Opsežne (protežne, velikopovršinske, prostrane), umotane nanomembrane

kondenzatorskog niza za skladištenje elektrostatičke energije

Apstrakt:
Proizvodnja, karakteristike i optimizacija prostranog, umotanog, ultrakompaktnog
kondenzatorskog niza koji se zasniva na nanomembranama demonstrirani su kombinacijom
metoda proizvodnje od dna nagore i od nagore ka dnu. Skalabilnost procesa je testirana na vafer
platformi od 4 inča gde se 1600 uređaja proizvodi paralelno. Koristeći hibridni izolacijski sloj
koji se sastoji od HfO2 i TiO2 ugrađenih u Al2O3 matricu, uticaj električnog kapaciteta na
životnu sredinu umotanog, ultrakompaktnog kondenzatora može da se poveća za dva reda
veličine. Električna svojstva se mogu precizno kontrolisati prilagođavanjem sastava oksida.
Dakle, pakovanje struktura koje se zasnivaju na prostranim nanomembranama prirodno
rezultiraju u znatnom umanjenju okupirane, zauzete zone uticaja na životnju sredinu koji
proizvodi električni kapacitet. Takvi elektrostatički, upakovani, ultrakompaktni elementi
skladištenja energije imaju veliki potencijal u napajanju raznovrsnih autonomnih mikrosistema.

1. UVOD

Naše sve više mobilno društvo urgentno iziskuje nove pristupe stvaranju ultrakompaktnih,
integrativnih uređaja za prenosivu upotrebu. Do danas, minijaturizacija u polju mikroelektronike
bila je uglavnom fokusirana na smanjenje tranzistora i selektivnih pasivnih elemenata kao što su
induktori i kondenzatori. U slučaju minijaturizovane energije, autonomni sistemi kao što su
bežične mreže senzora i medicinski uređaji poput implanta, zahtevaju promatranje redukcije
celokupnog sistema. Autonomni sistemi minijaturizovane energije (ASME) su ultrakompaktni
elementi operativni sa minimumom ljudskog delovanja posle njihove instalacije. Kako bi to
ostvario, ASME ne samo da mora autonomno da proizvodi energiju, već mora i da je skladišti za
buduću upotrebu. I minijaturizacija elektronskih uređaja (senzornih i procesualnih jedinica) i
redukcija štetnog uticaja na životnu sredinu elemenata skupljača energije i skladišta energije (na
engleskom: energy-storage elements ili ESE) predstavljaju suštinske činioce za razvoj budućih
ASME.
U prošlosti znatni napori su bili uloženi u proizvodnji više kompaktnih i efikasnih skupljača
energije. U polju kompaktnih elemenata skladišta energije (ESE), modelni sistemi su već
uspešno realizovani. Kako bi se proizveo ESE odgovarajući za ASME, nepohodne su određene
odlike, kvaliteti poput: dugačak život (10 godina ili više) i kratki intervali napajanja, punjenja
(nekoliko sekundi do nekoliko minuta) povezanih sa velikim brojem ciklusa gde se smenjuju
napajanje i ne-napajanje (do 10 000 ciklusa), malih geometrijskih dimenzija (<1 mm
kvadratnog), stabilnost na visokoj temperaturi i kapacitet za paralelnu proizvodnju. Iako
upotreba elektrolita u čvrstom stanju i površinskog inženjeringa konvencionalnih
poluprovodnika predstavljaju alternative za povećanje gustine energije i posledično redukovanje
dimenzija ESE, gorepomenuti kvaliteti i dalje predstavljaju izazov. Alternativno, elektrostatični
kondezatori veoma dobro ispunjavaju nekoliko kriterijuma koji podrazumevaju dužinu života i
interval napajanja, broj ciklusa napajanja i ne-napajanja, minijaturizaciju i proizvodnju velikog
opsega. Ali, ovi sistemi postaju manje privlačni kada se zahteva skladištenje energije iznad 1-2
Wh kg na -1. Međutim, uz kontinuirano smanjivanje rasipajuće energije koja je utemeljena u
signalnim procesorima, za koje je zabeleženo da prati narastajući tok od približno 1,6 po godini
(što je još poznato kao i Džinov zakon), mogućnost upotrebe elektrostatičke jedinice za
skladištenje energije u ASME postaje privlačnija opcija. Dodatni doprinos ovoj tendenciji jeste
kontinuirano poboljšavanje izolatora sa tankim slojem koji se zasnivaju na oksidu sa visokim
stepenom k (to je konstanta, ogavna,primitivna paorčino, znam šta su ti prvobitne asocijacije) i
keramičkim slojem koji isto može da doprinese razvoju ultrakompaktnih elemenata za
skladištenje energije koji su podesni za ASME. Na mikroskali, umotana nanotehnologija se
pojavljuje kao alternativna tehnika za kreiranje 3D ultrakompaktnih elektronskih uređaja sa
znatno redukovanim procesualnim kompleksnostima koje uključuju cevi, svitke, navoje,
prstenove, itd. U ovom pristupu odgovarajući planarni uređaj se proizvodi na prenategnutoj
hibridnoj nanomembrani putem konvencionalne 2D procesne tehnike. Optimizacija unutrašnje
mehaničke niti u slojevima uređaja omogućava autonomno otpetljavanje planarne strukture od
trenutka kada bude oslobođena iz matičnog supstrata. Na taj način, kombinovanjem metoda od
dna nagore i nagore ka dnu, 3D ESE, sa uticajem na životnu sredinu za dva reda manje nego
njegov planarni protivmodel, može da bude proizveden. Takvo smanjenje predstavlja značajnu
dobit u gustini energije bez korišćenja konvencionalnih od gore na dole nanoproizvodnih
metoda, kao što je litografija električnim snopovima i/ ili nanostrukturisanje, na primer.
Višeslojni keramički kondenzatori su proizvedeni kontaktom nekoliko vertikalno postavljenih
slojeva u paralelnom odnosu. Potreban je veliki broj sedimentiranja, nagomilavanja slojeva ili
transfera membrana kako bi se sagradio napakovani uređaj. Da bi povećavao električni kapacitet,
neophodan je transfer sve tanjih izolacijskih slojeva sa debljinom koja je u domenu postojećih
tehnoloških ograničenja i mogućnosti. Ovaj izazov može biti izbegnut primenom umotane
nanotehnologije koja podrazumeva samo jedan korak.

2. Metode proizvodnje

Razvijajući ultrakompaktne elemente skladištenja elektrostatičke energije, u radu smo uspešno

primenjivali umotanu nanotehnologiju radi smanjivanja štetnog uticaja na životnu sredinu i
povećavanja električnog kapaciteta koristeći se Al2O3, TiO2 i HfO2 kao višeslojnim
izolatorima. Proces samogrupisanja, samostrukturisanja umotavanja je zaslužan za smanjenje
štetnog uticaja na životnu sredinu i povećanje električnog kapaciteta u datom okruženju.
Električna svojstva umotanih, ultrakompaktnih kondezatora (skraćeno na eng. UCCaps) su
sačinjeni kombinacijom izolatora različitih stepena k konstante. Dalje, demonstriramo strategije
povećanja električnog kapaciteta jednog elementa u datom okruženju, modifikujući geometriju
UCCaps-a (to jest, umotanih, ultrakompaktnih kondezatora). Kako bi se istakla fleksibilnost i
skalabilnost samogrupišućeg procesa opisanog u ovom radu, količina od 1600 UCCaps-a je
proizvedena paralelno na vafer platformi od 4 inča.
Koraci proizvodnje za procesne umotane UCCaps su shematski ilustrovani grafikonom 1(a-e):
Prevod teksta ispod grafikona:
Proces proizvodnje za umotane UCCaps. a) ređanje i oblikovanje prvobitnog sloja (Ge) koji se
dalje oksidizuje kako bi oformio GeOx, b) ređanje prve ploče (Au/ Ti) i oksidovanog višeslojnog
pakovanja, c) ređanje druge ploče (Cr) i oksidovanog višeslojnog pakovanja, d) slaganje vezanih
pločica (Cr/ Au) i otvaranje procepa, e) umotavanje UCCap, počevši od isprekidane linije, f)
sekvence slojeva planarne strukture, g) kompozicija višeslojnog izolatora debljine 7 nm, gde je x
debljina TiO2 ili HfO2, h) hrapavost površine merena pomoću AFM na ivici Cr/ oksid:
kvadratna srdeina približno 0.5 nm (Cr) i kvadratna sredina približno 0.9 nm (Cr/Al2O3/TiO2).
Optička mikroskopska slika procesnog kondezatora i) pre i j) posle umotavanja. Isprekidana
linija obeležava površinu koju je iskoristio planarni kondezator pre umotavanja, k) slika tipičnog
UCCaps niza koji ističke visoku reproduktivnost procesa.
- dalji nastavak običnog teksta-
Proces otpočinje mikrostrukturisanjem kondezatora sa dvostrukom planarnom pločom,
sekvencijalno ređajući metalne i oksidne slojeve povrh prvobitnog sloja, koji se selektivno
uklanja tokom otpuštanja uređaja iz njegovog matičnog supstrata. Sve oblikovanje je učinjeno
putem standardne fotolitografije. Prvo, Ge prvobitni sloj je fizička para koja se taloži na vrhu Si/
SiO2 supstrata (Grafikon, 1a). Dalje, prvobitni sloj se podleže procesu oksidizacije kako bi
oformio GeOx koji je rastvorljiv u vodi. Potom, zategnuta prva ploča UCCap se priprema
sekvencijalnim ređanjem 5 nm Au i 15nm Ti (Grafikon, 1b). Koristeći zlato kao prvi naređani
sloj rezultira u niskom stepenu lepljivosti celokupnog kondezatorskog uređaja procesuiranog na
vrhu. Ovo svojstvo ne-lepljenja omogućava dekomponovanje slojeva kondezatora koje je
potrebno za velike distance odmotavanja. Celokupni sloj je onda prekriven kombinacijom oksida
preko ređanja atomskih slojeva (RAS). Ovde se koristimo višeslojnim pakovanjem koje se
sastoji od Al2O3, HfO2 i TiO2 (Grafikon, 1g). Dalje, druga ploča kondezatora se formira
postavljanjem 20 nm izdvojenog Cr (Grafikon 1c). Najzad se drugi višeslojni oksid ređa pomoću
RAS, što je neophodno kako ne bi došlo do kratkog spoja između prve i druge ploče prilikom
odmotavanja planarnog kondezatora. Debljina i materijalna konfiguracija drugog sloja oksida je
identična prvom višeslojnom oksidu. Grafikon 1f predočava skicu sekvence oksidnih slojeva
koje formiraju planarni uređaj. Sledeći korak u proizvodnji se sastoji od pripremanja vezanih
pločica, prvo selektivnim otklanjanjem oksidnih slojeva putem HF graviranjem i drugo ređanem
20 nm Cr i 30 nm Au (Grafkion, 1d). Sva debljna i površinska hrapavost je su potvrđeni preko
sile atomske mikroskopije (SAM, na egleskom je skraćenica AFM) što je ilustrovano na
grafikonu 1h. Hrapavost površine posle ređanja donjeg Cr sloja (kvadratna sredina je približno
0.5 nm) je blago povećana u poređenju sa supstratom (kvadratna sredina je približno 0.3 nm).
Ređanje kod višeslojnog oksida (Al2O3/ TiO2) se blago uvećava i dostiže vrednost gde je
kvadratna vrednost približno 0.9 nm.
Posle mikroproizvodnje strukture planarnog kondezatora, supstrat je uronjen u vlažni gravirski
rastvor (H202) kako bi počeo sa selektivim otklanjanjem Ge/ GeOx prvobitnog sloja. Brzina
odmotavanja je držana oko 50 μm h na -1. Prilikom otpuštanja hibridne nanomembrane,
labavljenje zategnutosti vodi do uvijanja strukture (grafikon, 1e). Ova procedura umanjuje
površinu koju kondezator zauzima, vodeći do visoke Cpa (to je na engleskom skraćenica za
uvećanje električnog kapaciteta u okruženju gde se emituje). Vrednost Cpa je direktno zavisna
od dužine odmotavanja kao i od prečnika cevi koji može biti precino kontorlisan pomoću
nekoliko procesnih parametara, uključujući brzinu odmotavanja, debljine upotrebljenih tankih
filmova (slojeva) i izvesne mere njihovog ređanja, slaganja. Grafikon 1 i, j pokazuje optičke
mikroskopske slike uređaja pre (i) i posle (j) umotavanja. Umotani kondenzator formira se u
valjkastu strukturu sa prečnikom ≈15 μm i navijanjem ≈6. Umotvanje hibridne nanomembrane
rezultira u redukciji uticaja na životnu sredinu od ≈0.060mm 2 na ≈0.003 mm 2, što označava
redukciju od približno 20 puta. Grafikon 1k pokazuje optičku sliku tipičnog, umotanog
kondezatorskog niza, potvrđujući visoku reproduktivnost proizvodnog procesa sa zgoditkom od
približno 90%.

3. Rezultati i diskusija

Promena izolatorskog materijala kod elektrostatičkih kondezatora utiče na središte uređaja i kao
takvo predstavlja veliki izazov za proizvodnju uređaja, performans i funkcionalnost, što treba
suštinski da se ispita i optimizuje. Kako bismo optimizovali električna svojstva kondezatora
inkorporiramo HfO2 (k ≈ 20–25) i TiO2 (k ≈ 40–86) u Al2O3 matricu. Ako se na jednoj strani
očekuje povećanje električnog kapaciteta putem višeslojne kombinacije, onda se očekuje i
povećanje neželjene električne struje između ploča kondezatora. Ovaj efekat je očekivan s
obzirom na to da i HfO2 i TiO2 imaju manju količinu razlike u energiji (≈5.6 eV and ≈3.5 eV)
od Al2O3 (≈8.8 eV). Ovde ispitujemo električna svojstva višeslojnog oksida razvijenog preko
ALD, pre i posle samoumotavanja. Grafikon 2 predočava zavisnost električne struje u službi
primenjenog električnog polja za različite debljine slojeva Al2O3 (7, 10, 13, 16 i 19 nm) pre
umotavanja.

Tekst ispod grafikona: Ugrađivanje oksida sa visokim stepenom konstante k u kondezatore sa

nanomembranom. a) suvišna električna struja širom oksidnih slojeva je funkcija primenjenog
električnog polja (E) i debljine Al203. Strelica ukazuje na povećanje debljine: 7, 10, 13, 16 i 19
nm. Slom i kritičko polje Ec si indicirani. b, c) suvištna električna struja kao funkcija debljine
HfO2 i TiO2 (x) ugrađene u Al2O3 matricu. Strelica ukazuje na povećanje primenjene voltaže:
0,5, 1 i 1,5 V, ekvivalentno 0,7, 1,4 i 2,1 MV cm na -1. d-f) električni kapacitet kao funkcija
frekvencije (f) planarnih i umotanih uređaja: d) x=0 (100% Al2O3), e) x=4 nm (56% HfO2 +
44% Al2O3) i f) x=1,5 nm (21% TiO2 + 79% Al2O3). Povšrina kondezatora je 200 × 300 μm 2.

- nastavak teksta posle propagandnog, reklamnog programa i ispiranja mozga nacije-

Bez obzira na debljinu Al2O3, kritično (početak suvišne električne struje) polje i polje sloma se
nalaze između E crit ≈ 3.5 MV i E break ≈ 7.3 MV cm –1. Ove vrednosti su podudarne
sa tipičnim izveštajima o ALD razvijenim Al2O3 slojevima. Ovo demonstrira
da su svojstva Al2O3 oksidnih slojeva nezavisna od debljine sloja sve do
veličine reda od 7 nm. Pošto se električni kapacitet povećava sa
smanjivanjem debljine izolatora, kod umotanih uređaja sveobuhvatno
primenjujemo okside debljine 7 nm jer ispoljava malu količinu suvišne
električne struje u opsegu od nekoliko pA. Grafikon b,c pokazuje zavisnost
suvišne električne struje sa primenjenom sklonošću i sistematičnim
ugrađivanjem Hf02 i TiO2 (vidi višeslojno pakovanje u grafikonu 1g) u Al2O3
matricu. Sistematično ugrađivanje ovih oksida u Al2O3 izolatorsku matricu
vodi do povećanja suvišne električne struje. Bez obzira na meru ugrađenih
HfO2 i TiO2, totalna debljina svih višeslojnih izolatora je konstantna i iznosti
7 nm što ilustruje skica u grafikonu 1g. Iako je bilo moguće pripremiti HfO2
do 4 nm u Al2O3 od 3 nm, (grafikon 2b), samo 1,5 nm TiO2 je moguće
ugraditi (grafikon 2c), a da ne ugrozimo, uzurpiramo željenu, ciljanu
svedenost električnog “ curenja” (≈100 nA). Za TiO2, električno curenje je, pored niže
razlike u energiji, dalje povezana sa defektima u većoj gustini Ti-O veze, što zapravo materijal
čini poluprovodnim. Tako je minimum od 20 nm debljine TiO2 bio potreban da se proizvedu
kondezatori sa čistim TiO2 izolacijskim slojem, pokazujući prihvatljiv stepen električnog
curenja. Međutim, u prisustvu Al2O3 sloja na metalnoj ploči/ TiO2 ukrštanju (kao što je
prikazano na grafikonu 1g), električna svojstva su poboljšana susprezanjem električnog curenja.
Grafikon 2d pokazuje električni kapacitet-frekvenciju (C-F), tj, njihova merenja za planarne i
umotane kondezatore koji se sastoje od 100% Al2O3 sloja kao izolatorskog materijala. Električni
kapacitet ostaje skoro konstantan, iznoseći do ≈100 kHz za merenja izvedena sa AC amplitudom
od 50 mV. Početak opadanja električnog kapaciteta javlja se na frekvenciji od 1 MHz, što je
očekivano za tanke izolatore i elektrodne trake, slojeve. Kako se oksidi sa visokom izolacijskom
konstantom ugrađuju u Al2O3 matricu (grafikon 2e,f), električni kapacitet planarnih i umotanih
uređaja se povećava. Ugrađivanje materijala sa visokom izolacijskom konstantom dovodi od
povećavanja izolacijskih gubitaka. ALD razvijeni oksidi su uglavnom bezoblični i performans
kondenzatora može dalje biti poboljšan modifikovanjem slojeva hibridnog oksida tokom ili posle
pripremanja uređaja za termalni tretman. Ali, povećanje izolacijske konstante tokom termalnog
tretmana uzrokuje povećanje električnog curenja. Stoga, termalni tretman nije primenjen kod
prezentovanih oksidnih slojeva u datom slučaju.
Evaluacijom električnog kapaciteta hibridnog oksidnog sloja, izolacijske konstante HfO2 i TiO2,
koje su utemeljene u tankim slojevima, mogu se dobiti. U ovom slučaju, ekvivalentni električni
kapacitet može se modelovati kao serija strujnih kola koja se sastoje tri kondenzatora, gde svaki
od njih predstavlja individualni izolacijski materijal sa dobro poznatom debljinom. Iz analize
strujnih kola procenjujemo da su relativne izolacijske konstante: ≈7.2, ≈16, ≈45 za Al2O3, HfO2
i TiO2, što je uporedivo sa prethodno dobijenim rezultatima. Pošto donje metalne ploče obrazuju
dodatno ukrštanje sa gornjim oksidnim slojevima tokom umotavanja nanomembrane, totalni
električni kapacitet uređaja se uvećava prilikom umotavanja. Ovo uvećanje električnog
kapaciteta zavisi od zategnutosti navoja tokom umotavanja kao i od broja navoja u umotanom
kondezatoru. Zategnutost navoja može biti evaluirana uzimanjem prečnika kondezatora
umotanog uređaja (Croll) i njegove planarne vrednosti (Cpl) i jednakosti Croll/Cpl= 2 – 1krozN.
Teoretski, ova vrednost teži 2 jer broj navoja teži beskonačnosti. Kao što je predstavljeno
grafikonom 3a,b povećanje totalnog električnog kapaciteta posle umotavanja nanomembrane je
evidentno za sve izolacijske kompozicije.

Prevod teksta ispod grafikona: ugrađivanje izolatora sa visokim stepenom konstante k u umotane
UCCaps. Opseg umotanih do planarnih električnih kapaciteta (Croll/Cpl) sa a) HfO2 i b) TiO2
ugrađivanjem. Umetnuti grafikoni pokazuju krossekcionalni SEM pogled na UCCaps. Navoji su
ukazani plavim strelicama. c) električni kapacitet u zoni životone sredine, Cpa, i uvećanje Cpa za
UCCaps kao funkcije ugrađenih HfO2 i TiO2. Merenja su izvedena na frekvenciji od 1kHz i sa
AC amplitudom od 50 mV. Totalna debljina višeslojnog oksida je konstantna (7 nm).

Evaluacijom Croll/ Cpl, električni kapacitet umotanih umotanih kondezatora zasnovanih na

izolacijskom sloju od 100% Al2O3 (x=o u grafikonu 3a) kao i višeslojnih Al2O3-TiO2 (grafikon
3b) povećava se za faktor od ≈1.3. Prilikom ugrađivanja HfO2, uvećanje od tipično 1.7 je
zapaženo prilikom umotavanja. S obzirom na broj upotrebljenih navoja (približno 6), očekuje se
da faktor uvećavanja električnog kapaciteta bude približno 1.8 za sve uređaje. Pošto je brzina
umotavanja bila konstantna, glavni razlog devijacije od izračunate vrednosti jeste postojanje
razmaka, praznina između labavih navoja. Ova mogućnost je potkrepljena slikama dobijenim
krossekcionalnim skeniranjem putem električnog mikroskopa (SEM), što je prikazano na
umetnutom dijagramu u grafikonu 3a,b. Kao što se očekuje, SEM slike uređaja zasnovanih na
HfO2 pokazuju veoma zategnute navoje gde se ne primećuju praznine. Zategnutost prethodnih
navoja može biti dalje potkrepljena optimizovanjem procesnih parametara, kao što su brzina
umotavanja, debljina upotrebljenih tankih slojeva i njihova izvesna brzina ređanja, kao i dužina
umotavanja. Kao što će kasnije biti diskutovano, povećanje električnog kapaciteta kod velikog
broja navoja ( iliti 22), koje je blisko pretpostavljenim teoretskim vrednostima, uspešno je
zadobijeno. Grafikon 3c pokazuje povećanje Cpa umotanih uređaja kao funkcije mere ugrađenih
HfO2 i TiO2. Ugrađivanje oksida sa visokim stepenom konstante k omogućava postizanje
povećanja Cpa čak do 100%, za razliku od UCCaps koji koristi samo Al2O3 kao izolator.

3.1. Optimizacija geometrije umotanih uređaja

Pored minijaturizacije opsega uređaja i povećanja njegovog električnog kapaciteta, primene kao
što je MEAS zahtevaju sposobnost povećanja mere paralenog proizvođenja uređaja. Stoga, pored
ustrojavanja električnog kapaciteta UCCaps ugrađivanjem HfO2 i TiO2, uređaji mogu biti
propisno dizajnirani u različitim konfiguracijama kako bi omogućili bolju integraciju, paralelnu
proizvodnju, veči faktor kompaktnosti i povećani električni kapacitet po elementu. Kao što se
vidi na grafikonu 4, UCCaps sa različitim geometrijskim sklopom mogu biti sprempljene na
vafer platformi od 4 inča, što ilustruje veliku proizvodnu fleksibilnost. Kao prvi pokušaj
povećavanja načelnog električnog kapaciteta UCCap-a, planarna struktura je dizajnirana i
proizveden kroz metod,tehniku uračunavanja napegnutosti sistema kako bi se omogućilo
umotavanje dužih cevi i posledično većih aktivnih površi. Ograničenja u daljem povećavanju
površi planarnog uređaja su uglavnom zadate gustinom defekat prisutnih na metalnom/oksidnom
sloju i/ili na suspstratu i njegovim proporcijama (dužina x širina). Ovde je gustina defekata
redukovana usvajanjem konvencionalnih procedura čišćenja supstrata zasnovanog na
oksigenskoj plazmi, koristeći osrednji stepen slaganja slojeva kako bi se izbegao pritisak na
postavljenim slojevima (i posledičnog prisustva pukotina na pločicama) i izvođenjem ALD
slaganja na 200 celzijusove skale. Proporcije su istražene kako bi se maksimalizovala aktivna
površina uređaja, s obzirom na posebnu višeslojnu kombinaciju usvojenu ovde (vidi gafikon 1f).
Optimalne vrednosti koje omogućavaju efikasno umotavanje sa minimumom gubitaka i defekata
kod uređaja su 0.5 × 1 mm 2 , 0.5 × 0.5 mm 2, 1 × 0.5 mm 2. Grafikon 4a pokazuje kondenzator
umotanog od 0.5 × 1 mm 2 planarne strukture pri brzini umotavanja od ≈50 μm h –1. Dok je
dužina umotavanja istovetna kao i kod prethodno prijavljenih kondenzatora, krajnja cev je dva
puta duža.
Za svako dodatno namotavanje prečnik cevi se poveća za dva puta debljine sloja( ≈54 nm, vidi
grafikon 1f). Pridaje ukupno od ≈2.3 μm spoljašnjem prečniku cevi posle 22 namotaja. S
obzirom na to da je merenje prečnika cevi izvedeno optičkom mikroskopijom, njegovo
povećanje usled dodatno 22 namotaja je približno precizno izmerenoj veličini (≈1 μm). Dakle,
bez obzira na broj namotaja izvedenih ovde, smatramo da je prečnik cevi održan na veličini od
13 μm ±1 μm. Za uređaj na grafikonu 4a, to predstavlja redukciju otiska u životnoj sredini
faktora 70 – 90 (od planarne strukture površine 0.5 mm 2 u 3D cevoliku strukturu sa ne manje od
0.008± 0.001 mm 2 povšrine). Umetnuti grafikon na grafikonu 4a pokazuje električni kapacitet
na Al2O3 zasnovanom UCCap izmerenog pre i posle umotavanja. Posle formiranja UCCap sa
približno 22 namotaja, električni kapacitet se povećava za faktor do približno 1.8 (od ≈5 nF do
≈9 nF), što je blizu maksimumu teoretske vrednosti od približno 1.9. U ovom slučaju, labavi
namotaji su odgovorni za prilbižno osam posto gubitka u dodatnoj zoni interferencije. Uvodeći u
obzir smanjenje otiska na životnu sredinu, Cpa evoluira od 1.8 μF cm –2 do 130 μF
cm –2. Takve vrednosti su saglasne sa prethodno prijavljenim radovima jednom kada se debljina
oksidnog sloja uzme u obzir.
Slićno onome što je bilo primećeno za manje UCCap,izmereni električni kapacitet uređaja sa
većom površinom je skoro konstantna sve do 5kHz za planarne i umotane uređaje i, takođe, slaže
se sa prezodno prijavljenim rezultatima. Ovo sugeriše da proces umotavanja niti dodaje defekte
uređaju niti proizvodi mikropukotine u izolartorskim slojevima. Fazni ugao za planarne kao i za
umotane uređaje je blizu -90 stepeni sve do približno 5 kHz što potvrđuje puno kondenzatorsko
ponašanje i zanemarljive gubitke UCCap-a unutar ovog opsega. Tehnologija koja je
demonstirana ovde isto omogućava kreiranje samoumotavajućih kondenzatora sa duplom cevi
koji su električno paralelno povezani (vidi grafikon 4b), što otvara mogućnost za raznovrsnije
sisteme. Pored toga što dozvoljava bolju upotrebu optimalnih proporcija, ovaj tip geometrije
takođe omogućava pozicioniranje UCCap-a tamo gde su potrebni. Dalje, ovaj novi dizajn sa
dvostrukom cevi zadovoljava odgovarajuću arhitekturu idealizovano da može električno da
upravlja autonomnim sistemima. U okviru celokupunog kapaciteta skladištenja energije,
kondenzator sa dvostrukom cevi na grafikonu 4b predstavlj istu vrednost električnog kapaciteta
kao i element pokazan na grafikonu 4a (≈9 nF), što podeljeno u dve isprepletene umotane
strukture. Dve UCCap su paraleno povezane elektronskim putem i dele iste vezivne podloge.
Grafikon 4c pokazuje element koji se sastoji od dve cevi duge 1 mm koje ponaosob sadrže
približno 10 namotaja i sumirajući totalni električni kapacitet do ≈18nF i Cpa od ≈180 μF cm –2,
što je izračunato putem otiska na životnu sredinu same cevi. S obzirom na to da je debljina
aluminijum oksida postavljena na 7nm, kako bi curenje električne struje držala pod kontrolom,
vrednost koja je dobijena za Cpa je dobra kao ona koja je zabeležena u prethodno zabeleženim
umotanim kondenzatorima formiranih od 3 – 4 nm oksidnih slojeva. Razmera Croll/Cpl u ovom
slučaju je približno 1.8 i slaže se sa teoretskom granicom (približno 1.9) uzimajući u obzir broj
namotaja svake cevi. Ovo ukazuje na činjenicu da u proseku prisustvo praznina između
prethodnih namotaja je zaduženo za gubitak od prilbižno 6 posto dodirnog područja koji se kreira
tokom procesa umotavanja. Kao što je pokazano kod manjih i pojedinačnih cevi UCCap-a,
proces može da bude povećan za jedan stepen više za uređaje sa dvostrukom cevi. Grafikon 4d
pokazuje deo od dugačkog niza UCCap-a sa dvostrukom cevi proizvedenih paraleno na Si/SiO2
platformi od 4 inča (grafikon 4e). Ukupno je proizvedeno 1600 UCCap-a. Drugi način da se
poboljša prostor neophodan za fabrikaciju uređaja jeste paraleno umotavanje dva ili više UCCap-
a iz domena istog supstrata. Dva potpuna žrtvujuća/kondenzatorska pakovanja slojeva se
procesuiraju jedan preko drugog, a onda umotavaju paralelno. Zavhaljujući kreiranju obrazaca,
početak druge cevi se odlaže što je ilustrovano na grafikonu 4e. Posle duplog umotavanja, finalni
uređaj koji se sastoji od dva paralelna, spojena UCCap-a prikazan je na grafikonu 4f. Ukratko,
ukupni električni kapacitet može da bude uvećan posle umotavanja kao i istraživanje novih
geometrija kao što je proizvođenje dva UCCap-a koji se paralelno dodiruju sa dva ili više
napakovanih UCCap-a. Otisak električnog kapaciteta u životnoj sredini može biti povećan
većom daljinom umotavanja i uglavnom je ograničen gustinom defekata kod naslaganih slojeva.
Posle umotavanja planarne strukture, prazno područje na vafer papiru može da bude dalje
procesuirano. Pomoću pametnog plana uređaja, električni kapaciteti bi mogli, na primer, da se
proizvode na sečenoj površini (kockaste linije) između kalupa što je tipično između 200–300 μm
u zavnistosti od sečiva za sečenje na kockice. Kondezatori mogu onda da budu umotani na
aktivnu površinu kocke, minimalizujući otisak na životnu srediju koju uređaj ostvaruje.
Alternativno, moguće je da se uređaji odvoje od matičnog supstrata i regrupišu kako bi oformili
kompaktnu ćeliju za skladištenje energije, koristeći dobro uspotavljene metode transfera. Na taj
način, mnogo veći električni kapaciteti po otisku u životnoj sredini mogu da se realizuju što
može da bude istraženo za mnoge mikrometarske elektronske komponente kao što su autonomni
mikrosistemi. Ovo nije moguće za proširene, dvodimenzionalne prevlake kondenzatora. Ovakav
pristup omogućava transfer na fleksibilnije supstrate, kao i vertikalno regrupisanje UCCap-a. S
obzirom na stvaranje elektrostatičke ESE za MEAS, ugrađivanje višeslojnoj oskida sa visokom k
u veće umotane površine (na primer, grafikon 4c) može da dovede do povećanja totalnog
električnog kapaciteta do ≈40 nF i Cpa ≈400 μF cm –2. Zasada, bilo je moguće umotati jedan
milimetar dugu kondenzatorsku traku. Konstantno poboljšavajući gustinu defekata da omogući,
na primer, umotane strukture sa aktivnom površinom od ≈10 mm 2, moguće je realizovati Cpa
veličine do ≈1.5 mF cm –2, uzimajući u obzir kongifuraciju sloja prikazanu na grafikonu 1g, f.
Prevod teksta ispod grafikona: UCCaps sa različitim geomtrijskim osobinama na vafer platformi
od 4 inča. a-c) optičke mikroskopske slike umotanog kondezatora sa različitim oblicima i
veličinama, koristeći Al2O3 (7 nm) kao izolacijski sloj. Planarni kondezator umotan u cevi sa
13µm ± 1µm u prečniku, nezavisanom od usvojenih oblika i veličine planarnog uređaja. Strelice
ukazuju na smer umotavanja. a) jedan UCCap je umotan od 0.5 mm kvadratnih planarne
površine. Umetnuti grafikon ilustruje električni kapacitet kao funkciju frekvencije UCCaps-a pre
i posle umotavanja. b) dupla cev UCCap umotana od 0.5 mm kvadratnih planarne površine. c)
dupla UCCap umotana od 1 mm kvadratnog planarne površine. d) niz duple cevi UCCaps-a
spremljenog na vafer platformi od 4 inča. e) niz dva paralelno umotana UCCaps-a tokom
umotavanja. f) vrh: dva paralelna UCCaps tokom umotavanja, dno: dva paralelna UCCaps-a
posle uspešnog pakovanja. g) vafer, Si/SiO2 od 4 inča koji sadrži skoro 1600 UCCaps-a
procesuiranih paralelno.
3.2 TEM superešetki umotanih kondenzatora

Kako bismo dobili dalje uvide u kompoziciju materije finalne UCCap, izvodi se krossekcionalna
transimisija slika preko elektronske mikroskopije (TEM). Pakovanje slojeva može biti lepo
vizuelizovano u fokusiranom jonskom zraku (FJZ), zasečenom blizu uzdužne ose cevi UCCap-a
(grafikon 5). Globalni pregled TEM na grafikonu 5a pokazuje 14 sukcesivnih navoja blisko
složenih. Visoko uvećana slika na grafikonu 5b ukazuje na individualnu slojeve tri sledstvena
navoja blizu površine unutrašnjeg, prazne srži UCCap-a. Obe TEM slike pokazuju interfejse bez
vidljivih defekata između sledstvenih navoja UCCap-a. Materijalna kompozicija višeslojnog
sistema je evaluirana putem energetsko-disperzivne X-zrak spektroskopije (EDX) u
skenirajućem modelu (STEM). Stopljene bojom-kodirane EDX mape su prikzana na grafikonu
5c. Individualne elementarne mape su prikazane na grafikonu 5d-f za Ti (roze), Al(yellow), i Cr
(plava). Vrh slike bez EDX singala potiče od prazne srži UCCap. Naslagani sistem slojeva
kondezatora kod jednog navoja sastoji se od 10 nm Ti, 7 nm Al2O3, 12 nm Cr i 7 nm Al2O3.
Evaluacija mapa omogućava jasno razlikovanje svakog sloja kondenzatora, sa debljinom
bliskom onom koje su ciljane. Materijalna kompozicija je homogena unutar svakog sloja i
nijedna vidljiva interdifuzija nije primećena. Blisko naslagani slojevi potvrđuju zaključak da
umotavanje kreira dodatnu aktivnu površinu što značajno uvećava konačni električni kapacitet
uređaja.
Prevod teksta ispod grafikona: krossekcionalne TEM slike 1 mm dugačkog umotanog UCCapsa.
a) globalni pogled sekcije od 14 upakovanih slojeva kondenzatora. b) visoko povećana slika
regije bliske unutrašnjoj praznoj srži cevi što ukazuje na 3 sledstvena višeslojna pakovanja. c)
bojom-kodiran STEM-EDX mapa iste regije prikazane u (b). Boje su: roze za Ti (d), žuta za Al
(e), i plava za Cr (f). Skala za (b – f) je 20 nm.

4. ZAKLJUČAK

Težeći ka stvaranju elemenata za skladištenje elektrostatičke energije koje mogu efikasno da

budu korišćene u različitim minijaturizovanim autonomnim sistemima, demonstirali smo
mogućnost konstruisanja ultrakompaktnih kondenzatora, koristeći umotanu nanotehnologiju.
EDX spektar pokazuje blisko pakovani slojeviti sistema bez materijalne interdifuzije. Dok je
samorganizovanje odgovorno za uvećavanje otiska električnog kapaciteta u životnoj sredini i
sveukupnog električnog kapaciteta uređaja, moguće je korigovati njihova električna svojstva
ugrađivanjem oksida sa visokim stepenom k kao što su TiO2 i HfO2. Zapravo, koriščenjem
višeslojnih izolatora može da poveća električni kapacitet UCCap za 100%. Proizveli smo UCCap
sa skoro dva reda manjom veličinom otiska na životnoj sredini u pređenju sa njegovim planarnim
protivprimerom. Pri umotavanja električni kapacitet može biti dalje poboljšan blizu vrednosti
koja je dvostruko veća nego neumotane planarne strukture. Tehnika umotavanja rezultira u
značajnoj redukciji dimenzije jednog uređaja što ne samo da utiče na električna svojstva UCCap,
nego omogućava bolju integraciju uređaja u minijaturizovanim autonomnim sistemima.
Ukupno 1600 UCCap sa različitim geometrijama su spremljene Si/SiO2 vaferu od 4 inča, ističući
fleksibilnost paralelnog proizvodnog procesa. Daljim redukovanjem gustine defekata i kod
naslaganih slojeva i kod supstrata, mogu se proizvesti uređaji sa značajno većom površinom.
Tako, ne samo načelni električni kapacitet, nego i Cpa može biti povećana. Alternativno,
materijali sa visokom k, kao što je keramička tanka traka sa izolatorskom trakom koja premašuje
100, može biti ugrađena u umotane strukture. Za primenu gde svojstva kao punjenje/ne-punjenje
interval, broj izvedenih ciklusa i životni vek nisu kritični, korišćenje elektrolita u čvrstom stanju
može piti put ka kreiranju umotanih superkondenzatora.

Eksperimentalna sekcija

Proizvodnja uređaja: 20 nm Ge žrtvujućeg sloja je naslagana RF raspršivanjem preko Si/SiO2

supstrata koji je pretvoren u šablon. Posle slaganja, Ge se podleže 12h proceduri oksidacije u
rerni na 60 stepeni celzijusa pod oksigenizovanim okruženjem. Prva kondenzatorska ploča koja
se sastoji od 5 nm Au i 15 nm Ti sledstveno naslaganih ispravanjem indukovanim elektro-
zracima na bazičnom pritisku od p 0 = 1 × 10 −7 mbar i veličine 1 Å s –1 .