Đại học Bách khoa Hà Nội

Viện Vật lý kỹ thuật

Vật lý chất rắn đại cương

Đỗ Đức Thọ

Email: tho.doduc@hust.edu.vn P. 109, 211- C9

 Tài liệu tham khảo

1. Giáo trình vật lý chất rắn đại cương, Đỗ Ngọc Uấn, NXB Khoa học và
Kỹ thuật, Hà Nội 2003.
2. Bài tập vật lý chất rắn, Nguyễn Ngọc Chân, NXB Khoa học và Kỹ
thuật, Hà Nội 2004.
3. Introduction to Solid State Physics, Ch. Kittel, 6th Edition John Wiley
& Sons, Inc., New York, Chichester, Brisbane, Toronto, Singapore
1986.
4. Vật liệu kỹ thuật, Nguyễn Khắc Xương, NXB Bách Khoa Hà Nội 2016.
5. Vật lý chất rắn, Vũ Đình Cự, NXB Khoa học và Kỹ thuật, Hà Nội
1997.
6. Tinh thể học đại cương, Trịnh Hân, Quan Hán Khang, Lê Nguyên Sóc,
Nguyễn Tất Trâm, NXB Đại học và Trung học chuyên nghiệp, Hà Nội
1979.
 Chương 1

CẤU TRÚC TUẦN HOÀN TRONG TINH THỂ

Nội dung của chương:

1. Cấu trúc tinh thể

2. Các loại mạng tinh thể cơ bản
3. Vị trí và định hướng của mặt trong tinh thể
4. Phân tích Fourier
5. Véc tơ mạng đảo
6. Điều kiện nhiễu xạ
7. Vùng Brilouin
8. Các loại liên kết trong tinh thể
I. Cấu trúc tinh thể
1. Phép tịnh tiến và mạng tinh thể

 ,    
 T r  r  n1a  n2b  n3c
r 
a
 ,
r
b
  
T  n1a  n2b

c
 
a
b    
T  n1a  n2b  n3c
I. Cấu trúc tinh thể
1. Phép tịnh tiến và mạng tinh thể

M¹ng:

Nguyên tử thứ i của cơ sở có tọa độ so với điểm của nút mạng nó gắn
vào:    
ri  xi a  yi b  zi c
0  xi , yi , zi  1

Mạng + Cơ sở = Cấu trúc tinh thể

I. Cấu trúc tinh thể
2. Tập hợp các phép đối xứng
n
Mô tả cấu trúc tinh thể cần:
• Chọn hệ trục tọa độ cho mạng tinh thể đã cho,
• Tìm cơ sở và tập hợp các phép đối xứng.
Các phép đối xứng điểm gồm:
• Đối xứng quay: Quay tinh thể đi một góc 2/n quanh một trục
thì tinh thể trùng lại chính bản thân nó  tinh thể có đối xứng
bậc n.
• Phản xạ gương: Phép đối xứng gương được thực hiện qua một
m
mặt phẳng và kí hiệu là m.
 
• Phép nghịch đảo: quay n + đối xứng gương m: r  r
A
A’

A’’
I. Cấu trúc tinh thể
2. Tập hợp các phép đối xứng
Nhóm điểm: được xác định như là tập hợp các phép đối xứng, nghĩa là
các biến đổi đối xứng được thực hiện so với một điểm nào đó của mạng,
kết quả là mạng trùng lại chính bản thân nó.
m
n=3
 
 r  -r
c
Nhóm điểm n=2
4  2 
3  b
m m a

n=4
II. Các loại mạng tinh thể cơ bản
1. Mạng tinh thể hai chiều
Mạng Ô cơ bản Nhóm điểm đối xứng
1 Nghiêng Hình bình hành: a  b;   90 o 2
2 Vuông Hình vuông: a = b;  = 90 o 4mm
3 Lục giác Hình thoi: a = b;  = 120 o 6mm
4 Chữ nhật Hình chữ nhật: a  b;  = 90 o 2mm
5 Chữ nhật tâm Hình chữ nhật tâm: a  b;  = 90 o 6mm

 1  2 3
a a 
 a 
  
b  b
b

 
a 4  a 5
 b 

b
Mạng Bravais 2D. Trục quay vuông góc với mặt phẳng giấy.
II. Các loại mạng tinh thể cơ bản
2. Mạng tinh thể ba chiều

LPĐG, LPTK, LPTM

BPĐG, BPTK

TTĐG, TTTK,
TTTM, TTTĐ

Mặt thoi
4 Types of Unit Cell
P = Primitive
I = Body-Centred
MNĐG, MNTĐ F = Face-Centred
C = Side-Centred
+
BN 7 Crystal Classes
 14 Bravais Lattices
II. Các loại mạng tinh thể cơ bản
Cấu trúc lập phương và lục giác xếp chặt
 Tồn tại vô vàn phương pháp xếp các quả cầu đồng nhất ở mạng lập
phương sao cho hệ số xếp chặt là cực đại, trong đó có hai cách đơn
giản và có tính chất cơ bản đối với tinh thể học. Cách đầu tiên dẫn đến
mạng lập phương tâm mặt, cách thứ hai tạo thành cấu trúc lục giác
xếp chặt.
 Cả hai cấu trúc có hệ số xếp chặt bằng 0,74. Không có cấu trúc nào
khác có hệ số xếp chặt lớn hơn.

ABCABC ABAB
hcp fcc
II. Các loại mạng tinh thể cơ bản
 Cấu trúc fcc có đối xứng cao hơn hcp,
 Họ mặt xếp chặt của cấu trúc fcc là {111} còn của hcp là {001}.
1

 Tỷ số c/a (hoặc a3/a1) của cấu trúc hcp là:  83 2

 1,633

Tinh thể c/a Tinh thể c/a Tinh thể c/a

He 1,633 Zn 1,861 Zr 1,594

Be 1,581 Cd 1,886 Gd 1,592

Mg 1,623 Co 1,622 Lu 1,586

Ti 1,586 Y 1,570
III. Vị trí và định hướng của mặt trong tinh thể
Trước tiên phải chọn 3 trục tọa độ là 3 trục tinh thể không nằm trong
cùng một mặt phẳng
 Tọa độ của một nút mạng: bằng bội số của a, b, c. Chỉ số của một
phương tinh thể được xác định bởi tọa độ của nút mạng gần gốc nhất.
Đây chính là chỉ số của mặt mạng vuông góc với phương đó.
 Chỉ số Miller của mặt như sau:
o Xác định 3 giao điểm của mặt phẳng với các trục tọa độ rồi lấy giá trị nghịch đảo:
(3,1,2)  (1/3,1/1,1/2);
o Quy đồng mẫu số các phân số với mẫu số chung nhỏ nhất. Chỉ số Miller chính là
các tử số của các phan số sau khi quy đồng: (1/3, 1/1, 1/2)  (2/6, 6/6, 3/6);
o Kí hiệu chỉ số là (hkl) của từng mặt riêng biệt hay một họ mawtj song song: {hkl}.
Ở ví dụ này ta có mặt (263).
o Ký hiệu các phương là [hkl].
Trong mạng lập phương:
2
phương [110] vuông góc với mặt (110).
Đối với mạng sáu phương có thêm (263)
một chỉ số (hkil), trong đó i=-(h+k)
1
3
IV. Phân tích Fourier
1. Phân tích Fourier

Cho f(x) là hàm tuần hoàn bất kỳ có chu kỳ 2 liên tục trên đoạn [-, ]
và trên đoạn đó số điểm đặc biệt (gãy) loại 1 thì hàm đó có thể viết dưới
dạng chuỗi Fourier:
 
1  inx
f ( x)   Cn einx ; Cn   f ( x)e dx
 2 

2. Ứng dụng cho tinh thể

  
Mật độ điện tử trong tinh thể cũng là hàm tuần hoàn: n r  T  n  r 
*
 
n p  np
i 2 p Trong không gian ba chiều:
n( x)   n p exp( x)  
p 0 a n(r )   nG exp(iGr )
G
a
-i 2 p 
1

-1 nG  V  n(r ) exp( iGr ) dV
n p  a  n( x) exp( x)dx c

0
a «
V. Véc tơ mạng đảo (mạng nghịch)
Điều kiện nhiễu xạ (chùm điện tử hay Rơngen):
Độ lệch pha của hai sóng tỷ lệ với:  
k k'
  

exp i k  k ' r 
 
Biên độ sóng kết hợp:
     
   
F   dVn  r  exp i k  k ' r   dVn  r  exp  ikr 
 

(hkl)
   
 
F    dVnG  r  exp i G  k r 
    
k  G k  G
F cực đại F rất nhỏ
Trong tán xạ đàn hồi:    ' ; k  k '
 '    '   Điều kiện nhiễu xạ
k  k  k  k  k  k Thay G bằng G
  2 '   2   2
 k  G   k  2kG  G  0
2

2kG  G
Điều kiện Bragg: nếu khoảng cách giữa các mặt mạng d hkl vuông góc với
   
phương: G  hb1  kb2  lb3  d hkl  2 G
V. Véc tơ mạng đảo (mạng nghịch)
  2    
Từ điều kiện nhiễu xạ: 2kG  G  sin   2 k G  G G
 2 2
Thay k ;G  vào ta nhận được phương trình Bragg:
 d hkl
2d hkl sin   n
 
Véc tơ mạng nghịch G . Thứ nguyên độ lớn của G sẽ là nghịch đảo thứ
nguyên của r . Các véc tơ tịnh tiến cơ sở của mạng nghịch sẽ là:
        
a2  a3 a 3  a1 a1  a 2
b1  2     ; b 2  2    ; b 3  2   
a 1 .(a 2  a 3 ) a 2 .(a 3  a 1 ) a 3 .(a 1  a 2 )
       
T  u1a 1  u 2 a 2  u 3a 3 G  v 1b1  v 2 b 2  v 3 b 3
Mỗi tinh thể được biểu diễn bởi hai mạng: thuận và nghịch

Ảnh nhiễu xạ điện tử hay

Ảnh hiển vi điện tử Rơntghen
Véc tơ sóng luôn được biểu diễn trong không gian Fourier hay không gian
nghịch.
V. Véc tơ mạng đảo (mạng nghịch)
 
Nhân vô hướng k  G với các véc tơ tịnh tiến cơ sở trong mạng thuận
ta có:
     
a1k  2 v1 ; a2 k  2 v 2 ; a1k  2 v3 ;
Cách dựng cầu Ewald:
Phương trình Laue: • Chọn gốc tọa độ của mạng
nghịch là điểm nút của
 k,
• Lấy gốc của véc tơ k làm tâm
để vẽ hình cầu có bán kính
2/,
• Nối các điểm nút mạng
nghịch ở trên hình cầu này
với gốc của véc tơ k ta được
các phương có cực đại nhiễu
xạ do phản xạ trên các mặt
Cầu Ewald có bán kính 2/ mạng tương ứng.
VII. Vùng Brillouin
 1 
Từ điều kiện nhiễu xạ ta có: K  G
2

Cơ sở để xây dựng vùng Brillouin

Cách dựng vùng Brillouin:

• Chọn 1 nút mạng nghịch làm gốc tọa độ,
• Nối gốc với các nút gần nhất,
• Tại điểm trung bình của các đoạn thẳng vừa nối dựng các mặt phẳng
vuông góc. Không gian nghịch được giới hạn bởi các mặt đó chính là
vùng Brillouin I (tương tự ô Wigner-Seitz trong không gian thuận),
• Các vùng Brillouin 2, 3 … sẽ được xác định trong không gian còn lại
giới hạn bởi các mặt phẳng vuông góc tại điểm giữa các đoạn nối với
các nút gần thứ 2, thứ 3 …
VII. Vùng Brillouin

Vùng Brillouin I của mạng tứ giác Ô Wigner-Seitz của mạng hai chiều.
(a) và lục giác (b)

4 3 2   2 3 4

a

a

a

a
0 a a a a
k

V. II Vùng I V. II
V. III V. III
Vùng Brillouin đối với mạng một chiều.
VIII. Các loại liên kết trong tinh thể
Các nguyên tắc liên kết:
• Phân bố của điện tử phải đảm bảo nguyên lý Pauli;
• Các điện tích (ion, điện tử hóa trị) sắp xếp sao cho lực đẩy của điện
tích cùng dấu là nhỏ nhất, lực hút của điện tích khác dấu là cao nhất;
• Tổng năng lượng trong tinh thể là thấp nhất. Thế năng là nhỏ nhất và
động năng tăng ít;
• Lực liên kết trong tinh thể bằng năng lượng tổng cộng của các hạt rời
rạc trừ đi năng lượng của tinh thể.

- - -+ 
1. Liên kết Van-der-Walls London - + - - - Pe
-
C
U  r    6 (erg)
R - -+ - -+
1 erg  107 J
- - - -
R
VIII. Các loại liên kết trong tinh thể

2. Liên kết ion

NaCl: Trước liên kết: Na (1s2 3s1); Cl (1s2 …3s2 3p5 )
Xét tinh thể NaCl
Trong liên kết: Na+ (1s2 ); Cl- (1s2 …3s2 3p6)
e- +Cl = Cl- + 3,6 eV
Na++Cl- = NaCl + 7,9 eV
Na + 5,13 eV = Na+ + e-
Cl-
Tương tác giữa các cặp gần

 R q2 
 exp(  )  R 
 
U i, j  2 
 1  q  Na+
 Pi , j R 
 
rij  Pi j R
Tương tác giữa các cặp còn lại Khoảng cách giữa 2 nt.
VIII. Các loại liên kết trong tinh thể

Tương tác trên một phân tử KCl

VIII. Các loại liên kết trong tinh thể
3. Liên kết đồng hóa trị

Một nguyên tử dùng chung 8 điện tử hóa trị

với các nguyên tử khác. Ví dụ: Si, Ge, C,
mạng tinh thể kim cương …

Phụ thuộc vào định hướng spin song

song hoặc phản song song của các
đt. hóa trị.

Tương tác trong phân tử H2

VIII. Các loại liên kết trong tinh thể
4. Liên kết kim loại

Các ion tương tác hút với khí điện tử.

+ + + +
Các đt. đóng vai trò như một chất -
- -
-
keo kết dính các ion lại với nhau. +
-
+
-
+
-
+
-
+ +
- + +
- -
- -
+ - + + +
- -
- -
+ + +
- +
5. Liên kết hyđrô

F- F- Trong các phân tử nước và polymer. Nguyên tử H có

H+ thể liên kết với 2 nt. cùng một lúc tạo ra liên kết
hyđrô.

Thông thường H liên kết với các nt. lớn như: F, O, N. Nt. H bị mất đt. trở
thành proton nằm giữa các nt. kia.