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15 2 반도체소자공학 ch0
15 2 반도체소자공학 ch0
조 채 용 교수
나노응용공학과 3년
2015년 2학기 강의
물리관 509호
화, 목요일 (09:00-10:15)
Department of Nano Fusion Technology
Pusan National University * e-mail: crcho@pusan.ac.kr
Outline
Ch.0 반도체와 집적회로
Ch.1 고체의 결정구조
Ch.2 양자역학의 입문
Ch.3 고체양자이론의 입문
Ch.4 평형상태의 반도체
Ch.5 캐리어 전송 현상
Ch.6 반도체내의 비평형 과잉캐리어
Ch.7 pn 접합
Ch.8 pn 접합 다이오우드
Ch.9 금속-반도체 이종접합 및 반도체 이종접합
Ch.11 MOSFET의 기초
Ch.14 광소자
Department of Nano Fusion Technology
Pusan National University
Ch. 0
-3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조, 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용.
-지난 달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시. 테라급 SSD 대중화를 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산 투자
를 계획대로 추진할 예정.
-전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자에게 더욱 편리한
대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”.
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite
/SSD/global/html/whitepaper/whitepaper03.html