Chương 2.

Cảm biến vật lý MEMS/MEOMS

2.1. Giới thiệu về cảm biến Vật lý MEMS

Cảm biến vật lý là một trong nhứng lĩnh vực rất được quan tâm nghiên cứu và ứng dụng
trong công nghệ MEMS. th nh ph n ản một hệ th ng ảm iến đượ tr nh y tr n
h nh 2.1. Hệ th ng bao gồm ba bộ phận hính đó l ộ nhận tín hiệu c n đo, ộ chuyển đổi tín
hiệu được nhận thành các tín hiệu với dạng năng lượng kh , thông thường l điện, và bộ phận
hiện thị tín hiệu s u khi được chuyển đổi hoặc có thể l m đại lượng đ u ra cho một qu tr nh điều
khiển/đ u vào c a hệ th ng khác.

H nh 2 1 th nh ph n ản một hệ th ng ảm iến

Dự tr n hế nhạy, ảm iến ó thể được ph n loại v o trong ạng s u:

A. Cảm biến nhiệt độ

Cảm biến nhiệt độ (Therm l Sensors) được sử dụng để quan sát hay nhạy đ i với rất
nhiều đại lượng thông qu x định sự th y đổi hay sự khác nhau trong nhiệt độ. Các cảm biến
nhiệt có thể được phân loại thêm nữ như:
(1) Cặp nhiệt – Các linh kiện này làm việ tr n nguy n lý òng điện được tạo ra bởi sự khác
nhau trong hiệu điện thế ở tiếp xúc giữa hai kim loại kh nh u được giữ ở các nhiệt độ khác
nhau.
(2) Điện trở nhiệt – Các cảm biến này làm việc trên nguyên lý c a sự th y đổi điện trở điện c a
vật liệu khi có sự th y đổi nhiệt độ.
(3) Cảm biến t độ dòng nhiệt - Các cảm biến này nhạy và quan sát t độ dòng c a chất khí và
chất lỏng khi sử dụng nguyên lý về sự khác nhau trong nhiệt độ tỷ lệ với t độ dòng.

B. Cảm biến cơ

Các cảm biến ó thể được phân loại dự tr n hế vật lý m húng được sử dụng
nhạy trực tiếp đại lượng vật lý c n qu n t m như khoảng cách, biến dạng, v.v. bằng cách sử
dụng một trong các dạng cảm biến sau:
(1) Cảm biến điện dung – các cảm biến n y được sử dụng để đo lường độ dịch chuyển nhỏ
bằng h đo sự th y đổi c điện dung.
(2) Cảm biến p điện trở - cảm biến n y được sử dụng để đo lường áp suất, lực/ứng suất bằng
h đo sự th y đổi c điện trở.
(3) Cảm biến p điện – khi một lực tác dụng lên một vật liệu p điện, trên bề mặt vật liệu sẽ xuất
hiện điện tí h, điện tích bề mặt này tỷ lệ với lực tác dụng Do đó, lực tác dụng có thể được xác
định bằng h đo điện thế xuất hiện trên bề mặt vật liệu p điện.
(4) Cảm biến quang – cảm biến n y được sử dụng để đo độ dịch chuyển hoặc biến dạng c a các
thanh d m, m ng học, v.v. bằng cách phân tích vân giao thoa.
(5) Các cảm biến cộng hưởng – các cảm biến này dựa trên các vi thanh d m c định một đ u
hoặ h i đ u đượ kí h thí h o động ở t n s cộng hưởng c a chúng. Sự th y đổi trong t n s
cộng hưởng c linh ki n được quan sát khi sử dụng p điện trở được cấy vào các vị trí có
ứng suất lớn hoặc các kỹ thuật quang.

C. Cảm biến sinh học và hóa học

Các cảm biến sinh học và hóa họ được sử dụng trong nhạy v x định các các hiện
tượng hóa học hoặc sinh học. Một s ví dụ điển hình cho các cảm biến như vậy là các cảm biến
sinh học dựa trên enzyme cho quan sát các mức nồng độ glu ose trong m u người, vi điện
cực hoặc micropipet chứ đ y chất điện ph n để nghiên cứu hệ th ng th n kinh c on người
hoặc cảm biến miễn dị h để phát hiện các chất sinh họ trong môi trường.

Bảng 2.1. Cấp bậc thực hiện c a các dụng cụ quán tính

Cấp bậc hoạt Độ ổn định Độ ổn định

động Cảm biến gia t c Cảm biến vận t c góc
Chiến lược < 1 µg < 0.0001 o/h
Dẫn đường 10 – 50 µg 0.0001 – 0.01 o/h
Chiến thuật 0.1 – 1 mg 1 – 10 o/h
Dụng cụ/thiết bị 10 – 100 mg 30 – 100 o/h
dân dụng

Trong các ph n s u đ y, một s cảm biến được ứng dụng phổ biến để đo lường đại
lượng vật lý thông dụng như gi t c, vận t c góc và áp suất sẽ được trình bày chi tiết. Trong mỗi
loại cảm biến n y hế nhạy kh nh u ũng được thảo luận. Cảm biến gia t c và vận t c
gó thường được gọi là các cảm biến quán tính. Cấp độ ứng dụng và các yêu c u về độ ổn định
c a hai dạng cảm biến n y được thể hiện trong Bảng 2.1. Cấp độ ứng dụng bao gồm từ các thiết
bị quán tính cấp chiến lượ được sử dụng trên tên lửa và tàu ng m chiến lượ đến các thiết bị
được sử dụng trong công nghiệp ô tô v thư ng mại. Hiện nay, cảm biến qu n tính MEMS đã
được ứng dụng trong các cảm biến quán tính cấp bậc chiến thuật và dụng cụ/thiết bị dân dụng.
Ngày này, cảm biến áp suất là một trong những ứng dụng lớn nhất c a công nghệ MEMS.

2.2 Cảm biến đo gia tốc

2.2.1 Giới thiệu cảm biến đo gia tốc

Cảm biến gia t được sử dụng cho nhạy v đo lường chuyển động. Các ứng dụng c a
cảm biến là từ đo lường v điều khiển tới dẫn đường quán tính. Cảm biến gia t MEMS đã được
thư ng mại hóa trong các hệ th ng phát triển điều khiển túi khí trong xe h i Một cảm biến
gia t c có ba thành ph n ản: 1) kh i gia trọng, 2) lò xo vi ( ũng được gọi là cấu trúc vi
treo), và 3) ph n tử nhạy. Ph n tử nhạy sẽ chuyển đổi độ lệch c a lò xo thành tín hiệu điện. Bộ
chuyển đổi có thể được tạo ra bằng một s phư ng ph p huyển đổi tín hiệu được liệt kê trong
ph n giới thiệu Tuy nhi n, phư ng ph p phổ biến nhất đó l nhạy dựa trên hiệu ứng điện
dung, p điện v p điện trở. Hình 2.2 minh họa mô hình nguyên lý c a một cảm biến gia t c.

Hình 2.2: Mô hình nguyên lý c a một cảm biến gia t c.

Chuyển động c khung đỡ và kh i gia trọng l n lượt được ký hiệu bằng tọ độ x và y. x

và y là các chuyển vị tuyệt đ i. Tọ độ z l độ dịch chuyển tư ng đ i c a kh i gia trọng so với
khung đỡ, được liên hệ bởi phư ng tr nh (2 1)
z=x–y (2.1)
Độ dịch chuyển z có thể được chuyển thành tín hiệu điện.
Phư ng tr nh n ằng lực trên kh i gia trọng kh i lượng m được thể hiện như s u:
̈ ( ̇ ̇) ( ) (2.2)
Từ phư ng tr nh (2 1), húng t ó ̈ ̈ ̈ , ở đ y = ̈ [m/s ] thể hiện gia t c tác dụng lên
2

khung đỡ. Do vậy, phư ng tr nh huyển động c a cảm biến gia t c có thể đạt được từ phư ng
tr nh (2 2) như s u:
̈ ̇ ̈ (2.3)
Trong đó, k [N/m] là hằng s độ cứng lò xo và c là hệ s cản. Thành ph n bên trái c phư ng
trình (2.3) là lực quán tính, thành ph n thứ hai bên phải thể hiện lực cản và thành ph n thứ ba
bên phải thể hiện lự đ n hồi. Gia t c tác dụng l n khung đỡ li n qu n đến động học dịch chuyển
tư ng đ i c khung đỡ và kh i gia trọng, tứ độ dịch chuyển z. Độ dịch chuyển z có thể được
đo ằng h như: 1) x định độ lệch c a một vi d m, 2) độ biến dạng c a tinh thể p điện
hay 3) sự th y đổi điện dung c a kh i gia trọng đ i với khung đỡ.
Sử dụng chuyển đổi Laplace, hàm truyền giữa lực tác dụng F = -m v độ dịch chuyển z
có thể được viết như:
( )
( ) ( )
(2.4)
( )

( )
( ) ( ( )) (2.5)
( ) ( )

Ở đ y, √ là t n s cộng hưởng a cảm biến và là hệ s phẩm chất

c a cảm biến. T n s hoạt động và hệ s phẩm chất là những hằng s quan trọng khi thiết kế một
cảm biến MEMS. ( ) trong (2 5) được cho bởi:
( ) √( (2.6)
)

ũng từ biểu thức (2 5), i n độ dịch chuyển z có thể đượ x định bởi:
( )
( ) (2.7)
√( ) ( )

Ở đ y Z0 = l độ lệ h tĩnh a kh i gia trọng với lực tác dụng không đổi F. Nếu húng t đặt
 = /0, i n độ chuẩn hó β đượ x định bởi:
( )
(2.8)
√(  )  

Trong (2.8), là tỷ lệ suy h o, đượ x định bởi ( ).

H nh 2 3: Đồ thị thể hiện sự phuộc c i n độ chuẩn hóa vàolog() cho ba giá trị khác nhau c a
tỷ lệ suy hao và 1.2.
Hình 2.3 thể hiện sự phuộc c i n độ chuẩn hó β v olog() cho ba giá trị khác nhau c a tỷ lệ
suy hao v 1 2 Như vậy, với trường hợp tỷ lệ suy hao nhỏ ,   0, o đó
 1/(2 ), giá trị trở nên rất lớn khi nhỏ. Cộng hưởng biến mất với . Trong phạm vi
này, có thể có giá trị không đổi trong một phạm vi t n s rộng nhất (dải t n s hoạt động rộng
nhất). Do vậy, đượ xem l điều kiện suy hao t i ưu Gi trị này phụ thuộc rất nhiều vào
áp suất c môi trường hoạt động c a cảm biến/áp suất trong hộp đóng vỏ cảm biến; các cảm
biến gia t điện ung đượ đóng vỏ trong phạm vi áp suất sao cho tỷ lệ suy h o thường thấp
h n hoặ xung qu nh 0 7, để đảm bảo đ p ứng ở dạng suy hao quá mứ , không ó đỉnh trong đ p
ứng truyền v đồng thời không làm giảm ăng thông hoạt động.
Đ p ứng pha ( ) thu được từ argument c a s phức trong (2.5) bởi:
( ) ( ( ) (2.9)
)
Đ p ứng i n độ c a hàm truyền đượ đặ trưng ởi đ p ứng bằng phẳng từ phạm vi t n s thấp
tới t n s cộng hưởng, được thể hiện bởi quan hệ sau:
( )
| | (2.10)
( )
Ngo i điểm t n s cộng hưởng xuất hiện, đ p ứng t n s giảm Do đó, phạm vi t n s [0 < f < f0]
đại diện ho ăng thông ( ải t n s - BW) học c a cảm biến gia t , thường đượ x định
với t n s cộng hưởng BW = f0 Đ i với các ứng dụng trong ôtô và thiết bị cá nhân, các t n s
hoạt động c a cảm biến thường thấp h n 100-300 Hz, vì vậy, dải t n s hoạt động c a cảm biến
thường đượ đặt xung quanh 103Hz ( o h n một bậc về độ lớn). Bằng cách thay F = ma vào
phư ng tr nh (2 7), húng t ó thể thấy được sự quan trọng c a giá trị t n s cộng hưởng:
( )
| | (2.11)
( ) ( )

Độ nhạy học c a cảm biến gia t đượ định nghĩ l tỷ s giữ độ lệ h tư ng đ i (Z)
c a kh i gia trọng và gia t đ u v o, được ký hiệu là SM (SM = m/k). Trong phạm vi hoạt động
c a cảm biến gia t c ở t n s thấp,   0, một gia t đ u vào tác dụng lên hệ th ng có thể xấp xỉ
bởi một gia t c hằng s được cân bằng bởi lò xo Phư ng tr nh (2 11) đượ mô t ưới dạng định
luật 2 Newton như s u: lực tác dụng (F = ma) lên kh i gia trọng có kh i lượng m gây bởi gia t c
đ u vào a = ̈ làm cho kh i gia trọng dịch chuyển một khoảng h Z đ i với khung đỡ Như
vậy, ở trạng th i tĩnh, phư ng tr nh (2 11) ũng l phư ng tr nh thể hiện định luật Hooke Do đó,
bằng h x định độ dịch chuyển c a kh i gia trọng chúng ta có thể xác định được gia t c tác
dụng lên kh i gia trọng. H n nữa, từ biểu thức c độ nhạy rút r từ phư ng (2 11), kh i
lượng và t n s li n qu n đến nhau, vì vậy, không thể cho rằng độ nhạy lớn h n đ i với kh i gia
trọng lớn h n Như vậy, bằng h đặt t n s cộng hưởng c a cảm biến gia t c, chúng ta có thể
đặt quan hệ giữ độ dịch chuyển và gia t c bên ngoài tác dụng. Khuế h đại chuyển động lớn
đồng nghĩ với dải t n hoạt động nhỏ, điều này chỉ ra rằng có một sự đ nh đổi giữa khuế h đại
độ dịch chuyển v dải t n s hoạt động.
 Hai thông s quan trọng c n xem xét trong thiết kế cảm biến gia t l độ méo i n độ và
độ méo ph Để hạn chế méo i n độ, hàm truyền gia t c phải ó độ khuế h đại như nh u với các
tín hiệu ở các t n s khác nhau. Điều n y ó nghĩ l h m đ p ứng t n s phải phẳng trong phạm
vi hoạt động, phạm vi t n s hoạt động xuất hiện trong phạm vi t n s thấp c h m đ p ứng t n
s , h nh 2 4 Để không có méo dạng pha thì pha c a các thành ph n hài c a tín hiệu phải tăng
tuyến tính với t n s . Pha phụ thuộc vào t n s được thể hiện bằng công thức:

(2.12)

Khi ph o động c a cảm biến đ p ứng phư ng tr nh (2 12) th th nh ph n tín hiệu hài sẽ
được dịch chuyển như nh u theo thời gian.

H nh 2 4: Đ p ứng i n độ t n s (a) và pha t n s c a một cảm biến được mô hình hóa dạng hệ
th ng o động gồm kh i lượng-lò xo với tỷ lệ suy hao = 0.7.

Khi tỷ lệ suy hao  0.7, méo dạng pha c a cảm biến h u như được loại bỏ. Nếu phạm vi
t n s được lựa chọn trong phạm vi 0 < /n ≤ 0 2 th méo ạng i n độ ũng được hạn chế Đ i
với thiết kế một cảm biến gia t c MEMS, t n s tự nhiên c a hệ th ng vi treo-kh i gia trọng phải
o h n t n s tín hiệu cao nhất c n đo ít nhất một bậc.

H n nữa, ứng suất ũng ó thể xuất hiện trong lò xo bởi chiều i th y đổi Do đó, ngo i
phư ng ph p đo lường gia t c dự tr n x định khoảng cách dịch chuyển, gia t ũng ó thể
đượ x định bằng h đo lường ứng suất trong lò xo nguy n lý được sử dụng ho đo
lường gia t c có thể dựa trên hiệu ứng p điện trở, p điện, điện dung, dịch chuyển t n s cộng
hưởng, cảm ứng, quang, nhiệt, và hiệu ứng xuyên h m điện tử. Một s hế thông dụng đã
đượ tr nh y trong hư ng 1 hế khác có thể tham khảo trong các tài liệu tư ng ứng.
 Các cảm biến gia t vi đã được báo cáo từ năm 1979. Ph n lớn cảm biến gia t được
thiết kế chỉ nên nhạy với gia t c theo một hướng và không nhạy với các thành ph n c ve t gi
t theo h i hướng khác. Các cảm biến n y được gọi là cảm biến đo gi t đ n trục Để nhạy
với vé t gi t đ y đ (gia t c có ba thành ph n trực giao trong hệ tọ độ Descartes), chúng ta
có thể sử dụng ba cảm biến gia t c b trí trực giao với nh u Tuy nhi n, điều này có thể gây ra
các vấn đề như độ nhay chéo trục cao bởi sự sai lệch trong b trí trực giao các cảm biến và bởi vì
kí h thước và công suất tiêu thụ c a hệ th ng cảm biến lớn h n mức c n thiết. Các vấn đề này có
thể được giải quyết bởi một thiết kế gia t c với chỉ một kh i gia trọng mà nó có khả năng nhạy
với một ve t gi t đ y đ . Một s cảm biến gia t c ba trụ đã được báo cáo trong các tài liệu.
Ngoài các cảm biến nhạy với ve t gi t đ y đ trong hệ tọ độ Des rtes, ó nghĩ l ảm
biến ba bậc tự do, hiện nay các cảm biến nhiều bậ tư o h n ũng đã được phát triển dựa trên
công nghệ MEMS. Các cảm biến nhiều bậc tự do có thể là cảm biến gia t c ba bậc tự do hoặc
cảm biến nhiều bậc tự do kết hợp đo gi t c và vận t c góc. Các hệ th ng cảm biến nhiều bậc tự
o n y được gọi là hệ th ng đo lường quán tính (IMU). Trong ph n sau, các loại cảm biến nhạy
với gia t c một, hai và ba trục sẽ được tập trung trình bày.

2.2.2. Cảm biến gia tốc MEMS một bậc tự do

Dựa trên sự phát triển công nghệ chế tạo vi ề mặt v vi kh i, đặc biệt công nghệ vi
chế tạo silic, các mô hình cảm biến từ một, hai và nhiều bậc tự o đã được phát triển. Trên hình
2.5 thể hiện một s mô hình cảm biến gia t c MEMS một bậc tự do truyền th ng, được phát triển
từ những năm đ u tiên c a cảm biến gia t c dựa trên công nghệ vi kh i ướt sử dụng ăn mòn
sili đ n tinh thể trong dung dịch kiềm. Mô hình cảm biến đ u tiên dựa trên một hoặc nhiều vi
d m treo kh i gia trọng ở một đ u, Hình 2.5 ( ) Đ y l ấu trú đ u ti n được sử dụng cho các
gia t vi ựa trên silic [1]. Kh i gia trọng chuyển động theo ung tròn ưới gia t c theo
phư ng z (H nh 2 5 ( )) ảm biến gia t c với các mạ h đọc tín hiệu dự tr n hế nhạy
điện ung, p điện v p điện trở đã được phát triển cho dạng cấu trúc này. Do kh i gia trọng chỉ
được treo ở một phía thanh d m, vì vậy, cấu trúc cảm biến gia t n y ó độ nhạy cao theo
hướng z, nhưng ấu trú n y ũng ó độ nhạy đ ng kể đ i với gia t c bên (trong mặt phẳng xy
vuông góc với trục z hoặc xoắn
Hình 2.5: Một s dạng cảm biến gia t c kiểu lò xo vi d m – kh i gia trọng được chế tạo dựa trên
công nghệ vi kh i: (a) cấu trúc dạng vi d m treo kh i gia trọng một đ u, (b) cấu trúc kh i gia
trọng treo bởi hai vi d m song song đ i xứng hai bên, (c) cấu trú treo tư ng tự hình (b) tuy
nhiên các vi d m treo kh i gia trọng ở b n góc, (d) cấu trúc kh i gi trong được phân b bao
xung quanh các vi d m treo và (e) kh i gia trọng được treo bởi các vi d m xoắn.

xung quanh trục vi d m) g y r độ nhạy lệch trục cao. Dạng cấu trúc cảm biến thứ 2 đó l kh i
gia trọng treo ở giữa các vi d m. Hình 2.5 (b) thể hiện một cấu trúc kh i gia trọng được treo bởi
hai vi d m song song đ i xứng hai bên. Kh i gia trọng dịch chuyển trong hướng trụ z ưới tác
dụng c a gia t trong hướng z Đ i với cấu trú n y, hế nhạy điện ung, p điện và áp
điện trở có thể được áp dụng, trong đó đặc biệt l hế nhạy p điện trở. Kết cặp các áp trở
trong dạng c u Whe tstone ó ưu điểm trong ù độ nhạy lệch trụ v o đó ảm biến ó độ nhạy
lệch trục thấp.

Cấu trúc cảm biến thứ 3 tư ng tự như ấu trúc trong hình 2.5 (b), tuy vậy, các vi d m treo
trong cấu trúc này b trí ở các góc c a kh i gia trọng, vì vậy, tính đ i xứng hình học c a cấu trúc
n y o h n Bởi vì, nhiều vi d m liên kết kiểu lò xo song song v đ i xứng o n n độ lệch c a
kh i gia trọng sẽ nhỏ và vì vậy, các biến dạng l nhỏ. Do đó, hế nhạy p điện trở thường
không được sử dụng. Tuy vậy, cấu trú n y ó độ nhạy lệch trục rất thấp và một s cảm biến gia
t c dựa trên nhạy điện ung đã được phát triển với c u trúc hình học này. Dạng thứ tư đó l kh i
gia trọng dạng khung bao quanh các vi d m treo phía trong, hình 2.5 (d). So với các dạng khác
ùng kí h thước, kh i lượng hiệu dụng c a kh i gia trọng trong cấu trúc này lớn h n nhiều. Do
vậy, cấu trú n y ó độ nhạy o đ i với gia t trong hướng z. Tuy nhiên, nó thể hiện độ nhạy
lệch trụ o hế nhạy p điện trở v điện ung đã được phát triển cho cấu trúc dạng này.
Cấu trúc dạng thứ 5 đó l kh i gi trong được treo giữa các thanh d m xoắn, hình 2.5 (e). Gia t c
tác dụng theo hướng z sẽ làm kh i gia trọng quay xung quanh hai vi d m xoắn treo hai bên.
Tư ng tự cấu trúc dạng vi d m treo kh i gia trọng trong hình 2.5 (a), cấu trú n y ó độ nhạy gia
t c cao. Các cảm biến gia t c nhạy kiểu điện ung đã được phát triển cho cấu trúc vi d m xoắn
này.

Hình 2.6: Cấu trúc nhạy điện dung dạng răng lược dựa trên vi ề mặt.

Ngoài các cấu trúc cảm biến dự tr n vi kh i được trình bày trong hình 2.5, các cấu
trúc dạng thanh d m treo kh i gia trọng ũng đã được chế tạo dự tr n vi ề mặt ở gi i đoạn
đ u c a phát triển công nghệ chế tạo MEMS. Hình 2.6 thể hiện một cấu trúc kh i gia trọng treo
bởi các vi d m b trí dạng chữ “H” tư ng tự hình 2.5 (b). Tuy nhiên, trong cấu trúc này, nhạy
điện dung có cấu trúc tụ răng lượ đã được ứng dụng, điện cự răng lược chuyển động được
b trí trên kh i gia trọng, trong khi điện ư răng lược c định được gắn tới đế, Hình 2.6 (a).
Kh i gia trọng dịch chuyển tự do trong mặt phẳng vuông góc với các vi d m lò xo mỏng. Cảm
biến thường được làm từ vật liệu sili đ tinh với chiều dày khoảng vài micromet. Các cấu trúc
cảm biến dựa trên các cấu trú trong h nh 2 5 ( ), ( ) v (e) ũng đã được chế tạo dựa trên công
nghệ vi ề mặt.

Với sự phát triển c a công nghệ vi kh i, các cấu trúc cảm biến đựa trên nhạy điện
dung vi phân kiểu tụ răng lược với chiều y răng lược lớn đã được phát triển cùng với các mạch
đo lường điện ung ó độ nhạy o đã đượ thư ng mại hóa. Rất nhiều cảm biến một chiều dựa
tr n điện dung vi phân kiểu tụ răng lượ đã được phát triển. Hình 2.7 minh họa một cảm biến
điện dung điển hình dựa trên nhạy điện dung vi phân.
 Hình 2.7: Mô hình cảm biến gia t c trong mặt phẳng sử dụng nhạy điện dung vi phân.

Phư ng ph p đo lường gia t c dựa trên cấu trúc tụ điện dạng điện cực song song vi phân
là kỹ thuật đo hiện đại được tích hợp trong h u hết các cảm biến gia t c cho cả thị trường tiêu
dùng cá nhận và ngành công nghiệp ô tô Ưu điểm chính c a cấu trúc nhạy này so với các cấu
trúc khác (ví dụ, điện dung dạng răng lượ ) l độ nhạy cao c a nó với kí h thước diện tích nhỏ.
Cấu trúc tụ vi phân này bao gồm một mảng điện cực chuyển động được gắn với kh i gia
trọng và bởi h i nhóm điện cực c định, tạo thành hai tụ điện MEMS C1 và C2, H nh 2 7 Để t i
ưu iện tích thiết kế cảm biến, điện dung vi phân có thể chuyển từ b trí phía ngoài vào phía
trong khung kh i gia trọng. Khi kh i gia trọng dịch chuyển sang phải ưới tác dụng c a lực quán
tính gây bởi gia t c l m ho điện dung C1 giảm, trong khi C2 tăng Dựa trên biểu thức (1.11),
biến đổi điện dung vi phân có thể đượ tính như s u:
(2.13)
Ở đ y, là s cặp điện dung hai bản cực song song.
Thay thế biểu thức c độ dịch chuyển phụ thuộc vào gia t c và t n s ở phư ng tr nh (2 11) v o
phư ng tr nh (2 13), húng t đạt đượ độ nhạy a cảm biến:
(2.14)
( )
Ở đ y, gi t c tác dụng được thay thế bằng s l n ( ) giá trị gi đ n vị gia t c trọng trường g,
Như vậy, độ nhạy ó đ n vị là [F/g].

Nhiễu cơ nhiệt

Tín hiệu gia t c t i thiểu có thể đo được bị giới hạn bởi các nguồn nhiễu, nhiễu gây bởi
chính cảm biến (nhiễu nội) hoặ li n qu n đến mạ h điện tử đo tín hiệu gia t c. Về nguồn nhiễu
nội, đóng góp hính li n qu n đến suy h o năng lượng họ Đặc biệt, suy hao gây bởi cản
không khí tạo r o động nhiệt nhiễu c a cấu trúc chuyển động (kh i gia trọng và bản điện
cự điện dung chuyển động), gây ra bởi chuyển động Brown c a các phân tử khí n trong đóng
gói cảm biến (môi trường hoạt động c a cảm biến). Các phân tử khí va vào các thành ph n cấu
trúc chuyển động c a cảm biến gây ra một loại rung lắc ngẫu nhiên. Hiện tượng n y đã được biết
đến nhiều trong tài liệu, trong đó mật độ công suất nhiễu c a lự t động lên kh i gia trọng như
là hệ quả c a nhiễu Brown. Nhiễu Brown SFn đượ x định là:
(2.15)
Trong phư ng tr nh (2 15), kB l hằng s Boltzm nn v T l nhiệt độ tuyệt đ i Mật độ phổ n y
ó đặ tính t n s tư ng tự như t n s ồn trắng v nó đượ iểu thị ằng N 2/Hz Bằng h
sử ụng m i qu n hệ giữ gi t t ụng v lự tư ng ứng, một thông s qu n trọng kh đặ
trưng ho thự hiện ảm iến gi t MEMS ó thể thu đượ đó l mật độ ông suất nhiễu
gi t Sgn:
(2.16)
Đ n vị c a Sgn là g2/Hz. Gia t c t i thiểu có thể phát hiện h y độ phân giải cảm biến đượ định
nghĩ l :
√ √ (2.17)
Về nguyên lý, f0 thấp ó t động tích cự đến hoạt động c a cảm biến; tuy nhiên, ngoài việc giới
hạn ăng thông hoạt động c a cảm biến, thiết kế c a một cảm biến gia t c với f0 thấp, đạt được
bằng cách giảm độ cứng k, điều này có thể dẫn đến hiện tượng "pull-in" trong chấp h nh tĩnh
điện sẽ được trình bày ở các ph n sau và dẫn đến hiện tượng bám dính c điện cực nhạy.
Như vậy, các thông s li n qu n đến thiết kế c a một cảm biến gia t MEMS đã được
trình bày bao gồm ăng thông hoạt động, độ nhạy c a cảm biến và mật độ nhiễu gia t c. Trong
ph n tiếp theo, mạ h điện tử đo tín hiệu gia t c bằng cách chuyển đổi sự th y đổi điện dung
thành tín hiệu điện từ cảm biến MEMS.
Mạ h điện tử ho đo lường tín hiệu đ u ra c a cảm biến gia t c chuyển đổi thông tin trên
biến đổi điện dung gây bởi gia t c tác dụng bên ngoài thành tín hiệu điện áp. Ở đ y, một hình
dạng ản c a mạ h đọc ra dạng khuế h đại điện tích ứng dụng cho các cảm biến chuyển động
MEMS kiểu điện dung sẽ đượ tr nh y S đồ mạ h điện được thể hiện trong hình 2.8(a), trong
đó, gi t c kiểu điện ung được biểu diễn ưới dạng mạ h điện tư ng đư ng đ n giản, điện cực
chuyển động giữ h i điện cực c định Điện cực chuyển động được kết n i với đất ảo c a bộ
tiền khuế h đại điện tí h, được tạo thành bởi một bộ khuế h đại thuật to n ó điện dung phản hồi
Cf điện cực c định 1 v 2 đượ ph n p tư ng ứng ở điện áp +V0 và -V0 Như vậy,
trong cấu hình mạ h n y, điện cực chuyển động được giữ ở một điện áp c định (trong ví dụ này
l đất) với điện thế không đổi trên hai bản điện dung. Biểu thức c điện tích trên hai bản tụ điện
ở trạng th i n đ u khi hư ó gi t c tác dụng bên ngoài có thể được viết ưới dạng:

( ) (2.18)
Hình 2 8: S đồ mạ h điện đo lường tín hiệu đ u ra c a cảm biến gia t c: (a)
Điểm đất ảo c a một khuế h đại điện tí h được n i tới điện cực chuyển động c a tụ vi phân c a
cảm biến gia t Điện tích tổng thể tr n điện cực chuyển động là bằng không bởi C1(x = 0) =
C2(x = 0) v ( ) độ dịch chuyển c a kh i gia trọng đượ x định bởi điện tích xuất hiện trên
điện dung phản hồi, điện dung này dẫn đến sự biến đổi c điện p đ u ra.

( ) (2.19)

Như vậy, điện tích tổng tr n điện cực chuyển động là bằng không Khi điện cực chuyển động
trong hướng x ưới tác dụng c a gia t c bên ngoài sẽ l m th y đổi điện dung vi phân, hình
2 8( ) Điều này dẫn đến điện tích trên C1 giảm trong khi điện tích trên C2 tăng để thỏa mãn
phư ng tr nh (2 18) v (2 19) Độ biến thi n điện tích trên mỗi điện dung so với điện tích ban
đ u là:
(2.20a)
(2.20b)
C điện tích này có thể được cung cấp cho cảm biến MEMS bởi bộ tiền khuế h đại điện tích
thông qua mạch phản hồi c nó, như thể hiện trong H nh 2 8 ( ) Trong đó, điện tí h được cung
cấp là tổng c a hai biến thi n điện tích. Xét biểu thức cho sự th y đổi điện dung vi phân  được
rút r trong phư ng tr nh (2 20 v 2 20 ):
( ) (2.21)
Điện tích này tạo ra sự biến đổi c điện p đ u ra c a tiền khuế h đại, Vout như s u:
(2.22)
( )
Ở đ y, iểu thức x được sử dụng từ phư ng tr nh (2 11), trong đó gi t c bên ngoài tác dụng
được quy chuẩn về gia t c trọng trường .
Phư ng tr nh (2 22) ho t qu n hệ giữ điện p đ u ra c a tiền khuế h đại v độ dịch
chuyển c a kh i gia trọng. Tỷ s 1/Cf được xem là hệ s khuế h đại c a bộ khuế h đại điện tích.
Vì vậy, Cf n n được chọn phù hợp để ó th y đổi điện p đ u ra lớn nhất đ i với một s nhân Ng
c đ n vị gia t c trọng trường g tư ng ứng với phạm vi gia t đ u vào.
Một hiệu ứng vật lý quan trọng c n được xem xét ở đ y đó l : điện áp phân áp
là c n thiết cho việ đo lường điện ung, v ũng l nguồn tạo ra lự tĩnh điện t động lên kh i
gia trọng v th y đổi hoạt động học c a nó so với những g được mô tả trong Mục 2. 2. 1. Mỗi
điện cực c định t động một lực hấp dẫn lên kh i gia trọng có thể được viết như:
(2.23)

(2.24)

Lự tĩnh điện tổng tác dụng lên kh i gia trọng với giả thiết độ dịch chuyển nhỏ có thể đạt được
bởi biểu thức sau:

(2.25)

Biểu thức (2.25) cho thấy rằng lự tĩnh điện này xuất hiện tỷ lệ với độ dịch chuyển x v o đó,
chúng ta có thể định nghĩ thuật ngữ ke, thường được gọi l độ cứng tĩnh điện Do đó, đặ trưng
hoạt động c a cảm biến gia t c khi thiết kế với mạ h đo như h nh 2 8 ó thể được mô tả bằng
h đư th m s hạng lự tĩnh điện (phư ng tr nh (2 25)) v o trong phư ng tr nh huyển động:

̈ ̇ ( ) (2.26)

Sự xuất hiện c a ke có ảnh hưởng đến hoạt động c a kh i gia trọng. Một trong s đó l hiện
tượng mất ổn định tĩnh điện ph t sinh khi độ cứng tĩnh điện bằng độ cứng học H n nữa,
ngoài việc hạn chế ăng thông tín hiệu t i đ , việc lựa chọn một giá trị k nhỏ để tăng độ nhạy
bằng cách giảm f0 ũng ẫn đến các cảm biến gia t ó độ cứng tư ng đư ng nhỏ (k - ke) Đặc
biệt, trong điều kiện tới hạn mà k = ke, hoạt động c a cảm biến không ổn định. Mạ h điện tử
được trình bày trong Hình 2.8 là một kiến trú đ n giản c a một thiết kế mạ h đo điển hình. Các
mạ h đo phức tạp h n, thường khai thác cấu hình tụ điện chuyển mạch và/hoặc mạch phản hồi,
có thể được sử dụng để giảm công suất tiêu tán bởi điện tử v để giải quyết các vấn đề liên quan
đến sự mất ổn định tĩnh điện.

Sự th y đổi độ cứng hiệu dụng c lò xo ũng ẫn đến định nghĩ t n s cộng hưởng
tư ng đư ng đượ x định bởi:

√ (2.27)
Ở đ y, độ cứng gây bởi lự tĩnh điện luôn là làm giảm độ cứng tổng c a hệ th ng lò xo, o đó
làm giảm t n s cộng hưởng. Hiệu ứng này phải đượ tính đến trong việc lựa chọn giải hoạt động
v đ nh gi độ nhạy c a cảm biến Độ nhạy có thể thu được từ phư ng tr nh (2 22) ằng cách
tính gia t n ngo i theo đ n vị g:
(2.28)
( )
Phư ng tr nh (2 28) thể hiện độ nhạy điện, đ n vị V/g Thông thường, cảm biến và mạ h điện tử
đo lư ng ó thông s s o ho điện p đ u ra lớn nhất có thể, Vout,max đạt được với tín hiệu
gia t tư ng ứng với phạm vi đo lường đ u vào yêu c u c a cảm biến gia t c, Ng,max. Các kết
luận rút ra ở đ y đ i với cảm biến gia t c trong mặt phẳng có thể được mở rộng cho các cảm
biến gia t c ngoài mặt phẳng (nghi ng) để ứng dụng trong các hệ th ng đo gi t c ba trục
[62,63].

2.2.3. Cảm biến gia tốc MEMS hai bậc tự do

Các cảm biến gia t c hai bậc tự o, thường trong mặt phẳng, đã được giới thiệu. Các cảm biến
này có thể dự tr n hế p điện trở, nhạy điện dung, v.v. Trên hình 2.9 thể hiện một cảm biến
gia t c hai bậc tự o theo phư ng x v y H nh 2 9 ( ) minh họa thiết kế c a mặt chiếu đứng c a
cảm biến. Cảm biến gồm có một kh i gia trọng hình trụ b trí ở tâm treo bởi b n vi d m lò xo và
các áp trở b trí trên các vi d m p điện trở được thiết kế ở vị trí có ứng suất lớn nhất khi
kh i gia trọng hình trụ chịu tác dụng c a lực quán tính gây bởi gia t c c n đo Vị trí áp trở
thường đượ x định dựa trên mô phỏng sử dụng phư ng ph p ph n tử hữu hạn. Hình 2.9 (b)
minh họa cảm biến ở mode hoạt động khi có lực quán tính gây bởi gia t c c n đo ax p điện
trở được chia làm hai nhóm: nhóm 1 bao gồm điện trở từ R1 đến R4 chỉ nhạy với gia t c theo
hướng x, nhóm 2 bao gồm điện trở R5 đến R8 chỉ nhạy với gia t theo hướng y S đồ mạch
c u nguy n lý để
 Hình 2.9: Mô hình cảm biến gia t c hai bậc tự do sử dụng hiệu ứng áp trở: (a) mặt chiếu đứng
c a cảm biến và (b) mặt cắt ngang minh họa hoạt động c a cảm biến ưới tác dụng c a gia t c
dọc theo trục x.

đo lường gia t theo phư ng x v y được thể hiện trên hình 2.10. Khi có một gia t c theo trục x,
ax, các giá trị p điện trở R1 và R3 sẽ tăng, trong khi, R2 và R4 giảm, v ngược lại. Do vậy, đo điện
p đ u ra, Vout, c a c u Wheatstone sẽ x định đượ độ lớn c a gia t c theo trục x. Nguyên lý
tư ng tự ũng được áp dụng cho các áp trở R5 đến R8 để đo gi t c theo trục y.
 Hình 2.10: Mạch c u Whe tstone đo tín hiệu gia t c theo trục x (a) và theo trục y (b).

Ở trạng thái không ứng suất, điện p đ u ra c a mạch c u đo gi t c trục x, Vout_ax, được cho
bởi:
(2.29)
( )( )
Khi có gia t c tác dụng, p điện trở th y đổi, điện p đ u ra c a mạch c u đo gi t c trục x
được cho bởi:
( )( ) ( )( )
(2.30)
( )( )
Khi, R1 = R2 = R3 = R4 = R và R1 = R2 = R3 = R4 = R, phư ng tr nh (2 30) được rút gọn
thành:
(2.31)
Đ i với điện p đ u ra c a mạch c u đo gi t c trụ y ũng đượ x định tư ng tự.
Các cảm biến điện ung thường sử dụng điện ung vi ph n Trong hướng phát triển này,
điện dung có thể dạng điện dung diện tí h th y đổi hoặc khoảng cách giữa các bản cự th y đổi.
Trên hình 2.11 minh họa hai dạng cảm biến sử dụng tụ vi phân dạng diện tí h th y đổi. Trong
hình 2.11 (a) minh họa dạng cảm biến gia t nhưng huyển động hai
 Hình 2.11: Mô hình cảm biến hai bậc tự do trong mặt phẳng sử dụng hế nhạy điện dung vi
phân: (a) nhạy gia t c trục x và y có sự kết cặp v ( ) nhạy gia t c trục x và y với kết cặp
được hạn chế.

hướng x và y có sự kết cặp , v ảm biến sử dụng một hệ th ng lò xo treo kh i kh i gia trọng.

Ngược lại, mô hình cảm biến trong hình 2.11 (b) sử dụng hai hệ th ng lò xo treo cách ly nhau
thông qua khung cách ly chuyển động học, mỗi hệ th ng lò xo ưu ti n với chuyển động trong
một trục x hoặc trục y.

2.2.4. Cảm biến gia tốc MEMS ba bậc tự do

Ngoài các mô hình cảm biến 1 và 2 bậc tự o được trình bày ở trên, các mô hình cảm
biến 3 bậc tự o ũng đã được phát triển. Cũng tư ng tự như ảm biến một và hai bậc tự do ở
tr n, hế nhạy cho cảm biến ba bậc tự do có thể l p điện trở, điện dung, p điện. Trong thiết
kế cảm biến ba bậc tự do, hệ th ng lò xo treo trong trường hợp này c n đ p ứng chuyển động
độc lập đ i với ba trục trự gi o xyz Đ y l vấn đề không dễ trong việc thiết kế các hệ th ng lò
xo vi treo Tr n h nh 2 12 minh họa một cảm biến ba bậc tự do sử dụng hiệu p điện.

Hình 2.12: Minh họa một cảm biến gia t c ba bậc tự o được tạo từ một kh i gia trọng đ n: ( )
mặt chiếu đứng và (b) mặt cặt ngang.
 Tư ng tự như ảm biến gia t p điện điện trở ba bậc tự do, cảm biến gia t p điện ba
chiều ũng ó thể thiết kế và chế tạo bằng cách sử dụng một vi cấu trú đ n. Một thiết kế cảm
biến p điện ba bậc tự o được thể hiện trong Hình 2.12. Kh i gia trọng trung t m được kết n i
với đế qua b n vi d m đ i xứng. Khi có gia t c trục z, kh i gia trọng tạo ra ứng suất kéo ở nửa
trên c a các vi d m (tức là x1, x2, y1 và y2) và ứng suất nén ở z1 - z4, H nh 2 12 ( ), ( ) Do đó,
tổng từ z1 đến z4 đo gi t c trục z. Các thành ph n vi phân x1, x2 và y1, y2 bằng không. Khi có gia
t c trục x, kh i gia trọng quay quanh trục y (Hình 12 (c)) và tạo ra ứng suất kéo theo x1 và z3 và
ứng suất nén theo z1 và x2 Nó ũng tạo ra ứng suất trượt trong y1, y2, z2 và z4, nhưng húng ó thể
được bỏ qu Do đó, gi t c trục x tạo ra tín hiệu từ vi phân c a x1 và x2. Vi phân c a y1 và y2 và
tổng c a z1 đến z4 đều bằng không vì ứng suất trong y1 và y2 ó ùng i n độ và cùng dấu trong
khi z1 và z3 ó ùng i n độ nhưng ngược dấu. Nguyên tắ tư ng tự ũng được áp dụng cho gia
t hướng theo trục y.

2. 3. Cảm biến đo vận tốc góc

2.3.1 Giới thiệu cảm biến đo vận tốc góc

V o năm 1852, Leon Fou ult đã ph t minh r thiết bị đo vận t c góc (con quay hồi chuyển) dựa
trên một đĩ qu y Thiết bị đo vận t gó đ u ti n đã ư tr n mô men động lượng góc c a một
đĩ qu y Mô men động lượng góc H là tích c a mô men kh i lượng quán tính I và vận t c góc 
c đĩ qu y:

(2.32)
Dự tr n định luật Newton về chuyển động, mô men động lượng góc c a một vật là không
đổi trừ khi nó bị tác dụng bởi một mô men xoắn T
(2.33)
Nếu mô men xoắn tác dụng lên trụ tư ng tự như vận t c góc, hiệu ứng sẽ tác dụng l tăng hoặc
giảm t độ quay c a vật thể, được ký hiệu bằng s hạng đ u tiên c phư ng tr nh (2 33) Nếu
mô men xoắn tác dụng trự gi o đ i với trụ qu y, đĩ qu y sẽ phát sinh ra một mô men được ký
hiệu bởi s hạng thứ 2 trong phư ng tr nh (2 33), h nh 2 13
 H nh 2 13: Đ p ứng c a một vật qu y ưới tác dụng c a mô men xoắn T.

Tích chéo trong s hạng thứ hai tạo ra các hiệu ứng on qu y đo vận t c góc rất được quan tâm.
Điều n y ũng ó nghĩ l , H và T có liên quan với nhau theo quy tắc bàn tay phải.
Cảm biến đo vận t c góc dạng đĩ qu y được sử dụng để thực hiện một loại ứng dụng có
yêu c u o như trong hệ th ng dẫn đường quán tính tới các ứng dụng có yêu c u thấp h n
kh như thiết bị dân dụng. Do việc chế tạo loại con quay này c n có vòng bi, công nghệ gia
ông, động truyền động v điện tử chính xác cao, nên chi phí rất t n kém.
Vào những năm 1980 v 1990, khi ông nghệ MEMS đ ng ở gi i đoạn phát triển để ứng
dụng vào cảm biến đo vận t c góc, một s hướng nghiên cứu về cảm biến vận t gó đã được
theo đuổi. Sự phát triển c a cảm biến đo vận t c góc kh i gia trọng qu y MEMS n đ u bị hạn
chế do thiếu các ổ trục ma sát thấp và sự bám dính và các lực bám dính ở ở tỷ lệ mi ro Phư ng
pháp này hiện đ ng trong gi i đoạn nghiên cứu và không có sản phẩm thư ng mại con quay hồi
chuyển kh i lượng quay MEMS nào.
Vào những năm 1960, kỹ sư đã t m kiếm các lựa chọn thay thế cho con quay hồi
chuyển kh i lượng quay bởi v kí h thước lớn, dễ bị vỡ và chi phí chế tạo cao c a nó. Những
phát triển công nghệ tiếp theo đã ho phép tạo ra cảm biến đo vận t c góc (con quay hồi chuyển)
kiểu o động.

2.3.2. Cảm biến đo vận tốc góc kiểu dao động

Các cảm biến đo vận t c góc kiểu o động dựa trên gia t c Coriolis. Hình 2.14 thể hiện
gia t c Coriolis, Acoriolis, được sinh ra bởi một vật chuyển động xung quanh một trục với vận t c
góc c định  và chuyển động theo hướng bán kính từ trục quay với vận t c V. Gia t c Coriolis
đượ định nghĩ ởi phư ng tr nh (2 34) Việ x định độ lệch c a một vật ưới tác dụng c a
gia t oriolis l sở c a cảm biến đo vận t c góc kiểu o động.

(2.34)

hế vật lý c on qu y đo vận t c góc dạng o động là truyền năng lượng từ trục cộng
hưởng này sang trục cộng hưởng khác thông qua kết cặp gia t c Coriolis.
 Hình 2.14: Gia t c Coriolis trên một vật thể chuyển động trong một hệ th ng quay.

Con quay hồi chuyển o động được cấu tạo bởi một hệ th ng cộng hưởng mà nó sẽ làm một vật
o động dọc theo một trục v đo lường chuyển động trực giao hoặc lực tác dụng lên vật thể bởi
gia t c Coriolis.
Hình 2.15 thể hiện mô hình c a một kh i gia trọng kh i lượng M được lái chuyển động
dọc theo trục x, t độ quay c n đo  nằm dọc theo trụ z v đ p ứng gia t c Coriolis được xác
định dọc theo trụ y Phư ng tr nh huyển động (cân bằng lực) c a vật thể theo trục truyền động
(x) và trục nhạy (y) tư ng ứng là:
̈ ̇ ̇ (2.35)
̈ ̇ ̇ (2.36)
Ở đ y,

√ , √ (2.37)

x vày tư ng ứng là các t n s tự nhiên c a dao dộng dọc theo các trục x và y.  x và  y tư ng
ứng là tỷ lệ suy hao theo mỗi trụ H i phư ng tr nh (2 35) v (2 36) l một hệ phư ng tr nh ậc
h i được kết cặp với nhau thông qua các s hạng gia t c Coriolis.
 Hình 2.15: Mô hình cảm biến đo vận t c góc một kh i gia trọng.

Thông thường, t n s tự nhi n theo hướng nhạy y, nhỏ h n khoảng 10% so với t n s tự nhiên
theo hướng truyền động x Điều này sẽ cung cấp một mức khuế h đại học phù hợp mà không
làm giảm ăng thông hoặc dị h ph đ ng kể. Tỉ s cản c a kh i gia trọng theo trục x và y phụ
thuộ v o định hướng c a kh i gia trọng so với mặt đế. Chuyển động tư ng đ i giữa kh i gia
trọng v đế sẽ quyết định hế cản không khí. Nếu kh i gia trọng chuyển động vuông góc với
đế th hế cản do màng không khí bị nén gây ra. Nếu kh i gia trong chuyển động trượt so với
đế th hế màng cản o m ng không khí trượt gây ra. Việc hoạt động c a con quay hồi chuyển
yêu c u kh i gia trọng được lái trong trục x bởi lực Fx Đ i với nhiều thiết kế MEMS, Fx là lực
tĩnh điện Bi n độ truyền động, x, phải được duy trì rất chính xác bởi vì bất kỳ sự th y đổi nào
ũng sẽ trực tiếp góp ph n tạo ra sai s trong i n độ hướng nhạy (Phư ng tr nh (2 36)) v đ u ra
con quay hồi chuyển V lý o n y, i n độ trục truyền động đượ điều khiển bởi một vòng phản
hồi điều khiển khuế h đại tự động. Bởi vì trục x (trục truyền động) là một o động, đ p ứng c a
trục y (trục nhạy) ũng sẽ l o động (Phư ng tr nh (2 38))
( )
, (2.38)

Gia t c Coriolis l đ u v o trong phư ng tr nh (2 36), là hai l n tích c a t độ gó Ω v

vận t c c o động trục x ( ̇ ), tạo ra một tín hiệu điều biến Do đó, đ u ra con quay hồi chuyển
sẽ c n được giải điều chế để trích xuất tín hiệu t độ quay. ̇ bằng 0 tại điểm cực trị c a
chuyển động c a kh i gia trọng và cự đại khi kh i gia trọng đi qu vị trí không bị lệch (vị trí
cân bằng) Độ dịch chuyển x c a kh i gia trọng và lự oriolis, trong đó ó hứa s hạng vận t c
̇ , có một độ lệ h ph nh u 90°; o đó, độ dịch chuyển y do lự oriolis g y r ũng sẽ có một
độ lệch pha 90°. Những tín hiệu này có dạng c u phư ng (qu r ture) Điều này sẽ dẫn đến một
đường lệch hình b u dụ (đ i xứng qua trục x) c a kh i gia trọng được thể hiện trong Hình
2.16(a) ( = hằng s ). Với t độ quay bằng không, dạng quỹ đạo lệch c a kh i gia trọng sẽ
không lệ h theo phư ng y v o động hoàn toàn dọc theo trụ x như trong H nh 2 16 ( ) Nếu
có sự mất cân bằng về kh i lượng hoặ độ cứng trong động lực học c a hệ th ng, chuyển động
c a kh i gia trọng được mô tả trong phư ng tr nh (2 39), quỹ đạo độ lệch kh i gia trọng sẽ như
trong Hình 2.16 (c).

̈ ̈ ̇ ̇ (2.39)

H nh 2 16: qũy đạo lệch c a kh i gia trọng con quay hồi chuyển do gia t c Coriolis: (a) với Ω ≠
0, ( ) Ω = 0 v ( ) Ω ≠ 0 với sai s c u phư ng

Sự mất cân bằng trong o động c a kh i gia trọng nhạy tạo r độ lệ h trong hướng trụ y được
gọi là sai s c u phư ng, hiệu ứng này làm nhiễu tín hiệu Coriolis. Các ảnh hưởng c a sai s c u
phư ng ó thể được loại bỏ bằng phư ng ph p loại bỏ lỗi c u phư ng bao gồm việc sử dụng các
bộ truyền động tĩnh điện với các tín hiệu với pha thích hợp để loại bỏ sự mất cân bằng hoặc bằng
phư ng ph p ph t hiện đồng bộ, sử dụng m i quan hệ c u phư ng để trích xuất tín hiệu
Coriolis.

Con quay hồi chuyển dạng o động vi tí h hợp sili đ u ti n đượ tr nh y v o năm
1981. Trong những năm s u đó, sự phát triển c a con quay hồi chuyển MEMS đã đượ thú đẩy
bởi tiềm năng c a một thiết bị giá rẻ có thể được sản xuất hàng loạt. Rất nhiều cấu trúc cảm biến
đo vận t c góc kiểu o động một kh i gia trọng đã được nghiên cứu thiết kế và chế tạo. Mục
tiêu chung c a tất cả các cấu trúc con quay hồi chuyển o động là tạo ra một bộ o động
truyền động v uy tr động lượng không đổi và một cảm biến để đo gi t oriolis D o động
mode truyền động và cảm biến gia t c mode nhạy có thể dựa trên chuyển động thẳng hoặc
chuyển động xoắn Trong trường hợp cảm biến vận t gó o động tuyến tính, sự bảo toàn
động lượng tuyến tính dẫn đến việc truyền năng lượng từ trục truyền động sang trục nhạy, trong
khi cảm biến vận t c góc xoắn bảo to n mômen động lượng góc dẫn đến truyền năng lượng.
Trong ph n này ch yếu trình bày về cảm biến vận t gó o động tuyến tính. Bởi vì, lực
oriolis được tạo ra trực giao với o động mode truyền động, o đó, kh i gia trọng yêu c u
đượ o động tự o theo h i hướng tuyến tính trực giao và hoạt động c a hai mode này không
bị ảnh hưởng bởi mo e o động khác. Thiết kế hệ th ng vi treo (lò xo) kh i gia trọng trở
nên quan trọng trong việ đạt được những mục tiêu này. Trục truyền động và trục nhạy x định
ản trục nhạy t độ góc mong mu n. Ví dụ, một cảm biến vận t c góc trục z (Hình 2.17 (a))
đượ định nghĩ với kh i gia trọng o động tự o theo h i hướng trực giao trong mặt phẳng:
hướng truyền động dọc theo trụ x v hướng nhạy dọc theo trục y. Tronh hình 2.17 (b) minh họa
một cảm biến vận t c góc trục y trong mặt phẳng Trong trường hợp này, kh i gia trọng dao
động theo một hướng trong mặt phẳng dọc theo trục x và một hướng nhạy ngoài mặt phẳng dọc
theo trục z. Trục truyền động và trục nhạy có thể đượ ho n đổi cho nhau tùy thuộ v o hế
chấp hành và nhạy. Cảm biến vận t c góc trục x yêu c u hướng lái hoặ hướng nhạy dọc theo
trục y. Do đó, trong nhiều trường hợp, thiết kế cảm biến vận t c góc trục y có thể được sử dụng
như cảm biến vận t c góc trục x bằng cách quay 90o trong mặt phẳng.

Hình 2.17: Mô hình minh họ x định tên gọi c a cảm biến đo vận t c góc: (a) cảm biến đo vận
t c góc trụ z: hướng truyền động là dọc theo trụ x v hướng nhạy dọc theo trục y; (b) cảm biến
đo vận t c góc trụ y: hướng truyền động là dọc theo trụ x v hướng nhạy dọc theo trục z.

Trong thực tế, hai dạng cấu trúc c a cảm biến vận t gó o động tuyến tính một kh i
gia trọng đã được phát triển. Dạng đ u ti n đó l o động theo hướng l i v hướng nhạy kết cặp
với nh u Điều n y ó nghĩ l kh i gia trọng o động dọc theo cả trục x và trục y, trở thành hệ
2 bậc tự do. Trên hình 2.18 thể hiện một s cảm biến dạng này với các hệ th ng vi treo kh i gia
trọng kh nh u tr n đế. Hệ th ng vi treo được tạo ra từ các vi d m mỏng ó độ cứng nhỏ (ưu
tiên chuyển động) dọ theo h i hướng nhạy và truyền động. Các cấu trúc vi treo phổ biến ứng
dụng trong cảm biến vi trục z bao gồm: vi treo dạng càng cua (Crab-leg suspension, hình 2.18
(a)), vi treo dạng zig-zắc (Serpentine suspension, hình 2.18 (b)), vi treo dạng kẹp tóc (Hairpin
suspension, hình 2.18 (c)) và vi treo dạng chữ H (H-type suspension, hình 2.18 (d)). Các hệ
th ng vi treo n y được sử dụng rộng rãi cho cả cảm biến vận t c góc trục z với mode truyền
động và nhạy trong mặt phẳng và cảm biến vận t c góc trục x/y với một trục trong mặt phẳng và
một trục ngoài mặt phẳng, như trong h nh 2 18 ( ) ảm biến vận t c góc có mode ngoài mặt
phẳng thường được chế tạo với một lớp cấu trúc mỏng để cho phép các thanh d m lệch ngoài
mặt phẳng, trong khi cảm biến vận t c góc với mode truyền động và mode nhạy trong mặt phẳng
thường được chế tạo với lớp cấu trú y h n để hạn chế các mode hoạt động ngoài mặt phẳng.
Hệ th ng treo kiểu càng cua và chữ H thể hiện sự đ i xứng t t h n giữa các mode truyền
động và mode nhạy, cho phép dễ dàng thiết kế các mode lái và mode nhạy g n h n Ở hệ th ng
vi treo càng cua, zig-zắc và kẹp tóc, chuyển động truyền dẫn ũng ảnh hưởng đến đến độ lệch
c a các vi d m mode nhạy, nó thường gây ra sự truyền năng lượng không mong mu n sang
mode nhạy. Dạng vi treo chữ H có thể không gây ảnh hưởng mode truyền động tới mode nhạy,
tuy nhi n, ưới tác dụng c a lực Coriolis sẽ l m ho điện cự răng lược mode mode lái lệch sang
một n Điều n y ũng ẫn đến mất ổn định trong điều khiển truyền động ũng như g y nhiếu
tín hiệu nhạy.

Hình 2.18: Một s cảm biến vận t gó o động tuyến tính một kh i gia trọng với chuyển động
mode truyền động và mode nhạy kết cặp với nhau với các hệ th ng vi treo khác nhau: (a) vi treo
dạng càng cua, (b) vi treo dạng zig-zắc, (c) vi treo dạng kẹp tóc và (d) vi treo dạng chữ H.

Bởi v , i n độ mode truyền động ó độ lớn lớn h n nhiều bậc so với i n độ mode nhạy,
vì vậy, nó c n thiết để cách ly chuyển động c a mode truyền động khỏi chuyển động mode nhạy.
Người t ũng mong mu n hạn chế hướng lệch c điện cực mode truyền động v điện cực
mode nhạy, điện cực mode truyền động chỉ lệ h theo hướng truyền động v điện cực
nhạy chỉ lệ h theo hướng nhạy Điều n y n ng o độ chính xác và ổn định c điện cực
truyền động v điện cực nhạy Để cách ly chuyển động c a mode truyền động và mode nhạy,
người t thường thiết kế một cấu trú khung để gắn kh i gia trọng nhạy gia t c Coriolis. Hai
cách tiếp cận ản trong việc b trí khung cách ly: 1) khung cách ly là khung truyền động và 2)
khung cách ly là khung nhạy. Hình 2.19 (a)-(b) thể hiện các mô hình hóa c a cảm biến vận t c
góc với o động nhạy và truyền động được cách ly khi sử dụng một khung h ly tư ng ứng là
khung truyền động (a) và khung nhạy (b). Hình 2.19 (c)-(d) là hai mô hình thiết kế cảm biến vận
t c gó tư ng ứng với các mô hình hóa trong Hình 2.19 (a)-(b), các cảm biến được thiết kế dựa
tr n lò xo vi treo ạng chữ U và truyền động dạng tĩnh điện dạng răng lược và nhạy kiểu điện
dung vi phân. Trong cách tiếp cận đ u tiên, kh i gia trọng được b trí phía trong khung cách ly,
khung này hạn chế chỉ dịch chuyển theo hướng truyền động, Hình 2.19 (a) và (c). Cách thiết kế
n y đảm bảo rằng: chuyển động truyền động đượ đượ điều khiển chính xác dọc theo trục
truyền động được thiết kế và giảm thiểu thành ph n c a chuyển động truyền động dọc theo trục
nhạy. Thiết kế cấu trú h ly o động như vậy ũng ung ấp độ ổn định i n được cải thiện
và ảnh hưởng c a lự hướng nhạy tới các bộ truyền động được hạn chế.

Hình 2.19: Mô hình hóa cảm biến vận t c góc với o động nhạy và truyền động được cách ly
khi sử dụng một khung cách ly là khung truyền động (a) và khung nhạy ( ) ( ) v ( ) tư ng ứng
với mô hình hóa cảm biến trong hình (a) và (b) là hai mô hình thiết kế cảm biến vận t c góc dựa
trên lò xo vi treo dạng chữ U và truyền động tĩnh điện dạng răng lược và nhạy kiểu điện dung vi
phân.

Trong cách tiếp cận thứ 2, kh i gia trọng được b trí phía trong khung cách ly, khung này hạn
chế chỉ dịch chuyển theo hướng nhạy, H nh 2 19 ( ) v ( ) điện cực nhạy được gắn vào
khung cách ly và chuyển động tư ng đ i c điện cực nhạy dọc theo trục truyền động được
hạn chế. Cách thiết kế này giảm thiểu sự th y đổi điện dung không mong mu n trong điện
cực nhạy do chuyển động c a bộ truyền động.
Hình 2.20: Cảm biến đo vận t c góc kiểu âm thoa (Tuning fork gyroscope): (a) Mặt chiếu đứng
và (b) mặt cắt ngang.

Một cấu trú kh đã được sử dụng cho con quay hồi chuyển o động MEMS đó l on
quay hồi chuyển âm thoa (Tuning fork gyroscope-TFG) (Hình 2.20). TFG bao gồm hai kh i gia
trọng đượ điều khiển ngược pha (tức là cả hai kh i gia trọng đều di chuyển ra ngoài hoặc vào
trong so với trụ t m) Trường quay sẽ làm cho các kh i gia trọng chuyển động vuông góc với bề
mặt đế theo hướng ngược nhau. Cấu hình này cho phép thiết kế nhạy kiểu vi sai. Kiểu nhạy
vi sai sẽ không nhạy các tín hiệu mode gi ng nhau ở hai ph n tử nhạy như gi t c bên ngoài.
Việc sử dụng hai kh i gia trọng o động ngượ ph ũng l m ho mômen ị triệt tiêu cục bộ và
làm cho con quay hồi chuyển ít nhạy h n đ i với đóng gói/lắp đặt. Hai kh i gia trọng có thể có
hệ th ng treo kết cặp hoặ độc lập với nhau. Hai dạng TFG MEMS tr n đã được phát triển thành
công cho các ứng dụng thư ng mại. Đ y l những ví dụ về ứng dụng con quay hồi chuyển
MEMS cấp chiến thuật và thiết bị dân dụng. Các ứng dụng cụ thể c a một con quay hồi chuyển
trong những lĩnh vực này bao gồm điều hướng cấp chiến thuật, ổn định chuyển động, kiểm soát
trượt ô tô và ổn định sự cân bằng.
Hình 2.21: Mô hình cảm biến vận t c góc trục z: (a) mô hình hóa cảm biến vận t c góc hai kh i
gia trọng và (b) mô hình thiết kế cảm biến vận t c góc.

H nh 2 22: Mô h nh điện dung nhạy vi phân: (a) hai mảng điện dung (mỗi mảng gồm N điện
ung) đ i xứng nhau qua kh i gia trọng, mỗi cặp điện ung vi ph n được xem một điện cực
chuyển động vuông góc với hai bản cực c định h i n v ( ) mô h nh điện ung vi ph n được
tạo r tư ng tự hình (a), tuy nhiên mỗi điện ung trong trường hợp này được tạo ra từ hai tụ điện
mắc song song, một tụ điện có khe hẹp là dmin, một tụ có khe hẹp là dmax, tổng hai khe hẹp này là
không đổi.
Để nhạy gia t oriolis như trong h nh 2 20, hế nhạy điện ung vi ph n thường sử dụng,
tuy vậy, khi kh i gia trọng o động vuông góc với đế/điện cực nhạy đ i diện sẽ xuất hiện hiện
tưởng cản không khí lớn. Hiệu ứng này có thể ảnh hưởng đến tín hiệu nhạy/độ dịch chuyển gây
bởi gia t c Coriolis c n đo Ng y n y, người t thường thiết kế các cảm biến vận t c góc với dạo
động nhạy và lái nằm trong một mặt phẳng. Các cảm biến đo vận t gó n y thường gọi là TFG
trụ z, nghĩ l trục quay là trục z vuông góc vởi mặt phẳng đế. Hình 2.21 trình bày một dạng
cảm biến vận t gó điển h nh D o động tịnh tiến dọc trục x với vận t V được thực hiện bởi
điện cự răng lược ở hai phía c a trụ y Để nh y độ dịch chuyển do gia t c Coriolis gây ra
dọc trụ y, phư ng ph p nhạy điện ung vi ph n ùng điện cự răng lượ đã được sử dụng. Hình
2.22 thể hiện hai dạng điện dung vi ph n thưởng được sử dụng trong thiết kế ph n tử nhạy cho
cảm biến vận t c góc. Hình 2.22 (a) thể hiện một điện dung vi phân với khoảng cách khe hẹp
giữa hai bản tụ điện, d, l như nh u ở hai bên kh i gia trọng, khi kh i gia trọng dịch chuyển, một
điện dung sẽ tăng v điện dung còn lại sẽ giảm. Mô hình mạ h điện ung tư ng đư ng được thể
hiện trong hình chèn ở giữ H nh 2 22 ( ) v ( ) Điện ung vi ph n đượ x định dựa trên công
thức (2.40):

(2.40)

Ở đ y, N là s tụ điện được tạo bởi một điện cự răng lược c định v điện cự răng lược chuyển
động, và C0 hính l điện dung c a tụ này ở trạng th i n đ u.

Hình 2.22 (b) thể hiện một điện dung vi phân, với khoảng cách khe hẹp n đ u giữa
răng lược chuyển động với h i điện cự răng lược khác nhau, một khe hẹp đượ đặt là dmin và
một khe hẹp còn lại đượ đặt là dmax Trong trường hợp n y, điện dung C2 bao gồm N cặp điện
dung có khoảng cách dmin và dmax mắc song song với nhau, C1 đượ x định khi kh i gia trọng
dịch chuyển một khoảng x bởi:
(2.41)
Tư ng tự điện dung C2 đượ x định bởi:
(2.42)
Vì vậy, biến thi n điện ung vi s i đượ x định bởi:
 (2.43)
Với tổng dmax và dmin l không đổi, các khảo sát thể hiện rằng có các tập hợp giá trị dmax và dmin ở
đó iến thi n điện ung đạt giá trị lớn nhất.
Các nghiên cứu để tăng ường hoạt động c a cảm biến n y đã được thực hiện, một trong
hướng nghiên cứu quan trọng đó l ổn định cấu trú , điều khiển sự sai khác giữa t n s cộng
hưởng lái và t n s cộng hưởng nhạy, v điều khiển hoạt động ch ng đồng pha c a mode lái.
Ngoài ra để tăng ường độ nhạy c a cảm biến, hoạt động cảm biến ở áp suất thấp, các cấu trúc
nhiều bậc tự o ũng đã được nghiên cứu.