1.

MATERIALET GJYSMPRUESE

1.1 HYRJE
Dekadat e fundit karakterizohen me ndryshime shum dramatike n industrin
elektronike, si rezultat i miniaturizimit t komponentve gjysmprues elektronik. Sisteme t
tra tani zhvillohen me dimensione disa mijra her m t vogla se nj element i vetm i
mhershm. Prparsit q ka sjell miniaturizimi i ktill i komponentve elektronik, kan
mundsuar zhvillime t vrullshme n degt tjera t industris n prgjithsi, e posarisht n
telekomunikime dhe n kompjuterik.
Kufijt e miniaturizimit t mtejm t ktyre komponentve duket se jan t determinuar
nga tre faktor: kualiteti i materialit gjysmprues, teknika e projektimit t qarqeve dhe n
kufizimet e pajisjeve prpunuese dhe t fabrikimit.

1.2 KARATERISTIKAT E PRGJITHSHME T GJYSMPRUESVE

Fjala gjysmprues vetvetiu prfshin disa karakteristika t ktyre materialeve. Prefiksi
gjysm zakonisht prdoret pr dika q sht n mes t dy kufijve. Termi prues prdoret pr
materialet q karakterizohen me rrjedhje t ngarkesave elektrike nn veprimin e tensionit t
jashtm.
Pra, gjysmprues sht materiali i cili ka prueshmri diku n mes t izolatorit
(prueshmri shum e ult) dhe pruesit, si bakri, i cili ka nivel t lart t prueshmris. E
kundrta e prueshmris s materialit sht rezistenca e tij ndaj rrjedhjes s ngarkesave ose
rryms.

2
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

l
2

A=1cm

Fig.1.1 Caktimi i rezistencs s materialit

Ekuacioni pr rezistencn e materialit (n temperatur t caktuar) sht
R=

l
A

(1.1)

Ku R matet me oma [], l sht gjatsia e mostrs, A sht siprfaqja incidente dhe
rezistenca specifike e materialit. Nse A=1 cm2, l=1 cm, si n Fig.1.1, ather R= dhe quhet
rezistenca specifike e trupit t gjysmpruesit, dhe sht nj madhsi shum e rndsishme n
elektronik.
Njsia e rezistencs specifike , e definuar ksisoj sht

RA
cm 2

cm
l
cm

(1.2)

Pr ta theksuar karakterin gjysmprues t ktyre materialeve n Tabeln1.1 jan dhn

vlerat e rezistencs specifike pr prues, izolator dhe nj gjysmprues.
Tabela 1.1 Vlerat tipike t rezistencs specifike t materialeve t ndryshme n temperaturn e
dhoms T = 300 0K
Pruesi

Gjysmpruesi

Izolatori

Bakri

Germaniumi

Qeramika (mica)

10-6cm

50 cm

1012cm

N materialet gjysmpruese bjn pjes elementet e grupit t katrt t sistemit

periodik, e prej tyre interesim t posam kan zgjuar germaniumi (Ge) dhe silici (Si) pr disa
arsye. Njra ndr arsyet m t rndsishme sht fakti se kto elemente mund t fabrikohen n
nj nivel shum t lart t pastrtis (ky nivel sot arrihet deri n 1:10x1010), nivel i

3
1. Materialet gjysmpruese

domosdoshm, sepse me ndryshimin e nivelit t pastrtis ndryshojn vetit elektrike t

materialit. P.sh. nse n materialin e pastr t silicit shtohet 1:1 000 000 pjes t papastrtis
gjegjse, materiali ndryshon nga pruesi relativisht i dobt n prues t mir t elektricitetit.
Pra, kur t punohet me mediumin gjysmprues kemi t bjm me spektr t ri t niveleve
krahasuese. Mundsia e ndryshimit t dukshm t karakteristikave t materialit me kt proces, i
cili sht i njohur si doping (futje) sht edhe nj arsye tjetr pr t ciln germaniumi dhe
silici kan zgjuar shum interesim. Arsye tjetr sht se germaniumi dhe silici mund ti
ndryshojn karakteristikat e tyre edhe me zbatimin e nxehtsis ose drits q mundson
zbatimin e ktyre elementeve n zhvillimin e qarqeve t ndjeshme t drits dhe t nxehtsis.
Disa nga kto veti t posame t ktyre elementeve t cekura m lart jan pasoj e
strukturs s tyre atomike. Atomet e t dy materialeve formojn rrjet t definuar mir, i cili n
formn natyrore sht periodik. Nj rrjet i ktill i plot quhet kristal. Te germaniumi dhe silici,
kristali ka struktur tredimensionale t diamantit si n Fig.1.2.

Fig.1.2 Struktura kristalore e germaniumit dhe e silicit. Rratht paraqesin atomet, vijat e plota
paraqesin lidhjet kovalente, ndrsa vijat e ndrprera formn e tetraedrit.
Karakteristik e kristaleve t ktyre materialeve sht se struktura e tyre nuk ndryshohet
dukshm me futjen e papastrtive shtes n procesin e dopingut.
Tani t shqyrtojm strukturn e vet atomit dhe t shohim se si mund t veprohet n
ndryshimin e karakteristikave elektrike t materialit. Si dihet, atomi prbhet nga grimcat
themelore: elektroni, protoni dhe neutroni. Protoni dhe neutroni formojn brthamn, ndrsa
elektronet rrotullohen rreth brthams n orbite t caktuara. Modelet e Bohr-it t atomeve t
gjysmpruesve q shfrytzohen m s shumti, germaniumi dhe silici, jan paraqitur n Fig.1.3.

4
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

(a)

(b)

Fig.1.3 Struktura atomike: (a) e germaniumit; (b) e silicit.

Atomi i germaniumit ka 32 elektrone orbitale ndrsa ai i silicit 14 elektrone orbitale. N t dy
rastet, n shtresn e fundit jan nga katr elektrone (n shtresn valente) q sht karakteristik e
elementeve t grupit t katrt t sistemit periodik. Potenciali (potenciali jonizues) q nevojitet
pr zhvendosjen e cilitdo nga kto katr elektrone valente sht m i ult se potenciali i
nevojshm pr cilindo elektron tjetr t strukturs atomike. Paraqitja tri-dimensionale e rrjets
kristalore t Silicit mund t jet e vshtir, e lodhshme dhe nganjher edhe konfuze, prandaj
shpesh prdorim paraqitjen e shesht (n dy dimensione) Fig. 1.4, duke kuptuar q ky model nuk
paraqet radhitjen hapsinore t atomeve. N germaniumin ose silicin e pastr kristalor, 4
elektronet valente jan t rrethuara me 4 atome shoqruese, sepse t gjitha ato kan nga katr
elektrone valente, pra kan atome katr-valentsh (Fig.1.4).

Fig.1.4 Lidhja kovalente e atomit t silicit.

Ky lloj i lidhjes, i formuar me bashklidhje t elektroneve, quhet lidhje kovalente. Edhe
pse lidhja kovalente rezulton me lidhje t fort n mes t elektroneve valente dhe t atomit am,
elektronet valente kan ende mundsi t absorbojn energji kinetike t mjaftueshme nga
rrethina, q ti shkpusin lidhjet kovalente dhe ta prvetsojn gjendjen e lir.
N temperaturn T 0o K , secili elektron sht n nivelin e vet energjetik m t ult t
mundshm, ashtu q t gjitha pozitat kovalente jan t plotsuara. Nse n kt material zbatohet

5
1. Materialet gjysmpruese

nj fush e vogl elektrike, elektronet nuk do t lvizin, sepse jan t lidhura pr atomet e tyre
am. Prandaj n T 0o K , silici dhe germaniumi jan izolator, dhe ngarkesat nuk kalojn npr
to.
Nj veori m rndsi e gjysmpruesve sht se elektronet mund t largohen nga
lidhjet kovalente nse marrin energji t mjaftueshme nga jasht. Prandaj, nse temperatura rritet,
elektronet valente do t fitojn energji termike e cila mund t jet e mjaftueshme pr shkputjen
e lidhjeve kovalente. Kto elektrone lvizin nga pozita e tyre origjinale (Fig.1.5.a), dhe jan t
lira t lvizin brenda kristalit.

Elektroni
i lir

Atomi me
munges t
elektronit

(a)

(b)

Fig.1.5 (a) Shkputja e lidhjes kovalente pr T 0o K ; (b) paraqitja dy-dimenzionale e lvizjes

s vrims me ngarkes pozitive
Pasi q ngarkesa e prgjithshme e materialit sht neutrale, nse elektroni me ngarkes
negative shkput lidhjen e vet kovalente dhe lviz nga pozita e vet origjinale, n pozitn e tij
krijohet nj gjendje e zbrazt me ngarkes pozitive (Fig.1.5.a). Kjo grimc me ngarkes
pozitive quhet vrim. Nga ana tjetr, elektroni valent nga atomi fqinj, q ka nj sasi t
energjis, n afrsi t nj gjendjeje t zbrazt mund t lviz n at pozit, si sht paraqitur n
Fig. 1.5.b, duke krijuar prshtypjen se edhe ngarkesa pozitive po lviz npr kristalin e
gjysmpruesit. N gjysmprues, pra, dy tipe t grimcave t ngarkuara kontribuojn n
rrym: elektroni i lir me ngarkes negative dhe vrima me ngarkes pozitive.
Veprimi termik, megjithat vazhdon t krijoj qifte t reja elektron-vrim n njsi t
vllimit. Kto elektrone dhe vrima lvizin n mnyr t rastit npr strukturn e kristalit t silicit
dhe n kt proces disa nga elektronet mund t plotsojn disa nga vrimat. Ky proces quhet
rekombinim dhe rezulton n zhdukjen e disa elektroneve dhe vrimave.
Koncentrimet e elektroneve dhe vrimave, (pr cm3), jan parametra t rndsishm n
karakteristikat e materialeve gjysmpruese, sepse ato drejtprsdrejti ndikojn n madhsin e
rryms. Nj gjysmprues i pastr (anglisht intrinsic) sht nj kristal i materialit
gjysmprues i cili nuk prmban atome t materialeve tjera n kristal. Te gjysmpruesi i
pastr, dendsit (koncentrimet) e elektroneve dhe t vrimave jan t barabarta, sepse burimet e
grimcave t tilla jan vetm elektronet dhe vrimat e gjeneruara termikisht.

6
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

Prandaj me ni do t shnohet koncentrimi intrinsik i bartsve t lir t elektricitetit si

elektroneve t lira ashtu edhe vrimave t lira. Ekuacioni pr kt koncentrim sht
ni BT

Eg

3/ 2 2 kT

(1.3)

Ku B sht nj konstant e lidhur me materialin specifik gjysmprues, Eg sht energjia e

barriers (eV), T sht temperatura (oK) dhe k sht konstanta e Boltzmann-it (86 x 10-6 eV/oK).
Vlerat pr B edhe Eg pr disa materiale gjysmpruese jan dhn n Tabeln 1.2. Barriera
energjetike nuk sht funksion shum i varur nga temperatura.

Tabela 1.2 Konstantet e gjysmpruesve

Materiali

Silici (Si)
Galium arsenidi (Ga As)
Germaniumi (Ge)

Energjia e barriers Eg (eV)

Konstanta B (cm-3oK-3/2)

1.1
1.4
0.66

5.23 x 1015
2.10 x 1014
1.66 x 1015

Energjia kinetike e nevojshme pr shkputjen e lidhjeve kovalente mund t merret nga

energjia e drits n form t fotoneve, ose nga energjia termike nga mediumi rrethues. N
temperaturn e dhoms ka prafrsisht 1.5x1010 barts t lir t elektricitetit (elektrone t lira q
i kan shkputur lidhjet kovalente me ndihmn e energjis termike t ambientit dhe po aq vrima)
n nj centimetr kub t materialit t pastr t silicit.
Materiale t pastra gjysmpruese jan ato materiale q jan rafinuar me kujdes pr
reduktimin e papastrtive (elementeve tjera kimike) n nivel shum t ult aq sa sht e
mundur me teknologjit bashkkohore. Elektronet dhe vrimat e lira n material, t shkaktuara
nga shkaktart e natyrshm (drita ose nxehtsia) quhen barts t brendshm ose barts vetjak t
elektricitetit. N temperatur t njjt, materiali i pastr i germaniumit do t ket prafrsisht
2.5x1013 barts t lir pr centimetr kub. Hersi n mes t numrit t bartsve n germanium dhe
silic sht m i madh se 103 dhe tregon se germaniumi sht prues m i mir n temperatur t
dhoms. Por megjithat, t dy kto materiale ende konsiderohen si prues t dobt n gjendje t
pastr.
Ndryshimi n temperaturn e materialit gjysmprues mund ta rrit dukshm numrin e
elektroneve t lira. Nse temperatura rritet nga zero absolute (0o K) nj numr gjithnj m i
madh i elektroneve valente absorbon energji t nevojshme termike pr shkputjen e lidhjeve
kovalente dhe kshtu kontribuojn n numrin e prgjithshm t bartsve t lir t elektricitetit,
si u prshkrua m lart. Kjo rritje e numrit t bartsve do ta rrit prueshmrin e materialit
aktual dhe rezulton n nivelin m t ult t rezistencs. Pra, materialet gjysmpruese si
germaniumi dhe silici manifestojn zvoglim t rezistencs me rritje t temperaturs dhe pr
kto materiale thuhet se kan koeficient negativ temperaturor, pr dallim nga materialet
pruese, koeficienti temperaturor i t cilve sht pozitiv. Pra te pruesit, me rritjen e
temperaturs, rritet rezistenca e materialit.

7
1. Materialet gjysmpruese

Shembulli 1.1
Nj pllak gjysmpruese prej Silici t pastr ka gjatsi 4mm dhe prerje trthore drejtkndshe me
dimensione 50 X 80 m. Pllaka gjendet n temperaturn 300oK. Llogaritni intensitetin e fushs elektrike
n pllak si dhe tensionin n skaje t pllaks, nse npr pllak kalon rrym prej 1A.
Zgjidhje

Nga Ligji i Ohm-it n form lokale =

J I 1 I

S S

J
106
E
2.3 105 102 5.75 105 V / m 5.75 103 V / cm
6
6
50 10 80 10
Ku ( Si ) 2.30 10 cm
Tensioni n skaje t pllaks sht:
5

U E L 5.75 105 4 103 2300V

Rezultati i fituar n ket shembull tregon q nj tension jashtzakonisht i madh sht i nevojshm pr t
prodhuar nj rrym shum t vogl (1 A). Prandaj, gjysmpruesit e pastr (intrisik) nuk jan t
prshtatshm pr komponent elektronike. Si do t shohim n vazhdim duhet t shqyrtojm ndonj
metod pr ta rritur koncentrimin e bartsve t lir t elektricitetit n gjysmprues.
Shembulli 1.2
Llogaritni ndryshimin e koncentrimit intrisik n Silic, Germanium dhe Galium-Arsenid, nse temperatura
ndryshon nga T1 = 3000K n T2 = 3600K.
Zgjidhje
Ekuacioni pr koncentrimin intrisik t bartsve t lir t elektricitetit, si elektroneve t lira ashtu edhe
vrimave t lira nga temperatura jepet me ek. (1.3)
Raporti i koncentrimit intrisik n dy temperatura sht:

Eg

T
ni (T2 ) B T e

2
Eg
ni (T1 )

T1
B T13/2 e 2 kT1
3/2
2

2 kT2

3/2

Eg 1 1

2 k T1 T2

Ku jan: k- konstanta e Boltzman-it (k = 86 x 10-6 eV/oK), ndrsa Eg ndryshon varsisht nga

gjysmpruesi Tabela 1.2

n (360) 360

a) Pr Silic (Si), i

ni (300) 300

3/2

1.1
286106

n (360) 360

b) Pr Germanium (Ge), i

ni (300) 300

3/2

1
1

62
300 360
1.4

1
1
6
e 28610

16
300 360

n (360) 360

c) Pr Galium-Arsenid (Ga-As), i

ni (300) 300

3/2

0.6
286106

1
1

198
300 360

8
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

Shembulli 1.3
Konsideroni nj mostr silici me prerje trthore 5 cm2 dhe gjatsi 0.5 cm. Nj fush elektrike me intensitet
mesatar prej 20 V/cm aplikohet prgjat skajeve t mostrs s silicit. Llogaritni:
a) Dendsin e rryms s elektroneve (Jn) si dhe dendsin e rryms s vrimave (Jp).
b) Rrymn totale e cila rrjedh n mostr t silicit.
c) Rezistivitetin e mostrs (rezistencn specifike t mostrs).
Jan t njohura: ni = 1.5 x 1010 cm-3, n =1400 cm2/Vs dhe p = 450 cm2/Vs
Zgjidhje:
Pasi gjysmpruesi sht i pastr, ather

ni pi 1.5 1010 cm3

n eni n 1.6 1019 C 1.5 1010 cm3 1400cm2 / Vs 3360 109 S cm

p epi p 1.6 1019 C 1.5 1010 cm3 450cm2 / Vs 1080 109 S cm

a)

Dendsia e rryms s elektroneve sht:

J n n E 3360 109

S
V
A
A
20
67200 109
67.2 2
2
cm
cm
cm
cm

J n n E 1080 109

S
V
A
A
20
21600 109
21.6 2
2
cm
cm
cm
cm

b) Rryma totale e cila rrjedh npr mostr silici

I J S ( J n J p ) S 88.8
c)

cm

5cm 2 444 A

Rezistenca specifike e mostrs s silicit sht:

1
109

225.2k cm
n p 4440

1.3 NIVELET ENERGJETIKE

N strukturn atomike t izoluar ekzistojn nivele energjetike diskrete t shoqruara me
elektrone orbitale si sht paraqitur n Fig.1.6.a. Secili material ka bashksin e vet t caktuar
t niveleve t lejuara energjetike pr elektronet n strukturn e vet atomike. Sa m i largt q
sht elektroni nga brthama aq m t lart e ka nivelin (gjendjen) energjetike. N mes t
niveleve diskrete energjetike jan barrierat (hapsirat) n t cilat asnj elektron nuk mund t
ndodhet. Elektroni q e lshon atomin am ka gjendje m t lart energjetike se cilido elektron
tjetr n strukturn atomike. Pasi q atomet e materialit jan t vendosura afr njra tjetrs, pr
t formuar struktur kristalore, n mes t atomeve paraqitet nj interaksion, ashtu q elektronet
n orbit t caktuar t nj atomi kan nivele energjetike q ndryshojn shum pak nga nivelet
energjetike t elektroneve t orbits s njjt t nj atomi fqinj. Rezultati i prgjithshm sht
zgjerimi i niveleve diskrete t gjendjeve energjetike t mundshme pr elektronet valente n nj
brez si sht paraqitur n Fig.1.6.b.

9
1. Materialet gjysmpruese

Duhet t theksohet se ende ekzistojn nivelet kufitare dhe gjendjet energjetike maksimale
n t cilat secili elektron nga struktura atomike mund ta gjej veten, dhe ende mbetet nj regjion
i ndaluar n mes t brezit valent dhe nivelit jonizues.
Jonizimi sht mekanizmi n t cilin nj elektron mund t absorboj energji t
mjaftueshme q t shkputet nga struktura atomike dhe ti bashkngjitet bartsve t lir n
brezin prues. N atomin am n kt rast mbetet nj ngarkes e paplotsuar e cila nuk mund t
lviz dhe paraqet jon pozitiv.
Dy brezat m t lart energjetik jan brezi valent dhe brezi i prueshmris (Fig.1.6 b). Kto
breze jan t ndara me nj regjion i cili prcakton energjin q elektronet n kristale nuk mund
t posedojn. Ky regjion zakonisht quhet brez i ndalimit (barriers) (angl. forbiden gap).
Pr izolatort, elektronet valente formojn lidhje t forta ndrmjet atomeve fqinje. Kto
lidhje thyhen me vshtirsi dhe pr pasoj ska elektrone t lira (n brezin prues) pr t
participuar n primin e rryms.
Lidhjet ndrmjet atomeve fqinje n gjysmprues jan t dobta, prandaj vibracionet
termike mund t thyejn disa nga lidhjet. Kur nj lidhje sht thyer, nj elektron injektohet prej
brezit valent n brezin e prueshmris dhe bhet i lir. Me kt rast sht krijuar nj qift
elektron-vrim dhe elektronit i jepet energji e barabart ose m e madhe se energjia e brezit t
ndalimit.
Kur nj elektron bie prej brezit t prueshmris n brezin valent n ndonj vrim, ndodh
procesi i rekombinimit dhe zhduket nj qift elektron-vrim.
N prues (p.sh metale), brezi valent dhe brezi i prueshmris prputhen, kshtu q
nuk ka brez t ndalimit.
Energjia
Niveli valent
Barriera energjetike
Niveli i
Barriera energjetike
Niveli itret
Etj.
Etj.

Brthama

(a)

10
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

Energjia

Energjia

Energjia
Elektronet
e lira

Brezi prues
Brezi prues

EB >5eV

EB

Elektronet
valente t
lidhura pr
strukturn e
atomit

Brezi valent
Brezi valent
Gjysmprcuesi
Gjysmpruesi

Izolatori

Brezi valent

Brezi
valent
prues
prputhen

Pruesi

(b)
Fig.1.6 Nivelet energjetike: (a) nivelet diskrete n strukturn e izoluar atomike; (b)brezat
prues dhe valent pr nj izolator, gjysmprues dhe prues.
Barriera energjetike te gjysmpruesit tetnon t zvoglohet me rritjen e temperaturs.
Kjo sjellje mund t kuptohet m mir nse marrim parasysh se hapsira ndratomike rritet kur t
rriten amplitudat e vibracioneve atomike pr shkak t rritjes s energjis termike. Ky efekt
shprehet me ekspanzionin linear t koeficientit t materialit. Rritja e hapsirs ndratomike
ngrit potencialin e elektroneve, q pastaj redukton madhsin e barriers energjetike.
Varshmria temperaturore e barriers energjetike sht caktuar eksperimentalisht dhe
prshkruhet me shprehjen Eg si funksion t temperaturs T:
2

() = (0) +
ku Eg(0), and jan parametra t prshtatjes dhe kta parametra pr germanium, silic dhe
galium arsenid jan dhn n tabeln e poshtme:

Tabela 1.3 Parametrat temperaturor t Ge, Si dhe GaAs

Germanium Silici
GaAs
Eg(0) [eV]
0.7437
1.166
1.519

[eV/oK] 4.77 x 10-4 4.73 x 10-4 5.41 x 10-4

235
636
204
[oK]

Energjia shprehet n elektronvolt (eV) dhe kjo njsi matse sht e prshtatshme sepse
kjo paraqet produktin n mes t fuqis dhe kohs

11
1. Materialet gjysmpruese

W (energjia) = P(fuqi) t(koha)

Nga ana tjetr, fuqia sht produkti n mes t tensionit dhe rryms
P=VI
Energjia mund t shprehet si
W = VIt
Pasi q rryma paraqet hersin n mes t ngarkess dhe kohs
I = Q/t

ose

Q = It

Energjia mund t shprehet si produkt n mes t ngarkess dhe tensionit

W= QV [Joul]

(1.4)

Nse zvendsohet ngarkesa e nj elektroni dhe ndryshimi i potencialit (tensioni) prej 1V

n ek.(1.4) do t fitohet niveli energjetik prej nj elektronvolti. Pasi q energjia gjithashtu matet
me xhula (Joul) dhe ngarkesa e nj elektroni sht e = 1,6x10-19[C], energjia do t jet
W = Q V = (1,6x10-19C) (1 V)
1 eV = 1,6x10-19[J]

(1.5)

M par kemi theksuar se nse papastrti t caktuara i shtohen materialeve t pastra

(intrinsike) gjysmpruese, si rezultat do t kemi gjendje energjetike t lejuara n brezin e
ndaluar dhe zvoglim t trsishm t barriers EB pr t dy llojet e ktyre materialeve. Pasoj e
ktij zvoglimi t barriers energjetike sht rritja e dendsis s bartsve n brezin prues me
efekt t njjt si me rritjen e temperaturs.

1.4 MATERIALET E PAPASTRTA (EKSTRINSIKE) T TIPIT n DHE

T TIPIT p
Koncentrimet e elektroneve dhe vrimave n gjysmpruesin e pastr jan relativisht t
vogla, prandaj npr to mund t kalojn vetm rryma t vogla. Megjithat, kto koncentrime
mund t rriten dukshm duke i shtuar ktyre materialeve nj sasi t kontrolluar t papastrtive.
Papastrtia e dshiruar sht e till q kur t futet n strukturn kristalore zvendson nj atom t
gjysmpruesit, edhe pse atomi i papastrtis nuk ka struktur t njjt t elektroneve valente.
Si materiale t papastrtive kryesisht prdoren elementet e grupit t III dhe t V t sistemit
periodik t elementeve. Kto elemente papastrtie, edhe pse shtohen n numr t vogl,
zakonisht n prpjes 1:10x106 (1 atom papastrtie n 10x106 atome silici), kan mundsi q
dukshm ta ndryshojn strukturn e brezave rreth atomit dhe trsisht ti ndryshojn vetit
elektrike t materialit. Materiali gjysmprues i cili i nnshtrohet ktij procesi t dopingut
quhet material ekstrinsik (i papastr). N fabrikimin e elementeve gjysmpruese rndsi t

12
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

posame kan dy materiale ekstrinsike: materiali i tipit n dhe ai i tipit p. Secili nga kto dy lloje
t materialeve do t shpjegohen m hollsisht n paragraft e ardhshm.

Materiali i tipit n
Pr formimin e materialit t tipit n shfrytzohen elementet e grupit t V, si jan
antimoni, arseni dhe fosfori. Pr shembull, kur nj atom i antimonit (Sb) zvendson nj atom t
silicit n strukturn kristalore, si sht paraqitur n Fig.1.7, katr elektrone valente t tij
shfrytzohen pr formimin e lidhjeve kovalente me atomet fqinje t silicit. Elektroni i tij i pest
sht relativisht i lir n brezin e atomit t antimonit, kshtu q n temperaturn e dhoms, ky
elektron ka energji t mjaftueshme termike pr shkputjen e barriers, dhe t bhet i lir pr t
lvizur npr kristal dhe t kontribuoj n rrymn e elektroneve n gjysmprues.

Elektroni i pest
valent i antimonit

Atomi i antimonit
(Sb) si papastrti

Fig.1.7 Papastrtia e antimonit n materialin e tipit n

Atomi i antimonit n kt rast quhet papastrti donor, sepse ai dhuron nj elektron q
sht i lir t lviz. Edhe pse atomi i mbetur i antimonit ka ngarkes t prgjithshme pozitive,
atomi sht i palvizshm brenda kristalit dhe nuk mund t kontribuoj n rrym por sillet si jon
pozitiv. Prandaj, kur shtohet nj papastrti donor n gjysmprues, krijohen vetm elektrone t
lira pa gjenerimin e vrimave. Ky proces pra quhet procesi i dopingut, dhe ai mundson
kontrollimin e koncentrimit t elektroneve t lira n nj gjysmprues. Gjysmpruesi i cili
prmban atome donor t papastrtis quhet gjysmprues i tipit n ( pr shkak t ngarkesave
negative t elektroneve t lira).
Efekti i procesit t dopingut n prueshmrin relative m s miri mund t prshkruhet
me diagramin e brezave energjetik t paraqitura n Fig. 1.8.

13
1. Materialet gjysmpruese

Energjia
Brezi prues
EB= 0.05eV(Si)
EB= 0.01 eV(Ge)
EB si m par
Brezi valent

Niveli
donorve

Fig.1.8 Efekti i papastrtive donor n brezat energjetike t strukturs

Duhet t theksohet se niveli diskret energjetik (i quajtur niveli i donorve) paraqitet n
brezin e ndaluar me nj energji t barriers EB shum m t vogl se barriera e vet materialit t
pastr (intrinsik). Kto elektrone t lira mblidhen n kt nivel energjetik dhe nuk kan kurrfar
problemi pr absorbimin e energjis s nevojshme termike pr t lvizur n brezin prues n
temperaturn e dhoms. Si rezultat i ksaj, niveli prues dhe prueshmria e materialit rriten
dukshm. N temperatur t dhoms, n material intrinsik t silicit ka prafrsisht 1 elektron t
lir pr do 1012 atome (1 n 109 pr Ge). Nse niveli i dopingut sht 1:107, hersi 1012/107
tregon se koncentrimi i bartsve t lir sht rritur pr 105. Pra, numri i ngarkesave t lira, n
kt rast elektroneve, sht dukshm m madh se numri i vrimave t lira.
Prfundimisht, gjysmpruesi i tipit n prmban:

Elektrone dhe vrima t krijuara nga shkputja e lidhjeve kovalente

Elektrone t krijuara nga futja e papastrtive donore
Jone pozitive t papastrtive donore

Materiali i tipit p
Materiali i tipit p formohet me dopingun e kristalit t pastr t germaniumit ose t silicit
me atome t papastrtive t elementeve t grupit t III, t cilat kan tri elektrone valente
(elemente trivalentsh). Elementet q prdoren m s shpeshti pr kt qllim jan bori, galiumi
dhe indiumi. Efekti i njrit prej ktyre elementeve, borit, n bazn e silicit sht paraqitur n
Fig.1.9. Kur atomi i borit e zvendson nj atom t silicit, tri elektronet e tij valente formojn
lidhjen kovalente me atomet fqinje t silicit, ndrsa nj pozit n kt brez mbetet e hapur sepse
mungon elektroni i katrt i nevojshm pr kt lidhje. N temperaturn e dhoms, elektronet
valente t atomeve fqinje t silicit kan energji t mjaftueshme termike q t lvizin n kt
pozit, duke krijuar nj vrim n atomin e vet am t cilin e kan braktisur. Atomi i borit tani ka
ngarkes negative sepse ka nj elektron m tepr, por nuk mund t lviz dhe ai sillet si jon
negativ. Vrima e krijuar mund t lviz dhe kontribuon n rrymn e vrimave.
Pasi q bori ka pranuar nj elektron valent, ai quhet papastrti akceptor. Atomet
akceptor pra krijojn vrima t lira pa gjenerimin e elektroneve. Ky proces gjithashtu quhet
doping dhe me te kontrollohet koncentrimi i vrimave n gjysmprues. Gjysmpruesi i cili

14
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

prmban atome akceptor t papastrtis quhet gjysmprues i tipin p, pr shkak t ngarkesave

t lira pozitive.

Vrima

Atomi i borit
(B) si papastrti

Fig.1.9 Papastrtia e borit n materialin e tipit p

Duhet t theksohet se tani paraqitet munges e nj elektroni pr ta kompletuar lidhjen
kovalente n strukturn e re t formuar. Zbraztira rezultuese quhet vrim dhe ajo sht e
shnuar m shenjn pozitive pr shkak t mungess s ngarkess negative. Pasi q zbraztira
rezultuese sht e gatshme gjithher t pranoj elektron t lir, kto papastrtit e shtuara quhen
atome akceptor (pranues). Materiali rezultues i tipit p sht elektrikisht neutral pr t njjtat
arsye si edhe materiali i tipit n.
Efekti i vrims n prueshmrin e materialit sht paraqitur n Fig.1.10. N kt rast
pra paraqitet bartje e vrimave n kah t majt dhe e elektroneve n t djatht, si sht paraqitur
n kt figur. Procesi i dopingut i cili mundson kontrollin e koncentrimeve t elektroneve dhe
vrimave t lira, prcakton pra prueshmrin dhe rrymat n kto materiale.

Lvizja e vrims
Lvizja e elektronit

Fig.1.10 Lvizja e elektronit ndaj vrims.

15
1. Materialet gjysmpruese

N gjendje t pastr (intrinsike), numri i elektroneve t lira n germanium ose silic sht
i barabart me ato elektrone n brezin valent q kan pranuar energji t mjaftueshme nga
burimet termike ose t drits q ti shkpusin lidhjet kovalente. Numri i vrimave t lira sht i
barabart me numrin e elektroneve t lira sepse ato paraqesin zbraztirat t cilat mbesin n
strukturn e lidhjeve kovalente nga ku jan shkputur elektronet e lira. N materialin e tipit n,
numri i vrimave nuk ndryshon shum nga numri i vrimave n materialin intrinsik. Rezultati
prfundimtar sht se numri i elektroneve e tejkalon dukshm numrin e vrimave. Pr kt arsye,
elektronet quhen barts kryesor ndrsa vrimat barts minor sepse nuk krijohen me doping, si
sht paraqitur n Fig.1.11.a. Pr materialin e tipit p n Fig.1.11.b vlen e kundrta.
Kur elektroni i pest i atomit donor lshon atomin am, atomi i mbetur prvetson nj
ngarkes pozitive, prandaj joni i donorit paraqitet me shenj pozitive. Pr arsye t njjt, joni
negativ i akceptorit paraqitet me shenj negative.
Jonet e donorve
Tipi n
+
- -+
- + +
- + - + - + + +
+ + +
+
+
+
+
+
+
+
+
-

Jonet e akceptorve

Bartsit
minor

Bartsit kryesor

+
+

Tipi p
+
+ +
- - +
+
+
- + - +
+ - + - - +
- - + + - +
+
+ - - +
-

Bartsit
minor

Bartsit kryesor

Fig.1.11 Bartsit e elektricitetit n: (a) materialin e tipit n; (b) materialin e tipit p

Prfundimisht, gjysmpruesi i tipit p prmban:

Vrima dhe elektrone t krijuara nga shkputja e lidhjeve kovalente

Vrima t krijuara nga futja e papastrtive akceptore
Jone negative t papastrtive akceptore

Lidhja themelore n mes t koncentrimeve t elektroneve dhe vrimave n nj

gjysmprues n ekuilibrin termik sht e dhn me

no po ni2

(1.6)

ku no paraqet koncentrimin termik t elektroneve t lira, po koncentrimi termik i vrimave t lira

dhe ni koncentrimi i bartsve intrinsik.
N temperaturn e dhoms (T = 300 oK),secili atom i donorit i dhuron nj elektron t lir
n gjysmprues. Nse koncentrimi i donorve Nd sht shum m i lart se koncentrimi
intrinsik, koncentrimi i elektroneve t lira mund t aproksimohet si

16
Myzafere Limani, Qamil Kabashi

no N d

ELEKTRONIKA

(1.7)

Ather nga ekuacioni (1.6), koncentrimi i vrimave sht:

ni2
po
Nd

(1.8)

Ngjashm, n temperatur t dhoms, secili atom i akceptorit pranon nj elektron valent,

duke krijuar nj vrim. Nse koncentrimi i akceptorve Na sht shum m i lart se koncentrimi
intrinsik, koncentrimi i vrimave t lira mund t aproksimohet si
po N a
Ather nga ekuacioni (1.6), koncentrimi i elektroneve sht

no

ni2
Na

(1.9)

(1.10)

Materialet e tipit n dhe p t formuara ksisoj paraqesin blloqet themelore t ndrtimit t

komponentve gjysmpruese. M von do t tregohet se me bashkimin e nj materiali t tipit
n me materialin e tipit p fitohet nj material gjysmprues me rndsi t posame n sistemet
elektronike.
N kristalet me atome donore dhe akceptore t pranishme vlen: koncentrimi i
prgjithshm i elektroneve n brezin e prueshmris, n0, dhe joneve akceptore, duhet t
jet i barabart koncentrimin e vrimave, p0 plus koncentrimi i joneve donore, + .
Nse nuk specifikohet ndryshe, ne mund t supozojm q donort dhe akceptort jan t
jonizuar komplet. Me kt rast vlen:

no N a p0 N d

(1.11)

Ekuacioni (1.11) mund t shkruhet si

no p0 N d N a

(1.12)

Ne do t definojm diferencn N d N a si koncentrim neto donor NDneto = ND. N mnyr t

ngjashme do t definojm edhe diferencn N a N d si koncentrim neto akceptor NAneto = NA.
Prandaj,

N Dneto N a N a

(1.13)

17
1. Materialet gjysmpruese

N Aneto N a N d

(1.14)

Duke kombinuar ekuacionin (1.6) dhe (1.12) fitohet ekuacion kuadratik. Supozojm pr
N D N A N D 0 dhe zgjidhjet e
momentin q Nd sht m i madh se Na, prandaj kemi
ekuacionit kuadratik jan:

n0

4 n2
ND ND

1 2 i
2
2
ND

4 ni2
ND ND
p0

1 2
2
2
ND

(1.15)

(1.16)

N rastet praktike gati doher vlen ND >> ni dhe shprehjet e msiprme mund t thjeshtohen si

dhe

ni2
n0 N D
ND
ND

(1.17)

ni2 ni2
po
no N D

(1.18)

N ann tjetr, nse Na sht m i madh se Nd dhe NA >> ni, ather

p0 N A
no

ni2 ni2

po N A

(1.19)

(1.20)

Shembulli 1.4
Konsideroni nj mostr silici q prmban 5 x 1016 cm-3 atome t Borit dhe 9 x 1017 cm-3 atome t Arsenit.
Sa sht koncentrimi i elektroneve dhe vrimave n ekuilibr termik n kt mostr n temperaturn e
dhoms?
sht e njohur ni = 1010 cm-3.
Zgjidhje:

Bori sht n grupin e III-t n sistemin periodik dhe paraqet akceptor, ndrsa Arseni sht n grupin e Vt n sistemin periodik dhe sht donor. Prej ktu Na = 5 x 1016 cm-3 dhe Nd = 9 x 1017 cm-3.
Pasi Nd > Na shohim se kemi nj koncentrim neto t donorve ND = Nd Na = 8.5 x 1017 cm-3
Prej ktu mostra sht e tipit n, elektronet jan barts shumic dhe n ekuilibrin termik dhe koncentrimi n0
prafrsisht sht sa ND
Pra,

no 8.5 1017 cm3

18
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

Nga Ligji i veprimit t mass

po

no po ni2 llogarisim koncentrimin e bartsve pakic.

ni2
1020

1.17 102 cm3

17
no 8.5 10

Shembulli 1.5
Gjeni koncentrimin e papastrtive donore me t ciln duhet t pasurohet Silici n temperaturn 300 oK
ashtu q koncentrimi i elektroneve t jet 100 her m i madh se koncentrimi i vrimave. sht njohur

ni 1.13 1010 cm 3 (T=300oK)

Zgjidhje:
Nga ek. (1.6)

no po ni2
Kondita e detyrs sht q koncentrimi i elektroneve t jet 100 her m i madh se koncentrimi i vrimave

n0 100 p0
Prandaj, nga ligji i veprimit t mass shkruajm:

100 p0 p0 ni2 100 p02 ni2

p0
Pasi

ni
1.13 1010

0.113 1010 cm3 1.13 109 cm3

100
100

n0 100 p0 100 1.13 109 cm3 11.3 1010 cm3

Pasi gjysmpruesi sht i tipit n (donor) vlen :

ND n0 11.3 1010 cm3

1.5 RRYMAT E BARTJES (DRIFT) DHE T DIFUZIONIT

Dy procese themelore q shkaktojn lvizjen e vrimave dhe t elektroneve n
gjysmprues jan: (a) bartja (drift), e cili paraqet lvizjen e shkaktuar nga fusha elektrike;
dhe (b) difuzioni, q paraqet rrjedhn e shkaktuar nga ndryshimet n koncentrim, q do t thot
se paraqet gradientin e koncentrimit. Gradienti i till mund t jet i shkaktuar nga shprndarja
johomogjene e dopingut, ose me injektimin e nj sasie t elektroneve ose vrimave n nj regjion,
me metodat q do t diskutohen m von.
Pr ta kuptuar driftin (bartjen), prvetsojm se nj fush elektrike zbatohet n nj
gjysmprues. Fusha krijon nj forc e cila vepron n elektrone dhe vrima t lira, t cilat nn
veprimin e ksaj force pastaj lvizin. T shqyrtojm nj gjysmprues t tipit n m nj numr t
madh t elektroneve t lira (Fig. 1.11 a). Fusha elektrike Ee zbatuar n nj kah krijon nj forc
n elektrone n kah t kundrt, pr shkak t ngarkess negative t elektroneve. Elektronet marrin
nj shpejtsi t bartjes (driftit) vdn (n cm/s) e cila mund t shkruhet si

19
1. Materialet gjysmpruese
vdn n E

(1.21)

ku n sht nj konstant e quajtur lvizshmria e elektroneve dhe ka njsin cm2/Vs. Pr

silicin me doping t ult, vlera tipike e n sht 1350 cm2/Vs. Lvizshmria mund t
paramendohet si nj parametr q tregon sa mir mund t lviz nj elektron n gjysmprues.
Shenja negative n ek.(1.21) tregon se shpejtsia e bartjes s elektronit sht e kundrt me at t
fushs s zbatuar si sht paraqitur n Fig. 1.12.a. Bartja (drifti) e elektronit krijon rrymn e
bartjes (driftit) me dendsi Jn (A/cm2) e cila sht
J n envdn en( n E ) enn E

(1.22)

ku n paraqet koncentrimin e elektroneve (pr cm3) dhe e sht madhsia e ngarkess elektrike t
elektronit. Rryma konvencionale e driftit ka kah t kundrt me rrjedhn e ngarkesave negative,
q do t thot se rryma e driftit n gjysmpruesin e tipit n ka kah t njjt si fusha e zbatuar
elektrike.
Tipi - n

Tipi - p

E
e-

v dn

E
v dp

h+

Jp

Jn

(a)

(b)

Fig.1.12 Fusha e zbatuar elektrike, shpejtsia e bartsve dhe dendsia e rryms s driftit n (a)
gjysmprues t tipit n dhe (b) gjysmprues t tipit p
N vazhdim ta shqyrtojm gjysmpruesin e tipit p me nj numr t madh t vrimave
(Fig.1.12 b). Fusha e zbatuar elektrike me kah t caktuar krijon nj forc n vrima me kah t
njjt, pr shkaka t ngarkess pozitive t vrimave. Vrimat marrin nj shpejtsi t bartjes vdp (n
cm/s) e cila mund t shkruhet si

vdp p E

(1.23)

ku p sht nj konstant e quajtur lvizshmria e vrimave dhe ka njsin cm2/Vs. Pr silicin

me doping t ult, vlera tipike e p sht 480 cm2/Vs., q sht gati pr gjysm m e vogl se
vlera e lvizshmris s elektroneve. Shenja pozitive n ek.1.23 tregon se shpejtsia e bartjes s
vrimave ka kah t njjt me fushn e zbatuar elektrike si sht paraqitur n Fig. 1.11 b. Bartja e
vrimave (drifti) krijon nj rrym t bartjes me dendsi Jp (A/cm2) t dhn me shprehjen
J p epvdp ep( p E ) ep p E

(1.24)

ku p paraqet koncentrimin e vrimave (pr cm3) dhe e sht prsri madhsia e ngarkess
elektrike t elektronit. Rryma konvencionale e driftit ka kah t njjt me rrjedhn e ngarkesave
pozitive, q do t thot se rryma e driftit n gjysmpruesin e tipit p ka gjithashtu kah t njjt
si fusha e zbatuar elektrike.

20
Myzafere Limani, Qamil Kabashi

ELEKTRONIKA

Pasi q gjysmpruesi prmban edhe vrima edhe elektrone, dendsia e rryms totale t
driftit sht shuma e komponents s elektroneve dhe e vrimave. Dendsia totale e rryms s
driftit sht

J envdn E epvdp E E

(1.25)

ku enn ep p

(1.26)

paraqet prueshmrin e gjysmpruesit n (-cm-1). Prueshmria sht e lidhur me

koncentrimin e elektroneve dhe vrimave. Nse fusha elektrike sht rezultat i nj tensioni t
zbatuar n gjysmprues, ather n ek.1.15 paraqitet lidhshmria lineare n mes t rryms dhe
tensionit dhe kjo sht nj form e ligjit t Ohm-it.
Nga ek.1.26, shohim se prueshmria mund t ndryshoj nga tipi i theksuar n, n p , me
doping t lart t papastrtive donor n tipin e theksuar p, p n , me doping t papastrtive
akceptor. Mundsia e kontrollimit t prueshmris s nj gjysmpruesi me doping t
zgjedhur bn t mundur fabrikimin e komponentve elektronike t llojllojshme t cilat
sot prdoren.
Shembulli 1.6
Nj pllakz uniforme e gjysmpruesit t silicit t tipit n sht e gjat 1 m dhe sht kyur n tension
prej 1 V. Prcaktoni shpejtsin e elektroneve.
Zgjidhje:

Meq materiali sht uniform, ather E U / L , ku L sht gjatsia e pllakzes.

Prej ktu, E 10000 V / cm
Shpejtsia e lvizjes s elektroneve sht:

vn n E 1.350 103 104 cm / s 1.35 107 cm / s

Me difuzion, grimcat lvizin nga nj regjion me koncentrim t lart n regjion me koncentrim

m t ult. Kjo sht nj dukuri statistike e lidhur me teorin kinetike. Ta shpjegojm ksisoj,
elektronet dhe vrimat n nj gjysmprues jan n lvizje t vazhdueshme, me nj shpejtsi
mesatare t caktuar nga temperatura, dhe me kahe t rastit q ndrlidhen me strukturn kristalore
t atomeve. Nga statistika, mund t prvetsojm, se n fardo asti t veant, prafrsisht
gjysma e grimcave n regjionin me koncentrim t lart lvizin nga ai regjion n drejtim t
regjionit me koncentrim m t ult. Gjithashtu mund t prvetsojm se, n t njjtn koh,
prafrsisht gjysma e grimcave nga regjioni me koncentrim m t ult lvizin n drejtim t
regjionit me koncentrim m t lart. Si do q t jet, sipas definicionit, m pak ka grimca n
regjionin me koncentrim t ult se sa n regjionin me koncentrim t lart. Prandaj, rezultati
prfundimtar sht rrjedha e grimcave nga regjioni me koncentrim t lart n regjionin me
koncentrim t ult. Ky sht procesi themelor i difuzionit.
Pr shembull, ta shqyrtojm nj koncentrim t elektroneve i cili ndryshon si funksion i
distancs x, si sht paraqitur n Fig.1.13 a. Difuzioni i elektroneve nga regjioni me koncentrim

21
1. Materialet gjysmpruese

t lart n regjionin me koncentrim t ult krijon rrjedhn e elektroneve kahun negativ x. Pasi q
elektronet kan ngarkes negative, kahu konvencional i rryms sht n kahun pozitiv t boshtit
x.
n

p
Difusioni i
elektroneve

Difusioni i
vrimave

Dendsia e rryms
difuzive t elektroneve

Dendsia e rryms
difuzive t vrimave

(a)

(b)

Fig.1.13 Dendsia e rryms e shkaktuar nga gradienti i koncentrimeve: (a) difuzioni i

elektroneve dhe dendsia gjegjse e rryms dhe (b)difuzioni i vrimave dhe dendsia gjegjse e
rryms
N Fig. 1.13 b, sht paraqitur koncentrimi i vrimave n funksion t distancs. Difuzioni
i vrimave nga regjioni me koncentrim t lart n regjion me koncentrim t ult krijon rrjedhn e
vrimave kahun negativ x, ndrsa edhe kahu i rryms n kt rast sht i njjt pr shkak t
ngarkess pozitive t vrimave.
Dendsia e rryms totale sht shuma e komponents s rryms s driftit dhe t
difuzionit. Pr fat t mir, n shumicn e rasteve dominon vetm nj komponent n rrym n
fardo kohe n nj regjion t dhn t gjysmpruesit.
Shembulli 1.7
Llogaritni rezistencn e pllaks gjysmpruese t pastr me gjatsi l = 0,2 mm dhe prerje trthore S = 0,01
mm2 n temperaturat:
a) T = 300 K dhe b) T = 350 K,
Jan t njohura: n (300oK) = 1430 cm2/Vs, p(300oK) = 460 cm2/Vs,
n (350K) = 1051 cm2/Vs, p(350oK) = 328.7 cm2/Vs

kurse dhe ni 3500 K 4.862 1011 cm3 .

Zgjidhje
Rezistenca e pllaks gjysmpruese llogaritet nga:

R
a)

1
l
, ku jan:
dhe q n n p p

T=3000K

ni 3000 K 1.38 1010 cm3

Meq gjysmpruesi sht i pastr ather vlen:

n p ni

22
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

Prandaj, nga

q ni n p

1.6 1019 1.38 1010 1430 460 4.173

S
cm

239.6 k cm
l
0,2 101
239,6 103
47,93 M
S
0,01102

b)T=3500K

ni 350 0 K 4.862 1011 cm3

n p ni

q ni n p 1.6 1019 4.862 1011 1051 328.7 107.3

Nga

S
cm

9.317 k cm
l
0.2 101
9.317 103
1.863 M
S
0.01102

Shembulli 1.8
Paralelopipedi prej Germaniumi (Ge) i tipit p ka gjatsi 5mm, gjersi 2mm dhe lartsi 1mm. T llogaritet:
a) Koncentrimi i shtesave akceptore n paralelopiped, nse rezistenca elektrike e tij sht150 .
b) Raporti i prueshmris pr shkak t vrimave dhe elektroneve (p/n)
Lvizshmria e elektroneve dhe vrimave sht 0.12m2/Vs, respektivisht 0.025m2/Vs.

Fig.1.14
Zgjidhje
a) N gjysmpruesin e tipit p shumic jan vrimat. Meq prueshmria sht n proporcion t drejt
me koncentrimin e bartsve, e (nn p p ) , dhe n rastin ton p n ather, ju dedikohet
vrimave,

23
1. Materialet gjysmpruese

Pra,

ep p
NA

prandaj,

dhe N A p

e p

Rezistenca e paralelepipedit do t jet: R

Prej nga,

NA

b)

NA

l
1 l

S p S

l
R S e p
5 103[m]

m2
150[] 2 106 [m 2 ] 1.6 1019 [C ] 0.025
V S

4.16 1015

atome
cm 3

p ep p eN A p , n enn eN D n

Nga ligji i veprimit t mass,

p
n

e p
e ni p
2

n p n p
2
i

e 2A p
e ni n
2

2 ,
i

pi2 ni2
ni2
n

e
, p eN A p
p N A Prej ktu, n
NA

2A p
ni n
2

NA
n nj gjysmprues t pastr t Ge , pi = ni = 2.5 10 13 cm-3.
Pas zvendsimeve prkatse fitohet

p
n

5768

pra

p =5768 n ,

q sht edhe plotsisht e

arsyeshme.
Shembulli 1.9
N burimin e tensionit U=1.5 V sht lidhur n seri rezistori R=68 dhe pllakza e silicit t pasuruar.
sht e njohur gjatsia e pllaks l=1mm, prerja trthore S=1mm2, koncentrimi i atomeve akceptore
NA=1016 cm-3, lvizshmria e vrimave p=400 cm2/Vs. Pllakza e silicit gjendet n temperaturn
T=3000K. Llogaritni sa sht rryma q jep burimi i tensionit n qark.
Zgjidhje
Qarku elektrik mund t paraqitet si n vijim:
Prueshmria specifike e silicit sht:

q p p 0,64 S cm
p N A , prandaj n << N A
Rezistenca e pllaks s silicit sht:

Rsi

l
l
U

15,6 . Rryma n qark do jet I

, pra I 17,9mA .
S S
R Rsi

Shembulli 1.10
Rezistori R = 2k dhe pllaka e silicit (me gjatsi l = 400 m, prerje trthore S = 8000 m2) lidhen n seri
s bashku me burimin e tensionit E = 4.5 V. Silici sht pasuruar me atome tre valente me koncentim prej
1015 cm3. Jan t njohura: n = 1386 cm2/Vs, p = 452 cm2/Vs dhe T=300oK. Llogaritni fuqin n rezistor,
pllak t silicit si dhe fuqin e burimit.

24
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

Zgjidhje

RSi

l
,
S

N A 1015 cm 3

ND 0

p n

q n n q p p q p p

p N 1015 cm 3
A

q p p 72,32

q n n p p

1
,

RSi

mS
cm

13,83 cm

RSi

l
400 104
13,83
6,914 k
S
8000 108

Rtot R RSi 8,914 k

E
0.5048 mA
Rtot

PR I 2 R 0.5 mW , PSi I 2 RSi 1,762 mW , PE E I 2,272 mW

Shembulli 1.11
Rezistenca e nj gjysmpruesi t tipit n n njsi t gjatsis sht R= 2 /cm. Koncentrimi i elektroneve
n gjysmprues ka vlern n 1.25 1017 cm 3 . Nse intensiteti i rryms npr prerjen trthore rrethore
me diametr d = 1 mm ka vlern I = 157 mA gjeni:
a) lvizshmrin e elektroneve
b) prueshmrin specifike
c) shpejtsin e driftit t elektroneve.
Zgjidhje
a) Vartsia e shpejtsis s driftit nga fusha elektrike shprehet me v n

n E

l
R

, ndrsa rezistenca n njsi t gjatsis R '

S
l
S
2
3
2
ku S paraqet syprinn e prerjes trthore t gjysmpruesit S (d / 2) 7.85 10 cm
Meq kemi t bjm me gjysmprues t tipit n(donor), qn n rezistenca n njsi t gjatsis mund
1
1
t shprehet R'
dhe nga formula e fundit mund t gjejm lvizshmrin e elektroneve

S qn n S
Rezistenca e gjysmpruesit sht

cm 2
1
, Prej nga n 3184.7
Vs
qnR' S

b) Prueshmria specifike sht:

qn n = 63,69 S/cm

25
1. Materialet gjysmpruese

c) Dendsia e rryms sht J

0.314

I
S

20

A
cm 2

Pasi J E

V
, nga formula pr shpejtsin e driftit t elektroneve gjejm q
cm

vn n E =1000 cm/s
Shembulli 1.12

Dy pllaka me dimensione t njjta, njra e Si dhe tjetra e Ge jan t kyura n qark sikur sht treguar n
Fig. 1.15.a Pllakat jan t vendosura n temperaturn e dhoms dhe ampermetri i kyur n qark tregon
rrymn 3mA = const. Nse pllaka e Ge sht e pastr, tregoni sa do t jet intensiteti i fushs elektrike n
seciln pllak pr kto raste:
(a) Pllaka e Si sht e pastr
(b) Pllaka e Si pasurohet me N A 10 cm

(c) Pllaka e Si pasurohet me N D 10 cm

16

17

Vlera e lvizshmris nga koncentrimi i papastrtive sht treguar n Fig.1.15.b, ndrsa dimensionet e
pllakave jan:a=1mm, b=2mm, c=3mm.

Fig. 1.15.a

Fig. 1.15.b

Zgjidhje
a)

Intensiteti i fushs elektrike n pllakn e Germaniumit sht

E (Ge)

U Ge
, UGe- sht tensioni n
l

mes skajeve t pllaks s Ge.

E (Ge)

U Ge

R(Ge) I

ndrsa

R (Ge) Ge

b
prej nga intensiteti i fushs elektrike n
a c

Ge I
ac
45 cm 3 mA
V
E (Ge)
450
1 mm 3 mm
m

pllakn e Ge do t jet:

E (Ge)

N mnyr t ngjashme llogaritet edhe intensiteti i fushs elektrike n pllakn e Silicit.

26
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

b) Kur pllaka e Si pasurohet me N A 10 cm (akceptore) do fitohet gjysmprues i papastr i tipit p,

natyrisht me prueshmri specifike m t madhe.
16

p eN A p

1
1
eN A p pra, p
p
e NA p

Nga diagrami n Fig.1.15.b lexojm p 600

Prandaj, R(Si)=

cm 2
,
VS

1
a
a
=
b c eN A p b c

E(Si) kur Si po pasurohet sht:

E(Si)=R(Si)

1
I
a I
=

a eNA p bc a

c) Kur pllaka e Si pasurohet me ND=1017atome/cm3 (donore) fitohet gjysmpruesi i pastr i tipit n,

natyrisht me prueshmri specifike m te madhe.

n e N D n

1
1
N
N
eN Dn

cm 2
Nga diagrami fitojm n 800
V s
a
1
N
,R(Si) = N
2
bc
cm
1.6 1019 1017 800
V s
U ( Si) R( Si) I
I
1
a I
E(Si) =

R( Si)

a
a
a eN D n b c a
I
E(Si) =
eN D n b c
Shembulli 1.13
Rezistori i silicit me gjatsi 100m sht pasuruar me atome akceptore. Siprfaqja e prerjes trthore e tij
sht 10m2, ndrsa lvizshmria e vrimave sht 200cm2/Vs. N rezistor sht kyur tensioni prej 2 V
dhe rrjedh rryma prej 96 A. Rezistori gjendet n temperaturn 300oK. Gjeni:
(a) Rezistencn e rezistorit t silicit
(b) Prueshmrin specifike
(c) Koncentrimin e atomeve akceptore.

Zgjidhje

a)

R=

U
2V
2

106 20.83k
I 96A 96

b) J = E

I
U
I l
96 106 100 106
S

4.8
2

6
S
L
U S
cm
2 10 10

27
1. Materialet gjysmpruese

c)

N A P e

NA =

1.5 1017 cm3

P e

Shembulli 1.14
Silici sht pasuruar fillimisht me 1014 atome pes-valente n cm3. Gjeni tipin (donor apo akceptor) dhe
koncentrimin e atomeve t papastrtis s dyt ashtu q n T=300oK prueshmria e siliciumit t jet pr
75% m e madhe se pas pasurimit t par. sht e njohur: n (300oK) = 1400 cm2/Vs, p(300K) = 460
cm2/Vs, ni= 1,381010 cm-3). Sa sht prueshmria pas pasurimit t dyt?
Zgjidhje:
Koncentrimi i bartsve shumic pas pasurimit t par sht:
Prueshmria ket rast sht:

n1 N D1 1014 cm3

1 e n1 n = 1.6 1019 1014 1400( cm) 1

Pas pasurimit t dyt prueshmria rritet pr 75%, prandaj pasurimi i dyt bhet prap me atome pesvalente (donore)

2 1 75% 1 1.75 1 0.0392( cm) 1

2
2 e (n1 N D 2 ) n N D 2
n1 0.75 1014 cm3
en
Shembulli 1.15
15
3
Silici i pastr s pari sht pasuruar me atome primese (papastrtie) me koncentrim prej 1.5 10 cm ,
3

kurse pas ksaj edhe njher me atome papastrtie prej 2 10 cm . Gjeni tipin e papastrtis s par
dhe t dyt ashtu q pas pasurimit t dyt prueshmria specifike t jet maksimale.
Llogaritni prueshmrin specifike t pllaks s silicit pas pasurimit t dyt n temperaturn 300 oK.
Lvizshmria e bartsve ka vlerat: 900 cm2/Vs dhe 350 cm2/Vs
15

Zgjidhje
Prueshmria specifike do jet maksimale nse pasurimet jan t t njjtit tip ashtu q papastrtit t
mos e kompensojn njra tjetrn. Prandaj, prueshmria specifike do jet m e madhe (maksimale) nse
pasurohet me n1 = ND1, n2=ND2
Pas pasurimit t dyt koncentrimi i prgjithshm(total) i donorve sht:

N tot N1 N 2 1,5 1015 2 1015 3,5 1015 cm 3

N temperaturn T=300oK, Ntot >> ni, prandaj

n N tot 3,5 1015 cm 3

ni2 (1,45 1010 ) 2

p

6 104 cm 3 , n>>p, prandaj prueshmria specifike do jet:

15
n
3,5 10

n en n 0,504 S / cm

28
ELEKTRONIKA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi

Shembulli 1.16
Numri i atomeve n silic sht Nat 5 1022 atome / cm3 . Nse Silicit i shtohen papastrti donore n raport
1 atom papastrti n 108 atome t silicit, gjeni ndryshimin e rezistencs specifike n krahasim (me
gjysmpruesin e pastr) n temperaturn e dhoms (300oK). Koncentrimi bartsve n gjysmprues t
pastr sht n temperaturs (300oK) sht ni 1.13 1010 cm3 , kurse lvizshmria e elektroneve dhe
vrimave sht: n =1450 cm2/ Vs dhe p =500 cm2/ Vs.
Zgjidhje
N gjysmpruesin e pastr, koncentrimi i elektroneve t lira sht i barabart me koncentrimin e
elektroneve t lira ( n p ni )
Rezistenca specifike e gjysmpruesit t pastr sht:

1
2.83 105 cm
eni ( n p)

Nga raporti i futjes s papastrtis mund t shkruajm:

Nd

N at
5 1014 cm 3
108

Pasi kemi t bjm me papastrti donore, ather vlen:

n Nd 5 1014 cm3
ni2
3.38 105 cm 3
Nga Ligji i veprimit t mass p
n
1
8.62 cm
Pasi n >> p, mund t llogarisim q: n
enn
S fundi:

i
32830

Shembulli 1.16

Rezistenca specifike elektrike e silicit t tipit p sht 0.5 cm. Nn veprimin e drits n gjysmprues
gjenerohen 21016 qifte shtes elektron-vrim n cm3. Gjeni ndryshimin n prqindje te rezistencs
specifike elektrike si rezultat i veprimit t burimit t drits. Jan t njohura q n temperaturn 300 K: n =
1450 cm2/Vs, p = 500 cm2/Vs dhe ni = 1.13 1010 cm-3.
Zgjidhje

Shprehja pr rezistencn specifike elektrike sht:

1
e( n n p p )

Pasi fillimisht gjysmpruesi sht i tipit p, ather n p

29
1. Materialet gjysmpruese

1
1
p
2.5 1016 cm3
ep p
e p

ni2
5107.6 cm3
Koncentrimi i elektroneve pakic sht n
p
Sipas kushteve t detyrs, nn veprimin e drits gjenerohen qifte elektrone-vrim:

n p 2 1016 cm3
Koncentrimi i ri i elektroneve dhe vrimave tani sht:

p1 p p 2.5 1016 2 1016 cm3 4.5 1016 cm3

n1 n n 2 1016 cm3
Nga shprehja fillestare per rezistencn specifike elektrike gjejm:

1
1

0.12 cm
19
16
e(n1n p1 p ) 1.6 10 (2 10 1450 4.5 1016 500)

Ndryshimi rezistencs specifike elektrike sht:

1 0.5 0.12 0.38 cm , ndrsa n prqindje sht:

0.38
0.76 76%
0.5

Pra, ndryshimi i rezistencs specifike elektrike nn veprimin e rrezeve t drits sht 76%.

PASQYR PYETJESH

1.1.

Numro s paku tri elemente nga sistemi periodik i elementeve t cilat shfaqin veti
gjysmpruese.

1.2.

Cili sht materiali gjysmprues aktual m i prdorur pr ndrtimin e komponentve

elektronike?

1.3.

far tipi t rrjets kristalore ka Silici?

1.4.

ka i dallon materialet gjysmpruese nga materialet pruese dhe izolatore?

1.5.

far lloji t lidhjes kimike ka ndrmjet atomeve t Silicit n strukturn kristalore t tij?

30
Myzafere Limani, Qamil Kabashi

ELEKTRONIKA

1.6.

Sa elektrone valente ka nj gjysmprues?

1.7.

Pse gjysmpruesit kan m pak elektrone t lira se sa pruesit?

1.8.

Cili sht kuptimi i termit intrisik?

1.9.

ka sht vrima?

1.10.

Definoni zonn e ndalimit te gjysmpruesit dhe tregoni vartsin e gjersis s zons

s ndalimit prej temperaturs pr Si dhe Ge.

1.11.

A jan elektronet e lira n brezin valent apo n brezin prues?

1.12.

Cilat elektrone jan prgjegjse pr rrymn elektrike n silic?

1.13.

Sa sht koncentrimi i bartsve t lir t elektricitetit n nj gjysmprues t pastr n

temperatur 00K?

1.14.

Cili sht dallimi n mes t nj atomi pes valent dhe nj atomi tre valent?

1.15.

Si emrohen ndryshe atomet tre dhe pes valente?

1.16.

ka sht doping-u?

1.17.

Si formohet nj gjysmprues i tipit n?

1.18.

Si formohet nj gjysmprues i tipit p?

1.19.

Cilt jan bartsit shumic n nj gjysmprues t tipit n?

1.20.

Cilt jan bartsit shumic n nj gjysmprues t tipit p?

1.21.

Me far procesi prodhohen bartsit shumic n nj gjysmprues?

1.22.

Me far procesi prodhohen bartsit pakic n nj gjysmprues?

1.23.

Cili sht dallimi n mes gjysmpruesve intrinsik dhe ekstrinsik?

1.24.

Ligji i veprimit t mass.

1.25.

Nj gjysmprues ka koncentrim t donorve ND dhe akceptorveNA. Cilat relacione

duhet t prdoren pr t prcaktuar koncentrimet e elektroneve n dhe vrimave p?

1.26.

T prshkruhet procesi i rekombinimit t elektroneve me vrima?

1.27.

A rritet apo zvoglohet rezistenca e nj gjysmpruesi t papastr me rritjen e

temperaturs? T shpjegohet shkurtimisht.

31
1. Materialet gjysmpruese

1.28.

A kan koeficient temperaturor negativ apo pozitiv materialet gjysmpruese (Si dhe
Ge)?

PROBLEME

1.1 Llogaritni koncentrimin e atomeve donore me t cilat duhet t pasurohet Silici, ashtu q
n temperatur T=300oK, koncentrimi i elektroneve t jet dyfish m i madh se koncentrimi i
vrimave. sht e njohur ni = 1.5 x 1010 cm-3
Zgjidhja:
9
-3
ND = 9.78 _ 10 cm
1.2 Silici sht pasuruar me 1015 atome t Borit. Gjeni tipin dhe koncentrimin e
papastrtis q duhet shtuar, ashtu q koncentrimi i vrimave n 300 oK t jet:
a) 2 1015 cm-3
b) 5 1014 cm-3
sht e njohur ni = 1.5 x 1010 cm-3
Zgjidhja:
15
-3
14
3
NA = 10 cm b) ND = 5 _ 10 cm
1.3 . Silici i pastr s pari sht pasuruar me atome akceptore me koncentrim NA = 1,5
1015 cm-3, ndrsa pas ksaj sht pasuruar me atome donore ND = 1015 cm-3. Llogartini:
a) Koncentrimin e elektroneve dhe vrimave pas pasurimit t par
b) Koncentrimin e elektroneve dhe vrimave pas pasurimit t dyt
sht e njohur T =300oK dhe ni = 1.5 x 1010 cm-3.
Zgjidhja:
15
-3
5
-3
a) Pas pasurimit t par: p = 1.5_10 cm ,n = 1.27_10 cm
14
5
b) Pas pasurimit t dyt: p = 5_10 cm-3,n = 3.8_10 cm-3
1.4 Mostra e silicit sht pasuruar n mnyr uniforme me 1016atome t arsenit pr cm3 dhe 5 x
1015 atome t borit pr cm3. Duk prdorur ket informat dhe duke supozuar ni = 1010 cm-3 n
300oK. Gjeni:
a) Llojin e gjysmpruesit (n ose p)
b) Koncentrimin e bartsve shumic
c) Koncentrimin e bartsve pakic
Prsritni pjesn a) dhe b) kur
d) mostra prmban 1017 cm-3Al dhe 1016cm-3Sb
e) mostra prmban 1015 cm-3 Ga dhe 5 x 1015 cm-3.

32
Myzafere Limani, Qamil Kabashi

ELEKTRONIKA

1.5 Silici i pastr s pari sht pasuruar me atome papastrtie me koncentrim prej 1.5 1015 cm-3,
kurse pas ksaj edhe njher me atome papastrtie prej 2 1015 cm-3. Gjeni tipin e papastrtis s
par dhe t dyt ashtu q pas pasurimit t dyt prueshmria specifike t jet minimale.
Llogaritni prueshmrin specifike pas pasurimit t dyt n temperaturn 300oK. Lvizshmria
e bartsve ka vlerat: 900 cm2/Vs dhe 350 cm2/Vs
Zgjidhja:
Nse pasurimet e njpasnjshme jan t kundrta, ather prueshmria specifike do jet
minimale.
N1 N D1 , N 2 N A2 , N neto N A2 N D1 5 1014 cm 3 , p 29 103 S / cm
1.6 N burimin e tensionit E = 1.2 V, n seri me t sht lidhur rezistoriR = 22 dhe pllakza e
silicit t pasuruar. sht e njohur gjatsia e ksaj pllake l = 0.1 mm, prerja trthore S = 0.5 mm2,
koncentrimi i atomeve akceptoreNA = 1016 cm-3, lvizshmria e vrimave p = 390 cm2/Vs dhe
temperatura T=300oK. Llogaritni fuqin e cila lirohet n pllakzn e silicit.
Zgjidhja: PSi 7.265 mW .
1.7 Pr materialin gjysmprues t silicit n temperaturn T=300oK. Supozoni q n = 1350
cm2/Vs dhe p = 480 cm2/Vs. Prcaktoni prueshmrin nse:
a) Nd = 5 x 1016 cm-3
b) Na = 5 x 1016 cm-3
Zgjidhja:
a) 10.8 (cm)-1, b) 3.84 (cm)-1
1.8. Nj mostr e Silicit gjendet n temperaturn T=3000K dhe sht dopinguar me Nd = 8 x 1015
cm-3.
a) Llogarit n0 dhe p0
b) Nse shtohen vrima dhe elektrone me koncentrime p = n =1014cm-3, prcaktoni
koncentrimin total t vrimave dhe elektroneve.
Zgjidhja:
a) n0 = 8 x 1015cm-3, p0 = 2.81 x 104 cm-3, b) n0 = 8.1 x 1015cm-3, p0 1014cm-3
1.9 Prueshmria e silicit sht = 10 (cm)-1. Prcaktoni densitetin e rryms s driftit, nse
aplikohet intensiteti i fushs elektrike E = 15 V/cm.
Zgjidhja:
J = 150 A/cm2

33
1. Materialet gjysmpruese

1.10 Llogaritni rezistencn e plllakzes s silicit me gjatsi 10 m dhe syprin t siprfaqs s

15
prerjes terthore 0.1 mm2 n temperaturn 300oK. Pllakza sht pasuruar me NA = 10 cm-3 dhe
14

ND = 9 x10 cm-3. Lvizshmria e bartsve sht 900 dhe 350 cm2/Vs (mos e prfillni vartsin e
lvizshmris s bartsve nga temperatura).
Zgjidhja:
R(300oK) = 178.6 (),
16

1.11 Silici sht pasuruar n mnyr homogjene me 10 cm-3 atome, sht shtuar pasurim shtes
prej 2 x 1016 cm-3 dhe me kt rast rezistenca elektrike sht rritur. Gjeni:
a) Tipin e papastrtis n fillim si dhe tipin e papastrtis shtes
b) Rezistencn specifike n fillim dhe pas pasurimit t dyt shtes pr T = 300 oK.
Zgjidhja:
a) Pasurimi i par donor, ndrsa pasurimi i dyt akceptor.
b) 1 = 0.508 cm, 2 = 1.64 cm
1.12 Llogaritni prueshmrin specifike t silicit t pasuruar me 1017cm-3 atome akceptore n
300oK. Sa do t jet kjo prueshmri nse:
a) shtohet pasurim shtes me koncentrim t barabart t akceptorve;
b) shtohet pasurim shtes me koncentrim dyfish m t madh, por donor.
Zgjidhja:
= 4.98 (S/cm)
a) = 8.35 (S/cm)
b) = 8.41 (S/cm)
1.13 Gjeni koncentrimin e vrimave dhe elektroneve n mostrn e germaniumit n
temperaturn prej 300 K nse koncentrimi i atomeve donore sht ND 2 1014 cm3 , ndrsa
koncentrimi i atomeve akceptore sht N A 3 1014 cm3 . A sht germaniumi i tipit n ose i tipit
p?
Zgjidhja:
p 1.05 1014 cm 3 , p 5.126 1012 cm3
1.14 Silici sht pasuruar me 1014 atome akceptore/cm3. Gjeni tipin dhe koncentrimin e
papastrtis q duhet shtuar n temperaturn 300 K ashtu q:
a) koncentrimi i elektroneve t jet dy her m i madh pas dopingut t dyt.
b) koncentrimi i elektroneve t jet pes her m i vogl pas dopingut t dyt.
c) koncentrimi i elektroneve t jet katr her m i vogl sesa koncentrimi i i vrimave pas
dopingut t dyt.
Zgjidhja:
a) ND 5 1013 cm3
b) N A 4 1014 cm3
c) N D 1.25 1014 cm3

34
Myzafere Limani, Qamil Kabashi

ELEKTRONIKA

b) 5. Gjeni koncentrimin e elektroneve dhe vrimave n Germanium n temperaturn 300 K,

14
3
nse koncentrimi i atomeve donore sht N D 2 10 cm , ndrsa koncentrimi i
atomeve akceptore N A 3 1015 cm3 . A sht ky Germaniumi i tipit P apo N?
(11p)
c)
d) Zgjidhje:
e) Pasi NA > ND shohim se kemi nj koncentrim neto t akceptorve NA netto = NA ND = 2.8 x 1015
cm-3
f) Mostra e Ge sht e tipit P, vrimat jan barts shumic dhe n ekuilibrin termik dhe koncentrimi p 0
prafrsisht sht sa NA netto
g) Pra, po = 2.8 x 1015 cm-3,
h) Nga Ligji i veprimit t mass = llogarisim koncentrimin e bartsve pakic.

i)
j)

ni2
(2.0 1013 )2
no

1.42 1011 cm3

15
po
2.8 10