Đại học Đà nẵng

Trường Đại học Bách khoa

Khoa Điện tử-Viễn thông

HỌC PHẦN
KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ 1

01/29/2021
 CHƯƠNG 1
MÔ HÌNH TƯƠNG ĐƯƠNG
CỦA BJT VÀ MOSFET KHI TÍN HIỆU NHỎ

Tương ứng với chương 13 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
 Nội dung chương 1
 1.1. Các tham số, chế độ hoạt động ở tín hiệu nhỏ của Diode
 1.2. Cấu trúc của BJT, mô hình vận chuyển trong BJT npn
 1.3. Biểu thức chung cho các chế độ phân cực của BJT npn
 1.4. Cấu trúc của BJT pnp, biểu thức chung cho các chế độ phân cực của BJT pnp
 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT, tham số khuếch đại của BJT
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT
 1.7. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT
 1.8. Mạch tương đương AC và DC của khuếch đại dùng MOSFET
 1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET
 1.10. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của MOSFET
 1.11. Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET

Tương ứng với chương 13 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
3
1.1. Các tham số, chế độ hoạt động ở tín hiệu nhỏ
của Diode
 Hệ số góc của đường đặc tuyến của diode tại
Q-point được gọi là điện dẫn của diode và
được cho bởi công thức:

i I V


 I I
g  D  S exp D  D S
d v V  V  V
D Q  point T  T  T
I I
g  D  D  40I
d D For ID>>IS
V 0.025V
T
 Điện trở của diode được cho bởi công thức:
1
r 
d g
d

4
 1.1. Các tham số, chế độ hoạt động ở tín hiệu nhỏ của
Diode

 v   
V  v
  
i  I exp D  1
 I  i  I exp D d
  1
D S 
V   D d S  V 
  
 T  
  T  

 V   v

 v v 
2 v 
3 

Phân tích chuỗi 
 I exp
  D  
1  I exp
 D 
 d 1 
d  1 
d 
       ...
Maclaurin S 
V   S  V  V 2 V  6 V  
  T  T  T   T 
 T   



Trừ hai vế của iD,  2 3 

v
1 v


 1 v 




i  (I  I ) d

  d
 
 d  ...
 


d D S V  2V   6V   
T
 T
  T   
 
Với id là hàm tuyến tính của tín hiệu điện áp vd, v  2VT  0.05V
d
Yêu cầu cho việc hoạt động ở tín hiệu nhỏ của diode.
v  

i  (I  I ) d   i  g v
 i  I  g v
d D S V  d d d
 D D d d
T 
5
1.1. Các tham số, chế độ hoạt động ở tín hiệu nhỏ của
Diode

vd  v 
2
Với tính tuyến tính, id tỉ lệ với vd  1  d 
VT 2  VT 
Yêu cầu cho việc hoạt động ở tín 2
hiệu nhỏ của diode. vd 1 v 
[1  d  ]  0
VT 2  VT 
vd
 2
VT
vd  2VT  50mV
Trong thực tế, ta chọn:
2VT ID ID
vd   5mV id  g d vd  5mV  5mV  0.2 I D
10 VT 25mV
2VT id  0.2I D
vd   5mV
10
6
 Ví dụ 1 và 2: tính điện trở của Diode

 Ví dụ 1: Tìm các giá trị của điện trở của diode rd để một diode với IS =

1 fA hoạt động tại ID = 0,5 μA, 2 mA và 3 A

 Đáp án: 50K; 12.5; and 8.33 m

 Ví dụ 2: Tìm giá trị của điện trở của diode rd ở mô hình tín hiệu nhỏ

tại nhiệt độ phòng với ID = 1.5 mA và ở T = 100 oC.

 Đáp án: 16.7 , 21.4 

7
1.2. Cấu trúc của BJT, mô hình vận chuyển trong BJT
npn

Bao gồm 3 lớp bán dẫn loại n và p, được gọi là vùng phát (emitter (E)), nền (base
(B)) và thu (collector (C)).
Phần lớn dòng điện đi vào cực C, qua vùng nền (base) và ra ngoài qua cực E. Một
dòng điện nhỏ cũng sẽ đi vào cực B, qua liên kết BE và ra ngoài ở cực E.
Các hạt tải nằm trong vùng nền ngay bên dưới vùng được pha đậm (n+) E điều khiển
đường đặc tính i-v của BJT.
 1.2. Cấu trúc của BJT, mô hình vận chuyển
trong BJT npn
 Lớp nền mỏng liên kết hai kết nối
pn lại với nhau.
 Điện áp vBE làm xuất hiện dòng
điện iB chạy từ cực B qua cực E,
dòng iB kích thích tạo dòng iC lớn
hơn, chạy từ cực C qua cực E. Tại
cực E dòng iB và iC được tổng hợp
thành dòng iE ra ở cực E
 Điện thế vBE và điện thế vBC
quyết định các dòng trong
transistor và có giá trị dương
khi các pn junction được phân
cực thuận.
 Dòng tại các cực là dòng thu
(iC), dòng nền (iB) và dòng phát
(iE).
 Sự khác nhau cơ bản giữa BJT
và FET là iB là đáng kể, trong
khi iG = 0.
 1.2. Đặc tính phân cực thuận của BJT npn

Dòng nền:
i  I
v




i  F  S 
exp
BE  1
B     V  
F F  T  

20    500 (Hệ số khuyếch đại CE)

F
Dòng phát được cho bởi công thức:
 v

I 


i i i  S 
exp
BE 
 1
E C B    V  
F   T  
Dòng vận chuyển thuận:

 v 




0.95    F  1.0 (Hệ số khuếch đại
i  i  I exp BE  1

  F  1
C F S  V  

F CB)
 T  

IS là dòng bão hòa
Trong vùng tích cực,
1018A  I  10 9 A i
C 
i
C 
S
i F i F
VT = kT/q =0.025 V ở nhiệt độ phòng B E
 1.2. Đặc tính phân cực nghịch của BJT npn

0    20 (Hệ số khuyếch đại CE)

R
Dòng nền ở chế độ phân cực thuận và phân
cực nghịch là khác nhau do sự bất đối xứng
trong việc pha tạp ở vùng thu và vùng phát.

Dòng phát:
I v 





Dòng vận chuyển nghịch: i   S exp BC  1


 
C  V  

v     R  T  

 
i  i  I exp BC  1

  
R E S V  
  0   R  0.95 (Hệ số khuếch đại
T  
  R  1
R CB)
Dòng nền:
i Iv 




i  R  S exp BC  1

 
B   V  
 
R R T  
 
1.3. Biểu thức chung cho các chế độ phân cực của
BJT npn


v   v  I  v  
i  I exp BE   exp BC   S  exp BC  1
     
 
C S V   V  V  
T   R 
  
 T   
 T  



v   v  I  v  
i  I exp BE   exp BC   S  exp BE  1
     
 
E S V   V  V  
T   F 
  
 T   
 T  



I v   I
  v  
i  S exp BE  1  S  exp BC  1
   
 
B  V    
   V  
F T  
R
  T  
Tính toán các tham số:
Ví dụ 3

 Ví dụ: Tính giá trị điện áp và dòng

điện tại các cực: vBE, vBC, iC, iE, iB.
 Biết: VBB = 0.75 V, VCC = 5.0 V, IS
=10-16 A, bF =50, bR =1
 Giả sử: Mạch hoạt động ở nhiệt độ
phòng, VT =25.0 mV.
 Phân tích mạch: VBE =?,
VBC = ?
Kiểm tra: bF =?, bR =?
 Tính toán các tham số:
Ví dụ 3

VBC = VBB- VCC =0.75 V-5.00V=-4.25 V

Biểu thức của dòng điện tại các cực của transistor,
I
I  1.07mA   C  1.07mA  50
C F I 0.0214mA
I  1.09mA B
E I
  C  1.07mA  0.982
I  21.4A F I
B 1.09mA
E
1.4. Cấu trúc của BJT pnp, biểu thức chung
cho các chế độ phân cực của BJT pnp
1.4. Tính chất phân cực thuận của BJT pnp

v 




i  i  I exp

EB

 1
C F S V  

 T  


i I  v




i  F  S exp
EB 
 1
B     V  
F F  T  

 

1 v 




i  i  i  I 1

 exp EB  1

 
E C B S  V  
 

 F T  



1.4. Tính chất phân cực nghịch của BJT pnp

v  

 

i  i  I exp CB



 1 
R E S V  
 
T  
 

i Iv   

i  R  S exp CB  1

 
B   V   
R R T  
 

 
 v
1 


 

i   I 1
 exp CB  1

 
C S  V    

 R T   


1.4. Cấu trúc của BJT pnp, biểu thức chung
cho các chế độ phân cực của BJT pnp

 
v
   v  I   v  

 

   
i  I exp EB   exp CB   S  exp CB 1
 
C S V   V  V  
T   R 
  
 T   
 T  
 


v   v  I  v  
i  I exp

EB   
  exp
 CB 
  S 
 exp
 EB  1
E S V   V  V  
T   F 
  
 T   
 T  


 
I v   I   v  
i  S 


exp EB  1 
 
 S 
 exp
 CB  1
B  V    
   V  
F T  
R  T  
 Tính toán các tham số:
Ví dụ 4

Tìm Ic, IE, và IB cho một pnp transistor nếu Is = 10-16 A, VEB =
0.75 V, và VCB = +0.70 V, βF=75, βR=0.40

Tìm Ic = ?mA, IE = ? mA, IB = ?mA

 Tính toán các tham số:
Ví dụ 4

Tìm Ic, IE, và IB cho một pnp transistor nếu Is = 10-16 A, VEB =
0.75 V, và VCB = +0.70 V, βF=75, βR=0.40
 
v 
 v  I   v  
i  I exp EB   exp CB   S  exp CB  1
 
   
 
C S V   V  V  
T   R 
  
 T 
 
 T  
 
 
 v   v  I  v  
exp EB  1
    S

i  I exp

EB
   exp CB  




E S V   V  V 
T   F
    
 T 
    T  
 
 
I  v   I   v  
i  S 
exp
EB  
 1  S 
 exp
 CB  1
B    V      V  
F   T   R  T  
 Tính toán các tham số:
Ví dụ 4

Tìm Ic, IE, và IB cho một pnp transistor nếu Is = 10-16 A, VEB =
0.75 V, và VCB = +0.70 V, βF=75, βR=0.40
 
v 
 v  I   v  
i  I exp EB   exp CB   S  exp CB  1
 
   
 
C S V   V  V  
T   R 
  
 T 
 
 T  
 
 
 v   v  I  v  
exp EB  1
    S

i  I exp

EB
   exp CB  




E S V   V  V 
T   F
    
 T 
    T  
 
 
I  v   I   v  
i  S 
exp
EB  
 1  S 
 exp
 CB  1
B    V      V  
F   T   R  T  

Đáp Án: Ic = 0.563 mA, IE = 0.938 mA, IB = 0.376 mA

 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT,
tham số khuếch đại của BJT
 Mục đích của việc phân cực cho BJT là thiết lập một điểm làm việc tĩnh
(Q-point) và nhờ vào đó xác định vùng hoạt động ban đầu của
transistor.
 Đối với một BJT, Q-point được đại diện bởi (IC, VCE) cho npn transistor
hoặc là (IC, VCE) cho pnp transistor.
 Q-point điểu khiển giá trị của điện dung khuếch tán, độ dẫn truyền, trở
kháng vào và trở kháng ra
 Trong thực tế phân tích mạch, ta thường sử dụng các công thức toán đã
được đơn giản hóa cho mỗi vùng hoạt động và điện áp Early (VA) được
xem là rất lớn so với điện áp VCE.
 Trong thực tế, hai mạch điện thường được dùng để phân cực BJT là:
– Mạch phân cực 4 điện trở
– Mạch phân cực 2 điện trở
 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT,
tham số khuếch đại của BJT
 Phân tích mạch DC:
– Xác định sơ đồ tương đương DC bằng cách thay thế tất cả các tụ điện
bằng một mạch hở và các cuộn cảm bằng dây dẫn.
– Xác định điểm tĩnh Q-point của mạch tương đương dc bằng cách sử
dụng mô hình transistor cho tín hiệu lớn.
 Phân tích mạch AC:
– Xác định sơ đồ mạch tương đương ac bằng cách thay thế tất cả tụ điện
bằng dây dẫn và cuộn cảm bằng mạch hở, nguồn điện áp một chiều
được nối đất và nguồn dòng một chiều được thay bằng mạch hở.
– Thay thế tất cả các transistor bằng mô hình tín hiệu nhỏ
– Sử dụng mô hình tín hiệu nhỏ cho mạch ac để phân tích các đặc tính
của mạch khuếch đại.
– Tổng hợp các kết quả phân tích trong mạch ac và dc để tìm các điện áp
và dòng điện trong mạch.

23
 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT,
tham số khuếch đại của BJT
 Các tụ liên lạc được sử dụng để đưa
tín hiệu xoay chiều vào mạch và lấy
tín hiệu xoay chiểu ở đầu ra mà
không làm ảnh hưởng đến Q-point
 Các tụ điện cung cấp một trở kháng
không đáng kể tại các tần số làm việc
và làm hở mạch đối với dòng điện
một chiều.
C1 và C3 là cho tín hiệu xoay chiều chạy
qua nhưng chặn thành phần một chiều vì
dung kháng của chúng rất nhỏ đối với
tín hiệu xoay chiều nhưng rất lớn đối
với thành phần một chiều.
C2 là tụ lọc nhiễu cao tần, nó tạo một
đường rẽ có trở kháng nhỏ để tín hiệu
xoay chiều chạy từ cực E xuống mass,
loại bỏ RE Còn đối với thành phần 1
chiều thì dòng điện 1 chiều phải chạy
qua điện trở RE để ổn định điểm làm
việc (điểm tĩnh Q)
24
1.5. Mạch tương đương AC và DC của mạch khuếch
đại dùng BJT

 Trong sơ đồ 1 chiều DC thì tất cả các tụ điện được thay thế bởi mạch
hở, ngắt vi, RI, R3 và C3 ra khỏi mạch.

25
1.5. Mạch tương đương AC và DC của mạch khuếch
đại dùng BJT

26
27
1.5. Mạch tương đương AC và DC của mạch khuếch
đại dùng BJT
(a) sơ đồ DC (b) sơ đồ AC

28
1.5. Mạch tương đương AC và DC của mạch khuếch
đại dùng BJT

R  R R  10kΩ 30kΩ
B 1 2
R  R R  4.3kΩ 100kΩ
C 3

29
 Mạch khuếch đại AC dùng BJT

BJT được phân cực ở vùng tích cực bởi hiệu điện thế VBE. Q-point được đặt
tại (IC, VCE)=(1.5 mA, 5 V) với IB = 15 mA.
Tổng điện áp giữa hai cực base và emitter : vBE VBE  vbe
Điện áp giữa hai cực collector và emitter: vCE 10  iC RC

30
Đặc tuyến mạch khuếch đại dùng BJT

31
 Đặc tuyến mạch khuếch đại dùng BJT
8 mV thay đổi ở vBE dẫn đến 5 mA sự
thay đổi của iB và 0.5 mA thay đổi ở iC.
0.5 mA thay đổi ở iC dẫn đến 1.65 V
thay đổi ở vCE .
Nếu sự thay đổi trong các dòng điện
và điện áp hoạt động là đủ nhỏ, thì
dạng sóng của IC và VCE là không
đổi so với tín hiệu vào.
Sự thay đổi nhỏ về điện áp ở cực B
sẽ gây ra sự thay đổi lớn về điện áp
ở cực C dẫn đến sự khuếch đại.
Hệ số khuếch đại điện áp:
v ce 1.65180
Av    206180  206
v 0.0080
be
Dấu âm chỉ ra sự đảo pha 1800 giữa
tín hiệu vào và tín hiệu ra.
32
Ví dụ 5

Ví dụ 5: Hệ số khuếch đại dòng điện CE (F)

của BJT được định nghĩa bằng công thức:

F = ic/ib
(a) Xác định giá trị F của transistor ở hình
bên.
(b) Dòng thu dc của BJT hoạt động ở vùng
tích cực được cho bởi công thức Ic =
Is.exp(VBE/VT ).Dựa trên những dữ liệu
được cho của Q-point để tìm dòng bão hòa
Is của transistor ở hình bên.
33
Ví dụ 5

Ví dụ 5:(c) Tỉ số của vbe/ib được gọi

là trở kháng vào Rin của BJT. Tìm
giá trị của Rin trong hình bên.
(d) BJT có tiếp tục hoạt động trong
vùng tích cực với tất cả điện áp đầu
vào tại cực C?

34
 Ví dụ 5

Đáp án: F = 100; Is = 1.04 x 10~15 A;

Rin = 1.6 k; Có

35
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT
i iB IC
g  b  
v be v BE  oVT
v ce  0 Q  point

ib iB
gr   0
v ce v vCE
Sử dụng hệ thống 2 cổng như hình trên, be  0 Q  point

i  y v  y vce i  g v  gr vce g  i c iC I

b 11 be 12 b be m   C
v be v BE VT
ic  y v  y vce ic  gmv  govce v ce  0 Q  point
21 be 22 be
Các tham số tại các cổng có thể chỉ i iC IC
go  c  
phần thay đổi theo thời gian của tổng v ce v  0 vCE V A VCE
điện áp và các dòng điện hoặc là những be Q  point

sự thay đổi nhỏ bên ngoài giá trị của Q-

point.
bo là hệ số khuếch đại dòng điện CE của BJT.
F : Hệ số khuếch đại dòng dc; 0 : Hệ số khuếch đại dòng ac.
Nhìn chung: F= 0 = 
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT

Điện dẫn:
I
gm  y  C  40I
21 V C
T
Trở kháng vào:
1  oVT  o
 Mô hình tín hiệu nhỏ hybrid-pi r   
biểu diễn mô hình BJT khi y11 IC gm
không tính đến các tụ bên trong
Trở kháng ra:
BJT
1 1 V A  VCE V A
 Các tham số tín hiệu nhỏ phụ ro    
thuộc vào các giá trị dòng điện y22 g 0 IC IC
và điện áp một chiều. Các giá trị
một chiều này phụ thuộc vào giá
trị của điểm tĩnh Qp
37
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT

 Nguồn dòng phụ thuộc điện áp gmvbe có thể được biến đổi thành nguồn
dòng phụ thuộc dòng điện,
v  i r
be b
gmv  gmi r  oi
be b b
v ce
ic  oi   oi
b r b
o
 Mối quan hệ ic=bib rất hữu ích trong việc phân giải mạch dc và ac khi
BJT hoạt động trong vùng tích cực.
38
 Hiệu ứng Early và hiệu điện áp Early

Khi phân cực nghịch trên tiếp giáp C-B tăng lên, độ rộng vùng nghèo giữa C
và B tăng lên làm độ rộng cực B giảm xuống.
Trong thực tế, ở miền hoạt động tích cực thì dòng iC không độc lập với vCE.
Đặc tính iC theo vCE không phải là những đường song song với trục hoành mà
chúng cắt nhau tại một điểm tương ứng với điện áp Early (VA).
Hiệu ứng Early: các đường đồ thị của đặc tính iC theo vCE cắt nhau tại một
điểm VCE = -VA nằm từ khoảng 15 V đến 150V
 
(VA : gọi là Điện áp Early)  v 
  1  CE 
Phương
F FO  V 
trình rút gọn (bao gồm hiệu ứng Early):  A




v   v 
I v 
 
i  I exp BE
  1 CE  i  S exp BE  
C S 
 V   V  B   V 
 
 T
   A  FO  T  
 Ví dụ 6 và 7

 Ví dụ 6: Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho transistor lưỡng cực với βo =

75 và VA = 60 V và Q-point (50 μA, 5 V).

 Đáp án: 2.00 mS, 37.5 kΩ, 1.30 MΩ, 2600

 Ví dụ 7: Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho transistor lưỡng cực với βo =

50 và VA = 75 V và Q-point (250 μA, 15 V).

 Đáp án: 10.0 mS, 5.00 kΩ, 360 kΩ, 3600

40
 1.7. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT
 V v
v 
i  I  ic  I exp


BE

 
be


 exp
i  I exp BE
 
C C S

V 
 V


C S 
 V  T   T 
 T
  2 3 
 v 1
v


 1
v




 I 1
 be   be    be   ...

C V 2V  6V  
 T  T   T  
 

v v 
2 v 
3 

 be
ic  i  I  I  1
 

be 
  
1 
be 
  ...

C C C V 2V  6V  
 T  T   T  
 
Vì tính tuyến tính, ic tỉ lệ với vbe vbe  2VT  50mV
v 

 I
i  I 1 be
 I  C v I g v
C C V  C V be C m be

T
 T
Thay đổi trong ic tương ứng với chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ:
ic gm v 0.005
 v  be   0.200
I I be V 0.025
C C T 41
 1.7. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT

vbe  v 
2
Vì tính tuyến tính, ic tỉ lệ với vbe  1  be 
VT 2  VT 
Các yêu cầu hoạt động ở tín hiêu nhỏ
vbe v 
2
của BJT. 1
[1  be  ]  0
VT 2  VT 
vbe
 2
VT
vbe  2VT  50mV
Trong thực tế, ta chọn:
2VT IC IC
vbe   5mV ic  g m vbe  5mV  5mV  0.2 I C
10 VT 25mV
2VT ic  0.2IC
vbe   5mV
10
42
1.8. Mạch tương đương AC và DC của mạch khuếch đại dùng
MOSFET

Mạch tương đương DC

Mạch tương đương AC

43
 Mạch khuếch đại AC dùng MOSFET

MOSFET được phân cực trong vùng tích cực bởi một hiệu điện thế VGS. Q-
point được đặt tại (ID, VDS)=(1.56 mA, 4.8 V) với VGS =3.5 V.
v V  v
Tổng điện áp giữa hai cực gate và source: GS GS gs

1 V p-p thay đổi ở vGS dẫn đến 1.25 mA p-p thay đổi ở iD
và 4 V p-p thay đổi ở vDS. 44
 Mạch khuếch đại AC dùng MOSFET

MOSFET được phân cực trong vùng tích cực bởi một hiệu điện thế dc VGS.
Q-point được đặt tại (ID, VDS)=(1.56 mA, 4.8 V) với VGS =3.5 V.
v V  v
Tổng điện áp giữa hai cực gate và source: GS GS gs

1 V p-p thay đổi ở vGS dẫn đến 1.25 mA p-p thay đổi ở iD và 4 V p-p thay đổi ở vDS.
45
1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

46
1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

47
1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

48
 1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

Độ hỗ dẫn:
ID
gm   2K n I D
VGS VTN
2
Trở kháng ra:
1
 VDS
 Vì cực cổng G được cách li khỏi 1
ro   
kênh bởi cổng-trở kháng vào của ID I D
transistor là rất lớn.
 Các tham số tín hiệu nhỏ được điều Tham số khuếch đại cho lVDS<<1:
khiển bởi Q-point. 1
V
2Kn
 Với cùng một điểm hoạt động,   gmro   DS  1
f I  ID
MOSFET có độ hỗ dẫn cao hơn và D
trở kháng ra thấp hơn so với BJT.
49
1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

50
1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

For VDS<<1

51
 1.10. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của MOSFET

Kn  2
i  v V 
D 2  GS TN 

for vDS  vGS VTN

D D d
K 
i  I  i  n  V  V
2  GS TN

2  2v V
 V
gs GS TN  
v 2 
gs 

d
K
i  n 2v gs V
2   V
GS TN

 v gs2 


vgs  2 V  V



GS TN
 
 
Vì tính tuyến tính, id tỉ lệ với vgs vgs  0.2 VGS  VTN
Vì MOSFET có thể được phân cực bởi (VGS - VTN) lên đến vài volts, nó
có thể khuếch đại các giá trị của vgs lớn hơn các giá trị của vbe trong mạch
khuếch đại BJT.
Thay đổi trong dòng máng iD tương ứng với chế độ hoạt động tín hiệu
nhỏ:
i 0.2(V V )
d  gm v  GS TN  0.4
gs V V
I I GS TN
D D
2 52
 Ví dụ 8

Ví dụ 8: Một transistor MOSFET với Kn = 2.0 mA/V2 và λ = 0 hoạt động

với Q-point (25 mA, 10 V). Tìm giá trị lớn nhất của vgs ở chế độ hoạt động

tín hiệu nhỏ. Nếu một BJT được phân cực ở cùng Q-point, tìm giá trị tương

ứng lớn nhất của vbe

53
 Ví dụ 8

Ví dụ 8: Một transistor MOSFET với Kn = 2.0 mA/V2 và λ = 0 hoạt động với

Q-point (25 mA, 10 V). Tìm giá trị lớn nhất của vgs ở chế độ hoạt động tín
hiệu nhỏ. Nếu một BJT được phân cực ở cùng Q-point, tìm giá trị tương ứng
lớn nhất của vbe.

Đáp án: 1 V, 0.005 V

54
 Ví dụ 9

Ví dụ 9: a) Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho một
MOSFET transistor với Kn = 1 mA/V2 và λ = 0.02 V-1 hoạt
động tại Q-point (250 μA, 5 V) và (5 mA, 10 V). b) Phân tích
sơ đồ được cho để tìm giá trị của gm và ro
55
 Ví dụ 9
Ví dụ 9: a) Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho một transistor MOSFET
với Kn = 1 mA/V2 và λ = 0.02 V-1 hoạt động tại Q-point (250 μA, 5 V) và (5
mA, 10 V).

Fig.13.2(b)

56
 Ví dụ 9

Ví dụ 9: a) Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho một transistor

MOSFET với Kn = 1 mA/V2 và λ = 0.02 V-1 hoạt động tại Q-point (250
μA, 5 V) và (5 mA, 10 V).
Đáp án: a. 7.07 x 10-4 S, ∞, 220 kΩ, 155;
và 3.16 x 10-3 S, ∞, 12 kΩ, 38,

57
 1.11. Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET

Đối với tín hiệu nhỏ, điều kiện

đầu vào là:

vgs  0.2V V 

 GS P

Vì JFET thường hoạt động với

cổng được phân cực ngược, Hệ số khuếch đại:

I  I 1
G SG V I
rg     gmro  2  DS  2 DSS
f V V V I
GS P P D

58
 1.11. Các tham số tín hiệu nhỏ của JFET

1 i I I
y  G  G SG
r 11 v V
GS Q  point T

i I
gm  y  D D 
2 21 v V V
  GS Q  point GS P
v   2
i I 1 GS  1 v



 I
D DSS V  
 DS 
  2 DSS (V V )

P 
 V 2 GS P
P
Điều kiện v v V
DS GS P
1 i I
y  D  D
v


  
 ro 22 v 1
 
V
i I exp GS 1 






 DS Q  point
 DS
G SG V    
 
T 
  



59
60
Kết thúc chương 1

61