Phạm Thành Luân - K53Đ

Đặc trưng Vôn – Ampe trong tranzito trường mối nối

(JFET)

I, Khả năng điều khiển của điện áp trên cực cửa UGS đối với
dòng điện ID và đặc tuyến truyền đạt của JFET:

Đặt lên cực máng một điện áp UDS1 > 0 và giữ cố định. Khi điện
áp trên cực cửa UGS = 0V, hai tiếp xúc P-N sẽ được phân cực ngược
mạnh dần từ cực nguồn về phía cực máng, và do đó kênh cũng sẽ hẹp
dần về phía cực máng. Tuy nhiên, ở trường hợp này, tiết diện của kênh
là lớn nhất nên dòng điện chạy qua kênh là lớn nhất, ký hiệu là IDo.

Khi đặt điện áp trên cực cửa có trị số âm (UGS < 0), thì tiếp xúc P-
N được phân cực ngược càng mạnh hơn, và tiết diện của kênh càng hẹp
lại, điện trở của kênh càng tăng, kéo theo dòng điện ID giảm xuống. Khi
điện áp trên cực cửa giảm xuống đến một trị số gọi là điện áp ngắt: UGS
= UGSngắt thì hai lớp tiếp xúc P-N phủ trùm lên nhau và kênh hoàn toàn
biến mất, dòng điện chạy qua kênh bằng 0 (ID = 0).

Quan hệ giữa dòng điện ID với điện áp UGS thể hiện bằng đường
đặc tuyến điều khiển hay còn gọi là đặc tuyến truyền đạt và có hàm là
ID = f(UGS) khi UDS không đổi.
Dòng điện ID được tính bằng công thức Shockley:

Đây là một phương trình bậc 2 và biểu diễn bằng đường cong có
dạng parabol, ta có đặc tuyến truyền đạt như mô tả trong hình (1).

Hình 1 : Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh loại N.

II, Đặc tuyến ra của JFET:

 Đối với JFET kênh loại N, đặt một trị số UGS ≤ 0 (giả sử đặt UGS
= UGS1 < 0) và giữ cố định, sau đó thay đổi trị số điện áp UDS. Khi điện
áp UDS = 0V thì hai tiếp xúc P-N được phân cực ngược đồng đều từ cực
nguồn đến cực máng, tiết diện của kênh là lớn nhất nhưng dòng điện
bằng 0 (ID = 0). Đặt UDS > 0 và có giá trị nhỏ, điện thế tại mỗi điểm dọc
theo kênh sẽ tăng dần từ cực nguồn đến cực máng, làm cho tiếp xúc P-
N được phân cực ngược mạnh dần về phía cực máng, đồng thời, các hạt
dẫn điện tử sẽ chuyển động về cực máng tạo nên dòng điện cực máng
ID. Tăng dần điện áp UDS cho càng dương hơn, hai tiếp xúc P-N càng
được phân cực ngược mạnh hơn về phía cực máng, tiết diện của kênh
càng bị hẹp dần về phía cực máng, nhưng dòng điện ID lại càng tăng và
tăng tuyến tính với sự tăng của điện áp UDS. Ta có đoạn đặc tuyến dốc
đứng gọi là vùng thuần trở.

Khi điện áp UDS tăng đến trị số mà tại đó hai tiếp xúc P-N chạm
nhau, tạo ra "điểm thắt" của kênh, thì trị số điện áp đó ta gọi là điện áp
UDS bão hòa (UDSbh) hay còn gọi là điện áp “thắt”. Lúc này dòng điện ID
đạt tới trị số dòng điện bão hòa IDb.h.. Nếu tiếp tục tăng điện áp cực
máng càng dương hơn thì cường độ dòng điện ID không tăng nữa mà chỉ
có tiếp xúc P-N được phân cực ngược mạnh hơn và chúng trùm phủ lên
nhau làm cho một đoạn kênh bị lấp và chiều dài của kênh bị ngắn lại.
Lúc này, quan hệ giữa dòng điện ID với điện áp UDS không theo định luật
Ôm nữa, ID gần như không đổi khi điện áp UDS tiếp tục tăng, ta có vùng
dòng điện ID không đổi.

Hình 2 : Họ đặc tuyến ra của JFET kênh loại N.

Nếu tăng trị số điện áp UDS lên quá cao có thể xảy ra hiện tượng
đánh thủng tiếp xúc P-N và dòng điện ID sẽ tăng vọt lên gọi là vùng
đánh thủng.

Thay đổi trị số điện áp trên cực cửa và thực hiện lại các bước như
trên sẽ thu được họ đặc tuyến ra như mô tả trong hình (2).

Đối với JFET kênh loại P, JFET kênh P được chế tạo bằng cách
đảo lại các cực tính của các vùng bán dẫn tạp N và P. Do vậy, chiều
dòng điện trong kênh dẫn là ngược với chiều dòng trong kênh dẫn của
JFET kênh N, và các cực tính của các điện áp phân cực khi làm việc là
ngược lại.

III, Tổng kết:

Tóm lại, JFET làm việc dựa trên sự phân cực ngược tiếp giáp P-N
giữa cổng và kênh dẫn. Điều này sẽ hình thành nên vùng nghèo bao
quanh kênh dẫn.

Nếu giữa hai cực máng và nguồn được đặt một điện áp thì sẽ có
dòng điện chảy qua kênh dẫn, và với điện áp phân cực ngược trên tiếp
giáp cổng-kênh nên dòng cổng chỉ là dòng rò ngược rất nhỏ, có thể bỏ
qua. Điện áp phân cực ngược cổng-kênh cũng sẽ đẩy các hạt tải đa số
trong kênh dẫn bị vào vùng cổng, vì vậy sẽ làm tăng kích thước của
vùng nghèo, dẫn đến làm giảm tiết diện cắt ngang của kênh dẫn và
như vậy làm giảm độ dẫn điện của kênh dẫn. Khi điện áp trên tiếp giáp
cổng-kênh càng phân cực ngược hơn nữa thì độ rộng hiệu dụng của
kênh dẫn càng giảm cho đến khi dòng máng-nguồn chảy qua kênh dẫn
ngưng hoàn toàn.

Các điện dung cổng-nguồn và cổng-máng của JFET được xác định
bởi điện dung vùng nghèo của các tiếp giáp P-N phân cực ngược, tức là
phụ thuộc vào điện áp phân cực ngược. Các phương trình mô tả quan
hệ dòng-áp của JFET kênh N và kênh P được tóm tắt như sau:

Trong đó:
ID ~ IDS iD0 ~ iDSS UGS ~ VGS UGSngat ~ VP