TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VÂN TẢI

---------------o0o---------------

Bài tập lớn môn học

KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG
Đề tài: Tìm hiểu Bộ tách sóng quang Pin

Giảng viên hướng dẫn: Ths.Phạm Hồng Quân

Nhóm thực hiện: Nhóm 5
Lớp: Điện tử viễn thông 4
Khóa: 62

HÀ NỘI - 2024
 TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VÂN TẢI
---------------o0o---------------

Bài tập lớn môn học

KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG
Đề tài: Tìm hiểu Bộ tách sóng quang Pin

Giảng viên hướng dẫn: Ths.Phạm Hồng Quân

Thành viên: Đào Duy Long 211400787
Phạm Tuệ Lĩnh 211440759
Vũ Duy Linh 211402528
Trương Mạnh Tuấn
211416312
Linh
Nguyễn Viết Lương 211401395
Đào Quang Minh 211410523
Mai Đức Minh 211403379
Lớp: Điện tử viễn thông 4
Khóa: 62

HÀ NỘI - 2024
 Lời mở đầu
Hệ thống thông tin quang đã được áp dụng ở tất cả các quốc gia trên thế giới, cả mạng
đường trục quốc gia và đường xuyên lục địa; và là một hệ thống rất quan trọng trong
vấn đề truyền dẫn hiện nay. Mạng quang ra đời đánh dấu bước nhảy vọt trong lĩnh vực
truyền thông tốc độ cao.
Bên cạnh đó, với thời đại công nghệ thông tin ngày nay, việc nắm bắt và tối ưu hóa
các thành phần cơ bản của các hệ thống thông tin quang là vô cùng cần thiết. Trong số
những thành phần này, bộ tách sóng quang đóng vai trò rất quan trọng, đặc biệt là
trong việc biến đổi các tín hiệu quang thành tín hiệu điện và trong các ứng dụng quan
trọng như truyền dẫn dữ liệu quang học và cảm biến quang học.
Tại đầu cuối của đường truyền dẫn quang phải có dụng cụ thu và chuyển đổi các thông
tin được chứa trong tín hiệu quang. Phần tử đầu tiên của máy thu là bộ tách quang (hay
còn gọi là bộ biến đổi điện quang). Bộ tách quang cảm nhận năng lượng quang chiếu
vào nó biến đổi các năng lượng quang thành dòng điện tương ứng. Do tín hiệu quang
nói chung là yếu và bị méo khi xuất hiện ở đầu cuối sợi quang, nên bộ tách quang phải
có yêu cầu là tái tạo lại dạng tín hiệu. Trong số những yêu cầu đầu tiên là đáp ứng cao
hoặc độ nhạy cao trong phạm vi bước sóng bức xạ của nguồn quang đang sử dụng, sự
tăng nhiễu là nhỏ nhất cho hệ thống, và tốc độ đáp ứng phải nhanh hoặc là độ rộng
băng tần hiệu dụng phải tương ứng với tốc độ truyền của số liệu được yêu cầu. Bộ tách
quang cũng sẽ phải không nhạy với nhiệt độ, phải tương hợp với kích cỡ của sợi
quang, có giá thành hợp lý so với các thành phần khác của hệ thống và phải có tuổi thọ
cao. Tuy nhiên rất nhiều bộ tách không có một hoặc nhiều các yêu cầu trên.
Bộ tách sóng quang Pin hay bộ tách sóng quang Photodiode Pin là các linh kiện hoạt
động theo nguyên lý biến đổi trực tiếp lượng tử ánh sang thành tín hiệu điện được gọi
là bộ tách quang lượng tử.
Với đề tài “Tìm hiểu về Bộ tách sóng quang Pin” nhóm chúng em sẽ tập trung vào tìm
hiểu khái quát về hệ thống thông tin quang, và tìm hiểu chuyên sâu về bộ tách sóng
quang Pin theo các nội dung chính sau đây:
 Tổng quan hệ thống thông tin quang
 Bộ tách sóng quang Pin

1
  Ứng dụng của Bộ tách sóng quang Pin

Bài luận được hoàn thành bởi các thành viên nhóm 5 lớp Điện tử viễn thông 4 – K62
trong thời gian tham gia môn học Kỹ thuật thông tin quang do thầy Ths.Phạm Hồng
Quân giảng dạy. Nội dung của bài luận được dựa trên các thông tin đã học theo
chương trình học trên lớp và các tài liệu tham khảo từ nhiều nguồn.
Mọi thông tin cần góp ý xin liên hệ:
Trưởng nhóm Đào Duy Long theo hòm thư: long211400787@lms.utc.edu.vn

Mục lục
LỜI MỞ ĐẦU................................................................................................................1

MỤC LỤC......................................................................................................................2

DANH MỤC HÌNH VẼ................................................................................................4

TỪ VIẾT TẮT...............................................................................................................4

CHƯƠNG I: TỔNG QUAN HỆ THỐNG THÔNG TIN QUANG...........................5

1.1 HỆ THỐNG THÔNG TIN...............................................................................5

1.1.1 Khái quát chung.............................................................................................5
1.1.2 Các phần tử cơ bản của tuyến truyền dẫn quang............................................5
1.2 KHÁI QUÁT VỀ BỘ THU QUANG..................................................................6
1.3 BỘ TÁCH SÓNG QUANG...............................................................................7
1.3.1 Khái quát.....................................................................................................7
1.3.2 Tách sóng quang..........................................................................................9
1.3.2.1 Quá trình tách sóng quang..................................................................9
1.3.2.2 Các bộ nhân photon..........................................................................10

CHƯƠNG II: BỘ TÁCH SÓNG QUANG PIN........................................................11

2
 2.1 NHỮNG ĐẶC ĐIỂM CHUNG CỦA PHOTODIODE BÁN DẪN.........................11
2.2 BỘ TÁCH SÓNG QUANG PIN (POSITIVE INTRINSIS NEGATIVE).............11
2.2.1 Tổng quan..................................................................................................11
2.2.2 Cấu tạo của bộ tách sóng quang PIN.........................................................13
2.2.3 Nguyên lý hoạt động.................................................................................14
2.2.4 Hiệu suất lượng tử hoá và thời gian đáp ứng............................................18
2.2.5 Nhiễu của bộ tách quang...........................................................................20
2.2.5.1 Các nguồn nhiễu...............................................................................22
2.2.5.2 Tỷ số tín hiệu trên nhiễu (S/N).........................................................24
2.2.6 Đáp ứng thời gian của các bộ tách quang..................................................25
2.2.6.1 Dòng quang điện ở miền trôi............................................................25
2.2.6.2 Thời gian đáp ứng............................................................................26
2.2.7 Vật liệu chế tạo Photodiode......................................................................29

CHƯƠNG III: ỨNG DỤNG CỦA PHOTODIODE................................................32

3.1 ỨNG DỤNG TRONG THỰC TẾ....................................................................32

3.2 ƯU ĐIỂM VÀ NHƯỢC ĐIỂM........................................................................34
3.2.1 Ưu điểm........................................................................................................34
3.2.2 Nhược điểm...............................................................................................34

CHƯƠNG IV: KẾT LUẬN........................................................................................35

TÀI LIỆU THAM KHẢO..........................................................................................36

3
 Danh mục hình vẽ
Hình 1-1: Các phần tử cơ bản của hệ thống thông tin.....................................................5
Hình 1-2: Các phần tử cơ bản của hệ thống thông tin quang..........................................6
Hình 1-3: Sơ đồ bộ nhân photon...................................................................................10
Hình 2-1: Photodiode PIN.............................................................................................12
Hình 2-2: Cấu tạo cơ bản của photodiode PIN.............................................................13
Hình 2-3: Sơ đồ cấu trúc và vùng năng lượng của PIN................................................15
Hình 2-4: Hệ số hấp thụ quang thay đổi theo bước sóng..............................................16
Hình 2-5: Hệ số đáp ứng và hiệu suất lượng tử hoá của PIN........................................18
Hình 2-6: Các đường cong R- tiêu biểu.......................................................................20
Hình 2-7: Cấu trúc bộ thu quang đơn giản và sơ đồ tương đương của nó....................22
Hình 2-8: Đáp ứng của photodiode có miền trôi dùng hết hoàn toàn...........................27
Hình 2-9: Đáp ứng của photodiode có miền trôi không hoàn toàn nghèo....................28
Hình 2-10: Các đặc tính của photodiode PIN tiêu biểu.................................................30
Hình 3-1: Pin Diode làm công tắc RF...........................................................................33

Từ viết tắt
ST Từ viết tắt Ý nghĩa
T
1 O/E Optoelectronic (O/E) converter
2 DD Direct Detection
3 SNR Signal to Noise Ration
4 PIN Positiv Intrinsis Negative
5 APD Avalanche Photo Diode
6 FP Fabry Perot
7 Si Silic
8 Ge Germani
9 InGaAsP Indium gallium arsenide phosphide
10 GaAs Gali(III) arsenide

4
Chương I: Tổng quan hệ thống thông tin quang
1.1 Hệ thống thông tin.
1.1.1 Khái quát chung.
- Từ xa xưa, một trong những điều quan tâm chủ yếu trong cuộc sống của loài
người là tìm ra các hệ thống thông tin để gửi đi các bản tin từ nới này đến nơi
khác. Bất kỳ một hệ thống thông tin nào cũng gồm các phần tử cơ bản như hình
1-1 dưới đây:

Hình 1-1: Các phần tử cơ bản của hệ thống thông tin

- Các phần tử này cũng bao gồm cả nơi đầu tiên của nguồn tin là nơi đưa một bản
tin tới máy phát. Máy phát tập hợp các bản tin trong kênh truyền dẫn ở cùng
một dạng tín hiệu và sắp xếp theo đặc tính của kênh. Kênh truyền dẫn là cầu nối
khoảng cách trung gian giữa máy phát và máy thu, nó có thể là các đường
truyền dẫn như cáp kim loại, ống dẫn sóng, hoặc truyền dẫn trong không khí.
Khi tín hiệu lan truyền trong kênh truyền dẫn nó có thể bị ảnh hưởng tới hai mặt
đó là bị suy giảm và bị biến dạng tín hiệu theo sự tăng của khoảng cách truyền
lan. Chức năng của máy thu là thu nhận tín hiệu đã bị suy yếu và méo dạng từ
kênh truyền dẫn, khuếch đại chúng và hồi phục chúng trở lại nguyên dạng
giống như trước khi chúng được chuyển đến nới nhận tin.

1.1.2 Các phần tử cơ bản của tuyến truyền dẫn quang.

- Để nhìn nhận một cách đầy đủ về hệ thống thông tin sợi quang ta xem xét các
phần tử cơ bản nhất có trên một tuyến truyền dẫn cáp quang. Một tuyến truyền
dẫn cáp quang bao gồm các phần tử cơ bản như hình vẽ 1-2.
+ Máy phát quang (Transmiter): bao gồm nguồn quang (Light source) và
mạch điều khiển (Drive circuit).
+ Cáp quang
5
 + Máy thu quang bao gồm: bộ thu quang (Photo-detector), Bộ khuếch đại
(Amplifer), bộ khôi phục tín hiệu (Signal restorer)
+ Trạm lặp (Repeater): bao gồm bộ thu quang (optical receiver), bộ điện tử để
khôi phục tái sinh hoặc khuếch đại tín hiệu điện, bộ phát quang (optical
transmitter)
+ Các phần tử phụ: Các bộ nối (connector), nối mối (Splice), các bộ tách ghép
luồng quang (Optical coupler or beam splitter)

Hình 1-2: Các phần tử cơ bản của hệ thống thông tin quang

1.2 Khái quát về bộ thu quang.

- Thiết bị thu quang, hay còn gọi là bộ thu quang, là một trong những bộ phận
quan trọng nhất trong hệ thống thông tin quang vì nó ở vị trí sau cùng của tổ
chức hệ thống truyền dẫn nơi mà thiết bị này thu nhận mọi đặc tính tác động
trên toàn tuyến đưa tới, và cũng vì thế cho nên hoạt động của nó có liên quan
trực tiếp tới chất lượng toàn bộ hệ thống truyền dẫn. Chức năng chính của nó là
6
 biến đổi tín hiệu quang thu được thành tín hiệu điện. Thiết bị thu quang cần có
độ nhạy thu cao, đáp ứng nhanh, nhiễu thấp, giá thành hạ và đảm bảo độ tin cậy
cao.
- Tại bộ thu quang, sóng tín hiệu quang từ phía phát đi tới, được biến đổi thành
tín hiệu điện, rồi được khuyếch đại và phục hồi trở lại thành tín hiệu cùng dạng
như ở đầu vào thiết bị phát quang. Tín hiệu quang được biến đổi thành tín hiệu
điện tại bộ biến đổi quang điện (O/E). Bộ biến đổi quang điện thường là một bộ
tách sóng phô-tô-điôt. Đây là một bộ tách sóng theo luật bình phương vì nó biến
đổi công suất quang thu được trực tiếp thành dòng điện (dòng photo tại đầu ra
của nó). Vì thế mà bộ thu kiểu này được gọi là bộ thu tách sóng trực tiếp DD
(Direct Detection). Tín hiệu quang từ phía phát đi vào sợi quang sẽ dễ bị suy
hao dần, và độ méo tăng lên theo độ dài cự ly truyền dẫn do tác động của tán
xạ, hấp thụ và tán sắc trong sợi dẫn quang. Vì vậy, bộ thu quang phải làm việc
trong điều kiện gặp nhiều các yếu tố tác động. việc thiết kế thiết bị thu quang sẽ
khó khăn hơn rất nhiều so với thiết bị phát quang. Bộ thu phải đảm bảo thu
được tín hiệu rất yếu, bị méo và phải tách được các thành phần nhiễu khá lớn so
với tín hiệu. trong các bộ thu quang số thực tế, tín hiệu điện yếu thu được tại
đầu ra bộ tách song sẽ được khuếch đại, cân bằng tại các bộ khuếch đại điện và
bộ cân bằng tương ứng. Cuối cùng , tín hiệu sẽ được phục hồi tại mạch quyết
định.
- Để có được một tuyến truyền dẫn dài với tốc độ bit lớn, bộ thu quang cần phải
thoả mãn những yêu cầu chính sau đây:
+ Có tỷ số tín hiệu nhiễu SNR (Signal to Noise Ration) lớn và độ nhạy thu
cao.
+ Hoạt động trong điều khiển tín hiệu có băng tần lớn.

1.3 Bộ tách sóng quang.

1.3.1 Khái quát
- Tại đầu cuối của đường truyền dẫn quang phải có dụng cụ thu và chuyển đổi
các thông tin được chứa trong tín hiệu quang. Phần tử đầu tiên của máy thu là
bộ tách quang (hay còn gọi là bộ biến đổi điện quang). Bộ tách quang cảm nhận
7
 năng lượng quang chiếu vào nó biến đổi các năng lượng quang thành dòng điện
tương ứng. Do tín hiệu quang nói chung là yếu và bị méo khi xuất hiên ở đầu
cuối sợi quang, nên bộ tách quang phải có yêu cầu là tái tạo lại dạng tín hiệu.
Trong số những yêu cầu đầu tiên là đáp ứng cao hoặc độ nhạy cao trong phạm
vi bước sóng bức xạ của nguồn quang đang sử dụng, sự tăng nhiễu là nhỏ nhất
cho hệ thống, và tốc độ đáp ứng phải nhanh hoặc là độ rộng băng tần hiệu dụng
phải tương ứng với tốc độ truyền của số liệu được yêu cầu.
Bộ tách quang cũng sẽ phải không nhạy với nhiệt độ, phải tương hợp với kích
cỡ của sợi quang, có giá thành hợp lý so với các thành phần khác của hệ thống
và phải có tuổi thọ cao. Tuy nhiên rất nhiều các bộ tách không có một hoặc
nhiều các yêu cầu trên.
- Có nhiều loại bộ tách quang trong đó chủ yếu được chia thành hai nhóm:
+ Nhóm 1: bao gồm các bộ tách quang Phyroelectric liên quan đến sự chuyển đổi
của photon thành nhiệt quang nóng. Sự hấp thụ photon dẫn đến sự thay đổi
nhiệt của vật liệu tách quang. Điều này làm biến đổi hằng số điện mà nó thường
được đo như là khả năng thay đổi. Đáp ứng của bộ tách này là khá bằng phẳng
trên dải phổ rộng nhưng tốc độ của nó bị hạn chế bới tốc độ làm mát của bộ
tách sau khi nó đã bị kích thích. Nhóm này hầu như không được sử dụng trong
các hệ thống thông tin quang.
+ Nhóm 2: Là các linh kiện hoạt động theo nguyên lý biến đổi trực tiếp lượng tử
ánh sáng thành tín hiệu điện được gọi là bộ tách quang lượng tử (hay gọi đơn
giản là bộ tách quang). Các bộ tách quang lượng tử lại được chia thành hai loại:
 Loại thứ nhất: Là các linh kiện sử dụng hiệu ứng quang ngoại nghĩa là quá trình
phát xạ điện tử vào không gian khi có tác động của các lượng tử. Các linh kiện
này là các tế bào quang điện chân không hoặc các bộ nhận điện tử
(Photomultiplier), Bộ nhân quang (Photomultiplier) bao gồm một cực quang âm
và một bó nhân điện tử trong ống chân không có khả năng khuếch đại lớn và
nhiễu thấp. Thế nhưng kích thước lớn và yêu cầu điện áp cao của chúng làm
chúng không thích hợp với các hệ thống sợi quang.
 Loại thứ hai: Là các linh kiện sử dụng hiệu ứng quang nội nghĩa là quá trình tạo
ra các phần tử mang điện trong chất rắn . Các linh kiện này bao gồm: Thyristor,

8
 Photoresitance, Phototransitor và Photodiode. Trong số các bộ tách quang bán
dẫn, photodiode được sử dụng với khả năng hầu như độc chiếm đối với các hệ
thống sợi quang bởi vì kích thước nhỏ, vật liệu thích hợp, thời gian đáp ứng
nhanh và phù hợp với công nghệ vi điện tử. Hai kiểu photodiode thường dùng
trong các hệ thống thông tin quang là bộ tách quang kiểu PIN (Positiv Intrinsis
Negativ) và diode quang thác APD (Avalanche Photo Diode).
- Trong đề tài này, chúng ta sẽ chỉ tập trung tìm hiểu về bộ tách sóng quang PIN.

1.3.2 Tách sóng quang

1.3.2.1 Quá trình tách sóng quang
- Quá trình thu sóng điện từ bao gồm quá trình hấp thụ các photon của trường tới.
Tuy nhiên, do năng lượng photon tại các tần số sóng vô tuyến thấp nên khó
nhận thấy các tác động của quá trình lượng tử hoá sóng điện từ tại các tần số
này. Tách sóng quang về căn bản khác nhiều so với tách sóng rf vì có sự khác
nhau rất nhiều giữa năng lượng photon trong hai vùng phổ tần này. Với sóng
“rf”, quá trình thu sóng được thực hiện qua một chiếc anten làm bằng vật liệu
dẫn điện tốt. Sau bước đầu tiên này, dòng điện cảm ứng trong anten được
khuếch đại và xử lý điện từ để thu tín hiệu phù hợp cho giải điều chế và giai
đoạn tách sóng cuối cùng. Do vậy, sự tương tác cơ bản trong quá trình thu sóng
“rf” liên quan đến đáp ứng của các điện tử vùng với trường điện từ tới. Hiện
nay, các vật dẫn tốt có rất nhiều điện tử trong vùng dẫn phân bố đều trên các
mức năng lượng. Do vậy, không có giới hạn dưới năng lượng photon đối với
quá trình hấp thụ tại tần số vô tuyến. Điều này rõ ràng khác so với hiệu ứng
điện quang cũng như tách sóng quang nói chung.
- Khác so với thu sóng vô tuyến, tách sóng tần số quang diễn ra giữa chùm sóng
quang tới và các điện tử vùng hoá trị giới hạn trong các nguyên tử trong bộ tách
sóng. Chùm ánh sáng bị hấp thụ bới các nguyên tử trong vùng hiếm của
photodiode là điều cần quan tâm đầu tiên trong hệ thống truyền thông cáp
quang. Quá trình tách sóng được bắt đầu bằng quá trình hấp thụ photon và hiện
tượng nhảy mức đồng thời của các điện tử trong vùng hoá trí lên vùng dẫn.. Để
hiện tượng này xảy ra, năng lượng của chùm photo tới phải đủ lớn để cho điện

9
 tử vượt qua vùng trống. Không giống như thu sóng vô tuyến, điều kiện này đặt
ra yêu cầu về giới hạn dưới của tần số sóng quang mà photodiode có thể thu
được. Hiện tượng này biểu thị qua sự tồn tại của tần số cắt dưới có thể quan sát
được trong hiệu ứng quang điện. Đáp ứng của hệ thống anten vô tuyến là phụ
thuộc vào tần số, nhưng không có tần số cắt dưới một cách rõ ràng. Hai loại
thiết bị thu sóng được sử dụng trong hệ thống thông tin sợi quang là bộ nhân
photon và photodiode.

1.3.2.2 Các bộ nhân photon

- Năm 1905, Einstein chứng minh rằng hiệu ứng quang điện là một bằng chứng
rõ ràng về sự lượng tử hoá ánh sáng thành các đơn vị năng lượng rời rạc gọi là
các photon. Ông đã giải thích thí nghiệm quan sát tần số cắt trong hiệu ứng
quang điện bằng cách chỉ ra rằng năng lượng photon cần thiết để xảy ra hiệu
ứng quang điện phải như sau:
hf ≥ Eg + công thoát ra khỏi bề mặt
- Công thoát khỏi bề mặt trong biểu thức này được quy định bằng dòng năng cần
thiết để thoát khỏi hàng rào thế luôn tồn tại ở đường biên các bề mặt. Không
phải tất cả quá trình hấp thụ photon thoả mãn điều kiện tần số cắt đều dẫn đến
bức xạ điện tử; tuy vậy, trung bình trên một số lượng lớn các hiện tượng như
vậy đều tạo ra dòng đáp ứng tỉ lệ với cường độ ánh sáng tới. Nếu tần số sóng
nhỏ hơn tần số cắt thì không có dòng đáp ứng cho dù cường độ ánh sáng tới lớn
đến đâu. Kích thích nhiệt và những tia vũ trụ trừ có cường độ cao sẽ tạo ra dòng
“tối” rất nhỏ ngay cá khi không có ánh sáng chiếu vào bộ thu quang. Có thể
giảm dòng sinh ra do nhiệt bằng cách làm lạnh các bộ thu photodiode, bảo vệ
bộ khuếch đại photon bằng cách bọc kim bao phủ xung quanh PMT để giảm
ảnh hưởng của các phần tử năng lượng cao. Sơ đồ khuếch đại photon đơn giản
được minh hoạ ở hình sau:

10
 Hình 1-3: Sơ đồ bộ nhân photon

Chương II: Bộ tách sóng quang PIN

2.1 Những đặc điểm chung của photodiode bán dẫn.
- Tương tác chủ yếu trong quá trình tách sóng bằng photodiode bán dẫn là sự hấp
thụ photon và đồng thời là sự kích thích điện tử từ vùng hoá trị lên vùng dẫn.
Kết quả mỗi lần hấp thụ này là phát sinh ra một cặp điện tử lỗ trống. Tối thiểu,
photon tới phải có năng lượng để đưa điện tử từ đỉnh của vùng hóa trị sang đáy
của vùng dẫn qua vùng cấm. Năng lượng này được biểu diễn bằng giá trị E g.
Tuy nhiên, không như hiệu ứng quang điện, các điện tử vùng dẫn duy trì trong
chất bán dẫn và không cần tính đến công để thoát khỏi bề mặt. Có thể biểu diễn
ngắn gọn hiệu ứng này là bước sóng của photon phải thoả mãn điều kiện λ 0 < λc
ở đây:
1 ,24
λ c ( μm )=
E g (eV )
Hệ thức trên là điều kiện cần để tách một photon trong photodiode, chứ
không phải là điều kiện đủ. Trường quang tới có thể được tách bằng
photodiode chỉ khi các quá trình hấp thụ photon này sinh ra dòng điện đáng kể
ở mạch ngoài. Nếu hiệu ứng của cặp điện tử - lỗ trống sinh ra do quá trình hấp
thụ photon bị khử do quá trình tái hợp trước khi phát sinh ra dòng điện ngoài,
quá trình được coi như chưa hề xảy ra. Không giống như diode laser,
photodiode được thiết kế để đáp ứng với một dải bước sóng rộng, độ rộng
vùng trống là tham số chính trong thiết kế photodiode.

11
2.2 Bộ tách sóng quang PIN (Positive Intrinsis Negative)
2.2.1 Tổng quan.
- Bộ tách sóng quang PIN, hay photodiode PIN, là sự thay đổi cấu trúc của
photodiode tiếp giáp bằng cách thêm vào lớp không pha tạp giữa hai loại n và
loại p như trên hình 2-1, và được biết đến là bộ tách sóng quang được sử dụng
phổ biến và rộng rãi nhất hiện nay.
- Vùng nghèo trong photodiode PIN bao gồm toàn bộ vùng giữa. Giống như
trong lớp tiếp giáp p-n, ở đây tồn tại hàng rào thế ngăn cản dòng hạt tải đa số đi
vào vùng trống mở rộng được tạo bởi hai mặt giữa vùng i. Điện trường phát
sinh do các hạt mang điện tại hai bề mặt này. Các lỗ trống và các điện tử tự do
trong vùng nghèo bị đẩy theo chiều đối diện vào các vùng mà tại đó chúng
thành các hạt tải đa số. Giống như trường hợp photodiode một lớp tiếp giáp p-n,
những hạt tải dư thừa sinh ra dòng điện mạch ngoài.

Hình 2-4: Photodiode PIN

- Một ưu điểm quan trọng của photodiode Pin là cải thiện được các đặc tính đáp
ứng tần số sinh ra do giảm điện dung của vùng nghèo (C DR). Tác dụng tăng độ
dài đối với điện dung vùng nghèo được giải thích bằng công thức tụ điện bản
mặt song song C=ε A/d. Trái lại, đáp ứng tần số cũng phụ thuộc vào thời gian
điện tích đi qua vùng nghèo, vùng nghèo mở rộng của cấu trúc Pin làm tăng
thời gian chuyển tiếp. Vùng trống rộng hơn dẫn đến điện trường yếu hơn so với
điện trường trong các photodiode một lớp tiếp giáp p-n với cùng thiên áp. Tuy
nhiên, cấu trúc Pin tạo ra đáp ứng nhanh nhất.
12
- Photodiode PIN có một số ưu điểm so với photodiode một lớp tiếp giáp p-n.
Thứ nhất, hầu như tất cả các photon vào vùng nghèo đều được hấp thụ tại đây
và hầu như không có photon nào đi qua vùng kế tiếp (vùng n trong hình 2-1).
Có lẽ ưu điểm quan trọng nhất của cấu trúc Pin là số lượng các photon bị hấp
thụ ở vùng p,n giảm rất nhiều, do đó giảm hầu hết hiệu ứng kéo dài xung như
miêu tả trước đây. Ngoài ra, tính chất này làm tăng đáp ứng tần số của
photodiode.
- Dòng điện chạy trong các vùng p, n phần lớn là do sự khuếch tán, trong khi
dòng có hướng điều khiển bởi điện trường là loại dòng chủ yếu trong vùng
nghèo mở rộng. Kết quả là đáp ứng thời của diode PIN tốt hơn so với một loại
photodiode bán dẫn khác là photodiode p-n. Để có được đáp ứng tần số ở
50GHz, vùng i và tiết diện phải được chế tạo càng nhỏ càng tốt. Bởi vì tiết diện
hẹp khó ghép ánh sáng vào photodiode; một số bộ thu PIN được goi là nhành
nhất có hiệu suất lượng tử khá nhỏ. Mặc dù có một số ý kiến trái chiều khi so
sánh giữa photodiode p-n và Pin, song ta đều nhận thấy rằng photodiode PIN tốt
hơn photodiode p-n vì nó làm giảm hiệu ứng kéo dài xung và đáp ứng tần số tốt
hơn.
- Một loại photodiode PIN khác rất hữu ích là sử dụng cấu trúc lớp tiếp giáp
không đồng nhất dành riêng cho vùng i của photodiode. Khác với diode laser
lớp tiếp giáp không đồng nhất , những thiết bị này được thiết kế để làm việc với
một dải bước sóng rộng. Để photodiode tiếp giáp không đồng nhất làm việc ở
một bước sóng là điều không cần thiết. Trong trường hợp đặc biệt năng lượng
trống trong vùng i được thiết kế sao cho 0 tương thích với việc thu tín hiều
truyền 0 ở mức 1,3 hoặc 1,55 µm. Mặt khác, các vùng n và p được cấu trúc
không chỉ là vật liệu bán dẫn tinh khiết , mà bao gồm cả GaAs hay InP, không
có các lớp tiếp giáp không đồng nhất. Điều này tạo ra độ phân cách các mức
năng lượng trong các vùng trống này khá lớn để hấp thụ ánh sáng tại bước sóng
của tín hiệu quang thu được. Nhờ vậy, không có hấp thụ photon hoặc phát sinh
ra các hạt điện trong vùng p và n. Ngăn ngừa hiệu ứng khuếch tán và do đó triệt
tiêu hiệu ứng kéo dài xung. Thiết kế phúc tạp này tạo ra photodiode tốc độ cao
với tần số cắt 3 dB rất lớn.

13
2.2.2 Cấu tạo của bộ tách sóng quang PIN.
- Nguyên tắc biến đổi quang- điện của photodiode PIN dựa vào nguyên lý biến
đổi quang điện của lớp tiếp giáp p-n được phân cực ngược. Cấu trúc cơ bản của
photodiode PIN được chỉ ra ở hình 2-2.

Hình 2-5: Cấu tạo cơ bản của photodiode PIN

- Cấu tạo của photodiode PIN bao gồm:

+ Một tiếp giáp gồm 2 bán dẫn tốt là P + và N+ làm nền, ở giữa có một lớp
mỏng bán dẫn yếu loại N hay một lớp tự dẫn I (Intrisic).
+ Trên bề mặt của lớp bán dẫn P+ là một điện cực vòng (ở giữa để cho ánh
sáng thâm nhập vào miền I).
+ Đồng thời trên lớp bán dẫn P+ có phủ một lớp mỏng chất chống phản xạ
để tránh tổn hao ánh sáng vào.
+ Điện áp phân cực ngược để cho diode không có dòng điện (chỉ có thể có
một dòng ngược rất nhỏ, gọi là dòng điện tối)
2.2.3 Nguyên lý hoạt động
- Diode tách quang PIN dựa trên cấu trúc của của PD p-n bằng cách xen vào giữa
lớp p và lớp n một lớp bán dẫn thuần i. Vùng nghèo trong diode tách quang Pin
bao gồm toàn bộ lớp i. Trong vùng nghèo hình thành một hàng rào thế ngăn cản
các hạt tải điện đa số đi vào vùng nghèo. Điện trường này được tạo ra nhờ các
khối điện tích cố định nằm về hai phía của tiếp giáp giữa lớp i với các lớp p và
n. Các lỗ trống và các điện tử trong lớp i được hình thành khi vùng nghèo hấp
thụ photon. Ưu điểm quan trọng của Pin diode là cải thiện được đáp ứng tần số

14
 do điện dung của diode CD rất bé . Đạt được điều này nhờ xen thêm lớp i. Để
giải thích vấn đề này, sử dụng biểu thức xác định điện dung của một tụ điện
ε 0∗ε r∗A
phẳng song song: C=
d
- Trong đó ε0 là hằng số điện môi của không gian tự do, ε r là hằng số điện môi
tương đối của môi trường giữa hai má tụ điện, A là diện tích của má tụ điện, d
là khoảng cách hai má tụ điện.
- Mặt khác đáp ứng tần số cũng phụ thuộc vào thời gian chuyển dịch của các hạt
tải điện qua vùng nghèo. Vùng nghèo mở rộng của Pin diode làm chậm thời
gian chuyển dịch. Vùng nghèo càng rộng thì thời gian chuyển dịch càng dài.
Điện trường trong vùng nghèo của Pin diode yếu hơn điện trường trong cấu trúc
diode p-n. Tuy nhiên cấu trúc Pin diode có đáp ứng nhanh nhất so với các diode
khác.

Hình 2-6: Sơ đồ cấu trúc và vùng năng lượng của PIN

- Cấu trúc của loại này bao gồm miền bán dẫn p và n cách lý bởi miền tự dẫn rất
yếu (i). Trong sự hoạt động bình thường điện áp phân cực ngược khá lớn được
cấp cho dụng cụ để miền tự dẫn dùng hết hoàn toàn các hạt mang điện . Tức là
mật độ tập trung các hạt ở miền n và p là coi như không đáng kể khi so với độ
tập trung tạp chất ở miền này.

15
- Do cấu trúc cơ bản bên trong của nó, lớp i nằm ở giữa có trở kháng cao và hầu
hết điện áp đặt vào phần ngang của nó. Kết quả là có một điện trường lớn tồn
tại trong lớp i. Khi có một photon đi tới mà mang một năng lượng lớn hơn
(hoặc bằng) với năng lượng vùng cấm của vật liệu bán dẫn dùng để chế tạo
phô-tô-điôt,photon này có thể bỏ ra năng lượng của nó và kích thích một điện tử
từ vùng hóa trị sang vùng dẫn. Quá trình này sẽ phát ra các cặp điện tử-lỗ trống
tự do, các cặp này chủ yếu được phát ra trong vùng trôi và được gọi là các hạt
mang photo hoặc các điện tử photon.
- Khi có một photon bất ngờ (ngẫu nhiên có năng lượng lớn hơn hoặc bằng năng
lượng dải cấm của vật liệu bán dẫn, photon có thể đưa ra năng lượng của nó và
kích tích một điện tử từ dải hoá trí lên dải dẫn. Quá trình này tạo ra các cặp điện
tử - lỗ trống tự do được gọi là các hạt điện quang (photocarriers), do chúng là
các hạt mang điện được sinh ra nhờ photon như được thể hiện ở hình vẽ 2-3. Bộ
tách quang được thiết kế bình thường để cho các hạt mang điện này được phát
ea chủ yếu ở miền dùng hết (miền tự dòng dùng hết), ở đó hầu hết ánh sáng
ngẫu nhiên được hấp thụ. Sự hiện diện của điện trường cao tại miền dùng hết
dẫn đến các hạt mang điện cách ly và bị tập hợp ngang qua miền phân cự
ngược. Điều này đưa ra sự tăng dòng chảy trong mạch điện ngoài , với một
dòng điện tử chảy đối với mọi cặp hạt điện được sinh ra, dòng điện này được
gọi là dòng quang điện.

Hình 2-7: Hệ số hấp thụ quang thay đổi theo bước sóng

16
- Khi dòng các hạt mang điện chảy qua vật liệu, một số cặp điện tử - lỗ trống sẽ
tái hợp và vì thế sẽ không xuất hiện. Trung bình các hạt mang điện sẽ di chuyển
một khoảng cách Ln hoặc Lp đối với điện tử hoặc lỗ trống. Độ dài này gọi là độ
dài khuếch tán. Thời gian mang lại sự tái hợp điện tử và lỗ trống gọi là thời gian
tồn tại của hạt mang điện và được miêu tả bởi T n vàTp. Thời gian này và độ dài
khuếch tán quan hệ bởi:
Ln = (Dn Tn)1/2.
Lp = (Dp Tr)1/2.
- Trong đó Dn và Dp là hệ số khuếch tán của điện tử và lỗ trống, nó được biểu
diễn bởi đơn vị là cm2/s.
- Bức xạ quang lại hấp thụ trong vật liệu bán dẫn tuân theo luật hàm mũ.
P(x) = P0.[1-e^(- αs(x)x )] (2-1)

Trong đó:
+ αs(x) là hệ số hấp thụ tại bước sóng
+ P0 là mức năng lượng quang ngẫu nhiên
+ P(x) là năng lượng bị hấp thụ trên khoảng cách x
- Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ quang vào bước sóng được cho ở hình 2-4 với
một vài vật liệu chế tạo diode. Như các đường cong đã chỉ ra rõ ràng rằng, α s
phụ thuộc vào bước sóng. Vì thế vật liệu bán dẫn riêng biệt có thể chỉ được
dùng trên một phạm vi bước sóng giới hạn. Bước sóng giới hạn trên c được
xác định bởi năng lượng dải cấm Eg của vật liệu:
c = =
Nếu Eg được biểu diễn theo đơn vị eV thì c được tính theo đơn vị là µm.
- Bước sóng giới hạn khoảng 1,06 µm với Si và 1,6 đối với Ge. Với các bước
sóng dài hơn năng lượng photon không kích thích có hiệu quả đối với một điện
tử từ dải hoá lên dải dẫn.
Ví dụ: Photodiode cấu tạo từ GaAs có năng lượng E g = 1,43 eV tại nhiệt độ
3000K, ta có thể tính được bước sóng cắt:
17
 c = = = 869nm
Như vậy photodiode này sẽ không hoạt động với các photon có bước sóng lớn
hơn 869nm.
- Tại giá trị bước sóng thấp hơn, đáp ứng quang bị cắt như là kết quả của một quá
trị αs tại các bước sóng ngắn hơn. Trong trường hợp này các photon được hấp
thụ rất kín tới bề mặt photodiode ở đó thời gian tái hợp của các cặp điện tử lỗ
trống được sinh ra là rất ngắn, do vậy các hạt tái hợp trước khi chúng tập hợp
lại để tạo ra dòng quang điện.
- Nếu miền nghèo có độ rộng w thì từ phương trình (2-1) có năng lượng tổng
được hấp thụ trên khoảng cách w là:
P(w) = P0.[1 – e^(wαs)]

Nếu xét tới độ phản xạ Rf tại bề mặt tiếp nhận quang của photodiode thì dòng
quang điện Ip lấy từ sự hấp thụ năng lượng ở (2-3) được cho:
Ip = .P0.[1 - e^(-wαs)](1 – Rf)
Trong đó:
+ P0 là năng lượng quang ngẫu nhiên trên photodiode
+ q là điện tích của điện tử
+ hf là năng lượng của photon
2.2.4 Hiệu suất lượng tử hoá và thời gian đáp ứng
Hai đặc tính quan trọng của bộ tách quang là hiệu suất lượng tử hoá và tốc độ
đáp ứng của n. Các tham số này phụ thuộc vào dải cấm của vật liệu, bước sóng công
tác, hoạt chất và bề dày của các lớp bán dẫn Pin.
a. Hiệu suất lượng tử hoá η
Là tỷ số số cặp điện tử - lỗ trống được sinh ra với số photon năng lượng hv:
Số cặp điệntử −Lỗ trống được sinh ra
η=
Số photon ngẫu nhiên
η= =
Trong đó:
+ Ip là dòng quang điện trung bình được sinh ra bởi năng lượng quang

18
 + P0 ngẫu nhiên xảy ra trên photodiode

Hình 2-8: Hệ số đáp ứng và hiệu suất lượng tử hoá của PIN

- Trong thực tế ở photodiode thì 100 photon sinh khoảng 30 đến 95 cặp điện tử -
lỗ trống, do vậy hiệu suất lượng tử nằm trong khoảng từ 30% cho đến 95%. Để
đạt được hiệu suât lượng tử cao thì miền nghèo phải có độ dày đủ lớn, tuy
nhiên độ dày miền nghèo lớn làm cho thời gian trôi qua miền phân cực của các
hạt mang điện sẽ lớn. Thời gian trôi của các hạt mang điện xác định tốc độ đáp
ứng của photodiode, phải làm hài hoà giữa tốc độ đáp ứng và hiệu suất lượng
tử hoá.
b. Hệ số đáp ứng
- Độ nhạy của photodiode được định nghĩa một cách đơn giản là tỉ số của dòng
đáp ứng Ip trên công suất quang tới P 0. Tỉ số này được gọi là hệ số đáp ứng và
có ký hiệu là R. Do vậy:
R = = eq ¿(ηq , hf )=
- Tham số này chỉ ra rằng dòng quang điện được sinh ra trên mỗi đơn vị quang.
Hệ số đáp ứng của photodiode PIN là một hàm của bước sóng được cho ở hình
2-5
- Đáp ứng có thể được biểu diễn bằng các đơn vị tương đương A/W, µA/µW
hay nA/nW. Ngoài ra, do sự phụ thuộc của photodiode và bước sóng của ánh
sáng tới. Thứ nhất, đáp ứng của vật liệu bán dẫn chính làm photodiode là một
19
 hàm theo bước sóng; tối thiểu, vùng trống của vật liệu bán dẫn quyết định
bước sóng cắt. Hiệu ứng năng lượng photon phụ thuộc vào bước sóng đáp ứng
trong một vài trường hợp đặc biệt. Năng lượng photon phụ thuộc vào buớc
sóng ánh hưởng tới độ nhạy của photodiode. Có thể giải thích hiệu ứng này khi
cho rằng năng lượng photon tỉ lệ nghịch với bước sóng. Do đó, ánh sáng công
suất 1mW tại 1,3µm chứa ít photon/giây hơn ánh sáng 1mW tại 1,55µm. Mỗi
photon tới phát sinh một điện tử ngoài, ta sẽ thấy được dòng điện lớn hơn trong
trường hợp 1,55µm (với hiệu suất lượng tử là giống nhau). Đối với một vài vật
liệu bán dẫn thông dụng, đáp ứng thường được vẽ dưới dạng đồ thị. Những
đường cong này có giá trị hữu hạn, tuy nhiên vì đáp ứng cũng phụ thuộc vào
kích thước thiết bị, lớp vỏ bọc và các yếu tố khác. Nói gọn lại, đáp ứng thuộc
vào cấu trúc của photodiode cũng như là tính chất của vật liệu bán dẫn làm
photodiode.
- Tại mức vào thấp, chúng ta thấy rằng I p tỉ lệ tuyến tính với P 0. Do đó cả R và η
là hàm theo λ và không phụ thuộc vào công suất quang. Một ứng dụng của
photodiode là để đo cường độ chùm laser. Với laser cường độ mạnh, có thể
gây ra hiệu ứng bão hoà dẫn tới quan hệ với cường độ không còn tuyến tính
nữa. Trong những trường hợp như vậy, đáp ứng vẫn sẽ phụ thuộc vào công
suất. Đồ thị R/bước song điển hình được vẽ trên hình 2.6.

Hình 2-9: Các đường cong R- tiêu biểu

20
 - Trong trường hợp lý tưởng, đáp ứng tăng tuyến tính theo bước sóng do hiện
tượng giảm năng lượng trên mỗi photon. R giảm rất nhanh về 0 tại λ - λ ₀. Đáp
ứng quan sát trong thực tế khác so với trường hợp lý tưởng vì hệ số hấp thụ
cũng là hàm theo bước sóng. Bước sóng cắt trên được quyết định bởi vùng
nghèo, có thể quan sát bước sóng cắt dưới khi hệ số hấp thụ trở nên quá lớn
lúc đó rất ít ánh sáng tới được vùng nghèo.

2.2.5 Nhiễu của bộ tách quang

- Trong hệ thống thông tin sợi quang, photodiode nói chung được yêu cầu để
bảo vệ các tín hiệu quang rất yếu. Sự bảo vệ các tín hiệu quang yếu nhất có
thể có yêu cầu rằng bộ tách và mạch khuếch đại sau nó được tối ưu hoá để
cho tỉ số S/N đưa ra là chấp nhận được. Tỉ số công suất tín hiệu trên nhiễu tại
đầu ra máy thu quang xác định bởi:
Công suất tín hiệutừ dòng quang điện
S/ N = (¿)
Công suất nhiễu của bộ tách+ Công suất nhiễu của bộ khuếch đại

- Các nguồn nhiễu trong máy thu phát sinh từ nhiễu của bộ tách quang có từ
bản chất thống kê của quá trình chuyển đổi photon thành điện tử và nhiễu
nhiệt liên quan tới bộ khuếch đại.
Để thực hiện tỉ số S/N lớn, cần phải có các điều kiện sau:
+ Bộ tách quang phải có hiệu suất lượng tử cao để phát sinh năng lượng
lớn
+ Các nhiễu của bộ khuếch đại và bộ tách quang sẽ được giữ ở mức thấp
nếu có thể
+ Đối với hầu hết các sự khuếch đại, các dòng nhiễu mà nó xác định mức
năng lượng quang nhỏ nhất có thể được bảo toàn, do hiệu suất lượng tử
của photodiode thường vừa khớp với giá trị lớn nhất có thể xảy ra của
các dòng nhiễu.
+ Độ nhạy của bộ tách quang trong hệ thống truyền dẫn quang được xem
xét ở dạng “Năng lượng quang nhỏ nhất có thể bảo vệ”. Đây là công suất

21
 quang cần thiết để tạo dòng quang điện có dộ lớn bằng độ lớn hiệu dụng
tổng cộng của dòng nhiễu hoặc nói cách khác S/N=1. Việc nghiên cứu
để hiểu nguồn gốc, đặc tính và mối quan hệ lẫn nhau của rất nhiều các
nhiễu trong bộ tách quang là cần thiết để thiết kế và đánh giá có hiệu quả
máy thu quang.

2.2.5.1 Các nguồn nhiễu

Hình 2-10: Cấu trúc bộ thu quang đơn giản và sơ đồ tương đương của nó

- Để nhìn nhận các mối quan hệ của các loại nhiễu khác nhau có ảnh hưởng đến
tỉ số S/N, ta hãy xét một dạng đơn giản của máy thu và mạch tương đương của
nó như hình 2-7. Photodiode có điện trở nối tiếp R s nhỏ, điện dung tổng Cd bao
gồm các điện dụng tiếp giáp và điện dung nhóm và điện trở phân cực R L (trở
tải). Bộ khuếch đại phía sau bộ tách có điện dung vào C a và điện trở vào Ra. Đối
với dự tính thực tế, Rs là rất nhỏ so với RL và có thể được bỏ qua.
- Nếu tín hiệu được điều chế có công suất quang P(t) rơi vào bộ tách, dòng quang
điện chủ yếu iph(t) sinh ra là:
iph (t) = P(t)
- Dòng này bao gồm giá trị không đổi Ip, đó là giá trị trung bình của dòng quang
điện tuyến tính với công suất tín hiệu, và thành phần tín hiệu ip(t). Đối với PIN,
giá trị dòng bình phương trung bình là:
<i2s> = <i2p(t)>
- Các nhiễu cơ bản có liên quan tới bộ tách quang không có độ khuếch đại trong
là nhiễu lượng tử, nhiễu dòng tối phát sinh trong khối vật liệu của photodiode,
22
 và nhiễu dòng dò bề mặt. Nhiễu lượng tử (hay nhiễu bắn phá) phát sinh từ bản
chất thống kê của sự hình thành và tập hợp các quang điện tử khi tín hiệu qaung
là ngẫu nhiên rơi vào bộ tách. Nó đã được chứng minh rằng các sự thông kê này
tuân theo quá trình poisson. Do đó sự thăng giáng của số lượng các hạt quang
điện được phát sinh từ hiệu ứng quang điện là đặc tính cơ bản của quá trình tách
quang, chúng đặt ra giới hạn độ nhạy máy thu khi tất cả điều kiện khác được tối
ưu. Dòng nhiễu lượng tử có giá trị bình phương trung bình trong độ rộng băng
B tỉ lệ với giá trị trung bình của dòng quang điện Ip:
<i2q> = 2q.Ip.B.M2.F(M)
Trong đó:
M là giá trị khuếch đại thống kê trung bình và F(M) là hình dạng nhiễu có liên
quan tới bản chất ngẫu nhiên của quá trình thác, vì vậy, đối với diode PIN thì M và
F(M) có giá trị là 1. Do đó, ta rút ra được công thức giá trị bình phương trung bình của
dòng nhiễu lượng tử với diode PIN:
<i2q> = 2q.Ip.B
- Dòng tối của photodiode là dòng mà nó nối tiếp chảy qua mạch phân cực của
diode khi không có ánh sáng ngẫu nhiên chiếu vào diode. Đây là sự kết hợp của
các dòng khối và dòng bề mạt. Dòng tới khối I DB phát sinh từ các điện tử hoặc
(và) lỗ trống được sinh ra do nhiệt trong miền tiếp giáp p – n của photodiode.
Giá trị bình phương của dòng này đối với diode PIN là:
<i2DB> = 2q.ID.B
Trong đó ID là dòng tối khối chưa khuếch đại
- Dòng tối bề mặt còn được khảo sát như là dòng rò bề mặt hoặc đơn giản là
dòng rò. Nó phụ thuộc các ảnh hưởng như bề mặt bị dị tật, độ sạch bề mặt, điện
áp phân cực và diện tích bề mặt. Một cách làm giảm dòng tối bề mặt là thông
qua sử dụng cấu trúc vòng gác mà nó đổi chiều dòng rò đi xa khỏi trở tải R L.
Giá trị bình phương trung bình của dòng tối bề mặt cho bởi:
<i2DS> = 2q.IL.B
Trong đó IL là dòng dò bề mặt
- Sự so sánh các dòng tới tiêu biểu cho các photodiode Si, Ge, GaAs và InGaAs
là hàm của điện áp cung cấp được chuẩn hoá theo sụt áp UB

23
 Do các dòng tối và dòng tín hiệu là không tương quan do vậy tổng dòng nhiễu
bình phương trung bình của photodiode PIN có thể được viết:
<i2N> = <i2q> + <i2DB> +<i2DS>
= 2q.(IP + ID).B + 2q.IL.B (2-13)
- Để đơn giản cahcs phân tích của máy thu, ta sẽ giả thiết ở đây rằng trở kháng
đầu vào của máy mạch khuếch đại lớn hơn nhiều so với điện trở tải để nhiễu
nhiệt nhỏ hơn so với RL. Trở tải của photodiode tham gia vào bình phương
trung bình của dòng nhiễu nhiệt:
<i2T> = B
Trong đó kB là hằng số Boltzman và T là nhiệt độ tuyệt đối. Nhiễu này có thể
giảm bằng cách dùng trở tải lớn nhưng phải tương hợp với sự yêu cầu độ rộng băng
của máy thu.

2.2.5.2 Tỷ số tín hiệu trên nhiễu (S/N)

- Thay thế các phương trình (2-8), (2-13), (2-14) vào (*) với tỷ số tín hiệu trên
nhiễu tại đầu vào bộ khuếch đại ta có:
=
- Tổng quát khi diode PIN được dùng, các dòng điện nhiễu chiếm ưu thế là ở trên
trở tải (dòng nhiễu nhiệt iT) và các phần tử tích cực của mạch khuếch đại (iAMP).
- Tỷ số tín hiệu trên nhiễu là tham số rất quan trọng trong bộ tách sóng quang. Nó
xác định chất lượng bộ thu quang tương tự và là yếu tố chủ yếu quyết định độ
nhạy thu của bộ thu quang số. Sau khi lan truyền dọc theo sợi quang, mức công
suất tín hiệu quang thường là rất yếu tại bộ thu quang. Tín hiệu quang bị suy
hao trong khi lan truyền dọc theo sợi quang. Sợi quang càng dài thì tín hiệu
quang càng bị suy hao nhiều. Vì vậy trong các hệ thống thông tin quang, các bộ
tách sóng quang được yêu cầu là phải tách được tín hiệu quang rất yếu. Để có
được một bộ thu quang tốt, bộ tách sóng quang và các mạch điện khuếch đại sau
nó phải được kết hợp tối ưu để cho ra được tín hiệu trên nhiễu cao. Điều này có
nghĩa là:

+ Bộ tách sóng quang cần có hiệu suất lượng tử cao để phát ra công suất
tín hiệu lớn.
24
 + Nhiễu của bộ tách sóng quang và bộ khuếch đại điện phải càng thấp càng
tốt.

2.2.6 Đáp ứng thời gian của các bộ tách quang

2.2.6.1 Dòng quang điện ở miền trôi
- Khi thảo luận về bộ tách sóng quang, photodiode phải thu tín hiệu quang rất yếu
để biến đổi nó thành tín hiệu điện. Tín hiệu quang đi vào thiết bị thông qua lớp
p và tạo ra các cặp điện tử - lỗ trống vì nó được hấp thụ trong vật liệu bán dẫn.
Các cặp điện tử - lỗ trống ấy mà đã được phát trong vùng trôi hoặc trong độ dài
khuếch tán cửa nó, sẽ được phân cách bởi môi trường điện áp ngược, từ đó dẫn
đến dòng điện chảy trong mạch ngoài vì có sự trôi hạt mang ngang qua vùng
trôi.
- Để hiểu được đáp ứng tần số của các photodiode, trước hết ta khảo sát sơ đồ.
Điện tử - lỗ trống được sinh ra ở miền trôi hoặc trong miền khuếch tán và bị
cách ly bởi điện trường tạo nên do điện áp phân cực ngược do vậy dẫn tới dòng
chảy ở mạch ngoài.
- Dưới các điều kiện tĩnh, tổng mật độ dòng J, chảy qua miền trôi được phân cực
ngược là:
Jt = Jdr + Jdiff
Với Jdr là mật độ dòng trôi có từ các hạt được sinh ra ở miền trôi
Jdif là mật độ dòng khuếch tán (diffusion) phát sinh từ các hạt được sinh ra ngoài
miền trôi ở các lớp khối bán dẫn (tức là ở các miền p và n) khuếch tán vào tiếp giáp
phân cực ngược. Mật độ dòng trôi có thể được tính:

Ip −α
J dr = =q Φ 0 (1−e ) sw

A
Trong đó A là diện tích bề mặt photodiode và Φ 0 là độ chiếu sáng trên mỗi đơn
vị diện tích, nó được tính như sau:
P 0 (1−R f )
Φ 0=
Ahf

25
 - Bề mặt lớp p của PIN thường rất mỏng vì thế dòng khuếch tán cơ bản được xác
định bởi sự khuếch tán lỗ trong từ miền khối n. Sự khuếch tán lỗ trong trong vật
liệu này có thể xác định bởi phương trình:
2
∂ Pn Pn−P0
Dp 2
− +G ( x )=0
∂x τp
Trong đó: Dp là hệ số khuếch tán
Pn : mật độ lỗ trống trong vật liệu p
τ p : thời gian sống của lỗ trống
P0: Mật độ lỗ trống cân bằng
G(x): tổc độ phát sinh điện tử - lỗ trống
−x α s
G(x )=Φ 0 α s e

- Từ phương trình (2-19) mật độ dòng khuếch tán được tìm:

α s L p −α w Dp
J ldiff =q Φ0 e +q Pn 0 s

1+ α s L p Lp
Thay (2-17) và (2-21) vào (2-16) ta được mật độ dòng tổng qua lớp trôi được
phân cực ngược như sau:

( )
−α s x
e Dp
J T =q Φ 0 1 +q Pn 0
1+α s L p Lp

Số hạng có chứa Pn0, thường là nhỏ do vậy tổng dòng quang điện được sinh ra
là tỷ lệ với độ chiếu sáng Φ 0

2.2.6.2 Thời gian đáp ứng

- Thời gian đáp ứng của photodiode cùng với mạch ra của nó phụ thuộc chủ yếu
vào 3 tham số sau:
1. Thời gian chuyển động của các hạt quang điện qua miền trởi
2. Thời gian khúc tản của các hạt mang điện được sinh ra ở ngoài miền trởi
3. Hằng số thời gian RC của photodiode và của mạch
- Các tham số tương ứng liên quan tới 3 tham số trên là hệ số hấp thụ α s, độ rộng
miền trôi w, các điện dung nhóm và điện dung tiếp giáp của diode, điện dung
của mạch khuếch đại, điện trở tải, điện trở vào của bộ khuếch đại và điện trở nối

26
 tiếp của photodiode. Điện trở nối tiếp của photodiode nói chung chỉ vài ohm do
vậy có thể bỏ qua khi so với điện trở tải và điện trở vào bộ khuếch đại.
- Trước hết xem xét thời gian trôi của các hạt quang điện ở miền trôi. Tốc độ đáp
ứng của photodiode bị hạn chế cơ bản bởi thời gian các hạt quang điện trôi qua
miền trôi. Thời gian trôi td này phụ thuộc vào tốc độ trôi của hạt v d và độ dày
miền trôi w:
td =w/vd
- Như vậy cần điện trường của miền trôi là đủ lớn để cho các hạt mang điện đạt
được tốc độ phân tán giớ hạn nào đó. Đối với silic tốc độ trôi lớn nhất của điện
tử và lỗ trống là 8,4.106 cm/s và 4,4.106 cm/s khi cường độ điện trường ở mức
2.104 V/cm. Một photodiode silic tốc độ cao có bề dày chân miền trôi 10µm sẽ
cho đáp ứng là cỡ 0,1 ns.

Hình 2-11: Đáp ứng của photodiode có miền trôi dùng hết hoàn toàn

27
 Hình 2-12: Đáp ứng của photodiode có miền trôi không hoàn toàn nghèo

- Đối với quá trình khuếch tán thì chậm hơn so với quá trình trôi của các hạt ở
miền có điện trường cao. Vì thế để cho photodiode có tốc độ cao, các hạt mang
điện sẽ phải được sinh ra ở miền trôi hoặc phải bảo đảm rằng thời gian khuếch
tán nhỏ hơn thời gian trôi. Hiệu ứng thời gian đáp khuếch tán có thể nhận thấy
bằng cách khảo sát thời gian đáp ứng của photodiode. Thời gian đáp ứng này
được mô tả bởi thời gian tăng và thời gian giảm của đầu ra photodiode khi nó bị
chiếu bởi một xung ánh sáng. Thời gian tăng được tính từ các điểm 10 đến 90%
giá trị sườn trước của xung ra như hình 2-9. Với các photodiode được dùng hết
hoàn toàn thì thời gian tăng nói chung giống thời gian giảm. Tuy nhiên với các
photodiode không dùng hết hoàn toàn thì thời gian tăng và thời gian giảm là
khác nhau.

- Thời gian đáp ứng tiêu biểu của một photodiode không dùng hết hoàn toàn được
cho như hình vẽ 2-9, các hạt tải điện nhanh cho phép đầu ra photodiode tăng tới
50% giá trị max của nó trong một thời gian xấp xỉ là: 1 ns, nhưng do các hạt trôi
chậm làm cho có thời gian trễ lớn trước khi đầu ra đạt giá trị max.

- Để thực hiện được hiệu suất lượng tử hoá cao thì độ rộng lớp trôi phải lớn hơn
nhiều lần 1/αs để cho hầu hết ánh sáng bị hấp thu. Đáp ứng của một xung vào
hình chữ nhật của một photodiode điện dung thấp có w>>1/α s thời gian tăng và
giảm của xung ra theo xung vào là khá đẹp đẽ. Nếu điện dung của photodiode
lớn hơn thì thời gian đáp ứng trở nên bị hạn chế do hằng số thời gian RC của trở
28
 tải RL và điện dung của photodiode, đáp ứng khi này sẽ lớn hơn so với trường
hợp w>>1/2αs.
- Nếu như bề dày của miền trôi quá mỏng, điện dung tiếp giáp sẽ trở nên đáng kể
và nó được tính:
εs
C j= A
w
Trong đó:
εs: hệ số điện môi của chất bán dẫn εs = ε0Ks
Ks: hệ số cách điện của bán dẫn
ε0: hằng số điện môi chân không 8,8542.10-12 F/m
A: diện tích lớp khuếch tán
- Sự đáng kể của điện dung trên sẽ gây ra hằng số thời gian RC lớn làm hạn chế
thời gian đáp ứng của diode. Sự hài hoà hợp lý giữa đáp ứng tần số cao và hiệu
suất lượng tử hoá lớn khi mà độ dày của miền hấp thụ nằm trong khoảng từ 1/α s
và 2/αs
- Nếu RT là điện trở tổng hợp của trở tải và trở vào bộ khuếch đại và C T là tổng
điện dung của photodiode khi này bộ tách quang coi như một bộ lọc thấp RC
đơn giản với giải thông là:
1
B=
2 π RT C T

2.2.7 Vật liệu chế tạo Photodiode

- Độ đáp ứng của photodiode về cơ bản được xác định bởi cấu trúc của diode và
loại vật liệu được dùng. Hệ số hấp thụ α s của các vật liệu bán dẫn thay đổi mạnh
theo bước sóng như được biết ở hình 2-4. Đối với photodiode thì hệ số đáp ứng
tốt nhất và hiệu suất lượng tử hoá cao nhất có được khi vật liệu có độ rộng dải
cấm nhỏ hơn không đáng kể so với năng lượng của các photon tại bước sóng dài
nhất mà ta quan tâm. Thêm nữa để làm ổn định hiệu suất lượng tử hoá và tốc độ
đáp ứng, điều kiện này được giữ đồng thời với dòng tối thấp.
- Đặc tính của các phô-tô-điôt Pin có thể được cải thiện đáng kể bằng cách sử
dụng cấu trúc dị thể kép. Tương tự như cấu trúc của lazer LD bán dẫn, lớp i ở
giữa được kẹp giữa các lớp chất bán dẫn khác nhau p và n với dải cấm được
29
 chọn để sao cho ánh sáng được hấp thụ chỉ trong lớp i. Cấu trúc phô-tô-điôt kiểu
này thường sử dụng InGaAs làm lớp giữa và InP làm lớp p và n bao quanh. Lớp
InGaAs ở giữa sẽ hấp thụ mạnh bước sóng ở vùng 1.3-1.6 μm . Mặt trước
thường được phủ bằng lớp cách điện phù hợp để giảm phản xạ tới mức nhỏ nhất.
Hiệu suất lượng tử hầu hết là đạt được gần như 100% từ InGaAs với độ dày 4-
5 μm . Các phô-tô-điôt sử dụng InGaAs là hoàn toàn phù hợp cho các bộ thu
quang thực tế trong các hệ thống thông tin quang.

Hình 2-13: Các đặc tính của photodiode PIN tiêu biểu

- Bất kỳ số lượng các vật liệu khác nhau bao gồm Si, Ge, GaAs, InGaAsP, cũng
có thể được dùng làm diode hoạt động ở các dải phổ từ 800 đến 900 nm. Tuy
nhiên Si được dùng hầu như độc quyền vì công nghệ của nó phát triển nhanh
chóng và ưu điểm của nó là nhiều nhân trong quá trình thác là thấp nhất vì thế sẽ
làm tăng độ nhạy của máy thu.
- Đối với sự hoạt động tại các bước sóng lớn hơn 1000 nm thì hệ số đáp ứng của
diode chế tạo từ Silic là thấp, do các photon tại bước sóng này không đủ năng
lượng để kích thích điện tử đi qua dải cấm có độ rộng 1,17 eV của Silic. Các bộ
tách quang độ nhạy cao dùng trong phạm vi bước sóng từ 1000 nm đến 1600 nm
thường được chế tạo từ các vật liệu như Ge, GaAsSb, InGaAsP, InP, GaSb,
InGaAs…vật liệu Ge là vật liệu của diode quang ở bước sóng dài., nó có hệ số
hấp thụ lớn xấp xỉ 104/cm trên phạm vi bước sóng từ 1000 nm đến 1550 nm,
điều này làm cho Ge trở thành vật liệu lý tưởng để chế tạo các photodiode ứng

30
 dụng cho các bước sóng dài. Một số các photodiode Ge với độ nhạy hợp lý và
thời gian đáp ứng nhanh đã được chế tạo, nhưng vật liệu này thể hiện một số
nhược điểm như tồn tại hệ số nhiễu dư đối với sự nhân do quá trình thác, hưn
nữa do dải cấm cả Ge hẹp hơn của Si làm cho dòng tối lớn hơn nhiều vì thế hạn
chế khả năng ứng dụng khuếch đại do thác. Tuy nhiên diode quang thác (APD)
Ge đã được sử dụng thành công trên thực tế để truyền dẫn số liệu tốc độ cao.
- Trong số các vật liệu kể trên được sử dụng đối với diode PIN là hợp chất bán
dẫn InGaAs. Vật liệu này có thể hấp thụ ánh sáng với bước sóng dài cỡ 1650
nm, chúng đã được sử dụng trong hệ thống thí nghiệm tốc độ cao trên độ dài
trạm lặp là 200Km.
- Các hợp chất của nhóm bán dẫn III - IV khác như là GaAsSb, InGaAsP, InP,
GaSb… cũng được xem xét đối với các ứng dụng bước sóng dài. Một số lý do
để khảo sát các vật liệu này là:
+ Đầu tiên do các dải cấm của các hợp kim này phụ thuộc vào thành phần
các phần tử của chúng, mép hấp thụ có thể lựa chọn chỉ trên bước sóng
dài nhất của sự hoạt động bằng cách thay đổi độ tập trung các phân tử
của các phần tử cấu tạo của hợp kim. Kết quả này làm cho bộ tách quang
có hiệu suất lượng tử hoá cao, tốc độ đáp ứng nhanh và dòng tối thấp.
+ Thứ hai là để khám phá đối với vật liệu có sự khác nhau lớn trong tốc độ
ion hoá điện tử và lỗ trống. Nhưng không may mắn là các tỷ số tốc độ
ion hoá trong tất cả các vật liệu nhóm III – IV là nhỏ hơn Silic. Điều này
có khuynh hướng làm hạn chế hệ số khuếch đại thác của các dụng cụ
này, vì vậy bình thường hệ số khuếch đại thác của chúng là thấp ở giữa
10 đến 30.
- Photodiode PIN cũng đã được phát triển với các nỗ lực của công nghệ tiên tiến.
Từ 1990 đến nay, các cố gắng đáng nể đã đi theo hướng phát triển các
Photodiode PIN tốc độ cao có khả năng hoạt động trên 10Gbit/s. Năm 1995, các
Photodiode đã được ra mắt với băng tần 110GHz. Một vài kỹ thuật đã được
nghiên cứu để cải thiện hiệu suất của photodiode tốc độ cao. Hốc cộng hưởng
Fabry-Perot (FP) được tạo xung quanh cấu trúc Pin là để làm tăng hiệu suất
lượng tử. Photodiode hiện nay có thể đạt được hiệu suất lượng tử gần 100% là

31
 nhờ việc tạo thành công một gương trong hốc FP bằng biện pháp tạo dải phản
xạ Bragg trong lớp AlGaAs/AlAs. Cấu trúc này có thể cho phép tạo được các
photodiode với băng tần rất cao trên 100GHz mà vẫn có hiệu suất lượng tử cao.
- Một cách khác để tạo ra các Photodiode tốc độ cao là sử dụng một ống dẫn sóng
quang để ghép cạnh tín hiệu quang. Tráivoiws laser bán dẫn, ống dẫn sóng
quang này có thể được làm rộng để hỗ trợ các mode ngang nhằm cải thiện hiệu
suât ghép. Hiệu suất lượng tử ở đây có thể đạt gần 100% ngay cả khi có lớp hấp
thụ cực mỏng, và băng tần có thể đạt tới 110GHz bằng cách phỏng tạo ống dẫn
sóng “mushroom-meza”. Đặc tính của các photodiode còn có thể được cải thiện
hơn nữa bằng cách phỏng tạo cấu trúc điện cực nhằm hỗ trợ cho các sóng điện
lan truyền với trờ kháng phù hợp để tránh các phản xa. Các photodiode như vậy
được gọi là các photodiode sóng chạy. Các photodiode như vậy được gọi là
photodiode sóng chạy. Các photodiode được làm từ GaAs dựa trên cấu trúc này
có thể có băng tần trên 170GHz và hiệu suất lượng tử đạt trên 50% khi mà ống
dẫn sóng rộng 1µm và trở kháng đặc tính là 50 ohm.
-
Chương III: Ứng dụng của Photodiode
3.1 Ứng dụng trong thực tế
- Chuyển mạch RF: Diode PIN được sử dụng rộng rãi trong các gói chuyển mạch
radio tần số (RF). Tốc độ chuyển đổi nhanh và mất vào thấp khiến chúng trở
nên lý tưởng cho các mạch tần số cao nơi chuyển mạch hiệu quả và chính xác là
quan trọng. Diode PIN được sử dụng trong các công tắc RF cho hệ thống trò
chuyện, radar và các công nghệ không dây khác.
- Bộ giảm điện áp điều khiển: Các đặc tính được điều khiển bằng điện áp của
diode PIN làm cho chúng phù hợp cho bộ giảm điện áp điều khiển bằng điện
áp. Trong các hệ thống trò chuyện, các thiết bị này được sử dụng để kiểm soát
mức độ tín hiệu, cho phép điều chỉnh động và điều chế mức độ tín hiệu dựa trên
điện áp được áp dụng.
- Nguồn cung cấp chế độ chuyển mạch (SMPS): Diode PIN đóng một vai trò
quan trọng trong các nguồn cung cấp chế độ chuyển mạch (SMPS) bằng cách
đóng góp vào việc chuyển mạch hiệu quả của năng lượng trong các bộ chuyển
32
 đổi và biến tần. Khả năng xử lý tần số cao và cung cấp thời gian phản ứng
nhanh cải thiện hiệu suất và hiệu quả của các hệ thống SMPS.
- RF Phase Shifters: Trong các thiết bị thay đổi pha RF, diode PIN được sử dụng
để điều chỉnh pha của các tín hiệu. Điều này quan trọng trong các hệ thống trò
chuyện, radar và các ứng dụng khác nơi kiểm soát chính xác của việc thay đổi
pha là quan trọng. diode PIN cho phép điều chỉnh nhanh chóng và chính xác
trong pha của các tín hiệu RF.
- Bộ giảm điện RF biến thiên: Diode PIN được sử dụng trong các bộ giảm điện
RF biến thiên, cho phép điều chỉnh kiểm soát của công suất tín hiệu. Những bộ
giảm này rất hữu ích trong các ứng dụng cần kiểm soát chính xác của mức độ
tín hiệu, như trong hệ thống kiểm tra và đo lường, hệ thống trò chuyện và
truyền thông vệ tinh.
- Pin Diode làm công tắc RF: Diode PIN thường được sử dụng làm công tắc RF
(Tần số vô tuyến) do các đặc tính cụ thể của nó, cùng với tốc độ chuyển mạch
nhanh, suy hao chèn thấp và khả năng xử lý tần số cao. Khả năng truyền RF của
diode PIN chủ yếu dựa trên chức năng của nó là truyền bất ngờ giữa các trạng
thái trở kháng thấp và quá mức dưới ảnh hưởng của điện áp phân cực áp dụng.

Hình 3-14: Pin Diode làm công tắc RF

33
3.2 Ưu điểm và nhược điểm
3.2.1 Ưu điểm
- Tốc độ chuyển mạch nhanh: diode PIN thể hiện tốc độ chuyển đổi nhanh, làm
cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu thời gian phản ứng nhanh. Đặc
tính này là tích cực trong các mạch tần số cao và điện tử công suất.
- Thời gian phục hồi ngược thấp: Các đặc tính của lớp nội bộ đóng góp vào thời
gian phục hồi ngược thấp, giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình
chuyển đổi. Điều này cải thiện hiệu suất của các hệ thống sử dụng diode PIN.
- Trở kháng biến thiên: Khả năng của diode PIN hoạt động như một trở kháng
biến thiên là một ưu điểm lớn, cho phép kiểm soát động của trở kháng phản ứng
với các thay đổi trong điện áp áp dụng. Đặc tính này hữu ích trong các ứng
dụng yêu cầu các đặc tính điện được điều chỉnh.
- Khả năng xử lý công suất cao: diode PIN có thể xử lý mức công suất cao, làm
cho chúng phù hợp cho các ứng dụng nơi tiêu thụ năng lượng là yếu tố quan
trọng. Đặc tính này rất quý giá trong các bộ khuếch đại công suất và các ứng
dụng công suất cao khác.
- Đa dạng trong ứng dụng: diode PIN được sử dụng trong chuyển mạch RF, bộ
giảm điện áp điều khiển bằng điện áp, SMPS, các thiết bị điều chỉnh pha RF và
bộ giảm điện RF biến thiên. Sự linh hoạt của chúng làm cho chúng trở thành
các thành phần quan trọng trong nhiều thiết bị và hệ thống khác nhau trên các
ngành công nghiệp khác nhau.
3.2.2 Nhược điểm
- Dòng rò ngược cao: diode PIN có thể thể hiện dòng rò ngược cao hơn so với
các loại diode khác. Dòng rò ngược này có thể góp phần vào tổn thất năng
lượng và có thể cần được kiểm soát cẩn thận trong một số ứng dụng cụ thể.
- Phạm vi tần số hạn chế: Mặc dù diode PIN rất phù hợp cho các ứng dụng tần số
cao, nhưng hiệu suất của chúng cũng có thể giảm đi ở tần số cực cao. Nhà thiết
kế cần xem xét các yêu cầu tần số cụ thể của ứng dụng của họ.
- Nhạy cảm với biến đổi nhiệt độ: diode PIN có thể nhạy cảm với các thay đổi
nhiệt độ, có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của chúng. Điều này có thể yêu cầu

34
 các biện pháp bổ sung, như bù nhiệt độ hoặc quản lý nhiệt độ, trong một số ứng
dụng cụ thể.
- Độ phức tạp trong sản xuất: Quy trình sản xuất của diode PIN bao gồm nhiều
lớp và sự doping đặc biệt, điều này có thể góp phần vào sự phức tạp trong sản
xuất tăng lên và có thể dẫn đến chi phí sản xuất cao hơn.
- Hạn chế trong các ứng dụng tần số thấp: Mặc dù diode PIN có hiệu suất tốt
trong các ứng dụng tần số cao, nhưng các đặc tính của chúng có thể không tích
cực trong các gói tần số thấp. Trong các tình huống mà hoạt động tần số thấp là
quan trọng, các loại diode khác có thể phù hợp hơn.
Chương IV: Kết luận
- Sau khi hoàn thành bài báo cáo, nhóm em đã hiểu hơn về môn học Kỹ thuật
Thông tin quang đặc biệt là chương Bộ thu quang. Nội dung đề tài “Tìm hiểu
Bộ tách sóng quang Pin” giúp chúng em có thể nắm rõ hơn về các đặc điểm,
nguyên lý hoạt động cũng như cách dùng của từng bộ tách sóng quang Pin từ
đó cũng cố thêm kiến thức chuyên môn giúp chúng em có thể hoàn thành tốt
môn học.
- Cuối cùng nhóm em xin được gửi lời cảm ơn đến giảng viên hướng dẫn
Ths.Phạm Hồng Quân đã tạo điều kiện tốt nhất để chúng em có thể hoàn thành
bài báo cáo. Nhóm em hy vọng những phân tích phía trên đáp ứng được các yêu
cầu mà thầy mong muốn nhóm em thực hiện. Mong nhận được những lời đánh
giá và góp ý của thầy về bài làm để chúng em có thể hoàn thành tốt hơn trong
tương lai.

35
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Chu Công Cẩn, “Bài giảng cơ sở kỹ thuật thông tin sợi quang”, Đại học
Giao thông vận tải, Năm 2007;
2. Phùng Văn Vận, Trần Hồng Quân, Nguyễn Cảnh Tuấn, Phạm Hồng Ký,
Nguyễn Hoài Nam, “Hệ thống thông tin sợi quang”, Nhà xuất bản Khoa
học và kỹ thuật, Năm 2002;
3. Nguyễn Vĩnh Nam, “Nghiên cứu miền công tác của các photodiode trong
hệ thống thôg tin quang tốc độ cao”,Học viện công nghẹ bưu chính viễn
thông, Năm 2005;
4. Đào Huy Du, “Giáo trình Kỹ thuật thông tin quang”, Nhà xuất bản Giáo
dục Việt Nam, Năm 2017;
5. https://www.geeksforgeeks.org/pin-diode/

36