(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110492799 A
(43)申请公布日 2019.11.22
(21)申请号 201910675510 .1

(22)申请日 2019 .07 .25

(71)申请人 江苏科技大学
地址 212003 江苏省镇江市梦溪路2号江苏
科技大学科技处

(72)发明人 李震　张彬　李可礼　张懿　
李垣江　魏海峰　刘维亭　张明明　

(74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限
公司 32200
代理人 楼高潮

(51)Int .Cl .
H02P 6/20(2016 .01)
H02P 25/022(2016 .01)

权利要求书2页 说明书5页 附图3页

(54)发明名称
同步电机的励磁控制装置及使用方法
(57)摘要
本发明公开了一种同步电机的励磁控制装
置， 包括： 驱动模块、
同步电机的三相电枢绕组，
驱动模块与三相电枢绕组连接，用于起动、 维持
同步电机正常运转， 其特征在于， 还包括：
控制模
块、 快速励磁模块； 控制模块分别与驱动模块以
及快速励磁模块连接， 用于对驱动模块以及快速
励磁模块进行状态控制； 快速励磁模块分别与驱
动模块以及三相电枢绕组连接， 快速励磁模块用
于在同步电机起动时辅助驱动模块对同步电机
励磁 ； 快速励磁模块用于在同步电 机停机时吸
收、存储电路中的剩余电流。本发明用高于同步
电机额定电压的电压施加在电机电枢绕组两端，
实现对电机三相的顺序励磁，从而缩短同步电机
CN 110492799 A

的起动过程，提高了同步电机起动效率。
CN 110492799 A 权　利　要　求　书 1/2 页

1 .一种同步电机的励磁控制装置， 包括： 驱动模块、 同步电机的三相电枢绕组， 所述驱

动模块与所述三相电枢绕组连接， 用于起动、 维持同步电机正常运转， 其特征在于， 还包括：
控制模块、 快速励磁模块； 所述控制模块分别与所述驱动模块以及所述快速励磁模块连接，
用于对所述驱动模块以及所述快速励磁模块进行状态控制； 所述快速励磁模块分别与所述
驱动模块以及三相电枢绕组连接， 所述快速励磁模块用于在同步电机起动时辅助所述驱动
模块对同步电机励磁； 所述快速励磁模块用于在同步电机停机时吸收、存储电路中的剩余
电流。
2 .如权利要求1所述的同步电机的励磁控制装置， 其特征在于， 所述快速励磁模块包
括： 储能单元、状态切换单元； 所述储能单元与所述状态切换单元连接，用于存储、释放电
流； 所述状态切换单元与所述驱动模块连接， 基于所述控制模块发出的状态改变信号切换
自身状态来改变所述储能单元与所述驱动模块之间的电流流向。
3 .如权利要求2所述的同步电机的励磁控制装置， 其特征在于， 所述快速励磁模块还包
括充能单元； 所述充能单元分别与所述储能单元以及所述控制模块连接， 基于所述控制模
块发出的充能信号对所述储能单元充电。
4 .如权利要求2或3所述的同步电机的励磁控制装置， 其特征在于， 所述状态切换单元
包括MOS管T7、MOS管T8、MOS管T9和二极管VD2， 所述储能单元分别与所述MOS管T7的漏极、
MOS管T9的源极连接； 所述MOS管T9的漏极与所述二极管VD2的阴极连接； 所述MOS管T7的源
极以及所述二极管VD2阳极作为接口与所述驱动模块连接； MOS管T8的漏极与所述三相电枢
绕组的中心点连接， 源极与所述驱动模块中的电源负极连接； 所述MOS管T7、 MOS管T8、MOS管
T9的栅极均连接到所述控制模块。
5 .如权利要求3所述的同步电机的励磁控制装置， 其特征在于， 所述驱动模块包括： 直
流电源VDC1、 电容C1、 MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、MOS管T4、MOS管T5、MOS管T6、 二极管VD1；
所述充能单元包括： 直流电源VDC2、MOS管T10； 所述储能单元包括电容C2； 所述状态切换单
元包括： MOS管T7、 MOS管T8、MOS管T9、二极管VD2； 所述控制模块包括单片机；
所述直流电源VDC1的正极分别和所述直流电源VDC2的负极、 电容C1的正极、 电容C2的
负极以及二极管VD1的阳极连接， 所述直流电源VDC1的负极分别和所述电容C1的负极、MOS
管T2的源极、MOS管T4的源极、MOS管T6的源极以及MOS管T8的源极连接， 所述直流电源VDC2
的正极和所述MOS管T10的漏极连接； 所述电容C2的正极分别和所述MOS管T10的源极、 MOS管
T9的源极以及MOS管T7的漏极连接； 所述二极管VD1的阴极分别和所述MOS管T7的源极、 MOS
管T1的漏极、 MOS管T3的漏极、 MOS管T5的漏极以及二极管VD2的阳极连接， 所述二极管VD2的
阴极和所述MOS管T9的漏极连接； 所述MOS管T1的源极和所述MOS管T4的漏极连接， MOS管T3
的源极和MOS管T6的漏极连接， 所述MOS管T5的源极和所述MOS管T2的漏极连接， MOS管T8的
漏极和三相电枢绕组的中心点连接； 所述MOS管T1的源极和所述三相电枢绕组的A相连接，
所述MOS管T3的源极和所述三相电枢绕组的B相连接， 所述MOS管T5的源极和所述三相电枢
绕组的C相连接； 所述MOS管T1至所述MOS管T10的栅极均连接到所述单片机。
6 .如权利要求5所述的同步电机的励磁控制装置， 其特征在于， 所述二极管VD2为肖特
基二极管， 所述电容C1为滤波电容， 所述电容C2为具有升压功能的电解电容， 所述电容C2的

2
CN 110492799 A 权　利　要　求　书 2/2 页

容量大于等于 其中，
L为三相电枢绕组的电感，
W为同步电机额定功率、
U0为同步电

机额定电压。
7 .一种同步电机的励磁控制装置的使用方法， 其特征在于， 当同步电机需要励磁起动
时， 控制模块控制快速励磁模块向驱动模块输出电流， 快速励磁模块输出的电流与驱动模
块输出的电流结合对同步电机进行励磁； 当同步电机电机停机时， 控制模块控制快速励磁
模块吸收、 存储三相电枢绕组中的剩余电流。
8 .如权利要求7所述的同步电机的励磁控制装置的使用方法， 其特征在于，在同步电机
需要励磁起动之前， 还包括当储能单元储电不足时， 控制模块控制充能单元对储能单元进
行充电。
9 .如权利要求8所述的同步电机的励磁控制装置的使用方法， 其特征在于，包括如下具
体步骤：
步骤一： 当电容C2中储电不足时， 单片机控制MOS管T10导通2s～3s时间然后断开， 单片
机控制MOS管T1至MOS管T9一直处于关断状态， 利用直流电源VDC2对电容C2充能；
步骤二： 当同步电机需要励磁起动时： 单片机控制MOS管T1、MOS管T3、MOS管T5导通， 单
片机控制MOS管T2、 MOS管T4、MOS管T6、
MOS管T8、MOS管T9以及MOS管T10一直处于关断状态，
同时单片机控制MOS管T7导通1s～2s后关断， 将电容C2中能量用于电机励磁中， 励磁完成
后， 电机具备起动条件；
当同步电机停机时： 单片机控制MOS管T8、MOS管T9导通， 依次控制MOS管T1导通0 .3s～
0 .6s、MOS管T3导通0 .3s～0 .6s以及MOS管T5导通0 .3s～0 .6s，
单片机控制MOS管T2、MOS管
T4、MOS管T6、 MOS管T7和MOS管T10一直处于关断状态， 当剩余能量回馈完成时， 单片机控制
MOS管T8、 MOS管T9关断。

3
CN 110492799 A 说　明　书 1/5 页

同步电机的励磁控制装置及使用方法

技术领域
[0001] 本发明涉及同步电机技术领域，
具体涉及一种同步电机的励磁控制装置及使用方
法。

背景技术
[0002] 同步电动机具有功率因素高、 运行效率高、稳定性好、转速恒定等优点，主要应用
于发电机、 多机同步传动系统、精密调速稳速系统和大型设备等。
[0003] 同步电机在起动时要经历励磁过程， 励磁过程的长短将直接影响到电机的起动性
能。现有的做法是常压励磁， 通过电源供电励磁，该电源电压和同步电机额定电压相等。使
用常压励磁方式， 电流无法立即上升到励磁的所需值， 所以常压励磁速度慢，导致同步电机
起动的效率不够高。

发明内容
[0004] 本发明提供了一种同步电机的励磁控制装置及使用方法， 以解决现有技术中采用
常压励磁导致同步电机起动效率不够高的问题。
[0005] 本发明提供了一种同步电机的励磁控制装置， 包括： 驱动模块、 同步电机的三相电
枢绕组， 所述驱动模块与所述三相电枢绕组连接，用于起动、 维持同步电机正常运转， 其特
征在于， 还包括： 控制模块、 快速励磁模块； 所述控制模块分别与所述驱动模块以及所述快
速励磁模块连接，用于对所述驱动模块以及所述快速励磁模块进行状态控制； 所述快速励
磁模块分别与所述驱动模块以及三相电枢绕组连接， 所述快速励磁模块用于在同步电机起
动时辅助所述驱动模块对同步电机励磁； 所述快速励磁模块用于在同步电机停机时吸收、
存储电路中的剩余电流。
[0006] 可选地， 所述快速励磁模块包括： 储能单元、状态切换单元； 所述储能单元与所述
状态切换单元连接，用于存储、释放电流； 所述状态切换单元与所述驱动模块连接， 基于所
述控制模块发出的状态改变信号切换自身状态来改变所述储能单元与所述驱动模块之间
的电流流向。
[0007] 可选地， 所述快速励磁模块还包括充能单元； 所述充能单元分别与所述储能单元
以及所述控制模块连接， 基于所述控制模块发出的充能信号对所述储能单元充电。
[0008] 可选地， 所述状态切换单元包括MOS管T7、MOS管T8、MOS管T9和二极管VD2， 所述储
能单元分别与所述MOS管T7的漏极、 MOS管T9的源极连接； 所述MOS管T9的漏极与所述二极管
VD2的阴极连接； 所述MOS管T7的源极以及所述二极管VD2阳极作为接口与所述驱动模块连
接； MOS管T8的漏极与所述三相电枢绕组的中心点连接， 源极与所述驱动模块中的电源负极
连接； 所述MOS管T7、 MOS管T8、
MOS管T9的栅极均连接到所述控制模块。
[0009] 可选地， 所述驱动模块包括： 直流电源VDC1、 电容C1、MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、
MOS管T4、 MOS管T5、MOS管T6、二极管VD1； 所述充能单元包括： 直流电源VDC2、 MOS管T10；所述
储能单元包括电容C2； 所述状态切换单元包括： MOS管T7、
MOS管T8、MOS管T9、二极管VD2； 所

4
CN 110492799 A 说　明　书 2/5 页

述控制模块包括单片机；
[0010] 所述直流电源VDC1的正极分别和所述直流电源VDC2的负极、 电容C1的正极、电容
C2的负极以及二极管VD1的阳极连接， 所述直流电源VDC1的负极分别和所述电容C1的负极、
MOS管T2的源极、MOS管T4的源极、MOS管T6的源极以及MOS管T8的源极连接， 所述直流电源
VDC2的正极和所述MOS管T10的漏极连接； 所述电容C2的正极分别和所述MOS管T10的源极、
MOS管T9的源极以及MOS管T7的漏极连接； 所述二极管VD1的阴极分别和所述MOS管T7的源
极、MOS管T1的漏极、MOS管T3的漏极、MOS管T5的漏极以及二极管VD2的阳极连接， 所述二极
管VD2的阴极和所述MOS管T9的漏极连接； 所述MOS管T1的源极和所述MOS管T4的漏极连接，
MOS管T3的源极和MOS管T6的漏极连接， 所述MOS管T5的源极和所述MOS管T2的漏极连接， MOS
管T8的漏极和三相电枢绕组的中心点连接； 所述MOS管T1的源极和所述三相电枢绕组的A相
连接， 所述MOS管T3的源极和所述三相电枢绕组的B相连接， 所述MOS管T5的源极和所述三相
电枢绕组的C相连接； 所述MOS管T1至所述MOS管T10的栅极均连接到所述单片机。
[0011] 可选地， 所述二极管VD2为肖特基二极管， 所述电容C1为滤波电容， 所述电容C2为

具有升压功能的电解电容，
所述电容C2的容量大于等于 其中，
L为三相电枢绕组的

电感， W为同步电机额定功率、 U0为同步电机额定电压。

[0012] 本发明还提供了一种同步电机的励磁控制装置的使用方法， 包括：
[0013] 当同步电机需要励磁起动时， 控制模块控制快速励磁模块向驱动模块输出电流，
快速励磁模块输出的电流与驱动模块输出的电流结合对同步电机进行励磁； 当同步电机电
机停机时， 控制模块控制快速励磁模块吸收、 存储三相电枢绕组中的剩余电流。
[0014] 可选地， 在同步电机需要励磁起动之前， 还包括当储能单元储电不足时， 控制模块
控制充能单元对储能单元进行充电。
[0015] 可选地， 包括如下具体步骤：
[0016] 步骤一： 当电容C2中储电不足时， 单片机控制MOS管T10导通2s～3s时间然后断开，
单片机控制MOS管T1至MOS管T9一直处于关断状态， 利用直流电源VDC2对电容C2充能；
[0017] 步骤二： 当同步电机需要励磁起动时： 单片机控制MOS管T1、MOS管T3、MOS管T5导
通， 单片机控制MOS管T2、 MOS管T4、MOS管T6、
MOS管T8、
MOS管T9以及MOS管T10一直处于关断
状态， 同时单片机控制MOS管T7导通1s～2s后关断， 将电容C2中能量用于电机励磁中， 励磁
完成后， 电机具备起动条件；
[0018] 当同步电机停机时 ： 单片机控制MOS管T8、MOS管T9导通， 依次控制MOS管T1导通
0 .3s～0 .6s、MOS管T3导通0 .3s～0 .6s以及MOS管T5导通0 .3s～0 .6s，
单片机控制MOS管T2、
MOS管T4、 MOS管T6、 MOS管T7和MOS管T10一直处于关断状态， 当剩余能量回馈完成时， 单片机
控制MOS管T8、 MOS管T9关断。
[0019] 本发明的有益效果：
[0020] 本发明的同步电机的励磁控制装置结构简单， 成本低， 安全可靠， 易于安装。 同时，
同步电机自身过载性能强， 通过本发明提供的励磁控制装置，用高于正常驱动电压施加在
电机绕组两端， 实现对电机三相的顺序励磁， 从而缩短同步电机的起动过程， 提高了同步电
机起动效率。本发明提供的同步电机的励磁控制装置的使用方法， 励磁起动控制过程简易，

5
CN 110492799 A 说　明　书 3/5 页

并且考虑到同步电机停止时对电枢绕组能量的回收，
减小能量损失。

附图说明
[0021] 通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点， 附图是示意性的而不应理
解为对本发明进行任何限制， 在附图中：
[0022] 图1为本发明中一种同步电机的励磁控制装置的电路示意图；
[0023] 图2为本发明中励磁起动时的电流流向示意图；
[0024] 图3为本发明中A相电枢绕组剩余能量回馈时电流流向示意图；
[0025] 图4为本发明中B相电枢绕组剩余能量回馈时电流流向示意图；
[0026] 图5为本发明中C相电枢绕组剩余能量回馈时电流流向示意图。

具体实施方式
[0027] 为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发明实施例
中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然， 所描述的实施例是
本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例， 本领域技术人员在没
有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
[0028] 本发明实施例提供一种同步电机的励磁控制装置， 如图1所示， 驱动模块包括： 直
流电源VDC1、 电容C1、 MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、MOS管T4、MOS管T5、MOS管T6、二极管VD1；
充能单元包括： 直流电源VDC2、MOS管T10； 储能单元包括电容C2； 状态切换单元包括： MOS管
T7、MOS管T8、 MOS管T9、 二极管VD2； 控制模块包括单片机；
[0029] 直流电源VDC1的正极分别和直流电源VDC2的负极、 电容C1的正极、 电容C2的负极
以及二极管VD1的阳极连接， 直流电源VDC1的负极分别和电容C1的负极、MOS管T2的源极、
MOS管T4的源极、 MOS管T6的源极以及MOS管T8的源极连接， 直流电源VDC2的正极和MOS管T10
的漏极连接， 直流电源VDC2的负极和电容C2的负极连接； 电容C2的正极分别和MOS管T10的
源极、MOS管T9的源极以及MOS管T7的漏极连接； 二极管VD1的阴极分别和MOS管T7的源极、
MOS管T1的漏极、MOS管T3的漏极、 MOS管T5的漏极以及二极管VD2的阳极连接， 二极管VD2的
阴极和MOS管T9的漏极连接； MOS管T1的源极和MOS管T4的漏极连接， MOS管T3的源极和MOS管
T6的漏极连接， MOS管T5的源极和MOS管T2的漏极连接， MOS管T8的漏极和三相电枢绕组的中
心点连接； MOS管T1的源极和三相电枢绕组的A相连接， MOS管T3的源极和三相电枢绕组的B
相连接， MOS管T5的源极和三相电枢绕组的C相连接； MOS管T1至MOS管T10的栅极均连接到单
片机。

[0030] 电容C2的容量大于等于 其中，

L为三相电枢绕组的电感，
W为同步电机额

定功率、U0为同步电机额定电压。上述电容C2容量的选择满足能够吸收同步电机在额定功
率运行下停机时的三相电枢绕组的剩余能量。
[0031] 电容C1为滤波电容，
电容C2为具有升压功能的电解电容。 电容C2选择电解电容，
利
用电解电容存储电能时伴随升压的特性， 电容C2和直流电源VDC1串联在励磁起动时以高于
同步电机额定电压的励磁电压进行励磁； 电解电容还具有泄放能量快的特性， 泄放能量时

6
CN 110492799 A 说　明　书 4/5 页

比普通直流电源的功率大， 所以采用电解电容能够提高励磁速度。 同时， 随着电容C2能量的

泄放， 电容C2电压不断下降， 方便平滑切换到同步电机正常的运动。
[0032] 二极管VD2为肖特基二极管。 利用肖特基二极管正向导通电压比普通二极管高的
特性， 当剩余能量较低时， 二极管VD2将不再导通， 以提高剩余能量回馈的有效性。
[0033] 如图1所示的同步电机的励磁控制装置的使用方法， 包括如下步骤：
[0034] 步骤一： 单片机控制MOS管T10导通2s～3s时间然后断开， 利用直流电源VDC2对电
容C2充能； 电容C2充能过程中， MOS管T1至MOS管T9一直处于关断状态；
[0035] 步骤二： 当同步电机需要励磁起动时： 单片机控制MOS管T1、MOS管T3、MOS管T5导
通， 同时单片机控制MOS管T7导通1s～2s后关断， 将电容C2中能量用于电机励磁中； 励磁过
程中MOS管T2、 MOS管T4、MOS管T6、 MOS管T8、
MOS管T9以及MOS管T10一直处于关断状态， 励磁
完成后， 电机具备起动条件；
[0036] 当同步电机停机时 ： 单片机控制MOS管T8、MOS管T9导通， 依次控制MOS管T1导通
0 .3s～0 .6s、MOS管T3导通0 .3s～0 .6s以及MOS管T5导通0 .3s～0 .6s，MOS管T2、 MOS管T4、MOS
管T6、MOS管T7和MOS管T10一直处于关断状态， 剩余能量回馈完成后， MOS管T8、MOS管T9关
断。
[0037] 如图2所示， 励磁过程中， 单片机控制MOS管T1、 MOS管T3、MOS管T5导通， 同时单片机
控制MOS管T7导通1s～2s后关断， 将电容C2中能量用于电机励磁中； MOS管T2、 MOS管T4、MOS
管T6、MOS管T8、MOS管T9以及MOS管T10一直处于关断状态。 电流i1从直流电源VDC1正极流
出， 流经二极管VD1； 电流i2从电容C2正极流出， 流经MOS管T7； 然后电流i1 和电流i2汇流， 再
分流成电流i3、 电流i4和电流i5 ， 电流i3前后流经MOS管T1、 A相电枢绕组， 电流i4前后流经MOS
管T3、B相电枢绕组， 电流i5前后流经MOS管T5、 C相电枢绕组， 电流i3、 电流i4和电流i5汇流成
电流i6 ， 电流i6流经MOS管T8后流入直流电源VDC1的负极。从电容C2正极流出的电流i2可以
弥补励磁起动时电流上升慢的缺陷。过程中励磁电压等于电容C2两端的电压加上直流电源
VDC1两端的电压。
[0038] 如图3所示， A相电枢绕组剩余能量回馈时电流流向示意图。单片机控制MOS管T8、
MOS管T9导通， 同时控制控制MOS管T1导通0 .3s～0 .6s， 单片机控制MOS管T2、 MOS管T3、MOS管
T4、 MOS管T5、 MOS管T6、MOS管T7和MOS管T10关断。 电流从直流电源VDC1的负极流出， 前后流
经MOS管T8、 A相电枢绕组、 MOS管T1、 二极管VD2、MOS管T9，最终流入电容C2正极， 给电容C2充
能。
[0039] 如图4所示， B相电枢绕组剩余能量回馈时电流流向示意图。单片机控制MOS管T8、
MOS管T9导通， 同时控制控制MOS管T3导通0 .3s～0 .6s， 单片机控制MOS管T1、 MOS管T2、MOS管
T4、 MOS管T5、 MOS管T6、MOS管T7和MOS管T10关断。 电流从直流电源VDC1的负极流出， 前后流
经MOS管T8、 B相电枢绕组、 MOS管T3、 二极管VD2、MOS管T9，最终流入电容C2正极， 给电容C2充
能。
[0040] 如图5所示， C相电枢绕组剩余能量回馈时电流流向示意图。单片机控制MOS管T8、
MOS管T9导通， 同时控制控制MOS管T5导通0 .3s～0 .6s， 单片机控制MOS管T1、 MOS管T2、MOS管
T3、 MOS管T4、 MOS管T6、MOS管T7和MOS管T10关断。 电流从直流电源VDC1的负极流出， 前后流
经MOS管T8、 C相电枢绕组、 MOS管T5、 二极管VD2、MOS管T9，最终流入电容C2正极， 给电容C2充
能。

7
CN 110492799 A 说　明　书 5/5 页

[0041] 上述步骤中， 电容C2是电解电容，充能时需要充足的充能时间， 所以MOS管T10导通

2s～3s才能满足电容C2充能； 电容C2在能量泄放时不能实现在一瞬间泄放所有能量， 所以
MOS管T7导通1s～2s才能满足电容C2完全泄放。同步电机的电枢绕组不仅带有电阻， 还带有
电感， 这使得电枢绕组中的电流不能立刻衰减， 需要0 .3s～0 .6s将电枢绕组内的剩余能量
回馈到电容C2， 所以在电枢绕组剩余能量回馈时， MOS管T1、MOS管T3、MOS管T5需要导通0 .3s
～0 .6s。虽然结合附图描述了本发明的实施例， 但是本领域技术人员可以在不脱离本发明
的精神和范围的情况下作出各种修改和变型， 这样的修改和变型均落入由所附权利要求所
限定的范围之内。

8
CN 110492799 A 说　明　书　附　图 1/3 页

图1

图2

9
CN 110492799 A 说　明　书　附　图 2/3 页

图3

图4

10
CN 110492799 A 说　明　书　附　图 3/3 页

图5

11