第９卷，第４期 电子与封装 总第７２期

ＶｏＩ ２００９年４月
９．Ｎｏ．４
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ＆ＰＡＣＫＡＧｍＧ

缴 屯 子 茸 遣 与 可 靠 往

Ｉ Ｃ封装中引起芯片裂纹的主要因素

吴建忠，张林春
（无锡华润安盛科技有限公司，江苏无锡２ １４０２８）

摘要：芯片裂纹是半导体集成电路封装过程中最严重的缺陷之一。由于芯片裂纹最初发生在芯
片的背面，而且有时要在高倍显微镜下才能观察到，所以这种缺陷在很多情况下不易被发现。文
章主要介绍和探讨了ｌＣ封装过程中引起芯片裂纹的主要原因。划片刀速度、装片顶针位置／顶针
高度和吸嘴压力、塑封框架不到位以及切筋打弯异常等都会引起芯片裂纹，从而在从ＩＣ焊接到ＰＣＢ
板或使用过程中出现严重的失效和可靠性质量问题。只有了解了导致芯片裂纹的各种因素，半导
体集成电路封装厂商才能采取针对性的预防措施杜绝芯片裂纹这种致命的缺陷。
关键词：芯片裂纹；塑封体裂纹；划片；装片；塑封；切筋打弯
中图分类号：ＴＮ３０５．９４ 文献标识码：Ａ 文章编号：１６８１—１０７０（２００９）０４—００３３—０４

Ｔｈｅ Ｍａｉｎ Ｆａｃｔｏｒｓ Ｃａｕｓｉｎｇ Ｄｉｅ Ｃｒａｃｋ ｉｎ ＩＣ Ａｓｓｅｍｂｌｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ

ＷＵ Ｊｉａｎ—ｚｈｏｎｇ，ＺＨＡＮＧ Ｌｉｎ—ｃｈｕｎ

（Ｗｕｘｉ Ｃｈｉｎａ Ｒｅｓｏｕｒｃｅｓ Ｍｉｃｒｏ．Ａｓｓｅｍｂｌｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＣＯ．工ｔｄ，Ｗｕｘｉ ２ １４０２８，Ｃｈ／ｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｄｉｅ ｃｒａｃｋ ｉＳ ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍｏｓｔ ｓｅｒｉｏｕｓ ｄｅｆｅｃｔｓ ｉｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ａｓｓｅｍｂｌｙ ｐｒｏｃｅｓｓ．

Ｍｏｓｔ ｏｆ ｔｉｍｅ ｄｉｅ ｃｒａｃｋ ｄｅｆｅｃｔ ａｒｅ ｄｉｆｆｉｃｕｌｔ ｔｏ ｂｅ ｄｅｔｅｃｔｅｄ ｏｕｔ ｓｉｎｃｅ ｔｈｉｓ ｃｒａｃｋ ｗａｓ ｉｎｄｕｃｅｄ ｆｒｏｍ ｄｉｅ ｂａｃｋｓｉｄｅ

ｉｎｉｔｉａｌｌｙ．ａｎｄ ｓｏｍｅ ｔｉｍｅ ｔｈｉｓ ｄｅｆｅｃｔ ｃａｎ ｏｎｌｙ ｂｅ ｆｏｕｎｄ ｕｎｄｅｒ ｈｉｇｌａ ｍａｇｎｉｆｉｃａｔｉｏｎ．Ｔｈｉｓ ａｒｔｉｃｌｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ｔｈｅ ｍａｉｎ

ｆａｃｔｏｒｓ ｗｈｉｃｈ ｃａｕｓｅ ｄｉｅ ｃｒａｃｋ ｉｎ ＩＣ ａｓｓｅｍｂｌｙ ｐｒｏｃｅｓｓ．ｎｅ ｓｐｅｅｄ ｏｆ ｗａｆｅｒ ｓａｗ ｋｎｉｆｅ．ｔｈｅ ｅｊｅｃｔｏｒ ｐｉｎ ｐｏｓｉｔｉｏｎ／

ｈｅｉｇｈｔ ａｎｄ ｐｉｃｋ ｕｐ ｆｏｒｃｅ ｉｎ ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ ｐｒｏｃｅｓｓ．１ｅａｄｆｒａｍｅ ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｉｎ ｍｏｌｄｉｎｇ ａｎｄ ｐａｃｋａｇｅ ｃｒａｃｋ ｉｎ Ｔｒｉｍ＆

Ｆｏｒｍ ｐｒｏｃｅｓｓ，ｅｔｃ，ｗｉｌｌ ｃａｕｓｅ ｄｉｅ ｃｒａｃｋ，ａｎｄ ｔｈｅ ｆａｉｌｕｒｅ ｍａｙ ｎｏｔ ｂｅ ｓｃｒｅｅｎｅｄ ｏｕｔ ｄｕｒｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｆｉｎａｌ ｔｅｓｔ．

Ｉｎｓｔｅａｄ，ｔｈｅ ｆａｉｌｕｒｅ ｍａｙ ｈａｐｐｅｌｌ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｂｏａｒｄ ａｓｓｅｍｂｌｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｒ ｄｕｒｉｎｇ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｐｒｅｖｅｎ－

ｔｉｖｅ ａｃｔｉｏｎｓ ｃａｎ ｂｅ ｔａｋｅｎ ｔｏ ｐｒｅｖｅｎｔ ｄｉｅ ｃｒａｃｋ ｆｒｏｍ ｈａｐｐｅｎｉｎｇ ａｆｔｅｒ ｗｅ ｕｎｄｅｒｓｔｏｏｄ ｔｈｅ ａｌｌ ｆａｃｔｏｒｓ ｗｈｉｃｈ ｍａｙ
ｃａｕｓｅ ｄｉｅ ｃｒａｃｋ ｄｅｆｅｃｔｓ．

Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｄｉｅ ｃｒａｃｋ；ｐａｃｋａｇｅ ｃｒａｃｋ；ｗａｆｅｒ ｓａｗ；ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ；ｍｏｌｄｉｎｇ ａｎｄ ｔｒｉｍ＆ｆｏｒｍ

纹引起失效的产品筛选掉；然后我们将该批产品进
行回流模仿其装到ＰＣＢ板上的工艺，回流后再进行
１ 引言
功能测试，会发现再次有部分产品失效，这是由于
芯片裂纹是集成电路封装最致命的失效模式， 产品在２５０℃以上的回流过程中芯片裂纹进一步延
由于产品使用时芯片温度会不断升高或降低，故芯 伸，当裂纹延伸到芯片的有源区域时产品便失效；
片裂纹也会不断延伸，直至产品失效，这可以通过 紧接着我ｆＩ’】用温度循环试验模仿产品使用时的情况，
回流加温度循环试验得到进一步的验证。即如果一 我们每做５０个循环后进行一次功能测试，发现每次
批产品有芯片裂纹，在产品终测时可以将已经因裂 都有产品失效，这就证明在后续产品使用过程中随

收稿日期：２００９．０２．２４

．３３．

　万方数据
 第９卷第４期 电子与封装

着芯片被不断升温或降温，芯片裂纹在不断延伸而 引起芯片裂纹。
使产品失效。目前在集成电路封装界还没有找到筛
选芯片裂纹比较行之有效的方法，所以一旦出现芯
片裂纹，目前封装界的普遍做法是将产品全部报废。
为了更好地避免在封装过程中引起芯片裂纹，本文
介绍了几种引起芯片裂纹的主要原因，供同行参考。

２ 吸嘴压力和顶针高度不匹配引起裂纹

吸嘴压力和顶针高度不匹配引起的芯片裂纹有
一些共同的特点，即在芯片背值ｉ的裂纹位置有顶针
印记（如图１），裂纹是从背面向正面延伸（如图２）。

图３采用ＡＳＭ８８９机器进行ＤＯＥ试验

３ 顶针位置偏引起的芯片裂纹

众所周知，一个圆片上制造了成千上万个芯
片，通过划片将这些芯片一个个分离出来，然后再
通过装片将每一个芯片装到引线框上，划片后每个
芯片之间的距离很近，如果在装片时顶针位置偏了，
就会引起芯片被顶起的方向偏移导致芯片上方裂纹，
其原理图如图４。

由于裂纹是南装片顶针对芯片的应力引起的，
轻微的会引起顶针印记（Ｐｉｎ Ｍａｒｋ），严重的会引起
芯片裂纹。
以下是我们用ＡＳＭ８８９机器选取吸嘴应力和顶
针高度两个因子进行的ＤＯＥ试验，如图３。
从试验结果来看，顶针高度在高于１４０ｓｔｅｐ时芯
图４顶针偏引起芯片裂纹示意图
片背面出现顶针印记，并随着顶针高度的增加印记
越来越深直至出现芯片裂纹；在顶针高度为１４０ｓｔｅｐ 顶针位置偏引起的芯片裂纹主要发生在芯片上
时，吸嘴压力为１００９时没有顶针印记，但吸嘴压力 方，实际情况见图５。从装片的蓝膜上看其顶针印
为ｌ １８９时出现顶针印记，证明吸嘴压力的增加也会 记明缸偏位，如图６。

一３４．

　万方数据
 第９卷第４期 共缝忠，张林存：ＩＣ封装・ｌ－引起芯片裂纹的｛：要冈素
４ 划片转速慢引起的芯片背面裂纹
目前ＩＣ封装的划片工序是高速旋转的划片刀按
照一定的速度前进对圆片进行划片，划片的旋转速
度、划片刀前进的速度和芯片的厚度需要匹配。如
果划片速度人慢，则芯片未被完全划开即背面还没
有划开，在进行分离时背面就被强行分开，由十导
入相当大的应力，使芯片背面产生裂纹和缺损。
由于划片速度为２ ０ ０００Ｒ ＰＭ（应该设定为
３００００ＲＰＭ）时产牛的背而裂纹照片见图７。
阁７背面裂纹照片
由于划片速度慢引起的芯片背面裂纹，严重的
已经导致芯片背面缺损，如图８所示。但芯片正面
却完好无损，见图９。
图８背面缺损照片
　万方数据
图９芯片正面完好尢损
从侧面看芯片背面没被划开而是被强行分离，
见图１０。
图１０芯片背面未被划开
５ 塑封框架不到位引起的芯片裂纹
塑封时如果框架未放到位，模具在合模时会压
到芯片，使芯片碎裂。’模具感应器感应到框架未放
到位而自行打开，再人工把框架放到化后继续犟封，
该芯片裂纹的样品往往是塑封体外观完好（见图
１１），但芯片Ｉ：的金球已被压扁、芯片被膻裂（图１２）。
ｆ｛｝Ｉ Ｉ １塑封体外观完整无缺
６ 切筋打弯引起塑封体裂纹导致芯片裂纹
对于有引线的集成电路都要经过切筋打弯工
序，切筋打弯的口的丰要是使外引线脚成形，由于
切筋打弯的磨具需要和塑封体直接接触，在将外引
线连筋切除和将外引线脚成形时，会给塑封体带来
相当大的应力。如果模具’唰整不’会引起塑封体开
裂（图ｌ ３），严重的会引起芯片裂纹（图１４）。
．３５．
 第９卷第４期 电子与封装

图１３切筋打弯引起的塑封体开裂

图１２金球被压扁／芯片被压碎 图１４切筋打弯引起的芯片裂纹

作者简介：
７ 结束语
吴建忠（１９６６－），男，江苏江阴人，

以上列出了集成电路封装中芯片裂纹的主要产 １９８８年毕业于成都电讯１＝程学院（现

生原因。其他一些因素，如装片顶针粗细型号，顶 成都电子科技大学）微电子系半导体

针数量等一般集成电路封装厂都已经在其工艺文件 物理与器件专业，２００２年在新加坡南

中进行了规定。集成电路封装厂要根据各种可能产 洋理工大学取得微电子硕士学位，现

生芯片裂纹的原因制订出行之有效的预防措施，通 为无锡华润安盛科技有限公司质量总监，在半导体集成电路

过各种预防措施使其不发生芯片裂纹。即使发生芯 封装可靠性和失效分析方面有相当的研究和丰富的经验；

片裂纹，通过检验措施使其在封装厂就被发现，不 张林春（１９６６．），男，江苏扬州人，高级工程师。１９８８

至于流到客户手中才被发现，从而避免更大的经济 年毕业十合肥工业大学应用物理系半导体物理与器件专业，

损失。 现为华润安盛科技有限公司质量工程经理。

：信 息 报 道；

Ｑｉｍｏｎｄａ宣布任命顾问团
由于法庭已批准破产申请，Ｑｉｍｏｎｄａ Ｎｏｒｔｈ Ａｍｅｒｉｃａ 速转向分别出售一整套３００ｍｍ工具以及无尘室制造设施。

Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（奇梦达北美公司）于４月３日宣布任命顾问团 ＡＴＲＥＧ董事总经理Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｒｏｔｈｒｏｃｋ表示：“这是第

协助出售其位于弗吉尼亚州Ｓａｎｄｓｔｏｎ的半导体制造资产。该 一次有可以运营的３００ｍｍ晶圆厂到市场上出售。拥有尖端

顾问团队由高力国际（Ｃｏｌｌｉｅｒｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）旗下部门 工艺的全自动Ｑｉｍｏｎｄａ Ｒｉｃｈｍｏｎｄ工厂在建设和装备时的花

ＡＴＲＥＧ、Ｅｍｅｒａｌｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖａｌｕａｔｉｏｎｓ ＬＬＣ和Ｇｏｒｄｏｎ 费大约是３０ｔＬ美元，是从２００５年开始量产３００ｍｍ产品的。”

Ｂｒｏｔｈｅｒｓ Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ＆Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ组成。 Ｑｉｍｏｎｄａ Ｎｏｒｔｈ Ａｍｅｒｉｃａ Ｃｏｒｐ．和Ｑｉｍｏｎｄａ Ｒｉｃｈｍｏｎｄ Ｌ．

该顾问团队正着手与有可能考虑经营这家３００ｍｍ晶圆 Ｌ．Ｃ．均已于２００９年２月２０日根据《破产法））（Ｂａｎｋｒｕｐｔｃｙ

厂的潜在买家进行探讨，该品圆厂月产３８０００片初制晶圆并 Ｃｏｄｅ）第ｌｌ章申请了债权人保护。

且胜任６５ｎｍ制造工艺。若未找到战略性买家，顾Ｉ．口】团将迅 （本刊通讯员）

．３６．

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