BỘ CÔNG THƯƠNG

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI

---------------------------------------

BÁO CÁO NHÓM 7

MÔN LÝ THUYẾT ANTEN VÀ TRUYỀN SÓNG

Giảng viên: Bùi Thị Thu Hiền

Nhóm sinh viên: Nguyễn Minh Chung MSV: 2021603263

Nguyễn Văn Duy MSV: 2021603387

Nguyễn Thị Hải MSV: 2021603927

Nguyễn Văn Kiên MSV: 2021603900

Nguyễn Văn Vũ MSV: 2021603780

Hà nội, 2023
 Mục lục
PHẦN 1. ANTEN VI DẢI.......................................................................................4
1.1 Cấu tạo..................................................................................................................
1.2 Đặc điểm bức xạ của anten vi dải.........................................................................
1.3 Trường bức xạ của anten vi dải.............................................................................
1.3.1 Thế vectơ và một số công thức tính trường bức xạ........................................
1.3.2 Công suất bức xạ...........................................................................................
1.3.3 Công suất tiêu tán.........................................................................................
1.3.4 Năng lượng tích lũy......................................................................................
1.3.5 Trở kháng vào...............................................................................................
1.3.7 Sự phân cực sóng..........................................................................................
1.4 Ứng dụng.............................................................................................................
1.4.1 Ứng dụng liên lạc di động và vệ tinh............................................................
1.4.2 Ứng dụng hệ thống định vị toàn cầu.............................................................
1.4.3 Nhận dạng tần số vô tuyến (RFID)...............................................................
1.4.4 Khả năng tương tác để truy cập vi sóng (WiMax)........................................
1.4.5 Ứng dụng radar.............................................................................................
PHẦN 2. TĂNG CƯỜNG BĂNG THÔNG CHO ANTEN VI DẢI..................17
2.1 TĂNG CƯỜNG BĂNG THÔNG CỦA ANTEN VI DẢI (bài báo số 3)...........
2.1.1 Cấu trúc chung..........................................................................................
2.1.2 Một số vật liệu thông thường được sử dụng cho anten vi dải..........................
2.1.3 Tần số và phương pháp tăng cường băng thông...........................................
2.2 Tăng cường băng thông cho anten vi dải Path bằng cách sử dụng khe rạch
trên mặt phẳng Path (Bài báo số 1)..........................................................................
2.2.1 Một số vật liệu chính được sử dụng cho cấu trúc anten...............................
2.2.3 Tần số và phương pháp tăng cường băng thông...........................................
PHẦN 3. TÀI LIỆU THAM KHẢO....................................................................24

2
 DANH MỤC HÌNH ẢNH

Hình 1. 2: Cấu tạo Ăngten vi dải với patch (head) hình chữ T................................5
Hình 1. 3: Các kiểu hình dạng khác của Head..........................................................6
Hình 1. 4: Các hình dạng Ăngten vi dải thường sử dụng trong thực tế....................6
Hình 1. 5: Phân bố điện tích và dòng điện trong anten vi dải hình chữ nhật............7
Hình 1. 6 Ăng-ten Microstrip được sử dụng trong truyền thông di động..........14
Hình 1. 7: Ăng-ten Microstrip được sử dụng trong hệ thống GPS.....................14
Hình 1. 8: Ăng-ten Microstrip được sử dụng trong RFID...................................15
Hình 1. 9: Microstrip Antenna được sử dụng trong Wimax................................15
Hình 1. 10: Ăng-ten microstrip được sử dụng trong radar......................................16

Hình 2. 1: Cấu hình MPA băng tần kép..................................................................17

Hình 2. 2: Mô phỏng tần số MPA của băng tần kép với các độ dài lưỡng cực khác
nhau.........................................................................................................................18
Hình 2. 3: Cấu hình MPA băng rộng với các phần tử ký sinh................................19
Hình 2. 4: Kết quả mô phỏng và đo của MPA băng tần kép sau khi thêm các phần
tử ký sinh.................................................................................................................20
Hình 2. 5 Mẫu bức xạ mặt phẳng e và mặt phẳng h................................................20
Hình 2. 6: Hình dạng của anten vá có thành ngắn mạch và khe cắm......................21
Hình 2. 7: Áp ứng suy hao phản hồi của anten được đề xuất..................................23

3
 PHẦN 1. ANTEN VI DẢI
1.1 Cấu tạo

Anten vi dải là một loại anten phẳng được sử dụng rộng rãi trong các ứng
dụng truyền thông không dây khác nhau nhờ kích thước nhỏ gọn, hình dáng phẳng
và dễ tích hợp vào các bo mạch in (PCB). Chúng còn được gọi là anten đĩa. Cấu
trúc cơ bản của một anten vi dải bao gồm các yếu tố quan trọng sau:

- Đỉnh Anten (Antenna Head): Đỉnh Anten thường được gọi là tấm
phát. Đây là phần tạo ra sóng của anten. Thường là một tấm mỏng và phẳng làm
từ kim loại dẫn điện như đồng, được đặt trên mặt trên của tấm cách điện. Nó
quyết định tần số hoạt động và mẫu bức xạ của anten.

- Bề mặt dẫn điện (Ground Plane): là mặt đất dưới tấm cách điện. Nó
được làm từ vật liệu dẫn điện và thường được đặt cách mặt trên của tấm cách
điện một khoảng cách tương đương với một phần tư bước sóng tại tần số hoạt
động của anten. Mặt đất hoạt động như một tấm phản xạ và hình thành mẫu bức
xạ của anten.

- Substrate (Tấm Cách Điện): là tấm cách điện nằm giữa đỉnh Anten và
bề mặt dẫn điện. Thông qua chất liệu cách điện này, chúng ta có thể kiểm soát
các đặc tính điện của anten, như trở kháng và băng thông. Các vật liệu phổ biến
cho tấm cách điện bao gồm FR-4, Rogers 4350 và các loại gốm.

- Nguồn (Source): là nguồn tín hiệu RF được đưa vào anten để tạo
sóng. Nguồn này có thể là tín hiệu từ mạch truyền hoặc máy thu. Đường cấp
điện (feedline) nối nguồn với tấm phát để truyền tín hiệu RF vào anten.

- Đường Cấp Điện (Feedline): là đường truyền điện kết nối anten với
nguồn tín hiệu RF. Đường cấp điện có thể ở dạng cáp nối nối (ví dụ: cáp
Coaxial) hoặc đường truyền microstrip. Phương thức và vị trí cấp điện đóng vai
trò quan trọng trong việc xác định trở kháng và mẫu bức xạ của anten.

4
 Khi tín hiệu RF được áp dụng vào anten, trường điện sẽ hình thành
quanh tấm phát. Trường điện sẽ rò ra ra khỏi cạnh của anten và tạo ra sóng
RF. Điều này chính là quá trình bức xạ của anten, trong đó trường điện được
phát ra và truyền đi.
Cấu trúc và kích thước của anten vi dải được thiết kế dựa trên tần số
hoạt động, băng thông mong muốn và mẫu bức xạ. Anten này có thể được
thiết kế cho các dải tần số khác nhau, bao gồm dải tần sóng siêu cao và sóng
siêu cao, và có thể được tối ưu hóa cho các ứng dụng cụ thể như truyền thông
qua vệ tinh, WLAN (Wi-Fi), RFID và nhiều ứng dụng khác.

Hình 1. 1: Cấu tạo Ăngten vi dải với patch (head) hình chữ T

5
 Ngoài ra ta còn một số dạng khác cho Ăngten vi dải:

Hình 1. 2: Các kiểu hình dạng khác của Head

Trong đó có chỉ 1 số loại thường được sử dụng trong thực tế:

Hình 1. 3: Các hình dạng Ăngten vi dải thường sử dụng trong thực tế

1.2 Đặc điểm bức xạ của anten vi dải

Chúng ta biết rằng bức xạ của đường truyền vi dải, một cấu trúc tương tự như
là anten vi dải, có thể giảm đáng kể nếu đế điện môi sử dụng có bề dày mỏng và hệ
số điện môi tương đối thấp. Hay nói cách khác, nó giúp cho bức xạ anten vi dải tốt
hơn với hiệu suất bức xạ cao hơn. Do vậy, trong một anten vi dải, người ta sử dụng
6
các nền điện môi có hệ số từ thẩm thấp. Bức xạ từ anten vi dải có thể được xác
định từ phân bố trường giữa patch và mặt phẳng đất hay dưới dạng phân bố dòng
điện mặt trên bề mặt của patch.
Xét một anten vi dải được cấp nguồn bởi một nguồn cao tần (microwave
source). Việc cung cấp năng lượng cho patch làm hình thành nên sự phân bố điện
tích ở mặt trên và mặt dưới của patch cũng như trên bề mặt của mặt phẳng đất.
Dưới tác dụng của các lực đẩy, hình thành do các lực tương tác giữa các điện tử
cùng dấu, trên bề mặt của patch làm cho một số điện tích ở các vùng rìa của patch
dịch chuyển từ bề mặt dưới lên bề mặt trên của patch. Sự dịch chuyển của các điện
tích làm hình thành trên bề mặt của patch vectơ mật độ dòng mặt dưới và vectơ
mật độ dòng mặt trên .

Hình 1. 4: Phân bố điện tích và dòng điện trong anten vi dải hình chữ nhật.

Do trong hầu hết các anten tỷ số là rất bé vì thế lực hút giữa các điện
tích chiếm ưu thế và hầu hết sự tập trung điện tích và dòng vẫn tồn tại bên dưới
patch bề mặt. Và như thế, chỉ có một lượng nhỏ dòng dịch chuyển từ miếng rìa của
patch lên mặt trên của patch làm hình thành một trường nhỏ có chiều tiếp tuyến
với các rìa của patch. Do vậy, để đơn giản cho việc tính toán, chúng ta xấp xỉ rằng
từ trường tiếp tuyến là zero và từ trường tiếp tuyến này có thể thành lập các bức
tường từ xung quanh các chu vi của patch. Các giả định này càng hợp lý hơn trong
trường hợp đế điện môi có bề dày mỏng với hằng số điện môi lớn. Tương tự như
trường hợp của trường điện từ, vì bề dày của đế điện môi rất mỏng so với bước
sóng truyền trong lớp điện môi, nên trường biến thiên dọc theo độ cao là không đổi
và trường điện gần như vuông góc với bề mặt của patch. Từ các điều kiện của
trường điện và trường từ, patch có thể được xem như là mô hình của một hốc cộng
hưởng (cavity) với các bức xạ trường điện bên trên và bên dưới (do trường điện thì
vuông góc với bề mặt của patch) và bốn bức tường từ dọc theo các rìa của patch

7
(do trường từ tiếp tuyến gần như bằng không). Từ các điều kiện của hốc cộng
hưởng vừa nêu thì chỉ có các mode TM là có thể truyền trong hốc cộng hưởng.
Bốn bức tường bên của hốc cộng hưởng tương ứng cho bốn khe bức xạ.
Patch của anten vi dải có thể tượng trưng bằng một vectơ mật độ dòng tương
ứng. Trong khi đó, bốn khe bức xạ ở các mặt bên được đặc trưng bằng các vectơ
mật độ dòng và lần lượt tương ứng với trường từ và trường điện trong
các khe bức xạ.

(1-8)

(1-9)

Vì ta xét đế điện môi có độ dày mỏng nên mật độ dòng trên rất bé so với
mật độ dòng dưới của patch. Do đó, sẽ được đặt bằng không để chỉ ra rằng
hầu như không có bức xạ từ bề mặt của patch. Tương tự như thế, các trường từ tiếp
tuyến dọc theo rìa của patch và mật độ dòng tương ứng được đặt bằng không.
Do vậy, chỉ còn lại một thành phần mật độ dòng khác không là vectơ mật độ dòng
dọc theo chu vi patch. Để biểu diễn sự hiện diện của mặt phẳng đất ta sử dụng
lý thuyết ảnh rằng mật độ dòng sẽ tăng gấp đôi so với khi chưa xét mặt phẳng đất.
Mật độ dòng mới sẽ là:

(1-10)
Trường điện trong khe bức xạ xác định:

đối với hai khe có chiều dài W và độ cao h

đối với khe có chiều dài L và độ cao h

Do các điều kiện xét trên, ta nhận ra là kết quả bức xạ của khe dọc theo
chiều của trục x thì hầu như bằng không vì phân bố dòng bằng và đảo dấu với nhau
trong các khe. Tuy nhiên, kết quả bức xạ dọc theo chiều của trục y tồn tại dưới
dạng một dải hai thành phần với các thành phần mật độ dòng cùng biên độ và pha
và cách nhau một khoảng L – chiều dài của patch. Do đó, bức xạ từ patch có thể
được miêu tả dưới dạng hai khe dọc (vertical slots).
Việc phân tích các khe dọc này trong môi trường điện môi không đồng nhất
là một vấn đề hết sức khó khăn nên các khe dọc này được thay thế bởi hai khe
8
phẳng (planar slots). Đối với các loại anten vi dải có cấu hình khác cũng có thể
được tượng trưng bởi các khe tương ứng cùng loại.
1.3 Trường bức xạ của anten vi dải

Trường bức xạ từ anten vi dải do dòng từ bề mặt giống như bức tường dọc
theo chu vi patch. Ở một phương pháp khác nhưng kĩ hơn, trường bức xạ được xác
định từ dòng điện bề mặt trên miếng patch dẫn điện của anten vi dải. Cả hai
phương pháp này được xem là tương đương nhau. Sự bức xạ của anten vi dải đôi
lúc được xem như là sự bức xạ của đường truyền vi dải hở mạch. Đồ thị bức xạ của
một đầu hở của đường truyền vi dải tương tự như đồ thị bức xạ của một dipole
Hertz. Phương pháp này cũng được dùng để tính toán sự ảnh hưởng của bức xạ lên
hệ số phẩm chất Q của khung cộng hưởng vi dải. Lý thuyết và kết quả thực nghiệm
đã cho ta thấy rằng ở tần số cao, suy hao do bức xạ cao hơn nhiều so với suy hao
do điện dẫn và điện môi. Ngoài ra, nó cũng cho ta thấy rằng đường truyền vi dải hở
mạch bức xạ công suất mạnh hơn khi được chế tạo với lớp điện môi dày có hằng
số điện môi thấp.
Vectơ thế được dùng để xác định trường bức xạ do dòng điện mặt.

1.3.1 Thế vectơ và một số công thức tính trường bức xạ

Trước tiên, ta giả sử rằng chỉ có dòng từ tồn tại. Trường điện và trường từ tại
bất kỳ điểm P(r,θ,Ф) bên ngoài anten được biểu diễn như sau:

(1-1)

(1-2)
Với ε là hằng số điện môi và μ là độ thẩm từ tuyệt đối của vật liệu, chữ “m”
ngụ ý rằng trường do dòng từ gây ra và ω là tần số góc. Thế vectơ được định
nghĩa như sau:

(1-3)

Trong đó, k0 là hằng số sóng trong không gian tự do và là mật độ dòng

từ bề mặt tại điểm cách gốc tọa độ một khoảng cách r’.

9
 Tương tự, bằng cách sử dụng thế vactơ từ, , trường do dòng điện gây ra có
thể được biểu diễn:

(1-4)

(1-5)

Trong đó, thế vectơ từ được cho bởi:

(1-6)

Do đó, trường tổng do cả hai nguồn dòng điện và từ gây ra:

(1-7)

(1-8)
Đối với trường vùng xa, thành phần trường quan rọng là các thành phần
vuông góc với hướng truyền sóng, tức là, thành phần theo θ và Ф. Chỉ xét riêng
dòng từ, ta có:

và (1-9)
Và trong không gian tự do:

(1-10)

Trong đó là hằng số không gian tự do. Tương tự khi chỉ xét riêng
dòng điện:

và (1-11)
Và trong không gian tự do:

(1-12)

10
 Trường xa được mô tả bởi điều kiện sau: r>>r’ hoặc r>> , trong đó L
là chiều dài nhất của khe. Do đó, từ (1-3) thay =r-r’cosψ ở tử số và ở
mẫu số, ta được:

(1-13)

Và từ (1-6):

(1-14)

Trong đó ψ là góc hợp bởi và . Sau đây, ta sẽ áp dụng các kết quả trên để xây
dựng trường xa của phân bố dòng hình chữ nhật.
1.3.2 Công suất bức xạ

Công suất bức xạ của anten có thể được tính bằng cách lấy tích phân của
vectơ Poynting trên khe bức xạ:

(1-15)
Đối với anten vi dải, trường điện bên trong miếng patch thì vuông góc với
miếng dẫn và mặt phẳng đất và trường từ thì song song với cạnh của anten. Ngoài
ra, ta có thể tính toán công suất bức xạ từ đồ thị bức xạ theo phương trình sau:

(1-16)

1.3.3 Công suất tiêu tán

Công suất tiêu tán trong anten vi dải bao gồm suy hao điện dẫn P c và suy
hao điện môi Pd:

(1-17)
Trong đó, Rs là phần thực của trở kháng bề mặt của miếng kim loại, S là diện
tích miếng patch và là mật độ dòng điện bề mặt.
11
 Ta tính được suy hao điện môi bằng cách lấy tích phân trên toàn bộ thể tích
của hốc cộng hưởng vi dải:

(1-18)
Với ω là tần số góc, ε” là phần ảo của từ thẩm phức miếng nền và h là độ dày của
miếng nền.

1.3.4 Năng lượng tích lũy

Năng lượng tích lũy trong anten vi dải là tổng năng lượng của hai thành
phần điện và từ:

(1-19)
Trong đó, μ là độ từ thẩm. Tại tần số cộng hưởng năng lượng điện và từ bằng nhau.
Khi đó năng lượng tích lũy:

(1-20)

1.3.5 Trở kháng vào

Hầu hết tất cả các anten vi dải phải được phối hợp trở kháng chuẩn của
nguồn và tải nên việc tính toán trở kháng vào của anten là rất quan trọng. Anten vi
dải có thể được cấp nguồn từ cáp đồng trục, đường truyền vi dải hoặc ống dẫn
sóng. Đối với anten vi dải được cấp nguồn bằng cáp đồng trục, công suất vào được
tính như sau:

(1-21)
Trong đó, J[A/m2] là mật độ dòng điện của nguồn đồng trục, kí hiệu “c” chỉ
ra rằng nguồn cấp là nguồn đồng trục. Nếu dòng trong cáp đồng trục theo hướng z
và giả sử là nhỏ về điện thì:

(1-22)

12
 Trong đó, (x0,y0) là tọa độ điểm cấp nguồn. Do đó, trở kháng ngỏ vào có thể
được tính dựa vào quan hệ Pin=|Iin|2Zin:

(1-23)
Khi h<<λ0 thì E và I(z’) là hằng số nên:

(1-24)

Trong đó: (1-25)

1.3.7 Sự phân cực sóng

Phân cực của anten theo hướng đã cho được xác định như phân cực sóng
bức xạ bởi anten. Chú ý khi hướng không được nói rõ thì phân cực được xem xét là
phân cực theo hướng có độ lợi cực đại. Sự phân cực của sóng được định nghĩa là
hình ảnh để lại bởi đầu mút của vectơ trường khi được quan sát dọc theo chiều
truyền sóng. Phân cực có thể được phân loại như phân cực tuyến tính, tròn, ellipse.
Nếu vectơ mô tả trường điện tại một điểm trong không gian là hàm của thời gian
luôn luôn có hướng dọc theo một đường thì trường được gọi là phân cực tuyến
tính. Tuy nhiên, nến hình dạng mà trường điện vạch ra là một ellipse thì trường
được gọi là phân cực ellipse. Phân cực tuyến tính và phân cực tròn là trường hợp
đặc biệt của phân cực ellipse vì chúng có thể đạt được khi ellipse trở nên một
đường thẳng hay đường tròn tương ứng.
* Vectơ phân cực:
Vectơ phân cực P(θ,Ф) được cho bởi:

(1-26)

Với: (1-27)

:Hàm biên độ trường.

1.4 Ứng dụng
Các ăng-ten vá microstrip nổi tiếng với hiệu suất và thiết kế mạnh mẽ. Ăng-
ten vá vi dải có ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau như trong lĩnh vực y tế, vệ
tinh và thậm chí trong các hệ thống quân sự giống như trong tên lửa, máy bay, tên
13
lửa và nhiều hơn nữa. Bây giờ họ đang bùng nổ trong các khía cạnh thương mại do
chi phí thấp của vật liệu nền và chế tạo. Ăng-ten vá vi dải có một số ứng dụng. Một
số ứng dụng này được thảo luận như sau:

1.4.1 Ứng dụng liên lạc di động và vệ tinh

Truyền thông di động đòi hỏi ăng-ten nhỏ, cấu hình thấp, chi phí thấp. Ăng-
ten vá microstrip đáp ứng tất cả các nhu cầu cần thiết và một số ăng-ten microstrip
đã được thiết kế để sử dụng trong các hệ thống thông tin di động. Trong trường hợp
liên lạc vệ tinh, các mẫu bức xạ phân cực tròn là bắt buộc và có thể được thực hiện
bằng cách sử dụng miếng vá vuông hoặc tròn với một hoặc hai điểm cấp dữ liệu.

Hình 1. 5 Ăng-ten Microstrip được sử dụng trong truyền thông di động

1.4.2 Ứng dụng hệ thống định vị toàn cầu

Ăng-ten vá microstrip có độ cho phép cao vật liệu nền thiêu kết cho hệ
thống định vị toàn cầu (GPS). Những ăng-ten này được phân cực tròn, rất nhỏ
gọn.

14
 Hình 1. 6: Ăng-ten Microstrip được sử dụng trong hệ thống GPS

1.4.3 Nhận dạng tần số vô tuyến (RFID)

RFID được sử dụng trong các lĩnh vực khác nhau như truyền thông di động,
hậu cần, sản xuất, vận tải và chăm sóc sức khỏe. Hệ thống RFID thường sử dụng tần số
từ 30 Hz đến 5,8 GHz tùy thuộc vào các ứng dụng của nó. Về cơ bản hệ thống RFID là
một thẻ hoặc bộ phát đáp và bộ thu phát hoặc đầu đọc.

Hình 1. 7: Ăng-ten Microstrip được sử dụng trong RFID

1.4.4 Khả năng tương tác để truy cập vi sóng (WiMax)

Tiêu chuẩn IEEE 802.16 được gọi là WiMax. Về mặt lý thuyết, nó có thể đạt
bán kính lên đến 30 dặm và tốc độ dữ liệu 70 Mbps. Ăng-ten vá microstrip tạo ra ba
chế độ cộng hưởng ở 2,7, 3,3 và 5,3 GHz và do đó, có thể được sử dụng trong các
thiết bị truyền thông tuân thủ WiMax.

15
 Hình 1. 8: Microstrip Antenna được sử dụng trong Wimax

1.4.5 Ứng dụng radar

Radar có thể được sử dụng để phát hiện các mục tiêu di chuyển như người
và phương tiện. Ăng-ten microstrip là một lựa chọn lý tưởng. Công nghệ chế tạo
dựa trên quang khắc cho phép sản xuất hàng loạt ăng-ten microstrip với hiệu suất
lặp lại với chi phí thấp hơn trong khung thời gian thấp hơn so với ăng-ten thông
thường.

Hình 1. 9: Ăng-ten microstrip được sử dụng trong radar

16
 PHẦN 2. TĂNG CƯỜNG BĂNG THÔNG CHO ANTEN VI DẢI

2.1 TĂNG CƯỜNG BĂNG THÔNG CỦA ANTEN VI DẢI (bài báo số 3)

2.1.1 Cấu trúc chung

Mẫu ăng-ten này sử dụng cấu trúc microstrip, nghĩa là nó được làm từ một
lớp mạch in với các trường từ được phát ra từ phần tử bức xạ trên bề mặt mạch in.
- Hai phần tử bức xạ: Một hình chữ nhật và một lưỡng cực in để tạo
băng tần kép.
- Kết nối phần tử: Hai phần tử bức xạ này được kết nối với nhau thông
qua một phần phù hợp, giúp làm việc cùng nhau trong một cấu trúc anten duy
nhất.
- Phần tử ký sinh (nếu áp dụng): Để cải thiện băng thông của ăng-ten,
một số phần tử ký sinh có thể được thêm vào cùng một lớp với các phần tử bức
xạ chính. Trong bài viết, nói rằng đã thêm hai phần tử ký sinh.
- Kích thước và thông số: Các thông số cụ thể của cấu trúc anten, chẳng
hạn như kích thước và khoảng cách giữa các phần tử, đã được xác định để đạt
được băng tần kép và hiệu suất tối ưu.

17
 Hình 2. 1: Cấu hình MPA băng tần kép

2.1.2 Một số vật liệu thông thường được sử dụng cho anten vi dải

- Lớp cơ sở (substrate material): Đây là lớp mạch in cơ bản trên đó phần tử

bức xạ và các linh kiện khác được làm. Các vật liệu thông dụng cho lớp cơ sở bao
gồm FR-4, Rogers, Duroid, và nhiều loại vật liệu điện môi khác. Các chất điện môi
này có các đặc tính dielectric (hằng số điện môi, mất mát điện môi) đáng chú ý.
- Lớp dẫn điện (conductive layer): Trong cấu trúc microstrip, các dẫn điện
như đồng (copper) thường được sử dụng cho phần tử bức xạ và đường truyền tín
hiệu.
- Lớp mạ điện (ground plane): Một lớp mạ điện thường đặt phía dưới lớp cơ
sở, tạo nền đối với phần tử bức xạ và hỗ trợ cho cấu trúc ăng-ten.
- Vật liệu ký sinh (parasitic materials): Nếu có sử dụng các phần tử ký sinh,
chúng cũng sẽ được làm từ các vật liệu tương tự.
Ban đầu, anten hình chữ nhật có băng thông rộng khoảng 9% tại -10dB. Sau
khi thêm hai phần tử ký sinh vào cấu trúc ăng-ten, băng thông đã được cải thiện lên
tới khoảng 12% tại -10Db.

2.1.3 Tần số và phương pháp tăng cường băng thông

18
Hình 2. 2: Mô phỏng tần số MPA của băng tần kép với các độ dài lưỡng cực khác nhau

Từ kết quả mô phỏng ta có thể thấy băng thông trở kháng đang ở mức 9% tại
10 db.
Để cải thiện và tối ưu băng thông hay tần số MPA băng kép ta sử dụng
phương pháp gắn thêm các phần tử ký sinh ở lớp thứ hai bằng điện từ kết hợp với
bảng vá chính được nhúng ở lớp đầu tiên.

19
 Hình 2. 3: Cấu hình MPA băng rộng với các phần tử ký sinh

- Các tham số MPA băng tần kép sau khi được tối ưu hóa băng phương pháp
thêm các phần tử ký sinh ta có:

Lp = Ld = 32mm
Wd = Wb = 4,86mm
Gb thay đổi từ 2mm lên 6mm

Ta có thể thấy đối với băng thông trở kháng tại -10db là tốt nhất với Gb =3mm là
sự kết hợp giữa phần tử lưỡng cực và phần tử ký sinh.

20
 Hình 2. 4: Kết quả mô phỏng và đo của MPA băng tần kép sau khi thêm các phần
tử ký sinh
Kết luận: Ta có thể thấy sau khi thêm phần tử ký sinh thì MPA rộng 9% đã tăng
cường băng thông lên 12% .

Hình 2. 5 Mẫu bức xạ mặt phẳng e và mặt phẳng h

21
Kết luận: Băng rộng đã đạt được bằng cách chèn một khe cắm trên mặt đất và các
miếng vá xếp chồng lên nhau được hỗ trợ bởi tường cho băng tần ứng dụng không
dây từ 2,5 GHz đến 3,19 GHz. Ăngten này có cấu trúc rất đơn giản được in trên đế
Duriod. Tổng kích thước của mặt phẳng đất là 30 X 90 mm. Đặc tính anten và
dạng bức xạ đáp ứng được hầu hết các hệ thống không dây.
2.2 Tăng cường băng thông cho anten vi dải Path bằng cách sử dụng khe
rạch trên mặt phẳng Path (Bài báo số 1)

Mẫu câu trúc anten được mô tả trong bài báo “Bandwidth

Enhancement for Microstrip Patch Antenna Using Stacked Patch and Slot “ bao
gồm các thành phần chính sau:

- Chất nền điện môi : Cấu trúc anten bao ngồn một chất nền điện môi.
Trong trường hợp này, chất nền điện môi được chọn là Roger RT/duroid 5880
với hằng số điện môi là 2.2
- Mặt phẳng đất: Dưới mặt nền điện môi, có một mặt phẳng đất, và trên
mặt phẳng đất này, có một khe cắm kích thước 10mm x 10mm được đặt.
- Miếng vá xếp chồng lên nhau: bên trên khe cắm mặt đất, có một miếng
vá xếp chồng lên nhau. Miếng vá này được hỗ trợ bởi một bức tường kim loại
có chiều cao là 4mm Miếng vá xếp chồng này giúp tăng cường băng thông của

anten.
Hình 2. 6: Hình dạng của anten vá có thành ngắn mạch và khe cắm
22
Kích thước tổng thể của anten được mô tả trong bảng dưới đây:
W0 L0 W1 L1 W2 L2
1.55 31.59 10.25 33 12 12
W3 1.3 W4 L4 Ws Ls
6 84 4 84 16 36

Mặt phẳng đất có kích thước 30mmx30mm

Cấu trúc này là một cấu trúc đơn giản được thiết kế để tối ưu hóa băng thông của
anten và đáp ứng yêu cầu của các ứng dụng không dây băng rộng.

2.2.1 Một số vật liệu chính được sử dụng cho cấu trúc anten

Chất nền điện môi (substrate): Chất nền điện môi được chọn cho cấu trúc
anten này là Roger RT/duroid 5880 với hằng số điện môi là 2.2. Chất nề điện môi
là phần quan trọng của cấu trúc anten và có tác đọng đáng kể đến hiệu suất của nó.
Bức tường kim loại (Metallic wall): Bức tường kim loại được dủa dụng
để hỗ trợ miếng vá xếp chồng lên nhau và tăng cường băng thông của anten.
Không có thông tin cụ thể về kim loại được sử dụng trong bài báo, nhưng kim loại
thông thường được sử dụng cho anten bao gồn đồng hoặc nhôm .
Các vật liệu này được lựa chọn để đáp ứng yêu cầu của câu trúc anten và
cải thiện hiệu suất của nó trong việc truyền tín hiệu và tăng cường băng thông.

23
2.2.3 Tần số và phương pháp tăng cường băng thông

Hình 2. 7: Áp ứng suy hao phản hồi của anten được đề xuất

Có thể thấy anten được đề xuất trước khi thêm khe cắm và miếng vá xếp chồng lên
nhau thì có băng thông trở kháng rất hẹp ở mức 2,5 GHz.
Sau khi đặt khe cắm và miếng vá xếp chồng lên nhau ta có thể thấy băng thông đã
lên tới 25% ở trung tâm với 2,8GHz.
Điều này ngụ ý rằng ăng-ten có khả năng hoạt động trong khoảng tần số từ khoảng
2.45 GHz đến 3.3 GHz sau khi được cải thiện. Tần số cụ thể có thể thay đổi dựa
trên cụm ứng dụng và yêu cầu thiết kế của anten.

24
 PHẦN 3. TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] https://www.scribd.com/docs?
fbclid=IwAR33PUapFMg6cusPN6nCU4ZL0BBre
[2] https://www.quora.com/What-are-microstrip-antennas-Where-and-how-are-
they-used?fbclid=IwAR0H1ZvAb8Za972FlnXE5oPSfQyTE-
1Xf7HYYPkaPYp8_2QwcyPADr14xNg
[3]
https://dlib.hust.edu.vn/ViewOnline/pdf/11500700759215119646155956954656
[4] Bài giảng truyền sóng và anten – Học viện bưu chính viễn thông.

25