Univerzitet u Novom Sadu

Prirodno matematiki fakultet

Departman za fiziku

Fotoelektrine osobine amorfnih poluprovodnika

fotoprovodljivost
Seminarski rad iz predmeta Fizika kondenzovane materije

Student: Ivana Marjanovi 432/06 Mentor: Dr Dragoslav Petrovi

Novi Sad, maj 2013.

 Sadraj

Uvod _______________________________________________3

Rekombinacioni mehanizmi __________________________________4

1. Direktna radijativna rekombinacija ___________________________4

2. Indirektna rekombinacija: okliRidHolova rekombinacija _____________4

3. Oeova rekombinacija ___________________________________5

4. Oeova rekombinacija uz uee zamki _________________________6

Fotoekscitacija__________________________________________7

Fotoluminiscencija _______________________________________8

Fotonapon ___________________________________________ 10

Fotoprovodljivost _______________________________________ 10

Zavisnost od intenziteta upadnog zraenja _______________________ 15

Spektralna zavisnost ____________________________________ 16

Zavisnost od prisustva neistoa _____________________________ 17

Temperaturna zavisnost __________________________________ 17

Fotoprovodljivost u hidrogenizovanom amorfnom silicijumu (a-Si:H) _________ 18

Zakljuak ____________________________________________ 19

Literatura ___________________________________________ 20

2
 Uvod

Fotoprovodljivost je optiki i elektrini fenomen za koji su karakteristine promene

provodnih osobina materijala kada isti biva izloen elektromagnatnom zraenju. Znaaj
fotoprovodljivosti pri izuavanju amorfnih poluprovodnika je izuzetan. Prisustvo
metastabilnih stanja usled defekata otkriveno je upravo na osnovu njihovog negativnog
uticaja na fotoprovodljivost. Fotoprovodljivost se esto koristi za grubu procenu
kvaliteta amorfnih poluprovodnika i opravdanosti njihove upotrebe u optoelektrinim
ureajima. Krajnje interesantna i veoma znaajna oblast primene amorfnih
poluprovodnika, ponajvie silicijuma, jeste solarna energija. Naime, od slojeva tankih
filmova amorfnog silicijuma proizvode se takozvane fotogalvanske elije, koje se
grupiu u module, pa u panele sa ciljem transformisanja solarne u elektrinu energiju.

3
 Rekombinacioni mehanizmi

Iz potreba kasnijeg izlaganja, ovde e biti navedeni osnovni mehanizmi rekombinacije

slobodnih nosilaca nalektrisanja koji se odvijaju u kristalnim poluprovodnicima. U
osnovi, ovi mehanizmi su slini i kod amorfnih poluprovodnika.
Bilo koji elektron koji se u provodnoj zoni zapravo se nalazi u metastabilnom stanju,
pre ili kasnije e se stabilizovati na niem energetskom nivou u valentnoj zoni.
Vraanjem u valentnu zonu, efektivno se gubi i upljina koja je u njoj nastala, te se
ovaj proces naziva rekombinacijom. Kod monokristalnih poluprovodnika postoje etiri
osnovna tipa rekombinacionih mehanizama:

1. Direktna radijativna rekombinacija

Kod ovog mehanizma, elektron koji se nalazi u
provodnoj zoni pada direktno na upljinu u
valentnoj zoni, tako da se viak energije oslobaa
u vidu fotona, a elektron i upljina nestaju.
Zraenje koje se emituje iz svetleih dioda (LED)
najoigledniji je primer ovog rekombinacionog
mehanizma. On je dominantan kod
poluprovodnika sa direktnom zabranjenom zonom
poput GaAs, InP itd, dok je kod poluprovodnika
Slika 1. Optiko generisanje i direktna
sa indirektnom zabranjenom zonom prinos ovog rekombinacija [Babu]
rekombinacionog mehanizma zanemarljiv.

2. Indirektna rekombinacija: okliRidHolova rekombinacija

Neistoe u poluprovodnicima uzrokuju stvaranje lokalizovanih stanja duboko u
zabranjenoj zoni. Ovi nivoi omoguuju kaskadnu rekombinaciju. U zavisnosti od
njihove lokacije u zabranjenoj zoni, mogu se ponaati ili kao zamke ili kao
rekombinacioni centri za elektrone, odnosno upljine.
Zamka za elektrone je lokalizovano stanje u zabranjenoj zoni za koje je verovatnoa
zarobljavanja elektorna iz provodne zone velika. Nakon zarobljavanja, postoji i
verovatnoa da e zarobljeni elektron biti otputen iz zamke. Analogno, zamka za
upljine je lokalizovano stanje u zabranjenoj zoni za koje je verovatnoa zarobljavanja
upljina iz valentne zone velika.
Lokalizovano stanje koje se ponaa kao rekombinacioni centar ima jednako veliku
verovatnou zarobljavanja i elektrona i upljina, tako da je jedno praeno drugim, to
dovodi do nestajanja para elektron-upljina. Na slici 2 ilustrovani su koraci u kojima se
odvija rekombinacija pri ovakvom mehanizmu.
(a) zarobljavanje elektrona iz provodne zone na lokalizovano stanje u zabranjenoj zoni
(b) emisija elektrona iz lokalizovanog stanja u provodnu zonu
(c) zarobljavnje upljine iz valentne zone; u sutini emisija elektrona u valentnu zonu
(d) emisija upljine iz lokalizovanog stanja u valentnu zonu; u sutini zarobljavanje
elektrona iz valentne zone

Slika 2. Koraci u indirektnoj rekombinaciji [Babu]

Da bi se lokalizovano stanje ponaalo kao rekombinacioni centar, proces zarobljavanja

elektrona (a) mora biti praen procesom zarobljavanja upljine (c) i moraju imati
priblino jednake verovatnoe odvijanja. Ukoliko je zarobljavanje elektrona (a) praeno
emisijom elektrona (b), lokalizovano stanje ponaa se kao zamka za elektrone, dok se,
u sluaju da je zarobljavanje upljine (c) praeno emisijom upljine (d), ponaa kao
zamka za upljine.

3. Oeova rekombinacija
Oeova rekombinacija je troestini mehanizam u koji su ukljueni bilo dva elektrona i
jedna upljina ili dve upljine i jedan elektron. Ovakav mehanizam mogu je i kod
direktne rekombinacije izmeu provodne i valentne zone, kao i kod indirektne
rekombinacije koja ukljuuje zamke. Ilustracija mehanizma u koji su ukljueni dva
elektrona i jedna upljina prikazana je na slici 3.a. Ovde se elektron 1 iz provodne zone
prebacuje na slobodno mesto 1 u valentnoj zoni. Viak energije predaje se oblinjem
elektronu 2 koji biva ekscitovan na stanje 2. Na slici 3.b prikazan je mehanizam u koji
su ukljuene dve upljine i jedan elektron.
 Slika 3. Oeova rekombinacija sa (a) dva elektrona i jednom upljinom i (b) dve upljine i
jednim elektronom [Babu]

4. Oeova rekombinacija uz uee zamki

Na slici 4.a ilustrovano je kako zarobljeni elektron prelazi u valentnu zonu predajui
svoju energiju elektronuu provodnoj zoni. Ovaj proces znaajan je samo u
visokoprimesnim poluprovodnicima n-tipa kod kojih je koncentracija zamki ispod
Fermijevog nivoa visoka.
Mehanizam pri kojem elektron prelazi na slobodno kvantno mesto na lokalizovanom
stanju (zamka), pri tome predajui svoju energiju upljini u valentnoj zoni znaajan je
samo kod visokoprimesnih poluprovodnika p-tipa kod kojih je koncentracija zamki
iznad Fermijevog nivoa visoka.

Slika 4. Oeova rekombinacija uz uee zamki [Babu]

 Fotoekscitacija

Ako je re o kristalnim poluprovodnicima (ili izolatorima), incidentni foton razliitih

energija dovodi do ekscitacije atoma. Ako se radi o x-zraenju, foton ( h
E g ) moe
ekscitovati elektron sa niih nivoa, to dovodi do sukcesivnog generisanja elektrona i
upljina u provodnoj i valentnoj zoni, respektivno. U sluaju da je energija fotona
h > E g , ekscitovani elektroni deekscitovae se na dno provodne zone emitujui pritom
energiju h E g u vidu nekoliko fonona. Foton ija je energija bliska irini zabranjene
zone h  E g , sa velikom verovatnoom, stvara par elektron-upljina. Naposletku, foton
ija je energija manja od irine zabranjene h E g zone moe proizvesti eksciton par
elektron-upljina. U sluaju da je elektromagnetno zraenje visokog intenziteta i pulsne
prirode, moe doi do nelinearne ekscitacije fotonima ija je energija nh E g , gde je n
broj simultano apsorbovanih fotona. Kao posledica ovakvih elektronskih ekscitacija
javljaju se: (1) porast temerature T (2) luminiscencija biva intenzivnija ako se
osvetljavanja vri na niim temperaturama (3) fotoelektrini efekti poput
fotoprovodljivosti (u uzorku koji se nalazi u elektrinom polju) i fotogalvanskih
efekata.
S obzirom na to da je uslov egzistencije energetskih zona kristalna ureenost, te da se
ona u amorfnim sistemima gubi posle prvih koordinacija, pa da je problem energetskih
stanja reen na neto drugaiji nain (CFO model), to e i ekscitacija u amofrnim
poluprovodnicima imati donekle drugaije posledice. Sa porastom energije incidentnog
fotona, odvija se nekoliko procesa ilustrovanih na slici 5. Ukoliko je h < E g , foton
moe biti apsorbovan na lokalizovanim stanjima koja se nalaze na sredini zabranjene
energijske zone i (b) ekscitovani elektron ili upljina koji se nalaze na tom
lokalizovanom stanju mogu biti termalno reekscitovani. Ako je h E g , odnosno za
energiju fotona koja odgovara ekscitonskoj ekscitaciji kod kristala, (a) ekscitovani par
elektron-upljina moe biti neradijativno dvojno rekombinovan. Iako se radi o analogu
para elektron-upljina o kome je bilo rei pri razmatranju ekscitacije kod kristalnih
poluprovodnika, ovde se odustaje od izraza eksciton poto u neureenim sistemima
ekscitonski radijus moe biti vei od strukturne neureenosti. Pod pojmom dvojne
rekombinacije podrazumeva se rekombinacija para elektron-upljina pre no to se isti
rastavi na slobodne nosioce naelektrisanja. Na niim temperaturama, ekscitovani par
elektron-upljina radijativno se rekombinuje, to dovodi do luminiscencije. Sa druge
strane, za fotone ije su energije h E g postoji nekoliko razliitih puteva deekscitacije
koji se u odnosu na energijski zabranjenu zonu mogu klasifikovati kao vertikalni ili
horizontalni transferi. Najei od njih je (d) neradijativna nedvojna rekombinacija
koja uzrokuje porast temperature sistema. Preostali procesi ilustrovani na slici 5 tiu se
izolatora, te ovde nee biti navedeni [Tanaka].

7
 Slika 5. Relaksacioni procesi fotoekscitovanih elektrona i upljina u amorfnom
poluprovodniku [Tanaka]

Fotoluminiscencija

Kod fotoluminiscencije vri se apsorpcija upadnih fotona i potom se isputa

luminiscentna svetlost netermalno zraenje fotona, iji se spektralni sastav razlikuje
od spektra apsorbovanog zraenja. Osim u sluaju rezonantne radijacije, luminiscentna
svetlost ima manju frekvenciju od svetlosti koja je izazvala luminiscenciju. Pojava
luminiscentne svetlosti koja se gasi prekidom osvetljavanja tela, naziva se
fluorescencija, dok se pojava da ta svetlost postoji i nakon prestanka osvetljavanja
naziva fosforescencija.
Fotoluminscencija kod halkogenida i oksidnih stakala obimno se prouava. Istorijski,
eksperimenti koji se tiu fotoluminiscencije zapoeli su korienjem kontinualnih lasera.
irina zabranjene zone kod stakla iznosi  2eV , te se za ekscitaciju mogu koristiti razni
laseri. Meutim, detekcija fotoluminiscencije u bliskom IC podruju ima ogranienu
osetljivost. Zapravo, ispitivanja fotoluminiscencije kod telurida ( E g  1eV ) nisu esta.
Sa razvojem lasera, ispitivanja ovog procesa ukljuila su impulsne ekscitacije i
ekscitacije polarizovanim zraenjem. Takoe, vre se i umnogome preciznija merenja,
poput optiki detektovane magnetne rezonance koja detektuje rezonanciju spina
ekscitovanih elektorna na osnovu pomatranja intenziteta fotoluminiscencije. Poto je,
sa druge strane, irina zabranjene zone oksida vea (5 10eV), ovde je upotreba lasera
za ekcitaciju ograniena. No, za UV ekscitacije, luminiscencija e se pojaviti u
vidljivom delu spektra, te se moe detektovati sa visokom osetljivou koristei
fotomultiplikatore i poluprovodnike pojaavake ureaje.
Poto na fotoluminiscenciju utiu lokalizovana stanja sa sredine zabranjene zone, valja
ukazati na veliku zavisnost od efekata koji su posledica neistoa. No, neistoe ne
predstavljaju problem u svim vrstama uzoraka. Naprimer, iako Tl u Al 2Se3 smanjuje
pokretljivost upljina, njegovo prisustvo nema nikakvog efekta na fotoluminiscenciju.
Takoe, efikasnost fotoluminscencije neosteljiva je i na prisustvo dopiranog Cu ili I.
Do slinih se rezultata dolo i za GeSe2 . Meutim, u vie navrata je pokazano da su
elektrine osobine Se visoko zavisne od O i Cl neistoa. Takoe, za uzorke SiO2
razliite istoe javljaju se varijacije u fotoluminscentnom spektru. Ovi naoigled
nekohernetni rezultati mogu se objasniti time da u odreenim kombinacijama neistoa
i uzorka, neistoe ne uzrokuju elektino aktivno lokalizovano stanje na sredini
zabranjene zone. Pri ovakvom razmatranju, u obzir treba uzeti i zavisnost od metoda
preparacije amorfnog poluprovodnika [Tanaka].
U mnogim sluajevima, fotoluminiscencija i fotoprovodljivost su komplementarni
procesi, to se moe i naslutiti sa primera temperaturne zavisnosti prikazne na slici 6.
Intenzitet fotoluminiscencije proporcionalan je sa g , gde je g koeficijent generisanja
slobodnih nosilaca naelektrisanja, efikasnost nastajanja dvojnih parova, a deo
dvojnih parova koji se radijativno rekombinuju. Fotoprovodljivost se poveava
proporcionalno sa g(1 ) , gde je pokretljivost, a srednji ivot slobodnih
nosilaca naelektrisanja [Tanaka].

Slika 6. Temperaturna zavisnost fotoluminscencije PL i fotoprovodljivosti za [Tanaka]

 Fotonapon

Ako su pokretljivosti elektrona i upljina generisanih optikim putem razliite, izmeu

osvetljene i neosvetljene strane uzorka moe se stvoriti razlika potencijala. Bez obzira
na geometriju uzorka, bio on u balk ili u formi tankog filma, razlika potencijala formira
se du debljine uzorka, s time da se kod potonjih uzoraka razlika potencijala moe
javiti u svakom mikrokristalu ponaosob. Ovo moe dovesti do toga da se, pored
fotonapona du debiljine, generie i fotonapon du duine uzorka.
Ovakav napon, nastao kao posledica gradijenta koncentracije slobodnih nosilaca
naelektrisanja generisanih optikim putem, naziva se Demberov napon. On se
logaritamski poveava sa poveanjem koncentracije glavnih nosilaca naelektrisanja i,
ukoliko su nosioci naelektrisanja ekscitovani na dovoljno visoke energijske nivoe,
postaje eksperimentalno uoljiv .
Vrednost Demberovog napona vea kod poluprovodnika kod kojih je razlika u
pokretljivosti elektrona i upljina vea. U sluaju da su pokretljivosti jednake,
Demberov napon je nula.

Fotoprovodljivost

Fotoprovodljivost je optiki i elektrini fenomen za koji su karakteristine promene

provodnih osobina materijala kada isti biva izloen elektromagnatnom zraenju. Kada
je re o kristalnim poluprovodnicima, upadni fotoni treba da imaju energiju dovoljnu
bilo da ekscituju elektrone iz valentne do provodne zone, ili da, u sluaju primesnih
poluprovodnika, ekscituju elektrone ili upljine na primesne nivoe ne bi li uestvovali u
provoenju.
Poto sa poveanjem intenziteta elektromagnetnog zraenja broj slobodnih nosilaca
naelektrisanja raste eksponencijalno, i provodljivost se menja po istoj zavisnosti i
naziva se normalnom fotoprovodljivou. U sluaju da nastupi saturacija, te da
provodljivost ne prati porast intenziteta elektromagnetnog zraenja, govori se o
anormalnoj fotoprovodljivosti. Nakon vremena (srednji ivot slobodnih nosilaca
naelektrisanja), elektroni padaju natrag preko zabranjene zone i fotoprovodljivost se ne
odrava bez novih ekscitacija.
Kada se pod uticajem zraenja provodljivost poveava, re je o pozitivnoj
fotoprovodljivosti. Nasuprot tome, kod nekih se materijala javlja efekat smanjenja
provodljivosti pod uticajem elektromagnetnog zraenja, te se tada govori o negativnoj
fotoprovodljivosti.

10
Znaaj fotoprovodljivosti pri izuavanju amorfnih poluprovodnika je izuzetan, ne samo
zbog optikih procesa kroz koje prolaze ekscitovani nosioci naelektrisanja,
zarobljavanja, radijativne i neradijativne rekombinacije, ve i zbog razliitih
transportnih mehanizama u rasplinutim stanjima, viestrukog zarobljavanja i
provoenja tunelovanjem u repovima lokalizovanih stanja. Prisustvo metastabilnih
stanja usled defekata otkriveno je na osnovu njihovog negativnog uticaja na
fotoprovodljivost. Fotoprovodljivost se esto koristi za grubu procenu kvaliteta
amorfnih poluprovodnika i opravdanosti njihove upotrebe u optoelektrinim ureajima.
Fotoprovodljinost, oznaena sa p , definie se kao

p = eg (1)

gde je g koeficijent generisanja broj proizvedenih slobodnih (foto)nosilaca

naelektrisanja u jedinici vremena i po jedinici zapremine poluprovodnika, vreme
rekombinacije odnosno srednjeg ivota slobodnih nosilaca naelektrisanja, a njihova
pokretljivost u rasplinutim stanjima. Ako se transport naelektrisanja posmatra u
repovima lokalizovanih stanja, predstavlja pokretljivost preskoka koja je umnogome
manja od pokretljivosti slobodnih nosilaca naelektrisanja. Proizvod g predstavlja
viak generisanh nosilaca naelektrisanja u reimu konstantnog osvetljavanja. Za tanak
film debljine d, koeficijent generisanja se moe napisati kao
1 e d
(
g = N 0 1 R ) d
(2)

gde je kvantna efikasnost generisanja (foto)nosilaca naelektrisanja, N 0 broj upadnih

fotona po jedinici povrine, R reflektanca a koeficijent apsorpcije. Za d  1 ,
distribucija fotona unutar filma je uniformna, te se provodljivost moe iskazati sa

( )
p e N 0 1 R (3)

Dalje, u optem sluaju srednji ivot slobodnih nosilaca naelektrisanja zavisi od

koeficijenta generisanja naelektrisanja kao g 1 , tako da fotoprovodljivost p varira sa
g . U sluaju kada je faktor < 1 , zavisnost fotoprovodljivosti p od koeficijenta
generisanja g je sublinearna, dok je za > 1 ona superlinearna. Na osnovu vrednosti
faktora mogue je saznati neto vie o procesima rekombinacije koji se odvijaju u
amorfnom poluprovodniku.
Kao tri vana faktora pri razmatranju fotoprovodnika istiu se (1) fotoosetljivost, (2)
spektralni odgovor i (3) vreme odziva.
Fotoosetljivost, definisana proizvodom pokretljivosti i srednjeg ivota nosilaca
naelektrisanja, obino se oznaava kao - proizvod i, iz izraza 1 jednaka je
= p eg .

11
Spektralni odgovor definisan je zavisnou izmeu fotoprovodljivosti i talasne duine
upadnih fotona. Obino se predstavlja grafiki. Kao to se iz izraza 3 moe naslutiti,
fotoprovodljivost p i koeficijent apsorpcije veoma su korelisani. Tipine krive
spektralnog odgovora fotoprovodljivosti prikzane su na slici 7.
U oblasti niske apsorpcije III, fotoprovodljivost p propricionalna je sa koeficijentom
apsorpcije kako je to dato izrazom 3. U oblasti visoke apsorpcije I, fotonosioci se
generiu blizu povrine amorfnog poluprovodnika, te na fotoprovodljivost znaajno
utie povrinska rekombinacija, poto je broj centara rekombinacije blizu povrine vei
no u balku. Odatle sledi da se p , nakon dostizanja maksimalne vrednosti, smanjuje sa

Slika 7. Ilustrativno uporeivanje krivih fotoprovodnog spektralnog odgovora i koeficijenta

aprsorpcije fotoprovodnika [Singh]

poveanjem energije fotona. U oblasti srednje apsorpcije II, fotoprovodljivost ima pik
koji se moe kontolisati uticajem na srednji ivot balk forme. Poto se najee koriste
tanki filmovi amorfnih poluprovodina, oblast visoke apsorpcije gubi na vanosti.
Vreme koje je potrebno da nakon prestanka delovanja elektromagnetnog zraenja
fotoprovodljivost dostigne svoje stacionarno stanje i vrednost nula naziva se vremenom
odziva. U nedostatku zamki (lokalizovana stanja), srednji ivot slobodnih nosilaca
naelektrisanja (vreme rekombinacije) odreuje koliko e biti vreme odziva. U
najjednostavnijem sluaju, promena gustine fotoekscitovanih nosilaca nelektrisanja n
moe se izraziti kao
dn n
=g (4)
dt
to u stacionarnom reimu daje n = g . Porast i opadanje gustine fotoekscitovanih
nosilaca naelektrisanja dati su sa

t

()
n t = g 1 e
(5)

i
 t

()
n t = g e
(6)

respektivno.
Meutim, upravo su kod amorfnih poluprovodnika porast i opadanje gustine
fotoekscitovanih nosilaca naelektrisanja ove krive dosta komplikovanijeg oblika zbog
uea energetskih zamki u procesima rekombinacije. Naime, u prisustvu zamki javljaju
se dodatni procesi punjenja zamki za vreme porasta, i pranjenja zamki za vreme
opadanja gustine fotoekscitovanih nosilaca naelektrisanja, te vreme odziva postaje due
od vremena rekombinacije. U ovakvom sluaju, n (t ) dato je bilo nategnutom

eksponencijalnom funkcijom exp (t / ) ili stepenom funkcijom t .

Za dalje razmatranje fotoprovodljivosti kod amorfnih poluprovodnika, potrebno je

definisati kvazi-Fermijev nivo i nivo demarkacije.
Popunjenost za svaki od energetskih nivoa kod poluprovodnika odreena je pozicijom
Fermijevog nivoa, koji, kako je od ranije poznato, predstavlja najvii popunjeni
energetski nivo na 0K. Poto se ista definicija Fermijevog nivoa koristi i za osvetljeni
uzorak, biramo da Fermijev nivo tako osvetljenog uzorka, kada isti dostigne
stacionarno stanje, nazivamo kvazi-Fermijevim nivoom.

Slika 8. Energetski dijagram sa kvazi- Fermijevim nivoima i i demarkacionim

nivoima i za elektrone i upljine [Singh]

Na slici 8 prikazan je tipini zonalni dijagram sa obeleenim Fermijevim nivoom u

termodinamikoj ravnotei EF , kvazi-Fermijevi nivoi ( EFn za elektrone i E Fp za
upljine) i demarkacioni nivoi ( EDn za elektrone i EDp za upljine).

E F moe se izraziti pomou

NC
EC E F = kT ln (7)
n0

ili pomou
 NV
E F EV = kT ln (8)
p0

gde su NC i NV efektivne gustine stanja u provodnoj i valentnoj zoni, a n0 i p0 broj

slobodnih elektrona, odnosno upljina u neosvetljenom stanju.
Kada se uzorak osvetli, izrazima 7 i 8 bivaju definisani kvazi-Fermijevi nivoi.
Meutim, oni se razlikuju u sluaju elektrona EFn i upljina E Fp , jer se osvetljavanjem
slobodnim nosiocima naelektrisanja dodaju i fotoekscitovani elektroni n i upjine p
, tako da ukupan broj elektorana i upljina koji uestvuju u provoenju biva
n = n0 + n i p = p0 + p , respektivno. Sada kvazi-Fermijeve nivoe moemo izraziti kao

NC
EC E Fn = kT ln (9)
n

u sluaju elektrona i kao

NV
E Fn EV = kT ln (10)
p

u sluaju upljina.
S druge strane, demarkacionim nivoima EDn nazivamo one nivoe na kojima elektron
ima jednaku verovatnou da bude termalno ekscitovan na rasplinuta stanja u
provodnoj zoni i da bude rekombinovan sa upljinom na rasplinutim stanjima u
valentnoj zoni. Odnosno, moe se rei da su demarkacioni nivoi za elektrone oni iznad
kojih se sva stanja ponaaju kao zamke, a ispod kojih se sva stanja ponaaju kao
rekombinacioni centri. Analogno, upljina koja se nalazi na demarkacionom nivou EDp
ima jednaku verovatnou da bude termalno ekscitovana na rasplinuta stanja u
valentnoj zoni i da bude rekombinovana na rasplinutim stanjima u provodnoj zoni.
Stoga, za upljine se sva stanja ispod EDp ponaaju kao zamke, a sva iznad kao
rekombinacioni centri.
Lokalizovana stanja iz oblasti I sa slike 8 nalaze su u termodinamikoj ravnotei sa
rasplinutim stanjima u provodnoj zoni, njihova popunjenost odreena je poloajem
kvazi-Fermijevog nivoa EFn i ponaaju se kao zamke za elektrone. Analogno,
lokalizovana stanja u oblasti V ponaaju se kao zamke za upljine. Stanja u regionu II
iznad demarkacionog nivoa EDn naseljena su uglavnom elektronima, te se mogu
ponaati kao rekombionaiconi centri za upljine.
I demarkacioni nivoi i kvazi-Fermijevi nivoi menjaju svoj poloaj u zavisnosti od
intenziteta elektromagnetnog zraenja, te se i kinetika rekombinacionih procesa menja,
a samim time i fotoprovodljivost amorfnog poluprovodnika.

14
 Zavisnost od intenziteta upadnog zraenja
Da bi se razmotrila ta zavisnost kinetike rekombinacionih procesa od intenziteta
elektromagnetnog zraenja, moe se razmatrati jednostavan sluaj izolatora.
Zanemaruje se termiko generisanje slobodnih nosilaca naelektrisanja, te se u izrazima
9 i 10 moe pisati da je n = n i p = p . Ovo znai da pre osvetljavanja uzorka u
valentnoj zoni ne postoji upljine, kao ni elektroni u provodnoj. U ovom sluaju,
koeficijent (foto)generisanja g trebalo bi da bude uravnoteen sa rekombinacijom
koeficijenta r = nSvp tako da se moe pisati

g = nSvp = n 2Sv (11)

gde je S efikasni presek za rekombinaciju, a v je termalna brzina naelektrisanja. Ovo

daje n g 1/2 , i na osnovu izraza 1.4, g 1/2 . Ovakav sluaj, kada je g n 2 , odnosno
kada je fotorpovodljivost p g za = 1 / 2 naziva se bimolekularna rekombinacija.
Ovde se podrazumeva direktna incidentna rekombinacija elektrona i upljina, bez
uvoenja rekombinacionih centara u zabranjenoj zoni. Ovakva kinetika
rekombinacionih procesa moe se primeniti i na rekombinaciju elektrona i upljina u
repovima lokalizovanih stanja.
Kada se u sistem doda dovoljan broj diskretnih energetskih nivoa N t za elektrone,
tako da je N t
n , koeficijent generisanja g, radi uravnoteenja, menja se u

g = nSvp + nStv(N t nt ) (12)

gde je St efikasni presek za zamke, N t gustina zamki, a nt gustina zarobljenih

elektrona. U ovom sluaju ne vai jednakost n = p . Ako se pretpostavi da su za vreme
osvetljivanja uzorka sve zamke popunjene (nt N t ) , dobija se da je broj upljina dat
sa p = n + N t . Odatle sledi da je n g , pa srednji ivot slobodnih nosilaca
naelekrisanja postaje konstantna veliina
1
= (13)
SvN t

Ovakav sluaj, kada je g n , odnosno kada je fotorpovodljivost p g za = 1

naziva se monomolekularna rekombinacija. Vano je naglasiti da uvedene zamke mogu
dovesti do znaajnih promena u osobinama fotoprovodljivosti.

Kao to je ranije navedeno, vrednost faktora u veini sluajeva nije strogo 1 / 2 ili 1.
U amorfnim poluprovodnicima rekombinacioni centri i zamke su iroko rasprostranjeni
u zabranjenoj zoni, te se moe uzeti da je raspodela zamki eksponencijalnog karaktera i
da je data sa

15
 EC E

N t (E ) = N 0e kT
(14)

gde je T karakteristini parametar distribucije. U sluaju elektrona zarobljenih ispod

kvazi-Fermijevog nivoa E Fn , ukupna gustina zarobljenih nosilaca naelektrisanja data je
sa
EC E

Nt
EC EFn
N 0e kT

odnosno sa
T /T
n
N t = kT N 0
N (15)
c

Kombinujui izraze 15 i 13, srednji ivot slobodnih nosilaca naelekrisanja moe se

napisati kao
T /T
n 1
=
N (
SvkT N 0 ) (16)
c

Zamenjujui u to n = g , dobija se

g T /(T +T )

odnosno

/(T +T )
n gT (17)

Vrednost faktora , definisana izrazom T / (T + T ) , zavisi od relativnih magnituda T

i T , tako da je za T = T = 1 / 2 , kod se za T > T dobija = 1 [Singh].

Karakter rekombinacione kinetike moe se eksperimentalno odrediti posmatranjem

zavisnosti fotostruje ip od intenziteta upadnog zraenja, imajui na umu da je za
i p I rekombinacija monomolekularna, a za i p I 1/2 bimolekularna. Pored zavisnosti
fotostruje od intenziteta upadnog zraenja, veoma bitne karakteristike su i njena
zavisnost od talasne duine upadnog zraenja, temperature i neistoa.

Spektralna zavisnost
Za kristalne poluprovodnike (slika 9.b) uobiajeno je da spektar fotoprovodljivosti
dalje pik u blizini optike apsorpcione granice. U oblasti energija manjih od irine
zabranjene zone (vee talasne duine), usled nedostatka ekscitacione energije,
efikasnost fotoprovoenja opada. S druge strane, u oblasti manjh talasnih duina
(E < E g ) , gde se zbog visoke apsorpcije fotoelektrosnke ekscitacije odvijaju u blizini
povrine uzorka, rekombinacioni procesi uguie ekscitaciju. Kod amorfnih

16
materijala, visokoenergijska redukcija biva manje primetna, to implicira da je
povrinska rekombinacija manje prisutna [Tanaka].

Slika 9. Zavisnost fotostruje i optike gustine od talasne duine kod a-Se i c-Se [Tanaka]
Kod mnogih amorfnih poluprovodnika, kao to je to ilustrovano na 9.a za amorfni
silicijum, spektar fotoprovodljivosti pretrpio je plavi pomak u odnosu na optiku
apsorpcionu granicu. Postoji bar tri interpretacije ovakvog spektra, ukljuujui
ekscitone, dvojnu rekombinaciju i pukotinu po fotoprovodljivosti.

Zavisnost od prisustva neistoa

Efekti koje u vezi sa fotoprovodljivou uzrokuju neistoe nisu posve ispitani.
Pokazano je da je amorfni selen, po pitanju fotoprovodljivosti, znaajno osetljiviji na
neistoe od mnogih drugih amorfnih materijala, ali nije objanjeno zbog ega je to
tako [Tanaka].

Temperaturna zavisnost
Temperaturna zavisnost fotoprovodljivosti amorfnih poluprovodina moe se posmatrati
u tri oblasti (1) na niskim temperaturama p je gotovo konstantna vrednost i
proporcionalna je intenzitetu upadnog zraenja; (2) na srednjim temperaturama, p
raste sa temperaturom i sublinearna je funkcija intenziteta upadnog zraenja; (3) na
visokim temperaturama, kada koncentracije slobodnih nosilaca naelektrisanja nastalih
termalnim putem nadmae koncentracije fotogenerisanih nosilaca naelektrisanja, p
opada sa porastom temperature, i dalje bivajui proporcionalna intenzitetu upadnog
zraenja [Fritzsche].
 Fotoprovodljivost u hidrogenizovanom amorfnom silicijumu (a-Si:H)

Tipian primer temperaturne zavisnosti fotorpovodljivosti p kao funkcije intenziteta

upadnog zraenja, prikazan je na slici 10. Na slici nije prikazana oblast niskih
temperatura. Tri oblasti koje jesu prikazane su (I) i (II) oblast visokih temperatura i
(III) oblast srednjih temperatura. Dominantni nosioci naelektrisanja u besprimesnom a-
Si:H su elektroni. Fotoprovodljivost u oblasti visokih temperatura i najtemeljnije je
ispitivana. U ovoj oblasti, p brzo raste sa tmeperaturom, to se objanjava
poveanjem vremena rekombinacije i verovatnoe da zarobljeni elektroni budu
otputeni. Kao to je ranije navedeno, demarkacioni nivoi pomeraju se ka sredini
zabranjene zone poto se verovatnoa otputanja zarobljenih elektrona poveava sa
temperaturom. Smatra se da je u ovoj oblasti za promenu fotoprovodljivosti odgovorna
temperaturna zavisnost demarkacionih nivoa EDn i EDp .

Slika 10. Temperaturna zavisnost fotoprovodljivosti a-Si:H pri razliitim ekscitacionim intenzitetima
[Singh]

U oblasti II uoljivi su pik i dolja, na temperaturama od 120 250K i 250 300K,

respektivno. Temeperature na kojima se pik i dolja nalaze zavisne su od koeficienta
generaisanja slobodnih nosilaca naelektrisanja i gustine rekombinacionih centara.
Opadanje fotoprovodljivosti sa porastom temperature naziva se termiko kaljenje i u
sluaju primesnog amorfnog silicijuma nije primetna. Ovo se moe interpretirati na
sledei nain: u oblasti II, rekombinacija se odvija iz dva koraka (1) elektroni iz repova
lokalizovanih stanja tuneluju do neutralnih lutajuih veza D 0 , stvarajui D stanja i
potom (2) dolazi do difuzije upljina kroz lokalizovana stanja koje se rekombinuju sa
D stanjima stvorenim u koraku (1). Kako temperatura raste, tako upljine mogu
lake preskakati u lokalizovana stanja, to uzrokuje pojaanu rekombinaciju, a samim
tim i smanjenje fotoprovodljivosti.
Fotoprovodljivost p u oblasti III opada sa smanjenjem temperature. Ovde je
rekombinacija bimolekularna. Za razliku od oblasti visoke temperature, ovde izloenost
upadnoj svetlosti poveava gustinu defekata (Staebler-Wronski efekat). Ovaj efekat je
metastabilan defekti se donekle mogu ukloniti poveavanjem temperature [Singh].
 Zakljuak

Iako je znaaj prouavanja fotoprovodljivosti kod amorfnih poluprovodnika ranije

naveden, njegova magnituda postaje jasna tek kada se sagledaju neke od moguih
primena amorfnih poluprovodnika.
Gledano iz ugla ekoloke i energetske odrivosti, najznaajnija primena je svakako
proizvodnja solarnih elija od tankih filmova a-Si:H. Za jedan od problema na koji se
nailazi u upotrebi ovih elija odgovoran je Staebler-Wronski efekat. Naime, sa
prolongiranom izloenou sunevoj svetlosti, gustina defekata u a-Si:H raste, to
dovodi do smanjene efikasnosti konverzije solarne u elektrinu energiju. Efikasnost
same solarne elije opada od 10 do 30% u prvih est meseci upotrebe, u zavisnosti od
kvaliteta materijala, dizajna ureaja i umenosti izrade. Nakon ovog pada, solarna
elija upada u stacionarno stanje i dalje rad nastavlja sa stabilnom efikasnou.
Ukoliko se promeni temperatura solarne elije, mogue je poveati ve opalu efikasnost,
kao to se moglo naslutiti iz ranijeg izlaganja u vezi sa fotoprovodljivosu u oblasti
visokih temperatura.
Neke od drugih primena amorfnih poluprovodnika koje zavise od njihovih
fotoprovodnih osobina su kserografija i fotodetekcija.

19
 Literatura

[1] Babu S.V. 2010. Solid State Devices And Technology. Pearson Sanguine
[2] Davis E.A. and Mott N.F. 1970. Conduction in Non-crystalline Systems V.
Conductivity, Optical Absorption and Photoconductivity in Amorphous
Semiconductors. Philosophical Magazine, 22: 179
[3] Fritzsche H, Yoon B.-G, Chi D.-Z, Tran M.Q. 1992. Some observations on the
photoconductivity of amorphous semiconductors. Journal of Non-Crystaline Solids,
141: 123-132
[4] Mort J. 1981. Geminate and Non-Geminate Recombination in Amorphous
Semiconductors. Jurnal de Physique, 42: 433
[5] Petrovi D.M, Luki S.R. 2000. Eksperimentalna fizika kondenzovane materije.
Novi Sad: Univerzitet u Novom Sadu
[6] Singh J, Shimakawa K. 2003. Advances in Amorphous Semiconductors. London:
Taylor and Francis
[7] Street R.A. 1981. Photoconductivity of Amorphous Semiconductors. Solid State
Communications, 39: 263-266
[8] Tanaka K, Shimakawa K. 2011. Amorphous Chalcogenide Semiconductors and
Related Materials. New York: Springer

20