Chương 4: Transistor hiệu ứng trường – FET

- Transistor hiệu ứng trường FET (Field Effect Transistor) là một dạng linh kiện bán dẫn
ứng dụng hiệu ứng điện trở suất của bán dẫn được điều khiển bằng điện trường, đây là
một loại cấu kiện điều khiển bằng điện áp.
- Nguyên lý hoạt động cơ bản của Transistor trường là dòng điện đi qua một môi trường
bán dẫn có tiết diện dẫn điện, điện trở suất hoặc nồng độ hạt dẫn thay đổi dưới tác dụng
của điện trường vuông góc với lớp bán dẫn đó, do đó điều khiển được dòng điện đi qua
nó. Lớp bán dẫn này được gọi là kênh dẫn điện.

I. JFET
1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc:
a. Cấu tạo:
- Có 2 loại JFET: kênh N và kênh P
- Kênh N thường dẫn điện tốt hơn kênh P

b. Nguyên lý làm việc:

*Xét JFET kênh N:
TH1: 𝑼𝑮𝑺 = 𝟎𝑽 ; 𝑼𝑫𝑺 > 𝟎𝑽:
- Khi 𝑈𝐷𝑆 từ giá trị > 0V, dòng 𝐼𝐷 tăng nhanh (tốc độ tăng
của 𝐼𝐷 phụ thuộc kháng của kênh dẫn).
- Do 𝑈𝐷𝑆 tăng nên sự chênh lệch điện áp giữa kênh và cực G
(phía cực D) càng lớn, do đó kênh bị co hẹp nhiều hơn ở
miền này.
- Khi 𝑈𝐷𝑆 đạt đến 𝑈𝑃 thì vùng tiếp xúc ở hai phía mở rộng ra
- hết cỡ làm cho độ rộng của kênh lúc này ≅ 0 (kênh dẫn bị
- thắt lại). Nếu tiếp tục tăng 𝑈𝐷𝑆 dòng 𝐼𝐷 không tăng. 𝑈𝑃 gọi là điện áp thắt kênh.
TH2: 𝑼𝑮𝑺 < 𝟎𝑽 ; 𝑼𝑫𝑺 > 𝟎𝑽:
 - Điện áp ngược chênh lệch giữa kênh và cực G lớn hơn trường hợp 𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉 nên tiếp
xúc PN mở rộng hơn và hiện tượng thắt kênh xảy ra sớm hơn => 𝑈𝑃 nhỏ hơn.
TH2: 𝑼𝑮𝑺 > 𝟎𝑽 ; 𝑼𝑫𝑺 > 𝟎𝑽:
- Nếu 𝑈𝐺𝑆 > 0𝑉 thì tiếp giáp PN giữa cực G và kênh sẽ phân cực thuận, dòng 𝐼𝐺 sẽ
tăng đột ngột dẫn đến khả năng điều kiển kênh sẽ không còn.
- JFET chỉ làm việc ở chế độ tiếp giáp PN giữa cực G và cực S phân cực ngược => chế
độ nghèo (với JFET kênh N là 𝑈𝐺𝑆 < 0𝑉 , kênh P là 𝑈𝐺𝑆 > 0𝑉 ).

2. Đặc tuyến của JFET:

a. Họ đặc tuyến ra hay đặc tuyến cực máng (Drain characteristic):

Đặc tuyến ra của JFET mô tả sự thay đổi của dòng trên kênh 𝐼𝐷 theo 𝑈𝐷𝑆
- Vùng ohmic: Khi 𝑈𝐷𝑆 tăng dần, 𝐼𝐷 tăng dần, lúc đầu 𝑈𝐷𝑆 còn nhỏ, sụt áp của nó gây trên
điện trở kênh ảnh hưởng không đáng kể đến độ rộng của miền điện tích không gian, 𝐼𝐷
tăng tuyến tính theo 𝑈𝐷𝑆
- Vùng bão hoà: kênh bị thắt do vùng nghèo “bóp” lại. Dòng 𝐼𝐷 không đổi dù 𝑈𝐷𝑆 tăng.
Nếu 𝐼𝐷 có xu hướng tăng khiến cho sụt áp dọc kênh tăng => áp ngược PN tăng => vùng
nghèo nở rộng hơn => kênh bị hẹp thêm => 𝐼𝐷 giảm trở lại => giữ không đổi = 𝐼𝐷𝑆𝑆
- Vùng đánh thủng: tiếp giáp PN bị đánh thủng
b. Đặc tuyến truyền đạt (transfer characteristic):
- Đặc tuyến truyền đạt của JFET mô tả mối quan hệ giữa 𝐼𝐷 và điện áp 𝑈𝐺𝑆
- Đặc tuyến truyền đạt có thể được suy ra từ họ đặc tuyến ra. Đặc tuyến truyền đạt của
JFET làm việc ở vùng bão hòa gần như không thay đổi theo 𝑈𝐷𝑆 .
3. Phương trình Shockley và độ hỗ dẫn của JFET:
a. Phương trình Shockley:

b. Độ hỗ dẫn của JFET:

- Cùng một JFET, giá trị của 𝑔𝑚 phụ thuộc vào từng điểm làm việc.
- Đơn vị: S hoặc moh
4. Phân cực cho JFET:
Phân cực bằng điện áp cố Tự phân cực Phân cực bằng phân áp
định

Xác định Xác định Xác định

𝑄(𝑈𝐺𝑆𝑄 , 𝐼𝐷𝑄 , 𝑈𝐷𝑆𝑄 ): 𝑄(𝑈𝐺𝑆𝑄 , 𝐼𝐷𝑄 , 𝑈𝐷𝑆𝑄 ): 𝑄(𝑈𝐺𝑆𝑄 , 𝐼𝐷𝑄 , 𝑈𝐷𝑆𝑄 ):

𝐼𝐷𝑄 xem phương tình

Shockey

 Kém ổn định.  Ổn định khá.  Ổn định tốt.

5. Các tham số điện quan trọng:
- Các thông số cơ bản:𝐼𝐷()(𝑚𝑎𝑥) , 𝑈𝐷𝑆()(𝑚𝑎𝑥) , 𝑃𝐷()(𝑚𝑎𝑥) ,…
- Dòng 𝐼𝐷𝑆𝑆
- Áp cắt/thắt kênh 𝑈𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −𝑈𝑃
- Độ hỗ dẫn 𝑔𝑚
- Điện trở vào 𝑟𝐺
- Nội trở kênh 𝑟𝐷
- Điện dung ký sinh 𝐶𝐺𝑆 , 𝐶𝐺

6. Một số bài tập ví dụ:

1. Dòng điện cực máng 𝐼𝐷 trong JFET kênh P được tạo bởi các:
A. Lỗ trống
B. Electron
C. Cả lỗ trống và electron
2. Với JFET kênh N, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì...
A. Mức bão hòa của dòng điện cực máng càng lớn
B. Mức bão hòa của dòng điện cực máng càng nhỏ
C. Mức bão hòa của dòng điện cực máng không đổi
3. Với JFET kênh N, khi điện áp giữa cực G và S ở trạng thái khóa thì:
A. Dòng điện cực máng rất lớn
B. Dòng điện cực máng rất lớn
C. Dòng điện cực máng rất lớn
4. Điện áp thắt kênh của JFET kênh P có giá trị
A. <0V
B. >0V
C. =0V
5. Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì:
A. Điện áp thắt kênh càng lớn
B. Điện áp thắt kênh càng nhỏ
C. Điện áp thắt kênh càng không đổi
6. Transistor trường JFET gồm mấy loại?
A. 1 loại
B. 2 loại
C. 3 loại
D. 4 loại

Bài viết có sử dụng một số slide, tài liệu của các thầy cô khoa điện tử, trường điện –
điện tử!