鍍膜技術實務

電機系
王志明

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 鍍膜技術實務
鍍膜技術基本上可分為液體及氣體成膜兩種方法，前者大
多涉及化學變化，而後者則有些是利用化學作用，有些是屬
於物理作用。
液體成膜法：利用液體本身或利用液體作為媒介，發生化
學或電化學作用而生成薄膜於基板上；或以液體為薄膜之溶
液，使之與基板接觸而生成薄膜 此法包括：酸蝕法 溶液
液，使之與基板接觸而生成薄膜。此法包括：酸蝕法、溶液
沈 積 法 、 電 鍍 法 、 陽 極 氧 化 法 、 溶 膠 - 凝 膠 法 (Sol-Gel
Method)、Langmuir-Blodgett
Method) Langmuir Blodgett (簡稱LB膜)
(簡稱LB膜)、液相磊晶(LPE)。
液相磊晶(LPE)
酸蝕法：
將矽酸鹽玻璃在稀酸類溶液中浸蝕，以生成不穩定之矽酸
(H2SiO3)披覆在玻璃表面，加熱後脫水形成SiO2 薄膜，以烘
烤方式使玻璃表面生成二氧化矽。
烤方式使玻璃表面生成二氧化矽

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應用：抗反射膜。
優點 設備簡單 可製備任何形狀之光學零件
優點：設備簡單，可製備任何形狀之光學零件。
缺點：1. 僅能應用於矽酸鹽玻璃。
2. 膜之折射率只能比基板低，僅能作為抗反射膜。
3. 膜之均勻性控制不易。
4. 不能做多層膜干涉濾光片。
溶液沈積法
溶液沈積法：
將金屬化合物中之金屬離子解析出，透過還原劑作用，還原
成金屬原子沈積在玻璃表面上或其他材料表面而形成金屬膜
成金屬原子沈積在玻璃表面上或其他材料表面而形成金屬膜。
例如化學鍍銀、鍍銅、鍍金、鍍鎳、鍍鈷等。
應用：高反射鏡。
優點：可施於任何形狀之光學零件，尤其是管狀內壁。
缺點：膜質不硬 附著性不佳
缺點：膜質不硬，附著性不佳。
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電鍍法：
將欲鍍物做成陽極，被鍍基板做成陰極，浸入適當之電解液
將欲鍍物做成陽極 被鍍基板做成陰極 浸入適當之電解液
(Electrolyte)中，當電流通過時，欲鍍物通過電解液而沈積在
陰極之基板上 例如A
陰極之基板上，例如Ag、Ni、Au等。Ni A 等
應用：高反射鏡、附著層等。
優點 可鍍大面積 成本低
優點：可鍍大面積、成本低。
缺點：毒性高，工業污染大。
陽極氧化法：
被鍍物作為陽極放置於電解液中，當通以電流其表面即形成
氧化膜，例如在鋁鏡產生氧化鋁(Al2O3)保護膜，即是將鋁鏡
當作陽極，純鋁作為陰極放置在5%濃度之(NH4)2HPO3 電解
液中，通電電解後陽極即產生氧化鋁膜，此法亦可製備
Ta2O5、TiO2、ZrO2、WO3等。
應用：保護膜、著色裝飾。
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溶膠-凝膠法(Sol-Gel Method) ：
將 金 屬 之 有 機 溶 液 做 成 膠 水 狀 ， 利 用 浸 泡 拉 起 法 (Dip
(Di
Coating)、噴霧法(Spray Coating)或旋轉塗佈法(Spin Coating)
將凝膠塗佈在基板上 經加熱處理而成透明薄膜 例如
將凝膠塗佈在基板上，經加熱處理而成透明薄膜，例如
SiO2、TiO2、TiO2及SiO2之混合膜、Al2O3、ZrO2、Y2O3 、
ITO、Ta2O5等。
應用：抗反射膜、分光鏡、多層干涉膜、保護膜、CRT表
面之ITO及SiO2鍍膜(兼具有抗反射、防止電波輻射及靜電)
等。
優點：低溫製造過程、非真空處理且設備成本低廉、容易
優點：低溫製造過程 非真空處理且設備成本低廉 容易
製作大面積之薄膜、良好均勻度、純度高、在化學組成與
當量之控制良好。
缺點：薄膜易呈多孔性、燒結過程中易產生裂縫。

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 Langmuir-Blodgett (簡稱LB膜) ：
利用某些有機大分子材料因不溶於水而懸浮在水面上，形
利用某些有機大分子材料因不溶於水而懸浮在水面上 形
成單分子層，然後利用該分子一端為親水性(如COOH鍵)，
另一端為疏水性(如CH3鍵) 以垂直抽拉方式一上一下排列
另一端為疏水性(如CH3鍵)，以垂直抽拉方式一上一下排列
將其附著到固體基板上，形成單層或多層晶膜。
應用：積體光學 太陽能轉換元件 發光元件等
應用：積體光學、太陽能轉換元件、發光元件等。

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液相磊晶(LPE)：
將溶質放入溶劑中 使其在某一溫度下成為均勻溶液 然後
將溶質放入溶劑中，使其在某一溫度下成為均勻溶液，然後
在晶體基板上逐漸冷卻，當超過飽和點後會在基板上形成磊
晶薄膜
晶薄膜。
應用：半導體雷射、光電材料薄膜，例如GaAs/AlxGa1-xAs及
InP/In1-xGaxAsyP1-y。
優點：具有低成長速率、可精確控制多層結構摻雜和組成。
 Spin
p Coating：g

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液相磊晶(LPE)：
右圖( )為LPE所用之成長器的
右圖(a)為LPE所用之成長器的
形狀，包含一個或多個承裝反
應溶液用之高純度石墨磚所挖
的井，可移動一支撐基板的石
墨片以達定位，整個組合放在
一爐子中如圖(b)所示，周圍環
繞著中性攜帶氣體(H2)。操作
時，當系統到達所需溫度時，
基板完全被部分的石墨磚所覆
蓋，當目標溫度到達時，基板
在第一個井(Well)下移動 且爐
在第一個井(Well)下移動，且爐
子的溫度以一固定速率下降(即
1℃/分)，直到終止成長時，將
基板從溶液中移出 若需成長
基板從溶液中移出，若需成長
其他層時，基板可以連續的推
至其他的井下。

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氣相成膜法：
此種方法是以膜的組成成份利用氣態方式沈積在基板上
此種方法是以膜的組成成份利用氣態方式沈積在基板上，
可分為：
化學氣相沈積法(Chemical Vapor-phase Deposition，簡稱
化學氣相沈積法 簡稱
CVD)，及
物 理 氣 相 沈 積 法 (Physical Vapor-phase Deposition ， 簡 稱
PVD)。
化學氣相沈積法(CVD) ：
所謂化學氣相鍍膜法是利用薄膜之材料其氣體化合物在高
溫或經電磁輻射由熱分解或(及)化學反應生成膜之固體物
質而沈積在基板上的一種長膜方法。
一般常取具有揮發性的金屬鹵化物、金屬有機化合物等與
氫、氧、氮等氣體混合後在高溫基板上通過，經由熱成長、
熱分解或還原或氧化或水解或聚合而成膜
熱分解或還原或氧化或水解或聚合而成膜。
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常壓型CVD (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)：
壓力接近常壓下進行CVD反應的一種沈積方式。在目前
壓力接近常壓下進行CVD反應的一種沈積方式 在目前
VLSI 製 程 裡 ， 因 為 以 此 法 進 行 沈 積 之 速 率 極 快 ( 約
6000~10000 Å/min)) ， 因 此 有 些 APCVD 是 以 “ 連 續 式
(Continuous)＂的方式來設計。

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連續式APCVD：
) 及一個
主要由一條以鋼絲製成之晶片輸送帶(Conveyor)，及一個
主要由一條以鋼絲製成之晶片輸送帶(C
或數個用來將反應氣體傳送到晶片表面之“噴氣器
( j
(Injector)”所組成。待沈積之晶片平放於晶片輸送帶上，利
)
用馬達傳動將其緩緩送入APCVD之反應室內，並藉著位於
輸送帶下方之加熱器進行晶片加熱。反應室上方有一組噴
氣器，化學沈積反應所需之氣體，經由噴氣器之噴嘴送往
正下方之輸送帶。當晶片位置到達噴氣器之正下方時，
CVD的沈積即覆蓋在晶片之表面，以達成化學氣相沈積之
目的。反應後之廢氣由噴氣器兩旁所提供之抽氣系統加以
抽離，以維持反應之穩定。
APCVD之操作壓力接近一大氣壓，由氣體分子之平均自由
之操作壓力接近一大氣壓 由氣體分子之平均自由
路徑來推斷，此時氣體分子間的碰撞頻率很高，使得屬於
均勻性成核(Homogeneous Nucleation)的氣相反應很容易發
生而產生微粒(Particles)。因此在工業界之應用上，APCVD
的使用大多集中在對微粒的忍受能力較大之製程上，如內
層介電質(I t L
層介電質(Inter-Layer Di l t i )和保護層(P i ti )等
Dielectric)和保護層(Passivation)等。
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低壓型CVD (Low Pressure CVD, LPCVD)：
其熱壁低壓反應爐如圖所示，係以三溫區電爐來加熱中間
其熱壁低壓反應爐如圖所示 係以三溫區電爐來加熱中間
之石英管，氣體由一端通入，由另一端抽出，通常半導體
晶圓是以直立方式插於石英皿之槽中，由於石英管與爐管
緊鄰，故管壁是熱的，此與利用射頻(高週波)加熱之水平
式磊晶反應爐內部石英管壁是涼的完全不同。一般而言，
反應腔內可予控制之參數值如下：氣壓由30至250Pa、反應
溫度約為300至900℃。優點：沈積之薄膜非常均勻，且每
批可同時處理數百片晶圓。缺點：沈積速率慢，且所用之
氣體可能具有毒性、腐蝕性或易燃性。

整批式LPCVD
(Batch Type)

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單一晶片式LPCVD (Single Wafer LPCVD)：
隨著晶片尺寸之增加，傳統用在4吋或5吋晶圓的整批式
隨著晶片尺寸之增加 傳統用在4吋或5吋晶圓的整批式
LPCVD ， 已 逐 漸 被 每 次 只 處 理 一 片 晶 圓 的 單 一 晶 片 式
LPCVD所取代。冷壁式的LPCVD反應室室壁所承受的沈積
膜厚比爐管式的LPCVD反應器少很多，惟仍應定期清洗，
以避免累積太多之沈積物而造成微粒之來源。新一代之單
片式LPCVD均備有自行以電漿進行反應室清洗能力。

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LPCVD：
冷壁式反應爐如圖所示，只加熱晶
圓四周，當反應氣體到達晶圓表面
時才起化學反應，其薄膜成長速率
較熱壁式慢 與熱壁式相同均採平
較熱壁式慢。與熱壁式相同均採平
行氣流方式沈積薄膜，此種氣體流
動方式會造成晶圓片上之薄膜厚度
不均勻，即爐管中央之晶圓薄膜的
成長速率比前後段爐管之薄膜成長
速率慢一些，所以工業界已大多不
採用此平行氣流方式 而改為垂直
採用此平行氣流方式，而改為垂直
氣流注入方式。

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垂直式LPCVD：
此種氣流注入方式幾乎沒有氣體停滯層的發生，並且所沈
此種氣流注入方式幾乎沒有氣體停滯層的發生 並且所沈
積之薄膜由於氣體的注入分佈非常平均，因此在薄膜厚度
品質要求下，此種氣體注入方式有其重要性，惟其爐管之
設計比平行式之爐管複雜了許多。

箭號表示氣體流向
橫切面示意圖

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為了增加成膜之速率或成長特殊之薄膜，CVD又可分成下
列幾種方法：(須以基板溫度 沈積速率 薄膜均勻度 外
列幾種方法：(須以基板溫度、沈積速率、薄膜均勻度、外
觀型態、電性、機械性、介質膜之化學組成等為考慮因素)
1. PECVD (Plasma-Enhanced CVD):
電漿助長型化學氣相沈積法，此為利用一般CVD系統之熱
能外，另加電漿能量。下圖為平行板輻射流電漿助長型
CVD反應爐。反應腔係由圓筒狀玻璃或鋁料構成，上下均
以鋁板密封，圓筒內部有二平行鋁板當作電極，上電極連
接射頻電源，下電極接地，所加之射頻電源將電極間之氣
體變成電漿 晶圓平放於下電極上 極板底部可利用電阻
體變成電漿。晶圓平放於下電極上，極板底部可利用電阻
絲加熱到100至400℃，氣體經由下電極邊緣之氣孔流入反
應腔內 優點：沈積時所需溫度不高 缺點：容量有限
應腔內。優點：沈積時所需溫度不高。缺點：容量有限，
尤其晶圓較大時，一次只能放幾片，且若有鬆動之薄膜掉
到晶圓上時，即造成污染
到晶圓上時，即造成污染。
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PECVD：
SiH4 + O2  SiO2 + 2H2 (300~500℃)

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2. MOCVD (Metallo-Organic CVD):
MOCVD為使用有機金屬化合物作為原始材料之CVD，可
成長高品質之磊晶層，利用不同之有機金屬原料，可改變
不同層之組成成分 通常沈積具有特定能階之發光元件
不同層之組成成分，通常沈積具有特定能階之發光元件。
如：Zn(CH3)2 + H2Se  ZnSe + 2CH4


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

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3. 能量助長式CVD ：
當電子元件尺寸縮小至微米以下時，低溫沈積方式備受注
意，因為溫度高會使雜質擴散而分佈變廣。下圖為利用聚
焦之電子束來沈積介電質膜之CVD系統 其僅在聚焦電子
焦之電子束來沈積介電質膜之CVD系統，其僅在聚焦電子
束射到之處才有薄膜沈積。其他能量源，如雷射光及離子
束均可使用 反應腔內之氣體在聚焦能源射到處產生局部
束均可使用。反應腔內之氣體在聚焦能源射到處產生局部
分解作用，並藉由熱解及光解過程沈積下來，此種利用能
源聚焦方式特別適用在某特定位置沈積金屬膜，以修復積
體電路晶片。

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3. 能量助長式CVD ：
另一種能量助長式CVD如下圖，乃利用紫外線(UV)將反
應物氧化而加速沈積工作，藉由此法在50℃低溫時，二氧
化矽之沈積速率可達150Ǻ/ i
化矽之沈積速率可達150Ǻ/min。
hv
SiH4 + O2  SiO2 + 2H2

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4. 高密度電漿CVD (High Density Plasma CVD, HDP CVD)：
即電漿密度較一般傳統PECVD之反應裝置還高的一種電
漿設計。應用於CVD的高密度電漿源之腔體設計，主要有
感應式耦合電漿(I d ti Coupled
感應式耦合電漿(Inductive C l d Plasma,
Pl ICP)及電子環
繞共振式(Electron Cyclotron Resonance, ECR)兩種。

A.感應式耦合電漿(ICP)：
主要是利用在反應室的外
圍，加上一組環繞的RF線
圈(Coil)，來提升離子與電
子在電漿內的碰撞頻率，
子在電漿內的碰撞頻率
以達到增加電漿內之離子
的目的 晶片放置之位置
的目的。晶片放置之位置
暴露直接在ICP電漿的正下
方。

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B 電子環繞共振式(ECR)
B.電子環繞共振式(ECR)
頻率高達2.45 GHz的
微波(Mi ) 經
微波(Microwave)，經
由 長 方 形 波 導 (Wave
Guide)傳遞到外圍包
有 磁 線 圈 (Magnet
)
Coil)的電漿反應室內，
藉此電漿內的高能量
電子將以迴旋的路徑
運動 使得電漿內的
運動，使得電漿內的
粒子間其碰撞頻率增
加，而達到提升電漿 晶片置於電漿反應室的外面，與ICP不同，
晶片置於電漿反應室的外面 與ICP不同
中帶電粒子之目的。 ECR電漿反應室內所產生之高密度電漿，藉
由反應室與晶片放置架之間的電位差傳遞到
晶片座架上之晶片。
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物理氣相沈積法(PVD) ：
所謂物理沈積法是指利用物理方法將固體材料變成氣體而
沈積在基板上，此法一般簡稱為物理鍍膜法，其成膜過程
可分為三個步驟 這三個步驟過程中有可能發生化學變化
可分為三個步驟，這三個步驟過程中有可能發生化學變化
或物理碰撞而影響薄膜之特性、純度與均勻性：
1 將薄膜材料由固態變成氣體
1.將薄膜材料由固態變成氣體；
2.薄膜之氣態原子(分子或離子)穿過真空抵達基板表面；
3 薄膜材料沈積在基板上逐漸形成薄膜
3.薄膜材料沈積在基板上逐漸形成薄膜。

上述方法將薄膜材料由固體變成氣體，然後沈積在基板上，
上述方法將薄膜材料由固體變成氣體 然後沈積在基板上
依不同之物理作用又可分為三大類：
1.熱蒸鍍法(Thermal Evaporation Deposition)；
2.電漿濺鍍法(Plasma Sputtering Deposition)；
3.離子束濺鍍法(Ion Beam Sputtering Deposition, IBSN)
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熱蒸鍍法(Thermal Evaporation Deposition)：
此法乃利用升高薄膜材料之溫度 使其由固體熔解然後氣
此法乃利用升高薄膜材料之溫度，使其由固體熔解然後氣
化(或直接由固體昇華為氣體)，氣態薄膜材料之原子或分
子同時因具有加溫後之動能而飛向基板沈積成為固體薄膜。
子同時因具有加溫後之動能而飛向基板沈積成為固體薄膜
依不同之加熱方式又可分為下列幾種方法：
1.熱電阻加熱法(Resistive Heating)：
原理：當電流(I)通過一電阻(R)時會產生熱能，其功率(P)正
比於 2R。
比於I
方法：選用高熔點材料當電阻片(即蒸發源)，將欲鍍之薄
膜材料置於其上然後加正負電壓於電阻片之兩端通
以高電流。此電阻片材料一般選用化學性質穩定之
高熔點(mp)材料，如鎢(W，mp=3380℃)、鉭(Ta，
mp=2980℃) 、 鉬 (Mo ， mp=2630℃) 、 石 墨 (C ，
mp=3730℃)。
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蒸發源之形狀：
(A)線型：
1.呈螺旋狀：如圖(a)所示，可為單股絲或多股絲。欲鍍物
插掛於螺旋環中，例如：鍍鋁條時用多股螺
旋絲，因為在高溫下鋁會與電阻絲(一般為
鎢)形成合金而破壞鎢絲 若用多股絞合做
鎢)形成合金而破壞鎢絲，若用多股絞合做
成則可延長鎢絲之壽命。工業生產機型多用
BN-TiB2-AlN之複合導電材料來鍍鋁，其形
之複合導電材料來鍍鋁 其形
狀如圖(f5)所示。
22.呈籃狀：如圖(b)所示，將欲鍍物置於籃中，材料可為昇
呈籃狀：如圖(b)所示，將欲鍍物置於籃中，材料可為昇
華之塊狀材料。
3 呈蚊香狀：如圖(d)所示，將欲鍍物放入坩鍋置於其下，
3.呈蚊香狀：如圖(d)所示，將欲鍍物放入坩鍋置於其下，
一般為昇華材料。若材料會與電阻絲起作用，
則可先在材料與電阻絲中放一陶瓷坩鍋，如
圖(c)所示。
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(B)舟型：一般稱為Boat，可盛薄膜之材料。
(B)舟型：一般稱為Boat 可盛薄膜之材料
1.呈小坑狀：如圖(e)所示，可放小量欲鍍物，如Au、Ag
等
等。
2.呈槽狀：如圖(f1~f5)所示，可放大量欲鍍物，如ZnS、
MgF2 、Ge、鋁條等。若材料加熱後會與熱阻
Ge 鋁條等 若材料加熱後會與熱阻
舟起化學反應，則可加陶瓷內襯，如圖(g)所
示。其中若材料會因熱而濺跳，則可加上有孔
之蓋子，如圖(h1~h3)所示。

 閃燃式：此法專為蒸發兩種以上不同蒸發溫度之混合材料
而設計，其方法是將蒸發源事先加熱至高溫，
混合材料以少量一部分之方式一次一次地放入
蒸發源，材料一接觸到蒸發源立即蒸發而鍍到
基板上。
基板上

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真空熱蒸鍍機示意圖

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閃燃式熱蒸鍍法之示意圖

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CHENG SHIU UNIVERSITY P.32
熱電阻加熱法之優缺點：

優點：1.製程簡單。
2.電源設備價格便宜。
電源設備價格便宜
3.蒸發源形狀容易配合需要做成各種形式。
缺點：1.由於需先加熱電阻片再傳熱給薄膜材料，因此電
阻片多少會與材料起作用，或引生雜質。此點雖
可加隔化學性質穩定之陶瓷層，惟耗電量增加。
2.電阻片能加熱之溫度有限，對於高熔點之氧化物
則大部分無法熔融蒸鍍。
3.蒸鍍速率有限。
4.材料若為化合物，則有被熱分解之可能。閃燃法
可蒸鍍部分此類材料之薄膜。
5.膜質不硬，密度不高。
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2.電子鎗蒸鍍法(Electron Beam Gun Evaporation)：
原理：
A.電子束的產生：
熱電子發射(Thermionic emission)：當高熔點金屬被加熱
到高溫時，其表面電子之動能將大於束縛能而逸出，其
電流密度依Richardson Equation可表示為：
J = AT2exp(-ef/kT)
其中 為金屬加熱之絕對溫度 為電子電荷 為功函數
其中T為金屬加熱之絕對溫度，e為電子電荷，f為功函數，
k為Boltzmann常數，A為Richardson常數。例如以高電阻
高熔點之鎢絲當作被加熱之金屬(即通以電流)，鎢之A ( ) =
75 Amp/cm2℃，f = 4.5 eV。
若在大電流下則受正負電極間之距離(d)及電壓(V)之控制，
可以Langmuir-Child Equation表示為：
J = BV3/2/d2
其中 為常數 2.33510-66 Amp/Unit Area)。
其中B為常數(=
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B.電子束的加速：
由於電子帶有電荷 所以電子在電場中可被加速 即若
由於電子帶有電荷，所以電子在電場中可被加速，即若
施以電位差(V)，則電子束所擁有之動能為1/2mev2 ＝eV，
其中 e為電子質量，v為電子速度，一般V為5kV到15kV，
其中m 為電子質量 為電子速度 一般 為 到
若V＝10kV，則電子速度可高達6104 km/s，如此高速之
電子束撞擊在薄膜材料上將轉換成熱能，其溫度可高達
數千度(利用總能量W＝neV，n為電子密度，則單位時間
內可產生之熱量為Q＝0.24W卡)，而將薄膜材料蒸發成
氣體，其工作原理如次頁圖示。圖中所示磁場之作用
是將被加速之電子偏向270以撞擊在爐床上之鍍膜材料。
若磁場強度為B，則電子所受之磁力F＝evB而偏向，此
磁力為電子做圓周運動之向心力F＝mev2/r，則偏向之曲
m  v
率半徑 r  e 
 e B
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Blong及Blat為可調磁場，利用兩者來
調整電子束打在薄膜材料之位置、
掃瞄之幅度及頻率。

電子束加速後可直接撞擊在薄膜材
料上使之蒸發，但蒸發之原子或分
子會污染電子源，因此通常將電子
源藏在裝薄膜材料之鎗座底下，而
利用強力磁場將電子束偏向180或
270
270。

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電子鎗蒸鍍法之優缺點：
優點：
1.因為電子束直接加熱在薄膜材料上，且一般裝此材料之坩鍋其鎗座
都有水冷卻，因此會比電阻加熱法之污染較少，薄膜品質相對較
高。
2.由於電子束可加速到很高能量，一些在熱電阻加熱法中不能蒸鍍的
氧化膜，可利用此法蒸鍍。
3.可製作多個坩鍋裝放不同薄膜材料排成一圈，欲鍍時就旋轉至電子
束撞擊位置，製備多層膜相當方便。
缺點：
1.若電子束及電子流控制不當會引起材料分解或游離，前者會造成吸
收 後者會造成基板累積電荷而形成膜面放電損傷
收，後者會造成基板累積電荷而形成膜面放電損傷。
2.對不同材料所需之電子束的大小及掃瞄方式不同，因此鍍膜過程中
使用不同鍍膜材料時則必須重新調整。
3.對於昇華材料或稍熔解即蒸發之材料(如SiO2及某些氟化物、硫化
物等)，需加大電子束之大小、掃瞄振幅與頻率，或將材料先壓製
成塊，否則其蒸發速率及蒸發分佈不穩定，造成膜厚之不均勻性。

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此種材料座可放置兩種以上大量
材料，利用擴大電子束之掃瞄範
圍(即增加蒸發源面積)，有助於
提高所鍍薄膜其厚度分佈之均勻
性。

鍍膜時若需要較大量之材料時，
則可利用半徑大之坩鍋或上升型
之圓柱狀設計。

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3.雷射蒸鍍法(Laser Deposition)：
原理：
A.熱效應：
利用薄膜材料對雷射光能的吸收產生高熱而熔解，然後
蒸發，此為連續雷射光(CW)之蒸發方式，如CW-CO2
Laser，Nd-YAG Laser (Neodymium - Yttrium Aluminum
Garnet， 釹-釔鋁石榴石)。
釹 釔鋁石榴石
B.光解離效應：
利用雷射光能分離薄膜材料表面數個原子層之原子或分
子的結合能，將其一層一層的剝離蒸發，此為脈衝(Pulse)
短波雷射之蒸發方式，如Pulse Excimer Laser，其波長在
紫外光區，才有足夠能量分離原子間之結合能，由於是
脈衝式之故，只有薄膜材料表面溫度增加，且保持薄膜
材料(大部分為熱壓成塊之材料)之原子或分子成分 為
材料(大部分為熱壓成塊之材料)之原子或分子成分，為
非熱平衡氣化，故可蒸鍍化合物而不破壞其組織成分。
C 結合上述兩效應之應用。
C.結合上述兩效應之應用。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.39
雷射蒸鍍法之優缺點：

優點：
1.真空室內不需任何電器設備，亦無熱源，所以非常乾淨，薄膜
1 真空室內不需任何電器設備 亦無熱源 所以非常乾淨 薄膜
品質相對會比較純，也不會有電荷累積而造成薄膜表面損傷。
2 雷射光可聚焦在很小之位置且不受電場或磁場之影響，因此可
2.雷射光可聚焦在很小之位置且不受電場或磁場之影響，因此可
選用可以旋轉之多靶，蒸鍍多層膜，也可以用多束雷射光蒸發
多種元素混合成膜。
3.蒸鍍速率快，材料可擺在很遠處(若材料會被污染之情形下)，
因雷射光束不易散開。
缺點：
缺點
1.設備昂貴。
2 有些材料對雷射光之吸收不佳
2.有些材料對雷射光之吸收不佳。
3.蒸鍍速率太高，不易鍍很薄之薄膜。
4 雷射光入射窗口需防止污染。
4.雷射光入射窗口需防止污染

CHENG SHIU UNIVERSITY P.40

4.分子束磊晶成長法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)：
此法為真空蒸鍍之一種 利用多個噴射爐(K d
此法為真空蒸鍍之一種，利用多個噴射爐(Knudsen C ll)承
Cell)承
裝不同材料，在超高真空下(1010 Torr)於晶體基板上依一
定之方向生長某種單晶薄膜的方法，可正確地控制成長速
度、不純物濃度、化合物組成。
使用MBE有以下特點
使用MBE有以下特點：
(1)可將結晶格子一層一層地重疊，故結晶格子之規律性可
依人為改變而合成為新物質。
依人為改變而合成為新物質
(2)薄膜之均勻性甚佳，於直徑3英吋之基板上，其膜厚之
偏差可抑制在1％以內。
(3)成長時可用各種表面分析儀器觀察薄膜成長過程，以監
控膜厚及膜質 低能量電子繞射儀(LEED) 歐傑電子繞
控膜厚及膜質，低能量電子繞射儀(LEED)、歐傑電子繞
射儀(Auger)、反射式高能量電子繞射儀(RHEED)或二次
)
離子質譜儀(SIMS)。
離子質譜儀(

CHENG SHIU UNIVERSITY P.41

分子束磊晶法之成長室

CHENG SHIU UNIVERSITY P.42

MBE系統之外觀

CHENG SHIU UNIVERSITY P.43

電漿濺鍍法(Plasma Sputtering Deposition)：
在低真空度中(一般為在真空中充氬氣，Ar)及高電壓下產
生輝光放電形成電漿，攜帶能量之正離子(Ar+)飛向陰極，
轟擊陰極之薄膜材料(稱之為靶材，Target)表面而將靶材之
原子或分子撞擊出且沈積在基板上，此法與前述熱蒸鍍法
不同處在不是靠熱蒸發而是靠正離子之撞擊將原子或原子
團一顆一顆的敲出靶面飛向基板而沈積為膜，其飛向基板
之力比熱蒸鍍法大 故其薄膜之附著性相對好很多
之力比熱蒸鍍法大，故其薄膜之附著性相對好很多。
工作原理：
電 漿 (Plasma) 是 一 種 遭 受 部 分 離 子 化 之 氣 體 (Partially
Ionized Gases)。藉著在兩個相對應的電極板(Electrodes)上
施以電壓，假如電極板間之氣體分子濃度在某一特定之區
間，電極板表面因離子轟擊(Ion Bombardment)所產生之二
次電子(Secondary Electrons)，在電極板所提供之電場下將
獲得足夠之能量 而與電極板間之氣體分子因撞擊的緣故
獲得足夠之能量，
CHENG SHIU UNIVERSITY P.44
而進行所謂的解離(Dissociation)、離子化(Ionization)、激
而進行所謂的解離(Dissociation) 離子化(Ionization) 激
發(Excitation)等反應，而產生離子、原子、原子團及更多
之電子 以維持電漿內各粒子間的濃度平衡
之電子，以維持電漿內各粒子間的濃度平衡。
在高電壓及低真空度下，此放電可以維持(Self-sustaining)
並產生電漿引起輝光 這是由於電漿中高速電子持續碰撞
並產生電漿引起輝光，這是由於電漿中高速電子持續碰撞
工作氣體(Ar)並將之游離的結果(Ar之游離能為15.76 eV)，
其反應式表示如下
其反應式表示如下：
Ar + e (快)  Ar+ + e (慢) + e (慢)
上式所示產生之慢速電子立刻又被電場加速而成為下次引
生Ar游離之快速電子，如此推演而造成一大堆離子與電子，
這些離子與電子形成電漿，即下圖(a)中所示之兩個主要輝
光亮區：陰極輝光亮區(Negative Glow)與陽極光柱(Positive
Column)。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.45

CHENG SHIU UNIVERSITY P.46
在陰極輝光亮區與陰極間有一暗區，此暗區又稱為鞘
(Sheath)，鞘之長度隨壓力大小而變，壓力降低時，鞘的
長度會增加，而加在放電管的電壓大多在此產生壓降，如
上圖(b)所示，於是陰極輝光亮區之正離子獲得相當高的能
量撞向陰極而產生濺射行為，此為加電壓產生電漿而引起
濺鍍的過程。如上圖(b)中P到A會有一些電壓降是由於電
子比離子飛得快，使得在絕緣基板上累積電子成為自我偏
壓( lf bi ) 此偏壓值一般為 V。
壓(Self-bias)，此偏壓值一般為10
通常打到陰極之離子百分之九十以上之動能以熱的形式傳
導到陰極，因此陰極需要以冷卻循環水來降低溫度。若陽
極的位置很靠近陰極(比鞘的長度短)，則電子很快抵達陽
極而沒有機會去游離工作氣體 產生不了電漿而沒有濺鍍
極而沒有機會去游離工作氣體，產生不了電漿而沒有濺鍍
行為發生，此稱為暗區屏蔽，可利用此暗區屏蔽來做輝光
放電以清潔基板
放電以清潔基板。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.47
CHENG SHIU UNIVERSITY P.48
濺鍍現象：
就離子對電極板表面所進行之轟擊(Bombardment)而言，
如下圖所示為一個DC電漿的陰極電板遭受離子轟擊的情
形。 +

CHENG SHIU UNIVERSITY P.49

圖中脫離電漿範圍之帶正電離子，在暗區的電場加速下，
將獲得極高之能量，當離子與陰電極產生轟擊之後，基於
動量傳遞(Momentum Transfer)的原理，離子轟擊除了會產
生二次電子以外，還會將電極板表面之原子給打擊出來，
這個動作稱為濺擊(Sputtering)，這些被擊出的電極板原子
將進入電漿裡，然後利用諸如擴散(Diffusion)等方式，最
後傳遞到晶片表面並進行沈積 這種利用電漿獨特的離子
後傳遞到晶片表面並進行沈積。這種利用電漿獨特的離子
轟擊，以動量轉換的原理在氣相中製備沈積元素，以便進
行薄膜沈積的物理氣相沈積技術，稱之為濺鍍(Sputtering
Deposition) 。濺鍍之沈積機制，大致上可分為以下步驟：
11.電漿內所產生之部分離子，脫離電漿並往陰極板移動。
電漿內所產生之部分離子 脫離電漿並往陰極板移動
2.經加速之離子轟撞在陰極電板表面而撞出電極板原子。
3 被擊出之電極板原子進入電漿內且最後傳遞到另一個放
3.被擊出之電極板原子進入電漿內且最後傳遞到另一個放
置有晶片的電極板之表面。
4.這些被吸附(Adsorbed)在晶片表面之吸附原子，將進行薄
( )
膜之沈積。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.50
 平面二極濺鍍(Planar Diode Sputtering Deposition)：又稱為
11.平面二極濺鍍(Planar
直流濺鍍(DC Sputtering Deposition)：
直流電漿(DC Plasma)是一種最簡單的電漿產生方式，使用
Pl )是一種最簡單的電漿產生方式 使用
直流電漿之先決條件是兩個電極板的材料必須是導體，以
避免帶電荷粒子在電極板的表面上累積 因為正電荷累積
避免帶電荷粒子在電極板的表面上累積，因為正電荷累積
在陰極靶面上會阻止正電離子繼續轟擊靶材，甚至發生電
崩潰(即原為電的不良導體之氣體變成部分離子化之氣體)，
稱之為打火(Arcing)，此現象將造成膜質不良及靶材損傷。
所以 以DC電漿進行薄膜之濺鍍時 所沈積之薄膜材質須
所以，以DC電漿進行薄膜之濺鍍時，所沈積之薄膜材質須
為電的導體(如鋁及鈦等金屬)。通常以“靶(Target)”來表示
用在濺鍍製程裡的陰電極板。隨著沈積製程陸續進行，金
屬靶的厚度會愈來愈薄，因此應依需要而適時更換靶材。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.51

當離子對金屬靶進行轟擊並產生靶原子時，每個離子因轟
擊而擊出之靶原子數量之比值(S)，稱之為“濺擊產額
((Sputtering
p g Yield)＂。
)
※在彈性碰撞模型下，不同粒子因撞擊所轉移之動能表示為
4M  m
轉移動能   Em
( M  m) 2

其中M為被擊出之靶原子質量，m為參與撞擊之離子質量，
Em為離子在撞擊前所具備之動能。

被擊出之靶原子個數 Mm Em
S   
參與轟擊之離子個數 ( M  m) U m
2

其中α為離子對金屬靶撞擊之夾角，Um為金屬靶原子之鍵
結能量。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.52

直流濺鍍(DC Sputtering Deposition)：
以靶材為陰極 基板為陽極 抽真空至 33Pa左右，再充
以靶材為陰極，基板為陽極，抽真空至10 左右 再充
入惰性氣體如Ar或Xe至氣壓為數Pa，然後施加數百到數千
伏特之高電壓產生輝光放電 形成電漿 此時電漿與陰極
伏特之高電壓產生輝光放電，形成電漿，此時電漿與陰極
之電位差有數百伏特如圖，電漿中之正離子向靶材(陰極)
加速，經由轉移動能將靶原子轟擊出而沈積在陽極之基板
上。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.53

2.射頻濺鍍(Radio-Frequency Sputtering Deposition)：
因為直流電漿無法濺射介電材料 介電質 此時可在介電
因為直流電漿無法濺射介電材料(介電質)，此時可在介電
質靶背加一金屬電極且改用射頻交流電(工業用頻率為
13 56 MHz)，由於電子的速度比正離子的速度大，在射頻
13.56 MH ) 由於電子的速度比正離子的速度大 在射頻
的正半週期已飛向靶面中和了負半週期所累積之正電荷，
又因頻率太快(13 56 MHz)，正離子一直留在電漿區，對靶
又因頻率太快(13.56
材(陰極)乃維持相當高之正電位因此濺射得以繼續進行。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.54

若欲鍍多片或大面積之基板，則架構之設計可如下圖，其
中 為遮板
中S為遮板(Shutter，擋板)，其作用為選取要鍍什麼材料及
擋板 其作用為選取要鍍什麼材料及
防止基板污染。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.55

3.雙陰極濺鍍(Dual Cathodes Sputtering Deposition)：
上述之射頻濺鍍法對介電質靶材之濺鍍速率不會很快，為
了加快濺鍍速率，可採用雙陰極濺鍍靶。如圖之雙靶間以
( )
一中頻交流電(頻率約為40KHz)交換正負電壓，如此頻率
快到可以中和累積在靶材上之電荷，而使靶面不致累積正
電荷阻止正離子撞擊，又40KHz之頻率不是很高，雙靶相
對於基板 陽極 仍然一直維持負電位 於是濺鍍得以繼
對於基板(陽極)，仍然一直維持負電位，於是濺鍍得以繼
續進行，整個過程等效為脈衝式直流 (Pulsed-DC)濺鍍。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.56

4.三極濺鍍(Triode Sputtering Deposition)：
於二極濺鍍系統中(直流或
射頻)加一可加熱產生電子
束之第三極 如圖之電子
束之第三極，如圖之電子
受電場加速飛向陽極，增
加惰性氣體分子離子化之
機會，而增加正離子數量
來轟擊靶材，使得濺鍍速
率增加。因有電子束而能
在更低氣壓下維持放電，
因此膜質可望比二極濺鍍
者要密。但加熱燈絲例如
鎢可能摻入薄膜中，且因
有加熱燈絲存在，所以鍍
需通氧之薄膜變為不可能
鍍很厚。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.57
5.磁控濺鍍(Magnetron Sputtering Deposition)：
前述之濺鍍方法其濺鍍率都偏低，原因是在放電過程中，
氣體分子之電離度太低，若能加上磁場，依下式：
 me  v
r  
 e B
可知電子將沿磁力線
以螺旋方式前進，如
此則可增加電子與氣
體分子之碰撞機會，
而提高氣體分子之電
離度，磁力線如圖所
示。離子濃度可由
1010 ion/cm
i / 3提升到
1012~1013 ion/cm3，因
而使濺鍍速率升高。
而使濺鍍速率升高

CHENG SHIU UNIVERSITY P.58

磁控濺鍍可在較低的氣壓下進行，因此薄膜品質也比未加
磁場的好，前述三種靶材亦可加入磁場成為磁控式濺鍍，
以改善薄膜品質，分別稱為DC Magnetron Sputtering、RF
Magnetron Sputtering及Dual Cathodes Magnetron Sputtering。
由於磁場會把電子偏離基板，因此基板溫度不會升的太高，
所以磁控濺鍍可鍍薄膜在一些較不耐高溫之基板。

磁控濺鍍之另一優越性為可做成連續濺鍍系統，從基板進
入轉接室到濺鍍室，濺鍍完成後再到出口轉接室，在出大
氣環境，完成鍍膜之期間不用打開濺鍍室，此一設計可使
濺鍍作業一天24小時連續工作以增加生產效率(產能)，設計
時可將靶面向下或向上或側向 為避免雜質掉落於基板表
時可將靶面向下或向上或側向，為避免雜質掉落於基板表
面，目前之系統設計都採基板為側立式為主，因此靶面也
是側面面向基板
是側面面向基板。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.59
磁控濺鍍對強磁性靶材無效，又由於靶面在電場分佈較強
的地方，打的比較多，所以該處表面凹得比較快，致使靶
材的利用率低，對膜質與膜厚之均勻分佈，都有不良之影
響，此時可調整磁條位置或加一電流可調之電磁鐵以改善
磁場分佈情形
磁場分佈情形。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.60
在量產之考慮下，連續蒸鍍可省下許多時間增加產能，因
此可把電子槍鍍膜機改成下圖之連續蒸鍍系統 其中A為
此可把電子槍鍍膜機改成下圖之連續蒸鍍系統。其中A為
進入腔，C為送出腔，A、C腔之空間可做成很小，只要能
移運基板支撐架即可，因此抽真空速率很快，而B為主蒸
鍍室，可以一直不用打開直到需補充材料或清潔鍍膜室。
為了增加膜料之量，可以做一個大轉盤，在上面可裝置許
多個裝膜材料之坩鍋。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.61

離子束濺鍍法(Ion Beam
離子束濺鍍法(I B Sputtering
S i Deposition,
D i i IBSD)：
在高真空中利用獨立之離子源發射離子束濺射靶材，將靶
材上的原子一顆一顆敲出飛越真空並有力的沈積在基板上，
成為薄膜的一種鍍膜方法。

此法所鍍出來之膜層為非晶相薄
膜(Amorphous)，其密度很高，因
此光散射程度很小，可做高級之
鏡片，如低損耗雷射陀螺儀用之
雷射鏡、測重力波干涉儀所需之
雷射鏡等。
此法之離子源有多種 其中目前
此法之離子源有多種，其中目前
以Kaufman型寬束離子源或其改
良型最為普遍。
良型最為普遍

CHENG SHIU UNIVERSITY P.62

 離子束濺鍍法：
1 結構：
1.結構：
此種離子源以電熱絲當作陰極，有柵極之寬束離子源，而
Kaufman為此種離子源之原創者，下圖為此種離子源之剖
面圖。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.63

上圖中之陰極(Cathode)、
上圖中之陰極(C h d )
陽 極 (Anode) 、 屏 極
(Screen) 、 加 速 極
(Accelerator) 、 中 和 燈 絲
(Neutralizer)及磁棒數根環
繞陽極外圍。屏極與加速
極為孔孔相對齊之多孔柵
極。
下圖中之接地與蒸鍍系統
外殼相連接，陰極、陽極
與屏極共同組成一輝光放
電室以產生電漿。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.64

上圖中一般充以氬氣(1)當作放電氣體(少數充以氪氣或氙
氣)，有時為了引發荷能反應蒸鍍而混入氧氣或氮氣或其
他氣體 陰極為鎢絲或鉭絲 加熱後會放出熱電子 以
他氣體，陰極為鎢絲或鉭絲，加熱後會放出熱電子(2)以
游離充入之氣體(3)，外圍繞了磁場以使電子螺旋前進增
加碰撞氣體之機會
加碰撞氣體之機會。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.65
此法可望在低氣壓下即可保有電漿在放電室內以維持輝
光放電。於是部分之正離子(如Ar+)會通過屏極之小孔(4)，
此正離子會被加速柵極吸引 而高速飛出放電室外(5)
此正離子會被加速柵極吸引，而高速飛出放電室外(5)，
電熱中和器為由鎢絲發出熱電子(6)而與正離子中和，於
是一高能量之中性粒子束就可以利用來做鍍膜之工作
是一高能量之中性粒子束就可以利用來做鍍膜之工作。
加速柵極之負電位在此可防止電子跑入放電室破壞電漿
體之穩定 而屏極及加速柵極面上許多小孔彼此要對齊
體之穩定。而屏極及加速柵極面上許多小孔彼此要對齊
以免正離子飛出時撞上加速柵極。
 荷能反應蒸鍍：
利用輝光放電產生氧離子來與成長中之氧化膜起作用的
設計，稱為荷能反應蒸鍍(Activated Reactive Evaporation,
Evaporation
ARE)，因為利用氧離子比用氧分子能結合成更完整之氧
化膜
化膜。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.66
 離子束濺鍍法：
2 輝光放電：
2.輝光放電：
離子源的放電電流 Id (Discharge Current)與通入氣體(Ar)之
氣壓P有關，氣壓太低不會放電，因此需有一最小起始氣
壓Pmin ，此後P越大則Id 越大，但當氣壓大到某一值時，Id
就不再上升，此時之P值為最佳工作氣壓P
就不再上升 此時之P值為最佳工作氣壓Popt。再者，陰極 再者 陰極
燈絲之電流Ic 大小也會影響Id 的大小，Ic 越大則Id越大，但
在低氣壓低放電電壓(Discharge
在低氣壓低放電電壓( g V
Voltage,
g , Vd)下
)下，陰極外圍
陰極外圍
會有電子群(Space Charge)使得燈絲放出之電子數受到限制，
而 降 低 了 Id 值 ， 此 時 稱 Ic 為 在 空 間 電 荷 限 制 下 ((Space-
p
Charge Limit)工作之陰極電流，這與選用之燈絲種類(一般
為Ta或W)及燈絲直徑大小有關，一般情況下Id之大小必須
為輸出離子束電流(Ion Beam Current, Ib)的10到20倍，而最
大之可加速輸出離子電流Ib值由Child定律可推導出大約是：

CHENG SHIU UNIVERSITY P.67

 3/ 2
I b  (4 / 9)A b 2e / m Vt / d2

其中為空間介質常數，Ab為離子束面積，e/m為加速離子
之電荷與質量比(荷質比)，Vt＝Va + Vb，Vb為離子束之電
壓
壓，V 為加速極之電壓 d為屏極及加速極兩柵之間的距
a 為加速極之電壓，d為屏極及加速極兩柵之間的距
離，可見Ib與Vt及d之關係。
一般要小於工作氣體(A )的一次游離能與二次
放電電壓Vd一般要小於工作氣體(Ar)的一次游離能與二次
游離能之和。以Ar為例，第一次與第二次游離能分別為
15 8eV及27 6eV，其和為43 4eV，因此Vd 必須小於43V，
15.8eV及27.6eV，其和為43.4eV，因此V
一般調整在35V到40V之間，太低不易維持輝光放電，太
高則會產生二次游離 此情形會對薄膜有不良之影響 但
高則會產生二次游離，此情形會對薄膜有不良之影響。但
是，對於大型離子源其放電室很大，Vd有的須加高到50V
以上才能維持電漿狀態之穩定。
以上才能維持電漿狀態之穩定

CHENG SHIU UNIVERSITY P.68

 離子束濺鍍法：
3.離子光學：
寬束離子源之多孔柵極構成離子光學影響離子束輸出之大
小、方向及形狀，一般常用的有(i)單柵極光學、(ii)雙平面
柵極光學(Flat Two-Grid Ion Optics)、(iii)碟形雙柵極光學
(Dished Two-Grid Ion Optics)及(iv)三碟形雙柵極光學。

單柵極光學其離子束直接由放電室之電漿體取出，在
Langmuir-Child Eq.中：J = BV3/2/d2，其中B = 2.335106
Amp/unit area，d值即為電漿鞘(Plasma
值即為電漿鞘 Sheath)的大小，由
的大小 由
於 d 很 小 ， 所 以 這 種 結 構 之 離 子 源 密 度 Jb 可 大 到 1~2
A/ 2 ，不過V
mA/cm 只能小於100 200V 擴散角很大 此適
不過Vb 只能小於100~200V，擴散角很大，此適
合作為離子助鍍用，不適合當濺射鍍膜用。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.69

平面柵極光學是最早用的
寬束離子源，柵極材料為
排列成導熱良好的石墨板
(Pyrolytic Graphite)做成的，
其熱膨脹率及被濺射率都
很低，當作離子光學很好，
但是石墨強度不大，不能
做成大面積之離子源，一
般在直徑15cm以下。而柵
極之間距 不但影響 b之大
極之間距d不但影響I
小，也影響離子束之發散
角度 右圖為此種離子源
角度，右圖為此種離子源
之電位分布圖。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.70

圖中之電漿體與陽極同電位而距接地電位(零電位)有電位
差Vb，屏極大約與陰極同電位，所以比電漿體低Vd電位，
所以可以吸引正離子。加速極之電位比零電位低V
所以可以吸引正離子 加速極之電位比零電位低 a電位
電位，
可將電漿中之正離子引出，快速之正離子會飛向靶材，而
低速之正離子可能會被加速極吸引住，成為加速極電流Ia 。
而中和電子及離子束撞擊之對象(如靶材或基板)則大約在
零電位，因此正離子撞上靶材之總能量為eVb。
離子流Ib除了受限於
3/ 2
I b  (4 / 9)A b 2e / m Vt / d2
之外，也需配合加速電流及兩柵極間之距離與孔徑大小，
Ib值太大或太小均不適合，且兩柵極之孔徑若沒對齊，輕
值太大或太小均不適合 且兩柵極之孔徑若沒對齊 輕
則使離子束偏向、發散，重則撞擊加速極而造成損傷。正
確之離子束其電流量與兩柵極之關係如下圖
確之離子束其電流量與兩柵極之關係如下圖。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.71
CHENG SHIU UNIVERSITY P.72
碟形雙柵極光學為屏極與加速極是一向外突出或內凹(依
欲發散或聚焦而定)成碟形而互相平行的柵極，大多以鉬
( )為材料做成 由於鉬的膨脹係數及被濺射率都很低
(Mo)為材料做成，由於鉬的膨脹係數及被濺射率都很低，
且強度比石墨大很多，因此可做成大口徑之離子源。
三碟形柵極光學與碟形雙柵極光學相同，只是在最外一極
接地(亦可加電壓)，如此對於調整離子束之分佈及保護離
子源受反彈鍍膜的防護都有幫助 若反彈膜為不導電膜
子源受反彈鍍膜的防護都有幫助，若反彈膜為不導電膜
(如氧化膜)，當其鍍上加速極或屏極時會引起斷斷續續的
跳火 而且引出之離子數目降低且不穩定
跳火，而且引出之離子數目降低且不穩定。
以上所述使用中和電子束的元件為一熱電阻絲，這種設計
會有缺失，即熱電阻絲會受離子束撞擊而將之帶上靶材或
基板，造成沈積薄膜中將含有熱電阻絲之雜質，因此多已
改用電漿橋引式中和器(Plasma Bridge Neutralizer,
Neutralizer PBN)
PBN)。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.73

電漿橋引式中和器(Plasma Bridge Neutralizer,
Neutralizer PBN)：

在離子源出口處設有一中空小電漿室，其上開一小孔，當
正離子經過此電漿室之小孔時，會搭引電子飛出而中和正
離子。實際上，在使用時會使中和用之電子數目大於正離
子數目約10%，甚至更多。因為當中和用之電子數不夠多
時，基板上會累積正電荷，而造成打火(Arcing)，此現象
若發生在進行鍍膜之前的清潔基板工作時，則基板會產生
弧光造成表面有凹坑或熔結出小顆粒，致使爾後沈積之薄
膜呈現表面不平整的情形。在鍍膜過程中，若中和電子數
不夠，亦會發生同樣的不同膜質。因此在大型之離子源中，
中和用之電子數常需要比離子數多大約1.5倍到2倍左右，
以免發生上述之情形。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.74

CHENG SHIU UNIVERSITY P.75
CHENG SHIU UNIVERSITY P.76
由於Kaufman型離子源使用之陰極為一熱電阻絲，其壽命
由於Kaufman型離子源使用之陰極為一熱電阻絲 其壽命
有限，尤其當充氣以非惰性氣體如氧氣做反應鍍膜時，電
阻絲會很快燃燒斷而且殘留在電漿腔體內 容易污染且維
阻絲會很快燃燒斷而且殘留在電漿腔體內，容易污染且維
護不易，因此設計改成射頻離子源或微波離子源。
射頻離子源(RF Ion Source)：
這種離子源是利用射頻13.56MHz之交流電施於圍繞在石英
腔外圍的銅圈 銅圈通水冷卻以免溫度過高 於是電磁波
腔外圍的銅圈(銅圈通水冷卻以免溫度過高)，於是電磁波
能量將耦合進入石英腔內，在石英腔內產生電漿以代替
K f
Kaufman型離子源中的陰極熱電阻絲，如此可不必顧慮熱
型離子源中的陰極熱電阻絲 如此可不必顧慮熱
電阻絲之壽命，例如使用之反應氣體為氧氣時會燃燒電阻
絲之問題，使得腔體不易污染且維護容易。其中和器亦可
使用射頻中和器取代電漿橋引中和器(PBN)，以增長可使
用時間。
用時間

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射頻中和器：
射頻中和器之結構如圖
所示。其中為銅圈，加
13.56MHz 之 交 流 電，
電 將
電磁波之能量耦合導入
瓷杯中產生電漿，為
離子收集杯(Collector)，
此杯緊貼瓷杯，但此杯
中間留一長縫以使銅圈
引入之電磁波可進入電
漿 產 生 腔 之 腔 體
(Discharge Chamber)內，
並加一負偏壓以吸收正
離子。為電子引出電極 為防止電能外漏之阻隔器，
((Keeper)，其上加一正偏
p ) 放電之氣體(一般為Ar)由此處
壓以引出電子。 輸入。
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微波離子源(Microwave Ion Source)：
這種離子源是利用2.45GHz之微波產生電漿，其游離率因
有強磁場(875 Gauss)下的電子迴旋共振(Electron
G )下的電子迴旋共振(El t C l t
Cyclotron
Resonance, ECR)而大為增加，使得在低氣壓下亦能有高密
度之電漿。

這種離子源無法做的很小，因為必須要有強大磁場來彎曲
這種離子源無法做的很小 因為必須要有強大磁場來彎曲
電子路徑，目前最小大約在75mm左右。

以上所述之離子源其離子電壓(Beam Voltage)約為100V到
以上所述之離子源其離子電壓 約為 到
1500V，一般用於離子濺鍍(Ion Beam Sputter Deposition)及
乾式蝕刻(D Etching)。亦可調整兩柵之間距及電壓，以
乾式蝕刻(Dry Et hi ) 亦可調整兩柵之間距及電壓 以
改變離子分佈用來作為離子助鍍(Ion Assisted Deposition)。

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 鍍膜技術之改良
H荷能反應蒸鍍系統：
利用輝光放電產生氧離子來與成長中的氧化膜起作用之方
式 ， 稱 為 荷 能反 應蒸 鍍 (Activated Reactive Evaporation，
ARE)。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.1

H荷能反應蒸鍍：
由於膜內若有雜質或缺陷存在，則光經該處時會被吸收或散
射，造成能量損耗或產生雜訊，下圖表示各種充氧方法使
TiO2膜之吸收下降之比較，結果可見用氧離子比用氧分子能
結合成更完整的TiO2膜。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.2

H偏壓輔助助鍍法：
由於電場可使帶電粒子加速而增加動能，這有助於使膜
長得更為紮實與緻密。
在熱蒸發源上利用放射電子，使蒸發之原子帶有電荷，
然後在基板前方加一正高電壓，引導帶電之蒸發原子，
增加其動能使之有力的沈積在基板上。
利用此法來沈積之鋁膜，表面更為緻密平滑，因而散射
減少且反射率增加。
若蒸發源蒸發出的原子帶有電荷，尤其是電子鎗蒸發之
原子氣體，此時不另加放射電子，只在基板前加偏壓亦
有助膜質之改善。

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H偏壓輔助助鍍法之系統示意圖：

CHENG SHIU UNIVERSITY P.4

H 聚 團 離 子 蒸 鍍 法 (Ion
Cluster Deposition)：
此法為京都大學Takagi所
提 出 ，利用熱蒸發原子
在高溫高壓下從小孔噴
出後因絕熱膨脹而成一
小團一小團，然後在其
旁 邊 放 射 電 子 使 之離 子
化，基板上加負高電
壓 ， 可 強力 吸收膜材 料
之離子團噴灑在基板
上，因其動能很大而長
出膜質良好之薄膜。

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H電漿輔助鍍法：
在蒸發源與基板間加以
高電壓(數KV)，並充氬
氣則可製成局部輝光放
電 產 生 氬離 子。當蒸發
原子或分子通過電漿區
時，有部分會被離子
化，所以在強電場吸引
下 ， 具 大 動 能 而 有力 的
沈 積在基板上，此法有
點像熱蒸鍍加上濺鍍之
混合。
⇒右圖為直流高電壓電漿輔助蒸鍍系統，其中C：陰極、
F：陽極(蒸發源)、I：絕緣管、S：基板、LV：加熱用
之低電壓源、HV：產生電漿用之高電壓源。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.6
H電漿輔助鍍法：
若基板為介電質材料(玻
璃或塑膠)，則會累積正
電荷而產生排斥，此時
可 改 用 高 頻 交流 來產 生
輝光放電。

⇒右圖為交流高電壓電漿
輔助蒸鍍系統，其中
C：陰極、S：基板、
B ： 蒸 發 源 、M ：金 屬
蒸氣、T：熱電偶、
LV ： 加 熱 用 之 低 電 壓
源。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.7
H離子披覆反應蒸鍍(Ion Plating Deposition)：
1986年由Pulker等人所提出，稱為Reactive Low-Voltage Ion
Plating，簡稱Ion Plating(離子披覆)。利用低電壓高電流所引
生的電漿產生反應(氧化、氮化)及增加膜密度的原理。
Ar充入電漿腔中，在電漿腔(陰
極)與絕緣的電子鎗坩堝(陽極)
間形成電漿區。蒸鍍材料如Ti
或Ta則在坩堝上方被電漿離子
化，因此能被加速飛向自我偏
壓(因電子較輕，先飛向基板而
有約-10到-20V)的基板上，並與
氧氣充分結合成TiO2 或Ta2O5 ，
這樣產生的薄膜其密度很高，
薄膜表面粗糙度低，因此折射
率會比一般方法鍍出來的大。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.8
H離子披覆反應蒸鍍(Ion Plating Deposition)：
此法的缺點是蒸發之起始材料(Starting material)必須是金屬
或導體，介電質材料無法當作起始材料。為改進此缺點，
Toki等人改用電子束來激發產生電漿，使蒸發之原子或分
子有1%以上被游離而達到離子披覆的效果。使用之電子束
電壓約70~150V，電流約30A。

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H電漿離子助鍍(Plasma Ion Assisted Deposition)：
利用大面積的LaB6陰極，由石墨間接加熱及一柱狀套筒
當陽極並外繞強力磁場。當充以Ar則產生輝光放電，形
成電漿，於是電子在強力磁場作用下環繞行進，離子跟
著被吸向基板。此裝置為Leybold公司之產品取名為APS
(Advanced Plasma Source)。此時如果反應氣體(如氧氣)
充放於陽極附近則會被離子化，而增加了氧化膜的完整
結合。原子或分子沈積時，在離子的轟擊下長出的膜相
當結實，稱為離子助鍍(Ion Assisted Deposition，IAD)，
如果蒸發原子是金屬則離子化程度更大，那麼基板上的
自我偏壓會使離子化的膜料強力沈積為膜，此時就有離
子助鍍(IAD)加上離子披覆(Ion Plating，IP)的雙重作用
了。
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H電漿離子助鍍蒸鍍系統：

CHENG SHIU UNIVERSITY P.11

⇒一般電子鎗蒸鍍TiO2 膜之 ⇒電漿離子輔助鍍TiO2 膜之
SEM圖，此膜在空氣中易 SEM圖，此膜極為緻密，
吸水汽使膜折射率增加。 因此光學特性極為穩定，
受環境及溫度的影響極
小。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.12

H離子束助鍍(Ion-beam Assisted Deposition，IAD)：
各種對蒸發原子或分子之增能方法包括加熱、超音波振盪、
UV光照射、雷射光照射、加偏壓、電子轟擊、離子披覆及
電漿離子助鍍等，其中以電漿離子助鍍效果最為明顯，原因
是離子質量大，故動能大。但若鍍膜周圍之氣壓太高，亦即
氣體密度太高則膜中會包裹雜氣，而且離子帶電對膜層會有
放電擊傷的可能，造成膜面不佳，除非有足夠的電子把累積
的電荷中和掉。因此若能另置一電漿產生腔而保持基板上的
鍍膜在高真空進行，然後將離子引出，並放射電子與離子中
和，用之來做沈積膜的轟擊助鍍，如此則將兼有四大優點：
1.利用大質量大動量之離子助鍍。2.有電子中和故不會放電
損傷膜面。3.成膜在高真空進行，薄膜純度高。4.離子的電
壓、電流、轟擊角度及離子擴散角可以獨立操作。這就是使
用離子束(Ion beam)來做離子助鍍(Ion assisted deposition)。為
與 電 漿 離 子 助 鍍 區 別 ， 一 般 稱 此 為 離 子 束助 鍍 (Ion-beam
assisted deposition)，簡稱離子助鍍IAD。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.13
H離子束離子助鍍(IAD)：
IAD最重要的配備就在蒸
發源或濺鍍源旁邊另外
加 一 獨 立 的 離 子 源 (Ion
source) ， 蒸 發 源 可 為 熱
電阻蒸發源、電子鎗蒸
發源或其他方式蒸發
源，濺鍍源可為磁控濺
鍍 或離 子束濺鍍。因為
離 子源可以獨立置於一
旁，只扮演助鍍的角
色，所以安裝簡單。

PBN：電漿橋引式中和器(Plasma bridge neutralizer)

CHENG SHIU UNIVERSITY P.14
H離子束離子助鍍(IAD)：
上圖中之離子源為Kaufman型離子源搭配電漿橋引式中和
器(PBN) ，此離子源及中和器皆利用鎢絲產生電漿，若鍍
膜時需充氧以鍍氧化膜，鎢絲容易被氧化而導致使用壽命
不長，目前多以射頻離子源搭配射頻中和器取代之，亦即
不再利用鎢絲發射電子來引發電漿，而改以13.56MHz射
頻交流電激發工作氣體(Ar或O2或N2或它們的混合氣體)來
產生電漿，此電漿包含在石英罩杯或陶瓷罩杯中，其中沒
有鎢絲或易氧化之物件，故使用壽命可達100小時以上。

薄膜在沈積過程中若動能不足則膜質不密，中間多孔隙，
若加熱烘烤之，可使膜質變密。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.15

H離子束離子助鍍(IAD)：
下圖為TiO2薄膜表面粗糙度因有氧離子助鍍而下降之原子
力顯微鏡圖(AFM)的比較。(a)沒有離子助鍍 之TiO2薄膜，
(b)有離子助鍍TiO2薄膜。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.16

H離子濺鍍(Ion Beam Sputter Deposition，IBSD)：
離子濺鍍(IBSD)是利用離子源以800V到1500V之離子束撞
濺膜材料(此膜材料稱之為靶)，經由動量傳遞將膜材料之
原子一顆顆敲出，並有力地一個個原子沈積在基板上。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.17

H離子濺鍍(Ion Beam Sputter Deposition，IBSD)：
圖中θ表示離子束密度最大的方向之入射角，α表示被濺鍍
原子密度最高的方向角。

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H雙離子濺鍍(Dual Ion Beam Sputter Deposition，DIBSD)：
為了使薄膜品質更好且鍍膜速率加快，或者欲對成長中之
膜質與膜厚做進一步之修正而設計。
DIBSD 第一支離子源

SIBSD 第二支離子源

CHENG SHIU UNIVERSITY P.19

H雙離子濺鍍(Dual Ion Beam Sputter Deposition，DIBSD)：
第二支離子源可用來做鍍膜前清潔基板，鍍膜中改善膜質
或修正膜的厚度分佈，其作用完全由使用之離子源的離子
束電壓Vb 、離子束電流Ib 及柵極之片數與形狀之設計而
定。第二支離子源不只在進行助鍍，同時也在把比較鬆的
膜質打掉(Etching)，這也可使膜質變的更好。
為防止電荷累積在靶材與基板上，可利用快速旋轉之直立
式基板支撐架，以磁控濺鍍鍍上極薄之膜層，再以氧離子
助鍍使成氧化膜，然後再濺鍍極薄之膜層，再以離子助鍍
氧化成氧化膜，如此完成所需膜層之方法為 OCLI (Optical
Coating Lab. Inc.)於1989年所提出，稱之為Metamode，此
法於鍍膜製程中溫度升高不大，故也適用於塑膠基板的鍍
膜。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.20
HTwo-Stage High rate (TSH) 濺射鍍膜機(Shincron 公司製)：
利用雙靶材交流濺鍍以增加濺鍍速率，並用離子助鍍使膜
完全氧化及膜質改善，且可防止電荷累積在靶材上，造成
靶面放電損傷。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.21

H輔以離子濺鍍之高速磁控濺射鍍膜機：

其抽真空之安排使
鍍膜區保持了高真
空 狀 態 為 OCA
(Optical Corporation
of America) 於 1966
年發表之專利，稱
之為Microplasma。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.22

H離子助鍍捲繞式塑膠軟片鍍膜：
助鍍離子源使用彈性很大，非常方便，又不會增加太多熱
量，因此可以用來鍍塑膠基板，其用以輔助蒸鍍捲繞式塑
膠軟片鍍膜，可增加膜質之緻密度、附著性及硬度。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.23

H柱狀陰極反轉磁控濺鍍機：
當被鍍基板為一立體物時，為了薄膜能均勻的鍍在立體物
的每一面上，物體必須作自我旋轉使物體的每一面都有機
會朝向靶材，若將靶(陰極)做成圓柱狀並反轉向內，則被
鍍物不必轉動，而能被均勻的鍍到。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.24

 薄膜沈積
H沈積原理：
基板或晶片(Wafer)上之所以產生薄膜，從佈滿在晶片表面
上的許多氣體分子或其他粒子開始，如原子團和離子等。
這些粒子可能因為發生化學反應，而產生固態的粒子，然
後沈積在晶片的表面上；或者因為經歷表面擴散運動而失
去部分之動能後，被晶片表面所吸附(Adsorbed)進而沈積。
H薄膜沈積機制：如下圖所示。
a.長晶成核(Nucleation)
b.晶粒成長(Grain Growth)
c.晶粒聚結(Coalescence)
d.縫道填補(Filling of Channels)
e.薄膜成長(Film Grown)
CHENG SHIU UNIVERSITY P.1
 經去附後重回氣相之原子 在晶片表面物理吸附之原子

長晶成核

晶粒成長

晶粒聚結

縫道填補

薄膜成長

CHENG SHIU UNIVERSITY P.2

H長晶成核：
到達晶片表面的氣體粒子，需能夠在晶片表面停留一定的
時間(非停止活動且不考慮因去附而重回氣相之原子)，這些
氣態粒子可能在晶片表面失去部分動能後，物理性地被表
面所吸附，此暫時性被吸附的粒子稱為吸附原子
(Adatoms)，這些吸附原子基本上是消耗了在表面做橫向運
動之能力，但是縱向的能量仍然存在，可能與其他的吸附
原 子 因 交 互 作 用 (Interaction) ， 而 將 多 餘 的 凝 結 能
(Condensation Heat) 釋 出 ， 且 在 表 面 形 成 一 穩 定 的 核 團
(Cluster)，終而化學性地被吸附在表面上。若前述物理性的
吸附原子被吸附一段時間之後，可能因去附而進入原來的
氣相內。綜合以上，若吸附原子的吸附多於去附，則薄膜
的成長將得以進行。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.3

⇒決定氣態原子在晶片表面接觸後還能否進行吸附的參數稱為
“黏滯係數(Sticking coefficient)＂。基本上，晶片的表面溫
度愈高，因為粒子在表面所具有的活動能力較大，黏滯係
數就愈小；而進行凝結的主要因素則決定於吸附原子彼此
間能否形成一個穩定的核團。
⇒核團是因為吸附原子在晶片表面上彼
此碰撞而結合所形成的，假設在晶片
上所產生的核團為球狀，當核團的半
徑隨著聚集的吸附原子數量的增加而
增加時，因為球體的表面曲率(Surface
curvature) 隨 著 球 體 體 積 的 增 加 而 減
少，則核團表面所受的表面能(Surface
energy)將隨之減少，此關係可用“自由
能-核團半徑”的曲線來表示。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.4

⇒自由能(ΔG)＝表面能＋體積自由能
⎛4 3⎞
∆G = 4πr ⋅ γ + ⎜ πr ⎟ ⋅ G V
2

⎝3 ⎠
其中r是核團半徑，γ是核團的單位表面能，GV是核團的單位
體積自由能。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.5

⇒依自由能-晶粒半徑之關係可得：
在核團成長的初期，核團的整體自由能(ΔG)是呈現上升的
趨勢，當核團的半徑大於臨界半徑(Critical radius, r*)之後，
ΔG便開始隨著核團半徑的增加而下降，且半徑愈大， ΔG
也愈低，其表示當吸附原子彼此在晶片表面聚結成體積較大
的核團之後，如果形成的核團半徑沒有大於臨界半徑，此時
的整體自由能呈上升之趨勢，則此核團將不穩定，終而回到
氣相內，從晶片的表面消失。若形成的核團半徑大於臨界半
徑，則此核團不但能在表面存在(吸附)，且將繼續藉著吸收
更多的吸附原子而成長，使核團的整體自由能隨著核團半徑
的增加而降低，並且更加穩定。
⇒臨界半徑(r*)是薄膜開始在晶片表面進行沈積時，讓沈積產
生所需要的最起碼的晶粒大小。通常約在數十個Å左右，相
當於數十個原子的聚結。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.6
⇒前述薄膜初期的長晶模型是不考慮表面界面(Interface)下所建
立的，即晶粒的外觀將呈球狀，這種長晶過程在材料工程上
稱為“均勻性成核(Homogeneous nucleation)＂。在實際的薄
膜沈積製程中，薄膜與晶片間的表面能(Surface energy)就必
須加以考慮，因此晶粒的形狀不再是球狀了，此種涉及界面
的 長 晶 過 程 ， 則 稱 為 “ 非 均 勻 性 成 核 (Heterogeneous
nucleation)＂。
⇒進行非均勻性成核所需的最小晶粒大小r*除了必須考慮原來
均勻成核下的條件外，尚須考慮彼此界面的潤濕(Wetting)情
形。若薄膜與晶片表面間的潤濕能力
愈好，則在晶片上所沈積的晶粒將具
備愈小的“潤濕夾角(Wetting angle)θ”
其中γGF表示氣相與薄膜間的界面能，
G：氣相，F：薄膜，S：底材表面。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.7
⇒但是，並不表示前述的均勻性成核方式不可能發生，假如進
行長晶的過程中沒有界面的參與，例如在一個超飽和(Super-
saturated)的氣體分子環境裡，半徑超過r*的球狀晶粒，便可
能因為氣體分子間較高的碰撞頻率而產生，且在氣相中懸
浮，直到其附著於任何界面或表面為止。此種現象在CVD
反應器中常見，亦稱為“氣相長晶(Gas phase nucleation)”，
因為這種現象常造成晶片表面附著大小不同的微粒
(Particles)，對產品量率的影響非常大，所以反應器的設計
與操作，均應儘可能的防止此類氣相長晶現象的發生。以
CVD為例，反應氣體在反應器內的濃度，應該隨時控制在
飽和點以下，以防止超飽和的環境發生，而此濃度的控制，
則與操作壓力、氣體流量、抽真空速率(Pumping speed)、溫
度及反應器的幾何設計(Geometry design)等有關。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.8
H晶粒成長：
當穩定的晶粒(Grain)在晶片表面上形成之後，薄膜成長的
步驟便進入“晶粒成長(Grain growth)＂的階段。
當薄膜的沈積進入個別晶粒的成長之後，晶粒成長所需要
的原子來源不再侷限於吸附原子，而可以是直接從氣相中
傳來的粒子，經與晶粒碰撞後而成為晶粒的一部分，惟在
晶粒的體積尚小時，後者發生的可能性較低，因此晶粒初
期的成長，仍大多依賴吸附原子的加入。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.9

H晶粒聚結：
當原本個別且獨立的晶粒，因晶粒的成長所增加的半徑，
使得晶粒已大到開始與附近的其他晶粒相接觸時，薄膜沈
積便進入“晶粒聚結(Coalescence)＂的階段。
當這些原本獨立的晶粒開始接觸之後，晶粒彼此間的交互
擴散(Inter-diffusion)便開始進行。此現象與粉末材料在進行
燒結(Sintering)時所經歷的過程相仿。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.10

⇒以兩個半徑相當的晶粒相接觸為例(圖a)：
為了調降彼此的表面能，一個連接兩個晶粒的頸部(Neck)，
將在晶粒間的內部擴散下形成(圖b)。接著晶粒彼此的擴散
將漸漸的把頸部填滿，以降低頸部的曲率(Curvature)，使頸
部的表面能下降(圖c)。最後兩者在調降表面能的驅動力
下，合而為一，並形成一個比原來晶粒半徑較大的晶粒(圖
d)。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.11

⇒兩個晶粒的結晶結構(Crystallinity)不相同：
例如一個以<111>面做堆積，另一個是以<110>面為基礎，
則兩者合一之後，上圖(d)的晶粒內部還要經過“再結晶
(Recrystallization)＂的步驟，以將兩者的結晶方向做適當的
調整，使新的較大晶粒其能態(Energy state)，比原來兩個
個別且較小的晶粒還來得穩定，即整體自由能將因晶粒的
聚結而快速的調降，如此一來，整個聚結的階段才算完
成。而晶粒結合後的新晶粒其結晶方向，將以具備最低自
由能，或者是最穩定的結晶方向為基準。

⇒簡單而言，所謂晶粒聚結，就是大晶粒在消耗小晶粒的過
程中成長的一種現象。在這個聚結的過程中，整個系統的
表面能將隨著小晶粒的消失而逐漸的降低。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.12

H縫道填補：
晶粒的聚結，基本上就是一種大魚吃小魚的現象，個別的
晶粒將不停的吸收吸附原子，或併吞較小的晶粒，或併入
較大的晶粒，使系統的表面能下降。如此一來，晶粒不但
能持續的擴大，且晶粒與晶粒之間的距離也將愈來愈小，
而在晶粒與晶粒之間形成所謂的“縫道(Channel)＂，這些
縫道就是晶片表面尚未被吸附原子或是晶粒所覆蓋的區
域。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.13

H薄膜成長：
當前述晶粒間的縫道陸續地被填滿之後，整個完整的薄膜
便初步的在晶片表面上形成了。
綜合以上所描述的薄膜沈積機制雖然複雜，但是約在數
秒，或甚至不到一秒鐘的時間，便得以達成，接著薄膜的
沈積便往增加薄膜厚度的方向繼續進行了。

CHENG SHIU UNIVERSITY P.14

⇒考慮一個比較大的面，而非單一晶粒，因為薄膜成長並非單純
以二次元的方式來一層層的往上進行，所以在沈積時，薄膜的
表面將會形成許多三次元的不均勻結構，如缺陷(Defects)、平
台(Terraces)、階梯(Steps)及頸結(Kinks)等。雖然此時使薄膜厚
度增加的沈積原理和前述的步驟相仿，但是因為薄膜表面所形
成的這些三次元結構，有助於增加吸附原子經表面擴散運動
後，與其進行結合，所以薄膜的成長便不再侷限於必須依賴晶
粒的產生了，吸附原子可直接在階梯或頸結等表面鍵結尚未完
全的位置，進行所謂的“化性吸附(Chemisorption)＂，所以，
當薄膜沈積進行到厚度增加的階段之後，前述所介紹的薄膜初
期沈積機制，便不再是唯一使薄膜成長的途徑了。

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H雜質的影響：
除了界面的考量外，雜質或摻質(Dopants)對長晶或薄膜的成
長也有很大的影響。尤其當這些雜質在主要薄膜材質內的濃
度已超過其固態溶解度(Solid solubility)時，會造成雜質(或摻
質)在主材質內產生隔離(Segregation)的現象，並形成新的固
態相(Solid phase)。即使雜質(或摻質)的濃度不高，吸附原子
在晶片或沈積薄膜表面的擴散運動也會受到影響，主材質的
表面自由能也會因此而發生改變，使整個薄膜沈積的機制變
得複雜。
⇒薄膜沈積進行時，在薄膜主材質內加入少許或適量的摻質，
常見於VLSI製程中。例如：硼磷矽玻璃(Borophosphosilicate
glass, 簡稱BPSG)、鋁-矽-銅合金及多晶矽(Polysilicon)等。這
些摻質的加入，會影響整個薄膜沈積的進行，如以CVD法所
沈積的磷矽玻璃(Phosphosilicate glass)，因為SiO2 裡含有約
4~8%的磷原子，使得晶粒成長的速度加快，且晶粒的外觀將
變得圓滑，無明顯的稜角出現，也就是說，雜質會影響晶粒
的成長、大小與形狀。
CHENG SHIU UNIVERSITY P.16
H表面溫度的影響：
薄膜的沈積是一連串涉及吸附原子的吸附、吸附原子在表面
的擴散，及在適當的階梯或頸結位置下聚結，以漸漸形成薄
膜並成長的集合。讓這些吸附原子進行長晶、聚結以至於成
長的驅動力，則來自因成長而持續調降的整體表面自由能
(Total surface free energy)，其中吸附原子的吸附，主要是由
黏滯係數(Sticking coefficient)所決定。表面的溫度愈高，吸
附原子被表面所吸附的能力就愈低，此外，吸附原子在晶片
表面所做的遷移(Migration)或擴散，也受到表面溫度的影
響。溫度愈高，擴散能力愈好，吸附原子也就愈容易找到理
想的位置進行聚結，所以溫度愈高，成長的晶粒也就比較
大，沈積薄膜的均勻性(Uniformity)也就比較好，因此，整個
薄膜的沈積速率與薄膜的結構，均與進行沈積的表面溫度息
息相關。

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⇒以SiH4等為反應氣體，進行Si薄膜沈積為例(LPCVD)：
當操作溫度在中低溫時(約700℃以下)，Si的沈積速率與反
應溫度將成正比的關係；當溫度較高時(約900℃以上)，
Si的沈積速率將隨著溫度的上升而漸緩。當Si的反應溫度
低於575 ℃時，因為吸附原子在沈積薄膜表面的擴散能力
不 佳 ， 所 沈 積 的 Si 將 呈 “ 無 長 距 次 序 (No long-range
order)＂的結構，或稱為“非晶矽(Amorphous silicon)＂；
當溫度介於575~650℃之間時，沈積的薄膜將呈多晶矽的
結構；當溫度高於700℃時，磊晶矽(Epitaxial silicon)＂便
開始產生；此外，黏滯係數除了受表面溫度的影響外，
亦受操作壓力及沈積速率的控制，因此這兩項因素也會
影響到沈積薄膜的結構。

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H薄膜微觀結構：
薄膜沈積由最初的原子
吸附、去附、成核及成
長到最後形成薄膜，均
與製程參數有關，如基
板溫度、氣體壓力等，
都會影響薄膜的微觀結
構 。 1975 年 ， Thornton
提出濺鍍金屬薄膜之結
構模型(Zone Models)，
利用四種結構區的模型
來解釋基板溫度與氣體
壓 力 (Sputtering gas
pressure) 對 於 鍍 膜 微 觀
組織結構之影響。 ∗圖中之Ts為基板溫度、TM為金屬熔點。

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⇒ Zone Models ：
(1)ZoneⅠ：由於較低的表面原子移動率(Mobility)，使得薄膜
內部結構容易形成多孔性的錐狀晶粒組織。
(2)ZoneⅡ：原子獲得較多的熱能而具有較高的移動率，在表
面的擴散能力增大，所以晶粒變細造成薄膜表面型態平
滑，以及晶粒緊密堆積形成柱狀結構。
(3)ZoneⅢ：由於體擴散的能力增大且加上晶粒再重新結晶的
因素，形成高密度等軸晶粒(Equi-axis grains)結構。
(4)Zone T：介於ZoneⅠ與ZoneⅡ之間的過渡區，薄膜呈纖維
狀結構，晶粒緊密堆積而不易分出晶粒邊界，此為遮蔽效
應、表面擴散、體擴散及再結晶等現象整合作用的結果。
⇒薄膜隨製鍍條件不同而成不同結構：當氣壓愈高時，膜結構
愈粗愈鬆散，因為膜內會包藏氣體；而溫度愈高膜質愈密，
溫度低時是成稜形(Prismatic structure)或錐形結構，隨著溫度
增高而成柱狀結構(Columnar structure)，若溫度再升高時則變
為多晶結構。
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⇒濺鍍時只要能維持輝光放電，儘量使腔室內之真空度愈高愈
好，期使膜內不含氣體；高溫除了可排出氣體使之不包藏在
膜層中，並能增加沈積原子(或分子)的動能，使膜質結合更為
緊密，甚至結晶(或多晶)。

⇒右圖為氧化銦錫(ITO)
薄膜之掃瞄式電子顯
微鏡(SEM)之剖面圖
(Cross-section)。

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H薄膜剖面結構分析：

⇒理想多層結構之薄膜。

⇒實際製鍍可能之膜層。
⇒膜面粗糙，膜內有柱狀及稜狀結構，
或有雜質及缺陷。
⇒p1及p2可能是污點或雜粒，膜沈積在
該處時會造成一核點，而分別形成突
瘤b1及b2。
⇒s可能是坑洞或刮痕，膜沈積在該處後
會造成凹陷d。
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⇒矽晶片上沈積ITO膜，因污點或雜粒而形成之突瘤。

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⇒熱蒸鍍Ge/SiO多層膜之SEM ⇒離子濺鍍Ta2O5/SiO2膜之SEM
剖面圖。 剖面圖。(較接近理想薄膜)

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