Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET

Baøi 6: TRANSISTOR (tt)

C: FIELD – EFFECT TRANSISTOR
(FET)

FET laø linh kieän ñôn cöïc, hoaït ñoäng vôùi chæ moät loaïi haït daãn chính. FET coù 2 loaïi chính:
 JFET: Junction field – Effect Transistor.
 MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Transistor. MOSFET coøn goïi laø IFET
(Isolate – gate FET).
BJT laø loaïi linh kieän ñöôïc ñieàu khieån baèng doøng ñieän, doøng IB ñieàu khieån doøng IC.
Nhöng FET laø loaïi linh kieän ñöôïc ñieàu khieån baèng ñieän aùp, ñieän aùp ñieàu khieån doøng ñieän ñi
qua linh kieän.
FET thöôøng ñöôïc söû duïng roäng raõi trong caùc maïch thu AM hoaëc FM, laø linh kieän quan
troïng trong nhieàu heä thoáng thoâng tin.

I. JFET:
1. Caáu taïo vaø nguyeân lyù hoaït ñoäng:
Tuøy thuoäc vaøo caáu taïo JFET ñöôïc chia ra laøm hai loaïi: JFET keânh N vaø JFET keânh P.

Drain Drain

N P
Gate Gate
P P N N

Keânh daãn Keânh daãn

Source Source

Keânh daãn loaïi N Keânh daãn loaïi P

Nguyeân lyù hoaït ñoäng:

D

G N
VDD

VGG
S

Nguoàn VDD cung caáp ñieän aùp VDS vaø doøng IDS. JFET luoân luoân hoaït ñoäng vôùi moái noái GS
bò phaân cöïc nghòch. Ñieän theá aâm VG hình thaønh vuøng ngheøo taïi moái noái PN vaø vì theá ñieän trôû

62
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET
keânh daãn taêng leân. Ñoä roäng cuûa keânh daãn ñöôïc ñieàu khieån baèng caùch thay ñoåi ñieän theá VG vaø
nhôø ñoù ñieàu khieån ñöôïc doøng ID.

D +

N
G
P P VDS
+
VGG

- S -

Beà roäng mieàn ngheøo giöõa hai cöïc G – D lôùn hôn so vôùi G – S do ñieän aùp phaân cöïc ngöôïc
VGD lôùn hôn ñieän aùp phaân cöïc ngöôïc VGS.
Kyù hieäu cuûa JFET:
D D
G G
2

3
3 2

S S
1

Loaïi N Loaïi P

2. Ñaëc tuyeán vaø caùc thoâng soá:

ID
Vuøng tuyeán tính
Vuøng
B C
IDSS ñaùnh
thuûng
Vuøng thaét keânh
A VDS
0 VP

Khi VGS = 0, taêng daàn VDD töø 0V, ID seõ taêng tyû leä vôùi VDS nhö trong ñoaïn AB. Trong
vuøng naøy, ñieän trôû keânh daãn haàu nhö khoâng ñoåi neân coøn goïi laø vuøng tuyeán tính.
Taïi ñieåm B, ñöôøng ñaëc tuyeán coù daïng naèm ngang vaø ID coù giaù trò khoâng ñoåi laø IDSS. Taïi
ñieåm naøy, ñieän aùp phaân cöïc ngöôïc treân moái noái G – D laøm cho vuøng ngheøo môû roäng ñuû ñeå
keânh daãn thu heïp vì theá ñieän trôû keânh daãn caøng taêng (do ID khoâng ñoåi, VDS caøng taêng). Giaù trò
VGD taïi ñieåm naøy goïi laø ñieän aùp thaét keânh (VP).
Toång quaùt: VP  VGS  VDS
Do VGS =0  VGD  VDS  VP
VP coù giaù trò khoâng ñoåi ñoái vôùi loaïi JFET cuï theå. Giaù trò VDS taïi ñieåm thaét keânh thay ñoåi
tuøy thuoäc vaøo giaù trò VGS. IDSS laø giaù tò cöïc ñaïi cuûa ID khi VGS = 0.

63
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET
Taïi ñieåm C, xaûy ra hieän töôïng ñaùnh thuûng vaø ID taêng raát nhanh do moái noái phaân cöïc
ngöôïc bò ñaùnh thuûng, vì theá JFET luoân luoân hoaït ñoäng trong vuøng thaét keânh töø ñieåm B  ñieåm
C.

ID
VGS = 0
VGS = -1
VGS = -2
VGS = -3
VGS = -4

VDS
Hoï ñaëc tuyeán JFET

Taêng daàn giaù trò aâm cuûa VGS, ñieän aùp ngöôõng VP xuaát hieän taïi nhöõng giaù trò VDS giaûm
daàn, vì theá ID seõ giaûm töông öùng. Vì theá ID ñöôïc ñieàu khieån bôûi ñieän aùp VGS. Giaù trò IDmax (IDSS)
xuaát hieän khi VGS = 0 vaø giaûm daàn khi VGS taêng leân.
Traïng thaùi taét:
Neáu VGS caøng aâm thì IDS caøng nhoû. Khi VGS aâm ñuû lôùn ñeán khi ID = 0  vuøng ngheøo bò
môû roäng toái ña hay keânh daãn bò ñoùng. Giaù trò VGS taïi ñieåm taét goïi laø VGS(off).
Töø phöông trình: VP  VGS  VDS
JFET keânh N taét khi VGS = VP  VDS =0  IDS =0.

Keânh
daãn
bò
P P
ñoùng

Phaân bieät traïng thaùi taét vaø traïng thaùi thaét keânh:
Ñieän aùp thaét keânh VP laø giaù trò cuûa VGD maø khi ñoù ID coù giaù trò khoâng ñoåi ñoái vôùi moãi giaù
trò cuûa VGS.
Ñieän aùp taét VGS(off) laø giaù trò cuûa VGS maø khi ñoù ID = 0. ID chæ baèng 0 khi VGS  VP .
Ñaëc tuyeán truyeàn ñaït cuûa JFET:
JFET keânh N, VGS(off) < 0 (VP = VGS(off))
JFET keânh P, VGS(off) > 0
 Khi ID = 0, VGS = VGS(off).
 Khi ID = IDSS, VGS = 0.
Phöông trình ñaëc tuyeán coù daïng:
V
I D  I DSS (1  GS ) 2 vôùi Vp =VGS(off)
VP

64
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET

ID
IDSS VGS = 0
VGS = -1
VGS = -2
VGS = -3
VGS(off) VGS = -5

VGS -5 -3 -2 -1 VDS
Ñaëc tuyeán JFET
Caùc thoâng soá cuûa JFET:
VGS
 Ñieän trôû vaøo: RIN  coù giaù trò raát lôùn (~MΩ).
IG
IG laø doøng ñieän ngöôïc qua moái noái G – S (IG ≈ 0).
VDS
 Ñieän trôû keânh daãn rDS: rDS  .
I D
I D
 Hoã daãn: gm 
VGS
 V 
g m  g m 0 1  GS 
 VP 

3. Phaân cöïc JFET:

Töï phaân cöïc:

+VDD -VDD
VCC
VCC

RD RD

VG ≈ 0 VG ≈ 0
2

3
2

RG RG
1

RS RS

VG  0
VGS   I D .RS  VG  VS  VS do (VG =0) (1)
VGS 2
I D  I DSS (1  ) (2)
VP
VDS  VDD  I D RD  RS  (3)
Giaûi heä phöông trình 3 aån (1), (2) vaø (3) keát quaû

65
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET
Ví duï: Tính VDS vaø VGS cho maïch sau, bieát raèng ID = 5mA.
+VDD
VCC
ÑS: +10V
VS = 2.5V RD
VD = 5V 1KΩ
VDS = 2.5V

2
3

Vì VG = 0 neân VGS = -2.5V

RG RS

1
500Ω

Thieát laäp ñieåm phaân cöïc:

Ñaây laø phöông phaùp cô baûn ñeå thieát laäp ñieåm phaân cöïc cuûa JFET. Ta xaùc ñònh ID töø giaù
trò VGS ñaõ bieát. Tìm RS theo coâng thöùc:
VGS
RS 
ID
Ví duï: xaùc ñònh RS döïa vaøo ñaëc tuyeán truyeàn ñaït sau taïi VGS = -5V.

ID(mA)
5V
IDSS RS   800
6.25mA

6.25
VGS(V)

VGS(off) -5

Ví duï: xaùc ñònh RS vôùi IDSS =25mA vaø VP = -10V, VGS = -5V.
Töø phöông trình:
VGS 2
I D  I DSS (1  )  6.25mA
VP
VGS 5V
RS    800
ID 6.25mA

II. MOSFET: Metal Oxide Semiconductor FET

Ñaây laø loaïi transistor khoâng coù moái noái PN hay coøn goïi laø FET coù cöïc cöûa caùch ly. Coù
hai loaïi MOSFET cô baûn laø MOSFET keânh coù saünvaø MOSFET keânh caûm öùng.
1. MOSFET keânh coù saün:
Caáu taïo: Tuøy theo caáu taïo maø ta coù caùc loaïi nhö sau: MOSFET keânh N vaø MOSFET
keânh P.

66
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET

Drain Drain
SiO2 SiO2
N P
Gate Gate
P N

N P

Source Source
Keânh daãn loaïi N Keânh daãn loaïi P

MOSFET coù theå hoaït ñoäng trong cheá ñoä ngheøo hoaëc cheá ñoä giaøu. Vì cöïc cöûa caùch ly so
vôùi keânh daãn baèng lôùp SiO2 neân coù theå cung caáp ñieän aùp VG döông hoaëc aâm vaøo cöïc G (Gate).
Xeùt hoaït ñoäng cuûa MOSFET loaïi N: MOSFET hoaït ñoäng trong cheá ñoä ngheøo khi VG < 0 vaø
trong cheá ñoä giaøu khi VG > 0.

D
RD
N +
- +
G - +
+ P VDD
- +
- + -
- N Cheá ñoä ngheøo VGS<0 vaø
VG VGS<VGS(off)
+
S

D
RD
N
+ - -
G + -
- P VDD
+ -
+ + - +
N
VG Cheá ñoä giaøuVGS>0
-
S

Cheá ñoä ngheøo: Lôùp SiO2 laø lôùp ñieän moâi caùch ñieän. Do ñoù cöïc G ñöôïc xem nhö laø 1 baûn
cöïc cuûa tuï ñieän vaø maët ñoái dieän cuûa lôùp SiO2 laø baûn cöïc coøn laïi.

67
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET
Khi VGS aâm, ñieän tích aâm tích tuï treân cöïc G vaø ñieän tích döông tích tuï trong keânh daãn
loaïi N. Caùc ñieän tích döông naøy seõ taùi hôïp vôùi caùc e- coù saün trong keânh daãn, neáu VG caøng aâm
thì e- bò taùi hôïp caøng nhieàu  caùc e- töï do trong keânh daãn giaûm neân coøn goïi laø cheá ñoä laøm
ngheøo keânh daãn hay cheá ñoä ngheøo.
Khi VGS =VGS(off) thì keânh daãn khoâng coøn haït daãn neân ID = 0  MOSFET taét.
Cheá ñoä giaøu: khi VG > 0, ñieän tích döông seõ tích tuï treân cöïc G vaø ñieän tích aâm tích tuï
trong keânh daãn, vì theâ e- trong keânh daãn taêng leân neân coøn goïi laø cheá ñoä laøm giaøu haït daãn hay
cheá ñoä giaøu.
Kyù hieäu cuûa MOSFET: D D

1
G3 G3

S S

2
Loaïi N Loaïi P

Ñaëc tuyeán vaø thoâng soá cuûa MOSFET:

Ñaây laø loaïi MOSFET hoaït ñoäng vôùi VGS > 0 hoaëc VGS < 0.
V
Phöông trình ñaëc tuyeán: I D  I DSS (1  GS ) 2
VP

ID
ID
IDSS
IDSS

VGS VGS

VGS(off) 0 0 VGS(off)

2. MOSFET keânh caûm öùng:

Loaïi naøy chæ hoaït ñoäng trong cheá ñoä giaøu vaø khoâng coù cheá ñoä ngheøo. MOSFET keânh
caûm öùng coù caáu taïo gioáng nhö MOSFET keânh coù saün nhöng noù khoâng coù keânh daãn vaät lyù.
Caáu taïo vaø nguyeân lyù hoaït ñoäng:

Drain
Drain
SiO2
SiO2
N
P
Gate
P Gate
N
N
P

Source
Source
Keânh caûm öùng loaïi N
Keânh caûm öùng loaïi P

68
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET
Ñoái vôùi MOSFET loaïi N, VGG lôùn hôn giaù trò ngöôõng (VT) thì seõ hình thaønh keânh daãn
baèng caùch taïo 1 lôùp moûng ñieän tích aâm trong lôùp baùn daãn loaïi P. khi VGG caøng taêng thì keânh
daãn caøng taêng do taêng cöôøng theâm e- töï do trong keânh daãn  ID = 0.
Vôùi VGG nhoû hôn giaù trò ngöôõng thì khoângcoù keânh daãn.

Keânh daãn D
RD
caûm öùng
+ N
+ - +
G -
-P VDD
+ -
+ - -
+ N
VGG
-
S

Kyù hieäu:
D D
3

G2 G1

S S
1

Loaïi N Loaïi P

Ñaëc tuyeán truyeàn ñaït:

Loaïi N  VGS > 0.
Loaïi P  VGS < 0.

ID ID

VT

VGS VGS
0 VT VT 0

Loaïi N Loaïi P

ID = 0 khi VGS < VT. (VGS(OFF))

ID # 0 khi VGS ≥ VT (ñieän theá ngöôõng).
Phöông trình ñaëc tuyeán:
I D  K VGS  VT 
2

69
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET
haèng soá K phuï thuoäc vaøo MOSFET vaø coù theå xaùc ñònh töø baûng moâ taû kyõ thuaät cuûa nhaø
saûn xuaát (data sheet).

Phaân cöïc MOSFET:

+VDD
 MOSFET keânh coù saün: VCC

Ta coù IG ≈ 0  VG ≈ 0 RD
VDS = VDD – IDSS.RD
IDSS

3
Ví duï: Cho maïch nhö hình treân. Bieát:
IG ≈ 02
VDD = +18V +
RD = 600Ω VGS -

1
RG
RG = 10MΩ RE
VT = -8V vaø IDSS = 12mA.
 ID = IDSS , VDS = 10.8V

 MOSFET keânh caûm öùng:

Coù hai caùch phaân cöïc ñeå VGS > 0.
Tính maïch phaân cöïc döïa vaøo phöông trình
I D  K VGS  VT 
2

+V DD
VCC
+V DD
VCC

RD RD
R1
RG
3
3

2
R2
1
1

Ví duï: ID(on) = 3mA taïi VGS = 10V vaø VT =5V.

+24V
VCC

R2
VGS   VDD  14.4V
R1  R2 RD
R1
 K=0.12 mA/V . 2
1KΩ
10KΩ
3

Vôùi VGS = 14.4V

 I D  K VGS  VT   10.6mA
2
2

VDS  VDD  I D RD  13.4V R2

1

15KΩ
70
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor FET

71