KATHIAL ELEKTRONI I

Do.Dr. Faruk ZEK

A..F.F. Dner Sermaye i letmesi Yay nlar No: 52

Elektronik Mhendisi* Blm

A..F.F

B
E

KATIHAL ELEKTRON

Do.Dr. Faruk ZEK

A..F.F. Dner Sermaye i letmesi Yay nlar No: 52

Elektronik Mhendisli i Blm

A..F.F

KATIHAL
ELEKTRONI I

NSZ

KATIHAL ELEKTRON KITABI HAZIRLANIRKEN, KONULAR N KOLAYLKLA

ANLA LABILIR OLMASNA NCELIK TANINMI TIR.
AYRNTL TEORIK BILGILER FAKOLTEMIZ YAY NLAR! DAHIL OLMAK ZERE
BA KA KAYNAKLARDAN DA SA LANABILECEINDEN, BURADA, GEREKSIZ
TEKRARDAN ZELLIKLE KAINILMI TIR. BYLECE, MINMUM KITAP HACMI
IINDE MAKSIMUM B11 G1 VERILMESI AMALANMI TIR. KITAP, BU HALIYLE,
TEORIK A RLKL KITAPLAR! TAMAMLAYIC1 N TELKTEDR.
YARI-ILETKEN ELEKTRONK BILEENLER DAHA OK PRATIK KULLAN M
ASNDAN INCELENMI VE KONULAR YERI GELDIKE UYGULAMA

LE

ILIKILENDIRILMI TIR.
BU KTABIN ELEKTRON K MHENDSL RENCILERININ YANSRA FIZIK VE
FIZIK MOHENDISLI I BLMLERI- RENCILERI IIN DE YARARL OLMASN!
DILERIM.

SON OLARAK, KITABIN BILGISAYAR YAZIMINI GEREKLETIREN EIM

SAYN NURHAN ZEK'E TE EKKORLERIMI SUNAR/M.

FARUK ZEK
ELEKTRONIK MOHENDISLI BLM

A. .F.F.
1998

 NDEK LER

ATOMUN ELEKTRONIK YAPISI

ELEKTRON YRNGELER

KIMYASAL BA LAR

KATILAR

ENERJI BANDLARI

VALANS BANDI - ILETKENLIK BANDI

FOTON

YARI- LETKENLER
LETKEN, YALITKAN, YARI- LETKEN

11

KATKISIZ YARI- LETKEN

12

KATKILI YARI-ILETKENLER : N-TIPI, P-TIPI

13

PN EKLEM
DENGE DURUMUNDA PN EKLEM

17

ILERI KUTUPLAMA - TERS KUTUPLAMA

19

PN D YODUN AKIM-VOLTAJ KARAKTERISTIKLER

21

EKLEM KIRILMASI

22

PN DYOD UYGULAMALAR!
ZENER 1:4YOD

24

VAR KAP D YOD

25

I IK YAYAN D YOD : LED

26

FOTO-D YOD

27

GNE PIL

29

TRANSSTR
TR YOD LAMBALI YKSELT C

32

TR YOD LAMBA LE TRANSISTR-N KAR ILATIRILMASI 34

TRANS STR f Z t

36

BJT LE AKIM YKSELTME KAZANCI

37

FOTO-TRANS STR

38

LED I IMASININ TRANSISTOR LE MODLASYONU

39

ALAN ETKILI TRANSSTR

JFET

41

MOSFET

44

CMOS

46

YARI - LETKEN ANAHTARLAMA ELEMANLARI

TR1STOR (SCR)

48

LASCR

49

TRAK

50

D AK

51

QUADRAC

54

BAZI -ZEL YAR1- LETKENLER

UJT

55

PUT

58

FOTO-REZISTR (LDR)

59

LDR LE IIK KONTROLL OSSILATOR

61

TERM STR

62

KATIHAL GRNT ALGILAYICILARI

CCD

65

BAZI FZ KSEL SABiTLER

76

KAYNAKLAR

77

BLM 1

ATOMUN ELEKTRONIK YAPISI

1.1 ELEKTRON YRNGELERi

Elektronlar, ekirdek (nucleus) etraf nda, herbiri belirli bir enerji
dzeyine kar l k gelen yrngelerde dnerler.
Herbir elektron yrngesinde bulunabilecek maksimum elektron
say s belirlidir:
1 nci yrngede en fazla 2 elektron,
2 ve 3 nc yrngelerde en fazla 8 elektron bulunabilir.
Atom numaras (bir atomdaki elektron veya proton say s ) Z > 20
ise 3, 4, 5 ve 6 nc yrngelerde 8 den fazla elektron bulunabilir.
Ancak, en d yrngede, yine en ok 8 elektron vard r.
Z2 iin 1 nci yrngede 2 elektron, Z>2 iin en d yrngede 8
elektron varsa, elektron yrngeleri iin "tamamlanm " denir.
Yorngeleri tamamlanm atomlar kararl (stable) yap dad rlar ve di er
atomlarla ba yapmaya yatk n de ildirler. Kararl atom yap lar na
rnekler ekil 1.1 de gsterilmi tir:
Helyum Z = 2
Neon Z = (2+8)
Argon Z = (2+8+8)

Atomun en d yrngesinde dnen elektronlara valans

elektronlara adi verilir (valance: ba de er).

rnek: Silisyum atomu: ekil 1.2. Bu ekilde, silisyum atomunun

sadece d yrngesi dikkate al nd zamanki basitle tirilmi
diyagram da gsterilmi tir.

HELYUM

NEON

ARGON

ekil 1.1 Kararl atom yap lar na rnekler [1]

VALANS
ELEKTRONLARI

ekil 1.2 Silisyum atomu ve basitle tirilmi diyagram [2]

Bir atomun en d yrngesinde 8'e yak n sayida elektron varsa,

rnek klor: ekil 1.3, di er bir atomdan birka elektron alarak elektron
say s n 8'e tamamlar ve kararl yap ya ula r.

KLOR

ekil 1.3 Klor atomu

E er, en d yrngesinde birka elektron varsa, atom bu

elektronlar ba ka bir atoma vererek yine kararl bir yap ya ula m
olur: ekil 1.4.

SODYUM

ekil 1.4 Sodyum atomu

1.2 KIMYASAL BA LAR

Atomlar, d yrngedeki elektron say s n "tamamlamak" zere,
a a daki iki yoldan biri ile bile ik olu tururlar:

YON K BA LANMA: ekil 1.5: iki atomdan biri di erine elektron verir
ve pozitif iyon haline geer. Elektron alan atom d yrngesini
tamamlar. Ba , z t yklerin birbirini ekmesinden olu ur.
3

ekil 1.5 yonik ba lanma

KOVALANT BA LANMA: ekil 1.6: Valens elektronlar n n

payla lmas ile olu ur.

ekil 1.6 Kovalant ba lanma

Silisyum, germanyum gibi 4 valans elektronlu atomlar kovalant
ba lanma yaparlar: ekil 1.7.
valans elektronlu atomlar (Ga Z=31, In Z=49, gibi) ile be
valans elektronlu atomlar (As Z = 33, Sb Z = 51, gibi) kovalant
ba lanma yaparlar: GaAs, InSb. ve be valans elektronlu atomlar
aras ndaki ba lanma ekil 1.8 de a klanm t r.
o

\..
c" g
0

<c
.;,%.?,/
0-0

OO

0-0

0-0

)c \.)07 \
.07

`-.0---"

0-----

' --

0---'
o

ekil 1.7 Silisyum atomlar aras nda kovalant ba lanma [2]

4

ekil 1.8 ve be valans elektronlu atomlar aras nda kovalant

ba lanma [2]

1.3 KATI LAR

Bir s v n n s cakl yeteri kadar azalt l rsa, molekller birbirine

yakla r, "donma noktas " denen bir s cakl k derecesinde molekler
ba lar kopar ve atomlar "kristal" ad verilen rijid yap lar iinde
dzenlenirler.
Yakla k tm kat lar kristal yap dad rlar (cam gibi baz maddeler
ise "amorti' yap dad r).
temel tr kristal yap s vard r:
ELEKTROVALANT kristal: Birbirine elektrovalant (elektrostatik)
kuvvetle ba l iyonlardan olu ur. rnek: tuz kristali: ekil 1.9.

SODYUM YONU

o KLOR YONU

ekil 1.9 Elektrovalant (iyonik ba l ) kristal

5

Kbik yap (lattice), kristal boyunca tekrarlan r. Bu tr kristaller

suda zld nde, iyonlar n zeltide serbest kalmas sonucu,
iletken zelti olu ur.
KOVALANT kristal: Si, Ge rnek olarak verilebilir. Atomlar birbirine
kovalant ba larla ba l d r. Is etkisi ile kristal yap n n ortak valans
ba lar kopabilir ve bunun sonucu kristal iinde serbest elektronlar
ortaya kabilir.
METAL K kristal: Pr metalik kristallerde, atomlar pozitif iyonlar
halinde lattice yap s iindedirler. D yrngeden kopmu bulunan
elektronlar, kristal yap iinde serbeste hareket edebilirler. Bu
nedenledir ki, metaller iyi iletkendirler.
1.4 ENERJI BANDLARI
Her elektron yrngesi bir enerji DZEY dir. Atomlar birbirine
yakla t nda, yani atomlar aras uzakl k azald ka, enerji dzeyleri
st ste biner ve dzeyler BAND (ku ak) olu turacak ekilde geni ler
[3, 4], ekil 1.10.

ATOM

MOLEKL

KR STAL

Eg
}

ATOM

ATONILAR ARASI UZAKLIK

ekil 1.10 Band olu umu

6

SONSUZ ATOM

Band iindeki dzeyler aras nda 10 -14 eV kadar kk enerji farklar

varsa da, bandlar srekli yap da kabul edilirler.

1.5 VALANS BANDI - LETKENL K BANDI

Valans elektronlar n n bulundu u, en d taki enerji band na
valans band (valance band), bir sonraki msaadeli (allowed) band'a
iletkenlik band (conduction band) ad verilir.
Valans band n en st de eri Ev , iletkenlik band n n en alt de eri
Ec ile gsterilir.
Mutlak s f r noktas nda (absolute zero: -273 C) tm elektronlar
valans band ndad r. S cakl k ykseldi inde, yasak enerji aral ndan
(forbidden energy gap: E g) daha fazla enerji kazanan elektronlar
iletkenlik band na ykselerek serbest kal rlar ve arkalar nda pozitif
ykl bir "bo luk" (hole) b rak rlar; ekil 1.11, ve bylece bir elektronhole ifti (EH) olu ur.
ELEKTRON

LETKENLK
BANDI

o -->
VALANS
BAND

HOLE

ekil 1.11 Elektron-hole ifti olu umu [5]

Elektrik alan uyguland nda, elektron ve hole'ler z t ynde

hareket eder ve ak m olu tururlar.

1.6 FOTON

Elektronun bir st enerji dzeyine ykselebilmesi iin d ar dan

( s gibi) enerji almas gerekir. Bu durumda atoma "uyar lm " (excited)
denir (uyar lma ile "iyonla ma" aras ndaki temel fark, uyar lmada
elektronun yine atom yap s iinde kalmas , iyonla mada ise atomu
tamamen terk etmesidir).
7

Elektronlar d ar dan foton enerjisi alarak da iletkenlik band na

ykselebilirler: ekil 1.12. Bunun iin gelen foton enerjisinin, hv, en az

Eg=Ec--.E, kadar olmas gerekir.

(c

> Eg
Ev J-

ekil 1.12 Foton enerjisi ile uyar lma [6]

ekil 1.12 (a) Uyar lma : EH olu umu
(b) Kristale s transferi
(c) Eiektron-hole birle mesi (recombination)

Valans banda geri dnen elektronun hole ile birle mesi sonucunda,
enerjisinde foton yay nlan r. Yay nlanan fotonun X dalga
boyu, E itlik 1.1 ile verilir.

= h.c/Ef

burada

(1.1)

X : dalga boyu, p.
h : Plank sabiti = 4.14x10 -15 eV.sn
c : I k h z
= 3x10 14 p/sn
Ef: eV
(p.: mikron = 10 -3 mm = 10 -6 m)

rnek: Eg de eri 1.43 eV olan GaAs kristaline enerjisi 2 eV olan foton

d mektedir, ekil 1.13.
(a)

2 eV enerji kazanan elektron iletkenlik band na ykselir.

8

(b)

Kristale, 2-1.43 = 0.57 eV e de eri kadar s enerjisi b rak r.

(c)

Ec E, = 1.43 eV enerjisinde, X = 0.87 p. dalga boyunda (infrared

ma blgesinde) foton yay nlan r.

ekil 1.13 GaAs kristalinde foton ile uyar lma ve foton yay nlanmas
[6]

Elektronun VL.B.na geri dn s ras nda foton (grnr k

veya infrared) yay nlanmas , genel tan m ile luminescence olarak
adland r l r ve:
1.

Elektron, foton absorblanmas ile uyar lm ise:

photoluminescence ( ekil 1.12)

2.

Uyar lma, kristale ak m verilerek olu mu ise:

electroluminescence

3.

EH'leri elektron bombard man sonucu olu mu ise:

cathodoluminescence

olarak trlere ayr l r.

baz
yar -iletken
kullan lan
olarak
eleman
Elektronik
(semiconductor) kristallerin E g enerji deerleri Tablo 1.1 de verilmi tir.

Tablo 1.1 [6]

Kristal

Eg (eV)

Ge
Si
GaP
GaAs
GaSb
ZnS
CdS
CdSe

0.67
1.11
2.26
1.43
0.70
3.60
2.42
1.73

10

BLM 2

YARI - LETKENLER

2.1

LETKEN, YALITKAN, YARI- LETKEN

letken
(conductor),
yal tkan
(insulator)
ve
(semiconductor) band yap lar ekil 2.1'de gsterilmi tir.

LETKENL K
BANDI

yar -iletken

Eg

VALANS
BAND
LETKEN

YALITKAN

YARI-LETKEN
O 0

ekil 2.1 letken, yal tkan, yar -iletken [-

ekildeki yar -iletken, iinde safs zl k (impurity) bulunmayan

"katk s z" (intrinsic) yar iletkeni gstermektedir. Katk s z ve katk l yar iletkenler, bu blmde ayr nt l olarak a klanm t r.

LETKEN

: letkenlik band k smen (partially) dolu

Yasak enerji aral (forbidden energy gap): E g : dar
11

YALITKAN : letkenlik band bo (empty)

Eg geni Eg>- 3 eV

YARI- LETKEN (Y- ): Eg yal tkana gre daha dar: Eg< 3eV
Bu nedenle, valans elektronlar n n enerji kazan p
iletkenlik band na (11_43.) kma olas l
yksektir.

2.2 KATKISIZ YARI- LETKEN

inde safs zl k bulunmayan Y- 'lerdir. Mutlak s f r derecesinde
(T= -273 C) hi bir yk ta y cis (carrier) yoktur.
Is enerjisi alan valans elektronlar L.B. na kabilir. Bylece yk
ta y c lar!, dolay s ile iletkenlik, olu ur. Ta y c lar iftler halinde
olu tu undan, L.B. daki elektron konsantrasyonu, n, valans band nda
(VL.B.) ortaya kan hole konsantrasyonuna e ittir; n=p.
Elektronun L.B. na kma olas l , veya bu bandda "bulunma
olas l ", E itlik 2.1 de verilen Boltzmann faktr ile tan mlan r [6,8j:
n
Boltzmann faktr : exp (-E g2kT) =
N,

(2.1)

burada Eg = E,- E v
= 8.6x10-5 eV/ K
=1.38x1023 Joule/K
n : L.B.ndaki elektron konsantrasyonu
N, : iL.B.nda, valans elektronlar n kabul edebilecek enerji dzeyleri
konsantrasyonu.
k : Boltzmann sabiti

E itlik 2.1 deki kT de eri, elektronun "ortalama termal enerjisi"

dir. Oda s cakIl nda: T=27 C :
kT=0.0258 eV = 1/40 eV

12

E itlikde 2.1 de 2 say s n n bulunmas , elektron ve hole'lerin ift olarak

olu mas ndan dolay d r.
Belirli bir kristal iin, yani E g : sabit, Boltzmann faktr sadece T
s cakl na ba l d r; s cakl k artt ka elektronun iletkenlik band nda
bulunma olas l da artar.
rnek Hesaplama : Ge kristali
Eg = 0.67 eV (Tablo 1.1)
T = 300 K (oda s cakl )
E itlik 2.1 den, Boltzmann faktr = 2x10 -6
elektron
L.B.ndaki
Ge
kristalinde,
oda s cakl nda,
Yani
konsantrasyonu (birim hac mdaki iletkenlik elektronu say s )
olabilece inin yzde 0.0002'si kadard r.
S cakl k, rnek olarak, kat na kar ld nda, T =81 C=354 K,
elektronun L.B.nda bulunma olas l yakla k yzde 0.002 de erine
ykselir.
Matematiksel olarak bak ld nda, ta y c say n art rmak iin
s cakl n ykseltilmesi bir yol olarak d nlebilir. Ancak, bu yol
pratik de ildir.
Y- 'deki yk ta y c say s n , dolay s ile iletkenli i, art rmak iin
kristale uygun safs zl k kat l r (doping). Bylece olu an "katk l " Yilerde ok daha yksek oranlarda ta y c say s sa lanm olur.

2.3 KATKILI YARI- LETKEN LER

2.3.a N-TIPI YARI- LETKEN
As, P, S, Sb gibi 5 valans elektronlu safs zl k elementleri Si veya
Ge kristal yapts na eklendi inde:
a.

Safs zl k elementinin 4 valans elektronu, Si veya Ge'un valans

band n' 8'e "tamamlar". Geriye kalan 5 nci elektron, ekstra
(excess) negatif yk ta y c s olarak ortaya kar; ekil 2.2.

13

FAZLADAN
ELEKTRON

It
ekil 2.2 N-tipi yar iletken yap s [2]
b.

Safs zl k elementi, Si veya Ge'un L.B.na ok yak n bir enerji dzeyi

oluturur (ED: donor level, donor: verici); eki 2.3. Mutlak s cakl k
derecesinde, T=0K, tm ekstra elektronlar bu dzeydedirler. Bu
elektronlar n L.B.na kmas iin ok az miktarda termal enerji dahi
yeterlidir. Sonuta, ekstra elektronlar L.B.na "verilir" ve kristalin
iletkenli i artm olur.

Ec

T=50K

T=0K

ekil 2.3 N-tipi yar iletken band yap s [6]

Elektronu donor dzeyinden L-B.na karmak iin gerekli Ec-ED
enerjisi Ge kristali iin yakla k 0.01 eV, Si iin yakla k 0.04 eV kadard r.
14

2.3.b P-T P YARI-LETKEN

Al, B, In gibi 3 valans -elektronlu safs zl k elementleri Si veya Ge'a
eklendi inde:
a.

Bir elektron noksanl (8-7), (missing electron), nedeni ile bir hole
(boluk) ortaya kar; ekil 2.4.

HOLE

ekil 2.4 P-tipi yar iletken yap s

b.

Safs zl k elementi, Si veya Ge'un VL.B. na ok yak n bir enerji

dzeyi olu turur (EA: acceptor level, akseptr: al c); ekil 2.5.
Mutlak s cakl k derecesinde akseptr dzeyi tamamen bo tur.
Scakl k derecesinin ok az ykselmesi ile VL.B. Baki elektronlar EA
dzeyine "al n r" ve geride yani VL.B. da hole b rak rlar. Katk s z
yar iletkene gre ok fazla say da hole olu ur, dolay s ile kristalin
iletkenlii artm olur.

Ec
EA

Ev
T=0K

T=50K

ekil 2.5 P-tipi yar iletken band yap s

Akseptr dzeyi, VL.B. in en st dzeyinden, Ge kristali iin 0.01

eV, Si kristali iin ortalama 0.04 eV kadar yukar dad r.
15

Si kristalindeki safs zl k enerjisi dzeyleri ekil 2.6 da verilmi tir.

Enerji de erleri, iL.B. n n en alt, VL.B. In en st de erinden olan enerji
farklar d r. Donor dzeyleri +, akseptr dzeyleri i areti ile
belirtilmi tir.

LETKENL K BANDI
Li + (0.033)

p' (0.044) As + (0.049) Sl " (0.039)

O, I

+ (0.18)

I. 2

(1.3

Ni' (0.35)

0,4

S" (0.37)

0.5

Au - (0.54)

Mn' (0.53)
Zn - (0.55)

(1.5

Cu - (0.49)

U. 4

Au + (0.35)

0 .3

Zn - (0.31)
Ni - (0.22)

0.2

0.1
)

(0.045)

Cu' (0.24)

In - (0.16)
Ga - (0.065)

Al - (0.057)

VALANS BAND

ekil 2.6 Si kristalinde safs zl k enerji dzeyleri [6]

16

BLM 3

PN EKLEM

3.1 DENGE DURUMUNDA PN EKLEM

PN eklemi (p-n junction), ak m do rultmada kullan lan do rultucu
diyod, foton dedektr olan foto-diyod, k yayan diyod: LED, transistr
ve baz dier elektronik elemanlar n temelidir.
PN eklemi, p ve n-tipi iki yar iletkenin birle mesi ile olu ur. Birle me
ncesi, her iki tip yar iletken enerji bandlar ekil 3.1 de gsterilmi tir:
N

le lo
* 4*

L.B.

L_

VL.B.

ELEKTRON
ENERJ S
00 .0i0 0 O

ekil 3.1 Eklem ncesi p ve n-tipi yar iletken enerji bandlar

P-tipi yar iletkenin L.B. nda ok az say da elektron, n-tipi yar

iletkenin VL.B. nda da yine ok az say da hole vard r.
P-tipi yar iletkende holeler o unluk (majority), elektronlar az nl k
ta y c land r (minority carriers). N tipinde ise elektronlar o unluk,
hole'ler az nl k ta y c land r.
ki tip yar iletken birle ti inde, yani PN eklemi olu du unda:
1.

N taraf ndaki L.B. e!ektronlar , pozitif ykl P taraf na geerken,

geride pozitif ykl donor (safs zl k) atomlar b rak rlar.
17

2.

P taraf na geen elektronlar, buradaki hole'ler ile birle irler ve

bylece ntr (yksz) atomlar ortaya kar

3.

Elektronlar n P taraf na diffzyonu, yine P deki az nl k

elektronlar taraf ndan itilme sonucu bir noktada durdurulur ve N
elektronlar eklemin sol taraf ndan birikir.
N elektronlar n n P deki hareketi iin yukar da belirtilenler, P
hole'lerinin N taraf na diffzyonu iin de geerlidir.

depletion

POTANSYEL

ELEKTRON
O HOLE

ekil 3.2 PN eklemi ve eklemdeki potansiyel de i imi [9]

Sonu, ekil 3.2:
a.

b.

c.

ki y-i'nin birle ti i yzeyin sa ve solunu kapsamak zere,

yakla k 1 p. kal nl nda, eklem blgesi olu ur. Bu blgedeki
atomlar ntrle di inden eklem blgesi yk ta y c s ynnden
"fakir" dir. Dolay s ile eklem blgesine "fakirle mi " (depletion)
blge denir. Ayr ca Schottky tabakas ad da verilmektedir. ok
az say da yk bulundu undan, eklem blgesi yakla k
yal tkand r, ba ka bir deyi le rezistivitesi yksektir.
Eklem blgesinin N taraf yak n nda ok dar bir pozitif tabaka, P
taraf yak n nda ise yine ok dar bir negatif ykl tabaka ortaya
km t r.
Eklem blgesinin solunda pozirtif P, sa nda negatif N blgeleri
vard r. Dolay s ile PN eklemine PN diyod da denir ve bu
nedenledir ki ekil 3.2 nin en stnde diyod sembol
bulunmaktad r.
18

PN eklemli diyodun enerji diyagram ekil 3.3 de a klanm t r:

P taraf N den daha yksek enerjide grlmektedir. N taraf P ye
iletkenlik elektronu verirken, ayn zamanda, P taraf na enerji transfer
etmi olur [10]. nk, N iletkenlik elektronlar daha yksek enerji
dzeyindedirler; ekil 3.1.

N
f, Vo

Ec

ekil 3.3 PN eklemli diyod enerji diyagram [6]

Eklem potansiyel fark Vc, = (kT/e),In(n nin p)

(3.1)

k : Boltzmann sabiti
T : Mutlak s cakl k
e : Elektron yk =1.6x1019 Coulomb
nn : N L.B.daki elektron konsantrasyonu
n P' P L B' daki elektron konsantrasyonu
Vo kontakt potansiyelidir ve rnek olarak Ge iin 0.46 Volt'dur.
PN ekleminin olu umu ve eklemdeki ta y c hareketleri ile ilgili
teorik bilgiler literatrde mevcuttur [4,11].

3.2 ILERI KUTUPLAMA -TERS KUTUPLAMA

Forward Biasing Reverse Biasing
Bir voltaj kayna n n pozitif kutbu PN diyodun P taraf na, negatif
kutbu N taraf na ba lan rsa, diyod ileri kutuplanm , veya polarlanm ,
olur, ekil 3-4.
19

Bu durumda
a.
b.
c.
d.

P deki hole'ler ve N deki elektronlar ekleme do ru itilir.

Engel blgesi (depletion layer) daral r.
Diyoddan ak m geer.
Eklem blgesi, diyodun direnci en yksek blgesi oldu undan,
ak m n yaratt voltaj tamamen bu blgeye d er.
e. Bunun sonucunda, eklem potansiyeli azal r: Vo-V F (ekil 3.5).
f. Sonu: Azalan potansiyel engeli nedeni ile o unluk ta y c lar
eklemi kolayl kla geerler.

VF

VR

z o

O
o..

ekil 3.4 leri (solda) ve ters (sa da) kutuplama [9]

VF

VR

Ec

- T Vo-VF

Ev

Vo+ V R

ekil 3.5 leri (solda) ve ters (sa da) kutuplamada enerji band yap lar
[5]
20

Bir voltaj kayna n n pozitif kutbu PN diyodun N taraf na, negatif

kutbu P taraf na ba lan rsa, diyod ters kutuplanm olur; ekil 3.4.
Bu durumda
a.
b.
c.
d.
e.

P ve N deki o unluk ta y c lar' diyodun ular na do ru ekilir.

Eklem blgesi geni ler.
Eklem potansiyel engeli artar: V o--V R
Diyoddan ak m gemez.
Sadece az nl k ta y c lar n n olu turdu u ok d k bir
srklenme (drift) ak m ortaya kar. Ters ak m (reverse current)
olarak adland r l r. De eri yakla k 1 mikro Amper'dir. ekil 3.4
de lo olarak gsterilmi tir.

Ters ak m olu turan P az nl k elektronlar , P den N ye do ru

hareket ederler, ki bu ak m n yn, ileri kutuplamada N den P ye giden
N o unluk elektronlar n n ak ynnn tersidir.
Ters ak m ok d k de erde olmas na ra men, ters kutuplama
voltaj belli bir de ere ykseldi inde birden artar ve eklem k r lmas na
(breakdown) yol aar. Eklem k r lmas , Blm 3.4 de a klanm t r.

3.3 PN D YODUN AKIM-VOLTAJ KARAKTER ST KLER

PN diyoda d ardan V voltaj uyguland nda, eklemden geen
toplam ak m E itlik 3.2 ile verilir (6).

1= 10 [ exp (eV/kT)-1]

burada

lo : ters ak m

e: elektron yk

(3.2)

k: Boltzmann sabiti

kT/e = 0.0258 Volt (oda s cakl nda)

V pozitif veya negatif olabilir. leri kutuplamada V: pozitif, ters

kutuplamada V: negatif. V voltaj pozitif ve kT/e de erinin birka kat
oldu unda, E itlik 3.2 deki eksponansiyel terim bir'den ok daha
21

byk olur ve ak m ileri kutuplama voltaj ile eksponansiyel olarak

artar; ekil 3.6.
V negatif ise (ters kutuplama), E itlik 3.2 deki eksponansiyel
terim s f r'a yakla r ve ak m 1=-1,, de erini al r. Ters ak m, belli bir VB
de erine kadar ters kutuplama voltaj VR den ba ms zd r, sabittir yani
"doyma" (saturation) zelli i gsterir.

i tunel
ekil 3.6 PN diyodun I-V karakteristikleri
Ters kutuplama voltaj VR, k r lma voltaj VB de erinde ise, ve
tunel etkilerinin sonucu, ters ak m ani olarak artmaya ba lar.

3.4 EKLEM KIRILMASI

Junction Breakdown

Ters kutuplama voltaj n n belli bir de erinde, ters ak m n ani

olarak artmas demek olan eklem k r lmas ve tunel etkilerinin
sonucudur; ekil 3.7.
P

ELEKTRONLAR

ORJNAL ELEKTRON
4- YEN ELEKTRONLAR

Ec
Nz

ekil 3.7 (solda) ve tunel (sa da) etkileri [5,12]

22

 (avalanche) Etkisi: Ters kutuplamada, gerilim artt ka daha ok

yk diyod ular na ekilir ve diyod iindeki elektrik alan artmaya
ba lar. Yksek elektrik alan nda, yksek enerji ile srklenen
elektronlar yollar zerindeki kristal yap daki atomlardan elektron
skerler ve bylece zincirleme elektron o almas olu ur ve ters ak m
artar.
Tunel Etkisi (Zener k nlmas ): Safs zl k (impurity) konsantrasyonu ok
yksek diyodlarda ortaya kar. Yksek safs zl k konsantrasyonu, dar
eklem blgesine neden olur. Ters kutuplama voltaj belli bir de ere
ykseldi inde P taraf n n VL.B. ile N taraf n n iL.B. ayn dzeye gelir
ve elektronlar, a klamas kuantum mekani inde yap lan [3] "tunel
etkisi" ile N taraf n n iletkenlik band na geerler ve ters ak m yksek
lde artt r rlar.
PN diyodun tamamen k sa devre olmas anlam na gelen eklem
k r lmas ndan, voltaj reglasyonunda (voltaj n sabit bir de erde
tutulmas nda) yararlan l r: Blm 4.1: Zener diyod.

23

BLM 4

PN DIYOD UYGULAMALARI

SEMBOL

4.1 ZENER DIYOD

al ma voltaj , k r lma voltaj olan Vz dir. VB yerine, Zener

diyodu belirtmek zere V z kullan lm t r.
K r lma durumunda ortaya kan "k r lma ak m " I z ile ters ak m lo
nda E itlik 4.1 ile verilcn ba nt mevcuttur [12].
ars

(4.1)

Iz = M.10

burada M(multiplication factor)=1/[1-(V/Vz )n]

E itlik 4.1 deki n, kristal tipine ba l bir sabittir ve silisyum iin

yakla k 6 d r. Yine ayn e itlik incelendi inde grlr ki Vz=VR
unda Iz ak m sonsuza gider. Bunu nlemek iin Zener diyoda, oldu
ak m s n rlamak zere bir R direnci ba lan r.
Zener diyodun voltaj reglasyonunda kullan l ekil 4.1 de
rnekle a klanm t r. Vz de eri -15 Volt olan Zener diyodun I-V
karakteristi i ekil 4.1a da gsterilmi tir. Voltaj kayna V.=17 Volt
gerilim retmektedir, ancak bu de erin stnde ve alt nda 1 Volt
dalgalanma (ripple) mevcuttur. Zener diyodu ile, voltaj kayna k
V. ,V. nin hemen alt nda,15 Volt'da sabit olarak tutulmu olur.

24

-I V

(a)

(b)

ekil 4.1 Zener diyod (a) ve uygulama rne i (b)

4.2 VAR KAP D YOD

ingilizce "variable capacitance" kelimelerinden tretilmi olup,
de i ken kapasiteli diyod anlam na gelir. Varikap diyoda, Zener
diyoda oldu u gibi, ters kutuplama uygulan r.

4.,

r od

SEMBOL
Katod

PN diyodun, pozitif P ve negatif N blgeleri ve bu blgeler

aras nda yakla k yal tkan (dielektrik) bir eklem blgesinden olu tu u
Blm 3 de a klanm d . Bu yap s nedeni ile PN diyod, kapasitr
zelli i ta ar [13]. Metal pffikal bir kapasitrn s as C, E Itlik 4.2 ile
verilir.

(4.2)

C = K. /4

25

burada K: metal plkalar aras ndaki maddenin dielektrik katsay s

S: metal plakalann yzey alan
d: iki plaka aras ndaki uzakl k

E itlik 4.2 de d d ndaki btn de erler sabittir. Dolay s ile

kapasite (s a) C de eri sadece d ile de i ir. PN diyodda d, P ve N
blgeleri aras ndaki eklem blgesinin geni li ine kar l k gelir. Sonu
olarak, ters kutuplama voltaj artt ka eklem blgesi geni ler ve PN
diyod kapasitesi azal r, ters kutuplama voltaj azald ka daral r ve C
artar.
Uygulama rnekleri: Yay n istasyonuna ayarlama (tuning), frekans
oalt c (multiplier) devreleri, genlik ve frekans modlasyonlu
devreler.

4.3 I IK YAYAN D YOD : LED

I k yayan diyod, ngilizce "Light Emitting Diode" kelimelerinin

kar l d r ve k saca LED olarak belirtilir. LED in yap s ve foton
olu umu ekil 4.2 de gsterilmi tir. LED ileri kutuplan r. Kutuplama
g kayna ndan N taraf na elektron enjekte edilir. Bu elektronlar n
kristaldeki holetler ile birle mesi (recombination) sonucu foton
yay nlan r. Yay nlanan ma grnr k blgesinde oldu u gibi,
infrared (IR) blgesinde de olabilir.

PN
EKLEM

MilMS11/1/

ilINIAM

ekil 4.2 LED: yap s (solda) ve foton olu umu (sa da), [5,2]
26

Grnr i
k veren LED uygulama rnekleri olarak, TV
cihaz nda a k/kapal olu u belirten ye il/k rm z LED, mzik seti,
otomobil gstergeleri verilebilir. En ok bilinen IR LED uygulamas ise
TV uzaktan kumandas nda kullan lan LED dir ve kristal olarak
genellikle GaAs kullan l r; 2,
LED al ma ak m I F=20 mA ile 100 mA aras nda de i ir. Daha
yksek ak mlarda LED kristalinde k r lma ortaya kar. Bunun
nlenmesi iin, genellikle, LED seri ba l bir direnle birlikte kullan l r.
rnek devre ekil 4.3 de gsterilmi tir.

Vcc

SV

CQY 17: al ma gerilimi V=1.7 V

R :: 33
L

al ma ak m I F=100 mA
Mi 17

IR

RL = (5-1.7)/0.1 = 33 Ohm

ekil 4.3 LED: CQY 17: rnek devre

4.4 F OTO-D YOD

Grnr , IR veya ultraviyole may alg lay p elektriksel
sinyale eviren bir transducer'dir. rnek olarak, TV cihaz nda, uzaktan
kumandadan gelen IR sinyallerini alg layan bir dedektr vard r.
Foto-diyodun al mas , LED in al mas n n tam tersidir; $ekil
4.4. I ma, ters kutuplanm diyodun eklem blgesi (depletion region)
zerine d tnde foton absorblanmas sonucu elektron-hole iftleri
olu ur. Eklem zerindeki elektrik alan elektron ve hole' birbirinden
ay r r ve z t ynlerde hareket ettirir. Bylece, d devreden I F ak m
akar (I F :elektron ak yn).

27

FOTON

+ + O+O

090
N

O + +

- OOO
- _ G- G _
_
C4)- - -G -

I -I-

ANOD

KATOD

ekil 4.4 Foto-diyod [2]

Foto-diyodun ak m-voltaj karakteristi i ekil 4.5 de gsterilmi tir.

Diyoda hi k d medi inde, yani karanl kta da ok az bir ak m
vard r (dark characteristic). Diyoda d en k iddeti (intensity)
artt ka I F ak m da artar.

ARTAN
I IK
MKTARI

ekil 4.5 Foto-diyod: ak m-voltaj karakteristi i [5]

Foto-diyod rnek devresi ekil 4.6 da verilmi tir. BP104 diyodu

IR maya duyarl d r. Ters kutuplama voltaj +5 Volt'dur. ekil 4.6 daki
ak m yn, hole ak yndr.
28

ekil 4.6 Foto-diyod: rnek temel devre

Fotonun olu turdu u ak m: I F

I F = Coulomb/sn
= (foton say s /sn)(e- say s /foton)(Coulomb/a- )
burada (foton say s /sr ) : i k iddeti : light intensity
(e- say s /foton) : kuantum verimi : quantum efficiency
Kuantum verimi, rl kristal trne ba l bir parametredir. A kt r
ki, yksek de erde foto-ak m iin kuantum verimi de yksek olmal d r.
,

Foto-ak ma, I F , ayrca karanl k ak m da eklenir. Karanl k ak m ,

diyoda Ima d medi inde de var olan ak md r, ve evreden s
enerjisi alan valans elektronlar n n 1L.B. na kmas sonucu olu ur
(Blm 1.5 ve 2.2). Ancak de eri genellikle ok d ktr. Sonu
olarak I F ak m n n tamamen foton etkisi ile olu du u kabul edilebilir.

4.5 GNE P L Solar Cell, Photovoltaic Cell

Foto-diyod akm retir. E er ekil 4.4 deki diyod bir d voltaj
kayna ile kutuplanmazsa, diyoda d en ima diyodda voltaj retir.
Bu yap gne pilidir.
foto-diyod : akm retir
gne pili : gerilim retir.
29

PN diyodun anodu (P), bir yk direnci ile katoda (N) ba lan rsa
d devreden i ima iddeti ile do ru orant l bir ak m akar.

YAPISI Construction
Gne pilinin yap s ekil 4.7 de gsterilmi tir. Gne pilinin
amac elektrik gc retmek oldu undan, g kayb n n en az olmas
ve ayni zamanda olabildi ince ok i ima enerjisi almas istenir. Bu
nedenlerle:
1.

Kristalin direnci d k olmal d r. Bylece, kristal iindeki elektrik

enerjisi kayb da d k olur. Enerji daha ok di devreye verilir.

2.

I a duyarl yzey alan geni olmal d r. Bylece, daha ok

i ima enerjisi toplanm olur.

3.

Fakirle me yani eklem blgesi dar olmal d r. Bylece, fotonlar n

olu turdu u elektron ve hole'lerin tekrar birle mesi
(recombination) azal r ve pilin veriminin de azalmas nlenmi
olur,

4.

I man n d d en st tabaka minimum kal nl kta olmal d r.

Bylece, gne den gelen ultraviyole ima da az bir
absorblanma ile eklem blgesine ula abilir ve elektron-hole
iftleri olu turur.
GNE
I INI

Cam

il

metelik halka
p tipi kristal
eklem
n tipi kristal

ekil 4.7 Gne pili

ALI MASI Operation

Gne pilinin al mas ekil 3.2 yard m ile a klanabilir. Eklem
blgesine d en fotonlar, buradaki atomlardan elektron skerler ve
30

bylece elektron-hole iftleri olu ur. Eklem potansiyeli nedeni ile

elektronlar N taraf na, hole'ler P taraf na ekilir. Ba ka bir anlat mla,
eklemin sa nda ve N taraf na yak n pozitif blge fotonun olu turdu u

hole'leri sola yani P ye, P taraf na yak n negatif blge ise elektronlar
sa a yani N ye iter. Sonuta PN diyodun iki ucunda potansiyel fark
olu ur ( ekil 4.7 ye gre: e - lar a a hole'ler yukar itilir).

ekil 4.8 Gne pili ykselticisi [14j

Gne pili ortalama 0.5 V gerilim ve 8-10 mA aras ak m retir. Gne

pilinin bir ykseltici ile birlikte kullan ld rnek devre ekil 4.8 de
verilmi tir.

31

BLM 5

TRANS STR

PN diyod kendi iinde ak m ykseltmesi yapmaz. rnek olarak,

foto-diyod iinden ve d devreden akan ak m sadece diyod zerine
d en ma miktar artt ka artar. ekil 4.4 deki gibi bir devreden
akan I F ak m sonucu R direncine d en voltaj ancak bir d ykseltici
(amplifier) ile ykseltilebilir.
Ykseltme (amplification) iin, iki yar -iletken diyodun NPN veya
PNPyap s iinde yanyana getirilmesi gerekir. Bu yap TRANS STR
olarak adland r l r ve bu adland rma transistrn al mas na ba l
olarak transfer resistor kelimelerinden tretilmi tir.
-

Transistr kendi iinde ykseltme yapar. Bu nedenle AKTIF bir

devre eleman d r. al mas "triyod lamba!' ykseltici"nin al ma
prensibine benzer. Bu tr ykseltici gnmz teknolojisinde art k
kullan lmamaktad r, ancak transistrn al mas n a klamak amac
ile bu blmde incelenmi tir.

5.1 TR YOD LAMBALI YKSELT C

Yap s ekil 5.1 de gsterilmi olan triyod lamba, Amerikan
literatrnde "triode tube", Ingiliz literatrnde "triode valve' olarak
adland r l r. Valve kelimesi borularda su ak n ayarlayan, a p
kapayan VANA anlam na gelir. Bu nedenle yana su ak na kar
de i ebilen bir diren (resistor) i levi grr. Triyod lamba ile ak m
ykseltme ekil 5.2 de a klanm t r. D k voltajl (low-voltage) bir
batarya ile ince bir tel olan filaman (heater) s til r. Filaman da ok
yak ndaki katodu s t r. !sinan katoddan, termal enerji kazanan
elektronlar yay nlan r.

32

Kafes (grid) pozitif ise: Katodun yayd elektronlar hzlanarak kafese

ekilir, kafes iinden geerek daha yksek pozitif de erdeki anoda
ula rlar ve triyoddan geen ak m artar.
Kafes negatif ise: Katoddan kan elektronlar, kafes taraf ndan katoda
do ru geri itilirler. Triyoddan akan ak m azal r veya kafes voltaj
gerekti i kadar yksek de erde negatif ise,tamamen durur.
Bylece, kafes, pozitif veya negatif olu una gre, katoddan anoda
olan ak m transferini bir yana veya de i ken diren (resistor) gibi
davranarak o alt r veya azalt r.

KATOD(SICAK)

TUNGSTEN
FLAMAN
ELEKTRONLAR

ekil 5.1 Triyod lamba [ 2]

ekil 5.2 Triyod lamba ile ak m ykseltme [1]

33

5.2 TRYOD LAMBA ILE TRANS STRN

KAR ILA TIRILMASI
ekil 5.3 de triyod lamba ile transistrn kar la t r lmas
yap lm t r.

lEixuLLamilEhlrni
anod
kafes (grid)
katod

C: collector (toplay c )
B: base
(taban)
E: emitter (yay c )

ANOD

KAFES

KATOD
TRYOD LAMBA SEMBOL

ekil 5.3 Triyod Lamba (solda) ile NPN Transistrn (sa da)
kar la t nlmas

Emitter negatif kutuba ba l d r. Ernitter'in yayd elektronlar

pozitif ykl base'e hzandrlarak ekilir ve base'e gre daha pozitif
olan collector'a ula rlar. Base, triyod lambadaki kafesin yana
i levini grr. Hole (h+) ak yn elektron (e") ak ynnn
tersidir. NPN ve PNP transistr sembolleri ekil 5.4 de
gsterilmi tir. Base ile emitter aras ndaki ok'un yn, her zaman
hole ak ynn gsterir. Transistr ile ak m ykseltme ekil 5.5
de a klanm t r ( ekil 5.2 ile kar la t r n z).
Transistrn, daha do rusu base'in de i ken diren olarak
i levi, sembolik olarak ekil 5.6 da gsterilmi tir.

34

ekil 5.4 NPN ve PNP transistr sembolleri

IKI

-1-v

ekil 5.5 Transistr ile ak m ykseltme [ 1 ]

B o- - -

ekil 5.6 Base: de i ken diren

35

5.3 TRANSISTR F Zi
Transistrn al abilmesi iin, P N eklemlerinden biri ileri
(forward), di eri ters (reverse) kutuplanmal d r ; ekil 5.7. ki tr
kutuplama (polarlama) nedeni ile transistre "bipolar junction
transistor" de denir; k saca BJT.

ters k.

ileri k.

VBB

cc

ekil 5.7 Transistrde elektron ve hole ak mlar

Vcc ve VBB nin negatif kutuplar yard m ile emitter, kendi

iindeki elektronlar , yani o unluk ta ly c lar n base'e yayar,
enjekte eder. BaseV BB nin pozitif kutbuna ba l d r ve bylece
emitterden gelen elektronlar n collector'a gei ini hzlandrarak
sa lar. Collector bu elektronlar n yakla k %98 kadar n toplar ve
Vcc yardmi ile d devreden geirmek sureti ile bir "i " yapt rm
olur.

Base, ayr ca, emitter'dan gelen elektronlar n P blgesinde

y lmas n nlemek iin, bu elektronlann bir k sm n , % 2, kendi
zerine eker.

36

Soru: Elektronlar base'den geerken, neden buradaki hole'ler ile

birle mezler?
Cevap: a. Base'deki safs zl k, yani hole yo unlu u d ktr.
b. Base'in kal nl azd r, dar bir tabakad r.
c. ok az say da hole, elektronlarla birle se dahi, yerlerine
VBB bataryas ndan pozitif yk base'e verilir. Bylece,
base'in pozitifli i devam ettirilmi olur.
Sonu olarak, emitter zerinden l E=I c+I B kadar ak m geer.
Emitter'deki o unluk elektronlar n n yan s ra, basa blgesindeki
az nl k elektronlar da collector'a ekilir ve ok d k bir
s z nt (leakage) ak m olu turur : I co (ters ak m). Buradaki o harfi,
base'in opera (a k) oldu u zamanki I c ak m oldu unu belirtir.
Dolay s ile collector ak m :

I c=l c (ounluk) -1- Ic o (az nl k)

I co ak m mikro-Amper mertebesindedir ve dolay s ile ihmal

edilebilir.

5.4 BJT iLE AKIM YKSELTME KAZANCI

BJT k olan I c ak m , base voltaj na ba l olmak zere I B
m ile kontrol edilir. Collector ak m n n base ak m na oran , basek
BJT'nin ak m kazanc d r.

Kazan (gain) 13 =

1 E3

yi bir transistr iin I c ak m de eri, I B ile kar la t r ld nda, ok

daha yksek de erde olmal d r.
Kazanc

p. oo olan bir transistr iin rnek hesaplama:

37

Transistrde voltaj d mesinin

hemen tamam ters-kutuplu B-C
eklemindedir. E-B eklemi
ileri - kutuplamal d r ve bu
eklemdeki voltaj d mesi
so C1
yakla k s f rd r. Buna gre
base ak m yakla k
5 V
1B=5V/50 kQ=0.1 mA.
Buradan I c= f3I B=10 mA
(ekilde I B , I c : elektron ak yn)

500 Q

10 V
-

Ic

5.5 FOTO-TRANS STR

Foto-diyodun kendi iinde ak m ykseltmesi yapmad ve

ak rnin ancak bir ek, d ykseltici ile art r labilece i bu blmn
giri k sm nda belirtilmi di.
Foto-transistr, F-TR, hem zerine d en ma sonucu ak m
retir ve hem de bu ak m kendi iinde ykseltir (internal
amplification). Dolay s ile

F-TR=foto- diyod+ykseltici

eklinde bir tan miama yap labilir. F- TR n al mas BPW 14

transistr rnek devresi ile a klanm t r; ekil 5.8.

+5V
c

NPN

V.
100 Q

ekil 5.8 BPW 14 Foto-transistr

38

FAKIRLE ME
BLGESI

ekil 5.9 Darlington Foto-transistr [14]

Base ba lant l de ildir. Fotonlar base'e d er ve zellikle basecollector, B-C, ekleminde elektron-hole iftleri olu tururlar. B-C
eklemi ters kutuplamal d r ve foto-diyod ( ekil 4.4) gibi davran t.
Fotonun olu turdu u elektronlar collector'a ekilir, hole'ler ise
base'den emitter'a akar, ki bu I B ak m n olu turur (bak n z: ekil
5.7: I B elektron ak m na e it ve z t ynl, Vgg nin sa lad hale
ak m ).
Sonu: 1. F-TR'e d en k miktar artt ka, olu an elektron-hole
ifti say s artar.
2. Artan elektron-hole ifti say s , artan I B ak m demektir.
3. Artan I B base ak m da F-TR k ak m I c de
ykselmeye yol aar.
Bir transistrn k ikinci bir transistrn base'ine verilerek,
ak m daha da ykseltilebilir. Benzer ekilde, iki F-TR tek birim
iinde birle ir ve Darlington F-TR' ad n al r; ekil 5.9. kinci F-TR,
birincinin k n ykseltirken kendisi de ak m retir. Toplam ak m
kazanc , iki transistrn ak m kazanlar n n arp m na e ittir (rnek
Darlington F-TR:BPX 99).

5.6. LED I IMASININ TRANS STR iLE MODLASYONU

NPN transistr k LED'in katoduna uygulan r: ekil 5.10.
R ak m-s n rlay c direntir. Base devresine modle edici, rne in
sinsoidal bir elektriksel giri sinyali uyguland nda LED'in Ima
k da giri e ba l olarak, bir ortalama de erin st ve alt nda, yine
sinsoidal bir de i me gsterir.
39

ELEKTRiKSEL
GiRS

ekil 5.10 Transistr ile LED k modlasyonu [8]

40

BLM 6

ALAN-ETK L TRANS STR

Blm 5 de, transistr (BJT) k ak m n n, giri AKIMI ile

kontrol edildi i grlm t. Alan-etkili transistrde, field-effect transistor
(FET) ise k ak m giri VOLTAJ ile kontrol edilir:
BJT : akm kontroll
FET : voltaj kontroll
FET'de, giri ten (input) ekilen ak m son derece kktr, yakla k 1
piko-Amper kadard r. rnek: Piezoelektrik transducer k n n FET'e
giri olarak verilmesi.
FET TRLERI
I. Yzey temas!! FET (junction FET: JFET)
(junction-gate FET: JGFET)
2. MOSFET: metal-oxide semiconductor FET (MOS
transistor) (insulated-gate
FET: IGFET)
Her iki tr FET de, kendi iinde n-kanall (n-channel) ve p-kanall olmak
zere iki ayr yap dad rlar.

6.1 JFET
JFET yap s ve sembolleri ekil 6.1 de gsterilmi tir. BJT ile
kar lat rmal olarak:
41

BJT
Emitter : E
Base
:B
Collector : C
Ayr ca:
n-kanall JFET
p-kanall JFET

FET
Source (kaynak) : S
Gatc (kap )
:G
Drain (oluk)
:D

-*
-->

NPN BJT
PNP BJT ye kar l k gelir.

ekil 6.1 JFET: Yap s ve sembolleri [9]

(a) yap s , (b) n-kanall , (c) p-kanall
JFET ve MOSFET, sembollerinde ok yn elektron hareket ynn
gsterir (BJT sembollerinde ise ok yn hole hareket ynn
gstermekteydi).

JFET F Z G : JFET in al mas , n-kanall tr rne i iin, ekil 6.2 de

a klanm t r.
N-tipi kristal zerinde, dar bir blgede PN eklemi ve ikisi aras nda
yakla k yal tkan fakirle me blgesi (depletion region) vard r. Eklem
ters kutuplanm t r. Elektron ak m kaynaktan olu a do ru akar ve pblgesine (kap : gate) uygulanan voltaj ile kontrol edilir. Kap ya
uygulanan voltaja ba l olarak fakirle me blgesi geni ler/daral r.
Kap n n yana etkisi ile elektron ak m azal r/artar.
42

Genellikle n-tipi kristalin her iki taraf nda da p-tipi kap vard r. Kanal, iki
fakirle me blgesi aras nda bulunur.
ID(e)

FAKRLEME
BLGESI

11
VDS

./

VGS
S

ekil 6.2 JFET'in al mas [9]

AKIM-VOLTAJ KARAKTER ST KLER

G ve S aras ndaki gerilim VGS=O ise 1 D ak m , Vcs geriliminin art

ile IDSS ile gsterilen en yksek de erine ula r: ekil 6.3. Ak m, Vp
deerinden sonra hemen hemen sabitle ir (saturation).

IDDS

ekil 6.3 JFET ak m-voltaj karakteristikleri

43

N kanall JFET iin izilen bu grafikte ayr ca grld gibi VGS negatif
voltaj artarken I n ak m azal r ve Vp voltaj daha d k de erlerde
ortaya kmaya balar. Pratikte, Vps voltaj Vp de erini amaz. nk,
bu de erin a lmas JFET yap s nda geriye dn olmayan k r lmaya
(breakdown) neden olur.

6.2 MOSFET

MOSFET'ler yap sal farkl l k a s ndan iki trdr:

E-MOSFET : Endkleme (enhancement) MOSFET
D-MOSFET : Depletion (fakirle me blgeli) MOSFET
Sembolleri ekil 6.4 de gsterilmi tir.
G

a
B

ENHANCEMENT

b
B

DEPLETION

ekil 6.4 MOSFET sembolleri [9]

(a) n-kanall
(b) p-kanall
E-MOSFET'in yap s ve al mas , n-kanall tr rne i iin, ekil 6.5 de
a klanm t r. Metal plaka (metal plate) kap ile yar -iletken NPN
aras nda ok ince yal tkan bir oksit, Si02, tabakas vard r. NPN nin iki
ucundan birine, rne in soldakine (kaynak: source) +10 volt
uygulanm , di eri (oluk) ise topraklanm t r.

Kap voltaj n n s f r olmas durumu: NPN den ak m gemez. nk

ak m soldaki ters kutuplanm PN eklemi taraf ndan durdurulur.
44

Kap voltaj n n pozitif olmas durumu: Pozitif ykl kap n n elektrik alan
(electric field) P taban ndaki (base: B, substrate) hole'leri iter,
elektronlar eker. Bylece, P nin kap ya yak n st k sm nda geici bir
iletken N blgesi, yani kanal, olu ur (endklenir).
Ancak S ve D aras nda ak m akmas iin VG kap voltaj n n pozitif
olmas n n yan s ra, belli bir e ik (threshold) de erinin stnde olmas
da gerekir.
Sonu: Kap ya uygulanan voltaj miktar na ba l olarak, kanal geni li i,
yani ak m miktar deik: yana etkisi.

VG

+10 v

SiO2

ENHANCEMENT MOSFET

+10
v01 T

ekil 6.5 MOSFET stte: kap voltaj s f r

altta: pozitif kap voltaj [2]
45

D-MOSFET'in yap s ve al mas , n-kanall tr rne i iin ekil 6.6 da

a klanm t r. Metal kap n n alt nda bulunan SiO2 tabakas iine,
yap sal olarak, bir miktar pozitif iyon kat lm t r.

ekil 6.6 N kanal!' D-MOSFET yap s

Bu pozitif iyonlar, P tipi yar -iletkendeki (base: taban) elektronlar n bir
k sm n kendine ekerken ve bylece n kanal olu tururken, yak n ndaki
hole'leri a a ya do ru iter. Bylece SiO 2 tabakas n n alt nda iletken n
kanal ve onun da alt nda hem elektron hem de hole ynnden
fakirlemi bir blge ortaya kar. Bu tr MOSFET'e "depletion" tr
denmesinin nedeni budur. Elektronlar n kap ya (G) do ru hareketi,
ekil 6.4 de verilen semboldeki ok ynnden de anla labilmektedir.
Yap sal olarak bir iletken n kanal n varl , kap voltaj VG=0
oldu u zaman da S ve D aras nda ak m akabilmesi demektir. Kap
voltaj negatif ise kanal daral r ve ak m azal r, pozitif ise kanal geni ler
ve ak m artar.

6.3 CMOS

Complementary Metal Oxide Semiconductor

CMOS, tmleyici metal oksit yar -iletken anlam na gelmektedir.

Yap sal olarak bir n-kanall E-MOSFET ile bir p-kanall E-MOSFET'in
birlikte kullan lmas ndan olu ur.
Uygulama rneklerinden biri inversion (tersine evirme) i lemidir.
ekil 6.7. Inversion'da giri voltaj Vi =1 de erindeyken (yksek: high)
k voltaj Vo =O de erinde (alak: Iow), Vi =0 de erindeyken ise k
voltaj 1 deerindedir.

1
o
ekil 6.7 Inversion: giri voltaj n n tersine evrilmesi
Inversion i leminin olu umu ekil 6.8 de a klanm t r. Giri voltaj 0
(low) oldu unda sol tarafta bulunan n kanall E-MOSFET al maz.
Sa taraftaki p-kanall E-MOSFET'in kap voltaj , +Vss ye gre negatif
oldu undan bu MOFSET al r ve k ta pozitif gerilim (high) gzlenir.
Giri voltaj pozitif (high) oldu unda ise p-kanall E-MOSFET al maz.
N-kanall E-MOSFET'in pozitif kap voltaj , topraktan elektron eker ve
k ta "low" gerilim gzlenir.

v,
G

e-

h+

1<
N

N-KANAL

Va

P-KANAL

O +V ss

ekil 6.8 Inversion i leminin olu umu

Sonu olarak CMOS, bu i levi ile inverter, 1 ve 0 eklinde de ien
(binary) giri voltaj sinyalini tersine evirmi olur.
47

BLM 7

YARI - LETKEN ANAHTARLAMA ELEMANLARI

TRSTR - TR YAK - D AK

7.1 TRiSTR
Tristr (thyristr), alternatif olarak "silicon cotrolled rectif er": SCR
olarak da isimlendirilir (silisyum kontroll ak m do rultucu).
0.7 Volt gibi d k bir gerilim ve 10 mA gibi kk ak m ile 300
Volt, 15 A gibi yksek gerilim ve ak m kontrol edilebilir. Elektrik
motorlar ve jeneratrlerin a/kapa anahtarlamas (switching),
ayd nlatma miktar n de itiren "dimmer" uygulama rnekleridir.
YAPISI VE ALI MASI: ekil 7.1
SEMBOL

A
K

ekil 7.1 Tristr [2]

48

Yksek s cakl k ve voltaja dayan kl oldu undan genellikle

silisyum kristalidir. ki terminali, yani anod ile katod aras ndaki ak m,
nc terminal olan kap ya (gate) belli bir d k sinyal
uyguland nda akar, bu deerin alt nda akmaz. Dolay s ile
anahtarlama bir d sinyal ile gerekletirilir.
PNP ve NPN olmak zere iki transistrden olu mu gibi kabul
edilebilir. Anoda pozitif voltaj uyguland nda, ak m ileri kutuplanm
birinci PN ekleminden geer.
Kap ya uygulanan voltaj pozitif de il veya pozitif, ancak belli bir
eik de erinin (silisyum iin 0.7 Volt) alt nda ise, ak m ikinci NP
eklemine, dolay s ile de katoda, gemez.
Kap ya eik deeri zerinde pozitif voltaj uyguland nda: NPN
nin base'ine hole ak m verilmi olur ve NPN den ykseltilmi ak m
geer. Ayr ca, NPN nin collector elektron ak m , PNP nin base'ine
uygulanm olur ve PNP den geen ak m da artar. Sonuta, anod ile
katod aras nda yksek deerde ak m olu ur. Grlmektedir ki, kap ya
uygulanan kk bir tetikleme, yani ba lang ak m , yksek de erde
ak m ile sonulan r.
Tristr (SCR) do rultucu, rectifer, olarak da kullan labilir. nk,
alternatif ak m n st pozitif alternans nda tristrden ak m geer, ait yani
negatif alternans nda ise ak m gemez. Ancak buradaki do rultma,
ak m n yar -dalga do rultmas d r.
LASCR

Light

Activated SCR

LASCR, kla aktif duruma geen bir yar -iletken bile endir. Bu
nedenle foto tristr olarak da adland r l r. ekil 7.2 de LASCR nin
grn ve sembol gsterilmi tir.
-

ekil 7.2 LASCR: Grn ve sembolleri

49

I k fotonlar n n kap blgesinde olu turdu u yeterli say daki elektronhole iftleri, SCR yi aktif (iletken) duruma getirebilir. Bylece, k ile,
yksek deerlerdeki ak m devreleri kontrol edilebilir. Genellikle kap ,
a k yani ba iant s zd r. Eer kap ya gerilim uygulan r ve bu gerilim
LASCR yi tetiklemek iin gerekli e ik voltaj na ok yak n ise, ok d k
dzeyde k ile de LASCR aktif duruma getirilebilir.
LASCR LE VENEYA KAPILARI

AND Gate, OR Gate

LASCR uygulamalar na rnekler, ekil 7.3 de a klanm bulunan

VE (AND), VEYA (OR) kap devreleridir. Her iki LASCR ye de yeterli
k d t nde VE kap , LASCR terden herhangi birine k yeterli k
d t nde VEYA kap devresi al arak yk zerinden ak m gemesi
sa lanir.

(i)
ekil 7.3 LASCR ile VE, VEYA kap lar
olabilir. LASCR ler yakla k 3

Burada yk, elektrik motoru, role,

Amper ak ma kadar dayan kl d r.
7.2 TR AK

Bidirectional Thyristor

Triak, ulu alternatif ak m anahtar d r (triode a.c. switch).

Tristrn a.c. nin st alternansinda al t belirtilmi ti.

M2

ekil 7.4 Triak: Grn ve sembol

sb

Tam-dalga da (full-wave) al ma iin paralel ve ters ba l iki

tristr kullan l r ve bu yap triak olarak adland nl r, ekil 7.5 in sol
taraf nda gsterilmi tir. Grld gibi tek kap ba lant s vard r. Ancak
bu ikili sistemin al mas iin Mi ucu pozitif oldu unda G de
senkronize (ayn anda) olmak zere pozitif, Mi ucu negatif oldu unda
G de yine ayn anda negatif olmal d r. ok daha kullan l yap ekil
7.5 in sa taraf nda grlmektedir. Burada kap n n pozitif veya negatif
olmas triak' n al mas n etkilemez. Anod ve katod terimleri de
geersizdir. nk, triak iin iki-ynl (bi-directional) tristr tan mlamas
yap labilir.

AC

i N

M1

ekil 7.5 Triak : Tam-dalga ile al ma

7.3 DAK Diode A.C. Switch

Genellikle tristr ve triak' n tetiklenmesinde kullan l r ve bu
elemanlara seri ba l d r.
M2

M2

o
M2

M1

ekil 7.6 Diak: Yap s ve sembolleri

51

M1

Yap s NPN transistre benzer. Ancak P ye ba lant yoktur.

Ular na pozitif veya negatif voltaj uyguland nda, eklemlerden biri ileri
di eri ters kutuplan r ve sadece ters (s z nt ) ak m akar.
Voltaj, k r lma voltaj de erine kt nda, yakla k 30V, diak'tan
yksek miktarda ak m geer, yani diak d k diren gsterir ve bylece
diak zerindeki voltaj d mesi (voltage drop) azal r. Buna kar l k, seri
ba l bulundu u tristr veya triak zerindeki voltaj ani olarak artar.
Sonu plarak, tristr veya triak gate'i tetiklenmi olur.
DIAK LE DARBE (PULSE) OLU TURMA
Diak uygulamalar ndan biri ekil 7.7 de gsterilmi bulunan
devre ile darbe olu turmakt r. C kondansatr zerindeki gerilim,
diak' n tetikleme (k r lma) voltaj na ulat nda diak iletkenleir ve RL
zerinden ak m gemeye ba lar.

ekil 7.7. Diak ile darbe (pulse) olu turma

Ancak bu s rada C deki yk bo almaktad r ve gerilim, diak' n k r lma

voltaj n n alt na d t nde diak yal tkanla r, RL den geen ak m
durur. C kondansatr tekrar dolmaya ba lar. Bu i lem birbiri ard na
tekrarlan r ve sonu olarak RL den darbeler eklinde ak m geer.
Darbenin sresi P potansiyometresi ile azalt l p, art r labilir.
D AK VE TR AK'IN B RL KTE KULLANIMI: Uygulama rnekleri
Diak' n genellikle triak' n tetiklenmesinde kullan ld daha nce
belirtilmi ti. Bu konu ile ilgili rnek devre ekil 7.8 de gsterilmi tir.
52

ekil 7.a Diak ve Triak: rnek devre.

Devrenin al mas yledir:

a.

220 V kayna n pozitif alternans nda, C kondansatr de, R ve P

zerinden pozitif ykle dolmaya ba lar.

b.

C zerindeki artan gerilim, diak' n k r lma voltaj de erine eit

oldu unda, pozitif yk (hole'ler) diak zerinden triak' n kap s na
ula r ve triak iletkenle ir.

c.

Ak m, yk ve triak zerinden akmaya ba lar.

d.

Pozitif alternans s f ra d er, triak yal tkanla r.

e.

Negatif alternansda, C kondansatr de negatif ykle dolmaya

balar.

f.

C gerilimi, diak k r lma voltaj na eit oldu unda C deki negatif yk

(elektronlar) diak zerinden triak' n kap s na ula r ve triak
tetiklenir.

g.

Al m, tekrar yk ve triak zerinden akmaya ba lar. Bu ilemler,

bylece birbiri ard na tekrarlan r.

53

P potansiyometresinin de erini de itirerek C nin dolma sresi de

de i tirilebilir. rne in, P nin de eri artarsa, C daha yava dolar ve
devredeki ak m n ortalama de eri d er. Yk, e er bir lamba ise devre,
temel bir dimmer devresi olarak d nlebilir.
Ak m n deeri k kontroll olarak da de itirilebilir. P nin bir
LASCR ile yer de itirdi i d nlsn. Gece gibi karanl k artlar nda
LASCR iletken de ildir, yani sonsuz diren gsterir. LASCR ye k
d meye ba lad nda (sabah, le) ve belli bir e ik deerini at nda
LASCR iletkenle ir, direnci d er, C kondansatr yklenir ve
devreden ak m geer. Yk, e er bir elektrik motoru ise, ekil 7.8 deki
devre, karanl kta duran, ayd nl kta al an k kontroll motor
devresidir.
Diak ve triak genellikle birlikte kullan ld ndan, kullan m kolayl
a s ndan tek bir bileen olarak da retilmektedir ve bu bile en ekil
7.9 da gsterildi i gibi quadrac olarak adland r l r. Quadrac' n kap s ,
diak giri idir.

ekil 7.9 Quadrac

54

BLM 8

BAZI ZEL YAR!- LETKENLER

UJT, PUT, LDR, TERM STR
Bu blmn konusu olan drt elektronik bile en yapsal zellikler
gsterdi inden ayr bir blmde incelenmi tir. UJT ve PUT, bir tr
transistr olarak adland r lmalar na kar n UJT tek eklemli, yani diyod
yap s nda, PUT ise drt tabakal yani SCR ye benzer yap dad r. LDR
(foto-rezistr) ve termistr'de ise eklem yoktur, yani tek bir yar -iletken
kristaldirler. LDR k, termistr s alg lamada kuflan l rlar.
8.1. UJT

Unijunction Transistr

Ossilasyon, tetikleme, zamanlama devreleri, testere di i

(sawtooth) jeneratrleri, UJT {tek eklemli transistr) iin uygulama
mekleridir. UJT'nin yap s , sembol ve grn ekil 8.1 de
sunulmutur.

B2

B2
B1
B1

ekil 8.1 UJT: Yap s , sembol, grn

55

Transistr olarak adland r lmas na kar n UJT, PN ekleminden

oluur, yani diyod yap s ndad r. ba lant ucu vard r. ki ucu base
(B), P blgesine ba l ucu emitter (E) dir. Bu nedenle nceleri, ift bul!
(double base) diyod olarak adland r lmaktayd . ekil 8.1 deki yap , ntipi UJT iindir ve pratikte bu tip UJT genellikle daha ok kullan l r.
N blgesindeki safs zl k (dopant) miktar ok azd r, dolay s ile bu
blgenin direnci yksektir. Ayr ca emitter, B2 ye daha yak nd r. Yap s ,
ekil 6.1 deki JFET yap s na benzer. Aradaki fark, UJT'de P ve N
aras nda fakirleme blgesinin bulunmay d r (Soru: UJT'de
fakirleme blgesinin bulunmay hangi sonuca yol aar?).
ekil 8.1 deki sembol yine n-tipi UJT iindir. Ok yn, hole ak
ynn gsterir. Bu sembol, n-kanall JFET sembolne ok benzer,
ancak UJT de E'den balayan izgi dz de il a l d r. P-tipi UJT
sembolnde ok yn tersinedir.

E DE ER DEVRE VE AKIM-VOLTAJ KARAKTER ST KLER

UJT edeer devresi ekil 8.2 nin solunda gsterilmi tir. B1 ve
B2 ular aras na VB gerilimi uygulanm t r. Bu iki u aras ndaki diren
RB ise RB, ve RB2' nin toplam na eittir.
E

Vv

11 VB

Vp

ekil 8.2 UJT e deer devresi ve I-V karakteristikleri

VE=O ise, yani UJT nin al mad durumda, RB, zerine d en voltaj

VB,

. VB

(Tl =

56

RB RB)

VE O ise a . VE

< Bi durumunda, E-B1 aras ters kutupludur,

dolay s ile 1 E4)

b. VE?..11VB durumunda IE ak m akar ekil 8.2 nin sa

taraf nda, UJT'nin ak m-voltaj karakteristikleri gsterilmi tir. I E ak m
VE=VP deerine kadar ok k sa bir blgede ve yava a artar (P: peak).

(VD=0. 7 Vo lt)

VP=11VB1 + VD

Grafikteki AB aral nda IE nin art daha fazlad r, yani bu aral kta UJT
negatif diren gsterir, nk Rgi direnci d er (neden?). AB aral ,
UJT nin al ma blgesidir. Vv, vadi voltaj olarak adland r l r. B
noktas ndan sonra, UJT normal bir diyod karakteristi i gsterir.

UJT OSS LASYON DEVRES

UJT uygulamalar ndan birinin de ossilasyon devresi oldu u
UJT ossilasyon devresi ekil 8.3 de verilmi tir.

Vo

c
T

ekil 8.3 UJT ossilasyon devresi

C kondansatr, R i direnci zerinden dolmaya ba lar. C zerindeki

gerilim Vp ye e it oldu unda IE ak m akmaya ve Vo gzlenmeye
balar. Bu arada C deki yk azalmaktad r ve bir sre sonra UJT
yal tkanla r ve bu ilem birbiri ard na tekrarlan r.
57

Ossilasyon periyodu

T = R C.In[1/(1-r1)]

Ossilasyon frekans

f = 1/T

8.2. PUT

Programmable Unijunction Transistor

PUT, programlanabilir UJT,

uygulama ve ak m-voltaj
karakteristikleri bak m ndan UJT ile ayn d r. Bu nedenlerle, her ikisi
iin de, k saltmada UT harfleri kullan l r.
Yap sal olarak ise UJT den tamamen farkl d r. PUT da UJT gibi
ulu bir bile endir. Ancak drt tabaka (wafer) yar -iletkenden olu ur.
Dolay s ile sembol SCR sembolne ok benzer, ancak PUT
sembolnde kap (gate), anoda ba l d r.
A
A

K
K

ekil 8.4 PUT Yap , sembol ve devresi

UJT ile PUT aras ndaki temel fark udur: UJT nin tetikleme, yani
al ma voltaj Vp yap sal olarak sabittir, de itirilemez. PUT da ise
tetikleme voltaj n , R , R2 voltaj blcs ile de i tirebilme ans vard r.
Silisyumun kontakt veya eklem potansiyeli 0.7 Volt oldu undan, PUT
tetikleme voltaj

Vp = VG+0.7 V

VB = 9V

R2 = R,
R2 = 2R i
R2 = 5R1

ise
ise
ise
58

Vp= 5.2 V
Vp= 3.7 V
Vp = 5.2 V

Dolay s ile, PUT daki programlanabilir kelimesi, tetikleme voltaj n n

ayarlanabilme yani kontrol edilebilmesine kar l k gelmektedir.

8.3

FOTO-REZ STR

LDR Light-Dependent Resistor

Foto raf makinesindaki pozometre, karanlikta yanan ayd nl kta

snen vitrin kland rma devresi gibi uygulamalar bulunan fotorezistr, LDR, direnci kla de i en
bir elektronik bile endir.
Genellikle CdS kristalinden yap l r.
FOTONLAR

PENCERE

CdS

ekil 8.5 LDR Ak m olu umu, yap ve temel devresi

ekil 8.5 in sol taraf nda gsterildi i ve ayr ca ekil 1.12 den de
anla laca gibi, yeterli enerjiye sahip k (fotonlar), valans
band ndaki elektronlar iletkenlik band na ykseltir, bylece LDR nin R
direnci d erken RL yk direnci zerindeki potansiyel artar.
RL
k voltaj Vo=Vs
R+RL

LDR grnr a duyarl d r. Grnr n dalga boyu 0.4 p,

(mikron) ile 0.7g aras nda de i ir. Grnr k miktar birimi olarak
genellikle lux (L) kullan l r. I k miktar L ile LDR direnci R aras nda
aa daki ba nt mevcuttur:

R1=R2(L1/L2)

-a
59

(8.1)

Burada

Ri : L, k miktar kar l LDR direnci R

R2 : L2 k miktar kar l LDR direnci R

I k miktar ile R direnci aras ndaki bu logaritmik ba nt , log-log grafik

ka d na izildi inde ekil 8.6 daki do rusal (linear) de iim gzlenir.

R(OHM)

L(LUX)

ekil 8.6 Artan k miktar ile LDR direncinin azalmas

LDR zerine hi k d medi inde yani karanl kta llen R
de erine "dark resistance" ad verilir. NORP12 tipi LDR iin bu de er 1
Mega Ohm olup genellikle tm LDR'ler iin yakla k geerlidir. DirenLux do rusunun e imi, a=tan O, a a daki eitlikten hesaplan r:

log (R1 / R2)

(8.2)
log (L / L2)

E im deeri, genellikle 0.55 ile 0.90 aras nda de i ir. NORP12 iin,
aa daki de erler katalogda verilmi tir.

L (lux)
10
1000

R(Ohm)
9 000
400

Bu veriler ile, E itlik 8.2 den, NORP12 iin e im a=0.67 olarak

bulunur.
60

E im de eri, katalog verilerinden herhangi biri ve E itlik 8.1 in

kullan lmas ile, e itli evre k dzeyleri iin LDR diren de erleri
hesaplanabilir. rnek olarak, gne li yaz gn ve le saatlerinde
evre yakla k 105 lux'dr. Bu artlarda NOORP12 tipi LDR nin
yakla k 20 Ohm diren gstermesi beklenir.

LDR LE I IK KONTROLLU OSS LATR

LDR ile 555 timer'in birlikte kullan m ile kurulan "astable
multivibrator" devresi ekil 8.7 de sunulmu tur.
RA

+ V (Vc c)

Tnigh Tiow

ekil 8.7 LDR ve 555 timer ile ossilasyon devresi

Ossilasyon periyodu

T = TH TL
1.44

Ossilasyon Frekans

f = 1/T -

(RA + 2R8) C

zerine d en k miktar art nca RA, LDR, direnci azal r ve

ossilasyon frekans da artar veya tersine, azalan k miktar ile frekans
azal r. Baka bir deyi le, ossilasyon frekans k miktar ile kontrol
edilebilir. k voltaj , dikdrtgen dalga eklindedir. k n, 1 (high:H)
61

veya 0 (low: L) gibi iki dzeyde (binary) olmas , bu devrenin mikro

i lemci ile birlikte kullan m olana n sa lar.

8.4 TERM STR

Termistr, direnci s cakl kla de i en bir s alg lay c s d r
(resistance temperature detector: RTD). Si, Ge veya seramik
malzemeden yap lm bir yar -iletkendir. Eklemi yoktur. evre
s cakl n n veya zerinden geen ak m nedeni ile kendi s cakl n n,
artmas ile yeterli s enerjisi kazanan valans elektronlar , iletkenlik
band na - kar ve termistrn direnci d er. S cakl n azalmas ile ise
direnci artar. Bu haliyle termistr, negatif s cakl k katsay s gsterir
(negative temperature coefficient: NTC). Dolay s ile ekil 8.8 in sa
taraf ndaki voltaj blc devrenin V o k voltaj , artan evre s cakl
ile artar.

ekil 8.8 Termistr: Sembol ve voltaj blc devresi

Metaller, s cakl k de iimlerine yar -iletkenlerin tersine tepki verirler.

Yani, artan evre s cakl metallerin direncini de art r r. Bu nedenle,
metaller pozitif s cakl k katsay s (PTC) gsterirler, rnek platin
(PRTD).

SICAKLIK DIREN BA INTISI

S cakl k ve termistr direnci aras nda E itlik 8.3 de verilen ba nt
vard r:
62

P
RT

= Ro.exP( --)
TT
TO

(8.3)

Burada RT TT s cakl k derecesindeki (Kelvin) diren

To : referans s cakl (Kelvin)
Ro : referans s cakl ndaki diren
: karakteristik s cakl k (Kelvin), veya
materyal sabiti

rn kataloglar nda genellikle p, To ve Ro de erleri verilir. f3 de eri

2500-5000 Kelvin aras nda de i ir. Referans s cakl , genellikle,
yakla k oda s cakl olan 25C dir. E itlik 8.3 ile yap lan
hesaplamalarda, s cakl k derecesinin santigrad de il Kelvin oldu una
dikkat edilmelidir ( K = 273+C).

UYGULAMA RNE I
Termistrlerin, elektronik termometre, termostat, yang n alarm ,
elektronik cihazlardaki devreleri a r s nmadan koruma gibi e itli
lm ve kontrol uygulamalar vard r.
RLE

ekil 8.9 Termistr uygulama rne i

63

ekil 8.9 da uygulama rne i olarak, s v dzeyi lme sistemi

gsterilmi tir. S v n n stnde bulundu u s rada s cak olan termistrn
direnci d ktr ve devreden rleyi ekecek yeterlilikte ak m geer.
S v dzeyi, termistre deyecek kadar ykseldi inde, termistr s s n
s v ya vererek so ur, direnci artar, devreden geen ak m azal r ve rle
a l r.

64

BLM 9

KATIHAL GRNT ALGILAYICILARI

SOLID -STATE IMAGE SENSORS

CCD

9.1 CCD

CCD, ,charge-coupied devire, CCD-kameran n, optiksel

grnty elektronik ka eviren, yani optoelektronik k sm d r; ekil
9.1.
TV KAMERA

ekil 9.1 CCD-kamera ile grntleme [15]

Trke'ye "yk-iftlenmi sistem" olarak evrilebilecek olan CCD bir

mozaik -dedektr sistemidir (mosaic veya matrix detector array).
Gnmtz teknolojisi ile, toplam 3.07x3.07 cm boyutlar nda 2048x2048
dedektrden olu an CCD yap labilmektedir ki mozayi i olu turan herbir
dedektrn boyutlar 151.1x15 kadar kk olabilmektedir (11.1=0.001
mm).

65

Grnt, her bir dedektr aras nda bl lr. Dolay s ile her bir
dedektr bir grnt elemanid r: pixel (picture element, picture cell).

512 x 512

1024 x 1024

400 x 1200

2048 x 2048

ekil 9.2 GGD

CCD
1.

Toplam boyutlar kktr.

2.

Sistemi oluturan dedektrlerin (pixel) boyutlar da kktr.

Kk pixel boyutu sonucu, sistemin grntde ay rt etme
yetene i (resolution) yksektir.

3.

al mas iin gerekli g tketimi azd r (low power

consumption).

4.

Bilgisayarla e letirilmesi kolayd r.

CCD il grntleme ad ndan da -anla labilece i gibi, grntlenen

cisimden gelen n dedektrlerde elektrik ykleri (charge)
oluturmas ve bu yklerin sistemden d ar transfer edilip (read-out)
ilenmesi ve grntnn olu turulmas esas na dayan r.
Mozaik grntleme sistemi, foto-diyod dedektrlerden de
oluturulabilir. CCD teknolojisi byle bir sisteme gre a a daki
stnlklere sahiptir:
1.

D k k dzeylerinde de grntleme yapabilme yetene i

(sensitivity at low light levels)

66

2.

Minimum lag ve bloorning

Lag
: Dedektrde olu an elektriksel sinyalin (yk), read-out
s ras nda tamamen d ar transfer edilememesi; bir k sm n n sistemde
kalmas d r.
Blooming :I k iddetinin sistemin baz blgelerinde yksek
olduu durumda, dedektrden dedektre elektriksel sinyal s z nts
(leakage) olmas d r.
9.2 ELEKTR KSEL YKN DEPOLANMASI - MOS YAPISI

CCD sistemini olu turan her bir dedektr MOS yap s ndad r;
ekil 9.3. MOS: metal-oxide-semiconductor.

METAL (+)
Si02

(14

49
P
14
RLEME
FAK

- YK

ekil 9.3 MOS yap s {6], <iy: yk

MOS YAPISI: P tipi silisyum taban (substrate) kristali zerinde, kristal
bytmQ (crystal growth) yntemi ile ince bir Si0 2 tabakas oluturulur
ve bu tabaka yal tkand r. Daha sonra, bu oksit tabakas zerine
buharlam (evaporated) bir cins polysilicon maddesi yo unlat r l r.
Bu madde iletken ve saydamd r (transparent) ve MOS yap sn n
kaps d r: gate..
Kap ya, yani metal elektroda P tipi silisyuma gre daha yksek pozitif
gerilim uyguland nda, kapn n alt ndaki ve P taban ndaki hole'ler
aa doru itilir (ekil 6.5 ile kar latnn z). P deki az nl k elektronlar
ise kap ya doru ekilir ve -kap alt nda ince, ancak yo un bir negatif
yk tabakas , dolays ile n-kanall CCD ortaya kar. Bu etkilerin
sonucu, kap alt nda, P taban iinde yk bak m ndan fakirlemi bir
blge olu ur (Depletion region).
67

Fakirle mi blge dk potansiyeldedir ve foton absorblanmas

sonucu olu an elektronlar n depoland bir potansiyel kuyusudur
(potential well). Oksit tabakas , depolanm negatif ykn kuyudan
d ar s zmas n nler. Bu anlat lanlar nda bak ld nda, MOS
yap s n n bir kapasitr zelli i gsterdi i -a kt r.
MOS kapasitr (dedektr) zerine i ma, yani foton, d t nde kap
alt nda elektron ve hole'ler olu ur; ekil 9A. Hole'ler pozitif kap voltaj
etkisi ile topraklanm P taban iine itilirler. Elektronlar ise, yine pozitif
kap vOaj nedeni ile yukarya doru ekilir, ancak yal tkan oksit
tabakas nedeni ile kap ya ula amazlar. -Ayr ca P taban n n az nl k
elektronlar n n kap altnda olu turdu u ince negatif yk tabakas
taraf ndan da bir miktar itilirler.
Sonu olarak, elektronlar -kap (elektrod) alt ndaki potansiyel
kuyusunda birikirler ve sinyal ykn (signal charge) olu tururlar; ekil
9.3. Biriken yk miktar , -MOS kapasitre d en ma miktar ile do ru
orant l d r.

METAL KAPI(SAYDAM)

WWWWWWWWWWWWWWWWWWWW~

Si02

ece e
7

ekil 9.4 MOS kapasitrde fotonun olu turdu u elektron ve hole

hareketleri [5]

68

9.3. YCLKN TRANSFER

Reat~t

Potansiyel kuyusundaki yk paketi, birbirine ba lanm

elektrodlara s ra ile voltaj uygulanarak ve bylece sistem boyunca
hareket ettirilerek, i lenmek zere d ar transfer edilebilir; ekil 9.5.
ekil 9.5 (a)
(b)

(c)
(d)
(e)

inde yk bulunan potansiyel kuyusu

ikinci elektroda voltaj uygulamaya ba lan r. Kom u
potansiyel kuyusu olu ur. Yk bu yeni kuyuya
transfer olmaya balar.
Yk, iki kuyu aras nda payla l r.
Birinci elektrod voltaj n s fra do ru azaltmaya
balan r. Birinci kuyu ortadan kalkmaya ba lar.
Birinci elektrod voltaj s f rdr. Yk, birinci
dedektrden ikinciye transfer-edilmi tir.

Mevcut , teknoloji ile, toplanan yk birka saat sistemde

saklanabilmektedir. Ayr ca, yk transfer etkinli i (efficiency) %99.9 dan
daha fazlad4,r.
9.4 OPTKSEL GRNTLEME
Uygulamada, elektrodlara gruplar halinde voltaj uygulan r. Grup
say s iin "faz" (phase) terimi kullan l r. ekil 9:6 da fazl sistem
a klanm t r.
Elektrod, voltajlar , voltaj hatt ile salan r. L, hatt voltaj pozitif
olduunda, L2 ve L3 hat voltajlan s f rd r. Fotonlar n oluturdu u ykler,
G, elektrodlar alt nda birikir. Uygun bir yk biriktirme (integration)
sresi sonunda yk, voltaj hatlar na s ras ile ve tekrarl olmak zere
voltaj uygulanarak MOS kapasiteleri zerinden soldan sa a do ru
hareket ettirilir ve k a ulama zamannn fonksiyonu olarak d ar
al n r (read-out).

69

+ V

METAL
ELEKTROD

Wll MM I N IM El KO I I 12 OKS T
P

(al
+ V

O + V

(bi
+ V

+ V

(ci

+ V

Ar INIMEIrar ADI
(d)

+V

(e)

ekil 9.5 Yk paketinin dedektrler aras nda hareketi [16]

70

L,
L,
L,

v, +)

tl

t2

t,

Vl<V2

V2(+)

ekil 9.6 fazl sistem [6]

Voltaj, hatlara zananiannu olarak verilir (clocked voltage).

rnek olarak, sistemin en solundaki yk paketi, sa ndaki yklere gre
sistem d na daha ge ula r ve bylece, k ta, ykn hangi MOS
kapasitrden (dedektr: pixel) geldi i zamana ba l olarak belirlenir.
ekil 9.7 de, grntlenen cismin bir noktas ndan gelen n soldan
beinci pixel'e dt -kabul edilmi tir. Bu durumdaki k sinyali
(negatif), ayn eklin sa tarafnda gsterilmi tir ( k a transfer edilen
negatif yk burada voltaja evrilir.

71

 ekil 9.6 ve 9.7 deki gibi yk transfer yntemi, bir tek diziden olu an
dedektQr sistemi (linear CCD) iin herhangi bir sorun yaratmaz.
Mozaik sistem {area CCD) ise, M sat r x N stundan olu an bir
matrix jstemdir. Grntlenen cismin zerindeki k da t m na ba l
olarak sistem zerinde olu an yk dal m n n, nce birinci sat r, sonra
ikincisi,
eklinde bir ilernle d ar al nmas uzun zaman al r. Bunun
yerine, iaha h zl k -almak iin, iki farkl yntem uygulan r:

Electrodes

3-phase clocking waveforms

move charge packet sequentially
through device

Incident light
irradiates photosensitive
area

Output

O V,
OV,

V,

O V,

V,

Integrating period

Ir

>\\\

Read out period

Output signal generated 2

by incident light

ekil 9.7 k sinyali-zaman ili kisi [161

FRAME TRANSFER : ekil 9.8

Frame: CCD matrix sisteminin tmnn bir defa taranmas .

Grnt alg layan CCD nin yan nda, a kar korunmu ikinci
bir CCD vard r. Bu ikinci CCD, yk depolama k sm (storage system)
veya yk transfer kay t edici (register) olarak adland r l r. Sistem
stunlara (channel) ayr lmt r. Her stunun sonunda hat k
vard r. Her sutun soldan sa a taran r, olu an ykler transfer register>da
depolan r. Yk k "readout register"dan d ar al n r. Bu ilem

72

yap l rken, bir sonraki grnt CCD zerinde olu ur. Bylece, ok
ykseKh zlarda, birbiri ard na grnt almak mmkn olur.

INTERL,INE TRANSFER: Stitunlar-aras transfer : ekil 9.9

Ia kar korunmu transfer/depolama k sm stunlar aras nda

yer al r. -ok-daha h zl yk transferi ve dolay s ile h zl frame taramas
(scannigg) yap l r. Ancak bu yap , grntnn yar s n n kayb na neden
olur.
TV
yay nlar nda
henz
Gnmzde
CCD-kamera
kullan lmamakta ise de yak n bir gelecekte bu tr uygulama
beklenmektedir.

Ancak CCD-kamera, bilgisayarla birlikte kullan lmaktad r. Bunun

iin CCD k n n say sal (digital) duruma getirilmesi gerekir. CCD
zerindeki grntnn bir tam taranmas sonucu olu an k n, yani
frame'in depolanmas ve say sal hale getirilmesi frame grabber
(grabber: tutucu) taraf ndan yap l r; ekil 9.10. Sonuta, bilgisayar ile
grnt i leme (image processing) de yap labilir ve elektriksel
grnt, monitrde optiksel grntye evrilir.

Read out register

minumumee
anamm.

UMM ~R Mal 0193.1

Storage section
shielded from
light

Imaging section
optically sensitive

MIS EM EM EM MEI

MM
serea MM MM IYISI MU
firall mai
sam
11013111 il= MI ;eri MM
111182 2611511 SUNI MU
autfo 1B8@0 rilRal leza MUZ
MI MM MU Wall
MM MIII MEG Ma MM

MM MM Ille Will
Mi ILIN ILMI 111311
MIII MM MIII HMMM
1111111 MM MM ININ
Mil MM Will =I IYI
IME EM MINI MI ~Il

Channel stop

ekil 9.8 Frame transfer [16]

73

Output

Readout
register

Output

Imaging
section,
optically
sensitive
section,
shielded from light

I
Transfer gate

ekil 9.9 Interline transfer [16]

MONTR

ekil 9.10 CCO-kamera ile bilgisayar kombinasyonu

74

9.5 PERFORMANS PARAMETRELER

DUYARLILIK, Sensitivity, S
Foton-duyarl bir dedektrn duyarl l , zerine d en
miktar qa kar retti i k-ullamlabilir voltajd r:

(9.1)

S=Vd /E

burada

dedektrn rettii voltaj

E k ak s (light fiux)

Vd

Duyarl l-k, ayn zamanda, sistemin yk-voltaja dn trme yetene ine

de ba l d r.

GRLT, Noise, N
Sistemdffl evre s cakl -etkisi alt nda ykler de olu abilir (Blm
4.4: dark current). Grltnn artmas sistemin S/N oran n (signal-tonoise ratio) olumsuz etkiler.

CEVAP-SRES , Response Time

Cevap sresi, d en k iddetindeki dei meye kar l k sistemin
ne kadar sre iinde k (output) retcce inin lsdr ve k sa
olmas isterir.

FRAME TIME, CCD_mozayiinin bir tam taranmas iin geen sredir.

Bir saniyede al nan frame say s ise frame frekans d r ve zellikle h zl
hareketli cisimlerin gri:ntlenmesi durumunda nemlidir.

75

BAZ FZKSEL SAB TLER

I k H z

3 x 108 m/sn

Elektron Yk

1.6 x 10 -19 Coulomb

Planck Sabiti

4.14 x 10 -15 eV.sn

6.63 x 10 -34 J.sn

Boltzmann Sabiti

8.61 x 10 -5 eV/K

1.38 x 10 -23 J/K

o -3 m m

1 mikron (*)

10 "8 m

(*)

1 mikron, enerjisi 1.24 eV, yakla k 1 eV, olan fotonun dalga

boyudur.
76

KAYNAKLAR

[1]

Isaacs, A.
"Introducing science"
A Pelican Original, Flarmondsworth, England (1972)

[2]

Masten, L.B., Masten, B.R.

"Understanding optronics"
Texas Instruments Inc., Dallas (1981)

[3]

Pohl, H.A.
"Quantum mechanics for science and engineering"
Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1967)

[4]

Bget, U., Prof.Dr.

"PN Eklemi: kristal diyod ve tranzistrler"
Meteksan Yay nlar No:8, Ankara (1984)

[5]

Wilson, J., Hawkes, J.F.B.

"Optoelectronics: an introduction"
Prentice Hali, London (1989)

[6]

Streetman, B.G.
"Solid state electronic devices"
Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1990)

[7]

Hudson, R.D.
"Infrared system engineering"
Wiley - Interscienoe, London (1969)

[8]

Bhattacharya,
"Semiconductor optoelectronic devices"
Prentice - Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1994)

[9]

Jones, M.H.
"A practical introduction to electronic circuits"
Cambridge University Press, Cambridge (1990)
77

[10] Watson, J.
"Mastering electronics"
Mac Millan, Mester Series, London (1990)
[11] Durlu, T.N., Prof.Dr. (A..F.F.Fizik Blm)
"Kat hal Fizi ine Giri "
Bilim Kitap ve K rtasiye Ltd:, Ankara (1992), 2. bask .
[12] Seymour, J.
"Electronic devices and components"
Longman Scientific and Technical, Essex (1990)
[13] Dutar, C.
"Transistr esaslar "
Cilt I, zden Ofset, zmir
[14] Tischler, M.
"Optoelectronics: fiber optics and lasers"
Macmillan/McGraw Hill, Glencoe, Illinois (1992)
[15] "The CCD image sensor"
Thomson Composants-Militaries -et Spatiaux
[16] Watson, J.
"Optoelectronics"
Van Nostrand Reinhold, -UK (1988)

78