Tính Chất Quang, Điện và Từ của Vật Liệu

Chương 4
Vật liệu và Linh kiện Bán dẫn
4.1 Bán dẫn riêng/thuần
4.2 Bán dẫn pha tạp/ ngoại lai
4.3 Sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện
4.4 Chất bán suy biến và không suy biến
4.5 Tái hợp và phun hạt tải không cơ bản
4.6 Áp điện trở
4.7 Tiếp xúc Schottky
4.8 Tiếp xúc Ohmic và bộ làm lạnh nhiệt điện
4.9 Linh kiện bán dẫn
4.1 Bán dẫn riêng/thuần
-Chất bán dẫn riêng là chất bán dẫn không có tạp chất ; những
chất bán dẫn pha tạp chất được gọi là bán dẫn tạp chất/ngoại lai
4.1.1 Tinh thể silic và sơ đồ vùng năng lượng
(a) Hình minh họa hai
chiều của nguyên tử
Si với bốn obitan lai
hoá hyb. Mỗi obitan
có một electron.
(b) Hình vẽ hai chiều
của một vùng tinh thể
Si thể hiện các liên kết
cộng hóa trị.
(c) Sơ đồ vùng năng
lượng ở nhiệt độ
không tuyệt đối

Khoảng cách năng lượng từ Ec đến

chân không được gọi là ái lực điện tử χ
Hình vẽ hai chiều của tinh thể Si cho thấy các
liên kết cộng hóa trị được biểu diễn bằng hai
đoạn thẳng trong đó mỗi đoạn ứng với một
điện tử hóa trị.
4.1.2 Điện tử và lỗ trống

(a) Một photon có năng

lượng lớn hơn Eg có thể
kích thích một e- từ VB lên
CB.
(b) Khi một photon phá vỡ
liên kết Si-Si, một e- tự do
và một lỗ trống trong liên
kết Si-Si được tạo ra.

Bằng kích thích nhiệt hoặc quang, một e- được chuyển lên vùng dẫn.
Trạng thái điện tử trống trong vùng hóa trị hoặc liên kết bị mất điện tử
gọi là lỗ trống
Trong chất rắn, các lỗ trống xuất hiện mang điện tích dương và có khối
lượng mh.
Sự phát sinh hạt tải điện tự do: Các e- được chuyển từ vùng hóa trị lên
vùng dẫn bằng cách hấp thụ năng lượng; Chuyển mức vùng-vùng.
 Quá trình phát sinh quang xảy ra do sự hấp thụ ánh
sáng bên ngoài chiếu vào vật liệu;
Năng lượng photon: hf > Eg.
Một cặp electron và lỗ trống được hình thành.

Tốc độ phát sinh quang:

4.1

trong đó G () là cường độ

quang tại tần số , và Q () là
hàm của tần số liên quan đến
cấu trúc vùng năng lượng và hệ
số hấp thụ quang
 Sự phát sinh nhiệt xảy ra bằng cách hấp thụ nhiệt năng
-Do nhiệt năng, các nguyên tử trong tinh thể dao động xung
quanh vị trí cân bằng. Các liên kết giữa các nguyên tử Si bị
biến dạng.
- Trong một số trường hợp, các các liên kết bị biến dạng quá
lớn. Điều này dẫn đến sự phá vỡ liên kết làm giải phóng một
điện tử vào không gian tinh thể. Trạng thái trống của các điện
tử trong các liên kết là lỗ trống.
- Dao động nhiệt của nguyên tử có
thể phá vỡ liên kết và do đó tạo ra
các cặp electron - lỗ trống.

Tốc độ phát sinh nhiệt, gth,:

gth = Ce−(Eg / kT) 4.2
trong đó, Eg là vùng cấm năng lượng
của vật liệu, C là hằng số tỷ lệ.
 Sự dịch chuyển lỗ trống

(a) Điện tử hóa trị trong một nguyên tử nhảy vào trạng thái trống của
liên kết. Điều này tạo ra lỗ trống mới ở vị trí ban đầu của điện tử. Điều
này tương đương với việc lỗ bị dịch chuyển theo hướng ngược lại
(b-d) Bước này có thể tái xuất hiện khiến lỗ trống bị dịch chuyển xa
hơn. Kết quả là lỗ trống chuyển động xung quanh tinh thể như thể nó
là các hạt điện tích dương tự do,
(e) Tái hợp h-e: tái hợp giữa lỗ trống và điện tử dẫn
 4.1.3 Sự dẫn điện trong chất bán dẫn riêng
-Xét t/h điện trường đặt qua chất bán dẫn dọc theo phương x

(a) Chuyển động cuốn của e

dẫn trong Ex.

(b) Điện trường ngoài làm

cong các vùng năng lượng vì
PE tĩnh điện của e- là –eV (x)
và V (x) giảm theo hướng Ex,
trong khi PE tăng lên.

Ta có: (dV∕dx) = −Ex 4.3

Thế tĩnh điện: V = −Exx + B. 4.4
Thế năng tĩnh điện: PE= −eV(x) = eExx − eB, 4.5

- Các vùng năng lượng nghiêng lên theo phương x: các

vùng năng lượng bị uốn cong .
+Dưới tác dụng của Ex, e- trong vùng dẫn chuyển động sang trái và
nhận năng lượng từ điện trường. Nó di chuyển lên mức năng lượng
cao hơn trong CB
-Khi e- va chạm với nguyên tử Si dao động nhiệt, nó mất đi một phần
năng lượng và do đó chuyển xuống mức năng lượng thấp hơn trong
CB.
-Sau va chạm electron lại tăng tốc cho đến va chạm tiếp theo.
-Quá trình này là chuyển động cuốn của e- trong điện trường. Vận tốc
chuyển động cuốn của e-:
vde  e Ex 4.6
Trong đó e là độ linh động của e-
+Dưới tác động của Ex, lỗ trống chuyển động cuốn dọc theo điện
trường

Khi lỗ trống nhận được năng lượng, nó sẽ di chuyển xuống mức năng
lượng thấp hơn trong VB

Vì cả e- và lỗ trống đều góp phần vào quá trình dẫn điện nên mật độ
dòng điện tổng cộng là: j  env  epv
de dh 4.7
Vận tốc chuyển động cuốn của e- và lỗ trống:
vde  e Ex 4.8
vdh  h Ex
4.9
Trong đó e và h là độ linh động của e- và lỗ trống:
e e
e   4.10
me
e h
h   4.11
mh
Trong đó e và h tương ứng là thời gian tự do trung
bình giữa các lần tán xạ của e- và lỗ trống; m*e và m*h
tương ứng là khối lượng hiệu dụng của e- và lỗ trống

Độ dẫn điện của bán dẫn:

  ene  eph 4.12
4.1.4 Nồng độ điện tử và lỗ trống
Số electron trong dải năng lượng từ E đến E + dE trong CB (vùng dẫn):
nE dE  gcb ( E ) f ( E )dE 4.13
Trong đó nE là số
electron trên một đơn vị
năng lượng và trong một
đơn vị thể tích;
gcb (E) là mật độ trạng
thái trong CB;
f(E) là hàm Fermi-Dirac-
xác suất tìm thấy một
electron ở trạng thái có
năng lượng E
(a) Giản đồ vùng năng lượng.
(b) Mật độ của các trạng thái (số trạng thái trên một đơn vị năng lượng
trong một đơn vị thể tích).
(c) Hàm xác suất Fermi-Dirac của điện tử và lỗ trống
(d) Tích của g (E) và f (E) là nồng độ của các hạt tải trên một đơn vị năng
lượng trong CB . Diện tích dưới nE(E) so với E là nồng độ điện tử.
Nồng độ e-: số e- trong một đơn vị thể tích, là tích phân
nE(E) từ đáy (Ec) lên trên (Ec +) của vùng dẫn
Ec   Ec  

n 
Ec
nE ( E )dE  
Ec
g cb ( E ) f ( E )dE 4.14

Giả sử: vị trí mức Fermi?

 (E  E f ) 
Khi đó, hàm phân bố e- trong CB: f ( E )  exp   
 kT 

Mật độ trạng thái vùng dẫn:

Nồng độ e- trong CB:

 ( Ec  E f ) 
n  Nc exp   
 kT  4.18
3/ 2
 (2 mekT 
Trong đó: Nc  2  
2 4.19
 h 
Nc là mật độ trạng thái hiệu dụng của vùng dẫn
Nồng dộ lỗ trống
Ev Ev

p p
0
E ( E )dE  g
0
vb ( E )[1  f ( E )]dE 4.20

Trong đó [1-f (E)] là xác suất chiếm mức năng lượng của lỗ trống
(xác suất không có e-)
Giả thiết rằng Ef lớn hơn Ev một vài kT (vị trí Ef? ), khi đó nồng độ lỗ
trống: (E  E )
 
p  N v exp   f v
 4.21
 kT 
Nv là mật độ trạng thái hiệu dụng của vùng hóa trị
3/ 2
 (2 mhkT 
Nv  2  2  4.22
 h 
Xét tích np
 (E  E f )   ( E f  Ev )   ( Ec  Ev ) 
np  Nc exp   c  v
N exp    Nc Nv exp  
kT 
4.23
 kT   kT  

 E 
Hay np  N c N v exp   g  4.24 Định luật tác dụng khối
 kT  lượng
Trong đó Eg=Ec-Ev là bề rộng vùng cấm
Tích này phụ thuộc vào T và thuộc tính vật liệu ( Eg)chứ không phụ
thuộc vào vị trí của mức Fermi
Trong trường hợp chất bán dẫn riêng: n = p = ni
 Eg 
np  ni2  N c N v exp    4.25
 kT 
Tích này là một hằng số phụ thuộc vào nhiệt độ;
Nếu nồng độ điện tử tăng lên thì nồng độ lỗ trống sẽ giảm xuống

Lấy căn bậc hai của tích np. Ta nhận được nồng độ bán dẫn riêng
ni không phụ thuộc vào EF:
 Eg 
ni  N c N v exp   4.26
 2 kT 
ni phụ thuộc theo hàm e mũ vào nhiệt độ và ½ bề rộng khe năng
lượng của chất bán dẫn.
N/x: Ở một nhiệt độ nhất định, các chất bán dẫn có bề rộng vùng
cấm hẹp sẽ có nồng độ hạt tải riêng lớn trong khi vật liệu có bề rộng
vùng cấm rộng sẽ có nồng độ hạt tải riêng nhỏ hơn.
 Đối với bán dẫn riêng:
n = p = ni.

Năng lượng Fermi trong chất bán dẫn riêng, Efi:

Hay:

Mức Fermi (Si, Ge) sẽ bị dịch chuyển xuống một chút so

với mức giữa khe năng lượng bởi một lượng khá nhỏ
so với 1/2 Eg
Nếu Nc = Nv hay m*e = m*h, khi đó ta có:

EFi ở ngay giữa khe năng lượng

 Giản đồ vùng năng lượng của: a. Bán dẫn riêng/ thuần; b. Bán dẫn
loại n; d. Bán dẫn loại p.
Đối với các chất bán dẫn: : nnpn = ppnp = ni2
Năng lượng trung bình của các electron trong CB:

Tích phân từ Ec đến đỉnh vùng dẫn:

Êlectron trong vùng dẫn có năng lượng trung bình trên
mức Ec là 3/2 kT.
3/2 kT là động năng trung bình của e-.
4.2 Bán dẫn tạp chất
4.2.1 Bán dẫn loại n
Xét trường hợp khi một nguyên tố hóa trị 5 thuộc nhóm V
trong bảng tuần hoàn như As, P, Sb, được đưa vào trong
một tinh thể Si sạch
Asen có 5 điện tử hóa trị, trong
khi Si có bốn
Khi một nguyên tử asen liên kết
với 4 nguyên tử Si, sẽ có một
điện tử không liên kết.
Ion As+ với một electron quay
xung quanh có thể được xem
như một nguyên tử hydro trong
môi trường Si
Năng lượng liên kết của êlectron trong nguyên tử H: năng lượng cần
thiết để đưa êlectron từ trạng thái cơ bản ra khỏi nguyên tử

me e 4
Đối với H Eb   E1  2 2  13.6 eV 4.31
8 0 h
Đối với êlectron xung quanh lõi As+ trong môi trường tinh thể Si:
mee 4  me  1  4.32
E   E1  2 2 2  (13.6 eV )  2 
Si

8 r  0 h  me   r 
b

Trong đó r là độ điện thẩm tương đối của silic 11,9; me* là khối lượng
hiệu dụng của êlectron trong Si, khoảng 1/3 me
EbSi =0.032 eV 4.33
Nhiệt năng trung bình của dao động nguyên tử ở nhiệt độ phòng xấp xỉ
là 3kT (0.07 eV)
Do đó, êlectron hóa trị thứ năm có thể được giải phóng bằng dao động
nhiệt của mạng tinh thể Si
Năng lượng cần thiết để kích thích một êlectron lên vùng dẫn là 0.032 eV
Quá trình này tạo ra điện tử tự do và ion As+ bất động
Giản đồ vùng năng lượng của Si loại n pha tạp As :

Nguyên tử tạp chất có thể cho electron vào trong vùng dẫn gọi là
nguyên tử đôno
Ở nhiệt độ phòng, tất cả các nguyên tử đôno đều bị ion hóa nên
nồng độ điện tử trong vùng dẫn gần bằng với nồng độ của nguyên
tử đôno Nd: nN d
4.34 Điện tử là hạt tải cơ bản

ni2
Nồng độ lỗ trống: p 4.35 Lỗ trống là hạt tải không
Nd 2 cơ bản
Độ dẫn ni
  eN d e  e h  eN d e 4.36
Nd
 4.2.2 Bán dẫn loại p
Xét tinh thể Si được pha tạp bởi các nguyên tử hóa trị ba như
B, Al, Ga hoặc In
Giả sử rằng Si được pha tạp Boron

Vì B có 3 electron hóa trị nên khi liên kết với 4 nguyên tử Si lân cận,
một trong các liên kết bị thiếu electron gọi là lỗ trống.
Một điện tử hóa trị ở gần có thể chuyển vào lỗ trống này và lỗ trống
dịch chuyển ra xa nguyên tử B
Lỗ trống này có thể bị hút bởi ion âm B- và chuyển động quanh nó
Năng lượng liên kết gần bằng 0,05 eV
Ở nhiệt độ phòng, sự dao động nhiệt của mạng tinh thể có thể giải
phóng lỗ trống khỏi vị trí ion B
Sự thoát ra của lỗ trống từ vị trí B liên quan đến việc nguyên tử B
nhận một điện tử từ liên kết Si-Si lân cận (từ vùng hóa trị)
Nguyên tử B được đưa vào tinh thể Si đóng vai trò là chất nhận
êlectron. Nguyên tử này được gọi là tạp chất axepto
Bằng cách pha tạp chất B vào Si, ta có vật liệu loại p. Số
lượng lỗ trống lớn hơn số lượng êlectron dẫn điện vì
nguyên tử B mang điện tích âm không chuyển động
Ở nhiệt độ phòng, tất cả các axepto đều bị ion hóa:
p  Na 4.40

Trong đó Na là nồng độ tạp chất axepto

2
Nồng độ êlectron: n 4.41
n i

Na
Độ dẫn điện   eN a h 4.42
4.2.3 Pha tạp bù
Pha tạp bù là pha tạp chất bán dẫn đồng thời hai loại
đôno và axepto để điều khiển tính chất của vật liệu.

Chất bán dẫn loại p có nồng độ

axepto Na sẽ được chuyển đổi
thành chất bán dẫn loại n bằng
cách pha tạp đôno sao cho Nd
lớn hơn Na
Khi cả đôno và axepto đều có
mặt, các điện trong vùng
vùng dẫn phát sinh do ion
hóa tạp đôno và lỗ trống phát
sinh tropng vùng hóa trị do
ion hóa axepto:

np = ni2
Khi một nguyên tử tạp chất axepto nhận một điện tử từ vùng hóa
trị, một lỗ trống được tạo ra trong vùng hóa trị . Lỗ trống này sau
đó tái hợp với một điện tử từ vùng dẫn (do ion hóa đôno).
Na lỗ trống được tạo ra bởi Na axepto dẫn đến nồng độ điện tử
giảm bởi Na.
Trong trường hợp Nd > Na, nồng độ điện tử:
n = Nd-Na >>ni 2 4.44
ni
Nồng độ lỗ trống p
Nd  Na 4.45
Trong trường hợp Na > Nd, nồng độ lỗ trống:
p = Na-Nd>>ni 4.46

Nồng độ điện tử: ni2

n
Na  Nd 4.47

Nếu ni  N d  N a hạt tải điện riêng chiếm ưu thế. Bán dẫn có tính
chất của bán dẫn riêng bù hay hầu như bù toàn phần. Mức Fermi sẽ
nằm ở giữa vùng cấm.

Đối với bán dẫn bù toàn phần: Na = Nd 4.48

 4.3 Sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện
4.3.1 Sự phụ thuộc nhiệt độ của nồng độ hạt tải
Xét chất bán dẫn loại n được pha tạp với nồng độ Nd, trong đó Nd >>
ni
Ở nhiệt độ thấp, độ dẫn điện bằng không vì các tạp chất đôno không
bị ion hóa do năng lượng dao động nhiệt nhỏ
Khi T tăng lên, một số nguyên tử đôno sẽ bị ion hóa và các electron
được giải phóng chuyển vào vùng dẫn

Năng lượng ion hóa đôno: E  Ec  Ed

Ed

Sự phụ thuộc nhiệt độ của nồng độ electron trong

chất bán dẫn loại n.
 Do năng lượng ion hóa của đôno nhỏ hơn Eg, các electron được
kích thích nhiệt chuyển từ Ed lên đến Ec
Khi T tăng hơn nữa , tất cả các nguyên tử đôno bị ion hóa, nồng độ
điện tử bằng với nồng độ của tạp đôno
Ở nhiệt độ rất cao, dao động nhiệt của nguyên tử sẽ rất mạnh, nhiều
liên kết Si-Si bị phá vỡ, sự phát sinh hạt tải do kích thích nhiệt, điện
tử chuyển từ vùng hóa trị qua vùng cấm lên vùng dẫn chiếm ưu thế

(a) Dưới Ts, nồng độ electron được kiểm soát bởi sự ion hóa của các nguyên tử tạp đôno.
(b) Ts< T<Ti, nồng độ electron bằng nồng độ của tạp chất đôno vì chúng đều đã bị ion hóa.
(c) Ở nhiệt độ cao, các electron được kích thích nhiệt chuyển từ VB lên CB có số lượng
lớn hơn số Electron phát sinh bởi các n/tử đôno ion hóa và chất bán dẫn hoạt động như
kiểu bán dẫn riêng
Sự phụ thuộc của nồng độ êlectron vào nhiệt độ được biểu diễn
trong ba vùng:
a. Vùng nhiệt độ thấp (T<Ts)
Trong vùng này, xảy ra quá trình ion hóa các n/tử tạp đôno.
Quá trình này tiếp tục cho đến khi nhiệt độ đạt giá trị bão
hòa, Ts.
Khoảng nhiệt độ này được gọi là vùng nhiệt độ ion hóa
 E 
1/ 2
1  4.50
n   Nc N d  exp   
2   2kT 
b. Vùng nhiệt độ trung gian (Ts<T<Ti)
Trong vùng này, tất cả các n/tử đôno đã bị ion hóa hoàn toàn:
n = Nd 4.51

Vùng nhiệt độ này được gọi là vùng nhiệt độ ngoại lai.

c. Vùng nhiệt độ cao (T >Ti)
Nồng độ của các điện tử được tạo ra do kích thích nhiệt qua
vùng cấm, ni lớn hơn nhiều so với Nd :
n = ni 4.52

4.53

Kích thích êlectron từ vùng hóa trị

lên vùng dẫn, dẫn đến nồng độ lỗ
trống bằng nồng độ electron:
p=n 4.54

4.3.2 Độ linh động: sự phụ thuộc vào nhiệt độ và tạp chất

Trong vùng nhiệt độ cao, độ linh động cuốn bị hạn chế
bởi sự tán xạ trên dao động mạng tinh thể
Độ linh động của điện tử μ phụ thuộc vào thời gian tự do
trung bình  giữa các tán xạ:
 Trong đó

S là diện tích mặt cắt ngang của tâm tán xạ; vth là tốc độ trung bình
của các electron, được gọi là vận tốc nhiệt; Ns là số tâm tán xạ
trong một đơn vị thể tích
Nếu a là biên độ dao động của nguyên tử xung quanh vị trí cân
bằng:

Động năng TB của e-:

Thời gian trung bình L giữa các tán xạ bởi dao động mạng:

Khi cường độ dao động nguyên tử a2 tăng theo nhiệt độ, độ

linh động cuốn giảm theo T theo quy luật :
  T 3/ 2 4.55
 Ở nhiệt độ thấp, sự tán xạ của các điện tử bởi các tạp chất
ion hóa sẽ chiếm ưu thế.

PE của một electron ở khoảng cách r so với ion As+ gây

bởi lực hút Coulombic:

Nếu KE của điện tử nhỏ hơn PE tại r tính từ As+, PE tương

tác Coulom sẽ mạnh đến mức điện tử sẽ bị lệch hướng
mạnh
Tại r = rc:

Từ đó:
 Thiết diện tán xạ:

sự phụ thuộc nhiệt độ của thời gian tán xạ trung bình I

bởi các tạp chất:

trong đó NI là nồng độ của các tạp chất bị ion hóa

Ở nhiệt độ thấp, linh động cuốn chịu tác động chủ yếu bởi sự
tán xạ của điện tử bởi các ion tạp chất

  T 3/ 2 4.56
Sự phụ thuộc tổng thể vào nhiệt độ của độ linh động cuốn:

1 1 1
  4.72
e I L

Đồ thị log-log của độ linh

động cuốn theo nhiệt độ đối
với các bán dẫn Ge loại n và
Si loại n.

Đối với Ge có nồng độ pha tạp thấp (Nd = 1013cm-3), độ linh động bị
ảnh hưởng chủ yếu bởi dao động nhiệt của mạng tinh thể
 Sự biến thiên
của độ linh
động cuốn theo
nồng độ tạp
chất trong Si
đối với các điện
tử và lỗ trống ở
300 K.

4.3.3 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của độ dẫn điện

Độ dẫn của chất bán dẫn pha tạp đôno phụ thuộc vào
nồng độ điện tử và độ linh động cuốn
Ở nhiệt độ thấp trong vùng ion hóa, nồng độ điện tử phụ
thuộc vào nhiệt độ theo hàm mũ
 (E E d ) 
1/ 2
1 
n   Nc Nd  exp  c 4.73
2   2kT 
-Ở T thấp, độ dẫn điện bị chi phối chủ yếu bởi sự phụ
thuộc nhiệt độ của nồng độ điện tử
ni2
  ene  e h  ene 4.74
n
-Ở nhiệt độ rất cao, độ dẫn điện bị chi phối chủ yếu bởi
sự phụ thuộc nhiệt độ của nồng độ tải thuần

  eni (e  h ) 4.75

 Eg 
ni  N c N v exp  
 2 kT 
ni phụ thuộc vào nhiệt độ theo hàm e mũ còn μ T-3/2
-Trong vùng nhiệt độ ngoại lai, n = Nd , độ dẫn điện
tuân theo sự phụ thuộc nhiệt độ của độ linh động
cuốn.
Sơ đồ minh họa sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện đối
với chất bán dẫn pha tạp (loại n).
Đồ thị bán logarit của độ dẫn điện phụ thuộc vào 1/T
4.4 Chất bán dẫn suy biến và không suy biến
-Khi Ec cao hơn Ef vài kT, thống kê Fermi-Dirac được thay thế bằng
thống kê Boltzmann
Trong trường hợp này, biểu thức nồng độ của các electron trong
vùng dẫn:  ( Ec  E f ) 
n  N c exp   
 kT  4.76

 ( E  Ev ) 
p  N v exp   f 
 kT 
-Những chất bán dẫn có n << Nc hoặc p << Nv được gọi là chất bán
dẫn không suy biến
-Khi chất bán dẫn bị pha tạp mạnh , n hoặc p rất lớn (1019-1020cm-3)
Chúng có thể so sánh với hoặc lớn hơn Nc hoặc Nv. Nguyên lý loại
trừ Pauli được tuân thủ và thống kê Fermi-Diract được sử dụng
Chất bán dẫn thể hiện các đặc tính giống kim loại hơn giống chất bán
dẫn (ví dụ ρT)
-Chất bán dẫn có n > Nc hoặc p > Nv gọi là chất bán dẫn suy biến
Trong chất bán dẫn suy biến, nồng độ hạt tải điện rất lớn do pha tạp
mạnh
Trong chất bán dẫn suy biến loại n, các nguyên tử đôno phân bố
gần nhau đến mức các obitan của chúng xen chồng lên nhau tạo
thành một dải năng lượng hẹp.
Dải năng lượng hẹp sẽ trở thành một phần của vùng dẫn: Ec hơi
dịch chuyển xuống và Eg trở nên hẹp hơn một chút.

(a) Bán dẫn suy biến

loại n. Số lượng
lớn các tạp đôno
tạo thành vùng
năng lượng
chồng lên CB.
(b) Bán dẫn suy biến
loại p.
- Êlectron từ các n/tử đôno lấp đầy vùng dẫn từ mức Ec. Tình huống
này giống như trường hợp electron hóa trị lấp đầy vùng năng lượng
xen chồng lên nhau trong kim loại
-Trong chất bán dẫn suy biến loại n, mức Fermi nằm trong vùng
dẫn hoặc cao hơn Ec
Phần lớn các trạng thái giữa Ec và Ef bị điện đầy bởi êlectron
-Trong trường hợp bán dẫn suy biến loại p, mức Fermi nằm trong
vùng hóa trị dưới mức Ev.
- Trong chất bán dẫn suy biến, không thể giả định rằng
n = Nd và p = Nv
vì nồng độ tạp rất lớn nên chúng tương tác với nhau; Không phải tất
cả n/tử tạp chất đều có thể bị ion hóa.
Nồng độ hạt tải đạt đến giá trị bão hòa khoảng 1020 cm-3.
Khi đó biểu thức np = ni2 không có giá trị.
3/ 2
8  2m


-Nồng độ e- trong BD suy biến: n  2
d
 ( F  Ec )3 / 2
3  h 
4.5 Tái hợp và phun hạt tải không cơ bản
4.5.1. Tái hợp trực tiếp và gián tiếp
Quá trình khi một điện tử tự do trong CB của một tinh thể, "gặp"
một lỗ trống trong VB, nó chuyển xuống và điền đầy trạng thái
trống điện tử với năng lượng thấp này được gọi là tái hợp .

VD: Tái hợp trực tiếp trong

GaAs; kcb = kvb sao cho thỏa
mãn bảo toàn động lượng.

Quá trình tái hợp giữa êlectron

và lỗ trống phải tuân theo định
luật bảo toàn động lượng

kvb=kcb 3.82
Tái hợp trực tiếp là quá trình trong đó điện tử trực tiếp tái hợp với lỗ
trống

- Trong chất bán dẫn vùng cấm thẳng, vectơ sóng / động lượng của
êlectron và lỗ trống bằng nhau. Chúng có thể tái hợp với nhau mà
không có bất kỳ tương tác nào với phonon
- Trong chất bán dẫn vùng cấm xiên , các êlectron và lỗ trống thường
không có cùng véctơ sóng/ động lượng. Chúng sẽ tái hợp bởi sự
tương tác (hấp thụ/bức xạ) với phonon
Tái hợp gián tiếp là quá trình trong đó điện tử tái hợp với lỗ trống
thông qua các tâm tái hợp
Các tâm tái hợp: các nguyên tử tạp chất hoặc một khuyết tật tinh thể
Trong giản đồ năng lượng, tâm tái hợp là một trạng thái điện tử
định xứ nằm dưới Ec trong vùng cấm, thường là gần giữa vùng cấm.
Êlectron bị bắt bởi tâm này và sau đó lỗ trống sẽ chuyển đến và kết
hợp lại với nó

Sự tái hợp trong Si thông qua một tâm tái hợp có mức năng lượng định
xứ tại Er trong vùng cấm , thường là gần giữa vùng.
Tái hợp và bẫy hạt tải. (a) Sự tái hợp trong Si thông qua một tâm tái hợp có mức
năng lượng định xứ tại Er trong vùng cấm, thường là gần giữa vùng . (b) Bẫy và
tách electron bằng các tâm bẫy. Tâm bẫy có mức năng lượng định xứ trong vùng
cấm gần bờ vùng năng lượng.
Bẫy hạt tải điện: quá trình liên quan đến việc loại bỏ tạm thời các
điện tử khỏi CB hoặc lỗ trống khỏi VB.
Các tâm bẫy điện tử được phân bố gần đáy vùng dẫn Ec
Các tâm bẫy lỗ được phân bố gần đính vùng hóa trị

Hiện tượng bẫy và tách electron bởi các tâm bẫy.

4.5.2. Thời gian sống hạt tải không cơ bản
Xét chất bán dẫn loại n
Các electron là hạt tải điện cơ bản được phát sinh nhờ q/t ion hóa
nhiệt của các n/tử tạp đôno
Các lỗ trống là các hạt tải điện không cơ bản được được phát sinh
do chuyển mức vùng -vùng bởi q/t kích thích nhiệt
Trong điều kiện cân bằng nhiệt ở trong tối, định luật tác dụng khối
lượng được tuân thủ:
nno pno  ni2 3.83

Trong đó nno là nồng độ hạt tải điện

cơ bản, pno là nồng độ hạt tải điện
không cơ bản.
Khi chất bán dẫn được chiếu sáng,
các cặp electron - lỗ trống mới (hạt
tải điện dư) được tạo ra.
Bán dẫn ở trạng thái không cân
bằng
 Khi chiếu sáng, nồng độ electron trong chất bán dẫn loại n :

nn  nno  nn 3.84

Trong đó nn là nồng độ điện tử dư (hạt tải điện cơ bản )

Nồng độ lỗ trống trong chất bán dẫn loại n:

pn  pno  pn 3.85

Trong đó pn là nồng độ lỗ dư (hạt tải điện không cơ bản)

q/t kích thích quang tạo ra một số lượng electron và lỗ trống dư

bằng nhau
nn  pn 3.86

Định luật tác dụng của khối lượng không được tuân thủ :
nn pn  ni2 3.87
 + Quá trình phun hạt dẫn: phát sinh hạt dẫn bởi kích
thích bên ngoài dẫn tới nồng độ hạt dẫn bị lệch khỏi
giá trị cân bằng, pnni2.

- Quá trình phun hạt dẫn xảy ra theo hai cách:

Quá trình quang phát sinh: chiếu ánh sáng làm
xuất hiện nồng độ điện tử dư và nồng độ lỗ trống dư.
n  p

Quá trình điện phát sinh:

đặt điện áp thuận lên
chuyển tiếp p-n, làm xuất
hiện một loại nồng độ
hạt dẫn dư.
 + Phân loại mức phun:
-Trường hợp mức phun thấp: Nồng độ hạt dẫn dư nhỏ
hơn nồng độ hạt dẫn cơ bản cân bằng
Bán dẫn loại n :
n  p  nno  N d
-Trường hợp mức phun cao
n  p  nno
pn  nn

Nồng độ hạt dẫn không cơ bản không cân bằng cỡ

nồng độ hạt dẫn cơ bản không cân bằng
NX: Trong hai trường hợp nồng độ hạt dẫn không cơ
bản thay đổi rất nhiều lần so với trường hợp hạt dẫn
cơ bản.
Quá trình phun hạt dẫn là quá trình phun hạt dẫn
không cơ bản.
 npni2

VD: Xét chất bán dẫn Si loại n

Trong tối, nno là 5x1016 cm-3 và pno là 2x103cm-3.
Chiếu sáng yếu gây ra sự thay đổi nồng độ hạt tải là 10% nno (nno là
nồng độ hạt tải cơ bản trong tối)
nn = pn = 0,5x1016 cm-1
nn = 5,5x1016cm-3 pn  pn = 0,5x1016cm-3;
Ta thấy rằng nồng độ hạt tải không cơ bản tăng mạnh cỡ 13 bậc
 nn  pn

-Sự chiếu sáng đối với chất bán dẫn loại n dẫn đến phát sinh nồng
độ điện tử và lỗ trống dư.
-Khi ngừng chiếu sáng , các hạt tải điện cơ bản dư và hạt tải điện
không cơ bản dư sẽ bị loại bỏ bằng cách tái hợp.
-Trong tối sau khi được chiếu sáng, quá trình tái hợp sẽ khôi phục
lại trạng thái cân bằng;
-Thời gian sống của hạt tải không cơ bản h là thời gian
trung bình tồn tại một lỗ trống (hạt tải không cơ bản)
trong vùng hóa trị từ khi phát sinh đến khi tái hợp;
Hay là thời gian trung bình lỗ trống ở trạng thái tự do
trước khi tái hợp lại với điện tử .
1/ h là xác suất trung bình trên một đơn vị thời gian mà
một lỗ trống sẽ tái hợp với một điện tử

Tốc độ gia tăng nồng độ hạt tải không cơ bản dư:

dpn pn
 G ph  3.88
dt h
Trong đó Gph là tốc độ phát sinh hạt tải do kích thích quang; số hạng
thứ hai là tốc độ tái hợp của các lỗ trống dư
I op ( x)
G ph   J op ( x) Iop là cường độ quang

+ Xét sự thay đổi của nồng độ hạt tải không cơ bản khi chiếu sáng
dạng bậc/xung lên chất bán dẫn loại n tại thời điểm t = 0 và tắt chiếu
sáng ở t = toff (>> h)

Iop

Nồng độ hạt tải không

cơ bản tăng dạng hàm
mũ theo thời gian và
đạt đến giá trị bão
hòa/ổn định

Nồng độ hạt tải điện không cơ bản dư pn (t) tăng theo hàm mũ
đến giá trị ổn định với một hằng số thời h.
  t 
pn (t )   hG ph 1  exp     3.89
 
 h 
Từ toff, nồng độ hạt tải điện không cơ bản dư giảm dần theo hàm
mũ đến giá trị cân bằng pno.
 t 
pn (t )   hG ph exp   
 h  3.90
+ Độ dẫn quang khi chất bán dẫn được chiếu sáng

  ee n  eh p  en(e  h ) 3.91

+ Xét một chất bán dẫn loại n được cấp một trường ngoài Ex và được
chiếu sáng liên tục ở phía bên trái

Mật độ dòng điện do chuyển động của electron

dn
je  ene Ex  eDe 3.92
dx
Dòng cuốn và khuếch tán do chuyển động của êlectron theo hướng
ngược chiều nhau
Mật độ dòng điện do chuyển động của lỗ trống
dp
jh  eph Ex  eDh 3.93
dx

Dòng cuốn và dòng khuếch tán do chuyển động của lỗ

là cùng chiều
Hệ số khuếch tán và độ linh động cuốn có liên quan với
nhau thông qua hệ thức Einstein
De kT
 3.94
e e
Dh kT 3.95

h e

Hệ số khuếch tán tỷ lệ với nhiệt độ và độ di động

 4.6 Áp điện trở
- Áp điện trở là sự thay đổi điện trở suất của chất bán dẫn (thực sự là
bất kỳ vật liệu nào), do ứng suất tác dụng.

trong đó π là hệ số được gọi là hệ số áp điện trở; π có đơn vị là

m2 ∕ N hoặc 1 ∕ Pa. σm là ứng suất
- Hệ số áp điện trở π phụ thuộc vào dạng pha tạp p- hay n, nồng
độ tạp,nhiệt độ và hướng tinh thể.

Sự thay đổi thành phần điện trở suất dọc theo hướng dòng điện
(hướng dọc) được cho bởi

trong đó πL là hệ số áp điện trở theo hướng dọc (khác nhau đối

với Si loại p và n), và πT là hệ số áp điện trở ngang.
Áp điện trở và các ứng dụng. (a) Ứng suất m dọc theo hướng dòng điện
(theo chiều dọc) làm thay đổi điện trở suất của . (b) Ứng suất L và T gây
ra sự thay đổi điện trở suất. (c) Một lực tác dụng lên thanh dầm sẽ làm cong
nó. Một áp điện trở ở đầu đỡ (nơi ứng suất lớn) được sử dụng đo ứng suất,
tỷ lệ với lực. (d) Một cảm biến áp suất có áp điện trở R1, R2, R3, R4 được
cấy trong một màng Si. Áp suất làm cong màng Si, tạo ra ứng suất được cảm
nhận bởi bốn áp điện trở .
Trong trường hợp tinh thể lập phương, ta có thể biểu diễn quan
hệ giữa ứng suất và độ thay đổi của điện trở suất ở dạng ma trận

 1   11  12  12 0 0 0   1 
      
 2   12  11  12 0 0 0   2
1  3   12  12  11 0 0 0   3 
  . 
0   4   0 0 0  44 0 0   1 
    0 0 0 0  44 0   2 
 5    
 6   0 0 0 0 0  44    3 

 11 12 44

VËt liÖu (.cm) (10-12 cm2.dyne-1) (10-12 cm2.dyne-1) (10-12 cm2.dyne-1)

Silic lo¹i p 7.8 +6.6 -1.1 +138.1

Silic lo¹i n 11.7 -102.2 +53.4 -13.6
 4.7 Tiếp xúc Schottky
4.7.1 Điốt Schottky

Walter H. Schottky (1886–

1976) obtained his PhD
from the University of
Berlin in 1912.

Độ cao rào thế Schottky B :

Hình thành tiếp xúc Schottky /đóng giữa kim loại và bán dẫn loại
n khi m> n. Vo: hiệu điện thế tiếp xúc.
eV0 = Φm − Φn
Vùng nghèo (lớp điện tích không gian) là vùng bị nghèo các hạt tải
điện điện tử cơ bản và chứa các ion dương đôno.
+ Xét trường hợp khi tiếp xúc ở trạng thái hở mạch

Mật độ dòng điện tử do phát xạ nhiệt đi từ KL vào bán dẫn

Mật độ dòng điện tử do phát xạ nhiệt đi từ bán dẫn vào KL

Trong điều kiện cân bằng (điều kiện hở mạch trong tối), hai dòng
điện có giá trị bằng nhau nhưng ngược chiều:
+ Trường hợp phân cực thuận: bán dẫn được kết nối với cực âm
nguồn , KL nối với cực dương nguồn
 Hiệu thế tiếp xúc giảm xuống còn Vo – V

Độ cao rào thế năng giảm

PE = e(Vo − V).

ΦB không thay đổi.

Mật độ dòng điện tử do phát xạ nhiệt đi từ bán dẫn vào KL khi

phân cực thuận

Mật độ dòng điện tử do phát xạ nhiệt đi từ KL vào bán dẫn khi

phân cực thuận là không đổi do ΦB không thay đổi.
Mật độ dòng tổng cộng
+ Trường hợp phân cực ngược : bán dẫn được kết nối với cực
dương nguồn , KL nối với cực âm nguồn

Độ cao rào thế năng tăng

PE = e(Vo + Vr).

Mật độ dòng điện tử do phát

xạ nhiệt đi từ bán dẫn vào KL
khi phân cực ngược:

Mật độ dòng tổng cộng khi

phân cực ngược:

J  J1
Đặc trưng I-V của điốt Schottky thể hiện tính chỉnh lưu

Đặc trưng I-V của điốt Schotky:

trong đó J0 là dòng bão hòa ngược

trong đó Be là hệ số Richardson hiệu dụng

Tiếp xúc KL-BD loại p

Điều kiện tiếp xúc Schottky: m< s

4.7.2. Tiếp xúc Schottky: Pin mặt trời & Điốt quang
a. Pin mặt trời tiếp xúc Schottky.
- h > Eg, các cặp electron-lỗ trống được
tạo ra trong vùng nghèo.
- Trường tiếp xúc tách các cặp electron -
lỗ trống và đẩy các electron về phía chất
bán dẫn và lỗ trống về phía kim loại.
- Chuyển động cuốn của các quang hạt
tải này làm phát sinh dòng quang dẫn
trong ở mạch ngoài.
- Phía đầu của chất bán dẫn trở nên âm
hơn một chút so với tiếp xúc ở trong tối
hoặc trạng thái cân bằng.
- Lỗ trống dịch chuyển về phía kim loại,
nó tái hợp với một điện tử và làm giảm
điện tích hiệu dụng ở đó đi một điện tích
âm, do đó làm cho KL dương hơn so với
Fig 5.41
trạng thái trong tối.
- Như vậy, một điện áp hình thành trong
điốt Schottky với cực dương ở đầu kim
loại và cực âm ở đầu bán dẫn
b. Điốt quang Schottky

Điốt quang Schottky phân cực ngược thường được sử dụng làm bộ
thu quang nhanh.
Điện áp tiếp xúc khi phân cực ngược: Vo + Vr (Vr ≫ Vo).
Khi điện trường tiếp xúc lớn sẽ làm tăng vận tốc chuyển động
cuốn của e và h trong vùng nghèo hạt tải vd = μdE
Dòng quang điện Iphoto trong mạch ngoài là do c/đ cuốn của các
quang hạt tải phát sinh trong vùng nghèo.
 4.8 TIẾP XÚC OHMIC VÀ BỘ LÀM LẠNH NHIỆT ĐIỆN
Tiếp xúc ohmic

-Xét tiếp xúc của một kim loại có công thoát nhỏ hơn công thoát bán
dẫn loại n.
- Dòng điện tử do phát xạ nhiệt đi từ KL vào bán dẫn sẽ lớn hơn
dòng điện tử do phát xạ nhiệt đi từ bán dẫn vào KL
-Không có vùng nghèo hạt tải hay có sự tích tụ hạt tải điện tử cơ
bản trong vùng tiếp xúc
-Các điện tử dư trong vùng tích tụ làm tăng độ dẫn của chất bán dẫn
trong vùng này
-Hình thành một tiếp xúc ohmic/mở ;
Hiệu ứng Peltier, bộ làm lạnh nhiệt điện

(a) Dòng điện từ chất bán dẫn

loại n sang kim loại dẫn đến
hiện tượng hấp thụ nhiệt ở
chỗ tiếp xúc.
(b) Dòng điện từ kim loại sang
chất bán dẫn loại n dẫn đến
sự tỏa nhiệt ở chỗ tiếp xúc.

-Tùy thuộc vào hướng của dòng điện chạy qua lớp tiếp xúc giữa kim
loại và chất bán dẫn loại n mà nhiệt bị hấp thụ hoặc tỏa ra ở lớp tiếp
xúc. Hiệu ứng nhiệt điện này được gọi là hiệu ứng Peltier.
-Khi các e đi từ KL đến cuối vùng tiếp xúc thì năng lượng của chúng
là Ec + 3/2 kT. Do đó, êlectron phải hấp thụ nhiệt từ môi trường (dao
động mạng tinh thể). Chỗ tiếp xúc bị lạnh đi.
- Vì EFm thấp hơn Ec, nên điện tử từ chất bán dẫn đi qua vùng tiếp xúc
sẽ giải phóng năng lượng, năng lượng đó truyền cho các dao động
mạng dưới dạng năng lượng nhiệt. sự tỏa nhiệt ở chỗ tiếp xúc.
 Nhiệt lượng tỏa ra/ hấp thụ trong một đơn vị thời gian ở tiếp xúc:

Hệ số Peltier giữa hai vật liệu:

Khi dòng điện một chiều chạy qua một chất bán dẫn có tiếp xúc
với kim loại ở hai đầu;
Một tiếp xúc sẽ hấp thụ nhiệt và nguội đi (tiếp xúc bị lạnh đi);
Tiếp xúc kia sẽ giải phóng nhiệt và nóng lên (tiếp xúc nóng lên).
 Bộ tản nhiệt

Cấu trúc của một pin nhiệt điện điển hình.

Cấu trúc điển hình của bộ làm lạnh nhiệt điện
thương mại.
4.9 Linh kiện bán dẫn
4.9.1 Điốt bán dẫn
- Điốt bán dẫn là LK cho phép dòng điện chạy
theo một chiều (tính chỉnh lưu)
- Điốt bao gồm các vùng bán dẫn pha tạp p-
và n liền kề tiếp xúc nhau tạo thành chuyển
tiếp p-n
- Do tồn tại gradien nồng độ hạt tải, xảy ra sự
khuếch tán của các điện tử và lỗ trống.
Vùng tiếp xúc trở nên nghèo các hạt tải tự
do (cơ bản)
Vùng nghèo / lớp điện tích không gian được
hình thành
- Điện trường nội Eo hướng từ phía các ion
dương sang âm làm cho các lỗ trống chuyển
động cuốn trở lại vùng p và các electron trở
lại vùng n.
- Ở trạng thái cân bằng, dòng khuếch tán và dòng cuốn của hạt tải (e- và
lỗ trống) sẽ bằng nhau.
- Để đảm bảo tính trung hòa về điện, tổng điện tích ở bên trái tiếp xúc
phải bằng tổng điện tích ở bên phải:
 (a) (b)

(a) Hai chất bán dẫn loại p và n riêng biệt (cùng loại vật liệu).
(b) Giản đồ vùng năng lượng chuyển tiếp p-n khi hai chất bán
dẫn tiếp xúc.
Mức Fermi phải đồng nhất ở trạng thái cân bằng.
Biên chuyển tiếp tại M. Vùng xung quanh M chứa lớp điện tích
không gian (SCL). Ở phía n của M, SCL có các ion đôno tích
điện dương trong khi ở phía p, SCL có ion axepto tích điện âm.
 Ta có:
p/t Poisson

Điện trường tiếp xúc, Emax =E0:

Trong đó ε = εoεr
Hiệu thế tiếp xúc:

Trong đó Wo = Wn + Wp
Bề rộng của vùng nghèo:

Vo phụ thuộc vào nồng độ tạp chất:

Trường hợp phân cực thuận

Giản đồ vùng năng lượng của một chuyển tiếp p-n: (a) mạch hở,
(b) phân cực thuận
-Điện áp ngoài đặt vào chuyển tiếp ngược với hiệu điện thế tiếp
xúc Vo, làm giảm độ cao hàng rào PE từ eVo xuống e (Vo - V)
-Sự khuếch tán của e- từ miền n qua vùng nghèo vào miền p được
tăng cường.
Như vậy có sự phun hạt tải không cơ bản (lỗ trống) trong miền n
-Tương tự như vậy có sự phun e- không cơ bản trong miền p
Tiếp xúc pn phân cực thuận và phun hạt tải không cơ bản.
(a) Phân bố nồng độ hạt tải khi phân cực thuận.
(b) Thế năng lỗ trống có và không có phân cựcthuận .
W là chiều rộng của SCL khi phân cực thuận: W < W0
Nồng độ lỗ trống không cơ bản tại biên vùng nghèo:

Do:

Ta có:

Khi V = 0: pn(0) = pn0

Nồng độ điện tử không cơ bản tại biên vùng nghèo :

Phân bố nồng độ lỗ trống dư trong miền n:

độ dài khuếch tán lỗ trống

Mật độ dòng KT lỗ trống
4.104

Tại x’ =o:

Khi phân cực thuận:

Mật độ dòng KT lỗ trống :

Do:

Ta có:

Tính toán tương tự đối với mật độ dòng KT điện tử.

Tổng dòng điện ở mọi vị trí trong linh kiện là không đổi.
Ngay bên ngoài vùng nghèo: dòng khuếch tán của các
hạt tải không cơ bản.
+ Mật độ dòng điện tổng cộng:

J = JDe + JDh

4.105a

Phương trình diode lý tưởng (Shockley):

4.105b

Trong đó Js0 là mật độ dòng bão hòa ngược

 Trường hợp phân cực ngược

Giản đồ vùng năng lượng của một chuyển tiếp p- n trong (c) ở điều kiện phân
cực ngược; và (d) sự phát sinh của các cặp lỗ trống electron do kích thích nhiệt
trong vùng nghèo dẫn đến dòng điện ngược nhỏ.

Vr thêm vào hiệu thế tiếp xúc Vo, vì vậy rào PE trở thành e(Vo + Vr)
Dòng khuếch tán hầu như không đáng kể vì nó tỷ lệ với exp[−e(Vo + Vr)∕kT]
Một dòng điện ngược nhỏ phát sinh từ dòng cuốn và dòng KT của
hạt tải không cơ bản
 Tiếp xúc pn phân cực ngược.
a. Phân bố hạt tải không cơ bản và nguồn gốc của dòng điện ngược. b. Thế
năng lỗ trống trong vùng tiếp xúc p-n khi phân cực ngược. W là chiều rộng
của SCL khi phân cực ngược: W > W0
Mật độ dòng điện ngược:
g là thời gian phát sinh nhiệt
trung bình
Số hạng thứ 2 là thành phần mật độ dòng ngược do hạt tải phát sinh
bởi kích thích nhiệt
 Đặc trưng I-V của điốt bán dẫn

- Đặc trưng dòng điện-điện áp không đối xứng của điốt

được dùng để biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng
điện một chiều (chỉnh lưu).
 4.9.2 Điốt phát quang (LED)
Điốt phát quang (LED) là một điốt chuyển tiếp p-n thường được làm từ
một chất bán dẫnvùng cấm thẳng , trong đó sự tái hợp lỗ trống với điện tử
làm phát sinh photon

Phun hạt tải

không cơ
bản

Giản đồ vùng năng lượng của một chuyển tiếp p-n (miền n pha tạp mạnh ).
a. Không có điện áp. Mức Fermi là đồng nhất trên toàn bộ linh kiện ; EFn = EFp.
b. T/h phân cực thuận với điện áp V.
- Sự tái hợp trực tiếp ở gần vùng chuyển tiếp và trong khoảng chiều dài
khuếch tán của các điện tử ở phía miền p dẫn đến phát xạ photon.
- Các mức Fermi được tách biệt và độ chênh mức Fermi: EFn - EFp = eV.

- Quá trình tái hợp trực tiếp tự phát dẫn đến phát xạ photon tự phát: h ≈ E .
LED chuyển tiếp dị chất
active layer confining layer
(a) Một diode cấu trúc dị chất kép
có 2 chuyển tiếp tạo bởi hai chất
bán dẫn có Eg khác nhau (GaAs và
AlGaAs).
(b) Giản đồ vùng năng lượng. EF
phải đồng nhất.
(c) Giản đồ vùng năng lượng phân
cực thuận
(d) Đèn LED phân cực thuận. Sơ đồ
minh họa các photon thoát ra khỏi
sự tái hấp thu trong lớp AlGaAs và
được phát ra từ linh kiện

ΔEc là rào thế lượng ngăn cản điện

tử trong CB của p-GaAs đi qua CB
của p-AlGaAs.
Các electron bị giam giữ trong CB
của p-GaA
Các photon phát ra không tái hấp bị
thụ !!!
 LED giếng lượng tử (QW)

(a) Giếng lượng tử của vật liệu có vùng cấm nhỏ hơn (Eg1) có độ dày d dọc theo x
được bao quanh bởi một vật liệu dày hơn có vùng cấm rộng hơn (Eg2).
(b) Các mức năng lượng electron liên quan đến chuyển động dọc theo x được
lượng tử hóa là E1, E2, E3, v.v.
(c) Cấu trúc QW cho thấy các mức năng lượng trong giếng và cách các hạt tải
điện do dòng điện mang lại chuyển vào mức năng lượng thấp nhất trong giếng
và sau đó tái hợp và phát xạ photon.
Năng lượng của e- trong giếng lượng tử 1D

+Nếu chúng ta cấp một điện áp thuận, thì các electron và lỗ trống sẽ
được phun vào QW
Sự tái hợp bức xạ xảy ra giữa các điện tử và lỗ trống trong QW
dẫn tới sự phát xạ photon.
Các photon này có thể dễ dàng thoát khỏi QW do chất bán dẫn
xung quanh có vùng cấm rộng hơn.

+ Hai ưu điểm đặc biệt đối với QW:

- Các electron và lỗ trống đều bị giam giữ trong một không gian
rất hẹp, điều này thúc đẩy sự tái hợp.
- Có một số lượng lớn các trạng thái ở năng lượng thấp nhất (tại
E1 và E1′) so với số lượng trạng thái ở Ec và Ev của một chất
bán dẫn khối. Cường độ phát xạ quang lớn.
 Phổ phát xạ của LED

(a) Giản đồ vùng năng lượng với các tái hợp có thể.
(b) Sự phân bố theo năng lượng của các electron trong CB và các lỗ trống
trong VB. Nồng độ electron cao nhất là (1∕2) kT trên mức Ec.
(c) Giản đồ E-k (tương đương với giản đồ E-p) và các tái hợp trực tiếp trong
đó k được bảo toàn.
(d) Cường độ ánh sáng tương đối là một hàm của năng lượng photon (phổ
phát xạ photon)
(a) Phổ đầu ra điển hình (cường độ quang tương đối là hàm bước sóng) của
đèn LED hồng ngoại AlGaAs
(b) Phổ đầu ra của đèn LED ở 3 nhiệt độ: 25 °C, -40 ° C và 85 ° C. Các giá trị
được chuẩn hóa ứng với cực đại phát xạ ở 25 ° C.
Độ rộng quang phổ là độ rộng toàn phần ở một nửa cực đại

Độ rộng phổ củaLED : 4.109

m = 1.8 3
P/t Varshni :
4.9.3 Pin mặt trời
Nguyên lý hoạt động cơ
bản của pin mặt trời.

Các điện cực răng lược trên

bề mặt của pin mặt trời làm
giảm điện trở nối tiếp

Các quang lỗ trống được phát sinh trong vùng có bề rộng cỡ độ dài
khuếch tán Lh của miền n có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị quét
qua phía p.
Các quang điện tử được phát sinh trong vùng có bề rộng cỡ độ dài
khuếch tán Le của miền p có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị
quét qua phía n .
Điện áp hở mạch tổng cộng hình thành giữa các đầu cuối của linh
kiện với phía p dương so với phía n.
 Một pin mặt trời chuyển tiếp
n-p ở điều kiện ngắn mạch.
Le: Chiều dài khuếch
tán của điện tử (hạt tải
không cơ bản)

Các quang hạt tải được phát sinh trong thể tích Lh + W + Le làm phát sinh dòng
quang điện Iph.
Các quang lỗ trống được phát sinh trong vùng có bề rộng cỡ chiều dài
khuếch tán Lh có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị quét qua phía p.
Các quang điện tử được phát sinh trong vùng có bề rộng cỡ độ dài khuếch
tán Le có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị quét qua phía n
Nếu các điện cực của linh kiện bị đoản mạch, các quang điện tử chuyển động
cuốn về phía miền n có thể đi qua mạch ngoài để trung hòa các quang lỗ trống
đã chuyển động cuốn về phía miền p.
Dòng điện này do dòng của các quang hạt tải được gọi là dòng quang dẫn.
 Dòng điện ngắn mạch của pin mặt trời khi chiếu sáng

trong đó I là cường độ ánh sáng và K là hằng số

Đặc trưng I–V của pin mặt trời

η là hệ số lý tưởng (η = 1−2)

Các đặc trưng I – V của pin mặt trời

Si.
Dòng ngắn mạch là Iph và điện áp hở
mạch là Voc.
Các đường cong I-V cho dòng điện
dương yêu cầu một điện áp ngoài.
- Hoạt động của pin luôn nằm trong
miền dòng điện âm .
(a) Khi pin mặt trời có tải R, R có cùng hiệu điện thế với pin mặt trời nhưng
dòng điện qua nó ngược chiều với dòng điện của điốt.
(b) Dòng điện I′ và điện áp V′ trong mạch của (a) có thể được xác định từ việc
xây dựng đường tải. Điểm P là điểm hoạt động (I′, V′). Dòng tải cho R = 3 Ω.
Dòng tải: Công suất trên tải:
Hệ số điền đầy FF:
Pm I V
Hiệu suất : conv   100%  m m  100%
Pin Pin
Pm là công suất điện, Pin công suất quang
4.9.4 Tranzito
-Tranzito được sử dụng để khuếch đại và chuyển mạch tín hiệu điện
a. Tranzoto lưỡng cực chuyển tiếp p-n-p (hoặc n-p-n)

(a) Sơ đồ minh họa của tranzito lưỡng cực pnp với ba vùng pha tạp khác nhau.
(b) Tranzito lưỡng cực pnp hoạt động trong chế độ bình thường và tích cực.
(c) Cấu hình với các mạch đầu vào và đầu ra.
(d) Hình minh họa các thành phần dòng điện khác nhau trong chế độ bình thường và
tích cực.
- Tranzito lưỡng cực gồm hai chuyển tiếp p-n giáp lưng
với nhau. Vùng trung tâm (Bazơ) rất mỏng (~ 1 micron)
và bị kẹp giữa vùng emitơ và vùng colectơ .
- Chuyển tiếp emitơ- bazơ được phân cực thuận và các lỗ
trống được đẩy / phun qua chuyển tiếp. Một số lỗ trống
tái hợp với các điện tử trong miền bazơ, nhưng hầu hết đi
qua bazơ vì nó rất mỏng. Sau đó, chúng bị quét về phía
colectơ vì chuyển tiếp bazơ – colectơ được phân cực
ngược.
- Một sự thay đổi nhỏ trong điện áp emitơ-bazơ gây ra sự
thay đổi tương đối lớn của dòng điện emitơ-colectơ và
do đó thay đổi điện áp lớn trên điện trở đầu ra (“tải”). Do
đó, một tín hiệu điện áp được khuếch đại.
Hệ số khuếch đại dòng điện emitơ chung βF
IC
F 
IB
βF là tỷ số giữa dòng điện colectơ một chiều và dòng điện bazơ
một chiều trong vùng tích cực thuận.
Nó thường lớn hơn 100 đối với tranzitơ tín hiệu nhỏ.
Hệ số khuếch đại dòng điện bazơ chung, αF.
IC
F 
IE
F là tỷ số giữa dòng điện colectơ một chiều và dòng điện
emitơ một chiều trong vùng tích cực thuận.
F thường có giá trị cỡ bằng 1; từ 0,98 đến 0,998. Nó nhỏ
hnhor1 do sự tái hợp của các hạt tải điện khi chúng đi qua
vùng bazơ.
Đặc trưng I-V của tranzito lưỡng cực pnp