Chapter 5:

Chương 5:

FIELD EFFECT TRANSISTORS – FET

TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG
 I. JFET (transistor tröôøng chuyeån tieáp -
Junction FET)
 Construction:
 Caáu truùc:

JFET Kênh n JFET Kênh p

p-channel JFET p-channel JFET
The operation and characteristics of JFET
Nguyeân lyù hoaït ñoäng và đặc tuyến V-A
 Bias D and S:

ID

IS

ID = I S
  Bias G and S

VGS = 0

VGS = Vp
VGS=0V, VDS some positive value

ID = IS .
IG = 0
 IDSS is the maximum drain current for a JFET and is define by
the conditions VGS= 0 and VDS>VP 
 Vậy IDSS laø doøng ñieän cöïc maùng cöïc ñaïi cuûa JFET vaø ñöôïc xaùc
ñònh bôûi ñieàu kieän VGS= 0 vaø VDS>VP 
  VGS < 0 and VDS >0:

Summary: the level of VGS that results in ID = 0 mA is defined by VGS = VP,

with VP being a negative voltage for n-channel devices and a positive
voltage for
p-channel JFETs.
Toùm laïi: Giaù trò cuûa ñieän aùp VGS laøm cho doøng ID = 0 ñöôïc xaùc ñònh khi
VGS = Vp, vôùi VP coù giaù trò ñieän aùp aâm ñoái vôùi JFET keânh n vaø coù giaù trò
ñieän aùp döông ñoái vôùi JFET keânh p.
Moâ phoûng hoaït ñoäng cuûa JFET
 The transfer and output characteristics of n-channel JFET.
Ñaëc tuyeán truyeàn ñaït vaø ñaëc tuyeán ngoõ ra cuûa JFET keânh n.
Shockley:
2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 
Maximum rating of JFET:
Caùc thoâng soá giôùi haïn cuûa JFET:

 Ñieän aùp cöïc ñaïi VDSmax

 Coâng suaát tieâu taùn cöïc ñaïi PDmax = ID VDS


Compare BJT with JFET:

2
 VGS 
I D  I DSS 1   I C  I B
 VP 
ID  IS IC  I E
IG  0 A VBE  0,7V
 2. MOSFET
a. MOSFET keânh coù saún (D_MOSFET –
Deleption MOSFET):
 Caáu truùc:

Khoâng coù söï keát noái

ñieän tröïc tieáp giöõa
cöïc G vaø keânh daãn
cuûa MOSFET. Lôùp
caùch ñieän SiO2 trong
caáu truùc cuûa
MOSFET coù theå laøm
thay ñoåi toång trôû vaøo
cuûa MOSFET theo yù
muoán.
Nguyeân lyù hoaït ñoäng cô baûn vaøø caùc ñaëc tính voân
- ampe:

 Ñieän aùp GS baèng 0V vaø ñieän aùp cung caáp VDD

ñöôïc ñöa ñeán 2 cöïc D vaø S.
 Tuyø thuoäc vaøo bieân ñoä ñieän aùp aâm ñöôïc thieát laäp bôûi ñieän aùp
VGS maø möùc ñoä taùi hôïp giöõa caùc ñieän töû vaø loã troáng seõ xaûy ra
vaø söï taùi hôïp naøy seõ laøm giaûm caùc ñieän töû töï do di chuyeån
trong keânh daãn laøm aûnh höôûng ñeán doøng ñieän chaïy trong keânh
daãn. Ñieän aùp phaân cöïc caøng aâm thì toác ñoä taùi hôïp caøng taêng.

 Khi giaù trò ñieän aùp VGS döông seõ laøm taêng theâm soá löôïng ñieän
töû laáy töø chaát baùn daãn neàn loaïi p tuøy thuoäc vaøo doøng ngöôïc.
  Thay ñoåi caùc giaù trò khaùc nhau cuûa VGS

2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 

Ta thaáy khi aùp ñaët moät ñieän aùp VGS döông ñeán 2 cöïc G vaø S seõ laøm taêng caùc haït taûi
töï do trong keânh daãn neáu so saùnh vôùi khi ñieän aùp VGS = 0V. Chính vì lí do naøy vuøng
ñieän aùp döông treân cöïc maùng hoaëc treân ñaëc tuyeán chuyeån thöôøng ñöôïc xem nhö laø
vuøng taêng (enhancement region), vôùi vuøng VGS aâm vaø doøng ID nhoû hôn IDSS ñöôïc
xem laø vuøng hieám hoaëc vuøng giaûm.
b. E_MOSFET – Enhancement MOSFET:
MOSFET keânh caûm öùng
 Construction:
The Operation and Characteristics of MOSFET
VGS >VT

The level of VGS that

results in the significant
increase in drain current is
called the threshold
voltage and is given the
symbol VT. On specifi-
cation sheets it is referred
to as VGS(Th), although VT
is less unwieldy and will
be used in the analysis to
follow.
 Characteristics of E_MOSFET

I D  k VGS  VT 
2

K ñöôïc tính: I D ( on)

k Hay k = 0,3 mA/V2
(VGS ( on)  VT ) 2