Leksion 13 & 14 - Materialet Elektronike

ALBANIAN UNIVERSITY
DEPARTAMENTI I INXHINIERIVE
Fizika e Materialeve Elektronike
Prof. Asoc. Dr. Adhurim HOXHA

Viti Shkollor 2019 - 2020
ALBANIAN UNIVERSITY
Principles of Electronic
Materials & Devices
S. O. Kasap
Mc Graw Hill Education 2017
Botimi i Katërt
5/26/2020 Adhurim HOXHA 2

ALBANIAN UNIVERSITY
Leksion 13 & 14
Zonat Energjetike në Gjysmëpërcjellësat Komponime
1. Hyrje
2. Zonat energjetike
3. Varësia e çarjes energjetike nga
temperatura
4. Efekti i rrjetës mbi elektronet. Zonat e
Briluenit
5. Origjina e çarjes energjetike
6. Masa efektive e elektronit
7. Lëvizja e elektroneve në një kristal ideal
8. Bartësit e rrymës në gjysmëpërcjellsa:
elektrone dhe vrima

ALBANIAN UNIVERSITY
Hyrje
 Gjysmëpërcjellsat komponime janë gjysmëpërcjellësa të përbërë nga dy a më
shumë elementë.
• Silici përbëhet nga një element i vetëm dhe si i tillë ai nuk është një gjysmëpërcjellës
komponim. Ai është një gjysmëpërcjellës elementar (ose i thjeshtë).

ALBANIAN UNIVERSITY
 Shumica e gjysmëpërcjellsave komponime janë kombinime elementësh nga Grupi III

dhe Grupi V i Tabelës Periodike të Elementëve (GaAs, GaP, InP etj.)
 Gjysmëpërcjellës të tjerë
komponim formohen nga
kombinimi i elementëve të
Grupeve II dhe VI (CdSe,
ZnS, HgTe etj).
 Gjysmëpërcjellsat
komponime mund të
formohen edhe nga
kombinimi i elementëve
brenda të njëjtit grup (IV),
duke formuar
gjysmëpërcjellsa komponim
të tillë si SiC, SiGe etj.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Në të kaluarën, gjysmëpërcjellsat komponime nuk kanë patur ndonjë përdorim të

gjerë komercial (krahasuar me produktet e silicit).
• Këto kristale rriten me më vështirësi se silici. Numri i defekteve në kristale është

më i madh dhe kostoja e rritjes së kristaleve është më e lartë. Gjysmëpërcjellësat
komponim gjithashtu tentojnë të jenë më delikatë. Të gjithë këto faktorë kanë
kufizuar zgjerimin e përdorimit komercial të gjysmëpërcjellsave komponime.
 Megjithatë, viteve të fundit kostoja e prodhimit të gjysmëpërcjellsave komponim është

ulur. Ajo vazhdon të jetë shumë më e lartë se ajo për silicin, por në të njëjtën kohë,
vetitë e veçanta të këtyre kristaleve kanë marrë një rëndësi të shtuar në mjaft
aplikime specifike.
• Për shkak të vetite të tyre themelore, me gjysmëpërcjellsat komponime mund të

realizohen “gjëra” që thjesht nuk mund të realizohen me silicin.

ALBANIAN UNIVERSITY
Zonat energjetike
• Pamë që gjysmëpërcjellsat komponime mund të kenë dy a më shumë elementë me
përqëndrime të ndryshme.
 Ky ndryshim i përqëndrimit të elementëve përbërës, pasqyrohet në strukturën e

zonave energjetike të përcjellsave komponim.
Le të shqyrtojmë një komponim me tri elementë, të tillë si AlxGa1-x As, ku x merr vlerat
nga 0 – 1. Në rastin e vlerave ekstreme x (x = 0 dhe x = 1), komponimet janë GaAs
dhe AlAs.
 Këto heterostruktura janë të dobishme për zhvillimin e paisjeve elektronike dhe

opto-elektronike të shpejtësive të larta. Ato gjithashtu shfrytëzohen për prodhimin e
sensorëve të fushës magnetike që bazohen në efektin e Hollit, që më tej përdoren
në aplikacione të tilla si ato të përckatimit magnetik të diagramës fazore, mikroskopisë
magnetike dhe provave pa shkatërrim.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Struktura kristaline e GaAs (dhe AlAs)

paraqitet në figurë. Ky komponim ka
strukturën e zinkblendës dhe formoht nga dy
rrjeta kubike faqecentruara (FCC) që
depërtojnë tek njëra – tjetra: një për atomet
Ga dhe një për atomet As të zhvendosura
nga njëra – tjetra me (¼, ¼, ¼)∙a, ku a është
parametri i rrjetës: a ∼ 5.66 Å.
AlxGa1-xAs është një përlidhje ternare (që shkurtimisht shënohet AlGaAs) e AlAs
dhe GaAs ku atomet Ga janë zëvendësuar në mënyrë të rastësishme nga atomet Al,
ndërkohë që saitet As nuk ndryshojnë.
Meqë GaAs dhe AlAs kanë të njëjtën strukturë kristaline, formimi i tretësirave të
ngurta të Al në GaAs është i thjeshtë dhe ruan të njëjtën strukturë në zonën e
plotë të zëvendësimeve të Al.

ALBANIAN UNIVERSITY
 GaAs ka një strukturë direkte të çarjes energjetike, ndërsa AlAs ka një strukturë indirekte.
Një tipar i përgjithshëm i AlGaAs, është prania e tri zonave të valencës, maksimumet e të cilave
ndodhen në k = 0 (pika Γ). Zona e përcjellshmërisë ka tri minimume: një në k = 0 (pika Γ), dhe dy
të tjera në pikën L dhe atë X. Me ndryshimin e përbërjes (raportit Al:Ga), pozicionet relative dhe
vlerat e këtyre minimumeve ndryshojnë dhe ky ndryshim përcakton natyrën e çarjes energjetike.

ALBANIAN UNIVERSITY
 GaAs ka lidhje tetrahedrale midis Ga dhe As dhe karakteri i lidhjes është

pjesërisht jonike, me një karakter të theksuar kovalent.
Çarja energjetike është 1.42 eV në 300K.
Në figurë (slaidi 9) janë treguar dhe diferencat energjetike midis “luginave”
të ndryshme të zonës së përcjellshmërisë dhe pjesës së sipërme (top) të
zonës së valencës për GaAs dhe AlGaAs.
(!) Kur përqëndrimi i Al është më i vogël se 0.4, çarja energjetikë është direkte.
Struktura e zonës së valencës së GaAS dhe përlidhjeve AlxGa1-xAs ka tri nënzona:
i) zona e vrimave të rënda,

ii) zona e vrimave të lehta dhe
iii) zona e ndarjes (split off)

ALBANIAN UNIVERSITY
Tri zonat e valencës i kanë maksimumet në k = 0 (shih figurën e slaidit 9).

Zonat e vrimave të rënda dhe atyre të lehta, degjenerojnë në k = 0.
Në GaAs “lugina” Γ e zonës së përcjellshmërisë është më e ulta në k = 0, me një

masë efektive (shih në vazhdim) të elektronit ~ 0.067∙ me.
(!) Kur përqëndrimi i Al është më i madh se 0.4, çarja energjetikë ndryshon në

indirekte.
Çarja energjetike e AlGaAs në 300K jepet si,
E g  1.424  1.247  x [eV] ( x  0.4) Lugina   Zonë direkte

E g  1.90  0.125  x  0.143  x 2 [eV] ( x  0.4) Lugina X  Zonë indirekte

ALBANIAN UNIVERSITY

ALBANIAN UNIVERSITY
Në figurë paraqiten
kurbat energjetike
E(k) te elektronit për
gjysëmpërcjellësat
GaAs dhe Si, të
përftuara nga zgjidhja e
ekuacionit të
Shrëdingerit.
• Gjerësia e zonës
përcaktohet nga
minimumi i ZP dhe
maximumi i ZV.
• GaAs është gjysmëpërcjellës direkt dhe minimumi i zonës së përcjellshmërisë për të,
korrespondon me maksimumin e zonës së valencës (k = 0);
• Si është gjysmëpërcjellës indirekt dhe minimumi i zonës së përcjellshmërisë për të, nuk
korrespondon me maksimumin e zonës së valencës.

ALBANIAN UNIVERSITY
Varësia e çarjes energjetike nga temperatura

 Eksperimentet tregojnë që çarja energjetike e gjysmëpërcjellsave tenton të
zvogëlohet me rritjen e temperaturës.
Në fakt, me rritjen e energjisë termike (temperaturës), rritet edhe amplituda e

lëkundjeve atomike dhe kjo çon në rritjen e largësisë midis atomeve. (Ky efekt
përshkruhet nga ana sasiore nëpërmjet koeficientit të zgjerimit linear të
materialit.)
Rritja e largësisë ndëratomike, zvogëlon potencialin që “hasin” elektronet në
material, dhe kjo çon në zvogëlimin e përmasës së çarjes energjetike.
• Rritja (ose zvogëlimi) i çarjes energjetike shkaktohet edhe nga një modulim direkt i
largësisë ndëratomike, p.sh., duke zbatuar një sforcim në ngjeshje (ose në tërheqje).

ALBANIAN UNIVERSITY
 Varësia e çarjes energjetike nga temperatura, është përcaktuar eksperimentalisht,
 T 2
E g (T )  E g ( 0 )  Varësia e çarjes energjetike
T  nga temperatura
ku Eg(0), α dhe β, janë parametra të përcaktuar eksperimentalisht.
Vlerat e tyre për germaniumin, silicin dhe arsenidin e galiumit, paraqitn në

tabelën e mëposhtme,

ALBANIAN UNIVERSITY

ALBANIAN UNIVERSITY
 Në figurë paraqiten
varësitë e përftuara
eksperimentalisht, të
çarjes energjetike
nga temperatura, për
disa gjysmëpërcjellës.
• Në to vihet re
zvogëlimi i çarjes me
rritjen e
temperaturës.
• Për silicin, zvogëlimi është më i lehtë se për dy gjysmëpërcjellësit e tjerë.

ALBANIAN UNIVERSITY
Efekti i rrjetës mbi elektronet. Zonat e Briluenit

Impulsi i një elektroni të lirë është, p  k
 Çdo proces në një gjysmëpërcjellës zhvillohet në përputhje me ligjet e ruajtjes së

energjisë dhe impulsit.
Energjia e një elektroni të lirë, jepet
p2 2  k 2
E 
2  m0 2  m0
m0 është masa e elektronit të lirë.
(!) Ku vektori valor k, mund të marrë çdo

vlerë (në mënyrë të vazhduar).

ALBANIAN UNIVERSITY
Ç‘mund të themi për një elektron në kristal ?

 
Edhe në këtë rast, impulsi i elektronit është, p  k
 Përsëri çdo proçes zhvillohet në përputhje me ligjin e ruajtjes së impulsit.
 Edhe në kristal ekziston një lidhje midis

energjisë dhe impulsit (vektorit valor),
pra ka një varësi E = E(k), por në këtë
rast, kjo është një varësi e ndëlikuar:
• Ligji parabolik edhe në këtë rast vlen,
por vektori valor mund të marrë
vetëm vlera të caktuara, për shkak të
pranisë së zonave energjetike të
ndaluara.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Një elektron përcjellshmërie, që përhapet në një potencial periodik të shkaktuar nga

rrjeta atomike e kristalit, sillet si një valë, që i nënshtrohet pasqyrimeve nga plane
të ndryshme të rrjetës (të ashtuquajturat pasqyrime të Bregut) (shih Leximin).
Në figurë paraqitet potenciali

periodik një-përmasor, që
përdoret për të modeluar
përhapjen e valës elektronike.
Potenciali periodik krijohet
nga atomet e barazlaruara në
kristal; çdo jon i rrjetës është
burim i një potenciali
Kulonian.
 Prania e një potenciali periodik, që shkakton pasqyrimet e Bregut, çon në formimin e

zonave energjetike, të cilat ndahen nga çarjet energjetike (fig b).

ALBANIAN UNIVERSITY
Figura paraqet relacionin e dispersionit E(k): varësia e energjisë së një elektroni nga
vektori valor (impulsi), për një rrjetë një-përmasore.
 Gjendjet energjetike të
elektroneve (vijat e plota)
shkëputen në k = ±π/a, ±2π/a, …
(ku plotësohet kushti i pasqyrimit
të Bregut) dhe në spektrin e
gjendjeve të një elektroni, krijohet
një zonë e ndaluar.
Për shkak të periodicitetit të
hapësirës k, relacioni i
dispersionit, për arsye praktike,
mund të kufizohet në
zonën e parë të Briluenit (k = ± π/a): rajoni i hapësirës reciproke që ndodhet më

pranë origjinës, se ndaj çdo nyje tjetër të rrjetës reciproke.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Elektronet me energji brenda zonave të ndaluara nuk mund të përhapen

sipas disa drejtimeve të caktuara në kristal.
• Origjina e këtyre drejtimeve të ndaluara qëndron në faktin se valët elektronike të

pasqyruara nga planet atomike fqinjë, interferojnë në mënyrë konstruktive me
valën fillestare të atomit prind.
 Kur ky rast një-përmasor shtrihet në rastin tri-përmasor, periodiciteti i kristalit real

çon në lindjen e çarjeve të plota energjetike, në të cilat elektronet nuk mund
të përhapen sipas asnjë drejtimi.
• Kjo lloj çarjeje, është pikërisht çarja energjetike midis zonave të valencës dhe
përcjellshmërisë për të cilat kemi folur (dhe që përcaktojnë vetitë themelore të
gjysmëpërcjellsave).

ALBANIAN UNIVERSITY
 Kemi theksuar që GaAs ka strukturën e

zinkblendës (e ngjashme me atë të
diamantit, me përjashtim të alternimit të
atomeve Ga dhe As).
• Këtë strukturë kanë edhe gjysmëpërcjellsat e
tjerë komponim III-V, AlAs, AlGaAs, InP,
InAs, InGaAs dhe InGaAsP.
 Pikat e simetrisë së zonës së Briluenit për rrjetën

e diamantit .
• Zona e parë e Briluenit për diamantin ka gjashtë
“lugina” të zonës së përcjellshmërisë, me qendër
në k = 1⁄4 0.76 të kufijve të zonës, sipas drejtimeve
{100}. Luginat blu orientohen sipas fushës dhe
përgjithësisht popullohen për E > 300 V/cm.

ALBANIAN UNIVERSITY
Origjina e çarjes energjetike

 Në kushte të caktuara elektronet sillen si valë.
• Për të vendosur lidhjen midis sjelljes së tyre grimcore dhe asaj valore, duhet të
shqyrtojmë gjatësinë valore të de Broglie-t.
 Le të shqyrtojmë përhapjen e një vale elektronike nga një rrjetë periodike

njëpërmasore.
• Për gjatësi valore të caktuara λ, ndodh dukuria e difraksionit – rikujtojmë që
difraksioni ndodh kur përmasat e pengesës apo çarjes (a), janë të rendit të gjatësisë
valore, λ ~ a.
Supozojmë se tufa elektronike bie

pingul mbi një rrjetë periodike
njëpërmasore, me konstante rrjete a.

ALBANIAN UNIVERSITY
Kushti për të patur difraksion, përcaktohet nga ligji i Bregut: n    2  d  sin 

Ku, n – rendi i difraksionit; λ – gjatësia valore; d – largësia midis planeve dhe θ – këndi i rënies së
valës elektronike.
Në rastin në shqyrtim,   /2
dhe ligji i Bregut, shkruhet, 2 a  n
Në rastin e një rrjete kubike, d a
2 
Meqë gjatësia valore e elektronit është, 
k
2  
2a  n  n  k  n (n  1,  2 , ...)
k a
Shprehja e mësipërme tregon vlerat e k për të cilat mund të difraktojnë elektronet.

ALBANIAN UNIVERSITY
Zona e parë e Briluenit (për rastin e shqyrtuar)

paraqitet në figurë.
• Brenda kësaj zone, vektori valor k (dhe

energjia E) ndryshon në mënyrë të
vazhduar sipas një kurbe parabolike.
• Kur k → ± nπ/a, energjia ndryshon me
hop (dhe varësia është shumë e ndërlikuar.
2 
Pamja përsëritet për k 
a
dhe në këtë mënyrë përftohet zona e dytë e Briluenit, e kështu me rradhë.

ALBANIAN UNIVERSITY
h
Impulsi i elektronit jepet, p  k

Vlera të caktuara të impulsit nuk lejohen nga rrjeta kristaline. (Shpejtësia e elektronit
për këto vlerat të palejuara të impulsit, është zero.)
Energjia e elektronit lidhet me impulsin (ose vektorin valor) e tij sipas,
p2 h2 1 h2 k2 2 k 2
E   2   
2m 2m  2  m (2   ) 2 2m
Brenda zonës së parë të Briluenit, 2  k 2 

E për vlera të k larg 
mund të shkruajmë, 2  m0 a
 Rrjedhimisht vlerat e vektorit valor k (dhe të energjisë E) ndryshojnë me hop dhe në

këtë mënyrë shfaqen zonat e ndaluara, të ndara nga çarja energjetike.

ALBANIAN UNIVERSITY
Masa efektive e elektronit

 Nëse e njëjta fushë elektrike zbatohet si mbi elektronet në boshllëk, ashtu dhe
mbi ato që ndodhen brenda një kristali, elektronet lëvizin me nxitime të
ndryshme, për shkak të pranisë së potencialeve të ndryshme brenda kristalit.
• Elektronet brenda kristalit “duhet të përpiqen” për të gjetur rrugën e tyre dhe
rrjedhimisht kanë një masë të ndryshme nga ajo në boshllëk – masa efektive.
 Pothuajse për të gjitha vetitë e një gjysmëpërcjellësi,

gjendjet më të rëndësishme janë ato pranë
skajeve të zonave energjetike, pasi pikërisht këtu,
grumbullohen elektronet dhe vrimat.
 Gjatë grumbullimit, elektronet lëvizin me një masë që
përcaktohet nga kurbatura e zonave energjetike –
masa efektive.

ALBANIAN UNIVERSITY
• Kur në metal zbatohet një fushë elektrike Ex një elektron pranë nivelit Fermi,
fiton energji nga fusha dhe lëviz në nivele më të larta energjetike.
• Forca e jashtme Fjashtme = e∙Ex shtrihet sipas drejtimit x dhe ajo e zhvendos
elektronin sipas këtij drejtimi. Sipas ligjit të dytë të Njutonit, nxitimi i elektronit
jepet si a = Fjashtme / me , ku me është masa e elektronit në boshllëk.

ALBANIAN UNIVERSITY
• Shprehja Fjashtme = me∙a nuk është rigorozisht e saktë për elektronin që ndodhet
brenda një trupi të ngurtë, pasi një elektron i tillë bashkëvepron me jonet pritës (të
rrjetës kristaline) dhe gjatë lëvizjes, i nënshtrohet forcave të brendshme Fbrendshme .
 Rrjedhimisht, elektroni ka një energji potenciale që ndryshon me largësinë.
Rikujtojmë që masa mund të interpretohet si një rezistencë inerciale kundër

nxitimit, për njësi të forcës së zbatuar.
• Kur një forcë e jashtme Fjashtme zbatohet mbi një elektron në boshllëk, elektroni
përshpejtohet me nxitimin,
F jashtme
a boshllëk 
me
dhe përcaktohet nga masa e tij me në boshllëk.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Kur e njëjta forcë Fjashtme zbatohet mbi një elektron që ndodhet brenda një
kristali, nxitimi i elektronit do të jetë i ndryshëm, sepse ai i nënshtrohet edhe
forcave të brendshme. Rrjedhimisht,
 Nxitimi i elektronit në kristal është,
F jashtme  Fbrendshme
a kristal 
me
ku Fbrendshme është shuma e të gjitha forcave të brendshme që veprojnë mbi

elektron.
 Meqë nxitimi me të cilin lëviz është i ndryshëm, elektroni brenda një kristali duket
se shfaq një masë të ndryshme inerciale, ndaj agjentit të jashtëm (fushës
elektrike të zbatuar) që vepron mbi të (me forcën Fjashtme ) .

ALBANIAN UNIVERSITY
• Nga pikëpamja praktike është e dobishme që kundrejt agjentit të jashtëm, efekti i

forcave të brendshme Fbrendshme , të përfshihet në një mënyrë të thjeshtë, në mënyrë
që nxitimi i elektronit të mund të llogaritet (nëpërmjet ligjit të dytë të Njutonit) vetëm
duke iu referuar forcës së jashtme Fjashtme . Do të shohim në vazhdim që kjo është e
mundur.
 Në një trup të ngurtë kristalin, atomet janë të vendosur periodikisht dhe ndryshimi i
Fbrendshme dhe rrjedhimisht edhe ndryshimi i energjisë potenciale V(x) të elektronit
me largësinë x, është gjithashtu periodik.
Rrjedhimisht, në parim, efekti i lëvizjes së elektronit jo vetëm mund të vlerësohet, por
edhe të parashikohet.
 Zgjidhja e ekuacionit të Shrëdingerit për një funksion periodik të energjisë

potenciale V(x), në thelb jep efektin e këtyre forcave të brendshme mbi
lëvizjen e elektronit.

ALBANIAN UNIVERSITY
Është gjetur që kur një elektron ndodhet në një zonë që nuk është e plotësuar,
përsëri mund të përdorim një ekuacion të thjeshtë (si ai për elektronin në boshllëk)
për të shprehur nxitimin e elektronit, por në vend të masës së tij në boshllëk,
duhet përdorur masa efektive m*e e elektronit në kristalin e dhënë.
 Masa efektive është një madhësi e mekanikës kuantike që ka një sjellje të njëjtë
me masën inerciale në mekanikën klasike.
• Atëherë, nxitimi i elektronit në kristal, jepet thjesht si,
F jashtme
a kristal 
m e*
Në m*e përfshihen efektet e të gjitha forcave të brendshme.

Masa effektive mund të përftohet teorikisht nga zgjidhja e ekuacionit të Shrëdingerit
për elektronin në një kristal të caktuar, por kjo kërkon llogaritje mjaft të lodhshme.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Megjithatë, masa efektive mund të matet thjesht (shih në vazhdim).
Siç duket nga tabela:

• Për disa nga metalet e zakonshëm, masa efektive është pothuajse e barabartë me
masën e elektronit në boshllëk. P.sh., për argjendin m*e = me (për të gjitha qëllimet
praktike); ndërkohë për litiumin m*e = 2.2∙me.
• Nga ana tjetër, për shumë metale dhe gjysmëpërcjellsa masa efektive ndryshon
shumë nga masa e elektronit në boshllëk dhe bile mund të jetë edhe negative: masa
efektive varet nga vetitë e zonës energjetike së cilës i përket elektroni.

ALBANIAN UNIVERSITY
Me përkufizim, masa efektive e elektronit jepet,
1
d E
2
m e*   
2  Përkufizim: Masa efektive e elektronit
 dk 
2
 
ku E është energjia e elektronit
Mund të tregojmë se masa efektive e një elektroni të lirë në metal, është e

njejtë me masën e tij në boshllëk.
(  k ) 2
Treguam që për elektronin e lirë, energjia E jepet E
2me

ALBANIAN UNIVERSITY
Duke gjetur derivatet e kërkuara dhe duke zëvendësuar në shprehjen për masën
efektive, gjejmë:
1
2 
2
dE  k
2 2
d E 2
 
    me     
*
 m e*  m e
dk m dk 2 m m
 
Meqë energjia e një elektroni përcjellshmërie në një metal (në modelin e

elektronit të lirë), është gjithashtu, E = (ħ∙k)2/(2∙me), mund të themi që
 Masa efektive e një elektroni të lirë në metal, është e njejtë me masën e tij në
boshllëk.
• Megjithatë, sapo brenda kristalit shtohet prania e një energjie potenciale

periodike, në përgjithësi, masa efektive nuk do të jetë e njejtë me masën në
boshllëk.

ALBANIAN UNIVERSITY
Masa efektive pozitive dhe negative
1
2 
2 
d E
Nga përk. me     2 
*
 dk 
 
Shenja e masës efektive

përcaktohet nga kurbatura e
kurbës E – k.
• Elektronet pranë minimumit të zonës së valencës, kanë masë efektive pozitive;

• Elektronet pranë maksimumit të zonës së përcjellshmërisë, kanë masë efektive negative.
Shenja negative e masës efektive, tregon që nëse zbatohet një fushë e jashtme,
grimca ndjek “një rrugë të gabuar” !

ALBANIAN UNIVERSITY
Masa efektive e elektronit në një zonë njëpërmasore
Masa efektive divergjon aty ku kurbatura e zonës

energjetike është zero (pikë infleksioni); në këtë pikë,
shpejtësia e valës elektronike është maksimale.
Vlera negative e masës efektive shfaqet pranë kufirit të
zonës, për shkak të pasqyrimit (të elektroneve nga planet e
rrjetës) të Bregut dhe transferimit (që shoqëron këtë pasqyrim)
të impulsit nga elektronet drejt rrjetës.
i. Pranë pjesës fundore të zonës, ku kurbatura është parabolike,

masa efektive ka një vlerë konstante, pozitive.
ii. Në pikën e infleksionit, afërsishtë në gjysmëlargësi nga kufiri i
zonës, masa efektive bëhet e pafundme (meqë në këtë pikë
kurbatura është zero).
iii. Pranë kufirit të zonës, masa efektive tenton drejt një vlere
konstante negative.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Në mënyrë analoge, mund të flasim edhe për masë efektive të vrimave m*v.
• Masa efektive e vrimës llogaritet gjithashtu sipas,
1
2 
2 
d E
mv     2 
* Masa efektive e vrimave
 dk 
 
Energjia dhe vektori valori valor i vrimës, kanë shenjë të kundërt me madhësitë
korresponduese të elektronit. Rrjedhimisht,
 Masa efektive e vrimës ka një vlerë të barabartë me atë të elektronit (që më parë
zinte gjendjen bosh që u krijua), por ka shenjë të kundërt me të.
mv*  me*
• Në pjesën e sipërme të zonës energjetike, masa e elektronit zakonisht është negative dhe
rrjedhimisht ajo e vrimës është pozitive.
• Masa efektive e vrimës përcaktohet eksperimentalisht nëpërmjet rezonancës ciklotronike.

ALBANIAN UNIVERSITY
Matja e masës efektive

 Masa efektive e elektronit (ose vrimës) në një gjysmëpërcjellës, mund të
përcaktohet përmes një teknike të njohur si rezonanca ciklotronike.
• Shqyrtojmë një
gjysmëpërcjellës të tipit n
(shih në vazhdim), i cili
ndodhet në një fushë
magnetike.
• Një elektron do të ndjekë një

trajektore rrethore, sipas një
plani pingul me fushën
magnetike.
Mbi elektron, do të veprojë forca e Lorencit Fm = q∙v∙B, ku v është shpejtësia e

elektronit dhe B induksioni i fushës magentike.

ALBANIAN UNIVERSITY
Kjo forcë luan rolin e forcës qendërsynuese, që e mban elektronin në trajektoren

e tij rrethore me rreze r.
• Nga ligji i dytë i Njutonit, m e*  v 2

 qv B  v 
qBr
shkruajmë, r m e*
• Frekuenca e lëvizjes f ciklotronike 

v

qB
(*)
rrethore është, 2   r 2    m e*
Kjo është frekuenca e rezonancës ciklotronike (ose thjesht frekuenca

ciklotronike) dhe ajo është e pavarur si nga rrezja e trajektores rrethore r, ashtu
edhe nga shpejtësia e elektronit v.

ALBANIAN UNIVERSITY
• Nëse mbi gjysmëpërcjellës zbatohet një fushë elektrike me polarizim rrethor, me

frekuencë sa frekuenca ciklotronike (zakonisht në rendin gigaherc), elektronet
absorbojnë energjinë e mikrovalëve (fusha elektrike e mikrovalëve ka polarizimin e kërkuar
rrethor).
• Rrjedhimisht, ato përshpejtohen, rrisin shpejtësinë dhe si pasojë rrisin rrezen e trajektores
rrethore, pa ndryshuar frekuencën e tyre ciklotronike. Si pasojë e goditejeve, elektronet
e humbasin këtë energji shtesë dhe procesi përsëritet.
• Është e qartë se absorbimi do të jetë shumë më i dobët, nëse frekuenca e fushës së
zbatuar nuk është e barabartë me frekuencën ciklotronike (kur fusha elektrike nuk është e
sinkronizuar me lëvizjen e elektroneve).
Duke ndryshuar frekuencën e fushës elektrike, derisa të përftohet një pik në

spektrin e absorbimit, përckatojmë frekuencën ciklotronike të elektronit, dhe më
tej, duke zbatuar ek. (*), llogarisim masën e tij efektive.
Për të përcaktuar masën efektive të vrimave, ndiqet e njëjta procedure, por tashmë me
një gjysmëpërcjellës të tipit p.

ALBANIAN UNIVERSITY
Lëvizja e elektroneve në një kristal ideal

 Lëvizja e elektroneve në një kristal ideal, nën ndikimin e një fushe elektrike
konstante do të jetë një lëvizje lëkundëse (dhe jo një lëvizje uniforme).
Le të përshkruajmë sjelljen e elektronit në zonën më të ulët (atë të përcjell-

shmërisë), nën ndikimin e një fushe elektrike konstante.
Kur k = 0, impulsi dhe shpejtësia e elektronit janë 0, ndërsa nxitimi jepet me

E/m*e.
• Kur k është pranë vlerës 0, elektroni sillet pothuajse si elektron i lirë dhe masa
e tij efektive është pozitive.
• Pranë origjinës kurba E(k) përafrohet me një parabolë; përsa kohë vlen ky
përafrim, masa efektive e elektronit është konstante.

ALBANIAN UNIVERSITY
a. Relacioni i
dispersionit E(k);
b. Masa efektive në
zonën e parë të
Briluenit;
c. Shpejtësia dhe
d. Nxitimi në zonën
e parë të Briluenit.

ALBANIAN UNIVERSITY
• Me rritjen e impulsit, rritet gjithashtu edhe k, ndërkohë që masa efektive mbetet

konstante. Shpejtësia e elektronit rritet linearisht dhe nxitimi i tij është konstant.
• Me shmangien gjithnjë e më shumë të kurbës E(k) nga forma parabolike, rritja e
impulsit transferohet nga elektroni në rrjetën kristaline. Kjo i korrespondon rritjes
së masë së tij efektive (ndërkohë që kurbatura e E(k) ndryshon), e cila bëhet ∞
në pikën e infleksionit. Nxitimi zvogëlohet, duke arritur vlerën 0 në pikën e
infleksionit.
• Mbi pikën e infleksionit, masa efektive është negative. Kjo do të thotë që

ndërkohë që impulsi ndryshon nga k në k+Δk, impulsi që transferohet nga
elektroni në rrjetë, është më i madh se impulsi që transferohet nga forca e zbatuar
mbi elektron. Megjithëse k vazhdon të rritet, nxitmi është negativ (ngadalësues),
shpejtësia zvogëlohet, ndërkohë që i afrohemi pasqyrimit të Bregut, çka çon në
një zvoglim total (të përgjithshëm) të impulsit përshpejtues (për nga drejtimi i
lëvizjes) i elektronit.

ALBANIAN UNIVERSITY
Në kufirin e zonës k=π/a (pjesa e sipërme e zonës) funksioni valor i elektronit

që deri tani ishte një valë përhapse, bëhet një valë e qëndrueshme. Kjo valë e
qëndrueshme mund të shkruhet si shumë dy valës (përhapëse) që përhapen në
drejtime të kundërta. Shpejtësia do të jetë 0 dhe nxitimi mbetet negativ. Kjo
është pika e kthimit në lëvizjen e elektronit. Deri në këtë pikë, elektroni
lëvizte sipas drejtimit të forcës.
• Rritja e mëtejshme e impulsit të plotë p, nuk e lëviz k jashtë zonës së parë të

Briluenit, sepse pasqyrimi i Bregut e ndryshon k nga π/a deri në –π/a, që do të
thotë se elektroni futet në zonën e Briluenit nga ana tjetër.
• Nxitimi është përsëri negativ. Shpejtësia bëhet negative dhe elektroni fillon të
lëvizë sipas një drejtimi të kundërt me forcën. Kjo do të thotë që elektroni
kthehet pas dhe nuk lëviz më sipas drejtimit fillestar.

ALBANIAN UNIVERSITY
• Me rritjen e k, vlera e shpejtësisë rritet. Kur i afrohet pikës së majtë të infleksionit,

masa efektive zvogëlohet drejt -∞ dhe vlera absolute e nxitimit zvogëlohet. Në pikën
e majtë të infleksionit, masa efektive është përsëri e pafundme (dhe negative) dhe
nxitimi bëhet 0.
• Rritja e mëtejshme e k ndryshon shenjën e masës efektive (përsëri në pozitive)
dhe kjo shoqërohet me rritjen e shpejtësisë (vlera e saj ulet). Përsëri përafrimi
parabolik bëhet gjithnjë e më i vlefshëm dhe nxitimi do të jetë konstant.
• Kur k arrin vlerën 0, gjendja e elektronit do të jetë e njejtë, siç ishte në fillim dhe
procesi vazhdon. Kjo është pika e dytë e rikthimit për elektronin.
 Në pamje të parë, kjo lëvizje lëkundëse parandalon një rrymë elektrike, por kjo nuk
është e saktë. Gjatë këtij diskutimi, ne ju referuam lëvizjes së vetëm një elektroni, i cili
fillimisht ishte në prehje. Por shpërndarja e shpejtësisë (vektorit valor), në mungesë të
një fushe të jashtme është e rastësishme, ndërkohë që nëse zbatohet një fushë e
jashtme, kjo shpërndarje do të shfaqë një përbërëse jo të rastësishme (shpejtësi
të lëvizjes së drejtuar). Kjo do të thotë që impulsi mesatar nuk do të jetë 0.

ALBANIAN UNIVERSITY
Bartësit e rrymës në gjysmëpërcjellsa:

elektronet dhe vrimat
 Të gjithë gjysmëpërcjellsat me përdorim praktik, kanë lidhje kovalente. (Trupat e
ngurtë jonikë nuk janë gjysmëpërcjellës të mirë.)
• Në krisalin e Si, çdo atom ka 4

elektrone valence, të cilat i “ndan” me
katër atomet e tij fqinj, duke formuar në
këtë mënyrë lidhjen kovalente.
Në T = 0K, të gjithë elektronet e
valencës marrin pjesë në lidhje,
rrjedhimisht mungojnë elektronet e lira
që do të mundësonin përcjellshmërinë
elektrike dhe (në këtë temperaturë), Si
është një veçues i mirë.

ALBANIAN UNIVERSITY
Në T > 0K, disa nga elektronet e përfshira në lidhjen kovalente, mund të ngacmohen
termikisht, duke u shkëputur nga lidhja dhe duke u kthyer në këtë mënyrë në
elektrone të lira (në fakt, ato nuk janë realisht të lira, pasi bashkëveprojnë me rrjetën
kristaline).
• Këto elektrone njihen si elektrone të përcjellshmërisë; elektronet e përcjellshmërisë
mund të lëvizin nëpër kristal, duke mundësuar një rrymë elektrike në të.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Hapsira e krijuar (pasi elektroni i ngacmuar termikisht, shkëputet nga lidhja), në

vetvete nuk mund të bartë rrymë, por ajo u jep elektroneve të tjera mundësinë për
të lëvizur, pa patur nevojë që atyre t’u jepet energji e mjaftueshme për të këputur
lidhjet e tyre.
• Ndërkohë që një
tjetër elektron zë
hapësirën e
krijuar, nga pas
ai lë një tjetër
hapësirë ku
mund të
zhvendoset një
elektron tjetër, e
kështu me
rradhë.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Për të thjeshtuar diskutimin mbi lëvizjet që ndodhin në zonën e valencës

(plotësisht të mbushur në 0K), futet koncepti i vrimave.
është shumë më e thjeshtë të “ndiqet apo gjurmohet” një grimcë që mungon
në një zonë pothuajse të mbushur me elektrone, sesa të “ndiqet apo
gjurmohet” lëvizja e njëpasnjëshme e elektroneve të ndryshme.
 Vrimat janë elektrone që mungojnë. Ato sillen si grimca me të njëjtat veti si dhe
elektronet që do të zinin të njëjtat gjendje energjetike, me përjashtim të faktit që
ato bartin ngarkesë pozitive.
 Pra, në modelin e zonave energjetike, rrymat elektrike mund të barten

njëkohësisht, si nga elektronet, ashtu edhe nga vrimat.
 Sapo krijohet një vrimë, ajo mund të lëvizë në mënyrë të pavarur nga elektroni
që u ngacmua dhe që çoi në formimin e saj.

ALBANIAN UNIVERSITY
Energjia e nevojshme për këputjen e një lidhjeje është e barabartë me Eg.

ALBANIAN UNIVERSITY
Le të tregojmë në vazhdim, se futja e konceptit të vrimave e thjeshton analizimin e

transportit që ndodh në zonën e valencës.
• Një fushë elektrike uniforme shkakton një gradient konstant në skajet e zonës së
përcjellshmërisë dhe asaj të valencës; ajo gjithashtu shkakton një gradient konstant edhe
në nivelin e boshllëkut.
• Gradienti i krijuar në nivelin e boshllëkut ka nevojë për një shpjegim të mëtejshëm, pasi ai
lidhet me energjinë potenciale të elektroneve jashtë gjysmëpërcjellsit: fusha e zbatuar
i “pjerrëzon” zonat energjetike, pasi energjia potenciale elektrostatike e elektroneve është –
e∙V(x) dhe V(x) zvogëlohet sipas drejtimit të fushës, ndërkohë që energjia potenciale rritet.
• Megjithatë, mund të
themi se gradienti i
nivelit të boshllëkut
përfaqson fushën
elektrike brenda
gjysmëpërcjellsit.

ALBANIAN UNIVERSITY
• Elektronet në zonën e përcjellshmërisë

janë grimca të ngarkuara negativisht dhe si
të tilla lëvizin në kah të kundërt me fushën
elektrike (duke “zbritur poshtë” sipas
gradientit të krijuar në skajin e zonës).
• Elektronet në zonën e valencës lëvizin
gjithashtu sipas të njëjtit drejtim.
Rrjedhimisht, rryma e plotë e krijuar nga
elektronet në zonën e valencës, mund të
shkruhet.
1
J Z.V.    (q )  vi
V gjendje të
mbushura
V është vëllimi i gjysmëpërcjellsit, q dhe v janë përkatësisht ngarkesa dhe shpejtësia e elektronit.
• Shumimi kryhet sipas të gjitha gjendjeve të mbushura në zonën e valencës.

ALBANIAN UNIVERSITY
Kjo shprehje mund të rishkruhet,

• duke veçuar fillimisht shumën sipas të gjitha gjendjeve në zonën e valencës
• dhe më tej, duke zbritur nga kjo shumë, rrymën e krijuar nga elektronet që
aktualisht mungojnë në zonën e valencës.
Rrjedhimisht, ky term i fundit përfaqson shumën sipas të gjitha gjendjeve bosh në
zonën e valencës; përfundimisht,
 
1  
J Z.V. 
V
 

 (q)  vi   (q)  vi 
 të gjitha gjendjet 
 gjendjet bosh 
Shuma sipas të gjitha gjendjeve në zonën e valencës duhet të jetë e barabartë me

zero, pasi elektronet në një zonë plotësisht të mbushur nuk kontribuojnë në
rrymën elektrike, ndërkohë

ALBANIAN UNIVERSITY
termi që mbetet, mund të rishkruhet si,
1
J Z.V.    ( q )  vi
V gjendjet
bosh
Kjo do të thotë se,

 Rryma krijohet nga grimcat e ngarkuara pozitivisht, që lidhen me gjendjet
boshe në zonën e valencës.
Këto “grimca” janë pikërisht vrimat.
(!) Në fakt, duhet theksuar se me vrimën nuk lidhet ndonjë grimcë reale, por sjellja e
kombinuar e elektroneve që mbushin nivelet e zonës së valencës, është e njëjtë
me atë të grimcave të ngarkuara pozitivisht që shoqërojnë (që lidhen me) nivelet
bosh të po kësaj zone.

ALBANIAN UNIVERSITY
 Arsyeja se përse koncepti i vrimave e thjeshton analizën e situatës është se

densiteti i funksionit të gjendjeve të një zone (në tërësi), mund të jetë mjaft i
ndëlikuar. Megjithatë, ai thjeshtohet në mënyrë dramatike, nëse shqyrtohen
vetëm gjendjet pranë skajeve të zonës.
Meqë janë “grimca” të ngarkuara

pozitivisht, vrimat lëvizin sipas
drejtimit të fushës elektrike, duke
“u ngjitur lart” përgjatë gradientit të
krijuar në skajin e zonës.
• Kjo lëvizje është e ngjashme me
atë të flluskës së ajrit, në gypin e
mbushur me ujë të një niveluesi.

ALBANIAN UNIVERSITY
Faleminderit për Vëmendjen !

Leksion 13 & 14 - Materialet Elektronike

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Leksion 13 & 14 - Materialet Elektronike

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ALBANIAN UNIVERSITY

Fizika e Materialeve Elektronike

Prof. Asoc. Dr. Adhurim HOXHA

Mc Graw Hill Education 2017

5/26/2020 Adhurim HOXHA 2

5/26/2020 Adhurim HOXHA 3

5/26/2020 Adhurim HOXHA 4

 Shumica e gjysmëpërcjellsave komponime janë kombinime elementësh nga Grupi III

5/26/2020 Adhurim HOXHA 5

 Në të kaluarën, gjysmëpërcjellsat komponime nuk kanë patur ndonjë përdorim të

• Këto kristale rriten me më vështirësi se silici. Numri i defekteve në kristale është

 Megjithatë, viteve të fundit kostoja e prodhimit të gjysmëpërcjellsave komponim është

• Për shkak të vetite të tyre themelore, me gjysmëpërcjellsat komponime mund të

5/26/2020 Adhurim HOXHA 6

 Ky ndryshim i përqëndrimit të elementëve përbërës, pasqyrohet në strukturën e

 Këto heterostruktura janë të dobishme për zhvillimin e paisjeve elektronike dhe

5/26/2020 Adhurim HOXHA 7

 Struktura kristaline e GaAs (dhe AlAs)

5/26/2020 Adhurim HOXHA 8

5/26/2020 Adhurim HOXHA 9

 GaAs ka lidhje tetrahedrale midis Ga dhe As dhe karakteri i lidhjes është

Struktura e zonës së valencës së GaAS dhe përlidhjeve AlxGa1-xAs ka tri nënzona:

i) zona e vrimave të rënda,

5/26/2020 Adhurim HOXHA 10

Tri zonat e valencës i kanë maksimumet në k = 0 (shih figurën e slaidit 9).

Në GaAs “lugina” Γ e zonës së përcjellshmërisë është më e ulta në k = 0, me një

(!) Kur përqëndrimi i Al është më i madh se 0.4, çarja energjetikë ndryshon në

Çarja energjetike e AlGaAs në 300K jepet si,

E g  1.424  1.247  x [eV] ( x  0.4) Lugina   Zonë direkte

5/26/2020 Adhurim HOXHA 11

5/26/2020 Adhurim HOXHA 12

5/26/2020 Adhurim HOXHA 13

Varësia e çarjes energjetike nga temperatura

Në fakt, me rritjen e energjisë termike (temperaturës), rritet edhe amplituda e

5/26/2020 Adhurim HOXHA 14

 Varësia e çarjes energjetike nga temperatura, është përcaktuar eksperimentalisht,

ku Eg(0), α dhe β, janë parametra të përcaktuar eksperimentalisht.

Vlerat e tyre për germaniumin, silicin dhe arsenidin e galiumit, paraqitn në

5/26/2020 Adhurim HOXHA 15

5/26/2020 Adhurim HOXHA 16

• Për silicin, zvogëlimi është më i lehtë se për dy gjysmëpërcjellësit e tjerë.

5/26/2020 Adhurim HOXHA 17

Efekti i rrjetës mbi elektronet. Zonat e Briluenit

 Çdo proces në një gjysmëpërcjellës zhvillohet në përputhje me ligjet e ruajtjes së

Energjia e një elektroni të lirë, jepet

m0 është masa e elektronit të lirë.

(!) Ku vektori valor k, mund të marrë çdo

5/26/2020 Adhurim HOXHA 18

Ç‘mund të themi për një elektron në kristal ?

 Përsëri çdo proçes zhvillohet në përputhje me ligjin e ruajtjes së impulsit.

 Edhe në kristal ekziston një lidhje midis

5/26/2020 Adhurim HOXHA 19

 Një elektron përcjellshmërie, që përhapet në një potencial periodik të shkaktuar nga

Në figurë paraqitet potenciali

 Prania e një potenciali periodik, që shkakton pasqyrimet e Bregut, çon në formimin e

5/26/2020 Adhurim HOXHA 20

zonën e parë të Briluenit (k = ± π/a): rajoni i hapësirës reciproke që ndodhet më

5/26/2020 Adhurim HOXHA 21

 Elektronet me energji brenda zonave të ndaluara nuk mund të përhapen

• Origjina e këtyre drejtimeve të ndaluara qëndron në faktin se valët elektronike të

 Kur ky rast një-përmasor shtrihet në rastin tri-përmasor, periodiciteti i kristalit real

5/26/2020 Adhurim HOXHA 22

 Kemi theksuar që GaAs ka strukturën e