ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ BJT

Ι. ΞΑΝΘΑΚΗΣ

Σημείωση: Η προσφερόμενη επανάληψη του BJT δεν θα γίνει κατανοητή χωρίς να

γνωρίζετε την λειτουργία της διόδου PN.

1
ΕΙΣΑΓΩΓΗ

Το διπολικό τρανζίστορ είναι ένα από τα δύο ευρέως χρησιμοποιούμενα τρανζίστορ στα
μικροηλεκτρονικά κυκλώματα . Είναι αυτό που ιστορικά κατασκευάσθηκε πρώτο στα
εργαστήρια Bell Labs το 1947 από τους Bardeen και Brattain. Τη γενικότερη θεωρία των
διπολικών διατάξεων έδωσε λίγο αργότερα ο Shockley ο οποίος, σημειωτέον , ήταν
προϊστάμενος του τμήματος ημιαγώγιμων διατάξεων στα Bell Labs. Για την εφεύρεση τους
αυτή τιμήθηκαν και οι τρεις με το βραβείο Nobel το 1956. Το ακρωνύμιο BJT με το οποίο
αναφέρεται το διπολικό τρανζίστορ προέρχεται από τα αρχικά των λέξεων Bipolar
Junction Transistor. Τα τελευταίας τεχνολογίας διπολικά τρανζίστορ χρησιμοποιούν
ημιαγωγούς διαφορετικής χημικής σύστασης για τον εκπομπό και την βάση (π.χ GaAs και
Ga1-xAlxAs) και για αυτό αποκαλούνται Heterojunction Bipolar Transistors=HBT. Θα
ασχοληθούμε με τέσσερα βασικά ζητήματα στη μελέτη μας του BJT (το HBT διδάσκεται σε
άλλο μάθημα): Α) Βασική κατανόηση της λειτουργίας της διάταξης Β) Εξαγωγή των
χαρακτηριστικών DC, Γ) Εξαγωγή των χαρακτηριστικών AC χαμηλής συχνότητας και του
ισοδύναμου κυκλώματος χαμηλών και υψηλών συχνοτήτων και Δ) Μεταβατικές
καταστάσεις συμπεριλαμβανομένης και της διακοπτόμενης λειτουργίας ON-OFF, OFF-ON,
χρόνου επιτρέποντος.

Α) ΒΑΣΙΚΗ ΚΑΤΑΝΟΗΣΗ

Η βασική διάταξη ενός διπολικού τρανζίστορ στο χώρο φαίνεται στο παρακάτω διάγραμμα
1.

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 1 ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 2

2
Σ’ ένα υπόστρωμα πυριτίου τύπου p εγχέονται αρχικά υπέρτερες σε αριθμό προσμίξεις
δοτών και έτσι σχηματίζεται μια περιοχή Ν, η βάση. Κατόπιν, εγχέονται αποδέκτες σε
ακόμα μεγαλύτερο αριθμό και σχηματίζεται ο εκπομπός τύπου p+. H ανάλυση της
τρισδιάστατης αυτής διάταξης είναι πολύ δύσκολη και συνήθως χρησιμοποιείται ένα
απλοποιημένο μονοδιάστατο μοντέλο, αυτό του Διαγράμματος 2. Μπορεί κάποιος να
φαντασθεί , αν διευκολύνεται ότι το μονοδιάστατο μοντέλο του Διαγράμματος 2 είναι το
«σάντουιτς» κάθετα κάτω από τον εκπομπό p+. Από εδώ και στο εξής θα κάνουμε όλη τη
μαθηματική ανάλυση έχοντας υπ ‘οψη μας ένα μονοδιάστατο μοντέλο όπως αυτό του
Διαγράμματος 2.

Το τι συμβαίνει μέσα στο διπολικό τρανζίστορ όταν δεν εφαρμόζεται καμία τάση φαίνεται
στο παρακάτω Διάγραμμα 3(α). Το διάγραμμα αυτό δεν είναι παρά μια απλή σύνθεση των
αντίστοιχων διαγραμμάτων για τις διπολικές ενώσεις p+n και np. Αξίζει όμως να σημειωθεί
ότι επειδή ο εκπομπός είναι πολύ περισσότερο νοθευμένος από τη βάση και η βάση πολύ
περισσότερο από το συλλέκτη, τα ύψη στο Διάγραμμα 3(α)-b ακολουθούν την ίδια πτωτική
πορεία, αλλά τα εμβαδά εκατέρωθεν της κάθε ένωσης είναι τα ίδια. Για τον ίδιο ακριβώς
λόγο η στάθμη Ferni EF είναι πιο κοντά στη ζώνη αγωγιμότητας στον εκπομπό (p+) από
ότι στο συλλέκτη (p).

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 3(α)

Όταν τώρα εφαρμοσθεί μια θετική τάση μεταξύ βάσης και εκπομπού και μια αρνητική
τάση στην επαφή βάσης – συλλέκτη (βλέπε Διάγραμμα 3(β)) τα ακόλουθα φαινόμενα θα
3
συμβούν. Οι φορείς πλειόνοτητας της περιοχής p+ θα δουν ένα μικρότερο φράγμα
δυναμικού και ένα ποσοστό τους –που θα είναι εκθετικά μεγαλύτερο από την κατάσταση
ισορροπίας –θα εγχυθεί από τον εκπομπό στη βάση. Ομοίως, ηλεκτρόνια από τη βάση θα
εγχυθούν στον εκπομπό. Ο αριθμός τους όμως είναι μικρότερος διότι η βάση είναι
λιγότερο νοθευμένη από τον εκπομπό.

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 3(β): Το διάγραμμα BJT στην ενεργό περιοχή, δηλαδή VEB>0 (θετ.
πόλωση), VBC<0 (αρν. πόλωση)

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 4: Τα ρεύματα στο BJT (pnp)

4
Φορείς (οπές) που πέρασαν από τον εκπομπό στη βάση θα ταξιδέψουν λόγω διάχυσης
(όπως θα δούμε παρακάτω) μέχρι την επαφή βάσης – συλλέκτη όπου και θα συλλεγούν
στον αντίστοιχο ακροδέκτη διότι η διαφορά δυναμικού μεταξύ βάσης-συλλέκτη δεν
αποτελεί φράγμα για αυτές, το αντίθετο τις βοηθάει να φθάσουν στον ακροδέκτη. Για να
γίνει καλύτερα αντιληπτό αυτό θυμηθείτε ότι α) οι οπές του εκπομπού (p+) όταν περάσουν
στη βάση γίνονται από φορείς πλειονότητας φορείς μειονότητας και β) φράγμα δυναμικού
βλέπουν στη διέλευση τους μέσα από μια επαφή pn μόνο οι φορείς μειονότητας.

Σημειώνουμε ακόμα ότι ένα μικρό ποσοστό των οπών που πέρασαν στη βάση θα
ανασυνδεθεί με ηλεκτρόνια της βάσης. Το ποσοστό αυτό θα είναι μικρό, εφόσον το μήκος
της βάσης θα είναι μικρό. Τέλος, θα υπάρχει και το ανάστροφο ρεύμα κόρου της επαφής
συλλέκτη-βάσης το οποίο θ’ αποτελείται κυρίως από ηλεκτρόνια (γιατί??) και το οποίο δεν
εμφανίζεται στο Διάγραμμα 4. Το ανάστροφο ρεύμα κόρου της επαφής εκπομπού – βάσης
είναι αμελητέο.

I E  E E p  I En

I B  I En  I BB

I C  I C p  I CB 0  I C p

Το ρεύμα είναι συμβολισμένο με διπλό βέλος. Το μονό ζεύγος στο Ι Εn δείχνει μόνο την
πραγματική φορά της ταχύτητας.

Για να έχουμε ενίσχυση θέλουμε να έχουμε:

I  I C I Cp 𝐼𝑐
    1 που σημαίνει ότι 𝑎 = →1
I  I B I En 𝐼𝐸

Γι`αυτό ορίζουμε τους παρακάτω συντελεστές:

I Ep I Ep
   όύ = εγχεόμενες οπές/ρεύμα εκπομπού.
IE I E p  I En

Cp
 
  ποσοστό των οπών στον εκπομπό που φθάνει στον συλλέκτη.
I Ep

Προφανώς ισχύει α=γ·αΤ

5
  W2
  1 όπου (χωρίς απόδειξη)   B = χρόνος διέλευσης μέσα από την βάση του
T

h 2Dp
T

BJT. Για την σχέση μεταξύ α και β ισχύει

 
  
 1 1

Προφανώς, όταν   1    1
Για να είναι το β πολύ μεγάλο (π.χ 200) πρέπει το IEn <<IEp και το IBB <<IEp .

Η πρώτη συνθήκη σημαίνει γ≈1 (γ<1) και η δεύτερη αΤ≈1 (ατ<1).

Το ΙΕn μπορεί να γίνει <<IEp χρησιμοποιώντας πολύ μεγαλύτερη
νόθευση στον εκπομπό. Η δεύτερη συνθήκη εξασφαλίζεται μηδενίζοντας
(σχεδόν) την ανασύνδεση στη βάση. Πώς μπορεί να γίνει αυτό;;;;;;

Κάνοντας το μήκος της βάσης WB<<Lp=μήκος διάχυσης, δηλαδή οι οπές δεν

έχουν χώρο να ανασυνδεθούν. Τότε η κατανομή pn(x) στη βάση είναι γραμμική.
ΓΙΑΤΙ;;;;

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 5
Κυκλωματικά σύμβολα διπολικού τρανζίστορ

6
ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 6: Συγκέντρωση φορέων στο διπολικό τρανζίστορ pnp.

Προχωράμε τώρα στον υπολογισμό του γ.

 Ep  Ep 1
   
  E p   En  En
1
 Ep

Από το διάγραμμα και θεωρώντας ότι το ρεύμα IEp είναι ρεύμα διάχυσης έχουμε ότι:

p n ( 0)
I E p  qAD p όπου q≡φορτίο ηλεκτρονίου
WB
Αλλά από την θεωρία της διόδου έχουμε:

eVEB ) qDn n p0 eVEB

p n (0)  pn 0 exp(  I En  exp( )
KT Ln KT
όπου pn0=συγκέντρωση φορέων μειονότητας σε θερμοκρασιακή ισορροπία.

 C   CP   p   Ep   s exp(VEB / KT )
_
qA D pn0
όπου  S 
p
.
WB
7
 Αντικαθιστώντας έχουμε :

1 1
  
W B Dn n p 0 WB  n N D
1 1
D p Ln p n 0 Ln  p N A

Στις προηγούμενες σχέσεις οι δείκτες n,p εναλλάσσονται μεταξύ τους όταν

αλλάζουμε από BJT τύπου pnp σε BJT τύπου npn.

Άρα το ισοδύναμο κύκλωμα D.C. για npn είναι:

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 7

IS VBE
Όπου:  B  exp( ) και VT≡KT, β= βF
F VT

Και για pnp έχουμε:

8
 ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 8

 IS VBE
B  exp(  )
Όπου:
F VT

ΠΡΟΣΟΧΗ ΑΠΟ ΕΔΩ ΚΑΙ ΚΑΤΩ

Επειδή στην πράξη χρησιμοποιούμε το τρανζίστορ npn παρακάτω κάνουμε την

ανάλυση από εδώ και κάτω για αυτό.

Οι χαρακτηριστικές που προκύπτουν από το μέχρι τώρα μοντέλο είναι οι

παρακάτω:

9
ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 9

δηλαδή η τάση VCE δεν φαίνεται να παίζει ρόλο. Λογικό;;;

Από απλή αιτιοκρατία έχουμε VCE=0 => IC=0.

Όταν VCE=0 => VBE=-VCB=> Οι δύο δίοδοι είναι θετικά πολωμένες. Η κλίση της
np(x) είναι μηδέν. Έχουμε έγχυση φορέων σε δύο αντίθετες κατευθύνσεις και το
συνολικό ρεύμα είναι ΜΗΔΕΝ.

Οι πραγματικές χαρακτηριστικές μοιάζουν λοιπόν

ΒΛΕΠΕ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ!!

10
ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 10

Η περιοχή κοντά στο VCE=0 λέγεται περιοχή κορεσμού.

Επίσης, παρατηρούμε ότι ακόμα και όταν η τάση VCB γίνει αρνητική οι
χαρακτηριστικές έχουν μια κλίση. Η κλίση αυτή προέρχεται από το φαινόμενο
Early≡ μείωση του WB με μείωση της τάσης VCΒ.

Από την σχέση (4) έχουμε:

_ _

qA Dn n 2 qA Dn n 2
s  i  i
WB N A QB

11
 _

I C qA Dn n 2
 C   s exp(
VBE
)  i exp( VBE ) dQB    C dQB    C dWB
VT VCE QB2 VT dVCE QB dVCE WB dVCE

(15)

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 11: Απεικονίζεται το αποτέλεσμα της αύξησης της τάσης VCE στην
περιοχή απογύμνωσης μεταξύ συλλέκτη και βάσης στο διπολικό τρανζίστορ.

Οι χαρακτηριστικές προεκτεινόμενες προς τις αρνητικές τάσεις VCE μοιάζουν με

αυτές του Διαγράμματος 12.

12
ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 12: Χαρακτηριστικά εξόδου του διπολικού τρανζίστορ, όπου φαίνεται
η τάση Early VA

 C
Από το Διάγραμμα 12 έχουμε: V A   C /
VCE (16)

Αντικαθιστώντας την σχέση (15) έχουμε:

dVCE
V A  W B
dW B
Άρα η προηγούμενη βασική εξίσωση γίνεται:

VCE VBE
 C  (1  ) S exp( )
VA VT

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 13

ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ, ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΑΣΘΕΝΟΥΣ ΣΗΜΑΤΟΣ

13
Όταν εφαρμόζουμε DC σήμα αλλά και ταυτόχρονα AC τάση οι αντίστοιχες
πυκνότητες στην βάση του BJT ταλαντώνονται όπως στο διάγραμμα Κ…

Οι συμβολισμοί δίδονται εκεί.

d C
(i) gm    C  g m VBE  iC  g m u i
dVBE

Για το gm ισχύει:
g m d
(  S exp
VBE I S
)  exp(
VBE  C q C
) 
dVBE VT VT VT VT KT

(ii) To ΔVBE= ui υποχρεώνει την βάση σε αύξηση ΔQBe≡qe

Για να διατηρηθεί η ηλεκτρική ουδετερότητα: ο ακροδέκτης Β δίνει qh=qe

=>Cb=qh/ui

Από προηγούμενα μαθήματα έχουμε:

QBe/ΙC=WB2=τF=χρόνος διέλευσης ενός (e) μέσω της βάσης

=>ΔQBe=ΔQBh=τFΔIC=>CB=(τFic)/ui= τFgm λάβαμε επίσης υπόψη
ότι: qn=τFic

Άρα ένα ισοδύναμο κύκλωμα που μπορούμε να γράψουμε μέχρι στιγμής

είναι:

Β
C
+
τFgm=CB
-

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 14

Το παραπάνω διάγραμμα είναι υπερ- υπεραπλουστευμένο.

Αντίσταση εισόδου:

14
 C d C
Επίσης:       ( ) C
F d C  F

 C ic d I C 1
Το διαφορικό 0    0  [ ( )]
I B ib d C  F

Ισχύει ότι: β0≈βF

ui ui 0
Αν ορίσουμε: r   r   0 
ib ic gm

Αντίσταση εξόδου:

Ξανά με Taylor 1ου βαθμού έχουμε:

 c
 c  VCE
VCE
Πάλι από προηγούμενα μαθήματα έχουμε:

(βλέπε φαινόμενο Early)

 C C VCE V A
    r0
VCE V A  C C

Αν ορίσουμε h=KT/(qVA) => r0=1/(hgm)

Άρα ένα καλύτερο ισοδύναμο κύκλωμα είναι το παρακάτω- διάγραμμα 15:

Β
C
Ui
1-rπ CB gmUi r0

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 15

15
Μένει τέλος να βάλουμε με το χέρι και τις ωμικές αντιστάσεις των διαφόρων
περιοχών που αφήσαμε έξω (πότε τις αφήσαμε;;). Άρα θα έχουμε το Διάγραμμα 16.

Ιο

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 16

Τέλος η αρνητικά πολωμένη δίοδος CB έχει μια πρόσθετη χωρητικότητα που ενώνει τον
συλλέκτη με την βάση. Με βάση το παραπάνω κύκλωμα (Διάγραμμα 16) μπορούμε να
υπολογίσουμε την εξάρτηση από την συχνότητα του β(ω). Το αποτέλεσμα φαίνεται στο
Διάγραμμα 17.

β
200

ωμ ω

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ 17

Για να αποδείξουμε το παραπάνω χρησιμοποιούμε το απλό διάγραμμα 15 και όχι το

διάγραμμα 16.

Αγνοώντας την αντίσταση r0 (δηλαδή με r0→∞) έχουμε:

rn
u i  ii και
1  ir Cb
ii r g m 0 0
i 0  g m ui    ( )  abs( )  abs( )
1  ir Cb ii 1  ir Cb

Γιατί β0≡β (για πολύ χαμηλές συχνότητες)=rπgm ΓΙΑΤΙ;;

16
17