MJERITELJSTVO U MIKRO I NANO TEHNOLOGIJAMA

-SEMINARSKI RAD-

Tuzla, decembar 2012.

Sadraj
1. Uvod
2. Mjeriteljstvo
3. Nanotehnologija
4. Nanometrologija
4.1. Smanjenje valne duine
4.2.Mikroskopija bliskog polja (near field microscopy)
4.3. Neslikoviti pristupi
4.4. Drugi pristupi
4.5. Metrologija samosklapanja
5. Zakljuak
6. Literatura

2
3
4
4
4
5
6
6
8
10
11

1.Uvod
U ovom seminarskom radu obraivat u temu Mjeriteljstvo u mikro i nano
tehnologijama.
Mjeriteljstvo je nauka o mjerenju koja ukljuuje sve teorijske i praktine aspekte
mjerenja.
Mjerenje je skup aktivnosti koja za cilj ima dobivanje vrijednosti mjerne veliine.
Kada govorimo o nanotehnologijama mislimo o tehnologijama ije se dimenzije kreu
od 1 do 100 nm2.
Nanotehnologija predstavlja projektiranje, proizvodnja i primjena materijala, ureaja i
sistema kontroliranjem njihovog oblika i veliine na nanostupnju.

2.Mjeriteljstvo
Mjeriteljstvo ili metrologija (metron mjerenje, logos - nauka) predstavlja nauku o
mjerenju koja ukljuuje sve teorijske i praktine aspekte mjerenja. Mjeriteljstvo se
bavi metodama mjerenja fizikih veliina, ostvarivanjem i odravanjem etalona
fizikalnih veliina, razvojem i izradom mjernih instrumenata, ureaja i mjernog
pribora, te analizom dobivenih mjernih rezultata.
Mjerenje je skup aktivnosti koja za cilj ima dobivanje vrijednosti mjerne veliine.
Danas je skoro pa nemogue opisati bilo koju pojavu, a da se pri tome ne oslanjamo na
mjerenje: mjeri se teina pisma, sobna temperaura itd.
Kao vrijeme nastanka mjeriteljstva uzima se XVIII. stoljee.
Osnovni zadaci metrologije mogu se razvrstati na slijedee:
razvoj generalne teorije mjerenja, utvrivanje jedinica fizikih veliina i
njihovih sistema,
razvoj pouzdanih etalona mjernih jedinica metoda i postupaka njihovog uvanja
i reproduciranja,
razrada metoda, postupaka, tehnika i sredstava izvoenja mjerenja i kontrole
fizikih veliina,
razrada metoda ocjene greke mjerenja, stanja i tanosti sredstava mjerenja i
kontrole,
razvoj ekspertnih sistema obezbjeenja potrebne tanosti mjerenja i kontrole i
upravljanja proizvodnim procesima,
razvoj metoda postizanja jedinstva mjera i mjerenja i realizacija aktivnosti
usmjerenih ka poveanju tanosti, pouzdanosti i proizvodnosti mjerenja i
kontrole.
Prema oblastima kojima se bavi, metrologija se dijeli na:
metrologiju duina, povrina i uglova,
metrologiju mase, sile i pritiska,
metrologiju fiziko - hemijskih veliina,
metrologiju elektrinih veliina.
Metrologija se moe podijeliti na:
opu - bavi se problemima mjerenja i kontrole povezanim sa svim metrolokim
oblastima bez obzira koje se fizike veliine mjere i koja se mjerna sredstva
koriste.
primjenjenu - bavi se problematikom mjerenja u jednoj jedinoj karakteristinoj
oblasti.

3. Nanotehnologija
Nanotehnologija predstavlja bilo koju tehnologiju ije su polje djelovanja veliine reda
milijarditog dijela metra. To je primenjena nauka koja se odnosi na proizvodnju
ureaja ije su dimenzije 100 nm ili manje.
Radi se o vjetini pravljenja ili rada sa stvarima koje su toliko male da ih je mogue
posmatrati samo pomou najjaih mikroskopa.
Nanotehnologija je i sposobnost pravljenja veoma malih maina pomou raunarske
tehnologije, atom po atom.
Nanotehnologija je polje primjenjene nauke bazirane na dizajnu, sintezi i primjeni
materijala i ureaja reda veliine nano.
Najjednostavnije je definiemo kao projektiranje, proizvodnja i primjena materijala,
ureaja i sistema kontrolisanjem njihovog oblika i veliina na nano stepenu.
Takoer, moemo rei da je nanotehnologija ininjerstvo s atomskom preciznou.

4. Nanometrologija
Od XVII st. u kojem je izumljen mikroskop nauka je bila suoena sa izazovom
istraivanja fenomena koje nisu izravno vidljivi ljudskim okom.
Za naunike je problem vizualizacije atoma iskljuivo tehnike, a ne konceptualne
naravi. Moemo rei da je vid nae najznaajnije ulo. Poboljanje lea omoguila su
dostizanja poveanja od 2000 puta, ali i pored toga objekte veliine od oko 100 nm
jedva da moe vizualizirati promatra koji koristi okular mikroskopa.
Klasini mikroskop sudara se sa fundamentalnim ogranienjem moi prostornog
razluivanja x, zbog valne prirode svjetlosti:
x = /2 (N.A.)
gdje je valna duina osvjetljavajue svjetlosti, a N.A. je numeriki prenik
mikroskopskog kondenzatora. Ovaj problem moemo rijeiti:
smanjivanjem valne duine svjetlosti
radei u bliskom polju, odnosno u dalekom polju
odustajanjem od izravnog oslikavanja i
koritenjem potpuno drugaijeg pristupa

4.1. Smanjenje valne duine

Sa smanjenjem valne duine postaje veoma teko konstruisati potrebne lee za
mikroskop. Najvaniji rezultat kvantne mehanike je de Broglieov
odnos koji povezuje valna i korpuskularna (estina) svojstva svjetlosti:
= h/p

gdje je valna duina povezana s esticom impulsa p = mv, gdje su m i v masa i

brzina, a h je Plankova konstanta, ija je numerika vrijednost 6,63 1034 J s.
Za izraunavanje valne duine potrebno je poznavanje mase i brzine estice.
Elektron je estica odreene mase u mirovanju koja iznosi (me = 9,11 1031 kg) i
elektrinog naboja e. On se moe ubrzati do eljene brzine, pomou elektrinog polja,
tj. valna duina se po potrebi moe podeavati. Tridesetih godina prolog vijeka Ernest
Ruska je izumio transmisijski elektronski mikroskop. Dananji elektronski mikroskopi
visoke rezolucije mogu oslikavati materiju do atomske rezolucije.
Prostor kroz koji prolaze elektroni kao i prostor oko uzorka mora biti evakuiran jer u
protivnom bi dolo do sudara elektrona sa molekulama gasa te bi ionizirane od strane
brzih elektrona doveli do potpune iskrivljenosti slike uzorka. Ako je uzorak veoma
tanak modulacija elektrona koji se prenose kroz uzorak moe se koristiti za stvaranje
mape gustoe elektrona koja se naziva transmisijska elektronska mikroskopija ili
skraeno TEM.
Kada uzorak ne vodi elektrinu struju, nad njegovom povrinom treba ispariti tanak
sloj metala kako ne bi dolo do akumulacije onih elektrona koji se nisu reflektirali.
U sluaju da je uzorak poluvodi sa malom pojasnom prazninom najpraktinije je
ugrijati ga kako bi postao dovoljno vodljiv. Danas, usljed unapreenja u tehnologiji
skenirajue elektronske mikroskopije mogue je dobivanje slika u prisustvu zraka uz
pritisak od nekoliko hiljaditih dijelova atmosferskog pritiska.

4.2.Mikroskopija bliskog polja (near field microscopy)

Princip mikroskopije bliskog polja prikazan je na slici 4.1. Rezolucija koja se moe
dobiti nalazi se ispod difrakcijskog limita koji odgovara optici dalekog polja. Ona
ovisi o kakvoi izrade, a prvenstveno o preniku optike vlaknaste dielektrine sonde
koja osvjetljava uzorak. Relativno kretanje izmeu uzorka i dielektrine sonde postie
se koritenjem piezoelektrinih kristala.

4.3. Neslikoviti pristupi

Najpoznatiji pristup ove vrste je difrakcija X zraka. Snop X zraka se sudara sa
uzorkom pod uglom u odnosu na ravan atoma u uzorku i mjeri se prostorna
distribucija rasprenih X zraka. Iz razloga to je valna duina , X zraka reda
veliine udaljenosti d meu-atomskih ravni kristalni materijal prelama snop. Bitni
uslov za konstruktivnu interferenciju reflektiranog snopa je Braggov zakon:
d sin = n , n = 1, 2, ...
Distribucija paralelne, obino djelomino koherentne svjetlosti rasprene s difuzno
reflektirajue povrine pogodna je za utvrivanje njene statistike hrapavosti do oko
etvrtine valne duine (tj. oko 150 nm za tipine vidljive izvore svjetlosti). Ako je
povrina spekularno reflektivna, osvjetljavajua svjetlost bi sama trebala imati pjegasti
obrazac, ija je fazna distribucija modulirana hrapavou.

4.4. Drugi pristupi

Ininjeri za utvrivanje povrinske hrapavosti objekta koriste profilirajue sonde u
obliku gramofonske igle. Otra igla se prevlai preko povrine okomito na povrinsku
ravan. Topografiner je ureaj koji je prvi uspjeo da utvrdi subnanometarski vertikalni
poloaj. Nanostupanjska vertikalna rezolucija postignuta je koritenjem efekta
tuneliranja elektrona (ako postoje dva nivoa s istom energijom, postoji odreena
vjerovatnoa da e elektron koji zauzima jedan od energetskih nivoa prei na drugi
nivo ako nije popunjen). Struja izmeu elektriki vodljive sonde i elektriki vodljivog
uzorka moe se dakle pretvoriti u topografski model uzorka. Napredak je ostvaren
usavravanjem piezoelektrinih regulatora kretanja na (x, y) ravni (tj. ravni povrine)
i po z osi (okomito na povrinu). Sonda je sada mogla skenirati veoma blizu povrine.
Krug povratne sprege moe biti ureen tako da na odgovarajui nain podeava
pomicanje po z osi, kako bi se tunelirana struja odravala konstantnom.
Princip minijaturnih sondi koje se kreu iznad povrine uzorka i stalno vraaju neku
informaciju o topografiji, ili trenju, ili hemijskoj prirodi stalno se proirivao i pokriva
mnogobrojne razliite skenirajue mikroskope. Ovakav mikroskop koji se najvie
koristi je tzv. mikroskop atomskih sila (atomic force microscope AFM) koji moemo
vidjeti na slijedeoj slici.
Prednost mikroskopa sa sondama u odnosu na elektronske mikroskope je ta to
mikroskopi sa sondama mogu djelovati u zraku na atmosferskom pritisku, ak i u
tekuinama. Ali, sile kojima se djeluje na uzorak relativno su velike i za vrijeme
oslikavanja uzorak se moe iskriviti ili ak unititi. Prisustvo tekuine (ak tankih
filmova vode koji oblau povrinu uzorka i skenirajueg vrha sonda) takoe mogu
praviti tetu jer pobuuje kapilarne sile, koje mogu povui vrh prema povrini uzorka.
Veliku vanost doprinjelo je uvoenje tzv. tapkajueg naina rada, kod kojeg
konzola oscilira vertikalno i tako minimizira kontakt vrha sonde s uzrokom, te reducira
smetnje.

Vertikalna rezolucija ograniena je samo piezoelektrinim kristalom koji pokree

uzorak u odnosu na glavu i postavkom za detekciju otklona konzole. Subnanometarsku
rezoluciju nije teko dobiti. Bona rezolucija je obino ograniena radijusom R glave.
Postojea tehnologija je sposobna za rutinsku masovnu proizvodnju glava od silikona
ili silikon nitrida s radijusom R veliine nekoliko desetaka nanometara. Vidljiva bona
dimenzija L za oblik iji je radijus r iznosi:
L = 4 Rr
Inovativno rjeenje problema pretjerane bone to djeluje na uzorak je skenirajua
mikroskopija ionskom strujom, SICM (scanning ion current microscopy) to moemo
vidjet na slijedeoj slici.

Kod oblika koji su veliine samo nekoliko nanometara koriste se ultra otri vrhovi
glava, koje je jako teko napraviti i koji su jako krhki. Takoer, ako se oslikavanje vri
u tenosti, na glavi se mogu pojaviti neistoe koje e poveati radijus glave.

4.5. Metrologija samosklapanja

Ovdje je cilj da se nano-objekti raspre nasumino u tekuini i da se onda asorbiraju i
okupe na vrstoj podlozi. Da bi se uspostavili osnovni odnosi izmeu tekuine i
podloge, potreban je neki neuznemirujui nain za
a) brojanje dodanih estica,
b) utvrivanja brzine njihovog dodavanja i
c) utvrivanja strukture samosklopljenog filma.
Optike metode oslanjaju se na promatranju promjene koeficijenta refleksije na
suelju vrsta materija/tekuina zbog nakupljanja nano-objekata. Optika
valovodna spektroskopija laganog moda oslanja se na poremeaj nestalnog polja
generiranog valovima koji su voeni uz podlogu od strane nano-objekata, pod
uvjetom da se njihova polarizibilnost razlikuje od polarizibilnosti tekuine.
Ako je podloga tanki metalni film, za praenje prisustva nano-objekata moe se
takoer koristiti optiki pobuena povrinska plazmonska rezonanca premda je manje
osjetljiva i manje informativna od optike valovodne spektroskopije laganog moda.
Ako se kao podloga koristi elektrodom presvueni piezoelektrini kristal, promjene u

frekvenciji rezonantnih vibracija kristala, te rasipanje njegove oscilacije, mogu takoer

pruiti korisne informacije.

5. Zakljuak
Da bi se izvrila mjerenja u nanotehnologijama potrebni su posebni mikroskopi jer su
to tehnologije koje nisu vidljive golim okom. Lea mikroskopa mogu uveati
posmatrani objekat i do 2000 puta, ali objekat veliine od 100 nm i sa tolikim
uveanjem jako je teko vizualizirati. Iz tog razloga za mjerenja u nanotehnologijama
uvode se metode:
smanjivanje valne duina svjetlosti
radei u bliskom polju, odnosno u dalekom polju
odustajanjem od izravnog oslikavanja i
koritenjem potpuno drugaijeg pristupa od navedenih

6.Literatura
1. Nanotehnologija, Elektrotehniki fakultet u Sarajevu, 2009.
2. www.hr.wikipedia.org