You are on page 1of 20

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Το τρανζίστορ npn

Εκπομπός
Συλλέκτης

Βά
Βάση

Σχηματική παράσταση του τρανζίστορ npn

Περιοχές λειτουργίας διπολικού τρανζίστορ


Περιοχή EBJ CBJ

Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα

Ενεργός Ορθά Ανάστροφα

Εγκάρσια τομή τρανζίστορ npn


Κόρος Ορθά Ορθά
Το τρανζίστορ npn στην ενεργό περιοχή

1 Η ορθή πόλωση της επαφής ΕΒ εγχέει ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη
1.
βάση.
2. Επειδή η περιοχή της βάσης είναι πολύ λεπτή, η πλειονότητα αυτών των
ηλεκτρονίων διαχέεται προς την περιοχή απογύμνωσης της επαφής BC και
κατόπιν σαρώνονται προς τον συλλέκτη από το ηλεκτρικό πεδίο της
ανάστροφα πολωμένης επαφής BC.
3. Ένα μικρό ποσοστό από αυτά τα ηλεκτρόνια επανασυνδέονται με τις οπές
στην περιοχή της βάσης.
4. Οπές εγχέονται από τη βάση στην περιοχή του εκπομπού, (4)<<(1).
Κατανομή των φορέων μειονότητας

• Ρεύμα στο οποίο επικρατούν τα ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη βάση λόγω
της ορθής πόλωσης και βαθμίδα συγκέντρωσης των φορέων μειονότητας
μέσα στη βάση.
• Η μερική επανασύνδεση προκαλεί καμπύλωση της συγκέντρωσης στην
περιοχή της βάσης.
Το ρεύμα διάχυσης μέσω της βάσης

• Η διάχυση
δά ηλεκτρονίων
λ ί μέσω
έ της βάσης
βά καθορίζεται
θ ίζ από
ό την συγκέντρωσή
έ ή
τους στην επαφή EB:
n p ( 0 ) = n p 0 eυ BE / VT
• To ρεύμα διάχυσης των ηλεκτρονίων μέσω της βάσης είναι:
dn p ( x ) np( 0 )
I n = AE qDn = AE qDn ( − )
dx W
• Το ρεύμα συλλέκτη είναι: ic = − I n
Το ρεύμα Συλλέκτη

• Το ρεύμα συλλέκτη είναι:


2
υ BE / VT AE Dn n p 0
qA qA
A Dn
iC = I S e όπου IS = = E n i
W N AW

• To iC είναι ανεξάρτητο από το υCE.

• Το ρ
ρεύμα
μ συλλέκτη
η ελέγχεται
γχ από την
η τάση
η των δύο άλλων ακροδεκτών:
ρ πηγή
ηγή
ρεύματος ελεγχόμενη από τάση.

• Το ρεύμα κόρου ΙS είναι


• Αντιστρόφως ανάλογο προς το W και ανάλογο προς το ΑΕ.
• Εξαρτάται από τη θερμοκρασία, λόγω του παράγοντα ni2.
Το ρεύμα Βάσης

Το ρεύμα της βάσης αποτελείται από δύο συνιστώσες: iB1 και iB2
• το iB1 είναι εκθετική συνάρτηση του υBE, λόγω της ορθής πόλωσης της
επαφής ΕΒ
• Το iB2, που οφείλεται στις επανασυνδέσεις,
επανασυνδέσεις είναι ανάλογο προς τον αριθμό
των ηλεκτρονίων που εγχέονται από τον εκπομπό, ο οποίος είναι εκθετική
συνάρτηση του υBE.

iB ∞eυ BE / VT
Το βήτα (β)

• Μπορούμε
ρ μ να συνδέσουμε
μ το iC μ
με το iB μ
με την
η παρακάτω
ρ σχέση:
χ η
iC i S υ BE
iB = = e / VT

β β
• β = iC / iB
• Το β είναι σταθερό για κάθε τρανζίστορ
• Παίρνει τιμές μεταξύ 100 και 200 και ακόμη μεγαλύτερες
• Ονομάζεται ενίσχυση ρεύματος κοινού εκπομπού
• Σ β λίζ
Συμβολίζεται επίσης
ί με βF και hFE.
Το ρεύμα Εκπομπού

Θεωρώντας το τρανζίστορ σαν ένα κόμβο, μπορούμε να γράψουμε:


1 1+ β β
iE = iB + iC = iC + iC = iC ή iC = iE
β β 1+ β

β α
iC = α i E α= β=
1+ β 1−α

Το α ονομάζεται ενίσχυση ρεύματος κοινής βάσης και είναι α<1 αλλά κοντά στο 1.
Το τρανζίστορ pnp

Τα ρεύματα του τρανζίστορ pnp στην ενεργό περιοχή.


Συμβολισμός και πόλωση των διπολικών τρανζίστορ

I E = IC + I B I E = IC + I B

VCE = VCB + VBE VEC = VBC + VEB


Παράδειγμα:
Δίνονται: β=100 και υBE=0,7V όταν iC=1mA
Να σχεδιαστεί το κύκλωμα έτσι ώστε IC=2mA και VC=5V.
VCC − VC
RC = = 5kΩ
IC

iC 1 = I S eυ BE 1 / VT iC 1
= e( υ BE 1 −υ BE 2 ) / VT
iC 2 = I S e vBE 2 / VT iC 2

iC 1 υ BE 1 − υ BE 2
ln =
iC 2 VT
iC 1
υ BE 1 = υ BE 2 + VT ln = 0 ,717V
iC 2
VE − VEE
RE = = 7,07 kΩ
IE
Υπολογισμός ρευμάτων και τάσεων

RCRE
IC
iC = I S eυ BE / VT
RB VCB
VCE VCC iC IS
VBE iB = = eυ BE / VT
VBB IB
IE β β

VBE ≈ 0,7V
VBB − VBE
VBB = I B RB + VBE ⇒ IB =
RB
IC = β ⋅ I B
IC
IE =
α
VCE = VCC − I C RC

VCB = VCE − VBE


Άσκηση: Αν VB=-1V και VE=-1,7V να υπολογιστούν τα: ΙΒ, ΙΕ,
β α,
β, α ΙC και VC. Είναι το τρανζίστορ πολωμένο στην ενεργό
περιοχή;

5kΩ

100kΩ
Γραφική παράσταση των χαρακτηριστικών του τρανζίστορ

iC = I S eυ BE / VT

Η χαρακτηριστική
χ ρ ηρ ή ic-υBE Επίδραση
ρ η της ης θερμοκρασίας
ρμ ρ ς
του τρανζίστορ npn. στην χαρακτηριστική ic-υBE
Οι χαρακτηριστικές iE-υBE του τρανζίστορ npn.
και iB-υBE έχουν την
ίδια μορφή.

0.6V < υ BE < 0.8V ⇒ υ BE ≈ 0.7V


Χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού

iC = I S e υ BE / VT

• Το ρεύμα συλλέκτη δείχνει ανεξάρτητο της VCE στην ενεργό περιοχή.

• Επομένως μπορούμε να πούμε ότι το τρανζίστορ συμπεριφέρεται σαν


ιδανική πηγή ρεύματος.
Φαινόμενο Early
υ BE / VT υCE
iC = I S e (1+ )
VA

−1
⎡ ∂i ⎤
ro ≡ ⎢ C VBE = σταθ ⎥
⎣ ∂υCE ⎦

VA
ro ≅
IC
• Φαινόμενο Early:
• Το ρεύμα συλλέκτη στην πράξη εξαρτάται ελαφρά από την VCE στην
ενεργόό περιοχή.
ή
• Η τάση Early, VA, είναι χαρακτηριστικό του τρανζίστορ (50 ως 100).
• Μη μηδενική κλίση σημαίνει πεπερασμένη αντίσταση εξόδου, ro.
• Για μικρές τιμές της VCE η επαφή συλλέκτη-βάσης
συλλέκτη βάσης πολώνεται ορθά και το
τρανζίστορ μπαίνει στον κόρο.
Χαρακτηριστικές κοινής βάσης

• Καθώς η υCB γίνεται αρνητική, η επαφή συλλέκτη-βάσης πολώνεται ορθά και


το τρανζίστορ
ζί εισέρχεται
έ στον κόρο.
ό
• Η BVCBO είναι η τάση κατάρρευσης της επαφής συλλέκτη-βάσης και έχει
μεγάλη τιμή.
• Η κλίση των χαρακτηριστικών στην ενεργό περιοχή είναι μικρότερη από την
αντίστοιχη των χαρακτηριστικών κοινού εκπομπού. Επομένως, η αντίσταση
εξόδου κοινής βάσης είναι μεγαλύτερη.
Χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού με παράμετρο το ΙΒ

• Η τάση κατάρρευσης της επαφής συλλέκτη-εκπομπού BVCΕO έχει πολύ


μικρότερη τιμή από την VCBO.
• Στον κόρο η αντίσταση εξόδου έχει πολύ μικρή τιμή και το τρανζίστορ δρα ως
«κλειστός διακόπτης».
Η ενίσχυση ρεύματος β του τρανζίστορ

I CQ ΔiC
β dc ≡ hFE ≡ β ac ≡ h fe ≡ VCE = σταθ
I BQ ΔiB
• Το β εξαρτάται από το ρεύμα συλλέκτη και τη θερμοκρασία.

• Η τιμή του β διαφέρει έντονα μεταξύ τρανζίστορ του ίδιου τύπου.

You might also like