PDS Ch2 Semiconducteurs

1
Electronic Device Modeling

2
Introduction to Semiconductor
Physics
• You should really take a semiconductor
device physics course.
• We can only cover a few basic ideas and
some simple calculations.
3
Electronic Devices
• Most electronic devices are made out of
semiconductors, insulators, and conductors.
• Semiconductors
– Old Days – Germanium (Ge)
– Now – Silicon (Si)
– Now – Gallium Arsenide (GaAs) used for high speed
and optical devices.
– New – Silicon Carbide (SiC) – High voltage Schottky
diodes.
4
Elements
• Elements in the periodic table are grouped
by the number of electrons in their valence
shell (most outer shell).
– Conductors – Valence shell is mostly empty
(1 electron)
– Insulators – Valence shell is mostly full
– Semiconductors – Valence shell is half full
(Or is it half empty?)
5
Semiconductors
• Silicon and Germanium are group 4
elements – they have 4 electrons in their
valence shell.
Valence
Electron
Si
6
Silicon
• When two silicon atoms are placed close
to one another, the valence electrons are
shared between the two atoms, forming a
covalent bond.
Covalent
bond
Si Si
7
Silicon
Si
Si Si Si
Si
8
Si
Si Si Si
Silicon
Si
•An important property of the 5-atom

silicon lattice structure is that valence
electrons are available on the outer edge
of the silicon crystal so that other silicon
atoms can be added to form a large single
silicon crystal.
9
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
10
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
•At 0 ºK, each electron is in its lowest energy

state so each covalent bond position is filled.
•If a small electric field is applied to the
material, no electrons will move because they
are bound to their individual atoms.
=> At 0 ºK, silicon is an insulator.
11
Silicon
• As temperature increases, the valence
electrons gain thermal energy.
• If a valence electron gains enough energy,
it may break its covalent bond and and
move away from its original position.
• This electron is free to move within the
crystal.
12
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
+
Si Si Si Si Si Si
-
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
13
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
+
Si Si Si Si Si Si
-
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Since the net charge of a crystal is zero, if a

negatively (-) charged electron breaks its
bond and moves away from its original
position, a positively charged “empty state”
is left in its original position.
14
Semiconductors
• As temperature increases, more bonds
are broken creating more negative free
electrons and more positively charged
empty states. (Number of free electrons
is a function of temperature.)
• To break a covalent bond, a valence
electron must gain a minimum energy
Eg, called the energy band gap.
(Number of free electrons is a function
of Eg.)
15
Insulators
• Elements that have a large energy band
gap of 3 to 6 eV are insulators because at
room temperature, essentially no free
electrons exist.
• Note: an eV is an electron volt. It is the
amount of energy an electron will gain if it
is accelerated through a 1 volt potential.
16
Electron Volt
1 eV = (1.602 ×10 −19

)
coul (1 volt )
= ( −19
1.602 ×10 coul 1 )
 joule 

 coulomb 
= 1.602 ×10 −19 joules
Also, 1 eV = 1.518 ×10-22 BTU, but who cares.

17
Conductors
• Elements that have a small energy band
gap are conductors.
• These elements have a large number of
free electrons at room temperature
because the electrons need very little
energy to escape from their covalent
bonds.
18
Semiconductors
• Semiconductors have a band gap energy
of about 1 eV
– Silicon = 1.1 eV
– GaAs = 1.4 eV
– Ge = 0.66 eV
19
Empty States
• An electron that has sufficient energy and
is adjacent to an empty state may move
into the empty state, leaving an empty
state behind.
20
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
+
Si Si Si Si Si Si
This electron can
fill the empty
Si Si Si Si Si state.
Si
Si Si Si Si Si
Empty Si
state
originally here.
21
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si + Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Empty state
Si Si Si Si Si now
Si here.
22
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si + Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
23
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
+
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
24
Empty States
• Moving empty states can give the
appearance that positive charges move
through the material.
• This moving empty state is modeled as a
positively charged particle called a hole.
• In semiconductors, two types of “particles”
contribute to the current: positively
charged holes and negatively charged
electrons.
25
Carrier Concentrations
• The concentrations of holes and free
electrons are important quantities in the
behavior of semiconductors.
• Carrier concentration is given as the
number of particles per unit volume, or
• Carrier concentration =
# 3
cm
26
Intrinsic Semioconductor
• Definition – An intrinsic semiconductor
is a single crystal semiconductor with no
other types of atoms in the crystal.
– Pure silicon
– Pure germanium
– Pure gallium arsenide.
27
Carrier Concentration
• In an intrinsic semiconductor, the
number of holes and free electrons are the
same because they are thermally
generated.
• If an electron breaks its covalent bond we
have one free electron and one hole.
• In an intrinsic semiconductor, the
concentration of holes and free electrons
are the same.
28
Intrinsic Semiconductors
ni
• = the concentration of free electrons in an
intrinsic semiconductor.
• = the concentration of holes in an intrinsic
semiconductor.
29
Intrinsic Carrier Concentration

3  − Eg 
ni = BT exp2

 2 KT 
• B and Eg are determined by the properties
of the semiconductor.
• Eg = band gap energy (eV)
• B = material constant
 # 
 

( )( )
cm 3
⋅ o
K
3 
2

30
Intrinsic Carrier Concentration

3  − Eg 
ni = BT 2
exp 
 2 KT 
• T = temperature (ºK)
• K = Boltzmann’s constant = 86.2×10-6
eV/ºK
31
Material Constants
Material Eg (eV)  
B  # 

( )( )
 cm ⋅ K
3 o
3 
2

Silicon 1.12 5.23×1015
Gallium 1.4 2.10×1014

Arsenide
Germanium 0.66 1.66×1014
32
Important Note:
Book uses a slightly different
Notation!
 − Eg 
ni = BT exp 
3

 KT 
33
Book Material Constants
 # 
Material Eg (eV) B  
( )( )
 cm 6 ⋅ o K 3 

Silicon 1.12 5.4×1031

34
Example
• Find the intrinsic carrier concentration of
free electrons and holes in a silicon
semiconductor at room temperature.
35
MathCAD
eV ≡ ( 1.602 ⋅10 ⋅coul) ⋅1 ⋅volt

− 19 − 6 eV
K B := 86.2 ⋅10 ⋅
K
T := 300 ⋅K
15 1
Bsi := 5.23 ⋅10 ⋅
3
cm ⋅ K( 1.5 )
Egsi := 1.12 ⋅eV
36
MathCAD
1.5  − Eg si 
ni := Bsi⋅T ⋅exp 
2 ⋅ K B ⋅T
 
10 1
ni = 1.5 × 10
3
cm
The concentration of silicon atoms in an

intrinsic semiconductor is 5×1022 atoms/cm3.
37
Extrinsic Semiconductors
• Since the concentrations of free electrons
and holes is small in an intrinsic
semiconductor, only small currents are
possible.
• Impurities can be added to the
semiconductor to increase the
concentration of free electrons and holes.
38
• An impurity would have one less or one
more electron in the valance shell than
silicon.
• Impurities for group 4 type atoms (silicon)
would come from group 3 or group 5
elements.
39
• The most common group 5 elements are
phosphorous and arsenic.
• Group 5 elements have 5 electrons in the
valence shell.
• Four of the electrons fill the covalent bonds in
the silicon crystal structure.
• The 5th electron is loosely bound to the impurity
atom and is a free electron at room temperature.
40
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
-
Si Si P Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
41
• The group 5 atom is called a donor
impurity since it donates a free electron.
• The group 5 atom has a net positive
charge that is fixed in the crystal lattice
and cannot move.
• With a donor impurity, free electrons are
created without adding holes.
42
• Adding impurities is called doping.
• A semiconductor doped with donor
impurities has excess free electron and is
called an n-type semiconductor.
43
• The most common group 3 impurity is
boron which has 3 valence electrons.
• Since boron has only 3 valence electrons,
the boron atom can only bond with three of
its neighbors leaving one open bond
position.
44
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si B Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
45
• At room temperature, silicon has free
electrons that will fill the open bond
position, creating a hole in the silicon atom
whence it came.
• The boron atom has a net negative charge
because of the extra electron, but the
boron atom cannot move.
46
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
+
Si Si B Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
47
• Since boron accepts a valence electron, it
is called an acceptor impurity.
• Acceptor impurities create excess holes
but do not create free electrons.
• A semiconductor doped with an acceptor
impurity has extra holes and is called a
p-type semiconductor.
48
Carrier Concentrations
• For any semiconductor in thermal
equilibrium nopo=ni2, where
• no = the concentration of free electrons.
• po = the concentration of holes.
• ni = the intrinsic carrier concentration
3  − Eg 
ni = BT 2
exp 
 2 KT 
49
Extrinsic Carrier Concentrations
• For an n-type semiconductor with donor

impurities, the concentration of donor
impurities is Nd with units #/cm3.
• If Nd >> ni, then the concentration of
free electrons in the n-type
semiconductor is approximately no ≈ Nd.
50

• Since nopo=ni2 for any semiconductor in
thermal equilibrium, and
• For an n-type semiconductor, no ≈ Nd
2
ni
po =
Nd
• Where po is the concentration of holes in

the n-type semiconductor.
51
• For a p-type semiconductor with

acceptor impurities, the concentration of
acceptor impurities is Na with units
#/cm3.
• If Na >> ni, then the concentration of
holes in the p-type semiconductor is
approximately po ≈ Na.
52

• Since nopo=ni2 for any semiconductor in
thermal equilibrium, and
• For a p-type semiconductor, po ≈ Na
2
ni
no =
Na
• Where no is the concentration of free
electrons in the p-type semiconductor.
53
Current in Semiconductors
• The two processes that cause free
electrons and holes to move in a
semiconductor are drift and diffusion.
• Drift – the movement of holes and
electrons due to an electric field
• Diffusion – the movement of holes and
electrons due to variations in
concentrations.
54
Drift Current
• Assume that an electric field is applied to
to a semiconductor.
• This field acts on holes and electrons.
55
Drift Current-Electrons
• Electrons – The Electric
r field creates a force in
E the opposite direction of
the electric field –
s −
vdn e Attractive.
r • vdn is the drift velocity of
Jn electrons.
• Jn is the current density
n-type due to electrons.
56
• The electrons acquire a drift velocity of
s r
vdn = − µ n E
• Where µn is the mobility of electrons with
units of cm2/(volt-sec).
• The units of vdn are cm/sec.
• For low-doped silicon, a typical number is
µn=1350 cm2/volt-sec.
57
s r
vdn = − µ n E
• The minus sign (-) indicates that the
electrons move in the opposite direction
of the applied electric field.
58
Drift Current Density-Electrons

• Current = charge per unit time (coul/sec).
• Current density = current flowing through a
specific area = amps/unit area = coul/(sec-
cm2)
59
Drift Current Density-Electrons
J n = −envdn = enµ n E
• e = the charge on an electron = 1.602×10-
19 coulombs.
• n=concentration of electrons = #/cm3.

• en=charge/cm3.
charge cm charge amp
envdn = = =
cm sec sec⋅ cm
3 2
cm 2
60
Drift Current - Holes

• Holes – The Electric field
r creates a force in the
E same direction of the
electric field.
+ r
h vdp • vdp is the drift velocity of
r holes.
Jp • Jp is the current density
due to holes.
n-type
61
Drift Current-Holes
• The holes acquire a drift velocity of
s r
vdp = µ p E
• Where µp is the mobility of holes with
units of cm2/(volt-sec).
• The units of vdp are cm/sec.
• For low-doped silicon, a typical number
is µdp=480 cm2/volt-sec.
62
Mobility - Aside
• Note that µn> µp.
• Electrons are faster than holes.
• P-type and n-type devices operate the
same. However, n-type devices are faster.
63
Drift Current Density-Holes
J p = epvdp = epµ p E
• e = the charge on an electron = 1.602×10-
19 coulombs.
• p=concentration of holes = #/cm3.

• ep=charge/cm3.
charge cm charge amp
envdp = = =
cm sec sec⋅ cm
3 2
cm 2
64
Drift Current
r r
E E
+ r s −
h vdp vdn e
r r
Jp Jn
n-type n-type
Drift current due to holes and electrons is in the same direction.

65
Total Drift Current

• Since the hole current and the electron
current are in the same direction, the
currents add.
• The total drift current is:
r r r
J = enµ n E + epµ p E
66
Ohm’s Law
• Another form of Ohm’s law is J=σE
• σ is the conductivity of the material.
• Noting that
r r r
J = enµ n E + epµ p E
• and
v r
J = σE
67
Conductivity
We can find the conductivity of a

semiconductor as
σ = enµ n + epµ p
68
Diffusion Currents
(Cover Them)
69
Excess Carriers
• So far we have assumed that the

semiconductor is in steady state.
• Suppose that we shine light on a
semiconductor.
• If the photons have sufficient energy,
valence electrons may break their
covalent bonds and create pairs of free
electrons and holes.
70
Excess Carriers
• These additional holes and electrons are
called excess holes (δp) and excess
free electrons (δn).
• When excess holes and free electrons
are created, these concentration of
holes and free electrons increase above
the thermal equilibrium value
n = no+ δn p = po + δp
71
Excess Carriers
• In steady state, the generation of excess
carriers will not cause the carrier
concentration to increase indefinitely due
to a process called recombination.
• Electron-Hole Recombination – a free
electron combines with a hole and both
disappear.
72
Excess Carriers
• Generation – Creates free electrons – hole
pairs.
• Recombination – Eliminates free electrons
and holes in pairs.
• Excess Carrier Lifetime – The mean time
over which an excess free electron and
hole exist before recombination.
2
Semi-conducteurs à l’équilibre
• Dopage des semi-conducteurs

• Semi-conducteur intrinsèque
• Le dopage n et p
• Calcul de la densité de porteurs extrinsèques
3
Semi-conducteurs
• Structure en bandes
d’énergie:
• Bande de valence: c’est la
dernière bande remplie à
T=0K
• Bande de conduction: c’est
la bande immédiatement au
dessus et vide à T=0K
4
Notion de trous (+e !)
• La notion de bandes
permet d’introduire le
porteur de charge positif
: un trou
Aux températures
différentes de 0 K,
électrons « montent » dans
BC, laissent des « trous »
dans la BV
5
Conduction bipolaire
• Laprésenced’électronset
trousentraîneuneconduction
bipolairedanslesSC
Onpeutprivilégierune
conductionparledopage
dusemiͲconducteur,ie
l’introductiond’impuretés
E externe
6
Électrons dans une structure Diamant (ex: Si)

7
Électrons dans une structure Diamant (ex: Si)

8
Densité de porteurs dans les bandes
• Fonction de Fermi:
f (E) 1
1 e ( E E F ) / kT
• Densité d’états:
3/ 2
1 § 2mc* ·
NC (E) ¨ 2 ¸¸
2 ¨
( E EC )1/ 2 Eg
2S © ! ¹
3/ 2
1 § 2mv* ·
Nv (E) ¨ 2 ¸¸
2 ¨
( EV E )1/ 2 f
2S © ! ¹
• Densité de porteurs:
n ³N
EC
C ( E ). f n ( E ).dE
EV
p ³ N ( E ). f
f
v p ( E ).dE
9
• Approximation de Boltzmann:
• Si le niveau de Fermi est à plus de « 3kT » du minimum de la
bande de conduction ou du maximum de la bande de valence, on
peut simplifier la fonction de distribution:
fn ( E ) | e ( E E F
) / kT
( EF E ) / kT
f p (E) | e
10
• Dans ces conditions (Boltzmann), la densité de

porteurs libres s’écrit:
• Dans la bande de conduction (électrons):
3/ 2
EC EF § 2m kT ·
*
n exp(la bande de)valence
N•C Dans NC
avec(trous): 2¨¨ C
2
¸¸
kT © h ¹
EF Ev avec
3/ 2
§ 2m kT ·
*
p N v exp( ) Nv 2¨¨ v
2
¸¸
kT © h ¹
11
Loi d’action de masse np=ni2
• Dans un semi-conducteur intrinsèque, la densité de

trous est égale à la densité d’électrons:
3
§ kT · Eg
np 4¨ 2 ¸
(me mh ) exp(
* * 3/ 2
) ni2
© 2S! ¹ kT
• En faisant n=p, on obtient le niveau de Fermi

intrinsèque:
EC EV kT NC
Ei EFi ln( )
2 2 NV
12
Semi-conducteur intrinsèque
• Variation exponentielle Remarque:

de la densité de Le produit np est
porteurs indépendant du
• Si ni>1015cm-3, le niveau de Fermi
matériau inadapté pour
des dispositifs Expression valable même
électroniques. si semi-conducteur dopé
SC à grands « gap »
Type SiC, GaN, Diamant
Introduction du dopage
13
Dopage: introduction de niveau énergétique

dans le gap
Dopage type n Dopage type p

14
Dopage d’un SC: type n

15
Dopage d’un SC: type p

16
Variation de la conduction d’un semi-conducteur dopé en fonction

de la température
Tous les « donneurs

sont ionisés
3 régimes:
•Extrinsèque
•Épuisement des donneurs
•Intrinsèque
17
Calcul de la position du niveau énergétique

Ed ou Ea
• Le problème « ressemble »
au modèle de l’atome
d’hydrogène
m0e 4 13.6
En eV
2(4SH 0 ) 2 ! 2 n 2
• Introduction du Rydberg
« modifié » :
§ m ·§ H 0 ·
* 2
Ed EC 13.6¨¨ ¸¸¨ ¸
© m0 ¹© H ¹
Exemple de dopants et leurs énergies
18
Densité de porteurs extrinsèques:
• nb d’électrons différents du nb de trous

n p 'n z 0
• Mais loi d’action de masse toujours valable, avec n.p=cte
(sauf si dopage trop élevé).
n. p ni2 cste
• Pour déterminer ces concentrations (n et p), on écrit la
neutralité électrique du système.
n NA p ND n 2 ( N D N A )n ni2 0
19
Densité de porteurs extrinsèques:
• Semi-conducteurs type n (ND>NA):
n
1ª
2 «¬
2 2º
N D N A ( N D N A ) 4ni
2
1
»¼

1ª

p N D N A ( N D N A ) 4ni
2 «¬
2 2 2º
1
»¼

• Dans la pratique (ND, NA, et ND – NA >> )ni si bien que:
n | ND N A
p | ni2 /( N D N A )
20
Niveau de Fermi dans un SC dopé
• Si le SC n’est pas dégénéré, l’approximation de

Boltzmann reste valable:
• Type n et p respectivement
EC EFn
n | ND N A N C exp( )
kT
EFp EV
p | N A ND NV exp( )
kT
• Soit un niveau de Fermi type n et type p donné par:
EFn EC kT ln( N C /( N D N A ))
E Fp EV kT ln( NV /( N A N D ))
21
Différence Ef - Efi
• Au lieu d’exprimer Ef en fonction de Nc et Nv, on peut

écrire:
type n
§ Nd ·
E f Ei kT ln¨¨ ¸¸ eIFi
© ni ¹
type p
§ Na ·
Ei E f kT ln¨¨ ¸¸
© ni ¹
22
Différence Ef - Efi
• On peut alors exprimer les densité d’électrons et de trous

à l’équilibre par:
( E F E Fi ) / kT eI Fi / kT
n ni e ni e Équations de
( E F E Fi ) / kT eI Fi / kT Boltzmann
p ni e ni e
avec:
eI Fi EF EFi ! 0 typen
eI Fi EF EFi 0 typep
23
Semi-conducteurs dégénérés:
approximation de Joyce –Dixon
• Dans ce cas , l’approximation de Boltzmann n’est
plus valable pour le calcul:
• soit de n et p
• soit de la position du niveau de Fermi:
on utilise alors l’approximation de Joyce-Dixon:
ª n 1 n º ª p 1 p º
EF EC kT «ln » EV kT «ln »
¬ N C 8 C¼
N ¬ N V 8 V¼
N
24
Peuplement des niveaux d’impuretés : gel des porteurs
• En fonction de la température, le niveau d’impureté

est plus ou moins peuplé. Supposons un SC « avec »
ND donneurs et NA accepteurs (ND>NA)
• À T=0K
•BV =>pleine
•EA => NA électrons
•ED => ND-NA électrons
•BC => vide
25
Peuplement des niveaux d’impuretés : gel des porteurs
• À température non nulle: les électrons sont redistribués

mais leur nombre reste constant !!!. L’équation de
neutralité électrique permet de connaître leur répartition:
(n ni ) nd ND
n nd N D N A p pa
( p ni ) pa NA
n, p : électrons (trous) libres dans BC (BV)
nd (pa) : électrons (trous) liés aux donneurs (accepteurs)
26
Fonction de distribution des atomes d’impuretés –

Principe d’exclusion de Pauli
Comparaison de l’image « chimique » et de la description en
« bande d’énergie » de l’atome donneur ou accepteur:
« liaison chimique » « Bande d’énergie »

Atome donneur Ù atome Si + Cristal parfait + puits de potentiel
noyau chargé positivement. attractif sur un site du réseau
Niveau énergétique Ed dans

Mécanique quantique
le gap sous Ec doublement
(électrons indépendants)
dégénéré (spin up et down)
Interaction Coulombienne Le deuxième électron
+ écrantage du noyau: Ed « s’échappe » : occupation
diminue du niveau par un seul électron
27
Probabilité d’occupation du niveau

d’impureté
• Proba d’occupation et nb d’électrons sur Ed:
Ed E f N d
1 nd
f n (1 exp ) 1 Ed E f
2 kT 1 exp
2
• Proba de non occupation et nb de trous surkT
Ea :
E f Ea Na
1 pa
fp (1 exp ) 1 E f Ea
4 kT 1 exp
4 kT
28
Niveau « donneur »:le facteur 1/2

• Atome de Phosphore (col V):
• États électroniques 3s² 3p3 : 2e s et 2e p participent aux
liaisons Ù 1e sur le niveau ED (le 5° !)
• il (le 5° !) possède un spin particulier up ou down
• Une fois l’e parti (f(E)) la « case » vide peut

capturer un spin up ou down => le mécanisme (la
proba.) de capture est augmenté / à l’émission.
f D (E) ! f (E)
29
Semi-conducteur fortement dopé
• Si dopage trop important, les impuretés se « voient »

(rayon de Bohr 100 angströms)
le niveau d’énergie associé s’élargit
• Un effet important est la diminution du « Gap » du SC et
donc ni augmente!!:
pour le Silicium
1/ 2
§ N d 300 ·
'Eg # 22.5¨¨ 18 ¸¸ meV
© 10 T ( K ) ¹
32
Phénomènes de Génération - Recombinaison
• Loi d’action de masse:

• À l’équilibre thermodynamique:
2
np
• Hors équilibre: apparition de phénomènes de Génération -i n
Recombinaison
• création ou recombinaison de porteurs :
Unité [g]=[r]=s-1cm-3
• Taux net de recombinaison:
g ' r ' g g th r ' g r avec r r ' g th

externe interne
33
Différents chemins de recombinaison

Génération depuis
état lié Génération bande à bande
34
Recombinaison: 2 « chemins » possibles
• Recombinaison directe électron-trou

• Processus fonction du nombre d’électron et de trous
'p 'n
rp rn
Wp Wn
• Exemple: type n +excitation lumineuse en faible injection (
ie )
'n 'p n0
p p0 'p n n0 'n | n0
• En régime de faible injection le nombre de porteurs
majoritaires n’est pas affecté.
35

• Recombinaison par centres de recombinaison:
• En général ces centres se trouvent en milieu de bande interdite
• Le taux de recombinaison s’écrit:
np ni2
1 Équation de
r
W m 2ni p n Shockley-Read
• Où Wm est caractéristique du centre recombinant

• Si les 2 processus s’appliquent:
1 1 1

W Wm W n( p)
36

• Si semi-conducteur peu dopé: on applique SR
• Si semi-conducteur dopé n:
'p
rp
Wp
• Si région « vide » de porteurs (ex: ZCE)
ni
r 0 Taux net de génération.
2W m Création de porteurs
37
Excitation lumineuse
TypeP
38
Recombinaison radiative ou non

39
Recombinaisons de surface
40
Courants dans les SC
• Courant de conduction: présence de champ électrique
• Si E=0, vitesse des électron=vitesse thermique (107 cm/s) mais =>

vitesse moyenne nulle car chocs (« scattering ») avec le réseau +
impuretés.
• Libre parcours moyen (« mean free path »):
l vth.W | 100 A
o
W | 0.1 ps
41
• Courant de conduction: présence de champ électrique

• Entre deux chocs, les électrons sont accélérés uniformément
suivant E
• Accélération: J qE / m *
• Vitesse: v qEW / m *
r µE
Si : 1500 cm2/Vs
• Mobilité: µ qW / m* GaAs: 8500 cm2/Vs
In0.53Ga0.47As:11000 cm2/Vs
42
• La densité de courant de conduction s’écrit:

• Pour les électrons:
J cn nev n neµn E
• Pour les trous:
Jcp pev p peµp E

• Pour l’ensemble:
J c total Jn J p (neµn peµp ) E

43
• Importance de la mobilité sur les composants

• Mobilité la plus élevée possible
• => vitesse plus grande pour un même E
• Facteurs limitants:
• Dopage
• Défauts (cristallins, structuraux, …)
• Température
• Champ électrique de saturation + géométrie
44
• Vitesse de saturation des électrons
• La relation linéaire vitesse – champ valide uniquement

pour:
• Champ électrique pas trop élevé
• Porteurs en équilibre thermique avec le réseau
• Sinon:
• Au-delà d’un champ critique, saturation de la vitesse
• Apparition d’un autre phénomène: « velocity overshoot »
pour des semiconducteurs multivallée.
• Régime balistique:pour des dispositifs de dimensions
inférieures au libre parcours moyen (0.1µm)
45
Vitesse de saturation
• Différents
comportement en
fonction du SC
Survitesse
(« overshoot »)
46
Survitesse dans le cas de SC

multi vallées
47
• Courant de diffusion:
• Origine: gradient de concentration
• Diffusion depuis la région de forte concentration vers la région de
moindre [].
• 1° loi de Fick:
dn nb d’e- qui diffusent par unité de

nDx Dn temps et de volume (flux)
dx
dp
pDx Dp nb de h+ qui diffusent par unité de
dx temps et de volume (flux)
48
• Courant de diffusion: somme des deux contributions

(électrons et trous):
dn dp
J diff e(n p ) eDn
x
D
x
D
eDp
dx dx
• Constante ou coefficient de diffusion
[Dn , p ]=cm2/s.
49
• Courant total: somme des deux contributions (si elles existent)

de conduction et diffusion:
JT J cond J diff Jn J p
dn dp
JT (neµn peµp ) E e( Dn Dp )
dx dx
• D et µ expriment la faculté des porteurs à se déplacer. Il existe

une relation entre eux: relation d’Einstein:
D kT
µ e
50
Équations de continuité – longueur de diffusion
• G et R altèrent la distribution des

porteurs donc du courant
dn( x, t ) ª J ( x 'x) J n ( x) º
A'x A« n » RG
dt ¬ e e ¼
dn( x, t ) dJ n ( x) 'x
A'x #A RG
dt dx e
On obtient alors les équations de
continuité pour les électrons et les trous:
dn( x, t ) 1 dJ n dp ( x, t ) 1 dJ p
rn g n rp g p
dt e dx dt e dx
51
Équations de continuité – longueur de diffusion
• Exemple: cas où le courant est exclusivement du à

de la diffusion:
dn d n n n0
2
Dn 2
J n (diff ) eDn
dn dt dx Wn
dx
dp dp d2 p p p0
J p (diff ) eD p Dp 2
dx dt dx Wp
52
Équations de continuité – longueur de

diffusion
• En régime stationnaire, les
dérivées par rapport au temps
s’annulent:
d 2 (n n0 ) n n0 n n0
dx 2 D nW n L2n
d 2 ( p p0 ) p p0 p p0
dx 2 D pW p L2p Longueur de diffusion: représente la
distance moyenne parcourue avant
Ln DnW n Lp DpW p que l’électron ne se recombine avec
un trou (qq microns voire qq mm)
• Solutions: Ln ou Lp >> aux dispos VLSI
R et G jouent un petit rôle sauf
'n( x) (n( x) n0 ) 'n(0)e x / Ln
dans qq cas précis (Taur et al)
53
Équation de Poisson
• Elle est dérivée de la première équation de Maxwell. Elle relie le

potentiel électrique et la densité de charge:
d 2V dE U ( x)

dx 2 dx H sc
• Dans les SC, deux types de charges (fixes et mobiles):
d 2V

e
> p ( x ) n( x ) N
( x) N A ( x)@
dx 2 H sc D
Charge mobiles Charges fixes

(électrons et trous) (dopants ionisés)
54
Longueur de Debye
• Si on écrit l’équation de Poisson dans un type n en exprimant n en

fonction de IFi :
d 2 ) Fi
dx 2

e
H sc
>N d ( x ) ni e e) Fi / kT
@
enremarquantque: V(x)=))L cte
• Si Nd(x) => Nd+'Nd(x) , alors )Fi est modifié de ')Fi
d 2 'IFi e 2 N d e
'IFi 'N d ( x)
dx 2
H sc kT H sc
55
Longueur de Debye
• Signification physique?
• Solution de l’équation différentielle du 2° degré:
x H sc kT
'IFi A exp avec LD
LD e2 N D
• La « réponse » des bandes n’est pas abrupte mais « prend »
quelques LD ( si Nd=1016 cm-3, LD=0.04µm). Dans cette
région, présence d’un champ électrique (neutralité électrique
non réalisée)
56
Temps de relaxation diélectrique
• Comment évolue dans le temps la densité de

porteurs majoritaires ?
• Équation de continuité (R et G négligés):
wn 1 wJ n wE
or Jn VE E / U n et en / H sc
wt e wx wx
d’où
wn

n
Solution: n(t ) v exp(t / U nH sc )
wt U nH sc
W U nH sc Tempsderelaxationdiélectrique( 10-12 s)

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1

Electronic Device Modeling

•An important property of the 5-atom

•At 0 ºK, each electron is in its lowest energy

Since the net charge of a crystal is zero, if a

1 eV = (1.602 ×10 −19

Also, 1 eV = 1.518 ×10-22 BTU, but who cares.

Intrinsic Carrier Concentration

Intrinsic Carrier Concentration

Silicon 1.12 5.23×1015

Gallium 1.4 2.10×1014

Book Material Constants

Silicon 1.12 5.4×1031

eV ≡ ( 1.602 ⋅10 ⋅coul) ⋅1 ⋅volt

The concentration of silicon atoms in an

Extrinsic Carrier Concentrations

• For an n-type semiconductor with donor

Extrinsic Carrier Concentrations

• Where po is the concentration of holes in

Extrinsic Carrier Concentrations

• For a p-type semiconductor with

Extrinsic Carrier Concentrations

Drift Current Density-Electrons

Drift Current Density-Electrons

• n=concentration of electrons = #/cm3.

Drift Current - Holes

Drift Current Density-Holes

• p=concentration of holes = #/cm3.

Drift current due to holes and electrons is in the same direction.

Total Drift Current

We can find the conductivity of a

• So far we have assumed that the

• Dopage des semi-conducteurs

Notion de trous (+e !)

Électrons dans une structure Diamant (ex: Si)

Électrons dans une structure Diamant (ex: Si)

Densité de porteurs dans les bandes

Densité de porteurs dans les bandes

Densité de porteurs dans les bandes

• Dans ces conditions (Boltzmann), la densité de

Loi d’action de masse np=ni2

• Dans un semi-conducteur intrinsèque, la densité de

• En faisant n=p, on obtient le niveau de Fermi

• Variation exponentielle  Remarque:

Dopage: introduction de niveau énergétique

Dopage type n Dopage type p

Dopage d’un SC: type n

Dopage d’un SC: type p

Variation de la conduction d’un semi-conducteur dopé en fonction

Tous les « donneurs

Calcul de la position du niveau énergétique

Densité de porteurs extrinsèques:

• nb d’électrons différents du nb de trous

Densité de porteurs extrinsèques:

• Semi-conducteurs type n (ND>NA):

Niveau de Fermi dans un SC dopé

• Si le SC n’est pas dégénéré, l’approximation de

• Soit un niveau de Fermi type n et type p donné par:

• Au lieu d’exprimer Ef en fonction de Nc et Nv, on peut

• On peut alors exprimer les densité d’électrons et de trous

Peuplement des niveaux d’impuretés : gel des porteurs

• En fonction de la température, le niveau d’impureté

Peuplement des niveaux d’impuretés : gel des porteurs

• À température non nulle: les électrons sont redistribués

• Variation exponentielle Remarque:

g ' r ' g g th r ' g r avec r r ' g th

Jcp pev p peµp E

J c total Jn J p (neµn peµp ) E