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市立大安高工 108 學年度第二學期 專業競試測驗 □ 試題及答案卡 □ 試題及答案紙 一併繳回
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科目： 電子學 班級： 學生姓名： 座號：

一、 選擇題(每題 2.5，共 100 分) 10. 某一放大器之二次、三次、四次諧波失真百分率各為
1. 各級電壓增益皆大於 1 之串級放大電路，若級數越多則： D2＝24%、D3＝7%、D4＝4%，五次以上諧波失真可忽略，
(A) 增益越大且頻寬越大 (B) 增益越大且頻寬越小 則此放大器之總失真度 DT 約為多少？
(C) 增益越小且頻寬越大 (D) 增益越小且頻寬越小 (A)5% (B)15% (C)20% (D)25%
2. 有一個放大器的電流增益是 20，電壓增益是 50，則總功率 11. 若將兩個具有相同高頻響應的單級共源極場效電晶體放
增益為多少？ 大器，串接成兩級放大器，則其高頻 3dB 頻率將約原來
(A) 30dB (B) 40dB (C) 50dB (D) 60dB
單級的 (A) 2 倍 (B) 1 2 倍 (C) 1 2 倍 (D) 2  1 倍。
3. 如圖(1)所示放大器，若 Vi  2mV 且放大電壓增益為 40dB ，
試求該放大器的功率增益 dBm 值為多少？( log 2  0.3 ； 12. 如圖(4)所示疊接放大電路，試問 Q1 與 Q2 電晶體所組成
log3  0.477 ) 之放大器分別為何種組態？
(A) -40dBm (B) -30dBm (C) -20dBm (D) -10dBm (A) Q1：CE 型，Q2：CB 型 (B) Q1：CC 型，Q2：CC 型
(C) Q1：CE 型，Q2：CC 型 (D) Q1：CC 型，Q2：CB 型
Vi 放大器 Vo
+18V
4 k
Io
圖(1) 4kΩ
C2
9kΩ
4. 如圖(2)所示為一變壓器耦合串級放大電路，已知第一級 Vo
CB
AV1=10，第二級 AV2=125，第三級 AV3=80，試求總電壓增益 Q2 6kΩ

AVT 之分貝值( dB )為多少？ 7kΩ

(A) 60dB (B) 80dB (C) 100dB (D) 120dB C1

Vi Q1
5:20 2:5
2kΩ
1kΩ CE
Vi 第一級 第二級 第三級 Vo

圖(2) 圖(4)
13. 承上題，已知電晶體12=100，VBE1=VBE2=0.7V，若熱
5. 如圖(3)所示達靈頓電晶體，已知 Q1 電晶體的 1  120 ，
當電壓 VT=26mV，試求電路的電壓增益 AVT 之值為何？
Q2 電晶體的  2  49 ，Io / Ii 之值為何？
(A) -240 (B) -200 (C) -120 (D) -100
(A) 6000 (B) 5000 (C) 4000 (D) 3000
14. 已知 N 通道 JFET 的 VP  2.8V ，試問下列場效電晶體
Io Q2
的操作區，何者是錯誤的？
Q1 (A) (B)
VD  8V VD  10V

Ii
圖(3) 飽和區 截止區
VG  1.5V VG  1V
6. 下列何者非達靈頓電路？
VS  3V VS  2V
(A) (B) (C) (D)
(C) (D)
VD  3V VD  4V

歐姆區 歐姆區
VG  3V VG  2V
7. 下列有關直接耦合串級放大電路之敘述，何者正確？ VS  1V VS  2.5V
(A) 各級間阻抗匹配容易 (B) 低頻響應佳
15. 如圖(5)所示增強型 N 通道 MOSFET 的結構圖，試問其
(C) 各級間直流工作點不會相互干擾 (D) 電路穩定度高
符號為下列何者？
8. 下列元件，何者會影響高頻響應？
(A) (B) (C) (D)
(A) 集極之交連電容 (B) 基極之交連電容 D D D D
(C) 電晶體的極際電容 (D) 射極之旁路電容。
9. 某一電路之輸入為 5sin(30t)＋7sin(45t)，而輸出為 10cos(30t) G G G G
＋14sin(45t)，則此電路產生何種失真？
S S S S
(A)相位失真 (B)非線性失真 (C)頻率失真 (D)波幅失真。

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_ +VDD
VGS +
S G D 金屬
氧化物
RD
甲 丙
C2
乙 Vo
半導體 C1
圖(5) Vi VDS
16. 承上題，圖(5)中甲區與乙區分別為何種型式半導體？
若要形成通道，VGS 之條件為何？ RG
RS CS
(A)甲區：N+型，乙區：P 型，VGS > VT > 0
(B)甲區：N+型，乙區：P 型，VGS < VT < 0
-VSS
(C)甲區：P+型，乙區：N 型，VGS > VT > 0 圖(7)
+
(D)甲區：N 型，乙區：N 型，VGS > VT > 0 23. 如圖(8)所示電路，求 ID 電流約為多少？
17. 如圖(6)中的三條特性曲線 L1，L2，L3，依序分別是哪幾 (A) 0.68mA (B) 1mA (C) 1.36mA (D) 2mA
種 FET 的轉移曲線？ +15V

(A) L1：N 通道 DMOSFET，L2：P 通道 EMOSFET，

RD ID
L3：N 通道 JFET R1 4kΩ
1MΩ
(B) L1：N 通道 EMOSFET，L2：P 通道 DMOSFET，
L3：N 通道 JFET VD
VG
(C) L1：P 通道 EMOSFET，L2：N 通道 DMOSFET， VP  2V
R2 I DSS =4mA
L3：P 通道 JFET 0.5MΩ RS
6kΩ
(D) L1：P 通道 JFET，L2：N 通道 EMOSFET，
L3：P 通道 DMOSFET 圖(8)
ID 24. 承上題之條件，圖(8)所示電路中之 VD 電壓為多少？
L1 L2
(A) 11V (B) 10V (C) 5.5V (D) 5V
25. 如圖(9)所示電路，求此 MOSFET 的直流偏壓 VDS 之值為
L3
下列何者多少？
VGS
圖(6) 0 (A) 1V (B) 2V (C) 3V (D) 4 V
18. 下列電子元件中，何者是靠單一種載子來傳導電流？ +11V
(A)BJT (B)LED (C)Zener Diode (D)FET
19. 以下所示的四個輸出特性曲線，何者為 P 通道 2kΩ
EMOSFET 的輸出特性曲線？ C2
Vo
(A) (B) 2MΩ
ID
I DS I DS C1 VT  1V
Vi
K =1mA V 2
VDS 0
VDS
VGS 3  2V 0 VGS 3  2V

VGS 2  3V VGS 2  3V

圖(9)
VGS1  4V VGS1  4V
26. 承上題之條件，圖(9)所示電路的功率消耗 P1 與 FET 的功
(C) (D)
I DS I DS 率消耗 P2 之值分別為多少？
(A) P1=12mW；P2=12mW (B) P1=12mW；P2=32mW
VGS 1   4V VGS 1  4V
VGS 2   3V VGS 2  3V
(C) P1=32mW；P2=44mW (D) P1=44mW；P2=12mW
VGS 3   2V VGS 3  2V 27. 如圖(10)所示電路，求 VA 電壓為多少？
0 VDS 0
VDS
(A) 6V (B) 4V (C) 2V (D) 1V
20. 欲使增強型 N 通道 MOSFET 工作於飽和區，其偏壓條件 28. 承上題之圖(10)中，電晶體 Q 與 Q 工作於何區？
1 2
為何？ (A) 飽和區 (B) 歐姆區 (C) 截止區 (D) 崩潰區
(A) VGS  VT ， VDS  VGS  VT (B) VGS  VT ， VDS  VGS  VT
+12V
(C) VGS  VT ， VDS  VGS  VT (D) VGS  VT ， VDS  VGS  VT
21. 如圖(7)所示電路，若 VDD  17V ， VSS  17V ，且電路工 V  2V T2
2

作點定於 VGS  1V ， VDS  8V ， I D  4mA ，則 RS 之值 Q2

K =0.3mA V 2

為何？
(A) 1 kΩ (B)2.5 kΩ (C) 3 kΩ (D) 4.5 kΩ VA

22. 承上題之條件，圖(7)所示電路之汲極電阻 RD 值為何？

Q1 VT 1  2V
(A) 1k (B) 2k (C) 3k (D) 4k K1 = 0.3mA V2

圖(10)
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29. 已知某 FET 的 rd =100k ，且該 FET 在 VDS 固定下，VGS 35. 如圖(13)所示電路，若 g m  3mS，求輸出阻抗 Zo 為多少？
變化 1.5V，可得 ID 變化 3mA，試問該 FET 的電壓放大 (A) 0.4k (B) 0.3k (C) 0.2k (D) 0.1k
倍數  之值為何？(  =g m rd )
+VDD
(A)250 (B)200 (C)120 (D)100
30. 如圖(11)所示電路，求 FET 轉移電導 gm 值為何？ ii C1
(A)2mS (B)2.5mS (C)5mS (D)6mS C2
+14V Vo
RG
1MΩ RS RL io
2kΩ Zi 3kΩ 6kΩ
Zo
圖(13)
VP  3.2V

2MΩ
I DSS =16mA 36. 承上題之條件，圖(13)所示電路之電壓增益 Av 為多少？
_
1.6V
+ (A) 6 (B) 9 (C) 12 (D) 18
7 10 13 19
圖(11) 37. 如圖(14)所示電路，若 g m  2mS，求輸入阻抗 Zi 為多少？
31. P 通道 JFET 之交流等效模型為下列何者？ (A) 500 (B) 250 (C) 150 (D) 100
(A) (B) ii C1 io C2
Vi Vo
G D G D

gmvgs rd rd gmvgs RS RD
vgs 500Ω 2kΩ

Zi +VDD Zo

S S 圖(14)
(C) (D) 38. 承上題之條件，圖(14)所示電路之電流增益 Ai 為多少？
G D G D (A)-1 (B)1 (C)-0.5 (D)0.5
gmvgs rd rd gmvgs 39. 如圖(15)所示之共源極放大電路，其中 JFET 之順向互導
vgs
為 gm，若沒加與有加源極旁路電容 Cs 時之電壓增益分別
為 Av1 與 Av2，則 Av2/ Av1=？
S S (A) g m RD (B) 1 g m RS (C) 1  g m RD (D) 1  g m RS
32. 關於金氧半場效電晶體放大電路常見之三種基本架構，包 +VDD
含共源極(CS)、共汲極(CD)、共閘極(CG)，下列敘述何
者正確？ RD
(A) CS 放大電路中，輸入電壓信號經由閘極送入，輸出電 C2
Vo
壓信號經由汲極取出，且輸出與輸入電壓信號同相位 C1
(B) CD 放大電路中，具有低輸入阻抗，且電壓增益大於 1 Vi SW
(C) CD 放大電路中，具有高輸入阻抗與低輸出阻抗，適
用於阻抗匹配應用，且輸出與輸入電壓信號反相 RG RS CS
(D) CG 放大電路中，輸入與輸出電壓信號之相位接近，
且具有較低之輸入阻抗 圖(15)
33. 如圖(12)所示電路，若 g m  2mS 求電壓增益 Av 為多少？ 40. 如圖(16)所示電路，若 I D  0.6mA ， VT  1V ，則電壓增
(A) -8 (B) -4 (C) -2.67 (D) -1.33 益 Vo Vi 為多少？

+VDD
(A)-10 (B)-8 (C)-6 (D)-4
+5V
RD io
4kΩ
C2 RD
Vo 5kΩ
ii C1 C2
Vi Vo
RG
10MΩ
Zo C1 RL
RG RS 10kΩ
3MΩ 1kΩ Vi
Zi
圖(12)

34. 承上題之條件，圖(12)所示電路之電流增益 Ai 為多少？ 圖(16)

(A)2000 (B)-2000 (C)1000 (D)-1000

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選擇題答案(每題 2.5，共 100 分)

1 2 3 4 5

B A C D A
6 7 8 9 10

D B C A D
11 12 13 14 15

D A C C B
16 17 18 19 20

A C D B B
21 22 23 24 25

D B B A C
26 27 28 29 30

D A A B C
31 32 33 34 35

C D C A B
36 37 38 39 40

A B C D D

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