OGRANIČENJA U RADU I PODRUČJA RADA TRANZISTORA

Proizvođači u tvorničkim podacima redovito navode važne informacije o svakom

tranzistoru: oblik i dimenzije kućišta, raspored priključaka, faktor strujnog pojačanja,
frekvencijsko i temperaturno područje rada, najveće dopuštene vrijednosti struja, napona i
utoška snage, itd.

Strujna ograničenja

Proizvođači navode najveće dopuštene vrijednosti struja ICmax i IEmax koje se ne smiju
prekoračiti jer bi to dovelo do prejakog zagrijavanja zapornog sloja i uništenja kristala.

Naponska ograničenja

Proizvođači navode maksimalne dopuštene vrijednosti reverznih napona UCB, UCE, i UBE,
koji se ne smiju prekoračiti da ne bi došlo do proboja i uništenja tranzistora.

Oganičenja snage

U normalnom aktivnom području rada kolektorski PN spoj je najviše opterećen jer kroz
njega protječe velika kolektorska struja IC što dovodi da zagrijavanja tranzistora.
Pri tome je razvijena snaga (disipacija ili utrošak snage) jednaka umnošku struje kolektora
IC i napona između kolektora i emitera UCE,

PD = IC ∙ UCE [W]

Utrošak snage za pojedini tip tranzistora ne smije prijeći max. dopuštenu vrijednost PDmax
(Ptot). To znači da vrijednosti napona UCE i struje IC moraju na izlaznim karakteristikama
biti ispod krivulje (hiperbole) PDmax , tj. :

PD < PDmax

Prekoračenje maksimalne dopuštene disipcije snage može dovesti do trajnog uništenja

tranzistora.
 Područja rada tranzistora s ucrtanim ograničenjima u radu

- izlazne karakteristike za NPN tranzistor, spoj zajedničkog emitera

IC (mA)

PDmax

ICmax

UCEmax (V)

- uz IB = 0 teče ICEO – vrlo mala preostala struja kolektora (engl. collector cut-off current)

- ICEO prosječno za Si tranzistore iznosi 50 – 500 nA , a za Ge tranzistore 50 – 500 μA