1.lab01 Altium-SMD PDF

04-221-303 วิชาปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม 3 ผู้สอน ดร.อภิรักษ์ เสือเดช และ อ.
รุ่งลาวัลย์ ชูสวัสดิ์
ใบงานการทดลองที่ 1
การออกแบบลายวงจรพิมพ์ PCB โดยใช้อุปกรณ์ประเภท SMD ด้วยโปรแกรม Altium Designer
1. ชื่อ-สกุล....................................................................รหัส.......................................ห้อง..........................
2. ชื่อ-สกุล....................................................................รหัส.......................................ห้อง..........................
จุดประสงค์
1. เพื่อให้นักศึกษาเข้าใจคุณสมบัติโครงสร้าง และรู้จักฟุตปริ้นต์ (FootPrints) ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
ประเภท SMD
2. เพื่อให้นักศึกษามีทักษะในการใช้งานโปรแกรมการออกแบบลายวงจรพิมพ์ (PCB) สําหรับอุปกรณ์
ประเภท SMD
อุปกรณ์ที่ใช้ในการทดลอง
1. เครื่องคอมพิวเตอร์สําหรับประมวลผล 1 เครื่อง
2. โปรแกรมออกแบบลายวงจรพิมพ์ (Altium Designer) 1 โปรแกรม
ตอนที่ 1 : เนือ้ หาและทฤษฎีที่เกี่ยวข้อง

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก หรือที่เรียกว่า Surface Mount Device (SMD) ปัจจุบันนั้นมีหลาย
ประเภทให้เลือกใช้งาน ตามหน้าที่การใช้งานหรือขึ้นอยู่กับขนาดของชิ้นงานที่ต้องการ ซึ่งถ้าจะแยกชนิดตาม
รูปแบบการผลิตตามอุปกรณ์มาตรฐาน เราสามารถแบ่งได้เป็น 3 ประเภท ดังนี้
1.1 อุปกรณ์ประเภทพาสซีฟ (Passive Surface Mount Components)

1.1.1 ตัวต้านทานแบบ SMD (Resistor SMD)
เป็นตัวต้านทานที่ใช้ในการติดตั้งบนแผ่น PCB เนื่องจากมีขนาดที่เล็กกว่าตัวต้านทานแบบ
ปกติ และยังสามารถติดตั้งแบบ Surface Mount คือติดตั้งบนตัวบอร์ดโดยไม่ต้องเจาะรู ทําให้สามารถใช้พื้นที่
ของแผ่น PCB ได้ทั้ง 2 ด้านอีกด้วยโดย ตัวต้านทานแบบ SMD เรียกอีกอย่างว่าตัวต้านทานแบบชิป แสดงดัง
รูปที่ 1.1
รูปที่ 1.1 ลักษณะตัวถังและโครงสร้างพื้นฐานตัวต้านทานแบบชิป
หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 1

04-221-303 วิชาปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม 3 ผู้สอน ดร.อภิรักษ์ เสือเดช และ อ.รุ่งลาวัลย์ ชูสวัสดิ์
สําหรับตัวต้านทานแบบชิปที่ใช้ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปแบ่งเป็น 2 ชนิด คือ

1) ตัวต้านทาน SMD แบบฟิล์มหนา (Thick film resistor)
เป็นตัวต้านทานที่ผลิตจากกระบวนการเคลือบฟิล์มแบบสกรีนหรือการพิมพ์ (screen and
printing) ของสารประกอบเซรามิคที่สามารถนําไฟฟ้าได้เช่นเดียวกันกับแบบฟิล์มบางแล้วทําการเผาที่
อุณหภูมิประมาณ 850 องศาเซลเซียส ตัวต้านทานชนิดนี้มีค่าเปอร์เซ็นต์ความผิดพลาดประมาณ 1 หรือ 2%
และสัมประสิทธิอุณหภูมิราว +250 พีพีเอ็ม เป็นตัวต้านทานที่มีราคาถูกและผลิตได้ในปริมาณสูงๆ
2) ตัวต้านทาน SMD แบบฟิล์มบาง (Thin film resistor)
เป็นตัวต้านทานที่ผลิตด้วยการเคลือบฟิล์มบาง (โดยมากเป็นฟิลม์นิโครม) ด้วยเทคนิค
สปัตเตอร์ริ่งลงบนซับสเตรท (อลูมินัม A2IO3) ในแชมเบอร์สุญญากาศและกัดเซาะฟิล์มบางให้เป็นลวดลายเพื่อ
ปรับค่าความต้านทานด้วยเทคนิคทางแสง ฟิล์มที่นํามาใช้งานมักจะเป็น แทนทาลัมไนไตร์ (TaN) รูธีเนียมได
ออกไซด์ (RuO2) ตะกั่วออกไซด์ (PbO) หรือนิโครม (NiCr) เป็นต้น มีค่าเปอร์เซ็นต์ความผิดพลาดประมาณ
0.1 0.2 0.5 และ 1 % ตามลําดับ การปรับแต่งความต้านทานค่าทําได้ด้วยลําแสงเลเซอร์มีค่าสัมประสิทธิ
อุณหภูมิราว 5 ถึง 25 ppm
รูปที่ 1.2 ตัวต้านทาน SMD แบบฟิล์มหนา และฟิลม์ บาง
ตารางที่ 1.1 แสดงขนาดตัวต้านทานแบบ SMD

รูปที่ 1.3 ขนาดทั่วไปของตัวต้านทานมาตรฐานแบบชิป
- การอ่านค่าตัวต้านทานแบบ SMD
เราสามารถอ่านค่าความต้านทานได้ โดยดูจากตัวเลขที่ระบุอยู่บนตัวถังของมัน โดยตัวต้านทานแบบ
SMD ปกติแล้ว จะมีตัวเลข 3 หรือ 4 หลัก โดยมีหลักการอ่านค่าดังนี้
1) แบบเลข 3 หลัก
- เลขตัวหลังสุด บอกจํานวนเลข 0 ที่ต่อท้าย คือจํานวน 10 ยกกําลังนั่นเอง
- เลขตัวหน้าอีก 2 ตัว บอกค่าความต้านทาน
- การอ่านค่า ให้นําเอาเลข 0 ตามจํานวนเลขตัวหลัง มาต่อกับเลข 2 ตัวหน้าได้เลย
- ข้อยกเว้น ถ้าค่าความต้านทานน้อยกว่า 10 โอห์ม จะใส่ตัว R คั่นไว้ข้างหน้า ซึ่งตัว R
หมายถึงจุดทศนิยม
2) แบบเลข 4 หลัก
- หลักการอ่านเหมือนแบบ 3 หลัก เพียงแต่เพิ่มเลขตัวหน้าจาก 2 เป็น 3 ตัว
- ตัวอย่างการอ่านค่า
330 คือ 33 โอห์ม เพราะเลข 0 ตัวหลังสุดหมายถึง มีจํานวนเลข 0 ต่อท้ายอยู่ 0 ตัว 471 คือ 470
โอห์ม เพราะเลข 0 ตัวหลังสุดหมายถึง มีจํานวนเลข 0 ต่อท้ายอยู่ 1 ตัว 5602 คือ 56000 โอห์ม เพราะเป็น
ตัวต้านทานแบบ 4 หลัก โดยมีค่าอยู่แล้ว 560 และนํามารวมกับเลข 0 อีก 2 ตัว 2R2 คือ 2.2 โอห์ม เพราะ R
ทําหน้าที่เป็นจุดทศนิยม R33 คือ 0.33 โอห์ม เพราะมีค่าเท่ากับ .33 หรือ 0.33 นั่นเอง
1.1.2 ตัวเก็บประจุแบบ SMD (Capacitor SMD)

ตัวเก็บประจุแบบ SMD หรือ แบบชิปเป็นอุปกรณ์ที่เหมาะสมในการนํามาใช้งานกับวงจรกรองความถี่
สูงมาเป็นพิเศษ เนื่องจาก ไม่มีขาและยังสามารถถูกติดตั้งให้อยู่ใกล้กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความเร็วสูงได้ง่าย
เป็นต้น การใช้ตัวเก็บประจุแบบชิปเป็นที่แพร่หลายมากภายในปัจจุบันโดยตัวเก็บประจุสามารถแบ่งได้เป็น 3
ชนิดคือ ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ (Fixed Capacitor) ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ (Variable Capacitor)
และ ตัวเก็บประจุแบบเลือกค่าได้ (Select Capacitor) ซึ่งแบ่งย่อยออกไปได้อีกตามวัสดุที่สร้างขึ้นมา
รูปที่ 1.4 ตัวเก็บประจุ SMD ชนิดต่างๆ

ลักษณะโครงสร้างของตัวเก็บประจุแบบ SMD
รูปที่ 1.5 โครงสร้างพื้นฐานของตัวเก็บประจุแบบชิป
สารไดอิเล็กทริกที่ใช้ในตัวเก็บประจุแบบชิป
ตามมาตรฐานของ EIA RS-198 ได้มีการกําหนดชื่อของสารไดอิเล็กทริกแต่ละชนิดเอาไว้ได้แก่ COG
หรือ NPO, X7R, Z5U และ Y5V สําหรับตัวเก็บประจุที่ ใช้สารไดอิเล็กทริกเป็น COG หรือ NPO จะถูก
นําไปใช้ในงานที่ต้องการความเสถียรต่ออุณหภูมิ และความถี่สูง ในขณะที่สารไดอิเล็กทริกแบบ X7R, Z5U
และ Y5V จะมีความ เสถียรน้อยกว่า โดยมากจึงถูกใช้เป็นตัวเก็บประจุคัปปลิ้งหรือบายพาสในวงจร
ตารางที่ 1.2 แสดงสารไดอิเล็กทริกที่มผี ลต่อค่าความจุของตัวเก็บประจุ
รูปที่ 1.6 ขนาดทั่วไปของตัวเก็บประจุมาตรฐานแบบชิป

1) ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ (Fixed Capacitor)

คื อ ตั ว เก็ บ ประจุ ที่ ไ ม่ ส ามารถเปลี่ ย นแปลงค่ า ได้ โดยปกติ จ ะมี รู ป ลั ก ษณะเป็ น วงกลม หรื อ เป็ น
ทรงกระบอก ซึ่งมักแสดงค่าที่ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่มีใช้งานในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปมีดังนี้คือ
1. ชนิดอิเล็กโตรไลต์ (Electrolyte Capacitor)เป็นที่นิยมใช้กันมากเพราะให้ค่าความจุสูง มีขั้วบวก
ลบ เวลาใช้งานต้องติดตั้งให้ถูกขั้ว โครงสร้างภายในคล้ายกับแบตเตอรี่ นิยมใช้กับงานความถี่ต่ําหรือใช้สําหรับ
ไฟฟ้ากระแสตรง มีข้อเสียคือกระแสรั่วไหลและความผิดพลาดสูงมาก
รูปที่ 1.7 ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์แบบ SMD

2. ชนิดแทนทาลั่มอิเล็กโตรไลด์ (Tantalum Electrolyte Capacitor) ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่
ต้องการความผิดพลาดน้อยใช้กับไฟฟ้ากระแสตรงได้อย่างมีประสิทธิภาพ มักจะใช้ตัวเก็บประจุชนิดแทน
ทาลั่มอิเล็กโตรไลต์แทนชนิดอิเล็กโตรไลต์ธรรมดา เพราะให้ค่าความจุสูงเช่นกัน โครงสร้างภายในประกอบด้วย
แผ่นตัวนําทํามาจากแทนทาลั่มและแทนทาลั่มเปอร์ออกไซค์อีกแผ่น นอกจากนี้ยังมีแมงกานิสไดออกไซค์ เงิน
และเคลือบด้วยเรซิน
รูปที่ 1.8 ตัวเก็บประจุชนิดแทนทาลั่มอิเล็กโตรไลด์แบบ SMD
3. ชนิดไบโพล่าร์ (Bipolar Capacitor) นิยมใช้กันมากในวงจรภาคจ่ายไฟฟ้ากระแสตรงเครื่องขยาย

เสียง เป็นตัวเก็บประจุจําพวกเดียวกับชนิดอิเล็กโตรไลต์ แต่ไม่มีขั้วบวกลบ บางครั้งเรียกสั้น ๆ ว่า ไบแคป
รูปที่ 1.9 ตัวเก็บประจุชนิดไบโพล่าร์ SMD
4. ชนิดเซรามิค (Ceramic Capacitor) เป็นตัวเก็บประจุที่มีค่าไม่เกิน 1 ไมโครฟารัด ( F) นิยมใช้กัน

ทั่วไปเพราะมีราคาถูก เหมาะสําหรับวงจรประเภทคัปปลิ้งความถี่วิทยุ ข้อเสียของตัวเก็บประจุชนิดเซรามิคคือ
มีการสูญเสียมาก
รูปที่ 1.10 ตัวเก็บประจุแชนิดเซรามิค SMD

2) ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ (Variable Capacitor)

คือค่าการเก็บประจุจะเปลี่ยนแปลงไปตามการเคลื่อนที่ของแกนหมุน โครงสร้างภายในประกอบด้วย
แผ่นโลหะ 2 แผ่นหรือมากกว่าวางใกล้กัน แผ่นหนึ่งจะอยู่กับที่ส่วนอีกแผ่นหนึ่งจะเคลื่อนที่ได้ ไดอิเล็กตริกที่ใช้
มีหลายชนิดด้วยกันคือ อากาศ ไมก้า เซรามิค และพลาสติก เป็นต้น
รูปที่ 1.11 ตัวเก็บประจุแบบเลือกค่าได้แบบ SMD
-การอ่านค่าตัวเก็บประจุแบบ SMD
ตารางที่ 1.3 แสดงค่าผิดพลาดและอัตราทนแรงดันบนตัวเก็บประจุ
รูปที่ 1.12 ตัวอย่างการอ่านตัวเก็บประจุแบบ SMD
แถวที่ 1 คือ ค่าเก็บประจุ

หลักที่ 1 คือ ตัวเลข 1
หลักที่ 3 คือ 1000000(10 ยกกําลัง 6)
C = (หลักที่ 1รวม กับหลักที่ 2) X หลักที่ 3
= (10) X 1000000 pF
= 10000000 pF หรือ 10 uF
แถวที่ 2 คือ อัตราทนแรงดัน(V)และค่าผิดพลาด(%)


หลักที่ 3 คือ K = +-10%
แถวที่ 2 คือ Lot Code (ไม่ใช้)
C = (หลักที่ 1รวมกับหลักที่ 2) (หลักที่ 3)
= 16 V +-10%
C = 10uF (16V) (-+140%)
1.1.3 ตัวเหนี่ยวนํา (Inductor) แบบ SMD

เป็นอุปกรณ์ที่ใช้ในการเหนี่ยวนําไฟฟ้า โดยอาศัยหลักการสนามแม่เหล็กตัดผ่านขดลวด จะทําให้เกิด
การไหลของกระแสไฟฟ้าในขดลวด ซึ่งจะทําให้เกิดการเหนี่ยวนําขึ้น ตัวเหนี่ยวนําแบ่งออกเป็น 2 ชนิดคือ
แบบค่าคงที่และแบบปรับค่าได้ ตัวเหนี่ยวนําเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า อินดักเตอร์หรือเรียกย่อๆว่าตัวแอล (L)
หน่วยของการเหนี่ยวนําคือ เฮนรี่ (Henry)
ชนิดของตัวเหนี่ยวนําเราสามารถแบ่งชนิดตามวัสดุที่นํามาใช้ทําแกน เช่น แกนเซรามิค แกนเฟอร์ไรต์
แกนเหล็ก และแกนอลูมิเนียมเป็นต้นและยังมีแกนอื่นๆอีกที่นิยมโดยยังแบ่งย่อยลงไปอีกมีแบบ Shield และ
แบบไม่มี Shield
รูปที่ 1.13 ตัวเหนียวนําแบบ SMD
- ขนาดของ L แบบ SMD

มีทั้งแบบมาตรฐานและนอกมาตรฐานต้องวัดเทียบขนาดจากตางรางที่แสดงแบบมาตรฐานและตาราง
ที่ แสดงแบบน้องมาตรฐาน
รูปที่ 1.14 ขนาดตัว L แบบ SMD
ตารางที่ 1.4 แสดง L แบบมาตรฐาน

ตารางที่ 1.5 แสดง L แบบนอกมาตรฐาน
-การอ่านค่าความเหนีย่ วนํา
ค่าความเหนี่ยวนํามักแสดงโดยการพิมพ์ค่าลงบนตัวเหนี่ยวนํา แสดงเป็นรหัสตัวเลข หรือแสดงเป็น
แถบสีแบบตัวต้านทานส่วนค่าความผิดพลาดในกรณีการพิมพ์ค่าหรือใช้รหัสตัวเลขนั้นจะมีการพิมพ์เป็น
ตัวอักษร ดังนี้
กรณีพิมพ์ค่าบนตัวเหนี่ยวนําถ้าค่าความเหนี่ยวนําไม่เกิน 100 uH จะใช้ตัวเลข 3 ตัวและใช้ R แทนจุดทศนิยม

ดังนี้
1.2 อุปกรณ์ประเภทแอคทีฟ (Active Surface Mount Components)

เป็นอุปกรณ์ที่สามารถขยายกําลังสัญญาณได้มากกว่าเกิน 1 เท่า มีอัตราการสูญเสียของสัญญาณน้อย
อุปกรณ์เหล่านี้ได้แก่ ไดโอด ทรานซิสเตอร์ ไอซี เป็นต้น อุปกรณ์ SMD แบบแอกทีฟ แบ่งออกได้เป็นหลาย
ประเภท ดังนี้
1.2.1 Small Outline Transistor (SOT)
1.2.2 Small Outline Diode (SOD)
1.2.3 Small Outline Integrated Circuit (SOIC)
1.2.4 Small Outline J Package (SOJ)
1.2.5 Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC)
1.2.6 Quad Flat Package (QFP)
1.2.1 Small Outline Transistor (SOT)
ตัวถังของอุปกรณ์ SOT แบบ 3 ขา ที่นิยมใช้กันในปัจจุบันมีอยู่ 2 แบบ คือ
 SOT23 (T0236 ตามมาตรฐานของ EIA)

 SOT89 (หรือ T0243 ตามมาตรฐานของ EIA)

 SOT323 (หรือ SC70 ตามมาตรฐานของ EIA)
ส่วนอุปกรณ์ SOT แบบ 4 ขาที่นิยมใช่กันได้แก่ ตัวถังแบบ
 SOT143 (T0253 ตามมาตรฐาน EIA)
 SOT223 (T0261 ตามมาตรฐาน EIA)
 DPAK (T0252 ตามมาตรฐาน EIA)
(ก) SOT23 (ข) SOT323 (ค) SOT89
(ง) SOT143 (จ) SOT223 (ฉ) DPAK

(ก) โครงสร้างภายในของอุปกรณ์ SOT23
(ข) ขนาดของอุปกรณ์ SOT23

รูปที่ 1.16 โครงสร้างและขนาดของอุปกรณ์ SOT23
SOT23 สําหรับอัตราการทนกําลังไฟฟ้า (Power rating) ของชิ้นสาร กึ่งตัวนําค่าอยู่ที่ประมาณ 200
มิลลิวัตต์ และอาจสูงได้ถึง 350 มิลลิวัตต์

SOT89 (T0243) สารกึ่งตัวนําที่อยู่ภายในจะมีขนาด 0.06 x 0.06 นิ้ว มีอัตราทนกําลังไฟฟ้าอยู่ที่

500 มิลลิวัตต์และอาจสูงได้ถึง 1 วัตต์
SOT143 (T0253) ภายในตัวถังแบบ SOT143 อาจจะประกอบด้วยไดโอด 2 ตัว หรืออาจเป็น
ทรานซิสเตอร์ 2 ตัวสารกึ่งตัวนําที่บรรจุอยู่ภายในมีขนาด เพียง 0.025 x 0.025 นิ้ว
SOT223 (T0261) และ DPAK (T0252) ภายในอาจประกอบด้วยไดโอดหรือทรานซิสเตอร์แบบดาร
ลิงตันมี อัตราทนกําลังไฟฟ้าที่สูงมากที่สุดโดยอาจสูงถึง ง 1.75 วัตต์
1.2.2 Small Outline Diode (SOD)

ตัวถังแบบนี้มีทั้งแบบรูปร่างที่เป็นทรงกระบอกคือ SOD-80 หรือ MELF และแบบที่มีรูปร่างเป็น
สี่เหลี่ยม คือ SOD-123 และ SOD-323 โดยที่ไดโอดแบบ MELF (Metal Electrical Leafless Face) มี
รูปร่างเป็นทรงกระบอกสามารถกลิ้งไปมาได้ทําให้ค้อนข้างยุ่งยากเมื่อนําใช้ในกระบวนการผลิตแผงวงจร
(ก) SOD-80 หรือ MELF (ข) SOD-123 (ค) SOD-323
(ง) ขนาดของ Small Outline Diode

1.2.3 Small Outline Integrated Circuit (SOIC)

อุปกรณ์ SOIC นั้นได้ถูกพัฒนาขึ้นมาให้มีขนาดที่เล็กกว่าไอซีแบบ DIP เบอร์เดียวกันโดยขาของ
อุปกรณ์ SOIC จะเป็นขาแบบ Gull wing โดยทั่วไปอุปกรณ์ SOIC จะมีจํานวนขาตั้งแต่ 8 ขา, 14 ขา, 16 ขา,
20 ขา, 24 ขาและ 28 ขา มีความกว้างของตัวถังอยู่ 2 ขนาดด้วยกัน คือ 150 mils และ 300 mils
(ก) ลักษณะตัวถังของอุปกรณ์ SOIC

(ข) ขนาดของอุปกรณ์ SOIC

1.2.4 Small Outline J Package (SOJ)
ไอซีหน่วยความจําที่เป็นอุปกรณ์ SOJ มาใช้งาน ก็จะ ช่วยให้สามารถวางไอซีแต่ละตัวใกล้กันได้มาก
ยิ่งขึ้น เพราะ SOJ ไม่มีขายื่นออกด้านข้างเหมือนอย่างอุปกรณ์ SOIC สาเหตุที่เรียกไอซีชนิดนี้ว่า SOJ ก็เพราะ
ลักษณะขาของไอซีประเภทนี้ที่มีปลายขางุ้มเข้าไปในตัวถังเหมือนกับรูปตัวอักษร J
(ก) อุปกรณ์ Small Outline J Package
(ข) ขนาดของอุปกรณ์ Small Outline J Package

ช่องว่างตรงกลางระหว่างขาของแต่ละแถวจุดประสงค์ ก็เพื่อให้ผู้ใช้สามารถออกแบบลายวงจรลอดใต้
ตัวถังไอซีได้แต่อุปกรณ์ SOJ บางประเภทก็อาจไม่มีช่องว่างที่กล่าวนี้ เช่น อุปกรณ์พวกหน่วยความจํา จําพวก
Static RAM

1.2.5 Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC)

ลักษณะเด่นของอุปกรณ์ PLCC คือการมีขาแบบ J (J – lead) อยู่ทั้ง 4 ด้านรอบตัวถังเพื่อใช้แทนไอซี
แบบ DIP ที่มีจํานวนขามากกว่า 40 ขาขึ้นไป เนื่องจากไอซีแบบ DIP ที่มีจํานวนขามากกว่า 40 ขาจะมีขนาด
ใหญ่และใช้เนื้อที่บน แผงวงจรมากขึ้นนั่นเองมาตรฐานในการเรียกอุปกรณ์ PLCC ที่มีตัวถังเป็นสี่เหลี่ยมจัตรุรัส
ว่า MO-047 ซึ่งจะมีจํานวนขาเป็น 20 ขา, 28 ขา, 44 ขา, 52 ขา, 68 ขา, 68 ขา, 84 ขา, 100 ขาและ124
ขา
(ก) ตัวถังแบบ PLCC (ข) Socket ที่ใช้สําหรับตัวถังแบบ PLCC
(ค) ขนาดของตัวถังแบบ PLCC

1.2.6 Quad Flat Package (QFP)

ตัวถังอุปกรณ์ QFP จะมีส่วนคล้ายคลึงกันกับตัวถังของอุปกรณ์ PLCC เพียงแต่มีระยะพิตช์ที่น้อยกว่า
(ระยะพิตช์เท่ากับ 25 mils หรือน้อยกว่า) อุปกรณ์ QFP ที่มีระยะพิตช์เท่ากับ 25 mils นี้ทําให้มีจํานวนขา
มากขึ้นเป็น 256 ขา หรือมากกว่านั้น นอกจากนี้ยังมีขนาดเล็ก ที่มีจํานวนขาน้อยลง เช่น 32 ขา, 64 ขา 100
ขา, เป็นต้น โดยมีตัวถังเป็นทั้งรูปสี่เหลี่ยมจัตุรัส และรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้า ขนาดตั้งแต่ 5 x 5 มิลลิเมตร ถึง 28 x
28 มิลลิเมตร
(ก) ลักษณะตัวถังของ Quad Flat Package (QFP)

(ข) ขนาดของอุปกรณ์ Quad Flat Package (QFP)

1.3 Ball Grid Array (BGA)

Ball Grid Array Package (BGA) เทคโนโลยีการผลิตไอซีแบบ BGA เป็นเทคโนโลยีใหม่ล่าสุดใน
กระบวนการผลิตไอซีที่มีการคิ ดค้นขึ้ นเมื่ อปี ค.ศ. 1990 อันเนื่องจากการประกอบไอซีแบบมี ขา (Lead)
ขั้นตอนการผลิตที่ยุ่งยากมีขั้นการผลิตมาก จะต้องมีกระบวนการชุบขาไอซี (Solder Plate) กระบวนการ
ดังกล่าวจะมีสารเคมีและสารตะกั่วเกิดขึ้นในการชุบขาไอซีเพื่อเป็นการรักษาสิ่งแวดล้อมที่เกิดขึ้น วิศวกรใน
การออกแบบไอซีจึงคิดค้นวิธีการผลิตไอซีแบบ Ball Grid Array (BGA) ขึ้นซึ่งวิธีการดังกล่าวจะใช้ลูกบอล
ขนาดเล็ก 20 มิล(Mil)หรือ 20/1000 นิ้วแทนขาไอซี ลักษณะการออกแบบ BGA มีข้อดีคือสามารถผลิตไอซีที่มี
ขนาดเล็กและบาง มีจํานวนขามากถึง 2400 ขา ตามลักษณะการออกแบบและมีนํ้าหนักเบาสามารถออกแบบ
ผลิตภัณฑ์ทางด้านอิเล็กทรอนิกส์ให้ มีขนาดเล็กได้อาทิเช่นโทรศัพท์มือถือขนาดเล็ก เป็นต้น ลักษณะการต่อขา
ของไอซีดังแสดงในรูปที่ 1.22
รูปที่ 1.22 ลักษณะโครงสร้างของไอซี BGA

ชนิดของไอซีประเภท Ball Grid Array Packages (BGA) สามารถแบ่งเป็นไอซีตระกูลต่างๆได้ดังนี้คือ

แบบเซอรามิกบอลกริดอาเรย์ (Ceramic Ball Grid Array) แบบพลาสติบอลกริดอาเรย์ (Plastic Ball Grid
Array) และแบบฟลิปชิปเทปบอลกริดอาเรย์ (Flip Tape Ball Grid Array)
จากรูปที่ 1.23 เป็นโครงสร้างของไอซีทั้ง 3 ตระกูลซึ่งจะมีพลาสติก PWB หรือทําจากพลาสติกลา
มิเนทเป็นฐาน (Base) สําหรับติดตั้งชิปหรือได ในไอซีชนิดพลาสติบอลกริดอาเรย์(Plastic Ball Grid Array)
ส่วนในไอซีชนิดเซอรามิคบอลกริดอาเรย์จะใช้เซอรามิคติดตั้งเป็นฐานสําหรับติดตั้งชิป และในไอซีชนิดฟลิปชิป
เทปบอลกริดอาเรย์ (Flip Tape Ball Grid Array) จะใช้เทปแฟรม (Tape Frame) เป็นฐานสํ าหรับติดตั้งชิป
เป็นต้น ลักษณะของไอซีชนิดพลาสติ กบอลกริดอาเรย์และเซอรามิคบอลกริดอาเรย์จะเป็นไอซีที่มีจุ ดต่อ
อุปกรณ์เข้าและออกจํานวนมาก ซึ่งจุดต่อดังกล่าวจะใช้ลูกบอลเชื่อม (Solder ball) เหมือนกัน แต่ไอซีชนิด
เซรามิคบอลกริดอาเรย์ จะมีคุณสมบัติดีกว่าไอซีชนิดพลาสติกบอลกริดอาเรย์ คือสามารถระบายความร้อนได้
ดีกว่าไอซีชนิดพลาสติกบอลกริดอาเรย์
รูปที่ 1.23 รูปโครงสร้างไอซีในกลุ่ม BGA

จากรูปที่ 1.23 แสดงโครงสร้างภายในของไอซีชนิด PBGA ซึ่งประกอบไปด้วยฐานรองรับไดหรือชิป

(Substrate) จะทําจาก High – temperature Epoxy Laminate ด้านบนพลาสติกลามิเนทจะเป็นเพลททอง
แดงเป็นจุดเชื่อมต่อลวดทอง (Bond Pads) เข้ากับไดที่ติดอยู่กับไดเพลด (Die Pad) ที่จุดเชื่อมลวดทองจะ
ต่อไปที่ Copper Traces ซึ่งจะไปเชื่อมต่อกับลูกบอลที่ทําด้วยตะกั่ว (Solder Ball) การบัดกรีตัวไอซีชนิด
PBGA ลงไปที่แผ่นปริ้นท์จะมีการตรวจสอบตําแหน่งของไอซีและอุปกรณ์ โดยใช้แสงกําหนดตําแหน่งการ
วางตัวไอซีและผ่านกระบวนการอบด้วยอุณหภูมิสูงเพื่อให้ไอซีติดกับแผ่นปริ้นท์
ตอนที่ 2 : การทดลอง
2.1 ขั้นตอนการใช้งานโปรแกรม Altium Designer
การใช้งานโปรแกรม Altium Designer สําหรับการออกแบบแผ่นวงจรพิมพ์ (PCB) ในงานวิศวกรรม
สามารถแบ่งขั้นตอนการใช้งานหลักๆ ได้ดังนี้
1. การสร้างโปรเจ็คงานใหม่ (New Project)
หลังจากดับเบิ้ลคลิกไอคอนโปรแกรม Altium Designer จะได้หน้าต่างแสดงดังด้านล่าง
จากนั้นเลือกเมนู File >> New >> Project >> PCB Project

จากนั้นคลิกขวาที่ Project เลือก Add New to Project >> Schematic
จะได้หน้ากระดาษเปล่าเป็นพื้นที่ใช้ในการวาด Schematic โดยสามารถเลือกอุปกรณ์มาวางได้

โดยคลิกเลือกแท็บ Library >> เลือกอุปกรณ์ที่ต้องการ >> คลิกเลือก Place เป็นการวางอุปกรณ์ลงบน
กระดาษ

สําหรับกรณีการเพิ่ม Library ให้กับโปรเจ็ค สามารถทําได้โดย คลิกเลือก Library >> Install >> เลือก
Library ที่เราต้องการ >> Open >> Close
จากนั้นให้ทําการกําหนด Footprint ให้กับตัวอุปกรณ์ โดยดับเบิ้ลคลิกที่ตัวอุปกรณ์

จากนั้นเลือก คลิก Add.. >> Footprint >> Brown >> เลือก footprint ที่เหมาะสม >> คลิก OK >>
คลิก OK >> คลิกOK
จากนั้นตามด้วยการลากเส้นเชื่อมต่อกันระหว่างอุปกรณ์แต่ละตัว คลิกเลือก เมนู Place wire ลากระหว่าง

อุปกรณ์

เมื่อลากเส้นการเชื่อมต่อแล้ว จะได้ดังตัวอย่างดังรูปด้านล่าง
หลังจากนั้นกําหนดชื่อให้กับอุปกรณ์แต่ละตัว (ห้ามมีชื่อเดียวกัน) คลิกเลือก Tool >> Annotate

Schematic

คลิกเลือก Update Change List >> คลิก OK
คลิกเลือก Accept Changes…

คลิกเลือก Execute Changes >> คลิก Close
หลังจากคลิก Close อุปกรณ์จะถูกกําหนดชื่ออัตโนมัติ แสดงดังรูปด้านล่าง

2. ขั้นตอนการแปลงจาก Schematic ไปเป็น PCB สามารถทําได้ดังนี้
คลิกเลือกไปที่ แท็บ File ที่มุมล่างซ้าย >> คลิกเลือก PCB Board Wizard…>> Next
คลิกเลือก Metric >> Next

ต่อไปเป็นการกําหนดขนาด PCB (กว้าง x ยาว)
กําหนดให้ Power Planes เป็น 0 >> Next

คลิกเลือก Next
คลิกเลือก Next

คลิกเลือก Finish
หลังจาก คลิก Finish จะได้หน้าต่าง PCB แสดงดังรูปด้านล่าง

คลิกเลือก Design >> Board Option
คลิกเลือกเครื่องหมายหน้าข้อความ Display Sheet และ Auto size…ออกไป

จะได้ผลดังแสดงดังรูปด้านล่าง
จากนั้นให้กลับไปยัง แท็บ Project ที่มุมล่างซ้าย เลือกเมนู Design >> Update PCB…

คลิกเลือก Execute Changes >> Close
คลิกเลือกพื้นที่สีแดงแล้วกดคีย์ Delete

จากนั้นลากอุปกรณ์ไปยังตําแหน่งที่ผู้ออกแบบต้องการ
3. ขั้นตอนการกําหนดคุณสมบัติของแผ่น PCB
คลิกเลือกเมนู Design >> Rules…

แสดงหน้าต่างการกําหนดคุณสมบัติแสดงดังรูปด้านล่าง ดังนี้
คลิกเลือกเมนู Auto Route >> All…

คลิกเลือก Route All
จะได้หน้าต่างแสดงดังรูปด้านล่าง จากนั้น คลิก Close หน้าต่างรายการ Auto Route

จะได้ลายทองแดงตาม Schematic ที่กําหนดไว้ก่อนหน้า เราสามาถปรับแต่งลายทองแดงได้ตามความ

ต้องการ
แสดงวงจรที่ได้ออกแบบ จากนั้นผู้ออกแบบสามารถที่จะนําวงจรไปสู่กระบวนการผลิตแผ่น PCB ต่อไป...

2.2 ให้นักศึกษาหาชนิดตัวถัง (Footprint) ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบ SMD ขนาดต่างๆวางลงใน

หน้าต่างการออกแบบ PCB ในโปรแกรม Altium Designer ดูตัวอย่างตามรูปด้านล่าง
2.3 ให้นักศึกษาออกแบบลายวงจรพิมพ์ของวงจรที่กําหนดให้ โดยเลือกใช้อุปกรณ์ประเภท SMD

(สอบปฏิบัติรายบุคคล 5 คะแนน)
ลงชื่ออาจารย์ผู้ตรวจ.................................................วันที่.................................................เวลา.........................
***ให้นักศึกษาส่งรายงานผลการทดลอง+ไฟล์โปรแกรม
ทั้งรูปวงจรที่วาด (schematic) และลายวงจรพิมพ์ (PCB) ที่ถูกต้องสมบูรณ์และสวยงามในสัปดาห์ถัดไป***

1.lab01 Altium-SMD PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

1.lab01 Altium-SMD PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

04-221-303 วิชาปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม 3 ผู้สอน ดร.อภิรักษ์ เสือเดช และ อ.

ตอนที่ 1 : เนือ้ หาและทฤษฎีที่เกี่ยวข้อง

1.1 อุปกรณ์ประเภทพาสซีฟ (Passive Surface Mount Components)

รูปที่ 1.1 ลักษณะตัวถังและโครงสร้างพื้นฐานตัวต้านทานแบบชิป

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 1

สําหรับตัวต้านทานแบบชิปที่ใช้ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปแบ่งเป็น 2 ชนิด คือ

รูปที่ 1.2 ตัวต้านทาน SMD แบบฟิล์มหนา และฟิลม์ บาง

ตารางที่ 1.1 แสดงขนาดตัวต้านทานแบบ SMD

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 2

รูปที่ 1.3 ขนาดทั่วไปของตัวต้านทานมาตรฐานแบบชิป

1.1.2 ตัวเก็บประจุแบบ SMD (Capacitor SMD)

รูปที่ 1.4 ตัวเก็บประจุ SMD ชนิดต่างๆ

รูปที่ 1.5 โครงสร้างพื้นฐานของตัวเก็บประจุแบบชิป

ตารางที่ 1.2 แสดงสารไดอิเล็กทริกที่มผี ลต่อค่าความจุของตัวเก็บประจุ

รูปที่ 1.6 ขนาดทั่วไปของตัวเก็บประจุมาตรฐานแบบชิป

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 4

1) ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ (Fixed Capacitor)

รูปที่ 1.7 ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลต์แบบ SMD

รูปที่ 1.8 ตัวเก็บประจุชนิดแทนทาลั่มอิเล็กโตรไลด์แบบ SMD

3. ชนิดไบโพล่าร์ (Bipolar Capacitor) นิยมใช้กันมากในวงจรภาคจ่ายไฟฟ้ากระแสตรงเครื่องขยาย

รูปที่ 1.9 ตัวเก็บประจุชนิดไบโพล่าร์ SMD

4. ชนิดเซรามิค (Ceramic Capacitor) เป็นตัวเก็บประจุที่มีค่าไม่เกิน 1 ไมโครฟารัด ( F) นิยมใช้กัน

รูปที่ 1.10 ตัวเก็บประจุแชนิดเซรามิค SMD

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 5

2) ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ (Variable Capacitor)

รูปที่ 1.11 ตัวเก็บประจุแบบเลือกค่าได้แบบ SMD

รูปที่ 1.12 ตัวอย่างการอ่านตัวเก็บประจุแบบ SMD

แถวที่ 1 คือ ค่าเก็บประจุ

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 6

หลักที่ 2 คือ ตัวเลข 6

1.1.3 ตัวเหนี่ยวนํา (Inductor) แบบ SMD

รูปที่ 1.13 ตัวเหนียวนําแบบ SMD

- ขนาดของ L แบบ SMD

รูปที่ 1.14 ขนาดตัว L แบบ SMD

ตารางที่ 1.4 แสดง L แบบมาตรฐาน

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 7

ตารางที่ 1.5 แสดง L แบบนอกมาตรฐาน

กรณีพิมพ์ค่าบนตัวเหนี่ยวนําถ้าค่าความเหนี่ยวนําไม่เกิน 100 uH จะใช้ตัวเลข 3 ตัวและใช้ R แทนจุดทศนิยม

1.2 อุปกรณ์ประเภทแอคทีฟ (Active Surface Mount Components)

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 8

 SOT89 (หรือ T0243 ตามมาตรฐานของ EIA)

(ก) SOT23 (ข) SOT323 (ค) SOT89

(ง) SOT143 (จ) SOT223 (ฉ) DPAK

(ก) โครงสร้างภายในของอุปกรณ์ SOT23

(ข) ขนาดของอุปกรณ์ SOT23

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 9

SOT89 (T0243) สารกึ่งตัวนําที่อยู่ภายในจะมีขนาด 0.06 x 0.06 นิ้ว มีอัตราทนกําลังไฟฟ้าอยู่ที่

1.2.2 Small Outline Diode (SOD)

(ก) SOD-80 หรือ MELF (ข) SOD-123 (ค) SOD-323

(ง) ขนาดของ Small Outline Diode

1.2.3 Small Outline Integrated Circuit (SOIC)

(ก) ลักษณะตัวถังของอุปกรณ์ SOIC

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 10

(ข) ขนาดของอุปกรณ์ SOIC

(ก) อุปกรณ์ Small Outline J Package

(ข) ขนาดของอุปกรณ์ Small Outline J Package

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 11

1.2.5 Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC)

(ก) ตัวถังแบบ PLCC (ข) Socket ที่ใช้สําหรับตัวถังแบบ PLCC

(ค) ขนาดของตัวถังแบบ PLCC

1.2.6 Quad Flat Package (QFP)

(ก) ลักษณะตัวถังของ Quad Flat Package (QFP)

หลักสูตรสาขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลศรีวิชัย หน้า 12