1

Elektronica: theorie
Hoofdstuk 1: Inleiding
Wat is stroom? = een vorm van energie, veroorzaakt door de beweging van elektronen.

Wat is een spanning? = verschil in aantal elektronen tussen + en – pool (potentiaalverschil).

Wat is vermogen? = hoeveelheid elektrische energie dat er per seconde omgezet wordt.

Vermogendissipatie = elektrisch vermogen wordt omgezet in warmte.

Weerstanden

Wet van Ohm: U=R.I

Kleurcode: Zij Bracht Rozen Op Gerrits Graf Bij Vies Grauw Weer,
(Gerrit Zei Niets)
➔ In praktijk niet alle combinaties mogelijk!
➔ E-reeks: 101/n

Serie: parallel:
1
Rtot= R1+ R2+ … Rtot= 1 1
+ +⋯
R1 R2

Condensatoren:

= 2 vlakke platen uit geleidend materiaal met ertussen een isolerend materiaal:

Deze component kan tijdelijk elektrische energie opslaan.

1
Serie: Ctot= 1 1 parallel: Ctot= C1+ C2+ …
+ +⋯
C1 C2

Stromen in halfgeleiders:

1. Elektronenstroom = door elektron in geleidingslaag.

2. Gatenstroom = door elektronen in valentie laag, die gaten achterlaten.

N-type halfgeleider P-type halfgeleider

- In buitenste schil 5 elektronen (4 co.b + 1vrij) - In buitenste schil 3 elektronen (1elektron tekort)
- elektronenstroom >> gatenstroom - elektronenstroom << gatenstroom

PN-junctie: uitputtingszone = depletion region

→ negatieve ionen in p-type en postieve ionen in n-type

• +pool aan p-type & -pool aan n-type

Uitputtingszone ingedrukt
Stroom vloeien -> geleider
• -pool aan p-type & +pool aan n-type
Uitputtingszone uitgerekt
Geen stroom vloeien -> isolator
 2

Hoofdstuk 2: Diodes
PN-junctie: KNAP => Kathode = negatief (N-junctie)
Anode = positief (P-junctie)
-> stroom kan enkel via anode doorgelaten worden

Forward bias: voorwaarde → - van VBIAS hangt aan de n-regio

Elektronenstroom & gatenstroom
VBias > VB (=potentiaal barrière)

Punt c = geleidelijke toename VF door

interne dynamische weerstand

Reverse bias: voorwaarde → + van VBIAS hangt aan de n-regio

Elektronenstroom & gatenstroom

VBias >>>: doorslagspanning (lawine-effect)

Stroomspanningskarakteristiek:

Diodemodellen:
Ideaal (Vbias = 0 & R =0) Praktisch (VF=0,7V & R=0) Compleet (extra r’s)

Forward
Bias

Reverse
Bias

karakteristiek
 3

Troubleshooting:
Multimeter in weerstandsmeting: – Werkend
• Forward bias: lage weerstand
• Reverse bias: hoge weerstand
– Kapot
• Forward & reverse bias: hoge weerstand
• Forward & reverse bias: lage weerstand

Kristallijne Silicone zonnecel:

Glazen plaat als bescherming

N Absorptie maximaliseren met anti-reflecterende laag
NP
P Metalenplaat

➔ Fotovoltoïsch effect
= Foton maakt elektron los & gaat naar n-type (laat gat in p-type achter).
➔ Grootte 100cm² tot 225cm² (spanning tussen 0,5V & 0,6V)
➔ Meerdere zonnecellen
o Serie (=spanning optellen, stroom gelijk)
o Parallel (=spanning gelijk, stroom optellen)
! Vaak combinatie van de twee !

Enkelzijdige gelijkrichter:
• Positieve alternantie (=diode geleidt)
DC
• Negatieve alternantie (= diode spert)

𝑉𝑝
Gemiddelde uitgangsspanning => 𝜋
Diodedrop : Vp(out) = Vp(in) – 0,7V

Dubbelzijdige gelijkrichter:
• Positieve alternantie (=bovenste diode geleidt)
• Negatieve alternantie (=onderste diode spert)

Algemeen: VOUT = (Vsec/2) – 0,7V

Geen uitgangsspanning => 2Vp/π

Uitgangssignaal =2f

Bruggelijkrichter:
• Positieve alternantie (D1 & D2 geleiden)
• Negatieve alternantie (D3 & D4 geleiden)

Diodedrop : Vp(OUT) = Vp(IN) – 1,4V

PIV = Vp(OUT) + 0,7V
PIVbruggelijkrichter << PIV dubbele gelijkrichter
 4

Afvlakfilter:

Als D geleidt:
-c laadt tot 0,7V onder V(IN)

Als D spert:
-c ontlaadt.

Rimpelspanning:

Vr(pp)
=> rimpelfactor => r =
V(DC)
1
met Vr(pp) ≅ (fR(LC))Vp(rect)
1
𝑉(𝐷𝐶) ≅ (1 − 2fR(LC))Vp(rect)

Hoe kleiner R, hoe beter de filter!

Spanningsregelaar: doel = cte V of I

∆𝑉𝑜𝑢𝑡
• Lijnregeling = ( ∆𝑉𝑖𝑛 ) 100%
𝑉𝑛𝑙−𝑉𝑓𝑙
• Lastregeling = ( 𝑉𝑓𝑙
) 100%

Diodebegrenzer: (=stukken wegknippen boven/ onder grens)

• Positieve:
=>

• Negatieve: =>

Varactor diode: → werkt in sper

• Spanningscontrolerende condensator
VBIAS ↑ → uitputtingszone ↑ → condensator ↓
Cmax
• Capaciteitsverhouding: CR=
Cmin
hoofdstuk 3: speciale diodes
Zenerdiode:
K A
Doel: -spanningsstabilisatie
-onderdelen beschermen tegen overspanning
!Zelfde stroomspanningskarakteristiek als diode!

– VZ > 5 V: door lawine-effect (avalanche)

Zoals bij andere diodes
– VZ < 5 V: Zenereffect
Dotering ↑ & uitputtingszone ↓ & E-veld ↑
-> elektronen uit valentielaag zorgen voor stroom
 5

Zenerdiode modellen:
Ideaal = spanningsbron Praktisch: spanningsbron & AC-impedantie

Opmerkingen! => Temperatuurcoëfficient TC vermogendissipatie PD= VZIZ

• in %/°C

• in mV/°C

Toepassingen:
• Met variabele ingang:
-uitgang = constant
-minimum: VOUT = VZ -∆VZ maximum: VOUT = VZ +∆VZ
VIN(min) = IZKR + VOUT VIN(max) = IZMR + VOUT
(Afronden naar boven)
• Met variabele belasting RL
-uitgang = constant
-Geen lastweerstand (RL = ∞): IT = IZ
-Met lastweerstand RL : IT = IZ + IL
-Minimum RL? → IL(MAX) → IZK
• IT = (VIN – VOUT(MIN))/R
• IL = IT - IZK
• RL = VOUT(MIN)/IL

• Zenerbegrenzer
Polarisatie omgekeerd gecombineerd

• Positieve alternantie • Positieve alternantie • Positieve alternantie

– Zenerdiode spert
• Negatieve alternantie
– Als gewone diode
(diodedrop = 0.7V)
– Als gewone diode – D1 als gewone diode & D2
(diodedrop = 0.7V) Zenerbegrenzer (drukfout)
• Negatieve alternantie • Negatieve alternantie
– Zenerdiode spert – D1 als Zenerbegrenzer &
D2 als gewone diode
 6

LED:
• Forward bias:
Recombinatie: elektronen & gaten
o Hogere energie elektronen vrij als fotonen (=licht)
o Band gap bepaalt lichtkleur
• Voorschakelweerstand RLIMIT
→ voorkomt dat stroom groter wordt dan maximum

• Opmerkingen
o Hoge-intensiteitsleds
Rooster: serie-parallel of parallel
Lens
o Pixel = groepering hoge-intensiteitsleds
Vorming meerdere kleuren
o 7-segmentendesplay
2 soorten: gemeenschappelijke anode & kathode
Fotodiode: (=LDR)
• Werkt in sper
• Licht ↑ → inverse lekstroom I λ ↑

hoofdstuk 4: Bipolaire Transistoren

BJT (bipolar junction transistor):

Bipolair = elektronen & gaten zijn ladingsdragers

3 zones & 2 pn-juncties
• Emitter (E): zwaar gedoteerd
• Basis (B): dun & licht gedoteerd
• Collector (C): gematigd gedoteerd
Stroom variëren
• Verandering klein signaal -> groter signaal
• Elektronische hefboom: met kleine kracht grote kracht uitoefenen
Transistor = transfer + resistor

Werking:

Forward-reverse bias (idem NPN & PNP)

Door DC:

• Basis-emitter (BE): forward bias

• Basis-collector (BC): reverse bias

 7

→ NPN Transistoreffect

• Grote spanning op collector & dunne basis (< 1 μm)

• Collector zuigt elektronen aan (tot 99%)

Volgens conventionele stroomrichting:

DC-model:

• DC-stroomversterking
– Typisch: 20 < βDC < 300
– Soms ook hFE
• DC-alfa
– Altijd < 1 (IC < IE)
• DC-vervangmodel voor transistor
– In = diode
– Uit = stroomafhankelijke stroombron

• Collectorkarakteristiek (VBB zo voor vaste IB)

– A (VCC = 0)
• BE & BC forward bias
• IB naar grond & IC = 0
– A-B (saturatie)
• VCC ↑ & VCE ↑
• Spanning over RC ↑ & IC ↑
• IC onafhankelijk van IB
– B (VCE = 0.7 V)
• VBC = 0 V

– B-C (actief/lineair):

• BC inverse bias

• IC enkel bepaald door IB

• Curve ongeveer vlak

– βDC ↑ lichtjes (uitputtingszone ↑ & basis ↓)

– C (breakdown)

• VCE = VCE(max)

• Sterk invers gepolariseerde BC

 8

• VBB ook regelbaar, voor meerdere IB

– Waaier van karakteristieken

• Cut-off: transistor geleidt niet

– IB = 0 & beide juncties invers gepolariseerd
– Kleine collectorlekstroom ICEO
• Van collector naar emitter met basis open (CEO)
– Door thermische generatie van ladingsdragers
• Lekstroom groter bij hogere temp!
– VCE = VCC

• Saturatie: bij normale werking

– Als IB ↑ → IC ↑ & door spanningsval over RC: VCE ↓
– Als VCE = VCE(sat)
• BC-junctie voorwaarts gepolariseerd
• IC kan niet verder stijgen, ondanks verdere stijging van IB
– VCE(sat): enkele tienden van een volt

• DC-belastingslijn (DC load line)

– Rechte tussen saturatiepunt & cut-offpunt

• βDC geen constante

– Afhankelijk van temperatuur & IC

• Vermogensdissipatie PD = ICVCE
– PD > PD(max): kapot

• Curve PD = cte
– Hyperbool collector- karakteristiek

• Degradatie (derating) door temperatuur =>

Stroom Spanning Spanning naar grond

– DC: IE – IB – IC – DC: VBE – VCB – VCE – DC: VB – VC – VE
– AC: Ie – Ib – Ic – AC: Vbe – Vcb – Vce – AC: Vb – Vc – Ve

BJT als versterker:

- AC-spanning bovenop VBB (via condensator)
- Vs ↑ → Ib ↑ → Ic ↑ (versterkt) → Vc ↓ (versterkt)
- Spanningsversterking
– Uitgang Vc versterkt & geïnverteerd tov ingang
= in tegenfase
BJT als schakelaar:
 9

• Toepassing 1:

• Toepassing 2: Logica
- NOT
A NOT A
0 1
1 0

- NAND
A B A NAND B
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

- NOR
A B A NOR B
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

Fototransistor:
• Basisstroom door licht: IB = Iλ
• Meer versterking en gevoeligheid dan fotodiodes!
• 2 soorten
o Met 2 aansluitingen: Basis niet elektrisch geconnecteerd
o Met 3 aansluitingen: Basis wel elektrisch geconnecteerd
-> werkt ook als gewone BJT (zonder belichting)
• Lichtintensiteit
o Geen licht -> enkel lekstroom ICEO
• Golflengte

• Toepassing: optocoupler
 10

• Multimeter in weerstandsmeting
– Transistor = 2 diodes
• Diode werkend
– Forward bias: lage weerstand
– Reverse bias: hoge weerstand
• Diode kapot
– Forward & reverse bias: hoge weerstand
– Forward & reverse bias: lage weerstand

Hoofdstuk 5: Transistor Bias circuits

• DC-instelling
o Transistor = lineaire versterker → weg van saturatie en cut-off
o In DC-instelpunt of biasing: vervorming en punt Q
o DC-lijnbelasting

→ bepaald door VCC en RC, niet door transistor

→ lijn van saturatie naar cut-off
▪ Q-Punt of DC-instelpunt: snijpunt van de 2 grafieken, zo kunnen we IB aflezen
▪ Lineair gebied: Alle Q-punten tussen saturatie en cut-off. Uitgang lineair
versterkt tov ingang.
▪ Vin (notatie: AC!!): veroorzaakt schommeling in IB. !!Uitgang in tegenfase!!

• Spanningsdelerbias
o 1 bron (ipv 2):
▪ Weerstandsdeling
𝑅2
▪ Zodat IB << I2 : 𝑉𝐵 ≅ ( ) . 𝑉𝐶𝐶 = starre spanningsdeler.
𝑅1 +𝑅2
• VB onafhankelijk van transistor & temperatuur
o Spanningsdeler star?
▪ RIN(BASE) ≥ 10R2 → star (tot 10% fout)
▪ RIN(BASE) < 10R2 → niet star
o Op te lossen met Thévenin-equivalent
𝑉𝑇𝐻 −𝑉𝐵𝐸
▪ 𝐼𝐸 =
𝑅𝐸 + 𝑅𝑇𝐻 ⁄𝛽𝐷𝐶
▪ ls RTH/βDC << RE effect belasting verwaarloosbaar
o PNP ipv NPN
▪ Polariteit spanning omdraaien
▪ Negatieve VCC aan collector
▪ Positieve VEE aan emitter
 11

• Andere biasmethodes

Emitterbias basisbias Emitterfeedbackbias Collectorfeedbackbias

+: stabiliteit +: 1 weerstand - Negatieve feedback - Negatieve feedback
met extra
-: 2 bronnen -: instelpunt emitterweerstand - Basisweerstand
afhankelijk van βDC verbinden met
- Basisbias-instelpunt collector ipv VCC
stabiliseren

Hoofdstuk 6: BJT amplifier

• Lineaire versterking
o DC(instelling) : Q-punt vastleggen
▪ C open keten & AC-bron uit
o AC (versterking): variatie rond Q-punt
▪ C kortgesloten & DC-bron uit
▪ Kleine variaties zonder vervorming = kleinsignaalversterkers
▪ Uitgang in tegenfase

o AC-belastingslijn
▪ Snijpunten IC(Sat) & VCE(CUToff) in AC
▪ AC-belastingslijn ≠ DC-belastingslijn
• AC grotere helling: RC//RL < RC

• AC-model
o DC-vervangmodel ideale NPN
o AC-vervangmodel: interne transistorparameters
▪ r-parameters
25𝑚𝑉
- Schatting (20°C): 𝑟𝑒′ ≅ 𝐼𝐸
- βDC en βac verschillen beperkt

βDC = IC/IB (positie werkpunt)

βac = ΔIC/ΔIB (variatie werkpunt)
 12

▪ h-parameters
- E,B,C naar gemeenschappelijke AC-grond
– Gemeenschappelijke emitter (common-emitter)
– Gemeenschappelijke basis (common-base)
– Gemeenschappelijke collector (common-collector)

▪ Relatie r-parameters & h-parameters

• GES = gemeenschappelijke emitter schakeling

o DC: Condensatoren worden open kring en tellen niet meer mee = zelfde schakeling
als hiervoor.

o AC: condensatoren laten stroom door. En uitgang in tegenfase.

o Extra C2 (bypass capacitor) naast emitter weerstand

▪ AC = kortsluiting

o DC-analyse (C = open keten & AC-bron uit)

▪ Starre spanningsdeler
▪ Thévenin-equivalent

o AC-analyse (C = kortgesloten & D ≈C-bron uit)

▪ DC-bron = AC-grond

• GCS = gemeenschappelijke collector schakeling (emitter-volger!!)

o GEEN fase-inversie!!

o DC: C open keten en AC-bron uit

o AC: C kortsluiten en DC-bron uit
𝑅𝑒
▪ Spanningsversterking = 𝐴𝑉 = -> geen last Re = RE
𝑟𝑒′ +𝑅𝑒
-> Re>> r’e : AV ≈ (maar altijd < 1)
▪ Vermogenversterking Ap =AV.Ai ≈ Ai

• GBS = gemeenschappelijke basis schakeling

o GEEN fase-inversie

o DC: C open keten en AC-bron uit

o AC: C kortsluiten en DC-bron uit
𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑉 𝐼𝑐 𝑅𝑐 𝐼𝑒 𝑅𝑐
▪ Spanningsversterking = 𝐴𝑉 = 𝑉𝑖𝑛
= 𝑉𝑐 = 𝐼 ′ ≅𝐼 ′
𝑒 𝑒 (𝑟𝑒 //𝑅𝐸 ) 𝑒 (𝑟𝑒 //𝑅𝐸 )
▪ Uitgangsweerstand: Rout ≅ Rc
▪ Stroomversterking Ai ≅ 1
▪ Vermogenversterking Ap =AV.Ai ≈ Ai
 13

• samenvatting:
GES GCS GBS
AC-versterking Av Hoog Laag (≈1) Hoog
Stroomversterking Ai Hoog (𝛽ac) Hoog (𝛽ac) Laag (≈1)
Vermogensversterking (Ap = Av.Ai) Zeer hoog Hoog Hoog
Ingangsweerstand Laag Hoog Zeer laag
Uitgangsweerstand Hoog Zeer laag Hoog
fase Tegenfase In fase In fase

Hoofdstuk 8: FET( = Field Effect Transistor)

• Algemeen:
o unipolair: is afhankelijk van e- OF gaten (niet alletwee)
▪ Als e- : n-kanaal (JFET)
▪ Als gaten: p-kanaal (JFET)
o Voordelen:
▪ spanningsafhankelijk toestel
▪ temperatuurstabiel (minder vermogendissipatie)
▪ kleiner dan BJT
▪ lager stroomverbruik
▪ hoge inspanningsimpedantie
o nadelen:
▪ gevoelig voor statische elektriciteit
• JFET (=junction FET)
o Opbouw
▪ N-type kanaal: pijl naar binnen
▪ P-type kanaal: pijl naar buiten

o Werking
▪ VGS = 0 V & VDD ↑
• A-B: ohmse zone: R = cte & gn invloed uitputtingszone
• B: VDS = VP (pinch-off voltage of afknijpspanning)
• B-C: actieve zone: IDSS ≈ cte
o Stroom van drain naar source met gate shorted
o Grotere uitputtingszone door VGD ↑
• C: breakdown

o
• MOSFET (=Metal Oxid Semiconductor FET)
o Opbouw
▪ Zonder pn-junctie → met condensator
▪ 2 soorten:
• E-MOSFET (enhancement)
Normaal uit
Spanning aan G → geleidingskanaal (condensator)
 14

• D-MOSFET (depletion)
o Werking

• Werkt in 2 methodes
▪ Depletion mode: VGS < 0
n-channel uitgeput met elektronen → geleidbaarheid ↓

▪ Enhacement: VGS > 0

n-channel verrijkt met elektronen → geleidbaarheid ↑

o Biasing
▪ E-MOSFET (werkt ook voor D-MOSFET)
• Doel: VGS > VGS(th)
• Spanningsdeler
• Feedback drain:
VGS = VDS (stroom door RG = 0)

▪ D-MOSFET
• Zero bias
• Current source (nadeel: pos &neg spanningsbron nodig)