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第二章 電鍍基本原理與概念  

2.1 電鍍之定義
2.2 電鍍之目的
2.3 各種鍍金的方法
2.4 電鍍的基本知識
2.5 電鍍基礎
2.6 有關之計算及化學冶金
2.1 電鍍之定義

• 電鍍 (electroplating) 被定義為一種電沈積
過程 (electrodepos- ition process) , 是利

電極 (electrode) 通過電流,使金屬附著於
物體表面上, 其目的是在改變物體表面之
特性或尺寸。
2.2 電鍍之目的

• 電鍍的目的是在基材上鍍上金屬鍍層 (depo
sit) ,改變基材表面性質或尺寸。例如賦予
金屬光澤美觀、物品的防鏽、防止磨耗、
提高 導電度、潤滑性、強度、耐熱性、耐
候性、熱處理之防止滲碳、氮化 、尺寸錯
誤或磨耗之另件之修補。
2.3 各種鍍金的方法
• 電鍍法 (electroplating) 無電鍍法 (electroless plating) 
• 熱浸法 (hot dip plating)  熔射噴鍍法 (spray plating) 
• 塑膠電鍍 (plastic plating) 浸漬電鍍 (immersion plating) 
• 滲透鍍金 (diffusion plating) 陰極濺鍍 (cathode supptering)
• 真空蒸著鍍金 (vacuum plating) 合金電鍍 (alloy plating)
• 複合電鍍 (composite plating 局部電鍍 (selective plating) 
• 穿孔電鍍 (through-hole plating) 筆電鍍 (pen plating)
• 電鑄 (electroforming) 
• 
2.4 電鍍的基本知識

• 電鍍大部份在液體 (solution) 下進行,又


絕大部份是由水溶 液 (aqueous solution)
中電鍍,約有 30 種的金屬可由水溶液進
行電鍍 , 由水溶液電鍍的金屬有:銅 Cu 、
鎳 Ni 、鉻 Cr 、鋅 Zn. 有些必須由非水溶液
電鍍如鋰、鈉、鉀 . 可油水溶液及非水溶液
電鍍者有銅、銀、鋅、鎘、銻、鉍、錳、
鈷、 鎳等金屬。
電鍍的基本知識包括下列幾項:

• 溶液性質
• 物質反應
• 電化學
• 化學式
• 界面物理化學
• 材料性質
溶液 (solution)

• 被溶解之物質稱之為溶質 (solute) ,使溶質


溶解之液體稱之溶 劑 (solute) 。溶劑為水
之溶液稱之水溶液 (aqueous solution) 。
• 溶液之濃度,在工廠及作業現場,使用易
了解及便利的重量百分率濃度 (weight perc
entage) 。 另外常用的莫耳濃度 (molal con
centration) 。
物質反應 (reaction of matter)

• 在電鍍處理過程中,有物理變化及化學變
化,例如研磨、乾燥等為物理反應,電解
過程有化學反應,我們必須充份了解在處
裡過程中各種物理及化學反應及其相互間
關係與影響。
電化學 (electrochemistry)
• 電鍍是一種電沉積 ( electrodeposition ) 過程 , 利用電解體
在電極 (electrode) 沉積金屬 , 它是屬於電化學之應用的一
支。電化學 是研究有關電能與化 學能交互變化作用及轉
換過程。
• 電解質 (electrolyte) 就是其溶液具有電解性質之溶液 (ele
ctrolytic solution) 它含有部份之離子 (ions), 經由此等離
子之移動 (movement) 而能導電。帶陰電荷朝向陽極 (an
ode) 移動稱之為陰離子 (anion), 帶正電荷朝向陰極 (cath
ode) 移動 (migrate) 者稱之為陰離子 cations) 。
• 電極 : 放出電子產生氧化反應之電極稱之為陽極 (anode),
得到電子產生還元化應 之電極稱之為陰極 (cathode) 。整
個反應過程稱之為電解 (electrolysis) 。
電極電位 (electrode potential
s)
• 電位 (electrode potential) 為在電解池 (elec
trolytic) 中之導電體 , 電流經由它流入或流
出。電極電位 (electrode potential) 是電極
與電解液之間的電動勢差 , 單獨電極電位
不能測定需參考一些標準電極 (standard el
ectrode) 。
• 氫標準電極 (hydrogen standard electr
ode) 以其為基準電位為 0
• 電極電位之大小可由 Nernst equation 表示之 :
• E=E0+RT/nF ln aMn+/aM 

• E= 電極電位 
• E0= 電極標準狀態電位 (volt) 
• R= 氣體常數 (8.3143 J.K-1MOL-1) 
• T= 絕對零度 ( K) 
• n= 原子價之改變數 ( 電子移轉之數 ) 
• aMn+= 金屬離子之活度 (activity), 若極稀薄之溶液 , 其活度
就等於金屬 
• 離子 之濃度 (concentration)C 。一般則活度為濃度乘上活
度係數 , 即 a = r *c 。金屬電極之活度 , 若為純金屬即為 1 。
 
• F 為法拉第常數 
 
標準電極電位 (standard electrode p
otential)
• 標準電極電位 (standard electrode potential) 是指金
屬電極之活度為 1( 純金屬 ) 及在金屬離子活度為 1
時之電極電位。
• 
• 即 E=E0 
• E=E0+RT/nF ln 1/1 
• =E0+0= E0 
 

 
• 氫之標準電位在任何溫度下都定為 0, 做為其他
電極之參考電極 (REFERENCE ELECTRODE),
以氫標準電極為基準 0
• 各種金屬之標準電位見表排列在前頭之金屬如
Li 較易 失去電子 , 易被氧化 , 易溶解 , 易腐蝕 ,
稱之為濺金屬或 金屬 (basic metal) 。相反如 A
u 金屬不易失去電子 . 不易氧化 . 不易溶解 . 容
易被還元稱之為貴金屬 (noble metal) 。
• 電極 電位 電極 電位
     Li+ -3.045               Co+2 -0.277   
Rb+ -2.93                 Ni+2 -0.250 
K+ -2.924              Sn +2
-0.136 
Ba+2 -2.90                  Pb +2
-0.126 
Sr+2 -2.90                 Fe+3 -0.04 
Ca+2 -2.87                  H +
0.000 
Na+ -2.715               Sb +3
+0.15 
  Mg+2 -2.37               Bi +3
+0.20
      Al+3 -1.67                As+3 +0.30 
  Mn+2 -1.18             Cu+2 +0.34 
      Zn+2 -0.762               O2 +0.40 
      Cr+3 -0.74                 Cu+ +0.52 
      Cr+2 -0.56                 Hg2+2 +0.789 
      Fe+2 -0.441              Ag+ +0.799   
Nernst 電位學說

• 金屬含有該金屬離子之溶液相接觸 , 則在金屬與
溶液界面 , 會產生電荷移動現象 , 此等電荷之移動 ,
仍是由於金屬與溶液的界面有電位勢之差別稱之
為電位差所引起 , 此現象
• 設驅使金屬失去電子變為陽離子溶入溶液中之電
離溶解液解壓 (electrolatic solution pressure) 為
p 而使溶液中的陽離子得到電子 還元成金屬滲透
壓 (osmotic pressure) 為 p, 則有三種情況發生 :
• (1) P>P 時 , 金屬被氧化 , 失去電子 , 溶
解成金屬離子於溶液中 , 因此
•  金屬電極本體接收電子而帶負電。 
• (2) P<P 時 , 金屬陽離子得到電子被還元
沉積於金屬電極表面上 ,
•  金屬電極本身供給電子 , 因此金屬電極
帶正電  
• (3) P=P 時 , 沒有產生任何變化
• 設金屬與溶液的界面所形成的電極電位為 E, 當 1 mol
e 金屬溶入於溶液中 , 則界面所通過的電量為 nF , n
為金屬陽離子之價數 , 即電子之轉移數 ,F 為法拉第常
數 , 此時所作功等於 nFE, 也等於下式 :
• E=RT/nF ln P/P 
• 即金屬陽離子之活度 (activity) 為 aMn+ 活度係數為 K,
則 P=KaM
  KaMn+ 於是 E= - RT/nF ln p/KaMn+
• E 在標準狀態時 , 即 aMn+=1 稱為標準電極電位 E , 即 
• E0=- RT/ nF ln P/K + RT/nF ln 1 =-RT/nF ln P/R 

• 非純金屬電位則為 :  
• E=E0+RT/Nf ln aMn+ / aM 
  
式中為 aM 為不純金屬之活度 
電極電位在熱力學的表示法

• 電極反應是由氧化反應及還原反應所組成 .
•  例如 Cu <=> Cu+++2e- 還原狀態 氧
化狀態 可用下列二式表示之 :  
• Cu →Cu+++2e-  氧化反應 
• Cu← Cu+++2e-  還原反應 
•E=E0-RT/F ln aCu++/aCu
界面電性二重層

• 在金屬與溶液的界面處帶電粒子與表面電
荷形成的吸附層,偶極子的排列層以及擴
散層等三層所組合的區域稱之為界面電性
二重層。
液間電位差( liquid junction
potential )
• 又稱之為擴散電位差 (diffusion potential) ,
係由陰離子與陽 離子之移動度不同而形成
之電位差,通常溶液之濃度差愈大 ,陰陽
離子移動度差愈大,則液間電位差愈大。
過電壓( overvoltage)
• 當電流通過時,由於電極的溶解、離子化、放電、及擴
散等過程中有一些阻礙,必須加額外的電壓來克服,這些
阻礙使電流通過,這種額外電壓消除阻礙者稱之為過電壓。
此種現象稱之為極化 (polarization) 。此時陰極、陽極實
際電位與平衡電位之差即為陰極過電壓、陽極過電壓。氫
過電壓( hydrogen overvoltage ),在酸性水溶液中陰極
反應產生 H2 氣體,此額外之電壓稱氫過電壓,即  ηH2=Ei-
Eeq  式中 ηH2= 氫過電壓 , Ei= 實際電壓  ,Eeq= 平衡電壓 
• 在電鍍時由於氫過電壓的原因使氫氣較少產生,而使許多
金屬可以在水溶液中電鍍。例如鋅、鎳、鉻。 

過電壓可分下列四種:

• 1. 活化能過電壓( activiation overvoltag


e)
• 2. 濃度過電壓( concentration overvoltag
e)
• 3. 溶液電阻過電壓( solution resistance o
vervoltage )
• 4. 電極鈍態膜過電壓( passivity overvolta
ge )
活化能過電壓
• 任何反應,不論吸熱或放熱反應皆有最低能
障需克服 ,此能障稱為活化能,在電解反應需
要額外電壓來克服活化能阻礙,此額外電壓之
活化能過電壓,可用 Tafel 公式表示:
• η act=a+b log i 
•   b 為係數, i 為電流, ηact 為活化能過電壓其電流 i
愈大 η act 愈大,電鍍中 η act 佔很小一部份,幾乎可以
忽略,除非電流密度很大。
濃度過電壓(

• 當電流變大,電極表面附近反應物質的補
充速度及反應生成物 逸散之速度不夠快,
必須加上額外之電壓,以消除此阻礙,此
額外 電壓稱濃度過電壓。
• 在電鍍時可增加溫度即增加擴散速率,增
加濃度,攪拌或陰極移動可減少濃度過電
壓,電流密度因而提高,電鍍的速率也可
增加。
溶液電阻過電壓

• 溶液的電阻產生 IR 電壓降,所以需要額外
的電壓 IR 來克服此電阻使電流通過,此額
外電壓 IR 稱之溶液電阻過電壓。
• 在電鍍時可增加溶液導電度,提高溫度以
減少此電阻過電壓,有時此 IR 形成熱量太
多會使鍍液溫度一直上升,造成鍍液蒸發
損失需冷卻或補充液。
電極鈍態膜過電壓

• 電解過程,在電極表面會形成一層鈍態膜,
如 A1 的氧化物膜,錯離子形成之阻力膜,
此等膜具有電阻需要額外電壓加以克服,
此種額外電壓稱之為鈍態膜過電壓。
界面物理化學

• 表面處理過程中,金屬會與水或液體接觸,
例如水洗、 酸浸、電鍍、塗裝、琺瑯等。
要使金屬與液體作用,需金屬表面完全浸
濕接觸,若不能完全接觸,則表面處理將
不 完全,無法達到表面處理的目的。所以
金屬與液體接觸以介面物理化學性質對表
面處理有十分重要的意義。
表面張力及界面張力

• 液體表面的分子在表面上方沒有引力,處
於不安定狀態稱之自由表面,故具有力,
此力稱之為表面張力。液 體之表面張力大
小因液體的種類和溫度而異,溫度愈高表
面張力愈小,到沸點時因表面分子氣化自
由表面消失,故張力變為零。液體和固體
與別的液體交接的面也有如表 面張力之作
用力,稱之界面張力。
界面活性劑

• 溶液中加入某種物質,能使其表回張力立
即減小,具 有此種性質的物質稱之為界面
活性劑。表面處理過程如 洗淨、脫脂、酸
洗等界面活性劑被廣泛應用對表面處理之
光澤化、平滑化,均一化都有相當幫助。
材料性質

• 表面處理工作人員必須對材料特性充份了
解,表面處 理的材料大多是金屬,所以首
先要知道各種金屬的一般 性質。例如色澤、
比重、比熱、溶點、降伏點、抗拉強度、
延展性、硬度、導電度等。
電鍍基礎

• 電鍍的基本構成元素及工場設備
• 電鍍使用之電流 電鍍溶液
• 金屬陽極與金屬陰極 陽極袋
• 電鍍架 電鍍前的處理
• 電鍍工場設備 電鍍控制條件及影響因素
• 鍍浴淨化 鍍層要求項目
• 鍍層缺陷 電鍍技藝
• 金屬腐蝕
電鍍的基本構成元素

• 外部電路,包含有交流電源、整流器、導
線 、可變電阻、電流計、電壓計。
• 陰極、或鍍件 (work) 、掛具 (rack) 。
• 陽極 (anode) 。
• 電鍍液 (bath solution) 。
• 鍍槽 ( plating tank ) 加熱或是冷卻器 (heati
ng or colling coil ) 。
• 攪拌系統
電鍍工場設備
• 防酸之地板及水溝。
• 電鍍糟及預備糟。
• 攪拌器。整流器或發電機。
• 導電棒、陽極棒、陰極棒、掛具。
• 安培表、伏特表、安培小時表、電阻表。
• 泵、過濾器及橡皮管。
• 電鍍槽用之蒸氣、電器或瓦斯之加熱設備。
• 檢驗、包裝、輸送工件等各項設備、儀器。
• 通風 , 排水及排氣設備。
電鍍使用之電流

• 在電鍍中,一般都僅使用直流電流。交流電流因
在反向電流時金屬沈積又再被溶解所以交流電流
無法電沈積金屬。直流電源是用直流發電機或交
流電源經整流器產生。直流電流是電子向一個方
向流通,所以可以電沈積金屬。但在有些特殊情
況會使用交流電流或其他種特殊電流,用來改 善
陽極溶解消除鈍態膜、鍍層光層、降低鍍層內應
力、鍍層分佈、或是用於電解清洗等。
電鍍溶液,又稱鍍浴( plating bat
h)
• 電鍍溶液是一種含有金屬鹽及其他化學物
之導電溶液,用來電沈積金屬。其主要類
別可分酸性、中性及鹹性電鍍溶液。強酸
鍍浴是 pH 值低於2的溶液,通常是金屬鹽
加酸之溶液,例如硫酸銅溶液。弱酸 鍍浴
是 pH 值在 2 ~ 5.5 之間鍍浴,例如鎳鍍浴。
鹹性鍍浴其 pH 值超過7之溶液,例如氰化
物鍍浴、錫酸鹽之錫鍍浴及各種焦磷酸鹽
鍍浴。
鍍浴的成份及其功能

金屬鹽:提供金屬離子之來源如硫酸銅。
可分單鹽、鹽,及錯鹽。
•    例如:單鹽: CuSO4 ; NiSO4
導電鹽:提供導電度,如硫酸鹽、氯鹽,
可降低能量花費、鍍液熱蒸發損
失,尤其是滾桶電鍍更需優良導
電溶液。
鍍浴的成份及其功能
• 陽極溶解助劑 : 陽極有時會形成鈍態膜,不易補充金
屬離,則需加陽極溶解助劑。例如鍍鎳時加氯鹽。
• 緩衝劑 : 電鍍條件通常有一定 pH 值範圍,防止 pH
值變動加緩衝劑,尤其是中性鍍浴 (pH5 ~ 8) , p
H 值控制更為重要。
• 錯合劑 : 很多情況,錯鹽的鍍層比單鹽的鍍層優良,
防止置換沈積,如鐵上鍍銅,則需用錯合劑,或是
合 金電鍍用錯合劑使不同之合金屬電位拉近才能同
時沈積得到合金鍍層。
• 安定劑 : 鍍浴有些會因某些作用,產生金屬鹽沈澱,
鍍浴壽命減短,為使鍍浴安定所加之藥品稱之為安
定劑。
• 鍍層性質改良添加劑 : 例如小孔防止劑、硬度調節劑、
澤劑等改變鍍層的物理化學特性之添加劑。 
• 潤濕劑 (wetting agent) : 一般為界面活性劑又稱
去孔劑。
鍍浴的準備

• 將所需的電鍍化學品放入在預備糟內與水
溶解。去除雜質。用過濾器清除浮懸固體,
倒入一個清潔電鍍槽內。鍍浴調整,如 pH
值、溫度、表面張力、光澤劑等。用低電
流電解法去除雜質。
鍍浴的維持

• 定期的或經常的分析鍍浴成份,用化學分
析法或 Hull 試驗 (Hull cell test) 。維持鍍浴
在操作範圍成份,添加各種藥品。去除鍍
浴可能被污染的來源。定期淨化鍍液,去
除累積雜質。用低電流密度電解法間歇的
或連續的減低無機物污染。間歇或連續的
過濾鍍浴浮懸雜質。經常檢查鍍件、查看
缺點。
金屬陽極

• 金屬陽極分為溶解性及不溶解性陽極,溶解性陽
極用於電鍍上是為補充溶液中電鍍所消耗的金屬
離子,是用一種金屬或合金鑄成、滾成、或沖製
成不同形狀裝入陽極籃 (anode basket) 內。
• 不溶解陽極用來做傳導電流,鍍浴金屬離子需用
金屬鹽來補充,不溶解陽極有二個條件,一 是良
好的導電體,二是不受鍍液之化學作用污染鍍浴
及不受 侵蝕。
陽極袋( anode bag )

• 陽極袋是一種有多細孔薄膜袋子,用來收
集陽極不溶解金屬與雜質陽極泥,以防止
污染鍍浴,阻止粗糙鍍層發生。陽極袋是
用編織布縫成陽極形狀寬大適中,長度要
比陽極稍長,材料需紮得緊,足夠收集陽
極泥,不妨礙鍍浴流通,將陽極袋包住陽
極並縛在陽極掛鉤上。
金屬陰極

• 金屬陰極是鍍浴中的負電極,金屬離子還
元成金屬形成鍍層及其他的還元反應,如
氫氣之形成於金屬陰極上。準備鍍件做 電
鍍需做下面各種步驟:研磨、拋光、電解
研磨、洗淨、除銹等。
電鍍之前處理
• 電鍍前之處理,稱之前處理 (pretreatment) ,包括下列過
程:
• 1. 洗淨:去除金屬表面之油質、脂肪、研磨劑,及污泥。
可用
• 噴射洗淨、溶劑洗淨、浸沒洗淨或電解洗淨。
• 2. 清洗:用冷或熱水洗淨過程之殘留洗淨劑或污物。
• 3. 酸浸:去除銹垢或其他氧化物膜,要注意防止基材被腐
蝕或產生氫脆。可加抑制劑以避免過度酸浸。酸浸完後要
充份清洗。
• 4. 活化:促進鍍層附著性,可用各種酸溶液使金屬表面活
化。
• 5. 漂清:電鍍前立刻去除酸膜,然後電鍍。
電鍍掛架( rack )
• 電鍍掛架是用在吊掛鍍件及導引電流之掛架,其
主要部份有: 1. 鉤,使電流接觸導電棒。 2. 脊骨,
支持鍍件並傳導電流。 3. 舌尖,使電流接觸鍍件。
4. 掛架塗層,絕緣架框部份,限制及導引電流通
向鍍件。
• 其決定尺寸的條件有 1. 鍍件重量, 2. 電鍍的面積,
3. 每個掛架之鍍件數, 4. 鍍槽的尺寸, 5. 電鍍
操作所需之最大電流, 6. 鍍架上之附屬設備如絕
緣罩或輔助電極, 7. 鍍件及掛架最大重量。
電鍍掛架( rack )
• 電鍍掛架基本型式有 :
• 1. 直脊骨型,是以垂直中央支持,用舌尖夾持鍍
件,適小鍍件可用手來操作。
• 2. 混合脊骨型,經常用在自動電鍍上,是用方型
框架聯合平行及垂直骨架所構成夾持小鍍件。
• 3. 箱型,這種掛架可以處理許多鍍件,需配備有
自動輸送機、起重機、吊車等設備。
• 4. T型係垂直中央支持,聯結許多垂直的交叉棒,
此種適合手動及自動操作。
電鍍掛架( rack )

• 選擇電鍍掛架的決定因素有 :
• 1. 電流量,
• 2. 強度,
• 3. 荷重限制,
• 4. 鍍件位置安排,
• 5. 空間限制,
• 6. 製造難易,
• 7. 維持費用及成本。
電鍍掛架( rack )
• 電鍍掛架在某些地方加以塗層絕緣,其目的有下
列幾項:
•   1. 減少電鍍金屬之浪費。
•   2. 限制電流進入要被電鍍之區域,減少電能
• 損失。
•   3. 減少鍍浴污染。
•   4. 改進金屬披覆分佈。
•   5. 減少電鍍時間。
• 6. 延長鍍架壽命,防止鍍糟腐蝕。
電鍍控制條件及影響因素
• 1. 鍍液的組成。    12. 覆蓋性。
•   2. 電流密度。     13. 導電度。
•   3. 鍍液溫度。     14. 電流效率。
•   4. 攪拌。       15. 氫過電壓。
•   5. 電流波形。     16. 電流分佈。
•   6. 均一性。      17. 金屬電位。
•   7. 陽極形狀成份。   18. 電極材質及表面狀況。
•   8. 過濾。       19. 浴電壓。
•   9.pH 值。   
•   10. 時間。 
• 11. 極化。
鍍層要求項目
• 依電鍍的目的鍍層必須具備某些特定的性質,鍍
層的基本要求有下列幾項:
• 1. 密著性 (adhesion) ,係指鍍層與基材之間結
合力,密著性不佳則鍍層會有脫離現象,其原因
有:
•   (1) 表面前處理不良,有油污、鍍層無法與基
• 材結合。
•   (2) 底材表面結晶構造不良。
•   (3) 底材表面產生置換反應如銅在鋅或鐵表面
• 析出。
鍍層要求項目

• 2. 緻密性 (cohesion) ,係指鍍層金屬本身間之


結合力,晶粒細小,無雜質則有很好的緻密性。
其影響的因素有: (1) 鍍浴成份,電流密度,
(3) 雜質,一般低濃度浴,低電流密度可得到晶
粒細而緻密。
• 3. 連續性 (continuity) ,係指鍍層有否孔隙 (p
ore) ,對美觀及腐蝕影響很大。雖鍍層均厚可
減少孔隙,但不經濟,鍍層要連續,孔率要小。
鍍層要求項目
• 4. 均一性 (uniformity) ,是指電鍍浴能使鍍件
表面沈積均勻厚度的鍍層之能力。好的均一性
可在凹處難鍍到地方亦能鍍上,對美觀、耐腐
蝕性很重要。試驗鍍浴之均一性有 Haring 電解
槽試驗法、陰極彎曲試驗法、 Hull 槽試驗法。
• 5. 美觀性 (appearence) ,鍍件要具有美感,
必須無斑點,氣脹缺陷,表面需保持光澤、光
滑。可應用操作條件或光澤劑改良光澤度及粗
糙度,也有由後處理之磨光加工達到鍍件物品
之美觀提高產品附加價值。
鍍層要求項目

• 6. 應力 (stress) ,鍍層形成過程會殘留
應力,會引起鍍層裂開或剝離,應力形成
的原因有: (1) 晶體生長不正常, (2) 雜
質混入, (3) 前處理使基材表面變質妨磚
結晶生長。
• 7. 物理、化學機械特性如硬度、延性、強
度、導電性、傳熱性、反射性、耐腐蝕性、
顏色等。
電鍍有關之計算
• 法拉第定律 (Faraday's Law)
• 例 1 計算以 5 安培電流經過 5 小時,銅沈積重量,其電
流放率為 100 %
• 沉積重量 =( 原子量 /( 原子價 *96500))*( 電流 * 時間 *
電流效應 )  
• W=(A/(n*96500))*(I*T*CE)
=(63.54/(2*96500))*(5*5*60*60*100%)=31.8(g)
• ∴ 可沉積 31.8g 的銅

• 例 2 要在 10 分鐘鍍 2.5g 的鎳在 NiSO 鍍浴需多大電


流?
• 電流效率 100 %。
• I=( (n*96500)/(A))*((W)/(t*CE))
• =((2*96500)/(58.69))*((2.5)/(10*60*100%))=13.7
• ∴ 需電流 13.7 安培

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