à m v i ệ c cao n h ấ t ƯDmax ( k h o ả n g 8 V )
Đ i ệ n á p l à m việc t h ô n g t h ư ờ n g U B ( t ừ 1,5V đ ế n 3 V )
T ầ n sô l à m v i ệ c f (từ 30Hz đ ế n 100Hz)
N h i ệ t độ T (25°C)
Dòng điện t r ê n một vạch Is ( 1 0 n A )
D ò n g tổng cộng T t ổ n g (70nA)
T ụ điện tổng c t ổ n g 50pF
Thời gian trễ nối mạch t„ữ 8 0 m s
T h ò i gian s ư ờ n trước t t r u ớ c lOOms
T h ờ i g i a n s ư ờ n sau t s a u 200ms
N h i ệ t độ bảo q u ả n T,nin- T m a x ( t ừ - 2 0 ° c đ ế n 80°C)
N g u y ê n lý đ i ề u k h i ể n đ ộ n g :
M ộ t n h ó m t i n h t h ể l ỏ n g l o ạ i k h á c có t í n h d ẫ n đ i ệ n . K h i c h ị u tác
đ ộ n g m ộ t đ i ệ n á p xoay c h i ề u , b ê n t r o n g t i n h t h ể có Ì b ộ p h ậ n nhỏ
chuyển động và gây h i ệ u ứng t ư ơ n g tự l à m đục p h ầ n c h u y ể n động n à y
v à k h i được c h i ế u s á n g sẽ có h i ệ u ứ n g s á n g t ố i ( t ư ơ n g p h ả n ) v ớ i c á c
p h ầ n k h á c c ò n l ạ i . N h ó m t i n h t h ể l ỏ n g d ạ n g n à y được g ọ i l à n h ó m có
đ i ề u k h i ể n đ ộ n g . Đ ê đ i ề u k h i ê n h o ạ t đ ộ n g của n h ó m , d ụ n g c u c h ỉ t h i

258
l o ạ i n à y c ầ n c ô n g s u ấ t t i ê u t h ụ l ớ n h ơ n n h i ề u so v ớ i n h ó m c h ỉ t h ị n h ò
h i ệ u ứng t r ư ờ n g đã xét và cần chú ý đ ế n các thời gian t r ễ lúc nối và
n g ắ t m ạ c h ( n h ư t r ê n h ì n h 13.27).
Xung tác Xung tác
động động

L ị :,™J
Quá trình nối mách Quá trình ngắt mách
Hình 13.27. Quá trình nối mạch và ngắt mạch
khi diều khiển tinh thể lỏng bằng xung điện áp
N h ó m c h ỉ t h ị đ i ề u k h i ể n đ ộ n g t h í c h hợp cho c á c b ộ c h ỉ t h ị k í c h
t h ư ố c l ớ n ( t ổ n g s ố đ ế n 20cm).
Các t h a m số đặc t r ư n g :
Đ i ệ n á p l à m v i ệ c cực đ ạ i U B m a x (cở 5 0 V ) .
Đ i ệ n á p l à m việc U B (cỡ 2 5 V ) .
T ầ n số l à m việc f (từ 20Hz đ ế n 150Hz).
D ò n g t i ê u t h ụ cho m ỗ i v ạ c h I (~ 0 , 4 m A ) .s

D ò n g tiêu t h ụ chung I t ô n g (2,8mA).

Thòi gian nối t n ô i 400ms.
T h ờ i g i a n n g ắ t t á t lOOOms.
ng

13.6. T R A N S I T O M À N G M Ỏ N G (TFT) - MÀN HÌNH L C D

M u ố n t ạ o được m à n h ì n h L C D có c h ấ t l ư ợ n g cao v ố i c á c t h a n h L C D
cần t ạ o được m a t r ậ n c á c đ i ể m ả n h m à u . M ỗ i đ i ể m ả n h g ổ m 3 m à u cơ
b ả n đ ỏ (R) x a n h l á c â y (G) v à x a n h da t r ò i (B) n h ư t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h
13.28. K h i c ộ n g c á c m à u cơ b ả n R G B v ố i n h ữ n g t ỷ l ệ k h á c n h a u sẽ
n h ậ n được m ọ i m à u t ự n h i ê n k h á c .
V ớ i m ộ t b ộ h i ể n t h ị T F T k í c h cỡ 1024 X 768 đ i ể m ả n h , c ầ n dùng
1024 X 768 X 3 t r a n s i t o (2.359.296 t r a n s i t o ) k h o ả n g c á c h c á c đ i ể m ả n h
là 0 , 3 m m v à k í c h t h ư ớ c m ộ t đ i ể m ả n h cỡ 0 , l m m .

259
 Ma trận điểm ảnh
điều khiển màu
Bô loe màu

Bộ loe phân cực

TFT Lớp tinh thể lỏng

Hình 13.28. c ấ u tạo ma trận điểm ảnh màu của màn hình LCD.

Bộ lọc phân cực ốp tinh thể lỏng Bộ lọc màu

Tinh thế phân cực
dạng xoắn

o
o
o
Nguổn Ánh sáng chưa Qua tinh thế lỏng Anh sáng phân
sáng phân cực ánh sáng phân cức rời khối bộ
cục quay 90° lọc phận cực là
Nguổn đơn sắc
Khoa điện áp
Bổ lọc phân cực Láp tinh thể lỏng Bộ loe màu
Điện trường đêu phân cực
Tinh thể dang đều

o
o
o
Nguổn Ánh sáng chua Tĩnh thế lỏng
không làm quay Anh sáng phân
sáng phân cục cực không đơn
ánh sang phân cực
Nguón áp sắc
Khoa

Hình 13.29. c ấ u tạo điểm ảnh màu theo công nghệ TFT.

260
 C á c b ộ lọc m à u được sử d ụ n g sau p h ầ n t ử L C D p h ù h ợ p v ớ i c á c
m à u cơ b ả n v à v i ệ c đ i ề u c h ỉ n h đ ộ s á n g m ỗ i p h ầ n t ử L C D được t h ự c
h i ệ n n h ò t h a y đ ổ i á n h s á n g qua p h ầ n t ử L C D . ở đ â y sử d ụ n g k h ả n ă n g
q u a y á n h s á n g p h â n cực đ ố i v ớ i t i n h t h ể l ỏ n g . C ấ u t ạ o Ì đ i ể m ả n h T F T
được cho t r ê n h ì n h 13.29. Á n h s á n g đ ề u t ừ n g u ổ n s á n g được c h i ế u t ừ
đ á y p h í a sau. C á c b ộ lọc t h ự c h i ệ n v i ệ c p h â n cực. V i ệ c q u a y s ó n g đ i ệ n
t ừ ( p h o t o n ) đi Ì góc 90° t h ự c h i ệ n n h ờ lớp t i n h t h ể l ỏ n g q u a y sau đ ó t á c
đ ộ n g t ớ i Ì b ộ lọc m à u . K h i lớp t i n h t h ể l ỏ n g g i ữ c ố đ ị n h ( k h ô n g q u a y )
á n h s á n g k h ô n g qua được bộ lọc m à u ( h ì n h 13.29). Đ i ệ n t r ư ờ n g tác
dộng đ ế đ i ề u k h i ê n đ ộ s á n g của m ỗ i p h ầ n t ử ả n h L C D được đ i ề u k h i ể n
n h ò c á c t r a n s i t o m à n g m ỏ n g T F T qua m ộ t m a t r ậ n c á c đ ư ờ n g d ẫ n k i ể u
n h ư h ì n h 13.28.
So s á n h đ ặ c đ i ể m của m à n h ì n h L C D v à m à n h ì n h ố n g t i a đ i ệ n t ử
CRT ( C a t h o d e R a y T u b e )
• Do t ừ n g đ i ể m ả n h được đ i ề u k h i ể n n ê n đ ộ n é t (sắc sảo) của màn
L C D là v ư ợ t t r ộ i h ơ n m à n C R T . M à n L C D k h ô n g b ị m é o góc, m é o h ì n h
học hay m é o p h i t u y ê n t í n h .
• L o ạ i t r ừ được h i ệ u ứ n g t i a q u é t n g ư ợ c v à do đ ó k h ô n g c ầ n c á c
m ạ c h đ i ệ n d ậ p t i a q u é t n g ư ợ c n h ư m à n C R T v ẫ n có.
• L o ạ i t r ừ ả n h h ư ở n g có h ạ i của t i a đ i ệ n t ử đ ố i v ớ i n g ư ờ i sử d ụ n g .
• Kích thước m à n T F T mỏng và trọng lượng nhẹ.
• C ô n g s u ấ t t i ê u t h ụ g i ả m c ò n k h o ả n g 1/3 so v ớ i m à n h ì n h C R T .
• V i ệ c đ i ê u k h i ể n t i a s á n g t r o n g m à n L C D có t h ò i g i a n t r ễ l ớ n h ơ n
so v ớ i m à n C R T (cỡ 2 0 m s ) . V ớ i c á c h ì n h đ ộ n g t h a y đ ổ i n h a n h h i ệ u ứ n g
t r ễ sẽ ả n h h ư ở n g m ạ n h t ớ i đ ộ n é t của ả n h , n h ư ợ c đ i ể m n à y c ủ a màn
LCD k h ô n g gặp t r o n g m à n CRT.
• K h ô n g đ i ề u k h i ể n t ố i h ẳ n được ở m à n L C D ( k h ô n g t ạ o được m à u
đ e n 100%).
• G ó c đ i ề u k h i ê n á n h s á n g h ẹ p h ơ n so v ớ i m à n C R T . T i a s á n g qua
các bộ lọc q u a n g , qua p h ầ n t ử ả n h L C D , qua b ộ lọc m à u . . . l u ô n c ầ n
v u ô n g góc v ớ i h ộ t h ố n g q u a n g học v à p h â n cực q u a n g .
• Đ ể đ ạ t t ớ i m à u t r u n g t h ự c c ầ n ít n h ấ t k h o ả n g 16,7 t r i ệ u đ i ể m
ả n h m à u t r ê n m à n L C D . V ớ i bộ b i ế n đ ổ i A D ( t ạ o t í n h i ệ u đ i ề u k h i ê n
ma t r ậ n m à u R G B ) có 18 b í t r a ( m ổ i m à u d ù n g 6 b í t đ i ề u k h i ể n ) có k h ả

261
n ă n g đ i ề u k h i ể n được 2 1 8
= 262144 đ i ể m m à u k h á c n h a u . Đ i ề u n à y đòi
h ỏ i p h ả i n â n g c ấ p d ữ l i ệ u r a của bộ b i ế n đ ổ i A D .
M à n h ì n h L C D n g à y c à n g được h o à n t h i ệ n v à có g i á t r ị thương
m ạ i . v ớ i k h o ả n g 6,22 t r i ệ u đ i ể m ả n h . Đ ộ t ư ơ n g p h ả n đ ạ t đ ư ợ c 1200: Ì
v à đ ộ s á n g đ ạ t t ớ i 6 0 0 C d / m . T h ờ i g i a n t r ễ c ò n l ạ i cỡ 8ms.
2

13.7. MÀN HÌNH PLASMA (PLASMA DISPLAY PANEL - PDP)

Ó m à n h ì n h P D P , m ỗ i đ i ể m ả n h được đ ặ t g i ữ a 2 m ặ t t h ú y t i n h v à
đ ã p h â n c h i a t ừ n g n h ó m 3 m à u cơ b ả n R G B , đ i ể m ả n h là m ộ t h ỗ n hợp
k h í t r ơ (xenon). H ỗ n hợp k h í l à m đ i ể m ả n h được k í c h t h í c h đ ế n trạng
t h á i p h ó n g đ i ệ n P l a s m a n h ờ x u n g cao á p h ẹ p . V i ệ c k í c h t h í c h đ i ệ n t ử
t ừ mức n ă n g l ư ợ n g t h ấ p l ê n mức cao x ả y r a v à s a u đó c h ú n g rơi về
t r ạ n g t h á i n ă n g l ư ợ n g t h ấ p sẽ p h á t r a bức x ạ á n h s á n g u v . B ứ c x ạ Ư V
g ặ p c á c lớp p h o p h o được t á c h t h à n h 3 m à u R G B .
Ư u đ i ể m cơ b ả n của m à n P D P l à góc đ i ê u k h i ể n r ộ n g , m à n hình
p h a n g t i a s á n g đ ư ợ c t ạ o r a t r ự c t i ế p n g a y t ạ i đ i ể m ả n h , góc n h ì n r ấ t
r ộ n g . G i ố n g n h ư m à n h ì n h T F T , m à n P D P k h ô n g c h ị u ả n h h ư ở n g của
d i ệ n t ừ t r ư ờ n g n h ư m à n C R T , t u y v ậ y m à n P D P c h ị u t á c đ ộ n g của t i a
u v , t i ê u t h ụ n ă n g l ư ợ n g l ớ n v à có t r ọ n g l ư ợ n g n ặ n g . C ấ u t ạ o của Ì
đ i ể m ả n h của m à n h ì n h P D P được cho t r ê n h ì n h 13.30.

Đỏ Xanh lá cây Xanh da trời Mặt trước bằng kính

Màn bảo vệ
t t t t t i i t t t t t , i t t t t t
Lốp điện môi

Điện cực trong suốt

Khí trơ tích điên

Lớp phospho
Xanh lá
Lớp điện môi
Điện cực điểu khiển
Kính mặt phía sau

Hình 13.30. cấu tạo 1 điểm ảnh 3 màu cơ bản của màn hình Plasma.

262
 CÂU H Ỏ I Ô N TẬP - BÀI T Ậ P

1. Hãy mô tả hiệu ứng Hall.

2. Điện áp H a n xuất hiện trong máy p h á t Hall n h ư t h ế nào? H ã y mô
t ả sơ lược q u á t r ì n h h ì n h t h à n h sức đ i ệ n đ ộ n g H a l l .
3. M ộ t bộ p h á t H a n có R „ = 230.1(T m /As v ớ i b ề d à y 0 , 2 m m . D ò n g đ i ệ n
tì 3

l à m việc ì = 80mA; m ậ t độ t ừ t r ư ờ n g B = 0.9T. T í n h đ i ệ n á p H a l l .

4. H ã y v ẽ k ý h i ệ u q u y ước của bộ p h á t H a l l .
5. G i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của t ừ t r ở - S ự t h a y đ ổ i đ i ệ n t r ở
của Ì p h ầ n t ử t ừ t r ở k h i t ừ t r ư ờ n g t h a y đ ổ i x ả y r a n h ư t h ế n à o ?
6. G i ả i t h í c h chức n ă n g của d i o t t ừ .
7. H i ệ u ứ n g á p đ i ệ n có t h ể t ạ o r a đ i ệ n á p v à i k V , g i ả i t h í c h ?
8. T i n h t h ể l ỏ n g l à gì? K h i đ ặ t t i n h t h ể l ỏ n g t r o n g đ i ệ n t r ư ờ n g sẽ có
h i ệ n t ư ợ n g gì?
9. N g u y ê n lý c ấ u t ạ o m ộ t p h ầ n t ử chỉ t h ị d ù n g t i n h t h ể lỏng?

10. Ả n h h ư ở n g c ủ a n h i ệ t đ ộ t ớ i b ộ c h ỉ t h ị t i n h t h ể l ỏ n g n h ư t h ế n à o ?

263
 C h ư ơ n g 14

CÁC DỤNG CỤ ĐIỆN TÚ VÀ DỤNG cụ ION

• • • 9
• •

1 4 . 1 . S ự P H Á T X Ạ N H I Ệ T Đ I Ệ N TỬ

C á c n g u y ê n t ử v à p h â n t ử r ắ n l u ô n có q u á
t r ì n h dao đ ộ n g n h i ệ t v à q u á t r ì n h n à y m ạ n h l ê n
k h i n h i ệ t độ t ă n g . N ế u nhờ n h ậ n được năng
l ư ợ n g n h i ệ t đ ủ l ớ n đ ố t h ắ n g được c ô n g t h o á t ,
đ i ệ n t ử sẽ bị b ứ t r a k h ỏ i b ề m ặ t t i n h t h ể r ắ n v à
t r ở t h à n h h ạ t d ẫ n t ự do t r o n g m ô i t r ư ờ n g bao H j n h 1 4 |_|jêu ứng phát
bọc m i ế n g k i m l o ạ i được n u n g n ó n g đ ó . H i ệ n xạ nhiệt.
t ư ợ n g t r ê n được g ọ i l à sự p h á t x ạ n h i ệ t đ i ệ n t ử .
C ư ờ n g đ ộ p h á t x ạ ( s ố l ư ợ n g đ i ệ n t ử được p h á t x ạ n h i ệ t t ạ o ra) phụ
t h u ộ c v à o b ả n c h ấ t v ậ t l i ệ u k i m l o ạ i ( g ọ i l à cực k a t o t ) v à o n h i ệ t độ
n u n g n ó n g k a t o t v à v à o d i ệ n t í c h b ề m ặ t p h á t x ạ ( h ì n h 14.1). T h ư ờ n g
b ề m ặ t k a t o t được p h ủ m ộ t hớp c h ấ t t h í c h hợp đ ể g i ả m c ô n g t h o á t đ i ệ n
t ử v à qua đ ó t ă n g h i ệ u q u ả p h á t x ạ n h i ệ t .

14.2. ĐIOT CHÂN KHÔNG - ĐÈN 2 cực CHÂN KHÔNG

Đ i o t c h â n k h ô n g có c ấ u t ạ o t r ê n h ì n h 14.2 v ớ i k ý h i ệ u q u y ước và
m ạ c h đ i ệ n n ố i t r ê n h ì n h 14.3 v à 14.4. đ ê n h ậ n được đặc t u y ế n I - U của
d ụ n g cụ. C á c đ i ệ n cực k a t o t v à anot là các t r ụ ố n g k i m l o ạ i đ ổ n g t r ụ c bao
bọc n h a u . A n o t l ớ n n ằ m n g o à i được đ ặ t t ớ i Ì đ i ệ n á p d ư ơ n g đ ủ l ớ n đ ể tạo
đ i ệ n t r ư ờ n g h ú t n h i ệ t đ i ệ n t ử n ằ m x u n g q u a n h k a t o t sau k h i p h á t x ạ .
K a t o t được n u n g n ó n g t r ự c t i ế p hay g i á n t i ế p t h ô n g qua Ì đ i ệ n cực n u n g
(là c á c sợi r u ộ t g à t r o n g l ò n g ố n g t r ụ k a t o t ) . K h i có đ i ệ n á p a n o t d ư ơ n g t á c
động, d ò n g đ i ệ n t ử c h u y ể n đ ộ n g h ư ớ n g t ừ k a t o t t ớ i anot t ạ o t h à n h d ò n g
đ i ệ n của d i o t c h â n k h ô n g . T o à n bộ h ệ 3 cực sợi n u n g , k a t o t v à anot
được đ ặ t t r o n g Ì vỏ t h ú y t i n h k í n với á p s u ấ t g ầ n c h â n k h ô n g (khoảng
l O ^ m m H g - c m ) . Đ ặ c t u y ế n V o n A m p c của diot c h â n k h ô n g t h u dược t r ê n
h ì n h 14.5 t h ể h i ệ n c á c t í n h c h ấ t c ă n b ả n của diot c h â n k h ô n g là:
X ả y ra h i ệ u ứng van với dòng điện: Ị, * 0 k h i U a > 0 (chiếu hướng
t ừ anot tới katot) I = 0 k h i u , < 0
a

• Vùng u a « 0 g ọ i l à v ù n g c h ắ n (S ) d ò n g I = 0
p a

• Vùng U a < 0 c á c đ i ệ n t ử p h á t x ạ n ế u có tốc đ ộ c h u y ê n đ ộ n g n h i ệ t

đ ủ l ớ n có k h ả n ă n g đ ế n được A n o t I * 0 v à n h ỏ ( v ù n g A ) .
a

264
 • V ù n g đ i ệ n t í c h k h ô n g g i a n (R).
N h i ệ t đ i ệ n tử p h á t xạ tạo t h à n h đ á m m â y điện tử và d ò n g I a tăng
khi U a tăng.
• V ù n g b ã o hoa (S), u , » 0

Anot Anot

c ^Katot
ổ
(nung
tạt tiếp)
Ký hiêu
Hình 14.2. Câu tạo diot Hình 14.3. Phân cực Hình 14.4. Mạch đo đặc tuyên
chân không. cho diot chân không. l U của diot chân không.
a a

Toàn bộ các đ i ệ n t ử p h á t xạ đêu

t h a m gia v à o d ò n g đ i ệ n , I a không tăng
theo U a được n ữ a . M u ố n tăng dòng I a

cần t ă n g n h i ệ t độ n u n g n ó n g katot.
D i o t c h â n k h ô n g được d ù n g l à m d ụ n g
cụ d ẫ n đ i ệ n theo Ì h ư ớ n g ( v a n c h ỉ n h l ư u )
trong các m ạ c h đ i ệ n : t á c đ ộ n g v à o là xoay Hình 14.5. Đặc tuyên thu được
từ (hình 14.4).
chiều và đ á p ứ n g là Ì chiều.

14.3. Đ È N 3 C ự c C H Â N K H Ô N G (TRIOT)

Với mục đ í c h đ i ề u k h i ể n được cường độ d ò n g I , đ i ệ n cực l ư ớ i h ì n h t r ụ

a

k i m loại dược đ ặ t t r o n g k h o ả n g k h ô n g gian giữa K v à A (gần K ) . đ i ệ n t h ê

đ ặ t t ớ i cực l ư ớ i G t h ư ờ n g < 0. H ì n h 14.6 cho c ấ u t ạ o v à k ý h i ệ u quy ước
của t r i o t . M ạ c h đ i ệ n đ o đặc t u y ế n V o n A m p e của t r i o t cho t r ê n h ì n h 14.7
và đặc t u y ế n I - U t h u được t ừ m ạ c h đo n à y được cho t r ê n h ì n h 14.8.
a a

xí.
oAnot

Cức lưới
é

Katot
(nung trực tiếp)
Hình 14.6. Cấu tạo của triot Hình 14.7. Mạch đo đặc tuyên l a

(đèn 3 cực chân không). và L - u„ của triot.

Điện thế cực G càng âm thì dòng l càng a giảm.

265

I
 Đ ặ c t u y ế n h ì n h 14.8 t h u được v ố i c á c t r ư ờ n g h ợ p c h ọ n đ i ệ n á p l ư ớ i
Ư g 0 = o v sau đ ó c h ọ n c á c mức â m d ầ n U i = - I V ; u ,
g 2 = - 2 V . . . là Ì
n h ó m hay m ộ t h ọ các đặc t u y ế n . T h a m số q u a n t r ọ n g của t r i o t là độ
dốc v i p h â n h a y h ỗ d ẫ n của đ ặ c t u y ế n t r u y ề n đ ạ t I - Ug ( h ì n h 14.9),
a

đ i ệ n t r ở r a v i p h â n của đ ặ c t u y ế n ( h ì n h 14.8).

Hình 14.8. Đặc tuyến ra l - U a a

Hình 14.9. Đặc tuyến điều khiên Ị,- u .

Điện trở trong của triot

( k h i A U , = 0)

ở đ â y A l v à A U l à sự b i ế n t h i ê n t ư ơ n g ứ n g c ủ a d ò n g v à á p t r ê n
n a

anot k h i g i ữ cho U g = h à n g số.

H ỗ dẫn:
AI
( k h i A U = 0)
a

H ỗ d ẫ n s t h ế h i ệ n mức độ t h a y đôi của d ò n g Ị , (bao n h i ê u m i l i a m p e )

k h i đ i ệ n á p cực l ư ớ i t h a y đ ổ i I V .
• H ộ s ố t r ô i đ á n h g i á ả n h h ư ở n g của đ i ệ n á p a n o t t ớ i đ i ệ n á p l ư ớ i
điều khiên:
AU,,
D = £
AU..

266
 ( A I . = 0) t h ư ờ n g t í n h theo 100%. Ví d ụ D = 0,02 = 2% ( đ á n h giá q u á
t r ì n h h ổ i t i ế p đ i ệ n á p t ừ m ạ c h anot v ề m ạ c h lưới).
H ộ số khuếch đ ạ i k h i không t ả i :

là h ộ s ố k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p lớn n h ấ t (theo lý t h u y ế t ) của t r i o t .

T ạ i đ i ế m l à m v i ệ c Ì c h i ề u của t r i o t có: R..S.D = Ì

AU..
R.
AI. Do R..S.D = Ì ( t ừ đ â y t h ư ờ n g
t í n h được t h a m s ố t h ứ 3 k h i
R,= s =
AU đã biết hai t h a m số kia).
$
AU,,
D =
AU

14.3.3. Ả n h h ư ở n g h ổ i t i ế p c ủ a a n o t
Á n h h ư ở n g n g ư ợ c ( h ổ i t i ế p ) của a n o t t ớ i l ư ớ i đ i ề u k h i ê n l à n h ư ợ c
đ i ể m của t r i o t . H ì n h 14.10 đ ư a ra m ạ c h đ i ệ n k h ả o s á t ả n h h ư ở n g n à y .

ĩ é

Hỉnh 14.10. Mạch giải thích ảnh hưởng của anot.

V ớ i R = 2 0 k Q ; U i , = 200V; Ugi = - 6 V là đ i ệ n á p k h o a của t h ó t t ạ i

a

đây I = 0 và U
a a = U,Ị = 2 0 0 V . K h i g i ả m d ầ n đ i ệ n á p anot, đ i ệ n á p k h o a
dịch d ầ n v ề gốc ( h ì n h 14.12). T a có b ả n g s ố l i ệ u h ì n h 4.11 g i ả i t h í c h
ả n h h ư ở n g n g ư ợ c của đ i ệ n á p a n o t t ớ i v i ệ c đ i ề u k h i ể n d ò n g I .
a

Ư B
u a ư 2 la
-6V 200V ov 0
-4 V 175V 25V l,25mA
-2V 134V 66V 3,3 m A
-ov 90V 110V 5,5mA

Hình 4.11.

267
 K h i l à m việc đ i ệ n á p anot U a của
t r i o t t h a y đ ổ i theo t í n h i ệ u đ ặ t v à o l ư ớ i
đ i ề u n à y do h i ệ u ứ n g g h é p n g ư ợ c t r ê n h ệ
s ố s g i ả m t h e o đ ặ c t u y ế n l à m v i ệ c g ọ i là
đ ặ c t u y ế n t ả i đ ộ n g ( h ì n h 14.12) của t r i o t .
H ỗ dẫn động S D x á c đ ị n h theo t ừ n g
đ i ể m l à m việc t r ê n đặc t u y ế n t ả i động:

s, V ị

S: hỗ dẫn tĩnh
R.: đ i ệ n t r ở t r o n g c ủ a t r i o t
R : đ i ệ n trở n g o à i mắc t ạ i anot.
Hình 14.12. Đặc tuyến làm việc
a

14.3.4. H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p (đặc tuyến động) của triot.

K h i c h ọ n đ i ể m l à m việc Ì c h i ề u t ạ i A ( h ì n h 14.14) c á c g i á t r ị Ư a0) I a

và U K 0 được x á c đ ị n h ( c h ế độ k h i c h ư a có t í n h i ệ u xoay c h i ề u t á c động).

Hình 14.13 thể hiện mạch
dùng triot khuếch đại điện áp
xoay c h i ề u . Q u á t r ì n h đ i ề u k h i ể n
của đ i ệ n á p Ug t ớ i d ò n g I a được
t h ê h i ệ n qua đ ổ t h ị h ì n h 14.14. Lối vào

Theo dinh nghĩa, hệ số

k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p V được xác
đ i n h theo
Hình 14.13. Mạch khuếch đại dùng triot.

(Có g i á t r ị t h ư ờ n g g ặ p t ừ 20 đ ế n 60)

14.3.5. C ô n g s u ấ t t ổ n hao t r ê n a n o t
Py n x l à c ô n g s u ấ t t ổ n hao cho p h é p t r ê n a n o t
T ạ i đ i ể m l à m v i ệ c A, c ô n g s u ấ t t ổ n hao Ì c h i ề u l à l \ Ị,,, L'
p v x l à m ộ t đ ư ờ n g cong H y p e r b o l t r ê n đ ổ t h ị I - U
a a ( h ì n h 14.14)

268
 ư„=ov

Hình 14.14. Giải thích tác dụng điều khiển của u tỏi l a

14.4. Đ È N 4 C ự c C H Â N K H Ố N G (TETROT)

Đ i ệ n cực t h ứ 4 c ũ n g có d ạ n g l ư ố i h ì n h t r ụ n ằ m
giữa l ư ớ i t h ứ n h ấ t v à a n o t được b ổ s u n g v à o đ ể h ạ n
G
c h ế ả n h h ư ở n g của h i ệ u ứ n g g h é p n g ư ợ c của triot.
2

L ư ớ i 2 được cấp đ i ệ n á p gia tốc U g 2 k h o ả n g 50% đ ế n

60% LỊ, n h ờ đ ó l à m t ă n g t r ư ờ n g gia tốc cho d ò n g I . a

K h i đó ả n h h ư ở n g của LỊ, t ố i d ò n g I được g i ả m t ớ i

a

Hình 14.15. Ký
mức n h ỏ n h ấ t ( l ư ớ i 2 có t á c d ụ n g n h ư m ộ t màn
hiệu tetrot (đèn 4
c h ắ n n g ă n ả n h h ư ở n g của U a t ớ i Ug) k h i U c h ư a đ ủ
a cực chân không).
lớn v à c ò n t h ấ p h ơ n U 9 , x ả y r a h i ệ u ứ n g p h á t x ạ
g

điện tử t h ứ cấp l à m d ò n g I g i ả m (đoạn

a

(1) t ớ i (2) t r ê n đ ặ c t u y ế n h ì n h 14.16)

trong k h i U a t ă n g t ừ Ư! t ớ i ư , đ â y là
2

nhược đ i ể m của T e t r o t k h i mức U a chưa

đ ủ l ớ n , n g u y ê n n h â n là có m ộ t bộ p h ậ n
đ i ệ n t ử rơi v à o l ư ớ i 2 (do U g 2 > U ) làm
a

dòng I a g i ả m , h i ệ n t ư ợ n g t r ê n được g ọ i
là h i ệ u ứ n g Dinatron.
Hình 14.16. Đặc tuyến l - U của a a

14.5. Đ È N 5 C Ự C C H Â N K H Ô N G (PENTOT) đ è n 4 c ự c c h â n k h ò n g
-

N ế u đ ặ t g i ữ a l ư ớ i 2 v à anot đ i ệ n cực l ư ớ i t h ứ 3 có đ i ệ n t h ế o v t h ì
t r ê n t h ự c t ế có t h ể l o ạ i bỏ h i ệ u ứ n g D i n a t r o n của đ è n 4 cực ( h ì n h 14.17).

269
 Đ ặ c t u y ế n V o n A m p e ì , - U v à I - U , c ủ a P e n t o t đ ư ợ c cho t r ê n
a a g

h ì n h 14.18 (được đ o v ớ i g i á t r ị c ố đ ị n h của U v à U ) . g 2 g 3

Đ i ệ n á p anot Ư thực t ế trong pentot k h ô n g còn ả n h h ư ở n g tới

a

d ò n g a n ô t Ị , n g h ĩ a là đ ặ c t í n h I - U ứ n g v ớ i n h i ề u m ứ c Ư k h á c n h a u
a g l a

g â n t r ù n g n h a u . Đ ặ c t í n h t r u y ề n đ ạ t I - U t h ự c t ế l à m ộ t đ ư ờ n g cong
a g l

( h ì n h 14.18).

iểx A i
1
mA mA 1

-Ưg, = 0V

- -0.5V

- -1.0 V

- -1.5V

40 80 120 160 200

V
Hình 14.18. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của pentot.
• Các t h a m số quan trọng:
H ỗ d ẫ n của đ ặ c t u y ế n I - U a g J :

( A U = 0)a

H ỗ dẫn động S *S
D

Đ i ệ n t r ỏ t r o n g của p e n t o t :

( A U . , = 0)

do u ít p h ụ t h u ộ c v à o ì . t r o n g v ù n g U
a a đ ã đ ủ l ớ n n ê n R, c ủ a p e n t o t
có g i á t r ị r ấ t l ớ n t r o n g v ù n g n à y .
AU
D *0
AU
a
Do v ậ y h ệ t h ứ c (Rị.S.D B 1) k h ô n g d ù n g cho p e n t o t .
H ì n h 14.19 v à 14.20 cho c á c h x á c đ ị n h c á c t h a m s ố s v à R t r ê n đ ặ c
t u y ế n của p e n t o t .
• M ộ t b ộ k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p d ù n g p e n t o t được cho t r ê n h ì n h 14.21
Đ i ể m l à m v i ệ c Ì c h i ề u A v à t á c đ ộ n g của đ i ệ n á p xoay c h i ề u t h ể h i ê n
t r ê n đặc t u y ế n đ i ề u k h i ể n đ ố i với pentot loại EF86.

270
 ta
Ra
Vào

-ộ,) •ỮB
Hình 14.21. Mạch khuếch đại dùng pentot.

H ệ s ố k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p : đ i ệ n á p c ầ n k h u ế c h đ ạ i có b i ê n đ ộ ủg

đ ặ t v à o cực gi, t r ê n a n o t sẽ n h ậ n được đ i ệ n á p r a ù , k h i đó h ệ

a số

k h u ế c h đ ạ i đ i ệ n á p được đ ị n h n g h ĩ a V =~rL
Ịv ~ SR

T h ư ờ n g t r o n g d ả i t í n h i ệ u â m t h a n h V = 100 - > 150, c ò n t r o n g d ả i

s ó n g cao t ầ n ( t ớ i 40 M H z ) , V = 15 - » 40 l ầ n .
• Ư u đ i ể m cơ b ả n của p e n t o t l à cho h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i V l ớ n , ả n h

271
h ư ở n g của đ i ệ n á p U a t ố i điện áp lưới U g g ầ n n h ư b ằ n g 0, p e n t o t có
đ i ệ n trở t r o n g l ố n v à các t ụ đ i ệ n (cấu tạo giữa các lưới v à anot) n h ỏ .
N h ư ợ c đ i ể m là t ạ p â m l ớ n v à đ i ệ n d u n g l ư ớ i l à m x ấ u t í n h c h ấ t k h i
l à m v i ệ c ở t ầ n s ố cao.

14.6. C Á C D Ụ N G c ụ Đ Ặ C B I Ệ T

K h i y ê u c ầ u đ i ề u k h i ể n d ò n g a n o t n h ờ h a i cực l ư ớ i độc l ậ p n h a u ,
c ấ u t ạ o đ è n đ ư ợ c b ổ s u n g t h ê m l ư ớ i đ i ề u k h i ể n ( l o ạ i đ è n 6 cực h o ặ c 7
cực) n h ư t h ế h i ệ n t r ê n h ì n h 14.22. H ì n h 14.23 l à c ấ u t ạ o l o ạ i đ è n chỉ
t h ị v à h ì n h 14.24 cho k ý h i ệ u l o ạ i đ è n k é p g ổ m 2 đ è n 3 cực v à 7 cực c ấ u
t ạ o c h u n g t r o n g Ì v ỏ t h ú y t i n h l à m v i ệ c độc l ậ p n h a u .

Katot (hệ triot)

Màn phát
sáng Atot (hệ triot)
À
Cực điều khiển
"C z ã. / VLưối (hệ triot)
Lưới hạn chế
Vị/ dòng trên màn'
Đèn 6 CƯC Đèn 7 cức
Hình 14.22. Ký hiệu Hình 14.23. cấu tạo Hình 14.24. Ký hiệu
6 cực và 7 cực. đèn chỉ thị. đèn kép 7 cực và 3 cực.

14.7. Ô N G T I A Đ I Ệ N TỬ (CRT)
Hệ thống điều
Cấu t ạ o của Ì ống tia điện tử khiến tia hôi tu
được cho trên hình 14.25 bao gổm
các bộ p h ậ n c h í n h sau:
• H ộ thống tạo tia điện tử. Hệ thông tạo
• H ệ thống h ộ i t ụ tia. tia điên tử Hệ thông lái tia
Hình 14.25. c ấ u tạo khối của một
• H ộ t h ố n g lái tia. ông tia điện tử.
Vỏ t h ú y t i n h kín và m à n h ì n h p h á t quang.

14.7.1. H ệ t h ố n g t ạ o tia v à h ộ i t ụ tia đ i ệ n t ử ( s ú n g đ i ệ n t ử )

H ệ thống tạo tia điện tử gổm katot và một ống k i m loại h ì n h trụ
bọc n g o à i ( h ì n h 14.26) g ọ i l à cực đ i ề u k h i ể n w đ ể đ i ề u k h i ể n c ư ờ n g đ ộ
t i a đ i ệ n t ử . Cực đ i ề u k h i ể n có c ấ u t ạ o d ạ n g đ ặ c b i ệ t v ớ i Ì l ỗ h ẹ p h ư ớ n g
v ề t â m m à n h ì n h cho p h é p d ò n g t i a đ i ệ n t ử c h u i qua k h i đ ư ợ c gia tốc
(được g ọ i t ê n l à t r ụ W e h n e l t ) . Đ i ệ n t ử p h á t x ạ n h i ệ t b ứ t k h ỏ i k a t o t t ạ o
t h à n h đ á m m â y đ i ệ n t ử bao q u a n h k a t o t v à c h ị u sự đ i ề u k h i ể n của
Ì đ i ệ n á p â m t r ê n cực đ i ề u k h i ê n . Đ i ệ n t ử đ ư ợ c gia tốc n h ò đ i ệ n á p t r ê n

272
 An ót
a n o t Ì có đ ộ l ớ n v à ^ t r ă m V đ ế n 2 0 0 0 V t á c đ ộ n g khong ^arf'
m ẹn t i c h

t ớ i đ á m m â y n h i ệ t đ i ệ n t ử t h ô n g qua l ỗ t r ê n cực
đ i ề u k h i ể n t r ụ ( h ì n h 14.26). Đ i ệ n t r ư ờ n g của
c á c cực A i , w t ạ o r a m ộ t t h ấ u k í n h t ĩ n h đ i ệ n có Katot /
,©
Cực điêu i ~
n h i ệ m vụ h ộ i t ụ tia t h à n h một tia m ả n h chuyển khiển hìnhw

đ ộ n g v ớ i tốc đ ộ cao dọc theo t r ụ c ố n g h ư ớ n g t ớ i tai VVehnelt

Hình 14.26. cấu tạo hệ
tâm màn hình. H ệ thống trên c ò n được gọi thống tạo tia diện tử.
c h u n g l à m ộ t s u n g đ i ệ n t ử (còn có t h ể h ộ i t ụ t i a
n h ờ t ừ t r ư ờ n g do c á c d ò n g đ i ệ n c h ả y qua các
c u ộ n d â y t ạ o r a ) . H ì n h 14.27 mô tả quá trình
hội t ụ tia nhờ các anot A 3 (400V) v à A 4 (4kV).
H ộ t h ố n g t r ê n được m ô t ả n h ư l à m ộ t t h ấ u k í n h
q u a n g đ i ệ n t ử t h ư ờ n g có 3 hoặc 4 anot gia tốc
Ãạ Át
và h ộ i t ụ t i a . H ì n h 14.28 cho m ộ t ví d ụ v ề c ấ u (.toovi (.tkV)
tạo m ộ t h ệ t h ố n g t h ấ u k í n h quang đ i ệ n t ử h ì n h Hình 14.27. Hội tụ tia điện
t h à n h Ì s ú n g đ i ệ n t ử ( K , w , Ải, Ao, A v à A ) . tử dùng A và A . 3 4
3 4

M ộ t s ố ố n g t i a đ ặ c b i ệ t có c ấ u t ạ o h a i h a y n h i ề u s ú n g đ i ệ n t ử độc
lập nhau trong Ì vỏ t h ú y t i n h .
Thấu kính
"quang tĩnh điện" để
hỏi tu tia điên tử

K w Ai (.tũõvi (.4kV)
(OV) l-2CM(3.CXWI
Hình 14.28. cấu tạo thấu kính quang điện.

14.7.2. H ệ t h ố n g lái t i a

Có t h ể d ù n g đ i ệ n t r ư ờ n g
hay t ừ t r ư ờ n g đ ể l à m thay
đổi quỹ đạo tia đ i ệ n tử, qua
đó t h a y đ ổ i đ i ể m đ ế n của t i a
M
trên m à n hình nhò hệ thống Cặp phiên tạo
các p h i ế n l à m l ệ c h theo hai Cặp phiến lệch ngang
làm lệch đứng cho tia
chiều n ằ m ngang và thẳng
Hình 14.29. cấu tạo hệ thống lái tia.
đ ứ n g ( h ì n h 14.29 cho l o ạ i đ i ề u

273
k h i ể n l á i t i a b ằ n g p h ư ơ n g p h á p t ĩ n h đ i ệ n ) . C á c h ì n h 14.30 mô tả ký
h i ệ u v à c ấ u t ạ o của l o ạ i ố n g t i a đ i ề u k h i ể n b ằ n g đ i ệ n t r ư ờ n g v à h ì n h
14.31 - b ằ n g t ừ t r ư ờ n g . N h ờ h ệ t h ố n g l á i t i a , t i a đ i ệ n t ử do s ú n g t ạ o r a
có t h ể q u é t t r ê n m à n h ì n h t ớ i m ọ i đ i ể m ( t h ư ờ n g t h e o q u y l u ậ t t ừ t r ê n
x u ố n g d ư ớ i v à t ừ p h ả i qua t r á i v ớ i m ộ t tốc đ ộ x á c đ ị n h do t ầ n s ố c ủ a t í n
h i ệ u đ ư a tới các p h i ế n l à m lệch quyết định.

Ký hiệu của ông

Hình 14.30. Câu tạo và kỷ hiệu một ông tia của máy hiện sóng.

T r o n g c á c m á y h i ệ n s ó n g , v i ệ c đ i ề u k h i ể n t i a ( h ộ i t ụ v à l à m lệch)
t h ư ờ n g c h ủ y ê u b ằ n g đ i ệ n trường. Còn trong các m á y t h u t r u y ề n h ì n h
hay C a m e r a t r u y ề n h ì n h ( t h ế h ệ ố n g t i a CRT) v i ệ c h ộ i t ụ v à l à m l ệ n h t i a
c h ủ y ế u b ằ n g t ừ t r ư ờ n g . K h i đ i ề u k h i ể n l á i t i a b ằ n g t ừ t r ư ờ n g c ầ n 2 cặp
cuộn d â y l à m lệch đ ứ n g và l à m lệch ngang và k h o ả n g cách t ừ katot tới
m à n h ì n h p h ả i t h o a m ã n là b ộ i s ố n g u y ê n l ầ n bước s ó n g q u ỹ đ ạ o X y c l o i t
của t i a đ i ệ n t ử . L o ạ i ố n g t i a C R T đ i ề u k h i ể n b ằ n g t ừ t r ư ờ n g có góc mở
t i a t ớ i 110° h a y 135° v à r ộ n g h ơ n n h i ề u so v ó i l o ạ i đ i ề u k h i ể n b ằ n g đ i ệ n
t r ư ờ n g n h ờ v ậ y có t h ể m ở r ộ n g k í c h t h ư ớ c m à n h ì n h .

14.7.3. M à n h ì n h h i ể n t h ị

B ề m ặ t b ê n t r o n g của ố n g h ì n h p h í a m à n (bia) đ ư ợ c p h ủ Ì lớp v ậ t

l i ệ u p h á t q u a n g k h i được t i a đ i ệ n t ử đ ậ p t ớ i . L ớ p c ả m q u a n g t h ư ờ n g là
hợp c h ấ t hoa học O x y d e h a y S u n f a t k ẽ m , C a d i m i h a y n h ó m n g u y ê n t ố
h i ế m p h ụ gia t h ê m đ ổ n g , N i k e n h a y M a n g a n . C á c v ậ t l i ệ u c ả m q u a n g
có t h ể h i ệ n m à u p h á t q u a n g k h á c n h a u , có đ ộ s á n g k h á c n h a u v à t h ờ i
gian l ư u ả n h k h á c n h a u . Lớp c ả m q u a n g c ầ n được p h ủ n g o à i Ì lớp bảo
vệ t r á n h bị tia đ i ệ n t ử t á c động trực t i ế p l à m h ư h ạ i . Đ ộ l ư u ả n h cần
t h i ế t cỡ 0,5s đ ế n 0 , l s .

274
 Hình 14.31. Cấu tạo một ống thu của máy thu hình.

14.7.4. M ạ c h đ i ệ n c ủ a d ò n g tia đ i ệ n t ử
H ì n h 14.32 cho sơ đổ d ò n g đ i ệ n t ạ o
bởi tia đ i ệ n t ử t r o n g k h i h o ạ t dộng. M ộ t
điện cực t h u các đ i ệ n tử p h á t xạ t h ứ cấp
từ bia m à n h ì n h t ạ o t h à n h m ạ c h v ò n g
khép kín dòng điện tử từ katot hưởng tối
m à n (xem m ù i t ê n t r ê n h ì n h 14.32). L o ạ i
ống tia t h ế h ộ sau có Ì lớp n h ô m p h í a sau Hình 14.32. Mạch dòng điện khép
lớp p h á t q u a n g l à m n h i ệ m v ụ t ư ơ n g t ự v à kín của tia điện tử trong ông
(mũi tên chỉ hướng chuyển động
lớp n h ô m m ỏ n g n h ư Ì g ư ơ n g t r o n g suốt
của electron).
đối với á n h s á n g do m à n p h á t ra k h i có
tia t á c động.

14.8. DỤNG CỤ ION

14.8.1. Đ è n 2 c ự c c ó khí
K h i b ơ m k h í trờ v à o k h ô n g gian giữa k a t o t v à anot của đ è n 2 cực
c h â n k h ô n g , ta được m ộ t đ è n 2 cực có k h í . D ò n g đ i ệ n t r o n g n ó gổm 2
p h ầ n : p h ầ n t h ứ n h ấ t là c á c đ i ệ n t ử do p h á t x ạ n h i ệ t đ i ệ n t ử v à đ i ệ n t ử
tự do q u á t r ì n h ion hoa vì va c h ạ m của n h i ệ t đ i ệ n t ử với n g u y ê n t ứ k h í
t r o n g q u á t r ì n h c h u y ê n đ ộ n g tới anot. P h ầ n t h ứ hai là các lon d ư ơ n g
c h ấ t k h í do q u á t r ì n h ion hoa c h ấ t k h í (hay còn g ọ i là q u á t r ì n h p h ó n g
đ i ệ n của k h í trờ) g â y ra ( h ì n h 14.33 và k ý h i ệ u G a z o t r o n h ì n h 14.34).

275
 Dòng điện giới hạn

o' f l

M ề .
Điện áp mổi
w ố UM

T Ùa
Điện áp duy tri
Hình 14.33. lon hoa do va Hình 14.34. Ký hiệu Hình 14.34. Đặc tính Von Ampe
chạm trong đèn có khí. diot có khí (gasdiot). của diot khí.

Đ ặ c t u y ê n V o n A m p e t h ể h i ệ n q u á t r ì n h p h ó n g đ i ệ n t r o n g d i o t có
k h í ( g a z o t r o n ) được cho t r ê n h ì n h 14.35. K h i l ấ y đ ặ c t u y ế n V o n A m p e
hoặc k h i sử d ụ n g , l u ô n l u ô n c ầ n d ù n g đ i ệ n t r ở t r ê n m ạ c h a n o t đ ể giói
h ạ n d ò n g đ i ệ n qua đ è n vì q u á t r ì n h i o n hoa có t í n h c h ấ t t h á c l ũ v ớ i
c ư ờ n g đ ộ m ạ n h đ ặ c b i ệ t l à ở v ù n g p h í a t r ê n của đ ặ c t u y ế n . K h i x ả y ra
p h ó n g đ i ệ n , á p lực t r o n g đ è n c ũ n g t ă n g v à có k h ả n ă n g x ả y r a p h á vỡ
vỏ đ è n . C á c g i á t r ị t h a m s ố c ầ n c h ú ý t r ê n đ ặ c t u y ế n p h ó n g đ i ệ n h ì n h
14.35 l à g i á t r ị đ i ệ n á p d u y t r ì ( p h ó n g đ i ệ n ) ; g i á t r ị đ i ệ n á p m ổ i U M mỗi
d ụ n g cụ có k h í l à m v i ệ c n h ư Ì c h u y ể n m ạ c h v ố i h a i t r ạ n g t h á i :
1. T r ạ n g t h á i c h ư a được m ổ i : đ i ệ n t r ở r ấ t l ớ n , t h ự c t ế h ở m ạ c h .
2. T r ạ n g t h á i được m ổ i : cho d ò n g đ i ệ n l ớ n c h ả y qua v ớ i đ i ệ n t r ở r ấ t
t h ấ p . C á c g i á t r ị t h a m s ố đ ặ c t r ư n g của d i o t có k h í ( d ù n g cho mạch
chỉnh lưu d ò n g lớn).
Đ i ệ n á p m ổ i cỡ 2 0 V .
Đ i ệ n á p d u y t r ì cỡ 16V.
D ò n g đ i ệ n l à m việc đ ế n 400A.

14.8.2. Đ è n 3 c ự c c ó k h í ( T h y r a t r o n )

T ư ơ n g tự n h ư triot, nếu bổ sung t h ê m Ì lưới t r ụ k i m loại giữa

k a t o t v à a n o t c ủ a đ è n 2 cực có k h í sẽ n h ậ n đ ư ợ c l o ạ i 3 cực có k h í hay
t h y r a t r o n ( h ì n h 14.36).

Đ i ệ n t h ế â m đ ặ t t ớ i cực l ư ớ i có k h ả n ă n g đ i ề u k h i ể n d ò n g đ i ệ n t ử
p h á t x ạ t ừ k a t o t . K h i đ ó m u ố n m ổ i đ è n c ầ n có đ i ệ n t ử v ớ i v ậ n tốc l ớ n
h ơ n h a y đ i ệ n á p a n o t c ầ n cao h ơ n .

Điện á p lưới càng âm thì điện áp mồi U az càng lớn (hình 14.37)
Điểm mồi đèn có thể lựa chọn theo điện áp đặt tới cực lưới.

276
 K

Hình 14.36. Ký hiệu thyration. Hình 14.37. Quan hệ u „ - u„

u „ : điện áp vào.
T h y r a t r o n cũng n h ư Gazotron luôn cần đ i ệ n trở h ạ n c h ế d ò n g đ i ệ n
t r ê n m ạ c h a n o t . S a u k h i được m ổ i đ è n p h ó n g đ i ệ n , i o n d ư ơ n g t ạ o d ò n g
đ i ệ n t r ê n cực l ư ớ i ( đ i ệ n t h ế â m ) , do v ậ y t h y r a t r o n c ầ n có đ i ệ n t r ở h ạ n
c h ế d ò n g đ i ệ n t ạ i cực l ư ớ i , cực l ư ớ i k h ô n g c ò n t á c d ụ n g ả n h h ư ơ n g t ớ i
đ è n sau k h i t h y r a t r o n đ ã được m ổ i .
• Đ i ề n k h i ể n đ i ệ n á p m ổ i n h ờ đ i ệ n á p t r ê n cực l ư ớ i :
Việc đ i ề u k h i ể n thyratron mổi ở n h ữ n g thòi đ i ể m (những giá trị
U ) k h á c n h a u đ ư ợ c t h ự c h i ệ n n h ờ t h a y đ ổ i đ i ệ n á p cực l ư ớ i . K h i cực
a z

lưới c à n g â m , đ i ệ n á p m ổ i t h y r a t r o n c à n g cao, t ứ c l à t h ò i đ i ể m m ổ i
càng m u ộ n h ơ n v à d ò n g đ i ệ n t r ê n nó c à n g n h ỏ . Có t h ể đặc t r ư n g q u á
t r ì n h t r ê n n h ờ đ ạ i l ư ợ n g góc m ổ i (j) ( ọ c à n g l ớ n t h ì t h ờ i đ i ể m m ổ i c à n g
z z

c h ậ m ) n h ư t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 14.38. M ạ c h c h ỉ n h l ư u đ i ệ n á p r a một
c h i ề u d ù n g t h y r a t r o n có k h ả n ă n g t h a y đ ổ i góc m ổ i t ừ 0° đ ế n 9 0 ° đ ể
đ i ề u k h i ế n g i á t r ị t r u n g b ì n h của đ i ệ n á p r a t ả i .

Đặc tuyến điếu khiển

độ góc

t
đô góc

Zundkennlmie

Hình 14.38. Đưòng cong U , l (t) của thyratron khi <p = 45°.
a a z

277
 • Điều khiển thyratron d ù n g xung điều khiển.
P h ư ơ n g p h á p x u n g có t h ể t h a y đ ổ i góc m ổ i t ừ 0° đ ế n 1 8 0 ° ( h ì n h
14.39). Đ i ệ n á p â m đ ặ t v à o l ư ớ i đ ủ l ớ n đ ể t r o n g s u ố t cả c h u k ỳ v à o
t h y r a t r o n k h ô n g được m ổ i n ế u k h ô n g có x u n g đ i ề u k h i ể n . T ạ i t h ờ i đ i ế m
đ i ề u k h i ể n , x u ấ t h i ệ n x u n g đ i ệ n á p cực t í n h d ư ơ n g d ị c h p h a so v ớ i t í n
h i ệ u v à o ( đ i ệ n á p c ầ n c h ỉ n h l ư u ) Ì góc t ừ 0° đ ế n 1 8 0 ° q u a đ ó t h a y đ ổ i
d ò n g đ i ệ n và công suất t r u n g b ì n h (Ì chiều) t r ê n t ả i . N g à y nay các
chức n ă n g hoạt động của thyratron được thay thế hầu hét bằng
t h y r i s t o ( c h ư ơ n g 10).

Hình 14.39. Mạch điều khiển cắt l„ dùng chung.

14.8.3. I g n i t r o n

Đ e có d ò n g đ i ệ n l ớ n , n ế u d ù n g k h ả n ă n g p h á t x ạ n h i ệ t c ủ a k a t o t sẽ
bị h ạ n c h ế , k h i đ ó có t h ê d ù n g l o ạ i k a t o t t h ú y n g â n v ớ i d ò n g đ i ệ n n h ậ n
được t r ê n t ả i r ấ t l ớ n . H ì n h 14.40 cho k ý h i ệ u q u y ước của đ è n I g n i t r o n
v à m ạ c h c h ỉ n h l ư u d ù n g I g n i t r o n ở h ì n h 14.41. I g n i t r o n có lớp vỏ b ằ n g
k i m l o ạ i có k h ả n ă n g cho d ò n g đ i ệ n c h ỉ n h l ư u c ư ờ n g đ ộ l ớ n t ớ i 2 0 . 0 0 0 A .
Đ ể h ạ n c h ế d ò n g t r ê n m ạ c h r a (anot) v à t r ê n đ i ệ n cực m ổ i c ầ n d ù n g c á c
đ i ệ n t r ở h ạ n d ò n g n h ư ở h ì n h 14.41.

[JR L Lối ra

Hình 14.40. Ký hiệu Ignitron.

Hình 14.41.

278
14.8.4. Đ è n h i ệ n t h ị s ố c ó k h í
Đ è n h i ệ n s ố có k h í ( h ì n h 14.46) có k ý h i ệ u q u y ước ( h ì n h 14.42) v à
đ ặ c t u y ế n V o n A m p e ( h ì n h 14.43) t h u ộ c n h ó m đ è n k a t o t l ạ n h do đ ó
đ i ệ n á p m ổ i đ ể x ả y r a p h ó n g đ i ệ n cao h ơ n l o ạ i k a t o t n ó n g . C á c t h ô n g sô
t h ư ờ n g g ặ p của đ ò n c h ỉ t h ị l o ạ i n à y là:
• Đ i ệ n á p m ổ i ( t ừ 8 0 V đ ế n 150V).
• Đ i ệ n á p d u y t r ì ( t ừ 70V đ ế n 140V).
• D òng katot (từ 2mA đến lOmA).
Đ è n h i ệ n s ố có k h í d ù n g đ ể chỉ t h ị ( h i ệ n sô) c á c s ố t h ậ p p h â n , k h i
c h ế t ạ o c á c k a t o t của đ è n có d ạ n g c á c s ố t h ậ p p h â n sẽ p h á t s á n g ở c h ế đ ộ
l à m v i ệ c (chọn Ì t r o n g 10 đ i ệ n cực d ạ n g s ố l à m việc) h a y l o ạ i G a z o t r o n
d ù n g đ ể ổ n đ ị n h đ i ệ n á p Ì c h i ề u n h ư t h ể h i ệ n t r ê n h ì n h 14.45.

Ạ /
mA Rs
lũ

100
"ĩ V
Ư02
Hình 14.42. Ký hiệu đèn Hình 14.43. Đặc tuyến Hình 14.44. Mạch bảo
ổn áp có khí (Stabilitron). stabilitron. vệ dùng stabilitron.

Hình 14.45. Mạch ổn áp dùng stabilitron. Hình 14.46. Đèn chỉ thị số có khí.

14.9. T Ế B À O Q U A N G Đ I Ệ N CHÂN K H Ô N G

14.9.1. Hiệuứng phát xạ quang điện

Khi được kích thích bằng một chùm phôtôn (với một bước sóng xác
đ ị n h ) m ộ t s ố l o ạ i v ậ t l i ệ u có t í n h h ấ p t h ụ p h o t o n v à t ạ o r a c á c đ i ệ n t ử

279
t ự do d ư ớ i d ạ n g p h á t x ạ k h ỏ i b ề m ặ t v ậ t l i ệ u g ọ i l à q u á t r ì n h p h á t x ạ
quang đ i ệ n hay h i ệ u ứ n g quang đ i ệ n ngoài. T h ư ờ n g v ậ t l i ệ u p h á t xạ
được c h ế t ạ o ở d ạ n g đ i ệ n cực k a t o t q u a n g , k h i có c h ù m á n h s á n g t h í c h
hợp t á c đ ộ n g , c á c đ i ệ n t ử được p h á t x ạ t ạ o r a t r o n g t ế b à o q u a n g đ i ệ n
c h â n k h ô n g ( h ì n h 14.48) m ộ t d ò n g đ i ệ n k h i có đ i ệ n á p d ư ơ n g đ ặ t v à o
a n o t . H ì n h 14.47 đ ư a r a đ ổ t h ị n h ậ y p h ổ c ủ a m ộ t s ố v ậ t l i ệ u l à m k a t o t
q u a n g đ i ệ n n h ư K a l i đ a t i n h t h ể , h o ặ c m ộ t s ố h ỗ n h ợ p O x y d e Sesi, B a r i
hay Antimoan...

1 Kali Katot
da tinh thể hợp chất canxioxyt
K a t o t

100 ' m / Chân không

I^.Anode
M 1 p( í V
/ '
\\i , \ \ \
Ánh sáng tối Katot \ Ỷ #
K hi u tế

1 'ỉ ì \ Ị \
1
b à o uan
quang q 9
Ả í / í \ điên 'ệ đ n c h â n

/ /ì V V ' \
/ ' \ không
1 Ì À< s \ V
Q2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 Uữ 1.1 12 _ ite_

Hình 14.47. Độ nhậy phổ của các vật liệu Hình 14.48. c ấ u tạo t ế bào
làm katot quang điện. quang điện chân không.

14.9.2. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g c ủ a t ế b à o q u a n g đ i ệ n c h â n k h ô n g

Katot quang điện của tế

b à o có d ạ n g b á n trụ được
p h ủ lớp v ậ t l i ệ u có h i ệ u ứ n g
quang điện ngoài mạnh.
Anot là một đũa kim loại
nằm chính giữa trong bán
t r ụ k a t o t ( h ì n h 14.48). Q u a n
Lichtstrom <Ị>
hệ dòng quang điện I phụ
F
Im
thuộc cường độ sáng hay
Hình 14.49. Quan hệ Ip vào cường đô
q u a n g t h ô n g (Ị) được cho t r ê n sáng 4» của t ế bào quang điện.
h ì n h 14.49 t h ể h i ệ n l à q u a n
h ệ t u y ế n t í n h I p = K.(Ị>. ở đ â y I F đ o b ằ n g ịiA ( Ì O ^ A ) v à ộ đ o b ằ n g l u m e n .
Đ i ệ n á p a n o t c u n g cấp k h o ả n g 80V đ ế n 100V ( h ì n h 14.50). M ố i q u a n h ê

280
I F v à U ứ n g v ớ i c á c m ứ c (ị) k h á c n h a u cho t r ê n h ì n h 14.51. H ệ s ố t ỷ l ệ K
a

( I = K ộ ) được g ọ i l à đ ộ n h ậ y q u a n g của t ế b à o (đo b ằ n g Ị i A / l m có g i á t r ị

F

t h ô n g t h ư ờ n g t ừ 30|oA/Cm đ ế n 50ịiAỉìm.

V
Hình 14.50. Mạch điện dùng t ế Hình 14.51. Đặc tuyến ịf (U ) của t ế bào
a

bào quang điện chân không quang điện chân không

(hoạt động ở chế độ bão hoa). I (vói cường độ sáng <Ị> là tham sô).

14.9.3. T ế b à o q u a n g đ i ệ n c ó khí (ký hiệu hình 14.52)

N ế u t r o n g ố n g c ấ u t ạ o của t ế b à o c h â n k h ô n g có Anot
b ơ m k h í t r ơ v ớ i n ổ n g đ ộ t h ấ p sẽ n h ậ n được l o ạ i t ế b à o
q u a n g đ i ệ n l o ạ i có k h í v ớ i đ ộ n h ậ y q u a n g cao h ơ n của
l o ạ i c h â n k h ô n g ( đ ế n 200|J.A/Im). Q u a n h ệ I ((ị)) của F Katot
l o ạ i t ê b à o q u a n g đ i ệ n có k h í d ạ n g t u y ế n t í n h và
Hình 14.52. Ký
cường đ ộ I F t ă n g k h i c ư ờ n g đ ộ s á n g (ị) t ă n g . Đ ặ c t u y ế n hiệu t ế bào
Von A m p e I - U được cho t r ê n h ì n h 14.53. quang điện khí.
F a

/? = 2Mn\ /<í>=20mlm
MA'
6 ,15
5
4
3
2
ì

Hình 14.53. Đặc tuyến l (U ) của t ế bào quang điện có khí (với (ị) làm tham số).
F a

281
 CÂU H Ỏ I ÔN T Ậ P - BÀI T Ậ P

Ì, Số lượng điện tử p h á t xạ nhiệt trong ống tia đ i ệ n tử c h â n không

( t í n h t r o n g Ì đ ơ n vị t h ờ i g i a n ) p h ụ t h u ộ c v à o n h ữ n g y ế u t ố n à o ?
2. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của d i o t c h â n k h ô n g ?
3. H ã y mô t ả đặc t u y ế n Von Ampe I - U a a của diot c h â n k h ô n g v à g i ả i
t h í c h ý nghĩa.
4. G i ả i t h í c h c ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của t r i o t .
5. D ò n g a n o t của t r i o t được đ i ề u k h i ể n n h ư t h ê n à o ?
6. G i ả i t h í c h ý n g h ĩ a c á c t h a m số: h ỗ d ẫ n s, đ i ệ n t r ở R, t r o n g v à h ệ s ố
t r ô i D của t r i o t .
7. Vẽ một mạch khuếch đ ạ i điện áp d ù n g triot.
8. C ấ u t ạ o của Pentot?
9. T r ì n h b à y n g u y ê n tắc tạo tia đ i ệ n tử trong ống tia.
10. G i ả i t h í c h k h á i n i ệ m " s ú n g đ i ệ n t ử " của ố n g t i a .
l i . T r ì n h b à y n g u y ê n lý l à m l ệ c h t i a đ i ệ n t ử .
12. T ạ i sao t r o n g ố n g t h u t r u y ề n h ì n h l ạ i d ù n g t ừ t r ư ờ n g đ ô h ộ i t ụ v à
lái tia ?
13. P h â n b i ệ t l o ạ i d ụ n g cụ đ i ệ n t ử c h â n k h ô n g v à d ụ n g cụ có k h í .
14. H i ệ n t ư ợ n g i o n hoa do va c h ạ m t r o n g c h ấ t k h í ? H ã y v ẽ đ ặ c t u y ế n
p h ó n g đ i ệ n của c h ấ t k h í t r ơ .
15. C ấ u t ạ o v à h o ạ t đ ộ n g của t h y r a t r o n .
16. N g u y ê n lý h o ạ t đ ộ n g của t ế b à o q u a n g đ i ệ n c h â n k h ô n g ?
17. H i ệ u ứ n g q u a n g đ i ệ n n g o à i là gì?

282
 LỜI G i ả i V á Đ Á P s ố CÁC B á i T ệ p

Chương 1: T ừ Ì t ớ i 8 xem n ộ i d u n g s á c h
Chương 2: T ừ Ì t ớ i 7 x e m n ộ i d u n g s á c h
8. a) 1 0 . 0 0 0 ± 5%
n

b) 820Q ± 10%
c) 2,2Q ± 5%
d) 47 M Q ± 20%
e) 0,15Q ± 10%
0 5,36Q ± 2%
g) 8 8 7 M Q ± 1%
h) 274Q ± 2%
i) 13,8Q ± 1%
k) 4 , 3 2 k Q ± 1%
9.
Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4 Vòng 5
a) Cam Tím Vàng Bạc Nâu
b) Xanh lam Xám Nâu Cam Đỏ
c) Nâu Nâu Vàng Đen Xanh lục
d) Đỏ Đỏ Xanh lam Vàng Xanh lục
e) Vàng Xanh lam Vàng Đỏ Nâu
f) Tím Nâu Xanh lục Nâu Đỏ
10 đ ế n 15: X e m s á c h
16. X e m h ì n h 2.20
17 đ ế n 19. X e m s á c h
20. AR = 6.615Q, R = 496,615Q w

2 1 , 22. X e m s á c h
23. X e m h ì n h 2.25
24, 25. X e m s á c h
26. X e m h ì n h 2.30b

uy' p
20
27. a) 1= A 0,1667-=2.55 lmA
c .120.
u 20V
R 7,840kQ
ì 2,551mA

283
 fuyp í 100^
b) 1= 3 3
= 0,83 33 '" = 5 4 4 , 5 m A
le V 120y

100V
R = u=. = 183,65Q
ì 544,5mA

Chương 3:
Ì đến 4. Xem sách
5. ÁC = C o-<*c-Av
2

Ì
ÁC = 2 , 2 n F . ( - 2 , 5 . 1 0 - ) - . 7 0 k = - 3 8 5 p F 3

k
c = c + ÁC = 2200pF - 385pF = 1815pF.
95 25

6 đến 16. Xem trong sách.

2 2
17. w = -CU =-2200.10^'F.(450V)
2 2
. As. . _ T9
G
W=1100.10~ y 202.500V

w = 222,75W S

18. X = RC = 10.10 Q 6800.Ì Ó" Y 6 6

T = 68.000S
Thời gian phóng điện 5T = 340.000s = 94,44 giò
Sau 94,44 giờ (tương đương khoảng 4 ngày đêm) tụ phóng hết điện.

19. tgô= ~ ; x = c
l

X, cóc
Ì 100.000
x c = Q
6,28.10 -47.10- ^ ' -
4 9 6 28 47

s V
x c = 338,8Q

R = x .tgô = 338,8Q.0,02
c

R = 6,776Q; Q = -i- = —!—= 50

tgõ 0,02

20. J_-_L _L J_
c " c, +
c 2
+
c,

284
 l i _ L = 0,07673-^
1 N

100• + — + 4• 7 ; n F
' 22 nF
c = g 13,03nF
J Ị_ í Ì Ì
Ì
21.
c, c, c +
2
c 2
cs . c,
H V 359 1000

Co = 5 6 0 n F
22 đ ế n 26. X e m t r o n g s á c h
l i Ì Ì
27. — =— + — 20 +
100 +
1000 mH
L,
Lg = 1 6 , 3 9 m H .
C £ _ _i6_ p
28.
c 1 L = F = 2 4

4 5
c +c4 4+ 6' s

C345 - c 3 + c 4 5 = 2 n F + 2,4^iF = 4 , 4 F M

C2345 =
C345 + C 2

= 4,4|aF + 1 0 0 n F
= 4,5 \xF
c c 245
c = = Z
- ' MF = l,385txF
H J

• C,+C 2 J 4 S 2 + 4,5
Chương 4
1. X e m t r o n g s á c h
Ì Ì
2. f„
2 n R C
6,28.100Q.4,7.10~ ^- 9

V
lo 9
1.000.000
Hz kHz
g
6,28.100.4,7 6,28.4,7.100

f = 338,8kHz
g

3. X e m t r o n g s á c h
Ì
4. f,=_L_ R =
2nC.f.,

Ì
R = 90,47Q
6,28.220.10 9 A
- 8.10'
s

V
 R 8Q 8000mH
L =
2
^ ó^.soo 1 6
' 2 8
- 3 0 0

L = 4,246mH
6, 7. X e m t r o n g s á c h
Ì Ì Ì
8. coL = • c
toe co\L í Ì, r n

6,28.19.000- I .2.10" Qs
\ s
Ì
„ - F = 0,03512fiF
39,44.361.10 .2.10 n _1

c = 35,12nF
9 đ è n 14. X e m t r o n g s á c h
l õ . T í n h đ i ệ n t r ở song song c ù n g g i á t r ị :
L 10.10" Qs 6

K—
C(R +R ) r l [ 2 47.10"' S (10Q + 22Q) 2
3

R = 6,649kQ
T í n h t ầ n s ố cộng h ư ở n g f r

, 1 1

2TTVLC 2TtVl0.10" Qs.47.10" Ss f, 12

1 1 0 0 0

f. k í U

r
6,287470.10"" 6,28.21,68 .MHz
f, = 7 , 3 4 5 M H z
16 đ ô n 19. X e m t r o n g s á c h

Chương 5
Ì đ ế n 26. X e m t r o n g s á c h

27. 0,9V
Rí = 9Q
=
Ip lOOmA
Độ dốc AUp 0,4V
của đác = 2,16Q
tuyến tại ÃĨ7 185mA
điểm p

là

286
28 đ ế n 30 x e m t r o n g s á c h
3 1 . X e m t r o n g s á c h v à x e m h ì n h 5.40
32. X o m t r o n g s á c h v à x e m h ì n h 5.47
33 đ ế n 35. X e m t r o n g s á c h

Chương 6
Ì đ ế n 6. X e m t r o n g s á c h
7. X e m t r o n g s á c h v à h ì n h 6.1, 6.3
8 đ ế n 13. X e m t r o n g s á c h
14. a) z. D i o t k h ô n g b ị q u á t ả i
u , = 20V + 2V = 22V
u, = u, - u z = 22V - 8V = 14V

í k 8W
= =
• = 1A R =ion.
» u 8V
v

... = 5mA
rin
Uy _ 14V
= 1,4A
" Rv ~ l o n
= I -I A Z m . x = 1 . 4 A - l A = 0,4A

ư 8V
L max = 20Q
I L 0,4A
b) M ạ c h p h ả i ổ n đ ị n h
u , = 2 0 V - 2 V = 18V
u v = ư , - U z = 18V - 8V = 10V
u„ 10V
= ÌA ; I = I - I
L A Z m n = 1 A - 0,005A = 0,995A
R v lon

u.. 8V
R = 8,04Q
Liu in I L 0,995A

T r ở t ả i p h ả i n ằ m t r o n g giói h ạ n 8,04Q < R < 20Q L

15 đ ế n 25. X e m t r o n g s á c h
Chương 7
Ì đến l i . Xem trong sách
12. X e m h ì n h 7.23
13, 14. X e m t r o n g s á c h

28
 15. T í n h h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i của m ạ c h h ì n h 7.60

T I r 6mA „^
h=„= — — = 300^A
B 20 ^
I E = le + I B = 6 , 3 m A
I q = 6 I = l,8mA B

I c = Ic + I + I
R B q = 8,lmA
U E = I R E E = 6 , 3 m A . 2 2 0 Q = 1.386V
U R C = I R C . R = 8 , l m A . l k Q = 8.1V
C

ư 2 (điện áp trên R ) 2

u 2 = Ư B E + U R E = 0,72V + 1.386V = 2 , 1 0 6 V

I l,8mA
q

u , : (điện áp trên R Ị )

Ư!= U B - U R C - U 2 = 1 8 V - 8 , 1 V - 2 , 1 0 6 V = 7,794V
. . U I 794V
I„ + I q 2,lmA

16. T í n h h ệ s ố k h u ế c h đ ạ i c ủ a m ạ c h h ì n h 7.61
u„= U R C + U C E +U E

Ư -U B C E =Ư R C + U E

U„C + Ư = 1 2 V - 5 , 5 V = 6 , 5 V E

I R +I R =6,5V
C C E E

6 0 I R + 6 1 . I . R = 6,5V
B C B E

I ( 6 0 R + 6 1 R ) = 6,5V
B C E

T _ < 6 5 V
6,5V 6,5V
Àlìt 6 0 R + 6 1 R
1

C E 60.1kQ + 61.220Q ~ 73,42kQ

I = 88,83|aA
B

I = 601,3 = 5 , 3 1 2 m A
c

I = 6 1 I = 5 , 4 m A (= I + I )
E B C B

U R C = I R = 5 , 3 1 2 m A . l k Q = 5.312V
C C

U = I R,.;= 5 , 4 m A . 2 2 0 Q = 1.08V
E E

u ( t r ê n Rọ) = U + U
2 E B E = 1.08V + 0 , 7 5 V = 1.83V

288
 1.83V
= 6,89kQ
ì, •„
ĨL 3.88,53|iA

u . c t r ê n Ri) = U B -ư 2 = 12V - 1.83V = 10.17V

u, 10.17V _ 10,17V_ = 2 8 ) 7 2 k Q

I B +I 88,53piA + 265,6^A 0,3541mA

U C E = Un- U R C - U = 12V - 5,312V - 1.08V = 5 , 6 0 8 V

E

Ì đ ế n 19. X e m t r o n g s á c h
X - T. 170°c-50°c 120
20. p = W = 1,5W
A
tát R ihu 80"c/ w 80

21 đ ế n 23. X e m t r o n g s á c h
24. M ạ c h k h u ế c h đ ạ i m ắ c BC; d ạ n g k h á c của h ì n h 7.58
25. X e m t r o n g s á c h v à h ì n h 7.48

Chương 8
Ì đ ế n 5. X e m t r o n g s á c h
6. X e m m ạ c h h ì n h 8,19 ( t ầ n g k h u ế c h đ ạ i d ù n g J F E T N m ắ c SC)
7 đ ế n 12. X e m t r o n g s á c h
13. M ạ c h t ư ơ n g t ự h ì n h 8.39 - T ầ n g k h u ế c h đ ạ i m ắ c c h u n g cụ
nguổn s e d ù n g E M O S p
14 đ ế n 20. X e m t r o n g s á c h
to - • ỉr ,
Chương 9 _;

Ì đ ế n 9. X e m t r o n g s á c h Lôi v à o
• Lỏi ra
10. Xem t r o n g s á c h ỳ

Chương 10

Ì đến l i . Xem trong sách

12. X e m t r o n g s á c h .
* 'T\
13. X e m t r o n g s á c h •' \
14. X e m h ì n h 10.28 v à 10.29
15 đ ế n 17. X e m t r o n g s á c h
18. M ạ c h c ầ n c h ỉ n h l ư u có đ i ề u k h i ế n ( đ i ề u k h i ể n k i ể u c ố t phí
nhờ cả h a i t h y r i t o r .
B ộ t ạ o x u n g đ i ê u k h i ể n cho SCR v à x á c đ ị n h góc m ổ i .

Ti
 Chương li
Ì đ è n 7. X e m t r o n g s á c h
8. M ạ c h đ i ề u k h i ể n m ô tờ d ù n g t r i a c . Đ i ệ n á p U A v à s ố v ò n g qua>
tỷ l ệ n h a u k h i số v ò n g quay g i ả m t h ì U a giảm. Điện áp mổi ư z là h i ệ t
số giữa u p và U A ( U = Úp - Ư ) ; k h i số v ò n g quay g i ả m U
z A A g i ả m do đe
ư z t ă n g ( t r i a c được m ổ i m u ộ n h ờ n ) . Đ ộ n g cơ n h ậ n n h i ề u c ô n g s u ấ t h ơ r
sẽ q u a y n h a n h h ớ n . Tốc đ ộ d a n h đ ị n h được đ ặ t t r ư ớ c n h ờ c h ọ n v ị tr
của c h i ế t á p t r o n g m ạ c h .
Chương 12
Ì đ ế n 9. X e m t r o n g s á c h
Chương 13
Ì v à 2. X e m t r o n g s á c h

3. U„=R„.^

230.10" nr .80mA.0,9Vs
6

= 82,8mV
As.0,2mm.m

4 đ ế n 10. X e m t r o n g s á c h
Chương 14
Ì đ ế n 6. X e m t r o n g s á c h
7.

IN H I —
li
Lối vào Ị
5
ì] Lối ra

•ơn i

8 đ ế n 18. X e m t r o n g s á c h

290
 MỤC LỤC

Lời giới thiệu

Chương Ì
KỸ THUẬT ĐO D Ừ N G MÁY H I Ệ N S Ó N G (OXYLO)
1.1. Khái niệm chung
1.2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của máy hiện sóng
1.3. Sử dụng oxylo
Câu hỏi ôn tập

Chương 2
Đ I Ệ N TRỞ T U Y Ế N TÍNH VÀ Đ I Ệ N TRỞ P H I T U Y Ế N
2.1. Các tính chất chung
2.2. Điện trở có giá trị cố định
2.3. Điện trở thay đổi giá trị (biến trở)
2.4. Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở
2.5. Nhiệt điện trở nóng và nhiệt điện trở l ạ n h
2.6. Các điện trở có giá trị phụ thuộc điện áp
Câu hỏi ôn tập - Bài tập

Chương 3
T Ụ Đ I Ệ N VÀ C U Ộ N DÂY
3.1. Điện dung
3.2. Tụ điện ........................111....!.......1.1.
3.3. Tụ điện trong mạch điện Ì chiểu
3.4. Tụ điện trong mạch xoay chiều
3.5. Mắc nối tiếp và mắc song song các t ụ điện
3.6. Cuộn dây
3.7. Cuộn dây trong mạch điện Ì chiều
3.8. Cuộn dây trong mạch điện xoay chiều
3.9. Mắc nối tiếp và mắc song song các cuộn dây
Câu hỏi ôn t ậ p - Bài tập
 Chương 4
M Ạ N G H A I C ự c VÀ M Ạ N G 4 c ự c PHỤ THUỘC TẦN s ố
4.1. Tính chất chung
4.2. Mạch RC nối tiếp
4.3. Mạch RL nối tiếp
4.4. K h â u RC
4.5. K h â u CR
4.6. K h â u RL
4.7. K h â u LR
4.8. Mạch cộng hưởng
4.9. K h â u Re làm mạch tích p h â n
4.10. K h â u CR làm mạch vi p h â n
Càu hỏi ôn tập - Bài tập

Chương 5
DIOT BÁN D Ẫ N
5.1. V ậ t l i ệ u b á n dẫn điện
5.2. Cấu t r ú c chất b á n dẫn tinh t h ể
5.3. Tính chất dẫn điện
5.4. Chất b á n dẫn Silic loại lì
5.5. C h á t b á n dẫn Silic loại p
5.6. C h u y ê n tiếp pn
5.7. Nguyên lý hoạt động của diot b á n dẫn
5.8. Tính chất khoa c h u y ê n mạch của diot b á n dẫn
5.9. Tính chất n h i ệ t của diot b á n dẫn
5.10. Bộ chỉnh lưu d ù n g diot b á n dẫn
5.11. Khoa chót trong kỹ t h u ậ t số
5.12. Các dạng cấu tạo của diot b á n dẫn
5.13. Đo thử kiêm tra diot 1(
5.14. Tham sô định mức và tham số giới h ạ n li
Câu hỏi ôn tập - Bài tập 1(

Chương 6
CÁC DIOT CÓ T Í N H CHẤT ĐẶC B I Ệ T
6.1. Z-diot 1(
6.2. Diot varicap (diot biến dung)
ì:
6.3. D iot Tunen (diot Esaki)
Ì:

292
 6.4. Diot ngược (backvvard)
6.5. Diot Pin..
6.6. Diot điện tử nóng (diot Schottky-Diot S)
Câu hỏi ôn tập - Bài tập

Chương 7
TRANSITO LƯỠNG c ự c (BJT)
7.1. Khái niệm chung
7.2. Nguyên lý hoạt động của transito loại pnp ;
7.3. Nguyên lý hoạt động của transito npn ]
7.4. Điện áp và dòng điện trên transito ]
7.5. Các đặc tuyến và tham số của transito mắc emitd chung ]
7.6. Chọn điểm làm việc cho transito ]
7.7. Sự điều khiển transito •
7.8. Dòng điện dư, điện áp ngược và điện áp đánh thủng
7.9. Trạng thái điều khiển quá mức và các điện áp bão hoa
7.10. Công suất tổn hao trên transito
7.11. Anh hưởng của nhiệt độ và ổn định nhiệt điểm làm việc
7.12. Tạp âm của transito
7.13. Các thông số của transito
7.14. Một vài ứng dụng của transito
Câu hỏi ôn tập - Bài tập

Chương 8
TRANSITO ĐƠN c ự c
8.1. Transito hiệu ứng trường có cực cửa là Ì lóp khoa (JFET)
8.2. Transito hiệu ứng trường có cực cửa cách ly
(IGFET hay MOSFET) .. _
8.3. MOSFET có hai cực c ứ a Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z ' '
8.4. Transito Ì chuyển tiếp pn (UJT)
Câu hỏi ôn tập - Bài tập

Chương 9
CÁC MẠCH V I Đ I Ệ N TỬ (IC)
9.1. Khái niệm chung
9.2. Kỹ thuật tích hợp các linh kiện
9.3. V i điện tử số và vi điện tử tương tự
9.4. Mức độ tích hợp và m ậ t độ đóng gói 1

9.5. Các ưu nhược điểm của l e 1

9.6. IC khuếch đ ạ i t h u ậ t toán (OPV) ^

Câu hỏi ôn tập - Bài tập 1
'

Chương 10
THYRISTOR
10.1. Diot 4 lớp (thyristor diot) l í

10.2. Thyristor (SCR).... 1 {

10.3. Thyristor 4 cực 2(

10.4. GTO thyristor 2 :

Câu hỏi ôn tập - Bài tập 2:

Chương li
DIAC VÀ TRIAC
11.1. Diac 2
11.2. Triac 2
11.3. Điêu k h i ể n dòng t ả i d ù n g diac và triac 2:
Câu hỏi ôn tập - Bài tập 2!

Chương 12
CẤU K I Ệ N Q U A N G BÁN D Ẫ N
12.1. H i ệ u ứng quang điện trong 2í
12.2. Quang điện trở 2í
12.3. T ế bào quang điện và pin m ặ t trời 2í
12.4. Photo diot 2-
12.5. Phototransito 2'
12.6. Photothyristo 2- r

12.7. Diot p h á t quang L E D 2- r

12.8. LASER b á n dẫn 2^

12.9. Sợi quang dẫn 24
12.10. Bộ ghép quang 24
Câu hỏi ôn tập - Bài tập 24

Chương 13
CÁC CẤU K I Ệ N BÁN D Ẫ N ĐẶC B I Ệ T
13.1. Bộ p h á t sóng H a l l 2
13.2. Từ trở . 25
13.3. D i o t t ừ „_

294
13.4. Áp trở b á n dẫn
13.5. L i n h k i ệ n t i n h t h ể lỏng
13.6. Transito m à n g mỏng (TFT) - Màn hình LCD
13.7. M à n h ì n h Plasma (Plasma Display Panel - PDP)
Câu hỏi ôn tập - Bài tập

Chương 14
CÁC DỤNG CỤ Đ I Ệ N TỬ VÀ D Ụ N G c ự I O N
14.1. Sự p h á t xạ nhiệt điện tử
14.2. Điot chân không - đèn 2 cực chân không
14.3. Đèn 3 cực chân không (Triot)
14.4. Đèn 4 cực chân không (Tetrot)
14.5. Đèn 5 cực chần không (Pentot)
14.6. Các dụng cụ đặc biệt
14.7. Ống tia điện tử
14.8. Dụng cụ ion
14.9. Tế bào quang điện chân không
Câu hỏi ôn tập - Bài tập
Lời giải và đáp số các bài tập
Mục lục
 Chịu trách nhiệm xuất bản :
Chủ tịch H Đ Q T kiêm Tổng Giám đốc N G Ô T R Ầ N ÁI
Phó Tống Giám đốc kiêm Tổng biên tập N G U Y Ê N Q U Ý T H A O

Tổ chức bản thảo và chịu trách nhiệm nội dung :

Chủ tịch HĐQT kiêm Giám đốc Công ty CP Sách Đ H - D N TRẦN NHẬT TÂN

Biên tập nội dung và sửa bản in :

TRẦN NHẬT TÂN - N G Ô T H Ị T H A N H B Ì N H

Biên tập mĩ thuật, minh hoa và trình bày bìa:

Đ I N H XUÂN D Ũ N G

Thiết kê sách và chếbản :

TRỊNH THỤC K I M DUNG

LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

M à sò : 7K755Y8 - D A I

In 2.000 cuốn (QĐ: 46), khổ 16 X 24cm. In tại Công ty c ổ phần In Phúc Yên.
Địa chỉ: Đường Trần Phú, thị xã Phúc Yên.

Số ĐKKH xuất bản : 183-2008/CXB/15-363/GD.

In xong và nộp lưu chiểu tháng 9 năm 2008.