Chương 3.

Các cơ chế nhạy ứng dụng trong cảm biến MEMS/MEOMS

3.1 Giới thiệu chung về cảm biến MEMS

: bộ vi
Trong khái ni m chung, c ộ (transducer) ộ
ộ Cụ th ơ , c ộ ộ
, ộ
một d ng Hình 3.1 mô t ơ ồ nguyên lý của một c m bi n.

Hình 3 1 ơ ồ nguyên lý của một c m bi n.

, ộ , ơ
ộ ơ
ụ c m bi n , , chúng ta ộ ơ
B ng 3.1 th hi n một s ơ chuy i
bi n các tín hi u vào ơ, n, nhi t, v.v. thành các tín hi u ra d ng
ơ n dự ơ chuy c li t kê trong các cộ ơ ng. Ví dụ, v i tín
hi ơ ọ ự ơ ọc/áp su t làm cho ch t lỏng bị nén, n u một màng mỏ ơ
học chịu áp lực nén của ch t lỏng có th bị u y, dự ơ chuy ơ
học ch t lỏ ã i tín hi ơ ọc (lực/áp su t) thành tín hi ộ
u n cong của màng mỏng. Có một s ơ có th chuy i theo hai chiều: chuy i
ơ n hoặ cl ơ chuy i hai chiều thông dụ c

3. 1 ơ

Tín hiệu đầu ra

Tín hiệu đầu Cơ Điện
vào
Các cơ chế chuyển đổi
ơ ơ học ch t lỏng, sóng âm Á n tr
Đ n Tĩ , nt Đ u dò Langmuir, bộ bi n tính
Nhi t Giãn n nhi t Hỏ n
T T k T tr
Hóa học H p thụ hóa học Ion hóa, transistor hi u ng
, n tr hóa
 Hình 3.2. Minh họa c m bi n v i các u ra cùng v ơ chuy n
ng.

li t kê trong hình 3.2 cùng v ơ ọ n u ra. N ơ

chuy i có th thực hi c c hai chiều, c m bi n và bộ ch c gọi chung
là các bộ chuy i (Transducers).
Trong các ph n ti p sau, ơ nh y dự ơ ơ
bi i tác dụng của chuy ộ ơ, ự n tr n áp phát sinh
i tác dụng của lực/ ng su t s c sử dụng s c t p trung trình bày. ơ
pháp nh c nêu, nh y dựa trên hi u ng dịch chuy n t n s cộ , ơ ũ
c th o lu n. Trong ph n cu ơ , ột s c m bi n v t lý sử dụ ơ nh c
c, v n t c góc và áp su ũ c trình bày.

3. 2 Các cơ chế nhạy

3. 2. 1 Nhạy dựa trên hiệu ứng điện dung

Nh ĩ ơ c sử dụng cho các linh ki n

MEMS. Hình 3.3 minh họa ba d ng c u trúc tụ n có các b n cự ơ c sử
dụng trong linh ki , ột b n cực c ịnh và một b n cực chuy ộng. B n
cực chuy ộ c gắn v i một ph n t MEMS nh y chẳng h i gia trọng
trong c m bi n gia t c, c m bi n v n t c góc, trong một bộ ộng, c m bi n áp su t, v.v. Hình
3.3 (a) và (b) minh họa c u trúc tụ n có hai b n cực song song, các b n cực dịch chuy n theo
ơ ô t song song v i nhau. Hình 3.3 (c) minh họa c u trúc tụ ơ ự hình
33 , , ng h p này một b n cự t song song giữa hai b n cực c ịnh.
C u trúc tụ này gọi là c u trúc tụ ki c (interdigitated comb).
Đ n dung của tụ n hai b n cực song song cách nhau một kho ng c ịnh d ịnh
b i công th c:

(3.1)

Trong bi u th c (3.1), là hằng s n thẩm của v t li ô ng giữa hai b n cực song song
–12
(hằng s n thẩm củ ô ng không khí là 8.85 × 10 F/m), A là di n tích chồng ch p
giữa hai b n cực, A = w x l, , w và l ơ ng là chiều rộng và chiều dài của di n tích
chồng ch p giữa hai b n cực tụ n. Khi một b n cực dịch chuy n một kho ng x, chẳng h n b n
cực chuy ộng dịch một kho ng x về phía b n cực c ịnh (Hình 3 3 , n dung của tụ lúc
ịnh b i:

(3.2)

y, sự ơ ∆ :

( )
(3.3)

V i kho ng dịch chuy n x nhỏ so v i d c xem là nhỏ khi x < 0.01d) chúng ta có sự
bi ∆C phụ thuộc tuy ộ dịch chuy :

(3.4)

y, bằ ự i ∆C, chúng ta có th ị ộ dịch chuy ơ ọc x.

C u trúc tụ ng h c gọi là c u trúc có di ô i trong khi kho ng
cách giữa các b n tụ Đ ý ng dụng nh n dung trong các c m bi n
MEMS.

Hình 3.3. Minh họa c u trúc tụ n có b n cực song song: (a) và (b) các b n cực dịch chuy n
ơ ô t song song v i nhau và (c) mô hình c u trúc tụ d c
gồm một b n cự t song song v i hai b n cực còn l i; (d) và (e) mô hình m ch ơ
ơ ơ ng v i các tụ trong hình (a) và (b), và (c).

Các mô hình nh n dung v i các c u trúc tụ ơ c mô t trong hình 3 3 ng

bị nhiễu b n dung ký sinh, b , ng nhỏ (b c fF). Do v , i ta
ã ơ y dựa trên c u trúc tụ n d ng vi phân. Trên hình 3.4 minh
họa hai c u trúc tụ ơ n, nó bao gồm hai tụ n có mộ n cực chung. Ở vị trí
u, hai tụ n này có giá trị ơ ơ K ột b n cực tụ dịch chuy , n
dung hai tụ bi n thiên mộ c chiều. C n dung d ng vi phân
có th lo i bỏ nhiều hi u ng mode chung, chủ y iv ng b c 1.

Hình 3.4. Minh họa c u trúc tụ n d ng vi phân: (a) một b n cực dịch chuy n song song trên 2
b n cực còn l i; (b) một b n cực dịch chuy ô i v i hai b n cực còn l i; (c) mô hình
m nt ơ ơ

Hình 3.5. Mô hình một c m bi n gia t c MEMS sử dụ n dung vi phân.

Trên hình 3.5 minh họa một mô hình c m bi n gia t c MEMS sử dụ n dung d ng vi
phân. C m bi c thi t k dựa trên d ng tụ vi phân trong hình 3.4 (a). Hình 3.5 (a) th
hi n mặt chi ng của c m bi n v i r t nhiều kh i gia trọ / n cực chuy ộng ghép song
song v i nhau, mỗ n cực chuy ộng cùng v n cực A và B t o thành tụ n d ng vi
phân. Hình 3.5 (b) là mặt cắt ngang th hi n tụ vi phân tr u, C1 = C2 D i tác
dụng của gia t u vào, kh i gia trọng dịch chuy n sang ph 35 , n
dung C1 gi n dung C2 Đ n dung vi phân có th c tính dựa trên công
th c (3.10) và s ph n tử c thi t k trong c m bi n

Đ n dung của các linh ki ng nhỏ, ph bi n là tỷ l fF. Sự bi i của

ĩ cung c p tín hi ộng học c n quan tâm là trong
ph m vi fF hoặc nhỏ ơ n dung stray không mong mu c gọ n dung ký
sinh có th n dung c ụ về n dung ký sinh bao gồ n dung
giữa mộ ng nh hoặ n dung giữ ng nh y. Hình 1.6 minh họ n
dung trong một c m bi n gia t c MEMS, bao gồ : n dung trực ti p Cpp, ng rìa
Cf1 và Cf2, n dung tồn t i giữ ĩ n cự , n cự , Cpl và Cpu.

Hình 3. 6 ơ ồ minh họa các d n dung trong một linh ki n MEMS (a) và mô hình m ch
ơ ơ

ộ củ ý ng l ơ ĩ n dung
ộng của linh ki D , n dung ký sinh có th gây ra các sai s ng. Có một
s ơ làm gi ý : trí các thành ph n và cách ly c u trúc
n dung nh y h p lý, và tích h p trực ti p trên chíp các m n tử ng
n dung ký sinh s làm ằng s th n t ng th của linh ki n và
gi i h n t n s có th n n.

3.2.2 Các phương pháp đo lường điện dung trong các linh kiện MEMS

3.2.2.1 Phương pháp kích thích điện xoay chiều

Nguyên lý củ ơ ị ộ l n tín hi n áp hoặc dịch t n s

trong một m n mà nó tỷ l v n dung c ụ, một m ch c c sử
dụ c th hi n trong hình 3 7 Đ n áp AC kích thích t n s , c
(t n s tín hi u mang). c >> , t n s n dung gây b i kích thích v t lý.
 Hình 3. 7 M ch c A ều bi ộ: tín hi u trong miền th i gian (b) và tín hi u
trong miền t n s (c).

K n xoay chiều

( ) (3.13)

Sự n dung

( ) ( ) (3.14)

D u ra của tín hi ều bi ộ

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) (3.15)

Đ ều bi ộ (Amplitude modulation - AM) là phép nhân của tín hi u sóng mang và tín hi u
c m bi , ộ củ A c bi n ib ộ của tín hi u
ều bi n (tín hi u c m bi n). Tín hi u c m bi n có th ng bao t n s th p của
tín hi u sóng mang hay kích thích t n s cao. M ch c A ô c sử dụng
trong các ng dụng MEMS b i khu i nhỏ c của các thành ph c yêu c u.
Trong thực t i ta hay dùng hai hình d ng khu i nh y hữu hi
n dung: bộ n áp và bộ tích phân. C hai m ch này sử dụng các khu i thu t
toán. Một khu i thu t toán (Hình. 3. 8) là một thành ph n m ch mà nó khu ch i sự khác
nhau giữ sinh ra mộ u ra.
 Hình 3. 8. Khu i thu t toán

ặ ủa một khu i thu ý : 1 H s khu i vi phân r t l n,

5
ng l ơ 10 , 2) Tr kháng vào là vô cùng, ĩ ò ằng không, 3) Tr
u ra bằ ô , ĩ ộ u ra của một nguồ ý ng, 4)
Khu i thu t toán có kh i chọn lọc, ĩ ỉ có sự khác nhau của V1
và V2 c khu i. Bi u th c bi u thị b i:
( ) (3.16)

3.2.2.2 Bộ đệm điện áp

Trên hình 3.9 th hi ơ ồ của một bộ n áp (Voltage buffer). Bộ n áp

nh y v i một c u trúc tụ n dung vi phân, CS1 và CS2.

Hình 3 9 ơ ồ bộ n áp.

Dự ịnh lu t b n tích chúng ta có:

( ) ( ) (3.17)

T ơ 3 17 , c tỷ l giữ :
 (3.18)

Bi u th c gọi là hàm truyề n áp.

3.2.2.3 Mạch tích phân điện tích

Hình 3.10 th hi n m n tích (Charge integrator).

Hình 3. 10 M ch khu n tích.

Hàm truyề ng h p này ịnh b i:

(3.19)

T ộ tuy n tính tín hi u t ơ ị bi n d ơ i bộ n

Đ n dung ký sinh không xu t hi n trực ti p trong hàm truyền của m n tích
hoặc ng t i khu i củ Đ u ra V0, của bộ n áp hay bộ tích phân
n tích là tín hi ều bi ộ mà nó c c gi ều ch (demodulated) t
c tín hi u c m bi n c n quan tâm.

3.2.2.4 Phương pháp tách tín hiệu/giải điều chế

Mộ ơ ơ n trong gi ều ch là sử dụng bộ dò/thu tín hi ng bao,

nó bao gồm hai thành ph n: một bộ chỉ ột bộ lọc thông th p, Hình 3. 11.
 Hình 3. 11 M ch n tích v i một bộ nh n tín hi gi ều ch tín
hi u.

Bộ chỉ ử dụng mộ lo i bỏ thành ph n tín hi n áp âm hoặ ơ ủa

ng bao t n s th p của tín hi u mang. Hình 3.12 (a) th hi n tín hi u ra V0 ều
bi ộ. Hình 3.12 (b) th hi n tín hi u ra V0 ã ỉ Bộ lọc
thông th p, có t n s cắ c thi t l p b i hằng s th i gian R1C1, s lo i bỏ tín hi u sóng mang
và giữ l i tín hi ơ ự c n quan tâm (Hình 1. 12 (c)).

Hình 3 12 ơ ồ minh họ c xử lý tín hi u trong bộ gi ều ch tín hi u c m bi n: (a)

Tín hi ều bi ộ, (b) tín hi c lọc và (c) tín hi u lọc thông th p (tín hi u của
c m bi n).

3.2.2.5 Các kỹ thuật tụ điện chuyển mạch

 Các kỹ thu t tụ n chuy n m ch có nhữ ã c quan tâm cho
phát tri ơ n dung MEMS. Kỹ thu t tụ n chuy n m
m quan trọng so v i bộ m hoặc bộ tích phân c trình bày trên. Vi c ng dụng
tụ n chuy n m , u ra phụ thuộc vào tỷ s của hai tụ n, không phụ thuộc vào
giá trị riêng lẻ của chúng. Dựa trên công ngh n tử, chúng ta có th ch t o các cặp ph n tử
ch ng nh , ch t o ra một ph n tử ch ị chính xác,
ều này b i vì sai s trong quá trình ch t o. Ngoài ra, t n s của bộ lọc ng dụ ơ
tụ n chuy n m ch có th ều chỉnh chỉ bằ i t n s "xung nhịp" của m ch
tụ n chuy n m ch.

Hình 3. 13 Mô hình ng dụng tụ n dung chuy n m ch của một m n tích.

Hình 3.13 là mộ ơ ồ ng dụng bộ tích phân tụ n chuy n m ch. C ơ n của

m ch gi i v i bộ ã o lu n ; , n áp, VS là DC và b n
công tắc ho ộ ồng bộ v i hai xung nhịp tu n tự, 1 và 2. Các công tắc ho ộng dựa trên
O , c b t hoặc tắt b i xung, 1 và 2. Các tín hi u xung nhịp
c cung c p bên ơ p xỉ 100 l n so v i các tín hi ơ ự t các
tụ n c m bi n, CS1 và CS2.
Trình tự ho ộng của m c mô t :
+ 1 cao và 2 th p: S1, S2, S4 3 m . V0 0 V và tụ CI n. Tụ n CS1
và CS2 c tí n b i các nguồ n áp +VS và –VS.
+ 1 th p và 2 cao: S1, S2 và S4 m và S3 ụ CS1 và CS2 c ngắt khỏi nguồ n
áp +VS và –VS c k t n i v i bộ khu i thu t toán. B i vì bộ khu i thu t toán
ho ộ ô ò , , n tích trên CS1 và CS2 c truyền sang tụ
n CI.
Hàm truyền của m n dung chuy n m ị ơ ự ơ
trình (3.19). Bộ n tích sử dụng tụ n chuy n m ch ho ộng theo trình tự n n
cho các tụ n c m bi n và truyề n tụ n của bộ tích phân khu i thu t toán,
CI.

3.3 Nhạy dựa trên hiệu ứng áp điện trở

3.3.1 Hiệu ứng áp điện trở

T 1956, K ã n ra sự n tr của các v t

dẫn kim lo i sắ ồng khi chúng bị tác dụng b i ng su ơ Đ ý ộ ơ
b n d ng kim lo c sử dụ ng trong kỹ thu t trong nhiều
, 1954, u n tr trong v t li ơ và Germanium
l c báo cáo. Sự khám phá ra hi u n tr ã ng quan
trọng trong phát tri n công ngh MEMS. Sự tích h p các linh ki n tử có th
thực hi c b i sự ơ ề v t li u. Sự tích h p của v t li u áp n tr và linh ki n
MEMS cho phép truyền t t sự bi n d ng mà không có hi ng trễ. Hi u n tr trong
ũ ơn một b c về ộ l n so v i các kim lo Hơ ữa, các quá trình ch t o MEMS
cho phép k t h p t n tr trong m ch c m bi n d ng c u Wheatstone.

Đ n tr su t của ch t bán dẫn ( c cho b i:

(3.20)

T , q (=1.6 × 10–19 n tử, N [cm–3] m ộ ,μ[ 2

/ ] ộ linh
ộng của h t dẫ n tử hoặc lỗ tr ng).

3.3.2 Hiệu ứng áp điện trở trong vật liệu silic đơn tinh thể

Đ iv ơ là một v t li u dị ng thuộc họ l ơ i liên h giữa

ơ n {E} ơ ộ ò n {J} ô n tr su t  c cho b i:

* + , -* + (3.21)
Ở , [] là ma tr n b c 3. Do v y, sự phụ thuộc của {E} vào {J} c bi u diễ i d ng ma
tr n sau:

{ } [ ]{ } (3.22)

Đ i v i tinh th trong họ l ơ ô ng su t tác dụ , n tr

su t dọc theo trục <100> gi ng h t nhau và các s h ng nằ ng chéo của ma tr n
tr su t là bằng không. Vì v , ơ n (1.22) có th c bi u diễ i d ng sau:

{ } [ ]{ } (3.23)

Đ n tr su t của v t li n tr là một hàm của ng su ũ ụ thuộ ng

b i c u trúc tinh th dị ng. Hình 3.14 minh họa mộ ô ơ ị của v t li u v ị ĩ
ng su t phụ thuộ , ng và m ộ dòng.

Hình 3. 14 Kh i l ơ ơ ị minh họ ị ĩ ủa các ng su t (,  , ng (E)

và m ộ dòng n (J).

Các thành ph n tr su t của một tinh th bị tác dụng ng su t có th c vi i

d ng t ng củ n tr su t không bị ng su t và sự n tr su t do ng su :
 (3.24)

{ } { } { }

Nhữ n tr su t, ij, do ng su ơ 3.24) có th c xác

ịnh bằng cách k t h p h s n, ij, v i mỗi thành ph n ng su t

* + , -* + (3.25)

D i x ng của một m ng tinh th l ơ , h s n gi m xu ng còn ba thành

ph n: 11, 12 và 44 P ơ 3.25) là m i liên h giữa sự n tr su t, ij và
ng su t, , c bi u diễn thông qua các h s ij.

 (3.26)

{ } [ ]  }
{

B ng 3.2 các h s n tr iv ơ ị ng <100> nhi ộ phòng

V t li u Nồ ộ pha Đ n tr su t H s n tr (x10-11 Pa-1)

t p (cm-3) Ω 11 12 44
Silic d ng p 1.5x1015 7.8 6.6 -1.1 138.1
Silic d ng n 4.0x1014 11.7 -102.2 53.4 -13.6

Các h s n tr bi u thị ộ l n của hi u n tr của một v t li u. Các

h s này th hi n các tính ch t của một v t li u và bị ng b i nhi ộ và pha t p v t li u.
Các h s n tr i ộ Độ nh y nhi t của các h s n tr là một v n
ềc c xem xét kỹ trong thi t k các c m bi n tr c l i, các h s n tr
gi m khi nồ ộ pha t

Khi k t h ơ 3.23), (3.24) và (3.26), chúng ta có th c các

ơ :

( ) ( ) (3.27a)

( ) ( ) (3.27b)
 ( ) ( ) (3.27c)

S h u tiên củ ơ 3 27 ộ dẫn của v t li u khi không có tác dụng của ng

su t. S h ng th 2 ộ dẫ i tác dụng của ng su t (hi u n tr ). Hai s h ng còn
l i th hi n hi u n tr liên quan v i m ng tinh th bán dẫ i tác dụng của ng su t.
Đ bi u diễn các h s n tr ị ng b t kỳ, ng dùng hai
h s n tr dọc L và ngang T. H s n tr dọ ị ĩ :
1) H s n tr dọc L ị ĩ ng h p ng su n tác dụng lên
v t li ù ng v 3.15 (a) và 2) h s n tr ngang T c
ị ĩ ng h p ng su ng vuông góc v i nhau, hình 3.15 (b).

Hình 3. 15 V t li n tr i tác dụng ng su t dọc (a) và ng su t ngang (b).

Do v y, sự i củ n tr su ũ n tr có th bi u diễn thông qua h s n

tr dọc và ngang theo bi u th ơ n sau:

(3.28)

Đ bi u diễn h một h s n b t kỳ trong h tọ ộ z u theo các h s n tr

dọc và ngang, chúng ta có th sử dụng ma tr n chuy i sau:

{ } [ ]{ } (3.29)

ơ x, y, z) là h tọ ộ u của h s n tr ơ L, T, z’) là h tọ ộ c t o ra
t các trục dọc và ngang phụ thuộ ng củ ng và ng su t tác dụ
3.15. Hai hàng u tiên của ma tr n chuy i là các cosin chỉ ng của các trục tọ ộ dọc

B ng 3.2 Các h s n tr dọ iv ị ng tinh th l ơ

H ng dọc l1 m1 n1 πL H ng ngang l2 m2 n2 πT
(1 0 0) 1 0 0 π11 (0 1 0) 0 1 0 π12
(0 0 1) 0 0 1 π11 (1 1 0) 0 π12
√ √
 (1 1 1)
√ √ √
(π11 + 2π12 + 2π44) (1 ̅ 0) √ √
0 (π11 + 2π12 - π44)
(1 ̅ 0) √ √
0 (π11 + π12 + π44) (1 1 1)
√ √ √
(π11 + 2π12 - π44)
(1 1 0) 0 (π11 + π12 + π44) (0 0 1) 0 0 1 π12
√ √
(1 1 0)
√ √
0 (π11 + π12 + π44) (1 ̅ 0) √ √
0 (π11 + π12 - π44)

(l1,m1,n1) và trục tọ ộ ngang (l2,m2,n2 ơ ng v i các trục tọ ộg , ,z y,

chúng ta có th ị c các h s n tr dọc và ngang :

( )( ) (3.30a)

( )( ) (3.30b)

B ng 3.2 th hi n các h s n tr dọ iv ị ng tinh th l ơ

Trong c m bi n áp tr , ộ nh y, h s G c sử dụng. G ịnh
ĩ i:

B ng 3.3. H s ủa các v t li n tr thông dụng

V t li u H s G
ơ 100
50
ô ịnh hình 30
Dây kim lo i 2

(3.31)

H s ò ủa một s v t li c sử dụng cho c m bi n áp tr c th hi n trên b ng 3.3.

3.3.3 Hiệu ứng áp điện trở trong vật liệu silic đa tinh và vô định hình

c t o thành t các tinh th silic nhỏ c phân tách b i các biên h t. Tuy
v , ô ịnh hình thì không có c u trúc tinh th ơ ắ ọng và t o mẫu
cho v t li ô ị ã c phát tri n t n tr su t của chúng có
th ều khi n bằ ơ y ion Bo hoặ P Đ n tr trong v t li t
qu của sự k t h p giữ n tr của các h n tr của các biên h ô ịnh
hình có h s ơ i c m bi n sử dụng áp tr kim lo i, tuy nhiên h s
của chúng l i th ơ ều so v ơ và chúng phụ thuộc nhiều vào các thông s
ch t o. Các h s áp tr củ c h t l n có th 60 n 70% h s áp tr
của v t li u sil ơ , , iv iv c h t nhỏ, πL s nhỏ
ơ ng b y l n so v i h s áp tr dọc củ ơ .
3.3. 4 Phương pháp đo lường được sử dụng trong hiệu ứng áp điện trở

Mộ m quan trọng của các c m bi n tr ng không yêu c u

m Hai m c sử dụ ng hi u n tr
là m ch nửa c u và m ch c ủ c gọi là m ch c u Wheatstone). Hai m ng
này có th cung c ộ nh y cao và có kh ù ộ b c nh t.

3.3.4.1 Mạch nửa cầu

Á n tr c bi u thị bằ n tr R(1 ± R c chỉ ra trong hình 3.16,

R là ph n tr do bi n d ng.

(3.32)

Dự ịnh lu t Ohm cho m n tr mắc n i ti , n áp bi n tr c xác

ị :
( )
(3.33)
( )

Khi bi n tr là nhỏ, ĩ R nhỏ ơ ều giá trị 1, u ra có th c

:

( ) (3.34)

, i v i m ch nửa c 3.16 (a), tín hi u ra phụ thuộc tuy n vào sự

bi n tr . Tuy v , ặ u ra có một giá trị l ch không (Offset
voltage).

Hình 3. 16 M n áp (nửa c u): (a) mộ n tr của nửa c n tr

của nửa c u tha , ộ n tr ộ n tr gi m.
 Hình 3 17 ơ ồ b n tr trong mặt chi ng và mặt cắt của c m bi n gia t c
d ng thanh d m treo kh i gia trọng: (a) nh y az ngoài mặt phẳng (trục z) v i c u ¼, (b) nh y ay
trong mặt phẳng v i nửa c c t o bằng kỹ thu t khu ch tán mặ c và
(c) nh y ay trong mặt phẳng v i nửa c c t o trên các mặt bên bằng kỹ
thu t c ng nghiêng.

Hình 3.17 (a) th hi n cách b n tr của c m bi n gia t c sử dụng thanh d m treo

kh i gia trọng khi sử dụng m ch nửa c u hình 3.16 (a). C m bi c sử dụ ịnh
gia t c theo trụ z ũ sử dụ ịnh gia t c trong mặt phẳng xy. Hình 3.17 (b)
và (c) th hi n hai cách b n tr của c m bi n gia t c sử dụng thanh d m treo kh i gia
trọng, các áp tr c thi t k d ng m ch c n tr bi n thiên, một áp tr ò ột áp
tr gi m. Hai mô hình c m bi c sử dụ ịnh gia t ng y.

3.3.4.2 Mạch cầu Wheatstone

Dựa trên cách thi t k n tr bi n thiên trong m ch, m ch c u Wheatstone có th

phân ra các d ng sau:

3.3.4.2.1 Mạch cầu một điện trở biến thiên

M ch c u mộ n tr bi n thiên (single-active c th hi n trên hình 3.17 (a).

Dự ơ ịnh hi n th giữ m AC, chúng ta có:

VAC = VBC - VBA (3.36)

Ở , VAC chính là Vout. Các hi n th VAB và VCB ị :

(3.37)

(3.38)
( )

Vì v y, thay hai bi u th c (3.37) và (3 38 ơ 3.36) chúng ta có:

 Hình 3. 18: Các hình d ng m ch c u Wheatstone: (a) m ch c u mộ n tr bi n thiên (single-
active bridge), (b) m ch c n tr bi n thiên (half-active bridge) và (c) m ch c u b n
tr bi n thiên (fully active bridge).

( ) (3.39)

T ơ ự bi u th c (3.35), v i sự bi i nhỏ của áp tr , u ra phụ thuộc tuy n tính

vào sự bi n thiên của áp tr . Tuy nhiên, trong m ch c u mộ n tr bi n thiên không có tín hi u
u ra l ô u. Vì v y, khi sử dụng mô hình m ch c ng không ph i chỉnh
ô u (không ph i bù offset).

1.3.4.2.2 Mạch cầu hai điện trở biến thiên

Đ i v i m ch c n tr bi n thiên (half- 3.18 (b), bằng

ơ ơ ụ ch c u mộ n tr bi n thiên hình 3.18 (a), chúng ta
ị :

( ) (3.40)
( )

, i v i m ch c u này, v i bi n tr nhỏ, ũ ụ thuộc

tuy n tính vào sự bi n thiên của áp tr . So v i m ch c u mộ n tr bi , ộ nh y của
m ch c n tr bi ơ n.
1.3.4.2.3 Mạch cầu bốn điện trở biến thiên

Cu i cùng, chúng ta xét m ch c u v i b n tr bi f

hình 3 8 Đ u ra của m ch c ịnh là:
( ) ( )
. / (3.41)

T bi u th c (3.41) cho th y rằng, m ch c u v i b n áp tr , hai áp tr gi m b

3.18 (c) th hi n nhiề ơ i các m n c trình bày trên.
Đ u ra phụ thuộc tuy n tính vào sự bi n thiên áp tr , ô ộl ô , ộ
nh ơ ộ nh y của các m n T , n tr âm và
ơ c thi t k và ch t o chính xác Đ i v i vi c thi t k và ch tao, chúng ta s th o
lu n ph n c m bi n gia t c và c m bi n áp su t ph n sau.

3.4 Nhạy dựa trên hiệu ứng dịch chuyển tần số cộng hưởng

3.4.1 Giới thiệu cơ bản

Hi u c dựa trên sự i kh ng của một c ơ ộng cộng

ng. T n s cộ ng của một c ơ ộ c tính b i công th c sau:

√ (3.42)

Ở , fi và ki là t n s cộ ộ c ng của mode th i, meff là kh ng hi u dụng.

Hằng s ộ c ng lò xo và kh ng hi u dụng phụ thuộ ộng, phân b lực t i
m tác dụ T ng h p ki và meff ơ ng v i t i kh ồng nh t trong mode
ộng u u tiên (fi = f0 , ộ bi n thiên của kh ng theo t n s ịnh b i:

[gHz-1] (3.43)

Đ i v i kh ồng nh c lắ ọng lên một c u trúc cộ ng có di n tích A, ộ

i kh ịnh b i:
[g Hz-1] (3.44)
Ở , S [gcm-2Hz-1] c gọ ộ nh y kh ng phân b , ộ dịch chuy n t n s gây
b i sự i t n s của hộp cộ c lắ ọng thêm một kh ng .T
ơ 3.43) và (3 44 , ộ nh y S ịnh b i:

[gcm-2Hz-1] (3.45)

3.4.2. Các mô hình cảm biến nhạy khối lượng

 Các mô hình c m bi n nh y kh ã c gi i thi u, chẳng h :
d ng thanh d m c ịnh mộ u (hình 3.19 (a)), d ng thanh d m c ị u, d ng thanh c u
c treo b i b n thanh d m b n góc (hình 3.19 (b)), d ng cột thẳ ng (hình 3.19 (c))
hoặc d ng kh i gia trọ c treo giữa b i hai thanh d m (hình 3.19 (d)), v.v. Các c m bi n
trong các hình 3.19 (a)- ng sử dụng mode u n có th b c nh t hoặc b c cao. Tuy nhiên
trong c u trúc hình 3.19 (d), mode xoắ c sử dụ Đ ộng các c m bi n này,
ơ ch , ĩ n, ch p hành t hoặc quang học có th c sử dụng.
ơ ng t n s cộ ng có th ịnh dự ơ
, ơ , ơ n khác, v.v.

Hình 3.19 Một s mô hình c m bi n nh y kh ng: (a) d ng thanh d m c ịnh mộ u

c gọi là cantilever, (b) d ng c u trúc v i b n thanh d m, (c) d ng cột thẳ ng và
(d) d ng thanh d m treo kh i gia trọng giữa.

Chúng ta xét một hộp cộ ng d ng thanh d m c ịnh mộ u (cantilever) (Hình

3.19 (a)). T ơ 3.45), chúng ta có

(3.46)

Ở , ,  ơ ng là kh ng, chiều dày và kh ng riêng của thanh d m

cộ y, v i chiều dày c ị , ộ nh y càng l n khi t n s cộ ng càng cao.
Kh ng hi u dụng của thanh d ịnh b i:
 (3.47)

T n s cộ ng của mode b c nh t của thanh d m cộ ịnh b i:

√ (3.48)

Ở ,E ô Y l là chiều dài của thanh d m cộ ng.

Thay (3.47) và (3 48 ơ 3 46 , ộ nh y của vi thanh d m cộ ng c

ịnh mộ c là:

√
(3.49)
√

y, t bi u th c (3 49 , ộ nh y phụ thuộc vào chiều dày và chiều dài của vi thanh d m

cộ , ặc bi t là chiề Độ nh c của vi thanh d m, h và
l, càng nhỏ. Các phát tri n về c m bi n kh ã ct ộ nh y r t cao trong y sinh
chẳng h f 10−15 g, fg,), attogram (10−18 g, ag).

3.5 Nhạy dựa trên hiệu ứng áp điện

Hi u n là sự xu t hi n sự phân cự n một s v t li i tác dụng của

bi n d ng. Theo một cách khác, khi một lực hay ng su t tác dụng lên v t li n, một hi u
n th c t o ra, giá trị hi n th này tỷ l v ộ l n của lự ũ ng su t tác dụng.
Hi u n là thu n nghịch trong tinh th n, khi chịu mộ ặt bên ngoài, v t
li u s t o ra một bi n d ng, t c là có th c sử dụ ộ truyề ộng Đ ều này r t hữu ích
ng h p yêu c u c truyề ộng và c m bi n trong một linh ki n MEMS. Có ba l ơ
b n của v t li c sử dụng trong vi ch t o: các tinh th ch anh,

Hình 3.20: Minh họa hi u n.

Lithium niobate (LiNbO3) và gallium phosphate (GaPO4); ch n màng mỏng, chẳng h n

m (ZnO), nhôm nitrua (AlN), và chì zirconi titanat (PZT- P [Z ₓT 1− ]O₃); và ch t áp
 n màng polyme, chẳng h f P DF H u n nói chung
không thích h p sử dụng trong nh y bi n d ĩ u ng ký sinh của dòng dò DC
nhỏ, ó hi u qu nh y chuy ộng rung hoặc cộ ng. Một ph n tử áp
ơ c minh họa trong Hình 3.20. Hi u n có th c bi u thị bằng

(3.50)

Ở ,q n tích t ng, d33 là hằng s , ơ ị của nó CN-1 (d33 ơ ng v ng

h p phân cự n và ng su t tác dụng trong cùng mộ ng th 3 hay trục z), và F là lực bên
ngoài tác dụng Đ c cho b i:

Hình 3.21: Một c u trúc c m bi n gia t n trụ z n hình: (a) Mặt chi ng của c m
bi n, (b) và (c) là mặt cắt ngang của c m bi n theo mặt cắ AA’ ơ ng h p
n cự c cách ly v i l n qua một l n môi và ti p xúc trực ti p v i v t li u áp
n.

(3.51)

Hình 3.21 minh họa một thi t k c m bi n gia t ơ n. C ơ n bao gồm một
l c xen kẹp giữa hai l p dẫn Đ n cực trên chỉ bao phủ g n ph n
gắn c ịnh của thanh d , ơ ng su t l n nh t. L n có th c phủ b i một l p
ô 3.21 (b) hoặc ti p xúc trực ti p v n cự 3.21 (c). Sự cách ly
n môi có th gi ò n rò và c i thi n hi u su ng trong nh y bi n d ng
 ĩ . Tuy nhiên, vi c lắ ọng thêm l ũ ộ ph c t p của quá trình ch t o
và gi ộ nh y.

3.6 Nhạy dựa trên hiệu ứng quang học

Sử dụng tính ch t truyền và ph n x của ánh sáng có r t nhiều c m bi n quang họ ã

c phát tri ã c ng dụng trong thực t , ví dụ m bi , ộ dịch
chuy n, c m bi n gia t c, c m bi ơ m bi n này dự ơ ều bi n
ộ của ánh sáng truyền, hi ng giao thoa, nhiễu x , dịch chuy c sóng cộng
ng của ánh sáng qua các hộp cộ ng bị bi n d quang tử hoặc qua các
hộp cộ ng có chiều chiều dài bi n thiên, v.v. Các c m bi n quang có nhữ
kh ễn nhiễm v n t , an toàn và chi phí th p. Các c m bi n quang MEMS
ng dựa trên hi u ều bi ộ và hi u ng giao thoa

Các giao thoa k c sử dụng bao gồm giao thoa k Michelson, Mach–Zehnder
(MZI) và Fabry – P FPI , , dựa trên hộp cộ ng Fabry – Perot
c quan tâm nghiên c u ng dụ ột ph n tử nh y trong các c m bi n quang. Một hộp
cộ ng Fabry-P FP ơ n bao gồm ơ nx ặt cách nhau một
kho ng d, Hình 3.22. N u d i, thi t bị c gọi là giao thoa k Fabry-Perot. N u d c
ịnh, trong khi góc ánh sáng t i, thi t bị c gọi là etalon Fabry-Perot. Giao thoa k
Fabry-Perot cho phép phân bi t các b c x c sóng r t g Đ u ra của nó là một b c
x nt c sóng là hàm của kho ng cách d Đ m b o ho ộng, h th ng
dựa trên giao thoa k Fabry-Perot c n một bộ u quang có th phân bi t các b c x có
c sóng r t g n. Nguyên lý làm vi c của FPI có th c mô t : ột chùm ánh
c phát ra b i một nguồn sáng (ví dụ: laze), vào giữ ơ x y ra hi ng
ph n x nhiều l n t trong hộp cộ ng có th ơ cộ ng hay
ph n cộ ng, phụ thuộ ều ki n cùng pha hay l ơ Đ ều ki n giao
thoa cộ , ơ ng v ỉnh củ ộ ánh sáng truyền qua, x y ra n u hi u s ộ
dài quang học giữ ù ơ ội s nguyên củ c sóng ánh sáng.
Độ l ch pha giữ ù ơ , ộ của ánh sáng truyền qua phụ
thuộc vào kho ng cách d giữ ơ Đ ều ki n cho cự c cho b i:

(3.52)
 Hình 3.22: Minh họa một giao thoa k Fabry-Perot.

Ở , 0 c sóng chân không, n0 là chi t su t củ ô ng giữ ơ ,  là góc t i,

N là b c giao thoa, và r/2 là sự i v i một ph n x , bằng 0 hoặ π i v i các mặt
ph n x n môi.
P ơ 3.52) có b n bi 0, n, d và  ộ truyền quang qua FPI có
th i v i b t kỳ các bi n. Ví dụ: i v i c m bi n gia t c, d và  có th c sử dụng. Tuy
nhiên, cos x p xỉ bằng 1 và không nh i v i sự i của  khi  nhỏ D , iv ic m
bi n gia t c, sự i của d c sử dụ c. Có hai c u hình cho c m bi n gia t c
FPI phụ thuộc vào nguồ c sử dụng: (1) Nguồ z ơ ắc chuẩn trực. Trong
ng h p này, công su t quang truyền qua là một s ỷ l v i sự i của d, ĩ ỷ
l v ng c ộ, áp su t, lực (gia t c), v n t c ch t lỏng và t ộ dòng th
tích; (2) Nguồn sáng có d i ph rộng. Tron ng h p này, sự dịch chuy n củ ỉnh
ph truyền s ô ụ thuộc vào
vi ị ộ tuy i. Tuy v , ộ phân gi c sóng bị ng r t nhiều b i
ph n x củ ơ , c th hi ơ 3.53) sau:

. / (3.53)

Ở , ( ) v i R1 và R2 là h s ph n x củ ơ ơ ng. Ví dụ, gi m
2 l n khi R chỉ i nhỏ t 99% xu 98% Đ ề ĩ u h th
ng ph ộ phân gi i lên hai l n. Trong các ng dụng c m bi n, hộp cộ ng
FP có th c c u t o theo chiều dọc hoặc chiều ngang.
 Ví dụ: Hình 3.23 (a) th hi n một hộp cộ ng FP thẳ , c t o giữa mặt bên
thẳ ng của kh i gia trọng và bề mặt u của s i quang. Kho ng cách khe hẹp (kho ng
cách giữa hai bề mặt ph n x i khi có một gia t c bên ngoài tác dụng. S c
truyền ánh sáng t i và thu ánh sáng ph n x c l i t i một bộ thu thông qua một bộ phân tách
chùm tia quang học. Sự dịch chuy c sóng của ph ph n x có th c sử dụ ịnh
gia t c. Phi n silic (110) và (100) ã c sử dụ ch t o các mặt bên thẳ ng. Các bề
mặt bên phẳ ộ nhám bề mặt th p luôn là mong mu n trong ch t o hộp cộ ng FP.
Một s kỹ thu ã c sử dụ gi ộ nhám bề mặ ô
mòn sâu và oxy hóa. Các mặ ộ nhám th ũ c bằng cách t
hằng s ò .B ộ ph n x th p của mặt bên bằ 30% , ộ phân gi i
của c m bi n gia t c d ng này chỉ b c 1 mg.

Hình 3. 23 Mô hình c u trúc của c m bi n gia t c dựa trên giao thoa k FP: (a) nh y gia t c theo
trục x v i hộp cộ ng FP thẳ ng và (b) nh y gia t c trục y v i hộp cộ ng nằm
ngang.

Các hộp cộ ng FP nằm ngang có th c ch t o bằng cách sử dụng công ngh

hàn phi 3.23 (b). N u kh i gia trọng không trong su i v i ánh sáng t i (Hình 3.23
(b)), ánh sáng ph n x t FPI s c thu nh n b i một bộ tách sóng quang. N u kh i gia trọng
là trong su i v i ánh sáng nguồn, ánh sáng truyền qua s tính toán gia t c. Các
bề mặt nằm ngang có th c ch t o r t phẳng, và ch ng ph n x p và l p phủ ph n x
ũ dễ dàng áp dụ D , m bi n hộp cộ ng FP ngang có th c
ộ phân gi ơ ều ( 1 µg Hz-1/2) so v i c m bi n gia t c FP thẳ ng.