ROM memorije

ROM je memorija sa konstantnim sadrajem u koju se posebnim postupkom

upisuje eljena informacija, a kada je sadraj upisan, memorija moe samo da se
ita. Ovo su stalne memorije opte primene, i koriste se, na primer: za generisanje
binarnih rei, konverziju brojeva, generisanje raznih funkcija, u telefoniji za
odreivanje vrste i tipa prikljuka itd. Najvaniju namenu su nale kao stalne
memorije u raunarima. Podaci smeteni u ROM-u su uvek tamo, bez obzira da li je
prikljueno napajanje. Integrisano kolo ROM memorije moe biti izvaeno iz
raunara dui vremenski period i onda ponovo vraeno, i podaci e jo uvek biti u
njemu. Zbog toga ROM spada u klasu postojanih memorija.
Sama injenica da se sadraj ROM-a ne moe tako lako promeniti obezbeuje
odreeni nivo sigurnosti protiv sluajnih promena njegovog sadraja.
ROM se najee koristi za smetanje sistemskih programa, za koje elimo da budu na
raspolaganju raunaru u svako doba. Najbolji primer je sistemski ROM BIOS program, koji
se uva u posebnom ROM-u na matinoj ploi raunara. Znai da je program dostupan kada
se ukljui napajanje, pa raunar moe da ga iskoristi za podizanje sistema. Postoji nekoliko
vrsta ROM memorija iji se sadraj moe promeniti pod odreenim uslovima. One bi se
mogle nazvati "memorijom koja uglavnom slui za itanje" (eng. Read-Mostly Memory).

Mask ROM memorije

Mask ROM je memorija iji se
sadraj upisuje u fabrici u toku
procesa proizvodnje, i kasnije se ne
moe izbrisati i ponovo upisati. One
se proizvode slinim tehnolokim
postupkom kao i mikroprocesori.
Koriste se za programe koji se
masovno proizvode i ne menjaju se
esto.
Na slici je prikazana memorija koja
predstavlja pretvara binarnog kda
u Grejov kd, i ije je matrino polje
realizovano u diodnoj ILI logici.
Znai, ova memorija radi kao konvertor kda. Kada je kd adresnih signala na
ulazu dekodera A2A1A0 = 000, tada je samo adresna linija W0 = 1, a sve ostale od
W1do W7 su nula.Kako adresna linija W0 nije preko dioda fiziki spojena ni na
jednu liniju podataka izlazni kd e biti D 2D1D0 = 000.Ako je A2A1A0 = 111,
poslednja adresna linija je tada W7 = 111, pa je izlazni kd iz ROM-a sada
D2D1D0 = 100. Znai dovodimo na ulaz binarni kd a na izlaz ROM-a dobijamo
Grejov kd.

Umesto diodne ILI logike za definisanje sadraja ROM-a mogu

da se koriste bipolarni tranzistori ili MOSFET tranzistori. Na
slici je prikazana jedna elija ROM-a sa NMOS tranzistorima
ije su elije matrinog polja realizovane pomou NILI logike.
Ako je adresna linija, koja je inae vezana za gejt, na nivou
logike 1 provodi N kanalni MOSFET pa samim tim odvodi
liniju podataka na naponski nivo logike 0. Ako adresna linija
nije na 1, N kanalni MOSFET ne provodi i linija podataka je na
naponskom nivou napona napajanja VDD, odnosno naponu
logike 1.

PROM memorije
PROM je programabilna ROM memorija, koju moe da programira sam korisnik
prema svojim potrebama. Diodna PROM memorija je proizvedena tako, da se na
svim elijama matrinog polja nalaze diode u rednoj vezi sa topljivim nikl-hrom
(Ni-Cr) osiguraima, kao to je prikazano na slici. Kada memorija nije
programirana sve adresne linije su preko osiguraa i dioda spojene na liniju
podataka. Korisnik sam programira memoriju tako to izazove pregorevanje
osiguraa na mestima gde eli da mu bude logika 0. Pregorevanje se vri
sukcesivno tako to se adresira re po re,a na liniju podataka gde treba odstraniti
diodu dovodi se negativan impuls. Tada kroz osigura i diodu protekne struja veeg
inteziteta koja pregore osigura i na taj nain
raskine vezu adresne i linije podataka.
PROM memorija se moe uraditi i sa NMOS
tranzistorima pri emu su osigurai redno
vezani sa drejnom svakog tranzistora. Ova
memorija je proizvedena tako da su na svim
mestima postavljeni tranzistori sa osiguraima, to znai da je na
svim adresama memorije sadraj svih bita logika 0. Programiranje se obavlja
pregorevanjem osiguraa, tako to se na odgovarajui izlazni prikljuak D dovede
impuls ija je amplituda vea od VDD. Naravno i ovde se adresiranje vri postupno
re po re. Programiranje PROM memorija se vri pomou specijalnog ureaja koji
se zove PROM programator. U programator se pomou raunara upie eljeni
sadraj memorije, a zatim se sukcesivno adresiraju sve adrese prikljuene PROM
memorije i dovede impuls, koji pregore odgovarajue osigurae. Glavni nedostatak
ovih memorija je to se jedanput upisani sadraj vie ne moe menjati.
EPROM memorije
EPROM memorije (eng.Erasable Programmabile Read Only Memory) kao
memorijske elemente koristi MOS tranzistore sa izolovanim gejtom. Svi tranzistori

u memorijskoj matrici imaju po dva gejta. Izolovani gejt je praktino okruen

idealnim izolacionim materijalom (SiO 2) i sa neizlovanim gejtom predstavlja
kapacitivni razdelnik napona. Kada memorija nije programirana napon logike 1 na
adresnoj liniji je dovoljan da preko kapacitivnog razdelnika formira kanal u MOS
tranzistoru, pa je sada sadraj svih lokacija 0. Programiranje memorije se vri na taj
nain to se na liniju podataka i adresnu liniju dovodi visok napon (oko 25V) koji
izaziva veliku struju drejna. Ova struja stvara veliko ubrazanje elektrona, koji usled
nedestruktivnog kretanja probijaju izolaciju i akumuliraju se na izolovanom gejtu.
Sada je izolovani gejt na negativnom potencijalu (oko -5V) pa napon logike 1 na
adresnoj liniji od 5V nije dovoljan da formira kanal u MOS
tranzistoru, te je sada na tom mestu upisana logika 1. Ovako programirana
memorija ne menja sadraj vie od 10 godina. Ako se ovako programirana
memorija izloi dejstvu ultraljubiaste svetlosti u vremenu oko 20 minuta, sadraj
se gubi jer SiO2postaje slabo provodan i elektroni naputaju izolovani gejt. Svaki
ip ima mali stakleni prozor ugraen na vrh kuita ROM memorije, i kroz njega
se moe videti unutranjost memorijskog ipa. EPROM se moe u svako doba
obrisati tako to se kroz ovaj prozori osvetli unutranjost ipa u komori sa UV
svetlou. Posle ovoga ip se moe ponovo programirati. Oigledno, ovo je mnogo
korisnije od obinog PROM-a, ali i dalje
zahteva posebno svetlo za brisanje.
EEPROM memorije
EEPROM memorije (eng.Electrically
Erasable Programmabile Read Only
Memory) kao memorijske elemente takoe
koriste MOS tranzistore sa izolovanim
gejtom, samo to je izlacija izmeu
elektroda dosta manja. Upis sadraja u memoriju se vri na slian nain kao kod
EPROM-a, samo se sada koristi napon proboja od oko 10V. Brisanje je takoe
elektrinim putem, tako to se na gejt prikljuuje napon suprotnog polariteta od
napona upisa. Sadraj se moe obrisati pod kontrolom softvera, i upisati u bilo
kom trenutku bez prethodnog brisanja. . Ovde se malo zamagljuje termin Read
Only Memory, ali treba imati u vidu da se podaci u EEPROM upisuju recimo
jednom godinje, dok se u RAM upisuju mnogo puta svake sekunde. EEPROM je
izuzetno zgodan zbog toga to dozvoljava mogunost obnavljanja podataka na licu
mesta, korienjem uobiajenog raunarskog hardvera i pod isto softverskom
kontrolom, ali je skuplji od EPROM memorije i ne moe se pakovati sa toliko
velikom gustinom kao i EPROM.
FLE memorije
Najnoviji oblik poluprovodnike memorije je fle memorija, koja se tako zove
(eng. Flash - munja) zbog brzine kojom se moe reprogramirati. Fle memorija se
prvi put pojavila sredinom osamdesetih, i predstavlja sredinu izmeu EPROM-a i

EEPROM-a i po ceni i po funkcionalnosti. Kao i EEPROM, fle memorija koristi

tehnologiju elektrinog brisanja. Cela fle memorija se moe obrisati za svega par
sekundi. Meutim, kod fle memorija se ne moe brisati bajt po bajt, ve samo po
blokovima. Fle memorija postie istu gustinu pakovanja kao i EPROM (veu od
EEPROM-a) zato to koristi samo jedan tranzistor po bitu podatka. Ovo je
najfleksibilniji tip ROM memorija, i sada se esto koristi za smetanje BIOS programa.
Korienje flememorije za smetanje BIOS-a omoguava korisniku da uvek ima aktuelnu
verziju BIOS-a na svom raunaru. Fle memorije imaju tu osobinu da se reprogramiraju u
samom sistemu. To nas liava ugradnje podnoja, vaenje memorije i vraanje, pri emu
moe da se oteti neki od pinova. Fle memorije se mogu reprogramirati i do 100 000
puta.Dalje>>

Nazad