Mô phỏng EMC với CST

Nhóm lựa chọn mô phỏng Radiated Emission để quan sát bức xạ điện từ của dòng
có tần số cao trong mạch PCB trong bán kính là 3m, sau đó sẽ đưa ra nhận xét dựa
trên tiêu chuẩn CISPR 22 dành cho thiết bị Class B của Châu Âu.

I. Tiêu chuẩn CISPR 22

II. Trình tự mô phỏng

1. Tạo Template
Chọn EMC/Radiated Emission với workflow là High Speed Signals/PCB để mô
phỏng bức xạ điện từ với tần số của IC TNY264 là 132kHz:

2. Xuất file PCB từ Altium sang CST

- Bên Altium, tạo file ODB++ để có định dạng phù hợp với CST:
- Bên CST, import file ODB++ vừa tạo:

- Mạch sau khi đã được import:

3. Chọn đường dây có tần số cao để mô phỏng

- Đường dây NETD2_1 nối mosfet và IC TNY264 có tần số đóng cắt 132kHz.

- Đặt vào hai đầu đường dây hai Discrete Port:

- Chọn Home/Macros/Results/EMC/Define Probes in 2D Plane or 3D volume và
chọn E-field (Farfield) và H-field (Farfield) để sau khi chạy mô phỏng sẽ thấy
được bức xạ điện từ trong bán kính 3m:

- Các điểm đo bức xạ điện từ trong bán kính 3m:

4. Quy trình chạy mô phỏng

- Chọn Time Domain Solver Setup trên Home và chọn Start để bắt đầu mô phỏng.

- Sau khi Time Domain Solver chạy xong thì chuyển sang tab Schematic. Nối hai
External Port vào hai đầu của khối mạch:
- Vào Tasks chọn New Task và chọn Transient để thực hiện một Transient
Analysis. Task này giúp phân tích hoạt động của mạch với xung kích thích tùy
chọn trong miền thời gian. Mọi thông số của Task Transient sẽ có đuôi [Tran1]:

- Vào mục Tasks ở Navigation Tree, chọn Tran1 và định nghĩa xung kích thích cho
External Port 1. External Port 2 giữ nguyên như là một tải để quan sát xem điện áp
từ Port 1 đến Port 2 bị ảnh hưởng như thế nào. Đường dây được chọn có điện áp là
300V. Với Template có đơn vị cho thời gian là us và thời gian đóng cắt của IC
TNY264 là 1/132000=7.58 us thì chọn thông số như hình:
- Vẫn trong mục Tasks, chọn biểu tượng của Tran1 để chọn thời gian chạy mô
phỏng là 24 us:

- Chọn Update để hoàn thiện mô phỏng.

- Chuyển sang tab 3D, vào Macros/Results/EMC/Peak Field Values from Probes
để chọn bức xạ lớn nhất trong tất cả các bức xạ trong bán kính 3m. Chỉ lựa chọn
bức xạ có đuôi [Tran1] để đánh giá vì đó là kết quả của Task Transient.

III. Kết quả mô phỏng và nhận xét

1. Điện áp của đường dây

Nhận xét: Điện áp cuối đường dây bám sát với điện áp đầu đường dây, gần như
không bị ảnh hưởng bởi nhiễu điện từ do tần số của mạch chưa thực sự lớn.
2. Điện trường, từ trường, dòng điện bề mặt và mật độ dòng điện của đường
dây

- Điện trường:

- Từ trường:

- Dòng điện bề mặt:

- Mật độ dòng điện:

3. Bức xạ điện từ trong khoảng 3m

Cuối cùng, ta có kết quả far-field test thể hiện độ lớn của nhiễu bức xạ trong
khoảng 3m. Ta có thể sử dụng kết quả này để so sánh với chuẩn CISPR 22.
Nhận xét: Kết quả trên cho thấy rằng giá trị đỉnh của nhiễu bức xạ tại tần số
132kHz là 53dBuV. Điện từ trường trong bán kính 3m của mạch phát ra chưa đáp
ứng tiêu chuẩn EMC CISPR 22 dành cho thiết bị Class B (40dBuV).

III. Cách hạn chế nhiễu bức xạ

1. Layout PCB

Để giảm nhiễu bức xạ của mạch, ta tiến hành layout PCB:

- Bố trí vị trí các linh kiện theo các khối.

Khối 1 và khối 2 chứa các phần tử làm việc với điện áp cao được đặt về 1
phía. Khối 2 được đặt ở giữa do sử dụng cả 2 Ground
- Tiến hành nối dây cho các linh kiện theo những quy tắc được nêu ở trên.
GND và GND1 được bỏ qua. Các đường dây nguồn được phủ polygon để
giảm nhiễu.
- Hai Ground: GND và GND1 được đổ đồng trên mặt Top như hình dưới
- Kết quả dang 3D thu được như sau:
 2. Mô phỏng và so sánh với chuẩn

Tiến hành tương tự các bước mô phỏng với mạch cũ, ta được kết quả mô phỏng
nhiễu bức xạ khoảng cách 3m:

Nhận xét: Nhiễu bức xạ đã giảm còn 53.4dBµV so vs 64.1dBµV ở mạch cũ. Tuy
nhiên, mạch nhưng vẫn chưa đáp ứng được chuẩn CISPR 22.