Objasni rad I strukturu izbrisivih ROM memorija

PROM. Kod pojedinih ROM komponenata postoji mogućnost da korisnik samostalno konfiguriše
komponentu željenim sadržajem. Ovakva vrsta ROM-a je poznata pod nazivom programabilni ROM, ili
PROM (programmable ROM). Osobina programabilnosti se postiže ugradnjom osigurača između sors
priključka MOSFET tranzistora i bit-linija, kao što je to prikazano na slici. Neprogramirani PROM sadrži
sve 1-ce. Programiranjem PROM-a, korisnik postavlja 0 na odgovarajuće bit-lokacije u memoriji. To se
postiže pregorevanjem osigurača na tim lokacijama, odnosno propuštanjem kroz osigurače veće struje
od nominalne. Naravno, ovaj proces je ireverzibilan, u smislu da se jedanput pregoreni osigurač više
ne može obnoviti. Dakle, PROM se može programirati samo jedanput.

UVPROM. Ova vrsta ROM-a bri[e se upotrebom ultravioletnih zraka. Za te svrhe je razvijena specijalna
memorijska ćelija vrlo slična p-kanalnom MOS tranzistoru. Osnovna razlika je u rome što upravljačka
elektrodanema nikakvog spoljašnjeg priključka, već je sa svih strana okružena tankim slojem izolacionog
materijala. Zbog toga je i nazvana lebdeća upravljačka elektroda (floating gate), a ovi tranzistori
FAMOS(floating gate avalanche MOS). Da bi se ta vrsta memorije mogla izbrisati, treba omogućiti da
nestane negativni električni naboj koji postoji na lebdećoj upravljačkoj elektrodi(L.U.E.). To se čini tako
da se memorija za određeno vreme, oko 15min, oasja UV zracima koji svojom energijom doprinesu da
nestane električni naboj sa L.U.E. Zbog ovoga se na kućište , u koje je smeštena ovakva memorija, stavlja
prozorčić od kvarcnog stakla kroz koji mogu prolaziti UV zraci.
EEPROM. Sledeća vrsta ROM-a, tzv. električki izbrisivi PROM, ili EEPROM (electrically erasable PROM)
pruža mogućnost korisniku da obriše upisane podatke i upiše nove. EPROM ćelija je po strukturi slična
ROM ćeliji. Međutim, veza sorsa MOSFET tranzistora i bit-linije se
ovde ostvaruje pomoću još jednog MOSFET tranzistora posebne vrste, tzv. EEPROM tranzistora.
U odnosi na standardni NMOS tranzistor, EEPROM tranzistor dodatno poseduje tzv. plivajući gejt koji
je ukopan u izolacioni sloj između normalnog gejta i kanala. Plivajući gejt nije povezan ni sa jednim
kontaktom tranzistora. U neprogramiranom stanju EEPROM tranzistora, plivajući gejt nema uticaja na
rad tranzistora, koji se ponaša kao svaki drugi NMOS tranzistor. Tokom normalnog rada, napon na gejtu
EEPROM tranzistora je postavljen na Ve = VDD (npr. 5 V), zbog čega je ovaj tranzistor uključen, tj.
predstavlja zatvoren prekidač. Dakle, u neprogramiranom stanju sadržaj EEPROM memorije je „sve 1“.
Programiranje EEPROM tranzistora se postiže tako što se na njegov gejt deluje naponom koji je viši od
normalnog (npr. Ve = 12 V), što dovodi do prenosa (tunelovanja) jednog dela elektrona iz kanala na
plivajući gejt. Ovi elektroni ostaju zarobljeni na plivajućem gejtu i nakon prestanka dejstva visokog
napona (jer nemaju gde da odu). U normalnom režimu rada, elektroni zarobljeni na plivajućem gejtu
odbijaju elektrone u supstratu tranzistora i time otežavaju formiranje kanala, tako da sada za Ve =VDD,
tranzistor ostaje isključen. Brisanje upisanog sadržaja se postiže delovanjem na gejt EEPROM
tranzistora naponom suprotnog polariteta od onog koji je korišćen prilikom programiranja. U ovom
slučaju, visok negativan napon dovodi do toga se elektroni zarobljeni na plivajućem gejtu tuneluju
nazad u kanal. Na taj način EEPROM tranzistor uspostavlja prvobitno, neprogramirano stanje.