‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر دوﻗﻄﺒﯽ ﺑﺎ درﮔﺎه ﻋﺎﯾﻖﺷﺪه ‪IGBT‬‬

‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر دو ﻗﻄﺒﯽ ﺑﺎ درﮔﺎه ﻋﺎﯾﻖﺷﺪه ﯾﺎ ‪ Insulated gate bipolar transistor - IGBT‬ﺟﺰ‬

‫ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻗﺪرت ﺑﻮده و در درﺟﻪ اول ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﯾﮏ ﺳﻮﺋﯿﭻ اﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﮑﯽ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ در‬
‫دﺳﺘﮕﺎه ھﺎی ﺟﺪﯾﺪ ﺑﺮای ﺑﺎزده ﺑﺎﻻ و ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ ﺳﺮﯾﻊ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬اﯾﻦ ﺳﻮﺋﯿﭻ ﺑﺮق در‬
‫ﺑﺴﯿﺎری از ﻟﻮازم ﻣﺪرن از ﺟﻤﻠﻪ ﺧﻮدروھﺎی ﺑﺮﻗﯽ‪ ،‬ﻗﻄﺎر‪ ،‬ﯾﺨﭽﺎل ھﺎ‪ ،‬ﺗﺮدﻣﯿﻞ‪ ،‬دﺳﺘﮕﺎه ھﺎی ﺗﮫﻮﯾﻪ‬
‫ﻣﻄﺒﻮع و ﺣﺘﯽ ﺳﯿﺴﺘﻢ ھﺎی اﺳﺘﺮﯾﻮ و ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ھﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ھﻤﭽﻨﯿﻦ در ﺳﺎﺧﺖ‬
‫اﻧﻮاع اﯾﻨﻮرﺗﺮھﺎ‪،‬ﺗﺮاﻧﺴﮫﺎی ﺟﻮش و ‪ UPS‬ﮐﺎرﺑﺮد دارد‪.‬‬

‫در ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﮫﺎی ﺑﺎﻻی ﮐﻠﯿﺪزﻧﯽ‪ ،‬از ﯾﮏ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﺟﮫﺖ ﮐﻨﺘﺮل ﺳﻄﺢ وﻟﺘﺎژ ‪ DC‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯿﺸﻮد‪ .‬ﺑﺎ‬
‫ﺑﺎﻻ رﻓﺘﻦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر دﯾﮕﺮ ﺧﻄﯽ ﻋﻤﻞ ﻧﻤﯽ ﮐﻨﺪ و ﻧﻮﯾﺰ ﺷﺪﯾﺪی را ﺑﺎ ﺗﻮان ﺑﺎﻻ ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻣﯿﮑﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ‬
‫ھﻤﯿﻦ ﺳﺒﺐ در ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﮐﻠﯿﺪزﻧﯽ ﺑﺎﻻ از اﻟﻤﺎن ﮐﻢ ﻣﺼﺮف ‪ power MOSFET‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯿﺸﻮد‪ .‬اﻣﺎ ﺑﺎ‬
‫ﺑﺎﻻ رﻓﺘﻦ ﻗﺪرت‪ ،‬ﺗﻠﻔﺎت آن ﻧﯿﺰ زﯾﺎد ﻣﯿﺸﻮد‪ .‬اﻟﻤﺎن ﺟﺪﯾﺪی ﺑﻪ ﺑﺎزار آﻣﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﺗﻤﺎﻣﯽ ﻣﺰاﯾﺎی دو‬
‫ﻗﻄﻌﻪ ﻓﻮق را دارد و دﯾﮕﺮ ﻣﻌﺎﯾﺐ ‪ BJT‬و ‪ POWER MOSFET‬را ﻧﺪارد‪ ،‬اﯾﻦ ﻗﻄﻌﻪ ﺟﺪﯾﺪ ‪ IGBT‬ﻧﺎم دارد‪.‬‬
‫در طﯽ ﺳﺎﻟﮫﺎی اﺧﯿﺮ ﺑﺪﻟﯿﻞ ارزاﻧﯽ و ﻣﺰاﯾﺎی اﯾﻦ ﻗﻄﻌﻪ از آن اﺳﺘﻔﺎده زﯾﺎدی ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪IGBT‬ﭼﯿﺴﺖ؟‬

‫ﮐﺎﻣﻼﺻﻨﻌﺘﯽ اﺳﺖ‬
‫ً‬ ‫‪ ) IGBT‬ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر دو ﻗﻄﺒﯽ ﺑﺎ ﮔﯿﺖ ﻋﺎﯾﻖ ﺷﺪه( ﯾﮏ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﺟﺪﯾﺪ و‬
‫ﮐﻪ از ﺗﺮﮐﯿﺐ دو ﻧﻮع ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ BJT‬و ‪ MOSFET‬ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻄﻮرﯾﮑﻪ از دﯾﺪ ورودی ﺷﻤﺎ ﯾﮏ‬
‫‪ MOSFET‬را ﻣﯽ ﺑﯿﻨﯿﺪ و از ﻧﻈﺮ ﺧﺮوﺟﯽ ﯾﮏ ‪BJT .BJT‬ھﺎ و ‪ MOSFET‬ھﺎ دارای ﺧﺼﻮﺻﯿﺎﺗﯽ ھﺴﺘﻨﺪ‬
‫ﮐﻪ از ﻧﻘﻄﻪ ﻧﻈﺮھﺎﯾﯽ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ را ﺗﮑﻤﯿﻞ ﻣﯿﮑﻨﻨﺪ‪.‬‬

‫‪BJT‬ھﺎ در ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ )وﺻﻞ( دارای ﺗﻠﻔﺎت ھﺪاﯾﺘﯽ ﮐﻤﺘﺮی ھﺴﺘﻨﺪ درﺣﺎﻟﯿﮑﻪ زﻣﺎن ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ آﻧﮫﺎ‬
‫ﺑﻪ ﺧﺼﻮص در زﻣﺎن ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪن طﻮﻻﻧﯽ ﺗﺮ اﺳﺖ‪ MOSFET .‬ھﺎ ﻗﺎدرﻧﺪ ﮐﻪ ﺑﻪ ﻣﺮاﺗﺐ ﺳﺮﯾﻌﺘﺮ ﻗﻄﻊ و‬
‫‪| P a g e 42‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫وﺻﻞ ﮐﻨﻨﺪ ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺗﻠﻔﺎت ھﺪاﯾﺖ آﻧﮫﺎ ﺑﯿﺸﺘﺮ اﺳﺖ‪ IGBT .‬ﯾﮏ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮری اﺳﺖ ﮐﻪ ﻣﺰاﯾﺎی ‪ BJT‬و‬
‫‪ MOSFET‬را ﺑﺎھﻢ دارد ﻣﺜﻞ‪:‬‬

‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودی ﺑﺎﻻ ﻣﺜﻞ ‪MOSFET‬‬ ‫‪‬‬

‫اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ و ﺗﻠﻔﺎت ﮐﻢ ﻣﺎﻧﻨﺪ ‪BJT‬‬ ‫‪‬‬

‫ﻧﻈﯿﺮ ‪ BJT‬دارای وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ )وﺻﻞ( ﮐﻮﭼﮑﯽ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪‬‬

‫اﺳﺎﻣﯽ ﭘﺎﯾﻪ ھﺎ ھﻢ از روی ھﻤﺎن اﺳﺎﻣﯽ ﻗﺒﻠﯽ اﻧﺘﺨﺎب ﺷﺪه ‪ G‬از ‪ MOSFET‬و ‪ C,E‬از‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرھﺎی ‪ .BJT‬در ﻧﺘﯿﺠﻪ ﺑﺎ اﯾﻦ ﺗﺮﮐﯿﺐ ﺳﺎده ﺷﻤﺎ اﻟﻤﺎﻧﯽ را اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﮐﻨﯿﺪ ﮐﻪ دارای‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺑﺎﻻی ﮔﯿﺖ و ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ ﺗﺤﻤﻞ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻ اﺳﺖ‪ .‬ﺳﺮﻋﺖ ﺳﻮﯾﯿﭻ ﮐﺮدن اﯾﻦ ﻧﻮع دارای ﻣﺤﺪودﯾﺖ‬
‫ﺑﻮده ﺑﻄﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪ ‪ 1KHz‬ﺗﺎ ‪ 50KHz‬ﮐﻪ در ﮐﻞ ﺑﯿﻦ دو ﻧﻮع ‪ BJT‬و ‪ MOSFET‬ﻗﺮار ﻣﯽ ﮔﯿﺮد‪ .‬و ﺑﺨﺎطﺮ‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودی ﺑﺴﯿﺎر ﺑﺎﻻﯾﯽ ﮐﻪ دارد ﺑﺴﯿﺎر ﺣﺴﺎس ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬و ﺑﯿﺸﺘﺮ در ﮐﻮره ھﺎی اﻟﻘﺎﯾﯽ ﺑﺮای‬
‫ﺗﻘﻮﯾﺖ داﻣﻨﻪ وﻟﺘﺎژ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬و در ﮐﻞ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده اﯾﻦ ﻧﻮع ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرھﺎ ﺑﯿﺸﺘﺮ ﺑﺮای راه‬
‫اﻧﺪازی اﻟﻤﺎﻧﮫﺎی ﺗﻮان ﺑﺎﻻ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻣﮫﻤﺘﺮﯾﻦ و ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ﺗﻨﮫﺎ ﮐﺎراﯾﯽ ‪ IGBT‬ﺳﻮﯾﯿﭽﯿﻨﮓ ﺟﺮﯾﺎﻧﮫﺎی ﺑﺎﻻ‬
‫ﻣﯿﺒﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 43‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ و ﺗﻠﻔﺎت ﮐﻢ ﻧﻈﯿﺮ‪ BJT‬ھﺎ دارای وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ)وﺻﻞ( ﮐﻮﭼﮑﯽ اﺳﺖ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل در‬
‫وﺳﯿﻠﻪ ی ﺑﺎ ﻣﻘﺪار ﻧﺎﻣﯽ ‪1000‬وﻟﺖ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ وﺻﻞ )‪ (Von‬در ﺣﺪود ‪ 2‬اﻟﯽ ‪ 3‬وﻟﺖ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﺳﺮﯾﻌﯽ در ﻋﻤﻠﮑﺮد اﺳﺖ زﻣﺎن ﻗﻄﻊ و وﺻﻞ در آن در ﺣﺪود ‪ 1‬ﻣﯿﮑﺮوﺛﺎﻧﯿﻪ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﭼﻮن‬
‫ﮐﻪ زﻣﺎن ﺑﺎزﯾﺎﺑﯽ در اﯾﻦ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﺧﯿﻠﯽ ﮐﻢ اﺳﺖ در ﻧﺘﯿﺠﻪ اﯾﻦ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر در ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﮫﺎی ﺑﺎﻻ‬
‫ﻋﻤﻠﮑﺮد ﻣﻨﺎﺳﺒﯽ دارد‪.‬‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎر‪CHANAL-IGBT‬‬
‫‪N-CHANAL‬‬

‫ﯾﮏ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﻗﻄﺒﯽ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ ﻓﺮﻣﺎن اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﺑﻪ آن ﺗﻮﺳﻂ ﭘﺎﯾﻪ ‪ GATE‬اﻧﺠﺎم ﻣﯽ‬
‫وﯾﮋﮔﯽ ھﺎی‬ ‫ﺷﻮد از دﯾﺪﮔﺎه ﺧﺮوﺟﯽ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﻗﻄﺒﯽ اﺳﺖ و از دﯾﺪﮔﺎه ورودی‬
‫‪ FET‬را دارد‪ .‬ﭘﺎﯾﻪ ی ﮔﯿﺖ از دو ﺻﻔﺤﻪ ﻓﻠﺰی رﺳﺎﻧﺎ ﺗﺸﮑﯿﻞ ﺷﺪه اﯾﻦ ﺻﻔﺤ ﻪ ھﺎ ﺟﮫﺖ اﯾﺠﺎد ﻣﯿﺪان‬
‫ﻻﯾﻪ ی ﻧﺎزﮐﯽ از‬ ‫ھﺎی اﻟﮑﺘﺮو اﺳﺘﺎﺗﯿﮑﯽ ﺑﻪ ﮐﺎر ﻣﯽ روﻧﺪ‪ .‬ﺳﻄﺢ اﯾﻦ ﺻﻔﺤﺎت ﺗﻮﺳﻂ‬
‫اﮐﺴﯿﺪ ﺳﯿﻠﯿﮑﻮن ﭘﻮﺷﺎﻧﺪه ﺷﺪه اﺳﺖ وھﺮ ﯾﮏ از اﯾﻦ ﺻﻔﺤﺎت ﻋﺎﯾﻖ ﺑﻪ ﺳﻪ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی در‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر داﺧﻠﯽ ‪ IGBT‬ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬دو ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع ‪ N‬و ﯾﮏ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع‪P .‬‬
‫ﺗﻮﺳﻂ اﺗﺼﺎل اﯾﻦ دو ﺻﻔﺤﻪ ی ﻋﺎﯾﻖ ﺑﻪ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ھﺎ ﺷﺶ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺧﺎزﻧﯽ ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﯽ آﯾﺪ ﺷﺮط‬
‫ﻋﻤﻠﮑﺮد اﯾﻦ ﺗﺮاﻧﺰﺑﺴﺘﻮر اﯾﻦ اﺳﺖ ﮐﻪ دو ﺻﻔﺤﻪ ی ﮔﯿﺖ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﺜﺒﺖ ﺷﺎرژ ﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﮐﻪ در اﯾﻦ‬
‫ﺻﻮرت ﺑﺎﻋﺚ اﯾﺠﺎد دو ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻋﻤﺪه درداﺧﻞ ‪ IGBT‬ﻣﯽ ﮔﺮدد‪.‬‬

‫اﺗﺼﺎل ﺻﻔﺤﻪ ي ‪ GATE‬ﺑﻪ ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدي ﻧﻮع‪ : P‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﭘﺘﺎﻧﺴﯿﻞ ﻣﺜﺒﺖ ﺑﻪ ﮔﯿﺖ ﺻﻔﺤﺎت ﮔﯿﺖ ﺑﻪ ﺻﻮرت‬

‫ﻣﺜﺒﺖ ﺷﺎرژ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ ﺣﺎﻣﻞ ھﺎی اﮐﺜﺮﯾﺖ در ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع ‪ P‬ﻧﯿﺰﺣﻔﺮه ھﺎ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﻨﺪ و ﻣﺎھﯿﺖ اﯾﻦ‬
‫ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﯿﺰ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﺎده ای اﺳﺖ ﮐﻪ ﻓﻘﺪان اﻟﮑﺘﺮون دارد و اﯾﻦ ﻋﺎﻣﻞ ﺑﺎﻋﺚ اﯾﺠﺎد ﻣﯿﺪان ھﺎی‬
‫اﻟﮑﺘﺮو اﺳﺘﺎﺗﯿﮑﯽ ﺑﯿﻦ ﺻﻔﺤﻪ ی ﮔﯿﺖ و ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع ‪ P‬ﻣﯽ ﮔﺮدد و درﻧﺘﯿﺠﻪ ﻧﯿﺮوی ﺟﺎذﺑﻪ ﻣﯿﺎن‬
‫اﻟﮑﺘﺮون ھﺎی ﺷﺎرژ ﺷﺪه در ﮔﯿﺖ و ﺣﻔﺮه ھﺎ در ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع ‪ P‬ﯾﻮن ھﺎی ﻣﺜﺒﺖ در ﻧﺰدﯾﮑﯽ ﮔﯿﺖ‬
‫ﺟﻤﻊ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 44‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫اﺗﺼﺎل ﺻﻔﺤﻪ ي ‪ gate‬ﺑﻪ ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدي ﻧﻮع ‪ :n‬ﺣﺎﻣﻞ ھﺎی اﮐﺜﺮﯾﺖ در ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع ‪ n‬اﻟﮑﺘﺮون ھﺎ ﻣﯽ‬

‫ﺑﺎﺷﻨﺪ درﻧﺘﯿﺠﻪ اﯾﻦ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی دارای ﯾﻮن ﻣﻨﻔﯽ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ دارای اﻟﮑﺘﺮون ﻣﺎزاد اﺳﺖ ﺣﺎل ﺑﺎ‬
‫ﺷﺎرژ ﮐﺮدن ﺻﻔﺤﺎت ﮔﯿﺖ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﺜﺒﺖ ﺑﺎر ھﺎی اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺷﺎرژ ﺷﺪه ﺑﺮ روی ﺻﻔﺤﻪ ی ﮔﯿﺖ ﺑﺎﻋﺚ‬
‫دﻓﻊ ﺷﺪن اﻟﮑﺘﺮون ھﺎ در ﻗﺴﻤﺖ اﺗﺼﺎل ﺧﺎزﻧﯽ ﻣﯿﮕﺮدد‬

‫ﭘﺎﯾﻪ ي اﻣﯿﺘﺮ‪ :‬در اﯾﻦ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﭘﺎﯾﻪ ی اﻣﯿﺘﺮ ﺑﻪ ﺳﻪ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی اﺗﺼﺎل ﭘﯿﺪا ﮐﺮده اﺳﺖ‬

‫ﯾﮑﯽ از اﯾﻦ ﻧﯿﻤﻪ ھﺪی ھﺎ ﻧﻮع ‪ n‬و دوﺗﺎی دﯾﮕﺮ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع ‪ p‬ﻣﯿﺒﺎﺷﻨﺪ ﮐﻪ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع‬
‫‪ P‬ﺟﮫﺖ ﻋﺒﻮر ﺟﺮﯾﺎن ﺑﺎر اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد و ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ھﺎی ﻧﻮع ‪ n‬ﺟﮫﺖ ﻋﺒﻮر ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺤﺮﯾﮏ ﻓﺮﻣﺎن‬
‫ﻋﻤﻠﮑﺮدی ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﮔﺮدد‪.‬‬

‫ﭘﺎﯾﻪ ي ﮐﻠﮑﺘﻮر‪ :‬اﯾﻦ ﭘﺎﯾﻪ ﻧﯿﺰ ﺑﻪ ﯾﮏ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻧﻮع ‪ p‬ﻣﺘﺼﻞ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪ .‬ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ھﺎی ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ‬

‫ﺑﯿﻦ دو ﭘﺎﯾﻪ ی ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ ﺑﻪ ﺻﻮرت ‪ pnp‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 45‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫ﻃﺮاﺣﯽ و ﺳﺎﺧﺖ ﯾﮏ راه اﻧﺪاز ﮔﯿﺖ ‪ IGBT‬ﺑﺎ ﺣﻔﺎﻇﺘﻬﺎي ﻻزم‬

‫راه اﻧﺪازھﺎی ﮔﯿﺖ در ﻣﺒﺪل ھﺎی ﻗﺪرت ﻧﻮﯾﻦ ﮐﻪ از ﻋﻨﺼﺮ ﻗﺪرت ‪ IGBT‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﮐﻨﻨﺪ‪ ،‬ﺑﺎﯾﺪ‬
‫ﭼﻨﺪﯾﻦ ﻋﻤﻠﮑﺮد اﺳﺎﺳﯽ ھﻤﭽﻮن اﯾﺰوﻻﺳﯿﻮن اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ‪ ،‬ﺗﻘﻮﯾﺖ ﺟﺮﯾﺎن و ﺣﻔﺎظﺖ در ﺑﺮاﺑﺮ اﺿﺎﻓﻪ‬
‫ﺟﺮﯾﺎن و وﻟﺘﺎژ را ﺑﻪ اﺟﺮا ﺑﮕﺬارﻧﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎﻟﻪ ﺣﺎﺿﺮ ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ از ﭼﻨﯿﻦ راه اﻧﺪازھﺎﯾﯽ را ﺗﻮﺻﯿﻒ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ ﮐﻪ‬
‫ﺗﻤﺎﻣﺎً ﺗﻮﺳﻂ ادوات اﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﮏ ﺑﺮای ‪ IGBT‬ھﺎی ﻗﺪرت ﻣﺘﻮﺳﻂ و ﯾﺎ زﯾﺎد ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ راه اﻧﺪازھﺎ‬
‫ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﯾﻪ ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ اﯾﺰوﻟﻪ‪ ،‬ﻣﺪارھﺎی ﺑﺎﻓﺮ‪ ،‬ﺑﺮﺧﯽ ﺗﻮاﺑﻊ ﺣﻔﺎظﺘﯽ و ھﻤﭽﻨﯿﻦ ﺣﻔﺎظﺖ در‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ‪ IGBT‬ھﺎ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﺪارھﺎ ﺑﺎﯾﺪ ﺗﻮاﻧﺎﯾﯽ اﻋﻤﺎل ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎ اوج ‪ 6‬آﻣﭙﺮ ﺑﺎ ﺗﺪاوم ‪ %50‬ﺑﺎ‬
‫اﻋﻤﺎل ﺳﯿﮕﻨﺎل ورودی در ﺳﻄﺢ ‪TTL‬را دارا ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻋﻨﺼﺮ ‪ IGBT‬ﻧﯿﺎزﻣﻨﺪ وﻟﺘﺎژ ﮔﯿﺖ–اﻣﯿﺘﺮ ﺟﮫﺖ ﻛﻨﺘﺮل ﻣﯿﺰان ھﺪاﻳﺖ ﻣﯿﺎن ﻛﻠﻜﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮش اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﺪارھﺎي راه اﻧﺪاز ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﻣﻲ ﺗﻮاﻧﺪ اﻋﻤﺎل ﺷﻮد‪ .‬ﻣﺪار راه اﻧﺪاز ﺗﺄﺛﯿﺮ ﺑﻪ ﺳﺰاﺋﻲ ﺑﺮ‬
‫ﻋﻤﻠﻜﺮد ‪ IGBT‬از ﻧﻈﺮ اﺗﻼف روﺷﻨﻲ و ﺧﺎﻣﻮﺷﻲ‪ ،‬ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ ﺣﻔﺎظﺖ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه‪ ،‬زﻣﺎن ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ و‬
‫ﺣﻔﺎظﺖ در ﺑﺮاﺑﺮ ﺗﻐﯿﯿﺮات وﻟﺘﺎژ ﮔﺬرا در واﺣﺪ زﻣﺎن ‪ dv/dt‬را دارد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ طﺮح ﻣﺪار راه اﻧﺪاز ﺟﮫﺖ‬
‫ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﻨﺎﺳﺐ ادوات ‪ IGBT‬ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺤﺮاﻧﯽ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻧﻘﻄﻪ ﻧﻈﺮاﺗﻲ ﻛﻪ در طﺮح ﻳﻚ راه اﻧﺪاز ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎﻳﺪ ﻟﺤﺎظ ﺷﻮﻧﺪ ﺑﻪ طﻮر ﺧﻼﺻﻪ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪:‬‬

‫‪ .1‬ﺗﮫﯿﻪ وﻟﺘﺎژ ﮔﯿﺖ – اﻣﯿﺘﺮ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر روﺷﻨﯽ ﮐﺎﻣﻞ ‪IGBT‬‬

‫ﻧﺴﺒﺘﺎزﻳﺎد در ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺷﻨﻲ ﺑﻪ ﺟﮫﺖ ﻛﺎھﺶ اﺗﻼف روﺷﻨﻲ ‪.‬ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻮرد‬
‫ً‬ ‫‪ .2‬ﺗﮫﯿﻪ ﺟﺮﻳﺎن اوﻟﯿﻪ‬
‫ﻧﯿﺎز اﻏﻠﺐ در ﺣﺪ ‪ 6‬آﻣﭙﺮ و ﻳﺎ ﺑﺎﻻﺗﺮ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪| P a g e 46‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫‪ .3‬ﺗﺄﻣﯿﻦ وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﻜﻮس در طﻲ زﻣﺎن ﺧﺎﻣﻮﺷﻲ ﺑﻪ ﺟﮫﺖ ﺑﮫﺒﻮد وﻟﺘﺎژ ﮔﺬرا در واﺣﺪ زﻣﺎن ‪، dv/dt‬‬
‫ﻧﻮﯾﺰ ‪ EMI‬و ﮐﺎھﺶ اﺗﻼف زﻣﺎن ﺧﺎﻣﻮﺷﯽ ‪.IGBT‬‬
‫‪ .4‬ﻓﺮاھﻢ آوردن اﻳﺰوﻻﺳﯿﻮن ﻛﺎﻓﻲ ﻣﯿﺎن ﻣﺪار ﻗﺪرت و ﻛﻨﺘﺮل‪.‬‬
‫‪ .5‬ﻣﺤﺎﻓﻈﺖ ‪ IGBT‬ﺑﻪ ھﻨﮕﺎم اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه‪ .‬در اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ راه اﻧﺪاز ﮔﯿﺖ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﮑﻮس ﺑﻪ ﮔﯿﺖ –‬
‫اﻣﯿﺘﺮ اﻋﻤﺎل ﮐﺮده و ﺳﯿﮕﻨﺎل ﺧﻄﺎ را ﺑﻪ واﺣﺪ ﮐﻨﺘﺮل ارﺳﺎل ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺧﻮﺷﺒﺨﺘﺎﻧﻪ ﻣﺪارھﺎی راه اﻧﺪاز ﻣﺘﻨﻮﻋﯽ ﮐﻪ اﻏﻠﺐ ﺑﺮای راه اﻧﺪازی ﻣﺎژول ھﺎی ‪ IGBT‬ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻣﯽ‬
‫ﺑﺎﺷﻨﺪ طﺮاﺣﯽ و ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﻧﺪ اﻣﺎ ﻣﺘﺄﺳﻔﺎﻧﻪ اﻳﻦ ﻣﺪارھﺎ ﺑﺴﯿﺎر ﮔﺮان ھﺴﺘﻨﺪ و در ﻧﺘﯿﺠﻪ در ﺗﻮﻟﯿﺪ‬
‫ﻣﺒﺪل ھﺎي ﻗﺪرت ﻧﯿﺎزﻣﻨﺪ آن ھﺴﺘﯿﻢ ﻛﻪ را ه اﻧﺪازھﺎي ﮔﯿﺖ ارزان ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺷﺮاﻳﻂ ﻛﺎري ﻣﺨﺘﻠﻒ‬
‫ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬ﺗﻮﺳﻌﻪ داده ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺗﺼﻮﯾﺮ زﯾﺮ ﯾﮏ راه اﻧﺪاز ﮔﯿﺖ ‪ IGBT‬ﮐﻪ ﺑﺮای اﻧﻮاع ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺘﻮﺳﻂ‬
‫و ﯾﺎ ﺣﺘﻲ زﻳﺎد ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ و از ﻟﺤﺎظ اﻗﺘﺼﺎدي ﻧﯿﺰ ﻣﻘﺮون ﺑﻪ ﺻﺮﻓﻪ ﺑﻮده آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎر راه اﻧﺪاز ﮔﯿﺖ ‪IGBT‬‬

‫ﺷﻤﺎی ﺳﺎده ﺷﺪه راه اﻧﺪاز ﮔﯿﺖ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ را در ﺷﮑﻞ ﺑﺎﻻ ﻣﺸﺎھﺪه ﻣﯽ ﮐﻨﯿﺪ‪ ،‬ﻛﻪ ﺷﺎﻣﻞ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻤﺎم ﭘﻞ‪ ،‬ﻣﺪارھﺎي ﻛﻨﺘﺮل ﻣﻨﻄﻘﻲ و ﺗﺄﺧﯿﺮھﺎي ﻣﻮرد ﻧﯿﺎز اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر در اﻏﻠﺐ‬
‫ﻣﺪارھﺎي را ه اﻧﺪاز ﺑﺎ اﻧﺪك ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده واﻗﻊ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻃﺒﻘﻪ ﺧﺮوﺟﯽ‬

‫راه اﻧﺪازھﺎی ‪ IGBT‬ﻣﺮﺳﻮم ﻣﻌﻤﻮﻻ ً از ﯾﮏ طﺒﻘﻪ ﭘﻮش – ﭘﻮل ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺗﮫﯿﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺜﺒﺖ و‬
‫ﻣﻨﻔﻲ زﻳﺎد اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ ﺗﺎ ﻗﺎدر ﺑﻪ ﺷﺎرژ و ﺗﺨﻠﯿﻪ ﺳﺮﻳﻊ ﺧﺎزن ورودي ‪ IGBT‬در طﯽ زﻣﺎن ھﺎی‬

‫‪| P a g e 47‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺑﺪﯾﮫﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ اﻳﻦ ﭼﻨﯿﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎري ﻧﯿﺎزﻣﻨﺪ دو ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻳﻜﻲ ﻣﺜﺒﺖ و دﻳﮕﺮي‬
‫ﻣﻨﻔﻲ ﺑﺮاي ﺗﺄﻣﯿﻦ ﮔﺮاﻳﺶ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرھﺎي ﭘﻮش ‪ -‬ﭘﻮل ﺧﻮاھﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﮔﺮاﻳﺶ ﻣﻨﻔﻲ ﮔﯿﺖ ﺗﺄﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ‬
‫ﺗﻮﺟﮫﻲ ﺑﺮ روي ﺳﺮﻋﺖ ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ و اﻓﺰاﻳﺶ ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ اﻋﺘﻤﺎد ﻣﺒﺪل دارد‪ .‬ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﭘﻞ در طﺒﻘﻪ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ راه اﻧﺪاز‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﻣﺜﺒﺖ در طﻲ زﻣﺎن روﺷﻨﯽ ‪ M1,M4= ON‬و ‪ M2,M3= 0FF‬وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﻔﯽ در‬
‫طﯽ ﺧﺎﻣﻮﺷﯽ ‪ M2,M3= ON‬و ‪ M1,M4= OFF‬و ﺗﻨﮫﺎ ﺑﺎ ﯾﮏ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﯾﻪ ﺑﺮ روی ﮔﯿﺖ اﻣﯿﺘﺮ ‪ IGBT‬ﻣﯽ‬
‫ﺗﻮان ﻗﺮار داده ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ اﯾﻦ ﺗﺮﺗﯿﺐ ﺑﺮای ﮐﻨﺘﺮل زﻣﺎن ﺧﺎﻣﻮﺷﻲ و روﺷﻨﻲ ﻧﯿﺎزﻣﻨﺪ ﻣﻘﺎوم ﺗﮫﺎي ﺧﺎرﺟﻲ‬
‫ﺑﺮ روي ﮔﯿﺖ ‪ R on‬و ‪ R off‬ﺧﻮاھﯿﻢ ﺑﻮد ﺗﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﺪﺳﺖ آﻳﺪ ‪.‬در طﺮح اراﺋﻪ‬
‫ﺷﺪه ﺑﺮاي زوج ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرھﺎي ‪ M1‬و ‪ ، M2‬ھﻤﭽﻨﯿﻦ ‪ M3‬و‪ M4‬از زوج ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺣﻔﺎﻇﺖ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ‪IGBT‬‬

‫اﯾﻦ ﺣﻔﺎظﺖ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ادوات ‪ D1-DZ-C1-R2-R1‬ﺷﮑﻞ ﻣﯽ ﮔﯿﺮد‪ .‬وﻗﺘﯽ وﻟﺘﺎژ ﮔﯿﺖ – اﻣﯿﺘﺮ‬
‫‪ IGBT‬در ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ ﺑﻮده و ﺑﻪ دﻟﯿﻞ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه در ﺧﺮوﺟﯽ‪ IGBT ،‬از اﺷﺒﺎع ﮐﺎﻣﻞ ‪VCE set=2-3V‬‬
‫ﺑﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻓﻌﺎل وارد ﺷﻮد ‪ VCE >> VCEset‬ﺑﺎ ﻗﻄﻊ دﯾﻮد ‪ D1‬زﻧﺮ ‪ DZ‬ھﺪاﯾﺖ ﮐﺮده ﺑﺎ ﺗﺤﺮﯾﮏ ﻣﺪار‬
‫ﺑﻪ‬ ‫ﺣﻔﺎظﺖ ﻣﻮﺟﺐ ﻋﺪم ارﺳﺎل ﭘﺎﻟﺲ ﮔﯿﺖ ﺑﻪ ‪ IGBT‬ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬در طﻲ ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ ﻋﺎدي ‪IGBT‬‬
‫دﻟﯿﻞ ﺣﻀﻮر ھﻤﺰﻣﺎن ﺟﺮﻳﺎن ﻛﻠﻜﺘﻮر و وﻟﺘﺎژ ﻛﻠﻜﺘﻮر ‪-‬اﻣﯿﺘﺮ‪ ،‬اﻣﻜﺎن ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻧﺎﺧﻮاﺳﺘﻪ ﻣﺪار ﺣﻔﺎظﺖ اﺗﺼﺎل‬
‫ﻛﻮﺗﺎه وﺟﻮد دارد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻓﯿﻠﺘﺮ ‪ R1-C1‬ﺟﮫﺖ ﺣﺬف اﯾﻦ اﺛﺮ اﺿﺎﻓﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻨﻈﯿﻢ دﻗﯿﻖ ﻣﻘﺪار‬
‫ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ اﻳﻦ ﻓﯿﻠﺘﺮ ﻣﻲ ﺗﻮاﻧﺪ زﻣﺎن ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﺪار ﺣﻔﺎظﺖ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه را ﺗﺎ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ ﻣﯿﻜﺮوﺛﺎﻧﯿﻪ ﻛﻪ‬
‫در طﯽ آن ‪ IGBT‬ﺻﺪﻣﻪ ﻧﻤﯽ ﺑﯿﻨﺪ ﺑﻪ ﺗﺄﺧﯿﺮ ﺑﯿﺎﻧﺪازد‪ .‬ﺟﮫﺖ ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﺑﮫﯿﻨﻪ ‪ R1-R2‬و ‪ C1‬ﻣﯽ ﺗﻮان‬
‫از ﺷﺒﯿﻪ ﺳﺎزی ﺗﻮﺳﻂ ﻧﺮم اﻓﺰار ‪ PSPICE‬ﺑﮫﺮه ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻧﺘﺨﺎب ﻣﻘﺎدﯾﺮ ‪R1=10K , R2=100K ,‬‬
‫‪ C1=100Nf‬زﻣﺎن ﺗﺄﺧﯿﺮ ﻋﻤﻠﮑﺮد ﻣﺪار اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﺣﺪود ‪ 5‬ﻣﯿﮑﺮوﺛﺎﻧﯿﻪ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ ﮐﻪ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ‬
‫ﻧﻈﺮ ﻣﯽ رﺳﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 48‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫روﺷﻦ ﺷﺪن ‪IGBT‬‬

‫زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﻗﻄﻌﻪ در ﺣﺎل اﻧﺴﺪاد ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ اﺳﺖ‪ ،‬اﮔﺮ وﻟﺘﺎژ ﮔﯿﺖ ﺑﯿﺶ از وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ ﺷﻮد‪ ،‬در‬
‫اﯾﻦ ﺻﻮرت ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ P‬ﺑﻪ ﻋﻘﺐ راﻧﺪه ﺷﺪه و ﮐﺎﻧﺎﻟﯽ از ﻧﻮع ‪ N‬در آن اﯾﺠﺎد ﻣﯽ ﺷﻮد و ﺟﺮﯾﺎن از طﺮﯾﻖ اﯾﻦ‬
‫ﮐﺎﻧﺎل ﺑﺮﻗﺮار ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬در اﯾﻦ زﻣﺎن وﻟﺘﺎژ آﻧﺪ ﺑﻪ ﮐﺎﺗﺪ ﺑﺎﯾﺪ ﺑﯿﺸﺘﺮاز ‪ 0.7‬وﻟﺖ )ﺳﺪ ﭘﺘﺎﻧﺴﯿﻞ( ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ‬
‫ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﯿﻦ ﺑﺴﺘﺮ ‪ P‬ﻣﺜﺒﺖ و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ )‪ (J1‬ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ ﺑﺎﯾﺎس ﺷﻮد‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن‬
‫اﻟﮑﺘﺮوﻧﮫﺎ ﮐﻪ از ‪ N‬ﻣﺜﺒﺖ اﻣﯿﺘﺮ از طﺮﯾﻖ ﮐﺎﻧﺎل ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ ﺟﺮﯾﺎن‬
‫ﺗﺤﺮﯾﮏ ﺑﯿﺲ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‪ PNP‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮوﻧﮫﺎ ﺑﺎﻋﺚ اﻟﻘﺎ ﺷﺪن ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ از ﺣﻔﺮه ھﺎ از ﻧﺎﺣﯿﻪ‬
‫‪ P‬ﻣﺜﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ﺑﯿﺲ ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ ﺑﺮ اﺛﺮ اﯾﻦ ﺗﺰرﯾﻖ ﺣﺎﻣﻠﮫﺎی اﻗﻠﯿﺖ‪ ،‬ﻣﺪوﻟﻪ ﮐﻨﻨﺪه‬
‫ی رﺳﺎﻧﻨﺪﮔﯽ و رﺳﺎﻧﺎﯾﯽ ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪.‬‬

‫اﯾﻦ ﻣﺪوﻟﻪ ﮐﻨﻨﺪه ی رﺳﺎﻧﻨﺪﮔﯽ‪ IGBT ،‬ھﺎ را ﻗﺎدر ﻣﯽ ﺳﺎزد ﺗﺎ در ﮐﺎرﺑﺮدھﺎی وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻ ﺑﺎ ﮐﺎھﺶ‬
‫ﭼﺸﻤﮕﯿﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﮔﯿﺮﻧﺪ‪ .‬دو ﻧﻮع ﺟﺮﯾﺎن در ﭘﺎﯾﻪ اﻣﯿﺘﺮ ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﯾﮑﯽ ﺟﺮﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮوﻧﮫﺎ )ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺎﺳﻔﺖ( در داﺧﻞ ﮐﺎﻧﺎل و دﯾﮕﺮی ﺟﺮﯾﺎن ﺣﻔﺮه ھﺎ)ﺟﺮﯾﺎن دو ﻗﻄﺒﯽ( ﮐﻪ‬
‫در ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪ P‬ﻣﺜﺒﺖ ﺑﺪﻧﻪ و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ )‪ (J2‬ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪن‬

‫در اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﮔﯿﺖ ﺑﺎﯾﺪ ﺑﺎ اﻣﯿﺘﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﯾﺎ ﯾﮏ وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﻔﯽ ﺑﻪ آن اﻋﻤﺎل ﺷﻮد‪ .‬وﻗﺘﯽ وﻟﺘﺎژ‬
‫ﮔﯿﺖ ﮐﻤﺘﺮ از وﻟﺘﺎژآﺳﺘﺎﻧﻪ ﺷﺪ ﻻﯾﻪ ﺑﯿﺮوﻧﯽ ﻧﻤﯽ ﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﻗﯽ ﺑﻤﺎﻧﺪ و ﻣﻨﺒﻊ اﻟﮑﺘﺮوﻧﮫﺎ در ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪N‬‬
‫ﻣﻨﻔﯽ ﻣﺴﺪود ﻣﯽ ﺷﻮد و در اﯾﻦ زﻣﺎن ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪن ﺷﺮوع ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻠﺖ ﺗﺠﻤﻊ زﯾﺎد‬
‫ﺣﺎﻣﻠﮫﺎی اﻗﻠﯿﺖ ﺗﺰرﯾﻖ ﺷﺪه در ﻻﯾﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ در زﻣﺎن ھﺪاﯾﺖ ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪن‬
‫ﻧﻤﯽ ﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ ﺳﺮﻋﺖ ﮐﺎﻣﻞ ﺷﻮد‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻠﮑﺘﻮر اﺑﺘﺪا ﺑﻪ ﻋﻠﺖ ﭘﺎﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮوﻧﮫﺎ در ﮐﺎﻧﺎل ﺑﻪ ﺳﺮﻋﺖ‬
‫وﺳﭙﺲ ھﻤﺰﻣﺎن ﺑﺎ ﮐﺎھﺶ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺣﺎﻣﻠﮫﺎی ﺗﻘﻠﯿﺖ ﺑﺮ اﺛﺮ ﺑﺎز ﺗﺮﮐﯿﺐ ﺷﺪن ﺑﻪ ﺗﺪرﯾﺞ ﮐﺎھﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 49‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫وﯾﮋﮔﯿﻬﺎي اﺳﺎﺳﯽ‪ ،‬ﻣﺰاﯾﺎ ‪،‬ﻣﻌﺎﯾﺐ و وﯾﮋﮔﯿﻬﺎ در ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﺎ ‪MOSFET ،BJT‬‬

‫ﻣﺰاﯾﺎ‬

‫ﭼﮕﺎﻟﯽ زﯾﺎد ھﺪاﯾﺖ ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ و اﻓﺖ ﮐﻢ وﻟﺘﺎژ ﻣ ﺴﺘﻘﯿﻢ در ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ‪ IGBT :‬ھﺎ‬ ‫‪‬‬

‫دراری اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ ﺑﺴﯿﺎر ﮐﻢ و ﭼﮕﺎﻟﯽ زﯾﺎد ﺟﺮﯾﺎن در ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ در ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﺎ‬
‫ﻣﺎﺳﻔﺖ ھﺎی ﻗﺪرت و ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ھﺎی دو ﻗﻄﺒﯽ ھﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺗﻮان راه اﻧﺪازی ﮐﻢ و ﻣﺪار راه اﻧﺪاز ﺳﺎده ﺑﻪ ﺳﺒﺐ وﺟﻮد ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺎﺳﻔﺘﯽ در ورودی‪ :‬ﯾﮏ‬ ‫‪‬‬

‫‪ IGBT‬در ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﺎ ﻗﻄﻌﺎت ﮐﻨﺘﺮل ﺷﻮﻧﺪه ﺑﻮﺳﯿﻠﻪ ﺟﺮﯾﺎن )ﺗﺮﯾﺴﺘﻮر و ‪ (BJT‬در وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﯾﺎن‬
‫ﺑﺎﻻ ﺑﺴﯿﺎر آﺳﺎﻧﺘﺮ ﮐﻨﺘﺮل ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻋﻤﻠﮑﺮد اﯾﻤﻦ وﺳﯿﻊ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺸﺨﺼﻪ ھﺎی ﺧﺮوﺟﯽ‪ IGBT،‬دارای ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ ھﺪاﯾﺖ‬ ‫‪‬‬

‫ﺟﺮﯾﺎن ﺑﮫﺘﺮ و ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ اﻧﺴﺪاد ﻣﻌﮑﻮس و ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ ﻣﻤﺘﺎزﺗﺮی ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ھﺎی دو‬
‫ﻗﻄﺒﯽ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﻌﺎﯾﺐ‬

‫در ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﺎ ﻣﺎﺳﻔﺖ ھﺎی ﻗﺪرت ‪ IGBT‬دارای ﺳﺮﻋﺖ ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ ﮐﻤﺘﺮی اﺳﺖ وﻟﯽ‬ ‫‪‬‬

‫ﺳﺮﻋﺖ آن از ‪ BJT‬ھﺎ ﺑﺴﯿﺎر ﺑﺎﻻﺗﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن ﭘﺲ ﻣﺎﻧﺪ ﮐﻠﮑﺘﻮر)ﺣﺎﻣﻞ ھﺎی اﻗﻠﯿﺖ( ﺑﺎﻋﺚ‬
‫ﮐﺎھﺶ ﺳﺮﻋﺖ ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪن آن ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫اﻣﮑﺎن ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ ﺑﻪ ﻋﻠﺖ وﺟﻮد ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺮﯾﺴﺘﻮری ‪.PNPN‬‬ ‫‪‬‬

‫ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت ‪ IGBT‬ﺑﺎ ‪ BJT‬و ‪MOSFET‬‬

‫‪| P a g e 50‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ‬

‫ھﻤﺎﻧﻄﻮر ﮐﻪ ذﮐﺮ ﺷﺪ ‪ IGBT‬دارای ‪ 4‬ﻻﯾﻪ ﻣﺘﻨﺎوب ‪ PNPN‬اﺳﺖ ﮐﻪ ﯾﮏ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺮﯾﺴﺘﻮری را‬

‫ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ ﺗﺸﮑﯿﻞ ﻣﯽ دھﻨﺪ‪ .‬ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ ﯾﻌﻨﯽ روﺷﻦ ﺷﺪن اﯾﻦ ﺗﺮﯾﺴﺘﻮر‪ ،‬ھﻨﮕﺎﻣﯽ ﮐﻪ‬
‫ﺗﺮﯾﺴﺘﻮر ﻓﻌﺎل ﻣﯽ ﺷﻮد دﯾﮕﺮ ﺟﺮﯾﺎن ‪ IGBT‬ﮔﯿﺖ ﻣﺎﺳﻔﺖ ﮐﻨﺘﺮل ﻧﻤﯽ ﺷﻮد و ﻣﻤﮑﻦ اﺳﺖ ‪ IGBT‬ﺑﻪ‬
‫ﻋﻠﺖ ﺟﺮﯾﺎن ﺑﯿﺶ از ﺣﺪ ﻣﺠﺎز ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ و در ﻧﺘﯿﺠﻪ اﻓﺰاﯾﺶ ﭘﺮاﮐﻨﺪﮔﯽ ﺗﻮان آﺳﯿﺐ ﺑﺒﯿﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻋﻠﻞ ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ‬

‫‪ -1‬ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ اﺳﺘﺎﺗﯿﮏ‪ :‬زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ از اﻟﮑﺘﺮون ھﺎ درون ﮐﺎﻧﺎل ﺟﺎری ﻣﯽ ﺷﻮد‪ ،‬ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ‬
‫از ﺣﻔﺮه ھﺎ ﻧﯿﺰ در ﭘﺎﯾﻪ ﺳﻮرس ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺑﺮﻗﺮار ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ ورودی روی‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ Rs‬ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬اﮔﺮ اﯾﻦ اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ ﺑﯿﺶ از ﺳﺪ ﭘﺘﺎﻧﺴﯿﻞ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﯿﻦ ﻻﯾﻪ ‪P‬ﺑﺪﻧﻪ و‪N‬‬
‫ﻣﻨﻔﯽ)‪ (J3‬ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ NPN‬روﺷﻦ ﻣﯽ ﺷﻮد و در ﺻﻮرﺗﯽ ﮐﻪ ﺑﮫﺮه ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺠﻤﻮع دو‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ NPN‬و ‪ PNP‬ﯾﮏ ﺷﻮد ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ اﺗﻔﺎق ﻣﯽ اﻓﺘﺪ‪.‬‬
‫‪ -2‬ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ دﯾﻨﺎﻣﯿﮏ‪ :‬ھﻤﮕﺎﻣﯽ ﮐﻪ ‪ IGBT‬ﺧﺎﻣﻮﺷﺶ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ ،‬ﻻﯾﻪ ﺗﺨﻠﯿﻪ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﻧﺎﺣﯿﻪ‬
‫راﻧﺸﯽ ‪N‬ﻣﻨﻔﯽ و‪ P‬ﺑﺪﻧﻪ )‪ (J2‬ﺑﻪ طﻮر ﻧﺎﮔﮫﺎﻧﯽ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ و ‪ IGBT‬در ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ ﮐﻤﺘﺮ از‬
‫‪ 1/2‬ﺣﺎﻟﺖ اﺳﺘﺎﺗﯿﮏ ﻗﻔﻞ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ھﻤﯿﻦ ﻋﻠﺖ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻋﻤﻠﮑﺮد اﯾﻤﻦ ‪ IGBT‬ﻣﺤﺪود ﻣﯽ‬
‫ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﭘﺮﻫﯿﺰ از ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ‬

‫ﺑﺮای ﺟﻠﻮﮔﯿﺮی از ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ اوﻟﯿﻦ روش ﺟﻠﻮﮔﯿﺮی از روﺷﻦ ﺷﺪن ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ NPN‬و دوم‬
‫ﻧﮕﻪ ﻧﺪاﺷﺘﻦ ﻣﺠﻤﻮع ﮔﯿﻦ ﺟﺮﯾﺎن ھﺎی دو ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪ NPN‬و ‪ PNP‬ﮐﻤﺘﺮ از ﯾﮏ در ﺻﻮرت روﺷﻦ ﺷﺪن‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‪ NPN‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫در ﻣﻮرد دوم ﻣﯽ ﺗﻮان ﺑﺎ وارد ﮐﺮدن ﻻﯾﻪ واﺳﻂ ‪ N‬ﻣﺜﺒﺖ ﻣﯿﺎن ﺑﺴﺘﺮ‪ P‬و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ﺑﮫﺮه‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‪ PNP‬را ﮐﺎھﺶ داد اﻣﺎ ﺑﺎﯾﺪ ﺑﮫﺮه ھﺮ دو ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﮐﺎھﺶ ﭘﯿﺪا ﮐﻨﺪ‪ ،‬اﻣﺎ ﮐﺎھﺶ ﺑﮫﺮه‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ‪ NPN‬ﻣﺸﮑﻞ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎي اﻧﺴﺪاد اﺳﺘﺎﺗﯿﮏ‬

‫ﺗﻮاﻧﺎﯾﯽ اﻧﺴﺪاد ﻣﻌﮑﻮس‪ ،‬زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﻔﯽ ﺑﻪ ﭘﺎﯾﻪ ﮐﻠﮑﺘﻮر ‪ IGBT‬اﻋﻤﺎل ﻣﯽ ﺷﻮد ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﺴﺘﺮ ‪P‬‬
‫ﻣﺜﺒﺖ و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ)‪ (J1‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻌﮑﻮس ﻗﺮار ﻣﯽ ﮔﯿﺮد و ﻋﻤﻮﻣﺎً ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﮫﯽ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ‬
‫ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ﮔﺴﺘﺮش ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ و ﺑﺎﻋﺚ ﺑﺎرﯾﮏ ﺷﺪن اﯾﻦ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪ .‬ﺑﺮای ﺑﺪﺳﺖ‬

‫‪| P a g e 51‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫آوردن ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ ھﺎی اﻧﺴﺪاد ﻣﻌﮑﻮس ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎﯾﺪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﯾﮋه و ﺿﺨﺎﻣﺘﯽ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﺮای ﻧﺎﺣﯿﻪ‬
‫راﻧﺸﯽ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮد‪ .‬ﭘﮫﻨﺎی ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ ﻣﺠﻤﻮع ﭘﮫﻨﺎی‬
‫ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﺨﻠﯿﻪ در ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ وﻟﺘﺎژﮐﺎری و درﺟﻪ ﮐﺎری ﺣﺎﻣﻠﮫﺎی اﻗﻠﯿﺖ‪.‬‬

‫در زﯾﺮ ﭼﻨﺪ ﻧﻮع ‪ IGBT‬و ھﻤﭽﻨﯿﻦ ﯾﮏ ﻓﺎﯾﻞ ‪ PDF‬ﺑﺮای ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ رواﺑﻂ راه اﻧﺪازی ﯾﮏ ‪ IGBT‬ھﻤﺮاه ﺑﺎ‬
‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ دﻣﺎ و ‪ ....‬آورده ﺷﺪه آﻧﮫﺎ را ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﯿﺪ از ﻟﯿﻨﮏ زﯾﺮ داﻧﻠﻮد ﮐﻨﯿﺪ‪.‬‬

‫ﻟﯿﻨﮏ داﻧﻠﻮد دﯾﺘﺎﺷﺖ ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ ‪:SKP10N60A IGBT‬‬

‫ﻟﯿﻨﮏ داﻧﻠﻮد دﯾﺘﺎﺷﺖ ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ ‪:BUP314 IGBT‬‬

‫ﻟﯿﻨﮏ داﻧﻠﻮد رواﺑﻂ ﻣﻮردﻧﯿﺎز ﺑﺮاي راه اﻧﺪازي ‪:IGBT‬‬

‫‪http://s2.picofile.com/file/7825132789/DataSheet_IGBT.zip.html‬‬

‫‪| P a g e 52‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫ﺗﻮاﻧﺎﯾﯽ اﻧﺴﺪاد ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ‬

‫زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﭘﺎﯾﻪ ﮔﯿﺖ ﺑﻪ اﻣﯿﺘﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﺷﻮد و وﻟﺘﺎژی ﻣﺜﺒﺖ ﺑﻪ ﭘﺎﯾﻪ ﮐﻠﮑﺘﻮر اﻋﻤﺎل ﺷﻮد‬
‫ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﯿﻦ ‪ P‬ﺑﯿﺲ و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ )‪ (J2‬ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﻌﮑﻮس ﺑﺎﯾﺎس ﻣﯽ ﺷﻮد و ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﮫﯽ در‬
‫داﺧﻞ ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ﺗﺸﮑﯿﻞ ﻣﯽ ﺷﻮد و اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﺎ وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز ﺑﺮﻗﺮار ﻣﯽ ﻣﺎﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ‬

‫ﺟ ﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ ﺑﻪ دو ﻧﻮع ﺗﻘﺴﯿﻢ ﻣﯽ ﺷﻮد ﯾﮏ ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ از ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﮫﯽ راﻧﺸﯽ و دوم‬
‫ﺟﺮﯾﺎن روی ﺳﻄﺢ ﭘﺎﯾﺎﻧﯽ ﭘﺒﻮﻧﺪ‪ .‬در ‪ IGBT‬از ﯾﮏ ﻻﯾﻪ ﺑﺴﺘﺮ ‪ P‬ﻣﺜﺒﺖ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺎ وﺟﻮد‬
‫ﺑﮫﺒﻮد ﺳﺮﻋﺖ ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ ‪ ،‬ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ آن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻣﺎﺳﻔﺖ ﻗﺪرت اﻓﺰاﯾﺶ ﭘﯿﺪا ﮐﺮده اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ ﺑﺎ ﺳﺮﯾﻊ ﺗﺮ ﺷﺪن ‪ IGBT‬اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ھﻤﭽﻨﯿﻦ ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ وﻟﺘﺎژ وﺟﺮﯾﺎن ﻣﺠﺎز ﻣﻘﺪار‬
‫اﯾﻦ ﺟﺮﯾﺎن زﯾﺎد ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎي ﻫﺪاﯾﺖ ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ‬

‫ﺑﻪ ﺳﺒﺐ ﻧﻮع ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ IGBT‬ﻣﯽ ﺗﻮان آن را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﯾﮏ اﺗﺼﺎل ﺳﺮی از ﻣﺎﺳﻔﺖ و دﯾﻮد‬
‫ﭘﯿﻦ)‪ (Pin Diod‬و ﯾﺎ ﺑﺼﻮرت ﯾﮏ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ PNP‬ﺑﺎ ﺑﯿﺲ ﭘﮫﻦ ﮐﻪ ﺑﻮﺳﯿﻠﻪ ﯾﮏ ﻣﺎﺳﻔﺖ راه اﻧﺪازی ﻣﯽ‬
‫ﺷﻮد در ﯾﮏ ﺗﺮﮐﯿﺐ دارﻟﯿﻨﮕﺘﻮن در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺣﺎﻟﺖ اول ﺑﺮای ﻓﮫﻢ رﻓﺘﺎر ﻗﻄﻌﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد‬
‫وﻟﯽ ﺣﺎﻟﺖ دوم ﻧﺤﻮه ﻋﻤﻠﮑﺮد ‪ IGBT‬را ﺑﮫﺘﺮ ﺗﻮﺿﯿﺢ ﻣﯽ دھﺪ‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ ﻧﻤﻮدار ﻣﺸﺨﺼﻪ ھﺎی اﺳﺘﺎﺗﯿﮏ ‪ IGBT‬را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دھﺪ‪ .‬ﺣﺘﯽ اﮔﺮ ﮐﺎﻧﺎل ﻣﺎﺳﻔﺖ در ﻗﺴﻤﺖ‬
‫ورودی اﯾﺠﺎد ﺷﻮد ﺗﺎ زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ وﻟﺘﺎژ آﻧﺪ ﺑﻪ ﮐﺎﺗﺪ ﺑﻪ ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ‪ 0.7V‬ﻧ ﺮﺳﺪ ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻠﮑﺘﻮر ﺑﺮﻗﺮار ﻧﻤﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺑﻌﻼوه ﺟﺮﯾﺎن زﻣﺎﻧﯽ اﺷﺒﺎع ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ وﻟﺘﺎژ روی ﮐﺎﻧﺎل ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ‪ VGE-Vth‬ﺷﻮد‪.‬‬
‫‪| P a g e 53‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫در ‪ IGBT‬ھﺎی ﻣﺘﻘﺎرن ھﻤﺎﻧﻄﻮر ﮐﻪ ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻠﮑﺘﻮر ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ وﻟﺘﺎژ آن اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﻧﺮخ اﻓﺰاﯾﺶ آن‬
‫ﻧﯿﺰ ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ وﻟﺘﺎژ ﮐﻠﮑﺘﻮر اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪ .‬و ﺑﻪ ھﻤﯿﻦ ﺻﻮرت ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ وﻟﺘﺎژ ﮐﻠﮑﺘﻮر ﮐﺎﻧﺎل ﮐﻮﺗﺎھﺘﺮ‬
‫ﺷﺪه و در ﻧﺘﯿﺠﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﯽ ﻣﺤﺪود ﺗﺮ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﯽ از ﯾﮏ‬
‫ﯾﮏ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن ﺑﺎ اﺿﺎﻓﻪ ﮐﺮدن ﻻﯾﻪ واﺳﻂ ‪ N‬ﻣﺜﺒﺖ ﺑﯿﻦ ﺑﺴﺘﺮ ‪ P‬ﻣﺜﺒﺖ و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ﻣﺜﺒﺖ و‬
‫ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬در ﯾﮏ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﺎ ﻣﺘﻘﺎرن ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ وﻟﺘﺎژ ﮐﻠﮑﺘﻮر ﭘﮫﻨﺎی‬
‫ﻗﺴﻤﺖ ﻧﺎﺗﮫﯽ ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ﺑﻪ ﺳﺮﻋﺖ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻧﻤﯽ ﮐﻨﺪ و ﭘﮫﻨﺎی آن ﺑﺮای ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ از‬
‫وﻟﺘﺎژ ﮐﻠﮑﺘﻮر ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ﯾﮑﺴﺎن ﻣﯽ ﻣﺎﻧﺪ‪ .‬در ﻧﺘﯿﺠﻪ ﺑﮫﺮه ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ PNP‬ﮐﺎھﺶ ﭘﯿﺪا ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ‬
‫ھﻤﯿﻦ ﻋﻠﺖ اﺳﺖ ﮐﻪ ‪ IGBT‬ھﺎی ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن دارای ﻣﺸﺨﺼﻪ ھﺎی ﺧﺮوﺟﯽ ﺑﺴﯿﺎر ﺑﮫﺘﺮی ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
‫ﻧﻮع ﻣﺘﻘﺎرن ھﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎي دﻣﺎي ﺑﺎﻻ‬

‫ﯾﮑﯽ از ﻣﮫﻤﺘﺮﯾﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ھﺎﯾﯽ ﮐﻪ ﺑﺎﯾﺪ در ﺑﮑﺎر ﺑﺮدن ‪ IGBT‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮد ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﺸﺨﺼﻪ‬
‫ھﺎی آن ﺑﺮ اﺛﺮ ﺗﻐﯿﯿﺮ دﻣﺎﺳﺖ‪ .‬ھﻨﮕﺎﻣﯽ ﮐﻪ دﻣﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ ﺳﺪ اﻧﺮژی ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪ 1‬ﺑﯿﻦ ﺑﺴﺘﺮ ‪ P‬ﻣﺜﺒﺖ‬
‫و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ ) ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﯿﺲ اﻣﯿﺘﺮ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ (PNP‬ﮐﺎھﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ ﮐﻪ ﺳﺒﺐ ﮐﻢ ﺷﺪن‬
‫وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ھﻤﺎن طﻮر ﮐﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﮐﺎﻧﺎل اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ ﻣﻘﺪار ﺟﺮﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮوﻧﮫﺎ ﮐﻢ‬
‫ﺷﺪه و ﺑﮫﺮه ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮﯾﺎن ﺣﻔﺮه ھﺎ ﺑﻪ ﺟﺮﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮوﻧﮫﺎ اﺳﺖ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ و ﺑﻌﻼوه‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ )ﺑﯿﺲ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ‪ ( PNP‬ﻧﯿﺰ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﺳﺒﺐ اﯾﻦ ﻣﺸﺨﺼﻪ ھﺎ‪ ،‬در‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ھﺎی ﮐﻢ ﮐﻠﮑ ﺘﻮر ﺗﻐﯿﯿﺮات وﻟﺘﺎژ ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪ (J1) 1‬از ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ھﺎی ﮐﺎﻧﺎل و ﻧﺎﺣﯿﻪ راﻧﺸﯽ ‪N‬‬
‫ﻣﻨﻔﯽ ﺑﺰرﮔﺘﺮ اﺳﺖ و ﺑﻪ ھﻤﯿﻦ ﺟﮫﺖ ‪ IGBT‬دارای ﺿﺮﯾﺐ ﺣﺮارﺗﯽ ﻣﻨﻔﯽ ھﻤﺎﻧﻨﺪ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ھﺎی دو‬
‫ﻗﻄﺒﯽ اﺳﺖ ‪ .‬از ﺳﻮی دﯾﮕﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﮐﺎﻧﺎل و ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ N‬ﻣﻨﻔﯽ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ را در ﺟﺮﯾﺎﻧﮫﺎی زﯾﺎد‬
‫ﮐﻠﮑﺘﻮر ﻣﺸﺨﺺ ﻣ ﯽ ﮐﻨﻨﺪ ﮐﻪ ھﻤﯿﻦ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﯾﮏ ﺿﺮﯾﺐ دﻣﺎﯾﯽ ﻣﺜﺒﺖ ھﻤﺎﻧﻨﺪ ﻣﺎﺳﻔﺖ ﻗﺪرت ﻣﯽ‬
‫ﺷﻮد‪ .‬ﻧﻘﻄﻪ ﺗﻘﺎطﻊ اﯾﻦ دو ﻣﺸﺨﺼﻪ ﺑﺮای ﻣﺤﺼﻮﻻت ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺘﻔﺎوت اﺳﺖ‪ .‬و اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ روی ﮐﻠﮑﺘﻮر‬
‫اﻣﯿﺘﺮ ﻣﺴﺘﻘﻞ از درﺟﻪ ﺣﺮارت در ﻧﻘﻄﻪ ﺗﻘﺎطﻊ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻋﻤﻠﮑﺮد اﯾﻤﻦ )‪(SOA‬‬

‫ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻋﻤﻠﮑﺮد اﯾﻤﻦ ﯾﮏ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻗﺪرت ﻧﻤﺎﯾﺶ ﮔﺮاﻓﯿﮑﯽ از ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﺣﺪ وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﯾﺎن‬
‫ﻋﻤﻠﯿﺎﺗﯽ اﺳﺖ‪ .‬ﻧﻮاﺣﯽ ﻋﻤﻠﮑﺮد اﯾﻤﻦ ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ )‪ (FBSOA‬و ﺑﺎﯾﺎس ﻣﻌﮑﻮس )‪ ( RBSOA‬ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻋﻤﻠﮑﺮد‬
‫اﯾﻤﻦ ﻧﯿﻤﻪ ھﺎدی ﻗﺪرت در ﺣﺎﻟﺘﯽ ﮐﻪ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﮔﯿﺖ اﻣﯿﺘﺮ آن ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ و ﻣﻌﮑﻮس ﺑﺎﯾﺎس ﺷﺪه‬
‫اﺳﺖ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دھﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 54‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫اﯾﻦ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺣﺪاﮐﺜﺮ وﻟﺘﺎژی اﺳﺖ ﮐ ﻪ ﻗﻄﻌﻪ ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﺪ در ﺟﺮﯾﺎن اﺷﺒﺎع ﮐﻠﮑﺘﻮر ﺗﺤﻤﻞ ﮐﻨﺪ‪ .‬ھﻤﺎﻧﻄﻮر ﮐﻪ‬
‫در ﺷﮑﻞ ﻣﺸﺨﺺ اﺳﺖ اﯾﻦ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺑﺮای زﻣﺎﻧﮫﺎی ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ ﺑﺴﯿﺎر ﮐﻮﺗﺎه ﺑﻪ ﺻﻮرت ﯾﮏ ﻣﺮﺑﻊ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺳﻄﺢ اﯾﻦ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯿﺰان ﺗﻐﯿﯿﺮ وﻟﺘﺎژ ﮐﻠﮑﺘﻮر ﺑﻪ اﻣﯿﺘﺮ ﺑﺮای ﺟﻠﻮﮔﯿﺮی از ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ ﮐﺎھﺶ‬
‫ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﺧﻮﺷﺒﺨﺘﺎﻧﻪ ﻣﻘﺪار ﮐ ﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد در ‪ IGBT‬ھﺎ ﺑﺴﯿﺎر ﺑﯿﺸﺘﺮ از ﻗﻄﻌﺎت‬
‫دﯾﮕﺮ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﻘﺪار ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ‪ Vce‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﻣﺤﺪود ﮐﺮدن ﺟﺮﯾﺎن در ﺣﺎﻟﺘﮫﺎی اﺷﺘﺒﺎه ﺑﺪون درﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ وﻟﺘﺎژ درﯾﻦ‬
‫ﺑﻪ ﺳﻮرس ﻣﺸﺨﺺ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺮھﯿﺰ از ﻗﻔﻞ ﺷﺪﮔﯽ و ﮐﻨﺘﺮل ﻣﺪاوم ﺟﺮﯾﺎن ﺗﻮﺳﻂ وﻟﺘﺎژ ﮔﯿﺖ از‬
‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ھﺎی ﻣﻄﻠﻮب اﯾﻦ ﻗﻄﻌﻪ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﻫﺎي ﺑﺮﮔﻪ اﻃﻼﻋﺎت‬

‫ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ‬

‫‪ ) VCES‬وﻟﺘﺎژ ﮐﻠﮑﺘﻮر اﻣﯿﺘﺮ ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ(‬

‫ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮاﺳﺖ زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﮔﯿﺖ واﻣ ﯿﺘﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ وﻟﺘﺎژ‬
‫ﮐﻠﮑﺘﻮر اﻣﯿﺘﺮ از اﯾﻦ ﺣﺪ ﺗﺠﺎوز ﮐﻨﺪ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر اﻣﯿﺘﺮ ﺷﮑﺴﺘﻪ ﺷﺪه و ﻗﻄﻌﻪ آﺳﯿﺐ ﻣﯽ ﺑﯿﻨﺪ‪.‬‬

‫‪) VGES‬وﻟﺘﺎژ ﮔﯿﺖ اﻣﯿﺘﺮ ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ(‬

‫ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ وﻟﺘﺎژی اﺳﺖ ﮐﻪ ﻣﯿﺘﻮان ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ اﻋﻤﺎل ﮐﺮد‪ .‬ﻣﻘﺪار اﯾﻦ وﻟﺘﺎژ ﺑﺴﺘﮑﯽ ﺑﻪ ﺿﺨﺎﻣﺖ‬
‫و ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻻﯾﻪ اﮐﺴﯿﺪ ﮔﯿﺖ دارد‪.‬‬

‫‪| P a g e 55‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫‪) Ic‬ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻠﮑﺘﻮر در ‪ ℃Tc=25‬و‪( ℃Tc=100‬‬

‫ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ﺟﺮﯾﺎن ‪ DC‬اﺳﺖ ﮐﻪ ﻣﯿﺘﻮاﻧﺪ در ﻗﻄﻌﻪ ﺟﺎری ﺷﻮد ﮐﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ دﻣﺎ ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬اﯾﻦ‬
‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﺑﻪ ﺗﻮاﻧﺎﯾﯽ ﻗﻄﻌﻪ در از دﺳﺖ دادن ﺣﺮارت ﻧﯿﺰ ﺑﺴﺘﮕﯽ دارد‪.‬‬

‫‪) ICM‬ﺟﺮﯾﺎن ﭘﺎﻟﺴﯽ ﮐﻠﮑﺘﻮر(‬

‫ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﺪ در ﻗﻄﻌﻪ در ﺣﺪاﮐﺜﺮ دﻣﺎی ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﺮﻗﺮار ﺷﻮد‪ .‬ﻣﻘﺪار اﯾﻦ ﺟﺮﯾﺎن ﺑﺎ‬
‫ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻋﺮض ﭘﺎﻟﺲ‪ ،‬ﺳﯿﮑﻞ ﮐﺎری و وﺿﻌﯿﺖ ﭘﺮاﮐﻨﺪﮔﯽ ﺣﺮارت ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ IF‬ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ ﭘﯿﻮﺳﺘﻪ دﯾﻮد در )‪(℃Tc=100‬‬

‫ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﺟﺮﯾﺎن ‪ DC‬دﯾﻮد در ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺎﯾﺎس ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ اﺳﺖ ﮐﻪ در دﻣﺎی ‪ Tc‬ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪) IFM‬ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ دﯾﻮد(‬

‫ﺟﺮﯾﺎن ﻗﻠﻪ ای اﺳﺖ ﮐﻪ ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﺪ در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ در ﺣﺪاﮐﺜﺮ دﻣﺎی ﭘﯿﻮﻧﺪ در دﯾﻮد ﺑﺮﻗﺮار ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪) Tsc‬زﻣﺎن ﺗﺤﻤﻞ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه در ‪(℃Tc=100‬‬

‫ﺣﺪاﮐﺜﺮ زﻣﺎﻧﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻗﻄﻌﻪ ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﺪ در ﺣﺎﻟﺖ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﺗﺤﻤﻞ ﮐﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ ) PD‬ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ﭘﺮاﮐﻨﺪﮔﯽ ﺗﻮان در در ‪℃Tc=25‬و‪( ℃Tc=100‬‬

‫ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ﻣﻘﺪار ﭘﺮاﮐﻨﺪﮔﯽ ﺗﻮان اﺳﺖ ﺑﺎ ﻓﺮض اﻓﺰاﯾﺶ دﻣﺎی ﭘﯿﻮﻧﺪﺗﺎ ﺣﺪ ﻣﺠﺎز در دﻣﺎی در‪℃Tc=25‬‬
‫و‪. ℃Tc=100‬‬

‫‪) Tj‬دﻣﺎی ﻋﻤﻠﯿﺎﺗﯽ ﭘﯿﻮﻧﺪ(‬

‫ﻣﺤﺪوده اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﺻﻨﻌﺘﯽ اﯾﻦ ﻣﻘﺪار ﺑﯿﻦ ‪ -55‬ﺗﺎ ‪ 150‬درﺟﻪ ﺳﺎﻧﺘﯿﮕﺮاد اﺳﺖ‪ .‬ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﻣﻘﺪار اﯾﻦ‬
‫دﻣﺎ ℃ ‪ 150‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ ) Tstg‬ﻣﺤﺪوده دﻣﺎی ذﺧﯿﺮه ﺳﺎزی(‬

‫ﻣﺤﺪوده ای از دﻣﺎﺳﺖ ﺑﺮای ذﺧﯿﺮه ﺳﺎزی ﯾﺎ اﻧﺘﻘﺎل ﻗﻄﻌﻪ ﮐﻪ ﺑﯿﻦ ℃‪ -55‬ﺗﺎ ℃‪ 150‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪| P a g e 56‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫‪ ) TL‬ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ دﻣﺎی ﻟﺤﯿﻢ ﮐﺎری(‬

‫اﯾﻦ ﻣﻘﺪار ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ دﻣﺎی ﺳﺮب در ھﻨﮕﺎم ﻟﺤﯿﻢ ﮐﺎری اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ دﻣﺎ ﻧﺒﺎﯾﺪ از ‪ ℃300‬در ‪ 5‬ﺛﺎﻧﯿﻪ ﺑﺮای‬
‫‪ 1.8‬اﯾﻨﭻ از ﺳﻄﺢ ﺑﺪﻧﻪ ﺑﯿﺸﺘﺮ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﻫﺎي ﺣﺮارﺗﯽ‬

‫ﺗﻮان ﺗﻠﻒ ﺷﺪه در ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻪ ﺣﺮارت ﺗﺒﺪﯾﻞ ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ اﯾﻦ ﺣﺮارت ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﯾﺶ‬
‫دﻣﺎی ﭘﯿﻮﻧﺪ و در ﻧﺘﯿﺠﻪ ﺗﻨﺰل ﻣﺸﺨﺼﻪ ھﺎ و ﮐﻮﺗﺎه ﺷﺪن ﻋﻤﺮ ﻗﻄﻌﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺲ ﺑﺴﯿﺎر ﻣﮫﻢ اﺳﺖ ﮐﻪ‬
‫اﯾﻦ ﺣﺮارت ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه در داﺧﻞ ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻪ ﺳﺮﻋﺖ از ان ﺧﺎرج ﺷﻮد‪.‬‬

‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺣﺮارﺗﯽ ‪ Zthjct‬ﻣﻘﺪار ﺗﻮاﻧﺎﯾﯽ ﻗﻄﻌﻪ در ﭘﺮاﮐﻨﺪه ﮐ ﺮدن ﺣﺮارت را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دھﺪ‪.‬‬

‫اﮔﺮ اﻧﺘﻘﺎل ﺣﺮارت را ھﻤﺎﻧﻨﺪ ﺟﺮﯾﺎن در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﯿﺮﯾﻢ ﻣﯽ ﺗﻮان ﮐﺎﻧﺎل اﻧﺘﻘﺎل ﺣﺮارت را ھﻤﺎﻧﻄﻮر ﮐﻪ در‬
‫ﺷﮑﻞ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪ ﺑﺎ ﯾﮏ ﻣﺪار اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دھﺪ‪.‬‬

‫) ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺗﺎ ﻣﺤﯿﻂ(‬ ‫‪RθJA‬‬

‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﺑﯿﻦ ﭘﯿﻮﻧﺪ و ﻣﺤﯿﻂ را ﻣﯽ ﺗﻮان ﺑﺎ ‪ RθJA‬ﻣﺸﺨﺺ وﻣﻘﺪار آن را از ﻓﺮﻣﻮل زﯾﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫ﮐﺮد‪:‬‬

‫‪[W/℃] RθSA +RθCS +RθJC =RθJA‬‬

‫‪| P a g e 57‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫‪ ) RθJC‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺗﺎ ﺑﺪﻧﻪ(‬

‫ﯾﮏ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ داﺧﻠﯽ از ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺗﺎ ﺑﺪﻧﻪ ﻗﻄﻌﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻘﺪار اﯾﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﻪ ﻧﻮع طﺮاﺣﯽ ﺑﺪﻧﻪ‬
‫ﻗﻄﻌﻪ و ﻣﻮاد ﺑﮑﺎر ﺑﺮده ﺷﺪه در ﺳﺎﺧﺘﻤﺎن ﺑﺴﺘﮕﯽ دارد‪ RθJC .‬را ﻣﯽ ﺗﻮان در دﻣﺎی ‪ ℃Tc=25‬از‬
‫ﻓﺮﻣﻮل زﯾﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﮐﺮد‪.‬‬

‫‪RθJAC=℃/W‬‬

‫‪ ℃Tc=25‬وﺿﻌﯿﺘﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ در آن ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮏ ﺑﯿﻨﮫﺎﯾﺖ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮏ ﺑﯿﻨﮫﺎﯾﺖ‪ :‬ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮑﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ دﻣﺎی ﺑﺪﻧﻪ را ﺑﺎ دﻣﺎی ﻣﺤﯿﻂ ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ ) RθCS‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﺑﺪﻧﻪ ﺗﺎ ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮏ(‬

‫‪ RθCS‬ﻣﻘﺪار ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﺑﯿﻦ ﺑﺪﻧﻪ ﻗﻄﻌﻪ و ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮏ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻘﺪار اﯾﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻋﺎﯾﻖ‬
‫‪،‬روﻏﻦ ﺣﺮارﺗﯽ‪،‬ﺿﺨﺎﻣﺖ وروش ﻧﺼﺐ ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮏ ﺑﺴﺘﮕﯽ دارد‪.‬‬

‫‪ ) RθSA‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﺑﯿﻦ ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮏ وﻣﺤﯿﻂ(‬

‫‪ RθSA‬ﻣﻘﺪار ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﺑﯿﻦ ھﯿﺖ ﺳﯿﻨﮏ و ﻣﺤﯿﻂ را ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ ﮐﻪ ﻣﻘﺪار آن ﺑﻪ ﺷﮑﻞ‬
‫ھﻨﺪﺳﯽ ھﯿ ﺖ ﺳﯿﻨﮏ‪،‬ﺳﻄﺢ ﺗﻤﺎس ‪،‬ﮐﯿﻔﯿﺖ آن و روش ھﺎی ﺧﻨﮏ ﮐﺮدن ﺑﺴﺘﮕﯽ دارد‪.‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎي اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ‬

‫ﺣﺎﻟﺖ ﺧﺎﻣﻮش‬

‫‪) BVCES‬وﻟﺘﺎژ ﺷﮑﺴﺖ ﮐﻠﮑﺘﻮر‪ -‬اﻣﯿﺘﺮ(‬

‫اﯾﻦ ﻣﻘﺪار وﻟﺘﺎژ ﺷﮑﺴﺖ ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ در ﺣﺎﻟﺖ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﺑﻮدن ﮔﯿﺖ‪-‬اﻣﯿﺘﺮ اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪) ΔTj/ΔBVCES‬ﺿﺮﯾﺐ ﺣﺮارﺗﯽ وﻟﺘﺎژ ﺷﮑﺴﺖ(‬

‫وﻟﺘﺎژ ﺷﮑﺴﺖ ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ دارای ﺿﺮﯾﺐ ﺣﺮارﺗﯽ ﻣﺜﺒﺘﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻋﻤﻮﻣﺎ ﻣﻘﺪار آن ﺑﺮاﺑﺮ‬
‫‪ ℃/V0.6‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪) ICES‬ﺟﺮﯾﺎن ﻗﻄﻊ ﮐﻠﮑﺘﻮر(‬

‫‪| P a g e 58‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ ﺑﯿﻦ ﮐﻠﮑﺘﻮر واﻣﯿﺘﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ ﮔﯿﺖ‪ -‬اﻣﯿﺘﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه و اﻋﻤﺎل وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز ﺑﻪ‬
‫ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ‪.‬‬

‫‪) IGES‬ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ ﮔﯿﺖ‪-‬اﻣﯿﺘﺮ(‬

‫ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ ﮔﯿﺖ‪-‬اﻣﯿﺘﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ ﮐﻠﮑﺘﻮر‪ -‬اﻣﯿﺘﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﺷﺪه و اﻋﻤﺎل وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز ﺑﻪ ﮔﯿﺖ‬
‫واﻣﯿﺘﺮ‪.‬‬

‫ﺣﺎﻟﺖ روﺷﻦ‬

‫‪) (VGE(th‬وﻟﺘﺎژآﺳﺘﺎﻧﻪ ﮔﯿﺖ‪-‬اﻣﯿﺘﺮ(‬

‫وﻟﺘﺎژ ﺑﯿﻦ ﮔﯿﺖ‪ -‬اﻣﯿﺘﺮ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﻪ ازای آن ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻠﮑﺘﻮر ﺑﺮﻗﺮار ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬در ﺑﺮﮔﻪ اطﻼﻋﺎت ‪ (VGE(th‬ﺑﻪ‬
‫ﻣﻌﻨﺎی وﻟﺘﺎژی اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﻪ ازای آن ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺸﺨﺼﯽ از ﮐﻠﮑﺘﻮر ﻋﺒﻮر ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪.‬‬

‫‪) VCE Sat‬وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﮐﻠﮑﺘﻮر‪-‬اﻣﯿﺘﺮ(‬

‫ﯾﮑﯽ از ﻣﮫﻤﺘﺮﯾﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮھﺎی ﺗﻌﯿﯿﻦ ﮐﻨﻨﺪه ﻣﻘﺪار ﺗﻠﻔﺎت ھﺪاﯾﺘﯽ ﻗﻄﻌﻪ اﺳﺖ ‪ .‬ﻣﻘﺪار آن وﻟﺘﺎژ اﻓﺖ‬
‫ﮐﺮده روی ﮐﻠﮑﺘﻮر اﻣﯿﺘﺮ در زﻣﺎن ﺑﺮﻗﺮاری ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺠﺎز در اﻣﯿﺘﺮدر ‪ ℃Tc=20‬و ‪ ℃Tc=100‬و ‪V15=VGE‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ھﻨﮕﺎﻣﯽ ﮐﻪ ﻣﻘﺪار ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻠﮑﺘﻮر ﮐﻢ اﺳﺖ ﺿﺮﯾﺐ ﺣﺮارﺗﯽ ‪ VCE Sat‬ﻣﻨﻔﯽ و زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﻣﻘﺪار‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ﮐﻠﮑﺘﻮر زﯾﺎد اﺳﺖ ﺿﺮﯾﺐ ﺣﺮارﺗﯽ آن ﻣﺜﺒﺖ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎي دﯾﻨﺎﻣﯿﮏ‬

‫ظﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ ‪ IGBT‬ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺗﺤﺖ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﻌﯿﻨﯽ اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی ﻣﯽ ﺷﻮد و ھﻤﺎن طﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ‬
‫ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه ﻣﻘﺪار آن ﻧﺴﺒﺖ ﻋﮑﺲ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﮐﻠﮑﺘﻮر‪-‬اﻣﯿﺘﺮ دارد‪ .‬در ﺑﺮﮔﻪ اطﻼﻋﺎت ﻣﻘﺪار ﻧﻮﻋﯽ اﯾﻦ‬
‫ظﺮﻓﯿﺖ ﺗﺤﺖ ﺷﺮاﯾﻂ ‪ 0=VGE‬و‪ f=1MHz‬و‪ V30=VCE‬اراﺋﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪) Cies‬ظﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ ورودی(‬

‫ظﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ ورودی زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﮐﻠﮑﺘﻮر و اﻣﯿﺘﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﺷﺪه را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دھﺪ‪.‬‬

‫‪) Coes‬ظﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ ﺧﺮوﺟﯽ(‬

‫ظﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ ﺧﺮوﺟﯽ زﻣﺎﻧﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﮔﯿﺖ و اﻣﯿﺘﺮ اﺗﺼﺎل ﮐﻮﺗﺎه ﺷﺪه اﻧﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 59‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫‪) Cres‬ظﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ اﻧﺘﻘﺎل ﻣﻌﮑﻮس(‬

‫ظﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ ﺑﯿﻦ ﭘﺎﯾﻪ ھﺎی ﮐﻠﮑﺘﻮر واﻣﯿﺘﺮ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دھﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎي ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ‬

‫ﯾﮏ ﻣﺪار دﯾﻮد ﺟﮫﺶ ﺑﺎ ﺑﺎر ﺳﻠﻔﯽ در ﺷﮑﻞ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻤﻮﻣﺎ در اﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﮏ‬
‫ﻗﺪرت ﺑﺎ اﯾﻦ ﻣﺪار روﺑﺮو ھﺴﺘﯿﻢ‪ .‬ﻣﺎ ﺑﻪ ﮐﻤﮏ اﯾﻦ ﻣﺪار رﻓﺘﺎر ‪ IGBT‬را در روﺷﻦ ﺷﺪن وﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪن‬
‫ﺑﺮرﺳﯽ ﻣﯽ ﮐﻨﯿﻢ‪ .‬ﺷﮑﻞ ﯾﮏ ﺷﮑﻞ ﻣﻮج ﺳﻮﺋﯿﭽﯿﻨﮓ واﻗﻌﯽ را ﺑﺮاﺳﺎس ﻣﺸﺨﺼﻪ ھﺎی دﯾﻮد ﺑﺎز ﯾﺎﻓﺖ‬
‫و اﻟﻘﺎﮐﻨﺎﯾﯽ ﭘﺮاﮐﻨﺪه ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دھﺪ‪.‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻨﮑﻪ ‪ IGBT‬در ورودی دارای ﯾﮏ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺎﺳﻔﺖ اﺳﺖ ‪،‬ﺣﺎﻟﺖ ھﺎی ﮔﺬر ﺧﺎﻣﻮش و‬
‫روﺷﻦ آن ﺑﺴﯿﺎر ﺷﺒﯿﻪ ﻣﺎﺳﻔﺖ ھﺎی ﻗﺪرت اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﻌﺮﻓﯽ ﯾﮏ دراﯾﻮر ﯾﺎ راه اﻧﺪاز ﺑﺮاي ‪IGBT‬‬

‫ﻣﺪارھﺎی ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ ﺑﺮای راه اﻧﺪازی و ﮐﺎر ﺑﺎ ‪ IGBT‬ھﺎ وﺟﻮد دارد ﮐﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻧﯿﺎز از‬
‫آﻧﮫﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد اﻣﺎ در اﯾﻦ زﻣﯿﻨﻪ ﻧﯿﺰ ﺗﺮاﺷﻪ ھﺎی ﺑﻪ ﺑﺎزار راه ﭘﯿﺪا ﮐﺮده ﮐﻪ داﻧﺴﺘﻦ ﻧﻮع ﮐﺎرﮐﺮد آﻧﮫﺎ‬
‫ﻧﯿﺰ ﺑﺮای آﻣﻮزش و اﺳﺘﻔﺎده ﺑﮫﯿﻨﻪ از اﯾﻦ ﺗﺮاﺷﻪ ﻗﺪرت ﻣﻨﺪ ﺑﺪون ﺳﻮد ﻧﺨﻮاھﺪ ﺑﻮد در زﯾﺮ ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ از‬
‫اﯾﻦ ﻧﻮع دراﯾﻮر ھﺎ ﮐﻪ در اﻧﻮاع راه اﻧﺪازھﺎی ‪ IGBT‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ آورده ﺷﺪه ﺷﻤﺎ ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﯿﺪ‬
‫ﺑﺮﮔﻪ ﻣﺸﺨﺼﺎت آن را از ﻟﯿﻨﮏ ﻣﻌﺮﻓﯽ ﺷﺪه داﻧﻠﻮد ﮐﻨﯿﺪ و آﻧﺮا در ﻣﺪار ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺧﻮد اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﺎﯾﺪ ﺗﺎ‬
‫ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﮐﺎرﮐﺮد ﻣﻨﺎﺳﺐ را از دﺳﺘﮕﺎه ﺧﻮد ﺑﺒﺮﯾﺪ‪.‬‬

‫‪| P a g e 60‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
 ‫ﻟﯿﻨﮏ داﻧﻠﻮد راه اﻧﺪاز ‪: TLP250 - IGBT‬‬

‫‪http://s3.picofile.com/file/7825136662/DataSheet_TLP250_.zip.html‬‬

‫ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ راه اﻧﺪاز ﺑﺮاي ‪IGBT‬‬

‫ﻣﺪار ﺷﮑﻞ زﯾﺮ ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ راه اﻧﺪاز ﺑﺮای ﮐﻨﺘﺮل ﯾﮏ ﺳﻮﺋﯿﭻ ‪ IGBT‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ ﺗﻮﺳﻂ آن ﭘﺎﯾﻪ‬
‫ﮔﯿﺖ ‪ IGBT‬ﮐﻨﺘﺮل ﻣﯽ ﺷﻮد ﺑﺎ ﭘﺎﻟﺲ اﻋﻤﺎﻟﯽ ﺑﻪ ﭘﺎﯾﻪ ھﺎی اﭘﺘﻮاﯾﺰوﻻﺗﻮر ﭘﺎﯾﻪ ﮔﯿﺖ ﺗﺤﺮﯾﮏ ﺷﺪه و ﺳﺒﺐ‬

‫‪| P a g e 61‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
‫روﺷﻦ ﺷﺪن ﻻﻣﭗ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬دو دﯾﻮد زﻧﺮ ‪ 10‬وﻟﺖ ﮐﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺑﺮﻋﮑﺲ ھﻢ‪ ،‬در ﻣﺪار ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﻧﺪ ﺟﮫﺖ‬
‫ﻣﺤﺎﻓﻈﺖ از اﭘﺘﻮاﯾﺰوﻻﺗﻮرھﺎ در ﻣﺪار ﺑﮑﺎر رﻓﺘﻪ اﻧﺪ در ﺣﻘﯿﻘﺖ اﮔﺮ ‪ IGBT‬ﻣﺎ آﺳﯿﺐ ﺑﺒﯿﻨﺪ ﺟﻠﻮﮔﯿﺮی ﻣﯽ ﮐﻨﺪ از ﻋﺒﻮر‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻ ﻣﺜﻼ در اﯾﻦ ﻣﺪار ‪ 240‬وﻟﺖ ﺑﻪ ﻣﺪار دراﯾﻮر‪.‬‬

‫ﺗﻮﺟﻪ‪ :‬ﺷﻤﺎ ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﯿﺪ ﻣﺪارھﺎی طﺮاﺣﯽ ﺷﺪه ﺑﺎﻻ را در ﻧﺮم اﻓﺰار ﺷﺒﯿﻪ ﺳﺎز ‪ Proteus v7‬ﺑﻪ‬
‫ﺑﺎﻻ آزﻣﺎﯾﺶ ﮐﻨﯿﺪ ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﯿﺪ آﻧﮫﺎ را ھﻤﺮاه ﺑﺎ ﻣﺜﺎل ھﺎی دﯾﮕﺮ از ﻟﯿﻨﮏ ﻣﻌﺮﻓﯽ ﺷﺪه ھﻤﯿﻦ ﺑﺨﺶ‬
‫داﻧﻠﻮد ﻧﻤﺎﺋﯿﺪ‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ ﻫﺎي زﯾﺮ ﻧﯿﺰ ﻣﺪار ﻫﺎي راه اﻧﺪاز ﺑﺮاي ‪ IGBT‬ﻫﺴﺘﻨﺪ‬

‫‪| P a g e 62‬‬
‫‪ Esmail_bakhshzad@yahoo.com‬‬ ‫‪ www.Project-esisis.com‬‬
http://s4.picofile.com/file/7825138709/Power_Electronic_IGBT_.zip.html

| P a g e 63
 Esmail_bakhshzad@yahoo.com  www.Project-esisis.com