MOS FET tranzistori se,kao to je poznato,realizuju kao n i p kanalni

tranzistori,pri emu se oba tipa mogu izvesti kao elementi obogaenog ili
osiromaenog tipa.Osnovno svojstvo MOS tranzistora obogaenog tipa je da ne
postoji vodljivi kanal izmeu source-a i drain-a kad na gate-u nije nije prikljuen
napon odgovarajueg iznosa i predznaka.Ova vrsta MOS FET tranzistora je
prikladna za digitalne namjene,jer oni ne vode struju kad na gate-u niej
prikljuen odgovarajui napon.MOS FET tranzistori osiromaenog tipa vode
el.struju izmeu source-a i drain-a i kada je napon na gate-u jednak nuli.Kako
elementi osiromaenog tipa mogu raditi s 2 razliita predznaka napona na
upravljakoj elektrodi,postoje i 2 razliita naina rada:osiromaeni i obogaeni
nain rada.U praktinim izvedbama dominiraju 2 tipa monolitnih MOS
sklopova:n-MOS i CMOS sklopovi.Sklopovi bazirani na p-kanalonom MOS
FET-u su stvar prolosti,sporiji od n-kanalnih MOS FET-ova i za jednaku struju
odvoda uz jednake napone zahtjevaju oko 2 x veu povrinu na slicijevoj ploici
od n-kanalnog MOS FET-a iste duine.To su osnovni razlozi nestanka molitnih
sklopova s p-kanalnim MOS FET-ovima.
Podloga elementa je slicij p-tipa,specifinog otpora od 1do 10cm.Uvod S i
odvod D dobijaju se n+ difuzijom u p-podlogu.

Sl.3.1. Presjek n-kanalnog MOS FET-a

Duina kanala L odreena je razmakom izmeu uvoda i odvoda na silicijevoj
povrini.Upravljaka elektroda G realizirana je napravanjem metala na sloj
silicijum dioksida iznad podruja kanala.Ovo je mogue postii i klasinom
litografskom tehnologijom,ali je struktura MOS FET-a puno sloenija nego to
prikazuje slika 3.1.Takvi su MOS FET tranzistori sa poboljanim
karakteristikama,kao to su DMOS i VMOS tranzistori.Kao to se na slici vidi

kod elementa obogaenog tipa ima odreenog prekrivanja metala upravljake

elektrode i n-podruja uvoda i odvoda kako bi se potpuno osigurala naponska
kontrola nad kanalom.Meutim,to prekrivanje mora biti to manje jer izmeu
metala i upravljake elektrode iznad n+ - podruja uvoda i odvoda i tih podruja
djeluju parazitni MOS- kapaciteti.Kapacitet Cgs je ulazni parazitni kapacitet koji
smanjuje ulaznu impedansu MOS FET-a na visokim frekvencijama.Kapacitet
Cgd omoguava povratno djelovanje kruga potroaa na izlazni krug generatora
na ulazu MOS FET-a,te stvara povratnu vezu u elementu.Obje parazitne
kapacitivnosti mogu se reducirati smanjenim podrujem prekrivanja i
poveanom debljinom oksidnog sloja.Za realizaciju n-kanalong MOS FET-a
potrebne su 4 maske:prva radi formiranja otvora za n+ difuziju uvoda i
odvoda,druga za definisanje otvora za metalne kontakte uvoda i odvoda,te za
definisanje podruja upravljake elektrode nakon ega se unutar tih otvora
formira tanki oksidni sloj tipine debljine,trea maska je za nastanak otvora u
oksidnom sloju i etvrta maska je za metalizaciju .
Presjek p-kanalnog MOS FET-a nam daje slika 3.2.Podloga je silicij n-tipa,a
uvod i odvod se dobijaju p+ difuzijom.Taj element je obogaenog tipa,neovisno
o specifinoj vodljivosti podloge.Meutim,mogue je realizirati i element
osiromaenog tipa ako se izvri plitka p+ - difuzija u podruje kanala.

Page 2