TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT ĐỀ THI CUỐI KỲ HỌC KỲ 2 NĂM HỌC 2015-

THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH 2016

KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ Môn: Kỹ Thuật số
BỘ MÔN ĐTCN Mã môn học: DIGI330163
------------------------- Đề số/Mã đề: 1 Đề thi có 2 trang.
Thời gian: 90 phút.
Không sử dụng tài liệu.
Câu 1: (1,5 điểm)
Cho hàm Y = (A + B)C + ABC + A + B + A(B + C)
a. Đơn giản hàm.
b. Vẽ mạch logic.
Câu 2: (1 điểm)
Cho sơ đồ khối

a. Viết bảng trạng thái.

b. Viết hàm ngõ ra O.

Câu 3: (1,5 điểm)

Cho Flip-Flop như hình vẽ.

a. Hãy lập bảng trạng thái cho Flip-Flop

b. Viết phương trình đặc tính cho Flip-Flop

Câu 4: (2 điểm)
Hãy thiết kế mạch đếm đồng bộ, đếm các trạng thái theo sơ đồ, sử dụng Flip-Flop T có
Ck tác động cạnh xuống, Pre và Cl tích cực mức thấp.
0→ 1→ 2→ 4→ 5→ 6

Câu 5: (1,5 điểm)

Cho DAC ngõ ra điện áp n bit.
a. Tìm số bit nhỏ nhất của DAC để có VO = 8,184V, với kích thước bậc thang
(Stepsize) K = 20mV
b. Với n = 10. Tìm K khi VOmax = 8,184V
Câu 6: (1 điểm)
a. Hãy vẽ mạch đơn ổn (định thời) sử dụng IC555
b. Cho C = 10µF. Tìm R để có độ rộng xung ra là 3s

Số hiệu: BM1/QT-PĐBCL-RĐTV Trang: 1

Câu 7: (1,5 điểm)
Cho bộ nhớ EPROM như hình vẽ

a. Tính dung lượng theo đơn vị bit

b. Xác định vùng địa chỉ nhớ có thể truy xuất được khi A9 = 0.
c. Ghép các bộ nhớ trên thành bộ nhớ có dung lượng (byte) tăng gấp đôi.

Ghi chú: Cán bộ coi thi không được giải thích đề thi.

Chuẩn đầu ra của học phần (về kiến thức) Nội dung kiểm tra
[CĐR G1.2]: Trình bày được các định lý đại số Boole, định lý Câu 1
De-morgan, phương pháp đơn giản hàm dùng bìa K.
[CĐR G2.1]: Phân tích hoạt động của mạch logic tổ hợp, Câu 2, 3
Flip-Flop.
[CĐR G4.1]: Thực hiện mạch đếm không đồng bộ, đồng bộ Câu 4
và thanh ghi dịch
[CĐR G4.2]: Tính toán cho các mạch dao động và định thời, Câu 5, 6
DAC, ADC, giao tiếp giữa IC và tải công suất
[CĐR G4.3]: Xây dựng chương trình cho bộ nhớ Câu 7

Ngày 15 tháng 5 năm 2016

Thông qua bộ môn

(ký và ghi rõ họ tên)

Số hiệu: BM1/QT-PĐBCL-RĐTV Trang: 2