Tính Chất Quang, Điện và Từ của Vật Liệu

Chương 4
Vật liệu và Linh kiện Bán dẫn
4.1 Bán dẫn riêng/thuần
4.2 Bán dẫn pha tạp/ ngoại lai
4.3 Sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện
4.4 Chất bán suy biến và không suy biến
4.5 Tái hợp và phun hạt tải không cơ bản
4.6 Áp điện trở
4.7 Tiếp xúc Schottky
4.8 Tiếp xúc Ohmic và bộ làm lạnh nhiệt điện
4.9 Linh kiện bán dẫn
4.1 Bán dẫn riêng/thuần
-Chất bán dẫn riêng là chất bán dẫn không có tạp chất ; những
chất bán dẫn pha tạp chất được gọi là bán dẫn tạp chất/ngoại lai
4.1.1 Tinh thể silic và sơ đồ vùng năng lượng
(a) Hình minh họa hai
chiều của nguyên tử
Si với bốn obitan lai
hoá hyb. Mỗi obitan
có một electron.
(b) Hình vẽ hai chiều
của một vùng tinh thể
Si thể hiện các liên kết
cộng hóa trị.
(c) Sơ đồ vùng năng
lượng ở nhiệt độ
không tuyệt đối

Khoảng cách năng lượng từ Ec đến

chân không được gọi là ái lực điện tử χ
Hình vẽ hai chiều của tinh thể Si cho thấy các
liên kết cộng hóa trị được biểu diễn bằng hai
đoạn thẳng trong đó mỗi đoạn ứng với một
điện tử hóa trị.
4.1.2 Điện tử và lỗ trống

(a) Một photon có năng

lượng lớn hơn Eg có thể
kích thích một e- từ VB lên
CB.
(b) Khi một photon phá vỡ
liên kết Si-Si, một e- tự do
và một lỗ trống trong liên
kết Si-Si được tạo ra.

Bằng kích thích nhiệt hoặc quang, một e- được chuyển lên vùng dẫn.
Trạng thái điện tử trống trong vùng hóa trị hoặc liên kết bị mất điện tử
gọi là lỗ trống
Trong chất rắn, các lỗ trống xuất hiện mang điện tích dương và có khối
lượng mh.
Sự phát sinh hạt tải điện tự do: Các e- được chuyển từ vùng hóa trị lên
vùng dẫn bằng cách hấp thụ năng lượng; Chuyển mức vùng-vùng.
 Quá trình phát sinh quang xảy ra do sự hấp thụ ánh
sáng bên ngoài chiếu vào vật liệu;
Năng lượng photon: hf > Eg.
Một cặp electron và lỗ trống được hình thành.

Tốc độ phát sinh quang:

4.1

trong đó G () là cường độ

quang tại tần số , và Q () là
hàm của tần số liên quan đến
cấu trúc vùng năng lượng và hệ
số hấp thụ quang
 Sự phát sinh nhiệt xảy ra bằng cách hấp thụ nhiệt năng
-Do nhiệt năng, các nguyên tử trong tinh thể dao động xung
quanh vị trí cân bằng. Các liên kết giữa các nguyên tử Si bị
biến dạng.
- Trong một số trường hợp, các các liên kết bị biến dạng quá
lớn. Điều này dẫn đến sự phá vỡ liên kết làm giải phóng một
điện tử vào không gian tinh thể. Trạng thái trống của các điện
tử trong các liên kết là lỗ trống.
- Dao động nhiệt của nguyên tử có
thể phá vỡ liên kết và do đó tạo ra
các cặp electron - lỗ trống.

Tốc độ phát sinh nhiệt, gth,:

gth = Ce−(Eg / kT) 4.2
trong đó, Eg là vùng cấm năng lượng
của vật liệu, C là hằng số tỷ lệ.
 Sự dịch chuyển lỗ trống

(a) Điện tử hóa trị trong một nguyên tử nhảy vào trạng thái trống của
liên kết. Điều này tạo ra lỗ trống mới ở vị trí ban đầu của điện tử. Điều
này tương đương với việc lỗ bị dịch chuyển theo hướng ngược lại
(b-d) Bước này có thể tái xuất hiện khiến lỗ trống bị dịch chuyển xa
hơn. Kết quả là lỗ trống chuyển động xung quanh tinh thể như thể nó
là các hạt điện tích dương tự do,
(e) Tái hợp h-e: tái hợp giữa lỗ trống và điện tử dẫn
 4.1.3 Sự dẫn điện trong chất bán dẫn riêng
-Xét t/h điện trường đặt qua chất bán dẫn dọc theo phương x

(a) Chuyển động cuốn của e

dẫn trong Ex.

(b) Điện trường ngoài làm

cong các vùng năng lượng vì
PE tĩnh điện của e- là –eV (x)
và V (x) giảm theo hướng Ex,
trong khi PE tăng lên.

Ta có: (dV∕dx) = −Ex 4.3

Thế tĩnh điện: V = −Exx + B. 4.4
Thế năng tĩnh điện: PE= −eV(x) = eExx − eB, 4.5

- Các vùng năng lượng nghiêng lên theo phương x: các

vùng năng lượng bị uốn cong .
+Dưới tác dụng của Ex, e- trong vùng dẫn chuyển động sang trái và
nhận năng lượng từ điện trường. Nó di chuyển lên mức năng lượng
cao hơn trong CB
-Khi e- va chạm với nguyên tử Si dao động nhiệt, nó mất đi một phần
năng lượng và do đó chuyển xuống mức năng lượng thấp hơn trong
CB.
-Sau va chạm electron lại tăng tốc cho đến va chạm tiếp theo.
-Quá trình này là chuyển động cuốn của e- trong điện trường. Vận tốc
chuyển động cuốn của e-:
vde  e Ex 4.6
Trong đó e là độ linh động của e-
+Dưới tác động của Ex, lỗ trống chuyển động cuốn dọc theo điện
trường

Khi lỗ trống nhận được năng lượng, nó sẽ di chuyển xuống mức năng
lượng thấp hơn trong VB

Vì cả e- và lỗ trống đều góp phần vào quá trình dẫn điện nên mật độ
dòng điện tổng cộng là: j  env  epv
de dh 4.7
Vận tốc chuyển động cuốn của e- và lỗ trống:
vde  e Ex 4.8
vdh  h Ex
4.9
Trong đó e và h là độ linh động của e- và lỗ trống:
e e
e   4.10
me
e h
h   4.11
mh
Trong đó e và h tương ứng là thời gian tự do trung
bình giữa các lần tán xạ của e- và lỗ trống; m*e và m*h
tương ứng là khối lượng hiệu dụng của e- và lỗ trống

Độ dẫn điện của bán dẫn:

  ene  eph 4.12
4.1.4 Nồng độ điện tử và lỗ trống
Số electron trong dải năng lượng từ E đến E + dE trong CB (vùng dẫn):
nE dE  gcb ( E ) f ( E )dE 4.13
Trong đó nE là số
electron trên một đơn vị
năng lượng và trong một
đơn vị thể tích;
gcb (E) là mật độ trạng
thái trong CB;
f(E) là hàm Fermi-Dirac-
xác suất tìm thấy một
electron ở trạng thái có
năng lượng E
(a) Giản đồ vùng năng lượng.
(b) Mật độ của các trạng thái (số trạng thái trên một đơn vị năng lượng
trong một đơn vị thể tích).
(c) Hàm xác suất Fermi-Dirac của điện tử và lỗ trống
(d) Tích của g (E) và f (E) là nồng độ của các hạt tải trên một đơn vị năng
lượng trong CB . Diện tích dưới nE(E) so với E là nồng độ điện tử.
Nồng độ e-: số e- trong một đơn vị thể tích, là tích phân
nE(E) từ đáy (Ec) lên trên (Ec +) của vùng dẫn
Ec   Ec  

n 
Ec
nE ( E )dE  
Ec
g cb ( E ) f ( E )dE 4.14

Giả sử: vị trí mức Fermi?

 (E  E f ) 
Khi đó, hàm phân bố e- trong CB: f ( E )  exp   
 kT 

Mật độ trạng thái vùng dẫn:

Nồng độ e- trong CB:

 ( Ec  E f ) 
n  Nc exp   
 kT  4.18
3/ 2
 (2 mekT 
Trong đó: Nc  2  
2 4.19
 h 
Nc là mật độ trạng thái hiệu dụng của vùng dẫn
Nồng dộ lỗ trống
Ev Ev

p p
0
E ( E )dE  g
0
vb ( E )[1  f ( E )]dE 4.20

Trong đó [1-f (E)] là xác suất chiếm mức năng lượng của lỗ trống
(xác suất không có e-)
Giả thiết rằng Ef lớn hơn Ev một vài kT (vị trí Ef? ), khi đó nồng độ lỗ
trống: (E  E )
 
p  N v exp   f v
 4.21
 kT 
Nv là mật độ trạng thái hiệu dụng của vùng hóa trị
3/ 2
 (2 mhkT 
Nv  2  2  4.22
 h 
Xét tích np
 (E  E f )   ( E f  Ev )   ( Ec  Ev ) 
np  Nc exp   c  v
N exp    Nc Nv exp  
kT 
4.23
 kT   kT  

 E 
Hay np  N c N v exp   g  4.24 Định luật tác dụng khối
 kT  lượng
Trong đó Eg=Ec-Ev là bề rộng vùng cấm
Tích này phụ thuộc vào T và thuộc tính vật liệu ( Eg)chứ không phụ
thuộc vào vị trí của mức Fermi
Trong trường hợp chất bán dẫn riêng: n = p = ni
 Eg 
np  ni2  N c N v exp    4.25
 kT 
Tích này là một hằng số phụ thuộc vào nhiệt độ;
Nếu nồng độ điện tử tăng lên thì nồng độ lỗ trống sẽ giảm xuống

Lấy căn bậc hai của tích np. Ta nhận được nồng độ bán dẫn riêng
ni không phụ thuộc vào EF:
 Eg 
ni  N c N v exp   4.26
 2 kT 
ni phụ thuộc theo hàm e mũ vào nhiệt độ và ½ bề rộng khe năng
lượng của chất bán dẫn.
N/x: Ở một nhiệt độ nhất định, các chất bán dẫn có bề rộng vùng
cấm hẹp sẽ có nồng độ hạt tải riêng lớn trong khi vật liệu có bề rộng
vùng cấm rộng sẽ có nồng độ hạt tải riêng nhỏ hơn.
 Đối với bán dẫn riêng:
n = p = ni.

Năng lượng Fermi trong chất bán dẫn riêng, Efi:

Hay:

Mức Fermi (Si, Ge) sẽ bị dịch chuyển xuống một chút so

với mức giữa khe năng lượng bởi một lượng khá nhỏ
so với 1/2 Eg
Nếu Nc = Nv hay m*e = m*h, khi đó ta có:

EFi ở ngay giữa khe năng lượng

 Giản đồ vùng năng lượng của: a. Bán dẫn riêng/ thuần; b. Bán dẫn
loại n; d. Bán dẫn loại p.
Đối với các chất bán dẫn: : nnpn = ppnp = ni2
Năng lượng trung bình của các electron trong CB:

Tích phân từ Ec đến đỉnh vùng dẫn:

Êlectron trong vùng dẫn có năng lượng trung bình trên
mức Ec là 3/2 kT.
3/2 kT là động năng trung bình của e-.
4.2 Bán dẫn tạp chất
4.2.1 Bán dẫn loại n
Xét trường hợp khi một nguyên tố hóa trị 5 thuộc nhóm V
trong bảng tuần hoàn như As, P, Sb, được đưa vào trong
một tinh thể Si sạch
Asen có 5 điện tử hóa trị, trong
khi Si có bốn
Khi một nguyên tử asen liên kết
với 4 nguyên tử Si, sẽ có một
điện tử không liên kết.
Ion As+ với một electron quay
xung quanh có thể được xem
như một nguyên tử hydro trong
môi trường Si
Năng lượng liên kết của êlectron trong nguyên tử H: năng lượng cần
thiết để đưa êlectron từ trạng thái cơ bản ra khỏi nguyên tử

me e 4
Đối với H Eb   E1  2 2  13.6 eV 4.31
8 0 h
Đối với êlectron xung quanh lõi As+ trong môi trường tinh thể Si:
mee 4  me  1  4.32
E   E1  2 2 2  (13.6 eV )  2 
Si

8 r  0 h  me   r 
b

Trong đó r là độ điện thẩm tương đối của silic 11,9; me* là khối lượng
hiệu dụng của êlectron trong Si, khoảng 1/3 me
EbSi =0.032 eV 4.33
Nhiệt năng trung bình của dao động nguyên tử ở nhiệt độ phòng xấp xỉ
là 3kT (0.07 eV)
Do đó, êlectron hóa trị thứ năm có thể được giải phóng bằng dao động
nhiệt của mạng tinh thể Si
Năng lượng cần thiết để kích thích một êlectron lên vùng dẫn là 0.032 eV
Quá trình này tạo ra điện tử tự do và ion As+ bất động
Giản đồ vùng năng lượng của Si loại n pha tạp As :

Nguyên tử tạp chất có thể cho electron vào trong vùng dẫn gọi là
nguyên tử đôno
Ở nhiệt độ phòng, tất cả các nguyên tử đôno đều bị ion hóa nên
nồng độ điện tử trong vùng dẫn gần bằng với nồng độ của nguyên
tử đôno Nd: nN d
4.34 Điện tử là hạt tải cơ bản

ni2
Nồng độ lỗ trống: p 4.35 Lỗ trống là hạt tải không
Nd 2 cơ bản
Độ dẫn ni
  eN d e  e h  eN d e 4.36
Nd
 4.2.2 Bán dẫn loại p
Xét tinh thể Si được pha tạp bởi các nguyên tử hóa trị ba như
B, Al, Ga hoặc In
Giả sử rằng Si được pha tạp Boron

Vì B có 3 electron hóa trị nên khi liên kết với 4 nguyên tử Si lân cận,
một trong các liên kết bị thiếu electron gọi là lỗ trống.
Một điện tử hóa trị ở gần có thể chuyển vào lỗ trống này và lỗ trống
dịch chuyển ra xa nguyên tử B
Lỗ trống này có thể bị hút bởi ion âm B- và chuyển động quanh nó
Năng lượng liên kết gần bằng 0,05 eV
Ở nhiệt độ phòng, sự dao động nhiệt của mạng tinh thể có thể giải
phóng lỗ trống khỏi vị trí ion B
Sự thoát ra của lỗ trống từ vị trí B liên quan đến việc nguyên tử B
nhận một điện tử từ liên kết Si-Si lân cận (từ vùng hóa trị)
Nguyên tử B được đưa vào tinh thể Si đóng vai trò là chất nhận
êlectron. Nguyên tử này được gọi là tạp chất axepto
Bằng cách pha tạp chất B vào Si, ta có vật liệu loại p. Số
lượng lỗ trống lớn hơn số lượng êlectron dẫn điện vì
nguyên tử B mang điện tích âm không chuyển động
Ở nhiệt độ phòng, tất cả các axepto đều bị ion hóa:
p  Na 4.40

Trong đó Na là nồng độ tạp chất axepto

2
Nồng độ êlectron: n 4.41
n i

Na
Độ dẫn điện   eN a h 4.42
4.2.3 Pha tạp bù
Pha tạp bù là pha tạp chất bán dẫn đồng thời hai loại
đôno và axepto để điều khiển tính chất của vật liệu.

Chất bán dẫn loại p có nồng độ

axepto Na sẽ được chuyển đổi
thành chất bán dẫn loại n bằng
cách pha tạp đôno sao cho Nd
lớn hơn Na
Khi cả đôno và axepto đều có
mặt, các điện trong vùng
vùng dẫn phát sinh do ion
hóa tạp đôno và lỗ trống phát
sinh tropng vùng hóa trị do
ion hóa axepto:

np = ni2
Khi một nguyên tử tạp chất axepto nhận một điện tử từ vùng hóa
trị, một lỗ trống được tạo ra trong vùng hóa trị . Lỗ trống này sau
đó tái hợp với một điện tử từ vùng dẫn (do ion hóa đôno).
Na lỗ trống được tạo ra bởi Na axepto dẫn đến nồng độ điện tử
giảm bởi Na.
Trong trường hợp Nd > Na, nồng độ điện tử:
n = Nd-Na >>ni 2 4.44
ni
Nồng độ lỗ trống p
Nd  Na 4.45
Trong trường hợp Na > Nd, nồng độ lỗ trống:
p = Na-Nd>>ni 4.46

Nồng độ điện tử: ni2

n
Na  Nd 4.47

Nếu ni  N d  N a hạt tải điện riêng chiếm ưu thế. Bán dẫn có tính
chất của bán dẫn riêng bù hay hầu như bù toàn phần. Mức Fermi sẽ
nằm ở giữa vùng cấm.

Đối với bán dẫn bù toàn phần: Na = Nd 4.48

 4.3 Sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện
4.3.1 Sự phụ thuộc nhiệt độ của nồng độ hạt tải
Xét chất bán dẫn loại n được pha tạp với nồng độ Nd, trong đó Nd >>
ni
Ở nhiệt độ thấp, độ dẫn điện bằng không vì các tạp chất đôno không
bị ion hóa do năng lượng dao động nhiệt nhỏ
Khi T tăng lên, một số nguyên tử đôno sẽ bị ion hóa và các electron
được giải phóng chuyển vào vùng dẫn

Năng lượng ion hóa đôno: E  Ec  Ed

Ed

Sự phụ thuộc nhiệt độ của nồng độ electron trong

chất bán dẫn loại n.
 Do năng lượng ion hóa của đôno nhỏ hơn Eg, các electron được
kích thích nhiệt chuyển từ Ed lên đến Ec
Khi T tăng hơn nữa , tất cả các nguyên tử đôno bị ion hóa, nồng độ
điện tử bằng với nồng độ của tạp đôno
Ở nhiệt độ rất cao, dao động nhiệt của nguyên tử sẽ rất mạnh, nhiều
liên kết Si-Si bị phá vỡ, sự phát sinh hạt tải do kích thích nhiệt, điện
tử chuyển từ vùng hóa trị qua vùng cấm lên vùng dẫn chiếm ưu thế

(a) Dưới Ts, nồng độ electron được kiểm soát bởi sự ion hóa của các nguyên tử tạp đôno.
(b) Ts< T<Ti, nồng độ electron bằng nồng độ của tạp chất đôno vì chúng đều đã bị ion hóa.
(c) Ở nhiệt độ cao, các electron được kích thích nhiệt chuyển từ VB lên CB có số lượng
lớn hơn số Electron phát sinh bởi các n/tử đôno ion hóa và chất bán dẫn hoạt động như
kiểu bán dẫn riêng
Sự phụ thuộc của nồng độ êlectron vào nhiệt độ được biểu diễn
trong ba vùng:
a. Vùng nhiệt độ thấp (T<Ts)
Trong vùng này, xảy ra quá trình ion hóa các n/tử tạp đôno.
Quá trình này tiếp tục cho đến khi nhiệt độ đạt giá trị bão
hòa, Ts.
Khoảng nhiệt độ này được gọi là vùng nhiệt độ ion hóa
 E 
1/ 2
1  4.50
n   Nc N d  exp   
2   2kT 
b. Vùng nhiệt độ trung gian (Ts<T<Ti)
Trong vùng này, tất cả các n/tử đôno đã bị ion hóa hoàn toàn:
n = Nd 4.51

Vùng nhiệt độ này được gọi là vùng nhiệt độ ngoại lai.

c. Vùng nhiệt độ cao (T >Ti)
Nồng độ của các điện tử được tạo ra do kích thích nhiệt qua
vùng cấm, ni lớn hơn nhiều so với Nd :
n = ni 4.52

4.53

Kích thích êlectron từ vùng hóa trị

lên vùng dẫn, dẫn đến nồng độ lỗ
trống bằng nồng độ electron:
p=n 4.54

4.3.2 Độ linh động: sự phụ thuộc vào nhiệt độ và tạp chất

Trong vùng nhiệt độ cao, độ linh động cuốn bị hạn chế
bởi sự tán xạ trên dao động mạng tinh thể
Độ linh động của điện tử μ phụ thuộc vào thời gian tự do
trung bình  giữa các tán xạ:
 Trong đó

S là diện tích mặt cắt ngang của tâm tán xạ; vth là tốc độ trung bình
của các electron, được gọi là vận tốc nhiệt; Ns là số tâm tán xạ
trong một đơn vị thể tích
Nếu a là biên độ dao động của nguyên tử xung quanh vị trí cân
bằng:

Động năng TB của e-:

Thời gian trung bình L giữa các tán xạ bởi dao động mạng:

Khi cường độ dao động nguyên tử a2 tăng theo nhiệt độ, độ

linh động cuốn giảm theo T theo quy luật :
  T 3/ 2 4.55
 Ở nhiệt độ thấp, sự tán xạ của các điện tử bởi các tạp chất
ion hóa sẽ chiếm ưu thế.

PE của một electron ở khoảng cách r so với ion As+ gây

bởi lực hút Coulombic:

Nếu KE của điện tử nhỏ hơn PE tại r tính từ As+, PE tương

tác Coulom sẽ mạnh đến mức điện tử sẽ bị lệch hướng
mạnh
Tại r = rc:

Từ đó:
 Thiết diện tán xạ:

sự phụ thuộc nhiệt độ của thời gian tán xạ trung bình I

bởi các tạp chất:

trong đó NI là nồng độ của các tạp chất bị ion hóa

Ở nhiệt độ thấp, linh động cuốn chịu tác động chủ yếu bởi sự
tán xạ của điện tử bởi các ion tạp chất

  T 3/ 2 4.56
Sự phụ thuộc tổng thể vào nhiệt độ của độ linh động cuốn:

1 1 1
  4.72
e I L

Đồ thị log-log của độ linh

động cuốn theo nhiệt độ đối
với các bán dẫn Ge loại n và
Si loại n.

Đối với Ge có nồng độ pha tạp thấp (Nd = 1013cm-3), độ linh động bị
ảnh hưởng chủ yếu bởi dao động nhiệt của mạng tinh thể
 Sự biến thiên
của độ linh
động cuốn theo
nồng độ tạp
chất trong Si
đối với các điện
tử và lỗ trống ở
300 K.

4.3.3 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của độ dẫn điện

Độ dẫn của chất bán dẫn pha tạp đôno phụ thuộc vào
nồng độ điện tử và độ linh động cuốn
Ở nhiệt độ thấp trong vùng ion hóa, nồng độ điện tử phụ
thuộc vào nhiệt độ theo hàm mũ
 (E E d ) 
1/ 2
1 
n   Nc Nd  exp  c 4.73
2   2kT 
-Ở T thấp, độ dẫn điện bị chi phối chủ yếu bởi sự phụ
thuộc nhiệt độ của nồng độ điện tử
ni2
  ene  e h  ene 4.74
n
-Ở nhiệt độ rất cao, độ dẫn điện bị chi phối chủ yếu bởi
sự phụ thuộc nhiệt độ của nồng độ tải thuần

  eni (e  h ) 4.75

 Eg 
ni  N c N v exp  
 2 kT 
ni phụ thuộc vào nhiệt độ theo hàm e mũ còn μ T-3/2
-Trong vùng nhiệt độ ngoại lai, n = Nd , độ dẫn điện
tuân theo sự phụ thuộc nhiệt độ của độ linh động
cuốn.
Sơ đồ minh họa sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện đối
với chất bán dẫn pha tạp (loại n).
Đồ thị bán logarit của độ dẫn điện phụ thuộc vào 1/T
4.4 Chất bán dẫn suy biến và không suy biến

Khi Ec cao hơn Ef vài kT, thống kê Fermi-Dirac được thay thế bằng
thống kê Boltzmann
Trong trường hợp này, biểu thức nồng độ của các electron trong
vùng dẫn:
 ( Ec  E f ) 
n  N c exp    4.76
 kT 

Những chất bán dẫn có n << Nc hoặc p << Nv được gọi là chất bán
dẫn không suy biến
Khi chất bán dẫn bị pha tạp mạnh , n hoặc p rất lớn (1019-1020cm-3)
Chúng có thể so sánh với hoặc lớn hơn Nc hoặc Nv. Nguyên lý loại
trừ Pauli được tuân thủ và thống kê Fermi-Diract được sử dụng
Chất bán dẫn thể hiện các đặc tính giống kim loại hơn giống chất bán
dẫn (ví dụ ρT)
Chất bán dẫn có n > Nc hoặc p > Nv gọi là chất bán dẫn suy biến
Trong chất bán dẫn suy biến, nồng độ hạt tải điện rất lớn do pha tạp
mạnh
Trong chất bán dẫn suy biến loại n, các nguyên tử đôno phân bố
gần nhau đến mức các obitan của chúng xen chồng lên nhau tạo
thành một dải năng lượng hẹp.
Dải năng lượng hẹp sẽ trở thành một phần của vùng dẫn: Ec hơi
dịch chuyển xuống và Eg trở nên hẹp hơn một chút.

(a) Bán dẫn suy biến

loại n. Số lượng
lớn các tạp đôno
tạo thành vùng
năng lượng
chồng lên CB.
(b) Bán dẫn suy biến
loại p.
Êlectron từ các n/tử đôno lấp đầy vùng dẫn từ mức Ec. Tình huống
này giống như trường hợp electron hóa trị lấp đầy vùng năng lượng
xen chồng lên nhau trong kim loại
Trong chất bán dẫn suy biến loại n, mức Fermi nằm trong vùng dẫn
hoặc cao hơn Ec
Phần lớn các trạng thái giữa Ec và Ef bị điện đầy bởi êlectron
Trong trường hợp bán dẫn suy biến loại p, mức Fermi nằm trong
vùng hóa trị dưới mức Ev.
Trong chất bán dẫn suy biến, không thể giả định rằng
n = Nd và p = Nv
vì nồng độ tạp rất lớn nên chúng tương tác với nhau.
Không phải tất cả n/tử tạp chất đều có thể bị ion hóa. Nồng độ đạt
đến giá trị bão hòa khoảng 1020 cm-3.
Khi đó biểu thức np = ni2 không có giá trị.
4.5 Tái hợp và phun hạt tải không cơ bản
4.5.1. Tái hợp trực tiếp và gián tiếp
Quá trình khi một điện tử tự do trong CB của một tinh thể, "gặp"
một lỗ trống trong VB, nó chuyển xuống trạng thái trống điện tử
với năng lượng thấp này được gọi là tái hợp .

VD: Tái hợp trực tiếp trong

GaAs; kcb = kvb sao cho thỏa
mãn bảo toàn động lượng.

Quá trình tái hợp giữa êlectron

và lỗ trống phải tuân theo định
luật bảo toàn động lượng

kvb=kcb 3.82
Tái hợp trực tiếp là quá trình trong đó điện tử trực tiếp tái hợp với lỗ
trống

- Trong chất bán dẫn vùng cấm thẳng, vectơ sóng / động lượng của
êlectron và lỗ trống bằng nhau. Chúng có thể tái hợp với nhau mà
không có bất kỳ tương tác nào với phonon
- Trong chất bán dẫn vùng cấm xiên , các êlectron và lỗ trống thường
không có cùng véctơ sóng/ động lượng. Chúng sẽ tái hợp bởi sự
tương tác (hấp thụ/bức xạ) với phonon
Tái hợp gián tiếp là quá trình trong đó điện tử tái hợp với lỗ trống
thông qua các tâm tái hợp
Các tâm tái hợp: các nguyên tử tạp chất hoặc một khuyết tật tinh thể
Trong giản đồ năng lượng, tâm tái hợp là một trạng thái điện tử
định xứ nằm dưới Ec trong vùng cấm, thường là gần giữa vùng cấm.
Êlectron bị bắt bởi tâm này và sau đó lỗ trống sẽ chuyển đến và kết
hợp lại với nó

Sự tái tổ hợp trong Si thông qua một tâm tái hợp có mức năng lượng
định xứ tại Er trong vùng cấm , thường là gần giữa vùng.
Tái hợp và bẫy hạt tải. (a) Sự tái hợp trong Si thông qua một tâm tái hợp có mức
năng lượng định xứ tại Er trong vùng cấm, thường là gần giữa vùng . (b) Bẫy và
tách electron bằng các tâm bẫy. Tâm bẫy có mức năng lượng định xứ trong vùng
cấm gần bờ vùng năng lượng.
Bẫy hạt tải điện: quá trình liên quan đến việc loại bỏ tạm thời các
điện tử khỏi CB hoặc lỗ trống khỏi VB.
Các tâm bẫy điện tử được phân bố gần đáy vùng dẫn Ec
Các tâm bẫy lỗ được phân bố gần đính vùng hóa trị

Hiện tượng bẫy và tách electron bởi các tâm bẫy.

4.5.2. Thời gian sống hạt tải không cơ bản
Xét chất bán dẫn loại n
Các electron là hạt tải điện cơ bản được phát sinh nhờ q/t ion hóa
nhiệt của các n/tử tạp đôno
Các lỗ trống là các hạt tải điện không cơ bản được được phát sinh
do chuyển mức vùng -vùng bởi q/t kích thích nhiệt
Trong điều kiện cân bằng nhiệt ở trong tối, định luật tác dụng của
khối lượng được tuân thủ:
nno pno  ni2 3.83
Trong đó nno là nồng độ hạt tải điện
cơ bản, pno là nồng độ hạt tải điện
không cơ bản.
Khi chất bán dẫn được chiếu sáng,
các cặp electron - lỗ trống mới (hạt
tải điện dư) được tạo ra.
 Khi chiếu sáng, nồng độ electron trong chất bán dẫn loại n :

nn  nno  nn 3.84

Trong đó nn là nồng độ điện tử dư (hạt tải điệncơ bản )

Nồng độ lỗ trống trong chất bán dẫn loại n:

pn  pno  pn 3.85

Trong đó pn là nồng độ lỗ dư (hạt tải điện không cơ bản)

q/t kích thích quang tạo ra một số lượng electron và lỗ trống dư

bằng nhau
nn  pn 3.86

Định luật tác dụng của khối lượng không được tuân thủ :
nn pn  ni2 3.87
 npni2

VD: Xét chất bán dẫn Si loại n

Trong tối, nno là 5x1016 cm-3 và pno là 2x103cm-3.
Chiếu sáng yếu gây ra sự thay đổi 10% nno (nồng độ hạt tải cơ bản
trong tối)
nn = pn = 0,5x1016 cm-1
nn = 5,5x1016cm-3 pn  pn = 0,5x1016cm-3;
Nó cho thấy rằng nồng độ hạt tải không cơ bản tăng mạnh
 nn  pn

Sự chiếu sáng đối với chất bán dẫn loại n dẫn đến phát sinh nồng
độ điện tử và lỗ trống dư.
Khi tắt chiếu sáng , các hạt tải điện cơ bản dư và hạt tải điện
không cơ bản dư sẽ bị loại bỏ bằng cách tái hợp.
Trong tối sau khi được chiếu sáng, quá trình tái hợp sẽ khôi phục
lại trạng thái cân bằng;
Thời gian sống của hạt tải không cơ bản h là thời gian
trung bình tồn tại một lỗ trống (hạt tải không cơ bản)
trong vùng hóa trị từ khi phát sinh đến khi tái hợp; thời
gian trung bình lỗ trống ở trạng thái tự do trước khi tái
hợp lại với điện tử .
1/ h là xác suất trung bình trên một đơn vị thời gian mà
một lỗ trống sẽ tái hợp với một điện tử
Tốc độ gia tăng nồng độ hạt tải không cơ bản dư:
d pn pn
 G ph 
dt h 3.88

Trong đó Gph là tốc độ phát sinh do kích thích quang; số hạng thứ
hai là tốc độ tái hợp của các lỗ trống dư
+ Xét sự thay đổi của nồng độ hạt tải không cơ bản khi chiếu sáng
dạng bậc/xung lên chất bán dẫn loại n tại thời điểm t = 0 và tắt chiếu
sáng ở t = toff (>> h)

Nồng độ hạt tải không

cơ bản tăng dạng hàm
mũ theo thời gian và
đạt đến giá trị bão
hòa/ổn định

Nồng độ hạt tải điện hạt tải không cơ bản dư pn (t) tăng theo hàm
mũ đến giá trị ổn định với một hằng số thời h.
  t 
pn (t )   hG ph 1  exp     3.89
 
 h 
From toff, nồng độ hạt tải điện không cơ bản dư giảm dần theo
hàm mũ đến giá trị cân bằng pno.
 t 
pn (t )   hG ph exp   
 h  3.90
Độ dẫn điện khi chất bán dẫn được chiếu sáng

  ee n  eh p  en(e  h ) 3.91

+ Xét một chất bán dẫn loại n được cấp một trường ngoài Ex và được
chiếu sáng liên tục ở phía bên trái

Mật độ dòng điện do chuyển động của electron

dn
je  ene Ex  eDe 3.92
dx
Dòng cuốn và khuếch tán do chuyển động của êlectron theo hướng
ngược chiều nhau
Mật độ dòng điện do chuyển động của lỗ trống
dp
jh  eph Ex  eDh 3.93
dx

Dòng cuốn và dòng khuếch tán do chuyển động của lỗ

là cùng chiều
Hệ số khuếch tán và độ linh động cuốn có liên quan với
nhau thông qua hệ thức Einstein
De kT
 3.94
e e
Dh kT 3.95

h e

Hệ số khuếch tán tỷ lệ với nhiệt độ và độ di động

 4.6 Áp điện trở
- Áp điện trở là sự thay đổi điện trở suất của chất bán dẫn (thực sự là
bất kỳ vật liệu nào), do ứng suất tác dụng.

trong đó π là hệ số được gọi là hệ số áp điện trở; π có đơn vị là

m2 ∕ N hoặc 1 ∕ Pa. σm là ứng suất
- Hệ số áp điện trở π phụ thuộc vào dạng pha tạp p- hay n, nồng
độ tạp,nhiệt độ và hướng tinh thể.

Sự thay đổi thành phần điện trở suất dọc theo hướng dòng điện
(hướng dọc) được cho bởi

trong đó πL là hệ số áp điện trở theo hướng dọc (khác nhau đối

với Si loại p và n), và πT là hệ số áp điện trở ngang.
Áp điện trở và các ứng dụng. (a) Ứng suất m dọc theo hướng dòng điện
(theo chiều dọc) làm thay đổi điện trở suất của . (b) Ứng suất L và T gây
ra sự thay đổi điện trở suất. (c) Một lực tác dụng lên thanh dầm sẽ làm cong
nó. Một áp điện trở ở đầu đỡ (nơi ứng suất lớn) được sử dụng đo ứng suất,
tỷ lệ với lực. (d) Một cảm biến áp suất có áp điện trở R1, R2, R3, R4 được
cấy trong một màng Si. Áp suất làm cong màng Si, tạo ra ứng suất được cảm
nhận bởi bốn áp điện trở .
 4.7 Tiếp xúc Schottky
Điốt Schottky

Walter H. Schottky (1886–

1976) obtained his PhD
Độ cao rào thế Schottky ΦB
from the University of
Berlin in 1912.
Hình thành tiếp xúc Schottky giữa kim loại và bán dẫn loại n khi
m> n. Vo: điện thế tiếp xúc

eV0 = Φm − Φn
Vùng nghèo (lớp điện tích không gian) là vùng bị cạn kiệt các hạt
tải điện tự do (điện tử) và chứa các ion dương đôno.
 -Phân cực thuận: bán dẫn
được kết nối với cực âm
Vo được giảm xuống Vo – V
ΦB không thay đổi.

PE = e(Vo − V).

- Phân cực ngược

PE = e(Vo + V).

trong đó J0 là dòng bão hòa

ngược

trong đó Be là hệ số
Richardson hiệu dụng

Đặc trưng I-V thể hiện tính chỉnh lưu và linh kiện gọi là
điốt Schottky
 Nguyên lý h/đ của pin mặt trời tiếp
xúc Schottky.
- h > Eg, các cặp electron - lỗ trống
được tạo ra trong vùng suy giảm
- Điện trường tiếp xúc tách các cặp
electron - lỗ trống và đẩy các electron
về phía chất bán dẫn và lỗ trống về phía
Kim loại.
- Đầu chất bán dẫn trở nên âm hơn so
với tình trạng trong tối hoặc trạng thái
cân bằng
- Lỗ trống dịch chuyển tới kim loại, nó
liên kết lại với một êlectron và làm giảm
điện tích hiệu dụng ở đó bởi một
electron, do đó làm cho đầu KL dương
hơn so với trạng thái trong tối của nó.
- Do đó, một điện áp phát sinh ở tiếp
xúc Schottky với điện thế dương ở đầu
Fig 5.41 kim loại và điện thế âm ở đầu bán dẫn
 Bộ thu quang nhanh

Điốt quang Schottky phân cực ngược thường được sử dụng làm bộ thu
quang nhanh.
Vr = Vo + Vr (Vr ≫ Vo).
tăng vận tốc chuyển động cuốn của e và h trong vùng nghèo hạt tải
vd = μdE
dòng quang điện Iphoto trong mạch ngoài là do c/đ cuốn của các quang hạt tải
phát sinh trong vùng nghèo và có thể dễ dàng đo được.
4.8 TIẾP XÚC OHMIC VÀ BỘ LÀM LẠNH NHIỆT ĐIỆN

Xét tiếp xúc của một kim loại có công thoát nhỏ hơn công thoát bán
dẫn loại n.
Hình thành một tiếp xúc ohmic ;
Tiếp xúc đó không hạn chế dòng điện;
Không có vùng nghèo hạt tải hoặc tích tụ hạt tải trong vùng tiếp xúc
 (a) Dòng điện từ chất bán dẫn
loại n sang kim loại dẫn đến
hiện tượng hấp thụ nhiệt ở
chỗ tiếp xúc.
(b) Dòng điện từ kim loại sang
chất bán dẫn loại n dẫn đến
sự tỏa nhiệt ở chỗ tiếp xúc.

Tùy thuộc vào hướng của dòng điện chạy qua lớp tiếp xúc giữa kim loại và
chất bán dẫn loại n mà nhiệt bị hấp thụ hoặc tỏa ra ở lớp tiếp xúc. Hiệu ứng
nhiệt điện này được gọi là hiệu ứng Peltier.
Khi các e đến cuối vùng tiếp xúc thì năng lượng của chúng là Ec + 3/2 kT.
Do đó, êlectron phải hấp thụ nhiệt từ môi trường (dao động mạng tinh thể)

- Vì EFm thấp hơn Ec, nên điện tử từ chất bán dẫn đi qua vùng tiếp xúc sẽ
mất năng lượng, năng lượng đó truyền cho các dao động mạng dưới dạng
năng lượng nhiệt.
Khi dòng điện một chiều chạy qua một chất bán dẫn có tiếp xúc với
kim loại ở hai đầu;
Một tiếp xúc sẽ hấp thụ nhiệt và nguội đi (tiếp xúc lạnh);
Tiếp xúc kia sẽ giải phóng nhiệt và nóng lên (tiếp xúc nóng).
Mặt cắt của một bộ làm lạnh nhiệt điện điển hình.
Cấu trúc điển hình của bộ làm lạnh nhiệt điện thương mại.
4.9 Linh kiện bán dẫn
4.9.1 Điốt bán dẫn
-Một diode bán dẫn cho phép dòng điện chạy
theo một hướng (tính chỉnh lưu)
- Điốt bao gồm các vùng bán dẫn pha tạp p-
và n liền kề nhau tạo thành chuyển tiếp p-n
Do tồn tại gradien nồng độ hạt tải, xảy ra sự
khuếch tán của các điện tử và lỗ trống
Vùng tiếp xúc trở nên nghèo các hạt tải tự do
Vùng nghèo / lớp điện tích không gian được
hình thành
Điện trường nội Eo hướng từ phía các
ion dương sang âm làm cho các lỗ
trống chuyển động cuốn trở lại vùng p
và các electron trở lại vùng n.
Dòng khuếch tán và dòng cuốn của điện
tử sẽ bằng nhau ở trạng thái cân bằng.
 (a) (b)

(a) Hai chất bán dẫn loại p và n riêng biệt (cùng loại vật liệu).
(b) Sơ đồ vùng chuyển tiếp p-n khi hai chất bán dẫn tiếp xúc. Mức Fermi
phải đồng nhất ở trạng thái cân bằng. Biên chuyển tiếp tại M. Vùng
xung quanh M chứa lớp điện tích không gian (SCL). Ở phía n của M,
SCL có các ion đôno tích điện dương trong khi ở phía p, SCL có ion
axepto tích điện âm.
 Ta có

Điện trường tiếp xúc

Trong đó ε = εoεr
Hiệu thế tiếp xúc

Trong đó Wo = Wn + Wp

Vo phụ thuộc vào nồng độ tạp chất

Bề rộng của vùng nghèo:

Trường hợp phân cực thuận

Giản đồ vùng năng lượng của một chuyển tiếp p-n: (a)
mạch hở, (b) phân cực thuận
Điện áp ngoài đặt vào chuyển tiếp ngược với hiệu điện thế
tiếp xúc Vo, làm giảm độ cao hàng rào PE từ eVo xuống e (Vo - V)
 Trường hợp phân cực ngược

Giản đồ vùng năng lượng của một chuyển tiếp p- n trong (c) ở điều kiện phân
cực ngược; và (d) sự phát sinh của các cặp lỗ trống electron do kích thích nhiệt
trong vùng nghèo dẫn đến dòng điện ngược nhỏ.
Vr thêm vào hiệu thế tiếp xúc Vo, vì vậy rào PE trở thành e(Vo + Vr)
Dòng khuếch tán hầu như không đáng kể vì nó tỷ lệ với exp[−e(Vo + Vr)∕kT]

Một dòng điện ngược nhỏ phát sinh từ thành phần dòng cuốn
Phương trình diode lý tưởng (Shockley)

Trong đó là dòng ngược bão hòa

Đặc trưng I-V

- Đặc trưng dòng điện-điện áp không đối xứng của điốt
được dùng để biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng
điện một chiều (chỉnh lưu).
 4.9.2 Điốt phát quang
Điốt phát quang (LED) là một điốt chuyển tiếp p-n thường được làm từ
một chất bán dẫnvùng cấm thẳng , trong đó sự tái hợp lỗ trống điện tử làm
phát sinhphoton

Phun hạt tải

không cơ
bản

Giản đồ vùng năng lượng của một chuyển tiếp p-n (loại n pha tạp mạnh ).
a. Không có điện áp. Lớp p thường mỏng. Mức Fermi là đồng nhất trên toàn bộ
linh kiện ; EFn = EFp.
b. T/h phân cực thuận với điện áp V. Sự tái hợp trực tiếp ở gần vùng chuyển
tiếp và trong khoảng chiều dài khuếch tán của các điện tử ở phía miền p dẫn
đến phát xạ photon.
Các mức Fermi được tách biệt và EFn - EFp = eV.
Quá trình tái hợp trực tiếp tự phát dẫn đến phát xạ photon tự phát: h ≈ E .
LED chuyển tiếp dị chất
active layer confining layer
(a) Một diode cấu trúc dị chất kép
có chaatschuyeenr tiếp nằm giữa
hai chất bán dẫn có Eg khác nhau
(GaAs và AlGaAs).
(b) Giản đồ vùng năng lượng. EF
phải đồng nhất.
(c) Giản đồ vùng năng lượngphân
cực thuận
(d) Đèn LED phân cực thuận. Sơ đồ
minh họa các photon thoát ra khỏi
sự tái hấp thu trong lớp AlGaAs và
được phát ra từ linh kiện

ΔEc là rào thế lượng ngăn cản điện tử

trong CB của p-GaAs đi qua CB của p-
AlGaAs.

Các electron bị giam giữ trong CB của

p-GaA
Các photon phát ra không được tái hấp
thụ !!!
 LED giếng lượng tử (QW)

(a) Giếng lượng tử của vật liệu có vùng cấm nhỏ hơn (Eg1) có độ dày d dọc theo x
được bao quanh bởi một vật liệu dày hơn có vùng cấm rộng hơn (Eg2).
(b) Các mức năng lượng electron liên quan đến chuyển động dọc theo x được
lượng tử hóa là E1, E2, E3, v.v.
(c) Cấu trúc QW cho thấy các mức năng lượng trong giếng và cách các hạt tải
điện do dòng điện mang lại chuyển vào mức năng lượng thấp nhất trong giếng
và sau đó tái hợp và phát xạ photon.
(a) Giản đồ vùng năng lượng với các tái hợp có thể.
(b) Sự phân bố theo năng lượng của các electron trong CB và các lỗ trống
trong VB. Nồng độ electron cao nhất là (1∕2) kT trên mức Ec.
(c) Giản đồ E-k (tương đương với giản đồ E-p) và các tái hợp trực tiếp trong
đó k được bảo toàn.
(d) Cường độ ánh sáng tương đối là một hàm của năng lượng photon (phổ
phát xạ photon)
Năng lượng của e- trong giếng lượng tử 1D

Nếu chúng ta cấp một điện áp thuận, thì

các electron và lỗ trống sẽ được phun
vào QW
Sự tái hợp bức xạ xảy ra giữa các điện
tử và lỗ trống trong QW dẫn tới sự phát
xạ photon.
A typical output spectrum (relative
Các photon này có thể dễ dàng thoát
spectral intensity versus
khỏi QW do chất bán dẫn xung quanh
wavelength) from an IR (infrared)
có vùng cấm rộng hơn.
AlGaAs LED
Hai lợi thế đặc biệt đối với QW:
Thứ nhất, các electron và lỗ trống đều bị giam giữ trong một không
gian rất hẹp, điều này thúc đẩy sự tái hợp.
Thứ hai, có một số lượng lớn các trạng thái ở năng lượng thấp nhất
(tại E1 và E1 ′) so với số lượng trạng thái ở Ec và Ev của một chất bán
dẫn khối.

Độ rộng phổ của LED:

4.9.3 Pin mặt trời Nguyên lý hoạt động cơ
bản của pin mặt trời.
Sự thay đổi điện trường
tiếp xúc khi chiếu sáng..

Các điện cực răng lược trên

bề mặt của pin mặt trời làm
giảm điện trở nối tiếp
Các quang lỗ trống được phát sinh trong vùng có bề rộng chiều dài khuếch
tán Lh có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị quét qua phía p.
Các quang điện tử được phát sinh trong vùng có bề rộng cỡ độ dài khuếch
tán Le có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị quét qua phía n .

Điện áp hở mạch tổng cộng hình thành giữa các đầu cuối của linh kiện với
phía p dương so với phía n.
 Một pin mặt trời chuyển tiếp
n-p ở điều kiện ngắn mạch.
Le: Chiều dài khuếch
tán của điện tử (hạt tải
không cơ bản)

Các quang hạt tải được phát sinh trong thể tích Lh + W + Le làm phát sinh dòng
quang điện Iph.
Các quang lỗ trống được phát sinh trong vùng có bề rộng cỡ chiều dài
khuếch tán Lh có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị quét qua phía p.
Các quang điện tử được phát sinh trong vùng có bề rộng cỡ độ dài khuếch
tán Le có thể khuếch tán đến miền nghèo và bị quét qua phía n
Nếu các điện cực của linh kiện bị đoản mạch, các quang điện tử chuyển động
cuốn về phía miền n có thể đi qua mạch ngoài để trung hòa các quang lỗ trống
đã chuyển động cuốn về phía miền p.
Dòng điện này do dòng của các quang hạt tải được gọi là dòng quang.
 Dòng điện ngắn mạch của pin mặt trời khi chiếu sáng

trong đó I là cường độ ánh sáng và K là hằng số

Đặc trưng I–V của pin mặt trời

η là hệ số lý tưởng (η = 1−2)

Các đặc trưng I – V của pin mặt trời

Si.
Dòng ngắn mạch là Iph và điện áp hở
mạch là Voc.
Các đường cong I-V cho dòng điện
dương yêu cầu một điện áp ngoài.
Hoạt động của pin luôn nằm trong
miền dòng điện âm .
(a) Khi pin mặt trời có tải R, R có cùng hiệu điện thế với pin mặt trời nhưng
dòng điện qua nó ngược chiều với dòng điện chạy từ điện thế cao xuống
thế thấp.
(b) Dòng điện I′ và điện áp V′ trong mạch của (a) có thể đượcxác định từ việc
xây dựng đường tải. Điểm P là điểm hoạt động (I′, V′). Dòng tải cho R = 3 Ω.
Dòng tải
Công suất trên tải
Hệ số lấp đầy FF:
4.9.4 Tranzito
-Tranzito được sử dụng để khuếch đại và chuyển mạch tín hiệu điện
a. Tranzoto lưỡng cực chuyển tiếp p-n-p (hoặc n-p-n)

(a) Sơ đồ minh họa của tranzito lưỡng cực pnp với ba vùng pha tạp khác nhau.
(b) Tranzito lưỡng cực pnp hoạt động trong chế độ bình thường và tích cực.
(c) Cấu hình với các mạch đầu vào và đầu ra.
(d) Hình minh họa các thành phần dòng điện khác nhau trong chế độ bình thường và
tích cực.
- Tranzito lưỡng cực gồm hai chuyển tiếp p-n giáp lưng
với nhau. Vùng trung tâm (Bazơ) rất mỏng (~ 1 micron)
và bị kẹp giữa vùng emitơ và vùng colectơ .
- Chuyển tiếp emitơ- bazơ được phân cực thuận và các lỗ
trống được đẩy / phun qua chuyeenr tiếp. Một số lỗ trống
tái hợp với các điện tử trong miền bazơ, nhưng hầu hết đi
qua bazơ vì nó rất mỏng. Sau đó, chúng bị quét về phía
colectơ vì chuyển tiếp bazơ – colectơ được phân cực
ngược.
- Một sự thay đổi nhỏ trong điện áp emitơ-bazơ gốc gây ra
sự thay đổi tương đối lớn của dòng điện emitơ-colectơ
và do đó thay đổi điện áp lớn trên điện trở đầu ra (“tải”).
Do đó, một tín hiệu điện áp được khuếch đại.
Hệ số khuếch đại dòng điện emitơ chung βF
IC
F 
IB
βF là tỷ số giữa dòng điện colectơ một chiều và dòng điện bazơ
một chiều trong vùng tích cực thuận.
Nó thường lớn hơn 100 đối với tranzitơ tín hiệu nhỏ.
Hệ số khuếch đại dòng điện bazơ chung, αF.
IC
F 
IE
F là tỷ số giữa dòng điện colectơ một chiều và dòng điện
emitơ một chiều trong vùng tích cực thuận.
F thường có giá trị cỡ bằng 1; từ 0,98 đến 0,998. Nó nhỏ
hnhor1 do sự tái hợp của các hạt tải điện khi chúng đi qua
vùng bazơ.
Đặc trưng I-V của tranzito lưỡng cực pnp