Professional Documents
Culture Documents
Ile 4
Ile 4
Το τρανζίστορ npn
Εκπομπός
Συλλέκτης
Βά
Βάση
1 Η ορθή πόλωση της επαφής ΕΒ εγχέει ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη
1.
βάση.
2. Επειδή η περιοχή της βάσης είναι πολύ λεπτή, η πλειονότητα αυτών των
ηλεκτρονίων διαχέεται προς την περιοχή απογύμνωσης της επαφής BC και
κατόπιν σαρώνονται προς τον συλλέκτη από το ηλεκτρικό πεδίο της
ανάστροφα πολωμένης επαφής BC.
3. Ένα μικρό ποσοστό από αυτά τα ηλεκτρόνια επανασυνδέονται με τις οπές
στην περιοχή της βάσης.
4. Οπές εγχέονται από τη βάση στην περιοχή του εκπομπού, (4)<<(1).
Κατανομή των φορέων μειονότητας
• Ρεύμα στο οποίο επικρατούν τα ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη βάση λόγω
της ορθής πόλωσης και βαθμίδα συγκέντρωσης των φορέων μειονότητας
μέσα στη βάση.
• Η μερική επανασύνδεση προκαλεί καμπύλωση της συγκέντρωσης στην
περιοχή της βάσης.
Το ρεύμα διάχυσης μέσω της βάσης
• Η διάχυση
δά ηλεκτρονίων
λ ί μέσω
έ της βάσης
βά καθορίζεται
θ ίζ από
ό την συγκέντρωσή
έ ή
τους στην επαφή EB:
n p ( 0 ) = n p 0 eυ BE / VT
• To ρεύμα διάχυσης των ηλεκτρονίων μέσω της βάσης είναι:
dn p ( x ) np( 0 )
I n = AE qDn = AE qDn ( − )
dx W
• Το ρεύμα συλλέκτη είναι: ic = − I n
Το ρεύμα Συλλέκτη
• Το ρ
ρεύμα
μ συλλέκτη
η ελέγχεται
γχ από την
η τάση
η των δύο άλλων ακροδεκτών:
ρ πηγή
ηγή
ρεύματος ελεγχόμενη από τάση.
Το ρεύμα της βάσης αποτελείται από δύο συνιστώσες: iB1 και iB2
• το iB1 είναι εκθετική συνάρτηση του υBE, λόγω της ορθής πόλωσης της
επαφής ΕΒ
• Το iB2, που οφείλεται στις επανασυνδέσεις,
επανασυνδέσεις είναι ανάλογο προς τον αριθμό
των ηλεκτρονίων που εγχέονται από τον εκπομπό, ο οποίος είναι εκθετική
συνάρτηση του υBE.
iB ∞eυ BE / VT
Το βήτα (β)
• Μπορούμε
ρ μ να συνδέσουμε
μ το iC μ
με το iB μ
με την
η παρακάτω
ρ σχέση:
χ η
iC i S υ BE
iB = = e / VT
β β
• β = iC / iB
• Το β είναι σταθερό για κάθε τρανζίστορ
• Παίρνει τιμές μεταξύ 100 και 200 και ακόμη μεγαλύτερες
• Ονομάζεται ενίσχυση ρεύματος κοινού εκπομπού
• Σ β λίζ
Συμβολίζεται επίσης
ί με βF και hFE.
Το ρεύμα Εκπομπού
β α
iC = α i E α= β=
1+ β 1−α
Το α ονομάζεται ενίσχυση ρεύματος κοινής βάσης και είναι α<1 αλλά κοντά στο 1.
Το τρανζίστορ pnp
I E = IC + I B I E = IC + I B
iC 1 = I S eυ BE 1 / VT iC 1
= e( υ BE 1 −υ BE 2 ) / VT
iC 2 = I S e vBE 2 / VT iC 2
iC 1 υ BE 1 − υ BE 2
ln =
iC 2 VT
iC 1
υ BE 1 = υ BE 2 + VT ln = 0 ,717V
iC 2
VE − VEE
RE = = 7,07 kΩ
IE
Υπολογισμός ρευμάτων και τάσεων
RCRE
IC
iC = I S eυ BE / VT
RB VCB
VCE VCC iC IS
VBE iB = = eυ BE / VT
VBB IB
IE β β
VBE ≈ 0,7V
VBB − VBE
VBB = I B RB + VBE ⇒ IB =
RB
IC = β ⋅ I B
IC
IE =
α
VCE = VCC − I C RC
5kΩ
100kΩ
Γραφική παράσταση των χαρακτηριστικών του τρανζίστορ
iC = I S eυ BE / VT
Η χαρακτηριστική
χ ρ ηρ ή ic-υBE Επίδραση
ρ η της ης θερμοκρασίας
ρμ ρ ς
του τρανζίστορ npn. στην χαρακτηριστική ic-υBE
Οι χαρακτηριστικές iE-υBE του τρανζίστορ npn.
και iB-υBE έχουν την
ίδια μορφή.
iC = I S e υ BE / VT
−1
⎡ ∂i ⎤
ro ≡ ⎢ C VBE = σταθ ⎥
⎣ ∂υCE ⎦
VA
ro ≅
IC
• Φαινόμενο Early:
• Το ρεύμα συλλέκτη στην πράξη εξαρτάται ελαφρά από την VCE στην
ενεργόό περιοχή.
ή
• Η τάση Early, VA, είναι χαρακτηριστικό του τρανζίστορ (50 ως 100).
• Μη μηδενική κλίση σημαίνει πεπερασμένη αντίσταση εξόδου, ro.
• Για μικρές τιμές της VCE η επαφή συλλέκτη-βάσης
συλλέκτη βάσης πολώνεται ορθά και το
τρανζίστορ μπαίνει στον κόρο.
Χαρακτηριστικές κοινής βάσης
I CQ ΔiC
β dc ≡ hFE ≡ β ac ≡ h fe ≡ VCE = σταθ
I BQ ΔiB
• Το β εξαρτάται από το ρεύμα συλλέκτη και τη θερμοκρασία.